• Главная
  • SEMICONDUCTOR ELEMENT FOR OSCILLATING OR DETECTING TERAHERTZ WAVE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT

SEMICONDUCTOR ELEMENT FOR OSCILLATING OR DETECTING TERAHERTZ WAVE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor element for oscillating or detecting terahertz wave and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20200111929A1. Автор: Yasushi Koyama,Jun Iba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of manufacturing optical semiconductor element

Номер патента: US09640944B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Optical semiconductor element

Номер патента: US20210036176A1. Автор: Kenji Fujimoto,Koshi HIMEDA,Toshihiro Tada,Tetsuro TORITSUKA,Shinji KABURAKI. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Optical semiconductor element

Номер патента: US11515442B2. Автор: Kenji Fujimoto,Koshi HIMEDA,Toshihiro Tada,Tetsuro TORITSUKA,Shinji KABURAKI. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Semiconductor element and manufacturing method for semiconductor element

Номер патента: US20240322074A1. Автор: Takuya Kadowaki,Tadashi Kawazoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor element and terahertz wave system

Номер патента: US20240120425A1. Автор: Takeshi Yoshioka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333082A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Photovoltaic cell assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4447126A1. Автор: Pinru HUANG,Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Photovoltaic cell assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4411834A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Photovoltaic cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355948A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230090278A1. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US12014968B2. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333083A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Photoconductive device, measurement apparatus, and manufacturing method

Номер патента: US09722126B2. Автор: Toshihiko Ouchi,Takayuki Koizumi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Optical semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200098567A1. Автор: Takehiko Kikuchi,Nobuhiko Nishiyama,Morihiro Seki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Combined thermoelectric/photovoltaic device and method of making the same

Номер патента: US20110048488A1. Автор: Mary K. Herndon,Karim M. Gabriel,Jonathan B. Langille. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor element having microcrystalline semiconductor material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010030321A1. Автор: Keishi Saito,Masafumi Sano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Optical semiconductor element, semiconductor laser, and method of manufacturing optical semiconductor element

Номер патента: US20120236394A1. Автор: Akinori Hayakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of manufacturing a semiconductor element and semiconductor element

Номер патента: US20080197383A1. Автор: Luis-Felipe Giles. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-21.

Method of manufacturing a semiconductor element

Номер патента: US4383886A. Автор: Akio Hori,Haruyuki Goto,Kisaku Nakamura,Eiji Jimi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-05-17.

Method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US09559253B2. Автор: Junya Narita,Yohei Wakai,Kazuto OKAMOTO,Mizuki Nishioka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of Analyzing Organic Semiconductor Element

Номер патента: US20210119126A1. Автор: Satoshi Seo,Sachiko Kawakami,Nozomi Komatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Nitride semiconductor element and method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US11843075B2. Автор: Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Nitride semiconductor element and method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20240063332A1. Автор: Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20150118775A1. Автор: Junya Narita,Yohei Wakai,Kazuto OKAMOTO,Mizuki Nishioka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor element, and method of forming silicon-based film

Номер патента: EP2230685A3. Автор: Shotaro Okabe,Masafumi Sano,Akira Sakai,Takaharu Kondo,Ryo Hayashi,Shuichiro Suigiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Semiconductor module and method of manufacturing same

Номер патента: US12062883B2. Автор: Yutaka Yoneda,Junji Fujino,Jin Sato,Tadayoshi Hata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190260178A1. Автор: Hiroyuki Deguchi,Yoshihiko Furukawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US10686294B2. Автор: Hiroyuki Deguchi,Yoshihiko Furukawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Layered body and manufacturing method for layered body

Номер патента: US20220415714A1. Автор: Kentaro Murakawa,Katsuaki Masaki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of manufacturing optical semiconductor element

Номер патента: EP0525779B1. Автор: Shotaro C/O Nec Corporation Kitamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-04.

Method of manufacturing a semiconductor element

Номер патента: EP3220411B1. Автор: Tadao Ishibashi,Makoto Shimizu,Hiroki Itoh,Isamu Kotaka. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170271271A1. Автор: Takashi Yamazaki,Masaji Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997470B2. Автор: Takashi Yamazaki,Masaji Iwamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing semiconductor element, semiconductor element, and substrate

Номер патента: US12065760B2. Автор: Masahiro Araki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing semiconductor element, and semiconductor element body

Номер патента: US12132142B2. Автор: Kentaro Murakawa,Katsuaki Masaki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020160589A1. Автор: Toshihiko Omi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Systems and methods for bonding semiconductor elements

Номер патента: US09905530B2. Автор: Robert N. Chylak,Dominick A. DeAngelis. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Systems and methods for bonding semiconductor elements

Номер патента: US09780065B2. Автор: Horst Clauberg,Robert N. Chylak,Dominick A. DeAngelis. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Systems and methods for bonding semiconductor elements

Номер патента: US09779965B2. Автор: Horst Clauberg,Robert N. Chylak,Dominick A. DeAngelis. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor element, semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20120238085A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240258170A1. Автор: Minoru Yamamoto,Naoto Inoue,Hiroaki Tamemoto,Masayuki Ibaraki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2700095A2. Автор: Takuya Kadoguchi,Shingo Iwasaki,Masayoshi Nishihata,Takanori Kawashima,Tomomi Okumura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-02-26.

Method of producing semiconductor element

Номер патента: US7998876B2. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-16.

Method of producing semiconductor element

Номер патента: US20100248483A1. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor element

Номер патента: US20140103395A1. Автор: Wataru Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09478418B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Akihito Ohno,Atsushi ERA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of etching a semiconductor element

Номер патента: US3923569A. Автор: Masafumi Hashimoto,Takuhiro Ono. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1975-12-02.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Adhesive film, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9105754B2. Автор: Kenji Onishi,Sadahito Misumi,Yuichiro Shishido. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US11444055B2. Автор: Shinichiro Watanabe,Youichi FUKAYA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US11948910B2. Автор: Shinichiro Watanabe,Youichi FUKAYA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210066241A1. Автор: Shinichiro Watanabe,Youichi FUKAYA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, and interposer group

Номер патента: US20240096808A1. Автор: Hiroshi Kudo,Takamasa Takano. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200266172A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor element capable of withstanding high voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1111571A. Автор: Hiroyuki Taniguchi,Naohiro Momma. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-10-27.

Semiconductor element

Номер патента: US20120187451A1. Автор: Wataru Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of manufacturing semiconductor element and semiconductor element

Номер патента: US11901233B2. Автор: Kazuki Yamaguchi,Yoshitaka Sumitomo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20180247871A1. Автор: Minoru Yamamoto,Naoto Inoue,Hiroaki Tamemoto,Masayuki Ibaraki,Sho Kusaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of manufacturing semiconductor element and semiconductor element

Номер патента: US20210366772A1. Автор: Kazuki Yamaguchi,Yoshitaka Sumitomo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20160351398A1. Автор: Hidenori Miyoshi,Yasuhiro Sugimoto,Masahiro Oka,Hirokazu Ueda,Yuki Kobayashi,Genji Nakamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: EP3627569A1. Автор: Kenji Hashizume,Eiji Muramoto,Nobuyoshi NIKI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Optically obstructive protective element for bonded structures

Номер патента: EP4371153A1. Автор: Rajesh Katkar,Laura Wills Mirkarimi. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240213038A1. Автор: Hirofumi Kawaguchi,Takehiro Ishitani. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of manufacturing semiconductor device and display device

Номер патента: US6165810A. Автор: Yoshihiro Morimoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-26.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20150348780A1. Автор: Takahiro Yamamoto,Akihito Ohno,Atsushi ERA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Fabrication method of metal oxide semiconductor element

Номер патента: TW432715B. Автор: Jiun-Ji Shr. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-01.

Nitride semiconductor element and method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20220085237A1. Автор: Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of Producing a Semiconductor Element in a Substrate and a Semiconductor Element

Номер патента: US20090085035A1. Автор: Luis-Felipe Giles. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-04-02.

Method of manufacturing a semiconductor element, and corresponding semicondutor element

Номер патента: EP2402984B1. Автор: Hiroaki Tamemoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-10.

Manufacturing method of high-frequency semiconductor element storage package

Номер патента: JP3984107B2. Автор: 明義 小阪田,澄夫 中野. Владелец: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc. Дата публикации: 2007-10-03.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US9236248B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

TFT array substrate and manufacturing and repairing methods of the same

Номер патента: US09847354B2. Автор: Baoquan ZHOU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

FABRICATION METHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20150111368A1. Автор: Tsuji Takashi,FUKUDA Kenji. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-23.

METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20150118775A1. Автор: NARITA Junya,Wakai Yohei,OKAMOTO Kazuto,NISHIOKA Mizuki. Владелец: NICHIA CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-30.

A method of closing a semiconductor element mounted on a gold-plated printed circuit board

Номер патента: TWI392035B. Автор: Eiichi Tabei,Hideyoshi Yanagisawa. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2013-04-01.

Method of encapsulating a semiconductor element in resin or sealing it therewith and a mould therefor

Номер патента: HK106297A. Автор: Akitoshi Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1997-08-22.

Method of encapsulating a semiconductor element in resin and mold used for resin sealing

Номер патента: KR100196601B1. Автор: 아끼또시 하라. Владелец: 세이코 앱슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-06-15.

Making method of n-channel semiconductor element

Номер патента: KR950008256B1. Автор: 강대관. Владелец: 금성일렉트론주식회사. Дата публикации: 1995-07-26.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: DE2653311A1. Автор: Harvey Ellis Cline,Thomas Richard Anthony,Mike Fushing Chang. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1977-06-02.

Method of producing a semiconductor element

Номер патента: WO2000067297A2. Автор: Klaus Kapfberger,Klaus Schmalzbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-11-09.

Method of manufacturing a semiconductor element

Номер патента: TW201041027A. Автор: Hiroaki Tamemoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-11-16.

Method of manufacturing a semiconductor element

Номер патента: US6943109B2. Автор: Masashi Takahashi,Hiromi Ogasawara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-13.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR ELEMENT COMPRISING A LOAD TRAPPING LAYER

Номер патента: FR3037438A1. Автор: Marcel Broekaart,Luciana Capello,Isabelle Bertrand,Norbert Colombet. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-12-16.

Chip-type noise filter, manufacturing method thereof, and semiconductor package

Номер патента: US20060163693A1. Автор: Toshiaki Mutoh. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Tft array substrate and manufacturing and repairing methods of the same

Номер патента: US20120280257A1. Автор: Baoquan ZHOU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Manufacturing method and apparatus of semiconductor chip, semiconductor chip dividing jig

Номер патента: TW200842956A. Автор: Katsuyuki Ono,Muneo Harada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-11-01.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US09945902B2. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

MANUFACTURING METHOD AND PROGRAM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Nakamura Yoshiyuki,TAMURA Tomoaki,KUMAKI Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

MANUFACTURING METHOD AND SUPPORT OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210280416A1. Автор: MIGITA Tatsuo. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-09-09.

MANUFACTURING METHOD AND PROGRAM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150369857A1. Автор: Nakamura Yoshiyuki,TAMURA Tomoaki,KUMAKI Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100319171B1. Автор: 신동우,전승준. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-29.

a manufacturing method for lines of semiconductor devices

Номер патента: KR100355863B1. Автор: 박근수. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2002-10-12.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100866709B1. Автор: 권판기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-03.

Manufacturing Method and Structure of Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR100279298B1. Автор: 양원석. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-02-01.

Transistor manufacturing method and structure of semiconductor device

Номер патента: KR970004069A. Автор: 황준. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-29.

Manufacturing method for antifuse of semiconductor device

Номер патента: KR100334388B1. Автор: 최병진,홍성주. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-07-18.

Manufacturing method for transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100649821B1. Автор: 박명규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-24.

Manufacturing Method for Interconnection of Semiconductor Devices

Номер патента: KR100282230B1. Автор: 박진원,이원준. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-15.

Shallow Trench Manufacturing Method for Isolation of Semiconductor Devices

Номер патента: KR100286901B1. Автор: 이계훈. Владелец: 아남반도체주식회사. Дата публикации: 2001-05-02.

Manufacturing method for contact of semiconductor device

Номер патента: KR100400319B1. Автор: 성낙균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

Manufacturing Method for Interconnection of Semiconductor Devices

Номер патента: KR100282231B1. Автор: 박진원,이원준. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-15.

MANUFACTURING METHOD AND STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES.

Номер патента: FR2591380B1. Автор: Hisao Hayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-10-11.

A manufacturing method and apparatus of semiconductor

Номер патента: CN101095217A. Автор: 李相奎,朴永薰,徐泰旭,张镐承,李起薰. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2007-12-26.

Manufacturing Method for Gate of Semiconductor Device

Номер патента: KR101064555B1. Автор: 백운석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-09-15.

Manufacturing method for isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100253349B1. Автор: 최조봉. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR0140806B1. Автор: 김석수. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-06-01.

Manufacture method and wafer of semiconductor device

Номер патента: CN102760690A. Автор: 张海洋,周俊卿,孟晓莹. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100224676B1. Автор: 김정한,양원석. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

Manufacturing method for silicide of semiconductor device

Номер патента: KR100295650B1. Автор: 조남훈. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-08-07.

Manufacturing method and structure of semiconductor memory device

Номер патента: JP4064005B2. Автор: 元碩 梁. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-19.

a manufacturing method for lines of semiconductor devices

Номер патента: KR20010057679A. Автор: 박근수. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-07-05.

Manufacturing Method and Structure of Semiconductor Device

Номер патента: KR100934050B1. Автор: 손현준. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2009-12-24.

Manufacturing method for invertor of semiconductor device

Номер патента: KR100866711B1. Автор: 김재영,강효영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-03.

Manufacturing method and structure of semiconductor package

Номер патента: TW201140705A. Автор: Yun-Hsin Yeh. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-16.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW366553B. Автор: Eui-Song Kim,In-sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-08-11.

Device emitting or detecting terahertz waves, and manufacturing method for device

Номер патента: US20210091722A1. Автор: Yasushi Koyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Device emitting or detecting terahertz waves, and manufacturing method for device

Номер патента: US20230208359A1. Автор: Yasushi Koyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Device emitting or detecting terahertz waves, and manufacturing method for device

Номер патента: EP3799299A1. Автор: Yasushi Koyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-03-31.

