METHOD FOR INTERCONNECTING STACKED SEMICONDUCTOR DEVICES.

METHOD FOR INTERCONNECTING STACKED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170179082A1
Опубликовано: 22-06-2017
Автор(ы): Zhao Junfeng
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device with substrate for electrical connection

Номер патента: US20230369280A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312940A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hung-Wei TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Forming a panel of triple stack semiconductor packages

Номер патента: US09691748B2. Автор: Anis Fauzi Bin Abdul Aziz,Lee Han Meng @ Eugene LEE,Sueann Lim Wei Fen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20240332209A1. Автор: KyoWang Koo,JiSik MOON,Hyunseok Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Carrier substrate for a semiconductor device and a method for forming a carrier substrate for a semiconductor device

Номер патента: US20190295857A1. Автор: Bernd Waidhas,Georg Seidemann,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method for forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20240120268A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Seonghwan Park,KyoungHee Park,HunTaek LEE,Younghoon Jeon. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for determining lead span and planarity of semiconductor devices

Номер патента: US6489173B1. Автор: Alvin P. Cyril. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-12-03.

Method for making a quad leadframe for a semiconductor device

Номер патента: US5339518A. Автор: Truoc T. Tran,Wilhelm Sterlin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-08-23.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US12033983B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230282619A1. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US09899354B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US09627358B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Wafer level package (WLP) and method for forming the same

Номер патента: US09520372B1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040287B2. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US11923328B2. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20240250053A1. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Device having thin film overlay for interconnecting bond pads of a semiconductor device to a lead frame or flex circuit and method of making same

Номер патента: EP0607656A1. Автор: Larry J. Mowatt,Kurt P. Wachtler,David N. Walter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-07-27.

Semiconductor device package, antenna device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US11830799B2. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Wafer Level Package (WLP) and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200098705A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220028801A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2022233000A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-11-10.

Carrier substrate for a semiconductor device and a method for forming a carrier substrate for a semiconductor device

Номер патента: US20190295857A1. Автор: Seidemann Georg,Waidhas Bernd,Koller Sonja. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Palladium-coated copper bonding wire, method for producing palladium-coated copper bonding wire, semiconductor device using same, and method for producing same

Номер патента: WO2020246094A1. Автор: 卓也小林,満生高田,菜那子前田,松澤　修,良石川. Владелец: 田中電子工業株式会社. Дата публикации: 2020-12-10.

Multilayer wiring board, semiconductor device and methods for manufacturing such multilayer wiring board and semiconductor device

Номер патента: US20010038145A1. Автор: Naohiro Mashino. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-08.

Multilayer wiring board, method for manufacturing such multilayer wiring board, and semiconductor device and electronic device using multilayer wiring board

Номер патента: WO2006082838A1. Автор: Takeshi Nakayama,Masaaki Katsumata,Yoshiyuki Yamamoto,Yasuhiro Sugaya,Katsumasa Miki,Toshiyuki Asahi,Yoshiyuki Saitou. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2006-08-10.

Multilayer Wiring Board, Method for Manufacturing Such Multilayer Wiring Board, and Semiconductor Device and Electronic Device Using Multilayer Wiring Board

Номер патента: US20070242440A1. Автор: Takeshi Nakayama,Yoshiyuki Yamamoto,Yasuhiro Sugaya,Katsumasa Miki,Toshiyuki Asahi,Yoshiyuki Saitou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR COMPONENT CARRIER, SUPPORT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2939963B1. Автор: Jerome Lopez,Richard Rembert. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2011-08-05.

Method for fabricating a semiconductor package with a semiconductor device attached to a multilayered substrate

Номер патента: US6372548B2. Автор: Yoshihiro Bessho,Minehiro Itagaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-16.

Flexible printed wiring board, method for fabricating flexible printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: TW200640317A. Автор: Ken Sakata. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2006-11-16.

Flexible printed wiring board, method for fabricating flexible printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20060214282A1. Автор: Ken Sakata. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09355961B2. Автор: Chajea JO,Hyunsoo Chung,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230223320A1. Автор: Zhou Zhou,Adam Brown,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device package and method for packaging the same

Номер патента: US20210082835A1. Автор: Lu-Ming Lai,Yu-Che Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

LEAD FRAME WITH RADIATOR PLATE, METHOD FOR MANUFACTURING LEAD FRAME WITH RADIATOR PLATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150270204A1. Автор: KURODA Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Lead frame with radiator plate, method for manufacturing lead frame with radiator plate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150270204A1. Автор: Tomohiro Kuroda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Substrate for semiconductor element, method for manufacturing substrate for semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US20120018867A1. Автор: Susumu Maniwa,Junko Toda,Takehito Tsukamoto. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Method for manufacturing substrate for semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: KR101648602B1. Автор: 준꼬 도다,스스무 마니와,야스히로 사까이,다께히또 쯔까모또. Владелец: 도판 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for manufacturing substrate for semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: CN102356462A. Автор: 塚本健人,户田顺子,马庭进,境泰宏. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-15.

Method for manufacturing lead frame and resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP3562311B2. Автор: 幸雄山口. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2004-09-08.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing capacitor array, capacitor array, and semiconductor device

Номер патента: US20230231007A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Compound semiconductor device, method for producing same, and resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US09865679B2. Автор: Hideki Mizuhara,Yoshihiro Matsushima,Shinichi Oohashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for making an interconnect layout and a semiconductor device including an interconnect layout

Номер патента: GB2364598A. Автор: Sudhanshu Misra,Vivek Saxena,Donald Thomas Cwynar,Dennis Okumu Ouma,John Michael Sharpe. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-01-30.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US10354917B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-16.

Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices

Номер патента: WO2019037584A1. Автор: Meng Yan,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for manufacturing a cell having pins and semiconductor device based on same

Номер патента: US11983475B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Yi-Kan Cheng,Li-Chun Tien,Yen-Hung Lin,Lee-Chung Lu,Pin-Dai Sue,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for the planar joining of components of semiconductor devices and a diffusion joining structure

Номер патента: US20070131734A1. Автор: Joachim Mahler,Khalil Hosseini,Ivan Galesic,Konrad Roesl,Edmund Riedl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-06-14.

Method for the surface joining of components of semiconductor devices

Номер патента: DE102005058654A1. Автор: Khalil Hosseini,Joachim Dr. Mahler,Edmund Dipl.-Ing. Riedl,Ivan Dr. Galesic,Konrad Rösl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240096634A1. Автор: Sooyeon HAN,IkSoo JI. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on a semiconductor device

Номер патента: US09741762B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Apparatus and method for removing an organic material from a semiconductor device

Номер патента: US20020058345A1. Автор: Eckhard Marx,Bernd Stottko,Torsten Schneider,Anne Kurtenbach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for selecting photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, cured film, semiconductor device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240361697A1. Автор: Kazuyuki Mitsukura,Masaya TOBA,Takuya KOMINE,Yu Aoki,Yuki IMAZU. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: EP3682481A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-22.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for manufacturing a front electrode of a semiconductor device

Номер патента: US20160260851A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Advanced Materials Technology Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2016-09-08.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US20200294802A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: WO2020185391A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US11217448B2. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Methods for fabricating a metal structure for a semiconductor device

Номер патента: US09865690B2. Автор: Chuanxin Lian,Liping Daniel Hou. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US10373876B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20180233416A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Methods for forming the isolation structure of the semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US09997410B1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09978647B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for cleaning via of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09761488B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing a front electrode of a semiconductor device

Номер патента: US09508877B2. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Advanced Materials Technology. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for fabricating a gate mask of a semiconductor device

Номер патента: US7309627B2. Автор: Osamu Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for fabricating a gate mask of a semiconductor device

Номер патента: US20060014341A1. Автор: Osamu Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Group iii nitride crystal substrate, method for producing same, and group iii nitride semiconductor device

Номер патента: EP1736572B1. Автор: Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki,Ryu c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. HIROTA,Seiji c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. NAKAHATA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Semiconductor device having a dummy portion, method for manufacturing the semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor package having the semiconductor device

Номер патента: US09892968B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method For Processing Workpiece, Plasma Processing Apparatus And Semiconductor Device

Номер патента: US20230005739A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US12009220B2. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20240355634A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing a passivation layer on a semiconductor device

Номер патента: WO2001048796A1. Автор: Hans Bernhoff,Olof Hjortstam,Jan Isberg,Erik Johansson,Johan Hammersberg,Mark Irwin. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2001-07-05.

Method for fabricating a fine pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20080003834A1. Автор: Jae-Young Lee,Sung-Kwon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for etching a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: US20040154186A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating CMOS compatible contact layers in semiconductor devices

Номер патента: US09698309B2. Автор: Celso Cavaco,Brice De Jaeger,Marleen Van Hove,Vasyl Motsnyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for fabricating an inter dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US09437423B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Methods for reducing micro and macro scalloping on semiconductor devices

Номер патента: US20240249936A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim,Mang-Mang Ling. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for producing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7576352B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-18.

Methods for reducing micro and macro scalloping on semiconductor devices

Номер патента: WO2024158449A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim. Владелец: Ling, Mang-Mang. Дата публикации: 2024-08-02.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: EP4393038A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for fabricating semiconductor substrate, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US9941361B2. Автор: Ryosuke Iijima,Takashi Shinohe,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for forming an interconnect pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20020142614A1. Автор: Eisuke Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Methods for manufacturing shallow trench isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: US20060024913A1. Автор: Bo Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Oxide sintered body and method for manufacturing the same, sputtering target, and semiconductor device

Номер патента: US09957604B2. Автор: Kenichi Watatani,Koichi Sogabe,Miki Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming fin structures for non-planar semiconductor device

Номер патента: US09786502B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Rai-Min Huang,Wen-An Liang,Kuan-Hsien Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Al-ga-n template, method for preparing al-ga-n template, and semiconductor device comprising al-ga-n template

Номер патента: US20180323337A1. Автор: Peng Li,Jiangbo Wang,Wubin Zhang,Binzhong DONG,Haiping AI. Владелец: HC Semitek Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Method for fabricating a local interconnect in a semiconductor device

Номер патента: US20180269213A1. Автор: Yen-Ming Chen,Jeng-Ya David Yeh,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Method for fabricating a local interconnect in a semiconductor device

Номер патента: US20170162581A1. Автор: Yen-Ming Chen,Jeng-Ya David Yeh,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Method for fabricating a local interconnect in a semiconductor device

Номер патента: US09997522B2. Автор: Yen-Ming Chen,Jeng-Ya David Yeh,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for fabricating a local interconnect in a semiconductor device

Номер патента: US09881872B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US20110121397A1. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Method for the insulation of polysilicon film in semiconductor device

Номер патента: US5376576A. Автор: Sang H. Park,Chang S. Moon,Dae I. Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: WO2019050630A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for producing group III nitride-based compound semiconductor device

Номер патента: US20100248404A1. Автор: Masahiro Ohashi,Toshiya Umemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices

Номер патента: US6303481B2. Автор: Dong Su Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for forming a dielectric layer in a semiconductor device by using etch stop layers

Номер патента: US20020055202A1. Автор: Chih-Sheng Yang,Kuei-Chang Tsai,Yun-Liang Ouyang,Chih-hung Shu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for forming a contact window in a semiconductor device

Номер патента: WO2003028084A1. Автор: Dev Alok,Juanita A. Barone,Regina Conrad. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-04-03.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: US20070117366A1. Автор: Martin Kordesch,Howard Bartlow,Richard Woodin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Apparatus and Method For Generating Test Pattern Data For Testing Semiconductor Device

Номер патента: US20080040639A1. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20170186652A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US20200357639A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Methods for forming shallow trench isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20050142802A1. Автор: Young Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming storage node contact plug of semiconductor device

Номер патента: US20040264132A1. Автор: Yun-Seok Cho,Yu-Chang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Apparatus and methods for effecting a burn-in procedure on semiconductor devices

Номер патента: US4745354A. Автор: Douglas S. Fraser. Владелец: FTS Systems Inc. Дата публикации: 1988-05-17.

Method for forming an isolation region in a semiconductor device and resulting structure using a two step oxidation process

Номер патента: US6420241B2. Автор: Jong Choul Kim,Se Aug Jang,Young Bog Kim,In Seok Yeo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20230005752A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for preventing bottom layer wrinkling in a semiconductor device

Номер патента: US20170365561A1. Автор: Tze-Liang Lee,Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Jung-Hau Shiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Power semiconductor device, measurement system and method for determining a current of a power semiconductor device

Номер патента: US20240105837A1. Автор: Markus BÖHM,Ingo Dirnstorfer,Richard Springer,Andreas Gneupel,Dmitry Balashov,Christian Kemle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for preventing bottom layer wrinkling in a semiconductor device

Номер патента: US20200135488A1. Автор: Tze-Liang Lee,Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Jung-Hau Shiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for fabricating semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057350A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: US11948803B2. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Oyj. Дата публикации: 2024-04-02.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: WO2003023860A1. Автор: Howard D. Bartlow,Martin E. Kordesch,Richard. L. Woodin. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2003-03-20.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US20060001044A1. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: EP1542288A4. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-21.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7208387B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-24.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: WO2023025981A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corporation. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing rutile titanium dioxide layer and semiconductor device including the same

Номер патента: US11466382B2. Автор: Junwoo SON,Yunkyu PARK,Jinheon PARK. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2022-10-11.

Method for manufacturing rutile titanium dioxide layer and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210317596A1. Автор: Junwoo SON,Yunkyu PARK,Jinheon PARK. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2021-10-14.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: EP1412985A1. Автор: Howard D. Bartlow,Martin E. Kordesch,Richard. L. Woodin. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-04-28.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: EP1412985A4. Автор: Richard L Woodin,Howard D Bartlow,Martin E Kordesch. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-26.

Method for manufacturing semiconductor element, semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4266350A1. Автор: Yuichiro Hayashi,Katsunori Azuma,Kokichi Fujita,Tomohisa Hirayama,Katsuaki Masaki,Tatsuro SAWADA,Hayao KASAI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Apparatus and methods for effecting a burn-in procedure on semiconductor devices.

Номер патента: MY100200A. Автор: S Fraser Douglas. Владелец: Fts System Inc. Дата публикации: 1990-04-10.

