Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Multi-port semiconductor memory device and signal input/output method therefor

Multi-port semiconductor memory device and signal input/output method therefor

Номер патента: US7499364B2
Опубликовано: 03-03-2009
Автор(ы): Hyo-Joo Ahn, Nam-jong Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Multi-port semiconductor memory device having variable access paths and method therefor

Номер патента: CN1988033A. Автор: 黄炯烈,权敬桓,李镐哲,金南钟,安孝珠. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-27.

Data input/output method of semiconductor memory device and semiconductor memory device for the same

Номер патента: KR100557225B1. Автор: 강상석,조수인,변상만. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Multi-port semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: KR100799689B1. Автор: 김윤철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-02-01.

Signal input/output circuit and method of operating the signal input/output circuit

Номер патента: US20240007067A1. Автор: Min Su Kim,In Seok Kong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Memory cell array divided type multi-port semiconductor memory device

Номер патента: US5249165A. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-09-28.

Method controlling deep power down mode in multi-port semiconductor memory

Номер патента: US20130142000A1. Автор: Ho-Cheol Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor memory device including data input output circuit operated according to DQ interleaved data access test method and data input output method thereof

Номер патента: KR100546345B1. Автор: 신동학. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor memory device and data input/output method thereof

Номер патента: US20090287888A1. Автор: Tatsuya Ishizaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor memory apparatus and data input/output method thereof

Номер патента: US20180314653A1. Автор: Kie Bong Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor memory apparatus and data input/output method thereof

Номер патента: US20160224480A1. Автор: Kie Bong Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor memory apparatus and data input/output method thereof

Номер патента: US10037291B2. Автор: Kie Bong Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Semiconductor memory device and information processing apparatus

Номер патента: US20140078834A1. Автор: Hirotoshi Sasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Multi-port semiconductor memory device

Номер патента: US20070070743A1. Автор: Jae-Jin Lee,Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device with a plurality of column select lines and column driving method therefor

Номер патента: US5699299A. Автор: Chul-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-12-16.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627069B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and system

Номер патента: US20230109388A1. Автор: Mitsuhiro Abe,Mitsuaki Honma,Akio SUGAHARA,Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor memory device and memory module having reconfiguration rejecting function

Номер патента: US09412464B2. Автор: Young Duk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device and method therefor

Номер патента: US20070171755A1. Автор: Ho-Cheol Lee,Chi-Sung Oh,Nam-jong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20110002179A1. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US8379473B2. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Semiconductor memory device and data storage method

Номер патента: US20090027993A1. Автор: Hironori Nakamura,Takayuki Kurokawa,Tatsuya Ishizaki,Kenichi Ushikoshi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20040004890A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Hideyuki Yokou. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09508454B2. Автор: Seong-Sik PARK,Ho-Youb Cho,Yo-Han JEONG,Seong-Je Park,Chang-Won Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09842641B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09640245B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Input/output circuit of semiconductor memory device and input/output method thereof

Номер патента: TW200641905A. Автор: Jong-Hyun Choi,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-01.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20210119614A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

A semiconductor memory device, and a data reading method and a data writing method therefor

Номер патента: TW374178B. Автор: Masahiro Tanaka,Hisatada Miyatake,Yotaro Mori,Noritoshi Yamazaki. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1999-11-11.

Semiconductor memory device for storing data with a plurality of bits and operating methods therefor

Номер патента: DE4020895C2. Автор: Hideyuki Ozaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-01-20.

Semiconductor memory device for consuming low power capable of changing input output data width selectively and data input/output method of the same

Номер патента: KR100518597B1. Автор: 최정환,김찬경. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-04.

Semiconductor memory column decoder device and method

Номер патента: US09466380B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09852815B2. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US09455049B2. Автор: Sung-Yub LEE,Na-Yeon Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170062058A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140269089A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321382A1. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09570182B1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and test method of the same

Номер патента: US09508453B2. Автор: Chul-Woo Yang,Byoung-In Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Multi port semiconductor memory device with direct access function in shared structure of nonvolatile memory and multi processor system thereof

Номер патента: US8171233B2. Автор: Jin-Hyung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-01.

MULTI-PORT SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH MULTI-INTERFACE

Номер патента: US20140098613A1. Автор: Kim Jin-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

Multi-port semiconductor memory device having reduced bitline voltage offset and method for arranging memory cells thereof

Номер патента: KR100475052B1. Автор: 이찬호,이영근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Highly integrated multi-port semiconductor storage

Номер патента: EP0434852B1. Автор: Wolfdieter Loehlein,Rainer Dipl.-Ing. Clemen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-05-17.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US20230335181A1. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US12119048B2. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230307022A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and a memory system having the same

Номер патента: US20210082478A1. Автор: Jeonghyeon Cho,Seonghoon JOO,llhan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device and method for adjusting threthold voltage thereof

Номер патента: US11100975B2. Автор: Yutaka Shimizu,Makoto Morimoto,Rui Ito,Ryuichi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Eui Cheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20050259492A1. Автор: Shinya Fujioka,Kotoku Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Echo clock generating circuit of semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US6353575B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-05.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09859011B1. Автор: Yoshikazu Harada,Yuko Utsunomiya,Kosuke Yanagidaira,Hayato Konno,Jiyun Nakai,Hiroe Kami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory system, semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US09767873B2. Автор: Taesung Lee,Byunghoon Jeong,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672913B1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09384796B2. Автор: Yong-Ki Cho,Du-Yeul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US20230266882A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US20170372764A1. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12073894B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321360A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20150170722A1. Автор: Young-Jun Ku,Tae-Sik Yun,Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09997215B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09966126B2. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09818461B1. Автор: Yun-gi Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US09627075B1. Автор: Won-Sun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09564228B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478261B1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and method with auxiliary i/o line assist circuit and functionality

Номер патента: US20140204692A1. Автор: Ankur Goel,Shetti Shanmukheshwara Rao. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Memory device and operating method for target refresh operation based on number of accesses

Номер патента: US20240274182A1. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method with auxiliary i/o line assist circuit and functionality

Номер патента: US20100039871A1. Автор: Ankur Goel,Shetti Shanmukheshwara Rao. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor memory device and method of outputting data strobe signal thereof

Номер патента: US20030179627A1. Автор: Jun-Young Jeon,Jae-Hyeong Lee,Eun-Youp Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-25.

Data output circuit of semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20070133313A1. Автор: Kwang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090116316A1. Автор: Young-Jun Ku,Ji-Eun Jang,Jeong-Yoon Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Output circuit for a semiconductor memory device and data output method

Номер патента: US20080291755A1. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09922687B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Internal power supply voltage auxiliary circuit, semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US09589657B2. Автор: Akira Ogawa,Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09431076B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080165591A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210257019A1. Автор: Jungho LIM,Nogeun Joo,Byeongchan Choi,Jeongtae HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20110158023A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory device and signal processing circuit

Номер патента: US20150162054A1. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor memory devices and methods for generating column enable signals thereof

Номер патента: US20070036009A1. Автор: Kyung-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US7936635B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100165762A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Dual-port semiconductor memory and first in first out (FIFO) memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09812456B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Dual-port semiconductor memory and first in first out (FIFO) memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09589963B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Dual-Port Semiconductor Memory and First In First Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20220262800A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Dual-Port Semiconductor Memory and First In First Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20210005608A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Dual-Port Semiconductor Memory and First In First Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20210327880A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Combined semiconductor memory and logic device and memory test control circuit and memory test method therefor

Номер патента: DE19823583B4. Автор: Sang-Bong Park,Jong-Taek Kwak,Jong-Hak Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-18.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US20100246304A1. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US7760572B2. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US20170186496A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09471430B2. Автор: Jung-Hoon Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and portable electronic apparatus

Номер патента: US20050002240A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Koji Hamaguchi,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US09406366B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US20140156213A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor memory device and methods of operation

Номер патента: EP4207202A2. Автор: Taeyoung Oh,Sungyong Cho,Kiheung KIM,Kyungsoo Ha,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140050035A1. Автор: Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US09997256B2. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US09633747B2. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and electronic device

Номер патента: US20140085960A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Stacked memory device and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09851401B2. Автор: Kyung-Whan Kim,Jong-Chern Lee,Young-Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and operating method of biasing memory blocks

Номер патента: US09842653B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US7443748B2. Автор: Mamoru Aoki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Asymmetric semiconductor memory device having electrically floating body transistor

Номер патента: US09524970B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

METHOD CONTROLLING DEEP POWER DOWN MODE IN MULTI-PORT SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20130142000A1. Автор: Lee Ho-Cheol,LEE Jung-bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-06.

Clock signal input/output device for clock signal correction e.g. for semiconductor memory device, has frequency divider, signal integrator and two signal receiver circuits coupled to signal restoration circuit

Номер патента: DE10354818B3. Автор: Alessandro Minzoni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-17.

Electronic device and semiconductor device

Номер патента: US9087160B2. Автор: Yasuhiro Yoshikawa,Motoo Suwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Asymmetric Semiconductor Memory Device Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20230354581A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor memory device to supply stable high voltage during auto-refresh operation and method therefor

Номер патента: TWI285372B. Автор: Kwan-Weon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-08-11.

Delay control circuit with complementary signal generating delay unit has feedback loop with phase detector, changeover switch with clock signal inputs, output to feedback signal path

Номер патента: DE10130508A1. Автор: Patrick Heyne,Monika Linhard. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-02.

Clock signal input/output device for correcting clock signals

Номер патента: CN100379151C. Автор: A·明佐尼. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-04-02.

Semiconductor memory information accumulation device and writing control method for it

Номер патента: TW200933363A. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2009-08-01.

