Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • LAYOUT DECOMPOSITION METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE APPLYING THE SAME

LAYOUT DECOMPOSITION METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE APPLYING THE SAME

Номер патента: US20140201691A1
Опубликовано: 17-07-2014
Автор(ы): TUNG Yu-Cheng
Принадлежит: UNITED MICROELECTRONICS CORP.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for providing graphical user interface (GUI), and multimedia apparatus applying the same

Номер патента: US09927950B2. Автор: Chan-ho Park,Mi-Kyoung Kim,Kyoung-Nyo Hwangbo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods for cell boundary encroachment and semiconductor devices implementing the same

Номер патента: US09530795B2. Автор: Scott T. Becker,Jonathan R. Quandt,Dhrumil Gandhi. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for managing and controlling external IoT device and electronic device supporting the same

Номер патента: USRE50074E1. Автор: SUNG Yeon Woo,Bo Kun CHOI,Han Jib KIM,Joon Hwan Lee,Tae Jun Kim,Nam Jin KIM,Jung Hwan Song,Pyo Je CHO,Hae Na Kim,Yoe Chan SONG,Gyu Cheol CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for simultaneous modification of multiple semiconductor device features

Номер патента: US10217704B1. Автор: Jeffry J. Sniegowski,Randy J. Shul,Kurt W. Larson,William A. Zortman. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

System and method for generating domain names and for facilitating registration and transfer of the same

Номер патента: EP1224575A1. Автор: Michael Mann,Ronald Fitzherbert. Владелец: Raredomains com LLC. Дата публикации: 2002-07-24.

Grid layout setting method for multi device responsive page and computer-readable medium for performing the same

Номер патента: US12124820B1. Автор: Se Yong EO,Woog Lae KIM. Владелец: Inswave Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Grid layout setting method for multi device responsive page and computer-readable medium for performing the same

Номер патента: US20240377916A1. Автор: Se Yong EO,Woog Lae KIM. Владелец: Inswave Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for outputting audio data through external device and portable terminal for the same

Номер патента: US20140082230A1. Автор: Byoung-Hee Lee,Seong-Jun Ban,Min-Woo Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for outputting audio data through external device and portable terminal for the same

Номер патента: EP2709002A3. Автор: Byoung-Hee Lee,Seong-Jun Ban,Min-Woo Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-11.

Method for realizing user interface using camera and mobile communication terminal for the same

Номер патента: US09836196B2. Автор: Dae-Gyu Kim,Yong-Soo Park,Soon-Ok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and circuit for driving touch sensors to reduce noise measurement time and display device using the same

Номер патента: US09569035B1. Автор: Jaehun Jun,Beomjin Kim,Hyeongwon Kang,Dukhyo Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

System and method for parameter optimization with adaptive search space and user interface using the same

Номер патента: EP4006749A1. Автор: Te-Ming Chen,Sen-Chia Chang,Po-Yu Huang,Chun-Fang CHEN,Chien-Liang Lai,Hong-Chi KU. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2022-06-01.

System and method for parameter optimization with adaptive search space and user interface using the same

Номер патента: US20220171349A1. Автор: Te-Ming Chen,Sen-Chia Chang,Po-Yu Huang,Chun-Fang CHEN,Chien-Liang Lai,Hong-Chi KU. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2022-06-02.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20170199957A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method for controlling camera operation based on haptic function and terminal supporting the same

Номер патента: US9667870B2. Автор: Cheolho CHEONG,Dongjin Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180067796A1. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09851903B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for operating augmented reality contents and device and system for supporting the same

Номер патента: US09754414B2. Автор: Eunsun Kim,Yujin Lee,Hwayoung SONG,Hayoung JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for controlling camera operation based on haptic function and terminal supporting the same

Номер патента: US09667870B2. Автор: Cheolho CHEONG,Dongjin Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for manufacturing glass window, method for manufacturing display device, display device and electronic device having the same

Номер патента: US20230305598A1. Автор: Byunghoon Kang,Sunghoon Kim,Sanghoon Kim,Yuri KIM,Kyung-Man Kim,Min-Hoon CHOI,Seongjin HWANG,Seungho KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20200117848A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for driving display including curved display area, display driving circuit supporting the same, and electronic device including the same

Номер патента: EP3479560A1. Автор: Dong Kyoon Han,Jong Kon Bae,Yo Han Lee,Dong Hwy KIM,Hong Kook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-08.

Method for driving display including curved display area, display driving circuit supporting the same, and electronic device including the same

Номер патента: US20180063466A1. Автор: Dong Kyoon Han,Jong Kon Bae,Yo Han Lee,Dong Hwy KIM,Hong Kook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20190171789A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20200243146A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: EP3769203A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20190295666A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20210082529A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: WO2019182747A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US10867685B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20170262393A1. Автор: Shigeaki Takaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for editing frame-based page, electronic apparatus and recording medium using the same

Номер патента: US09785334B2. Автор: Chia-Chia Shieh,Yen-Shun Wu,Ting-An Yang,Ju-Wei Huang. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for controlling rotation of screen and terminal and touch system supporting the same

Номер патента: US09785202B2. Автор: Seokin SHIN,Choongkwon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for zooming screen and electronic apparatus and computer readable medium using the same

Номер патента: US09671951B2. Автор: Sheng-Hsin Huang,Wen-Yuan Chi,Chuan-Feng Yeh. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of making semiconductor device and system for performing the same

Номер патента: US09639647B2. Автор: Chin-Chou Liu,Chung-min Fu,Wan-Yu Lo,Huan Chi Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for providing augmented reality, and user terminal and access point using the same

Номер патента: US09384395B2. Автор: Cheol Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160098280A1. Автор: Hyun-Su Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Method for designing multi-layer optical structure and electronic device for performing the same

Номер патента: US20220179201A1. Автор: Lingjie Jay Guo,Chengang Ji,Haozhu WANG. Владелец: Michicgan, University of, Regents of. Дата публикации: 2022-06-09.

Data storage method and query processing method for supply chain management using rfid, and supply chain data management system using rfid

Номер патента: US20090256685A1. Автор: Chin-Wan Chung,Chun-Hee Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-10-15.

Semiconductor device and electronic apparatus using the same

Номер патента: US20060038277A1. Автор: Tetsuya Katoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20150042385A1. Автор: Hyun-Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09747113B2. Автор: Hyun-Su Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09696750B2. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device, radio communication terminal using the same, and inter-circuit communication system

Номер патента: US09632568B2. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09471430B2. Автор: Jung-Hoon Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Boot-up method of E-fuse, semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09430247B2. Автор: Yun-Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for providing graphical user interface (gui), and multimedia apparatus applying the same

Номер патента: EP3770742A1. Автор: Chan-ho Park,Mi-Kyoung Kim,Kyoung-Nyo Hwangbo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-27.

Data compression method and data decompression method for electronic device, and electronic device

Номер патента: US20220121626A1. Автор: Qin Liu,Huan He,Dongwei ZHAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Routing analysis method, logic synthesis method and circuit partitioning method for integrated circuit

Номер патента: US20050246676A1. Автор: Yoshio Inoue,Ken Saito,Toshiyuki Sadakane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for displaying suggested items associated with messages, and apparatus for implementing the same

Номер патента: US20240143133A1. Автор: Moon Young Kwon,Ji Eun YOON,Sun Hyo Lee. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for performing membership inference attack against generative models and apparatus for the same

Номер патента: US20240185068A1. Автор: Won Jun Oh,Jun Beom HUR,Bo Sung YANG,Gyeong Sup LIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for collecting a virtual object and portable electronic device for implementing the same

Номер патента: US20180330627A1. Автор: Jon-Chao Hong,Ming-Yueh HWANG,Kai-Hsin TAI,Ming-Chi KIU. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2018-11-15.

Method and apparatus for providing multiple power domains a programmable semiconductor device

Номер патента: US20210376834A1. Автор: Jinghui Zhu,Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods for session failover in OS (operating system) level and systems using the same

Номер патента: US09542282B2. Автор: Chih-Ming Chen. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for dynamically integrating application programs, and software system and machine using the same

Номер патента: US20230205503A1. Автор: Chun-Hsiao Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240257858A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Elastic matrix determination method and vibration analysis method for laminated iron core

Номер патента: CA3089090A1. Автор: Misao Namikawa,Gou Kijima. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for recording a playback setting of sound and electronic device performing the same

Номер патента: US09899979B2. Автор: KUO-PING YANG,Neo Bob Chih-Yung Young,Kuan-Li Chao,Chih-Long Chang,Ming-Ren Ma. Владелец: Unlimiter MFA Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US10942674B2. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-09.

Security certificate management method for a vehicular network node and vehicular network node applying the same

Номер патента: US20170277884A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Jing-Shyang Hwu,Huei-Ru Tseng,Pei-Chuan Tsai,Ping-Ta Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20190187933A1. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Elasticity matrix determination method and vibration analysis method for laminated iron core

Номер патента: EP3745286A1. Автор: Misao Namikawa,Gou Kijima. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2020-12-02.

Elastic matrix determination method and vibration analysis method for laminated iron core

Номер патента: US20200340952A1. Автор: Misao Namikawa,Gou Kijima. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Error correction methods and semiconductor devices and semiconductor systems using the same

Номер патента: US20210304807A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Data transmission method for flash memory and flash memory storage system and controller using the same

Номер патента: US20100057979A1. Автор: Chien-Hua Chu,Chih-Kang Yeh,Ruei-Cian Chen,Kian-Fui Seng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US11455703B2. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Method For Providing Recommend Information for Mobile Terminal Browser and System using the same

Номер патента: MY195553A. Автор: Wenjun Gao,Chuanchuan Bo. Владелец: Tencent Tech Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-01.

Data backup method and data recovery method for NVDIMM, NVDIMM controller, and NVDIMM

Номер патента: US11966298B2. Автор: Xiaofeng Zhou,Xiping Jiang. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of predicting characteristics of semiconductor device and computing device performing the same

Номер патента: US20230053696A1. Автор: Seyoung Park,Jonghyun Lee,Sola Woo,Gwangnae GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20210183006A1. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Mobile terminal and method of performing multi-focusing and photographing image including plurality of objects using the same

Номер патента: US09888168B2. Автор: Woo Chang CHUN,Jin Sang YUN,Ja Won KOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for providing recommend information for mobile terminal browser and system using the same

Номер патента: RU2601138C2. Автор: Вэньцзюнь ГАО,Чуаньчуань БО. Владелец: Тенсент Текнолоджи (Шэньчжэнь) Компани Лимитед. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US10360105B2. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Semiconductor Device and Method For Preventing Attacks on the Semiconductor Device

Номер патента: US20090049548A1. Автор: Soenke Ostertun,Joachim Christoph Hans Garbe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-19.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US11915782B2. Автор: Min Su Kim,Yong Jun Yu,Do Han Kim,Il Gyu Jung,Nam Hyung KIM,Won Jae SHIN,Chang Min Lee,Dae Jeong Kim,Deok Ho Seo,In Su CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for recognizing iris based on user intention and electronic device for the same

Номер патента: WO2018008978A1. Автор: Hyemi Lee,Hyung-Woo Shin,Hyung Min Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-11.

Artificial intelligence calculation semiconductor device and storage device comprising the same

Номер патента: US11895219B2. Автор: Ju-Young Jung,Jin Soo Lim,Pil Sang Yoon,Ji Youp KIM,Chang Kyu Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Method and device for training image analysis neural network model and intelligent image capturing apparatus employing the same

Номер патента: US11682213B2. Автор: Hyun Jin Yoon,Mi Kyong HAN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-06-20.

Method and device for training image analysis neural network model and intelligent image capturing apparatus employing the same

Номер патента: US20210326654A1. Автор: Hyun Jin Yoon,Mi Kyong HAN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-10-21.

Apparatus and method for generating sinusoidal waves, and system for driving piezo actuator using the same

Номер патента: US20150171883A1. Автор: Gyu Won KIM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US20200135821A1. Автор: Hae Kwan Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210104463A1. Автор: Sanghoon Baek,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160179377A1. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for managing and controlling external iot device and electronic device supporting the same

Номер патента: US20180288209A1. Автор: SUNG Yeon Woo,Bo Kun CHOI,Han Jib KIM,Joon Hwan Lee,Tae Jun Kim,Nam Jin KIM,Jung Hwan Song,Pyo Je CHO,Hae Na Kim,Yoe Chan SONG,Gyu Cheol CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-04.

Artificial intelligence calculation semiconductor device and storage device comprising the same

Номер патента: US20210376997A1. Автор: Ju-Young Jung,Jin Soo Lim,Pil Sang Yoon,Ji Youp KIM,Chang Kyu Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

System and method for parameter optimization with adaptive search space and user interface using the same

Номер патента: US11960253B2. Автор: Te-Ming Chen,Sen-Chia Chang,Po-Yu Huang,Chun-Fang CHEN,Chien-Liang Lai,Hong-Chi KU. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for generating nested container with no intersection and full coverage in the same layer and readable storage medium

Номер патента: US11231954B2. Автор: Jinlin Wang,Gang Cheng,Yi Liao,Lingfang Wang,Haojiang Deng,Xiaozhou Ye,Yiqiang SHENG. Владелец: Institute of Acoustics CAS. Дата публикации: 2022-01-25.

Method for generating nested container with no intersection and full coverage in the same layer and readable storage medium

Номер патента: US20200167182A1. Автор: Jinlin Wang,Gang Cheng,Yi Liao,Lingfang Wang,Haojiang Deng,Xiaozhou Ye,Yiqiang SHENG. Владелец: Institute of Acoustics CAS. Дата публикации: 2020-05-28.

Artificial intelligence calculation semiconductor device and storage device comprising the same

Номер патента: EP3917068A1. Автор: Ju-Young Kim,Jin Soo Lim,Pil Sang Yoon,Ji Youp KIM,Chang Kyu Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-01.

Method for generating nested container with no intersection and full coverage in the same layer and readable storage medium

Номер патента: EP3687111A1. Автор: Jinlin Wang,Gang Cheng,Yi Liao,Lingfang Wang,Haojiang Deng,Xiaozhou Ye,Yiqiang SHENG. Владелец: Institute of Acoustics CAS. Дата публикации: 2020-07-29.

Method and apparatus for specifying global abutment points in a semiconductor device having ambiguous submodule abutments

Номер патента: US6546533B1. Автор: Carlo E. Barrientos,Rudy J. Albachten, III,Dean Marvin. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-04-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20210141691A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor Device and Processor System including the Same

Номер патента: EP2793137A3. Автор: Toshikazu Hori,Daisuke Kawakita. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2014-12-31.

Semiconductor device and memory system having the same

Номер патента: US20150026364A1. Автор: Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor device and layout method of the same

Номер патента: US20230132080A1. Автор: Daehee Lee,Seungil CHAI,Kyunghee SHIN,Moonhui LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device and processor system including the same

Номер патента: US20140310452A1. Автор: Toshikazu Hori,Daisuke Kawakita. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20190138389A1. Автор: Masaaki Hirano,Toru Kawanishi,Tadashi Teranuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20210141687A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Method for generating Gaussian error data using flash memory and apparatus using the same

Номер патента: US11880269B2. Автор: Ki-Hong Kim,Jun-Ki Kang,Bong-Soo LEE,Moon-Seok Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for generating gaussian error data using flash memory and apparatus using the same

Номер патента: US20220374302A1. Автор: Ki-Hong Kim,Jun-Ki Kang,Bong-Soo LEE,Moon-Seok Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for aiding visualization of lesions in medical imagery and apparatus using the same

Номер патента: US20230351594A1. Автор: Gwangbeen PARK. Владелец: Vuno Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for calculating operation acres of agricultural machinery, and electronic device using the same

Номер патента: US20220244070A1. Автор: Di Wu,Ji Ding,Gui-Ping Meng,Gao-Dong Wang,Bei Sun. Владелец: FJ Dynamics Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for rendering relighted 3D portrait of person and computing device for the same

Номер патента: US11823327B2. Автор: Artem Mikhailovich SEVASTOPOLSKIY,Victor Sergeevich LEMPITSKY. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for providing telematics service using virtual vehicle and telematics server using the same

Номер патента: US10949268B2. Автор: Jay Kim. Владелец: Jet Bridge LLC. Дата публикации: 2021-03-16.

Method for determining a data format for processing data and device employing the same

Номер патента: US20110113125A1. Автор: Bruno Bougard,David Novo Bruna. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2011-05-12.

Method and device for regulating a voltage supply to a semiconductor device

Номер патента: WO2005050425B1. Автор: Boris Bobrov,Michael Priel,Anton Rozen,Leonid Smolyansky. Владелец: Leonid Smolyansky. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for event log management of memory errors and server computer utilizing the same

Номер патента: US20200341831A1. Автор: Rui-Guang Chen,Chuan-Chieh WANG. Владелец: Mitac Computing Technology Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for securely manipulating a password hash, a client-server system involving the same, and methods for securing a user-provided password in a client for recovery only by an authentication server

Номер патента: WO2024079340A1. Автор: Francisco Blas IZQUIERDO RIERA,Jose Ernesto SUAREZ FONT,Pierre-Louis François Christian RAUST. Владелец: Garmer Technologies OÜ. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for rendering relighted 3d portrait of person and computing device for the same

Номер патента: US20240096011A1. Автор: Artem Mikhailovich SEVASTOPOLSKIY,Victor Sergeevich LEMPITSKY. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for providing telematics service using virtual vehicle and telematics server using the same

Номер патента: US20200004605A1. Автор: Jay Kim. Владелец: Jet Bridge LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for determining a data format for processing data and device employing the same

Номер патента: WO2009109395A3. Автор: Bruno Bougard,David Novo Bruna. Владелец: Katholieke Universiteit Leuven, K. U. Leuven R&D. Дата публикации: 2009-11-05.

Method for providing device sharing service in isolation environment and server performing the same

Номер патента: US20230297667A1. Автор: Min Chul Kim,Hyung Sub Kim,Chul Oh Park. Владелец: Ermind Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

System and method for fleet management and communication of visual events and collaboration with the same

Номер патента: US20220262117A1. Автор: David J. Michael,Ilan Naslavsky,Osher Perry,Moran Cohen. Владелец: Shipin Systems Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Method and apparatus for determining power supply wirings of a semiconductor device

Номер патента: US5502649A. Автор: Yukio Hirata. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1996-03-26.

Method for detecting pressure on touch sensing element and electronic device using the same

Номер патента: US8390303B2. Автор: Kuo Pin FANG,Shu Hung TSENG. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Methods and tools for preventing the counterfeiting and tampering of semiconductor devices

Номер патента: US20240054502A1. Автор: Saikumar Jayaraman,William F. Herrington,Michael A. Schroeder,Erasenthiran Poonjolai,Fariaz KARIM,Sarah Shahraini,Sean BUSHELL,Hannah ROWE,Ryan PATE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing quantum computing semiconductor device

Номер патента: EP4190742A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Staggered start-up HVAC system, a method for starting an HVAC unit and an HVAC controller configured for the same

Номер патента: US09574785B2. Автор: Richard A. Mauk,Stephen A. Walter,Alan E. Bennett,John P. Stachler. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Synaptic semiconductor device and neural networks using the same

Номер патента: US20190148560A1. Автор: Seongjae Cho,Yongbeom Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for neural-network-lightening using repetition-reduction block and apparatus for the same

Номер патента: US20200175353A1. Автор: Hye-jin Kim,Sang-Yun Oh,Jong-Eun Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-06-04.

Image filtering method for detecting orientation component of edge and image recognizing method using the same

Номер патента: US20140153781A1. Автор: Il-hong Suh,Young-Bin Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-06-05.

Method for neural-network-lightening using repetition-reduction block and apparatus for the same

Номер патента: US12099913B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-Yun Oh,Jong-Eun Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor Device and IC Card Having The Same

Номер патента: US20090147862A1. Автор: Shigeo Ohyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Apparatus and method for inputting a command, method for displaying user interface of media signal, and apparatus for implementing the same, apparatus for processing mix signal and method thereof

Номер патента: EP2092409A1. Автор: Sung Ho Park,Kyeong Su Im. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-08-26.

Method for tree-based machine learning model reduction and electronic device using the same

Номер патента: US20240135244A1. Автор: Shih-Chang Chen,Chao-Chun Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for tree-based machine learning model reduction and electronic device using the same

Номер патента: US20240232692A9. Автор: Shih-Chang Chen,Chao-Chun Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for object segmentation based on deep-learning and system for performing the same

Номер патента: US20220245818A1. Автор: Seung On Bang. Владелец: Gynetworks Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US4860087A. Автор: Toshimasa Kihara,Kiyoshi Matsubara,Tadashi Yamaura,Norishige Kawashimo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-08-22.

Method for exchanging creative work by electronic device and electronic device using the same

Номер патента: US20160110738A1. Автор: Donghyeon KOH. Владелец: Ovn Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Sensing device and method for sensing a fill level of a space, and elevator including the same

Номер патента: US20240221213A1. Автор: Bin Xiao,Tao Ye,Qi Deng,Chunwei Chang,Yong Qing Lu. Владелец: Kone Elevators Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Sensing device and method for sensing a fill level of a space, and elevator including the same

Номер патента: EP4397613A1. Автор: Bin Xiao,Tao Ye,Qi Deng,Chunwei Chang,Yong Qing Lu. Владелец: Kone Elevators Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Method and device for estimating pose of electric vehicle charging socket and autonomous charging robot employing the same

Номер патента: US12115873B2. Автор: Min Kyu Lee,Byung Ho Yoon. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

System and method for applying deep learning tools to machine vision and interface for the same

Номер патента: EP4427204A1. Автор: Reto Wyss,John P. PETRY III. Владелец: Cognex Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Method for evaluating an artificial neural network model performance and system using the same

Номер патента: US12106209B1. Автор: Lok Won Kim. Владелец: DeepX Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for providing fleet service based on smell information and apparatus for the same

Номер патента: US20220405716A1. Автор: Tae Hee Lee,Young Jun Moon,Jae Jun Ha. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for performing a face tracking function and an electric device having the same

Номер патента: US09858470B2. Автор: Chung-Ko Chiu,Ming-Che Kang. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods for generating and employing a camera noise model and apparatuses using the same

Номер патента: US09819914B2. Автор: XU Wang,Aimin Liang,Weiman KONG. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and electronic equipment using the same

Номер патента: US6339342B1. Автор: Masayuki Yoshizawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Display device and method of adjusting luminance of a logo region of an image displayed on the same

Номер патента: US09691353B2. Автор: Seung-Ho Park,Kang-Hee Lee,Mi-Young Joo,Myung-Hee Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Video pre-processing/post-processing method for processing video efficiently and pre-processing/post-processing apparatus using the same

Номер патента: US20020154889A1. Автор: Jong-Gu Jeon,Yong-Je Kim,Jung-Wook Suh,Sang-ug Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Semiconductor device and memory card having the same

Номер патента: WO2006038470A1. Автор: Nobuyoshi Nara. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-04-13.

Method for determining whether examinee is infected by microorganism and apparatus using the same

Номер патента: PH12019502513A1. Автор: Hyun-Jun Kim,Yeha LEE. Владелец: Vuno Inc. Дата публикации: 2020-07-20.

System and method for transmitting personal networking-based blog post, and server applied to the same

Номер патента: WO2009057905A2. Автор: SUNG Kim,Su Kyung Kim,Dong Chan Lim,Chang Su Lee,Sil Keun Hwang. Владелец: SK TELECOM CO., LTD.. Дата публикации: 2009-05-07.

System and method for transmitting personal networking-based blog post, and server applied to the same

Номер патента: WO2009057905A3. Автор: SUNG Kim,Su Kyung Kim,Dong Chan Lim,Chang Su Lee,Sil Keun Hwang. Владелец: Sil Keun Hwang. Дата публикации: 2009-07-16.

System and method for applying deep learning tools to machine vision and interface for the same

Номер патента: WO2023075825A1. Автор: Reto Wyss,John P. PETRY III. Владелец: Cognex Corporation. Дата публикации: 2023-05-04.

Method and device for estimating pose of electric vehicle charging socket and autonomous charging robot employing the same

Номер патента: US20230102948A1. Автор: Min Kyu Lee,Byung Ho Yoon. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Method and device for estimating pose of electric vehicle charging socket and autonomous charging robot employing the same

Номер патента: EP4159385A1. Автор: Min Kyu Lee,Byung Ho Yoon. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-04-05.

System and method for fleet management and communication of visual events and collaboration with the same

Номер патента: WO2023154523A1. Автор: David J. Michael,Ilan Naslavsky,Osher Perry,Moran Cohen. Владелец: ShipIn Systems Inc.. Дата публикации: 2023-08-17.

Display device and method of adjusting luminance of a logo region of an image displayed on the same

Номер патента: US20160225344A1. Автор: Seung-Ho Park,Kang-Hee Lee,Mi-Young Joo,Myung-Hee Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Drug ranking method and system, comparison method for drug ranking method and new use of drug selected using the same

Номер патента: US20230184749A1. Автор: Lee-Wei Yang,Kun-Lin Tsai,Tzu-Kuan Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-06-15.

Resist composition, method for forming resist pattern, and semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070224537A1. Автор: Koji Nozaki,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Resist composition, method for forming resist pattern, and semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100743008B1. Автор: 코지 노자키,미와 코자와. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-07-27.

Method for manufacturing semiconductor module and intermediate assembly unit of the same

Номер патента: US09741628B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing color filter and color filter manufactured by using the same

Номер патента: WO2008123661A1. Автор: Sung-Hyun Kim,Dae-Hyun Kim,Dong-Chang Choi,Ho-Chan Ji,Geun-Young Cha,Kyung-Soo Choi,Hyun-Sik Kim,Jae-Joon Kim,Mi-Ae Kim,Min-A Yu,Mi-Kyoung Kim. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2008-10-16.

Method of measuring an adhesive force of interlayer adhesive layer in tensile mode for stacked semiconductor device and apparatus for measuring the same

Номер патента: US09945772B2. Автор: Dong Kil SHIN,Chul Keun YOON,Min Kyu KANG,Gyu Jei LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation Of Yeungnam University. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for manufacturing a memory device and memory device manufactured through the same method

Номер патента: US20240237365A1. Автор: Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices, nonvolatile memory devices including the same, electronic systems including the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240306384A1. Автор: Chang Heon Lee,Byung Joo Go,Hak Seon Kim,Sung Kweon Baek,Jae Hwa Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for generating injected current of fuel cell stack and apparatus performing the same

Номер патента: US09548611B2. Автор: Jin-ho Cho,Hyun-seok Park,Sung-Mog Yu. Владелец: Hyundai Autron Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method and circuit for simple measurement of the phase shift between two digital clock signals having the same frequency

Номер патента: US12066487B2. Автор: Andreas Schubert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for processing whole blood samples, and compositions for use in practicing the same

Номер патента: US09885699B2. Автор: Ling Wang,Shannon Dillmore. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device, semiconductor repair system including the same, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US20150310939A1. Автор: Seon-Ki CHO,Yong-Ho KONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Tester to simultaneously test different types of semiconductor devices and test system including the same

Номер патента: US09557366B2. Автор: Chang-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09627198B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: US09496010B2. Автор: Jae Woong Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for measuring cell-to-cell transmission of α-synuclein aggregates using bimolecular fluorescence complementation system and method for screening a substance for preventing or treating neurodegenerative disease using the same

Номер патента: US09757402B2. Автор: Dong Kyu Kim,Seung-jae Lee,Eun-Jin Bae,He-Jin LEE. Владелец: University Industry Cooperation Corporation of Konkuk University. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for secret notation of alphanumerical access codes and device for performing the same

Номер патента: WO1994012966A1. Автор: Leif Peterson. Владелец: Leif Peterson. Дата публикации: 1994-06-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230317607A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20140348281A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09673814B2. Автор: Saeng Hwan Kim,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09659611B1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09653145B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09646676B1. Автор: Sang Ah HYUN,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09613716B2. Автор: Min Chang Kim,Noh Hyup KWAK,Woo Yeol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613677B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613666B1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09570121B1. Автор: In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09460812B1. Автор: Seok Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US09887450B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for providing an on-chip variation determination and integrated circuit utilizing the same

Номер патента: US09664737B2. Автор: Yipin WU,Heng-Meng LIU,Kok-Tiong TEE. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Apparatus and method for remote control in a short-range network, and system supporting the same

Номер патента: US09607504B2. Автор: Ji-Eun Keum,Bo-Sun Jung,Sung-Oh Hwang,Jun-Hyung Kim,Ho-yeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Systems and methods for fractionally pulsing aircraft components and for designing manufacturing systems utilizing the same

Номер патента: EP4002034A1. Автор: Darrell Darwin Jones,Daniel Richard SMITH JR.,Jeremy Justice. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-05-25.

Apparatus for manufacturing glass article, method for manufacturing glass article, glass article, and display device including the same

Номер патента: US20210188688A1. Автор: Seung Kim,Gyu In Shim,Byung Hoon Kang,Hoi Kwan Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

System and method for separating sound and condition monitoring system and mobile phone using the same

Номер патента: EP3033890A1. Автор: Maciej Orman,Detlef Pape. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-06-22.

Method for adjusting frequency response parameter of machine tool and system using the same

Номер патента: US20200150630A1. Автор: Yung-Chih Lin,Chen-Hui Kuo,Ta-Jen Peng,Chen-Yu Kai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor devices and integrated circuits including the same

Номер патента: US20150179249A1. Автор: Sang Il Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and memory device comprising the same

Номер патента: US20230057178A1. Автор: Jae Woo Park,Jung Hwan Choi,Myoung Bo Kwak,Kyoung Jun ROH,Jun Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and memory device comprising the same

Номер патента: US12066849B2. Автор: Jae Woo Park,Jung Hwan Choi,Myoung Bo Kwak,Kyoung Jun ROH,Jun Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080105959A1. Автор: Shigeki Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315021A1. Автор: Jonghyun Park,Bongtae Park,Siwan KIM,Sori Lee,Jaejoo Shim,Juwon IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312937A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Joon-Sung LIM,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for detecting damaging of a semiconductor device

Номер патента: US09618561B2. Автор: DIRK Meinhold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09568934B2. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and integrated circuits including the same

Номер патента: US09536587B2. Автор: Sang Il Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09466396B2. Автор: Na Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09455692B2. Автор: Seung Han Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09450574B2. Автор: Sang Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of measuring an adhesive force of interlayer adhesive layer in tensile mode for stacked semiconductor device and apparatus for measuring the same

Номер патента: US10393646B2. Автор: Dong Kil SHIN,Chul Keun YOON,Min Kyu KANG,Gyu Jei LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Method for manufacturing a memory device and memory device manufactured through the same method

Номер патента: US11943938B2. Автор: Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for fabricating semiconductor device and equipment for fabricating the same

Номер патента: US7521697B2. Автор: Takeshi Shibata,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224532A1. Автор: Sunggil Kim,Jumi Bak,Eun- Young LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for correlating a structural parameter of a plurality of gratings and method for determining a structural parameter value of an unknown grating using the same

Номер патента: US7433060B2. Автор: Yi Sha Ku,An Shun Liu. Владелец: Accent Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2008-10-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210074362A1. Автор: Minoru Oda,Yuka Itano,Masato SHINI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Photonic semiconductor device, photonic semiconductor package using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240118491A1. Автор: Kuo-Chung Yee,Hsing-Kuo Hsia,Chih-Hao Yu,Shih-Peng Tai,Jui Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory self-test circuit, semiconductor device and ic card including the same, and memory self-test method

Номер патента: US20090316488A1. Автор: Kazuki Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor device and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US11744073B2. Автор: Keun Lee,Kyungwook Park,Hauk Han,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for correlating a structural parameter of a plurality of gratings and method for determining a structural parameter value of an unknown grating using the same

Номер патента: US20070014015A1. Автор: An Liu,Yi Ku. Владелец: Accent Optical Technologies Nanometrics Inc. Дата публикации: 2007-01-18.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170200485A1. Автор: Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Apparatus of inspecting resistive defects of semiconductor devices and inspecting method using the same

Номер патента: US20160084901A1. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Mi-Ra PARK,Sang-Kil Lee,Yong-Deok Jeong,Na-Kyoung LEE,Dae-Jin SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device and trimming method of the same

Номер патента: US12061123B2. Автор: Shinji Kawashima,Shin TAMURA,Hisao Kobashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory self-test circuit, semiconductor device and IC card including the same, and memory self-test method

Номер патента: US20070279997A1. Автор: Kazuki Yoshioka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Stacked layer type semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20130294134A1. Автор: Ho Cheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240347455A1. Автор: Hyunho Kim,Jang-Gn Yun,Jeehoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods for obtaining antibodies that bind transmembrane proteins and cells that produce the same

Номер патента: AU2021409906A9. Автор: Gang Chen,Robert Babb,Ergang Shi,Wen-Yi Lee,David SUH,Glen Farr. Владелец: Regeneron Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240341094A1. Автор: Sangho Rha,Daeho Kim,Jiyoun Seo,Byung-Sun Park,Su Jong Kim,Mingyu JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09997257B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and test system including the same

Номер патента: US09874604B2. Автор: Min-Su Kim,Jin-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09870813B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09741407B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device or electronic component including the same

Номер патента: US09728243B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09672884B1. Автор: Min Sik HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09542983B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09502384B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09489992B2. Автор: Kie-Bong Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for fabricating semiconductor device and equipment for fabricating the same

Номер патента: US20070295918A1. Автор: Takeshi Shibata,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor devices, nonvolatile memory devices including the same, electronic systems including the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP3958298A1. Автор: Chang Heon Lee,Byung Joo Go,Hak Seon Kim,Sung Kweon Baek,Jae Hwa Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-23.

Semiconductor devices, nonvolatile memory devices including the same, electronic systems including the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US12016177B2. Автор: Chang Heon Lee,Byung Joo Go,Hak Seon Kim,Sung Kweon Baek,Jae Hwa Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: US20030189844A1. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Methods for improving the hydrophilicity of contact lenses and contact lenses having the same

Номер патента: US20070097315A1. Автор: Jerome Legerton,Ramazan Benrashid,Ali Dahi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Method for estimating collision risk according to road environment and vehicle system the same

Номер патента: US20240317216A1. Автор: Eunsan JO. Владелец: HL Klemove Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for analyzing discrete traps in semiconductor devices

Номер патента: US09691861B2. Автор: Koon Hoo Teo,Andrei Kniazev,Qun Gao. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for producing an SGT-including semiconductor device

Номер патента: US09514944B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Pixel circuit, driving method for threshold voltage compensation, and organic light emitting display device using the same

Номер патента: US09349318B2. Автор: Jin-Hyun Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: US20190310284A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-10-10.

Method for generating injected current of fuel cell stack and apparatus performing the same

Номер патента: US20140175890A1. Автор: Jin-ho Cho,Hyun-seok Park,Sung-Mog Yu. Владелец: Hyundai Autron Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Curable resin composition, cured film, laminate, method for manufacturing cured film, semiconductor device, and polymer precursor

Номер патента: US20220002488A1. Автор: Atsuyasu Nozaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: EP3472628A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-04-24.

Method for determining DC level of AC signal and DC offset of the same

Номер патента: US20030174601A1. Автор: Chin-Yin Tsai,Keng-Lon Lei. Владелец: Via Optical Solution Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Method for determining abnormality of temperature sensor and image forming apparatus using the same

Номер патента: US9046852B2. Автор: Gui Chen,Changli CUI,Tianji XU. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-02.

Method for determining abnormality of temperature sensor and image forming apparatus using the same

Номер патента: US20140086600A1. Автор: Gui Chen,Changli CUI,Tianji XU. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Method for determining DC level of AC signal and DC offset of the same

Номер патента: US6992954B2. Автор: Chin-Yin Tsai,Keng-Lon Lei. Владелец: Via Optical Solution Inc. Дата публикации: 2006-01-31.

Hardness measurement method, and fouling prevention method for hardness-measuring device

Номер патента: US10718746B2. Автор: Junichi Takahashi. Владелец: Kurita Water Industries ltd. Дата публикации: 2020-07-21.

System and method for adaptable testing of backplane interconnections and a test tool incorporating the same

Номер патента: US20070069737A1. Автор: Bradford van Treuren,Paul Wheatley. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Drug ranking method and system, comparison method for drug ranking method, correction method for drug ranking method

Номер патента: EP4120277A1. Автор: Lee-Wei Yang,Kun-Lin Tsai,Tzu-Kuan Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-01-18.

Method of correcting a design layout of a semiconductor device, a computing device performing the same and a method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230229073A1. Автор: Jongmin Lee,Cheolhwan Kim,Jichang SIM,Sangeun GO,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for determining parameters of three dimensional nanostructure and apparatus applying the same

Номер патента: US20240102950A1. Автор: Chun-Ting Liu,Chun-Yu Liu,Wei-En FU,Po-Ching HE. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-03-28.

Depression evaluation method and method for evaluating depression treatment method, and data acquisition method for evaluating depression or result of depression treatment method

Номер патента: EP3936865A1. Автор: Masaki Yamaguchi,Takayasu Sekine,Shinsuke WASHIDUKA,Daimei SASAYAMA,Shu TSUKUI. Владелец: Shinshu University NUC. Дата публикации: 2022-01-12.

Integrated optical semiconductor device and optical gyroscope usinng the same

Номер патента: US5724462A. Автор: Ryoji Suzuki,Toshiya Yuhara,Shigehisa Tanaka,Tatemi Ido. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1998-03-03.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20230402097A1. Автор: Yongjin Cho,Sooyong Lee,Kyung Jae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device, semiconductor repair system including the same, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US9202596B2. Автор: Seon-Ki CHO,Yong-Ho KONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Optical semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US6707839B1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-03-16.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20190206899A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Method and apparatus for the simultaneous electrical testing of multiple semiconductor devices

Номер патента: US20020050835A1. Автор: Jed Foy,Cleston Messick,David Lotourette. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20180205002A1. Автор: Jung-Hoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-19.

Optical semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: EP1104060A3. Автор: Yasutaka NEC Corporation Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-24.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170084318A1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Method for modulating display data of flat display and flat display using the same

Номер патента: US20120013655A1. Автор: Fu-Chuan Tsai,Li-Ru Lyu,Yu-Chun Tsai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-01-19.

System and method of measuring for manufacture and deployment of distribution cable assemblies

Номер патента: EP4252057A1. Автор: Terry Lee Cooke,Lars Kristian Nielsen,Michael Todd Faulkner. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Apparatus and method to monitor thermal runaway in a semiconductor device

Номер патента: US09618560B2. Автор: Sam Ziqun Zhao. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for the univocal marking of materials, and ink for carring out the same

Номер патента: NZ575683A. Автор: Claudio Selva. Владелец: Claudio Selva. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9490368B2. Автор: Kunio Kimura,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Driving method for local dimming of liquid crystal display device and apparatus using the same

Номер патента: US20110141004A1. Автор: Dong-Woo Kim,Kyung-Joon Kwon,Chang-Kyun Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US10083760B2. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Test probe for semiconductor devices, method of manufacturing of the same, and member for removing foreign matter

Номер патента: US20030090280A1. Автор: Takahiro Nagata,Yoshihiro Kashiba,Mutsumi Kano,Shigeki Maekawa,Kazunobu Miki,Megumi Takemoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for setting black data of display device and display device employing the same

Номер патента: US20190130827A1. Автор: Jun Ho Hwang,Si Beak PYO,Jong Kwang HWANG,Jae Woo Song. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Method for monitoring circuit breaker and apparatus and internet of things using the same

Номер патента: US11867763B2. Автор: Jiayang Ruan,Niya CHEN,Rongrong Yu. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US11842780B2. Автор: Kenji Noguchi,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP3971978A2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Youngmok KIM,Yongsang JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP3971978A3. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Youngmok KIM,Yongsang JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Driving method for photo transistor and photo sensor and flat panel display using the same

Номер патента: US20090261738A1. Автор: Fu-Yuan Hsu. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor device and test method of the same

Номер патента: US20160072511A1. Автор: Tomoyuki Maekawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160372178A1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Method for compensating driving parameters for a display and circuit system for the same

Номер патента: US20230274710A1. Автор: Yung-Chih Chen,Chun-Yuan Shih. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Devices for storing and accumulating defect information, semiconductor device and device for testing the same

Номер патента: US20030221144A1. Автор: Yutaka Shimada,Yoshinori Fujiwara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170038428A1. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device and operation method of the same

Номер патента: US20180286850A1. Автор: Tetsuya Yoshida,Shinichiro Abe,Hideki Makiyama,Keiichi Maekawa,Hideaki YAMAKOSHI,Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for detecting defects in a material and a system for accomplishing the same

Номер патента: US20020131631A1. Автор: Hui Ma,Catherine Vartuli,Erik Houge,Mike Antonell,Pam Cavanagh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Apparatus and method for remote control in a short-range network, and system supporting the same

Номер патента: EP2474198A2. Автор: Ji-Eun Keum,Bo-Sun Jung,Sung-Oh Hwang,Jun-Hyung Kim,Ho-yeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-11.

Method for providing an on-chip variation determination and integrated circuit utilizing the same

Номер патента: US20160054387A1. Автор: Yipin WU,Heng-Meng LIU,Kok-Tiong TEE. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Control channel allocation method, take-off method and remote control method for flight apparatus

Номер патента: EP3654126A1. Автор: Yang Gao,Yong Wang,Anzhai Peng,Shaohua Chen. Владелец: Cainiao Smart Logistics Holding Ltd. Дата публикации: 2020-05-20.

Methods and software for pairing wireless devices using dynamic multipath signal matching, and wireless devices implementing the same

Номер патента: US11856408B2. Автор: Timothy J. Pierson,Jonathan F. Alter. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12009325B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Joon-Sung LIM,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150332744A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160334827A1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20200357445A1. Автор: Yoo Jong Lee,Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160254802A1. Автор: Na Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and driving method of the same

Номер патента: US20070153565A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroko Abe,Ryoji Nomura,Yuji Iwaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Chuck plate of ashing equipment for fabricating semiconductor devices and chuck assembly comprising the same

Номер патента: US20020066727A1. Автор: Min-O Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

System and method for accelerated degradation testing of semiconductor devices

Номер патента: US5381103A. Автор: John A. Edmond,Calvin H. Carter, Jr.,Douglas A. Asbury,Douglas G. Waltz. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1995-01-10.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320097A1. Автор: Soo Yong Lee,Jung Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor Device and Semiconductor System Having The Same

Номер патента: US20230396241A1. Автор: Jae-Woo Seo,Garoom Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240090220A1. Автор: JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Donghwa LEE,Changheon Cheon,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Apparatus and method for precision trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20020105452A1. Автор: Lawrence Swanson,Glen Johnson,John Clapp,Douglas Lebo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20150063000A1. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20160260498A1. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20170337982A1. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US9728270B2. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US9343173B2. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US10074442B2. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-11.

Semiconductor device or electronic component including the same

Номер патента: US20160329336A1. Автор: Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10921514B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240040792A1. Автор: Bongtae Park,Youngshik Yun,Dongsik LEE,Siwan KIM,Sori Lee,Jaejoo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240038660A1. Автор: Jaeho Kim,Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240032298A1. Автор: Jeehoon HAN,Sanghun Chun,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Juseong MIN,Donghyuck Jang,Taeyoon HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230328987A1. Автор: Boun Yoon,Kihoon JANG,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160064049A1. Автор: Byung Deuk Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and trimming method of the same

Номер патента: US20230160754A1. Автор: Shinji Kawashima,Shin TAMURA,Hisao Kobashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150221395A1. Автор: Tae Kyun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240170067A1. Автор: Changyeon Yu,Jeunghwan Park,Hanmin NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240103070A1. Автор: Jongmin Lee,Yeonjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US12002511B2. Автор: Jinwoo Park,Geunwon LIM,Ilgyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190391325A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4258842A1. Автор: Boun Yoon,Kihoon JANG,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US11950423B2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Youngmok KIM,Yongsang JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160336058A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183885A1. Автор: Jinsoo Lim,SangJun HONG,Jisung Cheon,Seongyeon WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Electric connection inspection device, and manufacturing method and electric connection method for semiconductor device

Номер патента: GB2619415A. Автор: Mori Yuki,KONISHI Kumiko,MIKI Hiroshi,SAGAWA Masakazu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor device and electronic system comprising the same

Номер патента: US20240196617A1. Автор: Seungmin Lee,Bonghyun Choi,Jihwan Yu,Byungman Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240222267A1. Автор: Byoungil Lee,Jongyoon Choi,Seungbeom KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method of sensing current in a power semiconductor device

Номер патента: US09500678B2. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method, device and apparatus for measuring the concentration of creatinine, and method, device and apparatus for measuring the amount of salt in urine using the same

Номер патента: US7879617B2. Автор: Masato Suzuki,Takahiro Nakaminami,Hiroaki Tachibana. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Device and method for programming multiple arrays of semiconductor devices

Номер патента: US5466117A. Автор: Edwin W. Resler,Vincent L. Tong,Russell C. Swanson,W. Scott Bogden. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1995-11-14.

Methods for obtaining antibodies that bind transmembrane proteins and cells that produce the same

Номер патента: EP4267608A1. Автор: Gang Chen,Robert Babb,Ergang Shi,Wen-Yi Lee,David SUH,Glen Farr. Владелец: Regeneron Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Method for labeling radioisotope, radiolabeling compounds using quinone compound and kit comprising the same for labeling radioisotope

Номер патента: US20200390914A1. Автор: Sang Hyun Park,Sajid Mushtaq,Dae Seong Choi. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2020-12-17.

Methods for Biomedical Targeting and Delivery and Devices and Systems for Practicing the Same

Номер патента: US20190150780A2. Автор: Kathryn H. Rosenbluth,Krystof S. Bankiewicz,Adrian P. Kells. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-05-23.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: US11763855B2. Автор: Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for global navigation satellite system (gnss) positioning and electronic device performing the same

Номер патента: US20230016261A1. Автор: Donghwan SEO,Hyeonchang SON,Kyeongmun JO,Jinbae Lee,Hyungpil KUM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for maximizing a battery life and a temperature monitoring device having the same

Номер патента: US20240167886A1. Автор: Kenneth M. Stein,Michael C. Wondolowski,David C. Teal,Christian S. Rothwell,Lisa M. Gabriel. Владелец: Zebra Technologies Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US11977053B2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: WO2019190709A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: US20210264955A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Method and apparatus for preventing damage to a temperature-sensitive semiconductor device

Номер патента: US5073838A. Автор: Stephen J. Ames. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1991-12-17.

Fabrication method for a sub-micron geometry semiconductor device

Номер патента: US5147812A. Автор: James G. Gilbert,Fourmun Lee,Thomas Zirkle. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11900983B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

System and method of measuring for manufacture and deployment of distribution cable assemblies

Номер патента: US20230282391A1. Автор: Terry Lee Cooke,Lars Kristian Nielsen,Michael Todd Faulkner. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Gait-related devices and methods including articles for manufacture of sensors

Номер патента: WO2021035113A1. Автор: Timothy Hess,Stacy J. Morris Bamberg,Joseph A. Juratovac,David E. Huizenga,James Wesley CAPPER. Владелец: Moterum Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-02-25.

METHOD FOR PRODUCING LOW-k FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20100289143A1. Автор: Takamaro Kikkawa,Yoshinori Cho. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2010-11-18.

Apparatus for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP3897478B2. Автор: 勝喜 内海,隆広 松尾,弘 日高. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Method for manufacturing a hoisting rope, hoisting rope and elevator using the same

Номер патента: WO2016059165A1. Автор: Hannu Lehtinen,Riku Lampinen. Владелец: KONE CORPORATION. Дата публикации: 2016-04-21.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for manufacturing lithium hydroxide and method using same for manufacturing lithium carbonate

Номер патента: US09598291B2. Автор: Ki Young Kim,Chang Ho Song,Uong Chon,Im Chang Lee,Gi-Chun Han,So Ra Jung. Владелец: MPPLY Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for moving and positioning of glass sheets and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2266263C2. Автор: Петер ЛИЗЕЦ. Владелец: Текнопат Аг. Дата публикации: 2005-12-20.

Semiconductor device and a method making the same

Номер патента: US20230061462A1. Автор: Shibing QIAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Solvent for manufacture of self-assembled nano-scale LED electrode assembly and method for manufacturing self-assembled nano-scale LED electrode assembly by the same

Номер патента: US09935241B2. Автор: Young Rag Do,Yeon Goog SUNG. Владелец: PSI Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Apparatus for processing plasma and method of processing plasma and manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240128055A1. Автор: Jihwan Kim,Juho Lee,SeungBo SHIM,Hyunjae Lee,Sangki NAM,Hyunbae Kim,Daeun Son,Hyunhak Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Optoelectronic semiconductor device, array of optoelectronic semiconductor devices and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20240322069A1. Автор: Tansen Varghese. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and system of junction termination extension in high voltage semiconductor devices

Номер патента: US20220013626A1. Автор: Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Kedar Patel,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Method and system of junction termination extension in high voltage semiconductor devices

Номер патента: US12113101B2. Автор: Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Kedar Patel,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

A semiconductor device and a method making the same

Номер патента: US20230120791A1. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181160A1. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09455197B2. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Transistor array and method for manufacturing same, and semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240186319A1. Автор: Zhi Zhang,Zhongwei LUO,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170338306A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Roesner,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7875515B2. Автор: Sang Man Bae,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing tag integrated circuit flexible board and structure of the same

Номер патента: US20080299360A1. Автор: Pei-Choa Wang. Владелец: Pyroswift Holding Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09954073B2. Автор: Jun Sakakibara,Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Nozomu Akagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: US09853035B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190287788A1. Автор: Cheng-Hsien Chou,Yung-Lung Lin,Chih-Hui Huang,Kuo-Hwa Tzeng,Hau-Yi Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Method and interleaving apparatus for interleaving for error dispersion and computer readable recording medium for performing the same

Номер патента: US09531407B2. Автор: Jaejin Lee,Junghyun Park. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for aligning quantum dots and semiconductor device fabricated by using the same

Номер патента: US20020031900A1. Автор: Eun Kim,Kwang Kim,Yong Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for treating cancers with dendritic killer cells and pharmaceutical composition comprising the same

Номер патента: US20160045548A1. Автор: Jan Mou Lee. Владелец: FULLHOPE BIOMEDICAL Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Optoelectronic semiconductor device comprising a filling material and method for manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024227522A1. Автор: Michael Huber,Helena DOBLINGER,Jochen BRENDT,Peter Deutscher,Joern KAMPMEIER,Thomas FILZ. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for power saving in wireless local area network and apparatus for the same

Номер патента: US09655051B2. Автор: Dae Won Lee,Byeong Woo Kang,Yong Ho Seok. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for treating cancers with dendritic killer cells and pharmaceutical composition comprising the same

Номер патента: US09597356B2. Автор: Jan Mou Lee. Владелец: FULLHOPE BIOMEDICAL Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for monitoring downlink control information (DCI) and a user equipment using the same

Номер патента: US09544790B2. Автор: Min Gyu Kim,Dong Youn Seo,Suck Chel Yang,Joon Kui Ahn. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-01-10.

Structure in a substrate for the manufacturing of a semiconductor device and process for manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: US20080009139A1. Автор: Thomas Hecht,Henry Bernhardt,Steffen Mueller,Kristin Schupke,Kevin Bauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-01-10.

Method for transmitting PPDU in wireless local area network and apparatus for the same

Номер патента: US09913168B2. Автор: Dae Won Lee,Yu Jin Noh,Yong Ho Seok. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09837422B2. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20190326231A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20210335730A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-28.

Composition for manufacturing light-emitting device, light-emitting device manufactured by the same, and method of manufacturing the light-emitting device

Номер патента: US12069877B2. Автор: Jaekook HA,SeHun KIM,Heunggyu KIM,Taeheon Kang,Hyeran MUN,Juyon LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Wide gap semiconductor device and method for manufacturing wide gap semiconductor device

Номер патента: EP4131342A1. Автор: Shunichi Nakamura,Jin Onuki,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Method for estimating mimo channel using loosely synchronous codes, and apparatus using the same

Номер патента: WO2009022815A3. Автор: Jae Joon Park,Hyun Kyu CHUNG,Myung Don Kim,Won Sop KIM. Владелец: Won Sop KIM. Дата публикации: 2009-04-09.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US11075172B2. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-07-27.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for displaying EPG information including buddy information and receiver applying the same

Номер патента: US09807345B2. Автор: Jong-Chan Park,Hee-jeong BAE,Bo-kyung SHIM,Jin-ho Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Base station, device to device user equipment, transmission method, report method and resource adjustment method for wireless communication system

Номер патента: US09756676B2. Автор: Shu-Tsz Liu,Chun-Che CHIEN,Hsien-Tsung Hsu. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09608074B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Layer mapping method and data transmission method for MIMO system

Номер патента: US09496986B2. Автор: Ki Jun Kim,Bong Hoe Kim,Dong Youn Seo,Joon Kui Ahn,Dong Wook Roh,Young Woo Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for fabricating storage electrode of semiconductor device

Номер патента: US7220641B2. Автор: Ki Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-22.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027576B2. Автор: Tomoaki Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Image evaluation method and quality control method for planographic printing plate

Номер патента: US20040224260A1. Автор: Koichiro Aono,Mitsuo Osato. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240260280A1. Автор: Myunghun Woo,Youngji Noh,Joo-Heon Kang,Jongho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Image forming apparatus, image processing method, and image forming method for speeding up continuous monochrome document in auto color mode

Номер патента: US11356567B1. Автор: Norifumi Miyahara,Kunihiko Shimamoto,Kendrick Esperanza Wong. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09947708B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US09704704B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing in a semiconductor device a low resistance via without a bottom liner

Номер патента: US09559051B1. Автор: Zhigang Song,Junjing Bao,Yunsheng Song,Yongchun Xin,Jang H. Sim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for deep biological purification of waste water and apparatus to implement the same

Номер патента: RU2282597C1. Автор: Юрий Олегович Бобылев. Владелец: Юрий Олегович Бобылев. Дата публикации: 2006-08-27.

Method for protecting laser working unit against dust and device for performing the same

Номер патента: RU2265507C2. Автор: Манфред ЙЕНДИК. Владелец: Рексам Аб. Дата публикации: 2005-12-10.

Method for introducing of aqueous suspensions into feeds and extruder for effectuating the same

Номер патента: RU2266677C2. Автор: В.П. Попов,В.П. Ханин,В.Ю. Полищук,С.П. Василевска,С.П. Василевская. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургский государственный университет". Дата публикации: 2005-12-27.

Method for processing fluids contaminated with polychlorinated biphenyl and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2305014C2. Автор: Лорри ХАНТ,Джим МАККИНЛИ,Род МАКЕЛРОЙ. Владелец: Соник Энвайрнментал Солюшнз Инк.. Дата публикации: 2007-08-27.

Method for manufacturing an electrical connector and electrical connector manufactured by the same

Номер патента: US5975917A. Автор: Wayne Huang,Kuo-Cheng Wang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for eliminating divot formation and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20230275131A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Yu-Wen Tseng,Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Storage System for Storing a Medium and Method for Loading a Storage System With a Storage Medium and Emptying the Same Therefrom

Номер патента: US20080020250A1. Автор: Wolfgang Polifke,Walter Schuetz,Florian Michl,Ricardo Paggiaro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor device, an electronic system including the same, and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11744079B2. Автор: Chang-sun Hwang,Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230284450A1. Автор: Hyuk Kim,Youngsik Lee,Yeongeun YOOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Film forming method, semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020013068A1. Автор: Tomomi Suzuki,Kazuo Maeda,Youichi Yamamoto,Hiroshi Ikakura,Kouichi Ohira,Yoshimi Shioya,Yuichiro Kotake,Shoji Ohgawara. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240357806A1. Автор: Youngho KWON,Jea-Yeon Lee,Seonkyung Kim,Hyunkook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of curing a dielectric layer for manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US09923077B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang,Moon-Kyu Park,Ki-joong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09589969B1. Автор: Yu-Wei Chang,Chui-Ya Peng,Austin Hsu,Kung-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Power semiconductor device, power semiconductor chip including the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343861A1. Автор: Tae Young Park,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Min Gi Kang,Tae Yang KIM,Seon Hyeong Jo,Seong Hwan Yun. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor device, power semiconductor chip including the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343860A1. Автор: Tae Young Park,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Min Gi Kang,Tae Yang KIM,Seon Hyeong Jo,Seong Hwan Yun. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for Making Solder-top Enhanced Semiconductor Device of Low Parasitic Packaging Impedance

Номер патента: US20120289001A1. Автор: Ming Sun,Kai Liu,Francois Hebert,Anup Bhalla. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7531435B2. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Methods for preparing dry-heating seeds of Canavalia ensiformis and compositions comprising the same for immunomodulation

Номер патента: US20050079237A1. Автор: Yang Chiang. Владелец: YANG CHI CHIANG SCHOOL OF MEDICAL TECHNOLOGY CHUNG SHAN MEDICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2005-04-14.

Semiconductor device and power supply using the same

Номер патента: US20090243575A1. Автор: Takashi Hirao,Takayuki Hashimoto,Koji Tateno,Noboru Akiyama,Takuya Ishigaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09960177B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Interactive method for communication with smart mobile device and interactive communication system using the same

Номер патента: US09654185B2. Автор: Li Sheng Lo. Владелец: Generalplus Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09461057B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for deep biological purification of sewage water and apparatus for effectuating the same

Номер патента: RU2279407C1. Автор: Юрий Олегович Бобылев. Владелец: Юрий Олегович Бобылев. Дата публикации: 2006-07-10.

Method for manufacturing tellurium-based semiconductor device, tellurium-based semiconductor device manufactured thereby, and thin film transistor

Номер патента: US20230352596A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Tai Kyu KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-02.

Apparatus for manufacturing mixture composition of organic and inorganic material and method for manufacturing mixture composition of organic and inorganic material using the same

Номер патента: US12017390B2. Автор: Jaeho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-25.

Epoxy resin composition for optical semiconductor device, lead frame obtained using the same for optical semiconductor device, and optical semiconductor device

Номер патента: US20120080705A1. Автор: Shinya Ota,Kohei Nakamura,Kazuhiro Fuke,Hidenori Ohnishi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Chemical mechanical polishing system and method for planarizing substrates in fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040092112A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai,Shao-Chung Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and communication system including the same

Номер патента: US09847870B2. Автор: Do-Hyung Kim,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09780201B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for controlling synchronous rectifier of power converter and control circuit using the same

Номер патента: US09509224B2. Автор: Ta-Yung Yang,Chou-Sheng Wang,Tse-Jen Tseng. Владелец: Fairchild Taiwan Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431435B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Thin-film semiconductor device, display apparatus, and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130075745A1. Автор: Sadayoshi Hotta,Arinobu Kanegae. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for manufacturing laminated steel sheet, apparatus for manufacturing laminated steel sheet, and curable composition used for the same

Номер патента: US11872619B2. Автор: Ai Omura. Владелец: ThreeBond Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Silicon carbide semiconductor device, inverter circuit using the same, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230378292A1. Автор: Junichi Uehara,Yusuke Hayama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device or display device including the same

Номер патента: US20170338107A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Solvent For Manufacture Of Self-Assembled Nano-Scale LED Electrode Assembly And Method For Manufacturing Self-Assembled Nano-Scale LED Electrode Assembly By The Same

Номер патента: US20170200859A1. Автор: Young Rag Do,Yeon Goog SUNG. Владелец: PSI Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Nonvolatile semiconductor device and fabrication process for the same

Номер патента: US20020100928A1. Автор: Akinobu Teramoto,Naoki Tsuji,Kazutoshi Wakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4383342A3. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device and power amplifier using the same

Номер патента: US20040140480A1. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Kiichi Yamashita,Tohru Oka,Isao Ohbu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Modular semiconductor devices and electronic devices incorporating the same

Номер патента: US20230411263A1. Автор: Soohan Park,KyungEun Kim,Hyesun Kim,Youjin Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US12046679B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Haruyuki Baba,Ryunosuke Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9997621B2. Автор: Hitoshi Matsuura,Satoshi Eguchi,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Tray for transporting semiconductor device and tray system comprising the same

Номер патента: US20240286788A1. Автор: Jae Hong Park,Tae-Geon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9130039B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Semiconductor device and manufactruing method of the same

Номер патента: US20140042529A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Storage apparatus for semiconductor devices and storage system including the same

Номер патента: US20240297060A1. Автор: Sanghyuk PARK,Jihun Kim,Youngon OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

A Semiconductor Device and a Method Making the Same

Номер патента: US20220262750A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Aluminum and aluminum alloy radiator for semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: MY117367A. Автор: Masato Sasaki,Yoshio Hirayama,Yoichi Miura,Hideo Horita. Владелец: Dainippon Printing Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same, and electronic systems including semiconductor devices

Номер патента: US20240315039A1. Автор: Inho Kim,Young-Ho Lee,Jumi Yun,Wongi Hong,Gyeongsik EOM,Chankyu KIM,Dasom JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US09960190B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Haruyuki Baba,Ryunosuke Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and power converter using the same

Номер патента: US09806009B2. Автор: Shinichi Fujino,Takashi Kume. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and power converter using the same

Номер патента: US09654027B2. Автор: Takashi Hirao,Mutsuhiro Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508774B2. Автор: Koji Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09490328B2. Автор: Koji Fujisaki,Takashi Takahama,Keisuke Kobayashi,Naoki Tega. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09484456B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09406710B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20120196395A1. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US8168518B2. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US8518756B2. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Method and apparatus for manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20110079629A1. Автор: Atsushi Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device and process of forming the same

Номер патента: US20210083092A1. Автор: Takuma Nakano. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8097914B2. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050189584A1. Автор: Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170040226A1. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130264576A1. Автор: Takashi Onizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110304043A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20090050871A1. Автор: Yuichi Matsui. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

System, method, and computer-implemented method for standardizing electronic identifiers to improve identification of physical equipment

Номер патента: US20200145295A1. Автор: Chase A. Aleshire. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100052045A1. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120094452A1. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for cleaning web-like object to be cleaned and apparatus using the same

Номер патента: US20080236627A1. Автор: Hideaki Kominami,Manabu Oohira,Norikazu Oota,Kazuhiro Muramasu. Владелец: Fujifilm Opto Materials Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240055486A1. Автор: Ji Young Kim,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Bum Kyu Kang,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200312965A1. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-10-01.

Production method and disintegration suppression method for sintered ore

Номер патента: EP4299774A1. Автор: Tetsuya Yamamoto,Takahide Higuchi,Kenta Takehara. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Semiconductor device and mehtod of fabricating the same

Номер патента: US20240136441A1. Автор: Ken-Ichi Goto,Cheng-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7915680B2. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: EP3955297A2. Автор: Junghwan Lee,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090152697A1. Автор: Kazuo Kudo,Takumi Soba,Hideaki Tamimoto,Toru Ueguri. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180301446A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20020105085A1. Автор: Noriyuki Sakuma,Kenji Hinode,Takeshi Furusawa,Daisuke Ryuzaki,Shuntaro Machida,Ryou Yoneyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090065802A1. Автор: Taro Sugizaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Information bit determination method and mapping generation method for polar-coded modulation, and device

Номер патента: US20240146334A1. Автор: Yifei Yuan,Sen Wang,Kai Niu,Jinsheng DAI,Bolin WU. Владелец: China Mobile Communications Ltd Research Institute. Дата публикации: 2024-05-02.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US20240290621A1. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: Magnachip Mixed Signal Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and semiconductor component including the same preliminary class

Номер патента: US12051767B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ching Lee,Chia-hung Lin,Kuo-Feng Huang,Cheng-Long Yeh,Shih-Hao Cheng,Cheng-Hsing Chiang,Yen-Chun Tseng,Ming-Ta Chin,Shih-Nan Yen,Jui-Che Sung. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Compound semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20060131607A1. Автор: Hisashi Yamada,Takenori Osada,Noboru Kukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for emulsifying a triepitope peptide with montanide and kits for performing the same

Номер патента: EP3082854A1. Автор: Jeanne Menez-Jamet. Владелец: Vaxon Biotech SA. Дата публикации: 2016-10-26.

Method for Emulsifying a Triepitope Peptide with Montanide and Kits for Performing the Same

Номер патента: US20190151427A1. Автор: Jeanne Menez-Jamet. Владелец: Vaxon Biotech SA. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for emulsifying a triepitope peptide with montanide and kits for performing the same

Номер патента: US20170000866A1. Автор: Jeanne Menez-Jamet. Владелец: Vaxon Biotech SA. Дата публикации: 2017-01-05.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for preparing modified silica film and modified silica film prepared from the same

Номер патента: US20140323630A1. Автор: Shigeto Kobori. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230282582A1. Автор: Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Gyuho KANG,Seong-Hoon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12082404B2. Автор: Seongjun Seo,Kang-Sup Roh,Wookhyoung LEE,Youngmo Ku,Yongin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20200105721A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110147841A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Methods and apparatus for method for maintaining a radio link at a mobile radio

Номер патента: WO2012074697A3. Автор: Harish Natarahjan,Kevin G. Doberstein,James E. Streed. Владелец: MOTOROLA SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2012-10-04.

Methods and apparatus for method for maintaining a radio link at a mobile radio

Номер патента: WO2012074697A4. Автор: Harish Natarahjan,Kevin G. Doberstein,James E. Streed. Владелец: MOTOROLA SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2012-10-26.

Methods and apparatus for method for maintaining a radio link at a mobile radio

Номер патента: WO2012074697A2. Автор: Harish Natarahjan,Kevin G. Doberstein,James E. Streed. Владелец: MOTOROLA SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8154074B2. Автор: Takeshi Endo,Kensaku Yamamoto,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240298441A1. Автор: Hyo-Jung Kim,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220336586A1. Автор: Ji Young Kim,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Bum Kyu Kang,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20110133290A1. Автор: Satoru Muramatsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240284678A1. Автор: Kijoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240268113A1. Автор: Jaehoon Lee,Jeehoon HAN,Sanghun Chun,Donghyuck Jang,Kyung Taek CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and system for validating inspiratory muscle activity of a patient, and mechanical ventilation system using the same

Номер патента: EP3082587A1. Автор: Christer Sinderby,Jennifer Beck,Norman Comtois. Владелец: St Michaels Hospital. Дата публикации: 2016-10-26.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140299886A1. Автор: Jun Kawai,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315057A1. Автор: Dahhye Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315034A1. Автор: Euntaek JUNG,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Articles Formed From Fluorine-Containing Elastomer Compositions Using Additive Manufacturing Methods and Additive Manufacturing Methods for Thermoset Elastomer Compositions

Номер патента: US20240286347A1. Автор: Mookkan Periyasamy,Ronald R. Campbell,David O. Kazmer,Joey L. Mead,Stiven KODRA,A. A. Mubasshir. Владелец: Greene Tweed Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US20120127684A1. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12089407B2. Автор: Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4432806A1. Автор: Euntaek JUNG,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12120882B2. Автор: Jihwan Kim,Jeehoon HAN,Shinhwan Kang,Sanghun Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4447632A1. Автор: Sujin PARK,HongSoo KIM,Hee-Sung KAM,Byungjoo Go,Janghee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US8853559B2. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US12125791B2. Автор: Junghwan Lee,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and semiconductor component including the same

Номер патента: US12125956B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ming Chen,Chun-Wei Chang,Chung-Hao Wang,Yu-Tsu Lee,Wei-Jen Hsueh,Yi-Yang Chiu,Min-Hao YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240365567A1. Автор: Jinwoo Lee,Dongho Ahn,Jin Myung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09997484B2. Автор: Hideo Aoki,Masatoshi Fukuda,Takeori Maeda,Ryoji Matsushima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and electronic component using the same

Номер патента: US09997432B2. Автор: Takeo Yamamoto,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09972725B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US09966317B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Joung-yeal Kim,Mi-Young Woo,Dae-Hyun KWON,Joon-Sun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

LDMOS power semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09954079B2. Автор: Antonello Santangelo,Salvatore Cascino,Leonardo Gervasi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods for forming fin structures for semiconductor devices

Номер патента: US09934961B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US09929132B2. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for performing CoMP operation in wireless communication system and apparatus for the same

Номер патента: US09894668B2. Автор: Jian Xu,Kyungmin Park,Daewook BYUN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and process for fabricating the same

Номер патента: US09887147B2. Автор: Masamichi Ishihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09837528B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods for artificially aging aluminum-zinc-magnesium alloys, and products based on the same

Номер патента: US09765419B2. Автор: Xinyan Yan,Wenping Zhang,James Daniel Bryant,Jen Lin,Dana Clark. Владелец: Alcoa USA Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09716089B2. Автор: Hao ZHONG,Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09673143B2. Автор: Yoshihiro Kamiyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and fabricating method of the same

Номер патента: US20240379670A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Chih-Yi Wang,Po-Tsang Chen,Wei-Che Chen,Wen-Liang Huang,Lung-En Kuo,Ying-Hsien Chen,Kun-Szu Tseng,Po-Chang Lin,Ya-Ting Hu,Yun-Yang He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device, integrated circuit structure using the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559069B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yu-feng Chen,Sheng-Yu Wu,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09559052B2. Автор: Yukio Miura,Hideaki Tsuchiya,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for preparing modified silica film and modified silica film prepared from the same

Номер патента: US09528028B2. Автор: Shigeto Kobori. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for the refinement of a panel and apparatus for carrying out the same

Номер патента: US09522567B2. Автор: Roger Braun,Norbert Kalwa. Владелец: Flooring Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508598B2. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Apparatus and method for transmitting wireless power by using resonant coupling and system for the same

Номер патента: US09496731B2. Автор: Hee-Won Jung,Se-Ho Park,Ki-Hyun Kim,Jin-Hyoung Park,Sung-Kweon Park,Young-Min Lee,Hong-Kweun Kim,Seung-Woo Han,Kil-Soo Ko,Sea-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09478530B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Systems and methods for anchoring components in MEMS semiconductor devices

Номер патента: US09458010B1. Автор: Ruben B. Montez,Robert F. Steimle. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431260B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09425142B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method and apparatus for manufacturing a packaged semiconductor device, packaged semiconductor device obtained with such a method and metal carrier suitable for use in such a method

Номер патента: AU2003255956A1. Автор: Frederik H. In 't Veld,Johannes H. Savenije. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-02-25.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190355880A1. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-21.

Optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11309461B2. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor device and a method making the same

Номер патента: US12009250B2. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method and computing system for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240213054A1. Автор: Sunghoon Kim,Youngsik OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for doping a fin-based semiconductor device

Номер патента: US7612420B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-11-03.

Controling method for an electronic cigarette, storage medium, and an electronic cigarette containing the same

Номер патента: US20200375261A1. Автор: Junwei Ouyang. Владелец: Hong Kong IVPS International Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for determining and changing rf channel and rf transceiving system using the same

Номер патента: US20100111144A1. Автор: Chih-Kai Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-05-06.

Manufacturing method for 3d structure of biomaterials using stereolithography technology and products by the same

Номер патента: US20110318528A1. Автор: Dong-Woo Cho,Hyun-Wook Kang. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2011-12-29.

Stool collection method and sample preparation method for transplanting fecal microbiota

Номер патента: US20200405776A1. Автор: Hervé AFFAGARD,Carole SCHWINTNER,Alice Leroux,Clemence Mader. Владелец: Maat Pharma SA. Дата публикации: 2020-12-31.

Stool collection method and sample preparation method for transplanting fecal microbiota

Номер патента: AU2019229721A1. Автор: Hervé AFFAGARD,Carole SCHWINTNER,Alice Leroux,Clemence Mader. Владелец: Maat Pharma SA. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Side wall conveying system, a forming method and a conveying method for an explosion-proof coal mine roadway

Номер патента: NL2023125A. Автор: Ming Liu,Hui Liu,Chao Wu,Qing Yu,Yunhe Tu,Xiangling Tao. Владелец: Jiangsu Vocational Inst Architectural Tech. Дата публикации: 2019-11-21.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for maintaining vacuum-tight inside a panel module and structure for the same

Номер патента: US20090139645A1. Автор: Chih-Ping Peng,Yun-Jiau Shiau. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for maintaining vacuum-tight inside a panel module and structure for the same

Номер патента: US20070210695A1. Автор: Chih-Ping Peng,Yun-Jiau Shiau. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-09-13.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for fabricating silicide layers for semiconductor device

Номер патента: US7446008B2. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Post-type apparatus for containing and charging unmanned vertical take-off and landing aircraft and method of containing and charging unmanned vertical take-off and landing aircraft using the same

Номер патента: US09975442B2. Автор: Hae-Dong Kim,Sang-Cherl Lee,Hyeon-Cheol GONG,Gi-Hyuk CHOI,In-Hee HWANG,Byong-Suk SUK. Владелец: Korea Aerospace Research Institute KARI. Дата публикации: 2018-05-22.

Post-type apparatus for containing and charging unmanned vertical take-off and landing aircraft and method of containing and charging unmanned vertical take-off and landing aircraft using the same

Номер патента: US09862285B2. Автор: Hae-Dong Kim,Sang-Cherl Lee,Hyeon-Cheol GONG,Gi-Hyuk CHOI,In-Hee HWANG,Byong-Suk SUK. Владелец: Korea Aerospace Research Institute KARI. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for fast transform coding based on perceptual quality and apparatus for the same

Номер патента: US09838713B1. Автор: Donggyu SIM,Yongjo AHN. Владелец: Industry Academic Collaboration Foundation of Kwangwoon University. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for establishing connection, method for installing corresponding remote assistance communication, and a mobile device using the same

Номер патента: US09723139B2. Автор: Shih-Chieh Liao,Chi-Yang Huang. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for producing a nitride compound semiconductor device

Номер патента: US09660137B2. Автор: Patrick Rode,Werner Bergbauer,Peter Stauss,Philipp Drechsel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for managing data traffic of software and portable electronic apparatus using the same

Номер патента: US09635169B2. Автор: Ling Chen,wei-wei Liu. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09627202B2. Автор: DAE-YONG KANG,Sung-Wook Hwang,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US09577058B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for preparing electrode mix and the electrode mix prepared by using the same

Номер патента: US09455438B2. Автор: Jihyun Kim,Tae Jin Park,SooHyun LIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Downlink precoding method and data interacting method for coordinated multi-point transmission system and apparatus

Номер патента: US09432092B2. Автор: Yi Wang,Hua Zhou,Jianming Wu,Yueqiao Xu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for forming merged contact for semiconductor device

Номер патента: US09431399B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Emre Alptekin,Mickey H. Yu,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Group III nitride semiconductor device, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09425348B2. Автор: Koji Katayama,Takashi Kyono,Katsunori Yanashima,Shinji Tokuyama,Nobuhiro Saga,Tatsushi Hamaguchi,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing a recessed semiconductor device

Номер патента: US4642880A. Автор: Yoshihisa Mizutani,Syunzi Yokogawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-02-17.

Method for manufacturing a reliable semiconductor device using ECR-CVD and implanting hydrogen ions into an active region

Номер патента: US6071832A. Автор: Hiraku Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US6096607A. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2840595A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

Method for manufacturing mosfet on semiconductor device

Номер патента: US20070161212A1. Автор: Young Seong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for manufacturing gallium nitride semiconductor device

Номер патента: US11784039B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170012109A1. Автор: Jun Sakakibara,Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Nozomu Akagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Apparatus for manufacturing quantum dot and quantum dot manufacturing method using the same

Номер патента: US20210229060A1. Автор: Junwoo Lee,Taekjoon Lee,Baek Hee Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8872261B2. Автор: Hiroshi Ohta,Kiyoshi Kimura,Junji Suzuki,Wataru Saito,Yasuto Sumi,Hiroyuki IRIFUNE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9583346B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20220199868A1. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Apparatus for manufacture of electrode assembly and electrode assembly manufactured by the same

Номер патента: US20230207962A1. Автор: Jae Young Jung,Ji Won Yang,Young Rae Oh. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US20100248462A1. Автор: Munaf Rahimo,Jan Vobecky. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-30.

Optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11804579B2. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-10-31.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130137198A1. Автор: Shin Harada,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307500A1. Автор: Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus for manufacture of electrode assembly and electrode assembly manufactured by the same

Номер патента: EP4207407A1. Автор: Jae Young Jung,Ji Won Yang,Young Rae Oh. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and apparatus for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20010008750A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,Husam Al-Shareef,Daniel Gealy,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Group iii nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20150255958A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US9379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: EP4421866A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Method and apparatus for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20010044219A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Method and apparatus for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20020192978A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming a capacitor in a semiconductor and a capacitor using the same

Номер патента: US20060292811A1. Автор: Sang Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20240290733A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Method for producing a secondary battery and the metal contaminant deactivation of the same

Номер патента: US09917331B2. Автор: Hisataka Fujimaki,Hiroshi Kawadu. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for extracting hydrocarbons with medium chain lengths, and the use of the same

Номер патента: US09840447B2. Автор: Andreas Menne,Axel Kraft,Volker Heil,Christoph Unger. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods for the production of aligned carbon nanotubes and nanostructured material containing the same

Номер патента: US09731971B2. Автор: Christopher H. Cooper,Richard Czerw,Hai-Feng Zhang. Владелец: Multipure International. Дата публикации: 2017-08-15.

Temperature control method for substrate heat treatment apparatus, semiconductor device manufacturing method, temperature control program for substrate heat treatment apparatus, and recording medium

Номер патента: US09431281B2. Автор: Kaori Mashimo,Masami Shibagaki. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for separating of embryos from corn grains and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2314871C2. Автор: Отмар ГЕРШВИЛЕР,Вальтер ОЙГСТЕР,Урс ЦВАЛЕН. Владелец: Бюлер АГ. Дата публикации: 2008-01-20.

Apparatus for manufacturing silicon single crystal and melt inlet pipe of the same

Номер патента: US10415150B2. Автор: Mitsuaki Hayashi,Wataru Sugimura,Ippei SHIMOZAKI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130307022A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150270266A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190051649A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170271333A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9059266B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Wiring layout of semiconductor device and design method of the same

Номер патента: US20050051803A1. Автор: Noriaki Matsunaga,Hitomi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240164091A1. Автор: Jungho Lee,Choasub KIM,Chung Jin Kim,Hyungang Kim,Soyeon Seok,Yunkyu Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device, light emitting device using the same, and light emitting device package including the same

Номер патента: US9076894B2. Автор: Jung Hun Jang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-07.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US11837558B2. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US20240282673A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Press forming method and shape evaluation method for press formed part

Номер патента: US12090541B2. Автор: Masaki Urabe,Yusuke Fujii,Shunsuke Tobita. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Structure and method for diminishing delamination of packaged semiconductor devices

Номер патента: US09627299B1. Автор: Kyle Mitchell Flessner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for use in manufacturing a semiconductor device die

Номер патента: US09553022B1. Автор: Michaela Braun,Markus Menath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Method and relates to it installation for manufacturing of steel strips with discontinuity

Номер патента: RU2381847C1. Автор: Джованни АРВЕДИ. Владелец: Джованни АРВЕДИ. Дата публикации: 2010-02-20.

Semiconductor device and power supply using the same

Номер патента: US20080315851A1. Автор: Takashi Hirao,Takayuki Hashimoto,Koji Tateno,Noboru Akiyama. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Optoelectronic semiconductor device, optoelectronic semiconductor apparatus and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20220149256A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US11721597B2. Автор: Victor Chiang Liang,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Huang-Wen Tseng,Chwen-Ming Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190273057A1. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220149173A1. Автор: Tomoaki Noguchi,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US11862454B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20170263776A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20180053770A1. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Methods for forming air spacers in semiconductor devices

Номер патента: US11955535B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220344368A1. Автор: Sangmin Kang,Sunggil Kim,Jeeseung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220375959A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Sukkang SUNG,Sangdon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210091187A1. Автор: Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170250089A1. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022136278A3. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US20240055495A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Andrei Amadeus MIHAILA. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device, an electronic system including the same, and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20220254802A1. Автор: Chang-sun Hwang,Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20080315369A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20200144424A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20240154041A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20210343870A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for displaying epg information including buddy information and receiver applying the same

Номер патента: EP2529547A2. Автор: Jong-Chan Park,Hee-jeong BAE,Bo-kyung SHIM,Jin-ho Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-05.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230230937A1. Автор: Dong Young Kim,Young-Min Ko,Hyunuk Jeon,Yuseon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Wide gap semiconductor device and method for manufacturing wide gap semiconductor device

Номер патента: US20230042772A1. Автор: Shunichi Nakamura,Jin Onuki,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device, light emitting device using the same, and light emitting device package including the same

Номер патента: US20140332821A1. Автор: Jung Hun Jang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Resin-sealed semiconductor device and method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20230132513A1. Автор: Ryuichi Ishii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US20120187480A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-07-26.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US20120187479A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09666434B2. Автор: DAE-YONG KANG,Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for generating low color temperature light and light emitting device adopting the same

Номер патента: US20090066218A1. Автор: Ben Fan. Владелец: Heshan Lide Electronic Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Method for working objects with use of laser and system for performing the same

Номер патента: RU2322334C2. Автор: Жан-Филип БОРГОЛЬЦ,Ришар РЕНО. Владелец: Рено Лазер. Дата публикации: 2008-04-20.

Method for surface finishing of paper or cardboard and agent for effectuating the same

Номер патента: RU2261300C2. Автор: Ахим КОЛЕР,Герд МАРТИН,Кристиан ВАЙГЛЬ,Йозеф ВАЙГЛЬ. Владелец: Клариант Файненс (Бви) Лимитед. Дата публикации: 2005-09-27.

Discharge recovery method for an ink jet recording head and device for carrying out the same

Номер патента: CA2040120C. Автор: Atsushi Arai,Hiroshi Tajika,Hitoshi Sugimoto,Miyuki Matsubara,Norifumi Koitabashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1996-03-26.

Silicon type compound having bisphenylcarbazol in molecule and method for preparing organic thin layer of organic light emitting devices using the same

Номер патента: WO2007132986A1. Автор: Sang-Ook Kang,Chan-Seok Park,Chong-Chan Lee,Won-Sik Han. Владелец: Dongjin Semichem Co., Ltd. Дата публикации: 2007-11-22.

Semiconductor device and process for fabricating the same

Номер патента: US5897345A. Автор: Hideki Uochi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Simplified switching control device, and a network system for employing the device: and a simplified switching control method, and a communication method for employing the method

Номер патента: US5859718A. Автор: Mitsuru Yamamoto,Kazuhiko Houjou,Toru Nakata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-01-12.

Diene-based rubber latex, method for preparing thereof and graft copolymer with core-shell structure comprising the same

Номер патента: US11932709B2. Автор: Young Min Kim,Young Hwan Jeong,Chang Hong BAK. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US20230275052A1. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Process and system for manufacturing an encapsulated semiconductor device

Номер патента: US20090011549A1. Автор: Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170062457A1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and package assembly including the same

Номер патента: US11855025B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chen-Cheng Kuo,Tsung-Shu Lin,Yao-Chun Chuang,Chita Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and circuit arrangement using the same

Номер патента: US20160308529A1. Автор: Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070284582A1. Автор: Shinichi Saito,Yoshinobu Kimura,Nobuyuki Sugii,Ryuta Tsuchiya,Digh Hisamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US6433406B1. Автор: Hiroshi Kagiwata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-13.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100233846A1. Автор: Takahiro Ohe,Miki Kimijima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for manufacturing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20240188272A1. Автор: Kenichi Kanazawa. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11862464B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada,Yisuo Li. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20030011042A1. Автор: Hiroshi Kagiwata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Method for receiving downlink signal in wireless communication system and terminal using the same

Номер патента: RU2763149C1. Автор: Инквон СЕО,Юндзунг И,Даесунг ХВАНГ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2021-12-27.

Method for forming member of stator or rotor and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2276633C2. Автор: Бенгт ДЕРЕХАГ,Альф ПЕТТЕРССОН. Владелец: Вольво Аэро Корпорейшн. Дата публикации: 2006-05-20.

Method for rolling wire of metallic rods and rolling mill for performing the same

Номер патента: RU2201300C2. Автор: Тадахиро НАГАСЕ. Владелец: Морган Констракшн Компани. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor device and production method of the same semiconductor device

Номер патента: US20080258315A1. Автор: Sadayuki Okuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

BGA type semiconductor device and electronic equipment using the same

Номер патента: US6163071A. Автор: Hideho Yamamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-12-19.

Method for interconnecting two synchronous polyphase ac networks and interconnecting apparatus for the same

Номер патента: CA2132004C. Автор: Francois Beauregard,Pierre Pelletier,Jacques Brochu,Gaston Morin. Владелец: CITEQ Inc. Дата публикации: 2004-10-12.

Method for interconnecting two synchronous polyphase ac networks and interconnecting apparatus for the same

Номер патента: CA2132004A1. Автор: Francois Beauregard,Pierre Pelletier,Jacques Brochu,Gaston Morin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-08-04.

Semiconductor device and manufacture method of the same

Номер патента: US10685917B2. Автор: Zhiqi Wang. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Method for receiving downlink signal in wireless communication system and terminal using the same

Номер патента: CA3040175C. Автор: Daesung HWANG,Yunjung Yi,Inkwon Seo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-10-12.

A semiconductor device, a method of producing the same, a lead frame and a mounting board therefor

Номер патента: MY111086A. Автор: TANAKA Naotaka,Yaguchi Akihiro,Kohno Ryuji,Kitano Makoto,NISHIMURA Asao,Kumazawa Tetsuo,Yoneda Nae. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-08-30.

BGA type semiconductor device and electronic equipment using the same

Номер патента: US6734545B1. Автор: Hideho Yamamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-05-11.

Semiconductor device and electronic apparatus using the same

Номер патента: US20060192229A1. Автор: Takeshi Osada,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-31.

Cleaning solution for cleaning semiconductor device and cleaning method using the same

Номер патента: US5876509A. Автор: Jae-woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9041202B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8120118B2. Автор: Takaaki Kawahara,Jiro Yugami,Shinsuke Sakashita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Electrical interconnect structure for a semiconductor device and an assembly using the same

Номер патента: WO2021158339A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090267082A1. Автор: Takeshi Endo,Takeo Yamamoto,Masaki Konishi,Hirokazu Fujiwara,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-10-29.

Methods for producing and harvesting ethanol and apparatus for producing and harvesting the same

Номер патента: WO2011092638A2. Автор: Dan Nilsson. Владелец: Scale Biofuel ApS. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: EP4310917A1. Автор: Changhyun KIM,Minsu Seol,Keunwook SHIN,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-24.

Method for image formation and intermediate transfer recording medium for use in the same

Номер патента: US20030001942A1. Автор: Katsuyuki Oshima,Kozo Odamura,Takayuki Imai. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240087954A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Pu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US20240021676A1. Автор: Changhyun KIM,Minsu Seol,Keunwook SHIN,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrally bonded semiconductor device and power converter including the same

Номер патента: US11887904B2. Автор: Daisuke Oya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230354604A1. Автор: Seungmin Lee,Junhyoung Kim,Joonsung Lim,Youngbum Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP3819932A1. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-12.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20210143102A1. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230326863A1. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230422509A1. Автор: Seongjun Seo,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US11854877B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Pu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and semiconductor package containing the same

Номер патента: US20080122082A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Eiji Takeichi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130062737A1. Автор: Kenji Takahashi,Kazumasa Tanida,Satoshi Hongo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170040356A1. Автор: Koji Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device, system, and device using the same

Номер патента: US11838664B2. Автор: Kei Ochiai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120061817A1. Автор: Noriyuki Takahashi,Mamoru SHISHIDO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20100018760A1. Автор: Jung-Bae Lee,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230005759A1. Автор: Tsuyoshi Watanabe. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Device and method for generating electronic program guide and display apparatus for use with the same

Номер патента: EP2621189A3. Автор: Sang-Kwon Lee,Se-jun Han,Yun-jeong Cho,Seok-hyun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-12.

Method for receiving downlink signal in wireless communication system and terminal using the same

Номер патента: MY202474A. Автор: Daesung HWANG,Yunjung Yi,Inkwon Seo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-04-30.

Silicon carbide semiconductor device, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220005928A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for configuring radio units in hierarchical network and electronic device using the same

Номер патента: US20240022920A1. Автор: Pi-Chen CHIU,Guan-Hsien Du. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-01-18.

Chip scale surface mount packages for semiconductor device and process of fabricating the same

Номер патента: EP1085569A3. Автор: Felix Zandman,Yueh-Se Ho,Mohammed Y. Kasem. Владелец: Vishay Intertechnology Inc. Дата публикации: 2003-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: EP1484796A3. Автор: Osamu Ikeda,Toshiyuki Ohkoda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020195618A1. Автор: Mizuhisa Nihei,Yuu Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20240164115A1. Автор: Minsu Seol,Yunseong LEE,Dongmin Kim,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and power amplifier using the same

Номер патента: US20020153534A1. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Kiichi Yamashita,Tohru Oka,Isao Ohbu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Fermented composition of mung bean hulls, method for forming thereof, and anti-oxidation and anti-inflammation composition using the same

Номер патента: US20110038969A1. Автор: Shiaw-Min Hwang,Shu-Chen Huang,Li-Chuan Liao,Hing-Yuen Chan,Chiao-Ming Liao. Владелец: Asia Optical Co Inc. Дата публикации: 2011-02-17.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20230378371A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Haruyuki Baba,Ryunosuke Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for providing relay network, mobile router and network relay system using the same

Номер патента: US20150004930A1. Автор: Se Jong Kim,Dae Yeol SEO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Silicon carbide semiconductor device, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190288074A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4220717A3. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230240076A1. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4220717A2. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210351184A1. Автор: Bongsoo Kim,Yoosang Hwang,Dongoh KIM,Kiseok LEE,Sunghee Han,Chansic Yoon,Hyeonok JUNG,Euna Kim,Keunnam Kim,Hyosub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US11996367B2. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and solar battery using the same

Номер патента: EP2417636A1. Автор: Shigenori Yuuya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-02-15.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240196622A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4383342A2. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050040497A1. Автор: Kenichi Tanaka,Kazuhiro Mochizuki,Hiroyuki Uchiyama,Hiroji Yamada,Tomonori Tanoue,Chisaki Takubo. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8294186B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

APPARATUSES AND METHODS FOR CO-RECEPTION (CO-RX) OPERATION OF MULTIPLE TRANSCEIVER RADIOS SHARING THE SAME ANTENNA AND LOW NOISE AMPLIFIER (LNA)

Номер патента: US20230012045A1. Автор: Li-Wei Chen,Chia-Hung Hsu,Tsai-Yuan Hsu,Chen-Feng Liu,Yu-Lin Tsai,Wen-Ying Chien. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090096097A1. Автор: Yutaka Kagaya,Hidehiro Takeshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device and process for producing the same, and lead frame used in said process

Номер патента: US5234866A. Автор: Kanji Otsuka,Hiroshi Ozaki,Michiaki Furukawa,Takayuki Okinaga,Hiroshi Tachi,Yasuyuki Yamasaki. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Method for utilizing a silencer unit and an arrangement for applying the method in a large diesel engine

Номер патента: US5832720A. Автор: Peter Svahn. Владелец: Wartsila Diesel International Ltd Oy. Дата публикации: 1998-11-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060033526A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US5866920A. Автор: Toru Tatsumi,Kazuhiko Endo,Yoshishige Matsumoto,Yoshitake Ohnishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Method for optimizing a textile production process and devices applying this method

Номер патента: US20040133297A1. Автор: Jozef Peeters,Filip Vergote,Anthony Rouzere. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-08.

Semiconductor device and process for fabricating the same

Номер патента: US5569935A. Автор: Yasuhiko Takemura,Hiroki Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-29.

Semiconductor device and manufacture method of the same

Номер патента: US5750429A. Автор: Tomoyoshi Kushida. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7932121B2. Автор: Naoyuki Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-04-26.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240071907A1. Автор: Woo Sung Yang,Ah Reum Lee,Suk Kang SUNG,Ji Mo GU,Jao Ho KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240074195A1. Автор: JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Donghwa LEE,Changheon Cheon,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US11830740B2. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20230371238A1. Автор: Seung Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Modified homoserine dehydrogenase and method for producing homoserine or l-amino acid derived from homoserine using the same

Номер патента: CA3091741C. Автор: Ji Sun Lee,Hyo Jin Kim,Hyung Joon Kim,Sang Jo Lim,Chang Il Seo,Hyun Ah Kim,Seung Bin Lee,Lan Huh. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240099012A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for transmitting and receiving fake communication data and base station performing the same

Номер патента: US20150350889A1. Автор: Eung Ki Park,Jeong-Han YUN,Woonyon Kim,Jungtaek SEO,Sungho Jeon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US20170133360A1. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US20150349048A1. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US9577027B2. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20160013187A1. Автор: Hao ZHONG,Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210398946A1. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4262335A1. Автор: Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20220045035A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20230268248A1. Автор: Seonho Lee,Jinsu Kim,Yongjin PARK,Junwoo Myung,Jaekul LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170018637A1. Автор: Mutsumi Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Method for controlling capability of radio access technology and user equipment using the same

Номер патента: US20170019780A1. Автор: Chu-Hsiang HSU. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190103413A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230009932A1. Автор: Sunyoung Lee,Seokcheon Baek,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230389322A1. Автор: NAKJIN SON,Dongjin Lee,Junhee LIM,Juhyun Lee,Yanghee Lee,Hakseon KIM,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US10693476B2. Автор: Yuichi Maruyama,Noriaki Matsuno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200052104A1. Автор: Tomohiko Mori,Hidemoto Tomita. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11817475B2. Автор: Jaeho Lee,Jooho Lee,Younggeun Park,Yong-hee Cho,Seungwoo JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: EP3955297A3. Автор: Junghwan Lee,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-13.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230371254A1. Автор: Hyo-Jung Kim,Boun Yoon,Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device, integrated circuit structure using the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160225729A1. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yu-feng Chen,Sheng-Yu Wu,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230024174A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US11751381B2. Автор: Seung Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090200649A1. Автор: Shigeki Tanaka,Kazuto Ogasawara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Semiconductor device and semiconductor component including the same

Номер патента: US20230386978A1. Автор: Takahiro Sato,Masayuki Kuroda,Manabu Yanagihara,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9536849B2. Автор: Akira Yajima,Katsuhiro Torii,Hideki Harano,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160197174A1. Автор: Hiroyuki Ueda,Masakazu Kanechika,Hidemoto Tomita,Makoto Kuwahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130292749A1. Автор: Masaki Okuno. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US20170117198A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Joung-yeal Kim,Mi-Young Woo,Dae-Hyun KWON,Joon-Sun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US11616074B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10971619B2. Автор: Tomohiko Mori,Hidemoto Tomita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-06.

Semiconductor chip, semiconductor device, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240096840A1. Автор: JongBo Shim,Eunsu LEE,Sungeun PYO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for generating audio data and user terminal and record medium using the same

Номер патента: US7745715B2. Автор: Sang-Yeop Kwak. Владелец: Gaonda Corp. Дата публикации: 2010-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170170112A1. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Method for making aluminum nitride wafer and aluminum nitride wafer made by the same

Номер патента: US20210287996A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for making aluminum nitride wafer and aluminum nitride wafer made by the same

Номер патента: US11355448B2. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230329012A1. Автор: Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4329457A1. Автор: JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Donghwa LEE,Changheon Cheon,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190080997A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10504839B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9859214B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9627359B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20040183157A1. Автор: Shinichiro Wada,Hiromi Shimamoto. Владелец: Hitachi Display Devices Ltd. Дата публикации: 2004-09-23.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US20240047214A1. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for reporting and configuring mdt measurement, apparatus and electronic device using the same and medium

Номер патента: WO2021091083A1. Автор: Hong Wang,Weiwei Wang,Lixiang Xu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-05-14.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US11670568B2. Автор: Seonho Lee,Jinsu Kim,Yongjin PARK,Junwoo Myung,Jaekul LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20020101483A1. Автор: Ryoichi Yamamoto,Masao Mitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080150030A1. Автор: Shigeyuki Yokoyama,Yu Kosuge. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240098990A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jaehoon Lee,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4344382A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230170295A1. Автор: Jaeduk LEE,Sejun Park,Joonam KIM,Gaeun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: WO2019146300A1. Автор: Takehiro Kato,Yusuke Yamashita,Yasushi Urakami. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US11956945B2. Автор: Seung Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and layout method of the same

Номер патента: US20240162217A1. Автор: Tzu-Chieh WEI,Chun Ying KAN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and layout method of the same

Номер патента: US20240162216A1. Автор: Tzu-Chieh WEI,Chun Ying KAN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150357313A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10157837B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150008591A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180076126A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160307877A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170207163A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160163792A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka,Takahiro Sonoyama,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

A method for providing pre-indication of sidelink transmission and an apparatus performing the same

Номер патента: EP4085704A1. Автор: Aris Papasakellariou,Emad Nader FARAG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-09.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US20240065002A1. Автор: Dongkyu Kim,Joonsung Kim,Yeonho JANG,Inhyung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US11967623B2. Автор: Jung-Hwan Kim,Gukhyon Yon,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and fabricating method of the same

Номер патента: US20200105644A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Kuo-Chung Yee,Tin-Hao Kuo,Po-Yuan TENG,Shih-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and radio receiver using the same

Номер патента: US20200411700A1. Автор: Kenichi Kawaguchi,Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US20200312666A1. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160087051A1. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230307422A1. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and metod for fabricating the same

Номер патента: US20190006519A1. Автор: XIAO Wu,Chun-Yuan Wu,Chin-Fu Lin,Yen-Chen Chen,Yao-Hung Liu,Hai Tao LIU,Shouguo Zhang,Ming Hua Du. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12010846B2. Автор: Sungkweon Baek,Hakseon KIM,Jaehwa Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200258907A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020105098A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20220181458A1. Автор: Jung-Hwan Kim,Gukhyon Yon,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240147722A1. Автор: JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Donghwa LEE,Changheon Cheon,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110001228A1. Автор: Shigeki Tanaka,Kazuto Ogasawara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Methods for producing integrated circuits with magnets and a wet etchant for the same

Номер патента: US20190296100A1. Автор: Liang Li,Donald Ray Disney,Yun Ling Tan,Lulu Peng,Kai Hung Alex See. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8071448B2. Автор: Masaki Okuno. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100270687A1. Автор: Akira Fujihara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device and semiconductor package using the same

Номер патента: US20170033780A1. Автор: Jong Joo SHIM,Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device and solar battery using the same

Номер патента: US20120017993A1. Автор: Shigenori Yuuya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8492904B2. Автор: Akira Fujihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Optical semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US11984699B2. Автор: Hiromitsu Kawamura. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230117682A1. Автор: Junghyun Roh,Seungweon Ha,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4344378A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jaehoon Lee,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8227314B2. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240074203A1. Автор: Euntaek JUNG,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: SG133536A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takashi Noma,Shigeki Otsuka,Kazuo Okada,Yuichi Morita,Katsuhiko Kitagawa,Noboru Okubo,Hiroyuki Shinogi,Shinzo Ishibe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2007-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8564128B2. Автор: Junji Shiota. Владелец: Teramikros Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240215248A1. Автор: Hyun-mook CHOI,Jihong Kim,Chae Lyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US12020939B2. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: Magnachip Mixed Signal Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240213341A1. Автор: Hitoshi Fujioka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7501335B2. Автор: Kazuhiro Eguchi,Akio Kaneko,Katsuyuki Sekine,Yoshitaka Tsunashima,Motoyuki Sato,Seiji Inumiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-10.

Semiconductor device and semiconductor component including the same

Номер патента: US20210135052A1. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ching Lee,Chia-hung Lin,Kuo-Feng Huang,Cheng-Long Yeh,Shih-Hao Cheng,Cheng-Hsing Chiang,Yen-Chun Tseng,Ming-Ta Chin,Shih-Nan Yen,Jui-Che Sung. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and semiconductor component including the same

Номер патента: EP3819947A1. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ching Lee,Chia-hung Lin,Kuo-Feng Huang,Cheng-Long Yeh,Shih-Hao Cheng,Cheng-Hsing Chiang,Yen-Chun Tseng,Ming-Ta Chin,Shih-Nan Yen,Jui-Che Sung. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2021-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230187490A1. Автор: Shinichi Hoshi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170288014A1. Автор: Jun Saito,Shoji Mizuno,Atsushi Onogi,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240206174A1. Автор: Yunji Park,Seulye KIM,Sunggil Kim,Moohyun Kim,Sunhwa LIM,Younghwan JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12034036B2. Автор: Hyangsook LEE,Jooho Lee,Younsoo Kim,Haeryong Kim,EunAe Cho,Yong-hee Cho,Boeun PARK,Eunha Lee,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method of monitoring blowing of fuse in semiconductor device

Номер патента: US8298921B2. Автор: Hiroyuki Arai. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-10-30.

Logic cell, semiconductor device including logic cell, and method of manufacturing the logic cell and semiconductor device

Номер патента: US09653394B2. Автор: Jung-Ho Do,Chul-Hong Park,Byung-Sung Kim,Vincent Chun Fai LAU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and apparatus for directing the flow of liquid droplets in a stream and instruments incorporating the same

Номер патента: US3717875A. Автор: G Arciprete,W Cairns,C Hertz,J Mansson,J Rothery. Владелец: Arthur D Little Inc. Дата публикации: 1973-02-20.

Method and system for providing a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US6764929B1. Автор: Mark Chang,Chi Chang,Angela Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Method and system for arbitrating recording requests from multiple receiving units in a network to receive the same content

Номер патента: US20090254949A1. Автор: Scott D. Casavant,Sean S. Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Methods for artificially aging aluminum-zinc-magnesium alloys, and products based on the same

Номер патента: CA2900961C. Автор: Xinyan Yan,Wenping Zhang,James Daniel Bryant,Jen Lin,Dana Clark. Владелец: Alcoa USA Corp. Дата публикации: 2021-06-22.

Method for signaling bandwidth part (bwp) indicators and radio communication equipment using the same

Номер патента: WO2018121621A1. Автор: Yunglan TSENG,Chieming CHOU. Владелец: Tseng, Yung-Lan. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for injection molding of thermoplastic pole parts, and mold for producing the same

Номер патента: US20160243740A2. Автор: Lukasz Malinowski,Wenkai Shang,Dietmar Gentsch,Dariusz Bednarowski,Arne Klaska. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-08-25.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240063188A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for establishing connection, method for installing corresponding remote assistance communication, and a mobile device using the same

Номер патента: US20160212260A1. Автор: Shih-Chieh Liao,Chi-Yang Huang. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for dynamic configuration of multimedia content encoder and apparatus for implementing the same

Номер патента: US20240031629A1. Автор: Sassan Pejhan. Владелец: Ateme SA. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11837580B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for dynamic configuration of multimedia content encoder and apparatus for implementing the same

Номер патента: EP4311242A1. Автор: Sassan Pejhan. Владелец: Ateme SA. Дата публикации: 2024-01-24.

Method for producing a radiation emitting semiconductor device and radiation emitting semiconductor device

Номер патента: WO2023241864A1. Автор: Harald Jager,Gregory Bellynck,Tsu Pin CHNG. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Segmented processing method for a transport stream for digital television and recording media for the same

Номер патента: EP1150496A3. Автор: Katsuya NEC IC Microcomputer Systems Ltd. Misu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-12.

Methods and apparatus for depositing a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20150292100A1. Автор: Wolfgang-Michael Schulz,Matthias Spang. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-10-15.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11984428B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for signaling bandwidth part (bwp) indicators and radio communication equipment using the same

Номер патента: EP3563489A1. Автор: Chie-Ming Chou,Yung-Lan TSENG. Владелец: FG Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-06.

Methods for preparing a titanium oxide film and a composite film comprising the same

Номер патента: US20160118243A1. Автор: Feng-Yu Tsai,Yuan-Yu Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-04-28.

Methods for artificially aging aluminum-zinc-magnesium alloys, and products based on the same

Номер патента: US20150259774A1. Автор: Xinyan Yan,Wenping Zhang,James Daniel Bryant,Jen Lin,Dana Clark. Владелец: Alcoa Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Card-making method and system as well as heat treatment mechanism for cards and image-forming apparatus incorporating the same

Номер патента: US20020135658A1. Автор: Yoshiki Minowa,Ayao Ogawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Methods for forming fritted cover sheets with masks and glass packages comprising the same

Номер патента: EP2451754A2. Автор: LU Zhang,Kelvin Nguyen,John S. Abbott Jr.. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2012-05-16.

Geranylgeranyl pyrophosphate synthase variant and method of producing tetraterpene, precursor thereof, and material having tetraterpene as precursor using the same

Номер патента: CA3222134A1. Автор: Cheol Woong HA,Peter Lee,Hye Min Park,Dong Pil Lee. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2022-12-15.

METHOD FOR PERFORMING CoMP OPERATION IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM AND APPARATUS FOR THE SAME

Номер патента: US20160353457A1. Автор: Jian Xu,Kyungmin Park,Daewook BYUN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-12-01.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20210280557A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Apparatus and method for laying out wireless cell, and recording medium for programs achieving the same

Номер патента: US7627323B2. Автор: Jun Saito,Tsutomu Hara,Hitoshi Yokota. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-12-01.

Resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US20140042645A1. Автор: Eiji Toyoda,Takeshi Matsumura,Tsuyoshi Torinari,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for forming a gate for semiconductor devices

Номер патента: US6448166B2. Автор: Heung Jae Cho,Dae Gyu Park,Kwan Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Method for forming wells of a semiconductor device

Номер патента: US5898007A. Автор: Kil Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for defining submicron features in semiconductor devices

Номер патента: CA1186809A. Автор: Rafael M. Levin. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-05-07.

Method for etching Pt film of semiconductor device

Номер патента: US6004882A. Автор: Byong-sun Ju,Hyoun-woo Kim,Byeong-Yun Nam,Won-jong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Methods for forming copper interconnects for semiconductor devices

Номер патента: WO2010019500A4. Автор: Christian Witt. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-04-29.

Methods for forming alignment marks on semiconductor devices

Номер патента: US20070172977A1. Автор: Taek-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Method for forming micro contacts of semiconductor device

Номер патента: US5550071A. Автор: Eui K. Ryou. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Method for oauth service through blockchain network, and device and server using the same

Номер патента: CA3038450C. Автор: Jay Wu Hong,Joon Sun Uhr,Moon Gju Suh. Владелец: Coinplug Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Method for forming trench isolation for semiconductor device

Номер патента: US5756389A. Автор: Jun-Hee Lim,Yoon-Jong Huh. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Structures and methods for reducing junction leakage in semiconductor devices

Номер патента: US8633513B2. Автор: Daniel Doyle,Jeffrey Gleason. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Method for interconnecting layers in a semiconductor device using two etching gases

Номер патента: US5234864A. Автор: Chang-lyong Song,Jin-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-08-10.

System and method for removing foreign particles from semiconductor device

Номер патента: US20070199580A1. Автор: Masanobu Azukawa,Hiroshi Tanaka,Tadashi Kobayashi,Junichi Tanaka,Yuta Hasebe,Kenta Iwahana. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Method for forming p-type semiconductor film and light emitting device using the same

Номер патента: US20010034115A1. Автор: Michio Kadota,Yasuhiro Negoro,Toshinori Miura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-25.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

System and method for detection of defects in semiconductor devices

Номер патента: US11830828B2. Автор: Liang Li,Wendy Yu,Kevin Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: Tobias Gebuhr,Kathy Schmidtke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for Producing a Nitride Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20180144933A1. Автор: Alexander Frey,Lorenzo Zini,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for forming vapor grown graphite fibers composition and mixture formed by the same and applications thereof

Номер патента: US20140191166A1. Автор: Chun-Shan Wang,Teng-Hui WANG. Владелец: YONGYU APPLIED Tech MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Method for producing a trench-gate semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2023194244A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for manufacturing barrier layer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI543262B. Автор: 董寰乾,黃宏勝. Владелец: 中國鋼鐵股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-21.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing of tubular woven article and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2291920C2. Автор: Борис Дмитриевич Олейник,Анатолий Цезаревич Рапопорт,Борис Федосеевич Потапов,Денис Викторович Гусельников. Владелец: Денис Викторович Гусельников. Дата публикации: 2007-01-20.

Method for generating voltage at electric arc welding and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2247013C2. Автор: Н.М. Чуйко,Д.Н. Чуйко. Владелец: Чуйко Дмитрий Николаевич. Дата публикации: 2005-02-27.

Method for enhancing quality of anode depth grounding and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2280100C1. Автор: В чеслав Николаевич Зенцов,Вячеслав Николаевич Зенцов,Михаил Дмитриевич Акульшин,Дилюс Лутфуллич Рахманкулов,Альбина Николаевна Пинегина,Эллина В чеславовна Зенцова,Эллина Вячеславовна Зенцова,Альберт Наиливич Хайретдинов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный нефтяной технический университет". Дата публикации: 2006-07-20.

Method for fire extinguishing (versions) and powder fire extinguishing module for performing the same

Номер патента: RU2314135C1. Автор: Юрий Евгеньевич Орионов,Данил Николаевич Никитин,Александр Геннадьевич Груздев,Валерий Васильевич Кайдалов,Сергей Константинович Кондратюк,Валерий Николаевич Осипков,Максим Александрович Ашмарин,Александр Геннадьевич Груздев (RU),Валерий Васильевич Кайдалов (RU),Сергей Константинович Кондратюк (RU),Данил Николаевич Никитин (RU),Юрий Евгеньевич Орионов (RU),Валерий Николаевич Осипков (RU),Максим Александрович Ашмарин (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "Источник Плюс". Дата публикации: 2008-01-10.

Method for thermodynamic perforation of the cased well and device for implementing the same

Номер патента: RU2077660C1. Автор: Николай Александрович Волдаев. Владелец: Николай Александрович Волдаев. Дата публикации: 1997-04-20.

Method for removing solid deposits out of tubes and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2302301C2. Автор: Николай Александрович Бычков,Владимир Степанович Приземирский,Игорь Николаевич Ильинский,нов Иван Александрович Аверь,Иван Александрович Аверьянов,Олес Владимировна Постаногова,Олеся Владимировна Постаногова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПРОМ-ОЙЛ". Дата публикации: 2007-07-10.

Method for management of agricultural works and agricultural complex for carrying out the same

Номер патента: RU2262219C2. Автор: Л.Н. Бурков. Владелец: Бурков Лев Николаевич. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for assessing the ammunition penetrating performance and the apparatus for making the same

Номер патента: RU2442952C1. Автор: Василий Васильевич Ефанов,Сергей Михайлович Мужичек,Игорь Алексеевич Новиков,Константин Николаевич Лобанов,Геннадий Шаукатович Керимов,Игорь Алексеевич Новиков (RU),Василий Васильевич Ефанов (RU),Сергей Михайлович Мужичек (RU),Константин Николаевич Лобанов (RU),Геннадий Шаукатович Керимов (RU). Владелец: Геннадий Шаукатович Керимов. Дата публикации: 2012-02-20.

Method for broadcast sowing of cereal crop seeds and unit for effectuating the same

Номер патента: RU2283569C1. Автор: Виктор Илларионович Таранин,Виктор Борисович Рыков,лков Владимир Иванович В,Владимир Иванович Вялков,Николай Григорьевич Янковский. Владелец: Государственное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-технологический институт механизации и электрификации сельского хозяйства" (ВНИПТИМЭСХ). Дата публикации: 2006-09-20.

Method for making shapes of electrically conducting materials and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2245205C1. Автор: В.А. Марковцев,И.М. Колганов,К.В. Турундаев,Е.Е. Павлова,И.М. Колганов (RU),К.В. Турундаев (RU),В.А. Марковцев (RU),Е.Е. Павлова (RU). Владелец: Ульяновский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-01-27.

Method for presowing soil treatment and seed sowing and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2284094C2. Автор: Игорь Васильевич Лобарев,Игорь Васильевич Лобарев (RU). Владелец: Игорь Васильевич Лобарев. Дата публикации: 2006-09-27.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

Method for producing of steel strip, constructional steel and articles made from the same

Номер патента: RU2238332C1. Автор: В.Г. Лукин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Инструмент". Дата публикации: 2004-10-20.

Method for torch fluidic-air heating of articles and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2251579C2. Автор: В.В. Курносов,М.М. Ярошок,С.Н. Вострикова. Владелец: Курносов Владимир Владимирович. Дата публикации: 2005-05-10.

Method for electrochemical dimensional working of turbine blades and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2305614C2. Автор: Валерий Пантилеймонович Строшков,Владимир Александрович Пшеничников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Поток-ПТЛ". Дата публикации: 2007-09-10.

Method for controlling of grain combine charging process and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2312485C2. Автор: Виктор Борисович Рыков,Виталий Петрович Богданович,Андрей Анисимович Дюжев,Валерий Алексеевич Жмайлик. Владелец: Республиканское унитарное предприятие "Гомельский завод сельскохозяйственного машиностроения "Гомсельмаш". Дата публикации: 2007-12-20.

Method for hot rolling of thin strip and mini-mill for performing the same

Номер патента: RU2254182C2. Автор: Арнольд Леонтьевич Остапенко,Юрий Николаевич Белобров,Евгений Владимирович Леонидов-Каневский,Владимир Станиславович Стеч,Владимир Иванович Елецких,Андрей Владимирович Барабаш,Юрий Николаевич Белобров (UA),Владимир Станиславович Стеч (UA),Владимир Иванович Елецких (UA),Андрей Владимирович Барабаш (UA),Арнольд Леонтьевич Остапенко (UA),Евгений Владимирович Леонидов-Каневский (UA). Владелец: Закрытое акционерное общество "Ново-Краматорский машиностроительный завод". Дата публикации: 2005-06-20.

Method for wood impregnation and fire-and-biological protective compositions for effectuating the same

Номер патента: RU2200088C2. Автор: Е.М. Могилевска,Е.М. Могилевская,А.Т. Нагирняк,Г.Ф. Гаврилин,к А.Т. Нагирн. Владелец: Кемеровский агрохимический завод Закрытое акционерное общество "Вика". Дата публикации: 2003-03-10.

Method for shaping parts of sections and strips and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2288801C2. Автор: Олег Сергеевич Куклин,Василий Иванович Попов,Владимир Федорович Рыманов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт технологии судостроения" (ФГУП "ЦНИИТС"). Дата публикации: 2006-12-10.

Method for separating of soil crumbs from roots and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2283571C1. Автор: Александр Макарович Салдаев,Александр Владимирович Соловьев,Алексей Николаевич Цепляев,Юрий Александрович Колесников,Сергей Александрович Агеев,Александр Макарович Салдаев (RU),Юрий Александрович Колесников (RU),ев Алексей Николаевич Цепл (RU),Александр Владимирович Соловьев (RU),Сергей Александрович Агеев (RU). Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградская государственная сельскохозяйственная академия". Дата публикации: 2006-09-20.

Method for processing of fruit and vegetable product and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2312562C2. Автор: Александр Константинович Филиппов,Михаил Анатольевич Федоров,Денис Александрович Филиппов,Роман Александрович Филиппов. Владелец: Александр Константинович Филиппов. Дата публикации: 2007-12-20.

Method for shaping tubular parts of sheet material and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2250149C2. Автор: В.И. Попов,О.С. Куклин,В.И. Попов (RU),О.С. Куклин (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Центральный научно-исследовательский институт технологии судостроения (ФГУП ЦНИИТС). Дата публикации: 2005-04-20.

Method for production of acrylic monomers and bacterium strain rhodococcus rhodochrous producing the same

Номер патента: RU2304165C1. Автор: Владимир Георгиевич Дебабов,Александр Степанович Яненко,Галина Андреевна Ларикова,Тать на Евгеньевна Леонова,Татьяна Евгеньевна Леонова,Татьяна Васильевна Герасимова,Тать на Васильевна Герасимова,кова Инга Николаевна Пол,Инга Николаевна Полякова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП ГосНИИгенетика). Дата публикации: 2007-08-10.

Method for microincapsulation of flavoring substances and flavoring product obtained by using the same

Номер патента: RU2305473C1. Автор: Юрий Николаевич Цибизов,Александр Николаевич Австриевских. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Артлайф". Дата публикации: 2007-09-10.

Method for removing basic components having disagreeable odors from a gas containing the same

Номер патента: CA1099487A. Автор: Zenya Shiiki,Masaaki Nakao. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 1981-04-21.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.