Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 에스오아이 모스 트랜지스터를 구비한 반도체 소자 및신호 처리 장치

에스오아이 모스 트랜지스터를 구비한 반도체 소자 및신호 처리 장치

Номер патента: KR100343147B1
Опубликовано: 06-07-2002
Автор(ы): 김병선, 정무경
Принадлежит: 삼성전자 주식회사, 윤종용
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US7161222B2. Автор: Motoki Kobayashi,Fumio Ichikawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-09.

Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12112981B2. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190214458A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Metal rail conductors for non-planar semiconductor devices

Номер патента: US12113132B2. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Metal Rail Conductors For Non-Planar Semiconductor Devices

Номер патента: US20240379854A1. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Lei-Chun Chou,Charles Chew -Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device integration with an amorphous region

Номер патента: US20240105683A1. Автор: Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Robert Gauthier, Jr.,Xiang Xiang Lu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966434B2. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722030B1. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device including FinFETs having different gate structures and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09564435B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Jung-Dal Choi,Dong-Kyu Lee,Eun-ae Chung,Gab-jin Nam,Guangfan Jiao,Yu-Bin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device having soi structure

Номер патента: US20090194877A1. Автор: Yukio Maki,Toshiaki Iwamatsu,Takashi Ipposhi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor device and in-vehicle electronic control device using the same

Номер патента: US12087703B2. Автор: Takayuki Oshima,Katsumi Ikegaya,Yoichiro Kobayashi,Kiyotaka Kanno,Masato Kita,Keishi KOMORIYAMA,Minoru MIGITA,Yu Kawagoe. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100327356A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100201429A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device with six transistors forming a NAND circuit

Номер патента: US09601510B2. Автор: Fujio Masuoka,Masamichi Asano. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with six transistors forming a nor circuit

Номер патента: US09449988B2. Автор: Fujio Masuoka,Masamichi Asano. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor Device

Номер патента: US20090321832A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Akinobu Teramoto. Владелец: Foundation for Advancement of International Science of Tohoku University. Дата публикации: 2009-12-31.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US9472632B2. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210090987A1. Автор: Hiroyuki Kawashima,Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240047503A1. Автор: Suguru Saito,Nobutoshi Fujii. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12046507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945557A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355671A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device, a method for manufacturing the same, and a system having the same

Номер патента: US20130315004A1. Автор: Yong Gyu Chu,Sang Jae Rhee,Hyo Soon Kang,Seung Bum Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device having SOI substrate

Номер патента: US09899448B2. Автор: Yasuo Arai,Masao Okihara,Hiroki Kasai. Владелец: Inter University Research Institute Corp High Energy Accelerator Research Organization. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09954117B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09722095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09590111B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09443876B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09876099B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device, storage device, resistor circuit, display device, and electronic device

Номер патента: US09847406B2. Автор: Masami Endo,Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741794B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09564535B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240038777A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Masakatsu Ohno,Masayoshi Dobashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor device

Номер патента: US12087862B2. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and display device including semiconductor device

Номер патента: US09842938B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09818880B2. Автор: Satoru Saito,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620650B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US09614099B2. Автор: Hajime Yamaguchi,Tomomasa Ueda,Masaki Atsuta,Kentaro Miura,Shintaro Nakano,Tatsunori Sakano,Nobuyoshi Saito,Yuya MAEDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431545B2. Автор: Toshihiko Saito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Akihiro Ishizuka,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419143B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9196722B2. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190097008A1. Автор: Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor memory and semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US5773865A. Автор: Hideto Hidaka,Takahiro Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070290240A1. Автор: Noriaki Suzuki,Masanori Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080061445A1. Автор: Kenji Ishikawa,Hiroshi Kudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US20200381454A1. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US11043508B2. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2021-06-22.

Silicon-on-plastic semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US09583414B2. Автор: Julio C. Costa,David M. Shuttleworth,Michael J. Antonell. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with surrounding gate transistors in a NAND circuit

Номер патента: US09716092B2. Автор: Fujio Masuoka,Masamichi Asano. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A3. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O Sungki. Владелец: Hugh O Sungki. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490242B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210249314A1. Автор: Tohru Kawai,Yuta MIZUKAMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor devices

Номер патента: US09406663B2. Автор: Hyun-Seung Song,Jae-Kyun Park,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20020014668A1. Автор: Takayuki Susami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor device having a reduced wiring area in and out of data path zone

Номер патента: US5583374A. Автор: Hisao Harigai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-12-10.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240274585A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Lee-Chung Lu,Ching-Yu Huang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US6455900B2. Автор: Takayuki Susami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818737B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US10008584B2. Автор: Shigeharu Okaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09627383B2. Автор: Eisuke Suekawa,Masaaki Ikegami,Naoto KAGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20030057503A1. Автор: Tatsuo Yoneda,Bungo Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09960234B2. Автор: Kirk HUANG,Chun-Li Liu,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: EP4404267A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12107013B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with a reduced band gap zone

Номер патента: US09859272B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Roman Roth,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Carsten Schaeffer,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09542977B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09537014B2. Автор: Kosei Noda,Tetsuhiro Tanaka,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303195A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11776852B2. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220085164A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11631738B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: US20040007767A1. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200105608A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09595476B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583634B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device having fin-type field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502531B2. Автор: Jungdal CHOI,Sung Gi Hur,Sangsu Kim,TaeYong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09502520B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Devices and methods of forming higher tunability FinFET varactor

Номер патента: US09437713B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron,Gopal Srinivasan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160322261A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190139956A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Ting-Chun Kuan,Kuan-Jung Chen,Ming-Feng Lee,Kai-Di Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and voltage transfer unit

Номер патента: US20170330886A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Resistance memory device and memory apparatus and data processing system

Номер патента: US9214223B2. Автор: Hyung Dong Lee,Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-15.

Resistance memory device and memory apparatus and data processing system

Номер патента: US20140169067A1. Автор: Hyung Dong Lee,Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3087606A1. Автор: Toshihiko Ouchi,Ryota Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09786806B2. Автор: Toshihiko Ouchi,Ryota Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2015098073A1. Автор: Toshihiko Ouchi,Ryota Sekiguchi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device provided with sense circuits

Номер патента: US5341013A. Автор: Masaru Koyanagi,Minoru Yamda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-08-23.

Method of forming a MOS transistor in a semiconductor device and a MOS transistor fabricated thereby

Номер патента: US20020195666A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20020005529A1. Автор: Takashi Kuroi,Yoshinori Okumura,Katsuyuki Horita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

ESD protection circuit, semiconductor device, on-vehicle electronic device, and on-vehicle electronic system

Номер патента: US09640525B2. Автор: Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: RU2544887C2. Автор: Хидео КОБАЯСИ,Масанори ОГУРА,Тецунобу КОТИ,Масаси КИТАНИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20230260987A1. Автор: Masayoshi Kojima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023164821A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device, its manufacturing method and electronic apparatus thereof

Номер патента: US09748289B2. Автор: Yasushi Morita,Takashi Nagano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: WO2020116449A1. Автор: Toshiaki Iwafuchi,Ikue Mitsuhashi. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2020-06-11.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240371854A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8969951B2. Автор: Hiroaki Katou,Yuki Fukui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120313163A1. Автор: Hiroaki Katou,Yuki Fukui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20110108882A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20100148214A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device having MOS transistors and bipolar transistors on a single semiconductor substrate

Номер патента: US6924534B2. Автор: Toshiyuki Ohkoda,Toshimitsu Taniguchi,Kazutomo Goshima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09698107B2. Автор: Alfred Goerlach,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210233846A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150079745A1. Автор: Hiroaki Katou,Yuki Fukui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device, related circuit, chip, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240282767A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Loucheng DAI,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09601351B2. Автор: Hiroaki Katou,Yuki Fukui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327887A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor apparatus, signal transmission system and signal transmission method

Номер патента: US8866282B2. Автор: Yasuhiro Ikeda,Yutaka Uematsu,Satoshi Muraoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor Device and Method of Forming Inverted Pyramid Cavity Semiconductor Package

Номер патента: US20170133323A1. Автор: Kok Khoon Ho,Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09673143B2. Автор: Yoshihiro Kamiyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of forming inverted pyramid cavity semiconductor package

Номер патента: US09601461B2. Автор: Kok Khoon Ho,Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11742372B2. Автор: Nobutaka Ukigaya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210125925A1. Автор: Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Donghoon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09601410B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Yi-Hsiu Chen,Cheng-Chun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with combined passive device on chip back side

Номер патента: US09524932B2. Автор: Martin Gruber,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240234309A9. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203831A1. Автор: Young Woo Kim,Jin Kyu Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Yun Suk NAM,Hidenobu Fukutome,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of forming a packaged semiconductor device using ganged conductive connective assembly and structure

Номер патента: US20180350735A1. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and an electronic device

Номер патента: US09997620B2. Автор: Akira Muto,Yukihiro Narita,Nobuya Koike,Masaki Kotsuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and an electronic device

Номер патента: US09704979B2. Автор: Akira Muto,Yukihiro Narita,Nobuya Koike,Masaki Kotsuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of checking semiconductor storage device

Номер патента: US20030117151A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Kyoji Yamashita,Mutsumi Kobayashi,Hiroyuki Umimoto,Katsuhiro Ohtani,Katsumi Eikyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device with surrounding gate transistors in a NOR circuit

Номер патента: US09646991B2. Автор: Fujio Masuoka,Masamichi Asano. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device comprising a silicon body with bipolar and mos transistors

Номер патента: US20020005555A1. Автор: Ronald Koster,Catharina H.H. Emons. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Method for making semiconductor device

Номер патента: US20230352347A1. Автор: Guang Yang,Chin-Chun Huang,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Linshan Yuan,Yuchun Guo. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Bicmos semiconductor device comprising a silicon body with locos and oxide filled groove regions for insulation

Номер патента: WO1997023908A1. Автор: Ronald Koster,Catharina Huberta Henrica Emons. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-07-03.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Such A Device

Номер патента: US20080169527A1. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US7659600B2. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170054000A1. Автор: Masanori Inoue,Yuji Kumagai,Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Clamping circuit integrated on gallium nitride semiconductor device and related semiconductor device

Номер патента: US12027514B2. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240194772A1. Автор: Qiyue Zhao,Zhiwen DONG,Shaopeng CHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods, devices, and systems related to forming semiconductor power devices with a handle substrate

Номер патента: US09768271B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09748244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09478545B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20190326231A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20210335730A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-28.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and driving system

Номер патента: US09564844B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020074572A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040150055A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Transfer circuit of semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US6583478B2. Автор: Sung-Hoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-06-24.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor device and electronic equipment

Номер патента: US09634158B2. Автор: Takuya Sano,Shoji Kobayashi,Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device with low noise transistor and low temperature coefficient resistor

Номер патента: US20230290775A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Yanbiao Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device, production method thereof, and electronic device

Номер патента: US20020081766A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US6144077A. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Semiconductor device and electronic appliance

Номер патента: US09818784B2. Автор: Toshihiko Miyazaki,Koichi Baba,Hiroaki Ammo,Takashi Kubodera. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device isolation using an aligned diffusion and polysilicon field plate

Номер патента: US09818742B2. Автор: William Larson. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and information processing system

Номер патента: US10276609B2. Автор: Hajime Ikeda,Yoichi Wada,Keisuke Ota,Toshinori Hasegawa,Tatsuhito Goden. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and information processing system

Номер патента: US20170213859A1. Автор: Hajime Ikeda,Yoichi Wada,Keisuke Ota,Toshinori Hasegawa,Tatsuhito Goden. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230041837A1. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yu-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Physical information acquisition method, physical information acquisition device, and semiconductor device

Номер патента: US20120001072A1. Автор: Atsushi Toda,Genta Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240234468A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi,Reijiroh Shohji. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20080122517A1. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and circuit device

Номер патента: US20230291401A1. Автор: Kazuhisa Mori,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US20240072008A1. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US20240304603A1. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US09972607B2. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device, multi-chip semiconductor device, device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP5682496B2. Автор: 正司 竹中,克義 山本,竹中　正司,山本　克義. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE, A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND A SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20130315004A1. Автор: CHU Yong Gyu,RHEE Sang Jae,Kang Hyo Soon,KO Seung Bum. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Monolithic conductive columns in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260964A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE, A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND A SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20160293230A1. Автор: CHU Yong Gyu,RHEE Sang Jae,Kang Hyo Soon,KO Seung Bum. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing system, and program

Номер патента: JP7329021B2. Автор: 公彦 中谷,良知 橋本,崇之 早稲田,翔馬 宮田. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Wafer conveying device and location sensing system and vision inspecting system having the same

Номер патента: TW201201314A. Автор: Chang-Hyun Kim,Kyung-Shik Lee,Jai-Young Lim. Владелец: Hanmi Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160268311A1. Автор: Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490265B2. Автор: Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

RESISTIVE MEMORY DEVICE AND MEMORY APPARATUS AND DATA PROCESSING SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20130336042A1. Автор: Hong Kwon,Lee Keun,KU Ja Chun,KANG Se Hun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-12-19.

RESISTIVE MEMORY DEVICE AND MEMORY APPARATUS AND DATA PROCESSING SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20140097397A1. Автор: PARK Woo Young,KIM Beom Yong,LEE Kee Jeung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20100237434A1. Автор: Jan Sonsky,Wibo D. Van Noort,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Light emitting device, and light emitting device package and display system having same

Номер патента: CN104518060A. Автор: 崔宰熏,李浩准,崔荣宰. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-15.

Resistance memory device and memory apparatus and data processing system

Номер патента: US20140169067A1. Автор: Hyung Dong Lee,Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Substrate processing system, group management device, and display method for substrate processing system

Номер патента: WO2011021635A1. Автор: 一秀 浅井,裕幸 岩倉. Владелец: 株式会社日立国際電気. Дата публикации: 2011-02-24.

Film vapor deposition device and comprise this base plate processing system

Номер патента: CN103283014B. Автор: 朴相俊,李京哲,李昊荣,孙炳国,许真弼,张旭相. Владелец: YUANYI IPS CORP. Дата публикации: 2016-01-13.

Combined MCD and MOS Transistor Semiconductor Device

Номер патента: US20210134792A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09755032B1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, battery protection circuit, and power management circuit

Номер патента: US20230215940A1. Автор: Kouki Yamamoto,Haruhisa Takata. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device, power control device and electronic system

Номер патента: US09866207B2. Автор: Junichi Nakamura,Yasushi Nakahara,Yoshinori Kaya,Ryo Kanda,Tetsu Toda,Tomonobu Kurihara,Kazuyuki Umezu,Takahiro Nagatsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020117711A1. Автор: Tatsuo Yoneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10128342B2. Автор: Kyoichi Tsubata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-13.

Method of manufacturing semiconductor device and the semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US7220649B2. Автор: Ryo Nakamura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11776967B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Takeshi Osada,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062663B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Takeshi Osada,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09893089B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Takeshi Osada,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09570619B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Takeshi Osada,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100013025A1. Автор: Ryo Tanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor device having capacitance element, arranged close to mos transistor and having dielectric made of electrostrictive material

Номер патента: US20080061339A1. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Ohyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20110254094A1. Автор: Takayuki Yoshida,Toshiyuki Fukuda,Kimihito Kuwabara,Takuma Motofuji. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: EP1355362B1. Автор: Yutaka Center for Microelectronic Systems ARIMA. Владелец: Exploitation of Next Generation Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-30.

Semiconductor device and method of forming the same as well as data processing system including the semiconductor device

Номер патента: US20120025324A1. Автор: Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230027022A1. Автор: Yasuhiro Okamoto,Senichirou NAGASE,Takehirou MARIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US7851310B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Li-Cheng Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

High-speed and high-capacity mos transistor and its manufacturing process

Номер патента: RU2197769C2. Автор: Хюн-Сик Ким,Хеон-Йонг Син,Соо-Чеол Ли. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2003-01-27.

Semiconductor device including memory cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030015747A1. Автор: Jiro Ida,Naoko Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Method of manufacturing a semiconductor device including a high voltage MOS and the semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US8237224B2. Автор: Ryo Nakamura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2012-08-07.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20070082452A1. Автор: Izuo Ilda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20120032277A1. Автор: Kazutaka Manabe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device having MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5911103A. Автор: Satoshi Shimizu,Tomohiro Yamashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09768317B2. Автор: Daigo Ito,Kazuya Hanaoka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with a NAND circuit having four transistors

Номер патента: US09484424B2. Автор: Fujio Masuoka,Masamichi Asano. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: RU2276429C2. Автор: Флорин УДРИА,Джихан Анил Джозеф АМАРАТУНГА. Владелец: Кембридж Семикондактор Лимитед. Дата публикации: 2006-05-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US12040333B2. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Satoshi Yoshimoto,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito,Marina Hiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5731233A. Автор: Satoshi Shimizu,Tomohiro Yamashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Semiconductor device for use in a light valve device, and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1026733A1. Автор: Kunihiro Takahashi,Yoshikazu Kojima,Tsuneo Yamazaki,Hiroaki Takasu,Nobuyoshi Matsuyama,Hitoshi Niwa,Tomoyuki Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274470A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Bo Liao,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and preparation method therefor, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: EP4407693A1. Автор: Wentao Yang,Gaochao XU,Runtao Ning,Linrong He,Kangrong HUANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09911757B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Yukinori Shima,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09773815B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761736B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09640669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590098B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394889A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230114260A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120025294A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141239A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140106502A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20150333742A1. Автор: Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Detecting and driving load using MOS transistor

Номер патента: US9153688B2. Автор: Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Semiconductor device and method for producing thereof

Номер патента: EP4135050A1. Автор: Hans Weber,Andreas Vörckel,Tobias Höchbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-02-15.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20240298448A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130248876A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of evaluating semiconductor device and apparatus for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20170108545A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor optical devices and method for forming

Номер патента: US7494832B2. Автор: Yang Du,Leo Mathew,Voon-Yew Thean. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-02-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049069A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160111546A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and nonvolatile semiconductor memory device comprising a plurality of semiconductor elements as well as process for the same

Номер патента: US20020117708A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060157780A1. Автор: Satoe Miyata,Shuji Mizokuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20070210352A1. Автор: Yasuhiko Akamatsu,Saifon Son,Shinpei Tsujikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor devices, power semiconductor devices, and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960268B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen,Jacob Tillmann Ludwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911858B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793415B2. Автор: Junghyun Kim,Kiwan Ahn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773915B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09748403B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660098B2. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640639B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09525038B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09520473B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484271B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Katsuyuki Horita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09472559B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466728B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466705B2. Автор: Toru Sugiyama,Kunio Tsuda,Akira Yoshioka,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09450085B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09437749B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09431501B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200235201A1. Автор: Syunki Narita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240097023A1. Автор: Shingo Sato,Tsuyoshi Kachi,Katsura Miyashita,Yuhki FUJINO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160343879A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Power semiconductor devices including a trenched gate and methods of forming such devices

Номер патента: EP4238136A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Matt N. MCCAIN,Joe Mcpherson. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device having an n-channel MOS transistor, a p-channel MOS transistor and a contracting film

Номер патента: US8461652B2. Автор: Ryo Tanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170263760A1. Автор: Koichi Ozaki,Hirofumi Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20160225796A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20180301561A1. Автор: Seiji Kaneko,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device, methods of manufacturing semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20240243198A1. Автор: Koichi Hasegawa,Kazuhisa Mori,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140147997A1. Автор: Hiroshi Kono,Takuma Suzuki,Takashi Shinohe,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150011048A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tamae Moriwaka,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20140197495A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US8698248B2. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device package with stress reduction design

Номер патента: US20240243076A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20150050779A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device package having metal thermal interface material

Номер патента: US12119237B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chien-Li Kuo,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240355744A1. Автор: Ji Young Chung,Ron Huemoeller,Seung Chul Jang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583416B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490191B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09458535B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device chip and method of manufacturing semiconductor device chip

Номер патента: US20180197823A1. Автор: Katsuhiko Suzuki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274513A1. Автор: Yasufumi Matsuoka,Kenichi Yoshimochi,Koshun SAITO,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20180076106A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230238295A1. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Edge Seal for Bonded Stacks of Different Size Semiconductor Devices

Номер патента: US20240038613A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices, method for fabricating integrated fan-out packages, and method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09911672B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Li-Hsien HUANG,Chi-Hsi Wu,Kuan-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of forming PoP semiconductor device with RDL over top package

Номер патента: US09786623B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor arrangement comprising first semiconductor device and second semiconductor device that share active area and third semiconductor that shares another active area with first semiconductor device

Номер патента: US09679900B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Metal oxide semiconductor device having a common gate electrode for N and P channel MOS transistors

Номер патента: US5438214A. Автор: Yasuo Sato,Yuichi Egawa. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-08-01.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260875A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes In Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20110121432A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device and method of forming holes in substrate to interconnect top shield and ground shield

Номер патента: US8264059B2. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes in Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20120292751A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230282534A1. Автор: Takumi Shigemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186308A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Ming-Yu Yen,Hung-Chih Chen,Chin-Wei Liang,Kai-Fung Chang,Sheng-Feng Weng,Yi-Yang Lei,Hung-Chou LIAO,Cheyu LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12041780B2. Автор: Jeong Sang KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240194647A1. Автор: Yuki Sato,Tsukasa Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4439680A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024200437A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor component having group III nitride semiconductor device mounted on substrate and interconnected to lead frame