Semiconductor memory information accumulation device and its write-in control method

Номер патента: EP2180409A4. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Semiconductor memory information storage device and writing control method thereof

Номер патента: TWI390402B. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor memory element, semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US20030094647A1. Автор: Taro Osabe,Tomoyuki Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20130315001A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20170125106A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-05-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20160232974A9. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-08-11.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20180342299A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor memory element, semiconductor device and control method thereof

Номер патента: TW584961B. Автор: Taro Osabe,Tomoyuki Ishii. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-21.

Memory device, device and method for memory management

Номер патента: KR101028901B1. Автор: 이용석,정현모. Владелец: (주)인디링스. Дата публикации: 2011-04-12.

Digital signal processor and data inputting/outputting method

Номер патента: US20150357012A1. Автор: Jong Sun Park,Woong Choi. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2015-12-10.

Serial data input/output method and apparatus

Номер патента: US5687179A. Автор: Lee D. Whetsel, Jr.,Benjamin H. Ashmore, Jr.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-11-11.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device and test method therefor

Номер патента: US20060056256A1. Автор: Yasuhiro Takai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US09601179B2. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory devices including a memory array and related method incorporating different biasing schemes

Номер патента: US09715929B2. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of measuring refractive index of semiconductor memory device and method of classifying product group using the same

Номер патента: US20240331788A1. Автор: Ho Jung KANG,Tae Un Youn,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09576665B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160247571A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device and method for reading data therefrom

Номер патента: US5459692A. Автор: Yasuhiro Shin,Hidetaka Kodama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Semiconductor memory device and data writing method

Номер патента: US20160225416A1. Автор: Tomotsugu GOTO. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09767920B2. Автор: Young-Il Kim,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20120176848A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20100008162A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor memory device and method of reading data

Номер патента: US20050128849A1. Автор: HIROSHI Yoshioka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of testing semiconductor memory device, test device, and computer readable recording medium for recording test program for semiconductor memory device

Номер патента: US09666304B2. Автор: Sea Eun Park,Sung Hee Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device, method for designing semiconductor memory device, and recording medium having designing method recorded therein

Номер патента: US09639649B2. Автор: Satoshi Yamano,Jumpei Sato,Tsuyoshi ETOU,Osamu OOTO,Souichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor Memory Device and Method for Operating the Same

Номер патента: US20100290279A1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Woo-Hyun Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12009048B2. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20240282346A1. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230139579A1. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor memory device and testing method thereof

Номер патента: US09583215B2. Автор: Hoiju CHUNG,Yonghwan JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US09424934B2. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20110075505A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09524755B1. Автор: Mitsutoshi Nakamura,Shinya Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140064005A1. Автор: Woong-Ju JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5177575A. Автор: Yutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-01-05.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device and redundant output switch thereof

Номер патента: US20020176296A1. Автор: Chao-Shuenn Hsu,Ju-Fu Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09508458B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device and refresh operating method

Номер патента: US20160064062A1. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Reduced leakage dram memory cells with vertically oriented nanorods and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP2067168A2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method

Номер патента: US20030205771A1. Автор: Hiroshi Mizuta,Hideo Sunami,Kazuo Nakazato,Kiyoo Itoh,Toshikazu Shimada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-06.

Semicondutor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09824755B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741455B1. Автор: Mun-Phil Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478289B1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG,Dae Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09396818B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and method for reading the same using a memory cell array including resistive memory cells to perform a single read command

Номер патента: US09424916B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device and redundancy judging method

Номер патента: US20030095449A1. Автор: Yoshiharu Kato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09490013B1. Автор: Won Sun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device having memory block configuration

Номер патента: US20110002170A1. Автор: Takashi Kubo,Taku Ogura,Tadaaki Yamauchi,Hidenori Mitani,Kengo Aritomi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor memory device having memory block configuration

Номер патента: US20070297251A1. Автор: Takashi Kubo,Taku Ogura,Tadaaki Yamauchi,Hidenori Mitani,Kengo Aritomi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor memory device having memory block configuration

Номер патента: US7782672B2. Автор: Takashi Kubo,Taku Ogura,Tadaaki Yamauchi,Hidenori Mitani,Kengo Aritomi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Semiconductor memory device having memory block configuration

Номер патента: US7447087B2. Автор: Takashi Kubo,Taku Ogura,Tadaaki Yamauchi,Hidenori Mitani,Kengo Aritomi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor memory device having memory block configuration

Номер патента: US20090052249A1. Автор: Takashi Kubo,Taku Ogura,Tadaaki Yamauchi,Hidenori Mitani,Kengo Aritomi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor memory device and redundancy circuit, and method of increasing redundancy efficiency

Номер патента: US20010022747A1. Автор: Hyun Jung,Gyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972405B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09812223B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US8699279B2. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20090016121A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US20130114347A1. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor memory device and block management method of the same

Номер патента: US8127071B2. Автор: Min-Young Kim,Su-Ryun LEE,Song-ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20050230748A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenji Saito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor memory device and file memory system

Номер патента: US20150279456A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory device and data erasing method

Номер патента: US9355731B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: US20040071023A1. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20240249784A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627071B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device to selectively perform a single sensing operation or a multi-sensing operation

Номер патента: US09570190B2. Автор: Ka Young CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09454999B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor memory devices and memory systems with enhanced error detection and correction

Номер патента: US20210191810A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Chanki Kim,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240099029A1. Автор: Yoshiki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: EP3955123A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US20220051733A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory device and method of producing the same

Номер патента: US20230301065A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210191809A1. Автор: Kijun Lee,Yeonggeol Song,Sungrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11751384B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230282276A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and method of operating the same whereby the voltage of a floated common source line is increased by increasing the voltage of a source select line coupled to an unselected memory block

Номер патента: US12073893B2. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230168819A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240321365A1. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device capable of reducing power supply noise caused by output data therefrom

Номер патента: US5883847A. Автор: Mariko Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09972397B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US09767878B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,William J. Gallagher,Yu-Der Chih,Chun-Jung Lin,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-valatile semiconductor memory device and location based erasure methods

Номер патента: US09704579B1. Автор: Mathias Bayle. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and driving method of the same

Номер патента: US09606743B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09570178B2. Автор: Byoung In JOO,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09564230B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and method for biasing same

Номер патента: US09559216B2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa Rao Banna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09552867B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Uk-Song KANG,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472291B2. Автор: Jung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09412454B2. Автор: Kunihiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11903184B2. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20190267097A1. Автор: Tomoya Sanuki,Yusuke Higashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor memory device and core layout thereof

Номер патента: US7391669B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-24.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6972980B2. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282365A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Apparatus and method for detecting leakage current of semiconductor memory device, and internal voltage generating circuit using the same

Номер патента: US20080219061A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic random access memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240251684A1. Автор: Shujun YE,Yeliang Wang. Владелец: Yangtze Delta Graduate School Of Bit Jiaxing. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20230410913A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and control method

Номер патента: US20240304222A1. Автор: Atsushi Mototani. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4429435A2. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240306402A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12058863B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US09941332B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09911499B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865612B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Non-volatile semiconductor memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09786376B2. Автор: Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09704570B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09607694B1. Автор: Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US09589651B1. Автор: Muneyuki TSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device having integrated DOSRAM and NOSRAM

Номер патента: US09564217B1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and method for accessing the same

Номер патента: US09542990B2. Автор: Zhijiong Luo,Zhengyong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09466376B1. Автор: Hee Youl Lee,Hyun Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349481B2. Автор: Seiichi Aritome,Angelo Visconti,Mattia Robustelli,Soo Jin Wi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180190366A1. Автор: Jung-Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Inductive energy harvesting and signal development for a memory device

Номер патента: US20220037920A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20150262656A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US8493788B2. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor Memory Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20230247823A1. Автор: Youngseok Kim,Jae Seong PARK,Sung-wook Jung,Daeyoung MOON,Young Sin Kim,Suhwan Hwang,Seongkeun CHO,Keum Joo Lee,Sungduk Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20110216599A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor memory device including capacitor

Номер патента: EP3823022A3. Автор: Dong Ku Kang,Chan Ho Kim,Bong Soon LIM,Kyung Hwa YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-14.

Code address memory (cam) cell read control circuit of semiconductor memory device and method of reading data of cam cell

Номер патента: US20100302827A1. Автор: Kyoung Nam Kim,Beom Ju Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20060028856A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20050098810A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268109A1. Автор: Yusuke Shima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7433257B2. Автор: Yoshinobu Yamagami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230298634A1. Автор: Yusuke Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230165005A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory device, and read method and read circuit for the same

Номер патента: US20080008007A1. Автор: Toshiki Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Stacked memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20130237019A1. Автор: Chul-woo Park,Dong-hyun Sohn,In-Gyu Baek,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-12.