Method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US09647425B1. Автор: Naoki Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor element body

Номер патента: US20220406641A1. Автор: Keiichiro Watanabe. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230005759A1. Автор: Tsuyoshi Watanabe. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190260182A1. Автор: Takehiro Nishimura,Chiaki DOUMOTO. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Method of manufacturing an optical semiconductor element

Номер патента: US20070099324A1. Автор: Naoya Hayamizu,Daiki Iino,Tadashi Shimmura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Method of manufacturing an optical semiconductor element

Номер патента: US7541204B2. Автор: Naoya Hayamizu,Daiki Iino,Tadashi Shimmura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Optical semiconductor element and manufacturing method of the same

Номер патента: US8822247B2. Автор: Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Mounting method of semiconductor element and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080124834A1. Автор: Seiki Sakuyama,Toshiya Akamatsu,Joji Fujimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor stack structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125824B2. Автор: Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09997484B2. Автор: Hideo Aoki,Masatoshi Fukuda,Takeori Maeda,Ryoji Matsushima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor element and manufacturing method thereof

Номер патента: US9112113B2. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-18.

Semiconductor module and manufacturing method of semiconductor module

Номер патента: US12021001B2. Автор: Kazuo Enomoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09716049B2. Автор: Nobutaka Shimizu,Kazuyuki Urago. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120032341A1. Автор: Shin-Hua Chao,Chih-Ming Chung,Chao-Yuan Liu,Hui-Ying HSIEH. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Imaging device, electronic device, and manufacturing method

Номер патента: US20220328549A1. Автор: Yuichi Yamamoto,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto,Yosuke Nitta. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Manufacturing method of optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US10600932B2. Автор: Hsien-Te Chen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Imaging device, electronic apparatus, and manufacturing method

Номер патента: EP4030477A1. Автор: Yuichi Yamamoto,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto,Yosuke Nitta. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282661A1. Автор: Yu-Wei Lin,Li-Hui Cheng,Pu Wang,Chih-Chien Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: EP2304789A2. Автор: Johan H. Klootwijk,Eugene Timmering. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2011-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100193802A1. Автор: Ssu-Yuan Weng. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09589840B2. Автор: Yi-Shao Lai,Chang-Chi Lee,Chin-Li Kao. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor element, and electronic apparatus

Номер патента: US20210167115A1. Автор: Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Organic el device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008145999A1. Автор: Kiyotaka Mori,Hidehiro Yoshida,Shinya Ono,Keisei Yamamuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor element, and electronic apparatus

Номер патента: US09978797B2. Автор: Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680031B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US09397138B2. Автор: Chien-Hung Liu. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230268230A1. Автор: Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Solid state image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10566373B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Hidenori Sato,Yotaro Goto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20230307419A1. Автор: Soichi Homma,Chikara Miyazaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210249526A1. Автор: Norikazu Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09576913B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490224B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20140342505A1. Автор: Chun-Tang Lin,Yan-Heng Chen,Mu-Hsuan Chan,Chieh-Yuan Chi,Yan-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US09847311B2. Автор: Takuya Kadoguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of integration of components to plate-base

Номер патента: RU2327311C2. Автор: Ристо ТУОМИНЕН. Владелец: Имбера Электроникс Ой. Дата публикации: 2008-06-20.

Semiconductor charge storage element and method of operating such a storage element

Номер патента: US4982253A. Автор: Gerhard Lutz,Josef Kemmer. Владелец: Messerschmitt Bolkow Blohm AG. Дата публикации: 1991-01-01.

Semiconductor devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20090020866A1. Автор: Junji Fujino,Shinichi Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887178B2. Автор: Masanori Onodera. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor package and method of producing the semiconductor package

Номер патента: US09640477B1. Автор: Daisuke Iguchi. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180082918A1. Автор: Yoshiharu Takada,Kazuo Fujimura,Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for producing semiconductor element

Номер патента: US20210327722A1. Автор: Toshimasa Hara,Motohisa Kado,Katsunori Danno,Hayate Yamano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220013477A1. Автор: Susumu Yamamoto,Kazuhiro Kato,Masayuki Miura,Soichi Homma,Takeori Maeda,Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230238295A1. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US20130183807A1. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Power semiconductor module and manufacturing method for power semiconductor module

Номер патента: US20220020651A1. Автор: Haruhiko Ito,Yuhji Umeda,Yoshio Tsukiyama. Владелец: NGK Electronics Devices Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US20230377973A1. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343641A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Kuwabara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor module and method of fabricating same

Номер патента: US20210104499A1. Автор: Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US9012301B2. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US11742243B2. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor element and method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20210327933A1. Автор: Susumu Tonegawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1552559A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080017969A1. Автор: Junichi Kimura,Nobuhiro Tada,Yoshitsugu Uenishi,Masanori Sadano,Yoshihisa Maehata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US9530838B2. Автор: Yasuhiro Shirai,Toshiaki Igarashi,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062552B2. Автор: Takashi Saito,Ryoichi Kato,Yuma Murata,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080111209A1. Автор: Chihiro Shin. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140151718A1. Автор: Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004032233A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US12080673B2. Автор: Kazuhiro Tada,Masaaki Taruya,Tatsuya Kitagawa,Masao Akiyoshi,Dai YOSHII,Shin Uegaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240304567A1. Автор: Fumihito KAWAHARA,Aya Muto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321720A1. Автор: Yuki Yano,Yoji Kawauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087651B2. Автор: Satoshi Kondo,Junji Fujino,Michio Ogawa,Kazuma Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09530838B2. Автор: Yasuhiro Shirai,Toshiaki Igarashi,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US12148667B2. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080303161A1. Автор: Akio Hirose,Kojiro Kobayashi,Masanori Yamagiwa. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Such A Device

Номер патента: US20080169527A1. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US7659600B2. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240170354A1. Автор: Yasutaka Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230115289A1. Автор: Koji Yamazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20190295959A1. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10756026B2. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035933A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor bonding structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11031361B2. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

Method for generating aging model and manufacturing semiconductor chip using the same

Номер патента: US20200151294A1. Автор: Moon Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20180076106A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for generating aging model and manufacturing semiconductor chip using the same

Номер патента: US10796050B2. Автор: Moon Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100120241A1. Автор: Shigeru Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768095B2. Автор: Kazunori Uchiyama,Naoki Hakamada,Tadafumi Yoshida,Tomo SASAKI,Masataka DEGUCHI,Akio Kitami. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721873B2. Автор: Masazumi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Circuit substrate manufacturing method

Номер патента: US09673332B2. Автор: Yukinobu Nakata,Yoshihito Hara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09425088B2. Автор: Seiji Ueno,Yasunori Fujimoto,Takumi Ihara,Joji Fujimori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US09418874B2. Автор: Chun-Tang Lin,Yi-Che Lai,Wan-ting CHEN,Mu-Hsuan Chan,Yi-Chian Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030099A1. Автор: Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260686A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Resin-encapsulatd semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170025320A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Manufacturing method of semiconductor module

Номер патента: US20160190085A1. Автор: Akira Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and a device obtained by means of said method

Номер патента: US20020123223A1. Автор: Johannes Van Rijckevorsel,Eugene Vriezen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of manufacturing semiconductor elements

Номер патента: US20200279730A1. Автор: Yoshinori Miyamoto,Haruhiko Nishikage,Yasunobu Hosokawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Substrate for mounting semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080217751A1. Автор: Shigeru Nonoyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090269904A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-29.

