Semiconductor Device with Metallization Structure on Opposite Sides of a Semiconductor Portion.

Semiconductor Device with Metallization Structure on Opposite Sides of a Semiconductor Portion

Номер патента: US20200126904A1
Опубликовано: 23-04-2020
Автор(ы): Martin Poelzl, Paul Ganitzer
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor Device with Metallization Structure on Opposite Sides of a Semiconductor Portion

Номер патента: US20180138120A1. Автор: Martin Poelzl,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device with metallization structure on opposite sides of a semiconductor portion

Номер патента: US10593623B2. Автор: Martin Poelzl,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor device with metallization structure on opposite sides of a semiconductor portion

Номер патента: US11552016B2. Автор: Martin Poelzl,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-01-10.

Semiconductor device with metallization structure on opposite sides of a semiconductor portion

Номер патента: US20210183763A1. Автор: Martin Poelzl,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device with metallization structure on opposite sides of a semiconductor portion

Номер патента: US10971449B2. Автор: Martin Poelzl,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-04-06.

Method of manufacturing semiconductor device including cutting a molding member and a redistribution wiring layer and a cutting region of a base substrate

Номер патента: US11887907B2. Автор: Wonyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240274523A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US12100646B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of forming substrate including embedded component with symmetrical structure

Номер патента: US9837484B2. Автор: Sungsoo Kim,JinHee Jung,Hyungsang PARK. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11923374B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20230395608A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240047329A1. Автор: Naohiro Mashino. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230087787A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230253296A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230197573A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US12080630B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US11881443B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230343679A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20240128165A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method of dual-molding die formed on opposite sides of build-up interconnect structure

Номер патента: US09443829B2. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240079401A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11990462B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device, and method of testing and producing semiconductor device

Номер патента: US5750421A. Автор: Kazuto Tsuji,Junichi Kasai,Masao Sakuma,Yoshiyuki Yoneda,Masashi Takenaka,Norio Taniguchi,Yukio Saigo,Takashi Mashiko. Владелец: Miyachi Systems Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-12.

Method of manufacturing semiconductor device and support structure for semiconductor substrate

Номер патента: US20050263907A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US20220068862A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09779992B2. Автор: Yasuaki Tsuchiya,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Silicon-on-plastic semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US09583414B2. Автор: Julio C. Costa,David M. Shuttleworth,Michael J. Antonell. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9633901B2. Автор: Akitaka SOENO,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20230268321A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

3D semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US12027518B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240222368A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US12051674B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240304617A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240321832A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12125737B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240363385A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11961827B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240128237A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

3D semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US11984445B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240120332A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11916045B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20230395572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11967583B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20230335535A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11784169B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240222333A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device having outer terminal portions with conductive layer on outer end surfaces and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11887915B2. Автор: Masafumi SUZUHARA. Владелец: Amkor Technology Japan Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09449904B2. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080119037A1. Автор: Yasunori Kurosawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US7768065B2. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20100148247A1. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20110079842A1. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20050242393A1. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20080073714A1. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US7317224B2. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-01-08.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Methods for Forming a Semiconductor Device and Semiconductor Devices

Номер патента: US20170365516A1. Автор: Sebastian Schmidt,Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Oliver Hellmund,Martina SEIDER-SCHMIDT. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Vertical semiconductor device with thinned substrate

Номер патента: US09673219B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210013144A1. Автор: Ji Yeon Ryu,Jae Beom Shim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device and manufacturing method for same

Номер патента: EP4239669A1. Автор: Kazuyoshi Watanabe,Yuichi Ono,Junichi Takeya,Han Nozawa. Владелец: Organo Circuit Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20230255038A1. Автор: Kazuyoshi Watanabe,Yuichi Ono,Junichi Takeya,Han Nozawa. Владелец: Organo Circuit Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on PMOS region

Номер патента: US11756888B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on PMOS region

Номер патента: US12057401B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on pmos region

Номер патента: US20240363539A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on PMOS region

Номер патента: US11171091B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on pmos region

Номер патента: US20230369227A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on pmos region

Номер патента: US20210125927A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device assemblies and systems including at least one conductive pathway extending around a side of at least one semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20080122113A1. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choon Kuan Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Systems for processing one or more semiconductor devices, and related methods

Номер патента: US12020955B2. Автор: Michael E. Koltonski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Tools and systems for processing a semiconductor device structure, and related methods

Номер патента: US20190348306A1. Автор: Michael E. Koltonski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Tools and systems for processing a semiconductor device structure, and related methods

Номер патента: WO2019217076A1. Автор: Michael E. Koltonski. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: EP4044254A3. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masami Sawada,Akihiro Shimomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-26.

EMI/RFI shielding for semiconductor device packages

Номер патента: US09673150B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09373593B2. Автор: Sadao Nakayama,Yoshihiro Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US12094728B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Chen-Cheng Kuo,Jo-Lin Lan,Zi-Jheng Liu,Meng-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor Device

Номер патента: US20230307251A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Chen-Cheng Kuo,Jo-Lin Lan,Zi-Jheng Liu,Meng-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321638A1. Автор: Takeyuki Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having a locally reinforced metallization structure

Номер патента: US09397022B2. Автор: Roman Roth,Frank Umbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device having a silicon and germanium material filling a cavity region comprising a notch region formed within a semiconductor substrate

Номер патента: US20160240680A1. Автор: Fang Li,Kun Chen,Yefang Zhu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device having a conductive contact in direct contact with an upper surface and a sidewall of a gate metal layer

Номер патента: US11855217B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with cavity carrier and method therefor

Номер патента: US20240234222A9. Автор: Zhiwei Gong,Kuan-Hsiang Mao,Neil Thomas Tracht. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Lead frame of semiconductor device, integrated-type lead frame of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230317572A1. Автор: Shogo Shibata,Kazufumi Oki,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor devices having air spacers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09847278B2. Автор: Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Semyeong Jang,Jaehyoung Choi,Kyung-Eun KIM,Yongkwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728431B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Shun Matsui,Tadashi Takasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-08-08.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230420440A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230013960A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20210202454A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US11749665B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20230335558A1. Автор: SunKi Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

A method for producing an interconnect rail for contacting a semiconductor device from the back side

Номер патента: EP4287246A1. Автор: Gaspard Hiblot,Anne Jourdain,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor device with cavity carrier and method therefor

Номер патента: US20240136238A1. Автор: Zhiwei Gong,Kuan-Hsiang Mao,Neil Thomas Tracht. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device with cavity carrier and method therefor

Номер патента: EP4369383A1. Автор: Zhiwei Gong,Kuan-Hsiang Mao,Neil Thomas Tracht. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: EP4266351A1. Автор: SunKi Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-25.

Semiconductor Device Package

Номер патента: US20090091023A1. Автор: Masaya Tajima. Владелец: Tokai Rika Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor Devices and Methods for Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20170330964A1. Автор: Ralf Siemieniec,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor device including stack structure with flat region

Номер патента: US11810776B2. Автор: Seungjun Shin,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230223346A1. Автор: Seungjun Shin,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240096968A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device including resistor structure

Номер патента: US20180211952A1. Автор: Do-hyoung Kim,Doo-Young Lee,Hong-sik Shin,Won-Hyuk Lee,Hyon-wook Ra,Seo-bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-26.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240154006A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-09.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4365955A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130244381A1. Автор: Takanori Okita,Katsuhito Kamachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11309292B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2022-04-19.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11424222B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11605616B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-03-14.

Method for manufacturing mosfet on semiconductor device

Номер патента: US20070161212A1. Автор: Young Seong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Contact plugs for semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240021501A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Shen-Nan Lee,Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Contact plugs for semiconductor device

Номер патента: US11756864B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Shen-Nan Lee,Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Mrunal A Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20230411346A1. Автор: Joonyoung Choi,Gayeon KIM,WooSoon KIM,SeongKwon HONG. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof prevent the occurrence of the resin on both sides of the notch portion of the lead portion and improve the quality and reliability

Номер патента: TW201935646A. Автор: 成田亨,海老名建志,小野哲彌. Владелец: 日商青井電子股份有限公司. Дата публикации: 2019-09-01.

Semiconductor devices with close-packed via structures having in-plane routing and method of making same

Номер патента: US09484293B2. Автор: Thorbjörn Ebefors,Daniel Perttu. Владелец: SILEX MICROSYSTEMS AB. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing a semiconductor device having frame structures laterally surrounding backside metal structures

Номер патента: US20220085174A1. Автор: Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Ronny Kern,Matteo Piccin,Guenter Denifl,Michael KNABL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: US20230343683A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Crispulo Estira Lictao, JR.,Dominic (PohMeng) Koey. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: EP4269330A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Jr. Crispulo Estira Lictao,Dominic Koey (Pohmeng). Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor devices suitable for narrow pitch applications and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09530898B2. Автор: WEI Liu,Jing Tang,Johanes Swenberg,Tze Wing Poon,Christopher Sean Olsen,Udayan Ganguly,Yoshitaka Yokota,Sunderraj Thirupapuliyur,Jacob Newman,Shiyu Sun,Vicky U. Nguyen,Swaminathar Srinivasan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Packaged semiconductor devices and packaging devices and methods

Номер патента: US09728496B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Pad structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4139958A1. Автор: LIANG XIAO,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor devices having a TSV, a front-side bumping pad, and a back-side bumping pad

Номер патента: US09806004B2. Автор: Ho-Jin Lee,Jisoon Park,Byunglyul Park,Jinho AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11923301B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device with connector in package and method therefor

Номер патента: US11961776B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20210028131A1. Автор: Michael B. Vincent,Abdellatif Zanati. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11749624B2. Автор: Michael B. Vincent,Abdellatif Zanati. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20090294851A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180261562A1. Автор: Yoichi Mimuro,Shinjiro Kato,Tetsuo Shioura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor Device

Номер патента: US20110210394A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-01.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES WITH FRONT-END METAL STRUCTURES

Номер патента: US20190393130A1. Автор: Wolter Andreas,Mahnkopf Reinhard,Koller Sonja. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09922858B2. Автор: Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device assembly including a chip carrier, semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09768120B2. Автор: Anton Mauder,Khalil Hosseini,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having an inner power supply plate structure

Номер патента: US09431337B2. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20160204058A1. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

BGA type semiconductor device and electronic equipment using the same

Номер патента: US6163071A. Автор: Hideho Yamamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-12-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200043822A1. Автор: Junji Fujino,Hiroshi Kawashima,Soichi SAKAMOTO,Taketoshi Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US11881444B2. Автор: Atsushi Kyutoku,Soichiro UMEDA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11476181B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2022-10-18.

Semiconductor Device Package with Combined Contacts

Номер патента: US20230343690A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Roel Gabriel Hernando Taburnal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240250163A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12094965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US11935949B1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20230378339A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US11869965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240079488A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and electronic equipment

Номер патента: EP4398290A1. Автор: Toshihiro Murayama,Masaki Hatano,Yoshihiro Makita,Atsushi TUKADA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: WO2018087630A1. Автор: Takayuki Ikeda,Seiichi Yoneda. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20180130539A1. Автор: Takayuki Ikeda,Seiichi Yoneda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190096847A1. Автор: Daisuke Fukamachi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Resin composition, film with adhesive for semiconductor device, laminated film with metal foil and semiconductor device using them

Номер патента: TWI250189B. Автор: Nobuo Matsumura,Toshio Yoshimura,Koichi Fujimaru. Владелец: Toray Industries. Дата публикации: 2006-03-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20150021752A1. Автор: Shingo Itoh. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor devices with thermally isolating structures

Номер патента: WO2022026238A1. Автор: Shams U. Arifeen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

Low-cost semiconductor package using conductive metal structure

Номер патента: US20190311975A1. Автор: In Suk Choi,Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20220181226A1. Автор: Yoichi Makimoto,Tomohiro Yamanaka. Владелец: Sansha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: US11935820B2. Автор: Yoichi Makimoto,Tomohiro Yamanaka. Владелец: Sansha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240038763A1. Автор: Dongwon Kim,Keun Hwi Cho,Sangdeok KWON,Yonghee PARK,Hagju CHO,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US11824059B2. Автор: Dongwon Kim,Keun Hwi Cho,Sangdeok KWON,Yonghee PARK,Hagju CHO,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and lead frame used therefor

Номер патента: US4809053A. Автор: Fumio Kuraishi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-28.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080105959A1. Автор: Shigeki Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, electronic systems including same, and related methods

Номер патента: US20210183843A1. Автор: Xiaopeng Qu,Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20190304875A1. Автор: Kanato YOKOYAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device with thermal dissipation and method therefor

Номер патента: US20240136256A1. Автор: Sam Lai,Yi-Tien Liao,Frank.zy Guo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device with thermal dissipation and method therefor

Номер патента: EP4358132A3. Автор: Sam Lai,Zhan-ying GUO,Yi-Tien Liao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device with thermal dissipation and method therefor

Номер патента: US20240234258A9. Автор: Sam Lai,Yi-Tien Liao,Frank.zy Guo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240347424A1. Автор: Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Hyonwook RA,Dongsoo Seo,Kyongbeom KOH,Eunkyung KO,Kwangyong YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices

Номер патента: EP4447100A1. Автор: Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Hyonwook RA,Dongsoo Seo,Kyongbeom KOH,Eunkyung KO,Kwangyong YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09831160B2. Автор: Takuya Kadoguchi,Masayoshi Nishihata,Takanori Kawashima,Tomomi Okumura,Takahiro Hirano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with power supply distribution networks on frontside and backside of a circuit

Номер патента: US20240203880A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method for production thereof

Номер патента: US20090130848A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device and method for production thereof

Номер патента: US20070090472A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170309547A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20150194368A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09741641B2. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Thin semiconductor device packages and methods of manufacture

Номер патента: US20160284628A1. Автор: Maria Cristina Estacio,Margie Rios,Aira Lourdes VILLAMOR,Armand Vincent Jereza. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190378757A1. Автор: Sheng Zhang,Li-Da Huang,Chee-Hau Ng,Chien-Kee Pang,Wei-Hui Gao,Wen-Bo Ding,Wen-Shen Li,Xiaoyuan Zhi. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Lead frame and semiconductor device

Номер патента: US09779966B2. Автор: Mitsuharu Sato,Naoya Sakai,Tatsuya Inatsugu,Shin Ekimoto. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US7151316B2. Автор: Kazuyuki Misumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-12-19.

Semiconductor device with an interconnect and a method for manufacturing thereof

Номер патента: US09984917B2. Автор: Anton Steltenpohl,Christian Kuehn,Hans Taddiken,Henning Feick,Dirk Offenberg,Ines Uhlig,Martin Bartels. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device including insulating films with different moisture resistances and fabrication method thereof

Номер патента: US09496222B2. Автор: Yoshihiro Nakata,Kozo Makiyama,Junichi Kon. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with test-only contacts and method for making the same

Номер патента: US5334857A. Автор: James W. Sloan,Timothy J. Mennitt,John P. Warren. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-08-02.

Semiconductor device packages with angled pillars for decreasing stress

Номер патента: US11721658B2. Автор: Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10079157B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266189A1. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20210360771A1. Автор: Takuya KITABAYASHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

BGA type semiconductor device and electronic equipment using the same

Номер патента: US6734545B1. Автор: Hideho Yamamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-05-11.

Two part flexible light emitting semiconductor device

Номер патента: US20160043294A1. Автор: Alejandro Aldrin Ii Agcaoili Narag,Ravi Palaniswamy,Justine A. Mooney,Jian Xia Gao. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device, has heat transfer body for transferring heat released from semiconductor units, where sides of device are surrounded by body and surface pressure is applied on lateral surface of portion of semiconductor units

Номер патента: DE102011087709A1. Автор: Christian Hermes,Lambert Frye,Christian Iniotakis,Rainhard Mannbeiß. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11101144B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11961742B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device packages with angled pillars for decreasing stress

Номер патента: US20220028814A1. Автор: Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

3D SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE WITH METAL LAYERS

Номер патента: US20220084988A1. Автор: OR-BACH Zvi,Cronquist Brian. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2022-03-17.

3D SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE WITH METAL LAYERS

Номер патента: US20220181304A1. Автор: OR-BACH Zvi,Cronquist Brian. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2022-06-09.

A 3D SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE WITH METAL LAYERS

Номер патента: US20220285322A1. Автор: OR-BACH Zvi,Cronquist Brian. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2022-09-08.

Wiring base, semiconductor device, manufacturing method thereof and electronic equipment

Номер патента: US20080014683A1. Автор: Toshiyuki Hori. Владелец: Toshiyuki Hori. Дата публикации: 2008-01-17.

Wiring base, semiconductor device manufacturing method thereof and electronic equipment

Номер патента: US20050112797A1. Автор: Toshiyuki Hori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Semiconductor device assemblies and systems including at least one conductive pathway extending around a side of at least one semiconductor device

Номер патента: US7888185B2. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choon Kuan Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-02-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CONTACT PLUG CONNECTED TO GATE STRUCTURE ON PMOS REGION

Номер патента: US20210125927A1. Автор: Hsu Chi-Mao,Lu Tsuo-Wen,Wu Tsung-Hsun,Liang Shih-Hao,Chen Shih-Cheng,Ho Li-Hsuan,Chuang Po-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device

Номер патента: US12062628B2. Автор: Sunghoon Kim,Daeseok Byeon,ChangBum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Decoupling method for semiconductor device

Номер патента: US20240228264A9. Автор: Roseanne Duca. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing semiconductor device with metal-containing film layer at bonding surface thereof

Номер патента: US09716076B2. Автор: Kenichi Aoyagi,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210118935A1. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230073800A1. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20010045665A1. Автор: Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A2. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20140367864A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device

Номер патента: EP3471137A1. Автор: Junya Suzuki,Muneaki Mukuda,Yuki Okabe,Takanobu KAJIHARA,Hiroyuki Miyanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-17.

Metal-Insulator-Metal structure

Номер патента: US11842959B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Yuan-Yang HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Metal-insulator-metal structure

Номер патента: US20210265262A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Yuan-Yang HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Method of forming semiconductor device and substrate processing system for forming semiconductor device

Номер патента: US20230377894A1. Автор: Yunsang Kim,Minyoung Kim,Hanglim Lee. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Metal-Insulator-Metal Structure

Номер патента: US20240088016A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Yuan-Yang HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Interconnect Structure of Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20220254682A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Hung Jui Chang,Bo-Jhih Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Optical proximity correction method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20220057707A1. Автор: Noyoung CHUNG,Gyeong Seop KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Optical proximity correction method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US11733604B2. Автор: Noyoung CHUNG,Gyeong Seop KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11901392B2. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US9099446B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-08-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010010945A1. Автор: Takashi Miyazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-02.

Memory devices with a connecting region having a band gap lower than a band gap of a body region

Номер патента: US09640260B2. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Substrate processing device, and manufacturing method and process of semiconductor device capable of restraining an affection of heat to peripheral structures even though the temperature of a processing chamber is kept high for processing substrates

Номер патента: TW201727795A. Автор: Akira Takahashi,Kazuyuki Toyoda. Владелец: Hitachi Int Electric Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of producing an optoelectronic device with a frame projecting with circular receptacle section beyond a first side of a lens

Номер патента: US10937825B2. Автор: Markus Boss,Markus Burger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-03-02.

Semiconductor device with isolation between conductive structures

Номер патента: US11742398B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200321433A1. Автор: Isamu SUGAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US12107163B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device structure with recessed spacer

Номер патента: US20200395253A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Yi-Ren CHEN,Shih-Hsun Chang,Pei-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812557B2. Автор: Dong-Suk Shin,Cheol-Woo Park,Han-jin Lim,Hyun-Kwan Yu,Ryong Ha,Woon-Ki Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484271B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Katsuyuki Horita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having elevated structure

Номер патента: US09601587B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Sey-Ping Sun,Chih-Hao Chang,Tsung-Lin Lee,Chen-Nan Yeh,Chao-An Jong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of making semiconductor devices

Номер патента: US20060040479A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-02-23.

Method of making semiconductor devices

Номер патента: US20060094135A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-05-04.

Method of making semiconductor devices

Номер патента: US7347228B2. Автор: Wen-Yi Hsieh,Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-03-25.

Method of making semiconductor devices

Номер патента: US7033899B2. Автор: Wen-Yi Hsieh,Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-04-25.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12068411B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keisuke Takemoto,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09985043B2. Автор: Shibun TSUDA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor component with field electrode between adjacent semiconductor fins and method for producing such a semiconductor component

Номер патента: US09653305B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230402455A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Jih-Jse Lin,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,Sheng-Yi Hsiao,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Including an Edge Area

Номер патента: US20140302667A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Replacement channels for semiconductor devices and methods for forming the same using dopant concentration boost

Номер патента: US09627539B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Manufacturing method of the semiconductor device electrode having three metal layers

Номер патента: US09583580B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device with Fin Structures

Номер патента: US20210375697A1. Автор: Hsing-Hui Hsu,Po-Nien Chen,Yi-Hsuan CHUNG,Bo-Shiuan Shie,Chih-Yung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Structure and formation method of semiconductor device with fin structures

Номер патента: US11942375B2. Автор: Hsing-Hui Hsu,Po-Nien Chen,Yi-Hsuan CHUNG,Bo-Shiuan Shie,Chih-Yung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09825142B2. Автор: Jooyoung Lee,Dongjin Jung,Hyeoungwon Seo,Ilgweon KIM,Daehyun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor Devices Including FINFET Structures with Increased Gate Surface

Номер патента: US20240224487A1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20230262960A1. Автор: Hyuk Kim,Yejeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140231827A1. Автор: Masahiro Sugimoto,Yukihiko Watanabe,Akitaka SOENO,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09978636B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09899210B2. Автор: Ren-Hua GUO,Ju-Ru HSIEH,Jen-Hao Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09425212B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor Devices with Counter-Doped Nanostructures

Номер патента: US20220352311A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343866A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-11-04.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09852926B2. Автор: Kengo Akimoto,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device having a voltage resistant structure

Номер патента: US09786749B2. Автор: Katsuya Okumura,Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device including a semiconductor sheet interconnecting a source region and a drain region

Номер патента: US09711596B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Hao-Ling Tang,Shao-Hwang Sia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with insulated gate formed within grooved portion formed therein

Номер патента: US8319281B2. Автор: Kazunori Fujita,Yoshikazu Yamaoka,Satoru Shimada,Kazuhiro Sasada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-27.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US20230064376A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Gate structure for semiconductor device

Номер патента: US20240379810A1. Автор: Chi On Chui,Wei-Cheng Wang,Kuan-Ting Liu,Jo-Chun Hung,Chung-Chiang WU,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12148810B2. Автор: Chi On Chui,Wei-Cheng Wang,Kuan-Ting Liu,Jo-Chun Hung,Chung-Chiang WU,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220310800A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Cheng-Ming Lin,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device having fin structure that includes dummy fins

Номер патента: US20160300923A1. Автор: En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor device having fin structure that includes dummy fins

Номер патента: US9614061B2. Автор: En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device having fin structure that includes dummy fins

Номер патента: US9385220B2. Автор: En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device having a semiconductor body composed of silicon carbide

Номер патента: US10943979B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-03-09.

Semiconductor Device Having a Semiconductor Body Composed of Silicon Carbide

Номер патента: US20190259841A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180323306A1. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150162449A1. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Pattern for improved visual inspection of semiconductor devices

Номер патента: MY146170A. Автор: Gerald H Negley,David B Slater Jr,Ralph C Tuttle,Christopher Sean Plunket,Thomas P Schneider. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-07-13.

Semiconductor component with field electrode between adjacent semiconductor fins and method for producing such a semiconductor component

Номер патента: US20160155809A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-06-02.

Two-step hydrogen annealing process for creating uniform non-planar semiconductor devices at aggressive pitch

Номер патента: US20130237038A1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20230335410A1. Автор: Tsuyoshi Kawakami,Akira KIYOI,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20230253492A1. Автор: Shiro Hino,Kohei Ebihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160087051A1. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device with one-side-contact and method for fabricating the same

Номер патента: US9728638B2. Автор: Jin-Ku Lee,Young-Ho Lee,Mi-Ri Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20200343243A1. Автор: Sung Min Kim,Dong Won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20190312032A1. Автор: Sung Min Kim,Dong Won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11955483B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180151375A1. Автор: Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Chieh-Fei Chiu,Hung-Ling Shih,Wen-Tuo Huang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200194266A1. Автор: Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Chieh-Fei Chiu,Hung-Ling Shih,Wen-Tuo Huang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US20160336219A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240047560A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Li-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof.

Номер патента: MY128437A. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Koji Ono,Jun Koyama,Yoshihiro Kusuyama. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 2007-02-28.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140256116A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Koji Ono,Jun Koyama,Yoshihiro Kusuyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor device having fin-type pattern with varying widths along a center vertical line thereof

Номер патента: US11956937B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210134838A1. Автор: Daisaku Okamoto,Yuji Ibusuki. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20170110337A1. Автор: Kengo Akimoto,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200098917A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180151734A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of fabricating a semiconductor substrate having a stressed semiconductor region

Номер патента: US11810789B2. Автор: François Andrieu,Sylvain Maitrejean,Shay REBOH,Victor BOUREAU. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device having a locally reinforced metallization structure and method for manufacturing thereof

Номер патента: US9196560B2. Автор: Roman Roth,Frank Umbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor device including a blocking layer

Номер патента: US20240234582A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Kai-Wen Cheng,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SILICON AND GERMANIUM MATERIAL FILLING A CAVITY REGION COMPRISING A NOTCH REGION FORMED WITHIN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20160240680A1. Автор: Li Fang,CHEN KUN,Zhu Yefang. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Metallization structures under a semiconductor device layer

Номер патента: US11658183B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor device with vertical current flow and low substrate resistance and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120119381A1. Автор: Angelo Magri',Antonio Damaso Maria Marino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor device with vertical current flow and low substrate resistance and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120119382A1. Автор: Angelo Magri',Antonio Damaso Maria Marino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-05-17.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210351160A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240347505A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Packaged semiconductor devices and methods of manufacturing

Номер патента: US09536800B2. Автор: Ahmad R. Ashrafzadeh,Chung-Lin Wu,Maria Cristina Estacio,Adrian Mikolajczak. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device with stacked semiconductor elements

Номер патента: US6858920B2. Автор: Kazushi Hatauchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09716054B2. Автор: Akihiro Koga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20220059495A1. Автор: Taizo Tatsumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with surface mounting terminals

Номер патента: US20080315378A1. Автор: Takeshi Otani,Toshiyuki Hata,Ichio Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1552559A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004032233A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20240324193A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Minkyung KIM,Hakseon KIM,Sunggil Kim,Kang-Oh Yun,Sohyun LEE,Jumi Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120049381A1. Автор: Tetsuo Fujii,Hisanori Yokura,Akitoshi Yamanaka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive THV and RDL on Opposite Sides of Semiconductor Die for RDL-to-RDL Bonding

Номер патента: US20140070427A1. Автор: Pagaila Reza A.. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220302139A1. Автор: Tatsunori Isogai,Masaki NIGUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A BUMP CONTACT ON A TSV COMPRISING A CAVITY AND METHOD OF PRODUCING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170179056A1. Автор: Schrems Martin,ETSCHMAIER Harald,STERING Bernhard. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor Device Having a Locally Reinforced Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20150115391A1. Автор: Umbach Frank,Roth Roman. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US20190027421A1. Автор: Takeo Nishikawa,Eiichi Omura,Takayoshi Tawaragi. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device, and alternator and power converter using the semiconductor device

Номер патента: US09831145B2. Автор: Shinichi Kurita,Mutsuhiro Mori,Junichi Sakano,Shigeru Sugayama,Tetsuya Ishimaru,Kohhei ONDA. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12068310B2. Автор: Kenji Harada,Shinya SONEDA,Munenori Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240355814A1. Автор: Kenji Harada,Shinya SONEDA,Munenori Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with reliable connection between projective electrode and conductive wire of the substrate

Номер патента: US6344372B1. Автор: Takatoshi Suzuki,Rieka Ohuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-05.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A PN JUNCTION

Номер патента: EP1016142A2. Автор: Christopher Harris,Mietek Bakowski,Ulf Gustafsson. Владелец: ABB Research Ltd Sweden. Дата публикации: 2000-07-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09793170B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chia Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20200294934A1. Автор: Tsutomu Fujita,Akira Tomono,Takanobu Ono,Ippei Kume. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Methods of fabricating semiconductor devices with blocking layer patterns

Номер патента: US09559002B2. Автор: Eun-ji Kim,Seung-Taek Lee,Yeong-lyeol Park,Sung-Dong Cho,Sin-Woo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11935895B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240203998A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Interconnection Structure And Method For Semiconductor Device

Номер патента: US20150311152A1. Автор: Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Methods for fabricating semiconductor devices with backside power delivery network using laser liftoff layer

Номер патента: US20240258169A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Soo Doo Chae. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for fabricating semiconductor devices with backside power delivery network using laser liftoff layer

Номер патента: WO2024163032A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Soo Doo Chae. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12107148B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices with counter-doped nanostructures

Номер патента: US20240379755A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US20010005029A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US6339242B2. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09786688B2. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices

Номер патента: US09520361B2. Автор: Seok-Ho Kim,Tae-Yeong Kim,Pil-Kyu Kang,Byung-lyul Park,Jin-Ho Chun,Joo-Hee Jang,Hyo-Ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: US20080203401A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor circuit device

Номер патента: US11695045B2. Автор: Keiji Okumura,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US11996475B2. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Insulated gate type semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09793342B2. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Oishi. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device, driver circuit, and display device

Номер патента: US09553205B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device having a termination region with deep trench isolation

Номер патента: US20240204043A1. Автор: Ignacio Cortes Mayol. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Low external resistance channels in III-V semiconductor devices

Номер патента: US09812323B2. Автор: Effendi Leobandung,Yanning Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09812556B2. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Qiqing C. Ouyang,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Pranita Kerber,Gen Tsutsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11989497B2. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device including memory cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030015747A1. Автор: Jiro Ida,Naoko Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240055486A1. Автор: Ji Young Kim,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Bum Kyu Kang,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220336586A1. Автор: Ji Young Kim,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Bum Kyu Kang,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Device and fabrication of mos device with island region

Номер патента: US20180337274A1. Автор: Ji Pan,Xiaobin Wang,Anup Bhalla,Sung-Po Wei. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor device, display device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240274624A1. Автор: Hirotaka Hayashi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12080717B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama,Hideaki Shishido. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09966475B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshiyuki Miyamoto,Kenichi Okazaki,Masafumi Nomura,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09806099B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama,Hideaki Shishido. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728648B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09711652B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshiyuki Miyamoto,Kenichi Okazaki,Masafumi Nomura,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09455280B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama,Hideaki Shishido. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09831325B2. Автор: Toshiyuki Miyamoto,Kenichi Okazaki,Masafumi Nomura,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor Device

Номер патента: US20150001629A1. Автор: Stefan Tegen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11791417B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030353A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for manufacturing a semiconductor device, as well as a semiconductor substrate

Номер патента: US20060234468A1. Автор: Takeshi Saito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230343870A1. Автор: Ho Jin YUN. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of fabricating semiconductor device including removing impurities from silicon nitride layer

Номер патента: US20060160358A1. Автор: Jae-Hwan Kim,Sang-Kyu Park,Kyong-Min Kim,Sang-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Non-planar semiconductor device having group III-V material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US09653548B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09590115B2. Автор: Daisuke Matsubayashi,Tetsuhiro Tanaka,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230326538A1. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US11955192B2. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US11783906B2. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240161845A1. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080048324A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070238290A1. Автор: Tadashi Miwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method for Forming Nanotube Semiconductor Devices

Номер патента: US20100317158A1. Автор: John Chen,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device, driver circuit, and display device

Номер патента: US9337343B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Insulated gate type semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020115257A1. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Oishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-22.

Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor circuit device

Номер патента: US20210020751A1. Автор: Keiji Okumura,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device having first and second epitaxial materials

Номер патента: US20180108777A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pang-Yen Tsai,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Yen-Ru LEE,Lilly SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20230420555A1. Автор: Kan Yasui,Takahiro Morikawa,Tatsunori Murata,Koyo Kinoshita. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20230307464A1. Автор: Hiroyuki Miyake,Jun Koyama,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240113130A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama,Hideaki Shishido. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device with a Dynamic Random Access Memory type integrated memory based on the confinement of a negative or positive charge in one or other of two potential wells

Номер патента: FR2826180A1. Автор: Alexandre Villaret,Thomas Skoinicki. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-12-20.

Diode and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4270491A1. Автор: Yan Gu,HUA Song,Sen Zhang,Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Selection of optimal quantization direction for given transport direction in a semiconductor device

Номер патента: US20060102985A1. Автор: Steven Laux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor device structure

Номер патента: EP3742498A1. Автор: Ching-Chung Ko,Zheng Zeng,Jing-Chyi LIAO. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210126135A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei-Ju LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20200373428A1. Автор: Ching-Chung Ko,Zheng Zeng,Jing-Chyi LIAO. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor Device Having a Locally Reinforced Metallization Structure

Номер патента: US20160043013A1. Автор: Umbach Frank,Roth Roman. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Method for manufacturing a semiconductor device including nonvolatile memories

Номер патента: US5382539A. Автор: Takashi Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1995-01-17.

Non-planar semiconductor device having active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US9018680B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Semiconductor device manufacturing apparatus having plurality of gas exhausting pipes and gas sensors

Номер патента: US09951422B2. Автор: Sukjin CHUNG,Jongcheol Lee,Jaechul Shin,Geunkyu CHOI,MinHwa Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190214477A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US9941379B2. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180190786A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080182396A1. Автор: Hiroshi Tomita,Takuya Kobayashi,Tomonori Aoyama,Katsuyuki Sekine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070093032A1. Автор: Hiroshi Tomita,Takuya Kobayashi,Tomonori Aoyama,Katsuyuki Sekine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device and method of manufaturing the same

Номер патента: US20070243684A1. Автор: Masahiro Yoshida,Noriyuki Ota,Nobuyuki Katsuki,Atsushi Nakagawa,Atsushi Oga,Kenta Arai,Shuuichi Senou,Tomotaka Murakami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050087774A1. Автор: Masahiro Yoshida,Noriyuki Ota,Nobuyuki Katsuki,Atsushi Nakagawa,Atsushi Oga,Kenta Arai,Shuuichi Senou,Tomotaka Murakami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US10283612B2. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices with an ohmic contact to n-type group iii-v semiconductors

Номер патента: CA1124410A. Автор: Shohei Nakahara,Felix Ermanis,Robert J. McCoy,Chuan C. Chang,Tan T. Sheng. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-05-25.

Semiconductor device having self-aligned gate contacts

Номер патента: US09484205B2. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with air gap between bit line and capacitor contact and method for forming the same

Номер патента: US20220262802A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and fabrication method for semiconductor device

Номер патента: US12009268B2. Автор: Koh Yoshikawa,Kosuke Yoshida,Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and fabrication method for semiconductor device

Номер патента: US20230369137A1. Автор: Koh Yoshikawa,Kosuke Yoshida,Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12027591B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110081761A1. Автор: Yasushi Yamazaki,Teruyuki Mine,Katsumi Koge. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device having self-aligned gate contacts

Номер патента: US09941129B2. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Process for producing single crystal semiconductor layer and semiconductor device produced by said process

Номер патента: US4822752A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1989-04-18.

Semiconductor device, reservoir computing system, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230015231A1. Автор: Kenichi Kawaguchi,Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180204908A1. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170077318A1. Автор: Yoshikatsu Miura,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9831318B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of making a semiconductor device that comprises p-type III-V semiconductor material

Номер патента: US5106766A. Автор: Roger J. Malik,Leda M. Lunardi,Robert W. Ryan. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1992-04-21.

Group iii nitride semiconductor device and epitaxial substrate

Номер патента: EP1876649A1. Автор: Kouhei c/o Osaka Works of Sum.Elec.Ind Ltd. MIURA,Makoto c/o Itami Works of Sum.Ele.Ind. Ltd KIYAMA,Takashi c/o Osaka Works of S.E.I. Ltd SAKURADA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-01-09.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20240047217A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20230335408A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20150034967A1. Автор: Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1976002A3. Автор: OSullivan Barry,Stefan Kubicek,Riichiro c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. Mitsuhashi,Kota c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Oikawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09331079B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with improved device performance

Номер патента: US11329043B2. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor device with improved device performance

Номер патента: US20240258319A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods of fabricating semiconductor devices with gate-all-around structure

Номер патента: US20200135571A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device

Номер патента: US12075607B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of manufacturing a semiconductor device with buried channel/body zone and semiconductor device

Номер патента: US09368408B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299086A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20190326178A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200118883A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for direct forming stressor, semiconductor device having stressor, and method for forming the same

Номер патента: US20200118882A1. Автор: Samuel C. Pan,Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device with junction isolation

Номер патента: US20020179905A1. Автор: Nivo Rovedo,David Colavito. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Asymmetric semiconductor device including LDD region and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125909B2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Jongsung WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Package module structure for high power device with metal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130020726A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Kyoung-Min Kim. Владелец: Wavenics Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20190319137A1. Автор: Dong-won Kim,Dong-Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20200357932A1. Автор: Dong-won Kim,Dong-Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor device with contamination improvement

Номер патента: US20170345928A1. Автор: Chung-Ren Sun,Shiu-Ko Jangjian,Kun-Ei Chen,Chun-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for manufacturing semiconductor device with contamination improvement

Номер патента: US20170062612A1. Автор: Chung-Ren Sun,Shiu-Ko Jangjian,Kun-Ei Chen,Chun-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087776B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865731B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Source/Drain Contacts For Semiconductor Devices And Methods Of Forming

Номер патента: US20210367050A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device with an inclined source/drain and associated methods

Номер патента: US20140054715A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180175173A1. Автор: Chia-Wei Chang,Yu-Ting WENG,Chiung Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068394B2. Автор: Chia-Wei Chang,Yu-Ting WENG,Chiung Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09735271B2. Автор: Ying-Lang Wang,Lai Wan CHONG,Wen Chu HSIAO,Ying Min CHOU,Hsiang Hsiang Ko,Chun-Chieh Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device with dielectric spacer liner on source/drain contact

Номер патента: US20200343349A1. Автор: Kei-Wei Chen,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Chia-Yang Wu,Ming-Ching CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device with metal-filled groove in polysilicon gate electrode

Номер патента: US09768290B2. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device with metal film on surface between passivation film and copper film

Номер патента: US12057416B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device including fin field effect transistor and planar fin field effect transistor

Номер патента: US20230299083A1. Автор: Sungwoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US12087862B2. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113116B2. Автор: Bo-Yu Yang,Juei-Nai Kwo,Ming-Hwei Hong,Yi-Ting Cheng,Hsien-Wen WAN,Yu-Jie HONG. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having contact trenches extending from opposite sides of a semiconductor body

Номер патента: US12136670B2. Автор: Thorsten Meyer,Hans-Peter Lang,Andreas Meiser,Markus Zundel,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768178B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Fin structure of semiconductor device

Номер патента: US09536772B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee,Chung-Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10170483B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09537010B2. Автор: Chien-Tai CHAN,Da-Wen Lin,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240063284A1. Автор: Chee-Wee Liu,Chien-Te TU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170323886A1. Автор: Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor device with fins

Номер патента: US11742414B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190221430A1. Автор: Fu Hai Liu. Владелец: Semconductor Manufacturing International (shanghai) Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09905555B2. Автор: Tatsuya Naito,Masahito Otsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device including bonding pad metal layer structure

Номер патента: US11764176B2. Автор: Joachim Hirschler,Thomas Rupp,Jens Brandenburg,Carsten Schaeffer,Oliver Humbel,Evelyn Napetschnig,Christoffer Erbert,Julia Zischang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332386A1. Автор: Yung-Chun Wu,Yi-Ju Yao. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with dummy pattern in high-voltage region and method of forming the same

Номер патента: US10068900B1. Автор: Chin Yang,Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Semiconductor device with separated main terminals

Номер патента: US09966344B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US09728466B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with supporting structures and method for forming the same

Номер патента: US20240047549A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with elevated source/drain structure and its manufacture method

Номер патента: US6855589B2. Автор: Toshifumi Mori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-15.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with a gate insulating film formed on an inner wall of a trench, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991379B1. Автор: Hiroshi Shikauchi,Tomonori Hotate,Ryohei BABA,Satoru Washiya,Youhei Ohno. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881920B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device with partially unsilicided source/drain

Номер патента: US09780180B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09741725B2. Автор: Nobuo Tsuboi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with control structure including buried portions and method of manufacturing

Номер патента: US09536999B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09502532B2. Автор: Kwan Heum Lee,Dong Chan Suh,Hong Bum PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449974B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252549A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20210013164A1. Автор: Yoshifumi Takahashi,Shigeru Yoshida,Hiroshi Okabe,Shingo Yanagihara,Tsutomu Kobori. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252550A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor memory devices with dielectric fin structures

Номер патента: US20240268106A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Asymmetric source and drain structures in semiconductor devices

Номер патента: US12057503B2. Автор: PENG Wang,Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor Device with Control Structure Including Buried Portions and Method of Manufacturing

Номер патента: US20170110574A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258323A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240332291A1. Автор: Takashi Ishikawa,Koji Onishi,Yutaka Ueno,Toru SHONO,Shoma TAKAHARA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Devices with backside metal structures and methods of formation thereof

Номер патента: US09960076B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Iris Moder,Thomas Christian Neidhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device with control structure including buried portions and method of manufacturing

Номер патента: US09917186B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853066B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device with varying thickness of insulating film between electrode and gate electrode and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09559183B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Takashi Inoue,Takayuki Nagai,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Yoshinao Miura,Nobuhiro Nagura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor devices and methods for manufacturing

Номер патента: US20240379754A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Yun-Chen Wu,Tzu-Ging LIN,Chen Yen Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to accumulate non-semiconductor atoms

Номер патента: US20240194482A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device with reduced contact resistance

Номер патента: US20230299149A1. Автор: Jeongmin Lee,Hanki Lee,Sahwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Finfet device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US20160293428A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Finfet device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US20170077249A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20090200575A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Method of manufacturing gate spacers with stepped sidewalls by removing vertical portions of a helmet layer

Номер патента: US12087841B2. Автор: Chun-Hsiung Lin,Yi-Lun Chen,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09647068B2. Автор: Herb He Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583621B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-28.

FinFET device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US09576806B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450075B2. Автор: Herb He Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

FinFET device with vertical silicide on recessed source/drain epitaxy regions

Номер патента: US09391173B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20210125943A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device including a passivation structure and manufacturing method

Номер патента: US20200185297A1. Автор: Dethard Peters,Christian Stahlhut,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Bernd Zippelius,Juergen Steinbrenner,Paul Salmen,Tobias Schmidutz,Vice Sodan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299129A1. Автор: Yoshiaki Ishii,Daisuke Shinohara,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (esd)

Номер патента: US20220415828A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220130982A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200328290A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20170179142A1. Автор: YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

SiC devices with shielding structure

Номер патента: US12119377B2. Автор: Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12131945B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09978760B2. Автор: YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160365423A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040229467A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060263982A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-23.

Power semiconductor device and corresponding module

Номер патента: WO2014140094A1. Автор: Munaf Rahimo. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2014-09-18.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09685427B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Low dielectric constant insulating film resin composition, method of forming low dielectric constant insulating film, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20010036689A1. Автор: Masakazu Muroyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20220416064A1. Автор: Akihiko Furukawa,Kazuya Konishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20230260783A1. Автор: Hyung-Suk Jung,Ji-Woon Park,Jin-Su Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12074023B2. Автор: Hyung-Suk Jung,Ji-Woon Park,Jin-Su Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130234259A1. Автор: Young Ho Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080003835A1. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for fabricating silicide layers for semiconductor device

Номер патента: US7446008B2. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor devices and data storage system including the same

Номер патента: US12082415B2. Автор: Sungmin Hwang,Bumkyu Kang,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having a structure to improve contact processing margin, and method of fabricating the same

Номер патента: US20070037354A1. Автор: Dae Kim,Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of forming multilayered conductive layers for semiconductor device

Номер патента: US20030235977A1. Автор: Tetsuo Usami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12087580B2. Автор: Hui-Chun Lee,Chun-Wei Liao,Tung-Hung FENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacture of semiconductor device with field oxide

Номер патента: US5453397A. Автор: Taiji Ema,Masaya Katayama. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1995-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076583A1. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20220123015A1. Автор: Sung Soon Kim,Sun Kak Hwang,Hee Do Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Method for manufacturing a semiconductor device based on epitaxial growth

Номер патента: US09293625B2. Автор: Yanting SUN,Sebastian Lourdudoss. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-03-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150255302A1. Автор: Kyung-hyun Kim,Byoung-moon Yoon,Young-ok Kim,Ju-seon Goo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device housing package, and semiconductor apparatus and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20140008780A1. Автор: Mahiro Tsujino,Manabu Miyahara. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050255709A1. Автор: Jae-Suk Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Semiconductor-device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20150041983A1. Автор: Xun Gu,Hirokazu Matsumoto,Akinobu Teramoto,Takenao Nemoto,Takehisa SAITO,Yugo Tomita,Akihide Shirotori. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20200091324A1. Автор: Tsuneo Ogura,Keiko Kawamura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US11956958B2. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20210167026A1. Автор: Takashi Miyamoto,Yoshiyuki Akiyama,Junichi Tsunoda,Shuuichi Kojima. Владелец: Song Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20220399360A1. Автор: Junhyoung Kim,Yonghoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-15.

Adhesive composition, semiconductor device using the composition and method for producing a semiconductor device using the composition

Номер патента: US5844309A. Автор: Yukio Takigawa,Hiroyuki Ishiguro,Shigeaki Yagi,Masaaki Seki,Toshimi Kawahara,Shinya Nakaseko,Mitsunada Osawa,Takashi Hozumi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-12-01.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6465295B1. Автор: Kenji Kitamura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070082488A1. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20210225636A1. Автор: Hyung-Suk Jung,Ji-Woon Park,Jin-Su Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices and Optical Proximity Correction

Номер патента: US20120228743A1. Автор: Wai-Kin Li,O Seo Park. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-09-13.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070117346A1. Автор: Sung Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

Power semiconductor device, power semiconductor chip including the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343860A1. Автор: Tae Young Park,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Min Gi Kang,Tae Yang KIM,Seon Hyeong Jo,Seong Hwan Yun. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: GB1498096A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-01-18.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20200266191A1. Автор: Mark Griswold,Amit Paul,Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor devices and data storage system including the same

Номер патента: US20220149072A1. Автор: Sungmin Hwang,Bumkyu Kang,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Method of production of semiconductor device and method of production of solid-state imaging device

Номер патента: US20090124036A1. Автор: Emi Ohtsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Method of production of semiconductor device and method of production of solid-state imaging device

Номер патента: US7947522B2. Автор: Emi Ohtsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Patterning Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20090111059A1. Автор: Cheol Hoon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Contact element structure of a semiconductor device

Номер патента: US20190181044A1. Автор: Jim Shih-Chun Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200388620A1. Автор: Yoosang Hwang,Sohyun Park,Taejin Park,Huijung Kim,Jaehwan Cho,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor devices including support pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130950A1. Автор: Yoosang Hwang,Sangho Lee,Jae-Hwan CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20030008498A1. Автор: Yoji Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor devices including support pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210043722A1. Автор: Yoosang Hwang,Sangho Lee,Jae-Hwan CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6380058B2. Автор: Mitsuo Kimoto,Seiji Manabe. Владелец: Renesas Semiconductor Engineering Corp. Дата публикации: 2002-04-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050139881A1. Автор: Koji Takaya. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050070089A1. Автор: Taikan Iinuma. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor device with an element isolation oxide film having a flat surface, and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: DE19606682C2. Автор: Shigeru Shiratake,Hiroshi Matsuo,Kenji Yasumura,Yuichi Yokoyama,Takaaki Murakami,Kaoru Motonami,Satoshi Hamamoto,Kenji Morisawa,Yasuyoshi Itoh,Ritsuko Gotoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-04-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010001744A1. Автор: Kazuhiro Chiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150140804A1. Автор: Sang Ho Sohn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8946855B2. Автор: Sang Ho Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US9425070B2. Автор: Takuya Nakamura,Takayuki Tanaka,Makoto Murai,Yoshimichi Harada,Kana Nagayoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110175239A1. Автор: Takuya Nakamura,Takayuki Tanaka,Makoto Murai,Yoshimichi Harada,Kana Nagayoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Reverse conducting power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4101008A1. Автор: Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7262100B2. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2007-08-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20190304969A1. Автор: Kanako DEGUCHI,Akihiko TSUBAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1959491A2. Автор: Raghunath Singanamalla,Riichiro Mitsuhashi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100258915A1. Автор: Kazuki Hisakane. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Method of removing electrical shorts and shunts from a thin-film semiconductor device

Номер патента: US4749454A. Автор: Robert S. Oswald,Rajeewa R. Arya. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1988-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11462634B2. Автор: Ryuji Ueno,Koji Tanaka,Masahiro Ujike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100248476A1. Автор: Kazuhiro Okuda,Yuji Sera. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210143269A1. Автор: Ryuji Ueno,Koji Tanaka,Masahiro Ujike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20210384335A1. Автор: Hidenori Fujii,Tetsuo Takahashi,Kohei Sako. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

A nitride semiconductor device having a group III nitride layer structure on a group IV substrate surface of at most twofold symmetry

Номер патента: DE102007020979A1. Автор: Armin Dr. Dadgar,Alois Prof. Dr. Krost. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device package with stress reduction design

Номер патента: US20240243076A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20200051989A1. Автор: Kojiro Shimizu,Hanae ISHIHARA,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US09607942B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Heteroepitaxial semiconductor devices with enhanced thermal dissipation

Номер патента: US20240355918A1. Автор: Matt King,Christer Hallin,Thomas Kuhr. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072141A1. Автор: Xi SONG,Pengyu Han,Huiqin Wang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: RU2544887C2. Автор: Хидео КОБАЯСИ,Масанори ОГУРА,Тецунобу КОТИ,Масаси КИТАНИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-03-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020036350A1. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6545362B2. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-08.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120386A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device with a trench and method for manufacturing the same

Номер патента: US09773681B2. Автор: Manoj Kumar,Jui-Chun Chang,Chia-hao Lee,Tsung-Hsiung LEE,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9013048B2. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140339713A1. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Resin-molded type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5757066A. Автор: Tsutomu Nakazawa,Yumi Inoue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120319195A1. Автор: Kyoung Chul JANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US20190312113A1. Автор: Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Power semiconductor device with dV/dt controllability and cross-trench arrangement

Номер патента: US10304952B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Matteo Dainese,Frank Dieter Pfirsch,Erich Griebl,Markus Bina,Caspar Leendertz,Alexander Philippou,Ingo Dirnstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090325357A1. Автор: Junji Koga,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Power Semiconductor Device Having a Cross-Trench Arrangement

Номер патента: US20190273155A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Matteo Dainese,Frank Dieter Pfirsch,Erich Griebl,Markus Bina,Caspar Leendertz,Alexander Philippou,Ingo Dirnstorfer. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20130230963A1. Автор: Eun Young Lee,Yoonkyung Choi,Myoungsoo Kim,Sungil Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US8431982B2. Автор: Eun Young Lee,Yoonkyung Choi,Myoungsoo Kim,Sungil Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US8563390B2. Автор: Eun Young Lee,Yoonkyung Choi,Myoungsoo Kim,Sungil Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-22.

MEMORY DEVICES WITH A CONNECTING REGION HAVING A BAND GAP LOWER THAN A BAND GAP OF A BODY REGION

Номер патента: US20170236589A1. Автор: Liu Haitao,Li Jian,Mouli Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

Memory devices with a connecting region having a band gap lower than a band gap of a body region

Номер патента: US9953710B2. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050247975A1. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Nonplanar device with thinned lower body portion and method of fabrication

Номер патента: US09741809B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Thomas A. Letson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices

Номер патента: US20010018124A1. Автор: Katsutoshi Mine,Minoru Isshiki,Kimio Yamakawa,Yoshiko Otani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Super junction semiconductor device having strip structures in a cell area

Номер патента: US09627471B2. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with superjunction structure and transistor cells in a transition region along a transistor cell region

Номер патента: US09954056B2. Автор: Franz Hirler,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: US20240282726A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: Inc NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09831339B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Shinichi Miyake,Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09722062B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Shinichi Miyake,Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for improving a drive current for semiconductor devices on a wafer-by-wafer basis

Номер патента: US20060035394A1. Автор: Yuqing Xu,James Vaughan,James Friedmann,Jeffrey Loewecke,Kaneez Banu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240304579A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor device including buffer circuit and level shifter circuit, and electronic device including the same

Номер патента: US09755643B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20040135200A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Hiroaki Hazama,Hirohisa Iizuka,Norihisa Arai,Akira Goda,Naoki Koido,Tohru Maruyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

Electroless plating a nickle layer and a gold layer in a semiconductor device

Номер патента: US20110163454A1. Автор: Juan Alejandro Herbsommer,Osvaldo Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor device

Номер патента: US12119374B2. Автор: Hyun-Suk Lee,Taekyun Kim,Jin-Su Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang,Jiwoon Park,Sanghyuck Ahn,Hongsik CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Pattern form of an active region of a MOS type semiconductor device

Номер патента: US5760454A. Автор: Kenji Nishi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US20240290922A1. Автор: Keiji Sugi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20140312347A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device and method for fabrication thereof

Номер патента: EP1223622A3. Автор: Kazuaki c/o FUJITSU LIMITED KURIHARA,Kenji c/o Fujitsu Limited Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213276A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Plating defects estimating method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240282643A1. Автор: Toshihito Tabata,Reo Kobayashi,Kanya HAMADA. Владелец: Hitachi Power Seemiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor Device, Driver Circuit, And Display Device

Номер патента: US20240233677A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09748377B2. Автор: Shen-Ping Wang,Po-Tao Chu,Lieh-Chuan Chen,Chih-Heng Shen,Tzu-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20240081051A1. Автор: Wei Xu,ZHEN Guo,BIN Yuan,Zongliang Huo,Chuang Ma,Jiashi Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device for integrating power gate circuit using silicon connection layer

Номер патента: US20220328452A1. Автор: Hua Yan,Yueer SHAN,Yanfeng Xu,Jicong FAN,Yanfei Zhang. Владелец: Wuxi Esiontech Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor devices with superlattice layers providing halo implant peak confinement and related methods

Номер патента: EP3284106A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-02-21.

Semiconductor devices with superlattice layers providing halo implant peak confinement and related methods

Номер патента: US09899479B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US20230103902A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530891B2. Автор: Chika Tanaka,Masumi SAITOH,Toshinori Numata,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device having semiconductor chip and antenna

Номер патента: US20080296745A1. Автор: Kazuya Kawamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Nanostructure field-effect transistor device with dielectric layer for reducing substrate leakage or well isolation leakage and methods of forming

Номер патента: US12125877B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device having double-gate structure and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240372009A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with a super junction structure having a vertical impurity distribution

Номер патента: US09318549B2. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-19.

Power block based on top-side cool surface-mount discrete devices with double-sided heat sinking

Номер патента: EP4310903A1. Автор: Ke Zhu. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Power block based on top-side cool surface-mount discrete devices with double-sided heat sinking

Номер патента: US20240030096A1. Автор: Ke Zhu. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device interconnection systems and methods

Номер патента: WO2020264037A1. Автор: Richard E. Bornfreund,Edward K. Huang. Владелец: Flir Commercial Systems, Inc.. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7268393B2. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050139912A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09911853B2. Автор: Masahiro Takahashi,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Junichi Koezuka,Motoki Nakashima,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai,Shunsuke Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09905635B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09590061B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of determining an overlay error, manufacturing method and system for manufacturing of a multilayer semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: EP3378092A1. Автор: Stefan Michael Bruno BÄUMER,Erwin John Van Zwet,Hamed Sadeghian Marnani,Stefan Kuiper. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2018-09-26.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Dual-gate semiconductor devices with enhanced scalability

Номер патента: US7459755B2. Автор: Andrew J. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-02.

Dual-gate semiconductor devices with enhance scalability

Номер патента: WO2007140081A3. Автор: Andrew J Walker. Владелец: Andrew J Walker. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230275095A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US20170317177A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US09859384B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices with transistor cells and thermoresistive element

Номер патента: US09576944B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Joachim Mahler,Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Patrick Schwarz,Anton Prueckl,Daniel PEDONE,Andre Schwagmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170033157A1. Автор: Mitsuharu Shoji,Ichiro Fujiwara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9502467B2. Автор: Mitsuharu Shoji,Ichiro Fujiwara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor Device With Backside Gate Isolation Structure And Method For Forming The Same

Номер патента: US20220271139A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device with backside gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US11901428B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090108362A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20160104772A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20180261674A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12040329B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20170040427A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240339455A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US09991351B2. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US09905662B2. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-27.

Test probe for semiconductor devices, method of manufacturing of the same, and member for removing foreign matter

Номер патента: US20030090280A1. Автор: Takahiro Nagata,Yoshihiro Kashiba,Mutsumi Kano,Shigeki Maekawa,Kazunobu Miki,Megumi Takemoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Curable silicone composition and optical semiconductor device

Номер патента: WO2019013471A1. Автор: Hyun-Ji Kang,Ju-Young Yook. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2019-01-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180085859A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoru Idojiri,Seiji Yasumoto,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230411482A1. Автор: Oreste Madia,Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240204075A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device including two-dimensional material and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: EP4322224A1. Автор: Joungeun YOO,Changhyun KIM,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US09443885B2. Автор: Yukinobu Nakata,Masaki Maeda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and light-emitting device

Номер патента: US8890407B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoshi Seo,Hiroko Abe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220037461A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Taekyun Kim,Jin-Su Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang,Jiwoon Park,Sanghyuck Ahn,Hongsik CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Cu alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: US10991672B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Cu ALLOY BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP3667710A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-06-17.

Cu ALLOY BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200279824A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230114260A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Three transistor semiconductor device with metal oxide channel region, operation method thereof, and electronic device

Номер патента: US11996132B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor devices

Номер патента: US12051722B2. Автор: Kihwan Kim,Youngdae CHO,Sunguk JANG,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US20230268409A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Chi On Chui,Chih-Wei Lee,Jo-Chun Hung,Hsin-Han Tsai,Hsiang-Ju LIAO,Yi-Lun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240355823A1. Автор: Chih-Yang Huang,Chia-Ling PAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09577108B2. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09496376B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Power LDMOS semiconductor device with reduced on-resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484436B2. Автор: Antonello Santangelo,Salvatore Cascino,Leonardo Gervasi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-11-01.

Power LDMOS semiconductor device with reduced on-resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450076B2. Автор: Antonello Santangelo,Salvatore Cascino,Leonardo Gervasi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5937306A. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Electrode structure of a carrier substrate of a semiconductor device

Номер патента: GB2368719B. Автор: Manabu Mizusaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7485918B2. Автор: Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-02-03.

Nonplanar semiconductor device with partially or fully wrapped around gate electrode and methods of fabrication

Номер патента: US20110020987A1. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Suman Datta,Scott A. Hareland,Rafael Rios,Tom Linton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Super Junction Semiconductor Device having Strip Structures in a Cell Area

Номер патента: US20150325641A1. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-11-12.

Graphitic carbon contacts for devices with oxide channels

Номер патента: EP4152412A1. Автор: Edward Johnson,Noriyuki Sato,Justin Weber,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Abhishek Anil Sharma,Arnab SEN GUPTA,Eric Mattson,Yu-Jin Chen,Jason RETASKET. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Device with Drain Structure and Metal Drain Electrode

Номер патента: US20200381511A1. Автор: Patrick Schindler,Franz Hirler,Manfred Pippan,Enrique Vecino Vazquez,Daniel Pobig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-12-03.

Isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US12051738B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Li-Yang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060157780A1. Автор: Satoe Miyata,Shuji Mizokuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device with a core-shell feature and method for forming the same

Номер патента: US12113113B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Chung-Ting Ko,Chih-Chung Chang,Chi On Chui,Sung-En Lin,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Yi-Hsiu Liu,Po-Wei Liang,You-Ting Lin,Jen-Hong Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for controlling body bias thereof

Номер патента: US20230081996A1. Автор: Hiroyuki Watanabe,Hideshi SHIMO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: US20020084523A1. Автор: Masayoshi Kikuchi,Kazuaki Sorimachi. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor device and method for controlling body bias thereof

Номер патента: US11799475B2. Автор: Hiroyuki Watanabe,Hideshi SHIMO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Defocus measurement method, correction method, and method of manufacturing semiconductor device by using the correction method

Номер патента: US11977338B2. Автор: Youngmin Seo,Jieun Park,Inbeom YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20140369121A1. Автор: Hyun Sub KIM,Jung Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device

Номер патента: US9082642B2. Автор: Hyun Sub KIM,Jung Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Photovoltaic device with a zinc oxide layer and method of formation

Номер патента: WO2014151514A1. Автор: Zhibo Zhao,Rick POWELL,Benyamin Buller,Jigish Trivedi,Feng LIAO,Daniel Damjanovic. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

MEMORY DEVICES WITH A CONNECTING REGION HAVING A BAND GAP LOWER THAN A BAND GAP OF A BODY REGION

Номер патента: US20130234206A1. Автор: Liu Haitao,Li Jian,Mouli Chandra. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor devices with a thermally conductive layer

Номер патента: US09614046B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Bruce M. Green,Darrell G. Hill,L. M. Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09947806B2. Автор: Masaaki Tomita. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

A method for making a semiconductor device that includes a metal gate electrode

Номер патента: WO2005067026A1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

Ultra-thin embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09806051B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20130252411A1. Автор: Makoto Honda,Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US8999855B2. Автор: Makoto Honda,Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor with source zones formed in semiconductor mesas

Номер патента: US09570577B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09953876B1. Автор: Elliot John Smith,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, power unit, and amplifier

Номер патента: US20180090595A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device with metal carrier and manufacturing method

Номер патента: US9646855B2. Автор: Oliver Haeberlen,Markus Zundel,Walter Rieger,Christoph Kadow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140353832A1. Автор: Toru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device and semiconductor package including same

Номер патента: US20240213200A1. Автор: Reona Takeoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and reverse conducting insulated gate bipolar transistor with isolated source zones

Номер патента: US09876100B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode and method of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240038879A1. Автор: Chiara Corvasce,Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Reverse-conducting power semiconductor device

Номер патента: US20160013302A1. Автор: Martin Arnold,Munaf Rahimo,Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Temporary protective film for semiconductor encapsulation molding, lead frame with temporary protective film, encapsulation molded body with temporary protective film, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220319873A1. Автор: Tomohiro Nagoya. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Manufacturing method of electronic device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893116B2. Автор: Hideo Numata,Hiroyuki Okura,Shinya Takyu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device with auxiliary structure including deep level dopants

Номер патента: US09647100B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christian Jaeger,Franz Josef Niedernostheide,Roman Baburske,Antonio Vellei,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230411217A1. Автор: Zhen-Cheng Wu,Po-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620608B2. Автор: Toru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: WO2017042368A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: EP3347922A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-07-18.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: US20180261718A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US20230317839A1. Автор: Naoya Okamoto,Naoki Hara,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Yusuke Kumazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230025977A1. Автор: Yushi Sekiguchi,Tadayuki YAMAZAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-01-26.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09685549B2. Автор: Takahiro Sato,Yasuhiro Uemoto,Hidenori Takeda,Masahiro Hikita,Akihiko Nishio,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240347628A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4447123A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device having wide tuning range varactor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230378169A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Tzu-Jin Yeh,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO,Chiao-Han LEE,Hsiu-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing a passivation layer on a semiconductor device

Номер патента: WO2001048796A1. Автор: Hans Bernhoff,Olof Hjortstam,Jan Isberg,Erik Johansson,Johan Hammersberg,Mark Irwin. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332430A1. Автор: Yuji Koga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device having reduced noise and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240371954A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,I-Sheng Chen,Wan-Lin Tsai,Yi-Jing Li,Kai-Qiang Wen,Shih-Chun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20150001552A1. Автор: Takao Noda,Yoichi Hori,Ryoichi Ohara,Kohei MORIZUKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device with reduced contact resistance

Номер патента: US12148800B2. Автор: Jeongmin Lee,Hanki Lee,Sahwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE and MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220223785A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Package for optical semiconductor device

Номер патента: US9844130B2. Автор: Yasuyuki Kimura,Takumi Ikeda,Masao Kainuma,Hyung Gon Kim,Chang Hun Gang,Tae Uk GANG. Владелец: Korea Shinko Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Package for optical semiconductor device

Номер патента: US09844130B2. Автор: Yasuyuki Kimura,Takumi Ikeda,Masao Kainuma,Hyung Gon Kim,Chang Hun Gang,Tae Uk GANG. Владелец: Korea Shinko Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: US20060231961A1. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-10-19.

Optical semiconductor device and method of fabricating optical semiconductor device

Номер патента: US20060054916A1. Автор: Yoshihiko Hanamaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device including oxide current aperture

Номер патента: US09978909B2. Автор: Martin F. Schubert,Michael Grundmann. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device including oxide current aperture

Номер патента: US09812609B1. Автор: Martin F. Schubert,Michael Grundmann. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with cooling

Номер патента: RU2546492C1. Автор: ВААЛ Герардус Геертрууд ДЕ. Владелец: МАРУЛАЛЕД (ПиТиУай) ЛТД. Дата публикации: 2015-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170069769A1. Автор: Yoshiaki Yamamoto,Tsuyoshi Horikawa,Tohru Mogami,Keiji Sakamoto,Keizo Kinoshita,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09985149B2. Автор: Yoshiaki Yamamoto,Tsuyoshi Horikawa,Tohru Mogami,Keiji Sakamoto,Keizo Kinoshita,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US20170229359A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09911673B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09646901B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Solid image-pickup device with through hole passing through substrate

Номер патента: US09455286B2. Автор: Yukinobu Wataya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2737722C1. Автор: Николай Александрович Брюхно,Василий Васильевич Афанаскин,Маргарита Юрьевна Котова,Александр Евгеньевич Яценко. Владелец: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2020-12-02.

MIM capacitors with diffusion-blocking electrode structures and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09520460B2. Автор: Tae-Kyun Kim,Jong-Myeong Lee,Hyun-Suk Lee,Jin-Su Lee,Dong-Kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and solid-state image sensor

Номер патента: US20130214374A1. Автор: Kazuo Kokumai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Light source device and semiconductor device

Номер патента: EP4318830A1. Автор: Masanori Okada,Koichiro HATAKEYAMA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Light Source Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20240063603A1. Автор: Masanori Okada,Koichiro HATAKEYAMA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Optical semiconductor device for changing a beam diameter

Номер патента: US5787106A. Автор: Masami Goto,Haruhiko Tabuchi,Masumi Norizuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-07-28.

Dual-sided socket device with corrugation structures and shield structures

Номер патента: US20220102892A1. Автор: Zhichao Zhang,Steven Klein,Kuang Liu,Joe Walczyk,Srikant Nekkanty,Feroz Mohammad. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Dual-sided socket device with corrugation structures and shield structures

Номер патента: US12009612B2. Автор: Zhichao Zhang,Steven Klein,Kuang Liu,Joe Walczyk,Srikant Nekkanty,Feroz Mohammad. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20090052487A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Manabu Matsuda,Shigekazu Okumura,Mitsuru Ekawa,Kan Takada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor circuit and semiconductor device

Номер патента: US20160329616A1. Автор: Yoshihiro Murakami. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20240297479A1. Автор: Keisuke Matsumoto,Shogo Ito. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Dual-sided socket device with corrugation structures

Номер патента: US11916322B2. Автор: Steven Klein,Srikant Nekkanty,Feroz Mohammad. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Dual-sided socket device with corrugation structures

Номер патента: US20220102883A1. Автор: Steven Klein,Srikant Nekkanty,Feroz Mohammad. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Batteries of tubular biomedical devices with chemically deposited seal

Номер патента: RU2672572C1. Автор: Адам ТОНЕР,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Стюарт Майкл ДЭВИС,Миллберн Эбензер МУТУ,Лоуренс ВАЙНШТЕЙН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-11-16.

Optical semiconductor device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12126138B2. Автор: Atsushi Nakamura,Hideaki Asakura,Shunya YAMAUCHI,Hayato TAKITA. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Magnetoresistive effect element, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20230180628A1. Автор: Yo Sato,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device having a first circuit board mounted with a plurality of semiconductor elements and a second circuit board mounted with a plurality of electronic components

Номер патента: US09756729B2. Автор: Kazuyoshi Kontani,Atsushi Dojiri. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Acoustic installation for the emission of a transverse sound wave in a gas environment

Номер патента: RU2744773C1. Автор: Данило Хергер. Владелец: Сотис АГ. Дата публикации: 2021-03-15.

PLL semiconductor device with testability, and method and apparatus for testing same

Номер патента: US20010028243A1. Автор: Kimitoshi Niratsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device, electronic equipment and equipment authentication program

Номер патента: US20070274143A1. Автор: Keiichi Tajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240074146A1. Автор: Eun A Kim,Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Vertical semiconductor device

Номер патента: US20230328988A1. Автор: Sunggil Kim,Siyeong YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: EP3843267A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Pratt,Praveen Chandrasekaran,Chris Mayer. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-30.

Semiconductor device and semiconductor package using the same

Номер патента: US20170033780A1. Автор: Jong Joo SHIM,Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device

Номер патента: US11894055B2. Автор: Ahreum Kim,Homoon Shin,Ansoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US20100117680A1. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor Device and Voltage Regulator Using the Semiconductor Device

Номер патента: US20080197829A1. Автор: Kohji Yoshii,Toshihisa Nagata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240159598A1. Автор: Mitsuhiko Igarashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Transmission device with switchable gear ratios

Номер патента: US7240579B2. Автор: Hsin Hong Chen. Владелец: Avision Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Transmission device with switchable gear ratios

Номер патента: US20060005650A1. Автор: Hsin Chen. Владелец: Avision Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Adaptive threshold of a zero crossing comparator

Номер патента: US09705399B2. Автор: Jindrich Svorc. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Inclination adjustment means for an arm of a loudspeaker support

Номер патента: GB2294386A. Автор: Richard Paul Woods. Владелец: AUDIO AND VISION FURNITURE Ltd. Дата публикации: 1996-05-01.

Systems and methods for statistically associating mobile devices and non-mobile devices with geographic areas

Номер патента: US11223926B2. Автор: Timothy W. Jenkins,Arash Saffarnia,Prashant Chaudhary,Gautham Anil. Владелец: 4Info Inc. Дата публикации: 2022-01-11.

Led device with shared voltage-limiting unit and individual equalizing resistance

Номер патента: US20120206052A1. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-16.

Determining a position of a device with respect to another device

Номер патента: US11802936B2. Автор: Johan Andersson,Kåre AGARDH,Johan Wadman,Andreas HALLONSTEN. Владелец: Sony Network Communications Europe BV. Дата публикации: 2023-10-31.

DRIVE DEVICE WITH AN ELECTRIC MOTOR IN PARTICULAR A MOTOR-REDUCER FOR A WINDSCREEN WIPER OF A MOTOR VEHICLE.

Номер патента: FR2691024B3. Автор: Fischer Ernst,Koss Hans-Joachim,Petcu Marius,Seibicke Horst. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1994-04-01.

Device with a tunable oscillator, the frequency of which is automatically corrected by means of a frequency spectrum supplied by a control oscillation.

Номер патента: CH271527A. Автор: Gloeilampenfabrieken N Philips. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1950-10-31.

Heating device with an electrical heat source for heating a fluid in a fluid line of a motor vehicle

Номер патента: CN1573076A. Автор: A·鲍尔,J·贝姆,U·维克尔,F·巴纳,M·拉斯特特尔,O·施特劳斯. Владелец: Rasmussen Gmbh. Дата публикации: 2005-02-02.

Artificial retina device with stimulating and ground return electrodes disposed on opposite sides of the neuroretina and method of attachment

Номер патента: US6427087B1. Автор: Alan Y. Chow,Vincent Y. Chow. Владелец: Optobionics Corp. Дата публикации: 2002-07-30.

Artificial retina device with stimulating and ground return electrodes disposed on opposite sides of the neuroretina and method of attachment

Номер патента: CA2407360C. Автор: Alan Y. Chow,Vincent Y. Chow. Владелец: Optobionics Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

Treatment device with a therapy laser for the treatment of biological tissue in the eye of a patient

Номер патента: EP4385469A1. Автор: Gediminas Paulauskas,Sebastian Friede,Arne Mundt. Владелец: OD OS GmbH. Дата публикации: 2024-06-19.

Method and apparatus for mapping at least part of a structure on an image of at least part of a body of a subject

Номер патента: RU2741572C2. Автор: Рафаэль ВИМКЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-01-27.

Method for processing and manufacturing a metal structural material by a coiling, sintering and plastic working of a metal screen mesh

Номер патента: US11407029B2. Автор: Zhaoyao Zhou. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-08-09.

Method for erecting a mooring structure on a rock base and an element of a mooring structure on a rock base obtained by this method

Номер патента: RU2760287C1. Автор: Алексей Леонидович Калинин,Анна Васильевна Калинина,Леонид Александрович Шурухин. Владелец: Леонид Александрович Шурухин. Дата публикации: 2021-11-23.

Light scanning device with microlenses having a same power density distribution as a power density distribution of a photosetting light beam

Номер патента: US5191358A. Автор: Takeo Iwasaki. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1993-03-02.

Semiconductor device, memory and storage system

Номер патента: US20240164086A1. Автор: HAO Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20230292631A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240224486A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Method for routing printed conductors of circuits with redundancy on opposite sides of printed circuit board

Номер патента: RU2754077C1. Автор: Артём Викторович Медведев,Тальгат Рашитович Газизов,Ольга Михайловна Кузнецова-Таджибаева,Хасан Аднан Алхадж. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2021-08-26.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Transportation method for a semiconductor device and transportation route selection method for a semiconductor device

Номер патента: US20010053617A1. Автор: Hiroo Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20120033484A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US12046323B2. Автор: Min Jun Choi,Jeong Jin HWANG,Sung Nyou YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Operating methods of semiconductor device and memory system each including multi-connection port, and communication method of storage system

Номер патента: US20170199673A1. Автор: Hwa-Seok Oh,Jin-Hyeok Choi,Hyun-Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Method for the refinement of a panel and apparatus for carrying out the same

Номер патента: US09522567B2. Автор: Roger Braun,Norbert Kalwa. Владелец: Flooring Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Mine-sweeping device with tension target sensors

Номер патента: RU2296289C2. Автор: Александр Евгеньевич Петренко. Владелец: Александр Евгеньевич Петренко. Дата публикации: 2007-03-27.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Cutting device with adjustable side guide

Номер патента: RU2532220C2. Автор: Томас БАУР,Клаус БОЙМЕР. Владелец: Смс Зимаг Аг. Дата публикации: 2014-10-27.

Semiconductor manufacturing-and-inspection system, and semiconductor device

Номер патента: US20020067182A1. Автор: Osamu Hashimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20050095774A1. Автор: Masahiro Abe,Tatsuo Akiyama,Akira Ogawa,Shigeru Komatsu,Yukihiro Ushiku,Hidenori Kakinuma,Shunji Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

Pendulum ruling machine for production of dashed structures on non-flat working surfaces

Номер патента: RU2687516C1. Автор: Анатолий Васильевич Лукин,Андрей Николаевич Мельников. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО"). Дата публикации: 2019-05-14.

Semiconductor device, and resistance measuring system and pressure instrumentation device each including the semiconductor device

Номер патента: US20160097692A1. Автор: Masato Hirai,Siewling LIM. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Device for remote cutting of metal structures of decommissioned nuclear reactors

Номер патента: RU2711285C1. Автор: Евгений Владимирович Беспала,Михаил Викторович Антоненко,Алексей Вячеславович Леонов,Даниил Валентинович Жирников,Дмитрий Олегович Чубреев,Евгений Сергеевич Иванов,Александр Владимирович Ярцев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Горно-химический комбинат" (ФГУП "ГХК"). Дата публикации: 2020-01-16.

Electromechanical lifting device with the mechanism of actuation the limit switch

Номер патента: RU2645197C1. Автор: Юрий Валентинович Молокин. Владелец: Открытое акционерное общество "ПРИБОР РСТ". Дата публикации: 2018-02-16.

Method and system for adjusting memory, and semiconductor device

Номер патента: US11928357B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method and system for adjusting memory, and semiconductor device

Номер патента: US20220137872A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Memory adjustment method and system, and semiconductor device

Номер патента: EP4089679A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-16.

Method and system for adjusting memory, and semiconductor device

Номер патента: US20220068321A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method and system for adjusting memory, and semiconductor device

Номер патента: US11984190B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20200285532A1. Автор: Geun Ho Choi,Sun Myung CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device, monitoring system, and lifetime prediction method

Номер патента: US20170277455A1. Автор: Daisuke Oshida,Takeshi Sunada,Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Memory adjustment method and adjustment system, and semiconductor device

Номер патента: EP4102505A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Whipping wire whisk and mixing device with whipping wire whisk

Номер патента: RU2532802C2. Автор: Хаймо ОБЕРШТАЙНЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-11-10.

Method and device for synchronizing a first printing device with a second printing device

Номер патента: US20210107280A1. Автор: Claus Schneider,Ulrich Stoeckle. Владелец: Canon Production Printing Holding BV. Дата публикации: 2021-04-15.

Method and System for Operating a Technical Device with a Model Based on Artificial Intelligence

Номер патента: US20240272632A1. Автор: Stefan Von Dosky,Thomas Bierweiler,Herbert Grieb,Daniel SCHALL,Safoura REZAPOUR LAKANI,Stephanie HOLLY,Jana EDER. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-08-15.

Balloon inflating device with illuminating/sounding effect

Номер патента: US09498734B2. Автор: Henrik Bo Stieler. Владелец: Shenzhen Promotion Concept Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device including cascaded modulation-doped quantum well heterostructures

Номер патента: CA2007829C. Автор: Israel Bar-Joseph,Tao-Yuan Chang,Daniel S. Chemla. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-12-07.

Method and apparatus for forming opposing holes in a side wall of a tubular workpiece

Номер патента: CA2373998C. Автор: Gerrald A. Klages,Blair J. Longhouse. Владелец: Vari Form Inc Canada. Дата публикации: 2009-01-27.

Improved Fluid Flow in a Temperature Control Actuator for Semiconductor Device Test

Номер патента: MY196017A. Автор: Weihua Tang,John C Johnson,Paul J Diglio. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-06.

Apparatus and method for controlling anti-barking device with noise reduction

Номер патента: US20240147963A1. Автор: Xiaowei Zhang,Baoyin Huang,Zhican HUANG. Владелец: Quanzhou Purplebox Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Delayed release device with expendable linkage for temporarily storing and restraining the buoy line and buoys of a shellfish or fish trap or the like, beneath the sea surface for a predetermined time interval

Номер патента: US11737437B1. Автор: Russ Mullins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-29.

A device with a double articulation for movable safety lattices for windows and similar

Номер патента: EP1082510A1. Автор: Enzo Luigi Mascherpini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-03-14.

Photographic recording or reproducing device with frame-by-frame film transport

Номер патента: US5899590A. Автор: Rolf Schröder,Claus Steiner. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 1999-05-04.

SUPPORT WITH METAL AND RUBBER PIECES, IN PARTICULAR FOR DIRECTIONABLE MOUNTING BY ARTICULATION OF A GUIDING SWING ARM OR A COMPOSITE AXLE ON THE BODYWORK OF A MOTOR VEHICLE

Номер патента: FR2407399A1. Автор: . Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 1979-05-25.

Vehicle seat bench, has operating unit arranged on opposite seat bench side of backrest segment, and co-operating with locking mechanism in such manner that it unlocks backrest segment during operation

Номер патента: DE102006028648A1. Автор: Matthias Herzog,Hilmar Brödler,Klaus Pahner. Владелец: Innotec Forschungs und Entwicklungs GmbH. Дата публикации: 2007-12-27.

Method for Processing and Manufacturing a Metal Structural Material by a Coiling, Sintering and Plastic Working of a Metal Screen Mesh

Номер патента: US20190151953A1. Автор: Zhaoyao Zhou. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-05-23.

Door closer for a leaf of a door or a window

Номер патента: US10161172B2. Автор: Benjamin Wörner. Владелец: GEZE GmbH. Дата публикации: 2018-12-25.

Roll changing device with wedge adjusting device

Номер патента: US20100077824A1. Автор: Günter Mittermayr. Владелец: Siemens VAI Metals Technologies GmbH and Co. Дата публикации: 2010-04-01.

Oil well pipe joint - with metallic sealing contact by convex and conical sections both sides of taper thread

Номер патента: FR2281488A1. Автор: Hubert Kaluza. Владелец: Mannesmannroehren Werke AG. Дата публикации: 1976-03-05.

DEVICE WITH MASSES CONCENTRATED TO REDUCE THE VIBRATIONS GENERATED BY A ROTOR OF SUSTENTATION OF A GIRAVION, AND HUB OF A ROTOR PROVIDED WITH SUCH A DEVICE

Номер патента: FR2945788B1. Автор: Stephane Mazet,Vincent Girard. Владелец: Eurocopter SA. Дата публикации: 2011-05-13.

DEVICE WITH MASSES CONCENTRATED TO REDUCE THE VIBRATIONS GENERATED BY A ROTOR OF SUSTENTATION OF A GIRAVION, AND HUB OF A ROTOR PROVIDED WITH SUCH A DEVICE

Номер патента: FR2945788A1. Автор: Stephane Mazet,Vincent Girard. Владелец: Eurocopter SA. Дата публикации: 2010-11-26.

A method for providing an early warning score by means of a wearable system comprising an ear-worn device

Номер патента: US20240081753A1. Автор: Svend Vitting Andersen,Kim Hjortgaard Nielsen. Владелец: Widex AS. Дата публикации: 2024-03-14.

Spherical cage pitch training device with spinning ball

Номер патента: US11969637B2. Автор: Robert Geoffrey Nadel,Richard Nadel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-30.

Spherical Cage Pitch Training Device with Spinning Ball

Номер патента: US20230264087A1. Автор: Robert Geoffrey Nadel. Владелец: Nadel Richard. Дата публикации: 2023-08-24.

MEMORY DEVICES WITH A CONNECTING REGION HAVING A BAND GAP LOWER THAN A BAND GAP OF A BODY REGION

Номер патента: US20140313833A1. Автор: Liu Haitao,Li Jian,Mouli Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

Quick-clamping device with a hub centering ring to secure a vehicle wheel on the shaft of a wheel-balancing machine

Номер патента: CA2517279A1. Автор: Axel Ohnesorge. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-10.

Protective device with a foot stop portion for a return bar and means of control of a vehicle braking system

Номер патента: EP2768702A1. Автор: Germain Convers. Владелец: PEUGEOT CITROEN AUTOMOBILES SA. Дата публикации: 2014-08-27.

Device with variable thermal conductivity for placing between a heating and a cooling platen of a machine such as a press

Номер патента: EP0499513B1. Автор: Philippe Cusson,Eric Sixdeniers. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1994-12-28.

The structure on two sides and its construction method of a kind of concrete column support top post-cast strip

Номер патента: CN108756227A. Автор: 沈益伟,沈益峰,张京琼,周伟静,陈伟春. Владелец: Wenzhou Zhong Qiang Construction Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-06.

SUPPORT DEVICE WITH SIDE AUTOCENTRAGE AND IMMOBILIZATION ON A RAIL STRUCTURE OF THE COUPLING PIVOT OF A SEMI-TRAILER

Номер патента: FR2884211A1. Автор: Jean Luc Andre,Jacques Ober,Mathieu Schverer. Владелец: Lohr Industrie SA. Дата публикации: 2006-10-13.

Sleeved to press-open type storage device with a prestressed to open closure

Номер патента: CA2668303C. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-11.

DEVICE WITH A CONTROL ELEMENT FOR CONTROLLING THE LONGITUDINAL MOVEMENT AND THE TRANSVERSE MOVEMENT OF A MOTOR VEHICLE

Номер патента: FR2750387B1. Автор: Lutz Eckstein,Werner Reichelt,Michael Bohringer. Владелец: Daimler Benz AG. Дата публикации: 2000-07-21.

DEVICE WITH A POLAR SURFACE OF MAGNET FOR OPENING RESPECTIVELY CLOSE THE TONGUE NEEDLES OF A KNITTING MACHINE

Номер патента: IT1012834B. Автор: . Владелец: Morat Gmbh Franz. Дата публикации: 1977-03-10.

Screw feeder device with an insertion tube for removing attachments and a method for removing attachments of a screw feeder using the same

Номер патента: KR102136591B1. Автор: 정재용,박희원,이은도,정수화,허병수,박찬혁,허우인. Владелец: 장우기계(주). Дата публикации: 2020-07-29.

SUPPORT DEVICE WITH SIDE AUTOCENTRAGE AND IMMOBILIZATION ON A RAIL STRUCTURE OF THE COUPLING PIVOT OF A SEMI-TRAILER

Номер патента: FR2884211B1. Автор: Jean Luc Andre,Jacques Ober,Mathieu Schverer. Владелец: Lohr Industrie SA. Дата публикации: 2007-05-25.

Cutting device with a cutting unit, in particular for cutting crops along the central strip of a motorway

Номер патента: DE102007055068A1. Автор: Hans Peter Raeker. Владелец: Hans Peter Raeker. Дата публикации: 2009-05-28.

BLOWING DEVICE WITH A CONTROL FOR THE CLOSING SPEED OF THE TWO MOVABLE MOLDED PARTS OF A BLOW MOLD FOR THE PRODUCTION OF HOLLOW BODIES FROM THERMOPLASTIC PLASTIC

Номер патента: AT363250B. Автор: . Владелец: KAUTEX WERKE GmbH. Дата публикации: 1981-07-27.

Dental x-ray device with imaging unit for surface imaging, and method for generating an x-ray of a patient

Номер патента: KR101830711B1. Автор: 카이 린덴베르크,크리스티안 벡하우스,요하네스 울리치. Владелец: 시로나 덴탈 시스템스 게엠베하. Дата публикации: 2018-02-21.

Towing device with means for cracking rigid connection of coupled rail vehicles in the event of a collision

Номер патента: SE534924C2. Автор: Anders Svedbo. Владелец: Ego Int Bv. Дата публикации: 2012-02-21.

Interior locking device with an additional actuation position of the interior locking button for keyless locking of a vehicle door lock

Номер патента: DE2503281C3. Автор: Shoji Hekinan Aichi Itakura (Japan). Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 1980-08-14.

Device with belt for carrying an electronic apparatus over the shoulder against the chest of a user

Номер патента: WO2020049242A1. Автор: Benoît VAN LANDEGHEM. Владелец: Van Landeghem Benoit. Дата публикации: 2020-03-12.

IMPROVED DEVICE WITH INTEGRATED ARMREST ARMREST DISSIMULATING TRAPPE FOR CONNECTING THE TRUNK AND THE CABIN OF A MOTOR VEHICLE

Номер патента: FR2887192B1. Автор: Gilles Levitre. Владелец: PEUGEOT CITROEN AUTOMOBILES SA. Дата публикации: 2008-09-12.

Power semiconductor device and method for detecting aging-related damage to a power semiconductor device

Номер патента: US20240219350A1. Автор: Karl Oberdieck,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Radio-beam alarm device with possibility of determining direction of intruder crossing security boundary

Номер патента: RU2600432C1. Автор: Владимир Эристович Иванов,Станислав Федорович Алаухов,Николай Николаевич Хвесько,Владимир Алексеевич Сергеев,Дмитрий Олегович Панькин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Производственное объединение "Старт" им. М.В. Проценко" (ФГУП ФНПЦ ПО "Старт" им. М.В. Проценко"). Дата публикации: 2016-10-20.

Sliding closure at the outlet of a metallurgical vessel

Номер патента: US12070796B2. Автор: Jean-Daniel Cousin,Beat HEINRICH,Robert Hein LOEDEMAN. Владелец: Refractory Intellectual Property GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Transistor with metal-oxide-semiconductor structure on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: RU2477904C1. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков,Андрей Александрович Глушко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2013-03-20.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive THV and RDL on Opposite Sides of Semiconductor Die for RDL-to-RDL Bonding

Номер патента: US20120217644A1. Автор: Pagaila Reza A.. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-08-30.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Respirator device with belt mounting

Номер патента: CA179152S. Автор: . Владелец: Tecmen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Electrochromic device with lithium polymer electrolyte and method of manufacturing thereof

Номер патента: RU2534119C2. Автор: Анатолий Ильич Сапрыкин,Пётр Сергеевич Галкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2014-11-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A CONTACT PLUG CONNECTING TO A SILICIDE FILM FORMED ON A DIFFUSION REGION OF A FLASH MEMORY CELL

Номер патента: US20130005098A1. Автор: Yamada Tetsuya. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2013-01-03.

Manufacture and device for a yarn spinning with two-layer or three-layer coating structure on a thread feeding and guiding hook of a ring-spindle spinning machine

Номер патента: TW440617B. Автор: Wen-Bin HUNG,Shin-Shiung Chiou,Rung-Kuei Liou,Huang-Jin Hung. Владелец: China Textile Inst. Дата публикации: 2001-06-16.

MEMORY DEVICES WITH A CONNECTING REGION HAVING A BAND GAP LOWER THAN A BAND GAP OF A BODY REGION

Номер патента: US20120199877A1. Автор: Liu Haitao,Li Jian,Mouli Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Compression Device with Structural Support Features

Номер патента: US20120004583A1. Автор: . Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2012-01-05.

Surgical Stapling Device With Independent Tip Rotation

Номер патента: US20120000962A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

EMITTER WIRE CLEANING DEVICE WITH WEAR-TOLERANT PROFILE

Номер патента: US20120000486A1. Автор: . Владелец: TESSERA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

Semiconductor Device with Metallization Structure on Opposite Sides of a Semiconductor Portion

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты