Low-glitch switch control for mode switching of memory cells .

Low-glitch switch control for mode switching of memory cells

Номер патента: US11348621B2
Опубликовано: 31-05-2022
Автор(ы): Kshitij YADAV, Vijayakumar Dhanasekaran, Yan Wang
Принадлежит: Qualcomm Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Performing read operations on grouped memory cells

Номер патента: US20220392500A1. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20240312530A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of programming memory device and method of reading data of memory device including the same

Номер патента: US09589661B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Programming schemes for multi-level analog memory cells

Номер патента: US09449705B2. Автор: Ofir Shalvi,Naftali Sommer,Dotan Sokolov,Yoav Kasorla. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US12045132B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Calculating soft metrics depending on threshold voltages of memory cells in multiple neighbor word lines

Номер патента: US11874736B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Classification of error rate of data retrieved from memory cells

Номер патента: US12009034B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Programming schemes for multi-level analog memory cells

Номер патента: US8681549B2. Автор: Ofir Shalvi,Naftali Sommer,Dotan Sokolov,Yoav Kasoria. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-03-25.

Cryptographic processing device having a non-volatile memory including memory cells in an initial or a variable state

Номер патента: US09921975B2. Автор: Takuji Maeda,Shinji Inoue,Yoshikazu Katoh,Masato Suto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Authentication system having a non-volatile memory including memory cells in initial or variable states and a host computer for performing authentication therebetween

Номер патента: US09898598B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of exchanging data with memory cells or other devices and their addressing

Номер патента: RU2625023C2. Автор: . Владелец: Косухин Вячеслав Алексеевич. Дата публикации: 2017-07-11.

Image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: US20240305759A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory cell with de-initialization circuitry

Номер патента: US09608827B1. Автор: Stephen M. Trimberger. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Layouts for pads and conductive lines of memory devices, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11742306B2. Автор: Takashi Ishihara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Stable memory cell identification for hardware security

Номер патента: US20220199151A1. Автор: CHEN ZHOU,Hyung-il Kim,Keshab K. Parhi,Muqing Liu. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20190354653A1. Автор: Yu-Der Chih,Chi-Hsiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Stable memory cell identification for hardware security

Номер патента: US11769548B2. Автор: CHEN ZHOU,Hyung-il Kim,Keshab K. Parhi,Muqing Liu. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230394214A1. Автор: Yu-Der Chih,Chi-Hsiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of forming a memory cell array circuit

Номер патента: US11922108B2. Автор: Yu-Der Chih,Chi-Hsiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor memory device including strings including memory cell transistors

Номер патента: US20170199705A1. Автор: Hiroshi Sukegawa,Tokumasa Hara,Shirou Fujita,Ikuo Magaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor memory device including strings including memory cell transistors

Номер патента: US9431112B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Tokumasa Hara,Shirou Fujita,Ikuo Magaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20210082498A1. Автор: Dong-Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20190325951A1. Автор: Dong-Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US10861535B2. Автор: Dong-Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-08.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

System And Method For Generating Random Numbers Based On Non-volatile Memory Cell Array Entropy

Номер патента: US20180286486A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

System and method for generating random numbers based on non-volatile memory cell array entropy

Номер патента: WO2018182922A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2018-10-04.

System and method for generating random numbers based on non-volatile memory cell array entropy

Номер патента: EP3602084A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Input and output blocks for an array of memory cells

Номер патента: US20240098991A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Hien Pham,Toan Le,Stephen Trinh,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Programmable logic device with partially configurable memory cells and a method for configuration

Номер патента: US5781756A. Автор: Lawrence C. Hung. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Digital signal processing apparatus with a delay memory having a plurality of memory cells and process for using same

Номер патента: US8885777B1. Автор: Dan M. Griffin,David J. Moore,Teren G. JAMESON. Владелец: L3 Communications Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Memory device, memory module including the memory device, and operating method of memory controller

Номер патента: US12141478B2. Автор: Dohan Kim,Hoyoung Lee,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Taekyeong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

LOW-GLITCH SWITCH CONTROL FOR MODE SWITCHING OF MEMORY CELLS

Номер патента: US20220059138A1. Автор: Wang Yan,Dhanasekaran Vijayakumar,YADAV Kshitij. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Apparatus for managing data storage among groups of memory cells of multiple reliability ranks

Номер патента: US20210109667A1. Автор: Carla L. Christensen,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

System for differentiated thermal throttling of memory and method of operating same

Номер патента: US20240185895A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Philex Ming-Yan Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Storage device for determining memory cell type after data input during program operation and operating method thereof

Номер патента: US20240274201A1. Автор: Dong Sop LEE,Ie Ryung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of differentiated thermal throttling of memory and system therefor

Номер патента: US11901035B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Philex Ming-Yan Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Pseudo-non-volatile memory cells

Номер патента: US20190279704A1. Автор: Christopher J. KAWAMURA,Scott J. Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Josephson memory cells having improved ndro sensing

Номер патента: CA1101546A. Автор: Walter H. Henkels. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-05-19.

Methods for mitigating power loss events during operation of memory devices and memory devices employing the same

Номер патента: US20190272872A1. Автор: Violante Moschiano,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Methods for mitigating power loss events during operation of memory devices and memory devices employing the same

Номер патента: US11437093B2. Автор: Violante Moschiano,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Driving-mode switch control system, driving-mode switch control program product, and driving-mode switch control method

Номер патента: US11422552B2. Автор: Ichiro Yoshida,Soshi HORII. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Memory circuit, layout of memory circuit, and method of forming layout

Номер патента: US09887186B2. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Operation mode switching control method, electronic device, and readable storage medium

Номер патента: US20240236485A9. Автор: Guoqiao CHEN,Ling Ye. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Controller for a solid-state drive, and related solid-state drive

Номер патента: US20170004059A1. Автор: Margherita Maffeis. Владелец: Nandext Srl. Дата публикации: 2017-01-05.

Controller for a solid-state drive, and related solid-state drive

Номер патента: US09715430B2. Автор: Margherita Maffeis. Владелец: Nandext Srl. Дата публикации: 2017-07-25.

Nonvolatile memory devices including controller for operating nonvolatile memory cell array layer in memory chip in one of memory mode and storage mode

Номер патента: US09799399B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory controller, memory system including the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US20240272808A1. Автор: Younsoo Cheon,Haedong No,Youjin JEON,Minjin JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Controller for a solid-state drive, and related solid-state drive

Номер патента: US09715908B2. Автор: Margherita Maffeis. Владелец: Nandext Srl. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of improving error checking and correction performance of memory

Номер патента: US9779838B2. Автор: Joon-Sung Yang,Hyunseung HAN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of improving error checking and correction performance of memory

Номер патента: US20160062860A1. Автор: Joon-Sung Yang,Hyunseung HAN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-03-03.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US12094552B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and an operating method of the same

Номер патента: US12117901B2. Автор: Yesin RYU,Jaeyoun Youn,Sunggi AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US20240312534A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Configuring and reconfiguring blocks of memory cells to store user data and ECC data

Номер патента: US09594676B2. Автор: Michele Incarnati,William H. Radke,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Matrix-vector multiplications based on charge-summing memory cell strings

Номер патента: EP4390926A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20160104527A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20140208054A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Track charge loss based on signal and noise characteristics of memory cells collected in calibration operations

Номер патента: US12073899B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: EP4416730A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Strategic memory cell reliability management

Номер патента: US12112057B2. Автор: Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20240354027A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

One-ladder read of memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US20240304250A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US09875792B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatus and methods for managing data storage among groups of memory cells of multiple reliability ranks

Номер патента: US20200167087A1. Автор: Carla L. Christensen,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20180233182A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

Remapping Memory Cells Based on Future Endurance Measurements

Номер патента: US20140115296A1. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2014-04-24.

Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations

Номер патента: US11501839B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Post-program conditioning of stacked memory cells prior to an initial read operation

Номер патента: US09940232B1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Selective reading of memory with improved accuracy

Номер патента: US09715419B2. Автор: Wayne Kinney,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Remapping memory cells based on future endurance measurements

Номер патента: US09442838B2. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Matrix-Vector Multiplications Based on Charge-Summing Memory Cell Strings

Номер патента: US20240212763A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory cell array latchup prevention

Номер патента: US20140211547A1. Автор: Helmut Puchner,Nayan Patel,Shahin Sharifzadeh,Ravindra M Kapre. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US20240296896A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of equalizing bit error rates of memory device

Номер патента: US12105585B2. Автор: Young-Sik Kim,Moo-Sung Kim,Jeong-Ho Lee,Yong-Jun Lee,Eun-Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory cell array latchup prevention

Номер патента: US09842629B2. Автор: Helmut Puchner,Nayan Patel,Shahin Sharifzadeh,Ravindra M Kapre. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09741441B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Programming memory cells dependent upon distortion estimation

Номер патента: US09502120B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Micha Anholt,Yoav Kasorla. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Reducing disturbances in memory cells

Номер патента: US09471486B2. Автор: Menahem Lasser. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09449695B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Reading of soft bits and hard bits from memory cells

Номер патента: US12046296B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US20140317338A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Storage device and method for modifying memory cells of a storage device

Номер патента: US12079507B2. Автор: Steffen Sonnekalb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Advanced programming verification schemes for memory cells

Номер патента: US20150193293A1. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Barak Rotbard,Shai Ojalvo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

Media management operations based on health characteristics of memory cells

Номер патента: US12131790B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore K. Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US09576629B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Advanced programming verification schemes for memory cells

Номер патента: US09417948B2. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Barak Rotbard,Shai Ojalvo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Controller for controlling semiconductor memory device and method of operating the controller

Номер патента: US12046295B2. Автор: Sang Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US20180196756A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US10025724B1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20240379150A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Controller for a solid-state drive, and related solid-state drive

Номер патента: US20170004039A1. Автор: Margherita Maffeis. Владелец: Nandext Srl. Дата публикации: 2017-01-05.

Apparatus and method for handling error in volatile memory of memory system

Номер патента: US20200226039A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory, operation method of memory, and operation method of memory system

Номер патента: US20240248614A1. Автор: Munseon JANG,Hoiju CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Layout pattern of memory cell circuit

Номер патента: US6043521A. Автор: Koji Nii,Koji Shibutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Method of performing internal processing operations with pre-defined protocol interface of memory device

Номер патента: US12087388B2. Автор: Hak-soo Yu,Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Computing-in-Memory Chip and Memory Cell Array Structure

Номер патента: US20210151106A1. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Beijing Zhicun Witin Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory devices and systems including multi-speed access of memory modules

Номер патента: US09836416B2. Автор: Dinesh Maheshwari. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Data storage having recovery function for threshold voltage distribution change of memory cells due to applying surface mounting technology and operating method

Номер патента: US09671969B2. Автор: Jae-sang YUN,In Bo Shim,Young Joon Jang,Doo-jin Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Performing data operations on grouped memory cells

Номер патента: US20240094942A1. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: WO2021138016A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-08.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20200176054A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Performing data operations on grouped memory cells

Номер патента: US11861208B2. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Track Charge Loss based on Signal and Noise Characteristics of Memory Cells Collected in Calibration Operations

Номер патента: US20220044751A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor memory device and controller for reading data with improved speed, and method of operating the semiconductor memory device and the controller

Номер патента: US20230386561A1. Автор: Sung Ho Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-dimensional structure of memories for in-memory computing

Номер патента: US20230245698A1. Автор: Sylvain Barraud,Théophile Dubreuil,Paul Amari. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-08-03.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20200194046A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Chih-Cheng Hsiao. Дата публикации: 2020-06-18.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US11989228B2. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Shanky K. Jain,William A. Melton,Richard K Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Method, electronic device and controller for recovering array of memory cells

Номер патента: US20150143171A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Chao-Hsin Lin,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: EP4085462A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Appratus and method for changing a read voltage applied for reading data from a non-volatile memory cell

Номер патента: US20240355405A1. Автор: Nam Kyeong Kim,Jae yong Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

High-speed programming of memory devices

Номер патента: US7900102B2. Автор: Ofir Shalvi,Dotan Sokolov. Владелец: ANOBIT TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2011-03-01.