Face down type semiconductor device and manufacturing process of face down type semiconductor device

Номер патента: US20070152347A1. Автор: Eiji Hori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266310A1. Автор: Tsuyoshi Tanigaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor element, semiconductor device, and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20130328065A1. Автор: Masahiko Niwayama,Masao Uchida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Resin-encapsulatd semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728478B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620408B2. Автор: Junya Maruyama,Toru Takayama,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508684B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4398298A1. Автор: Kwangjin Moon,Hyungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234251A1. Автор: Kwangjin Moon,Hyungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20100216300A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Toshihisa Nozawa,Akinobu Teramoto,Takaaki Matsuoka,Hirokazu Ueda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: WO2015033209A9. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20210143113A1. Автор: Katsuhiro TAKAO. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Resin-sealed type semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6249043B1. Автор: Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-19.

Semiconductor device and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20200185316A1. Автор: Akira Sengoku,Hidesato HISANAGA. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100038767A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Hiroshi Moriya,Hisashi Tanie,Emi Sawayama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor module and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240304525A1. Автор: Tatsuya Karasawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09716072B2. Автор: Hiroshi Kawashima,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor wafer and its manufacture method, and semiconductor chip

Номер патента: US09685416B2. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, circuit board and electronic apparatus

Номер патента: US09589886B2. Автор: Haruki Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Wiring board and method of manufacturing the same

Номер патента: US09565760B2. Автор: Hirofumi Ishibashi,Masanori Tada. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09553125B2. Автор: Yosuke Ogata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09443778B2. Автор: Masao Kikuchi,Hiroshi Yoshida,Junji Fujino,Junichi Murai,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor component and manufacturing method of semiconductor component

Номер патента: US20100013089A1. Автор: Hideo Kubo,Osamu Igawa,Seiji Ueno,Tsuyoshi So. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240222206A1. Автор: Takayuki Matsumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105539A1. Автор: Masayuki Miura,Naoya Shiroshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9761708B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of producing semiconductor elements using a test structure

Номер патента: WO2004057672A1. Автор: Paul L. C. Simon,Aalt M. Van De Pol. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-08.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160247915A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100102448A1. Автор: Tooru Ichikawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for manufacturing semiconductor elemental device

Номер патента: US20060177984A1. Автор: Koichi Kishiro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12087622B1. Автор: Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12107024B2. Автор: Takayuki Onaka,Yuki Yano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09887223B2. Автор: Yosuke Ogata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nitride semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859465B2. Автор: Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8120118B2. Автор: Takaaki Kawahara,Jiro Yugami,Shinsuke Sakashita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7932121B2. Автор: Naoyuki Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-04-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180019186A1. Автор: Satoru Kikugawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200118965A1. Автор: Kazuo Enomoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090170288A1. Автор: Daisuke Ito. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of manufacturing semiconductor chip and semiconductor module

Номер патента: US20100075444A1. Автор: Majumdar Gourab,Kiyoshi Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240105681A1. Автор: Masayuki Miura,Satoru Itakura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Metal frame, dummy wafer, semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11069654B2. Автор: Jo Umezawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20170047266A1. Автор: Nobutaka Shimizu,Takumi Ihara,Masamitsu Ikumo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110256703A1. Автор: Masahiro Inohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor element with metal layer

Номер патента: US20010017421A1. Автор: Michael Rother. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230027022A1. Автор: Yasuhiro Okamoto,Senichirou NAGASE,Takehirou MARIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor element with metal layer

Номер патента: US6417564B2. Автор: Michael Rother. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-07-09.

Power storage pack, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240312881A1. Автор: Kouki Yamamoto,Toshifumi Ishida. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with trench structure and methods of manufacturing

Номер патента: US09595577B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Nitride semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09525105B2. Автор: Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090267082A1. Автор: Takeshi Endo,Takeo Yamamoto,Masaki Konishi,Hirokazu Fujiwara,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240136318A1. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230187490A1. Автор: Shinichi Hoshi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Pre-molded substrate, method of manufacturing pre-molded substrate, and hollow type semiconductor device

Номер патента: US20190355635A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Method of manufacturing semiconductor device, and probe card

Номер патента: US09829507B2. Автор: Takashi Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US09711433B2. Автор: Jun Taniguchi,Yoshihiro Mizuno,Takeshi Shioga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020061642A1. Автор: Hiroshi Haji,Shoji Sakemi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090227079A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20210082820A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device having external connection terminals and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090026615A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Wiring board, semiconductor device and semiconductor element

Номер патента: US7884463B2. Автор: Hitoshi Sato,Takashi Ozawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Crystal, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20210217869A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220189895A1. Автор: Masaru Morita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

C-axis aligned crystalline igzo thin film and manufacture method thereof

Номер патента: US20190153595A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor Device Including First and Second Semiconductor Elements

Номер патента: US20130146971A1. Автор: Franz Hirler,Ulrich Glaser,Christian Lenzhofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240178100A1. Автор: Naoki Yoshimatsu,Shintaro Araki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device, manufacturing method thereof and power converter

Номер патента: US20230253349A1. Автор: Yuji Sato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for inspecting a semiconductor element and inspection apparatus for executing the same

Номер патента: US20220018789A1. Автор: Yueh-Heng Lee,Kuo-Ming Tseng. Владелец: V5 Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor wafer device having separated conductive patterns in peripheral area

Номер патента: US20050285271A1. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-12-29.

Array Substrate and Manufacturing Method Thereof, Display Device

Номер патента: US20170012060A1. Автор: Yue Li,Qingnan AI,Hepan ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Package for semiconductor device and method of manufacturing it

Номер патента: IE54664B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-01-03.

Array Substrate and Manufacturing Method Thereof, Display Device

Номер патента: US20190326328A1. Автор: Yue Li,Qingnan AI,Hepan ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972713B2. Автор: Satoshi Eguchi,Tetsuya Iida,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09911705B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887154B2. Автор: Takuya Takahashi,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing display panel substrate

Номер патента: US09853070B2. Автор: Hidefumi Yoshida,Shinya Kadowaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728647B2. Автор: Yue Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09720013B2. Автор: Yi-Che Lai,Pin-Cheng Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09659892B2. Автор: Hiroshi Yanagimoto,Takuya Kadoguchi,Motoki Hiraoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09653390B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US09548262B2. Автор: Yuichi MIZAWA,Takeo NAGASE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09490179B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Substrate, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490132B2. Автор: Keiji Ishibashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Designing and manufacturing methods of TFT LCD array positioning mark

Номер патента: US09470973B2. Автор: Yanfeng Fu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09466548B2. Автор: Taishi Sasaki,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20060014353A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Hiroyuki Tanaka. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11830843B2. Автор: Kazunori Fuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor diode and manufacturing method

Номер патента: US20230326974A1. Автор: Joachim Weyers,Armin Tilke,Thomas Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140332957A1. Автор: Yi-Shao Lai,Chang-Chi Lee,Chin-Li Kao. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170133311A1. Автор: Yi-Shao Lai,Chang-Chi Lee,Chin-Li Kao. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170170112A1. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20240047405A1. Автор: Kazunori Fuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Connecting method of semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20020064904A1. Автор: Hirokazu Nakayoshi,Yoshitaka Yoshino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor device, display apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220320346A1. Автор: Atsushi Sasaki. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010042908A1. Автор: Akira Okada,Tetsuya Hiraoka,Kazuyuki Aiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Connecting method of semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20010019179A1. Автор: Hirokazu Nakayoshi,Yoshitaka Yoshino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-09-06.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240234563A9. Автор: Taojun FANG. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Trench power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246595A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor element encapsulation resin composition and semiconductor device having cured product thereof

Номер патента: US20240239988A1. Автор: Hiroki HORIGOME. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Manufacturing method and manufacturing machine for reducing non-radiative recombination of micro LED

Номер патента: US11532665B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-12-20.

Film for semiconductor and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: SG177573A1. Автор: Hiroyuki Yasuda,Takashi Hirano. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor device housing plural stacked semiconductor elements

Номер патента: US20040178485A1. Автор: Jun Nakai,Tomokazu Otani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200043818A1. Автор: Akitoshi Shirao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor device having reinforced low-k insulating film and its manufacture method

Номер патента: US8772182B2. Автор: Yoshiyuki Ohkura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10153379B2. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Method and device for compensating drift in a semiconductor element

Номер патента: US5233236A. Автор: Jean P. Colinge. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 1993-08-03.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Semiconductor element for switching purposes

Номер патента: US3638080A. Автор: Elmar MÜLLER,Klaus Weimann. Владелец: BBC Brown Boveri France SA. Дата публикации: 1972-01-25.

Semiconductor device with stacked semiconductor elements

Номер патента: US6858920B2. Автор: Kazushi Hatauchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-22.

Semiconductor element package

Номер патента: EP4379828A3. Автор: Baek Jun KIM,Do Yub KIM,Keon Hwa Lee,Myung Sub Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Supporting member for semiconductor elements, and method for driving supporting member for semiconductor elements

Номер патента: US20060040431A1. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226507A1. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7750427B2. Автор: Takashi Hashimoto,Kozo Watanabe,Shoji Yoshida,Shinichi Tanabe,Masashi Sahara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Fabricating method of semiconductor element

Номер патента: US20130109163A1. Автор: Po-Chao Tsao,Ming-Tsung Chen,Ming-Te Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, and manufacturing method of laminate

Номер патента: US20240368753A1. Автор: Atsushi Mizutani,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor element mounting board

Номер патента: US09984984B1. Автор: Makoto Shiroshita,Hisayoshi WADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having semiconductor elements on semiconductor substrate

Номер патента: US09876107B2. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Mask, manufacturing method thereof and manufacturing method of a thin film transistor

Номер патента: US09741828B2. Автор: Rui Xu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728403B2. Автор: YUAN Guo,Chao He,Juan Li,Guoqiang Tang,Yuxia Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Production method for semiconductor element, and semiconductor element

Номер патента: US09721838B2. Автор: Fumiaki Matsuura,Tomotoshi Satoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09716006B2. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09666838B2. Автор: Shinsuke Iguchi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09651839B2. Автор: Xiaojing QI,Like HU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431260B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20100151632A1. Автор: Takashi Kanda,Kenji Fukuzono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8294283B2. Автор: Takumi Ihara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-10-23.

Pixel package and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4283672A1. Автор: Ya-Wen Lin,Tzu-Hsiang Wang,Chi-Chih Pu,Li-Yuan Huang,Pei-Yu Li,Hsiao-Pei CHIU. Владелец: Yenrich Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-29.

Pixel package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378142A1. Автор: Ya-Wen Lin,Tzu-Hsiang Wang,Chi-Chih Pu,Li-Yuan Huang,Pei-Yu Li,Hsiao-Pei CHIU. Владелец: Yenrich Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Manufacturing method of optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20190280151A1. Автор: Hsien-Te Chen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210358884A1. Автор: Naoko Tsuji. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170288014A1. Автор: Jun Saito,Shoji Mizuno,Atsushi Onogi,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Heat radiation structure of semiconductor element and heat sink

Номер патента: US20050174740A1. Автор: Makoto Hayakawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220115557A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor element having high breakdown voltage

Номер патента: US20130240895A1. Автор: Jen-Inn Chyi,Geng-Yen Lee,Hsueh-Hsing Liu. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor element having high breakdown voltage

Номер патента: US8586995B2. Автор: Jen-Inn Chyi,Geng-Yen Lee,Hsueh-Hsing Liu. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2013-11-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120077321A1. Автор: Yutaka Inaba,Takuya Futase,Shigenari Okada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220045027A1. Автор: Hidetoshi Kitaura,Shozo Ochi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Opto-electronic apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170170160A1. Автор: Yung-Yu Yen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20200401005A1. Автор: Xinjie Zhang,Chengwei Liu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020048904A1. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Package of semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP1204136A4. Автор: Hidenori Miyakawa,Takashi Akiguchi,Norihito Tsukahara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12015101B2. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20160035691A1. Автор: Takeshi Araki,Koji Yamazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Method of manufacturing semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US20030186173A1. Автор: Akira Takahashi,Motoki Kobayashi,Jun Kanamori,Kousuke Hara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110233794A1. Автор: Yasuaki Iwata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210151349A1. Автор: Nianheng ZHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304750A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Stacked neural device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096627B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

OLED display device and manufacture method thereof

Номер патента: US09893132B2. Автор: Yifan Wang,Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of electronic device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893116B2. Автор: Hideo Numata,Hiroyuki Okura,Shinya Takyu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin-film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876037B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyu SU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Flexible OLED and manufacture method thereof

Номер патента: US09859521B2. Автор: Tao Sun,Wen Shi,Shimin Ge,Wenhui Li,Yanhong Meng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Opto-electronic apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831228B2. Автор: Yung-Yu Yen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for producing organic semiconductor element

Номер патента: US09711725B2. Автор: Masaru Kinoshita,Yoshihisa Usami. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Element manufacturing method and element manufacturing apparatus

Номер патента: US09680098B2. Автор: Hiroyoshi Nakajima,Toshihiko Takeda,Takayoshi Nirengi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same

Номер патента: US09673362B2. Автор: Naoyuki Urasaki. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09670592B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660042B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Thermocompression bonding systems and methods of operating the same

Номер патента: US09659902B2. Автор: Matthew B. Wasserman. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553198B1. Автор: Xiaowen LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09536855B2. Автор: Takeshi Araki,Koji Yamazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

TFT array substrate and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508859B2. Автор: Chia-Chi Huang,Min-Ching Hsu. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

High-efficiency AlGaInP light-emitting diode grown directly on transparent substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466766B2. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09437562B2. Автор: Atsushi Imai,Takashi Ushijima,Jiro Nohara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Nitride semiconductor element and method of making same

Номер патента: RU2566383C1. Автор: Норитака НИВА,Тецухико ИНАДЗУ. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor element and its manufacturing process

Номер патента: RU2237949C2. Автор: Штефан ЛИНДЕР. Владелец: Абб Швайц Холдинг Аг. Дата публикации: 2004-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2775515A1. Автор: Takayuki Hirose,Toshiyuki Kojima,Norihito Tsukahara,Keiko Ikuta,Kohichi Tanda,Lianji Jin. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-09-10.

Seminconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170309716A1. Автор: Jun Saito,Atsushi Onogi,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Graphene thermal paste and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190218101A1. Автор: Chih-Wei Wang,Jen-Ching Huang. Владелец: TUNGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US11854856B2. Автор: Masahiro Fujikawa,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11887975B2. Автор: Naoko Tsuji. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20150279747A1. Автор: Naoki Yokoyama,Motonobu Sato,Shintaro Sato,Daiyu Kondo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Assessment method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190363027A1. Автор: Toshihiro Arai,Yasushi Niimura,Hideki Shishido,Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Integrated circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20210351179A1. Автор: Jih-Wen Chou,Shih-Chieh Pu,Chih-Chung Tai. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9355916B2. Автор: Naoki Yokoyama,Motonobu Sato,Shintaro Sato,Daiyu Kondo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor apparatus and manufacturing method for semiconductor apparatus

Номер патента: US20230261065A1. Автор: Yushi Koriyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7274103B2. Автор: Osamu Ikeda,Masahide Okamoto,Yukihiro Satou. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190084080A1. Автор: Tsutomu Fujita,Akira Tomono,Takanobu Ono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor element and multiplexer including a plurality of semiconductor elements

Номер патента: US20230141173A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222266A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Optical device and manufacturing method

Номер патента: US20230244126A1. Автор: Nicola Spring. Владелец: Ams Sensors Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Optical device and manufacturing method

Номер патента: WO2022005393A1. Автор: Nicola Spring. Владелец: ams Sensors Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2022-01-06.

Battery, electric device, and manufacturing device and method of battery

Номер патента: US20240304928A1. Автор: Haihua Huang,Wenchao Luo. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Polymer holder, electrode system and manufacturing and handling methods of polymer holder

Номер патента: US20190334304A1. Автор: Juha MYLLYKANGAS,Arto Nikula,Arto Remes. Владелец: Bittum Biosignals Oy. Дата публикации: 2019-10-31.

Novel button battery and manufacturing and mounting method of shell sealing element structure

Номер патента: CN113013527A. Автор: 田华,胡卫国. Владелец: Dongguan Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Apparatus configured to generate terahertz wave and apparatus configured to detect terahertz wave

Номер патента: US20140361177A1. Автор: Takeaki Itsuji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor element

Номер патента: EP4191212A1. Автор: Yasushi Koyama,Noriyuki Kaifu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Carrier module with bridging element for a semiconductor element

Номер патента: US09853421B2. Автор: Manuel Binder,Manuel Buchinger,Stephan Schartner. Владелец: F+S Vermoegensverwaltungs GmbH. Дата публикации: 2017-12-26.

Optical transmission module and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090153949A1. Автор: Tarou Kaneko,Mitsunori Kanemoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Cooling module and manufacturing method

Номер патента: RU2559214C2. Автор: БОРК Феликс ФОН,Бьерн ЭБЕРЛЕ. Владелец: Акасол Гмбх. Дата публикации: 2015-08-10.

Movable contact unit, manufacturing method of the same, and manufacturing method of panel switch

Номер патента: US20060081453A1. Автор: Hiromichi Koyama,Hideki Mitsuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Movable contact unit, manufacturing method of the same, and manufacturing method of panel switch

Номер патента: US20060180456A1. Автор: Hiromichi Koyama,Hideki Mitsuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Coil-integrated-type yoke and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200066477A1. Автор: Tsutomu Karimata,Keisuke Matsushima. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Nonaqueous electrolyte secondary battery and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490476B2. Автор: Koji Takahata,Akihiro Ochiai,Toshihiko Mitsuhashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Coated metal fine particle and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490044B2. Автор: Masato Kurihara,Masatomi Sakamoto. Владелец: Yamagata University NUC. Дата публикации: 2016-11-08.

Waveguide assembly and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200274215A1. Автор: Derek Brown,Ian Morris,Maurice Joseph Hamer,Ian GORECKI,Mike WEBBER. Владелец: Airbus Defence and Space Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Battery cell, battery, electric apparatus, and manufacturing method of battery

Номер патента: US12068446B2. Автор: Kun FANG. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Waveguide assembly and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3497742A1. Автор: Derek Brown,Ian Morris,Maurice Joseph Hamer,Ian GORECKI,Mike WEBBER. Владелец: Airbus Defence and Space Ltd. Дата публикации: 2019-06-19.

Keycap and manufacturing method thereof

Номер патента: US09984834B2. Автор: Shih-Kai Chen,Tsai-Jung Hu. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Secondary battery and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620746B2. Автор: Ki Hyun Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Fuel cell module and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120107727A1. Автор: Ho-jin Kweon,Jun-Won Suh,Jan-Dee Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Manufacturing method of P type semiconductor element for refrigeration or heating device

Номер патента: CN103456876A. Автор: 陈志明,顾伟. Владелец: SUZHOU WEI YUAN NEW MATERIAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Electrical power supply device and method of operating same

Номер патента: US20190315296A1. Автор: Mohamad Elghrawi,Robert M. Voto. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Polymer holder, electrode system and manufacturing and handling methods of polymer holder

Номер патента: EP3563760A1. Автор: Juha MYLLYKANGAS,Arto Nikula,Arto Remes. Владелец: Bittum Biosignals Oy. Дата публикации: 2019-11-06.

Method of testing a semiconductor element with improved pressing force direction

Номер патента: US11573169B2. Автор: Wataru Okamoto,Atsushi MARUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Element that oscillates or detects terahertz waves

Номер патента: US09998074B2. Автор: Yasushi Koyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Terahertz wave camera system and method for controlling terahertz wave camera system

Номер патента: US11835452B2. Автор: Eiichi Takami,Takeaki Itsuji,Noriyuki Kaifu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Terahertz wave camera system and method for controlling terahertz wave camera system

Номер патента: US20210247308A1. Автор: Eiichi Takami,Takeaki Itsuji,Noriyuki Kaifu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Terahertz detector and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3905351A1. Автор: MENG CHEN,Ziran Zhao,Yingxin Wang,Xuming MA. Владелец: Nuctech Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Apparatus for detecting temperature of semiconductor elements for power conversion

Номер патента: US09903765B2. Автор: Hiroshi Fujita,Osamu Daitoku. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Systems and Methods for Oscillation Suppression in Switching Circuits

Номер патента: US20090261898A1. Автор: Christopher Umminger,Pinkesh Sachdev. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2009-10-22.

Method of driving semiconductor device

Номер патента: US09503087B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Thin-film transistor device and manufacturing method

Номер патента: EP2006929A3. Автор: Tadashi Arai,Tomihiro Hashizume,Takeo Shiba,Yuji Suwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Method of manufacturing flat panel display

Номер патента: WO2009072658A1. Автор: Katsunori Yokoyama,Kenji Muto,Ryuji Yamamoto,Tomokazu Morita. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-06-11.

Display device and manufacturing method

Номер патента: WO2013119009A1. Автор: Jong Won Lee,Chang Ho Cho,Sung Ki Min,Dong Hee Shim,Sang Yoong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-15.

Wavelength conversion device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12044868B2. Автор: Chi-Tang Hsieh,I-Hua Chen. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Under-screen camera assembly, camera module, optical lens, and manufacturing methods

Номер патента: EP4012470A1. Автор: Tanaka Takehiko,Zhewen Mei,Haipeng PEI. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Drive device for voltage-controlled semiconductor element

Номер патента: US12047060B2. Автор: Hiroaki Ichikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Manufacturing method of deposition mask and manufacturing method of organic EL display

Номер патента: US12058922B2. Автор: Katsunari Obata,Yasuko Sone. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor element drive circuit

Номер патента: US20080290853A1. Автор: Kenji Ito. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Acoustic Wave Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240305260A1. Автор: Hao-Min Huang. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor element drive apparatus

Номер патента: US09991797B2. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Drive circuit for power semiconductor element

Номер патента: US09712155B2. Автор: Masahiro Ozawa,Toshiki Tanaka,Yoshitomo Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Driving device for semiconductor elements, and semiconductor device

Номер патента: US09627878B2. Автор: Masahiro Yamamoto,Yo Habu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Oscillation circuit, oscillator, electronic device, moving object, and manufacturing method of oscillator

Номер патента: US20150180410A1. Автор: Takehiro Yamamoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237198A1. Автор: Li-Wei Sung,Ching-I Lo,Chueh-Yuan NIEN,Yu-Ling Hung. Владелец: Carux Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Aircraft fuselage structure and manufacturing method

Номер патента: RU2435703C2. Автор: Корд ХААК. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Гмбх. Дата публикации: 2011-12-10.

Method of manufacturing protective element for secured document

Номер патента: RU2530419C2. Автор: Жюльен ЖИЛЛО,Ксавье БОРД. Владелец: Обертур Текноложи. Дата публикации: 2014-10-10.

Oil filters containing strong base and methods of their use

Номер патента: US20130068694A1. Автор: Darrell W. Brownawell,Scott P. Lockledge. Владелец: Lutek LLC. Дата публикации: 2013-03-21.

Oil filters containing strong base and methods of their use

Номер патента: US20140163296A1. Автор: Darrell W. Brownawell,Scott P. Lockledge. Владелец: Lutek LLC. Дата публикации: 2014-06-12.

Oil filters containing strong base and methods of their use

Номер патента: WO2009099882A2. Автор: Darrell W. Brownawell,Scott P. Lockledge. Владелец: LUTEK, LLC. Дата публикации: 2009-08-13.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312822A1. Автор: Kimblad Hans. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312824A1. Автор: HARRYSSON Urban. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: GB201500607D0. Автор: . Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2015-02-25.

Labels and manufacture thereof

Номер патента: CA1326764C. Автор: David John Instance. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-02-08.

Customizing fitting insole by combination of multi-material and manufacturing and correcting method of it

Номер патента: KR100736813B1. Автор: 박종배,장재황. Владелец: (주)와일드캣. Дата публикации: 2007-07-09.

Differential gear assembly of vehicles and Manufacturing apparatus and method of the same

Номер патента: KR101393339B1. Автор: 조준권. Владелец: 현대자동차 주식회사. Дата публикации: 2014-05-09.

Customizing fitting insole by combination of multi-material and manufacturing and correcting method of it

Номер патента: WO2007049838A1. Автор: Jongbae Park,Jaehwang Jang. Владелец: Wildcat Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-05-03.

Machining and manufacturing systems and method of operating the same

Номер патента: WO2017205026A1. Автор: Mathias Ernst Messmer,Dragan Filipovic,Simon Josef Würzinger. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2017-11-30.

Machining and manufacturing systems and method of operating the same

Номер патента: US20170334008A1. Автор: Mathias Ernst Messmer,Dragan Filipovic,Simon Josef Würzinger. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-11-23.

Gel nail polish and manufacturing and a method of using the nail polish

Номер патента: EP3135340A1. Автор: Lijuan Zhen. Владелец: Lijuan Zhen. Дата публикации: 2017-03-01.

Embossing pattern formed retroreflctive sheets and manufacturing device and method of the same

Номер патента: KR101515324B1. Автор: 양지윤. Владелец: 양지윤. Дата публикации: 2015-05-20.

Filter membrane element and method of manufacturing same

Номер патента: CA2140149C. Автор: Masashi Moro,Kiyoshi Izumi. Владелец: Kubota Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Thermistor probe for exposed sensing element for direct immersion in refrigerant flows

Номер патента: CA2024227C. Автор: Terence D. Baier. Владелец: Wabco Standard Trane Inc. Дата публикации: 1994-01-04.

Manufacture method and system of semiconductor device

Номер патента: CN101819917B. Автор: 覃柳莎,顾一鸣. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-04-18.

Apparatus configured to generate terahertz wave and apparatus configured to detect terahertz wave

Номер патента: US9261401B2. Автор: Takeaki Itsuji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

Apparatus and method for obtaining information related to terahertz waves

Номер патента: US7551269B2. Автор: Takeaki Itsuji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-06-23.

Inorganic-organic hybrid oxide polymer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09982140B2. Автор: Hsueh-Shih Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-05-29.

Aircraft with intermittent braces and manufacturing method

Номер патента: RU2435701C1. Автор: Лоран ГОТИ,Филипп БЕРНАДЕТ. Владелец: Эрбюс Операсьон (С.А.С). Дата публикации: 2011-12-10.

Manufacturing method of bath

Номер патента: RU2651859C1. Автор: Вадим Евгеньевич Казанцев. Владелец: Вадим Евгеньевич Казанцев. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of accelerating test of semiconductor device

Номер патента: US20070077762A1. Автор: Kenji Yoshida,Hiroshi Nakazawa,Koji Miyamoto,Takeshi Fujimaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Graphene manufacturing method

Номер патента: US20240208822A1. Автор: Takashi Kurita,Atsushi Nakanishi,Yuta KINE,Takeshi Watari. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of assembling and reconstructing a curtain style vehicle laundry device

Номер патента: US6317958B1. Автор: Michael J. Belanger,Robert J. Wentworth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-20.

Terahertz-wave detection element, manufacturing method therefor, and observation apparatus

Номер патента: US09574933B2. Автор: Tetsuya Ejiri,Yuichi Iwata,Jungo Kondo. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor element inspection device and inspection method

Номер патента: US09632110B2. Автор: Hiroyuki Yamagishi,Shigeto Akahori,Shinyu Hirayama,Yoko Yamaji. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Beef jerky and manufacturing method therefor

Номер патента: NL2035187B1. Автор: Chen Hao,WANG Chunjie,Huasai Simujide,Chen Aorigele. Владелец: Univ Inner Mongolia Agri. Дата публикации: 2024-10-02.

Device and manufacturing method of coiled curvilinear airline

Номер патента: RU2360763C2. Автор: Кью-Сеок ЧА,Сеок ХЕО. Владелец: Джинвунг Текнолоджи. Дата публикации: 2009-07-10.

Method of designing an exposure mask, exposure method, pattern forming method and device manufacturing method

Номер патента: EP1642171B1. Автор: Takako Yamaguchi,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-06-15.

Herbaceous fiber and manufacturing method thereof and refiner manufacturing therefor

Номер патента: WO2009119956A1. Автор: Chan Oh PARK. Владелец: Chan Oh PARK. Дата публикации: 2009-10-01.

Decorative building material manufactured by using sublimation transfer printing technique and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200071940A1. Автор: Gye Hyun LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for monitoring at least one semiconductor element in a semiconductor module

Номер патента: US20240133924A1. Автор: Ulrich Wetzel,Jürgen Zettner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Optical semiconductor element, method of controlling the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US9513530B2. Автор: Tomoyuki Akiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Fluid vessel and manufacturing method for a fluid vessel

Номер патента: EP4384747A1. Автор: Swen Zaremba,Elisabeth GLEIS,Teodor IVANUSA. Владелец: Technische Universitaet Muenchen. Дата публикации: 2024-06-19.

Manufacturing method of glass forming body and forming die

Номер патента: US09650278B2. Автор: Katsuhiro Suzuki,Shiro Funatsu,Tomoharu Hayashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of support for planographic printing plate

Номер патента: US09573404B2. Автор: Hisashi Hotta,Yuichi Kasuya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Optical semiconductor element, method of controlling the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US09513531B1. Автор: Tomoyuki Akiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Optical semiconductor element, method of controlling the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US09513530B2. Автор: Tomoyuki Akiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Mineral wool, insulation material and manufacturing method

Номер патента: RU2390508C2. Автор: Жером Дус,Жан-Люк БЕРНАР. Владелец: СЭН-ГОБЭН ИЗОВЕР. Дата публикации: 2010-05-27.

Environmentally-friendly training hand grenade and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050028703A1. Автор: Se-Hong Oh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Liquid crystal display device and manufacturing method of the liquid crystal display device

Номер патента: US20090141229A1. Автор: Hajime Nakao. Владелец: Epson Imaging Devices Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140204300A1. Автор: Chang Oh Jeong,Hyang-Shik Kong,Seon-Il Kim,Yeun Tae KIM,Hong Sick Park,Min Ho MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Optical pickup module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050063279A1. Автор: Sun-Ho Kim,Geun-Ho Kim,Ki-Chang Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-03-24.

Bearing Substrate and Manufacturing Method of Flexible Display Device

Номер патента: US20160039182A1. Автор: Huifeng Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Bending Part Coupling Assembly for the Endoscope Insertion Portion and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20090234191A1. Автор: Hideya Kitagawa,Kiyokazu Hosaka. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Cmut device and manufacturing method

Номер патента: EP3119533A1. Автор: Bout Marcelis,Ruediger Mauczok. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-01-25.

Ultrasound flow rate measurement apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US20180156651A1. Автор: Torsten Schmidt,Jörg Schneider,Christian Schulz. Владелец: SICK Engineering GmbH. Дата публикации: 2018-06-07.

Manufacturing method of liquid crystal display panel and manufacturing apparatus of liquid crystal display panel

Номер патента: US20070052913A1. Автор: Kazuya Kaida,Akinori Izumi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-03-08.

Piston for swash-plate type compressor and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010037845A1. Автор: Takayuki Kato,Masato Takamatsu,Seiji Katayama. Владелец: Toyoda Jidoshokki Seisakusho KK. Дата публикации: 2001-11-08.

Method for monitoring at least one semiconductor element in a semiconductor module

Номер патента: US20240230724A9. Автор: Ulrich Wetzel,Jürgen Zettner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190072801A1. Автор: WU CAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Laminate molded object manufacturing method and manufacturing device, control support device, and program

Номер патента: EP4450198A1. Автор: Shuo Huang,Akinori Yoshikawa. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Manufacturing method of liquid ejecting head and manufacturing method of flow path component

Номер патента: US12070949B2. Автор: Naohiro NAKAGAWA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Computer-aided design and manufacturing system and method for composite part manufacturing method and system

Номер патента: US09996634B2. Автор: Gregory Maclean. Владелец: Autodesk Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Wire grid polarizer and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09952367B2. Автор: Yanbing WU,Chunyan JI,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

CMUT device and manufacturing method

Номер патента: US09889472B2. Автор: Bout Marcelis,Ruediger Mauczok. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-02-13.

In-cell self capacitive touch control display panel and manufacture method thereof

Номер патента: US09715303B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Hydrophilic polyacrylic acid (salt) resin and manufacturing method thereof

Номер патента: US09518133B2. Автор: Shinichi Fujino,Kunihiko Ishizaki,Satoshi Matsumoto. Владелец: NIPPON SHOKUBAI CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Touch panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09442378B2. Автор: Lianjie QU,Deshuai Wang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Rotor blade, rotor blade element and manufacturing method

Номер патента: RU2532869C2. Автор: Свен Мушке,Торстен ЛИНК. Владелец: Воббен Алоис. Дата публикации: 2014-11-10.

Security element for marking or identifying objects and living beings

Номер патента: RU2527374C2. Автор: Фридрих Кистерс. Владелец: Фридрих Кистерс. Дата публикации: 2014-08-27.

Foamed fabric structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3674460A1. Автор: Yih Ping Luh. Владелец: Qingyuan Global Technology Services Ltd. Дата публикации: 2020-07-01.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of connecting ceramic semiconductor element

Номер патента: JPS5784118A. Автор: Masaru Oda,Kazuhide Ebine. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1982-05-26.

OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR LASER, AND METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20120236394A1. Автор: HAYAKAWA Akinori. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of manufacturing optical semiconductor element

Номер патента: JP2012084592A. Автор: Hirohiko Kobayashi,Masahiro Yoneda,宏彦 小林,昌博 米田. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-26.

TFT ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING AND REPAIRING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20120280257A1. Автор: Zhou Baoquan. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

Manufacturing method for contacts of semiconductor device

Номер патента: TW432624B. Автор: Hung-Yuan Tau,Jia-Shiung Tsai,Yuan-Hung Chiou,Ju-Yun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-05-01.

Manufacturing method and structure of semiconductor laser diode

Номер патента: KR940001499A. Автор: 양민. Владелец: 이헌조. Дата публикации: 1994-01-11.

Manufacturing method and apparatus of semiconductor device

Номер патента: JPS55105324A. Автор: Junichi Nishizawa,Keishiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1980-08-12.

Manufacturing method for grid of semiconductor device

Номер патента: CN100517577C. Автор: 张海洋,刘乒,马擎天. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-07-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POSITRON EMISSION IMAGING DEVICE AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120001064A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SCREENING METHOD OF ANTI-LUNG OR ESOPHAGEAL CANCER COMPOUNDS

Номер патента: US20120004172A1. Автор: Nakamura Yusuke,Tsunoda Takuya,Daigo Yataro. Владелец: Oncotherapy Science, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE TYPE HUMIDITY SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEGRADABLE FILTER ELEMENT FOR SMOKING ARTICLE

Номер патента: US20120000481A1. Автор: Sebastian Andries D.,Oglesby Robert L.,Pound Robert J.,Chapman Paul S.,Potter Dennis. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Pressurized air-chamber testing device for semiconductor elements and a method thereof

Номер патента: MY151795A. Автор: Moey Huey Chyan. Владелец: Pentamaster Instrumentation Sdn Bhd. Дата публикации: 2014-07-14.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG148982A1. Автор: Osamu Koshimizu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG148981A1. Автор: Osamu Koshimizu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Method Of Polishing Chalcogenide Alloy

Номер патента: US20120003834A1. Автор: Reddy Kancharla-Arun Kumar,Liu Zhendong,Koo Ja-Ho,Sawant Kaveri. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG153715A1. Автор: Yoshinori Marumo. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS FOR CATALYST-COATED MEMBRANE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003572A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYURETHANE RESIN AQUEOUS DISPERSION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004361A1. Автор: Watanabe Masahiko,Takahashi Manabu,Takigawa Shinya. Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.