• Главная
  • Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and manufacturing method to manufacture semiconductor device

Номер патента: US20190288095A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of making a grooved gate structure of semiconductor device

Номер патента: US5776835A. Автор: Ching-Fa Yeh,Jwinn Lein Su. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-07-07.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240178312A1. Автор: HUI Zhang,Shigiang LI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20210119039A1. Автор: Ikuo Kurachi,Takashi Miida. Владелец: Eastwind LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343598A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09716171B2. Автор: Boseok OH,Gukhwan KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US8822264B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240162351A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of forming patterns with multiple layers for semiconductor devices

Номер патента: US10014181B2. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-03.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09825036B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282849A1. Автор: Yohei Iwahashi,Takaya Shimono. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240268092A1. Автор: Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device layout structure and method for manufacturing semiconductor device layout structure

Номер патента: US20230238293A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11968820B2. Автор: Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US12062720B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363753A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09887194B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Methods of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US09520289B2. Автор: Jin Park,Hyun-Woo Kim,Cha-Won Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09870996B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Method of forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Yil-hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190287964A1. Автор: Hiroaki Ichikawa,Akio Yamano,Aiko TAKASAKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190043983A1. Автор: Taro Moriya,Hiroyoshi Kudou,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing double diffused drains in semiconductor devices

Номер патента: US20080132024A1. Автор: Shao-Yen Ku,Hung-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Epitaxial structure of semiconductor device and preparing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240332371A1. Автор: HUI Zhang,Susu KONG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of epitaxial structure formation in a semiconductor

Номер патента: US09768017B1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of fabricating dual gate electrode of CMOS semiconductor device

Номер патента: US7402478B2. Автор: Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-22.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190245044A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230326959A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20160293419A1. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Methods of forming layer patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20140242800A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Tae-Hwan OH,Yu-Ra KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US9406756B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of improving a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20080124899A1. Автор: Wen Lin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device, semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210166944A1. Автор: Shinichi Tabuchi,Yasuo ATA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20040018733A1. Автор: Baek Hak. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method of fabricating void-free conductive feature of semiconductor device

Номер патента: US20230402313A1. Автор: Cheng-Yan Ji,Chu-Hsiang HSU,Jing Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09620499B2. Автор: Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12074024B2. Автор: Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Chung-Lei Chen,Meng-I Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing p-channel fet device with sige channel

Номер патента: US20160315016A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of manufacturing thin-film transistor substrate

Номер патента: US09608089B2. Автор: Junghyun Kim,Jongyun Kim,Kiwan Ahn,Waljun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing P-channel FET device with SiGe channel

Номер патента: US09553030B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09543410B2. Автор: Wu Meng-Chuan,Yi-Wei Chiu,Tzu-Chan Weng,Li-Te Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09741805B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing a solid image pick-up device and a solid image pick-up device

Номер патента: WO2005114735A1. Автор: Takanori Satoh,Teiji Azumi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor device, manufacture thereof, and a radiation measurement method

Номер патента: US20200185503A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

A semiconductor device, manufacture thereof, and a radiation measurement method

Номер патента: US20180331192A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device, manufacture thereof, and a radiation measurement method

Номер патента: US10566431B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device having diode-built-in IGBT and semiconductor device having diode-built-in DMOS

Номер патента: US9184158B2. Автор: Kenji Kouno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490178B2. Автор: Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355642A1. Автор: Wei-Chuan Fang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing a double-source semiconductor device

Номер патента: US09472569B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240186247A1. Автор: Ho-Jin Lee,Hyung Jun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing an insulated gate type semiconductor device having a U-shaped groove

Номер патента: US6194273B1. Автор: Naoki Matsuura,Hiroyasu Enjo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Method of depositing thin passivating film on microminiature semiconductor devices

Номер патента: US5620909A. Автор: Fan Ren,Jenshan Lin,James R. Lothian. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device

Номер патента: EP4297070A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09590111B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Gettering regions and methods of forming gettering regions within a semiconductor wafer

Номер патента: US20020022346A1. Автор: Fernando Gonzalez,Jeffrey Honeycutt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20210098485A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Dong-Chul Yoo,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US9779934B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of manufacturing the gallium nitride based semiconductor devices

Номер патента: US20140327049A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-06.