Stacked memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20110228582A1. Автор: Chul-woo Park,Dong-hyun Sohn,In-Gyu Baek,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20030227808A1. Автор: Atsumasa Sako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

NAND flash memory and blank page search method therefor

Номер патента: US20060083065A1. Автор: Chin Lin,Hitoshi Shiga,Chin-Hung Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240315036A1. Автор: Hiroyuki Yamashita,Shin Ishimatsu,Daisuke Nishida,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai,Wataru Matsuura,Junichi KANEYAMA,Tomoyuki Takemoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4443434A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240331783A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Refresh control circuit for target refresh operation of semiconductor memory device, and operating method thereof

Номер патента: US09953696B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and method for detecting weak cells

Номер патента: US09922726B2. Автор: Young-Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Resistive memory device and method of programming the same

Номер патента: US09761306B1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and method for transferring weak cell information

Номер патента: US09697885B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09633732B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595564B1. Автор: Akihito Ikedo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449697B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09449670B2. Автор: Jung-Bae Lee,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349465B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20170076792A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240249775A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Process for producing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20020036316A1. Автор: MASUOKA Fujio,Kenichi Tanaka,Hiroaki Shimizu,Yoshihisa Wada,Takuji Tanigami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor memory device and operation method

Номер патента: US20220413748A1. Автор: Makoto Senoo,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor memory device and operating method for a semiconductor memory device

Номер патента: US20060275928A1. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068045B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Controller for controlling semiconductor memory device and method of operating the controller

Номер патента: US12046295B2. Автор: Sang Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20100259993A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20120120731A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Dynamic semiconductor memory device and method of controlling refresh thereof

Номер патента: US20030112690A1. Автор: Shyuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Power control device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09984733B2. Автор: Jae Wook Lee,Jong Ho Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Stack type semiconductor memory device

Номер патента: US09960082B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09899098B1. Автор: Mizuki Kaneko,Junji Musha. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Resistive semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09779809B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device and data write method thereof

Номер патента: US09754662B2. Автор: Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607698B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09601204B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09583203B2. Автор: Young-Il Kim,Sung-Wook Choi,Sang-Sun Lee,Jung-Hoon HAM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09552883B1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09520166B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478304B2. Автор: Dong Wook Lee,Myung Su KIM,Hwang Huh,Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Sang Jo Lee,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee,Chang Jin SUNWOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240237349A1. Автор: Un-Byoung Kang,Hyunchul Jung,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Sanghoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US8335099B2. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US20110044086A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of making the same

Номер патента: WO2008096802A1. Автор: Masaru Kito,Mitsuru Sato,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20040223384A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20050213402A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230229344A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20100008143A1. Автор: Akira Umezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20190221576A1. Автор: Masaru Kito,Yasuhiro Uchiyama,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor memory devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20140297986A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US12074616B2. Автор: Hironori Uchikawa,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09953709B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US09785380B2. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09741454B2. Автор: Sang Kyu Lee,Chang Geun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and refresh control method thereof

Номер патента: US09672889B2. Автор: Sung-Soo Chi,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09653170B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09466339B2. Автор: Jong Soon Leem. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09396809B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4395493A1. Автор: Gil Sung Lee,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237348A1. Автор: Hwayeong LEE,Seulji SONG,Hunmo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320101A1. Автор: Yukio Hayakawa,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20180090210A1. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and its operation program

Номер патента: US20160379711A1. Автор: Motofumi Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160284868A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11778811B2. Автор: Jiyoung Kim,Dongjun Lee,Bong-Soo Kim,Sang Chui Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200203354A1. Автор: Jiyoung Kim,Dongjun Lee,Bong-Soo Kim,Sang Chul Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Power metal mesh and semiconductor memory device and method including the same

Номер патента: US20140140016A1. Автор: Jun Ho Lee,Tae Hoon Kim,Yang Hee Kim,Ic Su Oh,Sung Woo Han,Sun Ki CHO,Boo Ho JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor memory device and method of fabrication and operation

Номер патента: US20130170302A1. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-min Hong,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US20170294447A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin,II Young Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10847533B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10096617B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-09.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US9691785B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Signal input/output change over device

Номер патента: KR100197831B1. Автор: 곽상섭. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Signal processing system, signal input/output equipment and communication control method

Номер патента: CN1412970A. Автор: 影山雄一,佐藤真,吉川典史,宫野道男,加藤淳二. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-04-23.

Signal processing system, signal input/output equipment and communication control method

Номер патента: CN1215675C. Автор: 影山雄一,佐藤真,吉川典史,宫野道男,加藤淳二. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-17.

Recording medium, recording device, and playback device for use in individual sales and method therefor

Номер патента: CN101903952B. Автор: 池田航,矢羽田洋. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-22.

Recording medium, recording device, and playback device for use in individual sales and method therefor

Номер патента: US20090228520A1. Автор: Wataru Ikeda,Hiroshi Yahata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Recording medium, recording device, and playback device for use in individual sales and method therefor

Номер патента: US8051100B2. Автор: Wataru Ikeda,Hiroshi Yahata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Holographic digital data storage apparatus and data input/output method thereof

Номер патента: KR100397702B1. Автор: 황의석. Владелец: 주식회사 대우일렉트로닉스. Дата публикации: 2003-09-13.

Multi-mode signal input-output circuit

Номер патента: RU2220455C2. Автор: Уильям М. МАНСФИЛД. Владелец: Майкро Моушн, Инк.. Дата публикации: 2003-12-27.

Discrete signals input-output control center

Номер патента: RU2714025C1. Автор: Николай Михайлович Власкин,Константин Владимирович Родионов,Михаил Николаевич Крылов,Дмитрий Максимович Кожиков. Владелец: Константин Владимирович Родионов. Дата публикации: 2020-02-11.

Input/output method in virtual machine environments

Номер патента: US09910804B2. Автор: Sang-geol Lee,Hyeon-Sang Eom,Heon-Young Yeom,Myoung-Won Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Input/output method in virtual machine environments

Номер патента: US20160179725A1. Автор: Sang-geol Lee,Hyeon-Sang Eom,Heon-Young Yeom,Myoung-Won Oh. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor memory card, access device and method

Номер патента: US8161225B2. Автор: Takuji Maeda,Masahiro Nakanishi,Jun Ohara,Shinji Inoue,Manabu Inoue,Tomoaki Izumi,Koichi Horiuchi,Tetsushi Kasahara,Makoto Ochi,Yoshiho Gotoh,Kazuaki Tamura,Kiminori Matsuno,Shoichi Tsujita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-04-17.

Input/output device, input/output method and program therefor

Номер патента: US20070192721A1. Автор: Masaru Hoshino. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Packaging device and sorting system for directional packaging of products and method therefor

Номер патента: ZA201805902B. Автор: Wilhelm Jan Nijland,Dirk Gijsbertus Peters,Tycho Marinus Hartman. Владелец: De Greefs Wagen Carrosserie En Machb B V. Дата публикации: 2019-07-31.

Packaging device and sorting system for directional packaging of products and method therefor

Номер патента: AU2017226729B2. Автор: Wilhelm Jan Nijland,Dirk Gijsbertus Peters,Tycho Marinus Hartman. Владелец: De Greefs Wagen Carrosserie en Machinebouw BV. Дата публикации: 2021-06-10.

VEHICLE CONTROL CIRCUIT, VEHICLE, AND DATA INPUT/OUTPUT METHOD

Номер патента: US20200300655A1. Автор: MATSUSE Tetsuo,MASUO Akira. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-09-24.

Vehicle control circuit, vehicle, and data input/output method

Номер патента: US20200300655A1. Автор: Akira Masuo,Tetsuo Matsuse. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

RF dielectric filter with surface mount RF signal input/output structure

Номер патента: US11929538B2. Автор: Dong Jing,Gabriel Lopez,Nam Phan. Владелец: CTS Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Rf dielectric filter with surface mount rf signal input/output structure

Номер патента: EP4264737A1. Автор: Dong Jing,Gabriel Lopez,Nam Phan. Владелец: CTS Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Analog signal input/output device and control method for analog signal input/output device

Номер патента: US20200205257A1. Автор: Masaya Kudo. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Data transfer control device and memory-containing device

Номер патента: US09767054B2. Автор: Takashi Mori. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Analog signal input/output device and control method for analog signal input/output device

Номер патента: US10791596B2. Автор: Masaya Kudo. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Analog signal input/output device and control method for analog signal input/output device

Номер патента: EP3734848A1. Автор: Masaya Kudo. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2020-11-04.

Automatic setting method of multi-port semiconductor test machine

Номер патента: TW200823470A. Автор: jia-hong Lai. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2008-06-01.

Current output type of semiconductor device, source driver for display drive, display device, and signal input output method

Номер патента: KR100812846B1. Автор: 히또시 쯔게. Владелец: 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor device having optical signal input-output mechanism

Номер патента: US20090196548A1. Автор: Takanori Shimizu,Kazuhiko Kurata,Junichi Sasaki,Ichiro Hatakeyama,Kasunori MIYOSHI. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-08-06.

ANALOG SIGNAL INPUT/OUTPUT DEVICE AND CONTROL METHOD FOR ANALOG SIGNAL INPUT/OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20200205257A1. Автор: Kudo Masaya. Владелец: Omron Corporation. Дата публикации: 2020-06-25.

AV SIGNAL OUTPUT DEVICE, AV SIGNAL INPUT DEVICE, AND AV SIGNAL INPUT/OUTPUT SYSTEM

Номер патента: US20180348852A1. Автор: TAKAHASHI Satoshi,NISHIO TOSHIROH,USUKI NAOSHI. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Av signal output device, av signal input device, and av signal input/output system

Номер патента: EP3419300B1. Автор: Satoshi Takahashi,Toshiroh Nishio,Naoshi Usuki. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-07.

Portable data processing system and signal input/output device thereof

Номер патента: US20120210034A1. Автор: Ikujin Ko. Владелец: Teco Image Systems Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-16.

Liquid e.g. water, level control device for use in e.g. cooling water tank, has signal input/output module, which is connected with liquid observation signal unit, and inner current unit, which is connected with current input/output module

Номер патента: DE202006018620U1. Автор: . Владелец: HANSDER ENGINEERING CO Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Audio signal input/output (i/o) system and method for use in guitar equipped with universal serial bus (usb) interface

Номер патента: WO2007114530A1. Автор: Min-Soo Kim. Владелец: Sims Corp.. Дата публикации: 2007-10-11.

Wearable image pickup apparatus, portable device and calibrator that communicate with image pickup apparatus, control methods therefor, and storage media

Номер патента: GB2607151A9. Автор: Furukawa Nobuyuki,Uchida Mineo,YAMAZAKI Takuma,Kawakami Takashi,ITO Koichi,ISHIKAWA Takumi,Ishibashi Tohru,Kondo Emi,Imaizumi Takuya,Hayashi Akari. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Signal input/output apparatus

Номер патента: TW526441B. Автор: Fumio Morikawa. Владелец: Smc Kk. Дата публикации: 2003-04-01.

Optoelectronic semiconductor device and light signal input/output device

Номер патента: US7230278B2. Автор: Hiroshi Yamada,Keiji Takaoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-06-12.

Robot guide device and course adjusting method, robot system and docking guide method therefor

Номер патента: EP4307517A4. Автор: Yuanzhong RAN,Chang Zhou,Yongzhe YAO,Wenlin RAN. Владелец: Zhejiang Sunseeker Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Information reproducing method, information inputting / outputting method, information reproducing device, portable information inputting/ outputting device and electronic toy using dot pattern

Номер патента: US09984317B2. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-29.

Information reproducing method, information inputting/outputting method, information reproducing device, portable information inputting/outputting device and electronic toy using dot pattern

Номер патента: US09946964B2. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-17.

Diagnostic method and system for external signal input / output unit

Номер патента: JP4328352B2. Автор: 浩 野田,浩二 羽田,博篤 安藤. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2009-09-09.

Method and system for diagnosing external signal input/output units

Номер патента: US8259595B2. Автор: Hiroshi Noda,Kouji Hada,Hiroshige Ando. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2012-09-04.

Audio signal Input/Output (I/O) system and method for use in guitar equipped with Universal Serial Bus (USB) interface

Номер патента: US20080005411A1. Автор: Min-Soo Kim. Владелец: ESI Professional. Дата публикации: 2008-01-03.

Method and system for diagnosing external signal input/output units

Номер патента: CN101206480B. Автор: 安藤博笃,羽田浩二,野田浩. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2010-06-23.

Discrete signal input/output control point

Номер патента: WO2021061008A1. Автор: Николай Михайлович Власкин,Константин Владимирович Родионов,Михаил Николаевич Крылов,Дмитрий Максимович Кожиков. Владелец: Константин Владимирович Родионов. Дата публикации: 2021-04-01.

WEARABLE IMAGE PICKUP APPARATUS, PORTABLE DEVICE AND CALIBRATOR THAT COMMUNICATE WITH IMAGE PICKUP APPARATUS, CONTROL METHODS THEREFOR, AND STORAGE MEDIA STORING CONTROL PROGRAMS THEREFOR

Номер патента: US20220294937A1. Автор: Furukawa Nobuyuki,Uchida Mineo,YAMAZAKI Takuma,Kawakami Takashi,ITO Koichi,ISHIKAWA Takumi,Ishibashi Tohru,Kondo Emi,Imaizumi Takuya,Hayashi Akari. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Data input/output device, information processing device, and data input/output method

Номер патента: US8656061B2. Автор: Isao Hidaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Data input/output device, information processing device, and data input/output method

Номер патента: US20120161854A1. Автор: Isao Hidaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

MEMORY DEVICE DESIGNED TO UPGRADE A FIELD-PROGRAMMABLE GATE ARRAY, AND OPERATING METHOD THEREFOR

Номер патента: DE102018123494A1. Автор: Seonghoon Woo,WooSeong Cheong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Robot guidance device and heading adjustment method, robot system and docking guidance method therefor

Номер патента: US20240192699A1. Автор: Yuanzhong RAN,Chang Zhou,Yongzhe YAO,Wenlin RAN. Владелец: Zhejiang Sunseeker Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Wearable image pickup apparatus, portable device and calibrator that communicate with image pickup apparatus, control methods therefor, and storage media

Номер патента: GB2607151B. Автор: Furukawa Nobuyuki,Uchida Mineo,YAMAZAKI Takuma,Kawakami Takashi,ITO Koichi,ISHIKAWA Takumi,Ishibashi Tohru,Kondo Emi,Imaizumi Takuya,Hayashi Akari. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND DATA INPUT/OUTPUT METHOD THEREOF

Номер патента: US20160224480A1. Автор: Ku Kie Bong. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND DATA INPUT/OUTPUT METHOD THEREOF

Номер патента: US20180314653A1. Автор: Ku Kie Bong. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor memory card, access device and access method

Номер патента: JP4647492B2. Автор: 学 井上,昭一 辻田,雅浩 中西,卓治 前田,智紹 泉,哲志 笠原,和明 田村,公則 松野,信治 井上,芳稔 後藤,淳 大原,誠 越智,浩一 堀内. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-03-09.

Data input/output method using storage node-based key-value store

Номер патента: US20240160603A1. Автор: Young Jae Kim,Sung-Soon Park,Chang Gyu Lee,Kyeung Pyo KIM,Yeo Hyeon PARK. Владелец: Gluesys Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Echtzeit-input/output-methode fuer ein vektor- prozessor-system.

Номер патента: ATE128777T1. Автор: Alan J Schiffleger,Galen Flunker,George W Leedom,Richard D Pribnow. Владелец: Cray Research Inc. Дата публикации: 1995-10-15.

Form input/output apparatus, form input/output method, and program

Номер патента: US09791995B2. Автор: Tomohiro Hayashi,Yusuke Mizuno,Go DOJO. Владелец: PFU Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Information input/output method using dot pattern

Номер патента: US09582701B2. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-28.

INFORMATION REPRODUCING METHOD, INFORMATION INPUTTING / OUTPUTTING METHOD, INFORMATION REPRODUCING DEVICE, PORTABLE INFORMATION INPUTTING/ OUTPUTTING DEVICE AND ELECTRONIC TOY USING DOT PATTERN

Номер патента: US20170004338A1. Автор: Yoshida Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

INFORMATION REPRODUCING METHOD, INFORMATION INPUTTING/OUTPUTTING METHOD, INFORMATION REPRODUCING DEVICE, PORTABLE INFORMATION INPUTTING/OUTPUTTING DEVICE AND ELECTRONIC TOY USING DOT PATTERN

Номер патента: US20170011244A1. Автор: Yoshida Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Information reproducing method, information inputting/outputting method,information reproducing device, portable information inputting/outputting device and electronic toy using dot pattern

Номер патента: CA2499917A1. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Kenji Yoshida. Дата публикации: 2004-04-08.

ELECTRONIC DEVICE AND INPUT/OUTPUT METHOD THEREOF

Номер патента: US20170013354A1. Автор: SON Beak-Kwon,HWANG Ho-Chul,YANG Jae-Mo,Lee Nam-II,Kum Jong-Mo,Kim Gang-Youl. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

DATA PROCESSING DEVICE, DISPLAY METHOD, INPUT/OUTPUT METHOD, SERVER SYSTEM, AND COMPUTER PROGRAM

Номер патента: US20180059721A1. Автор: Akimoto Kengo. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

SECURITY INFORMATION INPUTTING/OUTPUTTING METHOD AND ELECTRONIC DEVICE ADAPTED TO THE METHOD

Номер патента: US20150234757A1. Автор: Kim Hyungjoon,KIM Seunghwan,KIM Taeho,Park Jonghoon,LEE Yangsoo,CHANG Moonsu,AN Teain,PARK Seulhan,YOU Heejun,HYEON Jinho. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Storage device and data input/output method

Номер патента: US20150370484A1. Автор: Akira Yamamoto,Takashi Nagao,Tomohiro Kawaguchi,Shigeo Homma. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-12-24.

Electronic device and input/output method thereof

Номер патента: US10299034B2. Автор: Jae-Mo Yang,Nam-Il Lee,Beak-Kwon Son,Jong-Mo Kum,Gang-Youl Kim,Ho-Chul Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-21.

Information search terminal device and information display / input / output method in information search terminal device

Номер патента: JP3134204B2. Автор: 敦 畠山,寛次 加藤,悟志 浅川,川口　　久光,弘恵 安藤. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-02-13.

Information recording medium, noncontact ic tag, access device, access system, life cycle management system, input/output method, and access method

Номер патента: EP1205405A4. Автор: Seiichiro Tamai,Shinichi Michisaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-12.

Color / shade image input / output device and input / output method

Номер патента: JP3031613B2. Автор: 隆彦 堀内,亮二 春木. Владелец: 株式会社つくばソフト研究所. Дата публикации: 2000-04-10.

Stream dot pattern, method of forming stream dot pattern, information input/output method using stream dot patttern, and dot pattern

Номер патента: CA2767728A1. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-20.

Dot pattern, information reproducing method using dot pattern, and input/output method

Номер патента: CN106648146B. Автор: 吉田健治. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-02.

Information processing apparatus, storage apparatus, information processing system, and input/output method

Номер патента: US20140173144A1. Автор: Kyuu Kobashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Information input/output method using dot pattern

Номер патента: US20120074235A1. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Input/Output Device, Input/Output Method and Program Therefor

Номер патента: US20120079422A1. Автор: Masaru Hoshino. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

IMAGE INPUT/OUTPUT APPARATUS AND IMAGE INPUT/OUTPUT METHOD

Номер патента: US20140009795A1. Автор: Shimizu Yasushi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-01-09.

Information input/output method using dot pattern

Номер патента: US20140029062A1. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-30.

FORM INPUT/OUTPUT APPARATUS, FORM INPUT/OUTPUT METHOD, AND PROGRAM

Номер патента: US20140096074A1. Автор: MIZUNO Yusuke,Hayashi Tomohiro,DOJO Go. Владелец: PFU LIMITED. Дата публикации: 2014-04-03.

