Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 不揮発性半導体記憶装置、及び不揮発性半導体記憶システム

不揮発性半導体記憶装置、及び不揮発性半導体記憶システム

Номер патента: JP2008217899A
Опубликовано: 18-09-2008
Автор(ы): Naoya Tokiwa, 直哉 常盤
Принадлежит: Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298668A1. Автор: Eun Hye Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120020154A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-26.

Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20240005995A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor memory column decoder device and method

Номер патента: US09466380B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20240021248A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210319830A1. Автор: Hyun Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220270685A1. Автор: LEE Hee Youl,Lee Jeong Su. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20220383968A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11557355B2. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210241838A1. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20220180951A1. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09530510B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Storage device and storage method

Номер патента: US09984731B2. Автор: Masahiro Kiyooka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543020B2. Автор: Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210020249A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200013466A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140286100A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180308550A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20220262439A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180005695A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240153560A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11915756B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150049551A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200294595A1. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240005999A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US11817155B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6154391A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130070532A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160071603A1. Автор: Yasushi Nakajima,Yuki Yamamura,Kenri Nakai,Yuki KANAMORI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Program device and method of nonvolatile semiconductor memory with NAND structure

Номер патента: KR960035654A. Автор: 정태성. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-10-24.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220036950A1. Автор: CHOI Hyung Jin. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11423986B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHODS FOR OPERATING A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190237148A1. Автор: MURAKAMI Hiroki,SENOO Makoto,YAMAUCHI Kazuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor memory and data protection method

Номер патента: US20220301641A1. Автор: Munehiro Yoshida. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Page buffer, semiconductor memory having the same, and operating method of the semiconductor memory

Номер патента: US20240363180A1. Автор: Jong Woo Kim,Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20180342299A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-11-29.

Memory device and method for judging read voltage of memory system

Номер патента: CN114155902A. Автор: 胡瀚文,李永骏,黄昱铭. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210304828A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210111190A1. Автор: Sun Young Kim,Kun Young Lee,Jae Gil Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20220115404A1. Автор: Sun Young Kim,Kun Young Lee,Jae Gil Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11894066B2. Автор: Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Memory system

Номер патента: US20150206590A1. Автор: Hiroshi Sukegawa,Hiroshi Yao,Kiwamu Sakuma,Hideaki Aochi,Tokumasa Hara,Yoshiaki Fukuzumi,Masumi SAITOH,Shirou Fujita,Ikuo Magaki,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20150380100A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9165651B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9536615B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130229876A1. Автор: Hitoshi Iwai,Tomoki Higashi,Shinichi Oosera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140313829A1. Автор: Hitoshi Iwai,Tomoki Higashi,Shinichi Oosera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Nonvolatile memory system, semiconductor memory, and writing method

Номер патента: US7283399B2. Автор: Shooji Kubono,Osamu Tsuchiya,Hitoshi Miwa,Tatsuya Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100329033A1. Автор: Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150023109A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics

Номер патента: EP1158535A2. Автор: Minoru Yamashita,Hiromi Kawashima,Takao Akaogi,Nobuaki Takashina,Yasushi Kasa,Kiyoshi Itano,Shouichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5379262A. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Yutaka Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230282276A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Nonvolatile semiconductor storage device and method for performing a read operation on the same

Номер патента: US11232843B2. Автор: Takashi Maeda,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-25.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09576665B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09859011B1. Автор: Yoshikazu Harada,Yuko Utsunomiya,Kosuke Yanagidaira,Hayato Konno,Jiyun Nakai,Hiroe Kami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus comprising charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100271882A1. Автор: Yoshiaki Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09564228B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory system

Номер патента: US09721666B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and apparatus for optimizing erase and program times for a non-volatile memory device

Номер патента: US5801989A. Автор: Jin-Ki Kim,Sung-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-09-01.

Memory system

Номер патента: US20220068402A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device and control method for the semiconductor memory device

Номер патента: US20070011512A1. Автор: Makoto Arita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220180951A1. Автор: CHO Sung Hoon,CHOI Se Kyoung,JOO Han Soo,SIM Jae Sung,CHAE Hee Chang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-06-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210241838A1. Автор: CHO Sung Hoon,CHOI Se Kyoung,JOO Han Soo,SIM Jae Sung,CHAE Hee Chang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-08-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20170125106A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-05-04.

Data line management in a memory device

Номер патента: US20110261624A1. Автор: Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Data line management in a memory device

Номер патента: US20120281474A1. Автор: Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262689A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Takuya Futatsuyama,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Apparatus and method of programming and verification for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672926B2. Автор: Masashi Yoshida,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi,Nobushi Matsuura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5617353A. Автор: Kang-Deog Suh,Young-Ho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240013821A1. Автор: Moon Soo Sung,Jeong Hwan Kim,Won Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: USRE50034E1. Автор: Hideo Mukai,Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system

Номер патента: US20210280264A1. Автор: Prashob Ramachandran Nair. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149867A1. Автор: Hiroaki Tanaka,Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7881106B2. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US7885106B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-08.

Nonvolatile semiconductor memory device, electronic card and electronic apparatus

Номер патента: US20050105334A1. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Memory system and controller

Номер патента: US9478293B2. Автор: Toshihiro Suzuki,Masanobu Shirakawa,Tetsufumi YANAGIDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150070986A1. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130070525A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device with advanced multi-page program operation

Номер патента: US20130003455A1. Автор: Young-Ho Lim,Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

Non-volatile multi-level semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20030214850A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Tetsuya Tsujikawa. Дата публикации: 2003-11-20.

Non-volatile multi-level, semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20050013167A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Nonvolatile semiconductor memory and data reading method

Номер патента: US20110044106A1. Автор: Yoshihiko Shindo,Susumu Fujimura,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8228733B2. Автор: Hideo Mukai,Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5920507A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321382A1. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system

Номер патента: US09548127B1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20220310159A1. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09710328B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile semiconductor memory and program voltage control method for nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: JP3987715B2. Автор: 勝 矢野,基匡 坂下. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US11915790B2. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US11972839B2. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20240177754A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US6990018B2. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker N. Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-01-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11812615B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor memory device and methods for operating a semiconductor memory device

Номер патента: US10665304B2. Автор: Makoto Senoo,Hiroki Murakami,Kazuki Yamauchi. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20110233655A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of fabricating the nonvolatile semiconductor memory device and process of writing data on the nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120077328A1. Автор: Hiroaki Hazama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Memory system

Номер патента: US11574686B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190295654A1. Автор: LEE Hee Youl,SEO Ji Hyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20100008143A1. Автор: Akira Umezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09612762B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090168527A1. Автор: Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7755941B2. Автор: Toshiaki Kawasaki,Masanori Shirahama,Yasue Yamamoto,Yasuhiro Agata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of reusing same

Номер патента: US20120014178A1. Автор: Yuji Nagashima,Hiroyuki Tanikawa,Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of rewriting data thereof

Номер патента: US20070183217A1. Автор: Yuji Uji,Katsutoshi Urabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20120037976A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20070109848A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120239984A1. Автор: Norihiro Fujita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8300474B2. Автор: Norihiro Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and operation method of the same

Номер патента: US20140010016A1. Автор: Hiroaki Hazama,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Method for erasing and verifying nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5400287A. Автор: Keisuke Fuchigami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170229181A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Nonvolatile semiconductor memory device having a column decoder with multiple data bus portions connected via a switch

Номер патента: US9001582B2. Автор: Naofumi ABIKO,Tomofumi FUJIMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and data writing method

