• Главная
  • Method of forming gate patterns for peripheral circuitry and semiconductor device formed thereby

Method of forming gate patterns for peripheral circuitry and semiconductor device formed thereby

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140097448A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Chang-Yong Um,Woong-je SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09893186B2. Автор: Shigenobu Maeda,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jae-Hoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09431537B2. Автор: Shigenobu Maeda,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jae-Hoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

An electronic device and method of forming an electronic device

Номер патента: AU2022328264A1. Автор: Ji Zhang,Sean Suixiang LI,Junjie Shi,Jing-Kai HUANG. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09953876B1. Автор: Elliot John Smith,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of forming gate-all-around (gaa) devices

Номер патента: US20240355896A1. Автор: Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09502406B1. Автор: HyungSuk Jung,Cheolwoo Park,Seokjun Won,Kwangyul Lee,Jeongeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09443817B2. Автор: Yoshinori Kondo,Katsuhiko Hotta,Ayaka Okumura,Hiroaki OSAKA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09893179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

FETs and methods of forming FETs

Номер патента: US09773786B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240274693A1. Автор: Ming-Hua Yu,Wei-Siang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing semiconductor device including isolation process

Номер патента: US20090181510A1. Автор: Yong-Il Kim,Makoto Yoshida,Hyeong-Sun HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Method of forming a MOS transistor in a semiconductor device and a MOS transistor fabricated thereby

Номер патента: US20020195666A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US20150380479A1. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Method for forming line pattern array, photomask having the same and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US7820344B2. Автор: Jae In Moon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-26.

Method for forming line pattern array, photomask having the same and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080315323A1. Автор: Jae In Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010003050A1. Автор: Sachiko Onozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Methods of forming semiconductor device structures including two-dimensional material structures

Номер патента: US09991122B2. Автор: Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20100308391A1. Автор: Ji-Young Kim,Kang L. Wang,Yong-Jik Park,Jeong-hee Han,Augustin Jinwoo Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-09.

Methods of forming bipolar transistors by silicide through contact and structures formed thereby

Номер патента: US20090057774A1. Автор: Bo Zheng,Kelin J. Kuhn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5913114A. Автор: Chang-Ki Jeon,Cheol-Joong Kim,Sun-Hak Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of manufacturing semiconductor memory device using mask pattern for channel ion implantation

Номер патента: KR100351055B1. Автор: 김기남,고관협. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-09-05.

Methods of forming gate structures for cmos based integrated circuit products and the resulting devices

Номер патента: US20140367790A1. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040029397A1. Автор: Dong-Soo Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-02-12.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods of forming a semiconductor circuit element and semiconductor circuit element

Номер патента: US09608110B2. Автор: Peter Baars,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Forming gates with varying length using sidewall image transfer

Номер патента: US09793270B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Forming gates with varying length using sidewall image transfer

Номер патента: US20180138175A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Metal gate patterning

Номер патента: US20240222196A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Jo-Chun Hung,Tefu Yeh,Cheng-Chieh TU,Hao-Hsin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805985B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09502520B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20180190543A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220301939A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220068718A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09905468B2. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240313064A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods of forming PMOS and NMOS FinFET devices on CMOS based integrated circuit products

Номер патента: US09799767B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Method of forming a salicide layer for a semiconductor device

Номер патента: US7763533B2. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240243015A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of Forming a Salicide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20090221121A1. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09922930B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09559060B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09437546B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110294297A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

High voltage semiconductor devices and methods of making the devices

Номер патента: US09876104B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device including interlayer insulating film

Номер патента: US5132774A. Автор: Hideo Kotani,Shigeo Nagao,Atsuhiro Fujii,Masazumi Matsuura,Hideki Genjo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-07-21.

Method of making composite substrate from sic

Номер патента: RU2728484C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-07-29.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of Manufacuturing Semiconductor Memory Apparatus and Semiconductor Memory Apparatus Manufactured Thereby

Номер патента: US20090294976A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09484387B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20110294235A1. Автор: Takuro Maede. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Method of forming gate-all-around (gaa) finfet and gaa finfet formed thereby

Номер патента: US20190123160A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12051700B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor processing methods of forming integrated circuitry

Номер патента: US7045405B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-16.

Method of forming FinFET with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US11749755B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080020567A1. Автор: Byung-hee Kim,Dae-Yong Kim,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Eun-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09865741B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09583630B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09559112B2. Автор: Youngwoo Park,Jungdal CHOI,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US09634118B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230116949A1. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220278098A1. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US20150037949A1. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120064709A1. Автор: Kyung-yub Jeon,Je-woo Han,Jun-ho Yoon,Kyoung-sub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090155971A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US09305933B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09905676B2. Автор: Yang Xu,Jinbum Kim,Kang Hun MOON,Choeun LEE,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming a via contact

Номер патента: US09805971B2. Автор: HAI Cong,Rui Li,Chin Chuan Neo. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming gate

Номер патента: US20200266285A1. Автор: Chun-Chi Yu,Po-Tsang Chen,Wen-Liang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240105681A1. Автор: Masayuki Miura,Satoru Itakura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Devices and methods of forming higher tunability FinFET varactor

Номер патента: US09437713B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron,Gopal Srinivasan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Methods of forming buried vertical capacitors and structures formed thereby

Номер патента: US09818751B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of forming buried vertical capacitors and structures formed thereby

Номер патента: US09646972B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices

Номер патента: US09806204B2. Автор: Hyun-Sung Kim,Bum-soo Kim,Seung-pil Chung,Sung-Soo Ahn,Won-Bong Jung,Kyoung-sub Shin,O Ik Kwon,Min-Kyung YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240170536A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of forming gate spacer for nanowire fet device

Номер патента: US20190296128A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09755026B2. Автор: Weonhong Kim,Moonkyun Song,Minjoo Lee,Soojung CHOI,Dong Su Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US12034069B2. Автор: Shigeki Yoshida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

FINFET semiconductor devices and method of forming the same

Номер патента: US09812559B2. Автор: Kyung-In Choi,Bong-Soo Kim,Hyun-gi Hong,Hyun-seung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20140353803A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Xue Chen,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices formed of iii-nitride compounds, lithium-niobate-tantalate, and silicon carbide

Номер патента: WO2003071605A3. Автор: William Alan Doolittle. Владелец: Georgia Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-11-29.

Methods of forming gate electrodes on a vertical transistor device

Номер патента: US09966456B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297254A1. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of contact formation between metal and semiconductor

Номер патента: EP3513427A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Method of manufacturing semiconductor element, and semiconductor element body

Номер патента: US12132142B2. Автор: Kentaro Murakawa,Katsuaki Masaki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09853122B2. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of forming integrated structures

Номер патента: US09780103B2. Автор: Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Methods of Fabricating Semiconductor Devices Including Support Patterns

Номер патента: US20180040483A1. Автор: Yong Sun Ko,Sang Jine Park,In Seak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Film embedding method and semiconductor device

Номер патента: US20130249062A1. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Differential Layer Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20200035679A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of forming gate dielectric layer for MOS transistor

Номер патента: US09761687B2. Автор: Po-Lun Cheng,Chun-Liang Chen,Meng-Che Yeh,Shih-Jung Tu,Han-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US09465287B2. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US09431321B2. Автор: Kazuyuki Higashi,Shinya Watanabe,Taku Kamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225892A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170053992A1. Автор: Masakazu Okada,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9337327B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of Forming Contacts for Devices with Multiple Stress Liners

Номер патента: US20120299160A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper,Marco Lepper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240282629A1. Автор: Chih-Yuan Ting,I-Chang Lee,Yu-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09520473B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240155824A1. Автор: Koji Akiyama,Koji Maekawa,Masahiro Ikejiri,Masaki TERABAYASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190244808A1. Автор: Tetsuya Sakuma. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220384473A1. Автор: Kazuya Takahashi,Genji Nakamura,Muneyuki Otani,Sara Otsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8883635B2. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20130023117A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US9660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240250173A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09818627B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US09660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor devices including a capping layer

Номер патента: US09953924B2. Автор: Nae-in Lee,Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of fabricating hafnium oxide layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US09831085B2. Автор: Deok Sin Kil,Jae Sung Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices including a capping layer

Номер патента: US09711453B2. Автор: Nae-in Lee,Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09634020B1. Автор: Nhan Do,Mandana TADAYONI,Chien Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09608054B2. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of making a resistive random access memory

Номер патента: US09520562B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-13.

Process integration to reduce contact resistance in semiconductor device

Номер патента: WO2022236026A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Sankuei Lin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140227838A1. Автор: Toshihiko Miyashita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Methods of forming semiconductor devices with flowable material for better planarization method

Номер патента: US10615046B2. Автор: Kao-Tsair Tsai,Kun-Che Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7892913B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-22.

Graphene Formation on Dielectrics and Electronic Devices Formed Therefrom

Номер патента: US20140131662A1. Автор: Jeffry A. Kelber,Sneha Sen GADDAM,Cameron L. BJELKEVIG. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2014-05-15.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of Forming a Silicided Gate Utilizing a CMP Stack

Номер патента: US20080268631A1. Автор: Freidoon Mehrad,Frank Scott Johnson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090267162A1. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210320193A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Production method of semiconductor device

Номер патента: US20020127880A1. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Masaki Saito,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Ultrawide bandgap semiconductor devices including magnesium germanium oxides

Номер патента: EP4430676A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Opening fill process and structures formed thereby

Номер патента: US09978583B2. Автор: Chi-Yuan Chen,Wei-Jung Lin,Chia-Han Lai,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Contact plug without seam hole and methods of forming the same

Номер патента: US09966309B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09805980B2. Автор: Tadashi Munakata,Noriyuki Takahashi,Yoshihiko Yamaguchi,Shingo Oosaka,Mitsuru Kinoshita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Opening fill process and structure formed thereby

Номер патента: US09627313B2. Автор: Chi-Yuan Chen,Wei-Jung Lin,Chia-Han Lai,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09564504B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09564503B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Methods of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US09520289B2. Автор: Jin Park,Hyun-Woo Kim,Cha-Won Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device having reduced-damage active region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472466B2. Автор: Ki-chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Contact plug without seam hole and methods of forming the same

Номер патента: US09472448B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20220384267A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi-On CHUI,Kuan-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US12002714B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi-On CHUI,Kuan-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Device of active regions and gates and method of forming gate patterns using the same

Номер патента: US20070158693A1. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Device of active regions and gates and method of forming gate patterns using the same

Номер патента: US7719034B2. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-18.

Method of fabricating a diode protecting a gate electrode of a field effect transistor

Номер патента: US20030224576A1. Автор: Yasuo Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US12051688B2. Автор: Keiichi Murayama,Kazumi TSUTSUMIDA,Katsuyoshi Jokyu. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-30.

Manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240290774A1. Автор: Keiichi Murayama,Kazumi TSUTSUMIDA,Katsuyoshi Jokyu. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of forming a semiconductor package with conductive interconnect frame and structure

Номер патента: US09917039B2. Автор: Marc Alan Mangrum,Thinh Van Pham. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105637A1. Автор: Akio Yamano,Yuta EBUKURO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Methods of forming a masking pattern and a semiconductor device structure

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method for forming align key pattern in semiconductor device

Номер патента: US5578519A. Автор: Yun-hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-11-26.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170221843A1. Автор: Kuei-Sung CHANG,Nien-Tsung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240297250A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A2. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A3. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240088258A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09755037B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yasuhiro Yoshiura,Takao KACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Devices including ultra-short gates and methods of forming same

Номер патента: US09530647B2. Автор: Zoltan Ring,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070254426A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030129792A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6713325B2. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050189590A1. Автор: Tomohiro Okamura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Forming a thin film electric cooler and structures formed thereby

Номер патента: US20080230106A1. Автор: Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor device structures including buried digit lines and related methods

Номер патента: US09947666B2. Автор: Suraj Mathew,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230154824A1. Автор: Chia-Che Chung,Ming-Tzong Yang,Hsien-Hsin Lin,Chee-Wee Liu,Wen-Kai Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

DRAM Circuitry And Method Of Forming DRAM Circuitry

Номер патента: US20240276714A1. Автор: Toshihiko Miyashita,Dan Mocuta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09679770B2. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11837639B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210043742A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Method of forming extruded structures from polycrystalline materials and devices formed thereby

Номер патента: US20020179201A1. Автор: Lawrence Clevenger,Munir Naeem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby

Номер патента: US09443883B2. Автор: Joseph Carr,Etienne Menard,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: Semprius Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050026314A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor device and method of forming build-up interconnect structures over a temporary substrate

Номер патента: US09818734B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660042B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of forming configurable microchannels in package structures

Номер патента: US09997377B2. Автор: Arnab Choudhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of forming interconnects and semiconductor structures

Номер патента: US09640433B2. Автор: Salman Akram,James M. Wark,William Mark Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170250191A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09748259B1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US09748217B2. Автор: Takayuki Ohba. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2017-08-29.

Direct plasma densification process and semiconductor devices

Номер патента: US09711399B2. Автор: Jason A. FARMER,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12033965B2. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Wei Lin,Wen-hao Cheng,Yi-Ming Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Methods of forming staircase structures

Номер патента: US20190206726A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09793381B2. Автор: Dongwoo Kim,Chang Woo SOHN,Kyungin Choi,Youngmoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for producing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230230926A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09331079B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100123204A1. Автор: Eun Jong Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of forming nano-scale structures from polycrystalline materials and nano-scale structures formed thereby

Номер патента: MY120870A. Автор: Lawrence A Clevenger,Munir D Naeem. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-11-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09466697B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Sang-Jine Park,Myung-Geun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Wet etching process-based modeling method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240202399A1. Автор: Hui ZENG,Ruijing Han. Владелец: Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9070696B2. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805937B2. Автор: Tomoya KASHIWAZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780163B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607841B2. Автор: Hyojoong Kim,Songha Oh,Changgoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590098B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: WO2016193909A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: The Silanna Group Pty Limited. Дата публикации: 2016-12-08.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2011045398A1. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20070020850A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US20160359094A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020001959A1. Автор: Yasuo Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150171021A1. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package

Номер патента: US10847616B2. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-11-24.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of forming gate dielectric material

Номер патента: US09893160B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09728473B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Satoshi Wakatsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US09590157B2. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09525038B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of forming vertical channel devices

Номер патента: US20180330988A1. Автор: Juergen Boemmels. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-11-15.

Substrate and semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210327815A1. Автор: Shin-Luh Tarng,Ian HU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9761708B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9355890B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130207228A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Method of forming active device on substrate and the substrate

Номер патента: US20050275020A1. Автор: Masahiro Kyozuka. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160247915A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230005825A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory devices, semiconductor devices and related methods

Номер патента: US20190267323A1. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040191996A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Methods and assemblies for cooling semiconductor devices using carbon allotropes

Номер патента: US20240258197A1. Автор: Michael Roberg,Christo Bojkov,zhi-qi Li,Harold Isom. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing wafer and method of manufacturing stacked device chip

Номер патента: US12087589B2. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4451327A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-23.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210183713A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09576892B2. Автор: Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570407B2. Автор: Shuji Inoue,Takahiro Ebisui,Masako Furuichi. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Gate Patterns of Nonvolatile Memory Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20100308396A1. Автор: Wan Sup SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20230387100A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Chuang,Chang-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method of forming athin wafer without a carrier

Номер патента: SG183779A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4383318A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080284027A1. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20150235850A1. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device structures including buried digit lines and related methods

Номер патента: US20130187279A1. Автор: Suraj Mathew,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4246592A1. Автор: Jaejin Lee,Youngjun Kim,Eun-Ok Lee,Taekyung Yoon,Hunyoung Bark,Dongju Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20100203700A1. Автор: Eunkee Hong,Deok-Young Jung,Ju-seon Goo,Kyungmun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09923092B2. Автор: Thierry Coffi Herve Yao,Moshe Agam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09881809B2. Автор: Hong-Ji Lee,Xin-Guan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09620522B1. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09620518B2. Автор: Yao-Fu Chan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices having polysilicon gate patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09553159B2. Автор: Young Jin Son,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Structure and method of forming semiconductor device

Номер патента: US09496385B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory Circuitry And Methods Of Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20210134815A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20160093731A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-31.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12033944B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: US20040063278A1. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: WO2004030069A2. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-08.

3d nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230282579A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12046555B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US20160307791A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230011222A1. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi,Shigeru Sugioka,Noriaki Fujiki,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Forming a reticle for extreme ultraviolet radiation and structures formed thereby

Номер патента: US20060102986A1. Автор: Bryan Rice,Kramadhati Ravi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Method for fabricating semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US7265042B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-04.

Method of manufacturing semiconductor device with reduced number of process steps for capacitor formation

Номер патента: US6762109B2. Автор: Naofumi Murata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-13.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030100167A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140235045A1. Автор: Masatoshi Fukuda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Methods of forming titanium-containing materials, and semiconductor processing methods

Номер патента: US20060292871A1. Автор: Joel Drewes,Jaydeb Goswami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Method for making a sub 100 nanometer semiconductor device using conventional lithography steps

Номер патента: US20030022517A1. Автор: Alan Myers,Ebrahim Andideh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Staircase patterning for 3D NAND devices

Номер патента: US12101929B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12068242B2. Автор: Jongchul Park,Jinwook Lee,Dong Kwon Kim,Hongsik SHIN,Wonhyuk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing semiconductor wafer and semiconductor device

Номер патента: US20240363363A1. Автор: Haruo Sudo,Ken Hayakawa. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12125789B2. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi,Shigeru Sugioka,Noriaki Fujiki,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09972508B2. Автор: Kei Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having element separation region formed from a recess-free trench

Номер патента: US09831113B2. Автор: Yukio Hayakawa,Fumihiko Inoue. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of fabrication

Номер патента: US09818689B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US09818642B2. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09543314B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09514952B2. Автор: Tomohiko Sugita,Hiroyasu Iimori,Takehiro Ogata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09484316B2. Автор: Thomas Fischer,Alexander Heinrich,Evelyn Napetschnig,Ulrike Fastner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20230275143A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of forming a groove-like area in a semiconductor device

Номер патента: US20020076898A1. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of manufacturing semiconductor device and method of forming pattern

Номер патента: US20230307287A1. Автор: Toshiaki Komukai,Motofumi Komori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device with cavity carrier and method therefor

Номер патента: US20240234222A9. Автор: Zhiwei Gong,Kuan-Hsiang Mao,Neil Thomas Tracht. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12020935B2. Автор: Koichi Nishi,Kazuya Konishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09385262B2. Автор: Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of forming a metal pattern and method of manufacturing a display substrate

Номер патента: US20150380443A1. Автор: Hong-Sick Park,Young-Min Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Wafers, panels, semiconductor devices, and glass treatment methods

Номер патента: US09648734B2. Автор: Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor devices

Номер патента: GB2587854A. Автор: Jongman Jan,Dury Joffrey. Владелец: FlexEnable Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Semiconductor device, and method of forming same

Номер патента: US12093627B2. Автор: Chung-Hui Chen,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20120142167A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090039473A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09911787B2. Автор: Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kiseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US20070096211A1. Автор: Koichi Kishiro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device and method of evaluating the same

Номер патента: US20050184347A1. Автор: Koichi Kishiro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Methods of forming electronic devices

Номер патента: US20200119260A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837326B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7622351B2. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Vertical-channel type junction SiC power FET and method of manufacturing same

Номер патента: US09691908B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160343879A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Low resistance ground wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6071785A. Автор: Shinichi Horiba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Method of forming heat sink and semiconductor chip assemblies

Номер патента: US20020090760A1. Автор: Joseph Brand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100112770A1. Автор: Yoshitaka Kubota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09647142B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing a semiconductor device including a silicon pillar

Номер патента: US8158502B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-04-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140091319A1. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry

Номер патента: EP1603152A3. Автор: Tyler A. Lowrey,Alan R. Reinberg,Luan C. Tran,D Mark Durcan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Semiconductor package with a controlled impedance bus and method of forming same

Номер патента: US20040155318A1. Автор: Donald Perino,Nader Gamini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080044993A1. Автор: Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Integrated Circuits and Methods of Design and Manufacture Thereof

Номер патента: US20100276759A1. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

MISFET Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20150035021A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ming-Chyi Liu,Chung-Yen Chou,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor package with a controlled impedance bus and method of forming same

Номер патента: US20030202373A1. Автор: Donald Perino,Nader Gamini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050085036A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Method of forming bridging lateral nanowires and device manufactured thereby

Номер патента: WO2005062384A3. Автор: Shashank Sharma,Theodore I Kamins,M Saiful Islam. Владелец: M Saiful Islam. Дата публикации: 2005-09-15.

Integrated circuits and methods of design and manufacture thereof

Номер патента: US09767244B2. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of inspecting a semiconductor device and semiconductor inspection systems

Номер патента: US09476840B2. Автор: Seunghune YANG,Sibo CAI,Kiho Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230307361A1. Автор: Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Hiroaki ASHIDATE,Yasunori Iwashita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Contact pad structure and method of forming the same

Номер патента: US20210384219A1. Автор: HAO Zhang,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yonggang YANG,Yiming AI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Heteroepitaxial semiconductor devices with enhanced thermal dissipation

Номер патента: US20240355918A1. Автор: Matt King,Christer Hallin,Thomas Kuhr. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040152339A1. Автор: Masayuki Imai,Yoshihide Tada,Tsukasa Yonekawa,Shin Yokoyama,Genji Nakamura,Anri Nakajima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-08-05.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09679968B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09466734B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of forming semiconductor device including p-n diode

Номер патента: US20180019318A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09948064B2. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170365981A1. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Passive devices formed in grooves on a substrate and a method of manufacture

Номер патента: US7286029B2. Автор: Mojtaba Joodaki. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2007-10-23.

Method of authenticating a device to access a service

Номер патента: US09455986B2. Автор: Charles Marais,Gaël GOURMELEN. Владелец: ORANGE SA. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device, method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US20230371313A1. Автор: Kano Masataka. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of manufacture and use of customized flexomaster patterns for flexographic printing

Номер патента: US09446578B2. Автор: Dan Van Ostrand,Kevin Derichs. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Method of forming gate of flash memory cell

Номер патента: US20050142726A1. Автор: Chul Yoon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of making a self-aligned recessed container cell capacitor

Номер патента: US6258660B1. Автор: Karl M. Robinson,Michael A. Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-10.

Methods of forming electronic devices

Номер патента: US12052929B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of treating metal surfaces and devices formed thereby

Номер патента: US09763336B2. Автор: Werner G. Kuhr,Zhiming Liu,Jen-Chieh Wei,Steven Z. Shi. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming vertical memory devices with improved dummy channel structures

Номер патента: US12137562B2. Автор: Yuhui HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Organic EL panel and method of forming the same

Номер патента: US20050285514A1. Автор: Toshinao Yuki,Kunihiko Shirahata. Владелец: Tohoku Pioneer Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor device with improved overlay margin and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100203705A1. Автор: JOON-SOO PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Methods of forming a magnetic random access memory etch spacer and structures formed thereby

Номер патента: EP3087618A1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher WIEGAND,Daniel R. LAMBORN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-02.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: EP3130014A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-15.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: WO2015157080A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-10-15.

Method of forming gate electrode pattern in semiconductor device

Номер патента: US7544564B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-09.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20060226448A1. Автор: Je-min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-12.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080157213A1. Автор: Je-min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Test structures and testing methods for semiconductor devices

Номер патента: US09891273B2. Автор: Wensen Hung,Yung-Hsin Kuo,Po-Shi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Reactive hot-melt adhesive and/or sealing composition and method of using same

Номер патента: US5525663A. Автор: Hans T. Oien. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1996-06-11.

METHODS OF MANUFACTURE AND USE OF CUSTOMIZED FLEXOMASTER PATTERNS FOR FLEXOGRAPHIC PRINTING

Номер патента: US20150122138A1. Автор: Van Ostrand Dan,Derichs Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

Methods of manufacture and use of customized flexomaster patterns for flexographic printing

Номер патента: GB201417523D0. Автор: . Владелец: Unipixel Displays Inc. Дата публикации: 2014-11-19.

Pattern alignment mark of semiconductor device

Номер патента: US5675418A. Автор: Sang Man Bae,Byoung Il Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-10-07.

Optical proximity correction methods, and methods of forming radiation-patterning tools

Номер патента: US20010023043A1. Автор: William Stanton,John Futrell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09959164B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming an oral care implement

Номер патента: US09802347B2. Автор: Alan Sorrentino,Stephen Nelson. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and apparatus for forming tunnels and tunnels formed thereby

Номер патента: US09702094B2. Автор: James Crawford Thomson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

Electronic device and method of forming the same

Номер патента: WO2010034239A1. Автор: Mingyu Li,Junjie Yuan,Guowen Wang,Jiali Deng,Dou LI. Владелец: BYD Company Limited. Дата публикации: 2010-04-01.

Method of manufacturing a semicondutor device

Номер патента: US20030104641A1. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-06-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

Test methods of semiconductor devices and semiconductor systems used therein

Номер патента: US20180068743A1. Автор: Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of forming barbs on a suture

Номер патента: US09527221B2. Автор: Timothy D. Kosa,Michael Primavera,Matthew D. Cohen,Nicholas Maiorino,Mark S. Buchter. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2016-12-27.

Systems and methods for anchoring components in MEMS semiconductor devices

Номер патента: US09458010B1. Автор: Ruben B. Montez,Robert F. Steimle. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Complex structures in refractory bodies and methods of forming

Номер патента: US20180010718A1. Автор: Paulo Gaspar Jorge Marques. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Complex structures in refractory bodies and methods of forming

Номер патента: EP2785446A1. Автор: Gaspar Paulo Jorge Marques. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-10-08.

Method of forming fine patterns

Номер патента: US20040067452A1. Автор: Yoshiki Sugeta,Toshikazu Tachikawa,Fumitake Kaneko. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Complex structures in refractory bodies and methods of forming

Номер патента: US09714729B2. Автор: Paulo Gaspar Jorge Marques. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Dual-Damascene Metal Wiring Patterns for Integrated Circuit Devices and Wiring Patterns Formed Thereby

Номер патента: US20120193322A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR AND A METHOD OF DETERMINING SURFACE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20120004888A1. Автор: . Владелец: Taylor Hobson Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING A NOVEL OPIOID PEPTIDE

Номер патента: US20120004180A1. Автор: LIPKOWSKI Andrej. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF TREATING DEGENERATIVE BONE CONDITIONS

Номер патента: US20120004594A1. Автор: Howe James,Schulz Olaf,Swaim Rick,Huber Bryan,Batts Joel,Harness David,Belaney Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.