Method and apparatus for storing data in a flash memory including single level memory cells and multi level memory cells

Номер патента: US8495320B1. Автор: Lau Nguyen,Joseph Sheredy. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2013-07-23.

Memory system incorporating a memory cell and timing means on a single semiconductor substrate

Номер патента: GB1445010A. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1976-08-04.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and an operating method of the same

Номер патента: US20240095122A1. Автор: Yesin RYU,Jaeyoun Youn,Sunggi AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US11901004B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Differential subthreshold read of memory cell pair in a memory device

Номер патента: US20230377646A1. Автор: Umberto Di Vincenzo,Michele Maria Venturini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Adaptively programming memory cells in different modes to optimize performance

Номер патента: WO2022212037A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: EP4312219A2. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: US20240038319A1. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Toggling known patterns for reading memory cells in a memory device

Номер патента: US20240012576A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Counter-based methods and systems for accessing memory cells

Номер патента: US11880571B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20180144791A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Adjustable memory cell reliability management

Номер патента: US20240013822A1. Автор: Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20230367504A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Adaptively Programming Memory Cells in Different Modes to Optimize Performance

Номер патента: US20230268005A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US20230326525A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Adaptively Programming Memory Cells in Different Modes to Optimize Performance

Номер патента: US20220319606A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for performing access management of memory device with aid of information arrangement, associated memory device and controller thereof, associated electronic device

Номер патента: US20200379898A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory device performing multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240177772A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

One-ladder read of memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US11990186B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Read Model of Memory Cells using Information Generated during Read Operations

Номер патента: US20220044756A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: EP4312219A3. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-10.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US11989443B2. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Operation method of memory system, memory system and electronic device

Номер патента: US20240176500A1. Автор: Jie Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods and systems for improving ecc operation of memories

Номер патента: WO2022185088A8. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods and systems for improving ecc operation of memories

Номер патента: US20240194284A1. Автор: Christophe Laurent,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US20240029814A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US11804280B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Apparatus and methods for programming data states of memory cells

Номер патента: US20240071507A1. Автор: Yoshihiko Kamata,Koichi Kawai,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of configuring memory cells in a solid state drive and controller therefor

Номер патента: US20170177258A1. Автор: Rahul Advani,Stephen Bates. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Selective reading of memory with improved accuracy

Номер патента: US11789796B2. Автор: Wayne Kinney,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Adaptive and/or iterative operations in executing a read command to retrieve data from memory cells

Номер патента: US20210271415A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US11984172B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240160732A1. Автор: Youngjae PARK,Insu Choi,Seungki HONG,Hyunbo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Self adapting iterative read calibration to retrieve data from memory cells

Номер патента: US11762599B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Adaptive and/or iterative operations in executing a read command to retrieve data from memory cells

Номер патента: US11775217B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Self Adapting Iterative Read Calibration to Retrieve Data from Memory Cells

Номер патента: US20210311668A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Compound Feature Generation in Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20210271422A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Memory controller for controlling resistive memory device and memory system including the same

Номер патента: US11501832B2. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Memory controller for controlling resistive memory device and memory system including the same

Номер патента: US20220108747A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Memory device, electronic device and operating method of memory device

Номер патента: US11989422B2. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory device, electronic device and operating method of memory device

Номер патента: US20230126954A1. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: EP4376006A1. Автор: Youngjae PARK,Insu Choi,Seungki HONG,Hyunbo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Self adapting iterative read calibration to retrieve data from memory cells

Номер патента: US20210271416A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Nonvolatile memory device, controller for controlling the same and read voltage adjustment method

Номер патента: EP3996097A1. Автор: Jinyoung Kim,Ilhan Park,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-11.

Generating embedded data in memory cells in a memory sub-system

Номер патента: US20220139460A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Generating embedded data in memory cells in a memory sub-system

Номер патента: WO2022094423A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-05.

Memory devices with local and global devices at substantially the same level above stacked tiers of memory cells and methods

Номер патента: US20150279432A1. Автор: Mark A. Helm,Aaron S. Yip,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Current control circuit and discharge enable circuit for discharging bit lines of memory device and operation method thereof

Номер патента: US11915786B2. Автор: Liang Qiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Fast parity scan of memory arrays

Номер патента: US7565597B1. Автор: Kee W. Park,Kenneth Branth. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

Media management operations based on health characteristics of memory cells

Номер патента: US20220392558A1. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore K. Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20230317124A1. Автор: Tung Ying Lee,Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Ping-Chun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Enhanced data reliability in multi-level memory cells

Номер патента: US11960398B2. Автор: Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Current control circuit and discharge enable circuit for discharging bit lines of memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240153544A1. Автор: Liang Qiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of rewriting data of memory device, memory controller controlling the memory device, and controlling method of the memory controller

Номер патента: US20200202953A1. Автор: Eun Chu Oh,Young-geun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory device including memory cells and edge cells

Номер патента: US20240153550A1. Автор: Atuk KATOCH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Strapping Structure of Memory Circuit

Номер патента: US20190172825A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Techniques for reading memory cells in a memory device during a multi-pass programming operation

Номер патента: US12057169B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Zhenni Wan,Bo Lei,Nidhi AGRAWAL. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Strapping structure of memory circuit

Номер патента: US09911727B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20210020239A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20200294586A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20220208262A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20200035297A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Three-dimensional flash memory having structure with extended memory cell area

Номер патента: US20240312520A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and system for repairing faulty cells of memory device

Номер патента: US12112823B2. Автор: Ankit Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Deokgu Yoon,Keerthi Kiran Jagannathachar,Atishay Kumar,Damini. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US09953705B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of forming an integrated circuit chip having two types of memory cells

Номер патента: US09935001B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit chip having two types of memory cells

Номер патента: US09576644B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Operating methods of nonvolatile memory devices including a ground select transistor and first and second dummy memory cells

Номер патента: US09548123B2. Автор: Kihyun Kim,Byeong-In Choe,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Woonkyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

3d memory semiconductor devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240224545A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

3D memory semiconductor devices and structures with memory cells preliminary class

Номер патента: US12041792B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: EP3729437A2. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: WO2019126416A2. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory circuit comprising a plurality of 1T1R memory cells

Номер патента: US12033696B2. Автор: Laurent Grenouillet,Carlo Cagli,Olivier Billoint. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-09.

Shared line magnetic random access memory cells

Номер патента: EP2289102A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Kenneth Mackay,Virgile Javerliac. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Twin memory cell interconnection structure

Номер патента: US09941012B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Twin memory cell interconnection structure

Номер патента: US09627068B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of erasing memory cell

Номер патента: US20110158003A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory device including multiple decks of memory cells and pillars extending through the decks

Номер патента: US20220068956A1. Автор: Roger W. Lindsay,John Hopkins,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Shawn D. Lyonsmith,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Lisa M. Clampitt,Kevin Y. Titus,Martin Jared Barclay,Pavithra Natarajan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US20160071596A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20200083225A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US20240257880A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US20200342939A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: WO2024162973A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Louisa Schneider,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US12131786B2. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US09536613B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated circuit including an array of memory cells and method

Номер патента: US20100027325A1. Автор: Lothar Risch,Peter Baars,Thomas Happ,Stefan Tegen,Klaus Muemmler,Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-02-04.

Programming of memory cells using a memory string dependent program voltage

Номер патента: US12051467B2. Автор: Henry Chin,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory Cells and Arrays of Memory Cells

Номер патента: US20200286539A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Multiple decks of memory cells and pillars

Номер патента: WO2022047331A1. Автор: Roger W. Lindsay,John Hopkins,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Shawn D. Lyonsmith,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Lisa M. Clampitt,Kevin Y. Titus,Martin Jared Barclay,Pavithra Natarajan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140256100A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory cell, pixel structure and fabrication process of memory cell

Номер патента: US20070099376A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Hung-Tse Chen,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-05-03.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140252418A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Integration of memory cell and logic cell

Номер патента: US20240306361A1. Автор: Jui-Lin Chen,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4442090A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240355391A1. Автор: Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta,Matthew J. King,Pengyuan Zheng,Ravi Jadhav. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory with respective power voltages for plurality of memory cells

Номер патента: US09997235B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09978450B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09847131B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09715932B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Programming multibit memory cells

Номер патента: US09685233B2. Автор: Chih-Chang Hsieh,Kuo-Pin Chang,Ti-Wen Chen,Yung Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09679648B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory cells having a common gate terminal

Номер патента: US09520447B2. Автор: Farid Nemati,Rajesh N. Gupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US09343545B2. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Pre-position dummy word line to facilitate write erase capability of memory apparatus

Номер патента: US12046305B2. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Floating body memory cell system and method of manufacture

Номер патента: WO2007001942A3. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Roy E Scheuerlein. Дата публикации: 2007-04-05.

Capacitor integrated with memory element of memory cell

Номер патента: US20230422519A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Gregory A. Northrop,Joseph Versaggi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12082409B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

High-density EEPROM arrays having parallel-connected common-floating-gate NFET and PFET as memory cell

Номер патента: US09947677B1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240381638A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Magnetic memory cell structure with spin device elements and method of operating the same

Номер патента: US09552860B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Device with SRAM memory cells including means for polarizing wells of memory cell transistors

Номер патента: US09542996B2. Автор: Olivier Thomas,Bastien Giraud,Adam Makosiej. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-10.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US20050281118A1. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-22.

Uniform bitline strapping of a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1282915A2. Автор: Mark W. Randolph,Shane Charles Hollmer,Pau-Ling Chen,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-12.

Uniform bitline strapping of a non-volatile memory cell

Номер патента: WO2001088985A2. Автор: Mark W. Randolph,Shane Charles Hollmer,Pau-Ling Chen,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-11-22.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US7180820B2. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-20.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

Fabrication process of memory cell

Номер патента: US20080108195A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Hung-Tse Chen,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-05-08.

