Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Speicherzellenanordnung

Номер патента: DE19744095A1
Опубликовано: 15-04-1999
Автор(ы): Lothar Dr Risch, Siegfried Dipl Phys D Schwarzl
Принадлежит: SIEMENS AG

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Shared line magnetic random access memory cells

Номер патента: EP2289102A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Kenneth Mackay,Virgile Javerliac. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Magnetic memory cells with low switching current density

Номер патента: US09542987B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Non-volatile associative memory cell, non-volatile associative memory device, monitoring method, and non-volatile memory cell

Номер патента: US12009019B2. Автор: Yuji Kakinuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Non-volatile associative memory cell, non-volatile associative memory device, monitoring method, and non-volatile memory cell

Номер патента: US20220037587A1. Автор: Yuji Kakinuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: EP2896066A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-22.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: WO2014042995A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Magnetic memory cell structures, arrays, and semiconductor devices

Номер патента: US20160308117A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Memory cell, memory using the memory cell, memory cell manufacturing method, and memory recording/reading method

Номер патента: US7436697B2. Автор: Motoyoshi Murakami,Yasuhiro Gotoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Magnetoresistive effect devices having enhanced magnetic anisotropy

Номер патента: US09564581B1. Автор: Kurt Allan Rubin,Young-Suk Choi,Derek Stewart. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for manufacturing magnetic memory cells

Номер патента: US10177308B2. Автор: Jing Zhang,Dong Ha JUNG,Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Memory Cell With Resistance-Switching Layers Including Breakdown Layer

Номер патента: US20110310656A1. Автор: Chu-Chen Fu,Franz Kreupl,Yibo Nian. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-12-22.

Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer

Номер патента: WO2011159584A1. Автор: Chu-Chen Fu,Franz Kreupl,Yibo Nian. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-12-22.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631B1. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Hardware security device for magnetic memory cells

Номер патента: EP1576615A2. Автор: Kars-Michiel H. Lenssen,Nicolaas Lambert,Adrianus J. M. Denissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-21.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631A3. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Low power memory cell with high sensing margin

Номер патента: US09583167B2. Автор: Yang Hong,Tze Ho Simon Chan,Yong Wee Francis POH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Magnetic Memory Cell Including Two-Terminal Selector Device

Номер патента: US20200185455A1. Автор: Jing Zhang,Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9595562B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20170141298A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Memory device configured to generate read current based on size of memory cell and value of read current actually applied to memory cell

Номер патента: US20240062795A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9972772B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory device generating optimal write voltage based on size of memory cell and initial write voltage

Номер патента: US12009020B2. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20180226571A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Integrated Circuit, Memory Cell Array, Memory Module, and Method of Operating an Integrated Circuit

Номер патента: US20090273966A1. Автор: Rainer Leuschner,Ulrich Klostermann,Dietmar Gogl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Content addressable memory cell and content addressable memory

Номер патента: US20160300614A1. Автор: Noboru Sakimura,Ryusuke Nebashi,Tadahiko Sugibayshi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor device including memory cell

Номер патента: US20240257852A1. Автор: Taehwan Kim,Jongsun Park. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory element with a reactive metal layer

Номер патента: US09570515B2. Автор: Darrell Rinerson,Wayne Kinney,Steven Longcor,John Sanchez,Christophe J. Chevallier,Edmond R. Ward,Steve Kuo-Ren Hsia,Philip F. S. Swab. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device generating optimal write voltage based on size of memory cell and initial write voltage

Номер патента: US20220336000A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory cell structures

Номер патента: US09825091B2. Автор: Heng Cao,Shengfen Chiu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040114428A1. Автор: Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US09620212B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US11894038B2. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US20220051710A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US20240119983A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Method and apparatus for storing data in a reference layer in magnetoresistive memory cells

Номер патента: US09990976B1. Автор: Jon Slaughter. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory capable of reading data without accessing memory cell

Номер патента: US09672887B2. Автор: Masahiko Nakayama,Katsuhiko Hoya,Hironobu FURUHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device which generates improved read current according to size of memory cell

Номер патента: US12094509B2. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

High-Speed Data Transfer Periods for Thyristor Memory Cell Arrays

Номер патента: US20190378554A1. Автор: Bruce L. Bateman. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

High-speed data transfer periods for thyristor memory cell arrays

Номер патента: US10553269B2. Автор: Bruce L. Bateman. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Memory device which generates improved read current according to size of memory cell

Номер патента: US20220328085A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-13.

Enhanced state dual memory cell

Номер патента: EP4260319A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Integrated circuits with programmable memory cells and methods for programming the same

Номер патента: US09799387B1. Автор: Eng Huat Toh,Kangho Lee,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Writing method for resistive memory cell and resistive memory

Номер патента: US09496036B1. Автор: Frederick Chen,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Pei-Hsiang Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Refresh of nonvolatile memory cells and reference cells with resistance drift

Номер патента: US09472274B1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory cell having resistive and capacitive storage elements

Номер патента: US09911495B2. Автор: Brent E. BUCHANAN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-06.

Systems and methods for programming a memory cell having a programmable resistance

Номер патента: US09659647B1. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for capacitively reading resistive memory elements and nonvolatile, capacitively readable memory elements for implementing the method

Номер патента: US09443589B2. Автор: Stefan Tappertzhofen,Eike Linn,Lutz Nielen,Ilia Valov,Rainer Waser. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2016-09-13.

Resistive memory element sensing using averaging

Номер патента: US20140197847A1. Автор: R. Jacob Baker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Structure of magnetic memory cell and magnetic memory device

Номер патента: US20070195593A1. Автор: Ming-Jer Kao,Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-08-23.

Memory cell, a method for forming a memory cell, and a method for operating a memory cell

Номер патента: US20130208527A1. Автор: Christian Peters,Jan Otterstedt,Robert Wiesner,Mihail Jefremow,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-08-15.

Direct writing method of magnetic memory cell and magetic memory cell structure

Номер патента: US20080180988A1. Автор: Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-07-31.

Method and apparatus for reading variable resistance memory elements

Номер патента: US20140169063A1. Автор: Liqiong Wei,Nathaniel J. August. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Sensing memory cells using array control lines

Номер патента: US20190371380A1. Автор: James Hart,Tz-yi Liu,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen,Jeffrey Koon Yee Lee,Yadhu Vamshi Vancha. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Writing method for magnetic memory cell and magnetic memory array structure

Номер патента: US20080198648A1. Автор: Ming-Jer Kao,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-08-21.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US11763891B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase hysteretic magnetic josephson junction memory cell

Номер патента: US09653153B2. Автор: Quentin P. Herr,Anna Y. Herr,Andrew Hostetler Miklich. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US09418735B2. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Varying-polarity read operations for polarity-written memory cells

Номер патента: US20240312518A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Dual loop sensing scheme for resistive memory elements

Номер патента: AU2003254265A1. Автор: R. Jacob Baker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-03.

Memory device and operating method for resistive memory cell

Номер патента: US09711217B1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu,Tien-Yen Wang,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetic random access memory using a non-linear memory element select mechanism

Номер патента: US6515897B1. Автор: Stuart Stephen Papworth Parkin,Roy Edwin Scheuerlein,Douwe Johannes Monsma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

System and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US6999334B2. Автор: Frederick A. Perner,Anthony Holden. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-14.

Vertical 2-transistor memory cell

Номер патента: US20240373619A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari,Srinivas Pulugurtha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Ferroelectric memory cell with shunted ferroelectric capacitor and method of making same

Номер патента: EP1016088A1. Автор: David A. Kamp. Владелец: CELIS SEMICONDUCTER Corp. Дата публикации: 2000-07-05.

Semiconductor device including memory element

Номер патента: US20240339154A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

One transistor - one capacitor memory cell

Номер патента: GB2067352A. Автор: . Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1981-07-22.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180090679A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Superconductive Memory Cells and Devices

Номер патента: US20240249770A1. Автор: Faraz Najafi. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180342671A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device

Номер патента: US09853211B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical 2-transistor memory cell

Номер патента: US11985806B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari,Srinivas Pulugurtha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

NAND flash memory device with oblique architecture and memory cell array

Номер патента: US09613702B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory cell architecture for multilevel cell programming

Номер патента: US09607691B1. Автор: Mattia Boniardi,Mario Allegra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Capacitor integrated with memory element of memory cell

Номер патента: US20230422519A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Gregory A. Northrop,Joseph Versaggi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Resistive memory cell and associated cell array structure

Номер патента: US12069873B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Sense amplifier circuitry and architecture to write data into and/or read data from memory cells

Номер патента: WO2006065698A8. Автор: William Kenneth Waller,Eric Carman. Владелец: Eric Carman. Дата публикации: 2006-08-17.

Memory device having volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US11922984B2. Автор: Minhee Cho,Sangkil Lee,Hyunmog Park,Woobin SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device with sense amplifier for memory cells

Номер патента: US7242628B2. Автор: Tadashi Haruki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US09806082B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory cell having dielectric memory element

Номер патента: US09721655B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

State detection circuit for anti-fuse memory cell, and memory

Номер патента: US11854605B2. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device and memory system including memory cell arrays and column selection transistors arranged to improve size efficiency

Номер патента: US11881283B2. Автор: Soo Bong CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory cell array having ferroelectric capacitors, method of fabricating the same, and ferroelectric memory device.

Номер патента: US6617627B2. Автор: Eiji Natori,Tatsuya Shimoda,Koichi Oguchi,Kazumasa Hasegawa,Takao Nishikawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-09.

Semiconductor device comprising memory cell array and arithmetic circuit

Номер патента: US12002535B2. Автор: Takeshi Aoki,Masashi Fujita,Munehiro KOZUMA,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory cell array and method of operating same

Номер патента: US20240371853A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Multiple bit per cell dual-alloy GST memory elements

Номер патента: US09490426B2. Автор: Daniel R. Shepard,Mac D. Apodaca. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Bipolar reading technique for a memory cell having an electrically floating body transistor

Номер патента: WO2006066890A1. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2006-06-29.

Memory cell architecture for multilevel cell programming

Номер патента: US20170236584A1. Автор: Mattia Boniardi,Mario Allegra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Memory cell architecture for multilevel cell programming

Номер патента: US20190244665A1. Автор: Mattia Boniardi,Mario Allegra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: WO2020139846A8. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory cell comprising first and second transistors and methods of operating

Номер патента: US09905564B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device having stacked layers

Номер патента: US09514792B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-12-06.

Integrated circuit having memory cell array including barriers, and method of manufacturing same

Номер патента: WO2009068548A1. Автор: Pierre Fazan. Владелец: Innovative Silicon ISi SA. Дата публикации: 2009-06-04.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US20240233797A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit having memory cell array including barriers, and method of manufacturing same

Номер патента: US20190279985A1. Автор: Pierre C. Fazan. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory element circuitry with minimum oxide definition width

Номер патента: US09461161B1. Автор: Jun Liu,Qi Xiang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuit including cell array with write assist cell

Номер патента: US20220148644A1. Автор: Taemin CHOI,Seongook JUNG,Keonhee Cho,Heekyung Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory device including sub-wordline driver located below memory cell array

Номер патента: US20240079047A1. Автор: Sangyun Kim,Younghun Seo,Suhwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Test structure for a single-sided buried strap DRAM memory cell array

Номер патента: US20050051765A1. Автор: Andreas Felber,Valentin Rosskopf,Susanne Lachenmann,Sibina Sukman-Prahofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-10.

Integrated circuit including cell array with word line assist cells

Номер патента: US20220139442A1. Автор: Taemin CHOI,Seongook JUNG,Keonhee Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-05-05.

Integrated circuit including cell array with write assist cell

Номер патента: US11636894B2. Автор: Taemin CHOI,Seongook JUNG,Keonhee Cho,Heekyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-25.

Semiconductor device including memory cell having capacitor

Номер патента: US20100214823A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Takita,Hiroyoshi Tomita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-26.

Memory device including memory cells and edge cells

Номер патента: US20240153550A1. Автор: Atuk KATOCH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Integrated DRAM memory cell and DRAM memory

Номер патента: US6445609B2. Автор: Alexander Frey,Werner Weber,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-03.

Memory device having different numbers of bits stored in memory cells

Номер патента: US20210043244A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Integrated DRAM memory cell and DRAM memory

Номер патента: US20010036102A1. Автор: Alexander Frey,Werner Weber,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor integrated circuit device and system with memory cell array

Номер патента: US09368194B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device including memory cell having capacitor

Номер патента: US20120225531A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Takita,Hiroyoshi Tomita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Layout of a memory cell of an integrated circuit

Номер патента: US20200320174A1. Автор: Amira Rozenfeld,Rolf Sautter,Shankar Kalyanasundaram,Rajesh Veerabhadraiah,Ananth Nag Raja Darla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Memory device comprising stacked memory cells and electronic device including the same

Номер патента: US09748274B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Shionoiri,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20230269926A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Test structure for determining a doping region of an electrode connection between a trench capacitor and a selection transistor in a memory cell array

Номер патента: US20040061110A1. Автор: Andreas Felber,Valentin Rosskopf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-01.

Vertical memory cell and conductive shield structure

Номер патента: WO2023076261A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Richard E. Fackenthal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-04.

Memory device with memory cell structure including ferroelectric data storage layer, and a first gate and a second gate

Номер патента: US10896711B2. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Seung Hyun Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-19.

Circuit for enhancing robustness of sub-threshold SRAM memory cell

Номер патента: US9236115B2. Автор: Yue Feng,Yuan Chen,Jun Yang,Hong Chang,Fei Pan,Xinning Liu,Na Bai,Longxing Shi,Jiafeng Zhu,Cai Gong,Yifeng Deng,Yingcheng Xia. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-01-12.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: EP3143650A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-03-22.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: US20170249983A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-08-31.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09899072B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09697881B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells

Номер патента: US09460770B1. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US20170271341A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory cell including multi-level sensing

Номер патента: US20190043570A1. Автор: Bruce Querbach,Christopher CONNOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device with memory cells arranged in high density

Номер патента: US20040156255A1. Автор: Yasuhiko Tsukikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Memory cell with improved write margin

Номер патента: US09646681B1. Автор: Sei Seung Yoon,ChangHo Jung,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Phase Change Memory Cell Structure

Номер патента: US20120187362A1. Автор: Chieh-Fang Chen,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-26.

Integrated circuit including an array of memory cells and method

Номер патента: US20100027325A1. Автор: Lothar Risch,Peter Baars,Thomas Happ,Stefan Tegen,Klaus Muemmler,Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-02-04.

3d memory cells and array structures

Номер патента: US20240233822A9. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20240284666A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

High-density phase change cell array and phase change memory device having the same

Номер патента: US7136299B2. Автор: Jung Ho Kim,Eu Gene Chu,Ju Ho Mo,Seong Taek Park,Hyun Yong Lim,Pyeong Han Lee,Ja Choon Jeong. Владелец: BeyondMicro Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

A cell array with a manufacturable select gate for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2015051452A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc.. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor memory device including non-volatile memory cell array having MOS structure in well region formed on semiconductor substrate

Номер патента: US20020057623A1. Автор: Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Select transistor architecture for a virtual ground non-volatile memory cell array

Номер патента: WO2002031879A3. Автор: Shane C Hollmer,Mark W Randolph,Richard M Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Memory cell array

Номер патента: US5804854A. Автор: Sung Mun Jung,Jong Ho Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-08.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and memory element between channel region and conductive plate

Номер патента: US20240074211A1. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of forming a molecular memory element in a via hole

Номер патента: WO2011013092A1. Автор: Ralf Richter,Stephan Kronholz,Markus Lenski. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2011-02-03.

Three-dimensional flash memory having structure with extended memory cell area

Номер патента: US20240312520A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory cell

Номер патента: EP1293988A3. Автор: Lung T. Tran,Heon Lee. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-07-14.

Memory cell for fast erasable programmable read-only memory and method of its programming

Номер патента: RU2481653C2. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Виктор Николаевич Мурашев. Дата публикации: 2013-05-10.

3d memory cells and array structures

Номер патента: WO2024086679A3. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Hsu Fu Chang. Дата публикации: 2024-05-30.

3d memory cells and array structures

Номер патента: WO2024086679A2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Hsu Fu Chang. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of erasing memory cell

Номер патента: US20110158003A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory including memory cells having different sizes

Номер патента: US20240284670A1. Автор: Moon Soo Sung,Dong Hun Kwak,Woo Pyo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Flash memory cell array and method of programming, erasing and reading the same

Номер патента: US5982671A. Автор: Jong Oh Kim,Ho Cheol Kang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Non-volatile memory cell, non-volatile memory cell array, and method of manufacturing the same

Номер патента: US11950519B2. Автор: Zhiqiang Wei,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Non-volatile memory cell, non-volatile memory cell array, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395539A1. Автор: Zhiqiang Wei,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Non-volatile memory cell, non-volatile memory cell array, and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2020257005A1. Автор: Zhiqiang Wei,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2020-12-24.

A novel nvram memory cell architecture that integrates conventional sram and flash cells

Номер патента: EP1779390A2. Автор: Peter W. Lee. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-02.

A novel nvram memory cell architecture that integrates conventional sram and flash cells

Номер патента: EP1779390A4. Автор: Peter W Lee. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2007-12-26.

Power control over memory cell arrays

Номер патента: US09666266B1. Автор: Hongbin Ji,Ephrem C. Wu,Thomas H. Strader. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US20010028597A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Memory cell array of a static random access memory and a static random access memory including the same

Номер патента: US20240233812A1. Автор: Hyunjun Kim,Seongook JUNG,Keonhee Cho,Sekeon Kim,Kyeongrim Baek. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including main amplifers between memory cell arrays

Номер патента: US09443573B2. Автор: Hidekazu Egawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Redundancy schemes for memory cell repair

Номер патента: US09911510B1. Автор: Young Suk Kim,Lalit Gupta,Fakhruddin Ali Bohra,Vivek Nautiyal,Pranay Prabhat,Jungtae Kwon,Shri Sagar Dwivedi,Satinderjit Singh. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Data memory with redundant memory cells used for buffering a supply voltage

Номер патента: US6724667B2. Автор: Sabine Kling,Andreas Baenisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-20.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconducotr memory device including non-volatile memory cell array

Номер патента: US09436545B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Sang-Bo Lee,Chul-Sung Park,Chi-Sung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory architecture dividing memory cell array into independent memory banks

Номер патента: US09466355B2. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Apparatus and method for controlling erasing data in ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190287602A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Three-dimensional (3-d) write assist scheme for memory cells

Номер патента: US20220343958A1. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor memory device consistently operating a plurality of memory cell arrays distributed in arrangement

Номер патента: US5986964A. Автор: Takeshi Hamamoto,Kiyohiro Furutani,Takuya Ariki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Systems, methods, and computer programs for providing row tamper protection in a multi-bank memory cell array

Номер патента: US09779798B1. Автор: Jungwon Suh,Alexander Gantman,Yanru Li,Dexter Chun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Three-dimensional (3-d) write assist scheme for memory cells

Номер патента: US20190096458A1. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Read-out circuit for a dynamic memory circuit, memory cell array, and method for amplifying and reading data stored in a memory cell array

Номер патента: US20040090833A1. Автор: Peter Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-13.

Bipolar resistive-switching memory with a single diode per memory cell

Номер патента: US8750021B2. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20130107607A1. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20140247649A1. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Bipolar resistive-switching memory with a single diode per memory cell

Номер патента: US8369131B2. Автор: Yun Wang,Tony Chiang,Prashant B Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20130314974A1. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US09940998B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

6T static random access memory cell, array and memory thereof

Номер патента: US09627040B1. Автор: Hiroyuki Yamauchi,Meng-Fan Chang,Chien-Fu Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device having a different source line coupled to each of a plurality of layers of memory cell arrays

Номер патента: US09564227B2. Автор: Akira Goda,Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory systems and methods of managing failed memory cells of semiconductor memories

Номер патента: US09330791B2. Автор: Sangyeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor memory device for use in apparatus requiring high-speed access to memory cells

Номер патента: USRE36404E. Автор: Kenichi Nakamura,Yasushi Kameda,Hiroshi Takamoto,Takayuki Harima,Makoto Segawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Memory circuit and method for refreshing dynamic memory cells

Номер патента: US20070258307A1. Автор: Wolfgang Ruf,Manfred Proell,Stephan Schroeder,Hermann Haas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-08.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory cell array divided type multi-port semiconductor memory device

Номер патента: US5249165A. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-09-28.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US6366525B2. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-04-02.

Memory cell selector for high-voltage set and reset operations

Номер патента: US12087359B2. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor storage device writing data into memory cells using a half selected state and a write state

Номер патента: US09418740B2. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Anti-fuse memory cell state detection circuit and memory

Номер патента: US11854633B2. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230253041A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory cell array

Номер патента: US20150009749A1. Автор: Hsin-Wen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Read Circuitry for an Integrated Circuit Having Memory Cells and/or a Memory Cell Array, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110216609A1. Автор: Philippe Bauser. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-09-08.

Memory elements with dynamic pull-up weakening write assist circuitry

Номер патента: EP3449485A1. Автор: Rajiv Kumar,Wei Yee Koay. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2019-03-06.

Memory elements with dynamic pull-up weakening write assist circuitry

Номер патента: US09767892B1. Автор: Rajiv Kumar,Wei Yee Koay. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Systems, and devices, and methods for programming a resistive memory cell

Номер патента: US09576658B2. Автор: Xiaonan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Device and method for associating information concerning memory cells of a memory with an external memory

Номер патента: US20030120891A1. Автор: Martin Rieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Memory cell verification circuits, memory cell sense circuits and memory cell verification methods

Номер патента: US9799398B2. Автор: Makoto Kitagawa,Kerry Tedrow. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory cell array semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5654914A. Автор: Hideshi Maeno,Koji Nii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-08-05.

Memory device and memory system capable of using redundancy memory cells

Номер патента: US11901032B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Dual-precision analog memory cell and array

Номер патента: WO2020112576A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2020-06-04.

Dual-precision analog memory cell and array

Номер патента: US11887645B2. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Dual-precision analog memory cell and array

Номер патента: US20200176046A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Dual-precision analog memory cell and array

Номер патента: US20210257014A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Dual-precision analog memory cell and array

Номер патента: US20240105247A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Enhanced read sensing margin for sram cell arrays

Номер патента: US20210090639A1. Автор: Sudhir Kumar,Sudhir Kumar Sharma,M. Sultan M. SIDDIQUI,Ravindra Kumar Shrivastava. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Bimodal operation mode of ferroelectric and electret memory cells and memory units on their basis

Номер патента: RU2329553C1. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен,Гёран ГУСТАФССОН,Исак ЭНГКУИСТ. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2008-07-20.

Ferroelectric memory device having two columns of memory cells precharged to separate voltages

Номер патента: US6097623A. Автор: Takeshi Sakata,Katsutaka Kimura,Tomonori Sekiguchi,Masanori Isoda,Kazuhiko Kajigaya,Hiroki Fujisawa. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Integrated memory having a cell array and charge equalization devices, and method for the accelerated writing of a datum to the integrated memory

Номер патента: US6594188B2. Автор: Dirk Hottgenroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-15.

Devices, methods, and systems for a multilevel memory cell

Номер патента: US20240185903A1. Автор: Stefano Sivero. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated memory having a cell array and charge equalization devices, and method for the accelerated writing of a datum to the integrated memory

Номер патента: US20020097620A1. Автор: Dirk Hottgenroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-25.

Programming non-volatile storage includng reducing impact from other memory cells

Номер патента: EP2561511A1. Автор: Ken Oowada,Yingda Dong,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-02-27.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20200005849A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20190108866A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: EP3449484A1. Автор: Eric S. CARMEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: WO2022212129A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-06.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10395714B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10127963B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-13.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US20170316815A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device enabling refreshing of redundant memory cell instead of defective memory cell

Номер патента: US20150049564A1. Автор: Yuki Hosoe. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-02-19.

Concurrent slow-fast memory cell programming

Номер патента: US20230307055A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: US12080359B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US09799388B1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device capable of determining an initial program condition for different memory cells

Номер патента: US09679651B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory with a voltage-adjustment circuit to adjust the operating voltage of memory cells for BTI effect screening

Номер патента: US09627041B1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Programming memory cells

Номер патента: US09543001B1. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device having cell array divided into a plurality of cell blocks

Номер патента: US5862090A. Автор: Kenji Numata,Syuso Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-01-19.

Device for sensing data in a multi-bit memory cell using a multistep current source

Номер патента: US6069821A. Автор: Woong Lim Choi,Dae Mann Kim,Si Bum Jun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Ternary memory cell for logic-in-memory and memory device comprising same

Номер патента: US11727988B2. Автор: Jae Won Jeong,Kyung Rok Kim,Young Eun Choi. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor memory cell array and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20130003479A1. Автор: Sang-woong Shin,Seong-Jin Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-03.

Apparatuses including multi-level memory cells and methods of operation of same

Номер патента: US11798620B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor memory cell array and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20100214861A1. Автор: Sang-woong Shin,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-26.

Iterative memory cell charging based on reference cell value

Номер патента: WO2007134301A2. Автор: Michael J. Cornwell,Christopher P. Dudte. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Methods and systems to improve write response times of memory cells

Номер патента: US20100165756A1. Автор: Feroze A. Merchant,John Reginald Riley,Vinod Sannareddy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US20230267987A1. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Single-Port Read Multiple-Port Write Storage Device Using Single-Port Memory Cells

Номер патента: US20140177324A1. Автор: Sheng Liu,Ting Zhou. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Method and device for multi-level programming of a memory cell

Номер патента: EP1020870A1. Автор: Chin Hsi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-19.

Apparatus and methods for programming memory cells responsive to an indication of age of the memory cells

Номер патента: US11735253B2. Автор: Pin-Chou Chiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US12094516B2. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Programmable logic device memory cell circuit

Номер патента: EP1025564A1. Автор: Bruce B. Pedersen,David E. Jefferson. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-08-09.

Memory device including memory cell for generating reference voltage

Номер патента: US09972371B2. Автор: Soo-ho Cha,Chankyung Kim,Sungchul Park,Kwangchol CHOE,Hoyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09837142B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09805823B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US09767880B1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Stressing and testing semiconductor memory cells

Номер патента: US09704567B1. Автор: Juergen Pille,Stefan Payer,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Apparatuses and methods of reading memory cells based on response to a test pulse

Номер патента: US09672908B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Contemporaneous Margin Verification And Memory Access For Memory Cells In Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20110267871A1. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Voltage profile for reduction of read disturb in memory cells

Номер патента: WO2021080829A1. Автор: Hongmei Wang,Mingdong Cui,Michel Ibrahim Ishac. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory device including ternary memory cell

Номер патента: US20220413800A1. Автор: Myoung Kim,Jae Won Jeong,Youngeun CHOI,Kyung Rok Kim,Wooseok Kim. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US11735244B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Mitigating reliability degradation of analog memory cells during long static and erased state retention

Номер патента: US9455040B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Moshe Neerman,Avraham Poza Meir,Yael Shur,Etai Zaltsman,Meir Dalal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Ferroelectric memory cell access

Номер патента: US12062389B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for programming a memory device suitable to minimize the lateral coupling effects between memory cells

Номер патента: US20060203544A1. Автор: Angelo Visconti,Mauro Bonanomi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-09-14.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Power reduction for a sensing operation of a memory cell

Номер патента: US09990977B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Non-volatile SRAM memory cell, and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09842650B2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai,Tatsuro Toya. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory cell programming utilizing conditional enabling of memory cells

Номер патента: US09767909B1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Parallel programming of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09576647B2. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Determining soft data for combinations of memory cells

Номер патента: US09543000B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Mark A. Hawes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Mitigating reliability degradation of analog memory cells during long static and erased state retention

Номер патента: US09455040B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Moshe Neerman,Avraham Poza Meir,Yael Shur,Etai Zaltsman,Meir Dalal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory device having a different source line coupled to each of a plurality of layers of memory cell arrays

Номер патента: US20160064085A1. Автор: Akira Goda,Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Two-terminal one-time programmable fuses for memory cells

Номер патента: US11948630B2. Автор: Federico Nardi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Circuit and a method of determining the resistive state of a resistive memory cell

Номер патента: EP1847999A9. Автор: Jens Egerer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-06-15.

Circuit for memory cell recovery

Номер патента: US20130272077A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jente B. Kuang,Carl J. Radens,Rouwaida N. Kanj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Method and apparatus for faster deterimation of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US20160372192A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Writing a multibit resistance-switching memory cell including a dummy resistance, resistance switching elements and diodes

Номер патента: EP2415052A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Programming nonvolatile memory cells through a series of predetermined threshold voltages

Номер патента: US20200202945A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

All level coarse/fine programming of memory cells

Номер патента: US20230317171A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Memory cell sensing architecture

Номер патента: US20240257855A1. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory cell sensing using two step word line enabling

Номер патента: US12073864B2. Автор: Makoto Kitagawa,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Data reading method in semiconductor storage device capable of storing three-or multi-valued data in one memory cell

Номер патента: US5682347A. Автор: Katsuki Hazama. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-10-28.

Programming and reading five bits of data in two non-volatile memory cells

Номер патента: US20080084740A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Computer-readable medium encoding a back-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7742327B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-22.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20070201261A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Multi-Bit Resistance-Switching Memory Cell

Номер патента: US20120140546A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for driving memory cells of a dynamic semiconductor memory and circuit configuration

Номер патента: US20030103376A1. Автор: HELMUT Fischer,Michael Sommer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7787285B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20080278992A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Memory devices including tri-state memory cells

Номер патента: US20240282370A1. Автор: Yuan He,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Method and circuit for locating anomalous memory cells

Номер патента: US20050169089A1. Автор: Matteo Patelmo,Massimo Bassi,Stefano Scuratti,Rosario Portoghese. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-08-04.

Devices, methods, and systems for calibrating a read voltage used for reading memory cells

Номер патента: US20240265959A1. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Palludo. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and circuit for locating anomalous memory cells

Номер патента: US7072239B2. Автор: Matteo Patelmo,Massimo Bassi,Stefano Scuratti,Rosario Portoghese. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-04.

Apparatuses and methods including memory cells, digit lines, and sense amplifiers

Номер патента: US20220036940A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US12106809B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Simplified operations to read memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US12073892B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and apparatus for faster determination of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US09953706B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09754674B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods and apparatuses having a voltage generator with an adjustable voltage drop for representing a voltage drop of a memory cell and/or a current mirror circuit and replica circuit

Номер патента: US09728256B2. Автор: Umberto Di Vincenzo,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Mitigation of data retention drift by programming neighboring memory cells

Номер патента: US09583199B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Avraham Poza Meir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonvolatile memory device having variable resistance memory cells and a method of resetting by initially performing pre-read or strong set operation

Номер патента: US09552879B2. Автор: Youngbae Kim,Yongkyu Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09502125B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method and apparatus for faster determination of a cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US09496031B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Reading a multi-bit value from a memory cell

Номер патента: US09449682B2. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-20.

Tracking mechanism for writing to a memory cell

Номер патента: US09418717B2. Автор: Bing Wang,Kuoyuan (Peter) Hsu,Kai Fan,Derek C. Tao,Yukit TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20210407594A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Non-volatile memory cell with multiple ferroelectric memory elements (FMEs)

Номер патента: US11996144B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory Cell Device and Method for Operating a Memory Cell Device

Номер патента: US20200202901A1. Автор: Gunther Lehmann,Steffen Schumann,Prashant Chaudhry,Frederic Gueganton,Gurushiddappa Naduvinamane. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory Cell Device and Method for Operating a Memory Cell Device

Номер патента: US20210375330A1. Автор: Gunther Lehmann,Steffen Schumann,Prashant Chaudhry,Frederic Gueganton,Gurushiddappa Naduvinamane. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-02.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210319843A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20230187010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Sensing techniques for a memory cell

Номер патента: US20210020221A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for evaluating sram memory cell and computer readable recording medium which records evaluation program of sram memory cell

Номер патента: US20100115352A1. Автор: Kazuyuki Nakamura. Владелец: Kyushu Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2010-05-06.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US12014770B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory configuration including a plurality of resistive ferroelectric memory cells

Номер патента: US20010033516A1. Автор: Kurt Hoffmann,Oskar Kowarik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-25.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US12040038B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Adaptive programming and erasure schemes for analog memory cells

Номер патента: WO2013112336A3. Автор: Ofir Shalvi,Eyal Gurgi,Yoava KASORLA. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-09-26.

Ferroelectric memory with series connected memory cells

Номер патента: EP1514275A1. Автор: Michael Jacob. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-16.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Apparatus and methods for determining data states of memory cells

Номер патента: US11776633B2. Автор: Violante Moschiano,Ugo Russo,William C. Filipiak,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and methods for determining data states of memory cells

Номер патента: US20200194084A1. Автор: Violante Moschiano,Ugo Russo,William C. Filipiak,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Method of Screening Static Random Access Memories for Unstable Memory Cells

Номер патента: US20130028036A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Floating body volatile memory cell two-pass writing method

Номер патента: WO2007002054A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Redundancy concept for memory circuits having ROM memory cells

Номер патента: US5986952A. Автор: Manfred Bromba,Eckehard Plättner,Konrad SCHÖNEMANN,Jochen Breilmann,Roderick McConnell,Klaus Bernauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-16.

Erasing memory cells

Номер патента: US20190267095A1. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Methods and apparatus utilizing expected coupling effect in the programming of memory cells

Номер патента: US20100259978A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Memory apparatus with gated phase-change memory cells

Номер патента: US20130322168A1. Автор: Daniel Krebs,Gael Close. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Systems and methods to reduce interference between memory cells

Номер патента: US20080205155A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Random Access Memory With A Plurality Of Symmetrical Memory Cells

Номер патента: US20070041240A1. Автор: Juergen Pille,Chad Adams,Torsten Mahuke,Oto Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Devices, methods, and systems for calibrating a sensing capacitor used in a sensing circuit for reading memory cells

Номер патента: US20240312507A1. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Palludo. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Reading a multi-level memory cell

Номер патента: US20240321347A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Agostino Pirovano,Mattia Robustelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Ground reference scheme for a memory cell

Номер патента: US09934837B2. Автор: Daniele Vimercati,Umberto Di Vincenzo,Christopher John Kawamura,Scott James Derner,Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatuses, methods, and systems for increasing a speed of removal of data from a memory cell

Номер патента: US09858984B2. Автор: Shigeki Tomishima,Helia Naeimi,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Inferring threshold voltage distributions associated with memory cells via interpolation

Номер патента: US09779828B2. Автор: William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Apparatus for adjusting supply level to improve write margin of a memory cell

Номер патента: US09666268B2. Автор: Yih Wang,Fatih Hamzaoglu,Muhammad M. Khellah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Multiport memory cell having improved density area

Номер патента: US09627038B2. Автор: Dennis Wendell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Threshold voltage grouping of memory cells in same threshold voltage range

Номер патента: US09536601B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Initialization techniques for multi-level memory cells using multi-pass programming

Номер патента: US09460780B2. Автор: Aaron Lee,Mrinal Kochar,Mikhail Palityka,Abhijeet Bhalerao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory and method for sensing sub-groups of memory elements

Номер патента: USRE37409E1. Автор: Lawrence Lai,Richard M. Barth,Wayne S. Richardson,Donald C. Stark. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2001-10-16.

