Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for Manufacturing Indium Gallium Aluminium Nitride Thin Film on Silicon Substrate

Method for Manufacturing Indium Gallium Aluminium Nitride Thin Film on Silicon Substrate

Номер патента: US20080248633A1
Опубликовано: 09-10-2008
Автор(ы): Fengyi Jiang, LI Wang, Wenqing Fang
Принадлежит: Lattice Power Jiangxi Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for manufacturing light emitting diode with InGaN/GaN superlattice

Номер патента: US09991416B2. Автор: Jinyoung Park,Kwangjae Lee,Taeksoo JI,Jinhong LEE,Wangki KIM,Jaesam SHIM. Владелец: INDUSTRY FOUNDATION OF CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for making low defect density semiconductor heterostructure and devices made thereby

Номер патента: US5221413A. Автор: Ya-Hong Xie,Daniel Brasen,Martin L. Green,Eugene A. Fitzgerald, Jr.. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1993-06-22.

Apparatus and method for manufacturing a light-emitting device using a neutral particle beam

Номер патента: US20140017827A1. Автор: Suk Jae Yoo,Seong Bong Kim. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for manufacturing bonded semiconductor wafer

Номер патента: EP4425531A1. Автор: Junya Ishizaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

METHOD OF GROWING THIN MONOCRYSTALLINE FILM, LIGHT-EMITTING DEVICE BASED ON Ga2O3, AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: RU2313623C2. Автор: Нобору ИТИНОСЕ,Киеси СИМАМУРА,Казуо АОКИ,ВИЛЛОРА Энкарнасьон Антониа ГАРСИЯ. Владелец: Васеда Юниверсити. Дата публикации: 2007-12-27.

Reactor system and method for forming a layer comprising indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20220403516A1. Автор: Eric Shero,Todd Dunn,Paul Ma,Jereld Winkler,Jonathan BAKKE,Eric Jen Cheng Liu,Xingye Wang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-12-22.

Ink composition for manufacturing light absorption layer of solar cells and method of manufacturing thin film using the same

Номер патента: US20160133768A1. Автор: Seokhee Yoon,Seokhyun Yoon,Hosub LEE,Eun Ju Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Ink composition for manufacturing light absorption layer of solar cells and method of manufacturing thin film using the same

Номер патента: US09876131B2. Автор: Seokhee Yoon,Seokhyun Yoon,Hosub LEE,Eun Ju Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4394093A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

External stontium tianate on silicon

Номер патента: US20210028009A1. Автор: Yong Liang. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Epitaxial strontium titanate on silicon

Номер патента: US20230197443A1. Автор: Yong Liang. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Patterned silicon substrate-silicon germanium, thin film composite structure and preparation methods and application thereof

Номер патента: US11769799B2. Автор: Jianjun Zhang,Jieyin Zhang. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2023-09-26.

Patterned silicon substrate-silicon germanium, thin film composite structure and preparation methods and application thereof

Номер патента: US20220157942A1. Автор: Jianjun Zhang,Jieyin Zhang. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2022-05-19.

Thin-film structure making method for fabricating silicon on insulator device, involves inputting particles of chemical species into thin film on substrate, to compensate for flow of vacancies from surface of film

Номер патента: FR2892855A1. Автор: Joel Eymery,Pascal Pochet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-05-04.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for forming monocrystalline diamond film

Номер патента: EP4442867A1. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190295882A1. Автор: Takahito Nakajima,Shinya Ito. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of forming silicon dioxide film on surface of silicon substrate, method of forming oxide film on surface of semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW200402797A. Автор: Hikaru Kobayashi. Владелец: Japan Science & Tech Corp. Дата публикации: 2004-02-16.

Growth method for vertically aligned carbon nanotubes by changing the morphologies of a transition metal thin films

Номер патента: KR100513713B1. Автор: 이영희,최영철,김종민,이병수,이내성,최원봉. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2005-09-07.

Method for manufacturing sic substrate

Номер патента: US20240332012A1. Автор: Chul Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Nitride semiconductor substrate, and method for producing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4435833A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US20130217212A1. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-08-22.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US9281184B2. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-03-08.

Method for pretreatment of base substrate and method for manufacturing layered body using pretreated base substrate

Номер патента: US09896780B2. Автор: Hiroshi Furuya,Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing thin film

Номер патента: US7972960B1. Автор: Kyoichi Suguro,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Thin film transistor, thin film transistor manufacturing method and liquid crystal display panel

Номер патента: US20190043995A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Thin film transistor and method for manufacturing same, array substrate, display panel and display device

Номер патента: US20210167220A1. Автор: Lin Sun,Chao Wang,Binbin CAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for operating semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US09580800B2. Автор: Byoung-Hoon Lee,Min-Woo Song,June-Hee Lee,Seok-jun Won,Geun-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Amorphous oxide thin film transistor, method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US09608127B2. Автор: LI Sun,Haijing Chen,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing metal fluoride-containing organic polymer film, patterning method, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230089206A1. Автор: Koji Asakawa,Ryosuke Yamamoto,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Graphite thin film/silicon substrate laminate, method for producing same and substrate for high exhaust heat-type electronic devices

Номер патента: EP3905305A1. Автор: Masataka Hasegawa. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2021-11-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11723198B2. Автор: Hironobu Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220085049A1. Автор: Hironobu Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for producing a solder bump on a substrate surface

Номер патента: US11309269B2. Автор: Pierre Montmeat,Anthony DE LUCA,Daniel MERMIN,Arnaud Garnier,Laetitia Castagne. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-04-19.

Method for manufacturing crystalline semiconductor film, substrate provided with crystalline semiconductor film, and thin film transistor

Номер патента: WO2011141949A1. Автор: 加藤智也,尾田智彦,大高盛. Владелец: パナソニック液晶ディスプレイ株式会社. Дата публикации: 2011-11-17.

Cubic metal oxide thin films grown epitaxially on silicon

Номер патента: JP2819067B2. Автор: ラメシュ、ラマモーシー. Владелец: ベル コミュニケーションズ リサーチ インコーポレーテッド. Дата публикации: 1998-10-30.

Method for forming high-efficiency hydrogen barrier control film through artificial composition control in thin film based on atomic layer deposition

Номер патента: KR20220138665A. Автор: 김형준,이유진,남태욱. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-10-13.

Buffer layers for device isolation of devices grown on silicon

Номер патента: US20090218596A1. Автор: Mohamad A. Shaheen,Peter G. Tolchinsky,Mantu K. Hudait,Loren A. Chow,Dmitri Loubychev,Joel M. Fastenau,Amy W. K. Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Method for fabrication of copper-indium gallium oxide and chalcogenide thin films

Номер патента: US09608146B2. Автор: Jasbinder S. Sanghera,Woohong Kim,Walter J. Dressick,Jesse A. Frantz,Jason D. Myers,Colin C. Baker. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing bonded wafer

Номер патента: US09679800B2. Автор: Hiroji Aga,Norihiro Kobayashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing CI(G)S-based thin film comprising Cu-Se thin film using Cu-Se two-component nanoparticle flux, and CI(G)S-based thin film manufactured by the method

Номер патента: US09496449B2. Автор: Ara Cho,Jae-Ho Yun,Kyung-Hoon YOON,Kee-Shik Shin,SeJin Ahn,Jihye Gwak,SeoungKyu Ahn. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of producing light-absorbing layer of thin-film solar cells from copper-indium-gallium-sulphur-selenium

Номер патента: RU2446510C1. Автор: Фукианг ХУАНГ,Яоминг ВАНГ. Владелец: Шанхайский Институт Керамики Китайской Академии Наук. Дата публикации: 2012-03-27.

Transition metal-dichalcogenide thin film and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200277700A1. Автор: TAE JOO Park,Dae Hyun Kim,Daewoong Kim,Tae Jun Seok,Hyunsoo Jin. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-09-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160049522A1. Автор: Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Transition metal-dichalcogenide thin film and manufacturing method therefor

Номер патента: US11649545B2. Автор: TAE JOO Park,Dae Hyun Kim,Daewoong Kim,Tae Jun Seok,Hyunsoo Jin. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-05-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200350162A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Transition metal dichalcogenide thin film, method for manufacturing the same and display device comprising the same

Номер патента: US20200181768A1. Автор: Sung-Yool Choi,Gi Woong SHIM,Woonggi HONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754974B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for fabrication of copper-indium gallium oxide and chalcogenide thin films

Номер патента: US20200203541A1. Автор: Jasbinder S. Sanghera,Woohong Kim,Walter J. Dressick,Jesse A. Frantz,Jason D. Myers,Colin C. Baker. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for fabrication of copper-indium gallium oxide and chalcogenide thin films

Номер патента: US20220190173A1. Автор: Jasbinder S. Sanghera,Woohong Kim,Walter J. Dressick,Jesse A. Frantz,Jason D. Myers,Colin C. Baker. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2022-06-16.

Manufacturing method of polysilicon semiconductor layer,thin film transistor and manufacturing method

Номер патента: US20200006524A1. Автор: Ming-Jen Lu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Process for producing thin nitride film on sapphire substrate and thin nitride film producing apparatus

Номер патента: US20090065786A1. Автор: Masatomo Sumiya,Shunro Fuke. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2009-03-12.

Thin film deposition method

Номер патента: US20240258104A1. Автор: Jung Kyun Lee,Yoon Jeong KIM. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing thin-film transistor by implanting ions into channel region for lowering leakage current

Номер патента: US09711356B2. Автор: Huibin Guo,Xiaowei Liu,Shoukun WANG,Zongjie Guo,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for producing heteroepitaxial wafer

Номер патента: EP4407077A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Toshiki Matsubara,Keitaro Tsuchiya,Tsuyoshi Ohtsuki,Yukari Suzuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for manufacturing semiconductor device having oxide semiconductor

Номер патента: US09887276B2. Автор: Kenichi Okazaki,Hotaka Maruyama,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing thin film transistor array substrate and thin film transistor array substrate for the same

Номер патента: US09419029B1. Автор: Tianming DAI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for manufacturing semiconductor device using a gettering layer

Номер патента: US09385210B2. Автор: Hiroki Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364427A1. Автор: Takashi KANSAKU. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor device with silicon-germanium gate electrode and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20060138518A1. Автор: Akiyoshi Mutou,Hiroshi Ohji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Cyclic Deposition Method for Thin Film Formation, Semiconductor Manufacturing Method, and Semiconductor Device

Номер патента: US20150187560A1. Автор: Jeong-Hoon Lee,Hai-Won Kim,Chang-Hun Shin,Seok-Yun Kim. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for improving continuity of work function thin film

Номер патента: US20230290634A1. Автор: Yanxia Hao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for fabrication of copper-indium gallium oxide and chalcogenide thin films

Номер патента: US20170200840A1. Автор: Jasbinder S. Sanghera,Woohong Kim,Walter J. Dressick,Jesse A. Frantz,Jason D. Myers,Colin C. Baker. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-07-13.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Crystalline strontium titanate (sto) and method for deposition of the sto on a substrate

Номер патента: US20240242964A1. Автор: Nagendra Nagaraja,Pinakin Mansukhlal Padalia,Amlan Mukherjee,Manjunath Gangaiah,Balaji Sompalle,Purnima Sethi Josan,Subhash Kannappa Manoharan. Владелец: Superq Technologies India Private Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20060163668A1. Автор: Tomoko Matsuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240153757A1. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for manufacturing ferroelectric thin film device

Номер патента: US20180082839A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US11908683B2. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Indium phosphide substrate, method for manufacturing indium phosphide substrate, and semiconductor epitaxial wafer

Номер патента: US20230392289A1. Автор: Kenji Suzuki,Shunsuke OKA,Kodai YAMAGISHI. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for manufacturing bonded wafer

Номер патента: US20160197008A1. Автор: Hiroji Aga,Isao Yokokawa,Hiroshi Fujisawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Method for manufacturing a poly-crystal silicon photovoltaic device using horizontal metal induced crystallization

Номер патента: WO2008084974A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Heon-Min Lee,Jung-Heum Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2008-07-17.

Method for manufacturing bonded wafer

Номер патента: US09865497B2. Автор: Hiroji Aga,Isao Yokokawa,Hiroshi Fujisawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing ferroelectric thin film device

Номер патента: US20180062068A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Sputtering target, method for manufacturing the same, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09865696B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for depositing an aluminium nitride layer

Номер патента: US09607831B2. Автор: Heinz Felzer,Bernd Heinz,Lorenzo CASTALDI,Martin Kratzer,Robert MAMAZZA, Jr.. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Indium phosphide substrate, semiconductor epitaxial wafer, and method for manufacturing indium phosphide substrate

Номер патента: EP3862133A1. Автор: Kenji Suzuki,Hideki Kurita,Shunsuke OKA. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-08-11.

Indium phosphide substrate, semiconductor epitaxial wafer, and method for manufacturing indium phosphide substrate

Номер патента: EP3862132A1. Автор: Kenji Suzuki,Hideki Kurita,Shunsuke OKA. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2021-08-11.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, device for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09587326B2. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030232503A1. Автор: Shuichi Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6825128B2. Автор: Shuichi Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Method for manufacturing CZTS based thin film having dual band gap slope, method for manufacturing CZTS based solar cell having dual band gap slope and CZTS based solar cell thereof

Номер патента: US09780246B2. Автор: Sang Hyun Park,Young Joo Eo,Ara Cho,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Kyung Hoon YOON,Jae Ho Yun,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Jun Sik Cho,Joo Hyung Park,Jin Su You. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2017-10-03.

Substrate treatment apparatus and method for manufacturing thin film

Номер патента: US20130059076A1. Автор: Mitsuhiro Suzuki,Takeshi Kijima,Yuuji Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-07.

Method for manufacturing thin film transistor and pixel unit thereof

Номер патента: US09679995B2. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for crystallizing amorphous silicon thin-film for use in thin-film transistors and thermal annealing apparatus therefor

Номер патента: US20010001715A1. Автор: TAEKYUNG KIM,Seungki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, and electronic apparatus

Номер патента: US09991294B2. Автор: Tuo Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831101B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Thin film transistor, pixel structure, and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09741750B2. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US09646820B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing a top emission indium gallium zinc oxide thin film transistor device

Номер патента: US20210336036A1. Автор: Yanhuan Luo. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US20150162183A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-06-11.

Susceptor and method for manufacturing same

Номер патента: US20170162425A1. Автор: Masato Shinohara,Yoshihisa Abe,Satoru Nogami. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US20160365366A1. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220037531A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen,Hong-Chih Chen,Mao-Chou Tai,Shin-Ping Huang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-02-03.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US09627414B2. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing spin wave excitation/detection structure

Номер патента: CA3227691A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Mitsuteru Inoue,Taichi Goto. Владелец: Toyohashi University of Technology NUC. Дата публикации: 2023-02-02.

Methods for regulating surface sensitivity of insulating films in semiconductor devices

Номер патента: WO2000077831A3. Автор: Giovanni Antonio Foggiato,Joseph Ellul,Sasangan Ramanathan,Dilip Vijay,Asharf R Khan,Hariram Krishnamoorthy. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-05.

Method for forming heteroepitaxial film

Номер патента: EP4414483A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Junya Ishizaki,Toshiki Matsubara,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Laminate and method for manufacturing same

Номер патента: EP4414170A1. Автор: Takahiro Nagata,Masami Mesuda,Yoshihiro Ueoka,Yuya Suemoto,Liwen SANG,Toyohiro Chikyow. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and device comprising the same

Номер патента: US09461070B2. Автор: Yanzhao Li,Gang Wang,Jingang Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Thin-film semiconductor device, electro-optical device, methods for manufacturing the same, and reticle

Номер патента: US20030160244A1. Автор: Takahiro Amano,Kiyofumi Kitawada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220230920A1. Автор: Yuki Takiguchi,Masahiro Fujikawa,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for forming thin film and apparatus for processing substrate therefor

Номер патента: US20240290586A1. Автор: Jae Hun Lee,Jeong Jun Lee,Kyoung Pil NA,Yu Deuk Kim,Jae Gab LIM,Gun Hee CHO. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing semiconductor device and method for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20190267239A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki,Hiroshi Takeno,Tadashi Nakasugi,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793416B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Kengo Akimoto,Yasuo Nakamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for forming thin film chalcogenide layers

Номер патента: US09647153B2. Автор: Marc Meuris,Marie Buffiere,Hossam ElAnzeery. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin film transistor, array substrate, display panel and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20200013867A1. Автор: Bin Zhou,Liangchen YAN,Dongfang Wang,Tongshang Su,Ce ZHAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US09711625B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Piezoelectric device and method for manufacturing piezoelectric device

Номер патента: US09647199B2. Автор: Korekiyo ITO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Method for fabrication of copper-indium gallium oxide and chalcogenide thin films

Номер патента: US20150295106A1. Автор: Jasbinder S. Sanghera,Woohong Kim,Walter J. Dressick,Jesse A. Frantz,Jason D. Myers,Colin C. Baker. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-10-15.

Reflection-type mask blank, reflection-type mask, method for manufacturing reflection-type mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240160095A1. Автор: Masanori Nakagawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for manufacturing thin film transistor and related active layer for thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: EP3241239A1. Автор: Lujiang Huangfu,Chien Hung Liu,Zuqiang Wang,Yucheng CHAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-08.

Method for manufacturing thin film transistor and related active layer for thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US20170005115A1. Автор: Lujiang Huangfu,Chien Hung Liu,Zuqiang Wang,Yu Cheng Chan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Method for doping carbon in thin film on wafer

Номер патента: EP4455376A1. Автор: Sung Kil Cho. Владелец: HPSP Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for manufacturing thin film transistor and related active layer for thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US09887213B2. Автор: Lujiang Huangfu,Chien Hung Liu,Zuqiang Wang,Yu Cheng Chan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859441B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin film transistor substrate having metal oxide semiconductor and manufacturing the same

Номер патента: US09748286B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,SungKeun Lee,Yongtae SONG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing thin film transistor, and thin film transistor thereof

Номер патента: US09620606B2. Автор: Zongze HE. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530872B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for manufacturing thin film transistor, and electronic device

Номер патента: US11791418B2. Автор: Mincheol Kim,Seungjin Kim,Heesung LEE,Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,JeeHo PARK,Seoyeon IM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150263142A1. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US9337322B2. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Thin-film transitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140346497A1. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Method for manufacturing spin wave excitation/detection structure

Номер патента: EP4379813A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Mitsuteru Inoue,Taichi Goto. Владелец: Toyohashi University of Technology NUC. Дата публикации: 2024-06-05.

Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films

Номер патента: US11776807B2. Автор: Sun Ja Kim,Oreste Madia,Viljami J. Pore,Marko Tuominen,Lingyun Jia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for manufacturing thin film

Номер патента: EP4249631A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Low metallic impurity sio based thin film dielectrics on semiconductor substrates using a room temperature wet chemical growth process, method and applications thereof

Номер патента: WO2003003438A1. Автор: Horia M. Faur,Maria Faur,Mircea Faur. Владелец: Nanodielectrics Corporation. Дата публикации: 2003-01-09.

Methods for the provision of a coated graphene layer structure on a silicon-containing wafer

Номер патента: WO2024188961A1. Автор: Andrew N. Macinnes,Ivor GUINEY. Владелец: PARAGRAF LIMITED. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods for the provision of a coated graphene layer structure on a silicon-containing wafer

Номер патента: GB2628126A. Автор: Guiney Ivor. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Manufacturing method for thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20180350843A1. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722054B2. Автор: Kengo Akimoto,Toshinari Sasaki,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09502235B2. Автор: Xuehui Zhang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for manufacturing thin film transistor, and electronic device

Номер патента: US20230420572A1. Автор: Mincheol Kim,Seungjin Kim,Heesung LEE,Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,JeeHo PARK,Seoyeon IM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for Manufacturing a Si-Based High-Mobility CMOS Device With Stacked Channel Layers, and Resulting Devices

Номер патента: US20180082907A1. Автор: Clement Merckling,Guillaume Boccardi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for manufacturing metal wiring and method for manufacturing solid state imaging device

Номер патента: US20150263057A1. Автор: Masaki Kikuchi,Takuto Inoue,Masaharu Ogasawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for growing barium titanate thin film

Номер патента: US20010004547A1. Автор: Hsin-Chih Liao,Ming-Kwei Lee. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-06-21.

