Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • METHODS OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A VIA STRUCTURE AND AN INTERCONNECTION STRUCTURE

METHODS OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A VIA STRUCTURE AND AN INTERCONNECTION STRUCTURE

Номер патента: US20180102285A1
Опубликовано: 12-04-2018
Автор(ы): PARK Seongho, SIEW YONGKONG
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US20160307791A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US09818642B2. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with vias having a zinc-second metal-copper composite layer

Номер патента: US20200286837A1. Автор: Nazila Dadvand. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device with vias having a zinc-second metal-copper composite layer

Номер патента: WO2020180910A1. Автор: Nazila Dadvand. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-09-10.

Mixed Wire Structure and Method of Making the Same

Номер патента: US20190181043A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Interconnect structure and method for manufacturing the interconnect structure

Номер патента: US20220189871A1. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Interconnect structure and method for manufacturing the interconnect structure

Номер патента: US20230268268A1. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Interconnect structure and method for manufacturing the interconnect structure

Номер патента: US11637062B2. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Metal contact structure and method of forming the same in a semiconductor device

Номер патента: US11854874B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20240087953A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Interconnect structure and method for manufacturing the interconnect structure

Номер патента: US20210225762A1. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Hybrid interconnects and method of forming the same

Номер патента: US09748173B1. Автор: Chih-Chao Yang,Conal E. Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Interconnect structure of semiconductor device including metal pattern or via structure with sidewall spacer structure

Номер патента: US20230343698A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Interconnect structure of semiconductor device including metal pattern or via structure with sidewall spacer structure

Номер патента: EP4280263A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Hybrid interconnects and method of forming the same

Номер патента: US20180012841A1. Автор: Chih-Chao Yang,Conal E. Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230307294A1. Автор: Ke Ma. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Silicon Carbide Semiconductor Device Having a Metal Adhesion and Barrier Structure and a Method of Forming Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20200013722A1. Автор: Matthias Müller,Hans-Joachim Schulze,Roman Roth,Frank Hille,Holger Schulze,Carsten Schaeffer,Oliver Humbel,Frank Umbach,Ravi Keshav Joshi,Michael Fugger,Thomas Laska,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device including interconnection structure

Номер патента: US20240014068A1. Автор: Ilyoung Yoon,Jonghyuk Park,Yanghee Lee,Byoungho Kwon,Boun Yoon,Seokjun HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device having a wiring layer of damascene structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US6906419B2. Автор: Hiroyuki Nitta,Yusuke Kohyama,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Semiconductor Device Having a Metal Adhesion and Barrier Structure and a Method of Forming Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20170271268A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Schaeffer Carsten,Mueller Matthias,HILLE Frank,SCHULZE Holger,Steinbrenner Juergen,Joshi Ravi Keshav,Humbel Oliver,Umbach Frank,Roth Roman,Fugger Michael,Laska Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Reliable packaging and interconnect structures

Номер патента: US09711401B2. Автор: Belgacem Haba,Cyprian Emeka Uzoh,Craig Mitchell. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Reliable packaging and interconnect structures

Номер патента: US20160307798A1. Автор: Belgacem Haba,Cyprian Emeka Uzoh,Craig Mitchell. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2016-10-20.

Peripheral circuitry under array memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: US20230371261A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Peripheral circuitry under array memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: US12137566B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US12068193B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and a corresponding method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20190035740A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo,Ivan Venegoni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US20240347381A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200312708A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Methods of performing chemical-mechanical polishing process in semiconductor devices

Номер патента: US11742239B2. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of manufacturing barrier-metal-free metal interconnect structure, and barrier-metal-free metal interconnect structure

Номер патента: US20230230878A1. Автор: Takeshi Iizumi,Shinro Ota,Ryota Koshino. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20230386910A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10474783B2. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180157781A1. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of forming hybrid diffusion barrier layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US09812397B2. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee,Ken-Yu Chang,Kai-Shiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20160293419A1. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Methods of forming semiconductor device

Номер патента: US20240274527A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Interconnect Layout for Semiconductor Device

Номер патента: US20220102482A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Interconnect layout for semiconductor device

Номер патента: US20210036097A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11973027B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150115436A1. Автор: Dong-jun Lee,Jung-Sik Choi,Hoon Han,Jun-Won HAN,Hye-Reun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US12057446B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US20240355815A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20230026305A1. Автор: Ching-Hung Kao,Kuei-Yu Deng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for manufacturing a multi-layer wiring structure of a semiconductor device

Номер патента: US5851917A. Автор: Sang-In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-22.

Semiconductor device including gate pattern having pad region

Номер патента: US20200091071A1. Автор: Dong Ik Lee,Ji Woon Im,Dai Hong Kim,Se Mee Jang,Bo Ra Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Dual side contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12046634B2. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240339497A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230011401A1. Автор: Hyun-Seung Song,Jae-Jik Baek,Tae-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240297232A1. Автор: Hyun-Seung Song,Jae-Jik Baek,Tae-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Self-aligned chamferless interconnect structures of semiconductor devices

Номер патента: US20200098688A1. Автор: Ruilong Xie,Chun Yu Wong,Yongjun Shi,Nan FU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: US11967571B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Xin You,Yi-Wang JHAN,Xiaopei FANG,Yung-Tai HUANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Interconnect layout for semiconductor device

Номер патента: US11961878B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Selective deposition of liner and barrier films for resistance reduction of semiconductor devices

Номер патента: WO2024035496A1. Автор: Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Hiroaki Niimi. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

Selective deposition of liner and barrier films for resistance reduction of semiconductor devices

Номер патента: US20240047342A1. Автор: Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Hiroaki Niimi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Interconnect Layout for Semiconductor Device

Номер патента: US20240194730A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220052157A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Self-aligned top via structure

Номер патента: US20210225705A1. Автор: CHENG Chi,Chih-Chao Yang,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4174955A1. Автор: Yoon Tae Hwang,Sunghwan Kim,Wandon Kim,Geunwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210217861A1. Автор: Hyun-Seung Song,Jae-Jik Baek,Tae-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12009398B2. Автор: Hyun-Seung Song,Jae-Jik Baek,Tae-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of forming a staircase in a semiconductor device using a linear alignment control feature

Номер патента: US09985046B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Makoto Yoshida,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Hiro Kinoshita,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Redistribution structure for semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11948918B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Redistribution structure for semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240203949A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device interconnects and methods of formation

Номер патента: US12087832B2. Автор: Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu,Yi-Ruei JHAN,I-Hung LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20190393049A1. Автор: Shinichi Miyake. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor packages and method of manufacturing the same

Номер патента: US11950432B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Ku-Feng Lin,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor packages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285434A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Ku-Feng Lin,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202412A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Yu-Lin Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated circuit device having parallel conductive lines with bulging end portion(s) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021027B2. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240332176A1. Автор: Ting-Chu Ko,Ching-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Assist cuts disposed in dummy lines to improve metal signal cuts in active lines of a semiconductor structure

Номер патента: US09905552B1. Автор: Lei Yuan,Harry J. Levinson,Xuelian ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11778822B2. Автор: Jae Hyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Interposer, semiconductor package structure, and semiconductor process

Номер патента: US09852971B1. Автор: Min Lung Huang,Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230422507A1. Автор: Jae Hyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110204486A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8093723B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7977238B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100203724A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US09935045B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Interconnection structure of a semiconductor chip and method of manufacturing the interconnection structure, and semiconductor package including the interconnection structure and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20230253336A1. Автор: Keumhee Ma,ChulYong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor Device and Method of Forming Compartment Shielding for a Semiconductor Package

Номер патента: US20240321845A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Yejin PARK. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of minimizing via sidewall damages during dual damascene trench reactive ion etching in a via first scheme

Номер патента: SG151170A1. Автор: Hermann Wendt,Ravi Prakash Srivastava,Kaushik A Kumar,Nicholson M Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion and method for forming the same

Номер патента: US20220208955A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Three-dimensional semiconductor device having vertical channel extending through horizontal layer structure and method of fabricating same

Номер патента: US11387248B2. Автор: Antonio Arreghini. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-07-12.

Method for manufacturing a semiconductor device including interconnections having a smaller width

Номер патента: US20080090409A1. Автор: Taizo Yasuda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Transistor device and method of fabricating contacts to a semiconductor substrate

Номер патента: US20240136411A1. Автор: Seung Hwan Lee,Maximilian Rösch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Transistor device and method of fabricating contacts to a semiconductor substrate

Номер патента: EP4362068A1. Автор: Seung Hwan Lee,Maximilian Roesch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-01.

Transistor device and method of fabricating contacts to a semiconductor substrate

Номер патента: US20240234518A9. Автор: Seung Hwan Lee,Maximilian Rösch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of making a grooved gate structure of semiconductor device

Номер патента: US5776835A. Автор: Ching-Fa Yeh,Jwinn Lein Su. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-07-07.

Method of minimizing via sidewall damages during dual damascene trench reactive ion etching in a via first scheme

Номер патента: SG170038A1. Автор: Hermann Wendt,Ravi Prakash Srivastava,Kaushik A Kumar,Nicholson M Lee. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-29.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of forming an inductor on a semiconductor wafer

Номер патента: US8309452B2. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-13.

Method for preparing semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion

Номер патента: US11948968B2. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for preparing semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion

Номер патента: US20230197768A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Yil-hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of repairing shorts in parallel connected vertical semiconductor devices by selective anodization

Номер патента: US4488349A. Автор: Koichi Murakami,Teruyoshi Mihara. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1984-12-18.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Methods of forming metallization patterns on beam lead semiconductor devices

Номер патента: US4011144A. Автор: Albert K. Bachman. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1977-03-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11723189B2. Автор: Do Hyung Kim,Eun Young Lee,Seung Jong Park,Jae Wha PARK,Youn Jae CHO,Taek Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-08.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: US09881904B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20230371237A1. Автор: Do Hyung Kim,Eun Young Lee,Seung Jong Park,Jae Wha PARK,Youn Jae CHO,Taek Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US12016175B2. Автор: Do Hyung Kim,Eun Young Lee,Seung Jong Park,Jae Wha PARK,Youn Jae CHO,Taek Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: WO2016118209A3. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Methods of fabricating silicon-on-insulator (SOI) semiconductor devices using blanket fusion bonding

Номер патента: US09721832B2. Автор: Alexander A. Ned,Sorin Stefanescu,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A3. Автор: Glenn C Abeln,Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Kyle T Gilliland. Владелец: Kyle T Gilliland. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A2. Автор: Peter J. Beckage,James D. Burnett,Glenn C. Abeln,Toni D. Van Gompel,Mohamad Jahanbani,Kyle T. Gilliland. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-26.

Methods of forming a silicon-insulator layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US11195713B2. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Olaf Storbeck,Michael Hutzler,Ingmar Neumann,Markus Heinrici,Georg Ehrentraut,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC,Christoffer Erbert,Klaus Goeschl,Wolfgang Koell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US20100019383A1. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Method of forming isolation region in integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US5004701A. Автор: Kazumasu Motokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11769716B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having an Integrated pn Diode Temperature Sensor

Номер патента: US20200006185A1. Автор: Mark Harrison,Georg SCHINNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210111085A1. Автор: Se Man Oh,Sang Hyeon Lee,Min Cheol Shin,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US20240266304A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240014105A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of forming through silicon via of semiconductor device using low-K dielectric material

Номер патента: US8872354B2. Автор: Han Kyu-hee,Byung-hee Kim,Jang-Hee Lee,Kyoung-Hee Kim,Byung-lyul Park,Sang-hoon Ahn,Jong-min Beak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282712A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282711A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device having a through-substrate via

Номер патента: US20140284793A1. Автор: Arkadii V. Samoilov,Larry Y. Wang,Tyler Parent. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Method and structure to fabricate a nanoporous membrane

Номер патента: US20180053716A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Hao Tang,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Method and structure to fabricate a nanoporous membrane

Номер патента: US09768104B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Hao Tang,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Via for semiconductor devices and related methods

Номер патента: US20200411412A1. Автор: Eric Jeffery WOOLSEY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11664289B2. Автор: Se Man Oh,Sang Hyeon Lee,Min Cheol Shin,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200176345A1. Автор: Se Man Oh,Sang Hyeon Lee,Min Cheol Shin,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Korea Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US11990428B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258305A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887157B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11984444B2. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of manufacturing semiconductor chip, semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US10410976B2. Автор: Kazuhito Higuchi,Taizo Tomioka,Tomohiro Iguchi,Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20200075488A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Jiun Yi Wu,Chien-Hsun Chen,Shou-Yi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor package, electronic apparatus and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20220293432A1. Автор: Junghoon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240312923A1. Автор: Jeonggi Jin,Byeongchan KIM,Jumyong Park,Solji Song,Chungsun Lee,Jinho AN,Juil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with aluminum nitride anti-deflection layer

Номер патента: EP4115452A1. Автор: George Grama,Michael J. Rondon,Andrew P. Clarke. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-01-11.

Semiconductor device having pinned layer with enhanced thermal endurance

Номер патента: US9666789B2. Автор: Jeong-Heon Park,Jae-hoon Kim,Ki-Woong Kim,Hee-Ju SHIN,Se-Chung Oh,Woo-Jin Kim,Yun-Jae Lee,Joon-Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device having pinned layer with enhanced thermal endurance

Номер патента: US20150280108A1. Автор: Jeong-Heon Park,Jae-hoon Kim,Ki-Woong Kim,Hee-Ju SHIN,Se-Chung Oh,Woo-Jin Kim,Yun-Jae Lee,Joon-Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: US20140225280A1. Автор: Shiqun Gu,Brian M. Henderson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: KR101615276B1. Автор: 시쿤 구,브라이언 엠. 헨더슨. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2016-04-25.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US20230299017A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200283288A1. Автор: Ching-Han Huang,Yu-Hsuan Tsai,Ming Yen LEE,Chia-Hao Sung. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180265347A1. Автор: Ching-Han Huang,Yu-Hsuan Tsai,Ming Yen LEE,Chia Hao SUNG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Fan-out semiconductor device

Номер патента: US20180350747A1. Автор: Ki Jung SUNG,Jun Oh Hwang,Kwang Yun KIM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Metallized semiconductor device including an interface layer

Номер патента: CA1258718A. Автор: Daniel Brasen,Ronald H. Willens. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1989-08-22.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100227472A1. Автор: Takuya Futase. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Structure and method of semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09859113B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Ding-I Liu,Yi-Fang LI,jing-yang Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20100203700A1. Автор: Eunkee Hong,Deok-Young Jung,Ju-seon Goo,Kyungmun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150235901A1. Автор: Tamotsu Owada,Hirosato Ochimizu,Hikaru Ohira. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20220130723A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US20220085153A1. Автор: Hiroki Nakajima,Tomohiko Sugita,Naomi Yanai,Fuyuma ITO,Hakuba KITAGAWA,Tatsuhiko Koide,Takaumi Morita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of decomposing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09928330B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device, layout method and apparatus and program

Номер патента: US7587696B2. Автор: Norihito Nakamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-08.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Stacked capacitor with enhanced capacitance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871095B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Szu-Yu Wang,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US20200111791A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

DRAM capacitor having a multi-layer TaON dielectric

Номер патента: GB2365213A. Автор: Kee Jeung Lee,Dong Jun Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-13.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240222134A1. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices and methods of manufacturing

Номер патента: US12112953B2. Автор: Neng-Jye Yang,Jao Sheng Huang,Chun-Li Chou,Wan Hsuan Hsu,Yen-Chiu Kuo,Yu-Li Cheng,Ya Tzu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150194486A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20170358644A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160079355A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20050236676A1. Автор: Tohru Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-27.

Process for etching an insulating layer and forming a semiconductor device

Номер патента: EP1085563A3. Автор: Ganesh Rajagopalan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140306339A1. Автор: Tamotsu Owada,Hirosato Ochimizu,Hikaru Ohira. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20160276351A1. Автор: Daisuke Matsushita,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US11616120B2. Автор: Hiroki Nakajima,Tomohiko Sugita,Naomi Yanai,Fuyuma ITO,Hakuba KITAGAWA,Tatsuhiko Koide,Takaumi Morita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US20230207616A1. Автор: Hiroki Nakajima,Tomohiko Sugita,Naomi Yanai,Fuyuma ITO,Hakuba KITAGAWA,Tatsuhiko Koide,Takaumi Morita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240186368A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230084276A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Methods of fabricating vertical semiconductor device utilizing phase changes in semiconductor materials

Номер патента: US20110217828A1. Автор: Vladimir Urazaev,Jung-Ho Kim,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang,Sung-Woo Hyun,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-08.

Method and equipment for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5492864A. Автор: Yoshiharu Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-20.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20230232626A1. Автор: Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Middle-of-line borderless contact structure and method of forming

Номер патента: US20140077276A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,David V. Horak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Middle-of-line borderless contact structure and method of forming

Номер патента: US20150035026A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,David V. Horak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Three dimensional heterogeneous integration with double-sided semiconductor dies and methods of forming the same

Номер патента: US20240113078A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: WO2023123204A1. Автор: Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor structure and related method

Номер патента: US20200035545A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor Structure and Related Method

Номер патента: US20180061698A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110159687A1. Автор: Hae-Jung Lee,Kang-Pok Lee,Kyeong-Hyo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US11355432B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US20170250135A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US10665539B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US20200286826A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of fabricating a semiconductor on insulator device having a frontside substrate contact

Номер патента: US20100163993A1. Автор: Piebe A. Zijlstra. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor devices with electrical fuses and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240297115A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Chung-Sheng Yuan,Chia-Chung Chen,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230371253A1. Автор: Jin Ho Bin,Kyung Jin Lee,Ah Reum BAHK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US12058852B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor devices with redistribution structures configured for switchable routing

Номер патента: US11791316B2. Автор: David R. Hembree,Travis M. Jensen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor devices with redistribution structures configured for switchable routing

Номер патента: US20210305211A1. Автор: David R. Hembree,Travis M. Jensen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor devices with redistribution structures configured for switchable routing

Номер патента: US20240055411A1. Автор: David R. Hembree,Travis M. Jensen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor devices with redistribution structures configured for switchable routing

Номер патента: EP4128346A1. Автор: David R. Hembree,Travis M. Jensen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor Devices Having Supportive Plating Structures

Номер патента: US20230268290A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Janice Jia Min Ling. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor devices including a lower semiconductor package, an upper semiconductor package on the lower semiconductor package, and a connection pattern between the lower semiconductor package and the upper semiconductor package

Номер патента: US12057366B2. Автор: Jang Woo Lee,Ji Hwang Kim,Jong Bo Shim,Yung Cheol KONG,Young Hoon HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Chip component and method of producing the same

Номер патента: US09972427B2. Автор: Hiroki Yamamoto,Yasuhiro Kondo,Hiroshi Tamagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of fabricating transistor structure

Номер патента: US20240064993A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Kuo-Chang Chiang,Song-Fu Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US7470590B2. Автор: Werner Juengling,Kunal R. Parekh,Steven M. McDonald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-30.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US20060231528A1. Автор: Werner Juengling,Steven McDonald,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US20050255701A1. Автор: Werner Juengling,Steven McDonald,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-17.

Packaged Semiconductor Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230361068A1. Автор: Chen-Hua Yu,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20170309637A1. Автор: Sun Young Kim,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device including interlayer support patterns on a substrate

Номер патента: US10115734B2. Автор: Sun Young Kim,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-30.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: EP4421866A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20240290733A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Structure and method to prevent charge damage from e-beam curing process

Номер патента: SG133471A1. Автор: Liu Huang,HSIA Liang Choo,Liu Wuping,ZHANG Bei Chao,John Leonard Sudijono. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-07-30.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11889679B2. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US12057359B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Chun-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240249988A1. Автор: Yu-Chang Chen,Jen-Chieh Kao,Wei-Tung CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025328A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20190267252A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-08-29.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US09837371B2. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12027467B2. Автор: Shao-Lun YANG,Chun-Hung Yeh,Wei-Chih CHO,Tsung-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190067119A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jeng-Hwa Liao,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US7391094B2. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-06-24.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US20060086949A1. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09935073B2. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Tin-Hao Kuo,Yu-feng Chen,Sheng-Yu Wu,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8421155B2. Автор: Eiji Yoshida,Akira Katakami. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159980A1. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120193717A1. Автор: Eiji Yoshida,Akira Katakami. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Lateral capacitors of semiconductor devices

Номер патента: EP4398701A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Lateral capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US20240234448A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Double-Sided Fan-Out Wafer Level Package

Номер патента: US20200006215A1. Автор: Il Kwon Shim,Won Kyoung Choi,Jose A. Caparas,Pandi C. Marimuthu,Sze Ping Goh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Methods for fabricating electrically-isolated finfet semiconductor devices

Номер патента: US20140213033A1. Автор: David P. Brunco,Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Method for Forming a Semiconductor Structure Having a Porous Semiconductor Layer in RF Devices

Номер патента: US20210375618A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device having optimized drain termination and method therefor

Номер патента: US20200066838A1. Автор: Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Jaroslav Pjencak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074250A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030292A1. Автор: Chia-Cheng Ho,Chan-yu HUNG,Chia-Yu WEI,Yu-Chang Jong,Fei-Yun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240130107A1. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of providing variant fills in semiconductor trenches

Номер патента: US6410402B1. Автор: Liang-Kai Han,Jay Harrington. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device composed of the substrate

Номер патента: US5227339A. Автор: Sadahiro Kishii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-07-13.

Semiconductor device package, electronic assembly and method for manufacturing the same

Номер патента: US11764137B2. Автор: Cheng-Lin HO,Chih-Cheng LEE,Chun Chen CHEN,Cheng Yuan CHEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Isolation layer of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100084733A1. Автор: Jong-Doo Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor package including reinforcement structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240063128A1. Автор: Wei-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device having a heat dissipation structure connected chip package

Номер патента: US20220208680A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Tin-Hao Kuo,Po-Yuan TENG,Shih-Wei Chen,Yu-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor structure and method of fabricating the semiconductor structure

Номер патента: US20210098573A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jui-Chien Huang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor structure and method of fabricating the semiconductor structure

Номер патента: US11942513B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jui-Chien Huang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor structure and method of fabricating the semiconductor structure

Номер патента: US20240194735A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jui-Chien Huang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20210327875A1. Автор: Shin-Cheng Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160233131A1. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

FinFET device and method of forming same

Номер патента: US11862508B2. Автор: Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Chih-tang Peng,Bo-Cyuan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20210233935A1. Автор: Takayuki Oshima,Katsumi Ikegaya,Kiyotaka Kanno,Shinichirou WADA,Masato Kita,Keishi KOMORIYAMA. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: TW200727388A. Автор: Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Glenn C Abelin,Kyle T Gilliand. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-16.

Methods of forming conductive and insulating layers

Номер патента: US09865575B2. Автор: HeeJo Chi,HanGil Shin,KyungMoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20190109206A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US10505023B2. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Stacked Integrated Circuit Structure and Method of Forming

Номер патента: US20210242173A1. Автор: Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Wei-Ming Chen,Wen-Hsin Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor Integrated Circuit Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20090209078A1. Автор: Hideki Yasuoka,Susumu Ishida,Masami Kouketsu,Kazunari Saitou. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor Device and Method of Forming WLCSP with Semiconductor Die Embedded Within Interconnect Structure

Номер патента: US20160218089A1. Автор: Daesik Choi,KyungHoon Lee,Hyunjin SONG,KyoungIl Huh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor device, semiconductor package, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220254699A1. Автор: Tun-Ching PI. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11961899B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Hsiao Wen Lee,Yu-Shan Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230163195A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Hsiao Wen Lee,Yu-Shan Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US20170207189A1. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of forming a leadframe for a semiconductor package

Номер патента: US20050037544A1. Автор: Darrell Truhitte,Guan Quah. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor module having a double-sided heat dissipation structure and A Method for fabricating the same

Номер патента: US20240096720A1. Автор: Tae Ryong Kim,Deog Soo Kim. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device having heat radiating configuration

Номер патента: US20110133328A1. Автор: Takeshi Miyajima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor packages and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240120207A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Szu-Hsien Lee,Pei-Wei Lee,Chieh-Ning Feng,Lung-Kai MAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, apparatus for manufacturing semiconductor device, circuit board, and electronic instrument

Номер патента: US20030013229A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, apparatus for manufacturing semiconductor device, circuit boa and electronic instrument

Номер патента: US6908776B2. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-06-21.

Method of intensive cooling of high-heat-stressed semiconductor devices

Номер патента: RU2657341C1. Автор: Александр Семенович Косой,Алексей Борисович Шмелев,Юрий Павлович Большаков,Егор Александрович Дружинин,Наталья Игоревна Вяземская,Андрей Александрович Михасев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РСК Лабс" (ООО "РСК Лабс"). Дата публикации: 2018-06-13.

Semiconductor device having a sub-chip-scale package structure and method for forming same

Номер патента: US6064114A. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-05-16.

Methods of fabrication of lead frame-based semiconductor device packages incorporating at least one land grid array package

Номер патента: SG149896A1. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-27.

Method of employing multi-layer tab tape in semiconductor device assembly by selecting, breaking, downwardly bending and bonding tab tape trace free ends to a ground or power plane

Номер патента: US5638596A. Автор: John McCormick. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-06-17.

Semiconductor device with electrodes having a columnar portion

Номер патента: US11842971B2. Автор: Kenji Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of designing arrangement of tsv in stacked semiconductor device and designing system for arrangement of tsv in stacked semiconductor device

Номер патента: US20140258949A1. Автор: Myung-Soo JANG,Jae-Rim LEE,Jong-Wha Chong,Min-Beom KIM,Wen Rui LI,Cheol-Jon JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-11.

Microfeature assemblies including interconnect structures and methods for forming such interconnect structures

Номер патента: WO2007027417A2. Автор: Kia Heng Puah. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-03-08.

Microfeature assemblies including interconnect structures and methods for forming such interconnect structures

Номер патента: EP1938369A2. Автор: Kia Heng Puah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-02.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282715A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices having interposer structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210111122A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Structures and methods for reducing stress in three-dimensional memory device

Номер патента: US20210050446A1. Автор: Jian Hua SUN,Ji XIA,Sizhe Li,Qinxiang Wei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US11721597B2. Автор: Victor Chiang Liang,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Huang-Wen Tseng,Chwen-Ming Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Vertical channel semiconductor device with a reduced saturation voltage

Номер патента: US10115811B2. Автор: Fernando Giovanni Menta,Salvatore Pisano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-30.

Vertical channel semiconductor device with a reduced saturation voltage

Номер патента: US20180122926A1. Автор: Fernando Giovanni Menta,Salvatore Pisano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of fabricating hafnium oxide layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US09831085B2. Автор: Deok Sin Kil,Jae Sung Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Mask rom device, semiconductor device including the mask rom device, and methods of fabricating mask rom device and semiconductor device

Номер патента: US20100285641A1. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Mask ROM device, semiconductor device including the mask ROM device, and methods of fabricating mask ROM device and semiconductor device

Номер патента: US8053342B2. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Methods of forming epitaxial source/drain features in semiconductor devices

Номер патента: US12119378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09870949B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US7508000B2. Автор: Bart J. Van Zeghbroeck,John T. Torvik. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Method of fabricating spacers in a strained semiconductor device

Номер патента: US8143131B2. Автор: Harry Chuang,Chen-Pin Hsu,Kong-Beng Thei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-03-27.

Method of fabricating buried control elements in semiconductor devices

Номер патента: US5700703A. Автор: Christine Thero,Jenn-Hwa Huang,Kumar Shiralagi. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-12-23.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of fabricating epitaxial gate dielectrics and semiconductor device of the same

Номер патента: US09853150B1. Автор: Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Ken-Ichi Goto. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Gettering regions and methods of forming gettering regions within a semiconductor wafer

Номер патента: US20020022346A1. Автор: Fernando Gonzalez,Jeffrey Honeycutt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing display apparatus, apparatus of manufacturing semiconductor device, and display apparatus

Номер патента: US20090095962A1. Автор: Yoshio Inagaki,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Method of Forming Fully Silicided NMOS and PMOS Semiconductor Devices Having Independent Polysilicon Gate Thicknesses, and Related Device

Номер патента: US20090321846A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

Method of epitaxial structure formation in a semiconductor

Номер патента: US09768017B1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having increased contact area between a source/drain pattern and an active contact

Номер патента: US11862679B2. Автор: Seokhoon Kim,Seung Hun Lee,Choeun LEE,Min-Hee Choi,Edward Namkyu CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Mask rom device, semiconductor device including the mask rom device, and methods of fabricating mask rom device and semiconductor device

Номер патента: US20080308875A1. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020001858A1. Автор: Han Song,Dong Kim,Kyong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210134955A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Ohmic electrode for sic semiconductor, method of manufacturing ohmic electrode for sic semiconductor, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: CA2667648A1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of fin selection for improved performance in semiconductor devices

Номер патента: US20240046021A1. Автор: Shellin Liu,Jui-Tse Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having A Floating Gate, Control Gate, Select Gate And An Erase Gate With An Overhang Over The Floating Gate, Array And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20110127599A1. Автор: Amitay Levi,Xian Liu,Viktor Markov,Chien-Sheng Su,Yaw Wen Hu,Yuri Tkachev,Alexander Kotov,James Yingbo Jia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6387749B1. Автор: Chan Lim. Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Apparatus and method of activating impurity atom in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20060105552A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-18.

Electroless plating bath used for forming a wiring of a semiconductor device, and method of forming a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US5795828A. Автор: Mikio Nishio,Shin Hashimoto,Masayuki Endo,Akemi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-18.

Method of fabricating group-iii nitride-based semiconductor device

Номер патента: WO2000016378A2. Автор: Soo-Jin Chua,Xiong Zhang. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2000-03-23.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of making gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US11894443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Feautures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210202699A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Methods of forming layer patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20140242800A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Tae-Hwan OH,Yu-Ra KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US20050260821A1. Автор: Bart Van Zeghbroeck,John Torvik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-24.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200075724A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of improving a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20080124899A1. Автор: Wen Lin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices

Номер патента: US5464795A. Автор: Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Method for fabricating a thin film semiconductor device

Номер патента: US5637512A. Автор: Mitsutoshi Miyasaka,Thomas W. Little. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1997-06-10.

Method of forming electrical contact to a semiconductor substrate via a metallic silicide or silicon alloy layer formed in the substrate

Номер патента: US4577396A. Автор: Noriyuki Sakudo,Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-03-25.

Method of forming a mass over a semiconductor substrate

Номер патента: US7179361B2. Автор: Rita J. Klein,Dale W. Collins,Richard H. Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Methods of forming patterns with multiple layers for semiconductor devices

Номер патента: US10014181B2. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-03.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20040018733A1. Автор: Baek Hak. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method for producing an n-doped field stop zone in a semiconductor body and semiconductor component having a field stop zone

Номер патента: US20060035436A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2006-02-16.

Method of storing GaN substrate, stored substrate and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: EP1868252A3. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Method of depositing thin passivating film on microminiature semiconductor devices

Номер патента: US5620909A. Автор: Fan Ren,Jenshan Lin,James R. Lothian. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

Semiconductor device and method of forming electromagnetic (EM) shielding for LC circuits

Номер патента: US09754897B2. Автор: Linda Pei Ee CHUA,Il Kwon Shim,Rajendra D. Pendse,Yaojian Lin,Won Kyoung Choi,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device package having dummy dies

Номер патента: US12125822B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device package with stress reduction design and method of forming the same

Номер патента: US11894320B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200251421A1. Автор: Chun Chen CHEN,Chen Yuang CHEN,Yuanhao Yu,Jiming Li. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11552026B2. Автор: Chun Chen CHEN,Yuanhao Yu,Cheng Yuan CHEN,Jiming Li. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of fabricating a three-dimensional semiconductor memory device having a plurality of memory blocks on a peripheral logic structure

Номер патента: US09837429B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same, and electronic systems including semiconductor devices

Номер патента: US20240315039A1. Автор: Inho Kim,Young-Ho Lee,Jumi Yun,Wongi Hong,Gyeongsik EOM,Chankyu KIM,Dasom JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Substrate for oled, method of fabricating the same and organic light-emitting device having the same

Номер патента: US20140141958A1. Автор: Jaeho Lee,Jhee-Mann Kim,Seong-Sik PARK,Eun Young Cho,Kiyeon Lee,Joosok Kim,Myeongjin Ahn. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Method of assembling carbon nanotubes of a semiconductor device via fringing field assisted dielectrophoresis

Номер патента: US09923160B2. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Shu-Jen Han,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20240349520A1. Автор: Seungwoo Paek,Sunil Shim,Jimin Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of anodising a surface of a semiconductor device

Номер патента: US09786808B2. Автор: Xi Wang,Jie Cui. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semicondutor device using the same

Номер патента: US09928333B2. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US6780697B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Methods of fabricating and contacting ultra-small semiconductor devices

Номер патента: US5956568A. Автор: Sung P. Pack,Kumar Shiralagi. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-09-21.

Trench semiconductor device having shaped gate dielectric and gate electrode structures and method

Номер патента: US20190237588A1. Автор: Mihir Mudholkar,Mohammed T. QUDDUS,Ikhoon SHIN,Scott M. DONALDSON. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Polishing compostion for semiconductor process, manufacturing method of polishing composition and method for manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230332014A1. Автор: Han Teo PARK,Jang Kuk KWON,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit including interconnection and method of fabricating the same, the interconnection including a pattern shaped and/or a via disposed for mitigating electromigration

Номер патента: US20200235126A1. Автор: Chang-Beom Kim,Tae-Joong Song,Ha-young Kim,Hyun-Jeong Roh,Dal-Hee LEE,Sung-We Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode

Номер патента: US5920767A. Автор: Nobuyuki Hosoi,Hideki Goto,Satoru Nagao,Hideyoshi Horie,Toshinari Fujimori. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory device having storage cell array and peripheral circuit, and a structure therefore

Номер патента: US5656527A. Автор: Keon-Soo Kim,Jeong-Hyeok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: USRE49780E1. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor integrated circuit having a switch, an electrically- conductive electrode line and an electrically-conductive virtual line

Номер патента: US09735775B2. Автор: Hiromi Ogata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: GB2430306A. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Method of fabricating high voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US7462532B2. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-12-09.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: US6700168B2. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

Gate-all-around/multi-gate semiconductor device with body contact, method of manufacturing gate-all-around/multi-gate semiconductor device with body contact, and electronic apparatus

Номер патента: US20240072135A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of determining the active region width between shallow trench isolation structures using a c-v measurement technique for fabricating a flash memory semiconductor device and a device thereby formed

Номер патента: US6818462B1. Автор: Zhigang Wang,Tien-Chun Yang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-11-16.

Method of manufacturing a device comprising a semiconductor body

Номер патента: US3968565A. Автор: Jan T. Gerkema,Theodorus Cornelius Johannes Maria Bertens,Hendrikus Josephus Antonius Van Dijk. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-07-13.

Method of making charge-coupled device and solid-state imaging device having an ONO transfer gate insulating film

Номер патента: US5302545A. Автор: Yuji Matsuda,Hiroyuki Okada,Wataru Kamisaka,Masaji Asaumi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1994-04-12.

Method of manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20070166941A1. Автор: Jeong Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of making a piezoelectric sensor with increased sensitivity and devices having the same

Номер патента: US20230130082A1. Автор: You Qian,Rakesh Kumar,Guofeng Chen,Humberto CAMPANELLA-PINEDA. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US11959173B2. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US20240209510A1. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: EP2748842A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-02.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: WO2013028358A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-02-28.

Methods of Arranging L-Shaped Cell Blocks In Semiconductor Devices

Номер патента: US20110286295A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of making planar-type bottom electrode for semiconductor device

Номер патента: US20090023264A1. Автор: Hsiao-Che Wu,Wen-Li Tsai,Ming-Yen Li. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Test architecture of semiconductor device, test system, and method of testing semicondurctor devices at wafer level

Номер патента: US09824946B2. Автор: Young-Yong Byun,Chi-wook Kim,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Dicing-tape integrated film for backside of semiconductor and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09679797B2. Автор: Akihiro Fukui,Naohide Takamoto,Hiroyuki Hanazono. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240079232A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of fabricating a semiconductor on insulator device having a frontside substrate contact

Номер патента: WO2007080545A1. Автор: Piebe A. Zijlstra. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and silane coupling agent

Номер патента: US20100270659A1. Автор: Manabu Matsumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304606A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit packaging system with coreless substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09673171B1. Автор: Heesoo Lee,HeeJo Chi,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and imaging device

Номер патента: US09748178B2. Автор: Mitsuhiro Tsukimura. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20180342432A1. Автор: Tomoshige Yunokuchi. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220115339A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Yu-Lin Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Structure and method for stabilizing leads in wire-bonded semiconductor devices

Номер патента: US09824959B2. Автор: Jerry Gomez Cayabyab,Dolores Babaran Milo,Mark Gerald Rosario Pinlac,Bobby Johns Lansangan Villacarlos,Juan Carlo Aro Rimando. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20140117543A1. Автор: Chan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Packaged semiconductor device having a lead frame and inner and outer leads and method for forming

Номер патента: US09978669B2. Автор: Chee Seng Foong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025340A1. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Phillip Celaya,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09653387B2. Автор: Prasad Venkatraman,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20170294372A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Chi-Ching Ho,Ying-Chou Tsai,Shao-Tzu Tang,Yu-Che Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US09991197B2. Автор: Chia-Cheng Chen,Chi-Ching Ho,Ying-Chou Tsai,Shao-Tzu Tang,Yu-Che Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: US20140284818A1. Автор: Atsushi Kuroda,Takafumi Betsui,Takashi Abematsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Cooling system for a semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20060099815A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Joseph Shepard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US20140338956A1. Автор: Stephen R. Hooper,Dwight L. Daniels,Alan J. Magnus,Justin E. Poarch. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-20.

Method of forming a semiconductor package and leadframe therefor

Номер патента: US20050127482A1. Автор: James Letterman,Joseph Fauty,James Knapp. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of forming an electronic device structure having an electronic component with an on-edge orientation and related structures

Номер патента: US20210043589A1. Автор: Shaun Bowers. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20210265283A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US11476206B2. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2022-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US11769703B2. Автор: Mitsuhiro Sakuma. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20210249320A1. Автор: Mitsuhiro Sakuma. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Method of producing a semiconductor package

Номер патента: US09842792B2. Автор: Danny Retuta,Mary Annie Cheong,Hien Boon Tan,Anthony Yi Sheng Sun. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of Treating Protective Coatings for Semiconductor Devices

Номер патента: GB1175392A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1969-12-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230290714A1. Автор: Li-Hui Cheng,Chih-Chien Pan,Ping-Yin Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200335458A1. Автор: Chien-Hua Chen,Sheng-chi Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09941146B2. Автор: Sukianto Rusli. Владелец: Chip Solutions LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20040061189A1. Автор: Sang-Yong Kim,Ji-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US11978729B2. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Packaged semiconductor device having a lead frame and inner and outer leads and method for forming

Номер патента: US20180005925A1. Автор: Chee Seng Foong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device package having warpage control

Номер патента: US20240145448A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220157761A1. Автор: Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device with combined passive device on chip back side

Номер патента: US20150311149A1. Автор: Martin Gruber,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-10-29.

Manufacturing method of chip package structure

Номер патента: US20160293529A1. Автор: Yu-Tang Pan,Shih-Wen Chou. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2016-10-06.

Antenna device and method of manufacturing antenna device

Номер патента: US20240363994A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240274556A1. Автор: Ji-Yong Park,Won Choi,Bok Sik MYUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09905500B2. Автор: Prasad Venkatraman,Jason Mcdonald,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor Structure and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230238430A1. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12002851B2. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device including a passivation structure and manufacturing method

Номер патента: US20200185297A1. Автор: Dethard Peters,Christian Stahlhut,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Bernd Zippelius,Juergen Steinbrenner,Paul Salmen,Tobias Schmidutz,Vice Sodan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030080412A1. Автор: Masaaki Irie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20180005927A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09780019B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060220150A1. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09599655B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Pad structure and testkey structure and testing method for semiconductor device

Номер патента: US11906577B2. Автор: Le Li,Jiwei He,Linzhi LU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US10964693B2. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US20210183854A1. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor package having a solder wetting structure

Номер патента: US20240250056A1. Автор: Subaramaniym Senivasan,Mohd Afiz Hashim,Varun PARTHASARATHY,Zhi Yuan Goh,Azmil Abdullah,Kah Wai Lau,Ahmad Zulkarnain Samsudin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US12074158B2. Автор: Naoki Takahashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09984987B2. Автор: Po Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods of forming metal ion barrier layers and resulting structures

Номер патента: US20240355766A1. Автор: Dian-Hau Chen,Yu-Bey Wu,Chih-Pin CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10867952B2. Автор: Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025339A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Component carrier and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4444047A1. Автор: James Fung,Jyunmin Wang,Brance Zhou,Stella Li,Vivi Wei,Cain Duan,Melody Xie,Lucas Zhou. Владелец: AT&S Chongqing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Electronic package for electronic components and method of making same

Номер патента: MY124761A. Автор: S Kresge John,D Sebesta Robert,B Stone David,R Wilcox James. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-07-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20200027876A1. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device, stacked semiconductor device and interposer substrate

Номер патента: US20080116559A1. Автор: Masayuki Hosono,Akiji Shibata,Kimio Inaba. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09825036B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

FinFET device having flat-top epitaxial features and method of making the same

Номер патента: US11769771B2. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee,Li-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor Devices Having Epitaxial Layers with Suppressed Lateral Growth and Related Methods of Manufacturing Such Devices

Номер патента: US20070072399A1. Автор: Jun-Ho Lee,Young-Pil Kim,Hyung-ik Lee,Jin-Bum Kim,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210126092A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190312119A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US12062720B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363753A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method and apparatus for sweeping overflowed resin on semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US6116487A. Автор: Nobuhiro Nagamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor device structure and method for forming same

Номер патента: US20240332395A1. Автор: Zeyong CHEN,Yunbo Chen,Yohtz Julian CHANG,Canyang HUANG. Владелец: Guangzhou Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09735261B2. Автор: Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Meng-Ku Chen,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of forming patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09905754B1. Автор: Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Via structure for packaging and a method of forming

Номер патента: US09601355B2. Автор: Ming-Che Ho,Chung-Shi Liu,Yi-Wen WU,Hung-Jui Kuo,Chien Ling Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of fabricating a structure with an oxide layer of a desired thickness on a Ge or SiGe substrate

Номер патента: US20060270244A1. Автор: Nicolas Daval,Yves-Mathieu Le Vaillant. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09841672B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: US20070190726A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jai-Hyuk Song,Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-16.

Metal oxide semiconductor device with improved threshold voltage and drain junction breakdown voltage and method for fabricating same

Номер патента: US20080023776A1. Автор: Allan Laser. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of designing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290686A1. Автор: Jongdoo Kim,Juyun PARK,Yeojin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210313452A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Yu-Lin Yang,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Wei-Sheng Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6461796B1. Автор: Tatsuya Kunikiyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-08.

A semiconductor device including a cross-coupled gate circuit in a 3d stack and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4036959A2. Автор: Seunghyun Song,Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-03.

A semiconductor device including a cross-coupled gate circuit in a 3d stack and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4036959A3. Автор: Seunghyun Song,Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865612B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160268311A1. Автор: Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Strained and unstrained semiconductor device features formed on the same substrate

Номер патента: US09917154B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Epitaxial source/drain structure and method

Номер патента: US12125879B2. Автор: PENG Wang,Wei-Yuan Lu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Guan-Ren Wang,I-Wen Wu,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A2. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A3. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of forming a P-type ohmic contact in group-III nitride semiconductors

Номер патента: US09947537B2. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230091153A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180006114A1. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Gate structure and patterning method

Номер патента: US20240234214A1. Автор: Wei-Hao Wu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768253B2. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of fabricating a semiconductor substrate having a stressed semiconductor region

Номер патента: US11810789B2. Автор: François Andrieu,Sylvain Maitrejean,Shay REBOH,Victor BOUREAU. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor devices comprising a heterojunction

Номер патента: US3679496A. Автор: Ties Siebolt Te Velde,Sybrandus Van Heusden. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-07-25.

Methods of forming microelectronic devices with nitrogen-rich insulative structures, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240215246A1. Автор: Kadir Abdul,Swapnil A. Lengade,Jeremy Adams,Naiming Liu,Jeslin J. Wu,Carlo Mendoza OROFEO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240297246A1. Автор: Atsushi Yamada,Junji Kotani,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Trench gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240250166A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210183713A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor devices having late-formed isolation structures

Номер патента: US11908857B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Superior silicon carbide integrated circuits and method of fabricating

Номер патента: US20020034852A1. Автор: Dev Alok. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Ohmic electrode and method of forming the same

Номер патента: US20120132927A1. Автор: Yasuo Takahashi,Masahiro Sugimoto,Akinori Seki,Masakatsu Maeda,Akira Kawahashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, manufacturing method of laminate, and chemical liquid container

Номер патента: US20240337013A1. Автор: Atsushi Mizutani,Koichi Sato,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US9768302B2. Автор: Chih-Chiang Chang,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

High-voltage semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220069081A1. Автор: Wen-Hsin Lin,Yu-Hao Ho,Chiu-Hao Chen,Cheng-Tsung WU,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9190469B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Electronic device with auto aligned csl and edge termination structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297249A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US9548203B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Extremely thin semiconductor-on-insulator (etsoi) integrated circuit with on-chip resistors and method of forming the same

Номер патента: US20120187493A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Superior silicon carbide integrated circuits and method of fabricating

Номер патента: EP1157412A1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-28.

Semiconductor devices and electronic systems including an etch stop material, and related methods

Номер патента: US20200185406A1. Автор: Christopher W. Petz,Yongjun J. Hu,Haoyu Li,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of forming a trench using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: US09768273B2. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Dual Side Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230008614A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Shih-Chuan CHIU,Chu-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Dual side contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US11955515B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Dual Side Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240204046A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor Device Having a Source Region with Chalcogen Atoms

Номер патента: US20190157438A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Logic circuit formed using unipolar transistor, and semiconductor device

Номер патента: US12040795B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Shintaro Harada,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of forming replacement gate structures for nfet semiconductor devices and devices having such gate structures

Номер патента: US20140145274A1. Автор: Huang Liu,Wonwoo Kim,Jean-Baptiste Laloe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Logic circuit formed using unipolar transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20240364343A1. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Shintaro Harada,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20160372486A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Ryuta Tsuchiya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20160156350A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Ryuta Tsuchiya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240162285A1. Автор: Kaname MITSUZUKA,Tohru SHIRAKAWA,Yasunori Agata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: EP3712959A1. Автор: Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Semiconductor device and methods for fabricating same

Номер патента: US20100044761A1. Автор: James F. Buller,Akif Sultan,Kaveri MATHUR. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180366374A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230352548A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170263504A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US9620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260813A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210376099A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Process for manufacturing a power electronic device having a current spreading layer

Номер патента: US20240297043A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Laura Letizia SCALIA,Massimo Boscaglia,Alfio Guarnera,Mario Pietro BERTOLINI,Massimiliano CANTIANO. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of fabricating a multi-gate device

Номер патента: US11955554B2. Автор: Zhiqiang Wu,Ying-Keung Leung,Chung-Cheng Wu,Yi-Ming Sheu,Hung-Li Chiang,Huan-Sheng WEI,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device having gate electrode with multi-layers and electronic system including the same

Номер патента: US11937431B2. Автор: SANGHOON Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having gate electrode and electronic system including the same

Номер патента: US20220085047A1. Автор: SANGHOON Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1754255A1. Автор: Gerben Doornbos,Prabhat Agarwal,Jan W. Slotboom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-02-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901409B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190326393A1. Автор: Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11239314B2. Автор: Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-02-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170278857A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20160379839A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09613810B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US6140192A. Автор: Hsiao-Ling Lu,Tri-Rung Yew,Michael W C Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-10-31.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20180076203A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9245753B2. Автор: Yusuke Fukuda. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-26.

Semiconductor device with an ohmic ontact and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030132442A1. Автор: Bor-Jen Wu,Liann-Be Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device comprising mold for top side and sidewall protection

Номер патента: WO2014189704A1. Автор: Jianwen Xu,Lizabeth Ann Keser,Reynante Tamunan Alvarado. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-27.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150348783A1. Автор: Yusuke Fukuda. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8643088B2. Автор: Jin Won Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120001255A1. Автор: Jin Won Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20140001472A1. Автор: Akihiko Furukawa,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200013870A1. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of forming bitline diffusion halo under gate conductor ledge

Номер патента: US6274441B1. Автор: Jack A. Mandelman,Ramachandra Divakaruni,William R. Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-14.

Semiconductor device and a method for film deposition

Номер патента: US20240128077A1. Автор: Ji-Feng Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20240162294A1. Автор: Takahiro Tamura,Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764304B2. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190081014A1. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2019-03-14.

High Density Shield Gate Transistor Structure and Method of Making

Номер патента: US20230238440A1. Автор: Lei Zhang,Xiaobin Wang,Sik Lui,Madhur Bobde. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods of forming diodes

Номер патента: US11916129B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device with low concentration opposite type doping drain end gate electrode

Номер патента: US20240363720A1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Battery module and method of coupling first and second electrical terminals of first and second battery cells to first and second voltage sense members of an interconnect assembly

Номер патента: US09905892B2. Автор: Heekook Yang,Robert Merriman. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of Dispositioning and Control of a Semiconductor Manufacturing Process

Номер патента: US20240258066A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: Fractilia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of dispositioning and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2024178198A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: FRACTILIA, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

A battery having a thin profile and flexible structure and a method for producing the same

Номер патента: WO2001095408A3. Автор: Oliver J Gross. Владелец: Oliver J Gross. Дата публикации: 2002-05-23.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Zirconium oxide ceramic having a finegrained and thermo-stable structure and having a high resistance to thermal shocks moulded bodies made therefrom method for producing the moulded bodies and their use

Номер патента: GB1591781A. Автор: . Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1981-06-24.

Method of frequency-pulse modulation of a semiconductor laser source of optical radiation for optical interferometric sensors

Номер патента: RU2646420C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Михаил Викторович Мехреньгин,Михаил Юрьевич Плотников,Александр Юрьевич Киреенков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

Method of manufacturing the optical waveguide with "comb" structure with low coupling losses between optical waveguide with "comb" structure and optical fiber and optical waveguide with "comb" structure, manufactured by this method

Номер патента: RU2664491C2. Автор: Надеж КУРЖАЛ,Фабиен ЭНРО,Клеман ГИЙО,Арно ГЕРТХОФФЕР,Жан-Ив РОШ,Бландин ЭДУАР. Владелец: Юниверсите Де Франш-Комте. Дата публикации: 2018-08-17.

Method of Making a Nanogap for Variable Capacitive Elements, and Device having a Nanogap

Номер патента: US20040209435A1. Автор: Thomas Kenny,Markus Lutz,Aaron Partridge. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-21.

Method of driving a display element for a portable display device having a cholesteric liquid crystal

Номер патента: EP2290641A1. Автор: Shunji Baba,Fumio Yamagishi,Junji Tomita,Shigeru Hashimoto,Kenzo Nishide,Masaki Nose,Yoshiyasu Sugimura,Yoshikazu Yabe,Tomohisa Shingai,Takahiro Hirano,Futoshi Kisuno. Владелец: Fujitsu Frontech Ltd. Дата публикации: 2011-03-02.

Connector having a wall portion between an inserting portion and an actuator

Номер патента: US20060094288A1. Автор: Takaaki Kudo,Hiroyuki Yokoo. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2006-05-04.

Motor vehicle having a gas channel between a battery system and an underride protection plate

Номер патента: US20230286396A1. Автор: Philipp Kellner,Ralf Keller,Christopher Volkmer,Sascha Mostofi,Simon Frieß,Salvatore Maltisotto,Frederik Roost,Gabriel Dilmac. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of bonding a metal connection to an electrode including a core having a fiber or foam-type structure for an electrochemical cell, and a resulting electrode

Номер патента: US5558681A. Автор: Roelof Verhoog,Claude Precigout,Marie-Th er ese Loustau. Владелец: SAFT Societe des Accumulateurs Fixes et de Traction SA. Дата публикации: 1996-09-24.

Coaxial drop cable having a mechanically and electrically continuous outer conductor and an associated communications system

Номер патента: WO1996042030A1. Автор: Alan N. Moe,Bruce J. Carlson,David H. Pixley. Владелец: CommScope, Inc. of North Carolina. Дата публикации: 1996-12-27.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: US20230178484A1. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A3. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230378299A1. Автор: Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Non-planar transistors and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09735276B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung,Cheng-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and fault detecting method

Номер патента: US09935577B2. Автор: Yuji Takehara,Daisuke IIJIMA,Katsutoshi Bito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20070166887A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yi-Lung Cheng,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device including memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240237327A9. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120421A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device including gate with different laterally adjacent sections and method

Номер патента: US20240332417A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Stefan Dunkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device including gate with different laterally adjacent sections and method

Номер патента: EP4439678A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Stefan Dunkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of fabricating a semiconductor device having a lateral double diffused MOSFET transistor with a lightly doped source and CMOS transistor

Номер патента: US8071436B2. Автор: Marco A. Zuniga,Budong You. Владелец: Volterra Semiconductor LLC. Дата публикации: 2011-12-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Mechanism for forming semiconductor device with gate

Номер патента: US09728637B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device comprising two-dimensional material and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230275128A1. Автор: Sangwoo Kim,Taehyeong Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Minseok SHIN,JunYoung KWON,Jaehwan Jung,Pin Zhao. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of making bond pad

Номер патента: US20160020183A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chiang-Ming Chuang,Chun Che HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371978A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor integrated circuit device having vertical channel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640587B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240334716A1. Автор: Seungwoo Paek,Sunil Shim,Moorym CHOI,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with transistor cells and a drift structure and method of manufacturing

Номер патента: US10700182B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Bernd Zippelius,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-30.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09837537B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method to fabricate a flash memory cell with a planar stacked gate

Номер патента: US20010012661A1. Автор: Jong Chen,Hung-Der Su,Di-Son Kuo,Chong Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-09.

Semiconductor device including memory structure

Номер патента: US20240237326A9. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor device having asymmetrical source/drain

Номер патента: US20180151671A1. Автор: Jongki Jung,Myungil KANG,Yoonhae Kim,Kwanheum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Cell structure for a semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100096681A1. Автор: Yong-Sun Ko,Hak Kim,Yong-Kug Bae,Kyoung-Yun Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230354717A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device having asymmetrical source/drain

Номер патента: US09882004B2. Автор: Jongki Jung,Myungil KANG,Yoonhae Kim,Kwanheum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor device and method of fabrication thereof

Номер патента: US5279985A. Автор: Satoshi Kamiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-01-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11869935B2. Автор: Le Li. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060202260A1. Автор: Junya Maneki,Masaru Seto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor light detection device and method of detecting light of specific wavelength

Номер патента: US20190103502A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Inspection layer to improve the detection of defects through optical systems and methods of inspecting semiconductor device for defects

Номер патента: US11761905B2. Автор: Huai-Ying Huang,I-Che Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Inspection layer to improve the detection of defects through optical systems and methods of inspecting semiconductor device for defects

Номер патента: US20230366833A1. Автор: Huai-Ying Huang,I-Che Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Fabricating method of a pixel structure

Номер патента: US20070099354A1. Автор: Meng-Yi Hung,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-05-03.

Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor

Номер патента: US11777502B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20230261096A1. Автор: Yoshihiro Ikura,Kaname MITSUZUKA,Yuki Karamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20190333985A1. Автор: Ji-Won YU,Hyun-Suk Lee,Ji-Woon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363804A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812533B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonplanar semiconductor device with partially or fully wrapped around gate electrode and methods of fabrication

Номер патента: US20110020987A1. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Suman Datta,Scott A. Hareland,Rafael Rios,Tom Linton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A2. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-07.

Method of fabricating a plurality of linear arrays with submicron y-axis alignment

Номер патента: US10943895B2. Автор: Gary D. Redding,Joseph F. Casey. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device including oxide layer surrounding oxide semiconductor layer

Номер патента: US09865743B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US09842779B2. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09818938B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240206153A1. Автор: Shuxian Wu,Huihuang TANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20200203570A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09859434B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-01-02.

Jet impingement heatsink for high power semiconductor devices

Номер патента: US20240274506A1. Автор: Oseob Jeon,Changsun YUN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing a hetero-junction bipolar transistor with epitaxially grown multi-layer films and annealing at or below 600° C.

Номер патента: US6818521B2. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20070210332A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Ueda,Manabu Yanagihara,Yutaka Hirose,Hiroaki Ueno,Yasuhiro Uemoto,Tsuyoshi Tanaka,Masahiro Hikita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US7528423B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Ueda,Manabu Yanagihara,Yutaka Hirose,Hiroaki Ueno,Yasuhiro Uemoto,Tsuyoshi Tanaka,Masahiro Hikita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09761663B2. Автор: Hitoshi Abe,Seiji Momota,Kenji Kouno,Hiromitsu Tanabe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403844A1. Автор: Dong Soo Kim,Mun Gi SIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Optoelectronic device comprising a semiconductor layer based on GeSn having a single-crystal portion with a direct band structure and an underlying barrier region

Номер патента: US12040595B2. Автор: Pablo Acosta Alba,Vincent Reboud,Lara CASIEZ. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20230268342A1. Автор: Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Yoshihiro Ikura,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A SEMICONDUCTOR LAYER BASED ON GeSn HAVING A SINGLE-CRYSTAL PORTION WITH A DIRECT BAND STRUCTURE AND AN UNDERLYING BARRIER REGION

Номер патента: US20230187567A1. Автор: Pablo Acosta Alba,Vincent Reboud,Lara CASIEZ. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-15.

Capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1061582A3. Автор: Yasuhiro Uemoto,Keisaku Nakao,Atsushi Noma. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-19.

Semiconductor module arrangement and method for producing a semiconductor module arrangement

Номер патента: US09888601B2. Автор: Christoph Koch,Patrick Jones,Michael Sielaff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device with field electrode structure

Номер патента: US09722036B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-01.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2004023564A3. Автор: Arendonk Anton P M Van. Владелец: Arendonk Anton P M Van. Дата публикации: 2005-01-13.

Package structure and method for manufacturing same, semiconductor device

Номер патента: US20230005851A1. Автор: LIANG Chen,Kai Tian,Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20230389293A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Micro led structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20190214537A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Light emitting device having a reflecting member and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947846B2. Автор: Yoichi Bando. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Charge-coupled device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1267975A. Автор: Jan W. Slotboom,Henricus G. R. Maas,Geert J. T. Davids,Kazimierz Osinski. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-04-17.

Semiconductor chip and manufacturing method therefor, semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240170511A1. Автор: Naoki Komai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device having an extrinsic base region with a monocrystalline region and method therefor

Номер патента: EP4386854A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device having an extrinsic base region with a monocrystalline region and method therefor

Номер патента: US20240204086A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-20.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device featuring probe area definition mark for defining probe area in electrode pad, and proof test system for proving proper contact of test probe with probe area

Номер патента: US20060170105A1. Автор: Miho Hirai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor device having electrostatic breakdown protection circuit

Номер патента: US5710452A. Автор: Kaoru Narita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-01-20.

Semiconductor device having spacer and method of making same

Номер патента: US5929483A. Автор: Heon-Jong Shin,Hyun-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030218230A1. Автор: Hideki Takahashi,Shinji Aono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4350779A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11842929B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Yui Yang,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ke-Chia Tseng,Hsien-Chung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

A thermoconducting silicone composition, its curing product and installation method, and a heat dissipating structure of a semiconductor device using same

Номер патента: EP1319690A3. Автор: Kunihiro Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Yamada,Hiroaki Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Tetsuka,Kunihiko Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Mita. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240096705A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Yui Yang,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ke-Chia Tseng,Hsien-Chung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230326535A1. Автор: Shigeki Nagasaka,Shinya Okuno,Toshiyuki Kouchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20190341099A1. Автор: Na Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230020805A1. Автор: Jung-Hua Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Hemt device and method of making

Номер патента: WO2006031654A2. Автор: Michel E. Aumer,Rowland C. Clarke. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20170337976A1. Автор: Shigeki Nagasaka,Shinya Okuno,Toshiyuki Kouchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20210151114A1. Автор: Shigeki Nagasaka,Shinya Okuno,Toshiyuki Kouchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20200211659A1. Автор: Shigeki Nagasaka,Shinya Okuno,Toshiyuki Kouchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20220189563A1. Автор: Shigeki Nagasaka,Shinya Okuno,Toshiyuki Kouchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20160351269A1. Автор: Shigeki Nagasaka,Shinya Okuno,Toshiyuki Kouchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Transistor device having a field plate

Номер патента: US12094969B2. Автор: Matthias Kroenke,Stefan Tegen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices with superlattice and punch-through stop (PTS) layers at different depths and related methods

Номер патента: US09941359B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Three-dimensional memory device having non-uniform spacing among memory stack structures and method of making thereof

Номер патента: US09929174B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Akihiro Ueda,Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Masaaki Higashitani,Fumitaka Amano,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09865606B2. Автор: Daisuke Matsushita,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Encapsulated semiconductor device and encapsulation method

Номер патента: US09831467B2. Автор: Herbert Lifka,Peter Van De Weijer,Sören HARTMANN,Jens Meyer,Stefan Peter Grabowski,Rainald Manfred Gierth,Manfred Stephan RUSKE,Volker Lambert Van Elsbergen,Petrus Cornelis-Paulus Bouten. Владелец: OLEDWorks GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: US09806131B2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Larissa Levina,Ian Howard,Edward Hartley Sargent,Jason Paul Clifford,Ethan J. D. Klem. Владелец: InVisage Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09754676B2. Автор: Shigeki Nagasaka,Shinya Okuno,Toshiyuki Kouchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Photovoltaic device having a semiconductor grade silicon layer formed on a metallurgical grade substrate

Номер патента: US5455430A. Автор: Hiroshi Iwata,Keiichi Sano,Shigeru Noguchi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-03.

Semiconductor devices with dielectric passivation layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11955385B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190259749A1. Автор: Yuji Ishii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: TW200805676A. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-16.

Method of making a capacitor for a semiconductor device

Номер патента: KR960003861B1. Автор: Sang-Ho Woo. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-03-23.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12080798B2. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sun Ki MIN,Chae Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of measuring misregistration in the manufacture of topographic semiconductor device wafers

Номер патента: EP3970184A1. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Method of producing an optoelectronic component

Номер патента: US09748450B2. Автор: Martin Brandl,Markus Burger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8624276B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8981395B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor integrated circuit device having an improved vertical bipolar transistor structure

Номер патента: US5468989A. Автор: Osamu Kasahara,Hirotaka Nishizawa,Seiichiro Azuma,Sinichi Suzuki,Kazuaki Ootoshi,Masataka Miyama,Shuji Kawata. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11672130B2. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210151506A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8796104B2. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240155849A1. Автор: Sunil Shim,Jimin Lee,Moorym CHOI,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Flip chip package and method of fabricating the same

Номер патента: US20080006919A1. Автор: Chi-hyun In. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11950424B2. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Ting Tsai,Ching-Tzer Weng,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240138139A1. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180083033A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Method of predicting shape of semiconductor device

Номер патента: US20200201952A1. Автор: Ji-Hye Lee,Kwang-Hoon KIM,Woo-Young CHEON,Do-Yun Kim,Sung-Bo Shim,Dong-Chul Ihm,Ki-Wook SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20130093054A1. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240206184A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Ting Tsai,Ching-Tzer Weng,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices with a sloped surface

Номер патента: US20200328275A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Haian Lin,Frank Alexander Baiocchi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Organic light-emitting display device with adhesive unit and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887381B2. Автор: Younghoon Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor light-emitting device having a photonic crystal pattern formed thereon, and method for manufacturing same

Номер патента: US09806231B2. Автор: Taegeun Kim,Homyoung An,Jaein Sim. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices on diffusion barrier coated substrates and methods of making the same

Номер патента: SG175709A1. Автор: Kevin McCarthy,Michael Kocsis,Arvind Kamath,Gloria Man Ting Wong. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device

Номер патента: EP4283690A3. Автор: Youn Joon Sung,Min Sung KIM,Eun Dk LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Method of detecting a defect in a simiconductor device

Номер патента: US20060019419A1. Автор: Sang-oh Park,Hyun-Beom Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor device interconnect structure

Номер патента: US20240006371A1. Автор: Keiji Matsumoto,Takahito Watanabe,Takashi Hisada,Toyohiro Aoki,Risa Miyazawa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Planar dual gate semiconductor device

Номер патента: EP1754261A1. Автор: Josine c/o Philips Intellectual Pty & Stds LOO,Youri c/o Philips Int. Pty& Stds PONOMAREV. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-02-21.

Planar dual gate semiconductor device

Номер патента: WO2005117132A1. Автор: Youri Ponomarev,Josine Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-12-08.

High voltage semiconductor devices with Schottky diodes

Номер патента: US7838931B2. Автор: Shang-Hui Tu,Hung-Shern Tsai. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: EP4283690A2. Автор: Youn Joon Sung,Min Sung KIM,Eun Dk LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240079493A1. Автор: Chun-Chia Chen,Kun-Tsang Chuang,Yu-Shan Huang,Tung-I Lin,Guan-Qi Chen,Chen Chi Hsiao,Fang Yi Liao,Yu Shan Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED MEMORY ELEMENTS AND METHOD OF STACKING MEMORY ELEMENTS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150102509A1. Автор: Gu Shiqun,Henderson Brian M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device and optical structure body

Номер патента: US20230375800A1. Автор: Hideaki Okano. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057376A1. Автор: Kazuhiro Nakanishi,Kazuhiro Nojima,Kenichi Kadota,Shigehiro Yamakita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20200287076A1. Автор: Rak Jun Choi,Byeoung Jo Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11989497B2. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Organic electroluminescence device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200098993A1. Автор: Minkyung KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US8395203B2. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240321947A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Vertical cavity surface emitting laser and method of fabricating same

Номер патента: EP4131676A1. Автор: Stephan Gronenborn,Alexander WEIGL. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2023-02-08.

Method of designing semiconductor laser device, method of designing raman amplifier, methods of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device, raman amplifier, and optical communication system

Номер патента: US20160285237A1. Автор: Junji Yoshida,Hideaki Hasegawa,Noriyuki Yokouchi,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of designing semiconductor laser device, method of designing raman amplifier, methods of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device, raman amplifier, and optical communication system

Номер патента: US09711945B2. Автор: Junji Yoshida,Hideaki Hasegawa,Noriyuki Yokouchi,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20180062325A1. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor USB device for detecting foreign substances and method of operating the same

Номер патента: US11749954B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

A method of exposing a semiconductor integrated circuit and a method of exposing a pattern of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: TWI251720B. Автор: Satoshi Yamauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Method of forming carbon nanotubes, field emission display device having carbon nanotubes formed through the method, and method of manufacturing field emission display device

Номер патента: US20060202609A1. Автор: Jin Jang,Sung-hoon Lim,Kyu-Chang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Mold for ceramic membrane tube and fabrication method of ceramic membrane tube using the same

Номер патента: WO2007067011A1. Автор: Ji-Haeng Yu,Ki-Suk Hong,Sang-Kuk Woo,In-Sub Han,Doo-Won Seo,Shi-Woo Lee. Владелец: KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH. Дата публикации: 2007-06-14.

Double heterostructure laser and a method of making same

Номер патента: CA1226659A. Автор: Dan Botez,John C. Connolly. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1987-09-08.

Transition metal-containing composite hydroxide and production method thereof, and production method of positive electrode active material for nonaqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: US20190379038A1. Автор: Tetsufumi Komukai,Takahiro Toma,Taira Aida,Hiroko SENBA. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2019-12-12.

A Method of Printing a Component in an Electrochemical Cell

Номер патента: US20240258577A1. Автор: Robert Nathan WILLIAMS,Max William Angus REID. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods of forming a fiber coupling device and fiber coupling device

Номер патента: US09971108B2. Автор: Michael De Jong,Eric Stephan TEN HAVE,Andreas Matiss,Martin Spreemann. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system

Номер патента: US09627172B2. Автор: Shawn Mcvey,John A. Notte, IV,Weijie Huang,FHM-Faridur Rahman. Владелец: Carl Zeiss Microscopy LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of producing aluminum structure and aluminum structure

Номер патента: US20120183436A1. Автор: Koji Nitta,Tomoyuki Awazu,Kotaro Kimura,Osamu Ohama,Kazuki Okuno,Akihisa Hosoe,Takayasu Sugihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of manufacturing membrane electrode assembly

Номер патента: US09991538B2. Автор: Kenji Tsubosaka,Junji Nakanishi,Tsunemasa Nishida,Hiroo Yoshikawa,Nobuaki Mizutani,Takeaki Saitou,Masato Hamano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Protective film of plasma display panel and method of fabricating the same

Номер патента: EP1408529A2. Автор: Eung Chul Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-04-14.

Latching element and method of manufacturing the same

Номер патента: US7896667B2. Автор: Zheng-Dong Qing. Владелец: Fih Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2011-03-01.

Method of producing an anti-wear layer and anti-wear layer produced by means of said method

Номер патента: US09803273B2. Автор: Hans-Joachim Scheibe,Andreas Leson,Frank-Peter Bach. Владелец: H-O-T Haerte- und Oberflaechentechnik & Co KG GmbH. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming bubble domain system

Номер патента: US3728153A. Автор: D Heinz. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1973-04-17.

Method of fabricating a micro-electromechanical fluid ejection device having enhanced actuator strength

Номер патента: US20050055829A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-03-17.

Method of Kelvin current sense in a semiconductor package

Номер патента: US20070164775A1. Автор: Erin L. Taylor,John A. Billingsley. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-07-19.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of designing and fabricating a microlens array

Номер патента: US20180209030A1. Автор: Qi Wang,TARIQ ALI,Ilyas I. Khayrullin,Amalkumar P. Ghosh,Ihor Wacyk,Kerry TICE,Evan DONOGHUE. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: US20070254407A1. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Jiang Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of designing a printed circuit board, and package test device having the printed circuit board

Номер патента: US20110004861A1. Автор: Jae-hoon Jeong,Chang-woo Ko,Ki-Jae Song,Hun-Kyo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-06.

Organic thin film transistor, method of manufacturing the same, and organic light emitting display device having the same

Номер патента: EP1796184A3. Автор: Jin-Seong Park,Min-chul Suh,Taek Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

A method of operating a storage device of an access point, a method of locating a device context of an end node device stored in a storage device of an access point, and an access point

Номер патента: US20230315759A1. Автор: Milenko Maricic,Dejan Dumic,Marleen Boonen. Владелец: Methods2business BV. Дата публикации: 2023-10-05.

A method of operating a storage device of an access point, a method of locating a device context of an end node device stored in a storage device of an access point, and an access point

Номер патента: EP4209111A1. Автор: Milenko Maricic,Dejan Dumic,Marleen Boonen. Владелец: Methods2business BV. Дата публикации: 2023-07-12.

A method of operating a storage device of an access point, a method of locating a device context of an end node device stored in a storage device of an access point, and an access point

Номер патента: WO2022050845A1. Автор: Milenko Maricic,Dejan Dumic,Marleen Boonen. Владелец: Methods2Business B.V.. Дата публикации: 2022-03-10.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: EP3843267A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Pratt,Praveen Chandrasekaran,Chris Mayer. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-30.

Method of manufacturing a formable laminated stack in a progressive die assembly having a choke

Номер патента: US7062841B2. Автор: Thomas R Neuenschwander. Владелец: LH Carbide Corp. Дата публикации: 2006-06-20.

Method of striking and maintenance of an electric arc in a medium having a great dielectric strength

Номер патента: GB389946A. Автор: . Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1933-03-30.

Method of driving a display panel that includes a first display region having a first resolution and a second display region being adjacent to the first display region and having a second resolution higher than the first resolution

Номер патента: US11929004B2. Автор: Jong-Woong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12101938B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Photonic semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12092861B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsing-Kuo Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Photonic semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240361520A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsing-Kuo Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240373650A1. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12114511B2. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240232383A9. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device with a resonator

Номер патента: EP1687896A1. Автор: Patrice c/o Société Civile SPID GAMAND. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-08-09.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133396B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US09996095B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09858142B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and potential measurement device

Номер патента: EP3703256A1. Автор: Yuri Kato. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-09-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20210243860A1. Автор: Junichi CHISAKA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor devices

Номер патента: US20170337105A1. Автор: Chang Ki Baek,Jae Woong Yun,Saeng Hwan Kim,Mun Seon JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240365567A1. Автор: Jinwoo Lee,Dongho Ahn,Jin Myung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147771A1. Автор: Dong Gyu JIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of training neural network model, method of recognizing acoustic event and acoustic direction, and electronic device for performing the methods

Номер патента: US20230224656A1. Автор: Soo Young Park,Tae Jin Lee,Young Ho JEONG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-07-13.

Ac/dc converter having a switchable pfc, a controller therfor, and a method of operating a contoller

Номер патента: US20130057170A1. Автор: Frederic Mercier,Michel Altheimer,Christophe Delcourt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-03-07.

Method of and Apparatus for Controlling Single-Phase Induction Motor, and Electric Chain Block

Номер патента: US20240136964A1. Автор: Takuma Isshiki,Tatsuru Yamamoto. Владелец: Kito Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: US20220038536A1. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: US20210211497A1. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: EP3846415A1. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-07.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: US11146636B2. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-12.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: US11765229B2. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Fabrication method of a MgB2 superconducting tape and wire

Номер патента: US8173579B2. Автор: Hiroaki Kumakura,Takayuki Nakane,Hiroki Fujii,Hitoshi Kitaguchi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2012-05-08.

Observation device and method of operating an observation device

Номер патента: US12070185B2. Автор: Harald Baumann,Benjamin Häsler,Marcel Hofstetter,Hans-Georg Mathe. Владелец: Karl Storz SE and Co KG. Дата публикации: 2024-08-27.

Downhole power generation devices and method of generating power downhole

Номер патента: CA3159472A1. Автор: Stuart Ward,Julian Richard Trinder. Владелец: Expro North Sea Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Downhole power generation devices and method of generating power downhole

Номер патента: AU2020392507A1. Автор: Stuart Ward,Julian Richard Trinder. Владелец: Expro North Sea Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Control device and method for actuating a semiconductor switch

Номер патента: US9041434B2. Автор: Walter Marks. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-26.

Downhole power generation devices and method of generating power downhole

Номер патента: WO2021105366A1. Автор: Stuart Ward,Julian Richard Trinder. Владелец: Expro North Sea Limited. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of performing operation related to other device via near field communication and apparatus therefor

Номер патента: US09912378B2. Автор: Jeong-Hun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Systems and methods of smart card based mobile pull stations

Номер патента: US09798966B2. Автор: Lalu Krishnan,Vipin Das E K,Santhosh Achuthan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US20160320789A1. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US20160011620A1. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US9417647B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Short bridge phase change memory cells and method of making

Номер патента: US20090289243A1. Автор: Song S. Xue,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-11-26.

Parallel processing system and operation method of parallel processing system

Номер патента: US09774671B2. Автор: Yoshikatsu Kuroda,Kazunori Masukawa,Masahiro Taeda. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Organic electroluminescence device and manufacturing method of the same

Номер патента: EP3627579A1. Автор: Minkyung KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-25.

Method of accessing a fingerprint recognition process

Номер патента: PH12019000336A1. Автор: Chandra LUIS,Corporation Innolux. Владелец: Corporation Innolux. Дата публикации: 2020-03-23.

Method of and system for making a semiconductor device

Номер патента: US20020166099A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020124228A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Methods of using and fabricating a supporting substrate for the deposition, automated recognition, and spectroscopic identification of particles

Номер патента: US7016034B2. Автор: Markus Lankers,Oliver Valet,Lothar Holz. Владелец: rap ID Particle Systems GmbH. Дата публикации: 2006-03-21.

Method of laying a channel in the incinerator and a device having such a channel

Номер патента: RU2647752C2. Автор: Йоханнес МАРТИН,Торальф ВЕБЕР. Владелец: Мартин ГмбХ Фюр Умвельт-Унд Энергитехник. Дата публикации: 2018-03-19.

Method of hologram exposure, mask for hologram exposure, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20050063030A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device

Номер патента: US7221037B2. Автор: Yasuo Kitaoka,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Hisashi Minemoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Display substrate, method of fabricating the same, and liquid crystal display device having the same

Номер патента: US20070279542A1. Автор: Hyun Park,Dong-Gyu Kim,Min-Wook Park,Yong-Woo Lee,In-Ho Park,Jeong-Ho Lee,Young-Goo Song,In-Woo Kim,Min-Hyung Choo,Kyung-Suk Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Method of operating sound recognition device identifying speaker and electronic device having the same

Номер патента: US20240203446A1. Автор: Seung Eun CHUNG,Jeong Muk LIM,Kyoung Ju NOH,Hyun Tae JEONG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile memory device and methods of operating the same including floating a common source line based on at least one of a program command and an access address

Номер патента: US09905298B2. Автор: Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of testing radiation hardness of a semiconductor device

Номер патента: US4168432A. Автор: Richard Williams,Murray H. Woods. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

Method of forming an inductor on a semiconductor substrate

Номер патента: US20070138001A1. Автор: Teng-Yuan Ko,Ying-Zhan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

A monitoring circuit, an operation method of the monitoring circuit, and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20200110883A1. Автор: Dong Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

A method of handling and fabricating a neutron responsive fuel

Номер патента: GB1077384A. Автор: . Владелец: Atomic Energy of Canada Ltd AECL. Дата публикации: 1967-07-26.

Method of manufacturing a bladder element with an etched feature and article having a bladder element with an etched feature

Номер патента: US09974360B2. Автор: Dervin A. James,Taryn HENSLEY. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Array substrate, method of manufacturing the array substrate, and liquid crystal display device having the array substrate

Номер патента: US20120119215A1. Автор: Su-Jeong Kim,Seung-Beom Park,Jae-Jin Lyu,Yoon-Sung Um,Hye-ran YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Furniture having a box spring or like structure and supporting leg members therefor

Номер патента: US3955223A. Автор: Ronald D. Minzey. Владелец: Congoleum Industries Inc. Дата публикации: 1976-05-11.

Optical system having a refracting surface and a reflecting surface, and an image capturing device and a projection device, which include it

Номер патента: RU2699312C1. Автор: Казухико КАДЗИЯМА,Кодзи МАЕДЗАВА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-09-04.

Method of producing valve metal electrode with valve metal oxide semiconductive coating having a chlorine discharge catalyst in said coating

Номер патента: US3846273A. Автор: G Bianchi,A Nidola,V Nora,P Gallone. Владелец: Electronor Corp. Дата публикации: 1974-11-05.

Method of generating sealing steam for a steam turbine, steam power plant having a steam turbine and method of starting up a steam turbine.

Номер патента: MY129600A. Автор: Neubert Wolfgang. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2007-04-30.

Method of manufacturing a bladder element with an etched feature and article having a bladder element with an etched feature

Номер патента: EP3280284A1. Автор: Dervin A. James,Taryn HENSLEY. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2018-02-14.

A method of manufacturing a curved structural element made of composite material and having a complex, open cross-section

Номер патента: EP2203288A2. Автор: Sabato Inserra Imparato,Luca Di Tommaso,Vincenzo De Vita,Gianni Iagulli. Владелец: Alenia Aeronautica SpA. Дата публикации: 2010-07-07.

Method of manufacturing a bladder element with an etched feature and article having a bladder element with an etched feature

Номер патента: US20180235315A1. Автор: Dervin A. James,Taryn HENSLEY. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Master disk for magnetic transfer, a method of drawing a magnetic transfer pattern, and a magnetic recording medium having a transferred magnetic transfer pattern

Номер патента: US20110096429A1. Автор: Hiroto Kikuchi. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Spreading tool having a spreader portion with a cam profile and an associated method

Номер патента: US9987733B1. Автор: Bernard Leo Ruhoff. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-06-05.

Satellite having a simplified, streamlined, and economical structure, and method for implementing same

Номер патента: US9446863B2. Автор: René CHEYNET DE BEAUPRE. Владелец: Airbus Defence and Space SAS. Дата публикации: 2016-09-20.

Integrated partition wall arrangement having a cabin attendant seat, carrier structure and methods for producing and designing a carrier structure or a partition wall arrangement

Номер патента: US20230322390A1. Автор: Andreas Schmidt,Claudius Wahl,Michael Quadbeck,Roberto Giraldo. Владелец: Diehl Aviation Hamburg GmbH. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Optical device having structural and refractive index gradation, and method of fabricating the same

Номер патента: US12109641B2. Автор: Ludovic Godet,Kang LUO,Jinrui GUO,Daihua Zhang,Rami HOURANI,Nai-Wen Pi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of connecting tissue from ultrahigh molecular weight polyethylene and an article comprising such a compound

Номер патента: RU2685816C1. Автор: Алексей Юрьевич Гетман. Владелец: Алексей Юрьевич Гетман. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230296928A1. Автор: Wen-Shun Lo,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of producing complex oil-soluble corrosion inhibitor of ferrous metals preferably for gun oils

Номер патента: RU2735018C1. Автор: Вячеслав Михайлович Сычев,Михаил Григорьевич Иванов,Денис Михайлович Иванов. Владелец: Михаил Григорьевич Иванов. Дата публикации: 2020-10-27.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US09811626B2. Автор: Kwangok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Electro-Optic Polymer Devices Having High Performance Claddings, and Methods of Preparing the Same

Номер патента: US20230251543A1. Автор: Youngwoo Yi,Cory Steven Pecinovsky,Michael Stephen Lebby,Richard Anthony Becker. Владелец: Lightwave Logic Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Calibration method of apparatus installation parameter and related surveillance device

Номер патента: US20240185443A1. Автор: Chao-Tan HUANG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Absorbent cores and methods of manufacturing

Номер патента: AU2021471614A1. Автор: Jing Shi,Jue Wang,Andrew T. Baker,Thomas Vercauteren,Mark J. Beitz,Tongtong Zhang,Man Li,Bradley W. SCHOON,Daniel T. LABASH. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Absorbent cores and methods of manufacturing

Номер патента: GB2626701A. Автор: Wang Jue,Shi Jing,Zhang Tongtong,Li Man,T Baker Andrew,W Schoon Bradley,Vercauteren Thomas,T Labash Daniel,J Beitz Mark. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device for performing sum-of-product computation and operating method thereof

Номер патента: US20200133635A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Cutting elements for earth-boring tools, earth-boring tools including such cutting elements, and methods of forming cutting elements for earth-boring tools

Номер патента: US09931736B2. Автор: Nicholas J. Lyons. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of maintaining the structure of an opening in the anterior or posterior capsule

Номер патента: US09622857B2. Автор: Minas Theodore Coroneo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US20160292120A1. Автор: Makoto Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US10216679B2. Автор: Makoto Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Method of producing propylene oxide

Номер патента: RU2740395C2. Автор: Ульрих МЮЛЛЕР,Маркус ВЕБЕР,Кристиан Мюллер,Андрей-Николае ПАРВУЛЕСКУ,Доминик РИДЕЛЬ,Даниэль УРБАНЧИК,Ульрике Вегерле,Николай Тонио ВЁРЦ,Хайнер ШЕЛЛИНГ,Майнольф ВАЙДЕНБАХ,Вернер ВИТЦЛЬ,Марвин КРАМП,Бернд МЕТЦЕН,Йоаким Энрике ТЕЛЕС,Тобиас Келлер,Карстен ЛЮККЕ. Владелец: Дау Глобал Текнолоджис ЛЛСи. Дата публикации: 2021-01-13.

Method of converting lignocellulose material into organic acid

Номер патента: RU2592684C2. Автор: Йохан Питер Маринус САНДЕРС,Роберт Рёрд Христофор БАККЕР. Владелец: Пурак Биокем Б.В.. Дата публикации: 2016-07-27.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: US20050149891A1. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Fastener, fastening structure, and method of designing fastener

Номер патента: US12092144B2. Автор: Takeshi Fujita,Kohei Yoshida,Kazuhiro Miura. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200379680A1. Автор: Woongrae Kim,Seung Wook Oh,Woo Jin KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Method of producing (r)-5-(3,4-difluorophenyl)-5-[(3-methyl-2-oxopyridine-1(2h)-yl)methyl]imidazolidine-2,4-dione and an intermediate compound for synthesis thereof

Номер патента: RU2735600C2. Автор: Нориюки КАМЕИ,Йоситаке СУМИКАВА,Синго ТОДО. Владелец: Какен Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of recognizing a symbol on a banknote and a coprocessor for a computing system of a banknote processing device

Номер патента: RU2707320C1. Автор: Петр Валерьевич Минин,Дмитрий Геннадиевич Письменный,Сергей Викторович Камбалин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Конструкторское Бюро "Дорс" (Ооо "Кб "Дорс"). Дата публикации: 2019-11-26.

Carrier for affine chromatography and method of purifying biological substance

Номер патента: RU2694637C1. Автор: Сиори КИХАРА. Владелец: Фуджифилм Корпорэйшн. Дата публикации: 2019-07-16.

Ultra-High Strength Hot-Rolled Steel with Toughness and Method of Making Same

Номер патента: US20230295785A1. Автор: Denis Hennessy,Amar K. De,Chirag R. Mahimkar. Владелец: Big River Steel LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Polymorphs of xanthosine and methods of making and using them

Номер патента: WO1988008847A3. Автор: Paul Gordon. Владелец: Paul Gordon. Дата публикации: 1989-11-02.

Polymorphs of xanthosine and methods of making and using them

Номер патента: WO1988008847A2. Автор: Paul Gordon. Владелец: Paul Gordon. Дата публикации: 1988-11-17.

Semiconductor device performing a multiplication and accumulation operation

Номер патента: US12062411B2. Автор: Wanyeong JUNG,Minki Jeong. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for fabricating a device for propagating light

Номер патента: US09658400B2. Автор: Jens Hofrichter,Antonio La Porta,Edward W. Kiewra,Daniel S. Jubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Catalyst for hydroisomerization of hydrocarbon fractions and method of its application

Номер патента: RU2667920C1. Автор: Виктор Георгиевич Степанов,Юрий Константинович Воробьев,Евгения Александровна Нуднова. Владелец: Акционерное общество "Специальное конструкторско-технологическое бюро "Катализатор". Дата публикации: 2018-09-25.

Method of hardening nickel-chrome-boron-silicon coating on metal parts

Номер патента: RU2709550C1. Автор: Алексей Викторович Макаров,Наталья Николаевна Соболева,Ирина Юрьевна Малыгина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук (ИФМ УрО РАН). Дата публикации: 2019-12-18.

Method of manufacturing wound treatment medical tape

Номер патента: US20230190535A1. Автор: Toshifumi Hirashima. Владелец: CHOURYU YK. Дата публикации: 2023-06-22.

An arrangement and a method for delivering a lost object to a user, and an arrangement and a method of providing a finder of an identification item with user data

Номер патента: EP1938290A1. Автор: Daphne Roswita Hosp,Rüdiger HOSP. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-02.

Liquid crystal display substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display device having the same

Номер патента: US7298436B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Katsunori Misaki,Seiji Doi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-11-20.

Minimally invasive splaying microfiber electrode array and methods of fabricating and implanting the same

Номер патента: WO2015003185A2. Автор: William LIBERTI,Timothy James Gardner,Jeffrey Markowitz,Grigori GUITCHOUNTS. Владелец: TRUSTEES OF BOSTON UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-08.

Method of piled construction in transient soils under conditions of dense urban building

Номер патента: RU2686788C1. Автор: Владимир Васильевич Кочерженко,Андрей Игоревич Лукьянов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова". Дата публикации: 2019-04-30.

A method of detecting an analyte in a sample and a biosensor, a method of producing the biosensor and an electrochemical sensor system comprising the biosensor

Номер патента: WO2024008260A1. Автор: Niels Taekker Foged,Eva Maria Nornes OLSEN,Mark Jonas HAASTRUP. Владелец: Solsten Diagnostics International Aps. Дата публикации: 2024-01-11.

Gas barrier film and method of producing gas barrier film

Номер патента: US20190168492A1. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Lever plate in vgs type turbocharger and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110131977A1. Автор: Takahiro Akita. Владелец: Akita Fine Blanking Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Fabrication method of conductive fabric, multi-pressure sensor for fiber type and measuring method of multi-pressure

Номер патента: US20210156752A1. Автор: Seong Jin Jang,Jae Hoon Ko,Jee Young Lim,Seung Ju LIM. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2021-05-27.

Ceramic Oven and Installation Method of Insert on Oven Body thereof

Номер патента: US20190282031A1. Автор: Fudu Feng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-19.

Manufacturing method of optical waveguide

Номер патента: US20020028300A1. Автор: Kazutaka Nara,Kazuhisa Kashihara,Takuya Komatsu. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Production Method of Film, And Film

Номер патента: US20080160296A1. Автор: Kusato Hirota,Yasushi Tateishi. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of training text detection model, method of detecting text, and device

Номер патента: US20240265718A1. Автор: Xiaoqiang Zhang,Chengquan Zhang,Xiameng QIN,Kun Yao. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US12100459B2. Автор: Shigeki Nagasaka,Shinya Okuno,Toshiyuki Kouchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods of treating cancers and enhancing efficacy of t cell redirecting therapeutics

Номер патента: NZ769788A. Автор: Francois Gaudet,Homer Adams,Kris Frerichs,Christie VERKLEIJ,De Donk Niels Van. Владелец: Stichting Vumc. Дата публикации: 2024-05-31.

Alignment film, method of manufacturing the alignment film, retardation film, method of manufacturing the retardation film, and display

Номер патента: US09921347B2. Автор: Junichi Inoue,Kei Obata,Eiki Ohyanagi,Akito Kuriyama. Владелец: SATURN LICENSING LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Guidewire system and method of pump installation using same

Номер патента: US09717831B2. Автор: James Schuermann. Владелец: Heartware Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Aerosol aspirator and method of aerosol aspiration

Номер патента: RU2411047C2. Автор: Манабу ЯМАДА,Казухико КАТАЯМА,Морио ЯДЗИМА,Хироси САСАКИ,Казухико КАТАЯМА (JP),Манабу ЯМАДА (JP),Хироси САСАКИ (JP),Морио ЯДЗИМА (JP). Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2011-02-10.

Conduit connector and method of construction thereof

Номер патента: US20180156370A1. Автор: Dane J. Hoechst,Joel Culbertson,C.J. Garecht,Akshay Hoskote. Владелец: Miniature Precision Components Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Acetabular reamer handle and method of reaming an acetabulum

Номер патента: AU2019225764B2. Автор: David Horne,Ian FLATTERS,Duncan Temple. Владелец: DePuy Ireland ULC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and apparatus for basis weight measurement of sheets or foils, combining an x-ray sensor and an ultrasonic sensor

Номер патента: EP4435419A1. Автор: Jean-Jacques Florent,Jan Gaudaen,Jens Lengewitz. Владелец: Meareg Ug. Дата публикации: 2024-09-25.

Construction method of undercrossing reinforced concrete frame bridge based on elevating of tracks and jacking-in with auxiliary beam and lifting beam

Номер патента: NL2032296B1. Автор: Wei Gang,Ou Qiong,Xu Chengshuang,Guo Shengtao,He Xiuyi,Tong Jianyong. Владелец: Guangzhou Branch Company Of China Railway First Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-12.

Container and method of forming a container

Номер патента: AU2024205136A1. Автор: Steve Charles Nichols,Evan Goldberg,Edward Abante. Владелец: Yeti Coolers LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Container and method of forming a container

Номер патента: AU2024205133A1. Автор: Steve Charles Nichols,Evan Goldberg,Edward Abante. Владелец: Yeti Coolers LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of operation for a nonvolatile memory system and method of operating a memory controller

Номер патента: US09778851B2. Автор: Young-Ho Park,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

An optical device having structural and refractive index gradation, and method of fabricating the same

Номер патента: EP4248262A1. Автор: Ludovic Godet,Kang LUO,Jinrui GUO,Daihua Zhang,Rami HOURANI,Nai-Wen Pi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

A method of reducing output torque deficits during launch of a continuously variable transmission

Номер патента: WO2017216112A1. Автор: Michael Beyer,Steven Spencer. Владелец: Perkins Engines Company LTD. Дата публикации: 2017-12-21.

Shape memory device having two-way cyclical shape memory effect due to compositional gradient and method of manufacture

Номер патента: US20060289295A1. Автор: Peter Jardine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Trash Can Assembly and Method of Use

Номер патента: US20170362024A1. Автор: Zsombor Antal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-21.

Endodontic instruments and method of manufacturing same

Номер патента: WO2006044545A3. Автор: Lonnie M Graybill,Jack L Shearer,Jeff Ludwig. Владелец: Miltex Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Spacer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230014048A1. Автор: Jung-Wan SOHN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of processing light sensitive planographic printing plate precursor and pre-washing solution used in the method

Номер патента: US20040072102A1. Автор: Toshitsugu Suzuki. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2004-04-15.

Apparatus and method of guided neural network model for image processing

Номер патента: US20240257316A1. Автор: Ming Lu,Shandong WANG,Anbang YAO,Attila Tamas Afra,Yurong Chen,Sungye Kim,Yikai WANG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Thermal barrier coating repair compositions and methods of use thereof

Номер патента: US20180050964A1. Автор: Hrishikesh Keshavan,James Ruud,Kevin Paul Mcevoy,Atanu Saha,Lawrence E. Szala,Susan CORAH. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-02-22.

Method of printing thermal media by aligning image

Номер патента: US20060007293A1. Автор: Young-Do Jung,Min-Su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-12.

Sublimable image forming apparatus and method of controlling the same

Номер патента: US20070003304A1. Автор: Jeong-Baek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-04.

Pseudoporous surface of implantable materials and methods of making the same

Номер патента: US20150343204A1. Автор: Sandeep Negi,Rajmohan Bhandari. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2015-12-03.

Accommodating intraocular lenses and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024182525A2. Автор: Tom Saul,Claudio Argento. Владелец: Shifamed Holdings, LLC. Дата публикации: 2024-09-06.

Modular fracture plug and method of construction thereof

Номер патента: WO2012087541A2. Автор: Gerald A. Greca,Michael J. Myers,Ute Rueger,Tom Swasey,Michael L. HASTINGS,Richard C. FLOYD. Владелец: FEDERAL-MOGUL CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-28.

Method of designing semiconductor device integrated circuit and layout thereof

Номер патента: US20240169138A1. Автор: Sunghoon Kim,Kiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Method of creating modified design on surface, control system and robot system

Номер патента: WO2024046547A1. Автор: Andreas SKAAR,Jakob TRYDAL,Yngve FINNESTAD. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of extracting lithium, method of preparing lithium carbonate and method of preparing lithium hydroxide

Номер патента: US20230322570A1. Автор: Uong Chon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-12.

An injection mold, injection molding tool comprising the injection mold, methods of theirs uses and objects obtained

Номер патента: MY177724A. Автор: Robert Axelsson,Olof Franksson. Владелец: Plastics Unbound Gmbh. Дата публикации: 2020-09-23.

Rapid exchange iol insertion apparatus and methods of using

Номер патента: WO2009012351A2. Автор: Mark S. Cole,Steven R. Anderson,Nicholas E. Martin,Rod T. Peterson. Владелец: Advanced Medical Optics, Inc.. Дата публикации: 2009-01-22.

Air quality monitoring device and associated method of monitoring air quality

Номер патента: AU2024200764A1. Автор: Daniel Yee,Rahul AVASTHI. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Air quality monitoring device and associated method of monitoring air quality

Номер патента: US20240278044A1. Автор: Daniel Yee,Rahul AVASTHI. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Shoe, sole and manufacturing method of polymer material

Номер патента: US20240251905A1. Автор: Te-Chao Liao,Ching-Yao Yuan,Wei Tang Liao. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Partition-based method of analysis

Номер патента: US12090480B2. Автор: Kevin D. Ness,Donald A. Masquelier,Benjamin J. Hindson,Billy W. Colston, Jr.. Владелец: Bio Rad Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Fiber array ferrule and method of making

Номер патента: WO2005003831A1. Автор: Dimitry Grabbe. Владелец: Dimitry Grabbe. Дата публикации: 2005-01-13.

Container and method of forming a container

Номер патента: NZ752563A. Автор: John Alan Tolman,Steve Charles Nichols,Edward Abante. Владелец: Yeti Coolers LLC. Дата публикации: 2024-05-31.

Method of manufacturing an exudate management layer for use in an absorbent article

Номер патента: US12097140B2. Автор: Palani Raj R. Wallajapet,David J. Nickel,Matthew D. WOODS,Jason G. Csida,Hwa Y. KIM. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of making a refractory article

Номер патента: US12091365B2. Автор: Marcel Gouin,Francois Veillette,Alain Simard. Владелец: Les Produits Industriels de Haute Temperature Pyrotek Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Visually indicating on a user interface lengths, types of content, structure and current user location within a corpus of electronic content

Номер патента: GB2615213A. Автор: Smith Paul,Pace Michael,BECKLEY Adam,VLASSAREV Laura,SCHNEIDER Emily. Владелец: Pearson Education Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Light absorbing agent, composition, optical member, and method of manufacturing light absorbing agent

Номер патента: US20240117190A1. Автор: Keisuke Washio,Ryo YAMAWAKI. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of making closed cavity pistons

Номер патента: US20020096047A1. Автор: Robert Stoppek. Владелец: Sauer Danfoss Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Optical member and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170276839A1. Автор: Yoji Teramoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Aluminium alloy material and method of manufacturing the same

Номер патента: US11781201B2. Автор: Sangjun Lee,Kwangmin CHOI,DongHyun BAE,Jonggyu JEON. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-10-10.

Liquid discharge head and method of manufacturing liquid discharge head

Номер патента: US20190291437A1. Автор: Yuichi Ito,Yasuo Kato,Toru Kakiuchi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Fluid mixing systems and methods of use

Номер патента: US20240269628A1. Автор: Jeremy K. Larsen,Brandon M. KNUDSEN,Clinton C. Staheli. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Aluminium alloy material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230227946A1. Автор: Sangjun Lee,Kwangmin CHOI,DongHyun BAE,Jonggyu JEON. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-07-20.

A pharmaceutical composition comprising a nicotinic receptor partial antagonist and an antiemetic agent for modulating cholinergic function

Номер патента: EP1404320A2. Автор: J. W. Pfizer Global Research and Development COE,S.B. Pfizer Global Research and Development SANDS. Владелец: Pfizer Products Inc. Дата публикации: 2004-04-07.

Access device, introducer for access device, and methods of use

Номер патента: US20240342448A1. Автор: Stephen Williams,Frank Bonadio,Shane MACNALLY,Olwen COUGHLAN,Joseph Hyland. Владелец: Atropos Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Systems and methods of testing memory devices

Номер патента: US12079152B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure and Process for the Formation of TSVs

Номер патента: US20120001334A1. Автор: Kuo Chen-Cheng,Ching Kai-Ming,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PHYSICAL QUANTITY DISTRIBUTION DETECTOR HAVING A PLURALITY OF UNIT COMPONENTS WITH SENSITIVITY TO A PHYSICAL QUANTITY CHANGE OF LIGHT

Номер патента: US20120002088A1. Автор: FUKUSHIMA Noriyuki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ANODE-SUPPORTED SOLID OXIDE FUEL CELL COMPRISING A NANOPOROUS LAYER HAVING A PORE GRADIENT STRUCTURE, AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120003565A1. Автор: Lee Jong Ho,KIM Jong Cheol,LEE Hae-Weon,SON Ji-Won,KIM Hae-Ryoung,Noh Ho-Sung. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ASSESSING PEOPLE'S SELF-PRESENTATION AND ACTIONS TO EVALUATE PERSONALITY TYPE, BEHAVIORAL TENDENCIES, CREDIBILITY, MOTIVATIONS AND OTHER INSIGHTS THROUGH FACIAL MUSCLE ACTIVITY AND EXPRESSIONS

Номер патента: US20120002848A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REDUCED SUCROSE SUGAR COATINGS FOR CEREALS AND METHODS OF PREPARATION

Номер патента: US20120003360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing composite parts

Номер патента: US20120000597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

Environmentally-friendly fiber cement wallboards and methods of making the same

Номер патента: US20120003461A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2641617C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-01-18.

Method of producing alcoholates of alkali and alkali-earth metals (versions)

Номер патента: RU2508285C1. Автор: Анас Гаптынурович Сахабутдинов,Юрий Александрович Литвин,Владимир Стефанович Глуховской,Ильдар Гумерович Ахметов,Валентина Васильевна Ситникова,Евгений Васильевич Блинов,Юрий Константинович Гусев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский институт синтетического каучука имени академика С.В. Лебедева" (ФГУП НИИСК). Дата публикации: 2014-02-27.

Method of determining and compensating for deviation of magnetometric sensors and apparatus therefor

Номер патента: RU2550774C1. Автор: Виктор Федорович Заец,Владимир Сергеевич Кулабухов,Борис Олегович Качанов,Николай Алексеевич Туктарев,Дмитрий Викторович Гришин. Владелец: Открытое акционерное общество Московский научно-производственный комплекс "Авионика" имени О.В. Успенского (ОАО МНПК "Авионика"). Дата публикации: 2015-05-10.

Method of obtaining cadmium sulphide with application of sulphate-reducing bacteria

Номер патента: RU2526456C1. Автор: Анна Валерьевна Козлова,Ольга Павловна Иккерт,Ольга Викторовна Карначук,Инна Владимировна Лущаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2014-08-20.

Method of analyzing the contaminants of a semiconductor device fabrication facility

Номер патента: TW514681B. Автор: Yong-Woo Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-21.

Method of producing thromboresistant polymer materials

Номер патента: RU2405002C1. Автор: Лев Иванович Валуев,Геннадий Алексеевич Сытов,Иван Львович Валуев,Людмила Витальевна Ванчугова,Юрий Афанасьевич Талызенков,Ирина Васильевна Обыденнова,Ирина Михеевна Шаназарова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева РАН (ИНХС РАН). Дата публикации: 2010-11-27.

Method of welding annular inside seams and device for its implementation

Номер патента: RU2641430C2. Автор: Валерий Александрович Юминов,Ильяс Миннигалиевич Мусеев,Анатолий Герасимович Александрин,Леонид Геннадьевич Бородулин,Игорь Сергеевич Бушмелев,Олег Александрович Протопопов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский технологический институт "Прогресс". Дата публикации: 2018-01-17.

Improved polymeric fluid flow fitting and method of manufacturing the same

Номер патента: MY166553A. Автор: Loo Beng Lim. Владелец: Jopex Ind Sdn Bhd. Дата публикации: 2018-07-16.

Method and apparatus for basis weight measurement of sheets or foils, combining an x-ray sensor and an ultrasonic sensor

Номер патента: WO2024193950A1. Автор: Jean-Jacques Florent,Jan Gaudaen,Jens Lengewitz. Владелец: Meareg Ug. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: SG181188A1. Автор: Chih-Hung Lin,Tzu-Yun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Method of manufacturing a fabric. A fabric made by the method, and an apparatus for manufacturing the fabric

Номер патента: GB201418427D0. Автор: . Владелец: REYNOLDS SONIA M. Дата публикации: 2014-12-03.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.