Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Alternative surfaces for conductive pad layers of silicon bridges for semiconductor packages

Alternative surfaces for conductive pad layers of silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US11848259B2
Опубликовано: 19-12-2023
Автор(ы): Dae-woo Kim, Sujit Sharan
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Alternative surfaces for conductive pad layers of silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: WO2017074390A1. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-05-04.

Alternative surfaces for conductive pad layers of silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US20240071884A1. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Pitch translation architecture for semiconductor package including embedded interconnect bridge

Номер патента: US12051647B2. Автор: Andrew Collins,Rajasekaran Swaminathan,Ram Viswanath,Bharat P. Penmecha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods and apparatus to prevent over-etch in semiconductor packages

Номер патента: US20240222283A1. Автор: Xiaoying Guo,Dingying Xu,Gang Duan,Tarek Ibrahim,Srinivas PIETAMBARAM,Sairam Agraharam,Ashay Dani,Xiaoxuan SUN,Haobo Chen,Hongxia Feng,Bai Nie,Leonel Arana,Adwait TELANG,Bohan Shan,Holly Sawyer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Pitch translation architecture for semiconductor package including embedded interconnect bridge

Номер патента: US11705398B2. Автор: Andrew Collins,Rajasekaran Swaminathan,Ram Viswanath,Bharat P. Penmecha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Pitch translation architecture for semiconductor package including embedded interconnect bridge

Номер патента: US11270942B2. Автор: Andrew Collins,Rajasekaran Swaminathan,Ram Viswanath,Bharat P. Penmecha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Pitch translation architecture for semiconductor package including embedded interconnect bridge

Номер патента: US20220148968A1. Автор: Andrew Collins,Rajasekaran Swaminathan,Ram Viswanath,Bharat P. Penmecha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Pitch translation architecture for semiconductor package including embedded interconnect bridge

Номер патента: US20200235051A1. Автор: Andrew Collins,Rajasekaran Swaminathan,Ram Viswanath,Bharat P. Penmecha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Pitch translation architecture for semiconductor package including embedded interconnect bridge

Номер патента: US20230290728A1. Автор: Andrew Collins,Rajasekaran Swaminathan,Ram Viswanath,Bharat P. Penmecha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor package assembly

Номер патента: US20230046413A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tai-Yu Chen,Hsiao-Yun Chen,Duen-Yi Ho,Bo-Jiun Yang,Chin-Lai Chen,Haw-Kuen Su,Bo-Hao Ma. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor package including glass core substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321755A1. Автор: Myungsam Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor package

Номер патента: US20240332221A1. Автор: Hyunwoong KIM,Seungyoung AHN,Jiseong KIM,Seonghi LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-10-03.

Substrates for semiconductor packages

Номер патента: US20240194547A1. Автор: Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Seng Kim Ye,Kelvin Aik Boo TAN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Package substrate and semiconductor package including same

Номер патента: US20230005831A1. Автор: Dongok KWAK,ShleGe Lee,Sunwoo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Package substrate and semiconductor package including same

Номер патента: US12046546B2. Автор: Dongok KWAK,ShleGe Lee,Sunwoo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor packages with embedded interconnects

Номер патента: US11942406B2. Автор: Kyu Oh Lee,Dilan Seneviratne,Ravindranadh T Eluri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor packages with embedded interconnects

Номер патента: EP3688798A1. Автор: Kyu Oh Lee,Dilan Seneviratne,Ravindranadh T. Eluri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

Semiconductor package with substrate cavity

Номер патента: US20240047328A1. Автор: Yongseong KIM,Jiyeon HAN,Jinduck Park,Chansik Kwon,Inwook IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor package

Номер патента: US20230282538A1. Автор: Seung-Duk Baek,Ae-nee JANG,Tae-Heon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Substrate for semiconductor package and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240194640A1. Автор: Seongho Yoon,Sang Sub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor package

Номер патента: US20240088075A1. Автор: Chajea JO,Sunkyoung Seo,Teak Hoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor package

Номер патента: US11848293B2. Автор: Chajea JO,Sunkyoung Seo,Teak Hoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: EP4379798A1. Автор: Jin-woo Park,Myung-Sung Kang,Kyong Hwan Koh,Chung Sun Lee,Hyeon Jun Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240178188A1. Автор: Jin-woo Park,Myung-Sung Kang,Kyong Hwan Koh,Chung Sun Lee,Hyeon Jun Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Fan-out stacked semiconductor package structure and packaging method thereof

Номер патента: US20230352449A1. Автор: Yenheng CHEN,Chengchung LIN. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor package and a method of fabricating the same

Номер патента: US20210035913A1. Автор: Jongho Park,Seung Hwan Kim,Sangsoo Kim,Jun Young Oh,Kyong Hwan Koh,Dong-Ju Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor package

Номер патента: US20240055339A1. Автор: Taehwan Kim,Sunggu Kang,Jonggyu Lee,Hwanjoo PARK,Jaechoon Kim,Sungho Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899337B2. Автор: Tae-Je Cho,Jong-Bo Shim,Gun-ho Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180138145A1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20240249990A1. Автор: Dahee Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor package having ordered wire arrangement between differential pair connection pads

Номер патента: US20230299051A1. Автор: Ki Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor package including an interposer and method of fabricating the same

Номер патента: US12062605B2. Автор: Kyoungsei Choi,Ji Hwang Kim,Eunhee Jung,Hyunkyu Kim,JongBo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor package, and redistribution substrate for semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321722A1. Автор: Youngmin Kim,Changbo Lee,Joon Seok OH,Yoonyoung JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor package

Номер патента: US20240321713A1. Автор: Yoonyoung JEON,Dongheon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Package substrate and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230146035A1. Автор: Beoungjun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor package having moisture passing gap in power or ground metal plane of a package substrate

Номер патента: US20240347479A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Wei-Fan Chen,Chu-Chia Chang,Yu-Liang Hsiao,Peng-Yu Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Interposer and semiconductor package including the same

Номер патента: US11710673B2. Автор: SUNGKYU Park,Hyunki Kim,ChoongBin YIM,Dongwook Kim,JongBo Shim,Jihwang Kim,Yongkwan LEE,ByoungWook Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor package

Номер патента: US20230387029A1. Автор: Kwang Bok Woo,Jiwon Shin,Donguk Kwon,Minseung Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Manufacturing method for semiconductor package, semiconductor package, and semiconductor device

Номер патента: US9082825B2. Автор: Hiroaki Fujiwara,Shingo Yoshioka,Hiromitsu Takashita,Tsuyoshi Takeda,Keiko Kashihara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor package and substrate for semiconductor package

Номер патента: US20220415774A1. Автор: Dong Uk Kim,Jin Hee Hong,Jin Mo KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor package

Номер патента: US12100668B2. Автор: Junghoon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Interposer and semiconductor package including the same

Номер патента: US11784131B2. Автор: YunSeok Choi,Minseung Yoon,Yukyung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Interposer and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240006328A1. Автор: YunSeok Choi,Minseung Yoon,Yukyung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor packages

Номер патента: US20190333836A1. Автор: Chien-Chang Lin,Hsin-Yu Pan,Ming-Chang Lu,Lipu Kris Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor package assembly

Номер патента: US20230253389A1. Автор: Shih-Yi Syu,Wen-Chou Wu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor package having moisture passing gap in power or ground metal plane of a package substrate

Номер патента: EP4447103A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Wei-Fan Chen,Chu-Chia Chang,Yu-Liang Hsiao,Peng-Yu Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor package and cooling system

Номер патента: US20230124783A1. Автор: Taehwan Kim,Sungeun Jo,Kiwook JUNG,Jaechoon Kim,Seunggeol Ryu,Eungchang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243047A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Chih Chen,Po-Han Wang,Hung-Chun Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20220013499A1. Автор: Jin Kyoung PARK,Ju Il Eom. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor package

Номер патента: US20240290751A1. Автор: Bongken YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor package including a package substrate including staggered bond fingers

Номер патента: US11444052B2. Автор: Jong Hui Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor package and passive element with interposer

Номер патента: US12131988B2. Автор: Robert Carroll,Angela Kessler,Robert Fehler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor package and method of manufacturing

Номер патента: US20240079250A1. Автор: Jaewon Choi,JongBo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor package

Номер патента: US20240258224A1. Автор: JunHo Lee,Seunghoon Yeon,Seungryong OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Fan-out semiconductor package

Номер патента: US20230052194A1. Автор: Dahee Kim,Gookmi SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor package including a redistribution substrate and a method of fabricating the same

Номер патента: US20240266268A1. Автор: Sang-Uk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor packaging

Номер патента: US20230420438A1. Автор: Jun He,Ming-Feng Wu,Li-Hsien HUANG,Yao-Chun Chuang,Tien-Chung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Interposer and semiconductor package including the same

Номер патента: US12087650B2. Автор: Jongho Park,Seunghwan Kim,Jungjoo KIM,Yongkwan LEE,Hyunggil Baek,Junyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09842831B2. Автор: Shiann-Tsong Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor package and substrate for semiconductor package

Номер патента: US20230076402A1. Автор: Jin Mo KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Interposer and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230282533A1. Автор: Jongho Park,Seunghwan Kim,Jungjoo KIM,Yongkwan LEE,Hyunggil Baek,Junyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor package including redistribution structure

Номер патента: US20230411267A1. Автор: Jinyoung Kim,Jihye SHIM,Okseon YOON,Jiyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor package shielding structure

Номер патента: US12009313B2. Автор: Meng-Jen Wang,Chien-Yuan Tseng,Chia-Feng Hsu,Hung Chen KUO,Ying-Hao WEI,Yuan-Long CHIAO. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Embedded reference layers for semiconductor package substrates

Номер патента: US20200168559A1. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Embedded reference layers for semiconductor package substrates

Номер патента: US20220068836A1. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Embedded reference layers fo semiconductor package substrates

Номер патента: MY202414A. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-27.

Semiconductor Package and Method of Forming Thereof

Номер патента: US20240021564A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor packages and forming methods thereof

Номер патента: US12062619B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chin-Liang Chen,Jiun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Package-on-package type semiconductor package including a lower semiconductor package and an upper semiconductor package

Номер патента: US11749592B2. Автор: Jiwon Shin,Donguk Kwon,Minseung Ji,Kwangbok WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor packages, semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20240243068A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor package having a stiffener ring

Номер патента: US11728232B2. Автор: Tai-Yu Chen,I-Hsuan Peng,Yi-Jou Lin,Chi-Wen Pan,Sheng-Liang Kuo. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20220068887A1. Автор: Hyunsoo Chung,YoungLyong KIM,Myungkee CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20240203925A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200286867A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369295A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor package

Номер патента: US20240243111A1. Автор: Dohyun Kim,Chajea JO,Seungryong OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor package

Номер патента: US20180122790A1. Автор: Sun-Won Kang,Hee-Jin Lee,Seok-Hong Kwon,Sang-nam JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor package including semiconductor chips

Номер патента: US20220130793A1. Автор: Hyungu Kang,Jaekyu SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor package

Номер патента: US20240297139A1. Автор: Namhoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor package structure, fabrication method and memory system

Номер патента: US20240332269A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09985008B2. Автор: JunHo Lee,Hongbin Shi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor package

Номер патента: US09859263B2. Автор: Sun-Won Kang,Hee-Jin Lee,Seok-Hong Kwon,Sang-nam JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor packages including upper and lower packages and heat dissipation parts

Номер патента: US09842799B2. Автор: Eon Soo JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor packages having capacitors

Номер патента: US20240213143A1. Автор: Eunseok Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240105567A1. Автор: Ji Yong Park,Jong Bo Shim,Choong Bin Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Metal-free frame design for silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US12074121B2. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Sairam Agraharam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Package for semiconductor

Номер патента: US20240347434A1. Автор: Young Ho Kim,Jong Heon Kim,Bo Mi Lee,Yun Mook PARK,Hyung Jin Shin,Young Mo Lee,Kyu Shik KIM. Владелец: Nepes Laweh Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Metal-free frame design for silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US20230238339A1. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Sairam Agraharam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Interconnects for semiconductor packages

Номер патента: US20180286804A1. Автор: Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Jiun Hann Sir,Hoay Tien Teoh,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim,Jia Yan Go. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Underfill structure for semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US12080617B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu,Yu-Wei Chen,Kuan-Yu Huang,Li-Chung Kuo,Long Hua Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Stiffener frame for semiconductor device packages

Номер патента: EP4399740A1. Автор: Han-Wen Chen,Steven Verhaverbeke,Giback Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor package structure and method of forming the same

Номер патента: US20240178112A1. Автор: Nai-wei LIU,Yen-Yao Chi,Pei-Haw Tsao,Yu-Tung CHEN,Kuo-Lung FAN. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Printed circuit board for semiconductor package

Номер патента: US20160005683A1. Автор: Hai Liu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor die, semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230352418A1. Автор: Yu-Hung Lin,Chia-Hui Lin,Kuo-Chung Yee,Shih-Peng Tai,Yu-Kuang Liao,Po-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Vertical power plane module for semiconductor packages

Номер патента: US20220068846A1. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Underfill structure for semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US11842936B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu,Yu-Wei Chen,Kuan-Yu Huang,Li-Chung Kuo,Long Hua Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Underfill Structure for Semiconductor Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230253280A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu,Yu-Wei Chen,Kuan-Yu Huang,Li-Chung Kuo,Long Hua Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US11776882B2. Автор: Ralf Otremba,Petteri Palm,Josef Hoeglauer,Eung San Cho,Markus Dinkel,Fabian Schnoy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-03.

Galvanic corrosion protection for semiconductor packages

Номер патента: WO2019133006A1. Автор: Cheng Xu,Ji Yong Park,Junnan Zhao,Kyu Oh Lee. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

Galvanic corrosion protection for semiconductor packages

Номер патента: EP3732710A1. Автор: Cheng Xu,Ji Yong Park,Junnan Zhao,Kyu Oh Lee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-04.

COF Type Semiconductor Package and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20150262906A1. Автор: Sung Jin Kim,Hag Mo Kim,Jun Il Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-17.

Fan-out semiconductor package including under-bump metallurgy

Номер патента: US11961792B2. Автор: Yonghwan Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Systems for semiconductor package mounting with improved co-planarity and methods for forming the same

Номер патента: US20220415773A1. Автор: Chen-Shien Chen,Wen-Yi Lin,Chien-Chen Li,Kuang-Chun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Interposer and semiconductor package including the same

Номер патента: US20200185357A1. Автор: Taesung Jeong,Younggwan Ko,Jungsoo BYUN,Jaeean Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Interposer and semiconductor package including same

Номер патента: US20230352386A1. Автор: Sungwoo Park,Ungcheon Kim,Yukyung Park,Seungkwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor package substrate and method for producing same

Номер патента: EP3886161A1. Автор: Fusao Takagi. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-29.

Semiconductor package including organic interposer

Номер патента: US10600706B2. Автор: Dong Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-24.

System, apparatus, and method for semiconductor package grounds

Номер патента: WO2016100267A1. Автор: Jong-Hoon Lee,Young Kyu Song,Uei-Ming Jow,Jung Ho Yoon,Xiaonan Zhang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-23.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND PoP TYPE PACKAGE

Номер патента: US20210151411A1. Автор: YoungSang CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor package including processor chip and memory chip

Номер патента: US20220216193A1. Автор: Kil-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor package including dummy package

Номер патента: US20240266248A1. Автор: Hu Zhao,Doil Kong,Byunghan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US12131974B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor package

Номер патента: US12033924B2. Автор: Jeonghyun LEE,JongBo Shim,Hwanpil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220115281A1. Автор: Jin-woo Park,Dongho Kim,Ji Hwang Kim,JongBo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor package

Номер патента: US20230420374A1. Автор: Sang Hyun Lee,Jung Hoon Kang,Un-Byoung Kang,Kwang-chul Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor package

Номер патента: US12033948B2. Автор: Young Lyong Kim,Inhyo HWANG,Hyunsoo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor package

Номер патента: US20240258242A1. Автор: Joohyung Lee,Kitae Park,Seungmin Baek,Junghyun Cho,Joonseok OH,Chiwan SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package including thermal interface structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230007912A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Interposers and semiconductor packages including the same

Номер патента: US11742294B2. Автор: Jongho Park,Seunghwan Kim,Yonghyun KIM,Yongkwan LEE,Junga LEE,Junyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor package

Номер патента: US20230178499A1. Автор: Jaekyung Yoo,Yeongkwon Ko,Un-Byoung Kang,Teak Hoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor package

Номер патента: US20230260889A1. Автор: Sangnam JEONG,Sangsub SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor package assembly with through silicon via interconnect

Номер патента: US09947624B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tzu-Hung Lin,Wei-Che Huang,Kuei-ti Chan,Ruey-Beei Wu,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung,Kai-Bin WU. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor package lid thermal interface material standoffs

Номер патента: US09892990B1. Автор: Paul Mescher,Jesse E. Galloway. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Enlarged conductive pad structures for enhanced chip bond assembly yield

Номер патента: US20210320056A1. Автор: Thomas Weiss,Krishna R. Tunga,Charles Leon Arvin,Bhupender Singh,Brian W. Quinlan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor package having stiffener structure

Номер патента: US12027471B2. Автор: Eunkyoung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor package structure and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273724A1. Автор: Ping-Feng Yang,Huang Han CHEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package

Номер патента: US20160071810A1. Автор: Young-woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Guard ring design enabling in-line testing of silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US20190371719A1. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Arnab Sarkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Guard ring design enabling in-line testing of silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US20230260884A1. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Arnab Sarkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213194A1. Автор: Yan-Liang Ji. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor package for improving reliability

Номер патента: US20220059492A1. Автор: Hyungsun Jang,Yeohoon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor package

Номер патента: US20240274582A1. Автор: Tae-Ho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09899308B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Mao-Hua Yeh,Wen-Tsung Tseng. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US12087668B2. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363496A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Package substrate and semiconductor package including the same

Номер патента: US20190080994A1. Автор: Hohyeuk Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4071804A1. Автор: Yan-Liang Ji. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US11935852B2. Автор: Yan-Liang Ji. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20150069628A1. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Mao-Hua Yeh,Wen-Tsung Tseng. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240347487A1. Автор: Taehoon Lee,Dahee Kim,Gyujin CHOI,Jaeean Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor package for improving reliability

Номер патента: US11557560B2. Автор: Hyungsun Jang,Yeohoon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-17.

Antenna-integrated high-frequency semiconductor package and method of manufacturing same

Номер патента: US20240282724A1. Автор: Dong Su Kim,Jong Min YOOK,Je In YU. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor packages

Номер патента: US11444070B2. Автор: Yongjin PARK,Jin-san Jung,Jiin Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-13.

Capacitor component and semiconductor package including capacitor component

Номер патента: US20240222263A1. Автор: Jang Won Lee,Hye Jin Kim,Jae Hoon Kim,Gyoung Heon KO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor package with three-dimensional antenna

Номер патента: US09881882B2. Автор: Sheng-Mou Lin,Chih-Chun Hsu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, semiconductor package, and electronic device

Номер патента: US20140225236A1. Автор: Yong-Hoon Kim,In-Ho Choi,Keung-Beum Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor package

Номер патента: US20240321701A1. Автор: Jeonghyun LEE,JongBo Shim,Hwanpil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor packaging structure and semiconductor device

Номер патента: US20190252314A1. Автор: Shufeng Zhao. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor packaging structure and semiconductor device

Номер патента: US10825767B2. Автор: Shufeng Zhao. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor package including capacitor

Номер патента: US20210366847A1. Автор: Jin Kyoung PARK,Han Jun Bae,Ju Il Eom. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor package and method for its manufacture

Номер патента: US20060012026A1. Автор: Dong-Han Kim,Suk-Chae Kang,Si-Hoon Lee,Sa-Yoon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-19.

