Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device having a planarizing film formed in a region of a step portion

Semiconductor device having a planarizing film formed in a region of a step portion

Номер патента: US8188564B2
Опубликовано: 29-05-2012
Автор(ы): Kazuhide Tomiyasu, Kazuo Nakagawa, Yasumori Fukushima, Yutaka Takafuji
Принадлежит: Sharp Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and manufacturing method thereof.

Номер патента: MY128437A. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Koji Ono,Jun Koyama,Yoshihiro Kusuyama. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 2007-02-28.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140256116A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Koji Ono,Jun Koyama,Yoshihiro Kusuyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US09864248B2. Автор: Yasumori Fukushima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09659926B2. Автор: Shinya Suzuki,Kiichi Makuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Solid-state imaging device having a moth-eye structure and light blocking portions, method for manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09819846B2. Автор: Tomoyuki Hirano,Yoshiaki Masuda,Kazufumi Watanabe,Hideshi Abe,Masanari Yamaguchi,Yuki Miyanami,Tomoharu Ogita,Yoshiki Ebiko. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Prediction Of Semiconductor Device Performance

Номер патента: US20230268236A1. Автор: Vladimir Bulovic,Anthony T. TROUPE,Brandon T. MOTES,Dane William DEQUILETTES. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-08-24.

Liquid crystal display device having a rearward bottom surface for improved heat dissipation

Номер патента: US9826669B2. Автор: Hiroshi Tokuyama. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Liquid crystal display device having improved heat dissipation structure

Номер патента: US9545039B2. Автор: Hiroshi Tokuyama. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Liquid crystal display device having a rearward bottom surface for improved heat dissipation

Номер патента: US09826669B2. Автор: Hiroshi Tokuyama. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Liquid crystal display device having improved heat dissipation structure

Номер патента: US09545039B2. Автор: Hiroshi Tokuyama. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Light control film and display device having the same

Номер патента: US20240219610A1. Автор: Minhyung Kim,Seong-Il Kim,Hyunwoo Jeon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Automatic detection of a cmos device in a latch-up and cycling of a power thereto

Номер патента: WO2009111424A1. Автор: Joseph Harry Julicher. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2009-09-11.

Semiconductor device that can have a defective bit found during or after packaging process repaired

Номер патента: US20030030135A1. Автор: Kazushi Sugiura,Ryuji Ohmura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20200365726A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device including buried gate, module and system, and method for manufacturing

Номер патента: US09418854B2. Автор: Tae Su Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device

Номер патента: US11245031B2. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080138971A1. Автор: Tetsuji Yamaguchi,Hajime Tokunaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20220416052A1. Автор: Junghwan Kim,Sangmin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240234577A1. Автор: Chao Dai,Zhifu Li,Guanghui Liu,Dewei SONG,Chengzhi LUO,Fei AI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Synaptic semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US20140067743A1. Автор: Jung Han Lee,Hyungjin Kim,Byung-gook Park,Garam Kim,Min-Woo KWON. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2014-03-06.

Probe pin having a first plunger with a guide projection slidingly movable in a guide slot of a second plunger

Номер патента: US09595773B2. Автор: Takahiro Sakai,Yoshinobu Hemmi,Hirotada Teranishi. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

System and method for maintaining and establishing operational readiness in a fuel cell backup system of a nuclear reactor system

Номер патента: US09748006B2. Автор: Roderick A. Hyde,Clarence T. Tegreene,Joshua C. Walter. Владелец: TerraPower LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for fabricating semiconductor device comprising a deep trench isolation structure and a trap rich isolation structure in a substrate

Номер патента: US20200006117A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Light sensor having a contiguous IR suppression filter and transparent substrate

Номер патента: US09472696B1. Автор: Joy T. Jones,Zhihai Wang,Nicole D. Kerness,Arkadii V. Samoilov. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317741A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods, apparatus and system for stringer defect reduction in a trench cut region of a finfet device

Номер патента: US20190326408A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Hui Zang,Daniel Jaeger,Haigou Huang,Christopher Nassar,Michael Aquilino,Jinsheng Gao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Methods, apparatus and system for stringer defect reduction in a trench cut region of a finfet device

Номер патента: US20190097015A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Hui Zang,Daniel Jaeger,Haigou Huang,Christopher Nassar,Michael Aquilino,Jinsheng Gao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device having dummy active fin patterns

Номер патента: US09929156B2. Автор: Jong Hyun Lee,Hyun Jae Lee,Sung Wook Hwang,Jae Seok Yang,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20200203426A1. Автор: Haruhiko Terada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device having sufficient process margin and method of forming same

Номер патента: US09673195B2. Автор: Chang-min Park,Man-Hyoung Ryoo,Gi-sung Yeo,Si-hyeung Lee,Gyu-Chul Kim,Sung-Gon Jung,Hoo-Sung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20200349993A1. Автор: Mikio Oka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20110188309A1. Автор: Masato Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device

Номер патента: US8400832B2. Автор: Masato Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

Back end floating gate structure in a semiconductor device

Номер патента: US20240086692A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO,Chia Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09755648B2. Автор: Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US09741779B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hideaki Kuwabara,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with transistor cells and a drift structure and method of manufacturing

Номер патента: US10700182B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Bernd Zippelius,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-30.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230369329A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hidefumi Rikimaru,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device having at least four side-by-side electrodes of equal length and equal pitch with at least two transistor connections to power or ground

Номер патента: US7989848B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2011-08-02.

Semiconductor device comprising memory circuit over control circuits

Номер патента: US11869627B2. Автор: Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device having circular light-blocking layer

Номер патента: US09449991B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Wafer with SOI structure having a buried insulating multilayer structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09590118B1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240038584A1. Автор: Zhen Song,Libin Zhang,Yayi Wei. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09865742B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Yasuo Nakamura,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga,Hideki Uochi,Hideyuki Kishida,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09984990B2. Автор: Kiyotaka Umemoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09607927B2. Автор: Kiyotaka Umemoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having a vertical hall element with a buried layer

Номер патента: US11069851B2. Автор: Takaaki Hioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device and method for making semiconductor device

Номер патента: US09941237B2. Автор: Motoharu Haga,Yuto NISHIYAMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for making semiconductor device

Номер патента: US09601455B2. Автор: Motoharu Haga,Yuto NISHIYAMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332445A1. Автор: Atsushi KUROHA. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and circuit with dynamic control of electric field

Номер патента: US09515644B2. Автор: Jan Willem Slotboom,Anco Heringa,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh,Godefridus Antonius Maria Hurxk,Ivan Zahariev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-12-06.

MOS semiconductor device formed on insulator

Номер патента: US5233207A. Автор: Kenji Anzai. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1993-08-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20200152861A1. Автор: Takaaki Hioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12068157B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Jong Hyun Jung,Jang Hoon Kim,Young Kuk Byun,Hyun Seung HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09679634B2. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and power distribution network

Номер патента: US09978428B2. Автор: Bum Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US09779941B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431545B2. Автор: Toshihiko Saito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Akihiro Ishizuka,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for manufacturing organic el device, film-forming method, and film-forming apparatus

Номер патента: US20200020892A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for doping an active Hall effect region of a Hall effect device and Hall effect device having a doped active Hall effect region

Номер патента: US09741925B2. Автор: Stefan Kolb,Markus Eckinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for doping an active hall effect region of a hall effect device

Номер патента: US09978930B2. Автор: Stefan Kolb,Markus Eckinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170040226A1. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508598B2. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having pinned layer with enhanced thermal endurance

Номер патента: US9666789B2. Автор: Jeong-Heon Park,Jae-hoon Kim,Ki-Woong Kim,Hee-Ju SHIN,Se-Chung Oh,Woo-Jin Kim,Yun-Jae Lee,Joon-Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device having pinned layer with enhanced thermal endurance

Номер патента: US20150280108A1. Автор: Jeong-Heon Park,Jae-hoon Kim,Ki-Woong Kim,Hee-Ju SHIN,Se-Chung Oh,Woo-Jin Kim,Yun-Jae Lee,Joon-Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for producing a semiconductor device by means of computer-aided development of test scenarios

Номер патента: US10761140B2. Автор: Oliver Frank,Florian STARZER,Georg KREBELDER,Christoph Hazott,Bruno MARIACHER,Otto PFABIGAN,Sebastian POINTNER,Ralf REITERER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-01.

Method of forming semiconductor device having magnetic tunnel junction and related device

Номер патента: US20140308759A1. Автор: Ki-Woong Kim,Young-Hyun Kim,Woo-Jin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8906756B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryosuke Watanabe,Junichiro Sakata,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050001250A1. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7018854B2. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US12068053B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device including standard cell having split portions

Номер патента: US20240311544A1. Автор: Ta-Pen Guo,Chien-Ying Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09666239B2. Автор: Tatsuya Fukumura,Hiroaki Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09659653B2. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Electronic devices having semiconductor memory units and method of fabricating the same

Номер патента: US09411734B2. Автор: Cha-deok Dong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US9147687B2. Автор: Hyun-Woo Kim,Cha-Won Koh,Hyo-Sung Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-29.

Production line for semiconductor devices

Номер патента: EP1039507A3. Автор: Takeshi Doi. Владелец: Innotech Corp. Дата публикации: 2001-04-11.

Memory device having vertical structure

Номер патента: US20220122932A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Ki Soo Kim,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Stress sensor for a semiconductor device

Номер патента: WO2016025146A1. Автор: Vidhya Ramachandran,Urmi Ray. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-18.

Method and apparatus for performing run-to-run control in a batch manufacturing environment

Номер патента: EP1218933A1. Автор: Anthony J. Toprac,William J. Campbell,Christopher A. Bode. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-07-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20180233212A1. Автор: Nak Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4322045A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-14.

Semiconductor device including a macro pattern structure for monitoring of line widths

Номер патента: US20230253267A1. Автор: Sangwoo Park,Woonhyuk Choi,Jungkee CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device including alignment marks

Номер патента: US5949145A. Автор: Masahiro Komuro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Method for doping an active hall effect region of a hall effect device and hall effect device having a doped active hall effect region

Номер патента: US20170317271A1. Автор: Stefan Kolb,Markus Eckinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium

Номер патента: US20100311235A1. Автор: Katsumi Mori,Kei Kawahara,Yoshikazu Kasuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Methods of detecting inhomogeneity of a layer and apparatus for performing the same

Номер патента: US09528949B2. Автор: Chang-Ho Lee,Jung-dae Park,Pil-kwon Jun,Dong-won Kim,Jae-ho Kim,Jin-A Ryu,Jung-Hoon Kim,Nae-Ry Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Integration structure for connecting a plurality of semiconductor devices, associated methods, assembly and system

Номер патента: US20230170305A1. Автор: Jean Charbonnier,Edouard Deschaseaux,Candice Thomas. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070184634A1. Автор: Shinya Suzuki,Masatoshi Iwasaki,Toshiaki Sawada. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Method for manufacturing semiconductor device with passivation film

Номер патента: US3615941A. Автор: Eiichi Yamada,Masayuki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1971-10-26.

Semiconductor device with improved immunity to contact and conductor defects

Номер патента: US5481137A. Автор: Shigeru Harada,Hisao Masuda,Reiji Tamaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-01-02.

Structure in a substrate for the manufacturing of a semiconductor device and process for manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: US20080009139A1. Автор: Thomas Hecht,Henry Bernhardt,Steffen Mueller,Kristin Schupke,Kevin Bauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor device contains a PbxSr(1−x)[Zr, Ti]xRu(1−x)O3 film in a capacitor

Номер патента: US7233040B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Soichi Yamazaki,Hiroyuki Kanaya,Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-06-19.

Semiconductor device assemblies and systems with one or more dies at least partially embedded in a redistribution layer (RDL) and methods for making the same

Номер патента: US12125816B2. Автор: Jong Sik Paek,Po Chih Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with electrodes having a columnar portion

Номер патента: US11842971B2. Автор: Kenji Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for manufacturing a semiconductor device including interconnections having a smaller width

Номер патента: US20080090409A1. Автор: Taizo Yasuda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device with vias having a zinc-second metal-copper composite layer

Номер патента: US20200286837A1. Автор: Nazila Dadvand. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Analyzing a sidewall of hole milled in a sample to determine thickness of a buried layer

Номер патента: WO2023027866A1. Автор: Ilya Blayvas,Yehuda Zur. Владелец: Applied Materials Isreal Ltd.. Дата публикации: 2023-03-02.

Analyzing a sidewall of hole milled in a sample to determine thickness of a buried layer

Номер патента: US12033831B2. Автор: Ilya Blayvas,Yehuda Zur. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160043131A1. Автор: Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9564466B2. Автор: Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Techniques for distance scanning in a near field region of a reconfigurable intelligent surface

Номер патента: US20240322864A1. Автор: Tao Luo,Narayan Prasad,Junyi Li,Yavuz YAPICI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Techniques for distance scanning in a near field region of a reconfigurable intelligent surface

Номер патента: WO2024205825A1. Автор: Tao Luo,Narayan Prasad,Junyi Li,Yavuz YAPICI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Electronic device having an electronic compass adapted to detect when the device is in a holster

Номер патента: CA2762704C. Автор: Marc Holbein,Michael Joseph Pertuit,Jace William Files. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Patterned Retarder Type Display Device Having Black Strips and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20130293802A1. Автор: Heeyoung CHAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Liquid crystal display device having low viewing angle dependency

Номер патента: US09829737B2. Автор: Tsuyoshi Maeda,Yuhsuke Tsuda,Hideomi Yui,Shohei Katsuta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Flexible display device having touch and bending sensing function

Номер патента: US09904396B2. Автор: Hyoung-Wook Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for paying in a motor vehicle by means of a transaction on a cryptocurrency computer network

Номер патента: US11854006B2. Автор: Hubert Rehborn,Frank Starman,Micha Koller. Владелец: Mercedes Benz Group AG. Дата публикации: 2023-12-26.

Apparatus for reducing the instruction execution time in a computer employing indirect addressing of a data memory

Номер патента: US4354231A. Автор: Karl-Johan V. Carlsson,Hans O. S. Kjoller. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1982-10-12.

Protective electric circuit in a device for reducing vibrations of a vehicle body

Номер патента: GB2241842A. Автор: Shigeru Kuriyama,Kenichi Nakamura,Yozo Nakamura,Yuji Maeda,Masao Fukushima,Yuzo Kadomukai,Keiichi Mashino,Kei Murakami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1991-09-11.

System and method for ground fault detection in a transformer isolated communication channel of a network device

Номер патента: CA2886230C. Автор: Karen D. Lontka. Владелец: Siemens Industry Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and system for managing safety devices in a building during the detection of a threat event

Номер патента: WO2021152392A3. Автор: Eyal Artsiely,Roy AMIR,Shlomi SHARABANI,Avi RINGEL,Gideon FISHER. Владелец: Survia Ltd.. Дата публикации: 2021-09-30.

Computer program product and method for auto-focusing one or more cameras on selected persons in a venue who are performers of a performance occurring at the venue

Номер патента: US11889188B1. Автор: Benjamin Slotznick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-30.

Computer program product and method for auto-focusing one or more lighting fixtures on selected persons in a venue who are performers of a performance occurring at the venue

Номер патента: US11889187B1. Автор: Benjamin Slotznick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-30.

Method and system for managing safety devices in a building during the detection of a threat event

Номер патента: US20230055822A1. Автор: Eyal Artsiely,Roy AMIR,Shlomi SHARABANI,Avi RINGEL,Gideon FISHER. Владелец: Survia Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

System and method for supporting activities in a shipyard during the construction of a ship

Номер патента: AU2023266258A1. Автор: Ghiggeri Alessio,Bottazzi Dario,Ziparo Francesco,Gomiero Giorgio,Momi Massimo,Tommasoni Riccardo,Capato Roberto,Luca Bristot Simon,Oliver Blieck Simon,Pilutti Namer Tharsis,Loseto Tristano. Владелец: Fincantieri SpA. Дата публикации: 2024-05-30.

System and method for supporting activities in a shipyard during the construction of a ship

Номер патента: US20240163339A1. Автор: Giorgio GOMIERO,Tharsis Pilutti Namer,Simon Luca Bristot,Simon Oliver Blieck,Riccardo Tomassoni,Tristano Loseto,Alessio Ghiggeri,Francesco Ziparo,Roberto Capato,Massimo Momi,Dario Bottazzi. Владелец: Fincantieri SpA. Дата публикации: 2024-05-16.

System and method for supporting activities in a shipyard during the construction of a ship

Номер патента: EP4369261A1. Автор: Giorgio GOMIERO,Tharsis Pilutti Namer,Simon Luca Bristot,Simon Oliver Blieck,Tristano Loseto,Alessio Ghiggeri,Francesco Ziparo,Roberto Capato,Massimo Momi,Dario Bottazzi,Riccardo TOMMASONI. Владелец: Fincantieri SpA. Дата публикации: 2024-05-15.

Method in a non web-based application of a mobile device for transferring funds to a savings account

Номер патента: US20150287019A1. Автор: Stephane Barsalou,Claude Heon,Jean-Pierre Malo. Владелец: FEDERATION DES CAISSES DESJARDINS DU QUEBEC. Дата публикации: 2015-10-08.

Providing authorization and authentication in a cloud for a user of a storage array

Номер патента: EP3304845A1. Автор: Constantine P. Sapuntzakis,Ethan L. Miller,Terence W. Noonan,Neil A. Vachharajani,Jimmy T. Hu,Daquan Zuo,Benjamin P. Borowiec. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Method and system for managing safety devices in a building during the detection of a threat event

Номер патента: US12073704B2. Автор: Eyal Artsiely,Roy AMIR,Shlomi SHARABANI,Avi RINGEL,Gideon FISHER. Владелец: Survia Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and device for associating frames in a video of an activity of a person with an event

Номер патента: US09978425B2. Автор: Robert Frank Kirk,Harald Körger,Constantin Zwick,Bjoern Michael Eskofier,Dominik Schuldhaus,Maike Petra Stöve. Владелец: adidas AG. Дата публикации: 2018-05-22.

System and method for modifying, in a processing pipeline, a length of a data packet in a data block without modifying a length of the data block

Номер патента: US09635145B2. Автор: Pär Westlund,Gunnar Nordmark,Lars-Olof Svensson,Kurt Thomas Boden. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Microscopic image capturing apparatus, microscopic image capturing method, and storage medium having a microscope image capturing program stored thereon

Номер патента: US20100188497A1. Автор: Junzo Sakurai,Shinichiro Aizaki,Jitsunari Kojima. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Power supply device having a fuel cell arrangement and method for lowering voltage in a fuel cell arrangement

Номер патента: US20210229557A1. Автор: Martin BREU,Maximilian Schiedermeier. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2021-07-29.

Board connector having a fixing member with plate pieces facing each other in a plate thickness direction

Номер патента: US09774116B2. Автор: Kenji Okamura,Liping Kang,Mitsugu Furutani. Владелец: Sumitomo Wiring Systems Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Poke-in electrical connector having a contact with a base extending through an opening in a bottom of a housing

Номер патента: US09673542B1. Автор: Matthew Edward MOSTOLLER,Donald Francis Decker,Jeffrey William Shaffer. Владелец: TE Connectivity Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Conductor guide mechanism in a tool for terminating conductors of a cable to a connector

Номер патента: US5457876A. Автор: George H. Gerhard, Jr.. Владелец: Whitaker LLC. Дата публикации: 1995-10-17.

Sheath contact part with means preventing it from rotating,inte nded to be inserted in a circular cross section orifice of a box

Номер патента: WO1982002801A1. Автор: Connectors Dev & Mfg Ag Cdm. Владелец: Tesch Hans Juergen. Дата публикации: 1982-08-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8674437B2. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170170053A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta,Shigeyuki SAKUMA,Mitsuo SEKISAWA,Takehiro Endo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10714375B2. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta,Shigeyuki SAKUMA,Mitsuo SEKISAWA,Takehiro Endo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321239A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta,Shigeyuki SAKUMA,Mitsuo SEKISAWA,Takehiro Endo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of glass deposition for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240258099A1. Автор: Lei He,Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of glass deposition for semiconductor device fabrication

Номер патента: EP4415053A1. Автор: Lei He,Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200043922A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200235097A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device having through via and method of fabricating thereof

Номер патента: US20240363492A1. Автор: Chih-Hsin Yang,Mao-Nan Wang,Yang-Hsin Shih,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US20240355868A1. Автор: Po-Nien Chen,Chih-Yung Lin,Chen Hua TSAI,Yu-Chiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated heterojunction semiconductor device and method for producing an integrated heterojunction semiconductor device

Номер патента: US09887139B2. Автор: Gerhard Prechtl,Gebhart Dippold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device with electrostrictive layer in semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060278903A1. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Method of peak on-state voltage reduction for thyristor semiconductor device fabrication

Номер патента: EP4411824A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09947799B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09590112B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11916110B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Ming-Chang Wen,Jo-Tzu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220352319A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Ming-Chang Wen,Jo-Tzu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US09780087B2. Автор: Mengfeng Tsai,Buxin ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7952093B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190103413A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09876024B2. Автор: Yuki Yamamoto,Tomohiro Yamashita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09905659B2. Автор: Satoru Yamada,Dongjin Lee,Jiyoung Kim,Moonyoung JEONG,Dongsoo Woo,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20160104724A1. Автор: Masaru Saito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US09905644B2. Автор: Satoshi Eguchi,Tetsuya Iida,Akio Ichimura,Natsuo Yamaguchi,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US20200350420A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for manufacturing semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US11171223B2. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240030907A1. Автор: Hajime Okuda,Yoshinori Fukuda,Yuji Osumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: WO2000049661A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-08-24.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: EP1074050A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-02-07.

Semiconductor device having different source/drain junction depths and fabrication method thereof

Номер патента: US20240006414A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Chun-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Low voltage active semiconductor device monolithically integrated with voltage divider device

Номер патента: WO2023161386A1. Автор: Edward John Coyne. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090197378A1. Автор: Satoru Shimada,Seiji Otake,Yasuhiro Takeda. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor device with bipolar junction transistor cells

Номер патента: US09508711B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-29.

Seal ring for semiconductor device

Номер патента: US20230395680A1. Автор: Chun Yu Chen,Yen Lian Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device having capacitor

Номер патента: US5661319A. Автор: Yasuhiro Shimada,Akihiro Matsuda,Eiji Fujii,Yasuhiro Uemoto,Tooru Nasu,Tatsuo Ootsuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-08-26.

Semiconductor devices including a narrow active pattern

Номер патента: US20200111781A1. Автор: Ki Tae Lee,Mun Hyeon Kim,Keun Hwi Cho,Byung Gook Park,Si Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device with l-shape conductive feature and methods of forming the same

Номер патента: EP3944295A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162221A1. Автор: Hiroyoshi Kudou,Hideki Niwayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device, and method for making semiconductor device

Номер патента: WO2017014031A1. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2017-01-26.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Tatsuya Naito,Tatsuya Ishida,Takayuki Ito,Kenichi Yoshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device having stepped multi-stack transistor structure

Номер патента: US11935922B2. Автор: KANG Ill Seo,Seunghyun Song,Byounghak Hong,Hwichan Jun,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having stepped multi-stack transistor structure

Номер патента: US20230037833A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Hwichan Jun,Kang III SEO,lnchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230307450A1. Автор: Robert Haase,Timothy Henson,Harsh Naik,Honghai He,Ashita Mirchandani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210057409A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230116342A1. Автор: Dong Suk Shin,Won Hee CHOI,Sung Uk JANG,Bong Jin Kuh,Kong Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device having a memory cell region and a peripheral circuit region and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6849490B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253345A1. Автор: Akihiko Furukawa,Kohei Ebihara,Masanori Tsukuda,Fumihito MASUOKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor device including vertical MOSFET and Schottky barrier diode

Номер патента: US12119399B2. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Vertical gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1879235A3. Автор: Shuji c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Mizokuchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-16.

Semiconductor devices

Номер патента: US09530842B2. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09496413B2. Автор: Yusuke Nonaka,Masashi Oota,Hideyuki Kishida,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20150162440A1. Автор: Akira Fukumoto,Teruhisa Ikuta. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Power semiconductor device having a gate dielectric stack that includes a ferroelectric insulator

Номер патента: US12068390B2. Автор: Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices, power semiconductor devices, and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960268B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen,Jacob Tillmann Ludwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20200343337A1. Автор: Jun Takaoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20190252491A1. Автор: Jun Takaoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US10741637B2. Автор: Jun Takaoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20230282691A1. Автор: Jun Takaoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US11961883B2. Автор: Jun Takaoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347589A1. Автор: Suhyeon Kim,Youngsoo Song,Jihoon Park,Rooli CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627470B2. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Kee Ju Um,Dong Soo Seo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Multi-gate semiconductor devices with improved hot-carrier injection immunity

Номер патента: US09614041B1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230299194A1. Автор: Yuto OMIZU,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09673305B2. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20200295191A1. Автор: Takashi Izumida,Takeshi Shimane,Tadayoshi UECHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7436036B2. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Semiconductor Devices Having Epitaxial Layers with Suppressed Lateral Growth and Related Methods of Manufacturing Such Devices

Номер патента: US20070072399A1. Автор: Jun-Ho Lee,Young-Pil Kim,Hyung-ik Lee,Jin-Bum Kim,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20110186934A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240250173A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230101385A1. Автор: Shingo KABUTOYA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170062574A1. Автор: Jun Zeng,Masaki Nagata,Mohamed Darwish,Peter Su,Shigenari Okada. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09799667B2. Автор: Keisuke Tsukamoto,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Super junction semiconductor device having columnar super junction regions extending into a drift layer

Номер патента: US09722020B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Winfried Kaindl,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with electric field relaxation portion in insulating layer between lower and upper trench electrodes

Номер патента: US09716152B2. Автор: Jun Zeng,Masaki Nagata,Mohamed Darwish,Peter Su,Shigenari Okada. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09905429B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887263B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09633859B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US9105716B2. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Yusuke Kawaguchi,Miwako Akiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230091153A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US12057469B2. Автор: Po-Nien Chen,Chih-Yung Lin,Chen Hua TSAI,Yu-Chiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Mechanism for forming semiconductor device with gate

Номер патента: US09728637B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon-on-plastic semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US09583414B2. Автор: Julio C. Costa,David M. Shuttleworth,Michael J. Antonell. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US20230317839A1. Автор: Naoya Okamoto,Naoki Hara,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Yusuke Kumazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor devices having source/drain and method of fabricating the same

Номер патента: US09466724B2. Автор: Shigenobu Maeda,Changjae Yang,Changhwa KIM,Youngmoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140167123A1. Автор: Kwang Soo Kim,In Wha Jeong,Ji Hyun Park,Bum Seok SUH,JaeHoon PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09825159B2. Автор: Tetsutaro Imagawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Low on resistance semiconductor device

Номер патента: US09653561B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20150236165A1. Автор: Yusuke Nonaka,Masashi Oota,Hideyuki Kishida,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20160181432A1. Автор: Yusuke Nonaka,Masashi Oota,Hideyuki Kishida,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20150048365A1. Автор: Yusuke Nonaka,Masashi Oota,Hideyuki Kishida,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09893200B2. Автор: Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09520286B2. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09437598B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Junichi Ariyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09379240B2. Автор: Wayne BAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230387216A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11764270B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230335646A1. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Hirokazu Watanabe,Daisuke Matsubayashi,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150041805A1. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190165166A1. Автор: Yasunori Tanaka,Shinsuke Harada,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130119375A1. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250131A1. Автор: Yi Zhong,PENG Wang,TIAN Xiao,Yuxin Wang,Ruzhang Li,Xiaojun Fu,Jiahao Zhang,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Zhaohuan Tang. Владелец: China Electronics Technology Group Corp No24 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

FINFET semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09570589B2. Автор: Bing Wu,Yonggen He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device comprising a mosfet having a resurf region and higher peak impurity concentration diffusion region in the resurf region

Номер патента: US20240006476A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Yuji Kawasaki,Manabu Yoshino,Toshihiro Imasaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device comprising a MOSFET having a RESURF region and higher peak impurity concentration diffusion region in the RESURF region

Номер патента: US11824085B2. Автор: Kazuhiro Shimizu,Yuji Kawasaki,Manabu Yoshino,Toshihiro Imasaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for fabricating of cell pitch reduced semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170194433A1. Автор: Seung Hyun Kim,Soo Chang Kang,Yong Won Lee,Dae Won HWANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443991B2. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara,Kota Funayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US11791383B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20230361210A1. Автор: Yuki Nakano,Masatoshi Aketa,Takui Sakaguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070257309A1. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343127A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Che-Chih Hsu,Chinyu Su,Po-Han Tseng,Wen Han Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343373A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: WO2022214338A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device and electronic system

Номер патента: US12058866B2. Автор: Jeehoon HAN,Shinhwan Kang,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and electronic system

Номер патента: US20240357825A1. Автор: Jeehoon HAN,Shinhwan Kang,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040219799A1. Автор: Jae Lee,Jae Choi,Sung Park,Ga Lee,Jae Om. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6034412A. Автор: Takeshi Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180138170A1. Автор: Tsuyoshi Nishiwaki,Atsushi Imai,Hiroshi Hosokawa,Shinya Iwasaki,Shuhei Oki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09954115B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices having spacer protection pattern

Номер патента: US09859432B2. Автор: Yongsun Ko,Sangjine Park,Hagju CHO,Jeongnam Han,ByungJae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466728B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having an enhanced well region

Номер патента: US8283722B2. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2012-10-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180019129A1. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001226A1. Автор: Akio Iwabuchi,Shuichi Kaneko. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09685520B1. Автор: Ta-Kang Lo,Tsai-Fu Chen,Hsin-Ta Hsieh,Chun-Chia Chen,Hung-Chang Chang,Shang-Jr Chen,Chen-Chien Li,Shuo-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09437732B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US6884668B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor device having a gate insulating film structure including an insulating film containing metal, silicon and oxygen and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080102616A1. Автор: Masayuki Tanaka,Yoshio Ozawa,Kiyotaka Miyano,Yoshitaka Tsunashima,Seiji Ihumiya,Yasumasa Suizu. Владелец: Yasumasa Suizu. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072171A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230387291A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090311840A1. Автор: Takashi Onizawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240038850A1. Автор: Kazuyuki Sato,Shingo Sato,Masatsugu Nagai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device having buried gate electrodes

Номер патента: US20210183689A1. Автор: Ki-Bum Lee,Yun-Jung Kim,Byung-jae Kang,Se-min Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11848383B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US8610221B2. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100062575A1. Автор: Junji Koga,Yoshinori Tsuchiya,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Semiconductor device

Номер патента: US9142618B2. Автор: Masayuki Katagiri,Mariko Suzuki,Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Naoshi Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213355A1. Автор: Yukinori Nose,Atsuya SASAKI. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09947806B2. Автор: Masaaki Tomita. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of forming III-V semiconductor structures using multiple substrates, and semiconductor devices fabricated using such methods

Номер патента: US09716164B2. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09666664B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Satoshi Nakazawa,Yoshiharu Anda,Naohiro Tsurumi,Ryo KAJITANI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09653600B2. Автор: Yang Zhou,Gangning Wang,Guangli Yang,Guohao Cao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming a silicon-insulator layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US11195713B2. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Olaf Storbeck,Michael Hutzler,Ingmar Neumann,Markus Heinrici,Georg Ehrentraut,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC,Christoffer Erbert,Klaus Goeschl,Wolfgang Koell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230335626A1. Автор: Kohei MURASAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing semiconductor device having buried gate electrodes

Номер патента: US20200243375A1. Автор: Ki-Bum Lee,Yun-Jung Kim,Byung-jae Kang,Se-min Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09741725B2. Автор: Nobuo Tsuboi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2010046794A1. Автор: Anco Heringa,Jan Sonsky. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11764296B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240072120A1. Автор: Hiroshi Kono,Takahiro Ogata,Teruyuki Ohashi,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20210119032A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190081171A1. Автор: Naoki Watanabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Integration of a non-volatile memory (nvm) cell and a logic transistor and method therefor

Номер патента: US20160087058A1. Автор: Sung-taeg Kang,Asanga H. Perera. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200259007A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20130168739A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Masaki Ueno,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09935170B2. Автор: Yoichiro Tarui,Masayuki Furuhashi,Toshikazu Tanioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US11742420B2. Автор: Peter A. Burke,Dean E. Probst,Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-08-29.

High voltage semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240047574A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20190341445A1. Автор: Po-Nien Chen,Chih-Yung Lin,Chen Hua TSAI,Yu-Chiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9412831B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20200395478A1. Автор: Peter A. Burke,Dean E. Probst,Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device comprising a field electrode

Номер патента: US09728614B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,David Laforet,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

BiCMOS device having an SOI substrate and process for making the same

Номер патента: US5212397A. Автор: Thomas C. Mele,Yee-Chaung See,John R. Alvis. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-05-18.

Bottom implant and airgap isolation for nanosheet semiconductor devices

Номер патента: US20230089482A1. Автор: Yan Zhang,Naushad K. Variam,Johannes M. van Meer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device having nickel silicide layer

Номер патента: US20110089497A1. Автор: Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor devices including channel regions having non-uniform Ge concentration

Номер патента: US11961911B2. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Bottom implant and airgap isolation for nanosheet semiconductor devices

Номер патента: US11948832B2. Автор: Yan Zhang,Naushad K. Variam,Johannes M. van Meer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030113965A1. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09496389B2. Автор: Yong-Don Kim,Se-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023217069A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230411502A1. Автор: Yukio Takahashi,Tetsuya Yoshida,Koji Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20030057466A1. Автор: Kazutaka Otsuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11824058B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11967631B1. Автор: Hao Feng,Yong Liu,Jing DENG,Johnny Kin On Sin. Владелец: Jsab Technologies Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160111273A1. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US11876122B2. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20200075597A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US11991878B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070052038A1. Автор: Hitoshi Asada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090170301A1. Автор: Kyung-Doo Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194752A1. Автор: Woo Jin Lee,Woo Kyung YOU,Koung Min RYU,Sang Koo Kang,Jun Chae LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100006939A1. Автор: Joong Sik Kim,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8115255B2. Автор: Joong Sik Kim,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: EP4177956A3. Автор: Yang Xu,Yong Seung Kim,Si Hyung LEE,Dong Suk Shin,Nam Kyu Cho,Sang Gil Lee,Seok Hoon Kim,Pan Kwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-19.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP2629333A3. Автор: Shoji Yokoi,Naohiro Shimizu. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2014-10-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09853111B2. Автор: Bon Young Koo,Kyung In CHOI,Hyun Gi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device with substantially equal impurity concentration JTE regions in a vicinity of a junction depth

Номер патента: US09755014B2. Автор: Natsuki Yokoyama,Kazuhiro Mochizuki,Hidekatsu Onose,Norifumi Kameshiro. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Etch stop in a dep-etch-dep process

Номер патента: US09691655B1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with similar impurity concentration JTE regions

Номер патента: US09478605B2. Автор: Natsuki Yokoyama,Kazuhiro Mochizuki,Hidekatsu Onose,Norifumi Kameshiro. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20180076203A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device with deep trench and manufacturing process thereof

Номер патента: WO2023287601A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

High-breakdown-voltage semiconductor device

Номер патента: US20050029558A1. Автор: Tetsuo Hatakeyama,Takashi Shinohe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device with buried power rail

Номер патента: WO2023126143A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device including a fin-fet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200303260A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Yu-Ming Lin,Cheng-Yi Peng,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Akira Mineji,Meng-Hsuan Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device, method of making a semiconductor device, and processing system

Номер патента: US20200258997A1. Автор: Sanjay Natarajan,Yi-Chiau Huang,Patricia M. Liu,Xuebin Li,Saurabh Chopra,Gaurav Thareja,Abhishek Dube,Andy Lo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for fabricating finfet devices having gate spacers on field insulating layers

Номер патента: US20200243398A1. Автор: Jae Mun Kim,Tae Ho Cha,Gun Ho JO,Dae Joung Kim,Moon Han PARK,Jae Jong HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US11869937B2. Автор: Eric R. Miller,Gauri Karve,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Marc Adam Bergendahl,Robert Russell Robison,John Ryan Sporre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20150123187A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Junichi Ariyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190088670A1. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US8822264B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US6140192A. Автор: Hsiao-Ling Lu,Tri-Rung Yew,Michael W C Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor device having first and second trenches with no control electrode formed in the second trench

Номер патента: US6781199B2. Автор: Hideki Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-08-24.

Vertical type semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US10770473B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Joon-Hee Lee,Jae-Duk Lee,Sung-Yun Lee,Young-jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-08.

Methods of forming gates of semiconductor devices

Номер патента: US20140235047A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jong-Won Lee,Seung-jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-21.

Methods of Forming Gates of Semiconductor Devices

Номер патента: US20120088358A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jong-Won Lee,Seung-jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-12.

Methods of forming gates of semiconductor devices

Номер патента: US8962415B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jong-Won Lee,Seung-jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240162351A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8039322B2. Автор: Akio Iwabuchi,Shuichi Kaneko. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-18.

A Method för producing a pn-junction for a semiconductor device of SIC as well as a semiconductor device of SIC having a pn-junction

Номер патента: SE9802909D0. Автор: Per-Aake Nilsson. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 1998-08-31.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220302279A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device

Номер патента: US11961839B2. Автор: Sangmoon Lee,Seung Hun Lee,Jihye Lee,Hyojin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240049458A1. Автор: KANG Yang,Yi Zhou,Ziyu ZHANG,Zhiyong Cai,Hsing-An LO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130119459A1. Автор: Woo Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20190148521A1. Автор: Jae Mun Kim,Tae Ho Cha,Gun Ho JO,Dae Joung Kim,Moon Han PARK,Jae Jong HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170373072A1. Автор: Nobuo Tsuboi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20210118880A1. Автор: Sangmoon Lee,Seung Hun Lee,Jihye Lee,Hyojin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device with a monocrystalline extrinsic base and method therefor

Номер патента: US20240178304A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-30.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having A Floating Gate, Control Gate, Select Gate And An Erase Gate With An Overhang Over The Floating Gate, Array And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20110127599A1. Автор: Amitay Levi,Xian Liu,Viktor Markov,Chien-Sheng Su,Yaw Wen Hu,Yuri Tkachev,Alexander Kotov,James Yingbo Jia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor structure having a compensated resistance in the LDD area and method for producing the same

Номер патента: US20040262691A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor structure having a compensated resistance in the LDD area and method for producing the same

Номер патента: US7148539B2. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-12.

Semiconductor integrated circuit device having low and high withstanding-voltage MOS transistors

Номер патента: US09698147B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230386844A1. Автор: Takeshi Aiba,Suguru YACHI. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170229572A1. Автор: Yoshinori Hoshino,Tsuyoshi Kachi,Senichirou NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Power semiconductor device and method of manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20230369515A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240047550A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070296041A1. Автор: Hiroaki Hazama,Susumu TAMON. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09929166B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230397403A1. Автор: Jin Sun CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device having a resistance element with a reduced area

Номер патента: US6166425A. Автор: Masato Sakao. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437639B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150333070A1. Автор: Takeshi Nagai,Kanta Saino. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069044A1. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Circuit board, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20210126036A1. Автор: Takashi Miyamoto,Akira Arahata. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device, electronic device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240055461A1. Автор: Yoshiaki Yanagawa,Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US4996578A. Автор: Keiji Kamasaki,Hideaki Motojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-02-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680040B2. Автор: Takashi Ishizuka,Kaoru Shibata,Katsushi Akita,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Imaging Device having a Diffusion Region Electrically Connected to a Photoelectric Converter and Overlapping a Region Penetrating another Region of Opposite Conductivity

Номер патента: US20200105823A1. Автор: TSUNO MORIKAZU. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20230011088A1. Автор: Wandon Kim,Sunyoung NOH,Rakhwan Kim,Euibok LEE,Hanmin JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device with split gate electrode structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20050042828A1. Автор: Jae-Hyun Park,Chul-soon Kwon,Jung-Ho Moon,Jae-Min Yu,Don-Woo Lee,In-Gu Yoon,Yong-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US20200111791A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device

Номер патента: US9275949B2. Автор: Yuya OKADA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US10141363B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-27.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180006068A1. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Circuit board, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20220165777A1. Автор: Takashi Miyamoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device having capacitor with upper electrode of conductive oxide and its manufacture method

Номер патента: US20060273368A1. Автор: Yasutaka Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Light emitting device and display device having same

Номер патента: EP3823028A1. Автор: Jae Ik Lim,Hae Yun CHOI,Eun A YANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Solid state image pick-up device having a number of static induction transistor image sensors

Номер патента: US4891682A. Автор: Hidetoshi Yamada,Takashi Mizusaki,Atsushi Yusa,Jun-ichi Nishizawa,Takashige Tamamushi. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1990-01-02.

Semiconductor device with conductive cap layer over conductive plug and method for forming the same

Номер патента: US20200373308A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

A well to substrate photodiode for use in a cmos sensor on a salicide process

Номер патента: EP1004140A1. Автор: Lawrence T. Clark,Edward J. Bawolek,Mark A. Beiley,Eric J. Hoffman,Bart McDaniel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-05-31.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US9245902B2. Автор: Kil-Su JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-26.

Semiconductor device

Номер патента: EP2622640A1. Автор: Takashi Okawa,Kiyoharu Hayakawa,Atsushi Onogi,Hiroomi Eguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-08-07.

Semiconductor device and power converter using it

Номер патента: EP2365532A3. Автор: Mutsuhiro Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP4044255A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20220263505A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735047B1. Автор: Ching-Yu Chang,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Enhancement mosfet and semiconductor device

Номер патента: US20240290784A1. Автор: Takeshi Ishida,Naoki Izumi,Shoji Takei. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US12087765B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09806146B2. Автор: Chien-Hui Chuang,Bo-Shih Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Composite semiconductor device

Номер патента: CA1279409C. Автор: Tomoyuki Tanaka,Yasumichi Yasuda,Mutsuhiro Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-01-22.

Composite semiconductor device

Номер патента: US4935799A. Автор: Tomoyuki Tanaka,Yasumichi Yasuda,Mutsuhiro Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-06-19.

Semiconductor device

Номер патента: WO2012042370A1. Автор: Takashi Okawa,Kiyoharu Hayakawa,Atsushi Onogi,Hiroomi Eguchi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device having a plurality of transistors with different crystal face

Номер патента: US9018636B2. Автор: Ryosuke Iijima,Takashi Shinohe,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10062604B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductor device with epitaxial bridge feature and methods of forming the same

Номер патента: US11855225B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180337281A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20190088648A1. Автор: Yoichi Hori. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Device integration schemes leveraging a bulk semiconductor substrate having a <111> crystal orientation

Номер патента: US12087764B2. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12046515B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347387A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09754863B2. Автор: Makoto Imai,Hiroaki Furihata,Sota Watanabe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230307454A1. Автор: Robert Haase,Timothy Henson,Harsh Naik,Honghai He,Ashita Mirchandani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160233163A1. Автор: Shoichi Watanabe,Kiyoshi Okuyama,Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20200381526A1. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20140138738A1. Автор: Tomohiko Sato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device, amplifier, and electronic device

Номер патента: US20230353110A1. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Shuji Fukai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20140034964A1. Автор: Ryosuke Iijima,Takashi Shinohe,Yukio Nakabayshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20150262990A1. Автор: Yasushi Nakahara,Yoshinori Kaya,Ryo Kanda,Tetsu Toda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20020140008A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20030107064A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device having insulating film with different stress levels in adjacent regions and manufacturing method thereof

Номер патента: US8697509B2. Автор: Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device having insulating film with different stress levels in adjacent regions and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140175557A1. Автор: Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor device having a minimized region of sheild electrode and gate electrode overlap

Номер патента: US9577055B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with serially and spirally connected diodes

Номер патента: US09667242B2. Автор: Masaru Saito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Enhancement-mode semiconductor device

Номер патента: US20220199781A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530891B2. Автор: Chika Tanaka,Masumi SAITOH,Toshinori Numata,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: CA1131801A. Автор: Marnix G. Collet,Johannes A. Appels,Paul A.H. Hart,Johannes F.C.M. Verhoeven. Владелец: Johannes F.C.M. Verhoeven. Дата публикации: 1982-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20150115352A1. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

High-Heat-Resistant Semiconductor Device

Номер патента: US20090072356A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

High-heat-resistant semiconductor device

Номер патента: US7554114B2. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2009-06-30.

High-heat-resistant semiconductor device

Номер патента: US20080087898A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

High-heat-resistant semiconductor device

Номер патента: US20070096081A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device

Номер патента: US11776955B2. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20120298997A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Tomohiro Kimura,Yasuhiro Jinbo,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09525023B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Tomohiro Kimura,Yasuhiro Jinbo,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244672A1. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120187500A1. Автор: Hiroki Shinkawata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20140197490A1. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor device

Номер патента: US9299794B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US8698241B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8466069B2. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device

Номер патента: US9640654B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: WO2018057253A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125774B2. Автор: Hisashi Shimura,Yoshiyasu Kuwabara. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09640654B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8604553B2. Автор: Hiroki Shinkawata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-10.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20210118916A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20180190677A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050212057A1. Автор: Shigeru Kusunoki,Norifumi Tokuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20200135770A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for producing a semiconductor device which is protected against overvoltage

Номер патента: US3919010A. Автор: Karlheinz Sommer,Edgar Borchert. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1975-11-11.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20160111451A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP3501039A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-06-26.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US09899419B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520339B2. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and Manufacturing method thereof

Номер патента: US20070228483A1. Автор: Takashi Yuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US11355593B2. Автор: Yuhei Ikemoto,Junya Nishii,Takatomi Izumi. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20190103464A1. Автор: Yuhei Ikemoto,Junya Nishii,Takatomi Izumi. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11848211B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of fabricating a semiconductor device using laser annealing

Номер патента: US20230180473A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of fabricating semiconductor device using laser annealing

Номер патента: WO2023097607A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device

Номер патента: EP2518767A3. Автор: Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi,Atsuo Isobe,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240274593A1. Автор: Seokho KIM,Sumin Park,Joohee Jang,Seongmin Son,Kyuha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of fabricating semiconductor device using laser annealing

Номер патента: EP4434078A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device with STI and its manufacture

Номер патента: US20030173641A1. Автор: Hiroyuki Ohta,Yasunori Iriyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210143255A1. Автор: Naoki Watanabe,Hiroshi Miki,Naoki Tega,Takeru Suto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device

Номер патента: US10950548B2. Автор: Kazuya Kobayashi,Atsushi Kurokawa,Yuichi Sano. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09812585B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020117711A1. Автор: Tatsuo Yoneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

pn Junction device with glass moats and a channel stopper region of greater depth than the base pn junction depth

Номер патента: US4484214A. Автор: Yutaka Misawa,Masaaki Takahashi,Hiroaki Hachino. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-11-20.

Semiconductor device having a gate contact structure capable of reducing interfacial resistance and method of forming the same

Номер патента: US7776687B2. Автор: Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sang-Hun Jeon,Jong-Sun Sel,Chang-seok Kang,Yoo-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-17.

Photovoltaic device having a semiconductor grade silicon layer formed on a metallurgical grade substrate

Номер патента: US5455430A. Автор: Hiroshi Iwata,Keiichi Sano,Shigeru Noguchi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-03.

Method of manufacturing a semiconductor device having unhomogeneous distribution of impurity concentration

Номер патента: US4668306A. Автор: Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai. Дата публикации: 1987-05-26.

Semiconductor device

Номер патента: WO2024043001A1. Автор: Tetsuya Ikuta. Владелец: Sony Group Corporation. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190371714A1. Автор: Hisashi Shimura,Yoshiyasu Kuwabara. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09899506B2. Автор: Daisuke Shibata,Masahiro Ishida,Masahiro Ogawa,Ryo KAJITANI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09722060B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Akira Okada,Eiji NOJIRI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230389289A1. Автор: Kiseok LEE,Seokhan Park,Hyungeun CHOI,Seokho Shin,Bowon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20200294989A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US20090294917A1. Автор: Ayako YAJIMA. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11778815B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: EP1745517A2. Автор: Hidefumi; TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA TAKAYA,Yasushi; c/o DENSO CORPORATION OKURA,Akira; c/o DENSO CORPORATION KUROYANAGI,Norihito; c/o DENSO CORPORATION TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230371251A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with function of modulating gain coefficient and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20030006438A1. Автор: Yutaka Arima. Владелец: Exploitation of Next Generation Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor device manufacturing by sequential ion and wet etchings prior to lift-off metallization

Номер патента: US4757033A. Автор: Toshiki Ebata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-07-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150155223A1. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130099349A1. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163857A1. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11837645B2. Автор: Taegon Kim,Wandon Kim,Geunwoo Kim,Yoontae Hwang,Heonbok Lee,Hanki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: EP4006963A1. Автор: Ahreum Kim,Sunghoon Kim,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20180247895A1. Автор: Kazuya Kobayashi,Atsushi Kurokawa,Yuichi Sano. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230292518A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240162150A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20210143181A1. Автор: Jae-Woo Seo,Ha-young Kim,Junghwan Shin,Keunho Lee,Sungwe Cho,Ki-Man Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258236A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including transistor

Номер патента: US20240276709A1. Автор: Sei Yon KIM,Min Chul SUNG,Miri Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Device with Compensation Regions

Номер патента: US20140306298A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240224492A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US3805130A. Автор: S Yamazaki. Владелец: S Yamazaki. Дата публикации: 1974-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US9130061B2. Автор: Hisamitsu Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Methods of forming titanium-aluminum layers for gate electrodes and related semiconductor devices

Номер патента: US20160133470A1. Автор: David J. Williams,Jun-Han Kim,Clint E. BORDELON,Sergei DRIZLlKH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20150340315A1. Автор: Hisamitsu Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088073A1. Автор: Yoichi Hori. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with a side surface having different partial regions

Номер патента: EP4006990A1. Автор: Dobrzynska Jagoda,Paul Paul COMMIN,Kranthi Kumar Akurati. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor device of MOS structure having p-type gate electrode

Номер патента: US5189504A. Автор: Satoshi Nakayama,Tetsushi Sakai. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Semiconductor device for RF integrated circuit

Номер патента: US11557539B1. Автор: Brian Romanczyk,Matthew Guidry. Владелец: Monde Wireless Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060014340A1. Автор: Hisakazu Matsumori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20230090885A1. Автор: Shoko HANAGATA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20220270954A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Yushi Koriyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240222503A1. Автор: Seung Hwan Kim,Jun Ha KWAK,Jin Sun CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US20230413554A1. Автор: Akira Takashima,Atsushi Murakoshi,Yusuke Nakajima,Masaki Noguchi,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device with deep silicide film

Номер патента: US20230395668A1. Автор: In Gyu Jang,Su Jin Jung,Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device including graphene

Номер патента: US20240014315A1. Автор: Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160079340A1. Автор: Tomohiro Yamada,Haruhiko Koyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method for the formation of different gate metal regions of MOS transistors

Номер патента: US09437498B2. Автор: Vincent Joseph,Philippe Garnier,Stephane Zoll,Olivier Gourhant. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20140035110A1. Автор: Masakazu Watanabe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Electrode material for organic semiconductor device, method for forming electrode pattern, and organic thin-film transistor

Номер патента: US20180233684A1. Автор: Kenichi Umeda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130026485A1. Автор: Heon Bok LEE,Seung Bae HUR,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120228678A1. Автор: Dong Hee Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of manufacturing semiconductor device and glass film forming apparatus

Номер патента: US09978882B2. Автор: Koji Ito,Shinichi Nagase,Atsushi Ogasawara. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050253202A1. Автор: Hiroaki Hazama,Kazuhito Narita,Hirohisa Iizuka,Eiji Kamiya,Norio Ohtani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-17.

Semiconductor device having a capacitor and a metal interconnect layer with tungsten as a main constituent material and containing molybdenum

Номер патента: US20030020167A1. Автор: Hiroyuki Ohta,Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Takashi Nakajima,Shinji Nishihara,Masashi Sahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Mold for resin sealing a semiconductor chip, and semiconductor device having resin-sealed semiconductor chip

Номер патента: US10850334B2. Автор: Yasuhiro Taguchi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor device including a protective film

Номер патента: US09698112B2. Автор: Shingo Higuchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09824944B2. Автор: Fumio Tsuchiya,Masanao Sato,Hisanori Ito,Bunji Yasumura,Takuji Ide,Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Process for planarizing surface of a semiconductor device

Номер патента: US6048800A. Автор: Hiroshi Takahashi,Naoki Nagashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium-based compound semiconductor layer

Номер патента: US20220262634A1. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium-based compound semiconductor layer

Номер патента: US11791156B2. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20230094425A1. Автор: Masanori Shindo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Non-orthogonal slotted vias for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20220189874A1. Автор: Raja Kumar Varma Manthena,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09508559B2. Автор: Tomoyuki Okada,Naoya Sashida,Yukihiro Sato,Yoshito Konno,Kanji Takeuchi,Masahiko Minemura,Yasuhiko Inada,Tomoaki Inaoka,Shoko SAITO,Mitsufumi Naoe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Resin-molded semiconductor device having a lead on chip structure

Номер патента: MY119797A. Автор: Asao Nishimura,Kunihiro Tsubosaki,Masachika Masuda,Tamaki Wada,Akihiko Iwaya. Владелец: Hitachi Ulsi Eng Corp. Дата публикации: 2005-07-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240274556A1. Автор: Ji-Yong Park,Won Choi,Bok Sik MYUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US5998856A. Автор: Shinji Yamada,Sukehisa Noda,Tooru Iwagami,Seiki Iwagaki,Hisashi Kawafuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Method of fabricating semiconductor device with STI structure

Номер патента: US7572713B2. Автор: Takanori Matsumoto,Katsuya Ito,Hiroaki Tsunoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

Measurement of lateral diffusion of implanted ions in doped well region of semiconductor devices

Номер патента: US20140011304A1. Автор: YIN Long,Kai Wang,Hunglin Chen,Qiliang Ni,Rongwei FAN. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20080157351A1. Автор: Jae-Won Han. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor Device and Method of Forming an Integrated SIP Module with Embedded Inductor or Package

Номер патента: US20200286835A1. Автор: Heesoo Lee,OhHan Kim,HunTeak Lee,DeokKyung Yang,YiSu Park,WoonJae Beak. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20100219508A1. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050026314A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20090057723A1. Автор: Atsushi Kaneko,Yasuo Okada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Circuit board, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US12108522B2. Автор: Takashi Miyamoto,Makoto HAYAFUCHI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09728549B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Sunghoi Hur,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Apparatus and method for processing substrate with film having porous structure (porous film) formed on surface layer thereof

Номер патента: US09673068B2. Автор: Kenji Kobayashi. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having metal contacts formed in an interlayer dielectric film comprising four silicon-containing layers

Номер патента: US8203210B2. Автор: Takeshi Furusawa,Shoichi Fukui,Masakazu Okada,Takao Kamoshima,Naohito Suzumura,Masatsugu Amishiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for use in such a method

Номер патента: EP1647045A1. Автор: Ingrid A. Rink,Reinoldus B. M. Vroom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12087619B2. Автор: Yu-Ting Chen,Yen-De Lee,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Shun-Li Lan,Chih-Jung Ni. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, circuit board and electronic apparatus

Номер патента: US09589886B2. Автор: Haruki Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09337090B2. Автор: Satoshi Kageyama,Yuichi Nakao,Masaru Naitou. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Method and equipment for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5492864A. Автор: Yoshiharu Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-20.

Semiconductor device and wafer structure having a planar buried interconnect by wafer bonding

Номер патента: US5260233A. Автор: Rajiv V. Joshi,Joseph F. Shepard,Taqi N. Buti,Louis L-C. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-11-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050269670A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A2. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A3. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Method of manufacturing semiconductor device, non-transitory computer-readable recording medium and substrate processing apparatus

Номер патента: US12080555B2. Автор: Arito Ogawa. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110003467A1. Автор: Takayuki Kanda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-06.

Dicing-tape integrated film for backside of semiconductor and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09679797B2. Автор: Akihiro Fukui,Naohide Takamoto,Hiroyuki Hanazono. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Technologies for plasma oxidation protection during hybrid bonding of semiconductor devices

Номер патента: US12125818B2. Автор: Jack Rogers,Satohiko Hoshino,Nathan Antonovich. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: EP1936685A3. Автор: Naoyuki Koizumi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-21.

Semiconductor device having routing structure

Номер патента: US20240113010A1. Автор: Chun-Yuan Shih,Yu-Huei Lee,Hsin-Hung Lin,Po-Hsien Huang,Lien-Chieh Yu. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of manufacturing a semiconductor device with a bicmos circuit

Номер патента: WO1996030941A3. Автор: Armand Pruijmboom,Ronald Koster,Alexander Cecilia Leona Jansen,Der Wel Willem Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20010042920A1. Автор: Hiroyuki Ohta,Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Takashi Nakajima,Shinji Nishihara,Massashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09768114B2. Автор: Yong Chul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09691606B2. Автор: Katsuyoshi Harada,Yoshiro Hirose,Yoshinobu Nakamura,Yoshitomo Hashimoto,Ryota Sasajima. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising mos-transistors having gate oxides of different thicknesses

Номер патента: EP1459377A2. Автор: Hendrik H. Van Der Meer,Klaas G. Druijf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09911706B2. Автор: Chang-Hyun Cho,Jun-Phyo Lee,Yong-Hwan Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09425075B2. Автор: Atsushi Sano,Yoshiro Hirose,Naonori Akae. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for producing semiconductor device including a refractory metal pattern

Номер патента: US4957880A. Автор: Hitoshi Itoh,Takahiko Moriya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-09-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110281425A1. Автор: Kei Tamura,Koji Miyoshi. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Process for etching an insulating layer and forming a semiconductor device

Номер патента: EP1085563A3. Автор: Ganesh Rajagopalan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-09-19.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7524738B2. Автор: Hong Goo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060234475A1. Автор: Hong Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for forming semiconductor device package having metal thermal interface material

Номер патента: US20240371656A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chien-Li Kuo,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09437537B2. Автор: Hyun Sub KIM,Sung Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20170033074A1. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Method and apparatus for filling a gap between spaced layers of a semiconductor

Номер патента: US20020192861A1. Автор: J. Brand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080044997A1. Автор: Toshiyuki Takewaki,Noriaki Oda,Yorinobu Kunimune. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09929120B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Научно-технический центр &#34;Новые технологии&#34;. Дата публикации: 2020-07-22.

Wafer dicing method and method of manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US20240178000A1. Автор: Jungho Choi,Junho Yoon,Heejae Nam,Junggeun SHIN,Haemin PARK,Jesung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20200185316A1. Автор: Akira Sengoku,Hidesato HISANAGA. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09673142B2. Автор: Kazuyuki Sakata,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Preparation of semiconductor devices

Номер патента: US4981814A. Автор: Andrew Nelson,Simon Cole,Michael J. Harlow,Stanley Y. K. Wong. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1991-01-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20180040521A1. Автор: Fumio Tsuchiya,Masanao Sato,Hisanori Ito,Bunji Yasumura,Takuji Ide,Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20170018470A1. Автор: Fumio Tsuchiya,Masanao Sato,Hisanori Ito,Bunji Yasumura,Takuji Ide,Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20150137125A1. Автор: Fumio Tsuchiya,Masanao Sato,Hisanori Ito,Bunji Yasumura,Takuji Ide,Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271249A1. Автор: Yasumasa Kasuya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device with substrate integrated hollow waveguide and method therefor

Номер патента: EP4007063A1. Автор: Abdellatif Zanati,Adrianus Buijsman,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140110712A1. Автор: Tomoyuki Okada,Naoya Sashida,Yukihiro Sato,Yoshito Konno,Kanji Takeuchi,Masahiko Minemura,Yasuhiko Inada,Tomoaki Inaoka,Shoko SAITO,Mitsufumi Naoe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor device with substrate integrated hollow waveguide and method therefor

Номер патента: US20220173490A1. Автор: Abdellatif Zanati,Adrianus Buijsman,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-06-02.

Method of forming capacitor of semiconductor device by successively forming a dielectric layer and a plate electrode in a single processing chamber

Номер патента: US20060234500A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Process for producing a semiconductor device

Номер патента: US7169648B2. Автор: Takashi Sugino,Osamu Yamazaki,Akinori Sato,Hideo Senoo. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2007-01-30.

Semiconductor device comprises an impurity layer having boron ions in the form of clusters of icosahedron structure

Номер патента: US5598025A. Автор: Masaharu Watanabe,Ichiro Mizushima,Atsushi Murakoshi,Masahiko Yoshiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-01-28.

Method for preparing semiconductor device with copper-manganese liner

Номер патента: US11876045B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9929249B1. Автор: Tae-Hang Ahn,Oh-Hyun KIM,Seung-Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180182861A1. Автор: Tae-Hang Ahn,Oh-Hyun KIM,Seung-Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device with low-galvanic corrosion structures, and method of making same

Номер патента: US20230253249A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device manufacturing method having a step of applying a copper foil on a substrate as a part of a wiring connecting an electrode pad to a mounting terminal

Номер патента: EP2261970A2. Автор: Yoshitaka Aiba,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Semiconductor device manufacturing method having a step of applying a copper foil on a substrate as a part of a wiring connecting an electrode pad to a mounting terminal

Номер патента: EP2261970A3. Автор: Yoshitaka Aiba,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-05-02.

Semiconductor device of the type sealed in glass comprising a semiconductor body connected to slugs by means of a silver-aluminium bonding layer

Номер патента: WO1996029735A1. Автор: Timotheus Johannes Maria Van Aken. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-09-26.

Manufacturing method of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5863807A. Автор: Young-Chul Jang,Bo-Yeon Shim,Chung-sam Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-26.

Method of manufacturing semiconductor device, non-transitory computer-readable recording medium and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240055259A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device including through vias in molded columns

Номер патента: US20200006221A1. Автор: Yazhou Zhang,Cong Zhang,Chin-Tien Chiu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070032005A1. Автор: Satoshi Nakai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7405118B2. Автор: Satoshi Nakai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20140084434A1. Автор: Koichi Kanemoto,Chikako Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US11848251B2. Автор: Hiroyoshi Araki,Takanobu Naruse. Владелец: Aisin Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Circuit board, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20210352801A1. Автор: Takashi Miyamoto,Makoto HAYAFUCHI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180019204A1. Автор: Hugo Burke. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device manufacturing method having a step of forming a post terminal on a wiring by electroless plating

Номер патента: TW497161B. Автор: Hirohisa Matsuki,Eiji Watanabe,Yutaka Makino,Tetsuya Fujisawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20150187682A1. Автор: Koichi Kanemoto,Chikako Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device with capacitors having shared electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20220190102A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240105535A1. Автор: Koji Yamazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091144A1. Автор: Yasuhiro Taguchi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: US20160104687A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor device

Номер патента: US12057404B2. Автор: Taeyoon Kim,Sungwook Moon,Seungki NAM,Chanmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20220238345A1. Автор: Atsushi Takahashi,Yuya Nagata,Ayata Harayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20220415915A1. Автор: Sungmin Hwang,Jongyoon Choi,Bongtae Park,Jaejoo Shim,Taechul Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20180040475A1. Автор: Atsushi Moriya,Naoharu Nakaiso,Takahiro Miyakura,Kensuke HAGA. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09673143B2. Автор: Yoshihiro Kamiyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: US09536854B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US09449813B2. Автор: Atsushi Sano,Yoshiro Hirose,Tsukasa Kamakura. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing a semiconductor device with BICMOS circuit

Номер патента: US5824560A. Автор: Armand Pruijmboom,Willem Van Der Wel,Alexander C. L. Jansen,Ronald Koster. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Crystalline silicon semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US6777714B2. Автор: Susumu Takahashi,Shinichi Muramatsu,Yasushi Minagawa,Fumihito Oka,Yoshiaki Yazawa. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US5304844A. Автор: Hiromichi Suzuki,Kanji Otsuka,Hajime Hasebe,Osamu Horiuchi,Takayuki Okinaga,Gen Murakami,Takashi Emata,Yuuji Shirai. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Method of manufacturing a semiconductor device with a BiCMOS circuit

Номер патента: US5970332A. Автор: Armand Pruijmboom,Willem Van Der Wel,Alexander C. L. Jansen,Ronald Koster. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Semiconductor device of the type sealed in glass having a silver-copper bonding layer between slugs and connection conductors

Номер патента: WO1996029743A1. Автор: Timotheus Johannes Maria Van Aken. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170062327A1. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Technologies for plasma oxidation protection during hybrid bonding of semiconductor devices

Номер патента: US20230253361A1. Автор: Jack Rogers,Satohiko Hoshino,Nathan Antonovich. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of producing semiconductor device and processing conditions setting device

Номер патента: US20030119322A1. Автор: Hideaki Hayakawa,Toshiya Hirai,Yasuaki Yamamichi,Akihisa Sakamoto,Masahiro Makita,Noboru Yokoo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device and module

Номер патента: US20230054863A1. Автор: Nobuyoshi ADACHI. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device

Номер патента: US8987882B2. Автор: Koichi Kanemoto,Chikako Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Power semiconductor device

Номер патента: US20160329286A1. Автор: Jaroslav Homola,Ladislav DORT,Ladislav RADVAN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-11-10.

Technologies for plasma oxidation protection during hybrid bonding of semiconductor devices

Номер патента: WO2023154420A1. Автор: Jack Rogers,Satohiko Hoshino,Nathan Antonovich. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180068944A1. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9831179B2. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device having ceramic package incorporated with a heat-radiator

Номер патента: US4876588A. Автор: Takashi Miyamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-10-24.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20180062541A1. Автор: Hirotoshi Kaneda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20160133586A1. Автор: Chang-Hyun Cho,Jun-Phyo Lee,Yong-Hwan Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240079372A1. Автор: Shoichiro Omae,Takanori Kawashima,Tomomi Okumura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210351184A1. Автор: Bongsoo Kim,Yoosang Hwang,Dongoh KIM,Kiseok LEE,Sunghee Han,Chansic Yoon,Hyeonok JUNG,Euna Kim,Keunnam Kim,Hyosub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20180342432A1. Автор: Tomoshige Yunokuchi. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20180068869A1. Автор: Yasuhiro Taguchi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180323168A1. Автор: Masaru Yamada,Yoshinori Miyaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20140220788A1. Автор: Atsushi Sano,Yoshiro Hirose,Naonori Akae. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device and method of manufacturing radiation fin

Номер патента: US20210159145A1. Автор: Hiroto Yamashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Method and apparatus for filling a gap between spaced layers of a semiconductor

Номер патента: US20020192320A1. Автор: J. Brand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method and apparatus for filling a gap between spaced layers of a semiconductor

Номер патента: US20010018261A1. Автор: J. Brand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for fabricating semiconductor device with capacitors having shared electrode

Номер патента: US11824082B2. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230402420A1. Автор: Masato Nakamura,Osamu Ikeda. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020102769A1. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11515213B2. Автор: Chih-Chung Chen,Po-Chang Lin,Huang-Ren Wei,Wei-Lun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20220208612A1. Автор: Chih-Chung Chen,Po-Chang Lin,Huang-Ren Wei,Wei-Lun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of forming an organic light-emitting diode display device having an extension line crossing second signal lines

Номер патента: US09929344B1. Автор: Jeonghwa Lee,Minjae Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Method of packaging multiple integrated circuit chips in a standard semiconductor device package

Номер патента: WO1997037374A3. Автор: Dennis J Herrell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-11-20.

Molded semiconductor device

Номер патента: US5495125A. Автор: Kazuyoshi Uemura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110159687A1. Автор: Hae-Jung Lee,Kang-Pok Lee,Kyeong-Hyo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20220293498A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana,Davide Maria Benelli,Jefferson Sismundo TALLEDO. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device with vias having a zinc-second metal-copper composite layer

Номер патента: WO2020180910A1. Автор: Nazila Dadvand. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20180277598A1. Автор: Minoru Oda,Kotaro Noda,Nobuyuki Momo,Akira YOTSUMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110207334A1. Автор: Gil-heyun Choi,Ha-Young YI,Hong-Gun Kim,Yong-Soon Choi,Eun-Kee Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11791243B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230369170A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Pattern for improved visual inspection of semiconductor devices

Номер патента: WO2003036718A2. Автор: Gerald H. Negley,David B. Slater, Jr.,Thomas P. Schneider,Christopher Sean Plunket,Ralph C. Tuttle. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2003-05-01.

Pattern for improved visual inspection of semiconductor devices

Номер патента: EP1440472A2. Автор: Gerald H. Negley,David B. Slater, Jr.,Thomas P. Schneider,Christopher Sean Plunket,Ralph C. Tuttle. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-07-28.

Semiconductor film composition, method for manufacturing semiconductor film composition, method for manufacturing semiconductor member, method for manufacturing semiconductor processing material, and semiconductor device

Номер патента: US11965109B2. Автор: Koji Inoue,Hirofumi Tanaka,Yasuhisa Kayaba. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

High power semiconductor device cooling apparatus and method

Номер патента: US4010489A. Автор: Frank J. Bourbeau,Barton L. Meredith,Arnold J. Rakowski. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1977-03-01.

Semiconductor device fabrication apparatus and semiconductor device fabrication method using the same

Номер патента: US20240071768A1. Автор: Seong Gi Jeon,Sang - Il CHOI,Yeong Jun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Sensing apparatus having a cut-plane sensor and signal conditioner formed in a seamless monolithic substrate

Номер патента: US20020186033A1. Автор: Peter Wolff,Richard Stettler,Marshall Smith. Владелец: Wolff Controls Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Locating an error in a supply or signal line of a magnetic resonance system

Номер патента: EP3963346A1. Автор: Peter Vernickel,Oliver Lips. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2022-03-09.

Locating an error in a supply or signal line of a magnetic resonance system

Номер патента: WO2020221663A1. Автор: Peter Vernickel,Oliver Lips. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2020-11-05.

Locating an error in a supply or signal line of a magnetic resonance system

Номер патента: US12085598B2. Автор: Peter Vernickel,Oliver Lips. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-09-10.

Locating an error in a supply or signal line of a magnetic resonance system

Номер патента: US20240302421A1. Автор: Peter Vernickel,Oliver Lips. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods and Systems of Generating Graphical Marks in a Graphical View Region of a User Interface

Номер патента: US20170168701A1. Автор: Christopher Richard Stolte,Jock Douglas Mackinlay. Владелец: Tableau Software LLC. Дата публикации: 2017-06-15.

Base station provided with a processor and with bodies, each body being provided at several outer surfaces thereof with visualisations such that a combination of visualisations can be formed in at least one plane by means of a number of outer surfaces of different bodies

Номер патента: WO2010024667A1. Автор: Jeroen Frederik De Weerd. Владелец: Biggle Toys Holding B.V.. Дата публикации: 2010-03-04.

Issue tracking system having a virtual meeting system for facilitating a virtual meeting in a three-dimensional virtual environment

Номер патента: US20240220066A1. Автор: Peter Wong. Владелец: Atlassian US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for operating data glasses in a motor vehicle and system of a motor vehicle and data glasses

Номер патента: US20230065018A1. Автор: Sebastian Dörn. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2023-03-02.

Simultaneous quantification of a plurality of proteins in a user-defined region of a cross-sectioned tissue

Номер патента: EP4368992A3. Автор: Gordon Mills,Dwayne L. Dunaway,Joseph M. Beechem,Charles Warren,Chris MERRITT,Jaemyeong Jung,Scott Crowder. Владелец: Bruker Spatial Biology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Simultaneous quantification of gene expression in a user-defined region of a cross-sectioned tissue

Номер патента: EP4368728A3. Автор: Dwayne L. Dunaway,Joseph M. Beechem,Charles Warren,Chris MERRITT,Jaemyeong Jung,Scott Crowder,Kristina Sorg. Владелец: Bruker Spatial Biology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for operating data glasses in a motor vehicle and system of a motor vehicle and data glasses

Номер патента: US12093444B2. Автор: Sebastian Dörn. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and unit unauthorised data traffic in a packet-oriented data network of a motor vehicle, and corresponding motor vehicle

Номер патента: US12063506B2. Автор: Christopher Corbett,Felix Baumann. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2024-08-13.

Vortex flow sensor for a vortex flow transducer having a flange shaped support device for supporting a membrane in a housing

Номер патента: US09719819B2. Автор: Andreas Strub,Sascha Kamber,Natalie Witkowski,Dominique Wiederkehr. Владелец: Endress and Hauser Flowtec AG. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for determining deviant behavior of a person in a mode of simultaneous operation of a group of video cameras

Номер патента: RU2694139C1. Автор: Илья Павлович Гоценко,Мария Игоревна Филистеева,Павел Дмитриевич Каширин,Ваагн Володяевич Минасян,Рифкат Рифкатович Загитов,Махмуд Джамалдинович Магомедов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Скайтрэк&#34; (ООО &#34;Скайтрэк&#34;). Дата публикации: 2019-07-09.

Method for diagnosis and/or training of proprioceptor feedback capabilities in a muscle and joint system of a human patient

Номер патента: US5078152A. Автор: Malcolm L. Bond,Philip T. Dempster. Владелец: Loredan Biomedical Inc. Дата публикации: 1992-01-07.

Circuit for cancelling the DC offset in a differential analog front end of a read channel

Номер патента: US5821795A. Автор: Takeo Yasuda,Hajime Andoh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Imaging apparatus having a detector for determining the presence of contrasting portions in a viewed object

Номер патента: US5163099A. Автор: Kazuo Kondo,Eiji Osaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-11-10.

All-optical detector and detection system, response time test system, and manufacturing method having a micro-nanofiber comprising an optical resonant cavity arranged in a uniformity zone of the micro-nanofiber

Номер патента: US11906352B2. Автор: YING Wang,Yiping Wang,Changrui Liao,Longfei Zhang. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Rotational speed sensor, fixing device for a rotational speed sensor, receiving device for a rotational speed sensor, sensor system having a receiving device and a rotational speed sensor and method for the rotationally locked positioning of a rotational speed sensor

Номер патента: US11874296B2. Автор: Michael Herges,Andre Kluftinger. Владелец: Knorr Bremse Systeme fuer Nutzfahrzeuge GmbH. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for detecting moving objects in a blind spot region of a vehicle and blind spot detection device

Номер патента: US8040227B2. Автор: Klaus Zimmermann,Muhammad Siddiqui,Fabian FRIEDRICHS. Владелец: Sony Deutschland GmbH. Дата публикации: 2011-10-18.

Simultaneous quantification of a plurality of proteins in a user-defined region of a cross-sectioned tissue

Номер патента: AU2016297513B2. Автор: Gordon Mills,Dwayne L. Dunaway,Joseph M. Beechem,Charles Warren,Chris MERRITT,Jaemyeong Jung,Scott Crowder. Владелец: Nanostring Technologies Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Simultaneous quantification of a plurality of proteins in a user-defined region of a cross-sectioned tissue

Номер патента: WO2017015097A1. Автор: Gordon Mills,Dwayne L. Dunaway,Joseph M. Beechem,Charles Warren,Chris MERRITT,Jaemyeong Jung,Scott Crowder. Владелец: NanoString Technologies, Inc.. Дата публикации: 2017-01-26.

Method of measuring residual stress in a carrier produced in manufacturing of a belt for continuously variable transmission

Номер патента: US4823608A. Автор: Keiji Satoh. Владелец: Fuji Jukogyo KK. Дата публикации: 1989-04-25.

Method for Determining a Position of at Least One Coil Element of a Radiofrequency Coil That Can Be Inserted in a Patient Placement Region of a Magnetic Resonance Apparatus

Номер патента: US20230293040A1. Автор: Michael Wullenweber. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2023-09-21.

Simultaneous quantification of gene expression in a user-defined region of a cross-sectioned tissue

Номер патента: EP4368728A2. Автор: Dwayne L. Dunaway,Joseph M. Beechem,Charles Warren,Chris MERRITT,Jaemyeong Jung,Scott Crowder,Kristina Sorg. Владелец: Nanostring Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Simultaneous quantification of a plurality of proteins in a user-defined region of a cross-sectioned tissue

Номер патента: EP4368992A2. Автор: Gordon Mills,Dwayne L. Dunaway,Joseph M. Beechem,Charles Warren,Chris MERRITT,Jaemyeong Jung,Scott Crowder. Владелец: Nanostring Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Simultaneous quantification of gene expression in a user-defined region of a cross-sectioned tissue

Номер патента: US20240167083A1. Автор: Gordon B. Mills,Dwayne L. Dunaway,Joseph M. Beechem,Charles Warren,Chris MERRITT,Jaemyeong Jung,Scott Crowder,Kristina Sorg. Владелец: Bruker Spatial Biology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Computer-implemented method and system for arranging a content in a display for a driver of a vehicle, data processing apparatus, vehicle, computer program and computer-readable storage medium

Номер патента: EP4378737A1. Автор: Casper WICKMAN,Fredrik AUSINSCH. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Locating an error in a supply or signal line of a magnetic resonance system

Номер патента: US20220206054A1. Автор: Peter Vernickel,Oliver Lips. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2022-06-30.

Apparatus for monitoring the residual mechanical deformation in a section or a link of a mechanical power unit

Номер патента: RU2766620C1. Автор: Роберт Султанович Ахметшин,Марат Люцерович Хазиев,Марсиль Робертович Ахметшин,Алевтина Флегентьевна Анчугова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Казанский (Приволжский) федеральный университет&#34; (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2022-03-15.

Method of human identification in a mode of simultaneous operation of a group of video cameras

Номер патента: RU2694140C1. Автор: Илья Павлович Гоценко,Мария Игоревна Филистеева,Павел Дмитриевич Каширин,Ваагн Володяевич Минасян,Рифкат Рифкатович Загитов,Махмуд Джамалдинович Магомедов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Скайтрэк&#34; (ООО &#34;Скайтрэк&#34;). Дата публикации: 2019-07-09.

Method and apparatus providing for conditional execution speed-up in a computer system through substitution of a null instruction for a synchronization instruction under predetermined conditions

Номер патента: US5226127A. Автор: Benny Eitan,Beatrice P. Fu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-07-06.

Method and apparatus for policy determination for user equipment providing mutual aid in a visited enterprise operating area of a long term evolution lte system

Номер патента: CA2806693C. Автор: Anatoly Agulnik,James A. Marocchi,Robert A. Fredericks,Trent J. Miller. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Ripple carry shifter in a floating point arithmetic unit of a microprocessor

Номер патента: US5901076A. Автор: Thomas W. Lynch. Владелец: Advanced Micro Designs Inc. Дата публикации: 1999-05-04.

Device for determining a refractive index in a large number of points of a physical environment

Номер патента: US7460217B2. Автор: Norbert Beyrard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-02.

Using dipole compressional data obtained in a borehole to determined properties of a subterranean formation

Номер патента: GB2472300A. Автор: Samer Alatrach,Bikash K Sinha,Tom R Bratton. Владелец: Schlumberger Holdings Ltd. Дата публикации: 2011-02-02.

Method for modifying an instruction sequence that is memorized in a read only memory (ROM) of a smart card and a corresponding smart card

Номер патента: EP2275935A2. Автор: Giovanni Fontana,Giovanni Di Sirio. Владелец: Incard SA. Дата публикации: 2011-01-19.

Method of managing, in a telecommunication network, user data of a user who may move from a base work area associated with a base exchange to another work area associated with another exchange

Номер патента: CA2098368C. Автор: Hubertus Pierre Johannes Hecker. Владелец: Koninklijke PTT Nederland NV. Дата публикации: 1996-08-20.

Method for checking in a moving mode the continuity of a metal covering on a metal wire of different nature

Номер патента: US4808276A. Автор: Jacques Lefebvre,Philippe Gimenez,Gabriel Colombier,Armand Golay,Jean S. Safrany. Владелец: Aluminium Pechiney SA. Дата публикации: 1989-02-28.

Computer-implemented method of computing, in a computer aided design system, of a boundary of a modeled object.

Номер патента: EP2189918A1. Автор: Nicolas Montana,André Lieutier,Frederic Chazal. Владелец: Dassault Systemes SE. Дата публикации: 2010-05-26.

Method for controlling the level of detail displayed in a computer generated screen display of a complex structure

Номер патента: CA2203394C. Автор: Eric L. Brechner. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2008-04-01.

Method for evaluating a suitability of lighting conditions for detecting an analyte in a sample using a camera of a mobile device

Номер патента: CA3102183A1. Автор: Bernd Limburg,Max Berg,Fredrik Hailer,Timo Klein,Volker Tuerck,Christian Melchinger. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2019-12-19.

Control method and system in a refrigeration system and compressor of a refrigeration system

Номер патента: US11365924B2. Автор: Lucas Becker,Marcio Roberto Thiessen,Daniel Hense. Владелец: Embraco Industria de Compressores e Solucoes em Refrigeracao Ltda. Дата публикации: 2022-06-21.

Address filtering in a radio frequency front end of a receiver

Номер патента: US20220029739A1. Автор: Petr Kourzanov. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for evaluating suitability of lighting conditions for detecting an analyte in a sample using a camera of a mobile device

Номер патента: US11835515B2. Автор: Bernd Limburg,Max Berg,Fredrik Hailer,Timo Klein,Volker Tuerck,Christian Melchinger. Владелец: Roche Diabetes Care Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Data arrangement management in a distributed data cluster environment of a shared pool of configurable computing resources

Номер патента: US20170371928A1. Автор: Naresh K. Chainani,James H. Cho. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Method for evaluating suitability of lighting conditions for detecting an analyte in a sample using a camera of a mobile device

Номер патента: US20240044874A1. Автор: Bernd Limburg,Max Berg,Fredrik Hailer,Timo Klein,Volker Tuerck,Christian Melchinger. Владелец: Dr Tuerck Ingenieurbuero GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for evaluating a suitability of lighting conditions for detecting an analyte in a sample using a camera of a mobile device

Номер патента: TN2020000222A1. Автор: Bernd Limburg,Max Berg,Fredrik Hailer,Timo Klein,Volker Tuerck,Christian Melchinger. Владелец: Hoffmann La Roche. Дата публикации: 2022-07-01.

Method and device for preparing a sers substrate for analysis of an analyte in a fluid sample and use of a nanoparticle coated catch filter as sers substrate

Номер патента: WO2023244110A1. Автор: Rochelle Alexia NIEMEIJER,Duco Martijn BLANKEN,Clemens Johannes VAN DE SLUIS. Владелец: Nostics B.V.. Дата публикации: 2023-12-21.

A wind turbine, a method for controlling the temperature of fluid flowing in a first temperature control system of a wind turbine and use

Номер патента: EP2153064A2. Автор: Poul Spaerhage Frokjaer. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2010-02-17.

Method for managing radio resources in a cellular network by means of a hybrid mapping of radio characteristics

Номер патента: US20240137956A1. Автор: Mohamed Sana. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for recording diagnostic measurement data of a heart of an examination object in a heart imaging by means of a magnetic resonance device

Номер патента: US20180042512A1. Автор: Christoph Forman,Michaela Schmidt. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-02-15.

Address filtering in a radio frequency front end of a receiver

Номер патента: EP3944531A1. Автор: Peter Kourzanov. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-01-26.

Apparatus and method for obtaining a random code useable in a device for unique identification of a product

Номер патента: US20100224686A1. Автор: Leonardo Muffatti. Владелец: Original Check Srl. Дата публикации: 2010-09-09.

Methods and systems for detection and analysis of abnormalities in a power line communication network of a vehicle

Номер патента: US20160149612A1. Автор: Moshe Laifenfeld,Timothy D. Julson,Gary W. Taraski. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-05-26.

Apparatus, system and method for sensing to locate persons in a building in the event of a disaster

Номер патента: WO2010008544A2. Автор: Morton Greene. Владелец: Morton Greene. Дата публикации: 2010-01-21.

Radiofrequency shielding conduit in a door or a doorframe of a magnetic resonance imaging room

Номер патента: US20230314540A9. Автор: Uri Rapoport,Shmuel Azulay. Владелец: Aspect Imaging Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Power allotment adjustment in a power sourcing equipment (pse) of a power over ethernet system based on event detection at another pse

Номер патента: US20240195643A1. Автор: Nitin Duggal,Murari Bhattacharyya. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-06-13.

System simulating a decisional process in a mammal brain about motions of a visually observed body

Номер патента: CA3148721A1. Автор: Delphine TRANVOUEZ-BERNARDIN,Jocelyn Faubert,Eduardo Lugo,Khashayar MISAGHIAN. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2021-02-11.

System simulating a decisional process in a mammal brain about motions of a visually observed body

Номер патента: WO2021023724A1. Автор: Delphine TRANVOUEZ-BERNARDIN,Jocelyn Faubert,Eduardo Lugo,Khashayar MISAGHIAN. Владелец: Essilor International. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for evaluating a suitability of lighting conditions for detecting an analyte in a sample using a camera of a mobile device

Номер патента: AU2019284820B2. Автор: Bernd Limburg,Max Berg,Fredrik Hailer,Timo Klein,Volker Tuerck,Christian Melchinger. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2024-07-04.

Control method and system in a refrigeration system and compressor of a refrigeration system

Номер патента: US20200263912A1. Автор: Lucas Becker,Marcio Roberto Thiessen,Daniel Hense. Владелец: Embraco Industria de Compressores e Solucoes em Refrigeracao Ltda. Дата публикации: 2020-08-20.

Using a hardware sequencer in a direct memory access system of a system on a chip

Номер патента: US20230042226A1. Автор: Jagadeesh Sankaran,Ching-Yu Hung,Ravi P. Singh,Ahmad Itani,Yen-Te Shih. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Method and apparatus for detecting a parity error in a sequence of dqpsk symbols of a digital transmission system

Номер патента: EP2567461A1. Автор: Fabian Nikolaus Hauske,Gerhard Bauch,Doris PFLUEGER. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

System simulating a decisional process in a mammal brain about motions of a visually observed body

Номер патента: EP4010850A1. Автор: Delphine TRANVOUEZ-BERNARDIN,Jocelyn Faubert,Eduardo Lugo,Khashayar MISAGHIAN. Владелец: Essilor International SAS. Дата публикации: 2022-06-15.

Presenting and editing recent content in a window during an execution of a content application

Номер патента: EP4204114A1. Автор: Kiyobumi Matsunaga,Andrew D. Herman,Masahiro Fujihara,Dustin S. CLINGMAN. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Device for producing conditions in a flowing medium, especially in a nuclear reactor, permitting measurement of a representative temperature

Номер патента: US4132115A. Автор: Bernhard Hosemann,Annelie Benemann,Norbert Schult,Peter Voj. Владелец: Interatom Internationale Atomreaktorbau GmbH. Дата публикации: 1979-01-02.

Cleaning of contamination in a printer as a function of a register error

Номер патента: US20070122178A1. Автор: Ingo Dreher,Stefan Schrader,Jan Boness. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Cleaning of contamination in a printer as a function of a register error

Номер патента: WO2005047986A1. Автор: Stefan Schrader,Ingo Klaus Michael Dreher,Jan Dirk Boness. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2005-05-26.

Multicast flow optimizations in a multi-level backhaul mesh of a wireless network

Номер патента: US20240349116A1. Автор: Pascal Thubert,Domenico Ficara,Salvatore Valenza,Alessandro Erta,Luca Bisti,Loris Gazzarrini. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Blending real and virtual construction jobsite objects in a dynamic augmented reality scene of a construction jobsite in real-time

Номер патента: US09697647B2. Автор: Vineet R. KAMAT,Suyang DONG. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-07-04.

Snapshotting of a performance storage system in a system for performance improvement of a capacity optimized storage system

Номер патента: US09483183B2. Автор: R. Hugo Patterson. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods and systems for detection and analysis of abnormalities in a power line communication network of a vehicle

Номер патента: US09479220B2. Автор: Moshe Laifenfeld,Timothy D. Julson,Gary W. Taraski. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110204458A1. Автор: Takeharu Kuroiwa,Shuichi Ueno,Haruo Furuta,Ryoji Matsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Impedance controlled output circuit having multi-stage of high code selectors in semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20020057102A1. Автор: Young-Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device and delay control methods

Номер патента: US20240171164A1. Автор: Yasuo Sasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US20050023601A1. Автор: Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Inspection system and method for leads of semiconductor devices

Номер патента: US5956134A. Автор: Rajiv Roy,Michael D. Glucksman,Weerakiat Wahawisan,Paul Harris Hasten,Charles Kenneth Harris,George Charles Epp. Владелец: Semiconductor Technologies and Instruments Inc. Дата публикации: 1999-09-21.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US7267998B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060013050A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Method and circuit arrangement for the drive of a stepping motor

Номер патента: CA1278028C. Автор: Jurgen Dolves. Владелец: Dr Ing Rudolf Hell GmbH. Дата публикации: 1990-12-18.

Method, apparatus and system for generating an intermediate region-based representation of a document

Номер патента: US09846825B2. Автор: Krzysztof Adam Koziarz. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Apparatus and method for auto-focusing in device having camera

Номер патента: US09641740B2. Автор: Heejin Kim,Seockhyun YU,Kyunghwa KIM,Mijung PARK,Seonhwa KIM,Joah CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20180026541A1. Автор: KOHEI HASHIMOTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090028203A1. Автор: Takeshi Sakashita,Masanori Saito. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Variable capacitor comprised of first and second comb structures having first and second sets of switchably connected fingers, a reflection phase shifter, and a semiconductor device

Номер патента: US12057818B2. Автор: Shuo Wang,Rong PENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Color correction material, film-forming composition, and optical filter

Номер патента: US20110049446A1. Автор: Tatsuya Ishida,Yosuke Maeda,Satoshi Yanagisawa. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Electronic device having antenna

Номер патента: US20240291149A1. Автор: Seungmin WOO,Dongik Lee,Yusuhk SUH. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of fabricating a planar substrate having optical waveguides

Номер патента: EP2064158A1. Автор: David Neil Payne,Jayanta Kumar Sahu,Andrew Simon Webb,Corin Barry Edmund Gawith,Peter George Robin Smith,Faisal Rafiq MAHAMD ADIKAN. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2009-06-03.

Optical device having a stepwise or tapered light input/output part and manufacturing method therefor

Номер патента: US09869815B2. Автор: Hideki Ono,Tsuyoshi Horikawa,Naoki Hirayama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US9379524B2. Автор: Masahide Kobayashi,Ryuji Kobayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20150311677A1. Автор: Masahide Kobayashi,Ryuji Kobayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of fabricating a planar substrate having optical waveguides

Номер патента: US20100284660A1. Автор: David Neil Payne,Jayanta Kumar Sahu,Andrew Simon Webb,Corin Barry Edmund Gawith,Peter George Robin Smith,Faisal Rafiq MAHAMD ADIKAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Beverage preparation machine for brewed beverages having a cover plate for covering an opening formed in a housing wall

Номер патента: CA3090717A1. Автор: Pascal Rütti,Philipp Büttiker. Владелец: JURA ELEKTROAPPARATE AG. Дата публикации: 2019-08-29.

Beverage preparation machine for brewed beverages having a cover plate for covering an opening formed in a housing wall

Номер патента: AU2019225533A1. Автор: Pascal Rütti,Philipp Büttiker. Владелец: JURA ELEKTROAPPARATE AG. Дата публикации: 2020-10-15.

Beverage preparation machine for brewed beverages having a cover plate for covering an opening formed in a housing wall

Номер патента: AU2019225533B2. Автор: Pascal Rütti,Philipp Büttiker. Владелец: JURA ELEKTROAPPARATE AG. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for oligomerisation in a reactor comprising variable-diameter zones, including a step of recycling a pre-cooled solvent

Номер патента: US20240239725A1. Автор: Pierre-Alain BREUIL,Olivier COTTE. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for oligomerisation in a reactor comprising variable-diameter zones, including a step of recycling a pre-cooled solvent

Номер патента: AU2022283549A1. Автор: Pierre-Alain BREUIL,Olivier COTTE. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2023-12-07.

Panel, in Particular a Floor Panel, Ceiling Panel or Wall Panel, and Use of an Additional Layer in a Laminated Multi-Layer Structure of a Panel

Номер патента: US20230087380A1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2023-03-23.

Panel, in particular a floor panel, ceiling panel or wall panel, and use of an additional layer in a laminated multi-layer structure of a panel

Номер патента: AU2021206145A1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2022-08-25.

Panel, in particular a floor panel, ceiling panel or wall panel, and use of an additional layer in a laminated multi-layer structure of a panel

Номер патента: CA3164305A1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Panel, in particular a floor panel, ceiling panel or wall panel, and use of an additional layer in a laminated multi-layer structure of a panel

Номер патента: AU2021206145B2. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Panel, in particular a floor panel, ceiling panel or wall panel, and use of an additional layer in a laminated multi-layer structure of a panel

Номер патента: EP4087887A1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2022-11-16.

Controlling optical power in a sensor with the use of a faraday cage

Номер патента: EP4103050A1. Автор: Jacob Dove,Shai Fleischer,Derek L. Moody,Sarah L. Hayman,Linden A. Reustle. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2022-12-21.

Controlling optical power in a sensor with the use of a faraday cage

Номер патента: US20240023861A1. Автор: Jacob Dove,Shai Fleischer,Derek L. Moody,Sarah L. Hayman,Linden A. Reustle. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and method for controlling rolling movement of a cylindrical object as well as use of the apparatus in a cylindrical object conveyor arrangement of a paper mill

Номер патента: WO2011095230A1. Автор: Arto Ikonen,Pekka Vantola. Владелец: Metso Paper, Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Container for an oxygen supply unit, device and system of an arrangement of a number of oxygen supply devices, wherein each oxygen supply unit is stored in a container, method of control of a status and/or change of status of a container

Номер патента: US20140001062A1. Автор: Rüdiger Meckes,Hasso Weinmann,Marco Hollm,Wolfgang Rittner,Gunter Boomgarden,Mark Niedostatek. Владелец: Zodiac Aerotechnics SAS. Дата публикации: 2014-01-02.

Cap having a comfort profile, which is intended to be applied in a shaving head of a shaving apparatus

Номер патента: EP2099590B1. Автор: Willem Minkes,Erik Houbolt,Martin L. Bakker,Andre Kuijper. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2012-03-14.

A microneedle device and a microneedle device for use in a method for the treatment of a lumen, vessel, cavity or a fistula

Номер патента: WO2020157740A2. Автор: John O&#39;dea. Владелец: JANISYS LIMITED. Дата публикации: 2020-08-06.

Controlling optical power in a sensor with the use of a faraday cage

Номер патента: WO2021163026A1. Автор: Jacob Dove,Shai Fleischer,Derek L. Moody,Sarah L. Hayman,Linden A. Reustle. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2021-08-19.

Cap having a comfort profile, which is intended to be applied in a shaving head of a shaving apparatus

Номер патента: EP2099590A1. Автор: Willem Minkes,Erik Houbolt,Martin L. Bakker,Andre Kuijper. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-09-16.

Container for an oxygen supply unit, device and system of an arrangement of a number of oxygen supply devices, wherein each oxygen supply unit is stored in a container, method of control of a status and/or change of status of a container

Номер патента: US09988150B2. Автор: Rüdiger Meckes,Hasso Weinmann,Marco Hollm,Wolfgang Rittner,Gunter Boomgarden,Mark Niedostatek. Владелец: Zodiac Aerotechnics SAS. Дата публикации: 2018-06-05.

Aircraft gas turbine having a booster bleed duct in a stator vane root element of a bypass duct

Номер патента: US09909433B2. Автор: Lars Pettersson,Andrew Cox,Knut Rosenau,Lutz Bilger. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2018-03-06.

Autonomous fluid control assembly having a movable, density-driven diverter for directing fluid flow in a fluid control system

Номер патента: US09453395B2. Автор: Jason Dykstra,Orlando Dejesus,Michael L Fripp. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Lifting device having an apparatus for assisting or for fully automatically carrying out an erection or placing down procedure of a boom system and corresponding method

Номер патента: US11912542B2. Автор: Walter Mietschnig,Tizian Lamprecht,Manfred Schapler. Владелец: Liebherr Werk Nenzing GmbH. Дата публикации: 2024-02-27.

Lifting device having an apparatus for assisting or for fully automatically carrying out an erection or placing down procedure of a boom system and corresponding method

Номер патента: US20220297989A1. Автор: Walter Mietschnig,Tizian Lamprecht,Manfred Schapler. Владелец: Liebherr Werk Nenzing GmbH. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for controlling pressure in a high-pressure region of an internal combustion engine

Номер патента: US09556814B2. Автор: Janos Radeczky. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for reducing the content of sulfur dioxide in a flue gas coming out of a boiler installation with a circulating fluidized bed

Номер патента: RU2673285C1. Автор: Антти РОККА. Владелец: СУМИТОМО ЭсЭйчАй ФВ ЭНЕРДЖИА ОЙ. Дата публикации: 2018-11-23.

Framework for a press in a machine for the manufacture of a fibrous web

Номер патента: CA2089361C. Автор: Kjell S. E. Jansson. Владелец: Valmet Karlstad AB. Дата публикации: 1999-08-17.

Autonomous fluid control assembly having a movable, density-driven diverter for directing fluid flow in a fluid control system

Номер патента: CA2830959C. Автор: Michael L. Fripp,Jason D. Dykstra,Orlando Dejesus. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-02-09.

Rotational motion-inducing variable flow resistance systems having a sidewall fluid outlet and methods for use thereof in a subterranean formation

Номер патента: CA2852423C. Автор: Michael L. Fripp,Jason D. Dykstra. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Improved process for oxidising mercaptans or mercaptides to disulphides in a two-phase system consisting of a light hydrocarbon oil phase and an aqueous alkali metal hydroxide phase

Номер патента: GB827385A. Автор: . Владелец: Bataafsche Petroleum Maatschappij NV. Дата публикации: 1960-02-03.

Gear for use in a gear transmission, gear pairing of a gear transmission and gear transmission with such a gear pair

Номер патента: US20200240503A1. Автор: Matthias Koop,Stephan Oberle,Sebastian Birk,Adrian Rieple. Владелец: IMS Gear SE and Co KGaA. Дата публикации: 2020-07-30.

Controlling optical power in a sensor with the use of a faraday cage

Номер патента: US11806148B2. Автор: Jacob Dove,Shai Fleischer,Derek L. Moody,Sarah L. Hayman,Linden A. Reustle. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2023-11-07.

Heat Exchangers Having a Three-Dimensional Lattice Structure with Baffle Cells and Methods of Forming Baffles in a Three-Dimensional Lattice Structure of a Heat Exchanger

Номер патента: US20200018560A1. Автор: Nicolas Kristopher Sabo,Samuel Noah Miller. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-01-16.

Gear for use in a gear transmission, gear pairing of a gear transmission and gear transmission with such a gear pair

Номер патента: US11927257B2. Автор: Matthias Koop,Stephan Oberle,Sebastian Birk,Adrian Rieple. Владелец: Ims Gear Se &co Kgaa. Дата публикации: 2024-03-12.

Heat exchangers having a three-dimensional lattice structure with baffle cells and methods of forming baffles in a three-dimensional lattice structure of a heat exchanger

Номер патента: EP3821193A1. Автор: Nicolas Kristopher Sabo,Samuel Noah Miller. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-05-19.

Heat exchangers having a three-dimensional lattice structure with baffle cells and methods of forming baffles in a three-dimensional lattice structure of a heat exchanger

Номер патента: WO2020014357A1. Автор: Nicolas Kristopher Sabo,Samuel Noah Miller. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2020-01-16.

A method for determining the proportion of a live, attenuated flavivirus having a nucleotide sequence comprising at least one attenuation locus in a formulation

Номер патента: WO2024108087A1. Автор: Benjamin Richter,Dietmar Mayer,Stefan BORUTZKI. Владелец: TAKEDA VACCINES, INC.. Дата публикации: 2024-05-23.

A method for determining the proportion of a live, attenuated flavivirus having a nucleotide sequence comprising at least one attenuation locus in a formulation

Номер патента: EP4375381A1. Автор: Benjamin Richter,Dietmar Mayer,Stefan BORUTZKI. Владелец: Takeda Vaccines Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Method of packing of sticky substances in a fluid phase by means of a thin film

Номер патента: RU2725269C2. Автор: Джорджо РИДЗЬЕРИ. Владелец: Сав Холдинг С.П.А.. Дата публикации: 2020-06-30.

Method and a device for cutting a web in a paper machine by means of a water jet

Номер патента: CA1325378C. Автор: Pentti Peltola,Jouni Bergqvist. Владелец: Tampella Oy Ab. Дата публикации: 1993-12-21.

Arrangement in a ship for loading/unloading of a flowable medium in open sea

Номер патента: CA2124436C. Автор: Kare Syvertsen,Arne Smedal,Kare Breivik. Владелец: Den Norske Stats Oljeselskap As. Дата публикации: 2001-05-01.

Binding system, sheet for appliance in a binding system and use of a binding system

Номер патента: CA2598537C. Автор: Paul Gokkel. Владелец: Innobind Holding BV. Дата публикации: 2013-12-24.

Method of cooling partial oxidation gas containing finely divided impurities and used for combustion in a combined gas-steam turbine of a power plant

Номер патента: US4697413A. Автор: Hans C. Pohl. Владелец: Krupp Koppers GmbH. Дата публикации: 1987-10-06.

Cooling system of a combat vehicle, and pressure cascade for cooling at least one electronic unit in a combat vehicle by means of a cooling system

Номер патента: CA2984377C. Автор: Gerhard Lang,Detlev Eckhoff,Eckhard Schwartz. Владелец: RHEINMETALL LANDSYSTEME GMBH. Дата публикации: 2023-05-23.

Method for regulation and on-line measurement of the fibre orientation in a web produced by means of a paper machine

Номер патента: CA2021355C. Автор: Pekka Pakarinen,Jouni Koskimies,Pekka Neittaanmaki,Erkki Laitinen,Tapani Miinalainen. Владелец: Valmet Paper Machinery Inc. Дата публикации: 1996-06-18.

Mold insert for use in a mold for the manufacture of a cushioning element for sports apparel

Номер патента: US11904513B2. Автор: Tru Le,Victor Romanov,Christoph DYCKMANS,Dan Price,Helge Weiger,Bastian Gothe,Jarkko Siltamaeki,Andreas SEEFRIED,Marc Simon Anthony NORRIDGE,Maximillian Drexler. Владелец: adidas AG. Дата публикации: 2024-02-20.

An arrangement and a method to mount door or window frames in a wall opening by aid of a fastening means

Номер патента: EP3289159A1. Автор: Tommy Rylander. Владелец: Eriksson Lars. Дата публикации: 2018-03-07.

Wave-power aggregate to extract energy from wave motion in a fluid and the use of a wave-power aggregate

Номер патента: US20130285381A1. Автор: Daniel Ehrnberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-31.

A method and a wave-power aggregate to extract energy from wave motion in a fluid and the use of a wave-power aggregate

Номер патента: EP2122159A1. Автор: Daniel Ehrnberg. Владелец: Daniel Ehrnberg. Дата публикации: 2009-11-25.

Vehicle brake system and method for increasing brake pressure in a first wheel brake cylinder and limiting brake pressure in a second wheel brake cylinder of a vehicle brake system

Номер патента: US11884254B2. Автор: Jochen Bodmann,Yasutaka Nagakura,Shuichi Miyagawa. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-01-30.

System and method for sensing pedal rod to piston rod gap in a brake boost assist system of a master cylinder

Номер патента: WO2019005669A1. Автор: Suat Ali Ozsoylu,Curt M. ROBERTS. Владелец: Veoneer Nissin Brake Systems Japan Co. Ltd.. Дата публикации: 2019-01-03.

A system and a method for locating a workpiece-holder frame in position in a processing or assembling station of a production plant

Номер патента: EP4313481A1. Автор: Daniele Tomasi,Daniele RUFFINO,Tiziano BERTOLO. Владелец: Comau SpA. Дата публикации: 2024-02-07.

Determining the level of a liquid in a borehole for controlling operation of a submerged pump

Номер патента: US20220010671A1. Автор: Mariano Andrés Hunkeler,Pablo Oscar Severini,Leoncio Del Pozo,Juan José Malo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-13.

Heater of an open space in a closed room by means of a hot airstream

Номер патента: WO2010097693A3. Автор: Carlo Picozzi. Владелец: Carlo Picozzi. Дата публикации: 2014-10-30.

Use as an emulsion base in a cosmetic or pharmaceutical formulation, of a composition comprising stearoyl glutamate

Номер патента: US20230346729A1. Автор: Jean-David Rodier,Maxime Nollet,Hakime Boulghobra. Владелец: Gattefosse SA. Дата публикации: 2023-11-02.

A method for determining a leakage in a heat transfer fluid channel of a heat transferring reactor system, and a heat transferring reactor

Номер патента: AU2022344520A1. Автор: Teri Hiltunen. Владелец: SUMITOMO SHI FW ENERGIA OY. Дата публикации: 2024-03-14.

Mold insert for use in a mold for the manufacture of a cushioning element for sports apparel

Номер патента: US20240149505A1. Автор: Tru Le,Victor Romanov,Christoph DYCKMANS,Dan Price,Helge Weiger,Bastian Gothe,Jarkko Siltamaeki,Andreas SEEFRIED,Marc Simon Anthony NORRIDGE,Maximillian Drexler. Владелец: adidas AG. Дата публикации: 2024-05-09.

A System and a Method for Locating a Workpiece-Holder Frame in Position in a Processing or Assembling Station of a Production Plant

Номер патента: US20240165754A1. Автор: Daniele Tomasi,Daniele RUFFINO,Tiziano BERTOLO. Владелец: Comau SpA. Дата публикации: 2024-05-23.

System and method for sensing pedal rod to piston rod gap in a brake boost assist system of a master cylinder

Номер патента: EP3645352A1. Автор: Suat Ali Ozsoylu,Curt M. ROBERTS. Владелец: Veoneer Nissin Brake Systems Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-06.

System and method for sensing pedal rod to piston rod gap in a brake boost assist system of a master cylinder

Номер патента: US20190001940A1. Автор: Suat Ali Ozsoylu,Curt M. ROBERTS. Владелец: Veoneer Nissin Brake Systems Japan Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Systems and methods for flow monitoring in a precursor vapor supply system of a substrate processing system

Номер патента: US20200407849A1. Автор: Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Sung Je Kim,You Zhai,Jeremiah Baldwin. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

System and method for locating a workpiece supporting frame in position in a processing or assembling station of a production plant

Номер патента: CA3215291A1. Автор: Daniele Tomasi,Daniele RUFFINO,Tiziano BERTOLO. Владелец: Comau SpA. Дата публикации: 2022-10-06.

Improved separation of the catalyst in a process for the oxydation of a gas

Номер патента: MY132971A. Автор: Bernd Rinne,Erhard Dr Franken-Stellamans. Владелец: Celanese GmbH. Дата публикации: 2007-10-31.

Method and apparatus for identifying remote sending units in a tire pressure monitor system of a vehicle using secondary modulation of wheel rotation

Номер патента: US20020101340A1. Автор: Fred Starkey. Владелец: Schrader Bridgeport International Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for spatially arranging coils in a coil store, and combination of a processing machine and a coil store

Номер патента: CA3083619A1. Автор: Sylvio Matthäß. Владелец: ASCO Biegetechnik GmbH. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for spatially arranging coils in a coil store, and combination of a processing machine and a coil store

Номер патента: AU2019356038A1. Автор: Sylvio Matthäß. Владелец: Asco Coiltechnik Gmbh. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for spatially arranging coils in a coil store, and combination of a processing machine and a coil store

Номер патента: AU2019356038B2. Автор: Sylvio Matthäß. Владелец: Asco Coiltechnik Gmbh. Дата публикации: 2021-06-24.

Surface-reacted calcium carbonate in a process for the production of a loaded microcapsule

Номер патента: US20230201126A1. Автор: Joachim Schoelkopf,Florentine Marianne HILTY-VANCURA,Maxim Kiryukhin. Владелец: Omya International AG. Дата публикации: 2023-06-29.

Gas generating composition, use thereof in a gas generator and use of a basic mixed metal nitrate

Номер патента: US20230174438A1. Автор: Michael Konig. Владелец: ZF Airbag Germany GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

Method and device for controlling the thermal exchange in a heat recovery steam generator of a combined cycle power plant and combined cycle power plant

Номер патента: EP3187702A9. Автор: Fabio Piccardo,Nicola Angelo ROVERE. Владелец: ASEN Ansaldo Sviluppo Energia SRL. Дата публикации: 2017-11-22.

Heater of an open space in a closed room by means of a hot airstream

Номер патента: EP2400939A2. Автор: Carlo Picozzi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-04.

Heater of an open space in a closed room by means of a hot airstream

Номер патента: WO2010097693A4. Автор: Carlo Picozzi. Владелец: Carlo Picozzi. Дата публикации: 2014-12-18.

Heater of an open space in a closed room by means of a hot airstream

Номер патента: WO2010097693A2. Автор: Carlo Picozzi. Владелец: Carlo Picozzi. Дата публикации: 2010-09-02.

Method for controlling a deceleration request in a one-pedal-driving mode of a vehicle

Номер патента: US20240246517A1. Автор: Raid Mounzer,Mikael Riikonen,Mattias Kroon,Hans Englander. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

A method and arrangement for purging molten metal in a container with the aid of a gas

Номер патента: WO1992015413A1. Автор: Thomas Falk. Владелец: Mefos Stiftelsen for Metallurgisk Forskning. Дата публикации: 1992-09-17.

Methods for automatically controlling material suction in a process of pulling-up of a monocrystal

Номер патента: US20230167578A1. Автор: LONG Xiang,Lin Wang,Zhenyu Liu,Jian Xu,Jianping Wang,Zilong Zhao. Владелец: TCL Zhonghuan Renewable Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

High-Pressure Pump in a High-Pressure Injection System of a Vehicle

Номер патента: US20210285410A1. Автор: Tet Kong Brian Chia,Dmitriy Kogan. Владелец: CPT Group GmbH. Дата публикации: 2021-09-16.

A method for determining a leakage in a heat transfer fluid channel of a heat transferring reactor system, and a heat transferring reactor

Номер патента: EP4399448A1. Автор: Teri Hiltunen. Владелец: SUMITOMO SHI FW ENERGIA OY. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for constructing a mathematical model of a petrol fuel injector of a bi-fuel supply plant of a motor for a motor vehicle and electronic control board of the gas injectors usable in a bi-fuel supply plant of a motor for a motor vehicle

Номер патента: EP3397849A1. Автор: Stefano CAMPANI. Владелец: Landi Renzo SpA. Дата публикации: 2018-11-07.

Method for triggering a command in a motor vehicle by means of a data exchange between a control device and an identifier element

Номер патента: US09845070B2. Автор: Laurent Petel,Frederic Gehin,Fabienne Masson. Владелец: Valeo Comfort and Driving Assistance SAS. Дата публикации: 2017-12-19.

System and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20010054710A1. Автор: Masahiro Tanaka,Isao Asaka,Shigeru Takada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Mask blank, phase shift mask, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240337919A1. Автор: Hitoshi Maeda,Osamu Nozawa,Ryo Ohkubo,Kenta Tsukagoshi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device production method employing silicon-containing resist underlayer film-forming composition including organic group having ammonium group

Номер патента: US11966164B2. Автор: Makoto Nakajima,Wataru Shibayama,Hayato Hattori,Ken ISHIBASHI. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US12022653B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Sunghoi Hur,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US6084815A. Автор: Yuichi Matsushita,Kenji Satou. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-04.

Production method for patterned organic film, production apparatus for patterned organic film, organic semiconductor device produced by same, and integrated circuit including organic semiconductor device

Номер патента: US20230165123A1. Автор: Mari Sasaki,Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09760107B2. Автор: Jingo Nakanishi,Issei Kashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240381625A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Device having an internal and an external functional element and method for the production thereof

Номер патента: US09506911B2. Автор: Ulrich Klug,Andre Neumeister,Detlefr Rath. Владелец: LZH Laser Zentrum Hannover eV. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor devices

Номер патента: US20210055987A1. Автор: Hee Jin Byun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ &#34;Брянский государственный технический университет&#34;. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing reflective mask blank, reflective mask blank, method for manufacturing reflective mask, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11852964B2. Автор: Takahiro Onoue,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Phase change memory device having carbon nano tube lower electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US7589342B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor device malfunction preventive circuit

Номер патента: US20030151444A1. Автор: Takafumi Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Method and System to Reduce Electromagnetic Radiation for Semiconductor Devices

Номер патента: US20100244928A1. Автор: Jim D. Childers,Kevin P. LAVERY,Praven P. Patel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Method and system to reduce electromagnetic radiation from semiconductor devices

Номер патента: US20090278568A1. Автор: Jim D. Childers,Pravin P. Patel,Kevin P. LAVERY. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09587994B2. Автор: Kosuke YAYAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160196865A1. Автор: Hun-Dae Choi,Han-gi Jung,Seok-Young Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09830972B2. Автор: Hun-Dae Choi,Han-gi Jung,Suk Yong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of measuring thermal resistance between a housing of a semiconductor device and a cooling radiator

Номер патента: RU2686859C1. Автор: Павел Владимирович Сорокин,Алексей Иванович Солдатов,Андрей Алексеевич Солдатов,Мария Алексеевна Костина,Юлия Викторовна Шульгина,Иван Михайлович Васильев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Национальный исследовательский Томский политехнический университет&#34;. Дата публикации: 2019-05-06.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230371241A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240215227A1. Автор: Dong Yean Oh,Jin Sun CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device including a rectification circuit

Номер патента: US9881246B2. Автор: Shinya Fujioka,Akihiko Sugata,Tsuzumi Ninomiya,Kohji Nozoe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20160055406A1. Автор: Shinya Fujioka,Akihiko Sugata,Tsuzumi Ninomiya,Kohji Nozoe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Detecting and visualizing correlations between measured correlation values and correlation reference values of a pathway

Номер патента: US09990713B2. Автор: Guenter Schmidt,Ralf Schoenmeyer,Sonja ALTHAMMER. Владелец: Definiens AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device with hierarchical word line scheme

Номер патента: US09691438B2. Автор: Seol Hee LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device having a relatively wide data bus

Номер патента: US6034900A. Автор: Brian Shirley,Layne Bunker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Semiconductor device and method for preparing semiconductor device

Номер патента: US11930633B2. Автор: Yule SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method and device for the determination of film forming amines in a liquid

Номер патента: EP3775875A1. Автор: Ute Ramminger,Jorg Fandrich,Ulrich Nickel. Владелец: Framatome GmbH. Дата публикации: 2021-02-17.

Systems and methods for load-balancing in a data center

Номер патента: US09413668B2. Автор: Balaji Venkat Venkataswami,Bhargav Bhikkaji. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20230335198A1. Автор: Hirofumi Hebishima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110156286A1. Автор: Shigeki Yoshida,Fumio Ushida. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Preconditional quiescent current testing of a semiconductor device

Номер патента: US20040207408A1. Автор: Jiang Yu,Jiang Shi,Agapito Benavides. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-10-21.

Image forming device having grounded photoreceptor

Номер патента: US20030002886A1. Автор: Michiteru Oono,Yukie Kobayashi. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

System and process for displaying calculated long term growth of a financial account

Номер патента: WO2021211730A1. Автор: Jeffrey Richard Davidek,Dorian Brown,JR. Eugene M. NATALI. Владелец: Troutwood, LLC. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for encoding electric signals obtained during scanning of a graphic pattern having a mixed content of text and pictures

Номер патента: CA1179778A. Автор: Wolfgang Postl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-12-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20200265902A1. Автор: Masaru Koyanagi,Mikihiko Ito,Fumiya Watanabe,Kei Shiraishi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Dynamically altering tracking granularity in a region-based cache directory

Номер патента: US20240111683A1. Автор: Ganesh Balakrishnan,Amit Apte. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Dynamically altering tracking granularity in a region-based cache directory

Номер патента: WO2024073185A1. Автор: Ganesh Balakrishnan,Amit Apte. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Fixing device having a guide member with a recessed shape

Номер патента: US20170176900A1. Автор: Akira SHIMODAIRA. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for the operation of a magnetic resonance apparatus, whereby positional changes are acquired with orbital navigator echos

Номер патента: US20020130660A1. Автор: Stefan Thesen. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-09-19.

Electronic device having foldable screen and display method

Номер патента: US12101424B2. Автор: ZHEN Li,Xinglong PAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Fixing device having a guide member with a recessed shape

Номер патента: US09703239B1. Автор: Akira SHIMODAIRA. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Dynamic random access memory device having power supply system appropriately biasing switching transistors and storage capacitors in burn-in testing process

Номер патента: US5363333A. Автор: Akira Tsujimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Method for the operation of a magnetic resonance tomography apparatus

Номер патента: US20010005135A1. Автор: Stefan Thesen. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-06-28.

Method of managing SMS type telephone messages in a telecommunications network

Номер патента: US20030125053A1. Автор: Francis Pinault. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-07-03.

Selective use of garbage collection during expansion of geometry addressable regions of a redundant array of independent drive (raid) configuration

Номер патента: US20210248068A1. Автор: Nicholas Michael O&#39;rourke,Alastair Cooper,Gemma Izen,Dominic Tomkins. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Adaptive desampling in a graphics system with composited level of detail map

Номер патента: US09904971B2. Автор: Santosh Abraham,Christopher T. Cheng,Liangjun ZHANG,Ki Fung CHOW. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Support structure for a planar motor

Номер патента: US11370622B2. Автор: Michael HAUER,Stefan FLIXEDER,Martin HAUDUM. Владелец: B&R INDUSTRIAL AUTOMATION GMBH. Дата публикации: 2022-06-28.

Photomask providing uniform critical dimension on semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070065732A1. Автор: Seongwoon Choi,Donggun Lee,Byunggook Kim,Chanuk Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-22.

Systems and methods for facilitating betting in a game

Номер патента: US20210065517A1. Автор: Tim Dillon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device, portable remote terminal unit and intermittent receiving method

Номер патента: EP1322100A3. Автор: Koichi c/o Fujitsu Limited Kuroiwa,Shoji c/o Fujitsu Limited Taniguchi,Masami c/o Fujitsu Limited Kanasugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor device and continuous reading method

Номер патента: US20210034304A1. Автор: Makoto Senoo,Tsutomu Taniguchi,Sho Okabe,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and continuous reading method

Номер патента: US11315640B2. Автор: Makoto Senoo,Tsutomu Taniguchi,Sho Okabe,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Piston head for use in a reciprocating compressor and method of producing the same

Номер патента: EP3090176A1. Автор: Nazim Arda EYYUBOGLU,Tolga Yaroglu. Владелец: Arcelik AS. Дата публикации: 2016-11-09.

Apparatus for sealing a hole in a lining or wall

Номер патента: US20230286231A1. Автор: Guy VAN DER WALT. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-14.

Thin film forming apparatus

Номер патента: US09499897B2. Автор: Tatsuya Hayashi,Takaaki Aoyama,Ichiro Shiono,Ekishu Nagae,Yousong Jiang,Mitsuhiro Miyauchi. Владелец: Shincron Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Reach truck having a counterweight

Номер патента: US12006195B2. Автор: Frank LEMKE. Владелец: Jungheinrich AG. Дата публикации: 2024-06-11.

Reach truck having a counterweight

Номер патента: US20190225469A1. Автор: Frank LEMKE. Владелец: Jungheinrich AG. Дата публикации: 2019-07-25.

Ablating a region of patient organ using selected ablation electrodes of an expandable catheter

Номер патента: EP4151168A3. Автор: Vadim Gliner,Ilan Goldenberg,Yan Korgozki. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Method of producing an object having a fluorinated polymer coating

Номер патента: US20240175200A1. Автор: Mohammad Mokbul Hossain,Christoph Ellenberger,Karim CHAKHARI. Владелец: Sefar AG. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of producing an object having a fluorinated polymer coating

Номер патента: EP4379127A1. Автор: Christoph Ellenberger,Karim CHAKHARI,Mohammad Mokul HOSSAIN. Владелец: Sefar AG. Дата публикации: 2024-06-05.

Apparatus for sealing a hole in a lining or wall

Номер патента: EP4175822A1. Автор: Guy VAN DER WALT. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-10.

Apparatus for sealing a hole in a lining or wall

Номер патента: CA3184234A1. Автор: Guy VAN DER WALT. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-06.

Method and systems for improving damage stability of a ship

Номер патента: EP3429915A1. Автор: John Jamieson Liggat,Donald Paterson,Dracos Vassalos,John Edward CULLEN,Evangelos BOULOUGOURIS. Владелец: UNIVERSITY OF STRATHCLYDE. Дата публикации: 2019-01-23.

Method and systems for improving damage stability of a ship

Номер патента: US20230159139A1. Автор: John Jamieson Liggat,Donald Paterson,Dracos Vassalos,John Edward CULLEN,Evangelos BOULOUGOURIS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-25.

Method and systems for improving damage stability of a ship

Номер патента: WO2017158333A1. Автор: John Jamieson Liggat,Donald Paterson,Dracos Vassalos,John Edward CULLEN,Evangelos BOULOUGOURIS. Владелец: UNIVERSITY OF STRATHCLYDE. Дата публикации: 2017-09-21.

Film-forming apparatus

Номер патента: US09777376B2. Автор: Nobuhiro Hayashi,Masayuki Iijima,Hiroyuki Hirano,Kazuhiko Saito,Isao Tada,Yixin Yang,Sadatsugu Wakamatsu,Tsuyoshi Yoshimoto,Tomoharu Fujii,Takayoshi Hirono,Yoshiyuki MITSUHASHI,Togo HOSOYA,Nobuaki KAKUTANI,Naoki SUNAGAWA. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Film forming composition and film forming method using the same

Номер патента: US20210115253A1. Автор: Masakazu Kobayashi,Go Noya,Yuki Ozaki. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2021-04-22.

Film forming composition and film forming method using the same

Номер патента: EP3607001A1. Автор: Masakazu Kobayashi,Go Noya,Yuki Ozaki. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2020-02-12.

A semiconductor device packaging medium having a vacuum seal indicator card

Номер патента: HK1004330A1. Автор: Victor K Nomi,John R Pastore. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-11-20.

Multilayer article for topical application having a beneficial effect on skin

Номер патента: RU2704809C2. Автор: Курт БИННЕР,Джеффри М. ВУ,Джьотсна ПАТУРИ,Бао Т. ТРАН. Владелец: Джонсон энд Джонсон Консьюмер Инк.. Дата публикации: 2019-10-31.

Negative pressure wound therapy device having helical elements

Номер патента: AU2022269383A1. Автор: Tushar Sharma,Frank Cichocki,William Cohn,Jared MORTUS,Scott Sloss,John Killion,Gabriel Jacinto. Владелец: Ethicon Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Novel Aspergillus oryzae CJ 1354 isolated from the Korean traditional meju, manufacturing method of a rice hot pepper paste using the same and the rice hot pepper paste prepared by the method

Номер патента: US20200329748A1. Автор: Sung Hwan Lim,Sun A Cho,Hye Won Shin,Eun Seok Jang,Seon Mi OH,Min Kyung PARK,Hyun Jun JANG. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2020-10-22.

Method and system for mixing concrete constituents in a drum

Номер патента: AU2018345626B2. Автор: Denis Beaupre. Владелец: Command Alkon Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Steering system for a vehicle having a steering element and steer-by-wire steering having such a steering system

Номер патента: US20240343298A1. Автор: Ian Bläser. Владелец: ZF Automotive Germany GmbH. Дата публикации: 2024-10-17.

Negative pressure wound therapy device having helical elements

Номер патента: EP4414003A2. Автор: Tushar Sharma,Frank Cichocki,William Cohn,Jared MORTUS,Scott Sloss,John Killion,Gabriel Jacinto. Владелец: Ethicon Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Negative pressure wound therapy device having helical elements

Номер патента: EP4414003A3. Автор: Tushar Sharma,Frank Cichocki,William Cohn,Jared MORTUS,Scott Sloss,John Killion,Gabriel Jacinto. Владелец: Ethicon Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Apparatus for slant punching a plurality of elongate holes in a penetrable blank of material

Номер патента: US4815351A. Автор: Don L. Smith,Shirley J. Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-03-28.

Damping Valve Device Having a Progressive Damping Force Characteristic Curve

Номер патента: US20220403910A1. Автор: Aleksandar Knezevic,Jörg Rösseler. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2022-12-22.

Damping valve device having a progressive damping force characteristic curve

Номер патента: US12085140B2. Автор: Aleksandar Knezevic,Jörg Rösseler. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Fixing device having a planar coupling member for an additional member in a vehicle

Номер патента: JP2013540641A. Автор: アルブレヒト・ホッフ,ヴェルナー・ラング,クリスチャン・レベレイン,アキム・シュミッド. Владелец: Mekra Lang GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-11-07.

Filter system having a primary and a secondary filter element, secondary filter element and method

Номер патента: US12023621B2. Автор: Bharatesh ALAGOUDA. Владелец: Mann and Hummel GmbH. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatus for coating the interior surface of a medical appliance

Номер патента: EP1742747B1. Автор: Michael Austin,Barry Heaney,John Motherwell. Владелец: Boston Scientific Ltd Barbados. Дата публикации: 2011-02-09.

Valve of a hydraulically striking device

Номер патента: US09863547B2. Автор: Jaakko Hämäläinen. Владелец: Doofor Oy. Дата публикации: 2018-01-09.

Production processes and systems, compositions, surfactants, monomer units, metal complexes, phosphate esters, glycols, aqueous film forming foams, and foam stabilizers

Номер патента: WO2005074637A3. Автор: Bruno Ameduri,Andrew Jackson,Mitchel Cohn,John Chien,Stephan M Brandstadter,Janet Boggs,Victoria Hedrick,Gregory Leman,George K Kostov,Bradley E Edwards. Владелец: Bradley E Edwards. Дата публикации: 2006-02-02.

Production processes and systems, compositions, surfactants, monomer units, metal complexes, phosphate esters, glycols, aqueous film forming foams, and foam stabilizers

Номер патента: WO2005074593A3. Автор: Bruno Ameduri,Andrew Jackson,John Chien,Stephan M Brandstadter,Vimal Sharma,Janet Boggs,Gregory Leman,Victoria E Hedrick,George K Kostov,E Bradley Edwards. Владелец: E Bradley Edwards. Дата публикации: 2006-03-16.

Biocidal, antiseptic, non-solvent-based environmentally-friendly coating containing metal particles having a flat lamellar structure

Номер патента: US20230227667A1. Автор: Michel Desbois. Владелец: Stephane Magguilli. Дата публикации: 2023-07-20.

Camera having a printer with a paper feed device using a vibration actuator

Номер патента: US20020089678A1. Автор: Kazuaki Aoto,Shigeyoshi Fujie. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Methods for augmenting a tibial component of a knee joint prosthesis

Номер патента: US09907664B2. Автор: David Jones,John E. Meyers,Michael Cook,Scott Dykema,Jeff Blaylock,Ron Donkers,David LEWALLEN,Arlen D. Hanssen,Stephen J Vankoski. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Valve seat ring having a corner groove to receive an elastic seal ring

Номер патента: CA1064889A. Автор: Bertram L. Morrison. Владелец: ACF Industries Inc. Дата публикации: 1979-10-23.

Absorbent article having a planar stabilizing absorbent element adjacent an upper portion of the central region of the absorbent core

Номер патента: NZ318156A. Автор: Tenny Jerschkow,Michele Gentile,Catherine Salerno. Владелец: McNeil PPC Inc. Дата публикации: 1999-04-29.

Underwater drilling device and method for procuring drill cores of a bed of a body of water

Номер патента: CA3120772C. Автор: Leonhard Weixler,Stefan Michael Finkenzeller,Johannes WIENER,Tobias GREINDL. Владелец: BAUER MASCHINEN GMBH. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of injecting an aggregate into a small gap formed in the bottom portion of a blast furnace and aggregate used therefor

Номер патента: WO2007034974A1. Автор: Tsuyoshi Matsuda,Michio Nitta,Kenji Takewaki,Hiroaki Otsubo. Владелец: NIPPON STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2007-03-29.

Forming an offset in an interdigitated capacitor of a microelectromechanical systems (mems) device

Номер патента: US20190031499A1. Автор: Uwe Rudolph,Sebastian Pregl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Rotational motion-inducing variable flow resistance systems having a sidewall fluid outlet and methods for use thereof in a subterranean formation

Номер патента: MY177210A. Автор: Jason D Dykstra,Michael L Fripp. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2020-09-09.

Improvements in Means of Electrically Controlling the Movements of a Cage Working in a Lift or Hoist or of a Car Travelling on an Inclined or other Railway.

Номер патента: GB190411121A. Автор: Ernest Sherwood Woollard Moore,William Brabiner Bennitt. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-04-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PHYSICAL QUANTITY DISTRIBUTION DETECTOR HAVING A PLURALITY OF UNIT COMPONENTS WITH SENSITIVITY TO A PHYSICAL QUANTITY CHANGE OF LIGHT

Номер патента: US20120002088A1. Автор: FUKUSHIMA Noriyuki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: NZ784891A. Автор: KANDA Ryo. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

TIRE PRESSURE MONITORING DEVICE HAVING POWER SUPPLIED BY MAGNETIC INDUCTION

Номер патента: US20120000277A1. Автор: Fischer Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Mono- And Bi-Component Formulations In The Form Of A Paint, Varnish And Water-Emulsified Base, Processes For Preparing The Same And Applications Thereof

Номер патента: US20120004346A1. Автор: Rodrigues de Lira Francisco,Santos Hildebrando Lucas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHODS FOR USE OF A DYNAMIC CONE PENETROMETER FOR EVALUATING SOIL COMPACTION

Номер патента: US20120004848A1. Автор: Kinast John Arthur,Farrag Khalid A.,Todres H.A. (Alan). Владелец: Sandy Golgart Sales Inc. d/b/a SGS. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR TRANSMITTING A REFERENCE SIGNAL IN A WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20120002740A1. Автор: Chung Jae Hoon,Kwon Yeong Hyeon,Han Seung Hee. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lance for Cleaning the Shell Side of a Heat Exchanger Core

Номер патента: US20120000626A1. Автор: Watson Michael. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LOCKING ASSEMBLY FOR SECURING A ROD MEMBER IN A RECEIVER PART FOR USE IN SPINAL OR TRAUMA SURGERY, BONE ANCHORING DEVICE WITH SUCH A LOCKING ASSEMBLY AND TOOL THEREFOR

Номер патента: US20120004689A1. Автор: Biedermann Lutz,Matthis Wilfried. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: SG181188A1. Автор: Chih-Hung Lin,Tzu-Yun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.