Magnetic memory cell with shape anisotropy

Номер патента: US20040240264A1. Автор: Joel Drewes,Theodore Zhu,Yong Lu,Anthony Arrott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240274198A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device, memory cell and method

Номер патента: US20240312492A1. Автор: Chia-Che Chung,Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chun-Tse CHOU,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chia-Chi HUNG,Pei-Yuan LI,Chien Hui Huang,Yung-Ning Tu,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Content addressable memory cells and memory arrays

Номер патента: US09711222B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor memory device with a three-dimensional stacked memory cell structure

Номер патента: US09576968B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory cell and an array of memory cells

Номер патента: US09472560B2. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Marco Domenico Tiburzi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Content addressable memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US09443590B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods and apparatuses having memory cells including a monolithic semiconductor channel

Номер патента: US09431410B2. Автор: Zhenyu Lu,Jie Sun,Fatma Arzum Simsek-Ege,Roger W. Lindsay,Hongbin Zhu,John Hopkins,Prasanna Srinivasan,Purnima Narayanan,Brian Cleereman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory device having tiers of memory cells and access line having multiple conductive regions

Номер патента: US20240274194A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memories having split-gate memory cells

Номер патента: US11955180B2. Автор: Tomoharu Tanaka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory cell and operating method of memory cell

Номер патента: US20220068384A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory cell heights

Номер патента: US20090109752A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20220173109A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Memory cell mis-shape mitigation

Номер патента: US20200365217A1. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

STACKED 1T-n MEMORY CELL STRUCTURE

Номер патента: EP1634333B1. Автор: Hasan Nejad,Mirmajid Seyyedy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Apparatuses and methods for forming multiple decks of memory cells

Номер патента: US09853046B2. Автор: Zhenyu Lu,Roger W. Lindsay,Akira Goda,John Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Sense amplifier circuitry and architecture to write data into and/or read data from memory cells

Номер патента: WO2006065698A8. Автор: William Kenneth Waller,Eric Carman. Владелец: Eric Carman. Дата публикации: 2006-08-17.

Non-volatile memory device including a memory cell in a variable state and a memory cell in an initial state

Номер патента: US10410719B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

Methods and apparatus for pattern matching having memory cell pairs coupled in series and coupled in parallel

Номер патента: US10622072B2. Автор: Vishal Sarin,Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-14.

Methods and apparatus for pattern matching in a memory containing sets of memory elements

Номер патента: US10984864B2. Автор: Vishal Sarin,Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Strapping Structure of Memory Circuit

Номер патента: US20180158812A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Strapping Structure of Memory Circuit

Номер патента: US20200111775A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Memory configured to generate a data value from a data line connected to more than one string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190341115A1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US11837294B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US11355202B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US10607707B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Memory device configured to generate read current based on size of memory cell and value of read current actually applied to memory cell

Номер патента: US20240062795A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Current delivery and spike mitigation in a memory cell array

Номер патента: US20190043923A1. Автор: Shafqat Ahmed,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A3. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Method and system for repairing faulty cells of memory device

Номер патента: US20230019575A1. Автор: Ankit Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Deokgu Yoon,Keerthi Kiran Jagannathachar,Atishay Kumar,Damini. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory cell arrangement

Номер патента: US20210091097A1. Автор: Menno Mennenga. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2021-03-25.

Memory cell capacitor structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397401A1. Автор: Yuan He,Sheyang NING,Song Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Techniques for reading memory cells in a memory device during a multi-pass programming operation

Номер патента: US20230377655A1. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Zhenni Wan,Bo Lei,Nidhi AGRAWAL. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device including memory cells and edge cells

Номер патента: US11900994B2. Автор: Atuk KATOCH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device including memory cells and edge cells

Номер патента: US20220319584A1. Автор: Atuk KATOCH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory device generating optimal write voltage based on size of memory cell and initial write voltage

Номер патента: US20220336000A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Automated determination and display of the physical location of a failed cell in an array of memory cells

Номер патента: EP1307912A2. Автор: Suntra Anuntapong,Surasit Phurikhup,Wannee Soiluck. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-05-07.

Automated determination and display of the physical location of a failed cell in an array of memory cells

Номер патента: WO2002003450A2. Автор: Suntra Anuntapong,Surasit Phurikhup,Wannee Soiluck. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-01-10.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US12009028B2. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20240185930A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20220262443A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20200227122A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory device including a plurality of stacked memory cells

Номер патента: US12080345B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Multi-layered memory cell structure

Номер патента: US7215563B2. Автор: Tyler L. Brandon,Duncan G. Elliott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-08.

Nonvolatile semiconductor storage device having a plurality of blocks of memory cell transistors formed on respective wells isolated from each other

Номер патента: US6091632A. Автор: Shinichi Sato,Masanori Yoshimi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Nonvolatile memory devices having vertically integrated nonvolatile memory cell sub-strings therein

Номер патента: US9000508B2. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Sunhil Shim,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-07.

Bipolar reading technique for a memory cell having an electrically floating body transistor

Номер патента: WO2006066890A1. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2006-06-29.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US20220319602A1. Автор: Hyeonjin Shin,Changseok Lee,Minhyun LEE,Taein KIM,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US11917826B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

One transistor and one ferroelectric capacitor memory cells in diagonal arrangements

Номер патента: US20200091162A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Integrated circuit having memory cell array including barriers, and method of manufacturing same

Номер патента: WO2009068548A1. Автор: Pierre Fazan. Владелец: Innovative Silicon ISi SA. Дата публикации: 2009-06-04.

Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell arrays

Номер патента: US20200251493A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US20170309332A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Reprogramming memory cells to tighten threshold voltage distributions and improve data retention

Номер патента: EP4049279A1. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-31.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US10332907B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US20240172442A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Reprogramming memory cells to tighten threshold voltage distributions and improve data retention

Номер патента: WO2021167638A1. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Shared bit lines for memory cells

Номер патента: US20210305262A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu,Ruey-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Control of memory devices possessing variable resistance characteristics

Номер патента: WO2006036622A1. Автор: Michael A. Vanbuskirk,Colin S. Bill,Tzu-Ning Fang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2006-04-06.

Memory device generating optimal write voltage based on size of memory cell and initial write voltage

Номер патента: US12009020B2. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Thyristor memory cell integrated circuit

Номер патента: WO2015013118A3. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Solar, Inc.. Дата публикации: 2015-11-05.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US20230048326A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: EP4385019A2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US11756630B2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Thyristor Memory Cell Integrated Circuit

Номер патента: US20150138881A1. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Solar Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Thyristor memory cell integrated circuit

Номер патента: EP3025349A2. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Solar Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Thyristor memory cell integrated circuit

Номер патента: WO2015013118A2. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Solar, Inc.. Дата публикации: 2015-01-29.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8411477B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Structure and method for healing tunnel dielectric of non-volatile memory cells

Номер патента: US8947940B2. Автор: Fuchen Mu,Yanzhuo Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-02-03.

Memory cell array

Номер патента: US5804854A. Автор: Sung Mun Jung,Jong Ho Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-08.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280595A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20230057464A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Integrated circuit having memory cell array including barriers, and method of manufacturing same

Номер патента: US20190279985A1. Автор: Pierre C. Fazan. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2019-09-12.

Two transistor memory cells with angled transistors

Номер патента: WO2023249616A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhiskek A. SHARMA. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280594A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Reducing capacitive loading of memory system based on switches

Номер патента: US11823769B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210375903A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11925016B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor memory device including non-volatile memory cell array having MOS structure in well region formed on semiconductor substrate

Номер патента: US20020057623A1. Автор: Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Non-contact measurement of memory cell threshold voltage

Номер патента: US20190189237A1. Автор: Zengtao T. Liu,Hongmei Wang,Amitava Majumdar,Shawn D. Lyonsmith,Ervin T. Hill,Rajesh Kamana,Marlon W. Hug. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: EP3621079A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

Two transistor memory cells with angled transistors

Номер патента: US20230410907A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Single crystal silicon cores for stacked memory cells

Номер патента: US20240130128A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11956950B2. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Reducing capacitive loading of memory system based on switches

Номер патента: US20230386538A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: WO2017184523A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-26.

NROM memory cell, memory array, related devices and methods

Номер патента: US7269071B2. Автор: Leonard Forbes,Kirk D. Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-09-11.

Nrom memory cell, memory array, related devices and methods

Номер патента: US20090072303A9. Автор: Leonard Forbes,Kirk Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022164602A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20210134333A1. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Integrated circuitry, memory circuitry comprising strings of memory cells, and method of forming integrated circuitry

Номер патента: WO2023080956A1. Автор: Rui Zhang,Nancy M. LOMELI,Shuangqiang Luo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-11.

Simulating memory cell sensing for testing sensing circuitry

Номер патента: US20230187014A1. Автор: Yan Li,Iris LU,Ohwon KWON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-15.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US11948637B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods including a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11895835B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377653A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Efficient utilization of memory die area

Номер патента: US20190267083A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Efficient utilization of memory die area

Номер патента: EP3583627A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-25.

Efficient utilization of memory die area

Номер патента: US20210183441A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Efficient utilization of memory die area

Номер патента: SG11201907437UA. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-27.

Memory cells and arrays of memory cells

Номер патента: US11810607B2. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20220157364A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230395149A1. Автор: Rita J. Klein,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,David Ross Economy,Everett A. McTeer,Jiewei Chen,Aaron P. Thurber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory cells having a common gate terminal

Номер патента: US20150311254A1. Автор: Farid Nemati,Rajesh N. Gupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Memory Cells and Arrays of Memory Cells

Номер патента: US20210183426A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343394A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377652A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor devices including resistive memory cells

Номер патента: US20170117042A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Sung-In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-27.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: US11955156B2. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory cells and arrays of memory cells

Номер патента: US10957374B2. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230386575A1. Автор: Adam W. Saxler,John D. Hopkins,Collin Howder,Haoyu Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory Cells, Memory Cell Arrays, Methods of Using and Methods of Making

Номер патента: US20240185917A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Vehicle driving mode switching control method and vehicle driving mode switching control device

Номер патента: US20240326876A1. Автор: Yoshikazu Sakai,Takashi SASAYAMA. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US09933972B2. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: EP2684133A2. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US20150074370A1. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-12.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US20180300079A1. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

USB device, communication system and working mode switching method thereof

Номер патента: US20150293861A1. Автор: Weiwei Ma. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

USB device communication system and working mode switching method to prevent USB device from adopting power interruption when reconfiguring firmware programs

Номер патента: US09645952B2. Автор: Weiwei Ma. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

DRIVING-MODE SWITCH CONTROL SYSTEM, DRIVING-MODE SWITCH CONTROL PROGRAM PRODUCT, AND DRIVING-MODE SWITCH CONTROL METHOD

Номер патента: US20200019163A1. Автор: Yoshida Ichiro,HORII Soshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Circuit and method for sensing memory cell having multiple threshold voltages

Номер патента: US6069830A. Автор: Seok-Ho Seo. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Apparatus and methods for programming data states of memory cells

Номер патента: US20240320144A1. Автор: Yoshihiko Kamata,Koichi Kawai,Akira Goda,Huai-Yuan Tseng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device for multiplication using memory cells having different bias levels based on bit significance

Номер патента: US20240303039A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device performing signed multiplication using sets of two memory cells

Номер патента: US20240303296A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device performing signed multiplication using sets of four memory cells

Номер патента: US20240303038A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory for performing counting operation, memory system, and operation method of memory

Номер патента: US12086423B1. Автор: Jeong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory for performing counting operation, memory system, and operation method of memory

Номер патента: US20240319889A1. Автор: Jeong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Enhanced data reliability in multi-level memory cells

Номер патента: US20240320153A1. Автор: Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Techniques to configure zonal architectures of memory systems

Номер патента: US20240281156A1. Автор: Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Read performance of memory devices

Номер патента: US12086467B2. Автор: Yi-Chun Liu,Ting-Yu Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: EP4399595A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Accessing multiple segments of memory systems

Номер патента: US20240370205A1. Автор: Martin Brox. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory system and method for wear-leveling by swapping memory cell groups

Номер патента: US10360157B2. Автор: Yong-Ju Kim,Dong-Gun KIM,Do-Sun HONG,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Memory storing meta data and operation method of memory

Номер патента: US20240272825A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Multiple pin configurations of memory devices

Номер патента: US12111777B2. Автор: Junichi Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Adaptive systems and methods for storing and retrieving data to and from memory cells

Номер патента: US20120278682A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Adaptive systems and methods for storing and retrieving data to and from memory cells

Номер патента: US20130117637A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-05-09.

