Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor integrated circuit device for connecting semiconductor region and electrical wiring metal via titanium silicide layer and method of fabrication thereof

Semiconductor integrated circuit device for connecting semiconductor region and electrical wiring metal via titanium silicide layer and method of fabrication thereof

Номер патента: SG47193A1
Опубликовано: 20-03-1998
Автор(ы): Atushi Ogishima, Hideo Miura, Hiromi Abe, Hiromi Todorobaru, Hiroyuki Uchiyama, Masashi Sahara, Masayuki Suzuki, Nee Toda Sonoko Abe, Shinichi Ishida, Shinji Nishihara, Shuji Ikeda
Принадлежит: HITACHI LTD

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor integrated circuit device for connecting semiconductor region and electrical wiring metal via titanium silicide layer and method of fabrication thereof

Номер патента: MY115056A. Автор: Masayuki Suzuki,Hideo Miura,Shuji Ikeda,Shinichi Ishida,Hiromi Abe,Hiroyuki Uchiyama,Shinji Nishihara,Atushi Ogishima,Hiromi Todorobaru,Masashi Sahara,Sonoko Abe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-31.

Via structure having low interface resistance and method for forming the same

Номер патента: US20210098368A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859393B2. Автор: Ki-yeon Park,Bon-young Koo,Gi-gwan PARK,Yong-Suk Tak,Hyun-seung KIM,Mi-seon Park,Tae-Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20220293593A1. Автор: CAI Qiaoming,Ma Lisha. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11804438B2. Автор: Yong Kong Siew,Changhwa KIM,Wei Hsiung Tseng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240030140A1. Автор: Yong Kong Siew,Changhwa KIM,Wei Hsiung Tseng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of fabricating bit line

Номер патента: US10475799B2. Автор: Yi-Wei Chen,Chi-Mao Hsu,Tsun-Min Cheng,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of fabricating bit line

Номер патента: US20190237468A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chi-Mao Hsu,Tsun-Min Cheng,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230299136A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09935194B2. Автор: Young Ho Lee,Jin Ha Kim,Kang Sik Choi,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Transistor, integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US09893159B2. Автор: Chia-Hao Chang,Wai-Yi Lien,Ming-Shan Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7414291B2. Автор: Satoru Yamada,Yoshitaka Nakamura,Ryoichi Nakamura,Ryo Nagai,Shigetomi Michimata. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-08-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4456125A2. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Low-resistance conductive pattern structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110100693A1. Автор: Bo-Un Yoon,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240088033A1. Автор: Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Wei-Ting Chen,Chao-Kai Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of reducing charging damage to integrated circuits during semiconductor manufacturing

Номер патента: US20070093057A1. Автор: Ko-Ting Chen,Wen-Bin Lu,Chao-Hu Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Self-aligned metal process for field effect transistor integrated circuits using polycrystalline silicon gate electrodes

Номер патента: US4471522A. Автор: Chakrapani G. Jambotkar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-09-18.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US20140084469A1. Автор: Hsiang-Huan Lee,Ming Han Lee,Tz-Jun Kuo,Chien-Hsin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of forming an interconnection

Номер патента: US09842767B2. Автор: Ming-Han Lee,Hsiang-Huan Lee,Tz-Jun Kuo,Chien-Hsin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor integrated circuit device suppressing a junction leak and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020089035A1. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US12068288B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20230223381A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240355786A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234485A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220271056A1. Автор: Jinsoo Lim,Byunggon PARK,SangJun HONG,Jisung Cheon,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit device

Номер патента: US20200411540A1. Автор: Jinsoo Lim,Byunggon PARK,SangJun HONG,Jisung Cheon,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US11335695B2. Автор: Jinsoo Lim,Byunggon PARK,SangJun HONG,Jisung Cheon,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-17.

Interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038665A1. Автор: Cheng-Chin Lee,Cherng-Shiaw Tsai,Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG,Yen-Ju Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Integration of vertical-transport transistors and electrical fuses

Номер патента: US10439031B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Integrated circuit devices including a conductive via and methods of forming the same

Номер патента: US20240355727A1. Автор: Se Jung Park,Jaemyung CHOI,Kang -Ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US11990416B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Hsinhsiang Tseng,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20170243877A1. Автор: Takuya INATSUKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor structures of anti-fuse devices and core devices with different dielectric layers and preparation method thereof

Номер патента: US12033938B2. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4439669A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240332185A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit devices with protection liner between doped semiconductor regions

Номер патента: US20240105718A1. Автор: Feng Zhang,Chia-Ching Lin,Guowei Xu,Yanbin LUO,Tao Chu,Minwoo Jang,Ting-Hsiang Hung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Ic germanium insulator substrate and method of manufacture of ic substrate

Номер патента: WO2007148072A3. Автор: Harold Samuel Gamble,David William Mcneill,Neil Samuel John Mitchell,Brian Mervyn Amstrong. Владелец: Brian Mervyn Amstrong. Дата публикации: 2008-03-27.

Ic germanium on insulator substrate and method of manufacture of ic substrate

Номер патента: EP2033217A2. Автор: Harold Samuel Gamble,David William Mcneill,Neil Samuel John Mitchell,Brian Mervyn Amstrong. Владелец: Queens University of Belfast. Дата публикации: 2009-03-11.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: EP4310902A1. Автор: Bongsoo Kim,Taejin Park,Huijung Kim,Kyujin KIM,Chulkwon Park,Gyunghyun YOON,Heejae CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-24.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240032280A1. Автор: Bongsoo Kim,Taejin Park,Huijung Kim,Kyujin KIM,Chulkwon Park,Gyunghyun YOON,Heejae CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Integrated circuit device has several carbon nanotubes that are formed in opening of insulation layer so that nanotubes are electrically connected to copper pattern through catalyst metal layer and barrier layer

Номер патента: DE102008004183A1. Автор: Hokyu Kang,Seokjun Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor Integrated Circuit and Fabricating the Same

Номер патента: US20140203434A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347461A1. Автор: Chun-Wei Wang,Jen-I Lai,Rou-Wei Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09972692B2. Автор: Sun-jung Lee,Jung-Hun Choi,Da-Il Eom,Sung-Uk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240363491A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240290715A1. Автор: Yasuhiko Maki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190051720A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-14.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210111270A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Integrated circuit, system and method of forming same

Номер патента: US12131998B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Crack stop structure and method for forming the same

Номер патента: US20140154864A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Manufacturing method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130230964A1. Автор: Akira Imai,Toshiaki Iwamatsu,Akihiro Nakae. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Integrated circuit aluminum contact structure to silicon device regions

Номер патента: US5281854A. Автор: George Wong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1994-01-25.

Via contact structures and methods for integrated circuits

Номер патента: US20110074036A1. Автор: Man Hua Chen,Lien Hung Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Integrated circuit formation using a silicon carbon film

Номер патента: WO2009042475A1. Автор: Laura M. Matz,Ting Tsui,Ping N. Jiang,William Wesley Dostalik. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-04-02.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6713325B2. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070254426A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030129792A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200321433A1. Автор: Isamu SUGAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09842903B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230067984A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Chih Cheng,Shun Wu Lin,Chia-Ling Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20200098755A1. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of fabrication a shallow trench isolation structure with oxide sidewall spacers

Номер патента: EP1851793A1. Автор: Bradley J. Larsen. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-07.

Method of fabrication a shallow trench isolation structure with oxide sidewall spacers

Номер патента: WO2006091434A1. Автор: Bradley J. Larsen. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2006-08-31.

Semiconductor device having internal wire and method of fabricating the same

Номер патента: US5550409A. Автор: Takehisa Yamaguchi,Hidekazu Oda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Semiconductor integrated circuit device relating to resistance characteristics

Номер патента: US09905567B2. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12120870B2. Автор: Kohei Nakagami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Integrated circuit with BioFETs

Номер патента: US11860121B2. Автор: Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen,Yu-Jie Huang,Yi-Hsing HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit with biofets and fabrication thereof

Номер патента: US11860120B2. Автор: Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen,Yu-Jie Huang,Yi-Hsing HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Integrated fan-out package and method of fabricating the same

Номер патента: US09870997B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Tin-Hao Kuo,Chien-Ling Hwang,Hsin-Hung Liao,Tsung-Hsien Chiang,Wei-Sen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Silicide-layer-coupled doped portion of active region and method of fabricating same

Номер патента: US20240234526A1. Автор: Chung-Hui Chen,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of fabricating metal silicide layer

Номер патента: US20060154474A1. Автор: Yi-Wei Chen,Yi-Yiing Chiang,Yu-Lan Chang,Tzung-Yu Hung,Chao-Ching Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Method of Semiconductor Integrated Circuit Fabrication

Номер патента: US20160172196A1. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09947583B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee,Ching-Fu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of Semiconducotr integrated Circuit Fabrication

Номер патента: US20140138838A1. Автор: Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor Integrated Circuit Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20100200907A1. Автор: Chan-Hee Park,Eun-ha Lee,Ki-Hyun Hwang,Hyung-ik Lee,Sung Heo,Han-mei Choi,Dong Chul Yoo,Byong-ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

Mask set for fabricating integrated circuits and method of fabricating integrated circuits

Номер патента: US8758961B1. Автор: Chooi Pei Lim,Francis Man-Chit Chow,Jordan Plofsky,Danny Biran. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Self-assembly pattern for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8497201B2. Автор: Ching-Yu Chang,Clement Hsingjen Wann,Tsung-Lin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-30.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP2093800A3. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Charles M. Watkins,Kyle K. Kirkby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-31.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP1763897A1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Kyle K. Kirby,Charles M. Watkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP2093800B1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Charles M. Watkins,Kyle K. Kirkby. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-07-06.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: SG153876A1. Автор: Salman Akram,Kyle K Kirby,Alan G Wood,William M Hiatt,Charles M Watkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-29.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP1763897B1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Kyle K. Kirby,Charles M. Watkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-02.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: WO2006011897A1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Kyle K. Kirby,Charles M. Watkins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor device including forming an amorphous silicon layer over and reacting with a silicide layer

Номер патента: US20040245581A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Disposing protective cover film and underfill layer over singulated integrated circuit dice for protection during integrated circuit processing

Номер патента: US11784092B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of fabricating a charge trap nand flash memory device

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor integrated circuit device comprising misfets in soi and bulk substrate regions

Номер патента: US20180350844A1. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20220085008A1. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190378833A1. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11929362B2. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09893065B2. Автор: Hiroshi Kanno,Hitoshi Sumida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09917150B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuit devices including a dual gate stack structure and methods of forming the same

Номер патента: US20060003507A1. Автор: Jae-Kwang Choi,Jong-ho Lee,Hwa-Sung Rhee,Hyung-Suk Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-05.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230145810A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20210376147A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230411519A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US11791409B2. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Thin-film transistor and method for manufacturing same, array substrate, and display device

Номер патента: US11227881B2. Автор: Fan Zhang,Koji Suzuki,Jianhua Li,Yixian Zhang,Zhuo Chen,Junhai Su,Siyu REN. Владелец: Truly Huizhou Smart Display Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Thin-film transistor and method for manufacturing same, array substrate, and display device

Номер патента: US20200235132A1. Автор: Fan Zhang,Koji Suzuki,Jianhua Li,Yixian Zhang,Zhuo Chen,Junhai Su,Siyu REN. Владелец: Truly Huizhou Smart Display Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060292806A1. Автор: Norihito Nakamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US4935800A. Автор: Minoru Taguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-06-19.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Methods of forming integrated circuit devices having gate oxide layers with different thicknesses and integrated circuit devices formed thereby

Номер патента: US20030030111A1. Автор: Dong-Woo Kim,Seung-hoon Han,Duck-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Methods of forming fine patterns in integrated circuit devices

Номер патента: US20100096719A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Production of semiconductor integrated-circuit devices

Номер патента: US3770520A. Автор: H Ikeda,Y Kabaya. Владелец: KYODO DENSHI GIJUTSU KENKYUSHO. Дата публикации: 1973-11-06.

Semiconductor integrated circuit apparatus and its manufacturing method

Номер патента: US20030034493A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor Integrated Circuit Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20090209078A1. Автор: Hideki Yasuoka,Susumu Ishida,Masami Kouketsu,Kazunari Saitou. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Arrangement and method for manufacturing the same

Номер патента: US09966277B2. Автор: Gudrun Stranzl,Thomas Fischer,Edward Fuergut,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka,Markus Zundel,Isabella Goetz,Sebastian Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of fabricating semiconductor integrated circuit devices including updiffusion to selectively dope a silicon layer

Номер патента: US5017507A. Автор: Hideyuki Miyazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-05-21.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020179979A1. Автор: Gyu-Chul Kim,Han-Soo Kim,Yong Park,Kang-Sik Cho,Hoo-Seung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Bit line structure, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20110198698A1. Автор: Chien-Hung Liu,Ying-Tso Chen,Shou-Wei Huang,Guan-De Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-18.

Vertical transistors and methods of forming same

Номер патента: US09929152B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated Circuit with First and Second Switching Devices, Half Bridge Circuit and Method of Manufacturing

Номер патента: US20150048420A1. Автор: Martin Vielemeyer,Sylvain Leomant. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-19.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US12051749B2. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US20240347633A1. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor Integrated Device with Channel Region

Номер патента: US20140138763A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhiqiang Wu,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09735168B2. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Sic mosfet, sic mosfet preparation method, and integrated circuit

Номер патента: US20240274710A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Huiyuan Zhang,Loucheng DAI,Runtao Ning. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160181373A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Methods for fabricating integrated circuits with a high-voltage MOSFET

Номер патента: US9054135B2. Автор: Bing Li,Sung Mun Jung,Yi Tat Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-06-09.

Thin film transistors and method of promoting large crystal grain size in the formation of polycrystalline silicon alloy thin films

Номер патента: US5665981A. Автор: Shubneesh Batra,Sanjay Banerjee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-09-09.

Integrated circuit device including low resistivity tungsten and methods of fabrication

Номер патента: US20140024208A1. Автор: Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210249314A1. Автор: Tohru Kawai,Yuta MIZUKAMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor storage device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100190304A1. Автор: Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor storage device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060244076A1. Автор: Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Method of forming metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: US20100261323A1. Автор: Chien-Chung Huang,Neng-Kuo Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor integrated circuit apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US09935097B2. Автор: Katsuyoshi Matsuura,Junichi Ariyoshi. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240097009A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Tien-Wei YU,Chandrashekhar P. Savant,Ke-Chih Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of fabricating a sige semiconductor structure

Номер патента: EP1716598A1. Автор: Peter Deixler,Roy Colclaser,Brian Wroblewski. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-02.

Method of fabricating a sige semiconductor structure

Номер патента: WO2005041306A1. Автор: Peter Deixler,Roy Colclaser,Brian Wroblewski. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS, N.V.. Дата публикации: 2005-05-06.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Method for manufacturing a MOS integrated circuit

Номер патента: US3865650A. Автор: Shigeru Arita. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1975-02-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190164950A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09941263B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Silicide-sandwiched source/drain region and method of fabricating same

Номер патента: US20210376091A1. Автор: Chung-Hui Chen,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20060163615A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Integrated circuit with electrical fuse and method of forming the same

Номер патента: US20170062335A1. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuits with dual silicide contacts and methods for fabricating same

Номер патента: US20160049490A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Wei,Jeremy A. Wahl,Shao Ming Koh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of manufacturing an integrated circuit with imprint, integrated circuit with imprint, device for forming integrated circuit with imprint and verification system for integrated circuit with imprint

Номер патента: CN105608248A. Автор: 覃永良,蔡明庆,関伟伦,C.马尔贝拉. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-25.

Self-aligned metal process for field effect transistor integrated circuits

Номер патента: US4359816A. Автор: Ingrid E. Magdo,Shakir A. Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-11-23.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09972625B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor integrated circuit devices having different thickness silicon-germanium layers

Номер патента: US20120228720A1. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110204486A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8093723B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7977238B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100203724A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140091425A1. Автор: Yukimasa Minami. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US09875938B2. Автор: Gi-gwan PARK,Yongkuk Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100327356A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100201429A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20040180502A1. Автор: Young-ok Kim,Cha-Dong Yeo,Sun-ha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US12080804B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240234322A1. Автор: Hayato Shinohara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20200403096A1. Автор: Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US20220278096A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080303158A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7786585B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240304629A1. Автор: Toshio Hino. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US12094878B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin

Номер патента: US09899381B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Microdevice having non-linear structural component and method of fabrication

Номер патента: US6995433B1. Автор: Todd P. Lukanc,Bhanwar Singh,Luigi Capodieci,Joerg Reiss,Sarah N. McGowan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-02-07.

Integrated circuit device including a field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401144A2. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same

Номер патента: WO2017052616A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor integrated circuit having multiple-layered connection

Номер патента: US4694320A. Автор: Tetsuro Asano. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-09-15.

Semiconductor integrated circuit and electronic instrument

Номер патента: EP3836200A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-16.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240363633A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4456124A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Integrated circuit device

Номер патента: US20170271255A1. Автор: Hiroki Okamoto,Kiyoshi Okuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

BI-CMOS gate array semiconductor integrated circuits and internal cell structure involved in the same

Номер патента: US5497014A. Автор: Takayuki Momose. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Method of integrating optical devices and electronic devices on an integrated circuit

Номер патента: US20060105488A1. Автор: Omar Zia,Lawrence Gunn,Nigel Cave. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240143888A1. Автор: Yu-Jung Chang,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Graphene devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150179814A1. Автор: WENXU Xianyu,Chang-Seung Lee,Chang-youl Moon,Jeong-Yub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor integrated injection logic circuit device

Номер патента: JPS6267855A. Автор: Toshiyuki Okoda,敏幸 大古田,Teruo Tabata,田端　輝夫. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-03-27.

METHOD OF MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT WITH IMPRINT, INTEGRATED CIRCUIT WITH IMPRINT, DEVICE FOR FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT WITH IMPRINT AND VERIFICATION SYSTEM FOR AN INTEGRATED CIRCUIT WITH IMPRINT

Номер патента: US20160141187A1. Автор: Marbella Carlo Baterna,Kwan Wai Loon,Chai Min King,Tham Veng Leong. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Method of manufacturing a double sided processed integrated circuit forming a contact structure for connecting metallizing structures of each individual chip

Номер патента: DE10055848A1. Автор: Michael Pfeiffer,Wolfgang Angermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-23.

Inverted integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230111501A1. Автор: Yu-Jung Chang,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Inverted integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US11868699B2. Автор: Yu-Jung Chang,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Integrated circuit including standard cells and method of designing the same

Номер патента: US20240105710A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Jaehee Cho,Jisu YU,Geonwoo Nam,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Field effect transistor including a downward-protruding gate electrode and methods for forming the same

Номер патента: US12057475B2. Автор: Tsung-Hao YEH,Shiang-Hung HUANG,HsinFu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit comprising transistors with different threshold voltages

Номер патента: US09911737B2. Автор: Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud,Philippe Flatresse,Bertrand Pelloux-Prayer. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-03-06.

Photomask and method for fabricating source/drain electrode of thin film transistor

Номер патента: US8530144B2. Автор: Chia-Ming Chang,Ta-Wen Liao,Chun-Yi Chiang,Hsiang-Chih Hsiao,Che-Yung Lai,Zong-Long Jhang,Chou-Huan Yu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-09-10.

Method of forming pattern, manufacturing method of semiconductor device and template

Номер патента: US9252027B1. Автор: Kei Kobayashi,Yusuke KASAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-02.

Method for semiconductor integrated circuit fabrication and a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050006709A1. Автор: Takeshi Takagi,Akira Asai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240363521A1. Автор: Hideyuki Komuro. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Ultra-high voltage sige hbt device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130328108A1. Автор: FAN CHEN,Jing Shi,Jun Hu,Wensheng QIAN,Donghua Liu,Wenting Duan. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor package comprising stacked integrated circuit chips having connection terminals and through electrodes symmetrically arranged

Номер патента: US9824954B2. Автор: Takayuki Kamiya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240128350A1. Автор: Seiji Noguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit package with stacked integrated circuit dies and method of fabricating the same

Номер патента: EP4189740A1. Автор: Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Michelle Yejin Kim,Jialing Tong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Integrated circuit package with stacked integrated circuit dies and method of fabricating the same

Номер патента: WO2022026078A1. Автор: Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Michelle Yejin Kim,Jialing Tong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-02-03.

Integrated fan-out package and method of fabricating the same

Номер патента: US09837359B1. Автор: Ming-Yen Chiu,Hsin-Chieh Huang,Ching-Fu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Electronic package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240282674A1. Автор: Cheng-Kai Chang,Pin-Jing Su. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor integrated circuit device with reservoir capacitors and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236825A1. Автор: Jong Su Kim,Dong Kun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Multiple selectable function integrated circuit module

Номер патента: US8471389B2. Автор: Mou-Shiung Lin. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2013-06-25.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230247852A1. Автор: Sungchul Kim,Boseong Kim,Yong-Hyun HWANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device with embedded magnetic storage structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059613A1. Автор: Chang-Chieh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Support Device for an Electrical Energy Store Having an Isolation Strip, And Electrical Energy Store

Номер патента: US20230158973A1. Автор: Franz Bonauer,Martin Spaeth. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2023-05-25.

Design method for connection sheet, connection sheet, energy storage device and electric device

Номер патента: AU2022459564A1. Автор: Hanchuan HUANG. Владелец: Xiamen Hithium Energy Storage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Design method for connection sheet, connection sheet, energy storage device and electric device

Номер патента: CA3220822A1. Автор: Hanchuan HUANG. Владелец: Xiamen Hithium Energy Storage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Protection method and device for secondary battery, secondary battery, battery module, battery pack, and electric device

Номер патента: EP4379946A1. Автор: TING Li,Haizu Jin,Shaojun Niu,Huaichao TANG,Longqing PENG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor integrated circuit device with a surface and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947546B2. Автор: Keun Kyu Kong,Min Seok Son,Jae Hee SIM,Jeong Hoon AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor IC device including passivation layer for inactivating a dopant in a p-type semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US12119397B2. Автор: Younghwan Park,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180158914A1. Автор: Shoji Kitamura,Kazuhiro Kitahara,Tsukasa TASHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of forming stacked die package

Номер патента: US20090152717A1. Автор: Wai Yew Lo,Heng Keong Yip. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Integrated circuit dies with thermally conducting solder perimeter

Номер патента: US20240282658A1. Автор: Keiji Matsumoto,John Knickerbocker,Mukta Ghate Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991264B1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899388B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Device Having Pocketless Regions and Methods of Making the Device

Номер патента: US20090263946A1. Автор: Greg Baldwin,Shashank Ekbote,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-10-22.

Wiring substrate, method of fabricating the same, and method of fabricating semiconductor package including the same

Номер патента: US20230025295A1. Автор: Sunnyeong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-26.

Mounting assembly of integrated circuit device and method for production thereof

Номер патента: US6037665A. Автор: Hirokazu Miyazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Optical semiconductor module and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230314740A1. Автор: Yuzo Ishii,Hiromasa Tanobe,Hitoshi Wakita,Kota Shikama,Yoshiyuki Doi,Satoshi Tsunashima. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Backside integrated voltage regulator for integrated circuits

Номер патента: US11830855B2. Автор: Namhoon Kim,Woon-Seong Kwon,Mikhail Popovich,Teckgyu Kang,Houle Gan,Yujeong Shim. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Backside Integrated Voltage Regulator For Integrated Circuits

Номер патента: US20230402430A1. Автор: Namhoon Kim,Woon-Seong Kwon,Mikhail Popovich,Teckgyu Kang,Houle Gan,Yujeong Shim. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230051621A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Ting-Feng Liao,Sheng-Hong Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus including the memory device

Номер патента: US11895845B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20020179963A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20010038119A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of manufacturing ESD protection structure

Номер патента: US20040058502A1. Автор: Jun Cai,Jun Song,Keng Lo,Guang Hua. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuits including optoelectronic device for changing optical phase

Номер патента: WO2009072709A1. Автор: Jeong-Woo Park,Gyung-Ock Kim,Mi-Ran Park,Jong-Bum You. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor integrated circuits including optoelectronic device for changing optical phase

Номер патента: US8422834B2. Автор: Jeong-Woo Park,Gyung-Ock Kim,Mi-Ran Park,Jong-Bum You. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-04-16.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Light-emitting device and method to manufacture light-emitting device

Номер патента: RU2525325C2. Автор: Мотоказу ЯМАДА,Риота СЕНО,Казухиро КАМАДА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2014-08-10.

Integrated circuit device including a copper pillar capped by barrier layer and method of forming the same

Номер патента: US20140124924A1. Автор: Wei Sen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Array substrate, liquid crystal display panel and manufacture method of liquid crystal display panel

Номер патента: US20180180924A1. Автор: Xinglong He,Shihpo Chou,Yao-Li Huang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Three-dimensional memory device including variable thickness semiconductor channels and method of forming the same

Номер патента: US20240015963A1. Автор: Tadashi Nakamura,Nobuyuki Fujimura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Solar cell and method for manufacturing solar cell

Номер патента: US12107176B2. Автор: Kunihiro Nakano,Katsunori Konishi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Device and method for luminescence enhancement by resonant energy transfer from an absorptive thin film

Номер патента: US09841544B2. Автор: Moungi G. Bawendi,Vladimir Bulovic,Jonathan R. Tischler,Gleb M. Akselrod,Brian J. Walker,William A. Tisdale. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US20040061225A1. Автор: Katsuhiko Tsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

HIGH FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT AND EMITTING DEVICE FOR IRRADIATING THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180108641A1. Автор: HARJUNG ROLF,ROHMANN PETER. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09941139B2. Автор: Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

FinFET device and method of fabricating same

Номер патента: US09859429B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Jiun-Jia Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including a transistor with a vertical channel

Номер патента: US09837470B2. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6660438B2. Автор: Toshihiko Tanaka,Norio Hasegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20210351202A1. Автор: Isaya Sobue. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US7785914B2. Автор: Yung-Pil Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-08-31.

Magnetoresistive element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150069551A1. Автор: Tadashi Kai,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Yutaka Hashimoto,Masaru Toko,Kuniaki Sugiura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-12.

Non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit device including the non-volatile semiconductor memory element

Номер патента: US20070114594A1. Автор: Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100059826A1. Автор: Hiroharu Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150041910A1. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020079488A1. Автор: Yasuhiko Takemura,Toshimitsu Konuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Integrated circuit devices including intergate spacer and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240371880A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US09917087B2. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated Circuit Device Having Defined Gate Spacing And Method Of Designing And Fabricating Thereof

Номер патента: US20140332893A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US6573546B2. Автор: Makoto Ogasawara,Yoshitaka Tadaki,Masashi Horiguchi,Norio Hasegawa,Shinichi Fukada,Makoto Ohkura,Aritoshi Sugimoto,Kiyonori Ohyu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-06-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200328203A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US9244351B2. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: EP1929531A2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J. D. Klem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-11.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: WO2007102051A3. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J D Klem. Владелец: Ethan J D Klem. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device for use in a light valve device, and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1026733A1. Автор: Kunihiro Takahashi,Yoshikazu Kojima,Tsuneo Yamazaki,Hiroaki Takasu,Nobuyoshi Matsuyama,Hitoshi Niwa,Tomoyuki Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20120049292A1. Автор: Yuuichi Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US20140335447A1. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Method for producing semiconductor integrated circuit devices, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP4235802A2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for producing semiconductor integrated circuit devices, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP4235802A3. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Electromigration fuse and method of fabricating same

Номер патента: US20090090994A1. Автор: Deok-kee Kim,Haining Sam Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6998654B2. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US20040088667A1. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US6954919B2. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050280038A1. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor integrated circuit having efficient layout of wiring lines

Номер патента: US6020612A. Автор: Hiromi Kanda,Toshiya Uchida,Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor integrated circuit and a semiconductor device

Номер патента: US7345340B2. Автор: Akihiro Tamura,Toshio Nagasawa,Mitsuharu Hitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-18.

Nonvolatile programmable logic switches and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120061731A1. Автор: Atsuhiro Kinoshita,Daisuke Hagishima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: US20050014326A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Yasushi Goto,Syunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304666A1. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09881992B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20200119022A1. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070102820A1. Автор: Yoshitaka Kimura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200381547A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230290881A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220093786A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device, display device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240274624A1. Автор: Hirotaka Hayashi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Laterally diffused mosfet and method of fabricating the same

Номер патента: US20240304721A1. Автор: Zheng Long CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240371854A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning and islands

Номер патента: US09865473B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09741786B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of fabricating a high resistance polysilicon load resistor

Номер патента: US5168076A. Автор: Joseph Tzou,Norman Godinho,Hsiang-Wen Chen,Richard F. Motta,Juine-Kai Tsang,Jai-Man Baik,Ting-Pwu Yen,Frank T. Lee. Владелец: Paradigm Technology Inc. Дата публикации: 1992-12-01.

Method of fabricating MMIC semiconductor integrated circuits using the RF and DC measurements of an active device on a substrate to design the passive elements, which are then E-beam written to the substrate

Номер патента: US5051373A. Автор: Takashi Yamada,Haruo Nakano,Kimihiko Nagami,Tetsuro Sawai,Akihito Nagamatsu,Seiichi Bamba. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1991-09-24.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6838320B2. Автор: Takafumi Tokunaga,Makoto Yoshida,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-04.

Semiconductor integrated circuit device having a signal transmission line pair interconnected by propagation delay time control resistance

Номер патента: US5214318A. Автор: Masakazu Yamamoto,Minoru Yamada,Mitsuo Usami,Akira Masaki,Keiichirou Nakanishi,Mararu Osanai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-05-25.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150123075A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20230290785A1. Автор: Toshio Hino. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

System and method for repairing interconnect links

Номер патента: WO2001026150A9. Автор: Milind Ganesh Weling,Subhas Bothra,Satyendra Sethi. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-09-06.

System and method for repairing interconnect links

Номер патента: EP1138072A1. Автор: Milind Ganesh Weling,Subhas Bothra,Satyendra Sethi. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-04.

System and method for repairing interconnect links

Номер патента: WO2001026150A1. Автор: Milind Ganesh Weling,Subhas Bothra,Satyendra Sethi. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-04-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090256265A1. Автор: Koji Hashimoto,Kazuyuki Masukawa,Kosuke Yanagidaira,Hidefumi Mukai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-15.

Structures and methods for testing printable integrated circuits

Номер патента: US09923133B2. Автор: Etienne Menard,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09847320B2. Автор: Jiun Yi Wu,William Wu Shen,Chien Hsun Lee,Chien Hsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200152629A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119012A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119011A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9831176B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated circuit device including a field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243188A1. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit devices including metal-insulator-metal capacitors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070111506A1. Автор: Min-Woo Song,Jung-min Park,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20080290376A1. Автор: Junichi Yano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Four CPP wide memory cell with buried power grid, and method of fabricating same

Номер патента: US12137548B2. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien,Wei-Chang Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859207B2. Автор: Kwang-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor integrated circuit device for driving liquid crystal display

Номер патента: US20060267903A1. Автор: Yasushi Kawase,Yasushi Nagata,Kazuyoshi Shiba,Takesada Akiba,Naoki Miyamoto,Susumu Ishida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor Integrated Circuit Device for Driving Liquid Crystal Display

Номер патента: US20120069670A1. Автор: Yasushi Kawase,Yasushi Nagata,Kazuyoshi Shiba,Takesada Akiba,Naoki Miyamoto,Susumu Ishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor integrated circuit device for driving liquid crystal display

Номер патента: US7826264B2. Автор: Yasushi Kawase,Yasushi Nagata,Kazuyoshi Shiba,Takesada Akiba,Naoki Miyamoto,Susumu Ishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9466607B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12027424B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

An equipment protection semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5304823A. Автор: Stephen W. Byatt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-04-19.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US6639300B2. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-28.

Method of designing semiconductor device

Номер патента: US20090134495A1. Автор: Keiichirou Kondou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09818715B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method

Номер патента: US20060205130A1. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Noise and temperature shield for an integrated circuit

Номер патента: WO2000003439A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20120119282A1. Автор: Wen-Pin Lu,Tzung-Ting Han,Yu-Fong Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor package substrate with hybrid core structure and methods for making the same

Номер патента: US20240079303A1. Автор: Wei-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09839130B1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

A strained channel transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: SG157397A1. Автор: Luo Zhijiong,CHONG Yung Fu,Judson Holt. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-12-29.

A strained channel transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: SG137798A1. Автор: Luo Zhijiong,CHONG Yung Fu,Judson Holt. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-12-28.

Semiconductor integrated circuit with guard ring

Номер патента: US09941358B2. Автор: Akihiko Yoshioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

A strained channel transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: SG137761A1. Автор: Yung Fu Chong,Zhijiong Luo,Judson Holt. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-12-28.

Semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package

Номер патента: US12132063B2. Автор: Masami Suzuki,Daisuke Chino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Leadless chip carrier semiconductor integrated circuit device

Номер патента: IE54714B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-01-17.

Stacked semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230395580A1. Автор: Yoshimasa Yoshioka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Electronic assembly and method of forming same

Номер патента: WO2020076780A1. Автор: Yongqian Wang,Mark E. Henschel,Shawn Shi,Chunho Kim. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131377A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Integrated inductive components and method of fabricating such components

Номер патента: US6249039B1. Автор: Ian Robert Harvey,Michael Frederick Ehman,Malcolm Randall Harvey,James Craig Stephenson. Владелец: Bourns Inc. Дата публикации: 2001-06-19.

A strained channel transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: SG190567A1. Автор: Holt Judson,Yung Fu Chong,Zhijiong Luo. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-06-28.

Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material

Номер патента: US20240222526A1. Автор: William P. Taylor,Ravi Vig,Paul A. David,Andreas P. Friedrich,P. Karl Scheller. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Fabrication of integrated circuit structures for bipolor transistors

Номер патента: US09847408B1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor integrated circuit device and frequency modulation device

Номер патента: US7474139B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-01-06.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110260161A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100013513A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Complementary type semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5115297A. Автор: Masanori Yoshimori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-05-19.

Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080141186A1. Автор: Mitsuhiro Imaizumi,Takahiro Nagatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method and system for enhancing yield of semiconductor integrated circuit devices using systematic fault rate of hole

Номер патента: US7703055B2. Автор: Choel-hwyi Bae,Sang-Deok Kwon,Min-Geon Cho,Gwang-hyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8420419B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Method of fabricating bit line

Номер патента: US6017788A. Автор: Jason Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Method of estimating wiring complexity degree in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060124968A1. Автор: Eiji Nagata,Fumihito Watanuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor integrated circuit and layout designing method of the same

Номер патента: US20070061770A1. Автор: Tsutomu Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7276769B2. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit device and frequency modulation device

Номер патента: US20050230730A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Layout design method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100123252A1. Автор: Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacture using automatic layout

Номер патента: US20050040435A1. Автор: Yukichi Ono. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180350797A1. Автор: Seung Yeop Lee,Hee Jeong SON,Chang Hwi LEE,Ki Ryong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080008004A1. Автор: Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: CA2250352A1. Автор: Norbert Stath,Hans-Ludwig Althaus,Werner Späth,Werner Kuhlmann. Владелец: Werner Kuhlmann. Дата публикации: 1997-10-09.

A high voltage destruction-prevention circuit for a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: GB2151846A. Автор: Jiro Sawada,Yasunori Yamaguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-07-24.

Semiconductor integrated circuit device having semi-insulator substrate

Номер патента: US4803527A. Автор: Takehisa Hayashi,Yasushi Hatta,Kazumichi Mitsusada,Hirotoshi Tanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-02-07.

Semiconductor integrated circuit wafer, semiconductor integrated circuit chip, and method of testing semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US20090251160A1. Автор: Manabu Miyazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Semiconductor integrated circuit having polysilicon members

Номер патента: US8637906B2. Автор: Koji Nozoe,Hideyuki Komuro. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-28.

Processing system and method for making spherical shaped semiconductor integrated circuits

Номер патента: US6203658B1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

Semiconductor integrated circuit having polysilicon members

Номер патента: US20090273059A1. Автор: Koji Nozoe,Hideyuki Komuro. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-11-05.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100241374A1. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device including electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240170477A1. Автор: Ho Sang LEE,Chang Hwi LEE,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196603A1. Автор: Sungyeon KIM,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Younseok CHOI,Kwanghee CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1990835A3. Автор: Fuminori Hashimoto. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20050174141A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor Integrated Circuit Device with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20120113709A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060226449A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8395189B2. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US8125017B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US6885057B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20020179940A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130264647A1. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7388238B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100207169A1. Автор: Junichi Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US7006030B2. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-02-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020049927A1. Автор: Takeshi Yamamura,Kazuhiro Kobayashi,Tadahiro Saitoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US20040222915A1. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor intergrated circuit device

Номер патента: US20090008680A1. Автор: Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry

Номер патента: US5616962A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry and mounting method

Номер патента: US5773321A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090146693A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060076610A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Structure and method for forming integral nitride light sensors on silicon substrates

Номер патента: US20140264358A1. Автор: Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Optical control modules for integrated circuit device patterning and reticles and methods including the same

Номер патента: US20200348587A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Johannes Cobussen,Leendertjan Mekking. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor integrated circuit, and sensor system and vehicle including the same

Номер патента: US20180069169A1. Автор: Akihiro Ota,Yuji Kaneda,Isao Niwa,Yuzo Mizushima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7087942B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110043292A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8076957B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7843227B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030183941A1. Автор: Satoru Yamada,Takafumi Tokunaga,Toshihiro Sekiguchi,Hiroyuki Enomoto,Kiyonori Oyu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for deleting unused gates and method for manufacturing master-slice semiconductor integrated circuit device using the deleting method

Номер патента: US4960724A. Автор: Shoichi Watanabe,Terumine Hayashi,Takayuki Takei,Takashi Natabe. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1990-10-02.

Semiconductor integrated circuit device and test method thereof

Номер патента: US20070170425A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Designing method of semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20230299070A1. Автор: Yuji Takahashi,Kengo Takahashi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor integrated circuit device with connections formed using a conductor embedded in a contact hole

Номер патента: US20030071313A1. Автор: Kenichi Kuroda,Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Harumi Wakimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-17.

Imaging device and method of manufacturing imaging device

Номер патента: US20190051685A1. Автор: Hideyuki Ito,Yoichi Wada,Junji Iwata,Ginjiro Toyoguchi,Yoichiro Handa,Daichi Seto,Hiromasa Tsuboi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Compact transceiver on a multi-level integrated circuit

Номер патента: US10593470B1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2020-03-17.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210296431A1. Автор: Yoonyoung CHOI,Sangjae Park,Dongkyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332289A1. Автор: Tatsuro Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: CA1154544A. Автор: James P. Ballantyne,Paul E. Fleischer,Kenneth R. Laker,Aristides A. Yiannoulos. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1983-09-27.

Electronic device including processor executing defect detection module, operating method of electronic device, and method for fabricating semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20230214990A1. Автор: Sooryong Lee,Kyen-Hee Lee,Min-Cheol Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Covered electric wire and wire harness

Номер патента: US12094628B2. Автор: Fumitoshi Imasato,Toyoki Furukawa,Kyoma Sahashi. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Covered electric wire and wire harness

Номер патента: US20230154649A1. Автор: Fumitoshi Imasato,Toyoki Furukawa,Kyoma Sahashi. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Protection method and device for secondary battery, secondary battery, battery module, battery pack, and electric apparatus

Номер патента: US20240258584A1. Автор: TING Li,Haizu Jin,Shaojun Niu,Huaichao TANG,Longqing PENG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Die bond for connecting substrate e.g. insulated metal substrate, and electrical conductor e.g. metallic band, has spacer connecting one branch, soldered by braze to substrate, with another branch that is point soldered to conductor

Номер патента: FR2868661A1. Автор: Laurent Vivet,Romaric Lenoir. Владелец: Valeo Electronique et Systemes de Liaison SA. Дата публикации: 2005-10-07.

Design method for connection sheet, connection sheet, energy storage device and electric device

Номер патента: IL308923A. Автор: Huang Hanchuan. Владелец: Huang Hanchuan. Дата публикации: 2024-01-01.

METHOD FOR CONNECTING DIFFERENTIAL TRANSMISSION CABLE, DIFFERENTIAL TRANSMISSION CABLE AND ELECTRIC DEVICE

Номер патента: US20150333450A1. Автор: YAMADA Akiyoshi,MARUYAMA Masami,SAKAMOTO Shinzo. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Moisture-proof and electric leakage-proof computer cable

Номер патента: LU501991B1. Автор: Jinhua Yang,Conglin Zhu,Huisen Lu,Zhengbao Li,Shusen Shao,Guangyong Yu,Conglin Lu,Xiuguo Lu. Владелец: Anhui Huining Electric Meter & Appliance Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Device and method for preparing current collector assembly

Номер патента: US20240282975A1. Автор: Yi Lu,Keqiang Li,Xiaosong Liu,Zhiyang Wu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

METHOD AND DEVICE FOR DIAGNOSING WEAR OF AN ELECTRICAL CUT-OFF APPARATUS, AND ELECTRICAL APPARATUS COMPRISING SUCH A DEVICE

Номер патента: FR3082005A1. Автор: José Desforges,Rémy Orban. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2019-12-06.

METHOD AND DEVICE FOR DIAGNOSING THE WEAR OF AN ELECTRIC SWITCHING APPARATUS, AND ELECTRICAL APPARATUS INCLUDING SUCH A DEVICE

Номер патента: FR3060758B1. Автор: Maël Eugène Alain REMY,José Desforges,François Jean Maurice ROLARD. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2021-01-08.

DEVICE FOR LOCKING THE LEVER OF AN ELECTRICAL PROTECTION DEVICE, AND ELECTRICAL PROTECTION APPARATUS COMPRISING IT

Номер патента: FR3004286A1. Автор: David Alves. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2014-10-10.

DEVICE FOR LOCKING THE LEVER OF AN ELECTRICAL PROTECTION DEVICE, AND ELECTRICAL PROTECTION APPARATUS COMPRISING IT

Номер патента: FR3004286B1. Автор: David Alves. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2015-04-03.

DEVICE FOR SIGNALING THE TRIGGERING OF AN ELECTRICAL PROTECTION DEVICE AND ELECTRICAL PROTECTION APPARATUS COMPRISING THE SAME

Номер патента: FR2863403B1. Автор: Yves Belin. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2006-01-20.

METHOD AND DEVICE FOR DIAGNOSING THE WEAR OF AN ELECTRIC SWITCHING APPARATUS, AND ELECTRICAL APPARATUS INCLUDING SUCH A DEVICE

Номер патента: FR3082005B1. Автор: José Desforges,Rémy Orban. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2020-11-27.

Safety device for protection of electrical main, has fuse region and flat conductor section formed as single piece, where conductor section is formed from extruding flat conductor and fuse units lie in respective chambers in casing

Номер патента: DE102004060099B3. Автор: Tino Frank. Владелец: Leoni Bordnetz Systeme GmbH. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor integrated circuit and communication device for logic input-state control during and following power-up

Номер патента: US20030107416A1. Автор: Richard Boucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Integrated circuit and electronic device for controlling function modules in low-power state according to operation state, and control method therefor

Номер патента: US20210089074A1. Автор: Minwoo Song,Chulmin LEE,Juyoung Lim,Younghyun BAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Monolithic semiconductor integrated circuit ferroelectric memory device, and methods of fabricating and utilizing same

Номер патента: US4707897A. Автор: George A. Rohrer,Larry McMillan. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Electronic textiles and methods for fabrication thereof

Номер патента: US20230136666A1. Автор: Chi Hwan Lee,Tae Hoo Chang,Martin Byung-Guk Jun,Laurent Couetil,Semih Akin. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-05-04.

Electronic textiles and methods for fabrication thereof

Номер патента: US12075564B2. Автор: Chi Hwan Lee,Tae Hoo Chang,Martin Byung-Guk Jun,Laurent Couetil,Semih Akin. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-27.

Terminal assembly comprising a foamed sealing material, electrical terminal and electrical wire comprising a foamable sealing material and a method for sealing the connection between an electrical conductor and an electrical terminal

Номер патента: WO2017060502A1. Автор: Helge Schmidt,Stefan THOSS,Maryam HAGHIGHI. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2017-04-13.

Terminal assembly comprising a foamed sealing material, electrical terminal and electrical wire comprising a foamable sealing material and a method for sealing the connection between an electrical conductor and an electrical terminal

Номер патента: EP3360203A1. Автор: Helge Schmidt,Stefan THOSS,Maryam HAGHIGHI. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2018-08-15.

Electrical connector and electrical wire connection method therefor

Номер патента: US20210288441A1. Автор: Yu-Feng Ke,Sheng-Hsiang Huang. Владелец: Advanced Connectek Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor integrated circuit and wireless transmitter

Номер патента: US09853606B2. Автор: Shoichi Masui,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240349629A1. Автор: Yu Liu,Yajun Zhang,Taiwei CHIU,Lijun SHAN,Tingying SHEN,Szu-Chun Kang. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Devices, Systems, and Methods for Distributed Monitoring and Control of Networked Server Computers

Номер патента: US20140045368A1. Автор: David Kaplin,Matthew GAMBARDELLA,Steven John White. Владелец: NEBULA Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Devices, Systems, and Methods for Distributed Monitoring and Control of Networked Server Computers

Номер патента: US20150012683A1. Автор: Steven White,David Kaplin,Matthew GAMBARDELLA. Владелец: NEBULA Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Power harvesting for integrated circuits

Номер патента: US11937507B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bank transmission pattern of color conversion panel, display device including the same, and method of providing the same

Номер патента: US20240357913A1. Автор: Young Min Kim,Keun Young Park,Hyun-seok Kim,Hye Seung Lee,Hyun Woo Noh,Moon Jung BAEK,Hyo Joon Kim,Hyeong Gyu KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Photonic integrated circuit with optical deinterleaver

Номер патента: EP4396619A1. Автор: Martin Schubert,Ian Alexander Durant Williamson,Alfred Ka Chun Cheung. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Photonic integrated circuit with optical deinterleaver

Номер патента: US20230099995A1. Автор: Martin Schubert,Ian Alexander Durant Williamson,Alfred Ka Chun Cheung. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

Integrated circuit semiconductor devices including channel trenches and related methods of manufacturing

Номер патента: US8686393B2. Автор: Daewon HA,Jihyung Yu,Song yi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Three-dimensional memory device including variable thickness semiconductor channels and method of forming the same

Номер патента: WO2024010654A1. Автор: Tadashi Nakamura,Nobuyuki Fujimura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Integrated circuit control device for multi-phase switching converters and control method thereof

Номер патента: US20230336082A1. Автор: Jinghai Zhou,Lijie Jiang,Keke Zhao,Huichun Dai,FangYu Zhang,Wangmiao Hu. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of generating a signal processing logic, device for controlling, monitoring, and/or analyzing a physical asset, and electric power system

Номер патента: EP4231198A1. Автор: Kai Yuan,James Ottewill,Jan Poland,Jhelum CHAKRAVORTY,Edyta KUK. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-08-23.

Photonic integrated circuit with optical deinterleaver

Номер патента: WO2023055445A1. Автор: Martin Schubert,Ian Alexander Durant Williamson,Alfred Ka Chun Cheung. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of generating a signal processing logic, device for controlling, monitoring, and/or analyzing a physical asset, and electric power system

Номер патента: WO2023156680A1. Автор: Kai Yuan,James Ottewill,Jan Poland,Jhelum CHAKRAVORTY,Edyta KUK. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-08-24.

DEVICE FOR RETAINING A MACHINE COMPONENT IN AN ELECTRIC MACHINE AND ELECTRIC MACHINE

Номер патента: US20140346921A1. Автор: Schmid Joerg,Mahfoudh Samir,Heier Christoph,Schmidt Roland,Thiery Jerome,Muschelknautz Claudius,Koenig Tilo,Berling Claude. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING AN ELECTRICAL SUPPLY STATION, CORRESPONDING COMPUTER PROGRAM AND ELECTRICAL SUPPLY INSTALLATION

Номер патента: FR3108454B1. Автор: David Morin. Владелец: Powidian SAS. Дата публикации: 2022-03-25.

Method for rapidly converging aggregated link based on ASIC (application specific integrated circuit), method and device for forwarding message

Номер патента: CN112491749A. Автор: 陶钧,王蒴. Владелец: Centec Networks Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-12.

Device for retaining a machine component in an electric machine and electric machine

Номер патента: EP2798723A2. Автор: Christoph Heier,Roland Schmidt,Samir Mahfoudh,Claudius Muschelknautz,Jerome Thiery,Claude Berling,Tilo Koenig,Joerg Schmid. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-11-05.

Device for holding a machine component in an electric machine and electric machine

Номер патента: DE102011090076A1. Автор: Christoph Heier,Roland Schmidt,Samir Mahfoudh,Claudius Muschelknautz,Jerome Thiery,Claude Berling,Joerg Schmid,Tilo König. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-07-04.

METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING A ROTATING ELECTRICAL MACHINE BY PWM SIGNALS, AND ELECTRIC MACHINE OF A CORRESPONDING MOTOR VEHICLE

Номер патента: FR3036557A1. Автор: Zaatar MAKNI. Владелец: Valeo Equipements Electriques Moteur SAS. Дата публикации: 2016-11-25.

Light-emitting device and method of producing light-emitting device

Номер патента: US20230263000A1. Автор: Jun Sakuma,Yasushi Asaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

INTEGRATED CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE FOR CONTROLLING FUNCTION MODULES IN LOW-POWER STATE ACCORDING TO OPERATION STATE, AND CONTROL METHOD THEREFOR

Номер патента: US20210089074A1. Автор: Song MinWoo,LIM Juyoung,LEE Chulmin,BAN Younghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Hybrid drive device for motor vehicle such as tourism vehicle, has engine and electric motor that can be connected to drive connection by coupling so that motor is coupled with drive side of gearbox and/or with engine

Номер патента: DE10243533A1. Автор: Oswald Friedmann. Владелец: LuK Lamellen und Kupplungsbau Beteiligungs KG. Дата публикации: 2003-04-10.

Power receiving device for vehicle, vehicle provided with same, power supply apparatus, and electric-power transmission system

Номер патента: KR101634889B1. Автор: 신지 이치카와. Владелец: 도요타지도샤가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-06-29.

User interface and method for control of light systems

Номер патента: EP1967050A1. Автор: Elmo Marcus Attila Diederiks,Tatiana Lashina,Andres Antonio Lucero. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-09-10.

Method of searching for wiring route in integrated circuit, automatic wiring device for integrated circuit, and program therefor

Номер патента: US20080209384A1. Автор: Ikuo Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Current control integrated circuit of backlight device for display

Номер патента: US12046208B2. Автор: Min Seon Kim,Yong Geun Kim. Владелец: Global Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods of inter-integrated circuit addressing and devices for performing the same

Номер патента: WO2007127784A2. Автор: Jean Picard,Barry Jon Male. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-11-08.

Door locking device for an electric household appliance, in particular a dishwasher, and electric household appliance provided therewith

Номер патента: US11788323B2. Автор: Dino Chirumbolo. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2023-10-17.

Current control integrated circuit of backlight device for display

Номер патента: US20240161708A1. Автор: Min Seon Kim,Yong Geun Kim. Владелец: Global Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of fabricating a semiconductor IC DRAM device enjoying enhanced focus margin

Номер патента: US5670409A. Автор: Atsuyoshi Koike,Kazuyuki Miyazawa,Hiroshi Otori,Fumiyuki Kanai,Kazuhiko Kajigaya,Masaharu Kubo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-09-23.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US09996095B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Power supply control device for residential houses, commercial and industrial facilities using network, auxiliary and renewable sources of electric energy and their combinations and method of intelligent control of connection of electric power sources

Номер патента: RU2692083C1. Автор: Михаил Валерьевич Ероховец. Владелец: Михаил Валерьевич Ероховец. Дата публикации: 2019-06-21.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit that stops power supply to at least a storage area of a first SRAM in a power-saving mode, and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10027906B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080265934A1. Автор: Hayato Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170201697A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20080074913A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Device and method of controlling electric device or plant and electric plant comprising such device

Номер патента: RU2608166C2. Автор: Марк ВЕРНЕ,Бернар ЛЕБО,Эрик СЮПТИ,Мишель ДАЛЬБ,Виктор КРЮШЕ. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A3. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: Jiro Amemiya. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A2. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Apparatus and method of generating DBI signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080136462A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09966956B2. Автор: Jung Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Systems and methods for transmitting electrical signals to electrical devices in the vehicle interior

Номер патента: RU2752669C2. Автор: Роберт Томас ДЖОНСОН,Якентим ИБРАХИМ,Марк Гус МЕЛЬХАФФ,Дэниел Кит БИТТНЕР. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20160043720A1. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US20090096516A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US8053934B2. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: US20090273366A1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: EP2053746B1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US20030214587A1. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240233854A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US7106362B2. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-12.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US20140070975A1. Автор: Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor integrated circuit device effectively decreased in surface state regardless of non-permeable layer for chemical species against surface state and process for fabricating thereof

Номер патента: US20020047211A1. Автор: Mitsuma Ooishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US20220416795A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US11750202B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20060028856A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6972980B2. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20050098810A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: AU2002339165A1. Автор: Hirotaka Osawa,Masumi Kasahara,Robert Astle Henshaw. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

System and method of duplicate circuit block swapping for noise reduction

Номер патента: US20200328731A1. Автор: Vitor Pereira,Arup Mukherji,Steffen Skaug. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130207692A1. Автор: Eiji Sawada,Tokio Tanaka,Toshiyuki Furusawa,Hiroyuki Fujioka,Satoko Kawakami,Hitoshi Nemoto,Nariyuki Fukuda,Noriyuki Moriyasu,Isao Ooigawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor integrated circuit and method for desigining the same

Номер патента: US20130305208A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20120242368A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Information processing apparatus with semiconductor integrated circuit capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US20160233857A1. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150244380A1. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor intergrated circuit and method for controlling semiconductor intergrated circuit

Номер патента: US20080201584A1. Автор: Masahiro Tatsumi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090102531A1. Автор: Hideo Ito,Kazutero Nanba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20150162927A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20160134296A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: EP2627007A3. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-23.

Oscillator and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9344034B2. Автор: Satoshi Onishi,Yasuo Ikeda,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240138159A1. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240237366A9. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020108080A1. Автор: Shinji Yamada,Teruhiko Funakura,Hisaya Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20090115442A1. Автор: Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100327962A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit and television

Номер патента: US20120072712A1. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor integrated circuit device provided with fm receiving function

Номер патента: US20090233569A1. Автор: Takashi Wakutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor integrated circuit device having load means

Номер патента: US5185723A. Автор: Ryuichi Hashishita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-02-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040141366A1. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882569B2. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Device and method of protection of domestic device against unpremeditated operation

Номер патента: RU2323389C2. Автор: Штефан Иоан ТРИПОН. Владелец: Электролюкс Хоум Продактс Корпорейшн Н.В.. Дата публикации: 2008-04-27.

Multi-layered insulating device for pipelines heating and method

Номер патента: RU2499941C2. Автор: Пол БЕККЕР. Владелец: ТАЙКО ТЕРМАЛ КОНТРОЛС ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-11-27.

Medical device and method for its production

Номер патента: RU2738794C1. Автор: Марсель ТИЛЕ,Йонатан ЗАЙДЕЛЬ,Зебастиан ПАНКАЛЛА,Забине АХМАНН. Владелец: Ф. Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2020-12-16.

Oscillator circuit, semiconductor integrated circuit device and method for frequency correction of oscillator circuit

Номер патента: US11863185B2. Автор: Yong Sung Ahn. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor integrated circuit and activation method of the same

Номер патента: US20090027114A1. Автор: Yoshinori Tanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Integrated circuit memory devices having non-volatile memory transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20020197788A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Integrated circuit with independently powered processors booted sequentially, while sharing a common memory unit for loading programs onto processors after booting

Номер патента: US8601251B2. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit for radio communication

Номер патента: US20070190961A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube,Akio Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor integrated circuit for power supply, and power supply system

Номер патента: US12095349B2. Автор: Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240306375A1. Автор: Kyungwook Park,Yoongoo Kang,Changwoo Seo,Suyoun SONG,Youmin Ban,Hyunchul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4429434A1. Автор: Kyungwook Park,Yoongoo Kang,Changwoo Seo,Suyoun SONG,Youmin Ban,Hyunchul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Methods and device for large-scale propagation of electronic access clients

Номер патента: RU2595904C2. Автор: Ли ЛИ,Сянин ЯН,Кевин МАКЛАФЛИН,Дэвид ХАГГЕРТИ,Джерролд ХОК,Бен ДЗУАНГ,Арун МАТИАС,Авинаш НАРАСИМХАН,Крис ШАРП,Юсуф ВАИД. Владелец: ЭППЛ ИНК.. Дата публикации: 2016-08-27.

Semiconductor integrated circuit device, charge pump circuit, and electric appliance

Номер патента: US20070236972A1. Автор: Yoshinori Imanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including an SRAM

Номер патента: US5856216A. Автор: Ryuichi Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-01-05.

Method of making DRAM cell having improved radiation protection

Номер патента: US5268321A. Автор: Katsuhiro Tsukamoto,Masahiro Shimizu,Masahide Inuishi,Hiroki Shimano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-12-07.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20100225396A1. Автор: Ryota Terauchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

System for testing integrated circuits

Номер патента: US20050283331A1. Автор: Yih-Min Lin. Владелец: PROGenic Tech Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Device for checking the state of the monitoring object during information exchange between the monitoring object and the control and checking equipment

Номер патента: RU2725795C1. Автор: Александр Михайлович Лобов,Ольга Юрьевна Окулова,Галина Алексеевна Смехова. Владелец: Акционерное общество "Государственное машиностроительное конструкторское бюро "Вымпел" им. И.И. Торопова. Дата публикации: 2020-07-07.

Control device for mobile body, control method therefor, and mobile body

Номер патента: US20220097541A1. Автор: Masahiko Sato,Shinichi Yokoyama,Mitsuteru Yano,Tomoki NAKAHARA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of lowering detachable part of rocket carrier stage and device for implementation thereof

Номер патента: RU2726214C1. Автор: Валерий Иванович Трушляков,Владислав Александрович Урбанский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ). Дата публикации: 2020-07-09.

Method and device for cleaning an electric arc welding or cutting burner and electric arc welding or cutting device

Номер патента: CA2559455A1. Автор: Joerg Faber,Ingo Frischkorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Measuring device for determining a distance in a conducting structure

Номер патента: US20220155431A1. Автор: Andre Giere,Sebastian Lüttich. Владелец: Astyx MPS GmbH. Дата публикации: 2022-05-19.

Measuring device for determining a distance in a conducting structure

Номер патента: US20160282459A1. Автор: Andre Giere,Sebastian Lüttich. Владелец: Astyx GmbH. Дата публикации: 2016-09-29.

System And Method For Functional Reconstruction Of Integrated Circuits From Layout Analysis Of Circuit Images

Номер патента: US20170323439A1. Автор: Gary L. Duerksen,Hans Kristian Sandberg,Dixon Chen Dick. Владелец: Roccor LLC. Дата публикации: 2017-11-09.

Circuitry and method that allows for external control of a data security device

Номер патента: US5604713A. Автор: Timothy A. Short,Matthew H. Childs. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-02-18.

Control device for mobile body, control method therefor, and mobile body

Номер патента: US11607966B2. Автор: Masahiko Sato,Shinichi Yokoyama,Mitsuteru Yano,Tomoki NAKAHARA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

Method of forming interlayer connections in integrated optical circuits, and devices formed using same

Номер патента: US7206480B2. Автор: Thomas J. Mcintyre,John C. Rodgers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2007-04-17.

Resettable door locking device for an electric household appliance, in particular a dishwasher, and electric household appliance provided therewith

Номер патента: US11819177B2. Автор: Dino Chirumbolo. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2023-11-21.

Timing model and characterization system for logic simulation of integrated circuits

Номер патента: WO1993018468A1. Автор: Michael N. Misheloff. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1993-09-16.

Resettable door locking device for an electric household appliance, in particular a dishwasher, and electric household appliance provided therewith

Номер патента: EP3935246A1. Автор: Dino Chirumbolo. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2022-01-12.

Method of inter-integrated circuit addressing and devices for performing the same

Номер патента: EP2021896B1. Автор: Jean Picard,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-19.

Display driver integrated circuit and display device for short circuit detection

Номер патента: KR20220102509A. Автор: 최철호,김진우,서명호,송용주,주노 훙,신하준,제이슨 쿠오,조니 치우,조웨이 첸,샘 리우,유웬 치우,엠마 후앙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-20.

DOOR LOCKING DEVICE FOR AN ELECTRIC HOUSEHOLD APPLIANCE, IN PARTICULAR A DISHWASHER, AND ELECTRIC HOUSEHOLD APPLIANCE PROVIDED THEREWITH

Номер патента: US20130234578A1. Автор: Ala Gianbattista,Carli Pierluigi. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2013-09-12.

Door Locking Device for an Electric Household Appliance, in Particular a Dishwasher, and Electric Household Appliance Provided Therewith

Номер патента: US20200071963A1. Автор: CHIRUMBOLO Dino. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

RESETTABLE DOOR LOCKING DEVICE FOR AN ELECTRIC HOUSEHOLD APPLIANCE, IN PARTICULAR A DISHWASHER, AND ELECTRIC HOUSEHOLD APPLIANCE PROVIDED THEREWITH

Номер патента: US20200281439A1. Автор: CHIRUMBOLO Dino. Владелец: Illinois Tool Works, Inc.. Дата публикации: 2020-09-10.

Device for collecting organism's secretions

Номер патента: RU2535118C2. Автор: Данута СИОК. Владелец: Колопласт А/С. Дата публикации: 2014-12-10.

Ice flap device for refrigerator, has drive device comprising alternating current motor and electric switch that activates alternating current motor depending on user action for moving flap unit from closed position to opened position

Номер патента: DE102008013750A1. Автор: Georg Spiessl,Albert Dirnberger. Владелец: emz Hanauer GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2009-09-24.

Control method and device for opening degree of accelerator pedal of electric automobile and electric automobile

Номер патента: CN107499133B. Автор: 邹正佳,徐建会. Владелец: Borgward Automotive China Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-18.

Improvements introduced in the support devices for pipes and channels for the transportation of fluids and electrical currents. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)

Номер патента: ES436802A1. Автор: . Владелец: Pillon Jean. Дата публикации: 1977-01-16.

Universal template for testing geometrical characteristics of integrated circuit card, comprises device for accurately aligning card and control plates which may be easily changed for different cards

Номер патента: FR2785044A1. Автор: Andre Richard,Jamel Sassi,Alain Hitie. Владелец: Gemplus SA. Дата публикации: 2000-04-28.

Positioning device for specifying position of drill bit of electric drill and electric drill

Номер патента: CN111451554A. Автор: 李林红. Владелец: Hefei Yubang Electronic Commerce Co ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

Golf ball incorporating ultra violet light resistant and light stable layer(s) and method of making

Номер патента: US9643059B2. Автор: Mark L. Binette,Shawn Ricci. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2017-05-09.

Resettable door locking device for an electric household appliance, in particular a dishwasher, and electric household appliance provided therewith

Номер патента: EP3935246B1. Автор: Dino Chirumbolo. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2023-11-29.

Golf ball incorporating ultra violet light resistant and light stable layer(s) and method of making

Номер патента: US20160346620A1. Автор: Mark L. Binette,Shawn Ricci. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2016-12-01.

Device for controlling multiple-speed gearbox with automatic gear change and electric control system

Номер патента: SU1118821A1. Автор: Антонин Гау,Цтирад Пехачек. Владелец: Устав Про Вызкум Моторовых Возидел(Инопредприятие). Дата публикации: 1984-10-15.

DEVICE FOR CAPTURING, CONCENTRATING AND TRANSFORMING SOLAR ENERGY INTO MECHANICAL AND ELECTRICAL ENERGY

Номер патента: FR2844561B1. Автор: Bernard Pierre Million. Владелец: MILLION MARIE LAURENCE. Дата публикации: 2004-10-22.

DEVICE FOR ESTIMATING CRITICAL TEMPERATURES OF A POWER MECATRONIC ELEMENT AND ELECTRICAL POWER SUPPLY COMPRESSOR OF A CORRESPONDING MOTOR VEHICLE

Номер патента: FR3037452A1. Автор: Jean-François BISSON,Fatma Abid,Jean-Louis Blanchard,Nicolas Dauchez,Franck Renaud,Gael Chevallier. Владелец: Valeo Equipements Electriques Moteur SAS. Дата публикации: 2016-12-16.

Method and device for sucking gas or fumes in a metallurgical receptacle and electric furnace equipped with such a suction device

Номер патента: FR2676801A1. Автор: Daniel Pernet,Jacques Blum. Владелец: Institut de Recherches de la Siderurgie Francaise IRSID. Дата публикации: 1992-11-27.

Integrated circuit (IC) transporting device for IC probe apparatus

Номер патента: US20070152654A1. Автор: Herbert Tsai. Владелец: TASK TECHNOLOGY Inc. Дата публикации: 2007-07-05.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US10802368B2. Автор: BASRUR Veidhes,Kun-Wook HAN,Seungmin Lee,Jinsu Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-13.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190235335A1. Автор: BASRUR Veidhes,Kun-Wook HAN,Seungmin Lee,Jinsu Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Measuring device for determining a distance in a conducting structure

Номер патента: US10436889B2. Автор: Andre Giere,Sebastian Lüttich. Владелец: Astyx GmbH. Дата публикации: 2019-10-08.

Sensor Device for Sensing a Gas, Method for Operating a Sensor Device for Sensing a Gas and Production Method for a Sensor Device for Sensing a Gas

Номер патента: US20140283581A1. Автор: Andreas Krauss,Richard Fix,Denis Kunz,Philipp Nolte,Kathy Sahner. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-09-25.

Device for improving cerebral blood flow in auditory region and virtual sound source used for the device

Номер патента: JPWO2009102052A1. Автор: 悟 小山,小山　悟,英明 坂田. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Unisex disposable device for the sanitary protection of the perianal region and the intergluteal cleft

Номер патента: AU6244196A. Автор: Modesto Gomez Pitalua,Hector Martinez Fernandez,Jose Magdiel Martinez Quiroga. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-02-18.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030058729A1. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Shinya Nagata,Masahiko Ikemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Probe card for fine pitch circuit probe testing of semiconductor integrated circuit devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240272200A1. Автор: Yuan-Li Lin,Hsiao Kang LI,I-Tee LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Nonmagnetic high voltage charging system for application in devices for cardiac stimulation devices

Номер патента: RU2562852C2. Автор: Роналд П. КОНСИЛЬО,Харолд Дж. КЕЙТС. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210063484A1. Автор: Yuki Watanabe,Masato Nakazato,Shohei Morishima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20010009381A1. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Speech recognition device and method, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09886947B2. Автор: Tsutomu Nonaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor integrated circuit and source voltage/substrate bias control circuit

Номер патента: US7551019B2. Автор: Tetsuya Fujita,Hiroyuki Hara,Mototsugu Hamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Design method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6785876B2. Автор: Kazuyoshi Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of simulating a semiconductor integrated circuit, computer program product, and device for simulating a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09836567B2. Автор: Michael Priel,Asher BERKOVITZ,Uzi Magini. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated device and control method thereof

Номер патента: EP2302484A3. Автор: Takao Kondo,Atsushi Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Device and method for checking printed circuit board power source isolation

Номер патента: EP1635274B1. Автор: Hirotsugu Fusayasu,Shoichi Mimura,Seiji c/o Matsushita IPROC IP Dev. Center HAMADA,Miyoko c/o Matsushita IPROC IP Dev. Cent IRIKIIN. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor integrated circuit routing method and recording medium which stores routing software

Номер патента: US20060184909A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US7589540B2. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor integrated circuit apparatus and circuit board and information readout method

Номер патента: US20040174753A1. Автор: Takahito Nakano,Hiroyuki Kiba,Satoshi Akui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Apparatus and method for controlling voltage of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090230943A1. Автор: Tae-Yong Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Design method of semiconductor integrated circuit and computer readable medium

Номер патента: US20120047480A1. Автор: Hiroaki Yamaoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Method and device for restoring internal combustion engine

Номер патента: RU2677300C1. Автор: Николай Борисович Болотин. Владелец: Николай Борисович Болотин. Дата публикации: 2019-01-16.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20160141005A1. Автор: Sang-Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160109924A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20140185356A1. Автор: Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Method of designing hierarchical layout of semiconductor integrated circuit, and computer product

Номер патента: US20030014719A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040136260A1. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Shinya Nagata,Masahiko Ikemoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20070288817A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20060123299A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Method of designing semiconductor integrated circuit using test point insertion adjustable to delay time

Номер патента: US20080148209A1. Автор: Toshiyuki Maeda,Toshiharu Asaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070064482A1. Автор: Ken Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030034549A1. Автор: Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Duty analysis system for a semiconductor integrated circuit and duty analysis method of the same

Номер патента: US20030126568A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09947393B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Quantum-dot spectrometers for use in biomedical devices and methods of use

Номер патента: RU2665202C2. Автор: Хорхе ГОНСАЛЕС,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-08-28.

Method of making portable data carrier

Номер патента: RU2382412C2. Автор: Фолькер ВАШК. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2010-02-20.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of compacting layouts of semiconductor integrated circuit designed in a hierarchy

Номер патента: US5663892A. Автор: Sachio Hayashi,Tyusei Ogawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-09-02.

Method for controlling re-writing operation for memory cell in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equpped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the semiconductor device

Номер патента: US20020015325A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor integrated ciruit device

Номер патента: US20040196731A1. Автор: Mitsuhiro Shimamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Method of semiconductor integrated circuit, circuit design system, and non-transitory computer-readable medium

Номер патента: US20210019462A1. Автор: Shintaro Fujiwara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9183899B2. Автор: Jae II Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150124535A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor integrated circuit allowing internal voltage to be measured and controlled externally

Номер патента: US20020024330A1. Автор: Hiroaki Nakai,Akira Hosogane,Tatsuya Saeki,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070214336A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050099874A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160027483A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050128780A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Syringe for multiple doses and method

Номер патента: RU2592666C2. Автор: Даниэль ПИ. Владелец: ДР. ПИ ИНСТИТЬЮТ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2016-07-27.

Method of finding-out of information image of electrical signal

Номер патента: RU2653150C1. Автор: Владимир Александрович Наумов,Владислав Иванович Антонов,Александр Вячеславович Солдатов,Николай Геннадиевич Иванов,Динара Евгеньевна Васильева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "ЭКРА". Дата публикации: 2018-05-07.

Pressure detection system and method

Номер патента: RU2559142C2. Автор: Роберт Д. БАТТЕРФИЛД. Владелец: Кэафьюжн 303, Инк.. Дата публикации: 2015-08-10.

Device and method for applying continuous electric field

Номер патента: RU2599909C2. Автор: Ричард ДЖЕКСОН,Димитриос СИДЕРИС,Алекс АЙЛС. Владелец: Дженетик Майкродевайсес Лимитед. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6101146A. Автор: Yoshinori Matsui,Kenichi Sakakibara,Taketo Maesako,Kouki Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Semiconductor integrated circuit device including circuit block having hierarchical structure and method of designing the same

Номер патента: US20020070759A1. Автор: Hideki Yamauchi,Tatsushi Ohyama. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

Method and device for predicting reliability failure rate of semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170206302A1. Автор: Yoo Hwan KIM,Sang Woo Pae,Jeong Min JO,Hye Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Computer-readable recording medium storing a method of masking or modifying output events of bi-directional signals in an event-format test pattern file for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6336199B1. Автор: Richard Lin. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100207662A1. Автор: Mitsuhiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor integrated circuit provided with determination circuit

Номер патента: US6658639B2. Автор: Yoshikazu Morooka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Method and design system of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080066035A1. Автор: Kazuki Asao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Integrated circuit device having high abnormal voltage detection circuit

Номер патента: US5379175A. Автор: Satoru Masaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

Hyperbranched polymer synthesizing method, hyperbranched polymer, resist composition, semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit fabrication method

Номер патента: US20110198730A1. Автор: Yukihiro Kaneko,Minoru Tamura,Kaoru Suzuki,Yuko Tanaka,Yusuke Sasaki,Yoshiyasu Kubo,Akinori Uno,Mineko Horibe,Shinichiro Kabashima. Владелец: Lion Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100238752A1. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Apparatus for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040177302A1. Автор: Teruhiko Funakura,Hisaya Mori,Hisayoshi Hanai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor integrated circuit having enhanced acquisition of external signal

Номер патента: US20020036946A1. Автор: Yoshiyuki Ishida,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa,Satoshi Takashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060203596A1. Автор: Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Photonic integrated circuit system and method of fabrication

Номер патента: US20240280748A1. Автор: Lei Wang,Thomas W. Baehr-Jones,Mitchell A. Nahmias. Владелец: Luminous Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20170262226A1. Автор: Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Method of decomposing layout design for preparing photomask set printed onto wafer by photolithography, method of forming photomask set and method of fabricating integrated circuit

Номер патента: US09971250B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor integrated circuit device and evaluation system

Номер патента: US20240319271A1. Автор: Hideki Miyoshi,Akira Uryu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09830977B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Pumping device for double breast pump, double breast pump and method of operation

Номер патента: RU2725284C2. Автор: И Бин ПАНЬ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-06-30.

Device and method for installation and removal of braking clamps

Номер патента: RU2584753C1. Автор: Ларс МЕЛЛЬБЕРГ. Владелец: Сканиа Св Аб. Дата публикации: 2016-05-20.

Shut-off and launching device and method of its operation

Номер патента: RU2695389C1. Автор: Наталья Викторовна Хазова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пожтехника". Дата публикации: 2019-07-23.

Semiconductor integrated circuit device allowing change of product specification and chip screening method therewith

Номер патента: US5970015A. Автор: Kenji Numata,Masaki Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Semiconductor integrated circuit device and method of outputting signals on semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006100792A1. Автор: Takeshi Ishigaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US20180100897A1. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050117445A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Method of wiring semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, and computer product

Номер патента: US20030014726A1. Автор: Takao Hasegawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7143200B2. Автор: Katsuichi Tomobe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-11-28.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Circuits and methods for matching device characteristics for analog and mixed-signal designs

Номер патента: US20050132314A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Charlie Hwang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US20080304331A1. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7613962B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-11-03.

Power supply arrangement for integrated circuit tester

Номер патента: US20050194989A1. Автор: Will MILLER,William DeVey,Anthony Delucco. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

Circuit for efficiently testing memory and shadow logic of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6263461B1. Автор: Ajay Khoche,Amitava Majumdar,Timothy Ayres. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US20100085341A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7634698B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-15.

Method for compressing semiconductor integrated circuit, using design region divided into plural blocks

Номер патента: US20050015735A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method and apparatus for designing integrated circuit

Номер патента: US20120023470A1. Автор: Koichi Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09870831B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Device for sorption treatment of biological fluid and method of use thereof (embodiments)

Номер патента: RU2727691C1. Автор: Николай Николаевич Петухов,Дмитрий Олегович Иванов,Владимир Васильевич Ветров. Владелец: Николай Николаевич Петухов. Дата публикации: 2020-07-22.

Apparatus and methods of separating hydrocarbons from solid particles using a shock wave generator

Номер патента: RU2734221C2. Автор: Трент ХАНТЕР. Владелец: 3П Текнолоджи Корп.. Дата публикации: 2020-10-13.

Method and apparatus for designing semiconductor integrated circuit device based on voltage drop distribution

Номер патента: US6938233B2. Автор: Nobufusa Iwanishi,Kazuhiro Satoh,Noriko Ishibashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-30.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device and probe card

Номер патента: US7271015B2. Автор: Akio Hasebe,Hideyuki Matsumoto,Masayoshi Okamoto,Akira Shimase,Yasuhiro Motoyama,Shingo Yorisaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-18.

Semiconductor chip, semiconductor integrated circuit including the semiconductor chip, semiconductor system including the semiconductor integrated circuit and method of driving the semiconductor system

Номер патента: US9177625B2. Автор: Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US20160125940A1. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor integrated circuit device, method of controlling semiconductor integrated circuit device, and cache device

Номер патента: US20120166721A1. Автор: Hiroaki Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor integrated circuit device, method of controlling semiconductor integrated circuit device, and cache device

Номер патента: US9164905B2. Автор: Hiroaki Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030031075A1. Автор: Masaru Koyanagi,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6490219B2. Автор: Masaru Koyanagi,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-12-03.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20020051400A1. Автор: Masaru Koyanagi,Kazuhide Yoneya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor integrated circuit device and testing method of the same

Номер патента: US20100148816A1. Автор: Kenji Ijitsu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Method of increasing interference immunity of devices for automated fire prevention from sparking in electrical networks and electrical installations and device for its implementation

Номер патента: RU2572371C1. Автор: Алексей Николаевич Немцов,Александр Сергеевич Мкртумов,Федор Николаевич Немцов. Владелец: Федор Николаевич Немцов. Дата публикации: 2016-01-10.

Device for air ionization and displacement with aid of fan and electric ion wind

Номер патента: RU2262172C2. Автор: М.Е. Бочаров,М.Е. Бочаров (RU). Владелец: Бочаров Михаил Евгеньевич. Дата публикации: 2005-10-10.

Method and device for performing electroacupuncture diagnosis procedure taking into account mechanical and electric properties of acupuncture points

Номер патента: RU2107487C1. Автор: В.И. Стук. Владелец: Закрытое акционерное общество "Форатек Инструментс". Дата публикации: 1998-03-27.

Device for manufacture of sponge iron, cement hard-burnt brick and electric energy

Номер патента: RU2023016C1. Автор: Александр Маркович Гольдман. Владелец: Александр Маркович Гольдман. Дата публикации: 1994-11-15.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and method testing standard functional unit in integrated circuit with use of jag

Номер патента: RU2198411C2. Автор: Рандалл Моут. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2003-02-10.

DEVICE FOR CONTACTLESS MEASUREMENT OF THE RATE OF MOVEMENT OF LEAF-WIRE ELECTRICAL WIRE MATERIALS

Номер патента: SU426193A1. Автор: С. Ф. Лазарев В. М. Карпов. Владелец: Высшее техническое училище Н. Э. Баумана. Дата публикации: 1974-04-30.

Method for connecting heterogeneous metals by large-facula laser and electric arc combined heat source

Номер патента: CN1806995A. Автор: 王威,林尚扬,秦国梁,雷振,王旭友,卜大川. Владелец: HARBIN INST OF WELDING ACADEMY OF MECHANICAL SCIENCES. Дата публикации: 2006-07-26.

Methods of inter-integrated circuit addressing and devices for performing the same

Номер патента: CN101432674A. Автор: J·皮卡德,B·J·梅尔. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-05-13.

Device for quickly stripping graphene through synergistic effect of ultrasound and electric field and method for quickly stripping graphene by utilizing same

Номер патента: CN105417537A. Автор: 焦云,马庆. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-23.

Method of repairing packet of gas-filled integrated circuit modules and device for realising said method

Номер патента: RU2380673C2. Автор: Владимир Васильевич Голиус. Владелец: Открытое акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники". Дата публикации: 2010-01-27.

Integrated circuit chip processing device for extrusion molding machine

Номер патента: CN214191586U. Автор: 黄河. Владелец: Nanjing Deteng Machinery Co ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

Device for protecting parallel-connected semiconductor triodes

Номер патента: SU907672A2. Автор: Роман Иосифович Данилевич,Михаил Николаевич Паркулаб. Владелец: Специальное Конструкторское Бюро Литейных Автоматических Линий. Дата публикации: 1982-02-23.

Device for protecting serially-connected semiconductor power-diodes

Номер патента: SU703881A1. Автор: Евгений Владимирович Поллер,Борис Яковлевич Малявин,Валентин Михайлович Ченцов,Олег Александрович Дягтеренко,Александр Васильевич Лащенов. Владелец: Malyavin Boris Ya. Дата публикации: 1979-12-15.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Recessed Access Device for a Memory

Номер патента: US20120001245A1. Автор: Beigel Kurt D.,Trivedi Jigish D.,Duesman Kevin G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

MICRO-RESECTING AND EVOKED POTENTIAL MONITORING SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120004680A1. Автор: McFarlin Kevin,Reinker David. Владелец: Medtronic Xomed, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Card Guide System and Method

Номер патента: US20120002385A1. Автор: Hanna John N.,Crowley David M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION AND ALIGNMENT DETECTION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004602A1. Автор: HANSON Ian B.,Bente,IV Paul F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, system and method utilizing aperiodic nonrandom triggers for vehicular telematics data queries

Номер патента: US20120004804A1. Автор: Beams Darren,Cawse Neil. Владелец: GEOTAB INC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE FOR CAPTURING CIRCULATING CELLS

Номер патента: US20120003711A1. Автор: . Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

METHOD AND DEVICE FOR CONNECTING TUBES MADE OUT OF THERMOPLASTIC MATERIAL

Номер патента: US20120003411A1. Автор: Strübin Pierre,Chuat René,Grosjean Yoland. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING NOISE IN AN IMAGE

Номер патента: US20120002896A1. Автор: Kim Yeong-Taeg,Lertrattanapanich Surapong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

VEHICLE CONTROL DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING VEHICLE

Номер патента: US20120004801A1. Автор: Watanabe Takashi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of and device for holding passenger train on branch (holding) tracks

Номер патента: RU2021934C1. Автор: В.А. Бураков. Владелец: Московский Институт Инженеров Железнодорожного Транспорта. Дата публикации: 1994-10-30.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TISSUE-ACQUISITION AND FASTENING DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120004677A1. Автор: Swope Bretton,Cole David,BALBIERZ DANIEL J.,Hambly Pablo R.,England Justen,Crews Samuel T.,Purdy Craig Arthur. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE COMMUNICATION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120002640A1. Автор: BALUJA Shumeet,Chu Michael,Matsuno Mayumi. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

GAS SENSOR CONTROL APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120001641A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE TOUCH SWITCH DISPLAY CONTROL SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120001862A1. Автор: Durbin William,Dorris Parker,Cloute-Cazalaa Jerome. Владелец: SILICON LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Charging System for an Implantable Medical Device Employing Magnetic and Electric Fields

Номер патента: US20120004709A1. Автор: . Владелец: BOSTON SCIENTIFIC NEUROMODULATION CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for transmitting electromagnetic signals

Номер патента: US20120000706A1. Автор: Kauffman George M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Failure Detection System and Method for LED Lighting Equipment

Номер патента: US20120001552A1. Автор: WEN Yung-Chuan,TSAI Kun-Cheng. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR DISTINGUISHING INPUT OBJECTS

Номер патента: US20120001855A1. Автор: TRENT,JR. Raymond Alexander,Palsan Carmen. Владелец: SYNAPTICS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR USING ACCELEROMETER OUTPUTS TO CONTROL AN OBJECT ROTATING ON A DISPLAY

Номер патента: US20120004035A1. Автор: RABIN Steven. Владелец: NINTENDO CO., LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TISSUE VISUALIZATION DEVICE AND METHOD VARIATIONS

Номер патента: US20120004577A1. Автор: . Владелец: Voyage Medical, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for protection against static electricity discharges of power leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on silicon wafers with n-type conductivity

Номер патента: RU2585882C2. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2016-06-10.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NEONATAL Fc RECEPTOR (FcRn)- BINDING POLYPEPTIDE VARIANTS, DIMERIC Fc BINDING PROTEINS AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120003210A1. Автор: FARRINGTON Graham K.,LUGOVSKOY Alexey Alexandrovich,MEIER Werner,ELDREDGE John K.,GARBER Ellen. Владелец: BIOGEN IDEC MA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR STIMULATION OF BIOLOGICAL TISSUE

Номер патента: US20120004580A1. Автор: Wagner Timothy Andrew,Eden Uri Tzvi. Владелец: HIGHLAND INSTRUMENTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FIELD-PORTABLE IMPEDANCE READER AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120004851A1. Автор: Potyrailo Radislav Alexandrovich,Morris William Guy,Ashe Jeffrey Michael,Surman Cheryl Margaret. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ENERGY MANAGEMENT OF ELECTRIC DEVICES

Номер патента: US20120004872A1. Автор: OH Jung Hwan,Park Jae Seong,SON Dong Min. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVITY MONITORING SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004883A1. Автор: . Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Connection method of radiant energy source of compact electric energy-saving lamp to source of electric energy and device for its implementation

Номер патента: RU2539332C2. Автор: Константин Андреевич Деревенко,Андрей Константинович Деревенко. Владелец: Константин Андреевич Деревенко. Дата публикации: 2015-01-20.

Acoustically Controlled Subsea Latching and Sealing System and Method for an Oilfield Device

Номер патента: US20120000664A1. Автор: Bailey Thomas F.,Gray Kevin L.,NAS Stephanus Wilhelmus Maria,Anderson Waybourn "Bo" J.. Владелец: WEATHERFORD/LAMB, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CARBON DIOXIDE-BASED GEOTHERMAL ENERGY GENERATION SYSTEMS AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120001429A1. Автор: Saar Martin O.,Randolph Jimmy Bryan,Kuehn Thomas H.. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER AMPLIFIER AMPLITUDE MODULATOR SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120001693A1. Автор: Aoki Ichiro,Hajimiri Seyed-Ali,Kee Scott D.,Damgaard Morten,Magoon Rahul,Mohta Setu,Aparicio Joo Roberto,Hatcher Geoff. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMPLANTABLE HEART ASSIST SYSTEM AND METHOD OF APPLYING SAME

Номер патента: US20120004495A1. Автор: . Владелец: Thoratec Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

DRUG DELIVERY MANAGEMENT SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004637A1. Автор: . Владелец: Lifes-can, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PREDICTING SUCCESSFUL DEFIBRILLATION FOR VENTRICULAR FIBRILLATION CARDIAC ARREST

Номер патента: US20120004693A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

Walking robot-nanopositioner and method of controlling movement thereof

Номер патента: RU2540283C2. Автор: Ростислав Владимирович Лапшин. Владелец: Ростислав Владимирович Лапшин. Дата публикации: 2015-02-10.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS, SYSTEMS AND METHOD FOR COLLECTING AND RECLAIMING ANAESTHETIC AGENTS AND FOR REMOVING NITROUS OXIDE FROM EXHAUST GASES

Номер патента: US20120000549A1. Автор: Hunt Barry W.,Jarrett Todd Eric,Thorne Damian Ross,Ahchong Katrina Marie,Carr Dean Paul,Vazquez Cesar Laurentino Martinez. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IR Detector System and Method

Номер патента: US20120001073A1. Автор: . Владелец: SELEX GALILEO LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multiband Antenna and Method for an Antenna to be Capable of Multiband Operation

Номер патента: US20120001815A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120002024A1. Автор: Sung Jaewon,Jeon Byeongmoon,KIM Dongseok,HWANG Junghwan,CHOI Tacksung,YOON Sungyong,LEE HYUNKOOK. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR SHIFT INVARIANT DIFFERENTIAL (SID) IMAGE DATA INTERPOLATION IN FULLY POPULATED SHIFT INVARIANT MATRIX

Номер патента: US20120002874A1. Автор: Dosluoglu Taner. Владелец: YOULIZA, GEHTS B.V. LIMITED LIABILITY COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Pipeline Weighting Device and Method

Номер патента: US20120003049A1. Автор: Sprague Ian,McKay Charles Frederick. Владелец: CRC-EVANS CANADA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PRIORITIZING USER COMMUNICATIONS

Номер патента: US20120003959A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING MOBILE DEVICE SERVICES USING SMS COMMUNICATIONS

Номер патента: US20120003998A1. Автор: McGary Faith. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device for registration of cardiogram of mouse or rat

Номер патента: RU2281024C2. Автор: Леонид Федорович Порядков,дков Леонид Федорович Пор (RU). Владелец: Леонид Федорович Порядков. Дата публикации: 2006-08-10.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Apparatus and Method for Biogas Purification

Номер патента: US20120000357A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

Lithographic Apparatus and Method

Номер патента: US20120002182A1. Автор: NIENHUYS Han-Kwang,HUIJBERTS Alexander Marinus Arnoldus,Jonkers Peter Gerardus. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR PACKAGING A SUBSTRATE

Номер патента: US20120002266A1. Автор: . Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE ASSEMBLY, METHOD OF FABRICATING ELECTRODE ASSEMBLY, AND SECONDARY BATTERY INCLUDING ELECTRODE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003506A1. Автор: SHIN Hosik. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GAMING SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120004020A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR REPLICATING A USER INTERFACE AT A DISPLAY

Номер патента: US20120004033A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIESEL ENGINE AND METHOD OF CONTROLLING THE DIESEL ENGINE

Номер патента: US20120004826A1. Автор: . Владелец: MAZDA MOTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR DISPLAYING FIXED-SCALE CONTENT ON MOBILE DEVICES

Номер патента: US20120001914A1. Автор: Pan Wayne,HAMOUI Omar. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Suturing Device for Anastomisis of Lumens

Номер патента: US20120004670A1. Автор: Morsi Hesham. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of control of coal mining complex and device for its embodiment (versions)

Номер патента: RU2131976C1. Автор: А.М. Долинский. Владелец: Долинский Аркадий Маркович. Дата публикации: 1999-06-20.

DELIVERY DEVICE FOR DISPENSING PHARMACEUTICAL DOSAGE FORMS INTO DISSOLUTION TESTING APPARATUS

Номер патента: US20120000275A1. Автор: Gilbert Daryl E.,Wright Donald F.,Hughes Lyn. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE PRESSURE VESSEL AND METHOD OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POSITRON EMISSION IMAGING DEVICE AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120001064A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR EXTENDING VCO OUTPUT VOLTAGE SWING

Номер патента: US20120001699A1. Автор: . Владелец: QUINTIC HOLDINGS. Дата публикации: 2012-01-05.

WARNING HORN CONTROL SYSTEM, RADAR SYSTEM, AND METHOD

Номер патента: US20120001767A1. Автор: Ballinger Forrest H.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001946A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Grading Devices For A High Voltage Apparatus

Номер патента: US20120002339A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENT OF OBJECT

Номер патента: US20120002842A1. Автор: MURASHITA Kimitaka,WATANABE Yuri,Fujimura Koichi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

FECAL SAMPLING DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20120003123A9. Автор: LaStella Vincent P.,Kupits Kenneth. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PURIFICATION AND USE OF INORGANIC PYROPHOSPHATASE FROM AQUIFEX AEOLICUS

Номер патента: US20120004115A1. Автор: Shenoy Suresh Gopalkrishna,Link Kristian Hurd,Pino Luan,Gratalo Dawn,Sangan Pitchai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RINSE ADDED AMINOSILICONE CONTAINING COMPOSITIONS AND METHODS OF USING SAME

Номер патента: US20120004156A1. Автор: Vetter Kerry Andrew,Panandiker Rajan Keshav,"ONeil Julie Ann",VETTER Nicholas David. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR DELIVERING A STENT INTO AN OSTIUM

Номер патента: US20120004717A1. Автор: KROLIK Jeff,Khosravi Fred,Sanati Arashmidos,Kim Elliot. Владелец: INCEPT LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEEDING APPARATUS AND METHOD OF DETERMINING A SEED SPACING VARIABILITY VALUE

Номер патента: US20120004768A1. Автор: Walter Jason D.,Peterson James R.,Schweitzer John M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.