Metal level formation method and an integrated circuit structure having a metal level with improved dielectric to metal adhesion
Номер патента: US20160379878A1
Опубликовано: 29-12-2016
Автор(ы): David C. Mosher, Edward C. Cooney, III, Felix P. Anderson, Michael S. Dusablon
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-12-2016
Автор(ы): David C. Mosher, Edward C. Cooney, III, Felix P. Anderson, Michael S. Dusablon
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Structure for BEOL metal levels with multiple dielectric layers for improved dielectric to metal adhesion
Номер патента: US09673091B2. Автор: Edward C. Cooney, III,Felix P. Anderson,Michael S. Dusablon,David C. Mosher. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.