Unified memory controller for heterogeneous memory on a multi-chip package

Номер патента: WO2015034580A1. Автор: Jung Pill Kim,Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Hyunsuk Shin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-12.

Unified memory controller for heterogeneous memory on a multi-chip package

Номер патента: EP3042295A1. Автор: Jung Pill Kim,Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-13.

Method for automatic switching of differential data reception mode for a driving test and driving training using a mobile station

Номер патента: RU2706730C1. Автор: Цзецзюнь ВАН,Хао ЧЖУАН,Чжицян ФАН,Хуачжун СЕ,Кандэ ЧЖАО. Владелец: Шанхай Хуацэ Навигейшн Текнолоджи Лтд. Дата публикации: 2019-11-20.

Network, method and memory cell array for region proposal

Номер патента: WO2022093118A1. Автор: Arindam Basu,Sumon Kumar BOSE. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-05.

Methods and devices for use with navigation radio station with possibility of mode switching

Номер патента: RU2478987C2. Автор: Цзе У,Уайатт Томас РАЙЛИ,Дуглас Нил РОВИТЧ,Доминик Джерард ФАРМЕР,Лалитапрасад В. ДАЙТА. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-04-10.

Graphics controller for high speed transmission of memory read commands

Номер патента: US20030052888A1. Автор: Barinder Rai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Photonic-interconnect systems for reading data from memory cells and writing data to memory integrated circuits

Номер патента: WO2008048596A2. Автор: Raymond Beausoleil. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2008-04-24.

Apparatus and methods for determining memory cell data states

Номер патента: US20230274786A1. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Apparatus for determining memory cell data states

Номер патента: US12112819B2. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Apparatus configured to program memory cells using an intermediate level for multiple data states

Номер патента: US20180211714A1. Автор: Christian Caillat,Akira Goda,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

System and method for extending lifetime of memory device

Номер патента: US20240249792A1. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Dawei Heh,Yung-Huei Lee,Wen Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Off-state word line voltage control for fixed plate voltage operation

Номер патента: US11749329B1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated Circuit Having a Memory Cell Arrangement and Method for Reading a Memory Cell State Using a Plurality of Partial Readings

Номер патента: US20090185425A1. Автор: Detlev Richter,Roberto Ravasio,Gert Koebernik,Girolamo Gallo,Mirko Reissmann,Ramirez Xavier Veredas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-07-23.

Partial local self-boosting of a memory cell channel

Номер патента: US20100238731A1. Автор: Takao Akaogi,Ya-Fen Lin,YouSeok Suh,Yi-Ching Wu,Colin Stewart Bill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Redundancy schemes for memory cell repair

Номер патента: US09911510B1. Автор: Young Suk Kim,Lalit Gupta,Fakhruddin Ali Bohra,Vivek Nautiyal,Pranay Prabhat,Jungtae Kwon,Shri Sagar Dwivedi,Satinderjit Singh. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09443566B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Programming non-volatile storage includng reducing impact from other memory cells

Номер патента: EP2561511A1. Автор: Ken Oowada,Yingda Dong,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-02-27.

Current references for memory cells

Номер патента: US20240203490A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Techniques for multi-level chalcogenide memory cell programming

Номер патента: US12033695B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Methods and systems to improve write response times of memory cells

Номер патента: US20100165756A1. Автор: Feroze A. Merchant,John Reginald Riley,Vinod Sannareddy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: WO2022212129A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-06.

Method and circuit for simultaneously programming memory cells

Номер патента: US20060245269A1. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor device enabling refreshing of redundant memory cell instead of defective memory cell

Номер патента: US20150049564A1. Автор: Yuki Hosoe. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-02-19.

Concurrent slow-fast memory cell programming

Номер патента: US20230307055A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Testing memory cells

Номер патента: US20190066813A1. Автор: Martin Perner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: US12080359B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor memory with NAND type memory cells having NOR gate operation delay means

Номер патента: US5768209A. Автор: Hirokazu Nagashima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Apparatus and methods for programming memory cells responsive to an indication of age of the memory cells

Номер патента: US11735253B2. Автор: Pin-Chou Chiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

ROM storing information by using pair of memory cells

Номер патента: US20070064465A1. Автор: Satoyuki Miyako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Data memory with redundant memory cells used for buffering a supply voltage

Номер патента: US6724667B2. Автор: Sabine Kling,Andreas Baenisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-20.

Programmable logic device memory cell circuit

Номер патента: EP1025564A1. Автор: Bruce B. Pedersen,David E. Jefferson. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-08-09.

Techniques for parallel memory cell access

Номер патента: US20240304244A1. Автор: Andrea Martinelli,Maurizio Rizzi,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Data storage device and method of programming memory cells

Номер патента: US09691486B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory with a voltage-adjustment circuit to adjust the operating voltage of memory cells for BTI effect screening

Номер патента: US09627041B1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Pre-compensation of memory threshold voltage

Номер патента: US09589659B1. Автор: Violante Moschiano,Michele Incarnati,Tommaso Vali,Mattia Cichocki,Andrea D'Alessandro,Federica Paolini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Sensing memory cells coupled to different access lines in different blocks of memory cells

Номер патента: US09373404B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Multi-program of memory cells without intervening erase operations

Номер патента: US20240221840A1. Автор: Ezra Edward Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240233833A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: WO2024145860A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-11.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20240233819A9. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Detecting over programmed memory cells after programming of adjacent memory cells

Номер патента: EP1652191A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Jeffrey W. Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-05-03.

System and method for reading memory cells

Номер патента: EP4070311A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Improved system for programming a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1568043A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Sameer S. Haddad,Zhizheng Liu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: EP1590810A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-02.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: WO2004070727A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-08-19.

High-speed programmable ROM, memory cell structure therefor, and method for writing data on/reading data from the programmable ROM

Номер патента: US20050122760A1. Автор: Young-Keun Lee,Yong-jae Choo,Young-sook Do,Joong-Eon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Integrated memory having a plurality of memory cell arrays and method for operating the integrated memory

Номер патента: US20020110043A1. Автор: Robert Feurle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Operation method of memory device, memory device, memory system, and electronic apparatus

Номер патента: US20240321364A1. Автор: An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Yali SONG,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory cell programming utilizing conditional enabling of memory cells

Номер патента: US09767909B1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

System and method for reducing programming voltage stress on memory cell devices

Номер патента: US09570192B1. Автор: Sei Seung Yoon,Anil Kota,Bjorn Grubelich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Determining soft data for combinations of memory cells

Номер патента: US09543000B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Mark A. Hawes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Method and apparatus for reducing erase time of memory by using partial pre-programming

Номер патента: US09502121B2. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chun-yi Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory cell dynamic grouping using write detection

Номер патента: US09472279B2. Автор: Farid Nemati,Yi-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile memory device maintaining a bitline precharge during program verification periods for multi-level memory cells and related programming method

Номер патента: US09418747B2. Автор: Dong-ku Kang,Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Writing a multibit resistance-switching memory cell including a dummy resistance, resistance switching elements and diodes

Номер патента: EP2415052A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Programming memory cells with concurrent storage of multi-level data as single-level data for power loss protection

Номер патента: US20220406398A1. Автор: Xiang Yang,Toru Miwa,Ken Oowada,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Programming nonvolatile memory cells through a series of predetermined threshold voltages

Номер патента: US20200202945A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

All level coarse/fine programming of memory cells

Номер патента: US20230317171A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US11763891B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Memory cell sensing architecture

Номер патента: US20240257855A1. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Sense amplifier for bidirectional sensing of memory cells of a non-volatile memory

Номер патента: US20210193230A1. Автор: Seungpil Lee,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US11735244B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory device, operation method of memory device, and page buffer included in memory device

Номер патента: US12073915B2. Автор: Yongsung CHO,Ji-Sang LEE,Min Hwi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Operations on memory cells

Номер патента: EP3718110A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-07.

Multi-Bit Resistance-Switching Memory Cell

Номер патента: US20120140546A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having parallel test function

Номер патента: US5394369A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

Operations on memory cells

Номер патента: US20210005263A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Mitigating reliability degradation of analog memory cells during long static and erased state retention

Номер патента: US9455040B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Moshe Neerman,Avraham Poza Meir,Yael Shur,Etai Zaltsman,Meir Dalal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor storing device for reading out or writing data from/in memory cells

Номер патента: US20030202416A1. Автор: Yoshinori Doi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Method and circuit for locating anomalous memory cells

Номер патента: US20050169089A1. Автор: Matteo Patelmo,Massimo Bassi,Stefano Scuratti,Rosario Portoghese. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-08-04.

Memory device performing signed multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240304252A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and circuit for locating anomalous memory cells

Номер патента: US7072239B2. Автор: Matteo Patelmo,Massimo Bassi,Stefano Scuratti,Rosario Portoghese. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-04.

Content addressable memory device, content addressable memory cell and method for single-bit multi-level data searching and comparing

Номер патента: US12094534B2. Автор: Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatuses and methods including memory cells, digit lines, and sense amplifiers

Номер патента: US20220036940A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US12106809B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Power reduction for a sensing operation of a memory cell

Номер патента: US09990977B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US09940998B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory cell having resistive and capacitive storage elements

Номер патента: US09911495B2. Автор: Brent E. BUCHANAN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-06.