Method for fabricating self-aligned contact in a semiconductor device

Номер патента: US9647116B1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Kuo-Yi Chao,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203831A1. Автор: Young Woo Kim,Jin Kyu Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Yun Suk NAM,Hidenobu Fukutome,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182846A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20220028800A1. Автор: Chun-Cheng Kuo,Chia-Chieh Hu,Yu-Hsiang CHAO,Yu-Hsing Lin,Jui-Tzu CHEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09524921B2. Автор: Tae-Seong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182803A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881917B2. Автор: Chien-Hua Chen,Sheng-chi Hsieh,Teck-Chong Lee,Hsu-Chiang Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153902A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device structure having a profile modifier

Номер патента: US20230253214A1. Автор: Shih-En LIN,Jui-Lin Chin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device structure with bonding pad and method for forming the same

Номер патента: US20210351144A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Kuo-Chin Chang,Chien-Hao HSU,Wei-Hsiang TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20170229396A1. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and programming method thereof

Номер патента: US20130037859A1. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11784111B2. Автор: HUNG-YI LIN,Wu Chou HSU,Chin-Cheng Kuo,Cheng-Yuan KUNG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160043030A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200075712A1. Автор: Shaofeng Ding,Jeong Hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20140191414A1. Автор: Tae-Seong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Device and method for placing on and fixing to substrate semiconductor device and heat sink disposed on the semiconductor device

Номер патента: WO2002013266A1. Автор: Kouichi Shinotou. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device structure having a profile modifier

Номер патента: US11854832B2. Автор: Shih-En LIN,Jui-Lin Chin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING A SEMICONDUCTOR DEVICE LAYER FORMED ON A TEMPORARY SUBSTRATE HAVING A GRADED SiGe ETCH STOP LAYER THERE BETWEEN

Номер патента: US20170301611A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Chen Wei-Li,Tu Yeur-Luen,Cheng Yu-Hung,Chou Shih-Pei,Lin Tung-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Method for manufacturing component-embedded wiring board and semiconductor device

Номер патента: KR20140104909A. Автор: 히로히사 나라하시,시게오 나카무라,겐진 마고. Владелец: 아지노모토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-08-29.

Apparatus and method for dissipating heat in a plurality of semiconductor device modules

Номер патента: CN113314483A. Автор: S·U·阿里芬,曲小鹏. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-27.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20230411304A1. Автор: Junghoon Kim,KyungMoon Kim,KyoWang Koo,YoungSang KIM,HeeYoun Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Package structure for semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US12040241B2. Автор: CHEN Liu,Yuming Zhang,Hongliang LV. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258404A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258405A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for Manufacturing a Structure in a Semiconductor Device and a Structure in a Semiconductor Device

Номер патента: US20080090398A1. Автор: Christoph Noelscher,Sebastian Mosler. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-04-17.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: EP4449835A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Method for manufacturing semiconductor device with nano-gaps

Номер патента: US09799553B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device with nano-gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US09646849B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570391B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Multilayer wiring, method for placing dummy wiring in multilayer wiring, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110089569A1. Автор: Kazuhiko Asakawa. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Interconnect structure with twin boundaries and method for forming the same

Номер патента: US09761523B2. Автор: Chun-Lung HUANG,Jian-Hong Lin,Yu-Lun Chueh,Chien-Neng Liao,Chwei-Ching Chiu,Yung-Huei Lee,Tsung-Cheng CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12087851B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Heater for annealing trapped charge in a semiconductor device

Номер патента: US20060103007A1. Автор: Philip Oldiges,John Aitken,Ethan Cannon,Alvin Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US12068193B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US20240347381A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with etched landing pad surface

Номер патента: US20240023307A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for manufacturing a cell having pins and semiconductor device based on same

Номер патента: US20240296272A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Yi-Kan Cheng,Li-Chun Tien,Yen-Hung Lin,Lee-Chung Lu,Pin-Dai Sue,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Multi-layer wiring structure, method for manufacturing multi-layer wiring structure, and semiconductor device

Номер патента: US20190088672A1. Автор: Takahiro TOMIMATSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Fabrication method for a semiconductor device

Номер патента: EP1291906B1. Автор: Tadatomo Suga,K. Toyo Kohan Co. Ltd Saijo,S. Toyo Kohan Co. Ltd Ohsawa,H. Toyo Kohan Co. Ltd. Okamoto,K Toyo Kohan Co. Ltd. Yoshida. Владелец: Toyo Kohan Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-04.

Semiconductor device with capacitor and fuse, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090212389A1. Автор: Roh Il Cheol. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device having dual damascene line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20020030280A1. Автор: Kyung-Tae Lee,Seong-ho Liu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-14.

Interconnections for a semiconductor device and method for forming same

Номер патента: US20020041034A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-11.

Package Structure for Semiconductor Device and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20220319940A1. Автор: CHEN Liu,Yuming Zhang,Hongliang LV. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor devices with pyramidal shielding and method for making the same

Номер патента: US20240055368A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing semiconductor device with nano-gaps

Номер патента: US20170200633A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device with nano-gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160268198A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Bonding pad structure disposed in semiconductor device and related method

Номер патента: US20080290457A1. Автор: Ming-Dou Ker,Yuan-Wen Hsiao,Yuh-Kuang Tseng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230380137A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088111A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088113A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: WO2022116036A1. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for manufacturing isolation structure integrated with semiconductor device

Номер патента: US9502508B2. Автор: Chien-Ming Huang,Hong-Ze Lin,Shin-Kuang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11972996B2. Автор: Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qingyuan HE. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device having bonding structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240074145A1. Автор: Yi-Jen Lo,Chiang-Lin Shih,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Interconnection structure with composite isolation feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047360A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with etched landing pad surface and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240023308A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Interconnection structure with composite isolation feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047361A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for manufacturing isolation structure integrated with semiconductor device

Номер патента: US20160254354A1. Автор: Chien-Ming Huang,Hong-Ze Lin,Shin-Kuang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

DBC SUBSTRATE FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICES, METHOD FOR FABRICATING A DBC SUBSTRATE AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A DBC SUBSTRATE

Номер патента: US20220301974A1. Автор: Roth Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Isolation structure integrated with semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160133479A1. Автор: Chien-Ming Huang,Hong-Ze Lin,Shin-Kuang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Isolation structure integrated with semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9859377B2. Автор: Chien-Ming Huang,Hong-Ze Lin,Shin-Kuang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Terminal land frame and method for manufacturing the same, and resin sealed semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100564006B1. Автор: 미나미오마사노리,노무라도루,아다치오사무. Владелец: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor device with fixing feature on which bonding wire is disposed

Номер патента: US20240014165A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND RESIN-SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160035828A1. Автор: Matsushima Yoshihiro,MIZUHARA HIDEKI,OOHASHI SHINICHI. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND RESIN-SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180083100A1. Автор: Matsushima Yoshihiro,MIZUHARA HIDEKI,OOHASHI SHINICHI. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Compound semiconductor device, method for producing same, and resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US20190165098A1. Автор: Hideki Mizuhara,Yoshihiro Matsushima,Shinichi Oohashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, semiconductor wafer and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6590257B2. Автор: Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, semiconductor wafer and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020038890A1. Автор: Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Compound semiconductor device, method for producing same, and resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US10553676B2. Автор: Hideki Mizuhara,Yoshihiro Matsushima,Shinichi Oohashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Compound semiconductor device, method for manufacturing the same, and resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JPWO2014171076A1. Автор: 秀樹水原,慎一大橋,芳宏松島,水原　秀樹. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

METHOD FOR FORMING A CONNECTING STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE102014117338B4. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Cheng Hsiung Tsai,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

METHODS FOR FORMING ON-CHIP CAPACITOR STRUCTURES IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220068947A1. Автор: Chen Liang. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Method for generating a layout diagram of a semiconductor device including power-grid-adapted route-spacing

Номер патента: US20220075923A1. Автор: Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Ting-Wei Chiang,Shun Li CHEN,Ting Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

MULTI-LAYER WIRING STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-LAYER WIRING STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190088672A1. Автор: TOMIMATSU Takahiro. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

METHOD FOR FORMING LEAD WIRES IN HYBRID-BONDED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220270919A1. Автор: Zhu Jifeng,Hu Si Ping,YAN Meng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices

Номер патента: US20200402841A1. Автор: Meng Yan,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for forming multi layer metal wiring of semiconductor device using damascene process

Номер патента: KR100790452B1. Автор: 김수현,이영진,김정태,정동하,김백만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for fabricating multi-layer metal interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100267106B1. Автор: 박주성,조찬형. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-02.

Method for fabricating multi-layer metal interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100188001B1. Автор: 유왕희. Владелец: 페어차일드코리아반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for manufacturing multi-layer anti-fuse of semiconductor device

Номер патента: KR100246191B1. Автор: 김진수. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

A method for forming a bit line of a semiconductor device

Номер патента: KR100326811B1. Автор: 이정훈,황치선. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-04.

Method for forming multi metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: KR100245076B1. Автор: 고재홍. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method for fabricating metal-insulator-metal capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100731138B1. Автор: 김선희. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-06-22.

METHOD FOR FORMING A PROTECTIVE COATING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2676595A1. Автор: Bentz Peter Otto. Владелец: Dow Corning GmbH. Дата публикации: 1992-11-20.

Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices

Номер патента: US11322392B2. Автор: Meng Yan,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-03.

Methods for Forming On-Chip Capacitor Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: KR20230012623A. Автор: 량 천. Владелец: 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for generating an embedded resistor in a semiconductor device

Номер патента: KR101626333B1. Автор: 이승환,김남성,류충렬,준 유안,빅터 찬,맨프레드 엘러,나라심후루 카니케,스리칸쓰 발라지 사마베담. Владелец: 글로벌파운드리즈 싱가포르 피티이 엘티디. Дата публикации: 2016-06-01.

Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices

Номер патента: TWI691022B. Автор: 胡思平,朱繼鋒,嚴孟. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2020-04-11.

Method for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: TW202211325A. Автор: 陳亮. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2022-03-16.

Method for manufacturing lead frame and resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP3456983B2. Автор: 寿穂稲生,彰小賀,弘日高. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2003-10-14.

Method for manufacturing a cell having pins and semiconductor device based on same

Номер патента: US20230195991A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Yi-Kan Cheng,Li-Chun Tien,Yen-Hung Lin,Lee-Chung Lu,Pin-Dai Sue,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming multi-metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: KR100226727B1. Автор: 박병주. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Semiconductor package and method for manufacturing the same, sealing resin and semiconductor device

Номер патента: TW200814256A. Автор: Masahiro Wada,Hiroshi Hirose,Teppei Ito. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2008-03-16.

Method for forming a metal contact on a semiconductor device

Номер патента: FR1535262A. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1968-08-02.

Epoxy resin composition, method for producing epoxy resin cured product and semiconductor device

Номер патента: TW201602151A. Автор: Hideyasu Asakage,Koichiro Ogami,Hisashi Yamada,Ken Hirota. Владелец: Nippon Steel & Sumikin Chem Co. Дата публикации: 2016-01-16.

Production method for sealing layer-coated semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: EP2876673A4. Автор: Hiroshi Noro,Hiroki Kono,Munehisa Mitani,Yasunari Ooyabu,Yuki EBE. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-11-18.

Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices

Номер патента: US11996322B2. Автор: Meng Yan,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: US7943401B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tamir-Kheli. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-05-17.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for applying a cap layer to protect electrical components of a semiconductor device from e-beam irradiation

Номер патента: EP4332529A1. Автор: Thuy-Doan Pham,Yong-Fa Alan Wang. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for interconnecting semiconductor devices

Номер патента: US5536683A. Автор: Sun-Chieh Chien,Jeng Ping Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-07-16.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: WO2022115683A3. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Crystal Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for evaluating semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160086792A1. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for evaluating semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09786495B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Silicon phosphide semiconductor device

Номер патента: US11749567B2. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120007172A1. Автор: Seung Wan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09997417B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595584B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09525045B1. Автор: Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09524965B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09502412B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for producing an optoelectronic semiconductor device, and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09490397B2. Автор: Michael Zitzlsperger,Stephan Preuβ,Caroline Kistner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging element, and semiconductor device

Номер патента: US09484368B2. Автор: Hiroyuki Kawashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09899265B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Primer, substrate equipped with primer layer, method for producing substrate equipped with primer layer, semiconductor device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230183415A1. Автор: Shingo Tanaka,Yoshitaka Takezawa,Ning Tang. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015508A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5973362A. Автор: Hae Chang Yang,Min Wha Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for forming dual gate of a semiconductor device

Номер патента: US20020164857A1. Автор: Jae-Hee Ha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Manufacturing method for glass substrate and glass substrate

Номер патента: US12068181B2. Автор: Yuichi Yoshida,Keisuke Hanashima,Yuha KOBAYASHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100213617A1. Автор: Seung Bum Kim,Jong Kuk KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device including fluorine diffusion barrier layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080054465A1. Автор: Jong-Taek Hwang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110254083A1. Автор: Hae Il SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12100743B2. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347374A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347375A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09704862B2. Автор: Donghyun Kim,Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Ha-young Kim,Sanghoon Baek,Panjae PARK,Sutae Kim,Jaewan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12057342B2. Автор: Chun-Hung Lee,Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for fabricating semiconductor device and method for fabricating semiconductor substrate used in the semiconductor device

Номер патента: TW200504857A. Автор: Kenji Yoneda. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-01.

Method for etching metal layer of a semiconductor device using hard mask

Номер патента: US6008135A. Автор: Yong-Tak Lee,Sang-Jeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-28.

Method for fabricating semiconductor device and method for fabricating semiconductor substrate used in the semiconductor device

Номер патента: US20050014386A1. Автор: Kenji Yoneda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Method for clean procedure during manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11990346B2. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Zhen Wu,Chun-Lung Chen,Chuan-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12034070B2. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12068391B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220376096A1. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Methods for planarizing a metal layer

Номер патента: US20050142829A1. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Methods for planarizing a metal layer

Номер патента: US7192869B2. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-20.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240371969A1. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09627474B2. Автор: Chien-Mao Chen,Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09461166B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20060035473A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US7410911B2. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,Daniel Gealy,Husam N. Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20040185677A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US6955996B2. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,Husam N. Al-Shareef,Dave Chapek,Daniel F Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20050279283A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Systems and methods for air flow optimization in environment for semiconductor device

Номер патента: US12142507B2. Автор: Hsu-Shui Liu,Jiun-Rong Pai,Cheng-Lung Wu,Yang-Ann Chu,Yi-Fam SHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Structure and method for improved stabilization of cobalt cap and/or cobalt liner in interconnects

Номер патента: US09780035B1. Автор: Michael RIZZOLO,James J. Kelly,Koichi Motoyama,Theodorus Eduardus Standaert,Benjamin David Briggs,Roger Allan Quon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for forming isolation film

Номер патента: US6656851B1. Автор: Young-Kuk Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-12-02.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US9564490B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Contact Isolation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210066116A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-03-04.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20170104069A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US8633471B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20160118464A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Contact isolation in semiconductor devices

Номер патента: US11862452B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device including vertical supporting structure

Номер патента: US20240105715A1. Автор: Wen-Chieh Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device including vertical supporting structure

Номер патента: US20240105714A1. Автор: Wen-Chieh Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153900A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20240297227A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device having a gate stack with tunable work function

Номер патента: US09799656B2. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having a gate stack with tunable work function

Номер патента: US09559016B1. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for producing a dielectric material on a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: TWI289893B. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche,Shrinivas Govindarajan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-11.

Semiconductor device and method for manufacturing a passivation layer on a semiconductor device

Номер патента: AU2565201A. Автор: Hans Bernhoff,Olof Hjortstam,Jan Isberg,Erik Johansson,Johan Hammersberg,Mark Irwin. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2001-07-09.

Method for producing a dielectric material on a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: TW200633059A. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche,Shrinivas Govindarajan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-16.

Method for reducing pillar structure dimensions of a semiconductor device

Номер патента: WO2009045347A1. Автор: Michael Chan,Steven J. Radigan,Yung-Tin Chen,Paul Poon. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for wire connection for laser programming of semiconductor device

Номер патента: KR970003920B1. Автор: Chang-Jae Lee,Won-Hyuk Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-22.

Method for manufacturing gate structure for use in semiconductor device

Номер патента: TW200515494A. Автор: Yi-Nan Chen,Chang-Rong Wu,Kuo-Chien Wu,Tzu-En Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-01.

Method for manufacturing gate structure for use in semiconductor device

Номер патента: TWI223338B. Автор: Yi-Nan Chen,Chang-Rong Wu,Kuo-Chien Wu,Tzu-En Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-01.

Method for controlling an opening width in a semiconductor device and related structure

Номер патента: TW521347B. Автор: Klaus F Schuegraf. Владелец: Conexant Systems Inc. Дата публикации: 2003-02-21.

Method for forming an interconnect pattern in a semiconductor device

Номер патента: TW521350B. Автор: Eisuke Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-21.

Method for fabricating a fine pattern in a semiconductor device

Номер патента: TW200802539A. Автор: Jae-Young Lee,Sung-Kwon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-01.

Method for improving the electrical characteristics of germanium semiconductor devices

Номер патента: US3227580A. Автор: Clarence G Thornton. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1966-01-04.

Method for forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: TW200814145A. Автор: Jae-Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

Method for manufacturing a high aspect ratio channel semiconductor device

Номер патента: EP3300117B1. Автор: M Bernardette Kunert,Mrs. Niamh Waldron,Mr. Weiming Guo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-17.

Emitting method for charged particle beam in manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPS57193030A. Автор: Yasuo Iida. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-11-27.

Method for forming an insulating layer of a semiconductor device

Номер патента: IE55741B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-01-02.

Methods for fabricating high voltage transistor and the semiconductor device

Номер патента: TW201236081A. Автор: Sen Zhang,yan-jun Li. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2012-09-01.

Method for forming triple well structure in a semiconductor device

Номер патента: TW432499B. Автор: Jung-Hoon Lee,Bon-Seong Koo,Yoon-Nam Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2001-05-01.

Method for preventing Cu contamination and oxidation in semiconductor device manufacturing

Номер патента: TWI272677B. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Boq-Kang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for planarizing non-level silicon dioxide in semiconductor devices

Номер патента: DE3162991D1. Автор: Narasipur Gundappa Anantha,Harsaran Singh Bhatia,James Leo Walsh,John S Lechaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-05-10.

A method for forming a meterial layer in a semiconductor device using liquid phase deposition

Номер патента: SG54195A1. Автор: Faivel S Pintchovski. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-11-16.

Method for preventing cu contamination and oxidation in semiconductor device manufacturing

Номер патента: TW200601457A. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Boq-Kang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-01.

Method for implanting a cell channel ion of semiconductor device

Номер патента: TW200610062A. Автор: Woo-Kyung Sun,Won-chang Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Method for implanting a cell channel ion of semiconductor device

Номер патента: TWI294150B. Автор: Won Chang Lee,Woo Kyung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-01.

Ohmic electrode for sic semiconductor, method of manufacturing ohmic electrode for sic semiconductor, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: CA2667648A1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Thin film transistor and method for manufacturing same, display device, method for modifying oxidized film, method for forming oxidized film, semiconductor device and method for manufacturing same, and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW200539341A. Автор: Hikaru Kobayashi,Shigeki Imai,Kazuhiko Inoguchi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-12-01.

Method for applying a cap layer to protect electrical components of a semiconductor device from e-beam irradiation

Номер патента: US20240079240A1. Автор: Thuy-Doan Pham,Yong-Fa Alan Wang. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device with asymmetric transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20060170116A1. Автор: Tae-Woo Jung,Sang-Won Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Method for Manufacturing Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20190363187A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148511A1. Автор: Hsiang-Wei Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor devices and methods for producing the same

Номер патента: US11728620B2. Автор: Qing Wang,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120043605A1. Автор: Se In KWON,Hyun Jin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140042528A1. Автор: Dong-il Park,Jong-Sam Kim,Ae-Gyeong Kim,Kyoung-Eun Uhm,Tae-Cheol Lee,Yong-sang Jeong,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor devices and methods for producing the same

Номер патента: EP3732707A1. Автор: Qing Wang,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US10522412B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110291182A1. Автор: Seung Hwan Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11862672B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20180269114A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20190139839A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of forming metal silicide layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10490647B1. Автор: Yugui Zhang,Jianzhi Fang,Kangjun Peng,Qunzheng Lin. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Silicon Phosphide Semiconductor Device

Номер патента: US20230360974A1. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150140804A1. Автор: Sang Ho Sohn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8946855B2. Автор: Sang Ho Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Apparatus and method for measuring electrical characteristics of a semiconductor element in a packaged semiconductor device

Номер патента: US20020063570A1. Автор: In-ho Song,Byong-Mo Moon,Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11817348B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Dielectrically isolated semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170179227A1. Автор: Feng Ji,PING Wang,Changjun Zhang,Zuyin Chen. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024103247A1. Автор: Chang Chen,Xiaoming Liu,Xinyu Li. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device with air gap on gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20230335584A1. Автор: Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Chia-Lin Chuang,Che-Chen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240178069A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11508848B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210083093A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10861976B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10522685B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor device including mark structure for measuring overlay error and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047372A1. Автор: Chih-Hsuan Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device including mark structure for measuring overlay error and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047368A1. Автор: Chih-Hsuan Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20200381309A1. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090101994A1. Автор: Kyoung-Mi Moon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-04-23.

METHOD FOR MANUFACTURING PACKAGE SUBSTRATE FOR MOUNTING A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING SUBSTRATE

Номер патента: US20190148169A1. Автор: Kato Yoshihiro,Ogashiwa Takaaki,HIRANO Syunsuke,KAWASHITA Kazuaki,NAKAJIMA Youichi. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.. Дата публикации: 2019-05-16.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140284670A1. Автор: KAWASHIMA Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

Method for producing white curable composition for optical semiconductor device and method for producing molded body for optical semiconductor device

Номер патента: JP2013076053A. Автор: Takashi Watanabe,貴志渡邉,満谷川,秀中村,崇至鹿毛,Mitsuru Tanigawa,Hide Nakamura,Takashi Shikage,勲夫樋口,Isao Higuchi. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

Method for treating object, composition for temporary fixation, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN108369892B. Автор: 森隆,水野光. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method for fabricating air gap for semiconductor device

Номер патента: US7803713B2. Автор: Hsueh-Chung Chen,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-09-28.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US20020137307A1. Автор: CHANG Kim,Wan Kim. Владелец: Kim Wan Shick. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100163983A1. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230387297A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230326991A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10930602B2. Автор: Seung Hun Han,Yun Rae Cho,Ae Nee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-23.

Vertical semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240072113A1. Автор: Tim Böttcher,Steffen Holland,Stefan Berglund,Seong-Woo BAE,Detlef Oelgeschlaeger. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090057770A1. Автор: Sung-Man Pang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11784137B2. Автор: Seung Hun Han,Yun Rae Cho,Ae Nee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230326964A1. Автор: Jung Hwan Chun,Kyu-hee Han,Jun Hyuk LIM,Jong Min Baek,Sang Shin Jang,Koung Min RYU,Bong Kwan Baek,Jung Hoo Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20170271332A1. Автор: Donghyun Kim,Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Ha-young Kim,Sanghoon Baek,Panjae PARK,Sutae Kim,Jaewan Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11804535B2. Автор: Jong Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230420560A1. Автор: Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240130254A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Yen-Min TING,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150102405A1. Автор: Yu Shin RYU,Bo Seok OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device having isolation structure formed of low-k dielectric material and method for forming the same

Номер патента: US20240030281A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Cheng-Ming Lin,Ming-Jie Huang,Ming-Chang Wen,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Szuya Liao,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230361172A1. Автор: Yuan Fang,Ke Jiang,Huiling ZUO,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG,Junli Xiang,Jinshan SHI. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device comprising work function metal pattern in boundry region and method for fabricating the same

Номер патента: US20190252393A1. Автор: Jin Woo Hong,Ki Wook JUNG,Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON,Ju Yeon JANG,Je Min PARK,Ho ln LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180226411A1. Автор: Jin Woo Hong,Ki Wook JUNG,Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Ho In Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON,Ju Yeon JANG,Je Min PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device comprising work function metal pattern in boundry region and method for fabricating the same

Номер патента: US20200295013A1. Автор: Jin Woo Hong,Ki Wook JUNG,Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Ho In Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON,Ju Yeon JANG,Je Min PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

Manufacturing method for crystal, crystal, and semiconductor device

Номер патента: US20110254017A1. Автор: Shin Harada,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device with supporter against which bonding wire is disposed and method for prparing the same

Номер патента: US20230395557A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: EP4283683A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160163588A1. Автор: Hyungjun Kim,Soohyeon KIM,Han-Bo-Ram LEE,Jaehong YOON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of INU. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190081152A1. Автор: Byoung Hoon Lee,Sang Jin HYUN,Hoon Joo NA,Hu Yong LEE,Chan Hyeong LEE,Min Woo Song,Sung In SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9595590B2. Автор: Yu Shin RYU,Bo Seok OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device having a saddle fin shaped gate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110306178A1. Автор: Seung Joo Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230043936A1. Автор: Yoo Sang Hwang,Tae Jin Park,Hui-jung Kim,Jun Soo Kim,Gyul GO,Gyung Hyun YOON,Eui Jun CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A9. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170141213A1. Автор: Jin Yeong SON,Yu Shin RYU,Bo Seok OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging element, and semiconductor device

Номер патента: TW201125112A. Автор: Hiroyuki Kawashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-07-16.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230132488A1. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Charge effect transistor and a method for manufacturing the same

Номер патента: US5942790A. Автор: Kang Ho Park,Jeong Sook Ha. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-08-24.

Method for forming a gate electrode of a semiconductor device, gate electrode structure for a semiconductor device and according semiconductor device structure

Номер патента: US20140264626A1. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Martin Trentzsch,Alban Zaka,Nicolas Sassiat,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for analyzing parasitic mim structure part in semiconductor device and method for analyzing parasitic mim structure part in si semiconductor device

Номер патента: JPH1050784A. Автор: Kiyoshi Futagawa,清二川. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-20.

Semiconductor film composition, method for manufacturing semiconductor film composition, method for manufacturing semiconductor member, method for manufacturing processing material for semiconductor, and semiconductor device

Номер патента: IL259347A. Автор: . Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Method for fabricating recess pattern in semiconductor device

Номер патента: US7862991B2. Автор: Yong-Soon Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2022051932A1. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for fabricating electronic device, method for fabricating epitaxial substrate, group III nitride semiconductor device, and gallium nitride epitaxial substrate

Номер патента: JPWO2009011394A1. Автор: 雄斎藤. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-24.

Method for fabricating fine pattern in semiconductor device

Номер патента: US20110076851A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE112016002106T5. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Photosensitive resin composition, heterocyclic ring-containing polymer precursor, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device

Номер патента: US11860538B2. Автор: Takeshi Kawabata,Akinori Shibuya,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for improved critical dimension uniformity in a semiconductor device fabrication process

Номер патента: US11901188B2. Автор: De-Fang Chen,Wei-Liang Lin,Chun-Kuang Chen,Chi-Cheng Hung,Yu-Tien Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for Processing a Substrate Assembly and Wafer Composite Structure

Номер патента: US20200402832A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for intra-cell-repurposing dummy transistors and semiconductor device having repurposed formerly dummy transistors

Номер патента: US20230342533A1. Автор: Liu Han,Yiyun Huang,Qingchao Meng,Zhang-Ying YAN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US9076886B2. Автор: Dong-il Park,Jong-Sam Kim,Ae-Gyeong Kim,Kyoung-Eun Uhm,Tae-Cheol Lee,Yong-sang Jeong,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-07.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11942560B2. Автор: Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for forming a gate electrode of a semiconductor device, gate electrode structure for a semiconductor device and according semiconductor device structure

Номер патента: SG2014012116A. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Martin Trentzsch,Alban Zaka,Nicolas Sassiat,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Method for reducing Schottky barrier height and semiconductor device with reduced Schottky barrier height

Номер патента: US11817481B2. Автор: Samuel C. Pan,Hung-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11862722B2. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Use of plate oxide layers to increase bulk oxide thickness in semiconductor devices

Номер патента: US20140120694A1. Автор: Steven Leibiger,Sunglyong Kim,Christopher Nassar. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024040563A1. Автор: Yi He,Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming metal contact in semiconductor device

Номер патента: US20070148858A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Jae Yu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Systems and methods for air flow optimization in environment for semiconductor device

Номер патента: US20230386877A1. Автор: Hsu-Shui Liu,Jiun-Rong Pai,Cheng-Lung Wu,Yang-Ann Chu,Yi-Fam SHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Manufacturing method for glass substrate and glass substrate

Номер патента: US20240030051A1. Автор: Yuichi Yoshida,Keisuke Hanashima,Yuha KOBAYASHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for forming ohmic contacts on compound semiconductor devices

Номер патента: US20230369436A1. Автор: Chung-Yi Chiu,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12021121B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2021258293A1. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for forming a self align contact in semiconductor device and manufacturing a semiconductor device using for same

Номер патента: KR100457038B1. Автор: 황기현,신승목,한재종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-10.

Non volatile memory device, method for manufacturing the same and for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: KR100646085B1. Автор: 정용식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-11-14.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US8084828B2. Автор: David Brown,Rohit Pal,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-27.

Laser processing method, method for forming a flash memory, insulated gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US7622343B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-24.

Isolation method of semiconductor device

Номер патента: US5447885A. Автор: Hyun-Jin Cho,Oh-Hyun Kwon,Heung-mo Yang,Yun-sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-09-05.

A substrate for an optical semiconductor device, a method for manufacturing the same, and an optical semiconductor device

Номер патента: TWI535068B. Автор: Wataru Goto,Hiroyuki Fukasawa. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2016-05-21.

Method of fabricating a thin film and metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20070155169A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US20100244156A1. Автор: David Brown,Rohit Pal,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Temperature correction method for heat treatment equipment, adjustment method for development equipment, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: KR100572949B1. Автор: 하야사끼게이,이또신이찌,후지사와다다히또,아사노마사후미,무또다이조,시바따쯔요시. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-04-28.

APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE METHOD

Номер патента: US20210098232A1. Автор: Kang Sunggil,JEONG CHANYEONG,AN SANGJIN,LEE YEONGKWANG,PARK Minseop. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-04-01.

Compound gan substrate and method for producing same, and group iii nitride semiconductor device and method for producing same

Номер патента: CN103180935A. Автор: 冈久拓司,木山诚,松原秀树. Владелец: Mega Opto Corp. Дата публикации: 2013-06-26.

Pattern-forming method using electron beams for euv rays and use of this method for forming a fine circuit of a semiconductor device

Номер патента: EP3745207A1. Автор: Hideaki Tsubaki,Koji Shirakawa,Toru Tsuchihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-12-02.

OPC(Optical Proximity Correction) method reflecting slit effect and method for fabricating EUV(Extreme Ultraviolet) mask and semiconductor device using the OPC method

Номер патента: KR102193687B1. Автор: 이상화,장성훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-12-21.

Semiconductor device gate stack

Номер патента: GB2560866A. Автор: Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Bao Ruqiang,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-26.

Semiconductor devices

Номер патента: EP4261893A1. Автор: Jung Hwan Chun,Kyu-hee Han,Jun Hyuk LIM,Jong Min Baek,Sang Shin Jang,Koung Min RYU,Bong Kwan Baek,Jung Hoo Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device, semiconductor component and display panel including the same

Номер патента: US11894489B2. Автор: Min-Hsun Hsieh,Yu-Tsu Lee,Wei-Jen Hsueh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor structure with conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230378260A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device structure having a channel layer with different roughness

Номер патента: US20230284435A1. Автор: Chung-Lin Huang,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for forming epitaxial source/drain features and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20230335607A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING PATTERNED RADIATION BLOCKING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130280851A1. Автор: Borthakur Swarnal,Sulfridge Marc. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Method for Reducing Bipolar Degradation in an SIC Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20170012102A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Rupp Roland,Konrath Jens Peter. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Method for Producing a Plurality of Radiation-Emitting Semiconductor Devices and Radiation-Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20200111938A1. Автор: Schlereth Thomas,Tangring Ivar. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

METHODS FOR FORMING THE ISOLATION STRUCTURE OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180151443A1. Автор: HSU Ching-Yi,CHUANG Pi-Kuang,HU Po-Sheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for Pattern Formation on a Substrate, Associated Semiconductor Devices, and Uses of the Method

Номер патента: US20170170007A1. Автор: Arjun Singh,Boon Teik CHAN. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2017-06-15.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING PATTERNED RADIATION BLOCKING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150255502A1. Автор: Borthakur Swarnal,Sulfridge Marc. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

METHODS FOR FORMING THE ISOLATION STRUCTURE OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180261509A1. Автор: HSU Ching-Yi,CHUANG Pi-Kuang,HU Po-Sheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2018-09-13.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING PATTERNED RADIATION BLOCKING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170317136A1. Автор: Borthakur Swarnal,Sulfridge Marc. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING PATTERNED RADIATION BLOCKING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190355779A1. Автор: Borthakur Swarnal,Sulfridge Marc. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Method for manufacturing device isolation insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR960026618A. Автор: 김승준. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-22.

A semiconductor device and a manufacturing method for a metal-insulator-metal capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100431810B1. Автор: 김길호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-17.

For the method for the fin for forming metal oxide semiconductor device structure

Номер патента: CN104011841B. Автор: T·加尼,M·D·贾尔斯. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-26.

Semiconductor device and a method for reducing the antenna effect in a semiconductor device

Номер патента: DE102017201249B4. Автор: Ingolf Lorenz,Stefan Block,Ulrich Hensel,Juergen Faul,Michael Zier,Haritez Narisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Reservoir capacitor of semiconductor device

Номер патента: US9263452B2. Автор: Ae Rim JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

The manufacture method of method for regulating temperature, heat treating equipment and semiconductor devices

Номер патента: CN100576127C. Автор: 上野正昭,杉下雅士. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-12-30.

Semiconductor device and method for determining state of semiconductor material of semiconductor device

Номер патента: CN103575787A. Автор: S.诺尔. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-02-12.

Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on a semiconductor device

Номер патента: US10629647B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

A semiconductor device having a gate structure, and methods for forming the gate structure and the semiconductor device

Номер патента: DE102005006899B4. Автор: Makoto Yoshida,Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Chul Lee,Jae-Man Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-25.

Reverse profiling method for profiling modulated impurity density distribution of semiconductor device

Номер патента: US6242272B1. Автор: Kiyoshi Takeuchi,Shigetaka Kumashiro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-05.

Method for reducing bipolar degradation in an SIC semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9905655B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for generating current carrier in enforced thermophotovoltaic semiconductor device, and the thermophotovoltaic semiconductor device

Номер патента: CN1265776B. Автор: 罗伯特·斯蒂芬·迪马特奥. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-23.

Semiconductor device with ohmic contact-connection and method for the ohmic contact-connection of a semiconductor device

Номер патента: US6468890B2. Автор: Dietrich Stephani,Wolfgang Bartsch,Reinhold Schörner. Владелец: SiCED Electronics Development GmbH and Co KG. Дата публикации: 2002-10-22.

METHODS FOR FABRICATING A METAL STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130267085A1. Автор: Hou Liping Daniel,Lian Chuanxin. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

METHODS FOR REOXIDIZING AN OXIDE AND FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130309855A1. Автор: Li Li,Pan Pai-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

METHOD FOR FORMING FIN STRUCTURES FOR NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170263454A1. Автор: Huang Chen-Ming,Huang Rai-Min,Tseng I-Ming,Liang Wen-An,Li Kuan-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

CMP slurry for metal and method for manufacturing metal line contact plug of semiconductor device using the same

Номер патента: US20030166338A1. Автор: Sang Lee,Jong Jung,Ki Ahn,Pan Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-04.

Method for temperature compensation and appratus for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: KR101629770B1. Автор: 최민호. Владелец: 피에스케이 주식회사. Дата публикации: 2016-06-24.

Method for amending image in process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR100714266B1. Автор: 강재성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-02.

Apparatus and method for treating plasma, and facility for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: KR100655445B1. Автор: 박영규,한석현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-08.

Method for separating substrate and methos for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: KR20140083357A. Автор: 이규호,채종현,김창훈,김화목,장종민,박대석,서대웅,인치현. Владелец: 서울바이오시스 주식회사. Дата публикации: 2014-07-04.

Method for bonding silicon wafers together, for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: EP0366208A2. Автор: Cesare Ronsisvalle. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1990-05-02.

Method for fabricating capacitor and memthod for fabricating semiconductor device comprising the capacitor

Номер патента: KR100902103B1. Автор: 김영대,이기정,송한상,염승진,김진혁,길덕신,도관우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-09.

Method for preparing a semiconductor substrate surface for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20060024970A1. Автор: Yi Wei,Steven Smith,Andy Hooper,Diana Convey. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for surface treatment and system for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20030153101A1. Автор: Bunji Mizuno,Michihiko Takase,Akihisa Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Method for manufacturing a mask for producing a semiconductor device

Номер патента: KR100881504B1. Автор: 도문회. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2009-02-05.

Method for amending image in process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR20020089595A. Автор: 강재성. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-11-30.

Method for making seed crystals for single-crystal semiconductor devices

Номер патента: US4585512A. Автор: Setsuo Usui,Akashi Sawada,Akikazu Shibata,Yoshinori Hayafuji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1986-04-29.

Method for manufacturing a contact for testing a semiconductor device

Номер патента: CN103443633A. Автор: 尹璟燮. Владелец: Silicone Valley Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-11.

METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR MATERIAL AND FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: DE2231926A1. Автор: Magnus George Craford,Warren Olley Groves,Arno Henry Herzog. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1973-01-18.

Chemical mechanical polishing slurry for metal and method for preparing metal wire contact plug of semiconductor device by the slurry

Номер патента: CN1429873A. Автор: 权判起,李相益,安基彻,郑钟九. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

METHOD FOR PRODUCING A RESISTANT CONTACT FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE69613674D1. Автор: Karl Kronlund. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2001-08-09.

Method for pattern formation and process for preparing semiconductor device

Номер патента: US6489082B1. Автор: Takashi Hattori,Hiroshi Shiraishi,Yuko Tsuchiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-03.

Method for fabricating thin silicon oxide layer for semiconductor device using oxidative behavior of photocatalyst

Номер патента: KR100643091B1. Автор: 이원규. Владелец: 강원대학교산학협력단. Дата публикации: 2006-11-10.

METHOD FOR MAKING A SUPPORT STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: RU2005122937A. Автор: Алан Льюис,Глен КЭРИ,Ян ДЖЕНКС,Рене ЛУДЖАН,Хайлун ЧЖО,Глен КЭРИ (US),Ян ДЖЕНКС (GB),Алан ЛЬЮИС (US),Рене ЛУДЖАН (US),Хайлун ЧЖО (US). Владелец: Новалюкс, Инк. (Us). Дата публикации: 2006-01-20.

Method for pattern formation and process for preparing semiconductor device

Номер патента: KR100517260B1. Автор: 다카시 핫토리,히로시 시라이시,유코 츠치야. Владелец: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼. Дата публикации: 2005-11-25.

Method for forming self-aligned Schottky junctions for semiconductor devices

Номер патента: JP5001295B2. Автор: ミュラーマーカス. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-08-15.

Apparatus and method for generating test pattern data for testing semiconductor device

Номер патента: TW200817698A. Автор: Jong-Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-04-16.

Apparatus and method for generating test pattern data for testing semiconductor device

Номер патента: TWI333077B. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

METHOD FOR DEFINING A SEPARATING STRUCTURE WITHIN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130302986A1. Автор: Haffner Henning. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-11-14.

Method for fabricating an inter dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US20140045325A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

METHOD FOR ON-WAFER HIGH VOLTAGE TESTING OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140057372A1. Автор: Ritenour Andrew P.. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

Oxide layer and production method for oxide layer, as well as capacitor, semiconductor device, and microelectromechanical system provided with oxide layer

Номер патента: US20160016813A1. Автор: Tatsuya Shimoda,Eisuke Tokumitsu,Takaaki Miyasako,Masatoshi Onoue. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-01-21.

METHOD FOR CLEANING VIA OF INTERCONNECT STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20170018458A1. Автор: Chang Che-Cheng,CHENG Tai-Shin,CHEN Wei-Ting,SHIAO Wei-Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

OXIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SPUTTERING TARGET, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170022602A1. Автор: Miyanaga Miki,Watatani Kenichi,Sogabe Koichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2017-01-26.

METHODS FOR FORMING A PHOTO-MASK AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190051527A1. Автор: Lin Chun-Hung,Huang Ching-Chun,HSU Chung-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

SYSTEM AND METHOD FOR CHARACTERIZING CRITICAL PARAMETERS RESULTING FROM A SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION PROCESS

Номер патента: US20180053698A1. Автор: Liu Lianjun,Holm Paige M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Method for Forming a PN Junction and Associated Semiconductor Device

Номер патента: US20190067309A1. Автор: La Rosa Francesco,Regnier Arnaud,NIEL Stephan. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

OXIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SPUTTERING TARGET, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170069474A1. Автор: Miyanaga Miki,Watatani Kenichi,Awata Hideaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

METHOD FOR FABRICATING A CONNECTION REGION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140151805A1. Автор: Lee Sang Soo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-06-05.

SPUTTERING SYSTEM AND METHOD FOR FORMING A METAL LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Gossman Robert Dwayne,Kennerly Stacey Joy,Torres Victor,Lilienfeld David,Dudoff Gregory Keith. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

METHOD FOR FORMING LEAD WIRES IN HYBRID-BONDED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190088535A1. Автор: Zhu Jifeng,Hu Si Ping,YAN Meng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-21.

Oxide sintered body and method for manufacturing the same, sputtering target, and semiconductor device

Номер патента: US20190093211A1. Автор: Kenichi Watatani,Koichi Sogabe,Miki Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for Fabricating CMOS Compatible Contact Layers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20160118542A1. Автор: CAVACO Celso,Van Hove Marleen,De Jaeger Brice,Motsnyi Vasyl. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2016-04-28.

METHOD FOR FABRICATING A LOCAL INTERCONNECT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180122743A1. Автор: Lai Jui-Yao,Yeong Sai-Hooi,CHEN Ying-Yan. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Method for fabricating self-aligned contact in a semiconductor device

Номер патента: US20170125586A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Hugo CHAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

METHOD FOR PREVENTING BOTTOM LAYER WRINKLING IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200135488A1. Автор: Peng Yu-Yun,Lee Tze-Liang,Ko Chung-Chi,Shiu Jung-Hau. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

METHOD FOR PRODUCING SILVER PARTICLES, THERMOSETTING RESIN COMPOSITIONS, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRICAL AND/OR ELECTRONIC COMPONENTS

Номер патента: US20220288680A1. Автор: NITANAI Yuya,FUJIWARA Masakazu. Владелец: KYOCERA CORPORATION. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for Fabricating CMOS Compatible Contact Layers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20150162212A1. Автор: CAVACO Celso,Van Hove Marleen,De Jaeger Brice,Motsnyi Vasyl. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2015-06-11.

METHOD FOR FABRICATING A LOCAL INTERCONNECT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170162581A1. Автор: Chen Yen-Ming,Lai Jui-Yao,Yeong Sai-Hooi,YEH Jeng-Ya David,CHEN Ying-Yan. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

METHOD FOR PREVENTING DISHING DURING THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170186652A1. Автор: LIU Kuan-Liang,Hsiao Shih-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180190775A1. Автор: Takao Kazuto,Shinohe Takashi,IIJIMA Ryosuke,Nishio Johji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2018-07-05.

METHOD FOR FABRICATING SELF-ALIGNED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170207135A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,Chao Kuo-Yi,LEE Chen-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Method for fabricating a local interconnect in a semiconductor device

Номер патента: US20170207166A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

METHOD FOR PRODUCING THE ELECTRICAL CONTACTS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150243833A1. Автор: De Vecchi Sylvain,Ozanne Fabien,Desrues Thibaut,Souche Florent. Владелец: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENE ALT. Дата публикации: 2015-08-27.

METHOD FOR PREVENTING DISHING DURING THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180233416A1. Автор: LIU Kuan-Liang,Hsiao Shih-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

OXIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SPUTTERING TARGET, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160251264A1. Автор: Miyanaga Miki,Watatani Kenichi,Awata Hideaki,Sogabe Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

METHOD FOR CHARACTERIZING OHMIC CONTACT ELECTRODE PERFORMANCE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190237369A1. Автор: Ji Peng,Wang Chong,Wang Shihui,ZHENG Xuefeng,Ma Xiaohua,WANG Yingzhe,Hao Yue,DONG SHUAISHUAI,TANG ZHENLING. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

METHOD FOR MODIFYING A STRESS LEVEL OF A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRANSISTOR CHANNEL STAGES

Номер патента: US20160254362A1. Автор: Maitrejean Sylvain,BARBE Jean-Charles,Morand Yves,MATHIEU Benoit,Augendre Emmanuel. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2016-09-01.

METHOD FOR MANUFACTURING A FRONT ELECTRODE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160260851A1. Автор: LIU Xiaoli,Li Delin. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150270351A1. Автор: Takao Kazuto,Shinohe Takashi,IIJIMA Ryosuke,Nishio Johji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-24.

OXIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SPUTTERING TARGET, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190259588A1. Автор: Miyanaga Miki,Watatani Kenichi,Awata Hideaki. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

METHOD FOR FABRICATING A LOCAL INTERCONNECT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180269213A1. Автор: Chen Yen-Ming,Lai Jui-Yao,Yeong Sai-Hooi,YEH Jeng-Ya David,CHEN Ying-Yan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Method for Forming a Stress-Reduced Field-Effect Semiconductor Device

Номер патента: US20160300914A1. Автор: Mauder Anton,Hirler Franz,Zundel Markus,Hutzler Michael,Baumgartl Johannes,Blank Oliver,Siemieniec Ralf,Sedlmaier Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

METHODS FOR REDUCING TRANSFER PATTERN DEFECTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200294802A1. Автор: Zhou Lin,Sherman Steven R.,Freed Regina,Alexis Nadine. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-09-17.

AL-GA-N TEMPLATE, METHOD FOR PREPARING AL-GA-N TEMPLATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AL-GA-N TEMPLATE

Номер патента: US20180323337A1. Автор: Li Peng,WANG Jiangbo,ZHANG Wubin,DONG Binzhong,AI Haiping. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Methods for Improved Critical Dimension Uniformity in a Semiconductor Device Fabrication Process

Номер патента: US20180330960A1. Автор: CHEN Chun-Kuang,Hung Chi-Cheng,LIN Wei-Liang,Shen Yu-Tien,CHEN DE-FANG. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

THIN-FILM STRUCTURAL BODY, METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM STRUCTURAL BODY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170338358A1. Автор: Tanaka Hidekazu,Nakagawara Osamu. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

METHODS FOR IMPROVED CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION PROCESS

Номер патента: US20170345670A1. Автор: CHEN Chun-Kuang,Hung Chi-Cheng,LIN Wei-Liang,Shen Yu-Tien,CHEN DE-FANG. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method for Forming a PN Junction and Associated Semiconductor Device

Номер патента: US20170345836A1. Автор: La Rosa Francesco,Regnier Arnaud,NIEL Stephan. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method for Improved Critical Dimension Uniformity in a Semiconductor Device Fabrication Process

Номер патента: US20200343097A1. Автор: CHEN Chun-Kuang,Hung Chi-Cheng,LIN Wei-Liang,Shen Yu-Tien,CHEN DE-FANG. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

METHOD FOR PREVENTING BOTTOM LAYER WRINKLING IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170365561A1. Автор: Peng Yu-Yun,Lee Tze-Liang,Ko Chung-Chi,Shiu Jung-Hau. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

METHODS FOR REDUCING TRANSFER PATTERN DEFECTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200357639A1. Автор: Zhou Lin,Sherman Steven R.,Freed Regina,Alexis Nadine. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for forming strage node contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100451986B1. Автор: 최용수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-08.

Method for manufacturing metal line contact plug of semiconductor device

Номер патента: US20030119324A1. Автор: Jong Jung,Ki Ahn,Pan Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for manufacturing metal line contact plug of semiconductor device

Номер патента: US20060261041A1. Автор: Sang Lee,Pan Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-23.

Method for design and manufacturing of a 3D semiconductor device

Номер патента: US8669778B1. Автор: Zvi Or-Bach,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2014-03-11.

Method for forming a sealed interface on a semiconductor device

Номер патента: US5266517A. Автор: Michael C. Smayling,Jack Reynolds. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-11-30.

Method for manufacturing metal line contact plug of semiconductor device

Номер патента: US6864177B2. Автор: Ki Cheol Ahn,Pan Ki Kwon,Jong Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-08.

Method for forming an interlayer insulating film, and semiconductor devices

Номер патента: KR100426147B1. Автор: 마에다가즈오. Владелец: 가부시키가이샤 한도타이 프로세스 겐큐쇼. Дата публикации: 2004-04-03.

Method for forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100688719B1. Автор: 박철수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-28.

Method for forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100523618B1. Автор: 정병현,서보민. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-24.

A method for forming a contact plug of a semiconductor device

Номер патента: KR100649824B1. Автор: 박형순,유철휘,박점용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-24.

Method for forming a via hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100414565B1. Автор: 고창진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-07.

Method For Fabricating Of Shallow Trench Isolation Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100561522B1. Автор: 신문정. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-16.

Method for forming a copper metal line in semiconductor device

Номер патента: KR100474857B1. Автор: 최경근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for filling a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100260522B1. Автор: 김우현,김춘환. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

A manufacturing method for preventing a silicon nodule of a semiconductor device

Номер патента: KR100552842B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-02-21.

A method for forming a conductive line of a semiconductor device

Номер патента: KR100440082B1. Автор: 김재홍. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-15.

A method for forming gate with salicide film of semiconductor device

Номер патента: KR100487629B1. Автор: 홍은석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-05-03.

Method for forming a dual damascene pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100539446B1. Автор: 류상욱,전호열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-27.

Method for forming multi layer metal wiring of semiconductor device using damascene process

Номер патента: KR100818108B1. Автор: 김은정,김찬배,정채오,이효석,민성규,구자춘,안상태,안현주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-31.

Method for Etching Top Oxide in Pattern of Semiconductor Devices

Номер патента: KR100584490B1. Автор: 윤준구. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-05-29.

Method for forming self-aligned contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100441998B1. Автор: 서준,송종희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-07-30.

Method for manufacturing an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100671155B1. Автор: 한상규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-01-17.

Method for forming a deep contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR20060064998A. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-14.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100681212B1. Автор: 정채오. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-09.

A method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100825011B1. Автор: 김명진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-24.

Method for forming inter-layer insulating film in semiconductor device

Номер патента: KR100244410B1. Автор: 이성구,이한승. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

A method for forming a field oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100400277B1. Автор: 송운영,서대영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

Method for forming an isolation layer dielectric in semiconductor device

Номер патента: KR100605583B1. Автор: 유철휘. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-31.

A method for forming a metal line of a semiconductor device

Номер патента: KR100557612B1. Автор: 정종열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-03-10.

Method for manufacturing electric charge storage node of semiconductor device

Номер патента: KR100359155B1. Автор: 황준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-03.

Method for forming multi-metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: KR100226752B1. Автор: 김창수,김윤희,박래학. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for fotming self aligned contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR20010109369A. Автор: 박병준,오정훈. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-10.

Method for fabricating the dual damascen interconnection in semiconductor device

Номер патента: KR100686450B1. Автор: 정성희. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-26.

Method for forming multi-level metal interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100333382B1. Автор: 김완수,강병주,이태국,한민섭. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-18.

Method for forming cobalt silicide layer and manufacturing semiconductor device having the same

Номер патента: KR100539278B1. Автор: 김현수,최길현,강상범,문광진,손웅희,윤종호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-27.

Method for forming damascene type metal wire in semiconductor device using chemical mechanical planarization and spin etch process

Номер патента: KR100528449B1. Автор: 김형준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-11-15.

Method for forming multi layer metal wiring of semiconductor device using damascene process

Номер патента: KR100808601B1. Автор: 김수현,이영진,황선우,김정태,정동하,김백만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-29.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100585082B1. Автор: 한재현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-30.

A method for forming capacitor charge storage electrodes in semiconductor devices

Номер патента: KR100490656B1. Автор: 박찬동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-01.

Method for forming multiple layer metal wiring in semiconductor device

Номер патента: KR100243002B1. Автор: 윤강식,윤기석. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method for manufacturing contact with doped region of semiconductor device

Номер патента: KR100545538B1. Автор: 루프알렉산더,우르반스키노베르트,클라우센빌헬름,가르트너토마스,슈미드바우에르스벤. Владелец: 인피네온 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2006-01-25.

Method for forming self-aligned contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100640628B1. Автор: 홍창기,이재동,박정헌,박준상,배근희,정명호,김영옥,구주선,윤세라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-31.

A method for forming a bit line of a semiconductor device

Номер патента: KR100569523B1. Автор: 김진웅,김한민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-07.

Method for manufacturing a contact/via electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100424389B1. Автор: 정병현,김형윤. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-03-25.

Method for expanding active-region and isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100189727B1. Автор: 박남규. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-01.

A method for forming a contact line of a semiconductor device

Номер патента: KR100348222B1. Автор: 고복림. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-09.

Method for etching a self align contact of semiconductor device

Номер патента: KR20030000949A. Автор: 조영재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-06.

Method for forming interconnection between metal lines in semiconductor device fabrication process

Номер патента: KR100620159B1. Автор: 박철수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-01.

Method For Fabricating Of Shallow Trench Isolation Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100561520B1. Автор: 신문정. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-17.

Method for forming an element isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR100190048B1. Автор: 조상연. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for forming the bit line contact of semiconductor device

Номер патента: KR100480232B1. Автор: 고재홍,윤양한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-04-06.

A method for forming a contact plug of a semiconductor device

Номер патента: KR100414731B1. Автор: 권판기,이상익,남철우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-13.

A method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR101031480B1. Автор: 박상희,김태훈,이창헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-04-26.

Observing method for pin hole, crack and coverage of semiconductor device

Номер патента: JPS5946042A. Автор: Masakazu Nakabayashi,正和中林. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-03-15.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR20060010933A. Автор: 김형균,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-03.

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THE NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT

Номер патента: DE602008006652D1. Автор: Satoru Fujii,Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Koichi Osano,Kazuhiko Shimakawa,Yoshihiko Kanzawa,Koji Katayama,Satoru Mitani,Ryoko Miyanaga. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100460770B1. Автор: 김응수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-09.

A method for forming an isolation layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100545211B1. Автор: 김재승. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-01-24.

Method for fabricating storage node contact hole of semiconductor device

Номер патента: CN1983553A. Автор: 南基元. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

Method for forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100425935B1. Автор: 허상범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-03.

method for forming a storage node in a semiconductor device

Номер патента: KR100388213B1. Автор: 류재옥,박계순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-19.

Method for fabricating trench of recess channel in semiconductor device

Номер патента: KR100732767B1. Автор: 차선용,이진열,하민호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-27.

Method for forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100260524B1. Автор: 김태규,임일호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

Method for fabricating array of fine patterns in semiconductor device

Номер патента: KR20130022677A. Автор: 최진영. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2013-03-07.

Method for manufacturing storage node contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100772681B1. Автор: 남기원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-02.

Method for fabricating cmos compatible contact layers in semiconductor devices

Номер патента: EP2881982B1. Автор: Celso Cavaco,Brice De Jaeger,Marleen Van Hove,Vasyl Motsnyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-09-04.

Method for forming a dual polysilicon gate of semiconductor device

Номер патента: KR100594324B1. Автор: 김욱제,오용철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-30.

Method for forming an interlayer insulating film, and semiconductor device

Номер патента: KR100430114B1. Автор: 마에다가즈오. Владелец: 캐논 한바이 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2004-05-03.

Method for forming metal layer used the manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR100714269B1. Автор: 문광진,이현석,김현영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-02.

The method for fabrication of inter layer dielectrics in semiconductor device

Номер патента: KR100384832B1. Автор: 김시범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-05-23.

Method for forming an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR20040005081A. Автор: 윤일영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-16.

A method for forming a poly silicon layer in semiconductor device

Номер патента: KR100573482B1. Автор: 동차덕. Владелец: 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2006-04-24.

Method for enhancing ohmic contact of gallium oxide semiconductor device

Номер патента: CN107993934B. Автор: 刘明,刘琦,吕杭炳,龙世兵,董航,何启鸣. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-09-11.

Method for estating a manufacturing process of a semiconductor device

Номер патента: KR100275719B1. Автор: 김영선,남승희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-01-15.

method for forming bottom electrode of capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100345664B1. Автор: 오수진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-07-24.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100200297B1. Автор: 박상균. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100703836B1. Автор: 윤양한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-04-06.

Method for fabricating a field oxide in a semiconductor device

Номер патента: KR100652288B1. Автор: 정세광. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for forming multi layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR101161665B1. Автор: 유창준. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-07-03.

Method for forming an etch stop layer of semiconductor device

Номер патента: KR100532741B1. Автор: 박건욱. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-11-30.

Method for forming an element isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR100204418B1. Автор: 박상훈. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for Forming the Bit line contact of Semiconductor Device

Номер патента: KR100363701B1. Автор: 김을락. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-05.

A method for forming a storage node of a semiconductor device

Номер патента: KR100499641B1. Автор: 진승우,이태혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-05.

Method for manufacturing inter metal dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: KR100652316B1. Автор: 조경수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-29.

Oxide sintered body and method for producing the same, sputter target, and semiconductor device

Номер патента: JP2015193525A. Автор: 研一綿谷,Koichi Sogabe,浩一曽我部,Kenichi Wataya,美紀宮永,宮永　美紀,Yoshinori Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100197671B1. Автор: 염승진,유상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

A method for forming a metal line of a semiconductor device

Номер патента: KR101043411B1. Автор: 김종수,김홍진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-06-22.

Method for forming trench shaped field oxide of semiconductor device

Номер патента: KR100291507B1. Автор: 박상훈. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-07-12.

Method for fabricating sti gap fill oxide in semiconductor devices

Номер патента: KR100724196B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-05-31.

A method for forming a field oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100419754B1. Автор: 김형균,윤영식,이근일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-21.

Method for providing a multi layer in a semiconductor device by using laser interferometer

Номер патента: KR100386159B1. Автор: 김인수. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2003-06-02.

Method for structuring a dielectric material in a semiconductor device

Номер патента: DE102010004690B4. Автор: Daniel Gäbler,Wolfgang Einbrodt. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2019-08-08.

A method for forming a mim capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100842471B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-07-01.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100614575B1. Автор: 은병수,진성곤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-25.

A method for forming a storage node of a semiconductor device

Номер патента: KR100457161B1. Автор: 김정기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-16.

A method for forming lightly doped drain(ldd) of semiconductor device using the epitaxial process

Номер патента: KR100552826B1. Автор: 정대호. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-02-22.

Method for forming storage node contact plug of semiconductor device

Номер патента: JP4953740B2. Автор: 昌淵黄,亨渙金,益壽崔,海 ▲ジョン▼ 李. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-06-13.

Method for forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: CN101145515B. Автор: 郑载昌. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-29.

Heterostructure laminated thin film, method for producing heterostructure laminated thin film and semiconductor device comprising heterostructure laminated thin film

Номер патента: KR102239885B1. Автор: 이관형,강소정. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-04-12.

Resin composition, method for manufacturing semiconductor element using same, and semiconductor device

Номер патента: EP3287495A4. Автор: Takenori Fujiwara,Yugo Tanigaki. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2018-10-17.

Method for forming a cylindrical capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20050099113A. Автор: 임현석,김정욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-13.

Method for manufacturing semiconductor silicon epitaxial wafer and semiconductor device

Номер патента: KR100319413B1. Автор: 사다미츠신스케,나가시마도오루,고이케야스오,니노미야마사하루,기이다케시. Владелец: 고지마 마타오. Дата публикации: 2002-01-05.

Method for forming multiple layer metal wiring in semiconductor device

Номер патента: KR100223748B1. Автор: 홍기로. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for fabricating the dual damascene interconnection in semiconductor device

Номер патента: KR100552815B1. Автор: 배세열. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-02-22.

Method for chemical mechanical polishing isolation region of semiconductor device

Номер патента: KR100396792B1. Автор: 윤일영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-02.

Method for manufacturing mim type capacitor on the semiconductor device

Номер патента: KR100781446B1. Автор: 안희백. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-12-03.

A method for forming damascene type metal wire in semiconductor device

Номер патента: KR100324596B1. Автор: 임태정,조정일. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-02-16.

Thin-film transistor, method for producing a thin-film transistor, and semiconductor device

Номер патента: WO2013187486A1. Автор: 一仁塚越,ピーターダルマワン,慎也相川,生田目　俊秀,佳一柳沢. Владелец: 独立行政法人物質・材料研究機構. Дата публикации: 2013-12-19.

Method for reducing gate-induced drain leakage in semiconductor devices and related apparatus

Номер патента: CN110556425B. Автор: 郑光茗,陈奕寰,段孝勤,周建志,亚历山大·卡利尼斯基. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

METHOD FOR FORMING ELEMENTS LESS THAN MICRON IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2517881B1. Автор: Eliezer Kinsbron,William Thomas Lynch. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-03-21.

METHOD FOR DEPOSITING A COMPOSITE SEMICONDUCTOR FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2697108B1. Автор: Yoshiki Sakuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-07-26.

Method for manufacturing a contact plug hole of semiconductor device

Номер патента: KR100443242B1. Автор: 박성기,이상화. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-04.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100197991B1. Автор: 김대영,박철수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for manufacturing storage node electrode of the semiconductor device

Номер патента: KR100687871B1. Автор: 김우진,오훈정,윤효근,윤효섭,최백일,오평원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-27.

A method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR101004513B1. Автор: 복철규,문승찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-12-31.

Method for forming a deep contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100681209B1. Автор: 조용태,황창연. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-09.

Method for fabricating T gate in a compound semiconductor device

Номер патента: KR100564746B1. Автор: 유성욱,김상기,구진근,윤용선,박종문,김보우,박건식. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2006-03-27.

Method for forming an isolation layer dielectric in semiconductor device

Номер патента: KR20060075053A. Автор: 유철휘. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-04.

Method for forming shallow trench isolating film of semiconductor device

Номер патента: KR100499410B1. Автор: 이주희,남기원,백현철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-07.

A method for forming a storage node of a semiconductor device

Номер патента: KR100979378B1. Автор: 김준동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-08-31.

METHOD FOR DEFINING MICRON LOWER SIZE ELEMENTS IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2515425A1. Автор: Rafael Matityahu Levin. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1983-04-29.

Method for gap-filling a insulating layer of semiconductor device

Номер патента: KR100808588B1. Автор: 정종구,박형순,신종한,유철휘,박점용,안현주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-29.

METHOD FOR FORMING AN INTERCONNECTION STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2760129B1. Автор: Shih Wei Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-04-16.

Method for forming silicon-rich nitride layer in semiconductor device

Номер патента: KR100498419B1. Автор: 남석우,이세진,형용우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-08.

A method for producing a fine pattern and a semiconductor device

Номер патента: DE19758561B4. Автор: Toshiyuki Toyoshima,Takeo Ishibashi,Ayumi Minamide,Keiichi Itami Katayama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-10-14.

Method for forming a contact opening in a semiconductor device

Номер патента: US7202171B2. Автор: Shane J. Trapp. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-10.

Method for forming ultra fine contact holes in semiconductor devices

Номер патента: US7001710B2. Автор: Sang-Tae Choi,Seung-Weon Paek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-21.

Method for forming fin field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: CN110610859B. Автор: 章勋明,林志翰,杨建伦,陈昭成,张铭庆,高魁佑. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Method for producing group III nitride based compound semiconductor device

Номер патента: US20070141806A1. Автор: Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Method for forming a metal contact in a semiconductor device having a barrier metal layer formed by homogeneous deposition

Номер патента: US20060134930A1. Автор: Dong-Ki Jeon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Method for manufacturing a tungsten contact electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100607756B1. Автор: 석가문. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for forming inter layer insulating layer of semiconductor device

Номер патента: KR100256262B1. Автор: 강응열. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-15.

Method for establishing component isolation regions in SOI semiconductor device

Номер патента: US6235607B1. Автор: Effiong Ibok. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-05-22.

Method for forming an interconnection line in a semiconductor device

Номер патента: US7307015B2. Автор: Date-Gun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-11.

Method for contacting a contact surface of a semiconductor device and electronic module

Номер патента: DE102015218842A1. Автор: Jörg ZAPF,Stefan Stegmeier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-03-30.

Method for fabricating thermally enhanced and directly connected semiconductor device

Номер патента: TWI238506B. Автор: Chu-Chin Hu. Владелец: Phoenix Prec Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-21.

Method for Forming Landing Plug Contact Hole of Semiconductor Device

Номер патента: KR100732297B1. Автор: 김윤남. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-25.

Polymer deposition method for controlling impurities during etching process of semiconductor device

Номер патента: KR950012616A. Автор: 샤모윌리안 샤우모일,예 얀. Владелец: 제임스 조셉 드롱. Дата публикации: 1995-05-16.

Method for forming a high dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: KR100510546B1. Автор: 이내인,이종호,정형석,김윤석,도석주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-26.

A method for forming a metal line of a semiconductor device

Номер патента: KR100583099B1. Автор: 남기봉,김용택. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-24.

Method for homogenizing reflectance losses of photodiodes in semiconductor device e.g. integrated circuit, involves providing transparent insulator layer over cathode surface of photodiodes

Номер патента: DE102010010016A1. Автор: Konrad Bach. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2011-09-08.

METHOD FOR PRODUCING A LADDER STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE ARRANGED IN MULTIPLE LEVELS

Номер патента: DE4102422A1. Автор: Yasuhiko Matsumoto. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1991-08-08.

Multilayer printed wiring board, solder resist composition, method for manufacturing multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: EP2028915A1. Автор: Yoshitaka Ono,Motoo Asai,Yukihiko Toyoda,Dongdong Wang,Kenichi Shimada,Koji Sekine,Hui Zhong. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-25.

Method for forming a storage electrode on a semiconductor device

Номер патента: US6558999B2. Автор: Jeong Ho Kim,Yu Chang Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Method for forming metal wiring contact portion of semiconductor device

Номер патента: JP3510939B2. Автор: スックキムヒュン. Владелец: エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド. Дата публикации: 2004-03-29.

Method for fabricating diffusion barrier metal layer in semiconductor device

Номер патента: CN1048819C. Автор: 崔璟根. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-26.

Method for forming a dual damascene pattern in semiconductor device

Номер патента: KR101005738B1. Автор: 류상욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100596493B1. Автор: 김동윤,박용현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-03.

Method for manufacturing lower electrode of capacitor and semiconductor device

Номер патента: TW201530626A. Автор: Tzung-Han Lee,Regan Stanley Tsui. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2015-08-01.

Method for fabricating storage node contact hole of semiconductor device

Номер патента: US7371636B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-13.

Method for manufacturing metal silicide layer of the semiconductor device

Номер патента: KR100607782B1. Автор: 김형윤. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

METHOD FOR FORMING MICRON LOWER SIZE ELEMENTS IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2517881A1. Автор: Eliezer Kinsbron,William Thomas Lynch. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1983-06-10.

Method for improve contact resistance of silicide in semiconductor device

Номер патента: KR100278277B1. Автор: 김재영,김일욱. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: TWI233661B. Автор: Jun-ho Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Method for forming protective cover of resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH0834279B2. Автор: 勝次小松. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1996-03-29.

Method for preventing bubble defect in trench of semiconductor device

Номер патента: KR20010106956A. Автор: 이승재. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-07.

Phosphorus-containing silazane composition, phosphorus-containing siliceous film, phosphorus-containing siliceous filler, method for producing phosphorus-containing siliceous film, and semiconductor device

Номер патента: US7368491B2. Автор: Tomoko Aoki,Hiroyuki Aoki. Владелец: AZ Electronic Materials USA Corp. Дата публикации: 2008-05-06.

Method for inspecting photo process margine in a semiconductor device

Номер патента: KR100523653B1. Автор: 김우용. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-24.

Method for manufacturing self-aligned contact hole and semiconductor device

Номер патента: KR940007994A. Автор: 하노 멜츠너. Владелец: 제멘스 악티엔게젤샤프트. Дата публикации: 1994-04-28.

Method for fabricating fin field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US9508556B1. Автор: Kei-Wei Chen,Chun Hsiung Tsai,Chien-Tai CHAN,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for forming metal interlayer insulating film in semiconductor device

Номер патента: JPH0777219B2. Автор: 昶圭金,志鉉崔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-08-16.

Method for forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20070148945A1. Автор: Eui Kyu Ryou. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for forming the bit line contact in semiconductor device

Номер патента: KR100668726B1. Автор: 최동구,김준동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-26.

Method for manufacturing high capacitance with capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100331280B1. Автор: 신동우,지연혁. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-06.

Method for forming field cut-off layer in semiconductor device

Номер патента: CN105206516A. Автор: 胡强,张世勇,王思亮. Владелец: Dongfang Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-30.

Method for fabricating of double oxide layer of semiconductor device

Номер патента: KR20010111063A. Автор: 이문희,이광욱,이근택,정승필,장규환,이선정,박임수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-15.

Method for forming a separation film of a semiconductor device

Номер патента: KR980006053A. Автор: 전영권. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for post treatment of metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR20100058355A. Автор: 이진원. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-06-03.

Method for forming a photo resist pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100745946B1. Автор: 고차원,복철규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for manufacturing a semiconductor die and a semiconductor device comprising the semiconductor die obtained thereby

Номер патента: US20110175243A1. Автор: Kwang-Jae Jo,Kyung-Ho Jang. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2011-07-21.

A method for forming a conductive line of a semiconductor device

Номер патента: KR100440081B1. Автор: 김진웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for inserting self-assembled dummy pattern of semiconductor device using circuit layout

Номер патента: JP5026069B2. Автор: ジャエインムン. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-09-12.

Silicone resin composition, silicone resin sheet, method for producing silicone resin sheet, and optical semiconductor device

Номер патента: TWI538960B. Автор: 片山博之. Владелец: 日東電工股份有限公司. Дата публикации: 2016-06-21.

Method for forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20060009024A1. Автор: Jae Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Epoxy / silicone hybrid resin composition, method for producing the same, and light emitting semiconductor device

Номер патента: JP4614075B2. Автор: 努柏木,欣也児玉. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-19.

Method for estimating a leakage current in a semiconductor device

Номер патента: DE102009038844A1. Автор: Kyung-Tae Hwasung Do,Jung-Yun Hwasung Choi,Bong-Hyun Hwasung Lee,Young-Hwan Hwasung Kim,Hyo-Sig Hwasung Won,Wook Hwasung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-25.

Method for patterning dense and isolated features on semiconductor devices

Номер патента: US20040002218A1. Автор: Howard Tigelaar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-01-01.

Manufacturing method for a bipolar transistor and a MISFET semiconductor device

Номер патента: DE60040812D1. Автор: Takeshi Takagi,Yoshihiko Kanzawa,Koji Katayama,Yoshihiro Hara,Akira Asai,Katsuya Nozawa,Koichiro Yuki,Yo Ichikawa,Teruhito Oonishi,Tohru Saitho. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

Higher selectivity, method for passivating short circuit current paths in semiconductor devices

Номер патента: US20070065992A1. Автор: Ginger Pietka,Jonathan Call,Greg DeMaggio. Владелец: United Solar Ovonic LLC. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for measuring analog channel resistance of a semiconductor device having a gate, a source, a drain, a drain sense and a source sense

Номер патента: US7615991B2. Автор: Chang Soo Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-11-10.

Improved, higher selectivity, method for passivating short circuit current paths in semiconductor devices

Номер патента: EP1927131A2. Автор: Ginger Pietka,Jonathan Call,Greg DeMaggio. Владелец: United Solar Ovonic LLC. Дата публикации: 2008-06-04.

Method for Improved Critical Dimension Uniformity in a Semiconductor Device Fabrication Process

Номер патента: US20220223428A1. Автор: De-Fang Chen,Wei-Liang Lin,Chun-Kuang Chen,Chi-Cheng Hung,Yu-Tien Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for manufacturing a semiconductor die and a semiconductor device comprising the semiconductor die obtained thereby

Номер патента: CN101796629B. Автор: 张敬豪,赵光济. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2014-01-08.

Methods for forming a metal contact in a semiconductor device in which an ohmic layer is formed while forming a barrier metal layer

Номер патента: US7223689B2. Автор: Gil-heyun Choi,Hee-sook Park,Kwang-jin Moon,Sang-bum Kang,Seong-Geon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-29.

Adhesive composition, method for manufacturing connection of circuit member and semiconductor device

Номер патента: TWI509043B. Автор: Akira Nagai,Keisuke Ookubo. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-21.

Method for forming pattern of a layer in semiconductor device

Номер патента: KR100641553B1. Автор: 김영실. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-01.

Method for producing group III nitride-based compound semiconductor device

Номер патента: US8003418B2. Автор: Koichi Goshonoo,Toshiya Umemura,Ryohei Inazawa,Tomoharu Shiraki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-23.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100202183B1. Автор: 전선애. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming connection between conductive layers in semiconductor devices

Номер патента: KR940027133A. Автор: 유의규. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-12-10.

Method for forming storage node of capacitor in semiconductor device

Номер патента: TW200625547A. Автор: Sung-Kwon Lee,Jun-Hyeub Sun,Sung-Yoon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-16.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100429555B1. Автор: 전승준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-03.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100200308B1. Автор: 류재옥. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for fabricating a metal electrode in a semiconductor device

Номер патента: FR2676143A1. Автор: Kim,JANG,Bae,Sohn,Byungseong,Jeongha,Insik,Sangsoo,Namdeog,Hyungtaek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-11-06.

Method for isolating a LOCOS element of a semiconductor device

Номер патента: KR970063667A. Автор: 신현철,심명섭. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-09-12.

Method for forming source/drain LDD structure of semiconductor device

Номер патента: KR100357298B1. Автор: 김형식,김진관. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-19.

Method for fabricating trench of recess channel in semiconductor device

Номер патента: KR100746612B1. Автор: 이진열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-06.

Method for Forming a Gate Dielectric of a Semiconductor Device

Номер патента: KR100769135B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-22.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100197670B1. Автор: 진성곤,서윤석. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

A method for forming a field oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100499625B1. Автор: 박명규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for forming a conductive layer in a semiconductor device

Номер патента: JP4731193B2. Автор: 剛三牧山. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-07-20.

Method for forming an interlayer insulating film, and semiconductor device

Номер патента: KR100375999B1. Автор: 마에다가즈오. Владелец: 가부시키가이샤 한도타이 프로세스 겐큐쇼. Дата публикации: 2003-03-17.

Method for forming a conductive pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20080070407A1. Автор: Jae-Hong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Resin paste, solar cell, method for manufacturing solar cell, resin film, and semiconductor device

Номер патента: WO2012133415A1. Автор: 正洋川上,卓也今井,利泰秋吉. Владелец: 日立化成工業株式会社. Дата публикации: 2012-10-04.

Method for fabricating storage node contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100712995B1. Автор: 남병섭. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-02.

Oxide sintered body and method for manufacturing the same, sputtering target, and semiconductor device

Номер патента: US10475631B2. Автор: Kenichi Watatani,Hideaki Awata,Miki Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Method for forming cylinder type storage node in semiconductor device

Номер патента: KR100368935B1. Автор: 이원준,안태혁,정상섭,최성길,정대혁. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2003-01-24.

Method for forming an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100525915B1. Автор: 박상욱,곽노열,동차덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-11-02.

Method for fabricating a cylindrical capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010039180A. Автор: 민충기. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-05-15.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100192974B1. Автор: 차승준. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for fabricating vertical channel transistor in a semiconductor device

Номер патента: US7682885B2. Автор: Sang-Hoon Park,Jun-hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-23.

A method for fabricating a gate oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100324822B1. Автор: 김경민,김정호,박정열. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-02-28.

Direct patterning method for manufacturing a metal layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070141838A1. Автор: Shin-Chuan Chiang,Bor-Chuan Chuang,Ming-Nan Hsiao. Владелец: Taiwan TFT LCD Association. Дата публикации: 2007-06-21.

Method for forming bit line bottom plug of semiconductor device Using the reticle

Номер патента: KR100431992B1. Автор: 김광철,김문회,최상태. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-22.

Method for forming the elements isolation on the semiconductor device

Номер патента: KR0131717B1. Автор: 김승준. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-04-14.

Method for forming multi layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100910225B1. Автор: 김수현,이영진,김정태,정동하,김백만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-07-31.

Method for fabricating capacitor has metal electrode in semiconductor device

Номер патента: KR101090463B1. Автор: 김영대,조호진,채수진,이금범,장준수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-07.

Method for fabricating on stack structures in a semiconductor device

Номер патента: US20040115948A1. Автор: Yung Hsien Wu,Jer Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

A method for forming a gate electrode of a semiconductor device

Номер патента: KR100620670B1. Автор: 여인석,장세억. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-13.

Method for forming shallow trench isolation film in semiconductor device

Номер патента: KR100499409B1. Автор: 이병석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-05.

Method for Forming a Gate Dielectric of a Semiconductor Device

Номер патента: KR100769134B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-22.

Method for forming junction of vertical cell in semiconductor device

Номер патента: KR101116357B1. Автор: 이보미. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-09.

Method for reducing shallow trench isolation consumption in semiconductor devices

Номер патента: US6989318B2. Автор: Ying Li,Bruce B. Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-01-24.

Method for forming an interconnection line in a semiconductor device

Номер патента: US20060014382A1. Автор: Date-Gun Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Method for forming self align contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100745058B1. Автор: 조영재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

A direct patterned method for manufacturing a metal layer of a semiconductor device

Номер патента: TW200725893A. Автор: Shin-Chuan Chiang,Bor-Chuan Chuang,Ming-Nan Hsiao. Владелец: Taiwan Tft Lcd Ass. Дата публикации: 2007-07-01.

Group iii nitride crystal substrate, method for producing same, and group iii nitride semiconductor device

Номер патента: WO2005100647A1. Автор: Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki,Seiji Nakahata,Ryu Hirota. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR20040059444A. Автор: 김현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-05.

Method for forming storage node of capacitor in semiconductor device

Номер патента: US7410866B2. Автор: Sung-Kwon Lee,Jun-Hyeub Sun,Sung-Yoon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Method for manufacturing a recessed gate structure in semiconductor device using damascene process

Номер патента: KR100702123B1. Автор: 박정훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-30.

Method for planarizing non-level silicon dioxide in semiconductor devices

Номер патента: EP0054164A1. Автор: Narasipur Gundappa Anantha,John S. Lechaton,Harsaran Singh Bhatia,James Leo Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-06-23.

Method for producing metal-semiconductor compound regions on semiconductor devices

Номер патента: US6440806B1. Автор: Qi Xiang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-08-27.

Method for fabricating vertical channel transistor in a semiconductor device

Номер патента: CN101465294A. Автор: 朴相勋,赵俊熙. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-24.

Method for forming a gate dielectric of a semiconductor device

Номер патента: US7550346B2. Автор: Jeong Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

METHOD FOR FORMING A FINE PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2704689B1. Автор: Hong Jong-Seo,Kim Jae-Jo,Kim Hyoung-sub,Lee Kang-Hyun,Han Min-Seog,Hong Jung-In. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-09-15.

Method for producing the connection structure of a semiconductor device

Номер патента: DE19626038C2. Автор: Nae Hak Park,Yong Kwon Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for forming a junction region of a semiconductor device

Номер патента: US20050164461A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Yu-Kun Chen,Neng-Hui Yang,Hsiang-Ying Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Improved, higher selectivity, method for passivating short circuit current paths in semiconductor devices

Номер патента: EP1927131A4. Автор: Ginger Pietka,Jonathan Call,Greg DeMaggio. Владелец: United Solar Ovonic LLC. Дата публикации: 2010-02-24.

Method for structuring a conductive layer of a semiconductor device

Номер патента: DE102004013047B4. Автор: Christoph Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2009-01-02.

Method for forming storage node contact plug in semiconductor device

Номер патента: TW200735188A. Автор: Hae-Jung Lee,Ik-Soo Choi,Chang-Youn Hwang,Hyung-Hwan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-16.

Method for forming an isolation region in a semiconductor device and resulting structure

Номер патента: GB2326021B. Автор: Jong Choul Kim,Se Aug Jang,Young Bog Kim,In Seok Yeo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-17.

Method for suppressing short channel effect of a semiconductor device

Номер патента: US20030148564A1. Автор: Kent Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-07.

Methods for lateral current carrying capability improvement in semiconductor devices

Номер патента: US20080122096A1. Автор: Zhong-Xiang He,Natalie Barbara Feilchenfeld,Ping-Chuan Wang,Qizhi Liu,BethAnn Rainey,Kimball M. Watson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

A method for manufacturing of merged memory logic in semiconductor device

Номер патента: KR20040041792A. Автор: 홍은석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for forming stacked-type gate of a semiconductor device

Номер патента: KR100342862B1. Автор: 전윤석,홍병섭. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-18.

Improved, higher selectivity, method for passivating short circuit current paths in semiconductor devices

Номер патента: WO2007035200A3. Автор: Ginger Pietka,Jonathan Call,Greg DeMaggio. Владелец: Greg DeMaggio. Дата публикации: 2007-08-16.

Method for forming a MIM capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20060141735A1. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming a strained channel in a semiconductor device

Номер патента: US20080124875A1. Автор: Syun-Ming Jang,Yun-Hsiu Chen,Yi-Ching Lin,Kuo-Hua Pan,Ken Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Method for forming storage node of capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100721548B1. Автор: 이성권,조성윤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-23.

Method for manufacturing a multi metal line in semiconductor device

Номер патента: KR100475931B1. Автор: 김동준. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Branched-chain polyorganosiloxycyl alkylene, method for producing same, curable resin composition, and semiconductor device

Номер патента: WO2015178475A1. Автор: 禿恵明,宝来晃,冨田裕一. Владелец: 株式会社ダイセル. Дата публикации: 2015-11-26.

Methods for forming a metal contact in a semiconductor device in which an ohmic layer is formed while forming a barrier metal layer

Номер патента: US20070197015A1. Автор: Gil-heyun Choi,Hee-sook Park,Kwang-jin Moon,Sang-bum Kang,Seong-Geon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Method for forming a gate dielectric of a semiconductor device

Номер патента: US20070032021A1. Автор: Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for forming storage node contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR20020093261A. Автор: 김태훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-16.

Method For Forming The Metal Line Pattern Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100533390B1. Автор: 신진홍. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-06.

Method for depositing a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: DE102011005743B3. Автор: Dr. Berberich Sven. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for fabricating metal-insulator-metal capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20060141705A1. Автор: Sang Chul Shim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Apparatus and method for high temperature environmental testing of a semiconductor device

Номер патента: EP0247927B1. Автор: Toshio Usui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-01-29.

Method for performing an exposure process of the semiconductor device

Номер патента: KR20140081545A. Автор: 최진영. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-07-01.

Method for forming multi metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: KR100245306B1. Автор: 김병환,설여송. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

A method for forming a borderless contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100400308B1. Автор: 윤준호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

Method for producing silver particles, thermosetting resin composition, semiconductor device, and electric/electronic part

Номер патента: EP4023721A4. Автор: Masakazu Fujiwara,Yuya NITANAI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Oxide layer and production method for oxide layer, as well as capacitor, semiconductor device, and microelectromechanical system provided with oxide layer

System and method for characterizing critical parameters resulting from a semiconductor device fabrication process

Номер патента: EP3284715B1. Автор: Lianjun Liu,Paige M. Holm. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-08-28.

Method for forming a strained channel in a semiconductor device

Номер патента: TW200822235A. Автор: Syun-Ming Jang,Yun-Hsiu Chen,Yi-Ching Lin,Kuo-Hua Pan,Ken Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-05-16.

Method for reducing pillar structure dimensions of a semiconductor device

Номер патента: TW200931494A. Автор: Michael Chan,Yung-Tin Chen,Paul Poon,Steven J Radigan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-07-16.

Method for forming the multilayer wiring of the semiconductor device

Номер патента: KR960012645B1. Автор: Chang-Soo Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-23.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: AU2003252335A8. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-25.

Method for forming a capacitor storage node in semiconductor device

Номер патента: KR960011817B1. Автор: Jong-Sung Park,Moon-Moo Jung. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-30.

A method for forming a micro contact of a semiconductor device

Номер патента: TW392301B. Автор: Kyu-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-01.

Method for forming the multilayer wiring of a semiconductor device

Номер патента: KR960012644B1. Автор: Byung-Ho Kwak. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-23.

Complementarity split mask having alignment mark, method for forming alignment mark on the mask, semiconductor device formed by using the mask, and its forming method

Номер патента: TW200414302A. Автор: Shinichiro Nohdo,Keiko Amai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-08-01.

Arrangement and method for producing such an arrangement and power semiconductor device

Номер патента: DE102018125852B3. Автор: Martin Kraus,Thomas Ziegler. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device and method for controlling amplitude of signal in the semiconductor device

Номер патента: US20210058080A1. Автор: Seung Jin Kim,Seung Hyun Oh,Wan Kim,Byung Ki HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Method for detecting hysteresis characteristic of comparator and semiconductor device

Номер патента: US09425776B2. Автор: Yanfei Chen. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming cylindrical capacitor lower plate in semiconductor device

Номер патента: US5858834A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kiyotaka Sakamoto,Shuji Fujiwara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Method for monitoring a radio frequency receiver and semiconductor device

Номер патента: US20240039686A1. Автор: Stefan Schmalzl,Andreas Schwarz,Thomas Josef BAUERNFEIND,Thomas Obermueller,Martin Louda,Furqan Farooq FAZILI. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Structures and methods for deriving stable physical unclonable functions from semiconductor devices

Номер патента: US11962709B1. Автор: Eric D. Hunt-Schroeder,Darren Anand,Dale Pontius. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device structure having channel layer with reduced aperture and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064961A1. Автор: Yu Xiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device having trench capacitors formed on channel structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315011A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having trench capacitors formed on channel structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315012A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Using harmonic component(s) to calculate a temperature of a semiconductor device in an inverter module

Номер патента: US09705487B2. Автор: Michael Cade,Gareth Christopher James. Владелец: Nidec Control Techniques Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Circuit and method for generating column path control signals in semiconductor device

Номер патента: TW200820264A. Автор: Seung-Wook Kwack. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Circuit and method for generating column path control signals in semiconductor device

Номер патента: TWI366831B. Автор: Seung Wook KWACK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor device structure having channel layer with reduced aperture and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064963A1. Автор: Yu Xiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Insulating resin, composition for forming insulating resin layer, laminate, method for producing surface metal film material, method for producing metal pattern material, method for producing wiring board, electronic part and semiconductor device

Номер патента: WO2011065568A1. Автор: 季彦松村,丈嘉加納,明美立石,哲憲松本. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2011-06-03.

Method for forming a cylinder capacitor in the dram process

Номер патента: US5989954A. Автор: Jenn Ming Huang,Yu-Hua Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-11-23.

Semiconductor device including conductive network of protective film molecules and fine particles

Номер патента: US7626197B2. Автор: Shinichiro Kondo,Daisuke Hobara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

Carbon nanotube, method for positioning the same, field-effect transistor made using the carbon nanotube, method for making the field-effect transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20090136411A1. Автор: Houjin Huang. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Serial-Parallel Conversion Circuit, Method for Driving the Same, Display Device, and Semiconductor Device

Номер патента: US20130201165A1. Автор: Fujita Masashi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-08.

METHOD FOR COMPENSATING EFFECTS OF SUBSTRATE STRESSES IN SEMICONDUCTOR DEVICES, AND CORRESPONDING DEVICE

Номер патента: US20180026609A1. Автор: Scilla Giuseppe. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2018-01-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING AMPLITUDE OF SIGNAL IN THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210058080A1. Автор: Kim Wan,KIM Seung Jin,Oh Seung Hyun,HAN Byung Ki. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-02-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR DETECTING STATE OF INPUT SIGNAL OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150102838A1. Автор: CHOI Hoon,BAEK Seung-Geun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-04-16.

Method for identifying a peripheral device in a semiconductor device

Номер патента: DE69735907D1. Автор: Hiroshi Kume. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

METHOD FOR MANUFACTURING A CAPACITOR ELECTRODE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2752487A1. Автор: Fang Ching Chao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-02-20.

METHOD FOR DETECTING HYSTERESIS CHARACTERISTIC OF COMPARATOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150358006A1. Автор: Chen Yanfei. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Method for manufacturing component-embedded wiring substrate and semiconductor device

Номер патента: KR102179621B1. Автор: 히로히사 나라하시,시게오 나카무라,겐진 마고. Владелец: 아지노모토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-11-18.

Method for forming a bit line of a semiconductor device

Номер патента: KR970077192A. Автор: 이강현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-12-12.

Method for fabricating a floating gate in the semiconductor device

Номер патента: KR100314127B1. Автор: 안동호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-17.

Method for manufacturing component-embedded wiring substrate and semiconductor device

Номер патента: KR20140146542A. Автор: 히로히사 나라하시,시게오 나카무라,겐진 마고. Владелец: 아지노모토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-12-26.

Apparatus and method for detecting duty ratio of signals in semiconductor device circuit

Номер патента: US20090128208A1. Автор: Kyung-Hoon Kim,Taek-Sang Song,Dae-Han Kwon,Dae-Kun Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Method for forming a ROM coding in a semiconductor device

Номер патента: US6933217B2. Автор: Ju-wan Ko. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-08-23.

Method for manufacturing semiconductor element, semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US20060255335A1. Автор: Shinichiro Kobayashi,Satoshi Ogawa,Takao Nishikawa,Noriyuki Yoshimoto,Yoshihiro Iwasa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Resin sheet with copper foil, multilayer printed wiring board, method for manufacturing multilayer printed wiring board and semiconductor device

Номер патента: WO2009119046A1. Автор: 大東範行. Владелец: 住友ベークライト株式会社. Дата публикации: 2009-10-01.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: WO2024175541A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Photosensitive resin composition, production method for cured relief pattern using it, and semiconductor device

Номер патента: US7598009B2. Автор: Kenichiro Sato,Naoya Sugimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09953578B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09761176B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09626911B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for estimating the early failure rate of semiconductor devices

Номер патента: US20060107094A1. Автор: Thomas Anderson,John Carulli. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Method for determining a matched routing arrangement for semiconductor devices

Номер патента: US20040044977A1. Автор: Michael Lee,Brooklin Gore,Matthew Priest. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Photosensitive resin composition, production method for cured relief pattern using it, and semiconductor device

Номер патента: US20090035693A1. Автор: Kenichiro Sato,Naoya Sugimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus , semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20170352315A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20160321998A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20170069272A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus , semiconductor device, display panel and...

Номер патента: US20160189637A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method of measuring thermal electric characteristics of semiconductor device

Номер патента: US09557368B2. Автор: Chien-Ping Wang,Tzung-Te Chen,Pei-Ting Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: WO2021175564A1. Автор: Angus Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2021-09-10.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: EP3875973A1. Автор: Angus Toby Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen Gebrueder Scheubeck GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-09-08.

Semiconductor device having pda function

Номер патента: US20240242756A1. Автор: Chikara Kondo. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device having PDA function

Номер патента: US09715921B2. Автор: Chikara Kondo. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device having PDA function

Номер патента: US09466343B2. Автор: Chikara Kondo. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-11.

DEVICES AND METHODS FOR DETECTING DETERIORATION OF THE CONDITION OF SEMICONDUCTOR DEVICES DUE TO EXPOSURE TO THEIR RADIATION

Номер патента: RU2018104580A. Автор: Адам Джозеф ВИТТКОП. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2019-09-05.

Reception circuit, method for adjusting timing in reception circuit, and semiconductor device

Номер патента: US9620196B2. Автор: Hiroyuki Kano,Kazumi Kojima,Hiroaki Ukai,Takanori Aoshima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Reception circuit, method for adjusting timing in reception circuit, and semiconductor device

Номер патента: US09620196B2. Автор: Hiroyuki Kano,Kazumi Kojima,Hiroaki Ukai,Takanori Aoshima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Circuit and method for preserving data in sleep mode of semiconductor device using test scan chain

Номер патента: TWI294626B. Автор: Jin-Hyeok Choi,Sam-Yong Bahng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-11.

Method for detecting central position of pellet in semiconductor device

Номер патента: JPS57125307A. Автор: Takashi Kamiharashi. Владелец: Kaijo Denki Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-04.

Circuit and method for preserving data in sleep mode of semiconductor device using test scan chain

Номер патента: TW200531074A. Автор: Jin-Hyeok Choi,Sam-Yong Bahng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-16.

Method and apparatus for the simultaneous electrical testing of multiple semiconductor devices

Номер патента: US20020050835A1. Автор: Jed Foy,Cleston Messick,David Lotourette. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-05-02.

System and method for calculating cell edge leakage

Номер патента: US10467374B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

System and Method for Calculating Cell Edge Leakage

Номер патента: US20190005181A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040002175A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-01.

Semiconductor device, and design method, inspection method, and design program therefor

Номер патента: US20050055651A1. Автор: Shinobu Isobe. Владелец: UMC Japan Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-10.

Thermal monitoring system for semiconductor devices

Номер патента: US6092926A. Автор: Ray Garcia,Kendall Anthony Honeycutt,Stephen Eugene Still,James J. Tout, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-07-25.

Apparatus and method for minimizing the delay times in a semiconductor device

Номер патента: US6148434A. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-11-14.

System and method for performing hole profile modeling in a virtual fabrication environment

Номер патента: WO2023091321A1. Автор: Cheng Li,Benjamin Vincent,Joseph Ervin,Shi-Hao Huang,Qing Peng WANG,Yu De Chen. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

Operating a pipeline flattener in a semiconductor device

Номер патента: US20190303166A1. Автор: Johann Zipperer,Christian Wiencke,Markus Koesler,Wolfgang Lutsch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Operating a Pipeline Flattener in a Semiconductor Device

Номер патента: US20130046962A1. Автор: Johann Zipperer,Christian Wiencke,Markus Koesler,Wolfgang Lutsch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-21.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: WO2020058437A1. Автор: Angus Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2020-03-26.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: EP3627162A1. Автор: Angus Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen Gebrueder Scheubeck GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-03-25.

Curable resin composition, cured film, laminate, method for manufacturing cured film, semiconductor device, and polymer precursor

Номер патента: US20220002488A1. Автор: Atsuyasu Nozaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

LIGHT EMITTING PERIOD SETTING METHOD, DRIVING METHOD FOR DISPLAY PANEL, DRIVING METHOD FOR BACKLIGHT, LIGHT EMITTING PERIOD SETTING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY PANEL AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20170069272A1. Автор: HASEGAWA Hiroshi,Isobe Teppei,Abe Hironobu. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus , semiconductor device, display panel and...

Номер патента: US20160189637A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

LIGHT EMITTING PERIOD SETTING METHOD, DRIVING METHOD FOR DISPLAY PANEL, DRIVING METHOD FOR BACKLIGHT, LIGHT EMITTING PERIOD SETTING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY PANEL AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20140307009A1. Автор: HASEGAWA Hiroshi,Isobe Teppei,Abe Hironobu. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-16.

LIGHT EMITTING PERIOD SETTING METHOD, DRIVING METHOD FOR DISPLAY PANEL, DRIVING METHOD FOR BACKLIGHT, LIGHT EMITTING PERIOD SETTING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY PANEL AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20160321998A1. Автор: HASEGAWA Hiroshi,Isobe Teppei,Abe Hironobu. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

LIGHT EMITTING PERIOD SETTING METHOD, DRIVING METHOD FOR DISPLAY PANEL, DRIVING METHOD FOR BACKLIGHT, LIGHT EMITTING PERIOD SETTING APPARATUS , SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY PANEL AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20170352315A1. Автор: HASEGAWA Hiroshi,Isobe Teppei,Abe Hironobu. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

A photoresist monomer and a method for producing the same, a photoresist copolymer and a method for producing the same, a photoresist composition, a method for forming a photoresist pattern, and a semiconductor device.

Номер патента: JP3587743B2. Автор: ▲みん▼鎬鄭,載昌鄭,基鎬白,根守李,次元高. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-10.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US9646538B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: TW200947389A. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-11-16.

Semiconductor device having PDA function

Номер патента: US11948623B2. Автор: Chikara Kondo. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Lithography compositions and methods for forming resist patterns and/or making semiconductor devices

Номер патента: WO2023158848A3. Автор: Robert Brainard,Munsaf ALI. Владелец: The Research Foundation for The State University of New York. Дата публикации: 2023-09-21.

Lithography compositions and methods for forming resist patterns and/or making semiconductor devices

Номер патента: WO2023158848A2. Автор: Robert Brainard,Munsaf ALI. Владелец: The Research Foundation for The State University of New York. Дата публикации: 2023-08-24.

Photoresist composition, method for forming a photoresist pattern and method for forming a protection layer of a semiconductor device using the photoresist composition

Номер патента: KR100729256B1. Автор: 김재현,박석봉,김원미. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-15.

Mask blank, transfer mask and manufacturing method for transfer mask and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101880304B1. Автор: 마사히로 하시모또,히로유끼 이와시따,오사무 노자와,아쯔시 고미나또. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-07-19.

Dichroic mirror, method for manufacturing a dichroic mirror, lithographic apparatus, semiconductor device and method of manufacturing therefor

Номер патента: US20090284728A1. Автор: Tjarko Adriaan Rudolf Van Empel. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for controlling the voltage supply of a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: DE102005009364B4. Автор: Jens Dr. Barrenscheen,Frank Dr. Praemassing. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-07-17.

METHOD FOR MANUFACTURING A CONTACT FOR TESTING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140069579A1. Автор: Yun Keong-syup. Владелец: SILICONEVALLEY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for determining a matched routing arrangement for semiconductor devices

Номер патента: US6789233B2. Автор: Michael D. Lee,Brooklin J. Gore,Matthew L. Priest. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-07.

SILICONE RESIN COMPOSITION, SILICONE RESIN SHEET, METHOD FOR PRODUCING SILICONE RESIN SHEET, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140171579A1. Автор: KATAYAMA Hiroyuki. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

METHOD FOR REWRITING DATA IN NONVOLATILE MEMORY AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190115080A1. Автор: WATANABE Tomomi. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2019-04-18.

SYSTEMS AND METHODS FOR TRACKING PROGRESS OF DESIGN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190235713A1. Автор: Levy Amir,BORENSTEIN Yuval,BARKAI David. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD.. Дата публикации: 2019-08-01.

METHOD FOR MANUFACTURING A CELL HAVING PINS AND SEMICONDUCTOR DEVICE BASED ON SAME

Номер патента: US20210294957A1. Автор: TIEN Li-Chun,LU Lee-Chung,LIN YEN-HUNG,Cheng Yi-Kan,SUE Pin-Dai,CHEN SHENG-HSIUNG,Liu Chin-Chou,CHANG Fong-Yuan,HUANG Po-Hsiang,LU Chi-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

Reception circuit, method for adjusting timing in reception circuit, and semiconductor device

Номер патента: US20160351245A1. Автор: Hiroyuki Kano,Kazumi Kojima,Hiroaki Ukai,Takanori Aoshima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

SYSTEM AND METHOD FOR PROCESS WINDOW OPTIMIZATION IN A VIRTUAL SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION ENVIRONMENT

Номер патента: US20200356711A1. Автор: Fried David M.,Greiner Kenneth B.,Egan William J.,Kunwar Anshuman. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Method for manufacturing metal line contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100474540B1. Автор: 권판기,이상익. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for fabricating the trench isolation in the semiconductor device

Номер патента: KR100755056B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-09-06.

Laser-based irradiation apparatus and methods for monitoring the dose-rate response of semiconductor devices

Номер патента: US7019311B1. Автор: Kevin M. Horn. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2006-03-28.

A method for forming a field oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100944346B1. Автор: 김재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-02.

Method for manufacturing a multi metal line in semiconductor device

Номер патента: KR100854898B1. Автор: 김동준. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-08-28.

System and method for controlling furnace machine platform operation in semiconductor device manufacture technology

Номер патента: CN105302078A. Автор: 于婷婷,谭小兵,邓俊弦. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-02-03.

System and method for code and data security in a semiconductor device

Номер патента: EP1280038A2. Автор: David P. Foley,Thiru Gnanasabapathy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-01-29.

METHOD FOR PULLING UP A SILICON BAR AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE FROM THE SILICON BAR

Номер патента: NL8102101A. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1982-11-16.

A method for sensing a bit line of a semiconductor device

Номер патента: KR100673110B1. Автор: 전배근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Apparatus and method for testing non-contact pads of a semiconductor device to be tested

Номер патента: US8253431B2. Автор: Yi-Shao Lai,Tsung-Yueh Tsai,Ming-Kun Chen,Ming-Hsiang Cheng,I. L. Lin,Ken Juang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2012-08-28.

Method for reducing number of positioning points in semiconductor device detection equipment

Номер патента: CN110007207B. Автор: 张军辉,张文亮,朱阳军. Владелец: Shandong Yuexin Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Method for forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20080131814A1. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-05.

Apparatus and method for latency control in high frequency synchronous semiconductor device

Номер патента: TW200636743A. Автор: Sang-Sic Yoon,Si-Hong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-16.

Method for producing a micromechanical structural element and semiconductor device

Номер патента: DE112006001228A5. Автор: Franz Schrank. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for forming an alignment key of a semiconductor device

Номер патента: KR970060351A. Автор: 김정엽,부재필,김민정. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-08-12.

Method for rewriting data in nonvolatile memory and semiconductor device

Номер патента: US20190115080A1. Автор: Tomomi Watanabe. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Apparatus and method for latency control in high frequency synchronous semiconductor device

Номер патента: TWI276112B. Автор: Sang-Sic Yoon,Si-Hong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-11.

Adjusting method for semiconductor buffer capacity, electric system and semiconductor device

Номер патента: TW591397B. Автор: Shogo Hachiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-06-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming silicide in removable spacer of semiconductor device

Номер патента: TW471041B. Автор: Jian-Ting Lin,Hua-Jou Tzeng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Method for automatically improving technological structure parameters of semiconductor device based on physical constraint

Номер патента: CN118839646A. Автор: 陈静,张珺,杜炜,郭宇锋,姚清,姚佳飞,杨可萌. Владелец: Nanjing University Of Posts And Telecommunications Nantong Institute Co ltd. Дата публикации: 2024-10-25.

METHOD FOR MANUFACTURING FILM-LIKE ADHESIVE, ADHESIVE SHEET, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120248634A1. Автор: Katogi Shigeki,Fujii Shinjiro,Kawamori Takashi,Masuko Takashi,Mitsukura Kazuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Method for reducing grid induction drain leakage of semiconductor device and method for manufacturing metal oxide semiconductor (MOS) device

Номер патента: CN102610528B. Автор: 俞柳江. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-08-27.

LIGHT EMITTING PERIOD SETTING METHOD, DRIVING METHOD FOR DISPLAY PANEL, DRIVING METHOD FOR BACKLIGHT, LIGHT EMITTING PERIOD SETTING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY PANEL AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20120169802A1. Автор: HASEGAWA Hiroshi,Isobe Teppei,Abe Hironobu. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-05.

Method for Producing a Housing for an Optoelectronic Semiconductor Device, Housing, and Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20120280116A1. Автор: . Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-11-08.

SCANNING ELECTRON MICROSCOPE SYSTEM AND METHOD FOR MEASURING DIMENSIONS OF PATTERNS FORMED ON SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SYSTEM

Номер патента: US20120112067A1. Автор: Miyamoto Atsushi,Tanaka Maki,Shishido Chie. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

METHOD FOR DEFINING A SEPARATING STRUCTURE WITHIN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120156881A1. Автор: Haffner Henning. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2012-06-21.

METHODS FOR FABRICATING A METAL SILICIDE LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120178231A1. Автор: Kim Young-Pil,KIM KI-HONG,Kim Jin-Bum,Lee Eun-ha,Lee Hyung-Ik,Won Jung-Yun,Anass Benayad. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-12.

SILICONE RESIN COMPOSITION, SILICONE RESIN SHEET, METHOD FOR PRODUCING SILICONE RESIN SHEET, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130020610A1. Автор: KATAYAMA Hiroyuki. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for forming resist pattern, semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor device, and portable information terminal

Номер патента: JP2002043215A. Автор: Shigeyasu Mori,重恭森. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-02-08.

METHOD FOR FORMING CONTACT TO STOCK AREA OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: RU2013100562A. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-07-20.

Method for cleaning semiconductor plate surface in manufacturing semiconductor devices

Номер патента: RU95109629A. Автор: Н.В. Комарова,С.К. Коровин,С.А. Панаева,А.А. Галаев,В.Н. Дерюгин,Н.Н. Усов. Владелец: Акционерное общество Научно-производственное предприятие "Сапфир". Дата публикации: 1997-06-20.

Photosensitive resin composition, patterned cured film, method for producing the same, semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: JP2022043573A. Автор: 卓也小峰,Takuya KOMINE. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-16.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR INTERCONNECTING STACKED SEMICONDUCTOR DEVICES

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты