Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Methods for depositing a conformal metal or metalloid silicon nitride film and resultant films

Methods for depositing a conformal metal or metalloid silicon nitride film and resultant films

Номер патента: IL257990B1
Опубликовано: 01-03-2023
Автор(ы):
Принадлежит: Versum Mat Us Llc

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods for depositing a conformal metal or metalloid silicon nitride film and resultant films

Номер патента: US11732351B2. Автор: XINJIAN LEI,Moo-Sung Kim,Jianheng LI. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-08-22.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: US09865455B1. Автор: James Samuel Sims,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for depositing metals free ald silicon nitride films using halide-based precursors

Номер патента: US09824884B1. Автор: Jon Henri,James S. Sims,Ramesh Chandrasekharan,Seshasayee Varadarajan,Andrew John McKerrow,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US20130109154A1. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US20240297039A1. Автор: Hideaki Fukuda,Charles DEZELAH,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-05.

Si precursors for deposition of SiN at low temperatures

Номер патента: US09824881B2. Автор: SHANG Chen,Viljami Pore,Antti J. Niskanen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for depositing a chlorine-free conformal SiN film

Номер патента: US09670579B2. Автор: Jon Henri,Dennis Hausmann,Bart van Schravendijk,Easwar Srinivasan. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Low temperature silicon nitride films using remote plasma CVD technology

Номер патента: US09583333B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Amit Chatterjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US8889568B2. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US11996286B2. Автор: Hideaki Fukuda,Viljami Pore,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-28.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US20240290611A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Bo Xie,Ruitong Xiong,Kang S. Yim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Plasma cvd method, method for forming silicon nitride film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120178268A1. Автор: Toshio Nakanishi,Masayuki Kohno,Tatsuo Nishita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Method and apparatus of forming silicon nitride film

Номер патента: US09920422B2. Автор: Kazuhide Hasebe,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: US20230246078A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Shinichi Shioi. Владелец: Sanan Japan Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of forming silicon nitride film and film forming apparatus

Номер патента: US20240087885A1. Автор: Yusuke Suzuki,Yuji Otsuki,Munehito Kagaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Systems and methods for depositing high density and high tensile stress films

Номер патента: US20220068630A1. Автор: Yu Yang,Deenesh Padhi,Hang Yu,Xinhai Han,Allison YAU,Chuanxi YANG,Sanjay G. KAMATH,Chuan Ying WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Systems and methods for depositing high density and high tensile stress films

Номер патента: WO2022051157A1. Автор: Yu Yang,Deenesh Padhi,Hang Yu,Xinhai Han,Allison YAU,Chuanxi YANG,Sanjay G. KAMATH,Chuan Ying WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes

Номер патента: US12040177B2. Автор: Yoshio SUSA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for producing a film of a ternary or quaternary compound by ALD

Номер патента: SE2150544A1. Автор: Henrik Pedersen,Polla ROUF. Владелец: Polla ROUF. Дата публикации: 2022-10-30.

Method for producing a film of a ternary or quaternary compound by ald

Номер патента: WO2022231494A1. Автор: Henrik Pedersen,Polla ROUF. Владелец: ROUF Polla. Дата публикации: 2022-11-03.

Systems and methods for deposition of molybdenum for source/drain contacts

Номер патента: US20230298902A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Eric James Shero,Jiyeon Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for depositing boron nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US12049694B2. Автор: Yosuke Watanabe,Shota CHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Process for preparing silicon-rich silicon nitride films

Номер патента: WO2023168082A1. Автор: Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen,Shawn Duc NGUYEN. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for reducing incubation period of silicon nitride layer deposition, structure formed using the method, and system for performing the method

Номер патента: US20240318311A1. Автор: Jun Kawahara,Hiroki Matsuda,Agung Setiadi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film

Номер патента: US09589790B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,James S. Sims,Shane Tang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for depositing boron nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US20220235457A1. Автор: Yosuke Watanabe,Shota CHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Low-k dielectric protection during plasma deposition of silicon nitride

Номер патента: WO2023178216A1. Автор: Bo Gong,Andrew John McKerrow,Awnish GUPTA,Gopinath Bhimarasetti,Dustin Zachary Austin,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for forming film filled in trench without seam or void

Номер патента: US09812319B1. Автор: Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for evaluating semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160086792A1. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for evaluating semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09786495B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110287621A1. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Silicon Nitride Films With High Nitrogen Content

Номер патента: US20190013197A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: WO2019010279A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-10.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: EP1548814A3. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080246125A1. Автор: Yoshiyuki Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Methods for depositing silicon nitride films

Номер патента: US09905415B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Haripin Chandra,Kirk Scott Cuthill,Anupama Mallikarjunan,Moo-Sung Kim. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: EP2579300A4. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US20130075875A1. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for fabricating thin insulating films, a semiconductor device and a method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20010046788A1. Автор: Ramesh Kakkad. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Method of depositing silicon nitride film, apparatus for depositing film, and silicon nitride film

Номер патента: US20240055239A1. Автор: Naoki Morimoto,Akira Igari,Yuta Ando. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods for depositing films on sensitive substrates

Номер патента: US09786570B2. Автор: Hu Kang,Jon Henri,Shankar Swaminathan,Adrien Lavoie. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US6949480B2. Автор: Sung Hoon Jung,Hyung Kyun Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Silicon Compounds And Methods For Depositing Films Using Same

Номер патента: US20230123377A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Daniel P. Spence,William R. Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: WO2019010279A3. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-04-11.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP3649270A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP4345189A2. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: US10811250B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP4345189A3. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Silicon nitride film for semiconductor element, and method and apparatus for manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US20130071671A1. Автор: Seiji Nishikawa,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Methods for silicide deposition

Номер патента: US20200013625A1. Автор: Patricia M. Liu,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Methods for silicide deposition

Номер патента: WO2020009753A1. Автор: Patricia M. Liu,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for curing low dielectric constant film using direct current bias

Номер патента: WO2004063422A2. Автор: Li-Qun Xia,Maosheng Zhao,Juan Carlos Rocha-Alvarez,Lihua Li,Tzu-Fang Huang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2004-07-29.

Methods for depositing high-k dielectrics

Номер патента: US20100330772A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Methods For Depositing High-K Dielectrics

Номер патента: US20130056852A1. Автор: Sandra G. Malhotra,Imran Hashim,Sunil Shanker,Xiangxin Rui,Edward L. Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods for depositing high-K dielectrics

Номер патента: US8574985B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Methods for depositing tungsten or molybdenum films

Номер патента: US11761081B2. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen,Robert WRIGHT, JR.,Shawn D. NGUYEN. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane

Номер патента: US12033849B2. Автор: Hidemi Suemori,Ryu Nakano,Yuko KENGOYAMA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and apparatus for depositing a silicon-containing film

Номер патента: US20160379868A1. Автор: Jun Sato,Masahiro Murata,Hiroyuki Kikuchi,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

A Silicon Nitride Film, A Semiconductor Device, A Display Device and a Method for Manufacturing a Silicon Nitride Film

Номер патента: US20070253881A1. Автор: Shinji Maekawa,Tetsuya Kakehata,Yuuichi Takehara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US20150162183A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-06-11.

Method for forming film and processing apparatus

Номер патента: US12112943B2. Автор: Ryo Watanabe,Keita Kumagai,Hiroto Fujikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US09646820B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Metal plate for deposition mask, and deposition mask and manufacturing method therefor

Номер патента: US11732364B2. Автор: Dong Mug Seong,Su Hyeon Cho,Hae Sik Kim,Sang Beum Lee,Tae Hoon Han,Hyo Won Son,Sang Yu Lee,Jong Min YUN. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures

Номер патента: US11848200B2. Автор: Jacob Woodruff,Bed Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of forming silicon nitride films using microwave plasma

Номер патента: US11955331B2. Автор: Kelvin Chan,Philip Allan Kraus,Hanhong Chen,Thai Cheng Chua. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Crystalline strontium titanate (sto) and method for deposition of the sto on a substrate

Номер патента: US20240242964A1. Автор: Nagendra Nagaraja,Pinakin Mansukhlal Padalia,Amlan Mukherjee,Manjunath Gangaiah,Balaji Sompalle,Purnima Sethi Josan,Subhash Kannappa Manoharan. Владелец: Superq Technologies India Private Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Precursors for deposition of silicon nitride, silicon oxynitride and metal silicon oxynitrides

Номер патента: WO2005121399A1. Автор: Paul Williams,Anthony Copeland Jones,Ravi Kanjolia,Rajesh Odedra,Megan Ravetz. Владелец: Epichem Limited. Дата публикации: 2005-12-22.

Precursors and methods for preparing silicon-containing films

Номер патента: US12071688B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Sangjin Lee,Soojin Lee,Sungsil CHO,Seobong CHANG,Jae Eon Park,Dahye Kim. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Cyclic deposition method for thin film and manufacturing method for semiconductor, and semiconductor device

Номер патента: US09741574B2. Автор: Hai-Won Kim,Seok-Yun Kim. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for depositing a silicon nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US20190051513A1. Автор: Hitoshi Kato,Yutaka Takahashi,Kazumi Kubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for forming pecvd silicon nitride film

Номер патента: US20080029021A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-07.

Method for forming dielectric film and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09991112B2. Автор: Youn Joung CHO,Won Woong CHUNG,Sun Hye Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Laminate and method for manufacturing same

Номер патента: EP4414170A1. Автор: Takahiro Nagata,Masami Mesuda,Yoshihiro Ueoka,Yuya Suemoto,Liwen SANG,Toyohiro Chikyow. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Apparatus and methods for photo-excitation processes

Номер патента: US20180274099A1. Автор: Stephen Moffatt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for manufacturing self-supporting gallium nitride substrate

Номер патента: EP4404240A1. Автор: Shuai Wang,Junjie REN. Владелец: Sino Nitride Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Methods for photo-excitation of precursors in epitaxial processes using a rotary scanning unit

Номер патента: US09499909B2. Автор: Stephen Moffatt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for depositing a group III nitride semiconductor film

Номер патента: US09478420B2. Автор: Heinz Felzer,Lorenzo CASTALDI,Martin Kratzer,Robert MAMAZZA, Jr.. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US12055863B2. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods for depositing a monolayer on a substrate

Номер патента: US09899212B2. Автор: James McGrath,Alexander Shestopalov,Xunzhi Li. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2018-02-20.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, laminated group III nitride composite substrate, and group III nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923063B2. Автор: Keiji Ishibashi,Yoshiyuki Yamamoto,Koji Uematsu,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Systems and methods for thermally managing high-temperature processes on temperature sensitive substrates

Номер патента: US09634175B2. Автор: Joseph H. Armstrong,Lawrence M. Woods,Rosine Ribelin. Владелец: Ascent Solar Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Hot-wire method for depositing semiconductor material on a substrate and device for performing the method

Номер патента: US09589794B2. Автор: Andreas Schmalen,Friedhelm Finger,Johannes Wolff. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for reducing growth of non-uniformities and autodoping during column iii-v growth into dielectric windows

Номер патента: EP3039709A1. Автор: William E. Hoke,Jeffrey R. LaRoche,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-07-06.

Methods for depositing amorphous silicon

Номер патента: US09633841B2. Автор: Chi-Min Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Compositions and methods for forming and depositing metal films on semiconductor substrates using supercritical solvents

Номер патента: WO2008094494A1. Автор: Mark Ian Wagner. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-08-07.

Method for producing support substrate for bonded wafer, and support substrate for bonded wafer

Номер патента: US20230395423A1. Автор: Hiroaki Ishizaki,Daisuke HIEDA,Toshiyuki Isami,Naoya Nonaka,Koudai MOROIWA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for producing support substrate for bonded wafer, and support substrate for bonded wafer

Номер патента: EP4235747A1. Автор: Hiroaki Ishizaki,Daisuke HIEDA,Toshiyuki Isami,Naoya Nonaka,Koudai MOROIWA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Conformal titanium silicon nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20220301928A1. Автор: Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Precoat method for substrate processing apparatus and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240191349A1. Автор: Atsushi Tanaka,Taichi Monden. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus and method for performing plasma enhanced atomic layer deposition employing very high frequency

Номер патента: US20230203661A1. Автор: Il Kwon Oh,Min-Jeong RHEE. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for depositing a multi-layer moisture barrier on electronic devices and electronic devices protected by a multi-layer moisture barrier

Номер патента: US09831466B2. Автор: Stephen E. Savas,Carl Galewski,Allan B. Wiesnoski. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2017-11-28.

Electronic devices with cesium barrier film and process for making same

Номер патента: US20020153610A1. Автор: Kevin A. Boulais,Michael F. Stumborg,Francisco Santiago,Tak Kin Chu. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2002-10-24.

Electronic devices with barium barrier film and process for making same

Номер патента: US6211066B1. Автор: Kevin A. Boulais,Michael F. Stumborg,Francisco Santiago,Tak Kin Chu. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2001-04-03.

Electronic devices with strontium barrier film and process for making same

Номер патента: US6083818A. Автор: Kevin A. Boulais,Michael F. Stumborg,Francisco Santiago,Tak Kin Chu. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2000-07-04.

Apparatus for mass-producing sulicon-based thin film and method for mass-producing silicon-based thin film

Номер патента: EP2107592A3. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Method for forming titanium nitride film and apparatus for forming titanium nitride film

Номер патента: US20230030762A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Kensuke Higuchi,Asaka Fujikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Systems and methods for depositing materials on either side of a freestanding film using laser-assisted chemical vapor deposition (LA-CVD), and structures formed using same

Номер патента: US09583354B2. Автор: David P. Taylor,Margaret H. Abraham. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Apparatus and method for thin-film processing applications

Номер патента: WO2015124207A1. Автор: Thomas Deppisch. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-08-27.

Method for etching metal or metal oxide by ozone water, method for smoothing surface of metal or metal oxide by ozone water, and patterning method using ozone water

Номер патента: US09797046B2. Автор: Takatoki Yamamoto,Ryuji Hatsuki. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-10-24.

Tungsten silicide nitride films and methods of formation

Номер патента: US09461137B1. Автор: Zhiyong Wang,Jianxin Lei,Rajkumar Jakkaraju,Jothilingam RAMALINGAM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for Forming Tantalum Nitride Film

Номер патента: US20090159431A1. Автор: Kyuzo Nakamura,Tomoyasu Kondo,Harunori Ushikawa,Satoru Toyoda,Narishi Gonohe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method for Forming Tantalum Nitride Film

Номер патента: US20090162565A1. Автор: Kyuzo Nakamura,Tomoyasu Kondo,Harunori Ushikawa,Satoru Toyoda,Narishi Gonohe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches

Номер патента: US09754779B1. Автор: Dai Ishikawa,Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-09-05.

PEALD nitride films

Номер патента: US12119221B2. Автор: Hanhong Chen,Philip A. Kraus,Joseph AuBuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for depositing metal

Номер патента: US5935396A. Автор: Sailesh Mansinh Merchant,Sailesh Chittipeddi,Joseph William Buckfeller. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Method for depositing one or more polycrystalline silicon layers on substrate

Номер патента: US09728452B2. Автор: Jari Mäkinen,Veli Matti Airaksinen. Владелец: Okmetic Oy. Дата публикации: 2017-08-08.

Apparatus for depositing silicon-based thin film and method for depositing silicon-based thin film

Номер патента: EP2107593A3. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-12-14.

Apparatus for depositing silicon-based thin film and method for depositing silicon-based thin film

Номер патента: US7927981B2. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-04-19.

Method for Reducing Thickness of Interfacial Layer, Method for Forming High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Oxide Film, and Transistor Having High Dielectric Constant Gate Oxide Film

Номер патента: US20140061872A1. Автор: Toshihide Nabatame,Toyohiro Chikyo,Naoto Umezawa. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for Reducing Thickness of Interfacial Layer, Method for Forming High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Oxide Film, and Transistor Having High Dielectric Constant Gate Oxide Film

Номер патента: US20120280372A1. Автор: Toshihide Nabatame,Toyohiro Chikyo,Naoto Umezawa. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2012-11-08.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US20220037476A1. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US11901420B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for depositing a target material onto a organic electrically functional material

Номер патента: US10128467B2. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jan Arnaud Janssens. Владелец: Solmates Bv. Дата публикации: 2018-11-13.

Method of forming a silicon nitride film transparent to ultraviolet radiation and resulting article

Номер патента: US4618541A. Автор: Abdul R. Forouhi,Bert L. Allen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1986-10-21.

Piezoelectric bulk layers with tilted c-axis orientation and methods for making the same

Номер патента: US20210079515A1. Автор: Robert Kraft,Matthew Wasilik,John BELSICK,Derya Deniz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Piezoelectric bulk layers with tilted c-axis orientation and methods for making the same

Номер патента: US20220325403A1. Автор: Robert Kraft,Matthew Wasilik,John BELSICK,Derya Deniz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for depositing a piezoelectric film containing AIN, and a piezoelectric film containing AIN

Номер патента: US09994950B2. Автор: Hagen Bartzsch,Peter Frach,Daniel Gloss,Stephan Barth. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for manufacturing an organic element

Номер патента: US09887357B2. Автор: Jwo-huei Jou,Tsung-Han LI,Saulius Grigalevi{hacek over (c)}ius,Gintare Kru{hacek over (c)}aite. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-02-06.

Deposition apparatus, method for depositing, method for packaging a die in a chip package

Номер патента: EP4400625A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Fabien Jacques Bruning. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-07-17.

Deposition apparatus, method for depositing, method for packaging a die in a chip package

Номер патента: WO2024151163A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Fabien Bernard Jacques Bruning. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for growing nitride film

Номер патента: EP4184553A1. Автор: Hae Yong Lee,Young Jun Choi,Hae Gon OH. Владелец: LUMIGNTECH CO Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Method for growing nitride film

Номер патента: US20230175121A1. Автор: Hae Yong Lee,Young Jun Choi,Hae Gon OH. Владелец: LUMIGNTECH CO Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for preparing silicon-carbide-silicon-nitride composite material, and silicon-carbide- silicon-nitride composite material according to same

Номер патента: US11697620B2. Автор: Sang Chul Lee. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Method for preparing silicon-carbide-silicon-nitride composite material, and silicon-carbide-silicon-nitride composite material according to same

Номер патента: US20220144710A1. Автор: Sang Chul Lee. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for depositing an epitaxial layer on a substrate wafer

Номер патента: US20230265581A1. Автор: Thomas Stettner,Martin WENGBAUER. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4394093A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for forming tantalum nitride film

Номер патента: US20090246375A1. Автор: Tomoyasu Kondo,Harunori Ushikawa,Satoru Toyoda,Narishi Gonohe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-01.

Method of manufacturing semiconductor device having nitride film with improved insulating properties

Номер патента: US6946409B2. Автор: Toshihide Takimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-09-20.

Method for activating a copper surface for electroless plating

Номер патента: US09441299B2. Автор: Jens Wegricht,Arnd Kilian,Donny Lautan. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-13.

Techniques for depositing metallic films using ion implantation surface modification for catalysis of electroless deposition

Номер патента: WO2007092529A8. Автор: Yuri Erokhin,Peter D Nunan. Владелец: Peter D Nunan. Дата публикации: 2008-09-25.

Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD

Номер патента: US09909214B2. Автор: Hidemi Suemori. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

Interior material for thin film deposition device and method for manufacturing same

Номер патента: US09963772B2. Автор: Sung Jin Choi,Sung Soo JANG,Hyun Chul Ko,Kyung Ic JANG. Владелец: Komico Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for forming thin film

Номер патента: US20220275511A1. Автор: Sojung Kim,Hyeran Byun,Taeho Song,Changbong YEON,Jaesun Jung,Seokjong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature

Номер патента: US20020001928A1. Автор: Mei Chang,Ming Xi,Keith K. Koai,Shulin Wang,Huan LUO,Russell C. Ellwanger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Ternary tungsten boride nitride films and methods for forming same

Номер патента: US09969622B2. Автор: Wei Lei,Juwen Gao. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Apparatus and method for depositing a layer onto a substrate

Номер патента: US09490166B2. Автор: Jürgen WEICHART,Mohamed Elghazzali,Sven Uwe Rieschl. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for forming III-V semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: US09991360B2. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Semi-polar III-nitride films and materials and method for making the same

Номер патента: US09443727B2. Автор: Vitali Soukhoveev,Vladimir Ivantsov,Benjamin A. Haskell,Hussein S. El-Ghoroury,Alexander Syrkin. Владелец: Ostendo Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Precursors and flowable cvd methods for making low-k films to fill surface features

Номер патента: SG11201903865TA. Автор: Manchao Xiao,Richard Ho,Daniel Spence. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-05-30.

Methods for depositing fluorine/carbon-free conformal tungsten

Номер патента: US09601339B2. Автор: David Thompson,Srinivas Gandikota,Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Steve G. Ghanayem,Xinyu Fu,Atif Noori. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11939505B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Precursors and flowable cvd methods for making low-k films to fill surface features

Номер патента: EP3535436A1. Автор: Manchao Xiao,Daniel P. Spence,Richard Ho. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-09-11.

Precursors and flowable cvd methods for making low-k films to fill surface features

Номер патента: WO2018085093A1. Автор: Manchao Xiao,Daniel P. Spence,Richard Ho. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2018-05-11.

Apparatus and method for processing substrate using supercritical fluid

Номер патента: US20240186135A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Chengyeh Hsu. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods for etch of SiN films

Номер патента: US09842744B2. Автор: Nitin Ingle,Anchuan Wang,Jingchun Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for depositing an aluminium nitride layer

Номер патента: US09607831B2. Автор: Heinz Felzer,Bernd Heinz,Lorenzo CASTALDI,Martin Kratzer,Robert MAMAZZA, Jr.. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2020185762A8. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for producing titanium oxide particles, titanium oxide particles, dispersion solution of titanium oxide particles, titanium oxide paste, titanium oxide film, and dye-sensitized solar cell

Номер патента: US20190371532A1. Автор: Teppei Yakubo,Shingo Takano. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for producing titanium oxide particles, titanium oxide particles, dispersion solution of titanium oxide particles, titanium oxide paste, titanium oxide film, and dye-sensitized solar cell

Номер патента: US10892107B2. Автор: Teppei Yakubo,Shingo Takano. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2021-01-12.

Methods for depositing a layer on a substrate using surface energy modulation

Номер патента: US20110209982A1. Автор: Jick M. Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-09-01.

CVD apparatus and method for forming CVD film

Номер патента: US09831069B2. Автор: Masaki Kusuhara. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods for reducing material overhang in a feature of a substrate

Номер патента: US20150221486A1. Автор: Alan A. Ritchie,Zhenbin Ge,Sally Lou,Jenn Yue Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Method for directional deposition using a gas cluster ion beam

Номер патента: WO2009042484A1. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2009-04-02.

Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films

Номер патента: US09447287B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Eugene Joseph Karwacki, Jr.,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Plasma deposition source and method for depositing thin films

Номер патента: WO2010136464A1. Автор: NEIL Morrison,Stefan Hein,Andre HERZOG,Peter Skuk. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-12-02.

Method for depositing materials containing tellurium

Номер патента: WO1987006275A1. Автор: James D. Parsons,Lawrence S. Lichtmann. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1987-10-22.

Method for deposition of electric insulating layers

Номер патента: RU2461664C2. Автор: Юрген РАММ,Кристиан ВОЛЬРАБ,Бено ВИДРИГ. Владелец: Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах. Дата публикации: 2012-09-20.

Method for depositing aluminum on a permanent Nd—Fe—B magnet

Номер патента: US09783883B2. Автор: Zhongjie Peng,Kunkun Yang,Daoning Jia. Владелец: Yantai Shougang Magnetic Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Production method for grain-oriented electrical steel sheet

Номер патента: US09708682B2. Автор: Hiroshi Matsuda,Yasuyuki Hayakawa,Yukihiro Shingaki,Hiroi Yamaguchi,Yuiko WAKISAKA. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4347744A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US12012540B2. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices

Номер патента: WO2014210613A1. Автор: Stephen E. Savas,Carl Galewski,Allan B. Wiesnoski. Владелец: PlasmaSi, Inc.. Дата публикации: 2014-12-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170229557A1. Автор: Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Halidosilane compounds and compositions and processes for depositing silicon-containing films using same

Номер патента: US20240191346A1. Автор: XINJIAN LEI,Alan Charles Cooper,Jianheng LI,John Francis Lehmann. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Quantum dot film and preparation method thereof, and quantum dot light-emitting diode and preparation method thereof

Номер патента: US20220376197A1. Автор: Wenyong Liu,Xuanyu Zhang. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Etchant composition with high selectivity to silicon nitride

Номер патента: US20190249082A1. Автор: Na HAN,Junwoo Lee,Sok Ho Lee,Jung Hwan Song,Seong Sik JEON,Sung Il Jo,Byeoung Tak KIM,Ah Hyeon LIM,Min Keun LEE,Joon Won KIM. Владелец: LTCAM Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Composition for chemical mechanical polishing and method for polishing

Номер патента: US20230203344A1. Автор: Kouhei Yoshio,Yuuya YAMADA. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates having polysilicon and silicon oxide dielectric films

Номер патента: RU2573672C2. Автор: Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН,Южуо ЛИ,Джеа-Джу ЧУ,Вей Лан Уиллиам ЧИУ,Харви Уэйн ПИНДЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-01-27.

Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film

Номер патента: US11827978B2. Автор: Qi Xie,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Eric Christopher Stevens,Charles DEZELAH,Giuseppe Alessio Verni. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film

Номер патента: US20240068092A1. Автор: Qi Xie,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Eric Christopher Stevens,Charles DEZELAH,Giuseppe Alessio Verni. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for electrochemically depositing metal on a reactive metal film

Номер патента: US09840788B2. Автор: Ismail T. Emesh,Roey Shaviv,Serdar Aksu,Dimitrios Argyris. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for electrochemically depositing metal on a reactive metal film

Номер патента: US09828687B2. Автор: Ismail T. Emesh,Roey Shaviv,Serdar Aksu,Dimitrios Argyris. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Composition for etching silicon nitride film and etching method using same

Номер патента: US20210363423A1. Автор: Jung Min Choi,Sang Ran Koh,Jun Young Jang,Youn Jin Cho,Yong Woon Yoon,Ki Wook Hwang,Kwen Woo HAN. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing a conductor to be used as interconnect member

Номер патента: US09852943B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11987740B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Polishing composition, polishing method, and method for producing semiconductor substrate

Номер патента: US20240327674A1. Автор: Ryota Mae,Akane KUMAYAMA. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for uniform flow behavior in an electroplating cell

Номер патента: US09945044B2. Автор: Jingbin Feng,Daniel Mark Dinneen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for processing substrate, and method for manufacturing silicon device comprising said processing method

Номер патента: US20240112917A1. Автор: Seiji Tono,Naoto Nomura,Yoshiki Seike,Manami OSHIO,Kohsuke NORO. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Etching solution for silicon substrate and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11104848B2. Автор: Ho-Seong YOO,Myung-Hyun Kim,Jun-Eun LEE,Pyong-Hwa JANG. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Etching method and method for producing semiconductor element

Номер патента: US20240249952A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Coating with high resistance to corona discharge, as well as method for production thereof

Номер патента: RU2606447C2. Автор: Свен ПИХАЛЕ,Кристиан ЗАЙДЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2017-01-10.

Stretchable acf, method for manufacturing same, and interfacial bonding member and device comprising same

Номер патента: US20240096517A1. Автор: Hye Jin HWANG,Un Yong JEONG,Min Sik KONG. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for producing titanium oxide particles, titanium oxide particles, dispersion solution of titanium oxide particles, titanium oxide paste, titanium oxide film, and dye-sensitized solar cell

Номер патента: US20170221640A1. Автор: Teppei Yakubo,Shingo Takano. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2017-08-03.

METHOD FOR PRODUCING TITANIUM OXIDE PARTICLES, TITANIUM OXIDE PARTICLES, DISPERSION SOLUTION OF TITANIUM OXIDE PARTICLES, TITANIUM OXIDE PASTE, TITANIUM OXIDE FILM, AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL

Номер патента: US20190371532A1. Автор: TAKANO Shingo,YAKUBO Teppei. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Fine metal particles, method for preparing said particles, coating liquid containing said fine particles for forming transparent electroconductive film, substrate with transparent electroconductive film, and display

Номер патента: EP1375035A1. Автор: Y. c/o Catalysts & Chemicals Ind Co Ltd ISHIHARA,T. c/o Catalysts & Chemicals Ind Co. Ltd. HIRAI. Владелец: Catalysts and Chemicals Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-02.

Method for producing titanium oxide particles, titanium oxide particles, dispersion solution of titanium oxide particles, titanium oxide paste, titanium oxide film and dye-sensitized solar cell

Номер патента: WO2016052561A1. Автор: 鉄平 八久保,高野　真悟. Владелец: 住友大阪セメント株式会社. Дата публикации: 2016-04-07.

Method for cooling/quenching of high-temperature gaseous stream of metal—or metalloid halides in carbide derived carbon production

Номер патента: US12048909B2. Автор: Jaan Leis,Sebastian Pohlmann,Ohannes MARKARIAN. Владелец: Skeleton Technologies Group OU. Дата публикации: 2024-07-30.

A method for cooling/quenching of high-temperature gaseous stream of metal- or metalloid halides in carbide derived carbon production

Номер патента: WO2020064976A1. Автор: Jaan Leis,Sebastian Pohlmann,Ohannes MARKARIAN. Владелец: OÜ Skeleton Technologies Group. Дата публикации: 2020-04-02.

A method for making a joint between a generally flat member, metal or non-metal, and an elongated member like a wire and an apparatus for carrying out said method

Номер патента: EP2879817A1. Автор: Olivier Dubugnon. Владелец: Bollhoff Attexor SA. Дата публикации: 2015-06-10.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US12094796B2. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160293724A1. Автор: Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09396927B2. Автор: Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Si precursors for deposition of SiN at low temperatures

Номер патента: US09564309B2. Автор: SHANG Chen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Viljami Pore,Suvi P. Haukka,Antti J. Niskanen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for fabricating a metallic oxide thin film transistor

Номер патента: US09893173B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-02-13.

Nitride films with improved etch selectivity for 3D NAND integration

Номер патента: US12040180B2. Автор: Pramod Subramonium,Nagraj Shankar,Malay Milan SAMANTARAY,Katsunori Yoshizawa,Bart J. VanSchravendijk. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Controlling the reflow behaviour of BPSG films and devices made thereof

Номер патента: US09455136B2. Автор: Markus Kahn,Ravi Joshi,Martin Poelzl,Heimo Hofer,Helmut Schoenherr,Juergen Steinbrenner,Harald Huetter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for forming ONO top oxide in NROM structure

Номер патента: US20040228969A1. Автор: Ching Wang,Hsian Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US20230274997A1. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for fabricating a metal oxide thin film transistor

Номер патента: US09991135B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing semiconductor HEMT device with stoichiometric silicon nitride layer

Номер патента: US9514930B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Oxynitride film and its formation method, and method for forming an element isolation oxide film using the oxynitride film

Номер патента: US5616401A. Автор: Takashi Kuroi,Maiko Kobayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Methods for depositing dielectric films via physical vapor deposition processes

Номер патента: US09633839B2. Автор: Yong Cao,Yana Cheng,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Thanh X. Nguyen,Srinivas Guggilla,Weimin Zeng,Daniel Lee Diehl. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for forming interlayer insulation film

Номер патента: US7402513B2. Автор: Tsukasa Doi,Yushi Inoue,Kazumasa Mitsumune,Takanori Sonoda,Kenichiroh Abe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

Method for forming interlayer insulation film

Номер патента: US20050159015A1. Автор: Tsukasa Doi,Yushi Inoue,Kazumasa Mitsumune,Takanori Sonoda,Kenichiroh Abe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Enhancement mode III-nitride device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09425281B2. Автор: Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240128351A1. Автор: Kohei Nishiguchi,Hiroyuki Okazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method For Making Semiconductor Device By Adopting Stress Memorization Technique

Номер патента: US20210335672A1. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for making semiconductor device by adopting stress memorization technique

Номер патента: US11443986B2. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Method for depositing thin film

Номер патента: US09891521B2. Автор: Dongseok Kang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-13.

Protection method for protecting a silicide layer

Номер патента: US09607823B2. Автор: Nicolas Posseme. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods for repairing low-k dielectrics using carbon plasma immersion

Номер патента: US09478437B2. Автор: Peter I. Porshnev,Daping Yao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for producing silicon nitride film

Номер патента: US20200335322A1. Автор: Akira Nishimura,Takashi Abe,Akinobu Teramoto,Yoshinobu Shiba. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-10-22.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240153757A1. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods for depositing gap-filling fluids and related systems and devices

Номер патента: US20240339359A1. Автор: YongMin Yoo,Timothee Blanquart,Dieter Pierreux,Steven Van Aerde,Andrey Sokolov,Maarten Stokhof,René Henricus Jozef Vervuurt,Jihee Jeon,Hussein Mehdi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods for depositing dielectric films with increased stability

Номер патента: US20240332005A1. Автор: Prayudi LIANTO,Li-Qun Xia,Bo Xie,Wenhui Li,Shanshan Yao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for depositing dielectric films with increased stability

Номер патента: WO2024205991A1. Автор: Prayudi LIANTO,Li-Qun Xia,Bo Xie,Wenhui Li,Shanshan Yao. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US11908683B2. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor storage device and method for manufacturing the semiconductor storage device

Номер патента: US20150155288A1. Автор: Yuichi Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-04.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073285A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073284A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060046421A1. Автор: Yoshitake Kato,Tomoe Yamamoto,Naomi Fukumaki,Tomohisa Iino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Methods for depositing III-alloys on substrates and compositions therefrom

Номер патента: US11721550B2. Автор: Emily Lowell Warren,Jeramy David Zimmerman,Olivia Dean Schneble. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2023-08-08.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Plasma treatment to improve adhesion between hardmask film and silicon oxide film

Номер патента: US09865459B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Rui CHENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing a reliable semiconductor device using ECR-CVD and implanting hydrogen ions into an active region

Номер патента: US6071832A. Автор: Hiraku Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

A method for fabrication of a high capacitance interpoly dielectric

Номер патента: WO2002080235A2. Автор: Mark A. Good,Amit S. Kelkar. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2002-10-10.

Processes for depositing sib films

Номер патента: US20240339316A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Bo QI,Rui CHENG,Karthik Janakiraman,Takehito KOSHIZAWA,Aykut Aydin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Deposition methods for uniform and conformal hybrid titanium oxide films

Номер патента: US09881787B2. Автор: Yu Lei,Srinivas Gandikota,Chien-Teh Kao,Chikuang Charles Wang,Pingyan Lei,Yung-Hsin Lee,Xuesong Lu,Xinliang Lu,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju,Juno Yu-Ting Huang,Ghazal Saheli,Benjamin C. Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US09754797B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Номер патента: US09721892B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

In-situ silicon nitride and silicon based oxide deposition with graded interface for damascene application

Номер патента: US6507081B2. Автор: Preston Smith,Chi-hing Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140357032A1. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030232503A1. Автор: Shuichi Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6825128B2. Автор: Shuichi Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Non-volatile semiconductor memory with nitride sidewall contacting nitride layer of ONO gate stack and methods for producing the same

Номер патента: US09461138B2. Автор: Takaoki Sasaki,Yohei Fukumoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160204243A1. Автор: Takashi Inoue,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09660045B2. Автор: Takashi Inoue,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09472682B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin using the same

Номер патента: US11749522B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for depositing film and film deposition apparatus

Номер патента: US20100078113A1. Автор: Nobutaka Ukigaya,Tomokazu Sushihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Method for depositing metal layers on germanium-containing films using metal chloride precursors

Номер патента: US09330936B2. Автор: Hideaki Yamasaki,Toshio Hasegawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Deposition source, deposition apparatus for depositing evaporated material, and methods therefor

Номер патента: EP4237593A1. Автор: Frank Schnappenberger,Wolfgang Buschbeck,Thomas Deppisch,Susanne Wolff. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Silicon nitride CESL removal without gate cap height loss and resulting device

Номер патента: US09905472B1. Автор: Jinping Liu,Jiehui SHU,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for depositing large-area graphene layer and apparatus for continuous graphene deposition

Номер патента: US20210172059A1. Автор: Chul Kyu Song,Ji Hye Han,Dong Ho YOON,Soon Gil Yoon,Ji Ho Eom. Владелец: Kuk Il Graphene Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method for depositing a target material onto a organic electrically functional material

Номер патента: WO2014060356A1. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jan Arnaud Janssens. Владелец: SOLMATES B.V.. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for forming silicon-phosphorous materials

Номер патента: US20230243068A1. Автор: Schubert Chu,Mark J. Saly,Errol Antonio C. Sanchez,Abhishek Dube,Srividya Natarajan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for manufacturing semiconductor device with semiconductor capping layer

Номер патента: US12094757B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Hui-Cheng Chang,Tsai-Yu Huang,Po-Kai Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for depositing materials on a substrate

Номер патента: WO2005048329A1. Автор: Noriaki Fukiage,Katherina Babich. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2005-05-26.

Method for depositing a bronze alloy on a printed circuit and printed circuit obtained by said method

Номер патента: AU2021402198A9. Автор: Jerome Sanson,Stéphanie COQUILLARD. Владелец: Linxens Holding SAS. Дата публикации: 2024-08-01.

Apparatus and method for deposition of thin films

Номер патента: WO2001059174A1. Автор: Todd Kaplan,Vladimir Matijasevic. Владелец: Conductus, Inc.. Дата публикации: 2001-08-16.

Apparatus and method for deposition of thin films

Номер патента: EP1255875A1. Автор: Todd Kaplan,Vladimir Matijasevic. Владелец: Conductus Inc. Дата публикации: 2002-11-13.

Method for depositing a target material onto a organic electrically functional material

Номер патента: EP2909356A1. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jan Arnaud Janssens. Владелец: Solmates Bv. Дата публикации: 2015-08-26.

Silicon nitride films having reduced interfacial strain

Номер патента: EP4189726A1. Автор: Yong Liang,Ann MELNICHUK. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

A method for depositing a metallic material on a surface of at least one solar cell

Номер патента: WO2024197336A1. Автор: Alison Joan Lennon,Jonathan BRUCK,Storm DRURY,Peter BUGGS,Matthew EYLES,Lalith VUDATA. Владелец: Sundrive Solar Pty Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Group iii nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09917004B2. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for forming multi-layer film and patterning process

Номер патента: US09785049B2. Автор: Jun Hatakeyama,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Processes for depositing silicon-containing films using halidosilane compounds and compositions

Номер патента: US11913112B2. Автор: XINJIAN LEI,Alan Charles Cooper,Jianheng LI,John Francis Lehmann. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Piezoelectric bulk layers with tilted c-axis orientation and methods for making the same

Номер патента: EP4029146A1. Автор: Robert Kraft,Matthew Wasilik,John BELSICK,Derya Deniz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-07-20.

Method for manufacturing board device

Номер патента: US20150177556A1. Автор: Koji Sato,Toshihide Jinnai,Yasunori Fukumoto. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for Reducing Loss of Dielectric Layer in IO Silicon Oxide Removal Process

Номер патента: US20240071760A1. Автор: Zhenquan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09741801B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Oxygen-doped amorphous carbon film and method for depositing the same

Номер патента: US20240263311A1. Автор: Nam-Seo Kim,Seung-Hwan JEON,Seong-Pyo CHO. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and device for depositing a nano-object

Номер патента: US11854801B2. Автор: Matthieu DELBECQ,Tino CUBAYNES,José PALOMO,Matthieu DARTIAILH,Takis KONTOS,Matthieu DESJARDINS. Владелец: Université de Paris. Дата публикации: 2023-12-26.

Low loss silicon nitride and waveguides comprising low loss silicon nitride

Номер патента: US20240079228A1. Автор: Robert Higashi,Robert Horning,David Deen,Christopher John CARRON,Molly KROGSTAD. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-03-07.

Oxidation of silicon nitride films in semiconductor devices

Номер патента: WO2002099866A2. Автор: Oleg Gluschenkov,Jeffrey D. Gilbert,Philip L. Flaitz,Rajarao Jammy,Arne W. Ballantine,Jonathan E. Faltermeier,Carol J. Heenan. Владелец: Companie Ibm France. Дата публикации: 2002-12-12.

Device for automatic recovery of lithium target and method for automatic recovery of lithium target

Номер патента: RU2597879C2. Автор: Масару НАКАМУРА,Рио ФУДЗИИ,Йосио ИМАХОРИ,Масахару ХОСИ. Владелец: Кэнсэр Интеллидженс Кэа Системс, Инк.. Дата публикации: 2016-09-20.

Tubular perc double-sided photovoltaic cell and method for fabrication thereof and dedicated device

Номер патента: EP3627563A1. Автор: Gang Chen,Kang-Cheng Lin,Chun-Wen Lai,Jiebin Fang,Nailin He,Wenjie YIN,Ta-Neng Ho. Владелец: Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-25.

Silicon nitride sintered body, method for producing same, multilayer body and power module

Номер патента: US20220177376A1. Автор: Makoto Takeda,Shinichi Takada,Shoji Iwakiri. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for producing a pulverulent precursor material, pulverulent precursor material, and use of pulverulent precursor material

Номер патента: US09828546B2. Автор: Daniel Bichler,Juliane Kechele,Simon Dallmeir,Sonja Tragl,Bianca Pohl-Klein. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Devices and methods for dynamically tunable biasing to backplates and wells

Номер патента: US09716138B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150123143A1. Автор: Miki Yumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150126024A1. Автор: Miki Yumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9224819B2. Автор: Miki Yumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130234152A1. Автор: Miki Yumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Coatings and methods for inhibiting tin whisker growth

Номер патента: WO2008022236A1. Автор: David Humphrey,Merrill M. JACKSON. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2008-02-21.

Coatings and methods for inhibiting tin whisker growth

Номер патента: EP2051850A1. Автор: David Humphrey,Merrill M. JACKSON. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-04-29.

Nitride fluorescent material, method for producing the same, and light emitting device

Номер патента: US20170058197A1. Автор: Hiroyuki Watanabe,Shoji Hosokawa,Kazuya NISHIMATA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Nitride fluorescent material, method for producing the same, and light emitting device

Номер патента: US09944851B2. Автор: Hiroyuki Watanabe,Shoji Hosokawa,Kazuya NISHIMATA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods for depositing layers of materials on substrates and structures formed accordingly

Номер патента: US20240302748A1. Автор: Paul Chatelain,Kishan Ashokbhai Patel,Fatemeh Davodi,João Antunes Afonso,Steaphan Mark Wallace. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon nitride damage-free dry etch method for tungsten removal in middle of line bottom-up tungsten integration

Номер патента: WO2024228760A1. Автор: Jiang Lu,Feng Q. Liu,Kai Wu,Xianmin Tang,Gaurav Thareja,Yixiong Yang,Rongjun Wang,Chi Hong Ching,Xinke WANG,Liqi Wu,Xi CEN,Qihao ZHU,Yuanhung Liu,Tsungjui LIU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon nitride damage-free dry etch method for tungsten removal in middle of line bottom-up tungsten integration

Номер патента: US20240371654A1. Автор: Jiang Lu,Feng Q. Liu,Kai Wu,Xianmin Tang,Gaurav Thareja,Yixiong Yang,Rongjun Wang,Chi Hong Ching,Xinke WANG,Liqi Wu,Xi CEN,Qihao ZHU,Yuanhung Liu,Tsungjui LIU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for Manufacturing a Si-Based High-Mobility CMOS Device With Stacked Channel Layers, and Resulting Devices

Номер патента: US20180082907A1. Автор: Clement Merckling,Guillaume Boccardi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-22.

Method And A Device For Depositing A Film Of Material Or Otherwise Processing Or Inspecting, A Substrate As It Passes Through A Vacuum Environment Guided By A Plurality Of Opposing And Balanced Air Bearing Lands And Sealed By Differentially Pumped Grooves And Sealing Lands In A Non-Contact Manner

Номер патента: US20150037514A1. Автор: Andrew J. Devitt. Владелец: New Way Machine Components Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Method for depositing an organic or hybrid organic/inorganic perovskite layer

Номер патента: US20220195580A1. Автор: Jean-Marie Verilhac,Louis Grenet,Fabrice Emieux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for depositing silicon feedstock material, silicon wafer, solar cell and PV module

Номер патента: US10392725B2. Автор: Frank Asbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-27.

Method for the deposition of materials from mesomorphous films

Номер патента: EP1432845A2. Автор: Ross H. Hill,Juan P. Bravo Vasquez. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for the deposition of materials from mesomorphous films

Номер патента: WO2002099161A2. Автор: Ross H. Hill,Juan P. Bravo Vasquez. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for manufacturing a Si-based high-mobility CMOS device with stacked channel layers, and resulting devices

Номер патента: US09947591B2. Автор: Clement Merckling,Guillaume Boccardi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-04-17.

Apparatus and methods for spacer deposition and selective removal in an advanced patterning process

Номер патента: US09484202B1. Автор: Chentsau Ying,Srinivas D. Nemani,Jie Zhou,Ellie Y. Yieh,Jingjing Liu,Shambhu N. Roy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

A method for deposition of at least one electrically conducting film on a substrate

Номер патента: EP2387803A1. Автор: Konrad Wissenbach,Andres Gasser,Norbert Pirch,Holger Schwab,Edward W. A. Young,Dietrich Bertram,Johannes Krijne,Jeroen H. A. M. Van Buul,Christian Vedder,Jochen H. Stollenwerk. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-11-23.

Method for deposition of at least one electrically conducting film on a substrate

Номер патента: US20110318924A1. Автор: Konrad Wissenbach,Andres Gasser,Norbert Pirch,Holger Schwab,Edward W. A. Young,Dietrich Bertram,Johannes Krijne,Jeroen H. A. M. Van Buul,Jochen Stollenwerk,Christian Vedder. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2011-12-29.

Ozone Treatment for Selective Silicon Nitride Etch Over Silicon

Номер патента: US20200234969A1. Автор: Chun Yan,Hua Chung,Michael X. Yang,Shanyu WANG,Xinliang Lu,Ting Xie. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for fabrication of a non-symmetrical transistor

Номер патента: WO1998002917A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-01-22.

Low Temperature Fabrication of Silicon Nitride Photonic Devices

Номер патента: US20240210625A1. Автор: Jiawei Wang,Daniel J. Blumenthal,Debapam Bose. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for depositing, at room temperature, a layer of metal or semi-metal and their oxide on a substrate.

Номер патента: FR2715168A1. Автор: Goudmand Pierre,Dessaux Odile,Ben Taleb Abdellah,Mutel Brigitte. Владелец: Universite Lille 1 Sciences et Technologies. Дата публикации: 1995-07-21.

Method for forming high-quality film by cvd process

Номер патента: US20240200187A1. Автор: Dan Li,Tiezhu Xu. Владелец: Piotech Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and an apparatus for depositing a layer onto a workpiece using plasma

Номер патента: US09915000B2. Автор: Hyunsoo Yang,Young Jun Shin,Xuepeng Qiu. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11976361B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for depositing a coating on a yarn in a microwave field

Номер патента: US20230242453A1. Автор: Arnaud DELEHOUZE,Sylvain Lucien JACQUES,Pierre FENETAUD. Владелец: Universite de Bordeaux. Дата публикации: 2023-08-03.

High aspect ratio etch with a metal or metalloid containing mask

Номер патента: WO2023249899A1. Автор: Qing Xu,Kapu Sirish Reddy,Amit Mukhopadhyay,Merrett Wong,Ragesh PUTHENKOVILAKAM,Yongsik Yu,Sonal BHADAURIYA,Gregory Clinton Veber,Ming-Yuan Chuang. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-28.

Selective etch process for silicon nitride

Номер патента: US20120077347A1. Автор: Hongyun Cottle,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for manufacturing contact structure capable of avoiding short-circuit

Номер патента: US5840621A. Автор: Naoki Kasai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Methods for seam repair and semiconductor structure manufactured thereof

Номер патента: US20240105500A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Kenichi Sano,Pinyen Lin,Hsu-Kai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

CONFORMAL TITANIUM SILICON NITRIDE-BASED THIN FILMS AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20220301928A1. Автор: KIM HAE YOUNG,Nie Bunsen B.,Cho Hyunchol,Dhamdhere Ajit. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

CONFORMAL TITANIUM SILICON NITRIDE-BASED THIN FILMS AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20220301929A1. Автор: KIM HAE YOUNG,Nie Bunsen B.,Cho Hyunchol,Dhamdhere Ajit. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Mechanically stable diffusion barrier stack and method for fabricating the same

Номер патента: US20100013099A1. Автор: Mason Thomas,Haluk Sankur. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2010-01-21.

Method for making microstructures by converting porous silicon into porous metal or ceramics

Номер патента: CN102037560B. Автор: M·布鲁卡尼. Владелец: RISE TECHNOLOGY Srl. Дата публикации: 2012-09-26.

Method for making microstructures by converting porous silicon into porous metal or ceramics

Номер патента: EP2272091A1. Автор: Marco Balucani. Владелец: Rise Tech Srl. Дата публикации: 2011-01-12.

Method for making microstructures by converting porous silicon into porous metal or ceramics

Номер патента: US8268640B2. Автор: Marco Balucani. Владелец: Rise Tech Srl. Дата публикации: 2012-09-18.

Method for depositing a metal onto a porous carbon layer

Номер патента: US9828678B2. Автор: Nicolas Guillet,Frederic Fouda-Onana. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for Depositing a Metal Onto A Porous Carbon Layer

Номер патента: US20120325672A1. Автор: Nicolas Guillet,Frederic Fouda-Onana. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for depositing a metal onto a porous carbon layer

Номер патента: US09828678B2. Автор: Nicolas Guillet,Frederic Fouda-Onana. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for producing metal and/or metalloid-containing sulfide, and sodium-containing sulfide

Номер патента: EP4438552A1. Автор: Akitoshi Hayashi,Atsushi Sakuda,Masahiro Tatsumisago,Akira Nasu. Владелец: UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION OSAKA. Дата публикации: 2024-10-02.

Method for Preparing a Sample for Transmission Electron Microscopy

Номер патента: US20210391144A1. Автор: Eric Vancoille,Patrick Carolan,Niels Bosman. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for production of precursor particles, precursor particle produced by this method, and method for production of active cathode particles

Номер патента: RU2749604C1. Автор: Сяо ЧЖАН,Брайан ЙОНЕМОТО,Хуэйцзе ГО,Цзяньчжао ЛЮ. Владелец: Микроваст Пауэр Системс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-06-16.

Method and system for depositing a solid electrolyte on electrode active material

Номер патента: US20200075931A1. Автор: Patrick Schichtel,Dominik Alexander Weber,Enrica Jochler. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of forming silicon nitride film

Номер патента: US20240240307A1. Автор: Yoshiki Nakano,Takafumi Nogami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for preparation of solution for supplementary feeding of fruit trees

Номер патента: RU2585803C1. Автор: Юрий Павлович Грабовский,Дмитрий Игнатьевич Дорофеев. Владелец: Дмитрий Игнатьевич Дорофеев. Дата публикации: 2016-06-10.

A method for depositing layers on a substrate

Номер патента: EP1248866A1. Автор: Lars-Ulrik Aaen Andersen,Paul Nicholas Egginton. Владелец: Ionas AS. Дата публикации: 2002-10-16.

Metal plate for manufacturing deposition mask and manufacturing method for metal plate, and deposition mask and manufacturing method for deposition mask

Номер патента: US12117727B2. Автор: Hideyuki Okamoto,Hiroki Oka,Chikao Ikenaga,Masato Ushikusa,Sachiyo MATSUURA,Chiaki Hatsuta. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Recording media having protective overcoats of highly tetrahedral amorphous carbon and methods for their production

Номер патента: US20030148103A1. Автор: VEERASAMY Vijayen,Manfred Weiler,Eric Li. Владелец: United Module Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US20190368044A1. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US20190368045A1. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US20170002469A1. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US09435031B2. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Nitride protective coatings on aerospace components and methods for making the same

Номер патента: US20210363630A1. Автор: Yuriy Melnik,Lance A. Scudder,Sukti Chatterjee,David Alexander Britz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for depositing layers on a glass substrate by means of low-pressure PECVD

Номер патента: US09533914B2. Автор: Eric Tixhon,Stijn Mahieu,Hugues Wiame,Martin Van Stuyvenberg. Владелец: AGC Glass Europe SA. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing ohmic contacts of powerful electronic devices

Номер патента: RU2756579C1. Автор: Илья Александрович Рогачев,Валерий Анатольевич Красник,Александр Сергеевич Курочка. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-10-01.

Methods for preferential growth of cobalt within substrate features

Номер патента: US09637819B2. Автор: Avgerinos V. Gelatos,Bhushan N. ZOPE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Processing system and method for chemical vapor deposition

Номер патента: EP1100980A2. Автор: Joseph T. Hillman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-05-23.

Production method for semiconductor device

Номер патента: EP1434272A1. Автор: Ryoji c/o National Institute of Advanced KOSUGI,Kenji c/o National Institute of Advanced FUKUDA,Junji c/o National Institute of Advanced SENZAKI,M. c/o National Institute of Advanced OKAMOTO,S. c/o National Institute of Advanced HARADA,Seiji c/o Sanyo Electric Co. Ltd SUZUKI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for manufacturing silicon carbide schottky barrier diode

Номер патента: US8980732B2. Автор: Jong Seok Lee,Kyoung Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-17.

Substrate comprising conformal metal carbide coating

Номер патента: WO2023194483A1. Автор: Henrik Pedersen,Urban Forsberg,Jing-jia HUANG,Charles Wijayawardhana,Christian MILITZER. Владелец: SGL CARBON SE. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for implanted-ion assisted growth of metal oxide nanowires and patterned device fabricated using the method

Номер патента: US09725801B2. Автор: Jungwook CHOI,Jongbaeg Kim,Hyungjoo NA,Kyoung Hoon Lee,Dae-Hyun BAEK,Jaesam SIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for fabricating mos transistor

Номер патента: US20120202328A1. Автор: Yu-Ren Wang,Tsuo-Wen Lu,Shu-Yen Chan,Tsai-fu Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for fabricating mos transistor

Номер патента: US20120052644A1. Автор: Yu-Ren Wang,Tsuo-Wen Lu,Shu-Yen Chan,Tsai-fu Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Liquid crystal display panel, array substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US09971221B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Brazing ribbon and method for manufacturing same

Номер патента: US12134145B2. Автор: Sungbaek DAN. Владелец: Amogreentech Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for producing single electron semiconductor element

Номер патента: US20080108227A1. Автор: Nozomu Matsukawa,Shigeo Yoshii,Ichiro Yamashita,Shinya Kumagai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of applying coatings with a metallic or ceramic finish

Номер патента: EP1736566A1. Автор: Maria Centre d'Empreses de No BENELMEKKI ERRETBY,Montse Centre d'Empreses de Noves Te RIERA GINER. Владелец: Analisi Tecnologica Innovadora Per A Processos Industrials Competitius SL. Дата публикации: 2006-12-27.

Method for producing thin film, thin film forming material, optical thin film, and optical member

Номер патента: US20190025466A1. Автор: Hirofumi Tanaka,Gentaro Tanaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Urethane acrylates based on phenylisocyanate, method for production thereof, use thereof to produce holographic media or photopolymer films, method of coating holographic media and photopolymer films and moulded components based on said urethane acrylates

Номер патента: RU2515896C2. Автор: Деннис ХЕНЕЛЬ,Марк-Штефан ВАЙЗЕР,Фридрих-Карл БРУДЕР,Томас РЕЛЛЕ,Томас ФЭККЕ. Владелец: Байер Матириальсайенс Аг. Дата публикации: 2014-05-20.

Brazing ribbon and method for manufacturing same

Номер патента: US20240024989A1. Автор: Sungbaek DAN. Владелец: Amogreentech Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Photovoltaic module and method for manufacturing photovoltaic module

Номер патента: US11955573B2. Автор: Zhendong Chen,Junhui Liu,Wusong Tao. Владелец: Jinko Solar Haining Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Photovoltaic module and method for manufacturing photovoltaic module

Номер патента: US20240154050A1. Автор: Zhendong Chen,Junhui Liu,Wusong Tao. Владелец: Jinko Solar Haining Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for manufacturing thin film transistor substrate

Номер патента: US20180248031A1. Автор: Masahiro Kato. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for Reducing Thickness of Interfacial Layer, Method for Forming High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Oxide Film, and Transistor Having High Dielectric Constant Gate Oxide Film

Номер патента: US20140061872A1. Автор: Umezawa Naoto,Chikyo Toyohiro,Nabatame Toshihide. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for the production of a collector alloy comprising precious metal or of pure silver

Номер патента: US20230078641A1. Автор: Holger Winkler,Christoph Rohlich,Bernhard Bauer-Siebenlist,Karl Bernhard Friedrich,Diana Caroline VIETEN (nee Michaelis). Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-03-16.

System and method for depositing of a first and second layer on a substrate

Номер патента: US11761088B2. Автор: Kevin Johannes Hendrikus LAGARDE. Владелец: Innoflex Technologies BV. Дата публикации: 2023-09-19.

Chemical vapor deposition process for depositing zinc oxide coatings, method for forming a conductive glass article and the coated glass articles produced thereby

Номер патента: US09776914B2. Автор: Yu Wang,Srikanth Varanasi,David Alan Strickler. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for depositing ultra fine grain polysilicon thin film

Номер патента: US20110294284A1. Автор: Sang Ho Woo,Song Hwan Park,Hai Won Kim,Sung Gil Cho,Kyung Soo Jung. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Halide-functionalized cyclotrisilazanes as precursors for deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4448835A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Mahsa Konh,Pegah Bagheri. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-23.

Production method for thermoplastic liquid crystal polymer film, circuit board and production method therefor

Номер патента: US20160236402A1. Автор: Minoru Onodera,Tatsuya Sunamoto,Takahiro NAKASHIMA. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for manufacturing cured film, method for manufacturing electronic component, and electronic component

Номер патента: US12077677B2. Автор: Takashi Watanabe,Hiroshi Maenaka,Mitsuru Tanikawa,Ryosuke Takahashi,Takanori Inoue,Michihisa Ueda,Yoshito FUJITA,Shigeru Nakamura,Osamu Inui. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods for manufacturing thermoplastic liquid crystal polymer film and circuit board

Номер патента: US20220105689A1. Автор: Minoru Onodera,Tatsuya Sunamoto,Takahiro NAKASHIMA. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Apparatus for the deposition of a conformal film on a substrate and methods therefor

Номер патента: US09384979B2. Автор: Eric Hudson,Sangheon Lee,Dae-Han Choi,Jisoo Kim,S. M. Reza Sadjadi,Conan Chiang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for processing interior of vapor phase deposition apparatus, method for depositing thin film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050268851A1. Автор: Tomoe Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for processing interior of vapor phase deposition apparatus, method for depositing thin film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7276444B2. Автор: Tomoe Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-02.

Amorphous Silicon Oxide, Amorphous Silicon Oxynitride, and Amorphous Silicon Nitride Thin Films and Uses Thereof

Номер патента: US20210138120A1. Автор: Pranesh Aswath,Venu Varanasi,Megen Maginot,Nickolay V. Lavrik. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

Thin film deposition apparatus and method for the same

Номер патента: EP2478128A1. Автор: Franciscus Cornelius Dings,Roland Cornelis Maria Bosch,Björn VAN GERWEN. Владелец: Otb Solar Bv. Дата публикации: 2012-07-25.

Thin film deposition apparatus with an expanding thermal plasma source and method for depositing a thin film using the same

Номер патента: US8609556B2. Автор: Franciscus Cornelius Dings,Roland Cornelis Maria Bosch,Björn VAN GERWEN. Владелец: Otb Solar Bv. Дата публикации: 2013-12-17.

Thin film deposition apparatus and method for the same

Номер патента: WO2011034429A1. Автор: Franciscus Cornelius Dings,Roland Cornelis Maria Bosch,Björn VAN GERWEN. Владелец: Otb Solar B.V.. Дата публикации: 2011-03-24.

Method for manufacturing high-breakdown voltage semiconductor device

Номер патента: US4780426A. Автор: Yutaka Koshino,Yoshiro Baba,Jiro Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US3645807A. Автор: Minoru Ono,Toshimitu Momoi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1972-02-29.

Composition for depositing antimony-containing thin film and method for manufacturing antimony-containing thin film using the same

Номер патента: US20230203655A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods for depositing metallic iridium and iridium silicide

Номер патента: US20200131633A1. Автор: Feng Q. Liu,Hua Chung,Schubert Chu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Aerospace components having protective coatings and methods for preparing the same

Номер патента: EP4247996A1. Автор: Lance A. Scudder,Sukti Chatterjee,David Alexander Britz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Method of forming pattern structure including silicon nitride

Номер патента: US20240209497A1. Автор: Jihoon Park,Seong Gil Lee,Dong Sub Oh,Wan Jae Park,Hye Joon KHEEL,Yun Woo KIM,Da Yeong JEONG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for Depositing Zinc Oxide on a Substrate

Номер патента: US20180142349A1. Автор: Florian Huber,Anton Reiser,Manfred Madel,Klaus Thonke. Владелец: Universitaet Ulm. Дата публикации: 2018-05-24.

Apparatus and method for the deposition of ruthenium containing films

Номер патента: EP1969154A1. Автор: Helmuth Treichel. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Method for application of coating onto razors by atomic layered sedimentation method

Номер патента: RU2526347C2. Автор: Джон МАДЕЙРА,Невилль СОННЕНБЕРГ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-08-20.

Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Номер патента: US20240124977A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Tellurium-oxide-coated silicon nitride optical waveguides and methods of fabrication thereof

Номер патента: CA3025925A1. Автор: Andrew Knights,Jonathan Bradley,Henry Frankis,Dawson Bonneville,Khadijeh Miarabbas Kiani. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-05-30.

A METHOD FOR COOLING/QUENCHING OF HIGH-TEMPERATURE GASEOUS STREAM OF METAL- OR METALLOID HALIDES IN CARBIDE DERIVED CARBON PRODUCTION

Номер патента: US20220040660A1. Автор: Leis Jaan,Pohlmann Sebastian,MARKARIAN Ohannes. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7855125B2. Автор: Takaoki Sasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Wet etching method for silicon nitride film

Номер патента: US8741168B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09558989B2. Автор: Hajime Suzuki,Naoki Fujita,Tomohiko Aika. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Manufacture method for semiconductor device having field oxide film

Номер патента: US20060189106A1. Автор: Syuusei Takami,Hiroaki Fukami. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Manufacture Method for Semiconductor Device Having Field Oxide Film

Номер патента: US20080003776A1. Автор: Syuusei Takami,Hiroaki Fukami. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for forming a trench element separation region in a semiconductor substrate

Номер патента: US7273795B2. Автор: Kazuo Ogawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-09-25.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US09484304B2. Автор: Shigeo Ishikawa,Hiroshi Amaike,Kazuhiro Okuda. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Lowering tungsten resistivity by replacing titanium nitride with titanium silicon nitride

Номер патента: US09583349B2. Автор: Zhendong Liu,Srinivas Gandikota,Jianxin Lei,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09449883B2. Автор: Hisayuki Kato,Yoshihiko Kusakabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Organometallic Precursors and Related Intermediates for Deposition Processes, Their Production and Methods of Use

Номер патента: US20110198756A1. Автор: Min Li,Mikko Ritala,David Nalewajek,Markku Leskelä,Jingyu Lao,Chien-Wei Li,Martin Cheney,Kaupo Kukli,ü Thenappan,Eric Eisenbraun,Nathaniel Berliner,Linda Cheney. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for depositing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6936548B2. Автор: Christian Dussarrat,Jean-Marc Girard. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2005-08-30.

Method for the deposition of silicon nitride

Номер патента: US20050118336A1. Автор: Henry Bernhardt,Michael Stadtmueller,Dietmar Ottenwaelder,Anja Morgenschweis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7081396B2. Автор: Jong Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-25.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20050054176A1. Автор: Jong Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

High aspect ratio etch with a non-uniform metal or metalloid containing mask

Номер патента: WO2024044216A1. Автор: Qing Xu,Kapu Sirish Reddy,Amit Mukhopadhyay,Merrett Wong,Ragesh PUTHENKOVILAKAM,Yongsik Yu,Sonal BHADAURIYA,Gregory Clinton Veber,Ming-Yuan Chuang. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070059909A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Methods for forming metal gapfill with low resistivity

Номер патента: US20240088071A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Wei Lei,Tao Huang,Dien-Yeh Wu,Rongjun Wang,Xingyao Gao,Aixi ZHANG,Xianyuan ZHAO,Zhimin QI,Geraldine Vasquez,Shirish A. PETHE,Xiang CHANG,Patrick Po-Chun LI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods for forming metal gapfill with low resistivity

Номер патента: WO2024058990A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Wei Lei,Tao Huang,Dien-Yeh Wu,Rongjun Wang,Xingyao Gao,Aixi ZHANG,Xianyuan ZHAO,Zhimin QI,Geraldine Vasquez,Shirish A. PETHE,Xiang CHANG,Patrick Po-Chun LI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11600493B2. Автор: YU HUANG,Fulong Qiao,Pengkai Xu,Wenyan Sun. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for manufacturing in a semiconductor device a low resistance via without a bottom liner

Номер патента: US09559051B1. Автор: Zhigang Song,Junjing Bao,Yunsheng Song,Yongchun Xin,Jang H. Sim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Substrate for chemical vapour deposition (cvd) of diamond and method for obtaining thereof

Номер патента: RU2577638C2. Автор: Евгений А. ЛЕВАШОВ,Екатерина В. АЗАРОВА,Виктор Г. РАЛЬЧЕНКО,Андрей БОЛЬШАКОВ,Евгений Э. АШКИНАЗИ,Хироси ИСИДЗУКА,Сатору ХОСОМИ. Владелец: Томеи Дайамонд Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-03-20.

Method for manufacturing inter-instrument insulation of high-power gallium nitride transistors

Номер патента: RU2761051C1. Автор: Владимир Александрович Беспалов,Алексей Александрович Зайцев,Владимир Ильич Егоркин,Валерий Евгеньевич Земляков,Максим Николаевич Журавлёв,Лариса Валентиновна Якимова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2021-12-02.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Methods for forming a transistor

Номер патента: EP1759409A2. Автор: Victor Moroz,Lori D. Washington,Faran Nouri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: WO2006093730A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: EP1856726A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Manufacturing method for semiconductor device having a T-type gate electrode

Номер патента: US20060009032A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Method for filling of a shallow trench isolation

Номер патента: US20020106864A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20020051847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080283924A1. Автор: Takashi Saiki,Yuka Hayami,Katsuaki Okoshi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09406694B1. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160013092A1. Автор: Hajime Suzuki,Naoki Fujita,Tomohiko Aika. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for fabricating y-direction, self-alignment mask rom device

Номер патента: US20030235955A1. Автор: Jen-Chuan Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Method for manufacturing smart cards

Номер патента: EP2791873A1. Автор: Lucile Dossetto,Stephane Ottobon. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2014-10-22.

Method for improving local interconnects of multi-level interconnects process

Номер патента: US20020072224A1. Автор: Jui-Tsen Huang,Michael Wc Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

EMI package and method for making same

Номер патента: US09818698B2. Автор: Der-Chyang Yeh,Chuei-Tang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Process for silicon nitride removal selective to SiGex

Номер патента: US09691628B2. Автор: Jeffery W. Butterbaugh,Anthony S. Ratkovich. Владелец: TEL FSI Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09673215B1. Автор: Shigeki Kobayashi,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing a semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US20030025137A1. Автор: Akira Takahashi. Владелец: Akira Takahashi. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for manufacturing a semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US20040159953A1. Автор: Akira Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Method for forming a thin-film transistor

Номер патента: US09799752B1. Автор: Shelby Forrester Nelson,Carolyn Rae Ellinger. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device including buried gate, module and system, and method for manufacturing

Номер патента: US09418854B2. Автор: Tae Su Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for preparing electrode for semiconductor device

Номер патента: US5290664A. Автор: Nobuyuki Matsumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-03-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020123181A1. Автор: Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Methods for manufacturing semiconductor apparatus and cmos image sensor

Номер патента: US20120282729A1. Автор: Yasuhiro Kawabata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for forming an extended metal gate using a damascene process

Номер патента: SG128466A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Yelehanka Ramachandram Pradeep,Henry Gerung,Vijai Komar Chagan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

Method for passivating full front-side deep trench isolation structure

Номер патента: US11769779B2. Автор: Shiyu Sun. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Structure and method for a sidewall SONOS memory device

Номер патента: US20070212841A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Fu-Liang Yang,Tzyh-Cheang Lee,Jiunn-Ren Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Dual liner CMOS integration methods for FinFET devices

Номер патента: US09741623B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device having gate insulating film of silicon oxide and silicon nitride films

Номер патента: US20010019158A1. Автор: Masahiro Ushiyama,Toshiyuki Mine,Shimpei Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Method for packaging semiconductor dies

Номер патента: US20200118840A1. Автор: Eric Beyne. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200381294A1. Автор: Akihiro Takahashi,Wataru Sakamoto,Kazuo Kibi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for manufacturing electronic memory devices integrated in a semiconductor substrate including non-volatile memory matrix and associated circuitry

Номер патента: US20060148173A1. Автор: Luca Pividori. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for improving a doping profile for gas phase doping

Номер патента: US20030013283A1. Автор: Uwe Schröder,Moritz Haupt,Anja Morgenschweis,Dietmar Ottenwalder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Method for fabricating spacer

Номер патента: US20240120208A1. Автор: Zihao Hua. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for improving height difference between gates

Номер патента: US20240021434A1. Автор: Jian Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for achieving ultra-high selectivity while etching silicon nitride

Номер патента: US09911620B2. Автор: Faisal Yaqoob,Pilyeon Park,Helen H. Zhu,Joon Hong Park,Linda Marquez,Ivan L. Berry, III,Ivelin A. Angelov. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Process for depositing titanium nitride film by CVD

Номер патента: US5300321A. Автор: Tadashi Nakano,Tomohiro Ohta. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1994-04-05.

Method for depositioning a substantially void-free aluminum film over a refractory metal nitride layer

Номер патента: US6025269A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-15.

Non-volatile memory and method for manufacturing non-volatile memory

Номер патента: US20040132251A1. Автор: Akira Yoshino,Yutaka Akiyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Non-volatile memory and method for manufacturing non-volatile memory

Номер патента: US7582930B2. Автор: Akira Yoshino,Yutaka Akiyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-01.

Non-volatile memory and method for manufacturing non-volatile memory

Номер патента: US20060175655A1. Автор: Akira Yoshino,Yutaka Akiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Non-volatile memory and method for manufacturing non-volatile memory

Номер патента: US7015538B2. Автор: Akira Yoshino,Yutaka Akiyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-03-21.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170077267A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore PteLtd. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for manufacturing a MOS transistor having multi-layered gate oxide

Номер патента: US6284580B1. Автор: Shinobu Takehiro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-04.

Method of forming a conformal oxide film

Номер патента: US20020106907A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Methods for manufacturing shallow trench isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: US20060024913A1. Автор: Bo Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Interconnect Structures with Liner Repair Layers and Methods for Forming Such Interconnection Structures

Номер патента: US20080122090A1. Автор: Chih-Chao Yang,Louis Lu-Chen Hsu,Jack Allan Mandelman,William Robert Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09966382B2. Автор: Meng-Chun Chen,Ping-Chia Shih,Hsiang-Chen Lee,Chia-Wen Wang,Wen-Peng Hsu,Kuo-Lung Li,Zi-Jun Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for forming three-dimensional interconnection, circuit arrangement comprising three-dimensional interconnection, and metal film-forming composition for three-dimensional interconnection

Номер патента: US09543201B2. Автор: Taichi Matsumoto,Kazuto Watanabe,Atsushi Kobayashi,Sugirou SHIMODA,Kenzou Ookita,Keisuke Kuriyama,Isao Aritome. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09525038B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Protective film and method for producing same

Номер патента: US09506143B2. Автор: Yoshinao Iwamoto,Makoto Matsuo,Naoto Ohtake. Владелец: IMOTT Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods for forming a self-aligned contact via selective lateral etch

Номер патента: US09368369B2. Автор: Jungmin Ko,Sean Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Tantalum amide precursors for deposition of tantalum nitride on a substrate

Номер патента: US6015917A. Автор: Thomas H. Baum,Gautam Bhandari. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2000-01-18.

Method for forming an ordered array of silicon nanocrystals or nanoclusters in a dielectric matrix

Номер патента: RU2692406C2. Автор: Александр Афанасьевич Попов,Денис Михайлович Жигунов,Ирина Александровна Каменских. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-06-24.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20090111236A1. Автор: Kazutaka Kuriki,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20030165619A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140131791A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Method for manufacturing imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09887220B2. Автор: Takahiro TOMIMATSU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

TFT device with silicon nitride film and manufacturing method thereof

Номер патента: US09864247B1. Автор: Dongzi Gao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09698187B2. Автор: Takahiro TOMIMATSU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20160268412A1. Автор: Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Color film substrate, touch display and method for manufacturing the color film substrate

Номер патента: US09887292B2. Автор: Fengjuan LIU,Longbao XIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for zinc deposition on the surface of embedded parts and reinforcement of reinforced concrete structures

Номер патента: RU2750671C1. Автор: Михаил Иванович Сердюк. Владелец: Михаил Иванович Сердюк. Дата публикации: 2021-06-30.

Method for depositing a first metallic layer onto non-conductive polymers

Номер патента: US09551073B2. Автор: Leonas Naruskevicius,Ona GYLIENE,Mykolas Baranauskas,Loreta Tamasiunaite Tamasauskaite. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-01-24.

Silicon precursor materials, silicon-containing films, and related methods

Номер патента: EP4396393A1. Автор: Sungsil CHO,HwanSoo KIM,Yoonhae Kim,KieJin Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for fabricating a mim capacitor having increased capacitance density and related structure

Номер патента: WO2006057775B1. Автор: Guangming Li,Dieter Dornisch,Kenneth M Ring,Tinghao F Wang,David J Hoaward. Владелец: David J Hoaward. Дата публикации: 2006-12-14.

Silicon precursor materials, silicon-containing films, and related methods

Номер патента: US20240308856A1. Автор: Sungsil CHO,HwanSoo KIM,Yoonhae Kim,KieJin Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for application of a thermal barrier coating and resultant structure thereof

Номер патента: WO2005047202A3. Автор: Haydn N G Wadley,Derek D Hass. Владелец: Derek D Hass. Дата публикации: 2005-08-25.

Display device having a multilayered undercoating layer of silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: US09666599B2. Автор: Arichika Ishida,Yasushi Kawata,Masato Hiramatsu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20070194396A1. Автор: Yoji Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-23.

Low cost method for depositing solder or adhesive in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: WO2020112311A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2020-06-04.

Low cost method for depositing solder or adhesive in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: EP4216683A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-07-26.

Low cost method for depositing solder or adhesive in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: EP3888428A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-10-06.

Method for depositing layer

Номер патента: US09932660B2. Автор: Akira Fukushima,Makoto Saito,Noriyuki Hiramatsu. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Thin-film solar cell module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09634157B2. Автор: Hiroki Sugimoto,Keisuke Ishikawa,Masashi Kondou. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2017-04-25.

Receiving vessel for melt silicon or vessel for melting silicon and method for making it

Номер патента: RU2303663C2. Автор: Фредерик КАЙО,Койчи ШИМИЗУ,Казуми ТАНИ,Ёшифуми КОБАЯШИ. Владелец: Везувиус Франс С.А.. Дата публикации: 2007-07-27.

Method for placing nano-diamonds with nv-centers on silicon nitride

Номер патента: RU2761426C2. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-12-08.

Method for depositing a rare material in a thin layer on an horological or jewellery external part and external part obtained by this method

Номер патента: US20220267891A1. Автор: Michel Willemin,Simon Springer,Loïc Curchod. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2022-08-25.

Low cost approach for depositing solder and adhesives in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: US20200171609A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-06-04.

Light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120007043A1. Автор: Shin Yokoyama,Yoshiteru Amemiya. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2012-01-12.

Method for depositing a cover layer, euv lithography system and optical element

Номер патента: US20240302756A1. Автор: Stefan Schmidt,Moritz Becker,Dirk Ehm. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for depositing layer

Номер патента: US09951426B2. Автор: Akira Fukushima,Makoto Saito,Noriyuki Hiramatsu. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for depositing a nickel-metal layer

Номер патента: US09631282B2. Автор: Stefan Koppe. Владелец: Schauenburg Ruhrkunststoff GmbH. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for forming electrically precise capacitors on insulative substrates, and structures formed therefrom

Номер патента: US09552924B2. Автор: JIANG LI,Erik Scher,Patrick Smith,Criswell Choi,Arvind Kamath. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-01-24.

Composite metal-diamond coating, method of its production, disperse system for deposition of composite metal-diamond coating and method for its production

Номер патента: RU2706931C1. Автор: Сергей Константинович Есаулов,Сергей Сергеевич Кукушкин,Геннадий Валентинович Светлов,Евгений Васильевич Рыжов. Владелец: Евгений Васильевич Рыжов. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for forming thin films and apparatus therefor

Номер патента: US7445813B2. Автор: Yasushi Ohbayashi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for forming thin film and apparatus therefor

Номер патента: US20040191407A1. Автор: Yasushi Ohbayashi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2004-09-30.

Methods for encapsulating silver mirrors on optical structures

Номер патента: US20240270633A1. Автор: Kenichi Ohno,Rami HOURANI,Karl J. ARMSTRONG,Brian Alexander COHEN,Andrew Ceballos,Alexia Adilene PORTILLO RIVERA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods for deposition of a thermal interface material and circuit assemblies formed therefrom

Номер патента: WO2024192062A1. Автор: Navid Kazem,Hing Jii Mea. Владелец: Arieca Inc.. Дата публикации: 2024-09-19.

Asymmetric FinFET semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09583597B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Coating method for depositing a layer system on a substrate and substrate having a layer system

Номер патента: US09551067B2. Автор: Jürgen Müller,Jörg Vetter,Georg Erkens. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for producing machine parts having at least one sliding surface

Номер патента: RU2276199C2. Автор: Лех МОЧУЛЬСКИ. Владелец: Ман Б Энд В Диесель А/С. Дата публикации: 2006-05-10.

Method for manufacturing a semiconductor device having more than two conductive layers

Номер патента: US4935378A. Автор: Seiichi Mori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-06-19.

Method for manufacturing board device

Номер патента: US9245910B2. Автор: Koji Sato,Toshihide Jinnai,Yasunori Fukumoto. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7875515B2. Автор: Sang Man Bae,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367B1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-03-09.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing method for liquid crystal display device

Номер патента: US8735901B2. Автор: Hideo Tanabe,Atsushi Hasegawa,Toshiki Kaneko,Hiroko Sehata,Masaru Takabatake. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-27.

Manufacturing method for liquid crystal display device

Номер патента: US12007636B2. Автор: Hideo Tanabe,Atsushi Hasegawa,Toshiki Kaneko,Hiroko Sehata,Masaru Takabatake. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for depositing a coating on a substrate

Номер патента: US20230193454A1. Автор: Simon Springer,Stéphane Lauper,Gregory Kissling,Marion Gstalter,Loïc Curchod,Loïc OBERSON,Ahmad Odeh. Владелец: Omega SA. Дата публикации: 2023-06-22.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367A1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2003-09-24.

Method for depositing of coating onto sliding surface of fire-resistant member, fire-resistant member, and electrode for electric discharge treatment of surface

Номер патента: RU2320775C2. Автор: Акихиро ГОТО,Мицутоси ВАТАНАБЕ,Масао АКИЙОСИ,Хироюки ОТИАЙ,Мики АРАЙ,Микия АРАЙ,Сигеру САБУРИ,Эйдзи НАКАЯМА. Владелец: Исикавадзима-Харима Хэви Индастриз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for deposition of gradient heat-resistant coatings y-mo-o of plasma of vacuum-arc discharge

Номер патента: RU2728117C1. Автор: Эдуард Леонидович Варданян,Алмаз Юнирович Назаров,Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Алексей Андреевич Маслов,Сергей Тихонович Милейко,Сергей Николаевич Галышев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor memory device using silicon nitride film as charge storage layer of storage transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090184365A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaru Kito,Katsuyuki Sekine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060186486A1. Автор: Hirotaka Mori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US7910974B2. Автор: Yukihiro Utsuno. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-03-22.

A high-aspect-ratio glass capillary array and a method for conformally metal-coating same

Номер патента: WO2023009203A1. Автор: Marc Christophersen,Bernard F. PHILIPS. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20130183819A1. Автор: Yukihiro Utsuno. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20110171819A1. Автор: Yukihiro Utsuno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US8389361B2. Автор: Yukihiro Utsuno. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20060091445A1. Автор: Yukihiro Utsuno. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device, method for producing semiconductor device, power supply device, and amplifier

Номер патента: US20200161464A1. Автор: Youichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20090039393A1. Автор: Akiko Fujita,Masataka Ono. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US7728358B2. Автор: Akiko Fujita,Masataka Ono. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: US20210331274A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: EP4138939A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: WO2021217089A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: CA3175652A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: AU2021259641A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Method For Film Deposition and Apparatus for Performing Said Method

Номер патента: US20180073126A1. Автор: Thomas Schneider,Alexander Usoskin. Владелец: BRUKER HTS GMBH. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for controlling MIS structure design in TFT and system thereof

Номер патента: US09857655B2. Автор: Xiangdeng Que. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Production method for deposition mask and deposition mask

Номер патента: US09844835B2. Автор: Michinobu Mizumura. Владелец: V Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Low degradation MRAM encapsulation process using silicon-rich silicon nitride film

Номер патента: US09515252B1. Автор: Jeong-Heon Park,Eugene J. O'Sullivan,Deborah A. Neumayer,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,JungHyuk Lee,Nathan P. Marchack,Chandrasekaran Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor integrated circuit having silicon nitride provided as insulator of capacitor

Номер патента: US5296734A. Автор: Megumi Satoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-22.

Solid-state imaging element and method for fabricating the same

Номер патента: US20090020795A1. Автор: Ryohei Miyagawa,Hiroyuki Doi,Hitoshi Kuriyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-22.

Metal-insulator-metal capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20080203528A1. Автор: Jiann-Fu Chen,Ming-Te Chen,Yi-Ching Wu,Lian-Hua Shih,Chin-Jen Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Apparatus and method for processing substrate using supercritical fluid

Номер патента: US20240183037A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Chengyeh Hsu. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Fluorescent diamond and method for producing same

Номер патента: AU2019371651B2. Автор: Ming Liu,Masahiro Nishikawa,Motoi Nakao,Shinji Nagamachi. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for producing hexagonal boron nitride film using borazine oligomer as a precursor

Номер патента: US09562287B2. Автор: Sang Ook Kang,Jin-Hyung Park,Myung Jong Kim,Jung Ho Kang,Sungchan Park,Sukang Bae,Hyunjin Cho,Changhyup LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus and method for providing an embedded structure and for providing an electro-optical device including the same

Номер патента: US09554473B2. Автор: Eric Rubingh,Tim Johannes Van Lammeren. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for producing corrosion-resistant coating

Номер патента: RU2768053C1. Автор: Анна Львовна Каменева,Наталья Владимировна Бублик. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2022-03-23.

System and Method for Controlling the Elemental Composition of Films Produced by Pulsed Laser Deposition

Номер патента: US20190093212A1. Автор: Wayne C. McGinnis,Alexandru Hening,Teresa Emery. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for forming metallic nitride film

Номер патента: US8524049B2. Автор: Fu-Hsing Lu,Mu-Hsuan Chan,Jiun-Huei Yang,Po-Lun Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-03.

Method for forming metallic nitride film

Номер патента: US20090008241A1. Автор: Fu-Hsing Lu,Mu-Hsuan Chan,Jiun-Huei Yang,Po-Lun Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Manufacturing method for touch screen panel

Номер патента: US20140115878A1. Автор: Toru Kimura. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Electroless nickel alloy plating baths, a method for deposition of nickel alloys, nickel alloy deposits and uses of such formed nickel alloy deposits

Номер патента: WO2018220220A1. Автор: Sebastian Lang. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2018-12-06.

Hard coating, method for manufacturing same, and hard-coated article

Номер патента: US09845392B2. Автор: Kenji Yamamoto,Maiko Abe. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing a semiconductor device at low temperature

Номер патента: US09831275B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for fabricating a colored component for a watch

Номер патента: US09625879B2. Автор: Ching Tom Kong,Ying Nan WANG. Владелец: Master Dynamic Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for producing a photovoltaic cell having a heterojunction, and resulting photovoltaic cell

Номер патента: US09478686B2. Автор: Nathalie Nguyen,Maria-Delfina Munoz,Anne-Sophie Ozanne. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-10-25.

Surface processing method for a high hardness and abrasion resistant zinc alloy surface of imitation plating hexvalent chromium

Номер патента: US09469904B2. Автор: Song Ming,Zi-bao Wu,Ying-Quan Wang,Hu-Dong Niu. Владелец: Ningbo Runner Industrial Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for making a bipolar transistor and capacitors using doped polycrystalline silicon or metal silicide

Номер патента: US4732872A. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-22.

Method for fabricating an indium tin oxide electrode for a thin film transistor

Номер патента: US5153142A. Автор: In-Cha Hsieh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1992-10-06.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160343879A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240222510A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for preparing bactericidal film having silicon nitride binding layer on glass and ceramics

Номер патента: US20210180176A1. Автор: Fook Chi Mak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: AU2021259477A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: EP4138942A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: US20210330860A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: WO2021216872A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for manufacturing an electrode

Номер патента: WO2008127111A1. Автор: Petrus Marinus Martinus Cornelus Bressers,Marinus Marc Koetse,Antonius Maria Bernardus Van Mol,Joost Van Erkel. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2008-10-23.

Device and methods for depositing materials on hard surfaces

Номер патента: US11701681B2. Автор: Gayle Marie Frankenbach,Dana Paul Gruenbacher,Thomas Elliot Rabe,Faiz Feisal Sherman,Stephan Gary Bush,Philip Andrew Sawin,Ted DE CASTRO,Kenneth Lee MORAND,Nicola John Policicchio,Jeremy Michael CARTER. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2023-07-18.

Method for depositing high aspect ratio molecular structures

Номер патента: US09776206B2. Автор: David Gonzales,David P. Brown,Albert G. Nasibulin,Esko I. Kauppinen. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2017-10-03.

Composite piezomaterial and method for its manufacture

Номер патента: RU2751896C1. Автор: Александр Анатольевич Панич,Алексей Анатольевич Нестеров,Евгений Анатольевич Панич,Михаил Игоревич Толстунов,Любовь Александровна Дыкина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет». Дата публикации: 2021-07-19.

System and method for assessing tissue oxygenation using a conformal filter

Номер патента: US09329086B2. Автор: Patrick J. Treado,Ryan Priore. Владелец: ChemImage Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for determining optical constants of films of chemically active metals or their alloys

Номер патента: RU2659873C1. Автор: Владимир Григорьевич Шевченко,Лев Александрович Акашев,Николай Александрович Попов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-07-04.

Aqueous, alkaline electrolyte for depositing zinc-containing layers onto surfaces of metal piece goods

Номер патента: US20200115814A1. Автор: Anders Skalsky,Patricia Preikschat. Владелец: Provexa Ab. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for implementing a 6-mask cathode process

Номер патента: WO2003030200A3. Автор: Kazuo Kikuchi,Jueng-gil Lee,Matthew A Bonn. Владелец: Candescent Intellectual Prop. Дата публикации: 2004-03-18.

Method for implementing a 6-mask cathode process

Номер патента: WO2003030200A9. Автор: Kazuo Kikuchi,Jueng-gil Lee,Matthew A Bonn. Владелец: Candescent Intellectual Prop. Дата публикации: 2004-04-22.

System and method for depositing separator material

Номер патента: US12040504B2. Автор: Leland Smith,Janet Hur,Guangyi Sun,Cheol Woong Lim. Владелец: Millibatt Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Systems and methods for assembling conformal arrays

Номер патента: US09515393B2. Автор: Manny Salazar Urcia, Jr.,Paul Chih-Yung Chang,Joseph A. Marshall, IV,Joseph Lawrence Hafenrichter. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-12-06.

System and method for operating conformal antenna

Номер патента: US10587054B2. Автор: Haim Reichman,Harel BADICHI,Gregory LUKOVSKY,Mark Rosenkrantz. Владелец: ELTA SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-03-10.

Process for depositing a thin-film layer of magnetic material onto an insulative dielectric layer of a semiconductor substrate

Номер патента: US4529621A. Автор: Delbert L. Ballard. Владелец: Utah Computer Industries Inc. Дата публикации: 1985-07-16.

Systems and methods for identifying waveguide defects

Номер патента: US20240125708A1. Автор: Justin M. HALLAS,Matthew COVER. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for generate array element excitation of a conformal array based on an iterative algorithm

Номер патента: US20230216210A1. Автор: XIN Wang,Zhiwei Xu,Huan LI,Chunyi Song,Wenwei Fang,Dingke YU. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-07-06.

Thin film deposition method and resulting product

Номер патента: US09481603B2. Автор: Nicolas Nadaud,Vincent Reymond,Andriy Kharchenko. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2016-11-01.

Method For Producing Printed Material And Wrapping Method With Wrapping Material

Номер патента: US20230227676A1. Автор: Toru Saito,Chigusa Sato,Emi TAKEUCHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for preparing a freeze-dried composition containing lactic acid bacteria with enhanced bacterial viability and activity during storage at room temperature and resulting composition

Номер патента: WO2003018778A2. Автор: Fernanda Fonseca,Georges Corrieu,Michele Marin,Catherine Beal. Владелец: INSTITUT NATIONAL DE LA RECHERCHE AGRONOMIQUE (INRA). Дата публикации: 2003-03-06.

Method for preparing a freeze-dried composition containing lactic acid bacteria with enhanced bacterial viability and activity during storage at room temperature and resulting composition

Номер патента: WO2003018778A3. Автор: Fernanda Fonseca,Georges Corrieu,Michele Marin,Catherine Beal. Владелец: Catherine Beal. Дата публикации: 2003-11-27.

Method for compacting compactable materials and improved lubricant for same

Номер патента: US5602350A. Автор: Anthony Griffo,Randall M. German,Tracy Potter. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 1997-02-11.

Apparatus and method for mixing, agitating and transporting molten or semi-solid metallic or metal-matrix composite materials

Номер патента: KR20070115952A. Автор: 그래함 렉스 위더스. Владелец: 사이코 시스템즈 코포레이션 피티와이 리미티드. Дата публикации: 2007-12-06.

METHOD FOR HEATING ANTI-CORROSION PROTECTIVE PRODUCT ARRANGED ON A METALLIC OR ELECTROMAGNETICALLY SUSCEPTIBLE STRUCTURE ELEMENT AND ASSOCIATED PROTECTION METHOD

Номер патента: FR2843316B1. Автор: Capelle Marc Chaty. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2006-04-28.

Production method for oxidized carbon thin film, and element having oxidized carbon thin film and production method therefor

Номер патента: US20130023070A1. Автор: Akihiro Odagawa,Nozomu Matsukawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Protective case capable of enhancing light prompting effect and manufacturing method for same

Номер патента: US9553627B2. Автор: Su-Tzong Liu,Sheng-Ying Liu,Wei-Rong Xiao. Владелец: Fih Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Liquid crystal alignment agent composition, method for manufacturing liquid crystal alignment film by using same, and liquid crystal alignment film and liquid crystal display device which use same

Номер патента: EP3778830A1. Автор: Jung Ho Jo,Soonho KWON,Sungjoon Min,Hyeongseuk YUN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Optically softening resin composition, method for producing softened product of optically softening resin composition, curable resin composition and cured product of same, and patterned film and method for producing same

Номер патента: US20220162406A1. Автор: Yuki Miyamoto,Junichi Kamei,Koichi Saito,Takashi Kumaki,Hiroshi Osaki. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7800157B2. Автор: Minori Kajimoto,Yugo Ide,Akihiro Ryusenji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-21.

Silicon nitride core rib waveguides and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024186512A1. Автор: Haitao Zhang,Bin Zhu,Barry J. Paddock,Sukru Ekin Kocabas. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Fluid extraction of metals or metalloids

Номер патента: WO1998004753A1. Автор: Lin Yuehe,Chien M. Wai,Neil G. Smart,Yak Hwa Kwang. Владелец: Idaho Research Foundation, Inc.. Дата публикации: 1998-02-05.

Reactors and methods for producing and recovering extracellular metal or metalloid nanoparticles

Номер патента: US20190194040A1. Автор: Gang Chen,Youneng Tang. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for electric cladding of an uncoated steel strip with a cladding layer

Номер патента: RU2743357C2. Автор: Жак Хюберт Ольга Йозеф ВЕЙЕНБЕРГ,Адрианус Якобус ВИТТЕБРОД. Владелец: Тата Стил Эймейден Б.В.. Дата публикации: 2021-02-17.

System and method for optical fiber preform preparation via high-surface-area coating

Номер патента: WO2021252098A1. Автор: Tayyab I. SURATWALA,Jay W. Dawson,Nick Schenkel,Michael MESSERLY,Koroush Sasan,Andrew LANGE,Rebecca Dylla-Spears,Cody Wren MART. Владелец: Lawrence Livermore National Security, LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

System and method for optical fiber preform preparation via high-surface-area coating

Номер патента: EP4164991A1. Автор: Tayyab I. SURATWALA,Jay W. Dawson,Nick Schenkel,Michael MESSERLY,Koroush Sasan,Andrew LANGE,Rebecca Dylla-Spears,Cody Wren MART. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2023-04-19.

Wedge-shaped heating element and method for producing it

Номер патента: US20060108070A1. Автор: Jan Werner,Franz-Josef Herz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-25.

Anti-hacking printed circuit board having high-molecular material deposited thereon and deposition method for the same

Номер патента: US20050283794A1. Автор: Eun-lai Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Cyanide-free electrolyte composition and method for the deposition of silver or silver alloy layers on substrates

Номер патента: US09657402B2. Автор: Stefan Schäfer,Thomas B. Richardson. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Device and method for depositing a printing material on a substrate

Номер патента: EP4429417A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Gari Arutinov. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-09-11.

Device and method for depositing a printing material on a substrate

Номер патента: WO2024186206A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Gari Arutinov. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device, method for manufacturing the same, and method for controlling the same

Номер патента: US6166958A. Автор: Kiyomi Naruke,Shinichi Maekawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: WO2023049804A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-03-30.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: EP4404875A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Methods For Recovering Hydrocarbon Materials From Subterranean Formations

Номер патента: US20180194993A1. Автор: Eric Hanson. Владелец: Aculon Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Polishing composition, polishing method and method for producing semiconductor substrate

Номер патента: US20240318036A1. Автор: Ryota Mae. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Organoaminosilanes and methods for making same

Номер патента: US09758534B2. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Richard Ho,Matthew R. Macdonald. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Light emitting display device and method for manufacturing the same

Номер патента: GB2626636A. Автор: Cheol Choe Dong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for producing additively-manufactured article, and additively-manufactured article

Номер патента: US20230126443A1. Автор: Eisuke KUROSAWA. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Uv-curable ink composition based on red-emitting quantum dots, method for depositing ink composition and light emitting device

Номер патента: WO2024177522A1. Автор: Marta SZYMAŃSKA,Monika CZARNECKA,Maciej ZIĘBA,Artur Podhorodecki,Barbara BANASIUK,Mateusz Bański. Владелец: Qna Technology S.A.. Дата публикации: 2024-08-29.

Sintered silicon nitride and method for producing the same

Номер патента: US20080220963A1. Автор: Naohito Yamada,Takahiro Takahashi,Kazuhiro Nobori,Hideyuki Baba. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Method of depositing a metal layer on a component

Номер патента: US12091768B2. Автор: Elzbieta Kryj-Kos,Lakshmi Krishnan,Sriram Krishnamurthy,Justin M. Welch. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods For Recovering Hydrocarbon Materials From Subterranean Formations

Номер патента: US20170253793A1. Автор: Eric Hanson. Владелец: Aculon Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Naphtha reforming catalyst and a method for production thereof

Номер патента: RU2693018C2. Автор: Тао ВАН,Юйхун ЧЖАН,Дацин ЧЖАН,Гаошань ЦЗАН,Цзясинь ВАН. Владелец: Рисерч Инститьют Оф Петролеум Просессинг, Синопек. Дата публикации: 2019-07-01.

Controlled method for deposition of chrome layer or chrome alloy on at least one substrate

Номер патента: RU2764454C2. Автор: Анке ВАЛЬТЕР,Олександра ЕВТУШЕНКО,Франциска ПАУЛИГ. Владелец: Атотех Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2022-01-17.

Method for electrodeposition of metal and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2241072C2. Автор: Дэвид БЭЙЛИ,Джон КАТМОР. Владелец: Коппер Рефайнериз Пти Лтд.. Дата публикации: 2004-11-27.

Carbon dioxide enhanced complex-adsorption process for metal or metalloid removal from water

Номер патента: US20030010720A1. Автор: Joseph Chwirka. Владелец: CH2M Hill Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Graphene/Metal or Metalloid Core-Shell Composite and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190185391A1. Автор: Xiaoping Zhang,Jian Gu,Aimin Pang. Владелец: Hubei Institute of Aerospace Chemical Technology. Дата публикации: 2019-06-20.

Electroplating composition for depositing a chromium or chromium alloy layer on a substrate

Номер патента: US20240200219A1. Автор: Simon Pape,Anke WALTER,Oleksandra YEVTUSHENKO. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of depositing a metal layer on a component

Номер патента: US11767607B1. Автор: Elzbieta Kryj-Kos,Lakshmi Krishnan,Sriram Krishnamurthy,Justin M. Welch. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-09-26.

Device and method for manufacturing a preform for optical fibres by chemical vapour deposition

Номер патента: EP1412298A1. Автор: Giacomo Stefano Roba,Franco Veronelli,Massimo Nutini,Marco Ruzzier. Владелец: Prysmian Cavi e Sistemi Energia SRL. Дата публикации: 2004-04-28.

Cell flow rate control method for asynchronous transfer mode switch

Номер патента: US6151302A. Автор: Kazuhiro Yoshida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-11-21.

Method for selecting agents that bind to transmembrane receptors in a conformationally selective manner

Номер патента: US09880179B2. Автор: Brian Kobilka,Aaron Michael RING,Andrew KRUSE,Aashish Manglik. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for depositing photoluminescent material

Номер патента: US09598632B2. Автор: Stuart C. Salter,Cornel Lewis Gardner,Paul Kenneth Dellock,Talat Karmo,Arsen Terjimanian. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for depositing silicon nanocrystals in hollow fibers

Номер патента: US09452446B2. Автор: Jonathan Veinot,Jose Roberto Rodriguez,Pablo Bianucci,Al Meldrum. Владелец: University of Alberta. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for producing composite biomaterial chitosan/hydroxyapatite

Номер патента: RU2748799C1. Автор: Сергей Васильевич Гнеденков,Сергей Леонидович Синебрюхов,Владимир Сергеевич Егоркин,Лариса Алексеевна Земскова,Владимир Евгеньевич Силантьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2021-05-31.

Method for deposition of composite coating

Номер патента: RU2761573C1. Автор: Юрий Александрович Стекольников,Юлия Евгеньевна Мамонтова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Елецкий государственный университет им. И.А. Бунина". Дата публикации: 2021-12-10.

Method for preparing hydroxyindolylglyoxylamides of high purity

Номер патента: RU2315046C2. Автор: Норберт Хефген,Юрген ШЕФЕР,Хельге ХАРТЕНХАУЕР,Ханс Штанге,Ханс-Йоахим ЕНШ. Владелец: Элбион Аг. Дата публикации: 2008-01-20.

Method for separating zirconium and hafnium tetrachlorides with the aid of a melted solvent

Номер патента: US6929786B2. Автор: Laurence Delons,Gerard Picard,Delphine Tigreat. Владелец: Compagnie Europeenne du Zirconium Cezus SA. Дата публикации: 2005-08-16.

Monatomic amorphous palladium, a method for preparing the same and use thereof

Номер патента: US20200248282A1. Автор: Yi Zhou,Yi Huang,Jiaqing HE,Dongsheng HE. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-08-06.

Nitride ready only memory cell with two top oxide layers and the method for manufacturing the same

Номер патента: US20030129794A1. Автор: Chen-Chin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Methods for for modeling gpcrs and for producing ligand blocking and receptor activating antibodies for same

Номер патента: EP1646652A2. Автор: John Castracane. Владелец: Exalpha Biologicals Inc. Дата публикации: 2006-04-19.

Nitride ready only memory cell with two top oxide layers and the method for manufacturing the same

Номер патента: US6509231B1. Автор: Li-Jen Chen,Chen-Chin Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

Electronic device and method for slot-die depositing layers of the same

Номер патента: US12069936B2. Автор: Tobias Meyer,Frank NÜESCH,David MARTINEAU,Anand Verma,Jacob HEIER. Владелец: Solaronix SA. Дата публикации: 2024-08-20.

Electrolyte solution, printing method thereof and resulting solid electrolyte

Номер патента: US20140361211A1. Автор: Carlos Alberto Pinheiro Baptista,Ana Clara Lopes MARQUES,Jorge Araújo. Владелец: Yd Ynvisible S A. Дата публикации: 2014-12-11.

Methods for for modeling gpcrs and for producing ligand blocking and receptor activating antibodies for same

Номер патента: WO2005021576A3. Автор: John Castracane. Владелец: Exalpha Biolog Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Electroconductive silicon nitride based composite sintered body and method for preparation thereof

Номер патента: EP1361202A4. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Electrolyte solution, printing method thereof and resulting solid electrolyte

Номер патента: US09625782B2. Автор: Carlos Alberto Pinheiro Baptista,Ana Clara Lopes MARQUES,Jorge Araújo. Владелец: Yd Ynvisible S A. Дата публикации: 2017-04-18.

Controlled method for depositing chromium or chromium alloy layer on at least one substrate

Номер патента: RU2758651C2. Автор: Анке ВАЛЬТЕР,Олександра ЕВТУШЕНКО,Франциска ПАУЛИГ. Владелец: Атотех Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2021-11-01.

Installation for obtaining a suspension of humic substances and solution of fulvic acid and a method for obtaining a suspension of humic substances and a solution of fulvic acid carried out using this installation

Номер патента: RU2758293C1. Автор: Сергей Александрович Киров,Дмитрий Юрьевич Шачнев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Бьюти Лэнд". Дата публикации: 2021-10-28.

Method for preparation of metal salts of methyl phosphonic acids

Номер патента: US4973727A. Автор: James Gainer,Donald R. Randell. Владелец: Ciba Geigy Corp. Дата публикации: 1990-11-27.

Apparatus and method for collecting particulate nuclear fuel material from a gas stream

Номер патента: GB1471606A. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1977-04-27.

Vanadium silicon nitride film, member coated with vanadium silicon nitride film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190390331A1. Автор: Hiroyuki Matsuoka,Wataru Sakakibara,Satoru HABUKA. Владелец: Dowa Thermotech Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Porous silicon nitride article and method for production thereof

Номер патента: EP1298111B1. Автор: Kenji c/o NGK INSULATORS LTD. MORIMOTO,Shinji c/o NGK INSULATORS LTD. KAWASAKI,Masaaki c/o NGK INSULATORS LTD. MASUDA,Katsuhiro c/o NGK INSULATORS LTD. INOUE,Hiroaki c/o NGK INSULATORS LTD. SAKAI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-01-18.

Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured thereby

Номер патента: US20240116822A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Apparatus and method for providing an embedded structure and for providing an electro-optical device including the same

Номер патента: EP2695215A1. Автор: Eric Rubingh,Tim Johannes Van Lammeren. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2014-02-12.

Radiation sensitive compositions comprising a combination of metals or metalloid compounds

Номер патента: EP4416552A1. Автор: Osama M. Musa,David K. Hood. Владелец: ISP Investments LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Novel electro deposited gold; electrolyte solution to obtain the same; method for producing said gold; and products

Номер патента: US3897246A. Автор: Richard Henry Zimmerman,Richard Lee Brenneman. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1975-07-29.

Polycrystalline Silicon Ingot Casting Mold and Method for Producing Same, and Silicon Nitride Powder for Mold Release Material for Polycrystalline Silicon Ingot Casting Mold and Slurry Containing Same

Номер патента: US20140158858A1. Автор: Takeshi Yamao,Takayuki Fujii,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Method for producing a silicon single crystal doped with nitrogen and having a controlled amount of carbon impurities

Номер патента: US12084788B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for extraction of gel-like concentrate in processing of hydrocarbon oils

Номер патента: RU2398007C1. Автор: Юрий Михайлович Лужков,Дмитрий Александрович Рототаев,Владимир Федорович Юдкин,Евгений Алексеевич Пантелеев,Александр Николаевич Ложаков,Федор Викторович Иванушкин,Софья Михайловна Иванушкина,Владимир Семенович Асташов,Игорь Ишеналиевич Абылгазиев. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Сежа". Дата публикации: 2010-08-27.

Apparatus and method for half-toning

Номер патента: EP3097683A1. Автор: Shahar KLINGER,Mattetyahu LITVAK,Avraham Guttman,Alon SIMAN TOV. Владелец: Landa Corp Ltd. Дата публикации: 2016-11-30.

Method for manufacturing single sheet-type green sheet, method for manufacturing silicon nitride sintered body, single sheet-type green sheet, and silicon nitride sintered body

Номер патента: US20220098121A1. Автор: Koji Nishimura,Akimasa Yuasa,Seiji Kobashi,Yoshiyuki ESHIMA,Ryuhei Watanabe. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for manufacturing single sheet-type green sheet, method for manufacturing silicon nitride sintered body, single sheet-type green sheet and silicon nitride sintered body

Номер патента: EP3919247A1. Автор: Koji Nishimura,Akimasa Yuasa,Seiji Kobashi,Yoshiyuki ESHIMA,Ryuhei Watanabe. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Method for coating glass containers

Номер патента: EP4347521A1. Автор: Admir Hadzic,Ari Kärkkäinen,Milja Hannu-Kuure,Jarkko Leivo,Rauna-Leena KUVAJA,Matti Pesonen,Sacha Legrand. Владелец: OPTITUNE Oy. Дата публикации: 2024-04-10.

Two bit memory device and method for operating the two-bit memory device and electronic component

Номер патента: US12046269B2. Автор: Peer Kirsch,Marc Tornow,Henning SEIM,Itai Lieberman,Takuya Kamiyama,Sebastian RESCH,Julian DLUGOSCH. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-07-23.

Porous silicon nitride article and method for production thereof

Номер патента: EP1298111A4. Автор: Shinji Kawasaki,Hiroaki Sakai,Kenji Morimoto,Katsuhiro Inoue,Masaaki Masuda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-02-14.

Method for coating glass containers

Номер патента: US20240262739A1. Автор: Admir Hadzic,Ari Kärkkäinen,Milja Hannu-Kuure,Jarkko Leivo,Rauna-Leena KUVAJA,Matti Pesonen,Sacha Legrand. Владелец: OPTITUNE Oy. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for coating glass containers

Номер патента: WO2022253803A1. Автор: Admir Hadzic,Ari Kärkkäinen,Milja Hannu-Kuure,Jarkko Leivo,Rauna-Leena KUVAJA,Matti Pesonen,Sacha Legrand. Владелец: OPTITUNE Oy. Дата публикации: 2022-12-08.

Polishing material for silicon nitride and sialon ceramics

Номер патента: US20030136057A1. Автор: Takeshi Sato,Shuji Sakaguchi,Shuzo Kanzaki,Yukihiko Yamauchi,Kiyoshi Hirao. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Apparatus, system and method of providing a conformable heater system

Номер патента: US12076543B2. Автор: Girish Satish Wable,Sai Guruva Reddy Avuthu,Jorg Richstein,Nabel M. GHALIB,Mark Edward SUSSMAN,Arnold Reta,Samantha Lynn Stevens,Nathaniel Patrick Richards,Ronald Harry Darnell,Ralph HUGENECK,Mary Alice GILL. Владелец: Jabil Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

An apparatus and method for electroplating a substrate in a continuous way

Номер патента: EP2029798A2. Автор: Roger Francois,Luc Hofman. Владелец: Bekaert NV SA. Дата публикации: 2009-03-04.

Primers and Methods for Nucleic Acid Amplification

Номер патента: US20170051005A1. Автор: Besik Kankia. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2017-02-23.

Electrochemical deposition apparatus and methods for controlling the chemistry therein

Номер патента: US09988735B2. Автор: Arthur Keigler,Daniel L. Goodman,Johannes Chiu,Jonathan HANDER,Demetrius PAPAPANAYIOTOU,David G. Guarnaccia. Владелец: Tel Nexx Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Electrolyte for the electrolytic deposition of silver-palladium alloys and method for deposition thereof

Номер патента: US09797056B2. Автор: Bernd Weyhmueller,Uwe Manz,Sascha Berger. Владелец: UMICORE GALVANOTECHNIK GMBH. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240365529A1. Автор: Hsuan-Tung Chu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Silicon nitride wear resistant member and method for producing silicon nitride sintered compact

Номер патента: US09663407B2. Автор: Haruhiko Yamaguti. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Electrochemical deposition apparatus and methods for controlling the chemistry therein

Номер патента: US09637836B2. Автор: Arthur Keigler,Daniel L. Goodman,Johannes Chiu,Jonathan HANDER,Demetrius PAPAPANAYIOTOU,David G. Guarnaccia. Владелец: Tel Nexx Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Primers and methods for nucleic acid amplification

Номер патента: US09499860B2. Автор: Besik Kankia. Владелец: Ohio State University. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for protecting a cable splice connection with a cover assembly

Номер патента: US09425605B2. Автор: Harry George Yaworski. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for detecting genome of rotavirus infection agent in farm animals

Номер патента: RU2689718C1. Автор: Ирина Михайловна Донник,Андрей Георгиевич Кощаев,Виталий Юрьевич Морозов,Олег Юрьевич Черных,Василий Александрович Баннов,Денис Владиславович Малышев,Юрий Дмитриевич Дробин,Федор Иванович Василевич,Анатолий Александрович Стекольников,Александр Анатольевич Лысенко,Роман Анатольевич Кривонос,Сергей Николаевич Забашта,Анна Леонидовна Кулакова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2019-05-28.

Method for obtaining monomer containing sulphonic acid group

Номер патента: RU2751162C1. Автор: Нобуюки УЕМАЦУ,Ясухиро Нагато,Каиси ХОРИ,Кенити ЯКИГАЯ. Владелец: Асахи Касеи Кабусики Кайся. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for decarboxylating ketonization of fatty acids or fatty acid derivatives

Номер патента: RU2757215C2. Автор: Филипп МАРЬОН,Оливье БАК,Реми ЛЕРУА. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2021-10-12.

Rare-earth doped phosphor based on alkali-earth element and silicon nitride, method for production thereof and radiation converting device containing said phosphor

Номер патента: RU2470980C2. Автор: Детлеф ШТАРИК,Свен РЁСЛЕР,Ченг-Джун ДУАН,Зильке РЕСЛЕР,Хубертус Терезия ХИНТЦЕН,Анна Шарлотта Ануанетта ДЕЛСИНГ. Владелец: Ледон Лайтинг Йеннерсдорф Гмбх. Дата публикации: 2012-12-27.

Methods for enhancing biological activity of recombinant adeno associated virus produced by baculovirus system

Номер патента: RU2762948C2. Автор: Сергей ЗОЛОТУХИН,Олександр КОНДРАТОВ. Владелец: Юниверсити Оф Флорида Рисерч Фаундэйшн, Инкорпорейтед. Дата публикации: 2021-12-24.

High-quality low-emission coatings, low-emission insulated glazing and methods for production thereof

Номер патента: RU2558063C2. Автор: Кари Б. МАЙЛИ,Гари Л. ПФАФФ,Грег ВАНС,Клаус ХАРТИГ. Владелец: КАРДИНАЛ СиДжи КОМПАНИ. Дата публикации: 2015-07-27.

Transparent article having protective silicon nitride film

Номер патента: CA2189430C. Автор: Robert Bond,Roger P. Stanek,Wayne Hoffman. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2007-07-10.

Casting apparatus and method for forming multi-textured, single crystal microstructure

Номер патента: EP3099439A1. Автор: Venkatarama K. Seetharaman,Steven J. Bullied,John Joseph Marcin,David Ulrich Furrer. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2016-12-07.

Casting apparatus and method for forming multi-textured, single crystal microstructure

Номер патента: US20170021413A1. Автор: Venkatarama K. Seetharaman,Steven J. Bullied,John Joseph Marcin,David Ulrich Furrer. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Apparatus, system and method of providing a conformable heater in wearables

Номер патента: EP3677095A1. Автор: Arnoldo RETA,Sai Guruva AVUTHU,MaryAlice GILL,Mark SUSSMAN,Nabel GHALIB. Владелец: Jabil Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Apparatus, system and method of providing a conformable heater in wearables

Номер патента: WO2019046270A1. Автор: Arnoldo RETA,Sai Guruva AVUTHU,MaryAlice GILL,Mark SUSSMAN,Nabel GHALIB. Владелец: JABIL INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for determining relative energies of two or more different molecules

Номер патента: US20030055574A1. Автор: W. Clark Still,Quentin Mcdonald. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Electroconductive silicon nitride based composite sintered body and method for preparation thereof

Номер патента: US20040046153A1. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Methods for identifying modulators of Ras using nonlinear techniques

Номер патента: US09938560B2. Автор: Joshua S. Salafsky,Ryan P. McGuinness. Владелец: Biodesy Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Use of a fiber conduit contactor for metal and/or metalloid extraction

Номер патента: US09468866B2. Автор: John Lee Massingill. Владелец: CHEMTOR LP. Дата публикации: 2016-10-18.

Peptide stimulating regeneration of central nervous system neurons, pharmaceutical composition based on thereof and method for its using

Номер патента: RU2301678C1. Автор: Владимир Хацкелевич Хавинсон,Владимир Викторович Малинин,Галина Анатольевна Рыжак,Евгений Иосифович Григорьев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Сиа Пептайдс". Дата публикации: 2007-06-27.

Method for producing a casting molds and cores suitable for the manufacture of fiber composite materials or molded parts made of metal or polymer material, molding material and binder used in the method as well as molds and cores made by this method

Номер патента: RU2762467C1. Автор: Ифо ГЕРЦОГ. Владелец: Райнзихт Гмбх. Дата публикации: 2021-12-21.

Method for removing acid gas from natural gas

Номер патента: RU2671253C2. Автор: Хайнц БАУЭР,Клаудиа ГОЛЛВИТЦЕР. Владелец: Линде Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2018-10-30.

Catalyst composition including silver, method for obtaining same, and application of catalyst composition in ethylene epoxidation

Номер патента: RU2333034C2. Автор: Марек МАТУШ,Майкл Алан РИЧАРД,Мартин Лайсли ХЕСС. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2008-09-10.

Method for producing diamond crystals from molten alkali-earth carbonate

Номер патента: RU2766962C1. Автор: Юрий Николаевич Пальянов,Игорь Николаевич Куприянов,Александр Григорьевич Сокол,Юрий Михайлович Борздов,Юлия Владиславна Баталёва. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН). Дата публикации: 2022-03-16.

COATED COMPOSITE CONTAINING Al2O3-CeO2/ZrO2, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: RU2699652C2. Автор: Маркос ШЕНЕБОРН,Дирк НИМЕЙЕР,Ноэлия ГИЛЬЕН-УРТАДО,Томас ХАРНЕНИНГ,Диане ХОВЕ. Владелец: Сасол Джёмани Гмбх. Дата публикации: 2019-09-09.

Functionalized semiconductor nanoparticles and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20210115330A1. Автор: Hui Nie,Katerina NEWELL,Jos Marie Johannes PAULUSSE. Владелец: Twente Universiteit. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for preparing structurally coloured films and pigments

Номер патента: EP4392482A1. Автор: Richard Parker,Silvia Vignolini,Michael De Volder,Bruno FRKA-PETESIC,Hsin-Ling LIANG,Benjamin E DROGUET,Jeremy J BAUMBERG. Владелец: Sparxell Uk Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for preparing structurally coloured films and pigments

Номер патента: US20240228752A1. Автор: Richard Parker,Silvia Vignolini,Michael De Volder,Jeremy J. Baumberg,Bruno FRKA-PETESIC,Benjamin E. DROGUET,Hsin-Ling LIANG. Владелец: Sparxell Uk Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4017548A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: AU2020334770A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4324808A3. Автор: Bhajanjit Singh Bal,Bryan J Mcentire,Ryan M Bock. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: AU2020334770B2. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

System and method for managing computer networks

Номер патента: US20060085683A1. Автор: Howard Green,Thanh Trac Phan,Donald Deel,Marty Wexler,Michelle Dimon,Trac Binh Phan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Laser devices and methods for laser metal deposition

Номер патента: US20240139878A1. Автор: Lukas Hoppe. Владелец: Directedmetal 3d Sl. Дата публикации: 2024-05-02.

Laser devices and methods for laser metal deposition

Номер патента: WO2024089171A1. Автор: Lukas KENO HOPPE. Владелец: Directedmetal 3D S.L.. Дата публикации: 2024-05-02.

Device, System and Method For The Detection and Screening of Plastic Microparticles

Номер патента: US20220228964A1. Автор: Wayne H. Knox,James Lionel MCGRATH,Gregory MADEJSKI. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2022-07-21.

Device, system and method for the detection and screening of plastic microparticles

Номер патента: US11867602B2. Автор: Wayne H. Knox,James Lionel MCGRATH,Gregory MADEJSKI. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2024-01-09.

Device, System And Method For The Detection And Screening of Plastic Microparticles

Номер патента: US20240133788A1. Автор: Wayne H. Knox,James Lionel MCGRATH,Gregory MADEJSKI. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2024-04-25.

System and Method for Assessing Tissue Oxygenation Using a Conformal Filter

Номер патента: US20130321813A1. Автор: Priore Ryan,Treado Patrick J.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

Method for powering an engine by combustion of silicon hydrogens and silicon powder with self-generating silicon nitride lubrication

Номер патента: AU2002227859A1. Автор: Peter Plichta. Владелец: Peter Plichta. Дата публикации: 2002-06-11.

Device and method for spinning and depositing a tow

Номер патента: AU2003233334A1. Автор: Olaf Schwarz,Bernhard Schoennagel. Владелец: Neumag GmbH and Co KG. Дата публикации: 2003-12-02.

Laser devices and methods for laser metal deposition

Номер патента: US20240139877A1. Автор: Lukas Hoppe. Владелец: Directedmetal 3d Sl. Дата публикации: 2024-05-02.

Laser devices and methods for laser metal deposition

Номер патента: WO2024089173A1. Автор: Lukas KENO HOPPE. Владелец: Directedmetal 3D S.L.. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatus and method for mixing, agitating and transporting molten or semi-solid metallic or metal-matrix composite materials

Номер патента: WO2006085875A1. Автор: Graham Rex Withers. Владелец: Cyco Systems Corporation Pty Ltd. Дата публикации: 2006-08-17.

Apparatus and method for mixing, agitating and transporting molten or semi-solid metallic or metal-matrix composite materials

Номер патента: AU2005327268A1. Автор: Graham Rex Withers. Владелец: Cyco Systems Corp Pty Ltd. Дата публикации: 2006-08-17.

Apparatus and method for mixing, agitating and transporting molten or semi-solid metallic or metal-matrix composite materials

Номер патента: EP1846180A1. Автор: Graham Rex Withers. Владелец: Cyco Systems Corp Pty Ltd. Дата публикации: 2007-10-24.

DEVICE AND METHOD FOR THE PLASTIC FORMING OF A WORKPIECE MADE OF METAL OR A METAL ALLOY BY MEANS OF ECAP

Номер патента: US20190126333A1. Автор: Mingler Bernhard,KRYSTIAN Maciej. Владелец: AIT AUSTRIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY GMBH. Дата публикации: 2019-05-02.

Lifting mechanism for a shuttle of a channel store and method for lifting and depositing a loading bridge of the shuttle

Номер патента: DE102008022322A1. Автор: . Владелец: Ssi Schafer AG. Дата публикации: 2009-11-05.

METHOD FOR THE MANUFACTURE OF OBJECTS THAT PRESENT A STRUCTURAL AND DIMENSIONAL STABILITY, IN PARTICULAR DISPOSABLE CONTAINERS, FROM A FLEXIBLE FILM AND OBJECT OBTAINED THROUGH SUCH METHOD.

Номер патента: ES2171298T3. Автор: Giorgio Trani,Giovanni Manfre,Marion Sterner. Владелец: Gruppo X di X Gruppo Srl. Дата публикации: 2002-09-01.

Method for removing and depositing a package consisting of flat products

Номер патента: DE10347167B4. Автор: Uwe Kietzmann. Владелец: Wilhelm Bahmueller Maschinenbau Praezisionswerkzeuge GmbH. Дата публикации: 2006-07-27.

METHOD FOR PRODUCING HIGH-SPEED MULTICOMPONENT PHOTODETECTORS BUILT AROUND EPITAXIAL STRUCTURES InGaAs/InP

Номер патента: RU2318272C1. Автор: Инна Викторовна Чинарева,Ольга Викторовна Огнева,Олег Николаевич Забенькин,Тать на Николаевна Мищенкова,Татьяна Николаевна Мищенкова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН", ФГУП "НПО "ОРИОН". Дата публикации: 2008-02-27.

Liquid crystal display device having esd protection circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1704443A1. Автор: Hideo c/o Philips Japan Ltd. TANAKA. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-09-27.

Method for forming dendritic metal particles

Номер патента: WO1997030809A1. Автор: Robert S. Zeller,Christopher J. Vroman. Владелец: Millipore Corporation. Дата публикации: 1997-08-28.

Apparatus and methods for fiber mat deposition

Номер патента: EP4241970A1. Автор: Daniel Schlichting KIRKEGAARD. Владелец: LM Wind Power AS. Дата публикации: 2023-09-13.

Method for depositing horizontal rib on unequal-height section by laser cladding

Номер патента: US11759891B2. Автор: Gang Li,Hao Su,Dongsheng Li,Tuo SHI,Weiwei JIANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-19.

Device for forming thin films and method for using such a device

Номер патента: US09440285B2. Автор: Patrick Teulet. Владелец: PHENIX SYSTEMS. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for determining thickness of layers of multilayer coating in process for deposition of optical elements

Номер патента: RU2671927C1. Автор: Николай Юрьевич Никаноров,Роман Сергеевич Алтухов. Владелец: Акционерное общество "Новосибирский приборостроительный завод". Дата публикации: 2018-11-07.

Method for making selectively metallized microwave heating packages

Номер патента: CA1313493C. Автор: Robert L. Allen,Norman M. Scottrussell. Владелец: Waldorf Corp. Дата публикации: 1993-02-09.

System and method for dumping material

Номер патента: AU2018203324B2. Автор: Mo Wei. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for depositing a particle film onto a substrate via a liquid conveyor, including a step of structuring the film on the substrate

Номер патента: US09636704B2. Автор: Olivier Dellea,Philippe Coronel,Pascal Fugier,Simon Frederic Desage. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

System and method for receiving deposits in cash-dispensing automatic teller machine

Номер патента: RU2308087C2. Автор: Джеффри М. ЭНРАЙТ,Уилль м Д. БЕСКИТТ,Уилльям Д. БЕСКИТТ,Джеффри ИСТМЕН,Эдвард Л. ЛАСКОВСКИ,Мэттью ФОРС,Майк РАЙАН,Франклин М. ТЕРИО,Р. Мэттью ДАНЛЭП,Шон ХАНИ,Колин ФИТЦПАТРИК,Билл ЛАВЕЛЛЬ,Дэвид ШУЛЬТЦ. Владелец: Дайболд, Инкорпорейтед. Дата публикации: 2007-10-10.

Device and method for processing banknotes

Номер патента: RU2583747C1. Автор: Акихиро ТЮГО. Владелец: Оки Электрик Индастри Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for determining conformity of rolling mill roller, method for rolling metal strip, and method for producing cold-rolled steel sheet

Номер патента: EP4406671A1. Автор: Wataru Baba,Kazuki Sakamoto,Yukio Takashima,Yuma GESHI. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for depositing a desired superalloy composition

Номер патента: EP3658323A1. Автор: Gerald J. Bruck. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Method for depositing a desired superalloy composition

Номер патента: WO2019022967A1. Автор: Gerald J. Bruck. Владелец: SIEMENS ENERGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

Device and method for additive manufacturing of a component

Номер патента: US20240328144A1. Автор: Carsten Kamp. Владелец: Peri SE. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for independent controlling of game results and method for confirming of game course

Номер патента: RU2304011C2. Автор: Крейг А. ПОЛСЕН,Бинх Т. НГЮЙЕН. Владелец: Ай Джи Ти. Дата публикации: 2007-08-10.

Low loss silicon nitride and waveguides comprising low loss silicon nitride

Номер патента: WO2024049944A1. Автор: Robert Higashi,Robert Horning,David Deen,Christopher John CARRON,Molly KROGSTAD. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-03-07.

System and method for modeling coupled systems of hydrodynamics and sediment transport

Номер патента: EP3365710A1. Автор: Tao Sun,Kaveh Ghayour. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

System and method for modeling coupled systems of hydrodynamics and sediment transport

Номер патента: US20170107797A1. Автор: Tao Sun,Kaveh Ghayour. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

System and method for modeling coupled systems of hydrodynamics and sediment transport

Номер патента: WO2017069860A1. Автор: Tao Sun,Kaveh Ghayour. Владелец: Chevron U.S.A. INC.. Дата публикации: 2017-04-27.

Method for the preparation of optical waveguide devices and optical waveguide devices

Номер патента: US20040228595A1. Автор: Toshihiro Kuroda,Madoka Kondou. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Methods for inspecting cellular articles

Номер патента: EP3298583A1. Автор: Russell Wayne Madara. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-03-28.

A computer-implemented medical method for radiation treatment (rt) planning for treating multiple lesions of a patient

Номер патента: EP4412706A1. Автор: Cornelis KAMERLING,Stefan Schell. Владелец: BRAINLAB AG. Дата публикации: 2024-08-14.

Device and method for additive manufacturing of a component

Номер патента: US20240328178A1. Автор: Carsten Kamp. Владелец: Peri SE. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatuses, systems, and methods for sample testing

Номер патента: EP4389281A3. Автор: Chen Feng,Scott Beck,Suresh VENKATARAYALU,Moin SHAFAI,Donald HINSON,Thuy-Doan Pham. Владелец: HAND HELD PRODUCTS INC. Дата публикации: 2024-10-02.

Method for gas flow purification

Номер патента: RU2567301C2. Автор: Брюс А. КЭЙЗЕР,Николас С. ЭРГАНГ,Ричард МИМНА. Владелец: Налко Компани. Дата публикации: 2015-11-10.

Method for intelligent information search and provision of contextual information in distributed data storages

Номер патента: RU2727076C1. Автор: Дмитрий Васильевич Котов,Вадим Владимирович Борисов,Александр Александрович Молявко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2020-07-17.

Method for diffusion welding of ceramic workpieces

Номер патента: RU2752820C1. Автор: Сергей Александрович Филин,Юрий Александрович Вашуков,Тарас Владимирович МАЛИНСКИЙ,Сергей Иванович МИКОЛУЦКИЙ,Владимир Ефимович Рогалин,Юрий Владиславович Хомич,Владимир Александрович Ямщиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики и электроэнергетики Российской академии наук (ИЭЭ РАН). Дата публикации: 2021-08-06.

Use of a metal and/or metalloid-comprising ketoacidoximate and/or a metal-compound-comprising ketoacidoximate as a patterning agent

Номер патента: WO2024061550A1. Автор: Yasin EKINCI,Mohammad SAIFULLAH. Владелец: PAUL SCHERRER INSTITUT. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for manufacturing porous metal body

Номер патента: US20240082911A1. Автор: Shougo TSUMAGARI. Владелец: Toho Titanium Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacturing multilayer film-deposited substrate and multilayer film-deposited substrate

Номер патента: US10775692B2. Автор: Makoto Kurumisawa,Masaki Mikami,Yunosuke Ishikawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

System and method for depositing material at a target location with a work vehicle

Номер патента: US20210277627A1. Автор: Natalia Lucas,Stojan Arezina,Brad Anthony Stemper,Andrea Maria Cardona Alfaro,Alex Wei. Владелец: CNH INDUSTRIAL AMERICA LLC. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for preforming a workpiece, composite manufacturing method and system associcated therewith

Номер патента: EP4406717A1. Автор: Nayeem CHOWDHURY. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for preforming a workpiece, composite manufacturing method and system associated therewith

Номер патента: US20240253316A1. Автор: Nayeem CHOWDHURY. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing multilayer film-deposited substrate and multilayer film-deposited substrate

Номер патента: US20180059530A1. Автор: Makoto Kurumisawa,Masaki Mikami,Yunosuke Ishikawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for making a nano-particulate medium

Номер патента: GB2417962B. Автор: David Michael Newman,Mavis Lesley Wears,Michael Ian Jollie. Владелец: Coventry University. Дата публикации: 2006-08-23.

Tooth-cleaning composition and method for producing it

Номер патента: US20040047813A1. Автор: Hiroyuki Sasaki,Naofumi Yano. Владелец: Kanebo Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Systems and methods for assessing trailer utilization

Номер патента: US12086934B2. Автор: Justin F. Barish,Yuri Astvatsaturov,Seth David Silk. Владелец: Zebra Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Customizable apparatus and method for transporting and depositing fluids

Номер патента: US09796174B2. Автор: Haibin CHEN,Gustav Andre MELLIN,Michael Scott Prodoehl,Kevin Benson Mcneil,Thomas Timothy Byrne,Matthew Alan Russell. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-10-24.

A method for selecting a molecule based on conformational free energy of one molecule for another molecule

Номер патента: WO1999017222A1. Автор: Istvan Kolossvary. Владелец: The Trustees of Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 1999-04-08.

Method for estimation orthodontic treatment results

Номер патента: RU2644687C1. Автор: Камила Александровна Колесник,Анна Владимировна Крамаренко. Владелец: Анна Владимировна Крамаренко. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods for fastening of thread ends and resulting devices

Номер патента: RU2454205C2. Автор: Джеффри ШЕЛДОН,Ричард БУТ,Кен БЬЮК. Владелец: Айдев Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2012-06-27.

Method for monitoring the state of a rail line and a system for interval control of train movement on a haul

Номер патента: RU2766015C1. Автор: Елена Евгеньевна Шухина,Ефим Наумович Розенберг,Владимир Сергеевич Миронов,Игорь Александрович Панферов,Андрей Игорьевич Кузьмин,Владислав Валерьевич Смоляков,Евгений Андреевич Строков. Владелец: Акционерное общество «Научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт информатизации, автоматизации и связи на железнодорожном транспорте». Дата публикации: 2022-02-07.

Method for manufacture of portion packages

Номер патента: RU2273135C2. Автор: Юрген ХАНТЕН,Юрген ХАНТЕН (DE). Владелец: Поли-Клип Зюстем Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2006-04-10.

A method for the manufacture of powder-filled shaped bodies, shaped bodies for introduction into a commercial nuclear power reactor and the use thereof

Номер патента: CA2965424A1. Автор: Franz Strohmer,Leila JAAFAR,Oliver ARNDT. Владелец: AREVA GMBH. Дата публикации: 2016-05-19.

Dispenser head for adhesive material and method for depositing adhesive material using said head

Номер патента: EP2078689A3. Автор: Andrea Paulotto. Владелец: Biemme Adesivi Srl. Дата публикации: 2010-01-06.

Device and method for additive manufacturing of a component, and method for providing a device for additive manufacturing

Номер патента: US20240286351A1. Автор: Franz Winter,Christian Maucher,Matthias Steppich. Владелец: Peri SE. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for producing photomasks

Номер патента: WO2001009679B1. Автор: Yosef Kamir. Владелец: Creoscitex Corp Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Conformal particle coatings on fiber materials for use in spectroscopic methods for detecting targets of interest and methods based thereon

Номер патента: WO2010120531A3. Автор: Carl A. Batt,Juan Hinestroza,Aaron D. Strickland. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-01-13.

Systems and methods for testing conformity of samples using spectroscopic measurements

Номер патента: EP4407298A1. Автор: Andreas Niemoeller. Владелец: Bruker Optics GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for transversely depositing fibers

Номер патента: US09757904B2. Автор: Jaromir Ufer,Marco Göttinger. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2017-09-12.

Pressure sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09709453B2. Автор: Tomohide Minami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for deep bone orbital decompression accompanying optical neuropathy in patients with endocrine ophthalmopathy

Номер патента: RU2742799C1. Автор: Ярослав Олегович Груша,Александра Сергеевна Колодина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский институт глазных болезней" ФГБНУ "НИИ глазных болезней". Дата публикации: 2021-02-10.

Method for processing fibers, installation for processing fibers and resulting tape formed from processed fibers

Номер патента: RU2747940C2. Автор: Мануэль ТОРРЕС МАРТИНЕС. Владелец: Мануэль ТОРРЕС МАРТИНЕС. Дата публикации: 2021-05-17.

Method for early detection of bladder cancer using cytofluorimetric analysis of the urinary cellular sediment

Номер патента: RU2756255C1. Автор: Руслан Александрович Зуков,Евгений Владимирович Слепов,Андрей Владимирович Мазаев,Денис Владимирович Черняев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Красноярский Государственный Медицинский Университет Имени Профессора В.Ф. Войно-Ясенецкого" Министерства Здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-09-28.

Method for remote determination of the effect of electromagnetic radiation on radio receivers using probing radio frequency pulses

Номер патента: RU2739267C1. Автор: Евгений Николаевич Бойко,Евгений Викторович Иванов,Дмитрий Юрьевич Сосков,Евгений Александрович Бортунов. Владелец: Федеральное государственное казенное учреждение "12 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2020-12-22.

Production method for optical component and optical component

Номер патента: US9372285B2. Автор: Yoshihisa Warashina,Tomofumi Suzuki,Kohei Kasamori. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor gas sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1742044A3. Автор: Yasushi c/o Hitachi Ltd. Int. Prop. Group Goto,Toshiyuki c/o Hitachi Ltd. Int. Prop. Group Mine,Koichi c/o Hitachi Ltd. Int. Prop. Group Yokosawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-03-07.

Multi-material deposition arrangement and method for deposition extrusion

Номер патента: WO2024105305A1. Автор: Tomi Kalpio,Dhayakumar PRAKASH. Владелец: Brinter Oy. Дата публикации: 2024-05-23.

Secure containers having unidirectional apparatuses for used or unused materials and methods for making and using same

Номер патента: US20110303666A1. Автор: Burton J. Kunik,James C. Berns,David G. Gossman,Al Aladwani,Claude Dance. Владелец: Sharps Compliance Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

System and method for continuous non-invasive ultrasonic monitoring of blood vessels and central organs

Номер патента: EP3955824A1. Автор: Sheng Xu,Chonghe WANG,Muyang Lin,Zhuorui ZHANG,Baiyan QI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-02-23.

Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an EUV mirror, EUV mirror, and EUV lithography apparatus

Номер патента: US09880476B2. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Gisela von Blanckenhagen. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for non-destructive defectoscopy of aluminum electrolyser anode

Номер патента: RU2686570C1. Автор: Андрей Васильевич Завадяк,Юрий Николаевич Попов,Илья Иванович Пузанов,Андрей Валериевич Мишуров,Маргарита Габдуллаевна Бернгардт,Дмитрий Валерьевич Петренко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2019-04-29.

Method for endoscopic prevention of traumatisation of cardiac, lung and major vessels of anterior mediastenum accompanying repeated cardiosurgical operations

Номер патента: RU2726605C1. Автор: Георгий Павлович Плотников,Вадим Анатольевич Попов,Егор Сергеевич Малышенко,Магомед Гапизович Гасангусенов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр хирургии имени А.В. Вишневского" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-07-14.

System and method for medical data-analysis management

Номер патента: WO2023213840A1. Автор: Waldemar Witt,Martin Pospiech. Владелец: Fresenius Medical Care AG & Co. KGaA. Дата публикации: 2023-11-09.

Conformable locating aperture system and method for alignment of members

Номер патента: EP1289735A2. Автор: Todd A. Rosevear,Mark M. Wheeler. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2003-03-12.

Method for detecting work progress of a handheld power tool

Номер патента: US12122023B2. Автор: Simon Erbele,Wolfgang Herberger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-10-22.

Nanoporous silicon nitride membranes, and methods for making and using such membranes

Номер патента: US09789239B2. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Silica-passivated article and method for forming

Номер патента: US20240375082A1. Автор: Brian A. Jones,Diego A. LOPEZ LOPEZ,Tapas K. PURKAIT. Владелец: Restek Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Systems and methods for stretch-forming multi-thickness composite skins

Номер патента: US09370922B1. Автор: Richard V. Phillips,Stephen Lee Metschan,Samuel Ray Stewart,Bryan Joseph Withrow,Lee Michael Kroeger. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-06-21.

Method for providing laminate with hook and loop fastening volume and resulting laminate

Номер патента: RU2684092C2. Автор: Натали МУАНАР,Тьерри МАРШ. Владелец: Апликс. Дата публикации: 2019-04-03.

Device for depositing drops

Номер патента: RU2337828C2. Автор: Стефен ТЕМПЛ,Роберт ХАРВИ,Роберт Джонатан ЛОУ,Пол Реймонд ДРУРИ. Владелец: Ксаар Текнолоджи Лимитед. Дата публикации: 2008-11-10.

Method for simultaneous arteriovenous hyperthermic liver chemoperfusion

Номер патента: RU2767705C2. Автор: Андрей Дмитриевич Каприн,Сергей Анатольевич Иванов,Леонид Олегович Петров,Егор Александрович Круглов,Наталья Александровна Фалалеева,Владимир Михайлович Унгурян,Юлия Анатольевна Побединцева,Евгений Валентинович Филимонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный медицинский исследовательский центр радиологии» Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ «НМИЦ радиологии» Минздрава России). Дата публикации: 2022-03-18.

Method for preventing intraperitoneal postoperative complications of laparoscopic appendectomy in acute appendicitis

Номер патента: RU2732208C1. Автор: Виталий Анатольевич Петухов,Александр Вячеславович Сажин,Георгий Богданович Ивахов,Егор Андреевич Страдымов,Тарас Вячеславович Нечай,Надежда Юрьевна Мишакина,Павел Вадимович Мареев. Владелец: Егор Андреевич Страдымов. Дата публикации: 2020-09-14.

Method for controlling coupling

Номер патента: RU2280897C2. Автор: Марко Сасселли,Жан-Люк ЖАКЬЕ. Владелец: Награвисьон Са. Дата публикации: 2006-07-27.

Method for manufacture of pulp and black lye recycling

Номер патента: RU2348749C2. Автор: Эндрю Тимоти ХАРРИС,Тревор Вилль м Риджли ДИН,Тревор Вилльям Риджли ДИН. Владелец: Байоридженл Минимиллз (Ю Кей) Лимитед. Дата публикации: 2009-03-10.

Method for relief grinding of tap cutter teeth, thread cutters and similar cutting tools and grinding machine for method realisation

Номер патента: RU2397059C2. Автор: Эрвин ЮНКЕР. Владелец: Эрвин Юнкер Машиненфабрик Гмбх. Дата публикации: 2010-08-20.

Use of a metal and/or metalloid-comprising ketoacidoximate and/or a metal-compound-comprising ketoacidoximate as a patterning agent

Номер патента: EP4343432A1. Автор: Mohammad SAIFULLAH. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2024-03-27.

Systems and methods for implementing advanced stripping of image receiving media substrates in image forming devices

Номер патента: US9335669B2. Автор: Jack T. Lestrange,Jason M. LeFevre. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR ELECTRIC SLAG Smelting of Ferroalloys Based on Refractory Metals or Their Oxides

Номер патента: RU2010100629A. Автор: Виктор Иванович Потапов,Анатолий Борисович Бабиков,Анатолий Борисович Бабиков (RU),Виктор Иванович Потапов (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт металлургической технологии" (RU). Дата публикации: 2011-07-20.

METHOD FOR PRODUCING MICROSTRUCTURAL MULTI-LAYER COMPOSITE MATERIALS FROM HETEROGENEOUS METALS OR ALLOYS

Номер патента: RU2014119538A. Автор: Виктор Иванович Галкин,Павел Сергеевич Евсеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "МАТИ" - Российский государственный технологический университет имени К.Э. Циолковского (МАТИ). Дата публикации: 2015-11-20.

Method for increasing working temp and corrosion resisting property of Nd-Fe-B by adding nona silicon nitride in crystal boundary phase

Номер патента: CN1725394A. Автор: 罗伟,严密,于濂清. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2006-01-25.

Method for removing particle layer from ion exchange membrane having metallic or metal compound particle layer on surface

Номер патента: JPS61133237A. Автор: Makoto Noshiro,Ichiro Makino,Yukihiro Tamaki,一郎 牧野,能代　誠,玉木　幸裕. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 1986-06-20.

Method for preparing uniform silver conducting layer on surface of metal or nonmetal material

Номер патента: CN102002694A. Автор: 张建玲. Владелец: Jiangxi University of Science and Technology. Дата публикации: 2011-04-06.

A self-supporting polymer thin film and a method for producing the same, and a method for releasing a self-supporting polymer precursor thin film, a closed container made of the self-supporting polymer thin film, and an encapsulant.

Номер патента: JP7078974B2. Автор: 淳 松井,康平 松永. Владелец: Yamagata University NUC. Дата публикации: 2022-06-01.

Method for Reducing Thickness of Interfacial Layer, Method for Forming High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Oxide Film, and Transistor Having High Dielectric Constant Gate Oxide Film

Номер патента: US20120280372A1. Автор: Umezawa Naoto,Chikyo Toyohiro,Nabatame Toshihide. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organometallic films, methods for applying organometallic films to substrates and substrates coated with such films

Номер патента: US20120003481A1. Автор: Hanson Eric L.. Владелец: Aculon, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organometallic films, methods for applying organometallic films to substrates and substrates coated with such films

Номер патента: US20120004388A1. Автор: Hanson Eric L.. Владелец: Aculon, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SILICON NITRIDE LIGHT PIPES FOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120001284A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Direct Phase Probing and Mapping of Electromagnetic Signals

Номер патента: US20120001656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for Stimulation MAGP-1 to Improve the Appearance of Skin

Номер патента: US20120003332A1. Автор: Lyga John W.,Zheng Qian,Chen Siming W.,Santhanam Uma. Владелец: AVON PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR THE DIAGNOSIS OF AGE-ASSOCIATED VASCULAR DISORDERS

Номер патента: US20120004133A1. Автор: Lakatta Edward G.,Wang Mingyi,Fu Zongming,Van Eyk Jennifer. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICALLY EXTENSIVELY HEATABLE, TRANSPARENT OBJECT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120000896A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

EASY ADHESION POLYAMIDE FILM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120003440A1. Автор: Okuzu Takayoshi,Kuwata Hideki. Владелец: UNITIKA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR USING NADH OXIDASES

Номер патента: US20120003688A1. Автор: Bommarius Bettina,Bommarius Andreas,Hirano Jun-Ichiro,Thangavel Vaijayanthi,Park Jonathan Taejoo. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Treating Ocular Demodex

Номер патента: US20120004320A1. Автор: . Владелец: TissueTech,Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY DEVICE FOR A VEHICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002442A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR INSPECTION OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE

Номер патента: US20120002323A1. Автор: Kato Junya,Maruyama Yoshihiko. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Stretched Thermoplastic Resin for Gluing Metal Parts to Plastics, Glass and Metals, and Method for the Production Thereof

Номер патента: US20120003468A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003583A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,TAKAHASHI Toshiya. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing g.v. stepanov's therapeutic retainer

Номер патента: RU2551973C1. Автор: Григорий Викторович Степанов,Людмила Григорьевна Ульянова,Альфия Минвалиевна Хамадеева,Ирина Олеговна Аюпова. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2015-06-10.

SUSPENSION OF CELLULOSE FIBERS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000392A1. Автор: Isogai Akira,Mukai Kenta,Kumamoto Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

WATER REPELLENT FILM AND COMPONENT FOR VEHICLE INCLUDING THE FILM

Номер патента: US20120003427A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR DETERMINING A BREEDING VALUE BASED ON A PLURALITY OF GENETIC MARKERS

Номер патента: US20120004112A1. Автор: Lund Mogens Sandø,Su Guosheng,Guldbrandtsen Bernt. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AQUEOUS FORMULATION FOR AN ANTIFOULING COATING SYSTEM FOR SUBMERGED SUBSTRATES, METHOD FOR TREATING SAME, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120004357A1. Автор: Roulleaux Veronique,Frangoulis Patrick. Владелец: SEAWAX MARINE COATINGS. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MAKING HETEROGENOUS CATALYSTS

Номер патента: US20120004468A1. Автор: "Trejo-OReilly Jose Antonio",Tate James. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing silicon nitride alpha phase by self-propagating high temperature synthesis

Номер патента: RU2550882C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Владимир Вячеславович Закоржевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-05-20.

Plasma cvd apparatus, method for manufacturing magnetic recording medium and method for depositing film

Номер патента: SG10201805811SA. Автор: Watanabe Toshiyuki,Abe Koji,Honda Yuji. Владелец: Advanced Material Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-27.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODULATING VASCULAR DEVELOPMENT

Номер патента: US20120003208A1. Автор: Ye Weilan,Parker,Schmidt Maike,Filvaroff Ellen,IV Leon H.,Hongo Jo-Anne S.. Владелец: Genentech, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR INDUCING AN IMMUNE RESPONSE

Номер патента: US20120003298A1. Автор: Maj Roberto,Pattarino Franco,Mura Emanuela,Barberis Alcide. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING A SOLUBLE COCOA PRODUCT FROM COCOA POWDER

Номер патента: US20120003355A1. Автор: . Владелец: BARRY CALLEBAUT AG. Дата публикации: 2012-01-05.

MEANS AND METHODS FOR INVESTIGATING NUCLEIC ACID SEQUENCES

Номер патента: US20120003633A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and Method for Playing Poker-Style Games Involving a Draw

Номер патента: US20120004022A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR ENANTIOSELECTIVE HYDROGENATION OF CHROMENES

Номер патента: US20120004427A1. Автор: SETCHELL Kenneth David Reginald,Sorokin Victor Dmitrievich. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEDICAL MATERIAL FOR IN VIVO IMPLANTATION CONTAINING SOFTENING AGENT AND/OR MOISTURIZING AGENT, METHOD FOR CONTROLLING CONTENT OF SOFTENING AGENT AND/OR MOISTURIZING AGENT IN THE MEDICAL MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE MEDICAL MATERIAL FOR IN VIVO IMPLANTATION

Номер патента: US20120004673A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Metal or metalloid nanoparticles plasmajet

Номер патента: RU2534762C1. Автор: Александр Михайлович Старик,Павел Сергеевич Кулешов,Александр Михайлович Савельев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова". Дата публикации: 2014-12-10.

SYSTEM AND METHOD FOR DISTINGUISHING INPUT OBJECTS

Номер патента: US20120001855A1. Автор: TRENT,JR. Raymond Alexander,Palsan Carmen. Владелец: SYNAPTICS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM FOR DATA COMMUNICATIONS, ROUTER, AND METHOD FOR DATA TRANSMISSION AND MOBILITY MANAGEMENT

Номер патента: US20120002600A1. Автор: ZHANG Gong,He Cheng,Xiang Yanping. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for the Treatment of Ophthalmic Disease

Номер патента: US20120003275A1. Автор: Donello John E.,Schweighoffer Fabien J.,Rodrigues Gerard A.,McLaughlin Anne P.,Mahé Florence. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR DETOXIFICATION AND CANCER PREVENTION

Номер патента: US20120003340A1. Автор: . Владелец: NESTEC S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods For In-Situ Passivation Of Silicon-On-Insulator Wafers

Номер патента: US20120003814A1. Автор: Ries Michael J.,Witte Dale A.,Stefanescu Anca,Jones Andrew M.. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MICROELECTORODE ARRAY, METHODS FOR PREPARING THE SAME AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004716A1. Автор: Langhammer Christopher,Firestein-Miller Bonnie L.,Zahn Jeffrey. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHODS FOR USE OF A DYNAMIC CONE PENETROMETER FOR EVALUATING SOIL COMPACTION

Номер патента: US20120004848A1. Автор: Kinast John Arthur,Farrag Khalid A.,Todres H.A. (Alan). Владелец: Sandy Golgart Sales Inc. d/b/a SGS. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MEASURING A FLUID VELOCITY AND RELATED APPARATUS

Номер патента: US20120004865A1. Автор: Porro Giampiero,Pozzi Roberto,Torinesi Alessandro,Rovati Luigi,NORGIA Michele. Владелец: DATAMED SRL. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for deposition of multi-layer coating on cutting tool

Номер патента: RU2297472C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Алексей Валерьевич Циркин,Александр Николаевич Тулисов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-20.

DRYING METHOD FOR CERAMIC GREENWARE

Номер патента: US20120001358A1. Автор: "OBrien James J.",Clark Terence J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR SWEEPING MIRROR ENHANCED IMAGING FLOW CYTOMETRY

Номер патента: US20120002029A1. Автор: Sieracki Christian K.,Ellis Scott N.,Peterson Kent A.. Владелец: FLUID IMAGING TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Injecting a Feed Gas Stream into a Vertically Extended Column of Liquid

Номер патента: US20120003707A1. Автор: Hickey Robert,Neville Mark. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Treating Hemorrhoids

Номер патента: US20120004546A1. Автор: Neuberger Wolfgang,Groenhoff Endrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHOD FOR VOLITIONAL CONTROL OF JOINTED MECHANICAL DEVICES BASED ON SURFACE ELECTROMYOGRAPHY

Номер патента: US20120004736A1. Автор: . Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for deposition of multi-layer coating onto cutting tool

Номер патента: RU2297469C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Алексей Валерьевич Циркин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-20.

Method for pancreatic malignancy exposure to hadron beam

Номер патента: RU2491107C2. Автор: Валерий Денисович Белокрылов,Сергей Иванович Ткачев,Михаил Иванович Давыдов,Иван Иванович Дедов,Александр Дмитриевич Коваленко,Борис Геннадьевич Калиничев,Ирина Анатольевна Гладилина. Владелец: Открытое акционерное общество "Головной центр сервисного обслуживания и ремонта Концерна ПВО "Алмаз-Антей" "Гранит". Дата публикации: 2013-08-27.

Method for cleanout of tubing string cavity from asphalt, resin and paraffin deposits

Номер патента: RU2540594C1. Автор: Александр Викторович Лекомцев,Кирилл Андреевич Вяткин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2015-02-10.

Method for deposition of molybdenum from aqueous solutions of electrolytes

Номер патента: RU2299279C2. Автор: Наталья Сергеевна Федотова,Игорь Владимирович Локтев,Сергей Евгеньевич Андрюшечкин,Галина Олеговна Климова,Наталь Сергеевна Федотова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА"). Дата публикации: 2007-05-20.

Plasma cvd apparatus, method for manufacturing magnetic recording medium and method for depositing film

Номер патента: MY197004A. Автор: Watanabe Toshiyuki,Abe Koji,Honda Yuji. Владелец: Japan Create Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

FEEDING APPARATUS AND METHOD FOR A PYROLYTIC REACTOR

Номер патента: US20120000761A1. Автор: Bronshtein Alexander P.,Skop Menachem L.,Weiss Moshe,Jakobowitch David Shalom. Владелец: T.D.E. RECOVERY TECHNOLOGIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE FOR INCREASING THE SPECTRAL BANDWIDTH OF OPTICAL PULSES AS WELL AS AN ARRANGEMENT AND A METHOD FOR REDUCING THE DURATION OF OPTICAL PULSES WITH THE USE OF SUCH A DEVICE

Номер патента: US20120002269A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DETERMINING DIFFERENCE IN DISTANCE

Номер патента: US20120002507A1. Автор: Skjold-Larsen Henning. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ANTIBODY ENGINEERING

Номер патента: US20120003671A1. Автор: Yu Guo-Liang,Couto Fernando Jose Rebelo do,Hendricks Kristin B.,Wallace S. Ellen. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for precipitation of monocrystalline film of cubic boron nitride on semi-conductor silicon substrate

Номер патента: RU2572503C1. Автор: Олег Рауфович Абдуллаев,Михаил Валерьевич Меженный,Леонид Владимирович Гаршенин. Владелец: Открытое акционерное общество "Оптрон". Дата публикации: 2016-01-10.

Method for depositing nickel-phosphorus coating on metal surfaces

Номер патента: RU2572914C2. Автор: Юрий Васильевич Сурин,Татьяна Владимировна Виговская,Евгений Петрович Кокин,Наталия Михайловна Львова,Дмитрий Вадимович Марусев,Виктория Сергеевна Нечипоренко. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-К"(АО "НИИМП-К"). Дата публикации: 2016-01-20.

Rotating member and method for depositing of coating onto the same

Номер патента: RU2320776C2. Автор: Акихиро ГОТО,Мицутоси ВАТАНАБЕ,Масао АКИЙОСИ,Хироюки ОТИАЙ,Мики АРАЙ,Микия АРАЙ,Сигеру САБУРИ,Цуйоси ЯМАКАВА,Сого ЦУГУМИ,Дзун САКАЙ,Цунао ТЕЗУКА. Владелец: Исикавадзима-Харима Хэви Индастриз Ко.,Лтд.. Дата публикации: 2008-03-27.

PRESSURE MEASURING DEVICE AND METHOD FOR ASCERTAINING PRESSURE VALUES

Номер патента: US20120000292A1. Автор: Loidreau Maxime,LEPIDIS Polichronis. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for detecting and determining coordinates of search object

Номер патента: RU2392635C2. Автор: Эдуард Яковлевич Фальков,Владимир Степанович Верба,Александр Петрович Брызгалов,Сергей Юрьевич Желтов,Валерий Юрьевич Манаков,Виктор Алексеевич Плющев,Виталий Владимирович Фитенко,Алексей Владимирович Хныкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт авиационных систем". Дата публикации: 2010-06-20.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Method for energisation of alternating-current transmission line

Номер патента: RU2565053C1. Автор: Виктор Станиславович Воробьёв,Антон Игоревич Расщепляев,Ян Леонардович Арцишевский,Андрей Васильевич Жуков,Николай Григорьевич Шульгинов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Системный Оператор Единой Энергетической Системы". Дата публикации: 2015-10-20.

Method for receiving signals with minimal frequency modulation and device for its realization

Номер патента: RU2303855C1. Автор: Александр Владимирович Аношкин,Данил Александрович Аношкин. Владелец: Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого. Дата публикации: 2007-07-27.

STRUCTURE PROVIDED WITH ZEOLITE SEPARATION MEMBRANE, METHOD FOR PRODUCING SAME, METHOD FOR SEPARATING MIXED FLUIDS AND DEVICE FOR SEPARATING MIXED FLUIDS

Номер патента: US20120000358A1. Автор: MORI Nobuhiko,KAWAI Masaaki,SATOH Aya,TOMITA Toshihiro. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120000821A1. Автор: Yang Shuwu,Reynolds Bruce Edward,Chabot Julie,Kou Bo. Владелец: CHEVRON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR APCDD1 MEDIATED REGULATION OF HAIR GROWTH AND PIGMENTATION AND MUTANTS THEREOF

Номер патента: US20120003244A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR EVALUATING PRE-TREATMENT

Номер патента: US20120003664A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120004091A1. Автор: Chabot Julie,Kou Bo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR TISSUE INVAGINATION

Номер патента: US20120004505A1. Автор: DeVRIES Robert B.,Sullivan Roy H.,Tassy,JR. Marc,Dimatteo Kristian,Kwan Tak,Shaw William J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SERIAL VALVES AND HUBS FOR TUBULAR DEVICES AND METHODS FOR MAKING AND USING THEM

Номер патента: US20120004622A1. Автор: . Владелец: AUST DEVELOPMENT, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR DELIVERING A STENT INTO AN OSTIUM

Номер патента: US20120004717A1. Автор: KROLIK Jeff,Khosravi Fred,Sanati Arashmidos,Kim Elliot. Владелец: INCEPT LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for applying wear-resistant coating onto cutting tool

Номер патента: RU2269606C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Алексей Валерьевич Циркин,Николай Анатольевич Ширманов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-02-10.

Method for angular matching of three-component gimbal-suspension magnetometers

Номер патента: RU2256188C2. Автор: В.Г. Семенов,Ю.М. Иванов. Владелец: Закрытое акционерное общество "МЕРА". Дата публикации: 2005-07-10.

Composition for depositing fluoropolymer coating on polyimide film and polyimide film coating device

Номер патента: RU2503691C2. Автор: Валерий Павлович Мельников,Сергей Викторович Демихов,Александр Иванович Егоров,Андрей Ярославович Ляпунов,Николай Юрьевич Журавлев,Иван Давыдович Москаленко. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2014-01-10.

Method for manufacturing of mos integral circuits

Номер патента: RU2105382C1. Автор: Юрий Иванович Щетинин,Александр Владимирович Зеленцов,Василий Васильевич Дерендяев,Евгений Степанович Сельков,Борис Александрович Бабаев,Сергей Александрович Гуреев. Владелец: Сергей Александрович Гуреев. Дата публикации: 1998-02-20.

Method for support manufacture

Номер патента: RU2158332C1. Автор: И.М. Шаферман,Э.М. Гитман,В.Г. Барбин. Владелец: Барбин Владимир Георгиевич. Дата публикации: 2000-10-27.

COMPOSITE GEAR BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120000307A1. Автор: Oolderink Rob,Nizzoli Ermanno,Vandenbruaene Hendrik. Владелец: QUADRANT EPP AG. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR IMPROVING LIQUID REMOVAL FROM GAS, CONDENSATE & OIL WELLS WHEN USING A MULTI-CHANNEL SYSTEM

Номер патента: US20120000670A1. Автор: Kenworthy Michael W.,Ganelin Boris. Владелец: TECHNOLOGY COMMERCIALIZATION CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PUSH BUTTON, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND MEDICAL MANIPULATING PART

Номер патента: US20120000756A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR USE IN FLASH DETECTION

Номер патента: US20120001071A1. Автор: SNIDER Robin Terry,MCGEE Jeffrey Dykes,PERRY Michael Dale. Владелец: General Atomics. Дата публикации: 2012-01-05.

DETECTION SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENTS OF A MOVABLE OBJECT

Номер патента: US20120001860A1. Автор: Phan Le Kim. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC DISK DRIVE AND REFRESH METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002315A1. Автор: Inoue Hiroaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120004097A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEANS AND METHODS FOR MANUFACTURING HIGHLY PURE NEUROTOXIN

Номер патента: US20120004179A1. Автор: Taylor Harold Victor,Eisele Karl-Heinz,PFEIL Michael,Friedrich Josef,Brünn Cornelia. Владелец: Merz Pharma GmbH & Co. KGaA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing a Ketone

Номер патента: US20120004466A1. Автор: Martenak Daniel,Tate James F.,"Trejo-OReilly Jose Antonio". Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for electrodeposition of copper

Номер патента: RU2322532C2. Автор: Анатолий Алексеевич Викарчук,Игорь Станиславович Ясников,Ольга Александровна Довженко,Максим Николаевич Тюрьков,Анатолий Алексеевич Викарчук (RU),Игорь Станиславович Ясников (RU),Максим Николаевич Тюрьков (RU),Ольга Александровна Довженко (RU). Владелец: Тольяттинский государственный университет. Дата публикации: 2008-04-20.

Method for deposition of fine aerosols

Номер патента: RU2593299C1. Автор: Владимир Александрович Лихолобов,Виктор Михайлович Шопин,Константин Викторович Супонев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем переработки углеводородов Сибирского отделения Российской академии наук (ИППУ СО РАН). Дата публикации: 2016-08-10.

Method for leakage detection

Номер патента: RU2442118C2. Автор: Валерий Аркадьевич Зяблов,Эдуард Викторович Щербаков,Владимир Иванович Тройников. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2012-02-10.

Method for producing of canned fruit strained with sugar

Номер патента: RU2273434C2. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2006-04-10.

Method for depositing on titanium and its alloys zirconium -containing coating

Номер патента: RU2323278C1. Автор: Владимир Сергеевич Руднев,Татьяна Петровна Яровая,Кирилл Николаевич Килин,Тать на Петровна Ярова. Владелец: Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) (Институт химии ДВО РАН). Дата публикации: 2008-04-27.

Method for evaluating yield of cereal crops depending on weather conditions

Номер патента: RU2281644C9. Автор: Вениамин Григорьевич Потанин,Илья Вениаминович Потанин,Вениамин Григорьевич Потанин (RU),Иль Вениаминович Потанин (RU). Владелец: Государственное Научное Учреждение СИбирский научно-исследовательский институт растениеводства и селекции Сибирского отделения Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2006-12-20.

ELECTRODE WIRE FOR WIRE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING USING THE SAME

Номер патента: US20120000889A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANISTER FOR DEPOSITION APPARATUS AND DEPOSITION APPARATUS USING SAME

Номер патента: US20120000986A1. Автор: LEE Dong-Hyun,CHUNG Yun-Mo,PARK Jong-Ryuk,SEO Jin-Wook,Lee Kil-Won,Chang Seok-Rak,PARK Byoung-Keon,YANG Tae-Hoon,Na Heung-Yeol,LEE Ki-Yong,CHOI Bo-Kyung,JEONG Min-Jae,Hong Jong-Won,Kang Eu-Gene,Soo Byung-Soo,Baek Won-Bong,Maidanchuk Ivan,Jung Jae-Wan. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING POLYIMIDE FILM

Номер патента: US20120001367A1. Автор: . Владелец: KANEKA CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Determining an Analyte in a Sample

Номер патента: US20120002207A1. Автор: Lagae Liesbet,De Vlaminck Iwijn,Van Dorpe Pol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR EARLY IMAGING OF ATHEROSCLEROSIS

Номер патента: US20120003151A1. Автор: . Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR TREATING LYMPHOMA

Номер патента: US20120003297A1. Автор: Goldie James H.,SARRIS Andreas,CABANILLAS Fernando,LOGAN Patricia M.,BURGE Clive T.R.,WEBB Murray S.. Владелец: Talon Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REDUCING VOLATILE ORGANIC COMPOUNDS IN COMPOSITE RESIN PARTICLES, AND COMPOSITE RESIN PARTICLES

Номер патента: US20120003478A1. Автор: . Владелец: SEKISUI PLASTICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Anti-Corrosion Treatment

Номер патента: US20120003598A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING AQUEOUS DISPERSION OF FLUORINE-CONTAINING SEED POLYMER PARTICLES AND AQUEOUS COATING COMPOSITION AND COATED ARTICLE THEREOF

Номер патента: US20120004367A1. Автор: Imoto Katsuhiko,Nishii Shumi,Fukuhara Yoshinari. Владелец: Daikin Industries Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

NOVEL METHOD FOR PRODUCING ENAMINOCARBONYL COMPOUNDS

Номер патента: US20120004416A1. Автор: LUI Norbert,HEINRICH Jens-Dietmar. Владелец: Bayer CropScience AG. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR STIMULATION OF BIOLOGICAL TISSUE

Номер патента: US20120004580A1. Автор: Wagner Timothy Andrew,Eden Uri Tzvi. Владелец: HIGHLAND INSTRUMENTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for selecting therapeutic approach to rectocele

Номер патента: RU2549486C1. Автор: Андрей Владимирович Дмитриев,Виталий Сергеевич Грошилин,Виталий Константинович Швецов,Екатерина Владимировна Чернышова. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ростовский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ГБОУ ВПО РостГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2015-04-27.

Method for performing an interactive game

Номер патента: RU2269159C1. Автор: Сергей Алексеевич Нерушай. Владелец: Сергей Алексеевич Нерушай. Дата публикации: 2006-01-27.

Method for producing of liquid rye starter with scald media for preparing of bread sorts from rye and wheat mixture of baker's flour and liquid rye starter with scald media produced by method

Номер патента: RU2259046C1. Автор: . Владелец: Фокин Владимир Павлович. Дата публикации: 2005-08-27.

Method for depositing composite coatings

Номер патента: RU2146724C1. Автор: Н.Н. Коваль,П.М. Щанин,В.С. Толкачев. Владелец: Институт сильноточной электроники СО РАН. Дата публикации: 2000-03-20.

Method for compensation of narrow-band interference

Номер патента: RU2584003C1. Автор: Игорь Николаевич Оков,Сергей Викторович Дворников,Сергей Сергеевич Дворников,Георгий Юрьевич Литкевич,Дмитрий Александрович Таюрский. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ВОЕННАЯ АКАДЕМИЯ СВЯЗИ имени Маршала Советского Союза С.М. Буденного" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-05-20.

Method for efficient detection of coal bed moisture

Номер патента: RU2513465C1. Автор: Иван Сергеевич Елкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева" (КузГТУ). Дата публикации: 2014-04-20.

METHOD FOR PRODUCING [1,2,3,4]-TETRAZINO-[5,6-e]-[1,2,3,4]-TETRAZINO-1,3,6,8-TETRAOXIDE

Номер патента: RU2593993C1. Автор: Владимир Александрович Тартаковский,Михаил Сергеевич Кленов,Александр Михайлович Чураков,Алексей Андреевич Гуськов,Олег Васильевич Аникин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ ИМ. Н.Д. ЗЕЛИНСКОГО РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИОХ РАН). Дата публикации: 2016-08-10.

Method for identifying staphylococcal exotoxin genes with high level of structural homology with superantigens by multiplex polymerase chain reaction and test system for implementing it

Номер патента: RU2532225C1. Автор: Рустэм Салахович Фассахов,Юрий Александрович Тюрин. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Казанский научно-исследовательский институт эпидемиологии и микробиологии" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2014-10-27.

Method for remote testing of acceleration meters block included in composition of measuring transformer and device for realization of said method

Номер патента: RU2271015C1. Автор: Владимир Олегович Доронин,Юрий Федорович Титов,Владимир Олегович Доронин (RU),Юрий Федорович Титов (RU). Владелец: Юрий Федорович Титов. Дата публикации: 2006-02-27.

Silicon nitride waveguide or photonic integrated circuit fabrication method

Номер патента: WO2024231800A1. Автор: Tobias Kippenberg,Xinru JI,Rui Ning WANG. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL). Дата публикации: 2024-11-14.

METHOD FOR MANUFACTURING EASY OPEN END

Номер патента: US20120000340A1. Автор: Kubo Hiroshi,Kojima Katsumi,Yamanaka Yoichiro,Tada Masaki,Iwasa Hiroki. Владелец: JFE STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

BIOLOGICAL GRAFT TRANSFERRING INSTRUMENT AND METHOD FOR TRANSFERRING BIOLOGICAL GRAFT

Номер патента: US20120000745A1. Автор: Nozaki Yusuke. Владелец: TERUMO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR CUTTING A PATCH TO BE APPLIED ONTO A CURVED SUBSTRATE

Номер патента: US20120002162A1. Автор: Ladous Agnès,Begon Cedric,Allione Pascal,Lavillonniere Nicolas. Владелец: Essilor International (Compagnie Generale D'Optique). Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL BEAM SPLITTER FOR USE IN AN OPTOELECTRONIC MODULE, AND A METHOD FOR PERFORMING OPTICAL BEAM SPLITTING IN AN OPTOELECTRONIC MODULE

Номер патента: US20120002284A1. Автор: Wen Pengyue,McColloch Laurence R.. Владелец: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

EMBOSSED TEXTURED WEBS AND METHOD FOR MAKING

Номер патента: US20120003423A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120004110A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METHACRYLIC ACID

Номер патента: US20120004460A9. Автор: Protzmann Guido,Gropp Udo,Sohnemann Stefanie,Mertz Thomas. Владелец: Evonik Roehm GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for imitation of thermomechanical action of x-ray radiation of nuclear explosion at samples of structural materials

Номер патента: RU2366947C1. Автор: Андрей Иванович Потапенко,Александр Александрович Чепрунов,Виктор Семенович Осоловский,Андрей Юрьевич Максимов,Савва Саввович Слободчиков,Андрей Юрьевич Максимов (RU),Виктор Семенович Осоловский (RU),Андрей Иванович Потапенко (RU),Савва Саввович Слободчиков (RU),Александр Александрович Чепрунов (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "12 Центральный научно-исследовательский институт Министерства обороны Российской Федерации". Дата публикации: 2009-09-10.

Method for laser modification of surface of metal or its alloy

Номер патента: RU2287414C1. Автор: Сергей Георгиевич Горный,Михаил Иванович Патров,Константин Владимирович Юдин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лазерный Центр". Дата публикации: 2006-11-20.

Method for producing of pan bread "stolichny"

Номер патента: RU2259725C1. Автор: . Владелец: Фокин Владимир Павлович. Дата публикации: 2005-09-10.

Novel method for operation of peritoneal colpopoiesis performed for surgical correction of developmental internal genitals - vaginal aplasia and uterus

Номер патента: RU2585739C9. Автор: Лейла Вагоевна Адамян,Марина Викторовна Бобкова,Алек Сейранович Аракелян,Николай Дмитриевич Хорошун,Зограб Николаевич Макиян. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Научный центр акушерства, гинекологии и перинатологии имени академика В.И. Кулакова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2019-01-29.

Method for predicting dental carious lesion

Номер патента: RU2296325C1. Автор: Владимир Николаевич Шабалин,Светлана Николаевна Шатохина,Светлана Николаевна Разумова. Владелец: ФГУ "Российский научно-исследовательский институт геронтологии Росздрава". Дата публикации: 2007-03-27.

Method for exophtalm correction and implant to increase orbit volume near formed bone defect in case of exophtalm correction

Номер патента: RU2636418C1. Автор: Дмитрий Викторович Давыдов,Константин Андреевич Коновалов. Владелец: Дмитрий Викторович Давыдов. Дата публикации: 2017-11-23.

Functional model of game system as method for realisation of interactive sms-game

Номер патента: RU2408932C2. Автор: Виктор Никифорович Борщов. Владелец: Виктор Никифорович Борщов. Дата публикации: 2011-01-10.

Method for producing tomographic images

Номер патента: RU2312602C2. Автор: Олег Владимирович Губарьков,Максим Тойвович Калиничев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электронной техники" (технический университет). Дата публикации: 2007-12-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.