Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Ion implantation compositions, systems, and methods

Номер патента: WO2014137872A1
Опубликовано: 12-09-2014
Автор(ы): Joseph D. Sweeney, Oleg Byl, Richard S. Ray, Ying Tang
Принадлежит: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Ion implantation compositions, systems, and methods

Номер патента: US09831063B2. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Richard S. Ray. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Ion implanter and ion implant method thereof

Номер патента: US20130130484A1. Автор: Zhimin Wan,Don Berrian,John D. Pollock. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Methods for increasing beam current in ion implantation

Номер патента: US20200013621A1. Автор: Aaron Reinicker,Ashwini K Sinha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-09.

Dopant compositions for ion implantation

Номер патента: SG11201808852YA. Автор: Ashwini Sinha,Aaron Reinicker. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Dopant compositions for ion implantation

Номер патента: EP3443137A1. Автор: Ashwini K. SINHA,Aaron Reinicker. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-20.

Apparatus, system and method for energy spread ion beam

Номер патента: US20240029997A1. Автор: Jun Lu,Frank Sinclair,Anthony Renau,Daniel Tieger,Paul J. Murphy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Ion implanting system

Номер патента: US20110140005A1. Автор: Jong-hyun Park,Sun Park,Chun-Gi You,Yul-Kyu Lee,Jin-Hee Kang. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Ion implanting system

Номер патента: US8575574B2. Автор: Jong-hyun Park,Sun Park,Chun-Gi You,Yul-Kyu Lee,Jin-Hee Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-05.

Apparatus, system and method for energy spread ion beam

Номер патента: US20220319806A1. Автор: Jun Lu,Frank Sinclair,Anthony Renau,Daniel Tieger,Paul J. Murphy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Apparatus, system and method for energy spread ion beam

Номер патента: WO2022211910A1. Автор: Jun Lu,Frank Sinclair,Anthony Renau,Daniel Tieger,Paul J. Murphy. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of controlling an ion implanter in plasma immersion mode

Номер патента: RU2651583C2. Автор: Франк ТОРРЕГРОСА,Лорен РУ. Владелец: Ион Бим Сервисез. Дата публикации: 2018-04-23.

Implant-induced damage control in ion implantation

Номер патента: US09490185B2. Автор: Shu Satoh,Andy Ray,Serguei Kondratenko,Ronald N. Reece. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of controlling an ion implanter in plasma immersion mode

Номер патента: US09552962B2. Автор: Frank Torregrosa,Laurent Roux. Владелец: Ion Beam Services SA. Дата публикации: 2017-01-24.

Implant-induced damage control in ion implantation

Номер патента: WO2014055182A1. Автор: Shu Satoh,Serguei Kondratenko,Andrew Ray,Ronald REECE. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

ION BEAM GENERATOR, ION IMPLANTATION APPARATUS INCLUDING AN ION BEAM GENERATOR AND METHOD OF USING AN ION BEAM GENERATOR

Номер патента: US20170178861A1. Автор: WANG Shao-Hua,Chen Ming-Te,Lee Sheng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Ion implantation apparatus and method

Номер патента: US20200135470A1. Автор: Chun-Jung Huang,Po-Feng Tsai,Li-Hsin CHU,Henry Peng,Yung-Lin Hsu,Kuang Huan Hsu,Tsung Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for an ion implantation process employing an ion-collecting device that collects a distribution of ejected ions from a target to correct a tilt angle of the target

Номер патента: US12051593B2. Автор: Chun-Jung Huang,Po-Feng Tsai,Li-Hsin CHU,Henry Peng,Yung-Lin Hsu,Kuang Huan Hsu,Tsung Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Ion implantation system and source bushing thereof

Номер патента: US20200098544A1. Автор: Nai-Han Cheng,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Ion implantation system and source bushing thereof

Номер патента: US20200381210A1. Автор: Nai-Han Cheng,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Ion implantation system and source bushing thereof

Номер патента: US11282673B2. Автор: Nai-Han Cheng,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Technique for using an improved shield ring in plasma-based ion implantation

Номер патента: WO2008083020A3. Автор: Vikram Singh,Richard J Hertel,Timothy J Miller,Harold M Persing,Edmund J Winder. Владелец: Edmund J Winder. Дата публикации: 2008-10-16.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US09601314B2. Автор: Tetsuya Kudo,Shiro Ninomiya. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US9379030B2. Автор: Takashi Kuroda,Shiro Ninomiya,Toshio Yumiyama,Akira Funai,Tadanobu Kagawa. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Ion implantation system and method of monitoring implant energy of an ion implantation device

Номер патента: US20080296484A1. Автор: Szetsen Steven Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Ion implant apparatus and a method of implanting ions

Номер патента: EP2786396A1. Автор: Takao Sakase,Geoffrey Ryding,William Park,Theodore Smick,Joseph Gillespie,Hilton Glavish,Paul Eide,Drew Arnold,Ronald Horner. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2014-10-08.

Ion implantation system and method for implanting aluminum using non-fluorine-containing halide species or molecules

Номер патента: WO2024026142A1. Автор: Edward Moore,Atul Gupta,Neil Colvin,Udo Verkerk,David Sporleder. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-02-01.

Ion implantation system and method for implanting aluminum using non-fluorine-containing halide species or molecules

Номер патента: US20240035148A1. Автор: Edward Moore,Atul Gupta,Neil Colvin,Udo H. Verkerk,David Sporleder. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Magnetic masks for an ion implant apparatus

Номер патента: WO2014093562A2. Автор: Robert B. Vopat,Christopher N. GRANT. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for controlling a vaporizer of ion implantation equipment during indium implantation process

Номер патента: US20060124868A1. Автор: Sang Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-15.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US20170148633A1. Автор: Tetsuya Kudo,Shiro Ninomiya. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Method for ion implantation that adjusts a target's tilt angle based on a distribution of ejected ions from a target

Номер патента: US20230230839A1. Автор: Chun-Jung Huang,Po-Feng Tsai,Li-Hsin CHU,Henry Peng,Yung-Lin Hsu,Kuang Huan Hsu,Tsung Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for controlling a vaporizer of ion implantation equipment during indium implantation process

Номер патента: US7348577B2. Автор: Sang Bum Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-25.

System and Method of Dosage Profile Control

Номер патента: US20120009692A1. Автор: Jong-I Mou,Chun-Lin Chang,Keung Hui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-12.

Techniques for ion implantation of molecular ions

Номер патента: US20100084577A1. Автор: Christopher A. Rowland,Christopher R. HATEM. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2010-04-08.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US20140235042A1. Автор: Tetsuya Kudo,Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Ion implantation and surface processing method and apparatus

Номер патента: US5212425A. Автор: Jesse N. Matossian,Dan M. Goebel. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1993-05-18.

Ion implantation machine presenting increased productivity

Номер патента: US09524853B2. Автор: Frank Torregrosa,Laurent Roux. Владелец: Ion Beam Services SA. Дата публикации: 2016-12-20.

Germanium tetraflouride and hydrogen mixtures for an ion implantation system

Номер патента: US11827973B2. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Gas mixture as co-gas for ion implant

Номер патента: WO2024030209A1. Автор: Ying Tang,Joseph D. Sweeney,Joseph R. Despres,Edward E. Jones. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-08.

Germanium tetraflouride and hydrogen mixtures for an ion implantation system

Номер патента: US20210189550A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres,Joseph Sweeney. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Gas mixture as co-gas for ion implant

Номер патента: US20240043988A1. Автор: Ying Tang,Joseph D. Sweeney,Joseph R. Despres,Edward E. Jones. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Germanium tetraflouride and hydrogen mixtures for an ion implantation system

Номер патента: EP3794158A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph Robert DESPRES. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Method to accurately and repeatably setup an ion beam for an ion implantation system in reduced setup time to increase productivity

Номер патента: US20040244692A1. Автор: Jiong Chen,Simeon Ma. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Ion implantation device with an energy filter and a support element for overlapping at least part of the energy filter

Номер патента: US20240038491A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-02-01.

Method and apparatus for reducing vacuum loss in an ion implantation system

Номер патента: US11764042B2. Автор: Cheng-Yi Huang,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Chao-Po Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Implantation Apparatus with Ion Beam Directing Unit, Semiconductor Device and Method of Manufacturing

Номер патента: US20150228446A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Stephan Voss,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-08-13.

Ion Implantation Apparatus with Ion Beam Directing Unit

Номер патента: US20160305012A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Stephan Voss,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-20.

Ion implantation apparatus with ion beam directing unit

Номер патента: US9809877B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Stephan Voss,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Thermally isolated captive features for ion implantation systems

Номер патента: WO2021194725A1. Автор: Adam M. McLaughlin,Jordan B. Tye. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-09-30.

Thermally Isolated Captive Features For Ion Implantation Systems

Номер патента: US20210296077A1. Автор: Adam M. McLaughlin,Jordan B. Tye. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for precision oxidation control by ion implantation

Номер патента: US20240203743A1. Автор: Wei Zou,Supakit Charnvanichborikarn,Hans-Joachim Ludwig Gossmann,Andrew Michael Waite,Cao-Minh Vincent Lu,Ana Cristina Gomez Herrero. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Ionization chamber, ion-implantation apparatus and ion-implantation method

Номер патента: US20180374681A1. Автор: Rui Xie. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for low temperature ion implantation

Номер патента: US20110244669A1. Автор: Zhimin Wan,John D. Pollock,Erik Collart. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Ion implantation system and method adapted for serial wafer processing

Номер патента: US5929456A. Автор: Tadamoto Tamai. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Plasma Source Ion Implanter with Preparation Chamber for Linear or Cross Transferring Workpiece

Номер патента: US20230092691A1. Автор: Xinxin Ma. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2023-03-23.

Anisotropic surface energy modulation by ion implantation

Номер патента: WO2014022180A1. Автор: Ludovic Godet,Tristan MA,Christopher Hatem. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

Device for plasma-immersion ion implantation at low pressure

Номер патента: RU2615161C2. Автор: Франк ТОРРЕГРОСА,Лорен РУ. Владелец: Ион Бим Сервисез. Дата публикации: 2017-04-04.

Ion implanter system including remote dopant source, and method comprising same

Номер патента: EP2647036A2. Автор: W. Karl Olander,Robert Kaim,Joseph D. Sweeney,Joseph R. Despres. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Low emission cladding and ion implanter

Номер патента: WO2020149955A1. Автор: Frank Sinclair,Julian G. Blake. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-07-23.

Wafer temperature correction system for ion implantation device

Номер патента: US20130149799A1. Автор: Kazuhiro KANDATSU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Pumping system for reducing the effects of wafer outgasing on beam purity in an ion implanter

Номер патента: WO2001051296A1. Автор: John W. Vanderpot,Donald W. Berrian,John D. Pollock. Владелец: Proteros, Llc. Дата публикации: 2001-07-19.

Ion implant assisted metal etching

Номер патента: US9435038B2. Автор: William Davis Lee,Tristan MA,Thomas Omstead. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

F ion implantation into oxide films to form low-K intermetal dielectric

Номер патента: US6159872A. Автор: Stepan Essaian,Daniel Henry Rosenblatt. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-12-12.

Wafer temperature correction system for ion implantation device

Номер патента: US8378316B2. Автор: Kazuhiro KANDATSU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Multi-step ion implantation

Номер патента: US09828668B2. Автор: Douglas J. Weber,Scott A. Myers,Dale N. Memering. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

System and method for reducing particle formation in a process chamber of an ion implanter

Номер патента: WO2024167666A1. Автор: Bon-Woong Koo,Frank Sinclair,Tseh-Jen Hsieh,Vikram M. Bhosle,Gregory Edward Stratoti. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

System and Method for Reducing Particle Formation in a Process Chamber of an Ion Implanter

Номер патента: US20240274404A1. Автор: Bon-Woong Koo,Frank Sinclair,Tseh-Jen Hsieh,Vikram M. Bhosle,Gregory Edward Stratoti. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Plasma immersed ion implantation process using balanced etch-deposition process

Номер патента: US8273624B2. Автор: Peter Porshnev,Majeed A. Foad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Ion implantation device

Номер патента: US20150206710A1. Автор: Daisuke Goto,Satoshi Naganawa,Suguru Kenmochi. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Plasma immersed ion implantation process

Номер патента: WO2008073845A1. Автор: Shijian Li,Kartik Ramaswamy,Biagio Gallo,Majeed A. Foad,Dong Hyung Lee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-06-19.

Plasma immersed ion implantation process using balanced etch-deposition process

Номер патента: US20110053360A1. Автор: Peter Porshnev,Majeed A. Foad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Ion implantation apparatus and method of cleaning ion implantation apparatus

Номер патента: US10030304B2. Автор: Takayuki Nagai,Masateru Sato. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

Low-velocity electron excited phosphor and method for producing same

Номер патента: US5510154A. Автор: Hitoshi Toki,Shigeo Itoh,Yoshihisa Yonezawa. Владелец: Futaba Corp. Дата публикации: 1996-04-23.

Method and apparatus for clamping and cooling a substrate for ion implantation

Номер патента: US09520264B2. Автор: Richard J. Hertel,John Robert Fairhurst,Jeffrey E. Krampert. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Ion beam generator, ion implantation apparatus including an ion beam generator and method of using an ion beam generator

Номер патента: US9786470B2. Автор: Shao-Hua Wang,Ming-Te Chen,Sheng-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US20210319978A1. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US20230113582A1. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US11527382B2. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Ion implant system having grid assembly

Номер патента: US09741894B2. Автор: Babak Adibi,Moon Chun. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Storage and delivery of antimony-containing materials to an ion implanter

Номер патента: US20200340098A1. Автор: Douglas C. Heiderman,Aaron Reinicker,Ashwini K Sinha. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US11961707B2. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Supply source and method for enriched selenium ion implantation

Номер патента: US20140329377A1. Автор: Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Lloyd A. BROWN. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same

Номер патента: US09685304B2. Автор: Peng Zou,Ying Tang,Robert Kaim,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Edward E. Jones,Richard S. Ray,Barry Lewis Chambers. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Systems and Methods for Gap Filling Improvement

Номер патента: US20170221710A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Huang-Yi Huang,Chi-Yuan Chen,Li-Ting Wang,Wei-Jung Lin,Cheng-Tung Lin,Hong-Mao Lee,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Systems and methods for gap filling improvement

Номер патента: US20150170964A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Huang-Yi Huang,Chi-Yuan Chen,Li-Ting Wang,Wei-Jung Lin,Cheng-Tung Lin,Hong-Mao Lee,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Methods of forming semiconductor films and methods of manufacturing transistors including semiconductor films

Номер патента: US09384973B2. Автор: Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jong-baek Seon,Chil Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-05.

Thin film structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09337021B2. Автор: Sung Bo Lee,Heung Nam HAN. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2016-05-10.

Techniques for depositing metallic films using ion implantation surface modification for catalysis of electroless deposition

Номер патента: WO2007092529A8. Автор: Yuri Erokhin,Peter D Nunan. Владелец: Peter D Nunan. Дата публикации: 2008-09-25.

Precursor compositions for ion implantation of antimony and ion implantation process utilizing same

Номер патента: US5972743A. Автор: Thomas H. Baum,W. Karl Olander,James V. McManus,Timothy E. Glassman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Indium source reagent compositions, and use thereof for deposition of indium-containing films on substrates and ion implantation of indium-doped shallow junction microelectronic structures

Номер патента: US20010021785A1. Автор: Thomas Baum,Chongying Xu. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2001-09-13.

Wafer temperature measurement in an ion implantation system

Номер патента: US20230054419A1. Автор: Chien-Li Chen,Steven R. Walther. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Wafer temperature measurement in an ion implantation system

Номер патента: WO2021155270A1. Автор: Chien-Li Chen,Steven R. Walther. Владелец: ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-05.

Ion beam scanning control methods and systems for ion implantation uniformity

Номер патента: US20060145096A1. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Ion beam scanning control methods and systems for ion implantation

Номер патента: EP1836717A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-09-26.

Ion beam scanning methods and system for ion implantation

Номер патента: WO2006074200A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-07-13.

Wafer temperature measurement in an ion implantation system

Номер патента: US11942343B2. Автор: Chien-Li Chen,Steven R. Walther. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Ion beam scanning methods and system for ion implantation

Номер патента: WO2006074200A3. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Peter Kellerman. Дата публикации: 2007-11-08.

Ion implantation device with a dual pumping mode and method thereof

Номер патента: US7622722B2. Автор: Jonathan Gerald England,Christopher R. HATEM,Joseph C. Olson,Jay Thomas Scheuer. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-11-24.

Boron-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during boron ion implantation

Номер патента: US09570271B2. Автор: Stanley M. Smith,Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Serge M. CAMPEAU. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Boron-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during boron ion implantation

Номер патента: US09548181B2. Автор: Stanley M. Smith,Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Serge M. CAMPEAU. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for continuous production of beam of carborane ions with constant self-cleaning of ion source and component of ion implanter extraction system

Номер патента: RU2522662C2. Автор: Олег Васильевич Алексеенко,Сергей Николаевич Дугин,Элла Лазаревна Гуркова,Павел Аркадьевич Стороженко,Ефим Михайлович Окс,Дмитрий Николаевич Селезнев,Геннадий Николаевич Кропачев,Тимур Вячеславович Кулевой,Ростислав Петрович Куйбида,Гершкович Ади,Василий Иванович Гушенец. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики" (ФГБУ "ГНЦ РФ ИТЭФ"). Дата публикации: 2014-07-20.

Graphite member for beam-line internal member of ion implantation apparatus

Номер патента: US8673450B2. Автор: Tetsuro Tojo,Hitoshi Suzuki,Kiyoshi Saito,Fumiaki Yokoyama,Seiji Shinohara,Atsuko Ando. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-18.

Ion generator and method for using the same

Номер патента: US20190066967A1. Автор: Tai-Kun Kao,Tsung-Min Lin,Ren-Dou Lee,Jen-Chung Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Graphite Member for Beam-Line Internal Member of Ion Implantation Apparatus

Номер патента: US20090181527A1. Автор: Tetsuro Tojo,Hitoshi Suzuki,Kiyoshi Saito,Fumiaki Yokoyama,Seiji Shinohara,Atsuko Ando. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Ion implantation apparatus, ion implantation method, and semiconductor device

Номер патента: US20110248323A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Tetsuya Goto. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2011-10-13.

Plasma assisted damage engineering during ion implantation

Номер патента: US20240153775A1. Автор: Christopher R. HATEM,Edmund G. Seebauer,Michael Noel Kennedy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Plasma assisted damage engineering during ion implantation

Номер патента: WO2024097593A1. Автор: Christopher R. HATEM,Edmund G. Seebauer,Michael Noel Kennedy. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-10.

Methods and apparatus for plasma doping and ion implantation in an integrated processing system

Номер патента: EP1438734A2. Автор: Steven R. Walther. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2004-07-21.

In situ surface contaminant removal for ion implanting

Номер патента: WO2006023637A3. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Naushad Variam,Steve Walther. Владелец: Steve Walther. Дата публикации: 2007-03-01.

In situ surface contaminant removal for ion implanting

Номер патента: WO2006023637A2. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Naushad Variam,Steve Walther. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-03-02.

In situ surface contamination removal for ion implanting

Номер патента: US7544959B2. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Steven R. Walther,Naushad Variam. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-06-09.

Delivery device, substrate ion-implanting system and method thereof

Номер патента: US20190385879A1. Автор: Rui Xie. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

High throughput cooled ion implantation system and method

Номер патента: US09607803B2. Автор: Joseph Ferrara,Brian Terry,Armin Huseinovic. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Ion beam scanning systems and methods for improved ion implantation uniformity

Номер патента: EP1766654A1. Автор: Kevin Wenzel,Bo Vanderberg,Andrew Ray. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-03-28.

Method of reducing particle contamination for ion implanters

Номер патента: WO2008085405A1. Автор: Zhang Jincheng,Que Weiguo,Huang Yongzhang. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2008-07-17.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: EP1964149A2. Автор: Brian Freer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-09-03.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: WO2007075970A2. Автор: Brian Freer. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2007-07-05.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: WO2007075970A3. Автор: Brian Freer. Владелец: Brian Freer. Дата публикации: 2007-10-04.

Apparatus and method for improved scanning efficiency in an ion implanter

Номер патента: EP1016118A1. Автор: Peter Edwards,Christopher Wright,Peter Kindersley,Richard Cooke,Stephen Chamberlain. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-07-05.

Partial ion implantation apparatus and method using bundled beam

Номер патента: US20080128640A1. Автор: SEUNG Woo Jin,Min Yong Lee,Kyoung Bong Rouh,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-05.

Engineering the optical properties of an integrated computational element by ion implantation

Номер патента: US09905425B2. Автор: David L. Perkins,James M. Price,Aditya B. Nayak. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Ion source for use in an ion implanter

Номер патента: US20060169921A1. Автор: Klaus Becker,Klaus Petry,Werner Baer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Ion source for use in an ion implanter

Номер патента: EP1844487A2. Автор: Klaus Becker,Klaus Petry,Werner Baer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-10-17.

Boron ion implantation using alternative fluorinated boron precursors, and formation of large boron hydrides for implantation

Номер патента: US09455147B2. Автор: W. Karl Olander,Robert Kaim,Jose I. Arno. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Phosphorus or arsenic ion implantation utilizing enhanced source techniques

Номер патента: US20170250084A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Barry Lewis Chambers. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Ion implantation apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09773712B2. Автор: Takayuki Ito,Toshihiko Iinuma,Yasunori OSHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US09984856B2. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya,Yasuharu Okamoto,Yusuke Ueno. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US09646837B2. Автор: Masaki Ishikawa,Takeshi Kurose,Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya,Yasuharu Okamoto. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Ion implantation system with an interlock function

Номер патента: US7026633B2. Автор: Jin-Soo Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-11.

Repeller, cathode, chamber wall and slit member for ion implanter and ion generating devices including the same

Номер патента: US20180226218A1. Автор: Kyou Tae Hwang. Владелец: Value Engineering Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Controlled dose ion implantation

Номер патента: WO2006031559A2. Автор: Aditya Agarwal,David Hoglund,Robert Rathmell. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-03-23.

Controlled dose ion implantation

Номер патента: EP1794774A2. Автор: Aditya Agarwal,David Hoglund,Robert Rathmell. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-06-13.

Ion implanting method and apparatus

Номер патента: EP1306879A3. Автор: Koji c/o Nissin Ion Equipment Co. Ltd. Iwasawa,Nobuo c/o Nissin Ion Equipment Co. Ltd. Nagai. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-20.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US12094685B2. Автор: Taisei Futakuchi. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Ion implantation tool and ion implantation method

Номер патента: US09679746B2. Автор: Sheng-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US09412561B2. Автор: Hiroyuki Kariya,Takeshi Kurose,Noriyasu Ido. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for checking ion implantation state, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP2565909A1. Автор: Isao Yokokawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-06.

Ion implanter with variable scan frequency

Номер патента: WO2007111991A3. Автор: Joseph C Olson,Morgan Evans. Владелец: Morgan Evans. Дата публикации: 2008-01-24.

Terminal structure of an ion implanter

Номер патента: US20080073578A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Russell J. Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Terminal structure of an ion implanter

Номер патента: WO2008039745A2. Автор: Russell J. Low,Kasegan D. Tekletsadik. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-04-03.

Ion implanter

Номер патента: US20020180366A1. Автор: Won-ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Insulator system for a terminal structure of an ion implantation system

Номер патента: WO2007126966A3. Автор: Joseph C Olson,D Jeffrey Lischer,Stephen E Krause,Eric D Hermanson,Russell Low,Piortr R Lubicki. Владелец: Piortr R Lubicki. Дата публикации: 2008-03-06.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US11728132B2. Автор: Kazuhisa Ishibashi,Mikio Yamaguchi,Tetsuya Kudo. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Ion implantation system and method suitable for low energy ion beam implantation

Номер патента: US6191427B1. Автор: Masataka Kase,Yoshiyuki Niwa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Ion implantation system and control method

Номер патента: US20040104682A1. Автор: Thomas Horsky,Wade Krull,Brian Cohen,George Sacco Jr.. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

High throughput cooled ion implantation system and method

Номер патента: WO2017023583A1. Автор: Joseph Ferrara,Brian Terry,Armin Huseinovic. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-02-09.

Ion implanting apparatus for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20040056214A1. Автор: Sang-Kee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-25.

An apparatus for the backside gas cooling of a wafer in a batch ion implantation system

Номер патента: WO2002027754A2. Автор: Dale Keith Stone,Robert John Mitchell,Bryan Christopher Lagos,David James Chipman,Gary Jay Rosen. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-04-04.

System and method for aligning substrates for multiple implants

Номер патента: WO2013162916A1. Автор: John W Graff,Benjamin B. Riordon,Nicholas P. T. Bateman. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US20130196492A1. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya,Toshio Yumiyama,Yasuharu Okamoto. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Active substrate alignment system and method

Номер патента: WO2016043987A1. Автор: Aaron Webb,Timothy Miller,Charles T. Carlson,Christopher N. GRANT,James D. Strassner,Tammy Jo Pride. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2016-03-24.

Method and apparatus for supplying ion beam in ion implantation process

Номер патента: US20170243719A1. Автор: Tai-Kun Kao,Tsung-Min Lin,Jen-Chung Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Ion implanter toxic gas delivery system

Номер патента: US20210313144A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Active substrate alignment system and method

Номер патента: US20170294330A1. Автор: Timothy J. Miller,Charles T. Carlson,Aaron P. Webb,Christopher N. GRANT,James D. Strassner,Tammy Jo Pride. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Method and apparatus for supplying ion beam in ion implantation process

Номер патента: US09741537B1. Автор: Tai-Kun Kao,Tsung-Min Lin,Jen-Chung Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Ion-implantation system using split ion beams

Номер патента: US5767522A. Автор: Shuichi Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Fluorine ion implantation system with non-tungsten materials and methods of using

Номер патента: WO2020123901A1. Автор: Ying Tang,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph Robert DESPRES. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2020-06-18.

Charge exchanger, ion implantation system comprising the charge exchanger, and method of controlling the rate at which the polarity of ions is changed

Номер патента: US6462347B1. Автор: Sang-kuen Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-08.

Ion-implanter having variable ion beam angle control

Номер патента: US5696382A. Автор: Chang-Heon Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-12-09.

Ion Implanter, Internal Structure of Ion Implanter and Method of Forming A Coating Layer in the Ion Implanter

Номер патента: US20100327191A1. Автор: Kyung-Ic Jang,Kyung-Hwan Ye,Sam-Woong Kim,Yong-Sup Reim. Владелец: Komico Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Ion implanter, internal structure of ion implanter and method of forming a coating layer in the ion implanter

Номер патента: WO2009008626A2. Автор: Kyung-Ic Jang,Kyung-Hwan Ye,Sam-Woong Kim,Yong-Sup Reim. Владелец: KoMiCo LTD.. Дата публикации: 2009-01-15.

Method for capturing and removing contaminant particles from an interior region of an ion implanter

Номер патента: US5670217A. Автор: Robert Becker,Mary Jones,Frank Sinclair,Dale K. Stone,Julian G. Blake,David Chipman,Lyudmila Menn. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1997-09-23.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US20130295753A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

System and method for delivering cooling gas from atmospheric pressure to a high vacuum through a rotating seal in a batch ion implanter

Номер патента: WO2002027753A3. Автор: Robert John Mitchell. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US20150270103A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US9805913B2. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

System and method for delivering cooling gas from atmospheric pressure to a high vacuum through a rotating seal in a batch ion implanter

Номер патента: WO2002027753A2. Автор: Robert John Mitchell. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-04-04.

Storage and sub-atmospheric delivery of dopant compositions for carbon ion implantation

Номер патента: US09552990B2. Автор: Robert Shih,Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Lloyd A. BROWN,Serge M. CAMPEAU,Wen-Pin Chiu,Chien-Kang Kao,Dragon Lu. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method and apparatus for capturing and removing contaminant particles from an interior region of an ion implanter

Номер патента: CA2191115C. Автор: Robert Becker,Mary Jones,Frank Sinclair,Dale K. Stone,Julian G. Blake,David Chipman,Lyudmila Menn. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2002-02-05.

Architecture for ribbon ion beam ion implanter system

Номер патента: WO2007089468A3. Автор: Kourosh Saadatmand,Peter L Kellerman. Владелец: Peter L Kellerman. Дата публикации: 2007-10-04.

Architecture for ribbon ion beam ion implanter system

Номер патента: WO2007089468A2. Автор: Peter L. Kellerman,Kourosh Saadatmand. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2007-08-09.

Ion implantation device

Номер патента: US5608223A. Автор: Suguru Hirokawa,Frank Sinclair. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

Ion implanter

Номер патента: US5729027A. Автор: Tetsunori Kaji,Takayoshi Seki,Katsumi Tokiguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-03-17.

Low contamination, low energy beamline architecture for high current ion implantation

Номер патента: WO2009131714A2. Автор: Y Huang. Владелец: Axcelis Technologies, Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US20180145000A1. Автор: Masaki Ishikawa,Hiroyuki Kariya,Hideki Morikawa. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Aluminium dopant compositions, sub-atmospheric storage and delivery package containing such compositions, and method of storing and delivering such compositions

Номер патента: EP3005396A1. Автор: Ashwini K. SINHA,Lloyd A. BROWN. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-13.

Aluminum dopant compositions, delivery package and method of use

Номер патента: US20140357069A1. Автор: Ashwini K. SINHA,Lloyd A. BROWN. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Ion implantation tool and ion implantation method

Номер патента: US20170125214A1. Автор: Sheng-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of ion implantation and an apparatus for the same

Номер патента: US20200152411A1. Автор: Yi Tang,Weiyimin Dong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of ion implantation and an apparatus for the same

Номер патента: US11017979B2. Автор: Yi Tang,Weiyimin Dong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Aluminium dopant compositions, sub-atmospheric storage and delivery package containing such compositions, and method of storing and delivering such compositions

Номер патента: WO2014193867A1. Автор: Ashwini K. SINHA,Lloyd A. BROWN. Владелец: PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-12-04.

Ion Implantation Method, Ion Implantation Apparatus and Semiconductor Device

Номер патента: US20190066977A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Peter Zupan,Michael Brugger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Ion implanter with variable scan frequency

Номер патента: WO2007111991A2. Автор: Joseph C. Olson,Morgan Evans. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2007-10-04.

Method of manufacturing contamination level of ion implanting apparatus

Номер патента: US20150079705A1. Автор: Sooman Kim,Wonseok Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Optimized film deposition and ion implantation for mitigation of stress and deformation in substrates

Номер патента: US20240266230A1. Автор: D. Jeffrey Lischer,Wonjae LEE,Frank Sinclair,Pradeep Kumar Subrahmanyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Optimized film deposition and ion implantation for mitigation of stress and deformation in substrates

Номер патента: WO2024168087A1. Автор: D. Jeffrey Lischer,Wonjae LEE,Frank Sinclair,Pradeep Kumar Subrahmanyan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Techniques for low temperature ion implantation

Номер патента: WO2008067213A2. Автор: Richard S. Muka,D. Jeffrey Lischer,Jonathan Gerald England. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-06-05.

Techniques for low-temperature ion implantation

Номер патента: US20090140166A1. Автор: Richard S. Muka. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Hydrogen generator for an ion implanter

Номер патента: US20210090841A1. Автор: Tseh-Jen Hsieh,Wendy Colby,Neil K. Colvin,Richard Rzeszut. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Hydrogen generator for an ion implanter

Номер патента: WO2019144093A1. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh,Wendy Colby,Richard Rzeszut. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-07-25.

A masking apparatus for an ion implanter

Номер патента: WO2010144273A2. Автор: William T. Weaver,Charles Carlson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-12-16.

Cylindric decomposition for efficient mitigation of substrate deformation with film deposition and ion implantation

Номер патента: US20240266231A1. Автор: D. Jeffrey Lischer,Wonjae LEE,Frank Sinclair,Pradeep Kumar Subrahmanyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Mitigation of saddle deformation of substrates using film deposition and edge ion implantation

Номер патента: US20240266174A1. Автор: D. Jeffrey Lischer,Wonjae LEE,Frank Sinclair,Pradeep Kumar Subrahmanyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Cylindric decomposition for efficient mitigation of substrate deformation with film deposition and ion implantation

Номер патента: WO2024167966A1. Автор: D. Jeffrey Lischer,Wonjae LEE,Frank Sinclair,Pradeep Kumar Subrahmanyan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Ion beam measurement systems and methods for ion implant dose and uniformity control

Номер патента: EP1779404A2. Автор: Klaus Becker,Joseph Ferrara,Klaus Petry. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-02.

Ion implantation method

Номер патента: US8921240B2. Автор: Yasunori Kawamura,Kyoko Kawakami,Yoshiki Nakashima. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Ion Implantation Device

Номер патента: US20080054192A1. Автор: Masayuki Sekiguchi,Seiji Ogata,Tsutomu Nishihashi,Yuzo Sakurada. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Ion implantation method

Номер патента: US20120244724A1. Автор: Yasunori Kawamura,Kyoko Kawakami,Yoshiki Nakashima. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Hydrogen generator for an ion implanter

Номер патента: US20190228943A1. Автор: Tseh-Jen Hsieh,Wendy Colby,Neil K. Colvin,Richard Rzeszut. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Mitigation of saddle deformation of substrates using film deposition and edge ion implantation

Номер патента: WO2024167968A1. Автор: D. Jeffrey Lischer,Wonjae LEE,Frank Sinclair,Pradeep Kumar Subrahmanyan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Plasma generation for ion implanter

Номер патента: US20180174807A1. Автор: Tsung-Min Lin,Hong-Hsing Chou,Fang-Chi Chien,Chao-Li Shih,Ming-Hsing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Ion implantation method and device

Номер патента: US11862429B2. Автор: Cheng-En Lee,Yi-Hsiung Lin,Hsuan-Pang LIU,Yao-Jen Yeh,Chia-Lin OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Ion implanting apparatus for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US6737657B2. Автор: Sang-Kee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-18.

Influence function-based mitigation of substrate deformation with film deposition and ion implantation

Номер патента: US20240266233A1. Автор: D. Jeffrey Lischer,Wonjae LEE,Frank Sinclair,Pradeep Kumar Subrahmanyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Influence function-based mitigation of substrate deformation with film deposition and ion implantation

Номер патента: WO2024167963A1. Автор: D. Jeffrey Lischer,Wonjae LEE,Frank Sinclair,Pradeep Kumar Subrahmanyan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

An apparatus for the backside gas cooling of a wafer in a batch ion implantation system

Номер патента: EP1320866A2. Автор: Dale Keith Stone,Robert John Mitchell,Bryan Christopher Lagos,David James Chipman,Gary Jay Rosen. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-06-25.

Ion implantation processes and apparatus using gallium

Номер патента: EP3850654A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph Robert DESPRES,Edward Edmiston JONES. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-07-21.

Ion implantation processes and apparatus using gallium

Номер патента: US20200083015A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres,Edward E. Jones. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Calibration hardware for ion implanter

Номер патента: US20240063045A1. Автор: Tsung-Min Lin,Lung-Yin TANG,Hsin-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Ion implantation method

Номер патента: US20200043700A1. Автор: Cheng-En Lee,Yi-Hsiung Lin,Hsuan-Pang LIU,Yao-Jen Yeh,Chia-Lin OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for controlling donor concentration in Ga2O3-based and method for forming ohmic contact

Номер патента: US9611567B2. Автор: Kohei Sasaki,Masataka Higashiwaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Producing a diamond semiconductor by implanting dopant using ion implantation

Номер патента: US8328936B2. Автор: Kenji Ueda,Yoshiharu Yamauchi,Toshiki Makimoto,Makoto Kasu. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Fabrication of magnesium diboride superconductor thin films and electronic devices by ion implantation

Номер патента: WO2004044262A1. Автор: Roger Webb,Guosheng Shao,Nianhua Peng,Christopher Jeynes. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2004-05-27.

METHOD FOR CONTROLLING DONOR CONCENTRATION IN Ga2O3 SINGLE CRYSTAL BODY, AND METHOD FOR FORMING OHMIC CONTACT

Номер патента: US20160002823A1. Автор: Kohei Sasaki,Masataka Higashiwaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Apparatus and Method for Partial Ion Implantation Using Atom Vibration

Номер патента: US20090267002A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Apparatus and method for calibrating the position of a wafer platform in an ion implanter

Номер патента: US20030209050A1. Автор: Yu-Chun Peng,Lu-Chang Chen,Yi-Yao Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Method for monitoring ion implantation

Номер патента: US09524852B2. Автор: Hui Tian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Insulator for an ion implantation source

Номер патента: US12020896B2. Автор: Sheng-Chi Lin,Jui-Feng Jao,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Lung-Yin TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Insulator for an ion implantation source

Номер патента: US20240274405A1. Автор: Sheng-Chi Lin,Jui-Feng Jao,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Lung-Yin TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Water-removing exhaust system for an ion implanter and a method for using the same

Номер патента: US5856676A. Автор: Byeong Ki Rheem,Sang Guen Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-05.

Ion implanter

Номер патента: US5218209A. Автор: Kunihiko Takeyama. Владелец: Nissin High Voltage Co Ltd. Дата публикации: 1993-06-08.

Sapphire property modification through ion implantation

Номер патента: US20140248472A1. Автор: Christopher D. Prest,Douglas Weber,Dale N. Memering. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Sapphire property modification through ion implantation

Номер патента: EP2772565A3. Автор: Douglas J. Weber,Christopher D. Prest,Dale N. Memering. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-12-10.

Method of permanently phase-transiting semimetal using ion implantation and semimetal phase-transited thereby

Номер патента: US20220223365A1. Автор: Suk Ho Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2022-07-14.

Post ion implant stripper for advanced semiconductor application

Номер патента: US09484218B2. Автор: Andreas Klipp,Meichin Shen,ChienShin Chen,ChiaHao Chan. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-11-01.

Vapor compression refrigeration chuck for ion implanters

Номер патента: US09558980B2. Автор: William D. Lee,Ashwin M. Purohit,Marvin R. LaFontaine. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Photoresist system and method

Номер патента: US09599896B2. Автор: Chien-Chih Chen,Ching-Yu Chang,Cheng-Han Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Insulator for an ion implantation source

Номер патента: EP3945542A1. Автор: Sheng-Chi Lin,Jui-Feng Jao,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Lung-Yin TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US20060076512A1. Автор: Yoshihiro Sohtome. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-13.

Controlled ion implant damage profile for etching

Номер патента: US4978418A. Автор: Carol I. H. Ashby,Paul J. Brannon,George W. Arnold, Jr.. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1990-12-18.

Monitoring plasma ion implantation systems for fault detection and process control

Номер патента: US7878145B2. Автор: Ludovic Godet,Ziwei Fang,Daniel Distaso,Jay T. Scheuer,Sung-Cheon Ko,Edmund J. Winder,Bon Woong Koo. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-02-01.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US11749501B2. Автор: Jian Wang,Takashi Sakamoto,Shinsuke Inoue,Yuta Iwanami,Weijiang Zhao. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Ion implantation apparatus, substrate clamping mechanism, and ion implantation method

Номер патента: US20100133449A1. Автор: Hidenori Takahashi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Ion implantation with variable implant angle

Номер патента: US4745287A. Автор: Norman L. Turner. Владелец: Ionex HEI Corp. Дата публикации: 1988-05-17.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US4831270A. Автор: Wesley Weisenberger. Владелец: Ion Implant Services. Дата публикации: 1989-05-16.

Ion implanter

Номер патента: US4274004A. Автор: Norio Kanai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-06-16.

Workpiece handling scan arm for ion implantation system

Номер патента: EP2057674A2. Автор: Robert Mitchell,Michel Pharand,Ari Eiriksson,Marvin Lafontaine,Ashwin Purohit,Steve Weed,Wayne Arsenault,Shantanu Pathak,Donovan Beckel. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-13.

Substrate treating apparatus, ion implantation apparatus, and ion implantation method

Номер патента: US11961695B2. Автор: Doyeon Kim,Hyun Yoon,Ho Jong Hwang. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Ion implanter and beam profiler

Номер патента: US20210134559A1. Автор: David Edward Potkins,Phillip Thomas Jackle. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Dopant precursors and ion implantation processes

Номер патента: US6716713B2. Автор: Michael A. Todd. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2004-04-06.

Method for making solid state device utilizing ion implantation techniques

Номер патента: US5082793A. Автор: Chou H. Li. Владелец: Li Chou H. Дата публикации: 1992-01-21.

Post Ion Implant Photoresist Strip using a Pattern Fill and Method

Номер патента: US20070287291A1. Автор: Rene George,Stephen Savas. Владелец: Mediolanum Pharmaceuticals Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Ion implantation apparatus and method of determining state of ion implantation apparatus

Номер патента: US20140242732A1. Автор: Keiji Fujita,Kei Hattori,Takahito Nagamatsu,Masayuki Jinguuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Method and apparatus for enhanced lifetime and performance of ion source in an ion implantation system

Номер патента: MY166024A. Автор: Robert Kaim,Joseph D Sweeney,Anthony M Avila,Richard S Ray. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2018-05-21.

Masked Ion Implant with Fast-Slow Scan

Номер патента: US20110272602A1. Автор: Atul Gupta,Steven M. Anella,Nicholas P.T. Bateman,Benjamin B. Riordon. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Masked ion implantation with fast-slow scan

Номер патента: EP2465146A2. Автор: Atul Gupta,Steven M. Anella,Nicholas P.T. Bateman,Benjamin B. Riordon. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2012-06-20.

High-throughput ion implanter

Номер патента: US09437392B2. Автор: William T. Weaver,Paul Sullivan,Joseph C. Olson,James Buonodono,Charles T. Carlson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Power supply for an ion implantation system

Номер патента: WO2008086066A3. Автор: Eric Hermanson,Russell J Low,Stephen E Krause,Piotr R Lubicki. Владелец: Piotr R Lubicki. Дата публикации: 2008-12-18.

Power supply for an ion implantation system

Номер патента: WO2008086066A2. Автор: Russell J. Low,Piotr R. Lubicki,Eric Hermanson,Stephen E. Krause. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-07-17.

System and method for setecing neutral particles in an ion bean

Номер патента: US5814823A. Автор: Victor M. Benveniste. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

High-throughput ion implanter

Номер патента: WO2013067317A1. Автор: William T. Weaver,Paul Sullivan,Joseph C. Olson,James Buonodono,Charles T. Carlson. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2013-05-10.

Wafer bonding activated by ion implantation

Номер патента: WO2009039264A2. Автор: Paul Sullivan,Yuri Erokhin,Steven R. Walther,Peter Nunan. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-26.

Ion generating source for use in an ion implanter

Номер патента: CA2162748C. Автор: Thomas N. Horsky,William E. Reynolds,Piero Sferlazzo,Edward K. Mcintyre, Jr.,Richard M. Cloutier. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2001-04-17.

Electromigration-resistant and compliant wire interconnects, nano-sized solder compositions, systems made thereof, and methods of assembling soldered packages

Номер патента: US7615476B2. Автор: Fay Hua. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

System and method for controlling ion implanter

Номер патента: US09870896B2. Автор: Po-Feng Tsai,Chia-Tong Ho,Jong-I Mou,Sheng-Wei Lee,Jo-Fei Wang,Chia-Hsing Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Combined electrostatic lens system for ion implantation

Номер патента: US09679739B2. Автор: Bo H. Vanderberg,Edward C. Eisner. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Ion implanter vacuum integrity check process and apparatus

Номер патента: US20020117634A1. Автор: Donald Wilcox,Randy Underwood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Ion implanting apparatus and method for implanting ions

Номер патента: US20080191154A1. Автор: Chung Yi,Deok-Hoi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Scanning systems and methods for providing ions from an ion beam to a workpiece

Номер патента: US20060033046A1. Автор: Michael Graf,Joseph Ferrara,Bo Vanderberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Split double gap buncher and method for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: EP1419514A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Split double gap buncher and method for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: WO2003019612A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-03-06.

Ion implantation system and process

Номер патента: US09697988B2. Автор: Zhimin Wan,Nicholas White,Kourosh Saadatmand. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Ion implantation apparatus and method of determining state of ion implantation apparatus

Номер патента: US9269540B2. Автор: Keiji Fujita,Kei Hattori,Takahito Nagamatsu,Masayuki Jinguuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-23.

High-voltage isolation semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20230085878A1. Автор: Ziquan Fang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

High-current ion implanter and method for controlling ion beam using high-current ion implanter

Номер патента: WO2021011156A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Shengwu Chang,Alexandre Likhanskii,Antonella Cucchetti,Eric D. Hermanson. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-01-21.

System and method for cooling workpieces processed by an ion implantation system

Номер патента: WO1997030471A1. Автор: Julian G. Blake,Zhongmin Yang,Kenneth H. Purser,Peter H. Rose,Adam A. Brailove. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1997-08-21.

Method for monitoring the performance of an ion implanter using reusable wafers

Номер патента: EP1002330A1. Автор: Don R. Rohner. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-05-24.

Fault detection and control methodologies for ion implantation processes, and system for performing same.

Номер патента: WO2005045875A1. Автор: Richard J. Markle,Elfido Coss, Jr.,Patrick M. Cowan,Tom Tse. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-05-19.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using east ion beam control

Номер патента: WO2006107797A2. Автор: Jonathan England,Joseph C. Olson,Russell J. Low,James R. Mclane,David R. Timberlake,Mark D. Saunders,James J. Cummings,Thomas B. Callahan. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-10-12.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using fast ion beam control

Номер патента: US20060219954A1. Автор: Mark Saunders,Joseph Olson,Thomas Callahan,Jonathan England,James Cummings,Russell Low,David Timberlake,James McLane. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Ion implantation apparatus and method of controlling ion implantation apparatus

Номер патента: US09837248B2. Автор: Daisuke Imai,Shiro Ninomiya,Masahide Ooura. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: WO2010085293A1. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-07-29.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: US20100190324A1. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: WO2010085293A8. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-12-29.

Shaped apertures in an ion implanter

Номер патента: WO2008053139A3. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Stephen Hays. Владелец: Stephen Hays. Дата публикации: 2008-10-02.

Shaped apertures in an ion implanter

Номер патента: WO2008053139A2. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Stephen Hays. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-05-08.

Ion implantation system for implanting workpieces

Номер патента: WO1997030470A1. Автор: Julian G. Blake,Barbara J. Hughey,Zhongmin Yang,Peter H. Rose,Adam A. Brailove,Richard F. McRay. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1997-08-21.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: US20240222072A1. Автор: Frank Sinclair,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: WO2024144890A1. Автор: Frank Sinclair,Daniel Hall,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER,Jonathan LOWDER,Pratim PALIT. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: US20240222070A1. Автор: Frank Sinclair,Daniel Hall,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER,Jonathan LOWDER,Pratim PALIT. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US5025167A. Автор: Shigeo Sasaki,Tetsuya Nakanishi,Soichiro Okuda,Kazuhiko Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-06-18.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: WO2024144887A1. Автор: Frank Sinclair,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Resolving slit assembly and method of ion implantation

Номер патента: WO1993023871A1. Автор: Derek Aitken. Владелец: Superion Limited. Дата публикации: 1993-11-25.

Electron confinement inside magnet of ion implanter

Номер патента: WO2006060231A3. Автор: . Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2006-07-27.

Techniques for terminal insulation in an ion implanter

Номер патента: WO2009032566A2. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Joseph C. Olson,Russell J. Low,Piotr R. Lubicki,Eric D. Hermanson,Stephen E. Krause,Jeffrey D. Lischer. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Techniques for terminal insulation in an ion implanter

Номер патента: WO2009032565A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Joseph C. Olson,Russell J. Low,Piotr R. Lubicki,Eric D. Hermanson,Stephen E. Krause,Jeffrey D. Lischer. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: EP1027718A1. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

Material surface reforming apparatus using ion implantation

Номер патента: US20240258069A1. Автор: Myung Jin Kim,Jae Keun KIL,Bom Sok KIM. Владелец: Radpion Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Ion implantation apparatus and method

Номер патента: US7119347B2. Автор: Takeshi Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-10.

Lower dose rate ion implantation using a wider ion beam

Номер патента: US09748072B2. Автор: Xiao Bai,Zhimin Wan,Ger-Pin Lin,Kourosh Saadatmand,Ching-I Li,Rekha Padmanabhan,Gary N. Cai,David Hoglund,Shao-Yu HU,Robert E. Kaim. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Ion implantation for improved etch performance

Номер патента: US09520290B1. Автор: Tristan Y. Ma,Maureen K. Petterson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Techniques for terminal insulation in an ion implanter

Номер патента: WO2009032566A3. Автор: Joseph C Olson,Russell J Low,Stephen E Krause,Eric D Hermanson,Kasegn D Tekletsadik,Piotr R Lubicki,Jeffrey D Lischer. Владелец: Jeffrey D Lischer. Дата публикации: 2009-04-30.

Ion implanters

Номер патента: US20090166565A1. Автор: Adrian Murrell,Gregory Robert Alcott,Martin Hilkene,Matthew Castle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Improvements relating to ion implanters

Номер патента: WO2009083726A1. Автор: Adrian Murrell,Gregory Robert Alcott,Martin Hilkene,Matthew Castle. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-07-09.

Extraction electrode assembly voltage modulation in an ion implantation system

Номер патента: US20140326901A1. Автор: Jincheng Zhang,Neil K. Colvin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-06.

Ion implanter

Номер патента: US09899189B2. Автор: Shoichi KUGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

High energy ion implanter, beam current adjuster, and beam current adjustment method

Номер патента: US09576771B2. Автор: Kouji Kato,Kouji Inada. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Occluding beamline ion implanter

Номер патента: WO2002084713A3. Автор: David S Holbrook. Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2003-03-13.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US11201057B2. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-12-14.

Ion implantation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7785994B2. Автор: Hideki Okai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Ion implantation apparatus and ion implanting method

Номер патента: US20070152173A1. Автор: Hiroshi Hashimoto,Takeshi Shibata,Tadahiko Hirakawa,Kazuhiko Tonari. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Low emission cladding and ion implanter

Номер патента: US20200234917A1. Автор: Julian G. Blake. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Collimator magnet for ion implantation system

Номер патента: US20100140494A1. Автор: Dan Nicolaescu. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Collimator magnet for ion implantation system

Номер патента: WO2010064099A1. Автор: Dan Nicolaescu. Владелец: NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD.. Дата публикации: 2010-06-10.

Ion implanter, magnetic field measurement device, and ion implantation method

Номер патента: US09984851B2. Автор: Hiroyuki Kariya. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Electrode for use in ion implantation apparatus and ion implantation apparatus

Номер патента: US09627170B2. Автор: BO Yang,Jingyi Xu,Zhiqiang Wang,Feng Kang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Reduced trace metals contamination ion source for an ion implantation system

Номер патента: US09543110B2. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US09466467B2. Автор: Kazuhiro Watanabe,Tatsuya Yamada,Hitoshi Ando,Mitsuaki Kabasawa,Kouji Inada. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Chlorine-containing precursors for ion implantation systems and related methods

Номер патента: WO2024044187A1. Автор: Ying Tang,Joseph R. Despres. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-29.

Chlorine-containing precursors for ion implantation systems and related methods

Номер патента: US20240062987A1. Автор: Ying Tang,Joseph R. Despres. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Ion implantation apparatus and control method for ion implantation apparatus

Номер патента: US09666413B2. Автор: Keiji Okada,Suguru Hirokawa,Tetsuya Kudo,Yoshito Fujii,Shinji Ebisu. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Ion implant apparatus and method of controlling the ion implant apparatus

Номер патента: US20220270846A1. Автор: Hsun-Po WEN,Sung-Hui CHEN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Reduced implant voltage during ion implantation

Номер патента: WO2010042494A2. Автор: Ludovic Godet,Christopher R. HATEM. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-04-15.

Method for transmitting a broadband ion beam and ion implanter

Номер патента: US20150069261A1. Автор: Libo Peng,Huiyue Long,Junyu Xie. Владелец: Beijing Zhongkexin Electronic Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Methods and apparatus for ion implantation with variable spatial frequency scan lines

Номер патента: EP1402559A1. Автор: Jay T. Scheuer,Gregory R. Gibilaro. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Methods and apparatus for ion implantation with variable spatial frequency scan lines

Номер патента: WO2002097853A1. Автор: Jay T. Scheuer,Gregory R. Gibilaro. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of Measuring Vertical Beam Profile in an Ion Implantation System Having a Vertical Beam Angle Device

Номер патента: US20160189927A1. Автор: Shu Satoh. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of measuring vertical beam profile in an ion implantation system having a vertical beam angle device

Номер патента: WO2016106422A1. Автор: Shu Satoh. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for Preparing a Source Material for Ion Implantation

Номер патента: US20070178651A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of measuring vertical beam profile in an ion implantation system having a vertical beam angle device

Номер патента: US09711328B2. Автор: Shu Satoh. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Ion implantation system and process for ultrasensitive determination of target isotopes

Номер патента: US09443708B2. Автор: Martin Liezers,Orville T. Farmer, III. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

A computer-implemented method for the simulation of an energy-filtered ion implantation (efii) using an ion tunnel

Номер патента: EP4281991A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-11-29.

SiC coating in an ion implanter

Номер патента: US09793086B2. Автор: Shardul S. Patel,Timothy J. Miller,Robert J. Mason,Robert H. Bettencourt. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

In situ ion beam current monitoring and control in scanned ion implantation systems

Номер патента: WO2018048889A1. Автор: Alfred Halling. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for monitoring the performance of an ion implanter using reusable wafers

Номер патента: WO1999008307A1. Автор: Don R. Rohner. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-02-18.

A computer-implemented method for the simulation of an energy-filtered ion implantation (efii) using an ion tunnel

Номер патента: US20240303390A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-09-12.

Implementation of co-gases for germanium and boron ion implants

Номер патента: US09984855B2. Автор: Tseh-Jen Hsieh,Neil K. Colvin. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Grid for plasma ion implant

Номер патента: US09583661B2. Автор: Babak Adibi,Vinay Prabhakar. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Ion implanter and method of controlling the same

Номер патента: US09564289B2. Автор: Takeshi Kurose,Toshio Yumiyama,Tadanobu Kagawa. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

High-energy ion implanter

Номер патента: US09368327B2. Автор: Kazuhiro Watanabe,Tatsuya Yamada,Mitsuaki Kabasawa,Tatsuo Nishihara,Yuuji Takahashi. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Mechanism for containment of neutron radiation in ion implanter beamline

Номер патента: WO2002037906A2. Автор: Michael Anthony Graf,Kourosh Saadatmand,Edward Kirby Mcintyre. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-05-10.

Parallel sweeping system for electrostatic sweeping ion implanter

Номер патента: US4942342A. Автор: Osamu Tsukakoshi. Владелец: Nihon Shinku Gijutsu KK. Дата публикации: 1990-07-17.

Implementation of co-gases for germanium and boron ion implants

Номер патента: WO2012067653A1. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Mechanism for containment of neutron radiation in ion implanter beamline

Номер патента: WO2002037906A8. Автор: Michael Anthony Graf,Kourosh Saadatmand,Edward Kirby Mcintyre. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2003-05-15.

Mechanism for prevention of neutron radiation in ion implanter beamline

Номер патента: EP1332652A2. Автор: Michael Anthony Graf,Kourosh Saadatmand,Edward Kirby Mcintyre. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-08-06.

Systems and methods for ion implantation

Номер патента: US4743767A. Автор: Christopher Wright,Derek Aitken,Frederick Plumb,Bernard Harrison,Nicholas J. Bright. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1988-05-10.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using east ion beam control

Номер патента: WO2006107797A3. Автор: Jonathan England,Joseph C Olson,Russell J Low,James R Mclane,David R Timberlake,Mark D Saunders,James J Cummings,Thomas B Callahan. Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2007-06-14.

Ion-implantation machine, control method thereof, and process for manufacturing integrated devices

Номер патента: US20040121498A1. Автор: Camillo Bresolin,Valter Soncini,Andrea Riva. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-06-24.

System in which a rotating body is connected to a rotary shaft in an ion implanter

Номер патента: US6762417B2. Автор: Hak-Young Kim,Jin-Hyeung Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-13.

Conductive beam optics for reducing particles in ion implanter

Номер патента: WO2019164614A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Shengwu Chang,Alexandre Likhanskii,Robert C. Lindberg. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-08-29.

Ion implanter system, method and program product including particle detection

Номер патента: WO2005069945A2. Автор: Paul S. Buccos. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2005-08-04.

Determining beam alignment in ion implantation using rutherford back scattering

Номер патента: WO2001027968A1. Автор: Peter Rose,Marvin Farley,Theodore H. Smick,Geoffrey Ryding,John Ruffell. Владелец: Cross, Rupert, Edward, Blount. Дата публикации: 2001-04-19.

A semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP1808885A1. Автор: Dale C. Jacobson,Wade A. Krull. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Systems and methods for beam angle adjustment in ion implanters

Номер патента: WO2008033448A3. Автор: Bo Vanderberg,Edward Eisner. Владелец: Edward Eisner. Дата публикации: 2008-11-20.

Ion implanter and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060017017A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Yoshimasa Kawase. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Apparatus and method for reducing heating of a workpiece in ion implantation

Номер патента: EP1083587A3. Автор: Marvin Farley,Theodore H. Smick,Geoffrey Ryding. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-19.

Enhanced low energy ion beam transport in ion implantation

Номер патента: EP2389680A1. Автор: William DiVergilio,Bo Vanderberg. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Cold stripper for high energy ion implanter with tandem accelerator

Номер патента: US09520204B2. Автор: Shengwu Chang. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

High-energy implantation process using an ion implanter of the low-or medium-current type and corresponding devices

Номер патента: US5625195A. Автор: Andre Grouillet. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1997-04-29.

Target end station for the combinatory ion implantation and method of ion implantation

Номер патента: WO2003058671A3. Автор: Helmut Karl,Bernd Stritzker,Axel Wenzel,Ingo Grosshans. Владелец: Univ Augsburg. Дата публикации: 2004-01-22.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: SG172763A1. Автор: Peter I Porshnev,Martin A Hilkene,Majeed A Foad,Kartik Santhanam,Yen B Ta. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-08-29.

Ion source structure of ion implanter and its operation method

Номер патента: US20240234079A9. Автор: Wen Yi Tan,Wen Shuo Cui. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

A Method for the Simulation of an Energy-Filtered Ion Implantation (EFII)

Номер патента: US20240232470A9. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Thermal regulation of an ion implantation system

Номер патента: WO2002073651A1. Автор: Michael C. Vella. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2002-09-19.

Repeller for ion generating apparatus, ion generating apparatus and semiconductor wafer ion implantation apparatus

Номер патента: US20240290570A1. Автор: Kyoungchul YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US09431214B2. Автор: Hiroshi Matsushita,Yoshitaka Amano,Mitsuaki Kabasawa,Takanori Yagita. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Ion implanter and model generation method

Номер патента: US20230038439A1. Автор: Kazuhisa Ishibashi,Mikio Yamaguchi,Tetsuya Kudo. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Ion implanter and model generation method

Номер патента: US11823863B2. Автор: Kazuhisa Ishibashi,Mikio Yamaguchi,Tetsuya Kudo. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Terminal Structures Of An Ion Implanter Having Insulated Conductors With Dielectric Fins

Номер патента: US20090057572A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Steve Krause,Eric Hermanson,Doug May,Russel John Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Terminal structures of an ion implanter having insulated conductors with dielectric fins

Номер патента: WO2009029560A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Douglas May,Russell J. Low,Eric D. Hermanson,Stephen E. Krause. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation

Номер патента: US6027988A. Автор: Nathan W. Cheung,Chenming Hu,Xiang Lu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-02-22.

Ion implanter with contaminant collecting surface

Номер патента: US7358508B2. Автор: Michael Graf,Philip J. Ring. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-04-15.

Ion implantation apparatus

Номер патента: GB1280305A. Автор: George Raymond Brewer,Charles Raymond Buckey. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1972-07-05.

Multi-purpose electrostatic lens for an ion implanter system

Номер патента: WO2008042585A2. Автор: Anthony Renau,James S. Buff,Svetlana B. Radovanov. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-04-10.

Technique for uniformity tuning in an ion implanter system

Номер патента: US20060284114A1. Автор: Joseph Olson,Jonathan England,Shengwu Chang,Morgan Evans,William Callahan,Damian Brennan,Douglas Fielder,Gregg Norris. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

Ion implanting apparatus

Номер патента: US20110248182A1. Автор: Kazuhiro Watanabe,Kenji Sato,Tsutomu Tanaka,Takuya Uzumaki,Tadashi Morita,Tsutomu Nishihashi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-10-13.

Ion implanter and method of ion beam tuning

Номер патента: US20160079032A1. Автор: Kazuhiro Watanabe,Yuuji Takahashi,Yusuke Ueno. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Post-decel magnetic energy filter for ion implantation systems

Номер патента: WO2010008458A1. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Bo Vanderberg. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-21.

Apparatus and method for neutralizing the beam in an ion implanter

Номер патента: US4361762A. Автор: Edward C. Douglas. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-11-30.

Combined ion implantation and kinetic transport deposition process

Номер патента: GB1466786A. Автор: . Владелец: California Linear Circuits Inc. Дата публикации: 1977-03-09.

Ion implanting apparatus and sample processing apparatus

Номер патента: US6501080B1. Автор: Hiroyuki Tomita,Kazuo Mera. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-31.

Ion Implanting Apparatus and Ion Implanting Method

Номер патента: CA2129403A1. Автор: Hiroyuki Hashimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-02-06.

Ion implanting apparatus and ion implanting method

Номер патента: CA2129403C. Автор: Hiroyuki Hashimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US20230260741A1. Автор: Tetsuya Kudo,Akihiro Ochi,Shinji Ebisu. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Post-decel magnetic energy filter for ion implantation systems

Номер патента: EP2304763A1. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Bo Vanderberg. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-04-06.

Method and apparatus for improved ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: WO2003019613A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-03-06.

Method and apparatus for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: EP1419515A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Method for reducing cross-contamination in ion implantation

Номер патента: US5880013A. Автор: Ming-Tsung Lee,Chien-Jung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US20190074158A1. Автор: Takayuki Ito,Tsuyoshi Fujii,Yasunori OSHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: EP1235252A3. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-26.

Ion implantation beam angle calibration

Номер патента: EP1955357A1. Автор: Robert Rathmell,Dennis Kamenista. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-08-13.

Ion implantation beam angle calibration

Номер патента: WO2007064508A1. Автор: Robert Rathmell,Dennis Kamenista. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2007-06-07.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: WO1999023685A1. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-05-14.

Method and system for controlling beam scanning in an ion implantation device

Номер патента: WO2002082496A3. Автор: Raymond Paul Boisseau,William Philip Nett,Robert Joseph Ledoux. Владелец: Frost Alex John. Дата публикации: 2003-05-30.

Technique for uniformity tuning in an ion implanter system

Номер патента: US20060266957A1. Автор: Joseph Olson,Shengwu Chang,Damian Brennan. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2006-11-30.

Ion implantation system with mixture of arc chamber materials

Номер патента: US20210020402A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US20200118822A1. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of manufacturing solar cell and method of forming doping region

Номер патента: US09640707B2. Автор: Daeyong Lee,Jinsung Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Systems and methods for ion beam focusing

Номер патента: US7019314B1. Автор: Victor M. Benveniste,Peter L. Kellerman. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-03-28.

Ion implanting apparatus capable of preventing discharge flaw production on reverse side surface of wafer

Номер патента: US5945681A. Автор: Kensuke Amemiya,Isao Hashimoto,Yasuo Yamashita,Keiji Arimatsu,Kazuo Mera,Takayoshi Seki,Katsumi Tokiguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-08-31.

Ion implantation system with mixture of arc chamber materials

Номер патента: EP4000086A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres,Joseph R. SWEENEY. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US11875995B2. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US20220068648A1. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Plasma immersion ion implantation process with reduced polysilicon gate loss and reduced particle deposition

Номер патента: US20090215250A1. Автор: Majeed A. Foad,Manoj Vellaikal,Peter I. Porshnev,Kartik Santhanam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Inductively coupled plasma type ion implanter

Номер патента: US20240021409A1. Автор: Seung Jae MOON,Jong Jin HWANG,Sung Mook JUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-01-18.

Ion implantation apparatus and scanning waveform preparation method

Номер патента: US20170271128A1. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Monitoring device, ion implantation device, and monitoring method

Номер патента: US20160217973A1. Автор: Makoto Ishida. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Plasma immersion ion implantation process with reduced polysilicon gate loss and reduced particle deposition

Номер патента: WO2009105151A1. Автор: Majeed A. Foad,Manoj Vellaikal,Peter I. Porshnev,Kartik Santhanam. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-08-27.

Kinematic ion implanter electrode mounting

Номер патента: WO2005038856A2. Автор: Andrew Stephen Devaney,Jonathon Y. Simmons,John R. Shelley. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2005-04-28.

Moving module of a wafer ion-implanting machine

Номер патента: US20100218720A1. Автор: Ting-Wei Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-02.

Moving module of a wafer ion-implanting machine

Номер патента: US7956333B2. Автор: Ting-Wei Lin. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2011-06-07.

Ion implantation apparatus and scanning waveform preparation method

Номер патента: US09905397B2. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Monitoring device, ion implantation device, and monitoring method

Номер патента: US09741534B2. Автор: Makoto Ishida. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for generating parameter pattern, ion implantation method and feed forward semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09697989B2. Автор: Ting-Chun Wang,Lun-Kuang Tan,Cheng-ta Wu,Yao-Wen Hsu,Wei-Ming You,Tsung Han Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Ion implanter

Номер патента: US6084240A. Автор: Chien-Hsing Lin,Cheng-Tai Peng. Владелец: United Integrated Circuits Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Method for preparing a source material including forming a paste for ion implantation

Номер патента: US7494905B2. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-02-24.

Ion implanting apparatus

Номер патента: US5349196A. Автор: Noriyuki Sakudo,Kensuke Amemiya,Yoshimi Hakamata,Katsumi Tokiguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-09-20.

Weakening focusing effect of acceleration-decelaration column of ion implanter

Номер патента: WO2006068754A1. Автор: Donald Anderson,Joseph C. Olson,Shengwu Chang,Daniel McGillicuddy. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-06-29.

Ion implantation method and ion implanter

Номер патента: US11830703B2. Автор: Yoji Kawasaki,Haruka Sasaki. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Ion implantation method and ion implanter

Номер патента: US20200027697A1. Автор: Yoji Kawasaki,Haruka Sasaki. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Ion implantation method and ion implanter

Номер патента: US20240047176A1. Автор: Yoji Kawasaki,Haruka Sasaki. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Vacuum assembly for an ion implanter system

Номер патента: WO2015094621A1. Автор: Robert H. Bettencourt,Steven C. BORISCHEVSKY. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

Polarity exchanger and ion implanter having the same

Номер патента: US20040113100A1. Автор: Kyue-sang Choi,Hyung-sik Hong,Gyeong-Su Keum,Gum-Hyun Shin,Chung-Hun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-17.

Acceleration and analysis architecture for ion implanter

Номер патента: WO1999063572A1. Автор: Anthony Renau,Charles Mckenna. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 1999-12-09.

Ion implanter

Номер патента: US20020148977A1. Автор: Hiroyuki Tomita,Kazuo Mera. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-10-17.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US09520265B2. Автор: Takanori Yagita. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Ion implantation apparatus

Номер патента: CA1057422A. Автор: Demetrios Balderes,Charles J. Lucas,Herbert L. Arndt (Jr.),John R. Kranik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

Contamination reduction during ion implantation

Номер патента: US7544958B2. Автор: Russell John Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-06-09.

Ion implantation method and apparatus

Номер патента: US4881010A. Автор: Neil R. Jetter. Владелец: Harris Semiconductor Patents Inc. Дата публикации: 1989-11-14.

Reduced implant voltage during ion implantation

Номер патента: WO2010042494A3. Автор: Ludovic Godet,Christopher R. HATEM. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-07-22.

Ion implantation systems

Номер патента: US20100237260A1. Автор: Jiong Chen. Владелец: Kingstone Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-23.

Ion implantation apparatus and method

Номер патента: US20050218345A1. Автор: Takeshi Shibata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US11923167B2. Автор: Hiroshi Matsushita. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US11569058B2. Автор: Hiroshi Matsushita. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

System and method for in-situ beamline film stabilization or removal in the aef region

Номер патента: WO2019074899A1. Автор: David Kirkwood,Tao TENG-CHAO. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-04-18.

Ion implantation apparatus and measurement device

Номер патента: US20190295818A1. Автор: Yoshiaki Inda. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Trench Schottky rectifier device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09853120B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Trench schottky rectifier device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09536976B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

ARC chamber for an ion implantation system

Номер патента: US6022258A. Автор: Richard C. Abbott,Raymond C. DesMarais. Владелец: Thermoceramix Inc USA. Дата публикации: 2000-02-08.

Method of forming an integrated circuit region through the combination of ion implantation and diffusion steps

Номер патента: CA1082373A. Автор: Joseph Regh,Conrad A. Barile,Robert M. Brill,John L. Forneris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Ion implanter with vacuum piston counterbalance

Номер патента: EP1047102A3. Автор: Geoffrey Ryding. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-12.

Dual mode ion implanter

Номер патента: WO2015061101A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Joseph C. Olson,Kenneth H. Purser,Robert C. Lindberg. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2015-04-30.

Ion implanting method

Номер патента: US20180151369A1. Автор: Chia-Cheng Liu,Ming-Hui LI,Ming-Ying Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Ion implant beam angle integrity monitoring and adjusting

Номер патента: US20070045569A1. Автор: Sandeep Mehta,Steven Walther,Ukyo Jeong. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Ion implanter

Номер патента: US20130042809A1. Автор: Masao Naito. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Manufacturing method of semiconductor device, method for controlling ion beam, and ion implantation apparatus

Номер патента: US20110012034A1. Автор: Katsunari Nishikawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-01-20.

Method and apparatus relating to ion implantation

Номер патента: US5194748A. Автор: Derek Aitken. Владелец: Superion Ltd. Дата публикации: 1993-03-16.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20240162283A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Wuxi Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Ion implanter provided with beam deflector and asymmetrical einzel lens

Номер патента: US20110220808A1. Автор: Dan Nicolaescu. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Ion implantation surface charge control method and apparatus

Номер патента: CA1280223C. Автор: Marvin Farley. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1991-02-12.

Ion implanter for photovoltaic cell fabrication

Номер патента: US20100264303A1. Автор: Aditya Agarwal,Thomas Parrill. Владелец: Twin Creeks Technologies Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

Optical heater for cryogenic ion implanter surface regeneration

Номер патента: WO2011041418A2. Автор: Roger B. Fish,Jeffrey E. Krampert. Владелец: Variam Semiconductor Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-04-07.

Ion implantation beam monitor

Номер патента: WO2000002229A1. Автор: Bernard Francis Harrison. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2000-01-13.

Ion-implantation machine, control method thereof, and process for manufacturing integrated devices

Номер патента: US20060226352A1. Автор: Camillo Bresolin,Valter Soncini,Andrea Riva. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-10-12.

Cold stripper for high energy ion implanter with tandem accelerator

Номер патента: US20150187450A1. Автор: Shengwu Chang. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Enhanced low energy ion beam transport in ion implantation

Номер патента: US20100181499A1. Автор: William F. Divergilio,Bo H. Vanderberg. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2010-07-22.

Optical heater for cryogenic ion implanter surface regeneration

Номер патента: WO2011041418A3. Автор: Roger B. Fish,Jeffrey E. Krampert. Владелец: Variam Semiconductor Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-07-21.

Optical heater for cryogenic ion implanter surface regeneration

Номер патента: WO2011041418A9. Автор: Roger B. Fish,Jeffrey E. Krampert. Владелец: Variam Semiconductor Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-05-26.

Multi directional mechanical scanning in an ion implanter

Номер патента: GB2389958A. Автор: Richard Cooke,Simon Frederick Dillon,Richard Naylor-Smith. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-24.

Ion source structure of ion implanter and its operation method

Номер патента: US20240136144A1. Автор: Wen Yi Tan,Wen Shuo Cui. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Low- inertia multi -axis multi -directional mechanically scanned ion implantation system

Номер патента: WO2010008455A3. Автор: Marvin Farley,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Paul Eide,Kan Ota,Ronald Horner. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-06-10.

A Method for the Simulation of an Energy-Filtered Ion Implantation (EFII)

Номер патента: US20240135066A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-04-25.

Low- inertia multi -axis multi -directional mechanically scanned ion implantation system

Номер патента: EP2289088A2. Автор: Marvin Farley,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Paul Eide,Kan Ota,Ronald Horner. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Beam line system of ion implanter

Номер патента: US20130009075A1. Автор: Boon-Chau TONG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

A computer-implemented method for the simulation of an energy-filtered ion implantation (efii)

Номер патента: EP4281990A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-11-29.

Low- inertia multi -axis multi -directional mechanically scanned ion implantation system

Номер патента: WO2010008455A2. Автор: Marvin Farley,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Paul Eide,Kan Ota,Ronald Horner. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-21.

Ion implant using tetrafluoroborate

Номер патента: US4851255A. Автор: Shantia Riahi,Andre Lagendijk. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1989-07-25.

Dual xy variable aperture in an ion implantation system

Номер патента: WO2023003695A1. Автор: Jun Lu,Frank Sinclair,Shane W. CONLEY,Michael HONAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-26.

Scanning wheel for ion implantation process chamber

Номер патента: GB2327532A. Автор: Richard Cooke,Peter I T Edwards. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-01-27.

Adjustable deflection optics for ion implantation

Номер патента: WO2010033199A1. Автор: Bo Vanderberg,Edward Eisner,Mike Graf. Владелец: Axcelis Technologies Inc.. Дата публикации: 2010-03-25.

Energy Filter Assembly for Ion Implantation System with at least one coupling element

Номер патента: US20240047168A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato,André Zowalla. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Adjustable deflection optics for ion implantation

Номер патента: EP2340549A1. Автор: Bo Vanderberg,Edward Eisner,Mike Graf. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-07-06.

Ion implantation system and process for ultrasensitive determination of target isotopes

Номер патента: WO2016039828A1. Автор: Orville T. FARMER III,Martin Liezers. Владелец: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Дата публикации: 2016-03-17.

Energy filter assembly for ion implantation system with at least one coupling element

Номер патента: EP4238121A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato,André Zowalla. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-09-06.

Ion beam incident angle detection assembly and method

Номер патента: US20110073777A1. Автор: Thomas A. Pandolfi. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Ion implantation system and process for ultrasensitive determination of target isotopes

Номер патента: EP3192094A1. Автор: Orville T. FARMER III,Martin Liezers. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2017-07-19.

Ion beam incident angle detection assembly and method

Номер патента: US20130035897A1. Автор: Thomas A. Pandolfi. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2013-02-07.

Method for producing semiconductor matrix of light-emitting elements utilizing ion implantation and diffusion heating

Номер патента: US4055443A. Автор: Jury Stepanovich Akimov,Valery Petrovich Sushkov,Vladimir Ivanovich Kurinny. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-10-25.

Repeller assembly for mounting into an arc chamber of an ion implanter and arc chamber containing the repeller assembly

Номер патента: US20240029991A1. Автор: Nam Ngo,Gerhard Duerrhammer,Jacob Boyer,Florian Schaper,Dustin Hacker,Mason Payne,Surf Johnson,Andrew Dalager. Владелец: Plansee USA LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240153999A1. Автор: Yajie CHENG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Effective algorithm for warming a twist axis for cold ion implantations

Номер патента: WO2011152866A1. Автор: William D. Lee,Kan Ota. Владелец: Axcelis Technologies Inc.. Дата публикации: 2011-12-08.

Method for manufacturing electronic device and method for manufacturing piezoelectric device

Номер патента: EP2182561A3. Автор: Takashi Iwamoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-31.

Power device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09960250B2. Автор: Young-Chul Kim,Bong-Yong Lee,Kyu-Hyun Lee,Young-Chul Choi,Kyeong-Seok Park. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Body-tied soi transistor and method for fabrication thereof

Номер патента: EP1636852A1. Автор: David Donggang Wu,Wen-Jie Qi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-03-22.

Method of removing a photoresist pattern, method of forming a dual polysilicon layer using the removing method and method of manufacturing a semiconductor device using the removing

Номер патента: US20070298596A1. Автор: Keum-Joo Lee,Kyoung-Chul Kim,Byoung-Yong Gwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-27.

Apparatus for etching noble metals using ion implantation and method of use

Номер патента: WO2002023586A3. Автор: Young Jin Park,Jai-Hoon Sim,Brian Lee,Heon Lee,Satish Athavale,Kilho Lee,Young Limb. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Ion implantation method in semiconductor device

Номер патента: US20050176224A1. Автор: JUNG Myung Jin,Kim Dae Kyeun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

Mask rom device, semiconductor device including the mask rom device, and methods of fabricating mask rom device and semiconductor device

Номер патента: US20100285641A1. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Process for manufacturing localized ion implants in silicon-carbide power electronic devices

Номер патента: US20240297044A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Gabriele BELLOCCHI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Mask ROM device, semiconductor device including the mask ROM device, and methods of fabricating mask ROM device and semiconductor device

Номер патента: US8053342B2. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Process for manufacturing localized ion implants in silicon-carbide power electronic devices

Номер патента: EP4425533A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Gabriele BELLOCCHI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

SAG nanowire growth with ion implantation

Номер патента: AU2021280815A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: EP4158680A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-04-05.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: WO2021242345A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

SAG nanowire growth with ion implantation

Номер патента: US12119224B2. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Low defect relaxed SiGe/strained Si structures on implant anneal buffer/strain relaxed buffer layers with epitaxial rare earth oxide interlayers and methods to fabricate same

Номер патента: US09768020B2. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Low defect relaxed SiGe/strained Si structures on implant anneal buffer/strain relaxed buffer layers with epitaxial rare earth oxide interlayers and methods to fabricate same

Номер патента: US09685328B2. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Low defect relaxed SiGe/strained Si structures on implant anneal buffer/strain relaxed buffer layers with epitaxial rare earth oxide interlayers and methods to fabricate same

Номер патента: US09419079B1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Methods of Forming an Anode and a Cathode of a Substrate Diode by Performing Angled Ion Implantation Processes

Номер патента: US20130049164A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Ion accelaration method and apparatus in an ion implantation system

Номер патента: WO2002054443A2. Автор: David D. Swenson,Kourosh Saadatmand,William Frank Divergilio. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-07-11.

Method and apparatus for improved ion acceleration in an ion implantation system

Номер патента: EP1348226A2. Автор: David D. Swenson,Kourosh Saadatmand,William Frank Divergilio. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-01.

Dmos transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100193865A1. Автор: Shuichi Kikuchi,Seiji Otake,Yasuhiro Takeda. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Method for ion implantation in a semiconductor wafer

Номер патента: US20230128033A1. Автор: Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA,Julien BORREL,Paul Dumas,Fanny HILARIO,Ludovic BERTHIER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-04-27.

In-process wafer charge monitor and control system for ion implanter

Номер патента: WO2002052612A2. Автор: Alfred Michael Halling. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-07-04.

Methods of etching intermediate silicon germanium layers using ion implantation to promote selectivity

Номер патента: US7037768B2. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun,Dong-gun Park,Chang-Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-02.

Mos structures with contact projections for lower contact resistance and methods for fabricating the same

Номер патента: US20080308879A1. Автор: Jianhong Zhu,Fred Hause,David Wu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

In-process wafer charge monitor and control system for ion implanter

Номер патента: WO2002052612A3. Автор: Alfred Michael Halling. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Ion implantation methods and structures thereof

Номер патента: US09865515B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060170005A1. Автор: Won Lee,Kyung Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Shutter linkage for an ion implantation apparatus

Номер патента: US5534752A. Автор: Chung Hua-Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1996-07-09.

Methods of etching intermediate silicon germanium layers using ion implantation to promote selectivity

Номер патента: US20050003628A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun,Dong-gun Park,Chang-Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09444033B2. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Nonvolatile Memory Device and Method of Manufacturing the same

Номер патента: US20100072560A1. Автор: Hee Youl Lee,Jae Yoon Noh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130178032A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Ion implantation methods

Номер патента: US09666436B2. Автор: Yoshihiro Yamamoto,Cheng-Bai Xu,Cheng Han Wu,Dong Won Chung. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Apparatus and method for power MOS transistor

Номер патента: US09627265B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130178036A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905569B1. Автор: Dong-won Kim,Jae-Hwang Sim,Bong-Tae Park,Ho-Jun SEONG,Jung-Hoon Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and apparatus for cooling wafer in ion implantation process

Номер патента: US09437433B2. Автор: Ming-Te Chen,Kuo-Yuan Ho,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor process evaluation methods including variable ion implanting conditions

Номер патента: US7781234B2. Автор: Sang-rok Hah,Sun-Yong Lee,Min-Suk Kim,Chee-Wan Kim,Seung-Chul Kim,Chan-seung Choi,Won-bae Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Semiconductor process evaluation methods including variable ion implanting conditions

Номер патента: US7972874B2. Автор: Sang-rok Hah,Sun-Yong Lee,Min-Suk Kim,Chee-Wan Kim,Seung-Chul Kim,Chan-seung Choi,Won-bae Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-05.

High Temperature Intermittent Ion Implantation

Номер патента: US20160027646A1. Автор: Chun-Feng Nieh,Hsin-Wei Wu,Hsing-Jui Lee,Tsun-Jen Chan,Yu-Chi Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor process evaluation methods including variable ion implanting conditions

Номер патента: US20100279442A1. Автор: Sang-rok Hah,Sun-Yong Lee,Min-Suk Kim,Chee-Wan Kim,Seung-Chul Kim,Chan-seung Choi,Won-bae Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-04.

High temperature intermittent ion implantation

Номер патента: US10049856B2. Автор: YU Chi-Fu,Chun-Feng Nieh,Hsin-Wei Wu,Hsing-Jui Lee,Tsun-Jen Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

High Temperature Intermittent Ion Implantation

Номер патента: US20160260580A1. Автор: YU Chi-Fu,Chun-Feng Nieh,Hsin-Wei Wu,Hsing-Jui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Using ion implantation to control trench depth and alter optical properties of a substrate

Номер патента: WO2009070514A1. Автор: Peter Nunan. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-06-04.

High-performance semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110227144A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09728654B2. Автор: Syoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Soi substrate and method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20100025804A1. Автор: Koichi Tanaka,Atsuo Ito,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-04.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US7183183B2. Автор: David C. Wang,Robert J. Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-02-27.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US20050087516A1. Автор: David Wang,Robert Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09704980B2. Автор: Kenta GOUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of ion implantation

Номер патента: US20020109105A1. Автор: Michael Huang,Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG124357A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-08-30.

Ion implantation to increase mosfet threshold voltage

Номер патента: US20230178373A1. Автор: Wei Zou,Qintao Zhang,Samphy Hong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Ion implantation mask and method for manufacturing same, silicon carbide semiconductor device using ion implantation mask, and method for manufacturing same

Номер патента: US20070032002A1. Автор: Yusuke Fukuda,Masaaki Shimizu,Koichi Nishikawa,Hideki Hashimoto,Seiichi Yokoyama,Ken-ichi Nonaka,Hiroaki Iwakuro. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080200020A1. Автор: Dale C. Jacobson,Wade A. Krull. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Ion implant method for topographic feature corner rounding

Номер патента: US20040005764A1. Автор: Hsueh-Li Sun,Jie-Shing Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Method of controlling electrostatic lens and ion implantation apparatus

Номер патента: US20030151004A1. Автор: Koji Iwasawa. Владелец: Nissen Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Method for controlling lattice defects at junction and method for forming LDD or S/D regions of CMOS device

Номер патента: US20060115969A1. Автор: Ji-Fu Kung,Ping-Pang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230246076A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Plasma immersion ion implantation process with chamber seasoning and seasoning layer plasma discharging for wafer dechucking

Номер патента: WO2009108266A1. Автор: Canfeng Lai,Majeed A. Foad,Manoj Vellaikal,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Matthew D. Scotney-Castle,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-09-03.

Methods of forming electronic devices by ion implanting

Номер патента: US20090155726A1. Автор: Eric Apelgren,Nabil R. Yazdani. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-18.

Shielding device for substrate edge protection and method of using same

Номер патента: US09659677B2. Автор: William T. Weaver,Timothy J. Miller,Charles T. Carlson,Aaron P. Webb,James D. Strassner. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Ion implantation method, method of producing solid-state imaging device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20100065938A1. Автор: Keiji Mabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: US20230005743A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: US20210375624A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: WO2010019495A1. Автор: Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley,Michael Chudzik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-02-18.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: US09564505B2. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Ion implanter provided with a plurality of plasma source bodies

Номер патента: US09520274B2. Автор: Frank Torregrosa,Laurent Roux. Владелец: Ion Beam Services SA. Дата публикации: 2016-12-13.

Mask rom device, semiconductor device including the mask rom device, and methods of fabricating mask rom device and semiconductor device

Номер патента: US20080308875A1. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-18.

Ion implantation process

Номер патента: WO1999030358A3. Автор: Carl Glasse,Martin John Powell,Barry Forester Martin. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-08-26.

Ion implantation process

Номер патента: WO1999030358A2. Автор: Carl Glasse,Martin John Powell,Barry Forester Martin. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-06-17.

Ion-implantation process for forming ic wafer with buried-zener diode and ic structure made with such process

Номер патента: CA1223086A. Автор: Richard S. Payne,Steven M. Hemmah. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1987-06-16.

Methods of fabricating non-volatile memory devices using inclined ion implantation

Номер патента: US20100317169A1. Автор: Keon-Soo Kim,Se-Jun Park,Min-Chul Kim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Method of making semiconductor device using oblique ion implantation

Номер патента: US5933716A. Автор: Shingo Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Bipolar transistors and method of manufacture

Номер патента: US3756861A. Автор: R Payne,R Scavuzzo. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-09-04.

Bipolar transistors and method of manufacture

Номер патента: US3856578A. Автор: R Payne,R Scavuzzo. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1974-12-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230369431A1. Автор: WEI CHANG,Tieh-Chiang Wu,Chun-Hsiang Chen,Zhaohong LV,Yongchang ZHUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming a hard mask pattern and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09793472B2. Автор: Gwanhyeob Koh,Yongkyu Lee,Yoonjong Song,Yong-Seok Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

High temperature ion implantation of nitride based HEMTS

Номер патента: EP2690653A3. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-03-05.

Method for minimizing defects in a semiconductor substrate due to ion implantation

Номер патента: WO2012044361A1. Автор: Toshifumi Mori,Ken-ichi Okabe,Toshiki Miyake,Pushkar Ranade. Владелец: SUVOLTA, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of controlling electrostatic lens and ion implantation apparatus

Номер патента: SG140444A1. Автор: Koji Iwasawa. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-28.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US20120104486A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device manufacturing method using metal silicide reaction after ion implantation in silicon wiring

Номер патента: US20020098683A1. Автор: Tamihide Yasumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

METHOD FOR MANUFACTURING AN INSULATED INSULATED LAYER IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, BY ION IMPLANTATION

Номер патента: FR2563377A1. Автор: Michel Bruel,Jean Du Port De Poncharra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1985-10-25.

Detecting contaminant particles during ion implantation

Номер патента: GB2317988A. Автор: Seung-ki Chae,Jae-Sun Jeon,Won-Yeong Kim,Chi-Seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-04-08.

Use of alkylphosphines and alkylarsines in ion implantation

Номер патента: CA1320105C. Автор: Jack Edward Ward. Владелец: American Cyanamid Co. Дата публикации: 1993-07-13.

Ion-implantation method in solid materials for implanting impurities

Номер патента: US5096841A. Автор: Atsushi Miura,Akitsu Shimoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-03-17.

High temperature ion implantation of nitride based HEMTS

Номер патента: EP2261959A3. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-04-27.

Ion implant defined nanorod in a suspended Majorana fermion device

Номер патента: US11948985B2. Автор: Ning Li,Patryk GUMANN,Devendra K. Sadana,Steven J. Holmes,Stephen W. Bedell,Sean Hart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Ion implantation methods and structures thereof

Номер патента: US20160351458A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Ion implantation methods and structures thereof

Номер патента: US20160093714A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-31.

Ion implant defined nanorod in a suspended majorana fermion device

Номер патента: US20210151575A1. Автор: Ning Li,Patryk GUMANN,Devendra K. Sadana,Steven J. Holmes,Stephen W. Bedell,Sean Hart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Ion implant defined nanorod in a suspended majorana fermion device

Номер патента: WO2021099222A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Steven Holmes,Patryk GUMANN,Stephen Bedell,Sean Hart. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2021-05-27.

Ion implant defined nanorod in a suspended majorana fermion device

Номер патента: EP4022684A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Steven Holmes,Patryk GUMANN,Stephen Bedell,Sean Hart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

SOI structure with a deep thin oxide layer prepared by ION implantation at high energy followed by thermal treatment

Номер патента: US5707899A. Автор: Laura Meda,Gianfranco Cerofolini. Владелец: Istituto Guido Donegani SpA. Дата публикации: 1998-01-13.

Ion implantation with annealing for substrate cutting

Номер патента: US11855040B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Jyh-Cherng Sheu,Chen-Fong Tsai,Yun Chen Teng,Han-De Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Ion implantation with annealing for substrate cutting

Номер патента: US20240120314A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Jyh-Cherng Sheu,Chen-Fong Tsai,Yun Chen Teng,Han-De Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9190469B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

LDMOS transistor and method of making the same

Номер патента: EP2325892A3. Автор: Paul Moore,Martin Alter. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

Semiconductor structure including 3d capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240258304A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ling-Sung Wang,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Silicon on insulator device and method of making the same

Номер патента: WO2003050883A3. Автор: Satyendranath Mukherjee,Theodore J Letavic,Mark R Simpson,Lucian R Albu. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-11-13.

Silicon on insulator device and method of making the same

Номер патента: WO2003050883A2. Автор: Mark R. Simpson,Lucian R. Albu,Satyendranath Mukherjee,Theodore J. Letavic. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230069612A1. Автор: LAN Yao,Yanwei Shi,Huidan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Structure and method for overlay marks

Номер патента: US09543406B2. Автор: Chun-Kuang Chen,Yao-Ching Ku,Hsien-Cheng WANG,Ming-Chang Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496335B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09431406B1. Автор: Yao-Fu Chan,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device manufactured by using conductive ion implantation mask

Номер патента: US5075240A. Автор: Masatoshi Yasunaga,Katsuyoshi Mitsui,Yomiyuki Yama,Ikuo Ogoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-12-24.

Method for manufacturing ion implanted insulated gate field effect semiconductor transistor devices

Номер патента: US3852120A. Автор: W Johnson,S Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-12-03.

Semiconductor device and method manufacturing same

Номер патента: US20010012670A1. Автор: Shuichi Saito,Seiichi Shishiguchi,Akira Mineji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20040004250A1. Автор: Kenichi Okabe,Takashi Saiki,Hidenobu Fukutome,Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

System for controlling ion implantation dosage in electronic materials

Номер патента: US4021675A. Автор: Gordon A. Shifrin. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1977-05-03.

High impedance plasma ion implantation method and apparatus

Номер патента: CA2102384C. Автор: Jesse N. Matossian,Robert W. Schumacher,Dan M. Goebel. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2000-01-11.

Ion implant mask and cap for gallium arsenide structures

Номер патента: US4494997A. Автор: Zachary J. Lemnios,He B. Kim. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1985-01-22.

Method of manufacturing schottky gate field transistor by ion implantation method

Номер патента: US4889817A. Автор: Hiroshi Nakamura,Tadashi Saito,Masanori Tsunotani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1989-12-26.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160351795A1. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of reducing floating body effect of SOI MOS device via a large tilt ion implantation

Номер патента: US8450195B2. Автор: Xi Wang,Jing Chen,Xiaolu Huang,Jiexin Luo,Qingqing Wu. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-05-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070054451A1. Автор: Takuji Tanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation

Номер патента: US20200258742A1. Автор: Alexander Suvorov,Robert Leonard,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Method of Reducing Floating Body Effect of SOI MOS Device Via a Large Tilt Ion Implantation

Номер патента: US20120021571A1. Автор: Xi Wang,Jing Chen,Xiaolu Huang,Jiexin Luo,Qingqing Wu. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7344973B2. Автор: Kyung Ho Hwang,Won Mo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-18.

Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation

Номер патента: US20210066081A1. Автор: Alexander Suvorov,Robert Leonard,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for eliminating polysilicon residue by tilted ion implantation with oxygen

Номер патента: US20030143789A1. Автор: Chun-Lien Su,Ming-Shang Chen,Chun-Chi Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG158179A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130237043A1. Автор: Yoichiro Tarui,Noriaki Tsuchiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100093163A1. Автор: Takuji Tanaka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Avalanche diode having an enhanced defect concentration level and method of making the same

Номер патента: US09812438B2. Автор: Jens Schneider,Kai Esmark,Martin Wendel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Manufacturing semiconductor devices using angled ion implantation process

Номер патента: GB2284709A. Автор: Toshihiko Ichikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-06-14.

Led mesa sidewall isolation by ion implantation

Номер патента: US20120238046A1. Автор: Atul Gupta,San Yu. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110133288A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Self-aligned gate and method

Номер патента: US20010000920A1. Автор: Robert Hodges. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050253202A1. Автор: Hiroaki Hazama,Kazuhito Narita,Hirohisa Iizuka,Eiji Kamiya,Norio Ohtani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-17.

Structure and method to reduce copper loss during metal cap formation

Номер патента: US09947621B2. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor multilayer structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899570B2. Автор: Tohru Nakamura,Tomoyoshi Mishima,Naoki Kaneda. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09543217B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA,Takatoshi OOE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Photoresists and methods for use thereof

Номер патента: US09508553B2. Автор: Stefan J. Caporale,Gerd Pohlers. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Photoresists and methods for use thereof

Номер патента: US09502254B2. Автор: Gerhard Pohlers. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20160181442A1. Автор: Syoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-23.

Ion implantation masking method and devices

Номер патента: US5138406A. Автор: Joseph A. Calviello. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1992-08-11.

Ion implantation device comprising energy filter and additional heating element

Номер патента: WO2021229054A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: mi2-factory GmbH. Дата публикации: 2021-11-18.

Methods for in situ surface treatment in an ion implantation system

Номер патента: US20090200493A1. Автор: Ivan L. Berry, III. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Ion implantation device comprising energy filter and additional heating element

Номер патента: US20230197398A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Ion implantation device comprising energy filter and additional heating element

Номер патента: EP4150656A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-03-22.

Method of forming PN junctions including a post-ion implant dynamic surface anneal process with minimum interface trap density at the gate insulator-silicon interface

Номер патента: US7659187B2. Автор: Vijay Parihar,Philip Allan Kraus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Wafer Support Assembly Including Ion Implantation Mask Structure

Номер патента: US20190051554A1. Автор: Sang Hoon Han,Tae Gon Kim,Hanmei Choi,Hyun Chul Song,Sun Hong Choi,Kyung In CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of testing ion implantation energy in ion implantation equipment

Номер патента: US20040185587A1. Автор: Doo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Solar cell, solar cell manufacturing device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US8680490B2. Автор: Sungyeon CHO,Gyeayoung Kwag,Haejong Cho,Taeyoung Kwon,Sungbong MA,Myungjun SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-03-25.

Method of monitoring ion implants by examination of an overlying masking material

Номер патента: WO2001088955A3. Автор: Carlos Strocchia-Rivera. Владелец: Kla Tencor Inc. Дата публикации: 2002-03-07.

Handling beam glitches during ion implantation of workpieces

Номер патента: EP2589063A1. Автор: William T. Weaver,Atul Gupta,Russell J. Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Handling beam glitches during ion implantation of workpieces

Номер патента: US20110315899A1. Автор: William T. Weaver,Atul Gupta,Russell J. Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11424325B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030030110A1. Автор: Tomohiro Yamashita,Masashi Kitazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09515160B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Yukihiko Watanabe,Narumasa Soejima,Kazumi Chida. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020025662A1. Автор: Hiroyuki Umimoto,Michikazu Matsumoto,Susumu Akamatsu,Satoe Miyata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210398810A1. Автор: Yang Ming,Zhu Chen,BEI Duohui,ZUOPENG He,Chao Zhang,Ni BAI BING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Ion implantation for improved contact hole critical dimension uniformity

Номер патента: US09735013B2. Автор: John Hautala,Tristan Y. Ma,Maureen K. Petterson,Boya Cui. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of controlling metal formation processes using ion implantation, and system for performing same

Номер патента: US20040023489A1. Автор: Dinesh Chopra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160079418A1. Автор: Atsushi Murakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Selective sti stress relaxation through ion implantation

Номер патента: SG144067A1. Автор: Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Ong Shiang Yang,Sohn Dong Kyun,Elgin Quek,Vincent Leong. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-29.

Method for manufacturing semiconductor device and method for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20190267239A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki,Hiroshi Takeno,Tadashi Nakasugi,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Methods of masking and etching a semiconductor substrate, and ion implant lithography methods of processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20030096195A1. Автор: J. Rolfson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Synthesizing graphene from metal-carbon solutions using ion implantation

Номер патента: US8461028B2. Автор: RODNEY S. Ruoff,Luigi Colombo,Robert M. Wallace. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2013-06-11.

Synthesizing graphene from metal-carbon solutions using ion implantation

Номер патента: US20130026444A1. Автор: RODNEY S. Ruoff,Luigi Colombo,Robert M. Wallace. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2013-01-31.

Plasma dry strip pretreatment to enhance ion implanted resist removal

Номер патента: US09740104B2. Автор: Ivan L. Berry, III,Glen Gilchrist. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

High-Temperature Ion Implantation Apparatus and Methods of Fabricating Semiconductor Devices Using High-Temperature Ion Implantation

Номер патента: EP1860683A3. Автор: Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-06-08.

Method of reducing oxidation of metal structures using ion implantation, and device formed by such method

Номер патента: US20040043605A1. Автор: Dinesh Chopra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Stop layer through ion implantation for etch stop

Номер патента: US09627263B1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin,Siva Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of etching a crystalline semiconductor material by ion implantation and then chemical etching based on hydrogen chloride

Номер патента: US09570340B2. Автор: Romain Wacquez,Laurent Grenouillet,Maud Vinet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-02-14.

Systems and methods for integration of heterogeneous circuit devices

Номер патента: US20050095790A1. Автор: YI Su,Jingkuang Chen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device with termination structure including field zones and method of manufacturing

Номер патента: US10541325B2. Автор: Roland Rupp,Rudolf Elpelt,Bernd Zippelius,Reinhold Schoerner,Larissa Wehrhahn-Kilian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-21.

Ion implantation assisted curing for flowable porous dielectrics

Номер патента: US20200388531A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Benjamin D. Briggs,Matthew T. Shoudy,Devika Sil,Yasir Sulehria,Danielle Durrant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Improved substrate compositions and methods for forming semiconductor on insulator devices

Номер патента: WO2009058245A2. Автор: Matthew John Dejneka,Kishor P Gadkaree,Adam J Ellison. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2009-05-07.

FinFET and method for forming the same

Номер патента: US09893182B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Pedestal alignment tool for an orienter pedestal of an ion implant device

Номер патента: US09691513B1. Автор: Jochen Guske. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Improvements in or relating to semiconductor devices and methods of making them

Номер патента: GB1262502A. Автор: Vincent John Glinski,Bernard Thomas Murphy. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1972-02-02.

Buried channel strained silicon FET using a supply layer created through ion implantation

Номер патента: US20020030203A1. Автор: Eugene Fitzgerald. Владелец: Amber Wave Systems Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Implanted conductor and methods of making

Номер патента: US6017829A. Автор: Paul A. Farrar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-01-25.

Systems and method for charge balanced semiconductor power devices with fast switching capability

Номер патента: EP3685433A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,David Alan Lilienfeld,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-29.

Systems and method for charge balanced semiconductor power devices with fast switching capability

Номер патента: US20190088479A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,David Alan Lilienfeld,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-03-21.

Ion source and coaxial inductive coupler for ion implantation system

Номер патента: EP1527473A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Method substance ion implantation

Номер патента: RU2666766C1. Автор: Денис Олегович Сивин,Александр Ильич Рябчиков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2018-09-12.

Ion implanted resistor and method

Номер патента: US3829890A. Автор: D Perloff,J Kerr,J Marley. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1974-08-13.

Fuse of Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20090236687A1. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Fuse of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8017454B2. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-13.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240304681A1. Автор: Chia-Ming Liu,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of Improving Memory Cell Device by Ion Implantation

Номер патента: US20120329220A1. Автор: Ralf van Bentum,Nihar-Ranjan Mohapatra. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Ion implantation method for reducing roughness of patterned resist lines

Номер патента: US20230335401A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Wei-Ting Chien,Chun-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Ion implantation for improved contact hole critical dimension uniformity

Номер патента: US20170178911A1. Автор: John Hautala,Tristan Y. Ma,Maureen K. Petterson,Boya Cui. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Asymmetric gate spacer formation using multiple ion implants

Номер патента: US20200388541A1. Автор: Andrew M. Waite. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Development of high etch selective hardmask material by ion implantation into amorphous carbon films

Номер патента: US09412613B2. Автор: Jun Xue,Srinivas D. Nemani,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh,Yongmei Chen,Mukund Srinivasan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Thin film and method for manufacturing thin film

Номер патента: US20160056068A1. Автор: Wen Hu,Hui Hu. Владелец: Jinan Jingzheng Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Conductive via of integrated circuitry, memory array comprising strings of memory cells, method of forming a conductive via of integrated circuitry, and method of forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11972978B2. Автор: Yiping Wang,Collin Howder,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for inserting a gaseous phase in a sealed cavity by ion implantation

Номер патента: US5985688A. Автор: Michel Bruel. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1999-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11329152B2. Автор: Yuji Ishii,Takahiro Mori,Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190326434A1. Автор: Yuji Ishii,Takahiro Mori,Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Method of ion implantation through a photoresist mask

Номер патента: CA1043667A. Автор: San-Mei Ku,Claude Johnson (Jr.),Edward S. Pan,Harold V. Lillja. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-12-05.

Method of evaluating characteristics of ion implanted sample

Номер патента: US20170138863A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Drive current enhancement in tri-gate mosfets by introduction of compressive metal gate stress using ion implantation

Номер патента: EP2517230A1. Автор: Ashutosh Ashutosh,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Jack Hwang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Method for doping polysilicon and method for fabricating a dual poly gate using the same

Номер патента: US20090061602A1. Автор: Jin-Ku Lee,Jae-Geun Oh,Sun-Hwan Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Bearing device and ion implantation device

Номер патента: US20180258988A1. Автор: Kang LUO,Fei Li,Xuewei Wang,Chao Tan,Jianbo Yang,Donghua Jiang,Yin Xie,Yongyi FU,Chenliang Liu,Rujian Li,Yongzhou LING. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Solar cell emitter region fabrication using ion implantation

Номер патента: US09577126B2. Автор: Staffan Westerberg,Timothy Weidman,David D. Smith. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of forming multiple gate oxide layers with different thicknesses in one ion implantation process

Номер патента: US20020127806A1. Автор: Wei-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Performance improvement of euv photoresist by ion implantation

Номер патента: WO2019036582A1. Автор: Huixiong Dai,Anthony Renau,Joseph Olson,Tristan MA,John Hautala. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-02-21.

Performance improvement of euv photoresist by ion implantation

Номер патента: US20200096870A1. Автор: Huixiong Dai,Anthony Renau,Joseph Olson,John Hautala,Tristan Y. Ma. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Element forming wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220254637A1. Автор: Megumi Suzuki,Akihiko Teshigahara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device incorporating elements formed of refractory metal-silicon-nitrogen and method for fabrication

Номер патента: US20030151116A1. Автор: Louis Hsu,Lawrence Clevenger,Keith Wong,Cyril Cabral. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080203576A1. Автор: Hideaki Kikuchi,Kouichi Nagai,Tomoyuki KIKUCHI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170323976A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Trench isolation and method of fabricating trench isolation

Номер патента: US20090045468A1. Автор: James Spiros Nakos,Terence Blackwell Hook,Jeffrey Bowman Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Handle substrate for use in manufacture of semiconductor-on-insulator structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09881832B2. Автор: Alex Usenko. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728651B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

FDSOI semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09548317B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-17.

Opc method for a shallow ion implanting layer

Номер патента: US20190035775A1. Автор: Meng Kang,Yueyu Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

OPC method for a shallow ion implanting layer

Номер патента: US10192861B1. Автор: Meng Kang,Yueyu Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Ion implantation apparatus with a cooled structure controlling the surface potential of a target surface

Номер патента: CA1088218A. Автор: Wolfgang F. Mueller,Charles M. Mckenna. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-21.

Ion implantation and annealing of compound semiconductor layers

Номер патента: CA1332697C. Автор: Jagdish Narayan,John C. C. Fan,Jhang Woo Lee. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Ion implantation apparatus for controlling the surface potential of a target surface

Номер патента: CA1089113A. Автор: John H. Keller,Charles M. Mckenna,John L. Forneris,William W. Hicks,James A. Seirmarco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-11-04.

Method of manufacturing semiconductor devices in which oxide regions are formed by an oxidation mask disposed directly on a substrate damaged by ion implantation

Номер патента: CA1088217A. Автор: Billy L. Crowder,William R. Hunter,Douglas W. Ormond, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-21.

Silicon carbide cmos and method of fabrication

Номер патента: AU2667597A. Автор: David B. Slater Jr.,Lori A. Lipkin,John W Palmour,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-11-07.

Semiconductor devices with low leakage current and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230395436A1. Автор: Ming-Yuan Wu,Min Jiao,Da-Wen Lin,Ka-Hing Fung,Wei-Yuan Jheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for manufacturing semiconductor element and method for forming mask pattern of the same

Номер патента: US20170256629A1. Автор: Masafumi Hamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Dual resistivity mos devices and method of fabrication

Номер патента: CA1151295A. Автор: Alan Aitken. Владелец: Mitel Corporation. Дата публикации: 1983-08-02.

Mixed trench junction barrier Schottky diode and method fabricating same

Номер патента: US10672883B2. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Na Ren. Владелец: AZ Power Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20140021490A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Three-dimensional memory device with charge-trapping-free gate dielectric for top select gate electrode and method of making thereof

Номер патента: US09679907B1. Автор: Ryosuke Kaneko. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Photoresists and methods for use thereof

Номер патента: US09665001B2. Автор: Gerhard Pohlers. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09614055B2. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Ooishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor circuit device and method for production thereof

Номер патента: US5369043A. Автор: Kazuyoshi Asai,Kazumi Nishimura,Kenji Shiojima,Masami Tokumitsu,Tatsuo Aoki,Fumiaki Hyuga,Yasuro Yamane. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1994-11-29.

Bonded wafer and method of producing the same

Номер патента: EP1845557A2. Автор: Etsurou c/o Sumco Corporation Morita,Kazuo c/o Sumco Corporation Hujie,Isoroku c/o Sumco Corporation Ono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-10-17.

Dynamic semiconductor memory cell with random access and method for its production

Номер патента: US4476545A. Автор: Wolfgang Mueller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-10-09.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213307A1. Автор: Tomohiro Moriya,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Annealing of ion implanted iii-v compounds

Номер патента: CA1180256A. Автор: Jerry M. Woodall,Hans S. Rupprecht. Владелец: Hans S. Rupprecht. Дата публикации: 1985-01-02.

Semiconductor Device with Termination Structure Including Field Zones and Method of Manufacturing

Номер патента: US20190131447A1. Автор: Roland Rupp,Rudolf Elpelt,Bernd Zippelius,Reinhold Schoerner,Larissa Wehrhahn-Kilian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-02.

Method for forming memory device involving ion implantation of the control gate spacer and wet etching process to expose sidewall of control gate

Номер патента: US10896911B2. Автор: Cheng-Ta Yang,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

Glass-ceramic-based semiconductor-on-insulator structures and method for making the same

Номер патента: WO2010062876A1. Автор: Kishor P Gadkaree,Steven A Tietje,Joseph F Mach,Christopher P Daigler. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-06-03.

Plasma dry strip pretreatment to enhance ion implanted resist removal

Номер патента: US20150316857A1. Автор: Ivan L. Berry, III,Glen Gilchrist. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Euv pattern transfer with ion implantation and reduced impact of resist residue

Номер патента: US20200144061A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Yongan Xu,Yann Mignot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Methods of making vertical junction field effect transistors and bipolar junction transistors without ion implantation and devices made therewith

Номер патента: CA2762564A1. Автор: LIN Cheng. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2010-12-23.

Ion implantation and annealing of compound semiconductor layers

Номер патента: US4863877A. Автор: Jagdish Narayan,John C. C. Fan,Jhang W. Lee. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 1989-09-05.

FINFET structure and method of forming same

Номер патента: US9899380B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Finfet structure and method of forming same

Номер патента: US20160240530A1. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Mosfet structure with controllable channel length by forming lightly doped drains without using ion implantation

Номер патента: US20220320336A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Ion implantation for reduced hydrogen incorporation in amorphous silicon

Номер патента: US20230298892A1. Автор: Qi Gao,Rui CHENG,Karthik Janakiraman,Krishna Nittala,Shan Tang,Rajesh Prasad,Gautam K. Hemani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Fin and finfet formation by angled ion implantation

Номер патента: EP2396813A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-21.

Fuse element resistance enhancement by laser anneal and ion implantation

Номер патента: US20200286827A1. Автор: Yi Song,Chih-Chao Yang,Michael RIZZOLO,Juntao Li,Liying Jiang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Device and method for formation of multicharged ion beams

Номер патента: RU2716825C1. Автор: Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Петрович Гололобов,Александр Борисович Толстогузов,Сергей Игоревич Гусев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2020-03-17.

Quantum dot of single electron memory device and method for fabricationg thereof

Номер патента: US20020031649A1. Автор: Il-Gweon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Quantum dot of single electron memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20030054624A1. Автор: Il-Gweon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Thin-film transistor (TFT) for driving organic light-emitting diode (OLED) and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060292757A1. Автор: Yung-Fu Wu,Yu-Jung Liu,Yung-Hui Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-12-28.

Light emitting diode array with inactive implanted isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: EP4427272A1. Автор: Saket Chadda,Zhen Chen,Shuke YAN. Владелец: GLO Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

P-Si TFT and method for fabricating the same, array substrate and method for fabricating the same, and display device

Номер патента: US09673333B2. Автор: Zheng Liu,Xiaolong Li,Xiaoyong Lu,Yu-Cheng CHAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Color image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20020096696A1. Автор: Ki-Nam Park,Do-Young Lee,Kang-Jin Lee,Chan-Ki Kim,Jae-Won Eom. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Photosensitive resin composition and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09704724B2. Автор: Mitsuhito Suwa,Takenori Fujiwara,Yugo Tanigaki. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods for fabricating resistive memory device switching material using ion implantation

Номер патента: US09583701B1. Автор: Steven Patrick MAXWELL,Natividad VASQUEZ, JR.,Harry Yue Gee,Mark Harold CLARK. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Solid state image pickup device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7749796B2. Автор: Keiji Mabuchi,Toshifumi Wakano,Kazunari Matsubayashi,Takashi Nakashikiryo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Point source light-emitting diode and method of producing the same

Номер патента: US12095004B2. Автор: Masatoshi Iwata,Naruki SHINDO. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978888B2. Автор: Juhwa Cheong,Youngsung Yang,Manhyo Ha,Yongduk Jin. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-05-22.

Solid state image pickup device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090068787A1. Автор: Keiji Mabuchi,Toshifumi Wakano,Kazunari Matsubayashi,Takashi Nakashikiryo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Semi-floating gate memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040413B2. Автор: Heng Liu,Zhigang Yang,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure in a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US20090267174A1. Автор: Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-10-29.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Qubits with ion implant josephson junctions

Номер патента: US20220181536A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Jeffrey W. Sleight,Robert L. Sandstrom,Ryan T. Gordon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

CMOS image sensor having test pattern therein and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040217397A1. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

CMOS image sensor having test pattern therein and method for manufacturing the same

Номер патента: US7049167B2. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-23.

Vertical field effect transistor device and method of fabrication

Номер патента: US20240213363A1. Автор: Richard J Brown,James R. Shealy. Владелец: Odyssey Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical field effect transistor device and method of fabrication

Номер патента: US11652165B2. Автор: James R. Shealy,Richard J. Brown. Владелец: Odyssey Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-05-16.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130075816A1. Автор: Jong Min Kim,Jae Hyun Yoo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Double-implant nor flash memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100171161A1. Автор: Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Yung-Chung Lee. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Vertical-channel type junction SiC power FET and method of manufacturing same

Номер патента: US09691908B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Ion implanter, ion implantation method, and beam measurement apparatus

Номер патента: US09502210B2. Автор: Mitsukuni Tsukihara,Makoto Sano,Haruka Sasaki,Kouji Inada. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190341260A1. Автор: Nariaki Tanaka,Toru Oka,Junya Nishii,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060202260A1. Автор: Junya Maneki,Masaru Seto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Systems and methods having a metal-semiconductor-metal (msm) photodetector with buried oxide layer

Номер патента: WO2005024897A3. Автор: Torsten Wipiejewski. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Method of fabricating switching element and method of manufacturing resistive memory device

Номер патента: US20170352807A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Method to make integrated device using oxygen ion implantation

Номер патента: US20140306304A1. Автор: Yimin Guo. Владелец: T3memory Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Silicon carbide-based lateral PN junction extreme ultraviolet detector based on selective-area ion implantation, and preparation method thereof

Номер патента: US12080821B2. Автор: Dong Zhou,Hai Lu,Weizong Xu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of fabricating switching element and method of manufacturing resistive memory device

Номер патента: US09960350B2. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Liquid crystal display device with photosensor and method of fabricating the same

Номер патента: GB2445100A. Автор: Kyung Eon Lee,Myoung Kee Baek,Han Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-25.

Mos p-n junction schottky diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140295628A1. Автор: Hung-Hsin Kuo. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-10-02.

Light-emitting devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170263808A1. Автор: Jung-Kyu Park,Dong-Yul Lee,Jae-sung HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Phase-change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140120685A1. Автор: Seong Hoon JEONG,Ho-kyun An,Yoongoo Kang,Kongsoo Lee,JaeJong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of forming self-aligned top gate channel barrier region in ion-implanted JFET

Номер патента: US5120669A. Автор: Gregory A. Schrantz. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1992-06-09.

Solar cell emitter region fabrication using substrate-level ion implantation

Номер патента: US11942565B2. Автор: Staffan Westerberg,Timothy Weidman,David D. Smith. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Ion implanter and particle detection method

Номер патента: US20220102112A1. Автор: Takao Morita,Takanori Yagita,Aki Ninomiya,Sayumi HIROSE. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of making Schottky barrier diode by ion implantation and impurity diffusion

Номер патента: US4260431A. Автор: Leo R. Piotrowski. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1981-04-07.

Spacer formation in a solar cell using oxygen ion implantation

Номер патента: US20180358490A1. Автор: David D. Smith,Seung Rim. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Image sensor and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20100090305A1. Автор: Jong-Man Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Memory and method for manufacturing same

Номер патента: US20220216216A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20210408301A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20200381566A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20190348544A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230268447A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100219472A1. Автор: Ayako Inoue,Naoto Saitoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-02.

Process for making wafers for ion implantation monitoring

Номер патента: US20030008421A1. Автор: Larry Shive. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

NAND flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12119411B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US09634160B2. Автор: Kyoungsoo Lee,Jiweon Jeong,Myungjun SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing photoelectric conversion apparatus using ion implantation

Номер патента: US20190067364A1. Автор: Masashi Kusukawa,Takehito Okabe,Nobuaki Kakinuma,Toshihiro Shoyama,Mitsuhiro Yomori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

High speed and low parasitic capacitance semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010009793A1. Автор: Fumihiko Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Point source light-emitting diode and method of producing the same

Номер патента: US20220328717A1. Автор: Masatoshi Iwata,Naruki SHINDO. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Performance improvement of euv photoresist by ion implantation

Номер патента: US20190056914A1. Автор: Huixiong Dai,Anthony Renau,Joseph Olson,John Hautala,Tristan Y. Ma. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Trench gate mosfet and method for fabricating the same

Номер патента: US20090166734A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Nitride Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20150179780A1. Автор: Tomoyoshi Mishima,Akihisa Terano,Naoki Kaneda,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220181493A1. Автор: Kentaro Miura,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12148840B2. Автор: Kentaro Miura,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530858B2. Автор: Tomoyoshi Mishima,Akihisa Terano,Naoki Kaneda,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Bipolar transistor fabrication process with an ion implanted emitter

Номер патента: CA1139015A. Автор: James S. Makris,Raj K. Raheja,George R. Goth,Arunachala Nagarajan,Conrad A. Barile. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-01-04.

Ion implanter, ion implantation method, and beam measurement apparatus

Номер патента: US20160042915A1. Автор: Mitsukuni Tsukihara,Makoto Sano,Haruka Sasaki,Kouji Inada. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Quartz lamp envelope with molybdenum foil having oxidation-resistant surface formed by ion implantation

Номер патента: US5021711A. Автор: Roy C. Martin,Mark D. Beschle,Sandra L. Madden. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1991-06-04.

Novel silicon carbide-based lateral pn junction extreme ultraviolet detector based on selective-area ion implantation, and preparation method thereof

Номер патента: US20240204126A1. Автор: Dong Zhou,Hai Lu,Weizong Xu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-20.

Junction field effect transistor and method of fabricating

Номер патента: US4692780A. Автор: Izak Bencuya,Adrian I. Cogan. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1987-09-08.

Ion implantation having increased source lifetime

Номер патента: US5517077A. Автор: John Pontefract,Nicholas Bright,Paul A. Burfield,Bernard F. Harrison,Peter Meares,David R. Burgin,Andrew S. Devaney,Peter T. Kindersley. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-05-14.

Image sensor and method for forming the same

Номер патента: US20060057760A1. Автор: Duk-min Yi,Sung-Keun Won,Jun-Yeoul You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-16.

Ion implantation apparatus having increased source lifetime

Номер патента: US5886355A. Автор: John Pontefract,Peter Torin Kindersley,Nicholas Bright,Peter Meares,David R. Burgin,Andrew Stephen Devaney,Paul Anthony Burfield,Bernard Francis Harrison. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-03-23.

Semi-Floating Gate Memory Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20230146733A1. Автор: Heng Liu,Zhigang Yang,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Asymmetric junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2010094541A1. Автор: David Collins,Robert Mark Rassel,Michael Joseph Zierak,Richard Phelps,Frederick Gustav Anderson. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-08-26.

Structures and methods of self-aligned gate for sb-based fets

Номер патента: US20130075822A1. Автор: Heng-Kuang Lin,Han-Chieh Ho. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor devices, memory devices, and methods for forming the same

Номер патента: WO2023130203A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device having device element structures with pn junction formed in active region and voltage withstanding rings formed in periphery region surrounding the active region and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266433A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Solid-state imaging device and method for fabricating same

Номер патента: US20010004116A1. Автор: Shiro Tsunai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-21.

Semiconductor devices, memory devices, and methods for forming the same

Номер патента: EP4437810A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Solid-state imaging device with channel stop region with multiple impurity regions in depth direction and method for manufacturing the same

Номер патента: US09799691B2. Автор: Kiyoshi Hirata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Solid-state imaging devices with impurity regions between photoelectric conversion regions and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09520432B2. Автор: Kiyoshi Hirata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080048214A1. Автор: Shunsuke Kobayashi. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Process for fabricating non-volatile memory by tilt-angle ion implantation

Номер патента: US20060019441A1. Автор: Erik Jeng,Wu-Ching Chou,Chien-Chen Li,Li-Kang Wu. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240079458A1. Автор: Takahiro Maruyama,Yuya ABIKO,Tomoki Ayano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US7615809B2. Автор: Shunsuke Kobayashi. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-10.

Power semiconductor device with new guard ring termination design and method for producing same

Номер патента: US20110147880A1. Автор: Arnost Kopta,Sven Matthias. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2011-06-23.

Vertical field effect transistor device and method of fabrication

Номер патента: US20220140130A1. Автор: James R. Shealy,Richard J. Brown. Владелец: Odyssey Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Vertical field effect transistor device and method of fabrication

Номер патента: US20230387289A1. Автор: James R. Shealy,Richard J. Brown. Владелец: Odyssey Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Vertical field effect transistor device and method of fabrication

Номер патента: US11942537B2. Автор: James R. Shealy,Richard J. Brown. Владелец: Odyssey Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Structure photosensitive to infrared radiation and method for its manufacture

Номер патента: RU2769232C1. Автор: Николай Николаевич Михайлов,Георгий Юрьевич Сидоров,Александр Васильевич Войцеховский,Дмитрий Игоревич Горн,Сергей Николаевич Несмелов,Станислав Михайлович Дзядух,Сергей Алексеевич Дворецкий. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Томский государственный университет». Дата публикации: 2022-03-29.

Ion implantation helicon plasma source with magnetic dipoles

Номер патента: US5686796A. Автор: John Howard Keller,Albert Rogers Ellingboe,Roderick William Boswell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-11-11.

Solar cell fabrication using laser patterning of ion-implanted etch-resistant layers and the resulting solar cells

Номер патента: WO2017106213A1. Автор: Staffan Westerberg,Peter John Cousins,Alejandro LEVANDER. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of making a self aligned ion implanted gate and guard ring structure for use in a sit

Номер патента: US20070281406A1. Автор: Li-Shu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Effector proteins, compositions, systems, devices, kits and methods of use thereof

Номер патента: EP4423263A2. Автор: Janice Sha CHEN,James Paul BROUGHTON,Xin Miao,David PAEZ-ESPINO,Sara Ansaloni,Stepan TYMOSHENKO,Yining Zhang,William Douglass WRIGHT,Ashley Dorothy AMADO,Sierra Hirose LEE,Ryan HONG. Владелец: Mammoth Biosciences Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Effector proteins, compositions, systems, devices, kits and methods of use thereof

Номер патента: WO2023077095A3. Автор: Janice Sha CHEN,James Paul BROUGHTON,Xin Miao,David PAEZ-ESPINO,Sara Ansaloni,Stepan TYMOSHENKO,Yining Zhang,William Douglass WRIGHT,Ashley Dorothy AMADO,Sierra Hirose LEE,Ryan HONG. Владелец: Mammoth Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2023-07-27.

High voltage insulator for preventing instability in an ion implanter due to triple-junction breakdown

Номер патента: US20080315114A1. Автор: Shengwu Chang,Frank Slnclalr. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Ion implanted bubble propagation structure

Номер патента: CA1068830A. Автор: George E. Keefe,Yeong S. Lin,Edward A. Giess. Владелец: Edward A. Giess. Дата публикации: 1979-12-25.

High voltage insulator for preventing instability in an ion implanter due to triple-junction breakdown

Номер патента: WO2009002736A2. Автор: Frank Sinclair,Shengwu Chang. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-12-31.

Compositions, systems and methods for producing nanoalloys and/or nanocomposites using tandem laser ablation synthesis in solution-galvanic replacement reaction

Номер патента: US20190334180A1. Автор: Sheng Hu,Dibyendu Mukherjee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-31.

Compositions, systems and methods for producing nanoalloys and/or nanocomposites using tandem laser ablation synthesis in solution-galvanic replacement reaction

Номер патента: US20220115674A1. Автор: Sheng Hu,Dibyendu Mukherjee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor laser and method of manufacturing it

Номер патента: CA1187589A. Автор: Johannes A.C. Van Den Beemt. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-05-21.

Device for nitriding components made from aluminium alloy through ion-implantation doping and method where said device is used

Номер патента: RU2372418C2. Автор: Фредерик ГЕРНАЛЕК,Дени БЮЗАРДО. Владелец: Сосьете Кертек Энженьери (Кэ). Дата публикации: 2009-11-10.

Method of ion-implantation treatment compressor's mono-wheel blades made of titanium alloys

Номер патента: RU2682741C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Вадим Файзерахманович Насыров,Ирина Рифхатовна Галимова,Рушан Наилевич Хуснимарданов,Азамат Зиннурович Тимербаев,Наиля Фёдоровна Измайлова. Владелец: Научно-производственная Ассоциация "Технопарк авиационных технологий" (НПА "Технопарк АТ"). Дата публикации: 2019-03-21.

Ion generation device for straight tube square electromagnetic ion implantation equipment

Номер патента: GB2628519A. Автор: Wang Xianghong,LI Yunqing,Meng Qiujing,Dai Zhengyang. Владелец: Shanghai Technical Inst Electronics & Information. Дата публикации: 2024-09-25.

Ion implantation for modification of thin film coatings on glass

Номер патента: US09850570B2. Автор: Terry Bluck,Babak Adibi. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Zinc ion-implanted quartz glass

Номер патента: RU2585009C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Николай Васильевич Гаврилов,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-05-27.

Ion implantation method for surfaces of part from structural steel

Номер патента: RU2637189C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Надежда Владимировна Учеваткина,Ольга Андреевна Жданович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский политехнический университет". Дата публикации: 2017-11-30.

Method of ion-implantation treatment of compressor blades from titanium alloys

Номер патента: RU2682743C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Вадим Файзерахманович Насыров,Ирина Рифхатовна Галимова,Рушан Наилевич Хуснимарданов,Азамат Зиннурович Тимербаев,Наиля Фёдоровна Измайлова. Владелец: Научно-производственная Ассоциация "Технопарк авиационных технологий" (НПА "Технопарк АТ"). Дата публикации: 2019-03-21.

Ion implantation in metal alloys

Номер патента: WO1993012265A1. Автор: Lynann Clapham,James L. Whitton. Владелец: Queen's University At Kingston. Дата публикации: 1993-06-24.

Ion implantation for modification of thin film coatings on glass

Номер патента: US20170009337A1. Автор: Terry Bluck,Babak Adibi. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2017-01-12.

Ion implantation for modification of thin film coatings on glass

Номер патента: US20180023190A1. Автор: Terry Bluck,Babak Adibi. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Ion implantation of zirconium alloys with hafnium

Номер патента: CA1309376C. Автор: David Lee Baty,William Crawford Young,David Evan Lewis. Владелец: Babcock and Wilcox Co. Дата публикации: 1992-10-27.

High chromium ferritic steel with 0.5 atomic % hafnium, part of which is ion implanted

Номер патента: EP1737996A1. Автор: Roy Loughborough University FAULKNER. Владелец: Loughborough University Enterprises Ltd. Дата публикации: 2007-01-03.

Oxygen ion implantation equipment

Номер патента: US20090260570A1. Автор: Yoshiro Aoki. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Ion implantation of plastic orthopaedic implants

Номер патента: US5133757A. Автор: Piran Sioshansi,Richard W. Oliver. Владелец: Spire Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Ion implanted hardmetal cemented carbide cold sprayed coatings

Номер патента: WO2018167534A1. Автор: Peerawatt NUNTHAVARAWONG,Natasha SACKS. Владелец: University of the Witwatersrand, Johannesburg. Дата публикации: 2018-09-20.

Ion implanted hardmetal cemented carbide cold sprayed coatings

Номер патента: US20200048757A1. Автор: Peerawatt NUNTHAVARAWONG,Natasha SACKS. Владелец: University of the Witwatersrand, Johannesburg. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for producing piezoelectric composite substrate and method for producing piezoelectric element

Номер патента: US20110220275A1. Автор: Hajime Kando,Norihiro Hayakawa,Ippei HATSUDA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Glass substrate with reduced internal reflectance and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2017178166A1. Автор: Pierre Boulanger,Benjamine NAVET. Владелец: Agc Glass Company North America. Дата публикации: 2017-10-19.

Image compositing system of multicamera and method thereof

Номер патента: WO2000079785A1. Автор: Young-Kyun Ha. Владелец: Dasan C & I Co., Ltd.. Дата публикации: 2000-12-28.

Apparatus and method for retarding mineral buildup in downhole pumps

Номер патента: CA1271684A. Автор: Granville Hahn. Владелец: Permian Research Corp. Дата публикации: 1990-07-17.

Compositions, systems, and methods for treating a substrate

Номер патента: WO2024163724A2. Автор: Corey James DEDOMENIC,Mark William Mcmillen,Lyanne VALDEZ,Scott Joseph Moravek,Reza Michael ROCK,Tanvi Siraj RATANI. Владелец: PPG Industries Ohio, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Compositions, systems, and methods for treating a substrate

Номер патента: WO2024163724A3. Автор: Corey James DEDOMENIC,Mark William Mcmillen,Lyanne VALDEZ,Scott Joseph Moravek,Reza Michael ROCK,Tanvi Siraj RATANI. Владелец: PPG Industries Ohio, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Antimony/Lewis base adducts for Sb-ion implantation and formation of antimonide films

Номер патента: US6005127A. Автор: Thomas H. Baum,Gautam Bhandari,Michael A. Todd. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1999-12-21.

Effector proteins, compositions, systems and methods of use thereof

Номер патента: WO2024163519A2. Автор: Adam L. GARSKE,James Paul BROUGHTON,Carley Gelenter HENDRIKS,Ishita Jain,Isaac Zepeda MADRID,Srijay RAJAN. Владелец: Mammoth Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Effector proteins, compositions, systems and methods of use thereof

Номер патента: WO2024163519A3. Автор: Adam L. GARSKE,James Paul BROUGHTON,Carley Gelenter HENDRIKS,Ishita Jain,Isaac Zepeda MADRID,Srijay RAJAN. Владелец: Mammoth Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Effector proteins, compositions, systems and methods of use thereof

Номер патента: WO2024107665A1. Автор: James Paul BROUGHTON,Carley Gelenter HENDRIKS. Владелец: Mammoth Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Effector proteins, compositions, systems and methods of use thereof

Номер патента: WO2024107902A2. Автор: Lucas Benjamin Harrington,Adam L. GARSKE,Janice Sha CHEN,James Paul BROUGHTON,Stepan TYMOSHENKO,Jaeyoung Jung,Benjamin Julius RAUCH,Ishita Jain,Isaac Zepeda MADRID,Stacey Akie Shiigi BOYARSKIY. Владелец: Mammoth Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Effector proteins, compositions, systems and methods of use thereof

Номер патента: WO2024107902A3. Автор: Lucas Benjamin Harrington,Adam L. GARSKE,Janice Sha CHEN,James Paul BROUGHTON,Stepan TYMOSHENKO,Jaeyoung Jung,Benjamin Julius RAUCH,Ishita Jain,Isaac Zepeda MADRID,Stacey Akie Shiigi BOYARSKIY. Владелец: Mammoth Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of manufacturing memory device and method of manufacturing phase-change memory device using the same

Номер патента: US20100197111A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Integrated resonator and amplifier system for use in an ion accelerator or ion implanter

Номер патента: NZ522808A. Автор: Kourosh Saadatmand,Ernst Frederick Scherer,William Frank Divergilio. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-25.

Piezoelectric composite substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20230284533A1. Автор: Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Structure and method of manufacture for acoustic resonator using improved fabrication conditions, perimeter structure modifications, and thin film transfer process

Номер патента: US20210104993A1. Автор: Michael P. Lewis,Dae Ho Kim,Jeffrey B. Shealy,Ramakrishna Vetury,Mark D. BOOMGARDEN,Michael D. HODGE,Mary Winters,Alexander Y. FELDMAN,Pinal Patel,Art GEISS. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Solid-state pulse generating apparatus and method particularly adapted for ion implantation

Номер патента: US5734544A. Автор: Paul R. Johannessen. Владелец: Megapulse Inc. Дата публикации: 1998-03-31.

Josephson junction device fabricated by direct write ion implantation

Номер патента: US12035641B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Devendra K. Sadana,Steven J. Holmes,Martin O. Sandberg,Marinus Johannes Petrus Hopstaken,Yasir Sulehria. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

System and method for nanotube growth via ion implantation using a catalytic transmembrane

Номер патента: EP2257496A2. Автор: Delmar L. Barker,Mead M. Jordan,Howard W. Poisi. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-12-08.

System and method for nanotube growth via ion implantation using a catalytic transmembrane

Номер патента: WO2009123807A3. Автор: Delmar L. Barker,Mead M. Jordan,Howard W. Poisi. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-09-23.

System and method for nanotube growth via ion implantation using a catalytic transmembrane

Номер патента: WO2009123807A2. Автор: Delmar L. Barker,Mead M. Jordan,Howard W. Poisi. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2009-10-08.

Precise ion implantation type modified geopolymer and preparation method thereof

Номер патента: US20240109809A1. Автор: Dong He,Kai Zhang,Haifeng Lu,Hang Xu,Xiaoxuan KONG,Xiangheng XIAO. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated ion implant scrubber system

Номер патента: US20010008123A1. Автор: Jose I. Arno,Michael W. Hayes,Mark R. Holst. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Composition, system and method for making the composition and system and method for using the composition

Номер патента: US20080217253A1. Автор: John Graham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Sorbent compositions, systems, and methods

Номер патента: WO2024123909A1. Автор: XIAOLEI Shi,Robert Edgar Colborn,Jinbo Cao,Michael Joseph O'Brien,Mohandas Nayak,Mark D. Doherty,Jie Jerry Liu,David R. Moore,David W. Woodruff,Hongbo Cao,Anil R. Duggal,Jingjing Yang,Amit Gaikwad,Albert S. Stella,Bryce Martin LIPINSKI,Alexandra ANTONIO,Matthew H. LITTLEJOHN,Yali Su,Soumya CHAKRABORTY,Subhadip GOSWAMI. Владелец: GE Infrastructure Technology LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Compositions, systems, and methods for treating familial hypercholesterolemia by targeting pcsk9, ldlr, and/or angptl3

Номер патента: WO2024191731A1. Автор: YANXIA Liu,Guang Yang,Annie Pham,Tengyu KO,Alexandra Sylvie Collin de l'Hortet,Amber Ruth SALZMAN,Siddaraju Valagerehalli BOREGOWDA,Kavita JADHAV. Владелец: Epicrispr Biotechnologies, Inc.. Дата публикации: 2024-09-19.

Compositions, delivery systems, and methods useful in tumor therapy

Номер патента: US11766414B2. Автор: Heather Dawn Agnew,Anders ELIASEN,Bert Tsunyin Lai. Владелец: Indi Molecular Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Composition, system, and method for treating water systems

Номер патента: US09707520B2. Автор: Adrian Denvir,James Gregory Edford,Scott M Boyette,Angela L Delegard. Владелец: NCH Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Compositions and methods of use thereof for making polypeptides with many instances of nonstandard amino acids

Номер патента: US20200190500A1. Автор: Dieter SÖLL,Farren Isaacs,Miriam Amiram,Adrian Haimovich. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-18.

Compositions, system and methods for introducing poe lubricant into an electric (hev, phev, ev) automotive air-conditioning/heating system or stationary air-conditioning/heating system or stationary refrigeration system using lower or low gwp refrigerant

Номер патента: EP4306878A3. Автор: Mary E. Koban,Nina E. GRAY,JR. Hubert Mentz. Владелец: Chemours Co FC LLC. Дата публикации: 2024-03-20.

Composition, system, and method for treating water systems

Номер патента: US09452457B2. Автор: Adrian Denvir,Scott M Boyette,Robert C Pearce, III,David F Vela,Christina B Burton,Katrell D Copeland. Владелец: NCH Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

A Composition, System and Method for Removal of Detergents from Aqueous Solutions

Номер патента: AU2023237224A1. Автор: Hyman Chaim Birnboim,Bitapi RAY,Jessica Lynne GAGE,Rajeev Mani NEPAL,Christopher Gordon Askew. Владелец: DNA Genotek Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Modular expression systems for gene expression and methods of using same

Номер патента: WO2020101828A3. Автор: Helmut Hanenberg,Paul R. ANDREASSEN. Владелец: Children's Hospital Medical Center. Дата публикации: 2020-08-06.

Compositions, system and methods for introducing pag lubricant or refrigerant into an air-conditioning or system using lower or low gwp refrigerant or refrigerant blends

Номер патента: EP3743481A1. Автор: Mary E. Koban,Nina E. GRAY,Hubert MENTZ JR.. Владелец: Chemours Co FC LLC. Дата публикации: 2020-12-02.

Modular expression systems for gene expression and methods of using same

Номер патента: EP3864169A2. Автор: Helmut Hanenberg,Paul R. ANDREASSEN. Владелец: Cincinnati Childrens Hospital Medical Center. Дата публикации: 2021-08-18.

Compositions, systems and methods for multiplex detection of target biomarkers in a sample

Номер патента: WO2024224323A1. Автор: Erol Hasan,Dana Zaid ALSULAIMAN,Duruo MAO. Владелец: King Abdullah University Of Science Of Technology. Дата публикации: 2024-10-31.

Compositions, systems, and methods for reducing adipose tissue

Номер патента: WO2024159175A2. Автор: Matthew Rein Scholz,Gary Charles Hudson. Владелец: Oisin Biotechnologies, Inc.. Дата публикации: 2024-08-02.

Dental composites systems and methods of making the same and using same

Номер патента: US09700492B2. Автор: Christopher N. Bowman,Tao Gong,Shunsuke Chatani,Weixian XI,Devatha P. Nair,Maciej PODGORSKI. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2017-07-11.

Systems and methods for regulating target genes

Номер патента: US20240254659A1. Автор: Lei S. QI,Daniel O. HART,Timothy Daley,Thomas Blair GAINOUS,Giovanni CAROSSO,Tengyu KO,Robin W. YEO,Ii Christopher Darryl Still. Владелец: Epicrispr Biotechnologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Microgel particles for use in 3d printing and 3d cell growth medium and related compositions, systems, and methods

Номер патента: EP3592787A1. Автор: Wallace Gregory Sawyer,Thomas Ettor ANGELINI,Brent S. Sumerlin,Christopher P. KABB,Christopher S. O'Bryan,Sangwoo Park. Владелец: University Of Florida. Дата публикации: 2020-01-15.

Systems and methods for regulating target genes

Номер патента: GB2626087A. Автор: S Qi Lei,O Hart Daniel,Blair Gainous Thomas,Carosso Giovanni,Daley Timothy,Ko Tengyu,W Yeo Robin,Darryl Still II Christopher. Владелец: Epicrispr Biotechnologies Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Compositions, systems, and methods for programming t cell phenotypes through targeted gene repression

Номер патента: WO2023137472A3. Автор: Charles A. Gersbach,Akiko Seki,Nathaniel Lambert,Tyler S. Klann,Nathaniel CHARTRAND,Sheridan L. SWAN. Владелец: Tune Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2023-09-07.

Compositions and systems for conferring disease resistance in plants and methods of use thereof

Номер патента: US20180051297A1. Автор: DONG Qi,Roger INNES,Sang Hee Kim. Владелец: Indiana University Research And Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Effector proteins, effector partners, compositions, systems and methods of use thereof

Номер патента: US20240226327A9. Автор: David PAEZ-ESPINO,Benjamin Julius RAUCH,Aaron DELOUGHERY,Timothy Robert ABBOTT. Владелец: Mammoth Biosciences Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Compositions and systems for conferring disease resistance in plants and methods of use thereof

Номер патента: EP2895610A1. Автор: DONG Qi,Roger INNES,Sang Hee Kim. Владелец: Indiana University Research And Technology Corp. Дата публикации: 2015-07-22.

Compositions, systems, and methods for treating cancer using tumor treating fields and anti-vegfr-2 antibodies

Номер патента: WO2024141995A1. Автор: Lilach AVIGDOR,Tali Voloshin-Sela,Anat Klein-Goldberg. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2024-07-04.

Compositions, systems, and methods for treating cancer using tumor treating fields and anti-vegfr-2 antibodies

Номер патента: US20240228630A1. Автор: Lilach AVIGDOR,Tali Voloshin-Sela,Anat Klein-Goldberg. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Effector proteins, compositions, systems and methods of use thereof

Номер патента: WO2024138202A3. Автор: David PAEZ-ESPINO,Stepan TYMOSHENKO,Benjamin Julius RAUCH,Aaron DELOUGHERY,Clarissa Oriel RHINES,Fnu YUNANDA,Rohan Grover,Timothy Robert ABBOTT. Владелец: Mammoth Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Compositions, systems, and methods for treating cancer using tumor treating fields and killer cells

Номер патента: WO2024201385A1. Автор: Yiftah Barsheshet,Tal KAN. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Compositions, systems, and methods for treating cancer using tumor treating fields and chimeric antigen receptor (car)-immune cells

Номер патента: WO2024201344A1. Автор: Lilach AVIGDOR,Tali Voloshin-Sela,Yiftah Barsheshet,Tal KAN. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Compositions, systems, and methods for treating cancer using tumor treating fields and killer cells

Номер патента: US20240366954A1. Автор: Yiftah Barsheshet,Tal KAN. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Engineered effector proteins, compositions, systems and methods of use thereof

Номер патента: WO2024206714A1. Автор: Adam L. GARSKE,Janice Sha CHEN,James Paul BROUGHTON,Xin Miao,Carley Gelenter HENDRIKS,Sara Ansaloni,Jaeyoung Jung,Yining Zhang,Ishita Jain. Владелец: Mammoth Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Compositions, systems, and methods for treating cancer using tumor treating fields and chimeric antigen receptor (car)-immune cells

Номер патента: US20240325532A1. Автор: Lilach AVIGDOR,Tali Voloshin-Sela,Yiftah Barsheshet,Tal KAN. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Compositions and systems for conferring disease resistance in plants and methods of use thereof

Номер патента: US09816102B2. Автор: DONG Qi,Roger INNES,Sang Hee Kim. Владелец: Indiana University Research And Technology Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Rna-directed protease systems and uses thereof

Номер патента: WO2024148303A1. Автор: Timothy Robert ABBOTT,Brian R. CHAIKIND. Владелец: Mammoth Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

System and methods for the biocontrol of plant pathogens

Номер патента: EP3550960A1. Автор: Richard Sayre,Karen YIN,Pedro COSTA NUNES. Владелец: Pebble Labs Usa Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Composites, systems and methods of making the same

Номер патента: US12077641B2. Автор: Philip P. CHENEY,Brent J. Carey,Christopher F. BUURMA,Richard G. Rateick, Jr.. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Systems and methods for nucleic acid expression in vivo

Номер патента: US20240350662A1. Автор: Timothy D. Heath,Robert James Debs,Chakkrapong HANDUMRONGKUL. Владелец: DNARx. Дата публикации: 2024-10-24.

Nucleases and compositions, systems, and methods thereof

Номер патента: US12123016B1. Автор: Ali Madani,Aadyot Bhatnagar,Jeffrey A. Ruffolo,Stephen Nayfach,Joel Beazer. Владелец: Profluent Bio Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Aligned carbon nanotube-polymer materials, systems and methods

Номер патента: US09453120B2. Автор: Ali Dhinojwala,Pulickel M. Ajayan. Владелец: UNIVERSITY OF AKRON. Дата публикации: 2016-09-27.

Compositions, systems, and methods for activating and silencing gene expression

Номер патента: WO2023023553A3. Автор: Michael C. BASSIK,Lacramioara Bintu,Joshua Tycko. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-31.

Active dna transposon systems and methods for use thereof

Номер патента: US20230144097A1. Автор: Yong Zhang,Tongtong Zhang,Haoyi WANG,Shengjun Tan. Владелец: Institute of Zoology of CAS. Дата публикации: 2023-05-11.

Compositions, systems and methods for delivery of an element in response to biological demand

Номер патента: EP3793965A1. Автор: Peter Gross,Neil Robin Branda,Farahnaz NOURMOHAMMADIAN. Владелец: Lucent Biosciences Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Compositions, systems and methods for delivery of an element in response to biological demand

Номер патента: CA3099724A1. Автор: Peter Gross,Neil Robin Branda,Farahnaz NOURMOHAMMADIAN. Владелец: Lucent Biosciences Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Compositions, systems and methods for delivery of an element in response to biological demand

Номер патента: US20210253490A1. Автор: Peter Gross,Neil Robin Branda,Farahnaz NOURMOHAMMADIAN. Владелец: Lucent Biosciences Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Compositions, systems and methods for delivery of an element in response to biological demand

Номер патента: AU2019271440A1. Автор: Peter Gross,Neil Robin Branda,Farahnaz NOURMOHAMMADIAN. Владелец: Lucent Biosciences Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Compositions, systems and methods for delivery of an element in response to biological demand

Номер патента: US11691928B2. Автор: Peter Gross,Neil Robin Branda,Farahnaz NOURMOHAMMADIAN. Владелец: Lucent Biosciences Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Systems and methods for biomolecule retention

Номер патента: US20240229019A1. Автор: Pierre Indermuhle,Stephen Hendricks,Christina Inman,Steven Tan,Parag Mallick,Torri Elise Rinker,Elvis IKWA,Tural AKSEL,Sadie INGLE. Владелец: Nautilus Subsidiary Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Effector proteins and methods of use

Номер патента: AU2023209457A1. Автор: Lucas Benjamin Harrington,David PAEZ-ESPINO,Stepan TYMOSHENKO,Benjamin Julius RAUCH,Aaron DELOUGHERY,William Douglass WRIGHT,Clarissa Oriel RHINES,Fnu YUNANDA,Wiputra Jaya HARTONO,Matan DRORY RETWITZER,Alexander Richard NECKELMANN. Владелец: Mammoth Biosciences Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Effector proteins and methods of use

Номер патента: US20240271113A1. Автор: Lucas Benjamin Harrington,David PAEZ-ESPINO,Stepan TYMOSHENKO,Benjamin Julius RAUCH. Владелец: Mammoth Biosciences Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Effector proteins and methods of use

Номер патента: AU2023209457A9. Автор: Lucas Benjamin Harrington,David PAEZ-ESPINO,Stepan TYMOSHENKO,Benjamin Julius RAUCH,Aaron DELOUGHERY,William Douglass WRIGHT,Clarissa Oriel RHINES,Fnu YUNANDA,Wiputra Jaya HARTONO,Matan DRORY RETWITZER,Alexander Richard NECKELMANN. Владелец: Mammoth Biosciences Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Systems and methods for biomolecule retention

Номер патента: US12071618B2. Автор: Pierre Indermuhle,Stephen Hendricks,Christina Inman,Steven Tan,Parag Mallick,Torri Elise Rinker,Elvis IKWA,Tural AKSEL,Sadie INGLE. Владелец: Nautilus Subsidiary Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Compositions, systems, and methods for amino acid synthesis

Номер патента: WO2024148312A1. Автор: Yang Yang,Lei Cheng,Zhiyu BO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-07-11.

Effector proteins and methods of use

Номер патента: US12077775B2. Автор: Lucas Benjamin Harrington,David PAEZ-ESPINO,Stepan TYMOSHENKO,Benjamin Julius RAUCH,Aaron DELOUGHERY,William Douglass WRIGHT,Clarissa Oriel RHINES,Fnu YUNANDA,Wiputra Jaya HARTONO,Matan DRORY RETWITZER,Alexander Richard NECKELMANN. Владелец: Mammoth Biosciences Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Systems and methods for targeted continuous genome mutagenesis

Номер патента: WO2024155727A1. Автор: Fei Chen,Xi CHEN (Dawn),George WYTHES. Владелец: THE BROAD INSTITUTE, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

On cas template synthesis (ocats) systems and uses thereof

Номер патента: WO2024192274A2. Автор: Brian R. CHAIKIND,Wang-ting LU. Владелец: Mammoth Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2024-09-19.

Ultracompact precision editing systems and uses thereof

Номер патента: WO2024196911A1. Автор: Lucas Benjamin Harrington,Sean Chen,Benjamin Julius RAUCH,Aaron DELOUGHERY,William Douglass WRIGHT,Fnu YUNANDA,Wiputra Jaya HARTONO,Matan DRORY RETWITZER,Shravanti K. SURESH,Wang-ting LU. Владелец: Mammoth Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

Systems and methods for biomolecule retention

Номер патента: US20240368585A1. Автор: Pierre Indermuhle,Stephen Hendricks,Christina Inman,Steven Tan,Parag Mallick,Torri Elise Rinker,Elvis IKWA,Tural AKSEL,Sadie INGLE,Pengyu HAO. Владелец: Nautilus Subsidiary Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods for producing an organogenic callus and compositions, systems, and methods relating thereto

Номер патента: WO2023192920A1. Автор: Douglas Lee HECKART,Raj Deepika Chauhan. Владелец: Pairwise Plants Services, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Building facade system and and method of providing a building facade

Номер патента: US20230340788A1. Автор: James Jonathan White,Edward Mitry Coosaia, JR.,Jason S. Eastwood. Владелец: Ubfs Llc. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods and apparatus for measuring ion implant dose

Номер патента: US20100302547A1. Автор: Johannes Moll. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Methods and apparatus for measuring ion implant dose

Номер патента: WO2010138646A2. Автор: Johannes Moll. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-12-02.

Methods and apparatus for measuring ion implant dose

Номер патента: WO2010138646A3. Автор: Johannes Moll. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-02-03.

Method for building an etching-free hybrid nonlinear waveguide composed of polymer and ion-implanted nonlinear crystal

Номер патента: US12038687B2. Автор: FENG CHEN,CHEN CHEN,Zhanghua HAN,Shengkun YAO. Владелец: SHANDONG NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-16.

System and method for forming a buried lower electrode in conjunction with an encapsulated mems device

Номер патента: WO2014031570A1. Автор: Ando Feyh,Gary O'brien,Andrew B. GRAHAM. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-02-27.

Erasable ion implanted optical couplers

Номер патента: WO2011142913A2. Автор: Graham T. Reed,Renzo Loiacono. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-11-17.

Method for adjusting properties of a photonic circuit by post fabrication ion implantation, and adjusted waveguide and photonic circuit

Номер патента: US09766400B2. Автор: Badhise BEN BAKIR,Karim Hassan,Corrado Sciancalepore,Sylvie Menezo. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-09-19.

Annealing treatment for ion-implanted patterned media

Номер патента: US09384773B2. Автор: Olav Hellwig,Qing Zhu,Kurt A. Rubin. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-07-05.

System and method of using oral care product

Номер патента: RU2696279C1. Автор: Йохан ЛУБ,ЛАТ Антониус Вильхельмус Мария ДЕ,Николас Петрюс ВИЛЛАРД,Вина МОХАН,Найджел Дэвид ЙОУНГ,Джеймс Дональд ГВАЙЕР,Херманн Кристиан РЕКЦИУС,Зейнеп САБАХ,Эстелль Жюли Дороте БЕРНАР-ФИШЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for building an etching-free hybrid nonlinear waveguide composed of polymer and ion-implanted nonlinear crystal

Номер патента: US20240069436A1. Автор: FENG CHEN,CHEN CHEN,Zhanghua HAN,Shengkun YAO. Владелец: SHANDONG NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-29.

Ion implantation thick film resist composition, method for manufacturing processed substrate using the same and method for manufacturing device using the same

Номер патента: WO2023165914A1. Автор: Masato Suzuki,Hiroshi Yanagita,Tetsumasa TAKAICHI. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-09-07.

Mask for charged particle beam exposure, and method of forming the same

Номер патента: US20050008946A1. Автор: Kenichi Morimoto,Yoshinori Kinase,Yuki Aritsuka. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Random number generation method based on multivariate non-normal distribution, parameter estimation method thereof, and application to simulation of financial field and semiconductor ion implantation

Номер патента: US20050114098A1. Автор: Yuichi Nagahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-26.

Dosimeter, device for determining the radiation dose received, and methods for producing the same

Номер патента: AU1332399A. Автор: Ulf Beckers. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-05-03.

Method for welding with the help of ion implantation

Номер патента: US4452389A. Автор: Kamal E. Amin. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1984-06-05.

Temperature measurement using ion implanted wafers

Номер патента: US5435646A. Автор: Warren F. McArthur,Fred C. Session. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1995-07-25.

Modification to rough polysilicon using ion implantation and silicide

Номер патента: US20220144628A1. Автор: Alan Cuthbertson,Daesung Lee. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Modification to rough polysilicon using ion implantation and silicide

Номер патента: US20200270123A1. Автор: Alan Cuthbertson,Daesung Lee. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Modification to rough polysilicon using ion implantation and silicide

Номер патента: US11952267B2. Автор: Alan Cuthbertson,Daesung Lee. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Molecular catalytic compositions, catalytic composites, systems and methods

Номер патента: RU2754003C1. Автор: Ульрих МЮЛЛЕР,Джая Л. МОХАНАН,Сяофань ЯН,Джон К. ХОХМУТ,Ахмад МУАНИ,Ци ФУ,Майкл БРИН,Наталия ТРУКХАН,Бабара СЛАВСКИ,Мартин У. КРАУС. Владелец: Басф Корпорейшн. Дата публикации: 2021-08-25.

System and Method of Optimizing a Composite System

Номер патента: US20130154162A1. Автор: Stephen K. Bishop,Jacob J. Hart. Владелец: BELL HELICOPTER TEXTRON INC. Дата публикации: 2013-06-20.

Molecular sieve catalyst compositions, catalytic composites, systems and methods

Номер патента: RU2704820C2. Автор: Ульрих МЮЛЛЕР,Джая Л. МОХАНАН,Сяофань ЯН,Джон К. ХОХМУТ,Ахмад МУАНИ,Ци ФУ,Майкл БРИН,Наталия ТРУКХАН,Бабара СЛАВСКИ,Мартин У. КРАУС. Владелец: Басф Корпорейшн. Дата публикации: 2019-10-31.

Flat composite insulating system and method of producing said system

Номер патента: AU3934095A. Автор: Gyula Kovacs,Jeno Orban. Владелец: Ko & Co Kft. Дата публикации: 1997-06-19.

Fabrication of a waveguide taper through ion implantation

Номер патента: WO2003102649A1. Автор: Michael Morse,Michael Salib. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-12-11.

Stabilized reagent compositions, systems and methods using the same

Номер патента: US20240198326A1. Автор: Dorian Cauceglia. Владелец: Watts Regulator Co. Дата публикации: 2024-06-20.

Stabilized reagent compositions, systems and methods using the same

Номер патента: US12064758B2. Автор: Dorian Cauceglia. Владелец: Watts Regulator Co. Дата публикации: 2024-08-20.

Chopped fiber composite sorting and molding systems and methods

Номер патента: US09731455B2. Автор: Morteza Safai,Kimberly D. Meredith,Sahrudine Apdalhaliem,William B. Avery. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-08-15.

Mask, layout thereon and method therefor

Номер патента: US20050250020A1. Автор: Hsing-Tsun Liu,Jang-Tarng Lin,Ko-Wei Peng. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Apparatus and methods for generating nonlinear effects in centrosymmetric materials

Номер патента: US20170146887A1. Автор: Erman Timurdogan,Michael R. Watts. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-05-25.

Music composition system and method

Номер патента: WO2007130719A3. Автор: Hal Christopher Salter. Владелец: Hal Christopher Salter. Дата публикации: 2008-05-22.

Non-invasive systems and methods for treatment of a host carrying a virus with photoactivatable drugs

Номер патента: CA2973200C. Автор: Harold Walder,Frederic Avery Bourke. Владелец: Immunolight LLC. Дата публикации: 2023-09-26.

System and method for image composition thereof

Номер патента: US09547802B2. Автор: Kun-Lung Tseng,Wei-Jia Huang,An-Chun Luo. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-17.

Compositions, systems and methods for treating brown fat and beige fat

Номер патента: US20230285186A1. Автор: Emilia Javorsky,Rainuka Gupta,Karen E. MILLER,Tarik CHAUDHRY. Владелец: MIRAKI INNOVATION THINK TANK LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Media creation system and method

Номер патента: US20210124811A1. Автор: Sam Juma. Владелец: Grupiks LLC. Дата публикации: 2021-04-29.

Anesthetic Pharmaceutical Composition, System and Method

Номер патента: US20210113591A1. Автор: Hooman M. MELAMED. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-22.

Lipid nanoparticles for drug delivery and methods of use thereof

Номер патента: WO2024030865A2. Автор: Didier Merlin,Chunhua Yang. Владелец: GEORGIA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2024-02-08.

Lipid nanoparticles for drug delivery and methods of use thereof

Номер патента: WO2024030865A3. Автор: Didier Merlin,Chunhua Yang. Владелец: GEORGIA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2024-03-14.

Transparent bottle with uv coating for uv nail gel compositions, systems and methods

Номер патента: US20220192343A1. Автор: Christopher Pang,Jason FYFE,I-Fan Hsieh,Everett Betts. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2022-06-23.

Composite system communications

Номер патента: WO2024220349A1. Автор: Dieter Hildebrandt,Mike Pälmer,James R. BEAL,Donovan G. KUHSTOSS,Brian K. RAMEY,David M. Pendley,Uma GOKAK,Alexander R. DOWNS. Владелец: Nordson Corporation. Дата публикации: 2024-10-24.

Deposition of thin film organic coatings by ion implantation

Номер патента: US4264642A. Автор: Michael W. Ferralli. Владелец: Lord Corp. Дата публикации: 1981-04-28.

Ion-implanted magnetic bubble memory with domain confinement rails

Номер патента: US4334291A. Автор: Terence J. Nelson,Joseph E. Geusic,Dirk J. Muehlner. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1982-06-08.

Deposition of thin film organic coatings by ion implantation

Номер патента: CA1120345A. Автор: Michael W. Ferralli. Владелец: Lord Corp. Дата публикации: 1982-03-23.

Developable bottom antireflective coating compositions especially suitable for ion implant applications

Номер патента: US20120178029A1. Автор: Wu-Song Huang,Pushkara Rao Varanasi,Libor Vyklicky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

PLASMA UNIFORMITY SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120000606A1. Автор: Hadidi Kamal,Dorai Rajesh,Jagtap Mayur. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL APPARATUS FOR PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION OF A DIELECTRIC SUBSTRATE

Номер патента: US20120000421A1. Автор: Singh Vikram,Miller Timothy,Leavitt Christopher J.,Godet Ludo. Владелец: VARIAN SEMICONDUTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Identification mark for marking valuables and method of making said mark

Номер патента: RU2373307C1. Автор: Юрий Константинович Низиенко. Владелец: Юрий Константинович Низиенко. Дата публикации: 2009-11-20.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ION IMPLANTED BEAM DUMP

Номер патента: US20120001061A1. Автор: Zillmer Andrew J.. Владелец: HAMILTON SUNDSTRAND CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Artificial heart valve and method for its manufacturing

Номер патента: RU2109495C1. Автор: Александр Васильевич Самков,Наум Абрамович Иофис,Регина Аркадьевна Кеворкова,Александр Иванович Симаков,Владимир Павлович Харитонов,Александр Александрович Чиненов. Владелец: Александр Александрович Чиненов. Дата публикации: 1998-04-27.

Ion implantation method for surfaces of parts made from structural steel

Номер патента: RU2581536C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Надежда Владимировна Учеваткина,Ольга Андреевна Жданович,Татьяна Юрьевна Скакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный машиностроительный университет (МАМИ)" (Университет машиностроения). Дата публикации: 2016-04-20.

Ion implantation method

Номер патента: RU2403646C1. Автор: Владимир Николаевич Неволин,Вячеслав Юрьевич Фоминский,Роман Иванович Романов. Владелец: ФГБОУ ВПО Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". Дата публикации: 2010-11-10.

Ion implantation method of surfaces of parts from titanium alloy

Номер патента: RU2536843C1. Автор: Антон Николаевич Кравченков,Виктор Васильевич Овчинников,Дмитрий Александрович Козлов,Надежда Владимировна Учеваткина,Ольга Валерьевна Семендеева,Ольга Андреевна Жданович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2014-12-27.

Ion implantation method of surfaces of parts from structural steel

Номер патента: RU2482218C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Ирина Рафаиловна Шляпина,Светлана Викторовна Якутина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2013-05-20.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Tin ion-implanted silicon oxide film on silicon substrate

Номер патента: RU2535244C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-12-10.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Ion implantation method

Номер патента: RU2181787C2. Автор: В.В. Будилов,Р.М. Киреев,Р.Д. Агзамов. Владелец: Уфимский государственный авиационный технический университет. Дата публикации: 2002-04-27.

CONTROL SYSTEM AND METHOD OF USE FOR CONTROLLING CONCENTRATIONS OF ELECTROLYZED WATER IN CIP APPLICATIONS

Номер патента: US20120000488A1. Автор: Herdt Brandon,Ryther Robert. Владелец: ECOLAB USA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Procedure for ion implantation of surface of items of steel 30xgch2a

Номер патента: RU2430991C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Светлана Викторовна Якутина,Дмитрий Александрович Козлов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный индустриальный университет. Дата публикации: 2011-10-10.

Method of copper and lead ions implantation into the construction steel

Номер патента: RU2442843C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Светлана Викторовна Якутина,Дмитрий Александрович Козлов,Алексей Сергеевич Немов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет"(ФГБОУ ВПО "МГИУ"). Дата публикации: 2012-02-20.

Method of identifying the pattern of ion-implant component on die substrate

Номер патента: MY138318A. Автор: Kuan Siew Hor,Darakorn Sae Le Le Su Chin,Ho Le Ngoh. Владелец: Mini Circuits Technologies Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2009-05-29.

Ion-implantation treatment method of parts from titanium alloys

Номер патента: RU2479667C2. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Сергей Петрович Павлинич,Анатолий Михайлович Смыслов,Василий Андреевич Гонтюрев,Марина Константиновна Смыслова,Константин Сергеевич Селиванов,Михаил Юрьевич Дыбленко,Вячеслав Юрьевич Гордеев. Владелец: Вячеслав Юрьевич Гордеев. Дата публикации: 2013-04-20.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Protective-decorative coating of product and method for producing it (versions)

Номер патента: RU2567428C1. Автор: Олег Иосифович Обрезков,Борис Аронович Вершок,Александр Николаевич Молчанов,Михаил Сергеевич Морозов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИННОВАТЕХПРОМ" ООО "ИННОВАТЕХПРОМ". Дата публикации: 2015-11-10.

Ion implantation unit cathode

Номер патента: RU2501886C1. Автор: Анатолий Дмитриевич Шляпин,Антон Николаевич Кравченков,Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Светлана Викторовна Якутина,Надежда Владимировна Учеваткина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2013-12-20.

Ion implantation method of surfaces of parts made from structural steel

Номер патента: RU2465373C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Ирина Рафаиловна Шляпина,Дмитрий Александрович Козлов,Екатерина Александровна Серикова,Виктор Васильевич Овчинников (RU),Юрий Михайлович Боровин (RU),Екатерина Александровна Серикова (RU),Елена Владимировна Лукьяненко (RU),Ирина Рафаиловна Шляпина (RU),Дмитрий Александрович Козлов (RU). Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2012-10-27.

Semiconductor-on-insulator structure and method of making same

Номер патента: RU2581443C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Константин Дмитриевич Демаков,Сергей Григорьевич Шемардов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2016-04-20.

Suppression of transient enhanced diffusion in ion implanted silicon

Номер патента: WO1998020525A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1998-08-27.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and methods for the modification and regulation of liver gene expression

Номер патента: WO2024182444A2. Автор: Lucas Benjamin Harrington,Sean Chen,Stepan TYMOSHENKO,Raymond D. Hickey,Benjamin Julius RAUCH,Aaron DELOUGHERY,William Douglass WRIGHT,Wiputra Jaya HARTONO,Ymer Leif Michael BJORNSON,Lauren Kelli UYESAKA. Владелец: Mammoth Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Effector proteins, compositions, systems and methods of use thereof

Номер патента: WO2024220911A1. Автор: Lucas Benjamin Harrington,Adam L. GARSKE,Mark Dewitt,Benjamin Julius RAUCH,Aaron DELOUGHERY,William Douglass WRIGHT,Ishita Jain,Wang-ting LU,Shiaki Arnett MINAMI,Siming XU,Susan Lorraine PROVIDENZA. Владелец: Mammoth Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

Ion implantation equipment in semiconductor manufacturing process

Номер патента: KR19980073451A. Автор: 이기영. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-11-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.