Information processing apparatus, storage apparatus, information processing system, and input/output method

Номер патента: US20140173144A1. Автор: Kyuu Kobashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

INPUT/OUTPUT METHOD IN VIRTUAL MACHINE ENVIRONMENTS

Номер патента: US20160179725A1. Автор: LEE Sang-Geol,Eom Hyeon-Sang,Yeom Heon-Young,Oh Myoung-Won. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2016-06-23.

INPUT/OUTPUT DEVICE, INPUT/OUTPUT METHOD, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20170223323A1. Автор: Maekawa Hiroyuki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2017-08-03.

COMPUTER SYSTEM AND DATA INPUT/OUTPUT METHOD

Номер патента: US20140359212A1. Автор: OYAMA Kazuhiro,Yokouchi Hiroshi. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2014-12-04.

Input/output device, input/output program, and input/output method

Номер патента: US20170300121A1. Автор: Johannes Lundberg. Владелец: Mirama Service Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Input/output device, input/output program, and input/output method

Номер патента: US20150381970A1. Автор: Yoshihiko Sugimoto. Владелец: BrilliantService Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Portable information processing terminal, information input / output system, and information input / output method

Номер патента: JP4178697B2. Автор: 純一 暦本,祐二 綾塚,伸行 松下. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-11-12.

Input-output method and device for combinational weighing system

Номер патента: US4811256A. Автор: Kiichi Terashima,Seiji Yamada,Katsuaki Kono. Владелец: Ishida Scales Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1989-03-07.

Data input / output method

Номер патента: KR100427789B1. Автор: 홍충선. Владелец: 주식회사 대우일렉트로닉스. Дата публикации: 2004-09-18.

Information input/output apparatus, information processing apparatus, information input/output system, printing medium, and information input/output method

Номер патента: CN102640096A. Автор: 吉田健治. Владелец: 吉田健治. Дата публикации: 2012-08-15.

DATA INPUT / OUTPUT METHOD AND SYSTEM

Номер патента: FR2471652B1. Автор: Hideo Ota,Yutaka Kubo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-07-17.

Information input/output method using dot pattern

Номер патента: WO2004084125A1. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Kenji Yoshida. Дата публикации: 2004-09-30.

Data input/output method using a dot code

Номер патента: EP2618287A2. Автор: Tzu-Fong Huang. Владелец: Huang, Tzu-fong. Дата публикации: 2013-07-24.

Information input/output method using dot pattern

Номер патента: KR100906457B1. Автор: 켄지 요시다. Владелец: 켄지 요시다. Дата публикации: 2009-07-08.

Information input/output method using dot pattern

Номер патента: CN101091185B. Автор: 吉田健治. Владелец: 吉田健治. Дата публикации: 2010-06-09.

Input-output device, input-output method, and input-output program

Номер патента: WO2013114940A1. Автор: 永 井出. Владелец: シャープ株式会社. Дата публикации: 2013-08-08.

Input-output apparatus and input-output method

Номер патента: CN102122228A. Автор: 坂口昌弘. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Information input/output method using dot pattern

Номер патента: US7475824B2. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-13.

Image input/output apparatus and image input/output method

Номер патента: US20110090533A1. Автор: Yasushi Shimizu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

Input output method and device based on multisystem

Номер патента: CN106775934A. Автор: 卜东超. Владелец: Yuanxin Technology. Дата публикации: 2017-05-31.

Data input/output method for application system in numerical control apparatus.

Номер патента: EP0160704A4. Автор: Toshiaki Otsuki,Hideaki Kawamura. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 1988-04-26.

Information input/output method using dot pattern

Номер патента: IL184106A. Автор: . Владелец: Kenji Yoshida. Дата публикации: 2011-03-31.

Arabic input output method and font model

Номер патента: US20070262991A1. Автор: Saad Abulhab. Владелец: Abulhab Saad D. Дата публикации: 2007-11-15.

Information inputting/outputting method and device using a dot pattern

Номер патента: EP2267638B1. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-23.

Information input/output method using dot pattern

Номер патента: EP1605395A1. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-14.

Audio input / output device, hearing aid, audio input / output method and audio input / output program

Номер патента: JP6807134B2. Автор: 昭彦 杉山,隆行 荒川,良次 宮原,孝司 大杉. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2021-01-06.

Data input/output method in information processing system, and information processing system

Номер патента: US7464233B2. Автор: Hiroshi Suzuki,Hiroshi Oki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-12-09.

Information input/output apparatus, information processing apparatus, information input/output system, printing medium, and information input/output method

Номер патента: EP2474888A4. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-06.

FIFO Type data input/output apparatus and FIFO type data input/output method

Номер патента: EP1132811A2. Автор: Hiroshi Kawashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-09-12.

Control device, disk array system and data input / output method

Номер патента: JP6662530B1. Автор: 和義 高沢. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2020-03-11.

Input/output methods for associative processor

Номер патента: US6405281B1. Автор: Avidan Akerib. Владелец: NeoMagic Israel Ltd. Дата публикации: 2002-06-11.

Data processing apparatus and data input/output method

Номер патента: US20030014570A1. Автор: Toshiki Takei,Hiroaki Kasuga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Voice input/output apparatus, hearing aid, voice input/output method, and voice input/output program

Номер патента: US20230353953A1. Автор: Akihiko Sugiyama,Takayuki Arakawa,Ryoji Miyahara,Kouji OOSUGI. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Input/output device, input/output method, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20170223323A1. Автор: Hiroyuki Maekawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Input/output system, input/output method, and mobile terminal

Номер патента: US20160360390A1. Автор: Masaki Arai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Input/output system, input/output method, and mobile terminal

Номер патента: US09699633B2. Автор: Masaki Arai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Input/output system, input/output method, and mobile terminal

Номер патента: US9451432B2. Автор: Masaki Arai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20160342332A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09875179B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device and host device

Номер патента: US09983794B2. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09477593B2. Автор: Hong-Sik Kim,Dong-Gun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240320109A1. Автор: Yoshihiko Shindo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device and method of layouting auxiliary pattern

Номер патента: US09455271B1. Автор: Yuji Setta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US09727401B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Storage system and control method therefor

Номер патента: US20130297856A1. Автор: Go UEHARA,Koji Sonoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Controller for semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210042221A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140376169A1. Автор: Toshiro Yokoyama,Misa Sugimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor memory device that switches between states and moves data in accordance with a current state

Номер патента: US09940029B2. Автор: Tatsunori Kanai,Tetsuro Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

PACKAGING DEVICE AND SORTING SYSTEM FOR DIRECTIONAL PACKAGING OF PRODUCTS AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20190076883A1. Автор: Njluland Wilhelm Jan,Peters Dirk Gijsbertus,Hartman Tycho Marinus. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Head substrate, recording head, head cartridge, recorder and information input-output method

Номер патента: TW200602204A. Автор: Teruo Ozaki,Yoshiyuki Imanaka,Takuya Hatsui,Yoshiyuki Toge. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 2006-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US9887233B2. Автор: Tatsuo Kasaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160013239A1. Автор: Tatsuo Kasaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Wind power generation system including semiconductor transformer module and control method therefor

Номер патента: US20240213851A1. Автор: Jung Wook SIM. Владелец: LS Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Resonance device and filter including the same

Номер патента: US20150325898A1. Автор: Hak Rae Cho,Soo Duk Seo,Moon Bong KO. Владелец: Innertron Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

Signaling input/output processing module for a telecommunication system

Номер патента: US4535453A. Автор: Robert B. Rhodes,James R. Paolantonio. Владелец: Siemens Corporate Research and Support Inc. Дата публикации: 1985-08-13.

Programmable mixed-signal input/output (IO)

Номер патента: US09525420B2. Автор: Patrick Chan,Pierre Haubursin,Martin Mason,Arman Hematy. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Channel memory device and the method therefor

Номер патента: US5844633A. Автор: Tae Young Kim. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-01.

Semiconductor memory device having pad layout with reduced occupied area and pad arranging method therefor

Номер патента: KR960043145A. Автор: 마사끼 추쿠데,카쭈타미 아리모토. Владелец: 기다오까 다까시. Дата публикации: 1996-12-23.

Gas discharge device and flat light source using the same, and driving method therefor

Номер патента: US20170186596A1. Автор: Kenji Awamoto,Tsutae Shinoda,Hitoshi Hirakawa,Junichiro Takahashi,Bingang Guo,Takefumi HIDAKA. Владелец: Shikoh Tech LLC. Дата публикации: 2017-06-29.

Gas discharge device and flat light source using the same, and driving method therefor

Номер патента: US09947526B2. Автор: Kenji Awamoto,Tsutae Shinoda,Hitoshi Hirakawa,Junichiro Takahashi,Bingang Guo,Takefumi HIDAKA. Владелец: Shikoh Tech LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20040041250A1. Автор: Hiroshi Kikuchi,Norio Nakazato,Satoshi Ueno,Fujiaki Nose. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor logic device and system and method of embedded packaging of same

Номер патента: WO2019099194A1. Автор: Kaustubh Ravindra Nagarkar,Raymond Albert Fillion. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2019-05-23.

Unified sounding reference signal input/output functionality

Номер патента: US12041001B2. Автор: Anand Raghavan,Jin Hoon Cho,Lige Wang,Srivatsan JAYARAMAN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Electronic device and integrated circuit comprising a gain control module and method therefor

Номер патента: US09647620B2. Автор: Frederick Carnegie Thompson,Niall McDermott,Patrick Alan O'connell. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Electronic device and integrated circuit comprising a gain control module and method therefor

Номер патента: EP2524426B1. Автор: Frederick Carnegie Thompson,Niall McDermott,Patrick Alan O'connell. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-02-10.

