Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Read threshold estimation in analog memory cells using simultaneous multi-voltage sense

Read threshold estimation in analog memory cells using simultaneous multi-voltage sense

Номер патента: US8792281B2
Опубликовано: 29-07-2014
Автор(ы): Barak Baum, Eyal Gurgi
Принадлежит: Apple Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Read threshold estimation in analog memory cells using simultaneous multi-voltage sense

Номер патента: US20140355341A1. Автор: Eyal Gurgi,Barak Baum. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Method and circuit for generating reference voltages for reading a multilevel memory cell

Номер патента: US20020192892A1. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-19.

System, method and computer program product for processing read threshold information and for reading a flash memory module

Номер патента: US09431118B1. Автор: Hanan Weingarten,Ilan Bar. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Open translation unit management using an adaptive read threshold

Номер патента: US11881284B2. Автор: Jian Huang,Jiangli Zhu,Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Open translation unit management using an adaptive read threshold

Номер патента: US20240105240A1. Автор: Jian Huang,Jiangli Zhu,Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of determining binary signal of memory cell and apparatus thereof

Номер патента: US20090055700A1. Автор: Hyun-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Optimization of read thresholds for non-volatile memory

Номер патента: US09595320B2. Автор: Yingquan Wu,Earl T Cohen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Analog sensing of memory cells with a source follower driver in a semiconductor memory device

Номер патента: US20130272070A1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Rooparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Storage of read thresholds for NAND flash storage using linear approximation

Номер патента: US9064595B2. Автор: Arunkumar Subramanian,Jason Bellorado,Lingqi Zeng,Xiangyu Tang,Frederick K. H. Lee. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2015-06-23.

Detection of page discrepancy during read threshold calibration

Номер патента: US11727984B2. Автор: Karin Inbar,Eran Sharon,Alexander Bazarsky,Rohit Sehgal,Dudy David Avraham,Gilad KOREN. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Programming memory cells

Номер патента: US09543001B1. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Adaptive programming and erasure schemes for analog memory cells

Номер патента: WO2013112336A3. Автор: Ofir Shalvi,Eyal Gurgi,Yoava KASORLA. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-09-26.

Simplified operations to read memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US12073892B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Generating read thresholds using gradient descent and without side information

Номер патента: US9269449B2. Автор: Arunkumar Subramanian,Jason Bellorado,Lingqi Zeng,Xiangyu Tang,Frederick K. H. Lee,Ameen Aslam. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

Generating read thresholds using gradient descent and without side information

Номер патента: US20150078084A1. Автор: Arunkumar Subramanian,Jason Bellorado,Lingqi Zeng,Xiangyu Tang,Ameen Aslam,Frederick K.H. Lee. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: WO2022212129A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-06.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: US12080359B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Systems and methods to reduce interference between memory cells

Номер патента: US20080205155A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09754674B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09502125B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Read threshold calibration for cross-temperature long, sequential reads

Номер патента: US12020751B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Alexander Bazarsky,Nika Yanuka,Evgeny Mekhanik. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Read threshold calibration for cross-temperature long, sequential reads

Номер патента: WO2023196317A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Alexander Bazarsky,Nika Yanuka,Evgeny Mekhanik. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-10-12.

Read threshold calibration for cross-temperature long, sequential reads

Номер патента: US20230326528A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Alexander Bazarsky,Nika Yanuka,Evgeny Mekhanik. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory cell voltage level selection

Номер патента: US20230395152A1. Автор: Fangfang Zhu,Tingjun Xie,Jiangli Zhu,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Programming non-volatile storage includng reducing impact from other memory cells

Номер патента: EP2561511A1. Автор: Ken Oowada,Yingda Dong,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-02-27.

Memory cell readout using successive approximation

Номер патента: US7821826B2. Автор: Ofir Shalvi,Naftali Sommer. Владелец: ANOBIT TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2010-10-26.

Programming nonvolatile memory cells using resolution-based and level-based voltage increments

Номер патента: US20180053555A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-22.

Programming nonvolatile memory cells through a series of predetermined threshold voltages

Номер патента: US20200202945A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Data reading method in semiconductor storage device capable of storing three-or multi-valued data in one memory cell

Номер патента: US5682347A. Автор: Katsuki Hazama. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-10-28.

Determining a cell state of a resistive memory cell

Номер патента: US09666273B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Parallel programming of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09576647B2. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Reading a multi-bit value from a memory cell

Номер патента: US09449682B2. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-20.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US8687419B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Inferring threshold voltage distributions associated with memory cells via interpolation

Номер патента: US09779828B2. Автор: William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Adaptive read threshold voltage tracking with gap estimation between adjacent read threshold voltages

Номер патента: US20190122726A1. Автор: Erich F. Haratsch,Sundararajan Sankaranarayanan. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-04-25.

Mitigating reliability degradation of analog memory cells during long static and erased state retention

Номер патента: US9455040B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Moshe Neerman,Avraham Poza Meir,Yael Shur,Etai Zaltsman,Meir Dalal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Mitigating reliability degradation of analog memory cells during long static and erased state retention

Номер патента: US09455040B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Moshe Neerman,Avraham Poza Meir,Yael Shur,Etai Zaltsman,Meir Dalal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Capacitance coupling parameter estimation in flash memories

Номер патента: US09934867B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Meysam Asadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Initialization techniques for multi-level memory cells using multi-pass programming

Номер патента: US09460780B2. Автор: Aaron Lee,Mrinal Kochar,Mikhail Palityka,Abhijeet Bhalerao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Apparatus and methods for programming memory cells responsive to an indication of age of the memory cells

Номер патента: US11735253B2. Автор: Pin-Chou Chiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: EP4348651A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Capacitance coupling parameter estimation in flash memories

Номер патента: US20180180654A1. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Meysam Asadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

Multi-level operation in dual element cells using a supplemental programming level

Номер патента: WO2008082824A3. Автор: DU Li,Darlene Hamilton,Kulachet Tanpairoj,Fatima Bathul. Владелец: Fatima Bathul. Дата публикации: 2008-11-13.

Device for sensing data in a multi-bit memory cell using a multistep current source

Номер патента: US6069821A. Автор: Woong Lim Choi,Dae Mann Kim,Si Bum Jun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Method and device for multi-level programming of a memory cell

Номер патента: EP1020870A1. Автор: Chin Hsi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-19.

Programming memory cells

Номер патента: US20140321214A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Writing a multibit resistance-switching memory cell including a dummy resistance, resistance switching elements and diodes

Номер патента: EP2415052A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Concurrent slow-fast memory cell programming

Номер патента: US20230307055A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Multi-Bit Resistance-Switching Memory Cell

Номер патента: US20120140546A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for programming a memory device suitable to minimize the lateral coupling effects between memory cells

Номер патента: US20060203544A1. Автор: Angelo Visconti,Mauro Bonanomi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-09-14.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory cell programming utilizing conditional enabling of memory cells

Номер патента: US09767909B1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Mitigation of data retention drift by programming neighboring memory cells

Номер патента: US09583199B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Avraham Poza Meir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Determining soft data for combinations of memory cells

Номер патента: US09543000B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Mark A. Hawes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Programming memory cells using smaller step voltages for higher program levels

Номер патента: US20130135937A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

All level coarse/fine programming of memory cells

Номер патента: US20230317171A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US11763891B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Charging a capacitance of a memory cell and charger

Номер патента: US20030002374A1. Автор: Kerry Tedrow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Erasing memory cells

Номер патента: US20190267095A1. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Methods and apparatus utilizing expected coupling effect in the programming of memory cells

Номер патента: US20100259978A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Charging a capacitance of a memory cell and charger

Номер патента: US20030002341A1. Автор: Kerry Tedrow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Charging a capacitance of a memory cell and charger

Номер патента: US6597606B2. Автор: Kerry D. Tedrow. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US12106809B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device having a different source line coupled to each of a plurality of layers of memory cell arrays

Номер патента: US09564227B2. Автор: Akira Goda,Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Threshold voltage grouping of memory cells in same threshold voltage range

Номер патента: US09536601B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Sense amplifier of a memory cell

Номер патента: US20150194192A1. Автор: Thomas Kern,Mihail Jefremow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-09.

Optimal read threshold estimation

Номер патента: US09741431B2. Автор: Naveen Kumar,Lingqi Zeng,Frederick K. H. Lee,Christopher S. Tsang. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Read threshold optimization systems and methods using model-less regression

Номер патента: US20220130472A1. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Haobo Wang,Meysam Asadi,Xuanxuan Lu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Read threshold adjustment with feedback information from error recovery

Номер патента: US20180197619A1. Автор: Wei Wang,Jingfeng Yuan,Xiaoheng Chen,Jeffrey L. Whaley. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-07-12.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: WO2021126885A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: US11763896B2. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: US20230017981A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: US20210183454A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Data Storage Device and Method for Predicting Future Read Thresholds

Номер патента: US20230420059A1. Автор: Ariel Navon,Eran Sharon,Alexander Bazarsky,David Avraham. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Storage System and Method for Circuit-Bounded-Array-Based Time and Temperature Tag Management and Inference of Read Thresholds

Номер патента: US20230402072A1. Автор: Idan Alrod,Ariel Navon,Eran Sharon,Alexander Bazarsky,David Avraham,Nika Yanuka. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Systems and methods for modeless read threshold voltage estimation

Номер патента: US11769556B2. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Haobo Wang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Dynamic read threshold calibration

Номер патента: US20220122674A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Alexander Bazarsky. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Apparatus and methods for determining memory cell data states

Номер патента: US20230274786A1. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Apparatus for determining memory cell data states

Номер патента: US12112819B2. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Predicting and compensating for degradation of memory cells

Номер патента: US20220319613A1. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Predicting and compensating for degradation of memory cells

Номер патента: US11823745B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Content addressable memory device, content addressable memory cell and method for single-bit multi-level data searching and comparing

Номер патента: US12094534B2. Автор: Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US12014770B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Flash memory cell and method to achieve multiple bits per cell

Номер патента: US20030142541A1. Автор: Christoph Ludwig,Georg Tempel,Danny Shum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-31.

Methods and apparatus to read memory cells based on clock pulse counts

Номер патента: US09928914B2. Автор: Feng Pan,Ramin Ghodsi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods and apparatus to read memory cells based on clock pulse counts

Номер патента: US09530513B1. Автор: Feng Pan,Ramin Ghodsi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Programming of analog memory cells using a single programming pulse per state transition

Номер патента: US7924587B2. Автор: Ofir Shalvi,Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Oren Golov,Uri Perlmutter,Shai Winter. Владелец: ANOBIT TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2011-04-12.

Reading memory cells using multiple thresholds

Номер патента: WO2008053472A2. Автор: Ofir Shalvi,Naftali Sommer,Dotan Sokolov. Владелец: ANOBIT TECHNOLOGIES LTD.. Дата публикации: 2008-05-08.

Storage System and Method for Inference of Read Thresholds Based on Memory Parameters and Conditions

Номер патента: US20230402112A1. Автор: Idan Alrod,Ariel Navon,Eran Sharon,Ran ZAMIR,Alexander Bazarsky,David Avraham,Nika Yanuka,Tsiko Shohat Rozenfeld. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Storage system and method for inference of read thresholds based on memory parameters and conditions

Номер патента: WO2023244335A1. Автор: Idan Alrod,Ariel Navon,Eran Sharon,Ran ZAMIR,Alexander Bazarsky,David Avraham,Nika Yanuka,Tsiko Shohat Rozenfeld. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory cells using multi-pass programming

Номер патента: US09530504B2. Автор: Jun Wan,Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Bo Lei,Zhenming Zhou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Analog memory cells with valid flag

Номер патента: US20200402601A1. Автор: Gene Alan Frantz,Peter Linder,Erik James Welsh,Laurence Ray Simar, Jr.. Владелец: Octavo Systems LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Programming memory cells using a program pulse

Номер патента: US09502108B2. Автор: Kiran Pangal,Nathan R. Franklin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for multilevel programming of phase change memory cells using a percolation algorithm

Номер патента: US7639526B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-29.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09443566B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-13.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Voltage profile for reduction of read disturb in memory cells

Номер патента: WO2021080829A1. Автор: Hongmei Wang,Mingdong Cui,Michel Ibrahim Ishac. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-29.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Memory apparatus with gated phase-change memory cells

Номер патента: US20130322168A1. Автор: Daniel Krebs,Gael Close. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor memory device capable of determining an initial program condition for different memory cells

Номер патента: US09679651B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Programming a Memory Cell Using a Dual Polarity Charge Pump

Номер патента: US20150213901A1. Автор: WEI Tian,YoungPil Kim,Antoine Khoueir,Dadi Setiadi,Rodney V. Bowman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Programming and reading five bits of data in two non-volatile memory cells

Номер патента: US20080084740A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Varying-polarity read operations for polarity-written memory cells

Номер патента: US20240312518A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory cell architecture for multilevel cell programming

Номер патента: US09607691B1. Автор: Mattia Boniardi,Mario Allegra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Programming memory cells using a program pulse

Номер патента: US9153320B2. Автор: Kiran Pangal,Nathan R Franklin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Programming memory cells using a program pulse

Номер патента: US20150078075A1. Автор: Kiran Pangal,Nathan R. Franklin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Methods and systems for improving read and write of memory cells

Номер патента: US12027230B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Read threshold optimization systems and methods by multi-dimensional search

Номер патента: US20210272641A1. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Haobo Wang,Meysam Asadi,Xuanxuan Lu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Apparatus and methods of programming memory cells using adjustable charge state level(s)

Номер патента: US9336083B2. Автор: Bruce A. Liikanen,John L. Seabury. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210319843A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20230187010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US12040038B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device including main amplifers between memory cell arrays

Номер патента: US09443573B2. Автор: Hidekazu Egawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

System and method for non-parametric optimal read threshold estimation using deep neural network

Номер патента: US11854629B2. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Haobo Wang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Threshold estimation in nand flash devices

Номер патента: US20210074368A1. Автор: Amit Berman,Evgeny BLAICHMAN,Elisha Halperin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-11.

Analog sensing of memory cells in a solid-state memory device

Номер патента: EP2469539A1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Read threshold voltage estimation systems and methods for parametric PV-level modeling

Номер патента: US11769555B2. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Haobo Wang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Retention-drift-history-based non-volatile memory read threshold optimization

Номер патента: US09645177B2. Автор: Hao ZHONG,Earl T. Cohen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Programming analog memory cells for reduced variance after retention

Номер патента: US7864573B2. Автор: Ofir Shalvi,Uri Perlmutter. Владелец: ANOBIT TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2011-01-04.

Retention-drift-history-based non-volatile memory read threshold optimization

Номер патента: US10460818B2. Автор: Hao ZHONG,Earl T. Cohen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-10-29.

Retention-drift-history-based non-volatile memory read threshold optimization

Номер патента: US20200013471A1. Автор: Hao ZHONG,Earl T. Cohen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-01-09.

Systems and methods of generating a replacement default read threshold

Номер патента: WO2013066703A1. Автор: Steven Cheng,Seungjune Jeon. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-05-10.

Cmos analog memories utilizing ferroelectric capacitors

Номер патента: EP3198604A1. Автор: Jr. Joseph T. Evans. Владелец: Radiant Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

CMOS analog memories utilizing ferroelectric capacitors

Номер патента: US09496019B2. Автор: Calvin B. Ward,Joseph T. Evans, Jr.. Владелец: Radiant Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Mtj-based analog memory device

Номер патента: EP4238133A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Dimitri Houssameddine,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Management of data storage in memory cells using a non-integer number of bits per cell

Номер патента: US09799397B2. Автор: Naftali Sommer,Micha Anholt. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile memory device having variable resistance memory cells and a method of resetting by initially performing pre-read or strong set operation

Номер патента: US09552879B2. Автор: Youngbae Kim,Yongkyu Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Compensation for conductance drift in analog memory

Номер патента: US20240161792A1. Автор: Charles Mackin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method and apparatus for faster deterimation of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US20160372192A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Method and apparatus for faster determination of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US09953706B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method and apparatus for faster determination of a cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US09496031B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Enhanced programming and erasure schemes for analog memory cells

Номер патента: US20120224404A1. Автор: Ofir Shalvi,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla. Владелец: ANOBIT TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2012-09-06.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US20190259451A1. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US10685706B2. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-16.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20200005849A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20190108866A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: EP3449484A1. Автор: Eric S. CARMEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10395714B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10127963B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-13.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US20170316815A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US09799388B1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Read Circuitry for an Integrated Circuit Having Memory Cells and/or a Memory Cell Array, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110216609A1. Автор: Philippe Bauser. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-09-08.

Circuit and a method of determining the resistive state of a resistive memory cell

Номер патента: EP1847999A9. Автор: Jens Egerer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-06-15.

Multi-program of memory cells without intervening erase operations

Номер патента: US20240221840A1. Автор: Ezra Edward Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory cell

Номер патента: EP1132919A3. Автор: Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-08-21.

Iterative memory cell charging based on reference cell value

Номер патента: WO2007134301A2. Автор: Michael J. Cornwell,Christopher P. Dudte. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Programming memory cells with concurrent storage of multi-level data as single-level data for power loss protection

Номер патента: US20220406398A1. Автор: Xiang Yang,Toru Miwa,Ken Oowada,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631B1. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US11735244B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: EP3143650A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-03-22.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: US20170249983A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-08-31.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631A3. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Techniques for parallel memory cell access

Номер патента: US20240304244A1. Автор: Andrea Martinelli,Maurizio Rizzi,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US20240312534A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatuses and methods including memory cells, digit lines, and sense amplifiers

Номер патента: US20220036940A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory device including memory cell for generating reference voltage

Номер патента: US09972371B2. Автор: Soo-ho Cha,Chankyung Kim,Sungchul Park,Kwangchol CHOE,Hoyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Connecting memory cells to a data line sequentially while applying a program voltage to the memory cells

Номер патента: US09779819B1. Автор: Toru Tanzawa,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Reprogramming single bit memory cells without intervening erasure

Номер патента: US09734912B2. Автор: Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Ping-Hsien Lin,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods and apparatuses having a voltage generator with an adjustable voltage drop for representing a voltage drop of a memory cell and/or a current mirror circuit and replica circuit

Номер патента: US09728256B2. Автор: Umberto Di Vincenzo,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Apparatuses and methods of reading memory cells based on response to a test pulse

Номер патента: US09672908B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile memory device maintaining a bitline precharge during program verification periods for multi-level memory cells and related programming method

Номер патента: US09418747B2. Автор: Dong-ku Kang,Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Read Model of Memory Cells using Information Generated during Read Operations

Номер патента: US20220044756A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

State machine sensing of memory cells

Номер патента: WO2009126205A2. Автор: Jun Liu,Yantao Ma. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-10-15.

Multi-level memory cell using multiple magentic tunnel junctions with varying mgo thickness

Номер патента: EP2885787A1. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Kangho Lee,Taehyun Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-24.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Read measurement of a plurality of resistive memory cells

Номер патента: US20140211541A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor device with sense amplifier for memory cells

Номер патента: US7242628B2. Автор: Tadashi Haruki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Erasing memory cells

Номер патента: US20190287623A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Adjustable write bins for multi-level analog memories

Номер патента: US20120127790A1. Автор: Thomas Mittelholzer,Ibrahim M. Elfadel,Michele M. Franceschini,Luis A. Lastras-Montano,Mayank Sharma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20120268988A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Sense amplifier for bidirectional sensing of memory cells of a non-volatile memory

Номер патента: US20210193230A1. Автор: Seungpil Lee,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Method and apparatus for writing memory cells

Номер патента: EP1282136A1. Автор: Manish Sharma,Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-02-05.

Programming techniques for polarity-based memory cells

Номер патента: WO2023278946A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory cell including multi-level sensing

Номер патента: US20190043570A1. Автор: Bruce Querbach,Christopher CONNOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Memory devices including tri-state memory cells

Номер патента: US20240282370A1. Автор: Yuan He,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Coding method of multi-level memory cell

Номер патента: US20020181278A1. Автор: Cheng-Jye Liu,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US20240296896A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Reading a multi-level memory cell

Номер патента: US20240321347A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Agostino Pirovano,Mattia Robustelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile memory system that erases memory cells when changing their mode of operation

Номер патента: US09767912B2. Автор: Hyun-Wook Park,Kitae Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory cell having dielectric memory element

Номер патента: US09721655B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Program method of nonvolatile memory device for having dense threshold voltage distribution by controlling voltage of bit line according to threshold voltage of memory cell

Номер патента: US09627070B2. Автор: Cheul Hee Koo,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Multi-bit non-volatile random-access memory cells

Номер патента: US09607695B1. Автор: Jayant Ashokkumar,David Still,Joseph Tandingan,Judith Allen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory system to determine interference of a memory cell by adjacent memory cells, and operating method thereof

Номер патента: US09595341B2. Автор: Yong June Kim,Jaehong Kim,Kijun Lee,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Read measurement of a plurality of resistive memory cells for alleviating resistance and current drift

Номер патента: US09576650B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device having memory strings including drain-side and source-side memory cells connected to pipe transistor and peripheral circuit suitable for applying pipe gate voltage to pipe transistor during read operation

Номер патента: US09558827B2. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US09552864B1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device to improve reliability of read operation for memory cells

Номер патента: US09543031B2. Автор: Woo Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Multi-function resistance change memory cells and apparatuses including the same

Номер патента: US09418734B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20200090727A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20180358077A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Integrated circuit for programming a memory cell

Номер патента: US20100002498A1. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philipp. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-01-07.

Multi-bit memory cell structures and devices

Номер патента: WO2007099277A1. Автор: Hyunho Kim,Mark Blamire. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2007-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Track charge loss based on signal and noise characteristics of memory cells collected in calibration operations

Номер патента: US12073899B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory cell coupling compensation

Номер патента: US09552257B2. Автор: Peter Feeley,William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Track Charge Loss based on Signal and Noise Characteristics of Memory Cells Collected in Calibration Operations

Номер патента: US20220044751A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: EP1590810A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-02.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: WO2004070727A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having uniform layout

Номер патента: US5973970A. Автор: Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Method and circuit arrangement for reading out and for storing binary memory cell signals

Номер патента: US6721219B2. Автор: Helmut Schneider,Dominique Savignac,Sabine Kling,Athanasia Chrysostomides,Peter Pfefferl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-13.

Method and circuit arrangement for reading out and for storing binary memory cell signals

Номер патента: US20030012061A1. Автор: Helmut Schneider,Dominique Savignac,Sabine Kling,Athanasia Chrysostomides,Peter Pfefferl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US12057177B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20240355398A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20210020239A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: EP3729437A2. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20200294586A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: WO2019126416A2. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20220208262A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20200035297A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory device having different numbers of bits stored in memory cells

Номер патента: US20210043244A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Sensing amplifier, method and controller for sensing memory cell

Номер патента: US20240321325A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

System and method for reducing programming voltage stress on memory cell devices

Номер патента: US09570192B1. Автор: Sei Seung Yoon,Anil Kota,Bjorn Grubelich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell array structure and operating method thereof

Номер патента: US09520198B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh,Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Sensing memory cells coupled to different access lines in different blocks of memory cells

Номер патента: US09373404B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device including memory cell and sense amplifer, and IC card including semiconductor device

Номер патента: US9543007B2. Автор: Ryotaro Azuma,Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Apparatus and methods for determining data states of memory cells

Номер патента: US11776633B2. Автор: Violante Moschiano,Ugo Russo,William C. Filipiak,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and methods for determining data states of memory cells

Номер патента: US20200194084A1. Автор: Violante Moschiano,Ugo Russo,William C. Filipiak,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Apparatus, system and method to sense a logic state of a memory cell in a three-dimensional memory device

Номер патента: US12062410B2. Автор: Balaji Srinivasan,Ashraf B. Islam,Nicolas L. IRIZARRY,Yasir Mohsin Husain,Jaydip Bharatkumar Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Verify while write scheme for non-volatile memory cell

Номер патента: US20110194355A1. Автор: Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Data storage device and method of programming memory cells

Номер патента: US09691486B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20230395114A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20240096390A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods and devices for determining writing current for memory cells

Номер патента: US20060203537A1. Автор: Hung-Cheng Sung,Der-Shin Shyu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Control circuitry for memory cells

Номер патента: US20120314508A1. Автор: Luca Milani,Rainer Herberholz,Justin Penfold,Kwangseok Han. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor storage apparatus and memory system comprising memory cell holding data value of multiple bits

Номер патента: US09922707B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Reading-threshold setting based on data encoded with a multi-component code

Номер патента: US09971646B2. Автор: Tomer Ish-Shalom,Moti Teitel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Adaptation of high-order read thresholds

Номер патента: US09779818B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Barak Baum,Alex Radinski,Tsafrir Kamelo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and system of reading threshold voltage equalization

Номер патента: US09454420B1. Автор: Ying Yu Tai,Seungjune Jeon,Jinagli Zhu,Yeuh Yale Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Readout of interfering memory cells using estimated interference to other memory cells

Номер патента: US09530516B2. Автор: Ronen Dar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Read threshold management and calibration

Номер патента: US20220113894A1. Автор: Alex Bazarsky,DUDY Avraham,Evgeny Mekhanik. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Inter-word-line programming in arrays of analog memory cells

Номер патента: US20140160865A1. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Yael Shur. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Integrated Circuit Having a Memory Cell Arrangement and Method for Reading a Memory Cell State Using a Plurality of Partial Readings

Номер патента: US20090185425A1. Автор: Detlev Richter,Roberto Ravasio,Gert Koebernik,Girolamo Gallo,Mirko Reissmann,Ramirez Xavier Veredas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-07-23.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: AU2021216710B2. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: US11809982B2. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: GB2608299A. Автор: Yasuda Takeo,Okazawa Junka,Hosokawa Kohji,Iwashina Akiyo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: WO2021156755A1. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-08-12.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: US20240020522A1. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: AU2021216710A1. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Sensing memory cells using array control lines

Номер патента: US20190371380A1. Автор: James Hart,Tz-yi Liu,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen,Jeffrey Koon Yee Lee,Yadhu Vamshi Vancha. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Temperature and leakage compensation for memory cells in an analog memory system for use in a deep learning neural network

Номер патента: EP4138079A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-22.

Apparatus configured to program memory cells using an intermediate level for multiple data states

Номер патента: US20180211714A1. Автор: Christian Caillat,Akira Goda,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Circuitry to compensate for data drift in analog neural memory in an artificial neural network

Номер патента: US12056601B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Programming multibit memory cells

Номер патента: US09685233B2. Автор: Chih-Chang Hsieh,Kuo-Pin Chang,Ti-Wen Chen,Yung Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Estimation of memory cell wear level based on saturation current

Номер патента: US8717826B1. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yael Shur. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

Temperature compensation for memory cells in an analog neural memory system used in a deep learning neural network

Номер патента: US20200350015A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Techniques for reading memory cells in a memory device during a multi-pass programming operation

Номер патента: US12057169B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Zhenni Wan,Bo Lei,Nidhi AGRAWAL. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Programming select gate transistors and memory cells using dynamic verify level

Номер патента: EP2954529A1. Автор: Ken Oowada,Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Cynthia Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-16.

Programming of memory cells using a memory string dependent program voltage

Номер патента: US12051467B2. Автор: Henry Chin,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Erasing memory segments in a memory block of memory cells using select gate control line voltages

Номер патента: US09779829B2. Автор: Christian Caillat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Using Different Programming Modes to Store Data to a Memory Cell

Номер патента: US20150179268A1. Автор: WEI Tian,YoungPil Kim,Dadi Setiadi,Rodney Virgil Bowman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2015-06-25.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Techniques for reading memory cells in a memory device during a multi-pass programming operation

Номер патента: US20230377655A1. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Zhenni Wan,Bo Lei,Nidhi AGRAWAL. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory sub-system for memory cell touch-up

Номер патента: US11967386B2. Автор: Bin Wang,Pitamber Shukla,Scott A. Stoller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Matrix-vector multiplications based on charge-summing memory cell strings

Номер патента: EP4390926A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Circuit for memory cell recovery

Номер патента: US20130272077A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jente B. Kuang,Carl J. Radens,Rouwaida N. Kanj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Method for trimming non-volatile memory cells

Номер патента: US20020196660A1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Detecting over programmed memory cells after programming of adjacent memory cells

Номер патента: EP1652191A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Jeffrey W. Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-05-03.

Method and circuit for simultaneously programming memory cells

Номер патента: US20060245269A1. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US20160071596A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Storing one data value by programming a first memory cell and a second memory cell

Номер патента: US20230290413A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and apparatus for adaptive memory cell overerase compensation

Номер патента: US20100020607A1. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Storing one data value by programming a first memory cell and a second memory cell

Номер патента: US20240249777A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for programming of a semiconductor memory cell

Номер патента: EP1168363B1. Автор: Boaz Eitan,Eduardo Maayan,Zeev Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2006-08-09.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: WO2007015864A3. Автор: David Gaun,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Colin S Bill,Eugene Gershon. Владелец: Eugene Gershon. Дата публикации: 2008-05-22.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: WO2007015864A2. Автор: David Gaun,Colin S. Bill,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Eugene Gershon. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-02-08.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: EP1911035A2. Автор: David Gaun,Colin S. Bill,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Eugene Gershon. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-16.

Refresh of neighboring memory cells based on read status

Номер патента: US20240321350A1. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Programming memory cells to be programmed to different levels to an intermediate level from a lowest level

Номер патента: US09953718B2. Автор: Christian Caillat,Akira Goda,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuits with programmable memory cells and methods for programming the same

Номер патента: US09799387B1. Автор: Eng Huat Toh,Kangho Lee,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory cell imprint avoidance

Номер патента: US09721639B1. Автор: Kirk Prall,Ferdinando Bedeschi,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory cell sensing

Номер патента: US09576674B2. Автор: Mark A. Helm,Pranav Kalavade,Uday Chandrasekhar,Matthew Goldman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US09536613B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Programming select gate transistors and memory cells using dynamic verify level

Номер патента: WO2014123739A1. Автор: Ken Oowada,Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Cynthia Hsu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

Memory sub-system for memory cell touch-up

Номер патента: US20230377664A1. Автор: Bin Wang,Pitamber Shukla,Scott A. Stoller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory cell with temperature modulated read voltage

Номер патента: US20220230680A1. Автор: Chao-I Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US12014778B2. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Matrix-Vector Multiplications Based on Charge-Summing Memory Cell Strings

Номер патента: US20240212763A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-27.

Local self-boost using a plurality of cut-off cells on a single side of a string of memory cells

Номер патента: US20130235660A1. Автор: Koji Sakui,Yasushi Matsuyama,Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for programming of memory cells, in particular of the flash type, and corresponding programming architecture

Номер патента: US7944751B2. Автор: Davide Torrisi,Alessandro Tumminia,Edoardo Nocita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-17.

Method for erasing a memory cell

Номер патента: US20040047198A1. Автор: Eli Lusky,Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Resistive memory cell and associated cell array structure

Номер патента: US12069873B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20240290389A1. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations

Номер патента: US11501839B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Method for Programming of Memory Cells, in Particular of the Flash Type, and Corresponding Programming Architecture

Номер патента: US20100002521A1. Автор: Davide Torrisi,Alessandro Tumminia,Edoardo Nocita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-07.

Memory device performing signed multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240304252A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Erasing of a word or a page of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20240312517A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Reducing Charge Loss In Data Memory Cell Adjacent To Dummy Memory Cell

Номер патента: US20180308556A1. Автор: Yingda Dong,Nan Lu,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-10-25.

Flash memory cell and associated decoders

Номер патента: US09953719B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Post-program conditioning of stacked memory cells prior to an initial read operation

Номер патента: US09940232B1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Full sequence program for edge word line quad-level memory cells

Номер патента: US20240363167A1. Автор: Yanjie Wang,Sisi Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Systems, methods, and apparatus for memory cells with common source lines

Номер патента: US09818484B2. Автор: Xiaojun Yu,Igor G. Kouznetsov,Venkatraman Prabhakar,Bo Jin,Long T Hinh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems, methods, and apparatus for memory cells with common source lines

Номер патента: US09627073B2. Автор: Xiaojun Yu,Igor G. Kouznetsov,Venkatraman Prabhakar,Bo Jin,Long Hinh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Non volatile memory cell and memory array

Номер патента: US09627066B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

NAND flash memory device with oblique architecture and memory cell array

Номер патента: US09613702B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory device and systems and methods for selecting memory cells in the memory device

Номер патента: US09595335B2. Автор: Tsung-Ching Wu,Philip S. Ng,Geeng-Chuan Chern,Steven Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Multistage memory cell read

Номер патента: US09543005B2. Автор: CHAOHONG HU,Balaji Srinivasan,Kiran Pangal,Sandeep K Guliani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Local self-boost using a plurality of cut-off cells on a single side of a string of memory cells

Номер патента: US09472287B2. Автор: Koji Sakui,Yasushi Matsuyama,Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Reducing disturbances in memory cells

Номер патента: US09471486B2. Автор: Menahem Lasser. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Systems and methods for driving a control gate with a select gate signal in a split-gate nonvolatile memory cell

Номер патента: US09449703B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods and apparatuses including a string of memory cells having a first select transistor coupled to a second select transistor

Номер патента: US09318200B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Erasing memory segments in a memory block of memory cells using select gate control line voltages

Номер патента: US20170140833A1. Автор: Christian Caillat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Apparatus and methods for programming memory cells using multi-step programming pulses

Номер патента: US20200350021A1. Автор: Eric N. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Memory cell array and non-volatile memory device

Номер патента: US20090059666A1. Автор: Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

A method of operating a split gate flash memory cell with coupling gate

Номер патента: WO2012158366A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Henry A. Om'Mani,Mandana TADAYONI,Elizabeth A. CUEVAS. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Three-dimensional (3-d) write assist scheme for memory cells

Номер патента: US20220343958A1. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Three-dimensional (3-d) write assist scheme for memory cells

Номер патента: US20190096458A1. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Estimation of an optimal read threshold using symmetry

Номер патента: US09589673B1. Автор: Fan Zhang,Frederick K. H. Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Classifying memory cells to multiple impairment profiles based on readout bit-flip counts

Номер патента: US09847141B1. Автор: Eyal Gurgi,Barak Sagiv,Einav Yogev,Eli Yazovitsky,Roi Solomon. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Tracking of read voltages while reading memory cells

Номер патента: US20240006015A1. Автор: Nir Tishbi,Ilia Benkovitch,Ruby Mizrahi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and circuit for locating anomalous memory cells

Номер патента: US20050169089A1. Автор: Matteo Patelmo,Massimo Bassi,Stefano Scuratti,Rosario Portoghese. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-08-04.

Method and circuit for locating anomalous memory cells

Номер патента: US7072239B2. Автор: Matteo Patelmo,Massimo Bassi,Stefano Scuratti,Rosario Portoghese. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-04.

Tracking of read voltages while reading memory cells

Номер патента: US11842786B1. Автор: Nir Tishbi,Ilia Benkovitch,Ruby Mizrahi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device enabling refreshing of redundant memory cell instead of defective memory cell

Номер патента: US20150049564A1. Автор: Yuki Hosoe. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Testing memory cells

Номер патента: US20190066813A1. Автор: Martin Perner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20200258885A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20190267380A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-08-29.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09837142B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09805823B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Stressing and testing semiconductor memory cells

Номер патента: US09704567B1. Автор: Juergen Pille,Stefan Payer,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Redundancy memory cell access circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080316838A1. Автор: Eunsung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20060146620A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US7038969B2. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20050088874A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Storage devices having enhanced error detection and memory cell repair

Номер патента: US20240257889A1. Автор: Dong Kim,Inhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Simultaneous multi-voltage rail voltage regulation messages

Номер патента: US20130015715A1. Автор: Alon Naveh,Edward R. Stanford,II Joseph T. DiBene,Hung-Piao Ma,Kosta Luria,Annabelle Pratt,Gil Schwarzband,Jorge Pedro Rodriguez,Sean M. WeIch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-17.

Efficient search for optimal read thresholds in flash memory

Номер патента: US09697075B2. Автор: Barak Baum,Yonathan Tate,Moti Teitel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Read threshold voltage selection

Номер патента: US20180102146A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Read threshold voltage selection

Номер патента: US09911466B2. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Read threshold voltage selection

Номер патента: US20190325921A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Method and device for reading dual bit memory cells using multiple reference cells with two side read

Номер патента: US20030081458A1. Автор: Kazuhiro Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Dual-precision analog memory cell and array

Номер патента: WO2020112576A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2020-06-04.

Dual-precision analog memory cell and array

Номер патента: US11887645B2. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Dual-precision analog memory cell and array

Номер патента: US20200176046A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Dual-precision analog memory cell and array

Номер патента: US20210257014A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Dual-precision analog memory cell and array

Номер патента: US20240105247A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Non-volatile semiconductor memory including memory cells having different charge exhange capability

Номер патента: US20020001230A1. Автор: Ikuto Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Memory cell retention enhancement through erase state modification

Номер патента: US09672909B2. Автор: Santosh Murali,Jim Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device with memory cell structure including ferroelectric data storage layer, and a first gate and a second gate

Номер патента: US10896711B2. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Seung Hyun Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-19.

Improved system for programming a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1568043A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Sameer S. Haddad,Zhizheng Liu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Enhanced temperature compensation for resistive memory cell circuits

Номер патента: US09520189B1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Improved pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1568037A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Binh Q. Le,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Edward F. Runnion,Patu-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: US20040105312A1. Автор: Yi He,Mark Randolph,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Pauling Chen,Binh Le,Edward Runnion. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Improved pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: WO2004051663A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Binh Q. Le,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Edward F. Runnion,Patu-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-06-17.

Regulation method for the source terminal voltage in a non-volatile memory cell during a program phase and corresponding program circuit

Номер патента: US6822905B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-23.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Energy adjusted write pulses in phase-change memory cells

Номер патента: US20080106928A1. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-08.

Regulation method for the source voltage in a nonvolatile memory cell during programming and corresponding program circuit

Номер патента: EP1331644A3. Автор: Rino Micheloni,Maria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-02-04.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Tamper-resistant non-volatile memory device comprising an arithmetic circuit that, in operation, calculates a binary reference value based on at least a part of the pieces of resistance value information, a read circuit that, in operation, selectively assigns, based on the binary reference value, one of two values to each of the pieces of resistance value information, and a write circuit that, in operation, performs a write operation corresponding to one of the two values among memory cells

Номер патента: US09653161B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Uniform bitline strapping of a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1282915A2. Автор: Mark W. Randolph,Shane Charles Hollmer,Pau-Ling Chen,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-12.

Systems and methods for parametric pv-level modeling and read threshold voltage estimation

Номер патента: US20220336039A1. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Data processing system, method, and product for automatically performing timing checks on a memory cell using a static timing tool

Номер патента: US20030099129A1. Автор: Christopher Durham,Peter Klim,Matthew Amatangelo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Data memory with redundant memory cells used for buffering a supply voltage

Номер патента: US6724667B2. Автор: Sabine Kling,Andreas Baenisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-20.

Circuit and method for performing test on memory array cells using external sense amplifier reference current

Номер патента: US6052321A. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Redundancy schemes for memory cell repair

Номер патента: US09911510B1. Автор: Young Suk Kim,Lalit Gupta,Fakhruddin Ali Bohra,Vivek Nautiyal,Pranay Prabhat,Jungtae Kwon,Shri Sagar Dwivedi,Satinderjit Singh. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US20230267987A1. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US12094516B2. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory with a voltage-adjustment circuit to adjust the operating voltage of memory cells for BTI effect screening

Номер патента: US09627041B1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for evaluating sram memory cell and computer readable recording medium which records evaluation program of sram memory cell

Номер патента: US20100115352A1. Автор: Kazuyuki Nakamura. Владелец: Kyushu Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2010-05-06.

Method of Screening Static Random Access Memories for Unstable Memory Cells

Номер патента: US20130028036A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Redundancy concept for memory circuits having ROM memory cells

Номер патента: US5986952A. Автор: Manfred Bromba,Eckehard Plättner,Konrad SCHÖNEMANN,Jochen Breilmann,Roderick McConnell,Klaus Bernauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-16.

Reading of soft bits and hard bits from memory cells

Номер патента: US12046296B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Built-in-self-test of flash memory cells

Номер патента: EP1529293A1. Автор: Colin S. Bill,Darlene Hamilton,Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Weng Fook Lee,Azrul Halim,Boon Tang Teh,Syahrizal Salleh,Joseph Kucera,Chee Boon Law. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-05-11.

Methods of programming and reading single-level trapped-charge memory cells using second-bit threshold detection

Номер патента: US20110085386A1. Автор: Tsung Yi Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

Read threshold estimation systems and methods using deep learning

Номер патента: US11960989B2. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Haobo Wang,Meysam Asadi,Xuanxuan Lu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Read threshold adjustment techniques for non-binary memory cells

Номер патента: US11494114B1. Автор: Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

Read threshold estimation system using calculations based on polynomial regression

Номер патента: US11853590B2. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Meysam Asadi,Teodor VLASOV. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Read threshold adjustment techniques for non-binary memory cells

Номер патента: US11934688B2. Автор: Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory system with adaptive read-threshold scheme and method of operating such memory system

Номер патента: US20190066803A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA,Chenrong Xiong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory system and method for optimizing read threshold

Номер патента: US20200027519A1. Автор: Fan Zhang,Yu Cai,Chenrong Xiong,Xuanxuan Lu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Read threshold calibration for nonvolatile memory with encoded foggy-fine programming

Номер патента: US20220230685A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Idan Alrod,Eran Sharon,Alexander Bazarsky,Jack Frayer,Tien-Chien Kuo. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Storage System and Method for Implementation of Symmetric Tree Models for Read Threshold Calibration

Номер патента: US20230410869A1. Автор: Idan Alrod,Ariel Navon,Eran Sharon,Alexander Bazarsky,David Avraham,Nika Yanuka. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US20220383087A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Read threshold optimization systems and methods using domain transformation

Номер патента: US11907571B2. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Haobo Wang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory device including memory cells and edge cells

Номер патента: US20240153550A1. Автор: Atuk KATOCH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US11797834B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US11847557B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Redundant memory access for rows or columns containing faulty memory cells in analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US11568229B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Han Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Compensation For Reference Transistors And Memory Cells In Analog Neuro Memory In Deep Learning Artificial Neural Network

Номер патента: US20200019848A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Highly compact floating gate analog memory

Номер патента: US20190006377A1. Автор: Effendi Leobandung,Yulong Li,Chun-Chen Yeh,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP3821375A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4148626A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: WO2020013933A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-01-16.

Low leakage high performance static random access memory cell using dual-technology transistors

Номер патента: US8576612B2. Автор: Chiaming Chai,Manish Garg,Michael ThaiThanh Phan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Low Leakage High Performance Static Random Access Memory Cell Using Dual-Technology Transistors

Номер патента: US20110211386A1. Автор: Chiaming Chai,Manish Garg,Michael ThaiThanh Phan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-09-01.

Method and apparatus for storing data in a reference layer in magnetoresistive memory cells

Номер патента: US09990976B1. Автор: Jon Slaughter. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device including memory cells and edge cells

Номер патента: US11900994B2. Автор: Atuk KATOCH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device including memory cells and edge cells

Номер патента: US20220319584A1. Автор: Atuk KATOCH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers

Номер патента: US20240256146A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

Bimodal operation mode of ferroelectric and electret memory cells and memory units on their basis

Номер патента: RU2329553C1. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен,Гёран ГУСТАФССОН,Исак ЭНГКУИСТ. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2008-07-20.

Coding for quad-level memory cells having a replacement gate configuration

Номер патента: US20240045611A1. Автор: Curtis Egan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Trapping storage flash memory cell structure with inversion source and drain regions

Номер патента: US20080205166A1. Автор: Mu-Yi Liu,Chia-Lun Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of operating memory cell

Номер патента: US20240170059A1. Автор: Min-Hung Lee,Kuo-Yu HSIANG. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2024-05-23.

Analog content addressable memory device, analog content addressable memory cell and method for data searching and comparing thereof

Номер патента: US20230395148A1. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory cell array of a static random access memory and a static random access memory including the same

Номер патента: US20240233812A1. Автор: Hyunjun Kim,Seongook JUNG,Keonhee Cho,Sekeon Kim,Kyeongrim Baek. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-11.

Restore function for memory cells using negative bitline-selection

Номер патента: US5798975A. Автор: Stefan Buttner,Dieter Wendel,Friedrich Wernicke,Jürgen Pille. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-08-25.

Partial local self-boosting of a memory cell channel

Номер патента: US20100238731A1. Автор: Takao Akaogi,Ya-Fen Lin,YouSeok Suh,Yi-Ching Wu,Colin Stewart Bill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device including memory cell

Номер патента: US20240257852A1. Автор: Taehwan Kim,Jongsun Park. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-01.

Arrays of nonvolatile memory cells comprising a repetition of a unit cell, arrays of nonvolatile memory cells comprising a combination of vertically oriented and horizontally oriented memory cells, and arrays of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620174B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Refresh of nonvolatile memory cells and reference cells with resistance drift

Номер патента: US09472274B1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Non-volatile memory cell devices and methods, having a storage cell with two sidewall bit cells

Номер патента: US09390799B2. Автор: Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Random access memory cell with different capacitor and transistor oxide thickness

Номер патента: US4240092A. Автор: Chang-Kiang Kuo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-12-16.

Random access memory cell with implanted capacitor region

Номер патента: US5168075A. Автор: Chang-Kiang Kuo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-12-01.

Memory cell comprising coupled josephson junctions

Номер патента: US20180102166A1. Автор: Yehuda Braiman,Neena Imam,Brendan Neschke. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2018-04-12.

Methods and systems for erase biasing of split-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20130279267A1. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory cell comprising coupled josephson junctions

Номер патента: WO2018067855A4. Автор: Brendan Neschke,Neena IMAN,Yehuda Y. BRAIMAN. Владелец: UNIVERSITY OF TENNESSEE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US20010028597A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Layout of a memory cell of an integrated circuit

Номер патента: US20200320174A1. Автор: Amira Rozenfeld,Rolf Sautter,Shankar Kalyanasundaram,Rajesh Veerabhadraiah,Ananth Nag Raja Darla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Apparatus and methods for managing data storage among groups of memory cells of multiple reliability ranks

Номер патента: US20200167087A1. Автор: Carla L. Christensen,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Vertical memory cell and conductive shield structure

Номер патента: WO2023076261A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Richard E. Fackenthal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-04.

System and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US6999334B2. Автор: Frederick A. Perner,Anthony Holden. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-14.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Methods and systems to improve write response times of memory cells

Номер патента: US20100165756A1. Автор: Feroze A. Merchant,John Reginald Riley,Vinod Sannareddy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

High density flash memory cell device, cell string and fabrication method therefor

Номер патента: US20110254076A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Circuit for enhancing robustness of sub-threshold SRAM memory cell

Номер патента: US9236115B2. Автор: Yue Feng,Yuan Chen,Jun Yang,Hong Chang,Fei Pan,Xinning Liu,Na Bai,Longxing Shi,Jiafeng Zhu,Cai Gong,Yifeng Deng,Yingcheng Xia. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-01-12.

Nonvolatile memory cell array

Номер патента: WO1988002174A2. Автор: Raymond Alexander Turi,Alan David Poeppelman. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 1988-03-24.

Memory cell sensing architecture

Номер патента: US20240257855A1. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20160104527A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Memory device including ternary memory cell

Номер патента: US20220413800A1. Автор: Myoung Kim,Jae Won Jeong,Youngeun CHOI,Kyung Rok Kim,Wooseok Kim. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Integrated DRAM memory cell and DRAM memory

Номер патента: US6445609B2. Автор: Alexander Frey,Werner Weber,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-03.

Memory cell, memory using the memory cell, memory cell manufacturing method, and memory recording/reading method

Номер патента: US7436697B2. Автор: Motoyoshi Murakami,Yasuhiro Gotoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20140208054A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory cell sensing using two step word line enabling

Номер патента: US12073864B2. Автор: Makoto Kitagawa,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Single-Port Read Multiple-Port Write Storage Device Using Single-Port Memory Cells

Номер патента: US20140177324A1. Автор: Sheng Liu,Ting Zhou. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Computer-readable medium encoding a back-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7742327B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-22.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20070201261A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Operations on memory cells

Номер патента: EP3718110A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-07.

Method for driving memory cells of a dynamic semiconductor memory and circuit configuration

Номер патента: US20030103376A1. Автор: HELMUT Fischer,Michael Sommer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor memory with NAND type memory cells having NOR gate operation delay means

Номер патента: US5768209A. Автор: Hirokazu Nagashima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Apparatus and method for controlling erasing data in ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190287602A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Programming and verifying method for multilevel memory cell array

Номер патента: US11250921B1. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ming Ku,Ying-Je Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-15.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7787285B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20080278992A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Operations on memory cells

Номер патента: US20210005263A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Layout pattern of memory cell circuit

Номер патента: US6043521A. Автор: Koji Nii,Koji Shibutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Ferroelectric memory cell access

Номер патента: US12062389B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated DRAM memory cell and DRAM memory

Номер патента: US20010036102A1. Автор: Alexander Frey,Werner Weber,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-01.

Pseudo-analog memory computing circuit

Номер патента: US20210407560A1. Автор: Li Che Chen,Heng Cheng Yeh,Cheng Jye Liu. Владелец: Xx Memory Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Devices, methods, and systems for calibrating a read voltage used for reading memory cells

Номер патента: US20240265959A1. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Palludo. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device for multiplication using memory cells with different thresholds based on bit significance

Номер патента: US20240304255A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional flash memory having structure with extended memory cell area

Номер патента: US20240312520A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-19.

Integration of memory cell and logic cell

Номер патента: US20240306361A1. Автор: Jui-Lin Chen,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Programmable logic device memory cell circuit

Номер патента: EP1025564A1. Автор: Bruce B. Pedersen,David E. Jefferson. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-08-09.

Strategic memory cell reliability management

Номер патента: US12112057B2. Автор: Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20240354027A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

One-ladder read of memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US20240304250A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Power reduction for a sensing operation of a memory cell

Номер патента: US09990977B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Ground reference scheme for a memory cell

Номер патента: US09934837B2. Автор: Daniele Vimercati,Umberto Di Vincenzo,Christopher John Kawamura,Scott James Derner,Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory cell having resistive and capacitive storage elements

Номер патента: US09911495B2. Автор: Brent E. BUCHANAN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09899072B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US09875792B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Apparatuses, methods, and systems for increasing a speed of removal of data from a memory cell

Номер патента: US09858984B2. Автор: Shigeki Tomishima,Helia Naeimi,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile SRAM memory cell, and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09842650B2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai,Tatsuro Toya. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory cell structures

Номер патента: US09825091B2. Автор: Heng Cao,Shengfen Chiu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US09767880B1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

MTP-thyristor memory cell circuits and methods of operation

Номер патента: US09761295B2. Автор: Harry Luan,Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device comprising stacked memory cells and electronic device including the same

Номер патента: US09748274B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Shionoiri,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09697881B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Power control over memory cell arrays

Номер патента: US09666266B1. Автор: Hongbin Ji,Ephrem C. Wu,Thomas H. Strader. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Phase hysteretic magnetic josephson junction memory cell

Номер патента: US09653153B2. Автор: Quentin P. Herr,Anna Y. Herr,Andrew Hostetler Miklich. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Configuring and reconfiguring blocks of memory cells to store user data and ECC data

Номер патента: US09594676B2. Автор: Michele Incarnati,William H. Radke,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Magnetic memory cells and methods of formation

Номер патента: US09548444B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Operating methods of nonvolatile memory devices including a ground select transistor and first and second dummy memory cells

Номер патента: US09548123B2. Автор: Kihyun Kim,Byeong-In Choe,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Woonkyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Magnetic memory cells with low switching current density

Номер патента: US09542987B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Writing method for resistive memory cell and resistive memory

Номер патента: US09496036B1. Автор: Frederick Chen,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Pei-Hsiang Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

MTP-thyristor memory cell circuits and methods of operation

Номер патента: US09484068B2. Автор: Harry Luan,Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells

Номер патента: US09460770B1. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for programming a non-volatile memory cell comprising a shared select transistor gate

Номер патента: US09443598B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-09-13.

Tracking mechanism for writing to a memory cell

Номер патента: US09418717B2. Автор: Bing Wang,Kuoyuan (Peter) Hsu,Kai Fan,Derek C. Tao,Yukit TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Low leakage high performance static random access memory cell using dual-technology transistors

Номер патента: EP2382632A1. Автор: Chiaming Chai,Manish Garg,Michael Thai Thanh Phan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-11-02.

Low leakage high performance static random access memory cell using dual-technology transistors

Номер патента: WO2010085560A1. Автор: Chiaming Chai,Manish Garg,Michael Thai Thanh Phan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-07-29.

Memory Cell Device and Method for Operating a Memory Cell Device

Номер патента: US20200202901A1. Автор: Gunther Lehmann,Steffen Schumann,Prashant Chaudhry,Frederic Gueganton,Gurushiddappa Naduvinamane. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory Cell Device and Method for Operating a Memory Cell Device

Номер патента: US20210375330A1. Автор: Gunther Lehmann,Steffen Schumann,Prashant Chaudhry,Frederic Gueganton,Gurushiddappa Naduvinamane. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-02.

3d memory semiconductor devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240224545A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US12033692B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096466A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096467A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Sensing techniques for a memory cell

Номер патента: US20210020221A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180090679A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

MEMORY CELLS, METHODS OF FORMING MEMORY CELLS, AND METHODS OF FORMING PROGRAMMED MEMORY CELLS& xA;

Номер патента: EP2257980A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Memory cells, methods of forming memory cells, and methods of forming programmed memory cells

Номер патента: WO2009099732A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-08-13.

Protecting memory cells from in-process charging effects

Номер патента: US20190206498A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of erasing memory cell

Номер патента: US20110158003A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory configuration including a plurality of resistive ferroelectric memory cells

Номер патента: US20010033516A1. Автор: Kurt Hoffmann,Oskar Kowarik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-25.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9595562B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20170141298A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Memory device including multiple decks of memory cells and pillars extending through the decks

Номер патента: US20220068956A1. Автор: Roger W. Lindsay,John Hopkins,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Shawn D. Lyonsmith,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Lisa M. Clampitt,Kevin Y. Titus,Martin Jared Barclay,Pavithra Natarajan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG192499A1. Автор: Lim Louis,Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Siow Lee Chwa,Donghua Liu,Swee Tuck Woo,Low Rachel. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG158882A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-02-26.

Ferroelectric memory with series connected memory cells

Номер патента: EP1514275A1. Автор: Michael Jacob. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-16.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

3D memory semiconductor devices and structures with memory cells preliminary class

Номер патента: US12041792B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Neural network classifier using array of stacked gate non-volatile memory cells

Номер патента: EP3918533A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Neural Network Classifier Using Array Of Stacked Gate Non-volatile Memory Cells

Номер патента: US20200242453A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Neural network classifier using array of stacked gate non-volatile memory cells

Номер патента: WO2020159580A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Superconductive Memory Cells and Devices

Номер патента: US20240249770A1. Автор: Faraz Najafi. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180342671A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Integrated dram circuit, method for refreshing memory cells, and method for preventing a data integrity attack

Номер патента: EP4369341A1. Автор: Kaveh Razavi,Michele MARAZZI. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2024-05-15.

Memory cell with stability switch for stable read operation and improved write operation

Номер патента: US20060171188A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Memory Cells and Arrays of Memory Cells

Номер патента: US20200286539A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Sram cell controlled by flash memory cell

Номер патента: US20070189062A1. Автор: William Plants. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Floating body volatile memory cell two-pass writing method

Номер патента: WO2007002054A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Multiple decks of memory cells and pillars

Номер патента: WO2022047331A1. Автор: Roger W. Lindsay,John Hopkins,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Shawn D. Lyonsmith,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Lisa M. Clampitt,Kevin Y. Titus,Martin Jared Barclay,Pavithra Natarajan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US20240257880A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Write assist circuit for write disturbed memory cell

Номер патента: US20150146470A1. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20240265969A1. Автор: Richard J. Huang,Fu-Chang Hsu,I-Wei Huang,Jui-Hsin Chang,Re-Peng Tsay,Chiahaur Chang. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11482281B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: WO2021050984A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2021-03-18.

An ultra low power memory cell with a supply feedback loop configured for minimal leakage operation

Номер патента: WO2012153258A3. Автор: Alexander Fish,Adam Teman,Lidor Pergament,Omer Cohen. Владелец: Ben-Gurion University of the Negev Research and Development Authority. Дата публикации: 2013-01-24.

Static random access memory cell with improved stability

Номер патента: US20080225573A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Sampath Purushothaman,Stephen V. Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Static random access memory cell with improved stability

Номер патента: US20070247896A1. Автор: Kenneth Rodbell,Sampath Purushothaman,Stephen Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Semiconductor memory device with memory cells arranged in high density

Номер патента: US20040156255A1. Автор: Yasuhiko Tsukikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

P-channel dynamic flash memory cells with ultrathin tunnel oxides

Номер патента: US20020093045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Memory circuit and method for refreshing dynamic memory cells

Номер патента: US20070258307A1. Автор: Wolfgang Ruf,Manfred Proell,Stephan Schroeder,Hermann Haas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-08.

Current Magnitude Compensation for Memory Cells in a Data Storage Array

Номер патента: US20110007550A1. Автор: Markus Jan Peter Siegert,Andrew John Carter,Michael Xuefei Tang,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-01-13.

Random Access Memory With A Plurality Of Symmetrical Memory Cells

Номер патента: US20070041240A1. Автор: Juergen Pille,Chad Adams,Torsten Mahuke,Oto Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240282369A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240274187A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240274186A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240250163A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12094965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: WO2024162973A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Louisa Schneider,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Shared line magnetic random access memory cells

Номер патента: EP2289102A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Kenneth Mackay,Virgile Javerliac. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Self-erasing memory cell

Номер патента: AU7515000A. Автор: Wolfgang Braun,Arvid Wirén. Владелец: Giesecke and Devrient GmbH. Дата публикации: 2001-04-10.

Devices, methods, and systems for calibrating a sensing capacitor used in a sensing circuit for reading memory cells

Номер патента: US20240312507A1. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Palludo. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Media management operations based on health characteristics of memory cells

Номер патента: US12131790B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore K. Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US12131786B2. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US09997701B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory with respective power voltages for plurality of memory cells

Номер патента: US09997235B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US09940998B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Dynamic adjustment of memory cell digit line capacitance

Номер патента: US09934839B2. Автор: Charles Ingalls,Scott Derner,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Enhanced charge storage materials, related semiconductor memory cells and semiconductor devices, and related systems and methods

Номер патента: US09871044B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney,Sumeet C. Pandey,Karl W. Holtzclaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device

Номер патента: US09853211B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Dynamic adjustment of memory cell digit line capacitance

Номер патента: US09786348B1. Автор: Charles Ingalls,Scott Derner,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory capable of reading data without accessing memory cell

Номер патента: US09672887B2. Автор: Masahiko Nakayama,Katsuhiko Hoya,Hironobu FURUHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Apparatus for adjusting supply level to improve write margin of a memory cell

Номер патента: US09666268B2. Автор: Yih Wang,Fatih Hamzaoglu,Muhammad M. Khellah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Systems and methods for programming a memory cell having a programmable resistance

Номер патента: US09659647B1. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US09620212B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of operating memory device including multi-level memory cells

Номер патента: US09613664B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler,Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Energy efficient three-terminal voltage controlled memory cell

Номер патента: US09589616B2. Автор: HAO Meng,Tze Ho Simon Chan,Yong Wee Francis POH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Low power memory cell with high sensing margin

Номер патента: US09583167B2. Автор: Yang Hong,Tze Ho Simon Chan,Yong Wee Francis POH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Magnetic memory cells with fast read/write speed

Номер патента: US09570138B2. Автор: Eng Huat Toh,Chenchen Jacob WANG,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Resistive semiconductor memory capable of performing incremental step pulse programming (ISPP) based on digital code values of memory cells

Номер патента: US09548114B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory cells having a common gate terminal

Номер патента: US09520447B2. Автор: Farid Nemati,Rajesh N. Gupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Programming memory cells dependent upon distortion estimation

Номер патента: US09502120B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Micha Anholt,Yoav Kasorla. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US09472755B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US09418735B2. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory cells with p-type diffusion read-only port

Номер патента: US09401200B1. Автор: Mark T. Chan,Shankar Prasad Sinha. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, and memory systems

Номер патента: US09379315B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Memory cell for fast erasable programmable read-only memory and method of its programming

Номер патента: RU2481653C2. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Виктор Николаевич Мурашев. Дата публикации: 2013-05-10.

Magnetic random access memory cell with low power consumption

Номер патента: RU2573757C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Magnetic random access memory cell with improved dispersion of switching field

Номер патента: RU2599956C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Fin Field-Effect Transistor (FinFET) Based Semiconductor Memory Array Having Memory Cells Using A Reduced Surface Area

Номер патента: US20240062811A1. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device with improved insulating film and floating gate arrangement to decrease memory cell size without reduction of capacitance

Номер патента: US8212305B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Simultaneous reading from and writing to different memory cells

Номер патента: EP1609153A1. Автор: Kim Le Phan. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-28.

Compensating for concentrated activation of memory cells in a semiconductor memory device

Номер патента: US12020742B2. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory cell

Номер патента: WO2023111606A1. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Vincenzo DELLA MARCA,Antonino Conte,Nadia Miridi,Franck Melul. Владелец: Université D'aix Marseille. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Single-poly nonvolatile memory cells

Номер патента: US20170236829A1. Автор: Nam Yoon Kim,Kwang Il Choi,Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG147369A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-11-28.

Self-aligned 2-bit "double poly cmp" flash memory cell

Номер патента: EP1556867A1. Автор: Michiel J. Van Duuren,Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-27.

Self-aligned 2-bit 'double poly cmp' flash memory cell

Номер патента: WO2004038728A1. Автор: Michiel J. Van Duuren,Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-05-06.

Non-volatile memory that dynamically reduces the number of bits of data stored per memory cell

Номер патента: WO2024144910A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Loc Tu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: WO2013032585A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-03-07.

Vertical memory cells and memory devices using the same

Номер патента: US20200020377A1. Автор: Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory cell, memory device, and methods of forming the same

Номер патента: SG11201806324UA. Автор: XINPENG WANG,Hideaki Fukuzawa,Jun Yu,Michael Han,Vladimir Bliznetsov. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for fabricating an asymmetric sot-mram memory cell unit, and memory cell unit obtained by implementing this method

Номер патента: US20240260478A1. Автор: Gilles Gaudin,Ioan Mihai Miron,Olivier Boulle,Dafine Ravelosona. Владелец: Universite Paris Saclay. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Readout from memory cells subjected to perturbations in threshold voltage distributions

Номер патента: US12148496B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate,Roy Roth. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Read threshold adjustment techniques for memory

Номер патента: US11854641B2. Автор: Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers and for a redundant array using tag registers

Номер патента: WO2024162977A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having a redundant memory cell and method for recovering the same

Номер патента: US20050052911A1. Автор: Ryo Haga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor device having a redundant memory cell and method for recovering the same

Номер патента: US20040047192A1. Автор: Ryo Haga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Content addressable memory and content addressable memory cell

Номер патента: US20240355408A1. Автор: Chi-Chang Shuai,Yi-Hsin TSENG,Yen-Yao Wang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Replacement data storage circuit storing address of defective memory cell

Номер патента: US20100153775A1. Автор: Hiroshi Sugawara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor memory device and method for reading the same using a memory cell array including resistive memory cells to perform a single read command

Номер патента: US09424916B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: US12020762B2. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory module with failed memory cell repair function and method thereof

Номер патента: US20090129182A1. Автор: Chun Shiah,Ho-Yin Chen,Tzu Jen Ting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

System and method for identification of faulty or weak memory cells under simulated extreme operating conditions

Номер патента: WO2002103706A2. Автор: Dhrumil Gandhi,Mark Templeton. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: EP4409576A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having parallel test function

Номер патента: US5394369A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

Semiconductor devices to store test data in memory cell array

Номер патента: US09761327B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Correcting soft reliability measures of storage values read from memory cells

Номер патента: US09489257B2. Автор: Eyal Gurgi,Tomer Ish-Shalom,Moti Teitel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Read threshold voltage adaptation using bit error rates based on decoded data

Номер патента: US09818488B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Sundararajan Sankaranarayanan,AbdelHakim Salem Alhussien. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Read threshold adjustment using reference data

Номер патента: US20190198069A1. Автор: Gopu S,Salil Kale,Shreejith Kv,Aneesh Puthoor,Narayan K. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Read threshold calibration for LDPC

Номер патента: US09692449B2. Автор: Gerald L. Cadloni,Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Read threshold calibration for LDPC

Номер патента: US09985651B2. Автор: Gerald L. Cadloni,Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Programming schemes for multi-level analog memory cells

Номер патента: US09449705B2. Автор: Ofir Shalvi,Naftali Sommer,Dotan Sokolov,Yoav Kasorla. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Deep learning based regression framework for read thresholds in a nand flash memory

Номер патента: US20200402591A1. Автор: Fan Zhang,Jianqing Chen,Chenrong Xiong,Meysam Asadi,Xuanxuan Lu. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Read threshold calibration for ldpc

Номер патента: US20170264312A1. Автор: Gerald L. Cadloni,Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Apparatus and methods for forming a memory cell using charge monitoring

Номер патента: US20150124517A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Brent Keeth,Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Programming schemes for multi-level analog memory cells

Номер патента: US8681549B2. Автор: Ofir Shalvi,Naftali Sommer,Dotan Sokolov,Yoav Kasoria. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-03-25.

Ion drift tube involving analog memory cells

Номер патента: US6288933B1. Автор: Simo Malkamaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-11.

Memory cell

Номер патента: US20130010524A1. Автор: John D. Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Array of non-volatile memory cells to store data in analog form and digital form

Номер патента: US20240220154A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Differential analog memory cell and method for adjusting same

Номер патента: US5430670A. Автор: Bruce D. Rosenthal. Владелец: Elantec Inc. Дата публикации: 1995-07-04.

System and method for reducing leakage in memory cells using wordline control

Номер патента: US20050105323A1. Автор: Jonathan Lachman,Todd Mellinger,J. Hill. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-05-19.

Memory cell utilizing negative differential resistance field-effect transistors

Номер патента: WO2003056561A1. Автор: Tsu-Jae King. Владелец: Progressant Technologies, Inc.. Дата публикации: 2003-07-10.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using heterostructured cathodes

Номер патента: US20170229464A1. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-10.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using buried metal cathode lines

Номер патента: US20170229465A1. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-10.

Memory cell utilizing negative differential resistance field-effect transistors

Номер патента: EP1466327A1. Автор: Tsu-Jae King. Владелец: Progressant Technologies Inc. Дата публикации: 2004-10-13.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using heterostructured cathodes

Номер патента: US09899390B2. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using buried metal cathode lines

Номер патента: US09812454B2. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Programmably reversible resistive device cells using CMOS logic processes

Номер патента: US09385162B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: US20120235108A1. Автор: John Smythe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: EP2393957A1. Автор: John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-14.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: US20100288994A1. Автор: John Smythe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: WO2010090900A1. Автор: John Smythe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-08-12.

Systems and techniques for accessing multiple memory cells concurrently

Номер патента: US20240013833A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Programmable Memory Cell Using an Internal Parasitic Diode for Programming the Programmable Memory Cell

Номер патента: US20200251171A1. Автор: Ching-Hsiang Lin,Wen-Hua Yu,Wei-Fan Wu,Shih-Hsiu CHEN,Hsuan-Chi Su,Wei Huan Chen,Yung-Chien Lee,Shui-Shou Wang. Владелец: Agi Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Distortion cancellation in analog circuits

Номер патента: US20130278230A1. Автор: Paritosh Bhoraskar,Ahmed M. A. ALI. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-24.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: EP4385016A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: US11989440B2. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: EP3580759A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-18.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180226116A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: WO2018148064A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2018-08-16.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US11127450B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-21.

Analog memory

Номер патента: US20080074912A1. Автор: Masato Onaya,Shunsuke Serizawa. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Analog memory

Номер патента: US7808857B2. Автор: Masato Onaya,Shunsuke Serizawa. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-05.

Analog nonvolatile memory cells using dopant activation

Номер патента: US20210343358A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Alexander Reznicek,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Electronic device and method for reading data stored in resistive memory cell

Номер патента: US09984748B1. Автор: Tae-hoon Kim,Seung-Hwan Lee,Hyun-Jeong Kim,Woo-Tae LEE,Myoung-Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

NAND string utilizing floating body memory cell

Номер патента: US09704578B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory cell and memory

Номер патента: US09496047B2. Автор: HUA Chen,YONG Li,Jun Yang,Ju Shen,Hwong-Kwo Lin. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Content addressable memory cell

Номер патента: CA2380343C. Автор: Richard Foss. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Method of exchanging data with memory cells or other devices and their addressing

Номер патента: RU2625023C2. Автор: . Владелец: Косухин Вячеслав Алексеевич. Дата публикации: 2017-07-11.

Soft breakdown mode, low voltage, low power antifuse-based non-volatile memory cell

Номер патента: US20130208525A1. Автор: David Fong,Jack Z. Peng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Programming memory cells using asymmetric current pulses

Номер патента: WO2022035955A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Richard K. Dodge. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-17.

Current references for memory cells

Номер патента: US20240203490A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Techniques for multi-level chalcogenide memory cell programming

Номер патента: US12033695B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and apparatus for selecting memory cells within a memory array

Номер патента: US20040141393A1. Автор: James Eaton,Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-22.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20240233819A9. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20150003144A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180366175A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20210104270A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20200035286A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

System and method for reading memory cells

Номер патента: EP4070311A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: US20210287744A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: EP4059019A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: WO2021096685A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of pedestal and common-mode noise correction for switched-capacitor analog memories

Номер патента: US5590104A. Автор: Charles L. Britton. Владелец: Martin Marietta Energy Systems Inc. Дата публикации: 1996-12-31.

Compact and accurate analog memory for cmos imaging pixel detectors

Номер патента: US20100309703A1. Автор: Vitali Souchkov. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-12-09.

Semiconductor storing device for reading out or writing data from/in memory cells

Номер патента: US20030202416A1. Автор: Yoshinori Doi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Performing read operations on grouped memory cells

Номер патента: US20220392500A1. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

High-speed programmable ROM, memory cell structure therefor, and method for writing data on/reading data from the programmable ROM

Номер патента: US20050122760A1. Автор: Young-Keun Lee,Yong-jae Choo,Young-sook Do,Joong-Eon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

ROM storing information by using pair of memory cells

Номер патента: US20070064465A1. Автор: Satoyuki Miyako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12100611B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Apparatuses including memory cells and methods of operation of same

Номер патента: EP4456070A2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Twin memory cell interconnection structure

Номер патента: US09941012B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods of forming an integrated circuit chip having two types of memory cells

Номер патента: US09935001B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Cryptographic processing device having a non-volatile memory including memory cells in an initial or a variable state

Номер патента: US09921975B2. Автор: Takuji Maeda,Shinji Inoue,Yoshikazu Katoh,Masato Suto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Authentication system having a non-volatile memory including memory cells in initial or variable states and a host computer for performing authentication therebetween

Номер патента: US09898598B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values

Номер патента: US09892783B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Writing method for resistive memory cell and resistive memory

Номер патента: US09734908B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Twin memory cell interconnection structure

Номер патента: US09627068B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-04-18.

Device and method for setting resistive random access memory cell

Номер патента: US09576656B2. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit chip having two types of memory cells

Номер патента: US09576644B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Apparatuses and methods of reading memory cells

Номер патента: US09570167B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US09530493B2. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Gating device cell for cross array of bipolar resistive memory cells

Номер патента: US09508776B2. Автор: QI Liu,Ming Liu,Yan Wang,Hangbing Lv,Shibing Long. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-29.

High density single-transistor antifuse memory cell

Номер патента: US09496270B2. Автор: Paul A. Nygaard. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory cell dynamic grouping using write detection

Номер патента: US09472279B2. Автор: Farid Nemati,Yi-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Apparatus to store data and methods to read memory cells

Номер патента: US09431103B2. Автор: Siamak Tavallaei. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-08-30.

Electronic device having flash memory array formed in at different level than variable resistance memory cells

Номер патента: US09337239B2. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Memory device including nonvolatile memory cell

Номер патента: US09336894B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Ji-Hoon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

3.5 Transistor non-volatile memory cell using gate breakdown phenomena

Номер патента: EP1777708A1. Автор: Harry S. Luan,Glen A. Rosendale,John M. Callahan,Hemanshu T. Vernenker,Michael D. Fliesler,Zongshang Liu. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

One time programming memory cell using MOS device

Номер патента: US20070109852A1. Автор: Pei-Chun Liao,Yung-Sheng Tsai,Chin-Yuan Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Methods of forming pillars for memory cells using sequential sidewall patterning

Номер патента: WO2011056534A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Yoichiro Tanaka,Christopher J. Petti. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2011-05-12.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12033884B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional (3d) memory cell with read/write ports and access logic on different tiers of the integrated circuit

Номер патента: EP2973706A1. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20180233182A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

Integrated circuit including an array of memory cells and method

Номер патента: US20100027325A1. Автор: Lothar Risch,Peter Baars,Thomas Happ,Stefan Tegen,Klaus Muemmler,Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-02-04.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210143142A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210066272A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and shield structures

Номер патента: US20240251543A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-volatile variable capacitive device including resistive memory cell

Номер патента: US20130148410A1. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Memory cell array latchup prevention

Номер патента: US20140211547A1. Автор: Helmut Puchner,Nayan Patel,Shahin Sharifzadeh,Ravindra M Kapre. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Memory cell

Номер патента: EP1293988A3. Автор: Lung T. Tran,Heon Lee. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-07-14.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US9490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Structure of post-process one-time programmable read only memory cell

Номер патента: US20040114415A1. Автор: Wenying Wen. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Remapping Memory Cells Based on Future Endurance Measurements

Номер патента: US20140115296A1. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2014-04-24.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20200083225A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Forming control method applied to resistive random-access memory cell array

Номер патента: US12063774B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang,I-Lang Lin,Meng-Chiuan WU. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuits including first and second power supply nodes for writing and reading memory cells

Номер патента: US20240286401A1. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-08-29.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US20170004887A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Memory Cell and Method of Manufacturing a Memory Cell

Номер патента: US20130020631A1. Автор: Navab Singh,Vincent Pott. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2013-01-24.

Memory cell, pixel structure and fabrication process of memory cell

Номер патента: US20070099376A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Hung-Tse Chen,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-05-03.

Memory circuit comprising a plurality of 1T1R memory cells

Номер патента: US12033696B2. Автор: Laurent Grenouillet,Carlo Cagli,Olivier Billoint. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-09.

Device to be used for reading out a memory cell, and method for reading out a memory cell

Номер патента: US20060280008A1. Автор: Edvin Paparisto,Stephan Rogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-14.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US20160141049A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US20200342939A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for the allocation of addresses in the memory cells of a rechargeable energy accumulator

Номер патента: US20090207680A1. Автор: Joachim Froeschl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2009-08-20.

P-Channel germanium on insulator (GOI) one transistor memory cell

Номер патента: US20090256206A1. Автор: Zoran Krivokapic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-10-15.

Integrated memory having a plurality of memory cell arrays and method for operating the integrated memory

Номер патента: US20020110043A1. Автор: Robert Feurle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20240312530A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for the allocation of addresses in the memory cells of a rechargeable energy accumulator

Номер патента: US7821226B2. Автор: Joachim Froeschl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2010-10-26.

Logic drive using standard commodity programmable logic IC chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US12057837B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09978450B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US09953705B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Accessing memory cells in parallel in a cross-point array

Номер патента: US09934850B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US09922721B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Data reading procedure based on voltage values of power supplied to memory cells

Номер патента: US09905284B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Hiroshi Sukegawa,Kenichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for reading out a resistive memory cell and a memory cell for carrying out the method

Номер патента: US09865343B2. Автор: Ilia Valov,Rainer Waser,Jan Van Den Hurk,Elke Linn. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09847131B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memristive memory cell resistance switch monitoring

Номер патента: US09847128B2. Автор: Brent Buchanan,Richard James Auletta. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory cell array latchup prevention

Номер патента: US09842629B2. Автор: Helmut Puchner,Nayan Patel,Shahin Sharifzadeh,Ravindra M Kapre. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Selecting reversible resistance memory cells based on initial resistance switching

Номер патента: US09837153B1. Автор: Xinde Hu,Christopher Petti,Bijesh Rajamohanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Random number processing device generating random numbers by using data read from non-volatile memory cells, and integrated circuit card

Номер патента: US09823899B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile memory devices including controller for operating nonvolatile memory cell array layer in memory chip in one of memory mode and storage mode

Номер патента: US09799399B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory cell with functions of storage element and selector

Номер патента: US09786842B1. Автор: Chih-Ming Lai,Lung-Han Peng,Jiun-Yun Li,I-Chun CHENG,Ming-Yi Yan,Jhih-You Lu,Hsien-Chih Huang,Yun-Shiuan LI,Yue-Lin Huang. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of reading an electronic memory device including a plurality of memory cells of resistive random access memory type

Номер патента: US09786367B2. Автор: Carlo Cagli. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-10.

Accessing memory cells in parallel in a cross-point array

Номер патента: US09741432B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods of reading six-transistor cross-coupled thyristor-based SRAM memory cells

Номер патента: US09741413B2. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09715932B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Device for generating a voltage reference comprising a non-volatile memory cell

Номер патента: US09691493B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Sandor Petenyi,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMicroelectronics Design and Application sro. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09679648B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Individually read-accessible twin memory cells

Номер патента: US09653470B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-05-16.

Resistive memory and data writing method for memory cell thereof

Номер патента: US09627059B2. Автор: Po-Wei Huang,Chia-hung Lin,Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Tsung-Huan Tsai,I-Hsien Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Voltage supply devices generating voltages applied to nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620185B1. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Three-dimensional (3D) memory cell separation among 3D integrated circuit (IC) tiers, and related 3D integrated circuits (3DICs), 3DIC processor cores, and methods

Номер патента: US09583179B2. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

One-time programmable (OTP) memory cell and OTP memory device for multi-bit program

Номер патента: US09524795B2. Автор: Joon-Hyung Lee,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Resistive memory device implementing selective memory cell refresh

Номер патента: US09496030B2. Автор: Justin Kim,Seong Jun Jang,Geun-Young Park. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US09490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Permutational memory cells

Номер патента: US09484088B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Remapping memory cells based on future endurance measurements

Номер патента: US09442838B2. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Storage control device and system to improve data retention in variable resistance memory cells

Номер патента: US09396132B2. Автор: Kenichi Nakanishi,Hideaki Okubo,Yasushi Fujinami,Keiichi Tsutsui,Makiko Yamamoto,Naohiro Adachi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: US20100193780A1. Автор: John Smythe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-05.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: WO2023018432A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of forming pairs of three-gate non-volatile flash memory cells using two polysilicon deposition steps

Номер патента: US20230238453A1. Автор: FENG Zhou,Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory cell array, and information writing method of nonvolatile memory cell array

Номер патента: US20220262420A1. Автор: Takashi Yokoyama,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Feed-forward bidirectional implanted split-gate flash memory cell

Номер патента: EP3274996A1. Автор: Xiangzheng Bo,Douglas Tad GRIDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-31.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: US11776625B2. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Phase-change memory cell with asymmetric structure, a memory device including the phase-change memory cell, and a method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20230240160A1. Автор: Andrea Redaelli,Mario Allegra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-27.

System And Method For Generating Random Numbers Based On Non-volatile Memory Cell Array Entropy

Номер патента: US20180286486A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

System and method for generating random numbers based on non-volatile memory cell array entropy

Номер патента: EP3602084A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

System and method for generating random numbers based on non-volatile memory cell array entropy

Номер патента: WO2018182922A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2018-10-04.

Efficient readout from memory cells using data compression

Номер патента: US09671972B2. Автор: Ofir Shalvi,Dotan Sokolov,Oren Golov,Uri Perlmutter. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Storage system and method for circuit-bounded-array-based time and temperature tag management and inference of read thresholds

Номер патента: WO2024097494A1. Автор: Idan Alrod,Ariel Navon,Eran Sharon,Alexander Bazarsky,David Avraham,Nika Yanuka. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-05-10.

Predicting an unsuccessful error correction code condition using a dynamic read threshold table

Номер патента: US11971775B2. Автор: Yogendra Singh Sikarwar,Prateek Kumar TR. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Efficient readout from analog memory cells using data compression

Номер патента: US20090228761A1. Автор: Ofir Shalvi,Dotan Sokolov,Oren Golov,Uri Perlmutter. Владелец: ANOBIT TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Encode Inputs to Reduce Energy Usages in Analog Computation Acceleration

Номер патента: US20240171192A1. Автор: Poorna Kale,Saideep Tiku,Shashank Bangalore Lakshman,Febin Sunny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Hybrid method for full-waveform inversion using simultaneous and sequential source method

Номер патента: RU2570827C2. Автор: Сунвоонг ЛИ,Джером Р. Кребс,Спиридон ЛАЗАРАТОС,Парта С. РУТ,Кэри МАРЦИНКОВИЧ. Владелец: Эксонмобил Апстрим Рисерч Компани. Дата публикации: 2015-12-10.

Techniques for error detection in analog compute-in-memory

Номер патента: US20240020197A1. Автор: Wei Wu,Hechen Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Data storing method for a non-volatile memory cell array having an error correction code

Номер патента: US7653863B2. Автор: Corrado Villa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-26.

Network, method and memory cell array for region proposal

Номер патента: WO2022093118A1. Автор: Arindam Basu,Sumon Kumar BOSE. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-05.

Alignment techniques to match symmetry point as zero-weight point in analog crosspoint arrays

Номер патента: GB2592813A. Автор: Gokmen Tayfun,KIM Seyoung,Kim Hyungjun,Rasch Malte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-08.

Apparatus and methods for programming data states of memory cells

Номер патента: US20240320144A1. Автор: Yoshihiko Kamata,Koichi Kawai,Akira Goda,Huai-Yuan Tseng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device for multiplication using memory cells having different bias levels based on bit significance

Номер патента: US20240303039A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US09933972B2. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method and apparatus for locating gps equipped wireless devices operating in analog mode

Номер патента: MY121491A. Автор: Samir S Soliman,Parag A Agashe,Vayanos Alkinoos Hector. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2006-01-28.

Modeling memory cell skew sensitivity

Номер патента: US20130332136A1. Автор: Randy W. Mann,Bipul C. Paul,Anurag Mittal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-12.

Display assembly that uses pixel-level memory cells to retain and display partial content

Номер патента: US20090225004A1. Автор: Mostafa Kashi. Владелец: Palm Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Memory device performing signed multiplication using sets of two memory cells

Номер патента: US20240303296A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device performing signed multiplication using sets of four memory cells

Номер патента: US20240303038A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Display assembly that uses pixel-level memory cells to retain and display partial content

Номер патента: US8451202B2. Автор: Mostafa Kashi. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-05-28.

Measuring device with a display memory having memory cells with a reduced number of bits and a corresponding method

Номер патента: US09672794B2. Автор: Michael Reinhold. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Method and apparatus for locating gps equipped wireless devices operating in analog mode

Номер патента: CA2366620C. Автор: Alkinoos Hector Vayanos,Samir S. Soliman,Parag A. Agashe. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-07-14.

Analog memory for photonic circuits

Номер патента: US20240241308A1. Автор: Bhavin J. Shastri,Bicky A. Marquez,Douglas H. Wightman. Владелец: Milkshake Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Nonvolatile floating gate analog memory cell

Номер патента: WO2010046922A3. Автор: Dinesh Kumar Sharma,Ramgopal Rao,Mayank Shrivatsava,Baghini Maryam Shojaei. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY, BOMBAY. Дата публикации: 2010-12-09.

Method for forming pcm and rram 3-d memory cells

Номер патента: US20170133435A1. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09837472B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09570516B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile floating gate analog memory cell

Номер патента: US20110175154A1. Автор: Dinesh Kumar Sharma,Ramgopal Rao,Mayank Shrivatsava,Maryam Baghini. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: WO2007059239A1. Автор: Krishna Parat,Steven R. Soss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

High Density Memory Cells Using Lateral Epitaxy

Номер патента: US20130183806A1. Автор: Kangguo Cheng,David M. Fried,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Byeong Y. Kim,Roger A. Booth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Threshold estimation apparatus, threshold estimation method, and non-transitory computer-readable information recording medium

Номер патента: US20160128620A1. Автор: Atsushi IRIKI,Junichi USHIBA,Mitsuaki Takemi. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of forming emitter coupled logic bipolar memory cell using polysilicon Schottky diodes for coupling

Номер патента: US4669180A. Автор: Mammen Thomas,Wen C. Ko. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1987-06-02.

Verfahren zur kompensation von bauteiletoleranzen in analog-digital-konvertern

Номер патента: WO1994026034A1. Автор: Wilfried Tenten,Eberhard Boehl,Arnd Gangei. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1994-11-10.

Verfahren zur charakterisierung von sowie zur automatischen korrektur linearer fehler in analog-digital-wandlern

Номер патента: WO2005078936A1. Автор: Maurits Ortmanns,Yiannos Manoli. Владелец: ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITAT FREIBURG. Дата публикации: 2005-08-25.

Memory cell using a dielectric having non-uniform thickness

Номер патента: WO2007111732A3. Автор: Craig T Swift,Gowrishankar L Chindalore. Владелец: Gowrishankar L Chindalore. Дата публикации: 2008-05-02.

Memory cell using a dielectric having non-uniform thickness

Номер патента: WO2007111732A2. Автор: Gowrishankar L. Chindalore,Craig T. Swift. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Removal of target cells by circulating virus-specific cytotoxic t-cells using mhc class i comprising complexes

Номер патента: CA2835772C. Автор: Hendrik Knoetgen. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2020-12-01.

Memory cell based array of tuning circuit

Номер патента: US8207802B2. Автор: Hong-Yean Hsieh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-06-26.

Memory cell based array of tuning circuit

Номер патента: US20100001818A1. Автор: Hong-Yean Hsieh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Isolation structure for a memory cell using a12o3 dielectric

Номер патента: SG154427A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-28.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory cell

Номер патента: EP1280209A3. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-05-12.

Phase change memory cell with heat shield

Номер патента: US20140252294A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Memory cells which include transistors having gap channel material

Номер патента: EP3639298A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Self-aligned dual-floating gate memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030168692A1. Автор: James Hsu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-11.

SRAM memory cell, memory cell arrangement and method for fabricating a memory cell arrangement

Номер патента: US20040099902A1. Автор: Thomas Schulz,Christian Pacha,Erhard Landgraf,Richard Luyken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-27.

Methods Of Forming Memory Cells

Номер патента: US20110147826A1. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Interconnect structures for integration of memory cells and logic cells

Номер патента: US20240306362A1. Автор: Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory cells and methods of fabrication

Номер патента: US09935264B2. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick,Scott E. Sills,Chet E. Carter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory arrays and methods of forming memory cells

Номер патента: US09893277B2. Автор: John K. Zahurak,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Array of memory cells and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09881972B2. Автор: Tuman Earl Allen, III,Denzil S. Frost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory cells including dielectric materials, memory devices including the memory cells, and methods of forming same

Номер патента: US09716225B2. Автор: Qian Tao,D. V. Nirmal Ramaswamy,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Scalable split gate memory cell array

Номер патента: US09685339B2. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Ronald J. Syzdek. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Horizontally oriented and vertically stacked memory cells

Номер патента: US09627442B2. Автор: Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory array with a pair of memory-cell strings to a single conductive pillar

Номер патента: US09455266B2. Автор: Theodore T. Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Circuit arrangement for the regeneration of digital signals received in analog form

Номер патента: CA1330243C. Автор: Heinrich Schenk. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-06-14.

Tri-gate integration with embedded floating body memory cell using a high-k dual metal gate

Номер патента: US20090017589A1. Автор: Ibrahim Ban,Peter L.D. Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Isolation structure for a memory cell using al2o3 dielectric

Номер патента: US20120083093A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

ISOLATION STRUCTURE FOR A MEMORY CELL USING Al2O3 DIELECTRIC

Номер патента: EP1766677B1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-29.

ISOLATION STRUCTURE FOR A MEMORY CELL USING Al2O3 DIELECTRIC

Номер патента: EP1766677A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-28.

ISOLATION STRUCTURE FOR A MEMORY CELL USING Al2O3 DIELECTRIC

Номер патента: WO2006007462A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-01-19.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: EP1340254A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-06-13.

CD8(+) Stem-Like Chronic Memory Cell Based Therapies and Compositions Related Thereto

Номер патента: US20240226166A1. Автор: Rafi Ahmed,Daniel Yunmin Chang,Tahseen H. Nasti. Владелец: EMORY UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-11.

Alias rejection in analog-to-digital converters (adcs)

Номер патента: WO2024059582A2. Автор: Behnam Sedighi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-21.

ALIAS REJECTION IN ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTERS (ADCs)

Номер патента: US20240097694A1. Автор: Behnam Sedighi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20030095428A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US20050032289A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of forming memory cells in an array

Номер патента: US7378311B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-27.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20040102003A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

NAND ferroelectric memory cell with three-dimensional structure and preparation method thereof

Номер патента: US11917830B2. Автор: Min Liao,Qijun Yang,Yichun ZHOU,Yanwei HUAN,Siwei DAI,Zhaotong LIU. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-27.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US9837604B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated planar transistors and memory cell array architectures

Номер патента: US20230197571A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Multi-bit memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090146129A1. Автор: Kwang-Jeon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-11.

Memory cells having a plurality of control gates and memory cells having a control gate and a shield

Номер патента: US20130146960A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20160307965A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20180108708A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20180323238A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: EP2805351A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-26.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20150333104A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: WO2013109920A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20130221318A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20140339494A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-20.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20150221864A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Memory cells and memory cell arrays

Номер патента: EP2769414A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-27.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Cd8(+) stem-like chronic memory cell based therapies and compositions related thereto

Номер патента: WO2023283232A3. Автор: Rafi Ahmed,Daniel Yunmin Chang,Tahseen H. Nasti. Владелец: EMORY UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory cells having a plurality of control gates and memory cells having a control gate and a shield

Номер патента: US20140138754A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Contactless channel write/erase flash memory cell and its fabrication method

Номер патента: US20020114179A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Memory device having memory cell strings and separate read and write control gates

Номер патента: WO2023009941A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Yingda Dong,Albert Fayrushin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-02.

Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Patterning Chalcogenide-Containing Stacks

Номер патента: US20120015475A1. Автор: Jun Liu,Jerome Imonigie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Patterning Chalcogenide-Containing Stacks

Номер патента: US20130149834A1. Автор: Jun Liu,Jerome Imonigie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: EP3238283A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20160181324A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: WO2016105750A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20170125671A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1550133A1. Автор: Göran Gustafsson,Johan Carlsson,Henrik Ljungcrantz,Niclas Edvardsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-07-06.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: EP1166364A1. Автор: John Caywood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-02.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: WO2000057483A1. Автор: John Caywood. Владелец: John Caywood. Дата публикации: 2000-09-28.

Non-volatile memory cell with charge storage layer in u-shaped groove

Номер патента: WO2009086433A3. Автор: Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-08-27.

Stagger memory cell array

Номер патента: US20070272985A1. Автор: Yeou-Lang Hsieh,Ching-Kun Huang,Jeng-Dong Sheu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Simplified process for defining the tunnel area in non-aligned, non-volatile semiconductor memory cells

Номер патента: US6444526B1. Автор: Bruno Vajana,Matteo Patelmo,Giovanna Dalla Libera,Nadia Galbiati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-09-03.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Integrated circuit memory cells and methods of forming

Номер патента: WO2005064672A2. Автор: Alexander Paterson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-07-14.

Cd8(+) stem-like chronic memory cell based therapies and compositions related thereto

Номер патента: WO2023283232A2. Автор: Rafi Ahmed,Daniel Yunmin Chang,Tahseen H. Nasti. Владелец: EMORY UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-12.

Process for forming an integrated circuit comprising non-volatile memory cells and side transistors of at least two different types, and corresponding ic

Номер патента: US20020000636A1. Автор: Carlo Riva,Cesare Clementi,Gabriella Ghidini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Programmable Array logic Circuit macrocell using ferromagnetic memory cells

Номер патента: US20030222675A1. Автор: Richard Lienau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Method for fabricating memory cell structure employing contiguous gate and capacitor dielectric layer

Номер патента: US20040191985A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Programmable conductor memory cell structure and method therefor

Номер патента: US20060208249A1. Автор: Terry Gilton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US20070177042A1. Автор: FAN He,Carl Shurboff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor device including memory cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030015747A1. Автор: Jiro Ida,Naoko Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Integrated circuit memory cells and methods of forming

Номер патента: EP1700339A2. Автор: Alexander Paterson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-13.

A programmable array logic circuit macrocell using ferromagnetic memory cells

Номер патента: WO2001054133A9. Автор: Richard M Lienau. Владелец: Richard M Lienau. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory cells and memory cell formation methods using sealing material

Номер патента: US20150357565A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Memory cell based on a phase-change material

Номер патента: US20240334712A1. Автор: DANIEL Benoit. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Induction memory cell

Номер патента: US10778222B2. Автор: Jerome Porter, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-15.

Arrays of elevationally-extending strings of memory cells and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09985049B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US09935154B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: US09917251B2. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837425B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor, methods of forming a tier of an array of memory cells, and methods of forming an array of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor

Номер патента: US09837420B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Phase change memory cells

Номер патента: US09773977B2. Автор: Roberto Bez,Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Multiplexer-memory cell circuit, layout thereof and method of manufacturing same

Номер патента: US09755651B2. Автор: Cheng C. Wang. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Resistive memory cell with intrinsic current control

Номер патента: US09735357B2. Автор: XU Zhao,Sung Hyun Jo,Joanna BETTINGER,Xianliang LIU,Zeying Ren,FNU Atiquzzaman,Fengchiao Joyce Lin. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US09679909B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated device including capacitor and memory cell and method of forming the same

Номер патента: US09570456B1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Po-Han Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US09559146B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory cells and semiconductor structures including electrodes comprising a metal, and related methods

Номер патента: US09553264B2. Автор: Dale W. Collins,Scott E. Sills,Marko Milojevic,Si-Young Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method including a formation of a control gate of a nonvolatile memory cell and semiconductor structure including a nonvolatile memory cell

Номер патента: US09548312B1. Автор: Martin Schulze,Sven Beyer,Alexander Ebermann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory cells and methods of making memory cells

Номер патента: US09515261B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory cells and methods of forming memory cells

Номер патента: US09496495B2. Автор: SHU QIN,Martin Schubert,Scott E. Sills,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Selective removal of charge-trapping layer for select gate transistor and dummy memory cells in 3D stacked memory

Номер патента: US09490262B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Methods and apparatuses having strings of memory cells including a metal source

Номер патента: US09437604B2. Автор: Zhenyu Lu,Haitao Liu,Roger W. Lindsay,Andrew Bicksler,Yongjun J Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US09419056B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Coating material distribution using simultaneous rotation and vibration

Номер патента: CA2932103C. Автор: Elmira Ryabova,Valentin Ryabov. Владелец: Advenira Enterprises Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods to improve magnetic tunnel junction memory cells by treating native oxide

Номер патента: US20240065110A1. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Szu-Hua Wu,Meng Yu Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method to improve magnetic tunnel junction memory cells by treating native oxide

Номер патента: US11844283B2. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Szu-Hua Wu,Meng Yu Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Techniques for using simultaneous connectivity for mobility of integrated access and backhaul nodes

Номер патента: US11825359B2. Автор: Tao Luo,Junyi Li,Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Luca Blessent,Jianghong LUO,Naeem AKL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Programmable digital/analog memory system

Номер патента: US3961163A. Автор: Clarence H. Stevenson, Iii. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-06-01.

Memory cell suitable for dram memory

Номер патента: EP2225773A2. Автор: Sophie Puget,Pascale L. A. Mazoyer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Multi-bit resistive random access memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20210111340A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Doped Oxide Dielectrics for Resistive Random Access Memory Cells

Номер патента: US20150093876A1. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20170194445A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Structure with buried doped region for coupling source line contact to gate structure of memory cell

Номер патента: EP4398311A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Dunkel,Violetta Sessi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20020053689A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell

Номер патента: US11956966B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US20030011021A1. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US6686618B2. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-03.

Memory cell configuration

Номер патента: US20020005535A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130193403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Sidewall-Type Memory Cell

Номер патента: US20140264248A1. Автор: Bomy Chen,Justin Hiroki Sato,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Sidewall-type memory cell

Номер патента: EP2973771A1. Автор: Bomy Chen,Justin Hiroki Sato,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Sidewall-Type Memory Cell

Номер патента: US20180294407A1. Автор: Bomy Chen,Justin Hiroki Sato,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Variable capacitances for memory cells within a cell group

Номер патента: WO2003103050A3. Автор: Michael Jacob,Daisaburo Takashima,Joerg Wohlfahrt,Norbert Rehm. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2004-03-11.

Bitline contacts in a memory cell array

Номер патента: EP1390981A2. Автор: Elard Stein Von Kamienski,Klaus Feldner,Kae-Horng Wang,Grit Schwalbe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-25.

Method for manufacturing memory cell with increased threshold voltage accuracy

Номер патента: US6187638B1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Method for manufacturing a buried strap contact in a memory cell

Номер патента: US20040048436A1. Автор: Peter Voigt,Gerhard Enders,Bjoern Fischer,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-11.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20230397396A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220020763A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge-Storage Transistor

Номер патента: US20190206884A1. Автор: Joseph Neil Greeley,Tom J. John,Wei Yeeng Ng,Ian Laboriante,Ho Yee Hui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With Thinned Side Edge Tunnel Oxide

Номер патента: US20210399127A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming split gate memory cells with thinned side edge tunnel oxide

Номер патента: EP4169071A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20160204212A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Etching methods for a magnetic memory cell stack

Номер патента: WO2003077287A3. Автор: Xiaoyi Chen,Guangxiang Jin,Jeng H Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Memory cells having a control gate and shield

Номер патента: WO2013090400A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20140217351A1. Автор: Davide Erbetta,Camillo Bresolin,Valter Soncini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20150318470A1. Автор: Davide Erbetta,Camillo Bresolin,Valter Soncini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130270504A1. Автор: Davide Erbetta,Camillo Bresolin,Valter Soncini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

READ THRESHOLD ESTIMATION IN ANALOG MEMORY CELLS USING SIMULTANEOUS MULTI-VOLTAGE SENSE

Номер патента: US20140056066A1. Автор: Gurgi Eyal,Baum Barak. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

SIMULTANEOUS MULTI-VOLTAGE RAIL VOLTAGE REGULATION MESSAGES

Номер патента: US20130015715A1. Автор: Naveh Alon,Dibene,II Joseph T.,Pratt Annabelle,Ma Hung-Piao,Schwarzband Gil,Rodriguez Jorge Pedro,WeIch Sean M.,Luria Kosta,Stanford Edward R.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELLS

Номер патента: US20120001270A1. Автор: Kenneth Trevor Monk. Владелец: ICERA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory cell for high-speed eeprom with controlled potential of under-gate region

Номер патента: RU2465659C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Олег Михайлович Орлов,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2012-10-27.

Memory cell for complementary metal-oxide-semiconductor ram structure

Номер патента: RU2580071C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук"(ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Schaltungsanordnung zur erzeugung einer stufenfoermigen spannung, insbesondere zur umwandlung von digitalen signalen in analoge signale

Номер патента: DD250449A7. Автор: Zoltan Budai,Alfred Bauer,Attila Koermendy,Sandor Vida. Владелец: Telefongyar,Hu. Дата публикации: 1987-10-14.

Memory cell

Номер патента: RU2256957C2. Автор: Н.Ф. Юданов,Ю.Г. Кригер. Владелец: Кригер Юрий Генрихович. Дата публикации: 2005-07-20.

Memory cell of static storage device

Номер патента: RU2507611C1. Автор: Роман Александрович Федоров,Наталья Иосифовна Малашевич. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр "МИЭТ". Дата публикации: 2014-02-20.

Content-addressable memory cell

Номер патента: RU2390860C1. Автор: Владимир Ануфриевич Лементуев. Владелец: Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН. Дата публикации: 2010-05-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.