• Главная
  • MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND OPERATION METHOD OF MEMORY DEVICE

MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND OPERATION METHOD OF MEMORY DEVICE

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20190258577A1. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180004677A1. Автор: Yong-Ju Kim,Dong-Gun KIM,Do-Sun HONG,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20240202111A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Akinori NAGAOKA,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20200034299A1. Автор: Hui-Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20230418760A1. Автор: Fumio Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory system including nonvolatile memory device and erase method thereof

Номер патента: US09733864B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sangkwon Moon,Jihong Kim,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Operating method of nonvolatile memory device and nonvolatile memory system

Номер патента: US09785379B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Jongha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672924B2. Автор: Ohsuk Kwon,Kihwan Choi,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile memory system using control signals to transmit varied signals via data pins

Номер патента: US09886378B2. Автор: Hyotaek Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of operating memory controller and semiconductor storage device including memory controller

Номер патента: US09804790B2. Автор: Ho-Jun SHIM,Jun-bum PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory controller with improved data reliability and memory system including the same

Номер патента: US11966608B2. Автор: Dongeun Shin,Dohyeon Park,Wansoo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory system and method of performing background operation

Номер патента: US20240289039A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Electronic device and computing system including same

Номер патента: US11995002B1. Автор: Ju Hyun Kim,Gayoung LEE,Jae Wan YEON. Владелец: Metisx Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Read performance improvement using memory device latches

Номер патента: US20240264933A1. Автор: Amiya Banerjee,Jameer Mulani,Sriraman Sridharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory systems and methods including training, data organizing, and/or shadowing

Номер патента: US09645919B2. Автор: Yi Chen,Yukiyasu Murakami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20200218470A1. Автор: Sung Kwan Hong,Young Ick CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11182289B1. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

Memory controller, memory device, memory system, and operating method thereof

Номер патента: US20210019086A1. Автор: Dong Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Wear leveling for a memory device

Номер патента: US09710376B2. Автор: Robert Baltar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200133882A1. Автор: Min-O SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Generating codewords with diverse physical addresses for 3DXP memory devices

Номер патента: US11734190B2. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Hybrid volatile and non-volatile memory device having a programmable register for shadowed storage locations

Номер патента: US09905297B2. Автор: Scott C. Best. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-02-27.

Operation management in a memory device

Номер патента: US09465539B2. Автор: Robert Melcher,Nicholas Hendrickson,Anthony R. CABRERA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Nand flash storage device and methods using non-nand storage cache

Номер патента: US20180314434A1. Автор: Dana L. Simonson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240095178A1. Автор: Min-Nan CHENG. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20230051018A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory device and operation method

Номер патента: US20210357317A1. Автор: Chengyu Xu,Chien Chuan Wang. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Wear-leveling system and method for reducing stress on memory device using erase counters

Номер патента: US09971682B2. Автор: Jian Zhou,Xinjie Chen,Xiaoxiang Geng,Yaoqiao LI. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US20220019502A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of operating memory controller and semiconductor storage device including memory controller

Номер патента: US20160216899A1. Автор: Ho-Jun SHIM,Jun-bum PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-28.

Accessing circuit of memory device and operation method about reading data from memory device

Номер патента: US11762768B2. Автор: Chih-Wea Wang,Yung-Hui YU. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09501373B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Reservation of memory in multiple tiers of memory

Номер патента: US20230305720A1. Автор: Matthew J. Adiletta,Slawomir PUTYRSKI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus and method for controlling and storing map data in a memory system

Номер патента: US20220075553A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180107597A1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Method of operating a memory device

Номер патента: US09971549B2. Автор: In-su Choi,Yong-Jun Yu,Doo-Hwan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20230297253A1. Автор: Dong Kyu Lee,Jae Hyun Yoo,Seon Ju Lee,Seung Geol BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device, a controller, and operating methods of the semiconductor memory device and the controller

Номер патента: US20210183464A1. Автор: Jung Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Hybrid memory system and accelerator including the same

Номер патента: US20240045588A1. Автор: Jie Zhang,Myoungsoo Jung,Hanyeoreum BAE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory system and method for controlling the same, and method for maintaining data coherency

Номер патента: US20070186051A1. Автор: Nobuyuki Harada. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Storage system and method of operating the same

Номер патента: US11579775B2. Автор: Dong-Gun KIM,Won-Moon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-14.

Systems, devices, and methods for data migration

Номер патента: US20220050616A1. Автор: Robert M. Walker,Paul Rosenfeld,Patrick A. La Fratta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09754675B2. Автор: Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Access suppression in a memory device

Номер патента: US09600179B2. Автор: Gus Yeung,Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Michael Alan Filippo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Flash memory device including deduplication, and related methods

Номер патента: US09841918B2. Автор: Jun Jin Kong,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory device access techniques

Номер патента: US11790961B2. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20160259585A1. Автор: Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US09727401B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device, memory controller, and memory system including the same

Номер патента: US20230333782A1. Автор: Wontaeck Jung,Jaeyong Jeong,Bohchang Kim,Kuihan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device and method of layouting auxiliary pattern

Номер патента: US09455271B1. Автор: Yuji Setta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory system performing wear leveling using average erase count value and operating method thereof

Номер патента: US09805814B2. Автор: Jin-woong Kim,Byeong-Gyu PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210319838A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US12099727B2. Автор: Dong Kyu Lee,Jae Hyun Yoo,Seon Ju Lee,Seung Geol BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210191809A1. Автор: Kijun Lee,Yeonggeol Song,Sungrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240118813A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang,Hun Wook LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180275890A1. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20190138392A1. Автор: Yong Il JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US20160259674A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Memory device, memory module, and memory system

Номер патента: US09805802B2. Автор: Uk-Song KANG,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of operating nonvolatile memory device comprising resistance material

Номер патента: US09405615B2. Автор: Jung Sunwoo,Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory device including a resistive memory cell and electronic device including the same

Номер патента: US20210397366A1. Автор: Jung Hyuk Lee,Kang Ho Lee,Hye Min Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory system and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11908526B2. Автор: Kenji Sakurada,Naoto Kumano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory system performing wear leveling using average erase count value and operating method thereof

Номер патента: US20170186494A1. Автор: Jin-woong Kim,Byeong-Gyu PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Server computing device and image search system based on contents recognition using the same

Номер патента: US09934250B2. Автор: Ki Hyeok BAE,In Je CHO. Владелец: CK&B Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20200365226A1. Автор: Taewon Kim,Yesin RYU,Yoonna OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240028217A1. Автор: Tae Hun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US11908527B2. Автор: Sung Won Bae,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory device, method of driving the memory device, and method of driving host device

Номер патента: EP4191382A3. Автор: Jun Ha HWANG,Chul-Hwan Choo,Doo Hee HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-06.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20220115075A1. Автор: Won Jae Choi,Da Woon Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20220215887A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Interface circuit, memory device, storage device, and method of operating the memory device

Номер патента: US11960728B2. Автор: Jangwoo Lee,Jeongdon Ihm,Daehoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180150247A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210208965A1. Автор: Sanguhn CHA,Juseong HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory device related to a verify operation and method of operating the memory device

Номер патента: US20240170078A1. Автор: Jong Hoon Lee,Se Chun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of accessing a memory device

Номер патента: GB2380296A. Автор: Hyung-joon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-02.

Memory device, memory device controlling method, and memory device manufacturing method

Номер патента: US20230004310A1. Автор: Atsushi Kondo,Ryo YONEZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Computer system data restoring device and the method for restoring computer system data using the same

Номер патента: US20050022055A1. Автор: Ming-Chiao Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-27.

Method of operating a memory device

Номер патента: US20170220417A1. Автор: Thomas Kern,Karl Hofmann,Michael Goessel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-03.

Display Device and Luminance Control Method Thereof and Mobile Terminal Using the Same

Номер патента: US20230273667A1. Автор: Jong Hee Hwang,Su Jin KWON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Display device and personal immersive system and mobile terminal system using the same

Номер патента: US20220383824A1. Автор: SUN Kyung shin,Bong Choon KWAK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20240069723A1. Автор: Hiromi Hoshino,Yoko Masuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Electronic device and method for controlling connection of external device using the same

Номер патента: US20200089920A1. Автор: Heedong GANG,Jinhui PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Electronic device and method for controlling connection of external device using the same

Номер патента: EP3837624A1. Автор: Heedong GANG,Jinhui PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-23.

Memory control unit and data storage device including the same

Номер патента: US09652403B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device and method for content virtualization

Номер патента: US09514142B2. Автор: Fabrice E. Jogand-Coulomb,Robert Chin-Tse Chang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory device and method for content virtualization

Номер патента: US09514141B2. Автор: Fabrice E. Jogand-Coulomb,Robert Chin-Tse Chang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240202069A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200081632A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20120151123A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20210247932A1. Автор: Seok Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12106070B2. Автор: Yung-Chun Lee,Han-Wen Hu,Bo-Rong Lin,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Data storage device with temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: US09666249B1. Автор: Sang Hyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory controller and memory system including adjustment of scrub cycle rate

Номер патента: EP4390939A2. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US12020761B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20180268907A1. Автор: Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim,Sun-gyung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Stacked memory device system interconnect directory-based cache coherence methodology

Номер патента: US11741012B2. Автор: RICHARD C MURPHY,John Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device comprising an ecc for error correction based on hint data

Номер патента: EP4170660A1. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-26.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory system

Номер патента: US20210158885A1. Автор: Hongseok Kim,EHyun NAM,Kyoungseok RHA. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory device, memory system, and method of operating the device

Номер патента: US09904491B2. Автор: Dong-Uk Kim,Jin-Ho Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Adjustable access energy and access latency memory system and devices

Номер патента: US12105975B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device and operating method of the memory device and host device

Номер патента: US11740966B2. Автор: Walter JUN,Young San KANG,Ye Jin CHO,Sung Tack HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Processing-in-memory device and processing-in-memory system including the same

Номер патента: US11829760B2. Автор: Choung Ki Song,Il Kon KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory controller, storage device, and host device

Номер патента: US12056390B2. Автор: Byung Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Apparatuses supporting multiple interface types and methods of operating the same

Номер патента: US09484070B2. Автор: Terry M. Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory system

Номер патента: US20240028529A1. Автор: Shinya Takeda,Kenji Sakaue,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory system

Номер патента: US11853238B2. Автор: Shinya Takeda,Kenji Sakaue,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180181325A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory device and system including the same

Номер патента: US20180059967A1. Автор: Jong Sam Kim,Jong Yeol Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of operating memory device using different read conditions

Номер патента: US09472275B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON,Young-Hoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

MEMORY DEVICES FOR PERFORMING REPAIR OPERATION, MEMORY SYSTEMS INCLUDING THE SAME, AND OPERATING METHODS THEREOF

Номер патента: US20210200625A1. Автор: Park Yongsang. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20170344301A1. Автор: Reum Oh,Hak-soo Yu,Je Min RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US11836366B2. Автор: Ju Ung BAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device, operation method of a memory device, and operation method of a memory controller

Номер патента: EP4250124A1. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Memory device, operation method of a memory device, and operation method of a memory controller

Номер патента: US20230305706A1. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device, electronic device and operating method of memory device

Номер патента: US11989422B2. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory device, electronic device and operating method of memory device

Номер патента: US20230126954A1. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Techniques for error detection and correction in a memory system

Номер патента: WO2022046440A1. Автор: Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory repairing method and memory device applying the same

Номер патента: US20160260501A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Memory system with switchable operating bands

Номер патента: US09898218B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Hillery C. Hunter,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory repairing method and memory device applying the same

Номер патента: US09870835B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Flash memory systems and operating methods using adaptive read voltage levels

Номер патента: US20100020611A1. Автор: Kitae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-28.

Contactless data transmission for memory devices

Номер патента: US20240211581A1. Автор: Felice COSENZA,Domenico Balzano,Graziano LEONE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Dynamic memory device management and stream prioritization based on quality of service metrics

Номер патента: US12045467B2. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Stacked Memory Device Control

Номер патента: US20150331767A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Kenneth L. Wright,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Abhijit Saurabh,Saurabh Chadha. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Two-stage read/write 3D architecture for memory devices

Номер патента: US09690510B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Stacked memory device control

Номер патента: US09405468B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kenneth L. Wright,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Abhijit Saurabh,Saurabh Chadha. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Error correction operations in a memory device

Номер патента: US09367391B2. Автор: William Lam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180253345A1. Автор: Tae-hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20200395094A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US11972136B2. Автор: Hyun-seok Kim,Dae-Ho Kim,Yong-Geun Oh,Sung-Jin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory device, memory system and method for operating memory system

Номер патента: US20240111433A1. Автор: Haewon Lee,Jieun Shin,Sang-Kyu Kang,Ho-Cheol BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US11960752B2. Автор: Hyun-seok Kim,Dae-Ho Kim,Yong-Geun Oh,Sung-Jin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Pooled frontline ecc decoders in memory systems

Номер патента: US20200081773A1. Автор: Paul Edward HANHAM,David Malcolm SYMONS,Francesco Giorgio,Jonghyeon Kim,Senthilkumar Diraviam. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US11809838B2. Автор: Yung-Chun Lee,Han-Wen Hu,Bo-Rong Lin,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220223223A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210118520A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230245710A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US11804279B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US12009046B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Efficient data management for memory system error handling

Номер патента: US20240289236A1. Автор: Jonathan S. Parry,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device, Memory system including the memory device and Method of operating the memory device

Номер патента: KR20220101502A. Автор: 김종욱. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-07-19.

Electronic device and method of operating the same

Номер патента: US20230289071A1. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Debugging management platform and operating method for the same

Номер патента: US12019536B2. Автор: Ching-Tung Wu,Shun-Yen Lu,Jun-Ru Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device, memory controller, and memory system including the same

Номер патента: US20220050640A1. Автор: Wontaeck Jung,Jaeyong Jeong,Bohchang Kim,Kuihan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory system

Номер патента: US11862262B2. Автор: YoungBong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Interface circuit, memory device, storage device, and method of operating the memory device

Номер патента: SG10202006754WA. Автор: LEE JANGWOO,IHM Jeongdon,NA Daehoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240096394A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240069746A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of operating memory device and memory device performing the same

Номер патента: US11829224B2. Автор: Youngjae PARK,Reum Oh,Hyungjin Kim,Jinyong Choi,Dongyeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11837272B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210005233A1. Автор: Sung Hwa Ok,Heon Ki KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Data storage device and method of operating the same

Номер патента: US20210327529A1. Автор: Min Hwan MOON,Se joong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Double threshold controlled scheduling of memory access commands

Номер патента: US12039196B2. Автор: Wei Wang,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu,Chih-kuo Kao,Jason Duong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device active command tracking

Номер патента: WO2024123886A1. Автор: Horia C. Simionescu,Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Error detection and correction scheme for a memory device

Номер патента: US20140189475A1. Автор: William H. Radke,Shuba Swaminathan,Brady L. Keays. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US11853890B2. Автор: Yu-Hsuan Lin,Dai-Ying LEE,Chao-Hung Wang,Ming-Liang WEI. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US09378813B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12073894B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: US20230010192A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: EP4117026A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-11.

Method of reading nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20110128783A1. Автор: Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory device and method of testing the memory device for failure

Номер патента: US20240120020A1. Автор: Jung Ryul Ahn,Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240185921A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4177895A1. Автор: Sangwon Park,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240177775A1. Автор: Jae Hyeon Shin,Sung Hyun Hwang,In Gon YANG,Chang Han SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device and method of manufacturing the memory device

Номер патента: US20240244842A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4184512A1. Автор: Sangwan Nam,Bongsoon LIM,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-24.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Non-volatile memory device and recovery method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242770A1. Автор: Jae-Duk Yu,Yohan Lee,Jiho Cho,Hojoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US09406366B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory device and method of accessing a memory device

Номер патента: US20030095462A1. Автор: Andre Schäfer,Andrea Zuckerstatter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20060028856A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6972980B2. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20050098810A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Magnetoresistance memory device and method of manufacturing magnetoresistance memory device

Номер патента: US12102012B2. Автор: Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11751384B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Operating method of a nonvolatile memory device

Номер патента: US09892792B2. Автор: Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Nonvolatile memory device and method of erasing nonvolatile memory device

Номер патента: US09659662B2. Автор: Kihwan Choi,Sang-Wan Nam,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Operating method of a nonvolatile memory device

Номер патента: US09620219B2. Автор: Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298668A1. Автор: Eun Hye Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Programming method of non volatile memory device

Номер патента: US09953703B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU,Joo-kwang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Magnetoresistance memory device and method of manufacturing magnetoresistance memory device

Номер патента: US12114577B2. Автор: Taichi IGARASHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of fabricating synapse memory device

Номер патента: US09773802B2. Автор: XIANYU Wenxu,Seong Ho Cho,Hojung Kim,Inkyeong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Magnetoresistive memory device and method of manufacturing magnetoresistive memory device

Номер патента: US20200294566A1. Автор: Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180226129A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180005696A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US09966144B2. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US09424905B2. Автор: Jungwoo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20090285028A1. Автор: Jin Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210050051A1. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor memory device, control method, and memory system

Номер патента: US09543033B1. Автор: Koichi Shinohara,Yoshikazu Takeyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Resistive memory device and operating method of the resistive memory device

Номер патента: US11948633B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240161834A1. Автор: Hyun Seung Yoo,Hye Eun Heo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of forming a memory device structure and memory device structure

Номер патента: US20170117322A1. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Yu-Teh Chiang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Method of forming a memory device structure and memory device structure

Номер патента: US09614003B1. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Yu-Teh Chiang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of reading nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US7898865B2. Автор: Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory devices, methods of operating semiconductor memory devices and memory systems

Номер патента: US20180158494A1. Автор: Min-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US20150037949A1. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Methods of fabricating ferroelectric memory devices

Номер патента: US20190019683A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US09305933B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-05.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US11908532B2. Автор: Jong Woo Kim,Young Cheol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor memory device and method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US11901025B2. Автор: Jungmin YOU,Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20230420056A1. Автор: Kwang Min LIM,Tae Un Youn,Hye Lyoung LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20220084612A1. Автор: Hyung Jin Choi,Jae Hyeon Shin,Sungmook Lim,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and reading method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8248837B2. Автор: Kentaro Kinoshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Resistive memory device and manufacturing method of the resistive memory device

Номер патента: US20230240157A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11804429B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US11328761B2. Автор: Un Sang Lee,Chi Wook An,Kyung Sub PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor memory system and method for driving the same

Номер патента: US8705295B2. Автор: Min Min. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-04-22.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240127898A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210398583A1. Автор: Un Sang Lee,Chi Wook An,Kyung Sub PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210012849A1. Автор: Jaeho Lee,Kyungryun Kim,Yoonna OH,Hohyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20040022117A1. Автор: Gerhard Müller,Heinz Hoenigschmid. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-05.

Method of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: EP4207966A1. Автор: Yuna Lee,Chanmi LEE,Jungpyo Hong,Sangwuk PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-05.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20080280415A1. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11812615B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Methods of testing nonvolatile memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US20240127883A1. Автор: Jongchul Park,Myeongwoo Lee,Yeonwook JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Non-volatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US11942154B2. Автор: Sangwan Nam,Bongsoon LIM,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Sensing circuits of nonvolatile memory devices and methods of operating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20200111529A1. Автор: Hyun-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20200075619A1. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Magnetic memory device and method of writing magnetic memory device

Номер патента: US20180151212A1. Автор: Seung-jae Lee,Kyung-Jin Lee,Woo Chang Lim,Gyungchoon GO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor memory system and method for driving the same

Номер патента: US20120275241A1. Автор: Min Min. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20230217649A1. Автор: Yuna Lee,Chanmi LEE,Jungpyo Hong,Sangwuk PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Methods of operating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20090016107A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Jae-woong Hyun,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-15.

Magnetoresistive memory device and method of manufacturing magnetoresistive memory device

Номер патента: US11818898B2. Автор: Shuichi TSUBATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Magnetoresistance memory device and method of manufacturing magnetoresistance memory device

Номер патента: US20220093146A1. Автор: Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Gayoung Ha. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US9159436B2. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Method of programming a memory device with different levels of current

Номер патента: WO2006133419A1. Автор: Swaroop Kaza,David Gaun,Stuart Spitzer,Juri Kriger. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-12-14.

Magnetoresistance memory device and method of manufacturing magnetoresistance memory device

Номер патента: US11776603B2. Автор: Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Gayoung Ha. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210280259A1. Автор: Hyun Chul Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230397415A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Resistive memory device and manufacturing method of the resistive memory device

Номер патента: US20230240084A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Magnetoresistive memory device and method of manufacturing magnetoresistive memory device

Номер патента: US20210074762A1. Автор: Shuichi TSUBATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20200286910A1. Автор: Takayuki Kashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

A memory device, programming method and memory system

Номер патента: US20240005994A1. Автор: Liang Qiao,Bowen Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor memory device and method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US20240221860A1. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Hyongryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

One-time programmable (otp) memory devices and methods of testing otp memory devices

Номер патента: US20200219570A1. Автор: Min-Yeol Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240096418A1. Автор: Satoshi Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory devices and related methods of forming a memory device

Номер патента: US20240213150A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Photodiode and method of manufacturing the same, and X-ray detector and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570645B2. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US11417674B2. Автор: Yuichiro Mitani,Harumi SEKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Method of testing bubble memory devices

Номер патента: CA1210863A. Автор: Seiichi Iwasa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-09-02.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US6342408B1. Автор: Masako Yoshida,Makoto Yoshimi,Yukihito Oowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-01-29.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20100329021A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US20150162080A1. Автор: Jungwoo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-11.

Magnetoresistance memory device and method of manufacturing magnetoresistance memory device

Номер патента: US20220085278A1. Автор: Taichi IGARASHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Page buffer, semiconductor memory device with page buffer, and method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US11842773B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Erase method of non-volatile memory device

Номер патента: US11783900B2. Автор: Sang-Won Park,Won Bo Shim,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20130250696A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device, memory controller, and memory system

Номер патента: US20150049549A1. Автор: Norichika ASAOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method of operating resistive memory device to increase read margin

Номер патента: US20200118626A1. Автор: Kwang-Woo LEE,Kyu-Rie SIM,Han-bin Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Magnetoresistive memory device and method of manufacturing magnetoresistive memory device

Номер патента: US20220028441A1. Автор: Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20080205157A1. Автор: Sang-jin Park,Sung-Il Park,Jong-Seob Kim,Kwang-Soo Seol,Sung-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor memory device having a delay locked loop (DLL) and method for driving the same

Номер патента: US7710817B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-04.

Method of Manufacturing Flash Memory Device

Номер патента: US20090142861A1. Автор: Yong Wook Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Switchable lens device and 2- and 3-dimensional image display device using the same

Номер патента: US09869877B2. Автор: Sungwoo KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of making semiconductor memory device

Номер патента: US5336630A. Автор: Seong J. Jang,Young K. Jun,Hee G. Lee,Kwang H. Yun. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-09.

Method of managing a memory device employing three-level cells

Номер патента: US7782665B2. Автор: Emanuele Confalonieri,Paolo Turbanti,Luigi Bettini,Carla Giuseppina Poidomani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-24.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20100008138A1. Автор: Jong Hyun Wang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20100008145A1. Автор: Jong Hyun Wang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Method of fabricating magnetic memory device

Номер патента: US20220020918A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Fabricating method of non-volatile memory device

Номер патента: US10026644B2. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Method of fabricating organic memory device

Номер патента: US20090221113A1. Автор: Zing-Way Pei,Chia-Chieh Chang,Wen-Miao Lo. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20100246268A1. Автор: Hee Youl Lee,Ki Seog Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Method of fabricating organic memory device

Номер патента: US8105914B2. Автор: Zing-Way Pei,Chia-Chieh Chang,Wen-Miao Lo. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-01-31.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US09437275B2. Автор: Jung-Hyun Kim,Ki-Chang Kwean. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Display device and driving method thereof, and mobile terminal including the display device

Номер патента: US20240194137A1. Автор: Yong Chul Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240355394A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230108946A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11929126B2. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210304831A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11355207B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230352104A1. Автор: Jung Woo Lee,Yang Kyu Choi,Ji Man YU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20080025086A1. Автор: Lu-Ping chiang,Po-An Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200194073A1. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12033697B2. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device performing read retry mode and operating method of the same

Номер патента: US09293209B2. Автор: Jung Ryul Ahn,Seung Hwan BAIK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Resistive memory device and operating method

Номер патента: US09552878B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09543026B2. Автор: Il-han Park,Minsu Kim,Jung-ho Song,Su Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Resistive memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210193223A1. Автор: Ho-Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Nand memory device wordlines pre-charging and operating method of the same

Номер патента: EP4398251A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jonghoon Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device pre-charging common source line and operating method of the same

Номер патента: US20240221836A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jonghoon Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160055913A1. Автор: Hee Youl Lee,Kyung Sik Mun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US20230129949A1. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US12125553B2. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US09780115B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US09379005B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210035622A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240221844A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jonghoon Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230326518A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device, semiconductor memory module and operation methods thereof

Номер патента: US20150124542A1. Автор: Jeong-Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230282274A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Che-An Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20220375523A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Yung-Feng Lin,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180122467A1. Автор: Suk-Soo Pyo,BoYoung Seo,Taejoong Song,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180033492A1. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972399B2. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Light-erasable embedded memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728260B1. Автор: Hao Su,Hong Liao,Chao Jiang,Chow Yee Lim. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Nonvolatile memory device, a storage device having the same and an operating method of the same

Номер патента: US09460795B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20200350022A1. Автор: Heon Jin CHOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Memory Device and Method of Making Same

Номер патента: US20110227027A1. Автор: Wolodymyr Czubatyj,Tyler Lowrey,Sergey Kostylev. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2011-09-22.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125525B2. Автор: Yu-Hao Hsu,Tsung-Hsien Huang,Wei-jer Hsieh,Tsung-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device outputting status signal and operating method thereof

Номер патента: US09424901B1. Автор: Chi Wook An,Ju Yeab Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Resistive memory device and method of operating the same

Номер патента: US09570170B2. Автор: Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Chi-Weon Yoon,Bo-Geun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09418739B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09704571B2. Автор: Kwang-Hyun Kim,Dong-yang Lee,Do-Kyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Nonvolatile memory device and method of reading the same

Номер патента: US09508423B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608040B2. Автор: Inho Kim,Jongchul Park,Jung-Ik Oh,Jong-Kyu Kim,Gwang-Hyun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Selectable fuse sets, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US20220139492A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068045B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Redundancy in microelectronic devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US20210202004A1. Автор: Toru Ishikawa,Minari Arai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Retention control in a memory device

Номер патента: US09542994B1. Автор: James Edward Myers,Pranay Prabhat. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190035481A1. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Reducing leakage current in a memory device

Номер патента: US09916904B2. Автор: Nan Chen,Mehdi Hamidi Sani,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US09741440B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of operating memory device and refresh method of the same

Номер патента: US09589625B2. Автор: Hyun-Ki Kim,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US09478299B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Resistance memory device and memory apparatus and data processing system

Номер патента: US9214223B2. Автор: Hyung Dong Lee,Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-15.

Methods for adjusting row hammer refresh rates and related memory devices and systems

Номер патента: US12087347B2. Автор: Joo-Sang Lee. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system

Номер патента: US09721666B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210035641A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Memory device performing program operation and method of operating the same

Номер патента: US20240274210A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Processing multi-cycle commands in memory devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: WO2021112955A8. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-30.

Processing multi-cycle commands in memory devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US20210166742A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory device

Номер патента: US09922713B2. Автор: Leroy Cronin,Asen ASENOV. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods of operating a nonvolatile memory device

Номер патента: US09679659B2. Автор: Jin-Kyu Kang,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Sunil Shim,Euido Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Nonvolatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US09595333B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of activating input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20210110864A1. Автор: Atsushi Shimizu,Yosuke Takano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US11798639B2. Автор: Yao-Wen Chang,Guan-Wei Wu,I-Chen Yang,Chun-Liang Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230386562A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory system and driving method thereof using at least two zone voltages

Номер патента: US09659660B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam,Kuihan KO,Yang-Lo AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile memory device and an erasing method thereof

Номер патента: US09558834B2. Автор: Dongseog EUN,Byeong-In Choe,Mincheol Park,Eunsuk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory device including multiple select gates and different bias conditions

Номер патента: US09728266B1. Автор: Haitao Liu,Akira Goda,Changhyun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Refresh method of controlling self-refresh cycle with temperature

Номер патента: US09704558B2. Автор: Cheol Kim,Tae-Young Oh,Su-yeon Doo,Geun-Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20210183458A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Operation method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220130467A1. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Wan Nam,Jae-Duk Yu,Jonghoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Nonvolatile memory device using variable resistance material and method for driving the same

Номер патента: US20140119095A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Sung Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US11837290B2. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230260575A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-08-17.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200395079A1. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09768184B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of operating memory device including multi-level memory cells

Номер патента: US09613664B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler,Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Voltage generator, semiconductor memory device having the same, and method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US09607709B2. Автор: Min Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20220284952A1. Автор: Dai-Ying LEE,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Method of refreshing memory device

Номер патента: US09767882B2. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Young Oh,Seung-jun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Erase system and method of nonvolatile memory device

Номер патента: US09431115B2. Автор: Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF OPERATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150036435A1. Автор: Kang Sangchul,Kwon Seokcheon,Lee Soo-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor memory device and operating method

Номер патента: US20080008022A1. Автор: Yoon-Gyu Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: EP4174860A1. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190355408A1. Автор: Jae Hyeon Shin,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20010028594A1. Автор: Makoto Segawa,Takao Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Reduction of power consumption in memory devices during refresh modes

Номер патента: US09984737B2. Автор: John B. Halbert,Christopher E. Cox,Kuljit Singh Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230335197A1. Автор: Steve S. Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Memory Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Threshold based multi-level cell programming for a non-volatile memory device

Номер патента: US09672933B2. Автор: Sang-Soo Park,Joon-Soo KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Driving method of nonvolatile memory device using variable resistive element

Номер патента: US09659644B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory device, operating and control method thereof

Номер патента: US09583189B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Hong-rak Son,Dong-Min Shin,Eun-Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US20210183887A1. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: EP4109537A2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: EP2586060A2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-01.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US20200119046A1. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US20230413559A1. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Non-volatile memory device and operating method

Номер патента: US20210366539A1. Автор: Seungbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory testing system and memory testing method

Номер патента: US20240161857A1. Автор: Chien Yu Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of forming memory device with physical vapor deposition system

Номер патента: US12035538B2. Автор: Chin-Szu Lee,Yu-Jen Chien,I-Pin CHIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Read methods of memory devices using bit line sharing

Номер патента: US09633704B2. Автор: Dongku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170053923A1. Автор: HWANG CHUL-JIN,Kwak Pan-Suk,HAM SEOK-JUN. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

A semiconductor memory device and a semiconductor memory system including the same

Номер патента: KR101179462B1. Автор: 옥성화. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-09-07.

A semiconductor memory device and a semiconductor memory system including the same

Номер патента: KR20120059124A. Автор: 옥성화. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-06-08.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220005532A1. Автор: Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

High density memory device

Номер патента: US20120300534A1. Автор: Keith A. Jenkins,Tymon Barwicz,Supratik Guha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US9530494B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20200294597A1. Автор: Hee Joung PARK,Won Chul SHIN,Kyeong Seung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory device for performing temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: US20220068399A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory device for performing temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: EP3961629A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-02.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20200294596A1. Автор: Hee Joung PARK,Won Chul SHIN,Kyeong Seung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240221843A1. Автор: Jinyoung Kim,Sehwan Park,Joonsuc Jang,Jisang LEE,Minji CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20050213402A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Disaster site integrated commanding and operating system and method of providing the same

Номер патента: CA3110551A1. Автор: Young Gi Lee,Kyo Koan CHU,Seung Bok HONG,Dong Ju Yu. Владелец: WINITECH CO Ltd. Дата публикации: 2021-09-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Magnetic memory device and method of manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09698338B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Resistive memory device and method of operating resistive memory device

Номер патента: US09450025B2. Автор: Jung-Dal Choi,Seung-Jae Jung,Youn-Seon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09634020B1. Автор: Nhan Do,Mandana TADAYONI,Chien Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20110250727A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chien-Hung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Disaster site integrated commanding and operating system and method of providing the same

Номер патента: US11523463B2. Автор: Young Gi Lee,Kyo Koan CHU,Seung Bok HONG,Dong Ju Yu. Владелец: WINITECH CO Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20060237772A1. Автор: Hee Gee Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US12150305B2. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230320086A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US20210151442A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US12058851B2. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240324187A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US8895391B2. Автор: Won Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-25.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20130244398A1. Автор: Won Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Method of manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: US20020098599A1. Автор: Takashi Nakamura,Hidemi Takasu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US12048149B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20100164019A1. Автор: Heedon Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240324204A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device capable of preventing oxidation of plug and method for fabricating the same

Номер патента: US20030001186A1. Автор: Soon-Yong Kweon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Household domestic water monitoring device and household domestic water monitoring system including same

Номер патента: US20240228326A1. Автор: Dong Uook LEE. Владелец: SMT CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of Forming Resistive Memory Devices

Номер патента: US20100233849A1. Автор: Hyun-Jun Sim,Jang Eun Lee,Jun-Ho Jeong,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam,Dae-Kyom Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of Manufacturing Flash Memory Device

Номер патента: US20100112799A1. Автор: Hee Don Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20110207287A1. Автор: Jin Gu Kim,Myung Shik LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of Manufacturing flash memory device

Номер патента: US20080081451A1. Автор: Se Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US8093124B2. Автор: Jin Gu Kim,Myung Shik LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Fabricating method of mirror bit memory device having split ono film with top oxide film formed by oxidation process

Номер патента: US20100109070A1. Автор: Masahiko Higashi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Fabricating method of mirror bit memory device having split ono film with top oxide film formed by oxidation process

Номер патента: US20130175601A1. Автор: Masahiko Higashi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-07-11.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09711515B1. Автор: Masaru Kito,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods of manufacturing magnetic memory device having a magnetic tunnel junction pattern

Номер патента: US09647033B2. Автор: Jun Ho Park,Hye Min Shin,Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Vertical memory devices, memory arrays, and memory devices

Номер патента: US09559201B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Three-dimensional memory device including coaxial double contact via structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240381644A1. Автор: Ryo MIZUTSU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of forming vertical memory devices with improved dummy channel structures

Номер патента: US12137562B2. Автор: Yuhui HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of fabricating flash memory device

Номер патента: US09793155B2. Автор: Jee-hoon Han,Ho-Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Devices and systems configured to fit around a tissue using the same

Номер патента: US09980841B2. Автор: Ghassan S. Kassab,Thomas A. Kramer. Владелец: CVDevices LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods of operating a memory device

Номер патента: US10424583B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US4818718A. Автор: Kazuhiro Komori,Yasunobu Kosa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-04-04.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20170243877A1. Автор: Takuya INATSUKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Memory device, memory cell and memory cell layout

Номер патента: US09620594B2. Автор: Hau-yan Lu,Shih-Hsien Chen,Chun-Yao Ko,Liang-Tai Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298992A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11903208B2. Автор: Nam Jae LEE,Nam Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11856777B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US11871573B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240172440A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240081066A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device with high-mobility oxide semiconductor channel and methods for forming the same

Номер патента: WO2023224946A1. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device with high-mobility oxide semiconductor channel and methods for forming the same

Номер патента: US20230380165A1. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US11894300B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230380168A1. Автор: Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20070004138A1. Автор: Young Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11469242B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20220415918A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20230328983A1. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230051382A1. Автор: Koichi Yamamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240162148A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210036002A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230422505A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Hiroki Kishi,Takanori Yamanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US11437388B2. Автор: Kosei Noda,Go Oike. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-06.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US20230292498A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240023331A1. Автор: Jae Ho Kim,Jae Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US11594545B2. Автор: Fumie KIKUSHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20050009274A1. Автор: Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US20190341388A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor memory device with air gaps between conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20210327882A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230301094A1. Автор: Kyosuke Nanami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230180479A1. Автор: Fumie KIKUSHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20210091094A1. Автор: Fumie KIKUSHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US7067425B2. Автор: Keun Woo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240206161A1. Автор: Takuto IKEYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method of three-dimensional memory device with improved RC delay

Номер патента: US12016180B2. Автор: Qiguang Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of fabricating switching element and method of manufacturing resistive memory device

Номер патента: US20170352807A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Method of fabricating switching element and method of manufacturing resistive memory device

Номер патента: US09960350B2. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory device and method of manufacturing a memory device

Номер патента: US20080137404A1. Автор: Jin-Jun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20210296327A1. Автор: Tomoya INDEN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20130237028A1. Автор: Hironobu FURUHASHI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices and related devices

Номер патента: US9240458B2. Автор: Chang-Sun Lee,Ji-Hwon Lee,Hyun-Seok Na,Joong-Shik Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-19.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20060141718A1. Автор: Seok Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Regulator rectifier device and a method for regulating an output voltage of the same

Номер патента: US09899866B2. Автор: Ramit VERMA. Владелец: Flash Electronics India Pvt Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of forming magnetoresistive memory device assemblies

Номер патента: US20030228711A1. Автор: Hasan Nejad,James Deak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-11.

Method of manufacturing semiconductor memory device having a capacitor

Номер патента: US6333226B1. Автор: Masahiro Yoshida,Hideyuki Ando. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-25.

Method of making semiconductor memory device

Номер патента: US5851873A. Автор: Ichiro Murai,Shinobu Shigeta,Hidemi Arakawa. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-12-22.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US20230389340A1. Автор: Wei-Chih Wen,Han-Jong Chia,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming nonvolatile memory device

Номер патента: US6867098B2. Автор: Se-Woong Park,Dong-soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Device and method for removing a surface layer including the skin from fish fillets

Номер патента: US09872507B2. Автор: Olaf Schwarz. Владелец: Nordischer Maschinenbau Rud Baader GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods of manufacturing vertical memory devices

Номер патента: US10453859B2. Автор: Kohji Kanamori,Young-woo Park,Jung-Hoon Park,Shin-Hwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-22.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US5858837A. Автор: Ichiro Honma,Takashi Sakoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Methods of forming programmable memory devices

Номер патента: US20060252207A1. Автор: Kevin Beaman,Ronald Weimer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Method of forming nonvolatile memory device

Номер патента: US20100248457A1. Автор: Jin Gyun Kim,Soodoo Chae,Seungmok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-30.

Fabrication method of three-dimensional memory device

Номер патента: US20230064048A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Methods of manufacturing vertical memory devices

Номер патента: US11792990B2. Автор: Byoungil Lee,Jimo GU,Yujin SEO,Subin KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods of manufacturing semiconductor memory devices

Номер патента: US20100184282A1. Автор: Albert Fayrushin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-22.

Method of manufacturing magnetoresistive memory device

Номер патента: US20170263860A1. Автор: Minoru Amano,Satoshi Seto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method of manufacturing a memory device comprising introducing a dopant into silicon oxide

Номер патента: US11991939B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20210043642A1. Автор: Yu-Kai Liao,Chiang-Hung Chen,Wen Hung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of manufacturing semiconductor memory devices

Номер патента: US20230276614A1. Автор: Joongchan SHIN,Taegyu Kang,Seokho Shin,Byeungmoo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US7015097B2. Автор: Sang Wook Park,Seung Cheol Lee,Pil Geun Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-03-21.

Manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US11705402B2. Автор: Tae Kyung Kim,Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US11996370B2. Автор: Tae Kyung Kim,Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20200350258A1. Автор: Tae Kyung Kim,Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20230260928A1. Автор: Tae Kyung Kim,Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20220230966A1. Автор: Tae Kyung Kim,Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US11309256B2. Автор: Tae Kyung Kim,Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-19.

Fabricating method of mirror bit memory device having split ono film with top oxide film formed by oxidation process

Номер патента: US20130161728A1. Автор: Masahiko Higashi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-06-27.

Method of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20090081846A1. Автор: Hiroshi Kawamoto,Koichi Matsuno,Naoki Kai,Minori Kajimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Method for manufacturing PTC device and system for preventing overheating of planar heaters using the same

Номер патента: US8716633B2. Автор: Suk-Hwan Kang,Mun-Han Kim. Владелец: UNIPLATEK CO Ltd. Дата публикации: 2014-05-06.

Industrial plant module, industrial plant provided with same, and industrial plant operation method

Номер патента: AU2019474670B2. Автор: Satoshi Yasuda,Tomoyuki Konda. Владелец: Chiyoda Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Industrial plant module, industrial plant provided with same, and industrial plant operation method

Номер патента: AU2019474670A1. Автор: Satoshi Yasuda,Tomoyuki Konda. Владелец: Chiyoda Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Fixing device and passenger device as well as carrying device using the same

Номер патента: US20220234640A1. Автор: Xiaohong Xiao,Xiuping Fu. Владелец: Wonderland Switzerland AG. Дата публикации: 2022-07-28.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09716129B1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang,Kyu-Rie SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Memory devices including vertical memory cells and related methods

Номер патента: US20190067326A1. Автор: Haitao Liu,Chandra V. Mouli,Srinivas Pulugurtha,Guangyu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230051615A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090008700A1. Автор: Choong-ho Lee,Byung-yong Choi,Albert Fayrushin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-08.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341077A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341078A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11770938B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of forming memory devices having electrodes comprising nanowires

Номер патента: US09871196B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780144B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455404B2. Автор: Chin-Tsan Yeh,Bing-Lung Yu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Data storage device and method

Номер патента: RU2479019C2. Автор: Хайнц ВЕРНЛИ,Андреас КИЛЬХЕНМАНН,Урс РЮЭДИ. Владелец: Зульцер Метко Аг. Дата публикации: 2013-04-10.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09613967B1. Автор: Yoshinori Tanaka,Wei-Che Chang,Yi-Hao Chien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09590174B2. Автор: Tadashi Kai,Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Masaru Toko,Kuniaki Sugiura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory device and method of manufacturing memory device

Номер патента: US20240260269A1. Автор: Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09812327B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device and method of manufacturing memory device

Номер патента: US20240260265A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory devices having electrodes comprising nanowires

Номер патента: US09525131B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Vertical memory devices and apparatuses

Номер патента: US20140070306A1. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240234144A9. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240234145A9. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120273748A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US09659819B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09443734B2. Автор: Jung-Hwan Park,Kyu-Hyun Lee,Ki-Seok Lee,Hyo-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory device and manufacturing method of memory device

Номер патента: US20210288253A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Memory device and manufacturing method of memory device

Номер патента: US20230108500A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of forming memory devices

Номер патента: US12022752B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory devices including phase change material elements

Номер патента: US09748475B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory devices

Номер патента: US20240315152A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device

Номер патента: US20240306387A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120319195A1. Автор: Kyoung Chul JANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of forming memory device

Номер патента: US20240276700A1. Автор: Yasuyuki Sakogawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of fabricating memory devices

Номер патента: US9172039B2. Автор: Masayuki Terai,In-Gyu Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

Method of making damascene select gate in memory device

Номер патента: US09443867B2. Автор: Shingo OHSAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of fabricating memory

Номер патента: US7344938B2. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Kuohua Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-18.

Method of fabricating memeory

Номер патента: US20060270142A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of fabricating memeory

Номер патента: US20070259493A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Kuohua Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

3-d dram structures and methods of manufacture

Номер патента: US20210249415A1. Автор: Nitin K. Ingle,Tomohiko Kitajima,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244829A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244827A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Method of forming split gate memory cells with 5 volt logic devices

Номер патента: US09570592B2. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US11903334B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20140134794A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20130217179A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210104537A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Watercraft maneuvering system and watercraft including the watercraft maneuvering system

Номер патента: US20240239464A1. Автор: Ryo Nakanishi,Yuhei Suzuki. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of producing glass using electric melting

Номер патента: RU2675817C2. Автор: Стефан Можандр,Ришар Клато. Владелец: СЭН-ГОБЭН ИЗОВЕР. Дата публикации: 2018-12-25.

Memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190148382A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Han-Yung Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210126194A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of manufacturing magnetic memory device, and magnetic memory device

Номер патента: TWI228327B. Автор: Makoto Motoyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-21.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20180269223A1. Автор: Takashi Ohashi,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, MEMORY CHIP, MEMORY MODULE, MEMORY SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130175496A1. Автор: CHOI Hye-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-11.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL SYSTEM AND METHOD OF USE FOR CONTROLLING CONCENTRATIONS OF ELECTROLYZED WATER IN CIP APPLICATIONS

Номер патента: US20120000488A1. Автор: Herdt Brandon,Ryther Robert. Владелец: ECOLAB USA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ADJUSTABLE SIGN FRAME AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120000106A1. Автор: WICK Melinda Jean. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory device and method of controlling a memory device

Номер патента: TW201042454A. Автор: Ikuo Yamaguchi,Takahiko SUGAHARA,Tetsuo Furuichi,Takashi Oshikiri. Владелец: Mega Chips Corp. Дата публикации: 2010-12-01.