Mounting arrangements for semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20230307586A1. Автор: David N. Randolph,Timothy Ling,Ryan MOHN,David PEOPLES,Wooh Jae Kim. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917043B2. Автор: Chang Chi Lee,Chih-Pin Hung,Chin-Li Kao,Chien Lin CHANG CHIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor package structure and packaging method thereof

Номер патента: US20230343773A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240055378A1. Автор: Yongho Kim,Jeonghoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Power Semiconductor Package

Номер патента: US20150340304A1. Автор: Martin Standing. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Power Semiconductor Package

Номер патента: US20140319665A1. Автор: Martin Standing. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113044B2. Автор: Chin-Li Kao,An-Hsuan HSU,Shan-Bo WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Standoff members for semiconductor package

Номер патента: US20200066654A1. Автор: Je-Young Chang,Shubhada H. Sahasrabudhe,Tannaz Harirchian. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Standoff members for semiconductor package

Номер патента: WO2018125452A1. Автор: Je-Young Chang,Shubhada H. Sahasrabudhe,Tannaz Harirchian. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Standoff members for semiconductor package

Номер патента: US11469185B2. Автор: Je-Young Chang,Shubhada H. Sahasrabudhe,Tannaz Harirchian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180158766A1. Автор: Chang Chi Lee,Chih-Pin Hung,Chin-Li Kao,Chien Lin CHANG CHIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240145366A1. Автор: Hyunchul Jung,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Solji Song,Hyunsu Hwang,Sanghoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Pressurizing members for semiconductor package

Номер патента: US11362021B2. Автор: Yun hwa CHOI,Jeonghun Cho. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor package

Номер патента: US20240194646A1. Автор: Chin-Tang Hsieh,Chen-Yu Wang,Wen-Cheng Hsu,Chih-Ming Kuo,Chun-Ting Kuo,Lung-Hua Ho,Kung-An Lin,Pai-Sheng Cheng,Chih-Hao Chiang,Yu-Hui Hu. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Design method for semiconductor package and semiconductor package design system

Номер патента: US20200320243A1. Автор: Sungwook Moon,Yoonjae HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Trilayer bonding bump structure for semiconductor package

Номер патента: US11798908B2. Автор: Yongho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Wiring layers for semiconductor devices

Номер патента: GB2068640A. Автор: . Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-08-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230268314A1. Автор: Chin-Li Kao,An-Hsuan HSU,Shan-Bo WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Stem for semiconductor package

Номер патента: US20220181272A1. Автор: Wataru KATAYAMA. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor package, package-on-package device, and method of fabricating the same

Номер патента: US20200111738A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyung Suk Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor package

Номер патента: US12087696B2. Автор: Taehwan Kim,Hyunjung SONG,Wonil Lee,Hyoeun Kim,Sunkyoung Seo,Sanguk Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package having discrete antenna device

Номер патента: US12095142B2. Автор: Hsing-Chih Liu,Yi-Chieh Lin,Wen-Chou Wu,Chia-Yu Jin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor package

Номер патента: US12080701B2. Автор: Sanguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor package including shield layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321770A1. Автор: Seung Hyun Lee,Ki Yong Lee,Hyoung Min IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor package

Номер патента: US20190252329A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Chin-Chuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor package

Номер патента: US20200294936A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Chin-Chuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor package

Номер патента: EP4391020A1. Автор: So Hye CHO,Jun Hong Min,Tae Yeong KIM,Eun Suk Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor package

Номер патента: US20240213138A1. Автор: So Hye CHO,Jun Hong Min,Tae Yeong KIM,Eun Suk Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Electroless Die-Attach Process for Semiconductor Packaging

Номер патента: US20240274514A1. Автор: Afshin Dadvand,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Electroless die-attach process for semiconductor packaging

Номер патента: WO2024173460A1. Автор: Afshin Dadvand,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Lead frame routed chip pads for semiconductor packages

Номер патента: WO2005004200A3. Автор: Shafidul Islam,Anang Subagio,San Antonio Romarico Santos. Владелец: San Antonio Romarico Santos. Дата публикации: 2006-02-16.

Dual-damascene zero-misalignment-via process for semiconductor packaging

Номер патента: US20190206767A1. Автор: Robert A. May,Hiroki Tanaka,Aleksandar Aleksov,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta,Srinivas PIETAMBARAM,Changhua Liu,Chung Kwang TAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Dual-damascene zero-misalignment-via process for semiconductor packaging

Номер патента: US20190355647A1. Автор: Robert A. May,Hiroki Tanaka,Aleksandar Aleksov,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta,Srinivas PIETAMBARAM,Changhua Liu,Chung Kwang TAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Header for semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: EP4113589A2. Автор: Masao Kainuma. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Header for semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: EP4113589A3. Автор: Masao Kainuma. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Molded product for semiconductor strip and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20230127641A1. Автор: Junwoo PARK,Seunghwan Kim,Jungjoo KIM,Yongkwan LEE,Hyunggil Baek,Jongwan Kim,Taejun Jeon,Dongju Jang,Kyonghwan Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US9318354B2. Автор: Pang-Chun Lin,Xie-Ren Cheng. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

A method for manufacturing a semiconductor package assembly as well as a semiconductor package assembly obtained with this method

Номер патента: EP4439658A1. Автор: Shun Tik Yeung,Hiu Hay Nichole Lam. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor packages

Номер патента: US20210305190A1. Автор: Jong-Min Lee,Jihoon Chang,Yeonjin Lee,Jimin CHOI,Jung-Hoon Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Package substrate and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4231336A1. Автор: Seungmin Kim,Byungsu KIM,Hwanwook Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

Semiconductor package

Номер патента: US12057435B2. Автор: Seokhyun Lee,Jongyoun KIM,Hyeonseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor package

Номер патента: US20240355779A1. Автор: Seokhyun Lee,Jongyoun KIM,Hyeonseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Core-substrate, substrate and use of substrate for semiconductor packaging

Номер патента: EP4322715A1. Автор: Tae Kyoung Kim. Владелец: Absolics Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Substrate for semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080061434A1. Автор: Sang-Jun Kim,Heui-Seog Kim,Wha-Su Sin,Jun-young Ko,Ky-Hyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-13.

Core-substrate, substrate and use of substrate for semiconductor packaging

Номер патента: US20240055341A1. Автор: Tae Kyoung Kim. Владелец: Absolics Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

High-density microbump and probe pad arrangement for semiconductor components

Номер патента: US12033903B1. Автор: Nikhil Jayakumar. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Substrates for semiconductor device assemblies and systems with improved thermal performance and methods for making the same

Номер патента: US20230154823A1. Автор: Chan H. Yoo,Xiaopeng Qu,Hyunsuk CHUN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Heat-Dissipating Structures for Semiconductor Devices and Methods of Manufacture

Номер патента: US20230187307A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Yu-Sheng Huang,Shih-Chang Ku,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202362A1. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Method and core materials for semiconductor packaging

Номер патента: US8456016B2. Автор: Xiwang Qi,Yonggang Li,Amruthavalli P. Alur,Charan K. Gurumurthy,Devarajan Balaraman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-06-04.

Method and core materials for semiconductor packaging

Номер патента: US20100078805A1. Автор: Xiwang Qi,Yonggang Li,Amruthavalli P. Alur,Charan K. Gurumurthy,Devarajan Balaraman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Method and core materials for semiconductor packaging

Номер патента: US20100289154A1. Автор: Xiwang Qi,Yonggang Li,Charan K. Gurumurthy,Devarajan Balaraman,Amruthavalll P. Alur. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Semiconductor package having a semiconductor element and a wiring structure

Номер патента: US12057324B2. Автор: Jie Zhang,Feng Qin,Tingting Cui,Kerui XI,Xuhui Peng. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Breakable substrate for semiconductor die

Номер патента: US20180323156A1. Автор: Chuan Cheah,Eung San Cho. Владелец: Infineon Technologies Americas Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Shielding assembly for semiconductor packages

Номер патента: US20240006338A1. Автор: Min Suet LIM,Jiun Hann Sir,Poh Boon Khoo,Yew San Lim,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Pcb based semiconductor package with impedance matching network elements integrated therein

Номер патента: WO2017140737A1. Автор: Qianli MU,Asmita Dani,Cristian Gozzi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-24.

Heat dissipation in semiconductor packages and methods of forming same

Номер патента: US12074148B2. Автор: Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Lee-Chung Lu,Keh-Jeng Chang,Yu-Hao Chen,Jyh Chwen Frank Lee,Yii-Chian Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Heat Dissipation in Semiconductor Packages and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240371839A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Lee-Chung Lu,Keh-Jeng Chang,Yu-Hao Chen,Jyh Chwen Frank Lee,Yii-Chian Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor packages and methods of forming same

Номер патента: US20240234302A1. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Tsung-Ding Wang,Yu-Min LIANG,Jung Wei Cheng,Li-Wei Chou,Hao-Cheng Hou,Hung-Jen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package and method

Номер патента: US20240203907A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230107554A1. Автор: Dong Su Kim,Jong Min YOOK,Je In YU. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor package, package forming method, and power supply module

Номер патента: US20240203843A1. Автор: LIN Liang,Qiao CHEN,Yi Ming LIANG,Junjie QIU. Владелец: Shenzhen STS Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor package having electrode on side surface, and semiconductor device

Номер патента: US20120326293A1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Shouichi Kobayashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor package structure and semiconductor module including the same

Номер патента: US20200321270A1. Автор: SunWon Kang,Youngjoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor package and production method thereof

Номер патента: US20030173664A1. Автор: Tsutomu Ohuchi,Fumiaki Kamisaki. Владелец: Ars Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor package substrate, semiconductor package using the substrate, and method of manufacturing semiconductor package substrate

Номер патента: US20100224988A1. Автор: Koji Hosokawa,Atsushi Tomohiro. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-09.

Three-dimensional semiconductor package

Номер патента: US20240321840A1. Автор: Peng Zhang,Jingfan YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor package device

Номер патента: US12087744B2. Автор: Dongkyu Kim,Seokhyun Lee,Yeonho JANG,Jaegwon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for fabricating semiconductor package and semiconductor package using the same

Номер патента: US09881864B2. Автор: Seung Woo Lee,Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Sang Goo Kang. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor packages and methods of forming same

Номер патента: US12142560B2. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Tsung-Ding Wang,Yu-Min LIANG,Jung Wei Cheng,Li-Wei Chou,Hao-Cheng Hou,Hung-Jen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor package

Номер патента: US20220037295A1. Автор: Hyunsoo Chung,Myungkee CHUNG,Taewon YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor package

Номер патента: US20240274588A1. Автор: Yun-seok Choi,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Multi terminal capacitor within input output path of semiconductor package interconnect

Номер патента: US20180053717A1. Автор: Charles L. Arvin,Jean Audet,Charles L. REYNOLDS,Brian R. Sundlof,Brian W. Quinlan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Interposer structure for semiconductor package including peripheral metal pad around alignment mark and methods of fabricating same

Номер патента: US20230395521A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Package for semiconductor device including guide rings and manufacturing method of the same

Номер патента: US9018041B2. Автор: Han-Shin Youn,Sungwoo Park,Woojae Kim,Yonghwan Kwon,YoungHoon Ro. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-28.

Package for semiconductor device including guide rings and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140051243A1. Автор: Han-Shin Youn,Sungwoo Park,Woojae Kim,Yonghwan Kwon,YoungHoon Ro. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-20.

Wirebonded device packages for semiconductor devices having elongated electrodes

Номер патента: WO2006119485A2. Автор: Norman Glyn Connah. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240178116A1. Автор: Shih-Ting Hung,Shin-puu Jeng,Yi-Wen WU,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor package

Номер патента: US20230320106A1. Автор: Kyung Don Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200350283A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor package having varying conductive pad sizes

Номер патента: US10700030B2. Автор: Chih-Hao Lin,Chien-Kuo Chang,Chung-Chih Chen,Tzu-Kai Lan,Jr-Lin HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Method for fabricating stack structure of semiconductor packages

Номер патента: US8420521B2. Автор: Han-Ping Pu,Cheng-Hsu Hsiao,Ho-Yi Tsai,Fang-Lin Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187411A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12033978B2. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for fabricating stack structure of semiconductor packages

Номер патента: US20110070697A1. Автор: Han-Ping Pu,Cheng-Hsu Hsiao,Ho-Yi Tsai,Fang-Lin Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Ceramic semiconductor package seal rings

Номер патента: US20220384369A1. Автор: LI Jiang,Rajen Manicon Murugan,Yiqi Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Ceramic semiconductor package seal rings

Номер патента: US20230197642A1. Автор: LI Jiang,Rajen Manicon Murugan,Yiqi Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Ceramic semiconductor package seal rings

Номер патента: US11881460B2. Автор: LI Jiang,Rajen Manicon Murugan,Yiqi Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for manufacturing semiconductor package using sacrificial layer and semiconductor package manufactured by using thereof

Номер патента: US20240096820A1. Автор: Young Lyong Kim,Hyun Soo Chung,In Hyo HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor package

Номер патента: US20240321775A1. Автор: Hyunggil Baek,Minwoo CHO,ShleGe Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor package including interposer

Номер патента: US20230317623A1. Автор: Jong-Youn Kim,Seok-hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor package having an emi shielding layer

Номер патента: WO2017172076A1. Автор: Rajendra C. DIAS,Reynaldo Alberto Olmedo,Anna M. Prakash,Eric Jin Li,Venmathy McMahan,Ann Jinyan Xu,Sriya Sanyal,Joshua David Heppner. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor packages using package in package systems and related methods

Номер патента: US20240258268A1. Автор: Inpil Yoo,Jerome Teysseyre,Seungwon Im,Maria Cristina Estacio,JooYang EOM. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Forming Compliant Contact Pads For Semiconductor Packages

Номер патента: US20090200681A1. Автор: WEI Shi,Daoqiang Lu,Qing Zhou,Jiangqi He. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-13.

Forming Compliant Contact Pads for Semiconductor Packages

Номер патента: US20110175230A1. Автор: WEI Shi,Daoqiang Lu,Qing Zhou,Jiangqi He. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-21.

Forming compliant contact pads for semiconductor packages

Номер патента: US7939922B2. Автор: WEI Shi,Daoqiang Lu,Qing Zhou,Jiangqi He. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-05-10.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155933A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US7696617B2. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Method of manufacturing package substrate and semiconductor package

Номер патента: US09905438B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Ming-Chen Sun,Tzu-Chieh Shen,Shih-Chao Chiu,Yu-Cheng Pai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Matrix form semiconductor package substrate having an electrode of serpentine shape and method for forming

Номер патента: US20020145178A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Chender Huang,Chung-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Cavity wall structure for semiconductor packaging

Номер патента: US20200321273A1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Hua Hong Tan,Kriangsak Sae LE,Paweena PHATTO,Wilson Poh Leng ONG,Somsak PHUKRONGHIN. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP4235762A3. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20050006744A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Connection board, and multi-layer wiring board, substrate for semiconductor package and semiconductor package using connection board, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090008141A1. Автор: Fumio Inoue,Shigeharu Arike,Akishi Nakaso,Tetsuya Enomoto,Norio Moriike,Hidehiro Nakamura,Kousuke Hiroki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor packaging device and manufacturing method for semiconductor packaging device

Номер патента: US20240347484A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190067142A1. Автор: Jen-Kuang Fang,Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Film for semiconductor package, semiconductor package using film and display device including the same

Номер патента: US09922891B2. Автор: Donghan Kim,Jeong-kyu Ha,JaeMin JUNG,Soyoung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of testing semiconductor package

Номер патента: US11769698B2. Автор: Victor Chiang Liang,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Chwen-Ming Liu,Chi-Hui Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor package device and method for forming the same

Номер патента: US20240258218A1. Автор: Cheng-Chi Wang,Shih-Kang Lin,Kuan-Hsueh LIN. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing package substrate and semiconductor package

Номер патента: US20170236725A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Ming-Chen Sun,Tzu-Chieh Shen,Shih-Chao Chiu,Yu-Cheng Pai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230282582A1. Автор: Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Gyuho KANG,Seong-Hoon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Substrate for semiconductor package and process for manufacturing

Номер патента: US20160104667A1. Автор: Chun-Che Lee,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Substrate for semiconductor package and process for manufacturing

Номер патента: US20150021766A1. Автор: Chun-Che Lee,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Substrate for semiconductor package and process for manufacturing

Номер патента: US20140008814A1. Автор: Chun-Che Lee,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Interposer substrate designs for semiconductor packages

Номер патента: US09905491B1. Автор: DeokKyung Yang,In Sang Yoon,SeongHun Mun. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20080042258A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155114A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Package frame and method of manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20160120032A1. Автор: Soojae Park,Geunwoo Kim,Keunho Jang,Younjo Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor packaging including photovoltaic particles having a core-shell structure

Номер патента: US11901468B2. Автор: Sunggue Lee,Hyeonwoo Ahn. Владелец: Softpv Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP4235762A2. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20160307861A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP2936558A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-10-28.

Semiconductor package with multiple molding routing layers and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09922843B1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Suebphong Yenrudee. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for reproducing printed circuit boards for semiconductor packages including poor quality printed circuit board units and method for fabricating semiconductor packages using the reproduced printed circuit boards

Номер патента: US5897334A. Автор: Sun Ho Ha,Byung Joon Han,Young Wook Heo. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-27.

Semiconductor package with multiple molding routing layers and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09917038B1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Suebphong Yenrudee. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Soldering interconnect method for semiconductor packages

Номер патента: US5092034A. Автор: Marvin G. Wong,John M. Altendorf. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1992-03-03.

Overcurrent protection circuit for semiconductor device

Номер патента: CA1304171C. Автор: Takeshi Sekiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-06-23.

Redistribution Structures for Semiconductor Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230268196A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Land structure for semiconductor package and method therefor

Номер патента: US11908779B2. Автор: Ji Young Chung,Gi Jeong Kim,Byong Jin Kim,Hyung Il Jeon,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Redistribution Structures for Semiconductor Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210327726A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Stem for semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US20230344193A1. Автор: Masao Kainuma. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Redistribution structures for semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US11923207B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Five-side mold protection for semiconductor packages

Номер патента: US20230326821A1. Автор: Wen Hung HUANG,Kuan-Hsiang Mao,Wen Yuan Chuang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-12.

Five-side mold protection for semiconductor packages

Номер патента: EP4258326A1. Автор: Wen Hung HUANG,Kuan-Hsiang Mao,Wen Yuan Chuang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-11.

Hybrid exposure for semiconductor devices

Номер патента: WO2017099875A1. Автор: Thorsten Meyer,Robert L. Sankman,Gerald Ofner. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-06-15.

Bonding wire for semiconductor package

Номер патента: US20240096516A1. Автор: Min BAEK,Woong Chul Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-21.

Land structure for semiconductor package and method therefor

Номер патента: US20240194572A1. Автор: Ji Young Chung,Gi Jeong Kim,Byong Jin Kim,Hyung Il Jeon,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor package structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11862585B2. Автор: Syu-Tang LIU,Huang-Hsien CHANG,Shu-Han YANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Silicon carbide interconnect for semiconductor components and method of fabrication

Номер патента: US20030143764A1. Автор: Salman Akram,Alan Wood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor packages including gap in interconnection terminals and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160043057A1. Автор: Jungwoo Kim,Jingyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor package containing silicon-on-insulator die mounted in bump-on-leadframe manner to provide low thermal resistance

Номер патента: US20140035133A1. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Column grid array for semiconductor packaging and method

Номер патента: US5989935A. Автор: Donald C. Abbott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Electrical contact for semiconductor package

Номер патента: US11811180B2. Автор: Thomas Spann,Yong Ai-Ong. Владелец: IXYS Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2023-11-07.

Substrate for semiconductor package having coating film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090174073A1. Автор: Woong Sun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11804461B2. Автор: Che-Ting Liu,Ming-Chi Liu,Yu-Ting LU,Kai-Chiang Hsu,Yu-Ping Tsai. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Substrates for semiconductor packages, including hybrid substrates for decoupling capacitors, and associated devices, systems, and methods

Номер патента: US20220352052A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Substrates for semiconductor packages, including hybrid substrates for decoupling capacitors, and associated devices, systems, and methods

Номер патента: US20240128163A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Substrates for semiconductor packages, including hybrid substrates for decoupling capacitors, and associated devices, systems, and methods

Номер патента: US11894289B2. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12021017B2. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor package interposer having encapsulated interconnects

Номер патента: WO2017105609A1. Автор: Javier A. FALCON,Robert Leon SANKMAN,Akshay Mathkar,William Nicholas LABANOK,Donald Tiendung TRAN,Nachiket Raghunath RARAVIKAR,Jerry Lee JENSEN,Robert Allen STINGEL. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-22.

IGBT power semiconductor package having an electrically conductive clip

Номер патента: EP2498289A3. Автор: Hsueh-Rong Chang. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2017-08-16.

