Etching tool for demountably etching multiple pieces of silicon carbide.

Etching tool for demountably etching multiple pieces of silicon carbide

Номер патента: US20210280439A1
Опубликовано: 09-09-2021
Автор(ы): Huangshan Zhang, Jie Zhang, Shaozhong Cai, Sina Li, Yihong Lin
Принадлежит: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Etching tool for demountably etching multiple pieces of silicon carbide

Номер патента: US12046486B2. Автор: Jie Zhang,Yihong Lin,Shaozhong Cai,Huangshan Zhang,Sina Li. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Composite silicon carbide substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP4391070A1. Автор: Chao Guo,Fengwen MU. Владелец: Tj Innovative Semiconductor Substrate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Silicon carbide substrate, silicon carbide device, and substrate thinning method thereof

Номер патента: US20220293737A1. Автор: Yuxi Wan,Boning Huang,Yiyu Wang,Xiaobiao HAN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Methods of Forming Semiconductor Devices in a Layer of Epitaxial Silicon Carbide

Номер патента: US20230361196A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: Infineon Techmologies Ag. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods of Re-using a Silicon Carbide Substrate

Номер патента: US20210265484A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09449823B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

METHODS AND STRUCTURES FOR FORMING MICROSTRIP TRANSMISSION LINES ON THIN SILICON CARBIDE ON INSULATOR (SiCOI) WAFERS

Номер патента: EP3437125A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-02-06.

Methods and structures for forming microstrip transmission lines on thin silicon carbide on insulator (SICOI) wafers

Номер патента: US09761445B2. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130252400A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9330916B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Silicon carbide wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230203709A1. Автор: Takashi Kanemura,Masatake Nagaya,Hiroaki FUJIBAYASHI,Shinichi Hoshi,Junji Ohara. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

A method for reducing warpage of silicon carbide substrate

Номер патента: ZA202308586B. Автор: Shen Xiaoyu,Shen Mengfei,Chen Wenjin. Владелец: Huzhou Tony Semiconductor Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: WO2013140122A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for purifying silicon carbide structures

Номер патента: EP1791799B1. Автор: Larry Wayne MEMC Electronic Materials Inc SHIVE,Brian L. MEMC Electronic Materials Inc. GILMORE. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2010-11-24.

Method for purifying silicon carbide structures

Номер патента: WO2006022875A1. Автор: Larry Wayne Shive,Brian Lawrence Gilmore. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2006-03-02.

Method for purifying silicon carbide structures

Номер патента: EP1791799A1. Автор: Larry Wayne MEMC Electronic Materials Inc SHIVE,Brian L. MEMC Electronic Materials Inc. GILMORE. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2007-06-06.

Deposition and etch of silicon-containing layer

Номер патента: WO2024006211A1. Автор: Bo Gong,Ching-Yun Chang,Nuoya YANG,Andrew John McKerrow,Yuxi Wang. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-01-04.

Device for manual alignment of silicon wafers prior to temporary splicing

Номер патента: RU2745297C1. Автор: Дмитрий Иванович Панин,Михаил Михайлович Шаховцев. Владелец: Обществом с ограниченной ответственностью "Маппер". Дата публикации: 2021-03-23.

Advanced hydrogenation of silicon solar cells

Номер патента: US09847443B2. Автор: Matthew Edwards,Stuart Ross Wenham,Ly Mai,Adeline Sugianto,Alison Maree Wenham,Pei Hsuan LU,Brett Jason HALLAM,Phillip George HAMER,Catherine Emily CHAN,Chee Mun CHONG,Lihui Song,GuangQi Xu. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US20110175107A1. Автор: Shin Harada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-21.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09922822B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device including forming a protective film with a 2-layer structure comprised of silicon and carbon

Номер патента: US09748149B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Silicon carbide junction barrier schottky diodes with suppressed minority carrier injection

Номер патента: EP1880423A2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-23.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US7508000B2. Автор: Bart J. Van Zeghbroeck,John T. Torvik. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Low temperature impurity doping of silicon carbide

Номер патента: US20090039469A1. Автор: Mingyu Li,Chin-Che Tin,Adetayo Victor Adedeji,Ilkham Gafurovich Atabayev,Bakhtiyar Gafurovich Atabaev,Tojiddin Mutalovich Saliev,Erkin Nurovich Bakhranov,Balapuwaduge Suwan Pathum Mendis,Ayayi Claude Ahyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-12.

Manufacture of silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor (MOS) device

Номер патента: US5272107A. Автор: Akira Suzuki,Katsuki Furukawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Method for p-type doping of silicon carbide by al/be co-implantation

Номер патента: EP3602609A1. Автор: Giovanni ALFIERI,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-02-05.

Process for manufacturing a silicon carbide device and silicon carbide device

Номер патента: US20230131049A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Domenico Pierpaolo Mello,Valentina Scuderi,Massimo BOSCAGILA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-04-27.

Silicon carbide power mosfet device having improved performances and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4411830A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Laura Letizia SCALIA,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-07.

Silicon carbide power mosfet device having improved performances and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240258377A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Laura Letizia SCALIA,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US20050260821A1. Автор: Bart Van Zeghbroeck,John Torvik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-24.

Low temperature impurity doping of silicon carbide

Номер патента: US7999268B2. Автор: Mingyu Li,Chin-Che Tin,Adetayo Victor Adedeji,Ilkham Gafurovich Atabayev,Bakhtiyar Gafurovich Atabaev,Tojiddin Mutalovich Saliev,Erkin Nurovich Bakhranov,Balapuwaduge Suwan Pathum Mendis,Ayayi Claude Ahyi. Владелец: AUBURN UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-08-16.

Silicon carbide power field effect transistor

Номер патента: US5821576A. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Silicon carbide mosfet transistor device with improved characteristics and corresponding manufacturing process

Номер патента: EP4020595A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Fabrizio Roccaforte,Patrick FIORENZA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-29.

Silicon carbide mosfet transistor device with improved characteristics and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20220208961A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Fabrizio Roccaforte,Patrick FIORENZA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-30.

Silicon carbide substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371945A1. Автор: Ching-Shan Lin,Ying-Ru Shih,Chung Chi Yang,Chih Shan Tan. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon carbide epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190273136A1. Автор: Tomohisa Kato,Satoshi Segawa,Toshiyuki Ohno,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-09-05.

Silicon carbide EPI wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US09991344B2. Автор: Seok Min Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09935170B2. Автор: Yoichiro Tarui,Masayuki Furuhashi,Toshikazu Tanioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Carbon based contact structure for silicon carbide device technical field

Номер патента: US09917170B2. Автор: Markus Kahn,Romain Esteve,Ravi Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Silicon carbide and related wide-bandgap transistors on semi insulating epitaxy

Номер патента: NZ572662A. Автор: Michael S Mazzola. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-02-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181160A1. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09455197B2. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1796148A3. Автор: Satoshi Tanimoto. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Akira Saito,Takayuki Hirose,Yutaka Terao,Hideaki Teranishi,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semi-insulating silicon carbide monocrystal and method of growing the same

Номер патента: US09893152B2. Автор: Yu Liu,BO Wang,Gang Wang,Xiaolong Chen,Wenjun Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Longyuan Li. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09559217B2. Автор: Keiji Wada,Kenji Kanbara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Process for Producing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20090317983A1. Автор: Koji Nakayama,Yoshitaka Sugawara,Masahiro Nagano,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Ryosuke Ishii,Toshiyuki Miyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US20100270561A1. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Silicon carbide power mos field effect transistors and manufacturing methods

Номер патента: EP1576672A2. Автор: Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-09-21.

Methods of forming uniformly doped deep implanted regions in silicon carbide and silicon carbide layers including uniformly doped implanted regions

Номер патента: US20230420575A1. Автор: Steven Rogers,Edward Robert Van Brunt,Rahul R. Potera. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230395664A1. Автор: Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide schottky barrier diode

Номер патента: US8980732B2. Автор: Jong Seok Lee,Kyoung Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-17.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US12071708B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09806167B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods for Processing a Silicon Carbide Wafer, and a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190362972A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Werner Schustereder,Wolfgang Lehnert,Alexander Breymesser,Mihai Draghici,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer,Guenter Denifl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-28.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220085172A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20090134404A1. Автор: Kenichi Kuroda,Hiroshi Sugimoto,Noboru Mikami,Yoshinori Matsuno,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor apparatus and silicon carbide semiconductor apparatus fabricated thereby

Номер патента: US09768260B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9040402B2. Автор: Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro,Masahide Goto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Densification of silicon carbide film using remote plasma treatment

Номер патента: US09837270B1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui,Guangbi Yuan,Fengyuan Lai. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion device, and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027590B2. Автор: Munetaka Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Fabrication of silicon carbide integrated power mosfets on a single substrate

Номер патента: US20220115502A1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Usama KHALID,Christopher James DARMODY. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12057498B2. Автор: Takehiro Kato,Katsumi Suzuki,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140299886A1. Автор: Jun Kawai,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon carbide semiconductor devices having buried silicon carbide conduction barrier layers therein

Номер патента: US5543637A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1996-08-06.

Silicon carbide n-channel power LMOSFET

Номер патента: US6593594B1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-07-15.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11862684B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Process for manufacturing localized ion implants in silicon-carbide power electronic devices

Номер патента: US20240297044A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Gabriele BELLOCCHI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11735654B2. Автор: Shuhei Mitani,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Yusuke Yamashita,Aiko KAJI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Process for manufacturing localized ion implants in silicon-carbide power electronic devices

Номер патента: EP4425533A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Gabriele BELLOCCHI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Singulation of silicon carbide semiconductor wafers

Номер патента: US20240234155A1. Автор: Aira Lourdes VILLAMOR. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Cellular structure of silicon carbide device, preparation method for cellular structure of silicon carbide device, and silicon carbide device

Номер патента: EP4191680A1. Автор: Yafei Wang,Chengzhan LI,Haihui Luo,Qijun LIU,Yachao MA. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Method of increasing resistivity of silicon carbide wafer and high-frequency device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230207386A1. Автор: Mao-Nan Chang,Ta-Ching HSIAO,Kuo-Lun Huang,Pei-Ying Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-06-29.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210013039A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2019159680A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2019-08-22.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11501971B2. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210111251A1. Автор: Yukihiko Watanabe,Hajime Tsukahara,Kentarou OKUMURA,Hidekazu Odake. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Manufacturing method of silicon carbide wafer and semiconductor structure

Номер патента: US11987902B2. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for forming an ohmic contact on a back-s!de surface of a silicon carbide substrate

Номер патента: WO2017025387A1. Автор: Fulvio Mazzamuto. Владелец: Laser Systems & Solutions of Europe. Дата публикации: 2017-02-16.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150064898A1. Автор: Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro,Masahide Goto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

High voltage silicon carbide semiconductor device with bended edge

Номер патента: US5914499A. Автор: Willy Hermansson,Lennart Ramberg,Dag Sigurd. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1999-06-22.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20180323261A1. Автор: Jun Kawai,Kazuhiko Sugiura,Kayo Kondo,Yasuji KIMOTO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: CA2740244A1. Автор: Shin Harada,Misako Honaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US20150076520A1. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150115287A1. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190371893A1. Автор: Yusuke Wada,Haruo Nakazawa,Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Silicon carbide substrate and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240186381A1. Автор: Hideyuki Uehigashi,Akiyoshi HORIAI. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US9236248B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

Silicon carbide power device with improved robustness and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20230092543A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Simone RASCUNA',Alfio Guarnera,Claudio CHIBBARO,Francesco Lizio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-23.

Silicon carbide-based electronic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12051731B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Fabrizio Roccaforte,Patrick FIORENZA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-30.

Silicon carbide power device with improved robustness and corresponding manufacturing process

Номер патента: US12125762B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Simone RASCUNA',Alfio Guarnera,Claudio CHIBBARO,Francesco Lizio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP3989264A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130330896A1. Автор: Tsuyoshi Ishikawa,Masahiro Sugimoto,Toshimasa Yamamoto,Yukihiko Watanabe,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Singulation of silicon carbide semiconductor wafers

Номер патента: US11942327B2. Автор: Aira Lourdes VILLAMOR. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US11848358B2. Автор: Yutaka Fukui,Katsutoshi Sugawara,Yusuke Miyata,Rina Tanaka,Hideyuki HATTA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Silicon carbide-based electronic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200373398A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Fabrizio Roccaforte,Patrick FIORENZA. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2020-11-26.

Silicon carbide power device with improved robustness and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20210104445A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Simone RASCUNA',Alfio Guarnera,Claudio CHIBBARO,Francesco Lizio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-04-08.

Doping system, doping method and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190228971A1. Автор: Haruo Nakazawa,Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Silicon carbide power device with improved robustness and corresponding manufacturing process

Номер патента: US11495508B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera,Simone Rascuna′,Claudio CHIBBARO,Francesco Lizio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-11-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Silicon Carbide Device and a Method for Manufacturing A Silicon Carbide Device

Номер патента: US20150008447A1. Автор: Roland Rupp,Christian Hecht,Bernd Leonhard Zippelius. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-08.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing thereof, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11201218B2. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device

Номер патента: US09704718B2. Автор: Ralf Otremba,Anton Mauder,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Edge termination structures for silicon carbide devices

Номер патента: US09515135B2. Автор: Allan Ward,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Silicon carbide device and a method for manufacturing a silicon carbide device

Номер патента: US09412808B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Christian Hecht,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor Device and Method of Forming Low Voltage Power Mosfets Using Graphene for Metal Layers and Graphene Nanoribbons for Channel and Drain Enhancement Regions of Power Vertical and Lateral Mosfets on substrates of Silicon, GAN, SIC, or Diamond to Integrate Narrow Band Gap Engineering with Wide Band Gap Engineering and Achieve Energy Saving Devices and Environmental Progress in the Power Semiconductor Industry

Номер патента: US20220123134A1. Автор: Samuel J. Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160056257A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Controlled Ion Implantation into Silicon Carbide Using Channeling and Devices Fabricated Using Controlled Ion Implantation into Silicon Carbide Using Channeling

Номер патента: US20180069083A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Methods of Forming Buried Junction Devices in Silicon Carbide Using Ion Implant Channeling and Silicon Carbide Devices Including Buried Junctions

Номер патента: US20170084700A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: WO2015013628A2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

Silicon Carbide Device and a Method for Manufacturing a Silicon Carbide Device

Номер патента: US20150187871A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Christian Hecht,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Controlled ion implantation into silicon carbide using channeling and devices fabricated using controlled ion implantation into silicon carbide using channeling

Номер патента: US09768259B2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627488B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: US09484413B2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device having improved mechanical stability

Номер патента: EP4160655A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi,Paolo BADALÁ. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-04-05.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device having improved mechanical stability

Номер патента: US20230094592A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for producing a silicon carbide substrate

Номер патента: US20240240357A1. Автор: Andrei Mihaila,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Silicon carbide transistor device

Номер патента: US12062698B2. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160181373A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210265469A1. Автор: Toru Hiyoshi,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Silicon carbide device with compensation region and method of manufacturing

Номер патента: US11764063B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Romain Esteve,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP3025372A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP4009380A2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-06-08.

Silicon carbide substrate and method for producing silicon carbide substrate

Номер патента: US09882010B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide device and a method for forming a silicon carbide device

Номер патента: US20160104779A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Bergner,Christian Hecht,Rudolf Elpelt,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Schottky barrier structure for silicon carbide (SiC) power devices

Номер патента: US09960247B2. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Bochao Huang,Da Teng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon-carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954072B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Shiro Hino,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09923062B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893177B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Silicon carbide static induction transistor and process for making a silicon carbide static induction transistor

Номер патента: US09490355B2. Автор: Pierre Morin,John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-08.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US20150255279A1. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

High voltage silicon carbide schottky diode flip chip array

Номер патента: WO2019184005A1. Автор: Shu Kin Yau,Sui Wai WONG. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited. Дата публикации: 2019-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device

Номер патента: EP4113581A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-04.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160163853A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250082A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20160181374A1. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US20200219981A1. Автор: Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Silicon carbide semiconductor device having stacked epitaxial layers

Номер патента: US09997358B2. Автор: Masanobu IWAYA,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US09966249B2. Автор: Kenji Kanbara,Taro Nishiguchi,So Tanaka,Kyoko Okita,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799515B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Insulated gate silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09741797B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722027B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09680006B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09627525B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Diffused junction termination structures for silicon carbide devices

Номер патента: US09570560B2. Автор: Qingchun Zhang,Anant K. Agarwal,Tangali S. Sudarshan,Alexander Bolotnikov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09502552B2. Автор: Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Silicon carbide semiconductor apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US09490338B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Seiji Suzuki,Kazuhiro Adachi,Kenji Fukuda,Shinsuke Harada,Tsutomu Yatsuo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits

Номер патента: US09490169B2. Автор: Helmut Hagleitner,Zoltan Ring,Scott Thomas Sheppard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09472635B2. Автор: Shunsuke Yamada,Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP4322202A1. Автор: Gregor Langer,Axel Koenig,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20150228482A1. Автор: Naohiko Hirano,Shouichi Yamauchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055256A1. Автор: Axel König,Gregor Langer,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods for silicon carbide gate formation

Номер патента: US20230207638A1. Автор: Yi Zheng,Er-Xuan Ping. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20140001472A1. Автор: Akihiko Furukawa,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device

Номер патента: US20140284615A1. Автор: Ralf Otremba,Anton Mauder,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-09-25.

Fabrication of a high temperature silicon carbide transistor device

Номер патента: US11823899B1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Aysanew Abate. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Silicon carbide mosfet inverter circuit

Номер патента: US20190198620A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Silicon carbide MOSFET inverter circuit

Номер патента: US10896960B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

Self Aligned Silicon Carbide Contact Formation Using Protective Layer

Номер патента: US20180076036A1. Автор: Markus Kahn,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Kurt Pekoll,Juergen Steinbrenner,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for producing a silicon carbide substrate

Номер патента: EP4089719A1. Автор: Andrei Mihaila,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-11-16.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150318357A1. Автор: Yoichiro Tarui,Koji Okuno,Chihiro Tadokoro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9324806B2. Автор: Yoichiro Tarui,Koji Okuno,Chihiro Tadokoro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Silicon Carbide Semiconductor Device and a Method for Forming a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190123148A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Silicon Carbide Device and Method for Forming a Silicon Carbide Device

Номер патента: US20240113026A1. Автор: Wolfgang Scholz,Thomas Basler,Edward Fürgut,Martin Gruber,Ravi Keshav Joshi,Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for producing a silicon carbide substrate

Номер патента: WO2022238029A1. Автор: Andrei Mihaila,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for producing an ohmic contact on a crystallographic c-side of a silicon carbide substrate, and ohmic contact

Номер патента: US20230050165A1. Автор: Jan-Hendrik Alsmeier,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-02-16.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160300943A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US20240234509A9. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11984499B2. Автор: Lurng-Shehng Lee,Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: WO2024052643A1. Автор: Marina Antoniou,Peter Gammon,Yunyi QI,Ben RENZ. Владелец: THE UNIVERSITY OF WARWICK. Дата публикации: 2024-03-14.

Silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US20240136403A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device

Номер патента: US20220415655A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-12-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258424A1. Автор: Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Power silicon carbide mosfet devices and related methods

Номер патента: WO2019125600A1. Автор: Qingchun Zhang,Alexander V. Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10186575B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Kazuhiro Mochizuki,Ryoji Kosugi,Hidenori Koketsu,Shiyang Ji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US20160035836A1. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20100258816A1. Автор: Yoshitaka Sugawara,Tomonori Nakamura,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Joji Nakayama,Toshiyuki Miyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor device having a silicon carbide drift zone over a silicon carbide field stop zone

Номер патента: US12107141B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Strack,Jens Peter Konrath,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US09577045B2. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543429B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Substrate with silicon carbide film, semiconductor device, and method for producing substrate with silicon carbide film

Номер патента: US09536954B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09490328B2. Автор: Koji Fujisaki,Takashi Takahama,Keisuke Kobayashi,Naoki Tega. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Silicon carbide substrate, semiconductor device and methods for manufacturing them

Номер патента: US09484416B2. Автор: Keiji Ishibashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Silicon carbide substrate, silicon carbide wafer, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240250128A1. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Silicon carbide ingot, method for manufacturing silicon carbide ingot, and method for manufacturing silicon carbide wafer

Номер патента: US20230193510A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Silicon carbide static induction transistor and method for manufacturing same

Номер патента: WO1998034283A1. Автор: Saptharishi Sriram,Rowland C. Clarke,Richard R. Siergiej. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 1998-08-06.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20110266556A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: WO2011137202A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2011-11-03.

Silicon carbide wafer and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240213332A1. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20130153928A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: EP2563950A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-03-06.

Silicon carbide switching device with rectifying-gate

Номер патента: US5396085A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1995-03-07.

Silicon carbide field controlled bipolar switch

Номер патента: CA2285067C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-05-02.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Junction field-effect transistor formed in silicon carbide

Номер патента: US5264713A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1993-11-23.

Cellular structure of silicon carbide device, method for preparation thereof, and silicon carbide device

Номер патента: EP4254503A1. Автор: Yafei Wang,Wenjie Zhang,Chengzhan LI,Haihui Luo,Yehui LUO. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Semi-insulating silicon carbide without vanadium domination

Номер патента: EP1392895A2. Автор: Stephan Mueller,Mark Brady,Calvin H. Carter, Jr.,Valeri F. Tsvetkov,Hudson M. Hobgood. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-03.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method of silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20230378341A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2023-11-23.

Electronic Device Including Silicon Carbide Diode Dies

Номер патента: US20140001488A1. Автор: Luke Perkins. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Electronic device including silicon carbide diode dies

Номер патента: WO2014004749A1. Автор: Luke Perkins. Владелец: Schlumberger Holdings Limited. Дата публикации: 2014-01-03.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09605358B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09422639B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Silicon carbide vertical field effect transistor

Номер патента: US20140008666A1. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150295048A1. Автор: Toru Hiyoshi,Takashi Tsuno,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Silicon carbide power device equipped with termination structure

Номер патента: US20150102362A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Lurng-Shehng Lee,Chien-Chung Hung,Chwan-Ying Lee. Владелец: Hestia Power Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Trench power MOSFET in silicon carbide and method of making the same

Номер патента: US20050266623A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Yen Chuo,Yung-Chung Lee,Tsung-Ming Pan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-12-01.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240321947A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US20160326669A1. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230299144A1. Автор: Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Superjunction silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing superjunction silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347587A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347599A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Fu-Jen Hsu,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240304676A1. Автор: Takaya MIYASE,Hideyuki Hisanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332363A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339499A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Yu Saitoh,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Conductivity modulation in a silicon carbide bipolar junction transistor

Номер патента: US09478629B2. Автор: Martin Domeij,Benedetto Buono. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232A1. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-11.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Bidirectional silicon carbide transient voltage suppression devices

Номер патента: EP2409329A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Sarah Kay Haney. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-01-25.

Bidirectional silicon carbide transient voltage supression devices

Номер патента: US20130240908A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Sarah Kay Haney. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140077226A1. Автор: Yoichiro Tarui,Takeshi Kitani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Silicon carbide power diode device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220005959A1. Автор: Yonghong Tao,Zhidong Lin,Zhigao Peng. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234569A9. Автор: Cheng-Tyng Yen,Fu-Jen Hsu,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194741A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150214353A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Shunsuke Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Silicon carbide semiconductor device and power conversion device using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274709A1. Автор: Shiro Hino,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide mos-gated semiconductor device

Номер патента: US20230071655A1. Автор: Cheng-Tyng Yen. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194781A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for reducing stacking faults in silicon carbide, and structure created by means of said method

Номер патента: EP4415024A1. Автор: Kiyoshi Kojima,Jun Sasaki,Tadaaki Kaneko,Kohei Toda,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Silicon carbide substrate

Номер патента: EP2518757A1. Автор: Shin Harada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Taro Nishiguchi,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

Method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09761453B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon carbide semiconductor device and power converter using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240250165A1. Автор: Yuichi Nagahisa,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190074360A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Ryouji Kosugi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20150311076A1. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Silicon carbide wafer and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240234515A9. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9972676B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Naruhisa Miura,Rina Tanaka,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09972676B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Naruhisa Miura,Rina Tanaka,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Silicon carbide power device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240079454A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Silicon carbide wafer and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240136409A1. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Silicon carbide semiconductor power transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230326972A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Power semiconductor device with dual shield structure in silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411511A1. Автор: Chongman Yun,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Silicon carbide MOSFET with integrated MOS diode

Номер патента: US09324807B1. Автор: Anup Bhalla,Leonid Fursin. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160336391A1. Автор: Yasuhiro Kagawa,Naruhisa Miura,Rina Tanaka,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Vertical-conduction silicon carbide mosfet device having improved gate biasing structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20220262913A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-08-18.

Silicon carbide semiconductor device with trench gate structure and vertical PN junction between body region and drift structure

Номер патента: US10964808B2. Автор: Roland Rupp,Andreas Meiser,Romain Esteve. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-03-30.

Silicon carbide mosfet with integrated mos diode

Номер патента: WO2017011036A1. Автор: Anup Bhalla,Leonid Fursin. Владелец: UNITED SILICON CARBIDE, INC.. Дата публикации: 2017-01-19.

Manufacturing method of semi-insulating single-crystal silicon carbide powder

Номер патента: US12098477B2. Автор: Bo-Cheng Lin,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu. Владелец: Taisic Materials Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Silicon carbide semiconductor device including a resin covering a silicon carbide semiconductor chip

Номер патента: US11387156B2. Автор: So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160225855A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Silicon carbide semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923090B2. Автор: Osamu Kusumoto,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA,Atsushi Ohoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332414A1. Автор: Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09722017B2. Автор: Nobuyuki Tomita,Takaaki TOMINAGA,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691859B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09608074B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027576B2. Автор: Tomoaki Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230335632A1. Автор: Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor circuit device

Номер патента: US11695045B2. Автор: Keiji Okumura,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09985125B1. Автор: Takashi Hasegawa,Osamu Kusumoto,Kouichi Saitou,Osamu Ishiyama,Tsutomu Kiyosawa,Tsuneichiro Sano,Atsushi Ohoka,Daisuke Shindo,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: AU4528993A. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1994-01-04.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: WO1993026047A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-12-23.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9397155B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Masaki Furumai,Mitsuhiko Sakai,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240371766A1. Автор: Yu Saitoh,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon carbide device

Номер патента: US20230275134A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Rui Wang,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods of fabricating voltage breakdown resistant monocrystalline silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US5635412A. Автор: Bantval J. Baliga,Dev Alok. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1997-06-03.

Silicon carbide semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170125575A1. Автор: Osamu Kusumoto,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA,Atsushi Ohoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210272867A1. Автор: So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of determining whether a silicon-carbide semiconductor device is a conforming product

Номер патента: US20200292612A1. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Silicon carbide semiconductor device, manufacturing method therefor and power conversion apparatus

Номер патента: US10431658B2. Автор: Yutaka Fukui,Atsushi Narazaki,Katsutoshi Sugawara,Yasuhiro Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-01.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240282824A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220109049A1. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220376054A1. Автор: Shingo Hayashi,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240313058A1. Автор: Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12094966B2. Автор: Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Silicon carbide device and method of making thereof

Номер патента: US09899512B2. Автор: Peter Almern Losee,Ljubisa Dragoljub Stevanovic,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Gregory Thomas Dunne. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-02-20.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09490319B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, device for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09587326B2. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing silicon carbide substrate and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8969103B2. Автор: Shin Harada,Satomi Itoh,Makoto Sasaki,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Method for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Device for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, and Silicon Carbide Semiconductor Element

Номер патента: US20160168751A1. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-06-16.

Silicon carbide cmos and method of fabrication

Номер патента: AU2667597A. Автор: David B. Slater Jr.,Lori A. Lipkin,John W Palmour,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-11-07.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190214264A1. Автор: Katsumi Suzuki,Shigeyuki Takagi,Yuichi Takeuchi,Masaki Shimomura,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Buffer layer on silicon carbide substrate, and method for forming buffer layer

Номер патента: US20230118623A1. Автор: Xiang Li,Xuanjie Liu,Zhiping Xie,Maojie CONG,Zhiguo KAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130137198A1. Автор: Shin Harada,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190334030A1. Автор: Katsumi Suzuki,Yuichi Takeuchi,Atsuya Akiba,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Mosfet device of silicon carbide having an integrated diode and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240243122A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Simone Rascuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-18.

Mosfet device of silicon carbide having an integrated diode and manufacturing process thereof

Номер патента: US20190013312A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Simone Rascuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-01-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09704743B2. Автор: Shunsuke Yamada,Tetsuya Hattori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for the formation of silicon and silicon-germanium fin structures for FinFET devices

Номер патента: US09461174B2. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of fabricating an oxide layer on a silicon carbide layer utilizing an anneal in a hydrogen environment

Номер патента: CA2442929A1. Автор: Mrinal Kanti Das,Lori A. Lipkin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing power converter

Номер патента: US20200194554A1. Автор: Yutaka Fukui,Kohei Adachi,Katsutoshi Sugawara,Rina Tanaka,Hideyuki HATTA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

MOSFET device of silicon carbide having an integrated diode and manufacturing process thereof

Номер патента: US11916066B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Simone Rascuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-27.

Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12125881B2. Автор: Hiromu Shiomi,Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of fabricating silicon carbide power devices by at least partially removing an n-type silicon carbide substrate, and silicon carbide power devices so fabricated

Номер патента: EP2149154A2. Автор: Mrinal Kanti Das,Matthew Donofrio,Qingchun Zhang,John M. Clayton, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-02-03.

Silicon carbide components and methods for producing silicon carbide components

Номер патента: US11715768B2. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-01.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide switching devices including P-type channels

Номер патента: US09552997B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09466675B2. Автор: Chikayuki Okamoto,Tomihito Miyazaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Silicon carbide epitaxial wafer and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190333998A1. Автор: Tomohisa Kato,Takashi Mitani,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO,Kazuma ETO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for manufacturing silicon carbide base body, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide base body, and semiconductor device

Номер патента: US20210217619A1. Автор: Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide epitaxy

Номер патента: US09520285B2. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978651B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905653B2. Автор: Masayuki Kobayashi,Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Shinji Kimura,So Tanaka,Taku Horii,Ryosuke Kubota,Daisuke Hamajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Silicon-carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425261B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Silicon Carbide Components and Methods for Producing Silicon Carbide Components

Номер патента: US20190067425A1. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Silicon Carbide Components and Methods for Producing Silicon Carbide Components

Номер патента: US20230334337A1. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150236148A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09773874B2. Автор: Yutaka Fukui,Nobuo Fujiwara,Yasuhiro Kagawa,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09647106B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647072B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Takashi Tsuno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210060818A1. Автор: Naoki Matsumoto,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10396163B2. Автор: Keiji Wada,Kenji Kanbara,Hironori Itoh,Takemi Terao,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Superior silicon carbide integrated circuits and method of fabricating

Номер патента: US20020034852A1. Автор: Dev Alok. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Silicon carbide components and methods for producing silicon carbide components

Номер патента: US11069778B2. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-20.

Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon

Номер патента: EP1935007A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Matt Donofrio. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-25.

Superior silicon carbide integrated circuits and method of fabricating

Номер патента: EP1157412A1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-28.

Layered structures comprising silicon carbide layers, a process for their manufacture and their use

Номер патента: EP2277194A1. Автор: Norbert Wagner,Chien Hsueh Steve Shih,Alexander Traut. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2011-01-26.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and apparatus for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US20180237942A1. Автор: Keiji Wada,Hideyuki Doi,Hironori Itoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Remote plasma based deposition of graded or multi-layered silicon carbide film

Номер патента: US20180240664A9. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui,Guangbi Yuan,Fengyuan Lai. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190245044A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufactuing same

Номер патента: US20140042461A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Silicon carbide epitaxy

Номер патента: WO2013061047A2. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-05-02.

Methods of forming power semiconductor devices using boule-grown silicon carbide drift layers and power semiconductor devices formed thereby

Номер патента: CA2542704A1. Автор: Calvin H. Carter, Jr.,Michael James Paisley,Joseph John Sumakeris,Hudson McDonald Hobgood,Jason Ronald Jenny,Valeri Fedorovich Tsvetkov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-06.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130207124A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09966437B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728633B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09728607B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716157B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of forming a silicon-carbide device with a shielded gate

Номер патента: US09577073B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Reduction of carrot defects in silicon carbide epitaxy

Номер патента: US09903046B2. Автор: Michael John O'Loughlin,Joseph John Sumakeris. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09368345B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of surface modification of silicon carbide crystals

Номер патента: RU2745736C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов,Андрей Валерьевич Желаннов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2021-03-31.

Method of processing surface of silicon carbide plates in low-temperature inductively coupled plasma

Номер патента: RU2708812C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Артём Арменакович Осипов,Екатерина Вячеславовна Ендиярова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2019-12-11.

Method for obtaining large homogeneous crystals of silicon carbide using distillation and condensation processes

Номер патента: RU2495163C2. Автор: Марк ЛОБОДА,Сеунг-хо ПАРК,Виктор ТОРРЕС. Владелец: Доу Корнинг Корпорейшн. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide using a feed material including a surface layer containing a polycrystalline silicon carbide with a 3C crystal polymorph

Номер патента: US09725822B2. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for producing a porous layer of a silicon carbide heterostructure on a silicon substrate

Номер патента: RU2653398C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Михаил Вячеславович Долгополов,Альбина Валентиновна Гурская,Наталья Виленовна Латухина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing products, containing silicon substrate with silicon carbide film on its surface and reactor of realising thereof

Номер патента: RU2522812C1. Автор: Сергей Германович Жуков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2014-07-20.

Method for producing thin membranes of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer membranes obtained by molecular layer precipitation

Номер патента: RU2749573C1. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-06-15.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Reducing electrical activity of defects in silicon carbide grown on silicon

Номер патента: WO2023111540A1. Автор: Martin LAMB. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for producing a semiconductor structure comprising a useful layer made of silicon carbide, with improved electrical properties

Номер патента: US20240312831A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Gweltaz Gaudin,Emmanuel Rolland,Julie Widiez,Alexis Drouin,Séverin Rouchier. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-09-19.

Plasma etching of silicon carbide

Номер патента: WO2002097852A3. Автор: Si Yi Li. Владелец: Si Yi Li. Дата публикации: 2003-04-03.

Method for fabricating ultra-thin graphite film on silicon carbide substrate

Номер патента: US20200203162A1. Автор: jun-bin Huang,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu,Cheng-Jung Ko,Chia-Hung Tai. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2020-06-25.

Conformal deposition of silicon carbide films

Номер патента: US20190259604A1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Substrates and methods of fabricating epitaxial silicon carbide structures with sequential emphasis

Номер патента: WO2011022520A1. Автор: LI Wang,Fred Kong,Leonie Hold,Sima Dimitrijev,Jisheng Han,Alan Iacopi,Herbert Barry Harrison,Philip Tanner. Владелец: Qs Semiconductor Australia Pty Ltd.. Дата публикации: 2011-02-24.

Epitaxial silicon carbide single crystal wafer and process for producing the same

Номер патента: US20170365463A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Epitaxial silicon carbide single crystal wafer and process for producing the same

Номер патента: US20200312656A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of forming a layer of silicon carbide on a silicon wafer

Номер патента: US20070101928A1. Автор: Andre Leycuras. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2007-05-10.

Conformal deposition of silicon carbide films

Номер патента: US11894227B2. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Conformal deposition of silicon carbide films

Номер патента: US20240145234A1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Dry etching of silicon carbide

Номер патента: CA1329167C. Автор: John W. Palmour. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1994-05-03.

Doped or undoped silicon carbide deposition and remote hydrogen plasma exposure for gapfill

Номер патента: US11848199B2. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Guangbi Yuan,Ieva Narkeviciute. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Manufacturing method of silicon carbide wafer, silicon carbide wafer and system for manufacturing wafer

Номер патента: US20220219354A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Jung Woo Choi,Kap-Ryeol KU,Jung Doo Seo. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Manufacturing method of silicon carbide wafer, silicon carbide wafer and system for manufacturing wafer

Номер патента: US11969917B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Jung Woo Choi,Kap-Ryeol KU,Jung Doo Seo. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Doped or undoped silicon carbide deposition and remote hydrogen plasma exposure for gapfill

Номер патента: US20220238334A1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Guangbi Yuan,Ieva Narkeviciute. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Doped or undoped silicon carbide deposition and remote hydrogen plasma exposure for gapfill

Номер патента: US20240063015A1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Guangbi Yuan,Ieva Narkeviciute. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Alternative methods for fabrication of substrates and heterostructures made of silicon compounds and alloys

Номер патента: US20050287770A1. Автор: Mohamed-Ali Hasan. Владелец: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHARLOTTE. Дата публикации: 2005-12-29.

Silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US9255344B2. Автор: Shin Harada,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: EP4449478A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Method for cvd deposition of n-type doped silicon carbide and epitaxial reactor

Номер патента: EP4211289A1. Автор: Silvio PRETI,Gianluca Cividini. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2023-07-19.

Method for cvd deposition of n-type doped silicon carbide and epitaxial reactor

Номер патента: US20230313410A1. Автор: Silvio PRETI,Gianluca Cividini. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2023-10-05.

Low temperature silicon carbide deposition process

Номер патента: WO2012039833A3. Автор: David Thompson. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-05-10.

Method for manufacturing a silicon-carbide-based semiconductor structure and intermediate composite structure

Номер патента: US20240145294A1. Автор: Gweltaz Gaudin,Hugo BIARD. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130196494A1. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Systems and methods for growth of silicon carbide over a layer comprising graphene and/or hexagonal boron nitride and related articles

Номер патента: US20240153763A1. Автор: Rachael L. Myers-Ward,David Kurt Gaskill,Takuji Maekawa,Jeehwan Kim,Wei Kong,Noriyuki Masago,Kuan Qiao. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-05-09.

Systems and methods for growth of silicon carbide over a layer comprising graphene and/or hexagonal boron nitride and related articles

Номер патента: WO2019246515A1. Автор: Rachael L. Myers-Ward,David Kurt Gaskill,Takuji Maekawa,Jeehwan Kim,Wei Kong,Noriyuki Masago,Kuan Qiao. Владелец: The Government of the United State of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2019-12-26.

Systems and methods for growth of silicon carbide over a layer comprising graphene and/or hexagonal boron nitride and related articles

Номер патента: WO2019246515A8. Автор: Rachael L. Myers-Ward,David Kurt Gaskill,Takuji Maekawa,Jeehwan Kim,Wei Kong,Noriyuki Masago,Kuan Qiao. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-02-20.

Production of silicon carbide epitaxial wafers

Номер патента: SE546355C2. Автор: Johan Ekman. Владелец: Kiselkarbid I Stockholm Ab. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for structuring silicon carbide

Номер патента: US4735920A. Автор: Dietrich Stephani,Peter Lanig,Guenther Ziegler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-04-05.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for producing such wafer, and semiconductor device formed on such wafer

Номер патента: EP1657740A1. Автор: Kazutoshi Nat. Inst. Adv. Ind. Scie. Tech KOJIMA,Satoshi Nat. Inst. Adv. Ind. Scie. Tech. KURODA,Hajime Nat. Inst. Adv. Ind. Scie. Tech. OKUMURA. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2006-05-17.

Porous silicon carbide (SiC) semiconductor device

Номер патента: US5298767A. Автор: Anthony D. Kurtz,Joseph S. Shor. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 1994-03-29.

Method for Producing a Nitrogen-Free Layer Comprising Silicon Carbide

Номер патента: US20200303584A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber. Владелец: PSC Technologies GmbH. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: EP3802913A1. Автор: Madhukar B. Rao,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-04-14.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: WO2019241183A1. Автор: Madhukar B. Rao,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-12-19.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: WO2023114132A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-06-22.

Production of silicon carbide epitaxial wafers

Номер патента: WO2024117953A1. Автор: Johan Ekman. Владелец: Kiselkarbid I Stockholm Ab. Дата публикации: 2024-06-06.

Composite silicon carbide substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP4411788A1. Автор: Chao Guo,Fengwen MU. Владелец: Tj Innovative Semiconductor Substrate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of manufacturing silicon carbide structure

Номер патента: US8865519B2. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Method for oxidizing a silicon carbide based on microwave plasma at an ac voltage

Номер патента: US20200152451A1. Автор: HONG Chen,Yun Bai,Xinyu Liu,Xiaoli Tian,Yidan TANG,Chengyue Yang,Shengkai WANG,Zhonglin Han. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for producing polycrystalline silicon carbide substrate

Номер патента: EP4421220A1. Автор: Kuniaki Yagi. Владелец: Sicoxs Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Silicon carbide power devices integrated with silicon logic devices

Номер патента: US20240105700A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide composite wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4095291A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Silicon carbide composite wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384385A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

High-resistance resistor based on silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317770A1. Автор: Kun Hu,Yuan Tian,Guohui Li,Bingshe Xu,Yanxia CUI,Yuying XI. Владелец: Institute Of New Materials And Chemical Engineering Zhejiang University Shanxi. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US09631296B2. Автор: Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi,Tsutomu Hori,Naoki Ooi,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Composite body comprising silicon carbide and method for producing same

Номер патента: US20240149565A1. Автор: Hideki Takagi,Hitoshi Umezawa,Yuuichi KURASHIMA,Eiji Higurashi,Takashi MATSUMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Electronic devices comprising silicon carbide materials

Номер патента: US20240332002A1. Автор: Santanu Sarkar,Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US09777404B2. Автор: Keiji Wada,Jun Genba,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming hexagonal silicon phase by implanting krypton ions in a film of silicon oxide on a monocrystalline silicon wafer

Номер патента: RU2710479C1. Автор: Давид Исаакович Тетельбаум,Алексей Николаевич Михайлов,Дмитрий Сергеевич Королев,Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин,Валерий Константинович Васильев,Алёна Андреевна Никольская. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-12-26.

Silicon carbide substrate manufacturing method, silicon carbide substrate, and method of removing strain layer introduced into silicon carbide substrate by laser processing

Номер патента: EP4137619A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2023-02-22.

Method of preparing a silicon carbide wafer

Номер патента: EP4214741A2. Автор: Michael Cooke,Andrew Newton,Samantha MAZZAMUTO,Matthew LOVEDAY. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Single-crystal silicon carbide and single-crystal silicon carbide wafer

Номер патента: US09777403B2. Автор: Tatsuo Fujimoto,Hiroshi Tsuge,Masakazu Katsuno,Masashi Nakabayashi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of depositing an alpha-silicon-carbide-containing film at low temperature

Номер патента: US09546420B1. Автор: Scott D. Habermehl. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of forming trenches in monocrystalline silicon carbide

Номер патента: US5436174A. Автор: Bantval J. Baliga,Dev Alok. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1995-07-25.

Method of producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20190194818A1. Автор: Takahiro IGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-06-27.

Silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US11984480B2. Автор: Taro Nishiguchi,Tsutomu Hori,Taro Enokizono. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Fabricating a silicon carbide and nitride structures on a carrier substrate

Номер патента: AU2021201807A1. Автор: Daniel Yap,Edward H. CHEN,Samuel J. Whiteley,Danny M. Kim,Thaddeus D. Ladd. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-12-02.

Silicon carbide structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168697A1. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for forming an interface free layer of silicon on a substrate of monocrystalline silicon

Номер патента: US20030060028A1. Автор: Giuseppe Ferla,Peter Ward,Simona Lorenti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-03-27.

Self-aligned shielding of silicon oxide

Номер патента: US09859128B2. Автор: Fei Wang,Mikhail Korolik,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for non-damaging surface mounting of silicon crystals and a3b5 type crystals by using shs foil deposited in form of metallizing multilayer nanostructured coating on surface of these crystals

Номер патента: RU2753171C1. Автор: Ольга Евгеньевна Квашенкина,Павел Гарифович Габдуллин,Владислав Евгеньевич Бабюк. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2021-08-12.

Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same

Номер патента: MY127699A. Автор: Helmut Hagleitner,David B Slater Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-12-29.

Method of making a hybride substrate having a thin silicon carbide membrane layer

Номер патента: US6699770B2. Автор: John Tarje Torvik. Владелец: Astralux Inc. Дата публикации: 2004-03-02.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and power converter

Номер патента: US20200321437A1. Автор: Masashi Sakai,Yoichiro Mitani,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Fabricating a silicon carbide and nitride structures on a carrier substrate

Номер патента: US20210358747A1. Автор: Daniel Yap,Edward H. CHEN,Samuel J. Whiteley,Danny M. Kim,Thaddeus D. Ladd. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-11-18.

Fabricating a silicon carbide and nitride structures on a carrier substrate

Номер патента: CA3113032A1. Автор: Daniel Yap,Edward H. CHEN,Samuel J. Whiteley,Danny M. Kim,Thaddeus D. Ladd. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-11-14.

Part including silicon carbide layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230068125A1. Автор: Ji-Hoon Lee,Nam-Ju Kim,In-Su Hwang,Bun-Hei Koo,Jong-hwa WEON,Myung-jin KO,Hyeon-jun CHO. Владелец: Knj Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for improving inversion layer mobility in a silicon carbide metal-oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: EP1430518A2. Автор: Richard Intern. Octrooibureau BV EGLOFF,Satyendranath Intern. Octrooibureau BV MUKHERJEE,Dev Intern. Octrooibureau BV ALOK,Emil Intern. Octrooibureau BV ARNOLD. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-23.

Epitaxial growth method for silicon carbide

Номер патента: US20180266012A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-09-20.

Silicon carbide wafer and method of manufacturing same

Номер патента: US12037704B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Silicon implantation in substrates and provision of silicon precursor compositions therefor

Номер патента: EP3033765A1. Автор: Ying Tang,Tianniu Chen,Robert Kaim,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Richard S. Ray,James J. Mayer. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2016-06-22.

Method of fabricating silicon carbide ingot

Номер патента: US20240271322A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332011A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439630A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US12104278B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for producing epitaxial silicon carbide wafer

Номер патента: US09957639B2. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Self-aligned shielding of silicon oxide

Номер патента: US09875907B2. Автор: Fei Wang,Mikhail Korolik,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Silicon carbide semiconductor device manufacturing method and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09418840B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Yoshiyuki Yonezawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US09799735B2. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20150010726A1. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Silicon carbide substrate, silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130092956A1. Автор: Keiji Ishibashi,Tsutomu Hori,Yu Saitoh,Kosuke Uchida,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20160155808A1. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

On-chip integrated silicon carbide pressure and temperature sensors

Номер патента: US12044585B1. Автор: Robert S. Okojie. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2024-07-23.

High temperature transducer using SOI, silicon carbide or gallium nitride electronics

Номер патента: US09915578B2. Автор: Anthony D. Kurtz,Wolf S. Landmann,Alexander A. Ned,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP1428268A1. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-06-16.

Manufacturing methods for large area silicon carbide devices

Номер патента: EP1428268B1. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Silicon carbide single crystal wafer, crystal, preparation methods therefor, and semiconductor device

Номер патента: US20230053509A1. Автор: FAN YANG,Jian Yang,Yu Guo,Ping Zhang,BO Wang,Yu Zou,Ning Zhao,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP1444729A2. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-08-11.

Manufacturing method and apparatus for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer

Номер патента: US09564315B1. Автор: Takahiro Yamamoto,Yasuhiro Kimura,Masashi Sakai,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno,Takuma Mizobe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US12091772B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of producing different types of silicon carbide surface morphology

Номер патента: RU2724142C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов,Андрей Валерьевич Желаннов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-06-22.

Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices

Номер патента: CA2962602C. Автор: Ashish P. Diwanji,Andrew R. Hopkins,Walter J. Sherwood,Douglas M. Dukes,Mark S. Land,Brian L. Benac,Glenn Sandgren. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP1444729B1. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-02-23.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: US09771665B2. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2017-09-26.

Silicon carbide powder and method of preparing the same using a hydrophobic spherical silica aerogel

Номер патента: US20190256360A1. Автор: Je Kyun Lee,Young Hun Kim,Kyoung Jin Lee,Hae Jin Hwang. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2019-08-22.

Metal-silicon carbide-based composite material, and method for producing metal-silicon carbide-based composite material

Номер патента: EP3823017A1. Автор: Hiroaki Ota,Daisuke Goto. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Method for evaluating crystal defects of silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: EP4310893A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Method of calculating thickness of graphene layer and method of measuring content of silicon carbide by using xps

Номер патента: EP3916348A1. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-01.

Method of calculating thickness of graphene layer and method of measuring content of silicon carbide by using xps

Номер патента: US20240151522A1. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of producing high quality silicon carbide crystal in a seeded growth system

Номер патента: US09790619B2. Автор: Valeri F. Tsvetkov,Adrian Powell,Robert Tyler Leonard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming microcrystalline silicon-containing silicon carbide film

Номер патента: US5021103A. Автор: Yoshihiro Hamakawa,Hiroaki Okamoto,Yutaka Hattori. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1991-06-04.

Silicon carbide junction diode

Номер патента: US3767980A. Автор: G Kamath. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1973-10-23.

Silicon carbide structure and method of producing the same

Номер патента: US20130292704A1. Автор: Norihide Imagawa. Владелец: Tis and Partners Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Method and device for preferential etching of dislocation of silicon carbide wafer

Номер патента: US11784038B2. Автор: Jiajun Li,Rong Wang,Deren Yang,Xiaodong Pi. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-10-10.

Manufacturing method of silicon carbide thin film for transparent solar cell

Номер патента: US20240120433A1. Автор: Jae Kwang YOON,Chan Uk JON,Jun Yong Bak. Владелец: ARCHE Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Sublimation growth of silicon carbide crystals

Номер патента: EP1143493A2. Автор: Charles Eric Hunter,Robert F. Davis,Calvin H. Carter Jr.. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2001-10-10.

Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity

Номер патента: CA1267915A. Автор: Wolfgang D.G. Boecker,Laurence N. Hailey,Carl H. Mcmurtry. Владелец: Stemcor Corp. Дата публикации: 1990-04-17.

Silicon carbide carrier for wafer processing and method for making same

Номер патента: US5776391A. Автор: Thomas Sibley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-07-07.

High-sensitivity temperature sensor in which silicon carbide can be integrated

Номер патента: EP4322209A1. Автор: Wei Gao,Hang GU,Maozhou DAI. Владелец: Novus Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Light emitting diode having silicon carbide layers

Номер патента: US4531142A. Автор: Guenther Ziegler,Ludwig Hoffmann,Claus Weyrich,Dietmar Theis. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1985-07-23.

Silicon carbide electrical insulator material of low dielectric constant

Номер патента: US4544642A. Автор: Kunihiro Maeda,Tadahiko Miyoshi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-10-01.

Powdery silicon carbide composition for sintering

Номер патента: CA1213293A. Автор: Osamu Asai,Kunihiro Maeda,Yukio Takeda,Katsuhisa Usami,Satoru Ogihara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-10-28.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: WO2015035465A1. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2015-03-19.

Method for controlling etching tool

Номер патента: US20230359172A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of calculating thickness of graphene layer and method of measuring content of silicon carbide by using XPS

Номер патента: US11906291B2. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240055375A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Compositions comprising silacycloalkanes and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: EP3990676A1. Автор: XINJIAN LEI,Ming Li,Raymond Nicholas Vrtis,Manchao Xiao,Robert Gordon Ridgeway. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-05-04.

Silicon carbide-tantalum carbide composite and susceptor

Номер патента: US09764992B2. Автор: Masato Shinohara. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: EP4212480A2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: US20230203707A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Silicon carbide-based full-spectrum-responsive photodetector and method for producing same

Номер патента: US11710801B2. Автор: Yuan Tian,Guohui Li,Yanxia CUI,Yaping FAN,Xianyong YAN. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-25.

Integrated silicon carbide ultraviolet sensors and methods

Номер патента: US11031513B1. Автор: Matthew Francis,James A. Holmes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-08.

Black silicon carbide ceramic based thermoelectric photodetector, optical power meter and optical energy meter

Номер патента: US20220412806A1. Автор: Delong LI. Владелец: Shandong Xinyuan Photoelectric Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Wafer base for silicon carbide semiconductor devices, incorporating alloy substrates

Номер патента: US5043773A. Автор: Walter Precht,Richard Koba,Donald Kupp,Delwyn Cummings. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-08-27.

Etching method of material on basis of silicon with formation of silicon columns and lithium rechargeable battery with anode made from material etched with use of this method

Номер патента: RU2429553C2. Автор: Майно ГРИН,Фенгминг ЛИУ. Владелец: Нексеон Лтд.. Дата публикации: 2011-09-20.

Method and apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal, and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20220112623A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: EP4212480A3. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Method for measuring thickness of silicon epitaxial layer

Номер патента: US20240282646A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Jiaqi Hong. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon carbide interconnect for semiconductor components and method of fabrication

Номер патента: US20030143764A1. Автор: Salman Akram,Alan Wood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Improvements relating to Silicon Carbide Crystals

Номер патента: GB1182634A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1970-02-25.

Silicon carbide seed crystal and method of manufacturing silicon carbide ingot

Номер патента: US11821105B2. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Heat treatment environment evaluation method and silicon carbide substrate

Номер патента: US20240020814A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Heat treatment environment evaluation method and silicon carbide substrate

Номер патента: EP4239112A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Silicon carbide single-crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing them

Номер патента: US09896781B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Bonded silicon carbide parts in a plasma reactor

Номер патента: US5910221A. Автор: Robert W. Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-06-08.

Methods of adjusting carbon and silica content in rice hull ash (rha) byproducts to control carbothermal reduction forming nanostructured silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride nanocomposites

Номер патента: EP4399180A1. Автор: Richard Laine,Mengjie Yu,Eleni TEMECHE. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-07-17.

Method of manufacture of homodispersed silicon carbide - derived carbon composites

Номер патента: WO2012035424A1. Автор: Jaan Leis,Mati Arulepp. Владелец: OÛ SKELETON TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2012-03-22.

Polycrystalline silicon carbide with increased conductivity

Номер патента: CA1069292A. Автор: Svante Prochazka. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1980-01-08.

Surface modification of silicon particles for electrochemical storage

Номер патента: US20200227738A1. Автор: Wei Wang,Benjamin Yong Park,Ian Russell Browne. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Surface Modification of Silicon Particles for Electrochemical Storage

Номер патента: US20230387393A1. Автор: Wei Wang,Benjamin Yong Park,Ian Browne. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Surface Modification of Silicon Particles for Electrochemical Storage

Номер патента: US20220352506A1. Автор: Wei Wang,Benjamin Yong Park,Ian Browne. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Surface modification of silicon particles for electrochemical storage

Номер патента: US20220085356A9. Автор: Wei Wang,Benjamin Yong Park,Ian Russell Browne. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Silicon carbide junction thermistor

Номер патента: US3832668A. Автор: H Berman. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1974-08-27.

Process for preparing semiconducting silicon carbide sintered body

Номер патента: US4209474A. Автор: Svante Prochazka. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1980-06-24.

Electromagnetic wave absorbers of silicon carbide fibers

Номер патента: US4726980A. Автор: Haruo Teranishi,Hiroshi Ichikawa,Toshikatsu Ishikawa,Kenji Ushikoshi. Владелец: Nippon Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1988-02-23.

Electric resistor having a resistance body of silicon carbide and a negative temperature coefficient

Номер патента: CA1081450A. Автор: Gerrit Verspui,Wilhelmus F. Knippenberg,Siegfried H. Hagen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-07-15.

Homogeneous silicon carbide material, electrode plate, and battery

Номер патента: US20240145678A1. Автор: HUI Wang,Chunyang Liu,Suli LI,Jiachen Xue. Владелец: Zhuhai Cosmx Battery Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Silicon pole plate and preparation method therefor, use of silicon in fuel cell, fuel cell stack structure, fuel cell and use thereof

Номер патента: EP3806215A1. Автор: Zhengrong Shi,Jingbing ZHU. Владелец: Sunland Shanghai Investment Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Silicon pole plate and preparation method therefor, use of silicon in fuel cell, fuel cell stack structure, fuel cell and use thereof

Номер патента: AU2018426555A1. Автор: Zhengrong Shi,Jingbing ZHU. Владелец: Sunland Shanghai Invest Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Silicon plate, application of silicon to fuel cell, and fuel cell stack structure

Номер патента: US20210151778A1. Автор: Zhengrong Shi,Jingbing ZHU. Владелец: Sunland Shanghai Investment Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Method And System For Silicon-Dominant Lithium-Ion Cells With Controlled Utilization of Silicon

Номер патента: US20240154086A1. Автор: Benjamin Park,Sung Won Choi,Ian Browne,Fred Bonhomme. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method and system for silicon-dominant lithium-ion cells with controlled utilization of silicon

Номер патента: EP4042497A1. Автор: Benjamin Park,Sung Won Choi,Ian Browne,Fred Bonhomme. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2022-08-17.

Method and system for silicon-dominant lithium-ion cells with controlled utilization of silicon

Номер патента: WO2021071695A1. Автор: Benjamin Park,Sung Won Choi,Ian Browne,Fred Bonhomme. Владелец: ENEVATE CORPORATION. Дата публикации: 2021-04-15.

Silicon pole plate and preparation method therefor, use of silicon in fuel cell, fuel cell stack structure, fuel cell and use thereof

Номер патента: AU2018426555B2. Автор: Zhengrong Shi,Jingbing ZHU. Владелец: H2lab Pte Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

A kind of magnetic-like linear silicon carbide and preparation method and application thereof

Номер патента: NL2034109A. Автор: Zhang Rui,WANG Hailong,Guan Li,Zhang Xinyue,Fan Bingbing,Wang Xiangli,Gao Qiancheng,Hao Wending. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2023-05-15.

A kind of magnetic-like linear silicon carbide and preparation method and application thereof

Номер патента: NL2034109B1. Автор: Zhang Rui,WANG Hailong,Guan Li,Zhang Xinyue,Fan Bingbing,Wang Xiangli,Gao Qiancheng,Hao Wending. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2023-12-08.

Silicon carbide matrix composite material, process for producing the same and process for producing part of silicon carbide matrix composite material

Номер патента: US8568650B2. Автор: Tsuneji Kameda,Yoshiyasu Itoh,Shoko Suyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-29.

Thermal management in electric machines using near net shape formation of silicon carbide potting material

Номер патента: US20240275246A1. Автор: Bahram Jadidian,Mahdi Mohajeri,Mehrad MEHR. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Thermal management in electric machines using near net shape formation of silicon carbide potting material

Номер патента: EP4415231A1. Автор: Bahram Jadidian,Mahdi Mohajeri,Mehrad MEHR. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Silicon carbide shapes resistance heater elements

Номер патента: CA1058673A. Автор: Frank J. Hierholzer (Jr.),John A. Ancona,Gerald L. Shelton. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 1979-07-17.

Method of making silicon carbide

Номер патента: GB1003061A. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1965-09-02.

Process for the production of silicon carbide

Номер патента: CA1082422A. Автор: Giorgio Ferrazzini,Giovanni Nizzola,Sergio Lanini,Otto Troendle. Владелец: Lonza AG. Дата публикации: 1980-07-29.

Domed arcuate silicon carbide manufacturing plant

Номер патента: CA1188352A. Автор: James D. Phillips. Владелец: Dresser Industries Inc. Дата публикации: 1985-06-04.

Process for producing a conductive sintered body based on silicon carbide

Номер патента: MY113141A. Автор: SCHMIDT Helmut,Aslan Mesut,Nab Rudiger. Владелец: Institut Fur Neue Mat Gemeinnutzige Gmbh. Дата публикации: 2001-11-30.

Method for processing multiple pieces of SIM information and electronic device thereof

Номер патента: US09860738B2. Автор: Jin-Woo Lee,Jong-Phil Lee,Dae-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of producing a conductive silicon carbide-based sintered compact

Номер патента: AU7288596A. Автор: Helmut Schmidt,Mesut Aslan,Rüdiger Nass. Владелец: Leibniz Institut fuer Neue Materialien Gemeinnuetzige GmbH. Дата публикации: 1997-04-30.

Black silicon carbide ceramic based thermoelectric photodetector, optical power meter and optical energy meter

Номер патента: EP4113079A1. Автор: Delong LI. Владелец: Shandong Xinyuan Photoelectric Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Method of producing silicon carbide sintered body for heater

Номер патента: US20070117722A1. Автор: Toshikazu Shinogaya,Fumio Odaka,Mari Miyano. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Piezoelectric single crystal silicon carbide microelectromechanical resonators

Номер патента: US20190305749A1. Автор: Raviv Perahia,Logan D. Sorenson,Lian X. Huang,Jeremy BREGMAN. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2019-10-03.

Motor drive with silicon carbide MOSFET switches

Номер патента: US09787212B2. Автор: Lixiang Wei,Neil Gollhardt,Kevin Baumann,William Brumsickle,Rangarajan Tallam,Richard Lukaszewski,Navid R. Zargari,Lee Gettelfinger,Stephen E. Denning,Garron Morris,Bruce Weiss,Robert Wright Reese. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Use of media storage structure with multiple pieces of content in a content-distribution system

Номер патента: EP1777639A1. Автор: Augustin J. Farrugia,Thomas Dowdy,Gianpaolo Fasoli. Владелец: Apple Computer Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Fuel ignitor comprising a novel silicon carbide composition and process for preparing the composition

Номер патента: CA1102103A. Автор: James A. Hirsch,Martin R. Kasprzyk,Charles J. Boos,Elwood B. Hausler,Elmer G. Smith. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1981-06-02.

Use of media storage structure with multiple pieces of content in a content-distribution system

Номер патента: CA2625360C. Автор: Augustin J. Farrugia,Thomas Dowdy,Gianpaolo Fasoli. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-12-09.

Use of media storage structure with multiple pieces of content

Номер патента: EP3118759A1. Автор: Augustin J. Farrugia,Thomas Dowdy,Gianpaolo Fasoli. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-01-18.

Use of media storage structure with multiple pieces of content in a content-distribution system

Номер патента: EP2528008A2. Автор: Augustin J. Farrugia,Thomas Dowdy,Gianpaolo Fasoli. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2012-11-28.

Circuit board with a substrate made of silicon

Номер патента: US20190191555A1. Автор: Wen Yao Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-20.

Composition of coating to extend surface life of silicon carbide electric heaters

Номер патента: RU2049761C1. Автор: А.В. Иванов,Б.И. Поляк,к Б.И. Пол,В.А. Науменко,Н.П. Талакуев,В.Е. Сотников,А.Л. Юрков. Владелец: Юрков Андрей Львович. Дата публикации: 1995-12-10.

Method of producing structural ceramic material based on silicon carbide for articles of complex geometry

Номер патента: RU2739774C1. Автор: Алексей Владимирович Красиков,Михаил Александрович Марков,Павел Алексеевич Кузнецов,Евгений Александрович Самоделкин,Алина Дмитриевна Быкова,Михаил Валерьевич Хроменков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ЦНИИ КМ "Прометей"). Дата публикации: 2020-12-28.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Method for modification of silicon carbide

Номер патента: RU2600065C1. Автор: Виктор Федорович Каблов,Виталий Сергеевич Лифанов,Вера Павловна Шабанова,Никита Викторович Писарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2016-10-20.

Article with silicon carbide coating and method for manufacturing of article with silicon carbide coating

Номер патента: RU2684128C1. Автор: Алексей Викторович Редьков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Александр Сергеевич Гращенко,Генадий Викторович Святец,Сергей Дмитриевич Федотов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-04.

Composition for bonding ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2604530C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-12-10.

Method of applying gas-tight coating of silicon carbide

Номер патента: RU2601049C1. Автор: Владимир Николаевич Курлов,Ирина Алексеевна Шикунова,Сергей Леонидович Шикунов,Антон Евгеньевич Ершов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2016-10-27.

Silicon carbide powder and method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09816200B2. Автор: Masakazu Suzuki,Hideaki Tanaka,Tomohisa Kato,Kiyoshi Nonaka,Kenta Masuda,Kouki Ichitsubo. Владелец: Taiheiyo Cement Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method and device for manufacturing silicon carbide single-crystal

Номер патента: US20130239881A1. Автор: Shin Harada,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for production of silicon carbide

Номер патента: RU2747988C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2021-05-18.

Charge for production of silicon carbide

Номер патента: RU2673821C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2018-11-30.

A Method for Silicon Carbide Slip Casting and Sintering

Номер патента: LU102184B1. Автор: Changqing Li,Yansong Li,Baoliang Liu. Владелец: Univ Guangdong Petrochem Tech. Дата публикации: 2021-05-12.

Growth of ulta-high purity silicon carbide crystals in an ambient containing hydrogen

Номер патента: EP1664397A1. Автор: Valeri F. Tsvetkov,Hudson McDonald Hobgood,Jason Ronald Jenny,David Phillip Malta. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

Silicon carbide joint and metal penetration connection method therefor

Номер патента: EP4421053A1. Автор: Yongdong Zhang,Xiansheng ZHANG,Qisen REN,Yehong LIAO,Lixiang Wu,Jiaxiang XUE,Jianhan ZHAI. Владелец: China Nuclear Power Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286616C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Silicon carbide porous body, honeycomb structure, and electric heating type catalyst carrier

Номер патента: US09440225B2. Автор: Katsuhiro Inoue,Yoshimasa Kobayashi,Takahiro Tomita,Kiyoshi MATSUSHIMA. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20240110309A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same

Номер патента: EP1540048A1. Автор: Naoki c/o Showa Denko K.K. OYANAGI,Yasuyuki c/o Showa Denko K.K. SAKAGUCHI,Atsushi c/o Showa Denko K.K. TAKAGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-06-15.

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120073495A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Process for sintering silicon carbide

Номер патента: US09556073B2. Автор: Dale Adams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-31.

Seed material for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide, and method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon

Номер патента: US09447517B2. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Ingot, silicon carbide substrate, and method for producing ingot

Номер патента: US9546437B2. Автор: Makoto Sasaki,Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Silicon carbide monofilaments for improved composite properties and method

Номер патента: CA2001984A1. Автор: Raymond Loszewski. Владелец: Avco Corp. Дата публикации: 1990-05-28.

Systems and methods for producing silicon carbide powder

Номер патента: EP4378890A1. Автор: Bahram Jadidian,Mehrad MEHR. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Silicone carbide crystals and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200190693A1. Автор: Ching-Shan Lin,I-Ching Li,Chien-Cheng Liou,Jian-Hsin Lu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240337044A1. Автор: Takeshi Okamoto,Nobuyuki Oya,Akiyoshi HORIAI. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Crystalline silicon carbide fiber and method for manufacturing same, and ceramic composite substrate

Номер патента: US12060302B2. Автор: Hideki Ozawa,Hiroyuki Yamaoka,Yuusuke TOMINAGA,Kouichirou Suyama,Mao SUMINO. Владелец: Ube Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Device and method for the production of silicon carbide

Номер патента: AU2023214706A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber. Владелец: Yellow Sic Holding GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Semi-insulating silicon carbide crystalline ingot having a resistivity larger than 10∧7 Ohm-cm and manufacturing method therefor

Номер патента: US11041255B2. Автор: Ching-Shan Lin,I-Ching Li,Chien-Cheng Liou,Jian-Hsin Lu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: US20230183075A1. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2023-06-15.

Silicon nitride/silicon carbide nano-nano composites

Номер патента: US20040179969A1. Автор: Julin Wan,Amiya Mukherjee,Matthew Gasch. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-09-16.

Diamond-silicon carbide composite

Номер патента: US20050209089A1. Автор: JIANG Qian,Yusheng Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Process for producing silicon carbide

Номер патента: EP2297033A1. Автор: Ding Ma,Xinhe Bao,Lijun Gu,Wenjie Shen. Владелец: Dalian Institute of Chemical Physics of CAS. Дата публикации: 2011-03-23.

Method of producing textile silicon carbide materials

Номер патента: RU2694340C1. Автор: Елена Иннокентьевна Истомина,Павел Валентинович Истомин,Владислав Эвальдович Грасс,Александр Вениаминович Надуткин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Коми научного центра Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-07-11.

Silicon carbide element reinforced with continuous fibers, method of its production and structural element of nuclear reactor

Номер патента: RU2692765C1. Автор: Сёко СУЯМА,Масару УКАИ,Масаюки УТИХАСИ,Кадзуо КАКИУТИ,Хидеаки ХЕКИ. Владелец: Тосиба Энерджи Системс Энд Солюшнс Корпорейшн. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for preparation of charge for the production of silicon carbide

Номер патента: RU2771203C1. Автор: Олег Иванович Дошлов,Михаил Сергеевич Ковалев,Иван Олегович Дошлов,Никита Александрович Горяшин,Александр Андреевич Турусин,Юлия Сергеевна Лукьянова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ"). Дата публикации: 2022-04-28.

Method of producing silicon carbide

Номер патента: RU2689586C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2019-05-28.

Diffusion Bonded Silicon Carbide Having Iridium and Hermetic Silicon Carbide-Iridium Bonds

Номер патента: US20190329519A1. Автор: Brian V. Cockeram. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A3. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A9. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A2. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2021-12-02.

Diamond-silicon carbide composite and method for preparation thereof

Номер патента: US20040242399A1. Автор: JIANG Qian,Yusheng Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Method for removing layers of silicon carbide, as well as process and apparatus for cleaning epitaxial reactor components

Номер патента: EP4424868A1. Автор: Giovanni Franco,Maria Elena Fragala. Владелец: Universita degli Studi di Catania. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for removing layers of silicon carbide, as well as process and apparatus for cleaning epitaxial reactor components

Номер патента: US20240293850A1. Автор: Giovanni Franco,Maria Elena Fragala. Владелец: Catania, University of. Дата публикации: 2024-09-05.

Sealing method for silicon carbide parts used at high temperatures

Номер патента: US09702490B2. Автор: Nicolas Leblond,Mehrdad Mahmoudi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of producing silicon carbide refractories

Номер патента: RU2740392C1. Автор: Сергей Викторович Зайцев,Василий Степанович Бессмертный,Надежда Ивановна Бондаренко,Евгений Иванович Евтушенко,Владимир Анатольевич Дороганов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова". Дата публикации: 2021-01-13.

Sublimation method for growing silicon carbide monocrystals and silicon carbide source involved

Номер патента: RU2094547C1. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Евгений Николаевич Мохов,Юрий Александрович Водаков,Марк Григорьевич Рамм,Александр Дмитриевич Роенков,Сергей Юрьевич Карпов,Марк Спиридонович Рамм,Леонид Иосифович Темкин. Владелец: Леонид Иосифович Темкин. Дата публикации: 1997-10-27.

Mixture for producing silicon carbide for metallurgical production

Номер патента: RU2715828C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин,Иван Миронович Кашлев. Владелец: Иван Миронович Кашлев. Дата публикации: 2020-03-03.

Method of conducting material electrochemical deposition of silicon-carbon films

Номер патента: RU2676549C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2019-01-09.

Method for making a silicon carbide substrate

Номер патента: US4582561A. Автор: Takeshi Sakurai,Toshinori Ioku. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1986-04-15.

Method of electrochemical deposition of silicon-carbon films alloyed with atoms of transition metals on electroconductive materials

Номер патента: RU2711066C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2020-01-15.

High-temperature antioxidant coating for ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2601676C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-11-10.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20230279580A1. Автор: Takashi Kanemura,Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: CENTRAL RESEARCH INST OF ELECTRIC POWER IND. Дата публикации: 2023-09-07.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240191392A1. Автор: Takashi Kanemura,Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Production of bulk single crystals of silicon carbide

Номер патента: EP1129238A2. Автор: Charles Eric Hunter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2001-09-05.

Production of bulk single crystals of silicon carbide

Номер патента: AU1106600A. Автор: Charles Eric Hunter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2000-05-01.

Closing of micropipes in silicon carbide (SiC) using oxidized polysilicon techniques

Номер патента: US20030092242A1. Автор: Anthony Kurtz,Alexander Ned. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2003-05-15.

Product from silicon carbide, which is saturated with resin

Номер патента: RU2508517C1. Автор: Освин ЭТТИНГЕР,Маркус ФРАНЦ. Владелец: Сгл Карбон Се. Дата публикации: 2014-02-27.

Methods of fabricating silicon carbide crystals

Номер патента: US6706114B2. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-16.

Method for manufacturing silicone carbide bodies

Номер патента: CA1092793A. Автор: Wendel G. Brown. Владелец: Coors Porcelain Co. Дата публикации: 1981-01-06.

Method of manufacturing silicon carbide crystals

Номер патента: US3962406A. Автор: Gerrit Verspui,Wilhelmus Franciscus Knippenberg. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-06-08.

Growth of silicon carbide crystals on a seed while pulling silicon crystals from a melt

Номер патента: US4152194A. Автор: with respect to an invention of Frosch Robert A. Administrator of the National Aeronautics and Space Administration,Theodore F. Ciszek,Guenther H. Schwuttke. Владелец: Nasa. Дата публикации: 1979-05-01.

Composite material of silicon carbide and silicon and methods of producing

Номер патента: CA1158259A. Автор: Martin R. Kasprzyk,Douglas J. Mcdowell,Francis J. Frechette,Joseph S. Zanghi. Владелец: Kennecott Corp. Дата публикации: 1983-12-06.

Methods of fabricating silicon carbide crystals

Номер патента: US7135072B2. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

Recovery of silicon carbide whiskers from coked, converted rice hulls by froth flotation

Номер патента: US4293099A. Автор: William M. Goldberger,Bhupendra K. Parekh. Владелец: Silag A Inc. Дата публикации: 1981-10-06.

An abrasive aggregate including silicon carbide and a method of making same

Номер патента: WO2013003814A3. Автор: Guan Wang,Russell Krause,Yves Boussant-Roux. Владелец: SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

Epitaxial growth of silicon carbide and resulting silicon carbide structures

Номер патента: CA2205918C. Автор: Vladimir A. Dmitriev,Calvin H. Carter, Jr.,Svetlana V. Rendakova,Vladimir A. Ivantsov. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2002-01-29.

Vibratory grinding of silicon carbide

Номер патента: CA1276428C. Автор: Carl H. Mcmurtry,Tadeusz M. Korzekwa,Wolfgang D. G. Boecker. Владелец: Stemcor Corp. Дата публикации: 1990-11-20.

Composite material including silicon carbide and/or silicon nitride short fibers as reinforcing material and aluminum alloy with copper and relatively small amount of silicon as matrix metal

Номер патента: US4720434A. Автор: Masahiro Kubo,Atsuo Tanaka,Hidetoshi Hirai,Tadashi Dohnomoto. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1988-01-19.

Silicon carbide member

Номер патента: US5229193A. Автор: Michio Hayashi,Fukuji Matsumoto,Junji Madono. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1993-07-20.

Process for the production of molded bodies from silicon-infiltrated, reaction-bonded silicon carbide

Номер патента: CA1232121A. Автор: Gerhard Specht,Wolfgang Pollak,Michael Blecha. Владелец: CERAMTEC GMBH. Дата публикации: 1988-02-02.

Sintered silicon carbide/carbon composite ceramic body having ultrafine grain microstructure

Номер патента: CA1248975A. Автор: Wolfgang D.G. Boecker,George I. Reini. Владелец: Stemcor Corp. Дата публикации: 1989-01-17.

Boron carbide and silicon carbide armour

Номер патента: US11873257B2. Автор: Jerome Sant,Jérôme Brulin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2024-01-16.

Silicon carbide shapes resistance heater elements

Номер патента: CA1062891A. Автор: Frank J. Hierholzer (Jr.),John A. Ancona,Gerald L. Shelton. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 1979-09-25.

Carbon-silicon carbide composite material and method for the preparation thereof

Номер патента: US5326732A. Автор: Ichitaro Ogawa. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1994-07-05.

Cutting tool for aluminum workpieces having enhanced crater wear resistance

Номер патента: CA1305317C. Автор: Duane J. Schmatz,John S. Badgley,Charles O. Mchugh. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1992-07-21.

SUBMICRON .beta. SILICON CARBIDE POWDER AND SINTERED ARTICLES OF HIGH DENSITY PREPARED THEREFROM

Номер патента: CA1236853A. Автор: Frederick G. Stroke. Владелец: PPG Industries Inc. Дата публикации: 1988-05-17.

Method of producing a high density silicon carbide product

Номер патента: CA1124996A. Автор: Richard H. Smoak. Владелец: Kennecott Corp. Дата публикации: 1982-06-08.

Alumina-titanium carbide-silicon carbide composition

Номер патента: US5059564A. Автор: Pankaj K. Mehrotra,Elizabeth R. Billman. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 1991-10-22.

Manufacturing method of silicon carbide ingot

Номер патента: US11859306B2. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Plasma arc sintering of silicon carbide

Номер патента: CA1277487C. Автор: Viswanathan Venkateswaran,Jonathan J. Kim,Richard C. Phoenix. Владелец: Stemcor Corp. Дата публикации: 1990-12-11.

Production and sintering of reaction bonded silicon nitride composites containing silicon carbide whiskers or silicon nitride powders

Номер патента: US4919868A. Автор: Jow-Lay Huang. Владелец: Champion Spark Plug Co. Дата публикации: 1990-04-24.

Silicon carbide powder, method for manufacturing the same and method for manufacturing silicon carbide ingot using the same

Номер патента: US20240059570A1. Автор: Jong Hwi Park,Myung Ok Kyun. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Dense sintered material of silicon carbide with very low electrical resistivity

Номер патента: US20240208871A1. Автор: Giovanni Massasso,Costana BOUSQUET. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2024-06-27.

System For Producing Patterned Silicon Carbide Structures

Номер патента: US20120321854A1. Автор: Joel M. Therrien,Daniel F. SCHMIDT. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for the treatment of silicon carbide fibres

Номер патента: US09574299B2. Автор: Sylvie Loison,Jean Luc Laquet,Jean Philippe Rocher. Владелец: Herakles SA. Дата публикации: 2017-02-21.

Process and gear for production of monocrystals of silicon carbide by way of sublimation growing

Номер патента: RU2155829C2. Автор: ШТЕФАНИ Дитрих,ФЕЛЬКЛЬ Йоханнес. Владелец: Сименс АГ. Дата публикации: 2000-09-10.

Method of coating carbon filaments with silicon carbide

Номер патента: US4131697A. Автор: Jean-Louis R. G. Randon,Georges S. Slama. Владелец: Association pour la Recherche et le Developpement des Methodes et Processus Industriels. Дата публикации: 1978-12-26.

Method for obtaining a wear-resistant composite material based on silicon carbide

Номер патента: RU2759858C1. Автор: Петр Александрович Витязь,Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова,Владимир Анатольевич Осипов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2021-11-18.

Nanocrystalline diamond-structured carbon coating of silicon carbide

Номер патента: US20110076400A1. Автор: Olga Kryliouk,Sandeep Nijhawan,Jacob Grayson,Ronald Stevens,Brian H. Burrows,Yuriy Melnik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Method of anti-corrosive protection of silicon carbide products

Номер патента: CA1177228A. Автор: Zygmunt Morys,Felicjan Biolik. Владелец: BIURO PROJEKTOW PRZEMYSLU METALI NIEZELAZNYCH "BIPROMET". Дата публикации: 1984-11-06.

Silicon carbide beam as refractory in an open-arc furnace

Номер патента: US5058126A. Автор: Vishu D. Dosaj. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Producing a silicon carbide structure and multidirectional silicon carbide texture

Номер патента: US4325930A. Автор: Andre M. Vallet. Владелец: Societe Europeenne de Propulsion SEP SA. Дата публикации: 1982-04-20.

Improvements in or relating to a process and apparatus for siliconising shaped elements consisting of silicon carbide

Номер патента: GB727612A. Автор: . Владелец: Siemens Plania Werke AG. Дата публикации: 1955-04-06.

Method of production of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20060292057A1. Автор: Masateru Nakamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Ultrafine powder of silicon carbide, a method for the preparation thereof and a sintered body therefrom

Номер патента: US4571331A. Автор: Taishi Kobayashi,Minoru Takamizawa,Akira Hayashida,Tatsuhiko Hongu,Hiromi Ohsaki,Morinobu Endou,Nobuaki Urasato,Nichiro Suzuki,Takasi Toide. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1986-02-18.

Method of producing a high density silicon carbide product

Номер патента: US4237085A. Автор: Richard H. Smoak. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1980-12-02.

Composite powder comprising silicon nitride and silicon carbide

Номер патента: US5767025A. Автор: Hitoshi Toyoda,Yoshikatsu Higuchi,Kazumi Miyake,Kagehisa Hamazaki. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Recovery method of silicon slurry

Номер патента: US20100189622A1. Автор: Yi-Der Tai,Yen-Chih Lin,Teng-Yu Wang,C. W. Lan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2010-07-29.

Silicon carbide powder and production method thereof

Номер патента: US20230159339A1. Автор: Yuji Masuda,Mina Sato,Naoki Ushida. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Liquid phase sintered silicon carbide abrasive particles

Номер патента: US20140345204A1. Автор: Guan Wang,Yves Boussant-Roux. Владелец: SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2014-11-27.

Joining material and silicon carbide based honeycomb structure

Номер патента: US11767270B2. Автор: Keisuke Kimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Article containing silicon carbide as main component, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240158305A1. Автор: Motoki Okinaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Device for producing silicon carbide single crystals

Номер патента: US20230332327A1. Автор: Robert Ebner,Ghassan Barbar,Kanaparin Ariyawong,Chih-yung Hsiung. Владелец: EBNER INDUSTRIEOFENBAU GMBH. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon carbide powder and manufacturing method for same

Номер патента: US20230312353A1. Автор: Taira Otsu,Yuji Masuda,Mina Sato,Naoki Ushida,Takuya ISAYAMA,Haruna Inagaki,Naomi Ban. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Diffusion bonding of silicon carbide using iridium and hermetic silicon carbide-iridium bonds

Номер патента: US20180264770A1. Автор: Brian V. Cockeram. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2018-09-20.

Ingot, silicon carbide substrate, and method for producing ingot

Номер патента: US20140295171A1. Автор: Makoto Sasaki,Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Liquid phase sintered silicon carbide abrasive particles

Номер патента: EP2726248A2. Автор: Guan Wang,Yves Boussant-Roux. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2014-05-07.

Reaction-bonded silicon-carbide with in-situ formed silicon layer for optical finishing

Номер патента: EP4279470A1. Автор: Jiwen Wang,Nicholas Coombs,Mike Aghajanian,Jonathan COPPOLA,Kayano Corona. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Systems and methods for producing silicon carbide powder

Номер патента: US20240150250A1. Автор: Bahram Jadidian,Mehrad MEHR. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of making thermal-shock resistant molded articles on the basis of silicon carbide

Номер патента: US4514346A. Автор: Hartmut Luhleich,Francisco J. Dias. Владелец: Kernforschungsanlage Juelich GmbH. Дата публикации: 1985-04-30.

Silicon carbide articles reinforced with short graphite fibers

Номер патента: US6030913A. Автор: Udo Gruber,Michael Heine. Владелец: SGL Technik GmbH. Дата публикации: 2000-02-29.

Production of silicon carbide by carbonizing silica particles in residual oil

Номер патента: CA1330862C. Автор: Phillman N. Ho,Roy Tom Coyle. Владелец: Advanced Industrial Materials. Дата публикации: 1994-07-26.

Substantially pore-free sintered polycrystalline articles of α-silicon carbide, boron carbide and free carbon and process for their manufacture

Номер патента: US4524138A. Автор: Klaus Hunold,Karl A. Schwetz,Klaus Reinmuth,Franz Isemann. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1985-06-18.

Silicon carbide containing boron and nitrogen in solid solution

Номер патента: US3554717A. Автор: Peter T B Shaffer,Ellsworth D Whitney. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1971-01-12.

Method of producing an intermediate of silicon dioxide particles coated with carbon to be used in the production of silicon or silicon carbide

Номер патента: CA1156520A. Автор: Gert-Wilhelm Lask. Владелец: International Minerals and Chemical Luxembourg SA. Дата публикации: 1983-11-08.

Process for producing moldings from silicon-infiltrated¹silicon carbide

Номер патента: IE912809A1. Автор: . Владелец: Hoechst Ceram Tec Ag. Дата публикации: 1992-02-12.

Reaction-bonded silicon-carbide with in-situ formed silicon layer for optical finishing

Номер патента: US20230373871A1. Автор: Jiwen Wang,Nicholas Coombs,Mike Aghajanian,Jonathan COPPOLA,Kayano Corona. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Silicon carbide powder

Номер патента: EP4345064A1. Автор: Jong Hwi Park,Myung Ok Kyun. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Tire demounting tool for deep-dish wheel rims

Номер патента: US09434220B2. Автор: Roger Kliskey. Владелец: Summit Tool Co. Дата публикации: 2016-09-06.

Method to produce powders from silicon carbide nanoparticles coated with carbon coating

Номер патента: RU2609160C2. Автор: Анатолий Ильич Сапрыкин,Георгий Алексеевич Поздняков,Владимир Николаевич Яковлев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2017-01-30.

Method of production of silicon-carbide singe crystals

Номер патента: RU2157864C2. Автор: Рупп Роланд,ШТАЙН Рене,ФЕЛЬКЛ Йоханнес. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2000-10-20.

Method of electrochemical deposition of silicon-carbon films on dielectric substrates

Номер патента: RU2711072C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2020-01-15.

Method of making magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric

Номер патента: US5098541A. Автор: Arnold W. Funkenbusch. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1992-03-24.

Branched polysilahydrocarbon precursors for silicon carbide

Номер патента: CA1225511A. Автор: Thomas C. Williams,Curtis L. Schilling, Jr.. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1987-08-18.

Composites comprising silicon carbide fibers dispersed in magnesia-aluminate matrix and fabrication thereof and of other composites by sinter forging

Номер патента: US4871496A. Автор: Prakash C. Panda,Edgar R. Seydel,Rishi Raj. Владелец: Jupiter Technologies Inc. Дата публикации: 1989-10-03.

A composite body of silicon carbide and binderless carbon and process for producing

Номер патента: CA2480156C. Автор: Joseph F. Demendi,William R. Clemens,Xin E. Chen. Владелец: John Crane Inc. Дата публикации: 2008-12-23.

Vitrified bonded silicon carbide abrasive articles

Номер патента: GB764105A. Автор: . Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1956-12-19.

Hot pressed silicon carbide

Номер патента: US3853566A. Автор: S Prochazka. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1974-12-10.

Improvements in or relating to the manufacture of bodies comprising silicon carbide and/or a high melting transition metal silicide

Номер патента: GB983911A. Автор: . Владелец: Siemens Plania Werke AG. Дата публикации: 1965-02-17.

Magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric

Номер патента: US5158834A. Автор: Arnold W. Funkenbusch. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1992-10-27.

Hermetically sealed ultra high temperature silicon carbide pressure transducers and method for fabricating same

Номер патента: US6058782A. Автор: Anthony D. Kurtz,Alexander A. Ned. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Casting mold of grading with silicon carbide

Номер патента: US20150352630A1. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent Mclasky. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-12-10.

Manufacturing method of silicon carbide-based honeycomb structure

Номер патента: US20180265419A1. Автор: Shinya Yoshida,Yoshiyuki Kamei,Masato Shimada,Chikashi Ihara. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Diffusion bonded silicon carbide having iridium and hermetic silicon carbide-iridium bonds

Номер патента: US11110681B2. Автор: Brian V. Cockeram. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2021-09-07.

Splined shaft with silicon carbide fibres in matrix diffusion bonded to cavities in walls

Номер патента: GB2438633A8. Автор: Stephen John Kyle-Henney,Renny Neil Moss,David Philip Murgatroyd,Stephen Mark Flitcroft. Владелец: Tisics Ltd. Дата публикации: 1900-01-01.

Stripping Method and Stripping Device for Silicon Carbide Single Crystal Wafers

Номер патента: US20230076324A1. Автор: Rong Wang,Deren Yang,Wenhao Geng,Xiaodong Pi. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-03-09.

Synchronous growth method and device for multi-crucible silicon carbide crystal

Номер патента: EP4206367A1. Автор: Hongyu YANG,Jianming Chen,Yuanhui Zhou. Владелец: Suzhou Uking Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Process for the production of silicon carbide whiskers

Номер патента: US3778296A. Автор: E Thalmann,H Staub. Владелец: Lonza AG. Дата публикации: 1973-12-11.

Additive manufacturing of structural components on the basis of silicon carbide with embedded diamond particles

Номер патента: AU2019324479B2. Автор: Nikolaos Katsikis,Sarah Diener,Carsten Russner. Владелец: Kyocera Fineceramics Europe GmbH. Дата публикации: 2024-10-24.

Etching tool

Номер патента: RU2412061C1. Автор: Людмила Борисовна Казакова. Владелец: Розанова Наталия Борисовна. Дата публикации: 2011-02-20.

Sintered silicon carbide ceramic body

Номер патента: US4312954A. Автор: Carl H. Mcmurtry,John A. Coppola,Lawrence N. Hailey. Владелец: Kennecott Corp. Дата публикации: 1982-01-26.

Method for the preparation of silicon carbide whiskers

Номер патента: US4873069A. Автор: Samuel C. Weaver,Richard D. Nixdorf. Владелец: American Matrix Inc. Дата публикации: 1989-10-10.

High density hot pressed thermal shock resistant silicon carbide

Номер патента: CA1092615A. Автор: Carl H. Mcmurtry,John A. Coppola,Yorihiro Murata. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1980-12-30.

Process for the production of silicone carbide composite

Номер патента: US4453951A. Автор: John M. Ohno. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-06-12.

Magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric

Номер патента: US4917970A. Автор: Arnold W. Funkenbusch. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1990-04-17.

Method of forming a silicon carbide article - III

Номер патента: US4044110A. Автор: Hiroshi Sato,Jack E. Noakes,Leslie L. Terner. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1977-08-23.

Sialon-bonded silicon carbide refractory

Номер патента: US5521129A. Автор: Peter Schmitz,Diego Campos-Loriz,Martina Dierkes,Gary Dukes,James E. Funk, Jr.,Michael A. Lamkin. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1996-05-28.

Recovery Of Silicon And Silicon Carbide Powder From Kerf Loss Slurry Using Particle Phase-Transfer Method

Номер патента: US20100284885A1. Автор: Yi-Der Tai,Yen-Chih Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2010-11-11.

Porous silicon carbide

Номер патента: US5441799A. Автор: Dean P. Owens,Irving B. Ruppel. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1995-08-15.

Production of bulk single crystals of silicon carbide

Номер патента: CA2346290A1. Автор: Charles Eric Hunter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-04-20.

Composition, manufacturing and application of silicon nitride as biomaterial for medicinal purposes

Номер патента: RU2229313C2. Автор: Кент ОЛЬССОН,Ли ЙИАНГУО,Урбан ЛИНДГРЕН. Владелец: Биомат Систем Аб. Дата публикации: 2004-05-27.

Curable organopolysiloxanes filled with silicon carbide powders and highly densified sintered bodies therefrom

Номер патента: CA1337948C. Автор: Gary Thomas Burns,William Henry Atwell,Chandan Kumar Saha. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1996-01-16.

Starting composition for the production of silicon carbide and method of producing the same

Номер патента: US5070049A. Автор: Satoshi Takenaka,Toshikazu Amino. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 1991-12-03.

Boron carbride/silicon carbide ceramics

Номер патента: US5894066A. Автор: Inna G. Talmy,James A. Zaykoski. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1999-04-13.

Highly densified bodies from polysilanes filled with silicon carbide powders

Номер патента: CA1335016C. Автор: Gary T. Burns,William H. Atwell,Chandan K. Saha. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Process for the production of silicon carbide whiskers

Номер патента: GB1292422A. Автор: . Владелец: Lonza AG. Дата публикации: 1972-10-11.

Doped silicon carbide ceramic matrix composite

Номер патента: EP3693350A1. Автор: Ying She,Kathryn S. Read,Andrew J. Lazur. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2020-08-12.

Doped silicon carbide ceramic matrix composite

Номер патента: US20200255351A1. Автор: Ying She,Kathryn S. Read,Andrew J. Lazur. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Doped silicon carbide ceramic matrix composite

Номер патента: US20230373872A1. Автор: Ying She,Kathryn S. Read,Andrew J. Lazur. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Silicon Based Fusion Composition and Manufacturing Method of Silicon Carbide Single Crystal Using the Same

Номер патента: US20200010973A1. Автор: Chan Yeup Chung,Ho Rim Lee,Jung Min Ko,Manshik Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Process for manufacturing silicon carbide

Номер патента: US09802825B2. Автор: Simonpietro Di Pierro,Matthieu Schwartz,Bruno Aleonard. Владелец: Saint Gobain Ceramic Materials AS. Дата публикации: 2017-10-31.

Sinterable silicon carbide powders and sintered body produced therefrom

Номер патента: US4342837A. Автор: Hiroshige Suzuki,Teizo Hase. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-08-03.

Interaction method between pieces of equipment and user equipment

Номер патента: US09990047B2. Автор: Lin Du,NA Wei. Владелец: Beijing Zhigu Ruituo Technology Services Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Improvements in or relating to the manufacture of silicon nitride and oxynitride

Номер патента: GB1028977A. Автор: . Владелец: ERIC CAMPBELL SHEARS. Дата публикации: 1966-05-11.

Method for producing a silicon carbide coated clay

Номер патента: US4987011A. Автор: Camilla A. Rice. Владелец: ECC America Inc. Дата публикации: 1991-01-22.

Growth of colorless silicon carbide crystals

Номер патента: US5718760A. Автор: Robert C. Glass,Calvin H. Carter,Valeri F. Tsvetkov. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1998-02-17.

Hydrosilyl-modified polycarbosilane precursors for silicon carbide

Номер патента: US4608242A. Автор: Thomas C. Williams,Curtis L. Schilling, Jr.. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1986-08-26.

Preparation of silicon carbide fibers

Номер патента: GB2147891A. Автор: George Chia-Tsing Wei. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1985-05-22.

Silicon carbide whisker sheet composite

Номер патента: WO1983002295A1. Автор: Richfield Company Atlantic,Lewis A. Short,Ottis J. Horne. Владелец: Atlantic Richfield Co. Дата публикации: 1983-07-07.

Growth of colorless silicon carbide crystals

Номер патента: CA2244262A1. Автор: Robert C. Glass,Calvin H. Carter,Valeri F. Tsvetkov. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-08-07.

Zirconium metal matrix-silicon carbide composite nuclear reactor components

Номер патента: US4707330A. Автор: Harry M. Ferrari. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1987-11-17.

Toughened silicon carbide and method for making the same

Номер патента: US8003042B2. Автор: Raymond Ashton Cutler,Roger Marc FLINDERS,Darin Ray. Владелец: Ceramatec Inc. Дата публикации: 2011-08-23.

Production of silicon carbide

Номер патента: GB1134782A. Автор: Denis Cleaver,William Stanley Watson,Arnold Evans Coulthurst. Владелец: British Titan Products Co Ltd. Дата публикации: 1968-11-27.

Growth of colorless silicon carbide crystals

Номер патента: CA2244262C. Автор: Robert C. Glass,Calvin H. Carter,Valeri F. Tsvetkov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2007-12-04.

Semi-insulating silicon carbide without vanadium domination

Номер патента: CA2376564C. Автор: Mark Brady,Calvin H. Carter, Jr.,Valeri F. Tsvetkov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-11-03.

Deposition of silicon carbide

Номер патента: GB1373783A. Автор: . Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1974-11-13.

Branched polycarbosilanes and their use in the production of silicon carbide

Номер патента: CA1169628A. Автор: John P. Wesson,Thomas C. Williams,Curtis L. Schilling, Jr.. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1984-06-26.

Silicon carbide based dosimetry detector

Номер патента: US20230184964A1. Автор: Salvatore TUDISCO,Giada PETRINGA,Giuseppe Antonio Pablo CIRRONE. Владелец: Instituto Nazionale di Fisica Nucleare INFN. Дата публикации: 2023-06-15.

Rotary engine with housing having silicon carbide plate

Номер патента: CA3060734A1. Автор: David Gagnon-Martin,Bruno Villeneuve,Johnny Vinski,Sebastien Bolduc,Jean-Philippe Simoneau. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2020-06-20.

Method of strengthening silicon carbide coated boron filaments

Номер патента: US3698970A. Автор: Francis S Galasso,Bernarr A Jacob,Jane P Pinto. Владелец: United Aircraft Corp. Дата публикации: 1972-10-17.

Surface figuring of optical surfaces of silicon carbide by photoelectrochemical etching

Номер патента: WO1998044174A1. Автор: Douglas L. Hibbard. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 1998-10-08.

Stripping method and stripping device for silicon carbide single crystal wafers

Номер патента: US11827997B2. Автор: Rong Wang,Deren Yang,Wenhao Geng,Xiaodong Pi. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-11-28.

Silicon carbide-based dosimetry detector

Номер патента: EP4136481A1. Автор: Salvatore TUDISCO,Giada PETRINGA,Giuseppe Antonio Pablo CIRRONE. Владелец: Instituto Nazionale di Fisica Nucleare INFN. Дата публикации: 2023-02-22.

Silicon carbide-based dosimetry detector

Номер патента: WO2021209877A1. Автор: Salvatore TUDISCO,Giada PETRINGA,Giuseppe Antonio Pablo CIRRONE. Владелец: Istituto Nazionale di Fisica Nucleare (INFN). Дата публикации: 2021-10-21.

Rotary engine with housing having silicon carbide plate

Номер патента: US20200200009A1. Автор: Jean-Gabriel GAUVREAU,David Gagnon-Martin,Bruno Villeneuve,Johnny Vinski,Sebastien Bolduc,Jean-Philippe Simoneau. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Process for preparation of silicon carbide

Номер патента: AU5088390A. Автор: William G. Moore,Raymond P. Roach,Alan W. Weimer,William Rafaniello. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1990-08-13.

Device for growing single crystals, in particular single crystals of silicon carbide

Номер патента: US20230332330A1. Автор: Robert Ebner,Ghassan Barbar,Kanaparin Ariyawong,Chih-yung Hsiung. Владелец: EBNER INDUSTRIEOFENBAU GMBH. Дата публикации: 2023-10-19.

Method and apparatus for synchronous growth of silicon carbide crystals in multiple crucibles

Номер патента: US20230151511A1. Автор: Hongyu YANG,Jianming Chen,Yuanhui Zhou. Владелец: Suzhou Uking Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Flexible multiple piece mold assembly with interlocking seals for producing a comestible baked product in complex shapes

Номер патента: US09918481B1. Автор: Todd Lindsay Wirth,Fatimah Wirth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of making ceramics based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibres

Номер патента: RU2718682C2. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-04-13.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US20240254656A1. Автор: Hiroki Takaoka,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Silicon carbide powder comprising alpha phase silicon carbide granules of trimodal particle size distribution and low impurities

Номер патента: US09440859B2. Автор: Dong Geun Shin,Byung Sook Kim,Jung Eun Han,Kyoung Seok MIN. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of continuously producing powder of silicon compound useful as ceramics material

Номер патента: US4610864A. Автор: Hiroshi Ono,Kozo Nishino,Tohru Kuramoto,Toshiharu Miki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 1986-09-09.

Device for demountable arrangement of auxiliary facilities on surgical table

Номер патента: RU2430712C2. Автор: Ульрих ВИСЛУХА. Владелец: Маквет Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2011-10-10.

Method for obtaining silicon carbide

Номер патента: RU2767270C1. Автор: Владимир Николаевич Старовойтов,Виктор Юрьевич Пиирайнен,Кирилл Борисович ИГНАТЬЕВ. Владелец: Кирилл Борисович ИГНАТЬЕВ. Дата публикации: 2022-03-17.

Triso architecture for palladium and silicon carbide interaction mitigation

Номер патента: US20240062925A1. Автор: Richard A. Lowden,Tyler J. Gerczak,John D. Hunn. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Diamond-containing adhesive for joining reaction-bonded silicon-carbide parts

Номер патента: EP4365153A1. Автор: Glenn Evans,Sam Salamone,Sean Mcanany. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Cubic silicon carbide film manufacturing method, cubic silicon carbide film-attached substrate manufacturing method, and power device by use of the cubic silicon carbide film

Номер патента: US20150275394A1. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for generating multiple pieces of standard electrocardiogram data on basis of deep learning algorithm

Номер патента: EP4371487A1. Автор: Joon Myoung Kwon. Владелец: Medical AI Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: US20150018448A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-01-15.

Method of making composite articles from silicon carbide

Номер патента: US20200040449A1. Автор: William F Fischer, III,Walter Wrigglesworth, III,Lauren Montgomery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Apparatus for producing bulk silicon carbide

Номер патента: US20210087706A1. Автор: Santhanaraghavan Parthasarathy,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Silicon carbide seed crystal

Номер патента: US20240262084A1. Автор: Ray-Hua Horng,Ying-Ru Shih,Tsung-Po Chuang,Chai-Wei Ku. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: WO2015006025A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-01-15.

Method of preparing silicon carbide powder comprising converting a liquid SiC precursor to a B-phase SiC particulate material

Номер патента: US09551086B2. Автор: Kyoung Seok MIN. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Bulk silicon carbide having low defect density

Номер патента: US09512542B2. Автор: Parthasarathy Santhanaraghavan,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for producing oxide-silicon carbide cutting ceramics of new fraction

Номер патента: RU2748537C1. Автор: Анатолий Андреевич Рыжкин,Владимир Николаевич Пучкин,Илья Андреевич Туркин,Юлия Анатольевна Олейникова,Татьяна Владимировна Кащеева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-05-26.

Method of obtaining articles of complex shape based on reaction-bonded silicon carbide

Номер патента: RU2735471C1. Автор: Владимир Сергеевич Зайцев,Михаил Юрьевич Русин,Наталья Александровна Голубева,Андрей Олегович Забежайлов,Илья Геннадьевич Михайлов,Максим Геннадьевич Лисаченко,Любовь Александровна Соловьёва. Владелец: Акционерное общество «Обнинское научно-производственное предприятие «Технология» им. А.Г.Ромашина». Дата публикации: 2020-11-02.

Polymer composition for producing silicon carbide

Номер патента: RU2605257C1. Автор: Владимир Георгиевич Севастьянов,Николай Тимофеевич Кузнецов,Нелли Леонидовна Шембель,Игорь Дмитриевич Симонов-Емельянов,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет". Дата публикации: 2016-12-20.

Silicon carbide crystal expansion apparatus, silicon carbide crystal expansion method and silicon carbide crystal expansion process

Номер патента: US20240263345A1. Автор: Lei Fang,Min-Sheng Chu,Wei-Tse Hsu,Chi-Hang HUNG. Владелец: Winsheng Material Technology Wmt Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US12071709B2. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: EP3019318A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-05-18.

Method for manufacturing honeycomb structure containing silicon carbide

Номер патента: US12103856B2. Автор: Keisuke Kimura,Suguru KODAMA,Taku Nishigaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Silicon to silicon carbide conversion for ceramic matrix composite fabrication

Номер патента: US12054433B2. Автор: Jiping Zhang,Jonas Opperman,Austin TRAVIS,George JACOBSEN. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for the production of shaped articles from reaction-bonded, silicon-infiltrated silicon carbide and/or boron carbide and thus produced shaped body

Номер патента: US09695089B2. Автор: Arthur Lynen,Jens Larsen,Michael Clemens. Владелец: Schunk Ingenieurkeramik GmbH. Дата публикации: 2017-07-04.

Joint design for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor

Номер патента: US09446367B2. Автор: Michael V. Spangler,Walter J. Stupin,Matthew J. Miller,Gerald A. Zeininger,William J. Onstot. Владелец: REC SILICON INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon carbide sintered body and sliding component using the same, and protective body

Номер патента: US09388083B2. Автор: Kazuhiro Ishikawa,Mieko Yashima,Mami IIDA,Yuusaku Ishimine. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Method of coating silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2466116C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Себастьян ЛЮКА,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-10.

Complex steel oxidazer based on lumpy silicon carbide

Номер патента: RU2631570C2. Автор: Виктор Владимирович Алексенко. Владелец: ООО "НПК "КарбонГрупп". Дата публикации: 2017-09-25.

Method of depositing aluminium oxide coating on silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2468361C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ,Пьер БЕРТРАН,Себастьен ЛЮКА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-27.

Method of producing powder containing silicon carbide and aluminum nitride from natural coal ash

Номер патента: RU2731094C1. Автор: Геннадий Яковлевич Мамонтов,Владимир Евгеньевич Губин,Александр Яковлевич Пак,Юлия Захаровна Васильева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2020-08-28.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160340796A1. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Coloured silicon carbide

Номер патента: EP1268676A1. Автор: Adrian John Shortland. Владелец: Altro Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Pressed silicon carbide ceramic (sic) fluidic modules with integrated heat exchange

Номер патента: US20230219053A1. Автор: James Scott Sutherland,Alexander Lee CUNO,Howen LIM. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for producing silicon carbide sintered body

Номер патента: US20180282227A1. Автор: Hiroki Ishida,Hironori Takahashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Single-crystal silicon carbide wafer, single-crystal silicon carbide ingot, and single-crystal silicon carbide production method

Номер патента: EP4411029A1. Автор: Tomonori Umezaki,Gaku KONO,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Non-contaminating bonding material for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor

Номер патента: US09662628B2. Автор: Michael V. Spangler,Barry Wemp,Matthew J. Miller,Sefa Yilmaz,Stein Julsrud. Владелец: REC SILICON INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Pressed silicon carbide ceramic (sic) fluidic modules with integrated heat exchange

Номер патента: WO2022005862A1. Автор: James Scott Sutherland,Alexander Lee CUNO,Howen LIM. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-06.

Dense, self-sintered silicon carbide/carbon-graphite composite and process for producing same

Номер патента: WO1994018141A1. Автор: Xin E. Chen,Mark E. Pfaff. Владелец: THE MORGAN CRUCIBLE COMPANY PLC. Дата публикации: 1994-08-18.

High-throughput silicon carbide ceramic filter membrane and preparation method therefor

Номер патента: EP4332071A1. Автор: Johnny Marcher,Linfeng YUAN. Владелец: Nanjing Hanssen Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Coloured silicon carbide

Номер патента: WO2001074951A1. Автор: Adrian John Shortland. Владелец: ALTRO LIMITED. Дата публикации: 2001-10-11.

Silicon carbide single crystal wafer and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: EP4411030A1. Автор: Tomonori Umezaki,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Silicon carbide crystal growing apparatus and crystal growing method thereof

Номер патента: US20210246573A1. Автор: Min-Sheng Chu,Wei-Tse Hsu,chun-sheng Peng,Yun-Fu Chen. Владелец: Winsheng Material Technology Wmt Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Fiber-reinforced silicon carbide composite materials, method for producing the fiber-reinforced silicon carbide composite materials, and uses of the fiber-reinforced silicon carbide composite materials

Номер патента: US09975814B2. Автор: Andreas Kienzle,Tanja Damjanovic,Ingrid Kraetschmer. Владелец: SGL CARBON SE. Дата публикации: 2018-05-22.

Silicon carbide powder and method for manufacturing the same

Номер патента: US09534316B2. Автор: Dong Geun Shin,Byung Sook Kim,Jung Eun Han,Bum Sup Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Silicon carbide porous material, honeycomb structure and electric heating-type catalyst carrier

Номер патента: US09457345B2. Автор: Katsuhiro Inoue,Yoshimasa Kobayashi,Takahiro Tomita,Kiyoshi MATSUSHIMA. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of producing a composite based on microporous zeolite and silicon carbide

Номер патента: RU2725586C1. Автор: Алексей Георгиевич Дедов,Александр Александрович Караваев,Алексей Сергеевич Локтев,Илья Иосифович Моисеев,Алексей Сергеевич Митиненко,Екатерина Андреевна Исаева. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет нефти и газа (национальный исследовательский университет) имени И.М. Губкина". Дата публикации: 2020-07-02.

Method of producing polyimide composite fibre based on carbon reinforced by nanostructured silicon carbide

Номер патента: RU2644906C2. Автор: Виталий Сергеевич Иванов,Антон Сергеевич Егоров,Алена Игоревна Возняк,Ксения Валерьевна Царькова,Алексей Вячеславович Антипов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ИРЕА). Дата публикации: 2018-02-14.

Device for growing silicon carbide crystals

Номер патента: RU2341595C2. Автор: Данило КРИППА,Франко ПРЕТИ,Натале СПЕЧИАЛЕ,Джан Лука ВАЛЕНТЕ,Витторио ПОДЗЕТТИ,Ольле КОРДИНА,Маурицио МАСИ. Владелец: Лпе Спа. Дата публикации: 2008-12-20.

Method of determining concentration of electrically active donor impurity in surface layers of silicon by nondestructive method of ultra-soft x-ray emission spectroscopy

Номер патента: RU2709687C1. Автор: Эвелина Павловна Домашевская,Владимир Андреевич Терехов,Константин Александрович Барков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2019-12-19.

MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SiC AND METHOD OF ITS PRODUCTION (VERSIONS)

Номер патента: RU2162902C1. Автор: Кити Танино,Кития Танино. Владелец: Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2001-02-10.

Method of producing high purity silicon powder from mixture of silicon dioxide and aluminium

Номер патента: RU2648436C2. Автор: Сергей Павлович Андреев,Николай Николаевич Лавров,Юрий Петрович Удалов,Борис Александрович Лавров,Галимжан Мендикараевич Сержанов. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью Научно-Производственное Предприятие "КЛИН". Дата публикации: 2018-03-26.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C9. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-10-10.

Method for obtaining dispersion of silicon 2d nano-crystals in an organic solvent for photovoltaic applications

Номер патента: RU2672160C2. Автор: Валерий Николаевич Захаров,Леонид Александрович Асланов,Александр Васильевич Яценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2018-11-12.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20220213617A1. Автор: Rimpei Kindaichi,Nobutoshi SUDOH. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-07-07.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20140123901A1. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Laser Guided Nano-Brazing Method for Reinforced Aluminum Composite Material having High Volume Fraction Silicon Carbide Particles

Номер патента: US20150196965A1. Автор: QIANG LI,PENG Wang,Gang Zeng,Sijie CHEN,Xitao WANG,Zeng GAO,Jitai Niu,Dongfeng Cheng,Baoqing Zhang,Erzhen Mu,Hengze Xian. Владелец: Henan Jingtai Areospace High-Novel Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Silicon carbide single crystal wafer, and methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and the silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20210108334A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: EP4414344A1. Автор: John E Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Method and device for producing a silicon carbide-containing workpiece

Номер патента: AU2023214705A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber. Владелец: Yellow Sic Holding GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Ceramic substrate with reaction-bonded silicon carbide having diamond particles

Номер патента: US12054439B2. Автор: Samuel M. Salamone,Glen Evans, JR.. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method and device for producing a silicon carbide-comprising workpiece

Номер патента: AU2023211108A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber. Владелец: Yellow Sic Holding GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2107138A3. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-08-04.

Method of producing silicon carbide: heating and lighting elements

Номер патента: US20020104984A1. Автор: Gady Golan. Владелец: Silbid Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for purifying silicon carbide

Номер патента: US20220250918A1. Автор: Matthias Hausmann,Wenzel KLIETZ,Josef GARBES. Владелец: Esk Sic GmbH. Дата публикации: 2022-08-11.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: US20240270652A1. Автор: John E. Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Ceramic substate with reaction-bonded silicon carbide having diamond particles

Номер патента: US20240360049A1. Автор: Samuel M SALAMONE,Glenn EVANS, JR.. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Porous silicon dioxide-carbon composite and method for preparing high-purity granular beta-phase silicon carbide powder with using the same

Номер патента: US09994454B2. Автор: Sang Whan Park,Mi Rae YOUM,Sung Il YOUN,Gyoung Sun CHO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-12.

Reaction bonded silicon carbide bodies made from high purity carbonaceous preforms

Номер патента: US09676631B2. Автор: Lori Bracamonte. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-13.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US09644286B2. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for producing silicon carbide felt

Номер патента: RU2758311C9. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-12-08.

Method for producing silicon carbide felt

Номер патента: RU2758311C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Марианна Геннадьевна Флорова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-10-28.

Sintered silicon carbide-based refractory material with silicon nitride as binder

Номер патента: RU2496745C2. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье МАРГЮИН,Лионель МУАТРИЕ,Оливье Ситти. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2013-10-27.

Method of the chemical reprocessing of the ash-and-slag materials with production of silicon dioxide and aluminum oxide

Номер патента: RU2302375C2. Автор: Владимир Владимирович Жабо,Карл Ефимович Зегер,Эльмира Мироновна Тимошенко,Владимир Владимирович Ильюшин,Михаил Александрович Грайвер. Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭКОНЭФ". Дата публикации: 2007-07-10.

Method of silicon tetrafluoride production

Номер патента: RU2560377C2. Автор: Пунит ГУПТА,Сатиш БХУСАРАПУ. Владелец: Мемк Электроник Матириалз, Инк.. Дата публикации: 2015-08-20.

Method and apparatus for demounting pneumatic vehicle tires

Номер патента: CA1242636A. Автор: Heinz-Dieter Rach,Udo Frerichs,Hans-Ulrich Klose,Carsten Boltze. Владелец: Continental Gummi Werke AG. Дата публикации: 1988-10-04.

Procedure and device for hot rolling strips of silicon steel or multi-phase steel

Номер патента: RU2435657C2. Автор: Юрген ЗАЙДЕЛЬ,Йоахим ОЛЕРТ. Владелец: Смс Зимаг Аг. Дата публикации: 2011-12-10.

Method for electrolytic production of silicon from molten salts

Номер патента: RU2760027C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Андрей Викторович Суздальцев,Тимофей Анатольевич Гевел,Сергей Иванович Жук,Анастасия Евгеньевна Вахромеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук (ИВТЭ УрО РАН). Дата публикации: 2021-11-22.

Silicon carbide fiber reinforced silicon carbide composite material

Номер патента: EP3231782A1. Автор: Kazuya Shimoda,Tatsuya Hinoki. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-10-18.

Silicon carbide based porous article and method for preparation thereof

Номер патента: US20040033893A1. Автор: Takashi Harada,Shuichi Ichikawa,Takahiro Tomita,Yuichiro Tabuchi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2004-02-19.

Silicon carbide fiber reinforced silicon carbide composite material

Номер патента: CA2974485C. Автор: Kazuya Shimoda,Tatsuya Hinoki. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-16.

High quality silicon carbide seed crystal, silicon carbide crystal, silicon carbide substrate, and preparation method therefor

Номер патента: US20230295838A1. Автор: He Zhang,Jian Yang,Yu Guo,BO Wang,Ning Zhao,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Dispersion for silicon carbide sintered body, green sheet for silicon carbide sintered body and prepreg material for silicon carbide sintered body using the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11760697B2. Автор: Keiji Ashitaka,Naoya Miwa,Souma TAGUCHI,Keigo KAMOSHIDA. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for producing silicon carbide single-crystal ingot and silicon carbide single-crystal ingot

Номер патента: US20180066380A1. Автор: Tatsuo Fujimoto,Takayuki Yano,Kazuaki Seki,Hiroshi Tsuge,Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Komomo TANI. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Bulk silicon carbide having low defect density

Номер патента: US20150072101A1. Автор: Parthasarathy Santhanaraghavan,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Filing tool for pedicure and the like

Номер патента: US20020153019A1. Автор: Ilya Ayzman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US20240026569A1. Автор: Taro Nishiguchi,Takaya MIYASE,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of forming a laminate of epitaxially grown cubic silicon carbide layers, and method of forming a substrate-attached laminate of epitaxially grown cubic silicon carbide layers

Номер патента: US9732439B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods for Preparing Silicon Carbide Powder and Single Crystal Silicon Carbide

Номер патента: US20220371901A1. Автор: Yong Jin Kwon,Il Gon Kim,In Seok Yang. Владелец: HANA MATERIALS Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Apparatus and method for silicon carbide ingot peeling

Номер патента: US20240149494A1. Автор: Yi-Wei Lin,Weng-Jung Lu,Ying-Fang Chang,Pin-Yao Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide magnetometer and associated material formation methods

Номер патента: US11993864B2. Автор: Robert Osiander,John B. Abraham,Brian D. Clader,Cameron A. Gutgsell,Dalibor J. Todorovski,Scott A. Sperling,Jacob E. Epstein,Timothy M. Sweeney,Elizabeth A. Pogue,Tyrel M. McQueen. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-28.

Method for improving the adhesion of silicone elastomers to pre-cured silicone elastomeric substrates, and primer composition for silicone rubber compositions and elastomeric materials

Номер патента: US20240262970A1. Автор: Patrick Beyer,Roman Vanecek. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Process for manufacturing a silicon carbide coated body

Номер патента: EP3732158A1. Автор: Paul Westphal,Peter J. GUERCIO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Production method of polyimide composite film coating reinforced by nanostructured silicon carbide (versions)

Номер патента: RU2620122C2. Автор: Виталий Сергеевич Иванов,Антон Сергеевич Егоров,Алена Игоревна Возняк,Ксения Валерьевна Царькова,Алексей Вячеславович Антипов. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Химических Реактивов И Особо Чистых Химических Веществ". Дата публикации: 2017-05-23.

Method of producing trichlorosilane through catalytic hydrodehalogenation of silicon tetrachloride

Номер патента: RU2371387C2. Автор: Клаус БОМХАММЕЛЬ,Свен КЕТЕР,Герхард РЕВЕР,Инго РЕВЕР,Ярослав МОНКЕВИЧ,Ханс-Юрген ХЕНЕ. Владелец: Дегусса Аг. Дата публикации: 2009-10-27.

Method of growing filamentous nanocrystals of silicon dioxide

Номер патента: RU2681037C2. Автор: Алевтина Сергеевна Самофалова,Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Александр Федорович Татаренков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Method for production of silicon-containing biomimetic calcium-phosphate coating on titanium alloys from human interstitial fluid model solutions

Номер патента: RU2626604C1. Автор: Ольга Александровна Голованова,Альберт Викторович Зайц. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2017-07-28.

Silicon carbide material, honeycomb structure and electric-heating type catalyst carrier

Номер патента: EP2671857A1. Автор: Yoshimasa Kobayashi,Takahiro Tomita,Miyuki Yabuki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-12-11.

Process for preparing a silicon carbide sintered body for use in semiconductor equipment

Номер патента: US5589116A. Автор: Hiroaki Wada,Tadaaki Miyazaki,Shoichi Kojima,Kazuhiro Minagawa,Haruyuki Kano. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1996-12-31.

A sintered silicon carbide product and a process for producing the same

Номер патента: GB2054540A. Автор: . Владелец: Nippon Crucible Co Ltd. Дата публикации: 1981-02-18.

Process for making crack-free silicon carbide diffusion components

Номер патента: US5840639A. Автор: Stephen Dynan,Jack Shindle,John Vayda. Владелец: Saint Gobain Norton Industrial Ceramics Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Method for producing silicon-carbide-based composite

Номер патента: US11148978B2. Автор: Hiroshi Yamauchi,Michimasa UDA,Haruhiko SOEDA. Владелец: IHI Aerospace Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Automatic method for separating and cleaning silicon carbide furnace materials

Номер патента: CA1265473A. Автор: Robert J. Seider,Philip J. Guichelaar,Robert O. Anderson. Владелец: Washington Mills Electro Minerals Corp. Дата публикации: 1990-02-06.

Methods of forming silicon carbide coated base substrates at multiple temperatures

Номер патента: US11827999B2. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan,Yen Lin Leow,Kirk Allen Fisher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Magnetron sputtering scanning method for modifying silicon carbide optical reflector surface and improving surface profile

Номер патента: US20200270745A1. Автор: Meng HUANG,Jie TIAN,Jinfeng Wang,Yeru Wang. Владелец: Nanjing Institute Of Astronomical Optics Technology National Astorn. Дата публикации: 2020-08-27.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20230374699A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing a silicon carbide ingot comprising moving a heater surrounding a reactor to induce silicon carbide raw materials to sublimate and growing the silicon carbide ingot on a seed crystal

Номер патента: US11795572B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Eun Su Yang,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Silicon dioxide vaccine delivery system taking virus-like particles as template, and construction method and application of silicon dioxide vaccine delivery system

Номер патента: US20240342276A1. Автор: CHEN CHEN,Min Li,Lei Zhang,BingBing Sun,Zhihui Liang,Changying Xue. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-10-17.

Silicon carbide mems structures and methods of forming the same

Номер патента: WO2006020674A1. Автор: Chien-Hung Wu,Jeffrey M. Melzak. Владелец: Flx Micro, Inc.. Дата публикации: 2006-02-23.

Low resistivity single crystal silicon carbide wafer

Номер патента: US09915011B2. Автор: Noboru Ohtani,Tatsuo Fujimoto,Hirokatsu Yashiro,Masakazu Katsuno,Masashi Nakabayashi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an EUV mirror, EUV mirror, and EUV lithography apparatus

Номер патента: US09880476B2. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Gisela von Blanckenhagen. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide powder, method for manufacturing the same and silicon carbide sintered body, method for manufacturing the same

Номер патента: US09840420B2. Автор: Dong Geun Shin,Byung Sook Kim,Jung Eun Han. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Номер патента: RU2573141C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Елена Юрьевна Турбина. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2016-01-20.

Method of product manufacture containing silicon substrate with film from carbide of silicon on its surface

Номер патента: RU2352019C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл". Дата публикации: 2009-04-10.

Method of producing silicon carbide nanofibre

Номер патента: RU2393112C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Владимир Георгиевич Севастьянов,Николай Тимофеевич Кузнецов,Владимир Анатольевич Ермаков,Алексей Вячеславович Антипов,Елизавета Петровна Симоненко,Роман Георгиевич Павелко. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Общей И Неорганической Химии Им. Н.С. Курнакова Ран (Ионх Ран). Дата публикации: 2010-06-27.

Method for obtaining polycrystalline silicone carbide

Номер патента: RU2448041C1. Автор: Иван Иванович Иванов,Наиль Михайлович Теляков,Олег Александрович Дубовиков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный институт имени Г.В. Плеханова (технический университет)". Дата публикации: 2012-04-20.

Method for manufacture of product containing siliceous substrate with silicon carbide film on its surface

Номер патента: RU2363067C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Фонд поддержки науки и образования. Дата публикации: 2009-07-27.

Method of obtaining finely dispersive polycrystalline silicon carbide

Номер патента: RU2516547C1. Автор: Иван Иванович Иванов,Ольга Владимировна Зырянова,Дмитрий Викторович Шмидт,Олег Александрович Дубовиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный минерально-сырьевой университет "Горный". Дата публикации: 2014-05-20.

Method for manufacturing articles of carbon-silicon carbide composite material with variable content of silicon carbide

Номер патента: RU2570068C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Никита Александрович Хохлявин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-12-10.

Spinning solution for electrical forming, method for obtaining fibres by electrical forming, and fibres of silicone carbide

Номер патента: RU2427673C1. Автор: Виктор Васильевич Авдеев,Андрей Трофимович Матвеев,Эдмунд Валерьевич Быстревский,Виктор Васильевич Авдеев (RU),Андрей Трофимович Матвеев (RU),Эдмунд Валерьевич Быстревский (RU). Владелец: Институт новых углеродных материалов и технологий (Закрытое акционерное общество) (ИНУМиТ (ЗАО)). Дата публикации: 2011-08-27.

Method of producing silicon carbide nano powder

Номер патента: RU2327638C1. Автор: Геннадий Владиславович Галевский,Виктория Владимировна Руднева,Сергей Геннадьевич Галевский,Виктори Владимировна Руднева,х Ольга Анатольевна Пол,Ольга Анатольевна Полях. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования СИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНДУСТРИАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. Дата публикации: 2008-06-27.

Silicon carbide based powder material

Номер патента: RU2117066C1. Автор: Николай Филиппович Гадзыра. Владелец: Николай Филиппович Гадзыра. Дата публикации: 1998-08-10.

Method of producing protective coating on articles with silicon carbide, silicon nitride and carbon-containing base

Номер патента: RU2520310C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2014-06-20.

Method of siliconizing large-size articles and a retort of a device for its implementation with seams of low permeability

Номер патента: RU2705185C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Михаил Владимирович Никитин. Владелец: Михаил Владимирович Никитин. Дата публикации: 2019-11-05.

Номер патента: RU2568670C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Федор Викторович Трубин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-11-20.

Composite material with carbon-silicon carbide matrix for hermetic products and method of thereof production

Номер патента: RU2573515C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани,Сергей Геннадьевич Лунегов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2016-01-20.

Method of producing ceramic armour material based on silicon carbide and boron carbide and ceramic armour material based on silicon carbide and boron carbide

Номер патента: RU2440956C1. Автор: Владимир Валерьевич Ленский,Евгений Федорович Харченко,Владимир Александрович Анискович,Илья Сергеевич Гавриков,Валерий Анатольевич Быков,Евгений Федорович Харченко (RU),Владимир Александрович Анискович (RU),Владимир Валерьевич Ленский (RU),Илья Сергеевич Гавриков (RU),Валерий Анатольевич Быков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "АРМОКОМ-ЦЕНТР". Дата публикации: 2012-01-27.

Process for production of silicon carbide from rice husk

Номер патента: RU2296102C1. Автор: Игорь Леонидович Шкарупа,Владимир Васильевич Викулин,Татьяна Васильевна Гурина,Тать на Васильевна Гурина,Мухаммад-Султан Саидивалиханович Пайзулаханов,Шавкат Адилович Файзиев,Гайрат Тышабаевич Адылов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2007-03-27.

Method of production of silicon carbide powder from rice husk

Номер патента: RU2299177C1. Автор: Игорь Леонидович Шкарупа,Владимир Васильевич Викулин,Татьяна Васильевна Гурина,Тать на Васильевна Гурина,Мухаммад-Султан Саидивалиханович Пайзулаханов,Шавкат Адилович Файзиев,Гайрат Тышабаевич Адылов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2007-05-20.

Cvd-reactor and method of synthesis of hetero-epitaxial films of silicon carbide on silicon

Номер патента: RU2394117C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Эпикрист". Дата публикации: 2010-07-10.

Ceramic material based on silicon carbide and nitride and method of manufacturing products from it

Номер патента: RU2511415C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский,Андрей Николаевич Фалькович. Владелец: Максим Вячеславович Бушуев. Дата публикации: 2014-04-10.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286617C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

Method of production of powder material based on iron with silicon carbide

Номер патента: RU2090645C1. Автор: А.И. Макаров,В.Н. Кусков. Владелец: Тюменский государственный нефтегазовый университет. Дата публикации: 1997-09-20.

Method for production of thin silicon carbide films by method of vacuum laser ablation

Номер патента: RU2350686C2. Автор: Александр Сергеевич Гусев,Сергей Михайлович Рындя,Леонид Васильевич Михнев,Сергей Михайлович Рынд,Евгений Алексеевич Бондаренко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "УФ-техника". Дата публикации: 2009-03-27.

Method of manufacturing of tight items out of carbon-silicon carbide composite material

Номер патента: RU2559248C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Федор Викторович Трубин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-08-10.

Quartz ampoule design for diffusion of dopants into silicon (arsenic diffusion) with built-in tool for controlling rate of post-diffusion cooling of silicon p-n structures

Номер патента: RU2522786C2. Автор: Виктор Михайлович Масловский,Александр Викторович Глухов,Станислав Петрович Скорняков,Геннадий Васильевич Перов,Ахмад Зайнидинович Рахматов,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Оао"Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2014-07-20.

Non-chemical method and system for recovering silicon carbide particles and glycol from a slurry

Номер патента: SG10201906802QA. Автор: Wee Meng CHUA,Audley Weng Hin THAM,Ryan Morris Lim LABBAO. Владелец: Metallkraft As. Дата публикации: 2019-09-27.