Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • METHOD OF FORMING A HETEROJUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INTEGRATED CLAMPING DEVICE

METHOD OF FORMING A HETEROJUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INTEGRATED CLAMPING DEVICE

Номер патента: US20170317072A1
Опубликовано: 02-11-2017
Автор(ы): Hossain Zia, Liu Chun-Li, McDonald Jason, Padmanabhan Balaji, Salih Ali, Venkatraman Prasad, YOUNG Alexander
Принадлежит: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Heterojunction semiconductor device having integrated clamping device

Номер патента: US09748224B2. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Jason Mcdonald,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan,Alexander Young. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor devices including through-silicon-vias and methods of manufacturing the same and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US12014972B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Ju-Il Choi,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US09691685B2. Автор: Hyung-Jun Jeon,Byung-lyul Park,Ji-Soon Park,Jum-Yong Park,Jin-Ho Chun,Kyu-Ha Lee,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of forming a metal wire in a semiconductor device

Номер патента: US5573978A. Автор: Gyeong S. Cho. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-12.

Method of manufacturing conductive electrodes for a circuit element, and semiconductor device thus obtained

Номер патента: US4749442A. Автор: Stefan Barbu,Claude E. P. Chapron. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-06-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140091366A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Woong-je SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus

Номер патента: US8334759B2. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-18.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus

Номер патента: US20140246743A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Method of forming a MOS transistor in a semiconductor device and a MOS transistor fabricated thereby

Номер патента: US20020195666A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of determining galvanic corrosion and interconnect structure in a semiconductor device for prevention of galvanic corrosion

Номер патента: US20170169152A1. Автор: Jian-Hong Lin,Yu Ching Lee,Te-Liang Lee,Jyh-Weei Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of determining galvanic corrosion and interconnect structure in a semiconductor device for prevention of galvanic corrosion

Номер патента: US09734271B2. Автор: Jian-Hong Lin,Yu Ching Lee,Te-Liang Lee,Jyh-Weei Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of fabricating an electrical contact for use on a semiconductor device

Номер патента: US09934978B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of controlling wafer bow in a type III-V semiconductor device

Номер патента: US12080785B2. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Method of forming a salicide layer for a semiconductor device

Номер патента: US7763533B2. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of Forming a Salicide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20090221121A1. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Methods of forming metal source/drain contact structures for semiconductor devices with gate all around channel structures

Номер патента: US09601379B1. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak,Dmitry Yakimets,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09508704B2. Автор: Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods of forming stressed fin channel structures for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20150041906A1. Автор: Robert J. Miller,Abhijeet Paul,William J. Taylor, Jr.,Abner Bello,Vimal K. Kamineni,Derya Deniz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20240332209A1. Автор: KyoWang Koo,JiSik MOON,Hyunseok Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Carrier substrate for a semiconductor device and a method for forming a carrier substrate for a semiconductor device

Номер патента: US20190295857A1. Автор: Bernd Waidhas,Georg Seidemann,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method for forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20240120268A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Seonghwan Park,KyoungHee Park,HunTaek LEE,Younghoon Jeon. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of hybrid packaging a lead frame based multi-chip semiconductor device with multiple interconnecting structures

Номер патента: US9425181B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of Hybrid Packaging a Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20150236005A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-20.

Methods of forming a gate contact for a semiconductor device above the active region

Номер патента: US09899321B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09646994B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09406697B1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and electrical contact

Номер патента: US11978780B2. Автор: Jan Fischer,Tim Böttcher,Olrik Schumacher. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7825497B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Semiconductor devices, methods of manufacturing the same, and electronic systems including the semiconductor devices

Номер патента: US20230066186A1. Автор: Sangsoo Lee,Hyungjoon Kim,Sangmin Kang,WooJin Jang,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device, electrical device system, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US9484472B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20190115321A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Ching-Pin Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170033032A1. Автор: Park Byung-lyul,Park Ji-Soon,Lee Kyu-Ha,PARK Jum-Yong,Chun Jin-Ho,Jeon Hyung-Jun,An Jin-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THROUGH-SILICON-VIAS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180218966A1. Автор: Park Byung-lyul,MOON Kwang-Jin,CHOI Ju-Il,An Jin-Ho,FUJISAKI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: KR102303983B1. Автор: 박병률,문광진,최주일,안진호,후지사키. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-09-23.

METHOD OF DETERMINING GALVANIC CORROSION AND INTERCONNECT STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE FOR PREVENTION OF GALVANIC CORROSION

Номер патента: US20170169152A1. Автор: Lin Jian-Hong,Lee Te-Liang,LEE YU CHING,HSIA JYH-WEEI. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Methods of forming a masking pattern and a semiconductor device structure

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Methods of forming stressed channel regions for a finfet semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20160035863A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Ajey P. Jacob,Witold P. Maszara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Methods of forming a protection layer on a semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09634115B2. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Methods of curing a dielectric layer for manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US09923077B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang,Moon-Kyu Park,Ki-joong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods of forming a silicon-insulator layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US11195713B2. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Olaf Storbeck,Michael Hutzler,Ingmar Neumann,Markus Heinrici,Georg Ehrentraut,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC,Christoffer Erbert,Klaus Goeschl,Wolfgang Koell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Method of forming a polycide electrode in a semiconductor device

Номер патента: US6630409B2. Автор: Hiroshi Murase. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-10-07.

Method of forming a selective spacer in a semiconductor device

Номер патента: US20080157131A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Willy Rachmady,Rajwinder Singh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of forming closely spaced metal electrodes in a semiconductor device

Номер патента: US5486483A. Автор: Michael D. Lammert. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1996-01-23.

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices

Номер патента: US6303481B2. Автор: Dong Su Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20170358462A1. Автор: Kazuhiko Kitano,Seita ARAKI. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3800670A2. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3800670A3. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2021-06-30.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20220045181A1. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2022-02-10.

Method of forming a wiring pattern for a semiconductor device

Номер патента: KR0171050B1. Автор: 하라다 유수께,다나까 히로유끼. Владелец: 오끼뎅끼 고오교오가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of forming bit line contact holes in a semiconductor device with reduced photolithography process

Номер патента: KR100341663B1. Автор: 하대원. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-24.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THROUGH-SILICON-VIAS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160086874A1. Автор: Park Byung-lyul,MOON Kwang-Jin,CHOI Ju-Il,An Jin-Ho,FUJISAKI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Method for forming a gate electrode of a semiconductor device, gate electrode structure for a semiconductor device and according semiconductor device structure

Номер патента: US20140264626A1. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Martin Trentzsch,Alban Zaka,Nicolas Sassiat,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for forming a gate electrode of a semiconductor device, gate electrode structure for a semiconductor device and according semiconductor device structure

Номер патента: SG2014012116A. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Martin Trentzsch,Alban Zaka,Nicolas Sassiat,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device and method of manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: US6660573B2. Автор: Myoung-Sik Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: US20220328628A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for selectively forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20230411305A1. Автор: Seonghwan Park,KyoungHee Park,Bom Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240290869A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of forming semiconductor device using high stress cleave plane

Номер патента: US20230299060A1. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20210226033A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11996466B2. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus

Номер патента: US20130099340A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Method for forming a sealed interface on a semiconductor device

Номер патента: US5266517A. Автор: Michael C. Smayling,Jack Reynolds. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-11-30.

Integrated heterojunction semiconductor device and method for producing an integrated heterojunction semiconductor device

Номер патента: US09887139B2. Автор: Gerhard Prechtl,Gebhart Dippold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

A method of forming shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2004038791A1. Автор: Bradley J. Larsen,Nicolas Degors,Amit S. Kelkar,Donald A. Erickson,Timothy M. Barry. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2004-05-06.

Method of forming low dielectric constant insulation film for semiconductor device

Номер патента: US20030124874A1. Автор: Nobuo Matsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Inorganic substrate with a thin silica type glass layer, method of manufacturing the aforementioned substrate, coating agent, and a semiconductor device

Номер патента: WO2007046560B1. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Elias Dimitris Katsoulis. Дата публикации: 2007-11-22.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of forming a contact plug of a semiconductor device

Номер патента: US20090068834A1. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Method of forming a via plug in a semiconductor device

Номер патента: USRE36475E. Автор: Kyeon K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Method of forming a polycide gate of a semiconductor device

Номер патента: US5908791A. Автор: Sang-jin Lee,Seok-hyun Han,Kyoung-bo Shim,Dae-sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of forming a wiring layer for a semiconductor device

Номер патента: US5633207A. Автор: Hiroyuki Yano,Katsuya Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Method of forming a contact element of a semiconductor device and contact element structure

Номер патента: US20180350679A1. Автор: Jim Shih-Chun Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Resist reflow measurement key and method of forming a fine pattern of a semiconductor device using the same

Номер патента: US20050089776A1. Автор: Gi-sung Yeo,Doo-Youl Lee,Han-ku Cho,Jung-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20140162427A1. Автор: Byoung-Yong Gwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: US7235458B2. Автор: Young Ho Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a barrier layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070117382A1. Автор: Sangwook Park,Kyeongmo Koo,Jaihyung Won,Hyeonill Um,Junhyuk Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: EP3682481A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-22.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-03-14.

Method of manufacturing semiconductor chip including forming dicing grooves and semiconductor device

Номер патента: US20240079272A1. Автор: Jong Su Kim,Byung Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Manufacturing method of a tray, a socket for inspection, and a semiconductor device

Номер патента: US20050202597A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: WO2019050630A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for forming a dielectric layer in a semiconductor device by using etch stop layers

Номер патента: US20020055202A1. Автор: Chih-Sheng Yang,Kuei-Chang Tsai,Yun-Liang Ouyang,Chih-hung Shu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for forming a contact window in a semiconductor device

Номер патента: WO2003028084A1. Автор: Dev Alok,Juanita A. Barone,Regina Conrad. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-04-03.

Primer composition, method of forming a primer layer on a semiconductor device, and method of encapsulating a semiconductor device

Номер патента: US09540539B2. Автор: Joachim Mahler,Swee Kah Lee,Jagen KRISHNAN,Soon Lock Goh,Yik Yee TAN,Chew Theng TAI,Poh Cheng LIM,Peh Hean TEH. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Primer composition, method of forming a primer layer on a semiconductor device, and method of encapsulating a semiconductor device

Номер патента: US20150344730A1. Автор: Joachim Mahler,Swee Kah Lee,Jagen KRISHNAN,Soon Lock Goh,Yik Yee TAN,Chew Theng TAI,Poh Cheng LIM,Peh Hean TEH. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: US6153010A. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of packaging multiple integrated circuit chips in a standard semiconductor device package

Номер патента: WO1997037374A3. Автор: Dennis J Herrell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-11-20.

Composition for curable resin, cured product of said composition, method of producing said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20200024426A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Selective dopant junction for a group III-V semiconductor device

Номер патента: US09679775B2. Автор: Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Masaharu Kobayashi,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Young-Hee Kim,Tsong-Lin Tai,Uzma Rana,Marinus J. P. HOPSTAKEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Selective dopant junction for a group III-V semiconductor device

Номер патента: US09418846B1. Автор: Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Masaharu Kobayashi,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Young-Hee Kim,Tsong-Lin Tai,Uzma Rana,Marinus J. P. HOPSTAKEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Gate contact for a semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09343543B2. Автор: Helmut Hagleitner,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Metal field plates and methods of making the same

Номер патента: US20230411463A1. Автор: Chien-Hung Lin,Tsai-Hao Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

A method for forming a semiconductor structure, a method of forming a mask set for forming semiconductor devices, a resistor

Номер патента: TW200743161A. Автор: Chih-Sheng Chang,Michael Yu,Chih-Ping Chao,Chun-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-16.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of forming a gate spacer in a semiconductor device

Номер патента: KR100833440B1. Автор: 현찬순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-05-29.

Methods of forming a channel region for a semiconductor device by performing a triple cladding process

Номер патента: TWI578524B. Автор: 巴特羅梅 詹 帕拉克,本塔旭 本漢艾影塔,傑羅達 邁赫迪 沙曼尼. Владелец: 格羅方德半導體公司. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for forming dual gate of a semiconductor device

Номер патента: US20020164857A1. Автор: Jae-Hee Ha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US7803703B2. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-28.

Method of forming gate patterns for peripheral circuitry and semiconductor device formed thereby

Номер патента: KR100881130B1. Автор: 강춘수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9029957B2. Автор: Ahn Sook YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-12.

Method of controlling gate oxide thickness in the fabrication of semiconductor devices.

Номер патента: EP0631308A3. Автор: Ara Philipossian,Brian S Doyle,Hamid R Soleimani. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1996-06-12.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Method of Controlling Wafer Bow in a Type III-V Semiconductor Device

Номер патента: US20200303531A1. Автор: Kim Peter,PARK Seong-eun,Tungare Mihir,Wan Jianwei,Kannan Srinivasan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Method of controlling gate dopant penetration and diffusion in a semiconductor device

Номер патента: US6174807B1. Автор: Isik C. Kizilyalli,Joseph Rudolph Radosevich. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-01-16.

METHOD OF MANUFACTURING InAsSb SEMICONDUCTOR ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: KR100921693B1. Автор: 장준연,최원준,송진동,임주영. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2009-10-15.