IGBT Power Semiconductor Package Having a Conductive Clip

Номер патента: US20120223415A1. Автор: Hsueh-Rong Chang. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297110A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of restricting micro device on conductive pad

Номер патента: US20200315029A1. Автор: Li-Yi Chen. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210074664A1. Автор: Che-Ting Liu,Yu-Pin Tsai,Ming-Chi Liu,Yu-Ting LU,Kai-Chiang Hsu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240063163A1. Автор: Che-Ting Liu,Yu-Pin Tsai,Ming-Chi Liu,Yu-Ting LU,Kai-Chiang Hsu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120032341A1. Автор: Shin-Hua Chao,Chih-Ming Chung,Chao-Yuan Liu,Hui-Ying HSIEH. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor package and method

Номер патента: US12021053B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor package structures and methods of manufacture

Номер патента: US20230317576A1. Автор: Dennis Lee Conner,Jay A. Yoder,Stephen St. Germain,Frank Robert CERVANTES,Andrew Celaya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20140011325A1. Автор: Shin-Hua Chao,Chih-Ming Chung,Chao-Yuan Liu,Hui-Ying HSIEH. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor package and package substrate including vent hole

Номер патента: US20230005829A1. Автор: Jun Sik Kim,Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor package and package substrate including vent hole

Номер патента: US11682614B2. Автор: Jun Sik Kim,Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor packages

Номер патента: US20190237397A1. Автор: Jae Woong Yu,So Hyun JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Printed circuit board including conductive pad and electric device using the same

Номер патента: US20230199953A1. Автор: Bongsoo Kim,Gyeongmin JIN,Jaebum LEE,Hakjoon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274541A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsuan Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor packages and method for fabricating the same

Номер патента: US20240128145A1. Автор: Dongkyu Kim,Hyeonjeong Hwang,Hyeonseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240304507A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Geza DEZSI. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor packages

Номер патента: US12087657B2. Автор: Woojae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor Package and Method

Номер патента: US20240304585A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Packaging substrate, semiconductor package and electronic device

Номер патента: EP4432350A1. Автор: Zhenhua Yuan,Xusheng LIU,Xiping Peng. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Power semiconductor package

Номер патента: WO2024186530A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Geza DEZSI. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Wiring structure, method for manufacturing same, and semiconductor package

Номер патента: US12114437B2. Автор: Kazuyuki Mitsukura,Masaya TOBA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Robust high performance semiconductor package

Номер патента: US09899282B2. Автор: Wayne Partington. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and system for an improved package substrate for use with a semiconductor package

Номер патента: US20060237222A1. Автор: Eiichi Hosomi,Yuichi Goto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Bonding structure of semiconductor package device, semiconductor package device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170431A1. Автор: Taehyung Kim,Mi Hyae Park,Chang-kun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Molded leadframe substrate semiconductor package

Номер патента: US20130243893A1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Somchai Nondhasitthichai. Владелец: UTAC Thai Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor package and process for fabricating same

Номер патента: US20140151876A1. Автор: Yuan-Chang Su,Shih-Fu Huang,Chia-Cheng Chen,Tzu-Hui Chen,Kuang-Hsiung Chen,Pao-Ming Hsieh,Chia-Hsiung Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor package

Номер патента: US20240170388A1. Автор: Eiichi Furukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor package

Номер патента: US20220392880A1. Автор: In-jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230335476A1. Автор: Sung Bum Kim,Yun Seok Choi,Dae Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor package with dual second level electrical interconnections

Номер патента: WO2016064510A1. Автор: Elad Baram,Naveen Kini,Abhishek Ramesh TAMBAT,Pradip GHIMIRE. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor packaging method and semiconductor packaging structure

Номер патента: US20230170318A1. Автор: Xufeng Tu,Yan Huo. Владелец: SIPLP Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor packaging method and semiconductor packaging structure

Номер патента: US20240203922A1. Автор: Weiyuan Yang. Владелец: SIPLP Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Heat slug attached to a die pad for semiconductor package

Номер патента: US12136588B2. Автор: Woochan Kim,Vivek Kishorechand Arora. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Chip to Lead Interconnect in Encapsulant of Molded Semiconductor Package

Номер патента: US20200321269A1. Автор: Chau Fatt Chiang,Khay Chwan Saw. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor package and methods of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US12087717B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Thomas Feil,Martin Poelzl,Danny Clavette,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor die, manufacturing method thereof, and semiconductor package

Номер патента: US20210057303A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor die, manufacturing method thereof, and semiconductor package

Номер патента: US20230369157A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor die, manufacturing method thereof, and semiconductor package

Номер патента: US11817363B2. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device having bump structures and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200075524A1. Автор: Dong Hoon Lee,Dong Chan Lim,Su Jeong Park,Ju Bin SEO,Ju Il CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor package substrate, semiconductor package including the same, and method of manufacturing the semiconductor package substrate

Номер патента: US20230317574A1. Автор: Jinwoo Lee,Suyoen SON,Hosang Yu,Jinseop JANG. Владелец: Haesung DS Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

A semiconductor package assembly

Номер патента: EP4350764A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Tim Böttcher,Ivan Shiu. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-10.

Spacer Frame for Semiconductor Packages

Номер патента: US20220005752A1. Автор: Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor package of multi stack type

Номер патента: US20100123237A1. Автор: Jin-Hee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor package assembly and semiconductor package substrate module

Номер патента: US20240153890A1. Автор: Chia Fong CHOU,Ta Wei CHOU,Hui-Lung HSU. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor package with releasable isolation layer protection

Номер патента: US12080625B2. Автор: Yee Beng DARYL YEOW,Chii Shang Hong,Li Fong Chong,Azlina KASSIM,Hui Kin Lit. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Common Drain Exposed Conductive Clip for High Power Semiconductor Packages

Номер патента: US20120292754A1. Автор: Eung San Cho. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-11-22.

Connectable package extender for semiconductor device package

Номер патента: US09892991B2. Автор: Theng Chao Long,Tian San Tan,Ming Kai Benny Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor package with cantilever pads

Номер патента: US09899236B2. Автор: Godfrey Dimayuga,Jefferson Talledo. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2018-02-20.

Adaptive Flip Chip Bonding for Semiconductor Packages

Номер патента: US20240213035A1. Автор: Swee Kah Lee,Fong Mei Lum,Chew Yeek Lau,Kon Hoe Chin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US09922844B2. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Lead adapters for semiconductor package

Номер патента: US12113000B2. Автор: Adrian Lis,Ajay Poonjal Pai,Tino Karczewski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-08.

Conductive clip connection arrangements for semiconductor packages

Номер патента: US20190080989A1. Автор: Laxminarayan Sharma,Stuart B. Molin. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Conductive clip connection arrangements for semiconductor packages

Номер патента: WO2018127845A1. Автор: Laxminarayan Sharma,Stuart B. Molin. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Clips for semiconductor packages

Номер патента: US20210013171A1. Автор: Abdul Rahman Mohamed,Mohd Kahar Bajuri,Ke Yan Tean,Siang Kuan Chua. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for manufacturing a semiconductor package having a conductive pad with an anchor flange

Номер патента: US11848254B2. Автор: Chung-Hsiung Ho,Chi-Hsueh Li. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for manufacturing a semiconductor package having a conductive pad with an anchor flange

Номер патента: US20220122904A1. Автор: Chung-Hsiung Ho,Chi-Hsueh Li. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220005749A1. Автор: Chung-Hsiung Ho,Chi-Hsueh Li. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Tape for semiconductor package and cutting method thereof

Номер патента: US20080185171A1. Автор: PENG Wang,Hangbin Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20180166297A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20150264814A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Covers for semiconductor package components

Номер патента: US11784103B2. Автор: Sreenivasan Kalyani Koduri,Leslie Edward Stark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Covers for semiconductor package components

Номер патента: US20240038609A1. Автор: Sreenivasan Kalyani Koduri,Leslie Edward Stark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Spot-Solderable Leads for Semiconductor Device Packages

Номер патента: US20190318983A1. Автор: Ken Pham,Manu A. Prakuzhy,Siva P. Gurrum,Daryl R. Heussner,Stefan W. Wiktor. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20150262840A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for manufacturing substrate material for semiconductor package, prepreg, and substrate material for semiconductor package

Номер патента: US20230331946A1. Автор: Hiroaki Fujita,Masaki Takahashi,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Singulation method for semiconductor package with plating on side of connectors

Номер патента: US20120049335A1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Somchai Nondhasitthichai. Владелец: UTAC Thai Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Lead Adapters for Semiconductor Package

Номер патента: US20230178460A1. Автор: Adrian Lis,Ajay Poonjal Pai,Tino Karczewski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-06-08.

Leads for semiconductor package

Номер патента: US20210020549A1. Автор: Jason Chien,Yuh-Harng Chien,J K Ho. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Multi-Transistor Exposed Conductive Clip for Semiconductor Packages

Номер патента: US20130134524A1. Автор: Eung San Cho. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for attaching clip for semiconductor package, and multi-clip attaching apparatus therefor

Номер патента: MY196834A. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Lead frame for semiconductor package with enhanced stress relief

Номер патента: US20140264793A1. Автор: Jian Wen,Kai Yun Yow,Alexander M. Arayata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

A semiconductor package and a method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: FI128296B. Автор: Kimmo KAIJA. Владелец: Murata Manufacturing Co. Дата публикации: 2020-02-28.

Semiconductor packages including interconnectors and methods of fabricating the same

Номер патента: US09941253B1. Автор: Jin Woo Park,Yeon Seung Jung,Joo Wan Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Power Module with Semiconductor Packages Mounted on Metal Frame

Номер патента: US20240258216A1. Автор: Andreas Grassmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package structure having a heat sink frame connected to a lead frame

Номер патента: US9673138B2. Автор: Zhou CAO. Владелец: Great Team Backend Foundry Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor package

Номер патента: US20240282750A1. Автор: Kyungsuk Oh,Seokbeom Yong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor package apparatus

Номер патента: US20090032916A1. Автор: Sang-Wook Park,Dong-Kil Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Stacked assembly of semiconductor packages with fastening lead-cut ends of leadframe

Номер патента: US20090127678A1. Автор: Wen-Jeng Fan. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Thermally enhanced leadless semiconductor package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20190051585A1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Nataporn Charusabha,Roel Adeva ROBLES,Preecha JOYMAK,Antonio Bambalan DIMAANO JR.. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor package having multi-phase power inverter with internal temperature sensor

Номер патента: US09899302B2. Автор: Dean Fernando,Roel Barbosa,Toshio Takahashi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of Manufacturing a Semiconductor Package, Such Semiconductor Package as well as an Electronic System Comprising a PCB Element and at Least Such Semiconductor Package

Номер патента: US20240120247A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Tim Böttcher,Wai Man Wong,Regnerus Hermannus POELMA,Jannik Entringer,Yuet Keung Cheung,Chun Ning Chan. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor package with wettable flank and related methods

Номер патента: US20220208658A1. Автор: Chee Hiong Chew,Soon Wei Wang,Hui Min LER. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor package with wettable flank

Номер патента: US20230073330A1. Автор: Chee Hiong Chew,Soon Wei Wang,Hui Min LER. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor package with wettable flank and related methods

Номер патента: US20230073773A1. Автор: Chee Hiong Chew,Soon Wei Wang,Hui Min LER. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Clip structure and semiconductor package using the same

Номер патента: US20190019746A1. Автор: Yun hwa CHOI,Armand Vincent Corazo JEREZA. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor chip, semiconductor package including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240071942A1. Автор: Chungsun Lee,Jihwan HWANG,Young Kun JEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor devices, semiconductor packages, and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11728297B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Ho-Jin Lee,Kwang-jin Moon,Ju-Il Choi,Dong-Chan Lim,Ju-Bin Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor package for improving bonding reliability

Номер патента: US11658139B2. Автор: Jaehyung Park,Hoonjoo NA,Seokho KIM,Seongmin Son,Kyuha Lee,Yikoan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor package including a redistribution line

Номер патента: US20190214423A1. Автор: Sang-uk Han,Ji Hwang Kim,Chajea JO,Hyoeun Kim,JongBo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor package including a redistribution line

Номер патента: US20190333957A1. Автор: Sang-uk Han,Ji Hwang Kim,Chajea JO,Hyoeun Kim,JongBo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor package including a semiconductor chip having a redistribution layer

Номер патента: US20210366853A1. Автор: Jong Hyun Kim,Ki Young Kim,Seung Hwan Kim,Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor package device

Номер патента: US20220301969A1. Автор: Sangwoo Pae,Hyunggyun NOH,Jinsoo Bae,Gun-Hee Bae,Deok-Seon Choi,Il-Joo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Package substrates, semiconductor packages having the same, and methods of fabricating the semiconductor packages

Номер патента: US20130288431A1. Автор: Jin-woo Park,Hwan-Sik Lim,Eunchul Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor packages having through electrodes and methods of fabricating the same

Номер патента: US09853012B2. Автор: Tae-Je Cho,In-Young Lee,Hyunsoo Chung,Jongyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor package

Номер патента: US20240006382A1. Автор: Wonjung Jang,Jungseok AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240105679A1. Автор: SANGHOON Lee,Sang Cheon Park,Un-Byoung Kang,Hyunchul Jung,Jumyong Park,Young Kun JEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor package, buffer wafer for semiconductor package, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20200294869A1. Автор: Joo Hyung Lee,Chan Hee JEONG,Hyun Ki Seo,Jae Gil Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor packages

Номер патента: US20230019350A1. Автор: Wooseup HWANG,Hyeyeong JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor package, semiconductor system, and method of forming semiconductor package

Номер патента: US20210384116A1. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234373A9. Автор: Seungduk Baek,Aenee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Adaptive Interconnect Structure for Semiconductor Package

Номер патента: US20240071965A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Yu-Sheng Huang,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Contact system for semiconductor devices

Номер патента: US3632436A. Автор: Richard Denning. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-01-04.

Polarization defined zero misalignment vias for semiconductor packaging

Номер патента: US20190198467A1. Автор: Robert A. May,Hiroki Tanaka,Aleksandar Aleksov,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor Package and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20210375721A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Conductive pads forming method

Номер патента: US09735119B1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Surface Treatment Method and Apparatus for Semiconductor Packaging

Номер патента: US20210050281A1. Автор: Tin-Hao Kuo,Chih-Horng Chang,Jie-Cheng Deng,Ying-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Surface treatment method and apparatus for semiconductor packaging

Номер патента: US11776880B2. Автор: Tin-Hao Kuo,Chih-Horng Chang,Jie-Cheng Deng,Ying-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Polarization defined zero misalignment vias for semiconductor packaging

Номер патента: US10453812B2. Автор: Robert A. May,Hiroki Tanaka,Aleksandar Aleksov,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Polarization defined zero misalignment vias for semiconductor packaging

Номер патента: US20190363059A1. Автор: Robert A. May,Hiroki Tanaka,Aleksandar Aleksov,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor package and method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US10811342B2. Автор: Petteri Palm,Robert Fehler,Sergey Yuferev. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-10-20.

A metallized structure on the back of silicon wafer and its manufacturing methods

Номер патента: AU2020104420A4. Автор: Ruifeng GAO,Jungui ZHOU. Владелец: Nanjing Inst Product Quality Inspection. Дата публикации: 2021-04-15.

Joint structure in semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240339432A1. Автор: Chih-Wei Wu,Shang-Yun Hou,Ying-Ching Shih,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Cheng-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor package

Номер патента: US20240332256A1. Автор: Jing Cheng Lin,Young Kun JEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: WO2023222204A1. Автор: Gilberto Curatola,Mirko Bernardoni,Lasse Petteri PALM. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Direct cooling type semiconductor package unit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266251A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of fabricating a semiconductor package having mold layer with curved corner

Номер патента: US09929131B2. Автор: Hyein YOO,Yeongseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor package integrated with memory die

Номер патента: US20180061786A1. Автор: Sheng-Mou Lin,Chih-Chun Hsu,Wen-Chou Wu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Production method for semiconductor package

Номер патента: US20170033076A1. Автор: Kosuke Morita,Jun Ishii,Goji Shiga,Tsuyoshi Ishizaka,Chie IINO. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Bump for semiconductor package, semiconductor package having bump, and stacked semiconductor package

Номер патента: US20120091584A1. Автор: Ki Young Kim,Qwan Ho Chung,Jin Ho Bae,Sung Ho Hyun,Myung Gun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Interposers for semiconductor devices

Номер патента: US20230317620A1. Автор: Georg Seidemann,Carlton Hanna,Lizabeth Keser,Abdallah Bacha,Eduardo De Mesa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor package with stiffener structure and method forming the same

Номер патента: US12125757B2. Автор: Tsung-Yu Chen,Chien-Chia Chiu,Wensen Hung,Yu-Ling Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20240234223A1. Автор: Tsung-Yu Chen,Wensen Hung,Tsung-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20240055307A1. Автор: Sojeong HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor package including planar stacked semiconductor chips

Номер патента: US09875990B2. Автор: Jong Hyun Kim,Ki Yong Lee,Hyung Ju CHOI,Hyoung Min IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Scalable embedded silicon bridge via pillars in lithographically defined vias, and methods of making same

Номер патента: WO2018118322A1. Автор: Henning Braunisch,Javier Soto Gonzalez,Adel A. Elsherbini,Shawna M. LIFF. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-06-28.

Scalable embedded silicon bridge via pillars in lithographically defined vias, and methods of making same

Номер патента: US20210225807A1. Автор: Henning Braunisch,Javier Soto Gonzalez,Adel A. Elsherbini,Shawna M. LIFF. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Substrate for semiconductor package having a reinforcing member that prevents distortions and method for fabricating the same

Номер патента: US20100117200A1. Автор: Ki Il MOON,Jae Sung OH,Jin Ho Gwon,Chan Sun Lee,Young Hy JUNG,Ki Chae KIM,Jae Youn CHOI. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor package device with antenna array

Номер патента: US09984985B1. Автор: Chung-Hsin Chiang,Kuang-Ting Chi. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Thermal conduction element for semiconductor devices

Номер патента: CA1187208A. Автор: Joseph L. Horvath. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-05-14.

Defect Reduction Through Scheme Of Conductive Pad Layer And Capping Layer

Номер патента: US20230345786A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chih-Chung Lai,Ching Ju Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Thermal Enhanced Power Semiconductor Package

Номер патента: US20240243031A1. Автор: Kuldeep Saxena,Yusheng Lin,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor package

Номер патента: US20240120318A1. Автор: Sang Cheon Park,Kyung Don Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Package-on-package (PoP) semiconductor package and electronic system including the same

Номер патента: US12033991B2. Автор: Tong-Suk KIM,Byeong-Yeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor package with air gap and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343668A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Hybrid Power Rail Formation in Dielectric Isolation for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234317A9. Автор: Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20170338186A1. Автор: Chun-Chi Ke,Fu-Tang HUANG. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor package

Номер патента: US11824027B2. Автор: Shih-Cheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Hybrid Power Rail Formation in Dielectric Isolation for Semiconductor Device

Номер патента: US20240136288A1. Автор: Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Conductive adhesive layer for semiconductor devices and packages

Номер патента: WO2018125451A1. Автор: Mohit Gupta,Ziv BELMAN,Baruch Schiffmann,Ron Wittenberg,Arnon Hirshberg,Suriyakala Ramalingam,Anna M. Prakash,Boxi LIU,Taylor GAINES,Vladimir MALAMUD. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Conductive adhesive layer for semiconductor devices and packages

Номер патента: US20180342463A1. Автор: Mohit Gupta,Ziv BELMAN,Baruch Schiffmann,Ron Wittenberg,Arnon Hirshberg,Suriyakala Ramalingam,Anna M. Prakash,Boxi LIU,Taylor GAINES,Vladimir MALAMUD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Methods of making interconnections for semiconductor circuits

Номер патента: US20020019122A1. Автор: Darwin Clampitt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Contact structure for semiconductor device

Номер патента: US20240274687A1. Автор: Sung-Li Wang,Chien Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Kan-Ju LIN,Tzu-Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Fan-out semiconductor package

Номер патента: US09935068B2. Автор: Han Kim,Kyung Moon JUNG,Young Min BAN. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20080048318A1. Автор: Taro Sakurabayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Patterned gold bump structure for semiconductor chip

Номер патента: US20070187822A1. Автор: Yi-Cheng Chen,Chun-Ping Hu,Chien-Wen Tsai. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor packages having residual stress layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US9741668B2. Автор: Youngbae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor packages having residual stress layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20160005698A1. Автор: Youngbae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device, semiconductor package, electronic device, and method for establishing information processing environment

Номер патента: US20060038270A1. Автор: Masaaki Oka. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device, semiconductor package, electronic device, and method for establishing information processing environment

Номер патента: US20030080417A1. Автор: Masaaki Oka. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20210343569A1. Автор: Seonho Lee,Yeonga KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Structure and method for semiconductor packaging

Номер патента: EP3692572A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-12.

Structure and method for semiconductor packaging

Номер патента: US20230299027A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230078564A1. Автор: HUNG-YI LIN,Yu-Pin Tsai,Cheng-Yuan KUNG,Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Hermetic semiconductor packages

Номер патента: US20220037219A1. Автор: Eakkasit DUMSONG,Mike Jayson CANDELARIO,Phongsak Sawasdee,Jiraphat Charoenratpratoom,Paweena PHATTO,Maythichai SAITHONG. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor package for stress isolation

Номер патента: US20240222310A1. Автор: Kashyap Mohan,Gregory OSTROWICKI,Amit Nangia. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor package including redistribution structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321804A1. Автор: Dowan KIM,Unbyoung Kang,Seokbong Park,Jieun WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for forming a shielding layer over a semiconductor package with reduced metal burrs

Номер патента: US20240347477A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Anti-flare semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20200411576A1. Автор: Shou-Chian Hsu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Anti-flare semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20210343772A1. Автор: Shou-Chian Hsu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-11-04.

Anti-flare semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20230378208A1. Автор: Shou-Chian Hsu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Anti-flare semiconductor packages and related methods

Номер патента: US11756973B2. Автор: Shou-Chian Hsu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Anti-flare semiconductor packages and related methods

Номер патента: US12051711B2. Автор: Shou-Chian Hsu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Mounting devices for semiconductor packages

Номер патента: US20200286810A1. Автор: Francisco Gonzalez Espin,Torbjorn Hallberg,Jose Antonio Castillo. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2020-09-10.

Component for semiconductor package and manufacturing method of component for semiconductor package

Номер патента: US20090121341A1. Автор: Kiyoshi Oi,Teruaki Chino. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-14.

Resin composition for semiconductor sealing, underfill material, mold resin, and semiconductor package

Номер патента: US20240055308A1. Автор: Koichiro Okamoto. Владелец: Sekisui Kasei Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US7843051B2. Автор: In-Sang Song,In-Ku Kang,Kyung-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-30.

Semiconductor package

Номер патента: US7960820B2. Автор: Masahiro Sunohara,Akinori Shiraishi,Yuichi Taguchi,Kei Murayama,Mitsutoshi Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-14.

Semiconductor package

Номер патента: US20240162184A1. Автор: Min Soo Kim,Un-Byoung Kang,Sang-sick Park,Seon Gyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Stem for semiconductor package including eyelet and lead

Номер патента: US12113329B2. Автор: Masao Kainuma. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Low-cost printed circuit board with integral heat sink for semiconductor package

Номер патента: US6337228B1. Автор: Frank J. Juskey,John R. McMillan,Ronald P. Huemoeller. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2002-01-08.

Package substrate for semiconductor package, semiconductor package including the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076105A1. Автор: Kun-Dae Yeom,Yong-Kwan Lee,Baek KI,Tark-Hyun KO,Keun-Ho Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Double-sided adhesive tape, semiconductor packages, and methods of fabricating the same

Номер патента: US20130330881A1. Автор: Ho-geon Song,Jin-woo Park,Seok-hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor device and adjusting method for semiconductor device

Номер патента: US20080268555A1. Автор: Shigetaka Asano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Dielectric waveguide channel for interconnecting dies in a semiconductor package usable in a computing device and method of manufacture

Номер патента: US11715693B2. Автор: Henning Braunisch,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Lid for semiconductor package and package having the lid

Номер патента: US5414300A. Автор: Tetsuya Yamamoto,Yoji Tozawa,Shizuki Hashimoto. Владелец: Sumitomo Metal Ceramics Inc. Дата публикации: 1995-05-09.

Semiconductor packaged device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024087083A1. Автор: Lei Zhang,Jianping Zhang,Chunhua ZHOU,Kai Cao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-02.

Strain-induced shift mitigation in semiconductor packages

Номер патента: US20220208695A1. Автор: Amit Sureshkumar Nangia,Gregory Thomas Ostrowicki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Strain-induced shift mitigation in semiconductor packages

Номер патента: US12068261B2. Автор: Amit Sureshkumar Nangia,Gregory Thomas Ostrowicki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Production method for semiconductor package

Номер патента: US20170032979A1. Автор: Kosuke Morita,Jun Ishii,Goji Shiga,Tsuyoshi Ishizaka,Chie IINO. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

One step capillary underfill integration for semiconductor packages

Номер патента: US20060138622A1. Автор: Tian-An Chen,Daoqiang Lu,Mike Garner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Static control shorting clip for semiconductor package

Номер патента: US4019094A. Автор: Edward H. Dinger,David G. Saben,John R. VanPatten. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1977-04-19.

Cover for semiconductor device packages

Номер патента: US4640438A. Автор: Robert L. Trevison,William E. McKee,Larry B. Hunnel. Владелец: Comienco Ltd. Дата публикации: 1987-02-03.

Method for incorporating a desiccant in a semiconductor package

Номер патента: US4427992A. Автор: Kim Ritchie,James N. Smith. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-01-24.

Graded sealing systems for semiconductor package

Номер патента: US4704626A. Автор: Deepak Mahulikar,Satyam C. Cherukuri. Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1987-11-03.

Header for semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US11955403B2. Автор: Yasuyuki Kimura,Takumi Ikeda. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Compound for semiconductor package, photosensitive resin composition including the same and semiconductor package structure thereof

Номер патента: US20160187776A1. Автор: Yung-Chi Tsai. Владелец: GTA ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor package electrical contact structures and related methods

Номер патента: US20200395217A1. Автор: Michael J. Seddon,Takashi Noma,Francis J. Carney,Yusheng Lin,Eiji KUROSE. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor package for improving the capability of spreading heat and electrical function

Номер патента: US5877552A. Автор: Cheng-Lien Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1999-03-02.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor module, and power conversion device

Номер патента: US10971415B2. Автор: Kazuhiro Suzuki,Kyoko Kojima,Hiroyuki Matsushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor module, and power conversion device

Номер патента: US20200321258A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Kyoko Kojima,Hiroyuki Matsushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Stem for semiconductor package

Номер патента: US20220205628A1. Автор: Masao Kainuma. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20200118962A1. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Meng-Tse Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Test apparatuses for testing semiconductor packages and manufacturing systems for manufacturing semiconductor packages having the same and methods of manufacturing the semiconductor packages using the same

Номер патента: US20210141014A1. Автор: Junyoung Ko,Jiyeon HAN,Jinduck Park,Chansik Kwon,Jongkeun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Stacked semiconductor package in which semiconductor packages are connected using a connector

Номер патента: US20090108430A1. Автор: Qwan Ho Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Stack type semiconductor package module utilizing solder coated stacking protrusions and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070090498A1. Автор: Dae Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor package having partial outer metal layer and packaging method thereof

Номер патента: US20210288003A1. Автор: Ying-Lin Chen,Shih-Chun Chen,Sheng-Tou Tseng,Chin-Ta Wu,Kun-Chi Hsu,Ting-Yeh WU. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Composite material, semiconductor package, and method of manufacturing composite material

Номер патента: US20240304514A1. Автор: Toru Maeda,Daisuke Kondo,Masayuki Ito,Kei Hirai,Shin-ichi Yamagata,Miki Miyanaga. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321823A1. Автор: Sunchul Kim,Donguk Kwon,Gongmyeong KIM,Chaein MOON,Hyeonrae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor package including control chip including chip enable signal control circuit

Номер патента: US20240339435A1. Автор: Ki Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package

Номер патента: US12132063B2. Автор: Masami Suzuki,Daisuke Chino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor package alignment frame for local reflow

Номер патента: US09991223B2. Автор: Thomas A. Boyd,Michael S. BRAZEL,Harvey R. Kofstad,Russell S. Aoki,Anthony P. Valpiani,Daniel P. Carter,Shelby A. Ferguson,Rashelle YEE,Joseph J. JASNIEWSKI,Michael R. Hui,Jonathon R. Carstens. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor package embedded with a plurality of chips

Номер патента: US09966359B2. Автор: Sang Eun Lee,Yong Jae Park,Eun KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Mold release sheet for semiconductor compression molding and semiconductor package which is molded using same

Номер патента: MY198300A. Автор: Masahiko Suzuki,Ryo Tamura,Takuji Ikeya. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device having conductive pads and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20140131862A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chen-Cheng Kuo,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Pillar Design for Conductive Bump

Номер патента: US20140361432A1. Автор: Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Cheng-Lin Huang,Cheng-chieh Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-12-11.

Pillar Design for Conductive Bump

Номер патента: US20170084571A1. Автор: Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Cheng-Lin Huang,Cheng-chieh Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor package and electronic device

Номер патента: US20240145506A1. Автор: Shuichi Oka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for fabricating semiconductor packages

Номер патента: US20050287707A1. Автор: Cheng-Hsu Hsiao,Ho-Yi Tsai,Chien-Ping Huang,Ying-Ren Lin. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor packaging method, semiconductor assembly and electronic device comprising semiconductor assembly

Номер патента: US12046525B2. Автор: Weiping Li. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US8115323B2. Автор: Heui-Seog Kim,Jong-Keun Jeon,Wha-Su Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-14.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20080265431A1. Автор: Heui-Seog Kim,Jong-Keun Jeon,Wha-Su Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-30.

Hybrid bonding mechanisms for semiconductor wafers

Номер патента: US09960129B2. Автор: Xiaomeng Chen,Chen-Jong Wang,Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Szu-Ying Chen,Yeur-Luen Tu,Chih-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US4321284A. Автор: Hisao Yakushiji. Владелец: VLSI Technology Research Association. Дата публикации: 1982-03-23.

A pin for semiconductor packaging

Номер патента: WO2024132158A1. Автор: Yangang WANG,Kongjing LI. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Two-step decapsulation technique for semiconductor package having silver bond wires

Номер патента: US20230138508A1. Автор: Erwin Hendarto. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Two-step decapsulation technique for semiconductor package having silver bond wires

Номер патента: US12106973B2. Автор: Erwin Hendarto. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Adhesive tape for semiconductor package manufacturing process and method for manufacturing same

Номер патента: US20230159800A1. Автор: Byeong Yeon CHOI,Seung Yol LEE,Suk Hee KANG,Gyung Ju YOON. Владелец: Modu Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Production method for semiconductor packages

Номер патента: US20230207334A1. Автор: Shizu FUKUZUMI,Naoya Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Shielding for semiconductor optoelectronic devices and packages

Номер патента: US20180235075A1. Автор: Ziv BELMAN,Baruch Schiffmann,Ron Wittenberg,Arnon Hirshberg,Anna M. Prakash,Taylor GAINES,Vladimir MALAMUD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor package thermal spreader having integrated ef/emi shielding and antenna elements

Номер патента: EP4095899A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Betty Hill-Shan Yeung,Rushik P. Tank,Kabir Mirpuri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-30.

Semiconductor package thermal spreader having integrated EF/EMI shielding and antenna elements

Номер патента: US11935809B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Betty Hill-Shan Yeung,Rushik P. Tank,Kabir Mirpuri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor package thermal spreader having integrated ef/emi shielding and antenna elements

Номер патента: US20230106555A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Betty Hill-Shan Yeung,Rushik P. Tank,Kabir Mirpuri. Владелец: Inc NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor package thermal spreader having integrated rf/emi shielding and antenna elements

Номер патента: US20220384299A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Betty Hill-Shan Yeung,Rushik P. Tank,Kabir Mirpuri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Wafer-level packaging method for semiconductor and semiconductor package

Номер патента: US20240258269A1. Автор: Lixin Zhao. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Isolation bonding film for semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US12087732B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Ming-Tsu Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210305223A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of manufacturing a semiconductor package including a first sub-package stacked atop a second sub-package

Номер патента: US20220102328A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of manufacturing a semiconductor package including a first sub-package stacked atop a second sub-package

Номер патента: US11646299B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-09.

Semiconductor package structure

Номер патента: US20240047403A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Hsu-Lun Liu,Neng-Chieh CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor package structure comprising via structure and redistribution layer structure and method for forming the same

Номер патента: US11817413B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Hsu-Lun Liu,Neng-Chieh CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Isolation Bonding Film for Semiconductor Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230343747A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Ming-Tsu Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US11769685B2. Автор: Cheng-Chi Wang,Yeong-E Chen,Wen-Hsiang Liao,Hung-Sheng CHOU,Cheng-En CHENG. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for manufacturing semiconductor package

Номер патента: US09953964B2. Автор: Soonbum Kim,JunHo Lee,Hongbin Shi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor package assembly

Номер патента: US20240196537A1. Автор: Hui-Chi TANG,Bo-Jiun Yang,Shao-Chun Ho,Pei-San Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of semiconductor package singulation

Номер патента: WO2007103036A3. Автор: Hem Takiar,Chin-Tien Chiu,Chih Chiang Tung. Владелец: Chih Chiang Tung. Дата публикации: 2007-11-08.

Method of semiconductor package singulation

Номер патента: WO2007103036A2. Автор: Hem Takiar,Chin-Tien Chiu,Chih Chiang Tung. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234354A1. Автор: Wei Yen,Ho-Ming Tong,Chao-Chun Lu. Владелец: Nd Hi Technologies Lab inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Encapsulation warpage reduction for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: US20240266191A1. Автор: Brandon P. Wirz,Liang Chun Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor element and manufacturing method for semiconductor element

Номер патента: US20240322074A1. Автор: Takuya Kadowaki,Tadashi Kawazoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of fabricating semiconductor package and semiconductor package structure including the semiconductor package

Номер патента: US20240266307A1. Автор: Junghyun Roh,Manhee Han,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Underfill film for semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20220199430A1. Автор: Taejin CHOI,Jungjin Lee,Chunggu Lee,Sooin Park. Владелец: Doosan Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Rework Process and Tool Design for Semiconductor Package

Номер патента: US20170125374A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Shih Ting Lin,Tsung-Fu Tsai,Justin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Release film for semiconductor package, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor package using the same

Номер патента: US20240222146A1. Автор: Jeong-Eun Lee,Goan-Hee Yoon. Владелец: Siltech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240145417A1. Автор: Myoungchul Eum,Hyeongwoo JIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of forming hexagonal silicon phase by implanting krypton ions in a film of silicon oxide on a monocrystalline silicon wafer

Номер патента: RU2710479C1. Автор: Давид Исаакович Тетельбаум,Алексей Николаевич Михайлов,Дмитрий Сергеевич Королев,Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин,Валерий Константинович Васильев,Алёна Андреевна Никольская. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-12-26.

Test apparatus for semiconductor package

Номер патента: US20210302468A1. Автор: Bo Hyun Kim,Chang Su Oh. Владелец: TSE Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Header for semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: US20220181525A1. Автор: Wataru KATAYAMA. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Header for semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: US12087886B2. Автор: Wataru KATAYAMA. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Pad structure for semiconductor device connection

Номер патента: US20150270234A1. Автор: Jie Chen,Jing Liu,HONGWEI Li,Huijuan CHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Adhesive composition for semiconductor processing, film comprising same for semiconductor processing, and method for producing semiconductor package using same

Номер патента: US20240254372A1. Автор: Kwang Joo Lee,Ji Ho HAN,Hee Song. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Epoxy resin composition for semiconductor molding, and molding film and semiconductor package using same

Номер патента: EP3696231A1. Автор: Byung Ju Choi,You Jin KYUNG,Woo Jae Jeong,Kwang Joo Lee,Minsu Jeong,Eunbyurl CHO. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-08-19.

Release film for semiconductor package and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230178383A1. Автор: Jeong-Eun Lee,Goan-Hee Yoon. Владелец: Siltech Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Molding apparatus for semiconductor package fabrication and method of molding semiconductor package using the same

Номер патента: NL2017744B1. Автор: CHEON Seung-jin,Park Jong-Woo,CHUN HYUN-SUK,CHOI Kwang-Won,Baick In-Hak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-20.

Method for forming an interface free layer of silicon on a substrate of monocrystalline silicon

Номер патента: US20030060028A1. Автор: Giuseppe Ferla,Peter Ward,Simona Lorenti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-03-27.

Packaging structure of silicon condenser microphone and method for producing thereof

Номер патента: WO2007007929A1. Автор: Sung Ho Park,Jun Lim. Владелец: BSE CO., LTD.. Дата публикации: 2007-01-18.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Anisotropic wet etching of silicon

Номер патента: US20070231540A1. Автор: Tomoyasu Aoshima. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Reflecting contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2535636C2. Автор: Джон И. ЭПЛЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-12-20.

Method for forming an ordered array of silicon nanocrystals or nanoclusters in a dielectric matrix

Номер патента: RU2692406C2. Автор: Александр Афанасьевич Попов,Денис Михайлович Жигунов,Ирина Александровна Каменских. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-06-24.

Manufacture method for semiconductor device having field oxide film

Номер патента: US20060189106A1. Автор: Syuusei Takami,Hiroaki Fukami. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Manufacture Method for Semiconductor Device Having Field Oxide Film

Номер патента: US20080003776A1. Автор: Syuusei Takami,Hiroaki Fukami. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Substrates for semiconductor devices

Номер патента: EP2936550A1. Автор: Wang Nang Wang,Timothy Mollart,Quanzhong Jiang,Christopher Rhys Bowen,Michael John Edwards,Duncan ALLSOPP. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-10-28.

User interface for semiconductor evaluator

Номер патента: US20040122605A1. Автор: Shuji Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Ion implantation for reduced roughness of silicon nitride

Номер патента: US20240332009A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Shan Tang,Kyu-Ha Shim,Chuanxi YANG,Rajesh Prasad,Miguel S. Fung,Fenglin WANG,Prashanthi Para,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Ion implantation for reduced roughness of silicon nitride

Номер патента: WO2024206046A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Shan Tang,Kyu-Ha Shim,Chuanxi YANG,Rajesh Prasad,Miguel S. Fung,Fenglin WANG,Prashanthi Para,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Test fixture for semiconductor packages and test method of using the same

Номер патента: US20030190826A1. Автор: Huan-Ping Su,Soon-Aik Lu. Владелец: UTAC Taiwan Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Manufacturing method for semiconductor laminated film, and semiconductor laminated film

Номер патента: US11972947B2. Автор: Akira Motohashi,Toshiaki Matsui,Yoshiyuki Suda,Takahiro Tsukamoto,Katsumi Okubo,Akifumi Kasamatsu,Takuma YAGI,Kyohei DEGURA,Nobumitsu Hirose. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2024-04-30.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion device, and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027590B2. Автор: Munetaka Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Metal terminal edge for semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20210091177A1. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Da Teng. Владелец: AZ Power Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Materials for semiconductor package mount applications and methods of using the same

Номер патента: US20240107682A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Hsiu-Jen Lin,Chih-Chiang Tsao,Jen-Jui Yu,Hsuan-Ting Kuo,Chao-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130168734A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Flexible press fit pins for semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20190173215A1. Автор: Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol,Yushuang YAO. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-06-06.

Polycrystalline silicon layers for semiconductor devices

Номер патента: GB2130009A. Автор: Alois Erhard Widmer,Gunther Harbeke,Liselotte Krausbauer,Edgar Felix Steigmeier. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1984-05-23.

Manufacturing method for semiconductor laminated film, and semiconductor laminated film

Номер патента: US20190242008A1. Автор: Akira Motohashi,Toshiaki Matsui,Yoshiyuki Suda,Takahiro Tsukamoto,Katsumi Okubo,Akifumi Kasamatsu,Takuma YAGI,Kyohei DEGURA,Nobumitsu Hirose. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2019-08-08.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Working system for semiconductor packaging process and operation method thereof

Номер патента: US20240266197A1. Автор: Hung-Wen Chien,Chin-Chih Hsiao,Tang-Hsin Kuo,I Hsu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Working system for semiconductor packaging process and operation method thereof

Номер патента: US20240266193A1. Автор: Hung-Wen Chien,Chin-Chih Hsiao,Tang-Hsin Kuo,I Hsu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Flexible press fit pins for semiconductor packages and related methods

Номер патента: US10224655B2. Автор: Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol,Yushuang YAO. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-05.

Method of forming a layer of silicon carbide on a silicon wafer

Номер патента: US20070101928A1. Автор: Andre Leycuras. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2007-05-10.

Edge seals for semiconductor packages

Номер патента: US20240194710A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,David T. Price,Kyle Thomas,Rusty WINZENREAD,Bruce Greenwood. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Edge seals for semiconductor packages

Номер патента: US20230261015A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,David T. Price,Kyle Thomas,Rusty WINZENREAD,Bruce Greenwood. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Thermosetting resin composition for semiconductor package, prepreg and metal clad laminate using the same

Номер патента: US12129338B2. Автор: Seunghyun Song,Hyunsung MIN,Hee Yong SHIM,Changbo SHIM,Hwayeon MOON. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Edge seals for semiconductor packages

Номер патента: US11961859B2. Автор: Jeffrey Peter Gambino,David T. Price,Kyle Thomas,Rusty WINZENREAD,Bruce Greenwood. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09875891B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Shane Tang,Karl F. Leeser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Production method for semiconductor device

Номер патента: EP1434272A1. Автор: Ryoji c/o National Institute of Advanced KOSUGI,Kenji c/o National Institute of Advanced FUKUDA,Junji c/o National Institute of Advanced SENZAKI,M. c/o National Institute of Advanced OKAMOTO,S. c/o National Institute of Advanced HARADA,Seiji c/o Sanyo Electric Co. Ltd SUZUKI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2004-06-30.

Metallizing process and structure for semiconductor devices

Номер патента: US4965173A. Автор: Herbert J. Gould. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1990-10-23.

Underfill film for semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US11942336B2. Автор: Taejin CHOI,Jungjin Lee,Chunggu Lee,Sooin Park. Владелец: Doosan Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

Номер патента: EP4280258A1. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Underfill film for semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20240186153A1. Автор: Taejin CHOI,Jungjin Lee,Chunggu Lee,Sooin Park. Владелец: Doosan Corlporation. Дата публикации: 2024-06-06.

Adhesive composition for semiconductor circuit connection, adhesive film for semiconductor, method for manufacturing semiconductor package, and semiconductor package using the same

Номер патента: US20210292618A1. Автор: You Jin KYUNG,Kwang Joo Lee,Youngsam Kim,Minsu Jeong,Junghak Kim,Ju Hyeon Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Coupling a layer of silicon carbide with an adjacent layer

Номер патента: US20240222435A1. Автор: Tahir Ghani,Han Wui Then,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Lateral Etching of Silicon

Номер патента: US20230317465A1. Автор: Aelan Mosden,Sergey Voronin,Pingshan Luan,Hamed Hajibabaeinajafabadi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods and systems for semiconductor structure thickness measurement

Номер патента: US20210295496A1. Автор: Olmez Fatih. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Supporting member for semiconductor elements, and method for driving supporting member for semiconductor elements

Номер патента: US20060040431A1. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: US20240162377A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2024-05-16.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: CA3213630A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2022-09-22.

Stacked semiconductor package having fault detection and a method for identifying a fault in a stacked package

Номер патента: US09972611B2. Автор: Christopher J. Nelson,Lakshminarayana Pappu,Baruch Schnarch,Danka Goldin Schwabova. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09922822B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices

Номер патента: US5464795A. Автор: Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices

Номер патента: US6303481B2. Автор: Dong Su Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Substrate for semiconductor package and semiconductor package having the same

Номер патента: US20150131255A1. Автор: Eun Hye DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Methods for preparing a melt of silicon powder for silicon crystal growth

Номер патента: EP2356268A2. Автор: Steven L. Kimbel,Javidi Massoud. Владелец: SunEdison Products Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2011-08-17.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Patterning material including silicon-containing layer and method for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20230377897A1. Автор: Szu-Ping Tung,Chun-Kai Chen,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Intelligent uniform masks for semiconductor fabrication

Номер патента: US20160161843A1. Автор: Tammy DongLei ZHENG. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device, manufacture and evaluation methods for semiconductor device, and process condition evaluation method

Номер патента: US20060252280A1. Автор: Naoyoshi Tamura,Mitsuaki Hori,Mayumi Shigeno. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Method for polishing leads for semiconductor packages

Номер патента: US6726533B2. Автор: Takeyuki Sato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-27.

Method, system and apparatus for forming leads for semiconductors packages

Номер патента: US5358017A. Автор: Shuji Ide. Владелец: Y K C Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-25.

High-thermal conductive epoxy compound and composition, material for semiconductor package, molded product, electric and electronic device, and semiconductor package including the same

Номер патента: US11926695B2. Автор: In Kim,Jonghoon WON,Hyejeong Lee,Kyeong Pang,Mooho Lee,Songwon Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Highly thermally conductive epoxy compound, and composition, material for semiconductor package, molded product, electric and electronic device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20210147613A1. Автор: In Kim,Jonghoon WON,Kyeong Pang,Mooho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, ELECTRONIC DEVICE, pH SENSOR, BIOSENSOR, PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND PRODUCTION METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20240201125A1. Автор: Makoto NAKAZUMI. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

False collectors and guard rings for semiconductor devices

Номер патента: US20230317775A1. Автор: Alexei Sadovnikov,Guruvayurappan S. MATHUR. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Etchant composition for semiconductor substrates

Номер патента: US20220348825A1. Автор: Myung Ho Lee,Hak Soo Kim,Jeong Sik OH. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160196972A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160211170A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Manufacturing method for semiconductor substrate

Номер патента: US09761479B2. Автор: Naoki Hatta,Takamitsu Kawahara,Tomoatsu Makino,Motoki Kobayashi,Hideki Takagi,Kuniaki Yagi,Hidetsugu Uchida,Ko Imaoka,Toyokazu Sakata,Akiyuki Minami,Yuuichi KURASHIMA. Владелец: Sicoxs Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Header for semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: US11923652B2. Автор: Yasuyuki Kimura,Takumi Ikeda. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Substrate including a dam for semiconductor package, semiconductor package using the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160013077A1. Автор: Seung Taek Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Substrate for semiconductor package, semiconductor package using the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140183724A1. Автор: Seung Taek Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Germanium mediated de-oxidation of silicon

Номер патента: US20210028015A1. Автор: Yong Liang,Vimal Kumar Kamineni. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Germanium mediated de-oxidation of silicon

Номер патента: US20220270874A1. Автор: Yong Liang,Vimal Kumar Kamineni. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Coating components for semiconductor processing with fluorine-containing materials

Номер патента: US20240347336A1. Автор: Jennifer Y. Sun,Zhijun Jiang,Katherine Woo,Nitin Deepak,Ryan Sheil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Coating components for semiconductor processing with fluorine-containing materials

Номер патента: WO2024220286A1. Автор: Jennifer Y. Sun,Zhijun Jiang,Katherine Woo,Nitin Deepak,Ryan Sheil. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor package

Номер патента: US20240321799A1. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Process feed management for semiconductor substrate processing

Номер патента: US09892908B2. Автор: Eric Shero,Fred Pettinger,Carl White,Dave Marquardt,Sokol Ibrani,Todd Dunn,Kyle Fondurulia,Mike Halpin. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming epitaxial array of monocrystalline nanoislands of silicon on sapphire substrate in vacuum

Номер патента: RU2600505C1. Автор: Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2016-10-20.

Etching method of material on basis of silicon with formation of silicon columns and lithium rechargeable battery with anode made from material etched with use of this method

Номер патента: RU2429553C2. Автор: Майно ГРИН,Фенгминг ЛИУ. Владелец: Нексеон Лтд.. Дата публикации: 2011-09-20.

Composition for conductive adhesive, semiconductor package comprising cured product thereof, and method of manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20220077099A1. Автор: Ki-Seok Jang,JiHo JOO,Kwang-Seong Choi,Yong-sung Eom,Gwang-Mun Choi,Chanmi LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-03-10.

Test apparatus for a semiconductor package

Номер патента: US20230384368A1. Автор: Min Cheol Kim,Sol Lee. Владелец: TSE Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: US12014929B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing

Номер патента: US20100129735A1. Автор: Jelm Franse. Владелец: Singulus Mastering BV. Дата публикации: 2010-05-27.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230141093A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for semiconductor gate doping

Номер патента: WO2003021640A2. Автор: Somit Talwar,Cindy Seibel. Владелец: Ultratech Stepper, Inc.. Дата публикации: 2003-03-13.

Method for semiconductor gate doping

Номер патента: EP1421605A2. Автор: Somit Talwar,Cindy Seibel. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2004-05-26.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for measuring thickness of silicon epitaxial layer

Номер патента: US20240282646A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Jiaqi Hong. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

In situ plasma pre-deposition wafer treatment in chemical vapor deposition technology for semiconductor integrated circuit applications and structures fabricated using the treatment

Номер патента: US20030001263A1. Автор: Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

In situ plasma pre-deposition wafer treatment in chemical vapor deposition technology for semiconductor integrated circuit applications

Номер патента: US20010050435A1. Автор: Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Plasma based film modification for semiconductor devices

Номер патента: US20240352575A1. Автор: Timothy J. Miller,Vikram M. Bhosle. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

A system and method for residue entrapment utilizing a polish and sacrificial fill for semiconductor fabrication

Номер патента: WO2000052746A9. Автор: David Ziger,Hunter Brugge. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2002-03-14.

Self-aligned shielding of silicon oxide

Номер патента: US09859128B2. Автор: Fei Wang,Mikhail Korolik,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Device for deposition of ultra-thick layers of polycrystalline silicon

Номер патента: RU2769751C1. Автор: Юрий Николаевич Баранов,Николай Сергеевич Волков,Владимир Петрович Ращинский,Илья Александрович Иванов,Анатолий Арсеньевич Овечкин,Александр Николаевич Локтев. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2022-04-05.

Method for producing heteroepitaxial layers of iii-n compounds on monocrystalline silicon with 3c-sic layer

Номер патента: RU2750295C1. Автор: Владимир Николаевич Стаценко,Сергей Дмитриевич Федотов,Константин Анатольевич Царик,Андрей Вадимович Бабаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ОНСИ". Дата публикации: 2021-06-25.

Method for producing thin membranes of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer membranes obtained by molecular layer precipitation

Номер патента: RU2749573C1. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-06-15.

Method for producing a porous layer of a silicon carbide heterostructure on a silicon substrate

Номер патента: RU2653398C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Михаил Вячеславович Долгополов,Альбина Валентиновна Гурская,Наталья Виленовна Латухина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2018-05-08.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Method for non-damaging surface mounting of silicon crystals and a3b5 type crystals by using shs foil deposited in form of metallizing multilayer nanostructured coating on surface of these crystals

Номер патента: RU2753171C1. Автор: Ольга Евгеньевна Квашенкина,Павел Гарифович Габдуллин,Владислав Евгеньевич Бабюк. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2021-08-12.

Method for obtaining large homogeneous crystals of silicon carbide using distillation and condensation processes

Номер патента: RU2495163C2. Автор: Марк ЛОБОДА,Сеунг-хо ПАРК,Виктор ТОРРЕС. Владелец: Доу Корнинг Корпорейшн. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of surface modification of silicon carbide crystals

Номер патента: RU2745736C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов,Андрей Валерьевич Желаннов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2021-03-31.

Method of processing surface of silicon carbide plates in low-temperature inductively coupled plasma

Номер патента: RU2708812C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Артём Арменакович Осипов,Екатерина Вячеславовна Ендиярова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2019-12-11.

Device for manual alignment of silicon wafers prior to temporary splicing

Номер патента: RU2745297C1. Автор: Дмитрий Иванович Панин,Михаил Михайлович Шаховцев. Владелец: Обществом с ограниченной ответственностью "Маппер". Дата публикации: 2021-03-23.

Salicide recessed local oxidation of silicon

Номер патента: US5254495A. Автор: Water Lur,J. Y. Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1993-10-19.

Insert for semiconductor pacakge and testing apparatus with the same

Номер патента: US20130127484A1. Автор: Seunghee Lee,Minsu Kang,Guiheum Choi,Teaseog Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-23.

Doping for Semiconductor Device with Conductive Feature

Номер патента: US20230352533A1. Автор: Lun-Kuang Tan,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chang-Miao Liu,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Huai-Tei Yang,Kuo-Ju Chen,Chun-Hung Wu,Wei-Ming You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of thermally growing a silicon dioxide layer of substantially uniform thickness in a trench

Номер патента: WO2001024246A1. Автор: Ulrike Gruening,Alexander Michaelis,Uwe Schroeder,Helmut Horst Tews,Stephan Kudelka,Raj Jammy. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-04-05.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: EP2200076A4. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Keiichi Kimura. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2012-06-06.

Doping for semiconductor device with conductive feature

Номер патента: US12015055B2. Автор: Lun-Kuang Tan,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chang-Miao Liu,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Huai-Tei Yang,Kuo-Ju Chen,Chun-Hung Wu,Wei-Ming You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Homoepitaxial layers of p-type zinc oxide and the fabrication thereof

Номер патента: WO2003067644A1. Автор: Henry E. Cantwell,David B. Eason. Владелец: Eagle-Picher Technologies L.L.C.. Дата публикации: 2003-08-14.

Systems and methods for improved heat dissipation in semiconductor packages

Номер патента: WO2012057816A1. Автор: Robert W. Warren,Nic Rossi. Владелец: CONEXANT SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-05-03.

Silicon implantation in substrates and provision of silicon precursor compositions therefor

Номер патента: EP3033765A1. Автор: Ying Tang,Tianniu Chen,Robert Kaim,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Richard S. Ray,James J. Mayer. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2016-06-22.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220085172A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: EP4449478A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Self-aligned shielding of silicon oxide

Номер патента: US09875907B2. Автор: Fei Wang,Mikhail Korolik,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for formation of silicon oxynitride

Номер патента: RU2747421C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-05-04.

Process for selectively etching a layer of silicon dioxide on an underlying stop layer of silicon nitride

Номер патента: US5286344A. Автор: Guy Blalock,David S. Becker,Fred Roe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

Method for producing a low defect layer of silicon-on-sapphire wafer

Номер патента: US4177084A. Автор: Silvanus S. Lau,James W. Mayer,Thomas W. Sigmon. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1979-12-04.

Contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2491683C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Джон И. ЭПЛЕР,Патрик Н. ГРИЙО,Рафаэл I АЛДАЗ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

Copper alloy wire for semiconductor packaging

Номер патента: PH12013000283A1. Автор: Truan-Sheng Lui,Fei-Yi Hung. Владелец: Feng Ching Metal Corp. Дата публикации: 2015-02-09.

A conductive pad for electrical connection of an integrated circuit chip

Номер патента: GB2365622A. Автор: Daniel C Edelstein,George Walker,John G Gaudiello,Carlos J Sambucetti,Judith M Rubino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-02-20.

Method of controlling oxygen incorporation during crystallization of silicon film by excimer laser anneal in air ambient

Номер патента: US6071796A. Автор: Tolis Voutsas. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2000-06-06.

Molding machine for semiconductor package.

Номер патента: MY111308A. Автор: Kwon Kwak Nho. Владелец: Han Mi Mold & Tool Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-30.

Resin composition for semiconductor package and resin coated copper comprising same

Номер патента: US20240043654A1. Автор: Jin Seok Lee,Byeong Kyun Choi,Min Young Hwang,Moo Seong Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Flexible press fit pins for semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20170170582A1. Автор: Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol,Yushuang YAO. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-06-15.

Flexible press fit pins for semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20200176907A1. Автор: Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol,Yushuang YAO. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-06-04.

Grinding element, grinding wheel and manufacturing method of semiconductor package using the same

Номер патента: US20190022827A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Chin-Chuan Chang,Wen-Hua Chang,Yi-Chao Mao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Adhesive resin composition for semiconductor, adhesive film for semiconductor device using the same and dicing die bonding film using the same

Номер патента: US11760907B2. Автор: Kwang Joo Lee,Jong Min JANG,Yu Lin SUN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Adhesive resin composition for semiconductor, adhesive film for semiconductor device using the same and dicing die bonding film using the same

Номер патента: US20220089916A1. Автор: Kwang Joo Lee,Jong Min JANG,Yu Lin SUN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for Fabricating Multiple Layers of Ultra Narrow Silicon Wires

Номер патента: US20160181114A1. Автор: HAO Zhang,Ming Li,Ru Huang,Yuancheng YANG,Jiewen Fan,Haoran Xuan. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-23.

Methods of forming a layer of silicon on a layer of silicon/germanium

Номер патента: US20140057415A1. Автор: Stephan Kronholz,Joachim Patzer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Aerosol deposition and film formation of silicon

Номер патента: WO1992009100A1. Автор: Roger M. Hawk,Kamesh V. Gadepally. Владелец: The Board of Trustees of the University of Arkansas. Дата публикации: 1992-05-29.

Semiconductor package, transport tray for the same, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20210296188A1. Автор: Shogo Ono. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Precursors for deposition of silicon nitride, silicon oxynitride and metal silicon oxynitrides

Номер патента: WO2005121399A1. Автор: Paul Williams,Anthony Copeland Jones,Ravi Kanjolia,Rajesh Odedra,Megan Ravetz. Владелец: Epichem Limited. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor manufacturing apparatus and wafer holding table for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US12046488B2. Автор: Koichi Kimura,Akira Mikumo. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Conductive pad structure, chip package structure and device substrate

Номер патента: US20120146217A1. Автор: Yen-Chieh Lin. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

A method for reducing warpage of silicon carbide substrate

Номер патента: ZA202308586B. Автор: Shen Xiaoyu,Shen Mengfei,Chen Wenjin. Владелец: Huzhou Tony Semiconductor Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Process for producing a monoocrystalline layer of AlN material by transferring a SiC-6H seed to a Si carrier substrate and epitaxially growing the monocrystalline layer of AlN material and substrate for the epitaxial growth of a monocrystalline layer of AlN material

Номер патента: US12071706B2. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-08-27.

Densification of silicon carbide film using remote plasma treatment

Номер патента: US09837270B1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui,Guangbi Yuan,Fengyuan Lai. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of chemical-mechanical polishing of thick layers of cobalt-containing alloys

Номер патента: RU2687649C2. Автор: Валентина Александровна Гайдедей. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КРОКУС НАНОЭЛЕКТРОНИКА". Дата публикации: 2019-05-15.

CVD of silicon oxide using TEOS decomposition and in-situ planarization process

Номер патента: US4872947A. Автор: John M. White,Ilya Perlov,Dan Maydan,David N. Wang,Cissy Leung,Kenneth S. Collins,Kam S. Law,Salvador P. Umotoy,John A. Adamik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1989-10-10.

Method of silicon purification and device for its embodiment

Номер патента: RU2159213C2. Автор: В.М. Меркушкин,И.М. Абдюханов,М.А. Абдюханов,Ю.А. Кузьмин. Владелец: Абдюханов Мансур Абдрахманович. Дата публикации: 2000-11-20.

Device for contact photolithography for semiconductor plates with a base cut

Номер патента: RU2691159C1. Автор: Борис Николаевич Самсоненко. Владелец: Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн"). Дата публикации: 2019-06-11.

Interconnecting wire for semiconductor devices

Номер патента: US4747889A. Автор: Kazuo Sawada,Minoru Yokota,Masanobu Nishio,Hitoshi Kishida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-05-31.

Radiation resistant passivation of silicon solar cells

Номер патента: US5030295A. Автор: Richard M. Swanson,Jon-Yiew Gan,Peter E. Gruenbaum. Владелец: Electric Power Research Institute Inc. Дата публикации: 1991-07-09.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a double layer-consisting of poly si and a silicide-present on a layer of silicon oxide is etched in a plasma

Номер патента: CA1243133A. Автор: Alfred J. Van Roosmalen,Anton P.M. Van Arendonk. Владелец: Anton P.M. Van Arendonk. Дата публикации: 1988-10-11.

Process for PECVD of silicon oxide using TEOS decomposition

Номер патента: US4892753A. Автор: John M. White,Ilya Perlov,Dan Maydan,David N. Wang,Cissy Leung,Kenneth S. Collins,Kam S. Law,Salvador P. Umotoy,John A. Adamik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1990-01-09.

Plasma etching of silicon carbide

Номер патента: WO2002097852A3. Автор: Si Yi Li. Владелец: Si Yi Li. Дата публикации: 2003-04-03.

Cellular structure of silicon carbide device, preparation method for cellular structure of silicon carbide device, and silicon carbide device

Номер патента: EP4191680A1. Автор: Yafei Wang,Chengzhan LI,Haihui Luo,Qijun LIU,Yachao MA. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Conformal deposition of silicon carbide films

Номер патента: US20190259604A1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Conformal deposition of silicon carbide films

Номер патента: US11894227B2. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Conformal deposition of silicon carbide films

Номер патента: US20240145234A1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Carbon replenishment of silicon-containing material

Номер патента: US20240120193A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Shankar Venkataraman,Zeqing Shen,Benjamin Colombeau,Lakmal C. Kalutarage,Sai Hooi YEONG,Jongbeom SEO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Corrosion method of passivation layer of silicon wafer

Номер патента: US20150270139A1. Автор: Qiliang Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Oxidation of silicon on germanium

Номер патента: EP1192647A1. Автор: Hsin-Chiao Luan,Lionel C. Kimerling. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2002-04-03.

Method of calculating thickness of graphene layer and method of measuring content of silicon carbide by using xps

Номер патента: EP3916348A1. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-01.

Method of calculating thickness of graphene layer and method of measuring content of silicon carbide by using xps

Номер патента: US20240151522A1. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of facilitating straining of a semiconductor element for semiconductor fabrication, semiconductor platform obtained by the method, and optoelectronic device comprising the semiconductor platform

Номер патента: US20200105962A1. Автор: Chuan Seng Tan,Jurgen Michel,Yiding Lin. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-02.

Systems and methods for semiconductor adaptive testing using inline defect part average testing

Номер патента: EP4285128A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Oreste Donzella,Chet LENOX,Kara SHERMAN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Hybrid Bonding Systems and Methods for Semiconductor Wafers

Номер патента: US20150287694A1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Shih-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Flexible substrates having semiconductor packages

Номер патента: US20220399388A1. Автор: Nagesh Surendranath,Bradley Andrew Glasscock,Shriram DEVI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor package picker

Номер патента: WO2006001564A1. Автор: Yong-Chae Jo. Владелец: Hanmi Semiconductor Co., Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20130153928A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: EP2563950A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-03-06.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20110266556A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: WO2011137202A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2011-11-03.

Method and system for manufacturing a semiconductor package structure

Номер патента: US20230138460A1. Автор: Che-Ting Liu,Chih-Hsiang Hsu,Jheng-Yu HONG,Yu-Ting LU,Po-Chun LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Method and system for manufacturing a semiconductor package structure

Номер патента: US20220139872A1. Автор: Che-Ting Liu,Chih-Hsiang Hsu,Jheng-Yu HONG,Yu-Ting LU,Po-Chun LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: MY176699A. Автор: Yoshinori Nagao. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2020-08-19.

Buffer chip, semiconductor package including buffer chip and memory chip, memory module, and operation method of semiconductor package

Номер патента: US20240249756A1. Автор: Kwan Dong KIM,Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components

Номер патента: US12104246B2. Автор: Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Apparatus for sawing a semiconductor package

Номер патента: US20200111691A1. Автор: Yong Ki Kim,Yo Se Eum. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Method for manufacturing semiconductor package structure and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US12100686B2. Автор: Yun Di HONG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatus and method for inspecting a semiconductor package

Номер патента: US09911666B2. Автор: Ah Kow Chin,Choong Fatt Ho,Soon Wei Wong,Victor Vertoprakhov. Владелец: SAEDGE VISION SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Selective etching of silicon dioxide compositions

Номер патента: MY147667A. Автор: Stephen Andrew Motika,Glenn Michael Mitchell,Andrew David Johnson. Владелец: Air Prod & Chem. Дата публикации: 2012-12-31.

Method of forming thin, defect-free, monocrystalline layers of semiconductor materials on insulators

Номер патента: US4743567A. Автор: Ranjana Pandya,Andre M. Martinez. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1988-05-10.

Method for forming an insulating film layer of silicon oxynitride on a semiconductor substrate surface

Номер патента: US4282270A. Автор: Takashi Ito,Takao Nozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-08-04.

Passivation of silicon oxide during photoresist burnoff

Номер патента: US4544416A. Автор: Charles G. Meador,Eddie H. Breashears. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1985-10-01.

Mask material for low temperature selective growth of silicon or silicon alloys

Номер патента: US5427630A. Автор: Cyril Cabral, Jr.,James M. E. Harper,Kevin K. Chan,Jack O. Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Preparation method of silicon-based molecular beam heteroepitaxy material, memristor, and use thereof

Номер патента: US11974512B2. Автор: Zhen Zhao,Xiaobing Yan,Haidong HE. Владелец: Hebei University. Дата публикации: 2024-04-30.

Manufacture method for semiconductor device capable of preventing reduction of ferroelectric film

Номер патента: US20100068829A1. Автор: Katsuyoshi Matsuura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150115287A1. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Selective etching of silicon layers in a semiconductor device

Номер патента: US20230317772A1. Автор: Timothy Boles. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Portable enclosure for semiconductor processing

Номер патента: WO2002021580A9. Автор: Taro Yamazaki,Woo Sik Yoo. Владелец: WaferMasters Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Cellular structure of silicon carbide device, method for preparation thereof, and silicon carbide device

Номер патента: EP4254503A1. Автор: Yafei Wang,Wenjie Zhang,Chengzhan LI,Haihui Luo,Yehui LUO. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Portable enclosure for semiconductor processing

Номер патента: WO2002021580A3. Автор: Taro Yamazaki,Woo Sik Yoo. Владелец: WaferMasters Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Carbon replenishment of silicon-containing material

Номер патента: WO2024076860A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Shankar Venkataraman,Zeqing Shen,Benjamin Colombeau,Lakmal C. Kalutarage,Sai Hooi YEONG,Jongbeom SEO. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-11.

Portable enclosure for semiconductor processing

Номер патента: WO2002021580A2. Автор: Taro Yamazaki,Woo Sik Yoo. Владелец: Wafermasters, Inc.. Дата публикации: 2002-03-14.

Gas saver for semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2008020715A1. Автор: Jong-Ha Park. Владелец: Jong-Ha Park. Дата публикации: 2008-02-21.

Wafer edge protective-film-forming composition for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP4398035A1. Автор: Rikimaru Sakamoto,Satoshi Takeda,Takahiro Kishioka,Hayato Hattori,Shunsuke MORIYA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Film for semiconductor and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: SG177573A1. Автор: Hiroyuki Yasuda,Takashi Hirano. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-02-28.

P+ or N+ type doping process for semiconductors

Номер патента: US11769668B2. Автор: Gianluigi MAGGIONI,Davide DE SALVADOR,Daniel Ricardo NAPOLI,Enrico NAPOLITANI. Владелец: Instituto Nazionale di Fisica Nucleare INFN. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20090051013A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-02-26.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US10600660B2. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Epitaxy of silicon-carbon substitutional solid solutions by ultra-fast annealing of amorphous material

Номер патента: WO2007112432A3. Автор: Oleg Gluschenkov,Kern Rim,Yaocheng Liu,Anita Madan,Judson Holt. Владелец: Judson Holt. Дата публикации: 2009-03-26.

Epitaxy of silicon-carbon substitutional solid solutions by ultra-fast annealing of amorphous material

Номер патента: WO2007112432A2. Автор: Oleg Gluschenkov,Kern Rim,Yaocheng Liu,Anita Madan,Judson Holt. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2007-10-04.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Semiconductor package in camera module

Номер патента: US20240258345A1. Автор: Dong Won Kim,Kyoung Won Hyun. Владелец: ZINITIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20110062558A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-03-17.

Apparatus and method for directional solidification of silicon

Номер патента: EP2640874A1. Автор: Dan Smith,Scott Nichol. Владелец: Silicor Materials Inc. Дата публикации: 2013-09-25.

Semiconductor package test method, semiconductor package test device and semiconductor package

Номер патента: US20210265000A1. Автор: Jisoo Choi,Hyukje Kwon,Hyungsuk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Methods and systems for controlling underfill bleed-out in semiconductor packaging

Номер патента: US20240321609A1. Автор: Bilal Khalaf. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Press-fit pin for semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20160276772A1. Автор: Yusheng Lin,Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-09-22.

Press-fit pin for semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20200274310A1. Автор: Yusheng Lin,Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-08-27.

Silicon pole plate and preparation method therefor, use of silicon in fuel cell, fuel cell stack structure, fuel cell and use thereof

Номер патента: EP3806215A1. Автор: Zhengrong Shi,Jingbing ZHU. Владелец: Sunland Shanghai Investment Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Silicon pole plate and preparation method therefor, use of silicon in fuel cell, fuel cell stack structure, fuel cell and use thereof

Номер патента: AU2018426555A1. Автор: Zhengrong Shi,Jingbing ZHU. Владелец: Sunland Shanghai Invest Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Silicon plate, application of silicon to fuel cell, and fuel cell stack structure

Номер патента: US20210151778A1. Автор: Zhengrong Shi,Jingbing ZHU. Владелец: Sunland Shanghai Investment Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Method And System For Silicon-Dominant Lithium-Ion Cells With Controlled Utilization of Silicon

Номер патента: US20240154086A1. Автор: Benjamin Park,Sung Won Choi,Ian Browne,Fred Bonhomme. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method and system for silicon-dominant lithium-ion cells with controlled utilization of silicon

Номер патента: EP4042497A1. Автор: Benjamin Park,Sung Won Choi,Ian Browne,Fred Bonhomme. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2022-08-17.

Method and system for silicon-dominant lithium-ion cells with controlled utilization of silicon

Номер патента: WO2021071695A1. Автор: Benjamin Park,Sung Won Choi,Ian Browne,Fred Bonhomme. Владелец: ENEVATE CORPORATION. Дата публикации: 2021-04-15.

Silicon pole plate and preparation method therefor, use of silicon in fuel cell, fuel cell stack structure, fuel cell and use thereof

Номер патента: AU2018426555B2. Автор: Zhengrong Shi,Jingbing ZHU. Владелец: H2lab Pte Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Circuit board with wire conductive pads and method for fixing the wire conductive pads to the circuit board

Номер патента: US10249971B2. Автор: Kao-Kung Chiu,Shin-Nung Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-04-02.

Condensing device for conductive loop of device for "on scene" extraction of heavy oil and bitumens from oil-sand deposits

Номер патента: RU2622556C2. Автор: Андреас Кох,Дирк ДИЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2017-06-16.

Carbon additives for direct coating of silicon-dominant anodes

Номер патента: EP4059072A1. Автор: Giulia Canton,David J. Lee,Monika Chhorng,Ian Browne,Jill Renee Pestana,Fred Bonhomme. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2022-09-21.

Method and system for improved performance of silicon anode containing cells through formation

Номер патента: EP4018505A1. Автор: Benjamin Park,David J. Lee,Sungwon Choi,Uday KASAVAJJULA. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Manufacturing method of test socket and test method for semiconductor package

Номер патента: US20170118846A1. Автор: Daisuke Yamada,Jae-Ho Song,Young-gi Min,Doug-uhn SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-27.

Resin composition for semiconductor package, copper clad laminate and circuit board having the same

Номер патента: US20230182443A1. Автор: Min Young Hwang,Han Sang KIM,Koh Eun LEE. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Preparation method for semiconductor material leg array and batch preparation method for interface layer of semiconductor material leg array

Номер патента: US20240357934A1. Автор: Xun SHI,Ming Gu,Lidong Chen,Pengfei Qiu. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Protective carrier for semiconductor packages

Номер патента: CA1287695C. Автор: Richard D. Ries,Dewey W. Smith,Spero Payton. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1991-08-13.

Protective carrier for semiconductor packages

Номер патента: US4958214A. Автор: Richard D. Ries,Dewey W. Smith,Spero Payton. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1990-09-18.

Test board for semiconductor packages

Номер патента: GB2130383A. Автор: Tadashi Moriya. Владелец: Risho Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1984-05-31.

Serial interface for semiconductor package

Номер патента: US20230092000A1. Автор: Robert Reed,Benjamin Kerr,Philip Rose. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Serial interface for semiconductor package

Номер патента: US11907140B2. Автор: Robert Reed,Benjamin Kerr,Philip Rose. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Serial interface for semiconductor package

Номер патента: WO2020026194A1. Автор: Robert Reed,Philip Rose,Benjamin James Kerr. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-02-06.

Circuit board for semiconductor testing and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240264219A1. Автор: Shih-Ching Chen,Jun-Liang Lai. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Prepreg, laminate, and production methods therefor, as well as printed circuit board and semiconductor package

Номер патента: US20200404783A1. Автор: Yasuo Kamigata,Akira Shimizu,Shin Takanezawa,Mari Shimizu,Harumi Negishi,Tomohiko Kotake,Kouichi Aoyagi,Daisuke Fujimoto,Sayaka KIKUCHI. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Circuit board with a substrate made of silicon

Номер патента: US20190191555A1. Автор: Wen Yao Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-20.

Connection apparatus for electrically conductive pads and touch control screen

Номер патента: US09807879B2. Автор: Jun Ma,Zhongshou Huang,Jialing Li. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Resin composition for semiconductor package, resin coated copper, and circuit board comprising same

Номер патента: US20240059863A1. Автор: Jeong Han Kim,Yong Suk Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Circuit board with a substrate made of silicon and the methods for forming the same

Номер патента: US20190191554A1. Автор: Wen Yao Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-20.

Insulating joint system for conductive elements in switchgear

Номер патента: RU2556088C2. Автор: Михаэль МАНН,Хаукэ ПЕТЕРС,Бернд БРЮГГЕМАНН. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2015-07-10.

Fitting structure for conductive sheet and electronic device

Номер патента: US20210168940A1. Автор: Manabu Hayahi. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Surfacings for fast-traffic roads and process for their production

Номер патента: AU2505197A. Автор: Klaus Sonnen,Siegfried Sadzulewsky. Владелец: GFB GES fur BAUWERKSABDICHTUNG. Дата публикации: 1997-10-17.

Rolling bearing-supported shaft comprises shaft body made of first material, comprising bearing points respectively having running surface for rolling bodies, which is applied as layer of thermally sprayed second material on shaft body

Номер патента: DE102012015445A1. Автор: Karl Holdik,Thomas Behr,Tilmann Haug. Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2014-02-06.

Test apparatus for semiconductor package

Номер патента: US20140062496A1. Автор: Jun-young Ko,Jae-Ho Choi,Chan-Sik KWON,Seok-Won JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-06.

Tool for semiconductor package

Номер патента: US20080072419A1. Автор: Ming-Yue Chen,Chun-Fu Lin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of determining concentration of electrically active donor impurity in surface layers of silicon by nondestructive method of ultra-soft x-ray emission spectroscopy

Номер патента: RU2709687C1. Автор: Эвелина Павловна Домашевская,Владимир Андреевич Терехов,Константин Александрович Барков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2019-12-19.

Protective inserts to line holes in parts for semiconductor process equipment

Номер патента: US20090023302A1. Автор: Vladimir Kuznetsov,Ernst H.A. Granneman. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2009-01-22.

Method for production of silicon carbide

Номер патента: RU2747988C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2021-05-18.

Coated with layer of refractory alloy article

Номер патента: RU2581937C1. Автор: Пер ШЁДИН,Кристиан ВАЛЬТЕР. Владелец: Альфа Лаваль Корпорейт Аб. Дата публикации: 2016-04-20.

Methods and apparatus for semiconductor packages with window assemblies

Номер патента: US20240228265A1. Автор: Jane Liu,Osvaldo Enriquez,Rafael S. Mendoza. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for the adhesion of a layer of fluorosilicone rubber to a layer of silicone rubber

Номер патента: US09908308B2. Автор: Shaohui Wang. Владелец: Dow Corning China Holding Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Inspection apparatus for semiconductor packages

Номер патента: US6005965A. Автор: Takashi Kurihara,Yukihiro Tsuda,Takahiro Ueda,Yasuyoshi Suzuki,Tomikazu Tanuki. Владелец: KOMATSU LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Method of making of caked article made of silicon nitride

Номер патента: RU2028997C1. Автор: И.П. Боровинская,В.А. Горшков,В.И. Юхвид,С.Ю. Шаривкер,А.М. Князик. Владелец: Институт структурной макрокинетики РАН. Дата публикации: 1995-02-20.

Solderability, oxidation, and corrosion indicator for semiconductor packages

Номер патента: US20210239621A1. Автор: Keith G. Newman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of fabrication of wearable layer of refractory lining in casting ladles and casting moulds, also wearable layer of refractory lining fabricated by this method

Номер патента: RU2383412C2. Автор: Слагнес СТЕЙНАР. Владелец: Норт Кейп Минералз Ас. Дата публикации: 2010-03-10.

System and methods for semiconductor burn-in test

Номер патента: EP3465238A1. Автор: Ballson Gopal,Jessie KILLION. Владелец: Kes Systems Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Curable silicone-based gel composition, cured gel thereof, encapsulant agent, electronic article and protection method for semiconductor chip

Номер патента: WO2024020137A1. Автор: Ryan Thomas,Myoungbae LEE,Michael WHITBRODT. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2024-01-25.

Test apparatus for semiconductor package

Номер патента: US11940484B2. Автор: Min Cheol Kim,Sol Lee. Владелец: TSE Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Test apparatus for semiconductor package

Номер патента: US11994554B2. Автор: Min Cheol Kim,Sol Lee. Владелец: TSE Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Curing agent, adhesive composition for semiconductor comprising same, adhesive film for semiconductor, and semiconductor package using same

Номер патента: US20230220153A1. Автор: Kwang Joo Lee,Seung Hee Nam,Young Sam Kim,Jung Hak Kim,Eun Byurl Cho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Artificial turf system padding layer with integrated geofabric

Номер патента: US12024828B2. Автор: Frédéric Vachon. Владелец: Safeplay LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Padding layer for athletic field

Номер патента: US20180237998A1. Автор: Frédéric Vachon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-23.

Reactor-mixer for conducting processes in heterogeneous media

Номер патента: RU2621761C1. Автор: Ирина Михайловна Жаркова,Юрий Федорович Росляков,Владимир Владимирович Литвяк,Гульназым Хамитовна Оспанкулова,Сергей Иванович Корзан. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ"). Дата публикации: 2017-06-07.

Method of conducting material electrochemical deposition of silicon-carbon films

Номер патента: RU2676549C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2019-01-09.

Method of silicon tetrafluoride production

Номер патента: RU2560377C2. Автор: Пунит ГУПТА,Сатиш БХУСАРАПУ. Владелец: Мемк Электроник Матириалз, Инк.. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of producing high purity silicon powder from mixture of silicon dioxide and aluminium

Номер патента: RU2648436C2. Автор: Сергей Павлович Андреев,Николай Николаевич Лавров,Юрий Петрович Удалов,Борис Александрович Лавров,Галимжан Мендикараевич Сержанов. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью Научно-Производственное Предприятие "КЛИН". Дата публикации: 2018-03-26.

Method of applying gas-tight coating of silicon carbide

Номер патента: RU2601049C1. Автор: Владимир Николаевич Курлов,Ирина Алексеевна Шикунова,Сергей Леонидович Шикунов,Антон Евгеньевич Ершов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2016-10-27.

Method for modification of silicon carbide

Номер патента: RU2600065C1. Автор: Виктор Федорович Каблов,Виталий Сергеевич Лифанов,Вера Павловна Шабанова,Никита Викторович Писарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2016-10-20.

Procedure and device for hot rolling strips of silicon steel or multi-phase steel

Номер патента: RU2435657C2. Автор: Юрген ЗАЙДЕЛЬ,Йоахим ОЛЕРТ. Владелец: Смс Зимаг Аг. Дата публикации: 2011-12-10.

Method for obtaining dispersion of silicon 2d nano-crystals in an organic solvent for photovoltaic applications

Номер патента: RU2672160C2. Автор: Валерий Николаевич Захаров,Леонид Александрович Асланов,Александр Васильевич Яценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2018-11-12.

Molding system for semiconductor packages

Номер патента: US6869556B2. Автор: Jian Wu,Shu Chuen Ho,Teng Hock Kuah,Si Liang Lu. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2005-03-22.

Padding layer for athletic field for water retention and drainage

Номер патента: CA3165441A1. Автор: Frédéric Vachon. Владелец: Safeplay LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for improving the adhesion of silicone elastomers to pre-cured silicone elastomeric substrates, and primer composition for silicone rubber compositions and elastomeric materials

Номер патента: US20240262970A1. Автор: Patrick Beyer,Roman Vanecek. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Padding layer for athletic field for water retention and drainage

Номер патента: EP4081318A1. Автор: Frédéric Vachon. Владелец: Safeplay LLC. Дата публикации: 2022-11-02.

Padding layer for athletic field for water retention and drainage

Номер патента: WO2021130656A1. Автор: Frédéric Vachon. Владелец: 4427017 Canada Inc.. Дата публикации: 2021-07-01.

Transparent substrate with layer of silicon derivative

Номер патента: RU2269494C2. Автор: Ксавье ТАЛЬПАЕР,Мишель СИМОНЕ,Мари-Жозе АЗЗОПАРДИ,Анн ДЮРАНДО. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2006-02-10.

PARTICLE OF TITANIUM DIOXIDE PIGMENT WITH DENSE DOPED LAYER OF SILICON DIOXIDE (SiO2) (VERSIONS), METHOD OF MAKING PARTICLES WITH DENSE DOPED LAYER OF SiO2 (VERSIONS) AND METHOD OF PRODUCING PAINTS, LACQUERS AND PAPER USING SAID PARTICLES AND STARTING MATERIAL WHEN MAKING PAPER OR COATING BASED ON SAID PARTICLES

Номер патента: RU2487150C2. Автор: Зигфрид БЛЮМЕЛЬ,Лидия ДРЮС-НИКОЛЭ. Владелец: Кронос Интернациональ, Инк.. Дата публикации: 2013-07-10.

Method of manufacturing aluminium nitride crystals for semiconductor devices

Номер патента: US3634149A. Автор: Wilhelmus Francisc Knippenberg,Gerrit Verspui. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-01-11.

Method of producing trichlorosilane through catalytic hydrodehalogenation of silicon tetrachloride

Номер патента: RU2371387C2. Автор: Клаус БОМХАММЕЛЬ,Свен КЕТЕР,Герхард РЕВЕР,Инго РЕВЕР,Ярослав МОНКЕВИЧ,Ханс-Юрген ХЕНЕ. Владелец: Дегусса Аг. Дата публикации: 2009-10-27.

Composition of coating to extend surface life of silicon carbide electric heaters

Номер патента: RU2049761C1. Автор: А.В. Иванов,Б.И. Поляк,к Б.И. Пол,В.А. Науменко,Н.П. Талакуев,В.Е. Сотников,А.Л. Юрков. Владелец: Юрков Андрей Львович. Дата публикации: 1995-12-10.

Method of the chemical reprocessing of the ash-and-slag materials with production of silicon dioxide and aluminum oxide

Номер патента: RU2302375C2. Автор: Владимир Владимирович Жабо,Карл Ефимович Зегер,Эльмира Мироновна Тимошенко,Владимир Владимирович Ильюшин,Михаил Александрович Грайвер. Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭКОНЭФ". Дата публикации: 2007-07-10.

Method of growing filamentous nanocrystals of silicon dioxide

Номер патента: RU2681037C2. Автор: Алевтина Сергеевна Самофалова,Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Александр Федорович Татаренков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Method for production of silicon-containing biomimetic calcium-phosphate coating on titanium alloys from human interstitial fluid model solutions

Номер патента: RU2626604C1. Автор: Ольга Александровна Голованова,Альберт Викторович Зайц. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2017-07-28.

Method for electrolytic production of silicon from molten salts

Номер патента: RU2760027C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Андрей Викторович Суздальцев,Тимофей Анатольевич Гевел,Сергей Иванович Жук,Анастасия Евгеньевна Вахромеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук (ИВТЭ УрО РАН). Дата публикации: 2021-11-22.

Micromachined silicon probe card for semiconductor dice and method of fabrication

Номер патента: US6072321A. Автор: Salman Akram,David R. Hembree,Alan G. Wood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-06-06.

Method of electrochemical deposition of silicon-carbon films alloyed with atoms of transition metals on electroconductive materials

Номер патента: RU2711066C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2020-01-15.

Susceptor for semiconductor wafer processing

Номер патента: US5584936A. Автор: Michael A. Pickering,Lee E. Burns. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1996-12-17.

Padding layer for athletic field

Номер патента: US20200002897A1. Автор: Frédéric Vachon. Владелец: 4427017 Canada Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Preparation of silicon for fast generation of hydrogen through reaction with water

Номер патента: EP2499089A1. Автор: John Stuart Foord,Sobia Ashraf. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2012-09-19.

Silicon dioxide vaccine delivery system taking virus-like particles as template, and construction method and application of silicon dioxide vaccine delivery system

Номер патента: US20240342276A1. Автор: CHEN CHEN,Min Li,Lei Zhang,BingBing Sun,Zhihui Liang,Changying Xue. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an EUV mirror, EUV mirror, and EUV lithography apparatus

Номер патента: US09880476B2. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Gisela von Blanckenhagen. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of operating a quartz fluidized bed reactor for the production of silicon

Номер патента: US3963838A. Автор: H. S. N. Setty,Carl L. Yaws,Bobby Ray Martin,Daniel Joseph Wangler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-06-15.

Method for conducting electromagnetic monitoring of hydraulic fracturing

Номер патента: RU2757386C1. Автор: Михаил Всеволодович Салищев,Глеб Сергеевич Григорьев. Владелец: Публичное акционерное общество "Газпром нефть" (ПАО "Газпром нефть"). Дата публикации: 2021-10-14.

Charge for production of silicon carbide

Номер патента: RU2673821C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2018-11-30.

Electrochemical method of producing a microcrystalline powder of silicon

Номер патента: RU2671206C1. Автор: Хасби Билялович Кушхов,Марина Нургалиевна Лигидова,Марьяна Хажмусовна Маржохова,Рузана Мухамедовна Мамхегова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-10-30.

Epitaxial growth of silicon carbide and resulting silicon carbide structures

Номер патента: CA2205918C. Автор: Vladimir A. Dmitriev,Calvin H. Carter, Jr.,Svetlana V. Rendakova,Vladimir A. Ivantsov. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2002-01-29.

MATERIAL FOR CONVERSION OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS FILM OF SILICON OXIDE SiO2Sx ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2584205C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов,Владимир Алексеевич Пустоваров,Фиттинг Ганс-Йохим. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-05-20.

Method of electrochemical deposition of silicon-carbon films on dielectric substrates

Номер патента: RU2711072C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2020-01-15.

Method of treating clinically evident capsular contracture following the installation of silicone breast endoprostheses

Номер патента: RU2732308C9. Автор: Галина Сергеевна Алексеева,Марианна Валентиновна Старкова,Мария Юрьевна Власова,Дарья Валерьевна Багдасарова,Азиз Дильшодович Зикиряходжаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр радиологии" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ радиологии" Минздрава России). Дата публикации: 2020-10-23.

Method for chemical vapor deposition of silicon on to substrates for use in corrosive and vacuum environments

Номер патента: US7070833B2. Автор: David A. Smith,Martin E. Higgins,Gary A. Barone,Bruce R. F. Kendall,David J. Lavrich. Владелец: Restek Corp. Дата публикации: 2006-07-04.

Protection of silicon nitride artefacts

Номер патента: GB1510310A. Автор: . Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1978-05-10.

Method and apparatus for decomposition of silicon oxide layers for impurity analysis of silicon wafers

Номер патента: US6053984A. Автор: Steve I. Petvai,Leslie Jane Bohnenkamp,Michael P. Buet. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-04-25.

Improvements in and relating to epitaxial layers of semiconductor materials

Номер патента: GB1108741A. Автор: Ronald Charles Newman. Владелец: Associated Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1968-04-03.

Method for chemical vapor deposition of silicon on to substrates for use in corrosive and vacuum environments

Номер патента: US20040175578A1. Автор: David Smith,Bruce Kendall,Martin Higgins,Gary Barone,David Lavrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Additive manufacturing of silicon components

Номер патента: US20230348311A1. Автор: Yi Song,Jihong Chen,Seyedalireza TORBATISARRAF,Vijay Nithiananthan,Jerome Hubacek,Abhinav Shekhar RAO. Владелец: Silfex Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Silicone broom and a manufacturing method of silicone broom

Номер патента: WO2012085905A4. Автор: David Bachar,Dror Bachar. Владелец: Dror Bachar. Дата публикации: 2012-08-16.

Silicone broom and a manufacturing method of silicone broom

Номер патента: EP2654491A1. Автор: David Bachar,Dror Bachar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-30.

Padding layer for athletic field

Номер патента: US20210054579A1. Автор: Frédéric Vachon. Владелец: 4427017 Canada Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Electrolyte and method for manufacturing and/or refining of silicon

Номер патента: WO2002099166A1. Автор: Espen Olsen. Владелец: SINTEF. Дата публикации: 2002-12-12.

Adhesion of silicone rubber to thermoplastics

Номер патента: US20240093074A1. Автор: Michael Backer,Florian Geyer. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Silicon precursors and method for low temperature cvd of silicon-containing films

Номер патента: EP2074129A1. Автор: Ashutosh Misra,Ziyun Wang,Ravi Laxman. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-07-01.

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120073495A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor package testing apparatus

Номер патента: US20150331012A1. Автор: Chak Tong SZE,Pei Wei Tsai,Cho Hin CHEUK,Si Ming CHAN,Kam Sing LEE. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-11-19.

Padding layer for athletic field

Номер патента: US20230075317A1. Автор: Frédéric Vachon. Владелец: Safeplay LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Process for the formation of silicon metal sheets

Номер патента: WO2011009017A3. Автор: Andrew Matheson,John W. Koenitzer. Владелец: Boston Silicon Materials LLC. Дата публикации: 2011-05-19.

Electrolyte and method for manufacturing and/or refining of silicon

Номер патента: EP1402086A1. Автор: Espen Olsen. Владелец: Sintef AS. Дата публикации: 2004-03-31.

Padding layer for athletic field

Номер патента: US12091824B2. Автор: Frédéric Vachon. Владелец: Safeplay LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Aqueous dispersion of silicone rubber particles and cosmetics

Номер патента: US20240301207A1. Автор: Ryuji Horiguchi,Masayuki Konishi,Yoshinori Inokuchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of moulding of built-up layer of refractory body and mixture of particles

Номер патента: RU2051879C1. Автор: Be],Мейнккен Жан-Пьер,Мотте Леон-Филипп. Владелец: Главербель. Дата публикации: 1996-01-10.

Method of manual drilling of frozen horizons in soils and upper layer of permafrost layers with simultaneous selection of non-foreign samples of soils

Номер патента: RU2673571C2. Автор: Александр Валериевич Пастухов,Дмитрий Александрович Каверин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "КОМИ научный центр Уральского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2018-11-28.

Method of restoring seat surface for rolling bearing

Номер патента: RU2744076C1. Автор: Александр Викторович Морозов,Алексей Андреевич Кнюров,Лилия Линаровна Хабиева,Дмитрий Фёдорович Ляпин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный аграрный университет имени П.А. Столыпина". Дата публикации: 2021-03-02.

Method of manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: CA1091907A. Автор: Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1980-12-23.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Process for the production of silicon tetrachloride

Номер патента: WO2023088933A1. Автор: Taras YANKO,Sergiy SIDORENKO,Dina STEPANISHEVA. Владелец: Pcc Se. Дата публикации: 2023-05-25.

Composition for the production of silicone rubber materials

Номер патента: US20160024258A1. Автор: Gerhard Schmidt,Thomas Knott,Ulrich Pichl,Theodor Ederer,Karl-Christian Bart,Jörg Lippstreu. Владелец: NIROCHEMIE ASCHAU GMBH. Дата публикации: 2016-01-28.

Silicon nanoparticles and the methods for controlling absorbance and/or luminescence wavelength characteristics of silicon nanoparticles

Номер патента: WO2024167752A1. Автор: David Witker,James A. Casey,Charles K. SERRANO. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2024-08-15.

Device and method for the production of silicon carbide

Номер патента: AU2023214706A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber. Владелец: Yellow Sic Holding GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Low-carbon cementitious material of silicon-manganese slag for filling, preparation method and application thereof

Номер патента: ZA202401161B. Автор: Jie Wang,Pengfei Wu,Junhong MO,Jiaqing YANG,Suxian Zhang,Yanbin Zhang,Zhiqing Wang,Zhiqiang QIU,Ruihao Mo,Junning Mo. Владелец: Univ Of Science And Technology Beijing. Дата публикации: 2024-09-25.

Processing plate surface for fabrication of solar cells

Номер патента: RU2586266C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова,Мария Николаевна Литовченко,Азамат Ибрагимович Муртузалиев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2016-06-10.

Water dispersion of silicon dioxide

Номер патента: RU2576617C2. Автор: Ханс ЛАГНЕМО,Петер Гарри Йохан ГРИНВУД. Владелец: Акцо Нобель Кемикалз Интернэшнл Б.В.. Дата публикации: 2016-03-10.

System for conducting survey and method for conducting survey

Номер патента: RU2743484C2. Автор: Сергей Витальевич Анисимов,Евгений Анатольевич Калашников. Владелец: Евгений Анатольевич Калашников. Дата публикации: 2021-02-19.

Method for preparation of charge for the production of silicon carbide

Номер патента: RU2771203C1. Автор: Олег Иванович Дошлов,Михаил Сергеевич Ковалев,Иван Олегович Дошлов,Никита Александрович Горяшин,Александр Андреевич Турусин,Юлия Сергеевна Лукьянова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ"). Дата публикации: 2022-04-28.

Cosmetic composition comprising oil, aerogel hydrophobic particles on basis of silicon dioxide and hydrocarbon resin

Номер патента: RU2635511C2. Автор: Стефан АРДИТТИ,Фредерик ОГЮСТ,НОВАК Виржини ПЕРЕС. Владелец: Л'Ореаль. Дата публикации: 2017-11-13.

Process for producing large-size, self-supporting plates of silicon

Номер патента: US4131659A. Автор: Franz Koppl,Rudolf Griesshammer,Bernhard Authier,Winfried Lang,Erhard Sirtl,Heinz-Jorg Rath. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 1978-12-26.

Formation of silicon nitride film for a phase shift mask at 193 nm

Номер патента: US6045954A. Автор: Chang-Ming Dai,Lon A. Wang,H.L. Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-04-04.

Athletic glove having silicone-printed surface for consistent gripping ability in various moisture conditions

Номер патента: CA2315387C. Автор: Hye-Sook Kang. Владелец: Hanyoung Kangaroo Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Probe card for semiconductor wafers and method and system for testing wafers

Номер патента: US6060891A. Автор: Salman Akram,David R. Hembree,Alan G. Wood,Warren M. Farnworth,C. Patrick Doherty,Andrew J. Krivy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Epitaxial growth of silicon or germanium by electrodeposition from molten salts

Номер патента: US3983012A. Автор: Uri Cohen. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 1976-09-28.

Rotary union for semiconductor wafer applications

Номер патента: US20020086617A1. Автор: John Garcia, Andrew Yednak. Владелец: Speedfam IPEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Apparatus for the production of silicon from melt with indication of melt spill and melt-spill alarm system

Номер патента: WO2008133606A1. Автор: Sergii Beringov,Victor Kravchenko,Stanislav Kulikovskyi,Valeriy Ylisyeyv. Владелец: Pillar Jsc. Дата публикации: 2008-11-06.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Method for Conducting a Horse Racing Event

Номер патента: US20150115533A1. Автор: Paris Alvarez. Владелец: Pariscracy Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: US20230183075A1. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2023-06-15.

Apparatus for the production of silicon from melt with indication of melt spill and melt-spill alarm system

Номер патента: US20100061895A1. Автор: Sergii Beringov,Victor Kravchenko,Stanislav Kulikovskyi,Valeriy Ylisyeyv. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-11.

Apparatus for the production of silicon from melt with indication of melt spill and melt-spill alarm system

Номер патента: EP2152940A1. Автор: Sergii Beringov,Victor Kravchenko,Stanislav Kulikovskyi,Valeriy Ylisyeyv. Владелец: Pillar Jsc. Дата публикации: 2010-02-17.

Device and method for the production of silicon blocks

Номер патента: US20110305622A1. Автор: Bernhard Freudenberg,Marc Dietrich,Mark Hollatz,Robert Zacharias. Владелец: SOLARD WORLD INNOVATIONS GmbH. Дата публикации: 2011-12-15.

Backlight module, light guide plate, and preparation method for conductive hydrogel of light guide plate

Номер патента: US20210255382A1. Автор: Honglei JI,Kewen Qiang,Xijun Chen,Tianying DENG. Владелец: Shenzhen TCL New Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Backlight module, light guide plate, and preparation method for conductive hydrogel of light guide plate

Номер патента: EP3904924A1. Автор: Honglei JI,Kewen Qiang,Xijun Chen,Tianying DENG. Владелец: Shenzhen TCL New Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Application method of silicon quantum dots for controlling corn armyworm

Номер патента: US11445728B2. Автор: Zhenyu Wang,Chuanxi WANG,Le YUE,Zhenggao XIAO. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-20.

Enzymatic Synthesis, Modification and Degradation of Silicon(IV)-and Other Metal(IV)-Compounds

Номер патента: US20070280921A1. Автор: Werner Muller,Heinz Schröder,Heiko Schwertner. Владелец: Biotec Marin Institut fur Physiologische Chemie Johannes Gutenberg-Universitat GmbH. Дата публикации: 2007-12-06.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A3. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A9. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A2. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2021-12-02.

Zone purification of silicon in a reactive plasma

Номер патента: US4399116A. Автор: Daniel Morvan,Jacques Amouroux. Владелец: Electricite de France SA. Дата публикации: 1983-08-16.

Method of silicon monocrystalline plates applicability determining for semiconductors manufacturing

Номер патента: RU2009573C1. Автор: Н.А. Зайцев,Г.Я. Красников,Л.А. Лискин,А.И. Медведев,В.К. Яницкий. Владелец: Научно-исследовательский институт молекулярной электроники. Дата публикации: 1994-03-15.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

OXYGEN PLASMA CONVERSION PROCESS FOR PREPARING A SURFACE FOR BONDING

Номер патента: US20120003813A1. Автор: Usenko Alex,Chuang Ta Ko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Thermally Enhanced Semiconductor Package

Номер патента: US20120003794A1. Автор: Railkar Tarak A.,Cate Steven D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods For In-Situ Passivation Of Silicon-On-Insulator Wafers

Номер патента: US20120003814A1. Автор: Ries Michael J.,Witte Dale A.,Stefanescu Anca,Jones Andrew M.. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining charge material for synthesis of silicon nitride

Номер патента: RU2465197C2. Автор: Юрий Александрович Бирюков,Леонид Николаевич Богданов,Александр Ювинальевич Объедков,Владимир Анатольевич Полюшко,Александр Николаевич Ищенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное общество "МИПОР". Дата публикации: 2012-10-27.

Method of micro-profiling of silicon structures

Номер патента: RU2559336C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Валерий Федорович Шилов,Сергей Геннадьевич Миронов,Алексей Сергеевич Тимошенков,Михаил Ольгердович Рапидов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ). Дата публикации: 2015-08-10.

Handler for semiconductor singulation and method therefor

Номер патента: MY157105A. Автор: LIM Kok Yeow,LIU Fulin,Jimmy Chew Hwee Seng. Владелец: Advanced Systems Automation. Дата публикации: 2016-04-29.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SENSOR ASSEMBLIES FORMED OF SILICONE RUBBER FOR IMPLANTABLE MEDICAL ELECTRICAL LEADS

Номер патента: US20120004526A1. Автор: Alfoqaha Arshad A.. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for continuous growing of oriented layers of silicon on a carbon fabric

Номер патента: RU2264483C1. Автор: Н.Н. Кузнецов,В.В. Кведер,С.К. Брантов,Е.В. Порхунов. Владелец: Зао "Карботек". Дата публикации: 2005-11-20.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

Method of removal of polysilane chlorides from steam-gas mixture discharged from installations of hydrogen reduction of silicon and device for its realisation

Номер патента: RU2344993C1. Автор: Владимир Васильевич Гущин,Пётр Михайлович Гаврилов,Юрий Александрович Ревенко,Степан Александрович Муравицкий,Геннадий Николаевич Громов,Александр Иванович Левинский,Михаил Викторович Болгов,Федор Викторович Петрусевич. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Горно-химический комбинат". Дата публикации: 2009-01-27.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method for mounting of silicon crystals onto gold-plated surface

Номер патента: RU2347297C1. Автор: Валерий Викторович Асессоров,Владимир Андреевич Кожевников,Тамара Ивановна Бражникова,Геннадий Александрович Велигура. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2009-02-20.

Method for manufacturing of silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2368034C1. Автор: Владимир Павлович Попов,Ида Евгеньевна Тысченко. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-09-20.

Device for precipitating layers of silicon carbide from gaseous phase

Номер патента: RU2060299C1. Автор: Л.С. Иванов,В.Г. Левин,Е.Н. Люкшин,Е.И. Куроленкин,Ю.Я. Ольский. Владелец: Акционерное общество "РОПЭ". Дата публикации: 1996-05-20.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

Procedure for pyrolytic growth of nano-crystal layers of graphite

Номер патента: RU2429315C1. Автор: Сергей Константинович Брантов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2011-09-20.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: RU2433501C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2011-11-10.

Process of plasma-chemical pickling of silicon-carrying materials

Номер патента: RU2141701C1. Автор: С.В. Редькин,В.В. Аристов. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН. Дата публикации: 1999-11-20.

Method of siliconizing large-size articles and a retort of a device for its implementation with seams of low permeability

Номер патента: RU2705185C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Михаил Владимирович Никитин. Владелец: Михаил Владимирович Никитин. Дата публикации: 2019-11-05.

Method of recycling waste gases, formed in process of obtaining pyrogenic silicon dioxide by high-temperature hydrolysis of silicon chlorides

Номер патента: RU2468993C1. Автор: Тимур Халидович Нагаев,Владимир Ильич Муклиев,Сергей Евгеньевич Овчинников,Ильдар Афлятунович Каримов,Наталья Игнатьевна Красилова. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Российский научно-исследовательский и проектный институт титана и магния" (ОАО "РИТМ"). Дата публикации: 2012-12-10.

Method of product manufacture containing silicon substrate with film from carbide of silicon on its surface

Номер патента: RU2352019C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл". Дата публикации: 2009-04-10.

Method for conduction of catalytic reaction in multiphase system and device for its embodiment

Номер патента: RU2105602C1. Автор: В.А. Семиколенов. Владелец: Институт катализа им.Г.К.Борескова СО РАН. Дата публикации: 1998-02-27.

SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH AN EMBEDDED PRINTED CIRCUIT BOARD AND STACKED DIE

Номер патента: US20120001313A1. Автор: Liu Yong,YANG Hua,Liu Yumin,Rios Margie T.,Maldo Tiburcio A.. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for catalytic hydrogenation of silicon tetrachloride

Номер патента: RU2472704C1. Автор: Владимир Михайлович Воротынцев,Андрей Владимирович Воротынцев,Вадим Александрович Боровков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева" (НГТУ). Дата публикации: 2013-01-20.

Method of electrically insulated silicon regions formation in bulk of silicon wafer

Номер патента: RU2403647C1. Автор: Ильдар Искандерович Амиров,Владимир Александрович Кальнов,Александр Александрович Орликовский,Александр Владимирович Постников,Камиль Ахметович Валиев,Олег Валентинович Морозов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН. Дата публикации: 2010-11-10.

Method of separation of silicon powder fluoride salts of alkaline metals and plant for realization of this method

Номер патента: RU2321538C2. Автор: Владимир Александрович Карелин,Александр Иванович Карелин,Валерий Андреевич Казимиров,Тимофей Заурбиевич Кушхабиев. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Гелиос". Дата публикации: 2008-04-10.

Quartz ampoule design for diffusion of dopants into silicon (arsenic diffusion) with built-in tool for controlling rate of post-diffusion cooling of silicon p-n structures

Номер патента: RU2522786C2. Автор: Виктор Михайлович Масловский,Александр Викторович Глухов,Станислав Петрович Скорняков,Геннадий Васильевич Перов,Ахмад Зайнидинович Рахматов,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Оао"Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2014-07-20.

Method for making medical devices of silicone rubber compositions with antimicrobial coating, method for manufacturing silicone pessaries with antimicrobial coating and silicone pessary manufactured by this method

Номер патента: RU2542428C1. Автор: Александр Владимирович Горшков,Борис Львович Бибер,Вера Васильевна Муравьева,Михаил Григорьевич Шнейдерман,Екатерина Евгеньевна Жукова,Сергей Дмитриевич Митрохин. Владелец: Закрытое акционерное общество "МедСил". Дата публикации: 2015-02-20.

Method for quantitative determination of content of silicon dioxide on surface of silicon

Номер патента: RU2469303C1. Автор: Евгений Иванович Теруков,Сергей Евгеньевич Никитин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2012-12-10.

Method of silicon reduction

Номер патента: RU2358906C2. Автор: Андрей Павлович Чуканов,Руслан Алексеевич Шевченко,Александр Юрьевич Вахрушин,Олег Александрович Манчулянцев,Стелла Валерьевна Сметанкина. Владелец: Закрытое акционерное общество "СОЛАР СИ". Дата публикации: 2009-06-20.

Production of silicon with the use of aluminium subchloride

Номер патента: RU2519460C1. Автор: Олег Григорьевич Парфенов,Роман Альфритович Закиров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук (ИХХТ СО РАН). Дата публикации: 2014-06-10.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making thin layer of silicon dioxide

Номер патента: RU2539801C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2015-01-27.

Method of production of hydrosols of silicon and humic asids from alkaline solutions of their salts by ionic exchange intensified by electrolysis

Номер патента: RU2250801C1. Автор: А.Д. Неклюдов,А.И. Поздняков,ков А.И. Поздн,Г.Н. Федотов. Владелец: Московский государственный университет леса. Дата публикации: 2005-04-27.

Method of silicon tetrafluoride extraction from gas mix and aggregate for implementation of method

Номер патента: RU2348581C2. Автор: Владимир Александрович Карелин,Александр Иванович Карелин,Валерий Андреевич Казимиров,Тимофей Заурбиевич Кушхабиев. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Гелиос". Дата публикации: 2009-03-10.

Method of improving adhesion to metals of silicon composite materials, obtained by reaction of polyaddition

Номер патента: RU2522614C2. Автор: Павел Аркадьевич Стороженко,Наталья Юрьевна Семенкова,Анатолий Адамович Уэльский,Сергей Рафаилович Нанушьян,Ксения Сергеевна Попова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП "ГНИИХТЭОС"). Дата публикации: 2014-07-20.

Method for manufacturing articles of carbon-silicon carbide composite material with variable content of silicon carbide

Номер патента: RU2570068C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Никита Александрович Хохлявин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-12-10.

Method of radiation-induced thermal oxidising of silicon

Номер патента: RU2540462C1. Автор: Сергей Александрович Воронов,Николай Аркадьевич Самотаев,Юрий Александрович Воронов,Андрей Борисович Симаков,Татьяна Анатольевна Сугробова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2015-02-10.

Method of production of fluorescent labels based on biodegradable nanoparticles of silicon for use in vivo

Номер патента: RU2491227C1. Автор: Анатолий Александрович Ищенко,Анатолий Александрович Ольхов,Виктор Николаевич Баграташвили,Николай Николаевич Кононов,Сергей Геннадиевич Дорофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова" (МИТХТ имени М.В. Ломоносова). Дата публикации: 2013-08-27.

Process forming lattice of silicon nanoclusters on structurized substrate

Номер патента: RU2214359C1. Автор: В.И. Соколов,Е.Г. Фролкова,А.М. Скворцов,Р.А. Халецкий. Владелец: Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (технический университет). Дата публикации: 2003-10-20.

METHOD OF PRODUCING THIN EPITAXIAL LAYERS OF β-SIC ON MONOCRYSTALLINE SILICON

Номер патента: RU2524509C1. Автор: Александр Сергеевич Гусев,Николай Иванович Каргин,Сергей Михайлович Рындя,Андрей Владимирович Зенкевич,Елена Павловна Павлова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-07-27.

Method of production of dielectric layer of mis structures having effect of conductivity switching

Номер патента: RU2529442C2. Автор: Александр Степанович Рудый,Аркадий Евгеньевич Бердников,Александр Александрович Мироненко,Валерий Николаевич Гусев,Виктор Николаевич Геращенко,Александр Александрович Орликовский,Александр Афанасьевич Попов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук. Дата публикации: 2014-09-27.

Method of silicon dioxide film preparation

Номер патента: RU2344511C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2009-01-20.

Method of surgical removal of epiretinal membranes in conditions of silicone tamponade

Номер патента: RU2405510C1. Автор: Христо Периклович Тахчиди,Сардор Сагдуллаевич Тилляходжаев,Кирилл Сергеевич Норман. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи". Дата публикации: 2010-12-10.

Procedure for production of silicon of nano or micro-wave structure

Номер патента: RU2399698C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Олег Николаевич Виноградов-Жабров,Алексей Петрович Аписаров,Андрей Владимирович Исаков,Виктор Павлович Батухтин,Олег Владимирович Чемезов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения РАН. Дата публикации: 2010-09-20.

Method of the ionic treatment of the surface layer of the metal articles and the installation for its realization

Номер патента: RU2305142C2. Автор: Юрий Павлович Тарасенко,Игорь Григорьевич Романов,Ирина Николаевна Царева,Юрий Аркадьевич Дудин. Владелец: Закрытое акционерное общество научно-производственный центр "Трибоника". Дата публикации: 2007-08-27.

Drain system of sports ground with artificial surface for area with higher humidity and method of its construction

Номер патента: RU2359079C1. Автор: Михаил Юрьевич Чаплышкин,Александр Сергеевич Шулеметьев. Владелец: Александр Сергеевич Шулеметьев. Дата публикации: 2009-06-20.

Method for obtaining ferromagnetic film from silicide nanoclusters on surface of silicone substrate

Номер патента: RU2458181C2. Автор: Александр Сергеевич Сигов,Александр Владимирович Абрамов,Лариса Александровна Битюцкая,Александр Петрович Лазарев,Владимир Михайлович Рубинштейн,Евгений Васильевич Богатиков,Юрий Иванович Дикарев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ГОУ ВПО "ВГУ"). Дата публикации: 2012-08-10.

Method of silicon oil excision from vitreal cavity and device for its realisation

Номер патента: RU2350304C1. Автор: Мухаррам Мухтарамович Бикбов,Эмин Логман-оглы Усубов,Урал Рифович Алтынбаев,Игорь Николаевич Сережин. Владелец: Государственное учреждение "УФИМСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ГЛАЗНЫХ БОЛЕЗНЕЙ" Академии наук Республики Башкортостан (УфНИИ ГБ АН РБ). Дата публикации: 2009-03-27.

Spinning solution for electrical forming, method for obtaining fibres by electrical forming, and fibres of silicone carbide

Номер патента: RU2427673C1. Автор: Виктор Васильевич Авдеев,Андрей Трофимович Матвеев,Эдмунд Валерьевич Быстревский,Виктор Васильевич Авдеев (RU),Андрей Трофимович Матвеев (RU),Эдмунд Валерьевич Быстревский (RU). Владелец: Институт новых углеродных материалов и технологий (Закрытое акционерное общество) (ИНУМиТ (ЗАО)). Дата публикации: 2011-08-27.

Method for thickening finely divided silicon dioxide-containing dust of scrubbing electrothermal production of silicon and high-silicon ferroalloys

Номер патента: RU2217372C2. Автор: А.М. Салтыков,С.И. Сидоров,А.С. Точилов,Ю.Д. Останин. Владелец: Закрытое акционерное общество "ВАМИТЕК". Дата публикации: 2003-11-27.

Device for hydrogenation of silicon tetrachloride

Номер патента: RU2278076C2. Автор: Владимир Васильевич Митин,Александр Вячеславович Елютин,Леонард Степанович Иванов,Владимир Григорьевич Левин,Денис Владимирович Назаркин,Вячеслав Александрович Харченко,Александр В чеславович Елютин (RU),Леонард Степанович Иванов (RU),Владимир Григорьевич Левин (RU),Денис Владимирович Назаркин (RU),Владимир Васильевич Митин (RU),В чеслав Александрович Харченко (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2006-06-20.

Method for prevention of extrusion of silicone implant after skin-preserving mastectomy

Номер патента: RU2591784C1. Автор: Юрий Валентинович Пржедецкий,Виктория Юрьевна Пржедецкая,Ольга Викторовна Хохлова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Ростовский научно-исследовательский онкологический институт" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2016-07-20.

Method for obtaining columnar monocrystals of silicon from sand, and device for its implementation

Номер патента: RU2488650C1. Автор: Юрий Александрович Семенов,Алексей Степанович Таранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Курганский государственный университет". Дата публикации: 2013-07-27.

Process of gettering working of silicon substrates

Номер патента: RU2134467C1. Автор: В.Д. Скупов,В.К. Смолин. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1999-08-10.

Method of production of an iron-magnesium alloy on a base of silicon

Номер патента: RU2230815C1. Автор: В.И. Серба,Б.М. Фрейдин,Ю.В. Кузьмич,И.Г. Колесникова. Владелец: Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В.Тананаева Кольского научного центра РАН. Дата публикации: 2004-06-20.

Method of conducting panels production, primary furnace for conducting panels production and conducting filler based on natural zeolite-containing effusive sedimentation ashy deposits

Номер патента: RU2353012C1. Автор: Валерия Валерьевна Строкова,Александр Викторович Мосьпан,Евгения Александровна Лопанова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Белгородский государственный университет им. В.Г. Шухова (БГТУ им. В.Г. Шухова). Дата публикации: 2009-04-20.

Composition and method for surface layer of ice massif preparing to run speed skating competitions and training

Номер патента: RU2321806C2. Автор: Григорий Павлович Яковлев,Михаил Владимирович Загайнов,Владимир Андреевич Тычина,Сергей Александрович Ершов,Анатолий Валентинович Шибаев. Владелец: Владимир Андреевич Тычина. Дата публикации: 2008-04-10.

Method of seamless removal of silicon oil from vitreal cavity

Номер патента: RU2405506C1. Автор: Валерий Дмитриевич Захаров,Касуми Дживанович Курцхалидзе,Валерий Дмитриевич Захаров (RU),Касуми Дживанович Курцхалидзе (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи". Дата публикации: 2010-12-10.

Composition and method for surface layer of ice massif preparing to run sport competitions and training

Номер патента: RU2321807C2. Автор: Григорий Павлович Яковлев,Михаил Владимирович Загайнов,Владимир Андреевич Тычина,Сергей Александрович Ершов,Анатолий Валентинович Шибаев. Владелец: Владимир Андреевич Тычина. Дата публикации: 2008-04-10.

Method for fabrication of silicon substrate heterostructures using rapid thermal triode plasma cvd

Номер патента: MY188431A. Автор: Abdul Manaf Bin Hashim Dr. Владелец: Univ Malaysia Teknologi. Дата публикации: 2021-12-08.

Method for conducting intraorganic medicine electrophoresis of bladder

Номер патента: RU2466755C2. Автор: Александр Викторович Григорьев,Владимир Владимирович Протощак,Никита Дмитриевич Кубин,Геннадий Николаевич Пономаренко,Алла Анатольевна Сидорова. Владелец: Владимир Владимирович Протощак. Дата публикации: 2012-11-20.

METHOD FOR PREPARING EPITAXIAL LAYERS OF SiC-AlN SOLID SOLUTIONS

Номер патента: RU2260636C1. Автор: М.К. Курбанов,Б.А. Билалов,Г.К. Сафаралиев,М.К. Гусейнов. Владелец: Дагестанский государственный университет. Дата публикации: 2005-09-20.

Technique of furnace feed additional charging during process of silicon single crystal growing by czochralski method

Номер патента: RU2343234C1. Автор: Виктор Сергеевич Белоусов,Константин Анатольевич Тузовский,Константин Анатольевич Тузовский (RU),Виктор Сергеевич Белоусов (RU). Владелец: Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ". Дата публикации: 2009-01-10.

Transdermal anthelmintic agent of silicone niosomes with albendazole

Номер патента: RU2541156C1. Автор: Игорь Александрович Базиков,Мурат Далхатович Байрамкулов,Артур Насырович Айдемиров,Альберт Закирович Вафин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение "Клеточные технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

Method of production of trichlorosilane by plasma chemical hydrogenation of silicon tetrachloride and device to this end

Номер патента: RU2350558C2. Автор: Владимир Васильевич Гущин,Пётр Михайлович Гаврилов,Юрий Александрович Ревенко,Степан Александрович Муравицкий,Геннадий Николаевич Громов,Александр Иванович Левинский,Михаил Викторович Болгов,Федор Викторович Петрусевич,Юрий Александрович Ревенко (RU),Петр Михайлович Гаврилов (RU),Геннадий Николаевич Громов (RU),Михаил Викторович Болгов (RU),Степан Александрович Муравицкий (RU),Александр Иванович Левинский (RU),Владимир Васильевич Гущин (RU),Федор Викторович Петрусевич (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Горно-химический комбинат". Дата публикации: 2009-03-27.

Method of treating quartz equipment for semiconductor production

Номер патента: RU2386188C1. Автор: Лидия Федоровна Морозова,Наталья Владимировна Снегирева,Елена Борисовна Двойникова,Эллеонора Николаевна Лисина,Алла Александровна Карасева,Юрий Иванович Гринев,Наталья Тимофеевна Гордеева. Владелец: Наталья Тимофеевна Гордеева. Дата публикации: 2010-04-10.

Glass for structures of silicon-on-insulator type

Номер патента: RU2083514C1. Автор: Н.И. Кошелев,А.И. Ермолаева. Владелец: Московский государственный институт электронной техники. Дата публикации: 1997-07-10.

Composition for dry etching of silicon dioxide films in photolithographic process

Номер патента: RU2524344C1. Автор: Елена Никифоровна Гудымович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2014-07-27.

Process for production of silicon carbide from rice husk

Номер патента: RU2296102C1. Автор: Игорь Леонидович Шкарупа,Владимир Васильевич Викулин,Татьяна Васильевна Гурина,Тать на Васильевна Гурина,Мухаммад-Султан Саидивалиханович Пайзулаханов,Шавкат Адилович Файзиев,Гайрат Тышабаевич Адылов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2007-03-27.

Method of treatment of grown ingots of silicon single- crystals

Номер патента: RU2186887C2. Автор: Сергей Борисович Берингов,Юрий Григорьевич Шульга,Юрий Владимирович Ушанкин. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Пиллар". Дата публикации: 2002-08-10.

Method to produce electrically insulating ceramic products from aqueous suspension containing particles of ore compounds of silicon and metals and device for its realisation

Номер патента: RU2568297C2. Автор: Юрий Александрович Семенов,Алексей Степанович Таранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Курганский государственный университет". Дата публикации: 2015-11-20.

Method of silicone desorption from anionites

Номер патента: RU2448042C1. Автор: Эдуард Константинович Спирин,Леонид Владимирович Миськевич,Наталья Юрьевна Луговцова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2012-04-20.

Technology for production of metallic nanolayers on silver electric contacts of silicon solar cells using chemical method

Номер патента: RU2443037C1. Автор: Ольга Валентиновна Демичева,Виктор Иванович Лаптев. Владелец: Виктор Иванович Лаптев. Дата публикации: 2012-02-20.

Processing method of silicon-containing alloys of platinum and noble metals

Номер патента: RU2385960C1. Автор: Анатолий Прокопьевич Коробейников,Александр Николаевич Филин,Денис Анатольевич Коробейников,Анатолий Прокопьевич Коробейников (RU),Александр Николаевич Филин (RU),Денис Анатольевич Коробейников (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2010-04-10.

Glass for crystalline-glass dielectric for structures of silicon-on- insulator type

Номер патента: RU2083515C1. Автор: В.З. Петрова,Н.И. Кошелев,А.И. Ермолаева. Владелец: Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 1997-07-10.

Method of intraoperative removal of silicon oil from suprachoroidal space, which oil gets into this space when being introduced into vitreal hollow to substitute perfluoroorganic compound

Номер патента: RU2234900C1. Автор: Х.П. Тахчиди,В.Н. Казайкин,А.А. Рапопорт. Владелец: ЗАО "Екатеринбургский центр МНТК "Микрохирургия глаза". Дата публикации: 2004-08-27.

Method for conductance of footwear stretching and lasting processes

Номер патента: RU2526780C2. Автор: Сергей Петрович Александров,Ирина Петровна Бердникова,Галина Васильевна Морозова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет технологий и управления" им. К.Г. Разумовского. Дата публикации: 2014-08-27.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Method of production of silicon carbide powder from rice husk

Номер патента: RU2299177C1. Автор: Игорь Леонидович Шкарупа,Владимир Васильевич Викулин,Татьяна Васильевна Гурина,Тать на Васильевна Гурина,Мухаммад-Султан Саидивалиханович Пайзулаханов,Шавкат Адилович Файзиев,Гайрат Тышабаевич Адылов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2007-05-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.