Номер патента: US09818677B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, method for producing semiconductor device, power supply device, and amplifier

Номер патента: US20200161464A1. Автор: Youichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394881A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Elizabeth BUITRAGO,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213346A1. Автор: Hiroaki Kato. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3993061A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20220140120A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190237545A1. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141212A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and the method for manufacturing the same

Номер патента: US8531007B2. Автор: Katsuya Okumura,Tomoyuki Yamazaki,Kazuo Shimoyama,Hiroki Wakimoto. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4439633A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024200266A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having buried region beneath electrode and method to form the same

Номер патента: US09679996B2. Автор: Masataka Watanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394888A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and multi-chip module

Номер патента: US20170350933A1. Автор: Yutaka Uematsu,Hideki Osaka,Tadanobu Toba,Kenichi Shimbo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device and multi-chip module

Номер патента: US09933475B2. Автор: Yutaka Uematsu,Hideki Osaka,Tadanobu Toba,Kenichi Shimbo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210351160A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding semiconductor device and mounting assembly

Номер патента: US20240332033A1. Автор: Michele DERAI,Guendalina Catalano. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240347505A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20190122965A1. Автор: Adam R. Brown,Ricardo L. YANDOC. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Manufacturing method of the semiconductor package, pick and place device, and workpiece handling apparatus

Номер патента: US20240178015A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Hsien-Ju Tsou,Chien-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299066A1. Автор: Hongfei Lu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1552559A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Semiconductor device, control device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200058600A1. Автор: Katsuji Ando,Takahiko Murakami,Ryoji MURAI,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of using a standardized carrier to form embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09721862B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Packaging and cooling method and apparatus for power semiconductor devices

Номер патента: US09443786B1. Автор: George R. Woody,Wally E. Rippel,Paul F. Carosa,David L. Bogdanchik,Lon C. COOPER. Владелец: AC Propulsion Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor Device and Method of Forming RF FEM and RF Transceiver in Semiconductor Package

Номер патента: US20120319302A1. Автор: Kai Liu,HyunTai Kim,YongTaek Lee,Gwang Kim,ByungHoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20210066482A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160365419A1. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Molding apparatus and manufacturing method of molded semiconductor device

Номер патента: US12011859B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Sheng-Hsiang Chiu,Sheng-Feng Weng,Yao-Tong Lai,Chia-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20230207618A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Three dimensional package for semiconductor devices and external components

Номер патента: US12062597B2. Автор: Sreenivasan Kalyani Koduri,Christopher Daniel Manack. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and lead frame assembly/lead frame for making a semiconductor device

Номер патента: US20020047194A1. Автор: Yuichi Douki,Hideshi Hanada,Jun Sugimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and adjusting method for semiconductor device

Номер патента: US20080268555A1. Автор: Shigetaka Asano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004032233A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-04-15.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09966445B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09668338B2. Автор: Takashi Uno,Kazuhiro Yahata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570407B2. Автор: Shuji Inoue,Takahiro Ebisui,Masako Furuichi. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210125976A1. Автор: Toma TAKAO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234348A9. Автор: Koji Tanaka,Junichi Yamashita,Yasunari Hino,Shinichi Izuo,Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Monolithic conductive cylinder in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260877A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260876A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and preparation method therefor, and power amplification circuit and electronic device

Номер патента: EP4394890A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Embedded type package of power semiconductor device

Номер патента: US6455929B1. Автор: C. G. Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US6232146B1. Автор: Warren M. Farnworth,Walter L. Moden,Larry D. Kinsman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210134956A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: US20130127046A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson,Ronnie A. Lindley,Matthiew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7795688B2. Автор: Yoshihiko Nagahama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-14.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09704952B2. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device n-channel type MOS transistor with gate electrode layer featuring small average polycrystalline silicon grain size

Номер патента: US7442632B2. Автор: Takayuki Suzuki,Mitsuhiro Togo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030127685A1. Автор: Takashi Kuroi,Katsuyuki Horita,Katsuomi Shiozawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11961921B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09663354B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640648B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230378252A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: EP4030489A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236831A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9899400B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130813A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5698891A. Автор: Hiroshi Tomita,Kikuo Yamabe,Mami Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09991340B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US12136665B2. Автор: Katsumi Sato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Wide gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09960228B2. Автор: Shunichi Nakamura,Atsushi Ogasawara,Yusuke Maeyama,Ryohei Osawa,Akihiko SHIBUKAWA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09704750B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Reusable substrate bases, semiconductor devices using such reusable substrate bases, and methods for making the reusable substrate bases

Номер патента: US09419081B2. Автор: John Stokely,Basavaraja Sangappa Devaramani,Raju Addepalle Raghurama. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Gate contact for a semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09343543B2. Автор: Helmut Hagleitner,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220310803A1. Автор: Tadashi Watanabe,Yukinori Nose. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240206173A1. Автор: Tatsunori Isogai,Shunsuke Okada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of forming semiconductor device including p-n diode

Номер патента: US20180019318A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2589484A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090230502A1. Автор: Yoji Kitano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2603681A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US6773936B2. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2004-08-10.

Method of manufacturing semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US20030186173A1. Автор: Akira Takahashi,Motoki Kobayashi,Jun Kanamori,Kousuke Hara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor integrated circuit device with SOTE and MOS transistors

Номер патента: US11373700B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Semiconductor device and power receiving device

Номер патента: US09531214B2. Автор: Takeshi Osada,Hikaru Tamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device for radio communication device, and radio communication device using said semiconductor device

Номер патента: US7088983B2. Автор: Junichi Hikita,Hiroo Mochida,Katsutoshi Nagi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: US20060231961A1. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-10-19.

Method of manufacturing a semiconductor device with a bicmos circuit

Номер патента: WO1996030941A3. Автор: Armand Pruijmboom,Ronald Koster,Alexander Cecilia Leona Jansen,Der Wel Willem Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-01-09.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09628918B2. Автор: Chee Yang Ng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Stacked semiconductor devices and signal distribution methods thereof

Номер патента: US20090020863A1. Автор: Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: EP1603155A4. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-08-06.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device including p-channel type transistor, and production method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US7033918B2. Автор: Naohiko Kimizuka,Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-25.

Semiconductor device including p-channel type transistor, and production method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20040155265A1. Автор: Naohiko Kimizuka,Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Devices and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09935084B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

PCSS-based semiconductor device, switching device, and method

Номер патента: US09595623B1. Автор: Chenggang Xie. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2017-03-14.

AlxGayIn1-x-yN CRYSTALLINE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING SAID DEVICE

Номер патента: RU2401481C2. Автор: Томоки УЕМУРА,Син ХАСИМОТО,Такудзи ОКАХИСА,Мунейюки НИСИОКА,Синсуке ФУДЗИВАРА,Кодзи УЕМАЦУ,Манабу ОКУИ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20090273039A1. Автор: Takuji Tanaka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-11-05.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20230084844A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel,Fabian Kopp. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device and method for manufacturing a plurality of semiconductive devices

Номер патента: US20230130979A1. Автор: Martin Brandl,Gunther Mackh,Bernhard Drummer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US8659018B2. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Semiconductor device and light emitting element package including same

Номер патента: US12057537B2. Автор: Sang Youl Lee,Ji Hyung Moon,Ki Man Kang,Yoon Min JO. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US20110297932A1. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Method of interconnecting semiconductor devices and assembly of interconnected semiconductor devices

Номер патента: US20240266320A1. Автор: Yifan Guo. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09842830B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-12.

Organic transistor, compound, organic semiconductor material for non-light-emitting organic semiconductor device, material for organic transistor, coating solution for non-light-emitting organic semiconductor device, organic semiconductor film for non-light-emitting organic semiconductor device, and method for manufacturing organic semiconductor film for non-light emitting organic semiconductor device

Номер патента: US09705096B2. Автор: Yuki Hirai,Kensuke MASUI,Katsuyuki Youfu. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of encapsulating semiconductor die

Номер патента: US09679785B2. Автор: Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2737722C1. Автор: Николай Александрович Брюхно,Василий Васильевич Афанаскин,Маргарита Юрьевна Котова,Александр Евгеньевич Яценко. Владелец: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2020-12-02.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Contact formation through low-tempearature epitaxial deposition in semiconductor devices

Номер патента: US20190148377A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inspection apparatus for semiconductor device, and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20020158647A1. Автор: Masaaki Sugimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing quantum computing semiconductor device

Номер патента: EP4190742A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Methods and systems for alignment to embedded patterns in semiconductor device processing

Номер патента: EP3935667A1. Автор: Daniel G. Patterson,Borirak OPASANONT,Abraham SALDIVAR-VALDES. Владелец: Utica Leaseco LLC. Дата публикации: 2022-01-12.

Methods and systems for alignment to embedded patterns in semiconductor device processing

Номер патента: WO2020181177A1. Автор: Daniel G. Patterson,Borirak OPASANONT,Abraham SALDIVAR-VALDES. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-09-10.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7846771B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-12-07.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7414305B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-08-19.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: WO2023028412A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: EP4393014A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US20060245908A1. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A2. Автор: Sinan Goktepeli,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device and method of preparing the same

Номер патента: US20200365598A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251584A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Screening method, screening device and program

Номер патента: US8878561B2. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021165309A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Höppel,Fabian Kopp. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6548845B1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-15.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor device and light-emitting apparatus

Номер патента: US20170133567A1. Автор: Koichi Fukasawa. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US11094813B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Processing system, management device, and log acquisition method

Номер патента: US20240255561A1. Автор: Miyoko KURODA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11705436B2. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda,Yuusuke Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor device and semiconductor module including semiconductor devices

Номер патента: US20090184430A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: US20090166799A1. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Vertically mountable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20020008310A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Vertically mountable and alignable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20010026023A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240304579A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US12117480B2. Автор: Shinsuke Suzuki,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-15.

Light sensing device and fabricating method thereof

Номер патента: US09966394B2. Автор: Sheng-Ren Chiu,Yu-Sheng Lin,Feng-Chia Hsu,Chun-Yin Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and light-emitting apparatus

Номер патента: US09882106B2. Автор: Koichi Fukasawa. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of recycling substrate

Номер патента: US12148666B2. Автор: Mie Matsuo,Hidekazu Hayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09685427B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated circuit, semiconductor device, and method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US20240371830A1. Автор: Hyunchul Hwang,Chanhee Park,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09618563B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09508692B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-29.

Stacked semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09496189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory device, semiconductor device, method for producing memory device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09461244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09461057B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic thermoelectric power generation device

Номер патента: US09455390B2. Автор: Kazuaki Kurihara,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Epoxy resin composition for optical semiconductor device, and lead frame for optical semiconductor device, encapsulation type optical semiconductor element unit and optical semiconductor device each obtainable by using the epoxy resin composition

Номер патента: US09450158B2. Автор: Naoko Yoshida,Hidenori Onishi,Kazuhiro Fuke,Ryusuke Naito,Yuichi Fukamichi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20190384669A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20220050739A9. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20160064663A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1983580A3. Автор: Takaaki Fujii,Aki Hiramoto,Hiroaki Okuma,Kazuhisa Ishi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Light emitting device, laser processing system, method for manufacturing light emitting device, and method for manufacturing laser processing system

Номер патента: US20240283222A1. Автор: Hiroshi Ohno,Takayuki Kai,Kouji Oomori. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Wearable device, and antenna signal processing circuit and method therefor

Номер патента: US20190372242A1. Автор: XIN ZHAO,Yuge Zhu. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, CONTROL METHOD FOR SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND CONTROL METHOD FOR SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20210305030A1. Автор: TSUJIMOTO Hiroshi,TANAKA Ikko. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Device and method for signal processing

Номер патента: US7732742B2. Автор: Ron Naaman,Erez Halahmi,Leeor Kronik,Gilad Diamant,Dimitry Shvarts. Владелец: Novatrans Group SA. Дата публикации: 2010-06-08.

Device and method for signal processing

Номер патента: WO2006077595A3. Автор: Ron Naaman,Erez Halahmi,Leeor Kronik,Gilad Diamant,Dmitry Shvarts. Владелец: Dmitry Shvarts. Дата публикации: 2007-12-13.

Device and method for signal processing

Номер патента: WO2006077595A2. Автор: Ron Naaman,Erez Halahmi,Leeor Kronik,Gilad Diamant,Dmitry Shvarts. Владелец: Novatrans Group SA. Дата публикации: 2006-07-27.

Pre-lithiation battery core processing device and pre-lithiation battery core processing system

Номер патента: WO2023050982A1. Автор: 李鹏飞,徐春龙,尹东星,王学飞. Владелец: 蜂巢能源科技股份有限公司. Дата публикации: 2023-04-06.

Micro-sound detection analysis device and array audio signal processing method based on same

Номер патента: US20180063648A1. Автор: Lin Yang,Jianwei Zhang,Guojian Cao,Chengyu HOU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-01.

Image processing device and method, program, and image processing system

Номер патента: EP4131925A1. Автор: Yoshitaka Miyatani. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-02-08.

Information processing system, switching device, and method for controlling information processing system

Номер патента: US20150124591A1. Автор: Kazuki Hyoudou,Yukihiro Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Information processing system, switching device, and method for controlling information processing system

Номер патента: US09960955B2. Автор: Kazuki Hyoudou,Yukihiro Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Systems, devices, and methods for module-based cascaded energy systems having reconfigurable arrays

Номер патента: CA3227428A1. Автор: Romi Kadri,Mikhail SLEPCHENKOV,Roozbeh Naderi. Владелец: TAE Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

RF fingerprint signal processing device and RF fingerprint signal processing method

Номер патента: US11985508B2. Автор: Chia-Min Lai,Ting-Yu Lin,Ping-Chun Chen. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2024-05-14.

Systems, devices, and methods for module-based cascaded energy systems having reconfigurable arrays

Номер патента: EP4364267A1. Автор: Romi Kadri,Mikhail SLEPCHENKOV,Roozbeh Naderi. Владелец: TAE Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Amplitude limiting device and method for signal processing chain

Номер патента: WO2023242108A1. Автор: Robert SCHWANN. Владелец: L-ACOUSTICS. Дата публикации: 2023-12-21.

Amplitude limiting device and method for signal processing chain

Номер патента: EP4293904A1. Автор: Robert SCHWANN. Владелец: L Acoustics SAS. Дата публикации: 2023-12-20.

Information processing system, computer-readable recording medium having stored therein control program for information processing device, and control method of information processing system

Номер патента: US10298478B2. Автор: Masahisa Tamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Emission process for a single photon, corresponding semiconducting device and manufacturing process

Номер патента: US20030218163A1. Автор: Didier Dutartre,Stephane Monfray,Frederic Boeuf. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-11-27.

Arrayed semiconductor device, optical transmission module, optical module, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190348818A1. Автор: Koichiro Adachi,Takeshi Kitatani. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Light-emitting semiconductor device, optoelectronic component, projection device and electronic device

Номер патента: WO2023247720A1. Автор: Joerg Erich Sorg,Bilal SAIF. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Optical semiconductor device

Номер патента: EP3754799A1. Автор: Yutaka Ohki,Ryuichiro Minato. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

Device and process of level measurement by radiolocation

Номер патента: RU2327958C2. Автор: Курт Олов ЭДВАРДССОН. Владелец: Роузмаунт Тэнк Радар Аб. Дата публикации: 2008-06-27.

Separating device and method and signal receiving device and method

Номер патента: US20050163165A1. Автор: Hiroshi Adachi,Yosuke Yamamoto,Tatsushi Noda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Audio signal processing method and parameterization device for same

Номер патента: EP4246513A2. Автор: Taegyu LEE,Hyunoh OH. Владелец: Gcoa Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Information processing device, information processing method, programme, terminal control device and information processing system

Номер патента: RU2554565C2. Автор: Ёсинори ОХАСИ,Еидзю ЯМАДА,Син ИТО. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-27.

Information processing device and information processing method

Номер патента: RU2718118C2. Автор: Ёити ЯГАСАКИ,Мицухиро ХИРАБАЯСИ,Мицуру КАЦУМАТА,Нобуаки ИДЗУМИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2020-03-30.

Device and method for signal processing in digital multiband coherent optical system

Номер патента: WO2023165703A1. Автор: KFIR BEZALEL,Michael Zarubinsky,Itzik MALOBANI,Igor Levakov. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Device and method for signal processing in digital multiband coherent optical system

Номер патента: EP4441928A1. Автор: KFIR BEZALEL,Michael Zarubinsky,Itzik MALOBANI,Igor Levakov. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Device and system for projecting images onto a screen

Номер патента: EP2411868A1. Автор: Børre MORTENSEN. Владелец: Innovation Bureau AS. Дата публикации: 2012-02-01.

Circuit arrangement comprising a sample-and-hold device and method for signal processing in a sample-and-hold device

Номер патента: US20070236261A1. Автор: Dieter Draxelmayr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-10-11.

Systems, devices, and methods for balancing multiple energy sources

Номер патента: WO2024123919A3. Автор: Mikhail SLEPCHENKOV,Roozbeh Naderi,Mohammad MOUSAVI,Edwin Fonkwe FONGANG,Ishita Ray. Владелец: Tae Technologies, Inc.. Дата публикации: 2024-08-02.

Graphic image signal processing device and graphic image signal processing method

Номер патента: TWI269238B. Автор: Tohru Watanabe,Osamu Tabata,Tatsuya Takahashi. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2006-12-21.

Digitally controlled oscillator device and high frequency signal processing device

Номер патента: US09735731B2. Автор: Takahiro Nakamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

DEVICE AND METHOD OF SIGNAL PROCESSING AND PROGRAM

Номер патента: RU2020114250A. Автор: Минору ЦУДЗИ,Тору ТИНЕН,Мицуюки ХАТАНАКА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2021-10-21.

Systems, devices, and methods for secondary particle suppression from a charge exchange device

Номер патента: US12127325B2. Автор: Alexandr A. Ivanov,Vladislav VEKSELMAN,Vladimir I. DAVYDENKO,Artem N. SMIRNOV,Michael Meekins,Blake Koop, Jr.. Владелец: TAE Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Audio signal processing method and parameterization device for same

Номер патента: EP4246513A3. Автор: Taegyu LEE,Hyunoh OH. Владелец: Gcoa Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method of programming a communication device and a programmable communication device

Номер патента: EP1437031A1. Автор: Thomas c/o Oticon A/S BEHRENS,Claus c/o Oticon A/S NIELSEN,Thomas c/o Oticon A/S LUNNER,Claus c/o Oticon A/S ELBERLING. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2004-07-14.

Wearable device and image signal processing apparatus thereof

Номер патента: US20240031672A1. Автор: Bo Chen,Huimin Zhang,Zhengfei Xiao,Guoming RAO. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Resistive memory device, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: CN103514949A. Автор: 李�根,洪权,姜世勋,具滋春. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

Signal processing method for histogram generation, and corresponding device and use

Номер патента: EP3365975A1. Автор: Angel Dieguez Barrientos,Oscar Alonso Casanovas,Joan CANALS GIL,Eva VILELLA FIGUERAS. Владелец: Universitat de Barcelona UB. Дата публикации: 2018-08-29.

Gain control circuit, device and radio frequency signal processing system

Номер патента: CN113904694A. Автор: 侯卫兵,周礼兵,雷伟龙. Владелец: Shanghai Litong Communication Co ltd. Дата публикации: 2022-01-07.

Signal processing device, imaging device and control device, signal processing method and control method

Номер патента: JP6649806B2. Автор: 武範 小布施. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Ground fault protection device and operation method thereof, photovoltaic power generation system having the same, and inverter for photovoltaic power generation system having the same

Номер патента: JP3565470B2. Автор: 信善 竹原. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-09-15.

Signal processing device, use of the signal processing device and method for signal processing

Номер патента: US7243037B2. Автор: Timo Gossmann,Gunter Marzinger,Thorsten Tracht. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-07-10.

Device and method for signal processing in licensed assisted access radio system

Номер патента: US11849483B2. Автор: Jinsong Yang,Gan Wen. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-12-19.

Information processing device and method, and information processing system

Номер патента: US20230376574A1. Автор: Tatsuya Igarashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Device and method for signal processing using several parallel processing pathways

Номер патента: WO2010007326A2. Автор: Van Tam Nguyen,Patrick Loumeau,Anis Latiri,David Camarero De La Rosa. Владелец: Groupe Des Ecoles Des Telecommunications-Ecole Nationale Superieure Des Telecommunications. Дата публикации: 2010-01-21.

