Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

FAILURE MODE ANALYSIS METHOD FOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220172796A1
Опубликовано: 02-06-2022
Автор(ы): Ho Yu-Feng, Liao Kuo-Min, Lin Yu-Pei
Принадлежит: WINBOND ELECTRONICS CORP.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

CAPACITOR STRUCTURE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20230008127A1. Автор: Kim Su Hwan,KANG Sang Yeol,CHOI Won Sik,Jung Kyoo Ho,BAEK Dong Kwan,SHIN Yu Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory device and method for driving the memory device

Номер патента: CN1265460C. Автор: 金炫助,柳寅儆,徐顺爱. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-19.

method for forming silicon quantum dot and method for fabricating novolatile memory device using the same

Номер патента: KR100386614B1. Автор: 김일권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-02.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH BURIED CAPACITOR AND FIN-LIKE ELECTRODES

Номер патента: US20220181328A1. Автор: CHERN GEENG-CHUAN,Hsia Liang-Choo. Владелец: HeFeChip Corporation Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory device

Номер патента: US20220358993A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Chang Cheng,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: JP3966983B2. Автор: 本榮 具. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-29.

Method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US8351277B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-08.

Systems and methods for stacked semiconductor memory devices

Номер патента: US09472243B2. Автор: Anthony Fai,Nicholas C. Seroff. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20130237008A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Yoshio Ozawa,Shinichi Nakao,Ichiro Mizushima,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kei Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US20210043637A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for manufacturing a memory device and memory device manufactured through the same method

Номер патента: US20240237365A1. Автор: Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09991442B2. Автор: Jongchul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230298634A1. Автор: Yusuke Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for programming a memory device

Номер патента: WO2007008477A3. Автор: Yi He,Zhizheng Liu,Shankar Sinha. Владелец: Shankar Sinha. Дата публикации: 2007-04-26.

Magnetoresistive memory device and method for manufacturing magnetoresistive memory device

Номер патента: US20200083443A1. Автор: Yuichi Ito,Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Methods for forming ferroelectric memory devices

Номер патента: US20210035994A1. Автор: Zhenyu Lu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Magnetic memory device and writing method for the magnetic memory device

Номер патента: US20190279700A1. Автор: Takeshi Fujimori. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for manufacturing a memory device and memory device manufactured through the same method

Номер патента: US11943938B2. Автор: Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory device and method for controlling the memory device

Номер патента: US20190164613A1. Автор: Yu-Wen Tseng,Chung-Jen Huang,Tsung-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for producing a memory device having a phase change film and reset gate

Номер патента: US10026893B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20220406803A1. Автор: Ayumu OZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for manufacturing memory device and memory

Номер патента: US20240188276A1. Автор: XIAO Ding,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device and method for thermoelectric heat confinement

Номер патента: US09548110B2. Автор: Daniel Krebs,Aravinthan Athmanathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

High sensing margin magnetic resistive memory device in which a memory cell read and write select transistors to provide different read and write paths

Номер патента: US09734881B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US20220165754A1. Автор: Wei-Liang Lin,Wen-Jer Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US11641744B2. Автор: Wei-Liang Lin,Wen-Jer Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-02.

Self-referenced memory device and method using spin-orbit torque for reduced size

Номер патента: US9818465B2. Автор: Sebastien Bandiera. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11963363B2. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP3940778A1. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US20240215255A1. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20200091174A1. Автор: Masaki Kondo,Hideaki Aochi,Tomoya Sanuki,Hideto Horii,Yusuke Higashi,Hiroki TOKUHIRA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240105258A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170309814A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210005251A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,TAN Juan Boon,Wang Lanxiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

MAGNETORESISTIVE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200083443A1. Автор: MATSUO Kouji,ITO Yuichi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-03-12.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210091111A1. Автор: Yabuki Moto. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-03-25.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200091174A1. Автор: Aochi Hideaki,Kondo Masaki,HIGASHI Yusuke,TOKUHIRA Hiroki,SANUKI Tomoya,HORII Hideto. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-03-19.

3D MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING 3D MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200098781A1. Автор: Xiao Li Hong. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

Memory device and method for controlling the memory device

Номер патента: US20190164613A1. Автор: Yu-Wen Tseng,Chung-Jen Huang,Tsung-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

SELF-REFERENCED MEMORY DEVICE AND METHOD FOR OPERATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160232958A1. Автор: Bandiera Sebastien. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND WRITING METHOD FOR THE MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190279700A1. Автор: FUJIMORI Takeshi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20220406803A1. Автор: Ayumu OZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Memory cell block, manufacturing method therefor, memory device, and method for driving a memory device

Номер патента: WO2012033106A1. Автор: 下田　達也,永輔 ▲徳▼光,毅明 宮迫,グウエン クオツ チン ブイ. Владелец: 独立行政法人科学技術振興機構. Дата публикации: 2012-03-15.

3D memory device and method for forming 3D memory device

Номер патента: US10608013B1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-31.

System and method for controlling semiconductor memory device including multiple charge storage regions

Номер патента: US10872900B2. Автор: Masaki Kondo,Hideaki Aochi,Tomoya Sanuki,Hideto Horii,Yusuke Higashi,Hiroki TOKUHIRA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-22.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11825656B2. Автор: Ming Wang,Yali SONG,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

METHOD FOR FORMING PATTERNS AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170062709A1. Автор: Park Jongchul,Kim Inho,OH Jung-Ik,BAEK Gwang-Hyun,Kim Jong-Kyu,KIM Sang-Kuk. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

MAGNETIC PROPERTY MEASURING SYSTEMS, METHODS FOR MEASURING MAGNETIC PROPERTIES, AND METHODS FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20210264957A1. Автор: KIM Juhyun,Noh Eunsun,PI Ung Hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-08-26.

MAGNETIC PROPERTY MEASURING SYSTEMS, METHODS FOR MEASURING MAGNETIC PROPERTIES, AND METHODS FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20190295616A1. Автор: KIM Juhyun,Noh Eunsun,Pl Ung Hwan,VAJDA Ferenc Z,MAFHOUM Rachid. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Method for forming memory and memory

Номер патента: US20210398984A1. Автор: Xu Liu,Thomas Jongwan Kwon,Lintao Zhang,Lingguo ZHANG,Xiangui Zhou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for driving semiconductor memory device

Номер патента: US20130094274A1. Автор: Yukihiro Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-04-18.

METHOD FOR MANUFACTURING MOLECULAR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150017760A1. Автор: YAMASHITA Hiroki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-01-15.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING INTEGRATED DOSRAM AND NOSRAM

Номер патента: US20170110192A1. Автор: ZHOU ZHIBIAO,Wu Shao-Hui,Ku Chi-Fa,Lin Chen-Bin. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Systems and Methods for Stacked Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20140321189A1. Автор: Fai Anthony,Seroff Nicholas C.. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170263675A1. Автор: Park Jongchul. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Method for fabricating resistance memory device

Номер патента: KR101127236B1. Автор: 성민규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: KR20170106554A. Автор: 박종철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-21.

METHOD FOR MANUFACTURING A MEMORY DEVICE

Номер патента: FR3062234B1. Автор: Aomar Halimaoui,Christelle Charpin-Nicolle,Sophie BERNASCONI. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-02-28.

Method for driving semiconductor memory device

Номер патента: JP4724258B2. Автор: 浩之 田中,幸広 金子,路人 上田. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Structures and Methods for Testing 3D Memory Devices

Номер патента: KR102286338B1. Автор: 이종석,김종준,김윤철,펑 판,전위 루,융나 리,리둥 쑹,스티브 웨이 양,시몬 스-닝 양. Владелец: 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2021-08-05.

System and method for optically interconnecting memory devices

Номер патента: US20050146946A1. Автор: George Taylor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

System and method for optically interconnecting memory devices

Номер патента: US20040024959A1. Автор: George Taylor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Method for driving semiconductor memory device

Номер патента: JPWO2013011600A1. Автор: 幸広 金子. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-02-23.

Memory cell and method for producing a memory device

Номер патента: DE10333557A1. Автор: Cay-Uwe Dr. Pinnow,Michael Dr. Kund,Thomas Dr. Mikolajick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-24.

Programming method for NAND flash memory device to reduce electrons in channels

Номер патента: US9214242B2. Автор: Hideki Arakawa,Riichiro Shirota,Takashi Miida,Ching Sung Yang,Tzung Ling Lin. Владелец: Powerchip Corp. Дата публикации: 2015-12-15.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: CN109256385B. Автор: 刘香根. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-26.

Method for forming nonvolatile memory device including insulating film containing nitrogen (nitride)

Номер патента: US7166508B2. Автор: Yoshiaki Kamigaki,Kozo Katayama,Shinichi Minami. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-01-23.

Method for programming a memory device

Номер патента: TW200710853A. Автор: Yi He,Shankar Sinha,zhi-zheng Liu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-16.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US11908517B2. Автор: Kuo-Chiang Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240145000A1. Автор: Kuo-Chiang Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Magnetic stack structure, magnetic memory device and the method for operating magnetic memory device

Номер патента: CN109713117A. Автор: 郑在佑,S.S.P.帕金,M.G.萨曼特. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-03.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20240296890A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and operating method for a semiconductor memory device

Номер патента: US20060275928A1. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Memory device, method for reading information from the memory device, method for writing information into the memory device, and method for producing the memory device

Номер патента: US5438539A. Автор: Toshihiko Mori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-01.

Magnetic memory device, method for writing into magnetic memory device and method for reading magnetic memory device

Номер патента: US20080175041A1. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating a memory device

Номер патента: US20080142776A1. Автор: Harald Seidl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20080089104A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Ryota Katsumata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Method for testing a memory device and memory device for carrying out the method

Номер патента: US7219029B2. Автор: Sven Boldt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-15.

Method for manufacturing a memory device

Номер патента: US20040082128A1. Автор: Chong-Jen Huang,Kuang-Wen Liu,Jui-Lin Lu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for manufacturing a memory device

Номер патента: US6762089B2. Автор: Chong-Jen Huang,Kuang-Wen Liu,Jui-Lin Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-13.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20090096035A1. Автор: Hideyuki Kinoshita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-16.

Method for testing a memory device and memory device for carrying out the method

Номер патента: US20060036917A1. Автор: Sven Boldt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-02-16.

Methods for fabricating ferroelectric memory devices with improved ferroelectric properties

Номер патента: US7488628B2. Автор: Ki-nam Kim,Yoon-Jong Song,Nak-Won Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-10.

Method for fabricating a memory device

Номер патента: US20200295010A1. Автор: Noriaki Ikeda,Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for preparing a memory device with air gaps for reducing capacitive coupling

Номер патента: US20210408005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for forming ferroelectric memory device

Номер патента: US7517703B2. Автор: Suk-Hun Choi,Yoon-ho Son,Sang-don Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-14.

Method for forming ferroelectric memory device

Номер патента: US20070243641A1. Автор: Suk-Hun Choi,Yoon-ho Son,Sang-don Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-18.

Memory device and method for testing a memory device

Номер патента: US20170206982A1. Автор: Martin Huch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-20.

Memory device, method for programming memory device, program verification method and memory system

Номер патента: US20230148366A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Top electrode last scheme for memory cell to prevent metal redeposit

Номер патента: US20230380304A1. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Top electrode last scheme for memory cell to prevent metal redeposit

Номер патента: US11800818B2. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US12114514B2. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional memory device and method for enhanced page register reset

Номер патента: US20240134573A1. Автор: Xiang Ming ZHI,Augustus TSAI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory device and asynchronous multi-plane independent read operation thereof

Номер патента: WO2022204850A1. Автор: Lei Shi,Bo Li,Yanlan Liu,Jialiang DENG,Zhuqin DUAN,Yuesong Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory device and asynchronous multi-plane independent read operation thereof

Номер патента: US11756629B2. Автор: Lei Shi,Bo Li,Yanlan Liu,Jialiang DENG,Zhuqin DUAN,Yuesong Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory device and asynchronous multi-plane independent read operation thereof

Номер патента: US11763892B2. Автор: Lei Shi,Bo Li,Yanlan Liu,Jialiang DENG,Zhuqin DUAN,Yuesong Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase change random access memory device

Номер патента: US11765988B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase change random access memory device

Номер патента: US12089513B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory device

Номер патента: US12068023B2. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Chang Cheng,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory device

Номер патента: US20240371433A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Chang Cheng,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device and method for thermoelectric heat confinement

Номер патента: US20160104529A1. Автор: Daniel Krebs,Aravinthan Athmanathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US20240090238A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Non-volatile memory device having tamper resistance, integrated circuit card, authentication method for non-volatile memory device, encryption method and decryption method using non-volatile memory device

Номер патента: JP6474056B2. Автор: 佳一 加藤,裕平 吉本,悟 小笠原. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-27.

Methods for Forming NAND Memory Devices, 3D Memory Devices and NAND Memory Devices

Номер патента: JP7022194B2. Автор: チェン・ジュン,フ・ユシ,タオ・チャン,ル・ゼンユ,シ－ニン ヤン・サイモン,ウェイイ ヤン・スティーブ. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for forming semiconductor memory device e.g. not-and (NAND) type flash memory device involves filling interspaces with planarizing layer of dielectric material, and removing remaining portions of sacrificial layer

Номер патента: DE102006048877B3. Автор: Josef Dr. Willer,Franz Dr. Hofmann. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-04-03.

Method for manufacturing nonvolatile memory device, nonvolatile memory element, and nonvolatile memory device

Номер патента: CN102859690B. Автор: 高木刚,饭岛光辉,巍志强. Владелец: 松下电器产业株式会社. Дата публикации: 2015-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and data erasing method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP3159152B2. Автор: 宏治 金森. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-04-23.

Memory device and method for operating a memory device

Номер патента: DE102015122907A1. Автор: Tommasso Bacigalupo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor memory device and method for driving semiconductor memory device

Номер патента: US8072806B2. Автор: Satoshi Torii. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

Magnetic memory device and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: CN115084355A. Автор: 吉野健一. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-20.

Memory device and method for fabricating a memory device

Номер патента: EP2092528B1. Автор: Gerhard Meyer,Jascha Repp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-10.

3d memory device and method for forming 3d memory device

Номер патента: EP3811410B1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20240040939A1. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Magnetic property measuring systems, methods for measuring magnetic properties, and methods for manufacturing magnetic memory devices using the same

Номер патента: EP3543721A1. Автор: Juhyun Kim,Ung Hwan Pi,Eunsun Noh,Ferenc Z VAJDA,Rachid MAFHOUM. Владелец: Microsense LLC. Дата публикации: 2019-09-25.

Method for MRAM top electrode connection

Номер патента: US11910619B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Chang Chen,Sheng-Huang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for manufacturing thermal dispersion layer in programmable metallization cell

Номер патента: US11800823B2. Автор: Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory system and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20190012227A1. Автор: Nam Hoon Kim,Min Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Programming method for nand flash memory device to reduce electrons in channels

Номер патента: US20140140129A1. Автор: Hideki Arakawa,Riichiro Shirota,Takashi Miida,Ching Sung Yang,Tzung Ling Lin. Владелец: Powerchip Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

METHOD FOR PROGRAMMING A MEMORY DEVICE WITH BIPOLAR SWITCHING

Номер патента: FR3001571B1. Автор: Santhosh Onkaraiah,Marc Belleville,Fabien Clermidy. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-25.

Method for fabricating resistance memory device

Номер патента: KR20110020886A. Автор: 성민규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-03-03.

METHOD FOR PROGRAMMING A MEMORY DEVICE WITH BIPOLAR SWITCHING

Номер патента: FR3001571A1. Автор: Santhosh Onkaraiah,Marc Belleville,Fabien Clermidy. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-08-01.

Memory system and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: TWI741128B. Автор: 金南勳,李珉圭. Владелец: 南韓商愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2021-10-01.

Memory system and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: TW201907406A. Автор: 金南勳,李珉圭. Владелец: 南韓商愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2019-02-16.

Spectroscopic analysis method, method for fabricating semiconductor device using the same, and substrate process system using the same

Номер патента: KR20230029188A. Автор: 최진규,김태현,오세진,장재호,남상기,곽두영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-03-03.

Control method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP4697993B2. Автор: 光輝 飯島. Владелец: スパンション エルエルシー. Дата публикации: 2011-06-08.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: JP3940883B2. Автор: 栄治 名取,達也 下田,尚男 西川,和正 長谷川,幸一 小口. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-07-04.

The method for operating 3D memory device

Номер патента: CN109314117B. Автор: 刘峻. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-30.

Programming method for nand flash memory device to reduce electrons in channels

Номер патента: US20110310666A1. Автор: Hideki Arakawa,Riichiro Shirota,Takashi Miida,Ching Sung Yang,Tzung Ling Lin. Владелец: Powerchip Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for controlling nonvolatile memory device and nonvolatile memory system

Номер патента: KR101826051B1. Автор: 이양섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-02-07.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20110306199A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Yoshio Ozawa,Shinichi Nakao,Ichiro Mizushima,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kei Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Programming method for nand flash memory device technical field

Номер патента: TWI451416B. Автор: Shirota Riichiro,MIIDA Takashi,Hideki Arakawa,Ching Sung Yang,Ruei Ling Lin. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2014-09-01.

Memory device and method for protecting a memory device from the effect of row hammering

Номер патента: US20240185910A1. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for operating a memory device and memory device thereof

Номер патента: US20240170086A1. Автор: Chia-Cho Wu,Chi-Yi Shao. Владелец: Pufsecurity Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Nonvolatile memory device and method for testing nonvolatile memory device using variable resistance material

Номер патента: US09443582B2. Автор: Ki-won Lim,Moon-Ki Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Apparatuses and methods for operating a memory device

Номер патента: US20140149786A1. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Apparatuses and methods for operating a memory device

Номер патента: US09831002B2. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for testing semiconductor memory device

Номер патента: US7813195B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Method for operating a memory device

Номер патента: US8250321B2. Автор: Joern Boettcher,Jens Liebehenschel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-08-21.

Memory device and method for operating said memory device

Номер патента: US20230267999A1. Автор: Thomas Kern,Sebastian Kiesel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Synchronized redundancy decoding systems and methods for integrated circuit memory devices

Номер патента: US5777931A. Автор: Ig-Soo Kwon,Chul-Min Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-07-07.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20130095635A1. Автор: Nam-Jae Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Semiconductor memory device and method for testing semiconductor memory device

Номер патента: US20180286496A1. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Methods for fabricating ferroelectric memory devices

Номер патента: US20060049442A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20150117111A9. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

System and method for programming a memory device with multiple writes without an intervening erase

Номер патента: US09972396B1. Автор: Himanshu Naik,Biswajit Ray,Changyuan Chen,Mohan DUNGA. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods for fabricating resistive memory device switching material using ion implantation

Номер патента: US09583701B1. Автор: Steven Patrick MAXWELL,Natividad VASQUEZ, JR.,Harry Yue Gee,Mark Harold CLARK. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20140219032A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods for manufacturing magnetic memory devices

Номер патента: US09954164B2. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20100271871A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20110164456A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US8194446B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240268097A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20120052673A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Dong-Chul Yoo,Han-mei Choi,Jin-Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-01.

Memory device and method for fabricating the memory device

Номер патента: US12127409B2. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Tae-Hong GWON,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

System and method for thermally coupling memory devices to a memory controller in a computer memory board

Номер патента: US09848517B2. Автор: Douglas Cowles,Allan Jeffrey Koeppel. Владелец: Saint Regis Mohawk Tribe. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240276704A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US12014800B2. Автор: Vijay Raghavan,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Iulian C Gradinariu,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20090305481A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Programming method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219029A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: US20070243640A1. Автор: Hiroaki Tamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Gap filling method and method for forming semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7855145B2. Автор: Sung-Lae Cho,Choong-Man Lee,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park,Sang-Wook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-21.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20150372007A1. Автор: Junichi Hashimoto,Katsunori Yahashi,Tadashi Iguchi,Daigo Ichinose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for manufacturing electronic memory devices integrated in a semiconductor substrate including non-volatile memory matrix and associated circuitry

Номер патента: US20060148173A1. Автор: Luca Pividori. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20230299160A1. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for forming semiconductor memory device having a t-shaped erase gate

Номер патента: US12057481B2. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09684552B2. Автор: Eun-Hye PARK,Jun-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for forming flash memory devices

Номер патента: US09431405B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods for fabricating a memory device with an enlarged space between neighboring bottom electrodes

Номер патента: US09349952B1. Автор: Jun Okuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240224499A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Flash memory devices and methods for fabricating flash memory devices

Номер патента: US20080093651A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jai-Hyuk Song,Ok-Cheon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US20200176513A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for programming a memory device suitable to minimize the lateral coupling effects between memory cells

Номер патента: US20060203544A1. Автор: Angelo Visconti,Mauro Bonanomi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-09-14.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US20210135101A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy,Steven Soss. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for operating a memory device

Номер патента: US09858995B1. Автор: Yao-Wen Chang,I-Chen Yang,Tao-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device, method for designing semiconductor memory device, and recording medium having designing method recorded therein

Номер патента: US09639649B2. Автор: Satoshi Yamano,Jumpei Sato,Tsuyoshi ETOU,Osamu OOTO,Souichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Dry etching process and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US20070026681A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Seiji Samukawa,Toshiaki Shiraiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20040157395A1. Автор: Seung Yoo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for and Flash Memory Device Having Improved Read Performance

Номер патента: US20130051154A1. Автор: Oron Michael. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for forming a memory device at a backside of a wafer substrate, and memory cell including a memory device at a backside of a wafer substrate

Номер патента: US20240023463A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20120224429A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-06.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230354610A1. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US9627401B2. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20200176469A1. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20140045311A1. Автор: Hyun-Sik DOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Image taking method, image analysis method, method for training an image analysis neural network, and image analysis neural network

Номер патента: WO2020225580A1. Автор: Gábor BAYER. Владелец: 77 Elektronika Műszeripari Kft.. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory device and method for fabricating the memory device

Номер патента: US11729979B2. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Tae-Hong GWON,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Vertical memory device and method for fabricating vertical memory device

Номер патента: US11830879B2. Автор: Nam-Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for manufacturing oxide film, method for manufacturing semiconductor memory device, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20230301089A1. Автор: Akira Takashima,Yusuke Nakajima,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and method for fabricating the memory device

Номер патента: US20200388631A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Tae-Hong GWON,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory device and method for fabricating the memory device

Номер патента: US20230337430A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Tae-Hong GWON,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Ferroelectric memory device and method for operating ferroelectric memory device

Номер патента: US20010040815A1. Автор: Yasuhiro Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20210066342A1. Автор: Hiroki Yamashita,Yuichi FURUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for controlling resistive memory device

Номер патента: US20180182455A1. Автор: Takayuki Tsukamoto,Koichiro ZAITSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for controlling resistive memory device

Номер патента: US10199101B2. Автор: Takayuki Tsukamoto,Koichiro ZAITSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Nonvolatile memory devices and methods for fabricating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20090014781A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Sang-Jin Hyun,Hong-suk Kim,Si-Young Choi,Seung-Jae Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-15.

Methods for Manufacturing Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20180006215A1. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Programming method for non-volatile memory device

Номер патента: US20090213652A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: US20080197111A1. Автор: Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20160254319A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20140326939A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20150295174A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20210082949A1. Автор: Hisashi Harada,Jun Nishimura,Ayaha HACHISUGA,Wataru UNNO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Phase change memory device, system including the memory device, and method for operating the memory device

Номер патента: US11756614B2. Автор: Davide Manfre,Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: US7303960B1. Автор: Chang-Ming Wu,Chang-Ho Yeh,Jhong-Ciang Min. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-04.

Method for forming isolation layer and method for fabricating nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US20100203702A1. Автор: Young-Kwang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-12.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US20230197128A1. Автор: Vijay Raghavan,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Iulian C Gradinariu,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for preparing semiconductor memory device with air gaps between conductive features

Номер патента: US20220059544A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20030045071A1. Автор: Chul Chan Choi,Ji Suk Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309303A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20100155832A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for manufacturing semiconductor memory device, semiconductor wafer and semiconductor memory device

Номер патента: US20170077107A1. Автор: Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US20200234746A1. Автор: Vijay Raghavan,Iulian C. Gradinariu,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US20210327477A1. Автор: Vijay Raghavan,Iulian C. Gradinariu,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7977188B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230413567A1. Автор: Hisashi Harada,Hideto Takekida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US11864384B2. Автор: Kohji Kanamori,Young Hwan Son,Jee Hoon HAN,Je Suk MOON,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Pattern failure discovery by leveraging nominal characteristics of alternating failure modes

Номер патента: US09536299B2. Автор: Allen Park. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Insulated gate bipolar transistor failure mode detection and protection system and method

Номер патента: US20140368232A1. Автор: Tao Wu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-12-18.

Methods and systems for memory initialization of an integrated circuit

Номер патента: US09891683B2. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Insulated gate bipolar transistor failure mode detection and protection system and method

Номер патента: US09726712B2. Автор: Tao Wu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-08.

Artificial synapse device based on resistive change memory device, and method for manufacturing same

Номер патента: US20240237566A1. Автор: Jea Gun Park,Soo Min JIN,Dae Seong WOO,Sang Hong PARK,Sung Mok JUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-11.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US20240136009A1. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US20240233856A9. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10593676B2. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Method for manufacturing memory device having a protruding channel structure

Номер патента: US20230371232A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for manufacturing memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230301072A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing memory and memory

Номер патента: US20220093606A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Apparatuses including contacts in a peripheral region and methods for forming the same

Номер патента: US20230056343A1. Автор: Yutaka Nakae. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory device with vertical field effect transistor and method for preparing the same

Номер патента: US20230029551A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200058654A1. Автор: Noriaki Ikeda,Jiun-Sheng YANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Method for testing a memory device and memory device for carrying out the method

Номер патента: DE102004039393B4. Автор: Sven Boldt. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-04-17.

Method for preparing memory device with multilayered capacitor dielectric structure

Номер патента: US20230413509A1. Автор: Chih-Hsiung Huang,Kai-Hung Lin,Jyun-Hua Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for preparing memory device having protrusion of word line

Номер патента: US20230389282A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH AIR GAPS FOR REDUCING CAPACITIVE COUPLING

Номер патента: US20220102355A1. Автор: Su Kuo-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

APPARATUSES AND METHODS FOR OPERATING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160035436A1. Автор: Ha Chang Wan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH AIR GAPS BETWEEN CONDUCTIVE FEATURES

Номер патента: US20220059544A1. Автор: LIAO CHUN-CHENG. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

METHOD FOR FABRICATING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200295010A1. Автор: IKEDA Noriaki,Chen Huang-Nan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

METHODS FOR FABRICATING A MEMORY DEVICE WITH AN ENLARGED SPACE BETWEEN NEIGHBORING BOTTOM ELECTRODES

Номер патента: US20170338410A1. Автор: Okuno Jun. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Structure and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100689712B1. Автор: 박정주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-08.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100256302B1. Автор: 김진태,홍병섭. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-15.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: KR100268938B1. Автор: 서재범. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100374545B1. Автор: 노태훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-06.

Method for fabricating ferroelectric memory device

Номер патента: KR100414873B1. Автор: 조정호,문원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-13.

Method for fabricating ferroelectric memory device

Номер патента: KR100377180B1. Автор: 최은석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-26.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100390917B1. Автор: 김동진,이승철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-12.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: JPWO2012127861A1. Автор: 巧 三河,三河　巧,清孝 辻,健司 富永,空田　晴之,晴之 空田. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: JP4984106B2. Автор: 承 撤 李,相 ▼ウク▲ 朴. Владелец: マイクロン テクノロジー， インク．. Дата публикации: 2012-07-25.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: JP4813055B2. Автор: 相 ▲ウク▼ 朴,▲ピル▼ 根 宋. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-09.

Method for fabricating ferroelectric memory device

Номер патента: KR20020087515A. Автор: 조정호,문원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-23.

Methods for fabricating a memory device with an enlarged space between neighboring bottom electrodes

Номер патента: WO2016092741A1. Автор: Jun Okuno. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2016-06-16.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR980006289A. Автор: 김명선,백선행. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20020037611A1. Автор: Duk-min Yi,Hwa-sook Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-28.

Manufacturing method for a semiconductor memory device

Номер патента: KR20220024305A. Автор: 이지원,정진원,김성완,임헌준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for fabricating a memory device having two contacts

Номер патента: US10388564B2. Автор: Wen-Chieh Wang,Tieh-Chiang Wu,Sheng-Wei Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: KR100532427B1. Автор: 이상우,손윤호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-30.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: US20040266111A1. Автор: Byoung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2522853B2. Автор: 研一 田中,恵三 崎山. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-08-07.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6524868B2. Автор: Eun-Seok Choi,Seung-Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-25.

Method for manufacturing semiconductor memory device having self-aligned contact

Номер патента: CN1181628A. Автор: 潘涍同,崔铉哲,崔昌植. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-05-13.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: CN100386862C. Автор: 童且德,权在淳. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-07.

Methods for fabricating a memory device with an enlarged space between neighboring bottom electrodes

Номер патента: US10096772B2. Автор: Jun Okuno. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: JP4500668B2. Автор: 麟 權 楊. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-14.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20030096469A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seung-Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Memory Device, Electronic Device, and Method for Producing a Memory Device

Номер патента: US20090273887A1. Автор: Klaus Elian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-11-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD FOR TESTING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170206982A1. Автор: Huch Martin. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Three-dimensional memory device and methods of forming

Номер патента: US20210375940A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: JP5154841B2. Автор: 函庭 呂,二▲こん▼ ▲らい▼,光宇 謝. Владелец: 旺宏電子股▲ふん▼有限公司. Дата публикации: 2013-02-27.

Method for detecting a latent failure mode in an electronic selector having an interface switch and at least two underlying switches

Номер патента: US09984843B2. Автор: Ming Zhao. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Device Aware Test for Memory Units

Номер патента: NL2023751B1. Автор: Hamdioui Said,TAOUIL Mottaqiallah. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2021-05-12.

On-chip memory redundancy circuitry for programmable non-volatile memories, and methods for programming same

Номер патента: WO1996025744A1. Автор: James E. O'Toole. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1996-08-22.

Method for testing memory device

Номер патента: US7307903B2. Автор: Young Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-11.

Method for detecting memory device, computer storage medium, and electronic device

Номер патента: US11990174B2. Автор: Tianhao DIWU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory device and method for automatically repairing a defective memory cell in the memory device and method for accessing a memory device

Номер патента: TWI220257B. Автор: Minfu Li,Ming-Nan Yen,Koug-Mou Liou. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Nonvolatile memory device and calibration method for the same

Номер патента: US09972400B1. Автор: Albert Lee,Kang-Lung Wang,Hochul Lee. Владелец: Inston Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US20180061848A1. Автор: Chun-Hsu Chen,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Resistive memory device, resistive memory, and operating method of the resistive memory device

Номер патента: US09646685B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and arrangement method for a semiconductor memory device

Номер патента: TW454205B. Автор: Jung-Bae Lee,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-09-11.

Method for fabricating a memory device and storing information

Номер патента: EP1026753B1. Автор: Isik C. Kizilyalli,Xiaojun Deng,Stephen C. Kuehne. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2011-08-24.

Semiconductor memory device which controls sense amplifier for detecting bit line bridge and method of controlling the semiconductor memory device

Номер патента: US6396754B1. Автор: Hyong-yong Lee,Suk-bae Jun,Choong-Sun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-28.

Integrated solution for identifying malfunctioning components within memory devices

Номер патента: US20110158016A1. Автор: Carolina Selva,Danilo Rimondi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-30.

Integrated solution for identifying malfunctioning components within memory devices

Номер патента: US20130077422A1. Автор: Carolina Selva,Danilo Rimondi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for estimating and reporting the life expectancy of flash-disk memory

Номер патента: US7512847B2. Автор: Itzhak Pomerantz,Avraham Meir,Eyal Bychkov,Alon Ziegler. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2009-03-31.

Method for detecting memory device, computer storage medium, and electronic device

Номер патента: US20230267985A1. Автор: Tianhao DIWU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Methods for forming semiconductor devices including thermal processing

Номер патента: US20040102015A1. Автор: Wan-Don Kim,Cha-young Yoo,Suk-Jin Chung,Jae-Hyoung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-27.

Method for testing a memory device, test unit for testing a memory device and memory device

Номер патента: US20070025167A1. Автор: Andreas Kux,Detlev Richter,Marco Ziegelmayer,Mirko Reissmann. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2007-02-01.

Memory device and method for automatically repairing a defective memory cell in the memory device and method for accessing a memory device

Номер патента: TW200401304A. Автор: Minfu Li,Ming-Nan Yen,Koug-Mou Liou. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-16.

Method for testing semiconductor memory device and test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: KR100557517B1. Автор: 이토무네히로. Владелец: 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-03-03.

Method for testing semiconductor memory device and test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: CN1525490A. Автор: 伊藤宗广. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-09-01.

Method for testing semiconductor memory device and test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US20040117696A1. Автор: Munehiro Ito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Memory device and a method for operating the same

Номер патента: US11942162B2. Автор: Hyung Soo Kim,Jong Min Kim,Dae Han Kim,Myoung Won YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR TESTING NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING VARIABLE RESISTANCE MATERIAL

Номер патента: US20150124515A1. Автор: LIM Ki-Won,JUNG MOON-KI. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR TESTING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180286496A1. Автор: KAMANO Shuhei. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Memory device and method for configuring a memory device

Номер патента: DE102006033649B4. Автор: Sang-Won Hwang,Dong-Kyu Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-12.

Nonvolatile memory device and method for verifying nonvolatile memory device

Номер патента: JP4346482B2. Автор: 正和 天内,雅彦 樫村,洋文 大賀. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-10-21.

Semiconductor memory device and method for testing semiconductor memory device

Номер патента: JP5665263B2. Автор: 勝太郎 小林,透 石川,石川　透. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-02-04.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: JP3967526B2. Автор: 博之 菅本,和樹 小川. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-08-29.

Flash memory device and method for programming flash memory device having leakage bit lines

Номер патента: US7944747B2. Автор: Young-Ho Lim,Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-17.

Memory device and method for protecting a memory device from row hammering

Номер патента: FR3121262A1. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2022-09-30.

Method for testing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: CN1176467A. Автор: 岩切逸郎. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-18.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: JP4467565B2. Автор: 光洋 長尾. Владелец: スパンション エルエルシー. Дата публикации: 2010-05-26.

Memory device and method for operating a memory device

Номер патента: US7342829B2. Автор: Konrad Seidel,Gert Koebernick,Uwe Augustin. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2008-03-11.

Memory device, and method for operating a memory device

Номер патента: US20080008023A1. Автор: Martin Brox,Thomas Hein. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-10.

Flash memory device and method for programming flash memory device having leakage bit lines

Номер патента: US20090231917A1. Автор: Young-Ho Lim,Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: CN112447750A. Автор: 松本壮太,西村貴仁. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-05.

Memory device, circuits and methods for operating a memory device

Номер патента: TW200402724A. Автор: Trygve Willassen,David GenLong Chow,Hans Ola Dahl. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-16.

Semiconductor memory device and method for testing semiconductor memory device

Номер патента: EP1396863B1. Автор: Yuji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Self-repair method for non volatile memory device with erasing/programming failure detection, and non volatile memory device therefor

Номер патента: EP1365419A1. Автор: Rino Micheloni,Aldo Losavio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-11-26.

Memory device, circuits and methods for reading a memory device

Номер патента: US20070091664A1. Автор: Trygve Willassen,David Chow,Hans Dahl. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method for manufacturing semiconductor memory device having ruthenium film and apparatus for manufacturing the ruthenium film

Номер патента: KR100505680B1. Автор: 이광희,이진일,유차영,임한진,정숙진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-03.

Architecture and method for NAND memory operation

Номер патента: US11901023B2. Автор: Haibo Li,Changhyun LEE,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Architecture and method for nand memory operation

Номер патента: EP4244894A1. Автор: Haibo Li,Changhyun LEE,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20130095635A1. Автор: Nam-Jae Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Apparatuses and methods for operating a memory device

Номер патента: US20130117604A1. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

A method for testing a memory device

Номер патента: KR100557948B1. Автор: 김태윤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-10.

Method for testing flash memory device

Номер патента: KR100935722B1. Автор: 최원열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-01-08.

High Voltage Level Optimization Circuit and Method for Nonvolatile Semiconductor Memory Devices

Номер патента: KR970051334A. Автор: 김진기,이성수. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-29.

Testing method for a semiconductor memory device

Номер патента: KR0142566B1. Автор: Yutaka Kobayashi,Masayuki Nakamura,Shoji Wada,Kyoko Ishii,Kazumasa Yanagisawa,Yoshitaka Kinoshita,Hitoshi Miwa,Atsushi Nozoe,Tetsuro Matsumoto,Hiromi Tsukada,Tatsuyuki Ota,Tetsu Udakawa,Yoshiaki Ouji,Wazuo Misashi,Koro Katsukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-08-17.

Method for testing a memory device

Номер патента: TWI271747B. Автор: Tae-Yun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-21.

Reliability test method for a ferroelectric memory device

Номер патента: KR20060051474A. Автор: 아츠시 노마. Владелец: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-05-19.

Method for fabricating flash memory device having 3-dimensional structure

Номер патента: KR101082098B1. Автор: 안정열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-10.

Apparatus and method for testing semiconductor memory devices, capable of selectively changing frequencies of test pattern signals

Номер патента: US20050050409A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-03.

Method for testing a memory device

Номер патента: US7340653B2. Автор: Tae Yun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-04.

Method for operating a memory device

Номер патента: US20050117395A1. Автор: Boaz Eitan,Eduardo Maayan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for testing semiconductor memory device

Номер патента: US20090003102A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for driving semiconductor memory device

Номер патента: JP5171096B2. Автор: 新鎬 秋,進弘 安,奉華 鄭,生煥 金. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-03-27.

Data compression circuit and method for testing embedded memory devices

Номер патента: US6311299B1. Автор: Layne G. Bunker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-10-30.

Method for Manufacturing Semiconductor Memory Devices

Номер патента: KR100381793B1. Автор: 하라다요시히로,야마니시노부유키. Владелец: 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2003-04-26.

Circuit and method for testing ferroelectric memory device

Номер патента: JP2003249074A. Автор: David C Mcclure,シー． マククルーア デイビッド. Владелец: ST MICROELECTRONICS Inc. Дата публикации: 2003-09-05.

Test method for high speed memory devices by using a clock modulation technique

Номер патента: TW393579B. Автор: Ki-Bong Ju,Jae-Bun Ryu,Il-Sik Chi,Heui Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-11.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210035617A1. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US12112830B2. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications

Номер патента: WO2013032809A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Dipankar Pramanik,Vidyut Gopal. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20150179935A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20140363920A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Plasma-doped trenches for memory

Номер патента: US20240105510A1. Автор: Yiping Wang,Wesley O. McKinsey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for initializing memory device

Номер патента: US20110116331A1. Автор: Cheng-Che Tsai,Pu-Jen Cheng. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Methods for manufacturing and operating a memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US09753849B2. Автор: Young Jin Cho,Kui Yon MUN,Young Kwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09530508B2. Автор: Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Resistive memory device, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09514813B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Method and apparatus for manufacturing three-dimensional-structure memory device

Номер патента: US09425057B2. Автор: Seung Woo Shin,Sang Ho Woo,Hai Won Kim,Sung Kil Cho,Gil Sun Jang,Wan Suk Oh. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Method and controller for managing memory device

Номер патента: US09570183B1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190319034A1. Автор: Meng-Chang Chan,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Memory device and method for performing cache program on memory device

Номер патента: US20240221838A1. Автор: Bo Li,Xiaojiang Guo,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device with vertical field effect transistor

Номер патента: US20230276613A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US9218853B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US20150187398A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Systems and methods for programming a memory device

Номер патента: US8369140B2. Автор: Wen-Jer Tsai,Chih-Chieh Yeh,Yi-Ying Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

Systems and methods for programming a memory device

Номер патента: US20070081390A1. Автор: Yi Liao,Chih Yeh,Wen Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Memory device and method for operating and controlling the same

Номер патента: US20110208883A1. Автор: Sang-Sic Yoon,Jinyeong MOON. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor memory device and control method for the semiconductor memory device

Номер патента: US20070011512A1. Автор: Makoto Arita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Method and system for repairing faulty cells of memory device

Номер патента: US12112823B2. Автор: Ankit Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Deokgu Yoon,Keerthi Kiran Jagannathachar,Atishay Kumar,Damini. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device, operation method of the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US09842644B1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing memory device and method for manufacturing shallow trench isolation

Номер патента: US09799755B2. Автор: Jui-Yu Pan,Cheng-Bo Shu,Chung-Jen Huang,Jing-Ru Lin,Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Yueh-Chieh Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for programming memory device and associated memory device

Номер патента: US09478288B1. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Win-San Khwa,Tzu-Hsiang Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Multiple programming pulse per loop programming and verification method for non-volatile memory devices

Номер патента: US09466389B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Neural network in a memory device

Номер патента: US09430735B1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Apparatus and method for use of memory devices for audio

Номер патента: EP1709541A4. Автор: Yam Fei Lian,Chin Fang Lim. Владелец: CREATIVE TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2007-09-12.

Memory device configuration commands

Номер патента: US09940052B2. Автор: Umberto Siciliani,Anna Chiara Siviero,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Program method for flash memory capable of compensating for the reduction of read margin between states

Номер патента: US20070171709A1. Автор: Young-Ho Lim,Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Programming in a memory device

Номер патента: US20110255343A1. Автор: Giulio G. Marotta,Giovanni Santin,Violante Moschiano,Marco-Domenico Tiburzi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Resistive memory device and operating method

Номер патента: US09646687B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device structure and method

Номер патента: US09406519B2. Автор: Kun-Tsang Chuang,Ping-Pang Hsieh,Chia Hsing Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US10515675B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US20200005842A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US20180151205A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Fixed voltage sensing in a memory device

Номер патента: US20200357456A1. Автор: Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for operating semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: TW454337B. Автор: Takaaki Suzuki,Toshiya Uchida,Kotoku Sato,Yoshimasa Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-11.

Methods for operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: EP1050882B1. Автор: Kotoku c/o Fujitsu Limited Sato,Toshiya C/O Fujitsu Limited Uchida,Takaaki c/o Fujitsu Limited Suzuki,Yoshimasa c/o Fujitsu Limited Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-07-30.

High-performance input buffer and memory device having the same

Номер патента: EP4200850A1. Автор: Hang Song,Sangoh Lim,Gyuwan Kwon. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Architecture and method for NAND memory operation

Номер патента: US12094538B2. Автор: Kaijin Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Conductive layers in memory array region and methods for forming the same

Номер патента: US12057317B2. Автор: Kenichi Sugino,Keisuke Shimada,Mitsunari Sukekawa,Yasutaka Iuchi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Fixed voltage sensing in a memory device

Номер патента: US09558803B2. Автор: Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Erase handling method for non-volatile memory device and electronic apparatus thereof

Номер патента: TW200845693A. Автор: Yu-Cheng Hsieh,Bing-Yu Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2008-11-16.

Systems and methods for programming a memory devic

Номер патента: TWI354991B. Автор: Chih Chieh Yeh,Wen Jer Tsai,Yi Ying Liao. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-21.

Systems and methods for a magnetic memory device that includes a single word line transistor

Номер патента: TW200721160A. Автор: Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-01.

Systems and methods for a magnetic memory device that includes a single word line transistor

Номер патента: TWI309823B. Автор: Chia Hua Ho. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-11.

Providing time-stamps for a memory device and method for managing the same

Номер патента: US11599273B2. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: WO2020157529A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: EP3918600A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190027486A1. Автор: Chung-Jen Huang,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Method and device for operating a nonvolatile memory device

Номер патента: US20220137861A1. Автор: Axel Aue. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-05-05.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: US20210342074A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory device having a negative voltage circuit

Номер патента: US11929116B2. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device and method for operating memory device

Номер патента: US20180166136A1. Автор: Mu Hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Resistive memory device, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US20160099052A1. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-07.

Methods for manufacturing and operating a memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US20160005454A1. Автор: Young Jin Cho,Kui Yon MUN,Young Kwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Efficient thermally-assisted memory device

Номер патента: US20210005228A1. Автор: Tapabrata GHOSH. Владелец: Vathys Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory device having a negative voltage circuit

Номер патента: US20240212749A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Ferroelectric memory device, method for driving ferroelectric memory device, electronic device, and method for driving electronic device

Номер патента: JP4228395B2. Автор: 泰彦 村上. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-02-25.

Magnetic memory device, method for writing magnetic memory device and method for reading magnetic memory device

Номер патента: US20070258283A1. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Array architecture for embedded flash memory devices

Номер патента: US20110298032A1. Автор: Roger Lee,Daniel Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US20120295408A1. Автор: Ping Hsu,Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method for forming memory device

Номер патента: US11638379B2. Автор: Guan-Ru Lee,Chia-Jung Chiu,Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Data line management in a memory device

Номер патента: US20110261624A1. Автор: Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20190371412A1. Автор: Hyun-Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11875845B2. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for making semiconductor device

Номер патента: US20130023114A1. Автор: John Power. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for producing a pillar-shaped phase change memory device

Номер патента: US9954032B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230067049A1. Автор: Wei-De Ho,Hua-Tai Lin,Yuan-Hsiang Lung,Han-Wei Wu,Pei-Sheng TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Manufacturing Method For A Semiconductor Device

Номер патента: US20220052180A1. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for forming memory device

Номер патента: US20220052072A1. Автор: Guan-Ru Lee,Chia-Jung Chiu,Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Data line management in a memory device

Номер патента: US20120281474A1. Автор: Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Memory device parallelizer

Номер патента: US20190244655A1. Автор: Daniel B. Penney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Non-volatile memory device with single transistor memory cell

Номер патента: US20070253247A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for programming memory device and associated memory device

Номер патента: US20160307627A1. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Win-San Khwa,Tzu-Hsiang Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Method and device for operating a memory device

Номер патента: US20240161820A1. Автор: Tobias Kirchner,Taha Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-16.

Method and device for operating a memory device

Номер патента: US20180292994A1. Автор: Michael Besemer,Thomas MUNZ. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-10-11.

Memory devices, operation method thereof and memory system

Номер патента: US20240220168A1. Автор: Hongtao Liu,Lei GUAN,Wenzhe WEI,Yuanyuan MIN,Tingze WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and system for repairing memory device

Номер патента: US12026073B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

CONTROL DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD FOR A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200135261A1. Автор: Kubo Takashi,YASUDA Kenichi,HAMAMOTO Takeshi,HARAGUCHI Masaru,TSUKIKAWA YASUHIKO,IGA HIRONORI. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE, SYSTEM INCLUDING THE MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR OPERATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210193220A1. Автор: Perroni Maurizio Francesco,TORTI Cesare,DISEGNI Fabio Enrico Carlo,Manfré Davide. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR OPERATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200202932A1. Автор: YOU Byoung Sung. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US20190259451A1. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

MEMORY DEVICE, THE CONTROL METHOD OF THE MEMORY DEVICE AND THE METHOD FOR CONTROLLING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190361823A1. Автор: KWON SEOK CHEON. Владелец: Essencore Limited. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for fabricating a gallium nitride pattern and method for fabricating flash memory device and flash memory device using thereof

Номер патента: KR100956402B1. Автор: 정재훈,김태환,권영해,이대욱. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-05-06.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufacturing method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP2007088283A. Автор: Yutaka Takeshima,Toshiaki Omori,Yutaka Imai,豊 今井,Tatsuya Fukumura,達也 福村,豊 武島,寿朗 大森. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for manufacturing semiconductor memory device for preventing bit line oxidation and semiconductor memory device

Номер патента: CN1202003A. Автор: 朴泳雨,具本荣,姜昌珍,郑澈,卢俊镛,南硕佑. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-16.

Memory circuit, method for operating a memory circuit, memory device and method for producing a memory device

Номер патента: US7522444B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Rainer Bruchhaus,Corvin Liaw. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-04-21.

Memory device for reading and writing data, including semi-shared sense amplifier and global read line architecture, and method for driving the memory device

Номер патента: KR101090040B1. Автор: 창 호 정,즈친 천. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-12-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device capable of increasing a storage capacity per unit area of the semiconductor memory device

Номер патента: TW202011586A. Автор: 中木寛. Владелец: 日商東芝記憶體股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-16.

Semiconductor memory device for resetting counter synchronized with data clock by using reset signal synchronized with system clock and method for operating the same

Номер патента: US10861515B2. Автор: Sang-Sic Yoon,Young-jun Yoon,Kang-Sub Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-08.

Method of making a semiconductor memory device

Номер патента: US5279983A. Автор: Ji-Hong Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-01-18.

Semiconductor memory device, data recording device, and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: JP4375572B2. Автор: 晋一 深田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-12-02.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US9583495B2. Автор: Kuang-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for driving of memory device and memory device for thereof

Номер патента: KR101559336B1. Автор: 박기태. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-10-13.

Method for treating resistive memory device and method for manufacturing resistive memory device employing the same

Номер патента: KR101438580B1. Автор: 김현재,윤두현,박성표,탁영준,정주혜. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-09-17.

Semiconductor memory device and refresh method for the same

Номер патента: US20050157576A1. Автор: Hajime Sato,Yuji Nakagawa,Satoru Kawamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US10002783B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US20190259451A1. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US10685706B2. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-16.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148631A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Memory device having improved program and erase operations and operating method of the memory device

Номер патента: US11880582B2. Автор: Sang Heon Lee,Keon Soo Shim,Byung In Lee,Hee Joung PARK,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for forming memory device involving ion implantation of the control gate spacer and wet etching process to expose sidewall of control gate

Номер патента: US10896911B2. Автор: Cheng-Ta Yang,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

Method for operating memory device

Номер патента: US20230400992A1. Автор: Kyungduk Lee,Youn-Soo CHEON,Daehyeon JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Line voltage boost system and method for non-volatile memory devices and memory devices and processor-based system using same

Номер патента: US8937836B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Ercole Di Iorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-20.

Write access and subsequent read access to a memory device

Номер патента: US20080114947A1. Автор: Martin Brox,Rex Kho. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-15.

Method and system for repairing faulty cells of memory device

Номер патента: US20230019575A1. Автор: Ankit Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Deokgu Yoon,Keerthi Kiran Jagannathachar,Atishay Kumar,Damini. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US11991882B2. Автор: Kuang-Chao Chen,Kuang-Wen Liu,Yuan-Chieh Chiu,Yao-An Chung,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210226026A1. Автор: Yu-Chu Lin,Chi-Chung JEN,Jia-Yang Ko,Yen-Di WANG,Men-Hsi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Write access and subsequent read access to a memory device

Номер патента: US8055857B2. Автор: Martin Brox,Rex Kho. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-11-08.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US20170194189A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Double program debug method for nand memory using self-verification by internal firmware

Номер патента: US20240105273A1. Автор: Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase change memory device, system including the memory device, and method for operating the memory device

Номер патента: US20210193220A1. Автор: Davide Manfre,Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device structure and method for forming the same

Номер патента: US20220029091A1. Автор: Huan-Just Lin,kun-yi Li,Yu-Feng Yin,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,Yin-Hao Wu,Jiann-Horng Lin,An-Shen CHANG,Hsing-Hsiang WANG,Meng-Chieh WEN,Lin-Ting LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for forming memory device

Номер патента: US20190348426A1. Автор: Cheng-Ta Yang,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Word line voltage boost system and method for non-volatile memory devices and memory devices and processor-based system using same

Номер патента: US20110170359A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Ercole Di lorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Word Line Voltage Boost System and Method for Non-Volatile Memory Devices and Memory Devices and Processor-Based System Using Same

Номер патента: US20100128534A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Ercole Di Iorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-27.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US20210151447A1. Автор: Jian-Ting CHEN,Hsiu-Han Liao,Che-Fu Chuang,Yu-Kai Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130119342A1. Автор: YAMAGUCHI Takeshi,Fukumizu Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-16.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130234235A1. Автор: Iguchi Tadashi,Matsuda Toru,Yahashi Katsunori. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-12.

PROGRAMMING METHODS FOR THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES HAVING MULTI-BIT PROGRAMMING, AND THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES PROGRAMMED THEREBY

Номер патента: US20130322172A1. Автор: SHIM Sunil,KIM Hansoo,JEONG Jaehun,KIM Kihyun,Hur Sunghoi. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140056057A1. Автор: Ozawa Takashi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2014-02-27.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210020834A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,Loy Desmond Jia Jun. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

VERTICAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING VERTICAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210028174A1. Автор: LEE Nam-Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-01-28.

MEMORY CONTROLLER AND METHOD FOR CONTROLLING A MEMORY DEVICE TO PROCESS ACCESS REQUESTS ISSUED BY AT LEAST ONE MASTER DEVICE

Номер патента: US20160034406A1. Автор: AGARWAL Neha,Udipi Aniruddha Nagendran,Hansson Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

METHOD FOR MANUFACTURING A MEMORY DEVICE AND MEMORY DEVICE MANUFACTURED THROUGH THE SAME METHOD

Номер патента: US20220051944A1. Автор: Tessariol Paolo,Fantini Paolo,Fratin Lorenzo. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Read Methods for Non-Volatile Memory Devices and Related Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20150049548A1. Автор: Kwak Dong-Hun,PARK Sang-Won. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190051663A1. Автор: Oshiki Yusuke,TSUDA Hirotaka. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-02-14.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD FOR DESIGNING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND RECORDING MEDIUM HAVING DESIGNING METHOD RECORDED THEREIN

Номер патента: US20170053053A1. Автор: Sato Jumpei,Yamano Satoshi,ETOU Tsuyoshi,OOTO Osamu,MINEMURA Souichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-02-23.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210066342A1. Автор: YAMASHITA Hiroki,FURUKI Yuichi. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-03-04.

MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220085069A1. Автор: BIN Jin-Ho,KWON Il-Young,BYEON Hye-Hyeon,GWON Tae-Hong. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-03-17.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210074916A1. Автор: Tan Shyue Seng,TAN Juan Boon,Chen Tu Pei,Sun Jianxun. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170077107A1. Автор: Iguchi Tadashi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-03-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210082949A1. Автор: Nishimura Jun,HARADA Hisashi,HACHISUGA Ayaha,UNNO Wataru. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-03-18.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210091002A1. Автор: SHIMIZU Kojiro. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-03-25.

METHODS FOR PROGRAMMING A MEMORY DEVICE AND MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150117111A9. Автор: Moschiano Violante,Santin Giovanni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-04-30.

LINE VOLTAGE BOOST SYSTEM AND METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND MEMORY DEVICES AND PROCESSOR-BASED SYSTEM USING SAME

Номер патента: US20140204674A1. Автор: Moschiano Violante,Santin Giovanni,Di Iorio Ercole. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-07-24.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160126252A1. Автор: Oshiki Yusuke,TSUDA Hirotaka. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

METHODS FOR PROGRAMMING A MEMORY DEVICE AND MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140219032A1. Автор: Moschiano Violante,Santin Giovanni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

Data storage device, operating method thereof and method for operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20190155543A1. Автор: Jin Soo Kim,Soong Sun SHIN,Han Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220302378A1. Автор: Hoshino Ken,TSUBATA Shuichi,NODA Kotaro,NODA Kyoko. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-09-22.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170162596A1. Автор: Oshiki Yusuke,TSUDA Hirotaka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-06-08.

MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200152585A1. Автор: EOM Dae-Sung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-05-14.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140264535A1. Автор: Sasaki Toshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200176469A1. Автор: Oshiki Yusuke,TSUDA Hirotaka. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-06-04.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200176513A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,Wang Lanxiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140284686A1. Автор: MURAKAMI Sadatoshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140284691A1. Автор: KIDOH Masaru,KATSUMATA Ryota,Matsuda Toru,ICHINOSE Daigo,Uozumi Yoshihiro,Takamura Kazuhide. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

VERTICAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING VERTICAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210225843A1. Автор: LEE Nam-Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-07-22.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200212056A1. Автор: Tan Shyue Seng,LIM Khee Yong,Quek Kiok Boone Elgin,CAI Xinshu. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140326939A1. Автор: KOBAYASHI Shigeki,YAMAGUCHI Takeshi,Yamato Masaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-11-06.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160254319A1. Автор: KOBAYASHI Shigeki,YAMAGUCHI Takeshi,Yamato Masaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-01.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME AND METHOD FOR DRIVING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150287455A1. Автор: PARK HYUN-KOOK. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20150295174A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR READING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180301180A1. Автор: SANO SEISHI. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200388631A1. Автор: BIN Jin-Ho,KWON Il-Young,BYEON Hye-Hyeon,GWON Tae-Hong. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-12-10.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: KR100874944B1. Автор: 조규철,박영수,강태수,최삼종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-12-19.

Memory device and method for controlling the memory device

Номер патента: KR102471567B1. Автор: 요타로 모리,마코토 기타가와,준 오쿠노,하루히코 데라다. Владелец: 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-11-29.

Method for fabricating flash memory device and flash memory device fabricated thereby

Номер патента: KR100297728B1. Автор: 최정혁. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-09-26.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: KR100864038B1. Автор: 구리타유지. Владелец: 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor memory device and data bus amplifier activation method for the semiconductor memory device

Номер патента: KR100633746B1. Автор: 가와바타구니노리,마츠미야마사토,에토사토시,우자와유이치,고가도루,기쿠타케아키라. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-10-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method for the semiconductor memory device

Номер патента: KR100532424B1. Автор: 박제민,황유상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-30.

Method for managing a memory device, memory device and controller

Номер патента: CN107423231B. Автор: 周柏升,范育玮,詹仲元. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-11-20.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: JP2014505941A. Автор: 隆司 常広,彬史 鈴木. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-03-06.

METHOD FOR OPERATING A MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: FR2916085A1. Автор: Seungwon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-14.

METHOD FOR OPERATING A MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: FR2916066A1. Автор: Seungwon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-14.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: KR101689458B1. Автор: 정기석,전동익. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-12-23.

METHOD FOR OPERATING A MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: FR2916085B1. Автор: Seungwon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-28.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: CN114121118A. Автор: 寺田圭佑,高桥荣悦. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-01.

Method for driving ferroelectric memory device, ferroelectric memory device and electronic apparatus

Номер патента: JP4626832B2. Автор: 光宏 山村. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-02-09.

Sense amplifier circuit, memory device using the circuit and method for reading the memory device

Номер патента: KR20000048350A. Автор: 야마다준이찌. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-07-25.

Methods for programming a memory device, memory devices, and memory systems

Номер патента: US20230143677A1. Автор: Ke Jiang,Xiaodong MEI,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: US6781909B2. Автор: Yuji Kurita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Method for fabricating nonvolatible memory device and nonvolatible memory device fabricated thereby

Номер патента: KR100791333B1. Автор: 김경민,서성기,김병동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-07.

Semiconductor memory device, memory system including memory controller, and refresh control method for a semiconductor memory device

Номер патента: US8576652B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Manufacturing method for reduced semiconductor memory device contact holes with minimal damage to device separation characteristics

Номер патента: US6235619B1. Автор: Yasuhiro Miyakawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-22.

Memory device and method for operating the memory device

Номер патента: US7283395B2. Автор: Marco Ziegelmayer. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2007-10-16.

Method for producing semiconductor memory device (alternatives) and semiconductor memory device

Номер патента: RU2234763C2. Автор: Юнг-ву ПАРК,Дзун-йонг НОХ,Бон-юнг КОО,Чанг-дзин КАНГ,Чул ДЗУНГ,Сеок-ву НАМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2004-08-20.

Data storage device, operating method thereof and method for operating nonvolatile memory device

Номер патента: US10514866B2. Автор: Jin Soo Kim,Soong Sun SHIN,Han Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US10991704B2. Автор: Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-04-27.

Sense amplifier circuit, memory device using the circuit and method for reading the memory device

Номер патента: TW451206B. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2001-08-21.

A memory device and a method for configuring a memory device

Номер патента: EP3772064A1. Автор: Hyungrock OH. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-02-03.

Vertical memory device and method for fabricating vertical memory device

Номер патента: KR20210012710A. Автор: 이남재. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2021-02-03.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: TW200403677A. Автор: Yuji Kurita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-01.

Memory system and method for controlling a memory device to achieve various characteristics on one and the same memory device

Номер патента: DE102004053602B4. Автор: Thomas Dr. Happ,Ralf Dr. Symanczyk,Michael Dr. Kund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-22.

Flash memory device and method for programming flash memory device

Номер патента: US8656085B2. Автор: Jae-gyu Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-18.

Semiconductor memory device, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: WO2021251029A1. Автор: 潤 奥野. Владелец: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社. Дата публикации: 2021-12-16.

Non-volatile memory device and method for operating the memory device

Номер патента: US20080155364A1. Автор: Sang-Won Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Method for controlled erasing memory devices, in particular analog and multi-level flash-EEPROM devices

Номер патента: US6091642A. Автор: Roberto Canegallo,Marco Pasotti,Frank Lhermet,Pierluigi Rolandi,Giovanni Guaitini,Ernestina Chioffi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-07-18.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2023039339A. Автор: 賢宏 小藤,Masahiro Kofuji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-20.

Semiconductor memory device and method for reading semiconductor memory device

Номер патента: JPWO2004075199A1. Автор: 賢治 永井,悟 川本,永井　賢治,川本　悟. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor memory device, memory system including memory controller, and refresh control method for a semiconductor memory device

Номер патента: US20100177583A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230301088A1. Автор: Masaki Kato,Kenichi Fujii,Takashi Fukushima,Yuji Sakai,Hiroyuki OHTORI,Ryosuke SAWABE,Saho OHSAWA,Kaihei KATOU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for programming a memory device suitable to minimize floating gate coupling and memory device

Номер патента: US7688633B2. Автор: Andrea Martinelli,Stefan Schippers,Marco Onorato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-30.

Method of forming a memory device

Номер патента: US11800702B2. Автор: Koji Taniguchi,Chin-Lung Lin,Shih-Fang Tzou,Tsung-Ying Tsai,Yi-Hsiu Lee,Harn-Jiunn Wang,Hsu-Yang Wang,Ping-Cheng Hsu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

High-performance input buffer and memory device having the same

Номер патента: US20220326883A1. Автор: Hang Song,Sangoh Lim,Gyuwan Kwon. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory device and method for forming a memory device

Номер патента: US20240023342A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

A memory controller and method for controlling a memory device to process access requests issued by at least one master device

Номер патента: GB2529045B. Автор: AGARWAL Neha,Hansson Andreas,Nagendran Udipi Aniruddha. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2016-12-28.

A memory controller and method for controlling a memory device to process access requests issued by at least one master device

Номер патента: GB201510661D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2015-07-29.

A memory controller and method for controlling a memory device to process access requests issued by at least one master device

Номер патента: GB2529045B8. Автор: Aniruddha Nagendran Udipi,Neha Agarwal,Andreas Hansson. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2017-01-18.

Method for manufacturing flash memory device and flash memory device

Номер патента: TW200536061A. Автор: Young-Bok Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-01.

ION BEAM APPARATUSES AND METHODS FOR FORMING PATTERNS USING THE SAME, AND METHODS FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICES USING THE SAME.

Номер патента: US20180069176A1. Автор: Park Jongchul,Park Jongsoon,Kim Jong-Kyu,LEE Yil-Hyung,LEE Woohyun,KIM Sang-Kuk,YOON Hyeji. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

ION BEAM APPARATUSES AND METHODS FOR FORMING PATTERNS USING THE SAME, AND METHODS FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20190189916A1. Автор: Park Jongchul,Park Jongsoon,Kim Jong-Kyu,LEE Yil-Hyung,LEE Woohyun,KIM Sang-Kuk,YOON Hyeji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for forming Silicon quantum dot and the method for fabricating semiconductor memory device using the same

Номер патента: KR100521433B1. Автор: 고관주. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-13.

Method for manufacturing semiconductor memory device for ROM coding

Номер патента: KR980011946A. Автор: 김봉석. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for forming Silicon quantum dot and the method for fabricating semiconductor memory device using the same

Номер патента: KR100602084B1. Автор: 고관주. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-19.

Heteroptics analysis device, heteroptically-altered image generating device for generating heteroptics to create perception approximating original image, heteroptics analysis method, method for generating heteroptically-altered image to create perception approximating original image, and program

Номер патента: EP2902965A1. Автор: Hitoshi Arai,Shinobu Arai. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2015-08-05.

Method for forming silicon nitride film, method for manufacturing semiconductor memory device, and plasma cvd apparatus

Номер патента: TW201107521A. Автор: Toshio Nakanishi,Minoru Honda,Junya Miyahara,Tatsuo Nishita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-01.

Method for forming selective epitaxial structure and method for manufacturing 3D memory device

Номер патента: CN111162079B. Автор: 蒲浩. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-28.

Method for forming patterns and method for manufacturing magnetic memory device using the same

Номер патента: US9876165B2. Автор: Inho Kim,Jongchul Park,Jung-Ik Oh,Jong-Kyu Kim,Gwang-Hyun Baek,Sang-Kuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Ion beam apparatuses and methods for forming patterns using the same, and methods for manufacturing magnetic memory devices using the same.

Номер патента: US20180069176A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Sang-Kuk Kim,Woohyun LEE,Yil-hyung LEE,Hyeji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Apparatus and method for use of memory devices for audio

Номер патента: AU2005207280A1. Автор: Yam Fei Lian,Chin Fang Lim. Владелец: CREATIVE TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Architecture and method for nand memory programming

Номер патента: US20240194280A1. Автор: Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for driving semiconductor memory device

Номер патента: US20120039126A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Programming method for non-volatile memory device

Номер патента: US20120140557A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-07.

METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130237008A1. Автор: Nojiri Yasuhiro,MIZUSHIMA Ichiro,NAKAO Shinichi,WATANABE Kei,Yamamoto Kazuhiko,Fukumizu Hiroyuki,Ozawa Yoshio. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-12.

METHOD FOR FABRICATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140045311A1. Автор: DOO Hyun-Sik. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-02-13.

Methods for Manufacturing Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20180006215A1. Автор: SONG YOONJONG,JEONG Daeeun. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

METHOD FOR MANUFACTURING MTJ MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160027999A1. Автор: Pinarbasi Mustafa. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

METHOD FOR PREPARING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220045073A1. Автор: Chen Yi-Ju,TSAI Jhen-Yu,HUANG CHIN-LING,Yang Cheng-Han. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

METHODS FOR FORMING FERROELECTRIC MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210035994A1. Автор: Lu Zhenyu. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

ADDRESS SCHEDULING METHODS FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICES WITH THREE-DIMENSIONAL MEMORY CELL ARRAYS

Номер патента: US20180046574A1. Автор: NAM Sang-Wan,YUN JUNG-YUN,CHAE Dong Hyuk,YOON CHI WEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-02-15.

LOW STANDBY POWER WITH FAST TURN ON METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190080732A1. Автор: RAGHAVAN Vijay,ZONTE Cristinel,Moscaluk Gary Peter,Argrawal Vineet,Leshner Samuel,Gradinariu Iulian,Bettman Roger Jay. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-14.

STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURE OF MEMORY DEVICE WITH THIN SILICON BODY

Номер патента: US20160086959A1. Автор: RHIE Hyoung Seub. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc.. Дата публикации: 2016-03-24.

METHOD FOR FABRICATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220139957A1. Автор: KANAMORI Kohji,Son Young Hwan,MOON Je Suk,KANG Seo-Goo,HAN Jee Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

PROGRAMMING METHOD FOR NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140219029A1. Автор: TSAI CHENG-HUNG. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2014-08-07.

METHOD FOR MANUFACTURING MTJ MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160163973A1. Автор: Pinarbasi Mustafa. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

METHODS FOR FABRICATING A MEMORY DEVICE WITH AN ENLARGED SPACE BETWEEN NEIGHBORING BOTTOM ELECTRODES

Номер патента: US20160163980A1. Автор: Okuno Jun. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

METHOD FOR FABRICATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140256062A1. Автор: KIM Whan-kyun,Kim Young-Hyun,KIM WOO-JIN. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

Structure and Method for Manufacture of Memory Device With Thin Silicon Body

Номер патента: US20140264541A1. Автор: RHIE Hyoung Seub. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD FOR CONTROLLING RESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180182455A1. Автор: Zaitsu Koichiro,Tsukamoto Takayuki. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for and Flash Memory Device Having Improved Read Performance

Номер патента: US20140307509A1. Автор: Michael Oron. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-16.

LOW STANDBY POWER WITH FAST TURN ON METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200234746A1. Автор: RAGHAVAN Vijay,ZONTE Cristinel,Moscaluk Gary Peter,Gradinariu Iulian C.,Bettman Roger,Argrawal Vineet,Leshner Samuel. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

METHOD FOR TESTING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200234752A1. Автор: STREET Terry L.,Rodriguez Alberto,Silvestri Markus R.,Caporale Christopher P.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-23.

METHOD FOR DRIVING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150262644A1. Автор: Saito Toshihiko. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150263035A1. Автор: FUKUZUMI Yoshiaki,TSUJI Masaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-17.

Address scheduling methods for non-volatile memory devices with three-dimensional memory cell arrays

Номер патента: US20200242030A1. Автор: Dong Hyuk Chae,Chi Weon Yoon,Sang-Wan Nam,Jung-Yun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

LOW STANDBY POWER WITH FAST TURN ON METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210327477A1. Автор: RAGHAVAN Vijay,ZONTE Cristinel,Moscaluk Gary Peter,Gradinariu Iulian C.,Bettman Roger,Argrawal Vineet,Leshner Samuel. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160276363A1. Автор: Aochi Hideaki,FUKUZUMI Yoshiaki,OMURA Mitsuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-22.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20180342527A1. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150372007A1. Автор: Hashimoto Junichi,Iguchi Tadashi,ICHINOSE Daigo,Yahashi Katsunori. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for manufacturing MTJ memory device

Номер патента: US9263667B1. Автор: Mustafa Pinarbasi. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

Method for manufacturing MTJ memory device

Номер патента: US9406876B2. Автор: Mustafa Pinarbasi. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for controling flash memory device

Номер патента: KR100638638B1. Автор: 류연승. Владелец: 명지대학교 산학협력단. Дата публикации: 2006-10-26.

Overerase cell detection method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP3984445B2. Автор: 恭章 平野. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-10-03.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100751687B1. Автор: 안정렬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-23.

Method for driving nonvolatile memory device using resistive element

Номер патента: KR102126760B1. Автор: 신준호,박은혜. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-06-25.

Data input circuit and data input method for synchronous semiconductor memory device

Номер патента: KR100403635B1. Автор: 정우섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-10-30.

Data input circuit and data input method for synchronous semiconductor memory device

Номер патента: KR100403632B1. Автор: 이정배,나원균. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for driving flash memory device

Номер патента: KR100784107B1. Автор: 양해종. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-12-10.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR20080001413A. Автор: 진규안,이승철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for fabricating nonvolatible memory device

Номер патента: KR100654359B1. Автор: 윤인구,문정호,권철순,엄재원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-08.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP3214449B2. Автор: 眞人 坂尾. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-02.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: KR100547247B1. Автор: 김승범,남기원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-31.

Methode for menufacturing flash memory device

Номер патента: KR100788371B1. Автор: 백인철. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-01-02.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100622029B1. Автор: 조정일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR100755137B1. Автор: 곽철상. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-09-04.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: KR100252900B1. Автор: 황영주. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100743998B1. Автор: 황주희,한기현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-30.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: KR100349689B1. Автор: 권순용,염승진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-22.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: KR20050009400A. Автор: 염승진,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-25.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR100466190B1. Автор: 박상욱,동차덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-13.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR100609975B1. Автор: 서병윤. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-08.

Erasing method for non volatile memory device

Номер патента: KR100953063B1. Автор: 김범식,박영수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-14.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR980006286A. Автор: 우원식. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: JP4575048B2. Автор: 麟 權 楊,秉 起 李,正 雄 李. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Method for fabricating semiconductor memory device with recessed storage node contact plug

Номер патента: KR100709580B1. Автор: 조용태,조상훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-04-20.

Method for forming ferroelectric memory device

Номер патента: KR100358164B1. Автор: 김재환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: JP4875118B2. Автор: 利治 田中. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-15.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: CN111863727A. Автор: 冯立伟,童宇诚,张钦福. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-30.

Method for programming flash memory device

Номер патента: KR20060070724A. Автор: 김병국. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-26.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: JP4853057B2. Автор: 主 宮治. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-11.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR20060120982A. Автор: 이병기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-28.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100685626B1. Автор: 박은실. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-22.

Method for operating nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: KR101468096B1. Автор: 황상원,황정석,백종남. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-12-04.

Erase method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP3775963B2. Автор: 恭章 平野. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-05-17.

Method for fabricating semiconductor memory device having the structure of the capacitor over bit line employing the MIM capacitor

Номер патента: KR100399769B1. Автор: 오재희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-09-26.

Dual plane copyback method for non volatile memory device

Номер патента: KR100960478B1. Автор: 유병성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-01.

Controlling Method for non-volatile memory device

Номер патента: KR101679359B1. Автор: 박찬익,이정우,최현진,유승주. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2016-11-25.

Method for erasing flash memory device

Номер патента: KR101161393B1. Автор: 양해종. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-07-03.

Method for operating a memory device managing wear-leveling dependent on a reuse period

Номер патента: CN106484320B. Автор: 文相权,李澈,崔贤镇. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-20.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100898440B1. Автор: 김성진. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-05-21.

Address scheduring method for non-volatile memory device with 3d memory cell array

Номер патента: KR101807539B1. Автор: 윤치원,채동혁,남상완,윤정윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100871754B1. Автор: 고영선. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2008-12-05.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: KR20130127791A. Автор: 안영수,정성욱,이윤경,이태화. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2013-11-25.

Method for producing flash memory device

Номер патента: KR100223277B1. Автор: 김종오. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR100643572B1. Автор: 황승민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-10.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100620232B1. Автор: 이기민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR100972718B1. Автор: 장민식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-27.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100861833B1. Автор: 고영선. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2008-10-07.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100799039B1. Автор: 오상현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-28.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100673207B1. Автор: 황승민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: JP4564646B2. Автор: 起 準 金,永 基 辛,丙 洙 朴,▲煕▼ 烈 李. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-20.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: CN113224064A. Автор: 熊伟,徐然,陈华伦. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR20090108223A. Автор: 장민식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-10-15.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR101025921B1. Автор: 신동현,김성욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-03-30.

Method for operating semiconductor memory device

Номер патента: KR101082756B1. Автор: 정병관. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-10.

Method for addressing individual memory devices on a memory module

Номер патента: CN100477013C. Автор: N·坎得卡尔,H·戴维. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

Over-erase relief method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP2982676B2. Автор: 弘之 小畑. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-29.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100673182B1. Автор: 동차덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Programming and verifying method for non volatile memory device

Номер патента: KR101014926B1. Автор: 한정철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-02-15.

Program driving method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP5106779B2. Автор: 眞▲ユブ▼ 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-26.

Address scheduling methods for non-volatile memory devices with three-dimensional memory cell arrays

Номер патента: US9798659B2. Автор: Dong Hyuk Chae,Chi Weon Yoon,Sang-Wan Nam,Jung-Yun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: CN100377335C. Автор: 李相范. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-26.

Method for programming semiconductor memory device

Номер патента: KR101634340B1. Автор: 김시환,우덕균,장준석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: US7691721B2. Автор: Cha Deok Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-06.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100607345B1. Автор: 주광철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for programming flash memory device

Номер патента: KR100824203B1. Автор: 이희열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-21.

Method for accessing a memory device

Номер патента: EP1050822A2. Автор: Christian Hoffmann,Harold Gericke,Peter Schicklinski. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-11-08.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: KR100267768B1. Автор: 신봉조. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100379537B1. Автор: 박승현,박종성,심필보,권우현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-22.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100607351B1. Автор: 동차덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-28.

Erase method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP3704460B2. Автор: 恭章 平野. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-10-12.

Method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US8514633B2. Автор: Byoung Kwan Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-08-20.

Method for preparing a memory device

Номер патента: TWI771046B. Автор: 黃慶玲,蔡鎮宇,楊承翰,陳奕儒. Владелец: 南亞科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-07-11.

Method for fabricating semiconductor memory device having a capacitor

Номер патента: US6528327B2. Автор: Toru Nasu,Eiji Fujii,Yoshihisa Nagano,Hajime Yasuoka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-04.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100298426B1. Автор: 금은섭. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-10-24.

Method for fabricating flash memory device of vertical structure

Номер патента: KR101014854B1. Автор: 김용수,박동수,최원준,조흥재,주문식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-02-16.

Programming methods for multi-level memory devices

Номер патента: US7684249B2. Автор: Kirk D. Prall,Chun Chen. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2010-03-23.

Data input circuit and method for synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US7016237B2. Автор: Jung-Bae Lee,One-gyun La. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-21.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: JP3838692B2. Автор: 建秀 金,載潤 金. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-25.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: KR20090097497A. Автор: 김세준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-09-16.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: US6987046B2. Автор: Byoung ki Lee,Jung Woong Lee,In Kwon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-17.

Methods for manufacturing semiconductor memory devices

Номер патента: US6743678B2. Автор: Sung-Tae Kim,Kwang-Hee Lee,Wan-Don Kim,Cha-young Yoo,Han-jin Lim,Se-hoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-01.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: JP4660102B2. Автор: 鎭国 丁,昌碌 文. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-30.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: JP4049119B2. Автор: 博明 田村,輝男 田川. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-20.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP3439370B2. Автор: 敏洋 飯塚. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-25.

Method for programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20100254188A1. Автор: Kwon Ohsuk,Kihwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-07.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100685634B1. Автор: 김세준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-22.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2662193B2. Автор: 義奎 柳. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-10-08.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6638775B1. Автор: Soon-Yong Kweon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-28.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: JP5131804B2. Автор: 載 憲 金. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-01-30.

Method for reading nonvolatile memory device

Номер патента: CN107403636B. Автор: 平野诚. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-20.

Method for operating semiconductor memory device

Номер патента: CN107301872B. Автор: 金度贤,辛范柱. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-02.

Method for sealing a memory device

Номер патента: EP1253635A1. Автор: Alfonso Maurelli,Giorgio Servalli,Barbara Crivelli,Mauro Alessandri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-10-30.

Method for programming flash memory device and flash memory system

Номер патента: US11145373B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: KR20070027122A. Автор: 조흥재,임관용,성민규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-09.

Method for fabricating nonvolatile memory device having metal silicide particle

Номер патента: KR101071520B1. Автор: 이동욱,서기봉,김은규,조원주,한승종. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-10-10.

Method for fabricating semiconductor memory device having cylinder type storage node

Номер патента: KR100713065B1. Автор: 황의성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-02.

Method for manufacturing mtj memory device

Номер патента: KR102346382B1. Автор: 무스타파 피나바시. Владелец: 인테그레이티드 실리콘 솔루션, (케이만) 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-01-04.

High reliable program method for non-volatile memory device

Номер патента: KR100645044B1. Автор: 최영준,김태균,이석헌. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-10.

Erase method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP4870876B2. Автор: 昇 根 李,濬 聖 李,燦 朝 李,潤 洽 宋. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-08.

Method for forming nonvolatile memory device

Номер патента: KR101097465B1. Автор: 조성윤,강혜란. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-23.

Program method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP4044760B2. Автор: 城 秀 李,軫 善 廉,宰 ▲ヨン▼ 鄭. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-06.

Dry etching process and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: KR20070031829A. Автор: 세이지 사무까와,도시아키 시라이와,데츠야 다츠미. Владелец: 세이지 사무까와. Дата публикации: 2007-03-20.

Method for fabricating semiconductor memory device having cylinder type storage node

Номер патента: TW200623337A. Автор: Eui-Seong Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-01.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: US8003531B2. Автор: Chung-Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-08-23.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100676597B1. Автор: 홍영옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-30.

Read operation method for non-volatile memory device to reduce disturbance

Номер патента: US20220230674A1. Автор: Chih-Chieh Cheng,Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Reduced delay address decoders and decoding methods for integrated circuit memory devices

Номер патента: US6181635B1. Автор: Yong-Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-30.

Operation control circuit and operation control method for integrated circuit memory device

Номер патента: JP3648070B2. Автор: 張泰星,李聖根. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-18.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: CN1204150A. Автор: 朴泳雨,金仁哲. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-06.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100803494B1. Автор: 심귀황. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for manufacturing semiconductor memory device having metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: KR100937989B1. Автор: 노재성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-01-21.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100645177B1. Автор: 박성조. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-10.

Systems and methods for a magnetic memory device that includes two word line transistors

Номер патента: US7203089B1. Автор: ChiaHua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-10.

Fabrication method for phase-change memory device having gst chalcogenide pattern

Номер патента: KR100779099B1. Автор: 윤성민,이승윤,류상욱,이남열,유병곤,박영삼,최규정. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2007-11-27.

Verification method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7760552B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Mitsuaki Osame,Aya Miyazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-20.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR100692800B1. Автор: 박성근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-03-12.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP3212652B2. Автор: 敏宏 兵頭. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-25.

Programming and verification methods for three-dimensional memory device

Номер патента: US10049760B2. Автор: Masashi Yoshida,Tomoaki Nakano,Yasuhiro Shiino,Shigefumi Irieda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-14.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: CN111863727B. Автор: 冯立伟,童宇诚,张钦福. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: JP5215552B2. Автор: 直也 佐次田,晋一 深田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-19.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: US20050245028A1. Автор: Sang Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Writing / erasing method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP2806326B2. Автор: 敏哉 佐藤. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-30.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: KR100673226B1. Автор: 김태균,임종순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Systems and methods for sensing in memory devices

Номер патента: US8773913B1. Автор: Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Erase method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP2707970B2. Автор: 哲也 大月. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-04.

Method for producing magnetic memory device

Номер патента: US20030186552A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hiroaki Yoda,Tatsuya Kishi,Minoru Amano,Tomomasa Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: JP4642390B2. Автор: 光 ▼チョル▲ 朱. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Method for producing magnetic memory device

Номер патента: US20060163196A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hiroaki Yoda,Tatsuya Kishi,Minoru Amano,Tomomasa Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: KR100359764B1. Автор: 박종성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-17.

Method for manufacturing a memory device

Номер патента: KR100457741B1. Автор: 이상익,김형환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-18.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100745954B1. Автор: 곽노열,장민식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US9786679B2. Автор: Mitsuhiro Omura,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: JP4600322B2. Автор: 宏之 三井,晋一 深田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-15.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: CN109378314B. Автор: 周俊,李赟,张超然. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

Programming and Erasing Method for Charge-Trapping Memory Devices

Номер патента: US20090114976A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Hang-Ting Lue. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100739988B1. Автор: 김점수,장희현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-16.

Method for producing portable memory devices

Номер патента: US7928010B2. Автор: Robert Miller,Warren Middlekauff,Charlie Centofante. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2643870B2. Автор: 芳宏 高石. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-08-20.

Address scheduling methods for non-volatile memory devices with three-dimensional memory cell arrays

Номер патента: US10909032B2. Автор: Dong Hyuk Chae,Chi Weon Yoon,Sang-Wan Nam,Jung-Yun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-02.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR100660286B1. Автор: 윤지형,신용욱. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-12-20.

Verification method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: CN101047033A. Автор: 纳光明,三宅博之,宫崎彩. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2606857B2. Автор: 徹 加賀,佳史 川本,英夫 角南. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-05-07.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US9570461B2. Автор: Junichi Hashimoto,Katsunori Yahashi,Tadashi Iguchi,Daigo Ichinose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Systems and methods for programming a memory device

Номер патента: US8223553B2. Автор: Chih Chieh Yeh,Wen Jer Tsai,Yi Ying Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-17.

Programming method for non volatile memory device

Номер патента: KR100965076B1. Автор: 장승호,정민중. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-21.

Method for controlling nonvolatile memory device

Номер патента: JPWO2004031966A1. Автор: 昌之 外山,外山　昌之,坂井　敬介,敬介 坂井,利行 本多,本多　利行. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: KR101140457B1. Автор: 히로시 가와모또,고이찌 마쯔노,나오끼 가이,미노리 가지모또. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2012-04-30.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP4245437B2. Автор: 雅彦 渡邊,剛史 小野. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: KR100358163B1. Автор: 이승석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method for driving semiconductor memory device

Номер патента: TWI524343B. Автор: 齋藤利彥. Владелец: 半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2016-03-01.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100632620B1. Автор: 이병기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-11.

Method for fabricating semiconductor memory device having cylinder type storage node

Номер патента: US20060024883A1. Автор: Eui-Seong Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for fabricating flash memory device and structure thereof

Номер патента: US20060077728A1. Автор: Ting-Chang Chang,Jason Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Programming and erasing method for charge-trapping memory devices

Номер патента: US20060067125A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-30.

Method for fabricating semiconductor memory device having recessed storage node contact plug

Номер патента: US20060141700A1. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for producing portable memory devices

Номер патента: US20080096317A1. Автор: Robert Miller,Warren Middlekauff,Charlie Centofante. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-04-24.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: KR101949375B1. Автор: 양기홍. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: JP2007173762A. Автор: Minshoku Cho,民 植 張. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-05.

Overwrite read methods for resistance switching memory devices

Номер патента: US20210343338A1. Автор: Daniel Bedau,Christopher J. Petti,Michael K. Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-04.

Data input circuit and data input method for synchronous semiconductor memory device

Номер патента: JP4249941B2. Автор: 元 均 羅,▲ジュン▼ 培 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-08.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: US20050139898A1. Автор: Tae Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for operating semiconductor memory device

Номер патента: KR102064514B1. Автор: 이희열. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-01-10.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR100744026B1. Автор: 송한상,염승진,길덕신. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-30.

Controlling method for magnetic bubble memory device

Номер патента: JPS57181490A. Автор: Shigeru Takai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-11-08.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: TW425689B. Автор: Jung-Dal Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-03-11.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: TW200837896A. Автор: Chang-Ming Wu,Chang-Ho Yeh,Jhong-Ciang Min. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-16.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: TWI331377B. Автор: Chang Ming Wu,Chang Ho Yeh,Jhong Ciang Min. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-10-01.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: TW541665B. Автор: Ji-Suk Hong,Chul-Chan Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-11.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

System, apparatus, and methods for digitally labeling memory devices without affecting data storage

Номер патента: US20240241684A1. Автор: David D. Kwan. Владелец: Memoric Technology LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2015-10-14.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: WO2014088489A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2014-06-12.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US7430644B2. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240315015A1. Автор: Masashi ARINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for writing data, memory device and data writing system

Номер патента: US20190163402A1. Автор: Saku YAMAUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for writing data, memory device and data writing system

Номер патента: US10725703B2. Автор: Saku YAMAUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

System and method for managing a memory device using indexes

Номер патента: US11809722B2. Автор: Yang Seok KI,Jason MARTINEAU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Apparatuses, systems, and methods for heating a memory device

Номер патента: US20210240388A1. Автор: Arash Hazeghi,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Method for forming a memory device with at least one memory cell, in particular a phase change memory cell, and memory device

Номер патента: US20070287251A1. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-13.

System and method for communicating with memory devices

Номер патента: US20070005825A1. Автор: David Baker,Matthew Henson. Владелец: SigmaTel LLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Magnetoresistance memory device and method for manufacturing magnetoresistance memory device

Номер патента: US20240099019A1. Автор: Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11910621B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

ION BEAM APPARATUS INCLUDING SLIT STRUCTURE FOR EXTRACTING ION BEAM, ETCHING METHOD USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE ION BEAM APPARATUS

Номер патента: US20180158643A1. Автор: Park Jongchul. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Data recovery in memory having multiple failure modes

Номер патента: US09996417B2. Автор: Assaf Shappir,Guy Ben-Yehuda,Etai Zaltsman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Distributed block redundancy for memory devices

Номер патента: EP1008937A1. Автор: Peter Poechmueller,Armin Reith. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-06-14.

Apparatuses systems and methods for identification encoding for memory devices

Номер патента: US20240290409A1. Автор: Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Dynamic random access memory device and operating method with improved reliability and reduced cost

Номер патента: US09905285B2. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for transmitting measurements in a process data transmission network

Номер патента: RU2738887C1. Автор: Александр Александрович Волошин,Дмитрий Олегович Благоразумов,Евгений Александрович Волошин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2020-12-18.

Determining expected failure modes of balloons within a balloon network

Номер патента: US09514269B1. Автор: Richard DeVaul,Joshua WEAVER,Keith Bonawitz. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Distributed write driver for memory array

Номер патента: US20240170051A1. Автор: Mohit Gupta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

System and method for memory integrated circuit chip write abort indication

Номер патента: US09812209B2. Автор: Asaf Gueta,Inon Cohen,Arie Star. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

System and method for memory integrated circuit chip write abort indication

Номер патента: US09659619B2. Автор: Asaf Gueta,Inon Cohen,Arie Star. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Systems, devices and methods for memory operations

Номер патента: US09502122B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Gu-Huan Li,Chung-chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory read voltage threshold tracking based on memory device-originated metrics characterizing voltage distributions

Номер патента: US20240161836A1. Автор: Steven Michael Kientz,Sampath K. Ratnam,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Shantilal Rayshi Doru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Operation method for memory device

Номер патента: US20240282380A1. Автор: Yi-Chen Fan,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Survivability guarantees for memory traffic

Номер патента: US20190303281A1. Автор: Stephen Van Doren,Chandan Egbert,Amin Firoozshahian,Mahesh Madhav,Omid Azizi,Andreas KLEEN,Mahesh Maddury,Vedaraman Greetha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Failure modes and injection simulation (FMIS) method for power module of aerial parameter processing device

Номер патента: CN102592021A. Автор: 陈颖,曹然,康锐,张晓秦,马响. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-18.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Unretiring memory device blocks

Номер патента: US20220300414A1. Автор: Kevin R Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Methods of operating memory devices within a communication protocol standard timeout requirement

Номер патента: US09423960B2. Автор: Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763B1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2018-07-18.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763A4. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2016-08-10.

Method for utilizing a memory device for a plc

Номер патента: HK1087202A1. Автор: Mark Steven Boggs,Steven Michael Hausman,William H Johnson,Temple Luke Fulton. Владелец: Siemens Energy & Automat. Дата публикации: 2006-10-06.

Method for manufacturing memory and memory

Номер патента: US12089399B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing semiconductor memory devices

Номер патента: TW359875B. Автор: Masao Kunito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-01.

반도체 메모리 장치를 제조하기 위한 방법(Method for Manufacuring Semiconductor Memory Devices)

Номер патента: KR19980019211A. Автор: 마사오 구니또우. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-06-05.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: TW200520165A. Автор: Dong-Kee Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-16.

Read-only memory device with securing function and accessing method thereof

Номер патента: US8452935B2. Автор: Chuen-An Lin,Ching-Tsung Tung. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-28.

Method of making a semiconductor memory device

Номер патента: US5185284A. Автор: Kaoru Motonami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-09.

Flash Memory Device and Data Protection Method Thereof

Номер патента: US20120271986A1. Автор: Hsu-Ping Ou,Chun-Yi Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Method for operating memory device and memory device

Номер патента: US20240184464A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Yu-Hsuan Lin,Cheng-Lin Sung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Unretiring memory device blocks

Номер патента: US20200117590A1. Автор: Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Unretiring memory device blocks

Номер патента: US11379358B2. Автор: Kevin R Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-05.

Methods of operating memory devices within a communication protocol standard timeout requirement

Номер патента: US20130339644A1. Автор: Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Nonvolatile memory element, nonvolatile memory device, method for manufacturing nonvolatile memory element, and method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: JPWO2013038647A1. Автор: 理 伊藤,幸夫 早川,巧 三河,三河　巧,早川　幸夫,慎一 米田,敦史 姫野,伊藤　理. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-23.

Method for manufacturing memory device having resistance switching layer

Номер патента: US11963460B2. Автор: Chih-Lin Wang,Hsin-Hsiang TSENG,Yi-Huang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20010052625A1. Автор: Kazuhiko Sanada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

METHOD FOR EVALUATING SAMPLE, ANALYSIS METHOD, METHOD FOR DETECTING DEGRADED SAMPLE, MARKER FOR DETECTING DEGRADED BLOOD PLASMA SAMPLE, AND MARKER FOR DETECTING DEGRADED SERUM SAMPLE

Номер патента: US20220146526A1. Автор: KAWANA Shuichi,Aoki Yutaka,MASUDA Junichi,UNNO Yumi,FUJIMOTO Hirotaka,NAKANISHI Tsuyoshi. Владелец: SHIMADZU CORPORATION. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory Device and Method for Operating a Memory Device

Номер патента: US20170187359A1. Автор: Bacigalupo Tommaso. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Method for managing a memory device having multiple channels and multiple ways, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TWI506422B. Автор: Jen Wen Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-11-01.

A method for managing a memory device and thereof memory device

Номер патента: WO2010051717A1. Автор: 李俊坤,林财成. Владелец: 慧荣科技股份有限公司. Дата публикации: 2010-05-14.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20090146190A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20070200154A1. Автор: Toshiyuki WASHIASHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Method for production of memory devices and semiconductor memory device

Номер патента: US20070221979A1. Автор: Stephan Riedel,Dirk Caspary,Stefano Parascandola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-09-27.

CONTROL METHOD FOR A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130132797A1. Автор: ARAI Tetsuya. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-05-23.

SYSTEM AND METHOD FOR INTEGRATING OVERPROVISIONED MEMORY DEVICES

Номер патента: US20180032260A1. Автор: Zheng Hongzhong,Gim Jongmin,MALLADI Krishna. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

METHOD FOR ACCESSING EXTENDED MEMORY, DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20180039424A1. Автор: Chen Mingyu,LIU Yao,Cui Zehan,Ruan Yuan. Владелец: Huawei Technologies CO.,Ltd.. Дата публикации: 2018-02-08.

APPARATUSES AND METHODS FOR OPERATING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140149786A1. Автор: Ha Chang Wan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-29.

SYSTEMS AND METHODS FOR LOW-LATENCY MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210181974A1. Автор: Ghosh Tapabrata. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Method for Accessing Extended Memory, Device, and System

Номер патента: US20200150872A1. Автор: Chen Mingyu,LIU Yao,Cui Zehan,Ruan Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

METHOD FOR WRITING DATA, MEMORY DEVICE AND DATA WRITING SYSTEM

Номер патента: US20190163402A1. Автор: YAMAUCHI Saku. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-30.

SYSTEMS AND METHODS FOR PREDICTING PERSISTENT MEMORY DEVICE DEGRADATION BASED ON OPERATIONAL PARAMETERS

Номер патента: US20190188589A1. Автор: Ponnuru Viswanath,Prasad Parmeshwr,RAVISHANKAR K. N.. Владелец: DELL PRODUCTS L.P.. Дата публикации: 2019-06-20.

APPARATUSES, SYSTEMS, AND METHODS FOR HEATING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210240388A1. Автор: Hazeghi Arash,Parat Krishna,Kalavade Pranav,Shenoy Rohit. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

METHOD FOR DRIVING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150286567A1. Автор: PARK Eun-Hye,SHIN JUN-HO. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

SYSTEM AND METHOD FOR THERMALLY COUPLING MEMORY DEVICES TO A MEMORY CONTROLLER IN A COMPUTER MEMORY BOARD

Номер патента: US20150342097A1. Автор: Koeppel Allan Jeffrey,Cowles Douglas. Владелец: SRC Computers, LLC.. Дата публикации: 2015-11-26.

ADDRESS SCHEDULING METHODS FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICES WITH THREE-DIMENSIONAL MEMORY CELL ARRAYS

Номер патента: US20150370705A1. Автор: NAM Sang-Wan,YUN JUNG-YUN,CHAE Dong Hyuk,YOON CHI WEON. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Structure and method for a magnetic memory device with proximity writing

Номер патента: CN100502028C. Автор: 何家骅,谢光宇. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-17.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR980012483A. Автор: 양형모. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-04-30.

Manufacturing method for non-volatile memory device

Номер патента: KR100244292B1. Автор: 최웅림,라경만. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

Method for manufacturing flash memory devices

Номер патента: KR100665827B1. Автор: 김성균,김진호,김용태,유현기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-09.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2907122B2. Автор: 俊幸 廣田. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-21.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: KR100339420B1. Автор: 임민규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-31.

Method for forming nonvolatile memory device

Номер патента: KR100195210B1. Автор: 강정의. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR960015523B1. Автор: 박성욱. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-11-15.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: JP4423488B2. Автор: 秉 振 安,▲ヒー▼ 顯 張,柱 ▲ヤェブ▼ 李. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-03.

Method For Manufacturing Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR100881847B1. Автор: 김봉길,정성문. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2009-02-03.

System and method for communicating with memory devices

Номер патента: KR100726361B1. Автор: 매튜 핸슨,데이빗 큐어튼 베이커. Владелец: 시그마텔, 인크.. Дата публикации: 2007-06-11.

Method For Manufacturing Flash Memory Device

Номер патента: KR100602513B1. Автор: 김재승. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-19.

Memory controller, flash memory system employing memory controller and method for controlling flash memory device

Номер патента: US7024514B2. Автор: Naoki Mukaida,Kenzou Kita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-04-04.

Method for fabricating flash memory device and peripheral area

Номер патента: US6235585B1. Автор: Sung Chul Lee,Jae Seung Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-22.

Method for manufacturing a memory device

Номер патента: US20080096357A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Hidehiko Shiraiwa,Angela Hui,YouSeok Suh,Allison Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-04-24.

method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100694973B1. Автор: 엄재철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-14.

Method for recovering failed memory devices

Номер патента: EP0797147A1. Автор: Maurizio Branchetti,Carla Golla,Armando Conci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1997-09-24.

Method for accessing extended memory, device, and system

Номер патента: EP3674877A1. Автор: Yao Liu,Zehan CUI,Mingyu Chen,Yuan RUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-01.

Method for manufacturing a memory device with doubled mos cell

Номер патента: KR930009591B1. Автор: 이세경,장태식. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1993-10-07.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2581415B2. Автор: 正男 國頭. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-12.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100313956B1. Автор: 모경구. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-15.

Efficient system and method for updating a memory device

Номер патента: US8200886B2. Автор: Andrew J. Ogle. Владелец: Smith Micro Software Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Methods for fabricating nonvolatile memory devices

Номер патента: KR20100023284A. Автор: 이주열,최시영,황기현,백승재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2010-03-04.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2770789B2. Автор: 洋貴 古賀. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-02.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20080138951A1. Автор: Young-Taek Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Apparatus and method for accessing a memory device during speculative instruction branching

Номер патента: US6526503B1. Автор: Balaram Sinharoy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-25.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2770343B2. Автор: 薫 成田. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-02.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR0156142B1. Автор: 이행복. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1998-10-15.

Method for accessing extended memory, device, and system

Номер патента: US10545672B2. Автор: Yao Liu,Zehan CUI,Mingyu Chen,Yuan RUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-28.

System and method for defragmentation of memory device

Номер патента: EP4222604A1. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP3172321B2. Автор: 清 米田,安弘 武田,運也 本間,秀治 長沢. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-04.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100382535B1. Автор: 양형모. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-26.

Efficient system and method for updating a memory device

Номер патента: US20070192532A1. Автор: Andrew Ogle. Владелец: Insignia Solutions PLC. Дата публикации: 2007-08-16.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: JP2777357B2. Автор: 敏 局 趙,種 五 金. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-16.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100976412B1. Автор: 곽노정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-08-17.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: KR980012451A. Автор: 이은국,오영선,한재종,김세표. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

hair condition analysis method, methods for measuring or demonstrating and comparing conditioning effectiveness

Номер патента: BR112015015862A2. Автор: Louise Richards Claire,Bridget Griffith Geraldine,Anne Fawcett Sandra,Paraskevi Clare Moghadam Sophia (Nee Papapavlou). Владелец: Unilever NV. Дата публикации: 2017-07-11.

System and method for communicating with memory devices

Номер патента: CN101133404B. Автор: M·亨森,D·C·巴克. Владелец: SigmaTel LLC. Дата публикации: 2010-05-05.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2512902B2. Автор: 真賢 大川. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-03.

Apparatus and method for selling a memory device

Номер патента: US20020078405A1. Автор: Takanori Tomioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Manufacturing method for non-volatile memory device

Номер патента: KR100244277B1. Автор: 최웅림,라경만. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

System and method for defragmentation of memory device

Номер патента: EP4222604A4. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR20070002342A. Автор: Young Ok Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-05.

Method for computing the relative likelihood of failures

Номер патента: US20100198771A1. Автор: Qingqiu Ginger Shao,Asif Khalak,C. Arthur Dins,Bradley John Barton,David Michael Kolbet,Randy Magnuson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Method for computing the relative likelihood of failures

Номер патента: EP2221698A3. Автор: Qingqiu Ginger Shao,Asif Khalak,C. Arthur Dins,Bradley John Barton,David Michael Kolbet,Randy Magnuson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2014-06-25.

Supporting failure mode and effects analysis

Номер патента: US09483342B2. Автор: Kai Höfig. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Supporting failure mode and effects analysis

Номер патента: EP3097522A1. Автор: Kai Höfig. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2016-11-30.

Methods for determining multiple simultaneous fault conditions

Номер патента: US20150089294A1. Автор: Tim Felke,Douglas Allen Bell. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2015-03-26.

Supporting failure mode and effects analysis

Номер патента: WO2015139867A1. Автор: Kai Höfig. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2015-09-24.

System and method for contextually-informed fault diagnostics using structural-temporal analysis of fault propagation graphs

Номер патента: US12134484B2. Автор: Lee Wang,James M. Ethington,Jason M. Keller. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-11-05.

Timing controller, organic light-emitting diode (OLED) display having the same and method for driving the OLED display

Номер патента: US09620054B2. Автор: Woo-Chul Kim,Min-Ha KEUM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Device and method for rail system device maintenance planning

Номер патента: EP4301648A1. Автор: Urs Gehrig. Владелец: SCHWEIZERISCHE BUNDESBAHNEN SBB. Дата публикации: 2024-01-10.

Device and method for rail system device maintenance planning

Номер патента: WO2022184719A1. Автор: Urs Gehrig. Владелец: SCHWEIZERISCHE BUNDESBAHNEN SBB. Дата публикации: 2022-09-09.

Failure mode analytics

Номер патента: US12055902B2. Автор: Harpreet Singh,Simon Lee,Kun Bao,Anubhav Bhatia,Patrick Brose,Lauren McMullen,Lukas Carullo,Leonard Brzezinski,Rashmi Shetty B,Karthik Mohan Mokashi. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2024-08-06.

Apparatus and method for determining failure mode in a shear or pull test device

Номер патента: WO2007102013A1. Автор: Robert John Sykes. Владелец: Dage Precision Industries Ltd.. Дата публикации: 2007-09-13.

Apparatus and method for determining failure mode in a shear or pull test device

Номер патента: EP1994393A1. Автор: Robert John Sykes. Владелец: Dage Precision Industries Ltd. Дата публикации: 2008-11-26.

System and method for automated failure mode detection of rotating machinery

Номер патента: US12135543B2. Автор: Jesus Gabaldon,Robert Gimeno Feu,Jaime Rodríguez Lagunas,Jose Francisco Velasco Cerpa,Paula Romero Lopes. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Maintenance system and method for a reliability centered maintenance

Номер патента: US20170109219A1. Автор: Kai Höfig,Francesco Montrone. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-04-20.

Methods for producing customer configurable technical manuals

Номер патента: US09715658B2. Автор: Tim Felke,Jeff Vanderzweep,Zdeněk Dvořák,David Mikulka,Ronald Bandstra,Dalibor Jurica,Nagabhushana Rao Begur. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for assessing health conditions of industrial equipment

Номер патента: US20190310621A1. Автор: Luca Cavalli,Stefano Magoni,Simone Turrin. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-10-10.

Method for assessing health conditions of industrial equipment

Номер патента: WO2017215864A1. Автор: Luca Cavalli,Stefano Magoni,Simone Turrin. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-12-21.

System and method for providing pots services in dsl environment in event of failures

Номер патента: EP1219083A1. Автор: Kumar Ramaswamy,John William Richardson. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2002-07-03.

Method and device for analyzing criticality of failure mode of numerical control equipment

Номер патента: LU101709B1. Автор: Shuguang Sun. Владелец: Univ Shandong. Дата публикации: 2020-07-27.

Method for estimating the dynamic reliability in relation to faults in the connection of the median trough of a drag conveyor

Номер патента: RU2758181C1. Автор: Чжэньцай ЧЖУ,Фань Цзян,Гунбо Чжоу,Юйсин ПЭН,Сян Ли,Даган ВАН,Юй ТАН,Ган ШЭНЬ,Хао ЛУ,Вие ЛИ. Владелец: Китайский Университет Горного Дела И Технологии. Дата публикации: 2021-10-26.

System and method for predicting failure initiation and propagation in bonded structures

Номер патента: US20200257768A1. Автор: Joseph D. Schaefer,Brian P. Justusson,Matthew Jeffrey Molitor. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-08-13.

Apparatus and method for monitoring and maintaining plant equipment

Номер патента: WO2000051037A2. Автор: Carl C. Bjornson. Владелец: Northeast Equipment, Inc. Doing Business As Delta Mechanical Seals. Дата публикации: 2000-08-31.

Apparatus and method for monitoring and maintaining plant equipment

Номер патента: EP1157345A2. Автор: Carl C. Bjornson. Владелец: Northeast Equipment Inc doing business as Delta Mechanical Seals. Дата публикации: 2001-11-28.

Apparatus and method for monitoring and maintaining plant equipment

Номер патента: WO2000051037A9. Автор: Carl C Bjornson. Владелец: Northeast Equipment Inc Doing. Дата публикации: 2002-06-20.

Apparatus and method for monitoring and maintaining plant equipment

Номер патента: WO2000051037A3. Автор: Carl C Bjornson. Владелец: Northeast Equipment Inc Doing. Дата публикации: 2001-02-22.

Imaging process for detecting failures modes

Номер патента: US20240351203A1. Автор: Xi Chen,TIANHAO Zhang,Yan Duan,Yide SHENTU,David Mascharka,Jasmine Deng. Владелец: Embodied Intelligence Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method and apparatus for managing failure modes for condition based maintenance in marine resource production equipment

Номер патента: US09665092B2. Автор: Jin Sang Hwang,Duck-Yong Song,Hwan-Seok Gim. Владелец: PARTDB Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Imaging process for detecting failures modes

Номер патента: US12053887B2. Автор: Xi Chen,TIANHAO Zhang,Yan Duan,Yide SHENTU,David Mascharka,Jasmine Deng. Владелец: Embodied Intelligence Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Function-based method for classifying and fusing system behavior information in product development

Номер патента: US20150286712A1. Автор: John A. Cafeo,Soumen De,Prakash M. Peranandam,Dnyanesh Rajpathak,Joseph A. Donndelinger,Kay L. Darden. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2015-10-08.

Systems and methods for component failure-mode surveillance

Номер патента: CA2939510C. Автор: Alan Mark Langley,Phillip Andrew D'EON. Владелец: CASEBANK TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2018-07-24.

Systems and methods for component failure-mode surveillance

Номер патента: EP3195238A1. Автор: Alan Mark Langley,Phillip Andrew D'EON. Владелец: CASEBANK TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Reliability robust design method for multiple failure modes of ultra-deep well hoisting container

Номер патента: CA3037323C. Автор: Fan Jiang,Wei Li,HAO LU,Gang Shen,Guohua Cao,Yuxing PENG,Gongbo Zhou,Zhencai Zhu,Dagang WANG. Владелец: China University of Mining and Technology CUMT. Дата публикации: 2021-06-29.

System, apparatus and method for generating automatically a component fault tree of a system

Номер патента: WO2021209191A1. Автор: Marc Zeller,Maria Bonner,Olexiy Kupriyanov. Владелец: Siemens Industry Software NV. Дата публикации: 2021-10-21.

System and method for predictive monitoring of devices

Номер патента: US20240212121A1. Автор: Amir Govrin,Yekaterina DLUGACH,Jacob AVINU,Arik Priel,Yishaia ZABARY,Yehu OFER. Владелец: OdysightAi Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

System, apparatus and method for generating automatically a component fault tree of a system

Номер патента: EP3896544A1. Автор: Marc Zeller,Maria Bonner,Olexiy Kupriyanov. Владелец: Siemens Industry Software NV. Дата публикации: 2021-10-20.

Method and system for automatic conduction of a process failure mode and effect analysis for a factory

Номер патента: US20190250599A1. Автор: Kai Höfig,Stefan Rothbauer,Daniel Ratiu. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-08-15.

Computer apparatuses and processes for analyzing a system having cumulative and competing cause failure modes

Номер патента: CA2409753C. Автор: Michael Timothy LOONEY,Arthur Joseph Koehler,Donna Marie Caporale,Thomas Jerome Lange. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2009-06-23.

Failure Mode and Effect Analysis System Based on Machine Learning

Номер патента: US20240264893A1. Автор: Sung Nam Kim,Hong Bum Kim,Kyung Hyun Roh. Владелец: Vway Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Diagnostic systems and methods for isolating failure modes of a vehicle

Номер патента: EP3619583A1. Автор: Jason Ward,Krithika MOHAN. Владелец: Cummins Inc. Дата публикации: 2020-03-11.

Determining failure modes of devices based on text analysis

Номер патента: US11922377B2. Автор: Simon Lee,Rashmi B. Shetty. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2024-03-05.

Failure Mode Estimation System

Номер патента: US20200081756A1. Автор: Takayuki Uchida,Toshiaki Kono,Tomoaki Hiruta,Yasuharu Namba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

Communication method for scenario with secondary cell group failure

Номер патента: EP3732914A1. Автор: XIANG Chen,Eddy Chiu,Yaming LUO. Владелец: JRD Communication Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2020-11-04.

System and method for analyzing voltage breakdown in electrostatic chucks

Номер патента: US09417280B2. Автор: David E. Suuronen,Scott E. Peitzsch. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Systems and methods for memory serviceability mitigation

Номер патента: US20240078158A1. Автор: Vivek Viswanathan Iyer,Michael Wayne Arms,Balasingh Ponraj Samuel. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-03-07.

Method and system for mitigating correlated failure modes

Номер патента: US09985823B1. Автор: Bruce D. Holenstein,Paul J. Holenstein,Wilbur H. Highleyman. Владелец: Gravic Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and device for dynamic failure mode effect analysis and recovery process recommendation for cloud computing applications

Номер патента: US20230315954A1. Автор: Manish Ahuja,Kuntal Dey,Kapil SINGI,Mallika Fernandes,Vikrant Kaulgud,Mahesh Venkata Raman,Sankar Narayan Das,Reuben Rajan George. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for driving semiconductor memory device

Номер патента: JP2980463B2. Автор: 靖 久保田. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 1999-11-22.

Method and system for determining failure mode risk of marine electric propulsion system

Номер патента: AU2021100354A4. Автор: Weiwei SONG,Sheng Liu,Xiaojie GUO,Yinchao TAN,Changhua YUE. Владелец: Weihai Ocean Vocational College. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for controlling an inlet-adjustment mechanism for a turbocharger compressor

Номер патента: US20190338699A1. Автор: Hani Mohtar,Stephane Pees,Daniele Zecchetti,Michael Robert Uchanski,Louis Philippe de Araujo. Владелец: Garrett Transportation I Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Binuclear crystalline complexes of rare-earth ions (3+), method for production thereof, method of producing magnetic polymer composites, use of magnetic polymer composites as photosensitive magnetic media for spintronics and memory devices

Номер патента: RU2728127C1. Автор: Роман Борисович Моргунов,Наталия Алексеевна Санина,Екатерина Игоревна Куницына,Федор Анатольевич Пруднов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН). Дата публикации: 2020-07-28.

Method for preparing functionally graded thermal barrier coatings based on failure modes and the method of preparation

Номер патента: LU506144B1. Автор: Kun Liu,Xing Guo. Владелец: Univ Zhengzhou Light Ind. Дата публикации: 2024-07-22.

System and method for memory switching for multiple configuration medical sensor

Номер патента: WO2011008420A3. Автор: Paul Mannheimer. Владелец: Nellcor Puritan Bennett LLC. Дата публикации: 2011-03-17.

Apparatus and method for sensing ice thickness and detecting failure modes of an ice maker

Номер патента: US09644879B2. Автор: John Allen Broadbent. Владелец: True Manufacturing Co Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

The maunfacturing method for capacitor of memory device

Номер патента: TW327249B. Автор: Horng-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 1998-02-21.

Apparatus and methods for woven screen memory devices

Номер патента: CA781060A. Автор: E. Wells Paul,S. Davis John,R. Boles David. Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1968-03-19.

Flash Memory Device and Method for Managing Flash memory Device

Номер патента: US20120023283A1. Автор: Yang Tsung-Chieh. Владелец: SILICON MOTION, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120161206A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-06-28.

METHODS FOR PROGRAMMING A MEMORY DEVICE AND MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120224429A1. Автор: Moschiano Violante,Santin Giovanni. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

MEMORY CONTROLLER DEVICES, SYSTEMS AND METHODS FOR HIGH RELIABILITY MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140006730A1. Автор: Zain Suhail,Puchner Helmut,Anderson Walt,Navalpakam Karthik. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP5061480B2. Автор: 浩子 田代,浩司 角田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and data rewriting method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP3324691B2. Автор: 典昭 児玉. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-09-17.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: JP5776418B2. Автор: 康充 酒井. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-09-09.

Memory device containing double MONOS unit and method for operating the memory device

Номер патента: CN100583292C. Автор: 大仓世纪,大仓法. Владелец: Harlow Co. Дата публикации: 2010-01-20.

Memory device and method for operating the memory device

Номер патента: TWI404067B. Автор: Chun Hsiung Hung,Chin Hung Chang,Wen Chiao Ho,Shuo Nan Hung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2010225200A. Автор: 隆也 須田,Takanari Suda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Method for forming a memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: TWI264800B. Автор: Chin-Ta Su,Shing-Ann Luo,Chien-Hung Lu,Kuang-Wen Liu,Lee-Jen Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-21.

Method for forming a memory device, semiconductor device and forming methid thereof

Номер патента: TW200638512A. Автор: Chin-Ta Su,Shing-Ann Luo,Chien-Hung Lu,Kuang-Wen Liu,Lee-Jen Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-01.

INTEGRATED CIRCUITRY, CHIP, METHOD FOR TESTING A MEMORY DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING A CHIP

Номер патента: US20140085994A1. Автор: Kronseder Stephan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-03-27.

METHOD FOR OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120008413A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

Address Scheduling Methods For Non-Volatile Memory Devices With Three-Dimensional Memory Cell Arrays

Номер патента: US20120047321A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-02-23.

METHOD FOR FABRICATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120052673A1. Автор: Hwang Ki-Hyun,Choi Han-mei,Yoo Dong-Chul,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

PROGRAMMING METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120081969A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120115300A1. Автор: HIROTA Toshiyuki,Kiyomura Takakazu. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-05-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120184078A1. Автор: Kiyotoshi Masahiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-07-19.

Methods for Programming Nonvolatile Memory Devices

Номер патента: US20120218828A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

METHOD FOR FABRICATING FLASH MEMORY DEVICE AND FLOATING GATE THEREIN

Номер патента: US20120244695A1. Автор: ZENG XIANCHENG,Li Shaobin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai Corporation). Дата публикации: 2012-09-27.

METHOD FOR FABRICATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120282755A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

METHOD FOR MANUFACTURING OPTOELECTRONIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120286768A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

Programming Method for Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20120287721A1. Автор: . Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2012-11-15.

METHOD FOR FABRICATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130005104A1. Автор: Huo Zongliang,Hwang Kihyun,LEE Myoungbum,SHIN Seungmok,Kim Sunjung. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130029431A1. Автор: Suguro Kyoichi,Yoda Hiroaki,ITO Junichi,Ohsawa Yuichi,TAKAHASHI Shigeki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-01-31.

Method for and Flash Memory Device Having Improved Read Performance

Номер патента: US20130051154A1. Автор: Michael Oron. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

METHOD FOR MANUFACTURING MOLECULAR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130059426A1. Автор: YAMASHITA Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

SYSTEMS AND METHODS FOR STACKED SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20130148401A1. Автор: Fai Anthony,Seroff Nicholas C.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-06-13.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130157461A1. Автор: KIM Won-Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

METHOD FOR FABRICATING RESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130217199A1. Автор: Huang Ru,Cai Yimao,Tang Yu,Yang Gengyu,Zhang LIjie,Pan Yue,Tan Shenghu,Mao Jun,Huang Yinglong. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-22.

METHOD FOR FABRICATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130309849A1. Автор: JUNG Sung-Wook,LEE Yun-Kyoung,AHN Young-Sao,LEE Tae-Hwa. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2948256B2. Автор: 達也 鍛治田,和樹 小川. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1999-09-13.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP2732070B2. Автор: 和男 小林,武志 中山,康 寺田. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-25.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: JP3442125B2. Автор: 永 福田. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-02.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2848135B2. Автор: 和孝 眞鍋. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-20.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: JP4806048B2. Автор: 裕之 福水,真知子 築地,直哉 速水,勝広 佐藤. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-02.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP3292795B2. Автор: 康幸 伊藤,誠一 横山,真帆 牛久保,正義 木場. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-06-17.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: CN105140229A. Автор: 张振兴. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-12-09.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2846286B2. Автор: 二郎 由上,晋平 飯島,篤 平岩,輝明 木須. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-13.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2644381B2. Автор: 尚之 新村,勝次 井口. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 1997-08-25.

Method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: JP4556385B2. Автор: 進 原谷,城一朗 江▲崎▼,啓治 古賀,裕二 柿沼. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-10-06.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2652985B2. Автор: 健司 秋元. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-10.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2945550B2. Автор: 竜雄 笠岡,敦司 蜂須賀. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-06.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP3566861B2. Автор: 雅彦 柳,和典 佐嶋. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-09-15.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2799530B2. Автор: 夏夫 味香,誠 大井. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-09-17.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JPH0821686B2. Автор: 典雄 小池. Владелец: 松下電子工業株式会社. Дата публикации: 1996-03-04.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JPH0817210B2. Автор: 和夫 佐藤,義樹 福崎. Владелец: 松下電子工業株式会社. Дата публикации: 1996-02-21.

Crosstalk analysis method, method for designing/manufacturing electronic circuit device by using the same, and recorded medium of electronic circuit library therefor

Номер патента: KR100503551B1. Автор: 사사키야스히코. Владелец: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼. Дата публикации: 2005-07-27.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP3020257B2. Автор: 尚克 池上,順 金森. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-15.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2750183B2. Автор: 次郎 井田. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-13.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR970063736A. Автор: 정승우. Владелец: Lg 반도체 주식회사. Дата публикации: 1997-09-12.

Method for adjusting ferroelectric memory device

Номер патента: JP4182671B2. Автор: 栄治 名取,昭人 松本. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-11-19.

Method for manufacturing optical memory device

Номер патента: JP2702723B2. Автор: 哲也 乾,賢司 太田,順司 広兼,章 芝田,美行 永原. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-01-26.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP3130692B2. Автор: 秀俊 荻原. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-31.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP3489232B2. Автор: 秀幸 田中. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2004-01-19.

Accessing method for magnetic bubble memory device

Номер патента: JPS57203284A. Автор: Keiichi Kaneko,Shigeru Takai,Takenori Iida,Koei Kamishiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-12-13.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2819970B2. Автор: 高穂 谷川. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-11-05.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2751591B2. Автор: 英晴 中嶋,和彦 谷. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-05-18.

Read-write access control method for plug-in memory device

Номер патента: CN1838137A. Автор: 胡静,谢立,谢俊元,伍卫民. Владелец: JIANGSU NJUSOFT CO Ltd. Дата публикации: 2006-09-27.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2941039B2. Автор: 明夫 北. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-25.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2792089B2. Автор: 禎一郎 西坂. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-27.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP3228171B2. Автор: 康雄 桜井. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2001-11-12.

Method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: JP4334646B2. Автор: 孝俊 安井. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-09-30.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: JP2008270625A. Автор: Kenji Maruyama,Hirosane Hoko,宏真 鉾,Hiroshi Ishihara,研二 丸山,石原　　宏. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-06.

Data writing method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP3908238B2. Автор: 義幸 田中,豊 岡本. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-25.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP3134847B2. Автор: 博光 波田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: JP4954614B2. Автор: 宏之 三井,直也 佐次田,克好 松浦,晋一 深田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-06-20.

Analysis method, method for creating analytical curve, and automatic analyzer

Номер патента: JP2020128906A. Автор: Kazushige Kojima,和茂 小島. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for random access memory devices testing

Номер патента: RU2455712C2. Автор: Семен Леонидович Подвальный,Сергей Владимирович Тюрин,Владимир Викторович Панявин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2012-07-10.

Manufacturing method for high density memory device

Номер патента: TW381339B. Автор: Jian-Mai Sung. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER LINE EVENT ZONE IDENTIFICATION

Номер патента: US20120004869A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.