Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Memory device with high dielectric constant gate dielectrics and metal floating gates

Memory device with high dielectric constant gate dielectrics and metal floating gates

Номер патента: US7102191B2
Опубликовано: 05-09-2006
Автор(ы): Leonard Forbes
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nonvolatile storage with gap in inter-gate dielectric

Номер патента: WO2016186910A1. Автор: Takashi Kashimura,Sayako Nagamine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-24.

Ferroelectric memory device containing word lines and pass gates and method of forming the same

Номер патента: US20200411554A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory device including a ferroelectric semiconductor channel and methods of forming the same

Номер патента: US12127410B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Metal floating gate composite 3d nand memory devices and associated methods

Номер патента: WO2015094535A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Fatma A. Simsek-Ege. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-25.

Metal floating gate composite 3d nand memory devices and associated methods

Номер патента: EP3084829A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Fatma A. Simsek-Ege. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Flash memory device

Номер патента: US7670906B2. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Flash memory device

Номер патента: US20080157167A1. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Low dielectric constant insulating material in 3D memory

Номер патента: US09721964B2. Автор: Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7238574B1. Автор: Kwon Hong,Min Sik Jang,Eun Shil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-03.

Three-dimensional ferroelectric memory devices including a backside gate electrode and methods of making same

Номер патента: WO2020149937A1. Автор: Koji Sato. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20060141718A1. Автор: Seok Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Memory device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus including the memory device

Номер патента: US11895845B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-06.

Three-dimensional memory devices with channel structures having plum blossom shape and methods for forming the same

Номер патента: US12052865B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method to form asymmetrical non-volatile memory device using small in-situ doped poly silicon spacers

Номер патента: SG103387A1. Автор: Quek Elgin,YEN DANIEL,Cher Liang Cha Randall,Sheng Zhou Mei,Zhen Zheng Jia,Hoe Ang Chew,Hua Lim Eng. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-04-29.

A method of forming a sharp tip on a floating gate in an asymmetrical non-volatile memory device using small in-situ doped polysilicon spacers

Номер патента: EP1391930B1. Автор: Randall Cher Liang Cha,Mei Sheng Zhou,Jia Zhen Zheng,Elgin Quek,Daniel Yen,Hoe Ang Chew,Hua Lim Eng. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Non-Volatile Memory Devices and Methods of Manufacturing Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20080296657A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee,Kyu-Charn Park,Sang-Wook Lim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-04.

Novel architecture to monitor isolation integrity between floating gate and source line

Номер патента: US20050239247A1. Автор: Te-Hsun Hsu,Hung-Cheng Sung,Chang-Jen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Self-aligned process for fabricating memory cells with two isolated floating gates

Номер патента: US20030218204A1. Автор: Yakov Roizin,Christopher Cork,Ruth Shima-Edelstein,Efraim Aloni. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-11-27.

Memory device with barrier layer

Номер патента: WO2007019027A1. Автор: Satoshi Torii,Lei Xue,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-02-15.

Memory device with barrier layer

Номер патента: EP1917685A1. Автор: Satoshi Torii,Lei Xue,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-05-07.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US6873005B2. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul J. Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US20050098825A1. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul Rudeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US20040201060A1. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul Rudeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Methods of forming programmable memory devices

Номер патента: US20060252207A1. Автор: Kevin Beaman,Ronald Weimer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090236653A1. Автор: Yukie Nishikawa,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Hirotaka Nishino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11658224B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210313436A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09859446B2. Автор: Takashi Hayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Electrically programmable and eraseable memory device

Номер патента: US20140124848A1. Автор: Minh-Van Ngo,Alexander H. Nickel,Minh Q. Tran,Jeong-Uk Huh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09922985B2. Автор: Hae Wan Yang,Sheng Fen Chiu,Guan Hua LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory devices having adjacent memory cells with mitigated disturb risk

Номер патента: US20240292630A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Riccardo Pazzocco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Graded composition gate insulators to reduce tunneling barriers in flash memory devices

Номер патента: US6955968B2. Автор: Leonard Forbes,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US10516026B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-24.

Non-volatile memory device with charge trapping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20090108332A1. Автор: Ki Hong Lee,Jae Young Park,Moon Sig Joo,Ki Seon Park,Yong Top Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Dielectric structure in nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100181611A1. Автор: Kwon Hong,Kwan-Yong Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US12120885B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini,Chun-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US20240365560A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini,Chun-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050153502A1. Автор: Yong-Suk Choi,Yong-Tae Kim,Jae-Hwang Kim,Seung-Beom Yoon,Young-Sam Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for fabricating a flash memory device

Номер патента: US6939766B1. Автор: Yue-Song He,Richard M. Fastow,Jianshi Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Split gate flash memory device with shrunken cell and source line array dimensions

Номер патента: US6538276B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung,Yai-Fen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-03-25.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20230301078A1. Автор: Yun Cheol HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for shrinking array dimensions of split gate flash memory device using multilayer etching to define cell and source line and device manufactured thereby

Номер патента: US20010015455A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung,Yai-Fen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Flash memory device

Номер патента: US20090212344A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090008700A1. Автор: Choong-ho Lee,Byung-yong Choi,Albert Fayrushin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-08.

Three-dimensional memory device including ferroelectric-metal-insulator memory cells and methods of making the same

Номер патента: US20210358931A1. Автор: Yanli Zhang,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240107903A1. Автор: Shih-Yen Lin,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-03-28.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080079054A1. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US4818718A. Автор: Kazuhiro Komori,Yasunobu Kosa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-04-04.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09484351B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170040429A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190097009A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for manufacturing high dielectric constant metal gate for nmos and pmos

Номер патента: US20230420304A1. Автор: Wei Zhou,Weiwei Ma,Ran Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Transistor devices with nano-crystal gate structures

Номер патента: US20100155825A1. Автор: Marius K. Orlowski,Tushar P. Merchant,Chun-Li Liu,Matthew W. Stoker. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-06-24.

Nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100187595A1. Автор: Young-sun Kim,Sung-Hae Lee,Byong-sun Ju,Suk-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-29.

Method of making self-assembling floating gate electrodes for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09806089B2. Автор: Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Somesh Peri. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Split gate memory device for improved erase speed

Номер патента: US20160087056A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Sheng-Chieh Chen,Tsung-Hsueh Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Non-volatile memory device formed by dual floating gate deposit

Номер патента: US20140061760A1. Автор: Erwan Dornel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semi-floating gate memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040413B2. Автор: Heng Liu,Zhigang Yang,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US20160365350A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US09741728B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162317A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG,Chen-Ming Tsai. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170069762A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jeng-Hwa Liao,Jung-Yu Shieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Three-dimensional memory device with reduced local stress

Номер патента: US11800707B2. Автор: Tuo Li,Jingjing Geng,Shuangshuang PENG,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof

Номер патента: US09748266B1. Автор: Yanli Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Matthias Baenninger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Flash memory device

Номер патента: US20180108668A1. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer,Jan Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Non-volatile memory devices with asymmetrical floating gates

Номер патента: US11901425B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Split gate memory devices and methods of manufacturing

Номер патента: US09748255B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing non volatile memory device

Номер патента: US09704975B2. Автор: Kyung Ho Lee,Jeong Ho Cho,Doo Yeol Ryu. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09431257B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Non-volatile memory device having an asymmetrical gate dielectric layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050205923A1. Автор: Sanghun Jeon,Jeong Han,Soodoo Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-22.

Memory device and method of fabrication and programming

Номер патента: EP1416531A3. Автор: Paul M. Moore. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US11728399B2. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of manufacturing an embedded split-gate flash memory device

Номер патента: US09443946B2. Автор: Jing Zhang,Liqun Zhang,Huilin MA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11804529B2. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Su-Yu Yeh,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Chih-Wei SUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240274682A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12127403B2. Автор: Chun-Hao Chen,Wei-Kuang Chung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Devices with embedded non-volatile memory and metal gates and methods for fabricating the same

Номер патента: US09583499B1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Weining Cheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for preventing floating gate variation

Номер патента: US09728545B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: WO2015017495A1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040135191A1. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-15.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6995421B2. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-07.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160056164A1. Автор: Noriaki Mikasa,Ken Komiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040229432A1. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20230299160A1. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20230029468A1. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7041558B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method for forming semiconductor memory device having a t-shaped erase gate

Номер патента: US12057481B2. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12040369B2. Автор: LIANG Yi,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device

Номер патента: US12148808B2. Автор: Yu-Chu Lin,Chi-Chung JEN,Jia-Yang Ko,Yen-Di WANG,Men-Hsi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Three-dimensional memory device containing metal-organic framework inter-word line insulating layers and methods of forming the same

Номер патента: US20210193674A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220093763A1. Автор: Chih-Hao Lin,Yi-Tsung TSAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Non-volatile memory device including selection gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220406802A1. Автор: Su Jin Kim,Won Kyu Lim,Jin Shik CHOI. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US20040021167A1. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US6784482B2. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Semi-Floating Gate Memory Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20230146733A1. Автор: Heng Liu,Zhigang Yang,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Nonvolatile memory devices having single-layered floating gates

Номер патента: US09634102B2. Автор: Tae Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Non-volatile memory device having asymmetrical control gates surrounding a floating gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US9502257B2. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory device comprising a polycrystalline-silicon floating gate having impurities therein and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2421027A3. Автор: Guido Jozef Maria Dormans,Guoqiao Tao,Johan Dick Boter,Henderikus Albert Van der Vegt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-04-08.

Select gates with select gate dielectric first

Номер патента: US09443862B1. Автор: Yusuke Yoshida,Kazutaka Yoshizawa,Dai Iwata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same

Номер патента: EP3028297A1. Автор: Chien-Sheng Su,Yuri Tkachev,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-08.

Method Of Forming Split-Gate Flash Memory Cell With Spacer Defined Floating Gate And Discretely Formed Polysilicon Gates

Номер патента: US20210005724A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Melvin DIAO,Guo Yong LIU. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Single transistor non-volatile electrically alterable semiconductor memory device with a re-crystallized floating gate

Номер патента: CA2051686C. Автор: Bing Yeh,Ching-Shi Jenq. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2001-10-23.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20220028993A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240162315A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162316A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20210328034A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20230343844A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Non-volatile memory device formed by dual floating gate deposit

Номер патента: US20130285133A1. Автор: Erwan Dornel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of making a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5208175A. Автор: Jeong-Hyeok Choi,Geon-Su Kim,Yun-Seong Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Memory device

Номер патента: US11830918B2. Автор: Yu-Chu Lin,Chi-Chung JEN,Jia-Yang Ko,Yen-Di WANG,Men-Hsi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20110031549A1. Автор: Masaki Kondo,Kazuaki Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Single well one transistor and one capacitor nonvolatile memory device and integration schemes

Номер патента: US20220059554A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high k, metal gate logic device

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Memory device

Номер патента: US20220302273A1. Автор: Yu-Chu Lin,Chi-Chung JEN,Jia-Yang Ko,Yen-Di WANG,Men-Hsi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010048129A1. Автор: Kenji Saito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020195650A1. Автор: Kenji Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210036118A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Su-Yu Yeh,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Chih-Wei SUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Recess channel semiconductor non-volatile memory device and fabricating the same

Номер патента: US20170033116A1. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Nonvolatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US7700426B2. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-Nam Chang,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20210043642A1. Автор: Yu-Kai Liao,Chiang-Hung Chen,Wen Hung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030047775A1. Автор: Hiromasa Fujimoto,Fumihiko Noro,Masataka Kusumi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Reliable non-volatile memory device

Номер патента: US09960172B2. Автор: Sung Mun Jung,Jianbo Yang,Ling Wu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory device, memory circuit and manufacturing method of memory circuit

Номер патента: US20230189499A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US20090206382A1. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-20.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US7538378B2. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-26.

Electronic memory devices

Номер патента: US10243086B2. Автор: Manus HAYNE. Владелец: Lancaster University Business Enterprises Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666694B2. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100171166A1. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8431983B2. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Three-dimensional memory device containing inter-select-gate electrodes and methods of making the same

Номер патента: US20210305384A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Zhixin Cui,Hardwell Chibvongodze. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-30.

Embedded flash memory device with floating gate embedded in a substrate

Номер патента: US11903191B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Embedded Flash Memory Device with Floating Gate Embedded in a Substrate

Номер патента: US20240147716A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Shielded gate trench power mosfet with high-k shield dielectric

Номер патента: EP4430669A1. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain,Christopher Lawrence Rexer,Balaji Padmanabhan,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory device structure and method

Номер патента: US09406519B2. Автор: Kun-Tsang Chuang,Ping-Pang Hsieh,Chia Hsing Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US6998357B2. Автор: Peng Cheng,Brian S. Doyle,David B. Fraser,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240251564A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063787B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240357828A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory devices with shorten ferroelectric segments and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11765906B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090258473A1. Автор: Hyun Park,Sang-gyun Woo,Byung-hong Chung,Cha-Won Koh,Jeong-lim Nam,Seok-Hwan Oh,Yool Kang,Jai-Hyuk Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-15.

Ulsi mos with high dielectric constant gate insulator

Номер патента: MY135224A. Автор: Setton Michael. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2008-02-29.

Transistor structure with hybrid gate dielectric structure and asymmetric source/drain regions

Номер патента: US20240030343A1. Автор: Jagar Singh,Man Gu,Saloni Chaurasia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-aligned flash memory device

Номер патента: US09978761B2. Автор: Ming-Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Structure having different gate dielectric widths in different regions of substrate

Номер патента: US20230326924A1. Автор: Hong Yu,Anton V. Tokranov,Edward P. Reis, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US7696043B2. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US7338863B2. Автор: Young-sun Kim,Jong-Cheol Lee,Han-mei Choi,Jae-Hyoung Choi,Gab-jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060202260A1. Автор: Junya Maneki,Masaru Seto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240334693A1. Автор: Chih-jung Chen,Yu-Jen Yeh,Hung-Hsun Shuai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile memory device and process for production of the same

Номер патента: US5614748A. Автор: Hideharu Nakajima,Takeshi Yamazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Array architecture for embedded flash memory devices

Номер патента: US20110298032A1. Автор: Roger Lee,Daniel Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US9368593B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US20160027893A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Method for forming a transistor gate dielectric with high-k and low-k regions

Номер патента: SG99379A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Method for forming a gate dielectric with high-K and low-K regions

Номер патента: EP1227514B1. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device having high-K gate dielectric layer

Номер патента: US09385208B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Floating trap non-volatile semiconductor memory devices including high dielectric constant blocking insulating layers and methods

Номер патента: US20030047755A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee,Byoung-Woo Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-13.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304692A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Structure of memory device having floating gate with protruding structure

Номер патента: US11765893B2. Автор: LIANG Yi,Boon Keat Toh,Qiuji Zhao,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Structure of memory device having floating gate with protruding structure

Номер патента: US20200395369A1. Автор: LIANG Yi,Boon Keat Toh,Qiuji Zhao,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349499A1. Автор: Chung-Hsien Liu,Tzu-Yun Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20150228662A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US09450108B2. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091075A1. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Structure of memory device having floating gate with protruding structure

Номер патента: US20230380154A1. Автор: LIANG Yi,Boon Keat Toh,Qiuji Zhao,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Flash memory device having high coupling ratio

Номер патента: US09825046B2. Автор: Yu-Chu Lin,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Shih-Lu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming FinFET with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US11749755B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: EP4179575A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Multi-layered oxide based flash memory device used for neuromorphic computing system

Номер патента: US20240172436A1. Автор: Inho Kim,Jaewook KIM,Suyoun Lee,Minkyung KIM,Joon Young Kwak,Jong-Keuk Park,Jongkil Park,YeonJoo JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-23.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US20040046204A1. Автор: Yong-Suk Choi,Og-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US20210066461A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Zhengliang Xia. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of forming a floating gate in a flash memory device

Номер патента: US5872035A. Автор: Myung Seon Kim,Sun Haeng Back. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Integrated circuit memory device and method

Номер патента: US7136302B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

Methods and structure for an improved floating gate memory cell

Номер патента: US7015098B2. Автор: Paul J. Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-03-21.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US11929420B2. Автор: Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US20220013650A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: WO2022010824A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276733A1. Автор: Sangwoo Han,Sanghyun Park,Yongseok Kim,Hyuncheol Kim,Kiheun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080087937A1. Автор: Yoshio Ozawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Composite high-k gate dielectric stack for reducing gate leakage

Номер патента: WO2014003933A1. Автор: Joseph F. Shepard,Michael P. Chudzik,Yanfeng Wang,Min Dai,Jinping Liu,Shahab Siddiqui,MaryJane Brodsky. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-01-03.

Flash memory devices

Номер патента: US09799664B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

One time programmable non-volatile memory device

Номер патента: US09735288B2. Автор: Tae Ho Kim,Kyung Ho Lee,Sung Jin Choi,Young Chul SEO. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US12022643B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US20050087820A1. Автор: Peng Cheng,David Fraser,Brian Doyle,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Fraser David B.. Дата публикации: 2005-04-28.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US6689702B2. Автор: Peng Cheng,Brian S. Doyle,David B. Fraser,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

SGVC 3D architecture with floating gate device in lateral recesses on sides of conductive strips and insulating strips

Номер патента: US09831257B2. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190157295A1. Автор: Nayuta Kariya. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10734405B2. Автор: Nayuta Kariya. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: WO2000057483A1. Автор: John Caywood. Владелец: John Caywood. Дата публикации: 2000-09-28.

Capacitor top plate over source/drain to form a 1t memory device

Номер патента: SG165374A1. Автор: Tan Shyue Seng,TEO Lee Wee,Lee Yong Meng,LUN Zhao,Lai Chung Woh,Shailendra Mishra,Johnny Widodo,Jeffrey Chee. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2010-10-28.

Memory device with magnetic tunnel junction

Номер патента: US20240355912A1. Автор: Wei-Jen Chen,Chih-Lin Wang,Chee-Wee Liu,Pang-Chun Liu,Ya-Jui Tsou,Shao-Yu LIN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-24.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: EP1166364A1. Автор: John Caywood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-02.

Three-dimensional flash memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240251550A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020039823A1. Автор: Seiki Ogura,Masataka Kusumi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11723209B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100133613A1. Автор: Hironobu FURUHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09825045B2. Автор: Jung-Hoon Kim,Sung-Kun Park,Nam-Yoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing memory devices

Номер патента: US20100227441A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090065838A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile memory device having resistance change memory layer

Номер патента: US11469272B2. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

Memory device and forming method thereof

Номер патента: US12062713B2. Автор: Wei-Jen Chen,Chih-Lin Wang,Chee-Wee Liu,Pang-Chun Liu,Ya-Jui Tsou,Shao-Yu LIN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240276703A1. Автор: Juho Lee,Wonsok Lee,Seunghyun Kim,Minhee Cho,Wooje Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4415497A3. Автор: Juho Lee,Wonsok Lee,Seunghyun Kim,Minhee Cho,Wooje Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4415497A2. Автор: Juho Lee,Wonsok Lee,Seunghyun Kim,Minhee Cho,Wooje Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US12150290B2. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7501679B2. Автор: Sung Ho Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150069492A1. Автор: Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US09595561B2. Автор: Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US09627214B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US9514948B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20160315166A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20150171182A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20160314977A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359551A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305265A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US12041760B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US20230389256A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Multi-Layer High-K Gate Dielectric Structure

Номер патента: US20220384454A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Structure and Method for Single Gate Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20220367494A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Huang-Wen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Ferroelectric memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3128534A3. Автор: Jan Van Houdt,Voon Yew Thean. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-04-12.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US11437387B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-06.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US11737268B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Method and structure for work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: US20110248350A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: WO2011127016A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-10-13.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220359760A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Transitional dielectric layer to improve reliability and performance of high dielectric constant transistors

Номер патента: WO2006107383A2. Автор: Olubunmi O. Adetutu,Hsing H. Tseng,Voon-Yew Thean,Sriram S. Kalpat. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

High dielectric constant metal gate mos transistor and method for making the same

Номер патента: US20220278217A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device having high dielectric constant gate insulating layer and its manufacture method

Номер патента: US20060172498A1. Автор: Kazuto Ikeda,Masaomi Yamaguchi,Hiroshi Minakata,Tsunehisa Sakoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Ultra short transistor channel length formed using a gate dielectric having a relatively high dielectric constant

Номер патента: US6153477A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Split gate non-volatile memory cells, hv and logic devices with finfet structures, and method of making same

Номер патента: EP4238130A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Transitional dielectric layer to improve reliability and performance of high dielectric constant transistors

Номер патента: WO2006107383A3. Автор: Olubunmi O Adetutu,Voon-Yew Thean,Hsing H Tseng,Sriram S Kalpat. Владелец: Sriram S Kalpat. Дата публикации: 2007-08-23.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20230320088A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Flash Memory Device with Three-Dimensional Half Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240136444A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US11888074B2. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Flash Memory Device with Three Dimensional Half Flash Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20230253508A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device having a field effect transistor using a high dielectric constant gate insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060125006A1. Автор: Shigenori Hayashi,Masaaki Niwa,Yoshinao Harada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Method of manufacturing a gate structure for a nonvolatile memory device

Номер патента: US20190244822A1. Автор: Sung Mo GU,Sung Bok Ahn. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device with split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837425B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Electrically erasable programmable read-only memory cell and memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060054966A1. Автор: Jung-Ching Chen,Spring Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-16.

Flash memory device used in neuromorphic computing system

Номер патента: US11800705B2. Автор: Inho Kim,Jaewook KIM,Suyoun Lee,Joon Young Kwak,Jong-Keuk Park,Jongkil Park,YeonJoo JEONG,Eunpyo PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-10-24.

Recessed salicide structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09735245B2. Автор: Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5394357A. Автор: Shih-Chiang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-02-28.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12080772B2. Автор: Jae Young SONG,Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with air-void in spacer

Номер патента: US12027581B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device comprising large contact surfaces between the conduction channel and the contact regions

Номер патента: US20240215263A1. Автор: Sylvain Barraud,Shay REBOH,Remi Coquand. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-27.

Gate-all-around transistor based non-volatile memory devices

Номер патента: US20200013896A1. Автор: ZHENG Xu,Dexin Kong,Zhenxing Bi,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Rfid tag having non-volatile memory device having floating-gate fets with different source-gate and drain-gate border lengths

Номер патента: US20130135933A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor device with air-void in spacer

Номер патента: US20240321954A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160049414A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device comprising a floating gate flash memory device

Номер патента: US09972634B2. Автор: Ralf Richter,Peter Krottenthaler,Martin Mazur. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Non-volatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US09899538B1. Автор: Tien-Fan Ou,Chun-Lung Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor CMOS Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20200119023A1. Автор: David Liu,Ben Sheen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9070781B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor memory device having first and second floating gates of different polarity

Номер патента: US09966476B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Non-volatile memory device having nanocrystal floating gate and method of fabricating same

Номер патента: US09899398B1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09646977B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Three-dimensional nonvolatile memory devices including interposed floating gates

Номер патента: US09337351B2. Автор: Kihyun Kim,Jinho Kim,Hansoo Kim,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

High-k dielectric and metal gate stack with minimal overlap with isolation region

Номер патента: US20110227171A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Renee T. Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Flash memory cell with capacitive coupling between a metal floating gate and a metal control gate

Номер патента: WO2015017158A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Zhongze Wang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-02-05.

Non-volatile memory device

Номер патента: US9472565B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile memory having multiple narrow tips at floating gate

Номер патента: US11721731B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Zar Lwin Zin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-08.

Split-gate non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240276716A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Split gate non-volatile memory cell having a floating gate, word line, erase gate, and method of manufacturing

Номер патента: US09793279B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Selective etch of films with high dielectric constant

Номер патента: WO2005071722B1. Автор: Chris Lee,Gowri Kota,Shyam Ramalingam. Владелец: Shyam Ramalingam. Дата публикации: 2005-11-17.

Non-volatile memory device

Номер патента: WO2007020648A3. Автор: Ron Naaman,Erez Halahmi,Jeffrey Levy,Tamar Ravon,Gilad Diamant,Nery Ben-Azar. Владелец: Nery Ben-Azar. Дата публикации: 2007-11-22.

Nonvolatile semiconductor memory device, method for manufacturing the same, and nonvolatile memory array

Номер патента: US20090168529A1. Автор: Kouichi Yamada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Non-volatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140080298A1. Автор: Woo-Sung Lee,Jung-Geun Jee,Seok-Hoon Kim,Su-Jin Shin,Tae-Ouk Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Nanowire floating gate transistor

Номер патента: US20130175597A1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Amlan Majumdar,Guy M. Cohen,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Memory device and forming method thereof

Номер патента: US12133392B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Split-gate memory cell with depletion-mode floating gate channel, and method of making same

Номер патента: US09466732B2. Автор: Yuri Tkachev. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Gate insulator comprising high and low dielectric constant parts

Номер патента: WO2000049643A2. Автор: Jeffrey Lutze. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-08-24.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282832A1. Автор: Yangbeom KANG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09691776B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09577059B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US09412860B2. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Non-volatile memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09564519B2. Автор: Young Woo Park,Jae Duk Lee,Jin Taek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US11849582B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20210104544A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory device and method for controlling the memory device

Номер патента: US20190164613A1. Автор: Yu-Wen Tseng,Chung-Jen Huang,Tsung-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US11991878B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070076482A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Three-dimensional memory device with corrosion-resistant composite spacer

Номер патента: US20210104540A1. Автор: LU Zhang,Bo Xu,Chuan Yang,Ping Yan,Jing Gao,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

High-K gate dielectric and metal gate conductor stack for planar field effect transistors formed on type III-V semiconductor material and silicon germanium semiconductor material

Номер патента: US09472553B1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Germanate gate dielectrics for semiconductor devices

Номер патента: US20050082624A1. Автор: Evgeni Gousev,Huiling Shang,Alessandro Callegari,Deborah Neumayer,Dianne Lacey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20090185426A1. Автор: Peng-Fei Wang,Yi Gong. Владелец: Yi Gong. Дата публикации: 2009-07-23.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20200350018A1. Автор: Yu-Wen Tseng,Chung-Jen Huang,Tsung-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20200312867A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

High dielectric constant insulators and associated fabrication methods

Номер патента: US7994590B2. Автор: Thomas K. Gaylord,James D. Meindl. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

Selective floating gate semiconductor material deposition in a three-dimensional memory structure

Номер патента: EP3227920A1. Автор: Hiroyuki Kamiya,Kensuke Yamaguchi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-11.

High dielectric constant insulators and associated fabrication methods

Номер патента: US20070176248A1. Автор: Thomas K. Gaylord,James D. Meindl. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor device comprising a high dielectric constant insulating film including nitrogen

Номер патента: US7872312B2. Автор: Hisashi Ogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-01-18.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09634020B1. Автор: Nhan Do,Mandana TADAYONI,Chien Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Selective floating gate semiconductor material deposition in a three-dimensional memory structure

Номер патента: US09553100B2. Автор: Hiroyuki Kamiya,Kensuke Yamaguchi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor capacitor device with dual dielectric

Номер патента: US4937650A. Автор: Noriyuki Sakuma,Hiroshi Shinriki,Kiichiro Mukai,Yasushiro Nishioka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-06-26.

Method of operating split gate-typed non-volatile memory cell and semiconductor memory device having the cells

Номер патента: US6370064B1. Автор: Jin-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-09.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US10090405B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Non-volatile memory device

Номер патента: US11784230B2. Автор: Jae Young SONG,Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US8193593B2. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor device with a vertical channel, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230269931A1. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070170491A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Suk Choi,Yong-Tae Kim,Hee-Seog Jeon,Seung-Jin Yang,Hyok-Ki Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240038860A1. Автор: Jae Young SONG,Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Three-Dimensional Memory Device and Method

Номер патента: US20240015976A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chia-En HUANG,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210217892A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory device and manufacture of the same

Номер патента: US9502513B2. Автор: Chih-Ming Chen,Jung-Chang Lu,Der-Tsyr Fan. Владелец: XINNOVA TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

System and method for minimizing floating gate to floating gate coupling effects during programming in flash memory

Номер патента: US20200176060A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

System and method for minimizing floating gate to floating gate coupling effects during programming in flash memory

Номер патента: EP3729276A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

System and method for minimizing floating gate to floating gate coupling effects during programming in flash memory

Номер патента: US20190189214A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Multi-Layer Gate Dielectric

Номер патента: US20100052078A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-04.

Switching element, semiconductor memory device including switching element, and method for fabricating the semiconductor memory device

Номер патента: US11985829B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Gate insulator comprising high and low dielectric constant parts

Номер патента: WO2000049643A3. Автор: Jeffrey Lutze. Владелец: Philips Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-02-15.

Partially silicided nonvolatile memory devices and integration schemes

Номер патента: US20220149057A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US8581353B2. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-11-12.

Non-volatile memory device and manufacture of the same

Номер патента: US20160240622A1. Автор: Chih-Ming Chen,Jung-Chang Lu,Der-Tsyr Fan. Владелец: XINNOVA TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US20110089502A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-21.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US20140042560A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-13.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US20160343824A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240032304A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device

Номер патента: US20220157394A1. Автор: ting-ting Su. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120168845A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Sonos memory device with reduced short-channel effects

Номер патента: WO2007072396A3. Автор: Francois Neuilly,Schaijk Robertus T F Van,Duuren Michiel Van. Владелец: Duuren Michiel Van. Дата публикации: 2007-10-11.

Methods to utilize piezoelectric materials as gate dielectric in high frequency RBTs in an IC device

Номер патента: US09997695B2. Автор: Bichoy BAHR,Zoran Krivokapic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US09793281B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods to utilize piezoelectric materials as gate dielectric in high frequency RBTs in an IC device

Номер патента: US09673376B1. Автор: Bichoy BAHR,Zoran Krivokapic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09673209B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory arrays using common floating gate series devices

Номер патента: US09659655B1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09590117B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Three-dimensional memory device with self-aligned drain side select gate electrodes and method of making thereof

Номер патента: US09972640B1. Автор: Jin Liu,James Kai,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory Cell With Floating Gate, Coupling Gate And Erase Gate, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200176460A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Catherine Decobert. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Memory cell with floating gate, coupling gate and erase gate, and method of making same

Номер патента: WO2020117331A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Catherine Decobert. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

Three-dimensional memory device with self-aligned drain side select gate electrodes and method of making thereof

Номер патента: EP3494596A1. Автор: Jin Liu,James Kai,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-12.

Three-dimensional memory device with self-aligned drain side select gate electrodes and method of making thereof

Номер патента: US20180138189A1. Автор: Jin Liu,James Kai,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-17.

Non-volatile memory device

Номер патента: US8059473B2. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040129986A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihiro Ikeda,Kenji Kanamitsu,Yoshitaka Sasago,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

High dielectric constant/metal gate (hk/mg) compatible floating gate (fg)/ferroelectric dipole non-volatile memory and logic device

Номер патента: WO2016089646A2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

High dielectric constant/metal gate (HK/MG) compatible floating gate (FG)/ferroelectric dipole non-volatile memory

Номер патента: US09576801B2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Integration of floating gate memory and logic device in replacement gate flow

Номер патента: US09899397B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Self-aligned flash memory device with word line having reduced height at outer edge opposite to gate stack

Номер патента: US09646978B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory devices having reduced interference between floating gates and methods of fabricating such devices

Номер патента: EP2036122A2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-18.

Memory devices having reduced interference between floating gates and methods of fabricating such devices

Номер патента: US20130237031A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Memory devices having reduced interference between floating gates and methods of fabricating such devices

Номер патента: US20110266610A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Floating gate memory devices and fabrication

Номер патента: WO2007149515A2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-12-27.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US9577068B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US09431395B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US20160351687A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with maetal/polycide gate

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US9136271B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US8743585B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

MOS devices with ultra-high dielectric constants and methods of forming the same

Номер патента: US09614079B2. Автор: Minghwei Hong,Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Read performance of a non-volatile memory device, in particular a non-volatile memory device with buried selection transistor

Номер патента: US09825186B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Capacitor with high dielectric constant materials and method of making

Номер патента: US20030013263A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Mark Visokay. Владелец: Mark Visokay. Дата публикации: 2003-01-16.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11362099B2. Автор: Chen-Chiu Hsue,Jih-Wen Chou,Ching-Hua Chen,Han-Chao Lai,Ming-Yuan Lin,Bing-Chen Ji,Shun-Tsung Yu. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210265368A1. Автор: Chen-Chiu Hsue,Jih-Wen Chou,Ching-Hua Chen,Han-Chao Lai,Ming-Yuan Lin,Bing-Chen Ji,Shun-Tsung Yu. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Non-volatile memory device with reduced area

Номер патента: US20240357804A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130187216A1. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

High dielectric constant gate oxides for silicon-based devices

Номер патента: US6404027B1. Автор: Minghwei Hong,Ahmet Refik Kortan,Jueinai Raynien Kwo,Joseph Petrus Mannaerts. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Memory devices having reduced interference between floating gates and methods of fabricating such devices

Номер патента: US8441058B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

Nonvolatile memory device with a metal-insulator-metal (mim) capacitor in a substrate and integration schemes

Номер патента: US20220165739A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Method of forming different voltage devices with high-k metal gate

Номер патента: US09368499B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-14.

Integration of floating gate memory and logic device in replacement gate flow

Номер патента: US20180053773A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20240349514A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Wing-type projection between neighboring access transistors in memory devices

Номер патента: US09947678B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Po-Kai Hsu,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho,Chen-Ming Huang,Josh Lin,Nai-Chao Su,Shih-Ching Lee,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Wing-type projection between neighboring access transistors in memory devices

Номер патента: US09437603B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Po-Kai Hsu,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho,Chen-Ming Huang,Josh Lin,Nai-Chao Su,Shih-Ching Lee,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Non-volatile memory devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240064979A1. Автор: Kyung Hyun KIM,Dong Woo Lee,Jun-youl Yang,Kun-Woo Park,Sang Hyuk HONG,Woo Jun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Structure and Method for Single Gate Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20190088666A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Huang-Wen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12058873B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252289B2. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Non-volatile semiconductor memory device having depletion-type and enhancement-type channel regions

Номер патента: US09424924B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of forming highly-integrated thin film capacitor with high dielectric constant layer

Номер патента: US5943547A. Автор: Shintaro Yamamichi,Pierre Yves Lesaicherre. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20010009285A1. Автор: Ki-Soon Bae,Hoon-Chi Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-07-26.

Self-aligned floating gate in a vertical memory structure

Номер патента: US09698022B2. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Nonvolatile memory device using two-dimensional material and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583639B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Jinseong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Manufacturing method of semiconductor memory device with air gap isolation layers

Номер патента: US09293360B2. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20220246627A1. Автор: Seung Hoon Lee,Min Kuck Cho. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US20180061848A1. Автор: Chun-Hsu Chen,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US9601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Magnetic floating gate memory

Номер патента: US20100182837A1. Автор: Yang Li,Insik Jin,Song S. Xue,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-07-22.

Floating gate test structure for embedded memory device

Номер патента: US12096629B2. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US09601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09543313B2. Автор: Young-Soo Ahn,Jeong-Seob OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080105916A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210005622A1. Автор: Seung Hoon Lee,Min Kuck Cho. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

MOS memory cell with exponentially-profiled doping and offset floating gate tunnel oxidation

Номер патента: US4985717A. Автор: Sheldon Aronowitz,George P. Walker,Donald D. Forsythe,Bhaskar V. S. Gadepally. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Method and apparatus for analog floating gate memory cell

Номер патента: US12100453B2. Автор: Bal S. Sandhu,chang-xian Wu,Paul Vande Voorde. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory devices, methods of manufacturing the same, and methods of accessing the same

Номер патента: US09735287B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Transistor devices with high-k insulation layers

Номер патента: US09425194B2. Автор: Matthias KESSLER,Stefan Flachowsky,Martin Gerhardt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Horizontal memory devices with vertical gates

Номер патента: US6838726B1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-04.

Three-dimensional memory device with high contact via density and methods of forming the same

Номер патента: US20240006310A1. Автор: Tomohiro Kubo,Hirofumi TOKITA,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220173112A1. Автор: Jung Hoon Han,Dong Oh KIM,Gyu Hyun Kil,Doo San Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Adjustment of avalanche voltage in DIFMOS memory devices by control of impurity doping

Номер патента: US4131983A. Автор: Walter T. Matzen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-01-02.

Back-end-of-line selector for memory device

Номер патента: US20240276738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899408B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Young-Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Resistive three-dimensional memory device with heterostructure semiconductor local bit line and method of making thereof

Номер патента: US09818801B1. Автор: Peter Rabkin,Christopher J. Petti,Masaaki Higashitani,Perumal Ratnam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Vertical floating gate memory with variable channel doping profile

Номер патента: US09780100B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09484353B1. Автор: Erh-Kun Lai,Wei-Chen Chen,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Multi-level gate SONOS flash memory device with high voltage oxide and method for the fabrication thereof

Номер патента: US20050079674A1. Автор: Pradeep Ramachandramurthy Yelehanka,Weining Li,Zia Zheng. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2005-04-14.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Rf switch device with a sidewall spacer having a low dielectric constant

Номер патента: US20220223714A1. Автор: Cheng-ta Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Compact memory device of the EEPROM type with a vertical select transistor

Номер патента: US09583193B2. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with integrated flash memory and peripheral circuit and its manufacture method

Номер патента: US20060226469A1. Автор: Shinichi Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Channel discharging after erasing flash memory devices

Номер патента: WO2007018912A2. Автор: Stepen T. Trinh. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2007-02-15.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20200395376A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Staggered horizontal cell architecture for memory devices

Номер патента: US20240107748A1. Автор: Christopher Locke,William M. Brewer,Kyle B. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Channel discharging after erasing flash memory devices

Номер патента: WO2007018912A3. Автор: Stepen T Trinh. Владелец: Stepen T Trinh. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151779A1. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9136394B2. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-15.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of programming a continuous-channel flash memory device

Номер патента: US09892790B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory device incorporating selector element with multiple thresholds

Номер патента: US09812499B1. Автор: Hongxin Yang,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory device with vertical field effect transistor

Номер патента: US20230276613A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor memory device including variable resistance layer

Номер патента: US20200343307A1. Автор: Kohji Kanamori,Kyunghwan Lee,Yongseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080296647A1. Автор: Tomohiko Tatsumi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Non-volatile memory devices with vertically integrated capacitor electrodes

Номер патента: US09659954B2. Автор: Hyun-Suk Kim,Kee-jeong Rho,Joon-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Device with SRAM memory cells including means for polarizing wells of memory cell transistors

Номер патента: US09542996B2. Автор: Olivier Thomas,Bastien Giraud,Adam Makosiej. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-10.

Deposition of rutile films with very high dielectric constant

Номер патента: US9222170B2. Автор: Dipankar Pramanik,Sergey Barabash. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US6809966B2. Автор: Hung-Jin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-26.

Method of manufacturing a high dielectric constant capacitor

Номер патента: US6033920A. Автор: Yasuhiro Shimada,Masamichi Azuma,Taketoshi Matsuura,Yasuhiro Uemoto,Atsuo Inoue. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Floating gate test structure for embedded memory device

Номер патента: US20200381443A1. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for manufacturing a gate-control diode semiconductor memory device

Номер патента: US8426271B1. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Chengwei Cao. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-04-23.

Semiconductor device with silicon-germanium gate electrode and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20060138518A1. Автор: Akiyoshi Mutou,Hiroshi Ohji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315008A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4432803A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240306383A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09768184B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method to improve floating gate uniformity for non-volatile memory devices

Номер патента: US09627392B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chin-Yi Huang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6157061A. Автор: Masato Kawata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Integrated circuits with high dielectric constant interfacial layering

Номер патента: EP4156273A1. Автор: Uygar E. Avci,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Sarah ATANASOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Memory device, and methods thereof

Номер патента: US20230371268A1. Автор: Stefan Ferdinand Müller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20230371278A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Wing-type projection between neighboring access transistors in memory devices

Номер патента: US20160104713A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Po-Kai Hsu,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho,Chen-Ming Huang,Josh Lin,Nai-Chao Su,Shih-Ching Lee,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11963352B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20210225874A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Self-aligned floating gate in a vertical memory structure

Номер патента: US9443864B2. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Multi-gate devices with multi-layer inner spacers and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240194764A1. Автор: Zhiqiang Wu,Kuan-Lun Cheng,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang,Chung-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Self-aligned floating gate in a vertical memory structure

Номер патента: US20150187785A1. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Self-aligned floating gate in a vertical memory structure

Номер патента: US20150364486A1. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Memory device

Номер патента: US20190057734A1. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US20210066336A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device

Номер патента: US12082391B2. Автор: Hitoshi KUNITAKE,Kazuki Tsuda,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Multi-VT gate stack for III-V nanosheet devices with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09812449B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Titash Rakshit,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09478276B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile semiconductor memory device having thin film memory transistors stacked over associated selecting transistors

Номер патента: US5321286A. Автор: Tatsuro Inoue,Shoji Koyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-06-14.

Method of making semiconductor device with floating bate

Номер патента: US5633184A. Автор: Katsuhiko Tamura,Yukari Imai,Naoko Otani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Memory redundancy circuit using single polysilicon floating gate transistors as redundancy elements

Номер патента: US6031771A. Автор: Tom D. Yiu,Fuchia Shone. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-29.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230380179A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Embedded Flash Memory Device with Floating Gate Embedded in a Substrate

Номер патента: US20190148391A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Improvements relating to electronic memory devices

Номер патента: WO2020240186A1. Автор: Manus HAYNE. Владелец: UNIVERSITY OF LANCASTER. Дата публикации: 2020-12-03.

Improvements relating to electronic memory devices

Номер патента: EP3977457A1. Автор: Manus HAYNE,Dominic LANE. Владелец: Lancaster University. Дата публикации: 2022-04-06.

Memory device having laterally extending capacitors of different lengths and levels

Номер патента: US20240008250A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Device with MOS Device Including a Secondary Metal and PVD Tool with Target for Making Same

Номер патента: US20130334581A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Shih-Chieh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

Memory Device

Номер патента: US20230044721A1. Автор: Guobiao Zhang,Zhitang Song. Владелец: Southern University of Science and Technology. Дата публикации: 2023-02-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12127408B2. Автор: Young-jin JUNG,Bong Tae PARK,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449697B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: CA1139880A. Автор: Takashi Ito,Shinpei Hijiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-01-18.

Erasable non-volatile memory device using hole trapping in high-K dielectrics

Номер патента: US8294196B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240032273A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Xuanxuan CHEN,Mingqin Shangguan,Changfu Ye. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile memory device with a doped region between a source and a drain and integration schemes

Номер патента: US11810982B2. Автор: Eng Huat Toh,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

RF switch device with a sidewall spacer having a low dielectric constant

Номер патента: US11901435B2. Автор: Cheng-ta Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Floating gate test structure for embedded memory device

Номер патента: US20230345717A1. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device with back-gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20230389283A1. Автор: Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Meng-Han LIN,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-Dimensional Memory Device and Method

Номер патента: US20230309315A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Rf switch device with a sidewall spacer having a low dielectric constant

Номер патента: US20240154023A1. Автор: Cheng-ta Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

A three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: EP3286785A1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,George Matamis,Jixin Yu,Wenguang Shi,Junichi Ariyoshi,Xiaolong Hu,Jiyin Xu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321943A1. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Three dimensional vertical nand device with floating gates

Номер патента: WO2015199994A2. Автор: James Kai,Thomas Jongwan Kwon,Henry Chien,George Matamis,Yao-Sheng Lee. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-12-30.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Higher ‘K’ gate dielectric cap for replacement metal gate (RMG) FINFET devices

Номер патента: US09741720B1. Автор: Balaji Kannan,Shahab Siddiqui,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Three dimensional vertical NAND device with floating gates

Номер патента: US09524779B2. Автор: James Kai,Thomas Jongwan Kwon,Henry Chien,George Matamis,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: US09449987B1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,Jixin Yu,Wenguang Stephen Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of providing threshold voltage adjustment through gate dielectric stack modification

Номер патента: US8354309B2. Автор: Yue Liang,Xiaojun Yu,Brian J. Greene,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Shu-Jen Han,Edward J. Nowak,Edward P. Maciejewski,Myung-Hee Na. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Flash memory device with enlarged control gate structure, and methods of making same

Номер патента: WO2007117851A1. Автор: Chandra Mouli,Di Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-10-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Resistive random access memory device with reduced power consumption

Номер патента: US09853214B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-12-26.

CNT thin film transistor with high K polymeric dielectric

Номер патента: US09620728B2. Автор: Zhao Li,Naiying Du,Jacques Lefebvre,Patrick Malenfant,Girjesh Dubey,Gregory Lopinski,Shan Zou. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2017-04-11.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Memory devices with row-based configured supply voltages

Номер патента: US20240145385A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Methods of manufacturing semiconductor devices with improved metal gate fill-in for vertical memory cell and devices thereof

Номер патента: US09627220B1. Автор: Chih-Yuan Wu,Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo,Jr-Meng Wang,Kuanf-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09905574B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09793292B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric

Номер патента: US5946551A. Автор: Sampath Purushothaman,Deborah Ann Neumayer,Christos Dimitrios Dimitrakopoulos,Peter Richard Duncombe,Bruce K. Furman,Robert B. Laibowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-08-31.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system

Номер патента: WO2007121007A2. Автор: Tatsuya Sato,Christopher Olsen,Thai Cheng Chua,Patricia M. Liu,John P. Holland,Steven Hung,Alex M Paterson,Valentin Todorov. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-10-25.

Driving method for a semiconductor device with an oxide semiconductor layer between two gate electrodes

Номер патента: US09449706B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200203376A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20170263641A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20150357345A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

Integrated circuit device formed with high Q MIM capacitor

Номер патента: US20030025144A1. Автор: Ping Liou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Integrated circuit device formed with high Q MIM capacitor

Номер патента: US6620678B2. Автор: Ping Liou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Dielectric having high-dielectric constant, method of manufacturing the same, target material for manufacturing the dielectric, electronic device including the dielectric, and electronic apparatus including the electronic device

Номер патента: US20230178584A1. Автор: Hyungjun Kim,Jooho Lee,Yongsung Kim,Yong-hee Cho,Boeun PARK,Jeongil BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor memory device with a stacked gate including a floating gate and a control gate

Номер патента: US20070020852A1. Автор: Akira Umezawa,Kazuhiko Kakizoe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Fine-grained analog memory device based on charge-trapping in high-k gate dielectrics of transistors

Номер патента: US20170329575A1. Автор: Subramanian S. Iyer,Xuefeng Gu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-11-16.

Methods for manufacturing high dielectric constant film

Номер патента: WO2009154836A3. Автор: Yi Ma,Khaled Z. Ahmed,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-03-25.

Methods for manufacturing high dielectric constant film

Номер патента: WO2009154836A2. Автор: Yi Ma,Khaled Z. Ahmed,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-12-23.

Vertically stacked nonvolatile NAND type flash memory device with U-shaped strings, method for operating the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US09362305B2. Автор: Jun-Hyuk Lee,Seul-Ki Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Capacitor with high dielectric constant materials

Номер патента: US20030011015A1. Автор: Sam Yang,Gurtej Sandhu,Cem Basceri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Method and apparatus for heat-treating high dielectric constant film

Номер патента: US09966254B2. Автор: Hikaru KAWARAZAKI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and apparatus for heat-treating high dielectric constant film

Номер патента: US09837266B2. Автор: Hikaru KAWARAZAKI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for forming capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer

Номер патента: US5506166A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-04-09.

Capacitor compatible with high dielectric constant materials having two independent insulative layers and the method for forming same

Номер патента: US5392189A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-02-21.

Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same

Номер патента: US20020195642A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US20080144384A1. Автор: Hao Fang,Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D. Pham. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US7672165B2. Автор: Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D Pham,Hao Fang Fang. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Light-erasable embedded memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728260B1. Автор: Hao Su,Hong Liao,Chao Jiang,Chow Yee Lim. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with high dielectric constant insulator material

Номер патента: US5973351A. Автор: Son V. Nguyen,David E. Kotecki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Method of manufacturing a semiconductor memory device with a high dielectric constant capacitor

Номер патента: US5981331A. Автор: Yoshikazu Tsunemine. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-11-09.

Three-dimensional memory device with high contact via density and methods of forming the same

Номер патента: US20240005990A1. Автор: Tomohiro Kubo,Hirofumi TOKITA,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US09905463B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Embedded ferroelectric FinFET memory device

Номер патента: US12150311B2. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Vertical memory device with bit line air gap

Номер патента: WO2016048682A2. Автор: Peter Rabkin,Jayavel Pachamuthu,Jilin XIA. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-03-31.

Vertical memory device with bit line air gap

Номер патента: US09515085B2. Автор: Peter Rabkin,Jayavel Pachamuthu,Jilin XIA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Self-aligned trench filling with high coupling ratio

Номер патента: EP1815519A1. Автор: Jack H. Yuan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP2308084A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Source lines for NAND memory devices

Номер патента: US20050279983A1. Автор: Mark Helm,Roger Lindsay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-22.

Source lines for NAND memory devices

Номер патента: US20070290255A1. Автор: Mark Helm,Roger Lindsay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Memory device with increased electrode resistance to reduce transient selection current

Номер патента: US20210151672A1. Автор: John Gorman,Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Davide Mantegazza,Iniyan Soundappa Elango,Srivatsan Venkatesan,Davide Fugazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Gate thin-film insulating material of high dielectric constant and its manufacturing method (alternatives)

Номер патента: RU2305346C2. Автор: Екатерина Дмитриевна Политова,Наталь Владимировна Голубко,Наталья Владимировна Голубко. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова). Дата публикации: 2007-08-27.

Pb/Bi-containing high-dielectric constant oxides using a non-P/Bi-containing perovskite as a buffer layer

Номер патента: US5393352A. Автор: Scott R. Summerfelt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-02-28.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210020247A1. Автор: LIANG Yi,Chi REN,Zhaobing Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: EP4401139A2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Methods of forming memory device with reduced resistivity

Номер патента: WO2023278296A1. Автор: Deenesh Padhi,Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Hang Yu,Sung-Kwan Kang,Chuanxi YANG,Hailing Liu,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-05.

Methods for forming three-dimensional memory devices with backside source contacts

Номер патента: US12048151B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of making flash memory cells and peripheral circuits having sti, and flash memory devices and computer systems having the same

Номер патента: US20110117713A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Jang-Hyun You,Jin-Taek Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Three-dimensional memory device with deposited semiconductor plugs and methods for forming the same

Номер патента: US11758722B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Matrix-addressable apparatus with one or more memory devices

Номер патента: US20030099126A1. Автор: Hans Gudesen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Three-dimensional memory device with backside interconnect structures

Номер патента: US12082411B2. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: EP4401139A3. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: US12136618B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09953996B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09704801B1. Автор: Masaru Kito,Takeshi SONEHARA,Toshiya NAKAMORI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device with microbumps to transmit data for a machine learning operation

Номер патента: US20210173583A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

High Dielectric Constant Dielectric Layer Forming Method, Image Sensor Device, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190157320A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

High Dielectric Constant Dielectric Layer Forming Method, Image Sensor Device, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20200127024A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsin-Chieh Huang,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

High dielectric constant dielectric layer forming method, image sensor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160329364A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsin-Chieh Huang,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20240249784A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Stacked memory device with interface die

Номер патента: EP4423813A1. Автор: Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Memory devices with controllers under memory packages and associated systems and methods

Номер патента: US09627367B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device with increased separation between memory elements

Номер патента: US09548448B1. Автор: Yiming Huai,Dong Ha JUNG,Bing K. Yen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Flash-erasable semiconductor memory device having improved reliability

Номер патента: US5910916A. Автор: Hisayoshi Watanabe,Minoru Yamashita,Tatsuya Kajita,Takao Akaogi,Yasushige Ogawa. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1999-06-08.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11569215B2. Автор: Peter Rabkin,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-31.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110303961A1. Автор: Dong-Ryul Chang,Myoung-Kyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-15.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20180082895A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US10229852B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20180090375A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and method of forming semiconductor package with RF antenna interposer having high dielectric encapsulation

Номер патента: US11894314B2. Автор: HunTeak Lee,Minkyung KIM,Yongwoo Lee,Gwang Kim,JunHo Ye,YouJoung Choi,Namgu Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US10699951B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: Elpis Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-30.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20170170068A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: US20230288772A1. Автор: Teck Ping SIM,Kenneth R. Crounse,Stephen J. Telfer,Kosta Ladavac,Timothy J. O'malley,Cristina Visani. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor Device and Method of Forming Semiconductor Package with RF Antenna Interposer Having High Dielectric Encapsulation

Номер патента: US20240128201A1. Автор: HunTeak Lee,Minkyung KIM,Yongwoo Lee,Gwang Kim,JunHo Ye,YouJoung Choi,Namgu Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Stacked memory device with paired channels

Номер патента: US11775213B2. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-10-03.

Stacked semiconductor memory device with compound read buffer

Номер патента: US20110138087A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-09.

Memory device and flash memory device with improved support for staircase regions

Номер патента: US12094814B2. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Vertical resistor in 3D memory device with two-tier stack

Номер патента: US09941297B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Resistive memory device with semiconductor ridges

Номер патента: US09871077B2. Автор: Qiangfei Xia. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Resistive memory devices with a multi-component electrode

Номер патента: US09847378B2. Автор: Xia Sheng,Jianhua Yang,Hans S. Cho,Richard H. Henze,Yoocharn Jeon. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Vertical resistor in 3D memory device with two-tier stack

Номер патента: US09691781B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09685451B2. Автор: Nam-Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device with different memory film diameters in the same laminate level

Номер патента: US09425207B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Architecture of image sensor with application of one or more devices with floating gate

Номер патента: RU2418383C2. Автор: Фань ХЭ,Карл Л. ШУРБОФФ. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 2011-05-10.

Electrodes for high dielectric constant materials

Номер патента: US5520992A. Автор: Scott R. Summerfelt,Monte A. Douglas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-05-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737484B2. Автор: Masato Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Device with MOS device including a secondary metal and PVD tool with target for making same

Номер патента: US9070664B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Shih-Chieh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Methods for forming three-dimensional memory devices with supporting structure for staircase region

Номер патента: US20220293533A1. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory device with a multiplexed command/address bus

Номер патента: US10930632B2. Автор: William A. Lendvay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-23.

Memory device with multiple input/output connections

Номер патента: US6184067B1. Автор: Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-02-06.

Memory device with multiple input/output connections

Номер патента: US20010005049A1. Автор: Stephen Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-28.

Packaged integrated device with memory buffer integrated circuit die and memory devices on module substrate

Номер патента: US12087681B2. Автор: Ming Li,Shahram Nikoukary,Jonghyun CHO,Nitin Juneja. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A3. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Memory device

Номер патента: US09786350B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Stacked package-on-package memory devices

Номер патента: US09685429B2. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device with high resistivity thermal barrier

Номер патента: US11721606B2. Автор: David Ross Economy,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020146884A1. Автор: Kuniko Kikuta,Masato Kawata. Владелец: Masato Kawata. Дата публикации: 2002-10-10.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230371234A1. Автор: Katherine H. Chiang,Cha-Yu LING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials

Номер патента: EP1536035A3. Автор: Bing Ji,Stephen Andrew Motika,Dingjun Wu,Eugene Joseph Karwacki Jr.. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2005-07-13.

Semiconductor memory device, method for manufacturing the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240147739A1. Автор: Hyun-mook CHOI,Ji Hong Kim,Tae-Seok Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device with improved program performance and method of operating the same

Номер патента: US12046287B2. Автор: Sung-Min JOE,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: EP1750272A3. Автор: Syusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Three-dimensional semiconductor device with connection pattern that contacts vertical channel and source channel

Номер патента: US12075619B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional memory devices with deep isolation structures

Номер патента: US20210013088A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Cheng GAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Three-dimensional memory device with on-axis self-aligned drain-select-level isolation structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2020185267A1. Автор: Johann Alsmeier,Tae-Kyung Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Read operation or word line voltage refresh operation in memory device with reduced peak current

Номер патента: US20220366990A1. Автор: Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Memory device with improved program performance and method of operating the same

Номер патента: US20240321361A1. Автор: Sung-Min JOE,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with through-substrate via and method of manufacturing a semiconductor device with through-substrate via

Номер патента: US12100644B2. Автор: Thomas Bodner,Joerg Siegert,Bernhard Loeffler. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2024-09-24.

Vertical memory device with a double word line structure

Номер патента: US12131774B2. Автор: Seung-Hwan Kim,Su-Ock Chung,Seon-Yong Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Three-dimensional memory device with backside interconnect structures

Номер патента: US20240341096A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device with shortened pre-charging time for bit-line

Номер патента: US09972370B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09852778B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Package-on-package (PoP) device with integrated passive device in a via

Номер патента: US09613917B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device with a three-dimensional stacked memory cell structure

Номер патента: US09576968B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09570116B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Phase change memory device with voltage control elements

Номер патента: US09525007B2. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US09484099B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Three-dimensional memory device with layer contact via structures located in a memory array region and methods of forming the same

Номер патента: US20240381639A1. Автор: Takaaki IWAI,Yuji TOTOKI,Keisuke Izumi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor memory device with plural memory die and controller die

Номер патента: US09348786B2. Автор: Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

A DEVICE WITH REDUCED EXTERNAL DIMENSIONS FOR IDENTIFICATION OF A METAL SUBSTRATE IN A DUSTY AND METAL ENVIRONMENT, AND ITS APPLICATION FOR IDENTIFICATING CONTAINERS THEREOF

Номер патента: RU2012128548A. Автор: Ноэль ЛАНТОМ,Жан-Жак МАРШАЛЬ. Владелец: Арева Нс. Дата публикации: 2014-01-20.

Polysiloxane compositions and elastomeric materials with high dielectric permeability based thereon

Номер патента: RU2767650C1. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Азиз Мансурович Музафаров,Виталий Георгиевич Шевченко,Михаил Юрьевич Яблоков,Надежда Андреевна Тебенева,Иван Борисович Мешков,Павел Евгеньевич Ивашкин,Мария Сергеевна Паршина,Александр Николаевич Тарасенков,Александра Александровна Калинина,Аскольд Альбертович Труль,Алина Гайфетдиновна Хмельницкая,Елена Валерьевна Агина,Игорь Васильевич Безсуднов,Никита Олегович Алпатов. Владелец: Публичное акционерное общество «СИБУР Холдинг». Дата публикации: 2022-03-18.

Elastomer composites with high dielectric constant

Номер патента: US20200035376A1. Автор: Evangelos Manias,Bo Li,David Eric RYAN. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Elastomer composites with high dielectric constant

Номер патента: PH12018502267A1. Автор: Evangelos Manias,Bo Li,David Eric RYAN. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2019-09-23.

Ear-worn devices with high-dielectric structural elements

Номер патента: US20200203812A1. Автор: Zhenchao Yang,Casey Murray,Janet Marie Glenn. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Thin-film dielectric and thin-film capacitor element

Номер патента: US09947469B2. Автор: Masahito Furukawa,Masanori Kosuda,Saori Takeda. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Antenna using complex structure having periodic, vertical spacing between dielectric and magnetic substances

Номер патента: US20110193760A1. Автор: Byung Hoon Ryou,Won Mo Sung,Jeong Keun Ji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Co-firing of low firing temperature dielectric materials with high bismuth garnet ferrites for miniaturized isolators and circulators

Номер патента: US11936088B2. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank,Jeffrey Alan Shunkwiler,John Jianzhong Jiang,David Martin Firor,Srinivas Polisetty. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Co-firing of low firing temperature dielectric materials with high bismuth garnet ferrites for miniaturized isolators and circulators

Номер патента: US20230291085A1. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank,Jeffrey Alan Shunkwiler,John Jianzhong Jiang,David Martin Firor,Srinivas Polisetty. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetic materials with high curie temperatures and dielectric constants

Номер патента: US20200027632A1. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Elastomer composites with high dielectric constant

Номер патента: CA3022105C. Автор: Evangelos Manias,Bo Li,David Eric RYAN. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory device with modular design and memory system comprising the same

Номер патента: US12080369B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-09-03.

High dielectric constant composite materials and methods of manufacture

Номер патента: US09556321B2. Автор: Randy D. Curry,Kevin O'connor. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 2017-01-31.

Magnetic materials with high curie temperatures and dielectric constants

Номер патента: US20230117745A1. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Magnetic materials with high curie temperatures and dielectric constants

Номер патента: US20240120136A1. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Magnetic materials with high curie temperatures and dielectric constants

Номер патента: US11830647B2. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Enhanced Q high dielectric constant material for microwave applications

Номер патента: US09755293B2. Автор: Michael David Hill. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Device having reduced overall dimensions for identifying metal substrate in dusty and metallic environment and use thereof for identifying containers containing nuclear fuel elements at production plant thereof

Номер патента: RU2552164C2. Автор: Ноэль ЛАНТОМ,Жан-Жак МАРШАЛЬ. Владелец: Арева Нс. Дата публикации: 2015-06-10.

High dielectric constant type ceramic composition

Номер патента: CA1108842A. Автор: Hitoshi Tanaka,Kiyoshi Furukawa,Nobuaki Kikuchi,Shinobu Fujiwara,Osamu Iizawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1981-09-15.

Capacitor with multiple-component dielectric and method of fabricating same

Номер патента: US6341056B1. Автор: Derryl D. J. Allman,Brian Bystedt. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-01-22.

Composite material with high dielectric constant and use in biocompatible devices

Номер патента: US11844881B2. Автор: Randy D. Curry,Kevin O'connor. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of measuring relative dielectric constant of dielectric substance of powders, cavity resonator used in the same, and application apparatus

Номер патента: EP1528618A1. Автор: Ehata TDK Corporation Katsufumi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-05-04.

Floating gate memory device with increased coupling coefficient

Номер патента: WO2008147542A1. Автор: Fredrick B. Jenne. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-04.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349506A1. Автор: Chih-Kai Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of fabricating nonvolatile semiconductor memory devices with select gates

Номер патента: US5953611A. Автор: Makoto Tanaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-14.

Process for the manufacturing of an electrically programmable non-volatile memory device

Номер патента: US20010021555A1. Автор: Bruno Vajana,Carlo Cremonesi,Roberta Bottini,Giovanna Libera. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069871B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor memory devices with improved performance

Номер патента: US20240341075A1. Автор: Yih Wang,Zhiqiang Wu,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240357838A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6472707B1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-29.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Three-dimensional memory device containing insulated gate located over a top source layer for applying gidl erase voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240292616A1. Автор: Satoshi Shimizu,Takaaki IWAI,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030127681A1. Автор: Naoki Tsuji,Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor memory device with floating gate electrode

Номер патента: US5687119A. Автор: Keun Hyung Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-11.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240373653A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12114513B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Process for producing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20020036316A1. Автор: MASUOKA Fujio,Kenichi Tanaka,Hiroaki Shimizu,Yoshihisa Wada,Takuji Tanigami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070183212A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor memory devices with ballasts

Номер патента: WO2018125237A1. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Floating-gate memory array with silicided buried bitlines

Номер патента: US5095345A. Автор: Howard L. Tigelaar,Manzur Gill. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-03-10.

Method for providing a dopant level for polysilicon for flash memory devices

Номер патента: EP1218938A1. Автор: Hao Fang,Kenneth Wo-Wai Au,Kent Kuohua Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-07-03.

Method for providing a dopant level for polysilicon for flash memory devices

Номер патента: EP1218938B1. Автор: Hao Fang,Kenneth Wo-Wai Au,Kent Kuohua Chang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-12-19.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230247836A1. Автор: Hyung Joon Kim,Kyungwook Park,Sangmin Kang,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Electrically-programmable and electrically-erasable MOS memory device

Номер патента: US4558344A. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1985-12-10.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282003A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

3D DRAM structure with high mobility channel

Номер патента: US11749315B2. Автор: Sanjay Natarajan,Lequn Liu,Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US20100283027A1. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-11-11.

Self-aligned floating gate flash cell system and method

Номер патента: US20020130357A1. Автор: Graham Wolstenholme,Kelly Hurley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Process for producing a semiconductor memory device comprising mass-storage memory cells and shielded memory cells for storing reserved information

Номер патента: US6548354B2. Автор: Federico Pio,Bruno Vajana,Giovanna Dalla Libera,Roberta Bottini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-15.

Three-dimensional memory device with discrete charge storage elements and methods for forming the same

Номер патента: US12029037B2. Автор: Yuki KASAI,Yusuke Mukae,Masanori Tsutsumi,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Three-dimensional memory device with dielectric fins in staircase region and methods of making thereof

Номер патента: US20240196610A1. Автор: Kenji Sugiura,Yudai Tanaka,Kota Funayama,Ryoichi EHARA,Katsufumi Okamoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

3d memory device with a dram chip

Номер патента: US20240237361A1. Автор: Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Formation of high voltage transistor with high breakdown voltage

Номер патента: US7897448B1. Автор: Sunil Mehta. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Contact in semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20010009786A1. Автор: Eun-young Minn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5447877A. Автор: Hiroyuki Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20030076707A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Array architecture and process flow of nonvolatile memory devices for mass storage applications

Номер патента: US20040165459A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Peter Lee,Vei-Han Chan. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-26.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050169048A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050036379A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

Array architecture and process flow of nonvolatile memory devices for mass storage applications

Номер патента: US6891221B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Peter W. Lee,Vei-Han Chan. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237348A1. Автор: Hwayeong LEE,Seulji SONG,Hunmo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Resistance variable memory device with sputtered metal-chalcogenide region and method of fabrication

Номер патента: US20070287219A1. Автор: Kristy Campbell,Joseph Brooks,Jon Daley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Cnt thin film transistor with high k polymeric dielectric

Номер патента: CA2880662C. Автор: Zhao Li,Naiying Du,Jacques Lefebvre,Patrick Malenfant,Girjesh Dubey,Gregory Lopinski,Shan Zou. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-08-16.

Threshold voltage-modulated memory device using variable-capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US12075636B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsia-Wei CHEN,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Threshold voltage-modulated memory device using variable-capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US20240357840A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsia-Wei CHEN,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Threshold voltage-modulated memory device using variable-capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US11856801B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsia-Wei CHEN,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Threshold voltage-modulated memory device using variable-capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US20240074217A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsia-Wei CHEN,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Threshold voltage-modulated memory device using variable-capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US20230371288A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsia-Wei CHEN,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Dynamic random access memory device with long retention and operating method thereof

Номер патента: US11922988B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-03-05.

Non-volatile memory device readable only a predetermined number of times

Номер патента: US12125533B2. Автор: Marco Bildgen,Francesco La Rosa. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device with high data bandwidth

Номер патента: US11875841B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Chong-Jen Huang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory device with high data bandwidth

Номер патента: US20230186972A1. Автор: Chun-Cheng Chen,Chong-Jen Huang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US9805796B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Copee Technology Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09805796B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Copee Technology Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: US20240303158A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US12075617B2. Автор: Toshiyuki Kanaya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US12099639B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US20240345967A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional memory devices with drain select gate cut and methods for forming and operating the same

Номер патента: US12058857B2. Автор: Lichuan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Network access with a portable memory device

Номер патента: EP2039122A1. Автор: Teemu Savolainen,Petros Belimpasakis,Marko Luomi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-03-25.

Non-volatile memory device with usb and wireless connectivity and method for controlling the connectivity

Номер патента: EP2044756A1. Автор: Teng Pin Poo,Henry Tan. Владелец: Trek 2000 International Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Solid state storage device with command and control access

Номер патента: US20190058598A1. Автор: Robert W. Strong,Hemaprabhu Jayanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Solid state storage device with command and control access

Номер патента: US09900159B2. Автор: Robert W. Strong,Hemaprabhu Jayanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device with cryptographic kill switch

Номер патента: US11726923B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory device with soft-decision decoding and methods of reading and forming thereof

Номер патента: US20190361769A1. Автор: Kheong Sann Chan,Zhiliang QIN. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-11-28.

Memory device with a three-dimensional vertical structure and driving method thereof

Номер патента: WO2024153970A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Memory Device with Spin-Orbit Coupling Channel

Номер патента: US20240296878A1. Автор: Hyunsoo Yang,Rahul Mishra,Ung Hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with volatile and non-volatile memories to retain data during power interruption

Номер патента: US09898194B2. Автор: Masaaki Hiroki,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US12051464B2. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Flash memory device with telescopic connector port and a casing of the flash memory device

Номер патента: US20100311257A1. Автор: Cheng-Chung Kung,Xiao-Xia Meng. Владелец: A Data Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Method and apparatus for performing access control of memory device with aid of aggressor bit information

Номер патента: EP4213396A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

Memory device including vertical channel structure

Номер патента: US20230104865A1. Автор: Byungsoo Kim,Minjae Seo,Yongsung CHO,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory controller and system for storing blocks of data in non-volatile memory devices in a redundant manner

Номер патента: EP2638545A1. Автор: Siamak Arya. Владелец: Greenliant LLC. Дата публикации: 2013-09-18.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US20240355385A1. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US12057180B2. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device with data mergers and aligner

Номер патента: US12002538B2. Автор: Seung Moon Yoo,Min Chul JUNG,Young Seung KIM. Владелец: Metacni Co ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Battery charging device with charging profile data update facility

Номер патента: US09502911B2. Автор: Joseph A. Finnerty,Robert E. Fust,Mark C. Orlosky. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for erasing a semiconductor magnetic memory integrating a magnetic tunneling junction above a floating-gate memory cell

Номер патента: US7995402B2. Автор: Fernando Gonzalez,Parag Banerjee,Terry Gafron. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Memory device with split power supply capability

Номер патента: US11735232B2. Автор: Christopher Cox. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory device

Номер патента: US12064296B2. Автор: Satoshi Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device with compressed soft information and associated control method

Номер патента: US20240329845A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

NAND flash memory device with oblique architecture and memory cell array

Номер патента: US09613702B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Coatings having filler-polymer compositions with combined low dielectric constant, high resistivity, and optical density properties and controlled electrical resistivity, devices made therewith, and methods for making same

Номер патента: US09982158B2. Автор: Eugene N. Step,Qingling Zhang,Geoffrey D. Moeser,Agathagelos Kyrlidis,Andriy Korchev,Pavel A. Kossyrev,Jeremy K. Huffman. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Coatings having filler-polymer compositions with combined low dielectric constant, high resistivity, and optical density properties and controlled electrical resistivity, devices made therewith, and methods for making same

Номер патента: US09790393B2. Автор: Eugene N. Step,Qingling Zhang,Geoffrey D. Moeser,Agathagelos Kyrlidis,Andriy Korchev,Pavel A. Kossyrev,Jeremy K. Huffman. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Preparation method of titanium dioxide-based ceramic with high resistivity, giant dielectric constant and low loss in reducing atmosphere

Номер патента: CN110803923B. Автор: 刘鹏,吴雯雯,宋月婵,雷明亮. Владелец: Shaanxi Normal University. Дата публикации: 2022-04-05.

Memory device with high charging voltage bit line

Номер патента: US20040174758A1. Автор: Chieng-Chung Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Rubber resin material with high dielectric constant

Номер патента: US11920036B2. Автор: Hung-Yi Chang,Te-Chao Liao,Chia-Lin Liu,Chien-Kai Wei. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Rubber resin material with high thermal conductivity and high dielectric constant and metal substrate using the same

Номер патента: US20230406982A1. Автор: Hung-Yi Chang,Te-Chao Liao,Chia-Lin Liu,Hao-Sheng Chen. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Flash memory device and method of operation

Номер патента: US20110255337A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory device which reads by decreasing effective threshold voltage of selector gate transistor

Номер патента: US20070014182A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Monopulse radar system with high accuracy of determining target bearing angle

Номер патента: RU2725418C1. Автор: Владимир Ильич Герман,Андрей Бернатович Гузовский,Сергей Алексеевич Ванин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2020-07-02.

Solid-state device with load isolation

Номер патента: US20120297125A1. Автор: IRFAN SYED,Stephen R. BOORMAN,Omid NASIBY. Владелец: Stec Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

Downhole fluids with high dielectric constant and high dielectric strength

Номер патента: MY183665A. Автор: Paul F Rodney. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2021-03-07.

Downhole fluids with high dielectric constant and high dielectric strength

Номер патента: CA2982556C. Автор: Paul F. Rodney. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2021-03-02.

Downhole fluids with high dielectric constant and high dielectric strength

Номер патента: CA2982556A1. Автор: Paul F. Rodney. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of utilization of high dielectric constant (hdc) materials for reducing sar and enhancing snr in mri

Номер патента: US20150038831A1. Автор: Qing X. Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-05.

Code addressable memory cell in flash memory device

Номер патента: US20010024385A1. Автор: Byung-Jin Ahn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100080069A1. Автор: Osamu Nagao,Akihiro IMAMOTO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Method for programming a split-gate memory cell and corresponding memory device

Номер патента: US20190237141A1. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Marc Mantelli. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2019-08-01.

Nand-type floating gate memory device with dual source side select transistors and programming method

Номер патента: EP1019914A1. Автор: Yu Sun,Shane Charles Hollmer,Chi Chang,Sameer Haddad,Shoichi Kawamura,Pau-Ling Chen,Michael Van Buskirk,Chung-You Hu,Bing Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-19.

Memory device with high content density

Номер патента: US20230282292A1. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device with high content density

Номер патента: US12057179B2. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Flash memory device having physical destroy means

Номер патента: US09704586B1. Автор: Chih-Chieh Kao. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device with user defined operations and associated methods and systems

Номер патента: US12045129B2. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US12050777B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor device with user defined operations and associated methods and systems

Номер патента: US20240370332A1. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09837158B2. Автор: Jeong Hoon Kim,Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Electronic portable device with keypad at back and method associated with said device

Номер патента: RU2375763C2. Автор: Сами СЯЙЛЯ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2009-12-10.

Cyanoethyl cellulose-based high-dielectric nano composite film and preparation method thereof

Номер патента: LU501683B1. Автор: Minghua Wang,Yalong Wang,Feijun Wang,Yudong Bi,Houyu Liu,Ziqiang Shao. Владелец: Beijing Institute Tech. Дата публикации: 2022-09-19.

Non-volatile memory device with single transistor memory cell

Номер патента: US20070253247A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: US20200342933A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Tire with component comprising cured rubber composition having high dielectric constant and related methods

Номер патента: US20190144639A1. Автор: Craig R. Balnis. Владелец: Bridgestone Americas Tire Operations LLC. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Dual-rail memory device with high speed and low power consumption

Номер патента: US20240312515A1. Автор: Jiann-Tseng Huang,Weinan Liao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with selective command delay and associated methods and systems

Номер патента: US20240304269A1. Автор: Boon Hor Lam,Karl L. Major,Shawn M. Hilde,Garrett Harwell. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US12105644B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US20240329852A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method for programming a memory device with multiple writes without an intervening erase

Номер патента: US09972396B1. Автор: Himanshu Naik,Biswajit Ray,Changyuan Chen,Mohan DUNGA. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device

Номер патента: US09465757B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Jong-Pil Son,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Carbon black-filed polyurethanes with high dielectric constant and dielectric strength

Номер патента: IL199801A0. Автор: . Владелец: BAYER MATERIALSCIENCE AG. Дата публикации: 2010-04-15.

Polymeric compositions with high dielectric constant and low dielectric loss

Номер патента: EP3898820A1. Автор: Yunfeng Jiao. Владелец: DuPont Polymers Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Polymeric compositions with high dielectric constant and low dielectric loss

Номер патента: US20220056267A1. Автор: Yunfeng Jiao. Владелец: DuPont Polymers Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: EP3659037A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: WO2019022993A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

High-dielectric constant zwitterionic liquids

Номер патента: WO2023225050A1. Автор: Ralph H. Colby,Robert J. Hickey,Wenwen MEI. Владелец: THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device with extended write data window

Номер патента: WO2024050265A1. Автор: Christopher Haywood,Michael Raymond Miller. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-03-07.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: WO2012138865A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: MCAFEE, INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: EP2695067A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: McAfee LLC. Дата публикации: 2014-02-12.

Semiconductor device with modified command and associated methods and systems

Номер патента: US11755412B2. Автор: Debra M. Bell,Joshua E. Alzheimer,Todd M. BUERKLE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

System, apparatus, and methods for digitally labeling memory devices without affecting data storage

Номер патента: US20240241684A1. Автор: David D. Kwan. Владелец: Memoric Technology LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Dual-rail memory device with high speed and low power consumption

Номер патента: EP4432281A1. Автор: Jiann-Tseng Huang,Weinan Liao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Nonvolatile memory device and storage device for storing bad block management information with high reliability

Номер патента: US09916093B2. Автор: Min-Soo Shim,Jinsung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09823874B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of reading an electronic memory device including a plurality of memory cells of resistive random access memory type

Номер патента: US09786367B2. Автор: Carlo Cagli. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US20130128660A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seiichi Aritome,Han-Soo Joo,Sung-Kye Park,Seok-Kiu Lee,Hyun-Seung Yoo,Gyu-Seog Cho,Sung-Joo HONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Connector device with electronic control switch for controlling multichannel circuit wiring

Номер патента: US6115774A. Автор: Fumiaki Uzaki,Genryo Ezawa. Владелец: Whitaker LLC. Дата публикации: 2000-09-05.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20200394103A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: EP3983898A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20220237081A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Hybrid storage device with three-level memory mapping

Номер патента: US20220075729A1. Автор: Mark Ish,Jackson Ellis,Niranjan Anant Pol,Nitin Satishchandra Kabra. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2022-03-10.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US9218853B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Data storage device with memory services for storage access queues

Номер патента: WO2024168032A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-15.

Data Storage Device with Memory Services for Storage Access Queues

Номер патента: US20240264944A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US20150187398A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20230418708A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit memory devices with per-bit redundancy and methods of operation thereof

Номер патента: US20020110029A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Split protocol approaches for enabling devices with enhanced persistent memory region access

Номер патента: US20230297286A1. Автор: Luca Bert,Joseph H. Steinmetz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Data Storage Devices with File System Managers

Номер патента: US20240289270A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Data storage devices with file system managers

Номер патента: WO2024182188A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-06.

Data buffer for memory devices with unidirectional ports

Номер патента: US20240256131A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Split protocol approaches for enabling devices with enhanced persistent memory region access

Номер патента: US12086468B2. Автор: Luca Bert,Joseph H. Steinmetz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

One-pass programming in a multi-level nonvolatile memory device with improved write amplification

Номер патента: US09811284B2. Автор: Eyal Gurgi,Charan Srinivasan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device with reduced on-chip noise

Номер патента: US09691442B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Dietmar Gogl. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile memory device including memory area storing information used for searching erased page, data storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09640268B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Composite particles having coated aggregates with low structure carbon black cores, coatings and inks with high resistivity and optical density, devices made therewith, and methods for making same

Номер патента: US11773269B2. Автор: Geoffrey D. Moeser,Danny PIERRE,Qian NI,Andriy Korchev,Federico Villalpando-Paez. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory devices with read level calibration

Номер патента: EP3662478A1. Автор: Peng Fei,Jung Sheng Hoei,Kishore Kumar Muchherla,Michael G. Miller,Harish R. Singidi,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga,Roland J. Awusie,Gianni S. Alsasua. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-10.

Updating mapping information during synchronization of memory device

Номер патента: US20200081645A1. Автор: Igor Genshaft,Marina Frid. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory Device with Progressive Row Reading and Related Reading Method

Номер патента: US20180047455A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-15.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced wall displacement

Номер патента: US20110007559A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-13.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: WO2009072819A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: KOREA UNIVERSITY INDUSTRIAL & ACADEMIC COLLABORATION FOUNDATION. Дата публикации: 2009-06-11.

Memory device with circuitry for improving accuracy of a time estimate and method for use therewith

Номер патента: WO2008154307A3. Автор: Michael Holtzman,Ron Barzilai,Rotem Sela,Fabrice E Jogand-Coulomb. Владелец: Fabrice E Jogand-Coulomb. Дата публикации: 2009-07-23.

Erasing Device for long-term memory devices

Номер патента: US20200327086A1. Автор: Steven Bress,Mark Joseph Menz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-15.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116238A1. Автор: Johnny Chen,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk,Administration Department Of Fujitsu Ltd Patent. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: US8300445B2. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2012-10-30.

Memory device with multi-mode deserializer

Номер патента: US20140029331A1. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Renu Rangnekar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2014-01-30.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device with multiple input/output interfaces

Номер патента: US12079479B2. Автор: Jonathan S. Parry,Chang H. Siau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US12067233B2. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device with progressive row reading and related reading method

Номер патента: US10002672B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-19.

Method and apparatus for performing data access control of memory device with aid of predetermined command

Номер патента: US12061800B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US20110305092A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-12-15.

Data Storage Devices with Services to Manage File Storage Locations

Номер патента: US20240289271A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US8441865B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-05-14.

Error-resilient memory device with row and/or column folding with redundant resources and repair method thereof

Номер патента: US09905315B1. Автор: Sourav Roy,Prokash Ghosh,Neha Raj. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory device with progressive row reading and related reading method

Номер патента: US09805810B1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09697897B2. Автор: Anirban Roy,Michael A Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Data storage device with temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: US09666249B1. Автор: Sang Hyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device with internal measurement of functional parameters

Номер патента: US09646717B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device with separately controlled sense amplifiers

Номер патента: US09384790B2. Автор: Setti Shanmukheswara Rao,Ankur Goel,Manish Trivedi. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Non-volatile semiconductor memory device with nand type memory cell arrays

Номер патента: US5978265A. Автор: Fujio Masuoka,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Ryozo Nakayama,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6128223A. Автор: Toshihiro Sasai,Youichi Nakasone. Владелец: Nucore Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device with reduced variation in source potential of floating gate type memory transistors and operating method therefor

Номер патента: US5105386A. Автор: Shinichi Kobayashi,Kenji Noguchi,Kenji Kohda,Tsuyoshi Toyama,Nobuaki Andoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-04-14.

Titanium silicate films with high dielectric constant

Номер патента: EP1607375A2. Автор: Luc Ouellet,Daniel Brassard,El Khakani My Ali,Sarkar Dilip K.. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-21.

Memory device with command buffer

Номер патента: US20010003512A1. Автор: Casey Kurth,Scott Derner,Patrick Mullarkey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-14.

Method and device with memory processing control

Номер патента: EP4398071A2. Автор: Hyun Sun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Write-read circuit with a bit line multiplexer for a memory device

Номер патента: US20240170034A1. Автор: Mohit Gupta,Stefan Cosemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017885A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Process monitoring for ferroelectric memory devices with in-line retention test

Номер патента: US20060146588A1. Автор: Richard Bailey,John Rodriguez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Memory device with 4n and 8n die stacks

Номер патента: US20240281390A1. Автор: Tyler J. Gomm,Sujeet Ayyapureddi,Dong Uk Lee,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6636437B2. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116239A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017884A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Memory device with selective precharging

Номер патента: US11756595B2. Автор: Ed McCombs. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1125301A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-22.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device with write disturb reduction

Номер патента: US12073886B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device with a redundant decoder having a small scale in circuitry

Номер патента: US6023433A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040052114A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device with 4n and 8n die stacks

Номер патента: WO2024177810A1. Автор: Tyler J. Gomm,Sujeet Ayyapureddi,Dong Uk Lee,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and system for repairing faulty cells of memory device

Номер патента: US12112823B2. Автор: Ankit Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Deokgu Yoon,Keerthi Kiran Jagannathachar,Atishay Kumar,Damini. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and device with memory processing control

Номер патента: EP4398071A3. Автор: Hyun Sun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Multi time program device with power switch and non-volatile memory

Номер патента: US12068042B2. Автор: Jin Hyung Kim,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory devices with improved refreshing operation

Номер патента: US09812182B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Chien-Yin Liu,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device with adaptive voltage scaling based on error information

Номер патента: US09786356B2. Автор: Jonathan Liu,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device with volatile and non-volatile media

Номер патента: US09767017B2. Автор: David Flynn,Nisha Talagala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Sensing a non-volatile memory device utilizing selector device holding characteristics

Номер патента: US09633724B2. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian,Lin Shih Liu. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method and apparatus for refreshing and data scrubbing memory device

Номер патента: US09600362B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory device with selective precharging

Номер патента: US12142346B2. Автор: Ed McCombs. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for accessing flash memory and associated controller and memory device

Номер патента: US09489143B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device with dummy memory mat and refresh operating method thereof

Номер патента: US09472259B2. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory devices with improved refreshing operation

Номер патента: US09455006B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Chien-Yin Liu,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Non-volatile memory device with an EPLI comparator

Номер патента: US09378829B2. Автор: Ifat Nitzan KALDERON,Max Steven WILLIS, III. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005533A1. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory device with flexible data pin configuration and method thereof

Номер патента: US20240241652A1. Автор: Minho Yoon. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory devices with reduced power consumption refresh cycles

Номер патента: US20020133663A1. Автор: Ramandeep Sawhney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

A gaming device with prize chance configurable symbol

Номер патента: AU2024204384A1. Автор: Scott Olive,Matthew DEITZ. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-Volatile Memory Device with Plural Reference Cells, and Method of Setting the Reference Cells

Номер патента: US20100254207A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005532A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: EP1606820A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-12-21.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: AU2004222869A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-10-07.

Silver halide material for optical memory devices with luminescent reading and methods for the treatment thereof

Номер патента: WO1998037456A9. Автор: Mark A Alperovich,Eugene B Levich,Jacob N Malkin,Boris M Shapiro. Владелец: Boris M Shapiro. Дата публикации: 1999-11-11.

Silver halide material for optical memory devices with luminescent reading and methods for the treatment thereof

Номер патента: US20020115026A1. Автор: Mark Alperovich,Eugene Levich,Jacob Malkin,Boris Shapiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060239109A1. Автор: Mitsuaki Hayashi,Wataru Abe,Shuji Nakaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Memory device with unique read and/or programming parameters

Номер патента: US12057161B2. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Erika Penzo,Dong-II MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile memory devices with common source line voltage compensation and methods of operating the same

Номер патента: US8446769B2. Автор: BoGeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Memory device with adjustable delay propagation of a control signal to different page buffer driver groups

Номер патента: US12051484B2. Автор: Violante Moschiano,Andrea D'Alessandro,Giacomo DONATI,Luigi Marchese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device with post package repair function and method for operating the same

Номер патента: US20210366568A1. Автор: Nung Yen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20120257465A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20140104961A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Floating-gate capacitor memory device and operation method

Номер патента: WO1998018131A1. Автор: Ronald L. Yin. Владелец: Yin Ronald L. Дата публикации: 1998-04-30.

Error correction in differential memory devices with reading in single-ended mode in addition to reading in differential mode

Номер патента: US20150212880A1. Автор: Marco Pasotti,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory device with flexible data pin configuration and method thereof

Номер патента: US12079492B2. Автор: Minho Yoon. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device with a bypass circuit for verifying the characteristics of an internal clock signal

Номер патента: US20050002261A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Memory device with data scrubbing capability and methods

Номер патента: US12086421B2. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Dynamic random access memory (dram) device with write error protection

Номер патента: US20240311219A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-19.

Managed non-volatile memory device with data verification

Номер патента: WO2024226631A1. Автор: Marco Redaelli,Daniela Ruggeri,Francesco Lupo,Fabrizio Fiorenza. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device with data scrubbing capability and methods

Номер патента: EP4441607A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Managed non-volatile memory device with data verification

Номер патента: US20240354005A1. Автор: Marco Redaelli,Daniela Ruggeri,Francesco Lupo,Fabrizio Fiorenza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Non-volatile memory device with a plurality of cache latches and switches and method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US09997250B2. Автор: Kang-Woo PARK,Eun-Ji Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device with sampled resistance controlled write voltages

Номер патента: US09552863B1. Автор: THOMAS Andre,Dietmar Gogl,Chitra K. Subramanian,Syed Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Controller-opaque communication with non-volatile memory devices

Номер патента: US09348774B2. Автор: Earl T. Cohen,Leonid Baryudin,Gordon James Coleman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-05-24.

Non-volatile semiconductor memory device and data programming method

Номер патента: US6091639A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Electrically programmable semiconductor device with concurrent program and verification operations

Номер патента: US6141253A. Автор: Chin-His Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-31.

Electrostatic image developing toner with high dielectric material

Номер патента: US4789613A. Автор: Shoji Ohtani,Rikio Tsushima,Yukiya Sato,Kazunari Takemura. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 1988-12-06.

Method and apparatus for performing data access performance shaping of memory device

Номер патента: US20230315337A1. Автор: Cheng Yi,Kaihong Wang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20180233182A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

Memory device with timing overlap mode

Номер патента: US20150124524A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Memory device with timing overlap mode

Номер патента: US20170084324A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device with source line control

Номер патента: US11776595B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory devices with differential threshold voltages

Номер патента: US20240274189A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Solid State Memory Device with PCI Controller

Номер патента: US20080040533A1. Автор: Jason Caulkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Memory device virtualization

Номер патента: US20240289159A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device with improved driver operation and methods to operate the memory device

Номер патента: US20240265963A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device with substrate voltage biasing

Номер патента: IE50955B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-20.

Phase change memory device with improved performance that minimizes cell degradation

Номер патента: US20110255333A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor memory device with low power consumption

Номер патента: US20020118590A1. Автор: Mikio Asakura,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240347125A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile memory device with multiple clocks

Номер патента: US12125544B2. Автор: Sang-Wan Nam,You-Se Kim,Kee Ho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of operating semiconductor memory devices with selective write-back of data for error scrubbing and related devices

Номер патента: US09990163B2. Автор: Uk-Song KANG,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US09978453B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device with different parity regions

Номер патента: US09977712B2. Автор: Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device with reduced test time

Номер патента: US09575125B1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,William Meadows. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device with timing overlap mode and precharge timing circuit

Номер патента: US09552849B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device with advanced refresh scheme

Номер патента: US09548099B2. Автор: Jae-il Kim,No-Guen JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Virtual boundary codes in a data image of a read-write memory device

Номер патента: US09442840B2. Автор: Ashwani Kumar,Dhamim Packer Ali,Benish Babu,Taara Nandakishore Ellala. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US09418735B2. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

FLASH MEMORY DEVICE HAVING A GRADED COMPOSITION, HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE INSULATOR

Номер патента: US20120313097A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

WIRELESS POWER TRANSFER SYSTEM AND POWER TRANSMITTING/RECEIVING DEVICE WITH HEAT DISSIPATION STRUCTURE

Номер патента: US20120001496A1. Автор: Yamamoto Hiroshi,Kanno Hiroshi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and apparatus for obtaining spatial information and measuring the dielectric constant of an object

Номер патента: US20120001628A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Lateral Power MOSFET with High Breakdown Voltage and Low On-Resistance

Номер патента: US20120003803A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiang Puo-Yu,Liu Ruey-Hsin,Hsu Shun-Liang,Huang Chyi-Chyuan,Chen Fu-Hsin,Huang Eric. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTRONIC DEVICE WITH ELECTRON TUNNELING LAYER

Номер патента: US20120001164A1. Автор: GAO WEIYING,Deibler Dean T.. Владелец: E.I. Du Pont De Nemours and Company. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Measuring device with a measuring section and a reference section

Номер патента: US20120001792A1. Автор: DINGLER Peter,Halder Dipl.-Ing. Ernst. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.