ETCHING METHOD OF COPPER-MOLYBDENUM FILM AND ARRAY SUBSTRATE.

ETCHING METHOD OF COPPER-MOLYBDENUM FILM AND ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20210327721A1
Опубликовано: 21-10-2021
Автор(ы): MEI Yuan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Etching method of copper-molybdenum film and array substrate

Номер патента: US11756797B2. Автор: Yuan Mei. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Array Substrate and Method of Manufacturing the Same, and Display Device

Номер патента: US20170192319A1. Автор: BIN Li,Xin Li,Detao ZHAO,Pengju ZHANG,Xuchen YUAN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: EP3991206A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-04.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: WO2020258023A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: Beijing Boe Technology Development Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-12-30.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: EP3485513A1. Автор: Yonglian QI,Lianjie QU,Xue Gao,Hebin ZHAO,Shuai LIU,Bingqiang GUI,Guangdong SHI,Xiaogai Chun. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-22.

Array substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US20210043658A1. Автор: Zhenli Song. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

TN-type array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09620535B2. Автор: Song Wu,Jieqiong Bao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Display panel and array substrate thereof

Номер патента: US20180301474A1. Автор: YANG Zhao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Array substrate, display device, and method of producing array substrate

Номер патента: US20230140018A1. Автор: Miho Yamada,Tohru Sakata,Tsuyoshi Itoh,Tomohisa Aoki,Kohichi KUMAGAI. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Liquid crystal display device having square wave shaped data line and array substrate of the same

Номер патента: US09618804B2. Автор: Cong Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09698171B2. Автор: Um Yoon Sung,Choi-Seung Jin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20100001286A1. Автор: Chih-Chieh Wang,Yao-Hong Chien,Xuan-Yu Liu,Li-Shan Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Method of manufacturing array substrate for use in liquid crystal display device

Номер патента: US20010034073A1. Автор: Kyo-Ho Moon,Hu-Sung Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-25.

Array substrate, liquid crystal panel, and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09608013B2. Автор: Zhicheng Liu,Zhiguang Yi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Array substrate and manufacturing method thereof, and liquid crystal display

Номер патента: US09570472B2. Автор: MINGHUA XUAN,Weiyun HUANG,Young Yik Ko. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Array substrate, method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US09553108B2. Автор: Hee Cheol Kim,Young Suk Song,Seong Yeol Yoo,Seung Jin Choi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Array substrate and display panel

Номер патента: US20150022749A1. Автор: Peng Du,Jiali Jiang,Ming-Hung Shih. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US11372291B2. Автор: Chunhui Yang. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US20210373393A1. Автор: Chunhui Yang. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Pixel unit and method of fabricating the same, array substrate and display device

Номер патента: US09508755B2. Автор: Jun Cheng,Dongfang Wang,Hongda Sun,Xiangyong Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Fabrication methods of transparent conductive electrode and array substrate

Номер патента: US09659975B2. Автор: Chunsheng Jiang,Meili Wang,Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: EP4104013A1. Автор: Ke Wang,Guoqiang Wang,Xiaoyan Zhu,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Zhanfeng CAO,Renquan Gu,Xiaoxin Song,Muxin DI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-21.

Method of fabricating array substrate, array substrate, and display apparatus thereof

Номер патента: WO2019029125A1. Автор: Yonglian QI,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Shuai LIU,Bingqiang GUI,Guangdong SHI. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of fabricating array substrate, array substrate, and display apparatus thereof

Номер патента: US20210175261A1. Автор: Yonglian QI,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Shuai LIU,Bingqiang GUI,Guangdong SHI. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Array substrate, method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09817287B2. Автор: Xi Chen,Liangliang LI,Yao Liu,Xiaowei Liu,Zhenfei Cai,Zongjie Guo. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Fabricating method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US10416507B2. Автор: Yang Liu,Xianwang WEI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

Array substrate structure of display panel and method of making the same

Номер патента: US20130168707A1. Автор: Kuo-Yu Huang,Te-Chun Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-07-04.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09759966B2. Автор: BIN Li,Xin Li,Detao ZHAO,Pengju ZHANG,Xuchen YUAN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Thin film transistor array substrate and method of manufacturing thereof and display device having the thin film transistor array substrate

Номер патента: KR102304991B1. Автор: 임완순,우수완. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2021-09-28.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and backlight module

Номер патента: US20220310660A1. Автор: Qi Qi,Ke Wang,Guocai ZHANG,Jianguo Wang,Zhiwei Liang,Zhanfeng CAO,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Mask plate, method of manufacturing array substrate, and array substrate

Номер патента: US09842865B2. Автор: Ming Hung Shih,Jiali Jiang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US09954015B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film transistor array substrate

Номер патента: US09583514B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893098B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09466624B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing array substrate and array substrate manufactured therefor

Номер патента: US09647015B2. Автор: Zhuming Deng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing array substrate, intermediate array substrate product, and array substrate

Номер патента: US11521992B2. Автор: GE ZHANG,MIAO Wang,FAN YANG,Niannian WANG,Yukun JIA,Dalin FAN,Zongrui FENG. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Method for manufacturing array substrate, intermediate array substrate product, and array substrate

Номер патента: US20210366946A1. Автор: GE ZHANG,MIAO Wang,FAN YANG,Niannian WANG,Yukun JIA,Dalin FAN,Zongrui FENG. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing array substrate, intermediate array substrate product, and array substrate

Номер патента: EP3676664A1. Автор: GE ZHANG,MIAO Wang,FAN YANG,Niannian WANG,Yukun JIA,Dalin FAN,Zongrui FENG. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-08.

Method and device for repairing circuit on array substrate, and array substrate

Номер патента: US20230126811A1. Автор: Baohong KANG,Tianhui Qiu. Владелец: Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20240234446A1. Автор: JIAN Ma,Wenming REN,Jinliang HU,Chengyong ZHAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20220310670A1. Автор: JIAN Ma,Wenming REN,Jinliang HU,Chengyong ZHAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140099736A1. Автор: Jin-Seok Lee,Sang-Hyup Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

Short-circuit unit and array substrate

Номер патента: US09576864B2. Автор: Tao Wu,Lei Han,Pingyu Wei,Hewei WANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Liquid Crystal Display Panel And Array Substrate Thereof

Номер патента: US20160377896A1. Автор: Sikun HAO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US8629951B2. Автор: Jin-Seok Lee,Sang-Hyup Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

Array substrate comprising separating region and manfacturing method thereof,display apparatus

Номер патента: US09905591B2. Автор: Tao Wu,Chun Li,Hongwei Sun,Yanming Wang,Ruitao Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Array substrate and method of preparing the same

Номер патента: US09859269B2. Автор: Li Chai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09618816B2. Автор: Jin-Seok Lee,Sang-Hyup Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20160190161A1. Автор: Liping Liu,Yu AI,Junqi Han. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of manufacturing array substrate, array substrate, and lcd panel

Номер патента: US20210208459A1. Автор: Xia Zhang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

TFT array substrate and manufacturing and repairing methods of the same

Номер патента: US09847354B2. Автор: Baoquan ZHOU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Color filter array substrate, display device and manufacturing method of color filter array substrate

Номер патента: US09753342B2. Автор: Yi Chen,Fujiang JIN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Array substrate with redundant gate and data line repair structures

Номер патента: US09825062B2. Автор: Liping Liu,Yu AI,Junqi Han. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09691670B2. Автор: Xiaoyu Yang,Xiaosong Zhang,Jiujuan YANG. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Array substrate, display device and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09608118B2. Автор: Sheng Wang,Lei Du,Xiangyang Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09570473B2. Автор: Kai Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Array substrate, manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US20180033802A1. Автор: Xiaopeng CUI,Ruirui Wang,Linlin Wang,Huabin Chen. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Array substrate, manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US20170243889A1. Автор: Xiaopeng CUI,Ruirui Wang,Linlin Wang,Huabin Chen. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US12038660B2. Автор: Qian Liu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Array substrate, manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20180083050A1. Автор: Cuili Gai,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Array substrate and method of manufacturing the same, display panel and display device

Номер патента: US20180090376A1. Автор: Bo Zhang,Kai Wang,Chengyong ZHAN,Cong Tan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Liquid crystal display panel, array substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US09971221B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Array substrate, manufacturing method, and display device thereof

Номер патента: US09874795B2. Автор: HUI Li,Zhiqiang Xu,Hyun Sic CHOI,Yoon Sung Um. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Array substrate and method of repairing broken lines therefor

Номер патента: US09632377B2. Автор: SHAN Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Array substrate, method of manufacturing the same and display panel

Номер патента: US20190165001A1. Автор: Lu Yang,Fang Yan,Lei Yan,Lei Yao,Xiaofang Li,Wentao Wang,Haifeng Xu,Jinfeng Wang,Dawei Shi,Lin Hou,Zhixuan GUO,Yuanbo Li,Jinjin XUE,Xiaowen SI. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method of forming line and electrode pattern using nano-particles and fabricating array substrate for liquid crystal display device using the same

Номер патента: KR101466787B1. Автор: 김상식,주병권,강한샘,조경아,윤정권. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2014-11-28.

Method of forming line and electrode pattern using nano-particles and fabricating array substrate for liquid crystal display device using the same

Номер патента: KR20090120171A. Автор: 김상식,주병권,강한샘,조경아,윤정권. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2009-11-24.

Manufacturing method of thin film transistor, manufacturing method of array substrate and array substrate

Номер патента: US09806108B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing array substrate, and array substrate

Номер патента: US20210124226A1. Автор: Wei Li,Jun Liu,Bin Zhou,Jingang Fang,Leilei CHENG,Luke Ding. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Rework method of array substrate for display device and array substrate formed by the method

Номер патента: US09983451B2. Автор: Jiwon Kang,Donggeun Lim,KiTaeg Shin,ChelHee Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Pixel structures and operation methods, and array substrates

Номер патента: US20180211625A1. Автор: Shuai Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Manufacture method of array substrate and array substrate manufactured by the method

Номер патента: US20180097015A1. Автор: Qiming GAN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Array substrate manufacturing method and array substrate

Номер патента: US20180047764A1. Автор: Si Deng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Surface treatment method of glass substrate having pit on surface thereof, production method of array substrate, and array substrate

Номер патента: US20190273097A1. Автор: Hao Yin,Donghui Zhang,Chuan Chen,Xiaoye MA. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Surface treatment method of glass substrate having pit on surface thereof, production method of array substrate, and array substrate

Номер патента: US10644033B2. Автор: Hao Yin,Donghui Zhang,Chuan Chen,Xiaoye MA. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Surface planarization method of thin film and preparing method of array substrate

Номер патента: US20150064927A1. Автор: Lei Chen,Lei Zhang,Jiapeng Li,Wukun Dai,Miao Qiu,Fengguo WANG,Ziqi Xia,Xiuhong Jin. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Method for manufacturing hva pixel electrode and array substrate

Номер патента: US20170123278A1. Автор: Ming Hung Shih,Jiali Jiang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Display device, display panel, and array substrate

Номер патента: US20230314884A1. Автор: Rong TANG,Haoxuan ZHENG. Владелец: Mianyang HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Array substrates and display panels

Номер патента: US20240266361A1. Автор: HE Wang,Ziran Li,Dongming SU,Jiaojiao Shi,Jiaming Peng,Guanshui Luo. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Pixel unit and array substrate

Номер патента: US09766510B2. Автор: Lin Meng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Liquid crystal display device and array substrate thereof

Номер патента: US09563084B2. Автор: Meng Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Display device and array substrate for display device

Номер патента: US09721914B2. Автор: Yeonwook KANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Manufacturing method of polycrystalline silicon thin film and manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US20190027513A1. Автор: Leilei Dong. Владелец: Actinium Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Passivation layer and preparation method thereof, flexible thin film transistor and preparation method thereof, and array substrate

Номер патента: US12040404B2. Автор: WEI ZHONG,Rongsheng Chen,Lelong YAN. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing array substrate, and array substrate, display panel and display device

Номер патента: US20170148825A1. Автор: Chuanzhi Xu,Zhengfang Xie,Xiaoyang Tong,Xiongping Li. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Method for manufacturing array substrate, and array substrate, display panel and display device

Номер патента: US10056410B2. Автор: Chuanzhi Xu,Zhengfang Xie,Xiaoyang Tong,Xiongping Li. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-21.

Manufacturing method for insulation layer, manufacturing method for array substrate and array substrate

Номер патента: US20180005813A1. Автор: Deyong Fan. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Manufacturing method for array substrate and array substrate

Номер патента: US20210327913A1. Автор: En-Tsung Cho,Yiqun Tian. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Display panel and method of preparing the same, display device

Номер патента: US9704897B1. Автор: Wei Li,JIAN Li,Yifeng Tan,Yuguang FAN,Jingpeng Li. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Array substrate and method of manufacturing the same, display panel and display apparatus

Номер патента: US20210063831A1. Автор: Peng Jiang,Chunxu ZHANG,Yuntian Zhang,Ke Dai,Mengmeng LI,Jingang Liu,Lihui HAN,Zhonghou WU. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Etching method

Номер патента: US20180174859A1. Автор: Jun Zhang,Xufei Xu,Jie Song,Yijun Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Pixel unit and array substrate

Номер патента: US20180031930A1. Автор: Xiaowen LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Array substrate, repairing sheet, display panel and method of repairing array substrate

Номер патента: US09746731B2. Автор: Xuebing JIANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Array substrate, display device and method of manufacturing the array substrate

Номер патента: US09553110B2. Автор: Shi Shu,Yonglian QI,Guanbao HUI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Array Substrate, Method of Fabricating the Same and Liquid Crystal Display Panel

Номер патента: US20170343871A1. Автор: Liang Wen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Array substrate, method of fabricating the same and liquid crystal display panel

Номер патента: US9766519B2. Автор: Liang Wen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Array substrate for display, method of manufacturing array substrate for display and display device using the array substrate

Номер патента: US20020106843A1. Автор: Toshiaki Arai,Takatoshi Tsujimura,Atsuya Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190057985A1. Автор: Lei Li,Jingyi Xu,Yishan FU,Yuelin Wang,Yezhou FANG,Yanyan ZHAO,Yanwei REN,Weida QIN,Tienan LIU. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Pixel structures and operation methods, and array substrates

Номер патента: US10186224B2. Автор: Shuai Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Fabricating method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US10151954B2. Автор: Yang Liu,Xianwang WEI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: US20210408088A1. Автор: Ke Wang,Shengguang Ban,Shuilang Dong,Zhanfeng CAO,Qingzhao Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Array substrate, preparation method thereof and display device

Номер патента: US20180026056A1. Автор: Huibin Guo,Liangliang LI,Yao Liu,Shoukun WANG,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Preparation method for array substrate

Номер патента: US10504941B2. Автор: Huibin Guo,Liangliang LI,Yao Liu,Shoukun WANG,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US8541288B2. Автор: Sheng-Fa Liu,Der-Chun Wu,Yu-Hsien Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-09-24.

Manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US20130164908A1. Автор: Sheng-Fa Liu,Der-Chun Wu,Yu-Hsien Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728403B2. Автор: YUAN Guo,Chao He,Juan Li,Guoqiang Tang,Yuxia Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Array substrate for LCD panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09715147B2. Автор: QI Xu,DAN CHEN,Ming-Tsung Wang,Kuo-Chieh CHI. Владелец: Century Technology Shenzhen Corp Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Thin film transistor array substrate, display device and method

Номер патента: US09594280B2. Автор: WEI Hu,Tianlei Shi,Zailong Mo. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Thin film transistor and method of fabricating the same, array substrate and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09455324B2. Автор: Qi Yao,Bing Sun,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Fabricating method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US20190018293A1. Автор: Yang Liu,Xianwang WEI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Array substrate, display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220375803A1. Автор: Yu Ji,LEI FENG,Chao Zhou,Xianchun HUANG,Youpeng GAN,Lingling Zeng,Guoping QIAN,Wanqing CHEN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Liquid crystal panel, liquid crystal display device including liquid crystal panel, and method of manufacturing liquid crystal panel

Номер патента: US20160091762A1. Автор: Koji Yonemura,Hiroshi Umeda,Kazunori Okumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Array substrate and manufacturing method thereof, liquid crystal display panel and display device

Номер патента: US20170205671A1. Автор: Yuanhui Guo,Yunbok Lee. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US12092935B2. Автор: Young Gu Kim,Baekkyun Jeon,Jin-soo Jung,Byoung-Hun Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09978782B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacture method of LTPS array substrate

Номер патента: US09935137B2. Автор: Chao He. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of a LTPS array substrate

Номер патента: US09905590B2. Автор: Peng Du,Cong Wang,Xiaoxiao Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacutrig method of array substrates, array substrates, and display panels

Номер патента: US09798207B2. Автор: Yutong HU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09651839B2. Автор: Xiaojing QI,Like HU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Liquid crystal display device, thin film transistor array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09638976B2. Автор: Liang Wen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Touch sensing type liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09600109B2. Автор: Jin-Wuk Kim,Sung-Hee Kim,Kum-Mi Oh. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Array substrate and method of repairing broken lines for the array substrate

Номер патента: US09568793B2. Автор: SHAN Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Array substrate, liquid crystal display panel and display device

Номер патента: US09348161B2. Автор: Xu Chen,Jian Guo,Qiyu Shen. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Dry etching method

Номер патента: US20180233376A9. Автор: Yueping Zuo,Yinghai Ma,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of manufacturing displays and apparatus for manufacturing displays

Номер патента: US7527658B2. Автор: Eiji Shibata,Terushige Hino,Takuji Oda,Kazuaki Tanoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-05.

Method of manufacturing displays and apparatus for manufacturing displays

Номер патента: US20060014395A1. Автор: Eiji Shibata,Terushige Hino,Takuji Oda,Kazuaki Tanoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-01-19.

Array substrate, liquid crystal display device and drive method of liquid crystal display device

Номер патента: US20180046000A1. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Array substrate and fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20190067339A1. Автор: Haihong Zheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Array substrate, display device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190019896A1. Автор: Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Array substrate, display panel, display device and method of repairing display panel

Номер патента: US09880434B2. Автор: Bo Shi,Shaning YAN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09835918B2. Автор: Young Gu Kim,Baekkyun Jeon,Jin-soo Jung,Byoung-Hun Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Array substrate and method for preparing the same, liquid crystal panel

Номер патента: US09804464B2. Автор: Dongzi Gao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Array substrate, liquid crystal display panel, and detecting method of liquid crystal display panel

Номер патента: US09728112B2. Автор: Cheng-Hung Chen,Zui Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Array substrate, manufacturing method of array substrate and display device

Номер патента: US09653492B2. Автор: Wei Jiang,Xiao Guo,Xinxia ZHANG,Fengzhen LV,Songnan Chu,Kang Xiang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Thin film transistor array substrate and method of fabricating same

Номер патента: US09513523B2. Автор: Mei-Ling Wu,Hsin-An Cheng,Yang-Chu Lin,Chih-Yuan Hou. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Array substrate with improved pad region

Номер патента: US09472579B2. Автор: Jongwoo Kim,Changho Oh,Jonghoon Kim,SangYoon PAIK,WonHyung YOO,JunKi KANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Pixel unit and array subsrtate

Номер патента: US20170235193A1. Автор: Lin Meng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Patterning Method and Method for Manufacturing Array Substrate

Номер патента: US20210200090A1. Автор: Wei Li,Yang Zhang,Jun Liu,Ning Liu,Bin Zhou,Yingbin HU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Array substrate and manufacturing method thereof and display apparatus

Номер патента: US09991291B2. Автор: Chong Liu,Zhilong PENG,Haisheng ZHAO,Zhilian XIAO. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US09859304B2. Автор: Jing NIU,Fangzhen Zhang,Shuang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09842934B2. Автор: Sang-Hyun Bae,Ju-Yeon Kim,Yong-Woo Yoo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Array substrate, method of manufacturing array substrate, and liquid crystal display

Номер патента: US09470916B2. Автор: Junhui Lou,Zhaokeng Cao. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09437487B2. Автор: Shi Shu,Feng Zhang,Feng Gu,Fang He,Yaohui GU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing array substrate and method for manufacturing liquid crystal antenna

Номер патента: US20200124969A1. Автор: Xiaojuan Wu,Hongliang Yuan,Yao BI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Method of forming an electrode equipped in an apparatus for manufacturing an array substrate of a liquid crystal display device

Номер патента: US20030009868A1. Автор: Chang-Sung Jung. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of producing color filter substrate including alignment film and method of producing liquid crystal panel

Номер патента: US20200019024A1. Автор: Kohshiroh Taniike. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Organic thin film transistor array substrate and method of producing the same

Номер патента: US20050087745A1. Автор: Cheng-Chung Lee,Yu-Wu Wang,Yih-Jun Wong,Horng-Long Cheng,Wei-Yang Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-04-28.

Organic thin film transistor array substrate and method of producing the same

Номер патента: US20040209388A1. Автор: Cheng-Chung Lee,Yu-Wu Wang,Yih-Jun Wong,Horng-Long Cheng,Wei-Yang Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-10-21.

Liquid crystal display device, substrate for liquid crystal display device and manufacturing method of substrate for liquid crystal display device

Номер патента: US09971185B2. Автор: Kenzo Fukuyoshi,Yukihiro Kimura. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Display panel, manufacturing method of display panel, and display device

Номер патента: US20240192554A1. Автор: Yuhua Yang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Display panel, display device and manufacturing method of the display panel

Номер патента: US9612483B2. Автор: Yan Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of planarizing protrusions on an array substrate of a liquid crystal panel

Номер патента: US09436050B2. Автор: Yanxi Ye. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of manufacturing array substrate and array substrate

Номер патента: US09804466B2. Автор: LIN Li,Cong Liu,Chunze Zhang,Zhaohui Hao,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Display panel, display apparatus, display substrate, and method of fabricating display panel and display apparatus

Номер патента: EP3803504A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Etchant composition and methods for manufacturing metal pattern and array substrate using the same

Номер патента: US20200172807A1. Автор: Bong-Kyun Kim,Seung-Hee Kim,SeungBo SHIM,Donghee Lee,Jinseuk KIM,Shinhyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Polarizer and method of producing the same, polarizing plate, optical film, and image display display

Номер патента: TW200600845A. Автор: Takashi Misumi,Shunsuke Shuto,Yuuji Saiki,Naoki Tomoguchi,Tetsurou Ikeda. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2006-01-01.

METHOD OF PRODUCING COLOR FILTER SUBSTRATE INCLUDING ALIGNMENT FILM AND METHOD OF PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL

Номер патента: US20200019024A1. Автор: TANIIKE Kohshiroh. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Light diffusion film, method of specifying surface shape of light diffusion film, and recording medium on which surface shape specification program is recorded

Номер патента: KR101950542B1. Автор: 고시 고이데,기신 오자와,야스타카 후쿠나가. Владелец: 엠지시 휠시트 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-02-20.

Light diffusion film, method of specifying surface shape of light diffusion film, and recording medium on which surface shape specification program is recorded

Номер патента: KR20140084226A. Автор: 고시 고이데,기신 오자와,야스타카 후쿠나가. Владелец: 엠지시 휠시트 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-07-04.

Light diffusion film, method of specifying surface shape of light diffusion film, and recording medium on which surface shape specification program is recorded

Номер патента: CN103890618A. Автор: 小岀功史,福永泰隆,小泽归心. Владелец: MGC Filsheet Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-25.

MANUFACTURE METHOD OF POLARIZATION AND COLOR FILTER FUNCTION INTEGRATION FILM AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL

Номер патента: US20170153496A1. Автор: Li Ji. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Polarizer protective film, method of manufacturing the same, polarizing plate, optical film, and image display device

Номер патента: KR102010125B1. Автор: 미도리 아사노,레이코 아카리,유우지 사이키. Владелец: 닛토덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-08-12.

Polarizer protective film, method of manufacturing the same, polarizing plate, optical film, and image display device

Номер патента: KR20150023500A. Автор: 미도리 아사노,레이코 아카리,유우지 사이키. Владелец: 닛토덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-03-05.

Polarizer protective film, method of manufacturing the same, polarizing plate, optical film, and image display device

Номер патента: KR102060291B1. Автор: 미도리 아사노,레이코 아카리,유우지 사이키. Владелец: 닛토덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-12-27.

Method of manufacturing substrate having liquid crystal alignment film and liquid crystal display device

Номер патента: JPWO2018052106A1. Автор: 達哉名木,秀則石井,尚士鉄谷. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of manufacturing polarizer, polarizer, polarizing plate, optical film, and image display

Номер патента: TW200837404A. Автор: Seiji Umemoto,Kazuya Hada,Ryota Hatsuda. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2008-09-16.

Liquid crystal display panel and array substrate

Номер патента: US09547210B2. Автор: Jinjie WANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Electrophoretic display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20080037106A1. Автор: Keun Kyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Array substrate and display device

Номер патента: US09921449B2. Автор: Junhao LIU,Miao GENG,Zhangfei GAO. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Liquid crystal display panel and array substrate thereof

Номер патента: US09810960B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing liquid crystal display panel

Номер патента: US09541798B2. Автор: Chung Yi Chiu,Yanxi Ye,YuChih Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Liquid crystal displays and array substrates

Номер патента: US09535297B2. Автор: Hua Zheng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Manufacturing method of liquid crystal display panel

Номер патента: US7639340B2. Автор: Meng-Chi Liou,Hsiao-Fen Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2009-12-29.

Manufacturing method of liquid crystal display panel

Номер патента: US20080096300A1. Автор: Hsiao-Fen Chen,Meng-Chi Liu. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Array substrate, display panel, and method of fabricating array substrate

Номер патента: US12050388B2. Автор: HUI Li,Baohong KANG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09885928B2. Автор: Xiaona Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

In-cell touch liquid crystal display apparatus, method of manufacturing the same, method of manufacturing thin film transistor array substrate, and method of manufacturing color filter array substrate

Номер патента: US09778529B2. Автор: Jin Seong Kim,Yong Chan Park,Seung Kyeom KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Liquid crystal display device having an array substrate with elongated protrusions

Номер патента: US09696595B2. Автор: Junichi Kobayashi,Hiroki Tsuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Array substrate, method of repairing the same, display panel and display device

Номер патента: US09678399B2. Автор: MING Hua,Guoquan Liu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Liquid Crystal Panel, Liquid Crystal Display Device and Manufacturing Method of Array Substrate Thereof

Номер патента: US20130278864A1. Автор: Yangling Cheng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Array substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display panel

Номер патента: US09897865B2. Автор: Peng Jiang,Haipeng Yang,Ke Dai,Yong Jun Yoon,Zhangtao Wang,Bingbing Yan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09869902B2. Автор: Jun Mo,Yujia Wang,Tingze Dong,Zhinan Zhang,Peiqiang GUAN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Array substrate, driving method of array substrate, and display device

Номер патента: US09436044B2. Автор: Dan Wang,Honglin ZHANG,Yingying Qu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of evaluating reliable life span of encapsulant film and device for evaluating reliability of said film

Номер патента: US09548473B2. Автор: Hyun Jee Yoo,Seung Min Lee,Hyun Suk Kim,Jung Ok Moon,Ban Seok CHOI,Se Woo Yang,Suk Ky Chang,Yoon Gyung Cho,Kyung Yul Bae,Jung Sup Shim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Array substrate, method of driving array substrate, method of fabricating array substrate, and display panel

Номер патента: US20210364834A1. Автор: CHENG Chen,Kui Gong,Xianxue Duan,Tianzhen LIU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Array substrate, method of driving array substrate, method of fabricating array substrate, and display panel

Номер патента: WO2019114249A1. Автор: CHENG Chen,Kui Gong,Xianxue Duan,Tianzhen LIU. Владелец: HEFEI BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-20.

Dual-mode liquid crystal display device, color filter substrate and array substrate

Номер патента: US09465252B2. Автор: LU Wang,Shiming Shi,Yanliu Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Color filter substrate, array substrate, display panel including color filter substrate and array substrate and display device including display panel

Номер патента: US09977291B2. Автор: Sangjin Park,Sha Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method For Manufacturing Array Substrate And Array Substrate

Номер патента: US20180157106A1. Автор: Xing Ming. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Display apparatus and array substrate

Номер патента: US20240210772A1. Автор: LEI Jia,Jingyi Xu,Yanan YU,Wenlong Zhang,Yanwei REN,Guolei ZHI,Jingwei HOU,Yanhao SUN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Self-capacitive touch display panel and array substrate thereof

Номер патента: US09703440B2. Автор: KANG Yang,Gujun Li,Yungang SUN. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Liquid crystal display device and array substrate

Номер патента: US20170102566A1. Автор: Wei Cheng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Manufacturing method of liquid crystal panel

Номер патента: US09846333B2. Автор: Xiang Li,Yanjun SONG,Yongchao Zhao,Chungching Hsieh. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Display panel and array substrate thereof

Номер патента: EP4390529A1. Автор: Jing Liu,Qi Zhang,Yoonsung Um,Kaili QU,Chuwei LIANG,Yihe ZHANG,Kunhuang PENG. Владелец: Tcl China Star Optoelectronics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Stereoscopic display device, LCD panel, and array substrate

Номер патента: US09618780B2. Автор: Hua Zheng,Cheng-Hung Chen,Shishuai Huang,Tien-Hao Chang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Display device and array substrate

Номер патента: US11921385B2. Автор: LEI Jia,Jingyi Xu,Yanan YU,Wenlong Zhang,Yanwei REN,Guolei ZHI,Jingwei HOU,Yanhao SUN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Touch liquid crystal display and method of controlling the same

Номер патента: US09785018B2. Автор: KANG Yang,Gang Liu,Xianxiang Zhang,Xiaoye LI,Yingying XU,Xingyao Zhou,Gujun Li. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing microlens array substrate, microlens array substrate, electro-optic device, and electronic

Номер патента: US09746586B2. Автор: Yoshikazu Eguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Manufacturing method of touch display panel

Номер патента: US09568759B2. Автор: Peng Du,Cong Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Liquid crystal display and driving method of the same

Номер патента: US09558699B2. Автор: Isao Nojiri. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Liquid crystal panel, liquid crystal display device including liquid crystal panel, and method of manufacturing liquid crystal panel

Номер патента: US09804469B2. Автор: Koji Yonemura,Hiroshi Umeda,Kazunori Okumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Liquid crystal panel and method of manufacturing the same, display device

Номер патента: US09588393B2. Автор: Mingchao Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Liquid crystal display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09323081B2. Автор: Naoya Kubota. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Plasma etching method using faraday cage

Номер патента: EP3712927A1. Автор: So Young Choo,Eun Kyu Her,Jeong Ho Park,Bu Gon Shin,Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Jung Hwan Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130271717A1. Автор: Toshiro Taniguchi,Isao Nojiri. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09612485B2. Автор: Yoshinori Yamamoto,Kenji Saito,Akira Minami,Mariko Nagai. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Display device and method of driving the same

Номер патента: US09507452B2. Автор: Joo-hyung Lee,Kee-han Uh,Man-Seung Cho,Sang-Jin Pak. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09442325B2. Автор: Toshiro Taniguchi,Isao Nojiri. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Display panel and array subtrate thereof

Номер патента: US20240045287A1. Автор: Jing Liu,Qi Zhang,Yoonsung Um,Kaili QU,Chuwei LIANG,Yihe ZHANG,Kunhuang PENG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Display panel, display test apparatus and method of testing display panel

Номер патента: US10948749B2. Автор: Zhiqiang Wang,Shuang Hu,Shicheng Sun,Jianfei TIAN,Peirong Huo. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Display panel, display test apparatus and method of testing display panel

Номер патента: US20190285917A1. Автор: Zhiqiang Wang,Shuang Hu,Shicheng Sun,Jianfei TIAN,Peirong Huo. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Emitter structures for ultra-small vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) and arrays incorporating the same

Номер патента: US12123769B2. Автор: James Carter,Brent Fisher,Scott Burroughs. Владелец: Sense Photonics Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing array substrate and array substrate

Номер патента: US20210408051A1. Автор: Pengfei Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of manufacturing array substrate and array substrate

Номер патента: US11309337B2. Автор: Pengfei Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Display panel, and array substrate and manufacturing thereof

Номер патента: US20210223896A1. Автор: Zheng Liu,Yanan NIU,Hongwei TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Array substrate assembly, method of manufacturing array substrate assembly, display panel and display apparatus

Номер патента: US20180294283A1. Автор: Xinjie Zhang,Chengwei Liu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: US20240284729A1. Автор: FAN He,Rong Wang,Xiangdan Dong,Kemeng TONG,Cong Fan. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Pixel Unit And Method Of Manufacturing The Same, And Array Substrate And Display Apparatus

Номер патента: US20180158886A1. Автор: Kun Li,Lei Dai,Xiangdan Dong. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Pixel unit and array substrate comprising the same

Номер патента: US20190393296A1. Автор: Liyang AN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Thin-film transistor array substrate and electronic device including the same

Номер патента: US20200184903A1. Автор: Jeyong JEON,Pilsang YUN,Sehee Park,Jiyong NOH,Intak Cho. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Thin-film transistor array substrate and electronic device including the same

Номер патента: US10943546B2. Автор: Jeyong JEON,Pilsang YUN,Sehee Park,Jiyong NOH,Intak Cho. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Array substrate, method of producing the same, and display apparatus

Номер патента: US09679520B2. Автор: Cuili Gai,Zhongyuan Wu,Danna SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Evaluation method of photocurable adhesive, dicing / die bonding integrated film and its manufacturing method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JPWO2020136901A1. Автор: 恵介大久保,義信尾崎,美千子彼谷. Владелец: Resonac Corporation. Дата публикации: 2021-11-25.

The manufacturing method of electronic device, electronic device manufacture adherence film and apparatus for electronic device test

Номер патента: CN109906385A. Автор: 林下英司. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2019-06-18.

Etching method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20050118818A1. Автор: Tomoya Nishida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Etching method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US7153710B2. Автор: Tomoya Nishida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-12-26.

X-ray sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091117A1. Автор: Sung Kyn Heo,Ho Seok Lee. Владелец: VATECHEWOO HOLDINGS Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Method of detecting the width of a coated film and detection device used in said detection method

Номер патента: KR101387840B1. Автор: 아끼오 미나꾸찌. Владелец: 도요타지도샤가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-04-22.

Method of detecting the width of a coated film and detection device used in said detection method

Номер патента: WO2010082335A1. Автор: 水口　暁夫. Владелец: トヨタ自動車株式会社. Дата публикации: 2010-07-22.

Method of manufacturing magnetic multilayered film, method of manufacturing magnetic recording medium, magnetic multilayered film, and magnetic recording medium

Номер патента: JP2003272944A. Автор: Satoru Araki,誠司三谷,悟荒木,敏之嶋,Koki Takanashi,弘毅高梨,拓人森口,Takuto Moriguchi,Seiji Mitani,Toshiyuki Shima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-09-26.

Composite material, structural body and method of manufacturing the structural body, polycrystalline structural film, and method of manufacturing particulates

Номер патента: WO2004074170A1. Автор: Atsushi Tanaka,Hiroyoshi Kodama,Satoru Momose,Nobutaka Ihara,Takuya Uzumaki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2004-09-02.

Manufacturing methods of thin film transistor having an ohmic contact region and array substrate including the same

Номер патента: US09935177B2. Автор: Yueping Zuo,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Etching method, method of manufacturing article, and etching solution

Номер патента: US09701902B2. Автор: Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Etching method, method of manufacturing semiconductor chip, and method of manufacturing article

Номер патента: US20190252199A1. Автор: Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Keiichiro Matsuo,Kazuo Shimokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Manufacturing method of low temperature polysilicon, low temperature polysilicon film and thin film transistor

Номер патента: US20150194502A1. Автор: Xueyan TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Method of manufacturing low temperature polycrystalline silicon thin film and thin film transistor, thin film transistor, display panel and display device

Номер патента: US09842735B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Yanan NIU,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing gas barrier film, gas barrier film, and organic photoelectric conversion element

Номер патента: US09457376B2. Автор: Takahiro Mori. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-10-04.

METHOD OF MANUFACTURING AN InGaNAs COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND THE THIN FILM MANUFACTURED BY THE SAME

Номер патента: WO2003041137A1. Автор: Sang-Kyu Kang. Владелец: Vichel Inc.. Дата публикации: 2003-05-15.

Method of growing two-dimensional transition metal chalcogenide film and method of manufacturing device including the same

Номер патента: US20210388488A1. Автор: Hyangsook LEE,Hyoungsub Kim,Eunha Lee,Wonsik AHN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-16.

Stereoscopic image display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230173801A1. Автор: Jeong Woo Park,Young Sang Ha. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Manufacturing method of embedded metal mesh flexible transparent conductive film and application thereof

Номер патента: US20210407708A1. Автор: Quan Xu,Jiawei ZHAO,Mingyang LIU,Xiaoyang Zhu,Hongbo Lan. Владелец: Qingdao 5D Intelligent Additive Manufacturing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Methods of Forming an Array Comprising Pairs of Vertically Opposed Capacitors and Arrays Comprising Pairs of Vertically Opposed Capacitors

Номер патента: US20180122798A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: WO2018085016A2. Автор: Durai Vishak Nirmai RAMASWAMY. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-11.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: US09761580B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Active layer and method for preparing the same, organic field-effect transistor and array substrate

Номер патента: US20170012210A1. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230251567A1. Автор: Yoshihide Kihara,Jaeyoung Park,Maju TOMURA,Taiki Miura,Ryutaro Suda,Yusuke FUKUNAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US09419211B2. Автор: Takashi Sone,Eiichi Nishimura,Fumiko Yamashita,Masato Kushibiki,Nao Koizumi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Etching method for a structure pattern layer having a first material and second material

Номер патента: US09697990B2. Автор: Akiteru Ko,Satoru Nakamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Multilayer magnetic tunnel junction etching method and MRAM device

Номер патента: US12063866B2. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Pattern formation method, etching method, electronic device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US09810981B2. Автор: Keita Kato,Tsukasa Yamanaka,Naoya Iguchi,Michihiro Shirakawa,Naohiro Tango,Ryosuke Ueba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Etching method of etching apparatus

Номер патента: US20220359173A1. Автор: Shih-Chieh Lin,Shuen-Hsiang Ke. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids

Номер патента: US09859394B2. Автор: Pieter Van Rooyen,Paul Hoffman,Mitchell Lerner. Владелец: Agilome Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids

Номер патента: US09618474B2. Автор: Pieter Van Rooyen,Paul Hoffman,Mitchell Lerner. Владелец: Edico Genome Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Graphene fet devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids

Номер патента: EP3459115A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Paul Hoffman,Mitchell Lerner. Владелец: Agilome Inc. Дата публикации: 2019-03-27.

Method of etching a substrate

Номер патента: US5721090A. Автор: Shin Okamoto,Kouichiro Inazawa,Sachiko Furuya,Maki Koizumi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1998-02-24.

Etching method for forming vertical structure, electronic device including vertical structure formed by the etching method, and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US11895922B2. Автор: Choongho RHEE,Sungchan Kang,Yongseop YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Etching method for forming vertical structure, electronic device including vertical structure formed by the etching method, and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US20220158074A1. Автор: Choongho RHEE,Sungchan Kang,Yongseop YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Array substrate, method of driving array substrate, and display device

Номер патента: US11501690B2. Автор: LI Wang,Ling Shi. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-15.

Plasma etching method and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240038546A1. Автор: Kazuma Matsui,Yuki Oka. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Double-gate transistor array substrate and fabrication method of the same

Номер патента: US12034079B2. Автор: Yuhan QIAN,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing methods of thin film transistors and manufacturing methods of array substrates

Номер патента: US20180301481A1. Автор: Xiaolong CAI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Array substrate, driving method of array substrate and display device

Номер патента: US09530341B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Dry-etching method and apparatus, photomasks and method for the preparation thereof, and semiconductor circuits and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US6391791B1. Автор: Satoshi Aoyama,Takaei Sasaki,Noriyuki Harashima,Shouichi Sakamoto. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2002-05-21.

Photoresist Composition, its Manufacturing Method, and Manufacturing Methods of Metal Pattern and Array Substrate

Номер патента: US20210333710A1. Автор: Wei Li,Jun Cheng,Bin Zhou,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,Tongshang Su,Yingbin HU,Jingjing XIA. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Multilayer magnetic tunnel junction etching method and mram device

Номер патента: US20210376232A1. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Array substrate assembly, method of manufacturing array substrate assembly, display panel and display apparatus

Номер патента: US20190157308A1. Автор: Jun Cheng,Bin Zhou,Guangcai Yuan,Yingbin HU,Ce ZHAO,Yuankui Ding,Yongchao HUANG,Zhaofan Liu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Array substrate, display apparatus, and method of driving array substrate

Номер патента: US20210134223A1. Автор: MENG Li. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Array substrate, method for fabricating same, and display device

Номер патента: US20230163146A1. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Etching method and photomask blank processing method

Номер патента: EP2251741A3. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Shinichi Igarashi,Yukio Inazuki,Yoshinori Kinase. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-19.

Dry etching method for film layer structure and film layer structure

Номер патента: US20210010140A1. Автор: Chong HU,Xianwang WEI. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Thin film transistor, gate on array circuit and array substrate

Номер патента: US20220344480A1. Автор: Lizhong Wang,ce Ning,Hehe HU,Tianmin Zhou,Jipeng Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Etching method and photosensitive resin composition

Номер патента: EP3961676A1. Автор: Teruhiro Uematsu. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

Etching method, etching apparatus, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of template

Номер патента: US20230307233A1. Автор: Hideaki Sakurai,Noriko Sakurai,Takeharu Motokawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of forming via hole, array substrate and method of forming the same and display device

Номер патента: US20180233379A1. Автор: Zhidong Yuan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Etching method

Номер патента: US10424491B2. Автор: Yuki TAKANASHI,Noriaki OIKAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Номер патента: EP1258916A1. Автор: Hidenori Takahashi,Teruo c/o Hamamatsu Photonics K.K. TAKAHASHI,Motoyuki C/O Hamamatsu Photonics K.K. Watanabe. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2002-11-20.

Etching method for fabricating semiconductor device structure

Номер патента: US20230418259A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of evaluating kinetics of formation of nanosized films and measuring optical characteristics thereof

Номер патента: RU2473886C1. Автор: Валерий Михайлович Башков,Виктор Александрович Городничев,Юрий Викторович Федотов,Евгений Валентинович Калашников,Павел Андреевич Михалев. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана". Дата публикации: 2013-01-27.

Method of simultaneously measuring thickness and composition of film and apparatus therefor

Номер патента: CA1320008C. Автор: Koichi Hashiguchi,Junji Kawabe. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1993-07-06.

Cellulose acylate film, method of producing the same, stretched cellulose acylate film and method of producing the same

Номер патента: WO2006033459A1. Автор: Kiyokazu Hashimoto,Masaaki Otoshi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2006-03-30.

Cellulose acylate film, method of producing the same, stretched cellulose acylate film and method of producing the same

Номер патента: KR101229502B1. Автор: 키요카즈 하시모토,마사아키 오토시. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-02-04.

Array substrate, method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20230411528A1. Автор: Liang Hu,Bin Liu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Array substrate, method of manufacturing thereof, and display panel

Номер патента: US20210296369A1. Автор: Suping XI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Array substrate, method of manufacturing thereof, and display panel

Номер патента: US11289517B2. Автор: Suping XI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronies Sesicondusctor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Thin film transistor array substrate including source/drain electrodes between active layer and gate insulating layer

Номер патента: US10074676B2. Автор: Chaungi Choi,Seungho Jung,Joohee Jeon,Youngsik YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Semiconductor device, active matrix substrate, method of manufacturing the semiconductor device and method of manufacturing the active matrix substrate

Номер патента: US6362027B1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroki Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-26.

Ion beam etching method and ion beam etching apparatus

Номер патента: US09966092B2. Автор: Kiyotaka Sakamoto,Yasushi Kamiya,Hiroshi Akasaka. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Dry etching method

Номер патента: US20060108323A1. Автор: Shuichi Okawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Display device and array substrate

Номер патента: US20160196788A1. Автор: Yong Qiao,Jian Xu,Hongfei Cheng,Yongchun Lu,Jianbo Xian,Yongda Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Plasma etching method and plasma etching device

Номер патента: US20240096596A1. Автор: Hee Ju Kim,Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Geun Young Yeom,Wonjun CHANG,Soo NAM GOONG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacturing light-emitting element, and light-emitting element array substrate and display device including the same

Номер патента: US20220158030A1. Автор: Do Hyung Kim,Kyung Lae RHO,Na Ri AHN,Mi Hyang SHEEN,Ki Young YEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of copper-molybdenum ore beneficiation

Номер патента: RU2533474C1. Автор: Борис Петрович Руднев,Марина Алексеевна Ясенкова,Виталий Алексеевич Потылицын,Шаравын Гэзэгт,Александр Григорьевич Щебуняев,Юлия Борисовна Руднева. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский, проектный и конструкторский институт горного дела и металлургии цветных металлов" (ОАО "Гипроцветмет"). Дата публикации: 2014-11-20.

Etching method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: TW200524048A. Автор: Tomoya Nishida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-07-16.

Etching method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: TWI260713B. Автор: Tomoya Nishida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-21.

Taper-etching method and method of manufacturing near-field light generator

Номер патента: US20140175053A1. Автор: Yoshitaka Sasaki,Hironori Araki,Shigeki Tanemura,Hiroyuki Ito. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Preferential etching method of forming a microstructure for an optical fibre

Номер патента: WO2008121270A1. Автор: Michael T Gallagher,Daniel W Hawtof,Karl W Koch Iii,Leonard C Ii Dabich,Brett J Hoover. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-09.

Preferential etching method of forming a microstructure for an optical fibre

Номер патента: EP2132150A1. Автор: Daniel Warren Hawtof,Michael Thomas Gallagher,Brett Jason Hoover,Leonard Charles II DABICH,Karl W Koch Iii. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-12-16.

Etchant for copper-molybdenum film and etching method of copper-molybdenum film

Номер патента: CN112522705A. Автор: 张月红,何毅烽. Владелец: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-19.

Waveguide etch method for multi-layer optical devices

Номер патента: US20190278024A1. Автор: Ruizhi Shi,Thomas Wetteland BAEHR-JONES. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2019-09-12.

Waveguide etch method for multi-layer optical devices

Номер патента: US20180356593A1. Автор: Ruizhi Shi,Thomas Wetteland BAEHR-JONES. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of fabricating optical waveguide devices with smooth and flat dielectric interfaces

Номер патента: SG125098A1. Автор: KANG Joon Mo,Desmond R Lim,My The Doan. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2006-09-29.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09460897B2. Автор: Takayuki Katsunuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Wet etching solution composition, wet etching method of glass, and patterned glass by the wet etching method

Номер патента: US20240045108A1. Автор: Katsushi Igarashi,Sang-Ro Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-08.

Waveguide etch method for multi-layer optical devices

Номер патента: US10802218B2. Автор: Ruizhi Shi,Thomas Wetteland BAEHR-JONES. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-13.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240355589A1. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20200185229A1. Автор: Yoshimitsu Kon,Tomonori Miwa,Lifu Li,Atsushi UTO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

TFT array substrate and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508859B2. Автор: Chia-Chi Huang,Min-Ching Hsu. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240030010A1. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

ETCHING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE, AND ETCHING SOLUTION

Номер патента: US20160079078A1. Автор: Asano Yusaku. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-03-17.

ETCHING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE, AND ETCHING SOLUTION

Номер патента: US20170267926A1. Автор: Asano Yusaku. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-09-21.

ETCHING METHOD, METHOD OF REMOVING ETCHING RESIDUE, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20210358761A1. Автор: TAKAHASHI Nobuhiro,Shimizu Akitaka,TANOUCHI Keiji,Irie Shinji. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

Etching method, method of manufacturing semiconductor chip, and method of manufacturing article

Номер патента: US20180033634A1. Автор: Kazuhito Higuchi,Keiichiro Matsuo,Kazuo Shimokawa,Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

ETCHING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20190252199A1. Автор: Obata Susumu,Higuchi Kazuhito,Shimokawa Kazuo,Sano Mitsuo,MATSUO Keiichiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2019-08-15.

Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers

Номер патента: US6878300B2. Автор: Tuman Earl Allen, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-04-12.

Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers

Номер патента: US20030052089A1. Автор: Tuman Allen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers

Номер патента: US20030036286A1. Автор: Tuman Allen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.

Etching method, method of producing a semiconductor device, and etchant therefor

Номер патента: US5688366A. Автор: Hirofumi Ichinose,Satoshi Shinkura,Akio Hasebe,Tsutomu Murakami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-11-18.

Method of forming metal oxide film, metal oxide film and optical electronic device

Номер патента: US20130078457A1. Автор: Tomohiro Okumura,Osamu Morita,Mitsuo Saitoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Reactive ion etching method for lead zirconate titanate and ruthenium oxide thin films and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: JP3010112B2. Автор: ビー．デスーセシュ,パンウェイ,ビジェディリップ. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-02-14.

Metal oxide-carbonaceous hybrid thin film and preparing method thereof

Номер патента: US09576739B2. Автор: Dong Ha Kim,Yoon Hee JANG. Владелец: Industry Collaboration Foundation of Ewha University. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of forming transition metal dichalcogenidethin film and method of manufacturing electronic device including the same

Номер патента: US11887849B2. Автор: Sangwoo Kim,Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Jaehwan Jung,Ahrum SOHN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of forming transition metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US20210043452A1. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Sang-Woo Kim,Kyung-Eun Byun,Jaehwan Jung,Ahrum SOHN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of forming transition metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US11869768B2. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Sang-Woo Kim,Kyung-Eun Byun,Jaehwan Jung,Ahrum SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

METHOD OF GROWING TWO-DIMENSIONAL TRANSITION METAL CHALCOGENIDE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210388488A1. Автор: KIM Hyoungsub,AHN Wonsik,LEE Eunha,LEE Hyangsook. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

Construction Method of Solid Electrolytes of the Porous Membrance Film and Dye-Sensitized Solar Cell Using thereof

Номер патента: KR101405588B1. Автор: 김원중,장용준,이지용,김상학,김용구,이기춘,송미연,송인우. Владелец: 현대자동차주식회사. Дата публикации: 2014-06-20.

Method of altering the properties of a thin film and substrate implementing said method

Номер патента: KR100855784B1. Автор: 올리비에 마르띠,볼로디미르 리상꼬. Владелец: 위니베르시테 끌로드 베르나르 리옹 Ⅰ. Дата публикации: 2008-09-01.

Method of forming dense tin and tisix thin film and fabrication method of semiconductor device therewith

Номер патента: KR0156219B1. Автор: 변정수,김학남. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1998-12-01.

METHOD OF MANUFACTURING GAS BARRIER FILM, GAS BARRIER FILM, AND ORGANIC PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT

Номер патента: US20130092239A1. Автор: Mori Takahiro. Владелец: KONICA MINOLTA HOLDINGS, INC.. Дата публикации: 2013-04-18.

METHOD OF MANUFACTURING LOW TEMPERATURE POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20170004970A1. Автор: LIU CHAO,Chen Lei,Zhang Yujun,Niu Yanan,He Zengsheng. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-01-05.

ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT, ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOSITION, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, AND COMPOUND AND POLYMER USING THE SAME

Номер патента: US20200028092A1. Автор: FUKUZAKI Eiji,Watanabe Tetsuya,Takeya Junichi,Tani Yukio,USAMI Yoshihisa,SHIROKANE Kenji,TAMAKUNI Fumiko,OKAMOTO Toshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT, ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOSITION, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, AND COMPOUND AND POLYMER USING THE SAME

Номер патента: US20200028096A1. Автор: FUKUZAKI Eiji,Watanabe Tetsuya,Takeya Junichi,Tani Yukio,USAMI Yoshihisa,SHIROKANE Kenji,TAMAKUNI Fumiko,OKAMOTO Toshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT, ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOSITION, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, AND COMPOUND AND POLYMER USING THE SAME

Номер патента: US20200035928A1. Автор: Watanabe Tetsuya,Takeya Junichi,TAMAKUNI Fumiko,OKAMOTO Toshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

MANUFACTURING METHOD OF LOW TEMPERATURE POLYSILICON, LOW TEMPERATURE POLYSILICON FILM AND THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20150194502A1. Автор: Tian Xueyan. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-07-09.

MANUFACTURING METHOD OF PEROVSKITE FILM, COMPOSITION FOR MANUFACTURING PEROVSKITE FILM, AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20210367150A1. Автор: DUAN Miao,FENG Zhengyu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-11-25.

Forming method of low-dielectric-constant amorphous silica coating film and low dielectric constant amorphous silica coating film obtained from the same method

Номер патента: TW200500494A. Автор: Akira Nakashima,Michio Komatsu,Katsumi Suzuki,Ei Yano,Miki Egami. Владелец: Catalysts & Chem Ind Co. Дата публикации: 2005-01-01.

Porous membrane shaping composition, preparation method of porous membrane, porous membrane intercalation insulating film and semiconductor device

Номер патента: CN1536023A. Автор: ,笹子胜,中川秀夫,��Ｊ¡,滨田吉隆,浅野健. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Preparation method of SiC-based heterogeneous integrated gallium nitride film and HEMT device

Номер патента: CN112635323B. Автор: 欧欣,伊艾伦,游天桂. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2021-12-28.

The method of silicon nanowire coated with zinc oxide film and silicon nanowire coated with zinc oxide film prepared thereby

Номер патента: KR101294317B1. Автор: 김현수,이종무,진창현,이정근. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-08-07.

Thin film transistor, array substrate, display device and manufacturing method of the thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09711580B2. Автор: LI ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Metal oxide thin-film transistor, method of fabricating the same, and array substrate

Номер патента: US09634036B1. Автор: Jiangbo Yao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for preparing array substrate and array substrate

Номер патента: US20240297188A1. Автор: Zhen Liu,Hejing ZHANG. Владелец: Chongqing Advance Display Technology Research. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for producing array substrate and array substrate

Номер патента: US09818813B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing array substrate and array substrate

Номер патента: US20210134843A1. Автор: Chuanbao LUO,Dai Tian. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Methods of manufacturing thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09881945B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Array substrate and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09711539B2. Автор: Chong Liu,Haitao Ma,Zhilong PENG,Haisheng ZHAO,Hongxi XIAO,Huanping LIU. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Conductive structure and method of manufacturing the same, array substrate

Номер патента: US09716113B2. Автор: Zhiyuan Lin,Binbin CAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Manufacturing method of array substrate and array substrate

Номер патента: US20200027906A1. Автор: Xiaowen LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of manufacturing array substrate and array substrate

Номер патента: US20200119059A1. Автор: Chuan Wu. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Thin film transistor and array substrate, manufacturing methods thereof, and display device

Номер патента: US09882060B2. Автор: Gang Wang,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of an array substrate

Номер патента: US09455282B2. Автор: Huibin Guo,Xiaowei Liu,Shoukun WANG,Zongjie Guo,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Thin film transistor and fabricating method thereof, and array substrate

Номер патента: US10535781B2. Автор: Lin Chen,Mengyu Luan,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Thin film transistor, fabrication method therefor, and array substrate

Номер патента: US20190267406A1. Автор: Yang Wang,BO LIU,Zheng Liu,Chao FAN,Xiaowei Liu,Zhonghao Huang,Yabin AN. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and array substrate

Номер патента: US09437742B2. Автор: Xu Chen,Jun Long,Xiaohui Zhu,Zhenyu Xie,Changjiang Yan. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method of array substrate and array substrate

Номер патента: US20190280016A1. Автор: Qionghua Mo,Entsung Cho. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Thin film transistors and the manufacturing methods thereof, and array substrates

Номер патента: US20180294358A1. Автор: Ziran Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Method and device for manufacturing array substrate, and array substrate

Номер патента: US20210327914A1. Автор: En-Tsung Cho,Qionghua Mo. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US20160197274A1. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: US20210408052A1. Автор: Ke Wang,Guangcai Yuan,Xiaoyan Zhu,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Zhanfeng CAO,Muxin DI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of manufacturing array substrate, display substrate, and display device

Номер патента: US09865629B2. Автор: Hee Cheol Kim,Hyun Sic CHOI,Seung Jin Choi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Thin film transistor having germanium thin film and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09704891B2. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Thin film transistor assembly, array substrate method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09543443B2. Автор: Jing NIU,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Shuang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Array substrate, method of manufacturing array substrate and display device

Номер патента: US09508762B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: US20210193768A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Methods for manufacturing poly-silicon thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09887216B2. Автор: Xianxue Duan,Chengcheng Wang,Tianzhen LIU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Thin film transistors and array substrates

Номер патента: US20240186419A1. Автор: Shuai Zheng,Zhiwei Song,Zhenguo Lin. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Manufacturing method of array substrate, array substrate, and display panel

Номер патента: US20240162400A1. Автор: Bin Zhao,Xiaodan LIN,Juncheng Xiao. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Array substrate and manufacturing method therefor, flat panel detector, and imaging device

Номер патента: EP3627554A1. Автор: Haibo Guo,Xiaohui Zhu,Huigang JIANG,Jianjian GAO. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-25.

Array substrate, manufacturing method of array substrate and display device

Номер патента: US09929183B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Array substrate, display device and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09799642B2. Автор: Yan Wei,CHAO Xu,Heecheol KIM,Chunfang Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Thin film transistor array substrate and organic light-emitting diode display including the same

Номер патента: US09768240B2. Автор: Taehyun Kim,Jungkyu Lee,Seunghwan CHO,Dohyun Kwon,Suyeon Sim,Joongeol Lee,Jongmo Yeo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing method of array substrate with reduced number of patterning processes array substrate and display device

Номер патента: US09761616B2. Автор: Chunping Long,Lujiang Huangfu,Yinan LIANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Array substrate, display device and manufacturing method of the array substrate

Номер патента: US09543324B2. Автор: Xu Chen,Jian Guo,Zhenyu Xie,Changjiang Yan,Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Thin Film Transistor and Array Substrate, Manufacturing Methods Thereof, and Display Device

Номер патента: US20170104102A1. Автор: Gang Wang,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Array substrate with double-gate TFT, method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US9837480B2. Автор: Baoxia ZHANG,Cuili Gai,Danna SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Array substrate, method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US20160307986A1. Автор: Baoxia ZHANG,Cuili Gai,Danna SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Array substrate, and production method thereof, display panel, and display apparatus

Номер патента: US20210265392A1. Автор: Wei Li,Ming Wang,Wei Song,Qinghe Wang,Yingbin HU,Ce ZHAO,Yuankui Ding,Liusong NI. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Array substrate, display panel and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US9735278B2. Автор: WU Wang,Fei SHANG,Haijun Qiu,Guolei Wang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Array Substrate and Manufacturing Method Thereof, Display Device

Номер патента: US20170012060A1. Автор: Yue Li,Qingnan AI,Hepan ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Array Substrate and Manufacturing Method Thereof, Display Device

Номер патента: US20190326328A1. Автор: Yue Li,Qingnan AI,Hepan ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Thin-film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876037B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyu SU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Thin film transistor, array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786791B2. Автор: Jie Song,Gaofei Shi,Yijun Wang,Tianzhen LIU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Thin film transistor array substrate and organic light-emitting diode display

Номер патента: US09768241B2. Автор: Se-Ho Kim,Won-Kyu Kwak,Won-Se Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Array substrate, display panel and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09735278B2. Автор: WU Wang,Fei SHANG,Haijun Qiu,Guolei Wang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Array substrate, method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09716110B2. Автор: Tiansheng Li,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Array substrate, method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US09515028B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09502517B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,Xiangyong Kong,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and array substrate

Номер патента: US20150084037A1. Автор: Xu Chen,Jun Long,Xiaohui Zhu,Zhenyu Xie,Changjiang Yan. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Manufacturing method of via-hole connection structure, array substrate and manufacturing method thereof, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210351353A1. Автор: HUI Wang,Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kuanta HUANG,Yanming Wang,Weihai WANG,Guohong QIN,Jiantong LI,Yage SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Method of manufacturing an array substrate

Номер патента: US20140017838A1. Автор: Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

Array substrate, method of manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20210126074A1. Автор: Hong Fang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of Manufacturing Array Substrate and Method of Manufacturing Display Device

Номер патента: US20190027512A1. Автор: Qi Yao,Haixu Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9773813B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US8558231B2. Автор: Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-15.

Array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20130277673A1. Автор: Hyun-Sik Seo,Jong-Uk Bae,Chang-Il Ryoo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20140120659A1. Автор: Hyun-Sik Seo,Jong-Uk Bae,Chang-Il Ryoo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Fabrication method of active device array substrate

Номер патента: US20080032235A1. Автор: Chia-Ming Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-02-07.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20160141311A1. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: US20210359063A1. Автор: WEI YANG,Ke Wang,ce Ning,Hehe HU,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of manufacturing array substrate for use in liquid crystal display device

Номер патента: US20020187574A1. Автор: Kyo-Ho Moon,Hu-Sung Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

TFT array substrate, method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US09799744B2. Автор: HAO WANG,Zhilong PENG,Pengju ZHANG,Huanping LIU,Mengxiao PAN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Display device, array substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09685461B2. Автор: Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Oxide thin film transistor, array substrate, methods of manufacturing the same and display device

Номер патента: US09627546B2. Автор: Fang Liu,CAN Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Array substrate, manufacture method thereof, and display panel

Номер патента: US09620578B2. Автор: Xu Chen,Jian Guo,Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor, array substrate and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09570629B2. Автор: Jian Guo,Xiaohui Jiang,Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

OLED array substrate

Номер патента: US09536934B2. Автор: Pengtao KANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Thin film transistor, array substrate, method of fabricating same, and display device

Номер патента: US09508867B2. Автор: Wei Guo,Ning Chen,Dongsheng Li,Xingdong LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Thin film transistor array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502442B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Jun-Seon Seo,Yong-Duck SONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09449995B2. Автор: Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Pixel drive circuit and preparation method therefor, and array substrate

Номер патента: US9099497B2. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-04.

Thin film transistor and array substrate including the same

Номер патента: US20130140556A1. Автор: Dong-Hun Lim,Heon-Kwang PARK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US20240237406A1. Автор: Yong Yuan. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20240234428A9. Автор: Lanlan Li,Zhixiong JIANG,MingJiue YU. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing an ltps array substrate

Номер патента: US20140315357A1. Автор: Li Tan,ChihMing Lin,HsinAn Lin. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Method of fabricating array substrate for liquid crystal display

Номер патента: WO2011021860A9. Автор: Woo-Ram Lee,Suk Lee,Hyun-Kyu Lee,Yong-Suk Choi,Young-Jin Yoon,Kyung-Sub Jung. Владелец: Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd.. Дата публикации: 2011-08-11.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display module

Номер патента: US20200335527A1. Автор: Wei Wang,Qing Huang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Array substrate of display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929217B2. Автор: Wen-Pin Chen,Tsu-Wei Chen,Kuo-Kuang Chen,Hong-Syu Chen,Teng-Ke Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-03-27.

Thin film transistor array substrate, organic light-emitting display apparatus, and method of manufacturing the thin film transistor array substrate

Номер патента: US09887251B2. Автор: Jae-Wook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837477B2. Автор: Jun Cheng,Jiangbo Chen,Chunsheng Jiang,Xiaodi LIU,Xiangyong Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Array substrate, method of fabricating the same, display panel and display device

Номер патента: US09793366B2. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Xiaolong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Manufacturing method of TFT array substrate

Номер патента: US09647013B2. Автор: XIANG Liu,Jianshe XUE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09620646B2. Автор: Zhanjie MA. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor array substrate, organic light-emitting display apparatus, and method of manufacturing the thin film transistor array substrate

Номер патента: US09601527B2. Автор: Jae-Wook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09520422B2. Автор: Yun Sik Im,Hyun Sic CHOI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09508745B1. Автор: Yuanfu Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09502235B2. Автор: Xuehui Zhang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478562B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Zuqiang Wang,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Etching adhesive tape, method of manufacturing the same and etching method

Номер патента: US09909037B2. Автор: Ming Zhang,Jing Wang,Min He,Xiaodong Xie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Gate driving circuit and array substrate

Номер патента: US09425611B2. Автор: Yi Zheng,Zhengxin ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Array substrate and manufacturing method thereof, and touch display device

Номер патента: US20240264689A1. Автор: Zhihua Sun,Seungmin Lee,Qiujie Su,Yanping Liao,Chongyang Zhao. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Micro-sound detection analysis device and array audio signal processing method based on same

Номер патента: US20180063648A1. Автор: Lin Yang,Jianwei Zhang,Guojian Cao,Chengyu HOU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-01.

Target for forming transparent conductive film, transparent conductive film, method of manufacturing target for forming transparent conductive film and method of manufacturing transparent conductive film

Номер патента: KR102089842B1. Автор: 마사아키 히데시마. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2020-03-16.

The improved inorganic electrolyte membrane manufacturing method of consistency, the composition for manufacturing the film and the film manufactured using the composition

Номер патента: CN106463749B. Автор: 崔贤,尹基烈,申东午,崔光郁. Владелец: LG Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Method of making charge coupled device image sensor

Номер патента: US5246875A. Автор: Uya Shinji,Dong K. Son. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1993-09-21.

Photosensitive device and manufacturing method thereof, detection substrate and array substrate

Номер патента: US20210050469A1. Автор: Tao Yang,Rui Huang,Lizhong Wang,Zhaohui QIANG,Tianmin Zhou,Jipeng Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: WO2020107216A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-04.

Manufacturing method of display panel, and detection and bonding apparatus for a micro element

Номер патента: US20240047280A1. Автор: Feng Qin,Kerui XI,Xuhui Peng,Jiansheng ZHONG. Владелец: Tianma Advanced Display Technology Institute Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: EP3888130A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Etching method for oxide semiconductor film

Номер патента: US12062548B2. Автор: Tetsuya Tatsumi,Kazuhiro Karahashi,Akiko Hirata,Satoshi Hamaguchi,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Array substrate and method of fabricating the same, display panel and display device

Номер патента: US20210217810A1. Автор: Xue Dong,Haisheng Wang,Yingming Liu,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Chunwei Wu,Yuzhen GUO,Chihjen Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Etching method for semiconductor product

Номер патента: US20150140690A1. Автор: Shigetoshi Sugawa,Tatsuro Yoshida,Takeshi Sakai,Kazuhiro Yoshikawa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-05-21.

Laminate and method of producing the same, and gas barrier film and method of producing the same

Номер патента: US20180002804A1. Автор: Hiroshi Koyama,Mitsuru Kano,Jin Sato. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Photosensitive material, method of manufacturing conductive metal film, conductive metal film and light-transmitting film shielding electromagnetic wave for plasma display panel

Номер патента: WO2006126739A1. Автор: Shinichi Nakahira. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2006-11-30.

METHOD OF MEASURING A SILICON THIN FILM, METHOD OF DETECTING DEFECTS IN A SILICON THIN FILM, AND SILICON THIN FILM DEFECT DETECTION DEVICE

Номер патента: US20130265078A1. Автор: Voronov Alexander,Lee Seok-Ho,Jung Ji-Hunny,Heo Kyung-Hoe,Han Gyoo-Wan. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-10-10.

METHOD OF EVALUATING RELIABLE LIFE SPAN OF ENCAPSULANT FILM AND DEVICE FOR EVALUATING RELIABILITY OF SAID FILM

Номер патента: US20160131599A1. Автор: Lee Seung Min,Chang Suk Ky,Yang Se Woo,SHIM JUNG SUP,KIM Hyun Suk,YOO Hyun Jee,CHO Yoon Gyung,BAE Kyung Yul,MOON Jung Ok,Choi Ban Seok. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Method of providing digital position identifier of movie film and method of generating movie audio signal

Номер патента: JP2708961B2. Автор: ベアード，テリー・ディー. Владелец: デジタル・シアター・システムズ・リミテッド・パートナーシップ. Дата публикации: 1998-02-04.

Method of measuring gas transmission rate of plastic film and measuring apparatus and computer program product used therefor

Номер патента: EP1391714A3. Автор: Naoki The Inst. of Space & Astro. Science Izutsu,Nobuyuki Inst. of Space & Astro. Science Yajima. Владелец: DIRECTOR-GENERAL OF INSTITUTE OF SPACE AND ASTRONAUTICAL SCIENCE. Дата публикации: 2005-06-22.

Method of measuring a silicon thin film, method of detecting defects in a silicon thin film, and apparatus for detecting defects in a silicon thin film

Номер патента: KR101913311B1. Автор: 이석호,정지헌,허경회,한규완,알렉산더 보로노브. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2019-01-15.

Method of simultaneously measuring thickness and composition of film and apparatus therefor

Номер патента: AU2447588A. Автор: Koichi Hashiguchi,Junji Kawabe. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1990-01-04.

Resist film, resist coated mask blanks and method of forming resist pattern using the resist film, and chemical amplification type resist composition

Номер патента: US20120214091A1. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Hiroo Takizawa,Takeshi Inasaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Method of bonding cover plate and touch sensing film and touch screen

Номер патента: US20160355003A1. Автор: Jun Xu,Ming Hu,Hongqiang LUO,Wenjin Fan,Taofeng Xie,Zouming Zu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

The method of measuring bio-material using polymer thin film and magnetic bead

Номер патента: KR101381604B1. Автор: 홍효봉. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2014-04-11.

Resist film, resist coated mask blanks and method of forming resist pattern using the resist film, and chemical amplification type resist composition

Номер патента: US8614033B2. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Hiroo Takizawa,Takeshi Inasaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Resin combination, solidfied material, pattern solidfied material, the manufacturing method of solidfied material, interlayer dielectric, surface protection film and electronic component

Номер патента: CN110300767A. Автор: 齐藤伸行,鲤渕由香里,生田目丰. Владелец: HITACHI CHEM DUPONT MICROSYS. Дата публикации: 2019-10-01.

Method of forming a fixed distribution of induced magnetic field in a magnetic structure formed in an integrated circuit, and an integrated circuit comprising a magnetic structure

Номер патента: RU2723233C1. Автор: Эрван Филипп Мари Гапиан,Евгений Викторович Данилкин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2020-06-09.

Dry etching method, method for manufacturing semiconductor device, and etching device

Номер патента: US20220056593A1. Автор: Akifumi YAO,Kunihiro Yamauchi,Yuuta TAKEDA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Etching method

Номер патента: US20190074190A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Etching method

Номер патента: US09735021B2. Автор: Masayuki Sawataishi,Tomonori Miwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Plasma etching method

Номер патента: US09680090B2. Автор: Kentaro Yamada,Naohiro Yamamoto,Masato Ishimaru,Makoto Suyama,Daisuke Fujita. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Etching method

Номер патента: US12125708B2. Автор: Yu Zhao,Hiroyuki Kobayashi,Takashi Hattori,Hiroto Otake. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Etching method

Номер патента: US09735025B2. Автор: Yuki Kaneko,Masayuki Sawataishi,Tomonori Miwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Etching method of material on basis of silicon with formation of silicon columns and lithium rechargeable battery with anode made from material etched with use of this method

Номер патента: RU2429553C2. Автор: Майно ГРИН,Фенгминг ЛИУ. Владелец: Нексеон Лтд.. Дата публикации: 2011-09-20.

