Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Power wiring for semiconductor gate array integrated circuit

Power wiring for semiconductor gate array integrated circuit

Номер патента: JPS6461929A
Опубликовано: 08-03-1989
Автор(ы): Toru Hiyama, Yasuo Takanashi, Yoshinori Sakataya
Принадлежит: HITACHI LTD

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Gate array type semiconductor integrated circuit by master slicing system

Номер патента: JPS58142545A. Автор: Masao Nakaya,中屋　雅夫. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1983-08-24.

Gate array type semiconductor integrated circuit device and clock skew adjustment method for clock driver thereof

Номер патента: JP3006804B2. Автор: 勤 波田野. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-07.

Clipping method in gate-array master-slice integrated circuit

Номер патента: JPS6199349A. Автор: Shigeru Fujii,Yoshihisa Takayama,藤井　滋,高山　良久. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-05-17.

Gate array type semiconductor integrated circuit

Номер патента: JPS6265439A. Автор: Takehide Shirato,猛英 白土. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-03-24.

Gate array type semiconductor integrated circuit

Номер патента: JPS63273333A. Автор: Akihiko Fusatani,Noriaki Tsuchiya,土屋　徳明,房谷　昭彦. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 1988-11-10.

Gate array type semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JP3065672B2. Автор: 泰伸 中瀬,公大 上田. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-17.

Gate array integrated circuit including a unit cell basic layer having gate terminal regions allowing two contact pads to be disposed laterally

Номер патента: US20060060889A1. Автор: Hirofumi Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20200251497A1. Автор: Yusuke Matsui,Yuta MIZUOCHI,Moena YATABE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-08-06.

Master slice gate array integrated circuits with basic cells adaptable for both input/output and logic functions

Номер патента: US5367187A. Автор: Alex Yuen. Владелец: Quality Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-11-22.

Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080141186A1. Автор: Mitsuhiro Imaizumi,Takahiro Nagatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Gate array and manufacturing method of semiconductor integrated circuit using gate array

Номер патента: US20010003052A1. Автор: Shigenobu Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-06-07.

Gate array and manufacturing method of semiconductor integrated circuit using gate array

Номер патента: US20010038107A1. Автор: Shigenobu Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Gate array and manufacturing method of semiconductor integrated circuit using gate array

Номер патента: US6207979B1. Автор: Shigenobu Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-03-27.

Gate array and manufacturing method of semiconductor integrated circuit using gate array

Номер патента: US6538269B2. Автор: Shigenobu Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-25.

Gate array and manufacturing method of semiconductor integrated circuit using gate array

Номер патента: US6300230B2. Автор: Shigenobu Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-10-09.

Power and ground shield mesh to remove both capacitive and inductive signal coupling effects of routing in integrated circuit device

Номер патента: US20090032846A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Power and Ground Shield Mesh to Remove Both Capacitive and Inductive Signal Coupling Effects of Routing in Integrated Circuit Device

Номер патента: US20100301397A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

BI-CMOS gate array semiconductor integrated circuits and internal cell structure involved in the same

Номер патента: US5497014A. Автор: Takayuki Momose. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Integrated circuit chip structure wiring and circuitry for driving highly capacitive on chip wiring nets

Номер патента: CA1229428A. Автор: Philip E. Pritzlaff, Jr.,Edward F. Culican. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-11-17.

Backside programmable gate array

Номер патента: US20240162231A1. Автор: Carl Radens,Brent A. Anderson,Albert M. Young,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Gate array architecture

Номер патента: US6753209B2. Автор: Brian D. Possley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-22.

Layout method and layout apparatus for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090093099A1. Автор: Naohiro Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Computerized standard cell library for designing integrated circuits (ICs) with high metal layer intra cell signal wiring, and ICs including same

Номер патента: US20040195690A1. Автор: Dorit Flohr. Владелец: Silicon Design Systems Ltd. Дата публикации: 2004-10-07.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Inter-tile buffer system for a field programmable gate array

Номер патента: US6800884B1. Автор: Tong Liu,SHENG Feng,Jung-Cheun Lien. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2004-10-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11309333B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Configurable gate array cell with extended poly gate terminal

Номер патента: US20050189569A1. Автор: Elisabeth Hartwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Programmable word length and self-testing memory in a gate array with bidirectional symmetry

Номер патента: CA1242276A. Автор: Joseph L. Angleton,Jeffery L. Gutgsell. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-09-20.

Personalizable gate array devices

Номер патента: US5545904A. Автор: Zvi Orbach. Владелец: Quick Tech Ltd. Дата публикации: 1996-08-13.

Trench isolation for semiconductor devices

Номер патента: US20010013631A1. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9202761B2. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-01.

Integrated circuit having wiring structure, solid image pickup element having the wiring structure, and imaging device having the solid image pickup element

Номер патента: US20100244176A1. Автор: Takeharu Eto. Владелец: KINKI UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-09-30.

Manufacturing method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130230964A1. Автор: Akira Imai,Toshiaki Iwamatsu,Akihiro Nakae. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Buried patterned conductor planes for semiconductor-on-insulator integrated circuit

Номер патента: US6121659A. Автор: Ii John Edward Sheets,Todd Alan Christensen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Supporting member for semiconductor elements, and method for driving supporting member for semiconductor elements

Номер патента: US20060040431A1. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09911745B2. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Method of forming a dielectric collar for semiconductor wires

Номер патента: WO2021069310A1. Автор: Wei Sin Tan,Pierre Tchoulfian,Pamela Rueda Fonseca. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Packaging integrated circuits

Номер патента: EP1854143A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-11-14.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Dual-gate array substrate and display device

Номер патента: US20230037033A1. Автор: Weiyun HUANG,Tingliang Liu,Pengcheng ZANG,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Packaging integrated circuits

Номер патента: WO2006092725A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-09-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Gate array large scale integrated circuit devices

Номер патента: IE54711B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-01-17.

Power integrated circuit with high insensitivity to parasitic inductances of wires for connection to a package and package for said integrated circuit

Номер патента: US20090073625A1. Автор: Edoardo Botti,Pietro Mario Adduci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-19.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240128161A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Jinkyu Kim,Kyoungwoo Lee,Sangcheol NA,Sora YOU,Sungmoon Lee,Seungmin Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor integrated circuit with improved power supply system

Номер патента: US20070120257A1. Автор: Makoto Ichida,Masanori Wada,Kazuma Tashiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Multiple-bit memory latch cell for integrated circuit gate array

Номер патента: US20040169205A1. Автор: Michael Dillon,Bret Oeltjen. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-09-02.

Semiconductor device method of generating semiconductor device pattern method of semiconductor device and pattern generator for semiconductor device

Номер патента: US20050017320A1. Автор: Hiroshi Benno,Hiroyuki Tsujikawa,Kenji Shimazaki,Masatoshi Sawada,Mitsumi Itoh,Junko Honma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-27.

Semiconductor device method of generating semiconductor device pattern method of semiconductor device and pattern generator for semiconductor device

Номер патента: US7307333B2. Автор: Hiroshi Benno,Hiroyuki Tsujikawa,Kenji Shimazaki,Masatoshi Sawada,Mitsumi Itoh,Junko Honma. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-11.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4333070A1. Автор: Youngwoo KIM,Seungmin Song,Jinkyu Kim,Namhyun LEE,Sora YOU,Sungmoon Lee,Seungmin Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240047339A1. Автор: Youngwoo KIM,Seungmin Song,Jinkyu Kim,Namhyun LEE,Sora YOU,Sungmoon Lee,Seungmin Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for semiconductor integrated circuit fabrication and a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050006709A1. Автор: Takeshi Takagi,Akira Asai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Dishing prevention dummy structures for semiconductor devices

Номер патента: US10516029B2. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Ta-Wei Lin,Yi-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-24.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Integrated circuit power transistor array

Номер патента: CA1183278A. Автор: James R. Kuo,Maggie Leung. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-02-26.

Analysis apparatus for semiconductor LSI circuit electrostatic discharge by calculating inter-pad voltage between pads

Номер патента: US7340699B2. Автор: Sachio Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-04.

Logical three dimensional interconnections between integrated circuit chips using a two dimensional multi-chip module

Номер патента: US5543640A. Автор: James Sutherland,Hem P. Takiar,Timothy L. Garverick,George F. Reyling, Jr.. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-08-06.

Integrated linear current sense circuitry for semiconductor transistor devices

Номер патента: US09983239B2. Автор: Robert Mayell. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Boundary scheme for semiconductor integrated circuit and method for forming an integrated circuit

Номер патента: US20210202528A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of optimizing integrated circuits, apparatus for designing semiconductors, and program object for designing integrated circuits

Номер патента: US20020006695A1. Автор: Winfried Kamp,Joel Hatsch,Ronald KÜNEMUND,Eva Lackerschmid,Heinz SÖLDNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-01-17.

ASIC book to provide ESD protection on an integrated circuit

Номер патента: US6292343B1. Автор: Tariq Rahman,Steven H. Voldman,James P. Pequignot,Jeffrey H. Sloan,Douglas W. Stout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-09-18.

Dishing prevention dummy structures for semiconductor devices

Номер патента: US20190097013A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Ta-Wei Lin,Yi-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Dishing prevention dummy structures for semiconductor devices

Номер патента: US20190296121A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Ta-Wei Lin,Yi-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Dishing prevention dummy structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210193813A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Ta-Wei Lin,Yi-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Dishing prevention dummy structures for semiconductor devices

Номер патента: US20200083343A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Ta-Wei Lin,Yi-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Wrap-around contact structures for semiconductor fins

Номер патента: US20220093460A1. Автор: Rishabh Mehandru. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Dishing prevention dummy structures for semiconductor devices

Номер патента: US11569363B2. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Ta-Wei Lin,Yi-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Electrostatic discharge shunt for semiconductor devices

Номер патента: US20150187748A1. Автор: Jia-Sheng Huang. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Backside contacts for semiconductor devices

Номер патента: US12080605B2. Автор: Gilbert Dewey,Willy Rachmady,Aaron D. Lilak,Ehren Mannebach,Anh Phan,Richard E. Schenker,Stephanie A. BOJARSKI,Patrick R. Morrow,Hui Jae Yoo,Jeffrey D. Bielefeld. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Designing method of capacitive element in multilayer wirings for integrated circuit devices based on statistical process

Номер патента: US10163776B2. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-25.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6661062B2. Автор: Yusuke Nonaka,Toshiro Takahashi,Yasunobu Yanagisawa,Kazuhisa Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6538293B2. Автор: Yusuke Nonaka,Toshiro Takahashi,Yasunobu Yanagisawa,Kazuhisa Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-25.

Gate array

Номер патента: US20070138510A1. Автор: Hirofumi Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Active protection circuits for semiconductor devices

Номер патента: US20230275042A1. Автор: Michael A. Smith,Kenneth W. Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20040245618A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Integrated circuit layout and integrated circuit layout method for filter

Номер патента: US20230187426A1. Автор: Chia-Wei Yu,Chao-Yang Chen,Yung-Tai Chen,Sheng-Yang Ho. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Electrostatic discharge protection for integrated circuit during back end-of-line processing

Номер патента: US11764206B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Yu-Lin Chu,Tsung-Yuan Chen,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Circuit configuration for protecting an integrated circuit

Номер патента: US4949212A. Автор: Wolfgang Horchler,Michael Lenz,Frank-Lothar Schwertlein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-14.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6661692B2. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Integrated circuit

Номер патента: US20230126057A1. Автор: Toshiaki DOZAKA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Electrostatic protection circuit with impedance matching for radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20070264957A1. Автор: John Leete. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US12033998B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: EP1982352A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-22.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230411378A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor integrated circuit, layout design system, layout designing method, and non-transitory computer-readable storage medium storing program

Номер патента: EP4386842A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Integrated circuit with guard region and diode circuit

Номер патента: US12040357B2. Автор: Guido Wouter Willem Quax,Dongyong ZHU. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: WO2007086019A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Integrated circuit with protective element

Номер патента: US20240274595A1. Автор: Edgardo Laber,James Edwin Vinson. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Circuit And An Integrated Circuit Including A Transistor And Another Component Coupled Thereto

Номер патента: US20170025405A1. Автор: Chun-Li Liu,Woochul Jeon,Joe Fulton. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Integrated circuits

Номер патента: WO1988002123A1. Автор: Daniel Vincent Mccaughan,Michael Geoffrey Pitt. Владелец: The General Electric Company, P.L.C.. Дата публикации: 1988-03-24.

Contact structure for semiconductor devices and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20020050627A1. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-05-02.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Flexible circuit film having a power wiring set and display apparatus having same

Номер патента: US12113007B2. Автор: Sang Hyun Lee,Whee-won LEE,Boyeon KIM,Myeong Su Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit, wireless communication card and wiring structure of identification mark

Номер патента: US11687757B2. Автор: Chung-Hung Chen,Shih-Hsing Hung,Hsiang-Chi Cheng,Yi-Cheng Lai,Sin-Jie Wang,Shyh-Bin KUO. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2023-06-27.

Integrated circuit, wireless communication card and wiring structure of identification mark

Номер патента: US20210182643A1. Автор: Chung-Hung Chen,Shih-Hsing Hung,Hsiang-Chi Cheng,Yi-Cheng Lai,Sin-Jie Wang,Shyh-Bin KUO. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2021-06-17.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100241374A1. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: EP1465249A3. Автор: Anthony M Chiu,Tom Q Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-20.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: US20040195685A1. Автор: Anthony Chiu,Tom Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-07.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Integrated circuit device

Номер патента: IE53793B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-15.

Integrating chip scale packaging metallization into integrated circuit die structures

Номер патента: US20040245631A1. Автор: Martin Alter. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Wiring structure for an integrated circuit

Номер патента: US6664641B2. Автор: Masahiko Fujisawa,Noboru Morimoto,Akihiko Ohsaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-16.

Wiring structure for an integrated circuit

Номер патента: US20030189224A1. Автор: Masahiko Fujisawa,Noboru Morimoto,Akihiko Ohsaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Underfill structure for semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US12080617B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu,Yu-Wei Chen,Kuan-Yu Huang,Li-Chung Kuo,Long Hua Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Power mesh structure for integrated circuit

Номер патента: US11810856B2. Автор: Yi-Shan Li,Chi-Mao CHEN,Duc Anh NGUYEN,Po-Chen Lo,Shung-Ru LIN. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240339429A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4443481A2. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Testing, manufacturing, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09852957B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chin-Hsien Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Yan-Fu Lin,Yung-Shou Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

3D field programmable gate array system with reset management and method of manufacture thereof

Номер патента: US09843328B1. Автор: Ping Xiao. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Packaging methods for semiconductor devices with encapsulant ring

Номер патента: US09805997B2. Автор: Yu-Chih Liu,Chin-Liang Chen,Chien-Kuo Chang,Kuan-Lin Ho,Wei-Ting Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Carrying member for semiconductor chip designed for building into integrated-circuit card

Номер патента: RU2216042C2. Автор: Франк ПЮШНЕР,Юрген ФИШЕР,Йозеф ХАЙТЦЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2003-11-10.

Defect free deep trench method for semiconductor chip

Номер патента: US20120322259A1. Автор: Kun-Yi Liu. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2012-12-20.

Thermal management systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240363473A1. Автор: Jin Seong Choi,Reza Sharifi,Hyunsuk CHUN,Nicole A. Butel,Kian Yeow GAN. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Thermal management systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4456128A1. Автор: Jin Seong Choi,Reza Sharifi,Hyunsuk CHUN,Nicole A. Butel,Kian Yeow GAN. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

A die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP3754703A1. Автор: Mr. Paolo CREMA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-12-23.

Die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20200402895A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-12-24.

Methods of packaging an integrated circuit and methods of forming an integrated circuit package

Номер патента: USRE42457E1. Автор: Dexin Liang,Lily Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-14.

Manufacturing method of integrated circuit

Номер патента: US20190051530A1. Автор: Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Integrated circuit and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20180166455A1. Автор: Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Integrated circuit and method for manufacturing thereof

Номер патента: US10056397B2. Автор: Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-21.

Integrated circuit and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20180012899A1. Автор: Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Integrated circuit and method for manufacturing thereof

Номер патента: US9929164B2. Автор: Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for improving a drive current for semiconductor devices on a wafer-by-wafer basis

Номер патента: US20060035394A1. Автор: Yuqing Xu,James Vaughan,James Friedmann,Jeffrey Loewecke,Kaneez Banu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Bonding wire for semiconductor package and semiconductor package including same

Номер патента: US09735331B2. Автор: Il Woo Park,Chang Bun Yoon,Soo Moon Park,Mi Hwa YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Insulating film for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7750102B2. Автор: Katsuyuki Watanabe,Yasufumi Watanabe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Method of manufacturing a custom corner attach heat sink design for a plastic ball grid array integrated circuit package

Номер патента: US6110762A. Автор: Michael Barrow. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Semiconductor gate array device having an improved interconnection structure

Номер патента: US4564773A. Автор: Hitoshi Omichi,Tetsu Tanizawa,Yoshiharu Mitono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-01-14.

False collectors and guard rings for semiconductor devices

Номер патента: US20230317775A1. Автор: Alexei Sadovnikov,Guruvayurappan S. MATHUR. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG10201908464VA. Автор: Haibara Teruo,Uno Tomohiro,Yamada Takashi,Oda Daizo. Владелец: Nippon Steel Chemical & Material Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Ag alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP4234734A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Noritoshi Araki,Takumi Ookabe. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Lead grid array integrated circuit

Номер патента: US5210939A. Автор: Debendra Mallik,Bidyut K. Bhattacharyya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-05-18.

Cu alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: PH12020551276A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Steel Chemical And Mat Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-31.

Cu alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP3745450A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-12-02.

Cu ALLOY BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210043599A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Dizo ODA. Владелец: Nippon Street Chemical & Matertial Corp Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20230018430A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20200312808A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: PH12018502683B1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Steel Chemical And Mat Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-21.

Cu alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: US10985130B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Ai bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240312946A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Ryo Oishi,Yuto KURIHARA,Yuya SUTO. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of fabricating a vertical quadruple conduction channel insulated gate transistor, and an integrated circuit including this kind of transistor

Номер патента: US20020163027A1. Автор: Thomas Skotnicki,Emmanuel Josse. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-11-07.

Encapsulation for semiconductor integrated circuit chip

Номер патента: CA1168764A. Автор: Arthur J. Ingram,Irving Weingrod. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-06-05.

Package with improved heat transfer structure for semiconductor device

Номер патента: US5528456A. Автор: Nobuaki Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-18.

Vacuum chuck tool for a making a plastic-package ball-grid array integrated circuit, and combination

Номер патента: US5753070A. Автор: Sanjay Dandia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1998-05-19.

Thermal Structure for Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240014091A1. Автор: Yu-Hung Lin,Kuo-Chung Yee,Shih-Peng Tai,Wei-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device having a lightly doped semiconductor gate and method for fabricating same

Номер патента: US20110186926A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor element, semiconductor integrated circuit, and production method for semiconductor element

Номер патента: EP4318598A1. Автор: Takahiro Mori,Takashi Nakayama,Kimihiko Kato,Shota Iizuka,Sanghun Cho,Jyurai KATO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor element, semiconductor integrated circuit, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20240186404A1. Автор: Takahiro Mori,Takashi Nakayama,Kimihiko Kato,Shota Iizuka,Sanghun Cho,Jyurai KATO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-06-06.

Isolation structures for semiconductor integrated circuit substrates and methods of forming the same

Номер патента: EP1958249A1. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2008-08-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070102820A1. Автор: Yoshitaka Kimura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of forming multilayered conductive layers for semiconductor device

Номер патента: US20030235977A1. Автор: Tetsuo Usami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Interposer substrate designs for semiconductor packages

Номер патента: US09905491B1. Автор: DeokKyung Yang,In Sang Yoon,SeongHun Mun. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Low-profile removable ball-grid-array integrated circuit package

Номер патента: US5714803A. Автор: Daniel G. Queyssac. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1998-02-03.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112804A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Method and apparatus for providing field-programmable gate array (FPGA) integrated circuit (IC) package

Номер патента: US11901895B2. Автор: Jinghui Zhu,Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Underfill structure for semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US11842936B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu,Yu-Wei Chen,Kuan-Yu Huang,Li-Chung Kuo,Long Hua Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Ball grid array integrated circuit package that has vias located within the solder pads of a package

Номер патента: MY115887A. Автор: BARROW Michael. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-09-30.

Underfill Structure for Semiconductor Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230253280A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu,Yu-Wei Chen,Kuan-Yu Huang,Li-Chung Kuo,Long Hua Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method and apparatus for providing field-programmable gate array (fpga) integrated circuit (ic) package

Номер патента: US20210376833A1. Автор: Jinghui Zhu,Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of forming copper interconnections for semiconductor integrated circuits on a substrate

Номер патента: EP1466352A1. Автор: Hyung-Sang Park,Sang-Won Kang. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Ball-type bonding wires for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: GB2174032A. Автор: Noriko Watanabe,Kazumichi Machida,Jitsuho Hirota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-10-29.

Decoupling method for semiconductor device

Номер патента: US20240228264A9. Автор: Roseanne Duca. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for characterizing an integrated circuit manufacturing process

Номер патента: US20100005436A1. Автор: Wayne Clark,Mark Laird,Yiping Szu. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-01-07.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: MY164384A. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara. Владелец: Nippon Steel & Sumikin Mat Co. Дата публикации: 2017-12-15.

Redistribution Structures for Semiconductor Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230268196A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Testing, Manufacturing, and Packaging Methods for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170345726A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chin-Hsien Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Yan-Fu Lin,Yung-Shou Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Redistribution Structures for Semiconductor Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210327726A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Composition having suppressed alumina damage and production method for semiconductor substrate using same

Номер патента: US20210002591A1. Автор: Kenji Yamada,Toshiyuki Oie,Akinobu HORITA,Takahiro Kikunaga. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor integrated circuit capacitor

Номер патента: WO1983004343A1. Автор: Joshua Alspector,Eliezer Kinsbron,Marek Andre Sternheim. Владелец: Western Electric Company, Inc.. Дата публикации: 1983-12-08.

Redistribution structures for semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US11923207B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Systems and methods for integrating batteries with stacked integrated circuit die elements

Номер патента: EP3973528A1. Автор: Wei-Ti Liu,Darrel James Guzy. Владелец: Arbor Co LLP. Дата публикации: 2022-03-30.

Cu ALLOY CORE BONDING WIRE WITH Pd COATING FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190164927A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Cu ALLOY CORE BONDING WIRE WITH Pd COATING FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200013747A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Palladium alloy thin wire for wire bonding semiconductor elements

Номер патента: SG44586A1. Автор: Osamu Kitamura. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-12-19.

Thin gold alloy wire for bonding

Номер патента: SG54359A1. Автор: Ichimitsu Itabashi,Toshitaka Mitamura. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 1998-11-16.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: US09887172B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Kazuyuki Saito,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2491683C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Джон И. ЭПЛЕР,Патрик Н. ГРИЙО,Рафаэл I АЛДАЗ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

Structure and Method for Semiconductor Devices

Номер патента: US20220157963A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Structure and Method for Semiconductor Devices

Номер патента: US20230378301A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US11824107B2. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: EP3678191A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US20240047566A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US20200219997A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP4361301A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: PH12015502710A1. Автор: Haibara Teruo,Uno Tomohiro,Yamada Takashi,Oda Daizo,OISHI Ryo. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-14.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: US20160104687A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20230148306A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Gold bond wire for a semiconductor device

Номер патента: EP1168439A3. Автор: Itabashi c/o Mitaka Factory Ichimitsu,Takaura c/o Mitaka Factory Shin. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2002-04-10.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240290745A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240290743A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240290744A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240297142A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: GB9509683D0. Автор: . Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 1995-07-05.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG64376A1. Автор: Ichiro Nagamatsu,Hiroto Iga,Keiko Itabashi,Taeko Tobiyama. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 1999-04-27.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: US09773748B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Magnet wire for 3D electronic circuitry

Номер патента: US09736932B1. Автор: Anwar Mohammed,Murad Kurwa,Weifeng Liu. Владелец: FLEXTRONICS AP LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Device for contact photolithography for semiconductor plates with a base cut

Номер патента: RU2691159C1. Автор: Борис Николаевич Самсоненко. Владелец: Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн"). Дата публикации: 2019-06-11.

Use of conductive lines on the back side of wafers and dice for semiconductor interconnects

Номер патента: US5817530A. Автор: Michael B. Ball. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-10-06.

Integrated circuit package for semiconductor devices with improved electric resistance and inductance

Номер патента: US20050145996A1. Автор: Sik Lui,Anup Bhalla,Yueh-Se Ho,Leeshawn Luo,Mike Chang. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

A method to provide substrate-ground coupling for semiconductor integrated circuit dice constructed from soi and related materials in stacked-die packages

Номер патента: US20080044947A1. Автор: Ken M. Lam. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Adhesive sheet for semiconductor connecting substrate, adhesive-backed tape for TAB, adhesive-backed tape for wire bonding connection, semiconductor connecting substrate, and semiconductor device

Номер патента: EP1447843A3. Автор: Yoshio Ando,Taku Hatano,Shoji Kigoshi,Yukitsuna Konishi,Yasushi Sawamura. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2004-12-01.

Method of facilitating straining of a semiconductor element for semiconductor fabrication, semiconductor platform obtained by the method, and optoelectronic device comprising the semiconductor platform

Номер патента: US20200105962A1. Автор: Chuan Seng Tan,Jurgen Michel,Yiding Lin. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-02.

Systems and methods for semiconductor adaptive testing using inline defect part average testing

Номер патента: EP4285128A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Oreste Donzella,Chet LENOX,Kara SHERMAN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Hybrid Bonding Systems and Methods for Semiconductor Wafers

Номер патента: US20150287694A1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Shih-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: MY176699A. Автор: Yoshinori Nagao. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2020-08-19.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Carrier substrate for semiconductor structures suitable for a transfer by transfer print and manufacturing of the semiconductor structures on the carrier substrate

Номер патента: US20240371669A1. Автор: Ralf Lerner. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Reflecting contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2535636C2. Автор: Джон И. ЭПЛЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-12-20.

Ball grid array integrated circuit package

Номер патента: US6133134A. Автор: Behrooz Mehr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Ball grid array integrated circuit package with thermal conductor

Номер патента: US5583378A. Автор: Robert C. Marrs,Ronald J. Molnar. Владелец: Amkor Electronics Inc. Дата публикации: 1996-12-10.

Multi-Output Look-Up Table (LUT) for Use in Coarse-Grained Field-Programmable-Gate-Array (FPGA) Integrated-Circuit (IC) Chip

Номер патента: US20230363182A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Lithography process for semiconductor packaging and structures resulting therefrom

Номер патента: US20200105711A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Ming-Tan LEE,Shih-Peng Tai,Ting-Yang Yu,I-Chia Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155933A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Gas saver for semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2008020715A1. Автор: Jong-Ha Park. Владелец: Jong-Ha Park. Дата публикации: 2008-02-21.

Wafer edge protective-film-forming composition for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP4398035A1. Автор: Rikimaru Sakamoto,Satoshi Takeda,Takahiro Kishioka,Hayato Hattori,Shunsuke MORIYA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Film for semiconductor and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: SG177573A1. Автор: Hiroyuki Yasuda,Takashi Hirano. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-02-28.

Lead frame for semiconductor package

Номер патента: US20110248390A1. Автор: Kai Yun Yow,Chee Seng Foong,Tzu Ling WONG. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-10-13.

Resin composition for semiconductor sealing, underfill material, mold resin, and semiconductor package

Номер патента: US20240055308A1. Автор: Koichiro Okamoto. Владелец: Sekisui Kasei Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20090051013A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-02-26.

Oxidation resistant barrier metal process for semiconductor devices

Номер патента: US20180308802A1. Автор: Jeffrey A. West,Eric H. Warninghoff,Kezhakkedath R. Udayakumar,Alan G. MERRIAM,Rick A. FAUST. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Oxidation resistant barrier metal process for semiconductor devices

Номер патента: EP3391408A1. Автор: Jeffrey A. West,Eric H. Warninghoff,Kezhakkedath R. Udayakumar,Alan G. MERRIAM,Rick A. FAUST. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-10-24.

Mounting arrangements for semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20230307586A1. Автор: David N. Randolph,Timothy Ling,Ryan MOHN,David PEOPLES,Wooh Jae Kim. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7977238B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20050006744A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100203724A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Nozzle assembly for a saw for semiconductors

Номер патента: EP1725384A1. Автор: Atapol Prajuckamol,Frederik H. In 't Veld,Johannes H. Savenije,Leonardus A. E. Van Gemert. Владелец: Towa-Intercon Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-29.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US7696617B2. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20110062558A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-03-17.

Packages for semiconductor devices and methods for assembling same

Номер патента: US20160090301A1. Автор: Conrad Cachia. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2016-03-31.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Tray for semiconductor devices

Номер патента: US09818632B2. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Hybrid bonding systems and methods for semiconductor wafers

Номер патента: US09748198B2. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Shih-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Laser assisted bonding for semiconductor die interconnections

Номер патента: US09627348B2. Автор: Ju Hoon Yoon,Min Ho Kim,Choon Heung Lee,Chan Ha Hwang,Dong Su Ryu,Yang Gyoo Jung,Choong Hoe Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Multi-Output Look-Up Table (LUT) for Use in Coarse-Grained Field-Programmable-Gate-Array (FPGA) Integrated-Circuit (IC) Chip

Номер патента: US20230095330A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Water Cooling System for Semiconductor Package

Номер патента: US20240105550A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Yi Kuo,Yu-Sheng Huang,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Scribe Edge Protection Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20240030158A1. Автор: Hsiu-Ping Wei,Szu-Ying Ho,Jeng-Wen P Chen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US7803703B2. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-28.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

P+ or N+ type doping process for semiconductors

Номер патента: US11769668B2. Автор: Gianluigi MAGGIONI,Davide DE SALVADOR,Daniel Ricardo NAPOLI,Enrico NAPOLITANI. Владелец: Instituto Nazionale di Fisica Nucleare INFN. Дата публикации: 2023-09-26.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Encapsulation warpage reduction for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: US20240266191A1. Автор: Brandon P. Wirz,Liang Chun Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110421B2. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Package for semiconductor

Номер патента: US20240347434A1. Автор: Young Ho Kim,Jong Heon Kim,Bo Mi Lee,Yun Mook PARK,Hyung Jin Shin,Young Mo Lee,Kyu Shik KIM. Владелец: Nepes Laweh Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Adhesive resin compostition for bonding semiconductors and adhesive film for semiconductors

Номер патента: US09953945B2. Автор: Kwang Joo Lee,Se Ra Kim,Hee Jung Kim,Jung Hak Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Compositions and methods for semiconductor processing and devices formed therefrom

Номер патента: US09793188B2. Автор: Arjun Mendiratta. Владелец: Equity Solar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Microwave integrated circuit housing

Номер патента: RU2690092C1. Автор: Алексей Сергеевич Будяков,Евгений Матвеевич Савченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО". Дата публикации: 2019-05-30.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Reconfigurable processor module comprising hybrid stacked integrated circuit die elements

Номер патента: CA2467821C. Автор: Jon M. Huppenthal,D. James Guzy. Владелец: Arbor Co LLP. Дата публикации: 2006-09-12.

Systems and methods for modular disaggregated integrated circuit systems

Номер патента: EP4304092A1. Автор: Ankireddy Nalamalpu,Atul Maheshwari,Lai Guan Tang,Mahesh Kumashikar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-10.

Wafer-level backside layer for semiconductor apparatus

Номер патента: US20230064066A1. Автор: Yuan Zhang,HAO Zhang,DING Han,Yuntao Xu,Minhui MA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Symmetrical substrate for semiconductor packaging

Номер патента: US11776886B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230268258A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984389B2. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220375837A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing

Номер патента: EP3919578A1. Автор: Shunpei Tanaka,Hiroki Kono,Taiki Ueno. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-12-08.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Component carrier for semiconductor manufacturing and component transport system using same

Номер патента: US20230411196A1. Автор: Jae Won Shin. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated circuit structure, display module, and inspection method thereof

Номер патента: US20180188572A1. Автор: Neng-Yi Lin,Chien-Chih Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-07-05.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure

Номер патента: US20240258220A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090309133A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Takayuki Ito,Takuo Ohashi,Kiyotaka Miyano,Kouji Matsuo,Kenichi Yoshino,Toshihiko Iinuma,Yusuke Oshiki,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Monitoring physical operating parameters of an integrated circuit

Номер патента: US7928882B2. Автор: Marcel Pelgrom,Violeta Petrescu,Hendricus J M Veendrick. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-04-19.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Crystallization processing for semiconductor applications

Номер патента: SG10201407955QA. Автор: Stephan Moffat. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

An integrated circuit package, and a method for producing an integrated circuit package having two dies with input and output terminals of integrated circuits of the dies directly addressable for testing of the package

Номер патента: EP1979757A1. Автор: Noel A. Mcnamara. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-10-15.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A4. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2006-05-31.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: WO1999046965A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Technology, LLC. Дата публикации: 1999-09-16.

Underfill film for semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20220199430A1. Автор: Taejin CHOI,Jungjin Lee,Chunggu Lee,Sooin Park. Владелец: Doosan Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: US20170365576A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20200048454A1. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US10793712B2. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Integrated circuit and method of designing integrated circuit

Номер патента: US20020031850A1. Автор: Tsutomu Takabayashi,Shizuo Morizane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Mount tape having an inner support layer between adhesive layers for semiconductor device assembly

Номер патента: US20240063047A1. Автор: Brandon P. Wirz,Youngrae Kim,Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods and devices of correcting layout for semiconductor processes using machine learning

Номер патента: US12086526B2. Автор: Sooyong Lee,Seunghune YANG,Jeeyong Lee,Hyeyoung Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2000-12-27.

Stacked display driver integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US12094405B2. Автор: Changju Lee,Kyoungmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: EP1756867A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Communication between integrated circuit (1c) dies in wafer- level fan-out package

Номер патента: EP4222864A1. Автор: Parag Upadhyaya,Chi Fung Poon,Asma Laraba. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: ZA202301991B. Автор: Nikolas Radosevic (Deceased),Wijk Adrian Van. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: US12135667B2. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jakob Raymond Jones. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Structural and thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US12046534B2. Автор: Brett W. Degner,Michael E. Leclerc,Kevin J. Ryan,Eric R. Prather,Simon J. TRIVETT,Mahesh S. Hardikar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit stack

Номер патента: US09947609B2. Автор: James Hobbs,Kenneth H. Heffner,James L. Tucker,Gary Roosevelt. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit packaging system with a grid array with a leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09799589B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US09786635B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Film for semiconductor back surface and its use

Номер патента: US09768050B2. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit packaging system with conductive pillars and method of manufacture thereof

Номер патента: US09748203B2. Автор: Kyunghwan Kim,DeokKyung Yang,In Sang Yoon,SeongHun Mun. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: US09698780B2. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Integral circuit assembly

Номер патента: RU2145732C1. Автор: Удо Детлеф,Киршбауер Йозеф,Менш Ханс-Георг,Штампка Петер,Штекхан Ханс-Хиннерк. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2000-02-20.

Case of powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit

Номер патента: RU2659304C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Михаил Сергеевич Попов,Михаил Миронович Крымко,Андрей Анатольевич Пронин,Вадим Владимирович Груздов,Александр Дмитриевич Першин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-29.

Package to mount chip in integrated circuit and process of its assembly

Номер патента: RU2191445C2. Автор: Стефен Уэсли МАККВЭРРИ,Уэйн Расселл СТОРР,Джеймс Уоррен УИЛСОН. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2002-10-20.

Symmetrical substrate for semiconductor packaging

Номер патента: US20240021510A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Engineered substrates for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20130049043A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke,Casey Kurth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Integrated circuit and an operation method thereof

Номер патента: US12034297B2. Автор: Kai Zhou,Lei Pan,Ya-Qi Ma,Zhang-Ying YAN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234340A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG,Yuan Sheng Chiu,Hong-Yu Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Multi-chip module hybrid integrated circuit with multiple power zones that provide cold spare support

Номер патента: EP3977510A1. Автор: Dale A. Rickard,Keith K. Sturcken,Jason F. Ross,Alan F. Dennis,Lori D. Dennis,Jamie A. Bernard,Jane O. Gilliam. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2022-04-06.

Heterogeneous integrated circuit for short wavelengths

Номер патента: US20220270977A1. Автор: Daniel N. Carothers. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Connection board, and multi-layer wiring board, substrate for semiconductor package and semiconductor package using connection board, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090008141A1. Автор: Fumio Inoue,Shigeharu Arike,Akishi Nakaso,Tetsuya Enomoto,Norio Moriike,Hidehiro Nakamura,Kousuke Hiroki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

System and method for wireless and dynamic intra-process measurement of integrated circuit parameters

Номер патента: US20090240452A1. Автор: Mete Erturk,Sebastian T. Ventrone,Ezra D.B. Hall,Anthony J. Perri,Theodoros E. Anemikos,Phillip L. Corson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Integrated circuit package system with integrated circuit support

Номер патента: US20070108559A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey Punzalan,Henry Bathan,Zigmund Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Passivation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4241307A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Brett Hull,Edward Robert Van Brunt,Joe W. McPherson,In-Hwan Ji,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Mounting devices for semiconductor packages

Номер патента: US20200286810A1. Автор: Francisco Gonzalez Espin,Torbjorn Hallberg,Jose Antonio Castillo. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2020-09-10.

Driving integrated circuit for display

Номер патента: US20210319738A1. Автор: Hee Joo Kim. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120019566A1. Автор: Satoru Ito,Takashi Kumagai,Junichi Karasawa,Satoru Kodaira,Noboru Itomi,Kazuhiro Maekawa,Masahiko Moriguchi,Hisanobu Ishiyama,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240204767A1. Автор: Kosuke Yamamoto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: EP1616380A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-18.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: WO2004091067A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-21.

Stacked superconducting integrated circuits with three dimensional resonant clock networks

Номер патента: EP4268046A1. Автор: Anna Y. Herr,Vladimir V. Talanov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Integrated circuit with circuit elements having different supply voltages

Номер патента: US20020043670A1. Автор: Paul Zehnich. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2002-04-18.

Graphene for semiconductor co-doping boron and nitrogen at the same time and preparation method thereof

Номер патента: US20150213915A1. Автор: Jong-Beom Baek,In-Yup Jeon,Sun-Min Jung. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit chip and package

Номер патента: EP1818988A3. Автор: Bo-Eun Kim,Kyung Oh Kim,Seok Phyo Sangrok Apt. 706-105 Sinjeong Maeul Tchun. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Integrated circuit integration of t-coils at interfaces to communication links

Номер патента: US20240235188A9. Автор: Patrick Isakanian,Darius VALAEE,Srivatsan Thiruvengadam. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit package architecture

Номер патента: US20120159779A1. Автор: William Y. Hata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Leadframe in packages of integrated circuits

Номер патента: US20200235044A1. Автор: Hyoung Il Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Integrated circuit chip package

Номер патента: US20020014684A1. Автор: Edward Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor interconnect, electrode for semiconductor device, and method of preparing multielement compound thin film

Номер патента: US20220028792A1. Автор: Joungeun YOO,Sangwoon Lee,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor interconnect, electrode for semiconductor device, and method of preparing multielement compound thin film

Номер патента: US20230343709A1. Автор: Joungeun YOO,Sangwoon Lee,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-10-26.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20210002474A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Hiroki Oishi,Ryuhei Yokota,Masahiro Kaneta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Methods and devices for packaging integrated circuits

Номер патента: US20140291782A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof

Номер патента: US20230317555A1. Автор: Li Yuan,Jiang Zhi,ZHOU JIE,Xiao Yangyang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Large scale integrated circuit chip and large scale integrated circuit wafer

Номер патента: US20170278805A1. Автор: Atsushi Obuchi,Hiroshi Kaga,Takashi Yoneoka. Владелец: Wells Fargo Bank NA. Дата публикации: 2017-09-28.

Optical bus in 3d integrated circuit stack

Номер патента: WO2012003530A9. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US7465655B2. Автор: Joseph Michael Freund,John M. Brennan,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US20060264024A1. Автор: John Brennan,Joseph Freund,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-23.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor integrated circuit, and sensor system and vehicle including the same

Номер патента: US20180069169A1. Автор: Akihiro Ota,Yuji Kaneda,Isao Niwa,Yuzo Mizushima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US20040088667A1. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US6954919B2. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-11.

System For Shielding Integrated Circuits

Номер патента: US20080093742A1. Автор: John Fleming Walker. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuits having cascode transistor

Номер патента: US9170596B2. Автор: Yvonne Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-27.

Integrated circuits having cascode transistor

Номер патента: US20140285255A1. Автор: Yvonne Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Integrated circuit package system with adhesive segment spacer

Номер патента: US20100072630A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza Argenty Pagaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Doping procedures for semiconductor devices

Номер патента: CA2018976A1. Автор: Jenn-Ming Kuo,Rose Fasano Kopf,Erdmann Frederick Schubert,Henry Steven Luftman. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-12-31.

Electronic circuit apparatus and integrated circuit device

Номер патента: US20040080341A1. Автор: Teruo Hirayama,Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Graphene for semiconductor co-doping boron and nitrogen at the same time and preparation method thereof

Номер патента: US9490040B2. Автор: Jong-Beom Baek,In-Yup Jeon,Sun-Min Jung. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A2. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools, Inc.. Дата публикации: 2003-06-12.

Component for semiconductor package and manufacturing method of component for semiconductor package

Номер патента: US20090121341A1. Автор: Kiyoshi Oi,Teruaki Chino. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-14.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110204486A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080303158A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8093723B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7786585B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Alignment of integrated circuit chip stack

Номер патента: US20150024549A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Qinghuang Lin,Sri M. Sri-Jayantha,Vijayeshwar D. Khanna,Roy R. Yu,Evan G. Colgan,Robert L. Wisnieff,Peter J. Sorce,Steven A. Cordes,Kenneth Latzko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Integrated circuit package with serpentine conductor and method of making

Номер патента: US12068232B2. Автор: Michael Wang,Liming Tsau,Cheng Lee,Reza Sharifi,Joon Yeob Lee,Junfei Zhu. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

An apparatus for monolithic power gating on an integrated circuit

Номер патента: EP2633552A1. Автор: Bruce Gieseke,Samuel D. Naffziger,Benjamin Beker. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-09-04.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

High-temperature high-pressure processing method for semiconductor wafers, and an anti-oxidizing body used for the method

Номер патента: US6455446B2. Автор: Yutaka Narukawa,Makoto Kadoguchi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2002-09-24.

Method for improving prompt dose radiation response of mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US20120306050A1. Автор: John C. Rodgers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Integrated circuit packages

Номер патента: US12057439B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

An apparatus for monolithic power gating on an integrated circuit

Номер патента: WO2012058189A1. Автор: Bruce Gieseke,Samuel D. Naffziger,Benjamin Beker. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

Epoxy Resin Composition for Semiconductor Encapsulation and Semiconductor Device Using the Same

Номер патента: US20080136048A1. Автор: Eiji Toyoda,Kazuhiro Ikemura,Katsuyuki Nakabayashi,Daisuke Tsukahara,Takuya Eto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Integrated circuit with millimeter wave and inductive coupling and methods for use therewith

Номер патента: US20130171933A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Surface treatment method for semiconductor substrates and surface treatment agent composition

Номер патента: US20230282474A1. Автор: Yoshiharu Terui,Yuzo Okumura,Soichi Kumon,Saori Shiota,Yuki Fukui. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for manufacturing tag integrated circuit flexible board and structure of the same

Номер патента: US20080299360A1. Автор: Pei-Choa Wang. Владелец: Pyroswift Holding Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US20010025365A1. Автор: Sumio Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Packaging glass substrate for semiconductor, a packaging substrate for semiconductor, and a semiconductor apparatus

Номер патента: US20210398891A1. Автор: Sungjin Kim,Youngho RHO,Jincheol Kim. Владелец: SKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020049927A1. Автор: Takeshi Yamamura,Kazuhiro Kobayashi,Tadahiro Saitoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Integrated circuit for preventing chip swapping and/or device cloning in a host device

Номер патента: US8650633B2. Автор: Love Kothari,Paul Chou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US20060014370A1. Автор: Charles Cohn,Musawir Chowdhury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US7157361B2. Автор: Charles Cohn,Musawir M. Chowdhury. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-01-02.

Beamforming integrated circuit having rf signal ports using a ground-signal transition for high isolation in a phased antenna array system and related methods

Номер патента: US20220285837A1. Автор: Kevin Greene,Vipul Jain,Amr IBRAHIM. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Hybrid three-dimensional integrated circuit reconfigurable thermal aware and dynamic power gating interconnect architecture

Номер патента: WO2017075464A1. Автор: Chunchen Liu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-05-04.

Metal-free frame design for silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US12074121B2. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Sairam Agraharam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for attaching an integrated circuit chip to a substrate and an integrated circuit chip useful therein

Номер патента: US20010000495A1. Автор: James Lau,Geoffrey Pilkington. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

High-temperature high-pressure processing method for semiconductor wafers, and an anti-oxidizing body used for the method

Номер патента: US20010046786A1. Автор: Yutaka Narukawa,Makoto Kadoguchi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Contactor for semiconductor devices, a testing apparatus using such contactor, a testing method using such contactor, and a method of cleaning such contactor

Номер патента: US20020190741A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Makoto Haseyama,Futoshi Fukaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Analysis module, integrated circuit, system and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20040064772A1. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Ezra Baruch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Manufacturing methods for semiconductor optical devices, semiconductor light sources, optical integrated circuits, and semiconductor optical devices

Номер патента: JP6940866B2. Автор: 浩一 赤羽,敦 松本,赤羽　浩一,松本　敦,直克 山本. Владелец: National Institute of Information and Communications Technology. Дата публикации: 2021-09-29.

Cable having improved arrangement of power wires

Номер патента: US20170207589A1. Автор: Jun Chen,Jerry Wu,Fan-Bo Meng. Владелец: Foxconn Interconnect Technology Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Cable having improved arrangement of power wires

Номер патента: US09979145B2. Автор: Jun Chen,Jerry Wu,Fan-Bo Meng. Владелец: Foxconn Interconnect Technology Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Driving device for semiconductor laser

Номер патента: US5084887A. Автор: Tsuyoshi Ohashi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1992-01-28.

Socket for connecting ball-grid-array integrated circuit device to test circuit

Номер патента: EP1751558A1. Автор: Takayuki Nagumo,Masahito Naito. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2007-02-14.

Sandwich assembly scheme for thin film electrode array and integrated circuits on both sides of printed circuit board (pcb) and method of manufacture

Номер патента: US20210008364A1. Автор: Dongjin Seo,Supin Chen,Camilo A. Diaz-Botia,Vanessa M. Tolosa. Владелец: Neuralink Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Road vehicle with electric drive and power wiring cooling

Номер патента: US20190389310A1. Автор: Fabrizio Favaretto. Владелец: Ferrari SpA. Дата публикации: 2019-12-26.

Measurement method and apparatus for semiconductor features with increased throughput

Номер патента: EP4453654A1. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Eugen Foca,Oliver Malki,Alex Buxbaum,Johannes Persch,Alexander Freytag,Dmitry Klochkov,Amir Avishai. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-10-30.

Battery pack with circuit board having nested castellations for sub-flush power wire soldering

Номер патента: US20180069210A1. Автор: Nathan J. Bohney,Todd L. Mumaw. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Self-aligned transition from ridge to buried heterostructure waveguide, especially for multi-wavelength laser array integration

Номер патента: US5805755A. Автор: Chung-En Zah,Martin Amersfoort. Владелец: Tellium Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A3. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit to waveguide transitional structures and related sensor assemblies

Номер патента: WO2024005880A1. Автор: Scott B. Doyle. Владелец: Veoneer US, LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Dual phased array with single polarity beam steering integrated circuits

Номер патента: WO2019027981A1. Автор: Robert Ian Gresham,Robert Mcmorrow. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2019-02-07.

Single chip gate array

Номер патента: US5146428A. Автор: Nobuyoshi Tanimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-09-08.

CHARACTERIZATION OF POWER DELIVERY NETWORK IN FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAYS OR DIGITAL INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190165782A1. Автор: Betz Vaughn,ZHAO Shuze,AHMED IBRAHIM,TRESCASES Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Characterization of power delivery network in field programmable gate arrays or digital integrated circuits

Номер патента: US20190165782A1. Автор: Ibrahim Ahmed,Vaughn Betz,Shuze Zhao,Oliver TRESCASES. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2019-05-30.

Digital control system providing power and communications via existing power wiring

Номер патента: US09999115B2. Автор: Timothy P. Gredler,Mark S. Taipale,Akshay Bhat. Владелец: Lutron Electronics Co Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Power wiring network apparatus

Номер патента: US11876574B2. Автор: Masayoshi Yoshida,Naomi Shiga. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Power wiring network apparatus

Номер патента: US20210021304A1. Автор: Masayoshi Yoshida,Naomi Shiga. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Communication within an integrated circuit including an array of interconnected programmable logic elements

Номер патента: WO2010079326A3. Автор: Stephen John Hill,Michael Peter Muller. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2010-09-02.

Communication within an integrated circuit including an array of interconnected programmable logic elements

Номер патента: WO2010079326A2. Автор: Stephen John Hill,Michael Peter Muller. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2010-07-15.

Power wiring device

Номер патента: EP3771092A1. Автор: Masayoshi Yoshida,Midori YAMAAI. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2021-01-27.

System level integrated circuit chip

Номер патента: US20190114268A1. Автор: Ning Song,Jinghui Zhu,ChienKuang Chen,Diwakar Chopperla,San-Ta Kow,Tun Jun Gao. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Programmable application-specific integrated circuit

Номер патента: US09893731B1. Автор: Eric T. Pancoast. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit including dedicated and programmable logic

Номер патента: EP1219031A1. Автор: David D. Eaton,Ket-Chong Yap,Kevin K. Yee,E. Thomas Hart,Andrew K. Chan,Neal A. Palmer,Michael W Dini,James Apland,Panawalge S. N. Gunaratna. Владелец: QuickLogic Corp. Дата публикации: 2002-07-03.

Integrated circuit including dedicated and programmable logic

Номер патента: WO2001017112A1. Автор: David D. Eaton,Ket-Chong Yap,Kevin K. Yee,E. Thomas Hart,Andrew K. Chan,Neal A. Palmer,Michael W Dini,James Apland,Panawalge S. N. Gunaratna. Владелец: Quicklogic Corporation. Дата публикации: 2001-03-08.

Wiring configuration of a bus system and power wires in a memory chip

Номер патента: US20140247681A1. Автор: Maksim Kuzmenka,Dirk Scheideler,Kai Schiller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Local skew detecting circuit for semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20090015307A1. Автор: Hong-Sok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Digital load control system providing power and communication via existing power wiring

Номер патента: US11910508B2. Автор: Timothy P. Gredler,Mark S. Taipale,Akshay Bhat. Владелец: Lutron Technology Co LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Low power wired or

Номер патента: WO2002067427A9. Автор: Alex E Henderson,Walter E Croft. Владелец: Fast Chip Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

Digital load control system providing power and communication via existing power wiring

Номер патента: US20240147596A1. Автор: Timothy P. Gredler,Mark S. Taipale,Akshay Bhat. Владелец: Lutron Technology Co LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Power wiring network apparatus

Номер патента: US11837978B2. Автор: Masayoshi Yoshida,Naomi Shiga. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Integrated circuit including an array of logic tiles, each logic tile including a configurable switch interconnect network

Номер патента: US09906225B2. Автор: Cheng C. Wang. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Powered Wire Skinner

Номер патента: US20240170933A1. Автор: Joseph Altieri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-23.

Brushless motor device controlled by a carrier of dc positive and negative power wires

Номер патента: US20140239865A1. Автор: Hui-Yen Chu,Mei-Chun Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-28.

Programmable logic array integrated circuit devices

Номер патента: US20030016053A1. Автор: Christopher Lane,Kerry Veenstra,Joseph Huang,David Mendel,Richard Cliff,Srinivas Reddy,David Jefferson,Bruce Pedersen,Craig Lytle,Francis Heile,Rina Raman,Robert Noel Bielby,L. Cope. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

System level integrated circuit chip

Номер патента: US11157421B2. Автор: Ning Song,Jinghui Zhu,ChienKuang Chen,Diwakar Chopperla,San-Ta Kow,Tun Jun Gao. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Transmitter, integrated circuit, detection section and method for testing integrated circuit

Номер патента: US9991974B2. Автор: Yoshinori Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Transmitter, integrated circuit, detection section and method for testing integrated circuit

Номер патента: US09991974B2. Автор: Yoshinori Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: US20210255879A1. Автор: Daniel Anthony Shaddock,Danielle Marie Rawles WUCHENICH,Benjamin Paul Coughlan,Timothy Tien-Yue LAM,Max Andrew Gordon Schwenke,Paul Anthony Altin. Владелец: Liquid Instruments Pty Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Method for generating control pulses with low jitter level for semiconductor switching devices

Номер патента: RU2752761C1. Автор: Михаил Викторович Моисеев,Андрей Сергеевич Руцкой,Виктор Петрович Зыков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПАРАМЕРУС". Дата публикации: 2021-08-02.

Semiconductor integrated circuit and abnormal oscillation detection method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8248169B2. Автор: Masanori Honda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Quantum field programmable photonic gate array integrated photonic and quantum device, and programmable circuits

Номер патента: CA3164744A1. Автор: Daniel Perez Lopez,José Capmany Francoy. Владелец: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200287531A1. Автор: Hideaki Majima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Optical gate array device

Номер патента: US20090279830A1. Автор: Goji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-11-12.

Programmable logic array integrated circuits

Номер патента: US5764583A. Автор: Joseph Huang,Richard G. Cliff,L. Todd Cope,Cameron R. McClintock,William Leong,James A. Watson,Bahram Ahanin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Programmable logic array integrated circuits

Номер патента: US5883850A. Автор: Joseph Huang,Richard G. Cliff,L. Todd Cope,Cameron R. McClintock,William Leong,James A. Watson,Bahram Ahanin,Fung Fung Lee. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Programmable logic array integrated circuits

Номер патента: US6064599A. Автор: Joseph Huang,Richard G. Cliff,L. Todd Cope,William Leong,James A. Watson,Bahram Ahanin,Cameron R. Mc Clintock. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Programmable logic array integrated circuits

Номер патента: US6134173A. Автор: Joseph Huang,Richard G. Cliff,L. Todd Cope,Cameron R. McClintock,William Leong,James A. Watson,Bahram Ahanin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Integrated circuit structure comprising capacitor element and corresponding manufacturing process

Номер патента: US6511874B2. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-01-28.

Programmable photonic-electronic integrated circuit for optical testing

Номер патента: US20180234177A1. Автор: Peng Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Hierarchical multiplexer-based integrated circuit interconnect architecture for scalability and automatic generation

Номер патента: WO2003010631A3. Автор: Dale Wong,John D Tobey. Владелец: Leopard Logic Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Fpga integrated circuit having embedded sram memory blocks and interconnect channel for broadcasting address and control signals

Номер патента: WO2000044095A9. Автор: Om P Agrawal,Bai Nguyen,Bradley A Sharpe-Geisler,Herman M Chang. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Configurable gate array based on three-dimensional writable memory

Номер патента: US09838021B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Programmable logic array integrated circuits with segmented, selectively connectable, long interconnection conductors

Номер патента: US5614840A. Автор: Richard G. Cliff,William Leong,Cameron McClintock. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Rekonfigurieren eines rekonfigurationsmoduls eines field programmable gate arrays

Номер патента: EP3886391A1. Автор: Fabrizio De Santis,Tolga Sel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-09-29.

Hierarchical multiplexer-based integrated circuit interconnect architecture for scalability and automatic generation

Номер патента: WO2003010631A9. Автор: Dale Wong,John D Tobey. Владелец: Leopard Logic Inc. Дата публикации: 2003-12-24.

Configurable gate array based on three-dimensional printed memory

Номер патента: US09948306B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Programmable application specific integrated circuit and logic cell therefor

Номер патента: US5430390A. Автор: John M. Birkner,Andrew K. Chan,Hua-Thye Chua. Владелец: QuickLogic Corp. Дата публикации: 1995-07-04.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: CA3114313C. Автор: Daniel Anthony Shaddock,Danielle Marie Rawles WUCHENICH,Benjamin Paul Coughlan,Timothy Tien-Yue LAM,Max Andrew Gordon Schwenke,Paul Anthony Altin. Владелец: Liquid Instruments Pty Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Solving constraint satisfaction problems using a field programmable gate array

Номер патента: US20150365092A1. Автор: Yehuda Naveh,Oded Margalit,Ilia Averbouch,Amir Nahir,Gil Shurek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

System and Method for Field Programmable Gate Array-Assisted Binary Translation

Номер патента: US20190272174A1. Автор: Mukund P. Khatri,Ramesh Radhakrishnan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2019-09-05.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: AU2019327360A1. Автор: Daniel Anthony Shaddock,Danielle Marie Rawles WUCHENICH,Benjamin Paul Coughlan,Timothy Tien-Yue LAM,Max Andrew Gordon Schwenke,Paul Anthony Altin. Владелец: Liquid Instruments Pty Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: GB2590859A8. Автор: Anthony Shaddock Daniel,Marie Rawles Wuchenich Danielle,Paul Coughlan Benjamin,Tien-Yue Lam Timothy,Andrew Gordon Schwenke Max,Anthony Altin Paul. Владелец: Liquid Instruments Pty Ltd. Дата публикации: 2021-07-21.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: GB2599051A. Автор: Anthony Shaddock Daniel,Marie Rawles Wuchenich Danielle,Paul Coughlan Benjamin,Tien-Yue Lam Timothy,Andrew Gordon Schwenke Max,Anthony Altin Paul. Владелец: Liquid Instruments Pty Ltd. Дата публикации: 2022-03-23.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: EP3844662A1. Автор: Daniel Anthony Shaddock,Danielle Marie Rawles WUCHENICH,Benjamin Paul Coughlan,Timothy Tien-Yue LAM,Max Andrew Gordon Schwenke,Paul Anthony Altin. Владелец: Liquid Instruments Pty Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: WO2020046645A1. Автор: Daniel Anthony Shaddock,Danielle Marie Rawles WUCHENICH,Benjamin Paul Coughlan,Timothy Tien-Yue LAM,Max Andrew Gordon Schwenke,Paul Anthony Altin. Владелец: Liquid Instruments Pty. Ltd.. Дата публикации: 2020-03-05.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: CA3114313A1. Автор: Daniel Anthony Shaddock,Danielle Marie Rawles WUCHENICH,Benjamin Paul Coughlan,Timothy Tien-Yue LAM,Max Andrew Gordon Schwenke,Paul Anthony Altin. Владелец: Liquid Instruments Pty Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for performing common mode voltage re-biasing in analog front-end circuit of receiver, associated common mode voltage re-biasing circuit, associated receiver and associated integrated circuit

Номер патента: US20230253939A1. Автор: Bing-Hung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Customer load of field programmable gate arrays

Номер патента: US09875367B2. Автор: Mark A. Check,Vincenzo Condorelli,Todd W. Arnold. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Voltage regulation circuit for integrated circuits of chip- carrying cards

Номер патента: RU2247465C1. Автор: Уве ВЕДЕР. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2005-02-27.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US20210344346A1. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit, test method for testing integrated circuit, and electronic device

Номер патента: US20210083672A1. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Physically unclonable function for an integrated circuit

Номер патента: WO2024142056A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Nir SEVER,Boaz Katz,Shelley LAN. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20160214377A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US9550356B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Integrated circuit arrangement for a microphone, microphone system and method for adjusting one or more circuit parameters of the microphone system

Номер патента: EP3262849A1. Автор: Gino Rocca,Tomasz Hanzlik. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-01-03.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US20170103157A1. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated circuit with logic circuitry and multiple concealing circuits

Номер патента: US20130111224A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Jay Scott Fuller. Владелец: Certicom Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Inverter unit, integrated circuit chip, and vehicle drive apparatus

Номер патента: US20130113412A1. Автор: Hitoshi Sumida,Akinobu Teramoto,Toshio Naka,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

COUPLING-TYPE SINGLE-POLE DOUBLE-THROW SWITCH ADAPTED fOR RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20240259019A1. Автор: Yonggang Mao. Владелец: Xian Keruisheng Innovative Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20170272078A1. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170262331A1. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Integrated circuits

Номер патента: EP2119010A1. Автор: Klaus Melakari,Marko Winblad,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-11-18.

Integrated Circuit, Circuit Assembly and a Method for its Operation

Номер патента: US20180269843A1. Автор: Gino Rocca,Anton Leidl,Pirmin Hermann Otto Rombach,Armin Schober. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Integrated circuit device, method and system

Номер патента: US20240250671A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Cheng-Yu Lin,Yung-Chen CHIEN,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit card type car audio system and operating method

Номер патента: WO1998043851A1. Автор: Jun-Hae Yang. Владелец: Daewoo Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 1998-10-08.

Photosensitive device including an integrator circuit per group of at least two photosensitive elements

Номер патента: US12028639B2. Автор: Nicolas Moeneclaey,Samuel Foulon. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-07-02.

Suppression of noise in an integrated circuit

Номер патента: WO2004049605A1. Автор: Jose D. J. Pineda De Gyvez,Rosario Capo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-06-10.

Integrated circuit having a timing circuit, and method for adjustment of an output signal from the timing circuit

Номер патента: US20020027462A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Dynamic semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020180485A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Television tuner using integrated circuit

Номер патента: US20050110908A1. Автор: Masaki Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US12095380B2. Автор: Shinji Matsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Electrically connecting integrated circuits and transducers

Номер патента: EP1284094A2. Автор: Schelto Vandoorn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12072375B2. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Interface for data communication between chiplets or other integrated circuits on an interposer

Номер патента: US11809800B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09954532B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09904590B2. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US09891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09880211B2. Автор: Yoichi Kawano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US09862185B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Level shifting circuit and integrated circuit

Номер патента: US09859894B1. Автор: Min-Chung Chou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US09849670B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Coupling-type single-pole double-throw switch adapted for radio frequency integrated circuit

Номер патента: US12143102B2. Автор: Yonggang Mao. Владелец: Xian Keruisheng Innovative Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Integrated circuit calibration system using general purpose processors

Номер патента: US09778312B1. Автор: Edwin Yew Fatt Kok,Wai Tat Wong,Wilfred Wee Kee King,Tee Wee Tan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Impedance detection circuit, method, and integrated circuit

Номер патента: US09774954B2. Автор: Peng ZHU,Yongliang Li,Kenneth O'Brien,Jianing Zhou. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

High sensitivity digital voltage droop monitor for integrated circuits

Номер патента: US09772375B2. Автор: Vijay Srinivasan,Sebastian Turullols,Changku Hwang. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit, authentication system, and authentication method

Номер патента: US09729324B2. Автор: Masahiko Takenaka,Dai Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit with continuously adaptive equalization circuitry

Номер патента: US09705708B1. Автор: Jihong Ren,Wenyi Jin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US09697318B2. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuit chip, information processing device, program module control method, information processing system and method

Номер патента: RU2530353C2. Автор: Хироказу СУГИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-10-10.

Method for programming a programmable gate array in a distributed computer system

Номер патента: US20210303501A1. Автор: Marc Schlenger,Heiko KALTE,Dominik LUBELEY,Andreas AGNE. Владелец: dSPACE digital signal processing and control engineering GmbH. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for programming a programmable gate array in a distributed computer system

Номер патента: US11442884B2. Автор: Marc Schlenger,Heiko KALTE,Dominik LUBELEY,Andreas AGNE. Владелец: dSPACE digital signal processing and control engineering GmbH. Дата публикации: 2022-09-13.

Programmable integrated circuit having different types of configuration memory

Номер патента: EP3170261A1. Автор: James Karp. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-05-24.

Programmable integrated circuit having different types of configuration memory

Номер патента: WO2016010808A1. Автор: James Karp. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2016-01-21.

Asynchronous peak hold circuit on an integrated circuit trace to monitor for voltage spikes caused by an electromagnetic pulse

Номер патента: US20240110954A1. Автор: Attila Zólomy,Clayton Daigle,Jeffrey Tindle,DeWitt C. Seward. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit packages including damming and charge protection cover for harsh environments

Номер патента: US20080112143A1. Автор: Hugh Patton Hanley. Владелец: PathFinder Energy Services Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Integrated circuit and control method thereof

Номер патента: US9143130B2. Автор: Koji Aoki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Detection and Correction of Single Event Upset (SEU) in Integrated Circuit

Номер патента: US20210091754A1. Автор: Younes Lotfi. Владелец: Cobham Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device for capacitive load driving

Номер патента: US20160167374A1. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Amplifier circuit, integrating circuit, and light-detection device

Номер патента: US20130038393A1. Автор: Shinya Ito,Haruhiro Funakoshi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-02-14.

Integrated circuit

Номер патента: US20240007126A1. Автор: Takeshi Koike. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Field Programmable Gate Array

Номер патента: US20180113757A1. Автор: Tsutomu Yamada,Teruaki Sakata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Generating analog output from a field programmable gate array by combining scaled digital outputs

Номер патента: US20190305779A1. Автор: Brian A. Gunn. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-10-03.

Generating analog output from a field programmable gate array by combining scaled digital outputs

Номер патента: EP3776860A1. Автор: Brian A. Gunn. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-02-17.

Reconfigurable switched-capacitor voltage converter circuit, integrated circuit (ic) chip including the circuit and method of switching voltage on chip

Номер патента: US20140152382A1. Автор: Leland Chang,Jae-sun Seo,Robert Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: US20040051516A1. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: EP1547246A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2005-06-29.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: WO2004027827A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 2004-04-01.

Photodiode integrated circuit having multiple gain states

Номер патента: US20060170504A1. Автор: Sang Kim,Jung Gong,Hyeon Hwang,Kyoung Kwon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Extending a processor system within an integrated circuit

Номер патента: WO2012096735A1. Автор: Ting Lu,Bradley L. Taylor. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-07-19.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Application-specific integrated circuit for a low-pass filtering device used for decoupling xdsl channels

Номер патента: AU2003240763A1. Автор: Herve Dedieu,François KRUMMENACHER,Guy-Michel Nallatamby,Christina De Raad. Владелец: Laboratoire Europeen ADSL SAS. Дата публикации: 2003-10-20.

Bioinformatics Systems, Apparatuses, and Methods Executed on an Integrated Circuit Processing Platform

Номер патента: US20240170102A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Mark Hahm,Robert J. Mcmillen,Michael Ruehle. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

An integrated circuit having a filter with charge balancing scheme to reduce transient disturbances

Номер патента: WO2001024363A3. Автор: Sanjay M Bhandari. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2001-10-18.

Integrated circuit and control method thereof

Номер патента: US20140266335A1. Автор: Koji Aoki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090102531A1. Автор: Hideo Ito,Kazutero Nanba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

High speed pin driver integrated circuit architecture for commercial automatic test equipment applications

Номер патента: WO2000039928A1. Автор: Lloyd F. Linder. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2000-07-06.

Semiconductor integrated circuit, A/D converter, delta sigma-type A/D converter, incremental delta sigma-type A/D converter, and switched capacitor

Номер патента: US10985772B2. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Coupling of speakers with integrated circuit

Номер патента: US20100220868A1. Автор: Srinath Sridharan,Lionel Cimaz,Shyam Somayajula,Ramkishore Ganti,Sanjeev Ranganathan,Arnold D'Souza. Владелец: ST Ericsson India Pvt Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Programmable gain amplifier, integrated circuit, electronic device, and frequency correction method

Номер патента: EP4369600A1. Автор: Min Chen,Peiteng CHEN. Владелец: Chipsea Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Circuit for the generation of a scanning clock in an operational analysis device of the serial type for an integrated circuit

Номер патента: USRE36123E. Автор: Flavio Scarra,Maurizio Gaibotti,Giampiero Trupia. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-02.

Semiconductor integrated circuit with noise reduction circuit

Номер патента: US20050249005A1. Автор: Hiroyuki Nakamoto,Kunihiko Gotoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Integrated circuit with leakage control and method for leakage control

Номер патента: EP1690102A1. Автор: Petri Vaisanen,Teppo Hemia,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-08-16.

Modifying clock signals output by an integrated circuit

Номер патента: US20060139083A1. Автор: Ban Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor integrated circuit having an on-chip pll and operating method thereof

Номер патента: US20120242384A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Low power consumption integrating circuit based on adaptive current regulation

Номер патента: US20200201371A1. Автор: Fang Tang. Владелец: Chongqing Paixinruwei Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor integrated circuit with reduced current consumption

Номер патента: US20070109036A1. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Envelope tracking integrated circuit and related apparatus

Номер патента: US20200274494A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Integrated circuit, analog-digital converter and cmos image sensor with the same

Номер патента: US20140346320A1. Автор: Young-chul Sohn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit operable as a phase-locked loop

Номер патента: EP1791261A3. Автор: Masaya C/O Fujitsu Limited Tamamura,Syouji c/o FUJITSU LIMITED Ohishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

An integrated circuit having a filter with charge balancing scheme to reduce transient disturbances

Номер патента: EP1145428A2. Автор: Sanjay M. Bhandari. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-10-17.

Reconfigurable gate array

Номер патента: US20020125911A1. Автор: Rainer Kress,Klaus Buchenrieder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Apparatus and method for integrated circuit power management

Номер патента: USRE44025E1. Автор: Jon Shiell,Robert Eisenstadt. Владелец: Jr Shadt Electronics LLC. Дата публикации: 2013-02-19.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20090115442A1. Автор: Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Reducing leakage currents in integrated circuits

Номер патента: US20020158665A1. Автор: Vivek De,Yibin Ye,James Tschanz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

An integrated circuit having a filter with charge balancing scheme to reduce transient disturbances

Номер патента: EP1145428A3. Автор: Sanjay M. Bhandari. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-03-27.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100327962A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Integrated circuit and power supply device

Номер патента: US12068694B2. Автор: Yuta Endo,Takato Sugawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Circuits and methods for implementing mode selection in multiple-mode integrated circuits

Номер патента: EP1828868A2. Автор: Kartik Nanda. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Programmable stream switches and functional safety circuits in integrated circuits

Номер патента: US20240195418A1. Автор: Karl Henrik Goran Bilski. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit package, system comprising printed circuit board and integrated circuit package, method of soldering integrated circuit package to printed circuit board

Номер патента: WO2024155292A1. Автор: Zhiyang Wang,Bianca Kwok,Benson Tu,Adrian Ocampo. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and apparatus for controlling or managing bandwidth of a filter circuit within a system having two integrated circuits

Номер патента: US20140084996A1. Автор: Dale G. Schwent,Ryan J. Goedken. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-03-27.

Integrated circuit device and audio system

Номер патента: US8050423B2. Автор: Akira Yamauchi,Hiroyuki Tsurumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

High speed pin driver integrated circuit architecture for commercial automatic test equipment applications

Номер патента: EP1057263A1. Автор: Lloyd F. Linder. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2000-12-06.

Integrated circuit including power gating cell

Номер патента: US20200328746A1. Автор: Jongwoo Kim,Minsu Kim,Chanhee Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-15.

Method and circuit arrangement for controlling switching transistors of an integrated circuit

Номер патента: US20110133782A1. Автор: Ulrich Theus,Martin Czech. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2011-06-09.

Power management circuit and method for integrated circuit having multiple power domains

Номер патента: US20210004030A1. Автор: Ching-Hsiang Chang,Chun-Hsiang Lai,Chih-Chieh Yao. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Power management circuit and method for integrated circuit having multiple power domains

Номер патента: US20230135657A1. Автор: Ching-Hsiang Chang,Chun-Hsiang Lai,Chih-Chieh Yao. Владелец: M31 Technology Corporation. Дата публикации: 2023-05-04.

Power detector for digital integrated circuits

Номер патента: US20020145455A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Integrated circuit for image pickup device

Номер патента: US20020144161A1. Автор: Seiji Takeuchi,Tatsuya Takahashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Integrated circuit having an input circuit

Номер патента: US20040056693A1. Автор: Kazimierz Szczypinski,Andre Schäfer,Jens Polney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-25.

Technologies for hybrid field-programmable gate array-application-specific integrated circuit code acceleration

Номер патента: WO2018176238A1. Автор: Ned M. Smith,Weigang Li,Changzheng Wei,Wenqian YU,Junyuan Wang,Songwu Shen,Ziye Yang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-10-04.

Simulation method and device, power wire topology network, test circuit and storage medium

Номер патента: US11900038B2. Автор: FAN Xu,Tao Du. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Design method for gate array integrated circuit

Номер патента: US20030212977A1. Автор: Satoru Kumagai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Driver Integrated Circuit Chip and Driving Circuit of a Flat Panel Display

Номер патента: US20100053130A1. Автор: Sheng-Kai Hsu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-03-04.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and design system performing same

Номер патента: EP4220471A1. Автор: Jonghyeok Kim,Myungjin Choi,Yoongi Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Low-power wire rope safety diagnosis method and system

Номер патента: US20220058931A1. Автор: In Hwan Lee,Junghwan Son,Sung Soo Yoo,Ki Hoon SHIN,Eun Min YOO. Владелец: Nkia Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Reconfigurable gate array cells for automatic engineering change order

Номер патента: WO1998027499A1. Автор: Kuochun Lee,Tsung-Chen Chen,Fong-Jim Wang. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 1998-06-25.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

System and method of configuring integrated circuits

Номер патента: US20240232490A9. Автор: Nadav Azaria,Ofir Ezrielev. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-07-11.

Delay diagnosis method for semiconductor integrated circuit, computer program product for diagnosing delay of semiconductor integrated circuit and computer readable recording medium recording program thereon

Номер патента: US20030226126A1. Автор: Yoshihiro Iwai,Hirotake Tokuyama,Tatsuki Ishii,Kenji Shigeoka. Владелец: Hitachi Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Wiring Design System of Semiconductor Integrated Circuit, Semiconductor Integrated Circuit, and Wiring Design Program

Номер патента: US20080141207A1. Автор: Yuuichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Test socket assemblies with liquid cooled frame for semiconductor integrated circuits

Номер патента: US12032000B2. Автор: Quynh Ngoc Nguyen,James Edward Spooner. Владелец: Smiths Interconnect Americas Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Physical verification workflow for semiconductor circuit designs

Номер патента: EP4217819A1. Автор: Nikolay GRUDANOV,Valery BOBOVSKY,Igor LOPANENKO,Yuri LEVSKY,Alexander GRUDANOV. Владелец: Silvaco Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Parameter modeling for semiconductor arrangements

Номер патента: US09684747B2. Автор: FENG ZHU,Mu-Jen Huang,Zong-liang Cao,Zhi Zhong Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Systems and/or methods for anomaly detection and characterization in integrated circuits

Номер патента: CA3137069A1. Автор: Jason Dickens. Владелец: GRAMMATECH Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Systems and/or methods for anomaly detection and characterization in integrated circuits

Номер патента: WO2021002914A2. Автор: Jason Dickens. Владелец: Grammatech, Inc.. Дата публикации: 2021-01-07.

Systems and/or methods for anomaly detection and characterization in integrated circuits

Номер патента: CA3137069C. Автор: Jason Dickens. Владелец: GRAMMATECH Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Read-only sequence controller having a gate array composition

Номер патента: EP1022628A1. Автор: Yoshikazu Kuze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-07-26.

Design method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6785876B2. Автор: Kazuyoshi Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Measurement method and apparatus for semiconductor features with increased throughput

Номер патента: US20240311698A1. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Eugen Foca,Oliver Malki,Alex Buxbaum,Johannes Persch,Alexander Freytag,Dmitry Klochkov,Amir Avishai. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of wiring semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5872719A. Автор: Yoshiaki Miyazaki,Naoki Kato,Katsuyoshi Suzuki,Hiromitsu Yamada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-02-16.

Prober for semiconductor integrated circuit element wafer

Номер патента: US5555422A. Автор: Shoukichi Nakano. Владелец: Co operative Facility for Aging Tester Dev. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Integrated circuit

Номер патента: US20010040475A1. Автор: Hiroki Inohara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Field programmable digital signal processing array integrated circuit

Номер патента: US5457644A. Автор: John L. Mccollum. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 1995-10-10.

Testing apparatus and testing method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593765B1. Автор: Takahiro Yamaguchi,Masahiro Ishida,Yoshihiro Hashimoto. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2003-07-15.

Semiconductor integrated circuit simulation apparatus and simulation method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120245915A1. Автор: Atsushi Kageshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Rotational positioner and methods for semiconductor wafer test systems

Номер патента: US20080174330A1. Автор: Frank Parrish. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Low-power wire rope safety diagnosis method and system

Номер патента: EP3957588A1. Автор: In Hwan Lee,Junghwan Son,Sung Soo Yoo,Ki Hoon SHIN,Eun Min YOO. Владелец: Nkia Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Rotational positioner and methods for semiconductor wafer test systems

Номер патента: WO2008091550A1. Автор: Frank Parrish. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2008-07-31.

Fuse circuit for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6838926B2. Автор: Eun-Han Kim,Chang-Whan Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-04.

Design of an integrated circuit using multiple and different process corners

Номер патента: US20230334214A1. Автор: Alexander W. Schaefer,Robin Andrew Joyce,Shaun M. Kittle,Scott Eugene Swanstrom,Josef Alexander Czaban. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Spray cooling thermal management system and method for semiconductor probing, diagnostics, and failure analysis

Номер патента: US20050275419A1. Автор: Tahir Cader,Thomas Wong,Alan Roberts,Jonathan Frank,Charles Tilton,George Wos,Benjamin Tolman. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Spray cooling thermal management system and method for semiconductor probing, diagnostics, and failure analysis

Номер патента: US20090173476A1. Автор: Jonathan D. Frank,Tahir Cader,Thomas Wong,Charles Lester Tilton,Benjamin Hewett Tolman,George Joseph Wos,Alan Brent Roberts. Владелец: DCG Systems Inc. Дата публикации: 2009-07-09.

System, architecture and micro-architecture (sama) representation of an integrated circuit

Номер патента: WO2012009294A1. Автор: Pius Ng,Satish Padmanabhan,Suresh Kadiyala. Владелец: ALGOTOCHIP CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-19.

System, architecture and micro-architecture (sama) representation of an integrated circuit

Номер патента: US20120017196A1. Автор: Satish Padmanabhan,Suresh Kadiyala,Plus Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Generating a layout for an integrated circuit

Номер патента: US09916409B2. Автор: Michael Koch,Andreas H. A. Arp,Matthias Ringe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method and apparatus for laying out power wiring of semiconductor device

Номер патента: US8205184B2. Автор: Mikiko Sode. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-19.

Method and apparatus for laying out power wiring of semiconductor

Номер патента: US20110239180A1. Автор: Mikiko Sode. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

System and method of configuring integrated circuits

Номер патента: US20240135080A1. Автор: Nadav Azaria,Ofir Ezrielev. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-04-25.

Functional verification system for semiconductor integrated circuit, and functional verification method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130031520A1. Автор: Yoji Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Deterministic system and method for generating wiring layouts for integrated circuits

Номер патента: WO2008022247A2. Автор: C. Trevor Bowen. Владелец: ADTRAN, INC.. Дата публикации: 2008-02-21.

Thermal spray coatings for semiconductor applications

Номер патента: WO2012009507A1. Автор: Christopher Petorak,Graeme Dickinson. Владелец: PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-19.

Scan Configuration of Field Programmable Gate Arrays

Номер патента: US20080256344A1. Автор: Gerald S. Gordon,Patrick J. LaRocque. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Deterministic system and method for generating wiring layouts for integrated circuits

Номер патента: WO2008022247A3. Автор: C Trevor Bowen. Владелец: C Trevor Bowen. Дата публикации: 2008-09-04.

Intermediate host integrated circuit between a virtual machine instance and customer programmable logic

Номер патента: EP3519953A1. Автор: Mark Bradley Davis,Asif Khan,Nafea BShara,Erez Izenberg,Christopher Joseph Pettey. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2019-08-07.

Method for designing semiconductor integrated circuit and program

Номер патента: US20150067630A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Jason Anderson,Hirotaka Tamura,Safeen Huda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Low capacitance pad for semiconductor chip testing

Номер патента: US4439727A. Автор: David H. Boyle. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-27.

Method and system for semiconductor wafer defect review

Номер патента: US11816411B2. Автор: Chun-Wen Wang,Yan-Cheng Chen,Chung-Pin CHOU,Jun-Xiu Liu,Meng Ku CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method and system for semiconductor wafer defect review

Номер патента: US20230385502A1. Автор: Chun-Wen Wang,Yan-Cheng Chen,Chung-Pin CHOU,Jun-Xiu Liu,Meng Ku CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Optimization method and device for netlist used in logic circuit design for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20140019922A1. Автор: Masahiro Murakami,Hirokazu Kubota,Tadaaki Akimoto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Test substrate, test apparatus, and test method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240192269A1. Автор: Taisuke ICHIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US20100199248A1. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Capacitance extraction method for semiconductor sadp metal wires

Номер патента: US20200089836A1. Автор: Ning Lu,Calvin Bittner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

A method and apparatus for evaluating software programs for semiconductor circuits

Номер патента: EP1066563A4. Автор: Andrew Green,Philip C Barnett. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2004-06-16.

Semiconductor test apparatus using fpga and memory control method for semiconductor test

Номер патента: US20240003964A1. Автор: Wan Soon PARK. Владелец: YIK Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Disordered parallel maximum flow/minimum cut method implemented by energy-efficient field-programmable gate array (fpga)

Номер патента: US20240273273A1. Автор: HUI Wang,Yajun Ha,Xinzhe Liu,Guangyao YAN. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory cell array semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5654914A. Автор: Hideshi Maeno,Koji Nii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-08-05.

Physical verification workflow for semiconductor circuit designs

Номер патента: US20230334216A1. Автор: Nikolay GRUDANOV,Valery BOBOVSKY,Igor LOPANENKO,Yuri LEVSKY,Alexander GRUDANOV. Владелец: Silvaco Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit, semiconductor device and control method for semiconductor device

Номер патента: US11704041B2. Автор: Tatsuya Kato,Ken Namura. Владелец: Preferred Networks Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Systems and/or methods for anomaly detection and characterization in integrated circuits

Номер патента: US20200326373A1. Автор: Jason Alvin DICKENS. Владелец: GRAMMATECH Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Test socket assemblies with liquid cooled frame for semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20230047762A1. Автор: Quynh Ngoc Nguyen,James Edward Spooner. Владелец: Smiths Interconnect Americas Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

System and method for independent, direct and parallel communication among multiple field programmable gate arrays

Номер патента: US09727510B2. Автор: Gregory M. Edvenson,Corey B. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Timing verification method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070050742A1. Автор: Hirokazu Yonezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-01.

Fixed value multiplication using field-programmable gate array

Номер патента: US20210342119A1. Автор: Nimrod Megiddo,Charles Edwin Cox. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated Circuit Signal Generation Device

Номер патента: US20120019286A1. Автор: Wayne F. Salhany. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040032292A1. Автор: Hidehiko Yajima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Method for troubleshooting the program logic of a system of distributed progammable gate arrays

Номер патента: US20200364392A1. Автор: Marc Schlenger,Heiko KALTE,Dominik LUBELEY. Владелец: dSPACE digital signal processing and control engineering GmbH. Дата публикации: 2020-11-19.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Parsing json on field programmable gate arrays

Номер патента: US20230401194A1. Автор: Daniel Ritter,Jonas Dann,Royden Wagner. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2023-12-14.

Systems and methods for test time outlier detection and correction in integrated circuit testing

Номер патента: US20130193994A1. Автор: Gil Balog,Reed Linde,Avi Golan. Владелец: OptimalTest Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Systems and methods for test time outlier detection and correction in integrated circuit testing

Номер патента: US20150012237A1. Автор: Gil Balog,Reed Linde,Avi Golan. Владелец: Optimal Plus Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Systems and methods for test time outlier detection and correction in integrated circuit testing

Номер патента: WO2008081419A3. Автор: Gil Balog,Reed Linde,Avi Golan. Владелец: Avi Golan. Дата публикации: 2009-04-16.

Abbreviated Burst Data Transfers for Semiconductor Memory

Номер патента: US20080219074A1. Автор: Jong-Hoon Oh. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Routing interconnect of integrated circuit designs

Номер патента: US8365128B2. Автор: Jing Chen,Limin He,So-Zen Yao,Wenyong Deng,Liang-Jih Chao. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Conditionally routing a portion of an integrated circuit design with a different pitch to overcome a design rule violation

Номер патента: US8291365B2. Автор: Jing Chen,Limin He,So-Zen Yao,Wenyong Deng,Liang-Jih Chao. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2012-10-16.

Real-time remote control system for semiconductor automation equipment

Номер патента: US09785265B2. Автор: Gi Beom Park,Myoung Soo Yu. Владелец: Baron System Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Calibration unit for semiconductor integrated circuit tester

Номер патента: US6329811B1. Автор: Jeffrey S. McMullin. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2001-12-11.

Test socket assemblies cooled with gaseous fluid for semiconductor integrated circuits

Номер патента: WO2024035675A1. Автор: Jiachun Zhou,Quynh Ngoc Nguyen,James Edward Spooner,Siang Huei SOH. Владелец: SMITHS INTERCONNECT AMERICAS, INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20080198684A1. Автор: Tatsuya Sakamoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Dual-gate array substrate and display device

Номер патента: US20200050065A1. Автор: Weiyun HUANG,Tingliang Liu,Pengcheng ZANG,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Integrated circuit internal test circuit and method of testing by using test pattern and signature generations therewith

Номер патента: US7653853B1. Автор: Prabha Jairam,Himanshu J. Verma. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100783A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20150097593A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063920A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20080136438A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063919A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100095176A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20070257694A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100784A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20060017453A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Process of making an integrated circuit using parallel scan paths

Номер патента: US20020039804A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20040084747A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090058448A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20020196045A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20140245090A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7863913B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7852100B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7876112B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7629808B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7733110B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7659741B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Integrated circuit comprising a test circuit, related method and computer-program product

Номер патента: EP4425196A1. Автор: Mario Barone,Gianluca TORTORA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Systems And Methods For Generating Redacted Circuit Designs For Integrated Circuits

Номер патента: US20240311537A1. Автор: Nij Dorairaj,David Kehlet,Shuanghong SUN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Circuit design implementations in secure partitions of an integrated circuit

Номер патента: US09946826B1. Автор: Herman Schmit,Ting Lu,Dana How,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Inspection method and wiring current observation method for semiconductor device

Номер патента: US6066956A. Автор: Kiyoshi Nikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-05-23.

Inspection method and wiring current observation method for semiconductor device and apparatus of the same

Номер патента: US6160407A. Автор: Kiyoshi Nikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-12.

Methods and apparatus for programming cellular programmable logic integrated circuits

Номер патента: US5237219A. Автор: Richard G. Cliff. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Data analytics and computational analytics for semiconductor process control

Номер патента: US20190170812A1. Автор: Anantha R. Sethuraman,Raman K. Nurani,Koushik RAGAVAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Ethernet packet processing in programmable integrated circuit

Номер патента: WO2021173401A1. Автор: Kent Orthner,Travis Johnson,Quinn Jacobson. Владелец: Quinn Jacobson. Дата публикации: 2021-09-02.

Spray cooling thermal management system and method for semiconductor probing, diagnostics, and failure analysis

Номер патента: US20120007623A1. Автор: Jonathan D. Frank,Tahir Cader,Thomas Wong,Charles Lester Tilton,Benjamin Hewett Tolman,George Joseph Wos,Alan Brent Roberts. Владелец: DCG Systems Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Liquid Discharging Apparatus And Integrated Circuit Device

Номер патента: US20220097362A1. Автор: Tomoko Hara,Kazuhito Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Through-silicon via detecting circuit, method and integrated circuit having the same

Номер патента: US20210215755A1. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Driving circuit, integrated circuit, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20200164633A1. Автор: Tetsuo Takagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Apparatus and method for measuring characteristics of dynamic electrical signals in integrated circuits

Номер патента: US20040139406A1. Автор: Steven Kasapi. Владелец: Optonics Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: EP1472552A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2004-11-03.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: WO2003060534A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2003-07-24.

Circuit for detecting pin-to-pin leaks of an integrated circuit package

Номер патента: WO2021242334A1. Автор: Dat Tran,Loc Tu,Kirubakaran Periyannan,Nyi Nyi Thein. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Machine learning based automatic routing method and apparatus for semiconductor equipment

Номер патента: US20220398371A1. Автор: Tae Hwa LIM. Владелец: Rc Tech Co ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120120049A1. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Method of generating a floorplan for an integrated circuit

Номер патента: WO2004068373A1. Автор: Adrianus W. P. G. G. Vaassen,Erwin Waterlander. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-08-12.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Method and apparatus for generating a solid state circuit layout with in-design variability associated to the setting of analog signal processing parameters, and an integrated circuit design and an integrated circuit produced by applying such method

Номер патента: US20040177329A1. Автор: Wolfdietrich Kasperkobitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Circuit for detecting pin-to-pin leaks of an integrated circuit package

Номер патента: US20210373085A1. Автор: Dat Tran,Loc Tu,Kirubakaran Periyannan,Nyi Nyi Thein. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US8081149B2. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Integrated circuit

Номер патента: US20050218960A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Intrusion detection for integrated circuits

Номер патента: US20190377868A1. Автор: Jan-Peter Schat,Michael Johannes Döscher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-12-12.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Method and system for fabricating integrated circuit with aid of programmable circuit synthesis

Номер патента: US20200394279A1. Автор: Yun-Ru Chen,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Jie-Ren Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Arbitration circuit to arbitrate conflict between read/write command and scan command and display driver integrated circuit having the same

Номер патента: US20100177106A1. Автор: Chan-Ho Lee,Tae-Hyoung Kim,Wan-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-15.

Design system of integrated circuit and its design method and program

Номер патента: US20030061585A1. Автор: Sho Matsumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Integrated circuit and a method for recovering from a low-power period

Номер патента: US20100019836A1. Автор: Sergey Sofer,Avi Elazary,Moshe Lavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Daisy-chain spi integrated circuit and operation method thereof

Номер патента: EP4198756A1. Автор: Chi-Cheng Lin,Shan-Chieh Wen,Ming-Huai Weng,Guei-Lan Lin,Che-Hao Chiang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Logic integrated circuit having dynamic substitution function, information processing apparatus using the same, and dynamic substitution method of logic integrated circuit

Номер патента: US20060236209A1. Автор: Hiroshi Murakami,Nobuyoshi Aida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-19.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Duty analysis system for a semiconductor integrated circuit and duty analysis method of the same

Номер патента: US20030126568A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis

Номер патента: US20020163352A1. Автор: Robert Falk. Владелец: Optometrix Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Iterative approach to determine failure threshold associated with desired circuit yield in integrated circuits

Номер патента: US20200379041A1. Автор: TONG Li,David Winston,Richard Daniel Kimmel,Pravin Kamdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE87492B1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-03-27.

Driving circuit, integrated circuit, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20200164636A1. Автор: Tetsuo Takagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Integrated circuit comprising a test circuit, related method and computer-program product

Номер патента: US20240295604A1. Автор: Mario Barone,Gianluca TORTORA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: WO2002086884A2. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Integrated circuit

Номер патента: US20240319266A1. Автор: Takahiro Yoneda. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Peripheral access control for secondary communication channels in power management integrated circuits

Номер патента: EP4292006A1. Автор: Chris Rosolowski,Uma Mahesh Revuri,Aruna Kumar Tripathy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20170262226A1. Автор: Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Inter-integrated circuit interface circuit and electronic module

Номер патента: WO2024199886A1. Автор: Mark Powers,Louis Williams. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2024-10-03.

High-speed offloading of trace data from an integrated circuit

Номер патента: US20240330144A1. Автор: Ishita Ghosh,Elessar Taggart,Rishi Bharadwaj Subramanian,Jason Richard Villarreal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US12045553B2. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit chip with stress compensation circuit

Номер патента: WO2024199882A1. Автор: Marc Ryat. Владелец: LEM INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20240329680A1. Автор: Takayuki Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device and liquid droplet ejection device

Номер патента: US10940686B2. Автор: Takashi Nakajima,Kazuhiro Adachi,Katsumi Okina. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Integrated circuit modeling method using resistive capacitance information

Номер патента: US09996643B2. Автор: Chin-Sheng Chen,Tsun-Yu YANG,Wei-Yi Hu,Jui-Feng Kuan,Ching-Shun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Display driver integrated circuit architecture with shared reference voltages

Номер патента: US09952264B2. Автор: Hopil Bae,Kingsuk Brahma,David A. STRONKS,Wei H. Yao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit and storage device including integrated circuit

Номер патента: US09897650B2. Автор: Hyunjin Kim,Jangwoo Lee,ChaeHoon KIM,Jeongdon Ihm,Daehoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Techniques for clock rate changes during data rate changes in an integrated circuit (IC)

Номер патента: US09891653B2. Автор: Keith Duwel,Gary Wallichs,Ru Yin Ng. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit including parametric analog elements

Номер патента: US09858367B1. Автор: Antonio Visconti,David LeHoty. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Protecting hidden content in integrated circuits

Номер патента: US09811690B2. Автор: Alfred L. Crouch,John C. Potter,Jennifer L. Dworak,Adam Zygmontowicz. Владелец: SOUTHERN METHODIST UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-07.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09811219B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-11-07.

Efficient integrated circuits configuration data management

Номер патента: US09740809B2. Автор: Junaid Asim Khan,Scott James Brissenden. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies

Номер патента: US09726722B1. Автор: Yosef Solt. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for controlling an integrated circuit, integrated circuit and computer including an integrated circuit

Номер патента: US09703556B2. Автор: Bertrand Danet,Stéphane Laborie-Fulchic. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuit with on-chip power profiling

Номер патента: US09696775B2. Автор: Thuyen Le,Tian Yan Pu,Lars MELZER,Chenbo Liu. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Device for testing an integrated circuit and method for implementing same

Номер патента: US20120001088A1. Автор: Florent Miller,Cecile Weulersse,Thierry Carriere,Patrick Heins,Antonin Bougerol,Samuel Hazo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

System, architecture and micro-architecture (sama) representation of an integrated circuit

Номер патента: EP2593864A1. Автор: Pius Ng,Satish Padmanabhan,Suresh Kadiyala. Владелец: Algotochip Corp. Дата публикации: 2013-05-22.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: EP4336197A3. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US20240103604A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: WO2023091279A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC.. Дата публикации: 2023-05-25.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20180203953A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20200074018A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US10503852B2. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Methods and circuits for disrupting integrated circuit function

Номер патента: US20140201579A1. Автор: Igor Arsovski,Sebastian T. Ventrone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Integrated circuit device including an sram portion having end power select circuits

Номер патента: US20240203489A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Software defined subsystem creation for heterogeneous integrated circuits

Номер патента: WO2021096710A1. Автор: Gangadhar Budde,Siddharth Rele,Shreegopal S. Agrawal,Subhojit Deb. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2021-05-20.

Integrated circuit for switching loads, circuit arrangement comprising an integrated circuit and a connected load, and method for operating such a circuit arrangement

Номер патента: US20140320160A1. Автор: Harald Schmauss,Johann Falter,Gunther Wolfarth,Marco Well,Franz Laberer,Sergiu Muresan,Cristian Theil. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2014-10-30.

Integrated circuit and method for diagnosing an integrated circuit

Номер патента: US11953546B2. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Etienne Auvray,Tommaso Melis. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-04-09.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Bioinformatics systems, apparatuses, and methods executed on an integrated circuit processing platform

Номер патента: EP3317440A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Mark Hahm,Michael Ruehle,Rami Mehio. Владелец: Edico Genome Corp. Дата публикации: 2018-05-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100207662A1. Автор: Mitsuhiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Automated verification of integrated circuits

Номер патента: WO2023028080A2. Автор: Calum Macrae,Richard Philpott. Владелец: Celera, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Device and method for monitoring functional saffety in integrated circuits (ics)

Номер патента: US20210303379A1. Автор: Radha Krishna Moorthy Sadhu. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Mixing of low speed and high speed clocks to improve test precision of a digital integrated circuit

Номер патента: US9404967B2. Автор: Ali Vahidsafa. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240233663A9. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240135892A1. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Integrated circuit device provided with series-connected TC parallel unit ferroelectric memory and method for testing the same

Номер патента: US7218546B2. Автор: Shinichiro Shiratake,Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Integrated circuit tester having pattern generator controlled data bus

Номер патента: EP1149293A4. Автор: John Mark Oonk. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2004-12-29.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US7222279B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-22.

Unified material-to-systems simulation and verification for semiconductor design and manufacturing

Номер патента: WO2021158296A1. Автор: Angada Bangalore Sachid,Bhuvaneshwari Ayyagari. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-08-12.

Determining timing associated with an input or output of an embedded circuit in an integrated circuit for testing

Номер патента: US7493543B1. Автор: Arnold Louie,Vickie Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2009-02-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060066378A1. Автор: Tadahiro Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

A method for protecting a programmable gate array design

Номер патента: WO2014182154A1. Автор: Ahmad Hafez BIN NAWI,Smruti Santosh PALAI,Devi PRASAD. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Field programmable gate array (fpga) emulator for debugging software

Номер патента: WO1999059063A1. Автор: Philip C. Barnett. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 1999-11-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080183416A1. Автор: Toshihiko Matsuoka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Circuit Synthesis Optimization for Implements on Integrated Circuit

Номер патента: US20240135078A1. Автор: Chih-Sheng Hou,Yi-Lin Chuang,Chao-Chun LO,Boh-Yi HUANG,Chih-Yuan Stephen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of selecting a set of illumination conditions of a lithographic apparatus for optimizing an integrated circuit physical layout

Номер патента: EP2386074A2. Автор: Anurag Mittal,Martinus Maria Berkens. Владелец: Takumi Technology Corp. Дата публикации: 2011-11-16.

Method of selecting a set of illumination conditions of a lithographic apparatus for optimizing an integrated circuit physical layout

Номер патента: WO2010080028A2. Автор: Anurag Mittal,Martinus Maria Berkens. Владелец: TAKUMI TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2010-07-15.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor integrated circuit provided with determination circuit

Номер патента: US6658639B2. Автор: Yoshikazu Morooka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

A method and a system for powering an integrated circuit, and an integrated circuit especially designed to be used therein

Номер патента: EP1678594A1. Автор: Emmanuel Société Civile SPID ALIE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-07-12.

Method and system for powering an integrated circuit

Номер патента: US7446559B2. Автор: Emmanuel Alie. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20100194455A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Integrated circuit with improved test capability via reduced pin count

Номер патента: WO2007115218A3. Автор: Srinivas Varadarajan,Michael Laisne,Raghunath R Bhattagiri,Arvid S Sammuli. Владелец: Arvid S Sammuli. Дата публикации: 2007-11-22.

Integrated circuit with improved test capability via reduced pin count

Номер патента: WO2007115196A2. Автор: Srinivas Varadarajan,Michael Laisne,Raghunath R. Bhattagiri,Arvid S. Sammuli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2007-10-11.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A3. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Eijk Cornelis Van. Владелец: Eijk Cornelis Van. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8054705B2. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034039A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Method, circuit and integrated circuit for detecting resonance frequency

Номер патента: US20140354261A1. Автор: Lei Huang,NA Meng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Display control integrated circuit applicable to performing real-time video content text detection and speech automatic generation in display device

Номер патента: US20230113757A1. Автор: Chun-Chieh Chan,Sheng-Ju YANG,Kuan-Ting Chiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

A method for controlling transaction exchanges between two integrated circuits

Номер патента: EP2729863A1. Автор: Abdelaziz Goulahsen,Bipin Balakrishnan. Владелец: ERICSSON MODEMS SA. Дата публикации: 2014-05-14.

Automated verification of integrated circuits

Номер патента: EP4392893A2. Автор: Calum Macrae,Richard Philpott. Владелец: Celera Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Digital signal transition counters for digital integrated circuits

Номер патента: US20180088645A1. Автор: Young H. Cho,Siddharth S. Bhargav,Andrew Goodney. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2018-03-29.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US12050341B2. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-30.

Mixing of low speed and high speed clocks to improve test precision of a digital integrated circuit

Номер патента: US20160131711A1. Автор: Ali Vahidsafa. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Integrated circuit having a built-in self test design

Номер патента: US4724380A. Автор: Mark Paraskeva,David F. Burrows,William L. Knight. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1988-02-09.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Integrated circuit device for a wireless keyboard array

Номер патента: US20030080879A1. Автор: Chih-Jen Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Circuit for efficiently testing memory and shadow logic of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6263461B1. Автор: Ajay Khoche,Amitava Majumdar,Timothy Ayres. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020126566A1. Автор: Yoshiaki Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20210216696A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20200264892A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

A Circuit Layer For An Integrated Circuit Card

Номер патента: MY195079A. Автор: Nielsen Finn. Владелец: CARDLAB APS. Дата публикации: 2023-01-09.

Semiconductor integrated circuit, timing controller, and display device

Номер патента: US20170110040A1. Автор: Takashi Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Field programmable gate array (fpga) emulator for debugging software

Номер патента: EP1029275A1. Автор: Philip C. Barnett. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2000-08-23.

Field programmable gate array (fpga) emulator for debugging software

Номер патента: EP1029275A4. Автор: Philip C Barnett. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2004-07-21.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Partitioning circuit designs for implementation within multi-die integrated circuits

Номер патента: US10108773B1. Автор: Xiao Dong,Xiaojian Yang,Grigor S. Gasparyan. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-10-23.

Semiconductor integrated circuit for low and high voltage operations

Номер патента: US20120087180A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for analyzing voltage drop in power distribution across an integrated circuit

Номер патента: WO2007054925A2. Автор: Mark Turner,Brent Buchanan. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020145935A1. Автор: Yoshimasa Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Unified material-to-systems simulation, design, and verification for semiconductor design and manufacturing

Номер патента: US11763052B2. Автор: Angada Bangalore Sachid,Bhuvaneshwari Ayyagari. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Error Detection in an Integrated Circuit

Номер патента: US20100223520A1. Автор: Stephan Henzler,Dominik Lorenz,Martin Wirnshofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-02.

Adjustable timing circuit of an integrated circuit

Номер патента: US20050286338A1. Автор: Frankie Roohparvar,Dean Nobunaga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

A method and system for processing integrated circuits

Номер патента: US20020003430A1. Автор: Andres Bryant,William Clark,Edward J Nowak,Minh H Tong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A2. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Cornelis Van Eijk. Владелец: Magma Design Automation, Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US20240272353A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit testing system and method

Номер патента: US6964003B2. Автор: Claude Thibeault. Владелец: Socovar SC. Дата публикации: 2005-11-08.

Integrated circuit with actuation circuit for actuating a driver circuit

Номер патента: US6351161B2. Автор: Ralf Schneider,Stephan Schroder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-26.

Circuit configuration for accelerated charge reversal of the voltage level of a bus line of an integrated circuit

Номер патента: US5004937A. Автор: Antonio M. d. A. de Oliveira,Jakob Staerk. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-04-02.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Low Cost Testing and Sorting of Integrated Circuits

Номер патента: US20120026817A1. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Apparatus, method and computer program product for fast simulation of manufacturing effects during integrated circuit design

Номер патента: SG160271A1. Автор: Laertis Economikos,Ruchir Puri,Hua Xiang,Stephen Edward Greco,Mohammed Fazil Fayaz,Neil Patricia A O. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-29.

Integrated circuit for controlling operations of display module and first circuit module with shared pin

Номер патента: US20100110066A1. Автор: Yi-Chih Chi,Tsai-Tian Huang. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030053363A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Integrated circuit, testing system, and operating method thereof

Номер патента: US20240219458A1. Автор: Cheng Jun Yeh,Yi-Te Chen,Hsiao-Chyi Lin. Владелец: Via Labs Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit having enhanced acquisition of external signal

Номер патента: US20020036946A1. Автор: Yoshiyuki Ishida,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa,Satoshi Takashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030005209A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Integrated circuit for receiving a clock signal, particularly for a semiconductor memory circuit

Номер патента: US20030001665A1. Автор: Hermann Ruckerbauer,Andre Schäfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Hermetically sealed housing for semiconductor device or microwave integrated circuit

Номер патента: RU2489769C1. Автор: Алексей Сергеевич Адонин,Александр Георгиевич Бабак,Евгений Михайлович Воробьевский,Юрий Владимирович Лилин. Владелец: ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод". Дата публикации: 2013-08-10.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for wiring integrated circuit with multiple-component photodetector

Номер патента: RU2121731C1. Автор: В.Ю. Иванов,В.И. Стафеев. Владелец: Государственный научный центр Российской Федерации Государственное предприятие Научно-производственное объединение "Орион". Дата публикации: 1998-11-10.

Battery-powered wire wrapping tool and wrapping bit

Номер патента: CA1112338A. Автор: Marvin Kober. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-11-10.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

Method of treating quartz equipment for semiconductor production

Номер патента: RU2386188C1. Автор: Лидия Федоровна Морозова,Наталья Владимировна Снегирева,Елена Борисовна Двойникова,Эллеонора Николаевна Лисина,Алла Александровна Карасева,Юрий Иванович Гринев,Наталья Тимофеевна Гордеева. Владелец: Наталья Тимофеевна Гордеева. Дата публикации: 2010-04-10.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Cmos-gate-array-anordnung

Номер патента: DD281289A5. Автор: Siegfried Ritter,Axel Vogt,Lutz Langelueddecke,Torsten Schleinig. Владелец: Erfurt Mikroelektronik. Дата публикации: 1990-08-01.

Method for selecting integration circuits of increased reliability

Номер патента: RU2269790C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов,Николай Николаевич Козьяков,Евгений Николаевич Горлов,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-02-10.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Method for nondestructive check for moisture content in under- package space of integrated circuits

Номер патента: RU2263369C2. Автор: А.В. Андреев,М.И. Горлов,Л.П. Ануфриев,Н.А. Золотарева. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-10-27.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Monolithic microwave integrated circuit manufacturing process

Номер патента: RU2130215C1. Автор: В.Г. Божков,В.А. Геннеберг,К.И. Куркан. Владелец: Государственное научно-производственное предприятие "НИИПП". Дата публикации: 1999-05-10.

Method of integrated circuit division upon reliability criterion

Номер патента: RU2324194C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Леонидович Ануфриев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-05-10.

Method of selecting highly reliable integrated circuits

Номер патента: RU2365930C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Екатерина Александровна Золотарева,Николай Николаевич Козьяков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2009-08-27.

Casing of integral circuit

Номер патента: RU2329568C1. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,В чеслав Сергеевич Серегин,Анатолий Иванович Василевич,Павел Павлович Куцько. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ"). Дата публикации: 2008-07-20.

Method for manufacturing thin-film structure of microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2293400C1. Автор: Татьяна Николаевна Курбанова,Вера Сергеевна Гвоздаева,Анатолий Юрьевич Павлов,Тать на Николаевна Курбанова (RU),Вера Сергеевна Гвоздаева (RU),Анатолий Юрьевич Павлов (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2007-02-10.

Large-scale integrated circuit (version)

Номер патента: RU2006991C1. Автор: Константин Иванович Баринов,Анатолий Демьянович Масляный,Владимир Евгеньевич Власов,Юрий Иванович Горбунов,Татьяна Сергеевна Володина. Владелец: Татьяна Сергеевна Володина. Дата публикации: 1994-01-30.

Method for manufacturing microwave integrated circuit

Номер патента: RU2557317C1. Автор: Константин Владимирович Дудинов,Михаил Петрович Духновский,Александр Михайлович Темнов,Александр Юрьевич Городецкий. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-07-20.

Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5

Номер патента: RU2327824C1. Автор: Александр Владимирович Марков,Борис Николаевич Шаронов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2008-06-27.

Method for comparative evaluation of reliability of integrated circuit lots

Номер патента: RU2467339C2. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Роман Михайлович Тихонов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2012-11-20.

Method to make hybrid integral circuit of shf band

Номер патента: RU2537695C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Константин Владимирович Дудинов,Татьяна Сергеевна Кудрова,Александр Генрихович Далингер. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2015-01-10.

Integrated circuit housing

Номер патента: RU2457575C2. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,Вячеслав Леонидович Троицкий. Владелец: ЗАО "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ". Дата публикации: 2012-07-27.

Method for determining potentially unstable digital integral circuits

Номер патента: RU2257591C1. Автор: М.И. Горлов,И.А. Шишкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Воронежский научно-исследовательский институт связи". Дата публикации: 2005-07-27.

Method to make hybrid integral circuit of shf band

Номер патента: RU2536771C1. Автор: Юрий Николаевич Калашников,Виктор Анатольевич Иовдальский,Константин Владимирович Дудинов,Татьяна Сергеевна Кудрова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток". Дата публикации: 2014-12-27.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Electrical pin used in integrated circuit test sockets

Номер патента: CA134434S. Автор: . Владелец: Johnstech International Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.