HIGH-FREQUENCY TRANSMISSION LINE AND ELECTRONIC DEVICE

　本発明の第１の実施形態に係る高周波伝送線路について、図を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る高周波伝送線路の外観斜視図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る高周波伝送線路の分解斜視図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る高周波伝送線路を構成する各層の導体パターンを示す平面図である。図３（Ａ）は各導体パターンの重なり状態を示す図であり、図３（Ｂ）は第２グランド導体を示し、図３（Ｃ）は信号導体を示し、図３（Ｄ）は第１グランド導体を示す。

図４は、図３のＡ－Ａ断面図、Ｂ－Ｂ断面図、およびＣ－Ｃ断面図である。なお、図の見やすさを優先して、図１、図２では第１主面側が上側となるように図示しており、図３、図４では、第２主面側が上側となるように図示している。

　高周波伝送線路１０は、誘電体素体２００、レジスト膜３１，３２、およびコネクタ４１，４２を備える。誘電体素体２００は、一方向に伸長する長尺状の平板からなる。以下では、伸長する方向を長尺方向と称し、当該長尺方向と厚み方向に直交する方向を短尺方向と称する。そして、誘電体素体２００における長尺方向に平行で厚み方向に直交する面（厚み方向の両端面）を、それぞれ第１主面および第２主面と称する。

　レジスト膜３１は、誘電体素体２００の第１主面の全面に配設されており、レジスト膜３２は、誘電体素体２００の第２主面の全面に配設されている。レジスト膜３１，３２は、絶縁性を有する材料からなる。

　コネクタ４１は、誘電体素体２００における長尺方向の一方端に配設されている。コネクタ４２は、誘電体素体２００における長尺方向の他方端に配設されている。コネクタ４１，４２は、誘電体素体２００の第１主面に配設されている。

　図２に示すように、誘電体素体２００は、誘電体層２０１，２０２，２０３を厚み方向に積層してなる。誘電体層２０１，２０２，２０３は、可撓性を有する絶縁性樹脂からなり、例えば液晶ポリマを材料としている。各誘電体層２０１，２０２，２０３の厚みは１０μｍ～１００μｍ程度である。液晶ポリマからなる誘電体層２０１，２０２，２０３を用いる場合、積層後、熱圧着することで各誘電体層間の界面を接合することにより、誘電体素体２００が作製される。誘電体層２０１側が誘電体素体２００の第１主面側であり、誘電体層２０３側が誘電体素体２００の第２主面側である。

　誘電体素体２００は、機能的には主線路部と外部接続部とからなり、主線路部の長尺方向の両端にそれぞれ外部接続部が備えられている。外部接続部の幅（短尺方向の長さ）は、主線路部の幅（短尺方向の長さ）よりも広い。

　（主線路部の構造）
　誘電体層２０１の第１主面側（レジスト膜３１が配設される側）の面には、第１グランド導体２１０が配設されている。第１グランド導体２１０は、導電性の高い材料からなり、例えば銅（Ｃｕ）等の金属箔からなる。

　第１グランド導体２１０は、誘電体層２０１の第１主面側の略全面に形成されている。第１グランド導体２１０には、複数の開口部２１１Ｌ，２１１Ｓが設けられている。開口部２１１Ｌと開口部２１１Ｓは開口面積が異なる。開口部２１１Ｌは、第１グランド導体２１０における長尺方向の中央領域ＲｅＣに設けられている。ここで、中央領域ＲｅＣとは、例えば、長尺方向の全長を三分割した真ん中の領域である。複数の開口部２１１Ｓは、開口部２１１Ｌの配設範囲を挟んで長尺方向の両側（両端部ＲｅＥの中央領域ＲｅＣ側の範囲）に設けられている。

　誘電体層２０２の第２主面側（誘電体層２０１と反対側）の面には、信号導体２２０が配設されている。信号導体２２０も、導電性の高い材料からなり、例えば銅（Ｃｕ）等の金属箔からなる。

　信号導体２２０は、誘電体層２０２の長尺方向に沿って伸長する長尺状からなる。信号導体２２０は、誘電体層２０２（誘電体素体２００）の幅方向の略中央に配設されている。信号導体２２０は、長尺方向の両端部の幅Ｗ_Ｃよりも中央領域ＲｅＣの幅Ｗ_Ａの方が広くなる形状からなる。

　また、信号導体２２０は、図３に示すように、長尺方向の両端部から中央領域ＲｅＣに向かって、幅が徐々に広くなるように、設けられている。具体的には、図４に示すように、中央領域ＲｅＣの幅Ｗ_Ａは両端部の幅Ｗ_Ｃよりも広く、中央領域ＲｅＣと両端領域ＲｅＥの境界付近の幅Ｗ_Ｂは、中央領域ＲｅＣの幅Ｗ_Ａと両端部の幅Ｗ_Ｃとの間の幅である。この際、信号導体２２０の幅は、図３に示すように、長尺方向の両端部から中央領域ＲｅＣに向かって連続的に広くなるようにすることが好ましい。なお、本実施形態の高周波伝送線路１０では、信号導体２２０の中央領域ＲｅＣにおいて幅Ｗ_Ａは略一定である。

　このような構成により、信号導体２２０の中央領域ＲｅＣの純抵抗（直流抵抗）は両端領域ＲｅＥの純抵抗（直流抵抗）よりも小さくなり、信号導体２２０は長尺方向の中央に向かうほど純抵抗（直流抵抗）が小さくなる。これにより、信号導体２２０は、長尺方向の中央領域ＲｅＣの方が両端領域ＲｅＥよりも熱損失が小さくなり、長尺方向の中央に向かうほど熱損失が小さくなる。これにより、従来の構成における課題に示したような、信号導体２２０の熱損失による伝送損失を抑制することができる。

　誘電体層２０３の第２主面側（レジスト膜３２が配設される側）の面には、第２グランド導体２３０が配設されている。第２グランド導体２３０は、梯子形状からなり、長尺導体２３１，２３２、およびブリッジ導体２３３を備える。長尺導体２３１，２３２およびブリッジ導体２３３は、他の導体と同様の材料（例えば、銅等の金属箔）からなる。

　長尺導体２３１，２３２は、誘電体層２０３の長尺方向に沿って伸長する形状で形成されている。長尺導体２３１，２３２は、誘電体層２０３の幅方向（短尺方向）の両端付近に形成されている。この際、長尺導体２３１，２３２は、誘電体素体２００の第１主面および第２主面に直交する方向に見て、信号導体２２０と重ならないように配設されている。長尺導体２３１，２３２は一定の幅からなる。

　ブリッジ導体２３３は、誘電体層２０３の長尺方向に沿って間隔を空けて、複数配設されている。複数のブリッジ導体２３３は、矩形であり、長尺導体２３１，２３２を接続している。言い換えれば、長尺導体２３１，２３２は、長尺方向に沿って間隔を空けて複数箇所で、ブリッジ導体２３３によって接続されている。そして、この構成により、ブリッジ導体２３３で接続される部分の間は、開口領域２３４となる。言い換えれば、第２グランド導体２３０には、長尺方向に沿って複数の開口領域２３４が配設されている。

　第１グランド導体２１０と第２グランド導体２３０は、誘電体層２０１，２０２，２０３を貫通するように形成された層間接続導体２９０によって接続されている。より具体的には、第２グランド導体２３０を構成する長尺導体２３１，２３２がブリッジ導体２３３に接続する部分と第１グランド導体２１０とが、層間接続導体２９０によって接続されている。

　層間接続導体２９０は、例えばビアホール導体であり、例えばＡｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｎから選ばれる１つもしくは複数の金属を含む導電性ペーストを、誘電体層２０１，２０２，２０３に設けた孔に付与し、熱により金属化（焼結）させることにより形成される。液晶ポリマからなる誘電体層２０１，２０２，２０３を用いる場合、誘電体層２０１，２０２，２０３を熱圧着する工程における熱により、孔に付与された導電性ペーストを金属化させる。

　この構成により、第１グランド導体２１０と第２グランド導体２３０を略同電位、すなわち、これらの導体をグランド電位にすることができる。

　そして、このような構成とすることで、信号導体２２０を主線路とするトリプレート型の高周波伝送線路１０が薄型で形成される。この際、高周波伝送線路１０では、信号導体２２０と第１グランド導体２１０との結合が強いので、第１グランド導体２１０がメイングランドとなり、第２グランド導体２３０がサブグランドとなる。また、第２グランド導体２３０によって、信号導体２２０から外部へ漏洩する電磁波を抑圧するとともに、開口領域２３４が設けられていることで可撓性を高くすることができる。

　なお、当該高周波伝送線路１０の特性インピーダンスは、信号導体２２０と第１グランド導体２１０の形状や位置関係、および誘電体素体２００の材質特性によって基本的に決定される。すなわち、信号導体２２０の幅、および信号導体２２０とグランド導体２１１との距離Ｄ_０１によって、基本的な特性インピーダンスは決定される。さらに、信号導体２２０と第２グランド導体２３０との位置関係や距離Ｄ_０２等に基づく信号導体２２０と第２グランド導体２３０との結合を加味して、最終的に所望とする特性インピーダンス（例えば５０Ω）に設定される。

　例えば、具体的には、図４に示すように、誘電体層２０１，２０２の合計の厚みＤ_０１を誘電体層２０３の厚みＤ_０２よりも厚くすることで、信号導体２２０と第１グランド導体２１０との距離を誘電体素体２００の厚みの半分以上にする。すなわち、信号導体２２０は、誘電体素体２００の厚み方向において、厚み方向の中心よりも第１グランド導体２１０側と反対側にオフセットして配設されている。このような構成により、信号導体２２０と第１グランド導体２１０との容量性結合を低減して、特性インピーダンスを所望値に近づくように設定している。

　さらに、本実施形態の構成では、上述のように、信号導体２２０の幅が長尺方向によって変化する。具体的には、図４に示すように、中央領域ＲｅＣの幅Ｗ_Ａは両端領域ＲｅＥの幅Ｗ_Ｂ，Ｗ_Ｃよりも広く、両端領域ＲｅＥ内においても、中央領域ＲｅＣ側の幅Ｗ_Ｂは、端部側の幅Ｗ_Ｃよりも広い。さらに、図３に示すように、信号導体２２０の幅は、長尺方向の両端部から中央領域ＲｅＣに向かって連続的に広くなるようにすることが好ましい。

　したがって、第１グランド導体２１０の形状が中央領域ＲｅＣと両端領域ＲｅＥとで同じであれば、中央領域ＲｅＣの方が両端領域ＲｅＥよりも、信号導体２２０と第１グランド導体２１０との間の容量性結合が高くなる。これにより、中央領域は両端領域よりも、特性インピーダンスが低くなってしまう。

　しかしながら、本実施形態の高周波伝送線路１０では、第１グランド導体２１０の中央領域ＲｅＣに信号導体２２０と少なくとも一部が重なる複数の開口部２１１Ｌが設けられていることで、信号導体２２０と第１グランド導体２１０との対向面積を小さくすることができる。信号導体２２０の幅が広くなることによる静電容量の増加を、複数の開口部２１１Ｌを設けることによる静電容量の低下で相殺できる。これにより、信号導体の２２０の幅が広くなることによって高周波伝送線路１０の中央領域ＲｅＣの特性インピーダンスが変化することを抑制できる。

　さらに、本実施形態では、両端領域ＲｅＥの中央領域ＲｅＣ側の範囲にも、信号導体２２０と少なくとも一部が重なる複数の開口部２１１Ｓを設けている。この両端領域ＲｅＥの中央領域ＲｅＣ側の範囲は、中央領域ＲｅＣよりも信号導体２２０の幅は狭いが、両端と比較すると信号導体２２０の幅は広い。したがって、複数の開口部２１１Ｓを設けることで、中央領域ＲｅＣと同様に、特性インピーダンスが変化することを抑制できる。

　この際、中央領域ＲｅＣでの信号導体２２０の幅Ｗ_Ａと比較して、両端領域ＲｅＥの中央領域ＲｅＣ側の範囲での信号導体２２０の幅Ｗ_Ｂが狭いのに応じて、複数の開口部２１１Ｓによる開口面積は、複数の開口部２１１Ｌによる開口面積よりも小さい。これにより、長尺方向の位置に応じて開口面積が調整されるので、長尺方向のいずれの位置であっても、高周波伝送線路１０の特性インピーダンスを殆ど変化させない。

　これにより、高周波伝送線路１０は、全体として所望の特性インピーダンスに設定することができ、特性インピーダンスの不一致による伝送損失を抑制することができる。

　以上のように、本実施形態の構成を用いれば、熱損失を含む伝送損失を抑制した低損失な高周波伝送線路を実現することができる。

　なお、本実施形態では、図３に示すように、開口部２１１Ｌ，２１１Ｓは、誘電体素体２００を平面視して、少なくとも一部が信号導体２２０に重なるように配設しているが、重ならないように配設することも可能である。しかしながら、少なくとも一部が信号導体２２０に重なるように開口部２１１Ｌ，２１１Ｓを配設することで、より効果的に特性インピーダンスを調整することができ、好適である。

　また、開口部２１１Ｌ，２１１Ｓは、開口面積を変えるだけでなく、配設間隔を変えてもよい。また、開口部２１１Ｌ，２１１Ｓの開口面積を同じにして、配設間隔だけを変えてもよい。

　また、本実施形態の中央領域の設定例は一例であり、長尺方向の全長を四分割した真ん中の二つの領域を中央領域としてもよく、長尺方向の全長を五分割した真ん中の三つの領域を中央領域としてもよい。これらは、信号導体を幅広にしない状態での高周波伝送線路１０の熱分布に基づいて設定すればよい。

　さらに、本実施形態では、二種類の開口部２１１Ｌ，２１１Ｓを設ける例を示したが、中央領域ＲｅＣ等の区切りをつけることなく、信号導体２２０の幅が広くなるのにしたがって、開口部の開口面積を広げるようにしてもよい。

　（外部接続部の構造）
　図２に示すように、外部接続部では、第１グランド導体２１０には、外部接続用開口部２１２が設けられている。開口部２１２の中央には、外部接続用導体パターン２１３が配設されている。外部接続用導体パターン２１３は、層間接続導体２９０によって、信号導体２２０の端部に接続されている。

　また、外部接続部でも、第１グランド導体２１０と第２グランド導体２３０は、複数の層間接続導体２９０によって接続されている。

　レジスト膜３１には、開口領域３１０が設けられており、第１グランド導体２１０の一部と外部接続用導体パターン２１３は、開口領域３１０を介して第１主面側で外部に露出している。この露出された第１グランド導体２１０と外部接続用導体パターン２１３に対してコネクタ４１，４２が実装されている。

　以上のような構成からなる高周波伝送線路は、例えば次に示すように製造される。

　まず、片面銅貼りの液晶ポリマシートである第１、第２、第３の誘電体シートを用意する。第１の誘電体フィルムの第１主面側に、フォトリソグラフィー技術などを用いたパターニング処理により、第１グランド導体２１１、外部接続用導体パターン２１３を形成する。第２の誘電体フィルムの第２主面側に、パターニング処理により、信号導体２２０を形成する。第３の誘電体フィルムの第２主面側に、パターニング処理により、第２グランド導体２３１，２３２を形成する。なお、第１、第２、第３の誘電体フィルムには、各導体との組が、それぞれ複数個、配列形成されている。

　第１、第２、第３の誘電体シートにおける層間接続導体２９０を形成すべき位置に、貫通孔を設けて導電性ペーストを充填する。

　第１、第２、第３の誘電体シートを積層し、熱圧着する。この熱圧着により、導電性ペーストが焼結し、層間接続導体２９０が形成される。これにより、誘電体素体２００が複数配列形成された積層誘電体シートが形成される。

　誘電体素体２００にレジスト膜３１，３２を塗布し硬化させ、また、はんだ等の導電性材料を用いてコネクタ４１，４２を実装する。これにより、複数の高周波伝送線路１０が配列形成された複合体が形成される。この複合体から、それぞれ個別の高周波伝送線路１０を切り出す。

　上述の構造からなる高周波伝送線路１０は、次に示す携帯電子機器に用いることができる。図５（Ａ）は本発明の第１の実施形態に係る携帯電子機器の部品構成を示す側面断面図であり、図５（Ｂ）は当該携帯電子機器の部品構成を説明する平面断面図である。

　携帯電子機器７０は、薄型の機器筐体７１を備える。機器筐体７１内には、実装回路基板７２Ａ，７２Ｂと、バッテリーパック７００が配設されている。実装回路基板７２Ａ，７２Ｂの表面には、複数のＩＣチップ７４および実装部品７５が実装されている。実装回路基板７２Ａ，７２Ｂおよびバッテリーパック７００は、機器筐体７１を平面視して、実装回路基板７２Ａ，７２Ｂ間にバッテリーパック７００が配設されるように、機器筐体７１に設置されている。ここで、機器筐体７１はできる限り薄型に形成されているので、機器筐体７１の厚み方向においては、バッテリーパック７００と機器筐体７１との間隔が極狭い。したがって、この間に同軸ケーブルを配設することができない。

　しかしながら、本実施形態に示した高周波伝送線路１０を、当該高周波伝送線路１０の厚み方向と、機器筐体７１の厚み方向とが一致するように配設することで、バッテリーパック７００と機器筐体７１との間に、高周波伝送線路１０を通すことができる。そして、実装回路基板７２Ａにコネクタ４１を装着し、実装回路基板７２Ｂにコネクタ４２を装着する。これにより、バッテリーパック７００を中間に配して離間された実装回路基板７２Ａ，７２Ｂを、高周波伝送線路１０によって接続することができる。この際、高周波伝送線路１０は可撓性を有するので、バッテリーパック７００が中間に配置されていても、当該バッテリーパック７００の表面を沿うように配置でき、実装回路基板７２Ａ，７２Ｂを確実に接続することができる。

　さらに、本実施形態に示したように、高周波伝送線路１０は、低損失に高周波信号伝送できるので、実装回路基板７２Ａ，７２Ｂ間で、高周波信号を低損失に送受信することができる。

　また、上述の構造からなる高周波伝送線路１０は、次に示す通信機器モジュールにも用いることができる。図６は本発明の第１の実施形態に係る通信機器モジュールの構成を示す側面図である。

　通信機器モジュール７０Ａは、フロントエンド基板７１１、アンテナ基板７１２、および高周波伝送線路１０’によって構成される。フロントエンド基板７１１の実装面には、高周波フロントエンド回路を実現する各種の回路部品が実装されている。アンテナ基板７１２には、アンテナ導体７２０が形成されている。アンテナ基板７１２は、フロントエンド基板７１１の実装面側に、当該フロントエンド基板７１１から離間して配置されている。

　高周波伝送線路１０’は、一方端のコネクタ４１が第１主面側に装着され、他方端のコネクタ４２が第２主面側に装着されている。その他の構造は、上述の高周波伝送線路１０と同じである。高周波伝送線路１０’のコネクタ４１は、アンテナ基板７１２におけるフロントエンド基板７１１側の面に接続されている。高周波伝送線路１０’のコネクタ４２は、フロントエンド基板７１１におけるアンテナ基板７１２側の面（実装面）に接続されている。高周波伝送線路１０’は、可撓性を有するので、伸長方向の途中に屈曲部を形成することができる。このように、屈曲部を形成することで、高周波伝送線路１０’は、回路部品に接触しないような形状に成形された状態で、フロントエンド基板７１１とアンテナ基板７１２とを接続することができる。

　そして、本実施形態に示したように、高周波伝送線路１０’は、低損失に高周波信号伝送できるので、フロントエンド基板７１１とアンテナ基板７１２との間で、高周波信号を低損失に送受信することができる。

　次に、本発明の第２の実施形態に係る高周波伝送線路について、図を参照して説明する。図７は、本発明の第２の実施形態に係る高周波伝送線路を構成する各層の導体パターンを示す平面図である。図７（Ａ）は各導体パターンの重なり状態を示す図であり、図７（Ｂ）は第２グランド導体を示し、図７（Ｃ）は信号導体を示し、図７（Ｄ）は第１グランド導体を示す。

　図７に示すように、本実施形態の高周波伝送線路１０Ａは、第１の実施形態に係る高周波伝送線路１０に対して、第１グランド導体２１０に開口部が設けられておらず、第２グランド導体２３０Ａの形状が異なるものである。したがって、第１の実施形態に係る高周波伝送線路１０と異なる箇所のみを具体的に説明する。

　第１グランド導体２１０は、開口部を有さない誘電体層の全面に形成された導体パターンである。

　第２グランド導体２３０Ａは、長尺導体２３１Ａ，２３２Ａからなる。長尺導体２３１Ａ，２３２Ａは、誘電体素体の長尺方向に沿って伸長する長尺状であり、長尺方向の位置によって幅が異なる。具体的には、長尺導体２３１Ａ，２３２Ａの長尺方向の両端部の幅ＷＤ_１は、長尺導体２３１Ａ，２３２Ａの長尺方向の中央の幅ＷＤ_４よりも広い。また、長尺導体２３１Ａ，２３２Ａの中央領域ＲｅＣと両端領域ＲｅＥとの境界付近の幅ＷＤ_３は、両端部の幅ＷＤ_１よりも狭く、長尺方向の中央の幅ＷＤ_４よりも広い。

　また、長尺導体２３１Ａ，２３２Ａの幅は、長尺方向の中央に近づくにしたがって狭くなっている。この際、部分的に長尺方向に沿って幅が変化しない領域が存在してもよく、本実施形態の例であれば、長尺方向の両端部近傍と中央領域ＲｅＣのさらに中央部分では幅が変化しない。

　長尺導体２３１Ａ，２３２Ａにおける誘電体素体の短尺方向の両端側の辺は、長尺方向に沿って一直線になっている。

　このような構成とすることで、長尺導体２３１Ａ，２３２Ａの間隔（短尺方向に沿った距離）は、長尺方向に近づくほど広くなる。例えば、具体的には、図７に示すように、長尺導体２３１Ａ，２３２Ａの長尺方向の中央での間隔Ｇ_４は、長尺導体２３１Ａ，２３２Ａの長尺方向の両端部での間隔Ｇ_１よりも広い。また、長尺導体２３１Ａ，２３２Ａの中央領域ＲｅＣと両端領域ＲｅＥとの境界付近での間隔Ｇ_３は、両端部での間隔Ｇ_１よりも広く、長尺方向の中央での間隔Ｇ_４よりも狭い。

　このように、本実施形態の構成では、信号導体２２０の幅が広くなるほど、長尺導体２３１Ａ，２３２Ａの間隔が狭くなる。したがって、信号導体２２０の幅が広くなることによる信号導体２２０と長尺導体２３１Ａ，２３２Ａとの静電容量結合の増加を抑制できる。これにより、信号導体２２０の幅が広くなることによる特性インピーダンスの変化を抑制できる。

　さらに、本実施形態の高周波伝送線路１０Ａでは、ブリッジ導体の幅も長尺方向の位置によって変化する。例えば、具体的には、図７に示すように、具体的には、長尺方向の中央領域ＲｅＣに配設されたブリッジ導体２３３３の幅Ｗ_４は、長尺方向の両端部付近に配設されたブリッジ導体２３３１の幅Ｗ_１よりも狭い。また、長尺方向の中央領域ＲｅＣと両端領域ＲｅＥとの境界付近に配設されたブリッジ導体２３３２の幅Ｗ_３は、両端部の幅Ｗ_１よりも狭く、中央領域の幅Ｗ_４よりも広い。すなわち、ブリッジ導体の幅は、長尺方向の中央に近づくにしたがって狭くなっている。

　このような構成により、長尺方向の中央に近づくほど、信号導体とブリッジ導体との対向面積を小さくでき、信号導体とブリッジ導体との静電容量結合を小さくできる。これにより、信号導体２２０の幅が広くなることによる特性インピーダンスの変化をさらに抑制できる。

　次に、本発明の第３の実施形態に係る高周波伝送線路について、図を参照して説明する。図８は、本発明の第３の実施形態に係る高周波伝送線路の分解斜視図である。

　図８に示すように、本実施形態の高周波伝送線路１０Ｂは、第１の実施形態に係る高周波伝送線路１０に対して、第１グランド導体２１０に開口部が設けられておらず、信号導体２２０Ｂの形状が異なるものである。したがって、第１の実施形態に係る高周波伝送線路１０と異なる箇所のみを具体的に説明する。

　誘電体素体２００Ｂは、誘電体層２０１，２０２１，２０２２，２０３を積層してなる。第１グランド導体２１０は、誘電体層２０１の全面に配設されている。すなわち、第１グランド導体２１０には、第１の実施形態に示したような開口部が設けられていない。

　信号導体２２０Ｂは、誘電体素体２００Ｂ内の異なる二層に分けて配設された信号導体２２０Ｂ１，２２０Ｂ２からなる構造を有する。

　信号導体２２０Ｂ１は、誘電体層２０２１に配設されている。信号導体２２０Ｂ１は、誘電体層２０２１の両端領域ＲｅＥに対応する領域に配設されている。信号導体２２０Ｂ１は、長尺方向の中央に近づくほど幅広である。

　信号導体２２０Ｂ２は、誘電体層２０２２に配設されている。信号導体２２０Ｂ２は、誘電体層２０２２の中央領域ＲｅＣに対応する領域に配設されている。信号導体２２０Ｂ２は、長尺方向に沿って全長に亘り略同じ幅からなるが、長尺方向の中央に近づくほど幅広となっていることが好ましい。

　そして、本実施形態の構成では、誘電体素体２００Ｂを平面視して、長尺方向に沿って、信号導体２２０Ｂ２は、二本の信号導体２２０Ｂ１の間の領域に形成されている。信号導体２２０Ｂ２の両端は、誘電体素体２００Ｂを平面視して、二本の信号導体２２０Ｂ１のそれぞれと重なっている。この信号導体２２０Ｂ１，２２０Ｂ２が重なっている部分は、層間接続導体２９０によって接続されている。

　このような構成により、信号導体２２０Ｂ１，２２０Ｂ２および層間接続導体２９０からなる信号導体２２０Ｂは、誘電体素体２００Ｂを平面視して、第１の実施形態に示した信号導体２２０と同じ形状となる。

　さらに、本実施形態の構成では、中央領域ＲｅＣの信号導体２２０Ｂ２は、両端領域ＲｅＥの信号導体２２０Ｂ１よりも、誘電体層２０２２の厚み（熱圧着後の厚み）分だけ、第１グランド導体２１０から離間する。これにより、中央領域ＲｅＣの信号導体２２０Ｂ２と第１グランド導体２１０とによる静電容量結合の大きさは、両端領域ＲｅＥの信号導体２２０Ｂ１と第１グランド導体２１０とによる静電容量結合の大きさよりも小さくなる。

　したがって、中央領域ＲｅＣの信号導体２２０Ｂ２の幅が両端領域ＲｅＥの信号導体２２０Ｂ１の幅よりも広いことによる静電容量の変化を相殺することできる。これにより、信号導体２２０Ｂ２を信号導体２２０Ｂ１よりも幅広にすることによる特性インピーダンスの変化を抑制でき、低損失な高周波伝送線路１０Ｂを実現することができる。

　なお、図８では、信号導体２２０Ｂ１，２２０Ｂ２を接続する層間接続導体２９０は、それぞれ一つずつしか図示していないが、複数個であってもよい。

　次に、本発明の第４の実施形態に係る高周波伝送線路について、図を参照して説明する。図９は、本発明の第４の実施形態に係る高周波伝送線路の分解斜視図である。

　図９に示すように、本実施形態の高周波伝送線路１０Ｃは、第１の実施形態に係る高周波伝送線路１０に対して、第１グランド導体２１０Ｃに開口部が設けられておらず、さらに第１グランド導体２１０Ｃの形状が異なるものである。したがって、第１の実施形態に係る高周波伝送線路１０と異なる箇所のみを具体的に説明する。

　誘電体素体２００Ｃは、誘電体層２０１２，２０１１，２０２２，２０３を積層してなる。第１グランド導体２１０Ｃは、誘電体素体２００Ｃ内の異なる二層に分けて配設された第１グランド導体２１０Ｃ１，２１０Ｃ２からなる構造を有する。

　第１グランド導体２１０Ｃ１は、誘電体層２０１１の第１主面側（誘電体層２０２と反対側）の面に配設されている。第１グランド導体２１０Ｃ１は、誘電体層２０１１の両端領域ＲｅＥの略全面に亘って配設されている。

　第１グランド導体２１０Ｃ２は、誘電体層２０１２の第１主面側（誘電体層２０１１と反対側）の面に配設されている。第１グランド導体２１０Ｃ２は、誘電体層２０１２の中央領域ＲｅＣの略全面に配設されている。

　そして、本実施形態の構成では、誘電体素体２００Ｃを平面視して、長尺方向に沿って、第１グランド導体２１０Ｃ２は、二つの第１グランド導体２１０Ｃ１の間の領域に形成されている。第１グランド導体２１０Ｃ２の両端は、誘電体素体２００Ｃを平面視して、二つの第１グランド導体２１０Ｃ１のそれぞれと重なっている。この第１グランド導体２１０Ｃ１，２１０Ｃ２が重なっている部分は、複数の層間接続導体２９０によって接続されている。

　このような構成により、第１グランド導体２１０Ｃ１，２１０Ｃ２および複数の層間接続導体２９０からなる第１グランド導体２１０Ｃは、誘電体素体２００Ｃを平面視して、第１の実施形態に示した第１グランド導体２１０と同じ形状となる。

　さらに、本実施形態の構成では、中央領域ＲｅＣの信号導体第１グランド導体２１０Ｃ２は、両端領域ＲｅＥの第１グランド導体２１０Ｃ１よりも、誘電体層２０１２の厚み（熱圧着後の厚み）分だけ、信号導体２２０から離間する。これにより、中央領域ＲｅＣの信号導体２２０と第１グランド導体２１０Ｃ２とによる静電容量結合の大きさは、両端領域ＲｅＥの信号導体２２０と第１グランド導体２１０Ｃ１とによる静電容量結合の大きさよりも小さくなる。

　したがって、信号導体２２０の中央領域ＲｅＣの幅が両端領域ＲｅＥの幅よりも広いことによる静電容量の変化を相殺することできる。これにより、信号導体２２０の中央領域ＲｅＣの部分を両端領域ＲｅＥの部分よりも幅広にすることによる特性インピーダンスの変化を抑制でき、低損失な高周波伝送線路１０Ｃを実現することができる。

　次に、本発明の第５の実施形態に係る高周波伝送線路について、図を参照して説明する。図１０は、本発明の第５の実施形態に係る高周波伝送線路の開口部形状を示す図である。図１０（Ａ）と図１０（Ｂ）は異なる態様を示している。

　本実施形態に係る高周波伝送線路は、開口部の形状が第１の実施形態に係る高周波伝送線路１０と異なるものであり、他の構成は同じである。したがって、開口部の形状のみを具体的に説明する。

　図１０（Ａ）に示すように、高周波伝送線路１０Ｄでは、第１グランド導体２１０に開口部２１１Ｄが設けられている。開口部２１０Ｄは、誘電体素体の長尺方向に沿って短尺方向の長さ（開口幅）が変化する形状からなる。開口部２１０Ｄの開口幅は、長尺方向の中央領域で広く、両端領域で狭い。例えば、図１０（Ａ）に示すように、開口部２１０Ｄは、平面視して、長尺方向が長軸方向となる楕円もしくは長円形状に設けられている。

　このような構成では、信号導体２２０の幅が広くなるほど、開口部２１０Ｄの開口幅も広くなる。これにより、第１の実施形態と同様に、特性インピーダンスの変化を抑制し、高周波信号を低損失に伝送することができる。

　図１０（Ｂ）に示すように、高周波伝送線路１０Ｅでは、第１グランド導体２１０に複数の開口部２１１Ｅが配列して設けられている。各開口部２１１Ｅは開口形状が矩形であり、当該矩形の一辺の長さは、長尺方向の中央に近づくほど長い。具体的に、図１０（Ｂ）の場合であれば、中央付近の開口部２１１Ｅの一辺の長さＬ_Ｃ１は、当該一辺の長さＬ_Ｃ１の開口部２１１Ｅよりも、長尺方向の端部に近い側に配置された開口部２１１Ｅの一辺の長さＬ_Ｃ２よりも長い。さらに、この一辺の長さＬ_Ｃ２は、当該一辺の長さＬ_Ｃ２の開口部２１１Ｅよりも、長尺方向の端部に近い側に配置された開口部２１１Ｅの一辺の長さＬ_Ｃ３よりも長い。すなわち、Ｌ_Ｃ１＞Ｌ_Ｃ２＞Ｌ_Ｃ３の関係にある。これにより、開口部２１１Ｅは、長尺方向の中央に近づくほど開口面積が大きくなる。

　また、図１０（Ｂ）に示すように、中央付近の開口部２１１Ｅの長尺方向に沿った配置間隔Ｐ_Ｃ１は、長尺方向の端部に近い側に配置された開口部２１１Ｅの長尺方向に沿った配置間隔Ｐ_Ｃ２よりも狭い。

　このような構成による、第１グランド導体２１０における第１グランド導体２１０に対する長尺方向の中央領域の開口面積の割合ＡＲ_Ｃ１は、第１グランド導体２１０に対する長尺方向の中央領域の開口面積の割合ＡＲ_Ｃ２よりも大きい。これにより、第１の実施形態と同様に、特性インピーダンスの変化を抑制し、高周波信号を低損失に伝送することができる。

　なお、本発明において、信号導体とグランド導体との対向面積は両端領域よりも中央領域の方が広い、もしくは、信号導体とグランド導体との距離は両端領域よりも中央領域の方が長い、という関係を有するグランド電極を有する限り、第１グランド導体または第２グランド導体のいずれか一方は必ずしも設けなくてもよい。この場合、高周波伝送線路はマイクロストリップライン構造となる。

　また、上述の各実施形態の構成は、必要に応じて組み合わせて用いることができる。例えば、（１）第１グランド導体に開口部を形成する構成、（２）第１グランド導体と信号導体との中央領域ＲｅＣでの間隔を両端領域ＲｅＥでの間隔よりも広くする構成、を組み合わせてもよい。

　また、上述の各実施形態の構成では、信号導体とグランド導体との対向面積または距離の少なくとも一方を中央領域と両端領域で変化させる例を示したが、誘電体層の誘電率を変化させてもよい。例えば、誘電体層の中央領域の誘電率を、両端領域の誘電率よりも低くすればよい。誘電率を低くする態様としては、誘電体層に貫通穴や溝を設けたり、誘電率の低い材質を用いればよい。