Ferroelectric nonvolatile memory element having capacitors of same dielectric constant and method thereof

Номер патента: US6094369A. Автор: Takaaki Fuchikami,Takanori Ozawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-07-25.

Memory cell selector for high-voltage set and reset operations

Номер патента: WO2023244583A1. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory cell selector for high-voltage set and reset operations

Номер патента: US20230402093A1. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096466A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096467A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Methods and systems for improving read and write of memory cells

Номер патента: US12027230B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20230395114A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20240096390A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory cell array structures and methods of forming the same

Номер патента: US09773844B2. Автор: Roberto Somaschini,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo,Gabriel L. Donadio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory cell array, and information writing method of nonvolatile memory cell array

Номер патента: US20220262420A1. Автор: Takashi Yokoyama,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Arrays of nonvolatile memory cells comprising a repetition of a unit cell, arrays of nonvolatile memory cells comprising a combination of vertically oriented and horizontally oriented memory cells, and arrays of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620174B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Electronic device having flash memory array formed in at different level than variable resistance memory cells

Номер патента: US09337239B2. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Authentication system having a non-volatile memory including memory cells in initial or variable states and a host computer for performing authentication therebetween

Номер патента: US09898598B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods for nondestructive information reading from ferroelectric memory elements

Номер патента: RU2383945C2. Автор: Юрий Генрихович Кригер. Владелец: Юрий Генрихович Кригер. Дата публикации: 2010-03-10.

Forming control method applied to resistive random-access memory cell array

Номер патента: US12063774B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang,I-Lang Lin,Meng-Chiuan WU. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Programming and verifying method for multilevel memory cell array

Номер патента: US11250921B1. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ming Ku,Ying-Je Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-15.

Memory cell array latchup prevention

Номер патента: US20140211547A1. Автор: Helmut Puchner,Nayan Patel,Shahin Sharifzadeh,Ravindra M Kapre. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Cryptographic processing device having a non-volatile memory including memory cells in an initial or a variable state

Номер патента: US09921975B2. Автор: Takuji Maeda,Shinji Inoue,Yoshikazu Katoh,Masato Suto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory cell array latchup prevention

Номер патента: US09842629B2. Автор: Helmut Puchner,Nayan Patel,Shahin Sharifzadeh,Ravindra M Kapre. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Address decoder unit for a memory cell array

Номер патента: US20240127875A1. Автор: Yves Godat,Lubomir Plavec. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-04-18.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20120268988A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory cell array, and information writing method of nonvolatile memory cell array

Номер патента: US11996130B2. Автор: Takashi Yokoyama,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US20240257880A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US20200342939A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: WO2024162973A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Louisa Schneider,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US12131786B2. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09978450B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory system with MLC memory cells and partial page compression or reduction

Номер патента: US09858994B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler,Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09847131B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09715932B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09679648B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US9490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory cells, memory systems, and memory programming methods

Номер патента: US09911489B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,D. V. Nirmal Ramaswamy,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US09490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US20170004887A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Memory circuit comprising a plurality of 1T1R memory cells

Номер патента: US12033696B2. Автор: Laurent Grenouillet,Carlo Cagli,Olivier Billoint. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-09.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US20160141049A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US09922721B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for reading out a resistive memory cell and a memory cell for carrying out the method

Номер патента: US09865343B2. Автор: Ilia Valov,Rainer Waser,Jan Van Den Hurk,Elke Linn. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2018-01-09.

Non-volatile register file including memory cells having conductive oxide memory element

Номер патента: US20180331281A1. Автор: Brian Doyle,Sasikanth Manipatruni,Dmitri E. Nikonov,Ian Young,Elijah Ilya KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Memory arrays with a memory cell adjacent to a smaller size of a pillar having a greater channel length than a memory cell adjacent to a larger size of the pillar and methods

Номер патента: US09391082B2. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Nonvolatile configuration cells and cell arrays

Номер патента: US6052309A. Автор: Raminda U. Madurawe,James D. Sansbury. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Current delivery and spike mitigation in a memory cell array

Номер патента: US20190043923A1. Автор: Shafqat Ahmed,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

System and method for reducing cell area and current leakage in anti-fuse cell array

Номер патента: US11758715B2. Автор: Yih Wang,Shao-Yu Chou,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory having redundancy memory cells

Номер патента: US5761139A. Автор: Noboru Shibata,Hideo Kato,Takafumi Ikeda,Yoshio Mochizuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US20160071596A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20240265969A1. Автор: Richard J. Huang,Fu-Chang Hsu,I-Wei Huang,Jui-Hsin Chang,Re-Peng Tsay,Chiahaur Chang. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US09536613B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory cell structure, memory array structure, and voltage biasing method

Номер патента: US20230197152A1. Автор: Ming Liu,Jianguo Yang,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory cell array of multi-time programmable non-volatile memory

Номер патента: US20210287746A1. Автор: Chih-Hsin Chen,Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US09559107B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory cell array unit

Номер патента: US20230385165A1. Автор: Yasuo Kanda,Lui Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell arrays

Номер патента: US20200251493A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory cell array unit

Номер патента: US20230376376A1. Автор: Yasuo Kanda,Lui Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory cell array and variable resistive memory device including the same

Номер патента: US20130313511A1. Автор: Kang Sik Choi,Sung Cheoul KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-28.

Non-volatile memory device including a memory cell in a variable state and a memory cell in an initial state

Номер патента: US10410719B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20190354653A1. Автор: Yu-Der Chih,Chi-Hsiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Programming and verifying method for multi-level memory cell array

Номер патента: EP3968330A1. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ming Ku,Ying-Je Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-16.

Cross point arrays of 1-R nonvolatile resistive change memory cells using continuous nanotube fabrics

Номер патента: US09783255B2. Автор: Claude L. Bertin,C. Rinn Cleavelin,Thomas Rueckes,X. M. Henry Huang,H. Montgomery Manning. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US11917826B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory cell with built-in amplifying function, memory device and method using the same

Номер патента: US11967375B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Hon-Sum Philip Wong,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US11837294B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US11355202B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US10607707B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US10332907B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US20240172442A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20240185930A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20220262443A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20200227122A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Multi-time programming memory cell and memory cell array with erase inhibit capability

Номер патента: EP3667670A1. Автор: Chih-Hsin Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-17.

Gated ferroelectric memory cells for memory cell array and methods of forming the same

Номер патента: US12069868B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Gated Ferroelectric Memory Cells for Memory Cell Array and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240357834A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Filament confinement in reversible resistance-switching memory elements

Номер патента: US09805793B2. Автор: Ashot Melik-Martirosian,Juan Saenz,Alvaro Padilla,Bijesh Rajamohanan,Mohsen Purahmad. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Content addressable memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US09443590B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell and anti-fuse type one-time programmable memory cell arrays

Номер патента: US09418754B2. Автор: Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory cell array

Номер патента: US8391046B2. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Masatoshi Ono,Yuichiro Masuda,Shigeo Furuta. Владелец: Funai Electric Advanced Applied Technology Research Institute Inc. Дата публикации: 2013-03-05.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20150029789A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-01-29.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230394214A1. Автор: Yu-Der Chih,Chi-Hsiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of forming a memory cell array circuit

Номер патента: US11922108B2. Автор: Yu-Der Chih,Chi-Hsiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Address decoder unit for a memory cell array

Номер патента: EP4354442A1. Автор: Yves Godat,Lubomir Plavec. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-04-17.

High Density Vertical Thyristor Memory Cell Array with Improved Isolation

Номер патента: US20200135738A1. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

High Density Vertical Thyristor Memory Cell Array with Improved Isolation

Номер патента: US20180053766A1. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Content addressable memory cells and memory arrays

Номер патента: US09711222B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

3D Stacked High-Density Memory Cell Arrays and Methods of Manufacture

Номер патента: US20200258562A1. Автор: Harry Luan. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US11948637B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory cell array with increased source bias voltage

Номер патента: US20240049470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Chen-Jun Wu,Sun-Yi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Resistive memory cell and associated cell array structure

Номер патента: US20230262994A1. Автор: Chun-Hung Lin,Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

High density embedded flash cell array structure

Номер патента: US20240274195A1. Автор: Dong-Hyuk Chae. Владелец: Semibrain Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device capable of concurrently transferring data over read paths and write paths to a memory cell array

Номер патента: US5657273A. Автор: Yoshinobu Nakagome,Takao Watanabe,Kazushige Ayukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Memory cell and memory cell array of magnetoresistive random access memory operated by negative voltage

Номер патента: US20200327917A1. Автор: Chia-Fu Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Methods and apparatus for pattern matching in a memory containing sets of memory elements

Номер патента: US10984864B2. Автор: Vishal Sarin,Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Memory Cells, Memory Cell Arrays, Methods of Using and Methods of Making

Номер патента: US20240185917A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for using a multi-use memory cell and memory array

Номер патента: US20070070690A1. Автор: Tanmay Kumar,Roy Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Memory cells, memory systems, and memory programming methods

Номер патента: US10783961B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,D. V. Nirmal Ramaswamy,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-22.

Memory cell of non-volatile memory

Номер патента: US11877456B2. Автор: Wein-Town Sun,Ying-Je Chen,Chun-Hsiao Li,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20220208262A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Techniques for reading memory cells in a memory device during a multi-pass programming operation

Номер патента: US12057169B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Zhenni Wan,Bo Lei,Nidhi AGRAWAL. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of forming an integrated circuit chip having two types of memory cells

Номер патента: US09935001B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit chip having two types of memory cells

Номер патента: US09576644B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory device including nonvolatile memory cell

Номер патента: US09336894B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Ji-Hoon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Non-volatile register file including memory cells having conductive oxide memory element

Номер патента: US20160141031A1. Автор: Brian Doyle,Sasikanth Manipatruni,Dmitri E. Nikonov,Ian Young,Elijah Ilya KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for reading out a resistive memory cell and a memory cell for carrying out the method

Номер патента: US20170162260A1. Автор: Ilia Valov,Rainer Waser,Jan Van Den Hurk,Elke Linn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-08.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20210020239A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20200294586A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20200035297A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Performing read operations on grouped memory cells

Номер патента: US20220392500A1. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20020179963A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20010038119A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12100611B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US09953705B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Twin memory cell interconnection structure

Номер патента: US09941012B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

MTP-thyristor memory cell circuits and methods of operation

Номер патента: US09761295B2. Автор: Harry Luan,Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Apparatuses having a vertical memory cell

Номер патента: US09577092B2. Автор: Wolfgang Mueller,Kamal M. Karda,Rajesh N. Gupta,Chandra V. Mouli,Srinivas Pulugurtha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device having memory strings including drain-side and source-side memory cells connected to pipe transistor and peripheral circuit suitable for applying pipe gate voltage to pipe transistor during read operation

Номер патента: US09558827B2. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Operating methods of nonvolatile memory devices including a ground select transistor and first and second dummy memory cells

Номер патента: US09548123B2. Автор: Kihyun Kim,Byeong-In Choe,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Woonkyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

High density single-transistor antifuse memory cell

Номер патента: US09496270B2. Автор: Paul A. Nygaard. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of exchanging data with memory cells or other devices and their addressing

Номер патента: RU2625023C2. Автор: . Владелец: Косухин Вячеслав Алексеевич. Дата публикации: 2017-07-11.

Resistance memory cell

Номер патента: US9934851B2. Автор: Mark D. Kellam,Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods and apparatus for pattern matching having memory cell pairs coupled in series and coupled in parallel

Номер патента: US10622072B2. Автор: Vishal Sarin,Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-14.

System and method for reducing cell area and current leakage in anti-fuse cell array

Номер патента: US20210249422A1. Автор: Yih Wang,Shao-Yu Chou,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

3d memory semiconductor devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240224545A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Protecting memory cells from in-process charging effects

Номер патента: US20190206498A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

3D memory semiconductor devices and structures with memory cells preliminary class

Номер патента: US12041792B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: EP3729437A2. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: WO2019126416A2. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20200258885A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20190267380A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-08-29.

Non-volatile three-dimensional memory cell, storage method, and chip assembly

Номер патента: US20240320180A1. Автор: Jun Zhou,Bin Hou,Fengguo ZUO. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US09997701B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Individually read-accessible twin memory cells

Номер патента: US09653470B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Twin memory cell interconnection structure

Номер патента: US09627068B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-04-18.

MTP-thyristor memory cell circuits and methods of operation

Номер патента: US09484068B2. Автор: Harry Luan,Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US09472755B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for programming a non-volatile memory cell comprising a shared select transistor gate

Номер патента: US09443598B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-09-13.

Nonvolatile memory cell comprising switchable resistor and transistor

Номер патента: EP1908110B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-12-29.

Semiconductor integrated circuit with connecting lines for connecting conductive lines of a memory cell array to a driver

Номер патента: US7721239B2. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Toshiki Hisada,Shigeru Ishibashi,Yoshiko Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-18.

Flash memory cell arrays having dual control gates per memory cell charge storage element

Номер патента: EP1556866A1. Автор: Eliyahou Harari. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-07-27.

Flash Memory Cell Arrays Having Dual Control Gates Per Memory Cell Charge Storage Element

Номер патента: US20110287619A1. Автор: Eliyahou Harari. Владелец: Eliyahou Harari. Дата публикации: 2011-11-24.

3d memory cells and array structures

Номер патента: US20240135992A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-25.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US12033692B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional (3d) memory cell with read/write ports and access logic on different tiers of the integrated circuit

Номер патента: EP2973706A1. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Memory device including multiple decks of memory cells and pillars extending through the decks

Номер патента: US20220068956A1. Автор: Roger W. Lindsay,John Hopkins,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Shawn D. Lyonsmith,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Lisa M. Clampitt,Kevin Y. Titus,Martin Jared Barclay,Pavithra Natarajan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210066272A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and shield structures

Номер патента: US20240251543A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20200083225A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory Cells, Memory Cell Constructions, and Memory Cell Programming Methods

Номер патента: US20130322158A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

P-channel dynamic flash memory cells with ultrathin tunnel oxides

Номер патента: US20020093045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for the allocation of addresses in the memory cells of a rechargeable energy accumulator

Номер патента: US20090207680A1. Автор: Joachim Froeschl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2009-08-20.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240282369A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240274187A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240274186A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20240312530A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for the allocation of addresses in the memory cells of a rechargeable energy accumulator

Номер патента: US7821226B2. Автор: Joachim Froeschl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2010-10-26.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: EP4409629A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Flash memory cell and associated decoders

Номер патента: US09953719B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Random number processing device generating random numbers by using data read from non-volatile memory cells, and integrated circuit card

Номер патента: US09823899B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of reading six-transistor cross-coupled thyristor-based SRAM memory cells

Номер патента: US09741413B2. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Three-dimensional (3D) memory cell separation among 3D integrated circuit (IC) tiers, and related 3D integrated circuits (3DICs), 3DIC processor cores, and methods

Номер патента: US09583179B2. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US9583498B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonvolatile memory cells having an embedded selection element and nonvolatile memory cell arrays including the nonvolatile memory cells

Номер патента: US20210066585A1. Автор: Sang Min Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-04.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12033884B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device with improved insulating film and floating gate arrangement to decrease memory cell size without reduction of capacitance

Номер патента: US8212305B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20240233819A9. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Semiconductor device having a redundant memory cell and method for recovering the same

Номер патента: US20050052911A1. Автор: Ryo Haga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor device having a redundant memory cell and method for recovering the same

Номер патента: US20040047192A1. Автор: Ryo Haga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

ROM storing information by using pair of memory cells

Номер патента: US20070064465A1. Автор: Satoyuki Miyako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Integrated memory having a plurality of memory cell arrays and method for operating the integrated memory

Номер патента: US20020110043A1. Автор: Robert Feurle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Memory device for multiplication using memory cells with different thresholds based on bit significance

Номер патента: US20240304255A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory devices including controller for operating nonvolatile memory cell array layer in memory chip in one of memory mode and storage mode

Номер патента: US09799399B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Storage devices having enhanced error detection and memory cell repair

Номер патента: US20240257889A1. Автор: Dong Kim,Inhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Content addressable memory and content addressable memory cell

Номер патента: US20240355408A1. Автор: Chi-Chang Shuai,Yi-Hsin TSENG,Yen-Yao Wang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and method for reading the same using a memory cell array including resistive memory cells to perform a single read command

Номер патента: US09424916B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having uniform layout

Номер патента: US5973970A. Автор: Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Memory cell array and non-volatile memory device

Номер патента: US20090059666A1. Автор: Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: US20210358543A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: EP1590810A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-02.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: WO2004070727A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-08-19.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory architecture with multi-bank memory cell array accessed by local drive circuit within memory bank

Номер патента: US09997224B2. Автор: Ming-Hung Wang,Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Nonvolatile SRAM cells and cell arrays

Номер патента: US5812450A. Автор: Raminda U. Madurawe,James D. Sansbury. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1998-09-22.

Semiconductor memory device with signal lines arranged across memory cell array thereof

Номер патента: US20050259466A1. Автор: Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-24.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: EP3910636A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Semiconductor storage apparatus and memory system comprising memory cell holding data value of multiple bits

Номер патента: US09922707B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory device having a shareable error correction code cell array

Номер патента: US09859022B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Sang-Hoon Shin,Hae-Suk LEE,Kyo-Min Sohn,Ju-Yun JUNG,Bu-Il Jung,Soo-Hyeong KIM,Han-vit Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device performing program and program verify operation on the memory cell array including pass/fail check on the program operation

Номер патента: US09455044B2. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Systems and methods for memory cell accesses

Номер патента: US11948634B2. Автор: Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20060146620A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US7038969B2. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20050088874A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Asymmetrically selecting memory elements

Номер патента: US09934849B2. Автор: Zhiyong Li,Jianhua Yang,Kyung Min Kim. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-03.

Data reading procedure based on voltage values of power supplied to memory cells

Номер патента: US09905284B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Hiroshi Sukegawa,Kenichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Systems and methods for memory cell accesses

Номер патента: US20220246209A1. Автор: Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for erasing a memory cell

Номер патента: US20040047198A1. Автор: Eli Lusky,Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Apparatuses including memory cells and methods of operation of same

Номер патента: EP4456070A2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Electronic device and method for reading data stored in resistive memory cell

Номер патента: US09984748B1. Автор: Tae-hoon Kim,Seung-Hwan Lee,Hyun-Jeong Kim,Woo-Tae LEE,Myoung-Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values

Номер патента: US09892783B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices to store test data in memory cell array

Номер патента: US09761327B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Computing-in-Memory Chip and Memory Cell Array Structure

Номер патента: US20210151106A1. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Beijing Zhicun Witin Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Systems and methods to mitigate program gate disturb in split-gate flash cell arrays

Номер патента: US20160180954A1. Автор: Anirban Roy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-23.

Content addressable memory cell

Номер патента: US7227765B2. Автор: Guido De Sandre,Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2007-06-05.

Method for manufacturing non-volatile memory cell array

Номер патента: US20020031012A1. Автор: Kou-Su Chen,Shih-Chun Fu,Juo-Te Chan. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations

Номер патента: US11501839B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Circuit configuration for reading memory elements

Номер патента: US20020114196A1. Автор: Martin Bloch,Carmen Thalmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Tamper-resistant non-volatile memory device comprising an arithmetic circuit that, in operation, calculates a binary reference value based on at least a part of the pieces of resistance value information, a read circuit that, in operation, selectively assigns, based on the binary reference value, one of two values to each of the pieces of resistance value information, and a write circuit that, in operation, performs a write operation corresponding to one of the two values among memory cells

Номер патента: US09653161B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Resistive semiconductor memory capable of performing incremental step pulse programming (ISPP) based on digital code values of memory cells

Номер патента: US09548114B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-01-17.

Systems and methods to mitigate program gate disturb in split-gate flash cell arrays

Номер патента: US09449707B2. Автор: Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile memory device maintaining a bitline precharge during program verification periods for multi-level memory cells and related programming method

Номер патента: US09418747B2. Автор: Dong-ku Kang,Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile configuration cells and cell arrays

Номер патента: US6078521A. Автор: Raminda U. Madurawe,James D. Sansbury. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Semiconductor memory device having memory cells with floating gates and memory cell threshold voltage control method

Номер патента: US20050174843A1. Автор: Takuya Fujimoto,Yoshiaki Hashiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Nonvolatile memory cell array

Номер патента: WO1988002174A2. Автор: Raymond Alexander Turi,Alan David Poeppelman. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 1988-03-24.

One-time programmable (OTP) memory cell and OTP memory device for multi-bit program

Номер патента: US09524795B2. Автор: Joon-Hyung Lee,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory and method for substituting a redundancy memory cell

Номер патента: US5684740A. Автор: Masayoshi Hirata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-11-04.

Method and circuit arrangement for reading out and for storing binary memory cell signals

Номер патента: US6721219B2. Автор: Helmut Schneider,Dominique Savignac,Sabine Kling,Athanasia Chrysostomides,Peter Pfefferl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-13.

Method and circuit arrangement for reading out and for storing binary memory cell signals

Номер патента: US20030012061A1. Автор: Helmut Schneider,Dominique Savignac,Sabine Kling,Athanasia Chrysostomides,Peter Pfefferl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Method for erasing a memory cell

Номер патента: WO2003036650A2. Автор: Boaz Eitan,Yair Sofer. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd.. Дата публикации: 2003-05-01.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20220068382A1. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20240135990A1. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US11908516B2. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Method and system for discharging the bit lines of a memory cell array after erase operation

Номер патента: US20020091893A1. Автор: Cetin Kaya,Stephen Heinrich-Barna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell array structure and operating method thereof

Номер патента: US09520198B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh,Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory cells, memory cell programming methods, memory cell reading methods, memory cell operating methods, and memory devices

Номер патента: US8154906B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor memory device having redundant memory cells

Номер патента: US5798973A. Автор: Satoshi Isa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-25.

System and method for writing data to memory cells so as to enable faster reads of the data using dual wordline drivers

Номер патента: US5959897A. Автор: Christophe J. Chevallier,Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman,Darrell D. Binerson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Memory device performing multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240177772A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory cell array and non-volatile memory device

Номер патента: US8050094B2. Автор: Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-01.

Regulation method for the source terminal voltage in a non-volatile memory cell during a program phase and corresponding program circuit

Номер патента: US6822905B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-23.

Regulation method for the source voltage in a nonvolatile memory cell during programming and corresponding program circuit

Номер патента: EP1331644A3. Автор: Rino Micheloni,Maria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-02-04.

A content addressable memory cell

Номер патента: EP2261928A3. Автор: Guido De Sandre,Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2011-04-20.

Resistance change memory cell circuits and methods

Номер патента: US20210118504A1. Автор: Brent Steven Haukness. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Resistance change memory cell circuits and methods

Номер патента: US20200286558A1. Автор: Brent Steven Haukness. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Resistance change memory cell circuits and methods

Номер патента: US20190237138A1. Автор: Brent Steven Haukness. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Resistance change memory cell circuits and methods

Номер патента: US20180122471A1. Автор: Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-03.

Resistance change memory cell circuits and methods

Номер патента: US20160019962A1. Автор: Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-01-21.

Resistance change memory cell circuits and methods

Номер патента: US20220293178A1. Автор: Brent Steven Haukness. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Resistance change memory cell circuits and methods

Номер патента: US20140376304A1. Автор: Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2014-12-25.

Resistance change memory cell circuits and methods

Номер патента: US09818480B2. Автор: Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-11-14.

Programming two-terminal memory cells with reduced program current

Номер патента: US09627057B2. Автор: Sang Nguyen,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Resistance change memory cell circuits and methods

Номер патента: US09570171B2. Автор: Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-14.

Non-volatile semiconductor memory device with nand type memory cell arrays

Номер патента: US5978265A. Автор: Fujio Masuoka,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Ryozo Nakayama,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Memory device included in memory system and method for detecting fail memory cell thereof

Номер патента: US20240079074A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: EP3910637A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Memory cell array with reserved sector for storing configuration information

Номер патента: US20140140162A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: US20210350862A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory cell array with reserved sector for storing configuration information

Номер патента: EP2920788A2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-09-23.

Memory cell array with reserved sector for storing configuration information

Номер патента: WO2014078864A2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-22.

Method of test and repair of memory cells during power-up sequence of memory device

Номер патента: US20210065836A1. Автор: Sangyeol Lee,Jonggeon Lee,Youngman Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory cell array

Номер патента: US20230197156A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chih-Chun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method and apparatus for reading a multi-level passive element memory cell array

Номер патента: WO2008016946A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Tyler J Thorp,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2009-01-08.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240005999A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory architecture with multi-bank memory cell array accessed by local drive circuit within memory bank

Номер патента: US20180068700A1. Автор: Ming-Hung Wang,Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US11817155B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory cell array and non-volatile memory device

Номер патента: US20090059667A1. Автор: Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor storage device and method for remedying defects of memory cells

Номер патента: US20030103394A1. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Voltage applications to a memory cell including a resistance change memory element in series with a two-terminal switching element

Номер патента: US11935591B2. Автор: Hiroshi Ito,Masahiro Takahashi,Ryousuke Takizawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory cell array

Номер патента: US5719806A. Автор: Masahiro Matsuo,Masatoshi Yamane. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-17.

Circuit for detecting anti-fuse memory cell state and memory

Номер патента: US11817159B2. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20080177928A1. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8082383B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20120246422A1. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Non-volatile semiconductor memory device capable of pre-conditioning memory cells prior to a data erasure

Номер патента: US6078525A. Автор: Hidetoshi Saito,Masao Kuriyama,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20120063229A1. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Shinya Fujisawa. Дата публикации: 2012-03-15.

Data reading procedure based on voltage values of power supplied to memory cells

Номер патента: US20170263301A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Hiroshi Sukegawa,Kenichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nonvolatile memory cell having current compensated for temperature dependency and data read method thereof

Номер патента: WO2006075202A1. Автор: Ken Takeuchi,Koichi Kawai,Takuya Futatsuyama. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-07-20.

Memory cell array and semiconductor memory

Номер патента: US20080291725A1. Автор: Nobukazu Murata,Tomonori Terasawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Apparatus configured to program memory cells using an intermediate level for multiple data states

Номер патента: US20180211714A1. Автор: Christian Caillat,Akira Goda,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Non-volatile semiconductor memory including memory cells having different charge exhange capability

Номер патента: US20020001230A1. Автор: Ikuto Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Partial local self-boosting of a memory cell channel

Номер патента: US20100238731A1. Автор: Takao Akaogi,Ya-Fen Lin,YouSeok Suh,Yi-Ching Wu,Colin Stewart Bill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Integrated circuit, method to program a memory cell array of an integrated circuit, and memory module

Номер патента: US7796449B2. Автор: Josef Willer,Gert Koebernik. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-09-14.

Cross-point array with threshold switching selector memory element

Номер патента: US20230360700A1. Автор: Michael K. Grobis,Hans Jurgen Richter. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Apparatuses including memory cells and methods of operation of same

Номер патента: SG11201902707WA. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Cross-point array with threshold switching selector memory element

Номер патента: US11996145B2. Автор: Michael K. Grobis,Hans Jurgen Richter. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Non-volatile memory element

Номер патента: US20060198213A1. Автор: Thomas Zettler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: EP3580759A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-18.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180366175A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180226116A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US12057177B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated Circuit Having a Memory Cell Arrangement and Method for Reading a Memory Cell State Using a Plurality of Partial Readings

Номер патента: US20090185425A1. Автор: Detlev Richter,Roberto Ravasio,Gert Koebernik,Girolamo Gallo,Mirko Reissmann,Ramirez Xavier Veredas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20240355398A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US20240312534A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09443566B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-13.

Sensing memory cells coupled to different access lines in different blocks of memory cells

Номер патента: US09373404B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Program control circuit for antifuse-type one time programming memory cell array

Номер патента: US11881274B2. Автор: Po-Ping Wang,Chia-Fu Chang,Jen-Yu Peng. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Program control circuit for antifuse-type one time programming memory cell array

Номер патента: EP4181141A1. Автор: Po-Ping Wang,Chia-Fu Chang,Jen-Yu Peng. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Method for operating a memory cell array

Номер патента: US7113428B2. Автор: Georg Tempel,Matthias Ernst,Martin Steinbrück,Stefan Trost. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-26.

Non-volatile memory device having a fuse type memory cell array

Номер патента: US20230402116A1. Автор: Soyeon Kim,Seongjun Park,Sungbum Park,Keesik AHN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method and apparatus providing a cross-point memory array using a variable resistance memory cell and capacitance

Номер патента: US20110242877A1. Автор: Glen Hush. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-06.

EPROM cell array, method of operating the same, and memory device including the same

Номер патента: US9916898B2. Автор: Yong Seop Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for operating a memory cell array

Номер патента: US20050105353A1. Автор: Georg Tempel,Matthias Ernst,Martin Steinbrück,Stefan Trost. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-05-19.

Non-volatile memory system with secure detection of virgin memory cells

Номер патента: EP4390928A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Non-volatile memory system with secure detection of virgin memory cells

Номер патента: US20240203518A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Analog content addressable memory device, analog content addressable memory cell and method for data searching and comparing thereof

Номер патента: US20230395148A1. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Current references for memory cells

Номер патента: US20240203490A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Techniques for multi-level chalcogenide memory cell programming

Номер патента: US12033695B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Matrix-vector multiplications based on charge-summing memory cell strings

Номер патента: EP4390926A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method and circuit for simultaneously programming memory cells

Номер патента: US20060245269A1. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-11-02.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20160104527A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20210104270A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: WO2018148064A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2018-08-16.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20200035286A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20140208054A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Testing memory cells

Номер патента: US20190066813A1. Автор: Martin Perner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Track charge loss based on signal and noise characteristics of memory cells collected in calibration operations

Номер патента: US12073899B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: US20210287744A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: EP4059019A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: WO2021096685A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor memory with NAND type memory cells having NOR gate operation delay means

Номер патента: US5768209A. Автор: Hirokazu Nagashima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Storing one data value by programming a first memory cell and a second memory cell

Номер патента: US20230290413A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US11127450B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-21.

Apparatus and methods for determining memory cell data states

Номер патента: US20230274786A1. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Storing one data value by programming a first memory cell and a second memory cell

Номер патента: US20240249777A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Refresh of neighboring memory cells based on read status

Номер патента: US20240321350A1. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Techniques for parallel memory cell access

Номер патента: US20240304244A1. Автор: Andrea Martinelli,Maurizio Rizzi,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Apparatus for determining memory cell data states

Номер патента: US12112819B2. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US09875792B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Connecting memory cells to a data line sequentially while applying a program voltage to the memory cells

Номер патента: US09779819B1. Автор: Toru Tanzawa,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Writing method for resistive memory cell and resistive memory

Номер патента: US09734908B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Data storage device and method of programming memory cells

Номер патента: US09691486B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Configuring and reconfiguring blocks of memory cells to store user data and ECC data

Номер патента: US09594676B2. Автор: Michele Incarnati,William H. Radke,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory cell and memory

Номер патента: US09496047B2. Автор: HUA Chen,YONG Li,Jun Yang,Ju Shen,Hwong-Kwo Lin. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of utilizing a plurality of voltage pulses to program non-volatile memory elements and related embedded memories

Номер патента: US6816427B2. Автор: David Novosel,Gary S. Craig. Владелец: Novocell Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Memory device and column decoder for reducing capacitive coupling effect on adjacent memory cells

Номер патента: US20150109858A1. Автор: Im-Cheol Ha. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

Eprom cell array, method of operating the same, and memory device including the same

Номер патента: US20160099055A1. Автор: Yong Seop Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Multi-program of memory cells without intervening erase operations

Номер патента: US20240221840A1. Автор: Ezra Edward Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and apparatus for selecting memory cells within a memory array

Номер патента: US20040141393A1. Автор: James Eaton,Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-22.

Memory module with failed memory cell repair function and method thereof

Номер патента: US20090129182A1. Автор: Chun Shiah,Ho-Yin Chen,Tzu Jen Ting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

System and method for identification of faulty or weak memory cells under simulated extreme operating conditions

Номер патента: WO2002103706A2. Автор: Dhrumil Gandhi,Mark Templeton. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20180233182A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for trimming non-volatile memory cells

Номер патента: US20020196660A1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US20220383087A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Detecting over programmed memory cells after programming of adjacent memory cells

Номер патента: EP1652191A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Jeffrey W. Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-05-03.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Method and device for reading dual bit memory cells using multiple reference cells with two side read

Номер патента: US20030081458A1. Автор: Kazuhiro Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

System and method for reading memory cells

Номер патента: EP4070311A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Improved system for programming a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1568043A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Sameer S. Haddad,Zhizheng Liu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

High-speed programmable ROM, memory cell structure therefor, and method for writing data on/reading data from the programmable ROM

Номер патента: US20050122760A1. Автор: Young-Keun Lee,Yong-jae Choo,Young-sook Do,Joong-Eon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Method and apparatus for adaptive memory cell overerase compensation

Номер патента: US20100020607A1. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Strategic memory cell reliability management

Номер патента: US12112057B2. Автор: Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20240354027A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

One-ladder read of memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US20240304250A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Programming memory cells to be programmed to different levels to an intermediate level from a lowest level

Номер патента: US09953718B2. Автор: Christian Caillat,Akira Goda,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device and systems and methods for selecting memory cells in the memory device

Номер патента: US09595335B2. Автор: Tsung-Ching Wu,Philip S. Ng,Geeng-Chuan Chern,Steven Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

System and method for reducing programming voltage stress on memory cell devices

Номер патента: US09570192B1. Автор: Sei Seung Yoon,Anil Kota,Bjorn Grubelich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory cell coupling compensation

Номер патента: US09552257B2. Автор: Peter Feeley,William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory cell dynamic grouping using write detection

Номер патента: US09472279B2. Автор: Farid Nemati,Yi-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Apparatus to store data and methods to read memory cells

Номер патента: US09431103B2. Автор: Siamak Tavallaei. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory circuit having a redundant memory cell array for replacing faulty cells

Номер патента: US5058059A. Автор: Masahiko Matsuo,Kazuo Nakaizumi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Memory array circuit with two-bit memory cells

Номер патента: US20060239059A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor memory device including a control circuit and at least two memory cell arrays

Номер патента: US20230350571A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US12014778B2. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Apparatus and methods for managing data storage among groups of memory cells of multiple reliability ranks

Номер патента: US20200167087A1. Автор: Carla L. Christensen,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Matrix-Vector Multiplications Based on Charge-Summing Memory Cell Strings

Номер патента: US20240212763A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-27.

Programming memory cells with concurrent storage of multi-level data as single-level data for power loss protection

Номер патента: US20220406398A1. Автор: Xiang Yang,Toru Miwa,Ken Oowada,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Sense amplifier for bidirectional sensing of memory cells of a non-volatile memory

Номер патента: US20210193230A1. Автор: Seungpil Lee,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory cell

Номер патента: US20130010524A1. Автор: John D. Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Remapping Memory Cells Based on Future Endurance Measurements

Номер патента: US20140115296A1. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2014-04-24.

Replacement data storage circuit storing address of defective memory cell

Номер патента: US20100153775A1. Автор: Hiroshi Sugawara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Operations on memory cells

Номер патента: EP3718110A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-07.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having parallel test function

Номер патента: US5394369A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20240290389A1. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Operations on memory cells

Номер патента: US20210005263A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor storing device for reading out or writing data from/in memory cells

Номер патента: US20030202416A1. Автор: Yoshinori Doi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Memory device performing signed multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240304252A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Content addressable memory device, content addressable memory cell and method for single-bit multi-level data searching and comparing

Номер патента: US12094534B2. Автор: Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: WO2007015864A3. Автор: David Gaun,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Colin S Bill,Eugene Gershon. Владелец: Eugene Gershon. Дата публикации: 2008-05-22.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: WO2007015864A2. Автор: David Gaun,Colin S. Bill,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Eugene Gershon. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-02-08.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: EP1911035A2. Автор: David Gaun,Colin S. Bill,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Eugene Gershon. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-16.

Post-program conditioning of stacked memory cells prior to an initial read operation

Номер патента: US09940232B1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Full sequence program for edge word line quad-level memory cells

Номер патента: US20240363167A1. Автор: Yanjie Wang,Sisi Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Selecting reversible resistance memory cells based on initial resistance switching

Номер патента: US09837153B1. Автор: Xinde Hu,Christopher Petti,Bijesh Rajamohanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile memory system that erases memory cells when changing their mode of operation

Номер патента: US09767912B2. Автор: Hyun-Wook Park,Kitae Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Reprogramming single bit memory cells without intervening erasure

Номер патента: US09734912B2. Автор: Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Ping-Hsien Lin,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Program method of nonvolatile memory device for having dense threshold voltage distribution by controlling voltage of bit line according to threshold voltage of memory cell

Номер патента: US09627070B2. Автор: Cheul Hee Koo,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory system to determine interference of a memory cell by adjacent memory cells, and operating method thereof

Номер патента: US09595341B2. Автор: Yong June Kim,Jaehong Kim,Kijun Lee,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell sensing

Номер патента: US09576674B2. Автор: Mark A. Helm,Pranav Kalavade,Uday Chandrasekhar,Matthew Goldman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Apparatuses and methods of reading memory cells

Номер патента: US09570167B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Enhanced temperature compensation for resistive memory cell circuits

Номер патента: US09520189B1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Reducing disturbances in memory cells

Номер патента: US09471486B2. Автор: Menahem Lasser. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Systems and methods for driving a control gate with a select gate signal in a split-gate nonvolatile memory cell

Номер патента: US09449703B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Remapping memory cells based on future endurance measurements

Номер патента: US09442838B2. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Non-volatile memory cell array formed in a p-well in a deep n-well in a p-substrate

Номер патента: EP4341935A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

One-time programmable (otp) memory cell circuits employing a diode circuit for area reduction, and related otp memory cell array circuits and methods

Номер патента: EP4233054A1. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Anne Srikanth. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Soft reset for multi-level programming of memory cells in non-von neumann architectures

Номер патента: US11790989B2. Автор: Federico Nardi,Archana Kumar,Deepak Kamalanathan,Siddarth Krishnan,Fuxi CAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: US12020762B2. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Improved pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1568037A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Binh Q. Le,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Edward F. Runnion,Patu-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: US20040105312A1. Автор: Yi He,Mark Randolph,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Pauling Chen,Binh Le,Edward Runnion. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Improved pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: WO2004051663A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Binh Q. Le,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Edward F. Runnion,Patu-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-06-17.

Erasing memory cells

Номер патента: US20190287623A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: EP4409576A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Apparatus, system and method to sense a logic state of a memory cell in a three-dimensional memory device

Номер патента: US12062410B2. Автор: Balaji Srinivasan,Ashraf B. Islam,Nicolas L. IRIZARRY,Yasir Mohsin Husain,Jaydip Bharatkumar Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Programming techniques for polarity-based memory cells

Номер патента: WO2023278946A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-05.

Integrated circuits including first and second power supply nodes for writing and reading memory cells

Номер патента: US20240286401A1. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-08-29.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US20240296896A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Sensing amplifier, method and controller for sensing memory cell

Номер патента: US20240321325A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of reading an electronic memory device including a plurality of memory cells of resistive random access memory type

Номер патента: US09786367B2. Автор: Carlo Cagli. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-10.

Erasing memory segments in a memory block of memory cells using select gate control line voltages

Номер патента: US09779829B2. Автор: Christian Caillat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Boosting channels of memory cells to reduce program disturb

Номер патента: US09779817B2. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Mason A. Jones. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Display device with semiconductor memory cell

Номер патента: US09734901B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mikio Yukawa,Hiroko Abe,Yuji Iwaki,Yasuyuki Arai,Yasuko Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Inter-word-line programming in arrays of analog memory cells

Номер патента: US20140160865A1. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Yael Shur. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Non volatile memory cell and memory array

Номер патента: US09627066B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Resistive memory and data writing method for memory cell thereof

Номер патента: US09627059B2. Автор: Po-Wei Huang,Chia-hung Lin,Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Tsung-Huan Tsai,I-Hsien Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of operating memory device including multi-level memory cells

Номер патента: US09613664B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler,Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Programming memory cells dependent upon distortion estimation

Номер патента: US09502120B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Micha Anholt,Yoav Kasorla. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Resistive memory device implementing selective memory cell refresh

Номер патента: US09496030B2. Автор: Justin Kim,Seong Jun Jang,Geun-Young Park. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Non-volatile memory system including apparatus for testing memory elements by writing and verifying data patterns

Номер патента: US5825782A. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-10-20.

Memory cell with temperature modulated read voltage

Номер патента: US20220230680A1. Автор: Chao-I Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Redundancy memory cell access circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080316838A1. Автор: Eunsung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

System And Method For Generating Random Numbers Based On Non-volatile Memory Cell Array Entropy

Номер патента: US20180286486A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

System and method for generating random numbers based on non-volatile memory cell array entropy

Номер патента: EP3602084A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

System and method for generating random numbers based on non-volatile memory cell array entropy

Номер патента: WO2018182922A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2018-10-04.

Methods and apparatus for selectively updating memory cell arrays

Номер патента: US20050088383A1. Автор: Peter Richards. Владелец: Reflectivity Inc. Дата публикации: 2005-04-28.

Methods and apparatus for selectively updating memory cell arrays

Номер патента: WO2004093083A2. Автор: Peter Richards. Владелец: Reflectivity, Inc.. Дата публикации: 2004-10-28.

Network, method and memory cell array for region proposal

Номер патента: WO2022093118A1. Автор: Arindam Basu,Sumon Kumar BOSE. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-05.

Memory device for multiplication using memory cells having different bias levels based on bit significance

Номер патента: US20240303039A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Data storing method for a non-volatile memory cell array having an error correction code

Номер патента: US7653863B2. Автор: Corrado Villa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-26.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20200089415A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20190095108A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device performing signed multiplication using sets of four memory cells

Номер патента: US20240303038A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device performing signed multiplication using sets of two memory cells

Номер патента: US20240303296A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Display system having multiple memory elements per pixel

Номер патента: EP1084488A1. Автор: William A. Quanrud. Владелец: Inviso. Дата публикации: 2001-03-21.

Display system having multiple memory elements per pixel

Номер патента: EP1084488A4. Автор: William A Quanrud. Владелец: Inviso. Дата публикации: 2003-09-10.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US10895990B2. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US10521129B2. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Apparatus and methods for programming data states of memory cells

Номер патента: US20240320144A1. Автор: Yoshihiko Kamata,Koichi Kawai,Akira Goda,Huai-Yuan Tseng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US09933972B2. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Measuring device with a display memory having memory cells with a reduced number of bits and a corresponding method

Номер патента: US09672794B2. Автор: Michael Reinhold. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Efficient readout from memory cells using data compression

Номер патента: US09671972B2. Автор: Ofir Shalvi,Dotan Sokolov,Oren Golov,Uri Perlmutter. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory cell array structure having bit line for reducing signal resistance, memory device including the same, and method of forming the same

Номер патента: US20240196629A1. Автор: Bipul C. Paul,Sandeep Puri,Venkatesh Periyapatna Gopinath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods for forming interconnections between top electrodes in memory cells by a two-step chemical-mechanical polishing (CMP) process

Номер патента: US09443763B2. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US20030011021A1. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US6686618B2. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-03.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20130221318A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20140339494A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-20.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20150221864A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Memory cells and memory cell arrays

Номер патента: EP2769414A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-27.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: EP1166364A1. Автор: John Caywood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-02.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: WO2000057483A1. Автор: John Caywood. Владелец: John Caywood. Дата публикации: 2000-09-28.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Bitline contacts in a memory cell array

Номер патента: WO2002097890A2. Автор: Elard Stein Von Kamienski,Klaus Feldner,Kae-Horng Wang,Grit Schwalbe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-05.

Bitline contacts in a memory cell array

Номер патента: WO2002097890A3. Автор: Von Kamienski Elard Stein,Klaus Feldner,Kae-Horng Wang,Grit Schwalbe. Владелец: Grit Schwalbe. Дата публикации: 2003-10-16.

Memory cell with independently-sized electrode

Номер патента: US09831428B2. Автор: Andrea Gotti,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Bitline contacts in a memory cell array

Номер патента: EP1390981A2. Автор: Elard Stein Von Kamienski,Klaus Feldner,Kae-Horng Wang,Grit Schwalbe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-25.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US09478736B2. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory cells having a number of conductive diffusion barrier materials and manufacturing methods

Номер патента: US09711717B2. Автор: Andrea Gotti,F. Daniel Gealy,Davide Colombo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory cell with independently-sized elements

Номер патента: US09640588B2. Автор: Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20230397396A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Stagger memory cell array

Номер патента: US20070272985A1. Автор: Yeou-Lang Hsieh,Ching-Kun Huang,Jeng-Dong Sheu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Methods of forming memory cell arrays

Номер патента: US20030170947A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Memory cell arrays

Номер патента: US20060054951A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Memory cell of resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09385314B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Heng-Yuan Lee,pei-yi Gu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-07-05.

Resistive memory elements, resistive memory cells, and resistive memory devices

Номер патента: US09419220B2. Автор: John K. Zahurak,D. V. Nirmal Ramaswamy,Muralikrishnan Balakrishnan,Sanh D. Tang,Alessandro Torsi,Xiaonan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory cell array with improved substrate current pathway

Номер патента: US09842853B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Tsutomu Murase,Mitsuru Sato. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory cells and memory cell formation methods using sealing material

Номер патента: US20150357565A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of fabricating resistive random access memory cell

Номер патента: US12114579B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: US09917251B2. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor memory device having a peripheral wall at the boundary region of a memory cell array region and a peripheral circuit region

Номер патента: US5218219A. Автор: Hideaki Arima,Natsuo Ajika,Kaoru Motonami,Tomonori Okudaira,Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-08.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US12041790B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: EP3108512A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-28.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: WO2015126870A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Resistive memory cell having a single bottom electrode and two top electrodes

Номер патента: US09865814B2. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for forming resistive memory cell having a spacer region under an electrolyte region and a top electrode

Номер патента: US09865813B2. Автор: Paul Fest. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming a chalcogenide memory cell having a horizontal electrode and a memory cell produced by the method

Номер патента: US20060281218A1. Автор: Yi Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Memory cell array in a semiconductor memory device

Номер патента: US20080251847A1. Автор: Keun Woo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Memory cells formed with sealing material

Номер патента: US09620713B2. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Static random access memory device having a memory cell array region in which a unit cell is arranged in a matrix

Номер патента: US6118158A. Автор: Han-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor memory having an arrangement of memory cells

Номер патента: US20040135190A1. Автор: Dirk Fuhrmann,Reidar Lindstedt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor memory having a memory cell array

Номер патента: US20010032991A1. Автор: Franz Hofmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-25.

Method for producing a memory cell for a semiconductor memory

Номер патента: US20020127803A1. Автор: Franz Hofmann,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Interfacial cap for electrode contacts in memory cell arrays

Номер патента: US09691976B2. Автор: Scott Sills,Nirmal Ramaswamy,Beth Cook. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Self-aligned embedded phase change memory cell

Номер патента: US20200161370A1. Автор: Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory cell array having improved channel characteristics

Номер патента: US5859452A. Автор: Kwang Hyun Jo,Sheung Hee Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-12.

High Density Memory Cells Using Lateral Epitaxy

Номер патента: US20130183806A1. Автор: Kangguo Cheng,David M. Fried,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Byeong Y. Kim,Roger A. Booth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Nonvolatile memory cells having lateral coupling structure and memory cell arrays using the same

Номер патента: US09627394B1. Автор: Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device and method of manufacturing the device by simultaneously conditioning transition metal oxide layers in a plurality of memory cells

Номер патента: US20060267086A1. Автор: Steven Holmes,Mark Hakey,David Horak,Charles Koburger,Toshijaru Furukawa,Chung Lam,Gerhard Meijer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Self- aligned diffused source vertical transistors with stack capacitors in a 4f- square memory cell array

Номер патента: MY118306A. Автор: Howard Leo Kalter,Stuart Mcallister Burns Jr,Hussein Ibrahim Hanafi,Waldemar Walter Kocon,Jeffrey J Welser. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device including different orientations of memory cell array and peripheral circuit transistors

Номер патента: US09484354B2. Автор: Jong-Ho Park,Sung-Hun Lee,Joon-Hee Lee,Hee-Jueng Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory cells with recessed electrode contacts

Номер патента: US09466795B2. Автор: Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for fabricating memory cell matrix having parallel source and drain interconnection metal lines formed on the substrate and topped by orthogonally oriented gate interconnection parallel metal lines

Номер патента: US5279982A. Автор: Pier L. Crotti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1994-01-18.

Method of manufacturing mask read-only memory cell

Номер патента: US20010013599A1. Автор: Ming-Jing Ho,Le-Tein Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Methods of forming a nonvolatile memory cell and methods of forming an array of nonvolatile memory cells array of nonvolatile memory cells

Номер патента: US8652909B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-18.

Memory Structure with Reduced-Size Memory Element Between Memory Material Portions

Номер патента: US20080246014A1. Автор: Hsiang Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Polysilicon pillar diode for use in a non-volatile memory cell

Номер патента: US5751012A. Автор: Graham R. Wolstenholme,Philip J. Ireland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-05-12.

Self-aligned process to fabricate a memory cell array with a surrounding-gate access transistor

Номер патента: US20130200330A1. Автор: Chung H. Lam,Matthew J. BrightSky,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Methods used in fabricating integrated circuitry and methods of forming 2T-1C memory cell arrays

Номер патента: US11968821B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: WO2024039982A2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: WO2024039982A3. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory cell

Номер патента: EP1280209A3. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-05-12.

Phase change memory cell with heat shield

Номер патента: US20140252294A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Horizontally oriented and vertically stacked memory cells

Номер патента: US09627442B2. Автор: Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile memory element having a variable resistance layer whose resistance value changes according to an applied electric signal

Номер патента: US8686390B2. Автор: Takeshi Takagi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Method for forming pcm and rram 3-d memory cells

Номер патента: US20170133435A1. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Interconnect structures for integration of memory cells and logic cells

Номер патента: US20240306362A1. Автор: Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory arrays and methods of forming memory cells

Номер патента: US09893277B2. Автор: John K. Zahurak,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Array of memory cells and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09881972B2. Автор: Tuman Earl Allen, III,Denzil S. Frost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09837472B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory cells including dielectric materials, memory devices including the memory cells, and methods of forming same

Номер патента: US09716225B2. Автор: Qian Tao,D. V. Nirmal Ramaswamy,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09570516B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory cell and method for changing properties of an electrode

Номер патента: US20240032307A1. Автор: Tony SCHENK,Stefan Ferdinand Müller,Alireza KASHIR. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

3d memory cells and array architectures and processes

Номер патента: WO2024039417A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

3d memory cells and array architectures and processes

Номер патента: US20240121938A1. Автор: Richard J. Huang,Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1550133A1. Автор: Göran Gustafsson,Johan Carlsson,Henrik Ljungcrantz,Niclas Edvardsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-07-06.

Self-aligned dual-floating gate memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030168692A1. Автор: James Hsu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-11.

SRAM memory cell, memory cell arrangement and method for fabricating a memory cell arrangement

Номер патента: US20040099902A1. Автор: Thomas Schulz,Christian Pacha,Erhard Landgraf,Richard Luyken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-27.

Methods Of Forming Memory Cells

Номер патента: US20110147826A1. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: WO2024039416A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of fabricating resistive random access memory cell

Номер патента: US20230422638A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory cell and methods for processing a memory capacitor

Номер патента: US20240032305A1. Автор: Tony SCHENK,Stefan Ferdinand Müller,Alireza KASHIR. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

Integrated semiconductor circuit having a cell array having a multiplicity of memory cells

Номер патента: US20040196711A1. Автор: Joerg Vollrath,Stephan Schroder,Tobias Hartner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-07.

3d memory cells and array architectures and processes

Номер патента: US20230269927A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory cell and methods for processing a memory capacitor

Номер патента: WO2024022788A1. Автор: Tony SCHENK,Stefan Ferdinand Müller,Alireza KASHIR. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-02-01.

Resistive Memory Cell Having A Reduced Conductive Path Area

Номер патента: US20160190442A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: WO2015126861A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: EP3108514A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-28.

Integrated semiconductor circuit having a cell array having a multiplicity of memory cells

Номер патента: US6998664B2. Автор: Joerg Vollrath,Stephan Schroder,Tobias Hartner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-02-14.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Patterning Chalcogenide-Containing Stacks

Номер патента: US20120015475A1. Автор: Jun Liu,Jerome Imonigie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Patterning Chalcogenide-Containing Stacks

Номер патента: US20130149834A1. Автор: Jun Liu,Jerome Imonigie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12058861B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for fabricating memory cell structure employing contiguous gate and capacitor dielectric layer

Номер патента: US20040191985A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240357818A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Resistive memory cell with intrinsic current control

Номер патента: US09735357B2. Автор: XU Zhao,Sung Hyun Jo,Joanna BETTINGER,Xianliang LIU,Zeying Ren,FNU Atiquzzaman,Fengchiao Joyce Lin. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

3D semiconductor memory device having variable resistance memory elements

Номер патента: US09590016B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory cells and semiconductor structures including electrodes comprising a metal, and related methods

Номер патента: US09553264B2. Автор: Dale W. Collins,Scott E. Sills,Marko Milojevic,Si-Young Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method including a formation of a control gate of a nonvolatile memory cell and semiconductor structure including a nonvolatile memory cell

Номер патента: US09548312B1. Автор: Martin Schulze,Sven Beyer,Alexander Ebermann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory cells and methods of making memory cells

Номер патента: US09515261B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Vertical 3d pcm memory cell and program read scheme

Номер патента: WO2022104591A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2022-05-27.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US20230180486A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Hybrid non-volatile memory cell

Номер патента: EP4248501A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US20230397439A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US20220037399A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Resistive memory cell structure

Номер патента: US20200373482A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: EP1340254A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Integrated planar transistors and memory cell array architectures

Номер патента: US20230197571A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Scalable split gate memory cell array

Номер патента: US09685339B2. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Ronald J. Syzdek. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170373073A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317090A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317091A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20180315763A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09953988B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09947674B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Static random-access memory (SRAM) cell array and forming method thereof

Номер патента: US09728541B1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Static random-access memory (sram) cell array and forming method thereof

Номер патента: US20180006040A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory cell array and cell structure thereof

Номер патента: US09768298B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile memory cell arrays with a sectioned active region

Номер патента: US20220028873A1. Автор: William Taylor,Oscar D. Restrepo,Edmund K. Banghart. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Integrated circuit device including peripheral circuit and cell array structures, and electronic system including same

Номер патента: US12107061B2. Автор: Jooyong PARK,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device, memory cell including connecting structure having base portion and pillar portion, and method of forming the same

Номер патента: US12120968B2. Автор: Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Device structure for increasing coupling ratio of body-tied fin structure flash memory cell

Номер патента: US11282968B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Electrically erasable programmable read only memory cell and programming method thereof

Номер патента: US6903410B1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Physically unclonable function circuit including memory elements

Номер патента: US09762241B1. Автор: James W. Tschanz,Charles Augustine,Carlos Tokunaga,Suriya Ashok Kumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory Cell Comprising First and Second Transistors and Methods of Operating

Номер патента: US20240243492A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Nanowire-based vertical memory cell array having a back plate and nanowire seeds contacting a bit line

Номер патента: US09966431B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Chengwen Pei,Waikin Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Reduced size split gate non-volatile flash memory cell and method of making same

Номер патента: US09960242B2. Автор: Chunming Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US10468420B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US9941288B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried floating gate, pointed floating gate and pointed channel region, and a memory array made thereby

Номер патента: US20040197996A1. Автор: Bomy Chen,Dana Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Memory cell array with semiconductor selection device for multiple memory cells

Номер патента: US20140097503A1. Автор: Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Memory cell array with semiconductor selection device for multiple memory cells

Номер патента: US20130207202A1. Автор: Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Memory cell array with semiconductor selection device for multiple memory cells

Номер патента: US8981463B2. Автор: Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US11910591B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240155827A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory cells which include transistors having gap channel material

Номер патента: EP3639298A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US20070177042A1. Автор: FAN He,Carl Shurboff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor memory cell capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: US5480824A. Автор: Young-Kwon Jun. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1996-01-02.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20030095428A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US20050032289A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20040102003A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

Memory device having memory cell strings and separate read and write control gates

Номер патента: WO2023009941A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Yingda Dong,Albert Fayrushin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-02.

Three-dimensional memory device including ferroelectric-metal-insulator memory cells and methods of making the same

Номер патента: US20210358931A1. Автор: Yanli Zhang,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Arrays of elevationally-extending strings of memory cells and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09985049B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory array with a pair of memory-cell strings to a single conductive pillar

Номер патента: US09455266B2. Автор: Theodore T. Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Twin monos memory cell and corresponding fabrication method

Номер патента: EP1237192A2. Автор: Seiki Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-04.

Method for forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell

Номер патента: US11956966B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of forming memory cells in an array

Номер патента: US7378311B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: WO2007059239A1. Автор: Krishna Parat,Steven R. Soss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

Induction memory cell

Номер патента: US10778222B2. Автор: Jerome Porter, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-15.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor, methods of forming a tier of an array of memory cells, and methods of forming an array of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor

Номер патента: US09837420B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Selective removal of charge-trapping layer for select gate transistor and dummy memory cells in 3D stacked memory

Номер патента: US09490262B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Methods and apparatuses having strings of memory cells including a metal source

Номер патента: US09437604B2. Автор: Zhenyu Lu,Haitao Liu,Roger W. Lindsay,Andrew Bicksler,Yongjun J Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Device structure for increasing coupling ratio of body-tied fin structure flash memory cell

Номер патента: US20210305423A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH AND RESISTIVE MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20120002461A1. Автор: Karpov Elijah I.,Spadini Gianpaolo Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELLS

Номер патента: US20120001270A1. Автор: Kenneth Trevor Monk. Владелец: ICERA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory cell for high-speed eeprom with controlled potential of under-gate region

Номер патента: RU2465659C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Олег Михайлович Орлов,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2012-10-27.

One transistor-one capacitor memory cell

Номер патента: CA1134509A. Автор: Tsiu C. Chan. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1982-10-26.

Memory cell for complementary metal-oxide-semiconductor ram structure

Номер патента: RU2580071C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук"(ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Memory cell of static storage device

Номер патента: RU2507611C1. Автор: Роман Александрович Федоров,Наталья Иосифовна Малашевич. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр "МИЭТ". Дата публикации: 2014-02-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.