Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Control method for nonvolatile semiconductor memory device

Control method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP4697993B2
Опубликовано: 08-06-2011
Автор(ы): 光輝 飯島
Принадлежит: スパンション エルエルシー
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for driving a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100995720B1. Автор: 준 후지끼. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2010-11-19.

Method for driving a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090086549A1. Автор: Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for controlling a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW200929255A. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2009-07-01.

Multi-level cell memory device and method for recording and reading data in the memory device

Номер патента: JP5091253B2. Автор: ジュン・ジン・コン,ソン・ジョン・パク,ドン・ク・カン,ヨン・ファン・イ,シ・フン・ホン,ジェ・ウン・ヒュン. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-05.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for writing / erasing nonvolatile semiconductor memory devices

Номер патента: DE10233194B4. Автор: Kiyoteru Kobayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6636437B2. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040052114A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Apparatus and method of programming and verification for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672926B2. Автор: Masashi Yoshida,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi,Nobushi Matsuura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory and semiconductor memory control method

Номер патента: US09390800B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Method for operating a non-volatile charge-trapping memory device and method for determining programming/erase conditions

Номер патента: US20060291287A1. Автор: Arnaud Furnémont. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2006-12-28.

Vertical memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US20240282376A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

System and method for programming cells in non-volatile integrated memory devices

Номер патента: EP1590811A1. Автор: Nima Mokhlesi,John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-11-02.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11887669B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11929122B2. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Apparatus and method for detecting over-programming condition in multistate memory device

Номер патента: US5771346A. Автор: Christophe J. Chevallier,Robert D. Norman. Владелец: Micron Quantum Devices Inc. Дата публикации: 1998-06-23.

Apparatus and method for detecting over-programming condition in multistate memory device

Номер патента: US6112314A. Автор: Christophe J. Chevallier,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-29.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240028216A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20030008488A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20010021133A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Method for driving a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090244984A1. Автор: Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Non-volatile semiconductor memory and method for fabricating a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20060049449A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Fumitaka Arai,Naohisa Iino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352088A1. Автор: Chih-Hsiung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

METHOD FOR PERFORMING MEMORY ACCESS MANAGEMENT, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20160093371A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,Chang Hsiao-Te,Wang Wen-Long. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Method for manufacturing split gate type non-volatile memory device

Номер патента: KR100660285B1. Автор: 이용준. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-12-20.

Structure and method for reducing stress in a three-dimensional memory device

Номер патента: TWI674666B. Автор: 夏季,李思晢,魏勤香,孫堅華. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2019-10-11.

Structure and method for reducing stress in a three-dimensional memory device

Номер патента: TW202027259A. Автор: 夏季,李思晢,魏勤香,孫堅華. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2020-07-16.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263031A1. Автор: Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20120037976A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20070109848A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8228737B2. Автор: Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Semiconductor memory device and method for biasing same

Номер патента: US09559216B2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa Rao Banna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20100008143A1. Автор: Akira Umezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US09589651B1. Автор: Muneyuki TSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: USRE46785E1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20190267097A1. Автор: Tomoya Sanuki,Yusuke Higashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070076482A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09548373B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100246256A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP2308084A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Method for writing data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903207B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for reading data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903205B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for low power accessing a phase change memory device

Номер патента: US20100165713A1. Автор: Claudio Resta,Ferdinando Bedeschui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for programming selected memory cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device thereof

Номер патента: US09378822B2. Автор: Chung-Shan Kuo. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for erasing memory cells in a flash memory device

Номер патента: US6137729A. Автор: Ki-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-10-24.

Method for programming selected memory cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device thereof

Номер патента: US20150332769A1. Автор: Chung-Shan Kuo. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Method for programming a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100390145B1. Автор: 정재용,이성수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-07-04.

Method for programming a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100385230B1. Автор: 정재용,이성수,염진선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-05-27.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09530508B2. Автор: Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Preserving blocks experiencing program failure in memory devices

Номер патента: US20240363193A1. Автор: Pranam Shetty,Arunkumar B,Haritima Swapnil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory read voltage threshold tracking based on memory device-originated metrics characterizing voltage distributions

Номер патента: US20240161836A1. Автор: Steven Michael Kientz,Sampath K. Ratnam,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Shantilal Rayshi Doru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Preserving blocks experiencing program failure in memory devices

Номер патента: US12068052B2. Автор: Pranam Shetty,Arunkumar B,Haritima Swapnil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Data reading method of memory device, controlling method of memory controller and storage device comprising the memory device and the memory controller

Номер патента: KR102392056B1. Автор: 김지수,변대석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for operating host device and memory device and vehicle comprising the host device and memory device

Номер патента: US11780451B2. Автор: Young San KANG,Kwang Won Park,Byung Yo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Providing time-stamps for a memory device and method for managing the same

Номер патента: US11599273B2. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: WO2020157529A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: EP3918600A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: US20210342074A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Methods for mitigating power loss events during operation of memory devices and memory devices employing the same

Номер патента: US20190272872A1. Автор: Violante Moschiano,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Methods for mitigating power loss events during operation of memory devices and memory devices employing the same

Номер патента: US11437093B2. Автор: Violante Moschiano,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Non-volatile memory devices and data erasing methods

Номер патента: US20240105266A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for being operated to the solid state memory device with the memory array for being coupled to controller

Номер патента: CN103985412B. Автор: 弗朗姬·鲁帕尔瓦尔,维沙尔·萨林,荣·S·赫埃. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-22.

Method for erasing memory cells in a flash memory device using a positive well bias voltage and a negative word line voltage

Номер патента: US20130250695A1. Автор: Chung-Zen Chen,Yang-Chieh Lin,Chung-Shan Kuo. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

METHOD FOR ERASING MEMORY CELLS IN A FLASH MEMORY DEVICE USING A POSITIVE WELL BIAS VOLTAGE AND A NEGATIVE WORD LINE VOLTAGE

Номер патента: US20200090757A1. Автор: Chen Chung-Zen,LIN Yang-Chieh,KUO Chung-Shan. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

METHOD FOR ERASING MEMORY CELLS IN A FLASH MEMORY DEVICE USING A POSITIVE WELL BIAS VOLTAGE AND A NEGATIVE WORD LINE VOLTAGE

Номер патента: US20210142857A1. Автор: Chen Chung-Zen,LIN Yang-Chieh,KUO Chung-Shan. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

METHOD FOR ERASING MEMORY CELLS IN A FLASH MEMORY DEVICE USING A POSITIVE WELL BIAS VOLTAGE AND A NEGATIVE WORD LINE VOLTAGE

Номер патента: US20160141040A1. Автор: Chen Chung-Zen,LIN Yang-Chieh,KUO Chung-Shan. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

APPARATUS AND METHOD FOR PROGRAMMING DATA IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220415401A1. Автор: CHOI Hyung Jin,PARK Tae Hun,Kwak Dong Hun. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Method for operating page buffer of non-volatile memory device

Номер патента: KR100672149B1. Автор: 주기석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

Method for erasing memory cells in a flash memory device using a positive well bias voltage and a negative word line voltage

Номер патента: US9214233B2. Автор: Chung-Zen Chen,Yang-Chieh Lin,Chung-Shan Kuo. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2015-12-15.

Apparatus and method for detecting over-programming condition in multistate memory device

Номер патента: US20040153817A1. Автор: Christophe Chevallier,Robert Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-05.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230017178A1. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Systems and methods for last written page handling in a memory device

Номер патента: US09928139B2. Автор: Yu Cai,Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Zhimin Dong. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Apparatuses and methods for sense line architectures for semiconductor memories

Номер патента: US20190206480A1. Автор: Charles L. Ingalls,Toby D. Robbs. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Apparatuses and methods for sense line architectures for semiconductor memories

Номер патента: US20200211625A1. Автор: Charles L. Ingalls,Toby D. Robbs. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Circuit and method for controlling internal voltage of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20070145421A1. Автор: Seung Eon Jin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for manufacturing semiconductor device having diode connectedto memory device

Номер патента: US20230320064A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Apparatuses, systems, and methods for read clock timing alignment in stacked memory devices

Номер патента: US11854601B2. Автор: Kiyoshi Nakai,Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Apparatuses, systems, and methods for read clock timing alignment in stacked memory devices

Номер патента: US20230206985A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Circuit and method for retrieving data stored in semiconductor memory cells

Номер патента: US7474577B2. Автор: Rino Micheloni,Giancarlo Ragone,Miriam Sangalli,Luca Crippa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-06.

Program verify operation in a memory device

Номер патента: US20120127794A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Method and apparatus for programming data in non-volatile memory device

Номер патента: US20130308390A1. Автор: Jun-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

METHOD FOR REGULATING READING VOLTAGE OF NAND FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160225440A1. Автор: HAN Seung-Hyun,Hwang Sun-Mo. Владелец: THE-AIO INC.. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for recovering over-erased bits of a memory device

Номер патента: JP2005538484A. Автор: マネア，ダヌート・アイ. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Apparatuses, systems, and methods for counter-based read clock in stacked memory devices

Номер патента: US11869580B2. Автор: Takamasa Suzuki,Kiyoshi Nakai,Seiji Narui,Tomohiko Yamagishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Write controlling method for memory

Номер патента: US09558833B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US8493788B2. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20110216599A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20150380100A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9536615B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9165651B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7532519B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080137434A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060250841A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7333368B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09612762B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09472295B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262689A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Takuya Futatsuyama,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09530510B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543020B2. Автор: Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5617353A. Автор: Kang-Deog Suh,Young-Ho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-04-01.

Semiconductor memory device, control method, and memory system

Номер патента: US09543033B1. Автор: Koichi Shinohara,Yoshikazu Takeyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8274845B2. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100309733A1. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090168527A1. Автор: Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09484106B2. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for performing memory access management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US09520185B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,wen-long Wang,Hsiao-Te Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for checking the erasing phase of a memory device

Номер патента: US11869604B2. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for checking the erasing phase of a memory device

Номер патента: WO2020240234A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for checking the erasing phase of a memory device

Номер патента: US20230186999A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11915762B2. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Apparatus and method for detecting leakage current of semiconductor memory device, and internal voltage generating circuit using the same

Номер патента: US20080219061A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Circuit and method for reading and writing data in a memory device

Номер патента: US6021070A. Автор: Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random access memory device

Номер патента: US20050125596A1. Автор: Chang-Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019236117A3. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019236117A2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-12-12.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP3803871A2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

A memory device, a memory module, a computing system, a method for erasing a memory portion of a memory device and a method for generating an erase request

Номер патента: WO2022198645A1. Автор: Yao Zu Dong,Qing Huang,Shuo Liu,Jie Yu,Yipeng YAO,Kevin Yufu LI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-09-29.

A memory device, a memory module, a computing system, a method for erasing a memory portion of a memory device and a method for generating an erase request

Номер патента: US20240185905A1. Автор: Yao Zu Dong,Qing Huang,Shuo Liu,Jie Yu,Yipeng YAO,Kevin Yufu LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for clock control in dynamic random access memory devices

Номер патента: US20150243344A1. Автор: Kallol Mazumder,Debra Bell. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09558837B2. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20100135081A1. Автор: Shoichi Kawamura,Masahito Takehara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Method for setting programming start bias for flash memory device and programming method using the same

Номер патента: TW200822121A. Автор: Suk-Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-16.

Method for setting programming start bias for flash memory device and programming method using the same

Номер патента: TWI344647B. Автор: Suk Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-01.

Method for low power accessing a phase change memory device

Номер патента: TW201027537A. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta. Владелец: Numonyx Bv. Дата публикации: 2010-07-16.

Method for storing E-Fuse data in flash memory device

Номер патента: KR100935889B1. Автор: 임영호,강상구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2010-01-07.

Memory system and method for controlling a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8745313B2. Автор: Wataru Okamoto,Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

System and method for the functional testing of semiconductor memory chips

Номер патента: US6914834B2. Автор: Peter Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-07-05.

Word line control method, word line control circuit device and semiconductor memory

Номер патента: US20210165602A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Word line control method, word line control circuit device and semiconductor memory

Номер патента: US11693584B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Apparatuses and methods for accessing memory cells in semiconductor memories

Номер патента: US20170213589A1. Автор: Balaji Srinivasan,Sandeep Guliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Apparatuses and methods for accessing memory cells in semiconductor memories

Номер патента: US09767896B2. Автор: Balaji Srinivasan,Sandeep Guliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US20240249758A1. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L. Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20230144541A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Systems and methods for data path power savings in ddr5 memory devices

Номер патента: US20200133525A1. Автор: Ravi Kiran Kandikonda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Methods for executing data access commands and flash memory devices using the same

Номер патента: US09959232B2. Автор: Yu-Chuan Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US11948661B2. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Redundant circuit and method for replacing defective memory cells in a memory device

Номер патента: US20020113251A1. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2002-08-22.

Apparatus and method for handling temperature dependent failures in a memory device

Номер патента: US20210210157A1. Автор: Narendhiran Chinnaanangur Ravimohan,Aneesh Puthoor,Harvijay Singh. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200201698A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11947412B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240202056A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for programming resistive memory cell and nonvolatile memory device thereof

Номер патента: US20190147950A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Apparatus and method for checking an operation status of a memory device in a memory system

Номер патента: US11815985B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

System and method for addressing errors in a multiple-chip memory device

Номер патента: US20090006887A1. Автор: Hoon Ryu,Ryan Patterson,Klaus Nierle,Koonhee Lee. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

SYSTEMS AND METHODS FOR LAST WRITTEN PAGE HANDLING IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160378598A1. Автор: Chen Zhengang,Haratsch Erich F.,CAI Yu,Dong Zhimin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

Apparatus and methods for prolonging service life of solid-state memory device in a digital video recorder

Номер патента: US20140281213A1. Автор: Tomasz Kozlowski,Chris Dinallo. Владелец: Advanced Digital Broadcast SA. Дата публикации: 2014-09-18.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US09425190B2. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for adjusting voltage characteristics of semiconductor memory element, method for adjusting voltage characteristics of semiconductor memory device, charge pump and method for adjusting voltage of charge pump

Номер патента: US20130114355A1. Автор: Ken Takeuchi,Kentaro Honda,Kosuke Miyaji,Shuhei TANAKAMARU. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2013-05-09.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20150054133A1. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20130322148A1. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Apparatuses and methods for sense line architectures for semicondcutor memories

Номер патента: EP3732684A1. Автор: Charles L. Ingalls,Toby D. Robbs. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

APPARATUSES AND METHODS FOR SENSE LINE ARCHITECTURES FOR SEMICONDUCTOR MEMORIES

Номер патента: US20190206480A1. Автор: Ingalls Charles L.,Robbs Toby D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Apparatuses and methods for sense line architectures for semiconductor memories

Номер патента: US20200211625A1. Автор: Charles L. Ingalls,Toby D. Robbs. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for manufacturing high density magnetic random access memory devices using diamond like carbon hard mask

Номер патента: US10388860B2. Автор: Mustafa Pinarbasi,Yuan-Tung CHIN,Elizabeth A. Dobisz,Girish Jagtiani,Thomas D. Boone. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100238708A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130159814A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130332802A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Circuit and method for controlling voltage generation in semiconductor memory device

Номер патента: KR100616199B1. Автор: 강상희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Pumping voltage generating circuit in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060098487A1. Автор: Hui-Kwon Seo,Woo-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Nonvolatile semiconductor memory device achieving shorter erasure time

Номер патента: US20020141243A1. Автор: Yasuhiko Tanuma,Takayuki Yoneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory element, nonvolatile semiconductor memory, and method for operating nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US09620653B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20220415906A1. Автор: Jae Hyun Park,Sung Il Park,Min Gyu Kim,Do Young Choi,Dae Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for writing into nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2007046145A1. Автор: Kentaro Kinoshita,Tetsuro Tamura. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2007-04-26.

Methods for enlarging the memory window and improving data retention in resistive memory device

Номер патента: US12040019B2. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Circuit and method for outputting data in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100727406B1. Автор: 장성진,김경호,김정열. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-13.

Nonvolatile semiconductor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210265426A1. Автор: Yuna NAKAMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Output circuit, circuit for reducing leakage current, method for selectively switching transistor and semiconductor memory

Номер патента: KR970060217A. Автор: 다케사다 아키바,고로 기츠카와. Владелец: 히다치세사쿠쇼 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-08-12.

Method for implementing spare logic of semiconductor memory apparatus and structure thereof

Номер патента: US20130155753A1. Автор: Yong Kee KWON,Young Suk MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Output circuits, circuits to reduce leakage currents, methods for selectively switching transistors and semiconductor memory

Номер патента: KR100471737B1. Автор: 다케사다 아키바,고로 기츠카와. Владелец: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼. Дата публикации: 2005-06-27.

Circuit and method for on die termination of semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100897255B1. Автор: 이동욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-05-14.

Circuit and method for generating pumping voltage of semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100902060B1. Автор: 권재관. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-15.

Memory device and method for using shared latch elements thereof

Номер патента: US20210383885A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20230253039A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Methods for enlarging the memory window and improving data retention in restistive memory device

Номер патента: US20230274780A1. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Variable and reversible resistive element, non-volatile memory device and methods for operating and manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: TWI398954B. Автор: Chrongjung Lin,Yachin King. Владелец: Yachin King. Дата публикации: 2013-06-11.

Method for programming nonvolatile memory element, method for initializing nonvolatile memory element, and nonvolatile memory device

Номер патента: US20130314975A1. Автор: Takeshi Takagi,Koji Katayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Method for driving nonvolatile memory element, and nonvolatile memory device

Номер патента: US20140029330A1. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Satoru Mitani. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for driving nonvolatile memory element, and nonvolatile memory device having a variable resistance element

Номер патента: US9153319B2. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Satoru Mitani. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-06.

Apparatus and method for determining on die termination modes in memory device

Номер патента: US20080100335A1. Автор: Sung-Ho Choi,Reum Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180157546A1. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US10180873B2. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-15.

METHOD FOR DRIVING A NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130242662A1. Автор: Fujiki Jun. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-19.

METHOD FOR CONTROLLING A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND SEMICONDUCTOR STORAGE SYSTEM

Номер патента: US20150255159A1. Автор: TANAKA Yoshiyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-10.

Method and apparatus for performing data retention management of memory device with aid of pre-shutdown control

Номер патента: US20240028198A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for operating a control device with a memory device programmable via a programming device

Номер патента: DE19623145A1. Автор: Udo Schulz,Andreas Werner,Carsten Franz,Walter Nagl. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1997-12-11.

METHOD FOR PROGRAMMING SELECTED MEMORY CELLS IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE THEREOF

Номер патента: US20150332769A1. Автор: KUO Chung-Shan. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2015-11-19.

Flash memory device with stable auto read function regardless of external voltage and method for controlling auto read of the flash memory device

Номер патента: KR100635204B1. Автор: 장승호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-16.

Circuit device and corresponding method for resetting non-volatile and electrically programmable memory devices

Номер патента: EP0661714A1. Автор: Silvia Padoan,Marco Olivo. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1995-07-05.

Generator for bitline selecting voltage and method for reading out data of non volatile memory device using the same

Номер патента: KR100865817B1. Автор: 이진행. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-28.

APPARATUS AND METHOD FOR HANDLING TEMPERATURE DEPENDENT FAILURES IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210210157A1. Автор: Ravimohan Narendhiran Chinnaanangur,PUTHOOR ANEESH,Singh Harvijay. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for performing memory access management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20140321203A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,wen-long Wang,Hsiao-Te Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Method for performing memory access management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TW201508759A. Автор: Tsung-Chieh Yang,wen-long Wang,Hsiao-Te Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-03-01.

Apparatus and method for increasing data input/output speed of memory device

Номер патента: CN115116500A. Автор: 权利玹. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Method for performing memory access management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TW201735050A. Автор: 楊宗杰,張孝德,王文瓏. Владелец: 慧榮科技股份有限公司. Дата публикации: 2017-10-01.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US20170294447A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin,II Young Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10847533B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10096617B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-09.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US9691785B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US09691785B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method and device for optimizing log likelihood ratio (LLR) used for nonvolatile memory device and for correcting errors in nonvolatile memory device

Номер патента: US09502137B2. Автор: Jin-Young Chun,Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Device and method for supplying current to a semiconductor memory to support a boosted voltage within the memory during testing

Номер патента: US20010028580A1. Автор: Patrick Mullarkey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20200243146A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: EP3769203A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20190295666A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20210082529A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: WO2019182747A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US10867685B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Method for controlling precharge timing of memory device and apparatus thereof

Номер патента: US20060140032A1. Автор: Kang Lee,Jae Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Memory device capable of operation in a burn in stress mode, method for performing burn in stress on a memory device, and method for detecting leakage current of a memory device

Номер патента: US20120163107A1. Автор: Shi-Huei Liu,Ming-Hong Kuo,Te-Yi Yu,Tzu-Hao Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Method for controlling precharge timing of memory device and apparatus thereof

Номер патента: US20070268763A1. Автор: Kang Lee,Jae Im. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-22.

Memory device operative in a stress mode, method for performing burn in stress on a memory device, and method for detecting leakage current on a memory device

Номер патента: TW201227752A. Автор: Shi-Huei Liu,Ming-Hong Kuo,Te-Yi Yu,Tzu-Hao Chen. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-01.

Volatile memory device included in memory system and method for extending life expectancy thereof

Номер патента: US20240248610A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US11769550B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US09947387B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US09536595B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for writing data into a semiconductor memory device and semiconductor memory therefor

Номер патента: US20030185043A1. Автор: Kengo Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20020027824A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor memory reading data stored in capacitors in memory cell and method for reading data from the semiconductor memory

Номер патента: KR100315065B1. Автор: 스미오 다나까,류 오기와라. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2002-01-17.

Method for writing data to a semiconductor memory comprising a peripheral circuit section and a memory core section including a memory cell

Номер патента: US20050024932A1. Автор: Katsumi Abe,Shigeo Ohshima,Hiroyuki Ohtake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Circuitry and method for processing data, and semiconductor memory

Номер патента: US20230410852A1. Автор: Zhonglai LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for reading data written in semiconductor memory device

Номер патента: KR0137083B1. Автор: 카스유키 야마다,토루 야수다. Владелец: 후지쓰 브이 엘 에스 아이 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-04-29.

Apparatus and method for supplying power in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100567916B1. Автор: 진승언. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-05.

Apparatus and method for providing power in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100958805B1. Автор: 전준현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-24.

On die thermal sensor and method for measuring internal temperature of semiconductor memory device

Номер патента: KR100810061B1. Автор: 박기덕,정춘석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-05.

Circuit and method for refresh period control in semiconductor memory device

Номер патента: KR100855578B1. Автор: 최종현,서영훈,노광숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-09-01.

Apparatus and method for latching address for synchronous semiconductor memory

Номер патента: KR100510458B1. Автор: 남경우,배원일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-24.

Method for minimizing access time for semiconductor memories

Номер патента: CN1247625A. Автор: L·贝尔. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-03-15.

Circuit and method for controlling sense amplifier in semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100757926B1. Автор: 박문필. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-09-11.

Circuit and Method for Inputting/Outputting Data of Semiconductor Memory Apparatus

Номер патента: KR100845796B1. Автор: 김승로. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-14.

Apparatus and Method for Controlling Active Cycle of Semiconductor Memory

Номер патента: KR100776737B1. Автор: 이상권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-19.

Apparatus and method for detecting refresh cycle of semiconductor memory

Номер патента: KR100718040B1. Автор: 이경하. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-14.

Circuit and method for controlling sense amplifier of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US7843755B2. Автор: Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-30.

Circuit and method for controlling sense amplifier of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20070247942A1. Автор: Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-25.

Apparatus and method for controlling active period of semiconductor memory apparatus

Номер патента: TW200717538A. Автор: Ho-Uk Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-01.

Apparatus and method for controlling active period of semiconductor memory apparatus

Номер патента: TWI310947B. Автор: Ho-Uk Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Method and circuit for reducing leakage and increasing read stability in a memory device

Номер патента: US20060206739A1. Автор: Hyung-il Kim,Jae-Joon Kim,Kaushik Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20230395138A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

METHODS FOR ASYNCHRONOUSLY SIGNALING UPDATED INFORMATION FROM A MEMORY DEVICE TO A HOST AND MEMORY DEVICES AND SYSTEMS EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20190369914A1. Автор: Ross Frank F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Systems and Methods for Controlling Power Management Operations in a Memory Device

Номер патента: US20230386537A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP3803871A4. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20030099142A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Cowles Timothy B.. Дата публикации: 2003-05-29.

Systems and methods for controlling power management operations in a memory device

Номер патента: US11763863B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for flexible command addressing for memory, stacked memory device, storage medium, and system with the same

Номер патента: TWI493338B. Автор: Kuljit S Bains,John B Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Methods for fabricating a magnetic keeper for a memory device

Номер патента: US20060067113A1. Автор: William Witcraft,Lonny Berg,Mark Jenson,Alan Hurst,William Vavra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-03-30.

A method for performing a read command in a memory device and a method for accessing dram

Номер патента: KR100869870B1. Автор: 파울 디모네. Владелец: 모사이드 테크놀로지스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-11-24.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20150016207A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

SYSTEMS AND METHODS FOR DATA PATH POWER SAVINGS IN DDR5 MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190065090A1. Автор: Kandikonda Ravi Kiran. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20170076784A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20190080746A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20160148674A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20180204611A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

METHOD FOR CLOCK CONTROL IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150243344A1. Автор: Mazumder Kallol,Bell Debra. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20190295629A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20200335156A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US11342018B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US10354718B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-07-16.

Method for controlling power supply of magnetic bubble memory device

Номер патента: JPS5922284A. Автор: Shigeru Takai,Shigeru Takagi,茂 高木,Toshihiro Hoshi,高井　盛,星　敏弘. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-02-04.

Method for contrlling and monitering the tDPL in memory device acccording to thw variation of the operating frequency

Номер патента: KR100587068B1. Автор: 김지현,남영준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-07.

Circuit and method for reading and writing data in a memory device

Номер патента: US6233179B1. Автор: Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-15.

Embedded semiconductor random access memory structure and control method therefor

Номер патента: US20240306397A1. Автор: Kaifeng WANG,Ru Huang,Qianqian Huang,Zhiyuan Fu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140347911A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Nobuaki Yasutake,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Nonvolatile semiconductor storage device having improved reading and writing speed characteristics

Номер патента: US09478283B2. Автор: Kazuyuki Kouno,Reiji Mochida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US09767878B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,William J. Gallagher,Yu-Der Chih,Chun-Jung Lin,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method for accessing the same

Номер патента: US09542990B2. Автор: Zhijiong Luo,Zhengyong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and method for reading data therefrom

Номер патента: US5459692A. Автор: Yasuhiro Shin,Hidetaka Kodama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Semiconductor memory device, information apparatus, and method for determining access period for semiconductor memory device

Номер патента: TW573249B. Автор: Ken Sumitani,Haruyasu Fukui. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor memory device, information apparatus, and method for determining access period for semiconductor memory device

Номер патента: EP1271540B1. Автор: Ken Sumitani,Haruyasu Fukui. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-11-30.

Circuit and method for fuse disposing in a semiconductor memory device

Номер патента: TW200519956A. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-16.

Circuit and method for fuse disposing in a semiconductor memory device

Номер патента: TWI255463B. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-21.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US10811120B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US20190347028A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory system and method for controlling a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20090248964A1. Автор: Wataru Okamoto,Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Memory system and method for controlling a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US9417799B2. Автор: Wataru Okamoto,Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Differential non-volatile memory device and bit reading method for the same

Номер патента: US20040190346A1. Автор: Fabio Pasolini,Michele Tronconi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-09-30.

Memory device and method for synchronizing command start point (csp)

Номер патента: US20240265957A1. Автор: Taeyoung Oh,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device for synchronizing command start point (csp)

Номер патента: EP4411546A1. Автор: Taeyoung Oh,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Systems and methods for testing redundant fuse latches in a memory device

Номер патента: US12100467B2. Автор: Yoshinori Fujiwara,Jason M. Johnson,Daniel S. Miller,Kevin G. Werhane,Takuya Tamano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

METHOD FOR ADJUSTING VOLTAGE CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR ADJUSTING VOLTAGE CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, CHARGE PUMP AND METHOD FOR ADJUSTING VOLTAGE OF CHARGE PUMP

Номер патента: US20130114355A1. Автор: TAKEUCHI Ken,TANAKAMARU Shuhei,Honda Kentaro,Miyaji Kosuke. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2013-05-09.

Method for manufacturing test patterns of semiconductor memory

Номер патента: TW200407900A. Автор: Toshio Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-05-16.

Method for manufacturing test patterns of semiconductor memory

Номер патента: TW588372B. Автор: Toshio Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-05-21.

Device and method for controling internal signal of semiconductor memory device

Номер патента: KR100487497B1. Автор: 박용진,강상석,박호진,전세원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-24.

METHOD FOR TESTING REDUNDANCY AREA IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160078964A1. Автор: KWON Bum-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Apparatus and method for operation of multi-bank semiconductor memory device with an up/down counter

Номер патента: US6597622B2. Автор: Joo-Sang Lee,Jong-Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-22.

Method for converting addresses in a semiconductor memory device and apparatus therefor

Номер патента: US6757806B2. Автор: Jae Wook Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-29.

Circuits and methods for controlling timing skew in semiconductor memory devices

Номер патента: CN1822218A. Автор: 金杜烈,郑秉勋,徐成旻. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-23.

CIRCUIT FOR MASKING DATA AND METHOD FOR MASKING DATA OF A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: FR2773233B1. Автор: Jae Hyeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-08-18.

Core voltage generator and method for generating core voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20070070719A1. Автор: Ki-ho Kim,Kyung-Whan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Circuit and method for controlling pipe latch in semiconductor memory device

Номер патента: KR100567527B1. Автор: 이강열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-03.

APPARATUSES AND METHODS FOR ACCESSING MEMORY CELLS IN SEMICONDUCTOR MEMORIES

Номер патента: US20170213589A1. Автор: Srinivasan Balaji,Guliani Sandeep. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-07-27.

METHOD FOR DETERMINING A POTENTIAL MALFUNCTION OF A MEMORY DEVICE

Номер патента: RU2018132711A. Автор: Алексей Алексеевич Станкевичус. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс". Дата публикации: 2020-03-16.

Method for rewriting data in three-dimensional optical memory device fabricated in glass by ultra-short light pulse

Номер патента: EP1306853A4. Автор: Wataru Watanabe,Tadamasa Toma,Kazuyoshi Itoh. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2005-07-20.

Method for rewriting data in three-dimensional optical memory device fabricated in glass by ultra-short light pulse

Номер патента: EP1306853B1. Автор: Wataru Watanabe,Tadamasa Toma,Kazuyoshi Itoh. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2006-08-30.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD FOR DELAYING SIGNAL THEREOF, STACKED SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS, AND METHOD FOR GENERATING SIGNAL THEREOF

Номер патента: US20130315015A1. Автор: PARK Kee Teok,PARK Heat Bit. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor apparatus, method for delaying signal thereof, stacked semiconductor memory apparatus, and method for generating signal thereof

Номер патента: US9036435B2. Автор: Kee Teok Park,Heat Bit Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Apparatus and method for generating dbi signal of semiconductor memory

Номер патента: KR100656448B1. Автор: 이동욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-12-11.

Circuit and method for decoding column address in semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100851996B1. Автор: 최홍석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-08-13.

Apparatus and method for controlling test mode of semiconductor memory

Номер патента: KR100757924B1. Автор: 송성휘,신선혜. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-09-11.

Apparatus and method for on die termination of semiconductor memory

Номер патента: KR100656461B1. Автор: 양선석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-12-11.

Device and method for increasing the internal address of a memory device using multifunctional terminals

Номер патента: US6115801A. Автор: Paolo Rolandi. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2000-09-05.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: US20190371373A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Method and apparatus for performing data access management of memory device with aid of randomness-property control

Номер патента: US11809713B1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Temperature management in open-channel memory devices

Номер патента: US20190043559A1. Автор: Jeffrey L. McVay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

Systems and methods for testing redundant fuse latches in a memory device

Номер патента: US20240071560A1. Автор: Yoshinori Fujiwara,Jason M. Johnson,Daniel S. Miller,Kevin G. Werhane,Takuya Tamano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device and method for training per-pin operation parameters

Номер патента: US20240212725A1. Автор: Kihan Kim,Yonghun Kim,Garam CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MULTI-LEVEL PROGRAMMING OF PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140293688A1. Автор: KIM Deok Kee. Владелец: Intellectual Discovery Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-10-02.

Methods for parity error alert timing interlock and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20190347157A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala,Scott E. Smith,William C. Waldrop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

METHOD FOR DRIVING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130223131A1. Автор: TAKAGI Takeshi,Katayama Koji. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-29.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING POWER MANAGEMENT OPERATIONS IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220068327A1. Автор: JAIN Sanjeev Kumar,KATOCH Atul,Singh Sahil Preet. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

SYSTEMS AND METHODS FOR DATA PATH POWER SAVINGS IN DDR5 MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200133525A1. Автор: Kandikonda Ravi Kiran. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Method for programming resistive memory cell and nonvolatile memory device thereof

Номер патента: US20190147950A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Methods for executing data access commands and flash memory devices using the same

Номер патента: US20150169250A1. Автор: Yu-Chuan Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200201698A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

APPARATUS AND METHOD FOR VERIFYING RELIABILITY OF DATA READ FROM MEMORY DEVICE THROUGH CLOCK MODULATION, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210241843A1. Автор: KIM Hyun Sub,PARK Ie Ryung. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

APPARATUS AND METHOD FOR CHECKING AN OPERATION STATUS OF A MEMORY DEVICE IN A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200310896A1. Автор: LEE Jong-Min. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

METHOD FOR READ DISTURBANCE MANAGEMENT IN NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150339188A1. Автор: Chen Hsieh-Chun,Hu Kun-Juao. Владелец: Transcend Information, Inc.. Дата публикации: 2015-11-26.

METHODS FOR PARITY ERROR ALERT TIMING INTERLOCK AND MEMORY DEVICES AND SYSTEMS EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20190347157A1. Автор: Smith Scott E.,Vankayala Vijayakrishna J.,Waldrop William C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Circuit and method for a multiplexed redundancy scheme in a memory device

Номер патента: KR100867562B1. Автор: 빅터 웡,제프리 피. 라이트,티모시 비. 코우레스,제임스 에스. 컬럼. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2008-11-10.

Method for managing the memory space of a memory device and corresponding system

Номер патента: FR3089317A1. Автор: Christophe Eva,Jean-Michel Gril-Maffre. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-06-05.

Redundant circuit and method for replacing defective memory cells in a memory device

Номер патента: US6535436B2. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-03-18.

Storage module and low-complexity methods for assessing the health of a flash memory device

Номер патента: US9152488B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Noam Presman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-10-06.

Methods for executing data access commands and flash memory devices using the same

Номер патента: CN104714892A. Автор: 张佑全. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061751A1. Автор: Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09825100B2. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki,Yuki SEKINO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Address transition detection noise filter in pulse summation circuit for nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5306963A. Автор: Kerry Tedrow,Sachidanandan Sambandan,David A. Leak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

Systems and methods for stacked semiconductor memory devices

Номер патента: US09472243B2. Автор: Anthony Fai,Nicholas C. Seroff. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device having unequal pitch vertical channel transistors employed as selection transistors and method for programming the same

Номер патента: US09595568B2. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Programming method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219029A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US9218853B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US20150187398A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US12080354B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09754672B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09437308B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9406395B1. Автор: Masahiro Hosoya,Tomoyuki Hamano,Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device detecting sign of data transformation

Номер патента: US20020105832A1. Автор: Yukitoshi Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Phase change memory device and control method

Номер патента: EP2291846A1. Автор: Ludovic Goux. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-09.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Hollow stylus-shaped structure, methods for fabricating the same, and phase-change memory devices, magnetic random access memory devices, resistive random access memory devices, field emission display, multi-electrobeams direct writing lithography appara

Номер патента: TW200933942A. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-01.

Dynamic semiconductor memory device and method of controlling refresh thereof

Номер патента: US20030112690A1. Автор: Shyuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor memory device with a delay locked loop circuit and a method for controlling an operation thereof

Номер патента: US09564190B2. Автор: Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device with a delay locked loop circuit and a method for controlling an operation thereof

Номер патента: US09443565B2. Автор: Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US7760572B2. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160111138A1. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Masahiko Yoshimoto,Shintaro Izumi,Tomoki Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09830990B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Masahiko Yoshimoto,Shintaro Izumi,Tomoki Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device and control method

Номер патента: US20240304222A1. Автор: Atsushi Mototani. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US7460417B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US20060203573A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149850A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor memory device having inverting circuit and controlling method there of

Номер патента: US09640233B2. Автор: Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US20100246304A1. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160049186A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor memory device and refresh control method thereof

Номер патента: US09672889B2. Автор: Sung-Soo Chi,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09595311B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20240339150A1. Автор: Takuya Kadowaki. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

System and method for initializing a memory system and memory device and processor-based system using same

Номер патента: WO2009009339A1. Автор: A. Kent Porterfield. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-01-15.

Control methods and memory systems using the same

Номер патента: US09627031B1. Автор: Kai-Hsin CHEN,Shih-Hsiu Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system and method for controlling self refresh cycle thereof

Номер патента: US09564207B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor storage device and control method thereof

Номер патента: US20210294760A1. Автор: Takayuki Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Power management in semiconductor memory system

Номер патента: US20130028039A1. Автор: David T. Wang. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20150170722A1. Автор: Young-Jun Ku,Tae-Sik Yun,Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor memory device and method for transferring weak cell information

Номер патента: US09697885B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Power down voltage control method and apparatus

Номер патента: US20020159322A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Hyun-Soon Jang,Jei-Hwan Yoo,Jong-eon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Circuit and method for selecting test self-refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US20080062799A1. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Circuit and method for selecting test self-refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US20060221745A1. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Control apparatus, to-be-controlled device, control system, control method, method for controlling to-be-controlled device, program for control apparatus, and program for to-be-controlled device

Номер патента: US20200305180A1. Автор: Shinya Yasuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

System and method for data collection and exchange with protected memory devices

Номер патента: WO2012088296A2. Автор: Martin Boliek,Robert D. Widergren,Wayne Hossenlopp. Владелец: Mo-Dv, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US20210082513A1. Автор: Masahiro Ogawa,Norio Aoyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060028884A1. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140078813A1. Автор: Kei Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050174868A1. Автор: Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Method of writing data of a nonvolatile semiconductor memory device including setting and removing operations

Номер патента: US09355722B2. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110128774A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8149611B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US20150287445A1. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US09679622B2. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543011B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20140321194A1. Автор: Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09812195B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device to which information can be written only once

Номер патента: US20060133127A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Test method for nonvolatile memory device

Номер патента: US20090287972A1. Автор: Jin Yong Seong,Wan Seob LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and its operation program

Номер патента: US20160379711A1. Автор: Motofumi Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Nonvolatile semiconductor memory device using irreversible storage elements

Номер патента: US20060133167A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US9251055B2. Автор: Takashi Hirao,Akira Sawaoka,Hirokuni Yano,Shinji Yonezawa,Mitsunori Tadokoro,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-02.

Information Processing Apparatus and Nonvolatile Semiconductor Memory Drive

Номер патента: US20090222703A1. Автор: Takehiko Kurashige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

Information processing apparatus and method for controlling information processing apparatus

Номер патента: US20210124514A1. Автор: Yo Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor memory device and method for detecting weak cells

Номер патента: US09922726B2. Автор: Young-Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device mapping external address as internal address wherein internal addresses of spare cells of two blocks differ by upper most bit and internal addresses of main cells of two blocks differ by upper most bit and the internal addresses of main cell and spare cell of each block differ by one bit and operating method for the same

Номер патента: US09443618B2. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Data control method, method for embedding data control information, method for detecting data control information, device for embedding data control information, device for detecting data control information, and device for recording data

Номер патента: US20020003879A1. Автор: Noboru Katta,Susumu Ibaraki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-10.

Centralized control method, method for assigning a pathology datum to a digital patient report, and respective corresponding systems

Номер патента: WO2024201237A1. Автор: Giorgio Moretti,Roberto Giampieretti,Monica Moz. Владелец: Dedalus Italia S.P.A.. Дата публикации: 2024-10-03.

Centralized control method, method for assigning a pathology datum to a digital patient report, and respective corresponding systems

Номер патента: US20240331850A1. Автор: Giorgio Moretti,Roberto Giampieretti,Monica Moz. Владелец: Dedalus Italia SpA. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor memory card, method for controlling the same, and semiconductor memory system

Номер патента: US20110153896A1. Автор: Hiroshi Endo,Hiroko Okabayashi,Tatsuya KAISE,Yoshihito Sugiyama,Masahiko Murohashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Method for performing host-directed operations, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20120278540A1. Автор: Ming-Yen Lin,Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Data processing method for efficiently processing data stored in the memory device by splitting data flow and the associated data storage device

Номер патента: US12067286B2. Автор: Yu-Ta Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Motion control method, method for generating trajectory of motion, and electronic device

Номер патента: US20240173860A1. Автор: Mingliang ZHOU. Владелец: Beijing Xiaomi Robot Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Vehicle, vehicle control method, method for recognizing gesture made outside vehicle

Номер патента: US20230192030A1. Автор: Yu Zhang. Владелец: Pateo Connect and Technology Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for mapping logic design memory into physical memory device of a programmable logic device

Номер патента: US6871328B1. Автор: Ryan Fung,Ketan Padalia. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Data processing method for efficiently processing data stored in the memory device by splitting data flow and the associated data storage device

Номер патента: US20240103733A1. Автор: Yu-Ta Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Data processing method for efficiently processing data stored in the memory device by splitting data flow and the associated data storage device

Номер патента: US20240103757A1. Автор: Yu-Ta Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

System and method for dynamic allocation to a host of memory device controller memory resources

Номер патента: US20200004445A1. Автор: Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Motor control device, image forming apparatus, motor control method, method for controlling image forming apparatus

Номер патента: US09483011B2. Автор: Naohiro Anan. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170077138A1. Автор: Hyosung Lee,Suk Koo Hong,Miyeong Kang,Kyoungyong Cho,Sunkak Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

METHOD FOR MANUFACTURING A FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING A VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING A DISPLAY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING A SYSTEM

Номер патента: US20170271381A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for manufacturing a field effect transistor, method for manufacturing a volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a display element, method for manufacturing an image display device, and method for manufacturing a system

Номер патента: US10818705B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

MOTOR CONTROL DEVICE, IMAGE FORMING APPARATUS, MOTOR CONTROL METHOD, METHOD FOR CONTROLLING IMAGE FORMING APPARATUS

Номер патента: US20160202654A1. Автор: Anan Naohiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

System and method for data collection and exchange with protected memory devices

Номер патента: US20120159518A1. Автор: Martin Boliek,Robert D. Widergren,Wayne Hossenlopp. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

SYSTEM AND METHOD FOR DATA COLLECTION AND EXCHANGE WITH PROTECTED MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160078233A1. Автор: Widergren Robert D.,Boliek Martin,Hossenlopp Wayne. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Method for enhancing error correction capability, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TWI456579B. Автор: Tsung Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-10-11.

Method for storing nfc applications in a secure memory device

Номер патента: WO2009147548A3. Автор: Alexandre Corda. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-01-28.

Method for performing double domain encryption in a memory device

Номер патента: KR20120028903A. Автор: 론 바질라이,미카엘 홀츠만. Владелец: 샌디스크 테크놀로지스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-03-23.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory device having storage cell array and peripheral circuit, and a structure therefore

Номер патента: US5656527A. Автор: Keon-Soo Kim,Jeong-Hyeok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Method for forming channel hole in three-dimensional memory device using nonconformal sacrificial layer

Номер патента: EP3821465A1. Автор: GuanPing WU,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Baoyou Chen,Hai Hui Huang,Zhuqing Huang,Yu Qi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Method for producing a pillar-shaped phase change memory device

Номер патента: US9954032B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for forming channel hole in three-dimensional memory device using nonconformal sacrificial layer

Номер патента: US20200119042A1. Автор: GuanPing WU,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Baoyou Chen,Hai Hui Huang,Zhuqing Huang,Yu Qi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for improving erase saturation in non-volatile memory devices and devices obtained thereof

Номер патента: US20080185632A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Pieter Blomme,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-07.

Apparatus and method for rounded ONO formation in a flash memory device

Номер патента: US09564331B2. Автор: Di Li,Shenqing Fang,Tim Thurgate,Tung-Sheng Chen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Selective Etching Method and Method for Forming an Isolation Structure of a Memory Device

Номер патента: US20100167494A1. Автор: Dae Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for producing a pillar-shaped semiconductor memory device

Номер патента: US20190123053A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Ferritic stainless steel for bipolar plate of fuel cell, surface roughness adjustment and control method, method for forming passivation film, and use

Номер патента: EP4253589A1. Автор: Jian Wei,Huaxing Lu,Yeting Xi,Yunmin Yang. Владелец: Shandong Industrial Research Institute Of Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for manufacturing semiconductor device with metal gate memory device and metal gate logic device

Номер патента: US10658373B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Method for Forming Staircase Structure of Three-Dimensional Memory Device

Номер патента: US20200219894A1. Автор: Jian Xu,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for Forming Staircase Structure of Three-Dimensional Memory Device

Номер патента: US20190326312A1. Автор: Jian Xu,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

MEMORY SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING A NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20140229662A1. Автор: Matsuzaki Hidenori,Okamoto Wataru,YANO Junji,HATSUDA Kosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-08-14.

MEMORY SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING A NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20150309728A1. Автор: Matsuzaki Hidenori,Okamoto Wataru,YANO Junji,HATSUDA Kosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-10-29.

Methods for controlling host memory access with memory devices and systems

Номер патента: US09811258B2. Автор: Robert N. Leibowitz,Peter Feeley,Victor Y. Tsai,William H. Radke,Neal A. Galbo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device, circuit board mounted with semiconductor memory device, and method for testing interconnection between a semiconductor memory device with a circuit board

Номер патента: TW451464B. Автор: Tsutomu Taniguchi,Yoshikazu Honma,Mitsutaka Ikeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-08-21.

Method and device for detecting word line shorts in memory device

Номер патента: US20240202909A1. Автор: Wenlong Li,Zongliang Huo,Yanli Wang,Wenqi Wang,Jinxing Chen,Ban Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for performing data access control of memory device with aid of predetermined command

Номер патента: US12061800B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Managing data compaction for zones in memory devices

Номер патента: US12147705B2. Автор: Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table regions

Номер патента: US12147670B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table update

Номер патента: US20240232074A1. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table regions

Номер патента: US20240231624A1. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table search

Номер патента: US20240232093A1. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table update

Номер патента: US12117932B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table search

Номер патента: US12130743B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

CONTROL METHOD AND MEMORY SYSTEM OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20140075099A1. Автор: Ooneda Taku. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-13.

Method, associated memory device and controller thereof for performing dynamic resource management

Номер патента: US20190050154A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

WORD LINE CONTROL METHOD, WORD LINE CONTROL CIRCUIT DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20210165602A1. Автор: Zhang Liang. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture to enhance sudden power off recovery of page-group-based redundant array of independent disks protection with aid of multi-table control using dummy flag

Номер патента: US12131035B1. Автор: Jie-Hao LEE,Szu-I Yeh,Ting-Fong Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method and apparatus for performing mapping table management of memory device in predetermined communications architecture with aid of table analysis

Номер патента: US20240296126A1. Автор: Jie-Hao LEE,Chun-Ju Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: EP3673380A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200349097A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200242057A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: WO2019040200A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10983934B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10754801B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20210209039A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Media scan method to reduce active idle power of memory devices

Номер патента: US20240295972A1. Автор: Peng Fei,Dengfeng Ruan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Media scan method to reduce active idle power of memory devices

Номер патента: WO2024182725A1. Автор: Peng Fei,Dengfeng Ruan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-06.

Method for determining depth of penetration of electromagnetic field into metal

Номер патента: RU2727780C1. Автор: Николай Тихонович Криворучко,Алексей Владимирович Ишков,Виктор Васильевич Иванайский,Богдан Артёмьевич Лысенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВО Алтайский ГАУ). Дата публикации: 2020-07-23.

Method for implementing automatic performance using semiconductor memory device

Номер патента: CN100383756C. Автор: 钟智渊,杨龙和. Владелец: LANGKE SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd SHENZHEN CITY. Дата публикации: 2008-04-23.

SEMICONDUCTOR MEMORY CARD, METHOD FOR CONTROLLING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150378813A1. Автор: ENDO Hiroshi,KAISE Tetsuya,SUGIYAMA Yoshihito,OKABAYASHI Hiroko,MUROHASHI Masahiko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-12-31.

Control device, control system, welding system, control method, method for manufacturing joined body, and storage medium

Номер патента: US20210379689A1. Автор: Masahiro Saito,Hiromasa Takahashi,Yasunori Chiba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Method and apparatus for performing automatic setting control of memory device in predetermined communications architecture with aid of auxiliary setting management

Номер патента: US11899974B2. Автор: Han-cheng Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Managing data compaction for zones in memory devices

Номер патента: US20240069806A1. Автор: Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and apparatus for performing automatic setting control of memory device in predetermined communications architecture with aid of auxiliary setting management

Номер патента: US20230106393A1. Автор: Han-cheng Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Keeping file systems or partitions private in a memory device

Номер патента: EP2672415A3. Автор: Jacek Nawrot,Maxine Matton. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2014-04-02.

Methods and electronic device for repairing memory element in memory device

Номер патента: US20240012726A1. Автор: Sudhanshu Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Akhilesh Sudhir PATANKAR,Deokgu Yoon,Damini Damini,Keerthi Kiran Jagannathachar,Paulami DAS,Sairam JUJJARAPU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Method and apparatus for performing data access control of memory device with aid of predetermined command

Номер патента: US11977783B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US11436169B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

METHOD FOR PERFORMING POWER SAVING CONTROL IN A MEMORY DEVICE, ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND MEMORY CONTROLLER THEREOF, AND ASSOCIATED ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20190377402A1. Автор: CHAO Wen-Chi,Kuo Kuo-Cyuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: EP3087478A1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2016-11-02.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: WO2015096947A1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2015-07-02.

Methods of memory address verification and memory devices employing the same

Номер патента: US20240126701A1. Автор: Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

METHODS FOR ASYNCHRONOUSLY SIGNALING UPDATED INFORMATION FROM A MEMORY DEVICE TO A HOST AND MEMORY DEVICES AND SYSTEMS EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20190369893A1. Автор: Ross Frank F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

SECURE METHOD FOR FAST WRITING OF INFORMATION FOR MASS MEMORY DEVICE.

Номер патента: FR2656441B1. Автор: Daniel Carteau,Philippe Schreck. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1993-12-10.

SECURE METHOD FOR FAST WRITING OF INFORMATION FOR MASS MEMORY DEVICE.

Номер патента: FR2656441A1. Автор: Carteau Daniel,Schreck Philippe. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1991-06-28.

System and method for preventing data corruption in solid-state memory devices after a power failure

Номер патента: US7107480B1. Автор: Mark Moshayedi,Brian H. Robinson. Владелец: Simpletech Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

Systems and methods for balancing multiple partitions of non-volatile memory

Номер патента: US20220147258A1. Автор: Andrew W. Vogan,Alexander Paley. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

METHOD FOR PERFORMING MEMORY ACCESS MANAGEMENT, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20130304977A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,Chang Hsiao-Te,Wang Wen-Long. Владелец: Silicon Motion Inc.. Дата публикации: 2013-11-14.

SYSTEM AND METHOD FOR DYNAMIC ALLOCATION TO A HOST OF MEMORY DEVICE CONTROLLER MEMORY RESOURCES

Номер патента: US20200004445A1. Автор: Benisty Shay. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Methods for internal data movements of a flash memory device and apparatuses using the same

Номер патента: US20190095123A1. Автор: Sheng-Liu Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

SYSTEM AND METHOD FOR ADAPTIVE BIT RATE PROGRAMMING OF A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140215124A1. Автор: Otterstedt Jan,Allers Wolf,Paparisto Edvin,Jefremow Mihail,Castro Leonardo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-31.

METHOD FOR MANAGING THE MEMORY SPACE OF A MEMORY DEVICE AND CORRESPONDING SYSTEM

Номер патента: US20200174927A1. Автор: EVA Christophe,GRIL-MAFFRE Jean-Michel. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

APPARATUS AND METHODS FOR PROLONGING SERVICE LIFE OF SOLID-STATE MEMORY DEVICE IN A DIGITAL VIDEO RECORDER

Номер патента: US20140281213A1. Автор: Dinallo Chris,Kozlowski Tomasz. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Systems and Methods for Last Written Page Handling in a Memory Device

Номер патента: US20150227314A1. Автор: Chen Zhengang,Haratsch Erich F.,CAI Yu,Dong Zhimin. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2015-08-13.

MEMORY CONTROLLER OPERATING METHOD FOR READ OPERATIONS IN SYSTEM HAVING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140372831A1. Автор: KIM Dong-min,OH Sangyoon,KIM YOUNGMOON. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Storage Module and Low-Complexity Methods for Assessing the Health of a Flash Memory Device

Номер патента: US20140380106A1. Автор: SHARON ERAN,ALROD IDAN,PRESMAN Noam. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: US20160321003A1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2016-11-03.

SYSTEM AND METHODS FOR INCREASING USEFUL LIFETIME OF A FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170364282A1. Автор: Margalit Ilan,Hershman Ziv,Morav Dan,Tanami Oren,LUKO Einat,TALMI Yossef. Владелец: Nuvoton Technology Corporation. Дата публикации: 2017-12-21.

Method for saving an address map in a memory device

Номер патента: US20090313420A1. Автор: Nimrod Wiesz,Sandra Almog Goldschmidt. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

Systems and methods for incorporating an rfid circuit into a memory device

Номер патента: EP2100281A1. Автор: Douglas Moran. Владелец: Neology Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

System and method for tracking data stored in a flash memory device

Номер патента: US20030163631A1. Автор: Yongqi Yang,Jered Aasheim. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for managing address mapping table and a memory device using the method

Номер патента: US20110145485A1. Автор: Jin-Young Chun,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: EP3087478B1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2017-10-25.

Method for accessing a flash memory and associated memory device

Номер патента: TW201110129A. Автор: Chi-hsiang Hung,Po-Syuan Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2011-03-16.

Method for performing meta block management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TW201214113A. Автор: Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-04-01.

Method for accessing a flash memory, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TW201017670A. Автор: Jen-Wen Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-05-01.

Data managing method for non-volatile memory and non-volatile memory device using the same

Номер патента: TW201022940A. Автор: Wu-Chi Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-06-16.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Premature ignition control method, method for vehicle engine and system for vehicle

Номер патента: RU2709954C2. Автор: Крис Пол ГЛЮГЛА. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-12-23.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20210026765A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20240061771A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US12135641B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US11836075B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Aerosol inhaler, control device for aerosol inhaler, method for controlling aerosol inhaler and programme

Номер патента: RU2744928C1. Автор: Такеси Акао,Кадзума Мидзугути,Такао АРАДАТИ. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2021-03-17.

Image forming device, client device, image formation system, imaging control device, control method for the device, client device control method and generation system control method

Номер патента: RU2676336C1. Автор: Мицуо НИИДА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-12-28.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Storage device and control method for storage device

Номер патента: US09720848B2. Автор: Shinichiro Kanno,Nobuyuki Osaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Image stabilisation apparatus, control method therefor, optical apparatus and image forming apparatus

Номер патента: RU2536323C2. Автор: Хитоси МИЯДЗАВА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2014-12-20.

Parking control method and parking control device

Номер патента: RU2730808C1. Автор: Ясухиса ХАЯКАВА,Ясухиро СУДЗУКИ,Риота ЯМАНАКА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-08-26.

User terminal apparatus and corresponding control method

Номер патента: RU2666314C2. Автор: Йоун-гун ДЗУНГ,Сун-хва ПАРК. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-09-06.

Imaging device, external device, imaging system, control method for imaging device, control method for external device, control method for imaging system and programme

Номер патента: RU2646935C2. Автор: Цуеси ЙОКОМИДЗО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-03-13.

Control device, device control method and program

Номер патента: RU2664770C1. Автор: Такуми КИМУРА,Такахиро ИВАСАКИ,Мотоо ОНИСИ,Тору НАКАНИСИ,Еситака НАГАО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-08-23.

Apparatus for image formation which generates a conversion condition of a measuring unit and control method of image forming apparatus

Номер патента: RU2654002C2. Автор: Такахиро НАКАСЕ,Хаято НЕГИСИ,Ацуси ХОРИ,Кейдзо ТАКУРА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for calibrating sensors of vehicle using sensors connected to wireless network, corresponding vehicle and material machine-readable medium

Номер патента: RU2699328C2. Автор: Гопичандра СУРНИЛЛА,Дэниел А. МАКЛЕД,Майкл МАККВИЛЛЕН,Радхакришнан СВАМИНАТХАН. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-09-04.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile memory control device, nonvolatile memory control method and computer readable storage medium

Номер патента: US09898211B2. Автор: Takashi Hasebe,Kosuke MASUMOTO. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2018-02-20.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Storage system and control method therefor

Номер патента: US20130297856A1. Автор: Go UEHARA,Koji Sonoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Controller which controls operation of nonvolatile semiconductor memory and semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory and controller therefore

Номер патента: US20100241791A1. Автор: Seiichi Tomita,Tarou Iwashiro,Takahide Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory, control method of memory controller, and memory controller

Номер патента: US20150339198A1. Автор: Hironobu Miyamoto,Ryoichi Kato,Jun Shinohara,Tomonori Masuo,Tatsuya Sumiyoshi,Yuuichirou Gunji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US7430644B2. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240320109A1. Автор: Yoshihiko Shindo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Storage apparatus provided with a plurality of nonvolatile semiconductor storage media and storage control method

Номер патента: US09405478B2. Автор: Junji Ogawa,Hideyuki Koseki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory device and host device

Номер патента: US09983794B2. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Order information acquiring method and order information controlling method for medical imaging system

Номер патента: US20020143572A1. Автор: Eiichi Akagi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2002-10-03.

Vehicle movement control method and traffic control device

Номер патента: RU2760986C1. Автор: Ясухиса ХАЯКАВА,Такахико ОКИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-12-02.

Positive pressure coke oven heating system and method for temperature control

Номер патента: RU2761604C1. Автор: И Чжан,Сяодун Ван,Чао ЛЮ,Чао ЛИ,Чанхай ВАН,Оу ХЭ,Шэньмин ЛИ,Сини МА,Вэньбо ЦЗЯН,Хуэйлу ВАН. Владелец: Акре Автомейшн Ко., Лтд., Мсс. Дата публикации: 2021-12-10.

Method for controlling movement and device for controlling movement of vehicle

Номер патента: RU2719083C1. Автор: Масаясу СИМАКАГЕ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-17.

Control device and control method for internal combustion engine

Номер патента: RU2654526C1. Автор: Мие КАТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-05-21.

Parking control method and parking control device

Номер патента: RU2736960C1. Автор: Ясухиса ХАЯКАВА,Ясухиро СУДЗУКИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-11-23.

Corrosion control method for walls of heat insulated equipment and pipelines (versions)

Номер патента: RU2691125C1. Автор: Николай Дмитриевич Войтех,Юрий Алексеевич Журавлев. Владелец: Акционерное общество "НИПИгазпереработка" (АО "НИПИГАЗ"). Дата публикации: 2019-06-11.

Parking control method and parking control device

Номер патента: RU2733300C1. Автор: Ясухиса ХАЯКАВА,Ясухиро СУДЗУКИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-10-01.

Vehicle movement control method and traffic control device

Номер патента: RU2758918C1. Автор: Ясухиса ХАЯКАВА,Такахико ОКИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-03.

Display control device for vehicle and display control method for vehicle

Номер патента: RU2643896C2. Автор: Наоки МИЯСИТА,Йосуке МИУТИ,Томоюки КАСИВАЯ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-02-06.

Control method for voltage converter

Номер патента: RU2630962C1. Автор: Анатолий Федорович Лекарев,Анатолий Михайлович Гаврилов,Василий Олегович Нагорный. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственный центр "Полюс". Дата публикации: 2017-09-15.

Method for vertical control of stacks of containers with radioactive wastes

Номер патента: RU2738027C1. Автор: Александр Михайлович Степанов,Юрий Викторович Красников,Алексей Валериевич Стародубцев. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Инженерное Бюро Воронежского Акционерного Самолетостроительного Общества". Дата публикации: 2020-12-07.

Control method of object, control system (versions) and method for processing signals (versions)

Номер патента: RU2627964C1. Автор: Валерий Мариафович Понятский,Алексей Евгеньевич Яковлев,Олег Владимирович Корзунов. Владелец: Акционерное общество "Конструкторское бюро приборостроения им. академика А.Г. Шипунова". Дата публикации: 2017-08-14.

Device and method for quality control in planning of radiation therapy based on magnetic resonance

Номер патента: RU2637289C2. Автор: Мелани Сьюзан КОТИС,Дэвид Лесли ФОКСАЛЛ,Аджит ДЕВАРАДЖ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-01.

Rotary indicator control method and device

Номер патента: RU2743317C1. Автор: Тацуя СИНО,Такахиро НОДЗИРИ,Кацухико ДЕГАВА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-02-17.

Quality control method of ammonia heat pipe

Номер патента: RU2724316C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Дмитрий Александрович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-06-22.

Aircraft control method, control system and aircraft

Номер патента: RU2688559C2. Автор: Стивен Луи КИБЛЗ,Девид Майкл ЛЭКС,Отто И. ДЭРИАС,Марк Лоуренс ДАРНЕЛЛ,Шон Санхён ХВАН,Кристофер Дэниель ХОЛБЕРТ,Мл. Гарри Кёрк Мэтьюс,Сридхар АДИБХАТЛА,Джеффри Расселл БАЛТ,Томас Чарльз СВЭГЕР. Владелец: ДжиИ АВИЭЙШН СИСТЕМЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-05-21.

Control method, method of monitoring and transmitting information, method of manufacturing, comprising monitoring method, monitoring device and production plant

Номер патента: RU2727913C1. Автор: Кендзо ЯСУЕ. Владелец: Йосино Джипсум Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-07-24.

Crane, as well as a method for controlling overload protection of such a crane

Номер патента: RU2722326C2. Автор: Альфред ХЕСС. Владелец: Либхерр-Верк Биберах Гмбх. Дата публикации: 2020-05-29.

Display device and control method thereof, light-emitting device and control method thereof, as well as non-temporary computer-readable data storage medium

Номер патента: RU2602340C2. Автор: Хидеки САНТО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2016-11-20.

Control device, storage device, and control method performed by control device

Номер патента: US20140013064A1. Автор: Kenichi Fujita,Chiaki Nagashima,Akimasa Yoshida,Satoshi Taki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220066687A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Plant and control method for aerobic treatment

Номер патента: RU2673290C2. Автор: Ларс УБИ. Владелец: КСИЛЕМ АйПи МЭНЕДЖМЕНТ С.А Р.Л.. Дата публикации: 2018-11-23.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100291745A1. Автор: Masataka Kusumi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device and nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8361862B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory element, and nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US8889478B2. Автор: Takumi Mikawa,Yoshio Kawashima,Yukio Hayakawa,Takeki Ninomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Method for producing a floating gate memory device including implanting ions through an oxidized portion of the silicon film from which the floating gate is formed

Номер патента: US5599727A. Автор: Shin-Ichi Sato,Kenji Hakozaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-02-04.

Method for producing a nonvolatile semiconductor memory cell with a separate tunneling window

Номер патента: UA73508C2. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-08-15.

Stacked capacitor, method for making the same and memory device

Номер патента: US20240306363A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240365565A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device having hybrid insulating layer and method for preparing same

Номер патента: US10529936B2. Автор: Youngkyoo Kim,Hawjeong Kim,Chulyeon Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2020-01-07.

Non-volatile memory device and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812641B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device comprising memory strings penetrating through a stacking structure and electrically contacting with a metal layer and method for fabricating the same

Номер патента: US09583439B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor storage device and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20130075687A1. Автор: Toshiharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor storage device and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140377932A1. Автор: Toshiharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09735161B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US10861707B2. Автор: Shinichi Furukawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Method for manufacturing a capacitor in semiconductor memory device

Номер патента: KR970000532B1. Автор: 박승갑. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-01-13.

Method for fabricating a flat-cell semiconductor memory device

Номер патента: KR100371284B1. Автор: 다나까다까오. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for manufacturing ultra-highly integrated semiconductor memory device

Номер патента: JP3195618B2. Автор: 大濟 陳,泳雨 朴. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-06.

Method for fabricating a flat-cell semiconductor memory device

Номер патента: US6303463B1. Автор: Takao Tanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for producing a floating gate semiconductor memory device

Номер патента: EP2495762B1. Автор: Pieter Blomme,Gouri Sankar Kar,Antonio Cacciato. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-11-01.

Method for forming bit line of semiconductor memory device

Номер патента: KR20080113921A. Автор: 박찬하. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-12-31.

Method for producing an integrated ferroelectric semiconductor memory and integrated ferroelectric semiconductor memory

Номер патента: DE10112276C2. Автор: Matthias Kroenke,Volker Weinrich,Igor Kasko. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-06.

Methods for manufacturing ultrathin semiconductor channel three-dimensional memory devices

Номер патента: US09876025B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

METHOD FOR PRODUCING A READ-ONLY SEMICONDUCTOR MEMORY.

Номер патента: DE69007961T2. Автор: Kazunori Kanebako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-08-18.

Method for manufacturing capacitor electrode of semiconductor memory cell

Номер патента: KR940010322A. Автор: 전영권. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-05-26.

Method for forming capacitor bearing plate, semiconductor memory and forming method thereof

Номер патента: CN112635462A. Автор: 杨城,蔡明蒲. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-04-09.

METHOD FOR PRODUCING A READ-ONLY SEMICONDUCTOR MEMORY.

Номер патента: DE69007961D1. Автор: Kazunori Kanebako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-05-11.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143170A1. Автор: Chih-Wei Hu,Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor structure, semiconductor structure for memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240188278A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Metal atom migration switching device, drive and manufacturing methods for the same, integrated circuit device and memory device using same

Номер патента: US8421049B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Hisao Kawaura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Methods of operating a memory device

Номер патента: US10424583B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Multi-division staircase structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210351200A1. Автор: Yuting Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for the manufacture of a non-volatile memory device and memory device thus obtained

Номер патента: CN1853267A. Автор: 罗贝尔图斯·T·F·范斯海克. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-10-25.

Stack capacitor of memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8183614B2. Автор: Shin-Yu Nieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Stack capacitor of memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20110147887A1. Автор: Shin-Yu Nieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Stack capacitor of memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20120056301A1. Автор: Shin-Yu Nieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Method for silver deposition for a non-volatile memory device

Номер патента: US9401475B1. Автор: Steven Patrick MAXWELL,Scott Brad Herner,Sung-Hyun JO. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for forming a bottom electrode of integrated memory device

Номер патента: KR100400247B1. Автор: 장민식,기영종. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

Method for manufacturing split gate type non-volatile memory device

Номер патента: KR100660712B1. Автор: 이용준. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-12-21.

A method for forming a three dimensional non-volatile memory device

Номер патента: KR101757454B1. Автор: 이명범,신승목,최대헌,장경태,손연실. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-07-27.

Method for forming source contact in NAND flash memory device

Номер патента: KR100799021B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-28.

method for manufacturing capacitors of the semiconductor of memory device

Номер патента: KR20010105760A. Автор: 김동현,박영훈,박영우,박원모. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for forming floating gate electrode of flash memory device

Номер патента: JP4567530B2. Автор: ▲オク▼ 玉 洪. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-20.

Method for forming floating gate of a flash memory device

Номер патента: KR100850108B1. Автор: 신용욱. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-08-04.

Method for forming a multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7064030B2. Автор: Gowrishankar L. Chindalore,Jane A. Yater. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-06-20.

Method for forming contact structure in three-dimensional memory device

Номер патента: CN111512439B. Автор: 王恩博,张富山,徐前兵,曾凡清,阳涵. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method for forming contact structure in three-dimension memory device

Номер патента: TWI753433B. Автор: 徐前兵,曾凡清,陽涵,張富山,恩博 王. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2022-01-21.

Method for producing a floating gate of flash memory device

Номер патента: KR20050014351A. Автор: 송정균. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-02-07.

Method for forming floating gate electrode in flush memory device

Номер патента: CN100431104C. Автор: 金载宪. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: KR100731088B1. Автор: 정진효. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-06-22.

Method for forming gate structure of three-dimensional memory device

Номер патента: WO2019037509A1. Автор: Zhiliang Xia,Qiang Xu,Zongliang Huo,Ming SHAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for forming channel hole in three-dimensional memory device using nonconformal sacrificial layer

Номер патента: EP3821465B1. Автор: GuanPing WU,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Baoyou Chen,Hai Hui Huang,Zhuqing Huang,Yu Qi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Method for fabricating nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6030869A. Автор: Takashi Maejima,Hidenori Tanaka,Yoshinori Odake,Mitsuyoshi Andou,Toshimoto Kubota. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-02-29.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Ferritic stainless steel for bipolar plate of fuel cell, surface roughness adjustment and control method, method for forming passivation film, and use

Номер патента: EP4253589A4. Автор: Jian Wei,Huaxing Lu,Yeting Xi,Yunmin Yang. Владелец: Shandong Industrial Res Institute Of Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243499A1. Автор: Tae Kyung Kim,Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for making a capacitor in semiconductor memory device

Номер патента: KR960016105B1. Автор: Kyung-Jin Kim,Byung-Suk Lee,Eui-Sam Jung. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-11-27.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6777285B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

[memory device and method for fabricating the same]

Номер патента: US20040110344A1. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US6153510A. Автор: Yutaka Ishibashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Fabrication method for punch-through defect resistant semiconductor memory device

Номер патента: US6670253B2. Автор: Sang-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-30.

On-chip capacitors in semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240213144A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

CONTROL APPARATUS, TO-BE-CONTROLLED DEVICE, CONTROL SYSTEM, CONTROL METHOD, METHOD FOR CONTROLLING TO-BE-CONTROLLED DEVICE, PROGRAM FOR CONTROL APPARATUS, AND PROGRAM FOR TO-BE-CONTROLLED DEVICE

Номер патента: US20200305180A1. Автор: YASUDA Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170200724A1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Methods of adjusting flatband voltage of a memory device

Номер патента: US09881932B2. Автор: Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704872B1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190279878A1. Автор: FURUKAWA Shinichi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor memory device

Номер патента: KR970008815B1. Автор: Hong-Sun Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-29.

Vertical interconnect structure, memory device and associated production method

Номер патента: US20110248234A1. Автор: Franz Kreupl,Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-10-13.

Vertical interconnect structure, memory device and associated production method

Номер патента: US20120305873A1. Автор: Franz Kreupl,Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD FOR PRODUCING A PILLAR-SHAPED SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190123053A1. Автор: MASUOKA Fujio,HARADA Nozomu. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

CIRCUIT AND METHOD FOR ON-DIE TERMINATION, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140266299A1. Автор: SOHN Young-Soo,BAE Seung-Jun,SEOL Ho-Seok,SONG Ho-Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for forming bit line of semiconductor memory device

Номер патента: KR100480573B1. Автор: 서강일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-30.

Method for fabricating capacitor in ferroelectric semiconductor memory device

Номер патента: KR100427031B1. Автор: 최은석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-17.

Method for manufacturing a three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR101933665B1. Автор: 박광민,유동철,윤주미,장병현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-12-31.

A method for forming contact plug in semiconductor memory device

Номер патента: KR20060036541A. Автор: 김재헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-02.

Method for manufacturing a three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR20120129284A. Автор: 박광민,유동철,윤주미,장병현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-11-28.

Method for fabricating cell gate of semiconductor memory device

Номер патента: KR100917056B1. Автор: 이중규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-09-10.

Method for fabricating protection layer in semiconductor memory device

Номер патента: KR100260561B1. Автор: 장승현,신광식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-11-01.

Method for forming isolation layer in semiconductor memory device

Номер патента: TW200610095A. Автор: Seung-Cheol Lee,Sang-Wook Park,Pil-Geun Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Communication controlling method, method for sharing information, wireless terminal, wireless base station, and wireless base station controlling apparatus

Номер патента: US20140194128A1. Автор: Masaki Akiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

COMMUNICATION CONTROLLING METHOD, METHOD FOR SHARING INFORMATION, WIRELESS TERMINAL, WIRELESS BASE STATION, AND WIRELESS BASE STATION CONTROLLING APPARATUS

Номер патента: US20140194128A1. Автор: AKIYAMA Masaki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2014-07-10.

Selective etching using a hard mask and a method for forming an isolation structure of a memory device using the same

Номер патента: TW200814144A. Автор: Dae-Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRONIC DEVICES HAVING SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT

Номер патента: US20150050794A1. Автор: KIM Jae-Heon,LEE Sung-Koo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for fabricating electronic devices having semiconductor memory unit

Номер патента: US20140256103A1. Автор: Jung-Nam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRONIC DEVICES HAVING SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT

Номер патента: US20160293486A1. Автор: Kim Jung-Nam. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Method for manufacturing capac itor in semiconductor memory divice

Номер патента: KR100587047B1. Автор: 김경민,이종민,조광준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-07.

Method for manufacturing capac itor in semiconductor memory divice

Номер патента: KR20010108993A. Автор: 김경민,이종민,조광준. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-08.

Method for fabricating electronic devices having semiconductor memory unit

Номер патента: US9570680B2. Автор: Jae-Heon KIM,Sung-koo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190027486A1. Автор: Chung-Jen Huang,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for contact size control for nand technology

Номер патента: US20010006847A1. Автор: Hao Fang,Mark Chang,John Wang,Angela Hui,Kent Chang,Kelwin Wai Ko. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-05.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170069762A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jeng-Hwa Liao,Jung-Yu Shieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Three-dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11778823B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods of adjusting flatband voltage of a memory device

Номер патента: US20160225782A1. Автор: Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Electro-optical apparatus and method for fabricating a film, semiconductor device and memory device at near atmospheric pressure

Номер патента: US6734119B2. Автор: Ramesh H. Kakkad. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Conductive structure and method for forming the same, and non-volatile memory device including the conductive structure and method for forming the same

Номер патента: KR100890400B1. Автор: 박규찬,최병용,이충호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-03-26.

Etch method for opening a source line in flash memory

Номер патента: US11778816B2. Автор: Ming Chyi Liu,Yong-Sheng Huang,Chih-Pin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Etch method for opening a source line in flash memory

Номер патента: US20230363154A1. Автор: Ming Chyi Liu,Yong-Sheng Huang,Chih-Pin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING PROGRAMMABLE HIGH-K/METAL GATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130328136A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,BOOTH,JR. ROGER A.,Kothandaraman Chandrasekara. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-12.

METHOD FOR FORMING GATE STRUCTURE OF THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190067323A1. Автор: Huo Zongliang,Xu Qiang,XIA Zhiliang,Shao Ming. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

METHODS FOR MANUFACTURING ULTRATHIN SEMICONDUCTOR CHANNEL THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES

Номер патента: US20170110470A1. Автор: Alsmeier Johann,Rabkin Peter,Higashitani Masaaki,PACHAMUTHU Jayavel. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

METHOD FOR FORMING CHANNEL HOLE IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE USING NONCONFORMAL SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20200119042A1. Автор: Wu Guanping,ZHU Hongbin,CHENG Weihua,Chen Baoyou,WANG Yu Qi,Huang Hai Hui,Huang Zhuqing. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

METHOD FOR MANUFACTURING HIGH DENSITY MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES USING DIAMOND LIKE CARBON HARD MASK

Номер патента: US20190207106A1. Автор: Pinarbasi Mustafa,CHIN Yuan-Tung,Dobisz Elizabeth A.,Boone Thomas D.,Jagtiani Girish. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Method for Forming Staircase Structure of Three-Dimensional Memory Device

Номер патента: US20200219894A1. Автор: Xu Jian,Xiao Li Hong,Li Sizhe,Tang Zhao Hui,Zhou Yu Ting,Li Zhaosong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-07-09.

METHODS FOR FORMING CHANNEL STRUCTURES IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210257381A1. Автор: ZHU Hongbin,Zheng Xiaofen,Gu Lixun,Yi Hanwei. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

SYSTEM AND METHOD FOR DATA COLLECTION AND EXCHANGE WITH PROTECTED MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200251475A1. Автор: Widergren Robert D.,Boliek Martin,Hossenlopp Wayne. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150325695A1. Автор: CHOI Kang Sik,SUH Jun Kyo. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Method for Forming Staircase Structure of Three-Dimensional Memory Device

Номер патента: US20190326312A1. Автор: Jian Xu,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for forming capacitor of ferroelectric random access memory device

Номер патента: KR100321690B1. Автор: 유용식,권순용,염승진. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-08.

Method for forming gate electrode in non volatile memory device

Номер патента: KR100616193B1. Автор: 이병석. Владелец: 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2006-08-25.

method for manufacturing capacitors of the semiconductor of memory device

Номер патента: KR100621763B1. Автор: 김동현,박영훈,박영우,박원모. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-07.

A survival memory management method for a Viterbi decoder and a survival memory device therefor

Номер патента: KR970063964A. Автор: 최형진,조성배,정석진,이형길. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-09-12.

The Manufacturing Method for Oxide-Nitride-Oxide layers of flash memory device

Номер патента: KR100557216B1. Автор: 김재용. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Method for fabricating a buried vertical split gate memory device with high coupling ratio

Номер патента: US6271088B1. Автор: De-Yuan Wu,Chih-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-07.

Method for fabricating capacitor of ferroelectric random access memory device

Номер патента: KR100333667B1. Автор: 권순용. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-24.

METHOD FOR MANUFACTURING A DUAL ONO-TYPE SONOS MEMORY DEVICE USING REVERSE SELF-ALIGNMENT PROCESSING

Номер патента: FR2853453A1. Автор: Yong Kyu Lee,Jeong Uk Han,Sung Taeg Kang,Jong Duk Lee,Byung Gook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-08.

Method for fabricating capacitor of dynamic random access memory device

Номер патента: KR20020094597A. Автор: 이성훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Method for manufacturing common source region of flash memory device

Номер патента: KR100419963B1. Автор: 고민경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-26.

Method for fabricating vertical channel type non-volatile memory device

Номер патента: KR20110121938A. Автор: 이기홍,주문식,김범용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-09.

Method for fabricating vertical channel type non-volatile memory device

Номер патента: US20110129992A1. Автор: Young-Kyun Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Structure and method for forming programmable high-k/metal gate memory device

Номер патента: TW201044511A. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Kang-Guo Cheng,Cheng-Wen Pei,Roger A Booth Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-12-16.

Isolated nucleic acid molecule, genetic construct, vector, transgenic cell, method for producing a transgenic cell and plant, isolated and purified polypeptide, biodegradable pesticide composition, pest control method, method for producing transgenic strains resistant to insect pests

Номер патента: EP2458009B1. Автор: Quezado De Magalhaes Mariana Torquato,Maria Fátima GROSSI DE SA,Gustavo Ramos De Oliveira,Maria Cristina Mattar Da Silva,Thales Lima Rocha. Владелец: Empresa Brasileira de Pesquisa Agropecuaria EMBRAPA. Дата публикации: 2024-09-04.

Local databus precharge method for high speed operation of semiconductor memory device

Номер патента: KR20010005094A. Автор: 서정원. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

Motion controller long-range control method, method for diagnosing faults and tele-control system

Номер патента: CN104333593B. Автор: 高山,李翔龙,谭旭,冯春忆. Владелец: LEETRO AUTOMATION CO Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for testing memory cell in semiconductor memory

Номер патента: KR100526876B1. Автор: 모현선,손종필. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-09.

Isolated nucleic acid molecule, genetic construct, vector, transgenic cell, method for producing a transgenic cell and plant, isolated and purified polypeptide, biodegradable pesticide composition, pest control method, method for producing transgenic strains resistant to insect pests

Номер патента: EP2458009A2. Автор: Quezado De Magalhaes Mariana Torquato,Maria Fátima GROSSI DE SA,Gustavo Ramos De Oliveira,Maria Cristina Mattar Da Silva,Thales Lima Rocha. Владелец: Empresa Brasileira de Pesquisa Agropecuaria EMBRAPA. Дата публикации: 2012-05-30.

ROBOT APPARATUS, ROBOT CONTROL METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING PART, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20170232616A1. Автор: Shino Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

Circuit and Method for Supplying Voltage Source in Semiconductor Memory Apparatus

Номер патента: KR100776739B1. Автор: 손영철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-19.

Verify read method for use in a nand-type flash memory device

Номер патента: KR20010092073A. Автор: 권석천,신덕준. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130228850A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09978765B2. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210335816A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170263640A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising memory gate and peripheral gate having different thicknesses

Номер патента: US09530782B2. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Variable resistive element, method for producing the same, and nonvolatile semiconductor memory device including the variable resistive element

Номер патента: US20130285005A1. Автор: Yukio Tamai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09391086B1. Автор: Eiichi Soda,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20150228662A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20110298039A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20140239379A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US09450108B2. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120146128A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120139031A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100123184A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061764A1. Автор: Akira Takashima,Daisuke Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110073935A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Akiko Sekihara,Tesuya Kai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030127681A1. Автор: Naoki Tsuji,Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011024A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes same

Номер патента: US09412756B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes

Номер патента: US09859211B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory with stable characteristic

Номер патента: US20050184333A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060039175A1. Автор: Yoshinori Odake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory capable of storing data of two bits or more per cell

Номер патента: US20060081891A1. Автор: Kenichirou Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905571B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09564450B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140027836A1. Автор: Tadashi Iguchi,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372003A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9000504B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8633526B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110001178A1. Автор: Masao Iwase,Tadahi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09450065B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150041876A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9601503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9318503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9312134B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US10418378B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8653582B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8541866B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09941296B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786678B2. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu,Hirokazu Ishigaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160056166A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device having electron scattering and electron accumulation capacities in charge accumulation layer

Номер патента: US09935122B2. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Tsunehiro Ino,Kenichiro TORATANI,Misako Morota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805927B2. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7750394B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060255396A1. Автор: Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and process for same

Номер патента: US20020089002A1. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160049414A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and method of measuring the same

Номер патента: US09548315B2. Автор: Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Yoshihiro Yanai,Yoichi MINEMURA,Takuya INATSUKA,Murato Kawai,Takuya MIZUTANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502431B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Daisuke Matsushita,Chika Tanaka,Masumi SAITOH,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160056164A1. Автор: Noriaki Mikasa,Ken Komiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140252453A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837264B2. Автор: Hideto Takekida,Reiko SHAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090057753A1. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091075A1. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120043549A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US20040021167A1. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US6784482B2. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090236653A1. Автор: Yukie Nishikawa,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Hirotaka Nishino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666694B2. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09536898B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080087937A1. Автор: Yoshio Ozawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09768380B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120025291A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120025292A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8349688B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20130252389A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20150364608A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8471327B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Control method for two in-series reverse-conducting igbt of half bridge circuit

Номер патента: RU2549879C2. Автор: Ханс-Гюнтер ЭККЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-05-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120168845A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120086069A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120153375A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110312155A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09590117B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for conversion circuit control and device for realisation of this method

Номер патента: RU2510835C2. Автор: Манфред ВИНКЕЛЬНКЕМПЕР. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2014-04-10.

System and method for parallel control of variable frequency drives

Номер патента: RU2377713C2. Автор: Мукул РАСТОГИ,Юсуке ФУКУТА,Ральф мл. ФЛОГЕР,Роналд ГЭЙЛЛОТ,Энтони К. ШНЕЙДЕР. Владелец: СИМЕНС ЭНЕРДЖИ ЭНД ОТОМЕЙШН, ИНК.. Дата публикации: 2009-12-27.

Control method for single-phase bridge autonomous voltage inverter

Номер патента: RU2747743C1. Автор: Павел Ахматович Рашитов,Михаил Игоревич Петров,Александр Владимирович Горчаков,Евгений Александрович Вершанский. Владелец: Евгений Александрович Вершанский. Дата публикации: 2021-05-13.

Control method for direct ac converter, electronic control device to this end, direct ac converter and computer programme

Номер патента: RU2560924C1. Автор: Леннарт БАРУШКА. Владелец: Сименс АГ. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Transmission rate control method, mobile station and radio network controller

Номер патента: RU2464705C2. Автор: Анил УМЕШ,Масафуми УСУДА. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2012-10-20.

Reversible magnetic starter control method for a universal electric multi-turn actuator

Номер патента: NL2020998A. Автор: Chen Wei,Zhang Lin,Cao Zhao,DENG Haishun,MA Tianbing,He Qianjin. Владелец: Univ Anhui Sci & Technology. Дата публикации: 2019-01-02.

Reversible magnetic starter control method for a universal electric multi-turn actuator

Номер патента: NL2020998B1. Автор: Chen Wei,Zhang Lin,Cao Zhao,DENG Haishun,MA Tianbing,He Qianjin. Владелец: Univ Anhui Sci & Technology. Дата публикации: 2019-06-07.

Inverter installation and method for inverter installation control method

Номер патента: RU2533167C1. Автор: Хиромити КАВАМУРА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-11-20.

Method for clothes treatment device control

Номер патента: RU2517815C1. Автор: Дзеонгиун КИМ,Донгхиун КИМ,Хиодзин КО,Сангик ЛИ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2014-05-27.

Method for control over movement of unmanned autonomous vehicles (uav) and uav columns by means intelligent transport infrastructure (iti) of autonomous road

Номер патента: RU2712487C1. Автор: Андрей Михайлович Сайкин,Александр Владимирович Журавлев,Геннадий Саитянович Туктакиев,Сергей Евгеньевич Бузников,Евгения Павловна Зайцева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский автомобильный и автомоторный институт "НАМИ" (ФГУП "НАМИ"). Дата публикации: 2020-01-29.

Systems and methods for controlling flatness of metal substrate using low pressure rolling

Номер патента: RU2741942C1. Автор: Мехди ШАФИЭИ,Стивен Л. МИК,Эндрю Джеймс ХОББИС,Джеффри Эдвард ГЕХО,Дэвид Энтони ГЕНСБАУЭР. Владелец: Новелис Инк.. Дата публикации: 2021-01-29.

Method for controlling mineral material processing plant and mineral material processing plant

Номер патента: RU2651280C2. Автор: Кай ИЛЯ-ОУТИНЕН,Сами ПЕРМИ,Юхо ТИРРАНЕН,Юкка-Пекка РАНТАНЕН,Пааво НИЕМИНЕН,Юха КОНТТИЛА,Тони КУЯЛА. Владелец: Метсо Минералз, Инк.. Дата публикации: 2018-04-19.

Method for automatic control of de-icy processing of road and aerodrome coatings

Номер патента: RU2734623C1. Автор: Константин Петрович Мандровский,Яна Сергеевна Садовникова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский автомобильно-дорожный государственный технический университет (МАДИ)". Дата публикации: 2020-10-21.

Control method for internal combustion engine and control device for internal combustion engine

Номер патента: RU2721070C1. Автор: Такаюки ХАМАМОТО,Дайсуке Судзуки,Хирофуми ЦУТИДА. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2020-05-15.

Synthesis gas production process control method for the low-tonnage methanol production

Номер патента: RU2663432C1. Автор: Юрий Владимирович Загашвили,Алексей Михайлович Кузьмин. Владелец: Юрий Владимирович Загашвили. Дата публикации: 2018-08-06.

Injection fuel control device and injection fuel control method for internal combustion engine

Номер патента: RU2657011C1. Автор: Такао Иноуе,Йосихиро ИМАОКА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-06-08.

Engine control method and engine system

Номер патента: RU2647177C2. Автор: Уильям Чарльз РУОНА,Кевин Дюранд БЕРД,Кейт Мишель ПЛАГЕНС. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2018-03-14.

Method for internal combustion engine control and control assembly

Номер патента: RU2516687C2. Автор: БРАТТБЕРГ Бьёрн. Владелец: Вольво Констракшн Эквипмент Аб. Дата публикации: 2014-05-20.

Control device for electric vehicle and control method for electric vehicle

Номер патента: RU2693180C2. Автор: Хироюки КОМАЦУ,Такаси НАКАДЗИМА,Юдзи КАЦУМАТА,Акира САВАДА,Кен ИТОУ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-07-01.

Methods for the management, control and supply, controller configured to execute at least among such methods and lawnmower tractor comprising such a controller

Номер патента: WO2023161868A1. Автор: Enrico Benetti,Federico BONOLLO. Владелец: Stiga S.P.A. In Breve Anche St. S.P.A.. Дата публикации: 2023-08-31.

Control method of gas turbine engine with afterburner combustion chamber

Номер патента: RU2706518C1. Автор: Юрий Маркович Зеликин,Алексей Александрович Инюкин,Виктор Викторович Королев. Владелец: Публичное акционерное общество "ОДК - Уфимское моторостроительное производственное объединение" (ПАО "ОДК-УМПО"). Дата публикации: 2019-11-19.

Control device for internal combustion engine and method for control for internal combustion engine

Номер патента: RU2684848C1. Автор: Такаюки ХАМАМОТО,Дайсуке Судзуки,Тецуя КОБАРА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-04-15.

Method for adjustment of radiator grille gate opening, control method of air flow control device in engine front part (embodiments)

Номер патента: RU2710637C2. Автор: Гопичандра СУРНИЛЛА,Моханнад ХАКИМ,Шуя Шарк Дэн ЯМАДА,Джозеф Патрик УАЙТХЕД,Эрик КРЕНГЕЛЬ,Патрик ШИРЕР. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-12-30.

Laundry washer and method for laundry washing mode control

Номер патента: RU2355835C1. Автор: Бо Рам ЛИ,Санг Йеон ПИО,Хиун Соок КИМ,Сеонг Мин ОАК,Сунг Хоон КИМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2009-05-20.

Catalyst heating control method for hybrid vehicle and catalyst heating control device for hybrid vehicle

Номер патента: RU2739099C1. Автор: Такаси КАМИДЗО,Кейсуке КАВАИ,Цуёси ИСИКАВА,Синсуке ХИГУТИ,Хидекацу АКИЯМА,Адзуса КОБАЯСИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-12-21.

Egr control device and egr control method

Номер патента: RU2659427C2. Автор: Хирофуми ЦУТИДА,Дайсуке ТАКАКИ,Кендзи СУЗУКИ,Казухико СУГАВАРА,Такаюки СУИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-07-02.

Compound, composition for insect control, methods for insect control

Номер патента: RU2298007C2. Автор: Томас Пол СЕЛБИ. Владелец: Е.И.Дюпон де Немур энд Компани. Дата публикации: 2007-04-27.

Power supply system, control method for electrified vehicles and electrified vehicle

Номер патента: RU2717704C1. Автор: Уолтер ВУ,Цзингуй ЛИ. Владелец: Сучжоу Дсм Грин Пауэр Лтд. Дата публикации: 2020-03-25.

Internal combustion engine and method for controlling the internal combustion engine

Номер патента: RU2649412C1. Автор: Есихиро ОКАДА,Фумицугу ЦУРУ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for control of bypass gate mechanism (versions)

Номер патента: RU2692183C2. Автор: Янь Ван,Эрик ЛЮРСЕН. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-06-21.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216434A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

READING/WRITING CONTROL METHOD AND SYSTEM FOR NONVOLATILE MEMORY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120066443A1. Автор: Li Zhixiong,Deng Enhua,Guo Dan. Владелец: SHENZHEN NETCOM ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-15.

Erase control method and circuit for nonvolatile memory

Номер патента: CN106356096A. Автор: 王吉健. Владелец: Shanghai Huahong Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Method for decreasing power consumption of semiconductor memory circuit and its semiconductor memory circuit

Номер патента: TW459242B. Автор: Bing-Wen Jung. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-11.

A method for forming insulating layer of semiconductor memory cells

Номер патента: KR970011752B1. Автор: Choong-Soo Han,Byung-Jin Cho. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-07-15.

APPARATUS AND METHOD FOR TRIMMING REFERENCE CELL IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130100734A1. Автор: KUO Chung-Shan. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-04-25.

METHOD FOR REDUCING STANDBY CURRENT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130294178A1. Автор: Tung Ming-Sheng. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2013-11-07.

CIRCUIT AND METHOD FOR GENERATING PUMPING VOLTAGE IN SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20120032724A1. Автор: KWON Jae Kwan. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for fabricating metal oxide semiconductor transistor and memory device memory cell array thereof

Номер патента: TWI289907B. Автор: Chong-Jen Hwang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-11.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random-access memory device

Номер патента: TWI236596B. Автор: Chang Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for fabricating metal oxide semiconductor transistor and memory device memory cell array thereof

Номер патента: TW200541019A. Автор: Chong-Jen Huang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-16.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random-access memory device

Номер патента: TW200405169A. Автор: Chang Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD FOR DELAYING SIGNAL THEREOF, STACKED SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS, AND METHOD FOR GENERATING SIGNAL THEREOF

Номер патента: US20120105124A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-05-03.

Testing method for error detection correcting circuit semiconductor memory

Номер патента: JPS61226854A. Автор: Mitsuru Shimizu,Hidetake Fujii,Kenji Natori,満 清水,藤井　秀壮,名取　研二. Владелец: Toshiba Microelectronics Corp. Дата публикации: 1986-10-08.

MEMORY DEVICE CAPABLE OF OPERATION IN A BURN IN STRESS MODE, METHOD FOR PERFORMING BURN IN STRESS ON A MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR DETECTING LEAKAGE CURRENT OF A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120163107A1. Автор: Kuo Ming-Hong,Liu Shi-Huei,Chen Tzu-Hao,Yu Te-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

Memory device and method for selecting regional bit line in the memory device

Номер патента: CN103208302B. Автор: 洪硕男. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-15.

A method for obtaining a state information of a memory device, an electronic device, and a program of a memory storage program

Номер патента: TWI441187B. Автор: . Владелец: Universal Global Scient Ind Co. Дата публикации: 2014-06-11.

METHOD FOR PERFORMING META BLOCK MANAGEMENT, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20120079169A1. Автор: Shen Yang-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

METHOD FOR ENHANCING ERROR CORRECTION CAPABILITY, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20120124450A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING OVER-PROGRAMMING CONDITION IN MULTISTATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120192018A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-07-26.

APPARATUS AND METHOD FOR MULTI-MODE OPERATION OF A FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120240012A1. Автор: Melik-Martirosian Ashot,WEATHERS Anthony D.,BARNDT Richard D.. Владелец: STEC, INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

SYSTEM AND METHOD FOR THE RELAXATION OF STRESS IN PHASE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120273746A1. Автор: Agarwal Ritesh,Mitra Mukut,Jung Yeonwoong. Владелец: THE TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA. Дата публикации: 2012-11-01.

METHOD FOR PERFORMING HOST-DIRECTED OPERATIONS, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20120278540A1. Автор: Ou Hsu-Ping,LIN MING-YEN. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING LEAKAGE CURRENT IN RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120287739A1. Автор: . Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2012-11-15.

Methods for Forming Strained Channel Dynamic Random Access Memory Devices

Номер патента: US20120302032A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-11-29.

METHODS FOR PROGRAM VERIFYING A MEMORY CELL AND MEMORY DEVICES CONFIGURED TO PERFORM THE SAME

Номер патента: US20130033937A1. Автор: ARITOME Seiichi,Visconti Angelo,Beltrami Silvia,Wi Soojin,Compagnoni Christian Monzio,Spinelli Alessandro Sottocornola. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

APPARATUS AND METHOD FOR ROUNDED ONO FORMATION IN A FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140001534A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Tung-Sheng,Li Di,THURGATE Tim. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

System and Method for Providing Voltage Supply Protection in a Memory Device

Номер патента: US20140064011A1. Автор: Otterstedt Jan,Allers Wolf,Kern Thomas,Paparisto Edvin,Jefremow Mihail,Castro Leonardo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for writing data, Memory Controller and memorizer memory devices

Номер патента: CN102446137B. Автор: 黄意翔. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-09.

Method for reducing errors incapable of being corrected, memory device and controller thereof

Номер патента: CN102141944A. Автор: 杨宗杰. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2011-08-03.

The method for writing data of storer and data memory device

Номер патента: CN102222044B. Автор: 萧惟益. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-09-02.

Method for writing data, Memory Controller and memorizer memory devices

Номер патента: CN103077124B. Автор: 陈庆聪,蔡来福. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-18.

A method for avoiding data error when a flash memory device executing copy back instruction

Номер патента: TW200622588A. Автор: Cheng-hui Yang,Chun-Yung Yang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

IMAGING CONTROL APPARATUS, IMAGING CONTROL METHOD, AND PROGRAM

Номер патента: US20120002075A1. Автор: Shiga Akira,Yoshizumi Shingo,Kirisawa Tsukasa. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Electronic device, computer-readable medium storing control program, and control method

Номер патента: US20120001943A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS, CONTROL METHOD, AND CONTROL APPARATUS

Номер патента: US20120002233A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REPLAY CONTROL METHOD AND REPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002944A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

GATEWAY APPARATUS, COMMUNICATION CONTROL METHOD, AND NON-TRANSITORY COMPUTER READABLE MEDIUM STORING COMMUNICATION CONTROL PROGRAM

Номер патента: US20120002659A1. Автор: KAWAGUCHI Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS, SHEET FEED CONTROL METHOD, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120001377A1. Автор: Miyahara Nobuaki. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE CAPTURE APPARATUS, CONTROL METHOD THEREOF, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002098A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002013A1. Автор: Asanuma Tomoya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL TOMOGRAPHIC IMAGING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002214A1. Автор: Utsunomiya Norihiko,Miyata Kazuhide. Владелец: CANON LABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTING APPARATUS, CONTROL METHOD OF PRINTING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120003023A1. Автор: Igarashi Hiroya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION DEVICE AND METHOD FOR EMBEDDING DATA SYMBOLS IN A LUMINANCE OUTPUT

Номер патента: US20120002974A1. Автор: Wendt Matthias,Radermacher Harald Josef Günther,SCHENK Tim Corneel Wilhelmus,Kuppen Johan Wilhelmus Hermanus. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENT OF OBJECT

Номер патента: US20120002842A1. Автор: MURASHITA Kimitaka,WATANABE Yuri,Fujimura Koichi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL APPARATUS, IMAGE SENSING DEVICE, AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20120002060A1. Автор: KUSANAGI SUGURU. Владелец: CANON KABISHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SUPPLY APPARATUS, POWER SUPPLY SYSTEM, CONTROL METHOD, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120001591A1. Автор: Fukaya Yudai. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SUPPLY APPARATUS, POWER SUPPLY SYSTEM, CONTROL METHOD, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120001592A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING APPARATUS, DISPLAY CONTROL METHOD, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120002232A1. Автор: Inui Masanobu. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

DISK-SHAPED RECORDING MEDIUM, OPTICAL SPOT POSITION CONTROL DEVICE, AND OPTICAL SPOT POSITION CONTROL METHOD

Номер патента: US20120002519A1. Автор: Horigome Junichi. Владелец: Sony Optiarc Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

GAME MACHINE, DISPLAY CONTROL METHOD, AND DISPLAY CONTROL PROGRAM

Номер патента: US20120001900A1. Автор: MICHIGUCHI Takuro. Владелец: Kyoraku Industrial Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120002024A1. Автор: Sung Jaewon,Jeon Byeongmoon,KIM Dongseok,HWANG Junghwan,CHOI Tacksung,YOON Sungyong,LEE HYUNKOOK. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITION AND METHOD FOR CONTROLLING PLANT DISEASES

Номер патента: US20120004099A1. Автор: Kurahashi Makoto,Matsuzaki Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ROBOT APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004775A1. Автор: . Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ENERGY MANAGEMENT

Номер патента: US20120004784A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ENERGY MANAGEMENT OF ELECTRIC DEVICES

Номер патента: US20120004872A1. Автор: OH Jung Hwan,Park Jae Seong,SON Dong Min. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Operating a Motor-Drive Device for a Home Automation Installation Comprising a Shutter Provided with Two Leaves

Номер патента: US20120000133A1. Автор: Rohee Clément. Владелец: Somfy SAS. Дата публикации: 2012-01-05.

CARD READER AND CONTROL METHOD OF CARD READER

Номер патента: US20120002313A1. Автор: Ishikawa Kazutoshi,Higashi Katsuhisa,Miyabe Takaaki,Komatsu Yoshihito. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE NODE AND COMMUNICATION CONTROL METHOD

Номер патента: US20120002653A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

FUEL CELL SYSTEM AND START-UP CONTROL METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120003557A1. Автор: Tezuka Takayoshi,Naganuma Yoshiaki,Tanaka Hiromi,Yumita Osamu,Mizuno Nobukazu,Fuji Masashi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

HAND HELD ANALYSIS DEVICE FOR ANALYZING A BODY FLUID AND A CONTROL METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004852A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ROLLING STOCK SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000739A1. Автор: YUUKI Kazuaki,Koizumi Satoshi,Nakazawa Yosuke,Nogi Masayuki,INAGAKI Katsuhisa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL APPARATUS AND CONTROL METHOD FOR AC ELECTRIC MOTOR

Номер патента: US20120001581A1. Автор: Maeda Daisuke,Tobari Kazuaki,NOTOHARA Yasuo,SUMITA Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPUTER SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001913A1. Автор: Lee Kyung-Hee. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

INK JET PRINTER AND AIR PURGING CONTROL METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120001968A1. Автор: INOUE Tomohiro,Nagamine Toshihide. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INKJET RECORDING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF THE INKJET RECORDING APPARATUS

Номер патента: US20120001971A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

PROJECTOR AND PROJECTOR CONTROL METHOD

Номер патента: US20120002175A1. Автор: Fujiwara Shuichi. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Controlling Communications in an AD HOC Mobile Network

Номер патента: US20120002615A1. Автор: . Владелец: THALES. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSMISSION POWER CONTROL METHOD, WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM AND TERMINAL APPARATUS

Номер патента: US20120004008A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING NOISE

Номер патента: US20120001859A1. Автор: . Владелец: Pantech Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTIPLE VIEWPOINT IMAGING CONTROL DEVICE, MULTIPLE VIEWPOINT IMAGING CONTROL METHOD AND CONPUTER READABLE MEDIUM

Номер патента: US20120002019A1. Автор: Hashimoto Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTER AND CONTROL METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002237A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002681A1. Автор: Inohiza Hirohiko,Kuwana Ichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for control of stability improvement in cavitator operation

Номер патента: RU2515573C2. Автор: Владимир Владимирович Елфимов,Армен Рудикович Аветисян,Павел Владимирович Елфимов,Сергей Владимирович Попов,Артём Павлович Дидиченко,Артур Фрунзикович Арутюнян. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт синтетического каучука имени академика С.В. Лебедева". Дата публикации: 2014-05-10.

Method for concealed storage of confidential data in secure non-volatile memory and device therefor

Номер патента: RU2527758C2. Автор: Владимир Евгеньевич Мешков,Антон Валерьевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-09-10.

Method for quality control of practical training for cardiopulmonary resuscitation in children

Номер патента: RU2523637C1. Автор: Александр Владимирович Королев,Борис Моисеевич Блохин,Ирина Валерьевна ГАВРЮТИНА,Евгений Юрьевич ОВЧАРЕНКО,Юлия Вячеславовна КОРОЛЕВА. Владелец: государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский национальный исследовательский медицинский университет имени Н.И. Пирогова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2014-07-20.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC CLINICAL THERMOMETER ATTACHMENT UNIT AND CONTROL METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002699A1. Автор: . Владелец: TERUMO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Anthranylamide derivative, composition for pest controlling composition for invertebrate insect controlling, method for pest controlling, and intermediates

Номер патента: RU2283840C2. Автор: Джордж Филип ЛЭМ,Томас Пол СЕЛБИ,Томас Мартин СТИВЕНСОН. Владелец: Е.И.Дюпон де Немур энд Компани. Дата публикации: 2006-09-20.

Method for control of inductor motor

Номер патента: RU2372708C1. Автор: Виктор Григорьевич Шуляк,Юрий Александрович Колесников,Эдуард Казимирович Калинин,Андрей Викторович Юрицын. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2009-11-10.

Radio-controlled antiskid studs with shot pins, control system and method for radio-controlled antiskid studs with shot pins

Номер патента: RU2544907C2. Автор: Иван Иванович Пасечников. Владелец: Иван Иванович Пасечников. Дата публикации: 2015-03-20.

Method for adaptive-route control of manned aircraft

Номер патента: RU2568161C2. Автор: Виктор Семенович Марусин,Олег Георгиевич Столяров,Сергей Владимирович Ярошенко. Владелец: Открытое акционерное общество "Особое конструкторское бюро "Пеленг". Дата публикации: 2015-11-10.

Method for controlling status of discrete signal sources and system for its implementation

Номер патента: RU2289164C1. Автор: Сергей Гаврилович Синичкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Нижегородский государственный технический университет (ГОУ ВПО НГТУ). Дата публикации: 2006-12-10.

Method for controlling voltage regulator of sectionalized solar battery in off-line power supply system

Номер патента: RU2308797C1. Автор: Юрий Александрович Шиняков,Константин Георгиевич Гордеев,Сергей Петрович Черданцев,ков Юрий Александрович Шин. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственный центр "Полюс" (ОАО "НПЦ "Полюс"). Дата публикации: 2007-10-20.

Method for on-line control of atmospheric contaminations of local territories

Номер патента: RU2558444C2. Автор: Анвар Закирович Разяпов,Геннадий Васильевич Ломакин,Сергей Сергеевич Воронич,Александр Геннадьевич Хлопаев,Владимир Анатольевич Багрянцев,Владимир Николаевич Степченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Государственный университет по землеустройству" (ФГБОУ ВО ГУЗ). Дата публикации: 2015-08-10.

Control method for multizone reservoir development

Номер патента: RU2263211C1. Автор: В.М. Арбузов. Владелец: Арбузов Михаил Владимирович. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for optimum adaptive control of well drilling process

Номер патента: RU2595027C1. Автор: Александр Александрович Цуприков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ"). Дата публикации: 2016-08-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.