Low temperature polysilicon layer, thin film transistor, and method for manufacturing same

Номер патента: US11101387B2. Автор: YUAN Yan,Peng He,Lisheng Li. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Method for washing substrate treatment apparatus

Номер патента: US20240371614A1. Автор: Jun Seok Lee,Jeong Heo,Seung Hyun Cho,Dong Hwan Lee,Byung Gwan LIM,Il Houng PARK,Won Ju OH. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for manufacturing a Si-based high-mobility CMOS device with stacked channel layers, and resulting devices

Номер патента: US09947591B2. Автор: Clement Merckling,Guillaume Boccardi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-04-17.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905698B2. Автор: Changming LU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Thin film transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US09859440B2. Автор: Kuo-Lung Fang,Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin,Chih-Lung Lee,Po-Li Shih. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin-film transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09825180B2. Автор: Toshihide Nabatame,Toyohiro Chikyo,Shinya Aikawa,Kazuhito Tsukagoshi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2017-11-21.

Indium phosphide substrate, method for manufacturing indium phosphide substrate, and semiconductor epitaxial wafer

Номер патента: US20230378274A1. Автор: Kenji Suzuki,Shunsuke OKA,Kodai YAMAGISHI. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Indium phosphide substrate, method for manufacturing indium phosphide substrate, and semiconductor epitaxial wafer

Номер патента: EP4215650A1. Автор: Kenji Suzuki,Shunsuke OKA,Kodai YAMAGISHI. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2023-07-26.

Method for controlling temperature of furnace in semiconductor fabrication process

Номер патента: US20190096714A1. Автор: Jih-Churng Twu,Yueh-Ting YANG,Yi-Chi Huang,Feng-Yu CHEN,Shu-Han CHAO,Jian-Lun LO,Yuan-Hsiao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method to form a cylindrical germanium nanowire device on bulk silicon substrate

Номер патента: US20160064531A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for controlling temperature of furnace in semiconductor fabrication process

Номер патента: US20200312685A1. Автор: Jih-Churng Twu,Yueh-Ting YANG,Yi-Chi Huang,Feng-Yu CHEN,Shu-Han CHAO,Jian-Lun LO,Yuan-Hsiao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Oxide semiconductor thin film and thin film transistor

Номер патента: US09768316B2. Автор: Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for making thim film transistor

Номер патента: US09748367B2. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Yao-Wei Wei,Ze-Dong Gao. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595600B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kunihiko Suzuki,Takahiro Tsuji. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Apparatus for manufacturing an inorganic thin-film solar cell, and method for controlling same

Номер патента: US09401449B2. Автор: Do Yeon Kim,Min Wook Lee,Jong Gun Lee,Suk Goo Yoon,Jung Jae Park. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2016-07-26.

Apparatus and method for measuring the quantity of condensable materials which outgas during cure of organic thin films

Номер патента: US20080248208A1. Автор: Ranee Wai-Ling Kwong,Margaret C. Lawson,Mark Stephen Chace,John Richard Graziano,Alfred Oscar Passano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Photolithographic etching method for nickel oxide

Номер патента: US3677847A. Автор: Alfred E Feuersanger,Lawrence M Harris. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1972-07-18.

Method for Production of a Radiation-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20110140141A1. Автор: Berthold Hahn,Volker HÄRLE,Stephan Kaiser. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for producing a long wavelength indium gallium arsenide nitride (InGaAsN) active region

Номер патента: EP1361601A3. Автор: YING-LAN Chang,Tetsuya Takeuchi,David P. Bour,Scott Corzine,Michael R.T. Tan,Ashish Tandon. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-07-27.

Method for manufacturing n-type and p-type chalcogenide material, doped homojunction chalcogenide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: EP2068368A3. Автор: Kibong Song,Sangsu Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-08-05.

Method for manufacturing gallium nitride single crystalline substrate using self-split

Номер патента: EP2077345A1. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2009-07-08.

Method for manufacturing gan-based power device and ganbased power device manufactured thereby

Номер патента: US20230282481A1. Автор: Dong Seok Kim,Jae Sang LEE,Young Jun YOON. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20040124479A1. Автор: TAKAGI Takeshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for manufacturing indium gallium nitride quantum well

Номер патента: US20230187576A1. Автор: I-Kai LO,Ying-Chieh Wang,Huei-Jyun Shih. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2023-06-15.

III-nitride epitaxial structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US10344397B2. Автор: Chen-Chi Yang,I-Kai LO,Ming-Chi Chou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2019-07-09.

Integration of leds on gallium-nitride with devices on aluminum/gallium nitride, gallium nitride on silicon substrates for led ac

Номер патента: RU2615215C2. Автор: Теодор ЧУНГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-04-04.

Template for epitaxial growth, a method for producing it and a nitride semiconductor device

Номер патента: RU2653118C1. Автор: Акира ХИРАНО,Сирил ПЕРНО. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-07.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing display substrate, display substrate and display device

Номер патента: US12113076B2. Автор: LIANG Chen,Tao Jiang,Tao Wang,Jincheng GAO,Jiantao Liu,Quanzhou LIU,Haijiao QIAN,Guanyong ZHANG,Zexu Liu,Lixing ZHAO. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for producing SOS substrates, and SOS substrate

Номер патента: US09646873B2. Автор: Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Shigeru Konishi,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin-film flip-chip light emitting diode having roughening surface and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180033914A1. Автор: Jing-En Huang,Yi-Fan Li,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2018-02-01.

Thin-film flip-chip light emitting diode having roughening surface and method for manufacturing the same

Номер патента: US09786813B2. Автор: Jing-En Huang,Yi-Fan Li,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-10-10.

Thin-film flip-chip light emitting diode having roughening surface and method for manufacturing the same

Номер патента: US09564554B2. Автор: Jing-En Huang,Yi-Fan Li,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Array substrate, method for fabricating same, and display device

Номер патента: US20230163146A1. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Display substrate, display device and method for manufacturing a display substrate

Номер патента: US12062744B2. Автор: Qi Yao,Ke Wang,Guoqiang Wang,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Zhanfeng CAO,Renquan Gu,Muxin DI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Organic lighting emitting display device including light absorbing layer and method for manufacturing same

Номер патента: US09859355B2. Автор: Jungshik Lim,EunMi Jo,SungKyung Youn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and Apparatus for Determining Width-to-Length Ratio of Channel Region of Thin Film Transistor

Номер патента: US20200161196A1. Автор: Wei Li,Yang Zhang,Jun Wang,Wei Song,Liangchen YAN,Yingbin HU,Ce ZHAO,Yuankui Ding. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Cmos fabrication of a thin-film bulk acoustic resonator

Номер патента: WO2014012136A3. Автор: Andrew J. BRAWLEY. Владелец: THE SILANNA GROUP PTY LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Method for manufacturing display substrate, display substrate and display device

Номер патента: US20220302180A1. Автор: LIANG Chen,Tao Jiang,Tao Wang,Jincheng GAO,Jiantao Liu,Quanzhou LIU,Haijiao QIAN,Guanyong ZHANG,Zexu Liu,Lixing ZHAO. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Integrated circuit device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150228531A1. Автор: Masayoshi Tagami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120217626A1. Автор: Tadahiro Imada,Taiji Sakai,Nobuhiro Imaizumi,Kazukiyo Joshin,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Process for manufacturing a fan-out and multi-die package structure based on thin films

Номер патента: DE102016205559B4. Автор: Scott Jewler. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for manufacturing single-crystalline silicon pads on crystal substrate

Номер патента: RU2121733C1. Автор: Р.Сарма Каллури,С.Ченли Чарльз. Владелец: Ханивелл Инк.. Дата публикации: 1998-11-10.

Method for forming thin film on basic material through intermediate layer

Номер патента: EP1557485A4. Автор: Katsuya Hasegawa,Teruo Izumi,Yuh Shiohara,Tsukasa Hirayama,Yoshihiro Sugawara,Fumiyasu Oba,Yuichi Ikuhara. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2007-10-03.

Method for producing heteroepitaxial layers of iii-n compounds on monocrystalline silicon with 3c-sic layer

Номер патента: RU2750295C1. Автор: Владимир Николаевич Стаценко,Сергей Дмитриевич Федотов,Константин Анатольевич Царик,Андрей Вадимович Бабаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ОНСИ". Дата публикации: 2021-06-25.

Method for manufacturing soi structure in desired region of a semiconductor device

Номер патента: US20090186463A1. Автор: Min Jung SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for manufacturing semiconductor device, and device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230377893A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Shunji YAMAKAWA,Kohichi Satoh,Masato Sakamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2752125C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130095626A1. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Method for manufacturing nonvolatile memory thin film device by using neutral particle beam generation apparatus

Номер патента: US20170301547A1. Автор: Jin Nyeong JANG,Mun Pyo Hong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for manufacturing semiconductor device and plasma oxidation treatment method

Номер патента: US20120270383A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Kanta Abe,Takashi Ienaga,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-25.

Interior material for thin film deposition device and method for manufacturing same

Номер патента: US09963772B2. Автор: Sung Jin Choi,Sung Soo JANG,Hyun Chul Ko,Kyung Ic JANG. Владелец: Komico Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Coating method for manufacturing chip, chip substrate, and chip

Номер патента: EP4170061A1. Автор: Dengfeng Li,Wenlong Zhang,Maochun DAI,Kunliang BU,Yarui ZHENG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-26.

Method for manufacturing TFT, array substrate and display device

Номер патента: US09905592B2. Автор: Ning Liu,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,Tongshang Su,Shengping Du. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for producing nickel thin film on a Si substrate by chemical vapor deposition method, and method for producing Ni silicide thin film on Si substrate

Номер патента: US09805936B2. Автор: Takayuki Sone,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Michihiro YOKOO. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20090114993A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090321839A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Methods of etching silicon-containing films on silicon substrates

Номер патента: US20110028000A1. Автор: Dmitry Poplavskyy,Elena Rogojina,Eric Rosenfeld. Владелец: INNOVALIGHT INC. Дата публикации: 2011-02-03.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, display panel, and display device

Номер патента: US20210265478A1. Автор: Gong Chen,Zheng BAO,Yanxia Xin,Hongwei Hu,Yihao WU,Yiyang Zhang,Guangzhou Zhao. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140131791A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Method for manufacturing bonded wafer

Номер патента: US20130102126A1. Автор: Hiroji Aga,Nobuhiko Noto,Satoshi Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

Method for Manufacturing Thin Film Transistor

Номер патента: US20190027587A1. Автор: Dong Li,Xiaolong Li,Xiaowei Xu,Zunqing SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09960255B2. Автор: Jiangbo Ye. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming metal chalcogenide thin films on a semiconductor device

Номер патента: US09711396B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Eugene Givens,Fu Tang,Jacob Huffman Woodruff. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods of preparing tungsten and tungsten nitride thin films using tungsten chloride precursor

Номер патента: US09595470B2. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Joshua Collins,Juwen Gao,Hanna Bamnolker. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: RU2751982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-21.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20170194445A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method and Structure of Forming Silicide and Diffusion Barrier Layer With Direct Deposited Film on Silicon

Номер патента: US20110309508A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,John M. Cotte,Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Zhu Liu,Laura L. Kosbar,Xiaoyan Shao,Kathryn C. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Apparatus and method for manufacturing thin film encapsulation

Номер патента: US09853192B2. Автор: Yong-Suk Lee,Myung-Soo Huh,Jeong-Ho Yi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US09634105B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate including the thin film transistor and display device including the array substrate

Номер патента: US09627543B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for increasing efficiency of doping and changing conductivity type of amorphous hydrogenated silicon slightly doped with acceptor impurities

Номер патента: RU2660220C2. Автор: Денис Михайлович Жигунов,Павел Константинович Кашкаров,Андрей Георгиевич Казанский,Павел Анатольевич Форш. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2018-07-05.

Silicon film forming method, thin film forming method and cross-sectional shape control method

Номер патента: US09758865B2. Автор: Mitsuhiro Okada,Hiroyuki Hayashi,Kazuya Takahashi,Kazuhide Hasebe,Katsuhiko Komori,Akinobu Kakimoto,Yoshikazu Furusawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443874B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120007043A1. Автор: Shin Yokoyama,Yoshiteru Amemiya. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2012-01-12.

Mask Plate, Manufacturing Method of Patterned Film Layer and Manufacturing Method of Thin Film Transistor

Номер патента: US20210232043A1. Автор: Tao Jiang,Botao SONG,Ling Han,Xinyang TANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Method for manufacturing perovskite solar cell module encapsulated with self-cleaning thin film by using inkjet printing, and perovskite solar cell module with self-cleaning function manufactured thereby

Номер патента: EP4387411A1. Автор: Jinyoung Lee. Владелец: Gosantech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Film transistor and method for manufacturing the same, display substrate and display device

Номер патента: US20170047451A1. Автор: Fengjuan LIU,Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Thin film transistor compristing light shielding layer and light blocking portion and method for manufacturing the same, display panel and display device

Номер патента: US20200381561A9. Автор: Wei Li,Jiangbo Chen,Liangchen YAN,Young Suk Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for manufacturing a photovoltaic cell with a locally diffused rear side

Номер патента: US09306087B2. Автор: Maxim Kelman,Dmitry Poplavskyy,Giuseppe Scardera,Gonghou Wang,Elizabeth Tai,Elena V Rogojina. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258176A1. Автор: Sang Moon Lee,Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Substrate, Color Filter Module, Method for Forming Substrate Module and Display Device

Номер патента: US20170153365A1. Автор: Tao Luo,Wen Xiao,Tao Tang,Zhiyong Zhang,Qingde LONG,Xuejie BAI,Zerong Yang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Thermoelectric conversion material and method for manufacturing same

Номер патента: US09461228B2. Автор: Koji Miyazaki,Kunihisa Kato,Tsuyoshi MUTOU. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Display panel and method for manufacturing same

Номер патента: US20190355933A1. Автор: Tianfu GUO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Thin-film transistor and method for making the smae

Номер патента: US20010028057A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Hisao Hayashi,Masahiro Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Full-laser scribing method for large-area copper indium gallium selenide thin-film solar cell module

Номер патента: US20180114876A1. Автор: Ning Zhang,Xinping YU,Wanlei Dai. Владелец: Beijing Sifang Crenergey Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Thin film transistor and preparation method therefor, display panel, and display device

Номер патента: EP3627560A1. Автор: Wei Li,Jiangbo Chen,Liangchen YAN,Young-suk Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-25.

Thin film transistor display device with zinc nitride ohmic contact layer

Номер патента: US09761725B2. Автор: Fengjuan LIU,Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for surface treatment

Номер патента: US9023741B2. Автор: Xianghua Wang,Ze Liu,Xianfeng Xiong,Longzhen QIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Preparation of copper-rich copper indium (gallium) diselenide/disulfide nanoparticles

Номер патента: US09960298B2. Автор: Christopher Newman,Stephen Whitelegg,Ombretta Masala,Cary ALLEN,Paul Kirkham. Владелец: Nanoco Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Apparatus and method for production of untwinned YBCO films

Номер патента: US09450165B1. Автор: Benjamin J. Taylor. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-09-20.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same, array substrates, display devices

Номер патента: US11588055B2. Автор: WEI Liu,Xiaoguang Chen,Jianjun Chen,Xinbo Zhou,Zhimin Wang,Jianbin GAO,Yongbo JU,Xikang JIN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same, array substrates, display devices

Номер патента: US20210328073A1. Автор: WEI Liu,Xiaoguang Chen,Jianjun Chen,Xinbo Zhou,Zhimin Wang,Jianbin GAO,Yongbo JU,Xikang JIN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Thin-film transistor and preparation method therefor, array substrate, and display device

Номер патента: EP3712943A1. Автор: WEI Liu,Xiaoguang Chen,Jianjun Chen,Xinbo Zhou,Zhimin Wang,Jianbin GAO,Yongbo JU,Xikang JIN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Method for manufacturing solar cell

Номер патента: US20220149224A1. Автор: Jungbae Kim,Jeongho Seo,JunYoung KANG,HyangJu MUN,SeonKi MIN,WonSuk SHIN,HyunKyo SHIN,YoungTae YOON,KyoungJin LIM. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for manufacturing solar cell

Номер патента: EP3979339A1. Автор: Hyun Kyo Shin,Won Suk Shin,Jung Bae Kim,Jeong Ho Seo,Jun Young Kang,Hyang Ju Mun,Seon Ki Min,Young Tae Yoon,Kyoung Jin Lim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-06.

Method for manufacturing solar cell, solar cell, solar cell device, and solar cell module

Номер патента: US11810985B2. Автор: Junichi Nakamura. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Preparation method of indium-gallium-zinc-oxygen-based multi-layer structure thin film transistor

Номер патента: CN112599420A. Автор: 杨帆,白航空,林丹,何嵘,竹文坤,邱慧,李宸,冯金波,郑在纹,任俨,乐昊飏. Владелец: Mianyang HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-02.

Evaluation method for oxide semiconductor thin film, quality control method for oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in the evaluation method

Номер патента: US20150371906A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Tomoya Kishi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

CVD material compound and method for manufacturing the same and CVD method of ruthenium or ruthenium compound thin film

Номер патента: US20030054638A1. Автор: Masayuki Saito,Junichi Taniuchi,Hiroaki Suzuki,Koji Okamoto. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2003-03-20.

Method for producing a long wavelength indium gallium arsenide nitride(InGaAsN) active region

Номер патента: US6756325B2. Автор: YING-LAN Chang,Tetsuya Takeuchi,David P. Bour,Scott Corzine,Ashish Tandon,Michael R. T. Tan. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-06-29.

Thin film transistor, array substrate, display panel, and method for fabricating array substrate

Номер патента: US20240038787A1. Автор: WENXU Xianyu,Yixian Zhang,Jixiang GONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for surface treatment

Номер патента: US20140141564A1. Автор: Xianghua Wang,Ze Liu,Xianfeng Xiong,Longzhen QIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

INK COMPOSITION FOR MANUFACTURING LIGHT ABSORPTION LAYER OF SOLAR CELLS AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20160133768A1. Автор: PARK Eun Ju,Yoon Seokhee,YOON Seokhyun,LEE Hosub. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Method for producing an electrical and/or mechanical connection between flexible thin-film substrates

Номер патента: US6995083B2. Автор: Martin Schüttler,Werner Haberer,Hans-Jörg BEUTEL. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2006-02-07.

Method for laminating an Optically Functional Film to a Display Cell of a Flexible Thin Film Structure

Номер патента: KR20160016591A. Автор: 나오 무라카미,사토루 고시오,타다토시 나카니시,서창시. Владелец: 닛토덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-02-15.

Method for laminating an optically functional film to a display cell of a flexible thin film structure

Номер патента: TW201609358A. Автор: 村上奈穗,徐創矢,小塩智,中西多公歲. Владелец: 日東電工股份有限公司. Дата публикации: 2016-03-16.

Method for laminating an Optically Functional Film to a Display Cell of a Flexible Thin Film Structure

Номер патента: KR102457666B1. Автор: 나오 무라카미,사토루 고시오,타다토시 나카니시,서창시. Владелец: 닛토덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-10-24.

Method for the formation of a non-rectifying back-contact in a CDTE /CDS thin film solar cell

Номер патента: CN101816073B. Автор: A·罗密欧,N·罗密欧,A·波西欧. Владелец: Solar Systems and Equipments SRL. Дата публикации: 2012-02-01.

Method for the formation of a non-rectifying back-contact in a cdte/cds thin film solar cell

Номер патента: CA2691506A1. Автор: Alessio Bosio,Alessandro Romeo,Nicola Romeo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-31.

Method for the formation of a non-rectifying back-contact in a CdTe /CdS thin film solar cell

Номер патента: AU2007355717A1. Автор: Alessio Bosio,Alessandro Romeo,Nicola Romeo. Владелец: Solar Systems and Equipments SRL. Дата публикации: 2008-12-31.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Method for manufacturing a thin-film transistor

Номер патента: RU2749493C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Аюб Рамзанович Умаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-06-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6890866B2. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-05-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185660A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185659A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

MOCVD of tungsten nitride thin films using W(CO)6 and NH3 for Copper barrier applications

Номер патента: US20040203234A1. Автор: Wei Pan,David Evans,Sheng Hsu,Robert Barrowcliff. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Thermally matched readout/detector assembly and method for fabricating same

Номер патента: GB9418859D0. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-11-09.

Method for manufacturing mask blank and coating apparatus

Номер патента: MY150671A. Автор: Keishi Asakawa,Ryoji Miyata. Владелец: Hoya Electronics Malaysia Sendirian Berhad. Дата публикации: 2014-02-28.

Method for manufacturing molybdenum oxide-containing thin film

Номер патента: US09881796B2. Автор: Hiroki Sato,Junji Ueyama. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Etching method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120094445A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hiroshi Fujiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Light engine based on silicon photonics tsv interposer

Номер патента: US20230299008A1. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Light engine based on silicon photonics TSV interposer

Номер патента: US12057403B2. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09917197B2. Автор: Masashi TSUBUKU,Kojiro SHIRAISHI,Takafumi Mizoguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for producing hybrid substrates, and hybrid substrate

Номер патента: US09837301B2. Автор: Yoshihiro Kubota,Shigeru Konishi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

TFT substrate, method for producing same, organic EL display device, and method for manufacturing organic EL display device

Номер патента: US09564474B2. Автор: Atsushi Sasaki,Eiichi Satoh,Hirofumi Higashi. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for producing thin membranes of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer membranes obtained by molecular layer precipitation

Номер патента: RU2749573C1. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-06-15.

Metal thin film substrate, transparent display comprising same, method for patterning metal thin film substrate, and method for manufacturing transparent display

Номер патента: US20240286382A1. Автор: Cheol-Hun Lee,Jun-Gu Lee,Sung-Jin Noh,Ki-Joon Park. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Array substrate and method for manufacturing same, display panel and display device

Номер патента: US20240306438A1. Автор: WEI Liu,Jie Huang,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for manufacturing soi wafer

Номер патента: SG11201406680PA. Автор: Hiroji Aga,Toru Ishizuka. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2014-12-30.

Electronic device and method for manufacturing the same, and substrate structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991187B2. Автор: Motonobu Sato,Mizuhisa Nihei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor package

Номер патента: US20110195568A1. Автор: Meng-Jen Wang,Chien-Yu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Stacked nanowire or nanosheet gate-all-around device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210151561A1. Автор: Huaxiang Yin,Yongliang Li,Qingzhu ZHANG,Wenwu Wang,Xiaohong Cheng. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Cleaning liquid composition, method for cleaning semiconductor element, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09587208B2. Автор: Kenji Shimada,Masaru Ohto,Hiroshi Yoshida,Kojiro Abe. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Soi substrate and method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20120098086A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Maki Togawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-26.

Method of etching copper indium gallium selenide (cigs) material

Номер патента: US20200152470A1. Автор: Chentsau Ying,Jong Mun Kim,Mang-Mang Ling. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for manufacturing array substrate and array substrate

Номер патента: US20210134843A1. Автор: Chuanbao LUO,Dai Tian. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Solar cells fabricated by using cvd epitaxial si films on metallurgical-grade si wafers

Номер патента: WO2010033304A3. Автор: ZHENG Xu,Peijun Ding,Jianming Fu,Jianjun Liang,Chentao Yu,Guanghua Song. Владелец: SIERRA SOLAR POWER, INC.. Дата публикации: 2010-09-02.

Solar cells fabricated by using cvd epitaxial si films on metallurgical-grade si wafers

Номер патента: EP2324513A2. Автор: ZHENG Xu,Peijun Ding,Jianming Fu,Jianjun Liang,Chentao Yu,Guanghua Song. Владелец: Silevo Solar Power Inc. Дата публикации: 2011-05-25.

Solar cells fabricated by using cvd epitaxial si films on metallurgical-grade si wafers

Номер патента: WO2010033304A2. Автор: ZHENG Xu,Peijun Ding,Jianming Fu,Jianjun Liang,Chentao Yu,Guanghua Song. Владелец: SIERRA SOLAR POWER, INC.. Дата публикации: 2010-03-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170170069A1. Автор: Atsuko Sakata,Satoshi Wakatsuki,Hiroshi Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Display substrate, display device and method for manufacturing display substrate

Номер патента: US20150372015A1. Автор: Pan Li,Yong Qiao,Wenbo Li,Hongfei Cheng,Jianbo Xian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

An improved method of planarizing thin film layers deposited over a common circuit base

Номер патента: WO2000007233A1. Автор: David J. Chazan,Jan I. Strandberg,Michael P. Skinner,Todd S. Kaplan,James L. Lykins,Ted Te-Chung Chen. Владелец: Kulicke & Soffa Holdings, Inc.. Дата публикации: 2000-02-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831125B2. Автор: Atsuko Sakata,Satoshi Wakatsuki,Hiroshi Nakazawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US09761617B2. Автор: Xi Chen,Zheng Liu,Xiaoxiang Zhang,Zhichao Zhang,Tsung Chieh KUO,Mingxuan Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing a damascene thin-film resistor

Номер патента: US09679844B2. Автор: Yaojian Leng,Justin Hiroki Sato. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing piezoelectric device with a composite piezoelectric substrate

Номер патента: US09508918B2. Автор: Takashi Iwamoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of preparing substrate surface from aluminum nitride ceramics for thin film metallization

Номер патента: RU2724291C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Method for manufacturing a pad conditioner by reverse plating and pad conditioner manufactured thereby

Номер патента: US20190232461A1. Автор: Ju-Ho Maeng. Владелец: SAESOL DIAMOND IND CO Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for manufacturing pyrolytic boron nitride composite substrate

Номер патента: US20080251192A1. Автор: Koichi Tanaka,Atsuo Ito,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-16.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A3. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2002-11-21.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-02-21.

SOI substrate, silicon substrate therefor and it's manufacturing method

Номер патента: US20070228522A1. Автор: Eiji Kamiyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: EP1309991A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-05-14.

First-plating-then-etching quad flat no-lead (qfn) packaging structures and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2013078750A1. Автор: Zhizhong Liang,Xinchao Wang. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co. Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Method for manufacturing semiconductor device having trench filled with polysilicon

Номер патента: US20010046762A1. Автор: Hiroyasu Ito,Masatoshi Kato,Takafumi Arakawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070298577A1. Автор: Masaki Kagamihara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09859391B2. Автор: Jun Tanaka. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing an electronic device

Номер патента: US09711707B2. Автор: Atsushi KOZUKI. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Light-emitting diode module and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2510102C1. Автор: Вон Санг ЛИ,Йоунг Кеун КИМ. Владелец: Даевон Инност Ко., Лтд. Дата публикации: 2014-03-20.

Thin film transistor, method for manufacturing thereof and display device

Номер патента: US20210210529A1. Автор: WEI YANG,Lizhong Wang,Tianmin Zhou,Xiaming ZHU,Jipeng Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258487A1. Автор: Sunghwan Yoon,Dongseok Lee,Minjae KANG,Jusang RHIM,Yuseop SHIN,RokHee LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Light emitting diode panel and method for manufacturing the light emitting diode panel

Номер патента: US20220085266A1. Автор: Sangmin Shin,Hoseop Lee,Sangyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Methods for manufacturing an electronic device

Номер патента: US20230245932A1. Автор: Ting-Kai Hung,Chia-Hsiung Chang,Hsiao-Lang Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Light emitting diode panel and method for manufacturing the light emitting diode panel

Номер патента: US12040320B2. Автор: Sangmin Shin,Hoseop Lee,Sangyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Precursor solution of indium gallium zinc oxide film and method of manufacturing indium gallium zinc oxide thin film transistor

Номер патента: US12040408B2. Автор: Hang Zhou,Hejing Sun,Hengda Qiu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09972732B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09530914B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2016-12-27.

Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818775B2. Автор: Chunping Long,Chien Hung Liu,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Piezoelectric element and method for manufacturing piezoelectric element

Номер патента: US20190214541A1. Автор: Takamichi Fujii,Takayuki Naono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634043B2. Автор: Chunping Long,Chien Hung Liu,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for producing chalcopyrite compound thin films for solar cells using multi-stage paste coating

Номер патента: US20140070347A1. Автор: Byoung Koun Min,Yun Jeong HWANG,Hee Sang An. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for forming silicon oxide and metal nanopattern's, and magnetic recording medium for information storage using the same

Номер патента: US09495991B2. Автор: No Ma Kim,Eun Ji Shin,Yeon Sik Jung,Sung Soo Yoon,Yang Kyoo Han,Je Gwon Lee,Hyun Jin Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US9385297B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US20150064804A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US09685603B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Thin-film solar cell module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09634157B2. Автор: Hiroki Sugimoto,Keisuke Ishikawa,Masashi Kondou. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing ESD device, ESD device and display panel

Номер патента: US09443884B2. Автор: Zhenfei Cai,Zhaohui Hao. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for controlling an increase in conductivity of a polymer thin-film to provide a conductive film

Номер патента: US09825226B2. Автор: Sun Jin Yun,Changbong YEON. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Method for manufacturing absorber layers for solar cell

Номер патента: EP1649520A1. Автор: In-Hwan Choi. Владелец: In-Solar-Tech Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Nanocrystalline layers based on low annealing point titanium dioxide for use in dye-sensitised solar cells and methods for production thereof

Номер патента: RU2569086C2. Автор: Наталья Владимировна Голубко,Дмитрий Юльевич Годовский,Дзаечол ЛИ,Мин-Чжон ЛИ,Юлианна Еремеевна Рогинская,Анастасия Евгеньевна Озимова. Владелец: Эл Джи Кем, Лтд.. Дата публикации: 2015-11-20.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US20170194218A1. Автор: Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi,Kazushi HAYASI. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US09780005B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing polycrystalline silicon thin-film solar cells by means method for crystallizing large-area amorphous silicon thin film using linear electron beam

Номер патента: US09680047B2. Автор: Sun Hwa Lee,Ho Sung Kim,Sang Ryu,Chae Hwan Jeong,Seong Jae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2017-06-13.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin using the same

Номер патента: US11749522B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Multilayer back electrode for a photovoltaic thin-film solar cell and use thereof for manufacturing thin-film solar cells and modules, photovoltaic thin-film solar cells and modules containing the multilayer back electrode and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20150114446A1. Автор: Volker Probst. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-04-30.

Active matrix substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09461077B2. Автор: Kazunori Inoue,Kensuke Nagayama,Nobuaki Ishiga,Naoki Tsumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for manufacturing organic optoelectronic device and organic optoelectronic device manufactured thereby

Номер патента: US20230389404A1. Автор: Min Soo Kim,Dong Hwan WANG,Woongsik Jang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing a thin film transistor

Номер патента: US6387738B2. Автор: Hye-dong Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Organic thin-film transistor and method for manufacturing the same, material for organic thin-film transistor, composition for organic thin-film transistor, compound, and organic semiconductor film

Номер патента: US20180159048A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Electrode matrix, method for manufacturing it and device for processing and/or storing data

Номер патента: RU2275697C2. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2006-04-27.

Conductor etching for producing thin-film transistor devices

Номер патента: GB2582214A. Автор: Jongman Jan,Dury Joffrey,Asplin Brian. Владелец: FlexEnable Ltd. Дата публикации: 2020-09-16.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210257426A1. Автор: Seung Hyun Lee,Tae Sik KIM,Hee Yeon Kim,Tetsuhiro Tanaka,Sug Woo JUNG,Yeong-gyu KIM,Ki Seong Seo,Kyeong Woo JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Thin film transistor and method for manufacturing the same array substrate and display device

Номер патента: US20180294361A1. Автор: Xianxue Duan,Hui An,Dezhi Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Array substrate, display panel, display apparatus, and method for manufacturing array substrate

Номер патента: US20190165004A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu,Jujian Fu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Light-induced aluminum plating on silicon for solar cell metallization

Номер патента: US20240240346A1. Автор: MENG Tao,Laidong Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09899532B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Xuyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Array substrate and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09881941B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing a thin film consisting of a colloidal crystal infiltrated with the luminescent MDMO-PPV polymer made of silica (SiO2) spheres, having a face-centered cubic system (FCC)

Номер патента: US09859497B2. Автор: Juan Carlos SALCEDO REYES,Henry Alberto MÉNDEZ PINZÓN,Luis Camilo Jiménez Borrego. Владелец: PONTIFICIA UNIVERSIDAD JAVERIANA. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin film transistor, method for manufacturing thin film transistor, array substrate, method for manufacturing array substrate, and display device

Номер патента: US09698166B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Display apparatus comprising thin film transistor

Номер патента: US20210181554A1. Автор: Junghyun Lee,Hyun Soo Shin,Yewon Hong,Sohyung Lee,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for manufacturing stacked thin film, method for manufacturing solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system

Номер патента: WO2022201591A1. Автор: Mutsuki Yamazaki,Kazushige Yamamoto,Yasutaka Nishida,Soichiro Shibasaki,Naoyuki Nakagawa,Yukitami Mizuno,Yuya Honishi,Taro Asakura. Владелец: TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2022-09-29.

Layer-stacked wiring and method for manufacturing same and semiconductor device using same and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070221922A1. Автор: Jun Tanaka,Hiroshi Kanoh. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Electronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180323125A1. Автор: Daisuke Fukuoka,Eiji Hayashi,Shuji Yoneda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Method for manufacturing stacked thin film, method for manufacturing solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system

Номер патента: EP4094295A1. Автор: Mutsuki Yamazaki,Kazushige Yamamoto,Yasutaka Nishida,Soichiro Shibasaki,Naoyuki Nakagawa,Yukitami Mizuno,Yuya Honishi,Taro Asakura. Владелец: Toshiba Energy Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-30.

Method for manufacturing fingerprint identification modules

Номер патента: US9824255B2. Автор: Juan Wang. Владелец: Miics and Partners Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing thin film transistor, and thin film transistor

Номер патента: US20190386030A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Organic thin film transistor, method for manufacturing the same and method for recoverying insulation thereof

Номер патента: US09865830B2. Автор: Myung-Han Yoon,Eui Tae Kim,Kookheon Char,Jae-Hyuk Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing fingerprint identification modules

Номер патента: US09824255B2. Автор: Juan Wang. Владелец: Miics and Partners Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated micro-inverter and thin film solar module and manufacturing process

Номер патента: US09755099B2. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Hartmut Kuehl,Ruediger Kellman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing thin-film transistor substrate

Номер патента: US09496374B2. Автор: Yuting Chen,Zhe HU,Chenglung Chiang,Polin CHEN,Tzuchieh Lai,Runze Zhan,Chengyuan Dong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Thin film transistor structure, array substrate and method for manufacturing a thin film transistor structure

Номер патента: US20200066901A1. Автор: Liangchen YAN,Dongfang Wang,Zhanfeng CAO,Jingang Fang,Ce ZHAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20130217192A1. Автор: Jong Hyun Seo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-22.

An array substrate, a display panel and a method for manufacturing the array substrate

Номер патента: US20200395391A1. Автор: Wentao Ding. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US8871578B2. Автор: Jong Hyun Seo. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Korea Aerospace University. Дата публикации: 2014-10-28.

Thin-film transistor (TFT) for driving organic light-emitting diode (OLED) and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060292757A1. Автор: Yung-Fu Wu,Yu-Jung Liu,Yung-Hui Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130099290A1. Автор: Hiroshi Nakatsuji,Masahiro Fujiwara,Tsuyoshi Itoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Vertical channel thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213372A1. Автор: Seong-Mok CHO,Ji Hun Choi,Yong Hae Kim,Chi-Sun Hwang,Jae-Eun PI,Jong-Heon Yang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-27.

Pixel unit, array substrate, display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160254339A1. Автор: Chunsheng Jiang,Jingfei Fang,Baojiang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Manufacturing method of thin film and metal line for display using the same, thin film transistor array panel, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09799678B2. Автор: Jong-In Kim,Jean-Ho Song,Byeong-Beom Kim,Je-hyeong Park,Jae-Hyoung Youn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Pixel unit, array substrate, display device and method for manufacturing the same including MoW/Cu/MoW conductive line

Номер патента: US09691836B2. Автор: Chunsheng Jiang,Jingfei Fang,Baojiang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing crystalline silicon-based solar cell and method for manufacturing crystalline silicon-based solar cell module

Номер патента: US09634176B2. Автор: Daisuke Adachi,Hisashi Uzu,Masanori Kanematsu. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing electronic device

Номер патента: US09437821B2. Автор: Shuichi Sassa,Kouichi Rokuhara. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Array substrate and method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20240234436A9. Автор: Rongrong Li,Shasha Li. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor thin-film and manufacturing method thereof, thin-film transistor, and display apparatus

Номер патента: US20190067609A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for the fabrication of indium-gallium nitride electrodes for electrochemical devices

Номер патента: EP3430659A1. Автор: Richard Noetzel,Stefano SANGUINETTI. Владелец: Universita degli Studi di Milano Bicocca. Дата публикации: 2019-01-23.

Method for the fabrication of indium-gallium nitride electrodes for electrochemical devices

Номер патента: WO2017157960A1. Автор: Richard Noetzel,Stefano SANGUINETTI. Владелец: Universita' Degli Studi Di Milano Bicocca. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and device for manufacturing semiconductor using said method for managing quality

Номер патента: US20190122941A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for patching up thin-film transistor circuits on a display panel by local thin-film deposition

Номер патента: US20050142669A1. Автор: Yi-Shen Chen,Liang-Hsing Fan. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-06-30.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, thin film transistor assembly, array substrate and display apparatus

Номер патента: US10186616B2. Автор: Peng Li,Zhi Hou,ZHONG FENG,Zuhong Liu,Daeoh Oh,Qinggao ZHOU,Panpan MENG. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Method for patching up thin-film transistor circuits on a display panel by local thin-film deposition

Номер патента: US20050003588A1. Автор: Yi-Shen Chen,Liang-Hsing Fan. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-01-06.

Method for patching up thin-film transistor circuits on a display panel by local thin-film deposition

Номер патента: US20070117283A1. Автор: Yi-Shen Chen,Liang-Hsing Fan. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-05-24.

Low-cost solar cells and methods for their production

Номер патента: EP2208238A1. Автор: SINHA Ashok. Владелец: SUNPREME Inc. Дата публикации: 2010-07-21.

Thin film transistor array substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040124451A1. Автор: Seung Nam,Jae Oh. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Thin film transitor and method for manufacturing the same, thin film transistor assembly, array substrate and display apparatus

Номер патента: US20170194482A1. Автор: Peng Li,Zhi Hou,ZHONG FENG,Zuhong Liu,Daeoh Oh,Qinggao ZHOU,Panpan MENG. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for manufacturing a photovoltaic cell and a photovoltaic cell obtained with such a method

Номер патента: US20100236618A1. Автор: Martin Dinant Bijker. Владелец: Otb Solar Bv. Дата публикации: 2010-09-23.

Tft structure, lcd device, and method for manufacturing tft

Номер патента: US20140203274A1. Автор: Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Array substrate, method for manufacturing array substrate, and display panel

Номер патента: US20230215872A1. Автор: Zhixiong JIANG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Metal mesh array and manufacturing method thereof, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240211082A1. Автор: Feng Qu,Kui Liang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Thin film transistor and method for manufacturing same, display panel, and display device

Номер патента: US20240194686A1. Автор: Jie Huang,Zhengliang Li,Lizhong Wang,Shuilang Dong,ce Ning,Hehe HU,Lubin SHI,Liping LEI,Jiayu HE,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12105411B2. Автор: Kota Suzuki,Kayo CHAEN. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Flexible display substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859525B2. Автор: LU LIU,Ming-Che Hsieh,Chunyan Xie. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin-film transistor (TFT), manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09640553B2. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for manufacturing array substrate, array substrate, and display device

Номер патента: US09520420B2. Автор: Zheng Liu,Zuqiang Wang,Jangsoon IM. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for fabricating organic light emitting diode display

Номер патента: US20200227638A1. Автор: Jing Wang,San ZHU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US11309392B2. Автор: HUI Li,Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor device for use in a light valve device, and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1026733A1. Автор: Kunihiro Takahashi,Yoshikazu Kojima,Tsuneo Yamazaki,Hiroaki Takasu,Nobuyoshi Matsuyama,Hitoshi Niwa,Tomoyuki Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20030008488A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050082655A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Kazuo Nishi,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada,Yoshikazu Hiura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display panel

Номер патента: US20160300858A1. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Chunping Long,Liang Sun,Xiaoyong Lu,Shuai ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US20150279869A1. Автор: Lei Du. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Aqueous acidic solution and etching solution and method for texturizing surface of single crystal and polycrystal silicon substrates

Номер патента: EP2611881A1. Автор: Andreas Klipp,Christian Bittner,Cornelia RÖGER-GÖPFERT,Simon Braun,Chengwei Lin,Meichin Shen. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-10.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20210005726A1. Автор: HUI Li,Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Oxide thin film transistor including photocatalyst layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230253505A1. Автор: Hyun Jae Kim,Sujin JUNG,Dong Hyun Choi,Jong Bin An,Kunho Moon,Jong Hyuk Ahn,I Sak Lee. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-08-10.

Thin film transistor, method for manufacturing same, display device, and method for manufacturing same

Номер патента: US20120132909A1. Автор: Tomomasa Ueda,Shintaro Nakano,Shuichi Uchikoga,Nobuyoshi Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Thin film transistor, method for manufacturing same, display device, and method for manufacturing same

Номер патента: US20140138682A1. Автор: Tomomasa Ueda,Shintaro Nakano,Shuichi Uchikoga,Nobuyoshi Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09978875B2. Автор: Jingang Fang,Lungpao HSIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Array substrate of X-ray sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09786711B2. Автор: DONG Yang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Cobalt (Co) and platinum (Pt)-based multilayer thin film having inverted structure and method for manufacturing same

Номер патента: US09705075B2. Автор: Tae Young Lee,Sang Ho Lim,Seong Rae Lee,Dong-Su Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Display device, array substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09685461B2. Автор: Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing flexible display device

Номер патента: US09559337B2. Автор: Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Array substrate and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09515095B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Zhiyong Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Array substrate of X-ray sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09484384B2. Автор: DONG Yang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09437622B2. Автор: Lei Du. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09412768B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for producing thin-film light-absorbing layer and method for manufacturing thin-film solar cell including the same

Номер патента: US20130048074A1. Автор: So Hye CHO,Jong Ku Park,Hyung Ho Park,Kyunghoon Kim,Bong Geun SONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2013-02-28.

Liquid chemical vapor recovery device, wet stripping device, photoresist stripping process, and method for manufacturing thin film transistor-liquid crystal display using the same

Номер патента: US20190064674A1. Автор: Hao Yin,Xiaoning Liu,Qianqian Li,Mingming Wang,Dongseob Kim,Shikai Wang,Yadong Xu,Jun Geng,Yadong Liang,Zhongren JIANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Array substrate and method for manufacturing the same, display panel

Номер патента: US9318509B2. Автор: Shan GAO,Young Yik Ko,Yingying Nan. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Method for reducing substrate capacitive coupling of a thin film inductor by reverse P/N junctions

Номер патента: EP1071132A3. Автор: Min Zhu,Kai Chartered Semiconductor Manuf. Pte Ltd. Shao,Shao-fu Chart. Semicond. Manuf. Ltd Sandford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-06-09.

Solar cell with high photoelectric conversion efficiency and method for manufacturing solar cell with high photoelectric conversion efficiency

Номер патента: US12046687B2. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami,Hiroyuki Ohtsuka,Ryo Mitta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140077212A1. Автор: Tiansheng Li,Shaoying Xu,Zhenyu Xie,Changjiang Yan. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Organic light emitting diode display with improved on-current, and method for manufacturing the same

Номер патента: US8232123B2. Автор: Jong-Moo Huh,Joon-hoo Choi,Kyu-Sik Cho,Byoung-Seong JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-31.

Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120262433A1. Автор: Jong-Moo Huh,Joon-hoo Choi,Kyu-Sik Cho,Byoung-Seong JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130134516A1. Автор: Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-30.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, display device

Номер патента: US20220320449A1. Автор: Lizhong Wang,Yupeng Gao,Tianmin Zhou,Ning DANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Array substrate, display device, and method for manufacturing same

Номер патента: US20200335575A1. Автор: Xue Dong,Ke Wang,Fei Wang,Guangcai Yuan,Huijuan Wang,Zhijun LV,Zhiwei Liang,Haixu Li,Zhanfeng CAO,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8932927B2. Автор: Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-01-13.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, display device

Номер патента: US12041795B2. Автор: Lizhong Wang,Yupeng Gao,Tianmin Zhou,Ning DANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing a thin-layer photovoltaic device, in particular for solar glazing

Номер патента: US20150287859A1. Автор: Ivan Jager,Pierre-Yves Thoulon,Marc Ricci. Владелец: CROSSLUX. Дата публикации: 2015-10-08.

Organic thin film and method for manufacturing organic thin film, organic electroluminescence element, display device, illumination device, organic thin film solar cell, thin film transistor, and coating composition

Номер патента: US20190081239A1. Автор: Takahisa Shimizu,Munehiro Hasegawa,Katsuyuki Morii,Syun GOHDA,Hirohiko Fukagawa. Владелец: Nippon Hoso Kyokai NHK. Дата публикации: 2019-03-14.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367A1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2003-09-24.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367B1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-03-09.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20010021133A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Display backplane and method for manufacturing the same, display panel and display device

Номер патента: US20200411566A1. Автор: Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Haixu Li,Qingzhao Liu,Muxin DI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

High Temperature Sputtered Stoichiometric Titanium Nitride Thin Films

Номер патента: US20190276925A1. Автор: Xiao Liu,Battogtokh Jugdersuren,Brian T. Kearney. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor sensor device and method for manufacturing same

Номер патента: US10732062B2. Автор: Takeshi Konno,Hiroshi Kikuchi,Kentarou MIYAJIMA,Munenori Degawa. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-08-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for making thin film transistor

Номер патента: US09960354B1. Автор: Yang Wei,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Dong-Qi Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Array substrate, method for manufacturing the same and display device

Номер патента: US09905787B2. Автор: Xuehui Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Color film substrate, touch display and method for manufacturing the color film substrate

Номер патента: US09887292B2. Автор: Fengjuan LIU,Longbao XIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Array substrate, display device, and method for manufacturing array substrate

Номер патента: US09887255B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods for manufacturing poly-silicon thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09887216B2. Автор: Xianxue Duan,Chengcheng Wang,Tianzhen LIU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Thin-film transistor, method for manufacturing the same and display device comprising the same

Номер патента: US09761650B2. Автор: Seyeoul Kwon,Sangcheon Youn,Mingu CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Flexible display substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09553135B2. Автор: LU LIU,Ming-Che Hsieh,Chunyan Xie. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for processing a minute structure on a surface of the silicon substrate

Номер патента: US09508880B2. Автор: Takashi Hirose,Ryosuke Motoyoshi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Oxide thin film transistor, display device, and method for manufacturing array substrate

Номер патента: US09502577B2. Автор: WEI YANG,Ke Wang,Seongyeol Yoo,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for manufacturing oxide thin film transistor (TFT) array substrate

Номер патента: US09484360B2. Автор: XIANG Liu,Wei Qin,Heecheol KIM. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

PEDOT:PSS based electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US09478743B2. Автор: Kwanghee Lee,Seoung-Ho Lee,Nara KIM,Seyoung KEE. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-10-25.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and display device comprising the same

Номер патента: US09478666B2. Автор: Seyeoul Kwon,Sangcheon Youn,Mingu CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Organic light emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443920B2. Автор: Soyoung Noh,Jeongoh Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for placing nano-diamonds with nv-centers on silicon nitride

Номер патента: RU2761426C2. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-12-08.

Method for manufacturing thin film transistor array substrate and display panel

Номер патента: US20240162253A1. Автор: Wei Wu,SHAN Li,Jun Zhao,Bin Zhao,Juncheng Xiao. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for manufacturing transparent conductive film

Номер патента: EP3730669A1. Автор: Dongmyung Shin,Jongmin MOON. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-10-28.

Method for manufacturing thin film

Номер патента: EP4249629A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Multilayer reflective film-attached substrate, reflective mask blank, reflective mask, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20220269161A1. Автор: Kota Suzuki,Kayo CHAEN. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Display Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120032177A1. Автор: Kunio Hosoya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Touch panel, method for manufacturing the same, and touch device

Номер патента: US20200279891A1. Автор: Weisheng Su. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110095300A1. Автор: Woong-Kwon Kim,Dae-Cheol Kim,Sang-Youn Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Compositions for manufacturing thin film and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20230220213A1. Автор: Kazuya Saito,Haruyoshi Sato,Masayuki Kimura,Seung-Min Ryu,Takahiro Yoshii,Jae Woon Kim,Tsubasa Shiratori,Youn Joung CHO,Gyu-hee Park,Min Jae SUNG. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for manufacturing a photovoltaic cell and a photovoltaic cell obtained with such a method

Номер патента: EP2208233A1. Автор: Martin Dinant Bijker. Владелец: Otb Solar Bv. Дата публикации: 2010-07-21.

Method for manufacturing a photovoltaic cell and a photovoltaic cell obtained with such a method

Номер патента: WO2009048332A1. Автор: Martin Dinant Bijker. Владелец: OTB Group B.V.. Дата публикации: 2009-04-16.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate and display panel

Номер патента: US20240297255A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947797B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09778530B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Thin film transistor, its manufacturing method, array substrate and display device

Номер патента: US09685621B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Array substrate, method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09685460B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09651843B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for forming quantum dot thin film

Номер патента: US09644077B2. Автор: Won-Seok Chang,So-Hee Jeong,Hyung-Cheoul SHIM. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2017-05-09.

Perpendicularly magnetized thin film structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09355669B2. Автор: Byoung Chul Min,Kyung Ho Shin,Gyung Min CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-05-31.

Array substrate, method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20200091203A1. Автор: Lu Yang,Feng Li,Mei Li,Lei Yao,Wentao Wang,Haifeng Xu,Jinfeng Wang,Yezhou FANG,Dawei Shi,Lin Hou,Jinjin XUE. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device, photoelectronic device, and method for manufacturing transition-metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US10593819B2. Автор: Jin Woo Park,Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Ji Young Byun,Geun Young Yeom,Doo San KIM,You Jin JI. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor device, photoelectronic device, and method for manufacturing transistion-metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US20200176620A1. Автор: Jin Woo Park,Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Ji Young Byun,Geun Young Yeom,Doo San KIM,You Jin JI. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-06-04.

Photomask and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20070087495A1. Автор: Chien-Ting Lai. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US20180204898A1. Автор: Yanzhao Li,HU Meng,Defeng MAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Display panel and method for manufacturing same

Номер патента: US20200043959A1. Автор: Huailiang He. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Organic light emitting display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160013259A1. Автор: Heejung YANG,Gyuwon HAN,Wonjoon HO,Jaekyu JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US20220037476A1. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US11901420B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Thin Film Transistor Substrate and Method for Manufacturing the Same and Organic Light Emitting Device Using the Same

Номер патента: US20150072483A1. Автор: Woo Jin Nam,Min Kyu Chang,Jong Sik SHIM,Hong Jae Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Array substrate, method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20210249450A1. Автор: Lu Yang,Feng Li,Mei Li,Lei Yao,Wentao Wang,Haifeng Xu,Jinfeng Wang,Yezhou FANG,Dawei Shi,Lin Hou,Jinjin XUE. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20160204212A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Single junction type cigs thin film solar cell and method for manufacturing the thin film solar cell

Номер патента: US20120103418A1. Автор: Won Seok Han,Yong-Duck Chung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-05-03.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: WO2024124771A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Display substrate, display device and method for manufacturing display substrate

Номер патента: US9496290B2. Автор: Pan Li,Yong Qiao,Wenbo Li,Hongfei Cheng,Jianbo Xian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20130237008A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Yoshio Ozawa,Shinichi Nakao,Ichiro Mizushima,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kei Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: EP4409643A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Fabrication methods of thin film transistor substrates

Номер патента: US20080227252A1. Автор: Chih-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-09-18.

Method for manufacturing printed-circuit board

Номер патента: US20090321266A1. Автор: Harufumi Kobayashi,Yoshimi Egawa. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Method for manufacturing pixel structure

Номер патента: US20100055853A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Ming-Yuan Huang,Ta-Wen Liao,Chih-Hung Shih,Han-Tu Lin,Chih-Chun Yang,Chia-Chi Tsai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-03-04.

Method for manufacturing transparent thin film transistor-based photosensitive device

Номер патента: US20240234619A1. Автор: Po-Tsun Liu,Yu-Chuan Chiu,Jia-Lin Huang. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

Sensor module, method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US12094890B2. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160141300A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Copper compound, starting material for forming thin film, and method for manufacturing thin film

Номер патента: US09994593B2. Автор: Atsushi Sakurai,Akihiro Nishida,Makoto Okabe,Masaki Enzu,Tomoharu Yoshino. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for manufacturing thin film solar cell

Номер патента: US09941423B2. Автор: Jeung-Hyun Jeong,Won Mok Kim,Jong-Keuk Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-04-10.

Micro-sensor body and method for manufacturing the same, as well as micro-sensor

Номер патента: US09796577B2. Автор: Tian Yang,Chunyan JI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing black matrix with easy recognition of alignment mark

Номер патента: US09766521B2. Автор: YUAN Xiong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Flexible organic light-emitting display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09761816B2. Автор: Jonghyun Park,Mijung Lee,SooYoung Yoon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Display substrate, method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09634042B2. Автор: Song Zhang,Tao Sun,Tao Gao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

AMTEC unit cell with partially opened internal electrode and method for manufacturing the AMTEC cell

Номер патента: US09607774B2. Автор: Se-Young Kim,Min-Soo Suh,Sun-Dong Kim,Sang-Kuk Woo,Jong-Hoon JOO,In-Sub Han,Doo-Won Seo. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2017-03-28.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate, and display device

Номер патента: US09590055B2. Автор: Chunwei Wu,Woobong Lee. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Three-dimensional memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09536893B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, display device

Номер патента: US09502576B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Display substrate, display device and method for manufacturing display substrate

Номер патента: US09496290B2. Автор: Pan Li,Yong Qiao,Wenbo Li,Hongfei Cheng,Jianbo Xian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Thin film transistor substrate having metal oxide semiconductor and manufacturing the same

Номер патента: US09425216B2. Автор: Sul Lee,Hun Jang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Thin film transistor and manufacturing method therefor, array substrate, and display device

Номер патента: EP4141959A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,ce Ning,Jiushi WANG,Hehe HU,Fengjuan LIU,Jiayu HE,Tianmin Zhou,Nianqi YAO,Zhongpeng Tian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Electroluminescent device, method for manufacturing the same, method for detecting the same and display device

Номер патента: US20210367208A1. Автор: Chengyuan Luo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Structure and method for forming integral nitride light sensors on silicon substrates

Номер патента: US20140264358A1. Автор: Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for Selective Delamination and Transfer of Thin Film Using Liquid Platform

Номер патента: US20200387073A1. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-12-10.

Thin film photoelectric conversion device and method for manufacturing thin film photoelectric conversion device

Номер патента: US20110272771A1. Автор: Jose Briceno. Владелец: Si Nano Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

High Electron Mobility Transistor and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20110156100A1. Автор: Chien-I Kuo,Edward Yi Chang,Heng-Tung Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2011-06-30.

Method for Manufacturing Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT

Номер патента: US20150031174A1. Автор: Guangran PAN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Method for manufacturing photoelectric conversion device

Номер патента: US20110318864A1. Автор: Junpei Momo,Fumito Isaka,Sho Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for manufacturing fine-pitch bumps and structure thereof

Номер патента: US20130249089A1. Автор: Cheng-Hung Shih,Yung-Wei Hsieh,Shu-Chen Lin,Cheng-Fan Lin,Hua-An Dai. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Array substrate and method for manufacturing same, and display device

Номер патента: US20240255817A1. Автор: Feng Xiao,Toshifumi Yagi,Yanmei Luo,Guidong Yang. Владелец: Chengdu Boe Display Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Display panel, thin film transistor included in the same, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240172546A1. Автор: Daesoo Kim,SungWon Cho,Yunjong Yeo,Daewon CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for producing display device

Номер патента: US11650469B2. Автор: Yi Sun,Seiji Kaneko,Masahiko Miwa,Masaki Yamanaka,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2023-05-16.

Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929186B2. Автор: Kazunori Inoue,Kensuke Nagayama,Naoki Tsumura,Takaharu KONOMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Thin film transistor substrate including thin film transistor formed of oxide semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911765B2. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin film transistor utilized in array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09893198B2. Автор: Kuo-Lung Fang,Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin,Chih-Lung Lee,Po-Li Shih. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US09816944B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Inverted organic electronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722197B2. Автор: Kwanghee Lee,Hongkyu Kang. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistor substrate including thin film transistor formed of oxide semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716118B2. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Substrate for diaphragm-type resonant MEMS devices, diaphragm-type resonant MEMS device and method for manufacturing same

Номер патента: US09688528B2. Автор: Takahiro Sano,Takayuki Naono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Thin film transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09660103B2. Автор: Hiroshi Goto,Toshihiro Kugimiya,Mototaka Ochi,Shinya Morita,Yasuyuki Takanashi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer

Номер патента: US09660092B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Takuya Handa,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for manufacturing photovoltaic panels by the use of a polymeric tri-layer comprising a composite getter system

Номер патента: US09595626B2. Автор: Giorgio Longoni,Antonio Bonucci,Marco Amiotti,Sergio Rondena,Luca Toia. Владелец: SAES Getters SpA. Дата публикации: 2017-03-14.

Deposition apparatus, method for forming thin film using the same, organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590207B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh,Sun-Ho Kim,Hyun-Woo Joo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for forming pattern arrays and organic devices including the pattern arrays

Номер патента: US09496497B2. Автор: Sin-Doo Lee,Yu-Jin Na. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of fabricating copper indium gallium selenide (CIGS) thin film for solar cell using simplified co-vacuum evaporation and copper indium gallium selenide (CIGS) thin film for solar cell fabricated by the same

Номер патента: US09472708B2. Автор: Ara Cho,Jae-Ho Yun,Sung Woo Choi,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Kyung Hoon YOON,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Guk-Yeong Jeong,Hisun Park. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods for manufacturing integrated magnetic components and LED power supply

Номер патента: US09978499B2. Автор: Jinxiang Shen,Ningning Wang. Владелец: Zhejiang Shenghui Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Ultra-thin lithium film laminate and method for preparing the same

Номер патента: US20240204262A1. Автор: Deyu KONG,Zhaoyong Sun,Qingna HUAN,Xiuna Han. Владелец: China Energy Lithium Co ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing electrical connection component

Номер патента: US20200161821A1. Автор: Hiroki Kawai. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for making a field-emission type electron gun

Номер патента: US5620350A. Автор: Hisashi Takemura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-04-15.

Transparent substrate with thin film and method for manufacturing transparent substrate with circuit pattern wherein such transparent substrate with thin film is used

Номер патента: US20120100774A1. Автор: Kenji Tanaka,Hiroshi Sakamoto,Koji Nakagawa,Satoru Takaki,Reo USUI,Kenichi Ebata,Ryohei Satoh,Takamitsu Isono,Eiji Morinaga. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-26.

Method for fabricating electrode for rechargeable lithium battery

Номер патента: CA2388016C. Автор: Hisaki Tarui,Hiroaki Ikeda,Masahisa Fujimoto,Shin Fujitani,Hiromasa Yagi,Yoichi Domoto,Masaki Shima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-22.

METHOD FOR MANUFACTURING COLD CATHODES OPERATING AT LOW VOLTAGES BY IRRADIATION OF DLC THIN FILMS WITH MULTICHARGED IONS AND CORRESPONDING EMITTING SURFACES

Номер патента: FR2890231B1. Автор: Jean Pierre Briand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-09.

Method for preparing a tem sample

Номер патента: US20220068600A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for preparing a TEM sample

Номер патента: US11315755B2. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

On-chip thin film Zernike phase plate and applications thereof

Номер патента: US8791416B2. Автор: Yong-Fen Hsieh,Chih-Ting Chen,Yuh-Lin Wang,Yunn-Shin Shiue,Pai-Chia Kuo. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2014-07-29.

On-chip thin film zernike phase plate and applications thereof

Номер патента: US20140166880A1. Автор: Yong-Fen Hsieh,Chih-Ting Chen,Yuh-Lin Wang,Yunn-Shin Shiue,Pai-Chia Kuo. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2014-06-19.

Process for manufacturing a magnetic bubble memory chip

Номер патента: US4579624A. Автор: Teiji Majima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-04-01.

Method for growing niobium oxynitride layer

Номер патента: US20170088975A1. Автор: Toru Nakamura,Hideaki Murase,Satoru Tamura,Kazuhito Hato,Ryosuke Kikuchi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Fe-Co Based Target Material and Method for Producing the Same

Номер патента: US20130149185A1. Автор: Yoshikazu Aikawa,Akihiko Yanagitani. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Method for manufacturing laser diode chip, optical transmitting/receiving module and method for aligning positions thereof

Номер патента: US20020039805A1. Автор: HONG Jun,Ho Lee,Jun Song,Ki Shin,Bon Koo,Euy Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Apparatus and method for manufacturing thin film, electro-chemical device and method for manufacturing electro-chemical device

Номер патента: US09770890B2. Автор: Kazuyoshi Honda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for manufacturing resistive films by magnetron sputtering

Номер патента: RU2658310C1. Автор: Андрей Викторович Мороз,Елена Андреевна Рыжова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2018-06-20.

Method for manufacturing anticorrosive thin film resistor and structure thereof

Номер патента: US09508474B2. Автор: Shih-Long Wei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for manufacturing indium tin oxide nanowires

Номер патента: US20130272953A1. Автор: Wen Li,Richard W. Burns,Chaoyin Zhou,Amanda Phelps. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2013-10-17.

Method for manufacturing charge dissipative surface layer

Номер патента: RU2655942C2. Автор: Клаус Циммерман,Кристел НЁМАЙР,Зелина ИСКАНДЕРОВА,Якоб КЛЯЙМАН. Владелец: Интегрити Тестинг Лэборэтори Инк.. Дата публикации: 2018-05-30.

Long wavelength VCSEL and integrated VCSEL systems on silicon substrates

Номер патента: US11769989B2. Автор: Elad Mentovich,Vladimir Iakovlev,Yuri Berk,Isabelle Cestier. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Improved method for the preparation of nanocrystalline diamond thin films

Номер патента: WO1997013892A1. Автор: Dieter M. Gruen,Alan R. Krauss. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 1997-04-17.

Sheet of anisotropic electrotechnical steel and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2766228C1. Автор: Суити НАКАМУРА,Такаси КАТАОКА,Йосиюки УСИГАМИ,Сунсуке ОКУМУРА,Хироясу ФУДЗИИ. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2022-02-10.

Method for fabricating nanoporous thin film, nanoporous thin film and its applications

Номер патента: EP3991831A1. Автор: Ivo Rangelow,Xiang-qian ZHOU. Владелец: Zhou Xiang Qian. Дата публикации: 2022-05-04.

Laminate, electron source and electronic device containing laminate, and production method and cleaning method for laminate

Номер патента: EP4407066A1. Автор: Takashi Aizawa,Katsumi Nagaoka,Shun-ichiro OHMI. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for manufacturing vertically-growing open carbon nanotube thin film

Номер патента: US09884768B2. Автор: YANG Zhao,Zhaoxiang Zhong,Zhong YAO. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-06.

Conductive thin film, preparation method for conductive thin film and lithium ion battery

Номер патента: EP4053857A1. Автор: Wenqing Liu,Shiwei ZANG. Владелец: Chongqing Jimat New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-07.

Method for manufacturing photoelectrode

Номер патента: US20220372640A1. Автор: Jihoon Choi,Dong Su Kim,Hyungkoun CHO,Heewon Suh,Sung Hyeon JUNG,Hakhyeon Lee,Kun Woong LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for Manfuacturing Electrode Plate for Secondary Battery, and Electrode Plate for Secondary Battery

Номер патента: US20230378418A1. Автор: Sun Kyu KIM,Sang Hoon Choy. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for manufacturing electrode plate for secondary battery, and electrode plate for secondary battery

Номер патента: EP4099423A1. Автор: Sun Kyu KIM,Sang Hoon Choy. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Method for manufacturing resin thin film

Номер патента: MY130795A. Автор: Kazuyoshi Honda,Masaru Odagiri,Tomonori Sato,Noriyasu Echigo,Toru Miyake,Nobuki Sunagare. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-31.

Manufacturing method for polycrystalline electrode

Номер патента: US20170062800A1. Автор: Der-Jun Jan,Tien-Hsiang Hsueh,Chi-Hung Su,Yuh-Jenq Yu,Yuan-Ruei Jheng. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2017-03-02.

Film antenna and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110248892A1. Автор: Kensuke Yoshida,Tomoyuki Shinohara,Takashi Matsukawa,Yoshinori Satoh,Takashi Yokouchi. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-10-13.

Method for manufacturing half-metallic magnetic oxide and plasma sputtering apparatus used in the same

Номер патента: US20030070914A1. Автор: Jin Hong,CHANG Lee,Sung Lee,Chae Kim,Kap Yoon. Владелец: Hanyang Hak Won Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Manufacturing method for separator of lithium metal secondary battery and lithium metal secondary battery manufactured by using the same

Номер патента: US20230282932A1. Автор: Kuk Young Cho,Jin Sol IM,Jin Hyeok AHN,Ju Yeon IM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for manufacturing solid electrolytic capacitor, and solid electrolytic capacitor

Номер патента: US09865401B2. Автор: Kiyofumi Aoki,Koji Inazawa,Hiromasa Ageo,Junya Tatsuno. Владелец: AVX Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods for manufacturing laminated core

Номер патента: CA3235969A1. Автор: Takeshi Omura,Yoshihisa Ichihara,Souichiro Yoshizaki. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Apparatus and method for thin-film processing applications

Номер патента: WO2015124207A1. Автор: Thomas Deppisch. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-08-27.

Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation

Номер патента: US20140083363A1. Автор: Mahalingam Venkatesan,Steven Verhaverbeke,Omkaram Nalamasu,Majeed A. Foad,Nety M. Krishna. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Thin film battery having improved battery performance through substrate surface treatment and method for manufacturing same

Номер патента: US09520615B2. Автор: Young Jin Yoon,Jae Hwan Ko. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Matrix auto emission cathode and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2666784C1. Автор: Михаил Георгиевич Путря,Валерий Петрович Тимошенков,Александр Анатольевич Голишников,Татьяна Юрьевна Крупкина,Евгений Павлович Кицюк,Роман Михайлович Рязанов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2018-09-12.

Solid electrolyte membrane, method for manufacturing same, and method for selecting solid electrolyte membrane

Номер патента: US12095033B2. Автор: Jung-Pil Lee,Eun-Bee KIM,Eun-Kyung MOK. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and apparatus for producing thin films on a substrate via a pulsed- electron deposition process

Номер патента: WO2010058281A1. Автор: Claudio Ferrari,Massimo Mazzer,Francesco Bissoli,Stefano Rampino,Edmondo Gilioli,Francesco Pattini. Владелец: CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE. Дата публикации: 2010-05-27.

METHOD FOR FORMING A LiCoO2 FILM AND APPARATUS FOR IMPLEMENTATION THEREOF

Номер патента: RU2765222C1. Автор: Айрат Хамитович Хисамов,Сергей Михайлович Насточкин,Александр Викторович Россохатый,Ярослав Анатольевич Короленко. Владелец: Тхе Баттериес Сп. з о.о.. Дата публикации: 2022-01-26.

Bio-Electrode Composition, Bio-Electrode, And Method For Manufacturing Bio-Electrode

Номер патента: US20240215891A1. Автор: Jun Hatakeyama,Takayuki Nagasawa,Joe Ikeda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Solid electrolyte, method for manufacturing solid electrolyte, solid electrolyte laminate, method for manufacturing solid electrolyte laminate, and fuel cell

Номер патента: US20150044597A1. Автор: Masatoshi Majima,Atsushi Yamaguchi,Donglin HAN,Naho Mizuhara,Tetsuya Uda,Chihiro Hiraiwa,Akiko Kuramitsu. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for directional deposition using a gas cluster ion beam

Номер патента: WO2009042484A1. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2009-04-02.

Laminated ceramic chip component including nano thin film layer, manufacturing method therefor, and atomic layer vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US20170260046A1. Автор: Hyun Suk Kim,Jin Ha Hwang,Dae Bum PARK,Yong Jo CHOO,Da Hee PARK,Myeong Hee KO,Kyoung Woo KWON,Hee Su HWANG,Jeong Wan CHOI. Владелец: MAX TECH Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Dispersing Agent of MWCNTs and the Method for Preparation and Application of Homogeneous MWCNTs Dispersion

Номер патента: US20120070566A1. Автор: I-Lin Ho,Sea-Fue Wang,Chung-Kuang Yang,S. Ashok Kumar. Владелец: NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-03-22.

Method for forming gas cluster and method for forming thin film

Номер патента: US20010010835A1. Автор: Jiro Matsuo,Isao Yamada,Makoto Akizuki,Mitsuaki Harada,Atsumasa Doi,Satoru Ogasawara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Method for forming gas cluster and method for forming thin film

Номер патента: US20020068128A1. Автор: Jiro Matsuo,Isao Yamada,Makoto Akizuki,Mitsuaki Harada,Atsumasa Doi,Satoru Ogasawara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Method for manufacturing thin film chip resistor device

Номер патента: US09991032B2. Автор: Wan-Ping Wang. Владелец: Ralec Electronic Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming metal nanowire or metal nanomesh

Номер патента: US09957363B2. Автор: No Ma Kim,Eun Ji Shin,Sung Soo Yoon,Yang Kyoo Han,Je Gwon Lee,Hyun Jin Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-05-01.

Solid electrolyte, method for manufacturing solid electrolyte, solid electrolyte laminate, method for manufacturing solid electrolyte laminate, and fuel cell

Номер патента: US09876248B2. Автор: Masatoshi Majima,Atsushi Yamaguchi,Donglin HAN,Naho Mizuhara,Tetsuya Uda,Chihiro Hiraiwa,Akiko Kuramitsu. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing graphene composite electrode material

Номер патента: US09803275B2. Автор: Yewen Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for measuring the diffusion coefficient with a nonequilibrium concentration of ions in electrolytes and apparatus for implementation thereof

Номер патента: RU2761448C1. Автор: Александр Мордухаевич Скундин,Александр Степанович Рудый,Александр Александрович Мироненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова". Дата публикации: 2021-12-08.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20020146857A1. Автор: Jun Ichihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-10-10.

Bio-Electrode, Bio-Electrode Composition, And Method For Manufacturing Bio-Electrode

Номер патента: US20240215890A1. Автор: Jun Hatakeyama,Takayuki Nagasawa,Joe Ikeda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Hollow fiber membrane for humidifier and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100190093A1. Автор: Moo-Seok Lee. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2010-07-29.

Thin film batteries and methods for manufacturing same

Номер патента: EP2291876A2. Автор: Michael Stowell,Nety Krishna,Byung Sung Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-03-09.

Integral thin-film metal resistor with improved tolerance and simplified processing

Номер патента: WO2000002088A1. Автор: Gregory J. Dunn,Allyson Beuhler,Jovica Savic. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 2000-01-13.

Bio-Electrode And Method For Manufacturing Bio-Electrode

Номер патента: US20240285211A1. Автор: Jun Hatakeyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Surface treatment titanium material for fuel cell separator, and method for manufacturing said material

Номер патента: EP4239735A1. Автор: Jun Suzuki,Yusuke Watanabe,Toshiki Sato,Kotaro Ikeda,Tomoki TAMBO,Takuya ITAKURA. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Method for producing substrate for millimeter wave

Номер патента: US20230294389A1. Автор: Byoung Nam Kim,Chul-Keun Park,Hong Il Yoo,Jong Yup Lee. Владелец: Sensorview Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Device and method for formation of multicharged ion beams

Номер патента: RU2716825C1. Автор: Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Петрович Гололобов,Александр Борисович Толстогузов,Сергей Игоревич Гусев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2020-03-17.

Method for manufacturing perovskite solar cell module encapsulated with self-cleaning thin film by using inkjet printing, and perovskite solar cell module with self-cleaning function manufactured thereby

Номер патента: US20240206199A1. Автор: Jinyoung Lee. Владелец: Gosantech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing film or piezoelectric film

Номер патента: US20050220987A1. Автор: Jun Akedo,Motohiro Yasui,Sou Baba. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2005-10-06.

Diffractive thin-film piezoelectric micromirror and method of producing the same

Номер патента: US20050105157A1. Автор: Min-Suk Oh,Seung-Do An,Jong-Hyeong Song,Sang-Kyeong Yun. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-19.

Stereoscopic image display and method for manufacturing the same

Номер патента: US9066090B2. Автор: SUNGPIL Ryu,Jinyeong Kim,Taewoong Moon,Heeyoung CHAE,Meeran Park,Juhoon JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-23.

Mems device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240158225A1. Автор: Weng-Yi Chen,Jung-Hao CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Subtractive method for manufacturing circuit board with fine interconnect

Номер патента: US20240107680A1. Автор: Hsu-Tung Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for manufacturing N-type and P-type chalcogenide material, Doped homojunction chalcogenide thin film transister and method of fabricating the same

Номер патента: KR101175189B1. Автор: 송기봉,이상수. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2012-08-20.

Method for manufacturing film or piezoelectric film

Номер патента: EP1583163A3. Автор: Motohiro c/o Techn. Planning & IP Dept. Yasui,Jun c/o Nat. Inst. of Adv. Science & Tech. Akedo,Sou c/o Nat. Inst. of Adv. Science & Tech. Baba. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2006-04-12.

Amorphous transparent conductive thin film and method for producing the same, and sputtering target for obtaining the amorphous transparent conductive thin film and method for producing the same

Номер патента: JP4826066B2. Автор: 剛 小原,徳行 中山,能之 阿部,理一郎 和気. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2011-11-30.

Method of producing thin-film materials based on silicon, phosphorus, calcium and magnesium oxides

Номер патента: RU2719580C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Екатерина Сергеевна Лютова,Лариса Николаевна Спивакова,Елена Анатольевна Изосимова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2020-04-21.

Method for reducing structural damage to the surface of monocrystalline aluminium-nitride substrates, and monocrystalline aluminium-nitride substrates that can be produced by a method of this type

Номер патента: US20220372653A1. Автор: Stephan Müller,Elke Meissner,Boris Epelbaum. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2022-11-24.

Monocrystalline nickel-titanium films on single crystal silicon substrates using seed layers

Номер патента: US20230052052A1. Автор: Jagannathan Rajagopalan,Rohit Berlia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for improving image quality of a display device with low-temperature poly-silicon thin film transistor

Номер патента: US20080224979A1. Автор: Yu-Lin Lee,Chang-Cheng Lin,Ming-Jiun Liaw,Jan-Ruei Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of manufacturing a piezoelectric thin film

Номер патента: US12063023B2. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Thin film aluminium nitride ultrasound transducers integrated on the test components

Номер патента: WO2006003398A1. Автор: Alexander Cochran,Katherine Kirk,Chee Kin Lee,Francis Placido. Владелец: The University Of Paisley. Дата публикации: 2006-01-12.

Thin film aluminium nitride ultrasound transducers integrated on the test components

Номер патента: EP1766383A1. Автор: Alexander c/o The University of Paisley COCHRAN,Katherine c/o The University of Paisley KIRK,Chee Kin c/o The University of Paisley LEE,Francis c/o The University of Paisley PLACIDO. Владелец: University of Paisley. Дата публикации: 2007-03-28.

Method for manufacturing multilayer thin-film fpcb and heater

Номер патента: EP4425250A1. Автор: Hyun Seok Kim,Seung Hwan KO,Joon Hwa CHOI,Kwon Kyu KIM. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Thin film electrode ceramic substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130032383A1. Автор: Yun Hwi Park,Won Hee Yoo,Byeung Gyu Chang,Taek Jung Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Method for manufacturing head gimbal assembly, method for manufacturing hard disk drive, head gimbal assembly and hard disk drive

Номер патента: US20100232069A1. Автор: Kenjiro Hata. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Piezoelectric resonator, piezoelectric filter, duplexer, communication apparatus, and method for manufacturing piezoelectric resonator

Номер патента: US20050168110A1. Автор: Masaki Takeuchi,Daisuke Nakamura,Tadashi Nomura,Takashi Hayashi,Hajime Yamada,Yukio Yoshino,Hideki Kawamura,Hiroyuki Fujino,Ken-Ichi Uesaka,Yoshimitsu Ushimi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-04.

Display device and method for manufacturing same

Номер патента: US12069915B2. Автор: Yi Sun,Masahiko Miwa,Masaki Yamanaka,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing air pulse generating element

Номер патента: US20200059721A1. Автор: David Hong,Chiung C. Lo,Chun-I Chang. Владелец: Xmems Labs Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Display device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240357888A1. Автор: Yi Sun,Masahiko Miwa,Masaki Yamanaka,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Film bulk acoustic resonator package with thin film sealing structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US11949401B2. Автор: Ivoyl P Koutsaroff,Jin Nyoung JANG. Владелец: Wisol Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Piezoelectric single-crystal element, mems device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230120240A1. Автор: Sang Goo Lee. Владелец: Ibule Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor thin film, method for manufacturing the same and stretchable electrode, organic thin film transister, electronic device comprising the same

Номер патента: US20240276742A1. Автор: Minwoo Jeong,Jin Young Oh,Min Hyouk Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-08-15.

Production method for organic semiconductor thin film

Номер патента: EP3923359A1. Автор: Eijiro Iwase,Akihiko Suyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Vibrator device and method for manufacturing vibrator device

Номер патента: US12052009B2. Автор: Katsuya Suzuki,Kenichi Kurokawa,Naruki Teradaira. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for manufacturing glass film laminate, glass film laminate, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20160229744A1. Автор: Naotoshi Inayama,Mutsumu Fukada. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Method for reducing thin films on low temperature substrates

Номер патента: US09839139B2. Автор: Kurt A. Schroder,Dave S. Pope,Ian M. Rawson. Владелец: NCC Nano LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Substrate having a hole, method for manufacturing the substrate, infrared sensor, and method for manufacturing the infrared sensor

Номер патента: US09714866B1. Автор: Tatsuya Suzuki,Yoshikazu Fujimori. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing surface acoustic wave element, as well as surface acoustic wave element manufactured by the same method

Номер патента: US20050273996A1. Автор: Yuji Mitsui. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Display panel, method for manufacturing the same and display device

Номер патента: US12029097B2. Автор: Qian Jin,Zhongyuan Sun,Jingkai Ni,Kai SUI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Piezoelectric microelectromechanical device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024194533A1. Автор: Kristina BESPALOVA,Artem GABRELIAN,Mervi PAULASTO-KRÖCKEL,Glen ROSS,Tarmo NIEMINEN. Владелец: AALTO UNIVERSITY FOUNDATION SR. Дата публикации: 2024-09-26.

Transparent inorganic thin-film electroluminescent display element and method for manufacturing it

Номер патента: EP2865241A1. Автор: Kari Harkonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2015-04-29.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4391778A1. Автор: Jeong Seok Lee,Changhee Lee,Seung Yong Song,Seung Hun Kim,Kwan Hyuck Yoon,Hee Jun Yang,Woocheol Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Apparatus and method for deposition of thin films

Номер патента: WO2001059174A1. Автор: Todd Kaplan,Vladimir Matijasevic. Владелец: Conductus, Inc.. Дата публикации: 2001-08-16.

Apparatus and method for deposition of thin films

Номер патента: EP1255875A1. Автор: Todd Kaplan,Vladimir Matijasevic. Владелец: Conductus Inc. Дата публикации: 2002-11-13.

Display substrate, method for manufacturing the same and display device

Номер патента: US20230232672A1. Автор: Yang Wang,Mingche HSIEH,Kuo Sun,Haijun Yin. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Composite piezomaterial and method for its manufacture

Номер патента: RU2751896C1. Автор: Александр Анатольевич Панич,Алексей Анатольевич Нестеров,Евгений Анатольевич Панич,Михаил Игоревич Толстунов,Любовь Александровна Дыкина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет». Дата публикации: 2021-07-19.

Device and method for heating material, which is possible to smoke

Номер патента: RU2704113C1. Автор: Митчел ТОРСЕН. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for manufacturing wiring substrate

Номер патента: US20210235584A1. Автор: Shinichiro Ichikawa,Takanori Doi. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Quantum dot, method for preparing quantum dot, and light emitting element including quantum dot

Номер патента: US20240174920A1. Автор: Youngsik Kim,Donghee Lee,Seung-Won Park,Sungjae Kim,Junehyuk Jung,Bitna YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Coated solder wire and method for manufacturing same

Номер патента: US20170348807A1. Автор: Hidetoshi Yamabe,Hiroshi Kobayashi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-12-07.

Substrate for diaphragm-type resonant mems devices, diaphragm-type resonant mems device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160107880A1. Автор: Takahiro Sano,Takayuki Naono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for manufacturing multilayer substrate, multilayer insulation film, and multilayer substrate

Номер патента: US09888580B2. Автор: Kazuyoshi Shiomi,Tatsushi Hayashi,Kazutaka Shirahase. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing printed wiring board with conductive post and printed wiring board with conductive post

Номер патента: US09713267B2. Автор: Takeshi Furusawa,Toru Furuta,Tomoya TERAKURA. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for making magnetizable core with winding for electric machine (variants), magnetizable core manufactured using said method, with winding, and also an electric machine with core manufactured by said method, with winding

Номер патента: RU2267215C2. Автор: Клаус ПФЛЮГЕР,Хельмут КРОЙЦЕР,Эберхард РАУ,Адам ВИЛЛЬМОТТ,Алан ФАССИ,Уилль мс НЕЙЛ,Уилльямс НЕЙЛ,Мартин ХЕННЕ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-12-27.

Dielectric heat-conducting paste and method for production thereof

Номер патента: RU2771023C1. Автор: Сергей Александрович Алексеев,Александр Дмитриевич Савчук,Сергей Юрьевич Грязнов,Владимир Дмитриевич Ивин,Александр Викторович Казак,Денис Сергеевич Будкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-Исследовательский Технологический Институт "Авангард". Дата публикации: 2022-04-25.

Tantalum carbide-covered carbon material and method for manufacturing thereof

Номер патента: RU2576406C2. Автор: Мика КОНДО. Владелец: Тойо Тансо Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-03-10.

Method for producing metal powder

Номер патента: MY192419A. Автор: Kimura Tetsuya,Iwasaki Mineto. Владелец: Shoei Chemical Ind Co. Дата публикации: 2022-08-19.

Structural template for producing a stamping tool for stamping a thin-film element, use of a structural template, and method for providing a structural template

Номер патента: US20240326298A1. Автор: Guillaume Gomard,Benjamin Fritz,Ruben Hünig,Moritz Luck. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for switching memory resistance by near-infrared laser beam

Номер патента: US09859001B2. Автор: Jihoon Kim,YongWook LEE. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2018-01-02.

Microneedle biosensor and manufacturing method for same

Номер патента: US20240197253A1. Автор: Jun Young Ahn,Eun Hee Jang. Владелец: Albiti Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for producing microparticles by growing a precipitated seed microparticle

Номер патента: US09669463B2. Автор: Masakazu Enomura. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for producing gas barrier plastic molded body

Номер патента: NZ612580A. Автор: Masaki Nakaya,Midori TAKIGUCHI,Mari Shimizu,Aiko Sato,Hiroyasu TABUCHI,Eitaro Matsui. Владелец: Kirin Brewery. Дата публикации: 2015-02-27.

Electrochemical treatment method for surface etching of copper indium gallium selenide thin film

Номер патента: CN105633200A. Автор: 刘江,廖成,刘焕明,梅军,叶勤燕,何绪林. Владелец: Chengdu Science and Technology Development Center of CAEP. Дата публикации: 2016-06-01.

METHOD FOR MANUFACTURING A CERAMIC COMPOSITE MATERIAL REINFORCED WITH CARBON-BASED FIBERS CONTAINING SILICON CARBIDE, OR BASED ON SILICON CARBIDE.

Номер патента: FR3057863B1. Автор: Dietmar Koch,Bernd Mainzer,Bernhard Heidenreich. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2022-02-18.

METHOD FOR REDUCING STRUCTURAL DAMAGE TO THE SURFACE OF MONOCRYSTALLINE ALUMINIUM-NITRIDE SUBSTRATES, AND MONOCRYSTALLINE ALUMINIUM-NITRIDE SUBSTRATES THAT CAN BE PRODUCED BY A METHOD OF THIS TYPE

Номер патента: US20220372653A1. Автор: Müller Stephan,Epelbaum Boris,MEISSNER Elke. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for reducing structural damage to the surface of monocrystalline aluminium-nitride substrates, and monocrystalline aluminium-nitride substrates that can be produced by a method of this type

Номер патента: WO2021064000A1. Автор: Stephan Müller,Elke Meissner,Boris Epelbaum. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2021-04-08.

Airbag Base Fabric and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20240011202A1. Автор: Fumiaki Ise. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Airbag base fabric and method for manufacturing same

Номер патента: EP4230789A1. Автор: Fumiaki Ise. Владелец: Asahi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

REACTOR SYSTEM AND METHOD FOR FORMING A LAYER COMPRISING INDIUM GALLIUM ZINC OXIDE

Номер патента: US20220403516A1. Автор: Shero Eric,Dunn Todd,Ma Paul,Liu Eric Jen Cheng,Bakke Jonathan,Winkler Jereld,Wang Xingye. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Method for manufacturing X-ray mask and apparatus for controlling internal stress of thin film

Номер патента: JP2823276B2. Автор: 勝 堀,正光 伊藤. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-11-11.

Method for the creation of shaped plastic lenses from flat substrates through the application of a thin film coating

Номер патента: WO2010085330A1. Автор: Jeff Pool. Владелец: OCEAN THIN FILMS, INC.. Дата публикации: 2010-07-29.

Method for depositing alpha-alumina dielectric film on surface of silicon substrate

Номер патента: CN114807854A. Автор: 刘仲武,钟喜春,邱万奇,焦东玲,帅忠源. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-07-29.

Method for Measuring Thermo-Optically Induced Material Phase-Change Response in a Multiple Layer Thin Film Structure Using Visible and Ultraviolet Spectroscopy

Номер патента: US20100318212A1. Автор: Lei Zhong,Robert J. McClelland,John Mccormack,Carlos L. Ygartua. Владелец: KLA Tencor Technologies Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Thin film stent

Номер патента: US6096175A. Автор: Noah M. Roth. Владелец: Micro Therapeutics Inc. Дата публикации: 2000-08-01.

Thin film stent

Номер патента: AU5107199A. Автор: Noah M. Roth. Владелец: Micro Therapeutics Inc. Дата публикации: 2000-02-07.

Method for molding high precision components

Номер патента: US6136243A. Автор: Narayanan Rajan,Mehran Mehregany,Christian A. Zorman. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2000-10-24.

Liquid crystal device and method for compensating current leakage of LCD

Номер патента: US11961449B2. Автор: Mingwei Chen,Wenwu Liao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Multilayer substrate and method for producing the same, diamond film and method for producing the same

Номер патента: US20120225307A1. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Method for the separation of volatile compounds from viscous products by means of a thin-film evaporator, and polylactide resin

Номер патента: US20190352457A1. Автор: Rainer Hagen,Udo Mühlbauer. Владелец: Uhde Inventa Fischer GmbH. Дата публикации: 2019-11-21.

Device and method for detecting a substance with the aid of a high frequency piezo-acoustic thin film resonator

Номер патента: WO2004017063A3. Автор: Wolfram Wersing,Heinrich Zeininger,Hans-Dieter Feucht,Reinhard Gabl. Владелец: Reinhard Gabl. Дата публикации: 2004-05-13.

Device and method for detecting a substance with the aid of a high frequency piezo-acoustic thin film resonator

Номер патента: AU2003250294A1. Автор: Wolfram Wersing,Heinrich Zeininger,Hans-Dieter Feucht,Reinhard Gabl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2004-03-03.

Device and method for detecting a substance with the aid of a high frequency piezo-acoustic thin film resonator

Номер патента: WO2004017063A2. Автор: Wolfram Wersing,Heinrich Zeininger,Hans-Dieter Feucht,Reinhard Gabl. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2004-02-26.

Data transducer and method for writing data utilizing the bottom pole as the trailing edge of a thin-film magnetic tape write head

Номер патента: EP0983589A1. Автор: Lawrence G. Neumann. Владелец: Quantum Corp. Дата публикации: 2000-03-08.

Method for designing and manufacturing non-spherical liquid lens by means of non-uniform thin film

Номер патента: CN105223635B. Автор: 乔文,丁增千,李润丰,刘子衡. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-03-22.

Method for carrying out electrochemical removal of surface material by performing abrasive processing of thin film workpiece e.g. soft implant, involves performing optical detection of actual position of electrode holder at preset time

Номер патента: DE102011106928A1. Автор: Gerd Siekmeyer,Heinrich Weihs. Владелец: Admedes Schuessler GmbH. Дата публикации: 2013-01-10.

Dating envelope manufacturing method for forming e.g. bag, involves applying adhesive tag in closing flap, and applying sealing film on closing flap for sealing information materialized on pouch

Номер патента: FR2913671A1. Автор: Serge Schlee. Владелец: Serge Schlee. Дата публикации: 2008-09-19.

Method for for manufacturing reinforcing fabric for a transmission belt

Номер патента: EP3263947B1. Автор: Toshihiro Nishimura,Taisuke Kimura,Masakuni Yoshida. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

METHOD FOR MAKING PbSnSe SUBSTITUTION SOLID SOLUTION FILMS BY ION EXCHANGE PROCESS

Номер патента: RU2552588C1. Автор: Вячеслав Филиппович Марков,Лариса Николаевна Маскаева,Зинаида Игоревна Смирнова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2015-06-10.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286616C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

Method for manufacturing thermochromic film, thermochromic film manufactured using the same, and smart window including the thermochromic film

Номер патента: US20240042485A1. Автор: Yoonjoo CHOI,Taejong PAIK. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for manufacturing master disk for magnetic transfer

Номер патента: US20050069634A1. Автор: Hiroyuki Yoshimura. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2005-03-31.

METHOD FOR PRODUCING NANO-PROFILED ULTRA-THIN FILM Al2O3 ON SURFACE OF POROUS SILICON

Номер патента: RU2634326C2. Автор: Илья Сергеевич Тарасов,Александр Дмитриевич Бондарев,Иван Никитич Арсентьев,Александр Сергеевич Леньшин,Павел Владимирович Середин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБУ ВО ВГУ). Дата публикации: 2017-10-25.

Method for selectively depositing a polycrystalline diamond coating on silicon bases

Номер патента: RU2656627C1. Автор: Степан Андреевич Линник,Виталий Владимирович Охотников,Александр Валерьевич Гайдайчук. Владелец: Александр Валерьевич Гайдайчук. Дата публикации: 2018-06-06.

Method for manufacturing mems device and mems device

Номер патента: US20240051819A1. Автор: Kahkeen Lai,Ping-He Chang. Владелец: AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for Manufacturing Strain Sensor by Control of Thin-Film Crack Using Stress Concentration Structure and Strain Sensor Manufactured Using Same

Номер патента: US20240142217A1. Автор: Yongtaek Hong,Taehoon Kim,Daesik Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for manufacturing thin-film support beam

Номер патента: US09862595B2. Автор: Errong JING. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing microparticulate anatase or rutile titanium oxide dispersion and component having photocatalytic thin film on surface

Номер патента: US09463436B2. Автор: Shiro Takahashi,Tadashi Amano,Tomohiro Inoue,Yoshitsugu Eguchi,Manabu Furudate. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing an aluminium nitride optical waveguide, and aluminium nitride optical waveguide

Номер патента: NL2033304B1. Автор: Maria Garcia Blanco Sonia,Arnoldus Petrus Marinus Hendriks Ward,Mardani Mehrabad Soheila. Владелец: Univ Twente. Дата публикации: 2024-05-03.

Method for manufacturing an aluminium nitride optical waveguide, and aluminium nitride optical waveguide

Номер патента: WO2024080870A1. Автор: Ward Arnoldus Petrus Marinus HENDRIKS,Blanco Sonia María GARCÍA,Mehrabad Soheila MARDANI. Владелец: UNIVERSITEIT TWENTE. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for processing interior of vapor phase deposition apparatus, method for depositing thin film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050268851A1. Автор: Tomoe Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for processing interior of vapor phase deposition apparatus, method for depositing thin film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7276444B2. Автор: Tomoe Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-02.

Method for manufacture of items from reactive-sintered composite material

Номер патента: RU2747499C1. Автор: Владимир Евгеньевич Низовцев,Александр Константинович Климов,Михаил Иванович Ступеньков,Денис Александрович Климов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2021-05-05.

METHOD FOR PRODUCING HIGH-SPEED MULTICOMPONENT PHOTODETECTORS BUILT AROUND EPITAXIAL STRUCTURES InGaAs/InP

Номер патента: RU2318272C1. Автор: Инна Викторовна Чинарева,Ольга Викторовна Огнева,Олег Николаевич Забенькин,Тать на Николаевна Мищенкова,Татьяна Николаевна Мищенкова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН", ФГУП "НПО "ОРИОН". Дата публикации: 2008-02-27.

Metal nitride thin film and methods of preparation thereof

Номер патента: US20240052475A1. Автор: Khan Alam,Muhammad Baseer HAIDER,Khalil A. ZIQ,Bakhtiar Ul HAQ. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-02-15.

MoS2 thin film and method for manufacturing same

Номер патента: US09863039B2. Автор: Yo-Sep Min. Владелец: University Industry Cooperation Corporation of Konkuk University. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods for making solid state devices having spin-photon interfaces

Номер патента: WO2024124327A1. Автор: Mohsen Keshavarz Akhlaghi,Navid Mohammad Sadeghi Jahed. Владелец: Photonic Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for producing thin diamond films

Номер патента: RU2685665C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Алексей Александрович Шуткин,Анна Николаевна Макрушина,Анастасия Игоревна Зырянова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2019-04-22.

Method for manufacturing conductive mesh, thin film sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240241610A1. Автор: Jian Zhou,Feng Qu,Biqi LI,Mengwen JIA. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Terahertz modulator based on silicon micro-nano structure and its preparation method

Номер патента: LU500934B1. Автор: Jingbo Liu,Dongxiong LING,Qinnan Zhang. Владелец: Univ Dongguan Technology. Дата публикации: 2022-06-01.

Method for manufacturing support frame for pellicle, support frame for pellicle, and pellicle

Номер патента: US09599889B2. Автор: Takayuki Yamaguchi,Yoshihiro Taguchi,Akira Iizuka. Владелец: Nippon Light Metal Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for manufacturing rotor of electrostatic gyroscope and device for implementation of this method

Номер патента: RU2638870C1. Автор: Александр Юрьевич Филиппов,Александр Григорьевич Щербак,Ольга Сергеевна Юльметова,Александр Михайлович Фомичев,Сергей Николаевич Беляев,Маргарита Алексеевна Туманова. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2017-12-18.

Method for manufacturing optical waveguide and optical waveguide

Номер патента: US20240329311A1. Автор: Peng Zhang,Wei Tan,Hao Tang,Wen Xiong. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing a flexible humidity sensor

Номер патента: RU2764380C1. Автор: Петр Петрович Шарин,Светлана Афанасьевна Смагулова,Захар Иванович Евсеев,Данил Валериевич Николаев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова". Дата публикации: 2022-01-17.

Multilayer oral thin film

Номер патента: RU2762081C1. Автор: Кристоф ШМИТЦ,Михаэль ЛИНН. Владелец: Лтс Ломанн Терапи-Системе Аг. Дата публикации: 2021-12-15.

Method for manufacturing a stable freestanding pure water film

Номер патента: US20090155450A1. Автор: Jung Ho Je,Byung Mook Weon. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2009-06-18.

Method for manufacturing ScAIN target

Номер патента: US12018358B2. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Willem Cornelis Lambert Hopman. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for obtaining a transparent wear-resistant coating based on aluminum-magnesium boride on the surface of transparent glass products

Номер патента: RU2680548C1. Автор: Александр Михайлович Гришин,Вадим Вячеславович Путролайнен,Иван Валерьевич Ригоев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петрозаводский государственный университет". Дата публикации: 2019-02-22.

Method for manufacturing functional mixture-coated skin attachment thin film and skin-attachment thin film manufactured by using same

Номер патента: EP4374908A1. Автор: Ki Don Kim,Jun-Ho Jeong,Soon-Hyoung Hwang,Sohee JEON,Hyeok Jung Kang. Владелец: Crscube America Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110042673A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Tomoaki Yamabayashi,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Electroconductive film, method for manufacturing same, temperature sensor film, and method for manufacturing same

Номер патента: US12135247B2. Автор: Kazuhiro Nakajima,Satoshi Yasui,Kodai MIYAMOTO. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Bowl-shaped structure, method for manufacturing same, and bowl array

Номер патента: US09956740B2. Автор: Hyun Sung Kim,Kyung Byung Yoon. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing a liquid crystal display by applying a laser to remove at least a portion of a polymer thin film layer and a substrate

Номер патента: US09910305B2. Автор: Myung Hwan Kim,Myeong Hee Kim,Dae Ho Lee,Hee-Keun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

METHOD FOR OBTAINING FERROELECTRIC FILMS Ba1-XSrXTiO3

Номер патента: RU2671614C1. Автор: Андрей Вилевич Тумаркин,Андрей Анатольевич Одинец. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2018-11-02.

Micromechanical component, characterized by reduced surface of contact, and method for manufacturing thereof

Номер патента: RU2707712C1. Автор: Алекс ГАНДЕЛЬМАН,Андре ПЕН. Владелец: Ниварокс-Фар С.А.. Дата публикации: 2019-11-28.

Method of obtaining ordered lysozyme films on solid substrates in langmuir bath

Номер патента: RU2672410C1. Автор: Михаил Валентинович Ковальчук,Юрий Владимирович Писаревский,Павел Андреевич Просеков,Юлия Алексеевна Дьякова,Маргарита Александровна Марченкова,Алексей Юрьевич Серегин,Анастасия Сергеевна Бойкова. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2018-11-14.

Composition for depositing antimony-containing thin film and method for manufacturing antimony-containing thin film using the same

Номер патента: US20230203655A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for metal oxide coating of pyroelectric crystal

Номер патента: WO2022015274A2. Автор: Alican ÖKÇÜN. Владелец: Nero Endüstri̇ Savunma Sanayi̇ Anoni̇m Şi̇rketi̇. Дата публикации: 2022-01-20.

Clad textured metal substrate for forming epitaxial thin film thereon and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120312429A1. Автор: Shigeo Nagaya,Hirofumi Hoshino,Kunihiro Shima,Naoji Kashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-13.

Clad textured metal substrate for forming epitaxial thin film thereon and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080257255A1. Автор: Shigeo Nagaya,Hirofumi Hoshino,Kunihiro Shima,Naoji Kashima. Владелец: Chubu Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Clad textured metal substrate for forming epitaxial thin film thereon and method for manufacturing the same

Номер патента: US8287643B2. Автор: Shigeo Nagaya,Hirofumi Hoshino,Kunihiro Shima,Naoji Kashima. Владелец: Chubu Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2012-10-16.

Mask blank and method for manufacturing transfer mask

Номер патента: US20090233190A1. Автор: Masahiro Hashimoto. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Silicon substrate for magnetic recording and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090220821A1. Автор: Ken Ohashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-03.

Method for coating film ablation and glass cutting, which use laser, and for post-treatment

Номер патента: US20240317629A1. Автор: Hyung Sup Lee,Bon Ki Koo,Seung Jun Yi,Sun Hong Choi. Владелец: DOWOOINSYS Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Thin film devices and methods for preparing thin film devices

Номер патента: US09988713B2. Автор: Terry Alford,Sayantan Das. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2018-06-05.

Manufacturing methods for a porous fluororesin composite

Номер патента: US09463420B2. Автор: Kazuaki Ikeda,Fumihiro Hayashi,Shinichi Kanazawa,Tooru Morita,Itsumu Furumoto,Hajime Funatsu. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC FINE POLYMER INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing polymer film coated with cured polysiloxane

Номер патента: RU2582398C2. Автор: Михаэль ФЮРСТ,Герберт ПФЕФФЕРМАНН. Владелец: Инфиана Джермени ГмбХ унд Ко. КГ. Дата публикации: 2016-04-27.

Matrix of thin-filmed excitable mirrors and method for its manufacture

Номер патента: RU2156487C2. Автор: Ки МИН Йонг. Владелец: Дэу Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2000-09-20.

MATERIAL FOR CONVERSION OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS FILM OF SILICON OXIDE SiO2Sx ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2584205C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов,Владимир Алексеевич Пустоваров,Фиттинг Ганс-Йохим. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-05-20.

Manufacturing method of rod with optical thin film and rod block for use in the method

Номер патента: US7154685B2. Автор: Hodaka Norimatsu. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-26.

Method for Manufacturing a Mass-Spring System

Номер патента: EP1760038A3. Автор: Henrik Jakobsen. Владелец: Infineon Technologies Sensonor AS. Дата публикации: 2007-10-31.

Method of sputtering a carbon protective film on a magnetic disk with high sp3 carbon.

Номер патента: MY124998A. Автор: PENG Gang,YAMASHITA Tsutomu,Chen Tu,Hong Liu Wen. Владелец: Komag Incorporated. Дата публикации: 2006-07-31.

Group 4 metal element-containing compound, precursor composition including same, and method for manufacturing thin film using same

Номер патента: US20230312614A1. Автор: Jang-Hyeon Seok,Jung-Woo Park,Hyun-Kee Kim,Ki-Yeung Mun,Cheol-Wan Park,Ee-Seul SHIN,Eun-Jeong CHO. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Droplet discharging head, droplet discharging apparatus, method for manufacturing droplet discharging head and method for manufacturing droplet discharging apparatus

Номер патента: US20080043068A1. Автор: Katsuji Arakawa,Kazufumi Oya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Magneto-optical thin film, optical isolator, and method for manufacturing magneto-optical thin film

Номер патента: EP4386473A1. Автор: Bin Zhang,Huajun Zhou,Rong Chen,Kun CAO,Haohua Li,Yingfei XIONG,Zerui Jin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Membrane transducer structures and methods of manufacturing same using thin-film encapsulation

Номер патента: US09637371B2. Автор: Jeremy R. Hui,Carrie Wing-Zin Low,Emmanuel P Quevy. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Method for metallisation of aluminium nitride ceramics

Номер патента: RU2759248C1. Автор: Юрий Кондратьевич Непочатов,Петр Михайлович Плетнев,Иван Борисович Красный,Анастасия Аркадьевна Денисова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет путей сообщения" (СГУПС). Дата публикации: 2021-11-11.

Alpha gallium oxide thin-film structure having high conductivity obtained using selective area growth in hvpe growth manner and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240158953A1. Автор: Dae-Woo JEON,Ji-Hyeon PARK,Jae-Kyoung Mun. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for measuring thin films

Номер патента: WO2004092714A1. Автор: Alexei Maznev. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-28.

Systems and methods for integration of thin film optical materials in silicon photonics

Номер патента: US20240255696A1. Автор: Ping Piu Kuo. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-01.

System and method for detecting analytes in water

Номер патента: US12044669B2. Автор: Mohamed Jamal Deen,Arif UI ALAM. Владелец: 2055218 Ontario Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing wire for correcting a set of teeth

Номер патента: WO2008147066A2. Автор: In Jae Kim. Владелец: Woowon Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for fine patterning of a polymeric film

Номер патента: US5647999A. Автор: Tetsuya Tada,Toshihiko Kanayama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1997-07-15.

Method for growing high quality group-III nitride thin film by metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20020192373A1. Автор: Ok-Hyun Nam,Cheol-soo Sone,Hyeong-soo Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for manufacturing food indicator

Номер патента: US12067903B2. Автор: Kyoung Sik CHO,Grace Kim,Do Wan Kim,Seok Jun Hong. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2024-08-20.

Bis(n,n-diethyl tin carbamate), method for synthesis thereofand production of tin oxide films based thereon

Номер патента: RU2762687C1. Автор: Андрей Сергеевич Левашов,Дмитрий Сергеевич Бурый,Светлана Андреевна Ершова,Александра Руслановна Чикава. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2021-12-22.

Multi-layer mirror for radiation in the xuv wavelenght range and method for manufacture thereof

Номер патента: EP1390957A1. Автор: Jan Verhoeven,Frederik Bijkerk,Eric Louis,Markus Johannes Harmen DEN HARTOG,Marcus Josef Henricus Kessels. Владелец: Stichting Voor Fundamenteel Onderzoek Der Materie. Дата публикации: 2004-02-25.

Multi-layer mirror for radiation in the xuv wavelenght range and method for manufacture thereof

Номер патента: WO2002095771A1. Автор: Jan Verhoeven,Frederik Bijkerk,Eric Louis,Markus Johannes Harmen DEN HARTOG,Marcus Josef Henricus Kessels. Владелец: Stichting Voor Fundamenteel Onderzoek Der Materie. Дата публикации: 2002-11-28.

Glass substrate for information recording medium and method for manufacturing the same

Номер патента: MY182274A. Автор: Noriko Shimazu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2021-01-18.

Amorphous Silicon Oxide, Amorphous Silicon Oxynitride, and Amorphous Silicon Nitride Thin Films and Uses Thereof

Номер патента: US20210138120A1. Автор: Pranesh Aswath,Venu Varanasi,Megen Maginot,Nickolay V. Lavrik. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

Thin film bonding method and optical disk bonding method and apparatus using the same

Номер патента: US20020100543A1. Автор: Myong KIM,Tae Jeong. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for manufacturing a liquid crystal display device

Номер патента: US20080106690A1. Автор: Ko-Chin Yang,Weng-Bing Chou,Wei-Hung Kuo. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-05-08.

Method for producing heteroepitaxial wafer

Номер патента: EP4431645A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Toshiki Matsubara,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for manufacturing a display panel, display panel and display device

Номер патента: US09798193B2. Автор: Feng Liu,Yin Xiao. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for fabricating a colored component for a watch

Номер патента: US09625879B2. Автор: Ching Tom Kong,Ying Nan WANG. Владелец: Master Dynamic Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Dielectric film forming apparatus and method for forming dielectric film

Номер патента: US09593409B2. Автор: Isao Kimura,Hiroki Kobayashi,Takehito Jinbo,Youhei ENDOU,Youhei OONISHI. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for manufacturing titania coated alumina fiber aggregate

Номер патента: US09561490B2. Автор: Tsutomu Harada,Kenichiro Tanaka,Licca Tanaka. Владелец: K2R Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Cvd reactor for synthesis of heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrates

Номер патента: RU2767098C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Открытый код". Дата публикации: 2022-03-16.

Method for manufacturing metal foam

Номер патента: US20200009658A1. Автор: Jin Kyu Lee,Dong Woo Yoo. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for liquid precursor atomization

Номер патента: US20130064976A1. Автор: Benjamin Y.H. Liu. Владелец: MSP Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

System and method for making thin-film structures using a stepped profile mask

Номер патента: WO2002075016A1. Автор: Todd Lanier Hylton,David Alan Baldwin. Владелец: 4Wave, Inc.. Дата публикации: 2002-09-26.

Components and methods for manufacturing hollow integrators and angle converters

Номер патента: WO2003081294A3. Автор: Karlheinz Strobl,Paul Gasteiger. Владелец: EELE LAB LLC. Дата публикации: 2003-11-06.

Liquid crystal display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090256979A1. Автор: Chong-Chul Chai,Kyoung-Ju Shin,Se-Young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-15.

A method for providing a nanopattern of metal oxide nanostructures on a substrate

Номер патента: EP2788819A1. Автор: Michael Morris,Dipu Borah,Parvaneh Mokarian,Tandra GHOSHAL. Владелец: University College Cork. Дата публикации: 2014-10-15.

Carbon thin-film device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160289825A1. Автор: Hyungjun Kim,Taejin CHOI,Jeong-Gyu SONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-10-06.

Method for producing a thin film, method for producing a magnetic disk, method for producing a nanoimprint mold, and apparatus for producing a thin film

Номер патента: US20180257105A1. Автор: Hiroshi Sakai,Hiroshi Tani,Eishin Yamakawa,Kazuki Shindo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-09-13.

Building board package and method for manufacturing building board package

Номер патента: US12122578B2. Автор: Hiroaki Yamamoto,Yudai HASHIMOTO. Владелец: Nichiha Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing liquid discharge apparatus and liquid discharge apparatus

Номер патента: US09895891B2. Автор: Toru Kakiuchi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Particulate matter sensor and method for manufacturing particulate matter sensor

Номер патента: US09523632B2. Автор: Hiroki NISHIJIMA,Tatsuhiro Hashida. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Low temperature poly-silicon thin film preparation apparatus and method for preparing the same

Номер патента: US09522844B2. Автор: JIA Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for obtaining a wear-resistant composite material based on silicon carbide

Номер патента: RU2759858C1. Автор: Петр Александрович Витязь,Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова,Владимир Анатольевич Осипов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2021-11-18.

Mixture for producing reinforced composite material, reinforced composite material, method for production thereof, use thereof to produce industrial articles, industrial articles made using said method and use thereof

Номер патента: RU2536530C2. Автор: Джан Луиджи КАТТАНЕО. Владелец: Фрателли Бигаран Ди Бигаран Дарио Э Марио & К. С.А.С.. Дата публикации: 2014-12-27.

Roll and method for manufacturing powder

Номер патента: EP4400213A1. Автор: Kenichi Harai. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Oxide sintered body and sputtering target, and methods for manufacturing same

Номер патента: US20190177230A1. Автор: Hideo Hata,Yasuo Nakane,Yuki Tao. Владелец: Kobelco Research Institute Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Apparatus and method for manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: WO2022076267A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Arman Boromand. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Production method for magnetic recording medium

Номер патента: US20090021860A1. Автор: Masato Fukushima. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-01-22.

Thick, low-stress films, and coated substrates formed therefrom, and methods for making same

Номер патента: WO1993009262A1. Автор: Robert W. Knoll,Charles H. Henager, Jr.. Владелец: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Дата публикации: 1993-05-13.

Apparatus and method for manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: EP4225556A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Arman Boromand. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

Sight display device and method for manufacturing sight display device

Номер патента: EP3673222A1. Автор: Pauli AALTONEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-07-01.

Protective film module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240109272A1. Автор: Jiyoung WANG,Kitaek Kim,Junghoon Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for manufacturing light-reflection aluminum door frame molding

Номер патента: US09725818B2. Автор: Chul Hong Bae,Kwang Min Yoon,Chang Yeol Yoo. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-08-08.

Microchip and film forming method for metal thin film of microchip

Номер патента: US09696253B2. Автор: Toshikazu Kawaguchi,Kinichi Morita. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-07-04.

METHOD FOR PRODUCTION OF THIN FILMS Cu(In, Ga)(S, Se)2

Номер патента: RU2347298C1. Автор: Валерий Борисович Залесский,Валерий Феликсович Гременок,Елена Петровна Зарецкая,Валерий Борисович Залесский (BY),Елена Петровна Зарецка (BY),Валерий Феликсович Гременок (BY). Владелец: Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению"(ГО"НПЦ НАН Беларуси по материаловедению"). Дата публикации: 2009-02-20.

Method for obtaining solution functional ink for the formation of films based on silver

Номер патента: RU2765126C1. Автор: Иван Александрович Волков,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко,Иван Сергеевич Власов,Татьяна Леонидовна Симоненко,Филипп Юрьевич Горобцов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2022-01-25.

Door frame plat band, method for manufacturing door frame plat band, workpiece for implementing the method

Номер патента: RU2749947C1. Автор: Евгений Валерьевич Макаров. Владелец: Евгений Валерьевич Макаров. Дата публикации: 2021-06-21.

Blank for manufacturing test system for express diagnostics of helicobacter pylori infection by urease activity of biopsy material and method for manufacturing test system

Номер патента: RU2630651C9. Автор: Евгений Матвеевич Аксенов,Вадим Сергеевич Дмитриенко,Андрей Игоревич Киреев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ассоциация Медицины и Аналитики" (ООО "АМА"). Дата публикации: 2017-10-30.

Device for making hollow concrete products, a method for making hollow concrete products and a hollow concrete structure

Номер патента: RU2769634C1. Автор: Виктор Юрьевич Шмаков. Владелец: Виктор Юрьевич Шмаков. Дата публикации: 2022-04-04.

Blank for manufacturing test system for express diagnostics of helicobacter pylori infection by urease activity of biopsy material and method for manufacturing test system

Номер патента: RU2630651C1. Автор: Евгений Матвеевич Аксенов,Вадим Сергеевич Дмитриенко,Андрей Игоревич Киреев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ассоциация Медицины и Аналитики" (ООО "АМА"). Дата публикации: 2017-09-11.

Biodegradable polyester, method for production thereof and articles containing said polyester

Номер патента: RU2499007C2. Автор: Катя БАСТИОЛИ,Анджелос РАЛЛИС. Владелец: НОВАМОНТ С.п.А.. Дата публикации: 2013-11-20.

Device and method for manufacturing packages with welded seam along perimeter

Номер патента: RU2763229C2. Автор: Клаус ШУМАНН,Рольф БЁМ,Торстен ГРУНЕНБЕРГ,Бернд ГРЮНЕС,Маркус БЕЕ,Анна ШЛЮТЕР. Владелец: Лтс Ломанн Терапи-Системе Аг. Дата публикации: 2021-12-28.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method to manufacture Indium Nitride quantum dots

Номер патента: US20050028726A1. Автор: Olivier Briot,Sandra Ruffenach,Bernard Gil. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Method for manufacturing indium-containing organic polymer film, patterning method, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230086850A1. Автор: Koji Asakawa,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Method to manufacture indium nitride quantum dots

Номер патента: EP1658394A1. Автор: Olivier Briot,Sandra Ruffenach,Bernard Gil. Владелец: UNIVERSITE MONTPELLIER 2 SCIENCES ET TECHNIQUES. Дата публикации: 2006-05-24.

Method to manufacture indium nitride quantum dots

Номер патента: WO2005014897A1. Автор: Olivier Briot,Sandra Ruffenach,Bernard Gil. Владелец: Universite de Montpellier II. Дата публикации: 2005-02-17.

Method to manufacture indium nitride quantum dots

Номер патента: AU2003274409A1. Автор: Olivier Briot,Sandra Ruffenach,Bernard Gil. Владелец: UNIVERSITE MONTPELLIER 2 SCIENCES ET TECHNIQUES. Дата публикации: 2005-02-25.

Method to manufacture indium nitride quantum dots and product containing these dots

Номер патента: EP1658394B1. Автор: Olivier Briot,Sandra Ruffenach,Bernard Gil. Владелец: UNIVERSITE MONTPELLIER 2 SCIENCES ET TECHNIQUES. Дата публикации: 2010-05-12.

Image forming apparatus, liquid-jet head, and method for manufacturing the liquid-jet head

Номер патента: US20130241990A1. Автор: Tatsuya Shimoda,Keisuke Hayashi,Kenichiro Hashimoto. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for fabricating micrometer or nanometer channels

Номер патента: US7598109B2. Автор: Yongfeng Mei,Oliver G. Schmidt,Dominic Thurmer,Francesca Cavallo. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2009-10-06.

Method for measuring adhesive strength of thin film using dispersion characteristics of surface waves, and computer-readable recording medium having program for performing same recorded thereon

Номер патента: US20200217820A1. Автор: Yu Min Choi,Tae Sung Park,Ik Keun PARK,Dong Ryul KWAK. Владелец: Seoul National University of Technology Center for Industry Cllaboration. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for fabricating micrometer or nanometer channels

Номер патента: US20070178655A1. Автор: Yongfeng Mei,Oliver G. Schmidt,Dominic Thurmer,Francesca Cavallo. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for electrochemical ammonia synthesis using single-crystalline metal catalyst

Номер патента: US20190161872A1. Автор: Jong Hyuk Park,Hyun Seo Park,Jimin Kong. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-05-30.

Flux Transformer Formed of an Oxide Superconducting Thin Film and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: CA2145827A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Hirokazu Kugai. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-09-30.

Method for manufacturing ceramic-like music instrument and ceramic-like material for forming music instruments by the same

Номер патента: US20050079371A1. Автор: Jean-Fung Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-14.

Sight display device and method for manufacturing sight display device

Номер патента: US20210123704A1. Автор: Pauli AALTONEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2021-04-29.

Sight display device and method for manufacturing sight display device

Номер патента: US11578944B2. Автор: Pauli AALTONEN. Владелец: Lumineq Oy. Дата публикации: 2023-02-14.

Thin film deposition method

Номер патента: US20240263307A1. Автор: Yong Hyun Kim,Yong Hyun Lee,Jun Seok Lee,Dong Hwan Lee,Chang Kyun PARK,Byung Gwan LIM,Il Houng PARK,Won Ju OH. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming thin film

Номер патента: WO2003041142A1. Автор: Won-Yong Koh,Choon-Soo Lee. Владелец: Genitech Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for forming thin film

Номер патента: EP1454347A1. Автор: Won-Yong 105-605 Hanul Apt. KOH,Choon-Soo 113-402 Hanmaeul Apt. 200-4 LEE. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-08.

Method for manufacturing transition metal chalcogenide and transition metal chalcogenide prepared thereby

Номер патента: US20220010456A1. Автор: Sung-Yool Choi,Gi Woong SHIM,Woonggi HONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for manufacturing optical nonreciprocal element

Номер патента: US20100307678A1. Автор: Hideki Yokoi. Владелец: SHIBAURA INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-12-09.

Gas-barrier plastic molded product and method for manufacturing same

Номер патента: US20180127872A1. Автор: Hiroyasu TABUCHI. Владелец: Kirin Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-10.

Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing base substrate, and method for producing single crystal diamond multilayer substrate

Номер патента: EP4431634A1. Автор: Hitoshi Noguchi,Hiroshi Hashigami,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Manufacturing apparatus and manufacturing method for solid particle

Номер патента: US8080188B2. Автор: Hirohisa Yamada,Kenji Tamura,Kazumi Minagawa. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2011-12-20.

Bio-electrode and method for manufacturing bio-electrode

Номер патента: EP4454559A1. Автор: Jun Hatakeyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US09856560B2. Автор: Jie Wang,Kenji Kameda,Yuji Urano. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Inkjet head, method for manufacturing same, and inkjet printer

Номер патента: US09427966B2. Автор: Shinya Matsuda. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for manufacture of water-repelling catalyst for fuel-cell elements

Номер патента: RU2572106C1. Автор: Владимир Иванович Матренин,Игорь Викторович Щипанов,Анатолий Тихонович Овчинников,Сергей Ильич Хозяшев,Олег Всеволодович Чумаковский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Завод электрохимических преобразователей" (ООО "ЗЭП"). Дата публикации: 2015-12-27.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for manufacturing a smoking product

Номер патента: RU2771509C1. Автор: Норио ЯМАМОТО,Риодзи Фудзита,Кадзухико КАТАЯМА,Такеси Синкава. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for manufacturing metal-ceramic dentures

Номер патента: RU2753135C1. Автор: Рамиль Наилевич Кашапов,Наиль Фаикович Кашапов,Ленар Наилевич Кашапов,Гульшат Тауфиковна Салеева,Ринат Ахмедуллович Салеев,Ляйсан Ринатовна Салеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский Государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-08-11.

Method for manufacturing parts of complex shape by hybrid casting-additive method

Номер патента: RU2752359C1. Автор: Виктор Борисович Федоров,Виктор Иванович Гузеев,Антон Дмитриевич Казанский. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)». Дата публикации: 2021-07-26.

Granular material, method for manufacturing the granular material and method for manufacturing sintered ore

Номер патента: RU2765680C1. Автор: Кэнта ТАКЭХАРА,Тэцуя ЯМАМОТО,Масато КУРОИВА,Наото КОБАЯСИ,Тэцуя ДЗИННО. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-02-01.

Method for manufacturing filtering rods from a pla bundle with low resistance to draw for reducing the smoking temperature

Номер патента: RU2761996C1. Автор: Тао ЯН,Цзыган ЯН,Синьлэй ФАНЬ,Ляньлун ЛЭЙ. Владелец: Юньнань Тобэкко Биолоджикал Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2021-12-14.

Method for manufacture of mineral fiber panel containing one or more cavities of predetermined shape

Номер патента: RU2265091C2. Автор: Оле Легтольт ПЕДЕРСЕН. Владелец: РОКВУЛ ИНТЕРНЭШНЛ А/С. Дата публикации: 2005-11-27.

Smoking product and method for smoking product manufacture

Номер патента: RU2542548C2. Автор: ФИБЕЛКОРН Ричард,КАЛДЖУРА Карл,НАППИ Леонардо. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2015-02-20.

Preparation of lenses with elements for manufacturing of ophtalmological lens

Номер патента: RU2630103C2. Автор: Кристофер УАЙЛДСМИТ,Марк П. ПАУЭЛЛ,Майкл УИДМЭН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing the absorbent component and method for manufacturing the absorbent product

Номер патента: RU2750537C1. Автор: Томоюки МОТЕГИ,Рюдзи МАЦУНАГА,Такуаки ХАРАДА,Юки КАТО,Хироюки ИВАСА. Владелец: КАО КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-06-29.

Clarifying thin-film coating based on silicon(iv) and bismuth(iii) oxide compounds

Номер патента: RU2542997C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Александра Геннадьевна Мальчик,Светлана Анатольевна Кузнецова,Владимир Васильевич Козик. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2015-02-27.

Method for precision doping of thin films on gallium arsenide surface

Номер патента: RU2538415C1. Автор: Виктор Федорович Кострюков,Ирина Яковлевна Миттова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "ВГУ"). Дата публикации: 2015-01-10.

Method for formation of fillets of glue on edges of cellular filler cells

Номер патента: RU2596772C1. Автор: Николай Владимирович Выморков,Николай Викторович Степанов,Анна Владимировна Осауленко. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2016-09-10.

A method of growing a silicon carbide thin film on a (111) silicon substrate

Номер патента: TW201042709A. Автор: Jenn-Chang Hwang,Jui-Min Liu,Wei-Yu Chen,Wei-Cheng Lai,Chih-Fang Hwang,Shao-How Lu. Владелец: Prec Silicon Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: RU2433501C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2011-11-10.

Method for extracting carbon-14 radioactive nuclide from neutron irradiated aluminium nitride

Номер патента: RU2084979C1. Автор: П.В. Сизов,С.А. Сизова. Владелец: Производственное объединение "МАЯК". Дата публикации: 1997-07-20.

Method for simultaneously measuring primary and secondary photosensitivity anisotropy in optical second-order nonlinear thin film, apparatus for executing the method, and program for causing computer to execute the method

Номер патента: JP5382792B2. Автор: 高史 佐々,達夫 和田. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2014-01-08.

Method of forming protective film on surface of silicon substrate

Номер патента: JPH1032168A. Автор: 文彦 廣瀬,Fumihiko Hirose. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of zinc oxide single crystal film on single crystal silicon substrate and laminated structure

Номер патента: JP4048316B2. Автор: 誠彦 佐々,満明 矢野,正崇 井上,一歩 小池. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2008-02-20.

Electron-accepting compound and method for producing the same, polymerization initiator containing the compound, organic electronics material, organic thin film, organic electronics element, organic electroluminescent element, display element, lighting device, and display apparatus using the same

Номер патента: JP5994213B2. Автор: 石塚　健一,健一 石塚,直紀 浅野,重昭 舟生. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-21.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing multipurpose gas composition sensors

Номер патента: RU2449412C1. Автор: Сергей Александрович Воронов,Денис Сергеевич Веселов,Юрий Александрович Воронов,Людмила Константиновна Орлова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2012-04-27.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus for Controllable Sodium Delivery for Thin Film Photovoltaic Materials

Номер патента: US20120003785A1. Автор: Mackie Neil M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacture of nanosensor

Номер патента: RU2359359C1. Автор: Владимир Павлович Попов,Юрий Владимирович Настаушев,Ольга Викторовна Наумова,Светлана Федоровна Девятова. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-06-20.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2341847C1. Автор: Елена Николаевна Федорова,Валентин Михайлович Иевлев,Сергей Владимирович Канныкин,Сергей Борисович Кущев,Сергей Анатольевич Солдатенко,Николай Владимирович Черников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-12-20.

Method for manufacturing indium microcontacts

Номер патента: RU2571436C1. Автор: Константин Олегович Болтарь,Михаил Васильевич Седнев,Дмитрий Валентинович Смирнов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2015-12-20.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin semiconductor films on insulator (alternatives)

Номер патента: RU2260874C2. Автор: А.Д. Сулимин,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,А.Д. Просий,К.А. Дракин,В.Л. Евдокимов,М.В. Бутырска,М.В. Бутырская. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-09-20.

ELECTRODE WIRE FOR WIRE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING USING THE SAME

Номер патента: US20120000889A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003193A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003279A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003324A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing of pressure gauges

Номер патента: RU2075137C1. Автор: С.А. Козин. Владелец: Научно-исследовательский институт физических измерений. Дата публикации: 1997-03-10.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001287A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for precipitation of monocrystalline film of cubic boron nitride on semi-conductor silicon substrate

Номер патента: RU2572503C1. Автор: Олег Рауфович Абдуллаев,Михаил Валерьевич Меженный,Леонид Владимирович Гаршенин. Владелец: Открытое акционерное общество "Оптрон". Дата публикации: 2016-01-10.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PASTE-TYPE ELECTRODE OF LEAD-ACID BATTERY AND APPARATUS THEREFOR

Номер патента: US20120000070A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BIOLOGICAL GRAFT TRANSFERRING INSTRUMENT AND METHOD FOR TRANSFERRING BIOLOGICAL GRAFT

Номер патента: US20120000745A1. Автор: Nozaki Yusuke. Владелец: TERUMO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing self-aligning planar two-gate mos transistor on silicon-0n-insulator substrate

Номер патента: RU2312422C2. Автор: Евгений Васильевич Кузнецов,Александр Николаевич Сауров,Елена Николаевна Рыбачек. Владелец: Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники". Дата публикации: 2007-12-10.

INTEGRATED THIN FILM SOLAR CELL INTERCONNECTION

Номер патента: US20120000502A1. Автор: Wiedeman Scott,Britt Jeffrey S.,Rhodes Zulima,Sheehan Eric. Владелец: Global Solar Energy, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EMBEDDED SUBSTRATE

Номер патента: US20120003793A1. Автор: HWANG Sun-Uk,Cho Young-Woong,Yoon Kyoung-Ro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120004110A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2521142C2. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Гусейн Муфтялиевич Рамазанов,Газимагомед Убайдулаевич Газимагомедов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2014-06-27.

Method for manufacturing of microcircuit boards with multi-level thin-film commutation

Номер патента: RU2398369C1. Автор: Лидия Ивановна Тулина,Вячеслав Евгеньевич Сергеев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2010-08-27.

METHOD FOR MANUFACTURING EASY OPEN END

Номер патента: US20120000340A1. Автор: Kubo Hiroshi,Kojima Katsumi,Yamanaka Yoichiro,Tada Masaki,Iwasa Hiroki. Владелец: JFE STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for void-free splicing of substrates

Номер патента: RU2244362C2. Автор: Г.Н. Камаев,А.Т. Дрофа,Т.В. Булычева. Владелец: Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников СО РАН. Дата публикации: 2005-01-10.

Systems and Methods for Prevention of Open Loop Damage During or Immediately After Manufacturing

Номер патента: US20120000515A1. Автор: Kikinis Dan,Hadar Ron,Arditi Shmuel. Владелец: TIGO ENERGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002128A1. Автор: NAKAGAWA Hidetoshi. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of growing epitaxial europium monoxide films on silicon

Номер патента: RU2557394C1. Автор: Петр Евгеньевич Тетерин,Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Юрий Григорьевич Садофьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2015-07-20.

Method for silicon dioxide film creation

Номер патента: RU2449413C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Бийке Алиевна Шангереева,Солтанат Магомедовна Гаджиева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2012-04-27.

METHOD FOR PRODUCTION OF NANOSIZE MgO (111) FILM ON METAL PLATE

Номер патента: RU2442842C2. Автор: Тамерлан Таймуразович Магкоев,Инга Васильевна Тваури,Наталья Ильинична Цидаева,Анатолий Майранович Туриев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетагурова". Дата публикации: 2012-02-20.

Structure of bipolar transistor with emitter of sub-micron dimensions, and method for manufacturing said structure

Номер патента: RU2279733C2. Автор: Алексей Николаевич Долгов,Александр Николаевич Еременко,Михаил Иванович Клычников,Дмитрий Григорьевич Кравченко,Михаил Иванович Лукасевич,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2006-07-10.

METHOD FOR MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3C-SiC)

Номер патента: RU2538358C1. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

Method for manufacturing thin-film structure of microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2293400C1. Автор: Татьяна Николаевна Курбанова,Вера Сергеевна Гвоздаева,Анатолий Юрьевич Павлов,Тать на Николаевна Курбанова (RU),Вера Сергеевна Гвоздаева (RU),Анатолий Юрьевич Павлов (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2007-02-10.

Method for identifying mucoviscidosis causing mutations in cftr human gene, kit of primers, biochip, kit of targets and test systems used in method

Номер патента: RU2529717C2. Автор: Евгений Владимирович Воробьев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Вега". Дата публикации: 2014-09-27.

METHOD OF OBTAINING CONVERTER OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS SILICON OXIDE SiOX FILM ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2534173C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-11-27.

Improved method for the preparation of nanocrystalline diamond thin films

Номер патента: WO1997013892A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1997-06-12.

Tin ion-implanted silicon oxide film on silicon substrate

Номер патента: RU2535244C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-12-10.

Method for producing thin-film resistors

Номер патента: RU2270490C1. Автор: Валентин Константинович Смолин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова. Дата публикации: 2006-02-20.

Method of preparing thin-film metal structure of tungsten on silicon

Номер патента: RU2375785C1. Автор: Геннадий Михайлович Михайлов,Светлана Всеволодовна Плющева,Сергей Юрьевич Шаповал,Александра Викторовна Андреева,Геннадий Михайлович Михайлов (RU),Светлана Всеволодовна Плющева (RU),Сергей Юрьевич Шаповал (RU),Александра Викторовна Андреева (RU). Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов. Дата публикации: 2009-12-10.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY IS USED

Номер патента: US20120001189A1. Автор: Matsubara Ryohei,ISHIZAKI Mamoru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING POLYIMIDE FILM

Номер патента: US20120001367A1. Автор: . Владелец: KANEKA CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STROBO THIN FILM CHEMICAL ANALYSIS APPARATUS AND ASSAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003659A1. Автор: Yoo Jae Chern. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacture of product containing siliceous substrate with silicon carbide film on its surface

Номер патента: RU2363067C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Фонд поддержки науки и образования. Дата публикации: 2009-07-27.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing thin film resistor

Номер патента: RU2583952C1. Автор: Илья Николаевич Малышев,Сергей Валерьевич Симаков,Александр Борисович Колосов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН"). Дата публикации: 2016-05-10.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

System and methods for self-powered, contactless, self-communicating sensor devices

Номер патента: US20120004523A1. Автор: Richter Wolfgang,Zadeh Faranak. Владелец: R2Z INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Cvd-reactor and method of synthesis of hetero-epitaxial films of silicon carbide on silicon

Номер патента: RU2394117C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Эпикрист". Дата публикации: 2010-07-10.

METHOD FOR PREPARING EPITAXIAL LAYERS OF SiC-AlN SOLID SOLUTIONS

Номер патента: RU2260636C1. Автор: М.К. Курбанов,Б.А. Билалов,Г.К. Сафаралиев,М.К. Гусейнов. Владелец: Дагестанский государственный университет. Дата публикации: 2005-09-20.

Method for manufacturing thin-film resistor

Номер патента: RU2208256C2. Автор: А.Н. Лугин,Г.С. Власов. Владелец: Пензенский технологический институт. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for quantitative determination of content of silicon dioxide on surface of silicon

Номер патента: RU2469303C1. Автор: Евгений Иванович Теруков,Сергей Евгеньевич Никитин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2012-12-10.

Method for manufacturing reinforced plastic jacketed double-wall tank

Номер патента: MY183875A. Автор: Araki Sadao,Tamada Yoshiaki,Tozaki Hideki. Владелец: Tamada Ind Inc. Дата публикации: 2021-03-17.

Method and Device for Manufacturing a Three-Layer Cord of the Type Rubberized in Situ

Номер патента: US20120000174A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING AMINO ACID LIQUID FERTILIZER USING LIVESTOCK BLOOD AND AMINO ACID LIQUID FERTILIZER MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20120000260A1. Автор: Oh Jin Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE GEAR BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120000307A1. Автор: Oolderink Rob,Nizzoli Ermanno,Vandenbruaene Hendrik. Владелец: QUADRANT EPP AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Manufacturing a Vacuum Chamber and Components Thereof, and Improved Vacuum Chambers and Components Thereof

Номер патента: US20120000811A1. Автор: . Владелец: Kurt J. Lesker Company. Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR A ROLLING A SHEET OF MATERIAL FOR PACKAGING, STORAGE, SHIPMENT, AND DISPENSING

Номер патента: US20120001013A1. Автор: MORGAN WAYNE S.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE CASE HAVING ANTENNA PATTERN EMBEDDED THEREIN, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MOLD FOR MANUFACTURING ANTENNA PATTERN FRAME, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120001807A1. Автор: HONG Ha Ryong,Lee Dae Kyu,An Chan Gwang,Chang Ki Won,Cho Sung Eun,SUNG Jae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLOGRAM RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HOLOGRAM REPRODUCTION APPARATUS, AND HOLOGRAM REPRODUCTION METHOD

Номер патента: US20120002257A1. Автор: Shirakura Akira,Baba Shigeyuki,Arai Toshiyuki,Higashihara Teruaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR TREATING LYMPHOMA

Номер патента: US20120003297A1. Автор: Goldie James H.,SARRIS Andreas,CABANILLAS Fernando,LOGAN Patricia M.,BURGE Clive T.R.,WEBB Murray S.. Владелец: Talon Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD, SYSTEM AND MOLDING TOOL FOR MANUFACTURING COMPONENTS FROM COMPOSITE FIBER MATERIALS

Номер патента: US20120003480A1. Автор: BECHTOLD Michael,JUNG Manuel. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND COMPOSITIONS FOR DOPING SILICON SUBSTRATES WITH MOLECULAR MONOLAYERS

Номер патента: US20120003826A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for production of ingots and cast articles out of intermetallic alloys

Номер патента: RU2362651C1. Автор: Виктор Викторович Чердынцев,Сергей Дмитриевич Калошкин,Андрей Валентинович Картавых. Владелец: Государственное научное учреждение "Институт химических проблем микроэлектроники" (ГНУ ИХПМ). Дата публикации: 2009-07-27.

METHOD FOR MANUFACTURING NATURAL FIBER STRIPE-QUILTED FABRIC HAVING PROTRUDED WRINKLE PATTERNS ON ITS SURFACE

Номер патента: US20120000406A1. Автор: RYU Kwang Yeol. Владелец: DONG JIN BEDDING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and Method for Generating Alternating Current

Номер патента: US20120001491A1. Автор: Greizer Frank,Laschinski Joachim,Engel Bernd,Cramer Guenther. Владелец: SMA Solar Technology AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

CASTING METHOD FOR MANUFACTURING A WORK PIECE

Номер патента: US20120003101A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING CAPSULE SERIES, AND RELATED CAPSULE SERIES

Номер патента: US20120003285A1. Автор: Bibette Jérôme,Chu Liang-yin,Santanach Carreras Enric,Royere Audrey,Bremond Nicolas. Владелец: CAPSUM. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR INDUCING AN IMMUNE RESPONSE

Номер патента: US20120003298A1. Автор: Maj Roberto,Pattarino Franco,Mura Emanuela,Barberis Alcide. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SQUARE-CELL BATTERY AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003528A1. Автор: Tani Yuji,Maeda Hitoshi,Fujiwara Masayuki,Shinyashiki Yoshitaka,Kusukawa Masao,Funahashi Atsuhiro. Владелец: SANYO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEANS AND METHODS FOR MANUFACTURING HIGHLY PURE NEUROTOXIN

Номер патента: US20120004179A1. Автор: Taylor Harold Victor,Eisele Karl-Heinz,PFEIL Michael,Friedrich Josef,Brünn Cornelia. Владелец: Merz Pharma GmbH & Co. KGaA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286617C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

Method for enhancing radiation resistance of cmos circuit components on soi substrate

Номер патента: RU2320049C2. Автор: Евгений Васильевич Кузнецов,Александр Николаевич Сауров,Елена Николаевна Рыбачек. Владелец: ГНЦ РФ Государственное учреждение научно-производственный комплекс "Технологический центр" при Московском государственном институте электронной техники /технический университет/. Дата публикации: 2008-03-20.

Remote four-wave method for measurement of thin film thickness

Номер патента: RU2359220C1. Автор: Валентин Иванович Козинцев,Ольга Алексеевна Смирнова,Михаил Леонидович Белов,Виктор Александрович Городничев,Юрий Викторович Федотов. Владелец: ООО "НИИ Радиоэлектроники и лазерной техники". Дата публикации: 2009-06-20.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC WIRE WITH TERMINAL

Номер патента: US20120000069A1. Автор: Hirai Hiroki,Tanaka Tetsuji,Ono Junichi,Otsuka Takuji,Shimoda Hiroki,HAGI Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING OPTICAL FIBER PREFORM

Номер патента: US20120000249A1. Автор: HAMADA Takahiro. Владелец: FUJIKURA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PLASTIC LABELS WITH SELF-ADHESIVE PATTERN, AND ATTACHING SUCH LABELS TO A TIN

Номер патента: US20120000598A1. Автор: . Владелец: REYNDERS ETIKETTEN, NAAMLOZE VENNOOTSCHAP. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY DEVICE FOR A VEHICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002442A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR AUTOMATICALLY SHIFTING A BASE LINE

Номер патента: US20120004890A1. Автор: Chen Po-Tsang. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Formation technique of ultrahard alloyed carbonic coating on silicon in vacuum

Номер патента: RU2342468C1. Автор: Марина Евгеньевна Галкина,Александр Яковлевич Колпаков,Ольга Вениаминовна Сафронова,Ирина Васильевна Суджанска,Ирина Васильевна Суджанская. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный университет". Дата публикации: 2008-12-27.

Method for obtaining nanodimensional ferrite films

Номер патента: RU2532187C1. Автор: Лариса Владимировна Панина,Александр Тимофеевич Морченко,Николай Анатольевич Юданов,Владимир Григорьевич Костишин,Артем Юрьевич Адамцов,Денис Николаевич Читанов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2014-10-27.

Method for manufacturing nano-moulds for contact press-lithography (variants)

Номер патента: RU2308552C1. Автор: Елена Дмитриевна Мишина,Наталия Эдуардовна Шерстюк,Александр Александрович Зайцев,Андрей Анатольевич Федянин,Галина Александровна Цирлина,Вадим Олегович Вальднер,Татьяна Викторовна Долгова,Натали Эдуардовна Шерстюк,нин Андрей Анатольевич Фед,Тать на Викторовна Долгова,Антон Игоревич Майдыковский. Владелец: "Общество с ограниченной ответственностью "НаноИмпринт". Дата публикации: 2007-10-20.

Method for manufacture of heat exchanging device, method of device heat exchanging unit manufacture (versions), method for manufacture of intermediate and/or upper heat exchanging unit of device, method for manufacture of lower heat exchanging unit of device, method for manufacture of device heat exchanging unit air supply or exhaust headers, technological complex of equipment for manufacture of device heat exchanging units, berth for assembly of device heat exchanging unit (versions) and device for vertical storage of mostly four-leg bend pipes of device (versions)

Номер патента: RU2344916C2. Автор: Николай Павлович Селиванов,Николай Павлович Селиванов (RU). Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-01-27.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GRAIN-ORIENTED SILICON STEEL WITH SINGLE COLD ROLLING

Номер патента: US20120000262A1. Автор: Jin Weizhong,Shen Kanyi,Li Guobao,Zhang Pijun,Yang Yongjie,Hu Zhuochao,Wu Peiwen,Jiang Quanli. Владелец: BAOSHAN IRON & STEEL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for obtaining by-product paste and method for obtaining cooked sausage due to applying the obtained by-product paste

Номер патента: RU2311805C2. Автор: Иосиф Александрович Рогов,Евгений Иванович Титов,Натали Германовна Кроха,Наталия Германовна Кроха,Ольга Сергеевна Базилева,Виолетта Теофиловна Дианова. Владелец: Московский Государственный Университет Прикладной Биотехнологии (МГУПБ). Дата публикации: 2007-12-10.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Method for presorting of cmos chips made on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation effect

Номер патента: RU2364880C1. Автор: Александр Юрьевич Никифоров,Виталий Арсеньевич Телец,Игорь Борисович Яшанин,Георгий Георгиевич Давыдов,Андрей Юлиевич Седаков,Армен Вагоевич Согоян,Алексей Владимирович Скобелев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2009-08-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.