Method of controlling wafer bow in a type iii-v semiconductor device

Номер патента: EP3419046A2. Автор: Srinivasan Kannan,Seong Eun Park,Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Jianwei Wan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-12-26.

Method for forming a strained channel in a semiconductor device

Номер патента: US20080124875A1. Автор: Syun-Ming Jang,Yun-Hsiu Chen,Yi-Ching Lin,Kuo-Hua Pan,Ken Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Method for forming a strained channel in a semiconductor device

Номер патента: TW200822235A. Автор: Syun-Ming Jang,Yun-Hsiu Chen,Yi-Ching Lin,Kuo-Hua Pan,Ken Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-05-16.

Laser processing method, method for forming a flash memory, insulated gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US7622343B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-24.

Heterojunction semiconductor device having an intermediate layer for providing an improved junction

Номер патента: EP1443565A3. Автор: Nicolas J. Moll,Hans G. Rohdin,Dave Bour,Sung Soo Yi. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-07-13.

Heterojunction semiconductor device having an intermediate layer for providing an improved junction

Номер патента: US20040149994A1. Автор: Sung Yi,Nicolas Moll,Hans G. Rohdin,Dave Bour. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12062602B2. Автор: Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Ming-Shih Yeh,Hua-Wei Tseng,Chiang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US20240363396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09449886B2. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

FinFET semiconductor devices including recessed source-drain regions on a bottom semiconductor layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US09716176B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device having an indium doped dielectric layer located therein and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20030100195A1. Автор: John Osenbach,Julia Duncan,William Minford. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150061127A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09941140B2. Автор: Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Hung-Jui Kou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices, transistors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09837401B2. Автор: Hung-Chih Yu,Shih-Che Lin,Ching-Kun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09576874B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20170278757A1. Автор: Andreas Martin,Uwe Hodel,Wolfgang Heinrigs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-28.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09704756B2. Автор: Andreas Martin,Uwe Hodel,Wolfgang Heinrigs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160233131A1. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Methods of forming fine patterns in the fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US20140167290A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park,Kyung-Lyul Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-19.

METHODS OF FORMING STRESSED FIN CHANNEL STRUCTURES FOR FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150041906A1. Автор: JR. William J.,Miller Robert J.,Taylor,Kamineni Vimal K.,Paul Abhijeet,DENIZ Derya,BELLO Abner. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US9209140B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170162541A1. Автор: Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Hung-Jui Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Method of Improving Package Creepage Distance

Номер патента: US20240105447A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Tim Böttcher,Ivan Shiu. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-28.

Normally-off gallium nitride-based semiconductor devices

Номер патента: US8802516B2. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Carrier substrate for a semiconductor device and a method for forming a carrier substrate for a semiconductor device

Номер патента: US20190295857A1. Автор: Seidemann Georg,Waidhas Bernd,Koller Sonja. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Method of Hybrid Packaging a Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20150236005A1. Автор: Yilmaz Hamza,Xue Yan Xun,WILSON Peter,Lu Jun,Niu Zhiqiang,Lu Ming-Chen,Huo Yan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR PACKAGE FORMED THEREBY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150318261A1. Автор: Cho Taeje,Chung Hyunsoo,LEE Inyoung. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Method for Forming a PN Junction and Associated Semiconductor Device

Номер патента: US20190067309A1. Автор: La Rosa Francesco,Regnier Arnaud,NIEL Stephan. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor devices comprising a heterojunction

Номер патента: US3679496A. Автор: Ties Siebolt Te Velde,Sybrandus Van Heusden. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-07-25.

Integrated circuits with spacer chamfering and methods of spacer chamfering

Номер патента: US09608087B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09431356B2. Автор: Hsi-Yu Kuo,Ko-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Inhibiting propagation of imperfections in semiconductor devices

Номер патента: US20140042594A1. Автор: David J. Hill,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard,Heather M. TRUAX. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB)

Номер патента: US12080634B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods of forming semiconductor device packages including a semiconductor device and a redistribution element, methods of forming redistribution elements and methods for packaging semiconductor devices

Номер патента: US20130059419A1. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J. Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Multilayer structure for a semiconductor device and a method of forming a multilayer structure for a semiconductor device

Номер патента: US20160211206A1. Автор: Teck Kheng Lee,Bok Leng Ser. Владелец: Institute of Technical Education. Дата публикации: 2016-07-21.

Multilayer structure for a semiconductor device and a method of forming a multilayer structure for a semiconductor device

Номер патента: US9806013B2. Автор: Teck Kheng Lee,Bok Leng Ser. Владелец: Institute of Technical Education. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device, printed circuit board (pcb), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (mosfet) to a printed circuit board (pcb) in a battery management system (bms)

Номер патента: US20220399256A1. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed...

Номер патента: GB2605306A. Автор: Richard Stanfield James,P Mcbride James. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2022-09-28.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342A1. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2023-07-27.

Packaged semiconductor devices with wireless charging means

Номер патента: US10097030B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Ming-Hung Tseng,Tzu-Sung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor device, printed circuit board (pcb), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (mosfet) to a printed circuit board (pcb) in a battery management system (bms)

Номер патента: EP4066317A4. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-01-10.

The manufacture method of circuit board, semiconductor-fabricating device, circuit board and semiconductor device

Номер патента: CN101611490A. Автор: 川口均,奥川良隆,作道庆一. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-23.

Method of Controlling Wafer Bow in a Type III-V Semiconductor Device

Номер патента: US20180374941A1. Автор: Kim Peter,PARK Seong-eun,Tungare Mihir,Wan Jianwei,Kannan Srinivasan. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Manufacturing method of semiconductor device having semiconductor layers with different thicknesses

Номер патента: US8962418B2. Автор: Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of fabricating thin film transistor and organic light emitting diode display device having the same

Номер патента: TW201108419A. Автор: Ji-Su Ahn,Won-Pil Lee. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-01.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor devices

Номер патента: KR20050059924A. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-06-21.

Method of forming a well region in a semiconductor device

Номер патента: KR100942076B1. Автор: 곽노열,한일근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-12.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: KR100451036B1. Автор: 민경열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-02.

Method of forming a gate oxide in a semiconductor device

Номер патента: KR100408863B1. Автор: 한상규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-06.

Method of forming a dielectric spacer in a semiconductor device

Номер патента: KR100653035B1. Автор: 신진홍. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of forming a contact plug in a semiconductor device

Номер патента: KR100784100B1. Автор: 한상엽,김현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-12-10.

Method of forming a isolation layer in a semiconductor device and manufacturing a flash memory cell using the same

Номер патента: KR100427537B1. Автор: 이승철,동차덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-28.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100607348B1. Автор: 김재헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-28.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: US20080090359A1. Автор: Sinan Goktepeli,James Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-04-17.

Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device having the same

Номер патента: US20100224882A1. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Kil-won Lee,Jae-Wan Jung,Tae-Hoon Yang,Maxim Lisachenko. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Method of forming an integrated silicon and iii-n semiconductor device

Номер патента: EP3008751B1. Автор: Naveen Tipirneni,Sameer Pendharkar,Rick L. Wise. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and organic light emitting display device having the thin film transistor

Номер патента: US8309964B2. Автор: Ki-Wook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-13.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and organic light emitting display device having the thin film transistor

Номер патента: KR101022141B1. Автор: 김기욱. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2011-03-17.

Method of removing sidewall spacers in the fabrication of a semiconductor device using an improved removal process

Номер патента: US20040087155A1. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

A method for forming a metal line of a semiconductor device

Номер патента: KR100583099B1. Автор: 남기봉,김용택. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-24.

Method for Forming a Gate Dielectric of a Semiconductor Device

Номер патента: KR100769135B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-22.

Method for Forming a Gate Dielectric of a Semiconductor Device

Номер патента: KR100769134B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-22.

Method for forming a gate dielectric of a semiconductor device

Номер патента: US7550346B2. Автор: Jeong Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Method for forming a gate dielectric of a semiconductor device

Номер патента: US20070032021A1. Автор: Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having a heterojunction and a two dimensional gas as an active layer

Номер патента: US5381027A. Автор: Susumu Takahashi,Masao Yamane,Toshiyuki Usagawa,Katsuhiko Mitani,Yoshinori Imamura,Shigeo Goto,Tomonori Tanoue,Kenji Hiruma,Masahiko Kawata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-01-10.

Method of manufacturing source/drain regions having a deep junction

Номер патента: EP1264337A1. Автор: David Donggang Wu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-12-11.

Method of enabling seamless cobalt gap-fill

Номер патента: US09842769B2. Автор: Mathew Abraham,Yu Lei,Bo Zheng,Srinivas Gandikota,Avgerinos V. Gelatos,Sang-Ho Yu,Xinyu Fu,Bhushan N. ZOPE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20120244674A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-27.

Methods of forming integrated circuit devices having stacked gate electrodes

Номер патента: US7998810B2. Автор: Sang-Woo Lee,Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jin-ho Park,Chang-Won Lee,Eun-ji Jung,Jeong-gil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-16.

Method For Making Semiconductor Device By Adopting Stress Memorization Technique

Номер патента: US20210335672A1. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for making semiconductor device by adopting stress memorization technique

Номер патента: US11443986B2. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Isolation structure of semiconductor device

Номер патента: US09786543B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Shu-Han Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Wet chemistry processes for fabricating a semiconductor device with increased channel mobility

Номер патента: US09396946B2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar,Jason Gurganus,Daniel Jenner Lichtenwalner,Erik Maki. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of forming metal silicide layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10490647B1. Автор: Yugui Zhang,Jianzhi Fang,Kangjun Peng,Qunzheng Lin. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20180145149A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Ju-Yuan TZENG,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20190088763A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan,Ju-Yuan TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for forming narrow structures in a semiconductor device

Номер патента: WO2007037934A1. Автор: Michael Brennan,Scott Bell. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-04-05.

Methods of forming a protection layer on a semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20170179246A1. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Methods of Forming a Silicon-Insulator Layer and Semiconductor Device Having the Same

Номер патента: US20190385842A1. Автор: Storbeck Olaf,Hirschler Joachim,Hutzler Michael,Plappert Mathias,Roesner Michael,Erbert Christoffer,KRIVEC Stefan,Ehrentraut Georg,Neumann Ingmar,Heinrici Markus,Goeschl Klaus,Koell Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

method of forming a multi-layer in a semiconductor device and method of forming a capacitor and a gate dielectric layer using the same

Номер патента: KR100505056B1. Автор: 김경석,박영욱,최한메,임은택,강동조. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-07-29.

Method of forming a conductive structure in a semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090280615A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Jin-Gyun Kim,Dong-kak Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

METHODS OF FORMING A PROTECTION LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20170179246A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Park Chanro. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

METHODS OF FORMING A PROTECTION LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20150364326A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Park Chanro. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Contact Isolation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210066116A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-03-04.

Contact isolation in semiconductor devices

Номер патента: US11862452B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-02.

Stress-inducing silicon liner in semiconductor devices

Номер патента: US12113118B2. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

METHODS OF FORMING A CHANNEL REGION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE BY PERFORMING A TRIPLE CLADDING PROCESS

Номер патента: US20160005834A1. Автор: Behin-Aein Behtash,Pawlak Bartlomiej Jan,Salmani-Jelodar Mehdi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: KR100451039B1. Автор: 안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-02.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor devices

Номер патента: KR101128890B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-03-26.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: TWI263268B. Автор: Cha-deok Dong,Kwang-Chul Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-01.

Method of forming a metal gate in a semiconductor device

Номер патента: TW516131B. Автор: Dae-Gyu Park,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-01.

Semiconductor device including a lateral insulator

Номер патента: US20220052165A1. Автор: HONG Yang,Seetharaman Sridhar,Rui Liu,Yunlong Liu,Fei Ma,Sunglyong Kim,Ya Ping Chen,Shengpin YANG,Zhi Peng Feng,Baoqiang NIU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

A semiconductor device having a silicided gate electrode and method of manufacture therefor

Номер патента: WO2005084342A2. Автор: Jiong-Ping Lu. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-09-15.

Method of forming a nanostructure comprising nanowires and semiconductor device including the nanostructure

Номер патента: EP3141523B1. Автор: Yeongtek OH,Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-21.

Methods of forming isolated channel regions for a finfet semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20160013291A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-01-14.

Methods of forming stressed channel regions for a finfet semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20160035863A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Ajey P. Jacob,Witold P. Maszara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

METHODS OF FORMING AN AIR-GAP SPACER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20180033863A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

METHODS OF FORMING STRESSED CHANNEL REGIONS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20150255608A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Jacob Ajey P.,Maszara Witold P.,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

METHODS OF FORMING ISOLATED CHANNEL REGIONS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20150270398A1. Автор: Loubet Nicolas,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Methods of forming stressed channel regions for a FinFET semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US9214553B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Ajey P. Jacob,Witold P. Maszara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-15.

Method of forming semiconductor structure of control gate, and semiconductor device

Номер патента: US9685518B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Ru-Liang Lee,Chih-Ming Chen,Szu-Yu Wang,Chin-Cheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of Forming Oxygen Inserted Si-Layers in Power Semiconductor Devices

Номер патента: US20200303498A1. Автор: Bernhard Goller,Andreas Meiser,Robert Haase,Martin Poelzl,Maximilian Roesch,Ravi Keshav Joshi,Sylvain Leomant. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

A method of forming laterally varying doping concentrations and a semiconductor device

Номер патента: DE102013106946A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Yvonne Gawlina. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100203911B1. Автор: 김승준,박용준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming dielectric isolation for high density pedestal semiconductor devices

Номер патента: CA976666A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-10-21.

A method of forming separated charge-holding regions in a semiconductor device

Номер патента: TW200608528A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-01.

A method of forming separated charge-holding regions in a semiconductor device

Номер патента: TWI289908B. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-11-11.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and organic light emitting display device have the thin film transistor

Номер патента: US20110084262A1. Автор: Hye-dong Kim,Dong-Wook Park,Yeon-Gon Mo,Ki-Ju Im,Roman KONDRATYUK. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and organic light emitting display device having the thin film transistor

Номер патента: TW201121055A. Автор: Hye-dong Kim,Dong-Wook Park,Yeon-Gon Mo,Ki-Ju Im,Roman KONDRATYUK. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: US20070117366A1. Автор: Martin Kordesch,Howard Bartlow,Richard Woodin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor thin film, method of producing the same, apparatus for producing the same, semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: EP1049144A1. Автор: Yoshinao Taketomi,Yoshiko Mino,Mikihiko Nishitani,Keizaburo Kuramasu,Masashi Goto,Hiroshi Tsutsu,Hikaru Nishitani,Masumi Izuchi,Hiroshi Satani. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-11-02.

METHODS OF CURING A DIELECTRIC LAYER FOR MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160307762A1. Автор: Hyun Sang-Jin,Na Hoon-Joo,HWANG Yoon-Tae,Park Moon-Kyu,Yoon Ki-Joong. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Method for forming a self align contact in semiconductor device and manufacturing a semiconductor device using for same

Номер патента: KR100457038B1. Автор: 황기현,신승목,한재종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-10.

A kind of method of different line width transistor gate height in improvement semiconductor devices

Номер патента: CN110444470A. Автор: 陈建勋,李昱廷,刘怡良,吴信德. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of Manufacturing an Insulation Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device

Номер патента: US20200027716A1. Автор: Komatsu Yuji. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Formation method of silicide layer using the Excimer laser for the semiconductor devices

Номер патента: KR20230016746A. Автор: 이승희,김준업. Владелец: 주식회사 지엔테크. Дата публикации: 2023-02-03.

A method for forming a bit line of a semiconductor device

Номер патента: KR100326811B1. Автор: 이정훈,황치선. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-04.

Method of fabricating a fin field effect transistor in a semiconductor device

Номер патента: US7316945B2. Автор: Jeong-Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-01-08.

Method of achieving higher inversion layer mobility in silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: WO2001045148A1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-06-21.

Electronic Materials, Methods of Manufacturing the Same, Dielectric Capacitors, Nonvolatile Memory, and Semiconductor Devices

Номер патента: KR19980064698A. Автор: 다나까마사히로,나겔니콜라스,와따나베고지,가또리겐지. Владелец: 이데이노부유끼. Дата публикации: 1998-10-07.

A method for forming a gate electrode of a semiconductor device

Номер патента: KR100620670B1. Автор: 여인석,장세억. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-13.

method for forming a storage node in a semiconductor device

Номер патента: KR100388213B1. Автор: 류재옥,박계순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-19.

A method for forming a poly silicon layer in semiconductor device

Номер патента: KR100573482B1. Автор: 동차덕. Владелец: 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2006-04-24.

Forming a conductive structure in a semiconductor device

Номер патента: US6291868B1. Автор: Randhir P. S. Thakur,Yongjun Jeff Hu,James Beck,Ronald A. Weimer,Pai Hung Pan,Deepa Ratakonda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-18.

Method for forming a conductive layer in a semiconductor device

Номер патента: JP4731193B2. Автор: 剛三 牧山. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-07-20.

Method for forming a junction region of a semiconductor device

Номер патента: US20050164461A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Yu-Kun Chen,Neng-Hui Yang,Hsiang-Ying Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Method for forming a MIM capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20060141735A1. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for Forming a PN Junction and Associated Semiconductor Device

Номер патента: US20170345836A1. Автор: La Rosa Francesco,Regnier Arnaud,NIEL Stephan. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method for forming a high dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: KR100510546B1. Автор: 이내인,이종호,정형석,김윤석,도석주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-26.

Methods of Forming Substrate Structures and Semiconductor Components

Номер патента: US20180047813A1. Автор: Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen,Horst Schafer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-15.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Devices and methods of forming epi for aggressive gate pitch

Номер патента: US09685384B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Christopher Prindle,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Pietro Montanini. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Direct plasma densification process and semiconductor devices

Номер патента: US09711399B2. Автор: Jason A. FARMER,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20140124854A1. Автор: Jongchul Park,Ji-Young Min,Heedon Hwang,Insang JEON,Woogwan SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor devices including conductive features with capping layers and methods of forming the same

Номер патента: US09812390B2. Автор: Mei-Ling Chen,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices including conductive features with capping layers and methods of forming the same

Номер патента: US09349689B2. Автор: Mei-Ling Chen,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US11309432B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese /academy Of Sciences. Дата публикации: 2022-04-19.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US10475935B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Manufacturing method of the semiconductor package, pick and place device, and workpiece handling apparatus

Номер патента: US20240178015A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Hsien-Ju Tsou,Chien-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor Devices, Multi-Die Packages, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170256487A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor Devices, Multi-Die Packages, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160155730A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240332375A1. Автор: Jong Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices, multi-die packages, and methods of manufacure thereof

Номер патента: US09984969B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices, multi-die packages, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09659863B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09484302B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Ming-Han Lee,Hsiang-Huan Lee,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

High aspect ratio channel semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180082901A1. Автор: Niamh Waldron,Bernardette Kunert,Weiming Guo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-22.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Direct plasma densification process and semiconductor devices

Номер патента: US20160307797A1. Автор: Jason A. FARMER,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Direct plasma densification process and semiconductor devices

Номер патента: EP3087584A1. Автор: Jason A. FARMER,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-02.

Forming multilayer interconnections for a semiconductor device by vapor phase growth process

Номер патента: US4670967A. Автор: Yoshikazu Hazuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: US11769837B2. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20220165877A1. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Edge Seal for Bonded Stacks of Different Size Semiconductor Devices

Номер патента: US20240038613A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

PRIMER COMPOSITION, METHOD OF FORMING A PRIMER LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF ENCAPSULATING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150344730A1. Автор: Mahler Joachim,Lee Swee Kah,Goh Soon Lock,Tan Yik Yee,Krishnan Jagen,Tai Chew Theng,LIM Poh Cheng,TEH Peh Hean. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device containing memory cells with a fuse in static random memory cell (SRAM) device and method of manufacturing same

Номер патента: US9905512B2. Автор: Yukio Maki,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20160276270A1. Автор: Yukio Maki,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of forming a metallization system of a semiconductor device by using a hard mask for defining the via size

Номер патента: US20100197133A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162714A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

METHODS OF FORMING A MASKING PATTERN AND A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Baars Peter,Moll Hans-Peter. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Amorphous devices and interconnect system and method of fabrication

Номер патента: US4471376A. Автор: William R. Morcom,Glenn M. Friedman. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1984-09-11.

A method of forming a conductive coating on a semiconductor device

Номер патента: WO2001082351A1. Автор: Ulf Smith,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2001-11-01.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US20200027995A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-23.

Package for high-power semiconductor devices

Номер патента: US09559034B2. Автор: Deep C. Dumka,Tarak A. Railkar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

METHODS OF FORMING STRESSED CHANNEL REGIONS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20150255542A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Jacob Ajey P.,Maszara Witold P.,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURE OF CONTROL GATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150129951A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chang Chin-Cheng,Yu Chung-Yi,CHEN Chih-Ming,WANG SZU-YU,Lee Ru-Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-05-14.

Method of forming multilayered metal wire for ic and semiconductor devices therewith

Номер патента: KR0167602B1. Автор: 황준,이원건. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-02-01.

C-shaped active area semiconductor device, method of manufacturing the same and electronic device including the same

Номер патента: US20210175366A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A2. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240021736A1. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method of double photolithography process for forming patterns of the semiconductor device

Номер патента: CN102386190A. Автор: 金东贤,梁松里,权五益,郑丞弼,赵哄. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-21.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and organic light emitting display device having thin film transistor

Номер патента: US20110079784A1. Автор: Ki-Ju Im. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

High voltage semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20050139916A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Package for high-power semiconductor devices

Номер патента: US20150104906A1. Автор: Deep C. Dumka,Tarak A. Railkar. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Package for high-power semiconductor devices

Номер патента: US20160155681A9. Автор: Deep C. Dumka,Tarak A. Railkar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

Manufacturing method of semiconductor SAB capable of preventing electric leakage and semiconductor device

Номер патента: CN115602542A. Автор: 周黎林. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

Method of fabricating metal lines by dual damascene process and semiconductor device has the metal lines

Номер патента: KR100687434B1. Автор: 금동렬. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-26.

Porous membrane shaping composition, preparation method of porous membrane, porous membrane intercalation insulating film and semiconductor device

Номер патента: CN1536023A. Автор: ,笹子胜,中川秀夫,���Ｊ¡,滨田吉隆,浅野健. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

METHOD FOR FORMING A CONNECTING STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE102014117338B4. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Cheng Hsiung Tsai,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Method for forming a metal contact on a semiconductor device

Номер патента: FR1535262A. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1968-08-02.

Method for Forming a Stress-Reduced Field-Effect Semiconductor Device

Номер патента: US20160300914A1. Автор: Mauder Anton,Hirler Franz,Zundel Markus,Hutzler Michael,Baumgartl Johannes,Blank Oliver,Siemieniec Ralf,Sedlmaier Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Heterojunction semiconductor device with low on-resistance

Номер патента: EP3905339A1. Автор: Li Lu,Chi Zhang,Guipeng Sun,Shengli Lu,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Jiaxing WEI,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Conductive spacers for semiconductor devices and methods of forming

Номер патента: US20080272398A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Viraj Y. Sardesai,Gregory Costrini,Leland Chang,Gary Bela Bronner,Ramachandra Divakaruni,Haizhou Yin,David Michael Fried. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030057493A1. Автор: Atsuo Hirabayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Method of fabricating a semiconductor on insulator device having a frontside substrate contact

Номер патента: US20100163993A1. Автор: Piebe A. Zijlstra. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-07-01.

Device isolation layer, nonvolatile memory device having the device isolation layer, and methods of forming the device isolation layer and the semiconductor device

Номер патента: KR20080006381A. Автор: 최종완,김성태,백은경,구주선,김홍근,최용순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-16.

Device Isolation Layer, Nonvolatile Memory Device Having The Device Isolation Layer, and Methods Of Forming The Device Isolation Layer and The Semiconductor Device

Номер патента: KR100816749B1. Автор: 최종완,김성태,백은경,구주선,김홍근,최용순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of forming a gate contact in a semiconductor device

Номер патента: US20040043592A1. Автор: Jonathan Davis,Francis Goodwin,Michael Rennie. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor device, electrical device system, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20140225209A1. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Resin solution composition, polyimide resin, and semiconductor device

Номер патента: US20070066796A1. Автор: Toshio Shiobara,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

A method for forming a contact plug of a semiconductor device

Номер патента: KR100649824B1. Автор: 박형순,유철휘,박점용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-24.

A method for forming a bit line of a semiconductor device

Номер патента: KR100569523B1. Автор: 김진웅,김한민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-07.

METHOD FOR FORMING A PROTECTIVE COATING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2676595A1. Автор: Bentz Peter Otto. Владелец: Dow Corning GmbH. Дата публикации: 1992-11-20.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Methods of forming tungsten structures

Номер патента: US20210183651A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Jordan D. GREENLEE,John Mark Meldrim,David Ross Economy,Brian BEATTY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Methods of forming tungsten structures

Номер патента: US20200211843A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Jordan D. GREENLEE,John Mark Meldrim,David Ross Economy,Brian BEATTY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Methods of forming tungsten structures

Номер патента: EP3903343A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,John Mark Meldrim,David Ross Economy,Brian BEATTY,Yongiun Jeff HU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming a photoresist layer

Номер патента: US09875892B2. Автор: Chih-Chien Wang,Hung-Chang Hsieh,Chun-Wei Chang,Wang-Pen Mo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7772131B2. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Method of manufacturing semiconductor device and method of maintaining deposition apparatus

Номер патента: US09564316B2. Автор: Seung Hyun Kim,Hyun Wook Shim,Sang Heon Han,Dong Yul Lee,Suk Ho Yoon,William SOLARI,Jang Mi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20160133520A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US09449879B2. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of forming a protective film in a semiconductor device

Номер патента: GB9727080D0. Автор: Min Jae Kim,Sun Oo Kim,Yong Sun Sohn,Chung Tae Kim,Dong Sunsheen. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-18.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: TW444299B. Автор: Sung-Gyu Pyo,Heon-Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2001-07-01.

Method of forming a sog film in a semiconductor device

Номер патента: GB9610103D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-24.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Unit pixel of image sensor, image sensor including the same and method of manufacturing image sensor

Номер патента: US09929204B2. Автор: Yong-Chan Kim,Moo-Sup Lim,Eun-sub SHIM,Seung-sik KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of an apparatus for forming thin film for semiconductor device

Номер патента: US5240505A. Автор: Masanobu Iwasaki,Hiromi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Method of forming and etching titanium-tungsten interconnects

Номер патента: US5164331A. Автор: Leuh Fang,Jung Lin,Warren M. Uesato. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1992-11-17.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US9564286B2. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US20160049291A1. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor devices, image sensors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09859326B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332011A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439630A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of patterning organic polymer film and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010018256A1. Автор: Mitsuru Nishitsuji,Katsuhiko Kawashima,Tsuyoshi Tanaka,Yoshihara Anda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

METHOD OF FORMING A PLANAR SURFACE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, AND RELATED METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20140162455A1. Автор: Zagrebelny Andrey V.,Varghese Sony,Lu Jin,Carswell Andrew Dennis Watson,Huang Wayne Hai-Wei,Kondoju Siddartha,Ramakrishnan Suresh,Sakai Kozaburo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of forming a planar surface for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US9153451B2. Автор: Jin Lu,Andrew Dennis Watson Carswell,Wayne Hai-Wei Huang,Siddartha Kondoju,Suresh Ramakrishnan,Kozaburo Sakai,Sony Varghese,Andrey V. Zagrebelny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Methods of forming a contact structure in a semiconductor device having selective barrier metal

Номер патента: KR100629260B1. Автор: 오준환,최승만,서봉석,김일룡,이선정. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-29.

Method of forming a photoresist layer

Номер патента: US20150243500A1. Автор: Chih-Chien Wang,Hung-Chang Hsieh,Chun-Wei Chang,Wang-Pen Mo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US8592873B2. Автор: Jung Ho Kim,Dongwoo Kim,Yong-Hoon Son,Daehyun Jang,Myoungbum Lee,Kihyun Hwang,Sangryol Yang,Ju-Eun Kim,Sunghae Lee,JinGyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-26.

Method of forming an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: US20060088977A1. Автор: Young Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-27.

Method of forming a tungsten contact in a semiconductor device and equipment of forming a tungsten contact

Номер патента: KR100583637B1. Автор: 이상우,최길현,최경인,이종명. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-26.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method of forming a wiring structure in a semiconductor device

Номер патента: US7829458B2. Автор: Jae-Choel Paik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-09.

Method of forming a via plug in a semiconductor device and a semiconductor device using its method

Номер патента: GB9425300D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-02-15.

Method of forming a via plug in a semiconductor device and a semiconductor device using its method

Номер патента: HK1010423A1. Автор: Kyeong Keon Choi. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1999-06-17.

METHOD OF FORMING A FINE PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140162427A1. Автор: GWAK Byoung-Yong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of forming a contact element of a semiconductor device and contact element structure

Номер патента: US20180350679A1. Автор: Jim Shih-Chun Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100223751B1. Автор: 정명준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100234416B1. Автор: 김창규,최지현,백민수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-12-15.

Method of forming a contact plug of a semiconductor device

Номер патента: KR980005524A. Автор: 최창주. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100226724B1. Автор: 김홍선. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a device isolation structure of semiconductor device

Номер патента: KR100214534B1. Автор: 서재범. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Method of forming silicide film having excellent thermal stability, semiconductor device and semiconductor memory device comprising silicide film formed by the same, and methods of manufacturing the same

Номер патента: KR100738066B1. Автор: 박윤창,최철종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100239453B1. Автор: 박진원. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-01-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100235972B1. Автор: 김천수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100200731B1. Автор: 이한신,신헌종. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100232888B1. Автор: 김시범. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-01.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100226743B1. Автор: 김대일. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100226728B1. Автор: 고정덕. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a micro pattern of a semiconductor device

Номер патента: US7892981B2. Автор: Woo-Yung JUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

Method of forming a capacitor electrode of a semiconductor device

Номер патента: KR960015782B1. Автор: 임찬,우상호,전하응. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-11-21.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100869742B1. Автор: 심천만. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-11-21.

A method of forming a resist pattern and a semiconductor device manufacturing method

Номер патента: DE102006058795B4. Автор: Koji Nozaki,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of forming a device isolation structure of semiconductor device

Номер патента: KR100214536B1. Автор: 김준용. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Method of forming a fine pattern of a semiconductor device using a double patterning technique

Номер патента: US7977204B2. Автор: Yong-Il Kim,Makoto Yoshida,Hyeong-Sun HONG,Bong-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-12.

Method of forming a micro pattern of a semiconductor device

Номер патента: TWI345813B. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-21.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Method of forming a gate pattern and a semiconductor device

Номер патента: US20120235243A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

ZINC IMMERSION COATING SOLUTIONS, DOUBLE-ZINCATE METHOD, METHOD OF FORMING A METAL PLATING FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160108254A1. Автор: Hayashi Mariko,KOYAMA Yuichi,GODA Tatsuya. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

METHODS OF FORMING HIGH ASPECT RATIO OPENINGS, METHODS OF FORMING HIGH ASPECT RATIO FEATURES, AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190206723A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tokashiki Ken,Smythe John A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20020006727A1. Автор: Sung Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-17.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device with copper seed

Номер патента: US6593236B2. Автор: Sung Gyu Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-15.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100407680B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-01.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100398038B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-19.

Method of forming a metal wire in a semiconductor device

Номер патента: KR100854910B1. Автор: 김은수,김석중,김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100363847B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-06.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100612542B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-11.

method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100576046B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-03.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100456259B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-09.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100511128B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-08-26.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100924611B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-11-02.

Method of forming a BPSG film in a semiconductor device

Номер патента: KR100335774B1. Автор: 김춘환,문영화. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method of forming a insulating layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100466818B1. Автор: 유춘근,김태경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-24.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100472859B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005597A. Автор: 남기원,임태정. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100361209B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-18.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR101044611B1. Автор: 조일현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-06-29.

Method of forming a conductor layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100260525B1. Автор: 진규안. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100358047B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100593126B1. Автор: 표성규,이상협,김시범,김삼동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-26.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100559041B1. Автор: 김시범. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-03-10.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100538632B1. Автор: 민우식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005513A. Автор: 진성곤,서윤석. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

A method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100407682B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-01.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100265010B1. Автор: 남기원,하정우. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-10-02.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100452039B1. Автор: 고창진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-08.

Method of forming a tungsten plug in a semiconductor device

Номер патента: KR100223913B1. Автор: 오승언. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100317495B1. Автор: 정성희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-24.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR20010114051A. Автор: 표성규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-29.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100834266B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-05-30.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100398034B1. Автор: 민우식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-19.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100568792B1. Автор: 이병주. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-04-06.

Method of forming a contact-hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100751669B1. Автор: 김연수,김태경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-23.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100230353B1. Автор: 신헌종. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-15.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100546207B1. Автор: 박신승. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-24.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR20010112964A. Автор: 표성규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-24.

Method of forming a isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100408862B1. Автор: 류두열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-06.

Method of forming a polysilicon pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100262532B1. Автор: 김수호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-10-02.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100361208B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-18.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100387257B1. Автор: 박상균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-11.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100822592B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-16.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: KR100351254B1. Автор: 박대규,차태호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-09.

Method of forming a dielectric layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100964194B1. Автор: 황성보. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-06-17.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100407681B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-01.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100472856B1. Автор: 민우식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100276566B1. Автор: 이성권. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100521050B1. Автор: 이세영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-10-11.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100323875B1. Автор: 이병주. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-02-16.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR20080099999A. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-14.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100811443B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-07.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100671610B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of forming a oxide film in a semiconductor device

Номер патента: KR100671629B1. Автор: 이창진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

A method of forming a trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR100317041B1. Автор: 신수호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-22.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100399910B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-29.

Method of forming a isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100427538B1. Автор: 동차덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-28.

Method of forming a damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100598308B1. Автор: 김대희,권세한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-10.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100347533B1. Автор: 김형준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-03.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR20020037805A. Автор: 이성권. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-23.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR20010112965A. Автор: 표성규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-24.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005606A. Автор: 최병진. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100309809B1. Автор: 표성규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-15.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100913000B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005516A. Автор: 김대영,박철수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100919344B1. Автор: 임용현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-09-25.

A method of forming a resist pattern for a semiconductor device

Номер патента: DE19503985B4. Автор: Sang Man Bae. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of forming a isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR20050118474A. Автор: 이성훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-19.

Method of forming a damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100607355B1. Автор: 길민철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-31.

Method of forming a field oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR100220236B1. Автор: 최영관. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-09-15.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100870264B1. Автор: 정우영,신용철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-25.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100356482B1. Автор: 백성학. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

Method of forming a shared contact in a semiconductor device

Номер патента: US8426310B2. Автор: Olubunmi O. Adetutu,Mark D. Hall,Ted R. White. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-04-23.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100642886B1. Автор: 정우영,김종훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-03.

Method of forming a photoresist pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR20080095606A. Автор: 안상준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-29.

Process for producing semiconductor devices

Номер патента: US4626450A. Автор: Shuji Ikeda,Takashi Aoyagi,Akihiko Tani,Kouichi Nagasawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-12-02.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100680460B1. Автор: 김태경,윤종윤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of forming a pattern structure for a semiconductor device

Номер патента: CN102376566A. Автор: 金建秀,朴正桓,金钟赫,尹永培,白贤喆,曹盛纯,申光植. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-14.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: GB0029288D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-17.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100602314B1. Автор: 김태규,홍성훈,이문화,조수민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-14.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100383756B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-05-14.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100431105B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-12.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6492268B1. Автор: Sung Gyu Pyo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR970067638A. Автор: 최승봉. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-10-13.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR0163086B1. Автор: 신지철,이성학. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100368304B1. Автор: 김우현,김호성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-24.

Method of forming a passivation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100290469B1. Автор: 김선우. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-07-12.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: TWI234807B. Автор: Choon-Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-21.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100521051B1. Автор: 이동호,김상범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-12.

Methods of forming a contact structure in a semiconductor device

Номер патента: US6417097B1. Автор: Min-wk Hwang,Jun-Yong Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-09.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6723645B2. Автор: Sung Gyu Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-20.

Method of forming a insulating layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100401348B1. Автор: 장민식,기영종. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-11.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100380150B1. Автор: 이재곤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-11.

Method of forming a dielectric layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100680500B1. Автор: 진규안. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100448592B1. Автор: 유춘근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-13.

Methods of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7485574B2. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-03.

Method of forming a target pattern for a semiconductor device

Номер патента: TWI609237B. Автор: 劉如淦,林緯良,陳俊光,羅冠昕,曾晉沅,洪繼正,高蔡勝. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6737349B2. Автор: Choon Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-18.

Method of forming a matal line in a semiconductor device

Номер патента: KR20050118470A. Автор: 김동준. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-19.

Method of forming a contact plug for a semiconductor device

Номер патента: USRE45232E1. Автор: Dae Hee Weon,Seok Kiu Lee. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-11-04.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100567540B1. Автор: 이세영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Methods of forming a contact structure in a semiconductor device

Номер патента: TW511235B. Автор: Min-wk Hwang,Jun-Yong Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of forming a metal wire in a semiconductor device

Номер патента: KR20080060590A. Автор: 김은수,김석중,서영희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-02.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005611A. Автор: 류재옥. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a via hole in a semiconductor device

Номер патента: US20030109123A1. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Toshiyuki Orita. Дата публикации: 2003-06-12.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20030143843A1. Автор: Choon Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-31.

Method of forming a isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: KR100843047B1. Автор: 김은수,조휘원,정철모,김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-01.

Method of forming a barrier metal in a semiconductor device

Номер патента: TW200411818A. Автор: Chang-Jin Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of forming a damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100673238B1. Автор: 이재중. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Method of forming a gate pattern and a semiconductor device

Номер патента: US8741744B2. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Method of forming a film and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: DE112020004152T5. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroyuki Nishinaka,Masahiro Yoshimoto,Daisuke Tahara. Владелец: Kyoto Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170221843A1. Автор: Kuei-Sung CHANG,Nien-Tsung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of manufacturing semiconductor device and method of maintaining deposition apparatus

Номер патента: US20150311062A1. Автор: Seung Hyun Kim,Hyun Wook Shim,Sang Heon Han,Dong Yul Lee,Suk Ho Yoon,William SOLARI,Jang Mi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20140248758A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240030072A1. Автор: Mingi HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: TW503517B. Автор: Sung-Gyu Pyo. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2002-09-21.

Method of isolating transistors using LOW-K dielectrics and resultant semiconductor device

Номер патента: TW395012B. Автор: Howard L Tigelaar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-06-21.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080054475A1. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of etching porous insulating film, dual damascene process, and semiconductor device

Номер патента: TWI223341B. Автор: Koichiro Inazawa,Tomoki Suemasa,Li-Hung Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Method of forming a field oxide layer in semiconductor device

Номер патента: KR100590383B1. Автор: 김영준,박상욱,송필근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-19.

Method of fabricating a thin film and metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20070155169A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of forming a trench isolation structure and semiconductor device

Номер патента: TW546688B. Автор: Keita Kumamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-08-11.

Method of forming flat surface of insulator film of semiconductor device

Номер патента: US5502007A. Автор: Hiroshi Murase. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-03-26.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11837515B2. Автор: Yu-Yun Peng,Yin-Jie Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230386947A1. Автор: Yu-Yun Peng,Yin-Jie Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: KR980012250A. Автор: 박주석. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-04-30.

Method of forming silicide layer in manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: KR19980079138A. Автор: 전진호,김원주. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-11-25.

Method of forming an insulator between features of a semiconductor device

Номер патента: US6951817B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Shuang-Neng Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-10-04.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: KR970072297A. Автор: 박문한,신유균. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: KR980006078A. Автор: 박재범,최진혁,고요환. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming cylinder type charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100482739B1. Автор: 신기수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-12.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: KR970077484A. Автор: 박종왕,김선래. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-12-12.

A method for forming a meterial layer in a semiconductor device using liquid phase deposition

Номер патента: SG54195A1. Автор: Faivel S Pintchovski. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-11-16.

METHODS OF FORMING METASTABLE REPLACEMENT FINS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE BY PERFORMING A REPLACEMENT GROWTH PROCESS

Номер патента: US20160064250A1. Автор: Jacob Ajey P.,Maszara Witold P.,Fronheiser Jody,Akarvardar Murat K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100192164B1. Автор: 박상훈. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100223911B1. Автор: 정구철,염원양. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100245084B1. Автор: 김대영,정인술. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of forming insulation layer in trench isolation type semiconductor device

Номер патента: KR100568100B1. Автор: 박문한,홍수진,구주선,허진화,김홍근,홍은기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100187678B1. Автор: 한충수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100231728B1. Автор: 전하응. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-11-15.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100245081B1. Автор: 이승무,고재홍. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100202196B1. Автор: 이승호. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100225953B1. Автор: 이정엽,원대희. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100223266B1. Автор: 한상규. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100209217B1. Автор: 김윤기. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Method of forming an aluminum oxide film in a semiconductor device

Номер патента: KR100323874B1. Автор: 김경민,김민수,김정태,임찬,곽흥식. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-02-16.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100245090B1. Автор: 김충배,박용준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100242387B1. Автор: 이승호,정구철. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of forming sog layer with ion implantation in semiconductor device

Номер патента: KR100248159B1. Автор: 임재욱. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100203897B1. Автор: 김승준,박용준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100214068B1. Автор: 정영석,김의식,박인옥. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100223825B1. Автор: 이승호. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100209372B1. Автор: 조병진. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Methods of forming silicide films with metal films in semiconductor devices and contacts including the same

Номер патента: US20050106859A1. Автор: Gil-heyun Choi,Eun-ji Jung,Woong-Hee Sohn,Hyun-Su Kim,Sang-Bom Kang,Jong-Ho Yun,Sug-Woo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-19.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100227188B1. Автор: 김현병. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming low dielectric constant insulation film for semiconductor device

Номер патента: KR100687531B1. Автор: 마츄키노부오,세이지로 우메모토,야수요시 효우도. Владелец: 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤. Дата публикации: 2007-02-27.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100227189B1. Автор: 박건식. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming dielectric film for use in a semiconductor device

Номер патента: KR100309331B1. Автор: 황철주. Владелец: 황 철 주. Дата публикации: 2001-11-07.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100225955B1. Автор: 조병진. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100218292B1. Автор: 전영권. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-09-01.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100226478B1. Автор: 이상돈,허윤종. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming contact using silicon nano-wire in semiconductor device

Номер патента: KR100558037B1. Автор: 김용수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR970067768A. Автор: 박병주. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1997-10-13.

Semiconductor device, method of producing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20230343803A1. Автор: Atsushi Fujiwara,Toshiaki Iwafuchi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Deposited thin build-up layer dimensions as a method of relieving stress in high density interconnect printed wiring board substrates

Номер патента: EP1133904A1. Автор: Jan I. Strandberg,James L. Ii Lykins. Владелец: Kulicke and Soffa Holdings Inc. Дата публикации: 2001-09-19.

Semiconductor device including uniform contact plugs and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100200833A1. Автор: Jung-Hoon Park,Yoon-Jong Song,Jae-Min Shin,Kyu-Rie SIM,Shin-Hee HAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Forming a protective film in a semiconductor device

Номер патента: GB2320809A8. Автор: Min Jae Kim,Sun Oo Kim,Yong Sun Sohn,Chung Tae Kim,Dong Sunsheen. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-04.

Method for forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: TW200814145A. Автор: Jae-Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING DEVICE, APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20130256824A1. Автор: KOIKE Kaoru,Fujii Nobutoshi,Kobayashi Hideki,MIZUTA KYOHEI,OKA OSAMU,YOSHIOKA HIROTAKA. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for forming a metal contact in a semiconductor device having a barrier metal layer formed by homogeneous deposition

Номер патента: US20060134930A1. Автор: Dong-Ki Jeon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor Devices, Image Sensors, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150214267A1. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Method of controlling photoresist stripping process and regenerating photoresist stripper composition based on near infrared spectrometer

Номер патента: EP1285312A1. Автор: Jong-min Kim,Tae-Joon Park,Mi-Sun Park,Yoon-Gil Yim,Cheol-Woo Kang. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-26.

LAYOUT METHOD OF MIXING AND MATCHING LED WAFERS WITH DIFFERENT GRADES AND DISPLAY DEVICE HAVING MIXED AND MATCHED LED WAFERS WITH DIFFERENT GRADES

Номер патента: US20200194613A1. Автор: LIAO CHIEN-SHOU. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Structures and methods for reducing junction leakage in semiconductor devices

Номер патента: US8633513B2. Автор: Daniel Doyle,Jeffrey Gleason. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device manufacturing process including forming a bonded assembly and substrate recycling

Номер патента: US20230335441A1. Автор: Takuya MAEHARA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor Device, a Semiconductor Wafer Structure, and a Method for Forming a Semiconductor Wafer Structure

Номер патента: US20150028456A1. Автор: Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-29.

Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor

Номер патента: US20140131705A1. Автор: Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: KR101749694B1. Автор: 박성수,이문상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-06-22.

Wet etching method of silicon oxide layer and method for manufacturing a semiconductor device including the wet etching method

Номер патента: KR100546358B1. Автор: 황인석,고용선,윤병문,이원준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US8466472B2. Автор: Sung Soo Park,Moon Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11817348B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for forming metal contact in semiconductor device

Номер патента: US20070148858A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Jae Yu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Methods of fluorinating filters used in the manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20190105613A1. Автор: Cesar M. Garza. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

COMPOSITION FOR ETCHING, METHOD OF ETCHING SILICON NITRIDE LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190136132A1. Автор: Han Hoon,PARK Jaewan,Lee Jinuk,Lim Junghun,Bae Sang Won,HON YOUNG TAEK. Владелец: SOULBRAIN CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-09.

The manufacture method of stacked grinding pad and manufacture method thereof and semiconductor device

Номер патента: CN103945984B. Автор: 数野淳. Владелец: Toyo Tire and Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-18.

Method of fabricating substrate having thin film of joined for semiconductor device

Номер патента: KR101230394B1. Автор: 김경준,김동운,이보현,박승용,어성우,유율리아. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2013-02-06.

The manufacture method of method for regulating temperature, heat treating equipment and semiconductor devices

Номер патента: CN100576127C. Автор: 上野正昭,杉下雅士. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-12-30.

SELECTIVE GAS ATTACK METHOD OF A SILICON NITRIDE LAYER FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2375339A1. Автор: Klaus Paschke. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1978-07-21.

The method of the method for laminate layer transfer and manufacture semiconductor devices

Номер патента: CN102867736B. Автор: 丸山纯矢,高山彻,大野由美子,后藤裕吾. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

Method of reducing focusing error of exposure process in a semiconductor device

Номер патента: TW408366B. Автор: Ho-Young Kang,Jung-Hyeon Lee,Jin-Seog Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-10-11.

FABRICATION METHOD OF A MIXED ALLOY LEAD FRAME FOR PACKAGING POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130273697A1. Автор: Lu Jun,Feng Tao,Niu Zhi Qiang. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

METHOD OF SELECTIVELY DEPOSITING A CAPPING LAYER STRUCTURE ON A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20190148224A1. Автор: ISHIKAWA Dai,Kobayashi Akiko,Kuroda Aurélie. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure

Номер патента: US10910262B2. Автор: Akiko Kobayashi,Dai Ishikawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-02-02.

A method for forming a conductive line of a semiconductor device

Номер патента: KR100440082B1. Автор: 김재홍. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-15.

A method for forming a field oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100400277B1. Автор: 송운영,서대영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

Method of manufacturing insulation film inter metal wire in a semiconductor device

Номер патента: KR0159016B1. Автор: 이승무. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-02-01.

A method for forming a metal line of a semiconductor device

Номер патента: KR100557612B1. Автор: 정종열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-03-10.

A method for forming a contact line of a semiconductor device

Номер патента: KR100348222B1. Автор: 고복림. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-09.

A method for forming a contact plug of a semiconductor device

Номер патента: KR100414731B1. Автор: 권판기,이상익,남철우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-13.

A method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR101031480B1. Автор: 박상희,김태훈,이창헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-04-26.

Method of integrating post-etching cleaning process with deposition for semiconductor device

Номер патента: US20050158664A1. Автор: Yu-Liang Lin,Henry Lo,Mei-Sheng Zhou,Ping Chuang,Joshua Tseng,Hung-Jung Tu,Ching-Ya Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

2-DIMENSION SEMICONDUCTOR, METHOD OF p-TYPE DOPING THE SAME, AND 2-DIMENSION SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: KR102080083B1. Автор: 조문호,서승영,허호석,성지호. Владелец: 기초과학연구원. Дата публикации: 2020-02-24.

Manufacturing method of small photoresist pattern using thermal flow process for semiconductor device

Номер патента: KR100510448B1. Автор: 김창환,이중현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-21.

A method for forming a metal line of a semiconductor device

Номер патента: KR101043411B1. Автор: 김종수,김홍진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-06-22.

A method for forming a field oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100419754B1. Автор: 김형균,윤영식,이근일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-21.

A method for forming a mim capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100842471B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-07-01.

A method of manufacturing a capacitor having high dielectric in a semiconductor device

Номер патента: KR100600286B1. Автор: 조호진,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-13.

A method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR101004513B1. Автор: 복철규,문승찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-12-31.

Manufacturing Method of Semiconductor Substrate having Mask Pattern for High Quality Semiconductor Device

Номер патента: KR101379341B1. Автор: 이원석,이동헌,장종진,남옥현,우서휘. Владелец: 한국산업기술대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-04-02.

Manufacturing method of semiconductor wafer with adhesive layer, photosensitive adhesive, and semiconductor device

Номер патента: JPWO2012017955A1. Автор: 真二郎 藤井,修一 森,一行 満倉. Владелец: Resonac Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

A method for forming a conductive line of a semiconductor device

Номер патента: KR100440081B1. Автор: 김진웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-15.

Methods for forming a metal contact in a semiconductor device in which an ohmic layer is formed while forming a barrier metal layer

Номер патента: US7223689B2. Автор: Gil-heyun Choi,Hee-sook Park,Kwang-jin Moon,Sang-bum Kang,Seong-Geon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-29.

A method for forming a field oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100499625B1. Автор: 박명규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-07.

method of manufacturing a capacitor having high dielectric in a semiconductor device

Номер патента: KR100593136B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-26.

A method of producing a zinc oxide-containing material and a semiconductor device with a zinc oxide-containing material

Номер патента: DE102008039183A1. Автор: Fritz Prof. Dr. Henneberger,Sergey Dr. Sadofev. Владелец: Humboldt Universitaet zu Berlin. Дата публикации: 2010-02-25.

Methods for forming a metal contact in a semiconductor device in which an ohmic layer is formed while forming a barrier metal layer

Номер патента: US20070197015A1. Автор: Gil-heyun Choi,Hee-sook Park,Kwang-jin Moon,Sang-bum Kang,Seong-Geon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

A method for forming a borderless contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100400308B1. Автор: 윤준호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

A method for forming a micro contact of a semiconductor device

Номер патента: TW392301B. Автор: Kyu-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-01.

METHODS FOR FORMING A PHOTO-MASK AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190051527A1. Автор: Lin Chun-Hung,Huang Ching-Chun,HSU Chung-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

SPUTTERING SYSTEM AND METHOD FOR FORMING A METAL LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Gossman Robert Dwayne,Kennerly Stacey Joy,Torres Victor,Lilienfeld David,Dudoff Gregory Keith. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Method for forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100688719B1. Автор: 박철수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-28.

Method for forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100523618B1. Автор: 정병현,서보민. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-24.

Method for forming a via hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100414565B1. Автор: 고창진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-07.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100585082B1. Автор: 한재현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-30.

method and apparatus for forming a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100466309B1. Автор: 김병희,최길현,최경인,강상범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-13.

Method for forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100425935B1. Автор: 허상범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-03.

Method for forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100260524B1. Автор: 김태규,임일호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100200297B1. Автор: 박상균. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100197671B1. Автор: 염승진,유상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: CN101145515B. Автор: 郑载昌. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-29.

Method for forming a cylindrical capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20050099113A. Автор: 임현석,김정욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-13.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100197991B1. Автор: 김대영,박철수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Pattern-forming method using electron beams for euv rays and use of this method for forming a fine circuit of a semiconductor device

Номер патента: EP3745207A1. Автор: Hideaki Tsubaki,Koji Shirakawa,Toru Tsuchihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-12-02.

Method for forming a contact opening in a semiconductor device

Номер патента: US7202171B2. Автор: Shane J. Trapp. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-10.

Method for forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100596493B1. Автор: 김동윤,박용현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-03.

Method for forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20070148945A1. Автор: Eui Kyu Ryou. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for forming a separation film of a semiconductor device

Номер патента: KR980006053A. Автор: 전영권. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20060009024A1. Автор: Jae Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100202183B1. Автор: 전선애. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100200308B1. Автор: 류재옥. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100197670B1. Автор: 진성곤,서윤석. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming a conductive pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20080070407A1. Автор: Jae-Hong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Method for forming a contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR100192974B1. Автор: 차승준. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming a copper metal line in semiconductor device

Номер патента: KR100474857B1. Автор: 최경근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for forming a dual damascene pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100539446B1. Автор: 류상욱,전호열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-27.

Method for forming a deep contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR20060064998A. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-14.

Method for forming a dual polysilicon gate of semiconductor device

Номер патента: KR100594324B1. Автор: 김욱제,오용철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-30.

Method for forming a deep contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100681209B1. Автор: 조용태,황창연. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-09.

Method for forming a dual damascene pattern in semiconductor device

Номер патента: KR101005738B1. Автор: 류상욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for forming a photo resist pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100745946B1. Автор: 고차원,복철규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming a capacitor storage node in semiconductor device

Номер патента: KR960011817B1. Автор: Jong-Sung Park,Moon-Moo Jung. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-30.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120028455A1. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8440521B2. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Magnetic cell structures, and methods of fabrication

Номер патента: US09768377B2. Автор: Wei Chen,Sunil Murthy,Jonathan D. Harms. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Method of forming a metal bump on a semiconductor device

Номер патента: US7846831B2. Автор: Takeshi Matsumoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020036350A1. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6545362B2. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-08.

METHOD OF ISOLATING THE EDGES OF A HETEROJUNCTION PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: FR3038143B1. Автор: Nicolas Rey,Charles Roux,Gregory Audinat. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-07-21.

A semiconductor device, a method of manufacturing the same, and a circuit having the semiconductor device

Номер патента: TWI532182B. Автор: Takashi Takahama,Naoki Tega,Dai Hisamoto,Hiroyuki Okino. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-05-01.

Method of forming a conductive line for a semiconductor device using a carbon nanotube and semiconductor device manufactured using the method

Номер патента: CN100369205C. Автор: 堀井秀树,裵恩珠,崔原凤. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-13.

Method of forming a storage node in a semiconductor device

Номер патента: KR100342828B1. Автор: 류재옥,안성환. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-07-02.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100942074B1. Автор: 정우영,안상준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-12.

Method of forming a gate electrode pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100580118B1. Автор: 이성훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-12.

Capacitor having an electrode structure, method of manufacturing a capacitor having an electrode structure and semiconductor device having an electrode structure

Номер патента: TW201140852A. Автор: Kyung-hyun Kim,Sung-Jun Kim,Suk-Hun Choi,Jin-I LEE,Chang-Sup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

Method of producing light source device

Номер патента: US20200083421A1. Автор: Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Method of producing light source device comprising joining a wiring portion of a light emitting device and a support substrate by a solder member

Номер патента: US11799062B2. Автор: Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of producing light source device comprising joining a wiring portion of a light emitting device and a support substrate by a solder member

Номер патента: US11171272B2. Автор: Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Light emitting device having nitride based thin film, method of manufacturing the same and template for fabricating a semiconductor device

Номер патента: KR101868423B1. Автор: 최유항. Владелец: 주식회사 루미스타. Дата публикации: 2018-06-20.

Radiation emitting semiconductor device

Номер патента: US20030173575A1. Автор: Dominik Eisert,Uwe Strauss,Volker Haerle,Frank Kuehn,Manfred Mundbrod-Vangerow,Ulrich Zehnder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, SIGNAL TRANSMISSION/RECEPTION METHOD USING SUCH SEMICONDUCTOR DEVICE, AND TESTER APPARATUS

Номер патента: US20140246743A1. Автор: NAKASHIBA Yasutaka. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-04.

METHOD OF FABRICATING NONPOLAR GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER, NONPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130248818A1. Автор: Choi Seung Kyu,Kim Chae Hon,Jung Jung Whan. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

METHOD OF FABRICATING NONPOLAR GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER, NONPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150270435A1. Автор: Choi Seung Kyu,Kim Chae Hon,Jung Jung Whan. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

A method of manufacturing a unit for a ball grid array semiconductor device and producing a ball grid array semiconductor device

Номер патента: DE19802575B4. Автор: Yong Tae Kwon,Jin Sung Kim,Kwang Sung Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Composition for curable resin, cured product of said composition, method of producing said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20200024426A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

METHOD OF EPITAXIAL GROWTH IN LIQUID PHASE OF SEMICONDUCTORS AND SEMICONDUCTOR DEVICE THUS REALIZED

Номер патента: FR2277432A1. Автор: . Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1976-01-30.

DESCRIPTION NOVEL COMPUND, METHOD OF PRODUCING THE COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140051865A1. Автор: Takimiya Kazuo. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

Method of and apparatus for controlling probe tip sanding in semiconductor device testing equipment

Номер патента: US20040051519A1. Автор: Kwang-Yung Cheong,Jun-Sung Kim,Byung-Wook Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

A method for forming a storage node of a semiconductor device

Номер патента: KR100499641B1. Автор: 진승우,이태혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-05.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: KR101170284B1. Автор: 아담 엘. 올슨. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2012-07-31.

A method for forming a storage node of a semiconductor device

Номер патента: KR100457161B1. Автор: 김정기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-16.

A method for forming a storage node of a semiconductor device

Номер патента: KR100979378B1. Автор: 김준동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-08-31.

A method of arranging a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device mountable on a substrate

Номер патента: DE10101948B4. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Evergrand Holdings Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: TW200903641A. Автор: Adam L Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-01-16.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: WO2008150722A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-11.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: US20080296732A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: CN1159750C. Автор: , ,Ҳ,岩佐成人,中村修二,清久裕之,小崎德也,蝶蝶一幸. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: CN101681811A. Автор: 亚当·L·奥尔森. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-24.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: US20100193917A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Method for forming a storage electrode on a semiconductor device

Номер патента: US6558999B2. Автор: Jeong Ho Kim,Yu Chang Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

METHOD FOR FORMING A FINE PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2704689B1. Автор: Hong Jong-Seo,Kim Jae-Jo,Kim Hyoung-sub,Lee Kang-Hyun,Han Min-Seog,Hong Jung-In. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-09-15.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Semiconductor device having a double deep well and method of manufacturing same

Номер патента: US09431251B2. Автор: Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device having a double deep well and method of manufacturing same

Номер патента: US20150162198A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20170148981A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US20160284990A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US09608201B2. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having a low divot of alignment between a substrate and an isolation thereof and method of forming the same

Номер патента: US09520296B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100159687A1. Автор: Tsutomu Okazaki,Tsuyoshi Koga,Daisuke Okada,Motoi Ashida,Hiroji Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US09525026B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210320193A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180151410A1. Автор: Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Methods of forming semiconductor device having gate electrode

Номер патента: US09627207B2. Автор: DongSuk Shin,Jeongmin Lee,Juyeon KIM,Sunguk JANG,Hosung SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20130178037A1. Автор: Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

Method of forming a semiconductor device having asymmetric dielectric regions and structure thereof

Номер патента: WO2006104562A2. Автор: Leo Mathew,Venkat R. Kolagunta,David C. Sing. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20200295007A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20190181142A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20210343719A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Devices having a transistor and a capacitor along a common horizontal level, and methods of forming devices

Номер патента: EP3682477A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor device having a ferroelectric capacitor and a fabrication process thereof

Номер патента: US20020177243A1. Автор: Yoshimasa Horii,Brian Eastep,Katsuyoshi Matsuura,Fan Chu,Mari Tani,Glen Fox. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor device having element separation region formed from a recess-free trench

Номер патента: US09831113B2. Автор: Yukio Hayakawa,Fumihiko Inoue. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods of forming a more highly-oriented silicon layer and substrate having the same

Номер патента: US20060292313A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Kyung-bae Park,Takashi Noguchi,Young-soo Park,Xiaoxin Zhang,Hyuck Lim,Suk-pil Kim,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-28.

Methods of Forming a Semiconductor Device Having a Contact Structure

Номер патента: US20110151658A1. Автор: Changhun Lee,Keemoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Method of forming a submicron t-shaped gate

Номер патента: RU2724354C1. Автор: Евгений Викторович Ерофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-06-23.

Semiconductor device having conducting material film formed in trench, manufacturing method thereof and method of forming resist pattern used therein

Номер патента: US20010010378A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Syuji Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Mesoporous metal oxide microsphere electrode compositions and their methods of making

Номер патента: US09620783B2. Автор: Mariappan Parans Paranthaman,Gilbert M. Brown,Zhonghe BI,Craig A. Bridges. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Separator and electrochemical device having the same

Номер патента: CA2858735A1. Автор: Jong-Hun Kim,Joo-Sung Lee,Bo-Kyung Ryu. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Light generating device, method of manufacturing the same, backlight assembly having the same and display device having the same

Номер патента: TW200613849A. Автор: Hyun-Jin Kim,Don-Chan Cho,Seok-Hyun Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-01.

Method of stabilizing compound semiconductor surface, method of manufacturing semiconductor laser device using the same, and semiconductor device such as semiconductor laser device

Номер патента: JP3778769B2. Автор: 昌規 渡辺. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Method of molding and forming a switch device

Номер патента: US3252206A. Автор: Robert G Stevens. Владелец: Molding Engineers Inc. Дата публикации: 1966-05-24.

Systems and methods of applying semantic features for machine learning of message categories

Номер патента: US12058092B1. Автор: Laszlo Lukacs. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Wearable personal acoustic device having outloud and private operational modes

Номер патента: WO2019045857A1. Автор: Naganagouda B. Patil. Владелец: Bose Corporation. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of forming a via-hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100332109B1. Автор: 곽노정,진성곤. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-10.

Phase-change memory unit, method of forming the phase-change memory unit, phase-change memory device having the phase-change memory unit and method of manufacturing the phase-change memory device

Номер патента: KR100873890B1. Автор: 박인선,이기종,임낙현,임현석,오규환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-12-15.

Unit cell structure and method of forming the unit cell structure, and non-volatile memory device having the unit cell structure and method of manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: KR100669854B1. Автор: 박성호,이정현,이진일,임한진,조규호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-16.

Method of forming a gate electrode pattern in semiconductor device

Номер патента: CN1832134A. Автор: 李圣勋. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-13.

Method of forming a gate electrode pattern in semiconductor device

Номер патента: CN1832134B. Автор: 李圣勋. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Method of forming protection film for covering electronic component and electronic device having protection film

Номер патента: KR20040020793A. Автор: 오하타히로시,오고시구니조,기무라마사미. Владелец: 도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2004-03-09.

Method of forming protection film for covering electronic component and electronic device having protection film

Номер патента: TW200403350A. Автор: Masami Kimura,Hiroshi Ohata,Kunizo Ogshi. Владелец: Pioneer Tohoku Corp. Дата публикации: 2004-03-01.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2780409A1. Автор: Subramanian Vaidyanathan,Nikolai Kaihovirta,Tero Mustonen,Jean-Luc Budry. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2014-09-24.

Method of executing an application program by a facsimile device, and facsimile device having a function of reopening the execution of the application program in response to recovery from trouble

Номер патента: CA2005614C. Автор: Katsuhiko Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-11-01.

Method of manufacturing capacitor connecting line of memory

Номер патента: US12004343B2. Автор: Yang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

METHOD OF CONTROLLING A LOAD CURRENT, LOAD CURRENT CONTROL DEVICE, AND MOBILE DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20140047248A1. Автор: HEO DONG-HUN,CHO Sang-Hyun,KO Hyung-Jong. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

Coupling member, a method of fixing the coupling member to an object, and a display device having the coupling member

Номер патента: US20160242301A1. Автор: KiSoo Park,Donghoon Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Metal droplet ejection three-dimensional (3D) object printer and method of operation for forming a metal support structure

Номер патента: CN116275093A. Автор: C-H·刘,P·J·麦康维尔,S·普拉哈拉耶,J·M·勒费夫尔,D·K·赫尔曼,P·S·拉梅什. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2023-06-23.

Prepreg with carrier material and method of manufacturing the same, multilayer printed circuit board, and semiconductor device

Номер патента: TW200846397A. Автор: Ryoichi Okada. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2008-12-01.

Method for forming a bit line of a semiconductor device

Номер патента: KR970077192A. Автор: 이강현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-12-12.

Method for forming a ROM coding in a semiconductor device

Номер патента: US6933217B2. Автор: Ju-wan Ko. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-08-23.

Method of measuring thermal resistance of transition-case of power semiconductor devices

Номер патента: RU2724148C1. Автор: Владимир Яковлевич Хорольский,Андрей Борисович Ершов,Султан Шарифидинович Байрамалиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-06-22.

Method of operating image processor generating top- down heat map and electronic device having the image processor

Номер патента: US20240185427A1. Автор: Yongjin Lee,Sung Yup LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods of preparing polymorphic form a of bazedoxifene acetate

Номер патента: EP2252585A1. Автор: Paolo Andreella,Roberto Brescello,Massimo Verzini,Livius Cotarca,Pietro Allegrini,Giorgio Soriato,Vincenzo Cannata,Giuseppe Barreca,Fabio Bassan,Francesco Tasinato,Marco Demo. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2010-11-24.

Methods of preparing polymorphic form a of bazedoxifene acetate

Номер патента: US20130018184A1. Автор: Paolo Andreella,Roberto Brescello,Massimo Verzini,Livius Cotarca,Pietro Allegrini,Giorgio Soriato,Vincenzo Cannata,Giuseppe Barreca,Fabio Bassan,Francesco Tasinato,Marco Demo. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2013-01-17.

Methods of preparing polymorphic form A of bazedoxifene acetate

Номер патента: US8183367B2. Автор: Paolo Andreella,Roberto Brescello,Massimo Verzini,Livius Cotarca,Pietro Allegrini,Giorgio Soriato,Vincenzo Cannata,Giuseppe Barreca,Fabio Bassan,Francesco Tasinato,Marco Demo. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2012-05-22.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: US20070200586A1. Автор: Vivien Wong,Wai Phoon,Wah Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-30.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: MY139152A. Автор: Vivien Wong,Wai Khuin Phoon,Wah Yew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-08-28.

Method of measuring thermal resistance between a housing of a semiconductor device and a cooling radiator

Номер патента: RU2686859C1. Автор: Павел Владимирович Сорокин,Алексей Иванович Солдатов,Андрей Алексеевич Солдатов,Мария Алексеевна Костина,Юлия Викторовна Шульгина,Иван Михайлович Васильев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-05-06.

Heterojunction semiconductor substrate with excellent dielectric properties, method of manufacturing the same and electronic device using the same

Номер патента: US20240180041A1. Автор: Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Seong Keun Kim,Jungho YOON,Ji-Soo Jang,Soo Young Jung,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Hyun-Cheol SONG,Sunghoon Hur. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-30.

Photomask layout for a semiconductor device and method of forming a photomask pattern using the photomask layout

Номер патента: US20080113278A1. Автор: Sang-Hee Lee,Ho-June Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: EP4393166A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of analysis and/or processing of fertilized egg

Номер патента: RU2665136C1. Автор: Вячеслав Александрович Базлов,Тариел Зурабович Мамуладзе,Алла Михайловна Зайдман,Наталья Юрьевна Пахомова,Елена Леонидовна Строкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Новосибирский научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им. Я.Л. Цивьяна" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "ННИИТО им. Я.Л. Цивьяна" Минздрава России). Дата публикации: 2018-08-28.

Method of filtration material production

Номер патента: RU2635617C1. Автор: Айтан Галандар кызы Мурадова,Александр Игоревич Шарапаев,Валерий Семенович Митин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2017-11-14.

Self-healing targets, methods of manufacturing self-healing targets, and methods of utilizing self-healing targets

Номер патента: US20230417517A1. Автор: Elijah David Lorence. Владелец: Infinite Defense LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US12124088B2. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US20240377590A1. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of and apparatus for receiving a wound coil

Номер патента: US3653519A. Автор: Joseph W Jurkovac Sr,Donald E Schultz. Владелец: United States Steel Corp. Дата публикации: 1972-04-04.

Compounds derived from polyanhydride resins with film-forming, uv- absorbing, and photostabilizing properties, compositions containing same, and methods of using the same

Номер патента: EP1740630A1. Автор: Anna Pavlovic,Craig A. Bonda. Владелец: CPH Innovations Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Compounds derived from polyanhydride resins with film-forming, uv- absorbing, and photostabilizing properties, compositions containing same, and methods of using the same

Номер патента: WO2005082961A1. Автор: Anna Pavlovic,Craig A. Bonda. Владелец: Cph Innovations Corp.. Дата публикации: 2005-09-09.

Community-integrated smart playground and method of its use

Номер патента: CA3079315C. Автор: Matthew Herbert Toner,Michael David Rosen,Byron Joshua Seef. Владелец: BIBA VENTURES Inc. Дата публикации: 2022-11-22.

Community-Integrated Smart Playground and Method Of Its Use

Номер патента: US20200246706A1. Автор: Matthew Herbert Toner,Michael David Rosen,Byron Joshua Seef. Владелец: BIBA VENTURES Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Community-integrated smart playground and method of its use

Номер патента: CA3079315A1. Автор: Matthew Herbert Toner,Michael David Rosen,Byron Joshua Seef. Владелец: BIBA VENTURES Inc. Дата публикации: 2020-10-25.

Crystalline form of hidamide, method of its production and use

Номер патента: RU2603138C1. Автор: Сяньпин ЛУ,Чжибинь ЛИ. Владелец: Шэньчжэнь Чипскрин Байосайенсиз, Лтд.. Дата публикации: 2016-11-20.

Method of hydrogenation of phenol

Номер патента: WO2018057289A1. Автор: Alfred K. Schultz,Jose Antonio Trejo O'Reilly. Владелец: Rohm and Haas Company. Дата публикации: 2018-03-29.

Coupling member, a method of fixing the coupling member to an object, and a display device having the coupling member

Номер патента: US09957990B2. Автор: KiSoo Park,Donghoon Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: WO2023028450A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: CA3230100A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100456420B1. Автор: 최재성. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2004-11-10.

Method of forming a thin film in a semiconductor device using atomic layer deposition

Номер патента: KR100422396B1. Автор: 권혁진,김용수,진원화. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-12.

Method of correcting layout for semiconductor process using machine learning, method of manufacturing semiconductor device using the same, and layout correction system performing the same

Номер патента: US20240143886A1. Автор: Jungmin Kim,Kyeonghwan Kang,Hungbae AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Methods of preparing polymorphic form a of bazedoxifene acetate

Номер патента: IL207504A0. Автор: . Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2010-12-30.

Intravascular line and port cleaning methods, methods of administering an agent intravascularly, methods of obtaining/ testing blood, and devices for performing such methods

Номер патента: WO2007137056A2. Автор: Patrick O. Tennican. Владелец: HYPROTEK, INC.. Дата публикации: 2007-11-29.

Method of determining a concentration of an analyte in a bodily fluid

Номер патента: US11906436B2. Автор: Bernd Limburg,Max Berg,Fredrik Hailer,Volker Tuerck,Daria Skuridina,Irina Ostapenko. Владелец: Roche Diabetes Care Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of determining a concentration of an analyte in a bodily fluid

Номер патента: US20240085340A1. Автор: Bernd Limburg,Max Berg,Fredrik Hailer,Volker Tuerck,Daria Skuridina,Irina Ostapenko. Владелец: Roche Diabetes Care Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Nanopore device and methods of detecting and classifying charged particles using same

Номер патента: EP4103740A1. Автор: Bita KARIMIRAD,Kyung Joon Han. Владелец: Palogen Inc. Дата публикации: 2022-12-21.

Method of making and forming a first surface optical disk

Номер патента: TWI265514B. Автор: Brian S Medower,David L Blankenbeckler. Владелец: DataPlay Inc. Дата публикации: 2006-11-01.

Method of providing and forming a gravel pack about well screens in wells

Номер патента: US2076489A. Автор: Howard O Williams. Владелец: EDWARD E JOHNSON Inc. Дата публикации: 1937-04-06.

Method of making gas turbine engine blade from composite material

Номер патента: RU2689618C2. Автор: Клеман РУССИЙ,Давид МАРСАЛЬ,Жереми БЛАШЬЕ. Владелец: Сафран Эркрафт Энджинз. Дата публикации: 2019-05-28.

Array substrate, method of manufacturing the array substrate, and liquid crystal display device having the array substrate

Номер патента: US20120119215A1. Автор: Su-Jeong Kim,Seung-Beom Park,Jae-Jin Lyu,Yoon-Sung Um,Hye-ran YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Positive resist composition of chemical amplification type, resist coated material, method of forming resist pattern, and process for producing semiconductor device

Номер патента: EP1400853A4. Автор: Kazuyuki Nitta,Takeyoshi Mimura,Satoshi Shimatani,Tatsuya Matsumi,Waki Okubo. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-12.

Manufacturing method of an electronic device

Номер патента: US20240202412A1. Автор: Nobuyuki Ito,Atsushi Uemura,Kazuo Otoge. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

A method of waking up and a portable electronic device configured to perform the same

Номер патента: CA2716699C. Автор: Marc Edward HOLBEIN,Kevin Howard Orr,Aleksandar Sasha PAPO,Adam Louis PARCO,Christopher James Grant. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US20230400639A1. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US11796739B2. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of manufacturing microlens, microlens, optical film, screen for projection, and projector system

Номер патента: US20050088750A1. Автор: Hironori Hasei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of surgical planning

Номер патента: CA2873856C. Автор: Andrew Charles Davison. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Ink jet nozzle structure and method of making

Номер патента: CA1059197A. Автор: Guido Galli,Charles Chiou,Karl H. Loeffler,Max R. Lorenz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-07-24.

Method for placing operational cells in a semiconductor device

Номер патента: US20140351781A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Asher BERKOVITZ. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-27.

Fletching Sleeve System and Method of Application and Manufacture

Номер патента: US20130072332A1. Автор: Ben D. Blosser,Sean E. Gordon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Agnostic Model of Semiconductor Devices and Related Methods

Номер патента: US20190057175A1. Автор: James Joseph Victory,Mehrdad Baghaie Yazdi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Clamp device for minimally invasive procedures and uses thereof

Номер патента: CA2920261C. Автор: Paul Faucher,John Hoffman,Steven Masterson,Jose Gustavo CABRERA AQUINO,Blanca Angelica SEGURA PACHECO,Allan Rozenberg. Владелец: Global Bio Therapeutics inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for laminating and forming a composite laminate in a single operation

Номер патента: EP1401647A2. Автор: David D'arcy Clifford. Владелец: Dofasco Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Method of Extending the Device Description File of Field Devices and Field Device Having an Extensible Device Description File

Номер патента: US20170123827A1. Автор: Schmötzer Ralf. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

COUPLING MEMBER, A METHOD OF FIXING THE COUPLING MEMBER TO AN OBJECT, AND A DISPLAY DEVICE HAVING THE COUPLING MEMBER

Номер патента: US20180223885A1. Автор: PARK Kisoo,JUNG Donghoon. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Method of acrylic adhesive film, acrylic adhesives film formed therefrom and optical device having adhesive layer using the same

Номер патента: KR20220034613A. Автор: 김병호,김원호,연보라,서광수,김현철,신환호,황남익,민진서. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2022-03-18.

Method of detecting abnormality in fluid supply system, using flow rate control device having pressure sensor

Номер патента: CN101258456B. Автор: 永濑正明,西野功二,池田信一,土肥亮介,平田薰,松本笃咨,杉田胜幸. Владелец: Fujikin Inc. Дата публикации: 2012-03-21.

Method of repairing a tube using a flow through tube plug, methods of repairing and forming a laminated tubesheet, and heat exchanger

Номер патента: EP1624273A2. Автор: Larry Junior Burkhalter,Michael Stanley De Courcy,Stephen Kenneth Weinberg,Keith Frederick Briegel. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2006-02-08.

Method of controlling luminance, luminance control unit, and organic light emitting display device having the same

Номер патента: KR102139693B1. Автор: 표시백. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-07-31.

Apparatus and method of driving light source for image display device and image display device having the same

Номер патента: US7612756B2. Автор: Min-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-03.

Secret key security method of distributing and storing key in blockchain node and/or possession device having wallet app installed therein

Номер патента: WO2020204444A2. Автор: 김민수,한경수. Владелец: 누리플렉스 아이엔씨. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of detecting abnormality in fluid supply system, using flow rate control device having pressure sensor

Номер патента: EP1921530A1. Автор: Atsushi Matsumoto,Nobukazu Ikeda,Katsuyuki Sugita,Kouji Nishino,Ryousuke Dohi,Masaaki Nagase,Kaoru Hirata. Владелец: Fujikin Inc. Дата публикации: 2008-05-14.

A method of correcting a mask pattern and a mask, a method of exposure, an apparatus therefor, and a photomask and semiconductor device using the same

Номер патента: DE19628874A1. Автор: Keisuke Tsudaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-02-27.

A silicon single crystal wafer, a method of manufacturing a silicon single crystal, or a method of manufacturing a silicon single crystal wafer, and a semiconductor device

Номер патента: DE112009000569T5. Автор: Koji Annaka Ebara,Shizuo Annaka Igawa,Tetsuya Annaka Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Purification method of ibrutinib crystal form A

Номер патента: CN113214261A. Автор: 王亚平,竺伟. Владелец: SYNCOZYMES (SHANGHAI) CO Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

METHOD OF MODELING CONCENTRATION OF REDUCIBLE MOBILE IONIC DOPANT IN SEMICONDUCTOR DEVICE SIMULATOR

Номер патента: US20150192533A1. Автор: Venkataraman Karthik,Bajaj Mohit,Furkay Stephen S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-09.

A photoresist monomer and a method for producing the same, a photoresist copolymer and a method for producing the same, a photoresist composition, a method for forming a photoresist pattern, and a semiconductor device.

Номер патента: JP3587743B2. Автор: ▲みん▼鎬 鄭,載昌 鄭,基鎬 白,根守 李,次元 高. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-10.

Preparation method of palbociclib crystal form A

Номер патента: CN106317053A. Автор: 刘鹏,易崇勤,黄琪,冀蕾,李学义. Владелец: PKUCare Pharmaceutical R&D Center. Дата публикации: 2017-01-11.

Preparation method of febuxostat crystal form A

Номер патента: CN112390766B. Автор: 王臻,黄福良,朱国荣,屠勇军,彭灵超. Владелец: Zhejiang Tianyu Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Preparation method of febuxostat crystal form A

Номер патента: CN109776448B. Автор: 胡建强,胡明明,刘培强,刘景宝,鲍明波,贺俊华. Владелец: Shandong Langnuo Pharmaceutical Co ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: TW200739099A. Автор: Vivien Wong,Waikhuin Phoon,Wahyew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-10-16.

Method of measuring clock jitter, clock jitter measurement circuit, and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190041456A1. Автор: Ji-Hyun Kim,Jung-Ho Kim,Won-Seok Kim,Kang-Yeop Choo,Hyun-ik KIM,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

OPEN PERFORATED MATERIAL AND METHOD OF IMAGING TO FORM A VISION CONTROL PANEL

Номер патента: US20140141197A1. Автор: Hill George Roland,Godden Mark David. Владелец: CONTRA VISION LTD.. Дата публикации: 2014-05-22.

METHOD OF MEASURING CLOCK JITTER, CLOCK JITTER MEASUREMENT CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190346504A1. Автор: Kim Ji-Hyun,Kim Jung-ho,CHOO Kang-yeop,KIM Hyun-ik,KIM Tae-ik,KIM Woo-seok. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

METHOD OF DESIGNING AND FORMING A CHANNEL OF FLOW-TYPE THIN-WALL DRIP IRRIGATION BELT

Номер патента: US20200364384A1. Автор: HOU Peng,Feng Ji,WANG Zhifu,Li Yunkai. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Photoresist composition, method for forming a photoresist pattern and method for forming a protection layer of a semiconductor device using the photoresist composition

Номер патента: KR100729256B1. Автор: 김재현,박석봉,김원미. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-15.

Apparatus for forming a photosensitive film of a semiconductor device and a method for forming the photosensitive film using the same

Номер патента: KR100193899B1. Автор: 권창헌. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

A method for forming a field oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100944346B1. Автор: 김재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-02.

Electron Beam Depicting Pattern Design, Photomask, Methods of Electron Beam Depicting and Fabricating Photomask, and Fabricating Semiconductor Device Using the Same

Номер патента: KR101689770B1. Автор: 이상희,최진,이래원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-12-26.

Method of designing and forming a sheet metal part

Номер патента: CN101574716A. Автор: 谢尔盖·法德勒威奇·高洛瓦申科. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2009-11-11.

Open perforated material and method of imaging to form a vision control panel

Номер патента: CA2991344A1. Автор: George Roland Hill,Mark David Godden. Владелец: Contra Vision Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of designing and forming a channel of flow-type thin-wall drip irrigation belt

Номер патента: US11449648B2. Автор: Ji Feng,PENG Hou,Yunkai Li,Zhifu WANG. Владелец: CHINA AGRICULTURAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-20.

Manufacturing methods of reflection type mask blanks, reflection type mask, and semiconductor device

Номер патента: JP2006013280A. Автор: 勉 笑喜,守男 細谷,Morio Hosoya,Tsutomu Shiyouki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Method of stitching to form a seam

Номер патента: KR102384210B1. Автор: 임지민. Владелец: 주식회사 명품사컴퍼니. Дата публикации: 2022-04-08.

Method of consolidating/simultaneously forming a plurality of composites

Номер патента: EP0909825B1. Автор: Peter Nagy,Harlan L. Woods,Richard C. Lewis,Stephen A. Kraus. Владелец: Textron Systems Corp. Дата публикации: 2001-11-28.

Mold and method of hydroforming to form a hollow member

Номер патента: DE102020129877B3. Автор: Uli Sofan,Holger Prigge. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of manufacturing and forming a cushion body

Номер патента: US20110068498A1. Автор: Shinji Sugiyama,Mika Ito. Владелец: TS Tech Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Cold-spray device and method of cold-spray forming a part

Номер патента: EP3817829B1. Автор: Alexander Pai-chung TENG,John Russell BUCKENLL. Владелец: Divergent Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20080131814A1. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: SG135133A1. Автор: Vivien Wong,Wai Khuin Phoon,Wah Yew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-09-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of p-region formation

Номер патента: RU2534386C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

LIGNIN/POLYACRYLONITRILE-CONTAINING DOPES, FIBERS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120003471A1. Автор: . Владелец: WEYERHAEUSER NR COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: TW411580B. Автор: Bi-Lin Chen,Shiang-Yuan Jeng,Hau-Jie Liou. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2000-11-11.

Cooling method of circulating water in cooling water pond

Номер патента: RU2541480C1. Автор: Александр Алексеевич Соловьев,Константин Владимирович Чекарев,Юрий Борисович Малых,Раис Искандрович Нигматулин. Владелец: Раис Искандрович Нигматулин. Дата публикации: 2015-02-20.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES INCLUDING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A REDISTRIBUTION ELEMENT, METHODS OF FORMING REDISTRIBUTION ELEMENTS AND METHODS FOR PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130059419A1. Автор: Corisis David J.,Kuan Lee Choon,Hui Chong Chin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Method of forming a tungsten plug of a semiconductor device

Номер патента: KR980005642A. Автор: 오세중,이주일. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

METHOD OF FORMING A PATTERN STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120045901A1. Автор: Kim Keon-Soo,Park Jung-Hwan,YOON Young-bae,KIM Jong-hyuk,CHO Seong-Soon,Shin Kwang-Shik,Back Hyun-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR970072093A. Автор: 황재성. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method of forming a tungsten plug in a semiconductor device

Номер патента: KR100336837B1. Автор: 김충환,김재필,김동오,임가순. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR970077209A. Автор: 안성환,이영철,백현철. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-12-12.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR970067646A. Автор: 길명군,송정호,조찬섭. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-10-13.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005650A. Автор: 김상욱,이해정. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005623A. Автор: 최양규. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005636A. Автор: 이근호. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005622A. Автор: 김진웅,김근태. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005525A. Автор: 김진웅. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980011914A. Автор: 이명범,유봉영. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005527A. Автор: 정진기. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005651A. Автор: 김상욱,김대희,성일석. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

A method of forming a fine pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR970030391A. Автор: 추창웅. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-06-26.

Methods of manufacturing MOS transistor and forming channel cut and semiconductor device

Номер патента: TW200924114A. Автор: Satoshi Shimizu,Saysamone Pittikoun,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Hisakazu Otoi. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2009-06-01.

Method of preventing dishing during chemical mechanical polishing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW200729314A. Автор: Tu-Hao Yu,Te-Kan Liao,Yu-Chia Chen,Pai-Hsuan Sun. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

Methods of manufacturing mos transistor and forming channel cut and semiconductor device

Номер патента: TWI349333B. Автор: SHIMIZU Satoshi,Otoi Hisakazu,Pittikoun Saysamone,Chih Ming Chao,Hann Ping Hwang. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2011-09-21.

Method of forming a gate electrode on the semiconductor device

Номер патента: KR970003894B1. Автор: Sang-Ho Woo,Jong-Chol Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-03-22.

RADIATION-HARDENED SEMICONDUCTOR STRUCTURE, A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE RADIATION-HARDENED SEMICODUCTOR STRUCTURE, AND METHODS OF FORMING THE RADIATION-HARDENED SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120025311A1. Автор: . Владелец: ALLIANT TECHSYSTEMS INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device having memory unit, method of writing to or reading from memory unit, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120044741A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-23.

METHODS OF FORMING ENHANCED MOBILITY CHANNEL REGIONS ON 3D SEMICONDUCTOR DEVICES, AND DEVICES COMPRISING SAME

Номер патента: US20140120677A1. Автор: Miller Robert J.,Pham Daniel T.,Maitra Kungsuk. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: KR980006069A. Автор: 전하응. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: KR980006071A. Автор: 정하풍. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100190364B1. Автор: 조승건. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of forming two-layered polysilicon gate electrode in semiconductor device using grain boundaries

Номер патента: CN1134602A. Автор: 金钟哲,禹相浩. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-30.

Preventive method of a fading and corrosion the metallic layer for forming a bonding pad of a semiconductor device

Номер патента: KR930010341B1. Автор: 김이주. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1993-10-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF DOUBLE PHOTOLITHOGRAPHY PROCESS FOR FORMING PATTERNS OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120049377A1. Автор: Kim Dong-hyun,CHUNG Seung-Pil,Yang Song-Yi,Kwon O-ik,Cho Hong. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

Method of Setting a Work Function of a Fully Silicided Semiconductor Device, and Related Device

Номер патента: US20120231590A1. Автор: COLOMBO Luigi,Visokay Mark R.,Chambers James J.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of detecting abnormality in fluid supply system, using flow rate control device having pressure sensor

Номер патента: TW200717212A. Автор: Atsushi Matsumoto,Nobukazu Ikeda,Katsuyuki Sugita,Kouji Nishino,Ryousuke Dohi,Masaaki Nagase,Kaoru Hirata. Владелец: Fujikin Kk. Дата публикации: 2007-05-01.

MANUFACTURING METHODS OF THIN FILM TRANSISTOR, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120052625A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120153296A1. Автор: LEE Moon Sang,PARK Sung Soo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120223288A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor Device, Method Of Manufacturing The Same, And Electronic Device Including The Semiconductor Device

Номер патента: US20120248414A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-04.

Method of manufacturing an element isolation oxide film of a semiconductor device

Номер патента: KR980006057A. Автор: 남철우. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Removal method of fine particles generated in wet etching process of semiconductor device

Номер патента: KR970016835A. Автор: 김창욱,조영민,유정식,우용진. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-28.

Method of suppressing particle generation in interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR970023836A. Автор: 최재광,유진산,강영묵. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1997-05-30.

METHODS OF PREPARING POLYMORPHIC FORM A OF BAZEDOXIFENE ACETATE

Номер патента: US20130018184A1. Автор: Cannata Vincenzo,Allegrini Pietro,Cotarca Livius,Verzini Massimo,Barreca Giuseppe,Soriato Giorgio,Brescello Roberto,Andreella Paolo,Tasinato Francesco,Demo Marco,Bassan Fabio. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2013-01-17.

METHOD OF MANUFACTURING SCALED EQUIVALENT OXIDE THICKNESS GATE STACKS IN SEMICONDUCTOR DEVICES AND RELATED DESIGN STRUCTURE

Номер патента: US20130330843A1. Автор: Chudzik Michael P.,JR. Joseph F.,DAI Min,Liu Jinping,Shepard,Ronsheim Paul A.,Siddiqui Shahab. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

Preparation method of trench grid VDMOS (vertical double-diffused metal oxide semiconductor) device with ultra-thin source region

Номер патента: CN102832134B. Автор: 张波,任敏,李泽宏,张金平,张蒙,赵起越,张灵霞,邓光敏. Владелец: Institute of Electronic and Information Engineering of Dongguan UESTC. Дата публикации: 2014-12-03.

Method of controlling doping concentration for semiconductor thin film and semiconductor device

Номер патента: JP2003104792A. Автор: Hajime Saito,Masashi Kawasaki,肇 齊藤,雅司 川崎. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-09.

Method of preventing dishing during chemical mechanical polishing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: TWI296829B. Автор: Yu Chia Chen,Tu Hao Yu,Pai Hsuan Sun,Te Kan Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-11.

Forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100255158B1. Автор: 이호석,은용석. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-01.

Method for forming a junction region of a semiconductor device

Номер патента: KR980006065A. Автор: 구본성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for forming a junction region of a semiconductor device

Номер патента: TWI228278B. Автор: Chin-Cheng Chien,Yu-Kun Chen,Neng-Hui Yang,Hsiang-Ying Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-21.

Method for forming a junction region of a semiconductor device

Номер патента: TW200409213A. Автор: Chin-Cheng Chien,Yu-Kun Chen,Neng-Hui Yang,Hsiang-Ying Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

METHODS FOR FORMING A CONTACT METAL LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130189840A1. Автор: Gandikota Srinivas,Lei Yu,Fu Xinyu,Shah Kavita,YU SANG HO. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-07-25.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.