Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device
Номер патента: US20210202714A1
Опубликовано: 01-07-2021
Автор(ы): Chia-Chi Yu, Chih-Teng Liao, Jui Fu Hseih, Yi-Jen Chen, Yu-Li Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-07-2021
Автор(ы): Chia-Chi Yu, Chih-Teng Liao, Jui Fu Hseih, Yi-Jen Chen, Yu-Li Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of manufacturing a semiconductor device with buried channel/body zone and semiconductor device
Номер патента: US09368408B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-06-14.