Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Cylindric decomposition for efficient mitigation of substrate deformation with film deposition and ion implantation

Cylindric decomposition for efficient mitigation of substrate deformation with film deposition and ion implantation

Номер патента: WO2024167966A1
Опубликовано: 15-08-2024
Автор(ы): D. Jeffrey Lischer, Frank Sinclair, Pradeep Kumar Subrahmanyan, Wonjae LEE
Принадлежит: Applied Materials, Inc.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Cylindric decomposition for efficient mitigation of substrate deformation with film deposition and ion implantation

Номер патента: US20240266231A1. Автор: D. Jeffrey Lischer,Wonjae LEE,Frank Sinclair,Pradeep Kumar Subrahmanyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Wafer temperature measurement in an ion implantation system

Номер патента: US20230054419A1. Автор: Chien-Li Chen,Steven R. Walther. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Wafer temperature measurement in an ion implantation system

Номер патента: WO2021155270A1. Автор: Chien-Li Chen,Steven R. Walther. Владелец: ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-05.

Wafer temperature measurement in an ion implantation system

Номер патента: US11942343B2. Автор: Chien-Li Chen,Steven R. Walther. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Engineering the optical properties of an integrated computational element by ion implantation

Номер патента: US09905425B2. Автор: David L. Perkins,James M. Price,Aditya B. Nayak. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of evaluating characteristics of ion implanted sample

Номер патента: US20170138863A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Method of inspecting flatness of substrate

Номер патента: US20240230323A1. Автор: Wen-Yi Lin,Chin-Wang HSU. Владелец: Darwin Precisions Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin-film deposition apparatus

Номер патента: US20240218561A1. Автор: Motoshi Sakai,Yeontae Kim,Suhwan PARK,Sangwoo Bae,Junbum Park,Wondon Joo,Janghwi LEE,Hunyong PARK,Jaeho Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus, method, and recording medium storing command for controlling thin-film deposition process

Номер патента: US20230279538A1. Автор: Young Kyun Noh. Владелец: Ivworks Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Measuring device and method for measuring parameters of a piezoelectric crystal onto which a thin film of material is deposited as well as thin-film deposition systems with such a device and a method for controlling such systems

Номер патента: EP4256320A1. Автор: Peter Horn,Edmund SCHÜNGEL,Adrian Herde. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2023-10-11.

Measuring device and method for measuring parameters of a piezoelectric crystal onto which a thin film of material is deposited as well as thin-film deposition systems with such a device and a method for controlling such systems

Номер патента: WO2022117294A1. Автор: Peter Horn,Edmund SCHÜNGEL,Adrian Herde. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2022-06-09.

Measuring device and method for measuring parameters of a piezoelectric crystal onto which a thin film of material is deposited as well as thin-film deposition systems with such a device and a method for controlling such systems

Номер патента: US20240053301A1. Автор: Peter Horn,Edmund SCHÜNGEL,Adrian Herde. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of monitoring ion implants by examination of an overlying masking material

Номер патента: WO2001088955A3. Автор: Carlos Strocchia-Rivera. Владелец: Kla Tencor Inc. Дата публикации: 2002-03-07.

Method for inserting a gaseous phase in a sealed cavity by ion implantation

Номер патента: US5985688A. Автор: Michel Bruel. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1999-11-16.

Ion implanter, magnetic field measurement device, and ion implantation method

Номер патента: US09984851B2. Автор: Hiroyuki Kariya. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US11923167B2. Автор: Hiroshi Matsushita. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US11569058B2. Автор: Hiroshi Matsushita. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Ion mobility analyzer, combination device thereof, and ion mobility analysis method

Номер патента: US09429543B2. Автор: Xiaoqiang Zhang,Wenjian Sun,Yupeng Cheng,Gongyu Jiang. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Signal extraction circuits and methods for ion mobility tube, and ion mobility detectors

Номер патента: US09429542B2. Автор: Yan Zheng,Qingjun Zhang,Yuanjing Li,Yinong Liu,Ziran Zhao,Zhiqiang Chen,Xiang Zou,Jianping Chang,Xianghua Li,Shiping CAO,Shuqiang Dong. Владелец: Nuctech Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Positioning guides and ion sources

Номер патента: US09927407B2. Автор: Timothy Neal,Keith Ferrara,Rosario Mannino,Gregory Hanlon. Владелец: PerkinElmer Health Services Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Ion implanter, ion implantation method, and beam measurement apparatus

Номер патента: US09502210B2. Автор: Mitsukuni Tsukihara,Makoto Sano,Haruka Sasaki,Kouji Inada. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Positioning guides and ion sources

Номер патента: US9053913B2. Автор: Timothy Neal,Keith Ferrara,Rosario Mannino,Gregory Hanlon. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2015-06-09.

Ion implanter and particle detection method

Номер патента: US20220102112A1. Автор: Takao Morita,Takanori Yagita,Aki Ninomiya,Sayumi HIROSE. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Monitoring device, ion implantation device, and monitoring method

Номер патента: US20160217973A1. Автор: Makoto Ishida. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Monitoring device, ion implantation device, and monitoring method

Номер патента: US09741534B2. Автор: Makoto Ishida. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Ion implanter, ion implantation method, and beam measurement apparatus

Номер патента: US20160042915A1. Автор: Mitsukuni Tsukihara,Makoto Sano,Haruka Sasaki,Kouji Inada. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of testing ion implantation energy in ion implantation equipment

Номер патента: US20040185587A1. Автор: Doo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Post ion implant stripper for advanced semiconductor application

Номер патента: US09484218B2. Автор: Andreas Klipp,Meichin Shen,ChienShin Chen,ChiaHao Chan. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-11-01.

System and method for dynamically adjusting thin-film deposition parameters

Номер патента: US20220228265A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Controlled ion implant damage profile for etching

Номер патента: US4978418A. Автор: Carol I. H. Ashby,Paul J. Brannon,George W. Arnold, Jr.. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1990-12-18.

Correcting component failures in ion implant semiconductor manufacturing tool

Номер патента: US11862493B2. Автор: Harikrishnan Rajagopal,Sima Didari,Tianqing Liao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Correcting component failures in ion implant semiconductor manufacturing tool

Номер патента: US20220301903A1. Автор: Harikrishnan Rajagopal,Sima Didari,Tianqing Liao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for determining position of substrate in lithographic system, substrate for use in such method and lithographic system for implementation of such method

Номер патента: RU2659967C2. Автор: БУР Гвидо ДЕ,Нильс ВЕРГЕР. Владелец: МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В.. Дата публикации: 2018-07-04.

Support structure of substrate, pressing preparatory unit and unit for lithography

Номер патента: RU2552595C2. Автор: ЙОНГ Хендрик Ян ДЕ. Владелец: МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В.. Дата публикации: 2015-06-10.

Cold stripper for high energy ion implanter with tandem accelerator

Номер патента: US09520204B2. Автор: Shengwu Chang. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Ion implantation system and method suitable for low energy ion beam implantation

Номер патента: US6191427B1. Автор: Masataka Kase,Yoshiyuki Niwa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Handling beam glitches during ion implantation of workpieces

Номер патента: US20110315899A1. Автор: William T. Weaver,Atul Gupta,Russell J. Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Handling beam glitches during ion implantation of workpieces

Номер патента: EP2589063A1. Автор: William T. Weaver,Atul Gupta,Russell J. Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Ion implantation method for reducing roughness of patterned resist lines

Номер патента: US20230335401A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Wei-Ting Chien,Chun-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods of forming electronic devices by ion implanting

Номер патента: US20090155726A1. Автор: Eric Apelgren,Nabil R. Yazdani. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-18.

Using ion implantation to control trench depth and alter optical properties of a substrate

Номер патента: WO2009070514A1. Автор: Peter Nunan. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-06-04.

Mitigation of substrate defects in reticles using multilayer buffer layers

Номер патента: AU1772001A. Автор: Daniel G. Stearns,Sasa Bajt,Paul B. Mirkarimii. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2001-06-12.

Performance improvement of euv photoresist by ion implantation

Номер патента: WO2019036582A1. Автор: Huixiong Dai,Anthony Renau,Joseph Olson,Tristan MA,John Hautala. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-02-21.

Performance improvement of euv photoresist by ion implantation

Номер патента: US20190056914A1. Автор: Huixiong Dai,Anthony Renau,Joseph Olson,John Hautala,Tristan Y. Ma. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Performance improvement of euv photoresist by ion implantation

Номер патента: US20200096870A1. Автор: Huixiong Dai,Anthony Renau,Joseph Olson,John Hautala,Tristan Y. Ma. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Production of substrate with etching mask and making of article with pattern

Номер патента: RU2562923C2. Автор: Каку Шигета,Шинтаро Сугавара,Татсуо Шигета. Владелец: Тинк Лаборатори Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of ion implantation through a photoresist mask

Номер патента: CA1043667A. Автор: San-Mei Ku,Claude Johnson (Jr.),Edward S. Pan,Harold V. Lillja. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-12-05.

Ion implant defined nanorod in a suspended Majorana fermion device

Номер патента: US11948985B2. Автор: Ning Li,Patryk GUMANN,Devendra K. Sadana,Steven J. Holmes,Stephen W. Bedell,Sean Hart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Opc method for a shallow ion implanting layer

Номер патента: US20190035775A1. Автор: Meng Kang,Yueyu Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

OPC method for a shallow ion implanting layer

Номер патента: US10192861B1. Автор: Meng Kang,Yueyu Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Ion implant defined nanorod in a suspended majorana fermion device

Номер патента: US20210151575A1. Автор: Ning Li,Patryk GUMANN,Devendra K. Sadana,Steven J. Holmes,Stephen W. Bedell,Sean Hart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Ion implant defined nanorod in a suspended majorana fermion device

Номер патента: WO2021099222A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Steven Holmes,Patryk GUMANN,Stephen Bedell,Sean Hart. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2021-05-27.

Ion implant defined nanorod in a suspended majorana fermion device

Номер патента: EP4022684A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Steven Holmes,Patryk GUMANN,Stephen Bedell,Sean Hart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

Method of controlling electrostatic lens and ion implantation apparatus

Номер патента: US20030151004A1. Автор: Koji Iwasawa. Владелец: Nissen Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Method of controlling electrostatic lens and ion implantation apparatus

Номер патента: SG140444A1. Автор: Koji Iwasawa. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-28.

Bearing device and ion implantation device

Номер патента: US20180258988A1. Автор: Kang LUO,Fei Li,Xuewei Wang,Chao Tan,Jianbo Yang,Donghua Jiang,Yin Xie,Yongyi FU,Chenliang Liu,Rujian Li,Yongzhou LING. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Ion accelerator and ion species selector

Номер патента: US3786359A. Автор: W King. Владелец: Alpha Industries Inc. Дата публикации: 1974-01-15.

Ion implanting apparatus and method for implanting ions

Номер патента: US20080191154A1. Автор: Chung Yi,Deok-Hoi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Thin film deposition in a high aspect ratio feature

Номер патента: US11139186B2. Автор: Karl A. Littau,Martin E. McBRIARTY. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2021-10-05.

Pedestal alignment tool for an orienter pedestal of an ion implant device

Номер патента: US09691513B1. Автор: Jochen Guske. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Head, system and method for processing local area of substrate surface

Номер патента: RU2754491C1. Автор: Уве ДИТЦЕ,Мартин САМЕЙОА. Владелец: Зюсс Микротек Фотомаск Эквипмент Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2021-09-02.

Ion implanter and model generation method

Номер патента: US20230038439A1. Автор: Kazuhisa Ishibashi,Mikio Yamaguchi,Tetsuya Kudo. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Ion implanter and model generation method

Номер патента: US11823863B2. Автор: Kazuhisa Ishibashi,Mikio Yamaguchi,Tetsuya Kudo. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Thin film deposition in a high aspect ratio feature

Номер патента: US20210183674A1. Автор: Karl A. Littau,Martin E. McBRIARTY. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Ion implanting apparatus

Номер патента: US20110248182A1. Автор: Kazuhiro Watanabe,Kenji Sato,Tsutomu Tanaka,Takuya Uzumaki,Tadashi Morita,Tsutomu Nishihashi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-10-13.

A Method for the Simulation of an Energy-Filtered Ion Implantation (EFII)

Номер патента: US20240232470A9. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

A computer-implemented method for the simulation of an energy-filtered ion implantation (efii) using an ion tunnel

Номер патента: US20240303390A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-09-12.

Ion implanted bubble propagation structure

Номер патента: CA1068830A. Автор: George E. Keefe,Yeong S. Lin,Edward A. Giess. Владелец: Edward A. Giess. Дата публикации: 1979-12-25.

Method for checking ion implantation state, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP2565909A1. Автор: Isao Yokokawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-06.

Ion implantation apparatus and method

Номер патента: US20200135470A1. Автор: Chun-Jung Huang,Po-Feng Tsai,Li-Hsin CHU,Henry Peng,Yung-Lin Hsu,Kuang Huan Hsu,Tsung Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for an ion implantation process employing an ion-collecting device that collects a distribution of ejected ions from a target to correct a tilt angle of the target

Номер патента: US12051593B2. Автор: Chun-Jung Huang,Po-Feng Tsai,Li-Hsin CHU,Henry Peng,Yung-Lin Hsu,Kuang Huan Hsu,Tsung Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of manufacturing contamination level of ion implanting apparatus

Номер патента: US20150079705A1. Автор: Sooman Kim,Wonseok Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Method for ion implantation that adjusts a target's tilt angle based on a distribution of ejected ions from a target

Номер патента: US20230230839A1. Автор: Chun-Jung Huang,Po-Feng Tsai,Li-Hsin CHU,Henry Peng,Yung-Lin Hsu,Kuang Huan Hsu,Tsung Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Ion implantation apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09773712B2. Автор: Takayuki Ito,Toshihiko Iinuma,Yasunori OSHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Ion implantation apparatus and method of determining state of ion implantation apparatus

Номер патента: US20140242732A1. Автор: Keiji Fujita,Kei Hattori,Takahito Nagamatsu,Masayuki Jinguuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US09601314B2. Автор: Tetsuya Kudo,Shiro Ninomiya. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US9379030B2. Автор: Takashi Kuroda,Shiro Ninomiya,Toshio Yumiyama,Akira Funai,Tadanobu Kagawa. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Ion implanter and ion implant method thereof

Номер патента: US20130130484A1. Автор: Zhimin Wan,Don Berrian,John D. Pollock. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of controlling an ion implanter in plasma immersion mode

Номер патента: RU2651583C2. Автор: Франк ТОРРЕГРОСА,Лорен РУ. Владелец: Ион Бим Сервисез. Дата публикации: 2018-04-23.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US20170148633A1. Автор: Tetsuya Kudo,Shiro Ninomiya. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US20140235042A1. Автор: Tetsuya Kudo,Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Methods of implanting ions and ion sources used for same

Номер патента: WO2007087213A2. Автор: Anthony Renau,Alexander Perel,Jonathan England,Christopher Hatem,Kourosh Saadatmand,Russell Low,Larry Sneddon. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2007-08-02.

Susceptors with film deposition control features

Номер патента: EP4163957A3. Автор: ROBINSON JAMES,Xing Lin,Matthew Goodman,Wentao Wang,Alexandros Demos,Junwei Su,Robin Scott,Rutvij Naik,Shujin Huang,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Youness Alvandi-Tabrizi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-07-19.

Method for cleaning chamber of substrate processing apparatus

Номер патента: US20220367152A1. Автор: Yong Hyun Kim,Chang Kyun PARK,Jae Wan Lee,Yoon Jeong KIM. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Susceptors with film deposition control features

Номер патента: EP4163957A2. Автор: ROBINSON JAMES,Xing Lin,Matthew Goodman,Wentao Wang,Alexandros Demos,Junwei Su,Robin Scott,Rutvij Naik,Shujin Huang,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Youness Alvandi-Tabrizi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-04-12.

Method for precision oxidation control by ion implantation

Номер патента: US20240203743A1. Автор: Wei Zou,Supakit Charnvanichborikarn,Hans-Joachim Ludwig Gossmann,Andrew Michael Waite,Cao-Minh Vincent Lu,Ana Cristina Gomez Herrero. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Film deposition method

Номер патента: US20140370205A1. Автор: Hitoshi Kato,Hiroyuki Kikuchi,Takeshi Kumagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

In situ surface contaminant removal for ion implanting

Номер патента: WO2006023637A3. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Naushad Variam,Steve Walther. Владелец: Steve Walther. Дата публикации: 2007-03-01.

In situ surface contaminant removal for ion implanting

Номер патента: WO2006023637A2. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Naushad Variam,Steve Walther. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-03-02.

Method for controlling a vaporizer of ion implantation equipment during indium implantation process

Номер патента: US20060124868A1. Автор: Sang Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-15.

Method for controlling a vaporizer of ion implantation equipment during indium implantation process

Номер патента: US7348577B2. Автор: Sang Bum Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-25.

Ion implantation compositions, systems, and methods

Номер патента: US09831063B2. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Richard S. Ray. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Implant-induced damage control in ion implantation

Номер патента: US09490185B2. Автор: Shu Satoh,Andy Ray,Serguei Kondratenko,Ronald N. Reece. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US09466483B2. Автор: Hitoshi Kato,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Ion implantation system and method of monitoring implant energy of an ion implantation device

Номер патента: US20080296484A1. Автор: Szetsen Steven Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Thin film deposition method and manufacturing method of electronic device applying the same

Номер патента: US20230268184A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Wook Ryu,Han-Bo-Ram LEE,Sung Hwan Jo,Do Han LEE,Ngoc le TRINH,Abu Saad Aqueel Ahmad Ansari. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-24.

In situ surface contamination removal for ion implanting

Номер патента: US7544959B2. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Steven R. Walther,Naushad Variam. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-06-09.

Thin film deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the apparatus

Номер патента: US09624575B2. Автор: Jin-woo Park,Ung-Soo Lee,Su-Hyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of controlling an ion implanter in plasma immersion mode

Номер патента: US09552962B2. Автор: Frank Torregrosa,Laurent Roux. Владелец: Ion Beam Services SA. Дата публикации: 2017-01-24.

Thin-film deposition method and semiconductor device

Номер патента: US20230005741A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Thin film deposition method and semiconductor device

Номер патента: EP4135011A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Technique for using an improved shield ring in plasma-based ion implantation

Номер патента: WO2008083020A3. Автор: Vikram Singh,Richard J Hertel,Timothy J Miller,Harold M Persing,Edmund J Winder. Владелец: Edmund J Winder. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor process evaluation methods including variable ion implanting conditions

Номер патента: US7781234B2. Автор: Sang-rok Hah,Sun-Yong Lee,Min-Suk Kim,Chee-Wan Kim,Seung-Chul Kim,Chan-seung Choi,Won-bae Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Shielding device and thin-film-deposition equipment with the same

Номер патента: US20220411917A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Yu-Te Shen. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor process evaluation methods including variable ion implanting conditions

Номер патента: US7972874B2. Автор: Sang-rok Hah,Sun-Yong Lee,Min-Suk Kim,Chee-Wan Kim,Seung-Chul Kim,Chan-seung Choi,Won-bae Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-05.

Semiconductor process evaluation methods including variable ion implanting conditions

Номер патента: US20100279442A1. Автор: Sang-rok Hah,Sun-Yong Lee,Min-Suk Kim,Chee-Wan Kim,Seung-Chul Kim,Chan-seung Choi,Won-bae Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-04.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US20210319978A1. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US20230113582A1. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US11527382B2. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Method of operating film deposition apparatus and film deposition apparatus

Номер патента: US9209011B2. Автор: Hitoshi Kato,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Ion implantation system and source bushing thereof

Номер патента: US20200098544A1. Автор: Nai-Han Cheng,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Ion implantation system and source bushing thereof

Номер патента: US20200381210A1. Автор: Nai-Han Cheng,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Ion implantation system and source bushing thereof

Номер патента: US11282673B2. Автор: Nai-Han Cheng,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Control method of substrate processing apparatus and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240153748A1. Автор: Morihito Inagaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Cleaning method and film deposition method

Номер патента: US20200141001A1. Автор: Hitoshi Kato,Jun Sato,Makoto ISHIGO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Ion implant system having grid assembly

Номер патента: US09741894B2. Автор: Babak Adibi,Moon Chun. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Film deposition system having a substrate carrier and a cooling device

Номер патента: US09611542B2. Автор: Wan-Yu HUANG,Tsung-Wei Chang,Chung-Yu YEH,Huei-Chia Su,Cheng-Peng Yeh,Yi-Yuan Huang,Mu-Sen Lu. Владелец: Linco Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Ion implant assisted metal etching

Номер патента: US9435038B2. Автор: William Davis Lee,Tristan MA,Thomas Omstead. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Techniques for ion implantation of molecular ions

Номер патента: US20100084577A1. Автор: Christopher A. Rowland,Christopher R. HATEM. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2010-04-08.

Ion implanter system including remote dopant source, and method comprising same

Номер патента: EP2647036A2. Автор: W. Karl Olander,Robert Kaim,Joseph D. Sweeney,Joseph R. Despres. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Ion implanting system

Номер патента: US20110140005A1. Автор: Jong-hyun Park,Sun Park,Chun-Gi You,Yul-Kyu Lee,Jin-Hee Kang. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Ion implanting system

Номер патента: US8575574B2. Автор: Jong-hyun Park,Sun Park,Chun-Gi You,Yul-Kyu Lee,Jin-Hee Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-05.

Storage and delivery of antimony-containing materials to an ion implanter

Номер патента: US20200340098A1. Автор: Douglas C. Heiderman,Aaron Reinicker,Ashwini K Sinha. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Storage and sub-atmospheric delivery of dopant compositions for carbon ion implantation

Номер патента: US09552990B2. Автор: Robert Shih,Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Lloyd A. BROWN,Serge M. CAMPEAU,Wen-Pin Chiu,Chien-Kang Kao,Dragon Lu. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Ion implantation system and method adapted for serial wafer processing

Номер патента: US5929456A. Автор: Tadamoto Tamai. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Supply source and method for enriched selenium ion implantation

Номер патента: US20140329377A1. Автор: Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Lloyd A. BROWN. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Methods for increasing beam current in ion implantation

Номер патента: US20200013621A1. Автор: Aaron Reinicker,Ashwini K Sinha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-09.

Shielding device and thin-film-deposition equipment with the same

Номер патента: US20220415622A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Yu-Te Shen. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US11961707B2. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Implant-induced damage control in ion implantation

Номер патента: WO2014055182A1. Автор: Shu Satoh,Serguei Kondratenko,Andrew Ray,Ronald REECE. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Film deposition method

Номер патента: US20200243330A1. Автор: Yutaka Takahashi,Kazumi Kubo,Takayuki Karakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Shielding device and thin-film-deposition equipment with the same

Номер патента: US11961724B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Yu-Te Shen. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Precursor compositions for ion implantation of antimony and ion implantation process utilizing same

Номер патента: US5972743A. Автор: Thomas H. Baum,W. Karl Olander,James V. McManus,Timothy E. Glassman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Indium source reagent compositions, and use thereof for deposition of indium-containing films on substrates and ion implantation of indium-doped shallow junction microelectronic structures

Номер патента: US20010021785A1. Автор: Thomas Baum,Chongying Xu. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2001-09-13.

Dopant precursors and ion implantation processes

Номер патента: US6716713B2. Автор: Michael A. Todd. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2004-04-06.

Reagents to remove oxygen from metal oxyhalide precursors in thin film deposition processes

Номер патента: EP4301896A1. Автор: Feng Li,Jean-Marc Girard,Nicolas Blasco,Yumin Liu,Rocia Alejandra ARTEAGA MULLER,Vankateswara R. PALLEM,Zhengning Gao. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-01-10.

Thin film deposition apparatus having multi-stage heaters and thin film deposition method using the same

Номер патента: US20230212751A1. Автор: Seung Jun Lee,Jin Hwan Lee,Sang Bo Kim,Ram WOO,Min Ho CHEON. Владелец: Hanwha Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Thin film deposition apparatus having multi-stage heaters and thin film deposition method using the same

Номер патента: US20230212750A1. Автор: Seung Jun Lee,Sang Yeop Kim,Jin Hwan Lee,Sang Bo Kim,Ram WOO. Владелец: Hanwha Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Prevention of contamination of substrates during gas purging

Номер патента: US12074045B2. Автор: Amitabh Puri,Paul B. Reuter,Russell Kaplan,Douglas Brian Baumgarten. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Interior material for thin film deposition device and method for manufacturing same

Номер патента: US09963772B2. Автор: Sung Jin Choi,Sung Soo JANG,Hyun Chul Ko,Kyung Ic JANG. Владелец: Komico Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Film deposition using tantalum precursors

Номер патента: US09721787B2. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Mask assembly and thin film deposition method using the same

Номер патента: US09644256B2. Автор: Jung Woo Ko. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Gas delivering system for in situ thermal treatment and thin film deposition and use of the same

Номер патента: US20080102207A1. Автор: Hsiao-Che Wu,Yu-Min Tsai,Wen-Li Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Electrostatic chuck heater and film deposition apparatus

Номер патента: US20240203779A1. Автор: Tomohiro Hara. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Mask frame assembly for thin film deposition and manufacturing method thereof

Номер патента: US09682400B2. Автор: Jun Young Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for monitoring the performance of an ion implanter using reusable wafers

Номер патента: EP1002330A1. Автор: Don R. Rohner. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-05-24.

Method for low temperature ion implantation

Номер патента: US20110244669A1. Автор: Zhimin Wan,John D. Pollock,Erik Collart. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Mask for thin film deposition and method of manufacturing OLED using the same

Номер патента: US09441288B2. Автор: Dong-Young Sung,Hong-Ryul Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Prevention of contamination of substrates during gas purging

Номер патента: US20240014056A1. Автор: Amitabh Puri,Paul B. Reuter,Russell Kaplan,Douglas Brian Baumgarten. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Prevention of contamination of substrates during gas purging

Номер патента: US11810805B2. Автор: Amitabh Puri,Paul B. Reuter,Russell Kaplan,Douglas Brian Baumgarten. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Plasma immersed ion implantation process using balanced etch-deposition process

Номер патента: US8273624B2. Автор: Peter Porshnev,Majeed A. Foad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09660191B2. Автор: Jung-Min Lee,Jun-sik Oh,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Thin film deposition device and method of depositing thin film using thereof

Номер патента: US09580803B2. Автор: Jin Koo Kang,Soo Youn Kim,Cheol Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: US09453282B2. Автор: Chang-Mog Jo,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Young-Mook Choi,Jae-Kwang Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Film deposition apparatus, substrate processing apparatus, film deposition method, and computer-readable storage medium for film deposition method

Номер патента: US09416448B2. Автор: Hitoshi Kato,Manabu Honma,Kohichi Orito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Mask for thin film deposition, and fabrication method thereof

Номер патента: US11075340B2. Автор: Shinil Choi,Hongsick PARK,Sanggab Kim,Hyuneok Shin,Sangwoo SOHN,Sangwon Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-27.

Atomic layer deposition reactor for processing batch of substrates and method of processing batch of substrates

Номер патента: RU2586956C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Пекка Й. СОЙНИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-06-10.

Method for cleaning of substrate

Номер патента: RU2364574C2. Автор: Николя НАДО,Эрик МАТТМАН,Жан-Поль РУССО,Маркус ЛЕРГЕН. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2009-08-20.

Device and method of strengthening the training board when thin film depositing

Номер патента: RU2656328C1. Автор: Евгений Михайлович Федоров,Надежда Геннадьевна Цыбырнэ. Владелец: Акционерное общество "Ижевский радиозавод". Дата публикации: 2018-06-04.

Reactor for thin film deposition and method for depositing thin film on wafer using the reactor

Номер патента: US20050158469A1. Автор: Young Park,Sang Lee,Hong Lim,Keun Yoo,Ik Lee,Hyun Kyung,Jang Bae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Mask assembly for thin film deposition and organic light-emitting display apparatus fabricated using the same

Номер патента: US20160369389A1. Автор: Sangshin Lee,Mingoo KANG,Junhyeuk KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Carbon film deposition method and deposition apparatus

Номер патента: US20220246429A1. Автор: Yosuke Watanabe,Shota CHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for monitoring the performance of an ion implanter using reusable wafers

Номер патента: WO1999008307A1. Автор: Don R. Rohner. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-02-18.

Systems and methods for purging reactor lower chambers with etchants during film deposition

Номер патента: US20230116427A1. Автор: Xing Lin,Wentao Wang,Junwei Su,Shujin Huang,Jiwen Xiang,Loc Vinh Tran. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-04-13.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US20240240319A1. Автор: Hiroshi Kawaura. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Packaging method with films, film package structure and display device

Номер патента: US20170047543A1. Автор: Wenwen SUN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Dlc film deposition apparatus, semiconductor manufacturing system including the dlc film deposition apparatus, and semiconducor manufacturing method using the dlc film deposition apparatus

Номер патента: US20240287668A1. Автор: Se Jun Park,Do Hyung Kim,Ju Hwan Park,Moon Seok Jang,Young Soo Jung,Se-Ung MIN,Myung Seok SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Electrostatic chuck and thin film deposition apparatus including the same

Номер патента: US20240322713A1. Автор: Mingoo KANG,Minchul SONG,Junhyeuk KO,Sukha RYU,Sangheon Jeon,Eui Gyu Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Packaging method with films, film package structure and display device

Номер патента: US09761833B2. Автор: Wenwen SUN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same

Номер патента: US09644272B2. Автор: Muhyun Kim,Suhwan Lee,Eunho Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Low-pressure chemical vapor deposition apparatus and thin-film deposition method thereof

Номер патента: US09478440B2. Автор: XIAO Wu,Xunhui Wang,Qijun Guo,Jianchao Fan. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2016-10-25.

Thin-film deposition mask, method of fabricating the same, and method of fabricating an organic light emitting display apparatus using the same

Номер патента: US09450185B2. Автор: Tae-Wook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Thin film deposition method and apparatus

Номер патента: US5304405A. Автор: Masahiko Kobayashi,Kenji Numajiri. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Producing a diamond semiconductor by implanting dopant using ion implantation

Номер патента: US8328936B2. Автор: Kenji Ueda,Yoshiharu Yamauchi,Toshiki Makimoto,Makoto Kasu. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Plasma immersed ion implantation process

Номер патента: WO2008073845A1. Автор: Shijian Li,Kartik Ramaswamy,Biagio Gallo,Majeed A. Foad,Dong Hyung Lee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-06-19.

Thin film deposition systems and deposition methods for forming photovoltaic cells

Номер патента: WO2021072360A1. Автор: Dmitry Poplavskyy,Neil Mackie,Robel Fessehatzion,Ben HICKEY,Jochen Titus. Владелец: Miasole Hi-Tech Corp.. Дата публикации: 2021-04-15.

Ga2o3 crystal film deposition method according to hvpe, deposition apparatus, and ga2o3 crystal film-deposited substrate using the same

Номер патента: EP4202087A3. Автор: Hae Yong Lee,Young Jun Choi,Hae Gon OH. Владелец: LUMIGNTECH CO Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Ga2o3 crystal film deposition method according to hvpe, deposition apparatus and ga2o3 crystal film-deposited substrate using the same

Номер патента: US20230193509A1. Автор: Hae Yong Lee,Young Jun Choi,Hae Gon OH. Владелец: LUMIGNTECH CO Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Thin film deposition method and method of fabricating electronic device using the same

Номер патента: US20230227972A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Wook Ryu,Han-Bo-Ram LEE,Tae Hwan LIM,Do Han LEE,Abu Saad Aqueel Ahmed ANSARI,Ngoc le TRINH. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-07-20.

Method and tool for film deposition

Номер патента: US20240128078A1. Автор: Ji-Feng Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Wafer level uniformity control in remote plasma film deposition

Номер патента: SG10201801701PA. Автор: Qiu Huatan,Hohn Geoffrey. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2018-10-30.

Wafer temperature correction system for ion implantation device

Номер патента: US20130149799A1. Автор: Kazuhiro KANDATSU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Film deposition method and film deposition apparatus

Номер патента: US20140017909A1. Автор: Hitoshi Kato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of permanently phase-transiting semimetal using ion implantation and semimetal phase-transited thereby

Номер патента: US20220223365A1. Автор: Suk Ho Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2022-07-14.

Atomic layer deposition (ALD) thin film deposition equipment having cleaning apparatus and cleaning method

Номер патента: US20020007790A1. Автор: Young-hoon Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US20100279008A1. Автор: Toshio Takagi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US8920563B2. Автор: Mu-gyeom Kim,Chang-Mo Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

F ion implantation into oxide films to form low-K intermetal dielectric

Номер патента: US6159872A. Автор: Stepan Essaian,Daniel Henry Rosenblatt. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-12-12.

Film deposition methods in furnace tube, and semiconductor devices

Номер патента: US20230053417A1. Автор: Qizan HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Thin film deposition apparatus and thin film deposition method

Номер патента: US20210102287A1. Автор: Kyu Jin Choi,Kwang Woon Lee,Sung Ha CHOI,Kang Il Lee,Min Hyuk IM. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Methods and apparatuses for thin film deposition

Номер патента: WO2017019250A1. Автор: Antti Niskanen,Yukihiro Mori,Suvi Haukka,Eva Tois,Hidemi Suemori,Jun Kawahara,Jaakko Anttila,Raija Matero. Владелец: Asm Ip Holding B. V.. Дата публикации: 2017-02-02.

Methods and apparatuses for temperature-indexed thin film deposition

Номер патента: WO2017019249A1. Автор: Antti Niskanen,Yukihiro Mori,Suvi Haukka,Bert Jongbloed,Lucian JDIRA,Delphine Longrie,Jun Kawahara,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP HOLDING B.V.. Дата публикации: 2017-02-02.

Methods for thin film deposition

Номер патента: US20170032956A1. Автор: Antti Niskanen,Yukihiro Mori,Suvi Haukka,Eva Tois,Hidemi Suemori,Jun Kawahara,Raija Matero,Jaako Anttila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-02-02.

Composition for film deposition and film deposition apparatus

Номер патента: US20200277512A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Ryuichi Asako. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Plasma immersed ion implantation process using balanced etch-deposition process

Номер патента: US20110053360A1. Автор: Peter Porshnev,Majeed A. Foad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Techniques for depositing metallic films using ion implantation surface modification for catalysis of electroless deposition

Номер патента: WO2007092529A8. Автор: Yuri Erokhin,Peter D Nunan. Владелец: Peter D Nunan. Дата публикации: 2008-09-25.

Article and method for temporary bonding of substrates

Номер патента: WO2024129426A1. Автор: Prantik Mazumder,Jian-Zhi Jay Zhang,Ya-Huei Chang,Kuan-Ting Kuo,Julia Anne Dorothee Brueckner. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-20.

Coatings for enhancement of properties and performance of substrate articles and apparatus

Номер патента: US12018382B2. Автор: Carlo Waldfried,Bryan C. Hendrix,Richard A. Cooke,David W. Peters,Weimin Li,I-Kuan Lin,Nilesh Gunda. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Device for conveying a sheet of substrate

Номер патента: EP3999459A1. Автор: Xavier Brajer,Nicolas CORDERO,Paul Mogensen. Владелец: Compagnie de Saint Gobain SA. Дата публикации: 2022-05-25.

Device for conveying a sheet of substrate

Номер патента: US20220242682A1. Автор: Xavier Brajer,Nicolas CORDERO,Paul Mogensen. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2022-08-04.

Coatings for enhancement of properties and performance of substrate articles and apparatus

Номер патента: US12084778B2. Автор: Carlo Waldfried,Bryan C. Hendrix,Richard A. Cooke,David W. Peters,Weimin Li,I-Kuan Lin,Nilesh Gunda. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Film deposition apparatus, substrate processor, film deposition method, and computer-readable storage medium

Номер патента: US8840727B2. Автор: Hitoshi Kato,Manabu Honma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-09-23.

Sacrificial passivation film deposition method, trench etching method and semiconductor processing apparatus using low-temperature ald process

Номер патента: US20240063025A1. Автор: Sung Min Choi,Min Sung Jeon,Dong Young JANG,Yun Sang Kim,Jin Hee Hong,Young Eun JEON,Young Jo JIN. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Substrate surface modifier for atomic layer deposition and method for modifying surface of substrate using the same

Номер патента: US20220259722A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Wook Kim,Cheol Kyu Bok,Man Ho Han,Jae Woo Lee,So Jeong YEO. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Source supplying unit, thin film depositing apparatus, and method for depositing thin film

Номер патента: WO2010126254A3. Автор: Chang Ho Kang,Sung Tae Namgoong,Kyung Bin Bae,Hyung Seok Yoon,Whang Sin Cho,Jun Seo Rho. Владелец: SNU PRECISION CO., LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Organic thin film deposition device, organic el element manufacturing device, and organic thin film deposition method

Номер патента: US20110200741A1. Автор: Hiroshi Kikuchi,Masato Fukao,Yoshio Sunaga. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

Organic thin film deposition device, organic EL element manufacturing device, and organic thin film deposition method

Номер патента: US8470403B2. Автор: Hiroshi Kikuchi,Masato Fukao,Yoshio Sunaga. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2013-06-25.

Substrate, selective film deposition method, deposition film of organic matter, and organic matter

Номер патента: EP4287240A1. Автор: Takuya Okada,Tatsuo Miyazaki,Katsuya Kondo,Soichi Kumon,Takahisa Taniguchi,Junki Yamamoto,Kazuki Yoshiura. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Substrate, selective film deposition method, deposition film of organic matter, and organic matter

Номер патента: US20240116075A1. Автор: Takuya Okada,Tatsuo Miyazaki,Katsuya Kondo,Soichi Kumon,Takahisa Taniguchi,Junki Yamamoto,Kazuki Yoshiura. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Film deposition method

Номер патента: US8835332B2. Автор: Hitoshi Kato,Tatsuya Tamura,Takeshi Kumagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-09-16.

Support pin and film deposition device

Номер патента: US10662530B2. Автор: Hisayuki Kato. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Mask frame assembly for thin film deposition

Номер патента: US20160005970A1. Автор: Junghoon Kim,Hanyoung Kim,Wooyoung JUNG,Jaemin Hong,Hanul Kwen,Pilseon JI,Younghoon ROH,Cheolgyu Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Method and wafer processing furnace for forming an epitaxial stack on a plurality of substrates

Номер патента: US20230223255A1. Автор: Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Peter Westrom,Steven Van Aerde,Kelly Houben,Rami KHAZAKA,Caleb Miskin,Omar Elleuch,Wilco Verweij,Frederick Aryeetey. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Cleaning method and film deposition apparatus

Номер патента: US12077855B2. Автор: Akihiro Kuribayashi,Hideomi Hane,Noriaki Fukiage. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Mask frame assembly for thin film deposition

Номер патента: US09780305B2. Автор: Junghoon Kim,Hanyoung Kim,Wooyoung JUNG,Jaemin Hong,Hanul Kwen,Pilseon JI,Younghoon ROH,Cheolgyu Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates having polysilicon and silicon oxide dielectric films

Номер патента: RU2573672C2. Автор: Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН,Южуо ЛИ,Джеа-Джу ЧУ,Вей Лан Уиллиам ЧИУ,Харви Уэйн ПИНДЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-01-27.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US09646837B2. Автор: Masaki Ishikawa,Takeshi Kurose,Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya,Yasuharu Okamoto. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Ionization chamber, ion-implantation apparatus and ion-implantation method

Номер патента: US20180374681A1. Автор: Rui Xie. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Repeller, cathode, chamber wall and slit member for ion implanter and ion generating devices including the same

Номер патента: US20180226218A1. Автор: Kyou Tae Hwang. Владелец: Value Engineering Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US12094685B2. Автор: Taisei Futakuchi. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Low emission cladding and ion implanter

Номер патента: WO2020149955A1. Автор: Frank Sinclair,Julian G. Blake. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-07-23.

Ion implantation tool and ion implantation method

Номер патента: US09679746B2. Автор: Sheng-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US09412561B2. Автор: Hiroyuki Kariya,Takeshi Kurose,Noriyasu Ido. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US11728132B2. Автор: Kazuhisa Ishibashi,Mikio Yamaguchi,Tetsuya Kudo. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US20130196492A1. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya,Toshio Yumiyama,Yasuharu Okamoto. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Methods and apparatus for plasma doping and ion implantation in an integrated processing system

Номер патента: EP1438734A2. Автор: Steven R. Walther. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2004-07-21.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US20180145000A1. Автор: Masaki Ishikawa,Hiroyuki Kariya,Hideki Morikawa. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Ion implantation tool and ion implantation method

Номер патента: US20170125214A1. Автор: Sheng-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Ion implantation method and ion implanter

Номер патента: US11830703B2. Автор: Yoji Kawasaki,Haruka Sasaki. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Ion implantation method and ion implanter

Номер патента: US20200027697A1. Автор: Yoji Kawasaki,Haruka Sasaki. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Ion implantation method and ion implanter

Номер патента: US20240047176A1. Автор: Yoji Kawasaki,Haruka Sasaki. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Ion implantation apparatus, substrate clamping mechanism, and ion implantation method

Номер патента: US20100133449A1. Автор: Hidenori Takahashi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Hydrogen generator for an ion implanter

Номер патента: US20190228943A1. Автор: Tseh-Jen Hsieh,Wendy Colby,Neil K. Colvin,Richard Rzeszut. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Hydrogen generator for an ion implanter

Номер патента: US20210090841A1. Автор: Tseh-Jen Hsieh,Wendy Colby,Neil K. Colvin,Richard Rzeszut. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Hydrogen generator for an ion implanter

Номер патента: WO2019144093A1. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh,Wendy Colby,Richard Rzeszut. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-07-25.

Substrate treating apparatus, ion implantation apparatus, and ion implantation method

Номер патента: US11961695B2. Автор: Doyeon Kim,Hyun Yoon,Ho Jong Hwang. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Adjustable nozzle for plasma deposition and a method of controlling the adjustable nozzle

Номер патента: US09941100B2. Автор: Ding-I Liu,Wen-Long Lee,Wei-Ching Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Delivery device, substrate ion-implanting system and method thereof

Номер патента: US20190385879A1. Автор: Rui Xie. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US09984856B2. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya,Yasuharu Okamoto,Yusuke Ueno. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

High throughput cooled ion implantation system and method

Номер патента: US09607803B2. Автор: Joseph Ferrara,Brian Terry,Armin Huseinovic. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for monitoring ion implantation

Номер патента: US09524852B2. Автор: Hui Tian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Apparatus and method for improved scanning efficiency in an ion implanter

Номер патента: EP1016118A1. Автор: Peter Edwards,Christopher Wright,Peter Kindersley,Richard Cooke,Stephen Chamberlain. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-07-05.

Ion implantation system for implanting workpieces

Номер патента: WO1997030470A1. Автор: Julian G. Blake,Barbara J. Hughey,Zhongmin Yang,Peter H. Rose,Adam A. Brailove,Richard F. McRay. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1997-08-21.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US12014910B2. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

An apparatus for the backside gas cooling of a wafer in a batch ion implantation system

Номер патента: WO2002027754A2. Автор: Dale Keith Stone,Robert John Mitchell,Bryan Christopher Lagos,David James Chipman,Gary Jay Rosen. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-04-04.

Ion implantation system with an interlock function

Номер патента: US7026633B2. Автор: Jin-Soo Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-11.

Method of reducing particle contamination for ion implanters

Номер патента: WO2008085405A1. Автор: Zhang Jincheng,Que Weiguo,Huang Yongzhang. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2008-07-17.

Ion implanting method and apparatus

Номер патента: EP1306879A3. Автор: Koji c/o Nissin Ion Equipment Co. Ltd. Iwasawa,Nobuo c/o Nissin Ion Equipment Co. Ltd. Nagai. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-20.

Multi-step ion implantation

Номер патента: US09828668B2. Автор: Douglas J. Weber,Scott A. Myers,Dale N. Memering. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Film deposition device

Номер патента: US09752229B2. Автор: Satoshi Hirota. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Ion implantation apparatus, ion implantation method, and semiconductor device

Номер патента: US20110248323A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Tetsuya Goto. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2011-10-13.

Plasma assisted damage engineering during ion implantation

Номер патента: US20240153775A1. Автор: Christopher R. HATEM,Edmund G. Seebauer,Michael Noel Kennedy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Graphite member for beam-line internal member of ion implantation apparatus

Номер патента: US8673450B2. Автор: Tetsuro Tojo,Hitoshi Suzuki,Kiyoshi Saito,Fumiaki Yokoyama,Seiji Shinohara,Atsuko Ando. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-18.

Insulator for an ion implantation source

Номер патента: US12020896B2. Автор: Sheng-Chi Lin,Jui-Feng Jao,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Lung-Yin TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Masked ion implantation with fast-slow scan

Номер патента: EP2465146A2. Автор: Atul Gupta,Steven M. Anella,Nicholas P.T. Bateman,Benjamin B. Riordon. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2012-06-20.

Film Deposition Apparatus

Номер патента: US20160348237A1. Автор: Hirokazu Imahara,Yasuhiro Wakamori. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Plasma assisted damage engineering during ion implantation

Номер патента: WO2024097593A1. Автор: Christopher R. HATEM,Edmund G. Seebauer,Michael Noel Kennedy. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-10.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US11201057B2. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-12-14.

Phosphorus or arsenic ion implantation utilizing enhanced source techniques

Номер патента: US20170250084A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Barry Lewis Chambers. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Controlled dose ion implantation

Номер патента: EP1794774A2. Автор: Aditya Agarwal,David Hoglund,Robert Rathmell. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-06-13.

Apparatus and method for calibrating the position of a wafer platform in an ion implanter

Номер патента: US20030209050A1. Автор: Yu-Chun Peng,Lu-Chang Chen,Yi-Yao Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Partial ion implantation apparatus and method using bundled beam

Номер патента: US20080128640A1. Автор: SEUNG Woo Jin,Min Yong Lee,Kyoung Bong Rouh,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-05.

Apparatus and Method for Partial Ion Implantation Using Atom Vibration

Номер патента: US20090267002A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Insulator for an ion implantation source

Номер патента: US20240274405A1. Автор: Sheng-Chi Lin,Jui-Feng Jao,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Lung-Yin TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Boron-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during boron ion implantation

Номер патента: US09570271B2. Автор: Stanley M. Smith,Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Serge M. CAMPEAU. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Boron-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during boron ion implantation

Номер патента: US09548181B2. Автор: Stanley M. Smith,Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Serge M. CAMPEAU. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Water-removing exhaust system for an ion implanter and a method for using the same

Номер патента: US5856676A. Автор: Byeong Ki Rheem,Sang Guen Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-05.

Ion implanter

Номер патента: US20020180366A1. Автор: Won-ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Masked Ion Implant with Fast-Slow Scan

Номер патента: US20110272602A1. Автор: Atul Gupta,Steven M. Anella,Nicholas P.T. Bateman,Benjamin B. Riordon. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Ion implantation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7785994B2. Автор: Hideki Okai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: US20230128366A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: US20220154332A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Controlled dose ion implantation

Номер патента: WO2006031559A2. Автор: Aditya Agarwal,David Hoglund,Robert Rathmell. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-03-23.

Ion implant apparatus and a method of implanting ions

Номер патента: EP2786396A1. Автор: Takao Sakase,Geoffrey Ryding,William Park,Theodore Smick,Joseph Gillespie,Hilton Glavish,Paul Eide,Drew Arnold,Ronald Horner. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2014-10-08.

Method for Preparing a Source Material for Ion Implantation

Номер патента: US20070178651A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Film deposition method

Номер патента: US09920428B2. Автор: Shoichi Miyahara,Hiroshi Chiba,Norikazu Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

High-throughput ion implanter

Номер патента: US09437392B2. Автор: William T. Weaver,Paul Sullivan,Joseph C. Olson,James Buonodono,Charles T. Carlson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Anisotropic surface energy modulation by ion implantation

Номер патента: WO2014022180A1. Автор: Ludovic Godet,Tristan MA,Christopher Hatem. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

Method and apparatus for capturing and removing contaminant particles from an interior region of an ion implanter

Номер патента: CA2191115C. Автор: Robert Becker,Mary Jones,Frank Sinclair,Dale K. Stone,Julian G. Blake,David Chipman,Lyudmila Menn. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2002-02-05.

Method for capturing and removing contaminant particles from an interior region of an ion implanter

Номер патента: US5670217A. Автор: Robert Becker,Mary Jones,Frank Sinclair,Dale K. Stone,Julian G. Blake,David Chipman,Lyudmila Menn. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1997-09-23.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US20230105279A1. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

High throughput cooled ion implantation system and method

Номер патента: WO2017023583A1. Автор: Joseph Ferrara,Brian Terry,Armin Huseinovic. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-02-09.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US20230395361A1. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Plasma Source Ion Implanter with Preparation Chamber for Linear or Cross Transferring Workpiece

Номер патента: US20230092691A1. Автор: Xinxin Ma. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2023-03-23.

Method for reducing cross-contamination in ion implantation

Номер патента: US5880013A. Автор: Ming-Tsung Lee,Chien-Jung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Terminal structure of an ion implanter

Номер патента: US20080073578A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Russell J. Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Terminal structure of an ion implanter

Номер патента: WO2008039745A2. Автор: Russell J. Low,Kasegan D. Tekletsadik. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-04-03.

Ion beam scanning control methods and systems for ion implantation uniformity

Номер патента: US20060145096A1. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Ion beam scanning control methods and systems for ion implantation

Номер патента: EP1836717A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-09-26.

Ion beam scanning methods and system for ion implantation

Номер патента: WO2006074200A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-07-13.

Magnetic masks for an ion implant apparatus

Номер патента: WO2014093562A2. Автор: Robert B. Vopat,Christopher N. GRANT. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-06-19.

Ion implanting apparatus for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20040056214A1. Автор: Sang-Kee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-25.

High Temperature Intermittent Ion Implantation

Номер патента: US20160027646A1. Автор: Chun-Feng Nieh,Hsin-Wei Wu,Hsing-Jui Lee,Tsun-Jen Chan,Yu-Chi Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Ion implantation device

Номер патента: US20150206710A1. Автор: Daisuke Goto,Satoshi Naganawa,Suguru Kenmochi. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

System in which a rotating body is connected to a rotary shaft in an ion implanter

Номер патента: US6762417B2. Автор: Hak-Young Kim,Jin-Hyeung Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-13.

Ion implanter

Номер патента: US5218209A. Автор: Kunihiko Takeyama. Владелец: Nissin High Voltage Co Ltd. Дата публикации: 1993-06-08.

Ion implanter with variable scan frequency

Номер патента: WO2007111991A3. Автор: Joseph C Olson,Morgan Evans. Владелец: Morgan Evans. Дата публикации: 2008-01-24.

High temperature intermittent ion implantation

Номер патента: US10049856B2. Автор: YU Chi-Fu,Chun-Feng Nieh,Hsin-Wei Wu,Hsing-Jui Lee,Tsun-Jen Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

High Temperature Intermittent Ion Implantation

Номер патента: US20160260580A1. Автор: YU Chi-Fu,Chun-Feng Nieh,Hsin-Wei Wu,Hsing-Jui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Insulator system for a terminal structure of an ion implantation system

Номер патента: WO2007126966A3. Автор: Joseph C Olson,D Jeffrey Lischer,Stephen E Krause,Eric D Hermanson,Russell Low,Piortr R Lubicki. Владелец: Piortr R Lubicki. Дата публикации: 2008-03-06.

System and Method for Reducing Particle Formation in a Process Chamber of an Ion Implanter

Номер патента: US20240274404A1. Автор: Bon-Woong Koo,Frank Sinclair,Tseh-Jen Hsieh,Vikram M. Bhosle,Gregory Edward Stratoti. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Ion source for use in an ion implanter

Номер патента: US20060169921A1. Автор: Klaus Becker,Klaus Petry,Werner Baer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Ion source for use in an ion implanter

Номер патента: EP1844487A2. Автор: Klaus Becker,Klaus Petry,Werner Baer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-10-17.

System and method for reducing particle formation in a process chamber of an ion implanter

Номер патента: WO2024167666A1. Автор: Bon-Woong Koo,Frank Sinclair,Tseh-Jen Hsieh,Vikram M. Bhosle,Gregory Edward Stratoti. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US09951415B2. Автор: Satoshi Nakamura,Toru Sato,Kazuhiro Hoshino,Yasuo Murakami,Tomohiro Kumaki,Takashi Takemi. Владелец: Canon Tokki Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Film deposition apparatus, film deposition method, and computer-readable recording medium

Номер патента: US09932674B2. Автор: Hitoshi Kato,Hiroyuki Kikuchi,Katsuyuki Hishiya,Shigehiro Ushikubo,Shigenori Ozaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Grid for plasma ion implant

Номер патента: US09583661B2. Автор: Babak Adibi,Vinay Prabhakar. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Vapor compression refrigeration chuck for ion implanters

Номер патента: US09558980B2. Автор: William D. Lee,Ashwin M. Purohit,Marvin R. LaFontaine. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Film deposition apparatus, film deposition method and storage medium

Номер патента: US09453280B2. Автор: Hitoshi Kato,Katsuyuki Hishiya,Shigehiro Ushikubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Low pressure arc plasma immersion coating vapour deposition and ion treatment

Номер патента: RU2662912C2. Автор: Владимир ГОРОХОВСКИЙ,Вильям ГРАНТ,Дэвид ХЬЮМЕНИК,Эдвард ТЕЙЛОР. Владелец: Вейпор Текнолоджиз Инк.. Дата публикации: 2018-07-31.

Method for continuous production of beam of carborane ions with constant self-cleaning of ion source and component of ion implanter extraction system

Номер патента: RU2522662C2. Автор: Олег Васильевич Алексеенко,Сергей Николаевич Дугин,Элла Лазаревна Гуркова,Павел Аркадьевич Стороженко,Ефим Михайлович Окс,Дмитрий Николаевич Селезнев,Геннадий Николаевич Кропачев,Тимур Вячеславович Кулевой,Ростислав Петрович Куйбида,Гершкович Ади,Василий Иванович Гушенец. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики" (ФГБУ "ГНЦ РФ ИТЭФ"). Дата публикации: 2014-07-20.

Ion implantation system and control method

Номер патента: US20040104682A1. Автор: Thomas Horsky,Wade Krull,Brian Cohen,George Sacco Jr.. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Thin film deposition system

Номер патента: US5427668A. Автор: Tatsuya Sato,Mikio Kinoshita,Wasaburo Ohta. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-27.

Ion-implantation system using split ion beams

Номер патента: US5767522A. Автор: Shuichi Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Ion implantation device

Номер патента: US5608223A. Автор: Suguru Hirokawa,Frank Sinclair. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

Ion implantation and surface processing method and apparatus

Номер патента: US5212425A. Автор: Jesse N. Matossian,Dan M. Goebel. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1993-05-18.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US11749501B2. Автор: Jian Wang,Takashi Sakamoto,Shinsuke Inoue,Yuta Iwanami,Weijiang Zhao. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Insulator for an ion implantation source

Номер патента: EP3945542A1. Автор: Sheng-Chi Lin,Jui-Feng Jao,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Lung-Yin TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: WO2022109516A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2022-05-27.

Ion Implanter, Internal Structure of Ion Implanter and Method of Forming A Coating Layer in the Ion Implanter

Номер патента: US20100327191A1. Автор: Kyung-Ic Jang,Kyung-Hwan Ye,Sam-Woong Kim,Yong-Sup Reim. Владелец: Komico Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

An apparatus for the backside gas cooling of a wafer in a batch ion implantation system

Номер патента: EP1320866A2. Автор: Dale Keith Stone,Robert John Mitchell,Bryan Christopher Lagos,David James Chipman,Gary Jay Rosen. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-06-25.

Plasma film deposition device

Номер патента: US20130160710A1. Автор: shao-kai Pei. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US20160194757A1. Автор: Shoichi Miyahara,Hiroshi Chiba,Norikazu Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US9567674B2. Автор: Shoichi Miyahara,Hiroshi Chiba,Norikazu Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Plasma-enhanced film deposition

Номер патента: EP1579027A1. Автор: Klaus Hartig. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2005-09-28.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US20200118822A1. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

System and method for delivering cooling gas from atmospheric pressure to a high vacuum through a rotating seal in a batch ion implanter

Номер патента: WO2002027753A3. Автор: Robert John Mitchell. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US11875995B2. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

System and method for detecting abnormality of thin-film deposition process

Номер патента: US11965237B2. Автор: Yen-Yu Chen,Wen-hao Cheng,Hsuan-Chih Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: EP4247507A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Ion implanter, internal structure of ion implanter and method of forming a coating layer in the ion implanter

Номер патента: WO2009008626A2. Автор: Kyung-Ic Jang,Kyung-Hwan Ye,Sam-Woong Kim,Yong-Sup Reim. Владелец: KoMiCo LTD.. Дата публикации: 2009-01-15.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US20220068648A1. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

System and method for delivering cooling gas from atmospheric pressure to a high vacuum through a rotating seal in a batch ion implanter

Номер патента: WO2002027753A2. Автор: Robert John Mitchell. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-04-04.

Ion beam scanning systems and methods for improved ion implantation uniformity

Номер патента: EP1766654A1. Автор: Kevin Wenzel,Bo Vanderberg,Andrew Ray. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-03-28.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: EP1964149A2. Автор: Brian Freer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-09-03.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: WO2007075970A2. Автор: Brian Freer. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2007-07-05.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: WO2007075970A3. Автор: Brian Freer. Владелец: Brian Freer. Дата публикации: 2007-10-04.

Pumping system for reducing the effects of wafer outgasing on beam purity in an ion implanter

Номер патента: WO2001051296A1. Автор: John W. Vanderpot,Donald W. Berrian,John D. Pollock. Владелец: Proteros, Llc. Дата публикации: 2001-07-19.

Method and apparatus for supplying ion beam in ion implantation process

Номер патента: US20170243719A1. Автор: Tai-Kun Kao,Tsung-Min Lin,Jen-Chung Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

System and method for cooling workpieces processed by an ion implantation system

Номер патента: WO1997030471A1. Автор: Julian G. Blake,Zhongmin Yang,Kenneth H. Purser,Peter H. Rose,Adam A. Brailove. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1997-08-21.

Power supply for an ion implantation system

Номер патента: WO2008086066A3. Автор: Eric Hermanson,Russell J Low,Stephen E Krause,Piotr R Lubicki. Владелец: Piotr R Lubicki. Дата публикации: 2008-12-18.

Power supply for an ion implantation system

Номер патента: WO2008086066A2. Автор: Russell J. Low,Piotr R. Lubicki,Eric Hermanson,Stephen E. Krause. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-07-17.

Process for making wafers for ion implantation monitoring

Номер патента: US20030008421A1. Автор: Larry Shive. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

Method and apparatus for supplying ion beam in ion implantation process

Номер патента: US09741537B1. Автор: Tai-Kun Kao,Tsung-Min Lin,Jen-Chung Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Ion implantation machine presenting increased productivity

Номер патента: US09524853B2. Автор: Frank Torregrosa,Laurent Roux. Владелец: Ion Beam Services SA. Дата публикации: 2016-12-20.

Device for plasma-immersion ion implantation at low pressure

Номер патента: RU2615161C2. Автор: Франк ТОРРЕГРОСА,Лорен РУ. Владелец: Ион Бим Сервисез. Дата публикации: 2017-04-04.

Ion implantation with variable implant angle

Номер патента: US4745287A. Автор: Norman L. Turner. Владелец: Ionex HEI Corp. Дата публикации: 1988-05-17.

Ion-implanter having variable ion beam angle control

Номер патента: US5696382A. Автор: Chang-Heon Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-12-09.

Combined ion implantation and kinetic transport deposition process

Номер патента: GB1466786A. Автор: . Владелец: California Linear Circuits Inc. Дата публикации: 1977-03-09.

Method for preparing a source material including forming a paste for ion implantation

Номер патента: US7494905B2. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-02-24.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US4831270A. Автор: Wesley Weisenberger. Владелец: Ion Implant Services. Дата публикации: 1989-05-16.

Ion implanter

Номер патента: US4274004A. Автор: Norio Kanai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-06-16.

Monitoring plasma ion implantation systems for fault detection and process control

Номер патента: US7878145B2. Автор: Ludovic Godet,Ziwei Fang,Daniel Distaso,Jay T. Scheuer,Sung-Cheon Ko,Edmund J. Winder,Bon Woong Koo. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-02-01.

Apparatus for plasma jet treatment of substrates

Номер патента: US6105534A. Автор: Oleg Siniaguine,Iskander Tokmouline. Владелец: Ipec Precision Inc. Дата публикации: 2000-08-22.

Method and apparatus for enhanced lifetime and performance of ion source in an ion implantation system

Номер патента: MY166024A. Автор: Robert Kaim,Joseph D Sweeney,Anthony M Avila,Richard S Ray. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2018-05-21.

Fluorine ion implantation system with non-tungsten materials and methods of using

Номер патента: WO2020123901A1. Автор: Ying Tang,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph Robert DESPRES. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2020-06-18.

Ion implanter

Номер патента: US5729027A. Автор: Tetsunori Kaji,Takayoshi Seki,Katsumi Tokiguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-03-17.

Low contamination, low energy beamline architecture for high current ion implantation

Номер патента: WO2009131714A2. Автор: Y Huang. Владелец: Axcelis Technologies, Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Calibration hardware for ion implanter

Номер патента: US20240063045A1. Автор: Tsung-Min Lin,Lung-Yin TANG,Hsin-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Germanium tetraflouride and hydrogen mixtures for an ion implantation system

Номер патента: US11827973B2. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Ion implantation method

Номер патента: US8921240B2. Автор: Yasunori Kawamura,Kyoko Kawakami,Yoshiki Nakashima. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Method of ion implantation and an apparatus for the same

Номер патента: US20200152411A1. Автор: Yi Tang,Weiyimin Dong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of ion implantation and an apparatus for the same

Номер патента: US11017979B2. Автор: Yi Tang,Weiyimin Dong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Sapphire property modification through ion implantation

Номер патента: US20140248472A1. Автор: Christopher D. Prest,Douglas Weber,Dale N. Memering. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Gas mixture as co-gas for ion implant

Номер патента: WO2024030209A1. Автор: Ying Tang,Joseph D. Sweeney,Joseph R. Despres,Edward E. Jones. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-08.

Germanium tetraflouride and hydrogen mixtures for an ion implantation system

Номер патента: US20210189550A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres,Joseph Sweeney. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Gas mixture as co-gas for ion implant

Номер патента: US20240043988A1. Автор: Ying Tang,Joseph D. Sweeney,Joseph R. Despres,Edward E. Jones. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Plasma generation for ion implanter

Номер патента: US20180174807A1. Автор: Tsung-Min Lin,Hong-Hsing Chou,Fang-Chi Chien,Chao-Li Shih,Ming-Hsing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US20130295753A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Techniques for low temperature ion implantation

Номер патента: WO2008067213A2. Автор: Richard S. Muka,D. Jeffrey Lischer,Jonathan Gerald England. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-06-05.

Charge exchanger, ion implantation system comprising the charge exchanger, and method of controlling the rate at which the polarity of ions is changed

Номер патента: US6462347B1. Автор: Sang-kuen Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-08.

Ion implantation method and device

Номер патента: US11862429B2. Автор: Cheng-En Lee,Yi-Hsiung Lin,Hsuan-Pang LIU,Yao-Jen Yeh,Chia-Lin OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US20060076512A1. Автор: Yoshihiro Sohtome. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-13.

Ion Implantation Method, Ion Implantation Apparatus and Semiconductor Device

Номер патента: US20190066977A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Peter Zupan,Michael Brugger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Germanium tetraflouride and hydrogen mixtures for an ion implantation system

Номер патента: EP3794158A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph Robert DESPRES. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

High-throughput ion implanter

Номер патента: WO2013067317A1. Автор: William T. Weaver,Paul Sullivan,Joseph C. Olson,James Buonodono,Charles T. Carlson. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2013-05-10.

Ion implantation system and method for implanting aluminum using non-fluorine-containing halide species or molecules

Номер патента: WO2024026142A1. Автор: Edward Moore,Atul Gupta,Neil Colvin,Udo Verkerk,David Sporleder. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-02-01.

Ion implanter toxic gas delivery system

Номер патента: US20210313144A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Ion Implantation Device

Номер патента: US20080054192A1. Автор: Masayuki Sekiguchi,Seiji Ogata,Tsutomu Nishihashi,Yuzo Sakurada. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Graphite Member for Beam-Line Internal Member of Ion Implantation Apparatus

Номер патента: US20090181527A1. Автор: Tetsuro Tojo,Hitoshi Suzuki,Kiyoshi Saito,Fumiaki Yokoyama,Seiji Shinohara,Atsuko Ando. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Ion implantation method

Номер патента: US20120244724A1. Автор: Yasunori Kawamura,Kyoko Kawakami,Yoshiki Nakashima. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Sapphire property modification through ion implantation

Номер патента: EP2772565A3. Автор: Douglas J. Weber,Christopher D. Prest,Dale N. Memering. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-12-10.

Architecture for ribbon ion beam ion implanter system

Номер патента: WO2007089468A3. Автор: Kourosh Saadatmand,Peter L Kellerman. Владелец: Peter L Kellerman. Дата публикации: 2007-10-04.

Architecture for ribbon ion beam ion implanter system

Номер патента: WO2007089468A2. Автор: Peter L. Kellerman,Kourosh Saadatmand. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2007-08-09.

Ion implanting method

Номер патента: US20180151369A1. Автор: Chia-Cheng Liu,Ming-Hui LI,Ming-Ying Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Techniques for low-temperature ion implantation

Номер патента: US20090140166A1. Автор: Richard S. Muka. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US20150270103A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US9805913B2. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Ion implanter with variable scan frequency

Номер патента: WO2007111991A2. Автор: Joseph C. Olson,Morgan Evans. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2007-10-04.

Ion beam scanning methods and system for ion implantation

Номер патента: WO2006074200A3. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Peter Kellerman. Дата публикации: 2007-11-08.

A masking apparatus for an ion implanter

Номер патента: WO2010144273A2. Автор: William T. Weaver,Charles Carlson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-12-16.

Wafer bonding activated by ion implantation

Номер патента: WO2009039264A2. Автор: Paul Sullivan,Yuri Erokhin,Steven R. Walther,Peter Nunan. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-26.

Ion implanting apparatus for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US6737657B2. Автор: Sang-Kee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-18.

Thin-Film Deposition System

Номер патента: US20090090619A1. Автор: Toru Takashima,Yoshikazu Homma. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

Plasma generation source including belt-type magnet and thin film deposition system using this

Номер патента: US09589772B2. Автор: Suk Jae Yoo,Seong Bong Kim. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2017-03-07.

Method and apparatus for multi-film deposition and etching in a batch processing system

Номер патента: US09831099B2. Автор: David L. O'Meara,Anthony Dip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods of masking and etching a semiconductor substrate, and ion implant lithography methods of processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20030096195A1. Автор: J. Rolfson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method for integrated nucleation and bulk film deposition

Номер патента: US20030096499A1. Автор: Guy Eristoff,Sarion Lee,Liew Leong,Goh Meng. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Ion implantation methods and structures thereof

Номер патента: US09865515B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming PN junctions including a post-ion implant dynamic surface anneal process with minimum interface trap density at the gate insulator-silicon interface

Номер патента: US7659187B2. Автор: Vijay Parihar,Philip Allan Kraus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Fuse element resistance enhancement by laser anneal and ion implantation

Номер патента: US20200286827A1. Автор: Yi Song,Chih-Chao Yang,Michael RIZZOLO,Juntao Li,Liying Jiang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Efficient chemistry for selective modification and metallization of substrates

Номер патента: US5648201A. Автор: Jeffrey M. Calvert,Timothy S. Koloski,Walter J. Dressick,Brian M. Peek,Charles S. Dulcey. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1997-07-15.

Substrate holder which is self-adjusting for substrate deformation

Номер патента: US20050199825A1. Автор: Stephen Moffatt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-09-15.

Process for manufacturing localized ion implants in silicon-carbide power electronic devices

Номер патента: US20240297044A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Gabriele BELLOCCHI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Ion implantation method in semiconductor device

Номер патента: US20050176224A1. Автор: JUNG Myung Jin,Kim Dae Kyeun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

Process for manufacturing localized ion implants in silicon-carbide power electronic devices

Номер патента: EP4425533A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Gabriele BELLOCCHI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for ion implantation in a semiconductor wafer

Номер патента: US20230128033A1. Автор: Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA,Julien BORREL,Paul Dumas,Fanny HILARIO,Ludovic BERTHIER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of controlling metal formation processes using ion implantation, and system for performing same

Номер патента: US20040023489A1. Автор: Dinesh Chopra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: WO2010085293A1. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-07-29.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: US20100190324A1. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: WO2010085293A8. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-12-29.

SAG nanowire growth with ion implantation

Номер патента: AU2021280815A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: EP4158680A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-04-05.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: WO2021242345A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods of etching intermediate silicon germanium layers using ion implantation to promote selectivity

Номер патента: US7037768B2. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun,Dong-gun Park,Chang-Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-02.

Synthesizing graphene from metal-carbon solutions using ion implantation

Номер патента: US8461028B2. Автор: RODNEY S. Ruoff,Luigi Colombo,Robert M. Wallace. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2013-06-11.

Selective sti stress relaxation through ion implantation

Номер патента: SG144067A1. Автор: Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Ong Shiang Yang,Sohn Dong Kyun,Elgin Quek,Vincent Leong. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-29.

Methods of Forming an Anode and a Cathode of a Substrate Diode by Performing Angled Ion Implantation Processes

Номер патента: US20130049164A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Methods of etching intermediate silicon germanium layers using ion implantation to promote selectivity

Номер патента: US20050003628A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun,Dong-gun Park,Chang-Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Synthesizing graphene from metal-carbon solutions using ion implantation

Номер патента: US20130026444A1. Автор: RODNEY S. Ruoff,Luigi Colombo,Robert M. Wallace. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2013-01-31.

SAG nanowire growth with ion implantation

Номер патента: US12119224B2. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Ion implantation for improved contact hole critical dimension uniformity

Номер патента: US09735013B2. Автор: John Hautala,Tristan Y. Ma,Maureen K. Petterson,Boya Cui. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods for fabricating resistive memory device switching material using ion implantation

Номер патента: US09583701B1. Автор: Steven Patrick MAXWELL,Natividad VASQUEZ, JR.,Harry Yue Gee,Mark Harold CLARK. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Ion accelaration method and apparatus in an ion implantation system

Номер патента: WO2002054443A2. Автор: David D. Swenson,Kourosh Saadatmand,William Frank Divergilio. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-07-11.

Film deposition method and element including film deposited by the film deposition method

Номер патента: US20230022023A1. Автор: Sangwon Kim,Keunwook SHIN,Changseok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-26.

Method and apparatus for improved ion acceleration in an ion implantation system

Номер патента: EP1348226A2. Автор: David D. Swenson,Kourosh Saadatmand,William Frank Divergilio. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-01.

Method of reducing oxidation of metal structures using ion implantation, and device formed by such method

Номер патента: US20040043605A1. Автор: Dinesh Chopra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Ion implantation methods

Номер патента: US09666436B2. Автор: Yoshihiro Yamamoto,Cheng-Bai Xu,Cheng Han Wu,Dong Won Chung. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Stop layer through ion implantation for etch stop

Номер патента: US09627263B1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin,Siva Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of etching a crystalline semiconductor material by ion implantation and then chemical etching based on hydrogen chloride

Номер патента: US09570340B2. Автор: Romain Wacquez,Laurent Grenouillet,Maud Vinet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-02-14.

Ion implantation for improved etch performance

Номер патента: US09520290B1. Автор: Tristan Y. Ma,Maureen K. Petterson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method and apparatus for cooling wafer in ion implantation process

Номер патента: US09437433B2. Автор: Ming-Te Chen,Kuo-Yuan Ho,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Control over dislocations and strains in mask-free processes with help of substrate patterning and methods for fabrication of devices

Номер патента: RU2570220C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ханс ФОН,Леонида МИЛЬО. Владелец: Пайлгроут Тек С.р.л.. Дата публикации: 2015-12-10.

Ion implantation methods and structures thereof

Номер патента: US20160351458A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Ion implantation methods and structures thereof

Номер патента: US20160093714A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-31.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: WO2010019495A1. Автор: Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley,Michael Chudzik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-02-18.

Ion implantation assisted curing for flowable porous dielectrics

Номер патента: US20200388531A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Benjamin D. Briggs,Matthew T. Shoudy,Devika Sil,Yasir Sulehria,Danielle Durrant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Silicon carbide-based lateral PN junction extreme ultraviolet detector based on selective-area ion implantation, and preparation method thereof

Номер патента: US12080821B2. Автор: Dong Zhou,Hai Lu,Weizong Xu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US7183183B2. Автор: David C. Wang,Robert J. Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-02-27.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US20050087516A1. Автор: David Wang,Robert Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Qubits with ion implant josephson junctions

Номер патента: US20220181536A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Jeffrey W. Sleight,Robert L. Sandstrom,Ryan T. Gordon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Bpsg film deposition with undoped capping

Номер патента: WO2009126478A1. Автор: Yuri Sokolov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2009-10-15.

Method for producing a waterproof and ion-conducting flexible membrane

Номер патента: US09972817B2. Автор: Gwenaelle Toussaint,Philippe Stevens,Clement Sanchez,Gilles Lancel,Christel Laberty-Robert,Damien Bregiroux. Владелец: Electricite de France SA. Дата публикации: 2018-05-15.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: US09564505B2. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Ion-implantation process for forming ic wafer with buried-zener diode and ic structure made with such process

Номер патента: CA1223086A. Автор: Richard S. Payne,Steven M. Hemmah. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1987-06-16.

High-Temperature Ion Implantation Apparatus and Methods of Fabricating Semiconductor Devices Using High-Temperature Ion Implantation

Номер патента: EP1860683A3. Автор: Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-06-08.

Uniform dielectric film deposition on textured surfaces

Номер патента: US5801104A. Автор: Pierre C. Fazan,Klaus F. Schuegraf. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-01.

Method of deposting uniform dielectric film deposition on textured surfaces

Номер патента: US6008086A. Автор: Pierre C. Fazan,Klaus F. Schuegraf. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Method of forming self-aligned top gate channel barrier region in ion-implanted JFET

Номер патента: US5120669A. Автор: Gregory A. Schrantz. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1992-06-09.

Pulsed plasma for film deposition

Номер патента: US20160276150A1. Автор: Jun Xue,Qiwei Liang,Ludovic Godet,Michael W. Stowell,Srinivas Nemani,Douglas A. Buchberger. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Ion implantation method, method of producing solid-state imaging device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20100065938A1. Автор: Keiji Mabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Ion implantation for improved contact hole critical dimension uniformity

Номер патента: US20170178911A1. Автор: John Hautala,Tristan Y. Ma,Maureen K. Petterson,Boya Cui. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of Improving Memory Cell Device by Ion Implantation

Номер патента: US20120329220A1. Автор: Ralf van Bentum,Nihar-Ranjan Mohapatra. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Asymmetric gate spacer formation using multiple ion implants

Номер патента: US20200388541A1. Автор: Andrew M. Waite. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: US20230005743A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: US20210375624A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: SG172763A1. Автор: Peter I Porshnev,Martin A Hilkene,Majeed A Foad,Kartik Santhanam,Yen B Ta. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-08-29.

Ion implant method for topographic feature corner rounding

Номер патента: US20040005764A1. Автор: Hsueh-Li Sun,Jie-Shing Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Method of ion implantation

Номер патента: US20020109105A1. Автор: Michael Huang,Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG124357A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-08-30.

Method and device for the heat treatment of substrates

Номер патента: EP1258909A3. Автор: Jan Zinger,Arjen Storm,Vladimir Ivanovich Kuznetsov,Ronald Bast. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2006-04-12.

Ion implantation to increase mosfet threshold voltage

Номер патента: US20230178373A1. Автор: Wei Zou,Qintao Zhang,Samphy Hong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Apparatus and method for the thermal treatment of substrates

Номер патента: EP2652778A1. Автор: Oliver Pursche,Peter Volk. Владелец: CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG. Дата публикации: 2013-10-23.

Controlled-impedance out-of-substrate package structures employing electrical devices, and related assemblies, components, and methods

Номер патента: WO2013181336A2. Автор: Gary Richard Trott,Jeevan Kumar VEMAGIRI,IV Thomas Edmond FLAHERTY. Владелец: Corning Cable Systems LLC. Дата публикации: 2013-12-05.

Buried channel strained silicon FET using a supply layer created through ion implantation

Номер патента: US20020030203A1. Автор: Eugene Fitzgerald. Владелец: Amber Wave Systems Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Bonding of substrates including metal-dielectric patterns with metal raised above dielectric and structures so formed

Номер патента: US20140097543A1. Автор: David L. Rath,Kuan-Neng Chen,Sampath Purushothaman,Anna W. Topol,Bruce K. Furman,Cornelia K. Tsang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of implantation for fragilization of substrates

Номер патента: US09425081B2. Автор: Nadia Ben Mohamed,Carole David,Camille Rigal. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-08-23.

Development of high etch selective hardmask material by ion implantation into amorphous carbon films

Номер патента: US09412613B2. Автор: Jun Xue,Srinivas D. Nemani,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh,Yongmei Chen,Mukund Srinivasan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation

Номер патента: US6027988A. Автор: Nathan W. Cheung,Chenming Hu,Xiang Lu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-02-22.

METHOD FOR MANUFACTURING AN INSULATED INSULATED LAYER IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, BY ION IMPLANTATION

Номер патента: FR2563377A1. Автор: Michel Bruel,Jean Du Port De Poncharra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1985-10-25.

Method of making Schottky barrier diode by ion implantation and impurity diffusion

Номер патента: US4260431A. Автор: Leo R. Piotrowski. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1981-04-07.

Ion implanted resistor and method

Номер патента: US3829890A. Автор: D Perloff,J Kerr,J Marley. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1974-08-13.

Methods of fabricating non-volatile memory devices using inclined ion implantation

Номер патента: US20100317169A1. Автор: Keon-Soo Kim,Se-Jun Park,Min-Chul Kim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Ion-implantation method in solid materials for implanting impurities

Номер патента: US5096841A. Автор: Atsushi Miura,Akitsu Shimoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-03-17.

Solar cell emitter region fabrication using substrate-level ion implantation

Номер патента: US11942565B2. Автор: Staffan Westerberg,Timothy Weidman,David D. Smith. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Ion implantation with annealing for substrate cutting

Номер патента: US11855040B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Jyh-Cherng Sheu,Chen-Fong Tsai,Yun Chen Teng,Han-De Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of making semiconductor device using oblique ion implantation

Номер патента: US5933716A. Автор: Shingo Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Ion implantation with annealing for substrate cutting

Номер патента: US20240120314A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Jyh-Cherng Sheu,Chen-Fong Tsai,Yun Chen Teng,Han-De Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation

Номер патента: US20200258742A1. Автор: Alexander Suvorov,Robert Leonard,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation

Номер патента: US20210066081A1. Автор: Alexander Suvorov,Robert Leonard,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

High temperature ion implantation of nitride based HEMTS

Номер патента: EP2690653A3. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-03-05.

Drive current enhancement in tri-gate mosfets by introduction of compressive metal gate stress using ion implantation

Номер патента: EP2517230A1. Автор: Ashutosh Ashutosh,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Jack Hwang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Method for minimizing defects in a semiconductor substrate due to ion implantation

Номер патента: WO2012044361A1. Автор: Toshifumi Mori,Ken-ichi Okabe,Toshiki Miyake,Pushkar Ranade. Владелец: SUVOLTA, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

Box coating apparatus for vacuum coating of substrates, in particular spectacle lenses, and heating device for it

Номер патента: US20180245210A1. Автор: Franco MORENI,Antonio COREA,Giuseppe Di Paola,Tiziano Deodato. Владелец: Satisloh AG. Дата публикации: 2018-08-30.

Plasma immersion ion implantation process with reduced polysilicon gate loss and reduced particle deposition

Номер патента: US20090215250A1. Автор: Majeed A. Foad,Manoj Vellaikal,Peter I. Porshnev,Kartik Santhanam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Substrate processing apparatus, transfer method of substrate support, recording medium, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240249963A1. Автор: Naofumi Ohashi,Yukinori Aburatani. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Plasma immersion ion implantation process with reduced polysilicon gate loss and reduced particle deposition

Номер патента: WO2009105151A1. Автор: Majeed A. Foad,Manoj Vellaikal,Peter I. Porshnev,Kartik Santhanam. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-08-27.

Spacer formation in a solar cell using oxygen ion implantation

Номер патента: US20180358490A1. Автор: David D. Smith,Seung Rim. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Method to make integrated device using oxygen ion implantation

Номер патента: US20140306304A1. Автор: Yimin Guo. Владелец: T3memory Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device manufacturing method using metal silicide reaction after ion implantation in silicon wiring

Номер патента: US20020098683A1. Автор: Tamihide Yasumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

Bonding of substrates including metal-dielectric patterns with metal raised above dielectric and structures so formed

Номер патента: US20130307139A1. Автор: David L. Rath,Kuan-Neng Chen,Sampath Purushothaman,Anna W. Topol,Bruce K. Furman,Cornelia K. Tsang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Methods and apparatus for correcting substrate deformity

Номер патента: US09818624B2. Автор: Eng Sheng Peh,Sriskantharajah Thirunavukarasu,Jun-Liang Su,Tuck Foong Koh,Jen Sern Lew,Karthik Elumalai. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Solar cell emitter region fabrication using ion implantation

Номер патента: US09577126B2. Автор: Staffan Westerberg,Timothy Weidman,David D. Smith. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Apparatus and method for improved control of heating and cooling of substrates

Номер патента: US09552989B2. Автор: Joseph M. Ranish,Norman L. Tam,Blake R. Koelmel. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Asymmetric cyclic deposition and etch process for epitaxial formation mechanisms of source and drain regions

Номер патента: US09502298B2. Автор: Tsan-Yao Chen,Chun Hsiung Tsai,Jian-An Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of substrate surface machining and device to this end

Номер патента: RU2553864C2. Автор: Клаус КАЛЬВАР. Владелец: Клаус КАЛЬВАР. Дата публикации: 2015-06-20.

Semiconductor device manufactured by using conductive ion implantation mask

Номер патента: US5075240A. Автор: Masatoshi Yasunaga,Katsuyoshi Mitsui,Yomiyuki Yama,Ikuo Ogoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-12-24.

Ion implantation mask and method for manufacturing same, silicon carbide semiconductor device using ion implantation mask, and method for manufacturing same

Номер патента: US20070032002A1. Автор: Yusuke Fukuda,Masaaki Shimizu,Koichi Nishikawa,Hideki Hashimoto,Seiichi Yokoyama,Ken-ichi Nonaka,Hiroaki Iwakuro. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Use of alkylphosphines and alkylarsines in ion implantation

Номер патента: CA1320105C. Автор: Jack Edward Ward. Владелец: American Cyanamid Co. Дата публикации: 1993-07-13.

SOI structure with a deep thin oxide layer prepared by ION implantation at high energy followed by thermal treatment

Номер патента: US5707899A. Автор: Laura Meda,Gianfranco Cerofolini. Владелец: Istituto Guido Donegani SpA. Дата публикации: 1998-01-13.

Ion implantation masking method and devices

Номер патента: US5138406A. Автор: Joseph A. Calviello. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1992-08-11.

Method of forming an integrated circuit region through the combination of ion implantation and diffusion steps

Номер патента: CA1082373A. Автор: Joseph Regh,Conrad A. Barile,Robert M. Brill,John L. Forneris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Ion implantation and annealing of compound semiconductor layers

Номер патента: CA1332697C. Автор: Jagdish Narayan,John C. C. Fan,Jhang Woo Lee. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Nitrogen ion implanted amorphous silicon to produce oxidation resistant and finer grain polysilicon based floating gates

Номер патента: US6114230A. Автор: David Chi,Yuesong He,Kent Kuohua Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Method for manufacturing ion implanted insulated gate field effect semiconductor transistor devices

Номер патента: US3852120A. Автор: W Johnson,S Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-12-03.

Ion implant mask and cap for gallium arsenide structures

Номер патента: US4494997A. Автор: Zachary J. Lemnios,He B. Kim. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1985-01-22.

Manufacturing semiconductor devices using angled ion implantation process

Номер патента: GB2284709A. Автор: Toshihiko Ichikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-06-14.

Bipolar transistor fabrication process with an ion implanted emitter

Номер патента: CA1139015A. Автор: James S. Makris,Raj K. Raheja,George R. Goth,Arunachala Nagarajan,Conrad A. Barile. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-01-04.

Method of manufacturing semiconductor devices in which oxide regions are formed by an oxidation mask disposed directly on a substrate damaged by ion implantation

Номер патента: CA1088217A. Автор: Billy L. Crowder,William R. Hunter,Douglas W. Ormond, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-21.

Method of manufacturing schottky gate field transistor by ion implantation method

Номер патента: US4889817A. Автор: Hiroshi Nakamura,Tadashi Saito,Masanori Tsunotani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1989-12-26.

Method for forming memory device involving ion implantation of the control gate spacer and wet etching process to expose sidewall of control gate

Номер патента: US10896911B2. Автор: Cheng-Ta Yang,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

Method of manufacturing photoelectric conversion apparatus using ion implantation

Номер патента: US20190067364A1. Автор: Masashi Kusukawa,Takehito Okabe,Nobuaki Kakinuma,Toshihiro Shoyama,Mitsuhiro Yomori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Led mesa sidewall isolation by ion implantation

Номер патента: US20120238046A1. Автор: Atul Gupta,San Yu. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of forming multiple gate oxide layers with different thicknesses in one ion implantation process

Номер патента: US20020127806A1. Автор: Wei-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

High temperature ion implantation of nitride based HEMTS

Номер патента: EP2261959A3. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-04-27.

Process for fabricating non-volatile memory by tilt-angle ion implantation

Номер патента: US20060019441A1. Автор: Erik Jeng,Wu-Ching Chou,Chien-Chen Li,Li-Kang Wu. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2006-01-26.

Method of Reducing Floating Body Effect of SOI MOS Device Via a Large Tilt Ion Implantation

Номер патента: US20120021571A1. Автор: Xi Wang,Jing Chen,Xiaolu Huang,Jiexin Luo,Qingqing Wu. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-01-26.

Ion implantation process

Номер патента: WO1999030358A3. Автор: Carl Glasse,Martin John Powell,Barry Forester Martin. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-08-26.

Ion implantation process

Номер патента: WO1999030358A2. Автор: Carl Glasse,Martin John Powell,Barry Forester Martin. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-06-17.

Method for eliminating polysilicon residue by tilted ion implantation with oxygen

Номер патента: US20030143789A1. Автор: Chun-Lien Su,Ming-Shang Chen,Chun-Chi Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Novel silicon carbide-based lateral pn junction extreme ultraviolet detector based on selective-area ion implantation, and preparation method thereof

Номер патента: US20240204126A1. Автор: Dong Zhou,Hai Lu,Weizong Xu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and system for bringing in/out of substrate, and photosensitive laminate manufacturing apparatus

Номер патента: WO2007145265A1. Автор: Ryo Mori,Ryoichi Sugihara. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2007-12-21.

Substrate supports and transfer apparatus for substrate deformation

Номер патента: WO2024136950A1. Автор: Xinning Luan,Zhepeng Cong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Substrate supports and transfer apparatus for substrate deformation

Номер патента: US20240213078A1. Автор: Xinning Luan,Zhepeng Cong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Interface interconnect structure for efficient heat dissipation of power electronic device and preparation method therefor

Номер патента: US20240145336A1. Автор: LIN ZHU,Jing Ren,Feifei Huang,Mingliang Huang. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for efficiently removing fluorine from spent lithium battery

Номер патента: GB2626685A. Автор: Cai Yong,LI Changdong,RUAN Dingshan,Chen Ruokui,Qiao Yanchao,OUYANG Shibao. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Interface interconnect structure for efficient heat dissipation of power electronic device and preparation method therefor

Номер патента: US12068220B2. Автор: LIN ZHU,Jing Ren,Feifei Huang,Mingliang Huang. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-08-20.

Electron confinement inside magnet of ion implanter

Номер патента: WO2006060231A3. Автор: . Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2006-07-27.

Ion implantation apparatus and ion implanting method

Номер патента: US20070152173A1. Автор: Hiroshi Hashimoto,Takeshi Shibata,Tadahiko Hirakawa,Kazuhiko Tonari. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Low emission cladding and ion implanter

Номер патента: US20200234917A1. Автор: Julian G. Blake. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Collimator magnet for ion implantation system

Номер патента: US20100140494A1. Автор: Dan Nicolaescu. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Collimator magnet for ion implantation system

Номер патента: WO2010064099A1. Автор: Dan Nicolaescu. Владелец: NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD.. Дата публикации: 2010-06-10.

Electrode for use in ion implantation apparatus and ion implantation apparatus

Номер патента: US09627170B2. Автор: BO Yang,Jingyi Xu,Zhiqiang Wang,Feng Kang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for transmitting a broadband ion beam and ion implanter

Номер патента: US20150069261A1. Автор: Libo Peng,Huiyue Long,Junyu Xie. Владелец: Beijing Zhongkexin Electronic Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Method of Measuring Vertical Beam Profile in an Ion Implantation System Having a Vertical Beam Angle Device

Номер патента: US20160189927A1. Автор: Shu Satoh. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of measuring vertical beam profile in an ion implantation system having a vertical beam angle device

Номер патента: US09711328B2. Автор: Shu Satoh. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method substance ion implantation

Номер патента: RU2666766C1. Автор: Денис Олегович Сивин,Александр Ильич Рябчиков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2018-09-12.

Ion Implanting Apparatus and Ion Implanting Method

Номер патента: CA2129403A1. Автор: Hiroyuki Hashimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-02-06.

Ion implanting apparatus and ion implanting method

Номер патента: CA2129403C. Автор: Hiroyuki Hashimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US20230260741A1. Автор: Tetsuya Kudo,Akihiro Ochi,Shinji Ebisu. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US20190074158A1. Автор: Takayuki Ito,Tsuyoshi Fujii,Yasunori OSHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Ion implantation method and apparatus

Номер патента: US4881010A. Автор: Neil R. Jetter. Владелец: Harris Semiconductor Patents Inc. Дата публикации: 1989-11-14.

Weakening focusing effect of acceleration-decelaration column of ion implanter

Номер патента: WO2006068754A1. Автор: Donald Anderson,Joseph C. Olson,Shengwu Chang,Daniel McGillicuddy. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-06-29.

Polarity exchanger and ion implanter having the same

Номер патента: US20040113100A1. Автор: Kyue-sang Choi,Hyung-sik Hong,Gyeong-Su Keum,Gum-Hyun Shin,Chung-Hun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-17.

Manufacturing method of semiconductor device, method for controlling ion beam, and ion implantation apparatus

Номер патента: US20110012034A1. Автор: Katsunari Nishikawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-01-20.

Beam profile determination method and ion beam irradiation apparatus

Номер патента: US20210035774A1. Автор: Yutaka Inouchi. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Ion implanter vacuum integrity check process and apparatus

Номер патента: US20020117634A1. Автор: Donald Wilcox,Randy Underwood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Method and ion trap for detecting ions

Номер патента: WO2022254266A1. Автор: Nicholai SALOVICH. Владелец: Edwards Vacuum LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using east ion beam control

Номер патента: WO2006107797A2. Автор: Jonathan England,Joseph C. Olson,Russell J. Low,James R. Mclane,David R. Timberlake,Mark D. Saunders,James J. Cummings,Thomas B. Callahan. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-10-12.

Fault detection and control methodologies for ion implantation processes, and system for performing same.

Номер патента: WO2005045875A1. Автор: Richard J. Markle,Elfido Coss, Jr.,Patrick M. Cowan,Tom Tse. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-05-19.

Reduced implant voltage during ion implantation

Номер патента: WO2010042494A2. Автор: Ludovic Godet,Christopher R. HATEM. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-04-15.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using fast ion beam control

Номер патента: US20060219954A1. Автор: Mark Saunders,Joseph Olson,Thomas Callahan,Jonathan England,James Cummings,Russell Low,David Timberlake,James McLane. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Shaped apertures in an ion implanter

Номер патента: WO2008053139A3. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Stephen Hays. Владелец: Stephen Hays. Дата публикации: 2008-10-02.

Shaped apertures in an ion implanter

Номер патента: WO2008053139A2. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Stephen Hays. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-05-08.

Ion implantation apparatus and method of determining state of ion implantation apparatus

Номер патента: US9269540B2. Автор: Keiji Fujita,Kei Hattori,Takahito Nagamatsu,Masayuki Jinguuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-23.

Source housing assembly for controlling ion beam extraction stability and ion beam current

Номер патента: US09934928B2. Автор: Frank Sinclair,Shengwu Chang,William Leavitt,Joe Olson,Jeff Burgess,Michael St Peter,Matt Mosher. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Combination scavenging pump system including getter pump and ion pump

Номер патента: RU2520709C2. Автор: Антонио БОНУЧЧИ,Андреа КОНТЕ,Паоло МАНИНИ. Владелец: Саес Геттерс С.П.А.. Дата публикации: 2014-06-27.

Combination pump system including getter pump and ion pump

Номер патента: RU2495510C2. Автор: Андреа КОНТЕ,Майкл Лоренс ФЕРРИС. Владелец: Саес Геттерс С.П.А.. Дата публикации: 2013-10-10.

Techniques for terminal insulation in an ion implanter

Номер патента: WO2009032566A3. Автор: Joseph C Olson,Russell J Low,Stephen E Krause,Eric D Hermanson,Kasegn D Tekletsadik,Piotr R Lubicki,Jeffrey D Lischer. Владелец: Jeffrey D Lischer. Дата публикации: 2009-04-30.

Techniques for terminal insulation in an ion implanter

Номер патента: WO2009032566A2. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Joseph C. Olson,Russell J. Low,Piotr R. Lubicki,Eric D. Hermanson,Stephen E. Krause,Jeffrey D. Lischer. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Techniques for terminal insulation in an ion implanter

Номер патента: WO2009032565A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Joseph C. Olson,Russell J. Low,Piotr R. Lubicki,Eric D. Hermanson,Stephen E. Krause,Jeffrey D. Lischer. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: WO2024144890A1. Автор: Frank Sinclair,Daniel Hall,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER,Jonathan LOWDER,Pratim PALIT. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: US20240222072A1. Автор: Frank Sinclair,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Ion-implantation machine, control method thereof, and process for manufacturing integrated devices

Номер патента: US20040121498A1. Автор: Camillo Bresolin,Valter Soncini,Andrea Riva. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-06-24.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: US20240222070A1. Автор: Frank Sinclair,Daniel Hall,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER,Jonathan LOWDER,Pratim PALIT. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US5025167A. Автор: Shigeo Sasaki,Tetsuya Nakanishi,Soichiro Okuda,Kazuhiko Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-06-18.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: WO2024144887A1. Автор: Frank Sinclair,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Material surface reforming apparatus using ion implantation

Номер патента: US20240258069A1. Автор: Myung Jin Kim,Jae Keun KIL,Bom Sok KIM. Владелец: Radpion Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

High-current ion implanter and method for controlling ion beam using high-current ion implanter

Номер патента: WO2021011156A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Shengwu Chang,Alexandre Likhanskii,Antonella Cucchetti,Eric D. Hermanson. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-01-21.

Plasma immersion ion implantation process with chamber seasoning and seasoning layer plasma discharging for wafer dechucking

Номер патента: WO2009108266A1. Автор: Canfeng Lai,Majeed A. Foad,Manoj Vellaikal,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Matthew D. Scotney-Castle,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-09-03.

Apparatus for etching noble metals using ion implantation and method of use

Номер патента: WO2002023586A3. Автор: Young Jin Park,Jai-Hoon Sim,Brian Lee,Heon Lee,Satish Athavale,Kilho Lee,Young Limb. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

System and method for controlling ion implanter

Номер патента: US09870896B2. Автор: Po-Feng Tsai,Chia-Tong Ho,Jong-I Mou,Sheng-Wei Lee,Jo-Fei Wang,Chia-Hsing Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Ion implantation apparatus and control method for ion implantation apparatus

Номер патента: US09666413B2. Автор: Keiji Okada,Suguru Hirokawa,Tetsuya Kudo,Yoshito Fujii,Shinji Ebisu. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

In-process wafer charge monitor and control system for ion implanter

Номер патента: WO2002052612A2. Автор: Alfred Michael Halling. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-07-04.

Split double gap buncher and method for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: EP1419514A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Split double gap buncher and method for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: WO2003019612A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-03-06.

In-process wafer charge monitor and control system for ion implanter

Номер патента: WO2002052612A3. Автор: Alfred Michael Halling. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Ion implanter

Номер патента: US09899189B2. Автор: Shoichi KUGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

High energy ion implanter, beam current adjuster, and beam current adjustment method

Номер патента: US09576771B2. Автор: Kouji Kato,Kouji Inada. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

High-energy implantation process using an ion implanter of the low-or medium-current type and corresponding devices

Номер патента: US5625195A. Автор: Andre Grouillet. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1997-04-29.

Reduced implant voltage during ion implantation

Номер патента: WO2010042494A3. Автор: Ludovic Godet,Christopher R. HATEM. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-07-22.

Source housing assembly for controlling ion beam extraction stability and ion beam current

Номер патента: US20160336138A1. Автор: Frank Sinclair,Shengwu Chang,William Leavitt,Joe Olson,Jeff Burgess,Michael St Peter,Matt Mosher. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Ion implant apparatus and method of controlling the ion implant apparatus

Номер патента: US20220270846A1. Автор: Hsun-Po WEN,Sung-Hui CHEN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using east ion beam control

Номер патента: WO2006107797A3. Автор: Jonathan England,Joseph C Olson,Russell J Low,James R Mclane,David R Timberlake,Mark D Saunders,James J Cummings,Thomas B Callahan. Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2007-06-14.

Ion implanters

Номер патента: US20090166565A1. Автор: Adrian Murrell,Gregory Robert Alcott,Martin Hilkene,Matthew Castle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Improvements relating to ion implanters

Номер патента: WO2009083726A1. Автор: Adrian Murrell,Gregory Robert Alcott,Martin Hilkene,Matthew Castle. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-07-09.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: EP1027718A1. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

Vacuum cooling apparatus and ion milling apparatus

Номер патента: EP3664120A1. Автор: Tsutomu Negishi. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2020-06-10.

Methods and apparatus for ion implantation with variable spatial frequency scan lines

Номер патента: EP1402559A1. Автор: Jay T. Scheuer,Gregory R. Gibilaro. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Methods and apparatus for ion implantation with variable spatial frequency scan lines

Номер патента: WO2002097853A1. Автор: Jay T. Scheuer,Gregory R. Gibilaro. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2002-12-05.

Image intensifier tube design for aberration correction and ion damage reduction

Номер патента: WO2014036164A1. Автор: Qing Li,Stephen Biellak,Ximan Jiang. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

Shutter linkage for an ion implantation apparatus

Номер патента: US5534752A. Автор: Chung Hua-Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1996-07-09.

Extraction electrode assembly voltage modulation in an ion implantation system

Номер патента: US20140326901A1. Автор: Jincheng Zhang,Neil K. Colvin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-06.

Ion implantation apparatus and method of controlling ion implantation apparatus

Номер патента: US09837248B2. Автор: Daisuke Imai,Shiro Ninomiya,Masahide Ooura. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Lower dose rate ion implantation using a wider ion beam

Номер патента: US09748072B2. Автор: Xiao Bai,Zhimin Wan,Ger-Pin Lin,Kourosh Saadatmand,Ching-I Li,Rekha Padmanabhan,Gary N. Cai,David Hoglund,Shao-Yu HU,Robert E. Kaim. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Ion implantation system and process

Номер патента: US09697988B2. Автор: Zhimin Wan,Nicholas White,Kourosh Saadatmand. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Image intensifier tube design for aberration correction and ion damage reduction

Номер патента: US09666419B2. Автор: Qing Li,Stephen Biellak,Ximan Jiang. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Reduced trace metals contamination ion source for an ion implantation system

Номер патента: US09543110B2. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Ion implanter provided with a plurality of plasma source bodies

Номер патента: US09520274B2. Автор: Frank Torregrosa,Laurent Roux. Владелец: Ion Beam Services SA. Дата публикации: 2016-12-13.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US09466467B2. Автор: Kazuhiro Watanabe,Tatsuya Yamada,Hitoshi Ando,Mitsuaki Kabasawa,Kouji Inada. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Ion implanting apparatus and sample processing apparatus

Номер патента: US6501080B1. Автор: Hiroyuki Tomita,Kazuo Mera. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-31.

Ion implanter with contaminant collecting surface

Номер патента: US7358508B2. Автор: Michael Graf,Philip J. Ring. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-04-15.

Ion implantation apparatus

Номер патента: GB1280305A. Автор: George Raymond Brewer,Charles Raymond Buckey. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1972-07-05.

Multi-purpose electrostatic lens for an ion implanter system

Номер патента: WO2008042585A2. Автор: Anthony Renau,James S. Buff,Svetlana B. Radovanov. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-04-10.

Ion-implantation machine, control method thereof, and process for manufacturing integrated devices

Номер патента: US20060226352A1. Автор: Camillo Bresolin,Valter Soncini,Andrea Riva. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-10-12.

Occluding beamline ion implanter

Номер патента: WO2002084713A3. Автор: David S Holbrook. Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2003-03-13.

Ion implanter and method of ion beam tuning

Номер патента: US20160079032A1. Автор: Kazuhiro Watanabe,Yuuji Takahashi,Yusuke Ueno. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Method and system for controlling beam scanning in an ion implantation device

Номер патента: WO2002082496A3. Автор: Raymond Paul Boisseau,William Philip Nett,Robert Joseph Ledoux. Владелец: Frost Alex John. Дата публикации: 2003-05-30.

Terminal Structures Of An Ion Implanter Having Insulated Conductors With Dielectric Fins

Номер патента: US20090057572A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Steve Krause,Eric Hermanson,Doug May,Russel John Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Terminal structures of an ion implanter having insulated conductors with dielectric fins

Номер патента: WO2009029560A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Douglas May,Russell J. Low,Eric D. Hermanson,Stephen E. Krause. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-05.

Ion source structure of ion implanter and its operation method

Номер патента: US20240234079A9. Автор: Wen Yi Tan,Wen Shuo Cui. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Ion source and coaxial inductive coupler for ion implantation system

Номер патента: EP1527473A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Enhanced low energy ion beam transport in ion implantation

Номер патента: EP2389680A1. Автор: William DiVergilio,Bo Vanderberg. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Inductively coupled plasma type ion implanter

Номер патента: US20240021409A1. Автор: Seung Jae MOON,Jong Jin HWANG,Sung Mook JUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-01-18.

A computer-implemented method for the simulation of an energy-filtered ion implantation (efii) using an ion tunnel

Номер патента: EP4281991A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-11-29.

Ion implantation apparatus and scanning waveform preparation method

Номер патента: US20170271128A1. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Thermal regulation of an ion implantation system

Номер патента: WO2002073651A1. Автор: Michael C. Vella. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2002-09-19.

Conductive beam optics for reducing particles in ion implanter

Номер патента: WO2019164614A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Shengwu Chang,Alexandre Likhanskii,Robert C. Lindberg. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-08-29.

Ion implantation apparatus and method

Номер патента: US7119347B2. Автор: Takeshi Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-10.

Resolving slit assembly and method of ion implantation

Номер патента: WO1993023871A1. Автор: Derek Aitken. Владелец: Superion Limited. Дата публикации: 1993-11-25.

Kinematic ion implanter electrode mounting

Номер патента: WO2005038856A2. Автор: Andrew Stephen Devaney,Jonathon Y. Simmons,John R. Shelley. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2005-04-28.

Ion implanter system, method and program product including particle detection

Номер патента: WO2005069945A2. Автор: Paul S. Buccos. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2005-08-04.

Mechanism for containment of neutron radiation in ion implanter beamline

Номер патента: WO2002037906A2. Автор: Michael Anthony Graf,Kourosh Saadatmand,Edward Kirby Mcintyre. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-05-10.

Determining beam alignment in ion implantation using rutherford back scattering

Номер патента: WO2001027968A1. Автор: Peter Rose,Marvin Farley,Theodore H. Smick,Geoffrey Ryding,John Ruffell. Владелец: Cross, Rupert, Edward, Blount. Дата публикации: 2001-04-19.

Parallel sweeping system for electrostatic sweeping ion implanter

Номер патента: US4942342A. Автор: Osamu Tsukakoshi. Владелец: Nihon Shinku Gijutsu KK. Дата публикации: 1990-07-17.

Implementation of co-gases for germanium and boron ion implants

Номер патента: WO2012067653A1. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of measuring vertical beam profile in an ion implantation system having a vertical beam angle device

Номер патента: WO2016106422A1. Автор: Shu Satoh. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2016-06-30.

Mechanism for containment of neutron radiation in ion implanter beamline

Номер патента: WO2002037906A8. Автор: Michael Anthony Graf,Kourosh Saadatmand,Edward Kirby Mcintyre. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2003-05-15.

Moving module of a wafer ion-implanting machine

Номер патента: US20100218720A1. Автор: Ting-Wei Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-02.

Repeller for ion generating apparatus, ion generating apparatus and semiconductor wafer ion implantation apparatus

Номер патента: US20240290570A1. Автор: Kyoungchul YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Mechanism for prevention of neutron radiation in ion implanter beamline

Номер патента: EP1332652A2. Автор: Michael Anthony Graf,Kourosh Saadatmand,Edward Kirby Mcintyre. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-08-06.

Moving module of a wafer ion-implanting machine

Номер патента: US7956333B2. Автор: Ting-Wei Lin. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2011-06-07.

Implementation of co-gases for germanium and boron ion implants

Номер патента: US09984855B2. Автор: Tseh-Jen Hsieh,Neil K. Colvin. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Ion implantation apparatus and scanning waveform preparation method

Номер патента: US09905397B2. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

SiC coating in an ion implanter

Номер патента: US09793086B2. Автор: Shardul S. Patel,Timothy J. Miller,Robert J. Mason,Robert H. Bettencourt. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for generating parameter pattern, ion implantation method and feed forward semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09697989B2. Автор: Ting-Chun Wang,Lun-Kuang Tan,Cheng-ta Wu,Yao-Wen Hsu,Wei-Ming You,Tsung Han Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Ion implanter and method of controlling the same

Номер патента: US09564289B2. Автор: Takeshi Kurose,Toshio Yumiyama,Tadanobu Kagawa. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US09520265B2. Автор: Takanori Yagita. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US09431214B2. Автор: Hiroshi Matsushita,Yoshitaka Amano,Mitsuaki Kabasawa,Takanori Yagita. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

High-energy ion implanter

Номер патента: US09368327B2. Автор: Kazuhiro Watanabe,Tatsuya Yamada,Mitsuaki Kabasawa,Tatsuo Nishihara,Yuuji Takahashi. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

ARC chamber for an ion implantation system

Номер патента: US6022258A. Автор: Richard C. Abbott,Raymond C. DesMarais. Владелец: Thermoceramix Inc USA. Дата публикации: 2000-02-08.

Quartz lamp envelope with molybdenum foil having oxidation-resistant surface formed by ion implantation

Номер патента: US5021711A. Автор: Roy C. Martin,Mark D. Beschle,Sandra L. Madden. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1991-06-04.

Apparatus and method for neutralizing the beam in an ion implanter

Номер патента: US4361762A. Автор: Edward C. Douglas. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-11-30.

Detecting contaminant particles during ion implantation

Номер патента: GB2317988A. Автор: Seung-ki Chae,Jae-Sun Jeon,Won-Yeong Kim,Chi-Seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-04-08.

Ion implantation apparatus

Номер патента: CA1057422A. Автор: Demetrios Balderes,Charles J. Lucas,Herbert L. Arndt (Jr.),John R. Kranik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

Ion implanting apparatus capable of preventing discharge flaw production on reverse side surface of wafer

Номер патента: US5945681A. Автор: Kensuke Amemiya,Isao Hashimoto,Yasuo Yamashita,Keiji Arimatsu,Kazuo Mera,Takayoshi Seki,Katsumi Tokiguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-08-31.

Ion implanter

Номер патента: US6084240A. Автор: Chien-Hsing Lin,Cheng-Tai Peng. Владелец: United Integrated Circuits Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

High impedance plasma ion implantation method and apparatus

Номер патента: CA2102384C. Автор: Jesse N. Matossian,Robert W. Schumacher,Dan M. Goebel. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2000-01-11.

Ion implantation systems

Номер патента: US20100237260A1. Автор: Jiong Chen. Владелец: Kingstone Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-23.

Optical heater for cryogenic ion implanter surface regeneration

Номер патента: WO2011041418A2. Автор: Roger B. Fish,Jeffrey E. Krampert. Владелец: Variam Semiconductor Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-04-07.

In situ ion beam current monitoring and control in scanned ion implantation systems

Номер патента: WO2018048889A1. Автор: Alfred Halling. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-03-15.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: EP1235252A3. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-26.

Ion implanter and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060017017A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Yoshimasa Kawase. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Ion implanter with vacuum piston counterbalance

Номер патента: EP1047102A3. Автор: Geoffrey Ryding. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-12.

Chlorine-containing precursors for ion implantation systems and related methods

Номер патента: WO2024044187A1. Автор: Ying Tang,Joseph R. Despres. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-29.

Ion implantation system with mixture of arc chamber materials

Номер патента: US20210020402A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Ion implantation system with mixture of arc chamber materials

Номер патента: EP4000086A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres,Joseph R. SWEENEY. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Technique for uniformity tuning in an ion implanter system

Номер патента: US20060284114A1. Автор: Joseph Olson,Jonathan England,Shengwu Chang,Morgan Evans,William Callahan,Damian Brennan,Douglas Fielder,Gregg Norris. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

Apparatus and method for reducing heating of a workpiece in ion implantation

Номер патента: EP1083587A3. Автор: Marvin Farley,Theodore H. Smick,Geoffrey Ryding. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-19.

Ion implantation beam angle calibration

Номер патента: EP1955357A1. Автор: Robert Rathmell,Dennis Kamenista. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-08-13.

Ion implantation beam angle calibration

Номер патента: WO2007064508A1. Автор: Robert Rathmell,Dennis Kamenista. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2007-06-07.

Chlorine-containing precursors for ion implantation systems and related methods

Номер патента: US20240062987A1. Автор: Ying Tang,Joseph R. Despres. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Optical heater for cryogenic ion implanter surface regeneration

Номер патента: WO2011041418A3. Автор: Roger B. Fish,Jeffrey E. Krampert. Владелец: Variam Semiconductor Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-07-21.

Optical heater for cryogenic ion implanter surface regeneration

Номер патента: WO2011041418A9. Автор: Roger B. Fish,Jeffrey E. Krampert. Владелец: Variam Semiconductor Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-05-26.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: WO1999023685A1. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-05-14.

Target end station for the combinatory ion implantation and method of ion implantation

Номер патента: WO2003058671A3. Автор: Helmut Karl,Bernd Stritzker,Axel Wenzel,Ingo Grosshans. Владелец: Univ Augsburg. Дата публикации: 2004-01-22.

Method and apparatus for improved ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: WO2003019613A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-03-06.

Method and apparatus for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: EP1419515A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Film deposition device

Номер патента: US09449799B2. Автор: Qiang FEI,Weiqi XU. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

High voltage insulator for preventing instability in an ion implanter due to triple-junction breakdown

Номер патента: US20080315114A1. Автор: Shengwu Chang,Frank Slnclalr. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Energy-dependant quantisation for efficient coding spatial parametres of sound

Номер патента: RU2376655C2. Автор: Юрген ХЕРРЕ,Йонас РЕДЕН,Хейко ПУРНХАГЕН,Йонас ЭНГДЕГАРД,Ерун БРЕБАРТ,Йоханнес ХИЛЬПЕРТ,Эрик СХЕЙЕРС,ДЕ ПАР Стивен ВАН. Владелец: Коудинг Текнолоджиз Аб. Дата публикации: 2009-12-20.

Symmetric four-pair cable with film-nano and microtubular insulation of cores

Номер патента: RU2716128C1. Автор: Эдуард Львович Портнов. Владелец: Ордена трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технический университет связи и информатики" (МТУСИ). Дата публикации: 2020-03-10.

Reversible overlap operator for efficient lossless data compression

Номер патента: RU2377653C2. Автор: Сридхар СРИНИВАСАН,Чэнцзе ТУ,Энрике Сарменто МАЛЬВАР. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2009-12-27.

Methods, systems, and apparatuses for adaptive processing of video content with film grain

Номер патента: US12088855B2. Автор: Alexander GILADI,Dan Grois. Владелец: COMCAST CABLE COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Apparatus and method for efficient object metadata coding

Номер патента: RU2666282C2. Автор: Кристиан БОРСС,Кристиан ЭРТЕЛЬ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2018-09-06.

Method and System for Efficiently Packing a Transport Container with Items Picked from a Transport Structure

Номер патента: US20230121334A1. Автор: G. Neil Haven. Владелец: Liberty Reach Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Photofinishing process with film-to-video printer using dedicated magnetic tracks on film

Номер патента: CA1323097C. Автор: Michael Lee Wash. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1993-10-12.

Measuring device for measuring a thickness of a film of material deposited on a substrate and film deposition apparatus with at least one such measuring device

Номер патента: EP4300029A1. Автор: Edmund SCHÜNGEL,Adrian Herde. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2024-01-03.

A system and the method for efficient communication between iot devices in heterogeneous iot environment using ml

Номер патента: AU2021102050A4. Автор: Sobhanbabu Badugu,Lakshmi Narayana Inampudi,K.Subrahmanya Kousik,Ch.Venkateswara Rao,S. G. Santhi,Narayana Satyala,Battina Srinuvasu Kumar,Advaitha Vetagiri,Kasiviswanadham Yadlapalli. Владелец: Srinuvasu Kumar Battina Mr. Дата публикации: 2021-07-15.

High voltage insulator for preventing instability in an ion implanter due to triple-junction breakdown

Номер патента: WO2009002736A2. Автор: Frank Sinclair,Shengwu Chang. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-12-31.

Methods for using novel cathode and electrolyte materials for solid oxide fuel cells and ion transport membranes

Номер патента: US20140127609A1. Автор: Allan J. Jacobson,Gun Tae Kim,Shuangyan Wang. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for efficiently querying and identifying multiple items on a communication channel

Номер патента: US20120313763A1. Автор: Norman E. Moyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-13.

Method for efficient median filtering

Номер патента: US9898805B2. Автор: Dipan Kumar Mandal,Sanmati S. Kamath,Wonki Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

System and method for efficient replication of and access to application specific environments and data

Номер патента: WO2007087109A3. Автор: Imran Chaudhri. Владелец: Transip Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

System And Method For Efficiently Transferring Data From An Electronic Camera Device

Номер патента: US20130155259A1. Автор: Eric D. Edwards,Neal J. Manowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Method and system for efficiently retrieving secured data by securely pre-processing provided access information

Номер патента: EP1550256A1. Автор: James D. Wilson,Robert F. Snapp,David J. Payne,Edgar H. Ii Gillock. Владелец: Gillock Edgar H. Дата публикации: 2005-07-06.

Method for efficient coupling output of high-peak-power laser for cleaning

Номер патента: AU2021102358A4. Автор: Wei Cheng,JINGWEN WANG,Yuan Ren,Xinqiang Ma. Владелец: Laser Institute of Shandong Academy of Science. Дата публикации: 2021-06-17.

Systems and methods for efficient detection of fingerprinted data and information

Номер патента: US09692762B2. Автор: Lidror Troyansky,David Lazarov,Roy Barkan,Yevgeny Menaker. Владелец: Websense LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

System and method for efficient replication of and access to application specific environments and data

Номер патента: US09686259B2. Автор: Imran Chaudhri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Symmetrical four-pair cable with film-microtubular, microtubular perforated and nanokordel insulation

Номер патента: RU2735943C1. Автор: Эдуард Львович Портнов,Андрей Борисович Семенов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Московский государственный строительный университет" (НИУ МГСУ). Дата публикации: 2020-11-11.

Methods for fabrication of substrates for surface enhanced raman spectroscopy

Номер патента: US20140081150A1. Автор: Wei-Kan Chu,Indrajith Rajapaksa,Dharshana N. Wijesundera. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2014-03-20.

Systems and methods of monitoring thin film deposition

Номер патента: US20030041654A1. Автор: John Larson,Mark Hueschen,Richard Karlquist,Herbert Ko,Kent Carey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Glass-containing pseudo-reference electrode for use in ion-selective electrode sensors and ion selective field-effect transistors

Номер патента: CA3155252A1. Автор: Jun Shen,Zhong Xie,Wei Qu,Eben Dy,Kidus Y. Tufa. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-10-09.

Glass-containing pseudo-reference electrode for use in ion-selective electrode sensors and ion selective field-effect transistors

Номер патента: US20220332631A1. Автор: Jun Shen,Zhong Xie,Wei Qu,Eben Dy,Kidus Y TUFA. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-10-20.

Glass-containing pseudo-reference electrode for use in ion-selective electrode sensors and ion selective field-effect transistors

Номер патента: US11873246B2. Автор: Jun Shen,Zhong Xie,Wei Qu,Eben Dy,Kidus Y TUFA. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2024-01-16.

Integrated ion implant scrubber system

Номер патента: US20010008123A1. Автор: Jose I. Arno,Michael W. Hayes,Mark R. Holst. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Inspection device for substrate deformation at high temperatures and inspection method for substrate deformation at high temperatures using the same

Номер патента: US20140152980A1. Автор: Dong Yong Kim,Tae Yoon Kim,Suk Jin Ham,Mi Yang KIM,Gyu Seok KIM,Hee Suk CHUNG,Yong Choon PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Diamond Film Deposition and Probes

Номер патента: US20090148652A1. Автор: John A. Carlisle,Nicolaie Moldovan. Владелец: Advanced Diamond Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

User interface for efficiently displaying relevant OCT imaging data

Номер патента: US09483866B2. Автор: Paul F. Stetson. Владелец: Carl Zeiss Meditec Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods and apparatus for measuring ion implant dose

Номер патента: WO2010138646A3. Автор: Johannes Moll. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-02-03.

Methods and apparatus for measuring ion implant dose

Номер патента: US20100302547A1. Автор: Johannes Moll. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Methods and apparatus for measuring ion implant dose

Номер патента: WO2010138646A2. Автор: Johannes Moll. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-12-02.

Pulsed ion multifunctional detector for both high performance liquid chromatograph and ion chromatograph

Номер патента: US20140250984A1. Автор: Jiade Yu. Владелец: CHAN CHINGCHUEN. Дата публикации: 2014-09-11.

Pulsed ion multifunctional detector for both high performance liquid chromatograph and ion chromatograph

Номер патента: US09546988B2. Автор: Jiade Yu. Владелец: CHAN CHINGCHUEN. Дата публикации: 2017-01-17.

Overcoat compositions and ion-selective electrodes for ionic analyte determinations

Номер патента: CA1233298A. Автор: Thomas R. Kissel,Brooke P. Schlegel, Jr.,Richard L. Detwiler. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1988-02-23.

Temperature measurement using ion implanted wafers

Номер патента: US5435646A. Автор: Warren F. McArthur,Fred C. Session. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1995-07-25.

Testing of substrate monoliths

Номер патента: WO2024023486A1. Автор: James Dalton,Aswani MOGALICHERLA,Steve POLLINGTON,Hugh Stitt. Владелец: JOHNSON MATTHEY PUBLIC LIMITED COMPANY. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for depositing film and film deposition apparatus

Номер патента: US20100078113A1. Автор: Nobutaka Ukigaya,Tomokazu Sushihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Thin Film Depositing Apparatus and Thin Film Depositing Method Used by the Same

Номер патента: US20130251902A1. Автор: Yong-Suk Lee,In-Kyo Kim,Sang-Joon SEO,Myung-Soo Huh,Sung-Yong Lee,Choel-Min JANG,Cheol-Rae JO,Mi-Ra An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Thin film deposition apparatus including deposition blade

Номер патента: US09593408B2. Автор: Jung-Min Lee,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Substrate with film and glass for formation film

Номер патента: US20080226900A1. Автор: Kensuke Nagai,Kei Maeda. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: US20110186820A1. Автор: Un-Cheol Sung,Jung-Yeon Kim. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Biaxially-textured film deposition for superconductor coated tapes

Номер патента: WO2006075997A3. Автор: Venkat Selvamanickam,Xuming Xiong. Владелец: Superpower Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Fabrication of magnesium diboride superconductor thin films and electronic devices by ion implantation

Номер патента: WO2004044262A1. Автор: Roger Webb,Guosheng Shao,Nianhua Peng,Christopher Jeynes. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2004-05-27.

System and method for controlling film thickness, and film deposition system and method using same

Номер патента: EP4222291A1. Автор: Andrew Campbell,Paul Clarke,Mike Miller,Erik Smith,Timothy Brenner,Jonathan Boulanger,David PITTS,Craig Reynolds. Владелец: Angstrom Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

System and method for controlling film thickness, and film deposition system and method using same

Номер патента: CA3188407A1. Автор: Andrew Campbell,Paul Clarke,Mike Miller,Erik Smith,Timothy Brenner,Jonathan Boulanger,David PITTS,Craig Reynolds. Владелец: Angstrom Engineering Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Mask for depositing a thin film and a thin film deposition method using the same

Номер патента: US20160236222A1. Автор: Woong-Sik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Mask for depositing a thin film and a thin film deposition method using the same

Номер патента: US9931661B2. Автор: Woong-Sik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Mask for depositing a thin film and a thin film deposition method using the same

Номер патента: US20140370196A1. Автор: Woong-Sik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Substrate processing system for processing of a plurality of substrates and method of processing a substrate in an in-line substrate processing system

Номер патента: WO2024003603A1. Автор: Dieter Haas,Henning AUST,Takashi Anjiki,Jörg SCHULER,Jürgen Henrich,Sebastian Gunther ZANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-01-04.

Process for efficient storage and provision of energy

Номер патента: US20240266871A1. Автор: Jochen Schäfer,Peter Rop,Christian HÜTTL. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-08.

Adhesion promoting agents for metallization of substrate surfaces

Номер патента: US09920432B2. Автор: THOMAS Thomas,Hans-Jürgen SCHREIER,Lutz Stamp,Lutz Brandt. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-03-20.

Printing method and device for coating selected areas of substrate with film

Номер патента: RU2706446C2. Автор: Антон КРАССИЛЬНИКОВ,Бенцион ЛАНДА,Михаэль НАГЛЕР,Ариэль АДЛЕР,БЕН ХАИМ Нир РУБИН,Офер АКНИН,Ронен ЙОГЕВ. Владелец: Ланда Лэбс (2012) Лтд. Дата публикации: 2019-11-19.

Application of linear accelerators of ions for therapy of atrial fibrillation and ion acceleration system applied therefor

Номер патента: RU2672860C2. Автор: Уго АМАЛЬДИ. Владелец: Фондационе Пер Адротерапия Онколоджика-Тэра. Дата публикации: 2018-11-20.

Procedures for Efficiently Defaulting QAM Messages in 5G and 6G

Номер патента: US20240048429A1. Автор: David E. Newman,R. Kemp Massengill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-08.

A method or an apparatus for generating film grain parameters, a method or an apparatus for generating a block of pixels with film grain pattern

Номер патента: EP4309368A1. Автор: Edouard Francois,Christel Chamaret,Erik Reinhard,Milos RADOSAVLJEVIC. Владелец: InterDigital CE Patent Holdings SAS. Дата публикации: 2024-01-24.

A method or an apparatus for generating film grain parameters, a method or an apparatus for generating a block of pixels with film grain pattern

Номер патента: US20240171781A1. Автор: Edouard Francois,Christel Chamaret,Erik Reinhard,Milos RADOSAVLJEVIC. Владелец: InterDigital CE Patent Holdings SAS. Дата публикации: 2024-05-23.

System and method for efficient adaptation of scalable flows

Номер патента: RU2407217C2. Автор: Миска ХАННУКСЕЛА,Йе-Куй ВАНГ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2010-12-20.

Method and device for efficient vpn server interface, address allocation and signal transmission with local addressing domain

Номер патента: RU2382506C2. Автор: Алан О`НЕЙЛЛ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-20.

Film deposition system, factory system, and method of depositing film on wafer

Номер патента: US11840757B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Film deposition system, factory system, and method of depositing film on wafer

Номер патента: US20230392253A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Film deposition system, factory system, and method of depositing film on wafer

Номер патента: US20230416905A9. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Surface treatment method of substrate, substrate, and liquid crystal display panel

Номер патента: US20190219857A1. Автор: QIAN LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Method and system for simultaneous loading and unloading of substrates in platesetter

Номер патента: US20040025731A1. Автор: Richard Shih. Владелец: Agfa Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Method and system for simultaneous loading and unloading of substrates in platesetter

Номер патента: EP1388416A3. Автор: Richard Shih. Владелец: Agfa Corp. Дата публикации: 2007-02-14.

Methods for efficient use of unauthorized spectrum area

Номер патента: RU2742047C1. Автор: Томас НИЛЬССОН,Петер АЛЬРИКССОН,Тхэ ТО. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2021-02-02.

System and method for efficient population of access point database

Номер патента: RU2503149C2. Автор: Николаос ГЕОРГИС,Фредрик КАРПИО,Йи ЧЖАО. Владелец: Сони Электроникс Инк.. Дата публикации: 2013-12-27.

Method, device and system for efficient encoding and decoding video data

Номер патента: RU2377735C2. Автор: Йе-Куй ВАНГ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2009-12-27.

Method and device for efficient selection and acquisition of wireless communication system

Номер патента: RU2313196C2. Автор: Ротэм КУПЕР. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2007-12-20.

Method and apparatus for efficient handover in lte

Номер патента: RU2481736C2. Автор: Шайлеш МАХЕШВАРИ,Саи Йиу Дункан ХО,Питер Э. БАРЭНИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-05-10.

Methods and device for efficient power saving in wireless networks

Номер патента: RU2736529C2. Автор: Поль МАРИНЬЕ,Аата ЭЛЬ ХАМСС,Тао ДЭН,Жислен ПЕЛЬТЬЕ,Мартино М ФРЕДА,Югесвор ДИНУ. Владелец: Идак Холдингз, Инк.. Дата публикации: 2020-11-17.

Integrated resonator and amplifier system for use in an ion accelerator or ion implanter

Номер патента: NZ522808A. Автор: Kourosh Saadatmand,Ernst Frederick Scherer,William Frank Divergilio. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-25.

Apparatus for implementing non-destructive quality control of substrates and printed biological microarrays

Номер патента: US7863003B2. Автор: Darrell P. Chandler,Alexander N. Perov. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2011-01-04.

Apparatus for implementing non-destructive quality control of substrates and printed biological microarrays

Номер патента: US20100041570A1. Автор: Darrell P. Chandler,Alexander N. Perov. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2010-02-18.

Device for efficient self-contained inertial vehicular propulsion

Номер патента: US09995284B1. Автор: Gottfried J. Gutsche. Владелец: Real Automation. Дата публикации: 2018-06-12.

Method and device for efficient selection and detection of wireless communication system

Номер патента: RU2317655C2. Автор: Ротем КУПЕР. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2008-02-20.

System and method for efficient transmission of content packets to electronic devices

Номер патента: RU2477892C2. Автор: Николаос ГЕОРГИС,Фредрик КАРПИО. Владелец: Сони Электроникс Инк.. Дата публикации: 2013-03-20.

Methods and systems to provide for efficient operation of multiple modes in wireless local area network (wlan)

Номер патента: RU2413370C2. Автор: Судхир А. ГРАНДХИ,Джозеф С. ЛЕВИ,Мохаммед САММОУР,Судхир А. ГРАНДХИ (US),Джозеф С. ЛЕВИ (US),Мохаммед САММОУР (CA). Владелец: Интердиджитал Текнолоджи Корпорейшн. Дата публикации: 2011-02-27.

Methods for efficient organization of vehicle peer groups and efficient V2R communications

Номер патента: US8351417B2. Автор: John Lee,Wai Chen,Toshiro Hikita,Taek Jin Kwon,Ryokichi Onishi. Владелец: Toyota InfoTechnology Center USA Inc. Дата публикации: 2013-01-08.

Ion implantation of zirconium alloys with hafnium

Номер патента: CA1309376C. Автор: David Lee Baty,William Crawford Young,David Evan Lewis. Владелец: Babcock and Wilcox Co. Дата публикации: 1992-10-27.

Josephson junction device fabricated by direct write ion implantation

Номер патента: US12035641B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Devendra K. Sadana,Steven J. Holmes,Martin O. Sandberg,Marinus Johannes Petrus Hopstaken,Yasir Sulehria. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Encoder and method for efficient synchronisation channel encoding in utra tdd mode

Номер патента: WO2003024000A3. Автор: Paul Howard,Alan Edward Jones. Владелец: Alan Edward Jones. Дата публикации: 2003-10-30.

Encoder and method for efficient synchronisation channel encoding in utra tdd mode

Номер патента: EP1474882A2. Автор: Alan Edward Jones,Paul Tennyson Cottage Tennyson Road HOWARD. Владелец: IPWireless Inc. Дата публикации: 2004-11-10.

Encoder and method for efficient synchronisation channel encoding in UTRA TDD mode

Номер патента: US7301930B2. Автор: Paul Howard,Alan Edward Jones. Владелец: IPWireless Inc. Дата публикации: 2007-11-27.

Ftn-based ofdm transmission apparatus and method for efficient coexistence of broadband and sporadic traffics

Номер патента: US20190215197A1. Автор: Chung Gu Kang,Ameha Tsegaye ABEBE. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2019-07-11.

Systems and methods for efficiently coding and processing image data

Номер патента: US20110205382A1. Автор: Aram Lindahl,Alex Kanaris. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Image-encoding apparatus and image-decoding apparatus for efficiently transmitting a large capacity image

Номер патента: US20120087594A1. Автор: Jin Young Lee,Jae Joon Lee,Ho Cheon Wey. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-12.

Path Hunt for Efficient Broadcast and Multicast Connections in Multi-Stage Switching Fabrics

Номер патента: CA2109394A1. Автор: Robert Lee Pawelski. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-07-16.

Systems and methods for efficient power management at a radio unit

Номер патента: US20240259945A1. Автор: Subhas Chandra Mondal,Parag Aggarwal. Владелец: Hfcl Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for efficient state transition matrix based LFSR computations

Номер патента: US8719323B2. Автор: Meng-Lin Yu. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Method and apparatus for efficiently controlling an MDT in a plurality of PLMNS

Номер патента: US09609538B2. Автор: Gert Jan Van Lieshout,Sang Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

System and method for efficient use or recorder

Номер патента: RU2510895C2. Автор: Роберт КАУИ. Владелец: Сони Электроникс Инк.. Дата публикации: 2014-04-10.

Method and apparatus for efficient routing in communication networks

Номер патента: RU2436250C2. Автор: Цзюнь Ван,Арунгундрам С. МАХЕНДРАН,Видья НАРАЯНАН,Лакшминатх Редди ДОНДЕТИ,Реймонд Тах-Шэнг ХСУ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-12-10.

Method for building an etching-free hybrid nonlinear waveguide composed of polymer and ion-implanted nonlinear crystal

Номер патента: US12038687B2. Автор: FENG CHEN,CHEN CHEN,Zhanghua HAN,Shengkun YAO. Владелец: SHANDONG NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for building an etching-free hybrid nonlinear waveguide composed of polymer and ion-implanted nonlinear crystal

Номер патента: US20240069436A1. Автор: FENG CHEN,CHEN CHEN,Zhanghua HAN,Shengkun YAO. Владелец: SHANDONG NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-29.

Ion beam blocking component and ion beam blocking device having the same

Номер патента: US20080265184A1. Автор: Chih-Ming Yang,Cheng-Hung Chang,Jui-Fang Chen,Chung-jung Chen,Chien-Kuo Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Apparatus and method for ion implantation in a magnetic field

Номер патента: US20140272181A1. Автор: Frank Sinclair,Alexander C. Kontos,Rajesh Dorai. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Efficient mitigation of side-channel based attacks against speculative execution processing architectures

Номер патента: US20210357231A1. Автор: Ke Sun,Rodrigo Branco,Kekai Hu,Henrique Kawakami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for manufacturing multilayer film-deposited substrate and multilayer film-deposited substrate

Номер патента: US10775692B2. Автор: Makoto Kurumisawa,Masaki Mikami,Yunosuke Ishikawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Method for manufacturing multilayer film-deposited substrate and multilayer film-deposited substrate

Номер патента: US20180059530A1. Автор: Makoto Kurumisawa,Masaki Mikami,Yunosuke Ishikawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Device feeding holographic film, as well as a machine for hot stamping with film

Номер патента: RU2769892C1. Автор: Кристоф ДЕ ГАЙЯНД,Кристоф ФОЛЛЬМЕР,Симон ТРАН А. Владелец: Бобст Мекс Са. Дата публикации: 2022-04-07.

Substrate deforming device for proximity exposure, and substrate deforming method for proximity exposure using same

Номер патента: US20220050390A1. Автор: Je Hoon Oh,Changkyu LEE. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-02-17.

Erasable ion implanted optical couplers

Номер патента: WO2011142913A2. Автор: Graham T. Reed,Renzo Loiacono. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-11-17.

Method for adjusting properties of a photonic circuit by post fabrication ion implantation, and adjusted waveguide and photonic circuit

Номер патента: US09766400B2. Автор: Badhise BEN BAKIR,Karim Hassan,Corrado Sciancalepore,Sylvie Menezo. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-09-19.

Mitigation of thread hogs on a threaded processor and prevention of allocation of resources to one or more instructions following a load miss

Номер патента: US09665375B2. Автор: Robert T. Golla,Mark A. LUTTRELL,Yuan C. Chou. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Annealing treatment for ion-implanted patterned media

Номер патента: US09384773B2. Автор: Olav Hellwig,Qing Zhu,Kurt A. Rubin. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-07-05.

Register mapping techniques for efficient dynamic binary translation

Номер патента: RU2515217C2. Автор: Вей Ли,Гилерме Д. ОТТОНИ,Хон ВАН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2014-05-10.

Fabrication of a waveguide taper through ion implantation

Номер патента: WO2003102649A1. Автор: Michael Morse,Michael Salib. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-12-11.

Substrate deforming device for proximity exposure, and substrate deforming method for proximity exposure using same

Номер патента: US11550230B2. Автор: Je Hoon Oh,Changkyu LEE. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-01-10.

Method and system for efficiently packing a transport container with items picked from a transport structure

Номер патента: WO2024136989A1. Автор: G. Neil Haven. Владелец: Liberty Reach Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Propagation of don't cares for efficient theory combination

Номер патента: US20090216701A1. Автор: Nikolaj Skallerud Bjorner,Leonardo Mendonca de Moura. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Random number generation method based on multivariate non-normal distribution, parameter estimation method thereof, and application to simulation of financial field and semiconductor ion implantation

Номер патента: US20050114098A1. Автор: Yuichi Nagahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-26.

Apparatus for measurement of substrates

Номер патента: WO2008122335A2. Автор: Albrecht Hof,Ulrich Stroessner,Gerd Klose,Monika Frey. Владелец: Carl Zeiss SMS GmbH. Дата публикации: 2008-10-16.

Apparatus for measurement of substrates

Номер патента: WO2008122335A3. Автор: Albrecht Hof,Ulrich Stroessner,Gerd Klose,Monika Frey. Владелец: Zeiss Carl Sms Gmbh. Дата публикации: 2009-05-28.

Improvement of substrates that include protective devices

Номер патента: RU2360060C2. Автор: Роланд Ишервуд,Дункан Хэмилтон РЕЙД. Владелец: Де Ля Рю Интернэшнл Лимитед. Дата публикации: 2009-06-27.

Substrate with active matrix, manufacturing method of substrate with active matrix, liquid-crystal panel, manufacturing method of liquid-crystal panel, liquid-crystal display, liquid-crystal display unit and tv set

Номер патента: RU2468403C1. Автор: Тосихиде ЦУБАТА. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-11-27.

Microfilm camera with film moving carriage and vented pressure plate

Номер патента: CA1049311A. Автор: John Jamieson,Henry F. Price,William O. Butts. Владелец: Bell and Howell Co. Дата публикации: 1979-02-27.

Photofinishing apparatus with film information exchange system using dedicated magnetic tracks on film

Номер патента: CA1323098C. Автор: Gary Lee Robison,Michael Lee Wash. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1993-10-12.

Ion implantation thick film resist composition, method for manufacturing processed substrate using the same and method for manufacturing device using the same

Номер патента: WO2023165914A1. Автор: Masato Suzuki,Hiroshi Yanagita,Tetsumasa TAKAICHI. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-09-07.

Efficient data relocation in an asymmetric multi-level caching structure for efficient data storage and retrieval

Номер патента: US20240193686A1. Автор: Anthony D. Amicangioli,B. Joshua Rosen,Ryan P. WALSH,Nicola AGUILAR-THOMAS. Владелец: Hyannis Port Research Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and apparatus for efficiently encoding chromatic images using non-orthogonal basis functions

Номер патента: EP1384128A2. Автор: Te-Won Lee,Thomas WÄCHTLER,Terrance Sejnowski. Владелец: SALK INSTITUTE FOR BIOLOGICAL STUDIES. Дата публикации: 2004-01-28.

Technique for efficient data failover in a multi-site data replication environment

Номер патента: US11953999B2. Автор: Ashish Kumar,Pranab Patnaik,Kai Tan,Freddy James. Владелец: Nutanix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Efficient data relocation in an asymmetric multi-level cachiing structure for efficient data storage and retrieval

Номер патента: WO2024124007A1. Автор: Anthony D. Amicangioli,B. Joshua Rosen,Ryan P. WALSH,Nicola AGUILAR-THOMSON. Владелец: Hyannis Port Research, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

System and method for efficient layout of a display table

Номер патента: EP1238346A1. Автор: Kevin Leduc. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-09-11.

Method, System, and Computer Program Product For Efficiently Serializing Navigational State in a Portal

Номер патента: US20080295003A1. Автор: Stefan Behl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Behavior recognition artificial intelligence network system and method for efficient recognition of hand signals and gestures

Номер патента: US20230196841A1. Автор: Seon Young Lee,Young Bo Shim,Kyoung Won Min,Ganzorig GANKHUYAG,Haeng Seon SON,Chang Gue PARK. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2023-06-22.

Systems and methods for efficient speech representation

Номер патента: US20240105163A1. Автор: Sean Moran,Pheobe SUN,Ruibo SHI. Владелец: JPMorgan Chase Bank NA. Дата публикации: 2024-03-28.

Intelligent slicing of assets for efficient transfer

Номер патента: US12086105B2. Автор: Shelesh Chopra,Sunil Yadav. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-09-10.

Slice searching for efficient granular level recovery in data protection

Номер патента: US12056016B2. Автор: Upanshu Singhal,Shelesh Chopra,Soumen Acharya,Aaditya Rakesh Bansal. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-08-06.

Automatic detection and extraction of previous annotations, relevant for imaging study, for efficient viewing and reporting

Номер патента: RU2640009C2. Автор: Тхуситха Дананджая Де Силва МАБОТУВАНА,Юэчэнь ЦЯНЬ,Мерлейн СЕВЕНСТЕР,Гэбриэл Райан МАНКОВИЧ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-25.

System and method for efficient support of advertising catalogue in electronic network

Номер патента: RU2497192C2. Автор: Милтон ФРЕЙЗЕР,Раджив РЕЙНЬЕР,Стивен ДЖЭКОБС,Остин НОРОНХА,Тим СМИТ,III Дональд Л. ЛАУФЕРИ. Владелец: Сони Электроникс Инк.. Дата публикации: 2013-10-27.

Method of ion-implantation treatment of compressor blades from titanium alloys

Номер патента: RU2682743C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Вадим Файзерахманович Насыров,Ирина Рифхатовна Галимова,Рушан Наилевич Хуснимарданов,Азамат Зиннурович Тимербаев,Наиля Фёдоровна Измайлова. Владелец: Научно-производственная Ассоциация "Технопарк авиационных технологий" (НПА "Технопарк АТ"). Дата публикации: 2019-03-21.

Metal organic complexes for improved smoothness and uniformity of thin films deposited from nanocolloids via electrophoresis

Номер патента: WO2013063090A3. Автор: Bing Liu,Kevin V. Hagedorn. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2014-03-13.

Mechanism for thin film deposition

Номер патента: US3620956A. Автор: Roy C Gauger. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1971-11-16.

High throughput thin film deposition and substrate handling method and apparatus for optical disk processing

Номер патента: US20030106791A1. Автор: Young Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Diamond film deposition on substrate arrays

Номер патента: US6173672B1. Автор: Cecil B. Shepard, Jr.. Владелец: Celestech Inc. Дата публикации: 2001-01-16.

Antimony/Lewis base adducts for Sb-ion implantation and formation of antimonide films

Номер патента: US6005127A. Автор: Thomas H. Baum,Gautam Bhandari,Michael A. Todd. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1999-12-21.

Method of substrate treatment

Номер патента: RU2410341C2. Автор: Николя НАДО,Маркус ЛЕРГЕН,Стефани РОШ,Уве ШМИДТ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2011-01-27.

Flash-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition of metals

Номер патента: WO2024215514A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Clint Edward Thomas,Sivananda Krishnan Kanakasabapathy,Chiukin Steven Lai,David Joseph Mandia,Matthew Bertram Edward GRIFFITHS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

A thin-film deposition apparatus for batch processing

Номер патента: FI131044B1. Автор: Tom Blomberg,Timo Vähä-Ojala. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of ion-implantation treatment compressor's mono-wheel blades made of titanium alloys

Номер патента: RU2682741C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Вадим Файзерахманович Насыров,Ирина Рифхатовна Галимова,Рушан Наилевич Хуснимарданов,Азамат Зиннурович Тимербаев,Наиля Фёдоровна Измайлова. Владелец: Научно-производственная Ассоциация "Технопарк авиационных технологий" (НПА "Технопарк АТ"). Дата публикации: 2019-03-21.

Liquid purification with film heating

Номер патента: US10954138B2. Автор: Kamal JAFFREY. Владелец: Breakthrough Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-23.

Thin film deposition method and thin film deposition apparatus

Номер патента: US7291357B2. Автор: Koichi Shintomi,Hiroyuki Abe,Koji Masuda,Tetsuro Wada,Atsushi Hiraizumi,Kazuyou Mizuno. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-06.

Method for efficiently synthesizing primary amines

Номер патента: US11766665B2. Автор: Xiaohui Liu,Yong Guo,Yanqin WANG,Wanjun Guo,Shuang XIANG. Владелец: EAST CHINA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-26.

System and method for nanotube growth via ion implantation using a catalytic transmembrane

Номер патента: EP2257496A2. Автор: Delmar L. Barker,Mead M. Jordan,Howard W. Poisi. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-12-08.

System and method for nanotube growth via ion implantation using a catalytic transmembrane

Номер патента: WO2009123807A3. Автор: Delmar L. Barker,Mead M. Jordan,Howard W. Poisi. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-09-23.

System and method for nanotube growth via ion implantation using a catalytic transmembrane

Номер патента: WO2009123807A2. Автор: Delmar L. Barker,Mead M. Jordan,Howard W. Poisi. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2009-10-08.

Thin film deposition source, deposition apparatus and deposition method using the same

Номер патента: US9309588B2. Автор: Jong Woo Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-12.

Method of making membrane for extracting hydrogen atoms and ions from gas mixtures

Номер патента: RU2602104C1. Автор: Александр Иосифович Лившиц,Михаил Евсеевич Ноткин,Василий Николаевич Алимов,Андрей Олегович Буснюк,Евгений Юрьевич Передистов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ). Дата публикации: 2016-11-10.

Ion implantation method for surfaces of part from structural steel

Номер патента: RU2637189C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Надежда Владимировна Учеваткина,Ольга Андреевна Жданович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский политехнический университет". Дата публикации: 2017-11-30.

Method of sorption cleaning of aqueous media from organic substances and ions of heavy metals

Номер патента: RU2689616C1. Автор: Алексей Григорьевич Ткачев,Александр Евгеньевич Бураков,Александр Викторович Бабкин,Ирина Владимировна Буракова,Елена Анатольевна Нескоромная. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тамбовский государственный технический университет" (ФГБОУ ВО "ТГТУ"). Дата публикации: 2019-05-28.

Method of processing natural brackish waters with production of solutions of mineral fertilizers, plant for realizing said method and ion-exchange unit

Номер патента: RU2682620C1. Автор: Руслан Хажсетович Хамизов,Султан Хажсетович Хамизов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НьюКем Текнолоджи". Дата публикации: 2019-03-19.

Apple enzyme for efficient reconstruction of intestinal microecology and processing technology

Номер патента: US11297864B2. Автор: Rui Huang,Nan Jiang,Qingshan Zhang,Gang Xin,Xihong Li,Jiming Zhang,Chuanzhu LENG,Xinfei Song,Baoshuang TIAN,Qingfei CAO,Xiangyang Zheng,Meijun DU. Владелец: SDIC Zhonglu Fruit Juice Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Precise ion implantation type modified geopolymer and preparation method thereof

Номер патента: US20240109809A1. Автор: Dong He,Kai Zhang,Haifeng Lu,Hang Xu,Xiaoxuan KONG,Xiangheng XIAO. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2024-04-04.

Thin film deposition device, thin film deposition method, and thin film deposition apparatus

Номер патента: EP4397784A1. Автор: HUI Wang,Jun Wang,Jian Wang,Hui Shen,Xiaoyan Zhang,Shena JIA,Shan ZHANG,Tom Kim,Jacob Lee,William BAEK,Yy KIM,Zeus KIM. Владелец: Cleanchip Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Ion implantation for modification of thin film coatings on glass

Номер патента: US09850570B2. Автор: Terry Bluck,Babak Adibi. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Laminated and ion-exchanged strengthened glass laminates

Номер патента: US09522836B2. Автор: Natesan Venkataraman,Suresh Thakordas Gulati,Robert Anthony Schaut,Timothy James Kiczenski,Michael Thomas Gallagher. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Plasma deposition process with removal of substrate tube

Номер патента: RU2652215C2. Автор: Игор МИЛИСЕВИЧ,Гертьян КРАБСХЕЙС,Йоханнес Антон Хартсёйкер,СТРАЛЕН Маттеус Якобус Николас ВАН. Владелец: Драка Комтек Б.В.. Дата публикации: 2018-04-25.

Pretreatment of substrates having unsaturated units

Номер патента: RU2682587C1. Автор: Маркус ХАУФЕ,Патрисия ЭГЛЕ. Владелец: Сикэ Текнолоджи Аг. Дата публикации: 2019-03-19.

Device and procedure for control over temperature of surface of substrate in process chamber

Номер патента: RU2435873C2. Автор: Йоханнес КЕППЕЛЕР,Вальтер ФРАНКЕН. Владелец: Айкстрон Аг. Дата публикации: 2011-12-10.

Method for attaching flexible metal substrate to water-cooled surface of substrate holder during vacuum spraying of materials

Номер патента: RU2748440C1. Автор: Иван Александрович Корж,Вероника Владимировна Вареник. Владелец: Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП"). Дата публикации: 2021-05-25.

Thin film deposition method and thin film deposition apparatus

Номер патента: US20030180454A1. Автор: Koichi Shintomi,Hiroyuki Abe,Koji Masuda,Tetsuro Wada,Atsushi Hiraizumi,Kazuyou Mizuno. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Film deposition method and film deposition apparatus

Номер патента: US11981997B2. Автор: Feng Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Film deposition method and film deposition apparatus

Номер патента: US20230054843A1. Автор: Feng Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Thin film deposition preparation device and method

Номер патента: US20190186015A1. Автор: Fei Zhang,Jie Xiong,Xiaohui Zhao,Yanrong LI,Bowan TAO,Chaoren LI. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-06-20.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: US20240200181A1. Автор: Jung-Min Lee,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Film Deposition Apparatus

Номер патента: US20240335845A1. Автор: Masaki Hirano. Владелец: Tatsuta Electric Wire and Cable Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: US09873937B2. Автор: Jung-Min Lee,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Film deposition device of metal film and film deposition method

Номер патента: US09840786B2. Автор: Hiroshi Yanagimoto,Yuki Sato,Motoki Hiraoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Film deposition method for producing a reaction product on a substrate

Номер патента: US09677174B2. Автор: Hitoshi Kato,Takeshi Kumagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Zinc ion-implanted quartz glass

Номер патента: RU2585009C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Николай Васильевич Гаврилов,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-05-27.

Method for coating metal surfaces of substrates and objects coated according to said method

Номер патента: RU2669672C9. Автор: Мартин ДРОЛЛЬ,Оливер ЗЕЕВАЛЬД,Ларс ШАХТЗИК,Мануэль ТРАУТ,Михаэль ШВАМБ,Вера ЗОТКЕ,Алиаксандр ФРЕНКЕЛЬ,Рон АЙЛИНГХОФФ,Штефани ГЕРОЛЬД,Даниэль ВАССЕРФАЛЛЕН,Вольфганг БРЕМЗЕР,Евгения НИЗЕН. Владелец: Шеметалл Гмбх. Дата публикации: 2019-03-14.

Device for vacuum coating and method of substrate coating

Номер патента: RU2744334C1. Автор: Эрик СИЛЬБЕРБЕРГ,Сержио ПАС,Реми БОННЕМАН,Бруно ШМИЦ,Дидье МАРНЕФФЕ. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2021-03-05.

Method of substrate processing

Номер патента: RU2436882C2. Автор: Гэри П. ФАДЖИТТ,Террелл Дж. ГРИН,Скотт Э. ДЖИНТЕР,Джон У. СТОЛАРЗ,Роберт У. КАРЛСОН,Стенли Х. мл. МАКГРЮ,Стивен П. МЕЦЛЕР. Владелец: Мидвествако Корпорейшн. Дата публикации: 2011-12-20.

Decoration of substrates with powder coatings

Номер патента: RU2499676C2. Автор: Фолькер РЕКОВСКИ,Карлос РОДРИГЕС-САНТАМАРТА,Эрнесто МАРЕЛЛИ. Владелец: Дю Пон Иберика, С.Л.. Дата публикации: 2013-11-27.

Thin film deposition source, deposition apparatus and deposition method using the same

Номер патента: US20140154403A1. Автор: Jong Woo Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Ion separation device and method formed by magnetic field and ion exchange membranes

Номер патента: US20150259225A1. Автор: Runxi Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-17.

Deposition prevention plate and method for manufacturing the same, method for recycling material, and thin film deposition apparatus

Номер патента: US20200340103A9. Автор: Peng Xu,Jie Liu,Shengkai Pan,Yongkang QIAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Deposition prevention plate and method for manufacturing the same, method for recycling material, and thin film deposition apparatus

Номер патента: US20190352772A1. Автор: Peng Xu,Jie Liu,Shengkai Pan,Yongkang QIAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

A palette system for thin film deposition facilities for collecting and recovering deposited materials

Номер патента: EP2547806A1. Автор: Antonio Andrea Gentile,Salvatore Modeo. Владелец: Mrs SNC Di Gentile Antonio Andrea&Modeo Salvatore. Дата публикации: 2013-01-23.

Ion implantation in metal alloys

Номер патента: WO1993012265A1. Автор: Lynann Clapham,James L. Whitton. Владелец: Queen's University At Kingston. Дата публикации: 1993-06-24.

Method for producing metal catalyst having inorganic film deposited thereon by means of ald process, and metal catalyst having improved activity according thereto

Номер патента: EP4134163A1. Автор: Sung Gap Im,Eun Ji Woo,Young Jin Cho,Won Tae JANG,Do Heung KIM,Keon Woo CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-02-15.

Methods for preparing composites of substrate-molecular sieve

Номер патента: US20090246122A1. Автор: Jae Hyun Kim,Young Ju Lee,Jin Seok Lee,Kyung Byung Yoon,Nak Cheon Jeong. Владелец: Industry University Cooperation Foundation of Sogang University. Дата публикации: 2009-10-01.

Methods for preparing composites of substrate-molecular sieve

Номер патента: WO2008082269A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Young-Ju Lee,Jin-Seok Lee,Kyung-Byung Yoon,Nak-Cheon Jeong. Владелец: Industry-University Cooperation Foundation Sogang University. Дата публикации: 2008-07-10.

Non-membrane deionization and ion-concentrating apparatus and non-membrane deionization and ion-concentrating module

Номер патента: US20230312377A1. Автор: Jen-Huang Huang,Chi-Chang HU,Yu-Hsiang Yang,Yi-Heng TU. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-10-05.

Ion generation device for straight tube square electromagnetic ion implantation equipment

Номер патента: GB2628519A. Автор: Wang Xianghong,LI Yunqing,Meng Qiujing,Dai Zhengyang. Владелец: Shanghai Technical Inst Electronics & Information. Дата публикации: 2024-09-25.

3d surface printing apparatus for the edge area of substrate

Номер патента: US20240326468A1. Автор: Do Young Byun,Baek Hoon Seong,Won-Il Son. Владелец: Enjet Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Ion implantation of plastic orthopaedic implants

Номер патента: US5133757A. Автор: Piran Sioshansi,Richard W. Oliver. Владелец: Spire Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Method of extraction of rare earth elements (+3) from acidic water solutions containing other metals and ions

Номер патента: RU2748007C1. Автор: Александр Васильевич Радушев,Вера Алексеевна Никитина,Татьяна Дмитриевна Батуева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Пермский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук (ПФИЦ УрО РАН). Дата публикации: 2021-05-18.

Coating systems for protection of substrates exposed to hot and harsh environments and coated articles

Номер патента: CA2785257A1. Автор: Bangalore Nagaraj,Timothy P. Mccaffrey,Terry Lee Few,Brian P. L'heureux. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2011-08-18.

Apparatus for film deposition on a continuous flexible web

Номер патента: US20090014317A1. Автор: Chia-Yuan Chang,Chia-Hung Hsu. Владелец: INGA NANO Tech Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: US11920233B2. Автор: Jung-Min Lee,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Thin film deposition preparation device and method

Номер патента: US20170191163A1. Автор: Fei Zhang,Jie Xiong,Xiaohui Zhao,Yanrong LI,Bowan TAO,Chaoren LI. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-07-06.

Ion implantation for modification of thin film coatings on glass

Номер патента: US20170009337A1. Автор: Terry Bluck,Babak Adibi. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2017-01-12.

Laminated and ion-exchanged strengthened glass laminates

Номер патента: US11780758B2. Автор: Natesan Venkataraman,Suresh Thakordas Gulati,Robert Anthony Schaut,Timothy James Kiczenski,Michael Thomas Gallagher. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Film deposition apparatus

Номер патента: US20230133258A1. Автор: Takayasu Sato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

A palette system for thin film deposition facilities for collecting and recovering deposited materials

Номер патента: WO2011114223A1. Автор: Antonio Andrea Gentile,Salvatore Modeo. Владелец: MRS S.N.C. DI GENTILE ANTONIO ANDREA & MODEO SALVATORE. Дата публикации: 2011-09-22.

Ion implantation for modification of thin film coatings on glass

Номер патента: US20180023190A1. Автор: Terry Bluck,Babak Adibi. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Oxygen ion implantation equipment

Номер патента: US20090260570A1. Автор: Yoshiro Aoki. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Method for efficiently enriching chromatin open region binding proteins and application thereof

Номер патента: NL2034227B1. Автор: LI PING,Zhang Yan,Shi Shu,SHEN Wenlong,Zhao Zhihu,Ye Bingyu. Владелец: Acad Of Military Medical Sciences. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for Efficient Biosynthesis of Reb D by Glycosyltransferase

Номер патента: US20230212631A1. Автор: Yan Zhang,Zhenbo YUAN,Yijian RAO,Baodang Guo. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-06.

Surface modification of substrates using poly (2-oxazine)s

Номер патента: US20230272157A1. Автор: Richard Hoogenboom,Bart Verbraeken,Edmondo Benetti. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2023-08-31.

Apparatus for vacuum coating of substrates of various sizes

Номер патента: US20060225652A1. Автор: Dietmar Schulze,Hans-Christian Hecht,Jochen Krause,Wolfgang Erbkamm. Владелец: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH. Дата публикации: 2006-10-12.

Formation of substrates having ink including magnetic material

Номер патента: EP3245067A1. Автор: Masaaki Fukumoto,Masayasu OGATA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-11-22.

High chromium ferritic steel with 0.5 atomic % hafnium, part of which is ion implanted

Номер патента: EP1737996A1. Автор: Roy Loughborough University FAULKNER. Владелец: Loughborough University Enterprises Ltd. Дата публикации: 2007-01-03.

Method of substrate hydrophobisation

Номер патента: RU2661320C1. Автор: Георгий Сергеевич Морозов,Руслан Яхияевич Бакусев. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-инженерный центр "ИНКОМСИСТЕМ". Дата публикации: 2018-07-13.

Method of forming three-dimensional structures of functional layer topological elements on the surface of substrates

Номер патента: RU2700231C1. Автор: Николай Алексеевич Дюжев,Евгений Эдуардович Гусев,Валерий Юрьевич Киреев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2019-09-13.

Method of reducing icing of substrate

Номер патента: RU2579065C1. Автор: Эдвард Ф. РАКИЕВИЧ,Скотт Дж. МОРАВЕК,Давина Дж. ШВАРТЦМИЛЛЕР,Майкл А. ЗАЛИЧ,Брюс А. КОННЕЛЛИ. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2016-03-27.

Apparatus for movement and rotation of substrate holder

Номер патента: RU2688353C1. Автор: Дмитрий Петрович Батин,Ирина Владимировна Малютина,Дмитрий Борисович Шадрин,Владимир Николаевич Матвиенко,Максим Владимирович Лапин,Глеб Евгеньевич Тагиров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2019-05-21.

Tablet with film coating containing oxacarbazepine

Номер патента: RU2201218C2. Автор: Буркхард ШЛЮТЕРМАНН. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2003-03-27.

Lubricants based on ionic liquids and ion-containing lubricating additives

Номер патента: RU2566364C2. Автор: Олег Николаевич Анцуткин,Фаиз Уллах Шах,Сергей Борисович Главатских. Владелец: Сергей Борисович Главатских. Дата публикации: 2015-10-27.

Simple method and system for efficient recycling of mother solution from apparatus for producing purified terephthalic acid

Номер патента: RU2471767C1. Автор: Цзюнь Юань,Жуйкуй ЯО,Вэньдэ ЛО,Хуатан ЧЖОУ,Чунь ЧЖАН,Лицзюнь ЛИ,Мэнхэ ЧЭНЬ. Владелец: Чайна Текстайл Индастриэл Инджиниринг Инститьют. Дата публикации: 2013-01-10.

Process for electrophoretic film deposition achieving increased film thickness

Номер патента: CA1212352A. Автор: Rene J. Al,John W. Krise, Jr.. Владелец: Dresser Industries Inc. Дата публикации: 1986-10-07.

Activated air and ion exchange treatment of water

Номер патента: US4517084A. Автор: Andrew J. Pincon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-05-14.

Translational target assembly for thin film deposition system

Номер патента: US6090207A. Автор: Steven M. Green,Lee A. Knauss. Владелец: Neocera Inc. Дата публикации: 2000-07-18.

Film deposition apparatus, film deposition method, and storage medium

Номер патента: US20110104395A1. Автор: Hitoshi Kato,Yasushi Takeuchi,Takeshi Kumagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Continuous crystal transformation and ion exchange device and process

Номер патента: US11845073B1. Автор: Qiang Gong,Yongheng Yuan. Владелец: Catlion Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for adhesive bonding of substrates

Номер патента: EP4282620A3. Автор: Jesus Francisco Barberan Latorre. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-21.

Film deposition apparatus, method of depositing film, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20170211181A1. Автор: Yasushi Takeuchi,Kiichi Takahashi,Katsuyoshi Aikawa,Katsuhiko Oyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Nonconformal oxide film deposition using carbon-containing inhibitor

Номер патента: WO2023205570A1. Автор: Ravi Kumar,Pulkit Agarwal,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-10-26.

Palette modular device for collection and recovery of metals in thin film deposition equipment

Номер патента: US20130008375A1. Автор: Antonio Andrea Gentile,Salvatore Modeo. Владелец: MRS SNC DI GENTILE ANTONIO ANDREA AND MODEO SALVATORE. Дата публикации: 2013-01-10.

Method for adhesive bonding of substrates

Номер патента: EP4282620A2. Автор: Jesus Francisco Barberan Latorre. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-29.

Ion implanted hardmetal cemented carbide cold sprayed coatings

Номер патента: WO2018167534A1. Автор: Peerawatt NUNTHAVARAWONG,Natasha SACKS. Владелец: University of the Witwatersrand, Johannesburg. Дата публикации: 2018-09-20.

Continuous crystal transformation and ion exchange device and process

Номер патента: US20230390755A1. Автор: Qiang Gong,Yongheng Yuan. Владелец: Catlion Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Ion implanted hardmetal cemented carbide cold sprayed coatings

Номер патента: US20200048757A1. Автор: Peerawatt NUNTHAVARAWONG,Natasha SACKS. Владелец: University of the Witwatersrand, Johannesburg. Дата публикации: 2020-02-13.

Film deposition apparatus

Номер патента: US20160244877A1. Автор: Hitoshi Kato,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Nanocomplex containing amphipathic peptide useful for efficient transfection of biomolecules

Номер патента: EP2916873A1. Автор: Munia Ganguli,Shivangi Shivpuri,Rajpal. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2015-09-16.

Thin film deposition with improved control of precursor

Номер патента: US20240011160A1. Автор: Yen-Yu Chen,Wen-hao Cheng,Hsuan-Chih Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

An enzymatic pre-treatment method for efficient saccharification of lignocellulosic materials

Номер патента: US20240191268A1. Автор: Pramod Shankar Kumbhar,Phaneeswara RAO KOMMOJU,Parnal SUDHIR SATTIKAR,Dipesh DATTU JADHAV,Geetanjali SWAROOP WAKADE,Nikhil DEORAO AMBATKAR,Apoorva DESHMUKH-KAMBALE. Владелец: Praj Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Site-specific recombinases for efficient and specific genome editing

Номер патента: AU2022386716A1. Автор: Frank Buchholz,Felix LANSING,Jenna HOERSTEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2024-05-02.

Production Method for Efficiently Controlling Specific Surface Area of Conductive Carbon Black, and Material Delivering Device

Номер патента: US20200399477A1. Автор: Ningning YANG,Shuili JIA,Julan JIAO. Владелец: Jiaozuo City Hexing Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Production method for efficiently controlling specific surface area of conductive carbon black, and material delivering device

Номер патента: EP3753987A1. Автор: Ningning YANG,Shuili JIA,Julan JIAO. Владелец: Jiaozuo City Hexing Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

Method for screening a signal peptide for efficient expression and secretion of a heterologous polypeptide in mammalian cells

Номер патента: CA3241498A1. Автор: Paul Carlson,Ville Paavilainen,Juho KELLOSALO,Katja ROSTI,Maryna GREEN,Rahul NANEKAR. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for screening a signal peptide for efficient expression and secretion of a heterologous polypeptide in mammalian cells

Номер патента: AU2022418344A1. Автор: Paul Carlson,Ville Paavilainen,Juho KELLOSALO,Katja ROSTI,Maryna GREEN,Rahul NANEKAR. Владелец: UNIVERSITY OF HELSINKI. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods and reagents for efficient genotyping of large numbers of samples via pooling

Номер патента: EP3867397A1. Автор: Patrick DANAHER,Jesse J. SALK,Charles Clinton VALENTINE, III. Владелец: Twinstrand Biosciences Inc. Дата публикации: 2021-08-25.

Method for efficient catalytic synthesis of PAPS based on constructing ATP regeneration system

Номер патента: US20230272444A1. Автор: Yang Wang,Jian Chen,Guocheng Du,Zhen Kang,Ruirui Xu. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-31.

Evaporation method and film deposition method

Номер патента: US20130273249A1. Автор: Masaki Kusuhara,Masaru Umeda,Masayuki Toda,Mitsuru Fukagawa. Владелец: Watanabe Shoko KK. Дата публикации: 2013-10-17.

Site-specific recombinases for efficient and specific genome editing

Номер патента: EP4433584A1. Автор: Frank Buchholz,Felix LANSING,Jenna HOERSTEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for screening a signal peptide for efficient expression and secretion of a heterologous polypeptide in mammalian cells

Номер патента: EP4453019A1. Автор: Paul Carlson,Ville Paavilainen,Juho KELLOSALO,Katja ROSTI,Maryna GREEN,Rahul NANEKAR. Владелец: UNIVERSITY OF HELSINKI. Дата публикации: 2024-10-30.

Process for efficiently enriching and recovering noble metals of platinum and palladium by solvent extraction

Номер патента: US09957587B2. Автор: Zuoren Nie,Xiaokai Sun,Xiaoli Xi,Liwen Ma. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-05-01.

Nanocomplex containing amphipathic peptide useful for efficient transfection of biomolecules

Номер патента: US09669104B2. Автор: Munia Ganguli,Shivangi Shivpuri,Rajpal. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-06.

Evaporation method and film deposition method

Номер патента: US09644264B2. Автор: Masaki Kusuhara,Masaru Umeda,Masayuki Toda,Mitsuru Fukagawa. Владелец: Watanabe Shoko KK. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for efficient blowing of polymer particles

Номер патента: RU2750609C2. Автор: Ян В. ВАН ЭГМОНД,Джеффри Д. ГОУД,Джон К. КААРТО,Дэниел Дж. КИСМАР. Владелец: У.Р. Грейс Энд Ко.-Конн.. Дата публикации: 2021-06-29.

Method for production of substrate with chromium vi free and cobalt-free passivation

Номер патента: RU2652324C2. Автор: Марцель Рот,Кристофер КЕСТЕР,Инго КЛЮППЕЛЬ,Верена ГРОССМАНН,Герхард РОЙССМАНН. Владелец: Эвальд Деркен Аг. Дата публикации: 2018-04-25.

Non-electrolytic flow method of metallisation of substrates by sputtering with preliminary surface processing and device for its realisation

Номер патента: RU2532796C2. Автор: Самюэль СТРЕМСДЁРФЕР. Владелец: Жет Металь Текноложи. Дата публикации: 2014-11-10.

Process for efficient purification of neutral human milk oligosaccharides (hmo) from microbial fermentation, hmo concentrate and use thereof

Номер патента: RU2682445C2. Автор: Стефан ЕННЕВАЙН. Владелец: Енневайн Биотехнологи Гмбх. Дата публикации: 2019-03-19.

Aluminoxide composition and method of producing ceramic material for production of substrates

Номер патента: RU2632078C1. Автор: Михаил Антонович Иваницкий,Борис Александрович Морозов,Евгений Степанович Лукин,Валерий Сергеевич Преображенский. Владелец: Акционерное общество "Поликор". Дата публикации: 2017-10-02.

Method for coating metal surfaces of substrates, and objects coated according to method for coating

Номер патента: RU2669672C2. Автор: Мартин ДРОЛЛЬ,Оливер ЗЕЕВАЛЬД,Ларс ШАХТЗИК,Мануэль ТРАУТ,Михаэль ШВАМБ,Вера ЗОТКЕ,Алиаксандр ФРЕНКЕЛЬ,Рон АЙЛИНГХОФФ,Штефани ГЕРОЛЬД,Даниэль ВАССЕРФАЛЛЕН,Вольфганг БРЕМЗЕР,Евгения НИЗЕН. Владелец: Шеметалл Гмбх. Дата публикации: 2018-10-12.

Method of reducing icing of substrate

Номер патента: RU2592896C2. Автор: Эдвард Ф. РАКИЕВИЧ,Скотт Дж. МОРАВЕК,Давина Дж. ШВАРТЦМИЛЛЕР,Майкл А. ЗАЛИЧ,Джейн Н. Валента. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2016-07-27.

Sanitizer with an ion generator and ion electrode assembly

Номер патента: US20160367712A1. Автор: Michael E. ROBERT. Владелец: DM TEC LLC. Дата публикации: 2016-12-22.

Filtering bag of vacuum cleaner with film in holding plate area

Номер патента: RU2753555C1. Автор: Ральф САУЭР,Йен ШУЛЬТИНК. Владелец: Еврофильтерс Холдинг Н.В.. Дата публикации: 2021-08-17.

Device and method to wrap stack of products with film

Номер патента: RU2477248C2. Автор: Франк Рольф МИХЕЛЬС. Владелец: Мск Ферпакунгз-Зюстеме Гмбх. Дата публикации: 2013-03-10.

Method of accelerating positively charged particles and ions and hollow inductive accelerator

Номер патента: RU2422924C2. Автор: Василий Васильевич Мантуров. Владелец: Василий Васильевич Мантуров. Дата публикации: 2011-06-27.

Gas flow device for a system for the radiation treatment of substrates

Номер патента: RU2670926C2. Автор: Карлос РИБЕЙРО. Владелец: Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон. Дата публикации: 2018-10-25.

Fluid ejection head and manufacturing method of substrate for fluid ejection head

Номер патента: RU2373067C1. Автор: Хироюки АБО,Мицуру ТИДА,Тосиясу САКАИ,Нориясу ОЗАКИ,Казуя АБЕ,Кендзи ОНО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-11-20.

Method of depositing thin films on surface of substrates for making solar cells

Номер патента: RU2586265C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова,Мария Николаевна Литовченко,Тажидин Экберович Саркаров,Юсуп Пахрудинович Шангереев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2016-06-10.

Air-to-air radiator and method for efficiency increase

Номер патента: RU2632561C2. Автор: Владимир Леонидович Письменный. Владелец: Владимир Леонидович Письменный. Дата публикации: 2017-10-05.

Cyclophosphamide tablet with film cover (variants) and method for its making, tablet core and method for its making

Номер патента: RU2236231C2. Автор: Юрген Раверт,Юрген Энгель,Буркхард ВИХЕРТ,Дитер ЗАУЭРБИР. Владелец: Аста Медика Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2004-09-20.

Pharmaceutical composition of n-(6-phenylhexanoyl)glycyl-l-tryptophan amide with film coating and the method of its production

Номер патента: RU2663691C2. Автор: Сергей Борисович Середенин,Татьяна Александровна Гудашева,Константин Викторович Алексеев,Борис Михайлович Пятин,Нина Ивановна Авдюнина,Любовь Николаевна Грушевская,Евгения Викторовна Блынская,Надежда Михайловна Зайцева,Людмила Михайловна Гаевая,Наталья Викторовна Тихонова,Марк Александрович Константинопольский,Лариса Геннадьевна Колик,Ксения Геннадьевна Турчинская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский институт фармакологии имени В.В. Закусова". Дата публикации: 2018-08-08.

Oil film-deposit bearing

Номер патента: CA2144897A1. Автор: Chin-Sung Ou. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-09-18.

Compositions And Methods For Treating With A Combination Of Alternating Electric Fields And Ion Channel Inhibitors

Номер патента: US20230381503A1. Автор: Stuart Smith,Michele Mazzanti. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2023-11-30.

Modification to rough polysilicon using ion implantation and silicide

Номер патента: US20220144628A1. Автор: Alan Cuthbertson,Daesung Lee. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Modification to rough polysilicon using ion implantation and silicide

Номер патента: US20200270123A1. Автор: Alan Cuthbertson,Daesung Lee. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Modification to rough polysilicon using ion implantation and silicide

Номер патента: US11952267B2. Автор: Alan Cuthbertson,Daesung Lee. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Determination and mitigation of anomalous interlayer temperature in manufacturing processes

Номер патента: WO2024227048A1. Автор: Shuchi P. Khurana,Darshan Thakkar. Владелец: Addiguru, LLC. Дата публикации: 2024-10-31.

Device and method of packaging of unit of cargo with film

Номер патента: RU2494934C2. Автор: Райнер ХАННЕН. Владелец: Мск-Ферпакунгз-Зюстеме Гмбх. Дата публикации: 2013-10-10.

Device and method to wrap stack of products with film

Номер патента: RU2478067C2. Автор: Франк Рольф МИХЕЛЬС. Владелец: Мск Ферпакунгз-Зюстеме Гмбх. Дата публикации: 2013-03-27.

Oral composition with antimicrobial activity for decreasing dental deposit and treating gingivitis (options), method of treating dental deposit and treating gingivitis

Номер патента: RU2219902C1. Автор: Уилльям Майкл ГЛЭНДОРФ,Дональд Джеймс Мл. УАЙТ,Хенк Дж. БУСШЕР,Лори Анн БАККА. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2003-12-27.

Gas flow device for a system for the radiation treatment of substrates

Номер патента: RU2670926C9. Автор: Карлос РИБЕЙРО. Владелец: Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон. Дата публикации: 2018-12-13.

Device and method to wrap pile of products with film

Номер патента: RU2478072C2. Автор: Франк Рольф МИХЕЛЬС,Норберт ФЕРМОЙЛЕН,Энрико ЦЗОК,Михаэль ОЙМАНН,Серж АЛЕКСЕЕВ. Владелец: Мск-Ферпакунгз-Зюстеме Гмбх. Дата публикации: 2013-03-27.

Oral composition with film-forming polymers

Номер патента: RU2404739C2. Автор: Гуйшэн ПАНЬ,Суман ЧОПРА,Майкл ПРЕНСАЙП,Линетт ЗАЙДЕЛ,Сайед ИБРАХИМ,Притхвирадж МАИТРА. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2010-11-27.

Method for welding with the help of ion implantation

Номер патента: US4452389A. Автор: Kamal E. Amin. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1984-06-05.

Woody rootstock for efficient grafting of solanaceous vegetables and efficient grafting and seedling culture method thereof

Номер патента: US11751512B2. Автор: Lu Yuan,Yang Yang,Yuzhuo Li,Xuan Zhang,Ke Liu,Aijun Zhang,Liping Chen,Tingjin WANG,Zhenyu Qi. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-09-12.

Device for efficient positive pressure ventilation

Номер патента: EP1545716A1. Автор: Esa Karvonen. Владелец: Simultron Oy. Дата публикации: 2005-06-29.

Backhoe loader for efficient digging

Номер патента: US20240133155A1. Автор: Xiaocheng Liu,Weiwei Jin,Yanbo Geng. Владелец: Jiangsu XCMG Construction Machinery Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Backhoe loader for efficient digging

Номер патента: US20240229416A9. Автор: Xiaocheng Liu,Weiwei Jin,Yanbo Geng. Владелец: Jiangsu XCMG Construction Machinery Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Device and method for spread coating a paste over a layer of substrate, for example for producing surface covering elements

Номер патента: WO2020016291A1. Автор: Jean-Yves Simon,Diego Gourdin. Владелец: TARKETT GDL S.A.. Дата публикации: 2020-01-23.

Device and method for spread coating a paste over a layer of substrate, for example for producing surface covering elements

Номер патента: EP3823765A1. Автор: Jean-Yves Simon,Diego Gourdin,Guillaume CHATTE. Владелец: Tarkett GDL SA. Дата публикации: 2021-05-26.

Method for efficiently treating spontaneous ignition of remaining coal in large area goaf of shallow-buried coal bed

Номер патента: US09869178B2. Автор: Yi Lu,Botao Qin,Xiaoxing Zhong,Xiaowen Qin. Владелец: China University of Mining and Technology CUMT. Дата публикации: 2018-01-16.

Flame treatment of substrate

Номер патента: RU2582135C2. Автор: Андерс САНДСТРЕМ. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2016-04-20.

Method for efficient increase of broiler chickens productivity during combined use of intramuscular injection of nano-iron and arginine in ration

Номер патента: RU2601812C1. Автор: Сергей Александрович Мирошников,Елена Владимировна Яушева,Елена Анатольевна Сизова,Борис Георгиевич Рогачев,Лев Никитович Павлов. Владелец: Федеральное Государственное бюджетное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт мясного скотоводства. Дата публикации: 2016-11-10.

Method for efficiency improvement in injection and intensification of oil and gas production

Номер патента: RU2567877C2. Автор: Маттхев Роберт Георге БЕЛЛ,Давид С. ВЕССОН,Натхан Гаррет КЛАРК,Джохн Тхомас ХАРДЕСТЫ. Владелец: Геодынамикс, Инк.. Дата публикации: 2015-11-10.

CONTROL APPARATUS FOR PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION OF A DIELECTRIC SUBSTRATE

Номер патента: US20120000421A1. Автор: Singh Vikram,Miller Timothy,Leavitt Christopher J.,Godet Ludo. Владелец: VARIAN SEMICONDUTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Ion-implantation treatment method of parts from titanium alloys

Номер патента: RU2479667C2. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Сергей Петрович Павлинич,Анатолий Михайлович Смыслов,Василий Андреевич Гонтюрев,Марина Константиновна Смыслова,Константин Сергеевич Селиванов,Михаил Юрьевич Дыбленко,Вячеслав Юрьевич Гордеев. Владелец: Вячеслав Юрьевич Гордеев. Дата публикации: 2013-04-20.

Zinc oxide films deposition method

Номер патента: RU2316613C1. Автор: Александр Николаевич Захаров,Сергей Викторович Работкин,Виктор Георгиевич Подковыров,Николай Семенович Сочугов. Владелец: Институт сильноточной электроники СО РАН. Дата публикации: 2008-02-10.

Method testing thickness of film in process of its deposition and device for its realization

Номер патента: RU2158897C1. Автор: В.К. Битюков,Г.В. Попов,Г.В. Абрамов,Д.В. Ерыгин. Владелец: Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2000-11-10.

ION IMPLANTED BEAM DUMP

Номер патента: US20120001061A1. Автор: Zillmer Andrew J.. Владелец: HAMILTON SUNDSTRAND CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of implanting gas ions in metals and ions

Номер патента: RU2509174C1. Автор: Антон Николаевич Кравченков,Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Светлана Викторовна Якутина,Надежда Владимировна Учеваткина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2014-03-10.

Ion implantation method for surfaces of parts made from structural steel

Номер патента: RU2581536C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Надежда Владимировна Учеваткина,Ольга Андреевна Жданович,Татьяна Юрьевна Скакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный машиностроительный университет (МАМИ)" (Университет машиностроения). Дата публикации: 2016-04-20.

Ion implantation method

Номер патента: RU2403646C1. Автор: Владимир Николаевич Неволин,Вячеслав Юрьевич Фоминский,Роман Иванович Романов. Владелец: ФГБОУ ВПО Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". Дата публикации: 2010-11-10.

Ion implantation method of surfaces of parts from structural steel

Номер патента: RU2482218C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Ирина Рафаиловна Шляпина,Светлана Викторовна Якутина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2013-05-20.

Ion implantation method of surfaces of parts from titanium alloy

Номер патента: RU2536843C1. Автор: Антон Николаевич Кравченков,Виктор Васильевич Овчинников,Дмитрий Александрович Козлов,Надежда Владимировна Учеваткина,Ольга Валерьевна Семендеева,Ольга Андреевна Жданович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2014-12-27.

Method of obtaining selective sorption and ion-exchange materials

Номер патента: RU2325230C1. Автор: Виктор Федорович Каблов,Игорь Николаевич Воронин,Владимир Алексеевич Егоров,Дмитрий Алексеевич Кондруцкий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Биопласт". Дата публикации: 2008-05-27.

Mitigation of Fluid Leaks

Номер патента: US20120001982A1. Автор: Barss Steven H.,Hoisington Paul A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Ion implantation unit cathode

Номер патента: RU2501886C1. Автор: Анатолий Дмитриевич Шляпин,Антон Николаевич Кравченков,Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Светлана Викторовна Якутина,Надежда Владимировна Учеваткина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2013-12-20.

Tin ion-implanted silicon oxide film on silicon substrate

Номер патента: RU2535244C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-12-10.

Acceleration method and ion accelerator

Номер патента: RU2312473C2. Автор: Алексей Сергеевич Богомолов. Владелец: Алексей Сергеевич Богомолов. Дата публикации: 2007-12-10.

Desulfovibrio oxamicus BACTERIA STRAIN, USED FOR PURIFYING SEWAGE WATER FROM SULPHATES AND IONS OF HEAVY METALS

Номер патента: RU2355756C1. Автор: Юрий Юрьевич Смирнов,Анна Валериевна Вацурина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Экологическая компания "БиоТехПром". Дата публикации: 2009-05-20.

Agent for treatment of water from radical and ion-radical particles

Номер патента: RU2166991C1. Автор: А.В. Волков,В.Л. Воейков,С.Э. Кондаков,К.Н. Новиков,В.М. Розенталь. Владелец: Царегородцев Андрей Витальевич. Дата публикации: 2001-05-20.

Method for void-free splicing of substrates

Номер патента: RU2244362C2. Автор: Г.Н. Камаев,А.Т. Дрофа,Т.В. Булычева. Владелец: Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников СО РАН. Дата публикации: 2005-01-10.

Method of product manufacture containing silicon substrate with film from carbide of silicon on its surface

Номер патента: RU2352019C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл". Дата публикации: 2009-04-10.

Method for measuring cleanness of substrate surfaces

Номер патента: RU2307339C2. Автор: Николай Львович Казанский,Всеволод Анатольевич Колпаков,Сергей Васильевич Кричевский,Николай Александрович Ивлиев. Владелец: Институт систем обработки изображений Российской академии наук (ИСОИ РАН). Дата публикации: 2007-09-27.

Method and device for washing and drying of substrates

Номер патента: RU2386187C1. Автор: Сергей Алексеевич Сергеев,Валерий Николаевич Комаров,Роман Валерьевич Комаров. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" ОАО "НИИПМ". Дата публикации: 2010-04-10.

CONTROL OF ELECTROLYTE HYDRODYNAMICS FOR EFFICIENT MASS TRANSFER DURING ELECTROPLATING

Номер патента: US20120000786A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Procedure for ion implantation of surface of items of steel 30xgch2a

Номер патента: RU2430991C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Светлана Викторовна Якутина,Дмитрий Александрович Козлов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный индустриальный университет. Дата публикации: 2011-10-10.

Method of copper and lead ions implantation into the construction steel

Номер патента: RU2442843C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Светлана Викторовна Якутина,Дмитрий Александрович Козлов,Алексей Сергеевич Немов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет"(ФГБОУ ВПО "МГИУ"). Дата публикации: 2012-02-20.

Manufacturing method of honeycomb ceramic unit for catalytic neutraliser of exhaust gases of internal combustion engine, and application method of substrate onto honeycomb ceramic unit for catalytic neutraliser of exhaust gases

Номер патента: RU2553004C1. Автор: Рудольф Юрьевич Соловьев,Елизавета Юрьевна Кудряшова,Ксения Сергеевна Поджарая. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский технологический институт ремонта и эксплуатации машинно-тракторного парка Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ГОСНИТИ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2015-06-10.

Method of purification and reclamation of ecological functions of substrates contaminated by oil and its products

Номер патента: RU2412014C1. Автор: Сергей Александрович Емельянов,Валерия Владимировна Смольникова,Михаил Сергеевич Дементьев,Валерия Владимировна Смольникова (RU),Сергей Александрович Емельянов (RU),Михаил Сергеевич Дементьев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский государственный технический университет". Дата публикации: 2011-02-20.

Ion implantation method

Номер патента: RU2181787C2. Автор: В.В. Будилов,Р.М. Киреев,Р.Д. Агзамов. Владелец: Уфимский государственный авиационный технический университет. Дата публикации: 2002-04-27.

Method for efficient detection of coal bed moisture

Номер патента: RU2513465C1. Автор: Иван Сергеевич Елкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева" (КузГТУ). Дата публикации: 2014-04-20.

Method of identifying the pattern of ion-implant component on die substrate

Номер патента: MY138318A. Автор: Kuan Siew Hor,Darakorn Sae Le Le Su Chin,Ho Le Ngoh. Владелец: Mini Circuits Technologies Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2009-05-29.

Method and apparatus for efficiently querying and identifying multiple items on a communication channel

Номер патента: US20120001736A1. Автор: Hulvey Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Ion implantation method of surfaces of parts made from structural steel

Номер патента: RU2465373C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Ирина Рафаиловна Шляпина,Дмитрий Александрович Козлов,Екатерина Александровна Серикова,Виктор Васильевич Овчинников (RU),Юрий Михайлович Боровин (RU),Екатерина Александровна Серикова (RU),Елена Владимировна Лукьяненко (RU),Ирина Рафаиловна Шляпина (RU),Дмитрий Александрович Козлов (RU). Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2012-10-27.

Method for efficient deployment of long-term autonomous system of life support of many people under cold climatic conditions

Номер патента: RU2476775C2. Автор: Сергей Михайлович Дивятовский. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Оборонэнерго". Дата публикации: 2013-02-27.

Method for efficiency estimation of neoadjuvant polychemotherapy of malignant breast tumour

Номер патента: RU2641158C2. Автор: Дмитрий Владимирович Сафонов,Михаил Викторович Павлов,Анна Владимировна Масленникова,Наталия Михайловна Шахова,Павел Владимирович Субочев,Павел Иванович Рыхтик. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО НижГМА Минздрава России). Дата публикации: 2018-01-16.

Composition of substrate for growing vegetative nursery plants and grape seedlings

Номер патента: RU2506740C1. Автор: Владимир Викторович Чулков,Лариса Анатольевна Титова,Григорий Павлович Малых,Анди Султанович Магамадов,Дмитрий Васильевич Данилов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ВИНОГРАДАРСТВА И ВИНОДЕЛИЯ ИМЕНИ Я.И. ПОТАПЕНКО РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ СЕЛЬСКОХОЗЯЙСТВЕННЫХ НАУК ГНУ ВНИИВ и В. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of vacuum ion-plasma coating of substrate

Номер патента: RU2192501C2. Автор: Г.Г. Деркач,И.А. Кузнецов,В.Н. Семенов,Ю.А. Пестов,В.П. Петров,А.И. Додонов,Ф.А. Голощапов. Владелец: ОАО "Научно-производственное объединение энергетического машиностроения им. акад. В.П.Глушко". Дата публикации: 2002-11-10.

Cigarette packet with film

Номер патента: CA125307S. Автор: . Владелец: Innovia Films Ltd. Дата публикации: 2010-02-05.

Method for quantitative determination of group of fluorescent and ion indicators in formation water at their joint presence

Номер патента: RU2595810C1. Автор: Михаил Самойлович Хозяинов,Елена Дмитриевна Грибова,Олеся Кенжигалиевна Апендеева,Ирина Владимировна Мухина. Владелец: Ооо "Мантсгео". Дата публикации: 2016-08-27.

Method of production of substrate blocks for growing oyster mushrooms

Номер патента: RU2511185C1. Автор: Вячеслав Николаевич Линюшин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Успех". Дата публикации: 2014-04-10.

Method for growing of edible mushrooms and forming of substrate blocks for growing the same

Номер патента: RU2292705C1. Автор: Ксени Леонидовна Алексеева,Ксения Леонидовна Алексеева,Станислав Степанович Литвинов,Константин Геннадьевич Терновой,Дмитрий Сергеевич Партин,Рафик Джамович Нурметов. Владелец: Государственное научное учреждение - Всероссийский научно-исследовательский институт овощеводства (ГНУ ВНИИО). Дата публикации: 2007-02-10.

Method for efficient earthing of power transformer neutral line

Номер патента: RU2586326C1. Автор: Алексей Алексеевич Кувшинов,Вера Васильевна Вахнина,Алексей Николаевич Черненко,Татьяна Александровна Рыбалко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тольяттинский государственный университет" (ТГУ). Дата публикации: 2016-06-10.

Method and device for the surface treatment of substrates

Номер патента: SG10201809891SA. Автор: Nasser RAZEK. Владелец: EV Group E Thallner GmbH. Дата публикации: 2018-12-28.

Suppression of transient enhanced diffusion in ion implanted silicon

Номер патента: WO1998020525A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1998-08-27.

Media cutting device with film wrap

Номер патента: CA124878S. Автор: . Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-10-21.

Method of depositing radioisotope on concave metal surface of substrate of sealed radiation source

Номер патента: RU2475875C2. Автор: Николай Александрович Нерозин,Владимир Владимирович Шаповалов,Дмитрий Алексеевич Подсобляев,Николай Антонович Ермолов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научный центр Российской Федерации - Физико-энергетический институт имени А.И. Лейпунского". Дата публикации: 2013-02-20.

Method for plasma-chemical treatment of substrates made of polykor and glass-ceramic

Номер патента: RU2541436C1. Автор: Георгий Сергеевич Крылов,Антон Алексеевич Пухов,Александр Вячеславович Мещеряков. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2015-02-10.

Method for efficient use of communication resources of multiservice network in congestion conditions

Номер патента: RU2547631C2. Автор: Игорь Акрамович Саитов,Владимир Владимирович Бухарин,Олег Викторович Романюк,Владимир Владимирович Дворядкин,Денис Витальевич Шелковый. Владелец: Государственное казенное образовательное учреждение высшего профессионального образования Академия Федеральной службы охраны Российской Федерации (Академия ФСО России). Дата публикации: 2015-04-10.

Symmetrical four-pair cable with film milli insulating cord

Номер патента: RU2705358C1. Автор: Эдуард Львович Портнов,Андрей Борисович Семенов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Московский государственный строительный университет" (НИУ МГСУ). Дата публикации: 2019-11-07.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.