Apparatus and method of activating impurity atom in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20060105552A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-18.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20230019524A1. Автор: HUI Zhang,Yi Pei,Hongtu QIAN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of fin selection for improved performance in semiconductor devices

Номер патента: US20240046021A1. Автор: Shellin Liu,Jui-Tse Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of fabricating a mask for a semiconductor device

Номер патента: US20080280213A1. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of fabricating a vertically profiled electrode and semiconductor device comprising such an electrode

Номер патента: US20030153178A1. Автор: Bernd Maile. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices

Номер патента: US5464795A. Автор: Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240105828A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US20110108944A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387285A1. Автор: Kentaro Chikamatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method to fabricate the semiconductor device

Номер патента: US20200185325A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,San-Fu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US12034069B2. Автор: Shigeki Yoshida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7732316B2. Автор: Chi Hwan Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881920B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449974B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit device with a surface and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947546B2. Автор: Keun Kyu Kong,Min Seok Son,Jae Hee SIM,Jeong Hoon AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: EP4148805A1. Автор: Changhyun KIM,Keunwook SHIN,Seunggeol NAM,Dohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor device and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: EP4152361A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-22.

Methods of Arranging L-Shaped Cell Blocks In Semiconductor Devices

Номер патента: US20110286295A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing a solid-state device and solid-state device, particularly semiconductor device

Номер патента: WO1991009425A1. Автор: Peter Teleki. Владелец: Teleki Péter. Дата публикации: 1991-06-27.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9941323B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20160126279A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20170278891A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20140239499A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20130140699A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20200119075A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20180204873A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US09679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US12113059B2. Автор: Michael Fogarty Cahir,Stephen Geoffrey Badcock. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and image sensor including the semiconductor device

Номер патента: US20230143634A1. Автор: Won Seok Lee,Young Gu Jin,Jung Chak Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US20160307791A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US09818642B2. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US09837371B2. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, semiconductor package, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09502381B2. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing chip-size package-type semiconductor device

Номер патента: CA2159243C. Автор: Shuichi Matsuda,Keiichiro Kata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-13.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11658110B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsushi Kato,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US09431273B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of manufacturing electronic device, substrate and semiconductor device

Номер патента: US7829378B2. Автор: Yoshihiro Machida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20220123015A1. Автор: Sung Soon Kim,Sun Kak Hwang,Hee Do Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of forming a leadframe for a semiconductor package

Номер патента: US20050037544A1. Автор: Darrell Truhitte,Guan Quah. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US20020090811A1. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US20170207189A1. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of controlling transport vehicle in production factory, vehicle control device, and article transport system

Номер патента: US20220089375A1. Автор: Jae Hyoung Cho. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US20200152482A1. Автор: Kazuaki Mawatari. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device and ID generator configured as semiconductor device

Номер патента: US20050047227A1. Автор: Atsushi Noda,Kenichi Ohkubo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor device and test system for the semiconductor device

Номер патента: US20150348860A1. Автор: Sung-Kyu Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device and method for producing said semiconductor device

Номер патента: EP4246571A1. Автор: IGUCHI Tomohiro. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20220359229A1. Автор: Takeshi Endo,Tomohito Iwashige. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210265266A1. Автор: Masayuki Kitamura,Atsushi Kato,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device, semiconductor package, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120175788A1. Автор: Takao Ochi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor device, lead frame, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190385942A1. Автор: Naoki Saegusa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of forming a mass over a semiconductor substrate

Номер патента: US7179361B2. Автор: Rita J. Klein,Dale W. Collins,Richard H. Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Method of forming isolation region in integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US5004701A. Автор: Kazumasu Motokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

Process for manufacturing a surface-mount semiconductor device, and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20160351476A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-01.

Exposure system, semiconductor device, and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US7286219B2. Автор: Reiji Makara. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-10-23.

Exposure system, semiconductor device, and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20070290254A1. Автор: Reiji Makara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-20.

Exposure system, semiconductor device, and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20060043460A1. Автор: Reiji Makara. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device and method to fabricate the semiconductor device

Номер патента: US20200185264A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230114260A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20100267211A1. Автор: Hideo Yamamoto,Atsushi Kaneko,Kenya Kobayashi,Yoshimitsu Murase. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162343A1. Автор: Takashi Tonegawa,Yuji ENARI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Pixel structure and method of manufacturing a pixel structure

Номер патента: US9502573B2. Автор: Wei-Jen Chang,Wan-Yu Lo,Po-Hsueh Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-11-22.

Pixel structure and method of manufacturing a pixel structure

Номер патента: US09905578B2. Автор: Wei-Jen Chang,Wan-Yu Lo,Po-Hsueh Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing a solid-state image-sensing device, and solid-state image-sensing device

Номер патента: US20060263942A1. Автор: Hirochika Narita,Ryuya Kuroda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074182B2. Автор: Masaki Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

A semiconductor light emitting device and a display device

Номер патента: EP4401135A1. Автор: Sunghyun Hwang,Kiseong Jeon,Minwoo Lee,Mihee Heo,Byungjun Kang,Junho Sung,Hyungjo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-17.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20050006715A1. Автор: Yukiko Kashiura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242946A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: US6700168B2. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

A semiconductor light emitting device package and a display device

Номер патента: EP4312269A1. Автор: Sungjin Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Taesu Oh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-31.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230155351A1. Автор: Shinya Nishimura,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of manufacturing nanowire

Номер патента: US7642177B2. Автор: Hans S. Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-05.

Method of manufacturing nanowire

Номер патента: US8258049B2. Автор: Hans S. Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-04.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of manufacturing structure and method of manufacturing capacitor

Номер патента: US20230298907A1. Автор: Takayuki Tajima,Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09935194B2. Автор: Young Ho Lee,Jin Ha Kim,Kang Sik Choi,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Method of anodising a surface of a semiconductor device

Номер патента: US09786808B2. Автор: Xi Wang,Jie Cui. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Method of fabricating a semiconductor light-emitting device and the semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20010017375A1. Автор: Shoji Hirata,Hironobu Narui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US6841417B2. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20020089033A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20010042911A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20030001257A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US09847311B2. Автор: Takuya Kadoguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09748186B2. Автор: Takashi Saito,Yoshitaka Nishimura,Fumihiko Momose,Kazumasa Kido. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and data storage system including semiconductor device

Номер патента: US20240179913A1. Автор: Jihong Kim,Hyunmook Choi,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030098471A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US6677180B2. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-13.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for manufacturing a set of electronic components on the front of a semiconductor substrate

Номер патента: US20230408902A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device, heat conductor, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716053B2. Автор: Yoshihiro Ihara,Kei Murayama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device, semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09977074B2. Автор: Tomoharu Fujii. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5937306A. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Method for manufacturing a semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20090090923A1. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-04-09.

Cooling system, a semiconductor apparatus including the same, and a method of replacing a filter using the same

Номер патента: US20240263831A1. Автор: Moonki KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and resin binder for assembling semiconductor device

Номер патента: EP1449251A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-25.

Methods of forming metallization patterns on beam lead semiconductor devices

Номер патента: US4011144A. Автор: Albert K. Bachman. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1977-03-08.

Semiconductor device and electronic system including the semiconductor device

Номер патента: EP4373235A1. Автор: Dongyoung Kim,Iksoo Kim,Daihong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US09941223B2. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming an inductor on a semiconductor wafer

Номер патента: US8309452B2. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20120313257A1. Автор: Jeoungchill SHIM. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device and data transferring method for semiconductor device

Номер патента: US20240047366A1. Автор: Nobuyoshi Tanaka. Владелец: Preferred Networks Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and data transferring method for semiconductor device

Номер патента: US11824009B2. Автор: Nobuyoshi Tanaka. Владелец: Preferred Networks Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230337427A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing an integrated piece comprising a convex cured product and a substrate

Номер патента: US9263648B2. Автор: Shin Yoshida,Jongchan Park. Владелец: Dow Corning Korea Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Method Of Manufacturing An Integrated Piece Comprising A Convex Cured Product And A Substrate

Номер патента: US20150295147A1. Автор: Shin Yoshida,Jongchan Park. Владелец: Dow Corning Korea Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Method of manufacturing an integrated piece comprising a convex cured product and a substrate

Номер патента: WO2014061815A1. Автор: Shin Yoshida,Jongchan Park. Владелец: Dow Corning Korea Ltd.. Дата публикации: 2014-04-24.

Method of making planar-type bottom electrode for semiconductor device

Номер патента: US20090023264A1. Автор: Hsiao-Che Wu,Wen-Li Tsai,Ming-Yen Li. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Manufacturing a plurality of semiconductor device headers

Номер патента: US3689996A. Автор: Geoffrey William Scholes,Anthony Ronald Jones. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-09-12.

Optical semiconductor device, electronic device, and method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US20060203872A1. Автор: Junji Oka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US20160043043A1. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of manufacturing wafer and method of manufacturing stacked device chip

Номер патента: US12087589B2. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2009017338A2. Автор: Ho Sang Yoon,Sang Kyun SHIM. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Transistor devices, power devices, and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP4402723A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060220150A1. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of manufacturing bipolar device and structure thereof

Номер патента: US20020079510A1. Автор: Tae-Hyeon Han,Deok-Ho Cho,Soo-Min Lee,Byung Ryum. Владелец: ASB Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device including deep trench capacitors and via contacts

Номер патента: US12074227B2. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20180342448A1. Автор: Prasad Venkatraman,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor packages including heat spreaders and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09847285B1. Автор: Jong Hoon Kim,Han Jun Bae,Ki Jun SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583416B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490191B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20190295959A1. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10756026B2. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09613979B2. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Multi-die structure and method of forming same

Номер патента: US09761566B1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Li-Hui Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor apparatus, electronic device, and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140131874A1. Автор: Naoki Komai,Yoshihisa Kagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Structure and method of conductive bus bar for resistive seed substrate plating

Номер патента: US09899324B1. Автор: Atsushi Ogino,Shafaat Ahmed,Sadanand Vinayak Despande. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and apparatus for sweeping overflowed resin on semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US6116487A. Автор: Nobuhiro Nagamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Device and methods for characterization of semiconductor films

Номер патента: US20240264113A1. Автор: Michel DE KEERSMAECKER,Erin L. RATCLIFF,Neal R. Armstrong. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09761541B2. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20210028131A1. Автор: Michael B. Vincent,Abdellatif Zanati. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-01-28.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8216865B2. Автор: Ki-Won Kim,Young-Joo Choi,Woo-Geun Lee,Hye-Young Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-10.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11749624B2. Автор: Michael B. Vincent,Abdellatif Zanati. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device packages and method of making the same

Номер патента: US09653415B2. Автор: Sung-Mao Li,Wei-Hsuan Lee,Chien-Yeh Liu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180315669A1. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20200075433A1. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US10553500B2. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor device package and the method of manufacturing the same

Номер патента: US12107056B2. Автор: Ya Fang CHAN,Yuan-Feng CHIANG,Po-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of manufacturing lighting emitting device with aligned-bonding

Номер патента: US09653333B2. Автор: Yi-Ming Chen,Chia-Liang Hsu,Hsin-Chih CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508774B2. Автор: Koji Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of Dispositioning and Control of a Semiconductor Manufacturing Process

Номер патента: US20240258066A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: Fractilia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of dispositioning and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2024178198A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: FRACTILIA, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing a dry-laid fuel cell precursor substrate and a substrate

Номер патента: EP3020087A1. Автор: Richard D. Breault. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2016-05-18.

Method of manufacturing a cold cathode, field emission device and a field emission device manufactured by the method

Номер патента: CA1305999C. Автор: James L.S. Wales. Владелец: Thorn EMI PLC. Дата публикации: 1992-08-04.

Method of manufacturing a dry-laid fuel cell precursor substrate and a substrate

Номер патента: US20160233518A1. Автор: Richard D. Breault. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2016-08-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20120142167A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090039473A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102832A1. Автор: Eiji Watanabe,Katsumi Miyata,Hiroyuki Yoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US20110221052A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US8110904B2. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US9023253B2. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li,Ran Guo. Владелец: Soltrium Technology Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150162481A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150159026A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030080412A1. Автор: Masaaki Irie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor device and fault detecting method

Номер патента: US09935577B2. Автор: Yuji Takehara,Daisuke IIJIMA,Katsutoshi Bito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484500B2. Автор: Sang Seok Lee,Ki Seok Kim,Su Yeol Lee,Chan Mook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595655B2. Автор: Yoshihito Mizuno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US09607942B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing semiconductor optical device

Номер патента: US20240186763A1. Автор: Takehiko Kikuchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20180062325A1. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of Kelvin current sense in a semiconductor package

Номер патента: US20070164775A1. Автор: Erin L. Taylor,John A. Billingsley. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-07-19.

A method of manufacturing, a rim assembly, a rim-driven-fan, and a mandrel

Номер патента: WO2024127025A1. Автор: Robert Cameron BOLAM,Jhon Paul Cayanan ROQUE. Владелец: Wrexham (Glyndwr) University. Дата публикации: 2024-06-20.

A method of manufacturing, a rim assembly, a rim-driven-fan, and a mandrel

Номер патента: GB2625525A. Автор: Cameron Botam Robert,Paul Cayanan Roque Jhon. Владелец: Wrexham Glyndwr Univ. Дата публикации: 2024-06-26.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of providing a recent call list, software product, telecommunications device and system

Номер патента: US20190068779A1. Автор: Vasileios Giatilis. Владелец: Unify Patente GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of allowing establishment of a secure session between a device and a server

Номер патента: US09635022B2. Автор: Olivier Potonniee. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing a component of a hearing device and component

Номер патента: US20190379987A1. Автор: Patrick Breitenfeld,Michael Bulk. Владелец: Sivantos Pte Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Device and method in a semiconductor circuit

Номер патента: EP1350323A1. Автор: Mikael Lindberg,Ulf Hansson,Stefan Davidsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2003-10-08.

Semiconductor Device and Voltage Regulator Using the Semiconductor Device

Номер патента: US20080197829A1. Автор: Kohji Yoshii,Toshihisa Nagata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Method of configuring and manufacturing a susceptor

Номер патента: WO2023168410A3. Автор: David Crosby,Alexander ChinHak Chong,David Wayne,William Bartkowski,Gerard Shudall. Владелец: Cqens Technologies Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for controlling the semiconductor device

Номер патента: US20170019113A1. Автор: Hideyuki Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Method of configuring and manufacturing a susceptor

Номер патента: WO2023168410A2. Автор: David Crosby,Alexander ChinHak Chong,David Wayne,William Bartkowski,Gerard Shudall. Владелец: Cqens Technologies Inc.. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of obtaining user data to be transmitted to a network side, and a radio control base station

Номер патента: US20050085213A1. Автор: Masayuki Shinozaki,Yukinori Koba. Владелец: Evolium SAS. Дата публикации: 2005-04-21.

A method of obtaining user data to be transmitted to a network side, and a radio control base station

Номер патента: EP1513294A3. Автор: Masayuki Shinozaki,Yukinori Koba. Владелец: Evolium SAS. Дата публикации: 2005-10-12.

A method of obtaining user data to be transmitted to a network side, and a radio control base station

Номер патента: EP1513294B1. Автор: Masayuki Shinozaki,Yukinori Koba. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2007-10-10.

Semiconductor unit, semiconductor device, battery unit, and vehicle

Номер патента: US11909329B2. Автор: Mineo Miura,Masashi Hayashiguchi,Jun Terada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor unit, semiconductor device, battery unit, and vehicle

Номер патента: US20210359620A1. Автор: Mineo Miura,Masashi Hayashiguchi,Jun Terada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of managing at least one wireless communications interface of a terminal, and a terminal

Номер патента: US09693221B2. Автор: Lionel Morand,Julien Bournelle. Владелец: ORANGE SA. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of connecting a device to a network, a device connecting system, and a program

Номер патента: US09565058B2. Автор: Karsten Huster. Владелец: Canon Europa NV. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of detecting bit errors, an electronic circuit for detecting bit errors, and a data storage device

Номер патента: US09417957B2. Автор: Thomas Rabenalt,Rex Kho. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of storing gamma data in a display device, display device and method of operating a display device

Номер патента: US9299282B2. Автор: Choon-Yul Oh,Gyu-Ho Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-29.

Device and method in a semiconductor circuit

Номер патента: WO2002047269A1. Автор: Mikael Lindberg,Ulf Hansson,Stefan Davidsson. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2002-06-13.

Method of detecting earphone state relative to earphone case, electronic device, and earphone assembly

Номер патента: US20220124429A1. Автор: Wenzhang RUO. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of providing a recent call list, software product, telecommunications device and system

Номер патента: US20190364149A1. Автор: Vasileios Giatilis. Владелец: Unify Patente GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-11-28.

Method of allowing establishment of a secure session between a device and a server

Номер патента: US20150312252A1. Автор: Olivier Potonniee. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2015-10-29.

Method for manufacturing a busbar, a busbar for a motor, and a motor

Номер патента: US20240146142A1. Автор: Yuki Suzuki,Tamotsu Tanaka,Akihiko Eguchi,Shota Nogiwa. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of website optimisation for a website hosted on a server system, and a server system

Номер патента: WO2014177820A1. Автор: Steven Rose,Dimitris Tsomokos,Peter Ellen. Владелец: Maxymiser Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Method of website optimisation for a website hosted on a server system, and a server system

Номер патента: US10282670B2. Автор: Steven Rose,Dimitris Tsomokos,Peter Ellen. Владелец: Maxymiser Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

Method of website optimisation for a website hosted on a server system, and a server system

Номер патента: WO2014177821A1. Автор: Dimitris Tsomokos. Владелец: Maxymiser Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

A method of assigning resources in a shared channel, a corresponding mobile terminal and a corresponding base station

Номер патента: AU3338401A. Автор: VINOD KUMAR,Jerome Brouet. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2001-11-01.

Method of fitting a hearing aid system, a hearing aid fitting system and a computerized device

Номер патента: EP3395081A1. Автор: Jesper THEILL,Morten Love JEPSEN. Владелец: Widex AS. Дата публикации: 2018-10-31.

A method of connecting a device to a network, a device connecting system, and a program

Номер патента: EP2764678A1. Автор: Karsten Huster. Владелец: Canon Europa NV. Дата публикации: 2014-08-13.

Method of connecting a device to a network, a device connecting system, and a program

Номер патента: US20140372580A1. Автор: Karsten Huster. Владелец: Canon Europa NV. Дата публикации: 2014-12-18.

Method of website optimisation for a website hosted on a server system, and a server system

Номер патента: US10909465B2. Автор: Dimitris Tsomokos. Владелец: Maxymiser Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Method of website optimisation for a website hosted on a server system, and a server system

Номер патента: US20160098643A1. Автор: Dimitris Tsomokos. Владелец: MAYXMISER Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Method of generating partitions of a communications network, a network partition generator and a network

Номер патента: US20130128769A1. Автор: Chris H. Walshaw. Владелец: University of Greenwich. Дата публикации: 2013-05-23.

A method of generating partitions of a communications network, a network partition generator and a network

Номер патента: WO2011144922A1. Автор: Chris H. Walshaw. Владелец: University of Greenwich. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of identifying an unknown system with a band-splitting adaptive filter and a device thereof

Номер патента: CA2118654C. Автор: Akihiko Sugiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-04.

A method for manufacturing a carrier element for a hearing aid and a carrier element for a hearing aid

Номер патента: EP1629690A1. Автор: Morten Linkenkaer-Hansen. Владелец: Widex AS. Дата публикации: 2006-03-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240232383A9. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing color filter, color filter, image display device and electronic apparatus

Номер патента: US20090136653A1. Автор: Junichi Sano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Method of manufacturing a base plate member for a table and a product thereof

Номер патента: EP3747313A1. Автор: Eskil HÅKANSSON. Владелец: ROL ERGO AB. Дата публикации: 2020-12-09.

Method of and system for making a semiconductor device

Номер патента: US20020166099A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device and device for a semiconductor device

Номер патента: US09576684B1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek,Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of manufacturing a base plate member for a table and a product thereof

Номер патента: WO2020245249A1. Автор: Eskil HÅKANSSON. Владелец: ROL ERGO AB. Дата публикации: 2020-12-10.

Film, method of manufacturing film, polarizing plate, liquid crystal display device, and composition

Номер патента: US20160109621A1. Автор: Jyunko IBARAKI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Film, method of manufacturing film, polarizing plate, liquid crystal display device, and composition

Номер патента: US09823389B2. Автор: Jyunko IBARAKI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Semiconductor device, electronic device, and self-diagnosis method for semiconductor device

Номер патента: US09797950B2. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09880203B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of hologram exposure, mask for hologram exposure, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20050063030A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Vibrator element, method of manufacturing vibrator element, angular velocity sensor, electronic device, and moving body

Номер патента: US09341477B2. Автор: Fumio Ichikawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of forming light emitting portion of light spot forming device and optical element

Номер патента: US6392978B1. Автор: Akira Sato. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-21.

Method of manufacturing a substrate of a display device and mask thereof

Номер патента: US20190384160A1. Автор: Xing Wang,Kun Yang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of manufacturing a large- or medium-sized wheel disk and a product manufactured thereby

Номер патента: US20150321242A1. Автор: Koji Takeuchi,Kikuya Itou,Yoshio Suzui. Владелец: Topy Industries Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Method of manufacturing a large- or medium-sized wheel disk and a product manufactured thereby

Номер патента: US20170355009A1. Автор: Koji Takeuchi,Kikuya Itou,Yoshio Suzui. Владелец: Topy Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device and program used in the semiconductor device

Номер патента: US20190087329A1. Автор: Takashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

A method of modifying or manufacturing a colostomy appliance

Номер патента: GB2476081A. Автор: Peter Argent,Neil Wiltshire. Владелец: Salts Healthcare Ltd. Дата публикации: 2011-06-15.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: EP4238543A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: CA3191961A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-09-04.

Method of manufacturing a base plate member for a table and a product thereof

Номер патента: US20220218107A1. Автор: Eskil HÅKANSSON. Владелец: ROL ERGO AB. Дата публикации: 2022-07-14.

A method of designing and manufacturing a delayed coker drum

Номер патента: WO1998001512A1. Автор: Richard S. Boswell,Thomas D. Farraro. Владелец: Citgo Petroleum Corporation. Дата публикации: 1998-01-15.

Semiconductor device and communication method in the semiconductor device

Номер патента: EP4332784A1. Автор: Jung Yang Bae. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device and communication method in the semiconductor device

Номер патента: US20240078203A1. Автор: Jung Yang Bae. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

A method of operating a wind turbine with pitch control, a wind turbine and a cluster of wind turbines

Номер патента: EP2150699A2. Автор: Brian W. Andersen. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2010-02-10.

Method of Providing Modified Monovision to a Subject with a First Lens and a Second Lens

Номер патента: US12127934B2. Автор: Candido Dionisio Pinto,Constance Elizabeth Fay. Владелец: STAAR Surgical Co. Дата публикации: 2024-10-29.

Optical device and method of manufacture of the same, display device, electronic device, and detection device

Номер патента: US6919991B2. Автор: Minoru Koyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-19.

Method of detecting power reset of a server, a baseboard management controller, and a server

Номер патента: US09946600B2. Автор: Ming-I KUO. Владелец: Mitac Computing Technology Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device, semiconductor system and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11747853B2. Автор: Jae Gon Lee,AH Chan Kim,Ho Yeon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of testing and/or monitoring the system frequency of a microcontroller and a microcontroller

Номер патента: US6690153B2. Автор: Axel Aue. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2004-02-10.

Method of Forming a Roller Element Bearing Cage Comprising a Supporting Frame and a Reinforcing Frame

Номер патента: US20180010644A1. Автор: Ian Breeze. Владелец: Bowman International Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Method of testing and/or monitoring the system frequency of a microcontroller and a microcontroller

Номер патента: US20020105315A1. Автор: Axel Aue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Method of making a root end joint of a wind turbine blade and a root segment for such a joint

Номер патента: US09897066B2. Автор: Peter Anthony Broome,Paul Trevor Hayden. Владелец: Blade Dynamics Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of executing a job in a computer system, a resource manager and a high performance computer system

Номер патента: US09870274B2. Автор: Sven Van Den Berghe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing aluminium nitride crystals for semiconductor devices

Номер патента: US3634149A. Автор: Wilhelmus Francisc Knippenberg,Gerrit Verspui. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-01-11.

Method of assembling a lock, operating device mechanism for a lock casing, and a lock

Номер патента: EP1002913B1. Автор: Tomi Ylikorpi. Владелец: Bjorkboda Las Oy AB. Дата публикации: 2006-02-01.

Method of forming an inductor on a semiconductor substrate

Номер патента: US20070138001A1. Автор: Teng-Yuan Ko,Ying-Zhan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of supplying slide frame blanks to a transparency mounting device and slide frame blank assemblies for use therein

Номер патента: CA1162090A. Автор: Johannes LÖRSCH. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-02-14.

Method of controlling playback condition, optical disk, optical disk drive device and program

Номер патента: US8130617B2. Автор: Hiroya Kakimoto,Hidenori Somei. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2012-03-06.

Device and method for electrical contacting semiconductor devices for testing

Номер патента: US20080231295A1. Автор: Bernhard Ruf. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Methods of establishing contact between a probe tip of a probe system and a device under test

Номер патента: WO2024108020A1. Автор: Martin Schindler,Felix Krug. Владелец: FORMFACTOR, INC.. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of applying a gas permeable membrane for blood gas sensing electrode and a device thereof

Номер патента: CA1223640A. Автор: Shinichi Ohkawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1987-06-30.

A method of storing and analysing data produced from interactions between external agents and a system

Номер патента: GB201001041D0. Автор: . Владелец: Causata Ltd. Дата публикации: 2010-03-10.

A method of assembling a clamp to a flexible hose for a vehicle, and a clamping arrangement

Номер патента: EP4290108A1. Автор: Pavan Ashok. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2023-12-13.

Method of circular frame generation for path routing in a multilayer structure, and a computing device

Номер патента: EP3761212A1. Автор: Chan-Ho Min,Rak-Kyeong Seong. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-06.

Methods of Making and Using a Non-Toxic Food Grade Plastic Humidifier and a Kit of Components Therefor

Номер патента: US20160054014A1. Автор: Arkady Kipnis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-25.

Method of assembling a clamp to a flexible hose for a vehicle, and a clamping arrangement

Номер патента: US20230392725A1. Автор: Pavan Ashok. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

A method of filtering particles from flue gas, a flue gas filter means and a vehicle

Номер патента: AU3449989A. Автор: Per Stobbe. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-11-03.

A method of executing a job in a computer system, a resource manager and a high performance computer system

Номер патента: EP2884391A1. Автор: Sven Van Den Berghe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-06-17.

Method for manufacturing a heightened model for a floor well and a floor well

Номер патента: EP2481857A3. Автор: Hannu Kuusinen. Владелец: Meriser Oy. Дата публикации: 2015-06-24.

A method for manufacturing a material web which reflects heat radiation and a material web

Номер патента: EP1838530A1. Автор: Juhani Peuramäki. Владелец: Walki Wisa Oy. Дата публикации: 2007-10-03.

Method and system for testing a semiconductor device against electrostatic discharge

Номер патента: US09897644B2. Автор: Philippe Debosque,Patrice Besse,Alain SALLES,Stephane Compaing. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor testing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240295599A1. Автор: Takuya Yoshimura,Noritsugu NOMURA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor system and method of performing write leveling operation thereof

Номер патента: US09892772B2. Автор: Keun-Soo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of operating the same using state code

Номер патента: US09431114B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.