• Главная
  • Memory device reducing test time and computing system including the same

Memory device reducing test time and computing system including the same

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory device reducing test time and computing system including the same

Номер патента: US09653160B2. Автор: Yun-Kil Kim,Jeong-Yun Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for testing memory device

Номер патента: US7307903B2. Автор: Young Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-11.

Nonvolatile semiconductor memory device capable of reducing pre-erase write time and erase method therefor

Номер патента: US20020154547A1. Автор: Yasuaki Hirano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US09378813B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US20170309330A1. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US09899081B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Unit array of a memory device, memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09892773B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Non-volatile memory device, memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09514830B2. Автор: Sang Hwa Han,Hee Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Phase change memory device and computing system having the same

Номер патента: US20130058160A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09508415B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory device, memory system including the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US20200133501A1. Автор: Hyun Woo Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Sense amplifier, and nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: US09997243B2. Автор: Seung Han OAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20130272052A1. Автор: Jin-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Memory device for in-memory computing, computing method and computing cell thereof

Номер патента: US20240079055A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device for in-memory computing, computing method and computing cell thereof

Номер патента: US12057162B2. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

On-chip resistance measurement circuit and resistive memory device including the same

Номер патента: US09659641B2. Автор: Chan-kyung Kim,Kee-won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory device, operation method of the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US09842644B1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory controller for controlling resistive memory device and memory system including the same

Номер патента: US11501832B2. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Memory controller for controlling resistive memory device and memory system including the same

Номер патента: US20220108747A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210082476A1. Автор: Hiroyuki Hara,Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20120147655A1. Автор: Sung Yeon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system including the same, method of driving the semiconductor memory system

Номер патента: US11797382B2. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

In-memory computing (imc) memory device and imc method thereof

Номер патента: US20240231623A9. Автор: Hsiang-Lan Lung,Wei-Chih Chien,Cheng-Lin Sung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09754677B2. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Bit counting circuits and memory devices including the same

Номер патента: US20240233852A1. Автор: Makoto Hirano,Jongmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device repairable by soft and hard repair operations and memory system including the same

Номер патента: US09786390B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09852815B2. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semicondutor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09824755B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device having row repair circuitry

Номер патента: US20020167850A1. Автор: Jung Seop Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Memory device for performing erase verify operation on cell string group basis and method of operating the same

Номер патента: US20240312539A1. Автор: Jun Young KWEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Error vector readout from a memory device

Номер патента: US09734008B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Error vector readout from a memory device

Номер патента: US09733870B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of synchronizing memory operations and memory systems employing the same

Номер патента: US20190065109A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of synchronizing memory operations and memory systems employing the same

Номер патента: US10976960B2. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Memory device and computing method thereof

Номер патента: US20230118468A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang,Ming-Liang WEI. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Encoding method and system for memory device including qlc cells

Номер патента: US20190213074A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Aman BHATIA. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Memory device processing

Номер патента: WO2020081193A1. Автор: Troy D. Larsen,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-23.

FLASH MEMORY DEVICE REDUCING NOISE PEAK AND PROGRAM TIME AND PROGRAMMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150063029A1. Автор: Lee Jong Cheol. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Flash memory device reducing noise peak and program time and programming method thereof

Номер патента: KR101449933B1. Автор: 이종철. Владелец: (주)니모스텍. Дата публикации: 2014-10-15.

Memory device and computing system including the same

Номер патента: US09601218B2. Автор: Do-Geun Kim,Dong-yang Lee,Ju-Yun JUNG,Bu-Il Jung,Min-Yeab CHOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09767920B2. Автор: Young-Il Kim,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for reducing SRAM test time by applying power-up state knowledge

Номер патента: US20060190778A1. Автор: Wah Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-08-24.

Memory device and computing system including the same

Номер патента: US20150169333A1. Автор: Do-Geun Kim,Dong-yang Lee,Ju-Yun JUNG,Bu-Il Jung,Min-Yeab CHOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory device with reduced test time

Номер патента: US09575125B1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,William Meadows. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device and system including the same

Номер патента: US09703628B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09620191B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US09576629B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210304831A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11355207B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20180129560A1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180107597A1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Performance evaluation of solid state memory device

Номер патента: US09524800B2. Автор: Thomas J. Griffin,Dustin J. VanStee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US10037817B2. Автор: Dong-Wook Kim,Dong-Hak Shin,Sung-Jun HER. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-31.

Apparatus and method for reducing test resources in testing DRAMS

Номер патента: US20040233738A1. Автор: David Brown,Jerry McBride,Chris Cooper,Scott Gatzemeier,Siang Giam,Scott Ayres. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

Memory controller and storage device including the same

Номер патента: US20220005540A1. Автор: Sang Hyun Park,Hongseok Kim,EHyun NAM,Sunggil HONG,Hayoung LIM. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Page buffer block and memory device including the same

Номер патента: US20240249794A1. Автор: Makoto Hirano,Sangsoo Park,Jaeduk Yu,Jaeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and test method of the same

Номер патента: US10269443B2. Автор: Chih-Wei Chang,Chun-Chi Yu,Shen-Kuo Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Differential amplifier circuit and semiconductor memory device including same

Номер патента: US09543904B1. Автор: Kyoung-Han KWON,Han Qu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240282394A1. Автор: Chang Beom WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Line defect detection circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9978439B1. Автор: Yong-Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09627025B2. Автор: Jae-il Kim,Sang-Ah HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Storage device and a storage system including the same

Номер патента: US20210191883A1. Автор: Ji Soo Kim,Seung-jae Lee,Ye Jin Yoon,Min Gon Shin,Hwa Soo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Storage device and a storage system including the same

Номер патента: EP3839776A1. Автор: Ji Soo Kim,Seung-jae Lee,Ye Jin Yoon,Min Gon Shin,Hwa Soo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-23.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240347490A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US12057421B2. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory device, processing system including the same and power control circuit for the same

Номер патента: US20220101888A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device, memory system including the same and operation method of the memory system

Номер патента: US09666297B1. Автор: Sang-Hyun Song,Chang-Wan Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12056027B2. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240306383A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US20240354210A1. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device performing hammer refresh operation and memory system including the same

Номер патента: US09892779B2. Автор: Hui-Kap YANG,Kyu-Chang KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory device shared by two or more processors and system including the same

Номер патента: US20190333570A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Ki Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09941014B2. Автор: Chulho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure and memory system including the same

Номер патента: US09767906B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240249775A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20240257886A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Stacked memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20120294059A1. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Young Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09484079B2. Автор: Yo-Sep LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device, method of operating the same and memory system including the same

Номер патента: US09466345B2. Автор: Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210104267A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240202069A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: EP3800641A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210383848A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210223989A1. Автор: Hyun Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Memory device, memory system including the same, operation method of the memory system

Номер патента: US09892778B1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09672892B2. Автор: Yu-Ri LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09601169B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09384796B2. Автор: Yong-Ki Cho,Du-Yeul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: EP4187538A3. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Byunghoon Jeong,Youngmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-13.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US20140317338A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240268133A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US09672932B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09478290B1. Автор: Kyung-Hwa Kang,Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09449670B2. Автор: Jung-Bae Lee,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20190214064A1. Автор: Jang Woo Lee,Byung Hoon Jeong,Jeong Don Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Nonvolatile memory device, system including the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US12046274B2. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230307022A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Non-volatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240324233A1. Автор: Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory device and memory system including the same

Номер патента: EP4436332A1. Автор: Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Memory device having vertical structure and memory system including the same

Номер патента: US09941009B2. Автор: Sang-Won Shim,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device and a memory system including the same

Номер патента: US09928006B2. Автор: Dong-ku Kang,Chul-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device for deconcentrating refresh commands and system including the same

Номер патента: US09685219B2. Автор: Dong Hak SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09646664B2. Автор: Young-Ju Kim,Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20220068392A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4395493A1. Автор: Gil Sung Lee,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory device for supporting cache read operation, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20220342817A1. Автор: Gwan Park,Jeong Gil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20120254528A1. Автор: Jae-il Kim,Hyoung-Jun Na. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Non-volatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US09859015B2. Автор: Tae-hyun Kim,Yoon-hee Choi,Sang-Won Shim,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Stacked memory device and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09851401B2. Автор: Kyung-Whan Kim,Jong-Chern Lee,Young-Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US10515675B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

DLL with reduced size and semiconductor memory device including DLL and locking operation method of the same

Номер патента: US20070263460A1. Автор: Eun Jung Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US20200005842A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US20180151205A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Sense amplifying circuit capable of operating with lower voltage and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20080089122A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09460766B2. Автор: Myeong-o Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn,Tae-Yoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09396809B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Memory device and system including the same

Номер патента: US9653140B2. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device and system including the same

Номер патента: US20170221545A1. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Memory device and system including the same

Номер патента: US20170110176A1. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor memory devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20140297986A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Memory system and operation method of the same

Номер патента: US09990312B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Sung-Eun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device and system including the same

Номер патента: US09886992B2. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US09792206B2. Автор: Dawoon Jung,Moosung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Interfaces and die packages, and apparatuses including the same

Номер патента: US09672877B2. Автор: Oh Seung Min. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Sensing control signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09659665B1. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09530508B2. Автор: Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09412431B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Three-dimensional memory device and operating method of a storage device including the same

Номер патента: US09401214B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20240203479A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20210201992A1. Автор: Garam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320101A1. Автор: Yukio Hayakawa,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US12079488B2. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and semiconductor device including the same

Номер патента: US12125515B2. Автор: Sang-Hoon Jung,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4456069A1. Автор: Jaewoo Shin,Yunkyeong Jeong,Yunseok YANG,Minhwan AN,Jin Suk CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Read leveling method and memory device using the same

Номер патента: US09760478B2. Автор: Yu-Ming Chang,Ping-Hsien Lin,Wei-Chieh Huang,Tzu-Hsiang Su,Tai-Chun Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Sense amplifiers for sensing multilevel cells and memory devices including the same

Номер патента: US20200143869A1. Автор: Dong-Il Lee,Young-Hun Seo,Hye-Jung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory controller for RPMB-inclusive memory device, operating method thereof and electronic device including the same

Номер патента: US11914526B2. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory controller for rpmb-inclusive memory device, operating method thereof and electronic device including the same

Номер патента: US20240202138A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20120106272A1. Автор: Mi-Hye Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09886986B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Nonvolatile memory device and data storage device including the same

Номер патента: US09773561B1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory controller and system including the same

Номер патента: US09741443B2. Автор: Jae Sung Yu,Jung Pil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device and memory system including the memory device

Номер патента: US09741425B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Nonvolatile memory device and data storage device including the same

Номер патента: US09697903B1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09647538B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile memory system with block managing unit and method of operating the same

Номер патента: US09484104B2. Автор: Byung-Ki Lee,Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Host, memory system communicating with the host, and computing system including the host and memory system

Номер патента: US11847340B2. Автор: Yun Seung NAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Controller and method of operating the same

Номер патента: US20220130465A1. Автор: Ji Hong Kim,Min Kyung Choi,Ji Yeun KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Electronic system including host, memory controller and memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220171532A1. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Page buffer and memory device including the same

Номер патента: US09990969B2. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Power control device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09984733B2. Автор: Jae Wook Lee,Jong Ho Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Line memory device and image sensor including the same

Номер патента: US09978431B2. Автор: Min-Ho Kwon,Won-Ho Choi,Dong-Hun Lee,Seog-Heon Ham,Kwi-sung Yoo,Wun-ki Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Refresh controller and memory device including the same

Номер патента: US09972377B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Min Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Erasing method and memory device using the same

Номер патента: US09754637B2. Автор: Hsin-Yu Chang,Yuan-Hao Chang,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Chien-Chung Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of programming memory device and method of reading data of memory device including the same

Номер патента: US09589661B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Storage device operated by zone and data processing system including the same

Номер патента: US20240143183A1. Автор: Joo Young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Voltage generator and memory device including the same

Номер патента: US20230307068A1. Автор: Yoonjae Lee,ChiWeon Yoon,Cheonan Lee,Byungjoon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Compensating a long read time of a memory device in data comparison and write operations

Номер патента: EP1649468A1. Автор: Eric H. J. Persoon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-26.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20210375347A1. Автор: Seungwon Lee,Daeseok Byeon,Youngmin Jo,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Magnetic tunnel junction structure and magnetic memory device including the same

Номер патента: US20230301199A1. Автор: Young Keun Kim,Taehyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device including interface circuit and method of operating the same

Номер патента: US20240329886A1. Автор: Jangwoo Lee,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm,Daehoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US12073909B2. Автор: Jinwoo Park,Yoonhee CHOI,Hyunjun Yoon,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device, and semiconductor device and electronic appliance including the same

Номер патента: US09715920B2. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09588708B2. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same

Номер патента: US09583197B2. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09424922B2. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140301144A1. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230019156A1. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Method and system for refresh of memory devices

Номер патента: US20240021233A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230020056A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US20230154505A1. Автор: Moosung Kim,Jin-Young Chun,Minjae Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150380074A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Flash memory device and smart card including the same

Номер патента: US7558121B2. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-07.

Flash Memory Device and Smart Card Including the Same

Номер патента: US20080117674A1. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-22.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230059590A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240177785A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12052930B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170084339A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Power-supply device and electronic device including the same

Номер патента: US10657043B2. Автор: Jeong Su Park,Yong Seok Oh,Joo Il Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-19.

Power-supply device and electronic device including the same

Номер патента: US10802963B2. Автор: Jeong Su Park,Yong Seok Oh,Joo Il Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8953390B2. Автор: Masatsugu Ogawa,Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-10.

Network storage method, storage system, data processing unit, and computer system

Номер патента: EP4407952A1. Автор: GUO Qin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20060120179A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyong-Ryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080122523A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyoung-Ryol Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Network storage method, storage system, data processing unit, and computer system

Номер патента: US20240273050A1. Автор: GUO Qin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20240334840A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile memory device for supporting fast checking function and operating method of data storage device including the same

Номер патента: US09899094B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Page buffer and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09792966B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Equalizer and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09424897B2. Автор: Dae-Hyun Kim,Seung-Jun Bae,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Dynamic semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200176052A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Chul Hwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US12057173B2. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system processing request based on inference and operating method of the same

Номер патента: US20210366562A1. Автор: Kangho Roh,Hyunkyo Oh,Jinbaek SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US20240331776A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Power-on reset circuit with variable detection reference and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09786371B1. Автор: Hyun Chul Lee,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile memory cells, nonvolatile memory cell arrays including the same, and methods of fabricating the same

Номер патента: US09741729B2. Автор: Young Joon Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09728264B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device including power decoupling capacitor

Номер патента: US09666262B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Doo-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09607667B1. Автор: Sang Eun Lee,Eun KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Clock signal processor and non-volatile memory device including the same

Номер патента: US09536580B2. Автор: Sang-Lok Kim,Kyoung-Tae Kang,Dae-Hoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Voltage generation circuit, semiconductor memory device including the same, and method for driving the same

Номер патента: US09508398B1. Автор: Jae-Boum Park,Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20150155041A1. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20220173060A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

RAM memory device selectively protectable with ECC

Номер патента: US8566670B2. Автор: Andre Roger,Charles Aubenas,Sergio Bacchin. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2013-10-22.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: EP4181126A1. Автор: Makoto Hirano,Min-Hwi Kim,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US10176879B2. Автор: Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Variable capacitor and memory device employing the same

Номер патента: US20020041513A1. Автор: Chul-Woo Lee,Seung-tae Jung,Hee-wan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-11.

Memory device and computing method thereof

Номер патента: US12094564B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for extending period of data retention of flash memory device and device for the same

Номер патента: US09904479B1. Автор: Ming-Sheng Chen,Ting-Chiang Liu,Liang-Tsung Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory system and write and read operation method for the same

Номер патента: US09886197B2. Автор: Dong-Gun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor memory device for switching high voltage without potential drop

Номер патента: US09859009B2. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory orprating method and memory device using the same

Номер патента: US09740602B2. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory devices, methods of manufacturing the same, and methods of accessing the same

Номер патента: US09735287B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Nonvolatile memory devices and memory systems including the same

Номер патента: EP4319533A2. Автор: Jiyoung Kim,Jaeeun Lee,Kiwhan Song,SeungYeon Kim,Woosung YANG,Inho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Memory Controllers and User Systems Including the Same

Номер патента: US20140133241A1. Автор: Cheol Kwon,Iksung Park,In Bo Shim,Jong-Wook JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: SG10201803737SA. Автор: BAEK Byung-Joon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Nonvolatile memory devices and memory systems including the same

Номер патента: EP4319533A3. Автор: Jiyoung Kim,Jaeeun Lee,Kiwhan Song,SeungYeon Kim,Woosung YANG,Inho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Controller, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20200356289A1. Автор: Do Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device with high content density

Номер патента: US20230282292A1. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143211A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yang Chen. Владелец: Memorist Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Chip select controller and non-volatile memory device including the same

Номер патента: US7660185B2. Автор: Jin Yong Seong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Coupling capacitor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7602043B2. Автор: Jin-Woo Lee,Eun-Cheol Lee,Won-suk Yang,Tae-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-13.

Memory device and a storage system using the same

Номер патента: US20200365211A1. Автор: Jun Yong Park,Yong Hyuk Choi,Sang Wan NAM,Jung No Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US20190050352A1. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US10108563B2. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-23.

Memory device with high content density

Номер патента: US12057179B2. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Stacked memory device system interconnect directory-based cache coherence methodology

Номер патента: US11741012B2. Автор: RICHARD C MURPHY,John Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Circuit for aligning command input data and semiconducter device including the same

Номер патента: US20240290365A1. Автор: Youngkwon JO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070247889A1. Автор: Takashi Miki,Yasuo Murakuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210384118A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20240379150A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Address aligner and memory device including the same

Номер патента: US09601172B2. Автор: Chang-yong Lee,Gong-Heum Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory module and memory system including the same

Номер патента: US20170293427A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Dong-Gun KIM,Do-Sun HONG,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO,Jae-Sun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Memory device, memory controller, and memory system including the same

Номер патента: US20230333782A1. Автор: Wontaeck Jung,Jaeyong Jeong,Bohchang Kim,Kuihan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory controller, memory system including the memory controller, and method of operating the same

Номер патента: US20240036730A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20140043920A1. Автор: Young Man Ahn,Jun Hee SHIN,Seung Mo JUNG,You Keun HAN,Sang Jhun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20090180347A1. Автор: Masao Kuriyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Memory device including voltage regions and method of operating same

Номер патента: SG10201804015PA. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,CHO SEOK-JIN,JANG JIN-HOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240249774A1. Автор: Sung Min Lee,Sang Tae Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory modules including a mirroring circuit and methods of operating the same

Номер патента: US20230186954A1. Автор: KyuDong Lee,Gyuchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: EP3563214A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: WO2018125475A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: WO2019231589A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-05.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20110158023A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180342302A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Chun-Yu Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor memory device including a nand string

Номер патента: US20160078941A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Nand architecture memory devices and operation

Номер патента: US20090147584A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Nand architecture memory devices and operation

Номер патента: WO2007075708A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device which stores multilevel data

Номер патента: US20130286730A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Chip select controller and non-volatile memory device including the same

Номер патента: US20090168518A1. Автор: Jin Yong Seong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Computing system and method of operating the same

Номер патента: US20240289034A1. Автор: Hung Yung CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device having an address generator using a neural network algorithm and a memory system including the same

Номер патента: US20200257959A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Computer system and method of booting the same on set time

Номер патента: US20040230786A1. Автор: In-Soo Kim,Kyung-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Computer system and control method for the same

Номер патента: US09785381B2. Автор: Kazuyoshi Serizawa,Kenta Shiga. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Computer system and control method of the same

Номер патента: US20100005283A1. Автор: Jong-Uk Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Computer system and control method of the same

Номер патента: US20120137116A1. Автор: Jong-Uk Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-31.

Computer system and method for operating the same

Номер патента: EP2589196A1. Автор: Kai Dorau. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2013-05-08.

Computer system and method for operating the same

Номер патента: WO2012001122A1. Автор: Kai Dorau. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2012-01-05.

Computer system and method for operating the same

Номер патента: US20130110965A1. Автор: Kai Dorau. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2013-05-02.

Computer system, fault tolerant system using the same and operation control method and program thereof

Номер патента: EP1669881A3. Автор: MIZUTANI Fumitoshi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-09-05.

Computer system and control method of the same

Номер патента: US8140838B2. Автор: Jong-Uk Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-20.

Commonly housed multiple processor type computing system and method of manufacturing the same

Номер патента: US5809262A. Автор: Bruce Potter. Владелец: Dell USA LP. Дата публикации: 1998-09-15.

Computing system and controlling methods for the same

Номер патента: US20130332692A1. Автор: Yoshiaki Eguchi,Ai Satoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Method, apparatus, and computer program product for anonymizing trajectories

Номер патента: EP4421449A1. Автор: Stefano Bennati,Elena VIDYAKINA,Elena Mumford,Johannes Braese. Владелец: Here Global BV. Дата публикации: 2024-08-28.

Method, apparatus, and computer program product for anonymizing trajectories

Номер патента: US20240292209A1. Автор: Stefano Bennati,Elena VIDYAKINA,Elena Mumford,Johannes Braese. Владелец: Here Global BV. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for searching and displaying results in a pen-based computer system

Номер патента: US5710844A. Автор: Stephen P. Capps,Shifteh Karimi,Sarah Clark. Владелец: Apple Computer Inc. Дата публикации: 1998-01-20.

MEMORY DEVICE HAVING AN ADDRESS GENERATOR USING A NEURAL NETWORK ALGORITHM AND A MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200257959A1. Автор: JIN Young Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-08-13.

Batch transfer of control of memory devices over computer networks

Номер патента: US11917059B2. Автор: Travis Duane Nelson,Lance W. Dover. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Batch Transfer of Control of Memory Devices over Computer Networks

Номер патента: US20240146525A1. Автор: Travis Duane Nelson,Lance W. Dover. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Method and System for Testing Time Parameters of Adaptor

Номер патента: US20200132755A1. Автор: Chen Tian. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Computer status diagnosis chip and computer status diagnosis system including the same

Номер патента: US20170123878A1. Автор: Chia-Ching Lu,Ping-Ying Chu,Ming-Che Hung. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Computer status diagnostic chip and computer status diagnostic system including the same

Номер патента: TWI571735B. Автор: 朱炳盈,洪明哲,盧嘉謦. Владелец: 新唐科技股份有限公司. Дата публикации: 2017-02-21.

Optical reservoir computing system and method of using the same

Номер патента: US11907811B2. Автор: Saroj Kumar Sahu,Anwesh Patnaik Sahu. Владелец: Science Cadets Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Computer system, fault tolerant system using the same and operation control method and program thereof

Номер патента: AU2005239652A1. Автор: Fumitoshi Mizutani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Method and system for enabling remote access to a computer system

Номер патента: US20050204143A1. Автор: Jeremy Ellington. Владелец: Newisys Inc. Дата публикации: 2005-09-15.

Virtual computer system

Номер патента: US5018064A. Автор: Masaya Watanabe,Shinji Nakayama,Shuichi Abe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-05-21.

Computer system and method for controlling the same

Номер патента: TW382672B. Автор: Glenn David Gilda. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2000-02-21.

Computer system and control method of the same

Номер патента: TWI330319B. Автор: Masashi Tominaga,Shinya Saitou,Tomohiko Ohtsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-11.

Virtual computer system and method of controlling the same

Номер патента: US20090235249A1. Автор: Yuji Kobayashi,Tomoki Sekiguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-09-17.

Method for providing audio data, and associated device, system and computer program

Номер патента: US20230388730A1. Автор: Jean-Bernard LEDUBY,Chantal Guionnet. Владелец: ORANGE SA. Дата публикации: 2023-11-30.

APPARATUS AND METHOD FOR AUTHENTICATION, AND COMPUTER PROGRAM AND RECORDING MEDIUM APPLIED TO THE SAME

Номер патента: US20210073368A1. Автор: LEE Taw Wan. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

APPARATUS AND METHOD FOR AUTHENTICATION, AND COMPUTER PROGRAM AND RECORDING MEDIUM APPLIED TO THE SAME

Номер патента: US20180212957A1. Автор: LEE Taw Wan. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Apparatus and method for authentication, and computer program and recording medium applied to the same

Номер патента: KR102171877B1. Автор: 이태완. Владелец: 주식회사 마스터비디. Дата публикации: 2020-10-29.

Apparatus and method for authentication, and computer program and recording medium applied to the same

Номер патента: KR102072891B1. Автор: 이태완. Владелец: 주식회사 마스터비디. Дата публикации: 2020-03-02.

Apparatus and method for authentication, and computer program and recording medium applied to the same

Номер патента: KR20170013848A. Автор: 이태완. Владелец: 주식회사 마스터비디. Дата публикации: 2017-02-07.

Display method in mobile terminal and computer-readable recording medium having recorded thereon the same

Номер патента: WO2008063015A2. Автор: Chang Seok Lee. Владелец: Intromobile Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-05-29.

Computing system with wireless debug code output

Номер патента: US20170083427A1. Автор: Shiqun Xie,Donald L. Cheung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-23.

Method for fast booting/shutting down a computing system by clustering

Номер патента: US20170192794A1. Автор: HUNG-YI LIN,Shi-Wu Lo,Zheng-Yuan Chen,Shen-Ta Hsieh. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-06.

Methods and systems for validating sensitive data in a distributed computing system without exposing the sensitive data

Номер патента: US11914746B2. Автор: Yair Horesh. Владелец: Intuit Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Computer system. fault tolerant system using the same and operation control method and program thereof

Номер патента: CA2529345A1. Автор: Fumitoshi Mizutani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-06-13.

COMPUTER SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20130110965A1. Автор: Dorau Kai. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2013-05-02.

COMPUTING SYSTEM AND CONTROLLING METHODS FOR THE SAME

Номер патента: US20130332692A1. Автор: Satoyama Ai,Eguchi Yoshiaki. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-12.

Computing system and operating method of the same

Номер патента: US20160004655A1. Автор: Young-Jin Cho,Jin-Hyeok Choi,Sun-Young Lim,Young-Kwang Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Optical reservoir computing system and method of using the same

Номер патента: US20210027192A1. Автор: Sahu Saroj Kumar,Sahu Anwesh Patnaik. Владелец: Science Cadets, Inc.. Дата публикации: 2021-01-28.

COMPUTER SYSTEM AND PROCESSING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20160034289A1. Автор: Terayama Atsumi,Tanaka Toru,AMANO Takashl. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2016-02-04.

COMPUTER SYSTEM AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20180137044A1. Автор: CHO Sang-Yeun,JO In-soon. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

COMPUTING SYSTEM AND CONTROLLING METHODS FOR THE SAME

Номер патента: US20140281339A1. Автор: Satoyama Ai,Eguchi Yoshiaki. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

COMPUTER SYSTEM AND MANAGEMENT METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20140297597A1. Автор: Iwashita Masaru,Matsubara Keisuke. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2014-10-02.

COMPUTER SYSTEM AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20150317101A1. Автор: SHIGA Kenta,Serizawa Kazuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Portable computer system and method of controlling the same

Номер патента: KR100475573B1. Автор: 박성근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-14.

Computer system and method of controlling the same

Номер патента: KR100586981B1. Автор: 정종민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-08.

Computer system and control method of the same

Номер патента: CN100356297C. Автор: 李重烨. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-19.

Remote controlled computer system and method of operating the same

Номер патента: KR100342021B1. Автор: 김동일,김홍삼. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-27.

Virtual computer system and method of controlling the same

Номер патента: US8688932B2. Автор: Yoshifumi Takamoto,Eri KATAOKA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Computer system and method for controlling the same

Номер патента: US20050055566A1. Автор: Ping-Hung Chen,Tsu-Ti Huang,Cheng-Chan Yu,Yuan-Chun Chou,Yen-Hsing Chen. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Portable computer system and method of controlling the same

Номер патента: KR100781638B1. Автор: 정종민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-12-05.

Computer system and method of controlling the same

Номер патента: US20110050542A1. Автор: Kyoung-Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Storage device, computing system, and method of operating the same

Номер патента: TW202319903A. Автор: 金秉俊,李熙源,李宅珪,田容圭. Владелец: 韓商愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2023-05-16.

Computer system and method of controlling the same

Номер патента: KR100488531B1. Автор: 하호진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-11.

Computer system and method of controlling the same

Номер патента: US20030145191A1. Автор: Jong-hyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-31.

Virtual computer system and method of controlling the same

Номер патента: US20110197192A1. Автор: Yoshifumi Takamoto,Eri KATAOKA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Computing system and method of operating the same

Номер патента: US20230401006A1. Автор: Jeong Ho Jeon,Kang Rak KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Bus advertising system interlocked with time and place and selling method of advertising rights using the same

Номер патента: KR101293146B1. Автор: 서동석. Владелец: 오공일미디어 (주). Дата публикации: 2013-08-12.

Time and Frequency Domain Channel Estimation Method and System Using the Same

Номер патента: KR101636061B1. Автор: 김윤경,문철. Владелец: 한국교통대학교산학협력단. Дата публикации: 2016-07-04.

Memory based computation systems and methods of using the same

Номер патента: EP2002485A2. Автор: Shinobu Fujita,Bipul C. Paul. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-17.

Memory based computation systems and methods of using the same

Номер патента: WO2007112041A2. Автор: Shinobu Fujita,Bipul C. Paul. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2007-10-04.

Computer host and computer system including the same

Номер патента: US20160188851A1. Автор: Chun-Sheng Chen,Kai-Le Zhai. Владелец: Hongfujin Precision Industry Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Storage device operating on zone basis and data processing system including the same

Номер патента: US20240118805A1. Автор: Joo Young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Reducing cryptographic update errors in memory devices using cyclical redundancy checks

Номер патента: US12066887B2. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Application processor and data processing system including the same

Номер патента: US09977749B2. Автор: Sik Kim,Kook Won Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory controller for reducing the number of error bits in read data and memory system including the same

Номер патента: US12105988B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory network and system including the same

Номер патента: US20170075578A1. Автор: Gwangsun Kim,John Dongjun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-03-16.

Memory network and system including the same

Номер патента: US10447584B2. Автор: Gwangsun Kim,John Dongjun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-10-15.

Data storage device and data processing system including the same

Номер патента: US09501130B2. Автор: Seung Jin PARK,Dong Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory controller and storage device including the same

Номер патента: US20240241669A1. Автор: Geon Woo KIM,Dae Hoon Jang,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US9218312B2. Автор: Byoung-Sul Kim,Hak-Yong Lee,Jun-Ho Jo,Kyu-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-22.

Hybrid memory drives, computer system, and related method for operating a multi-mode hybrid drive

Номер патента: US09927975B2. Автор: Thomas L. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Storage device and storage system including the same

Номер патента: US20240192865A1. Автор: Seungho Lee,Myungsik Choi,Yunho Youm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Electronic device and computing system including same

Номер патента: US11995002B1. Автор: Ju Hyun Kim,Gayoung LEE,Jae Wan YEON. Владелец: Metisx Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Storage controller and method of operating electronic system including the same

Номер патента: US20240311024A1. Автор: Hanju Lee,Soogon Kim,Sungjune Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of operating data storage device and method of operating system including the same

Номер патента: US09996282B2. Автор: Taek Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Storage device including memory controller and memory system including the same

Номер патента: US09846543B2. Автор: Dong Jae Shin,Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09529536B2. Автор: Hong-Sik Kim,Young-Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Electronic device and computing system including same

Номер патента: US20240319878A1. Автор: Ju Hyun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: Metisx Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Raid system including nonvolatile memory and operating method of the same

Номер патента: US20180150354A1. Автор: Ju Pyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Memory device and image processing apparatus using same

Номер патента: US6985155B2. Автор: Tetsujiro Kondo,Akihiro Okumura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-01-10.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US12105964B2. Автор: Gyeong Min Park,Jong Tack JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory controllers, operating methods thereof, and memory systems including the same

Номер патента: US09990162B2. Автор: Ji-soo Kim,Moon-sang Kwon,Yoo-chan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Reconfiguration of a computing system using a circuit switch

Номер патента: US20240231468A9. Автор: Terrel Morris. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-07-11.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: EP3673380A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200349097A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200242057A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: WO2019040200A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10983934B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10754801B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20210209039A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Storage device, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US12056356B2. Автор: Seung Kyu HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Cache memory device and fpga including the same

Номер патента: US20190188145A1. Автор: Hyukjun Lee,Hyunwoo Park,Hyun SO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation of Sogang University. Дата публикации: 2019-06-20.

Storage system and method of operating the same

Номер патента: US11579775B2. Автор: Dong-Gun KIM,Won-Moon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-14.

Reconfiguration of a computing system using a circuit switch

Номер патента: US12105575B2. Автор: Terrel Morris. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-10-01.

Storage device, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240345729A1. Автор: Seung Kyu HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Systems having a maximum sleep mode and method of operating the same

Номер патента: US09547360B2. Автор: Won-seok Lee,Young-Jin Park,Il-guy Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory controller and memory system including the memory controller and memory device

Номер патента: US20240264744A1. Автор: Se Chang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Lifespan forecasting of memory devices and predictive device health management

Номер патента: US20240272803A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

System including multi channel memory and operating method for the same

Номер патента: US09811460B2. Автор: Nak-Hee Seong,Hyeok-Man Kwon,Seung-hong Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory system including nonvolatile memory device and erase method thereof

Номер патента: US09733864B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sangkwon Moon,Jihong Kim,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory control unit and data storage device including the same

Номер патента: US09652403B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Storage device and a method of operating the same

Номер патента: US20240220103A1. Автор: JinHyuk Lee,Dongeun Shin,Dohyeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200356308A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US11307826B2. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-19.

Nonvolatile memory system and operation method of the same

Номер патента: US09760308B2. Автор: Nam Wook Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Managing retention latency for memory devices of vehicle systems

Номер патента: US20240231695A1. Автор: Lei Pan,Minjian Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Server and computer

Номер патента: US20230280918A1. Автор: Yasuhiro Tsurunaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Ecc decoder and memory controller including the same

Номер патента: US20240143442A1. Автор: Jaehong Kim,Hongrak Son,Yongsung KIL,Soonyoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20220326873A1. Автор: Jin Woo Kim,Jin Won JANG,Hyo Byung HAN,Young Wu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Storage system and method of operating the same

Номер патента: US20160292229A1. Автор: Insoon JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Memory module, memory system including memory module, and method of operating the same

Номер патента: US20230063123A1. Автор: Sung Woo HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Controller including map table, memory system including semiconductor memory device, and method of operating the same

Номер патента: US09690698B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory control unit and data storage device including the same

Номер патента: US09501351B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Woo Kim,Joong Hyun AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Uniquely identifying and validating computer system firmware

Номер патента: US09395968B1. Автор: Harikrishna Doppalapudi,Purandhar Nallagatla. Владелец: American Megatrends Inc USA. Дата публикации: 2016-07-19.

Scheduling memory requests for a ganged memory device

Номер патента: EP4361827A3. Автор: James Raymond Magro. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Scheduling memory requests for a ganged memory device

Номер патента: US20190196721A1. Автор: James Raymond Magro. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory device with volatile and non-volatile media

Номер патента: US09767017B2. Автор: David Flynn,Nisha Talagala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory device and controlling method of the same

Номер патента: US09715344B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Seung-Uk Shin,Sang-Kwon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Motherboard and computer control system including the same

Номер патента: US09575549B2. Автор: Yong-Zhao Huang. Владелец: Hongfujin Precision Industry Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Nonvolatile memory device and data storage device including the same

Номер патента: US09507707B2. Автор: Hak Dae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Reducing cryptographic update errors in memory devices using cyclical redundancy checks

Номер патента: US20240054045A1. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Address translation cache and system including the same

Номер патента: EP4191420A1. Автор: Jaegeun PARK,Sangmuk Hwang,Hyunwoo KANG,Youngsuk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-07.

Computer system and method for determining stay periods of a road vehicle

Номер патента: US20180144631A1. Автор: Olaf Neumann. Владелец: PTV Planung Transport Verkehr GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Failover method through disk takeover and computer system having failover function

Номер патента: US20120042069A1. Автор: Takao Nakajima,Keisuke Hatasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-16.

Control method of memory device and associated flash memory controller

Номер патента: US20240329871A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory system and operation method for the same

Номер патента: US09703487B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Motherboard and computer control system including the same

Номер патента: US09665520B2. Автор: Meng-Liang Yang. Владелец: ScienBiziP Consulting Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Interface device and computing system including the same

Номер патента: US20230315672A1. Автор: Jong Heon JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US10922200B2. Автор: Jin Woong Kim,Se Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Data processing system, operating method thereof, and computing system using the same

Номер патента: US20230061729A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Touch control system and touch control method and computer system of the same

Номер патента: US09772699B2. Автор: Chung-Chia Chen,Wen-Chun TSAO. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Apparatus and method for sanitizing a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240231615A1. Автор: Jung Min Choi,Sun Woong Kim,Min Ho Ha,Byung Il Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Memory device and storage device including the same

Номер патента: US20240184589A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20210247932A1. Автор: Seok Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

GMDAI Personalized Health Formula System and Computer Storage Medium Comprising the Same

Номер патента: US20220328126A1. Автор: Vincent Chun Xin Gao. Владелец: Govita Tech Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

GMDAI personalized health formula system and computer storage medium comprising the same

Номер патента: US11610643B2. Автор: Vincent Chun Xin Gao. Владелец: Govita Tech Ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

Memory device for multiple processors and memory system having the same

Номер патента: US09740657B2. Автор: Chanho LEE. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory modules with reduced rank loading and memory systems including same

Номер патента: US09542343B2. Автор: Jung-hwan Choi,In-Dal Song,Jeong-Kyoum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile memory device for providing fast booting and system including the same

Номер патента: US20170123814A1. Автор: Sung-Yong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Memory controller, electric system including the same and method of controlling memory access

Номер патента: US20240168896A1. Автор: WooSeong Cheong,Jaehwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory controller, electronic system including the same and method of controlling memory access

Номер патента: EP4375840A1. Автор: WooSeong Cheong,Jaehwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Memory device and storage device including the same

Номер патента: US20240201900A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for processing adaptive interrupt, host employing the same, i/o device and system

Номер патента: US20160350242A1. Автор: Ju-Pyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-01.

Electronic device and method of operating the same

Номер патента: US20230315304A1. Автор: Jung Ae Kim,Tae Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20200409854A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20190324915A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for reducing phase lock time and jittering and phase lock loop using the same

Номер патента: US20070120610A1. Автор: Chih-Jen Yen,Chiu-Hung Cheng. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-05-31.

Washing machine and method of controlling the same

Номер патента: US09982381B2. Автор: Jinho Kim,Sooyoung OH,Myunghun Im. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-05-29.

Bicycle trip computer system

Номер патента: WO2008071199A1. Автор: Troels Pedersen. Владелец: REELIGHT APS. Дата публикации: 2008-06-19.

Bicycle trip computer system

Номер патента: EP2097310A1. Автор: Troels Pedersen. Владелец: REELIGHT APS. Дата публикации: 2009-09-09.

Field communication and computer data distribution system

Номер патента: US20070224873A1. Автор: Alvin Thompson. Владелец: Thompson Alvin D. Дата публикации: 2007-09-27.

Wireless telephone device and computer readable medium storing program for controlling the same

Номер патента: US20020132615A1. Автор: Hideki Narusawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Communication device, and computer readable medium and control method for the same

Номер патента: US20120166881A1. Автор: Hiroto NAKAYAMA. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Blood filter and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170354774A1. Автор: Min Ho Lee,Jin Il Kim. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-12-14.

Universal Data Network and Constructing Method thereof and Generalized Computer System and Method for Constructing the Same

Номер патента: US20170317878A1. Автор: GONG Jianchao. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

3-dimensional non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20130161724A1. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Non-volatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324218A1. Автор: Seulye KIM,Sunggil Kim,Jehong OH,Moohyun Kim,Younghwan JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: EP4401526A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Hyunmin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224535A1. Автор: Juhyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240090228A1. Автор: Jeehoon HAN,Hoyoung CHOI,Sanghun Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312908A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4432805A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US12074128B2. Автор: Moorym CHOI,Yoonjo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312902A1. Автор: Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of assembling microelectronic package and method of operating the same

Номер патента: US20200411497A1. Автор: Lin Ma,Alessandro Minzoni,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Flash memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100163951A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12087619B2. Автор: Yu-Ting Chen,Yen-De Lee,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Shun-Li Lan,Chih-Jung Ni. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09716129B1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang,Kyu-Rie SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory device, method of manufacturing the same, and electronic device including the same

Номер патента: US20200035696A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20230301101A1. Автор: Junghwan Lee,Hyunmin Cho,Jaehong YOO,Yujin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device having cell over periphery structure and memory package including the same

Номер патента: US09865541B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Chang-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Passenger conveyor system monitoring device and method for installing the same

Номер патента: WO2015088538A1. Автор: Tony C. BLACK. Владелец: OTIS ELEVATOR COMPANY. Дата публикации: 2015-06-18.

Stacked capacitor, method for making the same and memory device

Номер патента: US20240306363A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12150387B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240224499A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and computer program for operating an interactive themed attraction accessible by computer users

Номер патента: WO2000019722A1. Автор: Monty Summers. Владелец: Full Moon Productions, Inc.. Дата публикации: 2000-04-06.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

On-die system and method for controlling termination impedance of memory device data bus terminals

Номер патента: US7852112B2. Автор: David Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466671B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090008700A1. Автор: Choong-ho Lee,Byung-yong Choi,Albert Fayrushin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-08.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234373A9. Автор: Seungduk Baek,Aenee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240107903A1. Автор: Shih-Yen Lin,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase change memory device having carbon nano tube lower electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US7589342B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151779A1. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240334690A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09985044B2. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905759B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210328038A1. Автор: Jinwoo Kim,Juyoun Kim,Junmo Park,Sangjung Kang,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

MODULATION PROFILE GENERATOR AND SPREAD SPECTRUM CLOCK GENERATOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120001658A1. Автор: . Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION DEVICE, AND COMPUTER READABLE MEDIUM AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120166881A1. Автор: . Владелец: BROTHER KOGYO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-06-28.

MONETIZED ONLINE CONTENT SYSTEMS AND METHODS AND COMPUTER-READABLE MEDIA FOR PROCESSING REQUESTS FOR THE SAME

Номер патента: US20120174204A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

COMPUTER SYSTEM AND METHOD FOR MANAGING THE SAME

Номер патента: US20120072693A1. Автор: Nakagawa Hirotaka,Mori Mioko. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2012-03-22.

COMPUTER SYSTEM AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120137116A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-05-31.

COMPUTER SYSTEM AND METHOD FOR RESETTING THE SAME

Номер патента: US20120311310A1. Автор: Lin Wei-Chih. Владелец: WISTRON CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

VIRTUAL COMPUTER SYSTEM AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20130067166A1. Автор: Takamoto Yoshifumi,KATAOKA Eri. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-14.

IMAGE-PROCESSING DEVICE AND IMAGE-PROCESSING METHOD, IMAGE-PICKUP DEVICE, AND COMPUTER PROGRAM

Номер патента: US20120002849A1. Автор: Tokuse Akira. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS, APPARATUSES AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS FOR AUTOMATICALLY GENERATING SUGGESTED INFORMATION LAYERS IN AUGMENTED REALITY

Номер патента: US20120001939A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS, APPARATUSES AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS FOR PROVIDING A CONSTANT LEVEL OF INFORMATION IN AUGMENTED REALITY

Номер патента: US20120001938A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF PROCESSING IMAGE, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002879A1. Автор: . Владелец: OLYMPUS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPUTER SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001913A1. Автор: Lee Kyung-Hee. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

CORRELATED DOUBLE SAMPLING CIRCUIT AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002093A1. Автор: Lee Dong Hun,HAM Seog Heon,Yoo Kwi Sung,Kwon Min Ho,Jung Wun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM INCLUDING AN IMPLANTABLE MEDICAL DEVICE AND ELECTRONIC VALVE INDICATOR AND LOCATOR DEVICE

Номер патента: US20120004538A1. Автор: Bertrand William J.,Speckman Lori C.. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method, System, and Computer Program Product for Providing Customized Information to Mobile Devices

Номер патента: US20120003964A1. Автор: Soo Armstrong,Ku Bernard. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS, SYSTEMS, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS FOR SELECTING A DATA SOURCE BASED ON A CHANNEL IDENTIFIER

Номер патента: US20120002116A1. Автор: Morris Robert Paul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Analysis System And Computer Implemented Method For Analyzing Biological Samples

Номер патента: US20120004853A1. Автор: Oeltjen Lars. Владелец: ROCHE DIAGNOSTICS OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND PACKAGE INCLUDING THE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001286A1. Автор: YOON JUNHO. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING UNIT, IMAGE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER PROGRAM

Номер патента: US20120002864A1. Автор: KOUNO MASAKAZU. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRASOUND IMAGING SYSTEM AND METHODS OF IMAGING USING THE SAME

Номер патента: US20120004539A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PHOTOGRAPHING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120002065A1. Автор: PARK Wan Je,Seung Jung Ah. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYAMIDE RESIN COMPOSITION, FILM COMPRISING THE SAME AND POLYAMIDE-BASED LAMINATE FILM

Номер патента: US20120003361A1. Автор: . Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR DRIVING AND SUPPORTING CRADLE AND MR SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20120000016A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Tricalcium Phosphate Coarse Particle Compositions and Methods for Making the Same

Номер патента: US20120000394A1. Автор: Delaney David C.,Jalota Sahil,Yetkinler Duran N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DISPLAY APPARATUS, IMAGE DISPLAY METHOD, AND COMPUTER PROGRAM

Номер патента: US20120002026A1. Автор: . Владелец: OLYMPUS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

POSITRON EMISSION IMAGING DEVICE AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120001064A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.