Номер патента: US20120230133A1. Автор: Katsuaki Matsui,Junya Ogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262672A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8854896B2. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150016190A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Electrically alterable nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US6000843A. Автор: Kikuzo Sawada. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110280072A1. Автор: Toshio Nomura,Kazuhiro Mizutani,Satoshi Torii,Masayoshi Asano,Ikuto Fukuoka,Motoi Takahashi,Hiroshi Mawatari. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US10665605B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190287996A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120195121A1. Автор: Toshio Nomura,Kazuhiro Mizutani,Satoshi Torii,Masayoshi Asano,Ikuto Fukuoka,Motoi Takahashi,Hiroshi Mawatari. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US10784275B1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09911499B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09704570B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321360A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8982623B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20140293694A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20100103736A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20080006869A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09899098B1. Автор: Mizuki Kaneko,Junji Musha. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20130294164A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20120176839A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Nonvolatile semiconductor storage device including a discharge transistor for discharging a bit line to a source line

Номер патента: US09830961B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12073894B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Reduced Size Semiconductor Device And Method For Manufacture Thereof

Номер патента: US20160005468A1. Автор: Ya Jui Lee,Kaun Fu Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor storage apparatus using the device, and manufacture method of the device

Номер патента: US20030141538A1. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US6809966B2. Автор: Hung-Jin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-26.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: WO2023107392A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2023-06-15.

Non-volatile semiconductor memory device, fabricating method of the same, and semiconductor memory system

Номер патента: US20070075352A1. Автор: Yasuo Irie. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230092799A1. Автор: Naoyuki Iida,Minami TANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11569263B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Semiconductor memory element, semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US20030094647A1. Автор: Taro Osabe,Tomoyuki Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor memory element, semiconductor device and control method thereof

Номер патента: TW584961B. Автор: Taro Osabe,Tomoyuki Ishii. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-21.

Nonvolatile memory device having odd mats, block setting method thereof and memory system having the same

Номер патента: KR101691097B1. Автор: 김찬호,황상원,윤동규,이진엽. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-12-30.

Memory device, device and method for memory management

Номер патента: KR101028901B1. Автор: 이용석,정현모. Владелец: (주)인디링스. Дата публикации: 2011-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Pumping voltage generating circuit in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060098487A1. Автор: Hui-Kwon Seo,Woo-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263031A1. Автор: Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100246256A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060120156A1. Автор: Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Memory system and method for measuring capacitance value

Номер патента: US11380407B2. Автор: Hiroki Yamasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Memory system and method for measuring capacitance value

Номер патента: US20220084604A1. Автор: Hiroki Yamasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8817542B2. Автор: Koji KATO,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130077405A1. Автор: Koji KATO,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140085976A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9019763B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Nonvolatile semiconductor memory system with a plurality of erase blocks

Номер патента: US5465236A. Автор: Kiyomi Naruke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9311993B2. Автор: Yasuhiro Shimura,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device with reduced variation in source potential of floating gate type memory transistors and operating method therefor

Номер патента: US5105386A. Автор: Shinichi Kobayashi,Kenji Noguchi,Kenji Kohda,Tsuyoshi Toyama,Nobuaki Andoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-04-14.

Memory system

Номер патента: US20230223090A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system

Номер патента: US12073890B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory, and method for reading data

Номер патента: US20100118609A1. Автор: Masahiko Kashimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20160064393A1. Автор: Takeshi Murata,Takeshi Kamigaichi,ltaru KAWABATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20150162340A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Memory system including test circuit

Номер патента: US09959937B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Mikio Takasugi,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory with a page mode

Номер патента: US20030136976A1. Автор: Shigeru Atsumi,Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-24.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system

Номер патента: US20240282389A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: USRE46785E1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6636437B2. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070076482A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040052114A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Memory system performing read operation with read voltage

Номер патента: US11984167B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Nonvolatile semiconductor memory device achieving shorter erasure time

Номер патента: US20020141243A1. Автор: Yasuhiko Tanuma,Takayuki Yoneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100309733A1. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8274845B2. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09548373B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240138150A1. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7532519B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080137434A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060250841A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7333368B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP2308084A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Method for reading data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903205B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8228737B2. Автор: Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Method for writing data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903207B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6157061A. Автор: Masato Kawata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040129986A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihiro Ikeda,Kenji Kanamitsu,Yoshitaka Sasago,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20140098609A1. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory with transistor whose gate electrode has bird's beak

Номер патента: US20070012990A1. Автор: Kanji Osari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Nonvolatile semiconductor memory and programming methods thereof

Номер патента: US20030178669A1. Автор: Yuichi Kunori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Memory system

Номер патента: US20140136772A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Nonvolatile semiconductor memory and a fabrication method thereof

Номер патента: US20060131638A1. Автор: Atsuhiro Sato,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252291B2. Автор: Naoki Yasuda,Daisuke Matsushita,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US8218358B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device with concurrent memory access and data locking

Номер патента: US6469928B2. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-10-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP1143455A3. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US20190206493A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US20200160912A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Nonvolatile semiconductor memory device including at least one memory block and allowing the number of selection signals to be reduced

Номер патента: US9666284B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device with block decoder

Номер патента: US9368213B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160322369A1. Автор: Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190333580A1. Автор: Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9165655B2. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140231897A1. Автор: Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Masakazu YAMAGIWA,Takatoshi Watanabe,Wangying Lin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190287979A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki,Kana Hirayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device programming second dynamic reference cell according to threshold value of first dynamic reference cell

Номер патента: US20030161188A1. Автор: Satoshi Takahashi,Minoru Yamashita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160087067A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100265770A1. Автор: Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Semiconductor memory having a sense amplifier with load transistors having different load characteristics

Номер патента: US5592427A. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hirokazu Yamazaki,Yasushi Kasa,Sinsuke Kumakura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-01-07.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus and method of producing the same

Номер патента: US7102931B2. Автор: Ichiro Fujiwara,Hiromi Nobukata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20150117102A1. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6108259A. Автор: Young-Ho Lim,Soo-Hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4845680A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory and a fabrication method thereof

Номер патента: US20050067652A1. Автор: Atsuhiro Sato,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Nonvolatile Semiconductor Memory

Номер патента: KR19980070869A. Автор: 스가와라히로시. Владелец: 닛뽕덴끼가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-10-26.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240331783A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory system, semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US09767873B2. Автор: Taesung Lee,Byunghoon Jeong,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device with readout test circuitry

Номер патента: US4819212A. Автор: Isao Sato,Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Shigeru Kumagai,Kazuto Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device with a row redundancy circuit

Номер патента: US5548557A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya,Masaaki Mihara,Minoru Ohkawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Semicondutor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09824755B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09922687B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20100135081A1. Автор: Shoichi Kawamura,Masahito Takehara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09558837B2. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6888751B2. Автор: Hideo Kasai,Akihiro Fujita,Kiichi Makuta,Masashii Wada,Atsushi Toukairin. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Test circuit, nonvolatile semiconductor memory appratus using the same, and test method

Номер патента: US20110128805A1. Автор: Jung Hyuk YOON,Yoon Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Flash memory system

Номер патента: US09779804B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Flash memory system

Номер патента: US09524783B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory system including semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607699B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory system including semiconductor memory device and program method thereof

Номер патента: US09564189B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Flash memory device used as a boot-up memory in a computer system

Номер патента: US6058048A. Автор: Suk-Chun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-05-02.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US20200349987A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Storage device and storing method

Номер патента: US7757038B2. Автор: Jun Kitahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-07-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: KR101169397B1. Автор: 김종섭,이성훈,박성일,진영구,홍기하. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-07-30.

Non-volatile semiconductor memory controller for processing one request first before completing another request Memory system having the same and Method there-of

Номер патента: KR101571693B1. Автор: 이창희,송동현,임정빈,윤정연,고영구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-11-26.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20130315001A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20160232974A9. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-08-11.

ON-DIE TERMINATION CIRCUIT, A MEMORY DEVICE INCLUDING THE ON-DIE TERMINATION CIRCUIT, AND A MEMORY SYSTEM INCLUDING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180026634A1. Автор: Park Ji-Woon,KIM BYUNG-HO. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Nonvolatile Memory Devices, Channel Boosting Methods Thereof, Programming Methods Thereof, And Memory Systems Including The Same

Номер патента: US20120039130A1. Автор: Sung-Won Yun,Sang-Wan Nam,Donghyuk Chae,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

NONVOLATILE MEMORY DEVICES, CHANNEL BOOSTING METHODS THEREOF, PROGRAMMING METHODS THEREOF, AND MEMORY SYSTEMS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130279262A1. Автор: YUN Sung-Won,CHAE Donghyuk,NAM Sang-Wan,YOON Chiweon. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Nonvolatile memory device controlling program start voltage, program method thereof, and memory system including the same

Номер патента: KR101344347B1. Автор: 박기태,이영택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-12-24.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US12080354B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09437308B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09754672B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US20040125656A1. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US6831864B2. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20200273524A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20150213899A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20170330629A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20160365153A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20190074064A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20230260577A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170062058A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09570182B1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20060120168A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20050146970A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US09601179B2. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US20230335181A1. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11751384B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US12119048B2. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Eui Cheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor memory device and operating method for a semiconductor memory device

Номер патента: US20060275928A1. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: US09947378B2. Автор: Seung Jun BAE,Joon Young Park,Ki Won Lee,Yong Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: US09805774B2. Автор: Seung Jun BAE,Joon Young Park,Ki Won Lee,Yong Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Device and method for repairing memory cell and memory system including the device

Номер патента: US09831003B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Ho-young Song,Cheol Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Device and method for repairing memory cell and memory system including the device

Номер патента: US09659669B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Ho-young Song,Cheol Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory, memory system and method of controlling semiconductor memory

Номер патента: US20160064061A1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor memory device and method of reading a semiconductor memory device

Номер патента: US20230335213A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20070297215A1. Автор: Shingo Hashimoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor memory device and method of controlling the semiconductor memory device

Номер патента: US7495990B2. Автор: Yoshiharu Kato,Satoru Kawamoto,Kazufumi Komura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-24.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11804429B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory device and method relieving defect of semiconductor memory device

Номер патента: US6018488A. Автор: Yoichi Suzuki,Masami Masuda,Yasumitsu Nozawa,Akihiro Mishima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210158848A1. Автор: Ja Yoon Goo,Sung Hwa Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory device repairable by soft and hard repair operations and memory system including the same

Номер патента: US09786390B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230397415A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor memory apparatus, test apparatus therefor and method for relieving semiconductor memory apparatus from short circuit

Номер патента: US5343431A. Автор: Shozo Shirota,Takahiro Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-08-30.

Semiconductor memory and method for density configuring of bank of semiconductor memory

Номер патента: US11875045B2. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor memory and method for density configurion of bank of semiconductor memory

Номер патента: US20230012916A1. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor memory apparatus, semiconductor system and electronic device including the semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20200058351A1. Автор: Min Chul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9406395B1. Автор: Masahiro Hosoya,Tomoyuki Hamano,Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Programming method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219029A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Nonvolatile semiconductor memory device detecting sign of data transformation

Номер патента: US20020105832A1. Автор: Yukitoshi Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory element, nonvolatile semiconductor memory, and method for operating nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US09620653B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor storage device having nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09946472B2. Автор: Takashi Tsunehiro,Akifumi Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US20170294447A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin,II Young Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10847533B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10096617B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-09.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US9691785B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US09691785B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system having termination circuit with variable resistor

Номер патента: USRE49783E1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method and apparatus to repair defects in nonvolatile semiconductor memory devices

Номер патента: WO2009032928A2. Автор: Ming Li,Gary B. Bronner,Kevin S. Donnelly,Frederick Ware,Donald R. Mullen. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20130135938A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device, memory controller, and memory system

Номер патента: US20150049549A1. Автор: Norichika ASAOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130175490A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH,Haruka KUSAI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Memory system

Номер патента: US20180081542A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenji Sakurada,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Read disturb control in a nonvolatile semiconductor memory device having P-type memory cell transistor

Номер патента: US8964463B2. Автор: Taku Ogura,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device Cross-Reference to Related Applications

Номер патента: US20130265823A1. Автор: Taku Ogura,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

Memory system including a semiconductor memory having a memory cell and a write circuit configured to write data to the memory cell

Номер патента: US11869596B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11430502B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11024360B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11842759B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210065770A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240046974A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070165442A1. Автор: Isao Inoue,Nobuyoshi Awaya,Yasunari Hosoi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Non-volatile memory device which supplies erasable voltage to a flash memory cell

Номер патента: US5787037A. Автор: Masakazu Amanai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-07-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

MEMORY DEVICE, METHOD OF PERFORMING READ OR WRITE OPERATION AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130148429A1. Автор: PARK Chul-woo,HWANG Hong-sun,Kim Chan-kyung,Lee Yun-Sang. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and a method of word lines thereof

Номер патента: US7313027B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4831592A. Автор: Isao Sato,Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Shigeru Kumagai,Kazuto Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-05-16.

Nonvolatile semiconductor memory device capable of erasing by a word line unit

Номер патента: US5402382A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5677874A. Автор: Kaname Yamano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-10-14.

Nonvolatile semiconductor memory capable of generating read-mode reference current and verify-mode reference current from the same reference cell

Номер патента: US20040062072A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Nonvolatile Semiconductor Memory

Номер патента: US20080043539A1. Автор: Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Nonvolatile semiconductor memory circuit including a reliable sense amplifier

Номер патента: US5058062A. Автор: Yukio Wada,Tadashi Maruyama,Toshimasa Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Device for accessing semiconductor memory card, computer- readable data carrier, initialization method and semiconductor memory card

Номер патента: RU2257609C2. Автор: Теруто ХИРОТА,Такудзи МАЕДА. Владелец: МАЦУСИТА ЭЛЕКТРИК ИНДАСТРИАЛ КО., ЛТД.. Дата публикации: 2005-07-27.

Memory system

Номер патента: US09569111B2. Автор: Shinken Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor Device, Nonvolatile Semiconductor Memory, System Including A Plurality Of Semiconductor Devices Or Nonvolatile Semiconductor Memories, Electric Card Including Semiconductor Device Or Nonvolatile Semiconductor Memory, And Electric Device With Which This Electric Card Can Be Used

Номер патента: US20080074941A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi,Kazushige Kanda,Tamio Ikehashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Memory systems that adjust an auto-refresh operation responsive to a self-refresh operation history

Номер патента: US09767050B2. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Young Oh,Su-yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory member and the method for operating nonvolatile semiconductor memory member

Номер патента: CN109256161A. Автор: 李相宪. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-01-22.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: EP3955123A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US20220051733A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system and method for controlling self refresh cycle thereof

Номер патента: US09564207B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Memory system

Номер патента: US20240028529A1. Автор: Shinya Takeda,Kenji Sakaue,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory system

Номер патента: US11853238B2. Автор: Shinya Takeda,Kenji Sakaue,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US10037817B2. Автор: Dong-Wook Kim,Dong-Hak Shin,Sung-Jun HER. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-31.

Semiconductor memory device and arrangement method for a semiconductor memory device

Номер патента: TW454205B. Автор: Jung-Bae Lee,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-09-11.

Semiconductor memory device and method for operating a semiconductor memory device

Номер патента: TW200308085A. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-16.

Semiconductor memory device and method for operating a semiconductor memory device

Номер патента: TWI234878B. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-21.

Semiconductor memory device, controller, and memory system

Номер патента: US20200133768A1. Автор: Dae Hyun Kim,Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Ki Jun LEE,Sung Hye Cho,Yong Gyu Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US20200348886A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor memory device and methods of performing a stress test on the semiconductor memory device

Номер патента: WO2010068591A1. Автор: Nan Chen,ChangHo Jung,Zhiqin Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-06-17.

Data bus drive circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US5742185A. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-21.

SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170053683A1. Автор: JEONG Byunghoon,IHM Jeongdon,Lee Taesung,LEE Seonkyoo. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor memory, memory system, and operation method of semiconductor memory

Номер патента: TWI313003B. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Fujitsu Microelectronics Ltd. Дата публикации: 2009-08-01.

Semiconductor memory, memory system and refresh method of semiconductor memory

Номер патента: EP1833057B1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-08-19.

Asymmetric Semiconductor Memory Device Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20230354581A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device with strong polarization coupling

Номер патента: US20190318774A1. Автор: Titash Rakshit,Jorge A. Kittl,Borna J. Obradovic,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor memory device and read wait time adjustment method thereof, memory system, and semiconductor device

Номер патента: US20130135950A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND READ WAIT TIME ADJUSTMENT METHOD THEREOF, MEMORY SYSTEM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140036607A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US11532366B2. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-20.

Semiconductor memory device for selecting mode of bank independently and memory controller of the semiconductor memory device and method for controlling the semiconductor memory device

Номер патента: KR101286643B1. Автор: 이영민,송유진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-07-22.

Memory device and method for repairing a semiconductor memory

Номер патента: US20090100291A1. Автор: Greg A. Blodgett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230337413A1. Автор: Yongjin Lee,Wonsok Lee,Min Hee Cho,Min Tae RYU,Sungwon Yoo,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230146012A1. Автор: Dong-wan Kim,Dong-Sik Park,Jihoon Chang,Hyeon-Woo Jang,Sooho Shin,Keonhee Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory device and refresh method of the same, and memory system for the same

Номер патента: KR20050104807A. Автор: 이정배,이윤상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor memory device and refresh method of the same, and memory system for the same

Номер патента: KR100653688B1. Автор: 이정배,이윤상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210142849A1. Автор: Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11398272B2. Автор: Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, A MEMORY MODULE INCLUDING THE SAME, AND A MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180033470A1. Автор: LEE Ki Won,Bae Seung Jun,BAE Yong Cheol,PARK Joon Young. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, A MEMORY MODULE INCLUDING THE SAME, AND A MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170148496A1. Автор: LEE Ki Won,Bae Seung Jun,BAE Yong Cheol,PARK Joon Young. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: US20150348603A1. Автор: Seung Jun BAE,Joon Young Park,Ki Won Lee,Yong Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-03.

A semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: KR102246878B1. Автор: 박준영,이기원,배용철,배승준. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2021-04-30.

Semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: US9608631B2. Автор: Seung Jun BAE,Joon Young Park,Ki Won Lee,Yong Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory stacks connected to processing units and associated systems and methods

Номер патента: US12046559B2. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US20160027492A1. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-28.

X-RAY DETECTOR, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, METHOD OF TESTING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200105339A1. Автор: Kim Ji-Woong,KIM Kyoung-Don. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor memory device, semiconductor system including the semiconductor memory device, and method for operating the semiconductor memory device

Номер патента: US8503254B2. Автор: Jung-Hoon Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-06.

Magnetic semiconductor memory and the reading method using spin-polarized electron beam

Номер патента: US6912148B2. Автор: Eric C. Hannah,Michael A. Brown. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-06-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150078061A1. Автор: KAWASAKI TOSHIAKI,AGATA YASUHIRO,SHIRAHAMA MASANORI,TAKEMURA Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

CONTROL DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD FOR A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200135261A1. Автор: Kubo Takashi,YASUDA Kenichi,HAMAMOTO Takeshi,HARAGUCHI Masaru,TSUKIKAWA YASUHIKO,IGA HIRONORI. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor memory device, method of correcting error in the same and memory system including the same

Номер патента: KR102178137B1. Автор: 장성진,박광일,정회주,손종필,차상언. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor memory, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: US7483331B2. Автор: Toshiya Uchida. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Semiconductor memory device capable of adjusting phase of output data and memory system using the same

Номер патента: KR100443323B1. Автор: 가시와자키야스히로. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-08-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING INTO SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130176796A1. Автор: Tanabe Ryo. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2013-07-11.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210158848A1. Автор: OK Sung Hwa,GOO Ja Yoon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-05-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210158861A1. Автор: JEONG YUNKYEONG,CHOO CHULHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210217769A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-07-15.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND REPAIR METHODS OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210295944A1. Автор: WOO Su Hae,LIM Jae IL. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-09-23.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210358944A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220352202A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor memory device and data writing method of semiconductor memory device

Номер патента: JPWO2005038812A1. Автор: 直彦 杉林,昇 崎村,雄士 本田,本田　雄士,崎村　昇,杉林　直彦. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-11-22.

A semiconductor memory device and method of operating a semiconductor memory device

Номер патента: DE102006001492B4. Автор: Nimrod Ben-Ari,Ifat Nitzan. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory device and method of operating a semiconductor memory device

Номер патента: TWI316717B. Автор: Sang-woong Shin,Chul-Soo Kim,Young-Hyun Jun,Sang-Bo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-01.

A semiconductor memory device and method of manufacturing a semiconductor memory device

Номер патента: DE102005009511B3. Автор: Günter Dr. Schmid,Florian Eder,Marcus Dr. Halik,Hagen Dr. Klauk. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor memory device and method of refreshing the semiconductor memory device

Номер патента: US7345941B2. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-18.

Semiconductor memory device, semiconductor memory device system, and method of operating a semiconductor memory device

Номер патента: DE102004063531B4. Автор: Helmut Dr. Fischer,Martin Dr. Brox. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-06-01.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory devices

Номер патента: DE102020115736A1. Автор: Yunkyeong Jeong,Chulhwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor memory, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: KR100869984B1. Автор: 토시야 우치다. Владелец: 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090185432A1. Автор: Khil-Ohk Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor memory apparatus, memory system, and programming method thereof

Номер патента: US20120106279A1. Автор: Kie Bong Ku. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ERASURE VERIFICATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130343141A1. Автор: TANAKA Kengo. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2013-12-26.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210174839A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10629263B2. Автор: Shinichi Kikuchi,Takashi Yamasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200219565A1. Автор: Shinichi Kikuchi,Takashi Yamasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190180819A1. Автор: Shinichi Kikuchi,Takashi Yamasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

SEMICONDUCTOR MEMORY, MEMORY SYSTEM AND METHOD OF CONTROLLING SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20160064061A1. Автор: SHIMIZU Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor memory module e.g. dual inline dynamic memory module, unit, for memory system, has chips connected one below other in form of tree, such that branching of tree structure takes place from node-like chip to subordinated chips

Номер патента: DE102005012129B3. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-10-19.

Memory device and method for repairing a semiconductor memory

Номер патента: US8713374B2. Автор: Greg A. Blodgett. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2014-04-29.

Semiconductor memory stacks connected to processing units and associated systems and methods

Номер патента: US20230395516A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor memory stacks connected to processing units and associated systems and methods

Номер патента: US20220157728A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory stacks connected to processing units and associated systems and methods

Номер патента: US20220028789A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor memory stacks connected to processing units and associated methods

Номер патента: WO2022020118A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor memory, memory system, and method of controlling the same

Номер патента: CN102054525B. Автор: 尹相植. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-06-17.

Semiconductor memory, memory system, and method of controlling the same

Номер патента: US8429370B2. Автор: Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-23.

Combined semiconductor memory and logic device and memory test control circuit and memory test method therefor

Номер патента: DE19823583B4. Автор: Sang-Bong Park,Jong-Taek Kwak,Jong-Hak Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-18.

Semiconductor memory apparatus and refresh control method of the same

Номер патента: US8169847B2. Автор: Young Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-01.

Semiconductor memory information accumulation device and writing control method for it

Номер патента: TW200933363A. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2009-08-01.

Semiconductor memory information accumulation device and its write-in control method

Номер патента: EP2180409A4. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Semiconductor memory information storage device and writing control method thereof

Номер патента: TWI390402B. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor memory, memory system, and method of controlling the same

Номер патента: US20130215692A1. Автор: Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor memory, memory system, and method of controlling the same

Номер патента: US20130227240A1. Автор: Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY, MEMORY SYSTEM, AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140185396A1. Автор: KWEAN Ki-Chang,BYUN Hee-Jin. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor memory, memory system and control method the same

Номер патента: KR101038994B1. Автор: 윤상식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-06-03.

Integrated semiconductor memory and method for reducing leakage currents in an integrated semiconductor memory

Номер патента: US20040238899A1. Автор: HELMUT Fischer,Jens Egerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-02.

Integrated semiconductor memory and method for reducing leakage currents in an integrated semiconductor

Номер патента: US6903423B2. Автор: HELMUT Fischer,Jens Egerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor memory circuit device, and method for writing into semiconductor memory cell

Номер патента: JPH10188571A. Автор: Masaki Matsui,Toru Nagamatsu,Toshinari Takayanagi,Yasuo Unekawa,Tadahiro Kuroda,Fumiyuki Yamane,根 史 之 山,田 忠 広 黒,柳 俊 成 高,井 正 貴 松,川 康 夫 畝,松 徹 永. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-07-21.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US8363494B2. Автор: Byoung Kwon Park,Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Power saving method and circuit thereof for a semiconductor memory

Номер патента: US20090091998A1. Автор: Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

Power saving method and circuit thereof for a semiconductor memory

Номер патента: US8174924B2. Автор: Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20120106271A1. Автор: Byoung Kwon Park,Kyeong Pil KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Memory device for correcting pulse duty and memory system including the same

Номер патента: US11837310B2. Автор: Jae Young Park,Kwan Su SHON,Yo Han JEONG,Eun Ji CHOI,Daeho YANG,Soon Sung AN,Gwan Woo KIM,Junseo JANG,Jaehyeong HONG,In Seok Kong,Sung Hwa Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS, SEMICONDUCTOR SYSTEM AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS

Номер патента: US20200058351A1. Автор: SHIN Min Chul. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor memory module and method of arranging terminals in the semiconductor memory module

Номер патента: KR100791003B1. Автор: 백승덕,강선원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-03.

METHODS OF COPYING A PAGE IN A MEMORY DEVICE AND METHODS OF MANAGING PAGES IN A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140185395A1. Автор: Seo Seong-Young. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

MEMORY DEVICES PERFORMING REFRESH OPERATIONS WITH ROW HAMMER HANDLING AND MEMORY SYSTEMS INCLUDING SUCH MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190347019A1. Автор: Song Ho-Young,KIM Do-yeon,SHIN Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

A driving method of memory controller controlling nonvolatile memory device using variable resistive element, the memory controller, a memory system including the memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: KR101977684B1. Автор: 조우영,오영훈,김두응. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2019-05-13.

Flash memory device error correction code controllers and related methods and memory systems

Номер патента: CN101329916A. Автор: 李昶德,许硕原,朴时莹,李东栗. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-24.

Memory device, testing method therefor and usage method therefor, and memory system

Номер патента: WO2022057333A1. Автор: 寗树梁. Владелец: 长鑫存储技术有限公司. Дата публикации: 2022-03-24.

Flash memory device error correction code controllers and related methods and memory systems

Номер патента: CN101329916B. Автор: 李昶德,许硕原,朴时莹,李东栗. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-02.

Memory device performing refresh operation with row hammer handling and memory system comprising the same

Номер патента: KR102358563B1. Автор: 송호영,김도연,신훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-02-04.

Operating method for nonvolatile memory device, memory controller, and nonvolatile memory system including them

Номер патента: KR102290974B1. Автор: 정봉길. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-08-19.

A memory device that performs training for clolk-to-clock alignment, memory system including same and method of operation thereof

Номер патента: KR102434989B1. Автор: 김병철,강동석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-08-22.

Memory device, method of performing read or write operation and memory system including the same

Номер патента: KR102049306B1. Автор: 박철우,이윤상,김찬경,황홍선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-11-27.

Memory device, testing method therefor and usage method therefor, and memory system

Номер патента: EP4036917A4. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

DEVICE AND METHOD FOR REPAIRING MEMORY CELL AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE DEVICE

Номер патента: US20180068742A1. Автор: Sohn Kyo-Min,Song Ho-Young,Hwang Sang-Joon,Kim Cheol,Sohn Dong-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

DEVICE AND METHOD FOR REPAIRING MEMORY CELL AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE DEVICE

Номер патента: US20170229192A1. Автор: Sohn Kyo-Min,Song Ho-Young,Hwang Sang-Joon,Kim Cheol,Sohn Dong-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

DEVICE AND METHOD FOR REPAIRING MEMORY CELL AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE DEVICE

Номер патента: US20150243374A1. Автор: Sohn Kyo-Min,Song Ho-Young,Hwang Sang-Joon,Kim Cheol,Sohn Dong-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Device and method of repairing memory cell and memory system including the same

Номер патента: KR102076584B1. Автор: 송호영,김철,손교민,손동현,황상준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-04-07.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Memory system

Номер патента: US12079060B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and management table

Номер патента: US09996139B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system

Номер патента: US09652377B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060028884A1. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and its operation program

Номер патента: US20160379711A1. Автор: Motofumi Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110128774A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8149611B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061751A1. Автор: Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09812195B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543011B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140347911A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Nobuaki Yasutake,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140078813A1. Автор: Kei Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050174868A1. Автор: Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149850A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09825100B2. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki,Yuki SEKINO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100238708A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09595311B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160049186A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130159814A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Information Processing Apparatus and Nonvolatile Semiconductor Memory Drive

Номер патента: US20090222703A1. Автор: Takehiko Kurashige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130332802A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor storage device and method of controlling the same

Номер патента: WO2012081732A1. Автор: Takashi Oshima,Kouji Watanabe,Toshikatsu Hida. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-06-21.

Nonvolatile semiconductor memory device to which information can be written only once

Номер патента: US20060133127A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Memory system in which extended function can easily be set

Номер патента: USRE50101E1. Автор: Hiroyuki Sakamoto,Akihisa Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor storage device with volatile and nonvolatile memories to allocate blocks to a memory and release allocated blocks

Номер патента: US09703486B2. Автор: Shigehiro Asano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Hirokuni Yano,Kazuya Kitsunai,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device using irreversible storage elements

Номер патента: US20060133167A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and reading method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8248837B2. Автор: Kentaro Kinoshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory and operation method thereof

Номер патента: US20050174832A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Memory system

Номер патента: US11921600B2. Автор: Katsuya Ohno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Reading of start-up information from different memory regions of a memory system

Номер патента: US20190332285A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory system

Номер патента: US20170220095A1. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Memory system

Номер патента: US20210342242A1. Автор: Katsuya Ohno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory system

Номер патента: US20180267596A1. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120205612A1. Автор: Hirofumi Inoue,Eiji Ito,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20140321194A1. Автор: Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20230281078A1. Автор: Kenichiro Yoshii,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20170117039A1. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11947422B2. Автор: Kenichiro Yoshii,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device using nonvolatile storage elements to which data can be written only once

Номер патента: US7505300B2. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11169875B2. Автор: Kenichiro Yoshii,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09773538B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US12079488B2. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US9251055B2. Автор: Takashi Hirao,Akira Sawaoka,Hirokuni Yano,Shinji Yonezawa,Mitsunori Tadokoro,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing

Номер патента: US20130341698A1. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing

Номер патента: US20140315378A1. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing

Номер патента: US8803219B2. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20110161606A1. Автор: Shuichi Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US11789656B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US20200401347A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US11169742B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4435788A. Автор: Norihisa Kitagawa,Hiroji Asahi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1984-03-06.

Memory system and method for controlling a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8745313B2. Автор: Wataru Okamoto,Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2016024632A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110103128A1. Автор: Hiroshi Kanno,Kenichi Murooka,Hirofumi Inoue,Takayuki Tsukamoto,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140063906A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070242528A1. Автор: Koji Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor storage device with volatile and nonvolatile memories to allocate blocks to a memory and release allocated blocks

Номер патента: US11960719B2. Автор: Shigehiro Asano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Hirokuni Yano,Kazuya Kitsunai,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Nonvolatile semiconductor memory and method for testing the same

Номер патента: US8174909B2. Автор: Satoru Oku. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor memory device and file memory system

Номер патента: US20150279456A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09852815B2. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Secondary storage device using nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5963474A. Автор: Takashi Onodera,Hiroaki Uno,Hideaki Miyashita,Yasutsugu Nagusa,Kenichi Kuwako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Ferroelectric memory device having fatigue averaging

Номер патента: US5978252A. Автор: Tohru Miwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7184294B2. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7227770B2. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-06-05.

Semiconductor memory device, operational processing device and storage system

Номер патента: US20080225622A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09552867B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Uk-Song KANG,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20060114710A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20050207205A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20060109703A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20050180192A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20040170045A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US6934175B2. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Semiconductor storage device and control method thereof

Номер патента: US20210294760A1. Автор: Takayuki Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory devices and memory systems with enhanced error detection and correction

Номер патента: US20210191810A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Chanki Kim,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230307022A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Nonvolatile semiconductor storage device and rewriting method thereof

Номер патента: US09679646B2. Автор: Hitoshi Suwa,Yuriko ISHITOBI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Non-volatile semiconductor memory device having disturb verify function

Номер патента: US5490110A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-02-06.

Nonvolatile semiconductor memory device performing data writing in a toggle manner

Номер патента: US7652912B2. Автор: Hideto Hidaka,Jun Otani,Tomoya Kawagoe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-26.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor memory device and a memory system having the same

Номер патента: US20210082478A1. Автор: Jeonghyeon Cho,Seonghoon JOO,llhan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20050259492A1. Автор: Shinya Fujioka,Kotoku Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Storage device, semiconductor memory device, and method for controlling same

Номер патента: US10049042B2. Автор: Atsushi Kawamura,Akifumi Suzuki,Hideyuki Koseki,Masahiro TSURUYA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-08-14.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09767920B2. Автор: Young-Il Kim,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Testable nonvolatile semiconductor device

Номер патента: US6452847B2. Автор: Myong-Jae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-17.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory system

Номер патента: US20140122782A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12009048B2. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20240282346A1. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230139579A1. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20230409241A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Stacked memory device and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09851401B2. Автор: Kyung-Whan Kim,Jong-Chern Lee,Young-Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09953709B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Address transition detection noise filter in pulse summation circuit for nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5306963A. Автор: Kerry Tedrow,Sachidanandan Sambandan,David A. Leak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US20210082513A1. Автор: Masahiro Ogawa,Norio Aoyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170287564A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device and redundant output switch thereof

Номер патента: US20020176296A1. Автор: Chao-Shuenn Hsu,Ju-Fu Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20240249784A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240118813A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang,Hun Wook LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor memory card, access device and method

Номер патента: US8161225B2. Автор: Takuji Maeda,Masahiro Nakanishi,Jun Ohara,Shinji Inoue,Manabu Inoue,Tomoaki Izumi,Koichi Horiuchi,Tetsushi Kasahara,Makoto Ochi,Yoshiho Gotoh,Kazuaki Tamura,Kiminori Matsuno,Shoichi Tsujita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-04-17.

Recordable memory device

Номер патента: US20100125698A1. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Memory system, firmware update method, and program field

Номер патента: US20240302961A1. Автор: Mariko Matsumoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory system and operation method of the same

Номер патента: US09760308B2. Автор: Nam Wook Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Controller, memory system and operating method of the controller

Номер патента: US20200310982A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor memory system with current consumption control

Номер патента: US9244870B2. Автор: Takahiro Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

CONTROL CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY, MEMORY SYSTEM AND CONTROL SYSTEM OF SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20150253827A1. Автор: YANAGIDAIRA Kosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Lim Eui Cheol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-02.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220066685A1. Автор: HONG Yong Hwan,KIM Byung Ryul. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

SEMICONDUCTOR MEMORY, MEMORY SYSTEM, AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20130227230A1. Автор: Yoon Sang Sic. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-08-29.

Method of Appraising a Dielectric Film, Method of Calibrating Temperature of a Heat Treatment Device, and Method of Fabricating a Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR100430792B1. Автор: 코야나기켄이치. Владелец: 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2004-05-10.

Data integrity protection for relocating data in a memory system

Номер патента: US20240086337A1. Автор: Lucien J. Bissey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Data integrity protection for relocating data in a memory system

Номер патента: US11822489B2. Автор: Lucien J. Bissey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200310691A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor memory card, access device and access method

Номер патента: JP4647492B2. Автор: 学 井上,昭一 辻田,雅浩 中西,卓治 前田,智紹 泉,哲志 笠原,和明 田村,公則 松野,信治 井上,芳稔 後藤,淳 大原,誠 越智,浩一 堀内. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-03-09.

OPERATING METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER, AND NONVOLATILE MEMORY SYSTEM INCLUDING THEM

Номер патента: US20160132256A1. Автор: JUNG BONG-KIL. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

The methods, devices and systems of data reconstruction in distributed memory system

Номер патента: CN106662983B. Автор: 曾永强. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-12.

DEVICE AND METHOD FOR REPAIRING MEMORY CELL AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE DEVICE

Номер патента: US20130227344A1. Автор: Sohn Kyo-Min,Song Ho-Young,Hwang Sang-Joon,Kim Cheol,Sohn Dong-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230320086A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US7338863B2. Автор: Young-sun Kim,Jong-Cheol Lee,Han-mei Choi,Jae-Hyoung Choi,Gab-jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11903208B2. Автор: Nam Jae LEE,Nam Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298992A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US11882704B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20230328983A1. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230354603A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240074189A1. Автор: Hyun Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230380168A1. Автор: Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11856777B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240172440A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240081066A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240023331A1. Автор: Jae Ho Kim,Jae Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230292501A1. Автор: Han Na GOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20220077182A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11469242B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20220415918A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210036002A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor memory device and method for fabricating the semiconductor memory device

Номер патента: US11903200B2. Автор: Yu Jeong Lee,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and method of fabricating the semiconductor memory device

Номер патента: US20240206160A1. Автор: Nam Kuk KIM,Ki Chang JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20160299696A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20170344471A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20190272228A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US09760483B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US09501399B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Controller which controls operation of nonvolatile semiconductor memory and semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory and controller therefore

Номер патента: US20100241791A1. Автор: Seiichi Tomita,Tarou Iwashiro,Takahide Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Memory device and host device

Номер патента: US09983794B2. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Nonvolatile semiconductor memory device with password unlock function

Номер патента: US20030079099A1. Автор: Junya Kawamata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8434689B2. Автор: Keisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130020395A1. Автор: Keisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20180322046A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Data reading and writing processing from and to a semiconductor memory and a memory of a host device by using first and second interface circuits

Номер патента: US11868618B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory system including cache

Номер патента: US09558065B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory system

Номер патента: US20240086077A1. Автор: Toshio Fujisawa,Tomoya Sanuki,Keisuke Nakatsuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100241794A1. Автор: Osamu Nagao,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Memory device and host device

Номер патента: US10157149B2. Автор: Koichi Nagai,Yuji Kashiwagi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-18.

Mass memory device and semiconductor memory card

Номер патента: US20080028130A1. Автор: Otto Winkler. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory device and host device

Номер патента: US20190173875A1. Автор: Koichi Nagai,Yuji Kashiwagi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory, control method of memory controller, and memory controller

Номер патента: US20150339198A1. Автор: Hironobu Miyamoto,Ryoichi Kato,Jun Shinohara,Tomonori Masuo,Tatsuya Sumiyoshi,Yuuichirou Gunji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Allocation of memory regions of a nonvolatile semiconductor memory for stream-based data writing

Номер патента: US20180150238A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Motohiro Matsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Allocation of memory regions of a nonvolatile semiconductor memory for stream-based data writing

Номер патента: US20200341654A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Motohiro Matsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor storage device and method for controlling a semiconductor storage device

Номер патента: US20110239081A1. Автор: Kouji Watanabe,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US09727401B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of controlling nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20240126433A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of controlling nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US11893238B2. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Controller including map table, memory system including semiconductor memory device, and method of operating the same

Номер патента: US09690698B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system allowing host to easily transmit and receive data

Номер патента: US09712636B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Controller and memory system controlling garbage collection operation at power-on, and method of operating the controller and memory system

Номер патента: US20240160564A1. Автор: Wan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US8390075B2. Автор: Weon-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-05.

Buried word line and connection pad for memory device

Номер патента: US8698233B2. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Hong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor memory device including channel pillar with junction and method of fabricating the semiconductor memory device

Номер патента: US11937421B2. Автор: Nam Kuk KIM,Ki Chang JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20110175143A1. Автор: Takashi Okada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Lee Jin Won,LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-01-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210028188A1. Автор: LEE Nam Jae,KIM Nam Kuk. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-01-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210036002A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-02-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220068807A1. Автор: Lee Jin Won,LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20220077182A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220093625A1. Автор: KIM Nam Kuk,JEONG Ki Chang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-03-24.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220285372A1. Автор: CHOI Kang Sik. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-09-08.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210175242A1. Автор: KIM Jin Ha. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220310644A1. Автор: Lee Dong Hwan,CHOI Eun Seok,Kim Seo Hyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-09-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220310653A1. Автор: LEE Nam Jae,KIM Nam Kuk. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-09-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210399112A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method for the semiconductor memory device

Номер патента: KR100532424B1. Автор: 박제민,황유상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US11538830B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing a semiconductor memory device

Номер патента: DE102006017795B4. Автор: Dr. Bach Lars. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor memory test device and mehtod of testing a semiconductor memory device

Номер патента: KR100885051B1. Автор: 이영진,한영욱,심우혁. Владелец: 주식회사 엑시콘. Дата публикации: 2009-02-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210134832A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US11342262B2. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110241105A1. Автор: Shing-Hwa Renn. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20220102239A1. Автор: Hideki Takahashi,Ryo KAMODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor memory apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US20110074035A1. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Hong Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor memory device and method for producing a semiconductor memory device

Номер патента: US20050270826A1. Автор: Wolfgang Werner,Helmut Klose,Thomas Mikolajick,Hyang-Sook Klose,Jan Klose. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230085167A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for manufacturing semiconductor memory device for preventing bit line oxidation and semiconductor memory device

Номер патента: CN1202003A. Автор: 朴泳雨,具本荣,姜昌珍,郑澈,卢俊镛,南硕佑. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100295566B1. Автор: 유따까 이시바시. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2001-10-25.

SEMICONDUCTOR MEMORY STORAGE ARRAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140077150A1. Автор: HO Chia-Hua,LEE MING-DAOU,CHIU WEN-CHENG,HSU CHO-LUN. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2014-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140027836A1. Автор: Tadashi Iguchi,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786678B2. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu,Hirokazu Ishigaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372003A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130228850A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9000504B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8633526B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150041876A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09978765B2. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8541866B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170263640A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and process for same

Номер патента: US20020089002A1. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09941296B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210335816A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9601503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9318503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9312134B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US10418378B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8653582B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160056164A1. Автор: Noriaki Mikasa,Ken Komiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110001178A1. Автор: Masao Iwase,Tadahi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837264B2. Автор: Hideto Takekida,Reiko SHAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160049414A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140252453A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666694B2. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091075A1. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011024A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120086069A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110312155A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09768380B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising memory gate and peripheral gate having different thicknesses

Номер патента: US09530782B2. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160056166A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device having electron scattering and electron accumulation capacities in charge accumulation layer

Номер патента: US09935122B2. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Tsunehiro Ino,Kenichiro TORATANI,Misako Morota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805927B2. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor storage device, and method of manufacturing the same nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170069641A1. Автор: Ryota Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7750394B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20150228662A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20110298039A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20140239379A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and method of measuring the same

Номер патента: US09548315B2. Автор: Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Yoshihiro Yanai,Yoichi MINEMURA,Takuya INATSUKA,Murato Kawai,Takuya MIZUTANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100123184A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120146128A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120139031A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120043549A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090236653A1. Автор: Yukie Nishikawa,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Hirotaka Nishino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090057753A1. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061764A1. Автор: Akira Takashima,Daisuke Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US20040021167A1. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US6784482B2. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09536898B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080087937A1. Автор: Yoshio Ozawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030127681A1. Автор: Naoki Tsuji,Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes

Номер патента: US09859211B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905571B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09564450B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Nonvolatile semiconductor memory with stable characteristic

Номер патента: US20050184333A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120168845A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory and method of fabrication thereof

Номер патента: US20080048238A1. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Variable resistive element, method for producing the same, and nonvolatile semiconductor memory device including the variable resistive element

Номер патента: US20130285005A1. Автор: Yukio Tamai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060255396A1. Автор: Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120153375A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09590117B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of making a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5208175A. Автор: Jeong-Hyeok Choi,Geon-Su Kim,Yun-Seong Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120025292A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8471327B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030040A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203180A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120025291A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory capable of storing data of two bits or more per cell

Номер патента: US20060081891A1. Автор: Kenichirou Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080105916A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8349688B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20130252389A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20150364608A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190139782A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110073935A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Akiko Sekihara,Tesuya Kai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabrication of the same

Номер патента: US5726470A. Автор: Yasuo Sato. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device and nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8361862B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040214394A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110309318A1. Автор: Takuya Konno,Kazuhiko Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060039175A1. Автор: Yoshinori Odake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Method of fabricating a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7205197B2. Автор: Katsuji Yoshida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-17.

nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120132980A1. Автор: Yuji Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080203481A1. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110020995A1. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US7829950B2. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG182890A1. Автор: Noda Mitsuhiko,Noguchi Mitsuhiro,KUTSUKAKE Hiroyuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2012-08-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150262932A1. Автор: Osamu Yamane,Tadashi Iguchi,Hiromitsu Mashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120241843A1. Автор: Ryota Katsumata,Hiromitsu IINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20240114811A1. Автор: Tadaomi Daibou,Yosuke Matsushima,Katsuyoshi Komatsu,Jieqiong Zhang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030098485A1. Автор: Yasuo Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150069492A1. Автор: Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory element, and nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US8889478B2. Автор: Takumi Mikawa,Yoshio Kawashima,Yukio Hayakawa,Takeki Ninomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200043940A1. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230354596A1. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile semiconductor memory transistor, nonvolatile semiconductor memory, and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20140021525A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Nonvolatile semiconductor memory transistor, nonvolatile semiconductor memory, and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20140117431A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090072323A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069497A1. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150060984A1. Автор: Hiroki Yamashita,Shun Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140264718A1. Автор: Makoto Wada,Kazuyuki Higashi,Naofumi Nakamura,Tsuneo Uenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US11792992B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150021678A1. Автор: Ryuji Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364489A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220139955A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020074583A1. Автор: Seiki Ogura,Shinji Odanaka,Hiromasa Fujimoto,Nobuyo Sugiyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-20.

Ultraviolet erasable nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4847667A. Автор: Seiichi Mori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of producing the same

Номер патента: US5594688A. Автор: Yasuo Sato. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-01-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110115014A1. Автор: Tadashi Iguchi,Daigo Ichinose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150295170A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Ga Young Ha,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140117434A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140246717A1. Автор: Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240008276A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190348437A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9831270B2. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160190152A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Yoshimasa Mikajiri,Ryouhei KlRISAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180197878A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200243560A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170148815A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Yoshimasa Mikajiri,Ryouhei KlRISAWA,Shigeta OOTA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090152618A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8247860B2. Автор: Masao Iwase,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170033118A1. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150035045A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8498155B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Nonvolatile semiconductor device and fabrication process for the same

Номер патента: US20020100928A1. Автор: Akinobu Teramoto,Naoki Tsuji,Kazutoshi Wakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Nonvolatile multilayer gate semiconductor memory device

Номер патента: CA1188419A. Автор: Yung-Chau Yen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-06-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140061763A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140284692A1. Автор: Hiroshi Shinohara,Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140084353A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Nonvolatile semiconductor memory device having stacked-gate type transistor

Номер патента: US5780894A. Автор: Katsuki Hazama. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-07-14.

Method of fabricating nonvolatile semiconductor memory devices with select gates

Номер патента: US5953611A. Автор: Makoto Tanaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8796755B2. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8378331B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Tsukasa Nakai,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Yasuhiro Satoh,Motoya Kishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100237319A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Tsukasa Nakai,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Yasuhiro Satoh,Motoya Kishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130341699A1. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5530276A. Автор: Shoichi Iwasa. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080121979A1. Автор: Yukie Nishikawa,Akira Takashima,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120193698A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Mitsuhiro Noguchi,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9397289B2. Автор: Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080073703A1. Автор: Kiyoshi Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8546872B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-01.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8445349B2. Автор: Mitsuhiko Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120241872A1. Автор: Masato Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7875925B2. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacture thereof

Номер патента: US09691779B2. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120319077A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Daisuke Matsushita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130023099A1. Автор: Mitsuhiko Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9076722B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8598644B2. Автор: Wataru Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Nonvolatile semiconductor memory and making method thereof

Номер патента: US7268042B2. Автор: Kan Yasui,Digh Hisamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7414285B2. Автор: Yoshio Ozawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020079547A1. Автор: Kiyoteru Kobayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

High-density nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5401992A. Автор: Takashi Ono. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-03-28.

Memory cell and nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7514738B2. Автор: Takashi Ono,Narihisa FUJII,Kenji OHNUKI. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory with backing wirings and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070296021A1. Автор: Hideki Sugiyama,Hideki Hara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120171856A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Method for fabricating nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6030869A. Автор: Takashi Maejima,Hidenori Tanaka,Yoshinori Odake,Mitsuyoshi Andou,Toshimoto Kubota. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-02-29.

Memory cell and nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20070075354A1. Автор: Takashi Ono,Narihisa FUJII,Kenji OHNUKI. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120273743A1. Автор: Masayuki Takata,Tsukasa Nakai,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kenichi Ootsuka,Shuichi Kuboi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8735859B2. Автор: Masayuki Takata,Tsukasa Nakai,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kenichi Ootsuka,Shuichi Kuboi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8558302B2. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8587051B2. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-11-19.

Ultraviolet-erasable nonvolatile semiconductor device

Номер патента: US09589972B2. Автор: Tetsuo SOMEYA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7560766B2. Автор: Hiroshi Maejima,Mitsuhiro Noguchi,Takahiko Hara,Minori Kajimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-14.

Process for fabricating nonvolatile semiconductor memory with a selection transistor

Номер патента: US6492230B2. Автор: Ken-ichiro Nakagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-10.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120181598A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Riichiro Shirota,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Yoshihiko Saito,Ichiro Mizushima,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020195647A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170125435A1. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150048440A1. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120061746A1. Автор: Ryuji Ohba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8916923B2. Автор: Ryuji Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-23.

Method of manufacturing split gate type nonvolatile memory device

Номер патента: US20050095785A1. Автор: Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US09917095B2. Автор: Masaru Kito,Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180175048A1. Автор: Masaru Kito,Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12089417B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for producing a floating gate memory device including implanting ions through an oxidized portion of the silicon film from which the floating gate is formed

Номер патента: US5599727A. Автор: Shin-Ichi Sato,Kenji Hakozaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-02-04.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor memory device and read wait time adjustment method thereof, memory system, and semiconductor device

Номер патента: US20120069687A1. Автор: . Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130039143A1. Автор: Park Jung-Hoon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-02-14.

MEMORY DEVICE AND METHOD FOR REPAIRING A SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20130010538A1. Автор: . Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2013-01-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120161206A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-06-28.

3-D NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE 3-D NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130100741A1. Автор: CHOI Sang Moo,LEE In Hey. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor memory information storage device and its defective part coping method

Номер патента: JP5057796B2. Автор: 俊生 鈴木. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION DEVICE AND METHOD FOR EMBEDDING DATA SYMBOLS IN A LUMINANCE OUTPUT

Номер патента: US20120002974A1. Автор: Wendt Matthias,Radermacher Harald Josef Günther,SCHENK Tim Corneel Wilhelmus,Kuppen Johan Wilhelmus Hermanus. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENT OF OBJECT

Номер патента: US20120002842A1. Автор: MURASHITA Kimitaka,WATANABE Yuri,Fujimura Koichi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTERLEAVED MEMORY PROGRAM AND VERIFY METHOD, DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120002474A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.