Fabrication method of implanting siliconions into the silicon substrate

Номер патента: US20020155701A1. Автор: Nobuaki Hamanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of processing workpiece

Номер патента: US09786473B2. Автор: Shigeru Tahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Etching method

Номер патента: US09793134B2. Автор: Hironobu Ichikawa,Yusuke Saitoh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Etching method of glass substrate and wet etching apparatus thereof

Номер патента: US09676661B2. Автор: JIA Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Preparation method of poly-silicon TFT array substrate and array substrate thereof

Номер патента: US09653496B2. Автор: Jing NIU,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Shuang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for preparing a film and method for preparing an array substrate, and array substrate

Номер патента: US09487867B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US8048800B2. Автор: Mi-Ra Kim,Wan-Joo Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-11-01.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US20110059609A1. Автор: Mi-Ra Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-03-10.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Plasma etching method and apparatus, and method of manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US20120175061A1. Автор: Shuji Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Etching composition for metal nitride layer and etching method using the same

Номер патента: US12031077B2. Автор: Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Seok Hyeon NAM. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Etching methods and methods of manufacturing semiconductor devices using the same

Номер патента: US09812332B2. Автор: DongSuk Shin,Hanjin Lim,Moonhan Park,Hyun-Kwan Yu,Woonki SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Etching method

Номер патента: US09472736B2. Автор: Toshiyuki Kondo,Atsushi Suzuki,Midori Mori,Koichi Naniwae,Fumihara Teramae. Владелец: EL Seed Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: US20040063278A1. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: WO2004030069A2. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-08.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US12062522B2. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Etching method

Номер патента: US6844265B2. Автор: Masahiko Ouchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-01-18.

Local dry etching method

Номер патента: US6649528B2. Автор: Michihiko Yanagisawa,Tadayoshi Okuya. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11764070B2. Автор: Satoshi TODA,Naoki Shindo,Gen You,Haruna Suzuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Etching method and manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20240321570A1. Автор: Tsubasa IMAMURA,Ayata Harayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of etching

Номер патента: US6812151B1. Автор: Tamotsu Morimoto,Kenichi Nanbu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-11-02.

Etching method

Номер патента: US09666446B2. Автор: Yoshiki Igarashi,Wataru TAKAYAMA,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Liquid composition used in etching multilayer film containing copper and molybdenum, manufacturing method of substrate using said liquid composition, and substrate manufactured by said manufacturing method

Номер патента: US09466508B2. Автор: Satoshi Tamai,Kunio Yube. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Plasma etching method

Номер патента: US09412607B2. Автор: Eiji Suzuki,Yuji Otsuka,Yutaka Osada,Akinori Kitamura,Masayuki Kohno,Hiroto Ohtake,Yusuke Takino,Tomiko Kamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, and array substrate

Номер патента: US20240222445A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Tianmin Zhou,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11710644B2. Автор: Takahiro Yokoyama,Masanori Hosoya,Hiroie MATSUMOTO,Taihei MATSUHASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230402289A1. Автор: Yoshihide Kihara,Kae Takahashi,Maju TOMURA,Noriyoshi ARIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140073113A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140076848A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Wet etching method and method of fabricating semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230230843A1. Автор: Taeheon Kim,Kyunghyun Kim,Sanghoon JEONG,ChangSup Mun,Seungcheol Chae,Junyoul Yang,Yongsik Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Selective etching method and etching assembly

Номер патента: US20240312790A1. Автор: Eva Tois,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Vincent Vandalon,Viraj Madhiwala. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-19.

Dry etching method of manufacturing semiconductor light emitting device substrate

Номер патента: US09748441B2. Автор: Kei Shinotsuka,Kotaro Dai,Yoshihisa Hatta,Yasuhito KAJITA. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US12142495B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Toshiki KANAKI,Megumi UMEMOTO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Etching method and storage medium

Номер патента: US09613823B2. Автор: Hiroyuki Takahashi,Kenshirou ASAHI,Kimihiko DEMICHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Plasma etching method

Номер патента: US09437450B2. Автор: Tetsuro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Etching method

Номер патента: US12020942B2. Автор: Kenta Doi,Toshiyuki Nakamura,Yasuhiro Morikawa,Taichi Suzuki. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US20120309203A1. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and etching method

Номер патента: US20220375763A1. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Plasma etching method

Номер патента: US20190096689A1. Автор: Go Matsuura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225892A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US8252694B2. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-28.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20190267493A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Wet etching method for silicon nitride film

Номер патента: US8741168B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9337327B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Etching composition, metal-containing film etching method using the same and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20240318077A1. Автор: Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Mihyun PARK,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Silicon nitride damage-free dry etch method for tungsten removal in middle of line bottom-up tungsten integration

Номер патента: WO2024228760A1. Автор: Jiang Lu,Feng Q. Liu,Kai Wu,Xianmin Tang,Gaurav Thareja,Yixiong Yang,Rongjun Wang,Chi Hong Ching,Xinke WANG,Liqi Wu,Xi CEN,Qihao ZHU,Yuanhung Liu,Tsungjui LIU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon nitride damage-free dry etch method for tungsten removal in middle of line bottom-up tungsten integration

Номер патента: US20240371654A1. Автор: Jiang Lu,Feng Q. Liu,Kai Wu,Xianmin Tang,Gaurav Thareja,Yixiong Yang,Rongjun Wang,Chi Hong Ching,Xinke WANG,Liqi Wu,Xi CEN,Qihao ZHU,Yuanhung Liu,Tsungjui LIU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Etching method

Номер патента: US09786512B2. Автор: Daisuke Tamura,Ryuuu ISHITA,Yu NAGATOMO,Kousuke KOIWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210143017A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Etching method of multilayered film

Номер патента: US09536707B2. Автор: Yusuke Saitoh,Ryuuu ISHITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of etching a semiconductor element

Номер патента: US3923569A. Автор: Masafumi Hashimoto,Takuhiro Ono. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1975-12-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Etching method, and method of producing semiconductor substrate product and semiconductor device using the same

Номер патента: US09558953B2. Автор: Tadashi Inaba,Tetsuya Kamimura,Naotsugu Muro,Takahiro Watanabe,Kee Young PARK. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Plasma etching method of modulating high frequency bias power to processing target object

Номер патента: US09548214B2. Автор: Fumio Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Etching method of semiconductor substrate, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US09514958B2. Автор: Tadashi Inaba,Atsushi Mizutani,Tetsuya Kamimura,Yoshinori Nishiwaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and etching method

Номер патента: US20240213086A1. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Etching method and plasma treatment device

Номер патента: US20210074550A1. Автор: Masahiko Takahashi,Yusuke Shimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US8853089B2. Автор: Takumi Shibata,Hiroshi Ohtsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Etching method

Номер патента: US20150170932A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Fumiya Kobayashi,Hikaru Watanabe,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Composition for etching silicon nitride film and etching method using same

Номер патента: US20210363423A1. Автор: Jung Min Choi,Sang Ran Koh,Jun Young Jang,Youn Jin Cho,Yong Woon Yoon,Ki Wook Hwang,Kwen Woo HAN. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Plasma etching method

Номер патента: US09966273B2. Автор: Yoshiki Igarashi,Wataru TAKAYAMA,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Etching method

Номер патента: US09779961B2. Автор: Wataru TAKAYAMA,Yuki Kaneko,Sho TOMINAGA,Yusuke Saitoh,Yu NAGATOMO,Hayato Hishinuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240234097A1. Автор: Atsushi Takahashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Plasma etching method and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US10529582B2. Автор: Mitsunari Horiuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-07.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230317466A1. Автор: Masahito Yamaguchi,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210005519A1. Автор: Gaku SHIMODA,Masayuki Sawataishi,Takanori Eto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Etching methods using silicon-containing hydrofluorocarbons

Номер патента: EP4420154A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-28.

Dry etching method

Номер патента: US09905431B2. Автор: Masahito Mori,Takao Arase,Satoshi Terakura,Ryuta Machida. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Etching method using plasma, and method of fabricating semiconductor device including the etching method

Номер патента: US09865474B2. Автор: Sangheon Lee,Xinglong Chen,Gon-Jun KIM,In-Ho Choi,Vladimir Volynets,Sang-jin An,Hee-jeon Yang,Sung-keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Etching method

Номер патента: US09691630B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Shuji Moriya,Masashi Matsumoto,Tetsuro Takahashi,Junichiro Matsunaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Etching method and etching system

Номер патента: RU2332749C1. Автор: Ясухиро МОРИКАВА,Тосио ХАЯСИ,Коукоу СУУ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2008-08-27.

Wet metal-etching method and apparatus used for MEMS

Номер патента: US20110223771A1. Автор: Tao Wang,Xiaolin Han,Zhiming Wu,Yadong Jiang,Weizhi Li. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2011-09-15.

Etching method and method for producing semiconductor element

Номер патента: US20240249952A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Etching method and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: EP4181176A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-05-17.

Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230386851A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor element

Номер патента: EP4231332A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: US20240282583A1. Автор: Kazuma Matsui,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Conductive thin film, a capacitor using the same and a method of manufacturing.

Номер патента: US20010005026A1. Автор: Takashi Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2001-06-28.

Wet atomic layer etching method and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321805A1. Автор: Wooyoung Kim,Minwoo Rhee,Kyeongbin LIM,Bumki Moon,Seungho Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Etching method

Номер патента: US09613824B2. Автор: Hironobu Ichikawa,Isao Tafusa,Yusuke Saitoh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Via-hole etching method

Номер патента: US09564354B2. Автор: Donghua Jiang,Wuyang ZHAO,Chundong LI,Byung Chun Lee,Yongyi FU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Etching method

Номер патента: US20210028356A1. Автор: Jun Sato,Kiyoshi Maeda,Ken Ando,Shigeru Tahara,Hiroki Maehara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Etching method, plasma processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US20240312771A1. Автор: Noboru Saito,Takahiro Yokoyama,Yusuke Takino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Etching method

Номер патента: US09911617B2. Автор: Jinbiao Liu,Junfeng Li,Xiaobin He,Junjie Li,Qinghua Yang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-03-06.

Dry plasma etch method to pattern MRAM stack

Номер патента: US09806252B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Thorsten Lill,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09799572B2. Автор: Takehiro Oura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of anisotropic plasma etching of silicon microstructures in a cyclic two-step oxidation-etching process

Номер патента: RU2691758C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Сергей Николаевич Аверкин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Павлович Антипов,Алексей Анатольевич Рылов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им К.А. Валиева РАН). Дата публикации: 2019-06-18.

Electrode tuning, depositing, and etching methods

Номер патента: US20230215735A1. Автор: Yung-Chen Lin,Ho-Yung David Hwang,Chi-I Lang,Lei LIAO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Gold or gold alloy etching solution composition and etching method

Номер патента: EP4283014A1. Автор: Yuki Yoshida,Koichi Inoue,Iori KAWASHIMA,Itsuki KASHIWAGI. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Sputter etch methods

Номер патента: US20040266190A1. Автор: Jae Han. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Selective Etching Method and Method for Forming an Isolation Structure of a Memory Device

Номер патента: US20100167494A1. Автор: Dae Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Etching method

Номер патента: US12119233B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Etching method of oxide semiconductor film, oxide semiconductor workpiece, and electronic device

Номер патента: US12074030B2. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Etching method, etching apparatus, and storage medium

Номер патента: US09887092B2. Автор: Hideaki Sato,Takahiro Furukawa,Hiromi Hara,Takami Satoh,Toshiyuki Shiokawa,Takahiro Kawazu,Yusuke FUTAMATA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Etching method, and recording medium

Номер патента: US09466507B2. Автор: Shigeki Tozawa,Tomoaki OGIWARA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Etching gas and etching method

Номер патента: US09368363B2. Автор: Takefumi Suzuki. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Atomic layer etching method

Номер патента: US20210193473A1. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Plasma reactor and etching method using the same

Номер патента: US20110155694A1. Автор: Sungyong KO,Hwankook CHAE,Keehyun KIM,Weonmook LEE,Kunjoo PARK,Minshik KIM,KwangMin Lee,Hyeokjin Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Plasma etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150187588A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150206715A1. Автор: Takayuki Ishii,Ryoichi Yoshida,Ken Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Ultra-large area scanning type reactive ion etching machine and etching method

Номер патента: EP3905310A1. Автор: Xiong Li,Ping Gao,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Yanqin WANG,Xiaoliang Ma,Yinghui Guo,Mingbo PU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-03.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US20120244709A1. Автор: Yoshiki Igarashi,Kazuki Narishige. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Memory device etch methods

Номер патента: US20100120239A1. Автор: Angela T. Hui,Jihwan Choi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Precise etching apparatus for preparing recessed-gate enhancement device and etching method for the same

Номер патента: US20220157609A1. Автор: Guoqiang Li,Runze LI,Zhikun Liu,Dingbo Chen,Lijun Wan,Peiye SUN,Xianfeng QUE,Shunan YAO. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-05-19.

Etching method with metal hard mask

Номер патента: US12100601B2. Автор: Yu Zhang,Zhaocheng LIU,Aki AKIBA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Wet etching method and wet etching system

Номер патента: US12119230B2. Автор: Takashi Ono,Kazuma Sekiya,Daigo Shitabo. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Silicon etching liquid, silicon etching method, and microelectromechanical element

Номер патента: US09875904B2. Автор: Yoshiko Fujioto. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US09754797B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Dry etching method

Номер патента: US09728422B2. Автор: Hiroyuki Oomori,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Thin-film transistor and its manufacturing method, array substrate and display device

Номер патента: US09564460B1. Автор: Wei Li,Yunyou Zheng,Shengnan Xiong,Yicun Zhang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Etching method

Номер патента: US09543164B2. Автор: Ryoichi Yoshida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Etching method

Номер патента: US09396962B2. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Plasma etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220068652A1. Автор: Yoshimasa Inamoto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Plasma etching method

Номер патента: US20170372915A1. Автор: Hirotoshi Inui. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Polysilicon etching method

Номер патента: US20190385864A1. Автор: Hongkun SONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Etching method, substrate processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US20210202260A1. Автор: Masanobu Honda,Shinya Ishikawa,Kenta Ono. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Two etchant etch method

Номер патента: US20020052113A1. Автор: AJAY Kumar,Dragan Podlesnik,Jeffrey Chinn,Anisul Khan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

Liquid-carrying roller for wet etching and wet etching method

Номер патента: EP4207260A1. Автор: LIN Lu,Bin Chen,Yunlu Wang. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Ultra-large area scanning reactive ion etching machine and etching method thereof

Номер патента: US20220068617A1. Автор: Xiong Li,Ping Gao,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Yanqin WANG,Xiaoliang Ma,Yinghui Guo,Mingbo PU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2022-03-03.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20160268140A1. Автор: Shunichi Mikami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: US20080190892A1. Автор: Sung Tae Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-08-14.

Plasma Etching Method

Номер патента: US20120052688A1. Автор: Shoichi Murakami,Akimitsu Oishi,Masayasu Hatashita. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Plasma etching method

Номер патента: US09978566B2. Автор: Akihiro Yokota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Etsuji Ito,Tatsuro Ohshita,Shu KUSANO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09922806B2. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Maju TOMURA,Ryuichi TAKASHIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US09882124B2. Автор: Akitaka Shimizu,Eiichi Nishimura,Fumiko Yamashita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Plasma etching method, plasma etching device, plasma processing method, and plasma processing device

Номер патента: US09837251B2. Автор: Naoki Moriguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Plasma etching method

Номер патента: US09779962B2. Автор: Shinichi Kozuka,Takao FUNAKUBO,Yuta Seya,Aritoshi Mitani. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09659789B2. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Ryuichi TAKASHIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Etching method and bevel etching apparatus

Номер патента: US09623516B2. Автор: Masaki Kondo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09530666B2. Автор: Hideki Mizuno,Kumiko Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Substrate etching method

Номер патента: US09478439B2. Автор: Zhongwei Jiang. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Liquid composition used in etching copper- and titanium-containing multilayer film, etching method in which said composition is used, method for manufacturing multilayer-film wiring, and substrate

Номер патента: US09365934B2. Автор: Satoshi Tamai,Kunio Yube,Tomoyuki Adaniya. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20220399204A1. Автор: Nobuhiro Takahashi,Ken NAKAGOMI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Single-wafer etching method for wafer and etching apparatus thereof

Номер патента: MY147183A. Автор: Takeo Katoh,Tomohiro Hashii,Katsuhiko Murayama,Sakae Koyata,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-11-14.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: US20240290627A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: US20240290628A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: WO2024178284A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-29.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: WO2024178258A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-29.

Wet etching method, substrate liquid processing apparatus, and storage medium

Номер патента: US20180012754A1. Автор: Hiromitsu Nanba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Plasma etching method and apparatus, control program and computer-readable storage medium storing the control program

Номер патента: US20060289385A1. Автор: Akihiro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Chemical etching method using a metal catalyst

Номер патента: US20240203746A1. Автор: Kyung Hwan Kim,Min Young Kim,Hang Lim LEE,Jung Woo OH,Sun Hae CHOI. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Etching method, substrate processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US12112954B2. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Shinya Ishikawa,Sho Kumakura,Kenta Ono,Maju TOMURA,Yusuke Takino,Hironari SASAGAWA,Tomohiko Niizeki,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Dry etching method, and dry etching agent and storage container therefor

Номер патента: US12100600B2. Автор: Shinya Ikeda,Hiroyuki Oomori,Tatsunori Kamida. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09991138B2. Автор: Akifumi YAO,Mitsuhiro Tachibana,Koji Takeya,Tatsuo Miyazaki,Kunihiro Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin film transistor, fabricating method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09754970B2. Автор: Jiangbo Chen,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09728418B2. Автор: Hiroshi Tsujimoto,Keigo TOYODA,Masaru ISAGO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Preparation method of graphene nanoribbon on h-BN

Номер патента: US09570294B2. Автор: Li He,Lei Li,Hong Xie,Xiaoming Xie,Shujie Tang,Mianheng Jiang,Haomin Wang,Lingxiu Chen,Huishan Wang,Daoli Zhang. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-02-14.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09524876B2. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Plasma etching method

Номер патента: US09449842B2. Автор: Takahiro Abe,Takeshi Shimada,Masato Ishimaru,Makoto Suyama. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for preparing a film and method for preparing an array substrate, and array substrate

Номер патента: US20150364327A1. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Etching method of multilayer film

Номер патента: US20140206199A1. Автор: Hiroaki Ishizuka,Akihiro Yokota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Etsuji Ito,Shu KUSANO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Dry etching method using potential control of grid and substrate

Номер патента: US20220375761A1. Автор: Ki Hyun Kim,Hee Ju Kim,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,You Jin JI,Yun Jong JANG,You Jung GILL. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-11-24.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: EP1511067A3. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-31.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: US20050037621A1. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Metal removal method, dry etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220325418A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-10-13.

Dry etching method

Номер патента: US20140008322A1. Автор: Kazuya Abe,Toshiyasu Sakai,Hiroyuki Abo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Etching method

Номер патента: US20240297046A1. Автор: Kenji Maeda,Kenetsu Yokogawa,Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Kazunori Shinoda,Hirotaka Hamamura,Thi-Thuy-Nga NGUYEN. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Etching method

Номер патента: US20240304453A1. Автор: Kenta Doi,Toshiyuki Nakamura,Yasuhiro Morikawa,Taichi Suzuki. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09396968B2. Автор: Kazuhiro Kubota. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Etching method and fabrication method of semiconductor structures

Номер патента: US20170294343A1. Автор: Hai Yang Zhang,Cheng Long ZHANG,Min Da HU,Er Hu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Etching method and fabrication method of semiconductor structures

Номер патента: US10573551B2. Автор: Hai Yang Zhang,Cheng Long ZHANG,Min Da HU,Er Hu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11939505B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Etching method

Номер патента: US20200168469A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11987740B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US12020903B2. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Spin etching method for semiconductor wafer

Номер патента: US20090209110A1. Автор: Osamu Nagai,Ayumu Okano. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of producing micro-led panel

Номер патента: US20240339440A1. Автор: Kenya Ito,Yoshiyuki Harumoto. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

High-purity fluorinated hydrocarbon, use as a plasma etching gas, and plasma etching method

Номер патента: US09984896B2. Автор: Tatsuya Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Etching method

Номер патента: US20160260624A1. Автор: Hidekazu Iida. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Etching method

Номер патента: US09812292B2. Автор: Hidekazu Iida. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Plasma etching method

Номер патента: US09793136B2. Автор: Kosei Ueda,Yoshinobu Hayakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Etching method and storage medium

Номер патента: US09607855B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Koji Takeya,Masashi Matsumoto,Junichiro Matsunaga,Ayano Hagiwara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Etching method

Номер патента: US09530671B2. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Etching method for reducing microloading effect

Номер патента: US09443741B1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Zhi-Jian Wang,Cheng-Chang Wu,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for enhancing etch selectivity of metal silicide film to polysilicon film, and method for etching stacked film of metal silicide film and polysilicon film

Номер патента: US6432834B1. Автор: Jung-hyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-13.

Etching composition for metal nitride layer and etching method using the same

Номер патента: US20220396733A1. Автор: Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Seok Hyeon NAM. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Etching method

Номер патента: US20240063026A1. Автор: Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20080179283A1. Автор: Hiroyuki SHIBAMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Pattern sheet, semiconductor intermediate product, and hole etching method

Номер патента: US20240266182A1. Автор: Chun Wang,Qingjun Zhou,Yiming Zhang,Xiaoping Shi,Qiushi XIE,Dongsan Li. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Etching liquid composition and etching method

Номер патента: US20180298501A1. Автор: Tamami Aoki,Yoshihide Saio,Yuji MASAMOTO. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Etching method

Номер патента: US09997374B2. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Wet etching method for an N-type bifacial cell

Номер патента: US09537037B2. Автор: Chen Zhao,Lei Shi,Fei Zheng,Zhongli RUAN,Zhongwei Zhang,Yuxue ZHAO. Владелец: SHANGHAI SHENZHOU NEW ENERGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: CA1247947A. Автор: Masaru Wada,Iwao Teramoto,Hirokazu Shimizu,Kunio Itoh,Ken Hamada,Takao Shibutani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1989-01-03.

Semiconductor etching methods

Номер патента: US20210296187A1. Автор: Ligang DENG,Katie HORE. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of selectively etching compound semiconductor and method of manufacturing compound semiconductor device using the selective etching method

Номер патента: US5942447A. Автор: Shinichi Miyakuni. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Semiconductor etching methods

Номер патента: US11961773B2. Автор: Ligang DENG,Katie HORE. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Optimized proximity profile for strained source/drain feature and method of fabricating thereof

Номер патента: US11824102B2. Автор: Chun-An Lin,Kuo-Pi Tseng,Tzu-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Low temperature poly-silicon thin film transistor, manufacturing method thereof, and array substrate

Номер патента: US20190088786A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Optimized Proximity Profile for Strained Source/Drain Feature and Method of Fabricating Thereof

Номер патента: US20230387259A1. Автор: Chun-An Lin,Kuo-Pi Tseng,Tzu-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching method and manufacturing method of thin film transistor

Номер патента: US20120156835A1. Автор: Tomohiro Kimura,Toshiyuki Isa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20190237332A1. Автор: KATSUNORI Tanaka,Hotaka Maruyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and array substrate

Номер патента: US20160027927A1. Автор: Bin Zhang,Guanbao HUI,Zhen Liu,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Etching method and plating solution

Номер патента: US20200098582A1. Автор: Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Keiichiro Matsuo,Kazuo Shimokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Etching method and plating solution

Номер патента: US20210217626A1. Автор: Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Keiichiro Matsuo,Kazuo Shimokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Etching method and plating solution

Номер патента: US10991590B2. Автор: Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Keiichiro Matsuo,Kazuo Shimokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20200328310A1. Автор: HU Meng,Qi Huang,Xuelei Liang,Jiye XIA. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory cells and arrays

Номер патента: US09484536B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of purifying alkaline solution and method of etching semiconductor wafers

Номер патента: MY119496A. Автор: Hideo Kudo,Masami Nakano,Isao Uchiyama,Toshio Ajito. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US4650744A. Автор: Haruo Amano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-03-17.

Dry etching method

Номер патента: US5366590A. Автор: Shingo Kadomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-11-22.

Method of anhydrous hydrogen fluoride etching

Номер патента: US5073232A. Автор: Tadahiro Ohmi,Masahiro Miki,Matagoro Maeno,Hirohisa Kikuyama. Владелец: Hashimoto Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 1991-12-17.

Etching method, air-gap dielectric layer, and dynamic random-access memory

Номер патента: US11948805B2. Автор: Chun Wang,Bo Zheng,Xin Wu,Zhenguo MA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Etching method

Номер патента: US20180301346A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Wet Etching Method

Номер патента: US20230374669A1. Автор: Takuya Okada,Yosuke Nakamura,Kenta WATANABE,Soichi Kumon,Takahisa Taniguchi,Kazuki Yoshiura. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Etching method and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US11114305B2. Автор: Yosuke TANIMOTO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-09-07.

Etchant composition for adjusting etching selectivity of titanium nitride film with respect to tungsten film, and etching method using same

Номер патента: US20230295500A1. Автор: Seung Hyun Lee,Seong Hwan Kim,Seung Hun Lee,Seung Oh JIN. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Etching method and apparatus

Номер патента: US20200312669A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Nobuhiro Takahashi,Yasuo Asada,Ayano Hagiwara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Etching method for sic substrate and holding container

Номер патента: US20170323797A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Masato Shinohara,Koji Ashida,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI,Norihito YABUKI,Yasunori Kutsuma,Youji Teramoto. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: EP1543548A2. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-22.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240153744A1. Автор: Atsushi Takahashi,Ryo Matsubara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Etching method

Номер патента: US20140024221A1. Автор: Koji Maruyama,Mikio Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Etching method and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20210217627A1. Автор: Yosuke TANIMOTO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-15.

Etching method and etching device

Номер патента: US20210287915A1. Автор: Akifumi YAO,Kazuaki Nishimura,Susumu Yamauchi,Tatsuo Miyazaki,Kunihiro Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210143028A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Takatoshi ORUI,Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Display panel, plasma etching method and system

Номер патента: US20210119128A1. Автор: Pengbin ZHANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240234163A1. Автор: Shoi Suzuki,Taku GOHIRA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Dry Etching Method, Semiconductor Device Manufacturing Method, and Chamber Cleaning Method

Номер патента: US20190355590A1. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Etching method using hydrogen peroxide solution containing tungsten

Номер патента: US09929017B2. Автор: Yoshihiro Uozumi,Nagisa Takami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, and array substrate

Номер патента: US09917208B2. Автор: Macai Lu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09887109B2. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Masaya Kawamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Etching method for substrate to be processed and plasma-etching device

Номер патента: US09721803B2. Автор: Hiroyuki Takaba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and array substrate

Номер патента: US09653284B2. Автор: Bin Zhang,Guanbao HUI,Zhen Liu,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Bottom-emitting substrate, display device and manufacturing method of substrate

Номер патента: US09583646B2. Автор: Shi Shu,Feng Zhang,Guanbao HUI,Jingxia Gu,Xiangchun Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for etching a compound metal oxide film and processing apparatus

Номер патента: EP1158576A3. Автор: Hiroyuki c/o Tokyo Electron Tohoku Ltd. Yamamoto,Kazuaki c/o Tokyo Electron Tohoku Ltd. Nishimura,Kazuhide c/o Tokyo Electron Ltd. Hasebe,Phillip c/o Tokyo Electron Tohoku Ltd. Spaull. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-11-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5445710A. Автор: Hiroyuki Yano,Haruo Okano,Masaru Hori,Haruki Mori,Yasuhiro Ito,Keiji Horioka,Kazuhiro Tomioka,Hisataka Hayashi,Sadayuki Jimbo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-08-29.

Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230386850A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching gas and etching method

Номер патента: EP4307349A1. Автор: Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Etching method of multilayered film

Номер патента: US20160042919A1. Автор: Yusuke Saitoh,Ryuuu ISHITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210159084A1. Автор: Yoshihide Kihara,Sho Kumakura,Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11380555B2. Автор: Yoshihide Kihara,Sho Kumakura,Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220059360A1. Автор: Taku GOHIRA,Michiko Nakaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Dry etching method or dry cleaning method

Номер патента: US11814726B2. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Katsuya Fukae. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090239361A1. Автор: Hiroyuki Fujiwara,Takahito Suzuki,Mitsuhiko Ogihara,Hironori Furuta,Yusuke Nakai,Tomoki Igari,Tomohiko Sagimori. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210043461A1. Автор: Manabu Sato,Seiichi Watanabe,Hiroki Yamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Etching gas and etching method

Номер патента: US20240153778A1. Автор: Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Dry etching method, method for manufacturing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: US11972955B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Etching method

Номер патента: US20200402814A1. Автор: Takahiko Kato,Nobuaki Seki,Shigeru Tahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Etching gas, method for producing same, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230386853A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4354490A1. Автор: Kazuma Matsui,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Etching gas, method for producing same, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230374381A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Etching method and method for producing semiconductor element

Номер патента: EP4235752A1. Автор: Kazuma Matsui,Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Etching method and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230395389A1. Автор: Kazuma Matsui,Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4159892A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-04-05.

Etching gas, etching method, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4231331A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20210118690A1. Автор: Shuichi Kuboi,Seiya YOSHINAGA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220102159A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Masanori Hosoya,Hiroie MATSUMOTO,Taihei MATSUHASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11121000B2. Автор: Manabu Sato,Seiichi Watanabe,Hiroki Yamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240213032A1. Автор: Takuya Sawano,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Inkjet printing method of array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US20210408503A1. Автор: Guang YAN,Donghui YU,Chunjing HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: US09935114B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Light-emitting device, array substrate, display device and manufacturing method of light-emitting device

Номер патента: US09722005B2. Автор: Gang Wang,Ze Liu,Huifeng Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of producing diodes of medium-wave infrared spectrum

Номер патента: RU2647979C1. Автор: Наталья Дмитриевна Ильинская,Борис Анатольевич Матвеев,Максим Анатольевич Ременный,Анна Александровна Усикова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИоффеЛЕД". Дата публикации: 2018-03-21.

In-situ sequential silicon containing hard mask layer/silicon layer plasma etch method

Номер патента: US6069091A. Автор: Ming-Yeon Hung,Fa-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Wet etching method of single wafer

Номер патента: EP1746639A1. Автор: Sakae c/o Sumco Corporation Koyata,Tomohiro c/o Sumco Corporation Hashii,Katsuhiko c/o Sumco Corporation Murayama,Kazuhige c/o Sumco Corporation Takaishi,Takeo c/o Sumco Corporation Katoh. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-01-24.

Etching method, method for producing dielectric film of low dielectric constant, method for producing porous member, etching system and thin film forming equipment

Номер патента: EP1881525A1. Автор: Hitoshi MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES LTD SAKAMOTO,Chikako HITEC Co. Ltd. KOBAYASHI. Владелец: Phyzchemix Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Dry etching method

Номер патента: US4406733A. Автор: Shinichi Tachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-09-27.

Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent

Номер патента: MY152247A. Автор: Shirahata Satoshi,MATSUDA Osamu,Kikuchi Nobuyuki,Hayashida Ichiro. Владелец: Wako Pure Chem Ind Ltd. Дата публикации: 2014-09-15.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230420263A1. Автор: Takayuki Katsunuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Etching method and element chip manufacturing method

Номер патента: US11817323B2. Автор: Akihiro Itou,Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Plasma etching method

Номер патента: US8741166B2. Автор: Tomoyuki Watanabe,Tetsuo Ono,Mamoru Yakushiji,Michikazu Morimoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Silicon Dry Etching Method

Номер патента: US20160005612A1. Автор: Isamu Mori,Akiou Kikuchi,Masanori WATARI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Multiple etch method for fabricating spacer layers

Номер патента: US20030211697A1. Автор: Hun-Jan Tao,Ming-Huan Tsai,Mei-Ru Kuo,Jw-Wang Hsu,Baw-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210090898A1. Автор: Satoshi TODA,Naoki Shindo,Ryo Kuwajima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11804379B2. Автор: Taku GOHIRA,Michiko Nakaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, and array substrate

Номер патента: US20140070217A1. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Pil Seok KIM. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Recess etching solution, recess etching method, and surface-treated semiconductor substrate manufacturing method

Номер патента: EP4257727A1. Автор: Toshiyuki Oie,Satoshi Okabe,Po-Hung Wang,Chung-Yi Chen,Tomoyuki Adaniya,Yoshihiro Hommo. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11495468B2. Автор: Masanobu Honda,Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Recess etching solution, recess etching method, and surface-treated semiconductor substrate manufacturing method

Номер патента: US20240047224A1. Автор: Toshiyuki Oie,Satoshi Okabe,Po-Hung Wang,Chung-Yi Chen,Tomoyuki Adaniya,Yoshihiro Hommo. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Etching method and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20230290643A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-09-14.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210233776A1. Автор: Masaaki Kikuchi,Wakako Ishida,Yasunori Hatamura,Wataru Togashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210066089A1. Автор: Masanobu Honda,Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

Номер патента: EP4280258A1. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Silicon dry etching method

Номер патента: US9524877B2. Автор: Isamu Mori,Akiou Kikuchi,Masanori WATARI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Dry etching method

Номер патента: US20100255612A1. Автор: Hitoshi Kobayashi,Toru Ito,Yoshiharu Inoue,Toshiaki Nishida,Hiroaki Ishimura,Masunori Ishihara. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230298898A1. Автор: Shingo Takahashi,Shogo Yamaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Etching method

Номер патента: US20170186619A1. Автор: Jinbiao Liu,Junfeng Li,Xiaobin He,Junjie Li,Qinghua Yang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-29.

Plasma etching method

Номер патента: US20190027368A1. Автор: Go Matsuura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20210167332A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Polycrystalline oxide thin-film transistor array substrate and method of manufacturing same

Номер патента: US09583517B2. Автор: Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Laser etching method for transparent conductive plate and transparent conductive plate prepared thereby

Номер патента: US09496074B2. Автор: Yu-Yang Chang,Shiou-Ming Liu,Yao-Zong Chen,Chien-Rong Lu. Владелец: Nanobit Tech Co ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Plasma etching methods

Номер патента: US6010967A. Автор: Kevin G. Donohoe,Richard L. Stocks. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Method of forming a via plug in a semiconductor device

Номер патента: USRE36475E. Автор: Kyeon K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Etching method

Номер патента: US20240030037A1. Автор: Yutaro Aoki,Atsushi Yamashita,Masayuki Kimura. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240038494A1. Автор: Nobuyuki Fukui,Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Etching solution and etching method for gold or gold alloy

Номер патента: US20240076547A1. Автор: Yuki Yoshida,Koichi Inoue,Iori KAWASHIMA,Itsuki KASHIWAGI. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11139169B2. Автор: Sho Kumakura,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-10-05.

Etching device and etching method

Номер патента: US20230335419A1. Автор: Kai-Ming Yang,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin,Chin-Sheng Wang,Chia-Yu Peng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Thin film transistor, method for fabricating the same, and array substrate

Номер патента: US9748284B2. Автор: Qianqian Bu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Etching method and etching composition

Номер патента: US20150287608A1. Автор: Ta-Hone Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20190304801A1. Автор: Susumu Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Plasma etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20130267094A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Hironobu Ichikawa,Jin KUDO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230377851A1. Автор: Kenji Komatsu,Fumiya Yoshii. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240006187A1. Автор: Hiroyuki Abe,Reiko SASAHARA,Teppei Okumura,Seungmin Kim,Toshinori Debari,Woonghyun JEUNG,Kenshiro ASAHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210082709A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11810792B2. Автор: Masatsugu Makabe,Takanori Eto,Sho SAITOH. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Selective oxide etching method for self-aligned multiple patterning

Номер патента: US20190080925A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Etching method with metal hard mask

Номер патента: US20240112923A1. Автор: Yu Zhang,Xiaoming He,Zhaocheng LIU,Aki AKIBA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Etching Composition, Etching Method, Method for Manufacturing Semiconductor Device, and Method for Manufacturing Gate-All-Around-Type Transistor

Номер патента: US20230374383A1. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Atomic layer etching method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20220375760A1. Автор: Jun Hee Cho,Joong Jin Park,Youn Joung CHO,Gyu-hee Park,Eun Hyea Ko,Hee Yeon Jeong,Byeong IL Yang,Ji Yu Choi. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Thin Film Transistor, Method for Fabricating the Same, and Array Substrate

Номер патента: US20160358952A1. Автор: Qianqian Bu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Atomic layer etching method

Номер патента: US11450531B2. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20200402800A1. Автор: Sho Kumakura,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20180342401A1. Автор: Kosuke Koiwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Plasma etching method

Номер патента: US20190228983A1. Автор: Takaaki Sakurai,Hirotoshi Inui. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Low temperature polysilicon thin film transistor and fabricating method thereof and array substrate

Номер патента: US20190088787A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Iridium etching methods for anisotrophic profile

Номер патента: WO2000049650A9. Автор: Chentsau Ying,Steve S Y Mak,Guangxiang Jin,Jeng H Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-09-20.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US8283254B2. Автор: Takahito Mukawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: US12014929B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US09384999B2. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Silicon etchant and etching method

Номер патента: GB2474187A. Автор: Kazuyoshi Yaguchi,Ryuji Sotoaka. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2011-04-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020061642A1. Автор: Hiroshi Haji,Shoji Sakemi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

Reactive ion etch method for forming vias through nitrogenated silicon oxide layers

Номер патента: US5904566A. Автор: Chia-Shiung Tsai,Hun-Jan Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-05-18.

Dry etching method of copper or copper alloy interconnection layer employing plasma of an iodine compound

Номер патента: US5240559A. Автор: Tomoaki Ishida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Plasma etching method and plasma etching system for carrying out the same

Номер патента: US6159388A. Автор: Shinya Iida,Yasuhiro Horiike,Michihiko Yanagisawa. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-12.

Uniform sidewall profile etch method for forming low contact leakage schottky diode contact

Номер патента: US6096629A. Автор: Yen-Shih Ho,Jun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Dual-tank etch method for oxide thickness control

Номер патента: US7405165B2. Автор: Yang Kai Fan,Yong Rong Chang,Yi Song Chiu,Ping Yin Shin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230386793A1. Автор: Kenji Maeda,Yosuke Kurosaki,Hiroto Otake. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching method using halogen fluoride and method for producing semiconductor

Номер патента: US20220051898A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-02-17.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US11637020B2. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20220051902A1. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for fabricating lightly doped drain area, thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20160190284A1. Автор: Jianjun Zhang,Qiong Xu. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Dry Etching Method

Номер патента: US20210358762A1. Автор: Hiroyuki Oomori,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Dry-etching method

Номер патента: US10192749B2. Автор: Kenichi Kuwahara,Syuji ENOKIDA. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Etching apparatus and etching method technical field

Номер патента: WO2014010751A1. Автор: Isao Yamada,Koji Yamashita,Kenichi Hara,Koji Kasuga,Noriaki Toyoda. Владелец: University of Hyogo. Дата публикации: 2014-01-16.

Substrate etching method

Номер патента: US20150311091A1. Автор: Zhongwei Jiang. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Plasma etching method using perfluoroisopropyl vinyl ether

Номер патента: US20230162972A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-05-25.

Liquid-carrying roller for wet etching and wet etching method

Номер патента: US20230343888A1. Автор: LIN Lu,Bin Chen,Yunlu Wang. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Plasma etching method

Номер патента: US20180240690A1. Автор: Kenta Chito. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Etching method, method for manufacturing semiconductor device, etching program, and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240162047A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Masafumi Urakawa,Yuki Chiba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230377850A1. Автор: Masahito Yamaguchi,Takatoshi ORUI,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240071723A1. Автор: Koki Tanaka,Masahiko Yokoi,Ryutaro Suda,Ryu NAGAI,Ikko Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Dry etching method

Номер патента: US20190080928A1. Автор: Lei Zhao,Qingzhao Liu,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Dry etching method

Номер патента: US10468271B2. Автор: Lei Zhao,Qingzhao Liu,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230230844A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Dry-etching method

Номер патента: US20170162397A1. Автор: Kenichi Kuwahara,Syuji ENOKIDA. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Etching method, etching apparatus, and storage medium

Номер патента: US9449844B2. Автор: Isao Yamada,Kenichi Hara,Takashi Hayakawa,Noriaki Toyoda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Etching method and semiconductor manufacturing method

Номер патента: EP3706158A1. Автор: Yosuke TANIMOTO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-09-09.

Local etching apparatus and local etching method

Номер патента: US20010036741A1. Автор: Michihiko Yanagisawa,Chikai Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20240112922A1. Автор: Atsushi Takahashi,Noboru Saito,Ryo Matsubara,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Plasma etching method

Номер патента: EP3989682A1. Автор: Daisuke Sato,Yuki Oka,Kaoru Kaibuki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-04-27.

Plasma etching method and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190080923A1. Автор: Mitsunari Horiuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230290644A1. Автор: Yuya Akanishi,Kazuki Nishihara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor Etching Method

Номер патента: US20220037161A1. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of fabricating electrodes, method of fabricating thin film transistor, method of fabricating array substrate, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: EP3535776A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-09-11.

Method of forming thin film transistor array substrate

Номер патента: US20170012092A1. Автор: Ki Soub Yang,Seung Ryul Choi,Kyoung Jin PARK,Kang Hyun KIM,Sam Jong LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220005841A1. Автор: Jinyang ZHAO. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Method of forming thin film transistor array substrate

Номер патента: US09825111B2. Автор: Ki Soub Yang,Seung Ryul Choi,Kyoung Jin PARK,Kang Hyun KIM,Sam Jong LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09768312B2. Автор: Liang Sun,Yanan NIU,Hongwei TIAN,Zuqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Dry-etching method and plasma

Номер патента: US4948461A. Автор: Dilip K. Chatterjee. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1990-08-14.

Method of forming a crosslinked poly(arylene ether) film, and film formed thereby

Номер патента: WO2008100733A2. Автор: Edward Norman Peters,Gerardo Rocha-Galicia,Pankaj Singh Gautam. Владелец: SABIC INNOVATIVE PLASTICS IP B.V.. Дата публикации: 2008-08-21.

Polyimide composition, method for preparing the same, polyimide film and flexible copper clad laminate

Номер патента: US20240262963A1. Автор: Joo Young Kim,So Jeong Kim,Hyuk Jun Kim. Владелец: Nexflex Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of cooling electronic equipment using combined film and gas-droplet flows

Номер патента: RU2732624C1. Автор: Олег Александрович Кабов,Елена Федоровна Быковская,Елизавета Яковлевна Гатапова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2020-09-21.

Deposition method of conductive and high hardness carbon thin film and the application as the electrodes for thin-film electroluminescent device

Номер патента: KR100812504B1. Автор: 조형준,홍병유,박용섭. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2008-03-11.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240203694A1. Автор: Masahiro Yamamoto,Masaki Hosono,Kyohei Noguchi,Takuji Sako,Julen AROZAMENA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma display panel and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080096362A1. Автор: Motonari Kifune,Akira Shimoyoshi,Hideaki Hirabara. Владелец: Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Electrotechnical steel strip with the oriented structure continuous electrolytic etching method and device for the electrotechnical steel strip with the oriented structure continuous electrolytic etching

Номер патента: RU2676816C1. Автор: Кэндзи МАЦУДА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-01-11.

Array of waveguide-horn radiators, methods of building arrays of waveguide-horn radiators and antenna systems

Номер патента: RU2589488C2. Автор: Юаньцзин ЛИ,Цзыжань ЧЖАО,Лэй ЧЖЭН,Ваньлун У,Бинь САН,Чжицян ЧЖЭНЬ,Цзецин ЯН,Вэньго ЛЮ,Силэй ЛУО. Владелец: Цзинхуа Юниверсити. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of making magnetoresistive effect element and multichamber device for making magnetoresistive effect element

Номер патента: RU2390883C1. Автор: Манабу ИКЕМОТО,Томоаки ОСАДА,Наоаки ЙОКОКАВА. Владелец: Кэнон АНЕЛВА Корпорейшн. Дата публикации: 2010-05-27.

Plasma etching method

Номер патента: US09960014B2. Автор: Masatoshi Miyake,Nobuyuki Negishi,Ken'etsu Yokogawa,Naoyuki Kofuji,Masami Kamibayashi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Dry etching methods for reducing fluorocarbon-containing gas emissions

Номер патента: US20240212988A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Tzu-Ming Ou Yang,Yuan-Hao Su. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of linear grooves formation and device for linear grooves formation

Номер патента: RU2685616C1. Автор: Сигэхиро ТАКАДЗЁ,Масанори УЭСАКА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-04-22.

Thin film etching method and semiconductor device fabrication using same

Номер патента: SG153733A1. Автор: Cong Hai,HU Xiang,Zhou Mei Sheng,Pradeep Yelehanka. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-07-29.

Focus ring heating method, plasma etching apparatus, and plasma etching method

Номер патента: US20130299455A1. Автор: Masashi Saito,Chishio Koshimizu,Jun Yamawaku,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240212982A1. Автор: Wakako Ishida,Taihei MATSUHASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of etching magnetoresistive film by using a plurality of metal hard masks

Номер патента: US20090110960A1. Автор: Kosuke Tanaka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Mask plate, method for fabricating array substrate using the same, and array substrate

Номер патента: US09423687B2. Автор: YING Wang,Zhenyu Zhang,Jing LV,Xibin Shao,Yanping Liao,Daekeun Yoon. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Driving method of array substrate, and array substrate

Номер патента: US11749221B2. Автор: Chih tsung Kang,Haijiang YUAN. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Goa circuit and array substrate

Номер патента: US20210335265A1. Автор: Yan Xue,Baixiang Han. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of measuring phase signal of double-beam fibre-optic interferometer

Номер патента: RU2719635C1. Автор: Михаил Юрьевич Плотников,Антон Валерьевич Волков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2020-04-21.

Method for manufacturing array substrate and array substrate, and method for manufacturing screen and screen

Номер патента: US20120262784A1. Автор: Atsushi Saito,Kazuo Aoki,Shintaro Yoshitome. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Polypeptide arrays and methods of attaching polypeptides to an array

Номер патента: EP3268740A1. Автор: Kang Bei,John J. Rajasekaran,Vasanth JAYARAMAN,Tianhao WANG,Hari Krishnan KRISHNAMURTHY. Владелец: Vibrant Holdings LLC. Дата публикации: 2018-01-17.

Polypeptide arrays and methods of attaching polypeptides to an array

Номер патента: AU2021205112A1. Автор: Kang Bei,John J. Rajasekaran,Vasanth JAYARAMAN,Tianhao WANG,Hari Krishnan Krishamurthy. Владелец: Vibrant Holdings LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Polypeptide arrays and methods of attaching polypeptides to an array

Номер патента: CA3208979A1. Автор: Kang Bei,John J. Rajasekaran,Vasanth JAYARAMAN,Tianhao WANG,Hari Krishnan KRISHNAMURTHY. Владелец: Vibrant Holdings LLC. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of writing to a spin torque magnetic random access memory

Номер патента: US09502093B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra Subramanian,Matthew R. Croft,Halbert Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Pixel circuit with two driving circuits, and array substrate and display panel comprising the same

Номер патента: US11217151B2. Автор: Litao Zhang,Ruiyuan Zhou,ZhiQiang Xia,Dongliang DUN. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-04.

Pixel circuit, method for controlling a pixel circuit, and array substrate

Номер патента: US12067939B2. Автор: MENG Hu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Shift register, method for driving the same, and array substrate

Номер патента: US09502134B2. Автор: Tong Yang,Rui Ma,Ming Hu,Xianjie SHAO. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

AMOLED pixel driving circuit and driving method thereof, and array substrate

Номер патента: US09489893B2. Автор: Wen Tan,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Circuit for eliminating shut down image sticking and array substrate comprising the circuit

Номер патента: US09424796B2. Автор: Rongcheng LIU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

GOA circuit and array substrate

Номер патента: US11763718B1. Автор: FAN YANG,Hui Yang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Photomask etching method for chemical vapor deposition film

Номер патента: US20110027719A1. Автор: Pei-Chang Wang. Владелец: United Radiant Tech Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

A laser etching method for mems probes

Номер патента: US20240001485A1. Автор: Ming Zhou,Haichao Yu. Владелец: Maxone Semiconductor Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of manufacturing micro-array substrate

Номер патента: US09783893B2. Автор: Young Soo Yoon,Seon Tae Kim,Seung Hyun JEE. Владелец: Gil Medical Center. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of inspecting pixel array substrate and apparatus for inspecting pixel array substrate

Номер патента: US09489876B2. Автор: Yung-Sheng Chang,Pei-Lin Huang,Chuan-Feng Liu,Jen-Shiun Huang,Shi-Lin Li,Chen-Fa Tsai. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Touch control display panel, method of manufacturing the same, driving method, and display device

Номер патента: US20170177143A1. Автор: Lei Wang,WEI Liu,Xue Dong,Xiaochuan Chen,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Shengji Yang,Weijie Zhao,Xiaoliang DING,Hongjuan Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Capacitive touch panel, manufacturing method of capacitive touch panel and display device

Номер патента: US09619089B2. Автор: Mi ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Engineered renal tissues, arrays thereof, and methods of making the same

Номер патента: US09481868B2. Автор: Sharon C. Presnell,Deborah Lynn Greene NGUYEN,Shelby Marie KING. Владелец: Organovo Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Plasma etching method

Номер патента: US8293127B1. Автор: Joseph F. Rypl. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Magnet array method, method of manufacturing rotor, and magnet array jig

Номер патента: US20240136897A1. Автор: Kazuhiro Sato,Kei Ohta. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Magnet array method, method of manufacturing rotor, and magnet array jig

Номер патента: US20240235341A9. Автор: Kazuhiro Sato,Kei Ohta. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Etching method for manufacturing substrate structure having thick electrically conductive layer, and substrate structure having thick electrically conductive layer

Номер патента: US11895778B2. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Etching method for manufacturing substrate structure having thick electrically conductive layer, and substrate structure having thick electrically conductive layer

Номер патента: US20230199969A1. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Copper etching method for manufacturing circuit board

Номер патента: US20160262269A1. Автор: Ting-Hao Lin,Chiao-Cheng Chang,yi-nong Lin. Владелец: Kinsus Interconnect Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Array substrate for display apparatus and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US20230292563A1. Автор: Wonkyu Kwak,Jongseon PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Array substrate, display apparatus, method of reducing current-resistance drop and data loss in display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: EP3776660A1. Автор: Pan Xu,Xiaoyun Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

OLED display panel and method of manufacturing same

Номер патента: US12144207B2. Автор: Letao ZHANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Manufacturing method of organic display panel and organic display panel

Номер патента: US20240172544A1. Автор: Wei Lu,Jiexin Zheng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Interface Regulation Method for Flotation Separation of Copper-molybdenum Mixed Concentrate

Номер патента: AU2021101479A4. Автор: Jianhua Chen. Владелец: GUANGXI UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-05-13.

Method of selective flotation adjustment

Номер патента: RU2613400C1. Автор: Сергей Александрович Романенко,Карен Михайлович Арустамян. Владелец: Совместное предприятие в форме закрытого акционерного общества "Изготовление, внедрение, сервис". Дата публикации: 2017-03-16.

Method for improving grade of copper-molybdenum separated molybdenum concentrate of skarn copper-molybdenum ore

Номер патента: CN106391319A. Автор: 张磊,郝福来,郑晔,王怀,孙东阳. Владелец: Changchun Gold Research Institute. Дата публикации: 2017-02-15.

Preparation method of copper-molybdenum composite material and application of copper-molybdenum composite material in catalyst for hydrogen evolution through water electrolysis

Номер патента: CN109468662B. Автор: 王宇,黄少铭,聂华贵,杨植,丁欣慰,侯俊婕,周学梅,詹迎新,郑仙诺. Владелец: Wenzhou University. Дата публикации: 2021-04-20.

Method of preparing aliphatic alpha, omega-aminotriles

Номер патента: RU2154630C2. Автор: Фишер Рольф,Витцель Том,Шнурр Вернер,Мельдер Йоганн-Петер,Флик Клеменс,Эбель Клаус,Хардер Вольфганг,Рэфингер Алвин. Владелец: Басф Аг. Дата публикации: 2000-08-20.

A kind of preparation method of copper-molybdenum copper multilayer materials

Номер патента: CN106834764A. Автор: 周洪强,朱乐乐. Владелец: Luoyang Sunrui Titanium Precision Casting Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

The preparation method of copper-molybdenum composite material and its application in electrolysis water liberation of hydrogen catalyst

Номер патента: CN109468662A. Автор: 王宇,黄少铭,聂华贵,杨植,丁欣慰,侯俊婕,周学梅,詹迎新,郑仙诺. Владелец: Wenzhou University. Дата публикации: 2019-03-15.

Etching method and etching device for copper molybdenum film layer

Номер патента: WO2020042257A1. Автор: 赵芬利. Владелец: 深圳市华星光电技术有限公司. Дата публикации: 2020-03-05.

A kind of floating magnetic joint separation of copper-molybdenum-separation method

Номер патента: CN106583026B. Автор: 马仲英. Владелец: JIANGSU JINGKAI ZHONGKE SUPERCONDUCTING HIGH TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

A kind of chemical etching composition of copper-molybdenum alloy film

Номер патента: CN109112545A. Автор: 康威,赵大成,张文涛,陈思宇,鄢艳华,郑春怀. Владелец: Huizhou Capchem Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Method for production of rolls of pre-stretched film and machine for its implementation

Номер патента: RU2713357C1. Автор: Александр Сергеевич Иванов. Владелец: Александр Сергеевич Иванов. Дата публикации: 2020-02-04.

Etchant and etching method for copper-molybdenum film layer

Номер патента: US20220349064A1. Автор: Yifeng He,Yuehong ZHANG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Cellulose-based filaments, films and 3d objects and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20240198579A1. Автор: Shahidul Islam,Jean-Philip Lumb,Mohammadhadi MORADIAN,Theo G.M. Van De Ven,Nur Alam. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of synthesizing and polishing a flat diamond film and free-standing diamond film

Номер патента: ZA95660B. Автор: Akihiko Ikegaya,Keiichiro Tanabe,Naoji Fujimori. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 1995-09-29.

Laminated film and method of manufacturing the same, polymer film and method of manufacturing the same, and roll

Номер патента: US20200001581A1. Автор: Takeaki SAWAYA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Cellulose-based filaments, films and 3d objects and methods of manufacture thereof

Номер патента: WO2022221945A1. Автор: Md. Shahidul ISLAM,Jean-Philip Lumb,Theo G. M. VAN DE VEN,Md. Nur ALAM,Mohammadhadi MORADIAN. Владелец: The Royal Institution for the Advancement of Learning/McGill University. Дата публикации: 2022-10-27.

Cellulose-based filaments, films and 3d objects and methods of manufacture thereof

Номер патента: CA3215588A1. Автор: Md. Shahidul ISLAM,Jean-Philip Lumb,Theo G. M. VAN DE VEN,Md. Nur ALAM,Mohammadhadi MORADIAN. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2022-10-27.

Patterned film structure, patterned film composite structure, method of selective inhibition of formation of organic film and method of selective adjustment of thickness of organic film

Номер патента: US20170349697A1. Автор: Chih-Yu Wu,Hsien-Yeh Chen. Владелец: May-Hwa Enterprise Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Patterned film structure, patterned film composite structure, method of selective inhibition of formation of organic film and method of selective adjustment of thickness of organic film

Номер патента: US10035875B2. Автор: Chih-Yu Wu,Hsien-Yeh Chen. Владелец: May-Hwa Enterprise Corp. Дата публикации: 2018-07-31.

LAMINATE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND GAS BARRIER FILM AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20180002804A1. Автор: Sato Jin,Koyama Hiroshi,KANO Mitsuru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-04.

LAMINATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND GAS BARRIER FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170137941A1. Автор: Sato Jin,Koyama Hiroshi,KANO Mitsuru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2017-05-18.

PATTERNED FILM STRUCTURE, PATTERNED FILM COMPOSITE STRUCTURE, METHOD OF SELECTIVE INHIBITION OF FORMATION OF ORGANIC FILM AND METHOD OF SELECTIVE ADJUSTMENT OF THICKNESS OF ORGANIC FILM

Номер патента: US20170349697A1. Автор: Chen Hsien-Yeh,Wu Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

LAMINATE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND GAS BARRIER FILM AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20200370165A1. Автор: Sato Jin,Koyama Hiroshi,KANO Mitsuru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO.,LTD.. Дата публикации: 2020-11-26.

Improvements in or relating to a method of obtaining a dull gloss on threads, films and similar products of viscose

Номер патента: GB350391A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1931-05-27.

LIGHT DIFFUSION FILM, METHOD OF SPECIFYING SURFACE SHAPE OF LIGHT DIFFUSION FILM, AND RECORDING MEDIUM ON WHICH SURFACE SHAPE SPECIFICATION PROGRAM IS RECORDED

Номер патента: US20140293618A1. Автор: Koide Koshi,FUKUNAGA Yasutaka,OZAWA Kishin. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

Acid acrylate polymer containing acid salt and a preparation method of thereof, and neutralizing agent, acidic thin film and functional fiber using the acrylate polymer

Номер патента: KR102189425B1. Автор: 도정윤. Владелец: 부산대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-12-11.

A kind of preparation method of organic solvent-resistant ultrafiltration membrane, prepared film and its application

Номер патента: CN105709616B. Автор: 高学理,黄良伟,吕利,苏保卫,宋晓娟. Владелец: OCEAN UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2019-05-14.

The manufacturing method of cylindrical honeycomb structure body with overlay film and the manufacturing method of catalyst

Номер патента: CN109219590A. Автор: 高桥祯宪,山田贵志,石川新吾,关山和弘,大石龙马. Владелец: NE Chemcat Corp. Дата публикации: 2019-01-15.

The preparation method of a kind of high conduction graphite film and equipment

Номер патента: CN106082196A. Автор: 李魁立. Владелец: SUZHOU DOFLY M&E TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-09.

Method of joining superposed overlapped section of laminated film and tube manufactured through said method

Номер патента: JPS6398421A. Автор: ヘンリー　ウィバーエガー. Владелец: KAA M KAA KARL MAAGARE RIITSUENTSU AG. Дата публикации: 1988-04-28.

Production method of optical film, production device of optical film, and optical film

Номер патента: TW200720712A. Автор: Katsusuke Nagashima. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2007-06-01.

METHOD OF FORMING METAL OXIDE FILM, METAL OXIDE FILM AND OPTICAL ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20130078457A1. Автор: SAITOH Mitsuo,Morita Osamu,OKUMURA TOMOHIRO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-03-28.

OXIDATION RESISTANT ALLOY COATING FILM, METHOD OF PRODUCING AN OXIDATION RESISTANT ALLOY COATING FILM, AND HEAT RESISTANT METAL MEMBER

Номер патента: US20130323418A1. Автор: NISHIMOTO Takumi,NARITA Toshio,Yoshioka Takayuki. Владелец: DBC System Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

HEAT RAY-SHIELDING PARTICLE-CONTAINING COMPOSITION AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, HEAT RAY-SHIELDING FILM, AND HEAT RAY-SHIELDING LAMINATED TRANSPARENT BASE MATERIAL

Номер патента: US20160122524A1. Автор: Fujita Kenichi,MACHIDA Keisuke. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2016-05-05.

METHOD OF MANUFACTURING PARTIALLY FREESTANDING TWO-DIMENSIONAL CRYSTAL FILM AND DEVICE COMPRISING SUCH A FILM

Номер патента: US20160136583A1. Автор: Klootwijk Johan Hendrik,Asadi Kamal. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

The preparation method of P (PVIS-AA)/Sodium Alginate Hydrogel Films and its application in the catalyst

Номер патента: CN105860102B. Автор: 冯婷婷,何晓燕,强圣璐. Владелец: Northwest Normal University. Дата публикации: 2018-11-06.

A method of obtaining a polyolefin composition for a film and films obtained from it

Номер патента: RU2019117039A. Автор: Аули Нуммила-Пакаринен,Яри Эриля,Анх Туан ТРАН,Ярмо КЕЛА. Владелец: Бореалис Аг. Дата публикации: 2020-12-25.

Thermo-plastic olefin film, manufacturing method of form mat with thermo-plastic olefin film, and form mat with thermo-plastic manufactured by the same

Номер патента: KR102355546B1. Автор: 김태경. Владелец: 김태경. Дата публикации: 2022-01-26.

Preparation method of block type colorless transparent polyimide film, film and transparent substrate

Номер патента: CN111087632B. Автор: 陈雪,崔晶,孙旭阳,刘京妮. Владелец: Sinopec Shanghai Research Institute of Petrochemical Technology. Дата публикации: 2022-11-04.

High-strength aluminum alloy anodic oxidation electrolyte, preparation method of high-strength aluminum alloy anodic oxidation film and high-strength aluminum alloy workpiece

Номер патента: CN110344095B. Автор: 王锦文,杜楠,何坚,王帅星,尹小乐. Владелец: NANCHANG HANGKONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-02-26.

Method of forming multilayered coating film, multilayered coating film, and coated article

Номер патента: CN101896287B. Автор: 增田秀树,稻田祐一. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-19.

Method of manufacturing flexible transparent electrically conductive thin film, and product thereof

Номер патента: WO2018108011A1. Автор: 王琪,张莹莹. Владелец: 清华大学. Дата публикации: 2018-06-21.

Methacrylate resin composite, method of producing the same, molding, film, laminated film, and laminated molding

Номер патента: TWI767924B. Автор: 中原淳裕,川北展史,福原直人,阿部達. Владелец: 日商可樂麗股份有限公司. Дата публикации: 2022-06-21.

Method of providing convolutable areas on thermoplastic elastomeric films, and films and film products having such areas

Номер патента: AU8845391A. Автор: Robert G. Wheeler. Владелец: Family Health International. Дата публикации: 1992-05-26.

Method of forming improved apertured films, resultant apertured films, and absorbent products incorporating resultant apertured films

Номер патента: EP0847266A1. Автор: William A. James,William G. F. Kelly,Charles James Shimalla. Владелец: McNeil PPC Inc. Дата публикации: 1998-06-17.

Method of wrapping a silicone gel with plastic films and such product

Номер патента: DE602006018294D1. Автор: Hui-Mei Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Preparation method of dyeing adhesive layer for dyeing window film and dyeing window film

Номер патента: CN112592680B. Автор: 王磊,吴迪,吴培服,池卫. Владелец: Jiangsu Shuangxing Color Plastic New Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-10.

Method of forming improved apertured films, resultant apertured films, and absorbent products incorporating resultant apertured films

Номер патента: HUP9901669A3. Автор: . Владелец: Mcneil Ppc Inc Skillman. Дата публикации: 2001-02-28.

Etching composition for titanium-containing layer, etching method of etching titanium-containing layer, and method of manufacturing semiconductor device using the etching composition

Номер патента: EP4421148A1. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Byoungki CHOI,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Minjae Sung,Gayoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

A method of laser etching a structure by first radiating areas of the structure for altering the crystallinity

Номер патента: WO2005108000A1. Автор: Curt Nelson,Greg Long. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2005-11-17.

Ink jet etching method and ink jet printing system

Номер патента: US09574301B2. Автор: Kazuhiko Kitamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Electro-etching method for an area-selective treatment of a substrate

Номер патента: EP4403676A1. Автор: Harald Okorn-Schmidt,Herbert Ötzlinger,Marianne KOLITSCH-MATALN,Manuel REICHENPFADER,Alexander PÖCHEIM. Владелец: Semsysco GmbH. Дата публикации: 2024-07-24.

Electro-etching method for an area-selective treatment of a substrate

Номер патента: WO2024153798A1. Автор: Harald Okorn-Schmidt,Herbert Ötzlinger,Marianne KOLITSCH-MATALN,Manuel REICHENPFADER,Alexander PÖCHEIM. Владелец: Semsysco GmbH. Дата публикации: 2024-07-25.

Etching method for making fluid bearings

Номер патента: US6905617B2. Автор: Hung-Kuang Hsu,Kuang-Hsien Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-06-14.

Multi-stage resin surface etching method, and plating method on resin using same

Номер патента: EP3633066A1. Автор: Hiroshi Ishizuka,Miyoko IZUMITANI,Yasuyuki Kuramochi. Владелец: JCU Corp. Дата публикации: 2020-04-08.

Etching method for making fluid bearings

Номер патента: US20040060905A1. Автор: Hung-Kuang Hsu,Kuang-Hsien Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-04-01.

Resin composition, anti-etching layer and etching method

Номер патента: US20230212414A1. Автор: Hui-Ju Chen,Yu-Ning Chen,Shao-Li Ho,Jia Jheng Lin. Владелец: Echem Solutions Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Method and device for producing oligomers and arrays of oligomers and the use ofsaid device

Номер патента: AU2156301A. Автор: Michael Hinz,Hartmut Seliger,Eberhard P. Hofer,Claus Maier,Mario Adamschik,Cornelia Egger,Eberhard Kohn. Владелец: Merckle GmbH. Дата публикации: 2001-06-06.

Etching method and method of manufacturing liquid discharge head substrate

Номер патента: US20160039206A1. Автор: Yuzuru Ishida,Takashi Usui,Toshiyasu Sakai,Hisanori Hosaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A3. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-07-20.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A2. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-05-11.

Methods, kits and arrays for screening for, predicting and identifying donors for hematopoietic cell transplantation, and predicting risk of hematopoietic cell transplant (hct) to induce graft vs. host disease (gvhd)

Номер патента: EP2633083A2. Автор: Roland Somogyi,Larry David Greller. Владелец: PBD BIODIAGNOSTICS LLC. Дата публикации: 2013-09-04.

Composite structure made of titanium and/or a titanium alloy and/or niti and a polymer, and electrochemical etching method for producing same

Номер патента: US20240208180A1. Автор: Rainer Adelung,Melike Baytekin-Gerngroß,Mark-Daniel Gerngroß,Juergen Carstensen. Владелец: Christian Albrechts Universitatet Zu Kiel. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of processing hair for wigs, method of manufacturing wig, and wig

Номер патента: EP3610751A1. Автор: In Pyo Hong. Владелец: HIMO Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Processing method of hair for wig, manufacturing method for wig and wig

Номер патента: US20200146380A1. Автор: In Pyo Hong. Владелец: HIMO Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Methods, kits and arrays for screening for, predicting and identifying donors for hematopoietic cell transplantation, and predicting risk of hematopoietic cell transplant (hct) to induce graft vs. host disease (gvhd)

Номер патента: WO2012058689A3. Автор: Roland Somogyi,Larry David Greller. Владелец: PBD BIODIAGNOSTICS, LLC. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods, kits and arrays for screening for, predicting and identifying donors for hematopoietic cell transplantation, and predicting risk of hematopoietic cell transplant (hct) to induce graft vs. host disease (gvhd)

Номер патента: WO2012058689A8. Автор: Roland Somogyi,Larry David Greller. Владелец: PBD BIODIAGNOSTICS, LLC. Дата публикации: 2012-06-21.

Method of biochemical diagnostics of microelement imbalance in agricultural ungulate animals

Номер патента: RU2542436C1. Автор: Вадим Викторович Ермаков,Сергей Федорович Тютиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Ленина и Ордена Октябрьской революции Институт геохимии и аналитической химии им. В.И. Вернадского Российской академии наук (ГЕОХИ РАН). Дата публикации: 2015-02-20.

Номер патента: SU1819160A3. Автор: Galina S Agafonova,Liliya S Khachatryan,Vadim Yu Kotlyar,Viktor M Stolyarov,Vladimir A Nikitin,Aleksandr B Kormishin,Lyudmila K Baranova. Владелец: Gnii Tsvetnykh Metallov. Дата публикации: 1993-05-30.

Method of obtaining anode aluminium oxide with highly ordered porous structure and method of forming arrays of anisotropic nanostructures on its base

Номер патента: RU2555366C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Юрий Дмитриевич Третьяков,Илья Владимирович Росляков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-07-10.

The manufacture method of a kind of array base palte, display device and array base palte

Номер патента: CN102854681B. Автор: 林允植,严允晟,崔贤植. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-09.

The preparation method of a kind of array base palte, display unit and array base palte

Номер патента: CN102983135B. Автор: 高山. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-16.

Method of forming improved apertured films, resultant apertured films, and absorbent products incorporating resultant apertured films

Номер патента: AU5500000A. Автор: Charles James Shimalla,William G.F. Kelly,Willaim A James. Владелец: McNeil PPC Inc. Дата публикации: 2000-11-16.

A method of measuring the thickness of a thin film and mapping the topography of its surface using a white light interferometer

Номер патента: RU2016118830A. Автор: Дмитрий Александрович Зимняков,Виктор Владимирович Сысоев,Илья Викторович КИСЕЛЕВ,Егор Ильич Киселев,Екатерина Владимировна Ушакова,Илья Викторович Беляев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2017-11-21.

Color resist composition, color filter film, preparation methods of color resist composition and color filter film, and OLED display devices

Номер патента: CN104808443A. Автор: 赵林玲. Владелец: Beijing Xin Yihua Science And Technology Ltd. Дата публикации: 2015-07-29.

Номер патента: RU2136792C1. Автор: Г.А. Будницкий,В.Н. Кия-Оглу,В.А. Платонов,В.И. Огнев,В.Н. Одноралова,Н.И. Горячева,Н.П. Ермолова. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт полимерных волокон с опытным заводом. Дата публикации: 1999-09-10.

Method of manufacturing biaxially oriented film, biaxially oriented film, and liquid crystal display device equipped with biaxially oriented film

Номер патента: JP2012081676A. Автор: Hideki Hayashi,秀樹林,Hideo Kuroiwa,秀夫黒岩,Akihiko Nakatani,昭彦中谷,Naoki Arikawa,直樹有川. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-26.

Method of forming improved apertured films, resultant apertured films, and absorbent products incorporating resultant apertured films

Номер патента: AU9512201A. Автор: William A. James,Charles Shimalla,William G. Kelly. Владелец: McNeil PPC Inc. Дата публикации: 2002-01-17.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2460619C2. Автор: Сергей Георгиевич Горный,Дмитрий Викторович Соколов,Михаил Иванович Патров,Константин Владимирович Юдин,Александр Геннадьевич Валиулин,Сергей Евгеньевич Попков,Юрий Борисович Гречко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лазерный Центр". Дата публикации: 2012-09-10.

Номер патента: RU2504861C1. Автор: Александр Александрович Орликовский,Владимир Владимирович Вьюрков,Анатолий Дмитриевич Кривоспицкий,Владимир Федорович Лукичев,Алексей Александрович Окшин,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук. Дата публикации: 2014-01-20.

Semiconductor chemical etching method

Номер патента: RU2524137C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Суйкум Алиевна Шангереева. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-07-27.

Method of identifying the pattern of ion-implant component on die substrate

Номер патента: MY138318A. Автор: Kuan Siew Hor,Darakorn Sae Le Le Su Chin,Ho Le Ngoh. Владелец: Mini Circuits Technologies Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2009-05-29.

Deep-etching method

Номер патента: RU2464646C2. Автор: Виктор Эдуардович Гюнтер,Раис Габбасович Хафизов,Фаниля Асгатовна Хафизова,Руслан Марсельевич Миргазизов,Марсель Закиевич Миргазизов,Фарид Амирович Хайруллин,Дмитрий Эдуардович Цыплаков,Айгуль Корбановна Козлова. Владелец: Марсель Закиевич Миргазизов. Дата публикации: 2012-10-20.

Material etching method

Номер патента: RU2299934C2. Автор: Василий Васильевич Остапенко,лик Гаррий Абрамович Б,Гаррий Абрамович Бялик,Олег Николаевич Ткач. Владелец: Гаррий Абрамович Бялик. Дата публикации: 2007-05-27.

ETCHING METHOD OF COPPER-MOLYBDENUM FILM AND ARRAY SUBSTRATE

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты