Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Pass gate circuit

Номер патента: US9000831B2
Опубликовано: 07-04-2015
Автор(ы): Fei Wang, Kunkun Zheng
Принадлежит: STMicroelectronics Shanghai Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Pass gate circuit

Номер патента: US20140184305A1. Автор: Fei Wang,Kunkun Zheng. Владелец: STMicroelectronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Transmission gate circuit

Номер патента: US20200195243A1. Автор: Hsin-Cheng HSU,Po-Ching Lin,Tay-Her Tsaur. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Transmission gate circuit

Номер патента: US10862474B2. Автор: Hsin-Cheng HSU,Po-Ching Lin,Tay-Her Tsaur. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Transmission gate circuit

Номер патента: US20200195243A1. Автор: Hsin-Cheng HSU,Po-Ching Lin,Tay-Her Tsaur. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Transmission gate circuit

Номер патента: CN103916115B. Автор: 王飞,郑鲲鲲. Владелец: STMicroelectronics Shanghai R&D Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

A pass gate circuit arranged for providing an input to an output based on a control signal, as well as a corresponding method and computer program product

Номер патента: EP4412085A1. Автор: Balasubramaniam Shammugasamy,Yuvarajan Latchamanan,Gabriel Sing Leung Chong. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-07.

Pass gate circuit arranged for providing an input to an output based on a control signal, as well as a corresponding method and computer program product

Номер патента: US20240267041A1. Автор: Balasubramaniam Shammugasamy,Yuvarajan Latchamanan,Gabriel Sing Leung Chong. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-08.

Bidirectional drain to drain stacked FET gating circuit

Номер патента: US4488068A. Автор: William J. Janutka. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1984-12-11.

PMOS pass gate

Номер патента: US8804407B1. Автор: Jun Liu,Qi Xiang,Irfan Rahim,Albert Ratnakumar. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

MULTIPLEXER CIRCUIT USING A TRANSMISSION GATE CIRCUIT WITH A SELECTIVELY BOOSTED SWITCH CONTROL SIGNAL

Номер патента: US20220311439A1. Автор: Kumar Anand,Gupta Ramji. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2022-09-29.

Tristate and pass-gate based circuit with full scan coverage

Номер патента: WO2020226810A1. Автор: Eashwar Raghuraman,Satish Sethuraman,Edward Brazil. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-11-12.

Backgate pull-up for PMOS pass-gates

Номер патента: US20060028262A1. Автор: Leo Grimone. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-09.

Broadband sampling gate circuit capable of eliminating waveform distortions in track hold mode

Номер патента: US5206543A. Автор: Kensuke Kobayashi,Shintaro Takita,Masahiro Ohtaka. Владелец: Iwatsu Electric Co Ltd. Дата публикации: 1993-04-27.

Power gating circuit and integrated circuit

Номер патента: US09496863B2. Автор: Jae-Han Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

High speed low power schottky integrated logic gate circuit with current boost

Номер патента: US3867644A. Автор: Ronald L Cline. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1975-02-18.

Field effect transistor gate circuit for analog signals

Номер патента: US4551644A. Автор: Yoshiaki Sano,Eiji Nishimori,Chikara Tsuchiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-11-05.

Gate circuit

Номер патента: US3665320A. Автор: Mitsuo Ohsawa,Shinziro Mino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1972-05-23.

PASS GATE CIRCUIT

Номер патента: US20140184305A1. Автор: WANG FEI,ZHENG Kunkun. Владелец: STMicroelectronics R&D (Shanghai) Co. Ltd.. Дата публикации: 2014-07-03.

Power gating circuit and control method for power gating switch thereof

Номер патента: US09571068B1. Автор: Che-Min Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Gate circuit

Номер патента: US3737680A. Автор: K Uchida. Владелец: Iwatsu Electric Co Ltd. Дата публикации: 1973-06-05.

Gate circuit for hard driven GTO

Номер патента: US5493247A. Автор: Horst Gruning. Владелец: Asea Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1996-02-20.

FET Gating circuit with fast turn-on capacitor

Номер патента: US4471245A. Автор: William J. Janutka. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1984-09-11.

Power semiconducior gating circuit

Номер патента: US3471716A. Автор: Edward H Dinger. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1969-10-07.

Transmission gate circuit

Номер патента: US09941883B2. Автор: Wenzhong Zhang,Michael A. Stockinger. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Pass gate circuit stably transferring signal and control method

Номер патента: US20080074160A1. Автор: Jae-hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Pass gate circuit stably transferring signal and control method

Номер патента: US7636008B2. Автор: Jae-hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-22.

Programmable multiple supply regions with switched pass gate level converters

Номер патента: US20080094105A1. Автор: Vikram Santurkar,Hyun Yi,Ravi Thiruveedhula. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit chip and pass gate logic family therefor

Номер патента: US5508641A. Автор: Peter Wohl,David P. Appenzeller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Composite logic gate circuit

Номер патента: CA3199510C. Автор: Dong Yu,Weixin Kong,Zuoxing YANG,Zhijun Fan,WenBo TIAN. Владелец: Shenzhen MicroBT Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Low-power clock gating circuit

Номер патента: US20080129359A1. Автор: Jong Dae Kim,Dae Woo Lee,Yil Suk Yang,Tae Moon Roh,Chun Gi Lyuh,Ik Jae CHUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-06-05.

Power gating circuit and a semiconductor chip including the same

Номер патента: US20240195406A1. Автор: Jaewoo Park,Junghwan Choi,Myoungbo KWAK,Jinook JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus and method for sensing distributed load currents provided by power gating circuit

Номер патента: WO2018097938A1. Автор: Nan Chen,Junmou Zhang,Guoan Zhong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-05-31.

Integrated Circuit Devices Having Clock Gating Circuits Therein

Номер патента: US09806695B2. Автор: Byung-Jo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Operating clock generator and reference clock gating circuit

Номер патента: US11606095B2. Автор: Shi-Yao Zhao,Dao-Fu Wang,Yong-Peng Jing. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-03-14.

Clock gating circuit and method of operating the same

Номер патента: US20240372537A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Seid Hadi Rasouli,Yung-Chen CHIEN,Chi-Lin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memristive logic gate circuit

Номер патента: WO2022073802A1. Автор: Nima TaheriNejad. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITÄT WIEN. Дата публикации: 2022-04-14.

Implementing Power Savings in HSS Clock-Gating Circuit

Номер патента: US20100156466A1. Автор: David A. Freitas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Nonvolatile logic gate circuit based on phase change memory

Номер патента: US09369130B2. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiaomin Cheng,Huajun Sun,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device for integrating power gate circuit using silicon connection layer

Номер патента: US20220328452A1. Автор: Hua Yan,Yueer SHAN,Yanfeng Xu,Jicong FAN,Yanfei Zhang. Владелец: Wuxi Esiontech Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Clock gating circuit and method of operating the same

Номер патента: US12107581B2. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Seid Hadi Rasouli,Yung-Chen CHIEN,Chi-Lin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Gate circuit, driving method for gate circuit and display device using the same

Номер патента: US09870730B2. Автор: Jae Keun LIM,Jong Hee Kim,Jun Hyun Park,Young Wan Seo,Chong Chul Chai,Ji-Sun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Composite logic gate circuit

Номер патента: US11949416B2. Автор: Dong Yu,Weixin Kong,Zuoxing YANG,Zhijun Fan,WenBo TIAN. Владелец: Shenzhen MicroBT Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Composite logic gate circuit

Номер патента: US20240039540A1. Автор: Dong Yu,Weixin Kong,Zuoxing YANG,Zhijun Fan,WenBo TIAN. Владелец: Shenzhen MicroBT Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Power gating circuit

Номер патента: US11664798B2. Автор: Baoding Yang. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Apparatus and method for sensing distributed load currents provided by power gating circuit

Номер патента: EP3545317A1. Автор: Nan Chen,Junmou Zhang,Guoan Zhong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-02.

Nonvolatile memory device including power gating circuit and input/output circuit of a nonvolatile memory device

Номер патента: US20230410917A1. Автор: Seunghoon Lee,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Jinha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Electronic device and memristor-based logic gate circuit thereof

Номер патента: US20240275386A1. Автор: Tuo Li,Fen Guo,Hongtao Man,Kang SU. Владелец: Suzhou Metabrain Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Logic gate circuit, latch, and flip-flop

Номер патента: US20240259022A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Ying Wu,Weiliang JING,Zhaozhao HOU,Renshi FAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Gating circuit for displaced pulses

Номер патента: US3567960A. Автор: Charles E Owen,Christopher N Wallis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-03-02.

Electronic device and memristor-based logic gate circuit thereof

Номер патента: US12113529B2. Автор: Tuo Li,Fen Guo,Hongtao Man,Kang SU. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Clock gating circuit that operates at high speed

Номер патента: US09762240B2. Автор: Minsu Kim,Hyunchul Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Clocked logic gate circuit

Номер патента: US6476644B2. Автор: Noboru Masuda,Takeshi Kusunoki,Kenji Kaneko,Kazuo Kanetani,Makoto Hanawa,Hiroaki Nambu,Kaname Yamasaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-05.

High speed low power current controlled gate circuit

Номер патента: US4605870A. Автор: Allan H. Dansky,John P. Norsworthy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-08-12.

Nonvolatile logic gate circuit based on phase change memory

Номер патента: US20150236697A1. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiaomin Cheng,Huajun Sun,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-08-20.

Memristive logic gate circuit

Номер патента: US20230298664A1. Автор: Nima TaheriNejad. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET WIEN. Дата публикации: 2023-09-21.

Memristive logic gate circuit

Номер патента: EP4226375A1. Автор: Nima TaheriNejad. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET WIEN. Дата публикации: 2023-08-16.

Memristive logic gate circuit

Номер патента: CA3194489A1. Автор: Nima TaheriNejad. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET WIEN. Дата публикации: 2022-04-14.

Logic gate circuit, latch, and trigger

Номер патента: EP4383574A1. Автор: Ying Wu,Weiliang JING,Zhaozhao HOU,Jeffrey XU,Renshi FAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Three input exclusive OR-NOR gate circuit

Номер патента: US4888499A. Автор: Ikuo J. Sanwo,Gregory H. Milby. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1989-12-19.

Fault tolerant and gate circuit

Номер патента: US5457403A. Автор: Eric B. Baum. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 1995-10-10.

High-speed gating circuit

Номер патента: US3648072A. Автор: Leonard Roy Harper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Semiconductor device including inverter gate circuit with connection configuration switch circuit switching real values of gate width and gate length

Номер патента: US9444458B2. Автор: Koichi Takeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Clock gating circuit

Номер патента: US20100033229A1. Автор: Kazuyuki Irie. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Signal gating circuit for use in digital circuits and method therefor

Номер патента: US10056899B1. Автор: Kenneth W. Fernald,Chester Yu,Hegong Wei. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-08-21.

Clock gating circuit and method of operating the same

Номер патента: US20230387893A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Seid Hadi Rasouli,Yung-Chen Chen,Chi-Lin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Gating circuit for thyristor deflection systems

Номер патента: CA1044363A. Автор: Willem Den Hollander. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-12-12.

Double-clamped schottky transistor logic gate circuit

Номер патента: US3751680A. Автор: D Hodges. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1973-08-07.

Programmable power gating circuit

Номер патента: US20080001655A1. Автор: Giao Pham,Nintunze Novat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Low power clock gate circuit

Номер патента: US20210064076A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Mitesh Goyal,Gururaj Shamanna,Harishankar Sahu,Jagadeesh Salaka,Purna C. Nayak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Clock gating circuit and method of operating the same

Номер патента: US12009824B2. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Seid Hadi Rasouli,Yung-Chen CHIEN,Chi-Lin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Nand gate circuit, display back plate, display device and electronic device

Номер патента: US20160028398A1. Автор: Zhongyuan Wu,Liye Duan,Danna SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Pass gate circuit with stable operation in transition phase of input signal, self-refresh circuit including the pass gate circuit, and method of controlling the pass gate circuit

Номер патента: US20050088219A1. Автор: Jae-hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-28.

Over-voltage tolerant pass-gate

Номер патента: KR101492526B1. Автор: 마이론 제이. 미스케. Владелец: 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션. Дата публикации: 2015-02-11.

Control-voltage of pass-gate follows signal

Номер патента: US9379694B2. Автор: Gerrit Willem Den Besten. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-28.

Pass gate multiplexer circuit with reduced susceptibility to single event upsets

Номер патента: US6798270B1. Автор: Trevor J. Bauer. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2004-09-28.

POWER GATING CIRCUITS USING SCHMITT TRIGGER CIRCUITS, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS INCLUDING THE POWER GATING CIRCUITS

Номер патента: US20140232449A1. Автор: SHIN Young-Min. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

Power gating circuits using schmitt trigger circuits, semiconductor integrated circuits and systems including power gating circuits.

Номер патента: NL2012213A. Автор: Young-min Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-25.

GATE CIRCUIT AND GATE DRIVE CIRCUIT FOR POWER SEMICONDUCTOR SWITCH

Номер патента: US20200036379A1. Автор: Liu Jun,Wang Ming,Ying Jianping,Huang Xiaobo. Владелец: DELTA ELECTRONICS,INC.. Дата публикации: 2020-01-30.

Power gating circuit and integrated circuit

Номер патента: US20150280703A1. Автор: Jae-Han Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

HIGH-FREQUENCY-ISOLATION GATE DRIVER CIRCUIT AND GATE CIRCUIT DRIVING METHOD

Номер патента: US20170331471A1. Автор: Yuzurihara Itsuo,Kunitama Hiroshi. Владелец: KYOSAN ELECTRIC MFG. CO., LTD.. Дата публикации: 2017-11-16.

High frequency insulated gate driver circuit and gate circuit driving method

Номер патента: JP5930560B1. Автор: 譲原　逸男,逸男 譲原,博史 國玉. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-08.

High-frequency-isolation gate driver circuit and gate circuit driving method

Номер патента: EP3220522A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Hiroshi Kunitama. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-20.

Gate circuit and display device using the same

Номер патента: US09515647B2. Автор: Hyun Joon Kim,Jae Keun LIM,Chong Chul Chai,Cheol-Gon LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING A POWER GATING CIRCUIT

Номер патента: US20180358960A1. Автор: KIM Woongrae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Transmission gate circuit

Номер патента: JPS61200717A. Автор: アンドリユ　ゴードン　フランシス　デイングウオール,ビクタ　ザツズ. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1986-09-05.

POWER GATING CIRCUIT

Номер патента: US20140015590A1. Автор: BAECK Sang-Yeop,KIM Jin-Sung,YOON Jang-Hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-16.

GATE CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20150356909A1. Автор: Lee Cheol-gon,CHAI Chong Chul,LIM Jae Keun,KIM Hyun Joon. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING A POWER GATING CIRCUIT

Номер патента: US20190348981A1. Автор: KIM Woongrae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-11-14.

A kind of transmission gate circuit

Номер патента: CN107094013B. Автор: 张波,刘振国,杨健,冯磊,方健,王科竣,陈智昕. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-02-12.

Transmission gate circuit

Номер патента: KR100268948B1. Автор: 신동영. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-12-01.

Gate circuit and display device using the same

Номер патента: KR102315888B1. Автор: 김현준,채종철,임재근,이철곤. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2021-10-21.

Signal gating circuit

Номер патента: CA931639A. Автор: Yokoyama Hideo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1973-08-07.

Gate circuit

Номер патента: CA931227A. Автор: Ohsawa Mitsuo,Mino Shinziro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1973-07-31.

Synchronizing arrangement including a gate circuit and a window circuit for determining the occurrence of output pulses

Номер патента: US5608462A. Автор: Johannes A. A. G. Maas,Johannes B. Meertens. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

Charge pump circuit, passive buffer that employs the charge pump circuit, and pass gate that employs the charge pump circuit

Номер патента: US6825699B2. Автор: David John Marshall,Ian Erickson,Michael H. Cogdill. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-11-30.

Clock Gating Circuit

Номер патента: US20190028091A1. Автор: Yves Thomas Laplanche,Anil Kumar BARATAM,Nruthya Nagesh Prabhu. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-01-24.

Transfer gate circuit, and power combining circuit, power amplifying circuit, transmission device, and communication device using the transfer gate circuit

Номер патента: EP2461483A4. Автор: Sadao Igarashi,Akira Nagayama,Shinji Isoyama,Yasuhiko Fukuoka. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-04-23.

Transfer gate circuit and power combiner circuit, power amplifier circuit, transmitter and communication device using the same

Номер патента: JP5204902B2. Автор: 昭 長山,貞男 五十嵐,泰彦 福岡,伸治 磯山. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2013-06-05.

Transfer gate circuit and power combiner circuit, power amplifier circuit, transmitter and communication device using the same

Номер патента: JPWO2011013403A1. Автор: 昭 長山,貞男 五十嵐,泰彦 福岡,伸治 磯山. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2013-01-07.

Semiconductor integrated circuit device having power gating circuit

Номер патента: KR100703720B1. Автор: 김혁,어익수,신영수,김형옥. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2007-04-09.

Multi-function logic gate circuits

Номер патента: US3678292A. Автор: Daniel Hampel. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-07-18.

Gating circuits

Номер патента: GB2136231B. Автор: Thomas R Anderson,Howard Louis Skolnik,Bruce Conrad Trump. Владелец: Burr Brown Research Corp. Дата публикации: 1986-09-03.

High-speed gate circuit

Номер патента: US3171044A. Автор: Charles S Coffey. Владелец: Edgerton Germeshausen and Grier Inc. Дата публикации: 1965-02-23.

"not and" gate circuits

Номер патента: US2879411A. Автор: Alfred H Faulkner. Владелец: General Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1959-03-24.

Improvements in or relating to gating circuits

Номер патента: AU4576372A. Автор: Mead Benson George. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1974-02-21.

Diode gating circuit

Номер патента: US2900503A. Автор: Ivan L Joy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1959-08-18.

Electronic gate circuit

Номер патента: US2868971A. Автор: Carl R Wischmeyer. Владелец: JERSEY PRODUCTION RESEARCH Co. Дата публикации: 1959-01-13.

Pulse gating circuit

Номер патента: US2892084A. Автор: Jr Dwight D Wilcox. Владелец: Individual. Дата публикации: 1959-06-23.

Clock Gating Circuit

Номер патента: US20190028091A1. Автор: LAPLANCHE Yves Thomas,BARATAM Anil Kumar,Prabhu Nruthya Nagesh. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Gate circuit

Номер патента: JPS5230149A. Автор: Osamu Sakai,Hiroshi Kawamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-03-07.

Diode gate circuit

Номер патента: JPS54148358A. Автор: Masaaki Kato. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-11-20.

An off-gate circuit for a gate-turn-off thyristor

Номер патента: EP0228226A2. Автор: Yukinori Patent Division Tsuruta,Kazuto Patent Division Kawakami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-07-08.

POWER GATING CIRCUIT AND CONTROL METHOD FOR POWER GATING SWITCH THEREOF

Номер патента: US20170040980A1. Автор: Lin Che-Min. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

GATE CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20220172658A1. Автор: KIM Joonki. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

POWER GATING CIRCUIT UTILIZING DOUBLE-GATE FULLY DEPLETED SILICON-ON-INSULATOR TRANSISTOR

Номер патента: US20180145685A1. Автор: CHOWDHURY MASUD H.,Ashenafi Emesahw. Владелец: The Curators of the University of Missouri. Дата публикации: 2018-05-24.

APPARATUS AND METHOD FOR SENSING DISTRIBUTED LOAD CURRENTS PROVIDED BY POWER GATING CIRCUIT

Номер патента: US20180145686A1. Автор: Chen Nan,Zhang Junmou,ZHONG Guoan. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

POWER GATING CIRCUIT FOR HOLDING DATA IN LOGIC BLOCK

Номер патента: US20190229731A1. Автор: KIM Wook,Shin Insub. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-07-25.

TRANSMISSION GATE CIRCUIT

Номер патента: US20160294378A1. Автор: Zhang Wenzhong,STOCKINGER MICHAEL A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Gate circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5684033A. Автор: Takashi Sano,Kazunori Masuda. Владелец: Toyo Electric Manufacturing Ltd. Дата публикации: 1981-07-09.

Hysteresis gate circuit

Номер патента: JPS5457856A. Автор: Kenji Kaneko,Takahiro Okabe,Tomoyuki Watabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-05-10.

Power gating circuit and semiconductor device comprising the same

Номер патента: KR101004670B1. Автор: 김성운,김성남,오명훈,신치훈. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2011-01-04.

Gate circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5533350A. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-03-08.

Gate circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5623029A. Автор: Juichi Irie. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1981-03-04.

Gate circuit for thyristor

Номер патента: AU525044B2. Автор: Nagataka Seki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-10-14.

Gate circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5545276A. Автор: Kenichi Onda,Hisao Amano,Sadaji Tashiro. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1980-03-29.

Gating circuits for semiconductors

Номер патента: GB1585890A. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-03-11.

Electric gating circuits

Номер патента: US3207927A. Автор: Wells Peter. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1965-09-21.

Gate circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS57186834A. Автор: Eiji Akagawa,Hideo Koo,Shunichi Yuya,Atsushi Kaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-11-17.

Diode gate circuit

Номер патента: JPS51131254A. Автор: Junji Asakura,Yoshitaka Osakabe. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1976-11-15.

Gate circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS56119529A. Автор: Hiroshi Fukui,Arata Kimura,Kiichi Tokunaga. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-09-19.

Gate circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS57208731A. Автор: Akira Uenishi,Hideo Koo,Shunichi Yuya,Atsushi Kaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-12-21.

Bistable electronic gate circuit

Номер патента: DE1168484B. Автор: Victor Joseph Habisohn. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1964-04-23.

Gate circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5778224A. Автор: Shuji Musha. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-05-15.

A kind of transmission gate circuit of isolation high input voltage

Номер патента: CN108809285A. Автор: 杨磊,张金弟,章良,朱乐永,王铭义,何进川,蔡占成. Владелец: Shanghai Holychip Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-13.

Gating circuits for electronic computers

Номер патента: US2892103A. Автор: Scarbrough Alfred Dale. Владелец: Thompson Ramo Wooldridge Inc. Дата публикации: 1959-06-23.

Bridge gating circuit with floating bias source

Номер патента: US2990477A. Автор: Robert M Macintyre. Владелец: Thompson Ramo Wooldridge Inc. Дата публикации: 1961-06-27.

Clock gated circuit

Номер патента: US20080204081A1. Автор: Jin-Soo Park,Gun-Ok Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Single pole, double throw electronic gate circuit

Номер патента: US2986659A. Автор: Anthony M Ioakimidis. Владелец: Deutsche ITT Industries GmbH. Дата публикации: 1961-05-30.

Two-way photo coupler gate circuit

Номер патента: JPS53110359A. Автор: Tsutomu Kawamura. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-09-27.

Power gating circuit for holding data in logic block

Номер патента: KR102499010B1. Автор: 김욱,신인섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-02-15.

Electronic gate circuit

Номер патента: US2831971A. Автор: Carl R Wischmeyer. Владелец: Exxon Research and Engineering Co. Дата публикации: 1958-04-22.

Gate circuit with means for inhibiting output signals

Номер патента: US3437843A. Автор: James L Phillips. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1969-04-08.

Shunt gating circuit

Номер патента: US2817015A. Автор: Ralph M W Johnson. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1957-12-17.

Gate circuit for the passage of electrical impulses

Номер патента: DE1289105B. Автор: MUELLER,Dipl-Ing Georg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1969-02-13.

DC gate circuit

Номер патента: FR1223598A. Автор: . Владелец: Daystrom Inc. Дата публикации: 1960-06-17.

Pulse-on-gate circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS57192131A. Автор: Yoshiaki Kato,Akira Matsunaga,Shigeo Tomita. Владелец: Hitachi Haramachi Electronics Ltd. Дата публикации: 1982-11-26.

Gate circuit

Номер патента: US3051845A. Автор: Robert K York. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1962-08-28.

Diode gate circuit

Номер патента: JPS54148359A. Автор: Isao Tashiro. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-11-20.

Low level transistor gating circuit

Номер патента: US3139536A. Автор: Robert K York. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1964-06-30.

Diode gating circuits

Номер патента: US2740888A. Автор: Arthur S Zukin. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1956-04-03.

Electrical gating circuits

Номер патента: US2659815A. Автор: Daniel L Curtis. Владелец: Hughes Tool Co. Дата публикации: 1953-11-17.

Programmable routing performance, power, and area by recovering aging in routing pass gates

Номер патента: US20170194964A1. Автор: Christopher Sun Young Chen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Structures and methods of implementing a pass gate multiplexer with pseudo-differential input signals

Номер патента: US7046041B1. Автор: Shi-dong Zhou. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2006-05-16.

Active voltage level bus switch (or pass gate) translator

Номер патента: TWI276304B. Автор: James B Boomer,Sean X Clark. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2007-03-11.

Active voltage level bus switch (or pass gate) translator

Номер патента: WO2003047106A1. Автор: James B. Boomer,Sean X. Clark. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2003-06-05.

PROGRAMMABLE ROUTING PERFORMANCE, POWER, AND AREA BY RECOVERING AGING IN ROUTING PASS GATES

Номер патента: US20170194964A1. Автор: Chen Christopher Sun Young. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Single-Supply Voltage Pass Gate-Level Translator for Multiple-Supply Voltage Systems

Номер патента: KR101058865B1. Автор: 김영환,박현수,안지연. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-08-23.

Integrated circuit chip and pass gate logic family therefor

Номер патента: KR100211791B1. Автор: 피터 아펜젤러 데이비드,월 피터. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 1999-08-02.

Programmable multiple supply regions with switched pass gate level converters

Номер патента: CN101174828A. Автор: V·山特卡,R·施路威迪拉,H·易. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2008-05-07.

Active voltage level bus switch (or pass gate) translator

Номер патента: AU2002350262A1. Автор: James B. Boomer,Sean X. Clark. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Asymmetric nand gate circuit, clock gating cell and integrated circuit including the same

Номер патента: EP4366170A3. Автор: Byounggon Kang,Dalhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor apparatus including power gating circuits

Номер патента: US10892754B2. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-12.

System having a configurable pico-second pulsed LED driver circuit and photomultiplier tube biasing and gating circuits for real-time, time-resolved transient recording of fluorescence

Номер патента: US09867250B1. Автор: Linda S. Powers,Janet M. ROVEDA,Jerrie V. Fairbanks. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2018-01-09.

Asymmetric nand gate circuit, clock gating cell and integrated circuit including the same

Номер патента: US20240137012A1. Автор: Byounggon Kang,Dalhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Asymmetric nand gate circuit, clock gating cell and integrated circuit including the same

Номер патента: EP4366170A2. Автор: Byounggon Kang,Dalhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

Clock gating circuit

Номер патента: USRE50010E1. Автор: Hyun Lee,Min-Su Kim,Ah-Reum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Buffer circuit for gating circuits

Номер патента: GB1241746A. Автор: Robert William Polkinghorn,Arthur Francis Pfeifer,Robert Frank Hartmann,Robert Raniel Schull. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1971-08-04.

Asymmetric nand gate circuit, clock gating cell and integrated circuit including the same

Номер патента: US20240235533A9. Автор: Byounggon Kang,Dalhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Transmission gate circuit, inverter circuit and gate driving circuit including the same

Номер патента: US20240054959A1. Автор: Kyungho Kim,Gichang Lee,Keechan PARK,Donghee Shin,Sunkwun SON,Yikyoung You,Sangyong NO,Nokyung Park. Владелец: University Industry Cooperation Corporation of Konkuk University. Дата публикации: 2024-02-15.

Integrated injection logic gate circuit

Номер патента: CA1047609A. Автор: Cornelis Mulder,Henricus E. J. Wulms. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1979-01-30.

Potential generation circuit, inverter, delay circuit, and logic gate circuit

Номер патента: EP4033664A1. Автор: LEI Zhu,Zhiyong Chen,Jinlai Luo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Potential generating circuit, inverter, delay circuit and logic gate circuit

Номер патента: CN114553216A. Автор: 朱磊,陈志勇,罗金来. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-27.

Saw-tooth voltage wave generator including ramp voltage source controlled by dual stable state tunnel-diode switchable periodically by a gating circuit

Номер патента: US3636371A. Автор: Jean Georges Quillier. Владелец: CONST RADIOELEC ELECTRON. Дата публикации: 1972-01-18.

Potential generation circuit, inverter, delay circuit, and logic gate circuit

Номер патента: EP4033664B1. Автор: LEI Zhu,Zhiyong Chen,Jinlai Luo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

CMOS circuit system has logic gate circuit for supplying output signal of specified logic function and logic gate circuit has several field effect transistors

Номер патента: DE102005042310A1. Автор: Daniel Dr. Kehrer,Hans-Dieter Dr. Wohlmuth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-03-15.

Flop Circuit with Integrated Clock Gating Circuit

Номер патента: US20190089337A1. Автор: Bhatia Ajay,Venugopal Vivekanandan,Seningen Michael R. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

GATE CIRCUIT, DRIVING METOHD FOR GATE CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160240129A1. Автор: Kim Ji-Sun,Park Jun Hyun,Kim Jong Hee,CHAI Chong Chul,SEO Young Wan,LIM Jae Keun. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor integrated circuit having tri-state logic gate circuit

Номер патента: EP0905904B1. Автор: Masakuni Kawagoe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-29.

Logic gate circuits, sense circuits of semiconductor memory devices, and semiconductor memory devices using them.

Номер патента: KR100387971B1. Автор: 아끼야마노보루,이와무라마사히로,유꾸따께세이고,미쯔모또긴야,아끼오까다까시. Владелец: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼. Дата публикации: 2003-09-13.

Logic gate circuit, sense circuit of semiconductor memory device and semiconductor memory device using them

Номер патента: KR950035092A. Автор: 마사히로 이와무라,긴야 미쯔모또,세이고 유꾸따께,다까시 아끼오까,노보루 아끼야마. Владелец: 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼. Дата публикации: 1995-12-30.

Integrated circuit including power gating circuit

Номер патента: KR20230034781A. Автор: 변대석,곽판석,유창연. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-03-10.

Keeper-free integrated clock gate circuit

Номер патента: US11927982B2. Автор: Gururaj K. Shamanna,Naveen KUMAR M,Madhusudan Rao,Harishankar Sahu,Abhishek Chouksey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Ttl compatible logic gate circuit and the integrated layout of the circuit

Номер патента: CA1030222A. Автор: Richard A. Pedersen,Jack Kane. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1978-04-25.

Single phase clock-gating circuit

Номер патента: US20200395939A1. Автор: John Pasternak,Pradip Subhana Jadhav. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Low-power dual-edge-triggered storage cell with scan test support and clock gating circuit therefor

Номер патента: US20120001669A1. Автор: Jakob Salling. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2012-01-05.

Gating circuit

Номер патента: US3102994A. Автор: William A Stampler. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1963-09-03.

Cml exclusive nor gate circuit

Номер патента: JPS5566133A. Автор: Eru Douusetsuto Richiyaado. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1980-05-19.

Low-power dual-edge-triggered storage cell with scan test support and clock gating circuit therefore

Номер патента: US20140145761A1. Автор: Jakob Salling. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2014-05-29.

Magnetic wire gating circuit

Номер патента: US3470543A. Автор: James L Smith,Reginald A Kaenel. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1969-09-30.

Logic gate circuit, latch, and trigger

Номер патента: EP4383574A4. Автор: Ying Wu,Weiliang JING,Zhaozhao HOU,Jeffrey XU,Renshi FAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor memory device with a power gating circuit for reducing an instantaneous voltage drop

Номер патента: US09627037B2. Автор: Jin Sung Kim,Jae Young Kim,Tae Hyung Kim,Sang Yeop Baeck. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

LOW-POWER CLOCK GATE CIRCUIT

Номер патента: US20190044511A1. Автор: AGARWAL Amit,KRISHNAMURTHY Ram K.,Hsu Steven,Realov Simeon,Rajwani Iqbal. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-02-07.

INTEGRATED CLOCK GATE CIRCUIT WITH EMBEDDED NOR

Номер патента: US20180062658A1. Автор: AGARWAL Amit,HSU Steven K.,KRISHNAMURTHY Ram K.,Rajwani Iqbal R.,Realov Simeon. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Power gating circuit and electronic system including the same

Номер патента: US20150153818A1. Автор: Jae Han JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-04.

Gate circuits for micro computer system

Номер патента: KR890004998B1. Автор: 히로무 에노모또,야스시 야스다,아끼노리 다하라,마사오 구마가이. Владелец: 야마모도 다꾸마. Дата публикации: 1989-12-04.

Low current logic gate circuit

Номер патента: JP5579264B2. Автор: スピッツ アーウィン,セー エム ファン デン ウーファー レオン. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2014-08-27.

An emitter coupled logic gate circuit

Номер патента: EP0186260A2. Автор: Mei Hsu,Thomas Wong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1986-07-02.

Variable frequency generator e.g. for motor control converter - has gate circuit between pulse generating oscillator and frequency divider

Номер патента: DE4031532C1. Автор: Erhard Dipl.-Ing. 6052 Muehlheim De Lehle. Владелец: DIENES Apparatebau GmbH. Дата публикации: 1992-03-26.

Nand gate circuit

Номер патента: KR930005652B1. Автор: 마사노부 요시다. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1993-06-23.

Gate circuit arrangement for an electronic counter

Номер патента: DE3226032C2. Автор: William Grant Beaverton Oreg. Wilke. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1984-12-13.

Sate machine using the OR gate circuit

Номер патента: KR100314732B1. Автор: 진경천. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-01-17.

NAND GATE CIRCUIT, DISPLAY BACK PLATE, DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20160028398A1. Автор: Wu Zhongyuan,DUAN Liye,Song Danna. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-01-28.

LOW POWER CLOCK GATE CIRCUIT

Номер патента: US20210064076A1. Автор: Sharma Abhishek,Shamanna Gururaj,Goyal Mitesh,Salaka Jagadeesh,Nayak Purna C.,Sahu Harishankar. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

LOW-POWER DUAL-EDGE-TRIGGERED STORAGE CELL WITH SCAN TEST SUPPORT AND CLOCK GATING CIRCUIT THEREFORE

Номер патента: US20140145761A1. Автор: Salling Jakob. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-29.

Low Power Clock Gating Circuit

Номер патента: US20190089354A1. Автор: Bhatia Ajay,Seningen Michael R.,Venugopal Vivekanandan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING POWER GATING CIRCUITS

Номер патента: US20210126635A1. Автор: KIM Woongrae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor apparatus including power gating circuits

Номер патента: US20190115919A1. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

INTEGRATED CLOCK GATING CIRCUIT

Номер патента: US20210143820A1. Автор: KIM Minsu,KIM Ahreum,LEE Youngo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-05-13.

Low power clock gating circuit

Номер патента: US20150155870A1. Автор: Sumanth Katte Gururajarao. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

DATA-RETAINED POWER-GATING CIRCUIT AND DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140266401A1. Автор: Lee Jae Gon,Kahng Andrew B.,PARK BONG IL,KANG Seok Hyeong. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

CLOCK GATING CIRCUIT

Номер патента: US20190173472A1. Автор: Kim Ah-Reum,Lee Hyun,Kim Min-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-06.

Clock gating circuit for reducing dynamic power

Номер патента: US20150200669A1. Автор: JI Li,Qiang Dai,Yanfei Cai. Владелец: Qualcomm Atheros Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

CLOCK GATING CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20210226615A1. Автор: Chen Xiangdong,Zhuang Hui-Zhong,Liu Chi-Lin,Rasouli Hadi,Kao Jerry Chang Jui,Lin Tzu-Ying,CHEN Yung-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

LOW POWER CLOCK GATING CIRCUIT

Номер патента: US20140292372A1. Автор: Gururajarao Sumanth Katte. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2014-10-02.

NONVOLATILE LOGIC GATE CIRCUIT BASED ON PHASE CHANGE MEMORY

Номер патента: US20150236697A1. Автор: Xu Lei,Li Yi,Cheng Xiaomin,Miao Xiangshui,SUN Huajun,ZHONG Yingpeng. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

POWER GATING CIRCUIT AND POWER GATING CONTROL SYSTEM

Номер патента: US20190278359A1. Автор: Lee Yoo Jong,Lee Tae Yong,KIM Woongrae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-09-12.

CLOCK GATING CIRCUIT OPERATES AT HIGH SPEED

Номер патента: US20180287612A1. Автор: KIM Minsu,HWANG Hyunchul. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Method and device for auto-calibration of multi-gate circuits

Номер патента: US20160301365A1. Автор: DE FOUCAULD Emeric,JACQUEMOD Gilles Fernand,FONSECA Alexandre Benjamin,LEDUC Yves,LORENZINI Philippe Bernard Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

CLOCK GATING CIRCUIT OPERATES AT HIGH SPEED

Номер патента: US20170324410A1. Автор: KIM Minsu,HWANG Hyunchul. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING A POWER GATING CIRCUIT AND A REPAIR METHOD OF THE SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20180337676A1. Автор: KO Bok Rim,KIM Woongrae,RIM A Ram. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-11-22.

ASYNCHRONOUS CLOCK GATING CIRCUIT

Номер патента: US20180351537A1. Автор: Prakash Gyan,KUMAR NIDHIR. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Clock gating circuit that operates at high speed

Номер патента: US20160373112A1. Автор: Minsu Kim,Hyunchul Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-22.

Reduced Setup Time Clock Gating Circuit

Номер патента: US20180364781A1. Автор: SCHREIBER Russell. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

SINGLE PHASE CLOCK-GATING CIRCUIT

Номер патента: US20200395939A1. Автор: Jadhav Pradip Subhana,Pasternak John. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Power Gating Circuit

Номер патента: US20220376688A1. Автор: Yang Baoding. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Gate circuit

Номер патента: JPS5746536A. Автор: Masaru Uya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1982-03-17.

Gate circuit and display device

Номер патента: KR20220076841A. Автор: 김준기. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2022-06-08.

Gate circuit

Номер патента: JPS533160A. Автор: Teruhiro Yoshida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1978-01-12.

Current injection type logical gate circuit using joephson effect

Номер патента: JPS5846726A. Автор: Junichi Sone,曽根　純一. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-03-18.

Hysteresis gate circuit

Номер патента: JPS5292466A. Автор: Toru Kobayashi,Kenji Kaneko,Takahiro Okabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-08-03.

Semiconductor logic gate circuit

Номер патента: JPS52133747A. Автор: Hatsuhide Igarashi. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-11-09.

Complementary bi-mis gate circuit

Номер патента: KR900000830B1. Автор: 데쓰 다니자와. Владелец: 후지쑤 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1990-02-17.

Wired or logic gate circuit

Номер патента: KR0117117Y1. Автор: 강문성. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1998-06-01.

Gate circuit

Номер патента: JPS5534551A. Автор: Haruo Takahashi. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-03-11.

For reducing the clock gating circuit of dynamic power

Номер патента: CN104769841B. Автор: J·李,Q·戴,蔡燕飞. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-11-13.

Positive logic multiinput nand gate circuit

Номер патента: JPS57192137A. Автор: Fumiaki Katano. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-11-26.

Complementary bi-mis gate circuit

Номер патента: EP0172350A1. Автор: Tetsu Tanizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-02-26.

Logical gate circuit

Номер патента: JPS5844821A. Автор: Terumasa Fukuda,福田　照正. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-03-15.

Josephson self-gate circuit

Номер патента: JPS60254917A. Автор: Tatsuya Ohori,達也 大堀. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-12-16.

Gate circuit

Номер патента: JPS53123637A. Автор: Susumu Mori. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-10-28.

Rectifying transfer gate circuit

Номер патента: EP0909033B1. Автор: Takashi Makashima. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-25.

Network employing reset means for bistable operating gating circuits

Номер патента: US3119935A. Автор: Anatol G Samusenko. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1964-01-28.

Logic gate circuit

Номер патента: KR900000487B1. Автор: 데쯔 다니자와,오삼 오바. Владелец: 야마모도 다꾸마. Дата публикации: 1990-01-30.

Emitter coupling and gate circuit

Номер патента: JPS62165431A. Автор: Masahiro Goto,Seigo Naito,Hiroshi Mabuchi,眞宏 後藤,内藤　清吾,馬渕　浩. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1987-07-22.

Hysteresis gate circuit device

Номер патента: JPS5732132A. Автор: Kazuyuki Tanaka,Kunihiko Hirashima. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1982-02-20.

Nand gate circuit

Номер патента: KR960004564Y1. Автор: 김성식. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1996-06-03.

Transistor gate circuit

Номер патента: US2956175A. Автор: Bothwell Theodore Paul. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1960-10-11.

Series gate circuit

Номер патента: JPS6473818A. Автор: Mitsuya Kawada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-03-20.

Clock gating circuit for reducing dynamic power

Номер патента: US9270270B2. Автор: JI Li,Qiang Dai,Yanfei Cai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

A high speed current mode logic gate circuit architecture

Номер патента: CA2399744A1. Автор: James Wei. Владелец: Sirific Wireless ULC. Дата публикации: 2004-02-27.

Clock gating circuit for reducing dynamic power

Номер патента: EP2898599A1. Автор: JI Li,Qiang Dai,Yanfei Cai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-29.

Cmos logic gate circuit

Номер патента: JPS6282721A. Автор: Satoru Kamoshita,Kiyohisa Yamaga,山賀　清久,鴨志田　覚. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-04-16.

Semiconductor apparatus including a power gating circuit

Номер патента: US10389349B2. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Logic gate circuit

Номер патента: JPS5642434A. Автор: Susumu Mori. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-20.

C-gate circuit

Номер патента: KR100469762B1. Автор: 김학윤. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-02-02.

Clock gating circuit operating at high speed

Номер патента: KR102261300B1. Автор: 김민수,황현철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-06-09.

GATE CIRCUIT ARRANGEMENT.

Номер патента: DE3483576D1. Автор: Hikotaro Masunaga,Hirofumi Takeda,Hirokazu C O Fujitsu Lt Suzuki,Takehiro C O Fujitsu L Akiyama,Teruo C O Fujitsu Ltd Morita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-12-13.

An emitter coupled logic gate circuit

Номер патента: EP0186260A3. Автор: Mei Hsu,Thomas Wong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1988-01-07.

Gate circuits and applications

Номер патента: FR1364151A. Автор: James John Drage,Norbert Kitz,John George Lloyd. Владелец: Bell Punch Co Ltd. Дата публикации: 1964-06-19.

Nmos exclusive or gate circuit

Номер патента: KR940000253Y1. Автор: 박용수. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-01-19.

Magnetic core gating circuits

Номер патента: US3267441A. Автор: Donald F Busch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1966-08-16.

Logical gate circuit

Номер патента: JPS63227116A. Автор: Toru Takada,透 高田,Masayuki Ino,井野　正行. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1988-09-21.

Coincidence gate circuit with low-ohmic load

Номер патента: US3482112A. Автор: Helmut Weber,Heinz Gumin. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1969-12-02.

Integrated semiconductor device with ECL gate circuits

Номер патента: DE69124341T2. Автор: Mitsuhiro Hamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-05-15.

Memristor cross array-based logic gate circuit and NAND gate and NOR gate implementation method

Номер патента: CN113285710B. Автор: 刘鹏,武继刚,姚廉,钟悦航. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-01-20.

Ecl gate circuit

Номер патента: JPS60113525A. Автор: Kazutomi Hatanaka,畠中　一臣. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1985-06-20.

Magnetic core gating circuits

Номер патента: US2852699A. Автор: Ruhman Smil. Владелец: Raytheon Manufacturing Co. Дата публикации: 1958-09-16.

Gate voltage and substrate voltage following CMOS tri-state gate circuit

Номер патента: CN113364448A. Автор: 徐晟阳,邹林均,任罗伟. Владелец: Wuxi I Core Electronics Co ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Clocked logic gate circuit

Номер патента: US20010000017A1. Автор: Noboru Masuda,Takeshi Kusunoki,Kenji Kaneko,Kazuo Kanetani,Makoto Hanawa,Hiroaki Nambu,Kaname Yamasaki. Владелец: Kaname Yamasaki. Дата публикации: 2001-03-15.

A.c. bridge gate circuit being controlled by a differential amplifier

Номер патента: US3471715A. Автор: Joseph N Castelli. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1969-10-07.

Solid state gating circuit

Номер патента: US3350577A. Автор: Douglas A Moore,Jr Russell Kirby,John R Buck. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1967-10-31.

Clock gating circuit

Номер патента: TWI297425B. Автор: Hoon Ham Jung. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2008-06-01.

XOR:gate circuit - has NAND:gates each with two input diodes and two series transistors controlling switching of output transistor

Номер патента: DE2629270A1. Автор: Paul Merkle. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-01-12.

Logic gate circuit with limited transient bounce in potential of the internal voltage supply lines

Номер патента: EP0460758A2. Автор: Derrell Johnson. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1991-12-11.

Clock generator, communication device and sequential clock gating circuit

Номер патента: TWI542155B. Автор: 林見儒,江致榮,曾順得,劉凱尹. Владелец: 瑞昱半導體股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-11.

Programmable power gating circuit

Номер патента: US7385435B2. Автор: Giao Pham,Nintunze Novat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-10.

Clock gated circuit and digital system having the same

Номер патента: KR101848042B1. Автор: 이회진,공배선. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2018-04-11.

COMPLEMENTARY BI-MIS GATE CIRCUIT

Номер патента: DE3573970D1. Автор: Tetsu Tanizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-11-30.

Fet logic gate circuits

Номер патента: CA996202A. Автор: Toyoki Takemoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1976-08-31.

Variable level gating circuit

Номер патента: US2986655A. Автор: Neil L Wiseman,Clyde W Baxter. Владелец: General Dynamics Corp. Дата публикации: 1961-05-30.

Exclusive OR gate circuit

Номер патента: JP2956847B2. Автор: ジミー サンウオー，イクオ,ボージラル サザー，ムーケツシユ. Владелец: ENU SHII AARU INTERN Inc. Дата публикации: 1999-10-04.

Logic gate circuit structure

Номер патента: CN113098493B. Автор: 李新,应战,孙豳. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Signal generating apparatus with frequency controlled by gating circuit

Номер патента: US3336536A. Автор: John S Dame. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1967-08-15.

Transmission gate circuit, matrix switch and electronic device

Номер патента: WO2020056685A1. Автор: 鲁海生,李赞,邹小卫. Владелец: 华为技术有限公司. Дата публикации: 2020-03-26.

Logical gate circuit

Номер патента: JPS5915331A. Автор: Hideki Matsuura,英樹 松浦. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-26.

Bistable electronic gate circuit

Номер патента: BE614287A. Автор: V J Habisohn. Владелец: Bell Telephone Mfg. Дата публикации: 1962-08-23.

Asynchronous clock gating circuit

Номер патента: US10312886B2. Автор: Gyan Prakash,Nidhir Kumar. Владелец: Invecas Technologies Pvt Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Logic gate circuit using mos-transistor

Номер патента: KR0182028B1. Автор: 김범연. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-15.

GATE CIRCUIT FOR A UNIVERSAL COUNTER

Номер патента: DE3226032A1. Автор: William Grant 97005 Beaverton Oreg. Wilke. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1983-02-03.

Tri-state gate, circuit and semiconductor structure including tri-state gate

Номер патента: CN104040894B. Автор: 理查德·费朗. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2019-04-23.

Clock generator, communication device and sequential clock gating circuit

Номер патента: US9501088B2. Автор: Chih-Jung Chiang,Jian-Ru LIN,Kai-Yin Liu,Shun-Te Tseng. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Implementing power savings in HSS clock-gating circuit

Номер патента: US7844843B2. Автор: David A. Freitas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Complementary bimis tri-state gate circuit

Номер патента: JPS6175618A. Автор: Satoru Tanizawa,谷澤　哲. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-04-18.

Logic gate circuit

Номер патента: JPH0622326B2. Автор: 将弘 岩村,洋二 西尾,郁朗 増田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-03-23.

Apparatus and method for sensing distributed load currents provided by a power gating circuit

Номер патента: KR20190087430A. Автор: 난 첸,궈안 종,준모우 장. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2019-07-24.

Method that allows flexible evaluation of power-gated circuits

Номер патента: US20060117282A1. Автор: Gerald Frenkil. Владелец: Sequence Design Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Apparatus and method for sensing distributed load currents provided by a power gating circuit

Номер патента: KR102074319B1. Автор: 난 첸,궈안 종,준모우 장. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-02-06.

Logical gate circuit

Номер патента: JPS56157130A. Автор: Susumu Mori. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-12-04.

Apparatus and method for sensing distributed load currents provided by power gating circuit

Номер патента: EP3545317B1. Автор: Nan Chen,Junmou Zhang,Guoan Zhong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-05-27.

Clock gating circuit

Номер патента: TW201034379A. Автор: Kazuyuki Irie. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Waveform level gating circuit employing a two tunnel-diode flip-flop controlled by another two tunnel-diode flip-flop

Номер патента: US3185863A. Автор: Sear Brian Elliott. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1965-05-25.

Sram cell with write enhance pass gate transistors

Номер патента: US20240257867A1. Автор: Wen-Yuan Chen,Szuya Liao,Wei-Xiang YOU,Cheng-Yin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Soi pass-gate disturb solution

Номер патента: MY124337A. Автор: Andres Bryant,Edward J Nowak,Minh H Tong. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-06-30.

Semiconductor device having passing gate and method for fabricating the same

Номер патента: US09972627B2. Автор: Tae Su Jang,Jeong Seob KYE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

SRAM cell having dual pass gate transistors and method of making the same

Номер патента: US09935112B1. Автор: Hui Zang,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Ferroelectric memory device containing word lines and pass gates and method of forming the same

Номер патента: US20200411554A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

SRAM bitcell structures facilitating biasing of pass gate transistors

Номер патента: US09734897B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Pass gate and semiconductor storage device having the same

Номер патента: US20140061808A1. Автор: Keisuke Nakatsuka,Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Pass gate driver

Номер патента: US20240128851A1. Автор: Oliver Nehrig,Ruediger Kuhn,Bernhard Wolfgang Ruck. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Pass gate driver

Номер патента: US11901803B2. Автор: Oliver Nehrig,Ruediger Kuhn,Bernhard Wolfgang Ruck. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device with passing gate

Номер патента: US20240015951A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Differential sense amplifier without dedicated pass-gate transistors

Номер патента: CN102760471B. Автор: R·费朗,R·特维斯. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-04-15.

Sequential gating circuit

Номер патента: US3721770A. Автор: T Burns,J Catterall,R Beidel. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-03-20.

Gating circuit for a kinescope driver including a clamping circuit

Номер патента: CA1063714A. Автор: Donald H. Willis. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-10-02.

A semiconductor device including a cross-coupled gate circuit in a 3d stack and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4036959A2. Автор: Seunghyun Song,Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-03.

A semiconductor device including a cross-coupled gate circuit in a 3d stack and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4036959A3. Автор: Seunghyun Song,Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-12.

AC voltage circuit with several semiconductor amplifier elements operated in a base (gate) circuit

Номер патента: DE2646035C3. Автор: Gerhard Dipl.-Ing. 8000 Muenchen Ritter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-01-17.

Transmission gating circuit

Номер патента: US3723760A. Автор: J Ebrahimi. Владелец: Bell Canada Northern Electric Research Ltd. Дата публикации: 1973-03-27.

Low speed gate circuit

Номер патента: CA1257022A. Автор: Gregg D. Carse. Владелец: Pacific Bell Corp. Дата публикации: 1989-07-04.

Gate circuit and delay circuit

Номер патента: US20050212013A1. Автор: Hideo Takeda,Katsunao Kanari. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-29.

Rod core choke for suppressor application in phase-gating circuits

Номер патента: US3906421A. Автор: Josef Wimmer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1975-09-16.

Nor Gate Circuit, Shift Register, Array Substrate and Display Apparatus

Номер патента: US20170141777A1. Автор: Wu Zhongyuan. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-05-18.

Gate circuit

Номер патента: JPS5513572A. Автор: Koichi Tanaka,Kiyoshi Amasawa. Владелец: Clarion Co Ltd. Дата публикации: 1980-01-30.

Frequency dependant filter for analogue signals - uses gating circuits and inductive AND-OR capacitive loops

Номер патента: DE2517099A1. Автор: Alfred Prof Dr Fettweis. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-10-21.

Nor gate circuit, shift register, array substrate and display device

Номер патента: EP3309968B1. Автор: Zhongyuan Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

High voltage NMOS pass gate for integrated circuit with high voltage generator and flash non-volatile memory device having the pass gate

Номер патента: US5852576A. Автор: Masaru Yano,Shane Charles Hollmer,Shoichi Kawamura,Pau-Ling Chen,Binh Quang Le,Michael Shingche Chung,Vincent C. Leung. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

SRAM memory cell design having complementary dual pass gates

Номер патента: US5831897A. Автор: Robert Louis Hodges. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1998-11-03.

Fast high voltage NMOS pass gate for integrated circuit with high voltage generator

Номер патента: US5939928A. Автор: Shane Charles Hollmer,Pau-Ling Chen,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

8-transistor sram cell design with inner pass-gate junction diodes

Номер патента: US20130176770A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Monitoring circuitry including level shifters and analog pass gates

Номер патента: WO2021177975A1. Автор: Eric T. Martin,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2021-09-10.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: EP3262644A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

Complementary pass gate logic implementation of 64-bit arithmetic logic unit using propagate, generate, and kill

Номер патента: US20040078417A1. Автор: Sanjay Dubey,Yoganand Chillarige,Shivakumar Sompur,Ban Wong,Cynthia Tran. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-22.

Sense-amp based adder with source follower pass gate evaluation tree

Номер патента: US20030229661A1. Автор: Rajiv Joshi,Jae-Joon Kim,Kaushik Roy,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-12-11.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: WO2016137681A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

Segregated test mode clock gating circuits in a clock distribution network of a circuit for controlling power consumption during testing

Номер патента: WO2018044482A1. Автор: Anand BHAT,Joseph Fang,Kunal Jain,Moitrayee Ghosh. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-08.

Power Gating Circuit of a Signal Processing System

Номер патента: US20070210857A1. Автор: Shang-Chih Hsieh,Jeng-Huang Wu,Yi-Hwa Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Differential dual floating gate circuit and method for programming

Номер патента: WO2004064115A3. Автор: William Owen. Владелец: William Owen. Дата публикации: 2005-02-24.

Differential dual floating gate circuit and method for programming

Номер патента: WO2004064115A2. Автор: William Owen. Владелец: Xicor, Inc.. Дата публикации: 2004-07-29.

Electronic gating circuits

Номер патента: US3731117A. Автор: F Everest,T Veasey. Владелец: British Aircraft Corp Ltd. Дата публикации: 1973-05-01.

Segregated test mode clock gating circuits in a clock distribution network of a circuit for controlling power consumption during testing

Номер патента: US20180067515A1. Автор: Anand BHAT,Joseph Fang,Kunal Jain,Moitrayee Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Controlled gate circuit

Номер патента: US4389578A. Автор: Delmer W. Wagner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-06-21.

Display device having a gate circuit which performs bidirectional scanning

Номер патента: US9190006B2. Автор: Takahiro Ochiai,Mitsuru Goto. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2015-11-17.

Differentiator and variable threshold gate circuit

Номер патента: US3919537A. Автор: Byron G Bynum. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1975-11-11.

Nuclear magnetic resonance spectrometer employing an improved resonance signal gating circuit

Номер патента: CA1067577A. Автор: Howard D.W. Hill,John R. Laudermilch. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1979-12-04.

Method for clock gating circuits

Номер патента: US8219946B1. Автор: Sridhar Narayanan,Sridhar Subramanian,Chaiyasit Manovit,Wanlin Cao. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory device with power gating circuit for data input/output control block and data input/output block and semiconductor system including the same

Номер патента: US11670347B2. Автор: Woongrae Kim,Yoo-Jong Lee,A-Ram Rim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

Quantum computational method and apparatus for performing prime factorization of an interger, quantum computational method and apparatus for inverting a logic gate circuit

Номер патента: CA3228633A1. Автор: Wolfgang Lechner,Martin LANTHALER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-16.

Classical and quantum computational method and apparatus for performing prime factorization of an integer, classical and quantum computational method and apparatus for inverting a logic gate circuit

Номер патента: AU2021460191A1. Автор: Wolfgang Lechner,Martin LANTHALER. Владелец: Parity Quantum Computing GmbH. Дата публикации: 2024-02-29.

Classical and quantum computational method and apparatus for performing prime factorization of an integer, classical and quantum computational method and apparatus for inverting a logic gate circuit

Номер патента: EP4384957A1. Автор: Wolfgang Lechner,Martin LANTHALER. Владелец: Parity Quantum Computing GmbH. Дата публикации: 2024-06-19.

Clock gating circuit and bus system

Номер патента: US9298210B2. Автор: Sumie Aoki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Method for manufacturing semiconductor device with passing gate

Номер патента: US20240014314A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Encapsulated spacers in vertical pass gate dram and damascene logic gates

Номер патента: US20050167741A1. Автор: Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni,Stephan Kudelka. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Vertical transistor pass gate device

Номер патента: US10396198B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Vertical transistor pass gate device

Номер патента: US20180331215A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device having passing gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20160056160A1. Автор: Tae Su Jang,Jeong Seob KYE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

VERTICAL TRANSISTOR PASS GATE DEVICE

Номер патента: US20180301555A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

VERTICAL TRANSISTOR PASS GATE DEVICE

Номер патента: US20190312141A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

PASS GATE AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20140061808A1. Автор: KAWANAKA Shigeru,NAKATSUKA Keisuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-06.

PASS GATE, SEMICONDUCTOR MEMORY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140091396A1. Автор: Hokazono Akira. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-04-03.

COMPACT RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY INTEGRATED WITH A PASS GATE TRANSISTOR

Номер патента: US20200006656A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PASSING GATE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150035022A1. Автор: CHUNG Woo Young. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES WITH P-CHANNEL METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR PASS GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20160043092A1. Автор: Wang Zhongze,Yeap Choh Fei,SONG Stanley Seungchul,Mojumder Niladri Narayan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

VERTICAL TRANSISTOR PASS GATE DEVICE

Номер патента: US20200066905A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Amplitude Modulation for Pass Gate to Improve Charge Pump Efficiency

Номер патента: US20150091637A1. Автор: Pan Feng,Lei Bo,Wang Sung-En,Huynh Jonathan. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-04-02.

FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES WITH P-CHANNEL METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR PASS GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Wang Zhongze,Yeap Choh Fei,SONG Stanley Seungchul,Mojumder Niladri Narayan. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

COMPACT RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY INTEGRATED WITH A PASS GATE TRANSISTOR

Номер патента: US20200235295A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Silicon-on-insulator (soi) body-contact pass gate structure

Номер патента: US20140347083A1. Автор: Andres Bryant,Edward J. Nowak,Robert R. Robison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

VERTICAL TRANSISTOR PASS GATE DEVICE

Номер патента: US20180331215A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE CONTAINING WORD LINES AND PASS GATES AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200411554A1. Автор: Alsmeier Johann,Zhang Yanli. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device having passing gate and method for fabricating the same

Номер патента: CN105390542A. Автор: 张太洙,桂祯涉. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-03-09.

SRAM cell with asymmetrical pass gate

Номер патента: US20070069290A1. Автор: Theodore Houston,Shyh-Horng Yang,Kayvan Sadra. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Integrated circuit with pass gate multiplexer receiver circuit

Номер патента: EP0440331A2. Автор: Robert Paul Masleid,Robert Fluck Sechler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-08-07.

Sram cell having asymmetric pass gates

Номер патента: US20090218631A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor device having passing gate and method of the same

Номер патента: KR102180049B1. Автор: 장태수,계정섭. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-11-18.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: EP3178114A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-14.

Vertical transistor pass gate device

Номер патента: US20180301555A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Driver circuit equipped with power gating circuit

Номер патента: US20200321038A1. Автор: Mieko KOJIMA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Driver circuit equipped with power gating circuit

Номер патента: EP3948869A1. Автор: Mieko KOJIMA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Signal sampling gate circuit

Номер патента: GB2094579A. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-09-15.

Reactive power compensation apparatus with improved gate circuit

Номер патента: CA2005308C. Автор: Hidetoshi Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-05-23.

Driver circuit equipped with power gating circuit

Номер патента: EP3948869A4. Автор: Mieko KOJIMA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Electrical pulse generator chain circuits and gating circuits embodying such chain circuits

Номер патента: US2906869A. Автор: Kramskoy Charles Mark. Владелец: EMI Ltd. Дата публикации: 1959-09-29.

Burst gate circuit

Номер патента: CA1112755A. Автор: James B. Webb,William A. Lagoni. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-11-17.

DRIVER CIRCUIT EQUIPPED WITH POWER GATING CIRCUIT

Номер патента: US20200321038A1. Автор: Kojima Mieko. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-08.

Colour phase correction in SECAM system TV receiver - has switching circuit with two comparators and gating circuits

Номер патента: FR2316823A1. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1977-01-28.

A.c. motor starting control circuit utilizing triggerable semiconductor switching device with thermistor in gating circuit

Номер патента: US3544869A. Автор: Lyle E Mcbride Jr,Leo A Plouffe. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1970-12-01.

Stack-gate circuit

Номер патента: US11309306B2. Автор: Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Driver circuit equipped with power gating circuit

Номер патента: WO2020206023A1. Автор: Mieko KOJIMA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-08.

Stack-gate circuit

Номер патента: US20240088127A1. Автор: Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Beam index colour gate circuit

Номер патента: AU523796B2. Автор: Katsuo Isono,Tomoyoshi Imayasu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1982-08-12.

Beam index colour gate circuit

Номер патента: AU5303279A. Автор: Katsuo Isono,Tomoyoshi Imayasu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1980-06-12.

Signal sampling gate circuit

Номер патента: GB2094579B. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-10-03.

ELECTRON TRANSPORT GATE CIRCUITS AND METHODS OF MANUFACTURE, OPERATION AND USE

Номер патента: US20210019607A1. Автор: Rourk Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

STACK-GATE CIRCUIT

Номер патента: US20200105739A1. Автор: Peng Yung-Chow,YANG YU-TAO,CHOU WEN-SHEN. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

ELECTRON TRANSPORT GATE CIRCUITS AND METHODS OF MANUFACTURE, OPERATION AND USE

Номер патента: US20200226452A1. Автор: Rourk Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

Power gate circuits for semiconductor devices

Номер патента: US20190355677A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

POWER GATE CIRCUITS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180366422A1. Автор: MATSUBARA Yasushi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-20.

Sampling gate circuit

Номер патента: JPS5454564A. Автор: Kensuke Kobayashi. Владелец: Iwatsu Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-04-28.

Gate circuit of field effect thyristor

Номер патента: JPS54113238A. Автор: Kenichi Onda,Kiichi Tokunaga. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-09-04.

Gate circuit of self-extinguishing type semiconductor element

Номер патента: JPS6022464A. Автор: Hiroshi Narita,Yoshimi Kurotaki,博 成田,黒滝　義已. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-02-04.

Manufacture of complementary mos gate circuit device

Номер патента: JPS61274354A. Автор: Hiroshi Nishida,宏 西田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-12-04.

Read-write memory content protection for telephone systems - has gating circuit to ensure read-write instruction is correct before data is changed

Номер патента: DE2733531A1. Автор: Franz Paulus. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-02-01.

Dimming control techniques using self-excited gate circuits

Номер патента: WO2005029919A2. Автор: Shu-Yuen Ron Hui,Shu-Hung Henry Chung. Владелец: E. Energy Double Tree Limited. Дата публикации: 2005-03-31.

Gate circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5691676A. Автор: Yukinori Genda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-07-24.

Burst signal gating circuit

Номер патента: CA938714A. Автор: Wakai Shuzo,Sugano Hitoshi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1973-12-18.

Combination chrominance amplifier,burst amplifier,and burst gate circuit for a color television receiver

Номер патента: US3469022A. Автор: William P Iannuzzi. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1969-09-23.

Electron transport gate circuits and methods of manufacture, operation and use

Номер патента: US10817780B2. Автор: Christopher J. Rourk. Владелец: Christopher J. Rourk. Дата публикации: 2020-10-27.

Combiner/demultiplexer and DC channel adaptive gating circuit

Номер патента: CN104883751A. Автор: 陶沁. Владелец: Comba Telecom Technology Guangzhou Ltd. Дата публикации: 2015-09-02.

Microstrip gate circuit

Номер патента: JPS5985144A. Автор: Yoshio Tanimoto,善夫 谷本. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-05-17.

Gate circuit of compound semiconductor element

Номер патента: JPS60106178A. Автор: Akio Nakagawa,Hiromichi Ohashi,明夫 中川,大橋　弘道. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-06-11.

Noise gating circuit for synchronizing signal separator

Номер патента: US3428746A. Автор: David F Graf. Владелец: Thomas International Corp. Дата публикации: 1969-02-18.

Gate circuit for thyristor power supply unit

Номер патента: JPS51122748A. Автор: Etsuchi Piitaazu Ji Fuiritsupu. Владелец: Environment One Corp. Дата публикации: 1976-10-27.

Gate circuit

Номер патента: JPS60249490A. Автор: Tomoshi Iwasaki,岩崎　智志. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 1985-12-10.

Manufacturing process for a non-planar all-round gate circuit

Номер патента: DE112011105995B4. Автор: Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Robert Chau,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica Sevanne Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Dial tone gating circuit

Номер патента: US2966556A. Автор: Henry R Hofmann. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1960-12-27.

Negative voltage switch and related flash memory for transferring negative voltage with triple-well transistors

Номер патента: US20040080355A1. Автор: Yin-Chang Chen. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2004-04-29.

Storage cells utilizing reduced pass gate voltages for read and write operations

Номер патента: US20010015916A1. Автор: Eddy Chieh Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

PASSING GATE DETERMINING DEVICE, VEHICLE CONTROL SYSTEM, PASSING GATE DETERMINING METHOD, AND PROGRAM

Номер патента: US20200041299A1. Автор: Takahashi Kazuyuki,Kato Daichi,Ishioka Atsushi,Mizutani Akira,Otsu Akihiko. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

PASSING GATE DETERMINING DEVICE, VEHICLE CONTROL SYSTEM, PASSING GATE DETERMINING METHOD, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20190353493A1. Автор: Takahashi Kazuyuki,Kato Daichi,Ishioka Atsushi,Mizutani Akira,Otsu Akihiko. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

PASSING HIGH VOLTAGE INPUTS USING A CONTROLLED FLOATING PASS GATE

Номер патента: US20150042401A1. Автор: Tan Chiew-Guan,Knol Stephen,Brunolli Michael,Redelings Damen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-02-12.

Low power overdriven pass gate latch

Номер патента: TW200411354A. Автор: Brian W Curran,Deward T Malley. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-07-01.

Low power overdriven pass gate latch

Номер патента: TWI238306B. Автор: Brian W Curran,Edward T Malley. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-08-21.

Separate Pass Gate Controlled Sense Amplifier

Номер патента: US20120250441A1. Автор: Richard S. Roy,Dipak K. Sikdar. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: US20160247555A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoann Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

A kind of portable pass gates

Номер патента: CN106758954A. Автор: 葛辰. Владелец: Tianjin Tianxin Tongda Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

CONCURRENT USE OF SRAM CELLS WITH BOTH NMOS AND PMOS PASS GATES IN A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140133217A1. Автор: Lee Winston,LEE Peter. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-05-15.

Automatic passing gate for analysing images of traffic light

Номер патента: KR101816419B1. Автор: 김보성,신현길. Владелец: 신현길. Дата публикации: 2018-01-09.

Concurrent use of sram cells with both nmos and pmos pass gates in a memory system

Номер патента: WO2014074362A1. Автор: Peter Lee,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-05-15.

Memory array with local bitlines and local-to-global bitline pass gates and gain stages

Номер патента: US8891276B2. Автор: Chang Hua Siau,Bruce Bateman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Control device for a fish-pass gate

Номер патента: FR2585146A3. Автор: Jean-Francois Beal. Владелец: Brissonneau and Lotz Marine SA. Дата публикации: 1987-01-23.

Device for by-pass gate in the knife stopping method

Номер патента: KR101752620B1. Автор: 신경균. Владелец: 신경균. Дата публикации: 2017-07-11.

Sram cells with asymmetric floating-body pass-gate transistors

Номер патента: US20090073758A1. Автор: Mario M. Pelella,Carl J. Radens,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang,Gregory G. Freeman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Separate pass gate controlled sense amplifier

Номер патента: US8681574B2. Автор: Richard S. Roy,Dipak K. Sikdar. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2014-03-25.

Disk pass gates function for laboratory transportation system

Номер патента: CN106794943B. Автор: 斯蒂芬·L·奥茨. Владелец: Beckman Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: EP3262644B1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-24.

Clock gating circuits and methods for dual-edge-triggered applications

Номер патента: US20240361384A1. Автор: Arnab KHAWAS,Badarish Subbannavar,Gokul Sabada,Madhavan Sainath Rao Pissay. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Clock gating circuits and methods for dual-edge-triggered applications

Номер патента: US12146912B1. Автор: Arnab KHAWAS,Badarish Subbannavar,Gokul Sabada,Madhavan Sainath Rao Pissay. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Clock gating circuits and methods for dual-edge-triggered applications

Номер патента: WO2024226116A1. Автор: Arnab KHAWAS,Badarish Subbannavar,Gokul Sabada,Madhavan Sainath Rao Pissay. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Display driver circuit for E-paper comprising a common circuit, a source circuit and a gate circuit

Номер патента: TW201933326A. Автор: 洪志德,葉俊祺,林奕辰,簡嘉宏,顏國欽. Владелец: 矽創電子股份有限公司. Дата публикации: 2019-08-16.

CLOCK GATING CIRCUITS AND CIRCUIT ARRANGEMENTS INCLUDING CLOCK GATING CIRCUITS

Номер патента: US20160077544A1. Автор: TZENG JIANN-TYNG,Young Charles Chew-Yuen,CHEN Yi-Feng,SHEN Meng-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Method for computing power savings and determining the preferred clock gating circuit of an integrated circuit design

Номер патента: US20090044033A1. Автор: David L. Allen. Владелец: Atrenta Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Segregated test mode clock gating circuits in a clock distribution network of a circuit for controlling power consumption during testing

Номер патента: US20180067515A1. Автор: Anand BHAT,Joseph Fang,Kunal Jain,Moitrayee Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Clock gating circuits and scan chain circuits using the same

Номер патента: US20180203067A1. Автор: Yiwei Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

NEURAL NETWORK SYSTEM INCLUDING GATE CIRCUIT FOR CONTROLLING MEMRISTOR ARRAY CIRCUIT

Номер патента: US20200302277A1. Автор: Min Kyeong Sik. Владелец: KOOKMIN UNIVERSITY INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2020-09-24.

Transponder system including an oscillator ripple counter controlling a coded analog multiplex network in a circuit with a driver/gate circuit for generating red-alert end condition digital signals in a storage tank

Номер патента: CA1121482A. Автор: John S. Adamson. Владелец: Chevron Research and Technology Co. Дата публикации: 1982-04-06.

Integrated circuit, clock gate circuit, and method

Номер патента: JP5905243B2. Автор: ジェームズ・エドワード・マイヤーズ,エドモンド・ジョン・サイモン・アッシュフィールド. Владелец: アーム・リミテッド. Дата публикации: 2016-04-20.

Electronic divider circuit - contains gate circuit system combined with tetrade subtraction cicruit

Номер патента: DE4211676A1. Автор: Paul Merkle. Владелец: Paul Merkle. Дата публикации: 1993-10-14.

Integrated circuit astable trigger stage - has two parallel sets of leakage compensating IGFETs in gate circuit of supply transistor

Номер патента: DE3027456A1. Автор: Joachim Dipl.-Phys. Kuhlmann,Karl Ing.(grad.) 7100 Heilbronn Schoppe. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1982-02-04.

Clock-gating circuit insertion method, clock-gating circuit insertion program and designing apparatus

Номер патента: US7926014B2. Автор: Yukihito Kawabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-04-12.

Method and Apparatus for Converting Globally Clock-Gated Circuits to Locally Clock-Gated Circuits

Номер патента: US20070220468A1. Автор: Sebastian Ventrone,Joseph Iadanza,Allen Haar,Ivan Wemple. Владелец: Wemple Ivan L. Дата публикации: 2007-09-20.

Signal gating circuit and vehicle starting control circuit

Номер патента: US3327138A. Автор: Robert D Smith. Владелец: Donald Heaton. Дата публикации: 1967-06-20.

Gating circuit and magnetic store incorporating the gating circuit

Номер патента: CA925957A. Автор: D. Commander Robert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-05-08.

Safety gate circuit

Номер патента: US3215895A. Автор: Richard F Lach. Владелец: United Aircraft Corp. Дата публикации: 1965-11-02.

Gating circuit

Номер патента: GB8423521D0. Автор: . Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1984-10-24.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH POWER GATING CIRCUIT FOR DATA INPUT/OUTPUT CONTROL BLOCK AND DATA INPUT/OUTPUT BLOCK AND SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210166739A1. Автор: KIM Woongrae,LEE Yoo-Jong,RIM A-Ram. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Electronic gate circuit with separate transmitter and receiver - each with two antennae and demodulators and shift register or multiple OR=gate connected with coincidence unit

Номер патента: CH592797A5. Автор: . Владелец: GREY LAB ESTABLISHMENT. Дата публикации: 1978-01-31.

Hierarchical clock gating circuit and method

Номер патента: TWI257540B. Автор: Charles F Shelor. Владелец: VIA Cyrix Inc. Дата публикации: 2006-07-01.

Pulse code responsive signal detector and gate circuit

Номер патента: US3340510A. Автор: John M Tiffany. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1967-09-05.

CLOCK GATING CIRCUIT AND BUS SYSTEM

Номер патента: US20130124907A1. Автор: Aoki Sumie. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

DATA SECURITY USING INTER-ZONE GATE CIRCUITS

Номер патента: US20140013123A1. Автор: Kramer Joshua,Utin Daniil M.,Khazan Roger I.,Vai Mankuan Michael,Whelihan David. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

Clock generator, communication device and sequential clock gating circuit

Номер патента: US20160004273A1. Автор: Liu Kai-Yin,Lin Jian-Ru,Chiang Chih-Jung,TSENG SHUN-TE. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

APPARATUS INCLUDING CORE AND CLOCK GATING CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING SAME

Номер патента: US20170062075A1. Автор: Elmoalem Eli,Golan Ronen,Barber Edgar. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH POWER GATING CIRCUIT FOR DATA INPUT/OUTPUT CONTROL BLOCK AND DATA INPUT/OUTPUT BLOCK AND SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210174847A1. Автор: KIM Woongrae,LEE Yoo-Jong,RIM A-Ram. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

CLOCK GATING CIRCUIT

Номер патента: US20180157616A1. Автор: Yun Jaegeun,Jeong Bub-chul,LIAO Lingling. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

DESIGN SYNTHESIS OF CLOCK GATED CIRCUIT

Номер патента: US20140258948A1. Автор: Jensen Mark,Goodrich Andrew,Fouron Valery. Владелец: CADENCE DESIGN SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-09-11.

Boot rom gating circuit

Номер патента: US20200334361A1. Автор: Neha Agarwal,Arun Jain,Rohit Kumar Sinha,Himanshu Shekhar Thakur. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Gate circuit

Номер патента: JPS5571324A. Автор: Tsutomu Shimatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1980-05-29.

Gate circuit and display device

Номер патента: KR20220080835A. Автор: 이정민,민태현. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2022-06-15.

Method for switching work clock, intelligent gating circuit and system

Номер патента: CN102301357B. Автор: 余剑锋,周勇辉. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Isolation gate circuit with improved reliability in burn-in mode

Номер патента: KR950004870B1. Автор: 오승철,석용식. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-05-15.

Clock gate circuit

Номер патента: JPS5489445A. Автор: Yutaka Hayashi. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-07-16.

Gate circuit for a camshaft

Номер патента: DE102011002142B4. Автор: Michael Wahl,Wolfgang Eberle,Klaus Fuoss,Siegfried Luhmann,Matthias Benz,Andreas Leichtweiss. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2022-07-28.

A kind of gating circuit applied to single-photon detector

Номер патента: CN107024287A. Автор: 吴俊辉,沈寒冰,卜晓峰,马浩文. Владелец: CHAORUI MICROELECTRONICS Co Ltd SUZHOU. Дата публикации: 2017-08-08.

Data processing system with fast access auxiliary programme store - has programme store coupled to large capacity buffer controlled in groups over gating circuit

Номер патента: FR2298139A1. Автор: . Владелец: Fujitsu Services Ltd. Дата публикации: 1976-08-13.

Therapeutic appts. stimulating body tissue - applies HF signal to aerial in contact with body, via gating circuit controlled by biological rhythms

Номер патента: FR2454817A1. Автор: Mung Luong Phung. Владелец: NONNENMACHER HUBERT. Дата публикации: 1980-11-21.

Ultrasonic measurer of plasma ratio in centrifuged blood - uses gating circuit to switch piezoelectric transducer, from transmit to receive mode to determine measurements for subsequent display

Номер патента: FR2479448A1. Автор: Didier Bertin,Pierre Valdiguie,Hugues Couzi,Jean Pierre Morucci. Владелец: Institut National de la Sante et de la Recherche Medicale INSERM. Дата публикации: 1981-10-02.

Multiple coupler for active computers including one master - uses bidirectional programmable input-output gate circuits

Номер патента: FR2425113A1. Автор: Karl Herrmann,Wolfgang Henzler,Eberhard Kehrer,Eberhard Krug,Wolfgang Schone,Gunter Wollenberg. Владелец: Numerik Karl Marx Veb. Дата публикации: 1979-11-30.

Method for setting VR chip address based on gate circuit chip

Номер патента: CN105573950A. Автор: 李纪伟,薛广营. Владелец: Shandong Mass Institute Of Information Technology. Дата публикации: 2016-05-11.

Method and apparatus for scalable and super-scalable information processing using binary gate circuits structured by code-selected pass transistors

Номер патента: US20110131392A1. Автор: William Stuart Lovell. Владелец: William Stuart Lovell. Дата публикации: 2011-06-02.

Burglar alarm system using activation by remote signalling - operates gating circuit controlling warning devices

Номер патента: FR2301886A1. Автор: . Владелец: Stanley Works Italia SRL. Дата публикации: 1976-09-17.

Memory memory with gate circuit for the read signal

Номер патента: DE1954506A1. Автор: Karl-Ulrich Dipl-Ing Dr Stein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1971-05-06.

Boot rom gating circuit

Номер патента: EP3726377A1. Автор: Neha Agarwal,Arun Jain,Rohit Kumar Sinha,Himanshu Shekhar Thakur. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-10-21.

Warp knitter control - has comparator and gate circuits to control warp beam advance

Номер патента: DE3017715A1. Автор: Akiro Fukui Ikeuchi,Masaaki Osaka Sakamoto. Владелец: Kombinat Textima VEB. Дата публикации: 1981-04-09.

Monolithically integrated organ gate circuit with crack suppression

Номер патента: DE2814175C2. Автор: Dieter 7800 Freiburg Holzmann. Владелец: Deutsche ITT Industries GmbH. Дата публикации: 1982-04-29.

It is multiplexed the un-cooled infrared focal plane array gating circuit of contact hole

Номер патента: CN106768377A. Автор: 赵文虎,管志强,刘数廷. Владелец: SUZHOU XINTONG MICROELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Gate circuit

Номер патента: JPS6038791A. Автор: Hideyuki Aoki,Kinya Mitsumoto,英之 青木,光本　欽哉. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-02-28.

A kind of power gating circuit

Номер патента: CN104850210B. Автор: 张臣雄,唐样洋,王新入. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-01.

Gating circuit for analog values

Номер патента: US6191639B1. Автор: Ernst Rau. Владелец: Litef GmbH. Дата публикации: 2001-02-20.

Gating circuit and method for multi-phase clock signals and electronic equipment

Номер патента: CN111613257B. Автор: 马军亮. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-15.

High speed register using gating circuits to bypass delay elements

Номер патента: US2819839A. Автор: May Michael,Donald H Jacobs. Владелец: Donald H Jacobs. Дата публикации: 1958-01-14.

Transistor gating circuit

Номер патента: US3007056A. Автор: Joseph C Logue,Harold C Goodman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1961-10-31.

Gate circuit diagnosis system

Номер патента: JPS59200353A. Автор: Katsuhiko Shioya,克彦 塩屋. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-11-13.

FDD window gate circuit

Номер патента: JPH0650591B2. Автор: 伸隆 中村. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-06-29.

Commercial gas stove cooking energy-saving device with monitoring signal provided by AND gate circuit

Номер патента: CN2893475Y. Автор: 谭启仁. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-25.

Computer ticketing system for propagating transaction between e.g. remote ticketing device and gate circuit, has machines handling non-rewritable transport document supports, where variable data is accessible and propagated by machines

Номер патента: FR2910675A1. Автор: Athis Thierry D,Bertrand Sensfelder,Gilles Betis. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2008-06-27.

Opto-electronic key control of security lock - contains sections of optical fibres which align with electronic gating circuits

Номер патента: FR2452559A1. Автор: Bernard Allias. Владелец: Alcatel CIT SA. Дата публикации: 1980-10-24.

Gating circuits for electrical musical instruments

Номер патента: US3233031A. Автор: Jr Walter Munch,Robert C Scherer. Владелец: DH Baldwin Co. Дата публикации: 1966-02-01.

Clock gating circuit

Номер патента: US20180157616A1. Автор: Bub-chul Jeong,Jaegeun Yun,Lingling LIAO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Techniques for multiple signal fan-out

Номер патента: US20200321956A1. Автор: David Newman,Chuanzhao Yu,Stepha Leuschner. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Variable threshold compensation voltage generation

Номер патента: WO2018200497A1. Автор: Michael A. Kost,Aaron Brennan,Anuradha PARSI. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor, Ltd.. Дата публикации: 2018-11-01.

Techniques For Testing Input And Output Buffer Circuits Using A Test Bus

Номер патента: US20240319262A1. Автор: Ching Sia LIM,Pai Ho Bong,Sean Woei Voon,Wee Sun Voon. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

A driver circuit for low voltage operation of a successive approximation register (sar) analog to digital (a/d) converter and method therefor

Номер патента: WO1999037027A1. Автор: David Susak. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 1999-07-22.

Driver circuits for gallium nitride half bridge power converters

Номер патента: US12119809B1. Автор: Santosh Sharma. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

High voltage tolerant receiver

Номер патента: EP2668720A1. Автор: Ankit Srivastava,Xiaohong Quan,Xuhao Huang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-04.

High voltage tolerant differential receiver

Номер патента: EP2668722A2. Автор: Ankit Srivastava,Xiaohong Quan,Xuhao Huang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-04.

High voltage tolerant differential receiver

Номер патента: WO2012103475A2. Автор: Ankit Srivastava,Xiaohong Quan,Xuhao Huang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-08-02.

Radiation hardened flip-flop circuit for mitigating single event transients

Номер патента: US20220200585A1. Автор: Manuel F. Cabanas-Holmen,Ethan H. Cannon,Salim A. Rabaa. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-06-23.

Static random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20220284966A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Ring oscillator, controlling circuit and methods for realignment

Номер патента: US20180287593A1. Автор: Ruey-Bin Sheen,Tsung-Hsien Tsai,Cheng-Hsiang Hsieh,Chih-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

High voltage tolerant receiver

Номер патента: WO2012103477A1. Автор: Ankit Srivastava,Xiaohong Quan,Xuhao Huang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-08-02.

Multiple-bit memory latch cell for integrated circuit gate array

Номер патента: US20040169205A1. Автор: Michael Dillon,Bret Oeltjen. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-09-02.

Data synchronizer for registering a data signal into a clock domain

Номер патента: US09793894B1. Автор: James R. Lundberg. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Low dropout regulator circuits, input/output device, and methods for operating a low dropout regulator

Номер патента: US20240255977A1. Автор: Chia-Wei Hsu,Chang-Fen Hu,Huan-Neng CHEN,Bo-Ting Chen,Jo-Yu Wu,Yen-Lin Liu,Shao-Yu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Data synchronizer for latching an asynchronous data signal relative to a clock signal

Номер патента: US09768776B1. Автор: James R. Lundberg. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Radiation hardened logic circuit

Номер патента: WO2007103895A3. Автор: Thun Matthew Von. Владелец: Thun Matthew Von. Дата публикации: 2008-12-04.

Static random-access memory (sram) device and related sram-based compute-in-memory devices

Номер патента: US20240282364A1. Автор: Szuya Liao,Wei-Xiang YOU,Cheng-Yin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Номер патента: GB1375144A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1974-11-27.

Statische direktzugriffsspeichervorrichtung (sram-vorrichtung) undzugehörige sram-basierte compute-in-memory-vorrichtungen

Номер патента: DE102023129980A1. Автор: Szuya Liao,Wei-Xiang YOU,Cheng-Yin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

High voltage tolerant differential receiver

Номер патента: WO2012103475A3. Автор: Ankit Srivastava,Xiaohong Quan,Xuhao Huang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-11-01.

Circuitry and layouts for xor and xnor logic

Номер патента: MY183545A. Автор: T Becker Scott. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Multiple stack high voltage circuit for memory

Номер патента: US12094558B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Tung-Cheng Chang,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Look-up table

Номер патента: US09621168B2. Автор: Richard Ferrant. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-04-11.

Interconnect multiplexers and methods of reducing contention currents in an interconnect multiplexer

Номер патента: US09509307B1. Автор: Shidong Zhou,Robert Fu,Steven P. Young,Brian C. Gaide,Vikram Santurkar,Philip Costello,Santosh Yachareni,Anil Kumar Kandala,Sandeep Vundavalli. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Low power circuit for transistor electrical overstress protection in high voltage applications

Номер патента: US09979181B2. Автор: Chee Hong Aw. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Circuitry and layouts for XOR and XNOR logic

Номер патента: US09673825B2. Автор: Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Low power circuit for transistor electrical overstress protection in high voltage applications

Номер патента: US09595823B2. Автор: Chee Hong Aw. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Logic gate having transmission gate for electrically configurable device multiplexer

Номер патента: US5719507A. Автор: Alok Mehrotra. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1998-02-17.

High speed line driver with direct and complementary outputs

Номер патента: US6087854A. Автор: Dale A. Potter. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Processing clock signals

Номер патента: US8237483B2. Автор: Nitin Jain,Nitin Gupta. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2012-08-07.

Processing clock signals

Номер патента: US20120169393A1. Автор: Nitin Jain,Nitin Gupta. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Apparatus for improving read stability

Номер патента: US09922702B1. Автор: Feroze A. Merchant,Amarnath Shanmugam,Anik Basu,Steve P. Ferrera,Srinivas Rajamani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Scannable flip flop circuit and method of operating an integrated circuit

Номер патента: WO2000072444A9. Автор: Joseph A Hoffman,Joseph W Yoder. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Scannable flip flop circuit and method of operating an integrated circuit

Номер патента: WO2000072444A3. Автор: Joseph A Hoffman,Joseph W Yoder. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Negative voltage tolerant IO circuitry for IO pad

Номер патента: US10748890B2. Автор: Ravinder Kumar. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-18.

Memory cell

Номер патента: US20240087646A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

High Frequency Ring Oscillator With Feed-Forward Paths

Номер патента: US20080024233A1. Автор: Alan Drake,Fadi Gebara,Jeremy Schaub. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Multiple Stack High Voltage Circuit for Memory

Номер патента: US20230282250A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Tung-Cheng Chang,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Low dropout regulator circuits, input/output device, and methods for operating a low dropout regulator

Номер патента: US11966241B2. Автор: Chia-Wei Hsu,Chang-Fen Hu,Huan-Neng CHEN,Bo-Ting Chen,Jo-Yu Wu,Yen-Lin Liu,Shao-Yu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Improvements in or relating to pulse-responsive circuit arrangements

Номер патента: GB1017112A. Автор: John Spencer Arnold,Roger Harold Bennion. Владелец: Automatic Telephone and Electric Co Ltd. Дата публикации: 1966-01-19.

Receiver apparatus and method of propagating a signal

Номер патента: US6600353B2. Автор: David L. Linam,Christopher George Helt. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-07-29.

Field programmable gate array utilizing two-terminal non-volatile memory

Номер патента: EP2737628A2. Автор: Sang Thanh Nguyen,Tanmay Kumar,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-06-04.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: US20160049940A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: EP3195477A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: WO2016025261A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2016-02-18.

Receiver apparatus and method of propagating a signal

Номер патента: US20030080785A1. Автор: David Linam,Christopher Helt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Improved diagnostic ring oscillator circuit for dc and transient characterization

Номер патента: US20240243735A1. Автор: Andreas KERBER,Phillip KLIZA. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Interconnect circuits having low threshold voltage P-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: US09628081B2. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Programmable pulse generator and method for using same

Номер патента: US6446226B1. Автор: Thomas W. Voshell,R. Brent Lindsay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-03.

Family of Multiplexer/Flip-Flops with Enhanced Testability

Номер патента: US20130169332A1. Автор: Timothy D. Anderson,Alan Hales,Mujibur Rahman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Low voltage, master-slave flip-flop

Номер патента: US20190273484A1. Автор: Amit Verma,Alok Kumar Tripathi,Tanmoy Roy,Anuj Grover,Deepak Kumar Bihani,Tanuj Agrawal. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-09-05.

Level shifter incorporating a pulsed latch

Номер патента: WO2023138779A1. Автор: Eitan Rosen. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-27.

Field programmable gate array (FPGA) having an improved configuration memory and look up table

Номер патента: US5808942A. Автор: Bradley A. Sharpe-Geisler. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-09-15.

Field programmable gate array (fpga) having an improved configuration memory and look up table

Номер патента: WO1996042141A1. Автор: Bradley A. Sharpe-Geisler. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1996-12-27.

One-transistor synapse cell with weight adjustment

Номер патента: US20190096462A1. Автор: Teng Yang,Xiao Sun,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Circuitry for one-transistor synapse cell and operation method of the same

Номер патента: US20190096463A1. Автор: Teng Yang,Xiao Sun,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Circuitry for one-transistor synapse cell and operation method of the same

Номер патента: US20190378555A1. Автор: Teng Yang,Xiao Sun,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Non-volatile static random access memory incorporating resistive random-access memory

Номер патента: US11984158B2. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Ring oscillator, controlling circuit and methods for realignment

Номер патента: US20200127648A1. Автор: Ruey-Bin Sheen,Tsung-Hsien Tsai,Cheng-Hsiang Hsieh,Chih-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Ring oscillator, controlling circuit and methods for realignment

Номер патента: US10833660B2. Автор: Ruey-Bin Sheen,Tsung-Hsien Tsai,Cheng-Hsiang Hsieh,Chih-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-10.

Integrated bus interface fall and rise time accelerator method

Номер патента: WO2022187175A1. Автор: HUANG Huanzhang,Michael John Shay,Jonathan Lee VALDEZ,Kyle Edward ADDINGTON,Padmakumar Menon NAMBIYATH. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-09.

Non-volatile static random access memory

Номер патента: US20230253037A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Dual-port SRAM

Номер патента: US12009818B2. Автор: Pinhan CHEN,Chenglei Guo. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Non-linear polar material based latch

Номер патента: US11777504B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Rafael Rios,Ikenna Odinaka. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Halbleitervorrichtung zur logik- und speicher-co-optimierung sowie schaltung

Номер патента: DE102019117897B4. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Configuration bit using rram

Номер патента: US20230299772A1. Автор: Sang Nguyen,Cung Vu,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Digital ipsg, 2-level dac and flash adc

Номер патента: US20230208432A1. Автор: GEORGE Matthew,Fabrice Paillet,Po-Cheng Chen,James Keith Hodgson,Cary Renzema,Anand Ramasundar,Sergio Carlo RODRIGUEZ,Jason MUHLESTEIN,Shivadarshan Bidadi Rajeurs,Seng Rou Tey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Method and apparatus for reducing noise content in audio signals

Номер патента: US3989897A. Автор: Robert W. Carver. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-11-02.

Quantum bit array

Номер патента: US12029140B2. Автор: Fu-Chang Hsu,Kevin Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-02.

Linear resistor with high resolution and bandwidth

Номер патента: US09484888B2. Автор: Yong Yang,Zuoguo Wu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Quantum bit array

Номер патента: US11723288B2. Автор: Fu-Chang Hsu,Kevin Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-08.

Compute-in-memory (cim) bit cell circuits each disposed in an orientation of a cim bit cell circuit layout including a read word line (rwl) circuit in a cim bit cell array circuit

Номер патента: EP4256611A1. Автор: Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Integrated circuit, system and method of forming the same

Номер патента: US20240331764A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chien Hui Huang,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit, system and method of forming the same

Номер патента: US20240276696A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Low voltage selftime tracking circuitry for write assist based memory operation

Номер патента: US09786364B1. Автор: Harsh Rawat,Abhishek Pathak. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-10-10.

Multi-port memory cell

Номер патента: US09640251B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Kao-Cheng LIN,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device and manufacturing method

Номер патента: US20200135742A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hung Lo,Ying-Hsiu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20240357788A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12089391B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

A dynamically programmable integrated switching device using an asymmetric 5t1c cell

Номер патента: WO2002047398A8. Автор: Gautam Nag Kavipurapu. Владелец: Gautam Nag Kavipurapu. Дата публикации: 2003-02-13.

Method and apparatus with varying gate oxide thickness

Номер патента: WO2006115722A1. Автор: Irfan Rahim,Jeffrey Watt,Yow-Jang Bill Liu. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2006-11-02.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240314998A1. Автор: Wen-Yuan Chen,Ting-Yun Wu,Szuya Liao,Cheng-Yin WANG,Tsung-Kai CHIU,Shao-Tse HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Stable and reliable FinFET SRAM with improved beta ratio

Номер патента: US09799660B1. Автор: Ananthan Raghunathan,Lei Zhuang,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12096610B2. Автор: Chang-Min Hong,Hojoon Lee,Younghun Jung,Hee Bum Hong,Heesung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Two-port sram cell structure

Номер патента: US20240357790A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

SRAM cells with vertical gate-all-round MOSFETs

Номер патента: US09673201B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Cmos signaling front end for extra short reach links

Номер патента: US20230269119A1. Автор: John Poulton,Sanquan Song. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Gate-all-around high-density and high-speed SRAM cells

Номер патента: US12127387B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Gate-all-around high-density and high-speed sram cells

Номер патента: US20240381611A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Composite display system

Номер патента: GB967286A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1964-08-19.

Bit cell with isolating wall

Номер патента: EP4293720A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-20.

Bit Cell with Isolating Wall

Номер патента: US20230413505A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-21.

Integrated circuit devices and methods

Номер патента: US09966130B2. Автор: Richard S. Roy,Lawrence T. Clark,Scott E. Thompson,Damodar R. Thummalapally,Robert Rogenmoser. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit devices and methods

Номер патента: US09741428B2. Автор: Richard S. Roy,Lawrence T. Clark,Scott E. Thompson,Damodar R. Thummalapally,Robert Rogenmoser. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods for operating a FinFET SRAM array

Номер патента: US09659634B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Dual-port SRAM cell structure with vertical devices

Номер патента: US09646973B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Static random access memory structure

Номер патента: US20190096892A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chien-Hung Chen,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Meng-Ping Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Static random access memories (sram) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods

Номер патента: EP2948954A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-02.

Static random access memories (sram) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods

Номер патента: WO2014116655A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-31.

Selective stress engineering for sram stability improvement

Номер патента: US20080142896A1. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang,Young G. Ko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240284653A1. Автор: Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Tao Chou. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-22.

FinFET memory device

Номер патента: US09831253B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09825043B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Layout pattern for static random access memory

Номер патента: US09780099B1. Автор: Tsung-hsun Wu,Shu-Wei Yeh,Chih-Ming Su,Zhi-Xian Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Static random access memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761302B1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Chang-Hung CHEN,Han-Tsun Wang,Tien-Yu Lu,Jheng-Tai Yan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Dual port memory cell with multiple metal layers

Номер патента: US12148463B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory circuit having shared word line

Номер патента: US09449667B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Li-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Pulldown driver with gate protection for legacy interfaces

Номер патента: US20080137250A1. Автор: Glen A. Wiedemeier,John C. Schiff,Dan P. Bernard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Stable SRAM bitcell design utilizing independent gate FinFET

Номер патента: US09865330B2. Автор: Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,MinGu Kang,Seung-Chul Song,Beom-Mo Han,Lixin Ge,Hyunkook Park,Mohamed Abu-Rahma. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

One-Time Programmable Device

Номер патента: US20130302960A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

LDMOS One-Time Programmable Device

Номер патента: US20130299904A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

CFET SRAM cell utilizing 8 transistors

Номер патента: US11894049B1. Автор: Victor Moroz,Plamen Asenov. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

8T Dual Port SRAM and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20210366537A1. Автор: Yulin Wang,Pinhan CHEN,Bangwei Shen. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory array structures for capacitive sense nand memory

Номер патента: US20220181346A1. Автор: Shuji Tanaka,Yoshihiko Kamata,Masashi Yoshida,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09419003B1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Testing sram structures

Номер патента: US20210082776A1. Автор: Robert Wong,Alfred Bruno. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Integration of planar and tri-gate devices on the same substrate

Номер патента: WO2007078650A1. Автор: Peter L. D. Chang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-07-12.

Novel finfet 6t sram cell structure

Номер патента: US20160155492A1. Автор: Nan Wang,Gong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Integration of planar and tri-gate devices on the same substrate

Номер патента: EP1964169A1. Автор: Peter L. D. Chang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-03.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240321886A1. Автор: Kyungho Kim,Kyunghee Cho,Seunghun LEE,Myungil KANG,Kyowook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

FinFET 6T SRAM cell structure

Номер патента: US09613682B2. Автор: Nan Wang,Gong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

SRAM read preferred bit cell with write assist circuit

Номер патента: US09583178B2. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11856752B2. Автор: Ki-hyung NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200161305A1. Автор: Ki-hyung NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory device and manufacturing method

Номер патента: US20230276608A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hung Lo,Ying-Hsiu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory structure

Номер патента: US20240008241A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory cell array and method of operating same

Номер патента: US12080704B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device, and method for forming thereof

Номер патента: US20240130100A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Iuliana Radu,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Dual-port SRAM structure

Номер патента: US11901352B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240008238A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Dual-port sram structure

Номер патента: US20240186311A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Sram with dipole dopant threshold voltage modulation for greater read stability

Номер патента: EP4203641A1. Автор: ZHENG GUO,Tahir Ghani,Leonard GULER,Eric A. KARL,Smita SHRIDHARAN,Clifford Ong,Yen Ting Chiu,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Sram structure with asymmetric interconnection

Номер патента: US20240321345A1. Автор: Chia-En HUANG,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory cell array and method of operating same

Номер патента: US20240371853A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210126090A1. Автор: Kyu Hyun Lee,Yoo Sang Hwang,Woo Young Choi,Sang-Il Han,Hui-jung Kim,Kyu Jin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Cross-domain electrostatic discharge protection

Номер патента: US20230282637A1. Автор: Mikhail Yurievich Semenov,Gijs Jan De Raad,Yury Vladimirovich Alymov,Elena Valentinovna Somova. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-07.

Systems and methods of sectioned bit line memory arrays, some including hierarchical and/or other features

Номер патента: EP2788986A1. Автор: Leelean SHU,Hsin You S. LEE,Chenming W. TUNG. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Systems and methods of sectioned bit line memory arrays, including hierarchical and/or other features

Номер патента: US20140219011A1. Автор: Lee-Lean Shu,Hsin You S. LEE,Chenming W. TUNG. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Static random access memory

Номер патента: US09831250B2. Автор: Feng-Ming Chang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Dual-port static random access memory

Номер патента: US09646974B1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Improvements in or relating to a circuit arrangement for rhythmic signalling systems, for example a telegraph system

Номер патента: GB995053A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1965-06-10.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240105258A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

A dynamically programmable integrated switching device using an asymmetric 5t1c cell

Номер патента: WO2002047398A1. Автор: Gautam Nag Kavipurapu. Владелец: Gautam Nag Kavipurapu. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor structure, static random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200266201A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Electronic fuse device, methods of measuring resistance of the same and forming the same

Номер патента: US20240128188A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

High performance direct coupled FET memory cell

Номер патента: US6137129A. Автор: Claude L. Bertin,John E. Cronin,Erik L. Hedberg,Jack A. Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Memory Active Region Layout for Improving Memory Performance

Номер патента: US20230046028A1. Автор: Feng-Ming Chang,Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim,Chao-Yuan Chang,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor structure, static random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180151572A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Stable and reliable finfet sram with improved beta ratio

Номер патента: US20180012895A1. Автор: Ananthan Raghunathan,Lei Zhuang,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Stable and reliable finfet sram with improved beta ratio

Номер патента: US20170330883A1. Автор: Ananthan Raghunathan,Lei Zhuang,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Static random access memory

Номер патента: US20170338233A1. Автор: Huai-Ying Huang,Shau-Wei LU,Jordan HSU,Tang-Hsuan Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Eight-transistor static random access memory cell

Номер патента: US20220310629A1. Автор: Nigel Chan,Jörg D. Schmid. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Acht-transistor-static-random-access-memory-zelle

Номер патента: DE102022103701A1. Автор: Nigel Chan,Jörg D. Schmid. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Triple-poly 4T static ram cell with two independent transistor gates

Номер патента: US4951112A. Автор: Craig S. Sander,Richard K. Klein,Tat C. Choi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1990-08-21.

Power and die size optimization in FinFETs

Номер патента: US9397095B1. Автор: Ning Cheng,Andy Lee. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Power and die size optimization in FinFETs

Номер патента: US09397095B1. Автор: Ning Cheng,Andy Lee. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240224489A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Multi-gate semiconductor device for memory and method for forming the same

Номер патента: US12075608B2. Автор: Huai-Ying Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Nanowire-based vertical memory cell array having a back plate and nanowire seeds contacting a bit line

Номер патента: US09966431B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Chengwen Pei,Waikin Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Vertical channel transistor-based semiconductor memory structure

Номер патента: US09711511B1. Автор: Kwan-Yong Lim,Youngtag Woo,Ryan Ryoung-Han Kim,Deepak Nayak,Motoi Ichihashi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated Circuit Devices and Methods

Номер патента: US20160232964A1. Автор: Richard S. Roy,Lawrence T. Clark,Scott E. Thompson,Damodar R. Thummalapally,Robert Rogenmoser. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor structure for sram cell

Номер патента: US20210057421A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Asymmetric static random access memory cell with dual stress liner

Номер патента: WO2012170465A2. Автор: Shaofeng Yu,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-12-13.

High density memory cell structures

Номер патента: US20170278927A1. Автор: Ping-Chuan Wang,Chengwen Pei,Waikin Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

SRAM cells with vertical gate-all-round MOSFETs

Номер патента: US09691471B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Structure and method for an SRAM circuit

Номер патента: US09640540B1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240049438A1. Автор: Seunghun LEE,Hyejin Lee,Seokhyeon YOON,Kyowook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

High density stacked vertical transistor static random access memory structure

Номер патента: WO2023186507A1. Автор: Brent Anderson,Albert Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240063277A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Sram with channel count contrast for greater read stability

Номер патента: US20230209798A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Leonard GULER,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Novel six-transistor (6t) sram cell structure

Номер патента: US20190139967A1. Автор: Randy W. Mann,Bipul C. Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Asymmetric static random access memory cell with dual stress liner

Номер патента: WO2012170465A3. Автор: Shaofeng Yu,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-04-25.

High density stacked vertical transistor static random access memory structure

Номер патента: US20230320055A1. Автор: Junli Wang,Hemanth Jagannathan,Brent A Anderson,Albert M Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296286A1. Автор: Tsung-hsun Wu,Shih-Hao Liang,Yen-Yu Shen,Liang-Wei Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Sram-struktur mit asymmetrischer interconnection

Номер патента: DE102021105451B4. Автор: Chia-En HUANG,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Sram with channel count contrast for greater read stability

Номер патента: EP4203642A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Leonard GULER,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP4319526A1. Автор: Seunghun LEE,Hyejin Lee,Seokhyeon YOON,Kyowook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Stable sram bitcell design utilizing independent gate finfet

Номер патента: WO2012061666A1. Автор: Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,MinGu Kang,Seung-Chul Song,Beom-Mo Han,Lixin Ge,Hyunkook Park,Mohamed Abu-Rahama. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-10.

Two port sram cell using complementary nano-sheet/wire transistor devices

Номер патента: US20200035686A1. Автор: Ruilong Xie,Bipul C. Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Stable sram bitcell design utilizing independent gate finfet

Номер патента: EP2636039A1. Автор: Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,MinGu Kang,Seung-Chul Song,Beom-Mo Han,Lixin Ge,Hyunkook Park,Mohamed Abu-Rahama. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-09-11.

A nanomesh sram cell

Номер патента: WO2011015440A1. Автор: Paul Chang,Michael Guillorn,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-02-10.

Dual-Port SRAM Cell Structure

Номер патента: US20210035986A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu,Bing-Chian Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

SRAM cell structure with dielectric sidewall spacers and drain and channel regions defined along sidewall spacers

Номер патента: US6140684A. Автор: Tsiu Chiu Chan,Frank Randolph Bryant. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-10-31.

Radiation hardened six transistor random access memory and memory device

Номер патента: AU4331899A. Автор: Robert C. Bertin. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 1999-12-20.

Layout pattern of static random access memory and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216220A1. Автор: Wei-Chi Lee,Chang-Hung CHEN,Shu-Wei Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Latch circuit

Номер патента: US11915743B2. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hua-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Latch circuit

Номер патента: US20240170053A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hua-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Static random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170317087A1. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

CMOS signaling front end for extra short reach links

Номер патента: US11936507B2. Автор: John Poulton,Sanquan Song. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Cmos signaling front end for extra short reach links

Номер патента: US20220353115A1. Автор: John Poulton,Sanquan Song. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

SRAM speed and margin optimization via spacer tuning

Номер патента: US12101921B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Chien-Chih Lin,Kian-Long Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Sram speed and margin optimization via spacer tuning

Номер патента: US20240373614A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Chien-Chih Lin,Kian-Long Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Static random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601497B1. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12029023B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Spram array

Номер патента: US20200051618A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

SRAM array

Номер патента: US10679693B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20210272967A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Layout of static random access memory cell

Номер патента: US09773791B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Capacitive sense nand memory

Номер патента: US20220180937A1. Автор: Shuji Tanaka,Yoshihiko Kamata,Masashi Yoshida,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Layout of static random access memory cell

Номер патента: US20170179134A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20230301049A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure with a bit line in a different configuration than a local interconnect line

Номер патента: US20240314996A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Dual-port SRAM connection structure

Номер патента: US09916893B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory array with bit-lines connected to different sub-arrays through jumper structures

Номер патента: US09659635B1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

SRAM with stacked bit cells

Номер патента: US09659632B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Layout of static random access memory cell

Номер патента: US09515077B1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods for operating SRAM cells

Номер патента: US8964457B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US10872883B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11925018B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Sram Structure with Asymmetric Interconnection

Номер патента: US20210343332A1. Автор: Chia-En HUANG,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of Improving Memory Cell Device by Ion Implantation

Номер патента: US20120329220A1. Автор: Ralf van Bentum,Nihar-Ranjan Mohapatra. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Method and circuit for element wearout recovery

Номер патента: US20050116739A1. Автор: Ping-Chuan Wang,Giuseppe Rosa,Joseph Lukaitis,Fernando Guarin,Anastasios Katsetos,Stewart Rauch,Stephen Boffoli,B. B. Lawhorn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

SRAM cell with improved layout designs

Номер патента: US20070126060A1. Автор: Chii-Ming Wu,Huai-Ying Huang,Chun-yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

SRAM Cell Having SiGe PMOS Fin Lines

Номер патента: US20190371393A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory structure

Номер патента: US20240040763A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

SRAM Structure with Asymmetric Interconnection

Номер патента: US20230102877A1. Автор: Chia-En HUANG,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

SRAM structure with asymmetric interconnection

Номер патента: US11996140B2. Автор: Chia-En HUANG,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240172435A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Cross-domain electrostatic discharge protection

Номер патента: US12021077B2. Автор: Mikhail Yurievich Semenov,Gijs Jan De Raad,Yury Vladimirovich Alymov,Elena Valentinovna Somova. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-25.

Static random access memory

Номер патента: US20170256549A1. Автор: Feng-Ming Chang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Gate-all-around memory devices

Номер патента: US20230335185A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory cell design

Номер патента: US20230262951A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method and device to reduce finfet sram contact resistance

Номер патента: US20190181145A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Image processing system, image processing method, and image processing device using unmanned mobile body

Номер патента: US20220197279A1. Автор: Takafumi MATSUDOME. Владелец: Spicy Drone Kitchen Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory device

Номер патента: US20240381609A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Global bit line pre-charge circuit that compensates for process, operating voltage, and temperature variations

Номер патента: US11087841B2. Автор: Chang Hua Siau,Bruce Lynn Bateman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Sram Performance Optimization Via Transistor Width And Threshold Voltage Tuning

Номер патента: US20230326519A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240147684A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Sram integrated circuits with buried saddle-shaped finfet and methods for their fabrication

Номер патента: US20140042551A1. Автор: Peter Baars,Matthias Goldbach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11621258B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

VMOS Memory cell and method for making same

Номер патента: US4271418A. Автор: William R. Hiltpold. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1981-06-02.

Method for FinFET SRAM ratio tuning

Номер патента: US9184170B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Sram with nanoribbon width modulation for greater read stability

Номер патента: EP4203643A1. Автор: ZHENG GUO,Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Eric Karl,Smita SHRIDHARAN,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Method for finfet sram ratio tuning

Номер патента: US20150102423A1. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Magnetoresistive random access memory (mram) differential bit cell and method of use

Номер патента: US20150179924A1. Автор: Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Finfet Drive Strength Modification

Номер патента: US20150270272A1. Автор: Gerben Doornbos,Thomas Merelle,Robert James Lander,Yi-Tzi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor structure with a bit line in a different configuration than a local interconnect line

Номер патента: US12022644B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Multi-port sram structure with gate-all-around transistors

Номер патента: US20240306358A1. Автор: Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated high speed switch router using a multiport architecture

Номер патента: US20010038636A1. Автор: Chitranjan Reddy,Bhanu Nanduri. Владелец: Alliance Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Compact and reliable physical unclonable function devices and methods

Номер патента: US20190229933A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Method for forming self-alignment insulation structure

Номер патента: US20090283873A1. Автор: Hon-Chun Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

System and method for soft-start scheme to control inrush current for VCONN in USB-C interface

Номер патента: US11422599B2. Автор: Rakesh Kumar Polasa,Shubham Paliwal,Satish Anand Verkila,Ashok Kumar JYANI. Владелец: Siliconch Systems Pvt Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Connector assembly, female connector, and male connector

Номер патента: US20220320802A1. Автор: Guang-Yi Zeng. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of fabricating a semiconductor device including multiple contacts

Номер патента: US11984400B2. Автор: Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Kian-Long Lim,Chao-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

System and method for soft-start scheme to control inrush current for vconn in usb-c interface

Номер патента: US20210303049A1. Автор: Rakesh Kumar Polasa,Shubham Paliwal,Satish Anand Verkila,Ashok Kumar JYANI. Владелец: Siliconch Systems Pvt Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230371228A1. Автор: Feng-Ming Chang,Ping-Wei Wang,Jui-Wen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Low power consumption memory device

Номер патента: US09928888B1. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Anjana Singh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Low power consumption memory device

Номер патента: US20180090188A1. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Anjana Singh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Skewed sram cell

Номер патента: US20130182494A1. Автор: Sayeed A. Badrudduza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-07-18.

Sense amplifier for static random access memory

Номер патента: US20140036581A1. Автор: PANKAJ Agarwal,Krishnan S. Rengarajan,Shiju K. Kandiyil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Structure and method to ground reference voltage generator

Номер патента: US20240274161A1. Автор: Dzung T. Tran,Navneet K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

3D memory structure and circuit

Номер патента: US12094569B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device, read clock generation circuit, and method for controlling read operation in memory device

Номер патента: US20240339140A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Non-volatile dynamic random access memory (NVDRAM) with programming line

Номер патента: US09607663B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory device

Номер патента: US09552872B2. Автор: Seongook JUNG,Juhyun Park,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-01-24.

Circuit and method of writing to a bit cell

Номер патента: US11776622B2. Автор: Ching-Wei Wu,Pankaj Aggarwal,Jaymeen Bharatkumar ASEEM. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Shift register with reduced area and power consumption

Номер патента: WO2005017912A1. Автор: Johnny Chan,Philip S. Ng,Jeff Ming-Hung Tsai. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2005-02-24.

Operation aware auto-feedback SRAM

Номер патента: US09767890B2. Автор: Pramod Kolar,Eric A. KARL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Sense amplifier with current regulating circuit

Номер патента: US09679619B2. Автор: Cheng Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Chi-Kai Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method and apparatus for bypass mode low dropout (ldo) regulator

Номер патента: WO2014078803A1. Автор: Burt L. Price,Yeshwant Nagaraj Kolla,Dhaval R. Shah. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-22.

Integrated circuit memory access mechanisms

Номер патента: US20100220542A1. Автор: David Theodore Blaauw,Gregory Kengho Chen,Dennis Michael Sylvester. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-02.

Fast scan GRA cell circuit

Номер патента: US5748643A. Автор: Antonio Raffaele Pelella,Peter Tsung-Shih Liu,Gerard Joseph Scharff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Voltage regulator circuits with pass transistors and sink transistors

Номер патента: US20180335794A1. Автор: Ramakrishna Ankamreddi,Rohit Phogat. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Reference cell repair scheme

Номер патента: WO2014043574A2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-03-20.

Sense amplifier circuit for preventing read disturb

Номер патента: US20220084590A1. Автор: Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Voltage regulator with adaptive bias network

Номер патента: US09904305B2. Автор: Jingdong DENG,Jonathan K. Brown. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Circuit for testing pumped voltage gates in a programmable gate array

Номер патента: US5920201A. Автор: Charles R. Erickson,Alok Mehrotra. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

A split voltage non-volatile latch cell

Номер патента: WO2016118381A1. Автор: Venkatraman Prabhakar,Vijay Raghavan,Jayant Ashokkumar,Swatilekha Saha. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2016-07-28.

8-transistor sram cell design with schottky diodes

Номер патента: US20130176769A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Split voltage non-volatile latch cell

Номер патента: US09620225B2. Автор: Venkatraman Prabhakar,Vijay Raghavan,Jayant Ashokkumar,Swatilekha Saha. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Controlling dummy word line bias during erase in non-volatile memory

Номер патента: US09443597B2. Автор: Masaaki Higashitani,Deepanshu Dutta,Mohan DUNGA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Dual-port SRAM device

Номер патента: US7535751B2. Автор: Huai-Ying Huang,Forst Hung,Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor memory with precharged redundancy multiplexing

Номер патента: US5265054A. Автор: David C. McClure. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1993-11-23.

Sram cell configured to perform multiply-accumulate (mac) operation on multi-bit data based on charge sharing and method of operating the same

Номер патента: US20230395132A1. Автор: Hyunjun Kim,Kyeongho Lee,Jongsun Park. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-12-07.

3d memory structure and circuit

Номер патента: US20230290392A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Displays with high impedance gate driver circuitry

Номер патента: US09734783B2. Автор: Yun Wang,Keitaro Yamashita,Hopil Bae,Ting-Kuo Chang,Cheng-Ho Yu,Kingsuk Brahma. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of detecting transistors mismatch in a sram cell

Номер патента: US20150029783A1. Автор: WEN Wei,QIANG LI,Enjing Cai. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Method of detecting transistors mismatch in a SRAM cell

Номер патента: US9058902B2. Автор: WEN Wei,QIANG LI,Enjing Cai. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Shift register with reduced area and power consumption

Номер патента: EP1652192A1. Автор: Johnny Chan,Philip S. Ng,Jeff Ming-Hung Tsai. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2006-05-03.

Memory device with an asymmetric layout structure

Номер патента: US20080180980A1. Автор: Huai-Ying Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Synchronous random access memory (SRAM) chip and two port SRAM array

Номер патента: US09911486B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Static random access memory cell

Номер патента: US20090303776A1. Автор: Hugh T. Mair. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Clamping circuit for multiple-port memory cell

Номер патента: US20150228331A1. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Systems and methods for a high performance memory cell structure

Номер патента: US9830976B1. Автор: Peter Lee,Winston Lee. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Static random access memory and method of controlling the same

Номер патента: US20230343390A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

플래시메모리 기반의 6t 비휘발성 sram 및 그 동작 방법

Номер патента: KR102330018B1. Автор: 송현석,신동민,정준교,이가원,조서연. Владелец: 충남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-11-24.

Frequency Synthesizer Apparatus for the Transmission of Speed Data to Trains

Номер патента: GB1193735A. Автор: . Владелец: ACEC SA. Дата публикации: 1970-06-03.

Memory cell with known state on power-up

Номер патента: US5257239A. Автор: Ta-Pen Guo,Adi Srinivasan. Владелец: Aptix Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Single-ended volatile memory access

Номер патента: US20140098597A1. Автор: Bao G. Truong,Michael Ju Hyeok Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Sram read preferred bit cell with write assist circuit

Номер патента: US20140036578A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Sram read preferred bit cell with write assist circuit

Номер патента: WO2014022565A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2014-02-06.

Writable analog reference voltage storage device

Номер патента: US5166562A. Автор: Carver A. Mead,Timothy P. Allen,Janeen D. W. Anderson,Adam K. Greenblatt. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 1992-11-24.

Power domain switches for switching power reduction

Номер патента: US11205469B2. Автор: Corrado Villa,Christophe Vincent Antoine Laurent,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-21.

Static random access memory

Номер патента: US20210287740A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Ping-Wei Wang,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Register circuit and display driving circuit having the same

Номер патента: US20100128008A1. Автор: Dong Qian. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2010-05-27.

Apparatus for low power write and read operations for resistive memory

Номер патента: US10438640B2. Автор: Yih Wang,Cyrille Dray,Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Nathaniel J. August,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Non-volatile register and method for accessing data therein

Номер патента: US5592411A. Автор: Jy-Der D. Tai. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-01-07.

Apparatus for low power write and read operations for resistive memory

Номер патента: US10068628B2. Автор: Yih Wang,Cyrille Dray,Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Nathaniel J. August,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Static random access memory method

Номер патента: US20200286550A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Ping-Wei Wang,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Generating a collapsed vdd using a write-assist column to decrease a write voltage

Номер патента: US20180151220A1. Автор: Yen-Huei Chen,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Sense amplifier circuit for preventing read disturb

Номер патента: US11328771B2. Автор: Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-05-10.

Split Voltage Non-Volatile Latch Cell

Номер патента: US20160217861A1. Автор: Venkatraman Prabhakar,Vijay Raghavan,Jayant Ashokkumar,Swatilekha Saha. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Mimicking program verify drain resistance in a memory device

Номер патента: US20070258287A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Bitcell process compensated read assist scheme for sram

Номер патента: US20240331768A1. Автор: Praveen Kumar Verma,Ashfaque AHMED. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Collision avoidance system

Номер патента: GB1355115A. Автор: . Владелец: MARINE DIGITAL SYSTEM Inc. Дата публикации: 1974-06-05.

Controlling dummy word line bias during erase in non-volatile memory

Номер патента: EP2856469A1. Автор: Masaaki Higashitani,Deepanshu Dutta,Mohan DUNGA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-04-08.

Controlling dummy word line bias during erase in non-volatile memory

Номер патента: WO2013176858A1. Автор: Masaaki Higashitani,Deepanshu Dutta,Mohan DUNGA. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

Programmable integrated circuits with in-operation reconfiguration capability

Номер патента: US09984734B2. Автор: Andy L. Lee,Ning Cheng,Shankar Sinha. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Programmable integrated circuits with in-operation reconfiguration capability

Номер патента: US09607671B1. Автор: Andy L. Lee,Ning Cheng,Shankar Sinha. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Global bit line pre-charge circuit that compensates for process, operating voltage, and temperature variations

Номер патента: US9870823B2. Автор: Chang Hua Siau,Bruce Lynn Bateman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method, apparatus and system for targeted healing of stability failures through bias temperature instability

Номер патента: US9601188B1. Автор: Randy W. Mann,William McMahon,Akhilesh Gautam,Yoann Mamy RANDRIAMIHAJA,Yuncheng Song. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method, apparatus, and system for global healing of stability-limited die through bias temperature instability

Номер патента: US9601187B1. Автор: Randy W. Mann,William McMahon,Akhilesh Gautam,Yoann Mamy RANDRIAMIHAJA,Yuncheng Song. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Apparatus and Method for Placement of Boosting Cell With Adaptive Booster Scheme

Номер патента: US20100110819A1. Автор: Teoh Boon-Weng,Chin-Ghee Chng. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Equalizing erase depth in different blocks of memory cells

Номер патента: EP3494577A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu,Caifu Zeng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-12.

Method and device for in-memory cumulative distribution table based random sampler

Номер патента: US20240249768A1. Автор: DAI Li,Kaiyuan Yang. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and device for in-memory cumulative distribution table based random sampler

Номер патента: WO2023009207A3. Автор: DAI Li,Kaiyuan Yang. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2023-04-27.

Method and device for in-memory cumulative distribution table based random sampler

Номер патента: WO2023009207A2. Автор: DAI Li,Kaiyuan Yang. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2023-02-02.

Equalizing erase depth in different blocks of memory cells

Номер патента: US09786378B1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu,Caifu Zeng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Efficient and robust random access memory cell suitable for programmable logic configuration control

Номер патента: US20020001222A1. Автор: Rafael Camarota. Владелец: Adaptive Silicon Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Static random access memory circuit

Номер патента: US20190139600A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Ping-Wei Wang,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Mimicking program verify drain resistance in a memory device

Номер патента: WO2007130556A2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-11-15.

반도체 소자의 테스트 장치

Номер патента: KR20090077586A. Автор: 이정훈,김영수,손진석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-07-15.

Non-volatile memory with engineered channel gradient

Номер патента: US11881271B2. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Transponder system including an oscillator/ripple counter controlling a fixed gray code logic network in a circuit with a driver/gate circuit for generating "red-alert" end condition digital signals in a storage tank guaging system

Номер патента: CA1115807A. Автор: John S. Adamson. Владелец: Chevron Research and Technology Co. Дата публикации: 1982-01-05.

SRAM based on 6 transistor structure including a first inverter, a second inverter, a first pass-gate transistor, and a second pass-gate transistor

Номер патента: US20130223136A1. Автор: LIN Yi-Wei,YANG Hao-I,Chuang Ching-Te,Hwang Wei,Jou Shyh-Jye,Tsai Ming-Chien,Shih Wei-Chiang,Lien Nan-Chun,Lee Kuen-Di,Tu Ming-Hsien. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-29.

Non-contact pass gate system and gate device

Номер патента: JP3198520B2. Автор: 興史 日戸. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2001-08-13.

Pass gates gate inhibition and elevator linking control system

Номер патента: CN209583310U. Автор: 方斌,李希,李金生,张骁,刘坦,陈应. Владелец: China Construction Third Bureau Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Automatic ticket gate and contactless pass gate system

Номер патента: JP3154353B2. Автор: 隆司 前野. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2001-04-09.

A kind of double-gate pass gates

Номер патента: CN206752357U. Автор: 朱乾坤,朱启国. Владелец: Anhui Anke Intelligent Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-15.

Pass gate with noise immunity capability

Номер патента: TW498616B. Автор: Chien-fan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-08-11.

Common pass gate layout of a D flip flop

Номер патента: TW200727455A. Автор: Chien-Chih Huang,Jeng-Huang Wu,Yu-Wen Tsai,Chiung-Yu Feng. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2007-07-16.

8-TRANSISTOR SRAM CELL DESIGN WITH OUTER PASS-GATE DIODES

Номер патента: US20130176771A1. Автор: Lauer Isaac,Lin Chung-Hsun,Chang Leland,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

Timber-passing gates

Номер патента: SU1076388A1. Автор: Виктор Яковлевич Харитонов,Виктор Петрович Проскуряков. Владелец: Архангельский Ордена Трудового Красного Знамени Лесотехнический Институт Им.В.В.Куйбышева. Дата публикации: 1984-02-29.

A kind of three roller pass gates with smog alarm control

Номер патента: CN206860072U. Автор: 赵娟,刘振禹,陈韶华,马有明,亓秀昌,吕振国,刘慧靖,王绪金. Владелец: SHANDONG HUAGUAN SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Straight-flow multi-pass gate

Номер патента: RU2007646C1. Автор: Е.А. Михеев. Владелец: Нефтеюганская центральная база производственного обслуживания по ремонту и прокату бурового оборудования. Дата публикации: 1994-02-15.

SILICON-ON-INSULATOR (SOI) BODY-CONTACT PASS GATE STRUCTURE

Номер патента: US20120105095A1. Автор: Bryant Andres,Nowak Edward J.,Robison Robert R.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-03.

CONTROL-VOLTAGE OF PASS-GATE FOLLOWS SIGNAL

Номер патента: US20120146705A1. Автор: . Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2012-06-14.

PASS GATE OFF ISOLATION

Номер патента: US20120206845A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

SRAM CELL WITH ASYMMETRICAL PASS GATE

Номер патента: US20120261768A1. Автор: . Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-10-18.

DIFFERENTIAL SENSE AMPLIFIER WITHOUT DEDICATED PASS-GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20120275253A1. Автор: . Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2012-11-01.

Memory array with local bitlines and local-to-global bitline pass gates and gain stages

Номер патента: US20120314468A1. Автор: . Владелец: UNITY SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-13.

8-TRANSISTOR SRAM CELL DESIGN WITH INNER PASS-GATE JUNCTION DIODES

Номер патента: US20130176770A1. Автор: Lauer Isaac,Lin Chung-Hsun,Chang Leland,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

Full-pass gate for pneumatic container conveying lines

Номер патента: RU1796559C. Автор: Важа Венедиктович Джанелидзе,Ирина Важаевна Джанелидзе,Гурами Георгиевич Гургенидзе. Владелец: В. В. Джанелидзе, И. В. Джанелидзе и Г, Г. Гургенидзе. Дата публикации: 1993-02-23.

Method and system for automatically passing gate

Номер патента: CN111028399A. Автор: 黄伟锐. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-17.

A kind of parking lot pass gates

Номер патента: CN206396670U. Автор: 葛辰. Владелец: Tianjin Tianxin Tongda Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-11.

Common pass gate layout of a D flip flop

Номер патента: TWI272714B. Автор: Chien-Chih Huang,Jeng-Huang Wu,Yu-Wen Tsai,Chiung-Yu Feng. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Gating circuit and magnetic store incorporating the gating circuit

Номер патента: AU5956069A. Автор: Duncan Commander Robert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-02-18.

Gating circuit and magnetic store incorporating the gating circuit

Номер патента: AU422729B2. Автор: Duncan Commander Robert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-02-18.

"""and"" gate circuit and chips with the ""and"" gate circuit"

Номер патента: TWI376875B. Автор: Chao Sheng Huang. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2012-11-11.

"AND" gate circuit and chips with the "AND" gate circuit

Номер патента: TW201041310A. Автор: Chao-Sheng Huang. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2010-11-16.

Transfer Gate Circuit and Power Combining Circuit, Power Amplifying Circuit, Transmission Device, and Communication Device Using the Transfer Gate Circuit

Номер патента: US20120270512A1. Автор: Nagayama Akira,Fukuoka Yasuhiko,Igarashi Sadao,Isoyama Shinji. Владелец: KYOCERA CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

Integrated circuit, clock gating circuit, and method

Номер патента: US20120139590A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

Periodic signal generating circuit for thyristor gate circuit

Номер патента: JPS5212555A. Автор: Tadahiro Ono,Toyoaki Yokogawa. Владелец: Toshiba Machine Co Ltd. Дата публикации: 1977-01-31.

Safety and gate circuit with oscillator adopted in 2-vote-2 circuit and control method thereof

Номер патента: CN104467797A. Автор: 魏臻,诸葛战斌,庞师锋,胡庆新,夏寒冰,吴兴岗. Владелец: Hefei Gocom Information & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-25.

A kind of DPG gate circuit applied to reversible logic circuits

Номер патента: CN208479595U. Автор: 刘东明,施隆照,王仁平. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-05.

Thyristor gating circuit for converter three-phase input rectification circuit

Номер патента: CN103683862B. Автор: 王国强,张江涛,余骏,康现伟,王胜勇. Владелец: Wisdri Wuhan Automation Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-31.

Gate circuit system for timeetoodigital converting circuit

Номер патента: JPS532062A. Автор: Setsurou Kanehara. Владелец: Japan Atomic Energy Research Institute. Дата публикации: 1978-01-10.

Gate circuit for electronic musical instrument

Номер патента: JPS5525009A. Автор: Teruo Fujii,Arihito Okamura,Tatsuo Baba,Yoshito Oomura,Kiyouji Oota. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-02-22.

Gate circuit for gating electric waveforms

Номер патента: PL138531B1. Автор: Jan Zelichowski. Владелец: Aparatury Badawczej I Dydaktyc. Дата публикации: 1986-09-30.

Improvements in or relating to gate circuit arrangements

Номер патента: AU273450B2. Автор: Kitz Norbert. Владелец: Bell Punch Co Ltd. Дата публикации: 1963-05-02.

Improvements in or relating to electronic gating circuits

Номер патента: AU2790263A. Автор: Harry Laybourn Edward. Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1964-09-03.

Improvements in or relating to electric gating circuits

Номер патента: AU5180764A. Автор: Edgar Crump Arthur. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1966-05-19.

Electric gating circuits

Номер патента: CA624971A. Автор: A. R. Peddle Edward. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1961-08-01.

Improvements in or relating to electromagnetic gating circuits

Номер патента: AU94961A. Автор: Charles Branch and Peter John Langlois Maurice. Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1963-02-07.

Improvements in or relating to electromagnetic gating circuits

Номер патента: AU244708B2. Автор: Charles Branch and Peter John Langlois Maurice. Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1963-02-07.

Improvements in or relating to transistor gate circuits. 1

Номер патента: AU239369B2. Автор: Arnoldus Samuel Johannes. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1960-01-14.

Improvements in or relating to gate circuit arrangements

Номер патента: AU1836262A. Автор: Kitz Norbert. Владелец: Bell Punch Co Ltd. Дата публикации: 1963-05-02.

Improvements in/relating to gating circuits

Номер патента: GB8826655D0. Автор: . Владелец: Texas Instruments Ltd. Дата публикации: 1988-12-21.

Electric gating circuits

Номер патента: CA663577A. Автор: M. Leakey David. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1963-05-21.

Electronic organ amplifier gate circuit

Номер патента: CA573534A. Автор: L. Wolgast Carl. Владелец: RUDOLPH WURLITZER Co. Дата публикации: 1959-04-07.

Floating gate circuit

Номер патента: CA726263A. Автор: C. Longton Albert. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1966-01-18.

Readout gate circuit

Номер патента: AU729066A. Автор: EDWARD MURRAY and WALTER CHRISTIAN SEELBACH DONALD. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1968-01-04.

Power gating circuit of a signal processing system

Номер патента: TW200722949A. Автор: Yi-Hua Chang,Shang-Chih Hsieh,Jeng-Huang Wu. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2007-06-16.

Diode gate circuit

Номер патента: CA537339A. Автор: E. Graham Robert. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1957-02-19.

Gating circuit

Номер патента: AU544148B2. Автор: C.J. Ludowyk. Владелец: Commonwealth of Australia. Дата публикации: 1985-05-16.

Electrical gating circuits

Номер патента: CA655008A. Автор: F. T. C. Stillwell Peter,W. Newberry Gordon,M. Montgomery Peter. Владелец: Electrical and Musical Industries Ltd. Дата публикации: 1963-01-01.

Improvements in or relating to electronic gating circuits

Номер патента: AU144917B2. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1948-09-09.

Fail-safe transistor gate circuit

Номер патента: CA885081A. Автор: S. Greatrex Roger. Владелец: Westinghouse Brake and Signal Co Ltd. Дата публикации: 1971-11-02.

Improvements in or relating to electrical signal gating circuits

Номер патента: AU205542B2. Автор: Henry Beesley John. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1956-05-10.

Electric gating circuits

Номер патента: CA766831A. Автор: E. Crump Arthur. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1967-09-05.

Improvements in or relating to electronic gating circuits

Номер патента: AU2238548A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1948-09-09.

Improvements in or relating to transistor gate circuits. 1

Номер патента: AU5074259A. Автор: Arnoldus Samuel Johannes. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1960-01-14.

Improvements in or relating to electric pulse gating circuits

Номер патента: AU145204B2. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1949-04-07.

Gating circuits

Номер патента: CA614640A. Автор: Rywak John. Владелец: Northern Electric Co Ltd. Дата публикации: 1961-02-14.

Transistor data storage and gate circuit

Номер патента: CA588637A. Автор: Bernard Ostendorf, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1959-12-08.

Gating circuit

Номер патента: AU8085782A. Автор: C.J. Ludowyk. Владелец: Commonwealth of Australia. Дата публикации: 1982-08-26.

Transistor gating circuit

Номер патента: CA594417A. Автор: Mcdermott Byron. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1960-03-15.

Improvements in or relating to gating circuits for selecting electric pulses

Номер патента: AU203706B2. Автор: Edmund Gervase Bailey Christopher. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1956-05-03.

Improvements in or relating to electrical signal gating circuits

Номер патента: AU1337655A. Автор: Henry Beesley John. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1956-05-10.

Diode capacitor gate circuit

Номер патента: CA801208A. Автор: A. White Donald. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1968-12-10.

Improvements in or relating to electric pulse gating circuits

Номер патента: AU2628549A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1949-04-07.

Waveform level gating circuit

Номер патента: AU2166362A. Автор: Elliott Sear Brian. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1964-03-05.

Improvements in or relating to gating circuits for selecting electric pulses

Номер патента: AU1324155A. Автор: Edmund Gervase Bailey Christopher. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1956-05-03.

Waveform level gating circuit

Номер патента: AU275587B2. Автор: Elliott Sear Brian. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1964-03-05.

A kind of novel thyristor gating circuit

Номер патента: CN103683861B. Автор: 罗志刚,卢家斌. Владелец: Wisdri Wuhan Automation Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-20.

Gate circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5566272A. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-19.

Burst 1-wave gate circuit

Номер патента: JPS6486786A. Автор: Ryuta Kawanaka. Владелец: NEC Home Electronics Ltd. Дата публикации: 1989-03-31.

Soft start thyristor gate circuit

Номер патента: JPS531848A. Автор: Sadami Yamashita,Tetsuo Kikura. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-01-10.

And gate circuit

Номер патента: CN101547004A. Автор: 黄超圣. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2009-09-30.

Improvements in or relating to electronic gating circuits

Номер патента: AU269977B2. Автор: Harry Laybourn Edward. Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1964-09-03.

Magnetic bubble logical gate circuit

Номер патента: JPS538046A. Автор: Yoshiki Kikuchi. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 1978-01-25.

Power gate circuit, solid-state imaging device, and camera system

Номер патента: US20120062775A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-15.

Low-Current Logic-Gate Circuit

Номер патента: US20120112793A1. Автор: Spits Erwin,van den Oever Léon C.M.. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2012-05-10.

GATE CIRCUIT

Номер патента: US20120229942A1. Автор: YAMAMOTO Akira,HUSSEIN Khalid Hassan,WADA Fumio. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-09-13.

CLOCK GATED CIRCUIT AND DIGITAL SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20120268182A1. Автор: KONG Bai-Sun,LEE HOIJIN. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

Power gating circuit

Номер патента: US20120299636A1. Автор: Van Winkelhoff Nicolaas Klarinus Johannes,Brun Mikael. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD AND CIRCUITRY FOR DEBUGGING A POWER-GATED CIRCUIT

Номер патента: US20130024829A1. Автор: Bondalapati Kiran,Rentschler Eric,Hughes William A.,Tsien Benjamin,Huang Hao,Schreiber Jeremy,Grenat Aaron J.. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2013-01-24.

GATED CIRCUIT STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED TUNNELING REGION

Номер патента: US20130320427A1. Автор: Loh Wei-Yip,Majhi Prashant,Hill Richard. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

GATED CIRCUIT STRUCTURE WITH ULTRA-THIN, EPITAXIALLY-GROWN TUNNEL AND CHANNEL LAYER

Номер патента: US20140054549A1. Автор: Loh Wei-Yip,Wang Wei-E. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2014-02-27.

Gate circuit for thyristor converter

Номер патента: JPS5470759A. Автор: Tadashi Takahashi,Tsuneo Kato,Yoshiro Tagami. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-06-06.

Pulse shaper for control of gate-circuit converter

Номер патента: SU1029375A1. Автор: Леонид Исакович Гитман. Владелец: Gitman Leonid. Дата публикации: 1983-07-15.

Gate-circuit d.c.v ltage stabilizer bazed on controlled clocking oscillator

Номер патента: SU1118982A1. Автор: Анатолий Михайлович Пушкин,Теодор Борисович Гальперин,Евгений Алексеевич Логинов. Владелец: Предприятие П/Я В-2749. Дата публикации: 1984-10-15.

Stage with gating circuit

Номер патента: SU1193791A1. Автор: Виктор Анатольевич Лужаев,Владимир Владимирович МАТАВКИН. Владелец: Организация П/Я М-5222. Дата публикации: 1985-11-23.

Gate circuit delay counter supersonic wave propagation time high-precision measuring method based on CPLD

Номер патента: CN104880939A. Автор: 陈雄生,陆宝钧. Владелец: SHANGHAI CHINA NUCLEAR WEISI INSTRUMENT CO Ltd. Дата публикации: 2015-09-02.

Gate circuit

Номер патента: JPS6278914A. Автор: Hiroshi Enomoto,Yasushi Yasuda,宏 榎本,Masao Kumagai,正雄 熊谷,Akinori Tawara,田原　昭紀,保田　康. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-04-11.

Complementary gate circuit

Номер патента: JPS619015A. Автор: Satoru Tanizawa,谷澤　哲. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-01-16.

Gate circuit in gate turn off thyristor

Номер патента: JPS5226148A. Автор: Takeo Maeda,Takuji Matsumura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-02-26.

Gate circuit of magnetic bubble memory

Номер патента: JPS5528575A. Автор: Minoru Hiroshima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-02-29.

Fourier transform nmr amplifier gate circuit

Номер патента: JPS53126983A. Автор: Hiroshi Yokogawa,Yoshiharu Uchiumi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-11-06.

AND gate circuit

Номер патента: KR970055542A. Автор: 여협구. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

Gate circuit of cycloconverter

Номер патента: JP3340850B2. Автор: 丈雄 金井,清志 楠. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-11-05.

Control device for gate-circuit converter

Номер патента: SU1064419A1. Автор: Сергей Васильевич Васильев,Бронислав Иосифович Фираго,Владимир Германович Сидоров,Владимир Георгиевич Лукашук. Владелец: Белорусский Ордена Трудового Красного Знамени Политехнический Институт. Дата публикации: 1983-12-30.

Gate-circuit generator

Номер патента: SU1078545A1. Автор: Александр Иванович Соколов,Николай Сергеевич Иванов,Лидия Васильевна Копылова,Евгений Степанович Подколодный,Михаил Никанорович Фесенко,Владимир Артемович Бостенков,Сергей Владимирович Ежов. Владелец: Предприятие П/Я А-1877. Дата публикации: 1984-03-07.

Teaching is with logic gate circuit functional test experimental apparatus

Номер патента: CN210129337U. Автор: 刘恋,郭立强. Владелец: Huaiyin Normal University. Дата публикации: 2020-03-06.

Method for braking asynchronous gate circuit

Номер патента: SU1767674A1. Автор: Владимир Григорьевич Лысенко,Иван Федорович Максимов. Владелец: Производственное объединение "Уралэнергоцветмет". Дата публикации: 1992-10-07.

Cathode-ray gating circuit control device

Номер патента: SU884069A1. Автор: Виктор Сергеевич Липатов. Владелец: Предприятие П/Я Р-6511. Дата публикации: 1981-11-23.

Gate circuit

Номер патента: JPH01191516A. Автор: Michimoto Sakai,道元 酒井. Владелец: Tsubasa System Co Ltd. Дата публикации: 1989-08-01.

Memory power gating circuit and method

Номер патента: CN101814321B. Автор: 刘逸群,周绍禹,詹伟闵. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-25.

Resistive superconductive asynchronous bilinear logic AND gate circuit

Номер патента: CN101626234B. Автор: 王磊,方志华,张忠海,吴爱婷,官伯然. Владелец: Hangzhou Electronic Science and Technology University. Дата публикации: 2011-04-06.

Gate circuit

Номер патента: JPS54139455A. Автор: Seiji Mori,Kiyoshi Amasawa,Takashi Taniyama. Владелец: Clarion Co Ltd. Дата публикации: 1979-10-29.

Thyristor gate circuit

Номер патента: JPS5271163A. Автор: Katsuhiko Takigami,Hiromichi Ohashi,Yoshihiro Shirasaka,Yujiro Yamashita. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-06-14.

Signal gating circuit

Номер патента: CA821090A. Автор: K. Rapp Adolph. Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1969-08-19.

Logical gate circuit

Номер патента: JPS63233610A. Автор: Tadakatsu Kimura,Yasunobu Inabe,木村　忠勝,井鍋　泰宣. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1988-09-29.

Clock signal generator, communication device and clock signal in proper order gate circuit

Номер патента: CN105281743B. Автор: 曾顺得,林见儒,刘凯尹,江致荣. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Receiver for tv broadcast by cable with a gate circuit

Номер патента: KR920002290Y1. Автор: 하르트만 우베,마이 우도,오네무스 프리츠. Владелец: 롤프-디이터 베르거. Дата публикации: 1992-04-06.

Variable gate-circuit d.c. voltage stabilizer

Номер патента: SU1416959A1. Автор: Борис Михайлович Кривцов,Александр Иванович Матвеев. Владелец: Специальное Конструкторское Бюро Всесоюзного Научно-Исследовательского Проектно-Конструкторского И Технологического Института Источников Тока Научно-Производственного Объединения "Квант". Дата публикации: 1988-08-15.

Gate circuit with two-way scanning function

Номер патента: CN102354477A. Автор: 刘文雄. Владелец: Nanjing CEC Panda LCD Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-15.

Monitoring gate circuit having elongated magnetic element

Номер патента: CA702546A. Автор: F. May Harold,John A. Baldwin, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1965-01-26.

Sweep gate circuit

Номер патента: JPS55620A. Автор: Mitsunobu Iwabuchi. Владелец: Hitachi Denshi KK. Дата публикации: 1980-01-07.

Gating circuit

Номер патента: AU421320B2. Автор: LEE ADKISSON and ALBERT BRUCE RANILDI JOHN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1970-04-23.

Device for protection of gate circuit converter

Номер патента: SU1029315A1. Автор: Алексей Евстафьевич Пистун,Юрий Александрович Кирпичников,Николай Васильевич Долматов. Владелец: Магнитогорский металлургический комбинат им.В.И.Ленина. Дата публикации: 1983-07-15.

Gating circuit

Номер патента: CA714664A. Автор: J. Carroll John. Владелец: Automatic Electric Laboratories Inc. Дата публикации: 1965-07-27.

Time delay gating circuit

Номер патента: CA792382A. Автор: S. Crosby Philip. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1968-08-13.

Logical gate circuit

Номер патента: JPS63294125A. Автор: Yasuo Mikami,Takao Okazaki,孝男 岡崎,三上　靖夫. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-11-30.

Gate circuit

Номер патента: JPS625720A. Автор: Masunori Sugimoto,杉本　益規. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-01-12.

Schmitt trigger demonstration instrument for teaching properties of non-gate circuit

Номер патента: CN103646596A. Автор: 丁洪良. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-19.

Time delay gating circuit

Номер патента: AU292978B2. Автор: Stephen Crosby Philip. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1967-04-20.

High speed gating circuit

Номер патента: CA783744A. Автор: R. Harper Leonard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1968-04-23.

Signal coupled logic gate circuit

Номер патента: CA794952A. Автор: F. Sutherland James. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1968-09-17.

Gating circuit for silicon controlled rectifiers

Номер патента: CA855835A. Автор: D. Bedford Burnice,G. Turnbull Fred. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1970-11-10.

Clock gating circuit for single-wire communication

Номер патента: CN216718940U. Автор: 谭鑫,黄紫朱,王炳全,肖梁山,陈定昌. Владелец: Zhuhai Zero Boundary Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-10.

Semiconductor device having an integrated pulse gate circuit and method of manufacturing said device

Номер патента: CA906668A. Автор: Chapron Claude. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1972-08-01.

CML gate circuit

Номер патента: JP2995935B2. Автор: 文弘 釜瀬. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-12-27.

Logic gate circuits

Номер патента: CA1072643A. Автор: David E. Fulkerson. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1980-02-26.

Electromagnetic information hidden method based on random sequence interference and gate circuit path constraint

Номер патента: CN107577964A. Автор: 任振兴,董丽华,王占伟,王智康. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-01-12.

Gate circuit for thyristor

Номер патента: JPS52153655A. Автор: Hideo Iwamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1977-12-20.

Gate circuit of thyristor leonard device

Номер патента: JP2561674Y2. Автор: 正徳 藤原. Владелец: Meidensha Corp. Дата публикации: 1998-02-04.

It is a kind of based on transistor level and/NOR gate circuit

Номер патента: CN104836570B. Автор: 梁浩,夏银水,钱利波,阳媛,李道通. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2017-08-15.

RF channel gating circuit of RFID reader-writer

Номер патента: CN202362807U. Автор: 李金华,李忠明. Владелец: XIAMEN INNOV ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-01.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) digital logic gate circuit structure capable of resisting negative bias temperature instability (NBTI) effect

Номер патента: CN202143046U. Автор: 李斌,吴朝晖,赵明剑,刘利宁. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2012-02-08.

Waveform level gating circuit

Номер патента: CA735580A. Автор: E. Sear Brian. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1966-05-31.

Gate circuit

Номер патента: JPS5660497A. Автор: Kazuhiro Murase,Suminosuke Shigeta,Tetsuhiko Kanaaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-05-25.

Gas cooker energy-saving device for commercial use providing monitor signal by soft and gate circuit

Номер патента: CN200969040Y. Автор: 谭启仁. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-31.

Improvements in or relating to electric gating circuits

Номер патента: AU6727060A. Автор: Martin Velkey David. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1962-12-13.

Improvements in or relating to electric gating circuits

Номер патента: AU249693B2. Автор: Martin Velkey David. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1962-12-13.

Improvements in or relating to electric gating circuits

Номер патента: AU2127362A. Автор: Wells Peter. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1964-02-27.

Improvements in or relating to electric gating circuits

Номер патента: AU263850B2. Автор: Wells Peter. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1964-02-27.

"not and" gate circuits

Номер патента: CA596521A. Автор: H. Faulkner Alfred. Владелец: General Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1960-04-19.

Low level transistor gating circuit

Номер патента: CA717164A. Автор: K. York Robert. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1965-08-31.

Filter-rectifier-gate circuit useful in subscription television

Номер патента: CA619086A. Автор: T. Watters Norman. Владелец: Zenith Radio Corp. Дата публикации: 1961-04-25.

D-c gate circuit

Номер патента: CA625652A. Автор: W. Gilbert Roswell. Владелец: Daystrom Inc. Дата публикации: 1961-08-15.

Improvements in or relating to electric gating circuits

Номер патента: AU224953B2. Автор: Arthur Richard Peddie Edward. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1957-11-07.

Improvements relating to electric gating circuits

Номер патента: AU50261A. Автор: Mitford Foulkes Ronald. Владелец: Associated Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1963-01-24.

Improvements relating to electric gating circuits

Номер патента: AU258300B2. Автор: Mitford Foulkes Ronald. Владелец: Associated Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1963-01-24.

Parity check gate circuit

Номер патента: CA786489A. Автор: L. Nelson Raymond. Владелец: Canadian Kodak Co Ltd. Дата публикации: 1968-05-28.

Readout gate circuit

Номер патента: AU416037B2. Автор: EDWARD MURRAY and WALTER CHRISTIAN SEELBACH DONALD. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1968-01-04.

A charge-sharing-problem free 1.5 BICMOS dynamic logic gate circuit

Номер патента: TW356623B. Автор: Jeng-Bang Kuo. Владелец: Jeng-Bang Kuo. Дата публикации: 1999-04-21.

Power gating circuit of a signal processing system

Номер патента: TWI304166B. Автор: Shang Chih Hsieh,Jeng Huang Wu,Yi Hwa Chang. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Electrical gate circuits

Номер патента: CA561449A. Автор: A. Newman Edward. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1958-08-05.

Improvements in or relating to gating circuit arrangements

Номер патента: AU594966A. Автор: Neil Hunter Geoffrey. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1967-11-23.

Improvements in or relating to gating circuit arrangements

Номер патента: AU407946B2. Автор: Neil Hunter Geoffrey. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1967-11-23.

Complementary transmission gating circuit

Номер патента: CA664370A. Автор: Rywak John. Владелец: Northern Electric Co Ltd. Дата публикации: 1963-06-04.

Complementary transmission gating circuit

Номер патента: CA672929A. Автор: Rywak John. Владелец: Northern Electric Co Ltd. Дата публикации: 1963-10-22.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

5T SRAM MEMORY FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20120002459A1. Автор: Rimondi Danilo,Selva Carolina. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

DYNAMICALLY CONFIGURABLE SRAM CELL FOR LOW VOLTAGE OPERATION

Номер патента: US20120002460A1. Автор: Rimondi Danilo,Selva Carolina. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYOUT FOR MULTIPLE-FIN SRAM CELL

Номер патента: US20120001197A1. Автор: LIAW Jhon Jhy,Shen Jeng-Jung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Transputer gate for homogeneous polynomial calculation network

Номер патента: RU2129299C1. Автор: П.А. Кадиев,А.В. Губа,И.П. Кадиев. Владелец: Дагестанский Политехнический Институт. Дата публикации: 1999-04-20.

BACKGROUND POWER CONSUMPTION REDUCTION OF ELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20120002473A1. Автор: Conte Antonino,GIAQUINTA Maria,Grasso Rosario Roberto,Mammoliti Francesco Nino. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRO-STATIC DISCHARGE PROTECTION FOR DIE OF A MULTI-CHIP MODULE

Номер патента: US20120002392A1. Автор: . Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of purification of the inert gas from methane

Номер патента: RU2275232C2. Автор: Александр Викторович Сапрыгин,Николай Михайлович Данченко,Юрий Сергеевич Даниловский,Тать на Сергеевна Таманова,Татьяна Сергеевна Таманова,Сергей Петрович Денисов,Иван Владимирович Ворох,Владимир Дмитриевич Пирогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие УРАЛЬСКИЙ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЙ КОМБИНАТ. Дата публикации: 2006-04-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.