Nonvolatile memory system that erases memory cells when changing their mode of operation

Номер патента: US09767912B2. Автор: Hyun-Wook Park,Kitae Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09754674B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Reprogramming single bit memory cells without intervening erasure

Номер патента: US09734912B2. Автор: Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Ping-Hsien Lin,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Program method of nonvolatile memory device for having dense threshold voltage distribution by controlling voltage of bit line according to threshold voltage of memory cell

Номер патента: US09627070B2. Автор: Cheul Hee Koo,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory operating method for increasing cell capacity based on resistance characteristic of memory and associated memory device

Номер патента: US09627054B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device and systems and methods for selecting memory cells in the memory device

Номер патента: US09595335B2. Автор: Tsung-Ching Wu,Philip S. Ng,Geeng-Chuan Chern,Steven Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Mitigation of data retention drift by programming neighboring memory cells

Номер патента: US09583199B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Avraham Poza Meir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Parallel programming of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09576647B2. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device having a different source line coupled to each of a plurality of layers of memory cell arrays

Номер патента: US09564227B2. Автор: Akira Goda,Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Resistive semiconductor memory capable of performing incremental step pulse programming (ISPP) based on digital code values of memory cells

Номер патента: US09548114B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-01-17.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09502125B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Mitigating reliability degradation of analog memory cells during long static and erased state retention

Номер патента: US09455040B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Moshe Neerman,Avraham Poza Meir,Yael Shur,Etai Zaltsman,Meir Dalal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Systems and methods for driving a control gate with a select gate signal in a split-gate nonvolatile memory cell

Номер патента: US09449703B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Reading a multi-bit value from a memory cell

Номер патента: US09449682B2. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US12014770B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Method and apparatus for built-in self-repair of memory storage arrays

Номер патента: EP1352396A2. Автор: Timothy J. Wood,Gerald D. Zuraski, Jr.,Raghuram S. Tupuri. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-10-15.

Apparatus and methods for determining data states of memory cells

Номер патента: US11776633B2. Автор: Violante Moschiano,Ugo Russo,William C. Filipiak,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and methods for determining data states of memory cells

Номер патента: US20200194084A1. Автор: Violante Moschiano,Ugo Russo,William C. Filipiak,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Erasing memory cells

Номер патента: US20190287623A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Apparatus, system and method to sense a logic state of a memory cell in a three-dimensional memory device

Номер патента: US12062410B2. Автор: Balaji Srinivasan,Ashraf B. Islam,Nicolas L. IRIZARRY,Yasir Mohsin Husain,Jaydip Bharatkumar Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US12062408B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods and apparatus utilizing expected coupling effect in the programming of memory cells

Номер патента: US20100259978A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Integrated circuits including first and second power supply nodes for writing and reading memory cells

Номер патента: US20240286401A1. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20060146620A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US7038969B2. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Memory device, method of generating log of command signals/address signals of memory device, and method of analyzing errors of memory device

Номер патента: US20160172060A1. Автор: Kwang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20050088874A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Systems and methods to reduce interference between memory cells

Номер патента: US20080205155A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Random Access Memory With A Plurality Of Symmetrical Memory Cells

Номер патента: US20070041240A1. Автор: Juergen Pille,Chad Adams,Torsten Mahuke,Oto Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Operation methods of memories, memories, and storage systems

Номер патента: US20240274204A1. Автор: Zhiliang Xia,Yifan Li,Tianyu Wang,Xueqing Huang,Junyao Zhu,Wenhui Pei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device which generates improved read current according to size of memory cell

Номер патента: US12094509B2. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US20240355364A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method and apparatus for storing data in a reference layer in magnetoresistive memory cells

Номер патента: US09990976B1. Автор: Jon Slaughter. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Soft post package repair of memory devices

Номер патента: US09922729B2. Автор: Jeffrey Wright,Alan J. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Technologies for clearing a page of memory

Номер патента: US09881659B2. Автор: Tomishima Shigeki,Kuljit S. Bains,Tomer Levy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Soft post package repair of memory devices

Номер патента: US09793008B2. Автор: Jeffrey Wright,Alan J. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of reading an electronic memory device including a plurality of memory cells of resistive random access memory type

Номер патента: US09786367B2. Автор: Carlo Cagli. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-10.

Erasing memory segments in a memory block of memory cells using select gate control line voltages

Номер патента: US09779829B2. Автор: Christian Caillat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Inferring threshold voltage distributions associated with memory cells via interpolation

Номер патента: US09779828B2. Автор: William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Boosting channels of memory cells to reduce program disturb

Номер патента: US09779817B2. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Mason A. Jones. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Reference and sensing with bit line stepping method of memory

Номер патента: US09685228B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Chia-Jung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Apparatus for adjusting supply level to improve write margin of a memory cell

Номер патента: US09666268B2. Автор: Yih Wang,Fatih Hamzaoglu,Muhammad M. Khellah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of operating memory device including multi-level memory cells

Номер патента: US09613664B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler,Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Repair of memory devices using volatile and non-volatile memory

Номер патента: US09570201B2. Автор: Donald M. Morgan,Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Soft post package repair of memory devices

Номер патента: US09558851B2. Автор: Jeffrey Wright,Alan J. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Threshold voltage grouping of memory cells in same threshold voltage range

Номер патента: US09536601B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device including main amplifers between memory cell arrays

Номер патента: US09443573B2. Автор: Hidekazu Egawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Soft post package repair of memory devices

Номер патента: US09343184B2. Автор: Jeffrey Wright,Alan J. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Memory cell with temperature modulated read voltage

Номер патента: US20220230680A1. Автор: Chao-I Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Methods and systems for improving read and write of memory cells

Номер патента: US12027230B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005533A1. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems and methods for memory cell accesses

Номер патента: US20220246209A1. Автор: Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Technology of memory repair after stacking of three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US20130064026A1. Автор: Ding-Ming Kwai,Yung-Fa Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-03-14.

Local self-boost using a plurality of cut-off cells on a single side of a string of memory cells

Номер патента: US20130235660A1. Автор: Koji Sakui,Yasushi Matsuyama,Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Systems and methods for memory cell accesses

Номер патента: US11948634B2. Автор: Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005532A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: WO2023278073A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for programming of memory cells, in particular of the flash type, and corresponding programming architecture

Номер патента: US7944751B2. Автор: Davide Torrisi,Alessandro Tumminia,Edoardo Nocita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-17.

Open block-based read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20220293187A1. Автор: Xiaojiang Guo,Youxin He,Jong Hoon Kang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor memory device with signal lines arranged across memory cell array thereof

Номер патента: US20050259466A1. Автор: Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-24.

Temperature exposure detection based on memory cell retention error rate

Номер патента: EP4137791A1. Автор: Anirban Roy,Guido Jozef Maria Dormans,Michiel Jos Van Duuren. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-02-22.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US8687419B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Far End Resistance Tracking Design with Near End Pre-Charge Control for Faster Recovery Time

Номер патента: US20140307502A1. Автор: Chung-Yi Wu,Yu-Hao Hsu,Chen-Lin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for recognizing and replacing defective memory cells in a memory

Номер патента: US20020196686A1. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for Programming of Memory Cells, in Particular of the Flash Type, and Corresponding Programming Architecture

Номер патента: US20100002521A1. Автор: Davide Torrisi,Alessandro Tumminia,Edoardo Nocita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-07.

Driver circuit for phase-change memory cells and method of driving phase-change memory cells

Номер патента: US20230021601A1. Автор: Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Agatino Massimo Maccarrone,Marco Ruta,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory cell read operation techniques

Номер патента: US12094533B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Francesco Mastroianni,Nevil N. Gajera,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Reducing Charge Loss In Data Memory Cell Adjacent To Dummy Memory Cell

Номер патента: US20180308556A1. Автор: Yingda Dong,Nan Lu,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-10-25.

Dynamic adjustment of memory cell digit line capacitance

Номер патента: US09934839B2. Автор: Charles Ingalls,Scott Derner,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods and apparatus to read memory cells based on clock pulse counts

Номер патента: US09928914B2. Автор: Feng Pan,Ramin Ghodsi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Classifying memory cells to multiple impairment profiles based on readout bit-flip counts

Номер патента: US09847141B1. Автор: Eyal Gurgi,Barak Sagiv,Einav Yogev,Eli Yazovitsky,Roi Solomon. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory device, operation method of the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US09842644B1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Dynamic adjustment of memory cell digit line capacitance

Номер патента: US09786348B1. Автор: Charles Ingalls,Scott Derner,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Read methods of memory devices using bit line sharing

Номер патента: US09633704B2. Автор: Dongku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device to improve reliability of read operation for memory cells

Номер патента: US09543031B2. Автор: Woo Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Enable/disable of memory chunks during memory access

Номер патента: US09536582B2. Автор: Toru Tanzawa,Koichi Kawai,Satoru Tamada,Tetsuji Manabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods and apparatus to read memory cells based on clock pulse counts

Номер патента: US09530513B1. Автор: Feng Pan,Ramin Ghodsi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Local self-boost using a plurality of cut-off cells on a single side of a string of memory cells

Номер патента: US09472287B2. Автор: Koji Sakui,Yasushi Matsuyama,Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device performing program and program verify operation on the memory cell array including pass/fail check on the program operation

Номер патента: US09455044B2. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Multi-function resistance change memory cells and apparatuses including the same

Номер патента: US09418734B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile memory devices and program verification methods using one verification voltage to verify memory cells having different target states

Номер патента: US09406393B2. Автор: Jung-ho Song,Ilhan Park,Ji-Suk Kim,Yang-Lo AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods and apparatuses including a string of memory cells having a first select transistor coupled to a second select transistor

Номер патента: US09318200B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Simultaneous reading from and writing to different memory cells

Номер патента: EP1609153A1. Автор: Kim Le Phan. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-28.

Compensating for concentrated activation of memory cells in a semiconductor memory device

Номер патента: US12020742B2. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of determining binary signal of memory cell and apparatus thereof

Номер патента: US20090055700A1. Автор: Hyun-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Pre-read operation for multi-pass programming of memory devices

Номер патента: US20230307058A1. Автор: Nagendra Prasad Ganesh Rao,Sead Zildzic, JR.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240265974A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device supporting DBI interface and operating method of memory device

Номер патента: US11756592B2. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Byunghoon Jeong,Youngmin Jo,Seonkyoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US12125551B2. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Management of data storage in memory cells using a non-integer number of bits per cell

Номер патента: US09799397B2. Автор: Naftali Sommer,Micha Anholt. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Control of memory device reading based on cell resistance

Номер патента: US09685227B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Content addressable memory and memory cell thereof

Номер патента: US09646695B2. Автор: Tsai-Kan Chien,Lih-Yih Chiou. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-05-09.

Readout from memory cells subjected to perturbations in threshold voltage distributions

Номер патента: US12148496B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate,Roy Roth. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory device with clock timing to activate memory cells for subsequent access

Номер патента: US5875486A. Автор: Haruki Toda,Shozo Saito,Kaoru Tokushige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

Method and apparatus for controlling reading level of memory cell

Номер патента: WO2008156238A1. Автор: Jun Jin Kong,Seung-Hwan Song,Dong Ku Kang,Sung Chung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2008-12-24.

Durable maintenance of memory cell electric current sense window following program-erase operations to a non-volatile memory

Номер патента: US09767914B1. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Multi-function resistance change memory cells and apparatuses including the same

Номер патента: US09734906B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Estimation of level-thresholds for memory cells

Номер патента: US09583184B2. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Thomas Parnell,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuit memory devices that map nondefective memory cell blocks into continuous addresses

Номер патента: US5848009A. Автор: Young-Ho Lim,Sung-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-08.

Apparatus for determining memory cell data states

Номер патента: US20240029809A1. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and methods for determining memory cell data states

Номер патента: US11798647B2. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor storage device and method for remedying defects of memory cells

Номер патента: US20030103394A1. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257894A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257895A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Apparatus and methods for performing concurrent access operations on different groupings of memory cells

Номер патента: US20200411098A1. Автор: Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Digital memory circuit having a plurality of memory areas

Номер патента: US20030067821A1. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-10.

Method for programming of a semiconductor memory cell

Номер патента: EP1168363B1. Автор: Boaz Eitan,Eduardo Maayan,Zeev Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2006-08-09.

Digital memory circuit having a plurality of memory areas

Номер патента: US6711072B2. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-23.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: US09779791B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory devices configured to apply different weights to different strings of memory cells coupled to a data line and methods

Номер патента: US09728267B2. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Redundant circuit and method for replacing defective memory cells in a memory device

Номер патента: US20020113251A1. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2002-08-22.

Integrated circuit memory device including banks of memory cells and related methods

Номер патента: US5650977A. Автор: Jin-Man Han,Kye-Hyun Kyung,Jei-Hwan Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-07-22.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Variable resistance memory device having equal resistances between signal paths regardless of location of memory cells within the memory array

Номер патента: US20130215665A1. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: EP4352728A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Method and system for iteratively testing and repairing an array of memory cells

Номер патента: US20130232384A1. Автор: Yosef Solt,Michael Levi,Reshef Bar Yoel,Yosef Haviv. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

System and method for extending lifetime of memory device

Номер патента: US11972826B2. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Dawei Heh,Yung-Huei Lee,Wenhsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Methods of performing read count leveling for multiple portions of a block of memory cells

Номер патента: US20190287619A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Device and method for associating information concerning memory cells of a memory with an external memory

Номер патента: US20030120891A1. Автор: Martin Rieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Rewritable memory device with multi-level, write-once memory cells

Номер патента: EP2517209A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-10-31.

Programming select gate transistors and memory cells using dynamic verify level

Номер патента: EP2954529A1. Автор: Ken Oowada,Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Cynthia Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-16.

Equalizing erase depth in different blocks of memory cells

Номер патента: EP3494577A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu,Caifu Zeng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-12.

Electronic amplifier circuit having a switchable input transistor, matrix array of memory cells and matrix array of photodetectors

Номер патента: US20020025617A1. Автор: Bernhard Wicht,Steffen Paul. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-28.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US20190221264A1. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Electronics amplifier circuit having a switchable input transistor, matrix array of memory cells and matrix array of photodetectors

Номер патента: US6512713B2. Автор: Bernhard Wicht,Steffen Paul. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-28.

Equalizing erase depth in different blocks of memory cells

Номер патента: US09786378B1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu,Caifu Zeng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US09711223B2. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Current based detection and recording of memory hole-interconnect spacing defects

Номер патента: US09564219B2. Автор: Jayavel Pachamuthu,Jagdish Sabde,Sagar Magia,Ankitkumar Babariya. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuit, method to program a memory cell array of an integrated circuit, and memory module

Номер патента: US7796449B2. Автор: Josef Willer,Gert Koebernik. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-09-14.

Non-volatile semiconductor memory device with nand type memory cell arrays

Номер патента: US5978265A. Автор: Fujio Masuoka,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Ryozo Nakayama,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Flash memory array of floating gate-based non-volatile memory cells

Номер патента: US8345488B2. Автор: PRABHJOT Singh,Hosam Haggag,Alexander Kalnitsky,Edgardo Laber,Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2013-01-01.

High speed differential sense amplifier for use with single transistor memory cells

Номер патента: CA1325474C. Автор: Bernard Emoto,Alaaeldin A. M. Amin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Memory cell array divided type multi-port semiconductor memory device

Номер патента: US5249165A. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-09-28.

Semiconductor memory device having redundant memory cells

Номер патента: US5798973A. Автор: Satoshi Isa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-25.

Non-volatile semiconductor memory device detachable deterioration of memory cells

Номер патента: US5450354A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Non-volatile semiconductor memory device with function of bringing memory cell transistors to overerased state, and method of writing data in the device

Номер патента: US5438544A. Автор: Takami Makino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-01.

Semiconductor memory device for use in apparatus requiring high-speed access to memory cells

Номер патента: USRE36404E. Автор: Kenichi Nakamura,Yasushi Kameda,Hiroshi Takamoto,Takayuki Harima,Makoto Segawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Semiconductor storage device having a driver that applies voltage to memory cells based on location of memory cells and method for controlling the same

Номер патента: US10832743B2. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Two-part programming of memory cells

Номер патента: US20220115071A1. Автор: Vishal Sarin,Allahyar Vahidimowlavi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US11900990B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: WO2023219813A1. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Performing refresh operations on memory cells

Номер патента: US11942139B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Lingming Yang,John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: US11955184B2. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Sense amplifier, memory device including sense amplifier and operating method of memory device

Номер патента: US20240096402A1. Автор: Kyuchang KANG,Changyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method, electronic device and controller for recovering array of memory cells

Номер патента: US20160300616A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Chao-Hsin Lin,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Memory cell programming

Номер патента: US20170330627A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Memory cell programming

Номер патента: US20210272633A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Memory cell programming using VgVt value

Номер патента: US10037806B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Current references for memory cells

Номер патента: US11942151B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor memory device having memory cell pairs defining data based on threshold voltages

Номер патента: US10658031B2. Автор: Hirokazu NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Accessing a multi-level memory cell

Номер патента: US11894078B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE,Jessica Chen,Xuan-Anh Tran,Jason A. Durand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory cells for storing operational data

Номер патента: US20220172782A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Memory cells for storing operational data

Номер патента: US11783897B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Sensing techniques for differential memory cells

Номер патента: WO2023278948A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-05.

Content addressable memory device, content addressable memory cell and method for single-bit multi-level data searching and comparing

Номер патента: US11790990B2. Автор: Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20220068382A1. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: US20230368846A1. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Three-state programming of memory cells

Номер патента: US11869588B2. Автор: Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Hernan A Castro,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Two-part programming of memory cells

Номер патента: US11948644B2. Автор: Vishal Sarin,Allahyar Vahidimowlavi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Pre-compensation of memory threshold voltage

Номер патента: US20170345511A1. Автор: Violante Moschiano,Michele Incarnati,Tommaso Vali,Mattia Cichocki,Andrea D'Alessandro,Federica Paolini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory cell arrangement and methods thereof

Номер патента: US11682461B2. Автор: Menno Mennenga,Johannes Ocker. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2023-06-20.

Three-state programming of memory cells

Номер патента: US20240120006A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Techniques for multi-level memory cell programming

Номер патента: US20230360699A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Programming method of memory array

Номер патента: US9437303B1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US20220215868A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Techniques for parallel memory cell access

Номер патента: US11948638B2. Автор: Andrea Martinelli,Maurizio Rizzi,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory Device Having Variable Impedance Memory Cells and Time-To-Transition Sensing of Data Stored Therein

Номер патента: US20240127884A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&D 3 LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Read Circuitry for an Integrated Circuit Having Memory Cells and/or a Memory Cell Array, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110216609A1. Автор: Philippe Bauser. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-09-08.

Random access memory with optional inaccessible memory cells

Номер патента: US20050122822A1. Автор: Torsten Partsch,Thoai Le. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Method, electronic device and controller for recovering array of memory cells

Номер патента: US9679656B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Chao-Hsin Lin,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Current references for memory cells

Номер патента: US20230335191A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory arrays having multiple strings of series-connected memory cells selectively connected in parallel, their fabrication, and their operation

Номер патента: US20240079058A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory cell arrangement and methods thereof

Номер патента: US20220199166A1. Автор: Menno Mennenga,Johannes Ocker. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2022-06-23.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20240135990A1. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US11908516B2. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory device comprising source switch to float source line of unselected memory cell block, memory array and program method using the same

Номер патента: US12046288B2. Автор: Pil-Sang Ryoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Two-pass corrective programming for memory cells that store multiple bits and power loss management for two-pass corrective programming

Номер патента: US12068034B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Michele Incarnati,Akira Goda,Daniel J. Hubbard,Huai-Yuan Tseng,James Fitzpatrick,Umberto Siciliani,Walter Di Francesco,Jeffrey S. McNeil,Giovanni Maria Paolucci,Dave Scott Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus and method for use of memory devices for audio

Номер патента: EP1709541A4. Автор: Yam Fei Lian,Chin Fang Lim. Владелец: CREATIVE TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2007-09-12.

Block-row decoders, memory block-row decoders, memories, methods for deselecting a decoder of a memory and methods of selecting a block of memory

Номер патента: US20140119149A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

End-of-life reliability for non-volatile memory cells

Номер патента: US09543017B2. Автор: Alexander Kushnarenko,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuits to control access to multiple layers of memory in a solid state drive

Номер патента: US7961510B2. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-06-14.

Resistive memory device including a reference cell and method of controlling a reference cell to identify values stored in memory cells

Номер патента: US10762958B2. Автор: Tae-Joong Song,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo,So-Hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor memory cell margin test circuit

Номер патента: CA1184248A. Автор: Robert J. Proebsting,James E. O'Toole. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1985-03-19.

Memory apparatus including programmable non-volatile multi-bit memory cell, and apparatus and method for demarcating memory states of the cell

Номер патента: US6002614A. Автор: Gerald J. Banks. Владелец: BTG International Inc. Дата публикации: 1999-12-14.

Static RAM having word line driving circuitry shared by all the memory cells provided therein

Номер патента: US6212124B1. Автор: Kenji Noda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-04-03.

Recovery of interfacial defects in memory cells

Номер патента: US9734919B2. Автор: Mai A. Ghaly. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device allowing repair of a defective memory cell with a redundant circuit in a multibit test mode

Номер патента: US6003148A. Автор: Takashi Ito,Tadaaki Yamauchi,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Non-volatile memory comprising means for distorting the output of memory cells

Номер патента: US20050232021A1. Автор: Mathieu Lisart. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-10-20.

Method and apparatus for operating nonvolatile memory cells in a series arrangement

Номер патента: US20060050555A1. Автор: Chih Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-09.

Memory device related to performing a program operation on memory cells

Номер патента: US11942156B2. Автор: Hyeok Jun CHOI,Seung Geun JEONG,Hee Sik Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method and system for accessing memory cells

Номер патента: US11929124B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Forming method of memory device

Номер патента: US20240087629A1. Автор: Naoki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory device included in memory system and method for detecting fail memory cell thereof

Номер патента: US20240079074A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

High-Speed Data Transfer Periods for Thyristor Memory Cell Arrays

Номер патента: US20190378554A1. Автор: Bruce L. Bateman. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Memory cell having resistive and capacitive storage elements

Номер патента: US20160351260A1. Автор: Brent E. BUCHANAN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-12-01.

Mitigation of data retention drift by programming neighboring memory cells

Номер патента: US20150348632A1. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Avraham Poza Meir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Mitigation of data retention drift by progrmming neighboring memory cells

Номер патента: US20160307631A1. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Avraham Poza Meir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Memory cell programming

Номер патента: US20180301195A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Determination of state metrics of memory sub-systems following power events

Номер патента: US20220059181A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Steven Michael Kientz,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Adaptive Control of Programming Currents for Memory Cells

Номер патента: US20120106259A1. Автор: PING Wang,Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US20180358073A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Data programming techniques to store multiple bits of data per memory cell with high reliability

Номер патента: US11830545B2. Автор: James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Refresh operation of a memory cell

Номер патента: US11798622B2. Автор: Joemar Sinipete,John Christopher Sancon,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory cell programming that cancels threshold voltage drift

Номер патента: US11887665B2. Автор: Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory cell programming utilizing conditional enabling of memory cells

Номер патента: US20170271014A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US20090225605A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US7830723B2. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Memory cell dynamic grouping using write detection

Номер патента: US20160211018A1. Автор: Farid Nemati,Yi-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US11783902B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Determining soft data for combinations of memory cells

Номер патента: US20130272071A1. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Mark A. Hawes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Multi-program of memory cells without intervening erase operations

Номер патента: US11961565B2. Автор: Ezra Edward Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Method and apparatus of reducing leakage power in multiple port sram memory cell

Номер патента: EP2761621A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Michael ThaiThanh Phan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-06.

Method and system for programming and inhibiting multi-level, non-volatile memory cells

Номер патента: WO2003052766A1. Автор: Feng Pan,Khandker N. Quader,Alexander K. Mak,Long C. Pham,Khanh T. Nguyen. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for checking the functioning of memory cells of an integrated semiconductor memory

Номер патента: US20020026608A1. Автор: Erwin Hammerl,Wilfried Daehn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-28.

High-speed data transfer periods for thyristor memory cell arrays

Номер патента: US10553269B2. Автор: Bruce L. Bateman. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Method, electronic device and controller for recovering memory array

Номер патента: US9396806B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Chao-Hsin Lin,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Predicting and compensating for degradation of memory cells

Номер патента: US20220319613A1. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US20220199139A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US20180358075A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US20200365197A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: EP3635723A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US20200013447A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Two multi-level memory cells sensed to determine multiple data values

Номер патента: US20210350858A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Dual power supplied memory cells and deterministic reset thereof for programmable logic devices

Номер патента: US20240185908A1. Автор: Bradley A. Sharpe-Geisler,Loren L. McLaury. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Two-part programming of memory cells

Номер патента: US20240185923A1. Автор: Vishal Sarin,Allahyar Vahidimowlavi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Content addressable memory device, content addressable memory cell and method for single-bit multi-level data searching and comparing

Номер патента: US20230410904A1. Автор: Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Predicting and compensating for degradation of memory cells

Номер патента: US11823745B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Method and system for accessing memory cells

Номер патента: US20240194272A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device related to performing a program operation on memory cells

Номер патента: US20240194267A1. Автор: Hyeok Jun CHOI,Seung Geun JEONG,Hee Sik Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Programming nonvolatile memory cells using resolution-based and level-based voltage increments

Номер патента: US20180053555A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-22.

Grouping memory cells into sub-blocks for program speed uniformity

Номер патента: WO2018156232A1. Автор: James Kai,Zhengyi Zhang,Johann Alsmeier,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-30.

Memory devices with different sized blocks of memory cells and methods

Номер патента: US20140254267A1. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Grouping memory cells into sub-blocks for program speed uniformity

Номер патента: US09959932B1. Автор: James Kai,Zhengyi Zhang,Johann Alsmeier,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Apparatus and method for implementing design for testability (DFT) for bitline drivers of memory circuits

Номер патента: US09947419B1. Автор: Rakesh Kumar Sinha,Priyankar Mathuria,Sharad Kumar Gupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Apparatuses and methods for identifying an extremum value stored in an array of memory cells

Номер патента: US09449675B2. Автор: Kyle B. Wheeler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Compact electrically erasable memory cells and arrays

Номер патента: US5914904A. Автор: James D. Sansbury. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1999-06-22.

Memory cell arrangement supporting bit-serial arithmetic

Номер патента: US4970690A. Автор: David Sherman. Владелец: Atari Games Corp. Дата публикации: 1990-11-13.

Methods for determining an expected data age of memory cells

Номер патента: US10629280B1. Автор: Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor memory device switchable to twin memory cell configuration

Номер патента: US6775177B2. Автор: Tadaaki Yamauchi,Tetsuichiro Ichiguchi,Hideki Yonetani,Tsutomu Nagasawa,Junko Matsumoto,Makoto Suwa,Takeo Okamoto,Zengcheng Tian. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-10.

Memory and method for sensing sub-groups of memory elements

Номер патента: USRE37409E1. Автор: Lawrence Lai,Richard M. Barth,Wayne S. Richardson,Donald C. Stark. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2001-10-16.

Semiconductor memory device having concurrently resettable memory cells

Номер патента: US5285420A. Автор: Yasuo Shibue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-02-08.

System and method for writing data to memory cells so as to enable faster reads of the data using dual wordline drivers

Номер патента: US5959897A. Автор: Christophe J. Chevallier,Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman,Darrell D. Binerson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Semiconductor memory device comprising different type memory cells

Номер патента: US4799196A. Автор: Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-01-17.

Computational memory cell and processing array device using the memory cells for XOR and XNOR computations

Номер патента: US11763881B2. Автор: Lee-Lean Shu,Eli Ehrman. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US11769539B2. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Techniques for multi-read and multi-write of memory circuit

Номер патента: US20190198093A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Suyoung BANG,Turbo Majumder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Apparatuses and methods of power supply control for sense amplifiers

Номер патента: US11901036B2. Автор: Katsuhiro Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230253041A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Voltage supply circuit, memory cell arrangement, and method for operating a memory cell arrangement

Номер патента: US20220277794A1. Автор: Marko Noack. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2022-09-01.

Permutation coding for improved memory cell operations

Номер патента: US20190355413A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Systems and methods for reading bit state in arrays of memory cells

Номер патента: US20230282263A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Apparatuses and methods of power supply control for sense amplifiers

Номер патента: US20230290386A1. Автор: Katsuhiro Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and apparatus for determining signal margin of memory cell and storage medium

Номер патента: US20220319577A1. Автор: Jian Chen,Chi-Shian WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Techniques for accessing an array of memory cells to reduce parasitic coupling

Номер патента: US11881252B2. Автор: Umberto Di Vincenzo,Lucia Di Martino. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US20240021220A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Boosting channels of memory cells

Номер патента: US20160372201A1. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Mason A. Jones. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Memory device determining precharge time based on a number of times that a program voltage is applied to word line and operating method of memory device

Номер патента: US11848054B2. Автор: Jung Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Memory Circuit and Method for Operating a First and a Second Set of Memory Cells

Номер патента: US20180226114A1. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Unipolar programming of memory cells

Номер патента: US20240029796A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impala'. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device having a different source line coupled to each of a plurality of layers of memory cell arrays

Номер патента: US20160064085A1. Автор: Akira Goda,Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US20230377661A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US11783891B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&D 3 LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor memory circuit device having memory cells constructed on a Bicmos gate array

Номер патента: US5289405A. Автор: Yoshinori Watanabe,Hiroyuki Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-02-22.

Memory circuit and method for operating a first MRAM and a second MRAM set of memory cells configured to operate in a direct access mode and/or refresh mode

Номер патента: US10347312B2. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Memory circuit and method for operating a first and a second set of memory cells in direct memory access mode with refresh

Номер патента: US9824737B2. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US11756591B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Sensor for Performance Variation of Memory Read and Write Characteristics

Номер патента: US20200143901A1. Автор: Rainer Herberholz,Amit Chhabra. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory device, operation method of memory device, and page buffer included in memory device

Номер патента: US20230386539A1. Автор: Yongsung CHO,Ji-Sang LEE,Min Hwi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Method and apparatus for determining signal margin of memory cell and storage medium

Номер патента: US11978503B2. Автор: Jian Chen,Chi-Shian WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Connecting memory cells to a data line sequentially while applying a program voltage to the memory cells

Номер патента: US10121544B2. Автор: Toru Tanzawa,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-06.

Connecting memory cells to a data line sequentially while applying a program voltage to the memory cells

Номер патента: US20170372784A1. Автор: Toru Tanzawa,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Techniques for multi-read and multi-write of memory circuit

Номер патента: US20210043251A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Suyoung BANG,Turbo Majumder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Multi-level memory cell utilizing measurement time delay as the characteristic parameter for level definition

Номер патента: US20090073790A1. Автор: Chung H. Lam,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Sensor for performance variation of memory read and write characteristics

Номер патента: US11742051B2. Автор: Rainer Herberholz,Amit Chhabra. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Erasing memory segments in a memory block of memory cells using select gate control line voltages

Номер патента: US20170140833A1. Автор: Christian Caillat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Adaptive control of memory cell programming voltage

Номер патента: US20200090770A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Apparatuses and methods for determining stability of a memory cell

Номер патента: US20130094276A1. Автор: Alessandro Torsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Method of test and repair of memory cells during power-up sequence of memory device

Номер патента: US20210065836A1. Автор: Sangyeol Lee,Jonggeon Lee,Youngman Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory devices for comparing input data to data stored in memory cells coupled to a data line

Номер патента: US11875859B2. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Pre-charge voltage for inhibiting unselected nand memory cell programming

Номер патента: US20200168276A1. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-28.

Integrated circuits including first and second power supply nodes for writing and reading memory cells

Номер патента: EP4366952A1. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-05-15.

Techniques for accessing an array of memory cells to reduce parasitic coupling

Номер патента: US20200111524A1. Автор: Umberto Di Vincenzo,Lucia Di Martino. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Pre-charge voltage for inhibiting unselected nand memory cell programming

Номер патента: US20200321055A1. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-08.

Sensor for Performance Variation of Memory Read and Write Characteristics

Номер патента: US20210343359A1. Автор: Rainer Herberholz,Amit Chhabra. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Boosting channels of memory cells

Номер патента: US20170365343A1. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Mason A. Jones. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Boosting channels of memory cells

Номер патента: US20180336951A1. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Mason A. Jones. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Memory sub-system for memory cell touch-up

Номер патента: US11967386B2. Автор: Bin Wang,Pitamber Shukla,Scott A. Stoller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory sub-system for memory cell touch-up

Номер патента: US20230377664A1. Автор: Bin Wang,Pitamber Shukla,Scott A. Stoller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: US20230066757A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Ims memory cell, ims method and ims memory device

Номер патента: US20240194229A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory cell array and semiconductor memory

Номер патента: US20080291725A1. Автор: Nobukazu Murata,Tomonori Terasawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US09741440B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US09478299B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Buffering systems for accessing multiple layers of memory in integrated circuits

Номер патента: US9715910B2. Автор: Robert Norman. Владелец: III Holdings 1 LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device consistently operating a plurality of memory cell arrays distributed in arrangement

Номер патента: US5986964A. Автор: Takeshi Hamamoto,Kiyohiro Furutani,Takuya Ariki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Analog sensing of memory cells in a solid-state memory device

Номер патента: EP2469539A1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Storage device including a memory cell having multiple memory layers

Номер патента: SG156590A1. Автор: Michael Allen Seigler,Oleg N Mryasov. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-11-26.

Semiconductor memory device with function of carrying out logic judgement for correct recognition of memory operation

Номер патента: US5557574A. Автор: Masao Nakano,Yukihiro Senoo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-09-17.

Method and system for controlling refresh to avoid memory cell data losses

Номер патента: US20060158949A1. Автор: Dean Klein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Reading even data lines or odd data lines coupled to memory cell strings

Номер патента: US10885987B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Tommaso Vali,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-05.

