Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Large-size single crystal diamond grinding method

Номер патента: WO2021078247A1
Опубликовано: 29-04-2021
Автор(ы): 徐西鹏, 王艳辉, 罗求发, 陆静, 马忠强
Принадлежит: 华侨大学
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for grinding single-crystal diamond

Номер патента: US12097589B2. Автор: Jing Lu,Yanhui WANG,Xipeng XU,Qiufa LUO,Zhongqiang MA. Владелец: HUAQIAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-24.

Seed crystal for single crystal 4H—SiC growth and method for processing the same

Номер патента: US11781244B2. Автор: Takanori Kido,Masatake Nagaya,Hidetaka Takaba. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate

Номер патента: US09960048B2. Автор: Tomohisa Kato,Takanori Kido. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-05-01.

Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate

Номер патента: US09620374B2. Автор: Tomohisa Kato,Takanori Kido. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978651B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing gallium nitride single-crystal substrate and method of manufacturing single-crystal substrate of nitride of group 13 element in periodic table

Номер патента: US20240300064A1. Автор: Yuri OSUMI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for transferring a layer from a single-crystal substrate

Номер патента: US09768057B2. Автор: Ludovic Ecarnot,Nicolas Daval,Francois Boedt,Nadia Ben Mohamed,Carole David,Isabelle Guerin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-09-19.

Single-crystal semiconductor layer with heteroatomic macro-network

Номер патента: US8263965B2. Автор: Yves Campidelli,Daniel Bensahel,Oliver Kermarrec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2012-09-11.

Single-Crystal Semiconductor Layer with Heteroatomic Macronetwork

Номер патента: US20070248818A1. Автор: Olivier Kermarrec,Yves Campidelli,Daniel Bensahel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-10-25.

Single-crystal semiconductor layer with heteroatomic macro-network

Номер патента: US20110108801A1. Автор: Olivier Kermarrec,Yves Campidelli,Daniel Bensahel. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-05-12.

Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects

Номер патента: US20140191370A1. Автор: Woo Young Sim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2014-07-10.

Process for fabricating a network of nanometric lines made of single-crystal silicon and device obtained

Номер патента: US6583451B2. Автор: Didier Dutartre,Thomas Skotnicki,Malgorzata Jurczak. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-06-24.

Method for washing aluminum nitride single crystal substrate, method for producing aluminum nitride single crystal layered body, and method for producing aluminum nitride single crystal substrate, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: US20230227997A1. Автор: Masayuki Fukuda,Hiroshi Furuya. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Manufacturing method of single crystal silicon substrate

Номер патента: US20230381894A1. Автор: Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Method for forming shield tunnels in single-crystal substrates

Номер патента: US09543466B2. Автор: Hiroshi Morikazu. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing silicon single crystal and method of manufacturing wafer using the same

Номер патента: US20240191389A1. Автор: Hyeyun Park,Inji LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

3D semiconductor device and structure with single-crystal layers

Номер патента: US12136562B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Single crystal diamond and semiconductor element using same

Номер патента: US20210098578A1. Автор: Hideaki Yamada,Yoshiaki Mokuno,Akiyoshi Chayahara,Shinya OHMAGARI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2021-04-01.

Single crystal diamond and semiconductor element using same

Номер патента: EP3730677A1. Автор: Hideaki Yamada,Yoshiaki Mokuno,Akiyoshi Chayahara,Shinya OHMAGARI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-10-28.

Process for producing single crystal diamond film

Номер патента: US5863324A. Автор: Koji Kobashi,Takeshi Tachibana,Yoshihiro Shintani. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1999-01-26.

Method for manufacturing silicon single-crystal substrate and silicon single-crystal substrate

Номер патента: US20230212782A1. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Layered substrate with a miscut angle comprising a silicon single crystal substrate and a group-III nitride single crystal layer

Номер патента: US09728609B2. Автор: Kenji Ito,Masaki Matsui,Kazuyoshi Tomita,Nobuyuki Otake,Tetsuo Narita,Shinichi Hoshi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Carbon-doped silicon single crystal wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11761118B2. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Single-crystal silicon carbide and single-crystal silicon carbide wafer

Номер патента: US09777403B2. Автор: Tatsuo Fujimoto,Hiroshi Tsuge,Masakazu Katsuno,Masashi Nakabayashi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Sic single crystal, sic wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20140027787A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US20160190069A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form, functional device using said single crystal material, and method for their preparation

Номер патента: EP1500722A4. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-10-10.

Method of forming single crystal silicon thin film using sequential lateral solidification (SLS)

Номер патента: US20050176189A1. Автор: Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-11.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09809901B2. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for evaluating concentration of defect in silicon single crystal substrate

Номер патента: US09773710B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US09508655B2. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

SiC single crystal, SiC wafer, and semiconductor device

Номер патента: US9166008B2. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2015-10-20.

Ga2o3-based single crystal substrate and method of manufacturing ga2o3-based single crystal substrate

Номер патента: US20240011192A1. Автор: Toshiro Kotaki,Kengo Nishiguchi. Владелец: Orbray Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US9318443B2. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Single crystal material and method of forming the same and stacked structure and ceramic electronic component and device

Номер патента: US10937857B2. Автор: Hyungjun Kim,Chan Kwak,Daejin YANG,Chang Soo Lee,Ki Hong Kim,Doh Won JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-02.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09938640B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for producing III-N single crystals, and III-N single crystal

Номер патента: US09896779B2. Автор: Eberhard Richter,Frank Habel,Marit Gründer,Frank Brunner,Markus Weyers. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09850595B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Heterostructure with carrier concentration enhanced by single crystal REO induced strains

Номер патента: US09431526B2. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Erdem Arkun. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Method for evaluating work-modified layer, and method of manufacturing semiconductor single crystal substrate

Номер патента: US20240241064A1. Автор: Kiyoshi Kojima,Tadaaki Kaneko,Yoshinobu Nakura,Kazunobu Asakawa. Владелец: YGK Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor substrate with oxide single crystal heterostructures, manufacturing method thereof and electronic device using the same

Номер патента: US20230010061A1. Автор: Byung Chul Lee,Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Seong Keun Kim,Jungho YOON,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Jae-Hoon Han,Hyun-Cheol SONG,Ruiguang Ning. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-01-12.

Single crystal semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234135A1. Автор: Junhee Choi,Joohun HAN,Vladmir MATIAS. Владелец: iBeam Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09530642B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for slicing semiconductor single crystal ingot

Номер патента: US09876078B2. Автор: Hiroshi Noguchi. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09822468B2. Автор: Kazuaki Seki,Kazuhiko Kusunoki,Yutaka Kishida,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Single-crystal piezoelectric fiber composite and magnetoelectric laminate composite including the same

Номер патента: US09735341B2. Автор: Dong-Soo Park,Jungho Ryu,Woon-Ha Yoon. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2017-08-15.

Cost-effective single crystal multi-stake actuator and method of manufacture

Номер патента: US09673374B2. Автор: Yuexue Xia,Dian-Hua LIN,Huilin Nelly Goh. Владелец: MICROFINE MATERIALS TECHNOLOGIES PTY LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Single crystal mixed metal oxide nanosheet material compositions, methods and applications

Номер патента: US09580307B2. Автор: Mahmut Aksit,Richard D. Robinson. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for producing a group III nitride semiconductor single crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09567693B2. Автор: Shiro Yamazaki,Seiji Nagai,Miki Moriyama,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2024537A1. Автор: Yasuyuki Sakaguchi,Naoki Oyanagi,Tomohiro Syounai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-02-18.

Method for producing SiC single crystal, SiC single crystal, and SiC ingot

Номер патента: US10724152B2. Автор: Masakazu Kobayashi,Masanori Yamada,Tomohiro Shonai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-07-28.

Method for producing sic single crystal, sic single crystal, and sic ingot

Номер патента: US20180355511A1. Автор: Masakazu Kobayashi,Masanori Yamada,Tomohiro Shonai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-12-13.

SiC single crystal, production method therefor, SiC wafer and semiconductor device

Номер патента: US9096947B2. Автор: Masakazu Kobayashi,Masanori Yamada,Yasushi Urakami,Keisuke SHIGETOH,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2015-08-04.

SiC SINGLE CRYSTAL, PRODUCTION METHOD THEREFOR, SiC WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140091325A1. Автор: Masakazu Kobayashi,Masanori Yamada,Yasushi Urakami,Keisuke SHIGETOH,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects

Номер патента: US20160315020A1. Автор: Woo Young Sim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects

Номер патента: US9406528B2. Автор: Woo Young Sim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US20210222322A1. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-22.

Pseudo-substrate with improved efficiency of usage of single crystal material

Номер патента: US12112976B2. Автор: Oleg Kononchuk,Fabrice Letertre. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-10-08.

Group III nitride single crystal substrate and method for production thereof

Номер патента: US12116697B2. Автор: Toru Nagashima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US11859308B2. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-02.

Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects

Номер патента: US09917022B2. Автор: Woo Young Sim. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

N-type aluminum nitride single-crystal substrate and vertical nitride semiconductor device

Номер патента: US09748410B2. Автор: Toru Kinoshita,Toru Nagashima,Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing aluminum-based group III nitride single crystal by hydride vapor phase epitaxy

Номер патента: US09708733B2. Автор: Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Reiko OKAYAMA,Akinori Koukitsu. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Insitu epitaxial deposition of front and back junctions in single crystal silicon solar cells

Номер патента: US09397239B2. Автор: Tirunelveli S. Ravi,Ashish Asthana. Владелец: Crystal Solar Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for producing aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: US10822718B2. Автор: Masayuki Fukuda,Hiroyuki Yanagi,Toru Nagashima,Reiko OKAYAMA. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Method of producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20190194818A1. Автор: Takahiro IGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-06-27.

Ga2o3-based single crystal substrate and method for manufacturing ga2o3-based single crystal substrate

Номер патента: EP4317547A1. Автор: Toshiro Kotaki,Kengo Nishiguchi. Владелец: Orbray Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for pulling silicon single crystal

Номер патента: US20100089309A1. Автор: Masahiro Mori,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal, and method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal substrate

Номер патента: US20100233870A1. Автор: Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form, functional device using said single crystal material, and method for their preparation

Номер патента: US20050217563A1. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2005-10-06.

Single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form, functional device using said single crystal material, and method for their preparation

Номер патента: US7374613B2. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2008-05-20.

Method of making a single crystals Ga*N article

Номер патента: US5679152A. Автор: Michael A. Tischler,Thomas F. Kuech. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1997-10-21.

Method of making single crystal gallium nitride

Номер патента: WO1995020695A1. Автор: Michael A. Tischler,Thomas F. Kuech. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 1995-08-03.

Single crystal semiconductor substrate articles and semiconductor devices comprising same

Номер патента: US5006914A. Автор: Charles P. Beetz, Jr.. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-04-09.

Method of making single crystal semiconductor substrate articles and semiconductor device

Номер патента: US5030583A. Автор: Charles P. Beetz, Jr.. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-07-09.

Bulk single crystal gallium nitride and method of making same

Номер патента: US20010008656A1. Автор: Robert P. Vaudo,Michael A. Tischler,Thomas F. Kuech. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2001-07-19.

Single-crystal layer on a dielectric layer

Номер патента: US20070228384A1. Автор: Yves Campidelli,Olivier Kermarec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2007-10-04.

Process for producing single crystal semiconductor layer and semiconductor device produced by said process

Номер патента: US4822752A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1989-04-18.

Growing epitaxial 3C-SiC on single-crystal silicon

Номер патента: GB2540608A. Автор: Myronov Maksym,Colston Gerard,Rhead Stephen. Владелец: University of Warwick. Дата публикации: 2017-01-25.

A l X G a 1-X N SINGLE CRYSTAL AND ELECTROMAGNETIC WAVE TRANSMISSION BODY

Номер патента: EP2287370A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Satoshi Arakawa,Michimasa Miyanaga,Naho Mizuhara,Keisuke Tanizaki,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-02-23.

SiC single crystal manufacturing method, SiC single crystal manufacturing device, and SiC single crystal wafer

Номер патента: US11932967B2. Автор: Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US20100270561A1. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US8216366B2. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Single-crystal beta-Ga2O3 MSM detector and preparation method thereof

Номер патента: US11735683B1. Автор: Peng Yao,ZHEN Wang,Jun Wang,Bin Zou,Zhenyu Shi,Dun Liu,Long TIAN,Hongtao Zhu,Chuanzhen HUANG,Hanlian LIU,Longhua XU,Shuiquan HUANG,Minting Wang,Meina Qu,Zhengkai Xu,Yabin Guan. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for producing a single crystal from semiconductor material by the FZ method; device for carrying out the method and semiconductor silicon wafer

Номер патента: US11788201B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Simon Zitzelsberger,Goetz Meisterernst,Gundars Ratnieks. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-10-17.

Single crystal u-mos gates using microwave crystal regrowth

Номер патента: US20130023096A1. Автор: Robert J. Purtell,Steve Sapp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

Process for growing silicon carbide single crystal and device for the same

Номер патента: US20130305982A1. Автор: Young Shol Kim,Sung Wan Hong. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Functional devices using single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form and method for their preparation

Номер патента: EP1500722B1. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2010-05-26.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20160237589A1. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE PRODUCED BY THE PROCESS

Номер патента: EP2216428A1. Автор: Takashi Yokoyama,Katsutoshi Izumi. Владелец: Osaka Prefecture University. Дата публикации: 2010-08-11.

Method for manufacturing a laterally limited, single-crystal region on a substrate and the employment thereof for the manufacture of an MOS transistor and a bipolar transistor

Номер патента: US5498567A. Автор: Thomas Meister,Reinhard Stengl,Hans-Willi Meul,Helmut Klose. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-03-12.

Single crystal material and method of forming the same and stacked structure and ceramic electronic component and device

Номер патента: US20210134941A1. Автор: Hyungjun Kim,Chan Kwak,Daejin YANG,Chang Soo Lee,Ki Hong Kim,Doh Won JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US20170002480A1. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Single crystal semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210159314A1. Автор: Junhee Choi,Vladimir Matias,Joohun HAN. Владелец: iBeam Materials Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Single crystal semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11923195B2. Автор: Junhee Choi,Joohun HAN,Vladmir MATIAS. Владелец: iBeam Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Single crystal wafer and solar battery cell

Номер патента: EP1302976A4. Автор: Tadahiro Ohmi,Shigetoshi Sugawa,Tatsuo Ito,Koichi Kanaya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-12.

Single crystal wafer and solar battery cell

Номер патента: EP1302976B1. Автор: Tadahiro Ohmi,Shigetoshi c/o TOHOKU UNIVERSITY SUGAWA,Tatsuo c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. ITO,Koichi c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. KANAYA. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-15.

Methods of exfoliating single crystal materials

Номер патента: US20200395213A1. Автор: William Edwin McMAHON,Andrew Gordon Norman,Celeste Louise Melamed,Eric Steven Toberer. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor Layer Separation from Single Crystal Silicon Substrate by Infrared Irradiation of Porous Silicon Separation Layer

Номер патента: US20170372966A1. Автор: Tirunelveli S. Ravi,Stephen Daniel Miller. Владелец: Crystal Solar Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20240240355A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Multi-dimensional planes of logic and memory formation using single crystal silicon orientations

Номер патента: US20210043516A1. Автор: Jeffrey Smith,Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Multi-dimensional planes of logic and memory formation using single crystal silicon orientations

Номер патента: WO2021025795A1. Автор: Jeffrey Smith,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Limited ('tel'). Дата публикации: 2021-02-11.

Multi-dimensional planes of logic and memory formation using single crystal silicon orientations

Номер патента: US11107733B2. Автор: Jeffrey Smith,Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: WO2024155595A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor wafer made of single-crystal silicon and process for the production thereof

Номер патента: WO2021259588A1. Автор: Andreas Sattler,Jürgen Vetterhöffer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2021-12-30.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Large-size single crystal cutting device and method of the same

Номер патента: US20240269894A1. Автор: Zhijian Li,Yan Shi,Wei Zhao,Jianhong Xu,Meng Wang,Yanhui Zhao,Ruixiang Zhang,Xiaopeng Wang,Zhihui Liang,Shusheng YANG,Xuelong LIN,Yujun XING,Yiqiang GONG,Shun CHANG,Xizhen Li,Xinyue Guo,Wenjun KUANG. Владелец: TCL Zhonghuan Renewable Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Metastable single-crystal rare earth magnet fine powder and method for producing same

Номер патента: US12121963B2. Автор: Kenta Takagi,Yusuke Hirayama,Akihide HOSOKAWA. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-22.

Single-crystal metal film by solid-state crystal growth of seed crystals, large-area single-layer or multilayer graphene with adjusted orientation angle using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230340693A1. Автор: Ho Bum Park,Ji Soo ROH,Jun Kyu JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods for growing carbon nanotubes on single crystal substrates

Номер патента: WO2007047949A3. Автор: Zhifeng Ren,Dezhi Wang,Guangyong Xiong,Baoqing Zeng. Владелец: Baoqing Zeng. Дата публикации: 2009-04-30.

Stable dispersion of single-crystal of silver nanoparticles

Номер патента: RU2593311C2. Автор: Семён МЕЛАМЕД,ЛА ВЕГА Фернандо ДЕ,БАР ДЖОШУА Ганит ШТЕР,Реувен ГЕВА,Моше Линк. Владелец: П.В. Нано Селл Лтд.. Дата публикации: 2016-08-10.

Graphene composite film modified by single crystal sapphire whiskers as well as preparation method and application thereof

Номер патента: AU2018214101A1. Автор: Shishan Ji,Qing Ma,Jianjun Chen,Yan Liu,Renchen Liu,Ting Kuang. Владелец: Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-02-27.

Single crystal cathode materials using microwave plasma processing

Номер патента: CA3197618A1. Автор: Richard K. Holman,Adrian Pullen,John COLWELL,Gregory M. WROBEL. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Single crystal cathode materials using microwave plasma processing

Номер патента: EP4281215A1. Автор: Richard K. Holman,Adrian Pullen,John COLWELL,Gregory M. WROBEL. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Surface treatment method for single crystal SiC substrate, and single crystal SiC substrate

Номер патента: US09570306B2. Автор: Satoru Nogami,Satoshi TORIMI,Norihito YABUKI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Additive Composition And Composition Binding Agent For Superhard Material And Preparation Thereof, And Self-Sharpening Diamond Grinding Wheel And Preparation Thereof

Номер патента: US20180185984A1. Автор: Ning Yan,Xin Han,Bo XING,Junkai NIU. Владелец: Zhengzhou Research Institute for Abrasives and Grinding Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for manufacturing SOI substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09633892B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takashi Shimazu,Eriko Nishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Single-crystal 4H-SiC substrate

Номер патента: US09903048B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Flexible single-crystal film and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1751788A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-wan Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2007-02-14.

Sic single crystal substrate and production method therefor

Номер патента: EP4421219A1. Автор: Jun Yoshikawa,Kiyoshi MATSUSHIMA,Fumiyasu NOZAKI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for manufacturing elastic elements from single-crystal silicon

Номер патента: RU2770165C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин,Фархад Анвярович Абдуллин,Вера Владимировна Алексеева. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2022-04-14.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US9252025B2. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

A phosphorus doped silicon single crystal

Номер патента: EP3414367A1. Автор: Theis Leth SVEIGAARD,Martin GRÆSVÆNGE,Christian Gammeltoft HINDRICHSEN,Sune Bo DUUN,Anders LEI. Владелец: Topsil GlobalWafers AS. Дата публикации: 2018-12-19.

Silicon single crystal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: SG191518A1. Автор: Nakai Katsuhiko,Ohkubo Masamichi,Sakamoto Hikaru. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-07-31.

Method for controlling donor concentration in silicon single crystal substrate

Номер патента: EP4131341A1. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Single-crystal 4H-SiC substrate

Номер патента: US09422640B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of producing silicon single crystal ingot

Номер патента: US09777394B2. Автор: Wataru Sato,Nobuaki Mitamura,Susumu Sonokawa,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing a single-crystal 4H—SiC substrate

Номер патента: US09752254B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

IIIA-VA group semiconductor single crystal substrate and method for preparing same

Номер патента: US09691617B2. Автор: Morris Young,Yuanli Wang,Davis Zhang,Vincent Wensen Liu. Владелец: Beijing Tongmei Xtal Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Sic single crystal and method of its production

Номер патента: RU2160329C1. Автор: Китий ТАНИНО,Китийя ТАНИНО. Владелец: Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд. Дата публикации: 2000-12-10.

Method for heat-treating silicon single crystal wafer

Номер патента: US20210062366A1. Автор: Tadashi Nakasugi,wei feng Qu,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Silicon Single Crystal Substrate and Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20130161793A1. Автор: Katsuhiko Nakai,Masamichi Ohkubo,Hikaru Sakamoto. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-06-27.

Apparatus for manufacturing aluminum nitride single crystal, method for manufacturing aluminum nitride single crystal, and aluminum nitride single crystal

Номер патента: EP2410082A1. Автор: Hiroyuki Kamata,Tomonori Miura,Ichirou Nagai,Tomohisa Katou. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2012-01-25.

Single crystal SIC and a method of producing the same

Номер патента: US6153166A. Автор: Kichiya Tanino. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20240141544A1. Автор: Jun Yoshikawa,Kiyoshi MATSUSHIMA,Fumiyasu NOZAKI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for Producing a Silicon Single Crystal and a Silicon Single Crystal

Номер патента: US20070266930A1. Автор: Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Naoki Nagai. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-22.

Single crystal silicon layer, its epitaxial growth method and semiconductor device

Номер патента: US6500256B2. Автор: Hisayoshi Yamoto,Hideo Yamanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Single crystal sic and a method of producing the same

Номер патента: CA2263352C. Автор: Kichiya Tanino. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Silicone single crystal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: MY179465A. Автор: Nakai Katsuhiko,Ohkubo Masamichi,Sakamoto Hikaru. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-11-06.

Formation method of single crystal semiconductor layer, formation method of crystalline semiconductor layer, formation method of polycrystalline layer, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090111247A1. Автор: Koichiro Tanaka,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Heat Treatment Method of ZnTe Single Crystal Substrate and ZnTe Single Crystal Substrate

Номер патента: US20090042002A1. Автор: Kenji Sato,Takayuki Shimizu,Toshiaki Asahi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-12.

Heat treatment method of znte single crystal substrate and znte single crystal substrate

Номер патента: US20110236297A1. Автор: Kenji Sato,Takayuki Shimizu,Toshiaki Asahi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Method and apparatus for forming a capacitive structure including single crystal silicon

Номер патента: US20030213970A1. Автор: Michael Morse. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer

Номер патента: US11959191B2. Автор: wei feng Qu,Shizuo Igawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US20150001680A1. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Method for vanishing defects in single crystal silicon and single crystal silicon

Номер патента: US20050081778A1. Автор: Masahiko Ando,Shiro Yoshino,Masaru Yuyama. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Method for vanishing defects in single crystal silicon and single crystal silicon

Номер патента: EP2096668A3. Автор: Masahiko Ando,Shiro Yoshino,Masaru Yuyama. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-20.

METHOD FOR CONTROLLING DONOR CONCENTRATION IN Ga2O3 SINGLE CRYSTAL BODY, AND METHOD FOR FORMING OHMIC CONTACT

Номер патента: US20160002823A1. Автор: Kohei Sasaki,Masataka Higashiwaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Base material on which single-crystal diamond is grown comprised of a base substrate, bonded single-crystal MgO layer, and heteroepitaxial film, and method for manufacturing a single-crystal diamond substrate on the base material

Номер патента: US09752255B2. Автор: Hitoshi Noguchi,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Grinding and polishing tool for diamond, method for polishing diamond, and polished diamond, single crystal diamond and single diamond compact obtained thereby

Номер патента: US20020192470A1. Автор: Hitoshi Hashimoto,Toshihiko Abe,Shu-Ichi Takeda. Владелец: Applied Diamond Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Block-type structured diamond grinding wheel with adaptive supply of instantaneous cooling

Номер патента: US20230330815A1. Автор: Wei Li,Xiaohong Zhang,Zhiyuan Yang,Jiaming LIU,Xiong Tang,Wanyi Tian,Liwei Ning,Jia DUAN,Shiguo TENG. Владелец: Hunan Institute of Science and Technology. Дата публикации: 2023-10-19.

Diamond grinding wheel adapted to grind and abrade stratified solid materials

Номер патента: US20240278384A1. Автор: Epifanio Nunziata. Владелец: Diamant SRL. Дата публикации: 2024-08-22.

Diamond grinding wheel adapted to grind and abrade stratified solid materials

Номер патента: EP4355527A1. Автор: Epifanio Nunziata. Владелец: Diamant SRL. Дата публикации: 2024-04-24.

Solar-cell single-crystal silicon substrate, solar cell element, and method for producing the same

Номер патента: US20070089781A1. Автор: Kazuo Nakajima,Kyojiro Kaneko,Michio Kida,Kozo Fujiwara,Wugen Pan,Noritaka Usami. Владелец: Sumco Solar Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Manufacturing method of semi-insulating single-crystal silicon carbide powder

Номер патента: US12098477B2. Автор: Bo-Cheng Lin,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu. Владелец: Taisic Materials Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Thin single-crystal silicon solar cells mounted to a structural support member and method of fabricating

Номер патента: US11978820B2. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for controlling resistivity and n-type silicon single crystal

Номер патента: US20170260645A1. Автор: Kiyotaka Takano,Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Thin Single-Crystal Silicon Solar Cells Mounted to a Structural Support Member and Method of Fabricating

Номер патента: US20240097065A1. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for depolarization suppression of rhombohedral relaxor-based ferroelectric single crystals

Номер патента: US20230117560A1. Автор: Shuangjie ZHANG,Piqi SONG. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2023-04-20.

Vanadium-compensated 4H and 6H single crystals of optical grade, and silicon carbide crystals and methods for producing same

Номер патента: US12060650B2. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Varatharajan Rengarajan,Gary Ruland. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices, photoelectric conversion device, and production method for compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices

Номер патента: US20160056313A1. Автор: Akira Noda,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

High-resistivity single crystal zinc oxide wafer based radiation detector and preparation method and use thereof

Номер патента: US20190115489A1. Автор: Xu Ji,Feng Huang,Kun YAN,Mei DONG. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2019-04-18.

Vanadium-compensated 4h and 6h single crystals of optical grade, and silicon carbide crystals and methods for producing same

Номер патента: US20240352617A1. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Varatharajan Rengarajan,Gary Ruland. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Single-crystal module for integrated circuit

Номер патента: RU2134465C1. Автор: А.И. Таран. Владелец: Таран Александр Иванович. Дата публикации: 1999-08-10.

Method for manufacturing rectangular parallelepiped-shaped single crystal, rectangular parallelepiped-shaped single crystal, method for manufacturing ceramics, ceramics, piezoelectric element, piezoelectric device, and electronic device

Номер патента: US20160273125A1. Автор: Takayuki Watanabe,Makoto Kubota,Shunsuke Murakami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Resonance circuit with a single crystal capacitor dielectric material

Номер патента: US09673384B2. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20150010726A1. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Method of manufacturing integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20230025951A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of manufacturing integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20190158058A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20160248395A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Method and apparatus of evaluating quality of wafer or single crystal ingot

Номер патента: US12118706B2. Автор: Hyun Woo Park. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Ultraviolet (UV) schottky diode detector having single crystal UV radiation detector material bonded directly to a support structure with proper c-axis orientation

Номер патента: US09929192B1. Автор: Delmar L. Barker,Jeffrey Clarke,Charles W. HICKS. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for single crystal growth of photovoltaic perovskite material and devices

Номер патента: US09812660B2. Автор: Jinsong Huang,Qingfeng Dong. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US09799735B2. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US09571061B2. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Process for producing laminate comprising al-based group iii nitride single crystal layer, laminate produced by the process, process for producing al-based group iii nitride single crystal substrate using the laminate, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: EP2243866A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2010-10-27.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148C. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2012-08-07.

Optoelectronic device comprising a semiconductor layer based on GeSn having a single-crystal portion with a direct band structure and an underlying barrier region

Номер патента: US12040595B2. Автор: Pablo Acosta Alba,Vincent Reboud,Lara CASIEZ. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of preparing single crystal perovskite and method of manufacturing solar cell using single crystal perovskite

Номер патента: US20230357956A1. Автор: Do Hyung Kim,Yu Jin Kang,Hyun Shil KIM,Jae Seob Yoo. Владелец: Korea Electric Power Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A SEMICONDUCTOR LAYER BASED ON GeSn HAVING A SINGLE-CRYSTAL PORTION WITH A DIRECT BAND STRUCTURE AND AN UNDERLYING BARRIER REGION

Номер патента: US20230187567A1. Автор: Pablo Acosta Alba,Vincent Reboud,Lara CASIEZ. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-15.

Organo-lead halide perovskites thin single crystals

Номер патента: US20190221755A1. Автор: Liyang YU,Weili Yu,Aram AMASSIAN. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2019-07-18.

Sic single crystal, sic wafer, sic substrate, and sic device

Номер патента: US20150308014A1. Автор: Masakazu Kobayashi,Yasushi Urakami,Itaru Gunjishima,Yusuke KANZAWA. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of preparing single crystal perovskite and method of manufacturing solar cell using single crystal perovskite

Номер патента: EP4277453A1. Автор: Do Hyung Kim,Yu Jin Kang,Hyun Shil KIM,Jae Seob Yoo. Владелец: Korea Electric Power Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

Single crystal TFT from continuous transition metal delivery method

Номер патента: US20020090801A1. Автор: Yukihiko Nakata,Masashi Maekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Aqueous acidic solution and etching solution and method for texturizing surface of single crystal and polycrystal silicon substrates

Номер патента: EP2611881A1. Автор: Andreas Klipp,Christian Bittner,Cornelia RÖGER-GÖPFERT,Simon Braun,Chengwei Lin,Meichin Shen. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-10.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US09970127B2. Автор: Juan Carlos Rojo,Leo Schowalter,Glen A. Slack,Robert T. Bondokov,Kenneth E. Morgan,Joseph A. Smart. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Organic single crystal field effect circuit and preparing method thereof

Номер патента: US09893286B2. Автор: Xiaoli Zhao,Yichun Liu,Yanhong Tong,Qingxin Tang. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of determining surface orientation of single crystal wafer

Номер патента: US09678023B2. Автор: Chang Soo Kim,Seok Min Bin. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2017-06-13.

Temperature and field stable relaxor-PT piezoelectric single crystals

Номер патента: US09673380B2. Автор: Fei Li,Jun Luo,Wesley S. Hackenberger,Thomas R. Shrout,Shujun Zhang,Kevin A. Snook,Raffi Sahul. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-06.

β-Ga2O3-based single crystal substrate

Номер патента: US09431489B2. Автор: Makoto Watanabe,Shinya Watanabe,Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui,Yu Yamaoka. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US20060005763A1. Автор: Leo Schowalter,Glen Slack,J. Rojo. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Method for evaluating crystal defects of silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: EP4310893A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Silicon carbide single crystal

Номер патента: US11643748B2. Автор: Tomonori Umezaki,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-09.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20200347511A1. Автор: Tomonori Umezaki,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Crystal ion-slicing of single-crystal films

Номер патента: EP1060509A4. Автор: Miguel Levy,Richard M Osgood Jr. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2001-05-02.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP3690085A1. Автор: Tomonori Umezaki,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-05.

Single-crystal nitride-based semiconductor substrate and method of manufacturing high-quality nitride-based light emitting device by using the same

Номер патента: US20070034892A1. Автор: June-o Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Process for producing single-crystal sapphire

Номер патента: US20110253031A1. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-10-20.

Apparatus and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2465980A2. Автор: Kazukuni Hara,Yuuichirou Tokuda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-06-20.

Silicon single crystal substrate and silicon epitaxial wafer for solid-state image sensor and solid-state image sensor

Номер патента: US11824070B2. Автор: Takao Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Single-crystal source-drain merged by polycrystalline material

Номер патента: US20150270332A1. Автор: Timothy J. McArdle,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Judson R. Holt,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Method and apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal, and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20220112623A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Sic single crystal and method for producing same

Номер патента: US20170009374A1. Автор: Takayuki Shirai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Method for simulating the shape of the solid-liquid interface between a single crystal and a molten liquid, and the distribution of point defects of the single crystal

Номер патента: US20010042504A1. Автор: Naoki Ono,Kounosuke Kitamura. Владелец: Mitsubishi Materials Silicon Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Method of sorting silicon single crystal substrate and silicon single crystal substrate

Номер патента: EP3790040A1. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-10.

Mg2Si SINGLE CRYSTAL, Mg2Si SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, INFRARED RAY-RECEIVING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING Mg2Si SINGLE CRYSTAL

Номер патента: EP3995609A1. Автор: Haruhiko Udono. Владелец: Ibaraki University NUC. Дата публикации: 2022-05-11.

Silicon single crystal substrate for vapor phase growth, vapor phase growth substrate and methods for producing them

Номер патента: US20230235481A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Group iii nitride semiconductor single crystal, method for producing the same, self-standing substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20140070370A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of evaluating quality of wafer or single crystal ingot and method of controlling quality of single crystal ingot by using the same

Номер патента: WO2013005975A2. Автор: Se-Hun Kim,Young-Ho Hong,Yun-Seon Jang,Yo-Han Jung. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of evaluating quality of wafer or single crystal ingot and method of controlling quality of single crystal ingot by using the same

Номер патента: WO2013005975A3. Автор: Se-Hun Kim,Young-Ho Hong,Yun-Seon Jang,Yo-Han Jung. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-03-14.

PREPARATION METHOD FOR GROWING GERMANIUM SULFIDE (GeS2) SINGLE-CRYSTAL THIN FILM ON SiO2 SUBSTRATE

Номер патента: US20240120431A1. Автор: SHENG Chen,Guoqiang Li,Wenliang Wang,Jixing CHAI. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-04-11.

Silicon single crystal substrate for vapor deposition, vapor deposition substrate, and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP4137617A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Phase Transformation in Relaxor Ferroelectric Single Crystals for Blast Sensor

Номер патента: US20190326836A1. Автор: Peter Finkel,Margo Staruch,Timothy B. Bentley. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-10-24.

Silicon carbide single crystal wafer, crystal, preparation methods therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4095887A1. Автор: FAN YANG,Jian Yang,Yu Guo,Ping Zhang,BO Wang,Yu Zou,Ning Zhao,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Silicon carbide single crystal wafer, crystal, preparation methods therefor, and semiconductor device

Номер патента: US20230053509A1. Автор: FAN YANG,Jian Yang,Yu Guo,Ping Zhang,BO Wang,Yu Zou,Ning Zhao,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Joined body of piezoelectric single-crystal substrate and support substrate

Номер патента: US20210066577A1. Автор: Tomoyoshi Tai,Ryosuke Hattori. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Group III nitride single crystal substrate

Номер патента: US11767612B2. Автор: Masayuki Fukuda,Toru Nagashima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of liquid-phase epitaxial growth of lead zirconate titanate single crystals

Номер патента: US20170314156A1. Автор: Vincent FRATELLO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-02.

Methods for detecting defects in a single crystal silicon structure

Номер патента: US20240255438A1. Автор: Armando Giannattasio,Maria Porrini,Fabrizio Nicolini,Silvana Zampieri,Moreno Lorenzino Morici. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

n-TYPE SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SAME AND SiC EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20190252504A1. Автор: Tomohisa Kato,Hiromasa SUO,Kazuma ETO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-08-15.

Single Crystal Silicon Membrane with a Suspension Layer, Method for Fabricating the Same, and a Micro-Heater

Номер патента: US20130062738A1. Автор: Chung-Nan Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Single crystal silicon membrane with a suspension layer, method for fabricating the same, and a micro-heater

Номер патента: US8895448B2. Автор: Chung-Nan Chen. Владелец: National Kaohsiung University of Applied Sciences. Дата публикации: 2014-11-25.

Single-Crystal Phase Change Material on Insulator for Reduced Cell Variability

Номер патента: US20140069577A1. Автор: Guy Cohen,Simone Raoux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Piezoelectric single-crystal element, mems device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230120240A1. Автор: Sang Goo Lee. Владелец: Ibule Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Cost-effective single crystal multi-stake actuator and method of manufacture

Номер патента: EP2798680A1. Автор: Yuexue Xia,Dian-Hua LIN,Huilin Nelly Goh. Владелец: Microfine Materials Technologie Pte Ltd. Дата публикации: 2014-11-05.

Cost-effective single crystal multi-stake actuator and method of manufacture

Номер патента: WO2013100860A1. Автор: Yuexue Xia,Dian-Hua LIN,Huilin Nelly Goh. Владелец: MICROFINE MATERIALS TECHNOLOGIES PTE LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Monolithic integration of hybrid perovskite single crystals with silicon for highly sensitive x-ray detectors

Номер патента: US20220281214A1. Автор: WEI Wei,Jinsong Huang. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Monolithic integration of hybrid perovskite single crystals with silicon for highly sensitive x-ray detectors

Номер патента: WO2018009712A3. Автор: WEI Wei,Jinsong Huang. Владелец: NUtech Ventures. Дата публикации: 2018-02-08.

Monolithic integration of hybrid perovskite single crystals with silicon for highly sensitive x-ray detectors

Номер патента: US20190162865A1. Автор: WEI Wei,Jinsong Huang. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Mgb2 single crystal and its production method, and superconductive material containing mgb2 single crystal

Номер патента: US20030146417A1. Автор: Ayako Yamamoto,Setsuko Tajima,Lee Romonovich. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2003-08-07.

Pad conditioner with pyramids of single-crystal diamond

Номер патента: US20240198481A1. Автор: Chien-Min Sung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for polishing single-crystal diamond

Номер патента: US20220241927A1. Автор: Jing Lu,Ping Xiao,Yanhui WANG,Xipeng XU,Qiufa LUO. Владелец: HUAQIAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-04.

Grinding method using nanolayer-lubricated diamond grinding wheel based on shock wave cavitation effect

Номер патента: US20230311272A1. Автор: Wei Li,Xiaohong Zhang,Chao Li,Xiaohong Tang,Wanyi Tian,Zhaoyao Shi,Yuejiao Ding,Liwei Ning,Songhui Zhang. Владелец: Hunan Institute of Science and Technology. Дата публикации: 2023-10-05.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US12129570B2. Автор: Kazuya Hirata,Shin Tabata,Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US20230054939A1. Автор: Kazuya Hirata,Shin Tabata,Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Process for truing a diamond grinding wheel utilizing a molybdenum tool

Номер патента: GB1462343A. Автор: . Владелец: Kish I T. Дата публикации: 1977-01-26.

Dressing and conditioning resin-bonded diamond grinding wheel

Номер патента: CA1129207A. Автор: Rangachary Komanduri,William R. Reed, Jr.. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1982-08-10.

Method and apparatus for processing a single crystal blank

Номер патента: US20240018690A1. Автор: Manuel Kruse. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

New laser uses for single-crystal cvd diamond

Номер патента: EP2126162A1. Автор: Russell J. Hemley,Ho-Kwang Mao,Chih-shiue Yan. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2009-12-02.

Method of forming hollow single-crystal cylindrical tubes

Номер патента: RU2630811C1. Автор: Мырзамамат Арзиевич Каримбеков,Виктор Васильевич Новокрещенов,Регина Владимировна Родякина,Вячеслав Николаевич Ластовиря. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2017-09-13.

Fabrication process for single-crystallization anti-evaporation X-ray tube anode target

Номер патента: GB2617028A. Автор: Zhu Huichong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-27.

Manufacturing method of single crystal terminal for electric connector and the single crystal terminal

Номер патента: WO2009072746A2. Автор: Se Young Jung,Sang Eon Park. Владелец: Pusan National University Industrial-University Cooperation Foundation. Дата публикации: 2009-06-11.

Single crystal multi-element positive electrode material, preparation method therefor, and lithium ion battery

Номер патента: US11955635B1. Автор: Shanshan Li,Yanbin Chen,Yafei Liu,Yiseng HU,Shunlin SONG. Владелец: BEIJING EASPRING MATERIAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Single crystals with internal doping with laser ions prepared by a hydrothermal method

Номер патента: US09711928B2. Автор: Colin MCMILLEN,Joseph Kolis. Владелец: Clemson University Research Foundation (CURF). Дата публикации: 2017-07-18.

Ternary single crystal positive electrode material, preparation method therefor and use thereof

Номер патента: US20230299264A1. Автор: Changdong LI,Feilong Li,Dingshan Ruan,Shuai Han,Wenzhu Ma,Quele WANG,Qingcheng FANG. Владелец: Hunan Brunp Vehicles Recycling Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Nickel cobalt lithium manganese oxide high-nickel single-crystal positive electrode material and preparation method therefor

Номер патента: EP4439721A1. Автор: Wei Li,Jun Xie,Yang Shi,Yujun CHEN,Xiaoyan Zhou,Kaihua Xu,Shiguo XU,Dechong LIU,Ningjing LIAO. Владелец: GEM Wuxi Energy Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Hydrothermal growth of heterogeneous single crystals exhibiting amplified spontaneous emission suppression

Номер патента: US09469915B2. Автор: Colin MCMILLEN,Joseph Kolis. Владелец: Clemson University Research Foundation (CURF). Дата публикации: 2016-10-18.

Single crystal ternary positive electrode material, fabrication method therefor, and lithium-ion battery

Номер патента: EP4397792A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Tianjin B&M Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Single-crystal ternary positive electrode material, preparation method therefor, and application thereof

Номер патента: EP4421919A1. Автор: Changdong LI,Yong Cai,Dingshan Ruan,Weijian Liu,Qinglin Zhu. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Single crystal shape memory alloy devices and methods

Номер патента: WO2005108635A3. Автор: . Владелец: TiNi Alloy Co. Дата публикации: 2007-01-18.

Carbon-layered grain-free single-crystal cathode particles and method for preparing same

Номер патента: US20240234728A1. Автор: Youngho Shin. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Dry methods for modification of single-crystal battery cathode materials

Номер патента: WO2024147963A1. Автор: Susi JIN,Van At NGUYEN,Nutthaphon PHATTHARASUPAKUN,Kate Elise GONZALEZ WOODS,Ryan FIELDEN,Mark Mcarthur. Владелец: Novonix Battery Technology Solutions Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Single-crystal pulling apparatus and single-crystal pulling method

Номер патента: US10253425B2. Автор: Kiyotaka Takano. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-09.

METHOD OF GROWING FeBO3 SINGLE-CRYSTAL FILM ON DIAMAGNETIC SUBSTRATE

Номер патента: RU2616668C1. Автор: Кира Андреевна Селезнева,Марк Борисович Стругацкий,Сергей Владимирович Ягупов,Юлия Александровна Могилец. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского". Дата публикации: 2017-04-18.

Lithium-metal rechargeable electrochemical cells with liquid electrolytes and single-crystal nickel-manganese-cobalt

Номер патента: US20240213540A1. Автор: Richard Wang,Aaron R. GARG,Michael McEldrew,Lauren Nicole Burke,Thomas Patrick Whitehill-Nigl,Vicky Thi Huynh,Sanjay Nanda. Владелец: Cuberg Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Single Crystal Laser Material And System Containing The Same Material

Номер патента: US20070211779A1. Автор: Sergey Mirov,Dmitri Valer'evich Badikov,Valeri Badikov,Tasoltan Basiev,Maxim Doroshenko,Yurii Orlovskii,Vyacheslav Osiko,Galina Shevirdyaeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Lithium-metal rechargeable electrochemical cells with liquid electrolytes and single-crystal nickel-manganese-cobalt

Номер патента: WO2024138122A1. Автор: Richard Wang,Aaron R. GARG,Michael McEldrew,Lauren Nicole Burke,Thomas Patrick Whitehill-Nigl,Vicky Thi Huynh,Sanjay Nanda. Владелец: Cuberg, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Preparation of single-crystal layered cathode materials for lithium- and sodium-ion batteries

Номер патента: US12077879B2. Автор: QI Liu,He Zhu. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet

Номер патента: EP1060545A1. Автор: Mark McElhinney,Paul Colombo. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Single crystal multi-element positive electrode material, preparation method therefor, and lithium ion battery

Номер патента: EP4306687A1. Автор: Shanshan Li,Yanbin Chen,Yafei Liu,Yiseng HU,Shunlin SONG. Владелец: BEIJING EASPRING MATERIAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Ternary single crystal positive electrode material, preparation method therefor and use thereof

Номер патента: US11888145B2. Автор: Changdong LI,Feilong Li,Dingshan Ruan,Shuai Han,Wenzhu Ma,Quele WANG,Qingcheng FANG. Владелец: Hunan Brunp Vehicles Recycling Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Diamond single crystal, tool, and method for producing diamond single crystal

Номер патента: US20180141818A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Katsuko Yamamoto,Keiko Arimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Single Crystals with Internal Doping with Laser Ions Prepared by a Hydrothermal Method

Номер патента: US20130343715A1. Автор: Colin MCMILLEN,Joseph Kolis. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2013-12-26.

Single crystal manufacturing method, magnetic field generator, and single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20230407523A1. Автор: Naoki Matsushima,Ryusuke Yokoyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Single Crystal Fiber

Номер патента: US20210344159A1. Автор: Shigeo Ishibashi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Cobalt-free single crystal composite material, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: US20230036288A1. Автор: Pengfei Wang,Xinpei Xu,Jiali MA,Weijun Jiang,Mingzhu Sun,Zetao SHI,Sixian Chen,Qigi Qiao. Владелец: Svolt Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Solid electrolyte single crystal having perovskite structure and method for producing the same

Номер патента: US20150244021A1. Автор: Keigo Hoshikawa,Yasuyuki Fujiwara. Владелец: Shinshu University NUC. Дата публикации: 2015-08-27.

Gradient single-crystal positive electrode material, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: EP4273964A1. Автор: Di Cheng,Yanping Wang,Jing Huang,Xiaojing Li,Jinsuo Li,Danfeng CHEN,Yunjun XU,Gaofeng ZUO,Wanchao WEN,Zhengzhong YIN. Владелец: Henan Kelong New Energy Co ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Gradient Single-Crystal Positive Electrode Material, And Preparation Method Therefor and UseThereof

Номер патента: US20240117520A1. Автор: Di Cheng,Yanping Wang,Jing Huang,Xiaojing Li,Jinsuo Li,Danfeng CHEN,Yunjun XU,Gaofeng ZUO,Wanchao WEN,Zhengzhong YIN. Владелец: Henan Kelong New Energy Co ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of Making Monodispersed Single Crystal Cathode Material

Номер патента: US20240083769A1. Автор: Alan Nelson,Yu-Hua Kao,Fangfu Zhang,Edward Matios,Wesley Luc,Gurudayal SINGHAL. Владелец: Redwood Materials. Дата публикации: 2024-03-14.

High intensity discharge lamp with single crystal sapphire envelope

Номер патента: EP1470569A1. Автор: Bernard J. Eastlund,Maurice E. Levis. Владелец: Gem Lighting LLC. Дата публикации: 2004-10-27.

Method for preparing large-size single crystal

Номер патента: EP4108814A4. Автор: Yang Wang,Jian Jiang,Shujie Wang,Xiaolan Li,Huisheng Liu,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU. Владелец: China Nanhu Academy Of Electronics And Information Technology. Дата публикации: 2023-07-19.

A kind of preparation method of large size single crystal perovskite thin film

Номер патента: CN105957970B. Автор: 王振龙,石琳,张甲,白学林,周丽杰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-30.

Large-size single crystal cutting device and method of use thereof

Номер патента: WO2023051644A1. Автор: 王猛,赵伟,张瑞祥,杨树生,王晓鹏,石岩,林雪龙,贡艺强,梁志慧,李喜珍,邢玉军,常顺,许建虹,匡文军,郭鑫乐,赵艳慧,李志剑. Владелец: Tcl中环新能源科技股份有限公司. Дата публикации: 2023-04-06.

Method for assembling large-sized single-drum boiler body

Номер патента: CN104690488A. Автор: 刘钧,李江平. Владелец: HENGYANG DACHENG BOILER CO Ltd. Дата публикации: 2015-06-10.

Large-size single-sided circuit board preparation method based on photoetching technology

Номер патента: CN115413136A. Автор: 张茗,楼斌,戴国勇,匡雄,李紫阳,李荣桥,匡真安,楼红卫. Владелец: Zhejiang Luoqi Taike Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Slide block guide adjusting apparatus of large-sized single/double-action hydraulic drawing press

Номер патента: CN201257770Y. Автор: 袁隆秀. Владелец: HEFEI DUANYA GROUP CO Ltd. Дата публикации: 2009-06-17.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: AU7917991A. Автор: Thomas Richard Anthony,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-01-02.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and¹their preparation

Номер патента: IE912296A1. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1992-01-15.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: AU642744B2. Автор: Thomas Richard Anthony,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-10-28.

Method for producing single crystal diamond, and single crystal diamond

Номер патента: EP4365338A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-05-08.

Single-crystal diamond material, single-crystal diamond chip, and perforated tool

Номер патента: US20170241042A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2017-08-24.

Single-crystal diamond material, single-crystal diamond chip, and perforated tool

Номер патента: US20190218685A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-07-18.

Single-crystal diamond and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240229295A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Synthetic single crystal diamond and method for manufacturing same

Номер патента: US20230220584A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Diamond single crystal, method for producing the same, and single crystal diamond tool

Номер патента: US09441312B2. Автор: Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Laminate, single crystal diamond substrate and method of producing same

Номер патента: US20230349070A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Aoi Morishita,Wenxi Fei. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for producing diamond tool intermediate and method for determining single crystal diamond

Номер патента: EP4269004A1. Автор: Kiichi Meguro,Masayuki Nishizawa. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2023-11-01.

Process for manufacturing synthetic single crystal diamond material

Номер патента: CA2866758C. Автор: Carlton Nigel Dodge,Raymond Anthony Spits,Dietrich Borse,Eugen GURA. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing diamond tool intermediate and method of making determination for single-crystal diamond

Номер патента: US11878354B2. Автор: Kiichi Meguro,Masayuki Nishizawa. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2024-01-23.

Synthetic single crystal diamond and method for producing the same

Номер патента: US20240287706A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Single-crystal diamond and manufacturing method thereof

Номер патента: US09725826B2. Автор: Kazuhiro Ikeda,Hitoshi Sumiya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for preparing diamond compacts containing single crystal diamond

Номер патента: US4260397A. Автор: Harold P. Bovenkerk. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-04-07.

Single-crystal diamond and production method therefor

Номер патента: EP4317545A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Single crystal diamond elements having convex surfaces and methods of its fabrication

Номер патента: US20090022951A1. Автор: Mark Robin Mcclymont,Geoffrey Alan Scarsbrook,Christopher John Howard Wort,Herman Philip Godfried,Wilhelmus Gerarda Maria Nelissen,Evert Pieter Houwman,Gerrit Jan Pels,Johannes Cornelis Lamers,Bartholomeus Mathias Van Oerle,Paulus Adrianus Cornelis Kriele,Paulus Gerardus Hendricus Maria Spaay. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Single-crystal diamond and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240175167A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Single crystal diamond and method for producing same

Номер патента: EP4317539A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Single crystal diamond and method for producing same

Номер патента: EP4317540A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Single-crystal diamond and diamond composite comprising same

Номер патента: EP4317544A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Single-crystal diamond and diamond composite containing the same

Номер патента: US20240183069A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

High pressure high temperature (hpht) method for the production of single crystal diamonds

Номер патента: EP2379214A1. Автор: Carlton Nigel Dodge,Raymond Anthony Spits. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2011-10-26.

Synthetic single-crystal diamond and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4357490A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Single-crystal diamond and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240183068A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Shell mold casting chamber, casting furnace, and single-crystal, small-crystal, and non-crystal casting method

Номер патента: RU2746111C1. Автор: Джингчен Чжао. Владелец: Джингчен Чжао. Дата публикации: 2021-04-07.

Piezoelectric single crystal, fabrication method therefor, and piezoelectric and dielectric application parts using same

Номер патента: US12031232B2. Автор: Dong Ho Kim,Moon Chan Kim,Ho Yong Lee,Won Sun BAICK. Владелец: Ceracomp Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Device for producing large-sized castings with directional and single-crystal structure

Номер патента: RU2754215C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Елена Михайловна Висик,Максим Георгиевич Мин,Евгений Викторович Колядов,Владимир Сергеевич Тартанов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2021-08-30.

Domain controlled piezoelectric single crystal and fabrication method therefor

Номер патента: SG115497A1. Автор: Ogawa Toshio,Matsushita Mitsuyoshi,Tachi Yoshihito. Владелец: Kawatetsu Mining. Дата публикации: 2005-10-28.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US10233562B2. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US12076818B2. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for depolarization suppression of rhombohedral relaxor-based ferroelectric single crystals

Номер патента: US11678580B2. Автор: Shuangjie ZHANG,Piqi SONG. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2023-06-13.

Substrate-triggered directional solidification process for single crystal superalloy

Номер патента: US12138683B2. Автор: Jun Li,Jianguo Li,Long ZENG,Binqiang Wang,Mingxu Xia. Владелец: SHANGHAI JIAO TONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-12.

Substrate for forming a single crystal layer and method of preparing a single crystal layer using the substrate

Номер патента: US20160273127A1. Автор: Noriyuki Yoshimoto,Naotoshi Suganuma,Ryosuke Kamiya. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Piezoelectric single crystal transducer element and a method for its manufacturing

Номер патента: WO2024161205A1. Автор: VENKATACHALAM Natarajan,Elangovan VARADARAJAN,Chandramohan MANIKANDAN,Sarveswaran GANESAMOORTHY,Ramaiyan Mahadevan SARGUNA,Palanimuthu VIJAYAKUMAR,Prabu Amaladass EDWARD,Mani AWADHESH,Shekar Nagar Venkataraman CHANDRA,Abisekaraj Isaac Abraham REGIVA. Владелец: Chairman, Defence Research And Development Organization. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for production of single-crystal graphenes

Номер патента: US09845551B2. Автор: Zheng Yan,James M. Tour. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2017-12-19.

Single-crystal turbine blade, turbomachine module and turbomachine

Номер патента: RU2498082C2. Автор: Рено МАРТЕ,Стефани Доминик РОЖЕ,Патрик Жозеф Мари ЖИРАР,Жан-Клод Марсель Огюст АННИ,Ольвье Шарль Анри МАССИ,Филипп Жан-Пьер ПАБЬОН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2013-11-10.

Single crystal silicon substrate, liquid discharge head, and method for manufacturing single crystal silicon substrate

Номер патента: US20230364910A1. Автор: Koji Kitahara,Masahiro Fujii,Shinichi Yotsuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Heater In Hot-Zone of Single Crystal Pulling Apparatus and Single Crystal Pulling Apparatus

Номер патента: US20230349066A1. Автор: Wenwu Yang,Bokcheol Sim. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Piezoelectric oxide single crystal wafer

Номер патента: EP1178135A1. Автор: Yoshinori Kuwabara,Toshinari Murai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-06.

Electrostatic charge controlling process for piezoelectric oxide single crystal and apparatus for electrostatic charge controlling process

Номер патента: EP1741809A4. Автор: Kazutoshi Hotta,Kazuya Kanno,Ietaka Sahashi,Takeji Sasamata,Daisaku Miyagawa,Masato Kurachi. Владелец: Yamaju Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Piezoelectric oxide single crystal wafer

Номер патента: US20010048266A1. Автор: Yoshinori Kuwabara,Toshinari Murai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Method for preparing high-nickel, high-zinc and high-water single-crystal diopside under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503141B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-06-07.

Process and technical arrangement to produce in series single crystal penetrator rods of an alloy of 40wt% tungsten-40wt% titanium-20wt% osmium to replace depleted uranium which causes after use hazardous environmental problems

Номер патента: US20110189325A1. Автор: Juergen Wisotzki. Владелец: Grain Free Products Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for manufacturing single-crystal sensing elements for high-voltage optical measuring voltage transformers

Номер патента: RU2748973C1. Автор: Сергей Александрович Сахаров,Владимир Владимирович Аленков,Светлана Сергеевна Базалевская,Дина Генриховна Евтушенко,Алексей Николаевич Забелин,Анатолий Анатольевич Мололкин. Владелец: Акционерное Общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛЫ". Дата публикации: 2021-06-02.

Repair of a single crystal nickel based superalloy article

Номер патента: EP1258312A3. Автор: Norman Pietruska,David J. Kline. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2004-05-19.

Monocrystalline nickel-titanium films on single crystal silicon substrates using seed layers

Номер патента: US20230052052A1. Автор: Jagannathan Rajagopalan,Rohit Berlia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-16.

Single crystal quantum dots sers chip

Номер патента: WO2024167463A1. Автор: Andrivo RUSYDI,Eng Soon TOK,Bin Leong Edwin ONG,Shermine HO. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-08-15.

Soaking machine of single-crystal X-ray structure analysis sample, and soaking method therefor

Номер патента: US12055501B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of manufacturing a pressure vessel for growing single crystals

Номер патента: US09926642B2. Автор: Yoshihiko Yamamura,Osamu Wakao,Yuji Sasagawa,Keiichiro Matsushita,Shigeharu Akatsuka. Владелец: Furuya Metal Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Device for preparation of single crystals of high-melting fluorides

Номер патента: RU2608891C1. Автор: Степан Эрвандович Саркисов,Владимир Васильевич Рябченков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2017-01-26.

Single crystal engine valve

Номер патента: WO2016148806A1. Автор: Mark Veliz,Mark Geissler. Владелец: CATERPILLAR INC.. Дата публикации: 2016-09-22.

Induction heating coil and single crystal production device using same

Номер патента: EP4450683A1. Автор: Koichi Shimomura,Ryosuke Ueda,Yoshinori Sugita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Membrane substrate structure for single crystal acoustic resonator device

Номер патента: US09917568B2. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Process for unitary graphene layer or graphene single crystal

Номер патента: US09890469B2. Автор: Wei Xiong,Aruna Zhamu,Bor Z. Jang. Владелец: Nanotek Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Single crystal micromechanical resonator and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170054432A1. Автор: Roy H. Olsson,Blythe Clark,Khalid Mikhiel Hattar,Todd Bauer,Thomas A. Friedmann,Sara Jensen Homeijer,Michael Wiwi,Stuart B. Van Deusen. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Single crystal engine valve

Номер патента: US09644504B2. Автор: Mark Veliz,Mark Geissler. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Single crystal micromechanical resonator

Номер патента: US09641154B2. Автор: Roy H. Olsson,Blythe Clark,Khalid Mikhiel Hattar,Todd Bauer,Thomas A. Friedmann,Sara Jensen Homeijer,Michael Wiwi,Stuart B. Van Deusen. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Unitary graphene layer or graphene single crystal

Номер патента: US09533889B2. Автор: Wei Xiong,Aruna Zhamu,Bor Z. Jang,Mingchao Wang. Владелец: Nanotek Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Single crystal micromechanical resonator and fabrication methods thereof

Номер патента: US09525398B1. Автор: Roy H. Olsson,Blythe Clark,Khalid Mikhiel Hattar,Todd Bauer,Thomas A. Friedmann,Sara Jensen Homeijer,Michael Wiwi,Stuart B. Van Deusen. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Device for producing castings of turbine nozzle blades with a directional and single-crystal structure

Номер патента: RU2756073C1. Автор: Анатолий Владимирович Малеев,Александр Владимирович Шилов,Виталий Анатольевич Сафронов. Владелец: Акционерное общество «ОДК-Авиадвигатель». Дата публикации: 2021-09-27.

Method of single-crystal growth and device for its implementation

Номер патента: RU2638850C1. Автор: Андрей Игоревич Горунов. Владелец: Андрей Игоревич Горунов. Дата публикации: 2017-12-18.

Diamond single crystals, a process of manufacturing and tools for using same

Номер патента: US4544540A. Автор: Kazuo Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1985-10-01.

LARGE DIAMETER, HIGH QUALITY SiC SINGLE CRYSTALS, METHOD AND APPARATUS

Номер патента: EP2852699A1. Автор: Ping Wu,Xueping Xu,Thomas E. Anderson,Avinash K. Gupta,Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Gary E. Ruland,Varatharajan Rengarajan. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

Piezoelectric single crystal, fabrication method therefor, and piezoelectric and dielectric application parts using same

Номер патента: US20230399769A1. Автор: Dong Ho Kim,Moon Chan Kim,Ho Yong Lee,Won Sun BAICK. Владелец: Ceracomp Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Transparent piezoelectric single crystal preparation method

Номер патента: US11758818B2. Автор: BO Wang,Fei Li,Thomas R. Shrout,Shujun Zhang,Zhuo Xu,Chaorui Qiu,Long-Qing Chen. Владелец: Pennsylvania State University. Дата публикации: 2023-09-12.

Single crystal investment cast components and methods of making same

Номер патента: EP1580306A3. Автор: John Joseph Marcin, Jr.,Robert Charles Renaud,Stephen Douglas Murray,Steven Joel Bullied,Roy Alan Garrison. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2007-05-23.

Method and apparatus for making continuous films ofa single crystal material

Номер патента: WO2004073024A3. Автор: Eric Chason,Clyde L Briant. Владелец: Univ Brown. Дата публикации: 2004-12-29.

Method of casting single crystal metal article

Номер патента: CA1160545A. Автор: Constantine Vishnevsky,Thomas A. Kolakowski. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1984-01-17.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US20230364714A1. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US20230234169A1. Автор: Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Porous polymer compound, method of separating compound to be separated, single crystals, method of producing sample for crystal structure analysis, method of determining molecular structure of compound to be analyzed, and method of determining absolute configuration of chiral compound

Номер патента: US20180051048A1. Автор: Makoto Fujita,Yasuhide Inokuma. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-02-22.

Porous polymer compound, method of separating compound to be separated, single crystals, method of producing sample for crystal structure analysis, method of determining molecular structure of compound to be analyzed, and method of determining absolute configuration of chiral compound

Номер патента: US10385086B2. Автор: Makoto Fujita,Yasuhide Inokuma. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2019-08-20.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US11865641B1. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Piezoelectric single crystal including internal electric field, method for manufacturing same, and piezoelectric and dielectric application components using same

Номер патента: US20230329120A1. Автор: Hyun Taek Oh,Moon Chan Kim,Ho Yong Lee,Won Sun BAICK,Hyun Jae JOO. Владелец: Ceracomp Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for preparing single crystal oxide thin film

Номер патента: EP1314800A4. Автор: Masashi Kawasaki,Hideomi Koinuma,Yuji Matsumoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-02-14.

Method of manufacturing polycrystalline silicon ingot using a crucible in which an oxygen exhaust passage is formed by single crystal or polycrystalline rods

Номер патента: US11913133B2. Автор: Jun Seok Lee,Tae-Woo Kang,Ho Jung YOU,Dong Nam Shin,Sei Kwang OH,Sun Bin Yum. Владелец: Lintech Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of manufacturing polycrystalline silicon ingot using a crucible in which an oxygen exhaust passage is formed by single crystal or polycrystalline rods

Номер патента: US20230059953A1. Автор: Jun Seok Lee,Tae-Woo Kang,Ho Jung YOU,Dong Nam Shin,Sei Kwang OH,Sun Bin Yum. Владелец: Lintech Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US20160102418A1. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for producing alpha-aluminium oxide for subsequent growth of single-crystal sapphire

Номер патента: RU2742575C1. Автор: Эдуард Напалионович Мкртумян. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Империус Групп". Дата публикации: 2021-02-08.

Method of single-crystal stubs production

Номер патента: RU2602584C1. Автор: Сергей Владимирович Рудницкий,Валерий Анатольевич Михайлов,Сергей Германович Хаютин,Сергей Игоревич Полянский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственный центр газотурбостроения "Салют" (АО "НПЦ газотурбостроения "Салют"). Дата публикации: 2016-11-20.

Integral turbine composed of a cast single crystal blade ring diffusion bonded to a high strength disk

Номер патента: EP1728971A1. Автор: Thomas E. Strangman. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-12-06.

A method of welding single crystals

Номер патента: CA2423146C. Автор: Jürgen Betz. Владелец: Sulzer Markets and Technology AG. Дата публикации: 2006-05-30.

Method for preparing manganese-doped and high-water single-crystal trevorite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503613B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for forming single crystal components using additive manufacturing and re-melt

Номер патента: US20190353039A1. Автор: Jinquan Xu. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Organic semiconductor device, method for manufacturing organic semiconductor single-crystal film, and method for manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: EP3930018A1. Автор: Mari Sasaki,Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2021-12-29.

Method and structure of single crystal electronic devices with enhanced strain interface regions by impurity introduction

Номер патента: WO2019164829A1. Автор: Shawn R. Gibb,Steven DenBaars,Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2019-08-29.

Ferroelectric single crystal wafer and process for the preparation thereof

Номер патента: US20010035123A1. Автор: Min-Chan Kim,Sang-Goo Lee,Sung-Min Rhim. Владелец: Ibule Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-01.

Apparatus and method for sawing single crystal ingot

Номер патента: WO2012050307A2. Автор: Ki-Soo Kwon,Heui-Don Cho,Dong-Ouk Ji. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of growth of lead zirconate titanate single crystals

Номер патента: EP2925914A2. Автор: Vincent FRATELLO. Владелец: Quest Integrated Inc. Дата публикации: 2015-10-07.

Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface coustic wave device

Номер патента: US20040137727A1. Автор: Satoshi Uda,Shouqi Wang. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

ELECTROSPUN SINGLE CRYSTAL MoO3 NANOWIRES FOR BIO-CHEM SENSING PROBES

Номер патента: US20120094124A1. Автор: Pelagia-Irene Gouma,Krithika Kalyanasundaram,Aisha Suzette Haynes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-19.

Large-scale compound semiconductor single crystal growth system and method

Номер патента: US20240229291A1. Автор: Yang Wang,Shujie Wang,Xiaolan Li,Huisheng Liu,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU,Xin Ou,Ruiliang SONG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus for preparing a single crystal comprising a volatilization chamber and a plurality of crystal pieces fixed by combined fixtures located in a solid connection chamber

Номер патента: US12098478B2. Автор: Yang Wang,Jian Jiang,Shujie Wang,Xiaolan Li,Huisheng Liu,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods for growing large-volume single crystals from calcium fluoride and their uses

Номер патента: US20010025598A1. Автор: Burkhard Speit,Lutz Parthier,Gunther Wehrhan,Joerg Staeblein,Andreas Weisleder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Method for epitaxial growth of high-quality large-size single crystal diamond

Номер патента: CN111206280B. Автор: 刘金龙,李成明,魏俊俊,郑宇亭,陈良贤,朱肖华,邵思武. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2021-02-12.

Preparation method for homomorphic/heterogeneous mixed epitaxial growth of large-size single crystal diamond

Номер патента: CN113774479A. Автор: 周兵,高洁,马永,王永胜,吴艳霞,郑可,于盛旺,黑鸿君. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-12-10.

Preparation method for homomorphic/heterogeneous mixed epitaxial growth of large-size single crystal diamond

Номер патента: CN113774479B. Автор: 周兵,高洁,马永,王永胜,吴艳霞,郑可,于盛旺,黑鸿君. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-06-14.

Large size single crystal seed crystal fabrication by intergrowth of tiled seed crystals

Номер патента: WO2001068957A1. Автор: William J. Everson,David W. Snyder. Владелец: II-VI Incorporated. Дата публикации: 2001-09-20.

APPARATUS FOR PREPARING LARGE-SIZE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20220074073A1. Автор: Wang Yang,Jiang Jian,WANG Shujie,SUN Niefeng,SHI Yanlei,SHAO Huimin,LI Xiaolan,FU Lijie,XU Senfeng,LIU Huisheng,SUN Tongnian. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

Method for prolonging service life of crucible for solar-grade large-size single crystal growth

Номер патента: CN110983428A. Автор: 张小虎,李世超,闫斌,马新星,段俊飞. Владелец: Baotou Meike Silicon Energy Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

Production of base material for large sized single mode optical fiber

Номер патента: JPS6442337A. Автор: Hiroyuki Tanaka,Toshikazu Omae,Tetsuo Ishijima. Владелец: Mitsubishi Cable Industries Ltd. Дата публикации: 1989-02-14.

Method for Producing Single Crystal Diamond and Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240318348A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-09-26.

Synthetic single crystal diamond and method for producing the same

Номер патента: US20240279843A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Single crystal diamond and diamond tool

Номер патента: US09963801B2. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Toshiya Takahashi,Yuichiro Seki. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacture of single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US20230272551A1. Автор: Daniel James Twitchen,Ian Friel,Katharine Louise Atkinson. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing base substrate, and method for producing single crystal diamond multilayer substrate

Номер патента: EP4431634A1. Автор: Hitoshi Noguchi,Hiroshi Hashigami,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method of manufacture of single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US12065756B2. Автор: Daniel James Twitchen,Ian Friel,Katharine Louise Atkinson. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Single crystal diamond component and method for producing

Номер патента: WO2023280842A1. Автор: Matthew Lee Markham,Jonathan Newland. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2023-01-12.

Single crystal diamond component and method for producing

Номер патента: US20240309554A1. Автор: Matthew Lee Markham,Jonathan Christopher NEWLAND. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Single crystal diamond

Номер патента: US09816202B2. Автор: Daniel James Twitchen,Philip Maurice Martineau,Geoffrey Alan Scarsbrook. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US12037702B2. Автор: Matthew Lee Markham,Andrew Mark EDMONDS,Pierre-Olivier Francois Marc Colard. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of growing single crystal diamond assisted by polycrystalline diamond growth

Номер патента: CA3163682C. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT,Andrew Francis BASNETT,Amanda CHARRIS-HERNANDEZ,Travis Charles WADE,Adam James BROWN. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Single crystal diamond material

Номер патента: EP2516700A1. Автор: Daniel James Twitchen,Geoffrey Alan Scarsbrook,Harpreet Kaur Dhillon. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

Single crystal diamond material

Номер патента: WO2011076642A1. Автор: Daniel James Twitchen,Geoffrey Alan Scarsbrook,Harpreet Kaur Dhillon. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2011-06-30.

Method of Growing Personalized Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240240354A1. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Single crystal diamond substrates for synthesis of single crystal diamond material

Номер патента: GB2492661A. Автор: Daniel James Twitchen,Geoffrey Alan Scarsbrook,Sarah Louise Geoghegan,John Robert Brandon,Neil Perkins. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2013-01-09.

Method of Growing Single Crystal Diamond Assisted by Polycrystalline Diamond Growth

Номер патента: US20230392283A1. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT,Andrew Francis BASNETT,Amanda CHARRIS-HERNANDEZ,Travis Charles WADE,Adam James BROWN. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Embedded single crystal diamond(s) in a polycrystalline diamond structure and a method of growing it

Номер патента: US20230294994A1. Автор: Devi Shanker Misra. Владелец: IIA Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Cvd single crystal diamond

Номер патента: EP4419742A1. Автор: Stephanie Liggins,Andrew Mark EDMONDS,Douglas John GEEKIE,William Joseph Hillman,Benjamin Simon Truscott. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Base material for growing single crystal diamond and method for producing single crystal diamond substrate

Номер патента: US20110081531A1. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Single crystal composite synthetic diamond material

Номер патента: WO2020201211A1. Автор: Matthew Lee Markham,Andrew Mark EDMONDS,Pierre-Olivier Francois Marc Colard. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2020-10-08.

Synthesis of thick single crystal diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: US20200087782A1. Автор: Andrew Michael Bennett,Timothy Peter Mollart,Ben Llewelyn Green,Stefan Ian Olsson Robbie. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Contact, and method for evaluating microwear properties of single-crystal diamond using same

Номер патента: EP4431906A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Single crystal composite synthetic diamond material

Номер патента: EP3947787A1. Автор: Matthew Lee Markham,Andrew Mark EDMONDS,Pierre-Olivier Francois Marc Colard. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Synthetic single crystal diamond and method for producing same

Номер патента: EP4357491A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Large single crystal diamond and a method of producing the same

Номер патента: SG11201909576XA. Автор: Devi Misra. Владелец: Sunset Peak International Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Electronic device grade single crystal diamonds and method of producing the same

Номер патента: US20160201221A1. Автор: Devi Shanker Misra,Alvarado TARUN. Владелец: IIA Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Single crystal diamond, manufacturing method for same, and manufacturing method for single crystal diamond plate

Номер патента: EP4317543A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Large single crystal diamond and a method of producing the same

Номер патента: WO2018199845A1. Автор: Devi Shanker Misra. Владелец: IIA Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Large single crystal diamond and a method of producing the same

Номер патента: US20200199778A1. Автор: Devi Shanker Misra. Владелец: IIA Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Single-crystal diamond, method of manufacturing the same, and method of manufacturing single-crystal diamond plate

Номер патента: US20240183070A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Ultratough cvd single crystal diamond and three dimensional growth thereof

Номер патента: CA2589299C. Автор: Russell J. Hemley,Ho-Kwang Mao,Chih-shiue Yan. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2014-04-01.

Synthetic single-crystal diamond and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4174222A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Synthetic single crystal diamond and method for manufacturing same

Номер патента: US20230219818A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Nitrogen containing single crystal diamond materials optimized for magnetometry applications

Номер патента: EP3394322A1. Автор: Gregory Scott Bruce,Wilbur Lew,Matthew Lee Markham,Harpreet Kaur Dhillon,Alastair Douglas Stacey,Andrew Mark EDMONDS. Владелец: Element Six Technologies US Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Cvd single crystal diamond

Номер патента: EP4419741A1. Автор: Daniel James Twitchen,Stephanie Liggins,Douglas John GEEKIE,William Joseph Hillman,Benjamin Simon Truscott. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US11821107B2. Автор: Matthew Lee Markham,Andrew Mark EDMONDS,Pierre-Olivier Francois Marc Colard. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Single crystal synthetic diamond material

Номер патента: EP3947786A1. Автор: Matthew Lee Markham,Andrew Mark EDMONDS,Pierre-Olivier Francois Marc Colard. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Single crystal synthetic diamond material

Номер патента: WO2020201208A1. Автор: Matthew Lee Markham,Andrew Mark EDMONDS,Pierre-Olivier Francois Marc Colard. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2020-10-08.

Single crystal diamond component and method for producing

Номер патента: EP4367299A1. Автор: Matthew Lee Markham,Jonathan Newland. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

New single crystal diamond dosimeter and use thereof

Номер патента: US20160077222A1. Автор: Michal Pomorski,Dominique Tromson,Nicolas TRANCHANT,Fanny MARSOLAT. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-03-17.

Method for making fancy pale blue or fancy pale blue/green single crystal cvd diamond and product obtained

Номер патента: CA2765808C. Автор: Daniel James Twitchen,Sarah Louise Geoghegan,Neil Perkins. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2013-07-30.

Single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US20240060210A1. Автор: Matthew Lee Markham,Andrew Mark EDMONDS,Pierre-Olivier Francois Marc Colard. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Single crystal diamond prepared by cvd

Номер патента: IL153380A. Автор: . Владелец: Element Six Pty Ltd. Дата публикации: 2006-08-20.

Single crystal diamond and method for producing same

Номер патента: EP4317542A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Single-crystal diamond and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240175166A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Synthetic single crystal diamond, tool equipped with same, and synthetic single crystal diamond production method

Номер патента: EP4067540A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Ryo Toyoshima,Issei Satoh,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

Synthetic single crystal diamond and method for producing same

Номер патента: US20230383436A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for producing single crystal sic

Номер патента: RU2761199C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Александр Владимирович Марков,Наталья Владимировна Андреева,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2021-12-06.

Single crystal quartz chips for protein crystallization and X-ray diffraction data collection and related methods

Номер патента: US09632042B2. Автор: ZHONG Ren. Владелец: Renz Research Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for producing SiC single crystals by control of an angle formed by the meniscus and the side face of the seed crystal and production device for the method

Номер патента: US09631295B2. Автор: Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for preparing a charge for growing fluoride single crystals

Номер патента: RU2747503C1. Автор: Степан Эрвандович Саркисов,Валентин Александрович Юсим. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2021-05-05.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Growth method for single crystals of magnesium aluminate spinel by edge-defined film-fed growth technique

Номер патента: US20240200225A1. Автор: Xiaoliang Wang,Haili Wang,Cunxin Huang,Muyun Lei. Владелец: Sinoma Synthetic Crystals Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Thin Plate-Shaped Single-Crystal Production Equipment and Thin Plate-Shaped Single-Crystal Production Method

Номер патента: US20240352614A1. Автор: Isamu Shindo. Владелец: Crystal Systems Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

SiC single-crystal ingot, SiC single crystal, and production method for same

Номер патента: US09732436B2. Автор: Takayuki Shirai,Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for calculating a height position of silicon melt surface, method for pulling silicon single crystal, and silicon single crystal pulling apparatus

Номер патента: US09587325B2. Автор: Naoki Masuda,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method and apparatus for producing a single crystal

Номер патента: US09422634B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Johann Landrichinger,Georg Raming,Josef Lobmeyer,Gundars Ratnieks,Alfred Holzinger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-08-23.

Production method for a low-dislocation bulk aln single crystal and low-dislocation monocrystalline aln substrate

Номер патента: US20100255305A1. Автор: Thomas Straubinger,Ralph-Uwe Barz. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2010-10-07.

Method for producing silicon ingot single crystal

Номер патента: US20230160095A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Magnesium oxide single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20090053131A1. Автор: Yoshifumi Kawaguchi,Masaaki Kunishige,Atsuo Toutsuka. Владелец: TATEHO CHENMICAL Ind Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Method and Apparatus for Single Crystal Growth, and Single Crystal

Номер патента: US20240247403A1. Автор: Chun-Hung Chen,Shuangli WANG,Chenguang Sun. Владелец: XUZHOU XINJING SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Single crystal pulling apparatus and droppage preventing device

Номер патента: US6077347A. Автор: Kazuhiro Mimura,Hiroshi Yoshinada,Naritoshi Ohtsukasa. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120073495A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Crystal Puller and Method for Pulling Single-Crystal Silicon Ingot, and Single-Crystal Silicon Ingot

Номер патента: US20240271317A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus for producing single crystals and method for producing single crystals

Номер патента: US20020005160A1. Автор: Kouji Kitagawa,Kouji Mizuishi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Process and apparatus for producing an oxide single crystal

Номер патента: US20020007780A1. Автор: Minoru Imaeda,Katsuhiro Imai,Toshihisa Yokoyama,Ken-Ichi Noda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2002-01-24.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4148167A1. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

SiC single crystal manufacturing apparatus and SiC single crystal manufacturing method

Номер патента: US11306412B2. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-04-19.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US12071709B2. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of Preparing Nanostructured Single Crystal Silver

Номер патента: US20150128848A1. Автор: Lei Wang,Fei Wang,Jie Zhou,Hong Zhao,Binyuan Zhao,Yijian Lai,Yuesheng Ning. Владелец: SHANGHAI SWITCHDIY DIGITAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20060107889A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20080038179A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of producing sic single crystal

Номер патента: US20110315073A1. Автор: Yasuyuki Fujiwara,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Process for producing a planar body of an oxide single crystal

Номер патента: US20010020436A1. Автор: Minoru Imaeda,Akihiko Honda,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Method of producing SiC single crystal

Номер патента: US9080254B2. Автор: Yasuyuki Fujiwara,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Crystal pulling process for single-crystal silicon

Номер патента: AU2022205729A9. Автор: Qian Jin,Hao Deng,Zhiyan XIE. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Single crystal production apparatus and single crystal production method

Номер патента: US09970124B2. Автор: Shin Akutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for growing B-Ga2O3-based single crystal

Номер патента: US09926646B2. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Kimiyoshi KOSHI,Daiki Wakimoto,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal, and beta-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915009B2. Автор: Shinya Watanabe,Kimiyoshi KOSHI. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09777399B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Single-crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing single crystal

Номер патента: US09738989B2. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for forming a single crystal by spraying the raw material onto a seed substrate

Номер патента: US09663871B2. Автор: Tsutomu Nanataki,Nobuyuki Kobayashi,Koichi Kondo,Jun Yoshikawa,Kazuki Maeda,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

SiC single crystal ingot and production method therefor

Номер патента: US09523156B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09476142B2. Автор: Nobuaki Mitamura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and apparatus for preparing single crystal cladding

Номер патента: EP4361114A1. Автор: Yu Wang,Peng GU,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Reactor for extended duration growth of gallium containing single crystals

Номер патента: US20030221619A1. Автор: Yuri Melnik,Vladimir Dmitriev,Vitali Soukhoveev,Vladimir Ivantsov,Katie Tsvetkov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Method and device for manufacturing silicon carbide single-crystal

Номер патента: US20130239881A1. Автор: Shin Harada,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20240110309A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of pulling up silicon single crystal and method of manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: US20020000189A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20180187328A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-07-05.

Single crystal of silicon with <100> orientation, which is doped with n-type dopant, and method for producing such a single crystal

Номер патента: US20200270764A1. Автор: Jochen Friedrich,Georg Raming,Alfred Miller,Matthias Daniel,Ludwig STOCKMEIER. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for producing si ingot single crystal, si ingot single crystal, and apparatus thereof

Номер патента: US20210363656A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for producing Si ingot single crystal, Si ingot single crystal, and apparatus thereof

Номер патента: US12037696B2. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

SiC single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US11761113B2. Автор: Kotaro Ishita. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semi-insulating bulk zinc oxide single crystal

Номер патента: US20040055526A1. Автор: William Nemeth,Jeff Nause. Владелец: Cermet Inc. Дата публикации: 2004-03-25.

Method for the production of single crystals

Номер патента: US3634033A. Автор: Bernard J Sturm,Charles T Butler. Владелец: US Atomic Energy Commission (AEC). Дата публикации: 1972-01-11.

Process for the manufacture of doped semiconductor single crystals, and III-V semiconductor single crystal

Номер патента: US20070012238A1. Автор: Stefan Eichler,Thomas Bünger,Ulrich Kretzer. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2007-01-18.

Single crystal production method

Номер патента: US20030089301A1. Автор: Wataru Ohashi,Teruyuki Tamaki,Yutaka Kishida,Seiki Takebayashi. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone

Номер патента: US9932691B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Growth of semiconductor single crystals

Номер патента: US6294017B1. Автор: Donald Thomas James Hurle,Gordon Charles Joyce,Kathryn Elizabeth Mckell. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 2001-09-25.

Method for pulling a single crystal composed of semiconductor material from a melt contained in a crucible

Номер патента: US20190345630A1. Автор: Walter Heuwieser,Thomas Schroeck. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US20240263342A1. Автор: Hirotaka Takahashi,Suguru Matsumoto,Kosei Sugawara,Takahide Onai. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and a waveguide polarization mode converter using the same

Номер патента: WO2001075195A3. Автор: Miguel Levy,Richard M Osgood Jr,Antonije M Radojevic. Владелец: Antonije M Radojevic. Дата публикации: 2002-02-28.

A Silicon Single Crystal Ingot and Wafer, Growing Apparatus and Method Therof

Номер патента: US20070022943A1. Автор: Hyon-Jong Cho,Hong Lee,Young Ho Hong,Man Kwak,III-Soo Choi. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Sic single-crystal growth apparatus

Номер патента: US20240295047A1. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: SEC Carbon Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Single-crystal X-ray structure analysis apparatus and method, and sample holder unit therefor

Номер патента: US12092593B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for pulling a single crystal composed of silicon from a melt contained in a crucible, and single crystal produced thereby

Номер патента: US09988739B2. Автор: Martin Weber,Erich Gmeilbauer,Robert Vorbuchner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for growing a silicon single crystal while suppressing a generation of slip dislocations in a tail portion

Номер патента: US09988736B2. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US09976229B2. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of making a sapphire component including machining a sapphire single crystal

Номер патента: US09963800B2. Автор: Steven Anthony Zanella,John Walter Locher,Ralph Lampson Maclean, Jr.,Herbert Ellsworth Bates. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

High transmittance single crystal YAP scintillators

Номер патента: US09958555B2. Автор: Jan KUBÁT,Tomas Marek,Jan Polak,Martin Klejch. Владелец: CRYTUR. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for cultivating β-Ga2O3-based single crystal, and β-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915010B2. Автор: Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

SiC single crystal and production method thereof

Номер патента: US09856582B2. Автор: Takeshi Suzuki,Yoshiyuki Yonezawa,Mina RYO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for producing single crystal

Номер патента: US09777400B2. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Manufacturing method of silicon single crystal having low-resistivity electrical characteristics

Номер патента: US09758899B2. Автор: Tomohiro Fukuda. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Growth of metal oxide single crystals from alkaline-earth metal fluxes

Номер патента: US09708728B1. Автор: Theo Siegrist,Jeffrey Brian Whalen. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for producing an n-type SiC single crystal from a Si—C solution comprising a nitride

Номер патента: US09702057B2. Автор: Takayuki Shirai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of production of sic single crystal

Номер патента: US09587327B2. Автор: Yoichiro Kawai,Akinori Seki,Katsunori Danno,Hiroaki Saitoh. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

High transmittance single crystal YAP scintillators

Номер патента: US09541669B2. Автор: Jan KUBÁT,Tomas Marek,Jan Polak,Martin Klejch. Владелец: CRYTUR. Дата публикации: 2017-01-10.

Seed crystal for SiC single-crystal growth, SiC single crystal, and method of manufacturing the SiC single crystal

Номер патента: US09534317B2. Автор: Akihiro Matsuse,Yasushi Urakami,Keisuke SHIGETOH,Itaru Gunjishima. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for the preparation of doped garnet structure single crystals with diameters of up to 500 mm

Номер патента: US09499923B2. Автор: Jind{hacek over (r)}ich Hou{hacek over (z)}vi{hacek over (c)}ka,Karel Barto{hacek over (s)}. Владелец: Crytur sro. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of producing GaAs single crystal and GaAs single crystal wafer

Номер патента: US09469916B2. Автор: Ryoichi Nakamura,Motoichi Murakami,Takehiro Miyaji. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Sintered body from alpha-alumina for producing sapphire single crystal

Номер патента: RU2579596C2. Автор: Хиротака ОЗАКИ,Синдзи ФУДЗИВАРА. Владелец: Сумитомо Кемикал Компани, Лимитед. Дата публикации: 2016-04-10.

Device and method for producing tubular single crystals

Номер патента: EP3805436A1. Автор: Masatoshi Harada,Ichiro SAKANO,Akeo Fukui. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Non-dash neck method for single crystal silicon growth

Номер патента: EP1012357A1. Автор: Kyong-Min Kim,Sadasivam Chandrasekhar. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2000-06-28.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US20140238292A1. Автор: Atsushi Iwasaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for evaluating degree of crystal orientation in polycrystalline silicon, selection method for polycrystalline silicon rods, and production method for single-crystal silicon

Номер патента: US20150047554A1. Автор: Shigeyoshi Netsu,Junichi Okada,Shuichi Miyao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20150023862A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Yuji Kagamitani,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-01-22.

Methods for producing off-orientation single crystal silicon wafers

Номер патента: US20240218557A1. Автор: Peter Albrecht,Carlo Zavattari,Maria Porrini,Michael RAFFEINER,Pietro Valcozzena,Fabrizio BONDA,Paolo Delpero,Massimo Gariddi,Patrizio Pregnolato. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of Fixing Polarization-Reversed Region Formed in Ferroelectric Single Crystal and Optical Element Using the Same

Номер патента: US20090231703A1. Автор: Kenji Kitamura,Xiaoyan Liu,Kazuya Terabe,Shunji Takekawa,Shunichi Hishita. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2009-09-17.

Si ingot single crystal

Номер патента: US20230304185A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus for producing Si ingot single crystal

Номер патента: US12037697B2. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Silicon single crystal produced by crucible-free float zone pulling

Номер патента: US20030024469A1. Автор: Ludwig Altmannshofer,Janis Virbulis,Manfred Grundner. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2003-02-06.

Heat leakage prevention device and single crystal furnace system

Номер патента: US20240247401A1. Автор: Xiaodong Li,Lei AN. Владелец: TCL Zhonghuan Renewable Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Heat shield structure for single crystal production furnace and single crystal production furnace

Номер патента: US20220002898A1. Автор: ZHAN Li,Tao Wei,XING Wei,Yun Liu,Minghao LI,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for producing silicon carbide single crystal in a solution process using a seed crystal having a bottom face with a circular shape and at least a partially removed section

Номер патента: US10260167B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160340796A1. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Self-Coated Single Crystal, And Production Apparatus And Process Therefor

Номер патента: US20080008438A1. Автор: Tsuguo Fukuda,Akira Yoshikawa,Yuji Kagamitani. Владелец: Tohoku Techno Arch Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Method for manufacturing diamond single crystal substrate, and diamond single crystal substrate

Номер патента: US20060216220A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

High-Purity Tellurium Dioxide Single Crystal and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120070366A1. Автор: Yong Zhu,Zengwei Ge,Guoging Wu,Xueji Yin,Linyao Tang,Hanbin Zhao,Lizhen Gu. Владелец: RESEARCH AND DEVELOPEMENT CENTER SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS. Дата публикации: 2012-03-22.

Method of single crystal growth by controlling the heating of a source material and the cooling of a backside of a lid

Номер патента: US11718926B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Optical element made from fluoride single crystal, method for manufacturing optical element, method for calculating birefringence of optical element and method for determining direction of minimum birefringence of optical element

Номер патента: US20010024314A1. Автор: Shigeru Sakuma,Shuuichi Takano. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Device having a foil-lined crucible for the sublimation growth of an SiC single crystal

Номер патента: US20020096108A1. Автор: Rene Stein,Harald Kuhn,Johannes Voelkl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-07-25.

Method For Growing Single-Crystal Silicon Ingots and Single-Crystal Silicon Ingots

Номер патента: US20240263351A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Barium titanate single crystal and preparation method thereof

Номер патента: US20080200327A1. Автор: Wei-Hsing Tuan,Yung-Ching Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-21.

Single crystal growing apparatus

Номер патента: US20070131162A1. Автор: Hiroshi Nishimura,Shinichi Ikeda,Yoshiyuki Yoshida,Shigeo Hara,Toru Nagasawa,Naoki Shirakawa,Ichirou Nagai,Norio Umeyama,Ryusuke Iwasaki,Hiroshi Eisaki. Владелец: NATIONAL INST OF ADV INDUSTRIAL SCI AND Technology. Дата публикации: 2007-06-14.

Optical element made from fluoride single crystal and method for manufacturing the optical element

Номер патента: EP1271185A3. Автор: Shigeru Nikon Corp. Sakuma (Intell. Prop. HQ.),Shuuichi Nikon Corp. Takano (Intell. Prop. HQ.). Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-07-02.

Crystal growing device and method of manufacturing single crystal

Номер патента: EP1143040A4. Автор: Tetsuya Yamamoto,Hiroshi Maeda,Ryuichi Hirano,Yoshiaki Kubota,Akira Hichiwa. Владелец: Hirochiku Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-12.

Crystal growing device and method of manufacturing single crystal

Номер патента: EP1143040B1. Автор: Ryuichi NIKKO MATERIALS CO. LTD. HIRANO,Hiroshi Nikko Materials Co. Ltd. MAEDA,Tetsuya Nikko Materials Co. Ltd. YAMAMOTO,Akira Nikko Materials Co. Ltd. HICHIWA,Yoshiaki Hirohata Furnace Co. Ltd. KUBOTA. Владелец: Hirochiku Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-27.

Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same

Номер патента: EP1540048A1. Автор: Naoki c/o Showa Denko K.K. OYANAGI,Yasuyuki c/o Showa Denko K.K. SAKAGUCHI,Atsushi c/o Showa Denko K.K. TAKAGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-06-15.

Silicon carbide single crystal wafer and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: EP4411030A1. Автор: Tomonori Umezaki,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Single-crystal silicon carbide wafer, single-crystal silicon carbide ingot, and single-crystal silicon carbide production method

Номер патента: EP4411029A1. Автор: Tomonori Umezaki,Gaku KONO,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Process for the manufacture of doped semiconductor single crystals, and III-V semiconductor single crystal

Номер патента: US7410540B2. Автор: Stefan Eichler,Thomas Bünger,Ulrich Kretzer. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2008-08-12.

Reduction of carbon inclusions in sublimation grown SiC single crystals

Номер патента: US20080115719A1. Автор: Avinash K. Gupta,Edward Semenas,Ilya Zwieback. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20240328029A1. Автор: Keisuke Mihara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09982365B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Katsunori Danno. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of producing silicon single crystal

Номер патента: US09938634B2. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Junya Tokue. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone

Номер патента: US09932691B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatus for producing SiC single crystals and method of producing SiC single crystals using said production apparatus

Номер патента: US09896778B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Silicon carbide powder and method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09816200B2. Автор: Masakazu Suzuki,Hideaki Tanaka,Tomohisa Kato,Kiyoshi Nonaka,Kenta Masuda,Kouki Ichitsubo. Владелец: Taiheiyo Cement Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of producing semiconductor single crystal

Номер патента: US09797068B2. Автор: Takashi Sakurada,Tomohiro Kawase,Yoshiaki Hagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

SiC single crystal manufacturing method using alternating states of supersaturation

Номер патента: US09624599B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for growing a bulk single crystal nitride material

Номер патента: US09611564B2. Автор: Guoyi Zhang,Jiao Chen,Zhiwen LIANG,Nanliu LIU. Владелец: Dongguan Institute of Opto Electronics Peking University. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for manufacturing N-type SiC single crystal by solution growth using a mixed gas atmosphere

Номер патента: US09512540B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Katsunori Danno,Kouji Moriguchi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

System of controlling diameter of single crystal ingot and single crystal ingot growing apparatus including the same

Номер патента: US09422637B2. Автор: Young-Ho Hong,Yo-Han Jung,Se-Geun Ha. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20180100247A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: EP3548651A1. Автор: Daniel James Twitchen,Harpreet Kaur Dhillon,Rizwan Uddin Ahmad Khan. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-10-09.

Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: US20210115590A1. Автор: Daniel James Twitchen,Harpreet Kaur Dhillon,Rizwan Uddin Ahmad Khan. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: MY194193A. Автор: Daniel James Twitchen,Harpreet Kaur Dhillon,Rizwan Uddin Ahmad Khan. Владелец: Element Six Tech Ltd. Дата публикации: 2022-11-19.

Die for efg-based single crystal growth, efg-based single crystal growth method, and efg single crystal

Номер патента: US20210017668A1. Автор: Minoru Fujita,Jun Hirabayashi,Makio Kondo,Katsumi Kawasaki,Daisuke Inokuchi,Jun Arima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20140123901A1. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Single crystal production apparatus and single crystal production method

Номер патента: US20130276693A1. Автор: Atsushi Iwasaki,Susumu Sonokawa,Shinobu Takeyasu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for producing barium titanium oxide single-crystal piece using containerless processing

Номер патента: US7544245B2. Автор: Takehiko Ishikawa,Shinichi Yoda,Kentei Yono,Paul-Francois Paradis. Владелец: Japan Aerospace Exploration Agency JAXA. Дата публикации: 2009-06-09.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: US20240068129A1. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for harvesting single crystals from a peritectic melt

Номер патента: WO1996021756A1. Автор: Donglu Shi,Suvankar Sengupta,Volker R. Todt. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 1996-07-18.

Method and Apparatus for Reducing Impurities in a Single Crystal Based on Ingot Length

Номер патента: US20140102357A1. Автор: Keith Ritter. Владелец: Siemens Medical Solutions USA Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Production method and growth arrangement for producing bulk sic single crystal

Номер патента: US20200263318A1. Автор: Ralf Mueller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Arnd-Dietrich Weber. Владелец: Si Crystal GmbH. Дата публикации: 2020-08-20.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: AU2021414416A1. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2023-08-17.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414480A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

Process for producing amorphous material containing single crystal or polycrystal and material produced

Номер патента: US20010019014A1. Автор: Yoshinori Kubota,Natsuya Nishimura. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Method for growing a GaN single crystal film on a buffer layer on a ScAlMgO4 substrate and performing cooling so that the GaN film is peeled from the ScAlMgO4 substrate

Номер патента: US12065755B2. Автор: Haitao Zhang,Bin Xu,Bo PANG,Lianghong Liu. Владелец: Wuxi Wuyue Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus for manufacturing a single crystal by the Czochralski method comprising a cooling cylinder with an auxiliary cooling cylinder fitted inside the cooling cylinder

Номер патента: US12071704B2. Автор: Atsushi Okai,Kazuya Yanase. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Apparatus for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2107138A3. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-08-04.

Method for Producing Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot and Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot

Номер патента: US20240287704A1. Автор: Yang Li,Xun Lan. Владелец: Xi’ An Eswin Material Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-29.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: AU2021414416B2. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Process for Preparing Barium Titanate Single Crystals

Номер патента: CA2079936A1. Автор: Osamu Nakao,Kazuhiko Tomomatsu,Haruo Tominaga,Akihito Kurosaka,Shoji Ajimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-04-09.

Vapor controlled czochralski (VCZ) single crystal growth apparatus

Номер патента: US20020144648A1. Автор: Yonghong Wang,Fengyi Zhang,Ping Song,Hailing Tu,Jiayu Qian. Владелец: Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals. Дата публикации: 2002-10-10.

Vapor controlled czochralski (VCZ) single crystal growth apparatus

Номер патента: US6720509B2. Автор: Yonghong Wang,Fengyi Zhang,Ping Song,Hailing Tu,Jiayu Qian. Владелец: Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals. Дата публикации: 2004-04-13.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414481A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: US11060204B2. Автор: Daniel James Twitchen,Harpreet Kaur Dhillon,Rizwan Uddin Ahmad Khan. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263346A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

High quality single crystal and method of growing the same

Номер патента: US20060096526A1. Автор: Hyon-Jong Cho. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Apparatus for pulling single crystal by CZ method

Номер патента: US20070256625A1. Автор: Shigeo Morimoto,Shigeki Kawashima,Hiroshi Inagaki,Kentaro Nakamura,Tadayuki Hanamoto,Toshirou Kotooka,Yoshinobu Hiraishi,Toshiaki Saishoji,Hiroshi Monden,Kengo Hayashi,Daisuke Ebi,Makoto Kamogawa,Tadashi Hata. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Apparatus for pulling single crystal by CZ method

Номер патента: US20090173272A1. Автор: Shigeo Morimoto,Shigeki Kawashima,Hiroshi Inagaki,Kentaro Nakamura,Tadayuki Hanamoto,Toshirou Kotooka,Yoshinobu Hiraishi,Toshiaki Saishoji,Hiroshi Monden,Kengo Hayashi,Daisuke Ebi,Makoto Kamogawa,Tadashi Hata. Владелец: Komatsu Denshi Kinzouku KK. Дата публикации: 2009-07-09.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263347A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: AU2021414416A9. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods of growing single crystal ingots using susceptor assembly with sacrifice ring

Номер патента: US20240309543A1. Автор: Chen-Yi Lin,Chun-Sheng Wu,Wei-Chen Chou,Benjamin Michael Meyer,Feng-Chien TSAI,Hong-Huei Huang. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240337044A1. Автор: Takeshi Okamoto,Nobuyuki Oya,Akiyoshi HORIAI. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for preparing single crystal, and silicon crystal

Номер патента: EP4459013A1. Автор: Wei Wu,Chun-Hung Chen,Shuangli WANG. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Cylinder assembly for improving region of defect-free growth of crystal ingot for single crystal pulling apparatus and single crystal pulling apparatus

Номер патента: US12116693B2. Автор: Wenwu Yang,Bokcheol Sim. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Single-crystal X-ray structure analysis apparatus, and method therefor

Номер патента: US12105034B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Indium phosphide single-crystal body and indium phosphide single-crystal substrate

Номер патента: US12091773B2. Автор: Katsushi Hashio,Takuya Yanagisawa,Kazuaki KONOIKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Single crystal production apparatus

Номер патента: US09982366B2. Автор: Nobuhira Abe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US09959611B2. Автор: Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for producing SiC single crystal substrate in which a Cr surface impurity is removed using hydrochloric acid

Номер патента: US09873955B2. Автор: Akinori Seki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09845549B2. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Pr-containing scintillator single crystal, method of manufacturing the same, radiation detector, and inspection apparatus

Номер патента: US09834858B2. Автор: Tsuguo Fukuda,Kenji Aoki,Akira Yoshikawa,Kei Kamada,Hiraku Ogino. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for producing zinc oxide single crystal

Номер патента: US09816198B2. Автор: Jun Yoshikawa,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Crucible for growing sapphire single crystal, and method for producing crucible for growing sapphire single crystal

Номер патента: US09803291B2. Автор: Makoto Watanabe,Masahiro Katoh. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US09644286B2. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09499924B2. Автор: Akihiro Kimura,Kiyotaka Takano,Junya Tokue. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Single crystal production apparatus and single crystal production method having pedestal with grooves

Номер патента: US09422635B2. Автор: Atsushi Iwasaki,Susumu Sonokawa,Shinobu Takeyasu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Single crystal ingot, apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US09534314B2. Автор: Yong Jin Kim,Jin Woo Ahn,Il Soo CHOI,Hak Eui Wang. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Single-crystal spinel plate

Номер патента: RU2335582C2. Автор: Милэн КОКТА,Дженнифер СТОУН-САНДБЕРГ,Ханг ОНГ,Роберт СИНК. Владелец: Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.. Дата публикации: 2008-10-10.

Device for growing of protein single crystals

Номер патента: RU2040595C1. Автор: В.Н. Кузнецов,Г.А. Простова,О.В. Митичкин,В.Я. Другов. Владелец: Головное конструкторское бюро научно-производственного объединения &#34;Энергия&#34; им.акад.С.П.Королева. Дата публикации: 1995-07-25.

Nonlinearly optical crystal of strontium berillatoborate, method of growing of nonlinarly optical single crystals of strontium berillatoborate and nonlinearly optical device

Номер патента: RU2112089C1. Автор: Cn],Чен Чуангтиан,Ву Байчанг,Ванг Ебин,Зенг Венронг,Ю. Линхуа,Зоу Кун. Владелец: Фуджиан Инститьют оф Рисерч он те Стракчер оф Мэтер, Чайниз Акэдеми оф Сайенсиз. Дата публикации: 1998-05-27.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20220213617A1. Автор: Rimpei Kindaichi,Nobutoshi SUDOH. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-07-07.

Crystal holding mechanism of single crystal pulling device and method for producing single crystal ingot

Номер патента: US20130319318A1. Автор: Ayumi Suda,Takuya Yotsui. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Single crystal production apparatus and single crystal production method

Номер патента: US20190177874A1. Автор: Shin Akutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-13.

Quartz crucible for growing silicon single crystal, method of manufacturing quartz crucible for growing silicon single crystal and method of manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20130276694A1. Автор: Hidetoshi Utsuro,Masafumi Okamoto,Naoya Ryoki,Ryo Kuwabara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Silver thiogallate single crystal layers epitaxially grown from potassium chloride-silver thiogallate solution

Номер патента: WO1985005135A1. Автор: Anthony L. Gentile,Sanat R. Sashital,Robert L. Joyce. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1985-11-21.

Method for growing beta phase of gallium oxide (beta-ga2o3) single crystals from the melt contained within a metal crucible

Номер патента: EP3242965A1. Автор: Zbigniew GALAZKA,Reinhard Uecker,Matthias Bickermann,Detlef Klimm. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2017-11-15.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal, faraday rotator, optical isolator, and method for producing bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal

Номер патента: US12012668B2. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Single crystal growth crucible and single crystal production device

Номер патента: US20200407872A1. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-12-31.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal, faraday rotator, optical isolator, and method for producing bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal

Номер патента: EP4141150A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Feed rod for growing magnetic single crystal, magnetic single crystal, and method of producing a magnetic single crystal

Номер патента: US20030041797A1. Автор: Mikio Geho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Single crystal silicon ingots having doped axial regions with different resistivity and methods for producing such ingots

Номер патента: WO2018063967A1. Автор: Soubir Basak,Salvador Zepeda. Владелец: Corner Star Limited. Дата публикации: 2018-04-05.

Hydrothermal method for growth of alkaline earth metal stannate bulk single crystals and crystals formed thereby

Номер патента: US11840772B2. Автор: Joseph W. Kolis,Colin D. McMillen,Rylan J. Terry. Владелец: Clemson University Research Foundation (CURF). Дата публикации: 2023-12-12.

Open czochralski furnace for single crystal growth

Номер патента: US20210180207A1. Автор: Yu Wang,Weiming Guan,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Open czochralski furnace for single crystal growth

Номер патента: US20210054524A1. Автор: Yu Wang,Weiming Guan,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Silicon carbide single crystal wafer, and methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and the silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20210108334A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Solid solution material of rare earth element fluoride (polycrystal and single crystal), and method for preparation thereof, and radiation detector and test device

Номер патента: EP1754808A4. Автор: Tsuguo Fukuda,Kenji Aoki,Akira Yoshikawa,Kei Kamada,Tomohiko Satonaga. Владелец: Stella Chemifa Corp. Дата публикации: 2009-06-17.

Single crystal production apparatus and single crystal production method

Номер патента: US11028497B2. Автор: Shin Akutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-08.

Production of bulk single crystals of silicon carbide

Номер патента: EP1129238A2. Автор: Charles Eric Hunter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2001-09-05.

Production of bulk single crystals of silicon carbide

Номер патента: AU1106600A. Автор: Charles Eric Hunter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2000-05-01.

Semiconductor single-crystal lift device

Номер патента: US5868836A. Автор: Shigeki Nakamura,Koichi Shimomura,Teruhiko Uchiyama. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-09.

Diamond single crystal substrate

Номер патента: EP1591565A1. Автор: Kiichi Itami Works Meguro,Yoshiyuki Itami Works Yamamoto,Takahiro Itami Works Imai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-11-02.

Stripping Method and Stripping Device for Silicon Carbide Single Crystal Wafers

Номер патента: US20230076324A1. Автор: Rong Wang,Deren Yang,Wenhao Geng,Xiaodong Pi. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-03-09.

Hydrothermal method for growth of alkaline earth metal stannate bulk single crystals and crystals formed thereby

Номер патента: US20220235488A1. Автор: Joseph W. Kolis,Colin D. McMillen,Rylan J. Terry. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2022-07-28.

Interply hybrid composite based single crystal alpha-aluminium oxide fiber and preparation method therefor

Номер патента: US20190352820A1. Автор: Zhen He,Shishan Ji,Qing Ma,Yan Liu,Renchen Liu,Zuoyu Shi. Владелец: Tsinghua Innovation Center in Dongguan. Дата публикации: 2019-11-21.

PRODUCTION METHOD OF SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20170009373A1. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Graded tip cuprous oxide single crystal material and preparation method and application thereof

Номер патента: US20240263338A1. Автор: Jun Chen,Huan WANG,Jinhan LI,Haixia Li,Zhenhua YAN,Fangyi CHENG. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for producing quartz glass crucible for use in pulling silicon single crystal and quartz glass crucible produced by said method

Номер патента: EP1601823A1. Автор: Hiroshi Matsui,Yasuo Ohama. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-12-07.

High-purity vitreous silica crucible used for pulling large-diameter single-crystal silicon ingot

Номер патента: US8888915B2. Автор: Tadahiro Sato. Владелец: Japan Super Quartz Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Apparatus for pulling single crystal

Номер патента: US20060021567A1. Автор: Kenji Okita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Systems and methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant

Номер патента: US20240309541A1. Автор: Richard J. Phillips,James Dean Eoff,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation System And Method Of Growing At Least One Single Crystal

Номер патента: US20240309546A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal of a semiconductor material

Номер патента: EP4431644A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Sublimation System and Method of Growing at Least One Single Crystal of a Semiconductor Material

Номер патента: US20240309545A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal

Номер патента: EP4431643A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for inspecting for surface defects on a cast part made of single-crystal metal and system for implementing same

Номер патента: US20240310294A1. Автор: Franck Michaud. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for producing a silicon single crystal doped with nitrogen and having a controlled amount of carbon impurities

Номер патента: US12084788B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus for pulling single crystal

Номер патента: US12084785B2. Автор: Shingo Narimatsu. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

BETA-Ga2O3 SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20170152610A1. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui,Yu Yamaoka. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Self-healing method for fractured SiC single crystal nanowires

Номер патента: US10942099B2. Автор: Zhenyu Zhang,Junfeng Cui,Yuefeng DU,Dongming GUO. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2021-03-09.

Heat treatment method and heat treatment device for single crystal sapphire

Номер патента: US09988741B2. Автор: Sung Hwan Moon,Hee Choon Lee,Yi Sik Choi,Gye Won Jang,Bok Kee Na. Владелец: Sapphire Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Production method of SiC single crystal

Номер патента: US09920449B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Low resistivity single crystal silicon carbide wafer

Номер патента: US09915011B2. Автор: Noboru Ohtani,Tatsuo Fujimoto,Hirokatsu Yashiro,Masakazu Katsuno,Masashi Nakabayashi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Silicon single crystal pulling apparatus comprising a vertically movable supporting member holding the heater and shield

Номер патента: US09869034B2. Автор: Atsushi Iwasaki,Shinobu Takeyasu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US09863060B2. Автор: Atsushi Iwasaki,Shou Takashima,Yuuichi Miyahara,Yasuhiko Sawazaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing single crystal

Номер патента: US09816199B2. Автор: Ken Hamada,Keiichi Takanashi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Silicon single crystal growing apparatus and method for growing silicon single crystal

Номер патента: US09783912B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Crystal holding mechanism of single crystal pulling device and method for producing single crystal ingot

Номер патента: US09593433B2. Автор: Ayumi Suda,Takuya Yotsui. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Biocompatible copper-based single-crystal shape memory alloys

Номер патента: US09539372B2. Автор: Alfred David Johnson. Владелец: Ormco Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method and apparatus for producing single crystals composed of semiconductor material

Номер патента: US09422636B2. Автор: Joerg Fischer,Helge Riemann,Matthias Renner,Nikolai V. Abrosimov. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2016-08-23.

Single crystal silicon pulling silica container and manufacturing method thereof

Номер патента: US09382640B2. Автор: Shigeru Yamagata. Владелец: Shin Etsu Quartz Products Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Quartz glass crucible, method for producing the same, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US09376336B2. Автор: Akihiro Kimura,Izumi Fusegawa,Katsuhiko Miki,Suguru Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for cd1-xznxte single crystals growing, where 0≤x≤1, for inoculation at high pressure of inert gas

Номер патента: RU2633899C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;КристалсНорд&#34;. Дата публикации: 2017-10-19.

Single crystal, method for producing same, optical insulator and optical processor using same

Номер патента: RU2527082C2. Автор: Кийоси СИМАМУРА,Виллора Энкарнасион Антония ГАРСИА,Кадзуо САНАДА. Владелец: Нэшнл Инститьют Фор Матириалз Сайенс. Дата публикации: 2014-08-27.

Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries

Номер патента: RU2749534C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Ольга Леонидовна Семерикова,Алексей Алексеевич Трофимов,Сергей Викторович Вакарин,Александр Валерьевич Косов,Александр Алексеевич Панкратов,Анастасия Максимовна Леонова,Наталия Максимовна Леонова,Диана Михайловна Солодянкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-06-11.

Inorganic single-crystal scintillator

Номер патента: RU2613057C1. Автор: Ахмедали Амиралы оглы Гасанов,Алексей Дмитриевич Орлов,Виктор Викторович Кедров,Семен Залманович Шмурак,Елена Львовна Чувилина,Николай Владимирович Классен. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2017-03-15.

Method for producing group III nitride single crystal

Номер патента: US9234299B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

Thin plate-shaped single-crystal production equipment and thin plate-shaped single-crystal production method

Номер патента: US11939696B2. Автор: Isamu Shindo. Владелец: Crystal Systems Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for producing silicon carbide single-crystal ingot and silicon carbide single-crystal ingot

Номер патента: US20180066380A1. Автор: Tatsuo Fujimoto,Takayuki Yano,Kazuaki Seki,Hiroshi Tsuge,Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Komomo TANI. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20230279580A1. Автор: Takashi Kanemura,Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: CENTRAL RESEARCH INST OF ELECTRIC POWER IND. Дата публикации: 2023-09-07.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4242706A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-09-13.

Single crystal growth apparatus

Номер патента: EP4174220A1. Автор: Yuki Ueda,Kimiyoshi KOSHI,Takuya Igarashi. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-03.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240191392A1. Автор: Takashi Kanemura,Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

CRYSTAL PRODUCING APPARATUS, SiC SINGLE CRYSTAL PRODUCING METHOD, AND SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150167197A1. Автор: Kazuaki Seki,Can Zhu,Toru Ujihara,Mitsuya Nagaoka,Shunta HARADA. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for preparing single-crystal high-vanadium high-titanium high-water manganess olivine

Номер патента: LU503016B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-16.

Process for producing a raw material powder to grow a single crystal and the single crystal

Номер патента: US20010018887A1. Автор: Minoru Imaeda,Akihiko Honda,Masahiro Murasato,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Single crystal pulling apparatus and method for pulling single crystal

Номер патента: US20240076800A1. Автор: Kiyotaka Takano,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for making MnBi2Te4 single crystal

Номер патента: US10883188B2. Автор: Yang Wu,HAO LI,Shou-Shan Fan,Yue-Gang Zhang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-05.

Large-volume CaF2 single crystals with reduced scattering and improved laser stability, and uses thereof

Номер патента: US20080292535A1. Автор: Matthias Mueller,Lutz Parthier,Joerg Kandler,Andreas Menzel,Lars Ortmann,Gordon von der Goenna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Single crystal ingot puller with high-power laser beam as auxiliary heating source

Номер патента: WO2024124081A1. Автор: Sumeet S. Bhagavat,Vahid Klalajzadeh. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-13.

Gallium oxide single crystal particle and method for producing the same

Номер патента: US20230122462A1. Автор: Hiroyuki Shibata,Jun Yoshikawa,Miho Maeda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Device for producing a single crystal

Номер патента: AU2021414417A1. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for Manufacturing Boride Single Crystal and Substrate

Номер патента: US20070022944A1. Автор: Shinji Inoue,Kenji Hori,Mineo Isogami. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Process for producing a raw material powder to grow a single crystal and the single crystal

Номер патента: EP1127963A3. Автор: Masahiro c/o NGK Insulators Ltd. Murasato,Katsuhiro c/o NGK Insulators Ltd. Imai,Minoru c/o NGK Insulators ltd. Imaeda,Akihiko c/o NGK Insulators Ltd. Honda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-11-19.

Process for producing a raw material powder to grow a single crystal and the single crystal

Номер патента: US6402835B2. Автор: Minoru Imaeda,Akihiko Honda,Masahiro Murasato,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2002-06-11.

Method and apparatus for growth of high purity 6h-sic single crystal

Номер патента: EP2262934A1. Автор: Brian Wagner,Sean R. McLaughlin,David J. Knuteson,David Kahler,Thomas J. Knight,Narsingh B. Singh,Travis J. Randall,Andre E. Berghmans,Mark Usefara. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2010-12-22.

Magnesium Oxide Single Crystal Having Controlled Crystallinity and Method for Producing the Same, and Substrate Using the Single Crystal

Номер патента: US20080081767A1. Автор: Yoshifumi Kawaguchi,Masaaki Kunishige,Atsuo Toutsuka. Владелец: Tateho Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Seed crystal for epitaxial growth of single-crystal calcium fluoride

Номер патента: WO2002077329A1. Автор: George H Beall,Gitimoy Kar,Charles W Deneka. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2002-10-03.

Device and method for manufacturing aiii-bv - compound semiconductor single crystals as well as aiii-bv - compound semiconductor single crystal and wafer

Номер патента: WO2024153791A1. Автор: Gunnar Leibiger,Stefan Eichler,Marc Dietrich,Dmitry SUPTEL,Ulrich Kretzer,Berndt Weinert,Max Scheffer-Czygan,Theodor Milek. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatus for growing compound semiconductor single crystals

Номер патента: US4734267A. Автор: Masakatu Kojima. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-29.

Methods for preparing a single crystal silicon ingot with reduced radial resistivity variation

Номер патента: US20240279840A1. Автор: Jaewoo Ryu,Chun-Sheng Wu,Carissima Marie Hudson,Young Gil Jeong. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20230042620A1. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Manufacturing method of hydrogen-doped silicon single crystal

Номер патента: US20070028832A1. Автор: Wataru Sugimura,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-02-08.

Methods for preparing a single crystal silicon ingot with reduced radial resistivity variation

Номер патента: WO2024177846A1. Автор: Jaewoo Ryu,Chun-Sheng Wu,Carissima Marie Hudson,Young Gil Jeong. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-29.

Modeling thermal donor formation and target resistivity for single crystal silicon ingot production

Номер патента: EP4416321A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Michael Robbin Seacrist. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Heater Assembly and Single Crystal Puller

Номер патента: US20240337043A1. Автор: Qinhu Mao. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Ga2O3-based single crystal substrate

Номер патента: US12104276B2. Автор: Kohei Sasaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method and device for producing a single crystal of silicon, which single crystal is doped with n-type dopant

Номер патента: US12104274B2. Автор: Georg Raming,Wolfgang Staudacher. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Single crystal chemical vapor deposited synthetic diamond materials having uniform color

Номер патента: US11746436B2. Автор: Daniel James Twitchen,Philip Maurice Martineau,Ian Friel,Sarah Louise Geoghegan,Harpreet Kaur Dhillon,Neil Perkins,Helen Jennifer Gallon. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for preparing single-crystal cubic sesquioxides and uses

Номер патента: US09945049B2. Автор: Philippe Veber,Matias Velazquez,Oudomsack Viraphong,Gabriel Buse. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of making a Ni—based single crystal superalloy and turbine blade incorporating same

Номер патента: US09932657B2. Автор: Akihiro Sato,Yasuhiro Aoki. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Pulling a semiconductor single crystal according to the Czochralski method

Номер патента: US09856576B2. Автор: Thomas Kayser,Walter Lehmann,Michael Hünermann. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Apparatus and process for producing a single crystal of silicon

Номер патента: US09828692B2. Автор: Georg Brenninger,Waldemar Stein,Maik Haeberlen. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-11-28.

Single crystal alumina filled die attach paste

Номер патента: US09796898B2. Автор: WEI Yao,Long Fang,Wangsheng Fang. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2017-10-24.

Silicon single crystal growing device and method of growing the same

Номер патента: US09777395B2. Автор: Su-In Jeon. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing single-crystal silicon

Номер патента: US09702055B2. Автор: Hideo Kato,Shinichi Kyufu. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Single-crystal growth apparatus

Номер патента: US09657411B2. Автор: Jin Ho Son,Jun Hyuk Choi,Cheol Hwan Kim,Chang Youn Lee,Do Won Song. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Manufacturing apparatus of SiC single crystal and method for manufacturing SiC single crystal

Номер патента: US09617655B2. Автор: Yoichiro Kawai,Hiroshi Suzuki,Tomokazu Ishii,Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Motohisa Kado,Kouji Moriguchi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Thermal diagnostic for single-crystal process fluid pressure sensor

Номер патента: US09568387B2. Автор: Robert C. Hedtke. Владелец: Rosemount Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Single crystal pulling apparatus and low heat conductive member used for single crystal pulling apparatus

Номер патента: US09453291B2. Автор: Osamu Okada,Masaaki Kawakami. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Lubricant and cooling technological means for treatment of metals by cutting and diamond grinding

Номер патента: RU2676690C1. Автор: Владимир Алексеевич Полетаев,Татьяна Юрьевна Степанова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Ивановский государственный химико-технологический университет&#34; (ИГХТУ). Дата публикации: 2019-01-10.

III-nitride single-crystal ingot, III-nitride single-crystal substrate, method of manufacturing III-nitride single-crystal ingot, and method of manufacturing III-nitride single-crystal substrate

Номер патента: US8845992B2. Автор: Takuji Okahisa,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-09-30.

Method of predicting crystal quality of semiconductor single crystal and apparatus thereof

Номер патента: US5485803A. Автор: Ryuichi Habu. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-01-23.

Single-crystal semiconductor pulling apparatus

Номер патента: US5800612A. Автор: Yoshinobu Hiraishi,Koichi Shimomura,Taizou Miyamoto. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-01.

Fabrication of single crystal fibers from congruently melting materials

Номер патента: CA1234035A. Автор: James A. Harrington,Roger R. Turk,Antonio C. Pastor,Arlie G. Standlee. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-03-15.

Method for production of dislocation-free silicon single crystal

Номер патента: US6080237A. Автор: Toshio Iwasaki,Takayoshi Ishida,Atsushi Ikari,Shin-ichi Fujimoto,Hiroshi Isomura,Michiharu Tamura. Владелец: NSC Electron Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Method of making large-volume CaF2 single crystals for optical elements with an optic axis parallel to the (100)-or (110)-crystal axis and CaF2 single crystal made thereby

Номер патента: US7837969B2. Автор: Lutz Parthier,Joerg Staeblein. Владелец: Hellma Materials GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-11-23.

Compound semiconductor single crystal and production process thereof

Номер патента: WO2005035837A1. Автор: Fumio Matsumoto. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2005-04-21.

Iodide single crystal, method for production the iodide single crystal, and scintillator comprising the iodide single crystal

Номер патента: EP2133449A1. Автор: Kenji Kitamura,Kiyoshi Shimamura,Encarnacion Antonia Garcia Villora. Владелец: Sakai Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-16.

Method and apparatus for predicting crystal quality of single-crystal semiconductor

Номер патента: GB2279586A. Автор: Ryuichi Habu. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-01-11.

Method of production of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20060292057A1. Автор: Masateru Nakamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Method of producing a single crystal of a rare-earth silicate

Номер патента: US5667583A. Автор: Yasushi Kurata,Hiroyuki Ishibashi,Kazuhisa Kurashige. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-16.

Methods for holding and pulling single crystal

Номер патента: US5871578A. Автор: Makoto Iida,Masanori Kimura,Eiichi Iino,Shozo Muraoka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Single crystal pulling apparatus

Номер патента: US6139633A. Автор: Kiyofumi Nishiura. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2000-10-31.

Simple method for detecting temperature distributions in single crystals and method for manufacturing silicon single crystals by employing the simple method

Номер патента: US6042646A. Автор: Kozo Nakamura,Toshiaki Saishoji,Fumitaka Ishikawa. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-28.

Silicon crystal material and method for manufacturing fz silicon single crystal by using the same

Номер патента: EP2143833A1. Автор: Yutaka Shiraishi,Shinji Togawa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2010-01-13.

Growth of glass-clad single crystal fibers

Номер патента: US4847053A. Автор: Gregory L. Tangonan,Antonio Pastor. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1989-07-11.

Method of producing single crystals and a seed crystal used in the method

Номер патента: US5944890A. Автор: Toshihiko Tani,Naohiro Sugiyama,Nobuo Kamiya,Atsuto Okamoto,Yasuo Kitou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Method of making macrocrystalline or single crystal semiconductor material

Номер патента: US4596626A. Автор: Paul J. Shlichta,R. James Holliday. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1986-06-24.

METHOD OF MAKING LARGE-VOLUME CaF2 SINGLE CRYSTALS FOR OPTICAL ELEMENTS WITH AN OPTIC AXIS PARALLEL TO THE (100)-OR (110)-CRYSTAL AXIS AND CaF2 SINGLE CRYSTAL MADE THEREBY

Номер патента: US20090180948A1. Автор: Lutz Parthier,Joerg Staeblein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Silicon single crystal, a silicon wafer, an apparatus for producing the same, and a method for producing the same

Номер патента: US20070158653A1. Автор: Toshihiko Imai,Masahiro Kato,Makoto Iida,Katsuichi Sato,Miho Iwabuchi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Shielding member and apparatus for single crystal growth

Номер патента: US11261541B2. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-03-01.

Single crystal and method of producing the same

Номер патента: US6153165A. Автор: Kichiya Tanino. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Single crystal SiC and a method of producing the same

Номер патента: US6143267A. Автор: Kichiya Tanino. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-07.

Apparatus and method for producing single crystal

Номер патента: US7314522B2. Автор: Hiroyuki Ishibashi,Shigeki Hirasawa,Akihiro Gunji,Masato Ikegawa. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-01.

Single crystal sic and a method of producing the same

Номер патента: CA2252980C. Автор: Kichiya Tanino,Masanobu Hiramoto. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-22.

Single crystal pulling system

Номер патента: US4592895A. Автор: Kinya Matsutani,Katsutoki Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-06-03.

Method of growing semi-insulating silicon carbide single crystal using dopant coated with a carbon-based material

Номер патента: US11846038B2. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING ELECTRICALLY CONDUCTING BULK ß-GA2O3 SINGLE CRYSTALS AND ELECTRICALLY CONDUCTING BULK ß-GA2O3 SINGLE CRYSTAL

Номер патента: WO2023144000A1. Автор: Thomas Schröder,Zbigniew GALAZKA,Matthias Bickermann,Walter Häckl,Steffen Ganschow. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for producing a bulk sic single crystal with improved quality using a sic seed crystal with a temporary protective oxide layer, and sic seed crystal with protective oxide layer

Номер патента: WO2024037747A1. Автор: Ralf Müller,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for producing a bulk sic single crystal with improved quality using a sic seed crystal with a temporary protective oxide layer, and sic seed crystal with protective oxide layer

Номер патента: EP4324961A1. Автор: Ralf Müller,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-02-21.

Single crystal manufacturing apparatus and method

Номер патента: US20230332324A1. Автор: Kimiyoshi KOSHI. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of growing a single-crystal silicon

Номер патента: US20230323561A1. Автор: XING Wei,Minghao LI,Yinfeng LI. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Single crystal growth crucible and single crystal growth method

Номер патента: US11814749B2. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Method of estimating oxygen concentration in silicon single crystal, method of manufacturing silicon single crystal, and silicon single crystal manufacturing apparataus

Номер патента: US20240019397A1. Автор: Keiichi Takanashi,Ippei SHIMOZAKI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Crystal pulling process for single-crystal silicon

Номер патента: EP4257734A1. Автор: Qian Jin,Hao Deng,Zhiyan XIE. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for pulling a single crystal of semiconductor material from a melt which is contained in a crucible

Номер патента: SG11201902696WA. Автор: Walter Heuwieser,Thomas SCHRÖCK. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Single crystal fiber production apparatus, and single crystal fiber production method

Номер патента: EP4249648A1. Автор: Isamu Shindo. Владелец: Crystal Systems Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20140326174A1. Автор: Nobuaki Mitamura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Single crystal of porous compound, method for assessing quality of single crystal, method for preparing solution including compound to be analyzed, method for producing crystal structure analysis sample, and method for determining molecular structure of compound to be analyzed

Номер патента: US20180245239A1. Автор: Makoto Fujita,Yasuhide Inokuma,Yuya Doumoto. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-08-30.

SiC SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS AND SiC SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200149190A1. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-05-14.

Shielding member and apparatus for growing single crystals

Номер патента: US20190338444A1. Автор: Yohei FUJIKAWA,Yoshiteru HOSAKA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20160122901A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US10023975B2. Автор: Nobuhira Abe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20230374699A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

High-sensitivity single-crystal fiber temperature measurement method based on the acoustic anisotropy and doping modulation of single-crystal fibers

Номер патента: US20220042859A1. Автор: Yang Li,Jian Zhang,Tao Wang,Xutang TAO,Zhitai JIA,Yanru YIN. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2022-02-10.

Silicon carbide single crystal and production thereof

Номер патента: US20060254507A1. Автор: Daisuke Kondo,Takayuki Maruyama,Shigeki Endo,Masashi Otsuki,Takuya Monbara. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Apparatus for growing a SiC single crystal ingot comprising a filter unit having a porous body surrounding an opening unit that is located under a seed crystal

Номер патента: US11859305B2. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Sublimation growth of sic single crystals

Номер патента: EP2477944A1. Автор: Avinash K. Gupta,Edward Semenas,Ilya Zwieback,Varatharajan Rengarajan,Marcus L. Getkin. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2012-07-25.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4276227A2. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for determining and regulating a diameter of a single crystal during pulling of the single crystal

Номер патента: SG11201805551RA. Автор: Thomas SCHRÖCK,Thomas Aubrunner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-07-30.

Method for manufacturing terbium aluminium-based paramagnetic garnet single crystal

Номер патента: EP1391544A3. Автор: Takenori Sekijima, (A 170),Mikio Geho, (A 170). Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-19.

METHOD FOR PREPARING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180298519A1. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for detecting the diameter of a single crystal and single crystal pulling apparatus

Номер патента: US20100128253A1. Автор: Susumu Sonokawa,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-27.

Single-Crystal Fiber Production Equipment and Single-Crystal Fiber Production Method

Номер патента: US20220349085A1. Автор: Isamu Shindo. Владелец: Crystal Systems Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Method for producing hexagonal single crystal, method for producing hexagonal single crystal wafer, hexagonal single crystal wafer, and hexagonal single crystal element

Номер патента: US20150376813A1. Автор: Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO. Владелец: CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY. Дата публикации: 2015-12-31.

Method for detecting the diameter of a single crystal and single crystal pulling apparatus

Номер патента: US8441623B2. Автор: Susumu Sonokawa,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-14.

Single crystal furnace charging system and charging method

Номер патента: EP4324960A1. Автор: Peng Xiang,YIN Tang,Bo Xiong,Ziyang Ou. Владелец: Sichuan Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Single crystal manufacturing apparatus and method

Номер патента: EP3945147A1. Автор: Kimiyoshi KOSHI. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-02.

Preparation of doped garnet structure single crystals with diameters of up to 500 mm

Номер патента: EP2675944A1. Автор: Jindrich Houzvicka,Karel Bartos. Владелец: Crytur sro. Дата публикации: 2013-12-25.

Method for detecting crystal defects in a silicon single crystal substrate

Номер патента: US5766976A. Автор: Masaki Majima. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Method of manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20110114011A1. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Sic single crystal and method for producing same

Номер патента: US20160230309A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Single crystal growth apparatus

Номер патента: US20230130166A1. Автор: Yuki Ueda,Kimiyoshi KOSHI,Takuya Igarashi. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Manufacturing method of single crystals

Номер патента: US20230357950A1. Автор: Ken Hamada,Yasunobu Shimizu,Keiichi Takanashi,Ippei SHIMOZAKI,Susumu Tamaoki. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of growing semi-insulating silicon carbide single crystal ingot and apparatus for growing silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20230193506A1. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4276227A3. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Single-crystal manufacturing method and single-crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20110214605A1. Автор: Takashi Mori,Susumu Sonokawa,Suguru Matsumoto,Toshiharu Uesugi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-08.

A fabrication process for flexible single-crystal perovskite devices

Номер патента: US20230250548A1. Автор: Sheng Xu,Yimu CHEN,Yusheng LEI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-08-10.

Single crystal manufacturing apparatus and method

Номер патента: US20220033991A1. Автор: Kimiyoshi KOSHI. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Single crystal manufacturing apparatus and method

Номер патента: US11725299B2. Автор: Kimiyoshi KOSHI. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Method and Apparatus For Producing A Single Crystal

Номер патента: US20130160698A1. Автор: Ludwig Altmannshofer,Johann Landrichinger,Georg Raming,Josef Lobmeyer,Gundars Ratnieks,Alfred Holzinger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-06-27.

Single crystal growth method

Номер патента: US20200080229A1. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20160208409A1. Автор: Nobuhira Abe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Apparatus for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120325150A1. Автор: Daisuke Kondo,Wataru Seki. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Sic single-crystal growth apparatus and method of growing sic crystal

Номер патента: US20240068125A1. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: SEC Carbon Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same

Номер патента: US20050205003A1. Автор: Takayuki Maruyama,Shigeki Endo. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Shield member and apparatus for growing single crystal equipped with the same

Номер патента: US20120318198A1. Автор: Akihiro Matsuse. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20190301051A1. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-10-03.

Si-Doped GaAs single crystal ingot and process for producing the same, and Si-Doped GaAs single crystal wafer produced from Si-Doped GaAs single crystal ingot

Номер патента: US20110059294A1. Автор: Yoshikazu Oshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Superstrong single crystals of cvd-diamond and their three-dimensional growth

Номер патента: RU2389833C2. Автор: Расселл Дж. ХЕМЛИ,Хо-кванг МАО,Чжи-Шию ЯНЬ,Расселл Дж. ХЕМЛИ (US),Хо-кванг МАО (US),Чжи-Шию ЯНЬ (US). Владелец: Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonlinear single crystal of lithium chalcogenides and method for its preparation

Номер патента: RU2763463C1. Автор: Сергей Иванович Лобанов,Людмила Ивановна Исаенко,Александр Павлович Елисеев,Алина Александровна Голошумова,Алексей Федорович Курусь. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Новосибирский национальный исследовательский государственный университет&#34; (Новосибирский государственный университет, НГУ). Дата публикации: 2021-12-29.

Process for producing unagglomerated single crystals of aluminum nitride

Номер патента: US5190738A. Автор: Luc Parent. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1993-03-02.

Method for growing an .alpha.-sic bulk single crystal

Номер патента: CA2368380C. Автор: Rene Stein,Johannes VÖLKL,Harald Kuhn. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2008-07-29.

Method for manufacturing a defect-controlled low-oxygen concentration silicon single crystal wafer

Номер патента: US9650725B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for producing a silicon single crystal

Номер патента: US6136090A. Автор: Kenji Araki,Hideo Okamoto,Atsushi Iwasaki,Toshiharu Uesugi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-24.

Diamond single crystal substrate manufacturing method and diamond single crystal substrate

Номер патента: US20050155543A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for producing nitride single crystal and autoclave used therefor

Номер патента: EP2725123A1. Автор: Kazuo Yoshida,Tsuguo Fukuda,Kensuke Aoki,Katsuhito Nakamura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2014-04-30.

Single crystals and methods for fabricating same

Номер патента: CA2560998C. Автор: Steven Anthony Zanella,John Walter Locher,Ralph Lampson Maclean, Jr.,Herbert Ellsworth Bates. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Minimization of strain in single crystals

Номер патента: CA1166556A. Автор: William A. Bonner. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-05-01.

Silicon carbide single crystal, silicon carbide substrate and manufacturing method for silicon carbide single crystal

Номер патента: CA2524581C. Автор: Hiromu Shiomi,Hiroyuki Kinoshita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-07-20.

Single crystal pulling apparatus

Номер патента: US5316742A. Автор: Junsuke Tomioka,Akihiro Matsuzaki,Kazunori Nagai. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1994-05-31.

Apparatus for fabricating semiconductor single crystal

Номер патента: US6068699A. Автор: Hideki Tsuji,Yoshinobu Hiraishi,Mitsunori Kawabata. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Method of forming a single crystal sheet using a die having a thermal gradient along its length

Номер патента: US9926645B2. Автор: Steven Anthony Zanella,John Walter Locher,Ralph Lampson Maclean, Jr.,Herbert Ellsworth Bates. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Process for producing single crystal of compound semiconductor and crystal growing apparatus

Номер патента: EP1574602A1. Автор: Toshiaki NIKKO MATERIALS CO LTD TODA PLANT ASAHI,Kenji NIKKO MATERIALS CO LTD TODA PLANT SATO,Takayuki NIKKO MATERIALS CO LTD TODA PLANT YABE,Atsutoshi NIKKO MATERIALS CO LTD ISOHARA ARAKAWA. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-14.

Method for preparing homogeneous single crystal ternary III-V alloys

Номер патента: US5047112A. Автор: Theodore F. Ciszek. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1991-09-10.

Improvements in or relating to methods of producing single crystals

Номер патента: GB850595A. Автор: . Владелец: Telefunken AG. Дата публикации: 1960-10-05.

Aln bulk single crystal, semiconductor device using the same and method for producing the same

Номер патента: CA2719826C. Автор: Shunro Nagata,Albrecht Winnacker,Boris M Epelbaum,Matthias Bickermann,Octavian Filip,Paul Heimann. Владелец: Crystal N GmbH. Дата публикации: 2013-05-28.

Single crystal SiC and a method of producing the same

Номер патента: US6053973A. Автор: Kichiya Tanino,Masanobu Hiramoto. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-25.

Method and apparatus for growing high quality single crystal

Номер патента: EP1201793A4. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-02-05.

Method for producing silicon single crystals and silicon single crystal produced thereby

Номер патента: US7442251B2. Автор: Tsuyoshi Nakamura,Shuichi Inami,Nobumitsu Takase,Hiroki Murakami,Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Method of preparation of single-crystal films

Номер патента: GB1384745A. Автор: . Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1975-02-19.

Method of manufacturing group III nitride single crystal, device used for the method and group III nitride single crystal obtained by the method

Номер патента: US7361220B2. Автор: Yasuo Kitaoka,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Isao Kidoguchi,Takatomo Sasaki,Hisashi Minemoto,Mamoru Imade,Yasunori Kai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Seed crystal holders, for pulling a single crystal

Номер патента: US6015461A. Автор: Teruo Izumi. Владелец: Sumitomo Sitix Corp. Дата публикации: 2000-01-18.

Single crystal of compound semiconductor of groups III-V with low dislocation density

Номер патента: US4584174A. Автор: Atsushi Shimizu,Mikio Morioka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-04-22.

Method of producing small semi-conductor single crystals

Номер патента: GB797205A. Автор: . Владелец: CLEVEITE CORP. Дата публикации: 1958-06-25.

Method For Pulling A Single Crystal Composed Of Silicon From A Melt Contained In A Crucible, and Single Crystal Produced Thereby

Номер патента: US20110195251A1. Автор: Martin Weber,Erich Gmeilbauer,Robert Vorbuchner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-08-11.

Making large, single crystal, 123 YBCO superconductors

Номер патента: US6046139A. Автор: Darryl F. Garrigus,Fatih Dogan,Michael Strasik,William C. Hicks,Kay Y. Blohowiak,Kevin E. McCrary,Thomas S. Luhman,Ilhan Aksay,Corrie B. Martin. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2000-04-04.

Large diameter silicon carbide single crystals and apparatus and method of manufacture thereof

Номер патента: US11905618B2. Автор: Xueping Xu,Avinash Gupta,Ilya Zwieback,Varatharajan Rengarajan. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Method and apparatus for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: US11891718B2. Автор: Sang Hee Kim,Kyung Tae Park,Hyun Ju HWANG. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: US20040244674A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Hideshi Nishikawa,Shigeru Umeno,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Device for growing a flat single crystal from a seed crystal in a crystallisation solution and process for manufacturing this single crystal

Номер патента: US20190249329A1. Автор: Bruno Pintault,Pascal Vissie,Max Grosil. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for producing lithium tantalate single crystal substrate

Номер патента: US20220098756A1. Автор: Koji KATO,Jun Abe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for producing lithium tantalate single crystal substrate

Номер патента: US11814748B2. Автор: Koji KATO,Jun Abe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Ga2O3 SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20160017512A1. Автор: Kohei Sasaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Ga2o3-based single crystal substrate, and production method therefor

Номер патента: US20190062942A1. Автор: Kohei Sasaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for growing a silicon single crystal

Номер патента: US20170044685A1. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for growing beta-ga2o3-based single crystal

Номер патента: US20160032485A1. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Haruka MATSUBARA,Kei DOIOKA,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

High transmittance single crystal yap scintillators

Номер патента: US20170123081A1. Автор: Jan KUBÁT,Tomas Marek,Jan Polak,Martin Klejch. Владелец: CRYTUR. Дата публикации: 2017-05-04.

High transmittance single crystal yap scintillators

Номер патента: US20180246231A1. Автор: Jan KUBÁT,Tomas Marek,Jan Polak,Martin Klejch. Владелец: CRYTUR. Дата публикации: 2018-08-30.

High transmittance single crystal yap scintillators

Номер патента: EP3108043A2. Автор: Jan KUBÁT,Tomas Marek,Jan Polak,Martin Klejch. Владелец: CRYTUR. Дата публикации: 2016-12-28.

High transmittance single crystal yap scintillators

Номер патента: WO2015140227A2. Автор: Jan KUBÁT,Tomas Marek,Jan Polak,Martin Klejch. Владелец: CRYTUR. Дата публикации: 2015-09-24.

High-purity tellurium dioxide single crystal and manufacturing method thereof

Номер патента: US8480996B2. Автор: Yong Zhu,Zengwei Ge,Guoging Wu,Xueji Yin,Linyao Tang,Hanbin Zhao,Lizhen Gu. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2013-07-09.

Manufacturing method for silicon single crystal

Номер патента: US20100175612A1. Автор: Tomohiro Fukuda,Shinichi Kawazoe,Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Soaking machine and soaking method of sample for single-crystal X-ray structure analysis

Номер патента: US11774379B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for clonal-growth of single-crystal metal

Номер патента: US20220136134A1. Автор: Zhibin Zhang,Dapeng Yu,Kaihui Liu,Muhong Wu,Enge Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-05.

Single-crystal x-ray structure analysis apparatus and method, and sample holder unit therefor

Номер патента: US20240027373A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

MELT-GROWN BULK ß-(AlxGa1-x)2O3 SINGLE CRYSTALS AND METHOD FOR PRODUCING BULK ß-(AlxGA1-x)2O3 SINGLE CRYSTALS

Номер патента: WO2024078704A1. Автор: Steffen Ganschow,Zbigniew DR. GALAZKA,Matthias PROF. DR. BICKERMANN,Thomas PROF. DR. SCHRÖDER. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2024-04-18.

Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20030159646A1. Автор: Hiroyuki Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Production apparatus for metal oxide single crystal and production method for metal oxide single crystal

Номер патента: US20230235478A1. Автор: Takumi Kobayashi,Keigo Hoshikawa,Toshinori Taishi. Владелец: Shinshu University NUC. Дата публикации: 2023-07-27.

Single crystal pulling apparatus and method for pulling single crystal

Номер патента: US20240141548A1. Автор: Kiyotaka Takano,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for manufacturing a single crystal by solution growth enabling trapping of parasitic crystals

Номер патента: US11952680B2. Автор: Bruno Pintault,Christian Belouet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-04-09.

Method and apparatus for forming long single crystals with good uniformity

Номер патента: US20060021566A1. Автор: Chung-Wen Lan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for producing n-type sic single crystal

Номер патента: US20150299896A1. Автор: Takayuki Shirai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240183073A1. Автор: Takahiro Kanda,Soma SAKAKIBARA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240027661A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-01-25.

Large diameter silicon carbide single crystals and apparatus and method of manufacture thereof

Номер патента: US20240150931A1. Автор: Xueping Xu,Avinash Gupta,Varatharajan Rengarajan,Iiya ZWIEBACK. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Single-crystal growing crucible, single-crystal production method and single crystal

Номер патента: US11946155B2. Автор: Minoru Fujita,Jun Hirabayashi,Makio Kondo,Katsumi Kawasaki,Daisuke Inokuchi,Jun Arima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal film production method, faraday rotator, and optical isolator

Номер патента: CA3183695A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Single crystal metal layers, methods of production and uses thereof

Номер патента: WO2022013111A1. Автор: Stephan Hofmann,Oliver J. BURTON. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for producing nitride single crystal using nitrogen-containing solvent, mineralizer having fluorine atom, and raw material

Номер патента: US10501865B2. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-12-10.

METHOD FOR CULTIVATING BETA-Ga2O3 SINGLE CRYSTAL, AND BETA-Ga2O3-SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20160115621A1. Автор: Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method For Growing A Single Crystal By Crystallizing The Single Crystal From A Float Zone

Номер патента: US20160177469A1. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Sic single crystal growing apparatus

Номер патента: EP4257735A1. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: SEC Carbon Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

System of controlling diameter of single crystal ingot and single crystal ingot growing apparatus including the same

Номер патента: US20120145071A1. Автор: Young-Ho Hong,Yo-Han Jung,Se-Geun Ha. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Czochralski single crystal furnace for preparing monocrystalline silicon and method for preparing monocrystalline silicon

Номер патента: US20220396898A1. Автор: Xinyu Zhang,Xiaolong BAI,Ziyang Ou. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Silicon carbide single crystal growth apparatus and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210262119A1. Автор: Toru Takahashi,Hitoshi Ikeda,Yuichi Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for preparing large-scale two-dimensional single crystal stack having interlayer rotation angle

Номер патента: US20240183064A1. Автор: Can Liu,Dapeng Yu,Kaihui Liu,Enge Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-06.

Heat shield device for low oxygen single crystal growth of single crystal ingot growth device

Номер патента: US20210355600A1. Автор: Cheol Woo Lee,Tae Gyu Kim,Ui Seock LEE. Владелец: Youngdo Global Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

System of controlling diameter of single crystal ingot and single crystal ingot growing apparatus including the same

Номер патента: WO2012081789A1. Автор: Young-Ho Hong,Yo-Han Jung,Se-Geun Ha. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2012-06-21.

Impurity amount control system for manufacturing single crystal and impurity amount control method for manufacturing single crystal

Номер патента: US20080177422A1. Автор: Kenji Kawahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: EP1587971A4. Автор: Leo J Schowalter,Glen A Slack,J Carlos Rojo. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2006-02-01.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: EP1587971A2. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack,J. Carlos Rojo. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2005-10-26.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: AU2003303485A1. Автор: Leo J Schowalter,Glen A Slack,J Carlos Rojo. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Methods and devices for preparing single-crystal claddings

Номер патента: US20240158947A1. Автор: Yu Wang,Peng GU,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for preparing aluminum nitride and metal fluoride single crystals

Номер патента: US3607014A. Автор: James O Huml,Gilbert S Layne. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1971-09-21.

Process for producing unagglomerated single crystals of aluminum nitride

Номер патента: US5096860A. Автор: Sadashiv K. Nadkarni. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1992-03-17.

Nickel-based superalloys for producing single crystal articles having improved tolerance to low angle grain boundaries

Номер патента: US5399313A. Автор: Carl S. Wukusick,Earl W. Ross,Warren T. King. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-03-21.

Apparatus for growing shaped single crystals

Номер патента: US4957713A. Автор: Dmitry Y. Kravetsky,Lev M. Zatulovsky,Leonid P. Egorov,Boris B. Pelts,Leonid S. Okun,Efim A. Freiman,Viktor V. Averyanov,Alexandr L. Alishoev. Владелец: VSESOJUZNY NAUCHNO-ISSLEDOVATELSKY PROEKTNO-KONSTRUKTORSKY I TEKHNOLOGICHESKY INSTITUT ELEKTROTERMICHESKOGO OBORUDOVANIA. Дата публикации: 1990-09-18.

Heat Shield Member and Single Crystal Pulling Device

Номер патента: US20080127886A1. Автор: Hitoshi Sasaki,Syunji Kuragaki. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of manufacturing semiconductor single crystals

Номер патента: US3767473A. Автор: B Lambert,M Ayel,J Besselere. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1973-10-23.

Method and apparatus for producing single crystals

Номер патента: GB1390308A. Автор: Georges Defosse. Владелец: Elphiac SA. Дата публикации: 1975-04-09.

Method of automatic control of growing neck portion of a single crystal by the cz method

Номер патента: US5183528A. Автор: Masahiko Baba,Hiroshi Ohtsuna. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1993-02-02.

Double oriented single crystal castings

Номер патента: GB1263401A. Автор: . Владелец: United Aircraft Corp. Дата публикации: 1972-02-09.

Single crystal processing by in-situ seed injection

Номер патента: US6264742B1. Автор: Murali Hanabe,Evangellos Vekris,Nainesh J. Patel. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-07-24.

Method and apparatus for producing a single crystal

Номер патента: CA2688739C. Автор: Leif Jensen,Jan Eyving Petersen,Anne Nielsen,Per Vaabengaard,Theis Leth Larsen. Владелец: Topsil Semiconductor Materials AS. Дата публикации: 2015-05-26.

Method and apparatus for producing a single crystal

Номер патента: CA2688739A1. Автор: Leif Jensen,Jan Eyving Petersen,Anne Nielsen,Per Vaabengaard,Theis Leth Larsen. Владелец: Topsil Globalwafers A/S. Дата публикации: 2008-10-23.

Substrate for manufacturing single crystal thin films

Номер патента: US4758399A. Автор: Yoshihiro Hamakawa,Hideyuki Takakura. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-07-19.

Single-crystal x-ray structural analysis device and sample holder mounting device

Номер патента: EP3885749A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Bi4 Ti3 O12 Single crystal growth from saturated seeded solution

Номер патента: US3962027A. Автор: Timothy Michael Bruton. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-06-08.

Method for the preparation of single crystals of gadolinium gallium garnet

Номер патента: US4483734A. Автор: Kazuyoshi Watanabe,Masaaki Iguchi,Norifumi Yoshida,Susumu Sakaguchi,Masahiro Ogihara,Toshihiko Ryuoh. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1984-11-20.

Single crystals based on stabilized zirconium dioxide or hafniun dioxide

Номер патента: US3984524A. Автор: Vladimir Ilich Alexandrov,Vyacheslav Vasilievich Osiko,Vladimir Mikhailovich Tatarintsev,Viktor Timofeevich Udovenchik. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-10-05.

Method of manufacturing compound single crystal

Номер патента: US20030045102A1. Автор: Hiroyuki Nagasawa,Takamitsu Kawahara,Kuniaki Yagi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Method of preparing semiconductor compounds and manufacturing single crystals thereof

Номер патента: GB1502087A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1978-02-22.

Single-crystal X-ray structure analysis system

Номер патента: US11879857B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US11898266B2. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of making a single-crystal turbine blade

Номер патента: US11913356B2. Автор: Chao Zhang,Othmane Leghzaouni,Robert HUSZAR. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Growth of single crystal cadmium-indium-telluride

Номер патента: WO1986000940A1. Автор: Anthony L. Gentile,Nanse R. Kyle,Fred W. Hill. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1986-02-13.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US20230340689A1. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Surface flatness detecting device for single crystal square rod

Номер патента: WO2024041322A1. Автор: Kun Wang,Min Xiao,Zhenyu Zhang,Youyi LIU,Duoduo ZHANG,Zhibing SUN,Jiafeng LU,Junyou ZHANG,Jinlu SHI,Jinxin YAN. Владелец: Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Single-crystal X-ray structure analysis apparatus and method, and sample holder and applicator therefor

Номер патента: US11874238B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Single-crystal X-ray structure analysis apparatus and sample holder

Номер патента: US11846594B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Single Crystal Production Apparatus

Номер патента: US20160208410A1. Автор: Nobuhira Abe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of acquiring sample for evaluation of SiC single crystal

Номер патента: US11815437B2. Автор: Shunsuke Noguchi. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

System for horizontal growth of high-quality semiconductor single crystals, and method of manufacturing same

Номер патента: EP3760765A1. Автор: Erwin Schmitt,Michael Vogel. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2021-01-06.

Method of making a single-crystal turbine blade

Номер патента: CA3086913A1. Автор: Chao Zhang,Othmane Leghzaouni,Robert HUSZAR. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2021-01-18.

Magnetic field application method of pulling silicon single crystal

Номер патента: EP1801268B1. Автор: Senrin c/o SUMCO CORPORATION FU,Naoki c/o SUMCO CORPORATION ONO. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

Equipment for producing silicon single crystals

Номер патента: US5725661A. Автор: Masayuki Arai,Izumi Fusegawa,Toshiro Hayashi,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-10.

Device and method for producing at least one SiC single crystal

Номер патента: US20010004875A1. Автор: Roland Rupp,Rene Stein,Johannes VÖLKL,Harald Kuhn. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-06-28.

Method of producing semiconductor single crystal

Номер патента: US20130008370A1. Автор: Takashi Sakurada,Tomohiro Kawase,Yoshiaki Hagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

Method for growing single crystals

Номер патента: US20240035200A1. Автор: Robert Ebner,Ghassan Barbar,Kanaparin Ariyawong,Chih-yung Hsiung. Владелец: EBNER INDUSTRIEOFENBAU GMBH. Дата публикации: 2024-02-01.

Systems and methods for forming single crystal silicon ingots with crucibles having a synthetic liner

Номер патента: WO2024025821A1. Автор: Richard Joseph Phillips. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US9856583B2. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

SiC single crystal growth crucible, SiC single crystal manufacturing method, and SiC single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US11946156B2. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor single crystal manufacturing device and manufacturing method

Номер патента: US8187383B2. Автор: Eiichi Kawasaki,Shinichi Kawazoe,Toshimichi Kubota,Tsuneaki Tomonaga. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2012-05-29.

Quartz glass crucible, manufacturing method thereof, and manufacturing method of silicon single crystal using quartz glass crucible

Номер патента: US20190145019A1. Автор: Hideki Fujiwara,Hiroshi Kishi,Takahiro Abe,Kouta HASEBE. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US20220136130A1. Автор: Takumi Kobayashi,Atsushi Iwasaki,Susumu Sonokawa,Atsushi Okai,Kazuya Yanase. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of making a single-crystal turbine blade

Номер патента: US20210017865A1. Автор: Chao Zhang,Othmane Leghzaouni,Robert HUSZAR. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of making a single-crystal turbine blade

Номер патента: US20220098990A1. Автор: Chao Zhang,Othmane Leghzaouni,Robert HUSZAR. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for preparing titanium-doped and high-water single-crystal coulsonite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503665B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for preparing calcium-doped and high-water single-crystal franklinite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503605B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for preparing aluminum-doped and high-water single-crystal chromite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503631B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-14.

Silicon carbide single crystal ingot, silicon carbide wafer, and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240110308A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for preparing single-crystal grossular under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503142B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-06-07.

METHOD OF ACQUIRING SAMPLE FOR EVALUATION OF SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20200182752A1. Автор: Shunsuke Noguchi. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor Single Crystal Manufacturing Device and Manufacturing Method

Номер патента: US20090120352A1. Автор: Eiichi Kawasaki,Shinichi Kawazoe,Toshimichi Kubota,Tsuneaki Tomonaga. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Single-crystal pulling apparatus and single-crystal pulling method

Номер патента: US20230138632A1. Автор: Kiyotaka Takano,Kosei Sugawara,Hiroyuki Kamada,Tomohiko Ohta,Takahide Onai. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor single crystal pulling apparatus

Номер патента: US20020073919A1. Автор: Masahito Watanabe,Minoru Eguchi,Souroku Kawanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide substrate

Номер патента: US20170121844A1. Автор: Tomohiro Kawase. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Device for growing single crystals, in particular single crystals of silicon carbide

Номер патента: US20230332330A1. Автор: Robert Ebner,Ghassan Barbar,Kanaparin Ariyawong,Chih-yung Hsiung. Владелец: EBNER INDUSTRIEOFENBAU GMBH. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for growing single crystals

Номер патента: US20230357952A1. Автор: Robert Ebner,Ghassan Barbar,Kanaparin Ariyawong,Chih-yung Hsiung. Владелец: EBNER INDUSTRIEOFENBAU GMBH. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160138187A1. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Device having a foil-lined crucible for the sublimation growth of an SiC single crystal

Номер патента: US6770136B2. Автор: Rene Stein,Harald Kuhn,Johannes Voelkl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2004-08-03.

Apparatus for producing si ingot single crystal

Номер патента: US20230295833A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing single crystal using a graphite component having 30 ppb or less nickel

Номер патента: US9738988B2. Автор: Atsushi Iwasaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods for forming single crystal silicon ingots with improved resistivity control

Номер патента: US12024789B2. Автор: Nan Zhang,Hyungmin Lee,Robert Standley,Soubir Basak,Richard J. Phillips,Parthiv Daggolu,Jae-Woo Ryu,Eric Gitlin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Process for producing single crystal-like silver films

Номер патента: WO2023249493A1. Автор: Kaiying Wang,Kim Robert Gustavsen. Владелец: University of South-Eastern Norway. Дата публикации: 2023-12-28.

Production apparatus for metal oxide single crystal

Номер патента: US20220243358A1. Автор: Takumi Kobayashi,Keigo Hoshikawa,Yoshio Otsuka,Toshinori Taishi,Etsuko OHBA. Владелец: Shinshu University NUC. Дата публикации: 2022-08-04.

Apparatus for manufacturing semiconductor single crystal

Номер патента: US20060283381A1. Автор: Toshiaki Ono,Wataru Sugimura,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Ingot puller apparatus and methods for growing a single crystal silicon ingot with reduced lower chamber deposits

Номер патента: US20240247398A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Matteo Pannocchia,William Lynn Luter. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Improved resistivity stabilization measurement of fat neck slabs for high resistivity and ultra-high resistivity single crystal silicon ingot growth

Номер патента: EP4209625A1. Автор: Hyungmin Lee,Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Richard J. Phillips,Robert Wendell Standley. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Sample rod resistivity measurement during single crystal silicon ingot production

Номер патента: EP4317546A3. Автор: Hyungmin Lee,Jaewoo Ryu,Robert Standley,Carissima Marie Hudson,Richard J. Phillips,YoungJung Lee. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Improved resistivity stabilization measurement of fat neck slabs for high resistivity and ultra-high resistivity single crystal silicon ingot growth

Номер патента: WO2020139584A1. Автор: Hyungmin Lee,Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Richard J. Phillips,Robert Wendell Standley. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-07-02.

Single crystal ingot growth control device

Номер патента: US12043917B2. Автор: Hyun Woo Park. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Use of quartz plates during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP4352283A1. Автор: Paolo Tosi,Matteo Pannocchia,Francesca Marchese. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Use of quartz plates during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: WO2022258634A1. Автор: Paolo Tosi,Matteo Pannocchia,Francesca Marchese. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for statistical distribution characterization of dendritic structures in original position of single crystal superalloy

Номер патента: US11927511B2. Автор: Lei Zhao,Haizhou Wang,Qingqing Zhou,Dongling LI,Xuejing Shen,Weihao WAN,Haozhou Feng. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for statistical distribution characterization of dendritic structures in original position of single crystal superalloy

Номер патента: US20220252488A1. Автор: Lei Zhao,Haizhou Wang,Qingqing Zhou,Dongling LI,Xuejing Shen,Weihao WAN,Haozhou Feng. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Single crystal silicon ingot having axial uniformity

Номер патента: US20210363657A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Manufacturing method of large-outer-diameter quartz crucible for czochralski (cz) single crystal

Номер патента: US20240262734A1. Автор: ZHEN Wang,Ye Wang,Man Chen,Li Ma,Zhiqiang Zhang,Zonghui LI,XingWang SUN. Владелец: Jinzhou Youxin Quartz Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method of large-outer-diameter quartz crucible for Czochralski (CZ) single crystal

Номер патента: US12060294B1. Автор: ZHEN Wang,Ye Wang,Man Chen,Li Ma,Zhiqiang Zhang,Zonghui LI,XingWang SUN. Владелец: Jinzhou Youxin Quartz Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

A method for growing single crystals

Номер патента: WO2001090449A1. Автор: Moshe Einav. Владелец: Nanogate Ltd.. Дата публикации: 2001-11-29.

Heater and Single Crystal Growing Apparatus

Номер патента: US20240279841A1. Автор: Wenwu Yang. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods for forming single crystal silicon ingots with improved resistivity control

Номер патента: US20180179660A1. Автор: Nan Zhang,Hyungmin Lee,Robert Standley,Soubir Basak,Richard J. Phillips,Parthiv Daggolu,Jae-Woo Ryu,Eric Gitlin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: US20200407869A1. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Electrospun single crystal moo3 nanowires for bio-chem sensing probes

Номер патента: US20090110926A1. Автор: Pelagia-Irene Gouma,Krithika Kalyanasundaram,Aisha Suzette Haynes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Graphite Crucible and Silicon Single Crystal Manufacturing Apparatus

Номер патента: US20110139064A1. Автор: Hideaki Murakami,Hideo Kato,Mikio Suehiro. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-06-16.

Ingot puller apparatus and methods for growing a single crystal silicon ingot with reduced lower chamber deposits

Номер патента: WO2024155776A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Matteo Pannocchia,William Lynn Luter. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Single crystal silicon ingot and method of growing the same

Номер патента: US20240263344A1. Автор: Jong Min Kang,Byoung Woo Park. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Nickel-based superalloy, single-crystal blade and turbomachine

Номер патента: US20240287650A1. Автор: Jérémy RAME,Edern Menou,Jonathan CORMIER,Lorena MATAVELI SUAVE. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-08-29.

Boat for growing a single crystal of a semiconductor compound

Номер патента: WO1993010284A1. Автор: Ki Chul Shin,Yong Chung Roh,Han Jun Ko. Владелец: Goldstar Cable Co., Ltd.. Дата публикации: 1993-05-27.

Large-sized single crystal seed

Номер патента: CN202808987U. Автор: 孙勇. Владелец: WUXI SINO SI-TECH Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-20.

Method for quickly preparing large-size single-crystal graphene

Номер патента: CN104389016A. Автор: 武斌,刘云圻,于贵,王立锋,陈集思. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2015-03-04.

A kind of large size single-shaft shredder

Номер патента: CN208912259U. Автор: 王黎明,谢战军. Владелец: Changshu Shouyu Machinery Co ltd. Дата публикации: 2019-05-31.

Reaction cell of high-pressure gang-die apparatus for growth of asymmetrically zonal diamond single crystals

Номер патента: RU2176690C1. Автор: А.А. Чепуров,А.И. Чепуров,И.И. Федоров,В.М. Сонин,нцев Д.Г. Багр,Д.Г. Багрянцев,Е.И. Жимулев,Ю.М. Григораш. Владелец: Ооо &#34;Маин&#34;. Дата публикации: 2001-12-10.

วัสดุเพชรผลึกเดี่ยว (Single Crystal Diamond Material)

Номер патента: TH141517A. Автор: เจมส์ ทวิตเชน นายดาเนียล,เคเออร์ ดิลเลี่ยน นายฮาพรีต,อลัน สคาร์สบู๊ค นายจอฟฟรี่ย์. Владелец: นายณัฐพล อร่ามเมือง. Дата публикации: 2015-06-29.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20120000414A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE CRYSTAL COOLING APPARATUS AND SINGLE CRYSTAL GROWER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120000416A1. Автор: Wang Hak-Eui,Na Gwang-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR PRODUCING A SINGLE-CRYSTAL COMPONENT MADE OF A NICKEL-BASED SUPERALLOY

Номер патента: US20120000577A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing of sapphire single crystals from melt

Номер патента: RU2350699C2. Автор: Николай Иванович Каргин,Маргарита Васильевна Николенко,Эдуард Викторович Еськов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Концерн Энергомера&#34;. Дата публикации: 2009-03-27.

Method of germanium single crystals growing by otf method

Номер патента: RU2330127C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Михаил Александрович Гоник,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: ООО Научно-Производственное Предприятие &#34;ОТФ-Техно&#34;. Дата публикации: 2008-07-27.

Method for production of single crystal lithium aluminate

Номер патента: RU2245402C2. Автор: Б.А. Дороговин,И.М. Филиппов,А.А. Цеглеев,Г.А. Лаптева,А.Б. Дубовский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья&#34; (ФГУП &#34;ВНИИСИМС&#34;). Дата публикации: 2005-01-27.

METHOD OF SINGLE CRYSTALS LiNbO3 PRODUCTION AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2330903C1. Автор: Александр Александрович Гамазов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный университет (КубГУ). Дата публикации: 2008-08-10.

Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5

Номер патента: RU2327824C1. Автор: Александр Владимирович Марков,Борис Николаевич Шаронов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности &#34;Гиредмет&#34;. Дата публикации: 2008-06-27.

Facility for single crystals growing by method of axial heat current nearby solid-melt interface

Номер патента: RU2357021C1. Автор: Михаил Александрович Гоник. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Центр теплофизических исследований &#34;ТЕРМО&#34;. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of forming single-crystal nanowires in matrix of native oxide

Номер патента: RU2503084C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Кирилл Евгеньевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение &#34;Национальный исследовательский центр &#34;Курчатовский институт&#34;. Дата публикации: 2013-12-27.

Method for growing silicon single crystals

Номер патента: RU2077615C1. Автор: З.А. Сальник,Ю.А. Микляев. Владелец: Акционерное общество &#34;Подольский химико-металлургический завод&#34;. Дата публикации: 1997-04-20.

Method of growing star-shaped single crystals of refractory oxides by verneuil method

Номер патента: RU2124077C1. Автор: В.П. Герасимов,Фахраддин Халыгверди оглы Гусейнов,Д.М. Левин. Владелец: Левин Даниил Михайлович. Дата публикации: 1998-12-27.

ALLOY BASED ON INTERMETALLIDE Ni3Al WITH SINGLE-CRYSTAL STRUCTURE AND PRODUCT MADE FROM IT

Номер патента: RU2516215C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Юрий Александрович Бондаренко,Ольга Анатольевна Базылева,Александр Валерьевич Горюнов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов&#34; (ФГУП &#34;ВИАМ&#34;). Дата публикации: 2014-05-20.

METHOD FOR TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OF FERROMAGNETIC CONIAL ALLOY WITH CONTENT OF Ni 33 -35 at% AND Al 29 -30 at%

Номер патента: RU2641598C1. Автор: Юрий Иванович Чумляков,Елена Юрьевна Панченко,Анна Сергеевна Ефтифеева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Национальный исследовательский Томский государственный университет&#34; (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-01-18.

Method for binding of diamond single crystal with metal

Номер патента: RU2347651C2. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Вячеслав Максимович Прохоров,Рустэм Хамитович Баграмов,Владимир Давыдович Бланк (RU),Рустэм Хамитович Баграмов (RU),В чеслав Максимович Прохоров (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение &#34;Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов&#34; (ФГУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2009-02-27.

CRUCIBLE FOR GROWTH OF VOLUME SINGLE CRYSTAL OF ALUMINIUM NITRIDE (AlN)

Номер патента: RU2389832C1. Автор: Билал Аругович Билалов,Магомед Ахмедович Гитикчиев,Гаджимет Керимович Сафаралиев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Аккорд&#34;. Дата публикации: 2010-05-20.

Method for production of single crystals of potassium and niobium silicate

Номер патента: RU2093616C1. Автор: О.В. Димитрова,Е.Е. Стрелкова. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1997-10-20.

Method of production of oriented single-crystal blanks from alloys with peritectic transformation

Номер патента: RU2084561C1. Автор: Е.В. Сидоров,М.В. Пикунов. Владелец: Научно-Производственное Объединение &#34;Магнетон&#34;. Дата публикации: 1997-07-20.

Method for growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2108417C1. Автор: О.А. Бузанов. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью фирма &#34;ФОМОС&#34;. Дата публикации: 1998-04-10.

Method of cutting silicon single crystals

Номер патента: RU2155131C2. Автор: Л.В. Худобин,О.Г. Крупенников. Владелец: Ульяновский государственный технический университет. Дата публикации: 2000-08-27.

Device for production of single-crystal ingots

Номер патента: RU2080209C1. Автор: Е.Н. Каблов,А.Г. Братухин,Р.Е. Шалин,В.Н. Толораия,Н.Г. Орехов. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов. Дата публикации: 1997-05-27.

Method of forming domain structure in single-crystal wafer of nonlinear optical ferroelectric material

Номер патента: RU2411561C1. Автор: Дмитрий Константинович Кузнецов,Владимир Яковлевич Шур,Иван Сергеевич Батурин,Станислав Александрович Негашев,Алексей Иванович Лобов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Лабфер&#34;. Дата публикации: 2011-02-10.

Method for harvesting single crystals from a peritectic melt

Номер патента: WO1996021756A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-10-03.

Method for geowing of refractory single crystals

Номер патента: RU2056463C1. Автор: Михаил Иванович Мусатов. Владелец: Михаил Иванович Мусатов. Дата публикации: 1996-03-20.

Method of growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2126064C1. Автор: О.А. Бузанов,В.В. Аленков,А.Б. Гриценко. Владелец: Рафида Девелопментс Инкорпорейтед. Дата публикации: 1999-02-10.

Method for manufacture of matrix of multipoint autoemissive cathode based on single-crystal silicon

Номер патента: RU2484548C1. Автор: Равиль Кяшшафович Яфаров. Владелец: Равиль Кяшшафович Яфаров. Дата публикации: 2013-06-10.

Single-crystal emitter shell and method of its manufacture

Номер патента: RU2550744C1. Автор: Александр Степанович Гонтарь,Валерий Иванович Выбыванец,Виктор Анатольевич Зазноба,Михаил Васильевич Нелидов,Виктор Петрович Смирнов,Николай Алексеевич Бочков,Леонид Евгеньевич Кошкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение &#34;ЛУЧ&#34; (ФГУП &#34;НИИ НПО &#34;ЛУЧ&#34;). Дата публикации: 2015-05-10.

Production of single-crystal cylindrical washers from refractory compounds

Номер патента: RU2561511C1. Автор: Валерий Иванович Выбыванец,Сергей Анатольевич Конарев,Дмитрий Яковлевич Кравецкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение &#34;ЛУЧ&#34; (ФГУП &#34;НИИ НПО &#34;ЛУЧ&#34;). Дата публикации: 2015-08-27.

Method for etching of langasite single crystals

Номер патента: RU2052546C1. Автор: В.С. Исаев,О.В. Димитрова,В.Б. Грузиненко,Е.Е. Стрелкова,Б.И. Высоцкий,Г.Р. Рошкован,В.В. Безделкин. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1996-01-20.

Method for growth of sapphire single crystals growth

Номер патента: RU2355830C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Александр Юрьевич Игнатов,Сергей Викторович Москаленко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский государственный технический университет. Дата публикации: 2009-05-20.

Device for growing of single-crystal pipes and method of their obtaining

Номер патента: RU2531823C1. Автор: Виктор Александрович Письменный,Александр Витальевич Сандуленко,Лариса Ивановна Крутова,Василий Николаевич Ветров. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра &#34;Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова&#34; (ОАО &#34;НИТИОМ ВНЦ &#34;ГОИ им. С.И. Вавилова&#34;). Дата публикации: 2014-10-27.

Method producing single crystal fibers made of refractory materials

Номер патента: RU2577260C1. Автор: Владимир Павлович Бирюков,Элгуджа Георгиевич Гудушаури,Денис Юрьевич Татаркин,Алексей Анатольевич Фишков,Ольга Николаевна Чурляева. Владелец: Ольга Николаевна Чурляева. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of treatment of grown ingots of silicon single- crystals

Номер патента: RU2186887C2. Автор: Сергей Борисович Берингов,Юрий Григорьевич Шульга,Юрий Владимирович Ушанкин. Владелец: Закрытое Акционерное Общество &#34;Пиллар&#34;. Дата публикации: 2002-08-10.

Mixture for growing corundum single crystals of violet gamma

Номер патента: RU2049832C1. Автор: Тамара Александровна Дербенева,Людмила Николаевна Райская. Владелец: Людмила Николаевна Райская. Дата публикации: 1995-12-10.

Diamond grinding tool

Номер патента: CA162794S. Автор: . Владелец: SUPERABRASIVE Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

A single crystal alumina filled die attach paste

Номер патента: MY178045A. Автор: WEI Yao,Long Fang,Wangsheng Fang. Владелец: HENKEL AG & CO KGAA. Дата публикации: 2020-09-30.

Single-crystal dl-cysteine and process for producing same

Номер патента: CA1202981A. Автор: Akihiro Yamaguchi,Chojiro Higuchi,Ryuichi Mita,Toshio Katoh,Masaharu Ohoka. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1986-04-08.

Method of preparation of optically transparent single crystals of terbium-gallium garnet

Номер патента: RU2328561C1. Автор: Игорь Анатольевич Иванов,Алексей Михайлович Бульканов. Владелец: Закрытое акционерное общество &#34;НИИ материаловедения&#34;. Дата публикации: 2008-07-10.

Device for growing of refractory single crystal

Номер патента: RU2361020C1. Автор: Сергей Николаевич Соловьев,Евгений Андреевич Гарибин,Алексей Александрович Демиденко,Игорь Алексеевич Миронов. Владелец: Закрытое акционерное общество (ЗАО) &#34;ИНКРОМ&#34;. Дата публикации: 2009-07-10.

Facility for receiving of cast made of heat-resistant alloys with single-crystal structure

Номер патента: RU2353471C2. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Юрий Александрович Бондаренко,Александр Борисович Ечин,Валентина Алексеевна Сурова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов&#34; (ФГУП &#34;ВИАМ&#34;). Дата публикации: 2009-04-27.

Diamond grinding tool

Номер патента: CA162795S. Автор: . Владелец: SUPERABRASIVE Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Diamond grinding tool

Номер патента: CA162793S. Автор: . Владелец: SUPERABRASIVE Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Single crystal growing process

Номер патента: RU2241792C1. Автор: Ю.М. Смирнов,А.И. Колесников,И.А. Каплунов. Владелец: Каплунов Иван Александрович. Дата публикации: 2004-12-10.

Technique of furnace feed additional charging during process of silicon single crystal growing by czochralski method

Номер патента: RU2343234C1. Автор: Виктор Сергеевич Белоусов,Константин Анатольевич Тузовский,Константин Анатольевич Тузовский (RU),Виктор Сергеевич Белоусов (RU). Владелец: Закрытое Акционерное Общество &#34;ТЕЛЕКОМ-СТВ&#34;. Дата публикации: 2009-01-10.

Device for growing of silicon single crystals

Номер патента: RU2052547C1. Автор: Леонид Кунонович Куценогий,Станислав Иванович Петров,Юрий Григорьевич Сергиенко,Анатолий Игнатьевич Бузунов,Юрий Мойсеевич Гельгафт,Петр Инокентьевич Панов. Владелец: Красноярский машиностроительный завод. Дата публикации: 1996-01-20.

Method of producing castings from high-temperature alloys with directed or single-crystal structure

Номер патента: RU2164192C2. Автор: Е.Н. Каблов,В.В. Герасимов,И.М. Демонис,Е.М. Висик. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов. Дата публикации: 2001-03-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.