Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • OXIDATION RESISTANT BARRIER METAL PROCESS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

OXIDATION RESISTANT BARRIER METAL PROCESS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170179033A1
Опубликовано: 22-06-2017
Автор(ы): Faust Rick A., Merriam Alan G., Udayakumar Kezhakkedath R., Warninghoff Eric H., West Jeffrey A.
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Oxidation resistant barrier metal process for semiconductor devices

Номер патента: US20180308802A1. Автор: Jeffrey A. West,Eric H. Warninghoff,Kezhakkedath R. Udayakumar,Alan G. MERRIAM,Rick A. FAUST. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Oxidation resistant barrier metal process for semiconductor devices

Номер патента: EP3391408A1. Автор: Jeffrey A. West,Eric H. Warninghoff,Kezhakkedath R. Udayakumar,Alan G. MERRIAM,Rick A. FAUST. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-10-24.

Oxidation resistant barrier metal process for semiconductor devices

Номер патента: US09704804B1. Автор: Jeffrey A. West,Eric H. Warninghoff,Kezhakkedath R. Udayakumar,Alan G. MERRIAM,Rick A. FAUST. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Interconnect Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20150187697A1. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method using patterning and dry etching

Номер патента: US09627319B2. Автор: Yasuhiro Kawabata,Satoshi Ogawa,Nobutaka Ukigaya,Koji Hara,Takeshi Aoki,Junya Tamaki,Norihiko Nakata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US6121160A. Автор: Hideaki Sato,Kinichi Igarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Process for producing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: TW426950B. Автор: Hiroyuki Watanabe,Naoteru Matsubara,Hideki Mizuhara. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2001-03-21.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5246784A. Автор: Nobuyuki Nakamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-04-13.

Semiconductor device having one or more titanium interlayers and method of making the same

Номер патента: US10763125B2. Автор: Wei He,Chris Wiebe,Hongyong Xue. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor device having one or more titanium interlayers and method of making the same

Номер патента: US20190385863A1. Автор: Wei He,Chris Wiebe,Hongyong Xue. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Mask and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9524880B2. Автор: Yun Yang,Shaobin Li,Shengfin CHIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Process for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20030013313A1. Автор: Masaru Izawa,Nobuyuki Negishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-01-16.

Process for fabricating a semiconductor device having a phosphosilicate glass layer

Номер патента: IE53902B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-04-12.

Reverse contact and silicide process for three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20210098294A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann,Jodi Grzeskowiak,Hiroki Niimi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160181147A1. Автор: Yasuo Inoue,Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Katsuyuki Horita,Jiro Yugami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Shallow trench isolation for semiconductor devices

Номер патента: US09698043B1. Автор: Alfred Grill,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Stephan A. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2005024929A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Robert Turkot, Jr.. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2005-03-17.

Process for oxide cap formation in semiconductor manufacturing

Номер патента: US7256114B2. Автор: Larry A. Nesbit,Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-14.

Process for oxide cap formation in semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060166432A1. Автор: Steven Holmes,Toshiharu Furukawa,Mark Hakey,David Horak,Charles Koburger,Larry Nesbit. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2860098B1. Автор: Seiichi Kondo,Kaori Misawa,Shunichi Tokitoh,Takashi Nasuno. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2007-06-15.

Organic solvents having ozone dissolved therein for semiconductor processing utilizing sacrificial materials

Номер патента: WO2006025969A2. Автор: Steven Verhaverbeke. Владелец: APPLIED MATERIALS, INC. Дата публикации: 2006-03-09.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09824972B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09553016B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Cyclic etch-ash process for semiconductor processing

Номер патента: US20240274432A1. Автор: Michael O'Toole,Gregory McKee,Gordon Nielsen,Aravindsekar Pandiasekar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Self repairing process for porous dielectric materials

Номер патента: US09806026B2. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Self-aligned patterning technique for semiconductor device features

Номер патента: US20150004800A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Process for forming a semiconductor device

Номер патента: EP0629002B1. Автор: Papu D. Maniar,Reza Moazzami,Joseph C. Mogab. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-03-03.

Process for forming a semiconductor device having a conductive member that protects field isolation during etching

Номер патента: US5966619A. Автор: David Burnett,Craig Swift,Wei-Hua Liu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Process for manufacturing a semiconductor device and an intermediate product for the manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20140106553A1. Автор: Erik Lind,Lars-Erik Wernersson,Mikael EGARD. Владелец: Acconeer AB. Дата публикации: 2014-04-17.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09922961B2. Автор: Yoshifumi ZAIZEN,Masaki Okamoto,Masaki HANEDA,Satoru Wakiyama,Kazunori Nagahata,Reijiroh Shohji,Yutaka Ooka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Replacement gate process for semiconductor devices

Номер патента: US09917017B2. Автор: Ying-Ho Chen,Yung-Cheng Lu,Yu-Jen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240339330A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device metallization systems and methods

Номер патента: US09548241B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Tung-Ching Tseng,Hsiang-Huan Lee,Wen-Cheng Yang,Hai-Ching Chen,Chung-En Kao,Hsin-Yen Huang,Keith Kuang-Kuo Koai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20080157377A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Process for preparing of semiconductor device and pattern-forming coating solution used for this process

Номер патента: US5087551A. Автор: Satoshi Takechi,Yuko Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-02-11.

Process for fabricating a semiconductor device having an insulating layer formed over a semiconductor substrate

Номер патента: US7223677B2. Автор: Martin L. Green,Martin Michael Frank,Glen David Wilk,Yves Chabal. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-05-29.

Process for manufacturing a semiconductor device comprising a metal-compound film

Номер патента: US7943475B2. Автор: Tomoe Yamamoto,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Process for making a semiconductor device

Номер патента: CA1223975A. Автор: Gustaaf Schols. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1987-07-07.

Power Metallization Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20200035610A1. Автор: Sven Schmidbauer,Michael Nelhiebel,Ravi Keshav Joshi,Rainer Pelzer,Axel Buerke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-30.

Process for producing multilayer interconnection for semiconductor device with interlayer mechanical stress prevention and insulating layers

Номер патента: US5082801A. Автор: Shunichi Nagata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-01-21.

Interconnection Structure And Method For Semiconductor Device

Номер патента: US20150311152A1. Автор: Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10134673B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240222465A1. Автор: Hohyun Kim,Kihwan Kim,Chanho Park,Kitae Kang,Jungyeon Lee,Jiyong LIM,Seongchan JEON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09870987B2. Автор: Akira Nakajima,Masaaki Hatano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device having a wiring layer of damascene structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US6906419B2. Автор: Hiroyuki Nitta,Yusuke Kohyama,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Three-dimensional memory device containing oxidation-resistant contact structures and methods of making the same

Номер патента: WO2022108623A1. Автор: Shin Koyama,Eisuke Takii,Hiraku Hashimoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-27.

Top via interconnects without barrier metal between via and above line

Номер патента: US12057395B2. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Chanro Park,Kenneth Chun Kuen Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Process for forming a semiconductor device

Номер патента: US6043146A. Автор: Joy Kimi Watanabe,John Joseph Stankus. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-03-28.

A PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: BR7201440D0. Автор: M Paffen,J Appels,W Gerardus,V Kobi. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1973-06-07.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TWI239563B. Автор: Shah Uday,Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,Jack Kavalieros. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-09-11.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20030124839A1. Автор: Naoki Nagashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP1126518A3. Автор: Yuji Segawa,Takeshi Nogami,Naoki Komai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-22.

Barrier metal re-distribution process for resistivity reduction

Номер патента: US20050260851A1. Автор: Shau-Lin Shue,Ching-Hua Hsieh,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5961791A. Автор: Hak-Lay Chuang,Larry E. Frisa,Laura Pressley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-10-05.

Metallizing process and structure for semiconductor devices

Номер патента: US4965173A. Автор: Herbert J. Gould. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1990-10-23.

Semiconductor device with multi-layered metalizations

Номер патента: US4200969A. Автор: Masaharu Aoyama,Toshio Yonezawa,Shunichi Hiraki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-06.

Process for producing integrated semiconductor device structures with a mesa configuration and structure of said type

Номер патента: DE3279910D1. Автор: George Richard Goth,Shashi Dhar Malaviya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-09-28.

Process for producing a semiconductor device

Номер патента: TW423075B. Автор: Nobuyuki Takenaka. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2001-02-21.

Mask and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160020106A1. Автор: Yun Yang,Shaobin Li,Shengfin CHIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Process for fabricating a semiconductor device with improved step coverage and reliability of a lower aluminum line

Номер патента: US6444571B1. Автор: Yoshiaki Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-09-03.

REVERSE CONTACT AND SILICIDE PROCESS FOR THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210098294A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton,GRZESKOWIAK Jodi,Kal Subhadeep,Tapily Kandabara,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,NIIMI Hiroki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-04-01.

Process for forming a semiconductor device

Номер патента: US5821168A. Автор: Ajay Jain. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-10-13.

Process for forming a semiconductor device

Номер патента: US5935871A. Автор: Janos Farkas,David Watts,Melissa Freeman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Printed interconnects for semiconductor packages

Номер патента: WO2016049647A1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Juan Alejandro Herbsommer,Wei-Yan Shih,Matthew David Romig,Steven Alfred Kummerl. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2016-03-31.

Printed interconnects for semiconductor packages

Номер патента: EP3198632A1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Juan Alejandro Herbsommer,Wei-Yan Shih,Matthew David Romig,Steven Alfred Kummerl. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20010055853A1. Автор: Shinichi Sato,Takayuki Taniguchi,Masanori Yoshimi,Takuji Tanigami,Naoyuki Shinmura,Kenji Hakozaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Process for manufacturing a semiconductor device and an intermediate product for the manufacture of a semiconductor device

Номер патента: TW201250861A. Автор: Erik Lind,Lars-Erik Wernersson,Mikael EGARD. Владелец: Acconeer AB. Дата публикации: 2012-12-16.

Process for forming a semiconductor device and a process for operating an apparatus

Номер патента: US6245686B1. Автор: Jeffrey D. Rose,Michael J. Hartig,David G. Farber,Danny R. Babbitt,Jason A. Rivers,Ai Koh,Terry G. Sparks. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-06-12.

Process for preparing a semiconductor device including the selective deposition of a metal

Номер патента: EP0466320A2. Автор: Yasue C/O Canon Kabushiki Kaisha Sato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1992-01-15.

Structure of backside copper metallization for semiconductor devices and a fabrication method thereof

Номер патента: US09548276B2. Автор: Jason Chen,Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09917207B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having electrode made of high work function material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150171179A1. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device having electrode made of high work function material, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US09653301B2. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having electrode made of high work function material and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472637B2. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Process monitoring structures for via etch processes for semiconductor devices

Номер патента: US20240162097A1. Автор: YAN Luo,René Wientjes,Poh Cheng Tan,Deo Brat Singh,Sudeep Gudla. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Vias for Semiconductor Devices Formed from Multiple Etching

Номер патента: US20240274507A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Dual metal contacts with ruthenium metal plugs for semiconductor devices

Номер патента: US20200279782A1. Автор: Hiroaki Niimi,Gyanaranjan Pattanaik. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Isolated backside contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240321737A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing a semiconductor device, and said semiconductor device

Номер патента: US7737030B2. Автор: Hisakazu Matsumori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Method for manufacturing a semiconductor device, and said semiconductor device

Номер патента: US20080277788A1. Автор: Hisakazu Matsumori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240071928A1. Автор: Akira Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230317812A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040228B2. Автор: Satoshi Wakatsuki,Masakatsu Takeuchi,Naomi Fukumaki,Tomohisa Iino,Misuzu SATO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Self-aligned buried power rail formation for semiconductor devices

Номер патента: EP4420162A1. Автор: Huiming Bu,Miaomiao Wang,Ruilong Xie,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240006359A1. Автор: Akira Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20010045665A1. Автор: Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Method and structure for semiconductor mid-end-of-line (MEOL) process

Номер патента: US09947646B2. Автор: Chung-Ju Lee,Hsiang-Ku Shen,Chih Wei Lu,Chien-Hua Huang,Zhao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Contact pad for semiconductor devices

Номер патента: US09589891B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Heat dissipation for semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240266285A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Jyh-Cherng Sheu,Chen-Fong Tsai,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Electropositive metal containing layers for semiconductor applications

Номер патента: US09390932B2. Автор: Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050148177A1. Автор: Seiichi Omoto,Kazuhiro Murakami,Tomio Katata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570346B2. Автор: Kazuya Yamaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Hybrid Power Rail Formation in Dielectric Isolation for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234317A9. Автор: Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Contact for semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: US12046677B2. Автор: Yi-Lii Huang,Huei-Shan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20240282593A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

PROCESS FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF ELEMENTAL GERMANIUM AND/OR Si1-x Gex MATERIAL IN PRESENCE OF CMP (CHEMICAL MECHANICAL POLISHING) COMPOSITION COMPRISING A SPECIFIC ORGANIC COMPOUND

Номер патента: RU2605941C2. Автор: Бастиан Мартен НОЛЛЕР,Южуо ЛИ,Беттина ДРЕШЕР,Кристоф ЖИЛЛО. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-12-27.

Polishing pad, process for preparing the same, and process for preparing a semiconductor device using the same

Номер патента: US11931856B2. Автор: Sunghoon YUN,Hye Young HEO,Jang Won Seo. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Polishing pad, process for preparing the same, and process for preparing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20210122006A1. Автор: Sunghoon YUN,Hye Young HEO,Jang Won Seo. Владелец: SKC Solmics Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Process for producing a semiconductor device with a bulk-defect region having a nonuniform depth

Номер патента: US5094963A. Автор: Kazunori Imaoka,Takao Hiraguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-03-10.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09761685B2. Автор: Toshikazu HANAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09825036B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Manufacturing method for semiconductor device with point defect region doped with transition metal

Номер патента: US09680034B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Surface treatment method for semiconductor device

Номер патента: US20160172433A1. Автор: Kwon Hong,Hyung-Soon Park,Hyung-Hwan Kim,Sung-Ki Park,Ji-Hye Han,Sung-Hyuk Cho,Hyo-Sang KANG,Young-Bang Lee,Tae-Yeon JUNG,Hyeong-Jin NOR. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Selective epitaxy growth for semiconductor devices with fin field-effect transistors (finfet)

Номер патента: US20170148796A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Insulating film for semiconductor device, process and apparatus for producing insulating film for semiconductor device, semiconductor device, and process for producing the semiconductor device

Номер патента: WO2010001815A1. Автор: 輝彦 熊田,保田　直紀,山本　哲也,英治 信時,卓也 神山,加福　秀考,敏人 藤原,慎弥 柴田,西森　年彦,嶋津　正. Владелец: 三菱重工業株式会社. Дата публикации: 2010-01-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060046421A1. Автор: Yoshitake Kato,Tomoe Yamamoto,Naomi Fukumaki,Tomohisa Iino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Polishing pad, preparation method thereof and method for preparing semiconductor device using same

Номер патента: US11759909B2. Автор: Kyung Hwan Kim,Jang Won Seo,Jae In Ahn,Sung Hoon Yun,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Polishing pad, preparation method thereof and method for preparing semiconductor device using same

Номер патента: US12138738B2. Автор: Kyung Hwan Kim,Jang Won Seo,Jae In Ahn,Sung Hoon Yun,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Composition for polishing a semiconductor device and process for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US6436835B1. Автор: Takanori Kido,Kagetaka Ichikawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2002-08-20.

Composition for polishing a semiconductor device and process for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US6410444B1. Автор: Takanori Kido,Kagetaka Ichikawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2002-06-25.

Composition for polishing a semiconductor device and process for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20020045350A1. Автор: Takanori Kido,Kagetaka Ichikawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2002-04-18.

Polishing pad, process for preparing the same, and process for preparing a semiconductor device using the same

Номер патента: TW202116845A. Автор: 鄭恩先,尹鍾旭,尹晟勛,徐章源. Владелец: 南韓商Ｓｋｃ股份有限公司. Дата публикации: 2021-05-01.

POROUS POLYURETHANE POLISHING PAD AND PROCESS FOR PREPARING A SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20180339393A1. Автор: SEO Jang Won,YUN Sunghoon,AHN Jaein,KYUN Myung-Ok,MOON Su Young. Владелец: SKC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-29.

Process for forming a semiconductor device

Номер патента: US5928962A. Автор: Janos Farkas,Sanjit K. Das,George R. Meyer. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Process for fabricating a semiconductor device using dual planarization layers

Номер патента: US5459096A. Автор: Suresh Venkatesan,Stephen Poon. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-10-17.

Selective cleaning process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5478436A. Автор: Paul M. Winebarger,Mark A. Zaleski,Troy B. Morrison,Jeffrey J. Sultemeier. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-12-26.

Process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5021354A. Автор: James R. Pfiester. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-06-04.

Process for forming a semiconductor device with an antireflective layer

Номер патента: US5918147A. Автор: Wayne M. Paulson,Stanley M. Filipiak,Ted R. White,T. P. Ong,Jung-Hui Lin,Bernard J. Roman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-06-29.

Process for producing a semiconductor device having an insulating layer of silicon dioxide covered by a film of silicon oxynitride

Номер патента: EP0006706B2. Автор: Takashi Ito,Takao Nozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-03-17.

PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ACTION OF PLASMA

Номер патента: FR2571542B1. Автор: Jean-Bernard Theeten,Serge Gourrier. Владелец: Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee. Дата публикации: 1987-01-23.

Process for producing a semiconductor device having an insulating layer of silicon dioxide covered by a film of silicon oxynitride

Номер патента: EP0006706A1. Автор: Takashi Ito,Takao Nozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-01-09.

Porous polyurethane polishing pad and process for preparing a semiconductor device by using the same

Номер патента: TWI743356B. Автор: 尹晟勛,徐章源,安宰仁,甄明玉,文壽泳. Владелец: 南韓商Ｓｋｃ索密思股份有限公司. Дата публикации: 2021-10-21.

Process for making a semiconductor device

Номер патента: ZA844513B. Автор: Gustaaf Schols. Владелец: Int Standard Electric Corp. Дата публикации: 1985-02-27.

Method for manufacturing MOS semiconductor devices

Номер патента: US4916084A. Автор: Hideki Shibata,Mitsuchika Saitoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-04-10.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180151410A1. Автор: Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Vertical contacts for semiconductor devices

Номер патента: US12052858B2. Автор: Sangmin Hwang,Kyuseok Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7592260B2. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Patterning methods for semiconductor devices

Номер патента: US12074058B2. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Shing-Chyang Pan,Wei-Ren Wang,Wan-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080057735A1. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Vertical contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240373624A1. Автор: Sangmin Hwang,Kyuseok Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Testing, manufacturing, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09852957B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chin-Hsien Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Yan-Fu Lin,Yung-Shou Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12125901B2. Автор: Makoto Shimosawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and solid-state image sensor

Номер патента: US20200083273A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device integrating a voltage divider and process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09461104B2. Автор: Vincenzo Palumbo,Mirko Venturato. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods for Semiconductor Process Chamber

Номер патента: US20240266149A1. Автор: Qi Wang,Akiteru Ko,Sergey Voronin,Hamed Hajibabaeinajafabadi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for semiconductor process chamber

Номер патента: WO2024163137A1. Автор: Qi Wang,Akiteru Ko,Sergey Voronin,Hamed Hajibabaeinajafabadi. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device manufacturing method using under-etching

Номер патента: CA1209722A. Автор: Wilhelmus J.M.J. Josquin. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-08-12.

Semiconductor device, and production method for semiconductor device

Номер патента: US20240332410A1. Автор: Yuya Tsutsumi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device, and production method for semiconductor device

Номер патента: US20240379767A1. Автор: Sadanori ARAE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Methods for fabricating integrated circuits using non-oxidizing resist removal

Номер патента: US20130029464A1. Автор: Thomas Feudel,Stefan Flachowsky,Steven Langdon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: EP1511067A3. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-31.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: US20050037621A1. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Design structure for semiconductor device having radiation hardened insulators and structure thereof

Номер патента: US20100032795A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Etching apparatus and method for semiconductor device

Номер патента: US20080248650A1. Автор: Tae-yong Kwon,Kyung Hyun Han,Kyung Chun Lim,Sang Min Jeong,Dong Yong Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Pitch split patterning for semiconductor devices

Номер патента: US09882028B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,John H. Zhang,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for the production of semiconductor devices with an integral heatsink and of related semiconductor equipment

Номер патента: US3973320A. Автор: Giovanni Greco,Maurizio Tomassini. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-08-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20070249162A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: TW200300565A. Автор: Naoki Nagashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-06-01.

Composition for film formation, insulating film, semiconductor device, and process for producing the semiconductor device

Номер патента: US7999356B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Hideshi Miyajima,Nobuhide Yamada,Kei Watanabe,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Process of manufacturing a semiconductor device by filling a via hole in an interlayered film of the device with wiring metal

Номер патента: US5543357A. Автор: Yoshiaki Yamada,Nobukazu Ito,Michiko Yamanaka,Kuniko Miyakawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-06.

Process for production of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2011158698A1. Автор: 雅敏 白石,春生 岩津,片岡　憲一. Владелец: 東京エレクトロン株式会社. Дата публикации: 2011-12-22.

Process for forming a semiconductor device

Номер патента: KR100530431B1. Автор: 딘 제이. 데닝,치트라 케이. 서브라마니안,올루분미 올루페미 아데투투,제임스 디. 하이덴,알칼구드 시타람. Владелец: 프리스케일 세미컨덕터, 인크.. Дата публикации: 2006-02-13.

PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MULTIPLE GRID LEVELS.

Номер патента: FR2583573B1. Автор: Pierre Blanchard,Jean-Paul Cortot. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-04-08.

Metallization and bonding process for manufacturing power semiconductor devices

Номер патента: EP0646959A1. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno. Дата публикации: 1995-04-05.

Process for fabricating a semiconductor device having recess portion

Номер патента: US6645852B1. Автор: Miyata Koji,Mitsuru Taguchi,Shingo Kadomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-11-11.

A process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: KR100400111B1. Автор: 다구와데쓰야. Владелец: 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2003-10-01.

Process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6589873B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-08.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: TW506002B. Автор: Yuji Segawa,Takeshi Nogami,Naoki Komai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-10-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8288221B2. Автор: Nobuyuki Mise,Takahisa Eimori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2717149C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-03-18.

Method for semiconductor device planarization

Номер патента: US20020151137A1. Автор: Byoung-Ho Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Combined SADP fins for semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: US09691775B1. Автор: Guillaume Bouche,Nicholas Vincent LICAUSI,Eric Scott Kozarsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Capacitor for semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030190783A1. Автор: Dong Kim,Kee Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: WO2012020290A3. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-05-18.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: EP2599107A2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-05.

Process for producing bipolar semiconductor device utilizing predeposition of dopant and a polycrystalline silicon-gold film followed by simultaneous diffusion

Номер патента: US4290188A. Автор: Takeshi Fukuda,Naoaki Kobayashi,Yoshito Ichinose. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-09-22.

Process for forming vertical semiconductor device having increased source contact area

Номер патента: EP1067596A3. Автор: Thomas Grebs,Jason Trost. Владелец: Intersil Corp. Дата публикации: 2003-05-28.

Wet chemistry processes for fabricating a semiconductor device with increased channel mobility

Номер патента: US09396946B2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar,Jason Gurganus,Daniel Jenner Lichtenwalner,Erik Maki. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Process for preparing semiconductor device having active base region implanted therein using walled emitter opening and the edge of dielectric isolation zone

Номер патента: US4441932A. Автор: Katsuhiro Tsukamoto,Yoichi Akasaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-04-10.

Process for forming a semiconductor device

Номер патента: US6068668A. Автор: Sal Mastroianni. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-05-30.

Semiconductor device, high-frequency integrated circuit, high-frequency wireless communication system, and process for production of semiconductor device

Номер патента: JP2011138818A. Автор: Osamu Ishikawa,修 石川,Junji Ito,順治 伊藤,Takahiro Yokoyama,隆弘 横山. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Process for forming a semiconductor device on a silicon ribbon and device thus formed

Номер патента: DE3278843D1. Автор: Guenter Herbert Schwuttke,Kuei H Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-09-01.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: GB2299209A. Автор: Kiyoshi Takeuchi,Toyoji Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-09-25.

Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device

Номер патента: US20050151201A1. Автор: Takeshi Fukunaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-14.

Process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1143867A. Автор: Michio Arai,Kazuo Nishiyama,Tetsunosuke Yanada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1983-03-29.

Process for producing a semiconductor device

Номер патента: US7169648B2. Автор: Takashi Sugino,Osamu Yamazaki,Akinori Sato,Hideo Senoo. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2007-01-30.

Process for fabricating a semiconductor device having embedded epitaxial regions

Номер патента: SG153734A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-07-29.

PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE OF THE MULTILAYER TYPE, BY SELECTIVE INTRODUCTION OF AN IMPURITY FROM A MASK

Номер патента: FR2533749A1. Автор: Shuji Ikeda,Yoshio Sakai,Norio Suzuki,Kouichi Nagasawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-03-30.

Manufacturing process for a monolithic semiconductor device having multiple epitaxial layers with a low concentration of impurities

Номер патента: EP0307032A2. Автор: Salvatore Musumeci,Raffaele Zambrano. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1989-03-15.

IMPROVED PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE BY THE MERGING OF ZONE BY TEMPERATURE GRADIENT

Номер патента: FR2344128A1. Автор: Harvey Ellis Cline,Thomas Richard Anthony,Mike Fushing Chang. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1977-10-07.

Manufacturing process for a monolithic semiconductor device having multiple epitaxial layers with a low concentration of impurities

Номер патента: EP0307032B1. Автор: Salvatore Musumeci,Raffaele Zambrano. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1994-12-07.

Process for contacting a semiconductor device

Номер патента: US3737380A. Автор: A Bachmeier. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1973-06-05.

Process for fabricating a semiconductor device having electrically isolated low voltage and high voltage regions

Номер патента: US7078286B1. Автор: Sunil D. Mehta. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-07-18.

Manufacturing process for a monolithic semiconductor device comprising at least one transistor of an integrated control circuit and one power transistor integrated on the same chip

Номер патента: EP0322040A3. Автор: Salvatore Musumeci,Raffaele Zambrano. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1990-02-07.

Salicide process for a MOS semiconductor device using nitrogen implant of titanium

Номер патента: US5508212A. Автор: Jau-Jey Wang,Ming-Hsung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1996-04-16.

Three dimensional package for semiconductor devices and external components

Номер патента: US12062597B2. Автор: Sreenivasan Kalyani Koduri,Christopher Daniel Manack. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having a metallic oxide or metallic hydroxide barrier layer

Номер патента: US10964658B2. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200266168A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Nano through substrate vias for semiconductor devices and related systems and methods

Номер патента: US20230386970A1. Автор: Kunal R. Parekh,Angela S. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09355937B2. Автор: Hidetoshi Koyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Protective barrier layer for semiconductor device electrodes

Номер патента: EP1925028A2. Автор: Martin Standing,David P. Jones,Andrew N. Sawle,Martin Carroll. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-05-28.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Protective film for semiconductors, semiconductor device, and composite sheet

Номер патента: US10825790B2. Автор: Naoya Okamoto,Katsuhiko Horigome,Ryohei Ikeda. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Fin cutting process for manufacturing FinFET semiconductor devices

Номер патента: US09754792B1. Автор: Garo Jacques DERDERIAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Process for etching semiconductor devices

Номер патента: US5344525A. Автор: David A. Cathey, Jr.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-09-06.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: WO2002059939A3. Автор: Mark N Martin. Владелец: Mark N Martin. Дата публикации: 2003-01-03.

PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN EMPTY TRENCH STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20160141428A1. Автор: Fiumara Antonino. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND DEVICE THUS OBTAINED

Номер патента: FR2290033A1. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1976-05-28.

Process for manufacturing a semiconductor device comprising an empty trench structure and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US9553209B2. Автор: Antonino FIUMARA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20200098752A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Yi-Min Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20180151563A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Yi-Min Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20190103403A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Yi-Min Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Process for production of semiconductor device and cleaning device used therein

Номер патента: GB9905302D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-28.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20040124479A1. Автор: TAKAGI Takeshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

POLISHING PAD, PROCESS FOR PREPARING THE SAME, AND PROCESS FOR PREPARING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20210122006A1. Автор: SEO Jang Won,YUN Sunghoon,HEO Hye Young. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Use of an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and process for producing a semiconductor device

Номер патента: EP1386949B1. Автор: Masayuki c/o JSR Corporation Hattori,Nobuo c/o JSR Corporation Kawahashi,Masayuki c/o JSR Corporation Motonari,Tomohisa c/o JSR Corporation Konno. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-01-14.

Method for plasma etching in process for fabrication of semiconductor device

Номер патента: CN1164761A. Автор: 李辉健,文大植,金成经,金敬勋,郭奎焕. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-11-12.

Method for plasma etching in process for fabrication of semiconductor device

Номер патента: CN1132232C. Автор: 李辉健,文大植,金成经,金敬勋,郭奎焕. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-24.

FIN CUTTING PROCESS FOR MANUFACTURING FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170250088A1. Автор: Derderian Garo Jacques. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6656021B2. Автор: Katsuhiro Ota,Akio Saito. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-02.

Process for manufacture of semiconductor devices

Номер патента: WO2013168047A1. Автор: Diana Franz,Bastian Marten Noller. Владелец: Basf Schweiz Ag. Дата публикации: 2013-11-14.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020034925A1. Автор: Katsuhiro Ota,Akio Saito. Владелец: Akio Saito. Дата публикации: 2002-03-21.

Process for manufacture of semiconductor devices

Номер патента: EP2847785A4. Автор: Diana Franz,Bastian Marten Noller. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-03-16.

Process for manufacture of semiconductor devices

Номер патента: EP2847785A1. Автор: Diana Franz,Bastian Marten Noller. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2015-03-18.

Process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: KR100445790B1. Автор: 아오키히데미쓰,와타나베가오리. Владелец: 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-08-25.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP1111671B1. Автор: Günter Dipl.-Ing. Igel. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2005-10-26.

Wet process for fabrication of semiconductor device using electrolytically ionized anode water and/or cathod water and electrolytically ionized anode water and/or cathode water used therein

Номер патента: KR100389917B1. Автор: 심우관,하상록,이근택,고형호,권영민,박임수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-07-04.

Process for isotropically etching semiconductor devices

Номер патента: US5358601A. Автор: David A. Cathey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-10-25.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: EP2602824A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-06-12.

Process for manufacture of semiconductor device

Номер патента: CN88100817A. Автор: 吉利·德劳希,奥托·库恩. Владелец: BBC BROWN BOVERI and Co Ltd. Дата публикации: 1988-11-30.

Manufacturing process for large matrix semiconductor devices

Номер патента: DE68926033D1. Автор: Almon P Fisher,Donald J Drake. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1996-04-25.

Process for forming nitride semiconductor device

Номер патента: CN112768520A. Автор: 中野拓真. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-05-07.

PERFECTED PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2334206A1. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-07-01.

Process for fabricating a semiconductor device having an improved metal interconnect structure

Номер патента: US5527739A. Автор: Jeffrey L. Klein,Louis C. Parrillo. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-06-18.

Fin cutting process for manufacturing finfet semiconductor devices

Номер патента: US20170250088A1. Автор: Garo Jacques DERDERIAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Manufacturing method for semiconductor chips and semiconductor wafer

Номер патента: WO2006075725A3. Автор: Kiyoshi Arita,Teruaki Nishinaka. Владелец: Teruaki Nishinaka. Дата публикации: 2007-02-08.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20240282634A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Mechanisms for semiconductor device structure

Номер патента: US09425048B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Metal Oxide Resists for EUV Patterning and Methods for Developing the Same

Номер патента: US20240045337A1. Автор: Akiteru Ko,Hamed Hajibabaeinajafabadi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Metal oxide resists for euv patterning and methods for developing the same

Номер патента: WO2024030275A1. Автор: Akiteru Ko,Hamad HAJIBABAEI. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-02-08.

Process for producing silicic coating, silicic coating and semiconductor device

Номер патента: US20100133692A1. Автор: Yasushi Kobayashi,Tadahiro Imada,Yoshihiro Nakata,Shirou Ozaki,Kouta Yoshikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Contact process and contact structure for semiconductor device

Номер патента: US09870943B2. Автор: Zong-Jie Ko,Hsiao-Leng Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Dual silicide wrap-around contacts for semiconductor devices

Номер патента: WO2020176814A1. Автор: Hiroaki Niimi. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-09-03.

Via for semiconductor device connection

Номер патента: US20240250020A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and apparatus for a direct buried strap for same level interconnections for semiconductor devices

Номер патента: EP1292979A2. Автор: Michael Stetter,Frank Grellner. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-03-19.

Conductive spacers for semiconductor devices and methods of forming

Номер патента: US20080272398A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Viraj Y. Sardesai,Gregory Costrini,Leland Chang,Gary Bela Bronner,Ramachandra Divakaruni,Haizhou Yin,David Michael Fried. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of Implantation for Semiconductor Device

Номер патента: US20220123111A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Che-Fu Chiu,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Methods and devices of correcting layout for semiconductor processes using machine learning

Номер патента: US12086526B2. Автор: Sooyong Lee,Seunghune YANG,Jeeyong Lee,Hyeyoung Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Epitaxial Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240372007A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Contact structure for semiconductor devices and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20020050627A1. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-05-02.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110421B2. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859364B1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: US20240250151A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: EP3944333A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Intelligent uniform masks for semiconductor fabrication

Номер патента: US20160161843A1. Автор: Tammy DongLei ZHENG. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20180158669A1. Автор: Yong Jae Kim,Ki Seok Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10818813B2. Автор: Takashi Ogura,Shigeaki Shimizu,Shinichi Watanuki,Tomoo Nakayama,Teruhiro KUWAJIMA,Futoshi Komatsu,Hiroyuki OKUAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Method for manufacturing semiconductor device having plural electroconductive plugs

Номер патента: US20070212831A1. Автор: Tomoko Inoue,Ken Inoue. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09916979B2. Автор: Yong Jae Kim,Ki Seok Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of forming metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US5670420A. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-23.

Borderless Contacts For Semiconductor Devices

Номер патента: US20120322251A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-20.

Source/Drain Contacts For Semiconductor Devices And Methods Of Forming

Номер патента: US20210367050A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Microwave excursion detection for semiconductor processing

Номер патента: WO2014003893A1. Автор: Juan Carlos Rocha-Alvarez,Sanjeev Baluja,Scott A. Hendrickson,Liliya Krivulina. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-03.

Process for producing semiconductor device

Номер патента: MY117750A. Автор: Kazuhiro Takahashi,Takashi Sugino,Hideo Senoo. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2004-07-31.

Semiconductor chip, semiconductor device, and process for producing a semiconductor device

Номер патента: US20020093014A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Process for manufacturing MOS semiconductor device having inactive zone with alternating thickness silicon oxide layer

Номер патента: US20040211984A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-28.

Process for forming a semiconductor device substrate

Номер патента: US9820390B2. Автор: Yonggang Li,Islam A. Salama,Mihir K. Roy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Process for forming a semiconductor device substrate

Номер патента: US09820390B2. Автор: Yonggang Li,Islam A. Salama,Mihir K. Roy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method to obtain information to control a manufacturing process for a stacked semiconductor device and detection system using such method

Номер патента: WO2024078883A1. Автор: Johannes Ruoff,Stratis Tzoumas,Christian LUTZWEILER. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Sheet for optical-semiconductor element encapsulation and process for producing optical semiconductor device using the sheet

Номер патента: US20050220414A1. Автор: Yuji Hotta,Noriaki Harada,Ichirou Suehiro,Naoki Sadayori. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-10-06.

Process for producing a semiconductor device

Номер патента: US5688712A. Автор: Taiji Ema,Toshimi Ikeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-11-18.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US10043702B2. Автор: Tomohiko Aika. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Production method of a semiconductor device

Номер патента: EP2317555A3. Автор: Atsuo Watanabe,Mitsutoshi Honda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-03-13.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20180083096A1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: WO2018057253A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US09923051B1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP3501039A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-06-26.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09929259B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Plasma dicing for semiconductor device fabrication

Номер патента: WO2024228887A1. Автор: Yichen WANG,Tsung Che Tsai,Raj K. Bansal,Vibhav GUPTA,Wie Chang WONG. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09620629B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Oxidation resistant mask layer and process for producing recessed oxide region in a silicon body

Номер патента: US3874919A. Автор: Herbert S Lehman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-04-01.

Embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213110A1. Автор: Stephen Coates,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070032066A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor devices structures including an isolation structure

Номер патента: US20130001737A1. Автор: Pai-Hung Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Method of Filling Large Deep Trench with High Quality Oxide for Semiconductor Devices

Номер патента: US20110140228A1. Автор: Xiaobin Wang,Anup Bhalla,Yeeheng Lee. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-06-16.

Isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US09608060B2. Автор: Shen-Ping Wang,Yu-Chieh Chou,Kun-Ming Huang,Po-Tao Chu,Lieh-Chuan Chen,Chun-Yi Yang,Tsai-Feng YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US10886407B2. Автор: Yuki Yanagisawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160196972A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09698046B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

EMI/RFI shielding for semiconductor device packages

Номер патента: US09673150B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor interconnect, electrode for semiconductor device, and method of preparing multielement compound thin film

Номер патента: US20220028792A1. Автор: Joungeun YOO,Sangwoon Lee,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor interconnect, electrode for semiconductor device, and method of preparing multielement compound thin film

Номер патента: US20230343709A1. Автор: Joungeun YOO,Sangwoon Lee,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for fabricating silicide layers for semiconductor device

Номер патента: US7446008B2. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160211170A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US09576918B2. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09553015B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

False collectors and guard rings for semiconductor devices

Номер патента: US20230317775A1. Автор: Alexei Sadovnikov,Guruvayurappan S. MATHUR. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Substrates for semiconductor device assemblies and systems with improved thermal performance and methods for making the same

Номер патента: US20230154823A1. Автор: Chan H. Yoo,Xiaopeng Qu,Hyunsuk CHUN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Dummy Gate Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20160005814A1. Автор: Shih-Chi Fu,Chien-Chih Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Method of manufacturing isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US10256136B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Han-Sang Song,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Back-plane for semiconductor device

Номер патента: US6281551B1. Автор: Sandip Tiwari,Kevin Kok Chan,Paul Michael Solomon,Erin Catherine Jones,Christopher Peter D'Emic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-28.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190006268A1. Автор: Masatoshi Sugiura,Hiroi Oka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US10388597B2. Автор: Masatoshi Sugiura,Hiroi Oka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

Lead frame for a package for a semiconductor device, semiconductor device and process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12142552B2. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-11-12.

SEALING COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND POLYMER AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20140367868A1. Автор: Mio Shigeru,Ono Shoko,Kohmura Kazuo,Tanaka Hirofumi,Kayaba Yasuhisa,Suzuki Tsuneji. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Lead frame for a package for a semiconductor device, semiconductor device and process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210035894A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-02-04.

LEAD FRAME FOR A PACKAGE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210035894A1. Автор: FONTANA Fulvio Vittorio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2021-02-04.

Lead frame for a package for a semiconductor device, semiconductor device and process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP3772097B1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-09-28.

Resin-sealed-type semiconductor device, and production process for producing such semiconductor device

Номер патента: TW200414465A. Автор: Naoto Kimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-01.

Process for producing optical semiconductor device

Номер патента: EP1580818A1. Автор: Yuji Hotta,Ichirou Suehiro. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-09-28.

Multilayer wiring structure for semiconductor device

Номер патента: US20010045656A1. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US09947761B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Epitaxial Growth Process for Semiconductor Device and Semiconductor Device Comprising Epitaxial Layer Formed By Adopting the Same

Номер патента: US20210398805A1. Автор: Qin Deng,Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US6773936B2. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2004-08-10.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20030087508A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2003-05-08.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230378252A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Conversion process utilized for manufacturing advanced 3D features for semiconductor device applications

Номер патента: US09553174B2. Автор: Ludovic Godet,Christopher Hatem,Martin A. Hilkene,Matthew D. Scotney-Castle. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for semiconductor selective etching and bsi image sensor

Номер патента: US20160141330A1. Автор: Jason Chang,Simon Wang,Kevin Shi,Phil WU,Victor LUO,Silver XI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Substrate for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: EP4379774A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Doping procedures for semiconductor devices

Номер патента: CA2018976A1. Автор: Jenn-Ming Kuo,Rose Fasano Kopf,Erdmann Frederick Schubert,Henry Steven Luftman. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-12-31.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060163719A1. Автор: Tetsuya Kaji,Megumi Yamamura,Toshihide Shimmei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Manufacturing method for semiconductor device, annealing device, and annealing method

Номер патента: US09449848B2. Автор: Kiyotaka Miyano,Tomonori Aoyama,Tatsunori Isogai,Wakana KAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Non-orthogonal slotted vias for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20220189874A1. Автор: Raja Kumar Varma Manthena,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Trench structure for semiconductor device

Номер патента: US20240112965A1. Автор: Takashi Hisada,Toyohiro Aoki,Marc A. Bergendahl,Chinami MARUSHIMA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: WO2005079472A3. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: WO2005079472A2. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2005-09-01.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: EP1719160A2. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-11-08.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09608123B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Yuji EGI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Gettering process for producing semiconductor device

Номер патента: US09508802B2. Автор: Tsunenobu Kimoto,Akinori Seki,Katsunori Danno,Hiroaki Saitoh. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2016-11-29.

Process for the preparation of semiconductor devices

Номер патента: US5158904A. Автор: Takashi Ueda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Temporarily fixing agent for semiconductor wafer, and process for production of semiconductor device using same

Номер патента: CN102224215A. Автор: 楠木淳也,川田政和,竹内江津,杉山广道,久保山俊治. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-19.

Hardenable pressure-senstitive adhesive sheet for semiconductors and process for producing a semiconductor device

Номер патента: EP1598864A2. Автор: Osamu Yamazaki,Naoya Saiki,Akie Hamasaki. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2005-11-23.

Process for producing semiconductor device and apparatus therefor

Номер патента: US20120251968A1. Автор: Hiroyuki Matsui,Yutaka Makino,Yoshito Akutagawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Adhesive for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing said device

Номер патента: TW201726863A. Автор: Akira Nagai,Kazutaka Honda,Keishi Ono,Kouichi CHABANA. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Process for manufacturing a semiconductor device using a diffusion step involving a previous implantation step, and device made by that process

Номер патента: DE3269712D1. Автор: Michel Salvi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-04-10.

Adhesives for semiconductors, semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: KR102064584B1. Автор: 가즈타카 혼다,아키라 나가이,고이치 차바나,게이시 오노. Владелец: 히타치가세이가부시끼가이샤. Дата публикации: 2020-01-10.

Process for fabrication of semiconductor device

Номер патента: TW557501B. Автор: Toshihide Nabatame,Yuichi Matsui,Masahiko Hiratani,Yasuhiro Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-10-11.

Same-side gated process for encapsulating semiconductor devices

Номер патента: US5254501A. Автор: Richard K. Tung,Joel J. Camarda. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-10-19.

Fabrication of a semiconductor device containing deep emitter and another transistor with shallow doped region

Номер патента: US4783423A. Автор: Tunenori Yamauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-11-08.

Process for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150064882A1. Автор: Tsunenobu Kimoto,Akinori Seki,Katsunori Danno,Hiroaki Saitoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-05.

Developing process, process for forming pattern and process for preparing semiconductor device using same

Номер патента: EP1128220A3. Автор: Teruhiko Kumada,Atsuko Fujino,Atsushi Oshida,Koji Tange,Hitoshi Fukuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-19.

Process for producing semiconductor device

Номер патента: US5147810A. Автор: Kenichi Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1992-09-15.

Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same

Номер патента: CA2306948C. Автор: Yang Yang. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-09-07.

Process and system for manufacturing an encapsulated semiconductor device

Номер патента: US20090011549A1. Автор: Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-01-08.

Process for fabricating semiconductor device and method of fabricating metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130072028A1. Автор: Yu-Ren Wang,Chien-Liang Lin,Ying-Wei Yen,Te-Lin Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND AN INTERMEDIATE PRODUCT FOR THE MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140106553A1. Автор: Egard Mikael,Wernersson Lars-Erik,Lind Erik. Владелец: Acconeer AB. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device, and process for production of semiconductor device

Номер патента: WO2011040172A1. Автор: 康夫 高橋,雅裕 杉本,関　章憲,憲 川橋,前田　将克. Владелец: トヨタ自動車株式会社. Дата публикации: 2011-04-07.

Process for preparing semiconductor device

Номер патента: CA2050781C. Автор: Masaru Sakamoto,Masakazu Morishita,Shigeru Nishimura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-11-18.

Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same

Номер патента: CA2306948A1. Автор: Yang Yang. Владелец: Yang Yang. Дата публикации: 1999-04-29.

Process for preparing semiconductor device

Номер патента: CA2050781A1. Автор: Masaru Sakamoto,Masakazu Morishita,Shigeru Nishimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-03-08.

Process for manufacturing a semiconductor device, a semiconductor device and a high-frequency circuit

Номер патента: US20060071214A1. Автор: Christoph Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor device, and process for production of semiconductor device

Номер патента: EP2485250A4. Автор: Yasuo Takahashi,Masahiro Sugimoto,Akinori Seki,Masakatsu Maeda,Akira Kawahashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-08-21.

Method for oxide film formation, semiconductor device comprising the oxide film, and process for producing the semiconductor device

Номер патента: WO2007010921A1. Автор: Hikaru Kobayashi. Владелец: OSAKA UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device and manufacturing process therefor

Номер патента: US20110207272A1. Автор: Takashi Hase. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and a process for forming the semiconductor device

Номер патента: TW473956B. Автор: Stuart E Greer. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-01-21.

Process for production of semiconductor device, and plasma doping device

Номер патента: TW201133647A. Автор: Shigenori Hayashi,Yuichiro Sasaki,Masafumi Kubota. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-01.

Composite particles and production process thereof, aqueous dispersion, aqueous dispersion composition for chemical mechanical polishing, and process for manufacture of semiconductor device

Номер патента: US6454819B1. Автор: Gaku Minamihaba,Hiroyuki Yano,Masayuki Hattori,Yukiteru Matsui,Masayuki Motonari,Katsuya Okumura,Akira Iio. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Composite particles and production process thereof, aqueous dispersion composition for chemical polishing, and process for manufacture of semiconductor device

Номер патента: EP1020488A2. Автор: Hiroyuki c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Yano,Yukiteru c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Matsui,Katsuya c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Okumura,Akira c/o JSR Corporation Iio,Masayuki c/o JSR Corporation Hattori,Masayuki c/o JSR Corporation Motonari,Gaku c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Minamihaba. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2000-07-19.

Composite particles and production process thereof, aqueous dispersion composition for chemical polishing, and process for manufacture of semiconductor device

Номер патента: EP1683821A1. Автор: Masayuki Hattori,Masayuki Motonari,Akira Iio,Hiroyuki Kabushiki Kaisha Toshiba Yano,Gaku Kabushiki Kaisha Toshiba Minamihaba,Katsuya Kabushiki Kaisha Toshiba Okumura,Yukiteru Kabushiki Kaisha Toshiba Matsui. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2006-07-26.

Composite particles and production process thereof, aqueous dispersion composition for chemical polishing, and process for manufacture of semiconductor device

Номер патента: EP1020488B1. Автор: Hiroyuki c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Yano,Yukiteru c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Matsui,Katsuya c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Okumura,Akira c/o JSR Corporation Iio,Masayuki c/o JSR Corporation Hattori,Masayuki c/o JSR Corporation Motonari,Gaku c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Minamihaba. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2008-12-31.

Composite particles and production process thereof, aqueous dispersion, aqueous dispersion composition for chemical mechanical polishing, and process for manufacture of semiconductor device

Номер патента: TWI286151B. Автор: Gaku Minamihaba,Hiroyuki Yano,Yukiteru Matsui,Masayuki Motonari,Katsuya Okumura. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2007-09-01.

Composite particles and production process thereof, aqueous dispersion composition for chemical polishing, and process for manufacture of semiconductor device

Номер патента: EP1683821B1. Автор: Masayuki Hattori,Masayuki Motonari,Akira Iio,Hiroyuki Kabushiki Kaisha Toshiba Yano,Yukiteru Kabushiki Kaisha Toshiba Matsui,Gaku c/o Intellectual Property Division Minamihaba,Katsuya c/o Octec Inc. Okumura. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2013-01-02.

Composite particles and production process thereof, aqueous dispersion composition for chemical polishing, and process for manufacture of semiconductor device

Номер патента: EP1020488A3. Автор: Hiroyuki c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Yano,Yukiteru c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Matsui,Katsuya c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Okumura,Akira c/o JSR Corporation Iio,Masayuki c/o JSR Corporation Hattori,Masayuki c/o JSR Corporation Motonari,Gaku c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Minamihaba. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2001-05-02.

Solid source vaporizer for using ion implant process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: KR100688780B1. Автор: 김민주. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-03-02.

Process for fabrication of semiconductors utilizing selectively etchable diffusion sources in combination with melt-flow techniques

Номер патента: US4204894A. Автор: Kazufumi Ogawa,Tadao Komeda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-27.

Method for growing crystals of nitride semiconductor, and process for manufacture of semiconductor device

Номер патента: WO2010113423A1. Автор: 加藤亮,井上彰,横川俊哉,藤金正樹. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2010-10-07.

Process for fabricating SiC semiconductor devices

Номер патента: US3956032A. Автор: J. Anthony Powell,Herbert A. Will. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1976-05-11.

Process for manufactuirng super-barrier rectifiers

Номер патента: US20140087539A1. Автор: Francesco Lizio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-03-27.

Process for forming a semiconductor device

Номер патента: KR100714661B1. Автор: 첸핑,배트나바칸타,츄이폴지.와이.,팜다니엘티.케이.. Владелец: 프리스케일 세미컨덕터, 인크.. Дата публикации: 2007-05-07.

PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A FET TRANSISTOR WITH A T-GRID

Номер патента: FR2916083A1. Автор: Yasuki Aihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-11-14.

Process for producing optical semiconductor device

Номер патента: EP1538681A2. Автор: Yuji Hotta,Takashi Kamada,Ichirou Suehiro,Naoki Sadayori. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-06-08.

Process for manufacturing a semiconductor device or a transistor with embedded Si / GE material with improved boron inclusion and transistor

Номер патента: DE102008035806B4. Автор: Jan Hoentschel,Vassilios Austin Papageorgiou,Maciej Wiatr. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2010-06-10.

Process for producing integrated semiconductor devices having adjacent heavily doped semiconductor regions of the opposite-conductivity type

Номер патента: EP0003330B1. Автор: Armin Bohg,Ingrid Emese Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-06-09.

Process for producing a semiconductor device using a dicing tape-integrated wafer back surface protective film

Номер патента: TWI531632B. Автор: 高本尚英. Владелец: 日東電工股份有限公司. Дата публикации: 2016-05-01.

Process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030194881A1. Автор: Tomoki Oku,Masahiro Totsuka,Ryo Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Process for mounting a semiconductor device

Номер патента: EP1544908A1. Автор: Takeshi Matsumura,Sadahito Misumi,Hiroyuki Kondou,Kazuhito Hosokawa. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-06-22.

PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE OF A II-VI COMPOUND COMPRISING MERCURY

Номер патента: FR2688344A1. Автор: YOSHIDA Yasuaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-09-10.

Cleaning composition and process for producing a semiconductor device

Номер патента: EP2128707B1. Автор: Hiroshi Matsunaga,Masaru Ohto,Hiroshi Yoshida,Hideo Kashiwagi. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2014-04-30.

Replacement gate process for making a semiconductor device that includes a metal gate electrode

Номер патента: US20050214987A1. Автор: Mark Doczy,Chris Barns,Justin Brask,Uday Shah,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Process for forming a semiconductor device and a conductive structure

Номер патента: KR100748377B1. Автор: 토빈필립제이.,에데투투올루분미,마이티비카스. Владелец: 프리스케일 세미컨덕터, 인크.. Дата публикации: 2007-08-10.

Process for forming a semiconductor device and a conductive structure

Номер патента: SG89366A1. Автор: Maiti Bikas,Adetutu Olubunmi,J Tobin Philip. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-06-18.

Process for manufacturing a semiconductor device having a protective lazor

Номер патента: KR900003617B1. Автор: 가츠야 오쿠무라,아츠무 데자키,리이치로우 아오키. Владелец: 와타리 스기이치로. Дата публикации: 1990-05-26.

Process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: KR100536113B1. Автор: 하또리료,토쓰카마사히로,오쿠토모키. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-12-14.

PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2779008B1. Автор: Won Suk Yang,Chang Hyum Cho,Ki Nam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-26.

Mount tape having an inner support layer between adhesive layers for semiconductor device assembly

Номер патента: US20240063047A1. Автор: Brandon P. Wirz,Youngrae Kim,Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for producing semiconductor device and intermediate for semiconductor device

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Yoichi Kodama,Jun Kamada,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Kaichiro Haruta. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Handler bonding and debonding for semiconductor dies

Номер патента: US09947570B2. Автор: John U. Knickerbocker,Jeffrey Donald Gelorme,Cornelia Tsang YANG,Li-Wen Hung,Paul S. Andry,Bing Dang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for dividing semiconductor wafer and manufacturing method for semiconductor devices

Номер патента: US20090197393A1. Автор: Kazuhiro Noda,Akira Nakagawa,Hiroshi Haji,Kiyoshi Arita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240339429A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4443481A2. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device having semiconductor elements connected to an intermediate plate by a brazing filler metal, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09640491B2. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: WO2015033209A9. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-04-14.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20210002474A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Hiroki Oishi,Ryuhei Yokota,Masahiro Kaneta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20210193523A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: EP3817034A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-05-05.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US11728285B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090148997A1. Автор: Kazuhiro Fukuchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7776703B2. Автор: Kazuhiro Fukuchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-17.

Overlay process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6228705B1. Автор: Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,David Horak,Steven J. Holmes,William H. Ma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-05-08.

Process for producing a semiconductor device using a crystalline insulating substrate

Номер патента: DE3065512D1. Автор: Nobuo Sasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-12-15.

Manufacturing method for semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120217497A1. Автор: Fumito Shoji,Noriteru Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080203532A1. Автор: Seiichi Hirabayashi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Multi-row wiring member for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190096793A1. Автор: Kaoru HISHIKI,Ichinori Iidani. Владелец: Ohkuchi Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240243169A1. Автор: Yoshiharu Kato,Yuuki Oda,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Adhesive film for semiconductor, and semiconductor device

Номер патента: US10818610B2. Автор: Young Kook Kim,Kwang Joo Lee,Hee Jung Kim,Nu Ri Na. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Lateral high-Q inductor for semiconductor devices

Номер патента: US20010043136A1. Автор: Jerome Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Vertical slow-wave symmetric inductor structure for semiconductor devices

Номер патента: US09508480B2. Автор: Hsiu-Ying Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: TW201130942A. Автор: Shigeki Katogi,Takashi Masuko,Takashi Kawamori,Shinjiro Fujii,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-16.

Packaging process tools and systems, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09543185B2. Автор: Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Chun-Cheng Lin,Wei-Hung Lin,Kuei-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Connectable package extender for semiconductor device package

Номер патента: US09892991B2. Автор: Theng Chao Long,Tian San Tan,Ming Kai Benny Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

A die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP3754703A1. Автор: Mr. Paolo CREMA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-12-23.

Die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20200402895A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-12-24.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor device, and process for manufacture of semiconductor device

Номер патента: EP2546869A4. Автор: Kazunaga Onishi,Yoshikazu Takamiya,Yoshihiro Kodaira,Takaaki Funakoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Power Semiconductor Device with Reduced Contact Resistance

Номер патента: US20130175690A1. Автор: Mark Pavier,Sven Fuchs. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-07-11.

Die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20230187296A1. Автор: Nicoletta Modarelli,Guendalina Catalano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and method of forming components for semiconductor device

Номер патента: EP4434086A1. Автор: Lim Chee Chian,Stanley Lai,Barry Lin,Yew-Khuan Teoh,Tuang KWANG HWEE. Владелец: Vishay Siliconix LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230170324A1. Автор: Kousuke Hirata,Ryousuke Kouda. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-01.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: WO2013032688A2. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Hybrid mold chase surface for semiconductor bonding and related systems and methods

Номер патента: US20230268198A1. Автор: Byung Hoon Moon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Packaged semiconductor devices and methods of packaging thereof

Номер патента: US10269693B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Manufacturing method for semiconductor devices

Номер патента: US8017440B2. Автор: Yuichi Machida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Package structure for semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US12040241B2. Автор: CHEN Liu,Yuming Zhang,Hongliang LV. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-07-16.

Hybrid bonding for semiconductor device assemblies

Номер патента: WO2024177811A1. Автор: Bharat Bhushan,Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Akshay N. Singh,Debjit Datta,Chaiyanan Kulchaisit. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Hybrid bonding for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240282731A1. Автор: Bharat Bhushan,Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Akshay N. Singh,Debjit Datta,Chaiyanan Kulchaisit. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Package for semiconductor device and method of manufacturing it

Номер патента: IE54664B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-01-03.

Semiconductor device assembly with graded modulus underfill and associated methods and systems

Номер патента: US20220068666A1. Автор: Jungbae Lee,Chih Hong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device assembly with graded modulus underfill and associated methods and systems

Номер патента: US11682563B2. Автор: Jungbae Lee,Chih Hong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP4235762A3. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Ball bonding for semiconductor devices

Номер патента: US20240290746A1. Автор: Tingting Yu,Ye Zhuang,Xiao Lin Kang,Xiaoling Kang,Zi Qi Wang,Jiafeng LIAO. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor element, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09553063B2. Автор: Akira Yamada,Takeharu Kuroiwa,Masayoshi Tarutani,Kenji Ohtsu,Taku Kusunoki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device, electronic system, and electrostatic discharge protection method for semiconductor device thereof

Номер патента: US20230290774A1. Автор: Chun-Lu LEE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US09941223B2. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Power supply arrangement for semiconductor device

Номер патента: US09406648B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Monsen Liu,Sen-Kuei HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Device having a contact between semiconductor regions through a buried insulating layer, and process for fabricating said device

Номер патента: US09490264B2. Автор: Richard Ferrant,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431545B2. Автор: Toshihiko Saito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Akihiro Ishizuka,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Process for producing semiconductor device

Номер патента: MY149401A. Автор: Banba Toshio. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2013-08-30.

Liquid adhesive composition for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2011058998A1. Автор: 真二郎 藤井,加藤木　茂樹,崇司 川守,一行 満倉,増子　崇. Владелец: 日立化成工業株式会社. Дата публикации: 2011-05-19.

Film adhesive for semiconductor, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: KR102455211B1. Автор: 다케히로 스가와라,도시야스 아키요시. Владелец: 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤. Дата публикации: 2022-10-14.

Adhesive film for semiconductor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device.

Номер патента: JP4449325B2. Автор: 範行 大東. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE

Номер патента: US20200095481A1. Автор: HONDA Kazutaka,Nagai Akira,ONO Keishi,CHABANA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE

Номер патента: US20180312731A1. Автор: HONDA Kazutaka,Nagai Akira,ONO Keishi,CHABANA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

PROTECTIVE FILM FOR SEMICONDUCTORS, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND COMPOSITE SHEET

Номер патента: US20180138141A1. Автор: OKAMOTO Naoya,Horigome Katsuhiko,Ikeda Ryohei. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

Sealing composition for semiconductor, semiconductor device and method of producing the same, and polymer and method of producing the same

Номер патента: US9169353B2. Автор: Tsuneji Suzuki,Hirofumi Tanaka,Shigeru Mio,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Shoko Ono. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Process for forming a semiconductor device

Номер патента: TW365044B. Автор: Sufi Zafar. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 1999-07-21.

Process for producing a semiconductor device having hemispherical grains

Номер патента: GB9815646D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-16.

Process for producing a semiconductor device having hemispherical grains

Номер патента: GB2329279B. Автор: Hirohito Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-01-12.

Composition for interlayer filler of layered semiconductor device, layered semiconductor device, and process for producing layered semiconductor device

Номер патента: US20160009947A1. Автор: Makoto Ikemoto,Yasuhiro Kawase,Masanori Yamazaki,Hideki KIRITANI,Masaya Sugiyama. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Resist pattern thickening material, process for forming resist pattern, and process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7364829B2. Автор: Takahisa Namiki,Koji Nozaki,Junichi Kon,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20130134411A1. Автор: Chikama Yoshimasa,Ohta Yoshifumi,Mizuno Yuuji,Suzuki Masahiko,Takei Michiko,Nakagawa Okifumi,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,MIYAMOTO YOSHINOBU. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-05-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE INTEGRATING A VOLTAGE DIVIDER AND PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150001677A1. Автор: PALUMBO Vincenzo,Venturato Mirko. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2015-01-01.

Process for production of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2011030735A1. Автор: 正樹 笠原. Владелец: ミツミ電機株式会社. Дата публикации: 2011-03-17.

Compound semiconductor substrate, semiconductor device, and process for producing the semiconductor device

Номер патента: EP2381018A1. Автор: Keiji Ishibashi,Fumitake Nakanishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-10-26.

Compound semiconductor substrate, semiconductor device, and process for producing the semiconductor device

Номер патента: WO2010082366A1. Автор: 石橋　恵二,中西　文毅. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2010-07-22.

Method for machining nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor wafer, process for producing nitride semiconductor device, and nitride semiconductor device

Номер патента: EP2246877A4. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-30.

Semiconductor device, process for production of semiconductor device, and display device

Номер патента: WO2011129227A1. Автор: 井上　毅,鈴木　正彦,純史 太田,祥征 春本,興史 中川,近間　義雅,竹井　美智子,恵信 宮本,Yuuji MIZUNO (水野 裕二). Владелец: 水野 一七江. Дата публикации: 2011-10-20.

Process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050074916A1. Автор: Jui-Hsiang Pan,Cheng-Kuang Sun,Kuang-Shin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-04-07.

Process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050095739A1. Автор: Jui-Hsiang Pan,Cheng-Kuang Sun,Kuang-Shin Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

Insulating film material, multilayer wiring board and process for producing the multilayer wiring board, and semiconductor apparatus and process for producing the semiconductor device

Номер патента: WO2009008212A1. Автор: Yasushi Kobayashi,Yoshihiro Nakata,Shirou Ozaki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2009-01-15.

Sheet for optical-semiconductor element encapsulation and process for producing optical semiconductor device using the sheet

Номер патента: TWI282627B. Автор: Yuji Hotta,Noriaki Harada,Ichirou Suehiro,Naoki Sadayori. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2007-06-11.

MOLD RELEASE FILM AND METHOD OF PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20140335634A1. Автор: HIGUCHI Yoshiaki,KASAI Wataru,Ataku Masakazu,TAGUCHI Daisuke,OTSUGU Satoshi. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2014-11-13.

POROUS POLYURETHANE POLISHING PAD AND PROCESS FOR PREPARING A SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20180339394A1. Автор: SEO Jang Won,YUN Sunghoon,AHN Jaein,KYUN Myung-Ok,MOON Su Young. Владелец: SKC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-29.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5245264A. Автор: Hiroshi Takayama. Владелец: NEC Home Electronics Ltd. Дата публикации: 1977-04-09.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5240980A. Автор: Masao Tsuruoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-03-30.

PROCESS FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED INTERNAL SPACERS

Номер патента: FR3060841B1. Автор: Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Remi Coquand. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-02-12.

Process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020197785A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Toru Mitsuki,Kenji Kasahara,Hideto Ohnuma,Tamae Takano,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

A process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP0430429A3. Автор: Hsingya Arthur Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1991-10-16.

Process for producing a semiconductor device with a roughened semiconductor surface

Номер патента: US6309953B1. Автор: HELMUT Fischer,Ernst Nirschl,Reinhard Sedlmeier,Gisela Lang. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-30.

Data processing apparatus for semiconductor processing apparatus

Номер патента: US20030168171A1. Автор: Toshio Masuda,Junichi Tanaka,Hideyuki Yamamoto,Akira Kagoshima,Shoji Ikuhara. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2003-09-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290618A1. Автор: Sho NAKANISHI,Yanzhe Wang. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of producing semiconductor devices of a MONOS type

Номер патента: US5324675A. Автор: Itsunari Hayabuchi. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Tray for semiconductor devices

Номер патента: US09818632B2. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US20040167656A1. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US6711453B2. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Fab Solutions Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Film for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160322251A1. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12142532B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130168734A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Supporting member for semiconductor elements, and method for driving supporting member for semiconductor elements

Номер патента: US20060040431A1. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Manufacturing line for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761471B2. Автор: Daisuke Sugizaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and structure for improved floating gate oxide integrity in floating gate semiconductor devices

Номер патента: US20120270387A1. Автор: Yihguei Wey. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2012-10-25.

Methods and Apparatus for Semiconductor Memory Devices Manufacturable Using Bulk CMOS Process Manufacturing

Номер патента: US20080315268A1. Автор: Yiming Zhu. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Laser annealing method for semiconductor device, semiconductor device, laser annealing method, control device of laser annealing apparatus, and laser annealing apparatus

Номер патента: US12062544B2. Автор: Takashi Yoshimura,Takeshi Aiba,Hiroshi TAKISHITA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Cleaning liquid composition for semiconductor wafer and cleaning method using same

Номер патента: US11970672B2. Автор: Seung Hyun Lee,Seong Hwan Kim,Seung Hun Lee,Seung Oh JIN. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09852926B2. Автор: Kengo Akimoto,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

PECVD protective layers for semiconductor devices

Номер патента: US09761439B2. Автор: Zoltan Ring,Daniel Namishia,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5766996A. Автор: Toshiyuki Hayakawa,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Wafer edge protective-film-forming composition for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP4398035A1. Автор: Rikimaru Sakamoto,Satoshi Takeda,Takahiro Kishioka,Hayato Hattori,Shunsuke MORIYA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Production process standardization system of semiconductor device and method of same and storage medium storing that method

Номер патента: EP1187045A3. Автор: Nakamura Tadahiko,Kadowaki Tomohiko. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2006-05-03.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090309133A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Takayuki Ito,Takuo Ohashi,Kiyotaka Miyano,Kouji Matsuo,Kenichi Yoshino,Toshihiko Iinuma,Yusuke Oshiki,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor to Metal Transition for Semiconductor Devices

Номер патента: US20160372539A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Christoph Weiss,Frank Hille,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-22.

Contactor for semiconductor devices, a testing apparatus using such contactor, a testing method using such contactor, and a method of cleaning such contactor

Номер патента: US20020190741A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Makoto Haseyama,Futoshi Fukaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20030197232A1. Автор: Satoshi Kamiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-10-23.

Substrate for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313086A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Film for semiconductor device production, method for producing film for semiconductor device production, and method for semiconductor device production

Номер патента: US09761475B2. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor to metal transition for semiconductor devices

Номер патента: US09685504B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Christoph Weiss,Frank Hille,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of contact-barrier metallization production

Номер патента: RU2698540C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-08-28.

Construction of short-length electrode in semiconductor device

Номер патента: CA1232370A. Автор: Bertrand M. Grossman,Frank F. Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-02-02.

Spacers for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240063166A1. Автор: Bong Woo Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Stock/transfer vessel for semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20010027028A1. Автор: Tatsuya Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: US20240162377A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2024-05-16.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: CA3213630A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2022-09-22.

Channel structures including doped 2D materials for semiconductor devices

Номер патента: US12100755B2. Автор: Ching-Hua Lee,Ta-Hsiang Kung,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Gate structure for semiconductor device

Номер патента: US20240379810A1. Автор: Chi On Chui,Wei-Cheng Wang,Kuan-Ting Liu,Jo-Chun Hung,Chung-Chiang WU,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09412755B2. Автор: Kazuhiko Sato,Hiroshi Ishida. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-08-09.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A2. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20100136716A1. Автор: Hisashi Okuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20200335403A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20210287947A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Manufacturing method for semiconductor device and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US7897524B2. Автор: Masaki Kamimura,Kenichi Yoshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Gripper for semiconductor devices

Номер патента: WO2017172646A1. Автор: Emmanuel Chua Abas,Vergil Rodriguez Sandoval. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: MY176699A. Автор: Yoshinori Nagao. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2020-08-19.

Method of glass deposition for semiconductor device fabrication

Номер патента: EP4415053A1. Автор: Lei He,Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US09627500B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A3. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

P+ or N+ type doping process for semiconductors

Номер патента: US11769668B2. Автор: Gianluigi MAGGIONI,Davide DE SALVADOR,Daniel Ricardo NAPOLI,Enrico NAPOLITANI. Владелец: Instituto Nazionale di Fisica Nucleare INFN. Дата публикации: 2023-09-26.

Crystallization processing for semiconductor applications

Номер патента: SG10201407955QA. Автор: Stephan Moffat. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Header for semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: US20220181525A1. Автор: Wataru KATAYAMA. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Storage apparatus for semiconductor devices and storage system including the same

Номер патента: US20240297060A1. Автор: Sanghyuk PARK,Jihun Kim,Youngon OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020093040A1. Автор: Kazuo Tomita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Method of glass deposition for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240258099A1. Автор: Lei He,Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Header for semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: US12087886B2. Автор: Wataru KATAYAMA. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for semiconductor wafer alignment

Номер патента: US09601436B2. Автор: De-Fang Huang,Hsiao-Yi WANG,Shing-Kuei LAI,Wei-Yueh Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for forming merged contact for semiconductor device

Номер патента: US09431399B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Emre Alptekin,Mickey H. Yu,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Schottky contact structure for semiconductor devices and method for forming such schottky contact structure

Номер патента: CA3053962C. Автор: Kamal Tabatabaie-Alavi,Christopher J. MacDonald,Kezia Cheng. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Manufacturing apparatus and method for semiconductor device and cleaning method of manufacturing apparatus for semiconductor

Номер патента: US20110312187A1. Автор: Kunihiko Suzuki,Hideki Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Replacement channels for semiconductor devices and methods for forming the same using dopant concentration boost

Номер патента: US09627539B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon carbide semiconductor devices having buried silicon carbide conduction barrier layers therein

Номер патента: US5543637A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1996-08-06.

Method and device using silicide contacts for semiconductor processing

Номер патента: US20030235984A1. Автор: David Brown,Simon Chan,Eric Paton,Paul Besser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Low resistance contact for semiconductor devices

Номер патента: US09799747B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Doped zinc oxide as n+ layer for semiconductor devices

Номер патента: US09722033B2. Автор: Devendra K. Sadana,Joel P. Desouza,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Ko-Tao Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, semiconductor device using the same, and process for producing semiconductor device

Номер патента: EP1591465A1. Автор: Takuji Okeyui,Kazuhiro Ikemura,Kazuhito Hosokawa,Keisuke Yoshikawa. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-11-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200006514A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang,Wei-Ming Hsiao,Kuan-Chun Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device having metal gate structure

Номер патента: US09825144B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Shih-Fang Tzou,Chien-Ming Lai,Tong-Jyun Huang,Hung-Yi Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Pillar-shaped semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230328949A1. Автор: Kenichi Kanazawa. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Manufacturing methods for laterally diffused metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-30.

Method using silicide contacts for semiconductor processing

Номер патента: WO2004001826A1. Автор: Eric N. Paton,Simon S. Chan,Paul R. Besser,David E. Brown. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2003-12-31.

Buffer structure for semiconductor device and methods of fabrication

Номер патента: US20100163848A1. Автор: Prashant Majhi,Jack Kavalieros,Wilman Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

A method for forming rectangular-shape spacers for semiconductor devices

Номер патента: WO2005069362A1. Автор: Huicai Zhong,Srikanteswara Dakshina-Murthy. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-07-28.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20230148306A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Multi-vt integration scheme for semiconductor devices

Номер патента: US20240266414A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Yixiong Yang,Geetika Bajaj,Tianyi Huang,Tengzhou Ma,Hsin-Jung Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Electrodes for semiconductor electroplating apparatus and their application

Номер патента: WO1999031299A1. Автор: Robert W. Berner,Thomas L. Ritzdorf,Robert W. Batz, Jr.,Steven L. Peace,Harry J. Geyer,Jeffrey I. Turner,Larry R. Radloff,Martin C. Bleck,Lloyd W. Graham,Kyle M. Hansen,Chris K. Haugen,Brent Passwater. Владелец: Semitool, Inc.. Дата публикации: 1999-06-24.

Manufacturing method for semiconductor device having a T-type gate electrode

Номер патента: US20060009032A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Photo-imaged stress management layer for semiconductor devices

Номер патента: US20060199282A1. Автор: James Guenter,Robert Hawthorne,Jose Aizpuru. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor device, method of positioning semiconductor device, and positioning apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20140339711A1. Автор: Masato Mikami. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Radiation protection for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: WO2023033950A1. Автор: Lu Fu Lin,Yung Sheng Zou,Chong Leong Gan,Li Jao,Min Hua Chung. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Stiffener frame for semiconductor device packages

Номер патента: EP4399740A1. Автор: Han-Wen Chen,Steven Verhaverbeke,Giback Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Ground shields for semiconductors

Номер патента: WO2007120322A2. Автор: Robert A. Pryor,Daniel J. Lamey,Xiaowei Ren. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-25.

Alignment mark for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20070257288A1. Автор: Hiroshi Fukuda,Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Bonding member for semiconductor device

Номер патента: US12119322B2. Автор: Akira Fukui,Toshie FUKUI. Владелец: SUPERUFO291 TEC. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09685419B2. Автор: Shigeyuki Ueda,Tadahiro Morifuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Seal ring structure with rounded corners for semiconductor devices

Номер патента: US09530813B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,I-l Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Aluminum and aluminum alloy radiator for semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: MY117367A. Автор: Masato Sasaki,Yoshio Hirayama,Yoichi Miura,Hideo Horita. Владелец: Dainippon Printing Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-30.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20080180124A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: ISC Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Active protection circuits for semiconductor devices

Номер патента: US20230275042A1. Автор: Michael A. Smith,Kenneth W. Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and adjusting method for semiconductor device

Номер патента: US20080268555A1. Автор: Shigetaka Asano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Method and apparatus for semiconductor testing at low temperature

Номер патента: US09385053B2. Автор: Manuschai Manuschai,Prasit Prasit,Santi BUTSOONGNOEN,Yutthana JITTABUT,Phisanu SOMBATKLUNG. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device having a tin metallization system and package containing same

Номер патента: US4187599A. Автор: Richard L. Greeson,Dervin L. Flowers,V. Louise Rice. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1980-02-12.

Placement base for semiconductor device and vehicle equipment

Номер патента: US20180012821A1. Автор: Toyohide TAKAHASHI,Takuji YAMASHIRO. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Compositions and methods for semiconductor processing and devices formed therefrom

Номер патента: US09793188B2. Автор: Arjun Mendiratta. Владелец: Equity Solar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and mounting structure for semiconductor device

Номер патента: US20240203849A1. Автор: Ryosuke Fukuda,Kohei Tanikawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Cooler for semiconductor devices

Номер патента: WO2017039874A1. Автор: Christian Geissler,Andreas Wolter,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Alexandra Atzesdorfer,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

Packaging substrate for semiconductor devices, corresponding device and method

Номер патента: US20190172782A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device and production method for semiconductor device

Номер патента: US12062634B2. Автор: Kazunori Fuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device with semiconductor chip on flexible tape

Номер патента: US20010050418A1. Автор: Chikara Yamashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155933A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Passivation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4241307A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Brett Hull,Edward Robert Van Brunt,Joe W. McPherson,In-Hwan Ji,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20050006744A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US7696617B2. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Housing for semiconductor devices, semiconductor device pin, and method for the manufacturing of pins

Номер патента: US20040197978A1. Автор: Christian Stocken,Georg Eggers,Manfred Dobler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-07.

Packaging methods for semiconductor devices with encapsulant ring

Номер патента: US09805997B2. Автор: Yu-Chih Liu,Chin-Liang Chen,Chien-Kuo Chang,Kuan-Lin Ho,Wei-Ting Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Cu alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: PH12020551276A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Steel Chemical And Mat Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-31.

Cu ALLOY BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210043599A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Dizo ODA. Владелец: Nippon Street Chemical & Matertial Corp Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20230018430A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: PH12018502683B1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Steel Chemical And Mat Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-21.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG10201908464VA. Автор: Haibara Teruo,Uno Tomohiro,Yamada Takashi,Oda Daizo. Владелец: Nippon Steel Chemical & Material Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US20110221052A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20200048454A1. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US10793712B2. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Thermal management systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240363473A1. Автор: Jin Seong Choi,Reza Sharifi,Hyunsuk CHUN,Nicole A. Butel,Kian Yeow GAN. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Thermal management systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4456128A1. Автор: Jin Seong Choi,Reza Sharifi,Hyunsuk CHUN,Nicole A. Butel,Kian Yeow GAN. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Resistive field structures for semiconductor devices and uses therof

Номер патента: US09761675B1. Автор: Albert G. Baca,Robert Kaplar,Sandeepan DasGupta,Matthew Marinella. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Lead frame routed chip pads for semiconductor packages

Номер патента: WO2005004200A3. Автор: Shafidul Islam,Anang Subagio,San Antonio Romarico Santos. Владелец: San Antonio Romarico Santos. Дата публикации: 2006-02-16.

Cu alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP3745450A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-12-02.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20200312808A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Pad structure and testkey structure and testing method for semiconductor device

Номер патента: US11906577B2. Автор: Le Li,Jiwei He,Linzhi LU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Resin composition, adhesive film for semiconductor device, and laminated film with metallic foil and semiconductor device using the same

Номер патента: EP1273630B1. Автор: Nobuo Matsumura,Toshio Yoshimura,Koichi Fujimaru. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2006-03-08.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US8110904B2. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Cu alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: US10985130B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20010036685A1. Автор: Michiyoshi Takano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Lead frame for semiconductor device

Номер патента: US09472494B2. Автор: Jung Soo Park,Gi Jeong Kim,Joon Su Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Spot-Solderable Leads for Semiconductor Device Packages

Номер патента: US20190318983A1. Автор: Ken Pham,Manu A. Prakuzhy,Siva P. Gurrum,Daryl R. Heussner,Stefan W. Wiktor. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: MY164384A. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara. Владелец: Nippon Steel & Sumikin Mat Co. Дата публикации: 2017-12-15.

Passivation layer for semiconductor device packaging

Номер патента: US20120208321A1. Автор: David Keating Foote,James Donald Getty. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Cu ALLOY CORE BONDING WIRE WITH Pd COATING FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190164927A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Cu ALLOY CORE BONDING WIRE WITH Pd COATING FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200013747A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Tin carboxylate precursors for metal oxide resist layers and related methods

Номер патента: US20240272547A1. Автор: Scott B. Clendenning,Brandon Jay Holybee,James Munro BLACKWELL,Lauren Elizabeth DOYLE,Charles Cameron Mokhtarzadeh,Sanjana Vijay Karpe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing silicon-coated copper, silicon-coated anti-oxidation copper using same, and semiconductor device using same

Номер патента: US20240250049A1. Автор: Se Young Jeong,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and method for controlling transfer in production line

Номер патента: US20030204280A1. Автор: Yoshiaki Kobayashi. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inspection apparatus for semiconductor device, and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20020158647A1. Автор: Masaaki Sugimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Light emitting diode package with oxidation-resistant metal coating layer

Номер патента: US20140209948A1. Автор: Pin-Chuan Chen,Chao-Hsiung Chang,Hou-Te Lin,Lung-hsin Chen. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11961921B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

RECRYSTALLIZATION METHOD TO SELENIZATION OF THIN-FILM Cu(In,Ga)Se2 FOR SEMICONDUCTOR DEVICE APPLICATIONS

Номер патента: WO1996006454A1. Автор: Miguel A. Contreras,Andrew L. Tennant,John R. Tuttle,Rommel Noufi,David S. Albin,Andrew M. Gabor,Jeffrey J. Carapella. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 1996-02-29.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US6841417B2. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12020550712A1. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-26.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20020089033A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20010042911A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20030001257A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230029651A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Variable resistance semiconductor device having oxidation-resistant electrode

Номер патента: US11223012B2. Автор: Woo-young Park,Young-Seok KO,Soo-Gil KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-11.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: EP1208591A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Crystal, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20210217869A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20150155355A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Test apparatus for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240345156A1. Автор: Takuya Yoshimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for improving a drive current for semiconductor devices on a wafer-by-wafer basis

Номер патента: US20060035394A1. Автор: Yuqing Xu,James Vaughan,James Friedmann,Jeffrey Loewecke,Kaneez Banu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device, and life prediction circuit and life prediction method for semiconductor device

Номер патента: US20070296040A1. Автор: Takashi Igarashi,Fumitaka Tametani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Energy harvest and storage device for semiconductor chips and methods for forming the same

Номер патента: US12057516B2. Автор: Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong,Fu-Hai Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Push-pull configurations for semiconductor device having a pn-junction with a photosensitive region

Номер патента: US20020130381A1. Автор: Larry Tichauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor device, power module, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: EP3832709A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device, power conversion device using same, and driving method for semiconductor device

Номер патента: EP3952082A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-02-09.

Bonding pad for thermocompression bonding, process for producing a bonding pad and component

Номер патента: US20140035168A1. Автор: Christoph Schelling,David Borowsky. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-02-06.

Edge seals for semiconductor devices

Номер патента: US20230361139A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Swarnal Borthakur. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Capacitively-coupled field-plate structures for semiconductor devices

Номер патента: US09887268B2. Автор: Bin Lu,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, ELECTRONIC DEVICE, pH SENSOR, BIOSENSOR, PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND PRODUCTION METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20240201125A1. Автор: Makoto NAKAZUMI. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Engineered substrates for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20130049043A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke,Casey Kurth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and control method for semiconductor device

Номер патента: US10354715B2. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

Architectures Enabling Back Contact Bottom Electrodes For Semiconductor Devices

Номер патента: US20190074393A1. Автор: Venkat Selvamanickam. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2019-03-07.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290836A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, display device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20180097019A1. Автор: Masakazu Gunji. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on a semiconductor device

Номер патента: US09741762B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing super junction for semiconductor device

Номер патента: US09406745B2. Автор: Mei-Ling Chen,Lung-ching Kao,Kuo-Liang CHAO,Paul Chung-Chen CHANG. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Nitrogen ion implanted amorphous silicon to produce oxidation resistant and finer grain polysilicon based floating gates

Номер патента: US6114230A. Автор: David Chi,Yuesong He,Kent Kuohua Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Capacitor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090127655A1. Автор: Seung-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102832A1. Автор: Eiji Watanabe,Katsumi Miyata,Hiroyuki Yoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods

Номер патента: US09733272B2. Автор: Morgan T. Johnson,Douglas A. Preston. Владелец: TRANSLARITY Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Solder pad for semiconductor device package

Номер патента: US09548280B2. Автор: Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Vijay Sarihan. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods

Номер патента: US09494618B2. Автор: Morgan T. Johnson,Douglas A. Preston. Владелец: TRANSLARITY Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Test method for semiconductor device having stacked plural semiconductor chips

Номер патента: US09465068B2. Автор: Hiroaki Ikeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11757043B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Electrostatic-breakdown-preventive and protective circuit for semiconductor-device

Номер патента: US20030222673A1. Автор: Katsuhiro Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120309184A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8372709B2. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-12.

Field-plate structures for semiconductor devices

Номер патента: US09911817B2. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Capacitor structures for semiconductor device

Номер патента: US09793338B2. Автор: Peng Yang,Tsui Ping Chu,Evie Siaw Hei Kho,Yong Kheng Ang,Swee Hua Tia. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-10-17.

Film for semiconductor and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: SG177573A1. Автор: Hiroyuki Yasuda,Takashi Hirano. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20070029599A1. Автор: Kouji Nakajima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-02-08.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US20070224800A1. Автор: Kei Miyoshi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and ferroelectric layer

Номер патента: US10096619B2. Автор: Shosuke Fujii,Seiji Inumiya,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Jet impingement heatsink for high power semiconductor devices

Номер патента: US20240274506A1. Автор: Oseob Jeon,Changsun YUN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Micro Heat Transfer Arrays, Micro Cold Plates, and Thermal Management Systems for Semiconductor Devices, and Methods for Using and Making Such Arrays, Plates, and Systems

Номер патента: US20230207426A1. Автор: JIA Li,Dennis R. Smalley,Richard T. Chen,Uri Frodis,Onnik Yaglioglu,Will J. Tan,Nina C. Levy. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Evaluation method for semiconductor devices

Номер патента: US5850149A. Автор: Yukari Imai,Toshiharu Katayama,Naoko Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-12-15.

Ag alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP4234734A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Noritoshi Araki,Takumi Ookabe. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20100059800A1. Автор: Hisao Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Jet impingement heatsink for high power semiconductor devices

Номер патента: WO2024172878A1. Автор: Oseob Jeon,Changsun YUN. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Ai bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240312946A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Ryo Oishi,Yuto KURIHARA,Yuya SUTO. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and solar cell and production method for semiconductor device

Номер патента: US12125926B2. Автор: Takuya Matsui,Hitoshi SAI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-22.

Etching techniques for semiconductor devices

Номер патента: US09768327B2. Автор: Robert Woehl,David Aaron Randolph BARKHOUSE,Paul LOSCUTOFF. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Resin composition, resin sheet, and production method for semiconductor device

Номер патента: US09738763B2. Автор: Kazuyuki Matsumura,Toshihisa Nonaka,Yoichi Shimba. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-08-22.

Liquid epoxy resin composition for semiconductor sealing and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US09711378B2. Автор: Tatsuya Uehara,Naoyuki Kushihara,Kazuaki Sumita. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Gate Isolation Wall for Semiconductor Device

Номер патента: US20240014265A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Apparatuses and methods for semiconductor circuit layout

Номер патента: US20180175017A1. Автор: Takashi Ishihara,Yasuhiko Tanuma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Apparatuses and methods for semiconductor circuit layout

Номер патента: US20190348493A1. Автор: Takashi Ishihara,Yasuhiko Tanuma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Apparatuses and methods for semiconductor circuit layout

Номер патента: US09929135B2. Автор: Takashi Ishihara,Yasuhiko Tanuma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Polymer with a good heat resistance and storage stability, underlayer film composition containing the polymer and process for forming underlayer film using the composition

Номер патента: US09589788B2. Автор: Min Ho Jung,Hye Ryoung Lee,Jeong Eop Choi. Владелец: SK Global Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Metal terminal edge for semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20210091177A1. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Da Teng. Владелец: AZ Power Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device having pad electrode connected to wire

Номер патента: US20030214033A1. Автор: Takahiro Kawabata,Toshimichi Kurihara,Tetsu Toda,Shigeki Tsubaki. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device having pad electrode connected to wire

Номер патента: EP1353377A3. Автор: Takahiro Kawabata,Toshimichi Kurihara,Shigeki Tsubaki,Tetsu Tode. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110198709A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Junction FET semiconductor device with dummy mask structures for improved dimension control and method for forming the same

Номер патента: US09818866B2. Автор: Han-Chung Lin,Hua-Chou Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Pad structure layout for semiconductor device

Номер патента: US09768221B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Fu-Tsun Tsai,Yi-Sheng Liu,Shang-Yen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Epoxy Resin Composition for Semiconductor Encapsulation and Semiconductor Device Using the Same

Номер патента: US20080136048A1. Автор: Eiji Toyoda,Kazuhiro Ikemura,Katsuyuki Nakabayashi,Daisuke Tsukahara,Takuya Eto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Reverse conducting semiconductor device

Номер патента: US09472548B2. Автор: Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US20130062790A1. Автор: Naoya Sugimoto,Tomoaki Ichikawa,Tomohito Iwashige. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing

Номер патента: US20100129735A1. Автор: Jelm Franse. Владелец: Singulus Mastering BV. Дата публикации: 2010-05-27.

Jet impingement cooling with bypass fluid portion for high power semiconductor devices

Номер патента: US20240047304A1. Автор: John MOOKKEN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Ball-type bonding wires for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: GB2174032A. Автор: Noriko Watanabe,Kazumichi Machida,Jitsuho Hirota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-10-29.

Package for semiconductor device

Номер патента: US20060131711A1. Автор: Yoshihiko Ino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP4361301A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US20090281225A1. Автор: Toshimichi Suzuki,Mitsuaki Fusumada,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Systems and methods for improved metrology for semiconductor device wafers

Номер патента: WO2022225549A1. Автор: Yoram Uziel,Ohad Bachar,Amnon Manassen,Daria Negri,Liran Yerushalmi,Yossi Simon,Etay Lavert,Nir BEN DAVID. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-10-27.

Inductor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100164060A1. Автор: Ji-Houn Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: PH12015502710A1. Автор: Haibara Teruo,Uno Tomohiro,Yamada Takashi,Oda Daizo,OISHI Ryo. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-14.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: US20160104687A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240290745A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Substrate for semiconductor device

Номер патента: EP3855484A1. Автор: Yuji Umeda. Владелец: NGK Electronics Devices Inc. Дата публикации: 2021-07-28.

Process for producing a semiconductor device

Номер патента: US20010008806A1. Автор: Hideo Kitagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Process for Improving the Oxidation Resistance of Carbon Nanotubes

Номер патента: US20100219738A1. Автор: Steven Dale Ittel,Ming Zheng,Gillian Althea Maria Reynolds. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2010-09-02.

Polyamide resin composition with high heat resistance and oxidation resistance

Номер патента: US09751996B2. Автор: Kyoung Chun KWEON. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-09-05.

Heat-resistant insulating layer-provided separator containing heat-resistant resin and oxidation-resistant ceramic particles and non-aqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: US09583754B2. Автор: Kenichi Ogawa,Atsushi Kajita,Yoshiaki Obana,Yukako Teshima,Hisashi Tsujimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Oxidation resistant induction devices

Номер патента: US09433072B2. Автор: Peter J Morrisroe. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Oxidation-resistant catalyst for fuel cell, method of manufacturing the same, and fuel cell including the same

Номер патента: EP4379870A1. Автор: Dae Soo Yang,Hyean Yeol Park,Tong Hyun KANG. Владелец: Korens Rtx Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Oxidation-resistant catalyst for fuel cell, method of manufacturing the same, and fuel cell including the same

Номер патента: US20240178409A1. Автор: Dae Soo Yang,Hyean Yeol Park,Tong Hyun KANG. Владелец: Korens Rtx Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Oxidation-resistant separator for zinc-silver oxide batteries

Номер патента: WO2008039419A3. Автор: Huawen Li,George W Adamson,Lin-Feng Li,Hieu M Duong. Владелец: Hieu M Duong. Дата публикации: 2008-05-22.

Oxidation resistant ferritic stainless steel including copper-containing spinel-structured oxide, method of manufacturing the steel, and fuel cell interconnect using the steel

Номер патента: US09537158B2. Автор: Jae-Hyeok Shim,Dong-Ik Kim,Byung Kyu Kim,Young-su Lee,In Suk Choi,Jin-Yoo Suh,Young Whan Cho,Ju Heon KIM,Woo Sang Jung. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-01-03.

Electrically conductive coating applied to an oxidizable surface of an AIMD ferrule or housing to provide an oxide-resistant connection to an EMI filter capacitor, an EMI filter circuit or AIMD electronic circuits and components

Номер патента: US12017065B2. Автор: Robert A. Stevenson,Christine A. Frysz,Jason Woods. Владелец: Greatbatch Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Steel for solid oxide fuel cells having excellent oxidation resistance, and member for solid oxide fuel cells using same

Номер патента: CA2833693C. Автор: Shigenori Tanaka,Kazuhiro Yamamura,Toshihiro Uehara,Nobutaka Yasuda. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-07-07.

Test apparatuses for semiconductor devices

Номер патента: US20220146571A1. Автор: Jae Hong Kim,Hyung Il Kim,Se-Hyun Seo,Byeong Min YU,Sang Jae Rhee,Young Chyel LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Test apparatuses for semiconductor devices

Номер патента: US11604220B2. Автор: Jae Hong Kim,Hyung Il Kim,Se-Hyun Seo,Byeong Min YU,Sang Jae Rhee,Young Chyel LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-14.

Passivation equipment and passivation method for semiconductor device

Номер патента: US20240162003A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li,Chun-Hung Hung. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD

Номер патента: US9931514B2. Автор: Robert A. Stevenson,Christine A. Frysz,Jason Woods. Владелец: Greatbatch Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Oxidation resistant induction devices

Номер патента: CA2796819C. Автор: Peter J. Morrisroe. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2018-08-21.

Oxidation resistant copper nanoparticles and method for producing same

Номер патента: US20150344715A1. Автор: Se-Hoon Kim,Young-Jei OH. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2015-12-03.

Non-linear voltage titanium oxide resistance element

Номер патента: US3953375A. Автор: Takahiro Nagano,Michio Oue. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1976-04-27.

Defect review method and device for semiconductor device

Номер патента: US20080290274A1. Автор: Toshifumi Honda. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same

Номер патента: US6566153B1. Автор: Yang Yang. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2003-05-20.

Wave-absorbing material powder with oxidation resistance and salt fog resistance and preparation method thereof

Номер патента: US12091750B2. Автор: Fan Qian,Ming Xie,Youwei Zhang,Yuyu LI,Zhide Wang,Pinggui Liu. Владелец: Battflex (wuhan) Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Terphenylene derivative, tetrahaloterphenyl derivative, and processes for producing both

Номер патента: US20090023957A1. Автор: Makoto Watanabe,Toshihide Yamamoto,Tomokazu Ohashi. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Wave-absorbing material powder with oxidation resistance and salt fog resistance and preparation method thereof

Номер патента: US20230087932A1. Автор: Fan Qian,Ming Xie,Youwei Zhang,Yuyu LI,Zhide Wang,Pinggui Liu. Владелец: Battflex (wuhan) Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Impedance calibration device for semiconductor device

Номер патента: US09998123B2. Автор: Hae Kang Jung,Yong Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Iron-based material having excellent oxidation resistance at elevated temperatures and process for the production thereof

Номер патента: US5631090A. Автор: Hideo Miyake,Minoru Saito,Yasushi Fukui,Atsushi Ando,Yoshikazu Morita,Masanori Matsuno,Masahiko Souda. Владелец: Nisshin Steel Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-20.

Method and System to Reduce Electromagnetic Radiation for Semiconductor Devices

Номер патента: US20100244928A1. Автор: Jim D. Childers,Kevin P. LAVERY,Praven P. Patel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor device

Номер патента: EP4322721A3. Автор: Jieun Lee,Yejin KWON,Kyumin KIM,Taeyoung SONG,Jaeyoung AN,Deoksung Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Cooling device for semiconductor device

Номер патента: US20240188253A1. Автор: Hideko Mukaida,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Yusuke Higashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Module circuit board for semiconductor device having barriers to isolate I/O terminals from solder

Номер патента: US20020046881A1. Автор: Norio Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Module circuit board for semiconductor device having barriers to isolate I/O terminals from solder

Номер патента: US6498306B2. Автор: Norio Takahashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-24.

Copper foil having glossy surface with excellent oxidation resistance and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1016739A2. Автор: Hideta c/o Nikko Materials Co. Ltd. Arai,Kazuhiko c/o Nikko Materials Co. Ltd. Sakaguchi. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-05.

Driving method and driving device for semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US20240235542A1. Автор: Yukihiko Wada,Takayoshi Miki,Yasutaka Imamura,Yohei MITSUI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Contact construction for semiconductor devices with low-dimensional materials

Номер патента: US20240306391A1. Автор: Mahendra Pakala,Yi-Hsuan Hsiao,Minrui Yu,Arvind Kumar,Mark Conrad,Dongqing Yang,Keith Tatseun WONG,Rio Soedibyo,Hao-Ling Tang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Contact construction for semiconductor devices with low-dimensional materials

Номер патента: WO2024186870A1. Автор: Mahendra Pakala,Yi-Hsuan Hsiao,Minrui Yu,Arvind Kumar,Mark Conrad,Dongqing Yang,Keith Tatseun WONG,Rio Soedibyo,Hao-Ling Tang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Automatic test equipment for semiconductor device

Номер патента: EP1260822B1. Автор: Ronald A. Sartschev,Gerald F. Muething, Jr.. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2005-06-08.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

Process for manufacturing a semiconductor device including a microelectromechanical structure and an associated integrated electronic circuit

Номер патента: EP3281911B1. Автор: Alessandro Tocchio,Lorenzo Corso. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Bio-based in-line high barrier metalized film and process for its production.

Номер патента: MX2012010117A. Автор: Brad Dewayne Rodgers,Anthony Robert Knoerzer,Kenneth Scott Laverdure,Eldridge M Mount. Владелец: Frito Lay North America Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Bio-Based In-Line High Barrier Metalized Film and Process for its Production

Номер патента: US20100221560A1. Автор: Eldridge M. Mount, III,Brad Dewayne Rodgers,Anthony Robert Knoerzer,Kenneth Scott Laverdure. Владелец: Frito Lay North America Inc. Дата публикации: 2010-09-02.

Sheet metal processing process for stamping

Номер патента: FR1288856A. Автор: . Владелец: Institut de Recherches de la Siderurgie Francaise IRSID. Дата публикации: 1962-03-30.

Bio-based in-line high barrier metalized film and process for its production

Номер патента: AU2011223694A1. Автор: Brad Dewayne Rodgers,Anthony Robert Knoerzer,Kenneth Scott Laverdure,Eldridge M. Mount. Владелец: Frito Lay North America Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Bio-based in-line high barrier metalized film and process for its production

Номер патента: EP2542406A4. Автор: Brad Dewayne Rodgers,Anthony Robert Knoerzer,Kenneth Scott Laverdure,Eldridge M Mount. Владелец: Frito Lay North America Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A MICROELECTROMECHANICAL STRUCTURE AND AN ASSOCIATED INTEGRATED ELECTRONIC CIRCUIT AND CORRESPONDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180044168A1. Автор: TOCCHIO Alessandro,CORSO Lorenzo. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Process for manufacturing a semiconductor device including a microelectromechanical structure and an associated integrated electronic circuit and corresponding semiconductor device

Номер патента: US10202275B2. Автор: Alessandro Tocchio,Lorenzo Corso. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-02-12.

Developing treatment apparatus used in the process for manufacturing a semiconductor device, and method for the developing treatment

Номер патента: US5885755A. Автор: Yasushi Ito,Seiji Nakagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-03-23.

A resist composition, a process for forming a resist pattern and a process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: TW434452B. Автор: Keiji Watanabe,Takahisa Namiki,Ei Yano,Koji Nozaki,Miwa Igarashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-05-16.

ANTI-REFLECTIVE COATING COMPOSITION, PROCESS FOR PREPARATION AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2793254B1. Автор: Min Ho Jung,Ki Ho Baik,Sung Eun Hong. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-22.

Process for testing a semiconductor device

Номер патента: US6433571B1. Автор: Thomas T. Montoya. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-08-13.

ANTI-REFLECTIVE COATING COMPOSITION, PROCESS FOR PREPARATION AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2793254A1. Автор: Min Ho Jung,Ki Ho Baik,Sung Eun Hong. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-10.

Oxidation-resistant heat-resistant alloy and method for its production

Номер патента: RU2760223C1. Автор: Хели Луо,Ксинглей Ванг,Шангпинг Ли,Жаоксионг Гу,Джянтао Ванг,Лиджуан Вэй,Фаджэй Юин,Женхуа Ванг. Владелец: Циндао Нпа Индастри Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-23.

Oxidation resistant bond coat layers, processes for coating articles, and their coated articles

Номер патента: US12146224B2. Автор: Paul Sheedy,Xia Tang,David C. Jarmon,James T. Beals,R. Wesley Jackson. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Alloy with high oxidation resistance and use for gas turbines using this alloy

Номер патента: RU2729477C2. Автор: Якопо ДЖОВАННЕТТИ,Антонелла ДИМАТТЕО. Владелец: Нуово Пиньоне Текнолоджи Срл. Дата публикации: 2020-08-07.

Oxidation resistant coatings, processes for coating articles, and their coated articles

Номер патента: US09611181B2. Автор: Wayde R. Schmidt,Xia Tang,John G. Smeggil,David C. Jarmon,Tania Bhatia Kashyap,Harry E. Eaton, Jr.. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Ferritic stainless steel with excellent oxidation resistance, good high temperature strength and good formability

Номер патента: RU2650467C2. Автор: Эйдзо ЙОШИТАКЕ. Владелец: Ак Стил Пропертиз, Инк.. Дата публикации: 2018-04-13.

Oxidation resistant carbon foam

Номер патента: EP1966272A2. Автор: Douglas J. Miller,Irwin C. Lewis,Richard L. Shao,Terrence A. Pirro,Orest L. Adrianowycz. Владелец: Graftech International Holdings Inc. Дата публикации: 2008-09-10.

Oxidation resistant carbon foam

Номер патента: WO2007076470A2. Автор: Douglas J. Miller,Irwin C. Lewis,Richard L. Shao,Terrence A. Pirro,Orest L. Adrianowycz. Владелец: Ucar Carbon Company Inc.. Дата публикации: 2007-07-05.

Oxidation resistant alloy and manufacturing method of oxidation resistant alloy

Номер патента: US20220274168A1. Автор: Shintaro SOBU. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method and apparatus for improving steam oxidation resistance of small-diameter boiler tube of coal-fired boiler

Номер патента: EP4403669A1. Автор: Zhen Yang,Limin Li,Yong Yuan,Yongli Zhou,Xingxing Zhang,Jinyang HUANG,Jintao Lu,Yingying DANG. Владелец: Xian Thermal Power Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Carbon composite materials capable of wetting, erosion \ oxidation resistant

Номер патента: RU2232211C2. Автор: Амир А. МИРТЧИ,Джулиз БЕРГЕРОН. Владелец: Алкан Интернешнел Лимитед. Дата публикации: 2004-07-10.

Oxidation resistant alloy and manufacturing method of oxidation resistant alloy

Номер патента: AU2021243424A1. Автор: Shintaro SOBU. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Oxidation resistant alloy and manufacturing method of oxidation resistant alloy

Номер патента: AU2021243424B2. Автор: Shintaro SOBU. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Interlayer between HR-120 and aluminium-containing oxidation resistant metallic coatings

Номер патента: EP1217096A3. Автор: John Herbert Wood. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2003-11-12.

Co2 sorption with oxidation resistant amines

Номер патента: WO2024155523A1. Автор: Simon C. Weston,Hilda B. Vroman,Aaron W. PETERS. Владелец: ExxonMobil Technology and Engineering Company. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of testing the oxidation resistance of an alloy

Номер патента: US09752970B2. Автор: Catherine Mary Fiona Rae,Stephen Moray Bagnall,Siavash Pahlavanyali,Julian Charles MASON-FLUCKE. Владелец: University of Cambridge. Дата публикации: 2017-09-05.

Oxidation-resistant magnesium alloy and preparation method thereof

Номер патента: LU506339B1. Автор: Wei Chen. Владелец: Univ Changsha Sci & Tech. Дата публикации: 2024-08-06.

Multi-environmental barrier coating, processes for coating articles, and their coated articles

Номер патента: US20230278935A1. Автор: Xia Tang,Xuan Liu,David A. Litton,Brian T. Hazel,James T. Beals,Richard Wesley Jackson. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

A hybrid multilayer solar selective coating for high temperature solar thermal applications and a process for the preparation thereof

Номер патента: EP2954265A1. Автор: Harish Barshilia CHANDRA,Jyothi Bharathibai BASU,Lakshmi Ramachandrappa VARA. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2015-12-16.

Radiation evaluation for semiconductor device

Номер патента: US20240337689A1. Автор: Nam Ho Kim,Young Boo Kim,Hyeok Jae Lee,Sung Soo Chung,Ki Seog Kim,Seung Han Shin,Joong Sik KIH,Muhammad Saqib KHAN,Jie Seok KIM. Владелец: QRT Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Hybrid multilayer solar selective coating for high temperature solar thermal applications and a process for the preparation thereof

Номер патента: US09726402B2. Автор: Harish Barshilia CHANDRA,Jyothi Bharathibai BASU,Lakshmi Ramachandrappa VARA. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for determining thermal-oxidative resistance of lubricants

Номер патента: RU2627562C1. Автор: Болеслав Иванович Ковальский,Александр Николаевич Сокольников,Евгений Александрович Ермилов,Валерий Александрович Балясников,Николай Сергеевич Батов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2017-08-08.

Method for Improving Alkali Resistance and Oxidation Resistance of Benzisothiazole Disperse Dye

Номер патента: US20210363353A1. Автор: Liang He,Xiaoyan Wang,Changhai Xu,Jinmei Du,Mingtao QIU,Xinting ZHAO,Jinglin TANG. Владелец: Penglai Jiaxin Dye Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Erosion/corrosion resistant barrier coating

Номер патента: WO2018085866A3. Автор: Timothy Keenan,Matthew M. Hall,Lana Margaret Placek,Scott Michael Kroon,William Sean Halligan,Michael Edward Ferraro. Владелец: Conax Technologies. Дата публикации: 2018-06-14.

Voltage-driven intelligent characterization bench for semiconductor

Номер патента: US09772371B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Charles J. Montrose. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor system performing status read for semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09535607B2. Автор: Se Chun Park,Ho Jung YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

High plasticity hot-forming steel with oxidation resistance for automobiles and hot-forming process

Номер патента: US20240271260A1. Автор: YI Dong,Junxiong Wang,Xiaoguang SHI,Rendong LIU,Chengqian SUN,Chufei HAN. Владелец: Angang Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

High temperature bond coating with increased oxidation resistance

Номер патента: US09441114B2. Автор: Anand A. Kulkarni,Werner Stamm,Jonathan E. Shipper. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for Improving Alkali Resistance and Oxidation Resistance of Benzothiazole Disperse Dye

Номер патента: US20210363354A1. Автор: Liang He,Xiaoyan Wang,Changhai Xu,Jinmei Du,Jiaxue YU,Mingtao QIU,Xinting ZHAO,Jinglin TANG. Владелец: Penglai Jiaxin Dye Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Polymer-derived ceramic diffusion process for ferrous metal surface

Номер патента: WO2024091717A1. Автор: Christopher Berger,Jonathan WINTERS. Владелец: Calvary Industries Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Oxidation resistant Pb-free solder alloys

Номер патента: US8530058B1. Автор: Nikhilesh Chawla,Martha Dudek. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2013-09-10.

Method of generating specific information on semiconductor device, method of managing specific information on semiconductor device, and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20240289570A1. Автор: Hiroshi Miyoshi,Noriyuki Yabuoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor device and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20240230751A9. Автор: Yoshiaki Tanaka,Kouji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20240133944A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Kouji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Rapid solidification to improve the oxidation resistance of directionally solidified eutectic alloys

Номер патента: US3783033A. Автор: L Tarshis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1974-01-01.

Coal gasification feed injector shield with oxidation-resistant insert

Номер патента: EP1495094A1. Автор: Gary Scott Whittaker,James Wesley Adams. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 2005-01-12.

Titanium alloy having good oxidation resistance and high strength at elevated temperatures

Номер патента: US09957836B2. Автор: Kuang-O Yu,Fusheng Sun,Ernest M. Crist. Владелец: RTI International Metals Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Weldable oxidation resistant nickel-iron-chromium aluminum alloy

Номер патента: US09551051B2. Автор: Dwaine L. Klarstrom,Steven J. Matthews,Venkat R. Ishwar. Владелец: Haynes International Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Wear-resistant and oxidation-resistant turbine blade

Номер патента: CA2719273C. Автор: Matthias Hoebel,Günter Ambrosy,Felix Reinert,Stephane Barril. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2017-03-28.

Treatment solution for forming oxidation-resistant film on surface-coated cermet

Номер патента: US20130011565A1. Автор: Kimihisa Hiramoto. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of analyzing semiconductor devices and analysis apparatus for semiconductor devices

Номер патента: US20170262557A1. Автор: Katsuhiro Shimazu,In-Sung Hwang,Kwang-ok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Simulation device for semiconductor device, and short-circuit determination method for semiconductor device

Номер патента: US20170068757A1. Автор: Ryota NIHEI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Oxidation-resistant highly cross-linked ultrahigh molecular weight polyethylene

Номер патента: RU2495054C2. Автор: Лоренц БРУННЕР,Иво ДИРИКС,Ханс ШМОТЦЕР. Владелец: Смит Энд Нефью Ортопедикс Аг. Дата публикации: 2013-10-10.

Oxidation resistant alloy and manufacturing method of oxidation resistant alloy

Номер патента: US11951546B2. Автор: Shintaro SOBU. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Acid for reactive development of metal oxide resists

Номер патента: WO2024019930A1. Автор: Akiteru Ko,Hamad HAJIBABAEI. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Oxidation-resistant alloy, and method for producing oxidation-resistant alloy

Номер патента: EP3995234A1. Автор: Shintaro SOBU. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2022-05-11.

Acid for Reactive Development of Metal Oxide Resists

Номер патента: US20240027900A1. Автор: Akiteru Ko,Hamed Hajibabaeinajafabadi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor Device Simulation Platform

Номер патента: US20230394210A1. Автор: Zhiqiang Wu,Nuo XU,Zhengping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device, electronic device, and self-diagnosis method for semiconductor device

Номер патента: US09797950B2. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

FABRICABLE, HIGH STRENGTH, OXIDATION RESISTANT Ni-Cr-Co-Mo-Al ALLOYS

Номер патента: RU2650659C2. Автор: Ли ПАЙК,С. Кришна СРИВАСТАВА. Владелец: Хейнес Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2018-04-16.

Oxidation resistant nickel base alloys

Номер патента: US3810754A. Автор: J Ford,S Butt. Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1974-05-14.

Method for producing dense silicon nitride containing yttrium oxide and aluminum oxide and having high temperature strength and oxidation resistance

Номер патента: CA1122385A. Автор: J. Thomas Smith,Carr L.W. Quackenbush. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1982-04-27.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Oxidation resistant al-mg high strength die casting foundry alloys

Номер патента: CA3215898A1. Автор: Lei Pan,Francis Breton,Martin Morel. Владелец: Rio Tinto Alcan International Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Oxidation resistant glass-mounted photograph

Номер патента: US20180178573A1. Автор: Feng-Yuen Dai,Wei-Ting Chen,Han-Lung Lee,Chih-Jung Chang,Jih-Chen Liu,Hung-Lien Yeh,Hung-Chun Ma,Han-Lung Chao,Chen-Chu Chiang,Jan-Wan Chang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device, control method for semiconductor device and control program

Номер патента: US20240296901A1. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

STRUCTURES INCLUDING A SiOCN PHOTORESIST ADHESION LAYER AND METAL-OXIDE RESIST AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20240361695A1. Автор: Yiting Sun,Zecheng Liu,Fanyong Ran,Jérôme Samuel Nicolas,João Ricardo Antunes Afonso. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Oxidation-resistant AAT gene therapy

Номер патента: US12031144B2. Автор: Stephen M. Kaminsky,Ronald G. Crystal,Bishnu De,Jonathan Rosenberg,Katie STILES,Meredith SOSULSKI,Dolan Sondhi. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods for making oxidation-resistant cross-linked polymeric materials

Номер патента: US09968709B2. Автор: Edward T. Kopesky,Orhun K. MURATOGLU,Ebru Oral. Владелец: Cambridge Polymer Group Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods for making oxidation resistant polymeric material

Номер патента: US09943993B2. Автор: Stephen H. Spiegelberg,Orhun K. MURATOGLU. Владелец: Cambridge Polymer Group Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods for making oxidation-resistant cross-linked polymeric materials

Номер патента: US09433705B2. Автор: Edward T. Kopesky,Orhun K. MURATOGLU,Ebru Oral. Владелец: Cambridge Polymer Group Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Process for medical implant of cross-linked ultrahigh molecular weight polyethylene having improved balance of wear properties and oxidation resistance

Номер патента: WO1998014223A1. Автор: Kenneth Ashley Saum,William Michael Sanford,William Gerald Dimaio, Jr.,Edward George Howard, Jr.. Владелец: E.I. Du Pont De Nemours and Company. Дата публикации: 1998-04-09.

Oxidation-resistant and wear-resistant polyethylenes for human joint replacements and methods for making them

Номер патента: US9155817B2. Автор: Harry A. Mckellop,Fu-Wen Shen. Владелец: Orthopaedic Hospital. Дата публикации: 2015-10-13.

Method for removing sulfur from superalloy articles to improve their oxidation resistance

Номер патента: US5346563A. Автор: John G. Smeggil,David N. Duhl,Norman S. Bornstein,William P. Allen,Stephen Chin,Michael DeCrescente,Donald R. Parille,Roscoe A. Pike. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1994-09-13.

Protective coating for protecting a component from corrosion, oxidation and excessive thermal stress, process for producing the coating and gas turbine component

Номер патента: US5993980A. Автор: Norbert Czech,Friedheim Schmitz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-30.

Composite oxide for hydrocarbon reforming catalyst, process for producing the same, and process for producing syngas using the same

Номер патента: AU2009274919B2. Автор: Toshiya Wakatsuki. Владелец: Japan Petroleum Exploration Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Ferritic stainless steel with excellent oxidation resistance, good high temperature strength, and good formability

Номер патента: CA2882361C. Автор: Eizo Yoshitake. Владелец: AK Steel Properties Inc. Дата публикации: 2019-06-18.

Oxidation resistant diamond composite and method of forming the same

Номер патента: US5421976A. Автор: Glenn A. Holmquist. Владелец: Hughes Missile Systems Co. Дата публикации: 1995-06-06.

Oxidation-resistant nickel alloy

Номер патента: CA1215255A. Автор: Dwaine L. Klarstrom. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 1986-12-16.

Oxidation-resistant cyclophosphazene fluid including triarylphosphine or phosphine oxide

Номер патента: US5194652A. Автор: Bassam S. Nader. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1993-03-16.

Oxidation Resistant Coating on Carbonaceous Surface

Номер патента: US20240174519A1. Автор: Benedict Yorke Johnson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Design of photomasks for semiconductor device fabrication

Номер патента: WO2001042996A2. Автор: Henning Haffner,Scott M. Mansfield,Lars W. Liebmann,Shahid Butt. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-06-14.

Method of applying oxidation-resistant and ultra-high-temperature titanium, zirconium and hafnium diboride coatings to composite materials

Номер патента: RU2675618C1. Автор: Геннадий Владимирович Степанов,Сергей Николаевич Дугин,Элла Лазаревна Гуркова,Павел Аркадьевич Стороженко,Евгений Акимович Богачев,Иван Александрович Коломийцев,Александр Васильевич Гребенников. Владелец: Акционерное общество "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (АО "ГНИИХТЭОС"). Дата публикации: 2018-12-20.

Hot-dip aluminum coated steel strip having excellent strength and oxidation resistance at elevated temperatures and process for production thereof

Номер патента: CA1226767A. Автор: Toshiro Yamada,Hisao Kawase,Noriyasu Sakai. Владелец: Nisshin Steel Co Ltd. Дата публикации: 1987-09-15.

Oxidation-resisting austenitic stainless steel

Номер патента: US4063935A. Автор: Isamu Shimizu,Tokio Fujioka,Masayuki Kinugasa,Shozo Iizumi,Shizuhiro Teshima. Владелец: Nisshin Steel Co Ltd. Дата публикации: 1977-12-20.

Oxidation resistant carbon body and method for making same

Номер патента: CA1258409A. Автор: Robert E. Benander,Robert A. Holzl,Benjamin H. Tilley. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1989-08-15.

Oxidation-resistant cation-exchange resins

Номер патента: CA2062481A1. Автор: Yog R. Dhingra,Paul R. Van Tol. Владелец: Paul R. Van Tol. Дата публикации: 1992-09-08.

Oxidation resistant fe-cr-al steel

Номер патента: US5085829A. Автор: Kazuhide Ishii,Tatsuo Kawasaki. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1992-02-04.

Oxidation resistant coatings for niobium-based silicide composites

Номер патента: US20020192491A1. Автор: Ji-Cheng Zhao,Bernard Bewlay,Melvin Jackson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2002-12-19.

Oxidation resistant polymers for use as anion exchange membranes and ionomers

Номер патента: EP4314142A1. Автор: Yushan Yan,Lan Wang,Junhua Wang,Brian SETZLER,Keda HU,Wenjuan SHI. Владелец: Versogen Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Oxidation resistant polymers for use as anion exchange membranes and ionomers

Номер патента: AU2022216277A1. Автор: Yushan Yan,Lan Wang,Junhua Wang,Brian SETZLER,Keda HU,Wenjuan SHI. Владелец: Versogen Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Oxidation resistant polymers for use as anion exchange membranes and ionomers

Номер патента: US20240131477A1. Автор: Yushan Yan,Lan Wang,Junhua Wang,Brian SETZLER,Keda HU,Wenjuan SHI. Владелец: Versogen Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Oxidation resistant polymers for use as anion exchange membranes and ionomers

Номер патента: CA3207565A1. Автор: Yushan Yan,Lan Wang,Junhua Wang,Brian SETZLER,Keda HU,Wenjuan SHI. Владелец: Versogen Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Method and system for derived layer checking for semiconductor device design

Номер патента: US20140040839A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-06.

Low-cost weldable, high temperature oxidation-resistant steel

Номер патента: CA1114655A. Автор: Kenneth G. Brickner,John L. Giove. Владелец: USS Engineers and Consultants Inc. Дата публикации: 1981-12-22.

Process for coating metal flakes

Номер патента: US3669765A. Автор: Carleton R Bradshaw,Hal-Curtis Felsher. Владелец: HAL CURTIS FELSHER. Дата публикации: 1972-06-13.

Erosion / corrosion resistant barrier coating

Номер патента: US20180155828A1. Автор: Timothy Keenan,Matthew M. Hall,Lana Margaret Placek,Scott Michael Kroon,William Sean Halligan,Michael Edward Ferraro. Владелец: Alfred University. Дата публикации: 2018-06-07.

Erosion/corrosion resistant barrier coating

Номер патента: EP3532650A2. Автор: Timothy Keenan,Matthew M. Hall,Lana Margaret Placek,Scott Michael Kroon,William Sean Halligan,Michael Edward Ferraro. Владелец: Alfred University. Дата публикации: 2019-09-04.

Coordinate transformation system for semiconductor device, coordinate transformation method and coordinate transformation program

Номер патента: US6721935B2. Автор: Hiroyuki Morinaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

Metrology technique for semiconductor devices

Номер патента: US20240271926A1. Автор: Gilad Barak,Dror Shafir,Smadar Ferber,Jacob Ofek,Zvi Gorohovsky,Daphna Peimer,Tal Heilpern,Dana Szafranek. Владелец: Nova Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having identification information generating function and identification information generation method for semiconductor device

Номер патента: US20130326243A1. Автор: Masanori Isoda,Hidehiro Fujiwara,Koji Nll. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Method, system and computer program product for generating layout for semiconductor device

Номер патента: US09659133B2. Автор: Chin-Chou Liu,Chung-Hsing Wang,Yen-Hung Lin,Yuan-Te Hou,Chi Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Oxidation resistant molybdenum alloy

Номер патента: US5693156A. Автор: Douglas M. Berczik. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1997-12-02.

Ferrite stainless steel having improved weldability and oxidation resistance

Номер патента: CA1086538A. Автор: Hisao Fujikawa,Hirofumi Makiura,Taishi Moroishi,Yuji Shoji,Isamu Koizumi. Владелец: Nippon Stainless Steel Co Ltd. Дата публикации: 1980-09-30.

Oxidation resistant tissue for dry laundry actives and bleach compatible products

Номер патента: US4652390A. Автор: Norman A. Strampach,Vincent L. Cerchio, Jr.,William W. Schmidt. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1987-03-24.

Method for removing sulfur from superalloy articles to improve their oxidation resistance

Номер патента: WO1994024319A1. Автор: William P. Allen,Donald R. Parille. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1994-10-27.

Erosion, thermal shock and oxidation resistant refractory compositions

Номер патента: US5185300A. Автор: Dale B. Hoggard,Quentin K. Robinson. Владелец: Vesuvius Crucible Co. Дата публикации: 1993-02-09.

Oxidation resistant and burn resistant copper metal matrix composites

Номер патента: US20040226636A1. Автор: Clifford Bampton,Kunag-Tsan Chiang. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-11-18.

Oxidation resistant muteins

Номер патента: CA1340265C. Автор: Michael A. Innis,David F. Mark,Danute E. Nitecki,Robert F. Halenbeck,Kirston E. Koths. Владелец: Chiron Corp. Дата публикации: 1998-12-15.

Styrene butadiene styrene block copolymer based adhesive compositions with improved photo-oxidation resistance

Номер патента: WO2006128799A1. Автор: Dietmar MÄDER,Gerrit Knobloch. Владелец: Ciba Specialty Chemicals Holding Inc.. Дата публикации: 2006-12-07.

Bronze-polytetrafluoroethylene compounds based on an oxidation-resistant bronze powder

Номер патента: US20200239985A1. Автор: Armin MAUSER. Владелец: SCHLENK METALLIC PIGMENTS GMBH. Дата публикации: 2020-07-30.

Chromium steel having excellent high-temperature oxidation resistance and high-temperature strength, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240102136A1. Автор: Hyun-Je Sung. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Styrene butadiene styrene block copolymer based adhesive compositions with improved photo-oxidation resistance

Номер патента: EP1885814A1. Автор: Dietmar MÄDER,Gerrit Knobloch. Владелец: Ciba SC Holding AG. Дата публикации: 2008-02-13.

Styrene butadiene styrene block copolymer based adhesive compositions with improved photo-oxidation resistance

Номер патента: EP1885814B1. Автор: Dietmar MÄDER,Gerrit Knobloch. Владелец: Ciba Holding AG. Дата публикации: 2009-05-27.

Bronze-polytetrafluoroethylene compounds based on an oxidation-resistant bronze powder

Номер патента: EP3694661A1. Автор: Armin MAUSER. Владелец: SCHLENK METALLIC PIGMENTS GMBH. Дата публикации: 2020-08-19.

High strength and high plasticity hot-forming steel with oxidation resistance for automobiles and hot-forming process

Номер патента: US20240167136A1. Автор: YI Dong,Junxiong Wang,Xiaoguang SHI,Rendong LIU,Chengqian SUN,Chufei HAN. Владелец: Angang Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

System and methods for semiconductor burn-in test

Номер патента: EP3465238A1. Автор: Ballson Gopal,Jessie KILLION. Владелец: Kes Systems Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Test structures and testing methods for semiconductor devices

Номер патента: US09891273B2. Автор: Wensen Hung,Yung-Hsin Kuo,Po-Shi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Aromatic polycarbonate copolymer, a process for producing the same, and a plastic optical waveguide using the same

Номер патента: US5475786A. Автор: Toshimasa Tokuda,Masaki Nishiguchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-12-12.

Electrospark deposition process for oxidation resistant coating of cooling hole

Номер патента: US9789557B2. Автор: Dechao Lin,Ibrahim Ucok,Kivilcim Onal. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-17.

Powder processing of titanium aluminide having superior oxidation resistance

Номер патента: US5372663A. Автор: Masaki Kumagai,Kazuhisa Shibue,Mok-Soon Kim. Владелец: Sumitomo Light Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1994-12-13.

Aromatic polycarbonate copolymer, a process for producing the same, and a plastic optical waveguide using the same

Номер патента: US5556904A. Автор: Toshimasa Tokuda,Masaki Nishiguchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-17.

Fe-ni-cr alloy having excellent corrosion resistance, weldability and oxidation resistance, and method for producing same

Номер патента: EP4269628A1. Автор: Kazuhito Takimoto,Tomofumi FUKUYAMA,Murotsune YABE. Владелец: Nippon Yakin Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Superalloy coating composition with high temperature oxidation resistance

Номер патента: US4447503A. Автор: Srinivasan Shankar,Louis E. Dardi. Владелец: Howmet Turbine Components Corp. Дата публикации: 1984-05-08.

Oxidation-resistant nickel alloy

Номер патента: US4476091A. Автор: Dwaine L. Klarstrom. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 1984-10-09.

Ferritic heat-resisting cast steel and a process for making the same

Номер патента: US5202088A. Автор: Tsutomu Sekiguchi,Masami Suzuki,Shinya Mizuno,Yoshikazu Genma,Shinji Katou. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1993-04-13.

Blends of palm fat and corn oil provide oxidation-resistant shortenings for baking and frying

Номер патента: US5874117A. Автор: Daniel Perlman,Kalyana Sundram,Kenneth C. Hayes. Владелец: BRANDEIS UNIVERSITY. Дата публикации: 1999-02-23.

Oxidation resistant refractory alloys

Номер патента: US3957507A. Автор: Marvin Appel,Jack L. Blumenthal,John R. Ogren. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1976-05-18.

Oxidation resistant red fluorescent proteins and use thereof

Номер патента: AU2020102633A4. Автор: Qizhuang Ye,Xiaokang Bai,Liqun Xiao. Владелец: Next Medicine Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Low-cost cast creep-resistant austenitic stainless steels that form alumina for high temperature oxidation resistance

Номер патента: US20190330723A1. Автор: Philip J. Maziasz,Ying Yang,Govindarajan Muralidharan,Bruce A. Pint,Kinga A. Unocic. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2019-10-31.

Steel alloy and method of manufacture exhibiting enhanced combination of high temperature strength, oxidation resistance, and thermal conductivity

Номер патента: US20240167134A1. Автор: Jian Zhou,Howard Savage,Yong-Ching Chen,Govindarajan Muralidharan,Quancang MA,Dean T. Pierce,James Allen HAYNES. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-23.

Socket for semiconductor device

Номер патента: MY144692A. Автор: Hideki Sato,Kazumi Uratsuji. Владелец: Yamaichi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-31.

Process for monitoring the gaseous environment of a crystal puller for semiconductor growth

Номер патента: WO2002057519A9. Автор: John D Holder,Matthew J BURGER,Shawn K Mcquire. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2003-04-24.

Manufacturing process for heavy-power semiconductor devices

Номер патента: RU2022399C1. Автор: Игорь Николаевич Клопов. Владелец: Игорь Николаевич Клопов. Дата публикации: 1994-10-30.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device using the same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: JP5040252B2. Автор: 敏央 野中. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2012-10-03.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device using the same, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP5040247B2. Автор: 敏央 野中,浩一 藤丸. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2012-10-03.

Adhesive film for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP2003261834A. Автор: 範行 大東,Noriyuki Daito. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-19.

Process for preparing a semiconductor device

Номер патента: CA679856A. Автор: Strull Gene. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1964-02-11.

Process for packaging multilead semiconductor devices and resulting product

Номер патента: AU418267B2. Автор: HAROLD DEAN TOOMBS and JAMES HENRI VANTASSELL JACK ST. CLAIR KILBY. Владелец: . Дата публикации: 1960-01-09.

Process for packaging multilead semiconductor devices and resulting product

Номер патента: AU2422467A. Автор: HAROLD DEAN TOOMBS and JAMES HENRI VANTASSELL JACK ST. CLAIR KILBY. Владелец: . Дата публикации: 1960-01-09.

HEXACENE DERIVATIVE, METHOD FOR FORMING HEXACENE, METHOD FOR FORMING HEXACENE CRYSTAL, PROCESS FOR MAKING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140124740A1. Автор: Chow Ta-Hsin,Watanabe Motonori. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2014-05-08.

Process for fabrication of semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: CN105097466B. Автор: 刘焕新. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

METHOD FOR GROWING CRYSTALS OF NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND PROCESS FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120021549A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-26.

WET CHEMISTRY PROCESSES FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH INCREASED CHANNEL MOBILITY

Номер патента: US20120329216A1. Автор: Gurganus Jason,Ryu Sei-Hyung,Agarwal Anant,Palmour John Williams,Cheng Lin,Lichtenwalner Daniel Jenner,Dhar Sarit,Maki Erik. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-12-27.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5245884A. Автор: Takahide Ikeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-04-11.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5247378A. Автор: Reiji Takashina,Soichiro Yamashita. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-04-15.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5250183A. Автор: Shohei Shima,Iwao Higashinakagaha. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-04-21.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5237781A. Автор: Yoshiyuki Takagi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-03-23.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5240978A. Автор: Satoshi Suda,Shuji Endo,Kenji Sugishima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1977-03-30.

Process for producing of semiconductor device

Номер патента: JPS5242073A. Автор: Yoshiro Kutsuzawa. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-04-01.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5239385A. Автор: Shinichi Miyashita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1977-03-26.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5248467A. Автор: Akihiro Shibatomi,Kenya Nakai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1977-04-18.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5245267A. Автор: Masao Kachi,Kuniyoshi Fukuda. Владелец: NEC Home Electronics Ltd. Дата публикации: 1977-04-09.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5249782A. Автор: Toshishige Ando. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1977-04-21.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5236975A. Автор: Makoto Ito,Hideo Sei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1977-03-22.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5244169A. Автор: Hiroshi Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-04-06.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5248477A. Автор: Hiromitsu Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1977-04-18.

Process for production of semiconductor device

Номер патента: JPS5248474A. Автор: Tsutomu Fujita,Tadanaka Yoneda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-04-18.

NANOSCALE METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING ELEMENT

Номер патента: US20120001146A1. Автор: Lu Wei,Jo Sung Hyun. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR PRODUCING A SINGLE-CRYSTAL COMPONENT MADE OF A NICKEL-BASED SUPERALLOY

Номер патента: US20120000577A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BIAXIALLY STRETCHED POLYAMIDE RESIN FILM HAVING GAS BARRIER PROPERTIES AND PROCESS FOR PRODUCING THE BIAXIALLY STRETCHED POLYAMIDE RESIN FILM

Номер патента: US20120003458A1. Автор: TANAKA Nobuhiro,Noda Atsuko,Wu Xiaorui. Владелец: UNITIKA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Ceramic oxidating-resistant composite material and product made from it

Номер патента: RU2560046C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Сергей Анатольевич Евдокимов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2015-08-20.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Heavy-load-current semiconductor device package

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

PROCESS FOR PRODUCTION OF SEMISOLIDIFIED SLURRY OF IRON-BASE ALLOY; PROCESS FOR PRODUCTION OF CAST IRON CASTINGS BY USING THE PROCESS, AND CAST IRON CASTINGS

Номер патента: US20120003115A1. Автор: . Владелец: Kogi Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing volumetric composite material of nickel-zirconium dioxide with high oxidation resistance

Номер патента: RU2704343C1. Автор: Владимир Геннадьевич Конаков,Иван Юрьевич Арчаков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2019-10-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of preparing oxidation-resistant carbon-carbon composite

Номер патента: RU2090497C1. Автор: Г.В. Молев,Н.С. Мирзабекянц. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью Научно-исследовательская фирма "УЛЬТРАСАН". Дата публикации: 1997-09-20.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Constant temperature chamber in a handler for semiconductor device testing apparatus

Номер патента: MY112337A. Автор: Fukumoto Keiichi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2001-05-31.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Oxidation resistant protective coating system for gas turbine components, and process for preparation thereof

Номер патента: CA1294155C. Автор: Thomas E. Strangman,Steven J. Vonk. Владелец: Garrett Corp. Дата публикации: 1992-01-14.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120001223A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GRAPHENE PROCESSING FOR DEVICE AND SENSOR APPLICATIONS

Номер патента: US20120003438A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OXYGEN PLASMA CONVERSION PROCESS FOR PREPARING A SURFACE FOR BONDING

Номер патента: US20120003813A1. Автор: Usenko Alex,Chuang Ta Ko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure and Process for the Formation of TSVs

Номер патента: US20120001334A1. Автор: Kuo Chen-Cheng,Ching Kai-Ming,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.