Configuration of a memory device for programming memory cells

Номер патента: US20200066350A1. Автор: HAN Liu,Violante Moschiano,Han Zhao,Pranav Kalavade,Purval S. Sule,Shantanu Rajwade,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Programming a Memory Cell Using a Dual Polarity Charge Pump

Номер патента: US20150213901A1. Автор: WEI Tian,YoungPil Kim,Antoine Khoueir,Dadi Setiadi,Rodney V. Bowman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US11887663B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Apparatuses and methods of memory access control

Номер патента: US20230402070A1. Автор: Hidekazu Noguchi,Yoshio Mizukane,Manami Senoo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Dynamic adjustment of memory cell digit line capacitance

Номер патента: US20180158501A1. Автор: Charles Ingalls,Scott Derner,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Dynamic adjustment of memory cell digit line capacitance

Номер патента: US20170294220A1. Автор: Charles Ingalls,Scott Derner,Christopher Kawamura. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-10-12.

Dynamic adjustment of memory cell digit line capacitance

Номер патента: US20190147932A1. Автор: Charles Ingalls,Scott Derner,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Open block-based read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US11862250B2. Автор: Xiaojiang Guo,Youxin He,Jong Hoon Kang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory test circuit, memory array, and testing method of memory array

Номер патента: US20240079080A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Tracking of read voltages while reading memory cells

Номер патента: US11842786B1. Автор: Nir Tishbi,Ilia Benkovitch,Ruby Mizrahi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Methods and apparatuses including a string of memory cells having a first select transistor coupled to a second select transistor

Номер патента: US20210057029A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory device, method of generating log of command signals/address signals of memory device, and method of analyzing errors of memory device

Номер патента: US9646719B2. Автор: Kwang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US20140211569A1. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US9117524B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-25.

Adaptive control to access current of memory cell description

Номер патента: US11823737B2. Автор: Marco Sforzin,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for memory cell erasure with a programming monitor of reference cells

Номер патента: US20130343127A1. Автор: ANDREI Mihnea,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Memory cell array and non-volatile memory device

Номер патента: US20090059667A1. Автор: Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Memory device and method for forming sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20230298635A1. Автор: Chun-Yen Lin,Cheng-Chang Chen,Chih-Chieh Chiu. Владелец: Sonic Star Global Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory array and method of operating one of a plurality of memory cells

Номер патента: US20110019473A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: WO2006043230A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

Static random access memory comprising a current source, and method to put memory cells of such a memory into sleep or write mode using said current source

Номер патента: WO2010026500A1. Автор: Roelof Herman Willem Salters. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-03-11.

Non-volatile memory cell healing

Номер патента: US20120300551A1. Автор: ANDREI Mihnea,Mark Helm,William Kueber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Dynamic adjustment of memory cell digit line capacitance

Номер патента: US10796743B2. Автор: Charles Ingalls,Scott Derner,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Memory cell read operation techniques

Номер патента: US20240038301A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Francesco Mastroianni,Nevil N. Gajera,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Open block-based read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240071512A1. Автор: Xiaojiang Guo,Youxin He,Jong Hoon Kang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for refreshing memory cells and memory system

Номер патента: US20180130526A1. Автор: Yong-Ju Kim,Dong-Gun KIM,Do-Sun HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Improved programming method for a memory cell

Номер патента: EP1137012A3. Автор: Donald S. Gerber,Jeffrey Shields,Kent D. Hewitt,David M Davies. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2003-09-03.

Memory device which generates improved read current according to size of memory cell

Номер патента: US20220328085A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-13.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US11887664B2. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory test circuit, memory chip, and testing method of memory chip

Номер патента: US20240079075A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Apparatus and methods for discharging control gates after performing an access operation on a memory cell

Номер патента: US20200152272A1. Автор: Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Apparatus for discharging control gates after performing an access operation on a memory cell

Номер патента: US20200258574A1. Автор: Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Switching control system signalling techniques

Номер патента: GB201122286D0. Автор: . Владелец: Amantys Ltd. Дата публикации: 2012-02-01.

Switching control system signalling techniques

Номер патента: EP2795796A1. Автор: Edward Shelton,Mark Snook,Stephen Parker,Matteo Vit. Владелец: Amantys Ltd. Дата публикации: 2014-10-29.

Switching power converter with switch control pulse width variability at low power demand levels

Номер патента: US8120341B2. Автор: John L. Melanson. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Operating mode switch for different type of tapes

Номер патента: US3900889A. Автор: Werner Broghammer. Владелец: Dual Gebruder Steidinger GmbH and Co. Дата публикации: 1975-08-19.

Switch control circuit, switch control method and converter using the same

Номер патента: US09502975B2. Автор: In Ho Hwang,Zhi Yuan CUI,Hae Wook KIM,Youn Ggi RYU,Doo Soo SHIN. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Switch control circuit and power converter comprising the same

Номер патента: US11791708B2. Автор: Yan-Cun Li. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Pulsed current revs. control for electric motor - uses controlled switching of current regulator switches to maintain constant mean power loss

Номер патента: DE4107674A1. Автор: Juergen Dr Rackles. Владелец: Lust Electronic Systeme GmbH. Дата публикации: 1992-09-10.

Circuit architecture for mode switch

Номер патента: US09733275B2. Автор: Shrenik Deliwala,Gregory T. Koker,Steven J. DECKER,Dan M. Weinberg. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, memory array, and memory

Номер патента: US20230276637A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-31.

Working mode switching control method and device for vehicle-mounted charger, and vehicle-mounted charger

Номер патента: US20240308366A1. Автор: HAO WANG. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Controller of buck-boost conversion circuit and mode switching method thereof

Номер патента: US20240243664A1. Автор: Chao-Chung HUANG,Kuo-Jen Kuo,Yi-Xian Jan,Yen Hui Wang,Cheng-Hsing Li,Chien Hsien Tsai. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20030095428A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US20050032289A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20040102003A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

Memory device and method of manufacturing the device by simultaneously conditioning transition metal oxide layers in a plurality of memory cells

Номер патента: US20060267086A1. Автор: Steven Holmes,Mark Hakey,David Horak,Charles Koburger,Toshijaru Furukawa,Chung Lam,Gerhard Meijer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12058861B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Efficient fabrication of memory structures

Номер патента: US12082425B2. Автор: LEI Wei,Kevin Lee Baker,Don Koun Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240357818A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor, methods of forming a tier of an array of memory cells, and methods of forming an array of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor

Номер патента: US09837420B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220020763A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210384208A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320091A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Jeffrey Ehorn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device in which an array chip including three-dimensionally disposed memory cells bonded to a control circuit chip

Номер патента: US10090315B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12063783B2. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2020209944A1. Автор: George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON,Kunal R. PAREK. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12089403B2. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20200328222A1. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240315035A1. Автор: James Lattin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory circuitry comprising a vertical string of memory cells and a conductive via and method used in forming a vertical string of memory cells and a conductive via

Номер патента: US12052863B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Kunal R. Parekh,Hongbin Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge-Storage Transistor

Номер патента: US20190206884A1. Автор: Joseph Neil Greeley,Tom J. John,Wei Yeeng Ng,Ian Laboriante,Ho Yee Hui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Programmable Charge Storage Transistor, An Array Of Elevationally Extending Strings Of Memory Cells, And A Method Of Forming An Array Of Elevationally Extending Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20190198673A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Albert Fayrushin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Integrated Circuitry, A Method Used In Forming Integrated Circuitry, And A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220005819A1. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor memory device having memory cells provided in a height direction

Номер патента: US09812398B2. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Seiichi Omoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Structure of memory cell with asymmetric cell structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09793278B1. Автор: Sung-Bin Lin,Yen-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods for forming interconnections between top electrodes in memory cells by a two-step chemical-mechanical polishing (CMP) process

Номер патента: US09443763B2. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20190006376A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320085A1. Автор: Shyam Surthi,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Thin film transistor based memory cells on both sides of a layer of logic devices

Номер патента: US20210125990A1. Автор: Tahir Ghani,Bernhard Sell,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Kevin Fischer,Wilfred Gomes,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: US20240188308A1. Автор: Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array comprising memory cells individually comprising a transistor and a capacitor

Номер патента: US12004354B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory devices with stairs in a staircase coupled to tiers of memory cells and to pass transistors directly under the staircase

Номер патента: US09589978B1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380159A1. Автор: Zhaohui Ma,John D. Hopkins,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Damir Fazil,Joel D. PETERSON,Tom John. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023027829A1. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Haoyu Li,Grady S. Waldo,M. Jared Barclay,Andrew Li,Bhavesh Bhartia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11856764B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240081052A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240074179A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Damir Fazil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Efficient fabrication of memory structures

Номер патента: US20220037402A1. Автор: LEI Wei,Kevin Lee Baker,Don Koun Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor integrated circuit including memory cells

Номер патента: US9059036B2. Автор: Kazuhiro Abe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4385295A1. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Dynamic random access memory device comprising memory cells having capacitor formed above cell transistor and peripheral circuit for improving shape and aspect ratio of contact hole in the peripheral circuit and producing method thereof

Номер патента: US5693970A. Автор: Shinichirou Ikemasu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-12-02.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057433A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: EP4010923A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11889696B2. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210125919A1. Автор: JIAN Li,Vladimir Machkaoutsan,Emilio Camerlenghi,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Pieter Blomme,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2021041026A1. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: WO2021025748A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230209827A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792991B2. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230276622A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11864387B2. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Arrays Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Having A Stack Comprising Vertically-Alternating Insulative Tiers and Wordline Tiers and Horizontally-Elongated Trenches in the Stacks

Номер патента: US20190371815A1. Автор: Ryan Meyer,Kunal R. Parekh,Kunal Shrotri,Justin B. Dorhout,Chris M. Carlson,Anish A. Khandekar,Dimitrios Pavlopoulos,Zhiqiang Xie,Greg Light. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380158A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230345723A1. Автор: Yiping Wang,Adam W. Saxler,Narula Bilik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230307368A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057428A1. Автор: Yiping Wang,Yi Hu,Xiaosong Zhang,Ramey M. Abdelrahaman,Matthew J. King,David NEUMEYER,Daniel Billingsley,Chandra Tiwari,Andrew Li,Wei Yeeng Ng,Narula Bilik,Lance Williamson,Zhenyu Bo,Joan M. Kash,Yung K. Pak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Method for forming a floating gate non-volatile memory cell

Номер патента: US8263459B2. Автор: Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-09-11.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230317800A1. Автор: LEI Wei,Gurpreet Lugani,Sumeet C. Pandey,Dhirendra Dhananjay Vaidya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022046418A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Operative Through-Array-Vias

Номер патента: US20210043644A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023033948A1. Автор: John D. Hopkins,Haoyu Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2465659C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Олег Михайлович Орлов,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2012-10-27.

Three decision thresholding mode switch and method for mode selection

Номер патента: CA1150637A. Автор: Donald L. Janeway, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-07-26.

Damped josephson junction memory cell

Номер патента: CA1038495A. Автор: Hans H. Zappe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Low-glitch switch control for mode switching of memory cells

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты