Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Self-aligned borderless contacts for high density electronic and memory device integration

Self-aligned borderless contacts for high density electronic and memory device integration

Номер патента: WO2010020578A1
Опубликовано: 25-02-2010
Автор(ы): Isaac Lauer, Josephine Chang, Katherina Babich, Michael Guillorn, Michael Rooks, Nicholas Fuller
Принадлежит: Ibm United Kingdom Limited, INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Self-aligned borderless contacts for high density electronic and memory device integration

Номер патента: WO2010020578A4. Автор: Isaac Lauer,Michael Guillorn,Katherina Babich,Josephine Chang,Nicholas Fuller,Michael Rooks. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-04-15.

Self-aligned borderless contacts for high density electronic and memory device integration

Номер патента: US20100038723A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Nicholas C. Fuller,Michael J. Rooks,Katherina E. Babich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-02-18.

Method of increasing oxide/oxynitride etching selectivity ratio in fabrication of self-aligned borderless contact

Номер патента: US20020039842A1. Автор: Pei-Humg Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Self-aligned borderless contacts

Номер патента: US6809027B2. Автор: David M. Dobuzinsky,Hiroyuki Akatsu,Jay W. Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-10-26.

SELF-ALIGNED BORDERLESS CONTACTS USING A PHOTO-PATTERNABLE DIELECTRIC MATERIAL AS A REPLACEMENT CONTACT

Номер патента: US20140312395A1. Автор: Lauer Isaac,Chu Jack O.,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-23.

Self-aligned borderless contacts using a photo-patternable dielectric material as a replacement contact

Номер патента: US20140312397A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Self-aligned borderless contacts and local interconnections manufacture

Номер патента: NL1008773C2. Автор: Shih-Wei Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-04.

Silicon-on-insulator transistor with self-aligned borderless source/drain contacts

Номер патента: US09368590B2. Автор: David V. Horak,Charles W. Koburger,Balasubramanian S. Haran,Susan S. FAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Method for fabricating silicon-on-insulator transistor with self-aligned borderless source/drain contacts

Номер патента: US20130178052A1. Автор: David V. Horak,Balasubramanian S. Haran,Susan S. FAN,II Charles W. KOBURGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

SOC PMUT suitable for high-density system integration, array chip, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12060264B2. Автор: HUI Li,Feng Yin. Владелец: Nanjing Shengxi Xinying Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of making 3d circuits with integrated stacked 3d metal lines for high density circuits

Номер патента: WO2021113030A1. Автор: H. Jim Fulford,Anton Devilliers,Mark Gardner. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of making 3d circuits with integrated stacked 3d metal lines for high density circuits

Номер патента: US20210166975A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Anton Devilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Ferroelectric memory device integrated with a transition electrode

Номер патента: US11854593B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Ferroelectric memory device integrated with a transition electrode

Номер патента: US20230073071A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Microelectronic devices and memory devices including conductive levels having varying compositions

Номер патента: US20230154856A1. Автор: Rita J. Klein,Yiping Wang,John D. Hopkins,Yongjun J. Hu,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer,Rajesh Balachandran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Three-dimensional memory device and method of making thereof using double pitch word line formation

Номер патента: US20220406794A1. Автор: Naoki Takeguchi,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Three-dimensional memory device including an inter-tier etch stop layer and method of making the same

Номер патента: US20210305266A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Senaka Kanakamedala,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-30.

Three-dimensional memory device having a multilevel drain select gate electrode and method of making thereof

Номер патента: US09972641B1. Автор: Jin Liu,Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of fabricating pedestal based memory devices using pocket integration

Номер патента: US12142310B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Planar and trench capacitors with hydrogen barrier dielectric for logic and memory applications and methods of fabrication

Номер патента: US12029043B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Pratyush Pandey,Somilkumar J. Rathi,Jason Y. Wu. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Microelectronic devices and memory devices

Номер патента: US12150289B2. Автор: Sangmin Hwang,Si-Woo Lee,Kyuseok Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Process for high density VLSI circuits, having self-aligned gates and contacts for FET devices and conducting lines

Номер патента: US4587711A. Автор: Gordon C. Godejahn, Jr.. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1986-05-13.

3d high density devices integrated with source and drain rails

Номер патента: US20240071871A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Borderless Contacts For Semiconductor Devices

Номер патента: US20120322251A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-20.

Three-dimensional memory device containing integrated contact-and-support assemblies and methods of making the same

Номер патента: WO2024137025A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Tomohiro Kubo,Masato Miyamoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device with contact via structures located over support pillar structures and method of making thereof

Номер патента: WO2023163732A1. Автор: Xiang Yin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Apparatuses and memory devices including conductive lines and interconnect structures

Номер патента: US20240266214A1. Автор: Suresh Ramarajan,Michael J. Irwin,Xiaosong Zhang,Robert J. Hanson,Yongjun J. Hu,David A. Kewley,Daniel Billingsley,Biow Hiem Ong,Keen Wah CHOW,Md Zahid Hossain. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

High density dual encapsulation materials for capacitors and methods of fabrication

Номер патента: US11839070B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Methods of forming microelectronic devices and memory devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220059559A1. Автор: Emilio Camerlenghi,Paolo Tessariol,Umberto Maria Meotto,Luca Laurin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US6153510A. Автор: Yutaka Ishibashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Methods of forming microelectronic devices and memory devices

Номер патента: US11825658B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Vertical memory devices, memory arrays, and memory devices

Номер патента: US09559201B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

High sheet resistance structure for high density integrated circuits

Номер патента: CA1102011A. Автор: Augustine W. Chang,Narasipur G. Anantha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-05-26.

Three-dimensional memory device with on-axis self-aligned drain-select-level isolation structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2020185267A1. Автор: Johann Alsmeier,Tae-Kyung Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for fabrication of high density logic and memory for advanced circuit architecture

Номер патента: WO2021055098A1. Автор: Jeffrey Smith,Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09397108B2. Автор: Sang Hyun Oh,Byung Soo Park,Sun Mi Park,Seo Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for fabrication of high density logic and memory for advanced circuit architecture

Номер патента: US20210082901A1. Автор: Jeffrey Smith,Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: EP3195349A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

High density packaging of electronic components

Номер патента: WO2002080309A1. Автор: Edwin George Watson. Владелец: L-3 Communications Corporation. Дата публикации: 2002-10-10.

High-density electronic processing package--structure and fabrication

Номер патента: US4646128A. Автор: John C. Carson,Stewart A. Clark. Владелец: Irvine Sensors Corp. Дата публикации: 1987-02-24.

High density electronic circuit and process for making

Номер патента: US5918153A. Автор: William P. Morgan. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 1999-06-29.

SILICON-ON-INSULATOR TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BORDERLESS SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20140061799A1. Автор: Horak David V.,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,FAN Susan S.,Koburger Charles W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

High density low power nanowire phase change material memory device

Номер патента: US20120225527A1. Автор: Lia Krusin-Elbaum,Robert L. Sandstrom,Dennis M. Newns,Bruce G. Elmegreen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

Integration of high density cross-point memory and cmos logic for high density low latency envm and edram applications

Номер патента: US20200357782A1. Автор: Yih Wang,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Three-dimensional memory device and method of making thereof including expanded support openings and double spacer word line contact formation

Номер патента: US20240251551A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Seyyed Ehsan Esfahani Rashidi,Ruogu Matthew ZHU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional memory device including coaxial double contact via structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240381644A1. Автор: Ryo MIZUTSU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-11-14.

Heterojunction switching and memory device

Номер патента: UST934008I4. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1975-05-06.

Logic cell layout design for high density transistors

Номер патента: US12046651B2. Автор: Jia ZENG,Motoi Ichihashi,Elizabeth Strehlow,Xuelian ZHU,James P. Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

High density pick and sequential place transfer process and tool

Номер патента: US12057331B2. Автор: Dariusz Golda,Hyeun-Su Kim,Chae Hyuck Ahn,Kevin T. Huang,Eric B. Newton. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09666592B2. Автор: Ji Young Kim,Joon Hee Lee,Tae Hwan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor devices, fabrication methods thereof, 3d memories and memory devices

Номер патента: US20240292625A1. Автор: LAN Yao,Jie Yan,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of forming spacer patterns using assist layer for high density semiconductor devices

Номер патента: WO2008089153A3. Автор: Tuan Duc Pham,James Kai,Takashi Orimoto,Masaaki Higashitani,George Metamis. Владелец: George Metamis. Дата публикации: 2008-09-12.

Memory device and method for making same

Номер патента: US12144182B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

High Density Pick and Sequential Place Transfer Process and Tool

Номер патента: US20220013379A1. Автор: Antoine Manens,Dariusz Golda,Hyeun-Su Kim. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

High density pick and sequential place transfer process and tool

Номер патента: US20220013380A1. Автор: Dariusz Golda,Hyeun-Su Kim,Chae Hyuck Ahn,Kevin T. Huang,Eric B. Newton. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230065769A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240282770A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

High density pick and sequential place transfer process and tool

Номер патента: US11948815B2. Автор: Antoine Manens,Dariusz Golda,Hyeun-Su Kim. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

High Density 3 Dimensional Gate All Around Memory

Номер патента: US20220328500A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Material deposition systems, and related methods, microelectronic devices, and memory devices

Номер патента: US20210175072A1. Автор: Richard L. Elliott,Christopher W. Petz,Clement Jacob. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Anisotropic and selective nitride etch process for high aspect ratio features in high density plasma

Номер патента: US6051504A. Автор: Michael David Armacost,Richard Stephen Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Batch assembly of high density hermetic packages for power semiconductor chips

Номер патента: CA2080690A1. Автор: Constantine Alois Neugebauer,Victor Albert Keith Temple. Владелец: Victor Albert Keith Temple. Дата публикации: 1992-08-29.

Highly integrated power electronics and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240290632A1. Автор: FENG Zhou,Ercan Mehmet DEDE,Tianzhu Fan. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US20240355641A1. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Shuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US12062551B2. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Process for using a removeable plating bus layer for high density substrates

Номер патента: US5981311A. Автор: Chok J. Chia,Patrick Variot,Seng Sooi Lim. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-11-09.

High density substrate routing in package

Номер патента: US12051667B2. Автор: Chia-Pin Chiu,Weng Hong Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

High density substrate routing in BBUL package

Номер патента: US09929119B2. Автор: Chia-Pin Chiu,Weng Hong Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

High density substrate routing in BBUL package

Номер патента: US09437569B2. Автор: Chia-Pin Chiu,Weng Hong Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method for multilayer high density substrate

Номер патента: US20020072216A1. Автор: Hui Chen,Chung Chang,Hsuan Chang,Wen Shieh,Ning Huang,Hua-Wen Chiang,Chia-Chieh Hu,Feng Tu,Fu Huang,Yung-Cheng Chuang. Владелец: Orient Semiconductor Electronics Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

Selector material, selector unit and preparation method thereof, and memory structure

Номер патента: US20230276638A1. Автор: Min Zhu,Zhitang Song,Jiabin Shen,Shujing JIA. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2023-08-31.

Substrate structure with high-density wiring and manufacturing method thereof

Номер патента: US11024573B2. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-01.

Substrate structure with high-density wiring and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200227346A1. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-16.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US20220059367A1. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US20230223278A1. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Shuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US10685850B2. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US11631595B2. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

High density electronic circuit modules

Номер патента: US5376561A. Автор: Duv-Pach Vu,Brenda Dingle,Ngwe Cheong. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 1994-12-27.

Connection patterns for high-density device packaging

Номер патента: US09824978B2. Автор: Arun Ramakrishnan. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Component assemblies and embedding for high density electronics

Номер патента: US11744018B2. Автор: John Bultitude,Peter Alexandre BLAIS,James A. Burk,Galen W. Miller,Hunter HAYES,Allen TEMPLETON,Lonnie G. Jones,Mark R. LAPS. Владелец: Kemet Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Component assemblies and embedding for high density electronics

Номер патента: WO2021146270A3. Автор: John Bultitude,Peter Alexandre BLAIS,James A. Burk,Galen W. Miller,Hunter HAYES,Allen TEMPLETON,Lonnie G. Jones,Mark R. LAPS. Владелец: KEMET ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2021-09-23.

Method and apparatus for superior step coverage and interface control for high k dielectric capacitors and related electrodes

Номер патента: EP1101249A1. Автор: Charles Dornfest,John Egermeier,Nitin Khurana. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-05-23.

High density vertical structure nitride flash memory

Номер патента: WO2009102458A1. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Gumbo Logic, Inc.. Дата публикации: 2009-08-20.

High Density Vertical Structure Nitride Flash Memory

Номер патента: US20140219030A1. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoko Iwasaki. Владелец: Halo LSI Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Asymmetric gates for high density DRAM

Номер патента: US20020192912A1. Автор: Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni,Mary Weybright,Wayne Ellis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Asymmetric gates for high density DRAM

Номер патента: US6670667B2. Автор: Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni,Mary Weybright,Wayne Ellis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-12-30.

Intra-module spare routing for high density electronic packages

Номер патента: US5414637A. Автор: Claude L. Bertin,Christopher P. Miller,David J. Perlman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Manufacturing sequences for high density interconnect printed circuit boards and a high density interconnect printed circuit board

Номер патента: US12063751B2. Автор: Sven Lamprecht,Kai-Jens Matejat,Akif ÖZKÖK,Mustafa Özkök,Bert Reents,Markus Youkhanis,Marko MIRKOVIC,Horst Brüggmann. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-13.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Vertical BJT for high density memory

Номер патента: US09991368B2. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of operating nonvolatile memory devices, and memory systems including nonvolatile memory devices

Номер патента: US09852795B2. Автор: Dong-ku Kang,Joon-Suc JANG,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical BJT for high density memory

Номер патента: US09543404B2. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240260274A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: EP4407658A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Three-dimensional memory device having a shielding layer and method for forming the same

Номер патента: US11758729B2. Автор: Zhiliang Xia,Jun Chen,Zongliang Huo,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Stacked memory devices, and memory packages and memory systems having the same

Номер патента: US09747959B2. Автор: Seong-Min Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US09412456B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

High density semiconductor device including integrated controller, logic circuit and memory dies

Номер патента: US20240096850A1. Автор: Srinivasan Sivaram,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240260282A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240251572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Variable capacitor and memory device employing the same

Номер патента: US20020041513A1. Автор: Chul-Woo Lee,Seung-tae Jung,Hee-wan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-11.

Packaged integrated device with memory buffer integrated circuit die and memory devices on module substrate

Номер патента: US12087681B2. Автор: Ming Li,Shahram Nikoukary,Jonghyun CHO,Nitin Juneja. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory devices and memory device forming methods

Номер патента: US09831287B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory apparatus and memory device

Номер патента: US09767874B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Horizontal magnetic memory device using in-plane current and electric field

Номер патента: US09647030B2. Автор: Kyung-Jin Lee,Seo-Won Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-05-09.

Apparatus and methods for high-density chip connectivity

Номер патента: US09472529B2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Terapede Systems Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory apparatus and memory device

Номер патента: US09424903B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: US20130009208A1. Автор: Chandra Mouli,Suraj J Mathew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A2. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

Integrated planar transistors and memory cell array architectures

Номер патента: US20230197571A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Three-dimensional memory device including capped molybdenum word lines and method of making the same

Номер патента: US20230420370A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated thin film resistor and memory device

Номер патента: US11742283B2. Автор: Kah Wee Gan,Yun Ling Tan,Benfu Lin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Systems, devices, and methods for high-density power converters

Номер патента: WO2023064672A2. Автор: David Giuliano,Sebastien Kouassi. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-04-20.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167130A1. Автор: Seulji SONG,Kyusul PARK,Woohyun Park,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Resistance memory device and memory apparatus and data processing system

Номер патента: US9214223B2. Автор: Hyung Dong Lee,Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-15.

Three dimensional memory device and method of making thereof by forming channel and memory film after word line replacement

Номер патента: US12101936B2. Автор: Akio Nishida,Yusuke Mukae,Masanori Tsutsumi,Ramy Nashed Bassely SAID,Tatsuya Hinoue,Ryousuke ITOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Socket design for a memory device

Номер патента: US20240347107A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Amitava Majumdar,Radhakrishna Kotti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional memory device containing memory openings arranged in non-equilateral triangular layout and method of making thereof

Номер патента: US20240332177A1. Автор: Fei Zhou,Ryo Nakamura,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

On-die heater devices for memory devices and memory modules

Номер патента: US12073908B2. Автор: William A. Lendvay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device including transistor with back gate, and memory device including the semiconductor device

Номер патента: US09990997B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile memory device, operating method thereof and memory system including the same

Номер патента: US09947416B2. Автор: Jae-Woo Park,Chi Weon Yoon,Sang-Wan Nam,Donghyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device having cell over periphery structure and memory package including the same

Номер патента: US09865541B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Chang-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Resistive memory device

Номер патента: US09728721B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Vertical-type non-volatile memory devices having dummy channel holes

Номер патента: US09406692B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US09378813B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Connection Patterns for High-Density Device Packaging

Номер патента: US20170033054A1. Автор: Arun Ramakrishnan. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form, functional device using said single crystal material, and method for their preparation

Номер патента: US20050217563A1. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2005-10-06.

Single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form, functional device using said single crystal material, and method for their preparation

Номер патента: US7374613B2. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2008-05-20.

Semiconductor memory devices and memory systems with enhanced error detection and correction

Номер патента: US20210191810A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Chanki Kim,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory material and memory device applying the same

Номер патента: US20220045128A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Huai-Yu Cheng,I-Ting KUO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A3. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

Three-dimensional memory device containing epitaxial ferroelectric memory elements and methods for forming the same

Номер патента: US20210036018A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory device having a diagonally opposite gate pair per memory cell

Номер патента: US12004338B2. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Vertical memory cells and memory devices using the same

Номер патента: US20200020377A1. Автор: Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240268133A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Tubular heat spreaders for memory modules and memory modules incorporating the same

Номер патента: US20210037679A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory element and memory device

Номер патента: US20140021434A1. Автор: Naomi Yamada,Akira Kouchiyama,Shuichiro Yasuda,Masayuki Shimuta,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Memory device having a diagonally opposite gate pair per memory cell

Номер патента: US20240324175A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory devices with dual encapsulation layers and methods of fabrication

Номер патента: US12108608B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debraj Guhabiswas. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09812507B2. Автор: Takeshi Takagi,Masanori Komura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US12150305B2. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

High density selector-based non volatile memory cell and fabrication

Номер патента: US09698201B2. Автор: Sung Hyun Jo,Harry Yue Gee,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory device, memory cell and memory cell layout

Номер патента: US09620594B2. Автор: Hau-yan Lu,Shih-Hsien Chen,Chun-Yao Ko,Liang-Tai Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Packaged semiconductor device for high performance memory and logic

Номер патента: US09466561B2. Автор: Ming Li. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-10-11.

High density electronics package having stacked circuit boards

Номер патента: CA2101140C. Автор: Steven R. Goss,Owen H. Taggart. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1997-01-07.

High-density electronic package, and method for making same

Номер патента: EP1194955A1. Автор: Kevin Kwong-Tai Chung. Владелец: Amerasia International Technology Inc. Дата публикации: 2002-04-10.

High-density electronic package, and method for making same

Номер патента: WO2000070676A9. Автор: Kevin Kwong-Tai Chung. Владелец: Amerasia Int Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230019156A1. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230020056A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Low cost high density rectifier matrix memory

Номер патента: US20060013029A1. Автор: Daniel Shepard. Владелец: Contour Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Memory device assembly with a leaker device

Номер патента: US20240049473A1. Автор: Ashonita A. Chavan,Aditi P. Kulkarni,Aysha Siddique SHANTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230059590A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of forming a memory device structure and memory device structure

Номер патента: US20170117322A1. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Yu-Teh Chiang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263277A1. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

High density semiconductor memory devices

Номер патента: US20130141965A1. Автор: Youngmin KANG,Jaekyu Lee,Hyunju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Stacked capacitor, method for making the same and memory device

Номер патента: US20240306363A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

High density metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: WO2022086635A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Jun Yuan,Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-28.

High density metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: EP4229677A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Jun Yuan,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Memory and fabrication method thereof and memory system

Номер патента: US20240347452A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device having vertical structure and memory system including the same

Номер патента: US09941009B2. Автор: Sang-Won Shim,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Preparation method for high-voltage LED device integrated with pattern array

Номер патента: US09859331B2. Автор: Shihui Song,Hongyue ZHAO,Zhijiang SUN. Владелец: Haidike Suzhou Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Resistive random access memory device embedding tunnel insulating layer and memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09799706B2. Автор: Sungjun Kim,Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2017-10-24.

Variable resistance memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09768232B2. Автор: Sung-Ho Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09685607B2. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of forming a memory device structure and memory device structure

Номер патента: US09614003B1. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Yu-Teh Chiang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and memory device

Номер патента: US09305900B2. Автор: Masaji Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

High density electronic package

Номер патента: EP1153433A1. Автор: Joel A. Gerber,Robert L. D. Zenner,Kevin Yu Chen. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2001-11-14.

Three-dimensional memory device and method of making thereof including expanded support openings and double spacer word line contact formation

Номер патента: US20240250023A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Seyyed Ehsan Esfahani Rashidi,Ruogu Matthew ZHU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

High density magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20240065108A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Non-volatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240324233A1. Автор: Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory device and memory system including the same

Номер патента: EP4436332A1. Автор: Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Microelectronic devices and memory devices

Номер патента: US20240349498A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Stack semiconductor device and memory device with driving circuits connected to through-silicon-vias (TSV) in different substrates in a staggered manner

Номер патента: US09941247B2. Автор: Ho-young Song,Sang-Hoon Shin,Hae-Suk LEE,Kyo-Min Sohn,Han-Vit JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

High density memory modules

Номер патента: US09865310B2. Автор: Prashant Joshi,Patrick Weber,Allan CANTLE,Mark GILLIAM. Владелец: Interconnect Systems Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing a multiple fin-shaped capacitor for high density DRAMs

Номер патента: US6114201A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Three-dimensional memory device containing low resistance source-level contact and method of making thereof

Номер патента: US20210408031A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Thermo-controllable high-density chips for multiplex analyses

Номер патента: US09909171B2. Автор: VICTOR Joseph,Jie Zhou,Amjad Huda,Alnoor Shivji. Владелец: Takara Bio Usa Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory devices having data lines included in top and bottom conductive lines

Номер патента: US09437253B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method and apparatus for high density sixteen and thirty-two megabyte single in-line memory module

Номер патента: US5504700A. Автор: Stephen Berry,Mark Insley,Jay C. Robinson. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1996-04-02.

Branched proximal connectors for high density neural interfaces

Номер патента: US11395923B2. Автор: Kedar Shah,Bo Lu. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2022-07-26.

Process for high density flash EPROM cell

Номер патента: US5460988A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-10-24.

System and method for cryogenic hybrid technology computing and memory

Номер патента: US10950299B1. Автор: Alan M. Kadin,Alexander F. Kirichenko,Oleg A. Mukhanov,Igor V. Vernik,Ivan P. Nevirkovets. Владелец: SeeQC Inc. Дата публикации: 2021-03-16.

Dielectric for high density substrate interconnects

Номер патента: WO2018208317A1. Автор: Robert A. May,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta,Andrew J. Brown. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-11-15.

High density ferroelectric random access memory (FeRAM) devices and methods of fabrication

Номер патента: US11832451B1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Amrita MATHURIYA,Jason Y. Wu,Gabriel Antonio Paulius Velarde,Debraj Guhabiswas,Maria Isabel Perez,James David Clarkson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Dielectric for high density substrate interconnects

Номер патента: US20200118917A1. Автор: Robert A. May,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta,Andrew J. Brown. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20210225828A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems, devices, and methods for high-density power converters

Номер патента: WO2023064672A3. Автор: David Giuliano,Sebastien Kouassi. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-07-06.

Cross couple design for high density standard cells

Номер патента: US20230395675A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Neha Nayyar,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Collin A. Tranter. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

High density memory device

Номер патента: US20120300534A1. Автор: Keith A. Jenkins,Tymon Barwicz,Supratik Guha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Bonding quality test method, bonding quality test circuit, and memory device including bonding quality test circuit

Номер патента: US20240255564A1. Автор: Sangsu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing memory and memory

Номер патента: US20220093606A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Magnetic structures, methods of forming the same and memory devices including a magnetic structure

Номер патента: US09634238B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kwang-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory devices, memory device constructions, constructions, memory device forming methods, current conducting devices, and memory cell programming methods

Номер патента: WO2009142884A3. Автор: Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-02-18.

Reading and writing method of memory device and memory device

Номер патента: US11862229B2. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Mim efuse memory devices and memory array

Номер патента: US20230371247A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

High density nand non-volatile memory device

Номер патента: EP1908108A2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-09.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US20230413583A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Concurrent testing of a logic device and a memory device within a system package

Номер патента: US20210057036A1. Автор: Kelly YANG,Lianrui Zhang,Amanulla Khan,Himakiran Kodihalli,Thenappan Nachiappan,Sreekar Sreesailam. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory device, memory device controlling method, and memory device manufacturing method

Номер патента: US20230004310A1. Автор: Atsushi Kondo,Ryo YONEZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

High density nand non-volatile memory device

Номер патента: WO2007011582A3. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Arup Bhattacharyya. Дата публикации: 2007-04-26.

Confined lateral switching cell for high density scaling

Номер патента: US20190131525A1. Автор: Takashi Ando,Robert Bruce,John Rozen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

High density nand non-volatile memory device

Номер патента: WO2007011582A2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-01-25.

Embedded BEOL Memory Device with Top Electrode Pillar

Номер патента: US20210234095A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Shyng-Tsong Chen,Theodorus E. Standaert,Dexin Kong,Youngseok Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Integrated multi-channel analog front end and digitizer for high speed imaging applications

Номер патента: EP2810244A1. Автор: Henrik Nielsen,Kurt Lehman,David L. Brown,Venkatraman Iyer,Guowu Zheng,Lance Glasser,Mansour Kermat,Alex Chuang,Kenneth Hatch. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2014-12-10.

Ultra-high density single-walled carbon nanotube horizontal array and its controllable preparation method

Номер патента: US20170247256A1. Автор: JIN Zhang,Yue Hu,Shuchen ZHANG,Lixing KANG,Qiuchen ZHAO. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-31.

High Density IC Capacitor Structure

Номер патента: US20210020736A1. Автор: Abhijeet Paul. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Spin-orbit torque memory devices

Номер патента: US20240324468A1. Автор: Ching-Tzu Chen,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Spin-orbit torque memory devices

Номер патента: WO2024194696A1. Автор: Henry Utomo,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: EP4141872A1. Автор: Sungyong Cho,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor memory device and memory module using the same

Номер патента: US5818792A. Автор: Toshio Sasaki,Shigeru Suzuki,Kiyoshi Inoue,Masakazu Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Masashi Horiguchi,Toshio Sugano,Seiichiro Tsukui. Владелец: Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US11955159B2. Автор: Sungyong Cho,Kiheung KIM,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory device including processing circuit, and electronic device including system on chip and memory device

Номер патента: US20240086345A1. Автор: Nam Sung Kim,Jaeyoun Youn,Sang-Hyuk Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20190287622A1. Автор: Tatsuo Izumi,Kazuharu YAMABE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory device including processing circuit, and electronic device including system on chip and memory device

Номер патента: US20210157751A1. Автор: Nam Sung Kim,Jaeyoun Youn,Sang-Hyuk Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory device including processing circuit, and electronic device including system on chip and memory device

Номер патента: US11860803B2. Автор: Nam Sung Kim,Jaeyoun Youn,Sang-Hyuk Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Three-dimensional memory device including bottle-shaped memory stack structures and methods of making the same

Номер патента: WO2020060594A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Zhixin Cui,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-03-26.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US8902651B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Memory modules and memory packages including graphene layers for thermal management

Номер патента: US20210036125A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Interconnect structures for logic and memory devices and methods of fabrication

Номер патента: US20200303623A1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher WIEGAND,Gokul Malyavanatham. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor packages with chiplets coupled to a memory device

Номер патента: US20200105718A1. Автор: Andrew Collins,Jianyong Xie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Resistive memory device

Номер патента: US20200066796A1. Автор: Jin-chan YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Rechargeable sodium cells for high energy density battery use

Номер патента: RU2742351C2. Автор: Дэвид П. БРАУН,Андраш КОВАЧ,Тапани Аласаарела,Дебора РУИС-МАРТИНЕС,Роберто ГОМЕС-ТОРРЕГРОСА. Владелец: Бродбит Баттериз Ой. Дата публикации: 2021-02-05.

High density card edge connector with hybrid interface

Номер патента: US20240322465A1. Автор: Peng Huang,Chao ZOU,Zhineng Fan,Luyun Yi. Владелец: Amphenol Commercial Products Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

High density, high speed, high performance card edge connector

Номер патента: US20240275089A1. Автор: Xiaodong Hu,Kui YANG. Владелец: Amphenol Commercial Products Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device with modular design and memory system comprising the same

Номер патента: US12080369B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Connectors for high density neural interfaces

Номер патента: US20240342493A1. Автор: Bo Lu,Benjamin K Yaffe. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory card and memory card socket

Номер патента: US20200022273A1. Автор: Seok-Jae Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

High density laser optics

Номер патента: US20140376580A1. Автор: David A. Fattal,Wayne V. Sorin,Michael Renne Ty Tan,Sagi Varghese Mathai. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-12-25.

Connectors for high density neural interfaces

Номер патента: US12053636B2. Автор: Benjamin K. Yaffe,Bo Lu. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Apparatus and method for high density detachable electrical interface

Номер патента: WO2021101749A1. Автор: Susant Patra. Владелец: Lawrence Livermore National Security, LLC. Дата публикации: 2021-05-27.

Apparatus and method for high density detachable electrical interface

Номер патента: US11742605B2. Автор: Susant Patra. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2023-08-29.

Pluggable lga socket for high density interconnects

Номер патента: US20160118760A1. Автор: Hilton T. Toy,Benjamin Vito Fasano,Paul Francis Fortier,Alan F. Benner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Large scale stable field emitter for high current applications

Номер патента: US20240266136A1. Автор: Anthony SKEATS,Robert C. SHEEHY,Brian Gonzales,Peter YARON,Steven TREWARTHA,Susanne SAHLOS,Gandalf DU PREEZ. Владелец: Micro X Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Connector apparatus for high density coaxial cables

Номер патента: CA1300700C. Автор: Kouji Ishikawa,Jerzy R. Sochor,Kyoichiro Kawano,Teruo Murase,C. Timothy Norman. Владелец: Amdahl Corp. Дата публикации: 1992-05-12.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12052930B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20240334840A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Connector for high amperage applications

Номер патента: US3732530A. Автор: R Linn,G Shea. Владелец: UNDERWRITERS SAFETY DEVICE Co. Дата публикации: 1973-05-08.

High-density edge connector

Номер патента: US11870171B2. Автор: Qian Feng,Rongzhe Guo,Tao Zeng. Владелец: Amphenol Commercial Products Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Slot and memory module for a slot standing interconnect

Номер патента: WO2013033698A3. Автор: Darryl J. McKenney,Michael Gust,Daniel TOOHEY,Stephen MARIANI,Absu METHRATTA,Timothy FLEURY,Steven IMPERALLI. Владелец: MERCURY COMPUTER SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Slot and memory module for a slot standing interconnect

Номер патента: CA2847400C. Автор: Darryl J. McKenney,Michael Gust,Daniel TOOHEY,Stephen MARIANI,Absu METHRATTA,Timothy FLEURY,Steven IMPERALLI. Владелец: MERCURY COMPUTER SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2020-07-14.

Slot and memory module for a slot standing interconnect

Номер патента: WO2013033698A2. Автор: Darryl J. McKenney,Michael Gust,Daniel TOOHEY,Stephen MARIANI,Absu METHRATTA,Timothy FLEURY,Steven IMPERALLI. Владелец: MERCURY COMPUTER SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Slot and memory module for a slot standing interconnect

Номер патента: EP2751641A2. Автор: Darryl J. McKenney,Michael Gust,Daniel TOOHEY,Stephen MARIANI,Absu METHRATTA,Timothy FLEURY,Steven IMPERALLI. Владелец: MERCURY COMPUTER SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Monolithic high density arrays of independently addressable semiconductor laser sources

Номер патента: US4870652A. Автор: Robert L. Thornton. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Connectors for high density neural interfaces

Номер патента: WO2020219295A1. Автор: Benjamin K. Yaffe,Bo Lu. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

System for high density testing of batteries within an environmental test chamber

Номер патента: US11802914B1. Автор: Beran Peter,Brockton Kenyon. Владелец: Associated Environmental Systems Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

High density laser optics

Номер патента: EP2805391A1. Автор: David A. Fattal,Sagi V. Mathai,Wayne V. Sorin,Michael Renne Ty Tan. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-11-26.

Formation of slurry for high loading sulfur cathodes

Номер патента: US20170194636A1. Автор: Naoki Osada,John Muldoon,Claudiu B. Bucur. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Preparation method for high density aluminum doped cobalt oxide

Номер патента: US12006228B2. Автор: Chao Wang,Kaihua Xu,Zhenkang JIANG,Aiqing Zhang,Bingzhong Li,Dongwei Xu. Владелец: Gem Jiangsu Cobalt Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

High density electronic connector and method of assembly

Номер патента: US5410807A. Автор: Arthur Bross,Thomas J. Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-05-02.

Method and apparatus for high density wire harness manufacture

Номер патента: CA1246329A. Автор: Steven J. Young. Владелец: Unimation Inc. Дата публикации: 1988-12-13.

Adapter for high density connectors

Номер патента: US3865454A. Автор: Marvin Blinder. Владелец: Loral Corp. Дата публикации: 1975-02-11.

Close-range communication systems for high-density wireless networks

Номер патента: US20220238999A1. Автор: Zhuohui Zhang,Kiran Uln,Matteo Bassi,Daniel Oloumi. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Sputtering target and method of manufacturing the same, and memory device manufacturing method

Номер патента: US20220162742A1. Автор: Kazuhiro Ohba,Katsuhisa Aratani,Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Ionization gauge for high pressure operation

Номер патента: EP2800960A1. Автор: Gerardo A. Brucker. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2014-11-12.

Ionization gauge for high pressure operation

Номер патента: US20170146420A1. Автор: Gerardo A. Brucker. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Microporous high density polyethylene film and method of producing the same

Номер патента: EP1765920A4. Автор: Byoung Cheon Jo,Young Keun Lee,Jang Weon Rhee,Jung Moon Sung,In Hwa Jung,Chol Ho Lee,Won Young Cho,Byung Rae Jung. Владелец: SK Corp. Дата публикации: 2007-06-20.

Connector for high-speed transmission

Номер патента: US20230134664A1. Автор: Toshiyasu Ito,Yosuke Takai,Hayane SUZUKI. Владелец: Yamaichi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Ionization gauge for high pressure operation

Номер патента: US09952113B2. Автор: Gerardo A. Brucker. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Ionization gauge for high pressure operation

Номер патента: US09593996B2. Автор: Gerardo A. Brucker. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

High-density polyethylene compositions, preparation methods thereof, articles made therefrom, and method of making said articles

Номер патента: RU2444545C2. Автор: Дейл М. ЭЛЛИ-БРИСТОУ,Уилльям Дж. МИЧИ,Стефани М. УАЙТЕД,Томас В. КЕЙ,Дэвид Т. ГИЛЛЕСПИ,Лонни Дж. ХЭЗЛИТТ. Владелец: ДАУ ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-03-10.

High-density polyethylene compositions, method of making the same, injection molded articles made therefrom, and method of making such articles

Номер патента: CA2656845C. Автор: Stephanie M. Whited,William J. Michie, Jr.,Dale M. Elley-Bristow,Nathan J. Wiker. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2015-09-22.

Filtrate media for high- tension molding

Номер патента: WO2009002024A3. Автор: Dong-Gul Lee,Dong-Hyeop Lee. Владелец: Dong-Hyeop Lee. Дата публикации: 2009-03-05.

Low profile, high density memory system

Номер патента: WO2002017328A1. Автор: Zhineng Fan,Che-Yu Li,Ai D. Le. Владелец: High Connection Density, Inc.. Дата публикации: 2002-02-28.

A hybrid relay for high density venues

Номер патента: EP4029350A1. Автор: Vishal Satyendra Desai,Jerome Henry,Robert E. BARTON,Indermeet Singh Gandhi. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-20.

A hybrid relay for high density venues

Номер патента: WO2021050373A1. Автор: Vishal Satyendra Desai,Jerome Henry,Robert E. BARTON,Indermeet Singh Gandhi. Владелец: CISCO TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-18.

Method of increasing life of self-glowing hollow cathode in high-density discharge in axially-symmetric magnetic field

Номер патента: RU2642847C2. Автор: Николай Васильевич Гаврилов,Андрей Игоревич Меньшаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2018-01-29.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3985494A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Information processing system performing synchronization between memory devices and memory devices performing wireless communication

Номер патента: US09898747B2. Автор: Shigeki Koizumi,Shuichi Sakurai,Keisuke Sato,Michio Ido,Masahiko Nakashima,Masaomi Teranishi,Shigeto ENDO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Magnetoresistive memory device

Номер патента: RU2653131C2. Автор: Тадаси МИЯКАВА,Кацухико ХОЯ,Хироюки ТАКЕНАКА,Кеисуке НАКАЦУКА,Такеси ХАМАМОТО. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2018-05-07.

Fft engine having combined bit-reversal and memory transpose operations

Номер патента: US20200192968A1. Автор: Indu Prathapan,Sai Ram Prakash JAYANTHI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory device, method for programming memory device, program verification method and memory system

Номер патента: US20230148366A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for reading and writing unreliable memories and a corresponding memory controller device and memory

Номер патента: US12057858B2. Автор: Andreas Burg,Reza Ghanaatian. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-06.

Self-selecting memory device having polarity dependent threshold voltage shift characteristics and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240324246A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Jeonghee Park,Zhe Wu,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Donggeon Gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Digital to analog converters and memory devices and related methods

Номер патента: US09892782B1. Автор: Peter K. Nagey. Владелец: Terra Prime Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US20220383931A1. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US20220310151A1. Автор: Jung-hwan Choi,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha,Ki-Seonk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US20230317138A1. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: EP4105933A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: US20240145002A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Dynamic power control system for memory device and memory device using the same

Номер патента: US20200126598A1. Автор: Sung Whan Seo,Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Tae Hong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US12057194B2. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Microelectronic devices and memory devices

Номер патента: WO2024155421A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US11749337B2. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US11749338B2. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US20230298645A1. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210383848A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US12106794B2. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device and memory controller performing the same

Номер патента: US20240311011A1. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Joonsung Lim,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory controller and memory system performing write disturbance management

Номер патента: US20240361916A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Yaolong Gao,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Non-volatile memory device and memory system including the same and program method thereof

Номер патента: US12094540B2. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Jaeyong Jeong,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

System and method for cryogenic hybrid technology computing and memory

Номер патента: US09520180B1. Автор: Alan M. Kadin,Alexander F. Kirichenko,Oleg A. Mukhanov,Igor V. Vernik,Ivan P. Nevirkovets. Владелец: Hypres Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

High density storage of information on a compact disc

Номер патента: CA1296424C. Автор: Lowell A. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-02-25.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US12033686B2. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US20220122648A1. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device and memory controller performing the same

Номер патента: US12033706B2. Автор: Byungchul Jang,Joonsung Lim,Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Ecc decoder and memory controller including the same

Номер патента: US20240143442A1. Автор: Jaehong Kim,Hongrak Son,Yongsung KIL,Soonyoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory element and method of manufacturing the same, and memory device

Номер патента: US20120145987A1. Автор: Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110134704A1. Автор: Ju Yeab Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Metal-free silicon-molecule-nanotube testbed and memory device

Номер патента: US20070111486A1. Автор: Bo Chen,James Tour,Jason Stephenson,Condell Doyle,Jianli He,Austen Flatt. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2007-05-17.

Different HDD gap architecture to reduce upstream preheat for high-density storage

Номер патента: US09968005B2. Автор: Chao-Jung Chen,Wei-Chun Chang,Yi-Chieh Chen,Jen-Mao CHEN. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2018-05-08.

System and method for cryogenic hybrid technology computing and memory

Номер патента: US09887000B1. Автор: Alan M. Kadin,Alexander F. Kirichenko,Oleg A. Mukhanov,Ivan P. Nevirkovets,Igo V. Vernik. Владелец: Hypres Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory controller and memory system performing write disturbance management

Номер патента: WO2024227267A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Yaolong Gao,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-11-07.

NAND flash memory device with oblique architecture and memory cell array

Номер патента: US09613702B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Three-dimensional memory device with discrete charge storage elements and methods for forming the same

Номер патента: US12029037B2. Автор: Yuki KASAI,Yusuke Mukae,Masanori Tsutsumi,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Voltage generator and memory device including the same

Номер патента: US20230307068A1. Автор: Yoonjae Lee,ChiWeon Yoon,Cheonan Lee,Byungjoon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory element and memory device

Номер патента: US20120061638A1. Автор: Mitsunori Nakamoto,Toshiyuki Kunikiyo,Shinnosuke Hattori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230307022A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional memory devices with lateral block isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: WO2024123438A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takaaki IWAI,Masahiro Yaegashi,Akihiro Tobioka,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US20100283027A1. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-11-11.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: US20240248511A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09704570B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device, method of controlling memory device, and memory system

Номер патента: US09466367B2. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device and memory system

Номер патента: US09425828B2. Автор: Jun-Jin Kong,Kyoung-lae Cho,Man-keun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Data center having rack clusters with high density, air-cooled server racks

Номер патента: US20200288606A1. Автор: Alex R. Naderi. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Decoding apparatus for high-density recording medium

Номер патента: US8341494B2. Автор: Yi-Kai Chen,Sih-Kai Wang,Sun-How Jiang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Decoding apparatus for high-density recording medium

Номер патента: US20100064202A1. Автор: Yi-Kai Chen,Sih-Kai Wang,Sun-How Jiang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-11.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Delay locked loop circuitry and memory device

Номер патента: US20230412173A1. Автор: Haibin FANG,Biyun HUANG,Dongsheng TANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Shanghai Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US12057173B2. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Lighting memory device and memory module

Номер патента: US11134553B2. Автор: Hung-Cheng Chen,Tse-Hsien Liao. Владелец: Giga Byte Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

Fluid dynamic bearing motor for use with a range of rotational speed rated disc drive memory device products

Номер патента: SG168501A1. Автор: Chris M Woldemar,PohLye Lim,PowMing Yap,Chunhong D Jing,Weirhen S Hoon,Gregor Paco Flores,Anthony J Aiello. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-02-28.

Multilayered circuit board for high-speed, differential signals

Номер патента: WO2005074336A3. Автор: John Mitchell,James Clink,John E Benham. Владелец: John E Benham. Дата публикации: 2005-10-06.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US20240331776A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Microelectronic devices and memory devices including vertically spaced transistors and storage devices, and related electronic systems

Номер патента: US20240357793A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09911499B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Printer cartridge and memory device containing a compressed color table

Номер патента: US09900473B2. Автор: Jefferson P. Ward,Jay S. Gondek,Stephen J. Nichols. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-02-20.

Frame structure with reduced signal field and method for high-efficiency Wi-Fi (HEW) communication

Номер патента: US09860893B2. Автор: Shahrnaz Azizi,Thomas J. Kenney,Eldad Perahia. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Printer cartridge and memory device containing a compressed color table

Номер патента: US09800764B2. Автор: Jefferson P. Ward,Jay S. Gondek,Stephen J. Nichols. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-24.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12150387B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Printer cartridge and memory device containing a compressed color table

Номер патента: US09621764B2. Автор: Jefferson P. Ward,Jay S. Gondek,Stephen J. Nichols. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory controller operating method and memory controller

Номер патента: US09524208B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Nam-Shik Kim,Ung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Three dimensional memory device including memory cells with resistance change layers

Номер патента: US09508430B2. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09478290B1. Автор: Kyung-Hwa Kang,Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for making a high capacitance multi-level storage node for high density TFT load SRAMS with low soft error rates

Номер патента: US5489544A. Автор: Thekkemadathil V. Rajeevakumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-02-06.

Method and Apparatus for High Density Pulse Density Modulation

Номер патента: US20140119427A1. Автор: Peter Kiss,Donald R. Laturell,Kameran Azadet,Said E. Abdelli,James F. MacDonald,Ross S. Wilson. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Stairless three-dimensional memory device and method of making thereof by forming replacement word lines through memory openings

Номер патента: WO2024118177A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Koichi Matsuno,Takaaki IWAI,Naohiro Hosoda,Takayuki MAEKURA,Kazuki ISOZUMI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: EP4181126A1. Автор: Makoto Hirano,Min-Hwi Kim,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Memory system and memory controller

Номер патента: US8819331B2. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor memory devices with arrays of vias and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12058868B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Controller architecture and strategy for small discontiguous accesses to high-density memory devices

Номер патента: WO2002088969A1. Автор: Leslie Zsohar. Владелец: Layer N Networks, Inc.. Дата публикации: 2002-11-07.

Method of error correction code (ECC) decoding and memory system performing the same

Номер патента: US12080366B2. Автор: Kangseok Lee,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240357830A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method and device for highly efficient compression of large-volume multimedia information based on the criteria of its value for storing in data storage systems

Номер патента: RU2654126C2. Автор: Владимир Александрович Свириденко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Спирит Корп". Дата публикации: 2018-05-16.

Sense threshold amplifier for high density memory

Номер патента: US3911293A. Автор: Philip E Shafer. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1975-10-07.

Method for forming a memory device with at least one memory cell, in particular a phase change memory cell, and memory device

Номер патента: US20070287251A1. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-13.

Chalcogenide-based material, and switching device and memory device that include the same

Номер патента: EP4161233A3. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Segab Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Three-dimensional memory device containing low resistance source-level contact and method of making thereof

Номер патента: WO2021262236A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory controllers, operating methods thereof, and memory systems including the same

Номер патента: US09990162B2. Автор: Ji-soo Kim,Moon-sang Kwon,Yoo-chan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Coding/decoding method for high density data recording and reproduction

Номер патента: US6072410A. Автор: Jin-Sook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-06.

Memory redundancy for high density memory

Номер патента: US5889711A. Автор: Nien Chao Yang,Chung Ju Chen,Chun Jung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of fabricating high density electronic circuits having very narrow conductors

Номер патента: US4417393A. Автор: Charles A. Becker. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-11-29.

Static and dynamic input multiplexing for high-density neural signal recording

Номер патента: US20230273681A1. Автор: SungWon Chung,Dongjin Seo,Do Yeon Yoon. Владелец: Neuralink Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Error correction method for high density disc

Номер патента: US7401285B2. Автор: In-sik Park,Jae-Seong Shim,Myoung-June Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-15.

Method and system for high-density converged storage via memory bus

Номер патента: US20190012094A1. Автор: Shu Li,Jianjian Huo. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Static and dynamic input multiplexing for high-density neural signal recording

Номер патента: WO2023163901A1. Автор: SungWon Chung,Dongjin Seo,Do Yeon Yoon. Владелец: Neuralink Corp.. Дата публикации: 2023-08-31.

Error correction method for high density disc

Номер патента: US20060242548A1. Автор: In-sik Park,Jae-Seong Shim,Myoung-June Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-26.

Error correction method for high density disc

Номер патента: US20060242528A1. Автор: In-sik Park,Jae-Seong Shim,Myoung-June Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-26.

Error correction method for high density disc

Номер патента: US20040250199A1. Автор: In-sik Park,Jae-Seong Shim,Myoung-June Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-09.

Flash EEPROM unit cell and memory array architecture including the same

Номер патента: US20040079972A1. Автор: Sukyoon Yoon. Владелец: Terra Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-29.

Error correction method for high density disc

Номер патента: EP1067695A3. Автор: In-sik Park,Jae-Seong Shim,Myoung-June Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-08-06.

Two-dimensional modulation encoding for high density optical storage

Номер патента: WO2004105252A1. Автор: Albert H. J. Immink,Willem M. J. M. Coene. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-12-02.

High-density non-volatile memory devices incorporating thiol-derivatized porphyrin trimers

Номер патента: WO2001051188A3. Автор: Jonathan S Lindsey,Peter C Clausen. Владелец: Peter C Clausen. Дата публикации: 2002-01-17.

High-density non-volatile memory devices incorporating thiol-derivatized porphyrin trimers

Номер патента: EP1282464A4. Автор: Jonathan S Lindsey,Peter C Clausen. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2007-10-24.

Quadrature error correction circuit and memory device having the same

Номер патента: US20240241802A1. Автор: Hyunyoon Cho,Junghwan Choi,Joohwan Kim,Junyoung Park,Eunseok SHIN,Jindo BYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods and apparatus for wordline protection in flash memory devices

Номер патента: WO2005112120A1. Автор: Mark William Randolph. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140241029A1. Автор: Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Circuit for receiving data, system for receiving data, and memory device

Номер патента: US12119077B2. Автор: FENG Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Highly integrated power electronics and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240341043A1. Автор: FENG Zhou,Ercan Mehmet DEDE,Tianzhu Fan. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for manufacturing memory and memory

Номер патента: US12089399B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Printer cartridges and memory devices containing compressed multi-dimensional color tables

Номер патента: US09800765B2. Автор: Jefferson P. Ward,Jay S. Gondek,Stephen J. Nichols. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-24.

Correcting gradation value to appoximate an output characteristic to target characteristic updated based on corrected high density region target density

Номер патента: US09467578B2. Автор: Kazuyuki Takahashi,Yosuke TASHIRO,Shinya Takaishi,Kaori TOMINAGA. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

High-density phase change cell array and phase change memory device having the same

Номер патента: US7136299B2. Автор: Jung Ho Kim,Eu Gene Chu,Ju Ho Mo,Seong Taek Park,Hyun Yong Lim,Pyeong Han Lee,Ja Choon Jeong. Владелец: BeyondMicro Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

High density non-volatile memory device

Номер патента: EP1210714A4. Автор: Daniel Tomasz Gryko,Peter Christian Clausen,Jonathan S Lindsey,David F Bocian,Werner G Kuhr. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2006-01-04.

Method For Reading And Writing Unreliable Memories And A Corresponding Memory Controller Device and Memory

Номер патента: US20220122686A1. Автор: Andreas Burg,Reza Ghanaatian. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2022-04-21.

Memory device, memory controller, and memory system including the same

Номер патента: US20230333782A1. Автор: Wontaeck Jung,Jaeyong Jeong,Bohchang Kim,Kuihan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device, controller, and memory system

Номер патента: US20200133768A1. Автор: Dae Hyun Kim,Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Ki Jun LEE,Sung Hye Cho,Yong Gyu Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

A method for high speed framing and a device having framing capabilities

Номер патента: EP1972126A1. Автор: Adi Katz,Eran Glickman,Klod Asoline. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-09-24.

Method and system for high throughput live and offline multimedia transcoding

Номер патента: US20240214590A1. Автор: Frédéric Giasson. Владелец: 3649954 Canada Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Ibypass high density device and methods thereof

Номер патента: EP2540063A2. Автор: Robert Shaw,Dennis Carpio,Eldad Matityahu,Wei Lian,Siuman Hui. Владелец: Net Optics Inc. Дата публикации: 2013-01-02.

Method and system for high throughput live and offline multimedia transcoding

Номер патента: CA3226072A1. Автор: Frédéric Giasson. Владелец: 3649954 Canada Inc. Дата публикации: 2024-06-21.

Energy-saving method of accessing channel for radio communication devices in radio communication networks with high density of stations

Номер патента: RU2688267C1. Автор: Ситтабрата ГОШ,Чэнь КОДЗОКАРО,Эльдад ПЕРАХИА,Шарназ АЗИЗИ. Владелец: ИНТЕЛ АйПи КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-05-21.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US9601210B2. Автор: Yusuke Ochi,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory controller and memory device including the same

Номер патента: US20230063804A1. Автор: Ho youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory IC and memory device capable of expansion of storage capacity

Номер патента: US5345412A. Автор: Syuuichi Shiratsuchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-09-06.

Frame structure with reduced signal field and method for high-efficiency wi-fi (hew) communication

Номер патента: EP3072247A1. Автор: Shahrnaz Azizi,Thomas J. Kenney,Eldad Perahia. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2016-09-28.

Program and read operations using different gray codes and memory device for performing the same

Номер патента: US11854613B2. Автор: Chao Zhang,Haibo Li,Yunxiang Wu,Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory controller and memory device including the same

Номер патента: US11789815B2. Автор: Ho youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory controllers, memory systems including the same and memory modules

Номер патента: US20210133028A1. Автор: Jangseok Choi,Hyunjoong Kim,Taekwoon Kim,Wonhyung Song,Younghoe Kim,Joonseok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Memory device for correcting pulse duty and memory system including the same

Номер патента: US11837310B2. Автор: Jae Young Park,Kwan Su SHON,Yo Han JEONG,Eun Ji CHOI,Daeho YANG,Soon Sung AN,Gwan Woo KIM,Junseo JANG,Jaehyeong HONG,In Seok Kong,Sung Hwa Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: SG10201803737SA. Автор: BAEK Byung-Joon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Method for Operating a High Density Multi-Level Cell Non-Volatile Flash Memory Device

Номер патента: US20130155768A1. Автор: FENG Yan,YUE Xu,Xiaoli Ji,Ling Pu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-20.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US12067233B2. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Information memory device and memory medium

Номер патента: US20090154304A1. Автор: Takeshi Maeda,Takao Watanabe,Toshimichi Shintani,Yoshitaka Bito,Akemi Hirotsune. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Information memory device and memory medium

Номер патента: US8040712B2. Автор: Takeshi Maeda,Takao Watanabe,Toshimichi Shintani,Yoshitaka Bito,Akemi Hirotsune. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-10-18.

Driving device for double-cylinder pump for high-density materials and method of its operation

Номер патента: RU2358154C2. Автор: Манфред ШВАРЦ,Георг МЮЛЛЕР,Йозеф-Фридрих ШНИТТКЕР. Владелец: Швинг Гмбх. Дата публикации: 2009-06-10.

Column decode circuit for high density/high performance memories

Номер патента: US20040004860A1. Автор: Ebrahim Abedifard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-08.

Continuous Measuring System for High-density Resistivity of Capacitor Electrodes and Measuring Method

Номер патента: LU500628B1. Автор: Zhixin Liu,Zhanguo Lu,Xingang Xu. Владелец: Univ China Mining. Дата публикации: 2022-03-07.

Pneumatic feeding device for high-density pond culture

Номер патента: LU501561B1. Автор: Xiaolong Chen. Владелец: Fishery Machinery & Instrument Res Inst Cafs. Дата публикации: 2023-09-05.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Optimal deployment of embeddings tables across heterogeneous memory architecture for high-speed recommendations inference

Номер патента: US20240119008A1. Автор: Rekha Singhal,Manoj Karunakaran Nambiar,Ashwin Krishnan,Chinmay Narendra Mahajan. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Memory devices, memory device operational methods, and memory device implementation methods

Номер патента: US09576618B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device

Номер патента: US09465757B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Jong-Pil Son,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for high density plasma nitridng

Номер патента: RU2611251C2. Автор: Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Владимир Васильевич Будилов,Илья Владимирович Золотов,Лиана Наилевна Заббарова,Расим Фаритович Хуснутдинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2017-02-21.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US20240020000A1. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: EP4398117A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: US20240232066A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory package performing training operation using address-delay mapping and memory system including the same

Номер патента: US20240257848A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK,Hwanseok KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Apparatus for controlling access to a memory device and memory system comprising the same

Номер патента: US11935623B2. Автор: Christopher Cox,Yibo Jiang,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Technology Kunshan Co. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210035617A1. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20200243146A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: EP3769203A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20190295666A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20210082529A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: WO2019182747A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US10867685B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240257858A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20240321351A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US20150287445A1. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Memory controller for reducing the number of error bits in read data and memory system including the same

Номер патента: US12105988B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US12112830B2. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Device and method for repairing memory cell and memory system including the device

Номер патента: US09831003B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Ho-young Song,Cheol Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US09785578B2. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US09679622B2. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Device and method for repairing memory cell and memory system including the device

Номер патента: US09659669B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Ho-young Song,Cheol Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory modules with reduced rank loading and memory systems including same

Номер патента: US09542343B2. Автор: Jung-hwan Choi,In-Dal Song,Jeong-Kyoum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Fiber optic connector for high density applications and method of manufacturing fiber optic connectors

Номер патента: CA1143974A. Автор: John A. Makuch,Lawrence J. Coyne,John J. Esposito. Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1983-04-05.

Fft engine having combined bit-reversal and memory transpose operations

Номер патента: US20210279298A1. Автор: Indu Prathapan,Sai Ram Prakash JAYANTHI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

FFT engine having combined bit-reversal and memory transpose operations

Номер патента: US11734382B2. Автор: Indu Prathapan,Sai Ram Prakash JAYANTHI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: EP3673380A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200349097A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200242057A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: WO2019040200A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10983934B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10754801B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20210209039A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US20160357688A1. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

System and method for reducing pin-count of memory devices, and memory device testers for same

Номер патента: US20130229878A1. Автор: Benjamin S. Louie,Scott N. Gatzemeier,Adam D. Johnson,Wallace E. Fister. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US20240249758A1. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L. Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20120151123A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

A metal-organic framework with optimized open metal sites and pore spaces for high methane storage at room termerature

Номер патента: EP2675815A2. Автор: Banglin Chen,Zhiyong Guo. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2013-12-25.

Metal-organic framework with optimized open metal sites and pore spaces for high methane storage at room temperature

Номер патента: US20140194639A1. Автор: Banglin Chen,Zhiyong Guo. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Method for testing a memory device and memory device for carrying out the method

Номер патента: US7219029B2. Автор: Sven Boldt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-15.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Method and memory system for legacy hosts

Номер патента: EP1952404A2. Автор: Carlos Gonzalez,Kevin M. Conley,Daniel C. Guterman,Yoram Cedar,Charles Schroter,Milton Lourenco Barrocas. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-08-06.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

A metal-organic framework with optimized open metal sites and pore spaces for high methane storage at room termerature

Номер патента: WO2012112660A3. Автор: Banglin Chen,Zhiyong Guo. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2013-01-31.

Method of identifying information related to an eye open monitor (EOM) operation performed in a memory device, and memory system performing the method

Номер патента: US12067292B2. Автор: Won Ho Kang,Chang Min Jeon,Young San KANG,Sung Tack HONG,Kwang Won Park,YeJin Cho,Hyunsoo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device, operating method of memory device and memory system

Номер патента: US20240311054A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Data protection method for memories and memory device thereof

Номер патента: US12118228B2. Автор: Yonggang Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Catheter with irrigated tip electrode with porous substrate and high density surface micro-electrodes

Номер патента: US12064169B2. Автор: Assaf Govari,Christopher Thomas Beeckler,Athanassios Papaioannou. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory devices providing a refresh request and memory controllers responsive to a refresh request

Номер патента: US09978430B2. Автор: Chul-woo Park,Hong-Sun Hwang,Eun-Sung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods for controlling host memory access with memory devices and systems

Номер патента: US09811258B2. Автор: Robert N. Leibowitz,Peter Feeley,Victor Y. Tsai,William H. Radke,Neal A. Galbo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Read leveling method and memory device using the same

Номер патента: US09760478B2. Автор: Yu-Ming Chang,Ping-Hsien Lin,Wei-Chieh Huang,Tzu-Hsiang Su,Tai-Chun Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device and memory system including the memory device

Номер патента: US09741425B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device for multiple processors and memory system having the same

Номер патента: US09740657B2. Автор: Chanho LEE. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09685218B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jae-Youn Youn,Si-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory device including memory area storing information used for searching erased page, data storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09640268B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory system and memory physical layer interface circuit

Номер патента: US09570130B2. Автор: Shih-Chang Chen,Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Gerchih Chou,Chun-Chi Yu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09536586B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jae-Youn Youn,Si-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Metal-organic framework with optimized open metal sites and pore spaces for high methane storage at room temperature

Номер патента: US09376641B2. Автор: Banglin Chen,Zhiyong Guo. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for obtaining a high-density polymer ud structure for individual means of armor protection and armoring curved surfaces

Номер патента: RU2756069C1. Автор: Сергей Викторович Щербина,Олег Дмитриевич Марченко. Владелец: Олег Дмитриевич Марченко. Дата публикации: 2021-09-27.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210104267A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020763B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system and memory access interface device thereof including single data rate (SDR) and double data rate (DDR) modes

Номер патента: US12020773B2. Автор: Fu-Chin Tsai. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory devices and memory control methods with ISP code

Номер патента: US8949504B2. Автор: Chun-Yi Lo,Wei-Lun Yan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Memory controller and memory system including adjustment of scrub cycle rate

Номер патента: EP4390939A2. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory operation method and memory device

Номер патента: US20240231640A9. Автор: Hsiang-Yu Huang,Po-Sheng Chou,Yan-Wen WANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory device and memory device operating method

Номер патента: US20240242766A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240202069A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US20140317338A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Method and memory device for atomic processing of fused commands

Номер патента: US20230401009A1. Автор: Yong Yang,Chun-Chu Chen-Jhy Archie Wu,Fnu VIKRAM SINGH,Syed KAISER,Daniel Lee HELMICK,Vasili ZHDANKIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device including a filtering circuit and memory system including the memory device and filtering circuit

Номер патента: US20240257844A1. Автор: Hae Rang Choi,Jong Soon WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: EP3800641A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Method and memory device for atomic processing of fused commands

Номер патента: US11762587B2. Автор: Yong Yang,Chun-Chu Chen-Jhy Archie Wu,Fnu VIKRAM SINGH,Syed KAISER,Daniel Lee HELMICK,Vasili ZHDANKIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200111525A1. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20230144541A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Memory Devices and Memory Control Methods

Номер патента: US20140013063A1. Автор: Chun-Yi Lo,Wei-Lun Yan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Memory controller and memory system including the memory controller and memory device

Номер патента: US20240264744A1. Автор: Se Chang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US20210311836A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Controller, operating method of the controller and memory system

Номер патента: US20210303176A1. Автор: Hee Chan Shin,Do Hyeong LEE,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory control device and memory control method

Номер патента: US20160054924A1. Автор: Toshiharu Okada. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Storage device, method of operating the same, and memory controller

Номер патента: US20240302993A1. Автор: Tae Ho Lim,Dong Sop LEE,Ie Ryung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and memory device for atomic processing of fused commands

Номер патента: US12112072B2. Автор: Yong Yang,Chun-Chu Chen-Jhy Archie Wu,Fnu VIKRAM SINGH,Syed KAISER,Daniel Lee HELMICK,Vasili ZHDANKIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods for on-die memory termination and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP4446899A2. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather,Gary Howe,Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Memory device for internally performing read-verify operation, method of operating the same, and memory system including the same

Номер патента: US09990149B2. Автор: Hyun Ju Kim,Taek Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device and memory system performing request-based refresh, and operating method of the memory device

Номер патента: US09940991B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ju-Yun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory controlling method and memory system

Номер патента: US09905277B2. Автор: Cheng-Wen Wu,Pei-Wen Luo,Chi-Kang CHEN,Ding-Ming Kwai,Hsiu-Chuan Shih. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory device performing hammer refresh operation and memory system including the same

Номер патента: US09892779B2. Автор: Hui-Kap YANG,Kyu-Chang KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Unit array of a memory device, memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09892773B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Data processing method and memory controller utilizing the same

Номер патента: US20210248064A1. Автор: Chih-Yen Chen,Yen-Chung Chen,Jiunn-Jong PAN,Wei-Ren Hsu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory device, memory module, and memory system

Номер патента: US09805802B2. Автор: Uk-Song KANG,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory control device and memory control method

Номер патента: US09754685B2. Автор: Toshiharu Okada. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Erasing method and memory device using the same

Номер патента: US09754637B2. Автор: Hsin-Yu Chang,Yuan-Hao Chang,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Chien-Chung Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09741441B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of initializing 3D non-volatile memory device

Номер патента: US09685235B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Storage device including nonvolatile memory and memory controller and operating method of retiming circuit interfacing communication between nonvolatile memory and memory controller

Номер патента: US09601171B2. Автор: Hyunjin Kim,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US09576629B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Process cartridge and image forming method using toner having properties for high image quality

Номер патента: US09575461B2. Автор: Katsuhisa Yamazaki,Koji Nishikawa,Hiroki Akiyama,Kosuke Fukudome,Shohei Tsuda,Daisuke Yoshiba,Shotaro Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory modules and memory systems

Номер патента: US09558805B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Hak-soo Yu,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Sense operation flags in a memory device

Номер патента: US09519582B2. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Binuclear crystalline complexes of rare-earth ions (3+), method for production thereof, method of producing magnetic polymer composites, use of magnetic polymer composites as photosensitive magnetic media for spintronics and memory devices

Номер патента: RU2728127C1. Автор: Роман Борисович Моргунов,Наталия Алексеевна Санина,Екатерина Игоревна Куницына,Федор Анатольевич Пруднов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН). Дата публикации: 2020-07-28.

Memory testing system and memory testing method

Номер патента: US20240161857A1. Автор: Chien Yu Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240233798A9. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: WO2018187002A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-11.

Memory device for canceling sneak current

Номер патента: US20210383864A1. Автор: Tae Hyun Kim,Seong Ook Jung,Byung Kyu Song. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2021-12-09.

Dynamic memory cache size adjustment in a memory device

Номер патента: EP2715548A2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Michael George,Ruchir Shah,William E. Benson,Farshid TABRIZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-09.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240233788A9. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240135977A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: EP4362018A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Memory system and memory access interface device thereof

Номер патента: US20240233837A9. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and memory control method

Номер патента: US20110032781A1. Автор: Chun Shiah,Shi-Huei Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced wall displacement

Номер патента: US20110007559A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-13.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20150117111A9. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: WO2009072819A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: KOREA UNIVERSITY INDUSTRIAL & ACADEMIC COLLABORATION FOUNDATION. Дата публикации: 2009-06-11.

Method for operating a memory device and memory device thereof

Номер патента: US20240170086A1. Автор: Chia-Cho Wu,Chi-Yi Shao. Владелец: Pufsecurity Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20100271871A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Apparatus and method for managing map data between host and memory system

Номер патента: US12050795B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of determining deterioration state of memory device and memory system using the same

Номер патента: US9164881B2. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Memory controllers having simplified bisr logic circuit, methods of operating the memory controller, and memory systems including the memory controller

Номер патента: US20220101941A1. Автор: Jae Il Lim,Bo Ra Kim,Su Hae WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Methods of sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: US20180293005A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Memory repairing method and memory device applying the same

Номер патента: US20160260501A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: US8300445B2. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2012-10-30.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20110164456A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20140219032A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240265974A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US8194446B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Memory devices including processing elements, and memory systems including memory devices

Номер патента: US20220238148A1. Автор: Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Haesuk LEE,Kyomin Sohn,Sanghyuk Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Memory device and memory writing method

Номер патента: US20200273505A1. Автор: Jui-Jen Wu,Fan-yi Jien,Chengyu Xu,Junhua Zheng. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory device and memory writing method

Номер патента: US10770121B1. Автор: Jui-Jen Wu,Fan-yi Jien,Chengyu Xu,Junhua Zheng. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-08.

High density random sample storage and retrieval

Номер патента: WO2024137996A1. Автор: Xianfeng Eric ZHAO,Andy LAZUARDI,Dony PRASETYO,Wahyudin RUDIANTO,Andri SETYADI,Chaidir Ilham EL MALIK,Ezra Clement BUDIARSO. Владелец: Formulatrix, Llc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US9218312B2. Автор: Byoung-Sul Kim,Hak-Yong Lee,Jun-Ho Jo,Kyu-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-22.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Knotless micro suture anchor array for high density anatomical attachment of soft tissue to bone

Номер патента: AU2022253023B2. Автор: Thomas A. Westling,Zak Zenz-Olson,Nathaniel Van Tran,Howard W. Harris,Marc Labbé,Patrick M. Connor,David M. Crompton. Владелец: Integrity Orthopaedics Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device with substrate voltage biasing

Номер патента: IE50955B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-20.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210223989A1. Автор: Hyun Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Bi-directional differential low power sense amp and memory system

Номер патента: US20010009526A1. Автор: Michael Ouellette,John Andersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Knotless micro suture anchor array for high density anatomical attachment of soft tissue to bone

Номер патента: AU2022253023A1. Автор: Thomas A. Westling,Zak Zenz-Olson,Nathaniel Van Tran,Howard W. Harris,Marc Labbé,Patrick M. Connor,David M. Crompton. Владелец: Integrity Orthopaedics Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230057303A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Makoto Miakashi,Tomoko KAJIYAMA,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

System and method for initializing a memory system and memory device and processor-based system using same

Номер патента: WO2009009339A1. Автор: A. Kent Porterfield. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-01-15.

Memory device and memory system inclding the same

Номер патента: US20170031594A1. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Stacked memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20120294059A1. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Young Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-22.

Method for high-density microarray mediated gene expression profiling

Номер патента: US20040002094A1. Автор: Yan Wei,Robert Larossa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-01.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20240282393A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and memory system with a self-refresh function

Номер патента: US12094514B2. Автор: Chih-Chiang LAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Pallet tower for high density pallet storage and method

Номер патента: CA3240167A1. Автор: Paul Redman. Владелец: Qtek Design Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Memory device, the operation method thereof and memory system

Номер патента: US12112802B2. Автор: JING Wei,Zhihong Li,Masao Kuriyama. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory module, memory device and memory system

Номер патента: US20240331758A1. Автор: Jae Geun YUN,Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and memory system

Номер патента: US20240347091A1. Автор: Lui Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Metalloboranes for high density hydrogen storage

Номер патента: US10125151B2. Автор: Alireza AKBARZADEH,Christopher John Tymczak,Daniel Vrinceanu. Владелец: Texas Southern University. Дата публикации: 2018-11-13.

Refresh controller and memory device including the same

Номер патента: US09972377B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Min Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory repairing method and memory device applying the same

Номер патента: US09870835B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09852815B2. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Non-volatile memory devices, memory systems, and methods of operating the same

Номер патента: US09824759B2. Автор: Chang-Sub Lee,Dae-Woong Kwon,Jai-Hyuk Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semicondutor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09824755B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09823874B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory device for efficiently determining whether to perform re-training operation and memory system including the same

Номер патента: US12079147B2. Автор: Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Jang-Woo Lee,Won-joo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Compressor resources for high density storage units

Номер патента: US09778885B2. Автор: Rodney N. Mullendore,Radoslav Danilak. Владелец: Skyera LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure and memory system including the same

Номер патента: US09767906B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09672892B2. Автор: Yu-Ri LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640274B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Resistive memory device and memory system including resistive memory device

Номер патента: US09627056B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Control methods and memory systems using the same

Номер патента: US09627031B1. Автор: Kai-Hsin CHEN,Shih-Hsiu Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09627025B2. Автор: Jae-il Kim,Sang-Ah HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09552867B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Uk-Song KANG,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory devices and memory systems having the same

Номер патента: US09519531B2. Автор: Chul-woo Park,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Monolithic tape head and actuator for high density recording

Номер патента: US09466334B1. Автор: Robert G. Biskeborn,David H. F. Harper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09449695B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09449673B2. Автор: Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09449670B2. Автор: Jung-Bae Lee,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device and memory module having reconfiguration rejecting function

Номер патента: US09412464B2. Автор: Young Duk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Seal configuration for high density lubrication oils

Номер патента: WO2024039747A1. Автор: Charles Collins,David Tanner,Ryan Semple,Aron MEYER. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Seal configuration for high density lubrication oils

Номер патента: US20240060502A1. Автор: Charles Collins,David Tanner,Ryan Semple,Aron MEYER. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

High-density magneto-optical disk apparatus

Номер патента: US5719830A. Автор: Yong-Jae Lee,Kyo-bang Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-17.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20130272052A1. Автор: Jin-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Memory cell and memory device thereof

Номер патента: US20240221822A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Motherboard and memory device thereof

Номер патента: US20080313394A1. Автор: Yueh-Chih Chen. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170062058A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230282276A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods of bit-flagged sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: US20180293002A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Page buffer block and memory device including the same

Номер патента: US20240249794A1. Автор: Makoto Hirano,Sangsoo Park,Jaeduk Yu,Jaeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and portable electronic apparatus

Номер патента: US20050002240A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Koji Hamaguchi,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Memory system and memory control method

Номер патента: US10388402B2. Автор: Sang Min Lee,Jae Hyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-20.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: EP4407619A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory device and memory system

Номер патента: US20200279612A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Memory device and memory system for executing a test

Номер патента: US20220262448A1. Автор: Hyun Seung Kim,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Methods of bit-flagged sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: US20190107958A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Memory device and method having multiple internal data buses and memory bank interleaving

Номер патента: WO2006091283A3. Автор: Joseph M Jeddeloh. Владелец: Joseph M Jeddeloh. Дата публикации: 2009-04-23.

Electronic system including host, memory controller and memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220171532A1. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Multiple level program verify in a memory device

Номер патента: EP2427885A1. Автор: Deping He,Taehoon Kim,Jeffrey Alan Kessenich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-14.

Programming in a memory device

Номер патента: US20110255343A1. Автор: Giulio G. Marotta,Giovanni Santin,Violante Moschiano,Marco-Domenico Tiburzi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Controller and memory system controlling garbage collection operation at power-on, and method of operating the controller and memory system

Номер патента: US20240160564A1. Автор: Wan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321382A1. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and memory system with sensor

Номер патента: US20150055403A1. Автор: Shinichiro Shiratake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US12073909B2. Автор: Jinwoo Park,Yoonhee CHOI,Hyunjun Yoon,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device and memory controlling method

Номер патента: US09977627B1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Temperature sensor for high temperature

Номер патента: US09927303B2. Автор: Takashi Mihara,Mitsuaki Mochizuki. Владелец: Okazaki Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US09859015B2. Автор: Tae-hyun Kim,Yoon-hee Choi,Sang-Won Shim,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09859011B1. Автор: Yoshikazu Harada,Yuko Utsunomiya,Kosuke Yanagidaira,Hayato Konno,Jiyun Nakai,Hiroe Kami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Storage device including memory controller and memory system including the same

Номер патента: US09846543B2. Автор: Dong Jae Shin,Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Refresh control circuit and memory device including same

Номер патента: US09842640B2. Автор: No-Guen JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatle memory device and memory system having the same, and related memory management, erase and programming methods

Номер патента: US09818485B2. Автор: Junjin Kong,Eun Chu Oh,Jongha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory device repairable by soft and hard repair operations and memory system including the same

Номер патента: US09786390B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device and memory system having repair unit modification function

Номер патента: US09767922B2. Автор: Chang-Soo Lee,Kwang-Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US09727401B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device having a memory string that includes a transistor having a charge stored therein to indicate the memory string is defective

Номер патента: US09685232B2. Автор: Norichika ASAOKA,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US09672932B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09646664B2. Автор: Young-Ju Kim,Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09620191B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09576665B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09570182B1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device, control method, and memory system

Номер патента: US09543033B1. Автор: Koichi Shinohara,Yoshikazu Takeyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller that loads a mapping table on a sub-bitmap and method of operating the memory controller

Номер патента: US09529705B2. Автор: Jinyeong Kim,Hyun-cheol Kim,Dae-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory device and memory system

Номер патента: US09508441B1. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09384796B2. Автор: Yong-Ki Cho,Du-Yeul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for radiometric calibration, control of characteristics and tests of optical-electronic and optical-mechanical devices and a cryogenic vacuum unit which realizes this method

Номер патента: RU2715814C1. Автор: Юрий Михайлович Гектин,Роман Викторович Андреев,Сергей Михайлович Зорин,Дмитрий Олегович Трофимов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС". Дата публикации: 2020-03-03.

Valve construction for high density pulp cleaner

Номер патента: US5725104A. Автор: Gerald O. Walraven. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-10.

Comprehensive geophysical exploration system for high-temperature geothermal field, and geothermal sweet spot area evaluation method

Номер патента: GB2618212A. Автор: Yu Gang,GUO LIANG,Wang Ximing,Liu Xuejun,Xia Shujun,An Shujie,Song Xilin,Xiao Mengxiong. Владелец: Optical Science And Tech Chengdu Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Optical pickup for high density recording/reproduction and method to detect a reproduction signal

Номер патента: US20020006101A1. Автор: Kun-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Optical Fiber Plug For High Density Optical Fiber Connections

Номер патента: US20130202252A1. Автор: Qiyue Wang,Zhigang Xia. Владелец: Sunsea Telecommunications Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-08.

Sense amplifiers for sensing multilevel cells and memory devices including the same

Номер патента: US20200143869A1. Автор: Dong-Il Lee,Young-Hun Seo,Hye-Jung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory device, operating method of the same, and memory system

Номер патента: US20240202361A1. Автор: Jisoo Kim,YongSuk Lee,Myeongjong Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US20230154505A1. Автор: Moosung Kim,Jin-Young Chun,Minjae Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20190214064A1. Автор: Jang Woo Lee,Byung Hoon Jeong,Jeong Don Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Methods for segmented programming and memory devices

Номер патента: US20130107626A1. Автор: Jung-Sheng Hoei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Methods for segmented programming and memory devices

Номер патента: EP2652742A2. Автор: Jung-Sheng Hoei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-23.

Methods for segmented programming and memory devices

Номер патента: WO2012082334A2. Автор: Jung-Sheng Hoei. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Voltage controlleer and memory device including same

Номер патента: US20210110860A1. Автор: Jaewoo JEONG,Byongmo Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Memory device and memory system

Номер патента: US20170249210A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Creating high density logical to physical mapping

Номер патента: US20240289279A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140003128A1. Автор: Kei Sakamoto,Masaki Kondo,Takayuki Okamura,Nobuaki Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Method of generating signal for test in memory device using multi-level signaling and memory device performing the same

Номер патента: US11755234B2. Автор: Byungsuk Woo,Yongho Cho,Younguk Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory control apparatus and memory control method

Номер патента: US20120072681A1. Автор: Makoto Fujiwara,Wataru Ochiai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20050259492A1. Автор: Shinya Fujioka,Kotoku Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321360A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method, memory controller and memory device that organizes data during refresh cycles

Номер патента: EP4414985A1. Автор: Saugata Das Purkayastha,Rowen Alphonso Pereira,Chandrashekhar Mallikarjuna Joshi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Page buffer and memory device including the same

Номер патента: US09990969B2. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09928917B2. Автор: Hyun-Jin Shin,Ho Young SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09767920B2. Автор: Young-Il Kim,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Error correction method and memory device capable of reading pages continuously

Номер патента: US09678831B2. Автор: Chun-Yu Chen,Mong-Ling Chiao,Tuan-Chieh WANG,Chi-Chih Kuan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09564228B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory cell and memory device

Номер патента: US09484109B2. Автор: Arnaud Casagrande. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device, method of operating the same and memory system including the same

Номер патента: US09466345B2. Автор: Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Vessel for high purity chemicals of carbon filled high density polyethylene

Номер патента: WO1995027754A1. Автор: Cor Jansen,Peter Marriott,Joachim Leifels. Владелец: Micro-Image Technology Ltd.. Дата публикации: 1995-10-19.

Stabilising mixture for high chlorine resistance

Номер патента: RU2408617C2. Автор: Майкл Е. ГЕЛБИН. Владелец: Кемтура Корпорейшн. Дата публикации: 2011-01-10.

High density magnetic storage system

Номер патента: CA1063718A. Автор: Noboru Kimura. Владелец: Vrc California Inc. Дата публикации: 1979-10-02.

High density magnetic storage system

Номер патента: US3930265A. Автор: Noboru Kimura. Владелец: Vrc California Inc. Дата публикации: 1975-12-30.

Method combining in situ target capture and spatial unique molecular identifier (sumi) identification with in vitro sequencing for high density spatial multiomics

Номер патента: US20230323438A1. Автор: Robert Pinard,Andreas Bosio,Seiyu Hosono,Thomas Rothmann. Владелец: Miltenyi Biotec GmbH. Дата публикации: 2023-10-12.

Optimal deployment of embeddings tables across heterogeneous memory architecture for high-speed recommendations inference

Номер патента: EP4354317A1. Автор: Rekha Singhal,Manoj Karunakaran Nambiar,Ashwin Krishnan,Chinmay Narendra Mahajan. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Memory device for supporting cache read operation, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20220342817A1. Автор: Gwan Park,Jeong Gil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: EP4187538A3. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Byunghoon Jeong,Youngmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-13.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20120254528A1. Автор: Jae-il Kim,Hyoung-Jun Na. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Memory error indicator for high-reliability applications

Номер патента: US20200387314A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm,Erika PROSSER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12009048B2. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory device storing parity and memory system including the same

Номер патента: US20220130485A1. Автор: Dongmin Shin,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son,Bohwan Jun,Heeyoul KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Controller for managing sequence for map data, operating method thereof and memory system

Номер патента: US10831671B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20240282346A1. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230139579A1. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Memory device and memory system for performing target refresh operation

Номер патента: US20240347094A1. Автор: Hyun Seung Kim,Kang Seol Lee,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09953709B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09899098B1. Автор: Mizuki Kaneko,Junji Musha. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Data output circuit and memory device including the same

Номер патента: US09830960B2. Автор: Jung-hwan Choi,Min-Su Ahn,Yong-Cheol Bae,Won-Young Lee,Seok-Hun Hyun,Chang-kyo LEE,Bo-bae SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US09792206B2. Автор: Dawoon Jung,Moosung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09484079B2. Автор: Yo-Sep LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09460766B2. Автор: Myeong-o Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn,Tae-Yoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory device including power-up control circuit, and memory system having the same

Номер патента: US09455018B2. Автор: Seung-Hun Lee,Won-Jae Shin,Hyung-chan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Method controlling read sequence of nonvolatile memory device and memory system performing same

Номер патента: US09431123B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09412431B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09396809B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for manufacturing a stamper for high-density recording discs

Номер патента: US5480763A. Автор: Tetsuya Kondo,Yoshikazu Nagai,Kei Murata,Katunori Ohshima. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1996-01-02.

Method and Device for High Density Optical Disk Data Storage

Номер патента: US20070086309A1. Автор: Jianwen Yang. Владелец: New Span Opto Tech Inc. Дата публикации: 2007-04-19.

Cold water solubility for high density detergent powders

Номер патента: US5415806A. Автор: John A. Hockey,Teri-Anne Pepe,Daniel J. Fox. Владелец: Lever Brothers Co. Дата публикации: 1995-05-16.

Method and apparatus for high density storage and handling of bit-plane data

Номер патента: US7593016B2. Автор: Woodrow L. Meeker. Владелец: Teranex Systems Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Polyethylene naphthalate film for high-density magnetic recording media of floppy disk

Номер патента: US4876137A. Автор: Shigeo Utsumi. Владелец: Diafoil Co Ltd. Дата публикации: 1989-10-24.

High density and multiplexed nanopore devices with transverse tunneling junction for biomolecule detection and sequencing

Номер патента: EP4308922A1. Автор: Quan Qing. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2024-01-24.

Fabrication process for high density powder composite hardfacing rod

Номер патента: EP1231014A3. Автор: Eric F. Drake,Harold Arthur Sreshta. Владелец: Camco International UK Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

High density and multiplexed nanopore devices with transverse tunneling junction for biomolecule detection and sequencing

Номер патента: US20240151682A1. Автор: Quan Qing. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2024-05-09.

Sensing circuit and memory using thereof

Номер патента: US10255976B1. Автор: Albert Lee,Kang-Lung Wang,Hochul Lee. Владелец: Inston Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Sheet member, high-density region-containing sheet manufacturing method and disposable diaper using sheet member

Номер патента: EP2039504A4. Автор: Satoru Sakaguchi. Владелец: Unicharm Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Sensing circuit and memory using thereof

Номер патента: US20190108879A1. Автор: Albert Lee,Kang-Lung Wang,Hochul Lee. Владелец: Inston Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

High density nanofluidics

Номер патента: US20190210020A1. Автор: Robert Dubrow,Andrew Golden,Laurent Menard,Hardeep Singh,Jeff KROGMEIER,Samrudhi SHARMA. Владелец: Genturi Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor memory device having output driver for high frequency operation

Номер патента: US20040004893A1. Автор: Dong-Su Lee,Ki-whan Song,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-08.

Memory apparatus and memory testing method thereof for correcting ROM code having error by ECC processing unit after determined to transition to safe mode

Номер патента: US12067283B2. Автор: Makoto Senoo,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Centroid markers for image analysis of high density clusters in complex polynucleotide sequencing

Номер патента: US09758825B2. Автор: Alan D. Kersey,Jonathan Mark Boutell. Владелец: Illumina Cambridge Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Systems and methods of memory and memory operation involving input latching, self-timing and/or other features

Номер патента: US09431079B1. Автор: Yoshi SATO,Leelean SHU,Hsin You S. LEE. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Multistage solvent extraction method for high-density oil pools

Номер патента: RU2547861C2. Автор: Джон НЕННИГЕР. Владелец: Н-Солв Хеви Ойл Корпорейшн. Дата публикации: 2015-04-10.

Crosslinking high density polyethylene with t-octyl silicon peroxides

Номер патента: US4245056A. Автор: Lawrence A. Bock,Reidar Halle. Владелец: Argus Chemical Corp. Дата публикации: 1981-01-13.

Method of producing high-density and high-energy rocket and aviation fuel based on 2-vinyl norbornane (versions)

Номер патента: RU2739190C1. Автор: Вячеслав Геннадьевич Певгов,Александр Викторович Кулик,Константин Борисович Рудяк,Антон Львович Максимов,Вадим Олегович Самойлов,Максим Владимирович Бермешев,Сергей Валерьевич Шорунов,Екатерина Сергеевна Пискунова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2020-12-21.

Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof

Номер патента: MY135200A. Автор: Kyung-geun Lee,Jin-Gyo Seo,Chang-jin Yang,Du-Seop Yoon,Myung-Do Roh,Yong-Jin Ahn,Seoung-Soo Kim,Myeong-Ho Cho,Jong-Kyu Kim,Sung-Ro Ko,Tatsuhiro Ohtsuka,Seong-Sin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-29.

Methods and systems for high density RFID part scanning

Номер патента: US10163046B1. Автор: Edward Li,Kevin Yong Ung,Jack Fredrickson,William David Kelsey,John Jiang Yu,Brian James Smith. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-12-25.

Tote bin for high density articles and material handling system

Номер патента: CA1057216A. Автор: Robert J. Troller. Владелец: CECOR. Дата публикации: 1979-06-26.

Lead-free glaze for high density alumina

Номер патента: US3927238A. Автор: Frank Vincent Dimarcello. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1975-12-16.

High density protein arrays for screening of protein activity

Номер патента: CA2408291C. Автор: Mark Reed,Michael Snyder,Heng Zhu,James Frank Klemic. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-07-15.

Memory device, memory controller and memory system including them, and method for operating them for matching operation mode of memory interfaces

Номер патента: US10915259B2. Автор: Jee-Yul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Method for determining high-density metals in plants

Номер патента: RU2675379C1. Автор: Сарра Абрамовна Бекузарова,Владислав Борисович Заалишвили,Ольга Германовна Бурдзиева,Тамерлан Таймуразович Магкоев,Туган Аланович Дулаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный научный центр "Владикавказский научный центр Российской академии наук" (ВНЦ РАН). Дата публикации: 2018-12-19.

Guiding reed for high density warping

Номер патента: GB1215484A. Автор: . Владелец: Benninger AG Maschinenfabrik. Дата публикации: 1970-12-09.

High density lipoprotein cholesterol assay

Номер патента: US4188188A. Автор: Howard Willner,Robert J. Kapteyn. Владелец: Bio Rad Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-02-12.

Polyester film for high-density magnetic tape

Номер патента: CA2073276A1. Автор: Masashi Inagaki,Yuko Watanuki,Utsumi Shigeo. Владелец: Utsumi Shigeo. Дата публикации: 1993-01-19.

Method for manufacturing a magnetic powder for high density magnetic recording

Номер патента: CA1188882A. Автор: Tadashi Ido,Osamu Kubo,Hirotaka Yokoyama,Tutomu Nomura. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-06-18.

Digital data formatting system for high density magnetic recording

Номер патента: US4367497A. Автор: Vaughn J. Jenkins. Владелец: Sperry Corp. Дата публикации: 1983-01-04.

Method of shed opening of planar warp for high density three dimensional weaving

Номер патента: US5449025A. Автор: Amotz Weinberg. Владелец: Shenkar College of Textile Technology and Fashion. Дата публикации: 1995-09-12.

Self-synchronizing servo control system and servo data code for high density disk drives

Номер патента: US4987355A. Автор: Randall L. Sandusky,Robert Y. Noguchi,Mark W. E. Leaper. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1991-01-22.

Memory device including a processing circuit, memory controller controlling the memory device and memory system including the memory device

Номер патента: US20200356305A1. Автор: Wonjun Lee,Changhyun KIM,Seon Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Compact axial turbine for high density working fluid

Номер патента: US11898451B2. Автор: Joseph Harris,Paul Angel. Владелец: Industrom Power LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device and memory system capable of using redundancy memory cells

Номер патента: US11901032B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Methods for performing multiple memory operations in response to a single command and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11775459B2. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Composite hamr media structure for high areal density

Номер патента: US20180082713A1. Автор: Ganping Ju,Jan-Ulrich Thiele,Pin-Wei Huang,Zengyuan Liu,Randall Victora. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2018-03-22.

Small form factor detector module for high density diffuse optical tomography

Номер патента: US11864865B2. Автор: Joseph Culver,Edward Richter,Adam T. Eggebrecht. Владелец: Washington University in St Louis WUSTL. Дата публикации: 2024-01-09.

Tunnel for high density packaged goods

Номер патента: US20180157879A1. Автор: Ian J. Forster. Владелец: AVERY DENNISON RETAIL INFORMATION SERVICES LLC. Дата публикации: 2018-06-07.

Anatomically contoured stimulation leads for high density neural interface

Номер патента: EP4054704A1. Автор: Bo Lu,Ken RYS. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2022-09-14.

Coating composition for high density polyethylene tubing

Номер патента: EP1280850A1. Автор: Carl Horowitz,Mohan L. Sanduja,Paul Thottathil,Robert Mishiyev. Владелец: Logstar Ror As. Дата публикации: 2003-02-05.

High density soilless plant growth system and method

Номер патента: MY192265A. Автор: Gideo Van Der Merwe Pieter. Владелец: E Smarts Global Licensing Ltd. Дата публикации: 2022-08-15.

Improved tunnel for high density packaged goods

Номер патента: WO2018102390A1. Автор: Ian J. Forster. Владелец: Avery Dennison Retail Information Services, LLC. Дата публикации: 2018-06-07.

Knotless micro suture anchor array for high density anatomical attachment of soft tissue to bone

Номер патента: CA3214410A1. Автор: Thomas A. Westling,Zak Zenz-Olson,Nathaniel Van Tran,Howard W. Harris,Marc Labbé,Patrick M. Connor,David M. Crompton. Владелец: Integrity Orthopaedics Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Methods for performing multiple memory operations in response to a single command and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240126707A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3964941A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Knotless micro suture anchor array for high density anatomical attachment of soft tissue to bone

Номер патента: WO2022216960A1. Автор: Thomas A. Westling,Zak Zenz-Olson,Nathaniel Van Tran,Howard W. Harris,Marc Labbé,Patrick M. Connor,David M. Crompton. Владелец: Integrity Orthopaedics, Inc.. Дата публикации: 2022-10-13.

Knotless micro suture anchor array for high density anatomical attachment of soft tissue to bone

Номер патента: EP4291106A1. Автор: Thomas A. Westling,Zak Zenz-Olson,Nathaniel Van Tran,Howard W. Harris,Marc Labbé,Patrick M. Connor,David M. Crompton. Владелец: Integrity Orthopaedics Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Improved tunnel for high density packaged goods

Номер патента: EP3549054A1. Автор: Ian J. Forster. Владелец: AVERY DENNISON RETAIL INFORMATION SERVICES LLC. Дата публикации: 2019-10-09.

Locking aid for high density bd-rom discs

Номер патента: EP1861850A2. Автор: Alexander Padiy,Bart Van Rompaey. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-12-05.

Locking aid for high density bd-rom discs

Номер патента: MY138687A. Автор: Alexander Padiy,Bart Van Rompaey. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2009-07-31.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US12020767B2. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020764B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Voltage generator and memory device having the voltage generator

Номер патента: US20210366555A1. Автор: Won Jae Choi,Hyun Chul Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Function analysis method and memory device

Номер патента: US20170262366A1. Автор: Kuo-Chiang Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Bit counting circuits and memory devices including the same

Номер патента: US20240233852A1. Автор: Makoto Hirano,Jongmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Proactive data placement in high density storage by a hybrid non-volatile storage controller

Номер патента: US20240256440A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Timothy J. Fisher,Andrew D. Walls,Nikolas Ioannou,Roman Alexander Pletka,Radu Ioan Stoica,Aaron Daniel Fry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Wordline defect detection circuit, wordline defect detection method, and memory device including the same

Номер патента: EP4398253A2. Автор: Seongjin Kim,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Word line driving unit with a boost voltage generator and memory device including the same

Номер патента: US10090032B2. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Ming-En Bu,Weiyang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

Wordline defect detection circuit, wordline defect detection method, and memory device including the same

Номер патента: US20240233850A1. Автор: Seongjin Kim,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Wordline defect detection circuit, wordline defect detection method, and memory device including the same

Номер патента: EP4398253A3. Автор: Seongjin Kim,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

High-performance input buffer and memory device having the same

Номер патента: EP4200850A1. Автор: Hang Song,Sangoh Lim,Gyuwan Kwon. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

High-performance input buffer and memory device having the same

Номер патента: US20240264775A1. Автор: Hang Song,Sangoh Lim,Gyuwan Kwon. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Function analysis method and memory device

Номер патента: US10394709B2. Автор: Kuo-Chiang Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Word Line Driving Unit With a Boost Voltage Generator and Memory Device Including the Same

Номер патента: US20170345473A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Ming-En Bu,Weiyang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Efficient method for high resolution imaging and reconnaissance of buried subsurface pipeline and other infrastrucutre using above surface geophysical sensors and artificial intelligence

Номер патента: US20240263544A1. Автор: Souvik Mukherjee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-08.

Data Transmission Circuit, Data Transmission Method and Memory Device

Номер патента: US20240304226A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Data transmission circuit, data transmission method and memory device

Номер патента: US12131797B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Current sensing circuit and memory device having the same

Номер патента: US09966151B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09613703B2. Автор: Makoto Senoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Address aligner and memory device including the same

Номер патента: US09601172B2. Автор: Chang-yong Lee,Gong-Heum Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacture of ceramic material of high density with use of hexagonal boron nitride

Номер патента: RU2662488C1. Автор: Дзянфэн ЧЖАН,Юипин У,Гайе ЛИ,Шен ХУН,Вэнмин ГУО. Владелец: Хохай Юнивесити. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of manufacturing high-density, including optical, ceramics using electrophoretic deposition of nanoparticles

Номер патента: RU2638205C1. Автор: Максим Геннадьевич Иванов,Елена Григорьевна Калинина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2017-12-12.

Modular method of improving quality and system for improving quality of oil shale in high-density coal beds

Номер патента: RU2698754C1. Автор: Бо Чжан,Лян ДУН,Чэньлун ДУАНЬ,Юэминь ЧЖАО,Сюйчэнь ФАНЬ,Чэньян ЧЖОУ,Цзинфэн ХЭ. Владелец: Чайна Юниверсити Оф Майнинг Энд Текнолоджи. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of manufacture of the laminated paper of the high density and with the high oxygen permeability and the paper of the high-density produced by this method

Номер патента: RU2299812C2. Автор: Кнут Магне ФУРУХЕЙМ. Владелец: Кнут Магне ФУРУХЕЙМ. Дата публикации: 2007-05-27.

Method of regenerating material from high-density polyethylene (hdpe) by thermal fusion and regenerated products from hdpe

Номер патента: RU2735016C1. Автор: ОСОРИО Габриэль Игнасио БАРАОНА,ПАЭС Сильвия Монсеррат БРУНА. Владелец: Сосьедад Комерсиаль Арут Спа. Дата публикации: 2020-10-27.

Method of producing high-density pellet powder

Номер патента: RU2655362C2. Автор: Юрий Михайлович Михайлов,Юрий Владимирович Алексеев,Татьяна Александровна Енейкина,Любовь Анатольевна Чистякова,Наталья Николаевна Ермилова,Елена Александровна Абакумова,Роза Фаттыховна Гатина. Владелец: Федеральное казенное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт химических продуктов" (ФКП "ГосНИИХП"). Дата публикации: 2018-05-25.

Memory device, memory controller and memory system

Номер патента: US20100146201A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Hitoshi Ikeda,Toshiya Uchida,Tetsuo Miyamoto,Yoshinobu Yamamoto,Shinnosuke Kamata,Masanori Kurita,Hidenaga Takahashi,Ayako Sato,Tatsushi Otsuka,Tatsuya Kanda,Satoru Shirakawa,Tomohiro Kawakubo,Syusaku Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Memory system having two-way ring topology and memory device and memory module for ring-topology memory system

Номер патента: US7093076B2. Автор: Kye-Hyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-15.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US10037817B2. Автор: Dong-Wook Kim,Dong-Hak Shin,Sung-Jun HER. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-31.

Memory address checking within a solid state memory device

Номер патента: GB2342739A. Автор: Jeremy Harris. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2000-04-19.

Ternary memory cell for logic-in-memory and memory device comprising same

Номер патента: US11727988B2. Автор: Jae Won Jeong,Kyung Rok Kim,Young Eun Choi. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor memory device having first and second memory architecture and memory system using the same

Номер патента: US20030076702A1. Автор: Kye-Hyun Kyung,Byung-sick Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US11947798B2. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory device and memory system having the memory device

Номер патента: US11782646B2. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory device and memory controller and storage device including the memory device and memory controller

Номер патента: US11908535B2. Автор: Jonghwa Kim,Jinmin SEOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory module and memory system including the same

Номер патента: US20170293427A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Dong-Gun KIM,Do-Sun HONG,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO,Jae-Sun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit

Номер патента: US11842769B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit

Номер патента: US20230335187A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods of determining host clock frequency for run time optimization of memory and memory devices employing the same

Номер патента: US10593384B2. Автор: Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-17.

Data line management in a memory device

Номер патента: US20110261624A1. Автор: Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20180046389A1. Автор: Taek-Sang Song,Sang-Jin Byeon,Il Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11900983B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Operation method of host configured to communicate with storage devices and memory devices, and system including storage devices and memory devices

Номер патента: EP4273708A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Operation method of host configured to communicate with storage devices and memory devices, and system including storage devices and memory devices

Номер патента: US20230359389A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks, method of operation of memory system, and memory controller

Номер патента: US20230342050A1. Автор: Taeyoung Oh,Youngdo Um,Hoseok Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of operating memory device, memory device using the same and memory system including the device

Номер патента: US20180136865A1. Автор: Shmuel Dashevsky,Jun Jin Kong,Michael Erlihson,Elona Erez,Guy Inbar,Keon Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-17.

Methods of determining host clock frequency for run time optimization of memory and memory devices employing the same

Номер патента: US20190043545A1. Автор: Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Memory device performing self-calibration by identifying location information and memory module including the same

Номер патента: US20210141747A1. Автор: Hae Young Chung,Wangsoo KIM,Heon Su JEONG,Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Memory device performing self-calibration by identifying location information and memory module including the same

Номер патента: US11874784B2. Автор: Hae Young Chung,Wangsoo KIM,Heon Su JEONG,Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-16.

Method of testing memory device, memory built-in self test (MBIST) circuit, and memory device for reducing test time

Номер патента: US11899959B2. Автор: Jaewon Park,Jaehoon Lee,Sangkil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Methods of synchronizing memory operations and memory systems employing the same

Номер патента: US20190065109A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of synchronizing memory operations and memory systems employing the same

Номер патента: US10976960B2. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2021034431A8. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210057003A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Apparatus for controlling access to a memory device and memory system comprising the same

Номер патента: US20230420020A1. Автор: Christopher Cox,Yibo Jiang,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Technology Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11854655B2. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Storage device, memory device, and system including storage device and memory device

Номер патента: EP4273706A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Memory device, host device and memory system comprising the memory device and host device

Номер патента: US11941249B2. Автор: Dong-Woo Kim,Kyoung Back Lee,Wook Han Jeong,Jae Sun No,Byung June Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory system and memory managing method thereof

Номер патента: US20130117500A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US11869569B2. Автор: Sang Kyu Kang,Haewon Lee,Jieun Shin,Hocheol Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Storage device, memory device, and system including storage device and memory device

Номер патента: US20230350832A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US11948661B2. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory devices, modules and systems having memory devices with varying physical dimensions, memory formats, and operational capabilities

Номер патента: EP3899736A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory devices, modules and systems having memory devices with varying physical dimensions, memory formats, and operational capabilities

Номер патента: US20240111707A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory devices, modules and systems having memory devices with varying physical dimensions, memory formats, and operational capabilities

Номер патента: US11789890B2. Автор: Thomas H. Kinsley,Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

System on chip, memory device, electronic device comprising the soc and memory device, and method for storing data in the electronic device

Номер патента: US20210182223A1. Автор: Ji Hyun Choi,Seung-Hyun Cho,Hyun-Joong Kim,Woong-jae SONG,Soo-Woong AHN,Joon Sik SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Methods for generating notifications for updated information from mode registers of a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11977770B2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory device performing self-calibration by identifying location information and memory module including the same

Номер патента: US20230131945A1. Автор: Hae Young Chung,Wangsoo KIM,Heon Su JEONG,Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Device for interfacing between memory device and memory controller, package and system including the device

Номер патента: US20210397569A1. Автор: Sangsub SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: EP4231162A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3936996A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-12.

Method and system for controlling a memory device

Номер патента: GB2616467A. Автор: Gao Zhi,Varma Uppalapati Venkata Suneel. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20230352086A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device performing self-calibration by identifying location information and memory module including the same

Номер патента: US20240111695A1. Автор: Hae Young Chung,Wangsoo KIM,Heon Su JEONG,Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US11269560B2. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-08.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20090180347A1. Автор: Masao Kuriyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019236117A3. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019236117A2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-12-12.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP3803871A2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Methods for clock signal alignment in a memory device and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210027816A1. Автор: Dirgha Khatri,Randon K. Richards. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Staggering refresh address counters of a number of memory devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11887649B2. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240105250A1. Автор: Sang Kyu Kang,Haewon Lee,Jieun Shin,Hocheol Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

An apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: WO2016193658A1. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-12-08.

Power management for memory device

Номер патента: US11762443B2. Автор: Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20180122442A1. Автор: Jong-Pil Son,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Memory system, electronic device including the same, and memory controller

Номер патента: EP3982243A1. Автор: YoungMin Lee,Sungho SEO,Myungsub SHIN,Haesung Jung,Seongyong JANG,Kyungphil YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-13.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US12014775B2. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US10996872B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-04.

Memory device including memory package and memory system including the memory device

Номер патента: US20240194233A1. Автор: Sung Geun Kang,In Bo Shim,Su Il Jin,Eun Kyu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Power management for memory device

Номер патента: US20220326753A1. Автор: Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Power management for memory device

Номер патента: US20210208653A1. Автор: Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor memory device, controller and memory system having the same

Номер патента: US20210294503A1. Автор: Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240203464A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Mattress with casing having a quilted layer of high density foam method and system for making same

Номер патента: US20170088990A1. Автор: Stephen J. Schiller,Ryan B. Bethea. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-30.

High-density electrode catheters with magnetic position tracking

Номер патента: EP4364680A3. Автор: Derek C. Sutermeister,Hong Cao,Troy T. Tegg,Gregory K. Olson,Timothy S. MARASS,Bruce Ebner,Vladislav Dmidrievich POPOV. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

High-density port tap fiber optic modules, and related systems and methods for monitoring optical networks

Номер патента: EP2850475A1. Автор: Terry Lee Cooke,Brian Keith Rhoney,Scott Eaker BUFF,Christopher Shawn Houser,Ronald Alan LEONARD. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2015-03-25.

High-density electrode catheters with magnetic position tracking

Номер патента: EP4364680A2. Автор: Derek C. Sutermeister,Hong Cao,Troy T. Tegg,Gregory K. Olson,Timothy S. MARASS,Bruce Ebner,Vladislav Dmidrievich POPOV. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Method of recording addresses onto high-density read-only recording medium, a high-density read-only recording medium containing addresses recorded by the method, and reproducing method of the high-density read-only recording medium

Номер патента: WO2004017313A1. Автор: Sang Woon Suh,Jung Bae Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method and apparatus for generating and detecting initialization patterns for high speed DRAM systems

Номер патента: US20060041800A1. Автор: James Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

High-density optical disk with a polymer film featuring thermochromism

Номер патента: US20030108709A1. Автор: Jin Kim,Kyung Park,Bum Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2003-06-12.

Memory buffer device integrating refresh

Номер патента: WO2005033959A1. Автор: Kuljit S. Bains,John B. Halbert,Michael W. Williams,Robert M. Ellis,Chris B. Freeman,Narendra S. Khandekar. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-04-14.

Active calibration for high-speed memory devices

Номер патента: EP2384474A1. Автор: Frederick A. Ware,Jared L. Zerbe,Brian S. Leibowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2011-11-09.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor memory device having configuration suited for high integration

Номер патента: US20020034116A1. Автор: Michio Nakajima,Takekazu Yamashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

High density ternary content addressable memory

Номер патента: US20100265748A1. Автор: Chung H. Lam,Bipin Rajendran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-21.

Method and apparatus for generating and detecting initialization patterns for high speed DRAM systems

Номер патента: US20080140889A1. Автор: James Brian Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Integrated Circuits With Single-Functional-Unit Level Integration of Electronic and Photonic Elements

Номер патента: US20230038024A1. Автор: Yong Zhang,Antardipan Pal,Dennis Yau. Владелец: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHARLOTTE. Дата публикации: 2023-02-09.

Proactive data placement in high density storage by a hybrid non-volatile storage controller

Номер патента: US12093171B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Timothy J. Fisher,Andrew D. Walls,Nikolas Ioannou,Roman Alexander Pletka,Radu Ioan Stoica,Aaron Daniel Fry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

High density polyethylene compositions

Номер патента: WO2024215428A1. Автор: Keran LU,Fengyi Zhang. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

System and method for high performance and low cost flash translation layer

Номер патента: US09575884B2. Автор: Anand Srinivasan,Hyunsuk Shin,Dexter T. CHUN,Steven Haehnichen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Low, medium and high density single-catalyst polyethylenes

Номер патента: RU2388766C2. Автор: Райнер КОЛЬБ,Джон Ф. СУЛЬ. Владелец: ЮНИВЕЙШН ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2010-05-10.

Memory cells, memory cell programming methods, memory cell reading methods, memory cell operating methods, and memory devices

Номер патента: US8154906B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-10.

Method of producing high-density composite material based on al2o3 - ticn

Номер патента: RU2741032C1. Автор: Владимир Андреевич Батаев,Владимир Григорьевич Буров,Гарегин Раймондович Карагедов,Анатолий Андреевич Батаев,Сергей Викторович Веселов,Руслан Изатович Кузьмин,Василий Васильевич Янпольский,Андрей Геннадиевич Тюрин,Алексей Олегович Лазарев,Вячеслав Игоревич Квашнин,Екатерина Дмитриевна Зыкова,Захар Алексеевич Карпович,Алексей Александрович Виноградов,Руслан Александрович Максимов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ». Дата публикации: 2021-01-22.

Coupling for fiber connector with high density of placing full set of fibers

Номер патента: RU2630201C2. Автор: Шух ЛИ,Роберт Риэн ВАЛЛАНС,Майкл К. БАРНОСКИ,Грегори Л. КЛОТЦ. Владелец: Нанопресижен Продактс, Инк.. Дата публикации: 2017-09-06.

Circuit providing load isolation and memory domain translation for memory module

Номер патента: US7916574B1. Автор: Jayesh R. Bhakta,Jeffrey C. Solomon. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2011-03-29.

High temperature lubricating agent for updating viscosity of low- and high-density brines

Номер патента: RU2453576C2. Автор: Рейналдо Конрадо Наваррете,Чженкьян ВЭЙ. Владелец: Акцо Нобель Н.В.. Дата публикации: 2012-06-20.

Method for preparation of base brine with high density for creation of killing and completion fluids

Номер патента: RU2720023C1. Автор: Денис Валерьевич Фроловский. Владелец: Денис Валерьевич Фроловский. Дата публикации: 2020-04-23.

Supported plasma sputtering apparatus for high deposition rate over large area

Номер патента: US4038171A. Автор: Ronald W. Moss,Edwin D. McClanahan, Jr.,Nils Laegreid. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 1977-07-26.

Method of manufacturing a heat-resistant filled high density foam

Номер патента: RU2651156C1. Автор: Евгений Владимирович Седов,Ирина Юрьевна Андреева,Галина Васильевна Котко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2018-04-18.

Semiconductor memory device having a decoding circuit for reducing electric field stress applied to memory cells

Номер патента: US5301144A. Автор: Takaki Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-04-05.

Memory devices and methods of their operation during a programming operation

Номер патента: US9805801B1. Автор: Yogesh Luthra,Xiaojiang Guo,Kim-Fung Chan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and memory system

Номер патента: US5903495A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US4799193A. Автор: Fumio Horiguchi,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Mitsugi Ogura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-01-17.

Abrasive surfaced article for high temperature service

Номер патента: CA1237990A. Автор: Harry E. Eaton,Alfred P. Matarese,Richard C. Novak,James M. Goodman. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1988-06-14.

Semiconductor memory device, system or method

Номер патента: GB2337618A. Автор: Joo Sun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-24.

Semiconductor device and memory protection method

Номер патента: US9336065B2. Автор: Kenichi Maeda,Hiroto Nakai,Tatsunori Kanai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor disk device

Номер патента: US20040165450A1. Автор: Hideaki Kurata,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Failure analysis device for IC tester and memory device measuring device for IC tester

Номер патента: US5978949A. Автор: Chitomi Terayama. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US11947810B2. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Hyeran Kim,Sungrae Kim,ChiSung OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240096394A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US11914479B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Forming method of memory device

Номер патента: US20240087629A1. Автор: Naoki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods for recovery for memory systems and memory systems employing the same

Номер патента: US11929133B2. Автор: Rachael Skreen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for operating host device and memory device and vehicle comprising the host device and memory device

Номер патента: US11780451B2. Автор: Young San KANG,Kwang Won Park,Byung Yo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory device, memory controller, and storage device including memory device and memory controller

Номер патента: US20200381051A1. Автор: Dong Hyun Kim,Seung Il Kim,Youn Ho Jung,Min Ho HER. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Sense operation flags in a memory device

Номер патента: US20150363313A1. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Sense flags in a memory device

Номер патента: US20190369887A1. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US11899971B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device, testing method and using method thereof, and memory system

Номер патента: US11854640B2. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of operating memory device and host device, and memory system including partitioning purge region responsive to purge information

Номер патента: US11797210B2. Автор: Dong-Min Kim,Jeong-Woo Park,Kyoung Back Lee,Dae Jin Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200201698A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Method of reducing program disturbance in memory device and memory device utilizing same

Номер патента: US11676646B2. Автор: SHAN Li,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Method of reducing program disturbance in memory device and memory device utilizing same

Номер патента: US20220084573A1. Автор: SHAN Li,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Dynamic semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200176052A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Chul Hwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: EP4312218A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM,Hyongryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Method of operating memory device and memory device performing the same

Номер патента: US11829224B2. Автор: Youngjae PARK,Reum Oh,Hyungjin Kim,Jinyong Choi,Dongyeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory device and memory controller

Номер патента: US10803950B2. Автор: Yasuhiro Shimura,Koki Ueno,Tomoki Higashi,Hidehiro Shiga,Sumito Ohtsuki,Shinichi Oosera,Keisuke Yonehama,Yuki KANAMORI,Junichi KIJIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-13.

Memory device and memory controller

Номер патента: US10347338B2. Автор: Yasuhiro Shimura,Koki Ueno,Tomoki Higashi,Hidehiro Shiga,Sumito Ohtsuki,Shinichi Oosera,Keisuke Yonehama,Yuki KANAMORI,Junichi KIJIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Storage device providing high purge performance and memory block management method thereof

Номер патента: EP4287028A1. Автор: Youngjoon JANG,Jinhwan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-06.

Memory device, image processing chip, and memory control method

Номер патента: US11822818B2. Автор: Yi-Chieh Huang,Shan-Cheng Sun,Hsien-Chu Chung. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20240029808A1. Автор: Hyeran Kim,Sungrae Kim,ChiSung OH,Gilyoung Kang,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory operation method and memory device

Номер патента: US20240134538A1. Автор: Hsiang-Yu Huang,Po-Sheng Chou,Yan-Wen WANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

System and method of RF speed control for high-performance vehicles

Номер патента: US11940788B1. Автор: Timothy P. Lyon,Robert Carollo,Catherine KIRK. Владелец: Wow Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210358539A1. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory, control method of memory controller, and memory controller

Номер патента: US20150339198A1. Автор: Hironobu Miyamoto,Ryoichi Kato,Jun Shinohara,Tomonori Masuo,Tatsuya Sumiyoshi,Yuuichirou Gunji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230420033A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM,Hyongryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US11869615B2. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11837272B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20130250652A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Storage device providing high purge performance and memory block management method thereof

Номер патента: US20230384957A1. Автор: Youngjoon JANG,Jinhwan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20230418487A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory controlling method and memory system

Номер патента: US20170003908A1. Автор: Cheng-Wen Wu,Pei-Wen Luo,Chi-Kang CHEN,Ding-Ming Kwai,Hsiu-Chuan Shih. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-05.

Memory controller including ECC circuit, memory system having the same, and method of operating memory system and memory controller

Номер патента: US11036577B2. Автор: Sung-Kyu Park,Beom-kyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-15.

Memory device, the operation method thereof and memory system

Номер патента: US20240029793A1. Автор: JING Wei,Zhihong Li,Masao Kuriyama. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory system and memory access interface device thereof

Номер патента: US11823770B1. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu,Li-Jun Gu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory system and memory access interface device thereof

Номер патента: US20230360683A1. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu,Li-Jun Gu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory device and memory system

Номер патента: US11798641B2. Автор: Yong-Sung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230420021A1. Автор: Katsuhiko Hoya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US11942137B2. Автор: Hoyoun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

SELF ALIGNED BORDERLESS CONTACT

Номер патента: US20140035141A1. Автор: Cheng Kangguo,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-06.

SILICON-ON-INSULATOR TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BORDERLESS SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20130175619A1. Автор: Horak David V.,Koburger,III Charles W.,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,FAN Susan S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for Operating a High Density Multi-Level Cell Non-Volatile Flash Memory Device

Номер патента: US20130155768A1. Автор: Yan Feng,XU YUE,PU LING,JI XIAOLI. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Charge for production of material for high-current contacts and method of its production

Номер патента: RU2523156C1. Автор: Иосиф Сергеевич Гершман,Евгений Иосифович Гершман. Владелец: Негосударственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский новый университет" (НОУ ВПО "РосНОУ"). Дата публикации: 2014-07-20.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT OF DIGITAL IMAGES AND LOCAL MOTION DETECTION FOR HIGH DYNAMIC RANGE (HDR) IMAGING

Номер патента: US20120002890A1. Автор: Mathew Binu K.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216434A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to produce interconnections in high-density electronic modules

Номер патента: RU2504046C1. Автор: Леонид Викторович Воронцов,Ринат Шаукатович Тахаутдинов. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега". Дата публикации: 2014-01-10.

Sintering process for high density ceramic substrate

Номер патента: MY142828A. Автор: Mohamed Razman Yahya,Sabrina Mohd Shapee,Azmi Ibrahim,Rosidah Dr Alias,Mohd Nizam Osman,Abd Fatah Awang Dr Mat. Владелец: Telekom Malaysia Berhad. Дата публикации: 2011-01-14.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216432A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Transportation system of stores with high density tier storing of palletized load

Номер патента: RU2323149C1. Автор: Александр Сергеевич Медведев,Вячеслав Григорьевич Зубенко,Алексей Владимирович Лутовинин,Александр Сергеевич Медведев (RU),В чеслав Григорьевич Зубенко (RU),Алексей Владимирович Лутовинин (RU). Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Малое Научно-Производственное Предприятие "Сатурн". Дата публикации: 2008-04-27.

Contact retention arrangement for high density cable connector assembly

Номер патента: CA2095684A1. Автор: Scott J. Lapraik,Eric D. Juntwait. Владелец: Eric D. Juntwait. Дата публикации: 1993-11-30.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

High density ceramic blocks and composite armor comprising them

Номер патента: RU2462682C2. Автор: Майкл КОЭН. Владелец: Майкл КОЭН. Дата публикации: 2012-09-27.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Composition for preparing high-density non-solid phase process liquids

Номер патента: RU2423405C1. Автор: Евгений Николаевич Штахов,Алексей Александрович Бояркин,Михаил Евгеньевич Ламосов. Владелец: Михаил Евгеньевич Ламосов. Дата публикации: 2011-07-10.

Method for pressing of high-density stocks and parts of metal powder in presence of liquid phase

Номер патента: RU2399458C2. Автор: Валерий Николаевич Кокорин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2010-09-20.

Method of achieving combination of high hardness and crack resistance of high-density nanostructured tungsten carbide articles

Номер патента: RU2548252C2. Автор: Юрий Вячеславович Благовещенский,Владимир Николаевич Чувильдеев,Сергей Викторович Шотин,Максим Сергеевич Болдин,Никита Владимирович Сахаров,Алексей Владимирович Нохрин,Анна Владимировна Москвичева,Наталья Вячеславовна Исаева. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2015-04-20.

Method of producing strong material of high density on base of aluminium powder

Номер патента: RU2370341C1. Автор: Николай Мартемьянович Русин. Владелец: Институт физики прочности и материаловедения Сибирское отделение Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2009-10-20.

Linking zone structure made on carrier only for reading high density records, method and device for manufacturing and reading the carrier

Номер патента: RU2302043C2. Автор: Сан Вун СУ,Джин Ён КИМ,Сан Вун СУ (KR),Джин Ен КИМ (KR). Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2007-06-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.