Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • RESIST PATTERN-FORMING METHOD, SUBSTRATE-PROCESSING METHOD, AND PHOTORESIST COMPOSITION

RESIST PATTERN-FORMING METHOD, SUBSTRATE-PROCESSING METHOD, AND PHOTORESIST COMPOSITION

Номер патента: US20150048051A1
Опубликовано: 19-02-2015
Автор(ы): Katsura Yuichiro, MATSUMOTO Ryu, NAKAKURA Ken, SHIMA Motoyuki, YADA Yuji
Принадлежит: JSR Corporation
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Resist pattern-forming method, substrate-processing method, and photoresist composition

Номер патента: US09417527B2. Автор: Motoyuki Shima,Ryu Matsumoto,Yuji Yada,Yuichiro KATSURA,Ken Nakakura. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Resist pattern-forming method, substrate-processing method, and photoresist composition

Номер патента: US20160266489A1. Автор: Motoyuki Shima,Ryu Matsumoto,Yuji Yada,Yuichiro KATSURA,Ken Nakakura. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Resist pattern-forming method, substrate-processing method, and photoresist composition

Номер патента: US09817311B2. Автор: Motoyuki Shima,Ryu Matsumoto,Yuji Yada,Yuichiro KATSURA,Ken Nakakura. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Resist pattern-forming method

Номер патента: US20170329228A1. Автор: Hiromitsu Nakashima,Tomohiko Sakurai,Sousuke OOSAWA,Kousuke TERAYAMA. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Pattern forming method, photo mask manufacturing method, and electronic device manufacturing method

Номер патента: US10488755B2. Автор: Shuji Hirano,Akira Takada,Hidehiro Mochizuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Pattern forming method, photo mask manufacturing method, and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20180017865A1. Автор: Shuji Hirano,Akira Takada,Hidehiro Mochizuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Photosensitive resin composition, pattern forming method, cured film, laminate, and device

Номер патента: US12078929B2. Автор: Toshihide Aoshima,Kenta Yamazaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Photosensitive resin composition, pattern forming method, cured film, laminate, and device

Номер патента: US20210302835A1. Автор: Toshihide Aoshima,Kenta Yamazaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Photosensitive resin composition, pattern forming method, cured film, multilayer body and device

Номер патента: EP3893053A1. Автор: Toshihide Aoshima,Kenta Yamazaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-10-13.

Resist pattern-forming method, and radiation-sensitive composition and production method thereof

Номер патента: US20200333707A1. Автор: Ken Maruyama,Miki TAMADA,Sousuke OOSAWA. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: US20180224742A1. Автор: Tsuyoshi Nakamura,Kazuishi Tanno,Junyeob Lee. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: US10534264B2. Автор: Tsuyoshi Nakamura,Kazuishi Tanno,Junyeob Lee. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Pattern-forming method

Номер патента: US09971247B2. Автор: Tomoki Nagai,Akihiro Oshima,Hisashi Nakagawa,Takehiko Naruoka,Seiji Nagahara,Seiichi Tagawa. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2018-05-15.

Pattern forming method and method for manufacturing electronic device using same

Номер патента: US20170146908A1. Автор: Keita Kato,Michihiro Shirakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Photosensitive composition, cured film, pattern forming method, color filter, solid-state imaging element, and image display device

Номер патента: US20190212644A1. Автор: Yoshinori Taguchi,Hiroyuki Morishita,Kazuya Oota,Akiko YOSHII. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Pattern-forming method

Номер патента: US20170184961A1. Автор: Hisashi Nakagawa,Takehiko Naruoka,Motohiro SHIRATANI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Pattern-forming method

Номер патента: US20170052450A1. Автор: Tomoki Nagai,Akihiro Oshima,Hisashi Nakagawa,Takehiko Naruoka,Seiji Nagahara,Seiichi Tagawa. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2017-02-23.

Photoresist composition containing a protected hydroxyl group for negative development and pattern forming method using thereof

Номер патента: US20130288178A1. Автор: Kuang-Jung Chen,Wu-Song Huang,Wai-Kin Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Resist pattern-forming method

Номер патента: US20130323653A1. Автор: Koji Ito,Hirokazu Sakakibara,Hiromu Miyata,Taiichi Furukawa. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Negative resist pattern-forming method, and composition for upper layer film formation

Номер патента: US20190004426A1. Автор: Sosuke OSAWA,Taiichi Furukawa. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Negative resist pattern-forming method, and composition for upper layer film formation

Номер патента: US20160299432A1. Автор: Sosuke OSAWA,Taiichi Furukawa. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Composition for forming underlayer film, resist pattern forming method, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20220283499A1. Автор: Kazuyoshi Mizutani,Kei Yamamoto,Takeshi Kawabata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and, resist film, pattern forming method, electronic device manufacturing method, and electronic device, each using the composition

Номер патента: US20140287363A1. Автор: Kaoru Iwato,Akinori Shibuya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, method of manufacturing electronic device using the same, and electronic device

Номер патента: US09766547B2. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Pattern forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet-sensitive composition, resist film, method for manufacturing electronic device using the same, and electronic device

Номер патента: US09411230B2. Автор: Kaoru Iwato,Hideaki Tsubaki,Hiroo Takizawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, manufacturing method of electronic device, and electronic device

Номер патента: US09383645B2. Автор: Kei Yamamoto,Hidenori Takahashi,Shuhei Yamaguchi,Fumihiro Yoshino. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resing composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the composition, and pattern forming method

Номер патента: US20140170564A1. Автор: Akinori Shibuya,Tomoki Matsuda,Yoko TOKUGAWA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230259029A1. Автор: Keita Kato,Akihiro Kaneko,Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA,Yuta Okuaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Pattern-forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device using them and electronic device

Номер патента: EP2761372A1. Автор: Hideaki Tsubaki,Hiroo Takizawa,Takeshi Kawabata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Composition for pattern formation, and pattern-forming method

Номер патента: US20150253671A1. Автор: Yuji Namie,Tomoki Nagai,Hiroyuki Komatsu,Shinya Minegishi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and resist film

Номер патента: WO2012118168A1. Автор: Hidenori Takahashi,Shuhei Yamaguchi,Shohei Kataoka,Michihiro Shirakawa,Shoichi Saitoh,Fumihiro Yoshino. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-09-07.

Negative tone photosensitive composition for EUV light, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US11573491B2. Автор: Michihiro Shirakawa,Wataru Nihashi,Michihiro OGAWA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and photo mask

Номер патента: US12061418B2. Автор: Toshiya Takahashi,Hideyuki Ishihara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Negative-type photosensitive composition for euv light, pattern forming method, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: EP3779596A1. Автор: Michihiro Shirakawa,Wataru Nihashi,Michihiro OGAWA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-02-17.

Image forming methods, pattern forming methods, pattern forming material and planographic printing plate

Номер патента: EP1475230A3. Автор: Koichi Kawamura,Takeyoshi Kano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Negative tone photosensitive composition for euv light, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20210011380A1. Автор: Michihiro Shirakawa,Wataru Nihashi,Michihiro OGAWA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20190354011A1. Автор: Takaki Daichi,Oikawa Tomohiro,FUJISAKI Masafumi,Nagamine Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Radiation sensitive composition and resist pattern forming method

Номер патента: EP3667419A1. Автор: Hisashi Nakagawa,Yusuke Asano,Shinya Minegishi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2020-06-17.

PHOTORESIST COMPOSITION, PRODUCTION METHOD OF PHOTORESIST COMPOSITION, AND RESIST PATTERN-FORMING METHOD

Номер патента: US20170269476A1. Автор: Nagai Tomoki,Naruoka Takehiko,NAKAGAWA Hisashi,SHIRATANI Motohiro. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2017-09-21.

RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20180224742A1. Автор: Nakamura Tsuyoshi,Tanno Kazuishi,LEE Junyeob. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

RESIST PATTERN-FORMING METHOD, AND RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND PRODUCTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200333707A1. Автор: MARUYAMA Ken,TAMADA Miki,Oosawa Sousuke. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2020-10-22.

Pattern-forming method and composition

Номер патента: US09921474B2. Автор: Kanako FUKAMI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, method for manufacturing actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, method for manufacturing electronic device, resin, and method for manufacturing resin

Номер патента: US20240248398A1. Автор: Tsutomu Yoshimura,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Pattern forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet-sensitive composition, resist film, manufacturing method of electronic device, and electronic device

Номер патента: US20130084438A1. Автор: Kaoru Iwato,Shuji Hirano,Hideaki Tsubaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, method for manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: US09952509B2. Автор: Keita Kato,Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA,Keiyu OU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, method for manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: US09513547B2. Автор: Sou Kamimura,Keita Kato,Hidenori Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device and electronic device

Номер патента: US09482947B2. Автор: Hidenori Takahashi,Shuhei Yamaguchi,Shohei Kataoka,Michihiro Shirakawa,Shoichi Saitoh,Fumihiro Yoshino. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, resist-coated mask blank, photomask and pattern forming method, and method for producing electronic device using them, and electronic device

Номер патента: US9632410B2. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Shuhei Yamaguchi,Toru Tsuchihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230185192A1. Автор: Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230408920A1. Автор: Shuhei Yamaguchi,Taro MIYOSHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US12001140B2. Автор: Kazunari Yagi,Takashi Kawashima,Akihiro Kaneko,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230221640A1. Автор: Tsutomu Yoshimura,Akiyoshi Goto,Kyohei Sakita,Kazuhiro Karumo. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230236502A1. Автор: Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA,Aina USHIYAMA,Yosuke BEKKI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method using the same, polymerizable compound and polymer compound obtained by polymerizing the polymerizable compound

Номер патента: EP2105440A2. Автор: Shuhei Yamaguchi,Akinori Shibuya,Yuko Yoshida,Michihiro Shirakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-09-30.

Radiation-sensitive resin composition, cured film, pattern forming method, solid-state imaging device, and image display device

Номер патента: US20210132496A1. Автор: Kaoru Aoyagi,Yuki Nara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the same composition

Номер патента: US20120207978A1. Автор: Kunihiko Kodama,Kenji Wada,Shuhei Yamaguchi,Akinori Shibuya,Tomoki Matsuda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Resist material and pattern forming method

Номер патента: US20230296980A1. Автор: Masahiro Fukushima,Tomohiro Kobayashi,Masayoshi Sagehashi,Kousuke Ohyama,Yutaro OTOMO,Gentaro Hida. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Crosslinking agent, negative resist composition, and pattern forming method using the negative resist composition

Номер патента: US8841059B2. Автор: Kenichi Okuyama,Yasunori Nagatsuka. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2014-09-23.

Crosslinking agent, negative resist composition, and pattern forming method using the negative resist composition

Номер патента: US20120115084A1. Автор: Kenichi Okuyama,Yasunori Nagatsuka. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2012-05-10.

Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4443240A2. Автор: Masahiro Fukushima. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4443240A3. Автор: Masahiro Fukushima. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20240337935A1. Автор: Masahiro Fukushima. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20240377738A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Negative active-light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using same, resist-coated mask blank, resist pattern forming method, and photomask

Номер патента: KR101585912B1. Автор: 타케시 이나사키,토모타카 츠치무라. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-01-15.

Pattern forming method

Номер патента: US09696628B2. Автор: Hideki Kanai,Yusuke KASAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Resist pattern-forming method and substrate-treating method

Номер патента: US20200218161A1. Автор: Ryuichi Serizawa,Tomoaki Seko,Nozomi SATOU,Yuusuke OOTSUBO,Tomoya TAJI,Souta NISHIMURA. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Resist pattern-forming method

Номер патента: US20150050600A9. Автор: Hiromitsu Tanaka,Hirokazu Sakakibara,Takashi Mori,Kazunori Takanashi,Yusuke Anno,Taiichi Furukawa,Shin-ya MINEGISHI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Resist pattern-forming method

Номер патента: US20170322492A1. Автор: Hiromitsu Tanaka,Hirokazu Sakakibara,Takashi Mori,Kazunori Takanashi,Yusuke Anno,Taiichi Furukawa,Shin-ya MINEGISHI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Resist pattern-forming method

Номер патента: US20140134544A1. Автор: Hiromitsu Tanaka,Hirokazu Sakakibara,Takashi Mori,Kazunori Takanashi,Yusuke Anno,Taiichi Furukawa,Shin-ya MINEGISHI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Resist pattern-forming method

Номер патента: US20160320705A1. Автор: Hiromitsu Tanaka,Hirokazu Sakakibara,Takashi Mori,Kazunori Takanashi,Yusuke Anno,Taiichi Furukawa,Shin-ya MINEGISHI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Resist pattern-forming method

Номер патента: US20160097978A1. Автор: Hiromitsu Tanaka,Hirokazu Sakakibara,Takashi Mori,Kazunori Takanashi,Yusuke Anno,Taiichi Furukawa,Shin-ya MINEGISHI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Resist pattern-forming method

Номер патента: US20150160556A1. Автор: Hiromitsu Tanaka,Hirokazu Sakakibara,Takashi Mori,Kazunori Takanashi,Yusuke Anno,Taiichi Furukawa,Shin-ya MINEGISHI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Resist pattern-forming method

Номер патента: US09939729B2. Автор: Tomoki Nagai,Hisashi Nakagawa,Takehiko Naruoka. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Onium salt, chemically amplified positive resist composition, and resist pattern forming process

Номер патента: US20240280900A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Pattern forming method

Номер патента: US20170076940A1. Автор: Hideki Kanai,Yusuke KASAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20240272553A1. Автор: Michihiro Shirakawa,Hideyuki Ishihara,Yuma Kurumisawa,Ahiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US12038689B2. Автор: Kazunari Yagi,Takashi Kawashima,Akihiro Kaneko,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Pattern forming method, and, electronic device producing method and electronic device, each using the same

Номер патента: US09885956B2. Автор: Kei Yamamoto,Tsukasa Yamanaka,Naoya Iguchi,Ryosuke Ueba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Pattern forming method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09897918B2. Автор: Shinichi Ito,Hirokazu Kato,Tomoyuki Takeishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Pattern forming method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09601331B2. Автор: Shinichi Ito,Hirokazu Kato,Tomoyuki Takeishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Pattern forming method and developer

Номер патента: US20200401043A1. Автор: Makoto Shimizu,Ryo Kawajiri,Noboru Ootsuka. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Pattern-forming method

Номер патента: US20140255854A1. Автор: Koji Ito,Hirokazu Sakakibara,Hiromu Miyata,Taiichi Furukawa. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Pattern forming method

Номер патента: US9437477B1. Автор: Makoto Aida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Multiple-pattern forming methods

Номер патента: US09753370B2. Автор: Phillip D. Hustad,Shintaro Yamada,Cong Liu,Cheng-Bai Xu,James C. Taylor,Jung Woo Kim,Choong-Bong LEE,Chang-Young Hong,Lori Anne Joesten. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Pattern-forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device using them and electronic device

Номер патента: EP2761373A1. Автор: Shuji Hirano,Hideaki Tsubaki,Hiroo Takizawa,Naoki Inoue. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Pattern forming method, electron beam- or extreme ultraviolet-sensitive resin composition, resist film using the same, method of manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: US20150370170A1. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Pattern forming method

Номер патента: US20170184958A1. Автор: Koji Matsuo,Daisuke Kawamura,Masanobu Baba,Taishi ISHIKURA,Tatsuro SHINOZAKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Gap filling composition and pattern forming method using composition containing polymer

Номер патента: US20200319556A1. Автор: Tatsuro Nagahara,Xiaowei Wang. Владелец: AZ Electronic Materials SARL. Дата публикации: 2020-10-08.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device using the same and electronic device

Номер патента: US20140349224A1. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Hiroo Takizawa,Takeshi Kawabata,Takuya TSURUTA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Pattern forming method, composition kit and resist film, and method for producing electronic device using them, and electronic device

Номер патента: US09915870B2. Автор: Kaoru Iwato,Hiroo Takizawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Pattern forming method

Номер патента: US09880464B2. Автор: Koji Matsuo,Daisuke Kawamura,Masanobu Baba,Taishi ISHIKURA,Tatsuro SHINOZAKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Pattern forming method, pattern forming apparatus, and computer readable storage medium

Номер патента: US09618849B2. Автор: Makoto Muramatsu,Takahiro Kitano,Tadatoshi Tomita,Keiji Tanouchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device using the same and electronic device

Номер патента: US09557643B2. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Hiroo Takizawa,Takeshi Kawabata,Takuya TSURUTA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Pattern-forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device using them and electronic device

Номер патента: US09470980B2. Автор: Shuji Hirano,Hideaki Tsubaki,Hiroo Takizawa,Naoki Inoue. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Pattern forming method, multi-layered resist pattern, multi-layered film for organic solvent development, resist composition, method for manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: US09417528B2. Автор: Atsushi Nakamura,Kaoru Iwato,Keita Kato,Hidenori Takahashi,Michihiro Shirakawa,Tadahiro ODANI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Resist composition and pattern forming method using the same

Номер патента: EP4394508A1. Автор: Yoonhyun Kwak,Kyuhyun IM,Youngmin Nam,Haengdeog Koh,Chanjae Ahn,Sungwon Choi,Sunghyun HAN,Changheon Lee,Mijeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Organometallic compound, resist composition including the same and pattern forming method using the same

Номер патента: EP4393925A1. Автор: Yoonhyun Kwak,Hasup LEE,Kyuhyun IM,Haengdeog Koh,Jaejun Lee,Sunghyun HAN,Sukkoo Hong,Mijeong Kim,Kyungoh KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Treatment liquid and pattern forming method

Номер патента: US20180217503A1. Автор: Hideaki Tsubaki,Kei Yamamoto,Toru Tsuchihashi,Wataru Nihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the same

Номер патента: US20120301831A1. Автор: Toru Fujimori,Kana Fujii,Takamitsu Tomica. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the same

Номер патента: EP2545412A1. Автор: Takamitsu Tomiga,Toru Fujimori,Kana Fujii. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

Organometallic compound, resist composition including the same and pattern forming method using the same

Номер патента: US20240239820A1. Автор: Yoonhyun Kwak,Hasup LEE,Kyuhyun IM,Haengdeog Koh,Jaejun Lee,Sunghyun HAN,Sukkoo Hong,Mijeong Kim,Kyungoh KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Pattern forming method

Номер патента: US20170068162A1. Автор: Yusuke KASAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Chemical liquid, chemical liquid storage body, and pattern forming method

Номер патента: US20190346764A1. Автор: Tetsuya Kamimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Treatment liquid and pattern forming method

Номер патента: US20210200097A1. Автор: Hideaki Tsubaki,Kei Yamamoto,Toru Tsuchihashi,Wataru Nihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Treatment liquid and pattern forming method

Номер патента: US20180217499A1. Автор: Shuji Hirano,Hideaki Tsubaki,Kei Yamamoto,Toru Tsuchihashi,Wataru Nihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Pattern forming method

Номер патента: US20160071740A1. Автор: Yoshihiro Naka,Katsuyoshi Kodera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Pattern-forming method

Номер патента: US09847232B1. Автор: Kristin Schmidt,Chi-chun Liu,Hitoshi Osaki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Positive resist composition, resin used for the positive resist composition, compound used for synthesis of the resin and pattern forming method using the positive resist composition

Номер патента: US09709891B2. Автор: Hiromi Kanda,Shinichi Kanna. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Positive photosensitive resin composition and pattern forming method

Номер патента: US09448474B2. Автор: Chi-Ming Liu,Chun-An Shih. Владелец: Chi Mei Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method

Номер патента: US8530148B2. Автор: Hideaki Tsubaki,Shinichi Kanna. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-09-10.

Method for producing resin, method for producing actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method, and resin

Номер патента: US20220382151A1. Автор: Shuhei Yamaguchi,Eiji Fukuzaki,Tomoaki Yoshioka,Taro MIYOSHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Pattern forming method and method for producing electronic device

Номер патента: US20240219831A1. Автор: Satomi Takahashi,Kazuhiro Marumo,Michihiro Shirakawa,Yohei Ishiji,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Pattern forming method and template manufacturing method

Номер патента: US11809082B2. Автор: Mitsuru Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20240027908A1. Автор: Kotaro Takahashi,Fumihiro Yoshino. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Chemical liquid, pattern forming method, and kit

Номер патента: US20190258165A1. Автор: Takashi Nakamura,Tetsuya Kamimura,Satomi Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Pattern-forming method and radiation-sensitive composition

Номер патента: US20210181627A1. Автор: Christopher K. Ober,Emmanuel P. Giannelis,Kazunori Sakai,Vasiliki Kosma. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20210216012A1. Автор: Kazunari Yagi,Takashi Kawashima,Akihiro Kaneko,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Chemical liquid, chemical liquid storage body, pattern forming method, and kit

Номер патента: US11747727B2. Автор: Tetsuya Kamimura,Satomi Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and electronic device manufacturing method

Номер патента: EP4293054A1. Автор: Shuhei Yamaguchi,Eiji Fukuzaki,Tomoaki Yoshioka,Taro MIYOSHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, positive tone pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230393472A1. Автор: Shuhei Yamaguchi,Taro MIYOSHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230384674A1. Автор: Shuhei Yamaguchi,Eiji Fukuzaki,Tomoaki Yoshioka,Taro MIYOSHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Pattern forming method and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230367212A1. Автор: Keita Kato,Tetsuya Shimizu,Satomi Takahashi,Michihiro Shirakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230133710A1. Автор: Keita Kato,Akira Takada,Michihiro Shirakawa,Masafumi KOJIMA,Aina USHIYAMA,Akiyoshi GOYO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, method for manufacturing electronic device, and compound

Номер патента: US20230139891A1. Автор: Akira Takada,Takeshi Kawabata,Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA,Aina USHIYAMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US12032290B2. Автор: Kei Yamamoto,Takashi Kawashima,Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto,Daisuke Asakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Pattern forming method and substance adherence pattern

Номер патента: EP1431821B1. Автор: Koichi Kawamura,Takeyoshi Kano. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-14.

Pattern forming method, method for producing electronic device, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film

Номер патента: US20240176242A1. Автор: Satomi Takahashi,Michihiro Shirakawa,Yohei Ishiji,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Pattern forming method, electronic device manufacturing method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film

Номер патента: EP4372466A1. Автор: Satomi Takahashi,Michihiro Shirakawa,Yohei Ishiji,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-05-22.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device using the same, and electronic device

Номер патента: WO2014017665A1. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa,Wataru Nihashi,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-01-30.

Pattern forming method, method for selecting heating temperature in pattern forming method, extreme ultraviolet-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device using the same, and electronic device

Номер патента: US20150017576A1. Автор: Hideaki Tsubaki,Hiroo Takizawa,Naoki Inoue. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Pattern forming method

Номер патента: US10366888B2. Автор: Kazuki Yamada,Takehiro Seshimo,Masatoshi Yamato,Hidetami Yaegashi,Yoshitaka Komuro,Katsumi Ohmori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-07-30.

Pattern forming method, actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition, resist film, method for manufacturing electronic device using same, and electronic device

Номер патента: US20160147147A1. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film, pattern forming method, method for preparing electronic device, and electronic device, each using the same

Номер патента: US20130078426A1. Автор: Kei Yamamoto,Hidenori Takahashi,Shuhei Yamaguchi,Kosuke KOSHIJIMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Pattern forming method, electron beam- or extreme ultraviolet-sensitive resin composition, resist film using the same, method of manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: US9612535B2. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230087940A1. Автор: Kazunari Yagi,Hironori Oka,Michihiro Shirakawa,Mitsuhiro Fujita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Pattern-forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device using them and electronic device

Номер патента: WO2013047092A1. Автор: Shuji Hirano,Hideaki Tsubaki,Hiroo Takizawa,Naoki Inoue. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-04-04.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, method for manufacturing electronic device, and compound

Номер патента: US20240192592A1. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Takeshi Kawabata,Minoru Uemura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent

Номер патента: EP1975718A2. Автор: Hideaki Tsubaki,Wataru HOSHINO,Masahiro Yoshidome. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Pattern forming method by imparting hydrogen atoms and selectively depositing metal film

Номер патента: US5861233A. Автор: Yasuhiro Sekine,Hiroshi Yuzurihara,Genzo Momma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-01-19.

Pattern forming method utilizing first insulative and then conductive overlayer and underlayer

Номер патента: US5994007A. Автор: Shuji Hayase,Yasunobu Onishi,Atsushi Ando,Yasuhiko Sato,Yoshihiko Nakano,Rikako Kani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Pattern forming method, kit, and resist composition

Номер патента: US20230350290A1. Автор: Tetsuya Kamimura,Satomi Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Pattern-forming method

Номер патента: US20170184960A1. Автор: Hisashi Nakagawa,Takehiko Naruoka,Tomohisa Fujisawa,Motohiro SHIRATANI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Pattern-forming method

Номер патента: US20180017864A9. Автор: Hisashi Nakagawa,Takehiko Naruoka,Tomohisa Fujisawa,Motohiro SHIRATANI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Pattern forming method

Номер патента: US20170178896A1. Автор: Shinichi Ito,Ryoichi Suzuki,Seiji Morita,Kazuto Matsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Pattern forming method

Номер патента: US10018915B2. Автор: Shinichi Ito,Ryoichi Suzuki,Seiji Morita,Kazuto Matsuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Resist composition and pattern forming method using the same

Номер патента: US20240231225A1. Автор: Yoonhyun Kwak,Kyuhyun IM,Youngmin Nam,Haengdeog Koh,Chanjae Ahn,Sungwon Choi,Sunghyun HAN,Changheon Lee,Mijeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Substrate processing composition and substrate processing method using the same

Номер патента: US20230375937A1. Автор: Suyeon JO,Jinseok YANG,Junghwan HAH. Владелец: SK Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Substrate processing method

Номер патента: US20110200949A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Tadatoshi Tomita,Takafumi Niwa,Yuhei Kuwahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-08-18.

Substrate processing method

Номер патента: US8367308B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Tadatoshi Tomita,Takafumi Niwa,Yuhei Kuwahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

Photoresist composition, resist pattern-forming method, acid diffusion control agent, and compound

Номер патента: US09557641B2. Автор: Hayato Namai. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Radiation-sensitive resin composition and resist pattern-forming method

Номер патента: US20160363859A1. Автор: Hayato Namai. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Photomask blank, resist pattern forming process, and method for making photomask

Номер патента: US09904169B2. Автор: Satoshi Watanabe,Daisuke Domon,Keiichi Masunaga,Teppei Adachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, AND RESIST FILM, RESIST-COATED MASK BLANKS, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND PHOTOMASK EACH USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20150010855A1. Автор: Inasaki Takeshi,Tsuchimura Tomotaka,Takahashi Koutarou,TSURUTA Takuya. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-01-08.

RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING SAME, RESIST-COATED MASK BLANK, RESIST PATTERN FORMING METHOD, AND PHOTO MASK

Номер патента: US20160327862A1. Автор: Yamaguchi Shuhei,Tsuchimura Tomotaka,YOKOKAWA Natsumi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2016-11-10.

Photoresist composition and resist pattern forming method

Номер патента: WO2013047528A1. Автор: 憲彦 池田,一樹 笠原. Владелец: Jsr株式会社. Дата публикации: 2013-04-04.

Photoresist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JP6007913B2. Автор: 憲彦 池田,一樹 笠原. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-10-19.

Resist film, resist coated mask blanks and resist pattern forming method using the resist film, and chemically amplified resist composition

Номер патента: KR101305068B1. Автор: 타케시 이나사키,토모타카 츠치무라,히로오 타키자와. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-09-11.

COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER FILM, RESIST PATTERN FORMING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20220283499A1. Автор: Yamamoto Kei,Kawabata Takeshi,Mizutani Kazuyoshi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2022-09-08.

Resist protective film forming material for immersion exposure process, composite film, and resist pattern forming method

Номер патента: JPWO2004074937A1. Автор: 和正 脇屋,充 佐藤,弘毅 田村,正昭 吉田,拓 平山,佐藤　充,高須　亮一,亮一 高須,脇屋　和正,吉田　正昭. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Active light sensitive or radiation sensitive resin composition, pattern forming method, method for manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: US09791777B2. Автор: Keita Kato,Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA,Keiyu OU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Active light sensitive or radiation sensitive resin composition, pattern forming method, method for manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: US20160347897A1. Автор: Keita Kato,Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA,Keiyu OU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240184208A1. Автор: Hyun Min Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Substrate processing baffle, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method using the same

Номер патента: US20240280906A1. Автор: Kuntack Lee,Ji Hwan Park,Sangjine Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Organic processing liquid for patterning chemical amplification resist film, container for organic processing liquid for patterning chemical amplification resist film, and pattern forming method, method of manufacturing electronic device, and electronic device using the same

Номер патента: US10705428B2. Автор: Tsukasa Yamanaka,Takashi Kawamoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Composition for forming underlayer film, resist pattern forming method, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20220252985A1. Автор: Sou Kamimura,Toshiaki Fukuhara,Takeshi Kawabata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Photoresist composition and resist pattern-forming method

Номер патента: US20130280657A1. Автор: Norihiko Ikeda,Kazuki Kasahara. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

FINE RESIST PATTERN-FORMING COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING SAME

Номер патента: US20160002494A1. Автор: Nagahara Tatsuro,Sekito Takashi,YAMAMOTO Kazuma,MIYAMOTO Yoshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

RADIATION-SENSITIVE OR ACTINIC RAY-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME, MASK BLANK, RESIST PATTERN FORMING METHOD, ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20170059990A1. Автор: Tsuchimura Tomotaka. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2017-03-02.

Chemically amplified positive photoresist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JPWO2004104703A1. Автор: 和行 新田,健治 丸山,丸山　健治,聡 嶋谷,正宏 増島,新田　和行,裕介 中川,慎一 秀坂,中川　裕介. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: US20210397086A1. Автор: Yosuke Suzuki,Tsuyoshi Nakamura,Junyeob Lee. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Resist pattern forming method, resist pattern, crosslinkable negative chemical amplification resist composition for organic solvent development, resist film and resist-coated mask blanks

Номер патента: US20140030640A1. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Tadateru Yatsuo,Toru Tsuchihashi,Koutarou Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Resist pattern forming method, resist pattern, crosslinkable negative chemical amplification resist composition for organic solvent development, resist film and resist-coated mask blanks

Номер патента: EP2689292A1. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Tadateru Yatsuo,Toru Tsuchihashi,Koutarou Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-01-29.

Onium salt, chemically amplified positive resist composition, and resist pattern forming process

Номер патента: US20240337927A1. Автор: Masahiro Fukushima. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system

Номер патента: US20240288775A1. Автор: Soichiro Okada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Substrate processing method, substrate processing device, and processing fluid

Номер патента: US20230268172A1. Автор: kana Tahara,Yukifumi Yoshida. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and computer readable recording medium

Номер патента: US20210208504A1. Автор: Takashi Yamauchi,Shinichiro KAWAKAMI,Masashi Enomoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Exposure mask, method of designing and manufacturing the same, exposure method and apparatus, pattern forming method, and device manufacturing method

Номер патента: EP1642171A1. Автор: Takako Yamaguchi,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-04-05.

Method of designing an exposure mask, exposure method, pattern forming method and device manufacturing method

Номер патента: EP1642171B1. Автор: Takako Yamaguchi,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-06-15.

Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method

Номер патента: US09465298B2. Автор: Hideaki Tsubaki,Shinichi Kanna. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method

Номер патента: US09291904B2. Автор: Hideaki Tsubaki,Shinichi Kanna. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Pattern forming method and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20240295822A1. Автор: Tetsuya Kamimura,Satoru Murayama,Tetsuya Shimizu. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Pattern forming method and resist laminate for organic solvent development

Номер патента: US20210200098A1. Автор: Michihiro Shirakawa,Wataru Nihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Pattern-forming method

Номер патента: WO2013061601A1. Автор: Hiroki Nakagawa,Kentaro Harada,Hayato Namai,Takehiko Naruoka. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2013-05-02.

Positive resist composition and pattern forming method using the same

Номер патента: US7338744B2. Автор: Hideaki Tsubaki,Shinji Tarutani. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-03-04.

Resin composition for forming protective film, protective film, pattern forming method, method for manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: US09601706B2. Автор: Atsushi Nakamura,Masafumi Yoshida,Yu Iwai,Yoshitaka Kamochi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Pattern forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet ray-sensitive resin composition, resist film, and method for manufacturing electronic device, and electronic device using the same

Номер патента: US09423690B2. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa,Wataru Nihashi,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Pattern forming method, laminate, and resist composition for organic solvent development

Номер патента: US20180120706A1. Автор: Keita Kato,Takashi Yakushiji,Tadashi Omatsu,Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto,Naoya HATAKEYAMA,Keiyu OU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Treatment liquid and pattern forming method

Номер патента: US20180101100A1. Автор: Hideaki Tsubaki,Toru Tsuchihashi,Wataru Nihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using the same and pattern forming method

Номер патента: WO2010110472A1. Автор: Shuji Hirano,Toru Fujimori,Kana Fujii,Shinki Yamada. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2010-09-30.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using the same and pattern forming method

Номер патента: EP2411873A1. Автор: Shuji Hirano,Toru Fujimori,Shinki Yamada,Kana Fuji. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Pattern forming method

Номер патента: US09891526B2. Автор: Toru Kimura,Yoshio Takimoto,Kazunori Takanashi,Shunsuke Kurita. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Pattern forming method

Номер патента: US09659816B2. Автор: Koji Asakawa,Atsushi Hieno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method

Номер патента: US20100330507A1. Автор: Hideaki Tsubaki,Kenji Wada,Shinji Tarutani,Wataru HOSHINO,Kazuyoshi Mizuyoshi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, method for producing electronic device, and compound

Номер патента: EP4324822A1. Автор: Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA,Yosuke BEKKI,Nishiki FUJIMAKI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Method for producing radiation-sensitive resin composition, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20220244629A1. Автор: Kenichi Harada,Takumi Tanaka,Takashi Bannai,Hiroyuki Ezoe,Shoichiro IWAGAYA,Hiroki Motoyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Substrate processing method, micropattern forming method, and substrate processing apparatus

Номер патента: US12057323B2. Автор: Kuntack Lee,Jihoon Jeong,Sangjine Park,Seohyun Kim,Sukhoon KIM,Younghoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Pattern forming method and method of manufacturing liquid crystal display device

Номер патента: US5795686A. Автор: Hideaki Takizawa,Shougo Hayashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-08-18.

Pattern forming method and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20220179312A1. Автор: Toru Tsuchihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230168581A1. Автор: Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for producing electronic device

Номер патента: EP4372018A1. Автор: Satomi Takahashi,Michihiro Shirakawa,Yohei Ishiji,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-05-22.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for producing electronic device

Номер патента: US20240192598A1. Автор: Satomi Takahashi,Michihiro Shirakawa,Yohei Ishiji,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Pattern forming method, actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film

Номер патента: US9316910B2. Автор: Hidenori Takahashi,Shuhei Yamaguchi,Shohei Kataoka,Michihiro Shirakawa,Shoichi Saitoh,Fumihiro Yoshino. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Treatment liquid for manufacturing semiconductor, pattern forming method using the same, and method of manufacturing electronic device using the same

Номер патента: US20240103374A1. Автор: Tetsuya Kamimura,Tetsuya Shimizu. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Pattern forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet ray-sensitive resin composition, resist film, and method for manufacturing electronic device, and electronic device using the same

Номер патента: WO2014030723A1. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa,Wataru Nihashi,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-02-27.

Pattern forming method, composition used therein, method for manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: WO2013187530A1. Автор: Kei Yamamoto,Ryosuke Ueba. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-12-19.

Photosensitive composition, transfer film, pattern forming method, method for manufacturing circuit wiring, and method for manufacturing touch panel

Номер патента: US20240210828A1. Автор: Kunihiko Kodama,Keigo YAMAGUCHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Positive resist composition and pattern forming method using the same

Номер патента: US20060194148A1. Автор: Hideaki Tsubaki,Shinji Tarutani. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-31.

Chemically amplified resist material, pattern-forming method, compound, and production method of compound

Номер патента: US20170052449A1. Автор: Tomoki Nagai,Akihiro Oshima,Hisashi Nakagawa,Takehiko Naruoka,Seiji Nagahara,Seiichi Tagawa. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2017-02-23.

Positive resist compostion and pattern forming method using the same

Номер патента: EP1975717A2. Автор: Kazuyoshi Mizutani,Shuji Hirano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Pattern forming method

Номер патента: EP2413194A2. Автор: Hideaki Tsubaki,Shinichi Kanna. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Pattern forming method, droplet ejecting device, and electro-optic device

Номер патента: US20080170092A1. Автор: Kohei Ishida. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-07-17.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using the composition and pattern forming method

Номер патента: EP2529276A1. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Takayuki Ito,Tadateru Yatsuo,Takeshi Inasaki,Koutarou Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Substrate processing method, program, computer-readable storage medium, and substrate processing system

Номер патента: US09690185B2. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Resist Composition and Resist Pattern Forming Method

Номер патента: US20200201176A1. Автор: NAGAHARA Seiji,SHIRAISHI Gousuke,DINH Congque. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Resist pattern forming method and developer for lithography

Номер патента: US09964851B2. Автор: Tomoya Kumagai,Takayoshi Mori,Kazufumi Sato,Ryoji Watanabe,Kenta Suzuki,Masahito YAHAGI,Mitsuo Hagihara. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Fine resist pattern-forming composition and pattern forming method using same

Номер патента: US09921481B2. Автор: Yoshihiro Miyamoto,Takashi Sekito,Tatsuro Nagahara,Kazuma Yamamoto. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2018-03-20.

Resist composition, resist pattern forming method, and polymer

Номер патента: US20240295814A1. Автор: Tomotaka Yamada,Takuya Uehara,Keiichi IBATA. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20240377741A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20220308451A1. Автор: Naoya Inoue,Satoshi Watanabe,Kenji Funatsu,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Fine resist pattern-forming composition and pattern forming method using same

Номер патента: SG11201505632YA. Автор: Nagahara Tatsuro,Sekito Takashi,YAMAMOTO Kazuma,MIYAMOTO Yoshihiro,Yoshihiro Miyamoto,Takashi Sekito,Tatsuro Nagahara,Kazuma Yamamoto. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2015-08-28.

Fine resist pattern-forming composition and pattern forming method using same

Номер патента: IL240745B. Автор: . Владелец: Az Electronic Mat Luxembourg Sarl. Дата публикации: 2018-05-31.

Resist Composition and Resist Pattern Forming Method

Номер патента: US20200201176A1. Автор: Seiji Nagahara,Gousuke Shiraishi,Congque DINH. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4270108A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Kenji Funatsu,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20230341775A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Kenji Funatsu,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Radiation-sensitive composition and resist pattern-forming method

Номер патента: US20200166840A1. Автор: Hisashi Nakagawa,Yusuke Asano,Shinya Minegishi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Radiation-sensitive resin composition and resist pattern-forming method

Номер патента: US09760004B2. Автор: Masafumi Hori,Hayato Namai,Hiromu Miyata. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Positive resist composition, and resist film, resist-coated mask blank, resist pattern forming method and photomask each using the composition

Номер патента: EP2707776A4. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Takeshi Inasaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-01-21.

Positive resist composition, and resist film, resist-coated mask blank, resist pattern forming method and photomask each using the composition

Номер патента: TW201303509A. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Takeshi Inasaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

Photoresist composition, resist pattern-forming method, acid diffusion control agent, and compound

Номер патента: US20150004544A1. Автор: Hayato Namai. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Photoresist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JP5783168B2. Автор: 恭彦 松田,峰規 川上,友洋 柿澤. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Photoresist composition, resist pattern-forming method, compound, acid generating agent, and photodegradable base

Номер патента: KR102077101B1. Автор: 가즈오 나카하라,노리히코 이케다,하야토 나마이. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2020-02-13.

Fine resist pattern-forming composition and pattern forming method using same

Номер патента: EP2963499A1. Автор: Yoshihiro Miyamoto,Takashi Sekito,Tatsuro Nagahara,Kazuma Yamamoto. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2016-01-06.

RESIST-PATTERN-FORMING METHOD AND CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST MATERIAL

Номер патента: US20170052448A1. Автор: Nagai Tomoki,Naruoka Takehiko,NAKAGAWA Hisashi,OSHIMA Akihiro,NAGAHARA Seiji,TAGAWA Seiichi. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Resist composition, resist pattern forming method, and polymer compound

Номер патента: JP5764480B2. Автор: 大寿 塩野,大地 高木,内海　義之,義之 内海,淳 岩下,岩下　淳. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-19.

Resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: US20240118619A1. Автор: Tomotaka Yamada,Keiichi IBATA. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST MATERIAL AND RESIST PATTERN-FORMING METHOD

Номер патента: US20170075221A1. Автор: Nagai Tomoki,Naruoka Takehiko,NAKAGAWA Hisashi. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2017-03-16.

CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST MATERIAL AND RESIST PATTERN-FORMING METHOD

Номер патента: US20170131633A1. Автор: Nagai Tomoki,Naruoka Takehiko,NAKAGAWA Hisashi. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2017-05-11.

RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20210364920A1. Автор: Nakamura Tsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-25.

RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20210397086A1. Автор: Nakamura Tsuyoshi,Suzuki Yosuke,LEE Junyeob. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

Resist composition, resist pattern forming method, polymer compound

Номер патента: JP5767845B2. Автор: 智之 平野,大地 高木,真樹子 入江. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-19.

Positive resist composition, resist pattern forming method, polymer compound

Номер патента: JP5469954B2. Автор: 大寿 塩野,尚宏 太宰,智之 平野,祐 松宮. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

Methods of forming resist pattern, forming electrode pattern, and manufacturing surface acoustic wave device

Номер патента: US6821712B2. Автор: Kenji Sakaguchi,Yoshihiro Koshido,Toshiyuki Fuyutsume. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-23.

Pattern forming method

Номер патента: US20100021850A1. Автор: Hiroko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and recipe selection method

Номер патента: US11921426B2. Автор: Song Zhang,Yukifumi Yoshida,Katsuya Akiyama. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and composite processing apparatus

Номер патента: US20200078833A1. Автор: Hideaki Sakurai,Kosuke TAKAI,Mana TANABE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and composite processing apparatus

Номер патента: US11123774B2. Автор: Hideaki Sakurai,Kosuke TAKAI,Mana TANABE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-09-21.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the same, pattern forming method, manufacturing method of electronic device, electronic device and resin

Номер патента: WO2013081184A1. Автор: Shuji Hirano,Hideaki Tsubaki,Hiroo Takizawa,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-06-06.

Pattern forming method, template manufacturing method, and photomask manufacturing method

Номер патента: US20220091499A1. Автор: Yoshinori Kagawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Pattern forming method and template manufacturing method

Номер патента: US20210088906A1. Автор: Hideaki Sakurai,Noriko Sakurai,Takeharu Motokawa,Ryu Komatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Pattern forming method, graft pattern material, conductive pattern forming method and conductive pattern material

Номер патента: US20050214693A1. Автор: Koichi Kawamura,Takeyoshi Kano. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-29.

Fine pattern forming method and stamper

Номер патента: US20090017266A1. Автор: Kyosuke Deguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Graft pattern forming method and conductive pattern forming method

Номер патента: MY142216A. Автор: Koichi Kawamura,Yasuaki Matsushita. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-15.

Pattern forming method, template manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230420291A1. Автор: Masatoshi Terayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Pattern forming method, combined processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20230089980A1. Автор: Noriko Sakurai,Kosuke TAKAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Substrate processing method

Номер патента: US20230314956A1. Автор: Tsunehiro Nishi,Sungkun KANG,Chawon KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, method for manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: WO2013081168A1. Автор: Sou Kamimura,Keita Kato,Hidenori Takahashi,Michihiro Shirakawa. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-06-06.

Pattern forming method using contrast enhanced material

Номер патента: US4849323A. Автор: Kazufumi Ogawa,Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1989-07-18.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, method for manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: US9128376B2. Автор: Sou Kamimura,Keita Kato,Hidenori Takahashi,Michihiro Shirakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Imprint pattern forming method

Номер патента: US8444889B2. Автор: Ikuo Yoneda,Ryoichi Inanami,Hiroshi Tokue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Pattern forming method

Номер патента: US20140231380A1. Автор: Yuriko Seino,Hiroki YONEMITSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film and pattern forming method using the same, manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013180314A1. Автор: Hideaki Tsubaki,Hiroo Takizawa,Takeshi Kawabata,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-12-05.

Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160079076A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Mitsuhiro Omura,Tsubasa IMAMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Mold, pattern forming method, and pattern forming apparatus

Номер патента: EP2090929A3. Автор: Masao C/O Canon Kabushiki Kaisha Majima,Nobuhito c/o CANON KABUSHIKI KAISHA Suehira,Hideki c/o CANON KABUSHIKI KAISHA Ina,Atsunori c/o CANON KABUSHIKI KAISHA Terasaki,Junichi c/o CANON KABUSHIKI KAISHA Seki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Pattern-forming method and composition

Номер патента: US20170351174A1. Автор: Hitoshi Osaki. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11798806B2. Автор: Yusuke KASAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Graft pattern forming method and conductive pattern forming method

Номер патента: WO2006123834A3. Автор: Koichi Kawamura,Yasuaki Matsushita. Владелец: Yasuaki Matsushita. Дата публикации: 2007-04-19.

Pattern forming method and methods for manufacturing processed substrate, optical component and quartz mold replica as well as coating material for imprint pretreatment and set thereof with imprint resist

Номер патента: US20190391484A1. Автор: Keiko Chiba,Weijun Liu,Toshiki Ito,Toshiaki Ando,Shingo Ishida,Timothy Brian Stachowiak. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Pattern forming method, semiconductor device manufacturing method, and pattern forming apparatus

Номер патента: US20230298888A1. Автор: Satoshi MITSUGI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Pattern forming method and pattern structural body

Номер патента: US20170168388A1. Автор: Masahiko Akiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Pattern forming method, semiconductor device manufacturing method, and template

Номер патента: US20230408935A1. Автор: Anupam Mitra. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Pattern forming method, graft polymer-based pattern material, conductive pattern forming method and conductive pattern material

Номер патента: EP1580595A3. Автор: Takeyoshi c/o FUJI PHOTO FILM CO. LTD. KANO,Koichi C/O Fuji Photo Film Co. Ltd. Kawamura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

Pattern forming method and pattern forming apparatus

Номер патента: US20160243753A1. Автор: Yoshihisa Kawamura,Masayuki Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Chemical liquid supply method and pattern forming method

Номер патента: US20230229078A1. Автор: Masahiro Yoshidome. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Pattern-forming method and composition for resist pattern-refinement

Номер патента: US20160291462A1. Автор: Ken Maruyama,Yusuke Anno,Kanako MEYA,Shuto MORI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Pattern forming method and pattern forming device

Номер патента: US20120049396A1. Автор: Osamu Ikenaga,Tomohiro Tsutsui,Ryoichi Inanami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-01.

Positive resist composition and pattern forming method using the resist composition

Номер патента: EP1693705B1. Автор: Yasutomo Kawanishi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-01-22.

Organic anti-reflective coating composition and pattern forming method using the same

Номер патента: US20050014094A1. Автор: Sam Kim,Geun Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-20.

Pattern forming method, imprint apparatus, and article manufacturing method

Номер патента: US11840010B2. Автор: Ryohei Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Pattern-forming method

Номер патента: US20170003592A1. Автор: Junya Suzuki,Hiromitsu Tanaka,Masayoshi Ishikawa,Yoshio Takimoto,Tomoaki Seko,Tomoharu KAWAZU. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Pattern forming method, manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20240096644A1. Автор: Katsuyoshi Kodera,Koki Ueha. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Photosensitive composition, compound for use in the photosensitive composition and pattern forming method using the photosensitive composition

Номер патента: EP1736824A2. Автор: Kenji Wada. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-27.

Pattern forming method

Номер патента: US20100237045A1. Автор: Ikuo Yoneda,Takeshi Koshiba,Tetsuro Nakasugi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Pattern-forming method

Номер патента: US20190259606A1. Автор: Shinichi Ito,Ryuichi Saito,Ryoichi Suzuki,Seiji Morita,Soichi Inoue,Ryosuke Yamamoto,Takeharu Motokawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Polymer, resist composition, and pattern forming method

Номер патента: US20230244142A1. Автор: Koji Hasegawa,Masahiro Fukushima,Tomohiro Kobayashi,Masayoshi Sagehashi,Yutaro OTOMO. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Pattern forming method

Номер патента: US9412618B2. Автор: Eiichi Nishimura,Fumiko Yamashita,Shinya Morikita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Coloring composition, color filter, pattern forming method, solid-state imaging device, and image display device

Номер патента: US20180329295A1. Автор: Yousuke Murakami,Seongmu BAK,Naotsugu Muro,Yoshinori Taguchi,Akiko YOSHII. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Pattern-forming method

Номер патента: US10811252B2. Автор: Shinichi Ito,Ryuichi Saito,Ryoichi Suzuki,Seiji Morita,Soichi Inoue,Ryosuke Yamamoto,Takeharu Motokawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Pattern forming method

Номер патента: US9046763B2. Автор: Ikuo Yoneda,Takeshi Koshiba,Tetsuro Nakasugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-02.

Pattern forming method

Номер патента: US20160042970A1. Автор: Eiichi Nishimura,Fumiko Yamashita,Shinya Morikita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240047223A1. Автор: Shinya Ishikawa,Sho Kumakura,Kenta Ono. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11776823B2. Автор: Kenji Masui,Kaori Umezawa,Kosuke TAKAI,Mana TANABE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11443963B2. Автор: Kenji Masui,Kaori Umezawa,Kosuke TAKAI,Mana TANABE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Substrate processing method

Номер патента: EP4325550A1. Автор: Shinya Ishikawa,Sho Kumakura,Kenta Ono. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Substrate processing method

Номер патента: US20240246122A1. Автор: kana Tahara,Masaki Inaba,Katsuya Akiyama. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Photoresist composition and resist pattern-forming method

Номер патента: US20130089817A1. Автор: Hiromitsu Nakashima,Masafumi Yoshida,Hiromu Miyata. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Titanocene based compound, photosensitive composition, photosensitive transfer sheet and pattern forming method

Номер патента: US20070212642A1. Автор: Takekatsu Sugiyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4443241A2. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20240329522A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4443241A3. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4198630A1. Автор: Jun Hatakeyama,Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Kenji Funatsu,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Resist protective film forming composition and resist pattern forming method using the same

Номер патента: TW200836013A. Автор: Keita Ishiduka,Toshikazu Takayama. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-01.

Sulfonium salt, resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US09604921B2. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Daisuke Domon,Keiichi Masunaga. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Radiation sensitive resin composition, resist pattern forming method and photoresist film

Номер патента: JPWO2009142182A1. Автор: 岳彦 成岡,西村　幸生,幸生 西村,下川　努,努 下川,誠 杉浦,大樹 中川,信司 松村,裕介 浅野,誠 志水,宏和 榊原,一樹 笠原. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Film-forming composition, silicon-containing film, and resist pattern-forming method

Номер патента: US12098282B2. Автор: Tatsuya Sakai,Hiromitsu Tanaka,Tomoaki Seko,Nozomi SATOU,Tomoya TAJI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Chemical liquid, resist pattern forming method, semiconductor chip manufacturing method, chemical liquid storage body, and chemical liquid manufacturing method

Номер патента: IL285512B1. Автор: . Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-01.

Mask blank, resist pattern forming process and chemically amplified positive resist composition

Номер патента: EP4276534A1. Автор: Jun Hatakeyama,Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Kenji Funatsu,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Mask blank, resist pattern forming process and chemically amplified positive resist composition

Номер патента: US20230367213A1. Автор: Jun Hatakeyama,Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Kenji Funatsu,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20230393461A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20230393470A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4286945A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4286943A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4286944A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20230393466A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

RESIST PATTERN-FORMING METHOD, RESIST PATTERN-FORMING RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM

Номер патента: US20140023968A1. Автор: Kimura Toru,HORI Masafumi,MIYATA Hiromu,NAKASHIMA Hiromitsu,KIMURA Reiko,YOSHIDA Masafumi,Asano Yusuke,Kasahara Kazuki. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2014-01-23.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20230393465A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4286946A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

RESIST PATTERN FORMING METHOD, RESIST PATTERN, CROSSLINKABLE NEGATIVE CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION FOR ORGANIC SOLVENT DEVELOPMENT, RESIST FILM AND RESIST-COATED MASK BLANKS

Номер патента: US20140030640A1. Автор: Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,Takahashi Koutarou,TSUCHIHASHI Toru. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-01-30.

Composition for forming a film for lithography, a film for lithography, a resist pattern forming method, and a circuit pattern forming method.

Номер патента: JPWO2019098338A1. Автор: 三樹　泰,泰 三樹,越後　雅敏,雅敏 越後,高史 牧野嶋,牧野嶋　高史. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Composition for forming film for lithography, film for lithography, resist pattern forming method, and circuit pattern forming method

Номер патента: EP3715949A1. Автор: Yasushi Miki,Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-09-30.

Radiation-sensitive composition and resist pattern-forming method

Номер патента: US20240152050A1. Автор: Ken Maruyama. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Radiation-sensitive composition and resist pattern-forming method

Номер патента: US20230205082A9. Автор: Ken Maruyama. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Resist pattern forming method

Номер патента: TW201222156A. Автор: Yuusuke Anno,Takashi Mori. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2012-06-01.

Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, acid generator and compound

Номер патента: US09523911B2. Автор: Hiroshi Tomioka,Yusuke Asano,Takakazu Kimoto. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20230194986A1. Автор: Jun Hatakeyama,Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Kenji Funatsu,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP3579050A1. Автор: Satoshi Watanabe,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-11.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4276533A1. Автор: Jun Hatakeyama,Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Kenji Funatsu,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20230367214A1. Автор: Jun Hatakeyama,Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Kenji Funatsu,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Negative resist pattern forming method, developer and negative chemical-amplification resist composition used therefor, and resist pattern

Номер патента: KR101730486B1. Автор: 히데아키 츠바키,아키라 아사노,토루 츠치하시,타다테루 야츠오,코지 시라카와. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-04-26.

Chemical amplification resist composition, and resist film, resist-coated mask blank, resist pattern forming method and photomask each using the composition

Номер патента: KR20130012916A. Автор: 토모타카 츠치무라,타다테루 야츠오. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-02-05.

Resist pattern forming method and resist pattern insolubilizing resin composition used therefor

Номер патента: JPWO2008114644A1. Автор: 永井　智樹,敦 中村,智樹 永井,中村　敦,毅由 安陪,友洋 柿澤. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Resist upper layer film forming composition, resist pattern forming method, compound, compound production method and polymer

Номер патента: JPWO2013069750A1. Автор: 孝弘 羽山,信也 峯岸,一憲 草開,希佳 田中. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN-FORMING METHOD, AND RESIST SOLVENT

Номер патента: US20140302438A1. Автор: NAKAMURA Shin-ichi,Asano Yusuke,FUTAI Tomonori. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2014-10-09.

CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION, RESIST FILM USING THE COMPOSITION, RESIST-COATED MASK BLANKS, RESIST PATTERN FORMING METHOD, PHOTOMASK AND POLYMER COMPOUND

Номер патента: US20130302726A1. Автор: Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

NEGATIVE ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME, RESIST-COATED MASK BLANKS, RESIST PATTERN FORMING METHOD, AND PHOTOMASK

Номер патента: US20140178806A1. Автор: Inasaki Takeshi,Tsuchimura Tomotaka. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-06-26.

PHOTORESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN-FORMING METHOD, COMPOUND, ACID GENERATING AGENT, AND PHOTODEGRADABLE BASE

Номер патента: US20140363769A1. Автор: Nakahara Kazuo,NAMAI Hayato,IKEDA Norihiko. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2014-12-11.

PHOTORESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN-FORMING METHOD, ACID DIFFUSION CONTROL AGENT, AND COMPOUND

Номер патента: US20150309406A9. Автор: NAMAI Hayato. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2015-10-29.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, resist-coated mask blank, resist pattern forming method, and photomask

Номер патента: US20160342090A1. Автор: Tomotaka Tsuchimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Resist protective film forming material and resist pattern forming method using the same

Номер патента: JP4368267B2. Автор: 智之 平野,啓太 石塚,浩太郎 遠藤. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Resist protective film forming material and resist pattern forming method using the same

Номер патента: JP4368266B2. Автор: 正昭 吉田,啓太 石塚,浩太郎 遠藤. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Resist composition, resist pattern forming method and compound

Номер патента: JP6007011B2. Автор: 内海　義之,義之 内海,晃也 川上,直人 本池. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-12.

Resist pattern forming method and resist

Номер патента: CN108700835A. Автор: 阿部信纪,佐藤信宽. Владелец: Nippon Zeon Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Material for forming resist protective film and resist pattern forming method using the same

Номер патента: TW200641542A. Автор: Kotaro Endo,Keita Ishiduka. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-01.

Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method and acid diffusion control agent

Номер патента: US20180321585A1. Автор: Natsuko Kinoshita. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20140287361A1. Автор: Nakamura Tsuyoshi,Arai Masatoshi,Hirano Tomoyuki,Komuro Yoshitaka,Tanno Kazuishi,Motoike Naoto. Владелец: TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-25.

RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20140287362A1. Автор: Nakamura Tsuyoshi,Hori Yoichi,TSUCHIYA Junichi,Tanno Kazuishi,Motoike Naoto. Владелец: TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-25.

Negative resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JP4205061B2. Автор: 淳 岩下. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-07.

Organic-solvent-based photocurable resist composition and resist pattern-forming method

Номер патента: KR100397008B1. Автор: 이마이겐지,고지마다이스케,아쿠이준,고구레히데오,이소자키오사무. Владелец: 간사이 페인트 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-09-02.

Pattern forming method and device

Номер патента: US20190176376A1. Автор: Akihiro Ishikawa,Michiru Kuromiya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Substrate processing method, substrate processing system and substrate processing apparatus

Номер патента: US10520831B2. Автор: Yoshihiro Kondo,Masashi Enomoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Substrate processing method, substrate processing system and substrate processing apparatus

Номер патента: US20180076066A1. Автор: Yoshihiro Kondo,Masashi Enomoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Pattern forming method, resist pattern formed by the method, method for manufacturing electronic device using the same, and electronic device

Номер патента: US9448482B2. Автор: Kaoru Iwato,Hiroo Takizawa,Takanobu Takeda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Substrate processing method, substrate processing apparatus and non-transitory storage medium

Номер патента: US09627232B2. Автор: Keiichi Tanaka,Kousuke Yoshihara,Tomohiro Iseki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium

Номер патента: US09552987B2. Автор: Takahiro Shiozawa,Kenichi Ueda,Keiichi Tanaka,Yuichiro Miyata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium

Номер патента: US20140363976A1. Автор: Takahiro Shiozawa,Kenichi Ueda,Keiichi Tanaka,Yuichiro Miyata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-12-11.

Exposure pattern forming method and exposure pattern

Номер патента: US20050174557A1. Автор: Kazuhisa Ogawa,Hidetoshi Ohnuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Active-light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US09996003B2. Автор: Keita Kato,Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Positive tone resist composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20220382153A1. Автор: Kazunari Yagi,Akira Takada,Kazuhiro Marumo,Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Exposure pattern forming method and exposure pattern

Номер патента: US20050204330A1. Автор: Kazuhisa Ogawa,Hidetoshi Ohnuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Pattern-forming method and resist underlayer film-forming composition

Номер патента: US09607849B2. Автор: Toru Kimura,Takashi Mori,Yoshio Takimoto,Shinya Minegishi,Kyoyu Yasuda,Shinya NAKAFUJI,Kazuhiko KOUMURA. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Chemically amplified positive type photoresist composition and pattern forming method using the same

Номер патента: US20190339614A1. Автор: Masato Suzuki,Shunji Kawato,Tetsumasa TAKAICHI,Kazumichi Akashi. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2019-11-07.

Chemically amplified positive type photoresist composition and pattern forming method using the same

Номер патента: PH12019501406A1. Автор: Masato Suzuki,Shunji Kawato,Tetsumasa TAKAICHI,Kazumichi Akashi. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2020-06-08.

Chemically amplified positive type photoresist composition and pattern forming method using the same

Номер патента: EP3566098A1. Автор: Masato Suzuki,Shunji Kawato,Tetsumasa TAKAICHI,Kazumichi Akashi. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2019-11-13.

Pattern forming method using resist underlayer film

Номер патента: US09793131B2. Автор: Shigeo Kimura,Hiroto Ogata,Yuki Usui,Tomoya Ohashi. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Pattern forming method, active light sensitive or radiation sensitive resin composition, resist film, method for manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: US09651863B2. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa,Wataru Nihashi,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, method for manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: US09523913B2. Автор: Keita Kato,Hidenori Takahashi,Michihiro Shirakawa,Shoichi Saitoh,Fumihiro Yoshino. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Pattern forming method for forming a pattern

Номер патента: US10317797B2. Автор: Takehiro Seshimo,Kenichi Oyama,Hidetami Yaegashi,Yoshitaka Komuro,Katsumi Ohmori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

Patterns forming method

Номер патента: US09929019B2. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Pre-wet liquid, resist film forming method, pattern forming method, and kit

Номер патента: US20220197137A1. Автор: Satomi Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for producing active light sensitive or radiation sensitive resin composition, pattern forming method, and method for producing electronic device

Номер патента: EP3992179A1. Автор: Kei Yamamoto,Kazuhiro Marumo,Naohiro Tango,Keiyu OU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Pattern forming method, photomask substrate creation method, photomask creation method, and photomask

Номер патента: US20210341830A1. Автор: Shoji Mimotogi,Yukio Oppata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US11835849B2. Автор: Tsutomu Yoshimura,Yoichi Nishida,Yasunori Yonekuta,Kohei Higashi,Naoya HATAKEYAMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Pattern forming methods and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140038318A1. Автор: Hironobu Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Pattern forming method and system, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080276216A1. Автор: Toshiya Kotani,Ayako Nakano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic devices

Номер патента: US20230393473A1. Автор: Shuhei Yamaguchi,Eiji Fukuzaki,Tomoaki Yoshioka,Taro MIYOSHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20070277856A1. Автор: Akio Hashizume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240295821A1. Автор: Makoto Muramatsu,Hiroyuki Fujii,Keisuke Yoshida,Soichiro Okada,Yasuyuki Ido,Nanoka Miyahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Pattern forming method, method for producing electronic device, and kit

Номер патента: US20230333478A1. Автор: Tetsuya Kamimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Pattern forming method

Номер патента: US4824766A. Автор: Kazufumi Ogawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1989-04-25.

Photoacid generating compounds, chemically amplified positive resist materials, and pattern forming method

Номер патента: US20030235779A1. Автор: Jun Hatakeyama,Tomohiro Kobayashi,Youichi Ohsawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Pattern forming method, active light sensitive or radiation sensitive resin composition, resist film, method for manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: US20160041465A1. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa,Wataru Nihashi,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, method for manufacturing electronic device, compound, and resin

Номер патента: US20230375925A1. Автор: Tsutomu Yoshimura,Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA,Yuma Kurumisawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Pattern forming contrast enhanced material utilizing water soluble photosensitive diazo compound and pattern forming method

Номер патента: US5272036A. Автор: Kazufumi Ogawa,Masayuki Endo,Yoshiyuki Tani,Fumiyoshi Urano,Masaaki Nakahata. Владелец: Wako Pure Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1993-12-21.

Organic solvent development or multiple development pattern-forming method using electron beams or EUV rays

Номер патента: US8546063B2. Автор: Hideaki Tsubaki,Koji Shirakawa,Toru Tsuchihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-10-01.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11915930B2. Автор: Masaki Inaba,Naoko ARIMA. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Fine pattern forming method

Номер патента: US20060204899A1. Автор: Akitaka Shimizu,Masato Kushibiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Rinsing liquid and pattern forming method

Номер патента: US20230132693A1. Автор: Satomi Takahashi,Toru Tsuchihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Patterns forming method

Номер патента: US20170294317A1. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US5665200A. Автор: Kiyomi Sonobe,Takashi Takekuma,Akihiro Fujimoto. Владелец: Tokyo Electron Kyushu Ltd. Дата публикации: 1997-09-09.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11919049B2. Автор: Kei Suzuki,Masaki Inaba,Linh da HO. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20190214277A1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Yoshihiro Ogawa,Yoshihiro Uozumi,Yuji Nagashima,Shinsuke Kimura,Hiroyasu Iimori,Tatsuhiko Koide. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US8298346B2. Автор: Shunsuke Saitou. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240038533A1. Автор: Makoto Muramatsu,Kenichi Ueda,Keisuke Yoshida,Arnaud Alain Jean Dauendorffer,Tomoya ONITSUKA,Hiroki Tadatomo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220181171A1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Yoshihiro Ogawa,Yoshihiro Uozumi,Yuji Nagashima,Shinsuke Kimura,Hiroyasu Iimori,Tatsuhiko Koide. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11921428B2. Автор: Hideaki Hirabayashi,Yoshihiro Ogawa,Yoshihiro Uozumi,Yuji Nagashima,Shinsuke Kimura,Hiroyasu Iimori,Tatsuhiko Koide. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11986867B2. Автор: Kenji Kobayashi,Takahiro Kimura,Shohei Nakamura,Motohiro Kono,Akira Horikoshi,Shigeru Takatsuji. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20190295862A1. Автор: Masayuki Hayashi,Toru Endo,Nobuyuki Shibayama. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20090283114A1. Автор: Shunsuke Saitou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240207905A1. Автор: Kei Suzuki,Masaki Inaba,Linh da HO. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Substrate processing system and substrate processing method

Номер патента: US20100200162A1. Автор: Yutaka Asou. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Substrate processing method

Номер патента: US11901173B2. Автор: Song Zhang,Shuichi Yasuda,Tatsuro Nagahara,Yukifumi Yoshida,Takafumi KINUTA,Manabu Okutani,Yasunori KANEMATSU,Dai Ueda. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Substrate processing method, recording medium and substrate processing apparatus

Номер патента: US11848189B2. Автор: Takahiro Shiozawa,Akiko Kai,Hiroshi Ichinomiya,Hiroki Tadatomo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Substrate processing method

Номер патента: EP4235758A3. Автор: Song Zhang,Shuichi Yasuda,Tatsuro Nagahara,Yukifumi Yoshida,Takafumi KINUTA,Manabu Okutani,Yasunori KANEMATSU,Dai Ueda. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Substrate processing method, manufacturing method of euv mask, and euv mask

Номер патента: US20130141708A1. Автор: Hideaki Sakurai,Masatoshi Terayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Supercritical fluid supply apparatus, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method using the same

Номер патента: US20240069451A1. Автор: Kuntack Lee,Ji Hwan Park,Sangjine Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Substrate processing method, manufacturing method of euv mask, and euv mask

Номер патента: US20110207031A1. Автор: Hideaki Sakurai,Masatoshi Terayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20070065760A1. Автор: Yoshitake Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Substrate processing method, recording medium, and substrate processing apparatus

Номер патента: US12083553B2. Автор: Yusuke MIYAKUBO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

COMPOUND, RESIN, MATERIAL FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, RESIST PATTERN FORMING METHOD, CIRCUIT PATTERN FORMING METHOD, AND PURIFICATION METHOD OF COMPOUND OR RESIN

Номер патента: US20180029968A1. Автор: Sato Takashi,TOIDA Takumi,ECHIGO Masatoshi,MAKINOSHIMA Takashi. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.. Дата публикации: 2018-02-01.

MATERIAL FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, RESIST PATTERN FORMING METHOD, AND CIRCUIT PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20180052392A1. Автор: ECHIGO Masatoshi,Higashihara Go,MAKINOSHIMA Takashi,OKOSHI Atsushi,OKADA Kana. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.. Дата публикации: 2018-02-22.

Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, resist pattern forming method, circuit pattern forming method, and purification method of compound or resin

Номер патента: IL253822A0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co. Дата публикации: 2017-09-28.

Resist pattern forming method

Номер патента: TW200524003A. Автор: Masaharu Takizawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-07-16.

Photosensitive element, barrier layer forming resin composition, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method

Номер патента: JPWO2017018299A1. Автор: 博史 小野,壮和 粂,小野　博史,遼 松村. Владелец: Resonac Corporation. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductive substrate processing methods and methods of processing a semiconductive substrate

Номер патента: US20030022076A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

RESIST PATTERN-FORMING METHOD, SUBSTRATE-PROCESSING METHOD, AND PHOTORESIST COMPOSITION

Номер патента: US20160266489A1. Автор: YADA Yuji,Katsura Yuichiro,SHIMA Motoyuki,MATSUMOTO Ryu,NAKAKURA Ken. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2016-09-15.

Resist pattern forming method, resist pattern, crosslinkable negative chemical amplification resist composition for organic solvent development, resist film and resist-coated mask blanks

Номер патента: TW201239535A. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Tadateru Yatsuo,Toru Tsuchihashi,Koutarou Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-10-01.

Resist pattern-forming method and photoresist composition

Номер патента: US20150010866A1. Автор: Hayato Namai,Shinya Minegishi,Hitoshi Osaki. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Resist pattern-forming method and photoresist composition

Номер патента: US9594303B2. Автор: Hayato Namai,Shinya Minegishi,Hitoshi Osaki. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4443239A2. Автор: Masahiro Fukushima. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4443239A3. Автор: Masahiro Fukushima. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20240337939A1. Автор: Masahiro Fukushima. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4462188A2. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4462189A2. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Chemically amplified negative resist composition using novel onium salt and resist pattern forming process

Номер патента: US09740098B2. Автор: Takayuki Fujiwara,Satoshi Watanabe,Daisuke Domon,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Chemical amplification type positive photoresist composition and resist pattern forming method using the same

Номер патента: TW200428151A. Автор: Yusuke Nakagawa,Masaki Kurihara,Shinichi Hidesaka,Toshiaki Tachi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

Chemical liquid, chemical liquid storage body, resist pattern forming method, and semiconductor chip manufacturing method

Номер патента: IL281957A. Автор: . Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-05-31.

Photosensitive resin composition, resist pattern forming method, substrate processing method, and device manufacturing method

Номер патента: US20050221222A1. Автор: Toshiki Ito,Takako Yamaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-10-06.

Photosensitive resin composition, resist pattern forming method, substrate processing method, and device manufacturing method

Номер патента: US20070275327A1. Автор: Toshiki Ito,Takako Yamaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Resist pattern forming method based on near-field exposure, and substrate processing method and device manufacturing method using the resist pattern forming method

Номер патента: US20060014108A1. Автор: Toshiki Ito,Takako Yamaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Resist pattern forming method, resist latent image forming apparatus, resist pattern forming apparatus, and resist material

Номер патента: TWI567788B. Автор: 田川精一,大島明博. Владелец: 國立大學法人大阪大學. Дата публикации: 2017-01-21.

Alicyclic compound, production method therefor, composite containing said compound, and resist pattern forming method using same

Номер патента: TW201111340A. Автор: Shinji Tanaka,Miki Murakami,Naoya Kawano. Владелец: Idemitsu Kosan Co. Дата публикации: 2011-04-01.

Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, polymer, and method for producing compound

Номер патента: US09703195B2. Автор: Hayato Namai,Kota Nishino. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, acid diffusion control agent, compound, and method for producing compound

Номер патента: US09529259B2. Автор: Hayato Namai. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Photosensitive resin film, resist pattern forming method, and wiring pattern forming method

Номер патента: US20240111211A1. Автор: Takahiro Fukaya,Tatsuhiko Arai,Keishi Ono,Mao Narita,Fuuka HIRAYAMA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Onium salt, chemically amplified positive resist composition, and resist pattern forming process

Номер патента: EP4407375A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Onium salt, chemically amplified positive resist composition, and resist pattern forming process

Номер патента: EP4446812A1. Автор: Masahiro Fukushima. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Acetal modifier, polymer, chemically amplified positive resist composition, and resist pattern forming process

Номер патента: US20240329532A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Kenji Funatsu,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Acetal modifier, polymer, chemically amplified positive resist composition, and resist pattern forming process

Номер патента: EP4455118A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Kenji Funatsu,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Radiation-sensitive resin composition and resist pattern-forming method

Номер патента: US09874816B2. Автор: Hayato Namai. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Resist protective film forming material for immersion exposure process, resist protective film comprising the protective film forming material, and resist pattern forming method using the resist protective film

Номер патента: JP4265766B2. Автор: 和正 脇屋,正昭 吉田,拓 平山,浩太朗 遠藤. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-20.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20240118613A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Kenji Funatsu,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4336261A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Kenji Funatsu,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa,Keichii MASUNAGA. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND RESIST FILM, RESIST-COATED MASK BLANK, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND PHOTOMASK EACH USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20140072905A1. Автор: Inasaki Takeshi,Tsuchimura Tomotaka. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-03-13.

RESIST COMPOSITION FOR FORMING THICK-FILM RESIST FILM, THICK-FILM RESIST LAMINATE, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20210263412A1. Автор: JO Eun-Sol,OHNO Yoshiaki,YU Dae-cheol. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Production method for resist composition purified product, resist pattern-forming method, and resist composition purified product

Номер патента: WO2020235608A1. Автор: 弘樹 齋藤,未来 安部,中田　明彦. Владелец: 東京応化工業株式会社. Дата публикации: 2020-11-26.

Production method for resist composition purified product, resist pattern-forming method, and resist composition purified product

Номер патента: EP3974047A4. Автор: Hiroki Saito,Akihiko Nakata,Miku ABE. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Photoresist composition and resist pattern-forming method

Номер патента: US20130089817A1. Автор: Hiromitsu Nakashima,Masafumi Yoshida,Hiromu Miyata. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Chemically amplified positive photoresist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JPWO2004104702A1. Автор: 宮城　賢,賢 宮城,和行 新田,健治 丸山,聡 新倉,丸山　健治,政樹 栗原,新倉　聡,聡 嶋谷,正宏 増島,新田　和行,敏弘 山口,土井　宏介,宏介 土井. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Plus photoresist composition and resist pattern forming method

Номер патента: CN1573550A. Автор: 大久保和喜,萩原三雄,新田和行. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-02.

Photoresist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JP6202000B2. Автор: 憲彦 池田,永井　智樹,智樹 永井,啓之 仁井. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-09-27.

Acid-sensitive polymer, resist composition, resist pattern forming method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4012600B2. Автор: 耕司 野崎,映 矢野. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-11-21.

Resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: US20230205084A1. Автор: Masatoshi Arai,Makoto Sakata,Takatoshi INARI. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Resist composition, resist pattern forming method, and polymer compound

Номер патента: JP6789024B2. Автор: 嘉崇 小室,雅俊 新井,行志 大西,カンティン グエン,貴哉 前橋. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-25.

Resist protecting film forming material for immersion exposure process and resist pattern forming method using the protecting film

Номер патента: KR100887202B1. Автор: 가즈마사 와키야,고타로 엔도,게이타 이시즈카,마사아키 요시다. Владелец: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2009-03-06.

Resist protecting film forming material for immersion exposure process and resist pattern forming method using the protecting film

Номер патента: WO2005103098A1. Автор: Kazumasa Wakiya,Masaaki Yoshida,Kotaro Endo,Keita Ishizuka. Владелец: TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.. Дата публикации: 2005-11-03.

Resist protecting film forming material for immersion exposure process and resist pattern forming method using the protecting film

Номер патента: EP1741730B1. Автор: Keita c/o TOKYO OHKA KOGYO CO. LTD. ISHIZUKA,Kazumasa c/o Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd. WAKIYA,Kotaro c/o TOKYO OHKA KOGYO CO. LTD. ENDO,Masaaki c/o Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd. Yoshida. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-12.

Resist pattern forming method and resist material

Номер патента: KR100255076B1. Автор: 신지 키시무라. Владелец: 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시. Дата публикации: 2000-06-01.

Resist composition, resist pattern forming method, and high molecular compound

Номер патента: JP2012150166A. Автор: Tomoyuki Hirano,Hirohisa Shiono,大寿 塩野,Junichi Tsuchiya,智之 平野,純一 土屋,大地 高木,Masatoshi Arai,Daichi Takagi,雅俊 新井. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-09.

Resist composition, resist pattern forming method and compound

Номер патента: US7851129B2. Автор: Daiju Shiono,Hideo Hada,Toshiyuki Ogata,Taku Hirayama. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-14.

Resist composition, resist pattern forming method and compound

Номер патента: US20090162781A1. Автор: Daiju Shiono,Hideo Hada,Toshiyuki Ogata,Taku Hirayama. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JP4762630B2. Автор: 武 岩井,良司 渡部,武広 瀬下. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-31.

Photosensitive laminate, positive resist composition used therefor, and resist pattern forming method using them

Номер патента: JP3771815B2. Автор: 和行 新田,卓 中緒,英一 志村,正一 藤田. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Positive resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JP5049935B2. Автор: 真樹子 入江,岳由 三村. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-17.

Positive resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JP4205078B2. Автор: 貴敬 森,正一 藤田,寿一 高山,幸治 米村,健仁 瀬尾. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-07.

Polymer compound, positive resist composition, and resist pattern forming method

Номер патента: JP4738803B2. Автор: 武 岩井,洋平 木下,祐子 栗本. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-03.

Imprint lithography method, method for manufacturing master template using the method and master template manufactured by the method

Номер патента: US09989845B2. Автор: Gug-Rae Jo,Dae-Young Lee,Jung-Gun NAM,Seung-Won Park,Min-Uk Kim,Dae-Hwan JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Near-field exposure mask, resist pattern forming method, device manufacturing method, near-field exposure method, pattern forming method, near-field optical lithography member, and near-field nanoimprint method

Номер патента: US09550322B2. Автор: Yasuyuki Hotta,Naomi Shida,Tsukasa Tada,Ikuo Yoneda,Ko Yamada,Kenji Todori,Hiroyuki Kashiwagi,Shigehiko Mori,Masakazu YAMAGIWA,Reiko Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Compounds, resins, resist compositions or radiation-sensitive compositions, resist pattern forming methods, amorphous film manufacturing methods, lithography underlayer film forming materials, lithography underlayer film forming compositions, circuit pattern forming methods, and purification. Method

Номер патента: JP6848869B2. Автор: 隆 佐藤,越後　雅敏,雅敏 越後,洋子 清水,高史 牧野嶋,佐藤　隆,匠 樋田,牧野嶋　高史. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Compound, resin, resist composition or radiation sensitive composition, resist pattern forming method, amorphous film manufacturing method, lithography lower layer film forming material, lithography lower layer film forming composition, circuit pattern forming method, and purification Method

Номер патента: JPWO2017043561A1. Автор: 隆 佐藤,越後　雅敏,雅敏 越後,洋子 清水,高史 牧野嶋,佐藤　隆,匠 樋田,牧野嶋　高史. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Organically modified metal oxide nanoparticles, organically modified metal oxide nanoparticles-containing solution, organically modified metal oxide nanoparticles-containing resist composition, and resist pattern forming method

Номер патента: US11747724B2. Автор: Daisuke Kawana,Masatoshi Arai,Yoshitaka Komuro,Takaya Maehashi,Sho Kataoka,Takatoshi INARI,Kiwamu Sue,Yusuke YOSHIGOE. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Near-field exposure mask, resist pattern forming method, device manufacturing method, near-field exposure method, pattern forming method, near-field optical lithography member, and near-field nanoimprint method

Номер патента: US20150246478A1. Автор: Yasuyuki Hotta,Naomi Shida,Tsukasa Tada,Ikuo Yoneda,Ko Yamada,Kenji Todori,Hiroyuki Kashiwagi,Shigehiko Mori,Masakazu YAMAGIWA,Reiko Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Resist pattern forming method

Номер патента: TW200836015A. Автор: Jun Iwashita. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-01.

Resist pattern forming method, resist pattern, crosslinkable negative resist composition, nanoimprint mold and photomask

Номер патента: US20130052567A1. Автор: Toru Tsuchihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Resist pattern thickening material, resist pattern forming method, semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5018307B2. Автор: 美和 小澤,耕司 野崎. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-05.

Positive resist composition for forming thick resist film, thick resist laminate, and resist pattern forming method

Номер патента: JP4937594B2. Автор: 博 新堀,正宏 増島,敏弘 山口,佐智子 吉澤. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-23.

Resist pattern coating agent and resist pattern forming method using the same

Номер патента: JP5494489B2. Автор: 雅史 堀,剛史 若松,祐亮 庵野,勇二 矢田,友洋 柿澤,倫広 三田. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2014-05-14.

Resist pattern coating agent and resist pattern forming method using same

Номер патента: CN102187282A. Автор: 若松刚史,三田伦广,矢田勇二,庵野祐亮,柿泽友洋,堀雅史. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2011-09-14.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, and resist film, mask blank, resist pattern-forming method, and electronic device production method all using said composition

Номер патента: KR101911300B1. Автор: 토모타카 츠치무라. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-10-24.

Chemical amplification type positive photoresist composition and resist pattern forming method using the same

Номер патента: TW200502694A. Автор: Isamu Takagi,Kazuhiko Nakayama. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-16.

Positive resist composition, positive resist composition for thermal flow, and resist pattern forming method

Номер патента: US7741008B2. Автор: Hideo Hada,Yusuke Nakagawa,Sanae Furuya,Akiyoshi Yamazaki. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-22.

Positive resist composition, resist pattern forming method and compound

Номер патента: JP4397834B2. Автор: 大寿 塩野,拓 平山,英夫 羽田. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-13.

Resist pattern forming method and thin film forming method

Номер патента: KR100276047B1. Автор: 데쓰오 고죠,도루 오가와. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 2000-12-15.

Positive resist composition, multilayer resist material and resist pattern forming method using the same

Номер патента: JP3679206B2. Автор: 寿昌 中山,和行 新田,和史 佐藤,晃義 山崎,与日 坂井. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-03.

Positive resist composition, resist pattern forming method, and polymer compound

Номер патента: JP4828204B2. Автор: 英夫 羽田,晃義 山崎,早苗 古谷,裕介 中川. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-30.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and composite processing apparatus

Номер патента: US20200078834A1. Автор: Hideaki Sakurai,Kosuke TAKAI,Kyo Otsubo,Minako Inukai,Mana TANABE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

ORGANICALLY MODIFIED METAL OXIDE NANOPARTICLES, ORGANICALLY MODIFIED METAL OXIDE NANOPARTICLES-CONTAINING SOLUTION, ORGANICALLY MODIFIED METAL OXIDE NANOPARTICLES-CONTAINING RESIST COMPOSITION, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20210191261A1. Автор: Arai Masatoshi,Komuro Yoshitaka,Kawana Daisuke,MAEHASHI Takaya,INARI Takatoshi,SUE Kiwamu,KATAOKA Sho,YOSHIGOE Yusuke. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: US20140287360A1. Автор: Takayoshi Mori,Tsuyoshi Nakamura,Akiya Kawaue,Kazuishi Tanno. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JP3819531B2. Автор: 耕司 野崎,映 矢野. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-09-13.

Photocurable composition for imprints, pattern forming method, and method for manufacturing device

Номер патента: US20170285468A1. Автор: Hirotaka Kitagawa,Yuichiro Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Composition for pattern formation, pattern-forming method, and block copolymer

Номер патента: US09738746B2. Автор: Tomoki Nagai,Hiroyuki Komatsu,Takehiko Naruoka. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Treatment liquid and pattern forming method

Номер патента: US20190258168A1. Автор: Tetsuya Kamimura,Michihiro Shirakawa,Tadashi OOMATSU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Coloring composition, cured film, color filter, pattern forming method, method for manufacturing color filter, solid-state imaging device, and image display device

Номер патента: US09650493B2. Автор: Kaoru Aoyagi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Pattern-forming method for forming a conductive circuit pattern

Номер патента: US09980393B2. Автор: Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Jong Tae Moon,Jung Hyun Noh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-05-22.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device, electronic device and compound

Номер патента: US09523912B2. Автор: Toshiaki Fukuhara,Akinori Shibuya,Shohei Kataoka,Michihiro Shirakawa,Hajime Furutani. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Pattern forming method, method for manufacturing color filter, and color filter manufactured thereby

Номер патента: US09352520B2. Автор: Yasuo Sugishima,Mitsuji Yoshibayashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method, each using the same

Номер патента: US20140295332A1. Автор: Shuji Hirano,Hideaki Tsubaki,Hiroo Takizawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Lithography pattern forming method using self-organizing block copolymer

Номер патента: US09816004B2. Автор: Yusuke KASAHARA,Ayako KAWANISHI,Hiroki YONEMITSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Composition for pattern formation, and pattern-forming method

Номер патента: US09599892B2. Автор: Tomoki Nagai,Hiroyuki Komatsu,Takehiko Naruoka,Shinya Minegishi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Pattern-forming method

Номер патента: US09487868B2. Автор: Kaori Sakai,Tomoki Nagai,Hiroyuki Komatsu,Takehiko Naruoka,Shinya Minegishi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US12042813B2. Автор: Hiroshi Abe,Kenji Kobayashi,Takashi Ota,Wataru Sakai,Ryo Muramoto,Manabu Okutani,Takaaki Ishizu,Sei Negoro. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240261814A1. Автор: Hiroshi Abe,Kenji Kobayashi,Takashi Ota,Wataru Sakai,Ryo Muramoto,Manabu Okutani,Takaaki Ishizu,Sei Negoro. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Kit, composition for forming underlayer film for imprinting, pattern forming method, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200373167A1. Автор: Yuichiro Goto,Akihiro HAKAMATA,Naoya SHIMOJU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US11886113B2. Автор: Keita Kato,Takashi Kawashima,Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Curable composition for imprinting, release agent, cured product, pattern forming method, and lithography method

Номер патента: US20210018833A1. Автор: Yuichiro Goto,Akihiro HAKAMATA,Naoya SHIMOJU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Pattern forming method and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20180321589A1. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Akihiro Kaneko,Wataru Nihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Pattern-forming method, and composition

Номер патента: US20200357633A1. Автор: Masafumi Hori,Tomoki Nagai,Hiroyuki Komatsu,Tomohiro Oda,Takehiko Naruoka. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Pattern-forming method and composition

Номер патента: US20190235386A1. Автор: Masafumi Hori,Hiroyuki Komatsu,Tomohiro Oda,Takehiko Naruoka,Hitoshi Osaki. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Pattern-forming method, and composition

Номер патента: US20180342387A1. Автор: Masafumi Hori,Tomoki Nagai,Hiroyuki Komatsu,Tomohiro Oda,Takehiko Naruoka. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device using the same, and electronic device

Номер патента: US20150185610A1. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa,Wataru Nihashi,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Pattern forming method, method for manufacturing color filter, and color filter manufactured thereby

Номер патента: WO2013047906A1. Автор: Yasuo Sugishima,Mitsuji Yoshibayashi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-04-04.

Curable composition, pattern forming method, pattern, and method for manufacturing device

Номер патента: US20170190820A1. Автор: Hirotaka Kitagawa,Yuichiro Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Coloring composition, method for producing coloring composition, color filter, pattern forming method, solid-state imaging device, and image display device

Номер патента: US11767431B2. Автор: Shoichi Nakamura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Pattern forming method, manufacturing method of circuit board, and laminate

Номер патента: US20230305403A1. Автор: Morimasa Sato,Soji Ishizaka,Akio Katayama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Pattern forming method

Номер патента: US20040265745A1. Автор: Hirokazu Kato,Yasunobu Onishi,Tsuyoshi Shibata,Daisuke Kawamura,Koutaro Sho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Radiation-sensitive composition, optical filter, laminate, pattern forming method, solid image pickup element, image display device, and infrared sensor

Номер патента: US20180356575A1. Автор: Kazutaka Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same

Номер патента: WO2011002102A1. Автор: Toru Fujimori,Kana Fujii. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2011-01-06.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20220415643A1. Автор: Anton Koriakin,Kuntack Lee,Hae-Won Choi,Jihoon Jeong,Young-Hoo Kim,Seohyun Kim,Keonyoung KIM,Sukhoon KIM,Sangjine Park PARK. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11823918B2. Автор: Akiko Kai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Photosensitive resin composition, photoresist film using same, resist pattern forming method, and conductor pattern forming method

Номер патента: TW201245870A. Автор: Hiroki Toyota. Владелец: Nichigo Morton Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-16.

Photosensitive resin composition, photoresist film using the same, resist pattern forming method and conductor pattern forming method

Номер патента: JP5878040B2. Автор: 大貴 豊田. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-08.

Resin composition, resist film using same, resist-coated mask blank, resist pattern forming method, and photo mask

Номер патента: US09798234B2. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Shuhei Yamaguchi,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Resist pattern forming method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230082514A1. Автор: Kentaro Matsunaga,Satomi Abe,Issui Aiba. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device manufacturing method and resist pattern forming method

Номер патента: US9437637B2. Автор: MASAHIKO KONDO,Nobutaka Ukigaya,Koji Hara,Satoshi Yoshizaki,Atsushi Kanome. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Exposure method and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20110207053A1. Автор: Seiji Makino,Noboru Sugiyama,Kozo Ogino,Kanji Takeuchi,Masahiko Minemura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, compound, and method of controlling acid diffusion

Номер патента: US20200393755A1. Автор: Tsuyoshi Furukawa,Ryuichi Nemoto. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Acid diffusion control agent, radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, compound, and production method

Номер патента: US09588423B2. Автор: Norihiko Ikeda,Hayato Namai. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Coating developing machine, resist pattern forming device, coating developing method, resist pattern forming method, and storage medium

Номер патента: WO2008023693A1. Автор: Tsuyoshi Shibata,Ryouichirou Naitou. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2008-02-28.

Composition for forming film for lithography, resist pattern forming method, circuit pattern forming method and purification method

Номер патента: WO2021039843A1. Автор: 越後　雅敏,牧野嶋　高史. Владелец: 三菱瓦斯化学株式会社. Дата публикации: 2021-03-04.

Resist pattern improving material, resist pattern forming method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP5708071B2. Автор: 美和 小澤,耕司 野崎,野崎　耕司,小澤　美和. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Coating and developing apparatus, resist pattern forming method, exposure apparatus and washing apparatus

Номер патента: TW200632988A. Автор: Masahiro Fukuda,Taro Yamamoto,Seiki Ishida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-09-16.

Resist pattern forming method, thin-film pattern forming method, and microdevice manufacturing method

Номер патента: US7846646B2. Автор: Akifumi Kamijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

NEAR-FIELD EXPOSURE MASK, RESIST PATTERN FORMING METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD, NEAR-FIELD EXPOSURE METHOD, PATTERN FORMING METHOD, NEAR-FIELD OPTICAL LITHOGRAPHY MEMBER, AND NEAR-FIELD NANOIMPRINT METHOD

Номер патента: US20150246478A1. Автор: Hotta Yasuyuki,Yoshimura Reiko,Shida Naomi,TODORI Kenji,Tada Tsukasa,Yamada Ko,Mori Shigehiko,Yamagiwa Masakazu,YONEDA Ikuo,KASHIWAGI Hiroyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-03.

PATTERN FORMING METHOD, RESIST PATTERN FORMED BY THE METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150253673A1. Автор: IWATO Kaoru,Takizawa Hiroo,Takeda Takanobu. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-09-10.

Pattern designing method, photomask manufacturing method, resist pattern forming method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20050058914A1. Автор: Shoji Mimotogi,Maki Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

Pattern designing method, photomask manufacturing method, resist pattern forming method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TWI241628B. Автор: Shoji Mimotogi,Maki Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-11.

Resin composition, resist film using the same, resist coated blank mask, resist pattern forming method, and photomask

Номер патента: TW201533123A. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Shuhei Yamaguchi,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-09-01.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using the same, resist-coated mask blank, resist pattern forming method, and photomask

Номер патента: JP6209103B2. Автор: 智孝 土村,修平 山口,土村　智孝,夏海 横川. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-10-04.

Chemical amplification resist composition, resist film using the composition, resist-coated mask blanks, resist pattern forming method, photomask and polymer compound

Номер патента: US9625813B2. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Tadateru Yatsuo. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Curable resin composition for silicon-containing resist, pattern forming method, method for producing imprint mold, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240004294A1. Автор: Masakazu Kaneko,Yasuhiro Okawa,Hirokazu Oda,Shintaro Nasu. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Resist coating method and resist pattern forming method

Номер патента: TW201107887A. Автор: Takahisa OTSUKA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-01.

Material for forming resist protective film and resist pattern forming method using the same

Номер патента: TW200641550A. Автор: Wolfgang Harnisch,Axel Zibold,Klaus Boehm,Christian Kalus,Thomas Schmoeller. Владелец: SIGMA C GmbH. Дата публикации: 2006-12-01.

Resist underlayer film forming composition and resist pattern forming method

Номер патента: JPWO2009075265A1. Автор: 佳臣 広井,智久 石田,石田　智久,貴文 遠藤. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

Resist pattern forming method and film forming method

Номер патента: TW457573B. Автор: Yuji Matsuyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-10-01.

Liquid treatment method, substrate processing apparatus and non-transitory storage medium

Номер патента: US09766543B2. Автор: Izumi Hasegawa,Yuichiro KUNUGIMOTO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Pattern formation method and apparatus

Номер патента: US6358673B1. Автор: Hideo Namatsu. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Resist composition, resist pattern forming method, compound, and acid generator

Номер патента: US20240210825A1. Автор: Tatsuya Fujii,KhanhTin NGUYEN,Mari MURATA. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Chemical liquid, chemical liquid storage body, resist pattern forming method, and semiconductor chip manufacturing method

Номер патента: IL281957B1. Автор: . Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Alcohol compound, chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4459376A2. Автор: Naoya Inoue,Satoshi Watanabe,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Chemically amplified resist material and resist pattern-forming method

Номер патента: US09989849B2. Автор: Tomoki Nagai,Hisashi Nakagawa,Takehiko Naruoka. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

COMPOUND, RESIN, AND PURIFICATION METHOD THEREOF, MATERIAL FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER FILM, AND UNDERLAYER FILM, AS WELL AS RESIST PATTERN FORMING METHOD AND CIRCUIT PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20180095368A1. Автор: TOIDA Takumi,ECHIGO Masatoshi,MAKINOSHIMA Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Compound, resin and their purification process, lower floor's film formation material of photoetching, lower membrane formation with composition and lower membrane and, corrosion-resisting pattern forming method and circuit pattern forming method

Номер патента: CN107428646A. Автор: 越后雅敏,樋田匠,牧野嶋高史. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2017-12-01.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4325292A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Kenji Funatsu,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa,Keichii MASUNAGA. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: US20240094635A1. Автор: Satoshi Watanabe,Masahiro Fukushima,Kenji Funatsu,Keiichi Masunaga,Masaaki Kotake,yuta Matsuzawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Alcohol compound, chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4258056A3. Автор: Naoya Inoue,Satoshi Watanabe,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Alcohol compound, chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process

Номер патента: EP4258056A2. Автор: Naoya Inoue,Satoshi Watanabe,Masaaki Kotake. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Composition for forming resist underlayer film, resist underlayer film and resist pattern forming method

Номер патента: JPWO2020111068A1. Автор: 剛史 若松,翼 阿部. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Positive resist composition, resist pattern forming method, and photoreactive quencher

Номер патента: JP6586303B2. Автор: 鈴木　健太,健太 鈴木,達也 藤井,大助 川名,嘉崇 小室,雅俊 新井,藤井　達也,広人 山崎. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-02.

Composition, resist-pattern forming method, and insulating-film forming method

Номер патента: EP3747954A4. Автор: Takashi Sato,Masatoshi Echigo. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-02-17.

MATERIAL FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY AND PRODUCTION METHOD THEREOF, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20180246409A1. Автор: Sato Takashi,TOIDA Takumi,ECHIGO Masatoshi,MAKINOSHIMA Takashi. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.. Дата публикации: 2018-08-30.

Chemically amplified resist material and resist pattern-forming method

Номер патента: US20170131634A1. Автор: Tomoki Nagai,Hisashi Nakagawa,Takehiko Naruoka. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Defect removal device, defect removal method, pattern forming method, and method of manufacturing electronic device

Номер патента: US20230395366A1. Автор: Ryo Saito,Masahiro Yoshidome,Akihiko Ohtsu,Yukihisa KAWADA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Pattern forming method, mold and data processing method

Номер патента: US8722535B2. Автор: Masafumi Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Etching pattern forming method in semiconductor manufacturing process

Номер патента: US12094719B2. Автор: Seung Hyun Lee,Su Jin Lee,Seung Hun Lee,Gi Hong Kim. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Coloring composition, colored pattern, color filter and method of producing the same, pattern forming method, solid-state imaging device, and image display device

Номер патента: US09519079B2. Автор: Yousuke Murakami,Yuzo Nagata,Yushi Kaneko,Kazuya Oota,Hiroaki Idei. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: EP4394847A1. Автор: Masayuki Nakanishi,Masayuki Satake,Yuta Mitsuki. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Substrate processing method and control apparatus

Номер патента: US09798317B2. Автор: Katsuhiko Komori,Yuichi Takenaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Pattern forming method

Номер патента: US20150079794A1. Автор: Hiroki Tanaka,Naoko Kihara,Ryosuke Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230241634A1. Автор: Yuji Okita,Hiroaki Kakuma,Hideji NAOHARA,Tatsuya Masui,Yuichi DEBA. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Servo pattern forming method of hard disk drive

Номер патента: US20100297364A1. Автор: Cheol-soon Kim,Ha Yong Kim,Yoon Chul CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-25.

Disc streak pattern forming method and apparatus

Номер патента: US5800253A. Автор: Kiyoshi Ikemoto. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-01.

Pattern forming method and manufacturing method of magnetic recording medium

Номер патента: US9412405B2. Автор: Akira Watanabe,Akira Fujimoto,Kaori Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Active light sensitive or radiation sensitive resin composition, active light sensitive or radiation sensitive film, pattern forming method, and method for producing electronic device

Номер патента: EP4039669A1. Автор: Toshiya Takahashi,Eiji Fukuzaki,Yasunori Yonekuta,Taro MIYOSHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Concave/convex pattern forming method and information recording medium manufacturing method

Номер патента: US20070199920A1. Автор: Minoru Fujita,Mitsuru Takai,Akimasa Kaizu. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240304439A1. Автор: Koji Akiyama,Philippe Gaubert,Hajime Nakabayashi,Chihiro Tamura,Hisashi WARASHINA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Pattern forming method, mold and data processing method

Номер патента: US20130323925A1. Автор: Masafumi Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Pattern forming method, under coating agent, and laminate

Номер патента: US20200048491A1. Автор: Kimiko Hattori,Kazuyo MORITA. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Pattern forming method

Номер патента: EP4332677A1. Автор: Seiichiro Tachibana,Takeru Watanabe,Daisuke Kori,Takashi Sawamura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Pattern Forming Method

Номер патента: US20240103365A1. Автор: Seiichiro Tachibana,Takeru Watanabe,Daisuke Kori,Takashi Sawamura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Patterning material, patterning composition, and pattern forming method

Номер патента: US20240034930A1. Автор: Yu Zhang,Lei Zhang,Di Wang,Xiaofeng YI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: EP4159325A1. Автор: Yuji Okita,Hiroaki Kakuma,Hideji NAOHARA,Tatsuya Masui,Yuichi DEBA. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Substrate processing apparatus, information processing apparatus, and substrate processing method

Номер патента: US11804395B2. Автор: Yuichi Takenaga,Youngtai KANG. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240128111A1. Автор: Tae Yong Kim,Byungin AN. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Substrate processing method

Номер патента: US20210028199A1. Автор: Posung Pan. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Substrate processing method, thermal processing apparatus, and semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US20240186161A1. Автор: Sung Kyu Park,Sung Yong Lee,Myung Hwan Oh. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Substrate processing method

Номер патента: US12074176B2. Автор: Posung Pan. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Substrate processing method including reprocessing rejected wafers

Номер патента: US09847263B2. Автор: Tsuneo Torikoshi,Hirofumi OTAKI. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Work-in-progress substrate processing methods and systems for use in the fabrication of integrated circuits

Номер патента: US09632499B2. Автор: William Fosnight,Detlef Pabst,Chinmay Oza,Gero Grau. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and computer-readable storage medium stored with substrate processing program

Номер патента: US09627192B2. Автор: Naoyuki Okamura,Kazuki Kosai,Fumihiro Kamimura,Kazuhiro Teraoka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US09502239B2. Автор: Masahisa OKUNO,Hideto TATENO,Takuya Joda,Masamichi Kurokawa,Tooru KAKUDA. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2016-11-22.

Substrate processing method, substrate processing device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240120177A1. Автор: Kyung-Sun Kim,Seung Bo SHIM,Tae-Hwa Kim,Ji Mo LEE,Jae Bin KIM,Dong Hyeon Na,Myeong Soo SHIN,Woong Jin CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Substrate processing method, substrate processing system and computer-readable recording medium

Номер патента: US20240290607A1. Автор: Takashi Uno,Satoshi Okawa,Naoyuki Okamura,Katsufumi Matsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium

Номер патента: US09881784B2. Автор: Kazuyuki Mitsuoka,Takayuki Toshima,Takehiko Orii,Hiroki Ohno,Keiji Tanouchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium

Номер патента: US10199240B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hidekazu Hayashi,Yohei Sato,Kazuyuki Mitsuoka,Mitsuaki Iwashita,Takayuki Toshima,Takehiko Orii,Hiroki Ohno,Hisashi Okuchi,Gen You. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Substrate processing method, substrate processing apparatus using the same, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11965244B2. Автор: Kyung Park,Dae Seong LEE,Hyeon Beom GWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and processing liquid

Номер патента: US20230271230A1. Автор: Yukifumi Yoshida. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, substrate processing system and recording medium

Номер патента: US9514951B2. Автор: Keisuke Yoshida,Masatoshi Kaneda,Yuzo Ohishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and dry processing liquid

Номер патента: US20240194475A1. Автор: Kenji Kobayashi,Takashi Ota,Takashi Namikawa,Takaaki Ishizu,Kazuki Hosoda. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and method for producing nanowire or nanosheet transistor

Номер патента: US20220406572A1. Автор: Kenichi Oyama,Akitaka Shimizu,Kazuya Dobashi,Shohei YAMAUCHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20240001410A1. Автор: Tsunemoto OGATA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system

Номер патента: US20170200618A1. Автор: Mitsuhiro Tachibana,Akitaka Shimizu,Koichi Nagakura,Keiko Hada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Substrate processing method, substrate processing device and etching liquid

Номер патента: US20210032537A1. Автор: Koji Kagawa,Kenji Sekiguchi,Koukichi Hiroshiro,Tetsuya SAKAZAKI,Kazuyoshi Mizumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Substrate processing method, substrate processing device, and polymer-containing liquid

Номер патента: US20240165657A1. Автор: Song Zhang,Yukifumi Yoshida,Yu Yamaguchi. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20240200195A1. Автор: Takafumi Niwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Substrate processing method, substrate processing apparatus and recording medium

Номер патента: US11626294B2. Автор: Koji Kagawa,Takumi Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

Substrate processing method, substrate processing apparatus and recording medium

Номер патента: US20200279752A1. Автор: Koji Kagawa,Takumi Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Substrate processing method, substrate processing apparatus and recording medium

Номер патента: US20170294303A1. Автор: Keisuke Yoshida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11024510B2. Автор: Tsubasa IMAMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Pattern forming method and plasma processing method

Номер патента: US20240318014A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Yoshiaki Shoji,Shin Oowada,Takanori Fukushima,Ryuichi Asako,Takashi Kajitani,Hibiki OGIWARA. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2024-09-26.

Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220084833A1. Автор: Hironobu Sato,Yoshihiro Naka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Conductor pattern forming method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09466485B2. Автор: Keita Torii. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Electrostatic chuck, glass substrate processing method, and said glass substrate

Номер патента: US09866151B2. Автор: Toshifumi Sugawara,Yoshiaki Tatsumi. Владелец: Creative Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Pattern forming method, electronic wiring substrate, and optical device

Номер патента: US09596758B2. Автор: Takeichi Tatsuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: EP4393607A1. Автор: Masayuki Nakanishi,Masayuki Satake. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20120160805A1. Автор: Mitsuo Suzuki,Kiyoshi Ehara. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Metal pattern forming method

Номер патента: US20230028779A1. Автор: Kenji Ichikawa,Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: EP4231785A1. Автор: Kiyoshi Maeda,Yasuhiko Saito,Atsutoshi Inokuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240274433A1. Автор: Takayuki Komiya,Tsuyoshi Tsunatori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240071772A1. Автор: Masanobu Honda,Shinya Ishikawa,Kenta Ono. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Substrate processing apparatus, mixing method, and substrate processing method

Номер патента: US12068175B2. Автор: Hiroshi Yoshida,Yoshinori Nishiwaki,Takao Inada,Jun Nonaka,Kouji Ogura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Substrate processing apparatus, substrate processing method and computer-readable medium storing program

Номер патента: US09859109B2. Автор: Hideaki Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US09768042B2. Автор: Ayumi Higuchi,Asuka WAKITA. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Pattern forming method, device, and device manufacturing method

Номер патента: US09455074B2. Автор: Nobuhiro Hayakawa,daisuke Uematsu,Yuri Saito,Kentarou Mori,Ryouma Nakayama. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Organic solvent supplying apparatus, substrate processing method, and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240203726A1. Автор: Ki Bong Kim,Yong Hyun Choi,Myung Seok Cha,Ju Yeon SONG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US12033864B2. Автор: Hiromi Miyashita,Rei Shoji. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Substrate-processing method and substrate-processing apparatus

Номер патента: US20240234162A9. Автор: Rui KANEMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Substrate processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210366721A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Masaru Izawa,Nobuya MIYOSHI,Kazunori Shinoda,Yutaka Kouzuma. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Substrate processing method and substrate processing system using the same

Номер патента: US20240239099A1. Автор: Sujin Kim,Junho Kim,Hyunmin Lee,Solmin PARK. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Pattern forming method, semiconductor device manufacturing apparatus and storage medium

Номер патента: US20090176374A1. Автор: Teruyuki Hayashi,Akitake Tamura,Kaoru Fujihara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220384151A1. Автор: Shinya Ishikawa,Sho Kumakura,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220251709A1. Автор: Takafumi Niwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240290609A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Takashi Sakuma,Yoshiyuki Hanada,Kunihiro Tada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: EP4418307A1. Автор: Keisuke Sakaguchi,Hiroshi Marumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US12065746B2. Автор: Masaki Inaba,Yasutoshi Okuno,Akihisa Iwasaki. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20110065288A1. Автор: Toru Harada,Masayoshi Minami. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2011-03-17.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220189779A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Yu Nunoshige. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20190206695A1. Автор: Kazuya Koyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: US20220068642A1. Автор: Yoshihisa Matsubara,Daisuke Suzuki,Koji Kagawa,Kenji Sekiguchi,Yoshihiro Takezawa,Syuhei YONEZAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230057538A1. Автор: Chul-Joo Hwang,Duck Ho Kim,Il Hyong CHO. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Metal pattern forming method

Номер патента: US20090087570A1. Автор: Seiichi Inoue,Yasuhiko Maeda,Ken Kawata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240304452A1. Автор: Hiroshi Marumoto,Tsunemoto OGATA,Suguen Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240355669A1. Автор: Yasutaka Mizomoto,Yohei Yamashita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US12125710B2. Автор: Sho Kumakura,Yusuke Takino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20240331998A1. Автор: Susumu Hayakawa,Tomohiro Kaneko,Kazuya IKEUE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US12054824B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Kiyotaka Horikawa,Junichiro Matsunaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US12051571B2. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Syuji Nozawa,Kazuya Ichiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Substrate processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: EP4428898A2. Автор: Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Substrate processing method and method of manufacturing substrate for liquid discharge head including forming hole in substrate by dry etching

Номер патента: US09676193B2. Автор: Masataka Kato,Hiroshi Higuchi,Toshiyasu Sakai,Masaya Uyama,Seiko Minami,Yoshinao Ogata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240379377A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Hideaki Yamasaki,Shinya Okabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220285166A1. Автор: Takumi Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240242972A1. Автор: Kei Suzuki,Masaki Inaba. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: US20240096652A1. Автор: Kaori Umezawa,Kosuke TAKAI,Mana TANABE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Package substrate processing method and protective tape

Номер патента: US20190109094A1. Автор: Youngsuk Kim,Byeongdeck Jang. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20180195178A1. Автор: Masayuki Otsuji. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US12054828B2. Автор: Kohei Fukushima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US12094732B2. Автор: Takashi Katayama,Keisuke Miyajima,Keiji Magara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20240355647A1. Автор: Takashi Uno,Naoyuki Okamura,Keisuke Sakaguchi,Katsufumi Matsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US09865452B2. Автор: Keisuke Egashira,Kouzou Tachibana,Kotaro Oishi,Hideaki Udou. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US09595433B2. Автор: Hiroaki Takahashi. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Hole pattern forming method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20090093120A1. Автор: Toshiyuki Hirota. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-09.

Test pattern forming method, transport adjusting method, and image forming apparatus

Номер патента: US20120081450A1. Автор: Takeshi Yoshida,Masahiko Yoshida,Tatsuya Nakano,Michiaki Tokunaga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210090893A1. Автор: Tsubasa IMAMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11996295B2. Автор: Hironobu Sato,Yoshihiro Naka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Pattern forming method and plasma processing method

Номер патента: EP4369381A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Yoshiaki Shoji,Shin Oowada,Takanori Fukushima,Ryuichi Asako,Takashi Kajitani,Hibiki OGIWARA. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2024-05-15.

Pattern forming method and manufacturing method of solar battery

Номер патента: US20130309807A1. Автор: Shiro Sekino,Yoshinobu Hirokado. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230101475A1. Автор: Hiroki Tajiri,Masayuki ORISAKA,Takashi Izuta. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Substrate processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20060289431A1. Автор: Shinichi Ito,Tsuyoshi Shibata,Kei Hayasaki,Koutarou Sho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230085449A1. Автор: Takafumi Niwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230207376A1. Автор: Kiyoshi Mori,Haruhiko Furuya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US8034720B2. Автор: Eiichi Nishimura,Jun Yamawaku,Chie Kato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-10-11.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: US11764055B2. Автор: Nobuyuki Shibayama,Hiromichi KABA,Toru EDO. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Substrate processing method and ionic liquid

Номер патента: US20230226571A1. Автор: Mitsuaki Iwashita,Takeo Nakano,Hirokazu Ueda,Ryuichi Asako,Naoki UMESHITA,Kenichi UKI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20240307925A1. Автор: Osamu Miyahara,Yoshitomo Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US09970109B2. Автор: Jun Yoshikawa,Motoshi Fukudome. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US09953840B2. Автор: Mitsunori Nakamori,Hiromi Kiyose,Kazuyuki Mitsuoka,Hiroshi Marumoto,Hisashi Kawano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20180197748A1. Автор: Kazuaki Nishimura,Koji Takeya,Jun Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor substrate processing method

Номер патента: US20010012649A1. Автор: Yasuo Yamaguchi,Toshiaki Iwamatsu,Yasuhiro Kimura,Yuuichi Hirano,Hideki Naruoka,Yoshiko Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Semiconductor substrate processing method

Номер патента: US20030148595A1. Автор: Yasuo Yamaguchi,Toshiaki Iwamatsu,Yasuhiro Kimura,Yuuichi Hirano,Hideki Naruoka,Yoshiko Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US09929008B2. Автор: Yu Sasaki,Kosuke Takahashi,Masahiko Kaminishi,Yu WAMURA,Fumiaki Hayase. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Pattern forming method for quartz surface and pattern forming device for quartz surface

Номер патента: CA3001392A1. Автор: Paul Lee,Jin Seok Kwak,Ju Yeon Won,Suk Whan Ko,Joong Heon Lee,Jung Sang Lee,Yang Won Yun,Chung Man Kim. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2019-05-15.

Pattern forming method

Номер патента: US11776817B2. Автор: Shota ISHIBASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Pattern forming method

Номер патента: US20140199852A1. Автор: Masahiro Kimura,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-17.

Pattern forming method, self-organization material, and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180076019A1. Автор: Seiji Morita,Masahiro Kanno,Yusuke KASAHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Surface pattern forming method for aluminium product

Номер патента: US11913122B2. Автор: Jinju Kim,Kyunghwan Lee,Jiyoung Song,Kwangjoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Pattern forming method

Номер патента: US11800648B2. Автор: Hideki Hoshino,Masayoshi Yamauchi,Hidenobu Ohya,Masayuki Ushiku,Ryo AOYAMA,Takenori Omata,Naoto NIIZUMA,Kazuho URAYAMA. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2023-10-24.

Pattern forming method

Номер патента: EP3758456A1. Автор: Hideki Hoshino,Masayoshi Yamauchi,Hidenobu Ohya,Masayuki Ushiku,Ryo AOYAMA,Takenori Omata,Naoto NIIZUMA,Kazuho URAYAMA. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2020-12-30.

Surface pattern forming method for aluminium product

Номер патента: US20210164111A1. Автор: Jinju Kim,Kyunghwan Lee,Jiyoung Song,Kwangjoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Pattern forming method

Номер патента: US20200294796A1. Автор: Tsukasa Azuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Pattern forming method

Номер патента: US10950439B2. Автор: Tsukasa Azuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20070224811A1. Автор: Haruko Ono,Daisuke Takagi,Xinming Wang,Tomoatsu Ishibashi,Akira Owatari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Substrate processing method and apparatus

Номер патента: US5664927A. Автор: Mitsuo Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-09-09.

Pattern-bearing sheet for use in simultaneous injection-molding and pattern-forming method

Номер патента: US5843555A. Автор: Kazuhisa Kobayashi,Hiroyuki Atake. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1998-12-01.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US10730059B2. Автор: Kenji Kobayashi. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-04.

Substrate processing method and apparatus

Номер патента: US7735451B2. Автор: Takahiro Ogawa,Masahiko Sekimoto,Seiji Katsuoka,Mitsuru Miyazaki,Kenichi Kobayashi,Toshio Yokoyama,Teruyuki Watanabe,Yasuyuki Motojima. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Pattern forming method

Номер патента: EP1143506A3. Автор: Hiromu Ishii,Katsuyuki Machida,Kunio Saito,Tadao Nagatsuma,Shouji Yagi,Hakaru Kyuragi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2004-02-25.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20230094053A1. Автор: Osamu Yokoyama,Takashi Sakuma,Masahisa Watanabe,Kwangpyo CHOI,Mayuko Nakamura,Yuichiro WAGATSUMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11935736B2. Автор: Mitsunori Nakamori,Rintaro Higuchi,Tsunemoto OGATA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230352328A1. Автор: Takashi Uno,Yoshinori Ikeda,Shigeru Moriyama,Ryo Yamamoto,Shota Umezaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: US11897009B2. Автор: Hiroaki Kitagawa,Yuta Sasaki,Yosuke Hanawa,Dai Ueda. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Substrate processing method, component processing method, and substrate processing apparatus

Номер патента: US11798793B2. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida,Koki MUKAIYAMA,Yusuke WAKO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11742232B2. Автор: Takashi Uno,Yoshinori Ikeda,Shigeru Moriyama,Ryo Yamamoto,Shota Umezaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210138512A1. Автор: Hiroaki Takahashi,Yuya Akanishi. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11732357B2. Автор: Shinji Kawasaki,Mitsuhiro Okada,Yasushi Fujii,Tsuyoshi Takahashi,Toshio Takagi,Yu Nunoshige,Hirotaka Kuwada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210296090A1. Автор: Satoru Nakamura,Shinya Morikita,Fumiya TANIFUJI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Substrate processing method and device manufactured by using the same

Номер патента: US11908733B2. Автор: Yoon Ki Min. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-20.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220238348A1. Автор: Hiromi Miyashita,Rei Shoji. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Pattern forming method

Номер патента: US20120148959A1. Автор: Sang-Hee Lee,Jin Choi,Byung-gook Kim,Hee-Bom Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-14.

Substrate processing method and substrate processing apparatus using the same

Номер патента: US20230260754A1. Автор: Yonggyu Han,DaeYoun Kim,KiChul Um,DooHan Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-17.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11961746B2. Автор: Yoshihide Kihara,Sho Kumakura,Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230377953A1. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11869777B2. Автор: Masatoshi Kasahara,Fumihiro Kamimura,Ikuo Sunaka,Teruomi Minami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220076968A1. Автор: Hiroshi Marumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220344128A1. Автор: Akira Hidaka,Shinya Morikita,Shu Kino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20220139682A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Syuji Nozawa,Kazuya Ichiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: US20240006161A1. Автор: Youngmin Kim,KiKang Kim,Hakjoo Lee,Haein Kim,YongWoong Jeong. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-04.

Substrate processing method and method for manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US20110300648A1. Автор: Seiko Minami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-12-08.

Substrate processing method and device manufactured by the same

Номер патента: US20210035988A1. Автор: Yong Min Yoo,Yoon Ki Min,Tae Hee YOO. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-02-04.

Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus

Номер патента: US20200299840A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Syuji Nozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220230893A1. Автор: Fumihiro Kamimura,Teruomi Minami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: US20200303207A1. Автор: Ayumi Higuchi,Yuya Akanishi. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Pattern forming method, film structure, electro-optical apparatus, and electronic device

Номер патента: US20050106775A1. Автор: Hironori Hasei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Pattern forming method

Номер патента: US20140094034A1. Автор: Kenichi Oyama,Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230335409A1. Автор: Takashi Enomoto,Yuya MINOURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Pattern forming method

Номер патента: US20120249664A1. Автор: Yuya Haneda,Ryoichi Nozawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-10-04.

Substrate processing method and template

Номер патента: US20160108538A1. Автор: Toshiyuki Matsumoto,Haruo Iwatsu,Tomohisa Hoshino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Substrate processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240071728A1. Автор: Shota Yoshimura,Takanori BANSE,Hsinkai WANG. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11404292B2. Автор: Hiroshi Abe,Shuichi Yasuda,Hitoshi Nakai,Yukifumi Yoshida,Manabu Okutani,Yasunori KANEMATSU. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230386787A1. Автор: Kiyoshi Maeda,Yasuhiko Saito,Atsutoshi Inokuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Pattern forming device and pattern forming method

Номер патента: US20240141278A1. Автор: Takahiro Oba,Yusuke Kasai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230323538A1. Автор: Yusuke Kikuchi,Masato Shinada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Substrate processing method and method for manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US8361815B2. Автор: Seiko Minami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20180158698A1. Автор: Hiroki Tsujikawa,Kazuhiro Fujita,Atsuyasu Miura,Akihiko TAKI,Yuya TSUCHIHASHI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Substrate processing apparatus, substrate processing method, and chemical liquid

Номер патента: US20230041889A1. Автор: Hitoshi Kosugi,Tetsuya SAKAZAKI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US10672627B2. Автор: Sadamu Fujii,Taiki HINODE,Nobuyuki Shibayama. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-02.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240047194A1. Автор: Kenichi KOTE,Takafumi Nogami,Kazui KOBAYASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230420225A1. Автор: Shuhei Ogawa,Cedric THOMAS,Tejung HUANG. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Substrate processing apparatus, substrate processing method, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240105457A1. Автор: Woo Rim LEE,Myoung Jae Seo,Sung Gil Kang,In Hye Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240047220A1. Автор: Masanobu Honda,Tetsuya Nishizuka,Shinya Ishikawa,Kenta Ono. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230349036A1. Автор: Naoki Takahashi,Masato Shinada,Junichi Takei. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240173753A1. Автор: Noritake SUMI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220310361A1. Автор: Tsukasa Hirayama,Taku GOHIRA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240096654A1. Автор: Masatoshi Kasahara,Fumihiro Kamimura,Ikuo Sunaka,Teruomi Minami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Substrate-processing method and substrate-processing apparatus

Номер патента: US20240136198A1. Автор: Rui KANEMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220380892A1. Автор: Nobuhiro Takahashi,Kiyotaka Horikawa,Junichiro Matsunaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Substrate processing method, component processing method, and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240006168A1. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida,Koki MUKAIYAMA,Yusuke WAKO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Substrate processing method and recording medium

Номер патента: US20170250086A1. Автор: Takashi Kobayashi,Satoshi Wakabayashi,Osamu Yokoyama,Takashi Sakuma,Tomonari URANO,Kyohei Noguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230386794A1. Автор: Satoru Nakamura,Shinya Morikita,Fumiya TANIFUJI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Substrate processing method and template

Номер патента: US20140311530A1. Автор: Kazuo Sakamoto,Takayuki Toshima,Haruo Iwatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Substrate processing method and recording medium

Номер патента: US10242878B2. Автор: Takashi Kobayashi,Satoshi Wakabayashi,Osamu Yokoyama,Takashi Sakuma,Tomonari URANO,Kyohei Noguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: EP4368749A1. Автор: Sho Kumakura,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11862483B2. Автор: Hiroshi Marumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Pattern forming device and pattern forming method

Номер патента: EP4365276A1. Автор: Takahiro Oba,Yusuke Kasai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230395368A1. Автор: Kazumasa Igarashi,Yuki Tanaka,Jun Ogawa,Yamato Tonegawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20230392262A1. Автор: Tae-Kwang Kim. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: US20220333249A1. Автор: Munehito Kagaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US11996296B2. Автор: Hiroki Murakami,Kenji Ouchi,Maju TOMURA,Munehito Kagaya,Ryutaro Suda,Kae KUMAGAI,Shuichiro SAKAI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US12009217B2. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Yu Nunoshige. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240082956A1. Автор: Susumu Hayakawa,Yasutaka Mizomoto,Yohei Yamashita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20080099440A1. Автор: Daisuke Hayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20130256267A1. Автор: Akio Hashizume,Takashi Ota,Yuya Akanishi. Владелец: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Substrate processing apparatus, mixing method, and substrate processing method

Номер патента: US20220139734A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Yoshinori Nishiwaki,Takao Inada,Jun Nonaka,Kouji Ogura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11993841B2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Takashi Sakuma,Masato Araki,Kohichi Satoh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Pattern forming method, semiconductor device manufacturing apparatus and storage medium

Номер патента: US8008211B2. Автор: Teruyuki Hayashi,Akitake Tamura,Kaoru Fujihara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240128092A1. Автор: Sho Kumakura,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: EP4207246A1. Автор: Masayuki Nakanishi,Masayuki Satake,Michiyoshi Yamashita. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2023-07-05.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230326757A1. Автор: Masayuki Nakanishi,Masayuki Satake,Michiyoshi Yamashita. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: US20240203709A1. Автор: Dong Hwan Choi,Kwang su PARK,Kyung Ran PARK,Won Uk CHAE,Cheol Young Choi. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: US10886133B2. Автор: Daisuke Shimizu,Masayuki Otsuji,Shota IWAHATA. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-05.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US7767472B2. Автор: Hiroyuki Yano,Atsushi Shigeta,Kenya Ito,Gen Toyota,Kenji Yamaguchi,Kunio Oishi,Masayuki Nakanishi. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2010-08-03.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240044006A1. Автор: Hiroki ARAI,Tadashi MITSUNARI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240087900A1. Автор: Yohei Yamashita,Hayato TANOUE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240035141A1. Автор: Takayoshi Tanaka,Teppei Nakano,Shota IWAHATA,Hiroyuki Yashiki. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Substrate processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240071727A1. Автор: Takuma Sato,Shota Yoshimura,Motoki NORO,Hsinkai WANG,Kota Oikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium

Номер патента: US11731229B2. Автор: Osamu Miyahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240038544A1. Автор: Hikaru KAWARAZAKI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11769661B2. Автор: Kazuyoshi Shinohara,Hirofumi Takeguchi,Takahisa OTSUKA,Suguen Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11881403B2. Автор: Ayumi Higuchi,Yuya Akanishi. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230420294A1. Автор: Takashi Matsumoto,Makoto Wada,Ryota IFUKU,Nobutake KABUKI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Substrate processing method and selective deposition method using the same

Номер патента: US20230323528A1. Автор: Woohee Kim,Jeongmin Lee,Jihun Lee,SungWoong CHUNG,Junghun KAWK,Seohyun Lee. Владелец: Sk Specialty Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230326762A1. Автор: Masami Oikawa,Yuya Takamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230386855A1. Автор: Koji Kagawa,Koukichi Hiroshiro. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210159089A1. Автор: Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Substrate processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220285169A1. Автор: Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20200194286A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Takahiro Kawazu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11769663B2. Автор: Masahiko Kato,Hiroaki Takahashi,Yuta Sasaki,Yu Yamaguchi,Masayuki Otsuji. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20190091736A1. Автор: Hiroshi Abe,Hiroaki Takahashi,Hitoshi Nakai,Yuta Sasaki,Masayuki Otsuji,Chikara MAEDA,Manabu Okutani. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11872605B2. Автор: Yukifumi Yoshida,Katsuya Akiyama. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210202262A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Daisuke Nishide. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240120183A1. Автор: Takashi Matsumoto,Makoto Wada,Hiroki Yamada,Ryota IFUKU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Substrate processing system, substrate processing method and computer-readable recording medium

Номер патента: US11858092B2. Автор: Takahiro Sakamoto,Munehisa Kodama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20080003365A1. Автор: Eiichi Nishimura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Substrate processing method and method for removing boron-doped silicon

Номер патента: US20190157093A1. Автор: Reiko SASAHARA,Teppei Okumura,Tsuhung HUANG. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11958087B2. Автор: Kei Suzuki,Masaki Inaba. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Substrate processing method

Номер патента: US20240030022A1. Автор: Ji Hoon Kim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US11955337B2. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Toru Hisamatsu,Shinya Ishikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus

Номер патента: US20090020408A1. Автор: Tsukasa Yashima,Hiroshi Ekko,Shigeki Nogami. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-01-22.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11948804B2. Автор: Takumi Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20240173742A1. Автор: Takayuki Matsukawa,Takahito NAKASHOYA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20170316947A1. Автор: Shuji Moriya,Masahiko Tomita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230096299A1. Автор: Masami Oikawa,Yuya Takamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240170275A1. Автор: Noritake SUMI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20240162054A1. Автор: Noritake SUMI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Substrate processing method and storage medium

Номер патента: US20190043739A1. Автор: Hiroyuki Suzuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20200411309A1. Автор: Masahiko Kato,Hiroaki Takahashi,Yuta Sasaki,Yu Yamaguchi,Masayuki Otsuji. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230113052A1. Автор: Yukifumi Yoshida,Katsuya Akiyama. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210299712A1. Автор: Yukifumi Yoshida,Katsuya Akiyama. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20190228992A1. Автор: Masami Oikawa,Keisuke Fujita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: US20230411146A1. Автор: Hiroki Murakami,Masanobu Igeta. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11908680B2. Автор: Akira Fujita,Hiroki Aso,Kyosei GOTO,Daisuke Saiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230395371A1. Автор: Kazumasa Igarashi,Yuki Tanaka,Jun Ogawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20200335356A1. Автор: Shinichiro Shimomura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240153756A1. Автор: Akira Fujita,Hiroki Aso,Kyosei GOTO,Daisuke Saiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20230230855A1. Автор: Mitsuaki Iwashita,Takeo Nakano,Hirokazu Ueda,Ryuichi Asako,Naoki UMESHITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220359218A1. Автор: Shoichiro Hidaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210134600A1. Автор: Shoichiro Hidaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Substrate processing method and ionic liquid

Номер патента: US12011738B2. Автор: Mitsuaki Iwashita,Takeo Nakano,Hirokazu Ueda,Ryuichi Asako,Naoki UMESHITA,Kenichi UKI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US12020943B2. Автор: Atsushi Yamashita,Koji Kagawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Substrate processing method and apparatus

Номер патента: US12027353B2. Автор: Hiroyuki Iwashita,Hiroyuki Toshima,Tatsuo HIRASAWA,Shota ISHIBASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240216960A1. Автор: Kei Suzuki,Masaki Inaba. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240222157A1. Автор: Koji Kagawa,Kenji Sekiguchi,Song Yun Kang,Toshitake Tsuda,Syuhei YONEZAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240234160A1. Автор: Keiji Magara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20200211857A1. Автор: Ryuichi Asako. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Substrate processing method, numbering unit for implementation of typographical numbering and numbering machine with use of it

Номер патента: RU2449893C2. Автор: Йоханнес Георг ШЕДЕ. Владелец: КБА-НотаСис СА. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor substrate processing method

Номер патента: MY194179A. Автор: Hirata Kazuya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Substrate processing method

Номер патента: US10748779B2. Автор: Hiroaki Mochizuki,Shinobu Kinoshita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

Substrate processing method

Номер патента: EP1770765A2. Автор: Yasushi Fujii,Takayuki Toshima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-04-04.

Resin package substrate processing method

Номер патента: US10460991B2. Автор: Yuri Ban. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2019-10-29.

Substrate processing method

Номер патента: US9371225B2. Автор: Toshiyasu Sakai,Seiko Minami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Substrate processing method

Номер патента: US20230395370A1. Автор: Seunghyun Lee. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-07.

Substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20230335398A1. Автор: Tsuyoshi Takeda,Yuki Taira,Masaru Kadoshima. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240066564A1. Автор: Young Jin Kim,Do Hyung Kim,Dae Hun Kim,Young Joon Han,Tae Ho Kang,Eun Hyeok CHOI,Jun Gwon Lee. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Substrate processing method

Номер патента: US20230298930A1. Автор: SeungJu Chun,Changwan Lee. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-21.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240006166A1. Автор: Minyoung Kim,Hanglim Lee. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Substrate processing device and substrate processing method

Номер патента: US11837445B2. Автор: Chul-Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Substrate processing device and substrate processing method

Номер патента: US20240055233A1. Автор: Chul-Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Substrate processing method

Номер патента: US20180122641A1. Автор: Masato Hamada,Keiichi Fujita,Tomohisa Hoshino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Substrate processing method

Номер патента: US20230323534A1. Автор: YoonKi Min,HakJoon Lee,Kyungeun LEE,Harim Kim,Doohyun LA,Zhenyu Jin. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-12.

Package substrate processing method

Номер патента: US11101151B2. Автор: Kenji Takenouchi,Naoko Yamamoto,Chisato Yamada,Mitsutane KOKUBU. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Substrate processing system and substrate processing method

Номер патента: US20180019441A1. Автор: Beom Jun KIM,Il Ho Noh,Seung Duk Bang,Soo Ho Oh,Sin Pyoung Kim. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Substrate processing method

Номер патента: US20200194257A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Toru Hisamatsu,Shinya Ishikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20150179408A1. Автор: Naotaka Noro,Kouji Shimomura,Eiichi Nishimura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Substrate processing method

Номер патента: EP4343819A1. Автор: Tomohiro Takahashi. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Substrate processing method, non-transitory computer-readable recording medium, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230335404A1. Автор: Arito Ogawa,Atsuro Seino. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Substrate processing method

Номер патента: US11875998B2. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Substrate processing method

Номер патента: US20230343551A1. Автор: Shinya Yamada. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-26.

Substrate processing method

Номер патента: EP4287245A2. Автор: Song Zhang,Shuichi Yasuda,Tatsuro Nagahara,Yukifumi Yoshida,Takafumi KINUTA,Manabu Okutani,Yasunori KANEMATSU,Dai Ueda. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Substrate processing apparatus and substrate processing method using same

Номер патента: US20140020832A1. Автор: Jun Abe,Takeshi Ohse,Norikazu Yamada,Shinji Himori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Substrate processing method

Номер патента: EP4287245A3. Автор: Song Zhang,Shuichi Yasuda,Tatsuro Nagahara,Yukifumi Yoshida,Takafumi KINUTA,Manabu Okutani,Yasunori KANEMATSU,Dai Ueda. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20190228989A1. Автор: Masayuki Hayashi,Takashi Ota,Rei Takeaki. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same

Номер патента: EP4340549A1. Автор: Hyungsik KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-20.

Substrate processing method

Номер патента: US20240079248A1. Автор: Do-Hyun Kim,Yu-Ri Park,Bong-Soo KWON,Se-Chan KIM. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Substrate processing method, modification device and substrate processing system

Номер патента: US20210242027A1. Автор: Takayuki Ishii,Norifumi Kohama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Substrate processing method

Номер патента: US11410834B2. Автор: Keiichi Tanaka,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Substrate processing method of forming a plating film in a recess

Номер патента: US11781215B2. Автор: Masatoshi Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240055277A1. Автор: Masayuki ORISAKA,Noritake SUMI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20230343609A1. Автор: Min Su Kim,Sang Jun Park,Ju Hwan Park,Byung Chul Cho,Kwang Seon JIN. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Substrate processing method

Номер патента: US20240071748A1. Автор: Sungha CHOI,Kihun KIM,HongSuk Kim,Jihye YANG,SangHeon Yong,JuHyuk Park. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Substrate processing method

Номер патента: US11742211B2. Автор: Takahiro Kimura,Kenji Nakanishi,Akira Horikoshi,Yayoi TAKEICHI,Miyoshi Ueno,Shigeru Takatsuji,Takaaki Yanagida. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20190096711A1. Автор: Yoshinori Nishiwaki,Hideaki Sato,Takao Inada,Hiroki Ohno,Hisashi Kawano,Takahiko Otsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same

Номер патента: US20240096637A1. Автор: Hyungsik KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Substrate processing method

Номер патента: US20240162034A1. Автор: Noritake SUMI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Substrate processing method, method for manufacturing semiconducor device, and plasma processing apparatus

Номер патента: US11955316B2. Автор: Takayuki Katsunuma,Daisuke Nishide. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Substrate processing method, program, control apparatus, film forming apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US20140335693A1. Автор: Yuichi Takenaga,Syuji Nozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Gate valve, substrate processing apparatus, and substrate processing method

Номер патента: US20240068090A1. Автор: Yukio Ohizumi,Yoshifumi HOSHINO,Kaito SUZUKI. Владелец: Kitz SCT Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Plasma baffle, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method using the same

Номер патента: US20230245864A1. Автор: Hakyoung Kim,Chulwoo PARK,Dowon Kim,Youngjin Noh,Jisoo Im,Minyoung HUR. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Substrate processing method

Номер патента: US20170162367A1. Автор: Akihiro Yokota,Shinji Himori,Etsuji Ito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240173752A1. Автор: Junhee Choi,Yong Jun Kim,Tae-keun KIM,Kyeong Min Lee,Kang Sul KIM. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device, non-transitory computer-readable recording medium and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240093370A1. Автор: Masahiro Takahashi,Atsushi Moriya,Hideki Horita. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Substrate processing method

Номер патента: US20210193472A1. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Ultrapure water supply apparatus, substrate processing system including the same, and substrate processing method using the same

Номер патента: US20230302502A1. Автор: Jiyeon Lee,Seyoon KIM,Cheolmin SHIN,Jongha Yun,Juhui PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Package substrate processing method

Номер патента: MY192105A. Автор: Yamamoto Naoko,TAKENOUCHI Kenji,KOKUBU Mitsutane,YAMADA Chisato. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Package substrate processing method

Номер патента: US20200058525A1. Автор: Kenji Takenouchi,Naoko Yamamoto,Chisato Yamada,Mitsutane KOKUBU. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Substrate processing method

Номер патента: US20150308010A1. Автор: Ryuya KOIZUMI. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device, non-transitory computer-readable recording medium and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240105446A1. Автор: Takaaki Noda. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Substrate processing method

Номер патента: US11069520B2. Автор: Hiroyuki Suzuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-20.

Substrate processing method

Номер патента: US20240145236A1. Автор: Hyunchul Kim,Ryu Nakano,Kihun KIM,Rin Ha. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-02.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20210098279A1. Автор: Katsuhiro Yamazaki,Emi Matsui,Yoshikazu Ohtani,Kyouhei TOMIOKA,Shunya KUBOTA. Владелец: Shin Etsu Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240128307A1. Автор: Koji Kagawa,Mitsunori Nakamori,Kenji Sekiguchi,Hajime Nakabayashi,Rintaro Higuchi,Syuhei YONEZAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Substrate processing method

Номер патента: US20210280394A1. Автор: Keiichi Tanaka,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240173738A1. Автор: Junhee Choi,Yong Jun Kim,Tae-keun KIM,Kyeong Min Lee,Kang Sul KIM. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Substrate processing method

Номер патента: US20240162046A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Substrate processing method

Номер патента: US20230323533A1. Автор: Byoung Ha Cho,Ji Hyun Cho,Hong Min Yoon,Jae Sung Roh,Cheong SON,Se Whan JIN,Hong Soo YOON,Youn Joo JANG. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Package substrate processing method

Номер патента: US20220336232A1. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240213046A1. Автор: Teruhiko Kodama,Yasushi Takiguchi,Nobuhiko MOURI,Takanori Obaru. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Substrate processing method

Номер патента: US20200176265A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Toru Hisamatsu,Shinya Ishikawa,Sho Kumakura,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Substrate processing method

Номер патента: US12020934B2. Автор: Seungwoo Choi,Hyunchul Kim,Seunghyun Lee,YeaHyun Gu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-25.

Substrate processing method, recording medium and substrate processing apparatus

Номер патента: US20190355574A1. Автор: Itaru Kanno,Satoru Tanaka,Gentaro Goshi,Hiromi Kiyose,Kenji Sekiguchi,Takuro Masuzumi,Teruomi Minami,Naohiko Hamamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Substrate processing method

Номер патента: US12027371B2. Автор: Kyung Park,Chang Hun Kim,Dae Seong LEE,Won Jun JANG,Joo Suop Kim,Ah Young HWANG,Sang Rok NAM,Hae Jin AHN. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Electrostatic chuck, vacuum processing apparatus, and substrate processing method

Номер патента: US12014946B2. Автор: Genji Sakata,Hidekazu Yokoo. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Silicon carbide substrate or substrate processing method

Номер патента: US20240055487A1. Автор: Tien-Hsi Lee,Wei-Chi Huang,Yu-Tang Lin,Jun-Huang Wu,Yu-Sheng Chiou,Shu-Cheng Li. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-02-15.

Silicon substrate processing method, element embedded substrate, and channel forming substrate

Номер патента: US20140217066A1. Автор: Kazuhiro Gomi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Substrate processing method

Номер патента: US20100048026A1. Автор: Takashi Sone,Ellchl Nishimura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Substrate processing method

Номер патента: US20240150890A1. Автор: Atsuki Fukazawa,Hiroki Maehara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Substrate processing method

Номер патента: US20110237083A1. Автор: Akira Nakagawa,Yoshinobu Hayakawa,Yusuke Okazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Substrate processing apparatus including nozzle unit and substrate processing method

Номер патента: US20240091819A1. Автор: Hyeon Jun Lee,So Young PARK,Ju Hwan Lee,Myung A Jeon. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Substrate processing method

Номер патента: US20230335399A1. Автор: Sungha CHOI,Kihun KIM,HongSuk Kim,SangHeon Yong,JuHyuk Park. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-19.

Substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20230091850A1. Автор: Yuji Takebayashi,Shota Tanaka,Yusaku OKAJIMA,Hiroki HATTA. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Substrate processing device and substrate processing method

Номер патента: EP4404242A1. Автор: Masayuki Nakanishi,Masayuki Satake,Yuta Mitsuki. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Substrate processing method

Номер патента: US20240258102A1. Автор: Sungha CHOI,Kihun KIM,HongSuk Kim,Jihye YANG,SangHeon Yong,JuHyuk Park. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-01.

Substrate processing method

Номер патента: US20240258101A1. Автор: Sungha CHOI,Kihun KIM,HongSuk Kim,Jihye YANG,SangHeon Yong,JuHyuk Park. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-01.

Substrate processing method

Номер патента: US11264236B2. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Toru Hisamatsu,Shinya Ishikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Substrate processing method

Номер патента: SG177250A1. Автор: Shinya Nakamura,Yoshinori Fujii,Hideto Nagashima. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2012-02-28.

Substrate processing method

Номер патента: US20180134607A1. Автор: Yasushi Ito,Kenichi Ichikawa,Kaori TATEISHI. Владелец: Via Mechanics Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Focus ring, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method using the same

Номер патента: US20230143327A1. Автор: Sang Ki Nam,Kyung-Sun Kim,Kangmin JEON,Nam Kyun Kim,Kuihyun YOON,Seunghan BAEK,Dongseok Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Package substrate processing method

Номер патента: US12080564B2. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Substrate processing method

Номер патента: US20180061631A1. Автор: Sadamu Fujii,Rei Takeaki,Taiki HINODE. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Substrate processing method

Номер патента: US20230326740A1. Автор: Minjung Kim,HyungSuk MOON,Seungkoo Shin,Sanghwang Park,Hyejoo Yoon. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2023-10-12.

Substrate processing method

Номер патента: US20230235457A1. Автор: Ji Hyun Cho,Hong Min Yoon,Jae Sung Roh,Chul Joo Hwang,Cheong SON,Se Whan JIN,Hong Soo YOON,Youn Joo JANG. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Qfn substrate processing method

Номер патента: MY147723A. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Substrate processing method

Номер патента: US20070004057A1. Автор: Toshio Kaneko,Toru Nishiwaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-04.

Substrate processing method

Номер патента: US20240254619A1. Автор: SeungJu Chun. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-01.

Substrate processing method

Номер патента: US20240250064A1. Автор: Yoshihisa Matsubara,Yoshihiro Tsutsumi,Yohei Yamashita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Substrate processing method

Номер патента: US20240234189A1. Автор: Tomohiro Takahashi. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Substrate processing device, polishing device, and substrate processing method

Номер патента: US20240139782A1. Автор: Kohei Sato,Hiroki Takahashi,Koichi Fukaya,Daichi Kondo. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Substrate processing method

Номер патента: US12100578B2. Автор: Sho Kumakura,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Substrate processing device and substrate processing method

Номер патента: US12106941B2. Автор: Chul-Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: EP4456119A1. Автор: Ju Young Park,So Jin Jeong,Seong Min Nam,Da In Kim. Владелец: PSK Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Substrate processing method

Номер патента: US09956594B2. Автор: Atsuyasu Miura,Naoki Sawazaki. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Substrate processing method

Номер патента: US09937602B2. Автор: Yukiteru Matsui,Masako Kodera,Yosuke Otsuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US09870914B2. Автор: Yuki Yoshida,Koji Kagawa,Meitoku Aibara,Hisashi Kawano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US09815093B2. Автор: Takayoshi Tanaka. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Substrate processing method

Номер патента: US20240376625A1. Автор: HUI Wang,Jian Wang,Zhaowei Jia,Meng Wu,Chenhua LU,Quan Cao. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Substrate processing device and substrate processing method

Номер патента: US09607867B2. Автор: Yuji Kajihara. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Substrate processing apparatus and substrate processing method using same

Номер патента: US09564287B2. Автор: Jun Abe,Takeshi Ohse,Norikazu Yamada,Shinji Himori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Substrate processing method, non-transitory storage medium and heating apparatus

Номер патента: US09558960B2. Автор: Takahiro Shiozawa,Kenichi Ueda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Substrate processing method

Номер патента: US09543162B2. Автор: Takashi Ota,Kazuhide Saito,Taiki HINODE. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method and apparatus of fabricating liquid crystal display device

Номер патента: US20070004108A1. Автор: Oh Kwon,Soon Yoo,Seung Nam,Heung Cho. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, resist pattern forming method, circuit pattern forming method, and purification method

Номер патента: US20180208703A1. Автор: Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima,Kana Okada,Junya Horiuchi. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Film forming material, film forming composition for lithography, optical component forming material, resist composition, resist pattern forming method, permanent film for resist, radiation sensitive composition, method for producing amorphous film, lower layer film forming material for lithography , Composition for forming lower layer film for lithography, method for producing lower layer film for lithography, and method for forming circuit pattern

Номер патента: JPWO2019004142A1. Автор: 三樹　泰,泰 三樹,越後　雅敏,雅敏 越後. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Film-forming material, film-forming composition for lithography, optical component-forming material, resist composition, resist pattern forming method, permanent film for resist, radiation-sensitive composition, method for producing amorphous film, underlayer film-forming material for lithography , a composition for forming an underlayer film for lithography, a method for producing an underlayer film for lithography, and a method for forming a circuit pattern

Номер патента: JP7252516B2. Автор: 泰 三樹,雅敏 越後. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Replacement end time determination method, substrate processing method, and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240255404A1. Автор: Noritake SUMI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

COMPOUND, RESIN, MATERIAL FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, RESIST PATTERN FORMING METHOD, CIRCUIT PATTERN FORMING METHOD, AND PURIFICATION METHOD

Номер патента: US20180208703A1. Автор: ECHIGO Masatoshi,MAKINOSHIMA Takashi,OKADA Kana,HORIUCHI Junya. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Resist cover film forming material, resist pattern forming method, and electronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8198014B2. Автор: Takahisa Namiki,Koji Nozaki,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-06-12.

Compound, resin, composition, resist pattern forming method, and circuit pattern forming method

Номер патента: JPWO2018101377A1. Автор: 雅敏 越後. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Compounds, resins, compositions, resist pattern forming methods, circuit pattern forming methods and resin purification methods

Номер патента: JPWO2019151400A1. Автор: 越後　雅敏,雅敏 越後,高史 牧野嶋,牧野嶋　高史,淳矢 堀内. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Fume determination method, substrate processing method, and substrate processing equipment

Номер патента: US20190172737A1. Автор: Masayuki Hayashi,Toru Endo,Yuji Okita,Hiroaki Kakuma,Hideji NAOHARA,Nobuyuki Shibayama,Tatsuya Masui. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Compounds, resins, compositions, resist pattern forming methods and circuit pattern forming methods

Номер патента: JP7069529B2. Автор: 雅敏 越後. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Compound, resin, composition, resist pattern forming method and circuit pattern forming method

Номер патента: JP7283515B2. Автор: 雅敏 越後. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Compound, resin, composition, resist pattern forming method and circuit pattern forming method

Номер патента: JPWO2018016640A1. Автор: 越後　雅敏,雅敏 越後. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Temperature measuring method, substrate processing system and component to be provided in substrate processing apparatus of the substrate processing system

Номер патента: US09952032B2. Автор: Chishio Koshimizu,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Processing condition specifying method, substrate processing method, substrate product production method, computer program, storage medium, processing condition specifying device, and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230053059A1. Автор: Takashi Ota,Tatsuya Shimano,Dai Inagi. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and recording medium for forming containing silicon

Номер патента: US20230357926A1. Автор: KIMIHIKO Nakatani. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: EP4421850A1. Автор: Takayoshi Tanaka,Tomoya Tanaka,Masayuki Otsuji,Akihisa Iwasaki,Ryuta Tsukahara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, and recording medium

Номер патента: US09543220B2. Автор: Takeo Sato. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-01-10.

Substrate processing apparatus, cleaning method, substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20240321597A1. Автор: Kaoru Yamamoto. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Substrate processing apparatus, cleaning method, substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device and program

Номер патента: EP4435839A1. Автор: Kaoru Yamamoto. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Resist pattern forming method and fine pattern forming method

Номер патента: JP3509761B2. Автор: 浩和 浅原. Владелец: 株式会社半導体先端テクノロジーズ. Дата публикации: 2004-03-22.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US12080550B2. Автор: KIMIHIKO Nakatani. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Substrate cleaning device, substrate processing device, substrate cleaning method, substrate processing method, and storage medium

Номер патента: TW200933783A. Автор: Takehiro Shindo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-08-01.

Substrate processing method, substrate processing system, and computer-readable storage medium

Номер патента: US20080160781A1. Автор: Osamu Miyahara,Junichi Kitano,Kenji Tsutsumi,Hideharu Kyouda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Substrate processing method, substrate processing system, and computer-readable storage medium

Номер патента: US20120061021A1. Автор: Osamu Miyahara,Junichi Kitano,Kenji Tsutsumi,Hideharu Kyouda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09478413B2. Автор: Atsushi Sano,Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US12037677B2. Автор: Yoshiro Hirose,Ryuji Yamamoto. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing semiconductor device, surface treatment method, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20200194250A1. Автор: Kazuhiro Harada,Shogo Otani,Masayoshi Minami,Masaya Nishida,Akihito Yoshino,Naoko KITAGAWA,Shintaro Kogura. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Resist pattern forming method and resist treating apparatus

Номер патента: JPS60157224A. Автор: Yoshihide Kato,Toshiaki Shinozaki,Kei Kirita,篠崎　俊昭,加藤　芳秀,桐田　慶. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-08-17.

Processing condition selection method, substrate processing method, substrate product production method, processing condition selecting device, computer program, and storage medium

Номер патента: US12142502B2. Автор: Takashi Ota,Makoto Takaoka,Hiroshi Horiguchi,Toru EDO. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003590A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL, AND PHOTOSENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, LOW REFRACTIVE INDEX FILM, OPTICAL DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE EACH USING THE SAME

Номер патента: US20120003436A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL AND PHOTOSENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, ANTIREFLECTION FILM, INSULATING FILM, OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003437A1. Автор: Kodama Kunihiko,WADA Kenji,OHTA Masaki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003583A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,TAKAHASHI Toshiya. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20120003586A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Impression pattern forming method in functional layer of article by multi-pass planing in nc machine tools and planing cutter for performing the same

Номер патента: RU2296036C1. Автор: Аркадий Владимирович Трачук,Андрей Валерьевич Чеглаков,Александр Георгиевич Писарев,Александр Игоревич Мочалов,Валерий Анатольевич Чеглаков,Дмитрий Николаевич Грачев,Алексей Владимирович Греков,Владимир Васильевич Павлов,залов Сергей Юрьевич В,Сергей Юрьевич Вязалов,Александр Васильевич Курочкин,Евгений Михайлович Метельский,Виктор Сергеевич Солдатченков,Яков Михайлович Ашкиназий,Виктор Афанасьевич Чекмарев,Алексей Иванович Климов,Сергей Геннадьевич Зарубин. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2007-03-27.

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Номер патента: US20120000886A1. Автор: NISHINO Masaru,HONDA Masanobu,Kubota Kazuhiro,Ooya Yoshinobu. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Resist pattern forming condition determining method and resist pattern forming method

Номер патента: JP3058541B2. Автор: 英雄 小林,康範 横矢. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

INORGANIC RESIST PATTERN, INORGANIC RESIST PATTERN FORMING METHOD, OPTICAL DISK MASTER, OPTICAL DISK MASTER MANUFACTURING METHOD, OPTICAL DISK STAMPER MANUFACTURING METHOD, AND OPTICAL DISK SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: JP4779871B2. Автор: 則之 斉藤,則夫 安達. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Resist pattern thickening material, resist pattern forming method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4447569B2. Автор: 美和 小澤,耕司 野崎. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-04-07.

Substrate for pattern forming material, positive resist composition, and resist pattern forming method

Номер патента: JP4249095B2. Автор: 大寿 塩野,祐 松宮,拓 平山,洋平 木下. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Resist pattern forming apparatus and resist pattern forming method

Номер патента: JP6605876B2. Автор: 晶彦 佐藤,浩 細田,吉浩 稲尾,清孝 小西. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-13.

Chemically amplified photoresist composition, resist layer laminate, and resist pattern forming method

Номер патента: JP4828201B2. Автор: 英夫 羽田,泰史 鷲尾,宏二 斎藤. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-30.

Resist pattern forming apparatus and resist pattern forming method

Номер патента: JP6484428B2. Автор: 晶彦 佐藤,浩 細田,吉浩 稲尾. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-13.

Resist pattern forming surface treatment agent and resist pattern forming method using the surface treatment agent

Номер патента: JP5068710B2. Автор: 晋司 樽谷,直哉 杉本. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-11-07.

A resist pattern forming apparatus, a resist pattern forming method

Номер патента: TWI680358B. Автор: Akihiko Sato,Hiroshi Hosoda,稲尾吉浩,Yoshihiro Inao,細田浩,佐藤晶彦. Владелец: 日商東京應化工業股份有限公司. Дата публикации: 2019-12-21.

Resist pattern thickening material, resist pattern forming method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4417191B2. Автор: 美和 小澤,耕司 野崎. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

NEAR-FIELD EXPOSURE MASK, RESIST PATTERN FORMING METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD, NEAR-FIELD EXPOSURE METHOD, PATTERN FORMING METHOD, NEAR-FIELD OPTICAL LITHOGRAPHY MEMBER, AND NEAR-FIELD NANOIMPRINT METHOD

Номер патента: US20120228804A1. Автор: Hotta Yasuyuki,Yoshimura Reiko,Shida Naomi,TODORI Kenji,Tada Tsukasa,Yamada Ko,Mori Shigehiko,Yamagiwa Masakazu,YONEDA Ikuo,KASHIWAGI Hiroyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-09-13.

CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION, AND RESIST FILM, RESIST-COATED MASK BLANK, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND PHOTOMASK EACH USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20130029254A1. Автор: Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-01-31.

RESIST PATTERN FORMING METHOD, RESIST PATTERN, CROSSLINKING NEGATIVE CHEMICAL-AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION FOR ORGANIC SOLVENT DEVELOPMENT, NANOIMPRINT MOLD, AND PHOTOMASK

Номер патента: US20130045440A1. Автор: TSUCHIHASHI Toru,SHIBATA Michihiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-02-21.

RESIST PATTERN FORMING METHOD, RESIST PATTERN, POSITIVE RESIST COMPOSITION, NANOIMPRINT MOLD AND PHOTOMASK

Номер патента: US20130052568A1. Автор: TSUCHIHASHI Toru,SHIBATA Michihiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-02-28.

Photoresist composition, resist pattern forming method and polymer

Номер патента: JP5783118B2. Автор: 島　基之,基之 島,裕介 浅野. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device production using etch-resist pattern - formed by covering acid-forming resist pattern with acid cross-linkable resist layer

Номер патента: IT1298079B1. Автор: Toshiyuki Toyoshima,Takeo Ishibashi,Keiichi Katayama,Ayumi Minamide. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-12-20.

Acid diffusion controller, photoresist composition, resist pattern forming method, compound and method for producing compound

Номер патента: JP6079360B2. Автор: 裕介 浅野,征矢野　晃雅,晃雅 征矢野. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-02-15.

CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND RESIST FILM, RESIST COATED MASK BLANKS AND RESIST PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120202141A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-08-09.

PHOTORESIST COMPOSITION, RESIST-PATTERN FORMING METHOD, POLYMER, AND COMPOUND

Номер патента: US20120258402A1. Автор: . Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2012-10-11.

Positive photoresist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JP4903096B2. Автор: 浩 細田,宏次 菅野,雅昭 室井. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-21.

Resist pattern forming method using chemically amplified positive photoresist composition

Номер патента: JP4514347B2. Автор: 和史 佐藤. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-28.

Photosensitive resin composition, photosensitive resin laminate, resist pattern forming method and conductor pattern manufacturing method

Номер патента: JP6755109B2. Автор: 秀昭 西本. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2020-09-16.

Positive photoresist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JP4028450B2. Автор: 俊樹 奥井,靖男 増田. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-26.

Mask pattern dividing method and resist pattern forming method

Номер патента: JP3646713B2. Автор: 勲 芦田,和治 井上. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-05-11.

Resist composition, resist pattern forming method, and polymer compound

Номер патента: JP5990373B2. Автор: 智之 平野,土屋　純一,純一 土屋,嘉崇 小室,裕太 岩澤. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-14.

Resist underlayer film forming composition and resist pattern forming method using the same

Номер патента: JP5382321B2. Автор: 力丸 坂本,登喜雄 西田. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2014-01-08.

Resist pattern forming method and polymer composition for pattern thickening

Номер патента: JP6872321B2. Автор: 土屋　純一,純一 土屋,貴敬 森,洋一 堀. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Resist coating film forming material and resist pattern forming method

Номер патента: JP5112563B2. Автор: 靖博 吉井,優 竹下,啓太 石塚. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-09.

Resist protective film forming material for immersion exposure process, and resist pattern forming method using the protective film

Номер патента: JP5301070B2. Автор: 和正 脇屋,正昭 吉田,啓太 石塚,浩太朗 遠藤. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-25.

Negative resist pattern forming method and upper film forming composition

Номер патента: JP6796911B2. Автор: 泰一 古川,壮祐 大澤. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2020-12-09.

Processing liquid and removing method for alkali-soluble polymer resin layer, resist pattern forming method, and circuit board manufacturing method

Номер патента: JP2007286385A. Автор: Yuji Toyoda,Kunihiro Nakagawa,裕二 豊田,邦弘 中川,Yasuo Kaneda,安生 金田,宗利 入沢,Munetoshi Irisawa. Владелец: Mitsubishi Paper Mills Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Resin composition, resist composition, and resist pattern forming method

Номер патента: JP5189878B2. Автор: 憲之 山田,晋一 荻野,智明 岩島. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Negative resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JP4566820B2. Автор: 淳 岩下. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-20.

Resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JP5398272B2. Автор: 中村　　剛,宏明 清水,元樹 高橋. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-29.

Compound, acid generator, resist composition, and resist pattern forming method

Номер патента: JP5205133B2. Автор: 中村　　剛,宏明 清水,武広 瀬下,義之 内海,英夫 羽田,賢介 松沢. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

Negative resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JP4563227B2. Автор: 淳 岩下. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-13.

Positive resist composition and resist pattern forming method

Номер патента: JP5308896B2. Автор: 豪人 仁藤. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-09.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.