Polyolefin porous membrane and preparation method therefor, battery separator, and electrochemical device

Номер патента: EP4376202A1. Автор: Yuan Ma,Shan Xue,Lei Zheng,Zhigang Liu,Xujie Zhang,Qiyang Wu,Yaozong BAI,Guozhong JIA,Qiuchun DONG,Yunqing XUE,Xianggan MENG,Gaojun LIU. Владелец: Sinoma Lithium Battery Separator Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

PROGRAMMABLE MIXED-SIGNAL INPUT/OUTPUT (IO)

Номер патента: US20160020770A1. Автор: Mason Martin,Hematy Arman,Chan Patrick,Haubursin Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Programmable mixed-signal input/output (IO)

Номер патента: US20140354328A1. Автор: Mason Martin,Hematy Arman,Chan Patrick,Haubursin Pierre. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2014-12-04.

Image signal input / output device

Номер патента: JP3222621B2. Автор: 公一 佐藤,康裕 山元. Владелец: 旭光学工業株式会社. Дата публикации: 2001-10-29.

Video signal input / output device of digital TV

Номер патента: KR19990076378A. Автор: 유은종. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

Signal input/output connector

Номер патента: KR960003195U. Автор: 박헌영. Владелец: 박헌영. Дата публикации: 1996-01-22.

Video signal input / output device of digital TV

Номер патента: KR19990076377A. Автор: 유은종. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

A signal input / output switching device of a television

Номер патента: KR970073079A. Автор: 조춘근. Владелец: 배순훈. Дата публикации: 1997-11-07.

Analog-signal input/output system using resolver

Номер патента: KR920007068B1. Автор: 조상환. Владелец: 백중영. Дата публикации: 1992-08-24.

Audio and video signal input/output apparatus for a tv

Номер патента: KR0170650B1. Автор: Tae-Yeun Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-03-20.

Transducer of signal input/output signal device having compensation contraction and enlargement A-D converter

Номер патента: CN1118160C. Автор: 野村富成. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-08-13.

Semiconductor package having a high-speed signal input/output terminal

Номер патента: US20050224929A1. Автор: Tadashi Ikeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Unified sounding reference signal input/output functionality

Номер патента: US20220239430A1. Автор: Anand Raghavan,Jin Hoon Cho,Lige Wang,Srivatsan JAYARAMAN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Wireless power transmission device, and electronic device for wirelessly receiving power and operating method therefor

Номер патента: US20210036560A1. Автор: Jaeseok Park,Sungku YEO,Youngho Ryu,Sungbum Park,Sanghyuk WI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

GAS DISCHARGE DEVICE AND FLAT LIGHT SOURCE USING THE SAME, AND DRIVING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20170186596A1. Автор: Hirakawa Hitoshi,Awamoto Kenji,SHINODA Tsutae,TAKAHASHI Junichiro,HIDAKA Takefumi,GUO Bingang. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Wireless power transmission device, and electronic device for wirelessly receiving power and operating method therefor

Номер патента: EP3742580A1. Автор: Jaeseok Park,Sungku YEO,Youngho Ryu,Sungbum Park,Sanghyuk WI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-25.

Wireless power transmission device, and electronic device for wirelessly receiving power and operating method therefor

Номер патента: EP3742580A4. Автор: Jaeseok Park,Sungku YEO,Youngho Ryu,Sungbum Park,Sanghyuk WI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-31.

Wireless power transmission device, and electronic device for wirelessly receiving power and operating method therefor

Номер патента: EP3742580B1. Автор: Jaeseok Park,Sungku YEO,Youngho Ryu,Sungbum Park,Sanghyuk WI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-23.

Wireless power transmission device, and electronic device for wirelessly receiving power and operating method therefor

Номер патента: US20210036560A1. Автор: Jaeseok Park,Sungku YEO,Youngho Ryu,Sungbum Park,Sanghyuk WI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

User device and network node for wireless communication network, and operation methods therefor

Номер патента: US20240114457A1. Автор: Kari Juhani Hooli,Jussi-Pekka Koskinen,Daniela Laselva,Knud Knudsen,Mads LAURIDSEN,Jan Torst HVIID. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-04-04.

User device and network node for wireless communication network, and operation methods therefor

Номер патента: EP4351230A1. Автор: Kari Juhani Hooli,Jussi-Pekka Koskinen,Daniela Laselva,Knud Knudsen,Mads LAURIDSEN,Jan Torst HVIID. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-04-10.

Electronic device and integrated circuit comprising a gain control module and method therefor

Номер патента: EP2524426A1. Автор: Frederick Carnegie Thompson,Niall McDermott,Patrick Alan O'connell. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Electronic device and integrated circuit comprising a gain control module and method therefor

Номер патента: WO2011085741A1. Автор: Frederick Carnegie Thompson,Niall McDermott,Patrick Alan O'connell. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2011-07-21.

SEMICONDUCTOR MEMORY STORAGE ARRAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140077150A1. Автор: HO Chia-Hua,LEE MING-DAOU,CHIU WEN-CHENG,HSU CHO-LUN. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2014-03-20.

Transmission gate switch, system using the same, and data input/output method thereof

Номер патента: US20080204114A1. Автор: Ki-Hong Kim,Jong-Seok Kim,Jin Ho Oh,Choon-Oh Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Multi-media information input/output method for handheld device

Номер патента: TWI271989B. Автор: Chen-Ning Hsi. Владелец: Primax Electronics Ltd. Дата публикации: 2007-01-21.

Input/output device and input/output method, and receiver

Номер патента: CA2280965C. Автор: Ichiro Hamada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-12-04.

Input/output device and input/output method, and receiver

Номер патента: AU743987B2. Автор: Ichiro Hamada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Data processing device and its input/output method and program

Номер патента: US20030214909A1. Автор: Frederico Maciel. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-20.

Audio device and audio input/output method

Номер патента: TW201009694A. Автор: Wei-Cheng Tang,Chung-Hang Tsai. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-03-01.

INPUT/OUTPUT SYSTEM, INPUT/OUTPUT METHOD, AND MOBILE TERMINAL

Номер патента: US20140273864A1. Автор: ARAI Masaki. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

INPUT/OUTPUT DEVICE, INPUT/OUTPUT PROGRAM, AND INPUT/OUTPUT METHOD

Номер патента: US20170302904A1. Автор: Lundberg Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

INPUT/OUTPUT DEVICE, INPUT/OUTPUT PROGRAM, AND INPUT/OUTPUT METHOD

Номер патента: US20170310944A1. Автор: Lundberg Johannes. Владелец: MIRAMA SERVICE INC.. Дата публикации: 2017-10-26.

INPUT/OUTPUT SYSTEM, INPUT/OUTPUT METHOD, AND MOBILE TERMINAL

Номер патента: US20160360390A1. Автор: ARAI Masaki. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2016-12-08.

An input/output method and its device for a voice message in an electronic type door lock

Номер патента: KR100201879B1. Автор: 김성기. Владелец: 박지순. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor memory device and apparatus including the same

Номер патента: US12080649B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220320305A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12096610B2. Автор: Chang-Min Hong,Hojoon Lee,Younghun Jung,Hee Bum Hong,Heesung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240313073A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237324A9. Автор: Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Printing apparatus and duplex printing method therefor

Номер патента: US20140008859A1. Автор: Katsuhiko Gotoda. Владелец: Avision Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11069701B2. Автор: Takeshi Murata,Mitsuhiko Noda,Kosei Noda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240090222A1. Автор: Hiroyasu Sato,Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20100163944A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11049875B2. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12089417B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device structure

Номер патента: US09966349B2. Автор: John Moore,Joseph F. Brooks. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220310697A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320102A1. Автор: Zhiqiang Wu,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Chung-Wei Wu,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US20220384470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240276704A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240324220A1. Автор: Masaki Nakamura,Yutaka Shimizu,Hideo Wada,Go Oike,Yoshikazu HOSOMURA,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US12096624B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09978765B2. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443868B1. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09443734B2. Автор: Jung-Hwan Park,Kyu-Hyun Lee,Ki-Seok Lee,Hyo-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230422508A1. Автор: Takeo Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240098998A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Tomonari SHIODA,Takanori Yamanaka,Saori MATSUSHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210335798A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4369882A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US11711918B2. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11778805B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20210296275A1. Автор: Masaki Tsuji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111181A1. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11444092B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140027836A1. Автор: Tadashi Iguchi,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240268097A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082410B2. Автор: Hyung Joon Kim,Hyun Jung Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230247836A1. Автор: Hyung Joon Kim,Kyungwook Park,Sangmin Kang,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12082395B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11024640B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240292620A1. Автор: Takahiro Kotou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007879A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240315015A1. Автор: Masashi ARINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240365532A1. Автор: Ji Ho Park,Tae Jin Park,Ki Seok Lee,Jun Soo Kim,Ho Sang LEE,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory device, an electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240373632A1. Автор: Junhee LIM,Sungsu Moon,Sea Hoon Lee,Kang Lib KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371994A1. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240373620A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754888B2. Автор: Toshiyuki Sasaki,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US12150305B2. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120068244A1. Автор: Yoshiki Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070145486A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240224499A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060244025A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6489644B1. Автор: Jeong Min Seon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230320086A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160268300A1. Автор: Masaru Kito,Hanae ISHIHARA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010020710A1. Автор: Jiro Matsufusa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11751376B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284944A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153985A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120256249A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8217444B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Non-volatile semiconductor memory device, and manufacture method for non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100001338A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240324204A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device, and semiconductor memory device manufacturing method