Systems, devices, and methods for module-based cascaded energy systems configured to interface with renewable energy sources

Номер патента: US20230019530A1. Автор: Mikhail SLEPCHENKOV,Roozbeh Naderi. Владелец: TAE Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Systems, devices, and methods for module-based cascaded energy systems configured to interface with renewable energy sources

Номер патента: US11942788B2. Автор: Mikhail SLEPCHENKOV,Roozbeh Naderi. Владелец: TAE Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Systems, devices, and methods for module-based cascaded energy systems configured to interface with renewable energy sources

Номер патента: CA3226136A1. Автор: Mikhail SLEPCHENKOV,Roozbeh Naderi. Владелец: TAE Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Data processing device and method, and data processing system

Номер патента: US20230394826A1. Автор: Yasuaki Yamagishi,Hiroshi Kuno,Kazuhiko Takabayashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Systems, devices, and methods for module-based cascaded energy systems configured to interface with renewable energy sources

Номер патента: US11888320B2. Автор: Mikhail SLEPCHENKOV,Roozbeh Naderi. Владелец: TAE Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Systems, devices, and methods for module-based cascaded energy systems configured to interface with renewable energy sources

Номер патента: EP4367770A1. Автор: Mikhail SLEPCHENKOV,Roozbeh Naderi. Владелец: TAE Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Systems, devices, and methods for balancing multiple energy sources

Номер патента: WO2024123919A2. Автор: Mikhail SLEPCHENKOV,Roozbeh Naderi,Mohammad MOUSAVI,Edwin Fonkwe FONGANG,Ishita Ray. Владелец: Tae Technologies, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Rf fingerprint signal processing device and rf fingerprint signal processing method

Номер патента: GB202018409D0. Автор: . Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2021-01-06.

Device and Method for Estimating Channel in FBMC System Having Multiple Antennas

Номер патента: KR101748983B1. Автор: 김성현,이상훈,전동현,권범. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2017-06-20.

Device and method for signal processing

Номер патента: EP1654672A2. Автор: Martin Mallinson. Владелец: ESS Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-10.

Digitally controlled oscillator device and high frequency signal processing device

Номер патента: US20150028926A1. Автор: Takahiro Nakamura. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Digitally controlled oscillator device and high frequency signal processing device

Номер патента: US20160197581A1. Автор: Takahiro Nakamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Parameter setting device and method in signal processing apparatus

Номер патента: US20190187951A1. Автор: Kosuke Saito. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

3d image recording device and 3d image signal processing device

Номер патента: US20130027520A1. Автор: Takeshi Ito,Haruo Yamashita,Hiromichi Ono. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

DIGITALLY CONTROLLED OSCILLATOR DEVICE AND HIGH FREQUENCY SIGNAL PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20130093523A1. Автор: Nakamura Takahiro. Владелец: RENESAS MOBILE CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

DIGITALLY CONTROLLED OSCILLATOR DEVICE AND HIGH FREQUENCY SIGNAL PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20130093524A1. Автор: Nakamura Takahiro. Владелец: RENESAS MOBILE CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

DIGITALLY CONTROLLED OSCILLATOR DEVICE AND HIGH FREQUENCY SIGNAL PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20150028926A1. Автор: Nakamura Takahiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

Voice control device and associated voice signal processing method

Номер патента: US20190043499A1. Автор: Chen-Yu LEE,Jung-Kuei Chang,Huang-Hsiang Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

MICRO-SOUND DETECTION ANALYSIS DEVICE AND ARRAY AUDIO SIGNAL PROCESSING METHOD BASED ON SAME

Номер патента: US20180063648A1. Автор: Yang Lin,ZHANG Jianwei,HOU Chengyu,CAO Guojian. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

DEVICE AND METHOD FOR SIGNAL PROCESSING IN LICENSED ASSISTED ACCESS RADIO SYSTEM

Номер патента: US20210084685A1. Автор: Wen Gan,Yang Jinsong. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ). Дата публикации: 2021-03-18.

INFORMATION PROCESSING SYSTEM, SWITCHING DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING INFORMATION PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20150124591A1. Автор: HYOUDOU Kazuki,Nakagawa Yukihiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

INFORMATION PROCESSING SYSTEM, MANAGEMENT DEVICE, AND METHOD OF CONTROLLING INFORMATION PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20160196157A1. Автор: Kodama Hiroyoshi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2016-07-07.

Digitally controlled oscillator device and high frequency signal processing device

Номер патента: US20160197581A1. Автор: Takahiro Nakamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

PARAMETER SETTING DEVICE AND METHOD IN SIGNAL PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20190187951A1. Автор: Saito Kosuke. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

INFORMATION PROCESSING SYSTEM, COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM HAVING STORED THEREIN CONTROL PROGRAM FOR INFORMATION PROCESSING DEVICE, AND CONTROL METHOD OF INFORMATION PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20140297845A1. Автор: Tamura Masahisa. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2014-10-02.

RECEPTION DEVICE AND METHOD, PROGRAM, AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20140298020A1. Автор: Yamagishi Yasuaki,HASHIMOTO KATSUNORI. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

DEVICE AND METHOD FOR SIGNAL PROCESSING IN LICENSED ASSISTED ACCESS RADIO SYSTEM

Номер патента: US20200229232A1. Автор: Wen Gan,Yang Jinsong. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ). Дата публикации: 2020-07-16.

Information processing device and method, program, and information processing system

Номер патента: US20170346587A1. Автор: Naohisa Kitazato. Владелец: SATURN LICENSING LLC. Дата публикации: 2017-11-30.

Device and method for signal processing

Номер патента: RU2144211C1. Автор: Мохамед К. Диаб,Эсмайэл Киани-Азарбай-Джани. Владелец: Мэсимо Корпорейшн. Дата публикации: 2000-01-10.

Color signal correction device and a method, and image processing system using the same and a method thereof

Номер патента: KR100943274B1. Автор: 김문철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2010-02-23.

Method, device and system for signal processing

Номер патента: CN107872868B. Автор: 温容慧,于光炜,张武荣. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-03.

Device and method for signal processing

Номер патента: US20060282185A1. Автор: A. Mallinson. Владелец: ESS Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-14.

Information processing device and information processing method, information processing system, recording medium, and program

Номер патента: EP1571835A1. Автор: Noriyuki C/O Sony Corporation Yamamoto,Mitsuhiro c/o SONY CORPORATION MIYAZAKI,Mari c/o SONY CORPORATION SAITO,Hiroyuki c/o SONY CORPORATION KOIKE. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-07.

Information processing device and method, program, and information processing system

Номер патента: US20110317839A1. Автор: Yoshihiro Yoneda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Device and method of signal processing

Номер патента: EP1067788A2. Автор: Masayuki Nishiguchi,Jun Matsumoto,Mototsugu Abe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-01-10.

Photographing and camera-shooting processing method, photographing and camera-shooting processing device and photographing and camera-shooting processing system of terminal

Номер патента: CN104427056A. Автор: 周煜申. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2015-03-18.

Method for generation of digital broadcasting transport flow pack for improved efficiency of reception, digital broadcasting transmitting device and method of signals processing in it

Номер патента: RU2391779C2. Автор: Дзин-Хее ДЗЕОНГ,Дзонг-Хун КИМ,Эю-дзун ПАРК,Донг-ил СОНГ,Чоон-сик ДЗУНГ,Хее-беом КАНГ,Дзонг-Хун КИМ (KR),Эю-дзун ПАРК (KR),Донг-ил СОНГ (KR),Чоон-сик ДЗУНГ (KR),Хее-беом КАНГ (KR),Дзин-хее ДЗЕОНГ (KR). Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2010-06-10.

Information processing device and information processing method, information processing system, and recording medium

Номер патента: KR101019976B1. Автор: 노리유키 야마모토,미쓰히로 미야자키,마리 사이토,히로유키 고이케. Владелец: 소니 주식회사. Дата публикации: 2011-03-09.

Information processing system, information processing device, and control method of information processing system

Номер патента: JP7013326B2. Автор: 大輝 田中,侑 中田,真規 阪口. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-01-31.

Recording device and method, program, and information processing system

Номер патента: WO2005015906A1. Автор: Koji Fujita. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2005-02-17.

Information processing device and information processing method, information-processing system, recording medium, and program

Номер патента: US20060248091A1. Автор: Noriyuki Yamamoto,Hiroyuki Koike,Mitsuhiro Miyazaki,Mari Saito. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Information processing device and method, program, and information processing system

Номер патента: EP2843941B1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Koichi Uchida,Masatoshi Yamagiwa,Takehisa Gokaichi,Tsukuru YAMADA,Hakuhei RYOU,Akihiro Kawachino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-06-05.

Image processing device and method, program, and image processing system

Номер патента: EP4131925A4. Автор: Yoshitaka Miyatani. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Information processing device and method, program, and information processing system

Номер патента: EP2843941A4. Автор: Yoshitaka Nakamura,Koichi Uchida,Masatoshi Yamagiwa,Takehisa Gokaichi,Tsukuru YAMADA,Hakuhei RYOU,Akihiro Kawachino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-01-06.

Data generating device and control method thereof, data analyzing device and control method thereof, data processing system, program and machine-readable storage medium

Номер патента: US20080046722A1. Автор: Yuji Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-02-21.

LOW-LIGHT IMAGE QUALITY ENHANCEMENT METHOD FOR IMAGE PROCESSING DEVICE AND METHOD OF OPERATING IMAGE PROCESSING SYSTEM PERFORMING THE METHOD

Номер патента: US20170118450A1. Автор: JUNG Yong Ju,BAE KWANG HYUK,Kim Chae Sung,YIM Joon Seo. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Storage device and garbage collection method of data storage system having the storage device

Номер патента: US09858182B2. Автор: JongWon Lee,Kangho Roh,Wooseok CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Information processing system, management device, and method for controlling information processing system

Номер патента: US20180336046A1. Автор: Takuji Nakamura,Keiji Miyauchi,Asumi Ono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Field service device and method for facilitating a processing system replacement in a vibratory flowmeter

Номер патента: CA2862188C. Автор: Timothy J. Cunningham,David J. Kapolnek. Владелец: Micro Motion Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Information processing system, information processing device, and control method of information processing system

Номер патента: US20190012282A1. Автор: Yuki Yoshida,Rinko Wakuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Method, device, and computer program product for processing system latency

Номер патента: US20230401137A1. Автор: ZHENG Li,Bing Liu,Lingdong Weng. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and communication interface circuit

Номер патента: US20130194024A1. Автор: Tomofumi Higashide. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor device and communication interface circuit

Номер патента: US20150220473A1. Автор: Tomofumi Higashide. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device and signal processing method thereof

Номер патента: US20150229419A1. Автор: Seiichi Saito,Yoshihiko Hotta,Kazushige Yamagishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device and signal processing method thereof

Номер патента: US8767131B2. Автор: Seiichi Saito,Yoshihiko Hotta,Kazushige Yamagishi. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2014-07-01.

Semiconductor device and signal processing method thereof

Номер патента: US9231717B2. Автор: Seiichi Saito,Yoshihiko Hotta,Kazushige Yamagishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device and signal processing method thereof

Номер патента: US9036093B2. Автор: Seiichi Saito,Yoshihiko Hotta,Kazushige Yamagishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor device and signal processing method thereof

Номер патента: US20140241475A1. Автор: Seiichi Saito,Yoshihiko Hotta,Kazushige Yamagishi. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Signal processing system and signal processing method

Номер патента: US20240259653A1. Автор: Takuya Miyazaki,Masahito Yamane,Yuki Sugie. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Signal processing system, signal processing device, and signal processing method

Номер патента: US20230239621A1. Автор: Tatsuya Iriyama. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Signal processing device, optical communication system, and signal processing method

Номер патента: US09923641B2. Автор: Junichi Abe,Daisaku Ogasahara,Wakako Yasuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and signal transmission method thereof

Номер патента: US20110128971A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor device and module adapted to both MIPI C-PHY and MIPI D-PHY

Номер патента: US09959805B2. Автор: Takashi Tamura,Keiichi Itoigawa,Yoshihiko Hori,Tomomitsu Kitamura,Kazuhiko Kanda,Takefumi SENO,Hideaki KUWADA,Jun Kurosawa. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device that degrades leak current of a transistor

Номер патента: US20100117161A1. Автор: Mototsugu Hamada,Mitsuyuki ASHIDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20070296485A1. Автор: Mototsugu Hamada,Mitsuyuki ASHIDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Signal processing system, signal processing device, and signal processing method

Номер патента: US20200162653A1. Автор: Kenji Tanaka,Tetsuro Kuwayama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Integrated circuit device, signal processing system, electronic device and method for configuring a signal processing operating mode

Номер патента: US09462556B2. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Parallel signal processing circuit, semiconductor device having the circuit, and signal processing system having the circuit

Номер патента: US5951632A. Автор: Tetsunobu Kochi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20190207426A1. Автор: Koji Morita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Signal processing device and signal processing method that decode encoded information

Номер патента: US20090319873A1. Автор: Yutaka Kashihara,Kazuaki Doi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20020047166A1. Автор: Kiroyuki Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device and test method

Номер патента: US20240329123A1. Автор: Hirokazu Miyazaki. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Circuit arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09496859B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-15.

Low pass filter and semiconductor device

Номер патента: US20240258996A1. Автор: Hideyuki SAWAI,Tadashi Kurozo. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and parameter setting method thereof

Номер патента: US20120331211A1. Автор: Naoto Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US7859915B2. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Signal processing device and signal processing method

Номер патента: US20090238315A1. Автор: Jiunn-Tsair Chen,Yun-Shen Chang. Владелец: RALINK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12101938B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Digital unit, signal processing system, and signal processing method

Номер патента: US09571184B2. Автор: Ki-Ho Lee,Yong-Gyoo LEE,Yung-Ha JI. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Device and method for generation of output signals based on audio source signal, audio reproductive system and loudspeaker signal

Номер патента: RU2686026C2. Автор: Бернхард НОЙГЕБАУЭР,Кристиан БОРСС,Андреас ЗИЛЬЦЛЕ,Эмануэль ХАБЕТС,Зебастьян ШЛЕХТ,Ханне ШТЕНЦЕЛЬ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2019-04-23.

Device and method for the audio signal envelope encoding, processing and decoding by the aggregate amount representation simulation using the distribution quantization and encoding

Номер патента: RU2662921C2. Автор: Саша ДИШ,Маркус МУЛЬТРУС,Константин ШМИДТ,Беньямин ШУБЕРТ,Том БЯКСТРЕМ,Гжегош ПЕТШИК. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2018-07-31.

Device and method for extracting physiological information

Номер патента: RU2651070C2. Автор: ХАН Герард ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-04-18.

Image forming device and method of controlling said device

Номер патента: RU2430482C1. Автор: Кензоу ХИСА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-09-27.

Semiconductor device and system and method of crystal sharing

Номер патента: WO2007145653A2. Автор: Michael R. May,Marcus William May. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-12-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147705A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Yun Sang Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4012758A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Signal processing device and signal processing method

Номер патента: US8144823B2. Автор: Jiunn-Tsair Chen,Yun-Shen Chang. Владелец: Ralink Technology Corp Taiwan. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor drive device and semiconductor module

Номер патента: US20240195408A1. Автор: Tatsunori Sakano,Kento Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: US09806593B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Wireless power transmitting device and method for controlling to transmit wireless power signal in wireless power transmitting device

Номер патента: US09653950B2. Автор: Chun-Kil Jung. Владелец: Hanrim Postech Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Signal processing device and signal processing method

Номер патента: US09584908B2. Автор: Kohei Asada,Tetsunori Itabashi,Kazunobu Ookuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Signal processing system and signal processing method

Номер патента: US09497542B2. Автор: Koichiro Sato,Takayuki Inoue,Ryo Tanaka,Yoshifumi Oizumi. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Signal processing system and signal processing method cooperating with variable gain amplifier

Номер патента: US09444665B2. Автор: Chun-Chieh Wang,Tai-Lai Tung,Yu-Jen Chou. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2016-09-13.

Processing boc-modulated signals using bpsk-modulated signal processing components

Номер патента: WO2024196374A1. Автор: Jie Wu,Yi-Hsiu Wang,Jiajia Guo. Владелец: Zeku, Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

Device and method for forming plurality of parametric sound flows and device and method for forming plurality of acoustic system signals

Номер патента: RU2633134C2. Автор: Фабиан КЮХ,Ахим КУНТЦ,Вилле ПУЛККИ,ГАЛЬДО Джованни ДЕЛЬ,Арсхонтис ПОЛИТИС. Владелец: Технише Универзитет Ильменау. Дата публикации: 2017-10-11.

Semiconductor device and display device

Номер патента: RU2458460C2. Автор: Ясуси САСАКИ,Юхитирох МУРАКАМИ,Сиге ФУРУТА. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-08-10.

Signal processing device and signal processing method

Номер патента: US12035128B2. Автор: Masafumi Takahashi,Yuhki Mitsufuji,Keiichi Osako,Yukara IKEMIYA. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

System and method for generating a flat mask design for projecting a circuit pattern to a spherical semiconductor device

Номер патента: US20020056074A1. Автор: Zhiqiang Feng,Atsuyuki Fukano,Hideki Koide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Data Processing System Capable of Running Two Modes Independently and Exclusively

Номер патента: US20060248239A1. Автор: Wen-Chin Lee,Chih-Sheng Huang. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Device and method for controlling memory access in parallel processing system

Номер патента: US20220027290A1. Автор: Ji Wook Youn,Kyeong-Eun Han. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-01-27.

Image Processing System Creating A Field Sequential Color Using Delta Sigma Pulse Density Modulation For A Digital Display

Номер патента: US20230097456A1. Автор: Wilbur Arthur Reckwerdt, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-30.

Device and method for separating value documents, in particular banknotes, and value document processing system

Номер патента: US20240286854A1. Автор: Ralf Hobmeier,Richard Neuhauser,Bernhard Schneiderbauer. Владелец: Giesecke and Devrient Currency Technology GmbH. Дата публикации: 2024-08-29.

Manufacturing method for semiconductor device and resist application and development processing system

Номер патента: TWI408516B. Автор: Satoru Shimura,Fumiko Iwao,Tetsu Kawasaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-09-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150227378A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device, module including the same, and data processing system

Номер патента: KR101138027B1. Автор: 히로키 후지사와. Владелец: 엘피다 메모리 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-04-20.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: TWI656478B. Автор: 黒川義元. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-11.

DEVICE AND METHOD FOR SIGNAL PROCESSING, SIGNAL PROCESSING SYSTEM AND PROGRAM

Номер патента: RU2014103583A. Автор: Акира ИНОУЭ,Сюитиро НИСИГОРИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2015-08-10.

Medical observation system, medical signal processing device, and medical signal processing device driving method

Номер патента: US11883120B2. Автор: Kenji Takahashi,Masahito Yamane,Hisakazu Shiraki,Yasuaki Takahashi,Masaya Takemoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Device for detecting errors and malfunctions in signal processing digital device

Номер патента: RU2287780C2. Автор: Юрген ЗАУЛЕР,Оскар ТОРНО,Аксель ХАЙНШТАЙН,Карстен КЛУТ,Вернер ХЭМИНГ,Юрген ЗАУЛЕР (DE),Оскар ТОРНО (DE),Аксель ХАЙНШТАЙН (DE),Карстен КЛУТ (DE),Вернер ХЭМИНГ (DE). Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2006-11-20.

METHOD AND DEVICE FOR MODE SWITCHING AND SIGNAL COMPARISON IN A COMPUTER SYSTEM HAVING AT LEAST TWO PROCESSING UNITS

Номер патента: DE502005006442D1. Автор: Bernd Mueller,Rainer Gmehlich,Ralf Angerbauer,Eberhard Boehl,Yorck Collani. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2009-02-26.

A substrate supporting device, a substrate transfer mechanism, a polarizing film bonding device, and a liquid crystal display device manufacturing system having the same

Номер патента: TWI545681B. Автор: Rikiya Matsumoto. Владелец: Sumitomo Chemical Co. Дата публикации: 2016-08-11.

Health monitoring device and human electric signal processing method

Номер патента: TWI365062B. Автор: Kuang Chong Wu,Jia Yush Yen,Fan Che Yen,Chii Wan Lin,Ching En Tseng. Владелец: Univ Nat Taiwan. Дата публикации: 2012-06-01.

Method for operating storage device and method for operating data processing system having same

Номер патента: KR20180009217A. Автор: 조영진,이정호,김진우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-01-26.

Optical communication device and optical signal processing method

Номер патента: EP4119996A1. Автор: Tao Liu,Fei Gao,Zhaojiang GE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-18.

Display panel, manufacturing method, display device and touch signal processing method

Номер патента: US11868562B2. Автор: JIANJUN WU,Hongqiang LUO,Yichen Jiang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Display panel and manufacturing method therefor, display device, and method for processing touch signal

Номер патента: EP4095661A1. Автор: JIANJUN WU,Hongqiang LUO,Yichen Jiang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Display panel, manufacturing method, display device and touch signal processing method

Номер патента: US20220317802A1. Автор: JIANJUN WU,Hongqiang LUO,Yichen Jiang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Foldable detection device and image signal processing method for foldable detection device

Номер патента: US20230404498A1. Автор: Sung-Pao Cheng. Владелец: Innocare Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Non-contiguous sample fractionating and concatenating device and dual online multidimensional liquid chromatography system having the same

Номер патента: US11982652B2. Автор: Sang-Won Lee,Hangyeore Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-14.

Storage device and garbage collection method of data storage system having the storage device

Номер патента: US20160077964A1. Автор: JongWon Lee,Kangho Roh,Wooseok CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-17.

DATA STORAGE DEVICE AND OPERATION METHOD FOR RECOVERY, AND STORAGE SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20190361608A1. Автор: Kim Byung Jun. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Decoding device and method, audio signal processing device and method, and program

Номер патента: JPWO2013154027A1. Автор: 祐児 前田,淳 松本,康裕 戸栗,松本　淳,戸栗　康裕,前田　祐児. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Device and method for signal processing and recording medium

Номер патента: CN100456324C. Автор: 近藤哲二郎,泽尾贵志,石桥淳一,永野隆浩,藤原直树,三宅彻,和田成司. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-01-28.

Vswr meseurment and defect point estimation device and it's signal process

Номер патента: KR101006937B1. Автор: 이수진,문원규. Владелец: 에이스웨이브텍(주). Дата публикации: 2011-01-10.

Decoding device and method, audio signal processing device and method, and program

Номер патента: CN104205210A. Автор: 松本淳,前田祐儿,户栗康裕. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-12-10.

Oil level detecting device, and a compressor and an air conditioning system having the same

Номер патента: CN104533775A. Автор: 李丙哲,元仁昊,崔世宪. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-04-22.

Movable test device and test system for testing a control system having a redundancy structure

Номер патента: KR101832573B1. Автор: 이태규. Владелец: 주식회사 포스코아이씨티. Дата публикации: 2018-02-27.

Information processing system, management device, and method of controlling information processing system

Номер патента: US20190050042A1. Автор: Kazumi Kojima,Kouichi Tsukada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

INFORMATION PROCESSING SYSTEM, INFORMATION PROCESSING DEVICE, AND CONTROL METHOD OF INFORMATION PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20190012282A1. Автор: Yoshida Yuki,WAKUDA RINKO. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2019-01-10.

INFORMATION PROCESSING DEVICE AND METHOD, PROGRAM, AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20150051959A1. Автор: Suzuki Fumiaki,Yamashita Masanobu,Shikita Ko,Kobayashi Ko. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

INFORMATION PROCESSING SYSTEM, MANAGEMENT DEVICE, AND METHOD OF CONTROLLING INFORMATION PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20190050042A1. Автор: KOJIMA Kazumi,Tsukada Kouichi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2019-02-14.

FMCW RADAR DEVICE AND FMCW RADAR SIGNAL PROCESSING METHOD

Номер патента: US20160139257A1. Автор: YAMASHINA Noriyoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2016-05-19.

INPUT DEVICE AND INPUT METHOD, INFORMATION PROCESSING DEVICE AND INFORMATION PROCESSING METHOD, INFORMATION PROCESSING SYSTEM AND PROGRAM

Номер патента: US20160231831A1. Автор: Yamamoto Kazuyuki,Fukino Naoki,NIKURA Hideo. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2016-08-11.

INFORMATION PROCESSING SYSTEM, INFORMATION PROCESSING DEVICE, ACCLIMATIZATION INDICATOR DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING INFORMATION PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20170268796A1. Автор: Takahashi Eizo. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-21.

INFORMATION PROCESSING DEVICE AND METHOD, PROGRAM, AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20170316493A1. Автор: NUMATA TAKUYA. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

INFORMATION PROCESSING SYSTEM, MANAGEMENT DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING INFORMATION PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20180336046A1. Автор: Nakamura Takuji,Miyauchi Keiji,Ono Asumi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2018-11-22.

Radiation imaging device and radiation detection signal processing method

Номер патента: KR100961306B1. Автор: 쇼이치 오카무라. Владелец: 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼. Дата публикации: 2010-06-04.

For separating the device and method and valuable document processing system of valuable document especially banknote

Номер патента: CN109153519A. Автор: J.米勒. Владелец: Quartech Currency Technology LLC. Дата публикации: 2019-01-04.

Feed control method, device and system in kitchen waste processing system

Номер патента: CN102921705A. Автор: 陈兵,孙艳,白雪松,王馨,张能耀. Владелец: Zoomlion Heavy Industry Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Information processing device and method, program, and information processing system

Номер патента: US7739033B2. Автор: Makoto Murata,Ryu Aoyama,Tamaki Kojima,Brian Clarkson,Wenwu Zhao. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Device and method for signal processing of voltage signals of electrodes of a magnetically induction flowmeter

Номер патента: WO2009060003A1. Автор: Thomas Bier. Владелец: Endress+Hauser Flowtec Ag. Дата публикации: 2009-05-14.

Information processing device and method, program, and information processing system

Номер патента: WO2006001129A1. Автор: Makoto Murata,Ryu Aoyama,Tamaki Kojima,Brian Clarkson,Wenwu Zhao. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2006-01-05.

Method of operating data storage device and method of operating data processing system including same

Номер патента: US10168926B2. Автор: Sang Yoon Oh,Hyun Jin Choi,Myung Jin Jung,Hyun Sik Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-01.

Information processing device and method, program, and information processing system

Номер патента: WO2016076128A1. Автор: 拓也 沼田. Владелец: フェリカネットワークス株式会社. Дата публикации: 2016-05-19.

Information processing device and method, program, and information processing system

Номер патента: WO2018139258A1. Автор: 井手　直紀,泰史 田中,啓 福井,慎吾 高松. Владелец: ソニー株式会社. Дата публикации: 2018-08-02.

DEVICE AND METHOD WITHIN A DIGITAL PROCESSING SYSTEM FOR PRE-COLLECTION OF BOTH OPERATION CODES AND OPERANDS.

Номер патента: NL8001189A. Автор: . Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1980-10-28.

Radiation imaging device and radiation detection signal processing method

Номер патента: CN101166468B. Автор: 冈村升一. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2010-07-14.

Control device and control method of plasma processing system, and storage medium storing control program

Номер патента: US20100010658A1. Автор: Hiroaki Mochizuki,Kiyohito Iijima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-01-14.

Information processing system, recording device, information processing device, and method for controlling information processing system

Номер патента: WO2012053078A1. Автор: 佐野　嘉彦. Владелец: 富士通株式会社. Дата публикации: 2012-04-26.

Somatosensory device, game machine device and limb movement signal processing method

Номер патента: WO2020192396A1. Автор: 王洪涛,唐聪,裴子安,刘旭程. Владелец: 五邑大学. Дата публикации: 2020-10-01.

Health monitoring device and human electric signal processing method

Номер патента: TW201043195A. Автор: Jia-Yush YEN,Fan-Che Yen. Владелец: Univ Nat Taiwan. Дата публикации: 2010-12-16.

METHOD OF OPERATING STORAGE DEVICE AND METHOD OF OPERATING DATA PROCESSING SYSTEM INCLUDING THE DEVICE

Номер патента: US20180018095A1. Автор: Kim Jin Woo,Cho Young Jin,Lee Jeong Ho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-18.

METHOD OF OPERATING DATA STORAGE DEVICE AND METHOD OF OPERATING DATA PROCESSING SYSTEM INCLUDING SAME

Номер патента: US20170075600A1. Автор: Choi Hyun Jin,JUNG Myung Jin,YUN Hyun Sik,OH Sang Yoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

METHOD OF OPERATING DATA STORAGE DEVICE AND METHOD OF OPERATING DATA PROCESSING SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190213122A1. Автор: Yun Hyun-Sik,OH Sang Yoon,PARK Youn Won. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

FIELD SERVICE DEVICE AND METHOD FOR FACILITATING A PROCESSING SYSTEM REPLACEMENT IN A VIBRATORY FLOWMETER

Номер патента: US20140330439A1. Автор: Cunningham Timothy J.,Kapolnek David J.. Владелец: Micro Motion, Inc.. Дата публикации: 2014-11-06.

Fault monitoring device and control method for information processing system

Номер патента: JP2804125B2. Автор: 敏夫 廣澤,潤一 栗原,伊九夫 木村,秀企 難波. Владелец: Hitachi Electronics Services Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-24.

SAFETY DEVICE AND METHOD FOR A DATA PROCESSING SYSTEM

Номер патента: DE69637098D1. Автор: S Dale Ander,See Christopher Von. Владелец: Sterling Commerce Inc. Дата публикации: 2007-07-05.

Solution dispenser device and control method in sample processing system

Номер патента: WO2022145984A1. Автор: Jae Young Kim. Владелец: SEEGENE, INC.. Дата публикации: 2022-07-07.

Go white haze device and power plant stack gas processing system for power plant

Номер патента: CN206001498U. Автор: 李磊,李新,蔡旭,方杨,刘玉坤,邵哲如. Владелец: Everbright Environmental Protection China Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-08.

Field service device and method for facilitating a processing system replacement in a vibratory flowmeter

Номер патента: EP2802847A1. Автор: Timothy J. Cunningham,David J. Kapolnek. Владелец: Micro Motion Inc. Дата публикации: 2014-11-19.

Field service device and method for facilitating a processing system replacement in a vibratory flowmeter

Номер патента: KR101827459B1. Автор: 티모시 제이. 커닝햄,데이비드 제이. 카폴네크. Владелец: 마이크로 모우션, 인코포레이티드. Дата публикации: 2018-02-08.

Field service device and method for facilitating a processing system replacement in a vibratory flowmeter

Номер патента: CN104169694A. Автор: T.J.坎宁安,D.J.卡波尔内克. Владелец: Micro Motion Inc. Дата публикации: 2014-11-26.

SAFETY DEVICE AND METHOD FOR A DATA PROCESSING SYSTEM

Номер патента: DE69637098T2. Автор: S. Dale Dallas ANDER,Christopher Garland VON SEE. Владелец: Sterling Commerce Inc. Дата публикации: 2008-01-24.

Field service device and method for facilitating a processing system replacement in a vibratory flowmeter

Номер патента: CA2862188A1. Автор: Timothy J. Cunningham,David J. Kapolnek. Владелец: Micro Motion Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

SERVER DEVICE, PROGRAM FOR TERMINAL DEVICE, AND OPERATION METHOD OF INFORMATION PROCESSING SYSTEM

Номер патента: JP7211336B2. Автор: 直樹 山室,亮介 小林,卓也 前川,文菜 竹下,雄吾 櫻井. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-01-24.

Three-dimensional processing system having at least one layer with circuitry dedicated to scan testing and system state checkpointing of other system layers

Номер патента: US09696379B2. Автор: Alper Buyuktosunoglu,Philip G. Emma,Michael B. Healy,Allan M. Hartstein,Krishnan K. KAILAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US20230115776A1. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US12073900B2. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, semiconductor system and program

Номер патента: US11599631B2. Автор: Hiroshi Yagi,Kazuki ONDA,Masamitsu MURATANI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Semiconductor device, semiconductor system and program

Номер патента: US20200143048A1. Автор: Hiroshi Yagi,Kazuki ONDA,Masamitsu MURATANI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20180182441A1. Автор: Jae Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Device and method for post-processing of audio signal using forecast-based profiling

Номер патента: RU2732995C1. Автор: Юрген ХЕРРЕ,Саша ДИШ,Кристиан УЛЕ,Петер ПРОКАЙН,Оливер ХЕЛЛЬМУТ,Патрик ГАМПП,Антониос КАРАМПОУРНИОТИС,Юлия ХАФЕНШТАЙН,Даниэль РИХТЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2020-09-28.

Information processing system and image forming apparatus capable of accurately predicting lifetime of semiconductor device, and control method therefor

Номер патента: US20210382630A1. Автор: Yo Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Main semiconductor device for controlling air conditioner, and air conditioner of vehicle system having the same

Номер патента: US09994086B2. Автор: Jin Kim,Yongwook Kwon,Sukyoung Rho,Junekyu Park. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and data processing system selectively operating as one of a big endian or little endian system

Номер патента: US09754562B2. Автор: Yuri Azuma,Goro Sakamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and data processing system selectively operating as one of a big endian or little endian system

Номер патента: US09501964B2. Автор: Yuri Azuma,Goro Sakamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Processing device and method of processing input audio signal using cascaded filter bank

Номер патента: RU2586846C2. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС,Фредерик НАГЕЛ,Саша ДИШ,Пер ЭКСТРАНД,Стефан ВИЛДЕ. Владелец: Долби Интернейшнл АБ. Дата публикации: 2016-06-10.

Device and method for audio signal processing using combination in overlapping range

Номер патента: RU2643662C2. Автор: Ральф ГАЙГЕР,Саша ДИШ,Фредерик НАГЕЛЬ,Кристиан НОЙКАМ,Бернд ЭДЛЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2018-02-02.

Device and method for processing sound signal using error signal due to spectrum aliasing

Номер патента: RU2641253C2. Автор: Ральф ГАЙГЕР,Саша ДИШ,Фредерик НАГЕЛЬ,Кристиан НОЙКАМ,Бернд ЭДЛЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2018-01-16.

Device and method for audio signal processing to obtain a processed audio signal using a target envelope in a temporal area

Номер патента: RU2679254C1. Автор: Саша ДИШ,Кристиан ДИТТМАР,Майнард МЮЛЛЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2019-02-06.

Audio signal processing device and method

Номер патента: RU2523173C2. Автор: Макс НУЕНДОРФ,Саша ДИШ,Кристиан ХЕЛЬМРИХ,Фредерик НАГЕЛЬ,Доминик ЗОРН. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2014-07-20.

Device and method for audio coding and decoding exploiting sinusoidal shift

Номер патента: RU2562383C2. Автор: Ральф ГАЙГЕР,Мартин ДИТЦ,Саша ДИШ,Беньямин ШУБЕРТ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of testing semiconductor devices and system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20180188311A1. Автор: Oh Song Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and data processing system

Номер патента: US6603680B2. Автор: Yoshinori Takase,Michitaro Kanamitsu. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-05.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4443123A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Device and method of processing phonocardiogram signals

Номер патента: RU2580985C2. Автор: Прашант КУМАР,Кумара САНДЖАЯ,Соури Раджан ВЕНКАТЕСАН,Йогиша МАЛЛЬЯ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2016-04-10.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20080122521A1. Автор: Ji-Hyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Information processing system including semiconductor device having self-refresh mode

Номер патента: US20140289461A1. Автор: Hiroki Fujisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device

Номер патента: US8035442B2. Автор: Ji-Hyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-11.

Radiation evaluation for semiconductor device

Номер патента: US20240337689A1. Автор: Nam Ho Kim,Young Boo Kim,Hyeok Jae Lee,Sung Soo Chung,Ki Seog Kim,Seung Han Shin,Joong Sik KIH,Muhammad Saqib KHAN,Jie Seok KIM. Владелец: QRT Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device, display device, and signal loading method

Номер патента: US09536487B2. Автор: Takahiro Imayoshi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor system performing status read for semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09535607B2. Автор: Se Chun Park,Ho Jung YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Voltage fluctuation estimating method and apparatus, semiconductor device operation verification apparatus, semiconductor device designing method, printed circuit board designing method, and program

Номер патента: US20100023909A1. Автор: Yasuo Kouzaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Optimizing routing of a signal path in a semiconductor device

Номер патента: US20180165239A1. Автор: Lukas Daellenbach. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20160284309A1. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-29.

Managing data reliability in semiconductor devices

Номер патента: US12067267B2. Автор: Shih-Chou Juan,Wei-Yan Jang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160254033A1. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Transportation method for a semiconductor device and transportation route selection method for a semiconductor device

Номер патента: US20010053617A1. Автор: Hiroo Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Signal processing device, signal processing method, recording medium, and signal processing system

Номер патента: US20240264678A1. Автор: Hiroshi Takeuchi,Koji Nagata,Hiroshi Imamura,Toru Nagara,Takashi Takamatsu,Seishi Tomonaga. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Signal processing method, program, and signal processing system

Номер патента: US12085628B2. Автор: Yoshiyuki Saito,Hideaki Fujiura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of inspecting semiconductor device, semiconductor device, and probe card

Номер патента: US12078659B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Cost effective semiconductor devices and semiconductor systems with reduced test time

Номер патента: US09911505B2. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and system for testing a semiconductor device against electrostatic discharge

Номер патента: US09897644B2. Автор: Philippe Debosque,Patrice Besse,Alain SALLES,Stephane Compaing. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Circuit and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US09863999B2. Автор: Masanori Miyata,Takafumi Arakawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09817425B2. Автор: Jong Joo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09805824B2. Автор: Dong Keum Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09659611B1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09653145B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor systems and semiconductor devices

Номер патента: US09640232B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613677B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613666B1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and device for a semiconductor device

Номер патента: US09576684B1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek,Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Examination device and examination method

Номер патента: US09500695B2. Автор: Yohei Iwahashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09478260B2. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and mobile terminal device

Номер патента: US09471530B2. Автор: Satoshi Sasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Testing semiconductor devices

Номер патента: US09470719B2. Автор: Scott E. Meninger,Jonathan K. Brown,Rohan Arora. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Heating and cooling unit with semiconductor device and heat pipe

Номер патента: US09416995B2. Автор: Ping Wu,Francis Thomas Brija. Владелец: Spring (U S A) Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and semiconductor system for performing an initialization operation

Номер патента: US09412434B1. Автор: Haeng Seon CHAE,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190284044A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20240230751A9. Автор: Yoshiaki Tanaka,Kouji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US20090212811A1. Автор: Masao Iruka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Device for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230212749A1. Автор: Jung Min Park,Su Hwan Kim,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

SIGNAL PROCESSING SYSTEM AND SIGNAL PROCESSING METHOD

Номер патента: US20120002827A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, substrate processing system, and program

Номер патента: JP6308584B2. Автор: 和宏 原田,芦原　洋司,洋司 芦原,晃人 平野,平野　晃人. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-04-11.

MOTION DETECTION DEVICE AND METHOD, VIDEO SIGNAL PROCESSING DEVICE AND METHOD AND VIDEO DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120207218A1. Автор: Ono Yoshiki,ASAMURA Masako. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

Digital television receiving device and digital television signal processing and receiving method

Номер патента: TWI387336B. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Tw Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

INFORMATION PROCESSING DEVICE AND METHOD, PROGRAM AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20120254036A1. Автор: Ito Yoshinobu. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-04.

Radar device and its radar signal processing method

Номер патента: JP6889098B2. Автор: 晋一 竹谷,知彦 白坂,真志 辻. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-18.

Device and method for signal processing of absolute value encoder

Номер патента: CN104852743A. Автор: 郑伟,黄联武. Владелец: Shenzhen Hpmont Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-19.

Abnormal image detection device, image processing system provided with abnormal image detection device, and vehicle equipped with image processing system

Номер патента: JP6657034B2. Автор: 貴志 赤坂. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-04.

Image sensor, image pickup device, and image pickup signal processing method

Номер патента: JP6800618B2. Автор: 敏和 柳井. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Electronic device, information processing device, control method for electronic device, control method for information processing device, and control method for information processing system

Номер патента: JP3780041B2. Автор: 茂樹 岡内,太郎 村上,仁志 鍋谷. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-05-31.

Continuous business form processing device, and continuous business form printing processing system

Номер патента: JP2012111637A. Автор: Takayuki Kawana,貴之 川名. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2012-06-14.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HEAT PIPE TYPE COOLING DEVICE AND RAILCAR CONTROL EQUIPMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120002373A1. Автор: KITAJIMA Hironori,SAKAYORI Hitoshi,SHIRAISHI Yuuzou. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120001222A1. Автор: CHOI Kwang Ki,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O.,KIM Chung Song. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CARRIER COMPRISING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR LUMINOUS DEVICE AND CARRIER SYSTEM

Номер патента: US20120002409A1. Автор: . Владелец: OSRAM AG. Дата публикации: 2012-01-05.

GRAPHENE PROCESSING FOR DEVICE AND SENSOR APPLICATIONS

Номер патента: US20120003438A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

DISK-SHAPED RECORDING MEDIUM, OPTICAL SPOT POSITION CONTROL DEVICE, AND OPTICAL SPOT POSITION CONTROL METHOD

Номер патента: US20120002519A1. Автор: Horigome Junichi. Владелец: Sony Optiarc Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM, TRANSMISSION DEVICE, AND RECEIVING DEVICE

Номер патента: US20120002661A1. Автор: Kubo Hiroshi,Nishimoto Hiroshi,Yamaoka Tomoya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION BETWEEN A HOST DEVICE AND AN ACCESSORY VIA AN INTERMEDIATE DEVICE

Номер патента: US20120003934A1. Автор: Lydon Gregory T.,Tikalsky Terry,Ananny John,Laefer Jay S.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION BETWEEN A HOST DEVICE AND AN ACCESSORY VIA AN INTERMEDIATE DEVICE

Номер патента: US20120003935A1. Автор: Lydon Gregory T.,Tikalsky Terry,Ananny John,Laefer Jay S.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTERLEAVED MEMORY PROGRAM AND VERIFY METHOD, DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120002474A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL AND PHOTOSENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, ANTIREFLECTION FILM, INSULATING FILM, OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003437A1. Автор: Kodama Kunihiko,WADA Kenji,OHTA Masaki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Grating production method, diffraction grating device, and radiation imaging apparatus

Номер патента: US20120002785A1. Автор: KANEKO Yasuhisa. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING POWER CONSUMPTION USED IN COMMUNICATION SYSTEM HAVING TIME SLOTS

Номер патента: US20120002561A1. Автор: Su Wei-Kun,Huang Po-Chun,Chen Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND TERMINAL SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20120004000A1. Автор: CHOI Byungsung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor device assembling method

Номер патента: RU2171520C2. Автор: В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-07-27.

Device for encapsulating semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: RU2066898C1. Автор: Ю.П. Смирнов,А.Д. Сидоренко,В.Ф. Дибров,В.И. Самохвалов. Владелец: Сидоренко Александр Дмитриевич. Дата публикации: 1996-09-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.