Номер патента: US20240315041A1. Автор: Kiwamu Sakuma,Kunifumi Suzuki,Yuuichi Kamimuta,Takamasa HAMAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180047741A1. Автор: Hideto Onuma,Masayuki Shishido,Akira KURAMOTO,Tatsuya Fujishima,Nobuhito KUGE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240315043A1. Автор: Shosuke Fujii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315048A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315142A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837264B2. Автор: Hideto Takekida,Reiko SHAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09818754B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09806092B1. Автор: Yoichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same while avoiding process damage to a variable resistance film

Номер патента: US09704922B2. Автор: Hiroyuki Ode,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Natsuki Fukuda,Atsushi Oga,Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666595B2. Автор: Masaru Kito,Hanae ISHIHARA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530789B2. Автор: Joonhee Lee,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device, electronic device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09515086B2. Автор: Young-Jin Noh,Jaeyoung Ahn,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Dongchul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437609B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09391086B1. Автор: Eiichi Soda,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240099000A1. Автор: Kotaro Nomura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119092A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Sheng-Haung Haung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US7948800B2. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080296647A1. Автор: Tomohiko Tatsumi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor memory device and method of manufacture

Номер патента: US20230389310A1. Автор: Kiseok LEE,Keunnam Kim,Byeongjoo KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372003A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240292626A1. Автор: Tadashi Iguchi,Kazuki Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20130256626A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi,Yoshihisa Kagawa,Satoshi Sasaki,Ichiro Fujiwara,Naomi Yamada,Akira Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US20090185427A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090065838A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020039823A1. Автор: Seiki Ogura,Masataka Kusumi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and process for same

Номер патента: US20020089002A1. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Capacitor for semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030190783A1. Автор: Dong Kim,Kee Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240284665A1. Автор: Hong-Soo Kim,Jong-Kook Park,Tae-keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12089410B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136594B2. Автор: Shota NIIHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09966386B2. Автор: Naoki Yamamoto,Hisashi Kato,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905571B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US09679911B2. Автор: Kei Sakamoto,Shigeki Kobayashi,Takamasa OKAWA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US09646987B2. Автор: Takashi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09564450B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09530697B1. Автор: Hiroshi Nakaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520407B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12029024B2. Автор: Yuri Lee,Deokhan Bae,Juhun PARK,Yoonyoung Jung,Sooyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US7338863B2. Автор: Young-sun Kim,Jong-Cheol Lee,Han-mei Choi,Jae-Hyoung Choi,Gab-jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150041876A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210020654A1. Автор: Dong Hyuk Kim,Sung Lae OH,Soo Nam JUNG,Tae Sung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224535A1. Автор: Juhyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240114674A1. Автор: Chang Sik Kim,Jae Won Na,Jun Hwa Song,Ji Hee Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240098996A1. Автор: Sunggil Kim,Siyeong YANG,Yuyeon Kim,Jumi Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240114704A1. Автор: Jiyoung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230189524A1. Автор: Junghwan Park,Joon Sung Kim,Sun Young Lee,Min Gu Kang,Seorim MOON,Seok Cheon Baek,Cheol RYOU,Sang Don ZOO,Cheol-Min LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7446362B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240251553A1. Автор: Ji Hoon Lee,Phil Ouk NAM,Young Bong SHIN,Mi Hye KANG,Jun Hee NA,Tae Gi YEH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251544A1. Автор: Ilyoung Yoon,Sangjun Park,Kijong Park,Sungjoo An,Seungmin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US12074128B2. Автор: Moorym CHOI,Yoonjo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190319043A1. Автор: Akira Takashima,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino,Ayaka SUKO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor memory device and method for fabricating same

Номер патента: US20080048234A1. Автор: Takashi Nakabayashi,Hideyuki Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160300846A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230134878A1. Автор: KANAMORI Kohji,Jeehoon HAN,Seung Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7429508B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170243945A1. Автор: Toshiyuki Iwamoto,Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240306370A1. Автор: Jang Eun Lee,Byoung Hoon Lee,Sungnam LYU,Hyo Jung Noh,Eul Ji JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240324165A1. Автор: Yuri Lee,Deokhan Bae,Juhun PARK,Yoonyoung Jung,Sooyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130228850A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312902A1. Автор: Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240315002A1. Автор: Kwang-Ho Park,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11955565B2. Автор: Chi REN,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997535B2. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09972635B2. Автор: Hiroshi Itokawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09960179B2. Автор: Kenta Yamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09922991B2. Автор: Shinichi Ito,Seiji Morita,Soichi Inoue,Isahiro Hasegawa,Tetsuya Kamigaki,Kei Hattori,Koichi Matsuno,Tatsuhiko Higashiki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09922985B2. Автор: Hae Wan Yang,Sheng Fen Chiu,Guan Hua LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905510B2. Автор: Yosuke Komori. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09899411B2. Автор: Phil Ouk NAM,Woong Lee,Woosung Lee,Junkyu Yang,JinGyun Kim,Daehong Eom,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09847342B2. Автор: Katsumi Yamamoto,Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Shunichi Takeuchi,Katsuyuki Sekine,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani,Kohei SAKAIKE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09842856B2. Автор: Tatsuya Okamoto,Tatsufumi Hamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786678B2. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu,Hirokazu Ishigaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09735167B2. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09673291B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09666596B2. Автор: Tomohiro Takamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357787A1. Автор: Kyung Hee Cho,Seunghun LEE,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09559115B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09559111B2. Автор: Phil Ouk NAM,Woong Lee,Woosung Lee,Junkyu Yang,JinGyun Kim,Daehong Eom,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4451331A1. Автор: Kyung Hee Cho,Seunghun LEE,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09524979B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431412B1. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09397109B1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20010052625A1. Автор: Kazuhiko Sanada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064952A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Bo-Rong Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210335816A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170025434A1. Автор: Hiroshi Toyoda,Seiichi Omoto,Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor apparatus and manufacturing method therefor

Номер патента: US20010050381A1. Автор: Hisamitsu Kimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210134803A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Gihee CHO,Jungoo Kang,Sanghyuck Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Memory device, and semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4199042A1. Автор: Shih-hung Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180226422A1. Автор: Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090194807A1. Автор: Hiroki Yamashita,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080105916A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120086069A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240244821A1. Автор: Xiaobing Chen,Yu-Hsien Li,Daochu Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100133613A1. Автор: Hironobu FURUHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240090228A1. Автор: Jeehoon HAN,Hoyoung CHOI,Sanghun Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device and a method of fabricating the same

Номер патента: US12048141B2. Автор: Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Min Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210217759A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301068A1. Автор: Hyuk Kim,Youngsik Lee,Yeonsu KIM,Sangwuk PARK,Hwanchul JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20230320098A1. Автор: Geun-Won Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20080081413A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Chang-Sub Lee,Jai-Hyuk Song,Woon-kyung Lee,Dong-Yean Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151779A1. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8541866B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160056164A1. Автор: Noriaki Mikasa,Ken Komiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Method of manufacturing a semiconductor memory device having capacitor electrodes and a vertical contact plug

Номер патента: US11769721B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9000504B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8633526B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140239373A1. Автор: Atsushi Murakoshi,Daisuke Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180261603A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10074656B1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090294827A1. Автор: Motoi Ashida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20210296321A1. Автор: Seung-Heon Lee,Yoosang Hwang,Sohyun Park,Hyo-Sub Kim,Taejin Park,Youn-Seok CHOI,Sunghee Han,Inkyoung Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160268274A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170263640A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060202260A1. Автор: Junya Maneki,Masaru Seto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110001178A1. Автор: Masao Iwase,Tadahi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271350A1. Автор: Hiroshi NAKAKl,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10186517B2. Автор: Hiroshi Nakaki,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Module of signals input-output controller

Номер патента: RU2439646C1. Автор: Михаил Юрьевич Кулинич. Владелец: Закрытое акционерное общество Производственная компания "Промконтроллер". Дата публикации: 2012-01-10.

Information reproducing method, information input/output method, information reproducing device, portable information input/output device and electronic toy using dot pattern

Номер патента: RU2473966C2. Автор: Кендзи ЙОСИДА. Владелец: Кендзи ЙОСИДА. Дата публикации: 2013-01-27.

Information input/output method using dot pattern

Номер патента: RU2381552C2. Автор: Кендзи ЙОСИДА. Владелец: Кендзи ЙОСИДА. Дата публикации: 2010-02-10.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Signal input circuit and signal input / output device

Номер патента: JP3674448B2. Автор: 義則 佐藤,誠 岩島. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Digital signal input/output device

Номер патента: RU2022344C1. Автор: Анатолий Ефимович Злачевский. Владелец: Анатолий Ефимович Злачевский. Дата публикации: 1994-10-30.

Signal input / output devices and electronic devices using signal input / output devices

Номер патента: JP7084612B2. Автор: 栄利 中村. Владелец: M System Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Portable data processing system and signal input/output device used by same

Номер патента: CN102638608A. Автор: 黄育仁. Владелец: Teco Image Systems Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-15.

Key-pressing signal input/output device

Номер патента: TW481398U. Автор: Se-Sa Chen,Wen-Ching Tseng. Владелец: Wen-Ching Tseng. Дата публикации: 2002-03-21.

Signal input / output device

Номер патента: JP4062974B2. Автор: 卓 佐藤. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-19.

Analog signal input-output device

Номер патента: SU1015369A1. Автор: Леонид Николаевич Бескин,Сергей Георгиевич Телелюхин. Владелец: Предприятие П/Я А-7306. Дата публикации: 1983-04-30.

Method for diagnozing drawing-out of signal input/output connector cable from automatic control device

Номер патента: JPS6280702A. Автор: Mitsuo Tanaka,Eiji Toyama,Sachio Yamanobe,栄二 遠山,Yoshinori Kajiyama,義徳 梶山,山野辺　さちを,田中　三雄. Владелец: Hitachi Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1987-04-14.

Video signal input / output device of television receiver

Номер патента: KR19980038948U. Автор: 김주현. Владелец: 배순훈. Дата публикации: 1998-09-15.

Signal input / output circuit

Номер патента: JP3978934B2. Автор: 伴　　博行,直矢 土谷. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-09-19.

Signal input / output device

Номер патента: JP5282460B2. Автор: 智仁 小西. Владелец: Onkyo Corp. Дата публикации: 2013-09-04.

Audio signal input / output switching device in electronic equipment

Номер патента: JP2884591B2. Автор: 實 ▲高▼倉. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-04-19.

Measuring signal input/output system

Номер патента: JPS6266736A. Автор: Masaki Nakamichi,中道　正樹. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-03-26.

Multi-channel digital signal input/output isolating box and power control system

Номер патента: CN102739234A. Автор: 张明,潘明俊,李霆霆. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-10-17.

Analogue signal input/output device

Номер патента: JPS55117935A. Автор: Yoshihiro Matsumoto,Tetsuzo Kunimoto,Kiyoshi Yamazaki,Nobuko Mikami. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-09-10.

Semiconductor memory device and data input / output method thereof

Номер патента: JP4552380B2. Автор: 利幸 西原. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Monitor AV video signal input/output loop-through circuit

Номер патента: CN2826871Y. Автор: 唐凡,罗斯根,黄煊煜,吴绪锦. Владелец: Shenzhen TCL New Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-11.

Signal input / output circuit

Номер патента: JP3207955B2. Автор: 隆夫 宮坂. Владелец: Hioki EE Corp. Дата публикации: 2001-09-10.

Signal input/output unit for high frequency equipment

Номер патента: JPS6217965A. Автор: 堀田　信幸. Владелец: Maspro Denkoh Corp. Дата публикации: 1987-01-26.

Audio signal input / output circuit

Номер патента: JP3013432B2. Автор: 泰 末石. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-28.

Signal input / output device

Номер патента: JP3165718B2. Автор: 敏雄 鍛冶. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-05-14.

Signal input/output device for video camera

Номер патента: USD413323S. Автор: Naoki Tashiro. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-08-31.

SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND DATA INPUT/OUTPUT METHOD THEREOF

Номер патента: US20120213019A1. Автор: KWACK Seung Wook,KWACK Kae Dal. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor memory information storage device and its defective part coping method

Номер патента: JP5057796B2. Автор: 俊生 鈴木. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

Information processing system and information processing method, data input / output terminal device, and data input / output method

Номер патента: JP2982753B2. Автор: 英和 谷川,亜旗 米田. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-29.

STREAM DOT PATTERN, METHOD OF FORMING STREAM DOT PATTERN, INFORMATION INPUT/OUTPUT METHOD USING STREAM DOT PATTERN, AND DOT PATTERN

Номер патента: US20120118968A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

DATA INPUT/OUTPUT DEVICE, INFORMATION PROCESSING DEVICE, AND DATA INPUT/OUTPUT METHOD

Номер патента: US20120161854A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-28.

Image input output method, image input output device and image processing system

Номер патента: JPH11191820A. Автор: Hirohiko Ito,裕彦 伊藤. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Information input/output device, and information input/output method

Номер патента: JP2014145734A. Автор: Shigeru Kato,茂 加藤,Satoshi Ejima,聡 江島. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Analog input output method, device and system of virtual machine cluster

Номер патента: CN103092676A. Автор: 邱军. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

Logo / Illustration data input / output device and input / output method

Номер патента: JP2646476B2. Автор: 和男 寅市. Владелец: Toraichi Kazuo. Дата публикации: 1997-08-27.

Input / output device and input / output method

Номер патента: JP5665926B2. Автор: 仁麿 東郷,東郷　仁麿. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2015-02-04.

Image input/output device and image input/output method

Номер патента: JPH10173898A. Автор: Yasushi Shimizu,泰志 清水. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-06-26.

INFORMATION INPUT/OUTPUT APPARATUS, INFORMATION PROCESSING APPARATUS, INFORMATION INPUT/OUTPUT SYSTEM, PRINTING MEDIUM, AND INFORMATION INPUT/OUTPUT METHOD

Номер патента: US20120153020A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

NONVOLATILE MEMORY SYSTEM AND FLAG DATA INPUT/OUTPUT METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120198180A1. Автор: YANG Chang Won,KIM Min Su. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-08-02.

INFORMATION INPUT OUTPUT METHOD USING A DOT PATTERN

Номер патента: US20120325910A1. Автор: Yoshida Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

INFORMATION INPUT OUTPUT METHOD USING DOT PATTERN

Номер патента: US20130020386A1. Автор: Yoshida Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

INFORMATION INPUT/OUTPUT METHOD USING DOT PATTERN

Номер патента: US20130050724A1. Автор: Yoshida Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

Arbitrary angle rotation image data input / output method, input / output circuit thereof, and electronic file device using the same

Номер патента: JP2753349B2. Автор: 康雄 黒須,秀文 増崎,佳弘 横山,信明 伊豆野,健一 西川. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-05-20.

Image input / output method and apparatus

Номер патента: JP3179519B2. Автор: 栄一 本山. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-06-25.

INPUT / OUTPUT SYSTEM, INPUT PROCESSING DEVICE, INPUT / OUTPUT METHOD, AND PROGRAM

Номер патента: JP6197163B1. Автор: 誠 西田,西田　誠. Владелец: Netappli Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-20.

Handwritten character input/output method

Номер патента: JPH10171589A. Автор: 民則 冨田,Hideki Sakao,秀樹 坂尾,Yasuharu Nanba,康晴 難波,Taminori Tomita,Hirokazu Aoshima,弘和 青島. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-06-26.

Image input / output system and image input / output method

Номер патента: JP3745134B2. Автор: 裕彦 伊藤. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-02-15.

Input / output method and electronic equipment

Номер патента: JP5782168B2. Автор: 仁麿 東郷,東郷　仁麿. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2015-09-24.

Input / output method of industrial robot controller

Номер патента: JP2696590B2. Автор: 清 蟹谷. Владелец: Nachi Fujikoshi Corp. Дата публикации: 1998-01-14.

Facsimile document input / output method

Номер патента: JP3149115B2. Автор: 浩一 松本,憲一 服部,光太郎 宮田,重利 岡部,国利 松井. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2001-03-26.

ARINC429 board data input/output method

Номер патента: CN103729216A. Автор: 周明珠,兰积钱,夏高明,薛郝,汤挺. Владелец: JIANGSU RUITIAN INFORMATION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

Data input / output device, data input / output method, data input / output program

Номер патента: JP4697451B2. Автор: 正敬 大島,明子 久保. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-06-08.

Data input / output method in multiprocessor system

Номер патента: KR940009850A. Автор: 김용. Владелец: 이헌조. Дата публикации: 1994-05-24.

I/O (input/output) method suitable for any SEG-Y seismic data

Номер патента: CN105320513A. Автор: 周巍,孔祥宁,刘旭跃. Владелец: Sinopec Geophysical Research Institute. Дата публикации: 2016-02-10.

Sound input/output device, sound input/output system, server, and sound input/output method

Номер патента: JP2022085072A. Автор: Koichiro Sakamoto,浩一郎 坂本,和真 内藤,Haruka ADACHI,Kazuma Naito,春花 足立,拓人 依田,Takuto Yoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2022-06-08.

Data input / output method

Номер патента: JPH077354B2. Автор: 平林　　元明. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-01-30.

Portable communication apparatus and audio input/output method thereof

Номер патента: TW200829051A. Автор: Hsing-Yung Huang. Владелец: Mitac Int Corp. Дата публикации: 2008-07-01.

Information input/output method using a graphical indicator

Номер патента: TW201104625A. Автор: Yao-Hung Tsai,Li-Ching Chen. Владелец: Sonix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION DEVICE AND METHOD FOR EMBEDDING DATA SYMBOLS IN A LUMINANCE OUTPUT

Номер патента: US20120002974A1. Автор: Wendt Matthias,Radermacher Harald Josef Günther,SCHENK Tim Corneel Wilhelmus,Kuppen Johan Wilhelmus Hermanus. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENT OF OBJECT

Номер патента: US20120002842A1. Автор: MURASHITA Kimitaka,WATANABE Yuri,Fujimura Koichi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION BETWEEN A HOST DEVICE AND AN ACCESSORY VIA AN INTERMEDIATE DEVICE

Номер патента: US20120003935A1. Автор: Lydon Gregory T.,Tikalsky Terry,Ananny John,Laefer Jay S.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION BETWEEN A HOST DEVICE AND AN ACCESSORY VIA AN INTERMEDIATE DEVICE

Номер патента: US20120003934A1. Автор: Lydon Gregory T.,Tikalsky Terry,Ananny John,Laefer Jay S.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL PROCESSING SYSTEM AND SIGNAL PROCESSING METHOD

Номер патента: US20120002827A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID COLLECTING SYSTEM AND A METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120000297A1. Автор: KANNO Iwao,Nishimoto Takahiro,KIMURA Yuichi,Kitamura Keishi,HASHIZUME Nobuya,Seki Chie. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHORETIC DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20120002268A1. Автор: UCHIDA Masami. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

INTERLEAVED MEMORY PROGRAM AND VERIFY METHOD, DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120002474A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Ammonium Fluoroalkanesulfonates and a Synthesis Method Therefor

Номер патента: US20120004447A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.