LED WITH STRESS-BUFFER LAYER UNDER METALLIZATION LAYER.

LED WITH STRESS-BUFFER LAYER UNDER METALLIZATION LAYER

Номер патента: US20170358715A1
Опубликовано: 14-12-2017
Автор(ы): Akram Salman, ZOU Quanbo
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

LED with stress-buffer layer under metallization layer

Номер патента: US09640729B2. Автор: Salman Akram,Quanbo Zou. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-05-02.

Led with stress-buffer layer under metallization layer

Номер патента: US20170358715A1. Автор: Salman Akram,Quanbo Zou. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2017-12-14.

Led with stress-buffer layer under metallization layer

Номер патента: EP3017483A1. Автор: Salman Akram,Quanbo Zou. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-05-11.

Led with stress-buffer layer under metallization layer

Номер патента: US20160329468A1. Автор: Salman Akram,Quanbo Zou. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-11-10.

Light emitting device including covering member and first and second metal layers

Номер патента: US20200365759A1. Автор: Yoshikazu Matsuda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor light emitting device with thick metal layers

Номер патента: US20160020372A1. Автор: Marc Andre DeSamber. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor light emitting device with thick metal layers

Номер патента: EP2748865A1. Автор: Marc Andre De Samber. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2014-07-02.

Micro-led with dielectric side mirror and an electronic device comprising a plurality of micro-leds

Номер патента: WO2016099743A1. Автор: Hsin-Hua Hu,Clayton Ka Tsun Chan,Chien-Hsing Huang,Kevin K. C. Chang. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2016-06-23.

Micro-leds with ultra-low leakage current

Номер патента: WO2020096859A9. Автор: Steven P. DenBaars,Tal Margalith,Matthew S. WONG,Lesley Chan. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2020-08-13.

Micro-leds with ultra-low leakage current

Номер патента: EP3878020A1. Автор: Steven P. DenBaars,Tal Margalith,Matthew S. WONG,Lesley Chan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-09-15.

Metallic layer for dimming light-emitting diode chips

Номер патента: US20240063344A1. Автор: Peter Andrews,Steven Wuester,Colin Stuart,Seth Joseph Balkey. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Metallic layer for dimming light-emitting diode chips

Номер патента: WO2024039960A1. Автор: Peter Scott Andrews,Steven Wuester,Colin Stuart,Seth Joseph Balkey. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2024-02-22.

Substrate with lithium imide layer, LED with lithium imide layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09972746B2. Автор: Po-Yuan CHIU,Lung-Han Peng,Jiun-Yun Li,Jun-Wei Peng. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Substrate with lithium imide layer, led with lithium imide layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180062024A1. Автор: Po-Yuan CHIU,Lung-Han Peng,Jiun-Yun Li,Jun-Wei Peng. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Flip chip SMT LED with variable number of emitting surfaces

Номер патента: CN108431972B. Автор: T.德斯梅特,F.S.狄亚娜,G.古思,E.芬萨利,Y.马泰诺夫,O.B.什切金,J.巴瓦. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2022-02-11.

Flip chip led with side reflectors and phosphor

Номер патента: EP3398211A1. Автор: Yeow-Meng Teo,Iwan-Wahyu SAPUTRA. Владелец: Lumileds Holding BV. Дата публикации: 2018-11-07.

Systems and methods for multi-color led with stacked bonding structures

Номер патента: WO2021202521A1. Автор: Qiming Li,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2021-10-07.

Systems and methods for multi-color led with stacked bonding structures

Номер патента: EP4128206A1. Автор: Qiming Li,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Led with shaped growth substrate for side emission

Номер патента: KR20150104624A. Автор: 마크 멜빈 버터워스. Владелец: 코닌클리케 필립스 엔.브이.. Дата публикации: 2015-09-15.

High flux led with low operating voltage

Номер патента: US20230420607A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

High flux led with low operating voltage

Номер патента: WO2023250144A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Systems and methods for multi-color led with stacked bonding structures

Номер патента: EP4128206A4. Автор: Qiming Li,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor light emitting device with thick metal layers

Номер патента: US09484513B2. Автор: Stefano Schiaffino,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-11-01.

Method and structure of bonding a led with a substrate

Номер патента: US20200266324A1. Автор: Biing-Seng Wu,Chao-Wen Wu,Hsing Ying Lee. Владелец: Prilit Optronics Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Led with current injection confinement trench

Номер патента: US20150179876A1. Автор: Hsin-Hua Hu,Kelly McGroddy. Владелец: LuxVue Technology Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

LED with current injection confinement trench

Номер патента: US09768345B2. Автор: Hsin-Hua Hu,Kelly McGroddy. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Quaternary light-emitting diode (LED) with transparent substrate and manufacturing method

Номер патента: CN104157757A. Автор: 吴俊毅,杨恕帆,蔡坤煌. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-19.

Ultra-dense array of leds with ruthenium mirrors

Номер патента: US20230317895A1. Автор: Kwong-Hin Henry Choy,Ewelina Natalia Lucow. Владелец: Tectus Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Ultra-dense array of leds with ruthenium mirrors

Номер патента: WO2023196070A3. Автор: Kwong-Hin Henry Choy,Ewelina Natalia Lucow. Владелец: Tectus Corporation. Дата публикации: 2023-11-09.

Ultra-dense array of leds with ruthenium mirrors

Номер патента: WO2023196070A2. Автор: Kwong-Hin Henry Choy,Ewelina Natalia Lucow. Владелец: Tectus Corporation. Дата публикации: 2023-10-12.

Multi-junction led with eutectic bonding and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200402964A1. Автор: James Chinmo Kim. Владелец: Sundiode Korea. Дата публикации: 2020-12-24.

Vertical light-emitting diode structure with metal layer capable of testing and protecting sidewalls

Номер патента: US20220115571A1. Автор: Wei-Yu Yen,Chih-Sung Chang,Fu-Bang CHEN,Kuo-Hsin Huang,Tzeng-Guang Tsai. Владелец: Excellence Opto Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Packaged LEDs with phosphor films, and associated systems and methods

Номер патента: US11901494B2. Автор: Jonathon G. Greenwood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods

Номер патента: US20240186465A1. Автор: Jonathon G. Greenwood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Color leds with integrated optical filtering elements

Номер патента: WO2021221924A1. Автор: Isaac WILDESON,Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2021-11-04.

Manufacturing method of mini LED with sub-wavelength anti-reflection grating

Номер патента: CN113690347A. Автор: 熊珊,李俊承,潘彬,赵敏博,白继锋,徐培强,王向武. Владелец: Nanchang Kaijie Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-23.

Color leds with integrated optical filtering elements

Номер патента: EP4143894A4. Автор: Isaac WILDESON,Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

Laser annealing of gan leds with reduced pattern effects

Номер патента: SG191475A1. Автор: Yun Wang,Andrew M Hawryluk. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2013-07-31.

Enhanced room temperature mid-ir leds with integrated semiconductor 'metals'

Номер патента: US20210408324A1. Автор: Andrew Briggs,Daniel Wasserman,Seth Bank,Leland Nordin. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2021-12-30.

Micro-led with improved light extraction

Номер патента: US20240282888A1. Автор: Aurelien Jean Francois David. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

LED with self aligned bond pad

Номер патента: USRE43412E1. Автор: David Beardsley Slater, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-05-29.

Graphene electrode-based deep ultraviolet LED with vertical structure and preparation method thereof

Номер патента: CN112242469B. Автор: 陈洋,黎大兵,孙晓娟,蒋科,贲建伟,张山丽. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2022-08-19.

III-nitride nanowire LED with strain modified surface active region and method of making thereof

Номер патента: US09761757B2. Автор: Sungsoo Yi,Nathan Gardner,Linda Romano,Patrik Svensson. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2017-09-12.

Deep ultraviolet LED with high external quantum efficiency and preparation method thereof

Номер патента: CN113054064A. Автор: 郭志友,孙慧卿,杨亚峰,彭麟杰,苏哈. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-06-29.

Iii-nitride nanowire led with strain modified surface active region and method of making thereof

Номер патента: TWI621278B. Автор: 琳達羅曼諾. Владелец: 瑞典商Ｇｌｏ公司. Дата публикации: 2018-04-11.

III-nitride nanowire LED with strain modified surface active region and method of making thereof

Номер патента: US09882086B2. Автор: PING Wang,Linda Romano. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2018-01-30.

Plastic Lead Frame with Reflection and Conduction Metal Layer and Fabrication Method of the Same

Номер патента: US20100294538A1. Автор: Cheng-Feng CHIANG. Владелец: Kuang Hong Precision Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-25.

LED with internally confined current injection area

Номер патента: US09450147B2. Автор: Andreas Bibl,Hsin-Hua Hu,Clayton Ka Tsun Chan,Kelly McGroddy,Daniel Arthur Haeger. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Deep ultraviolet LED with P-surface reflecting electrode structure and preparation method thereof

Номер патента: CN113257973B. Автор: 吴小明,李新华,陈芳,江风益,莫春兰,蒋恺,陶喜霞,夏邦美. Владелец: Nanchang Guiji Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-27.

LED with internally confined current injection area

Номер патента: US11978825B2. Автор: Andreas Bibl,Hsin-Hua Hu,Clayton Ka Tsun Chan,Kelly McGroddy,Daniel Arthur Haeger. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

High light extraction efficiency light emitting diode (led) with emitters within structured materials

Номер патента: WO2008066712A3. Автор: Steven P Denbaars,Aurelien J F David,Stacia Keller,Claude C A Weisbuch. Владелец: Claude C A Weisbuch. Дата публикации: 2008-07-24.

High-voltage LED with improved heat dissipation and light extraction

Номер патента: CN106206558B. Автор: 李镇宇,陈冠群,郭浩中,林佑达. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

GaN LEDs with improved area and method for making the same

Номер патента: TW201318236A. Автор: LONG Yang. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2013-05-01.

Led with internally confined current injection area

Номер патента: EP3087617B1. Автор: Andreas Bibl,Hsin-Hua Hu,Clayton Ka Tsun Chan,Kelly McGroddy,Daniel Arthur Haeger. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

LEDs with efficient electrode structures

Номер патента: US12080832B2. Автор: Steven D. Lester,Frank T. Shum,William W. So. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

LED with patterned surface features based on emission field patterns

Номер патента: US09876141B2. Автор: Toni LOPÉZ. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-01-23.

LEDs with efficient electrode structures

Номер патента: US09627589B2. Автор: Steven D. Lester,Frank T. Shum,William W. So. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Quantum dot led with spacer particles

Номер патента: WO2018102523A1. Автор: Christian Ippen,Jonathan TRUSKIER,Charlie Hotz,Jesse MANDERS,Don ZEHNDER. Владелец: Charlie Hotz. Дата публикации: 2018-06-07.

Quantum dot led with spacer particles

Номер патента: US20210013371A1. Автор: Christian Ippen,Charles HOTZ,Donald Zehnder,Jonathan TRUSKIER,Jesse MANDERS. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Quantum Dot LED with Spacer Particles

Номер патента: US20180158984A1. Автор: Christian Ippen,Jonathan TRUSKIER,Charlie Hotz,Jesse MANDERS,Don ZEHNDER. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

LEDs with three color RGB pixels for displays

Номер патента: US09941330B2. Автор: Ajey P. Jacob,Srinivasa Banna,Deepak Nayak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

LEDs WITH THREE COLOR RGB PIXELS FOR DISPLAYS

Номер патента: US20180197913A1. Автор: Ajey P. Jacob,Srinivasa Banna,Deepak Nayak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

High flux led with low operating voltage utilizing two p-n junctions connected in parallel and having one tunnel junction

Номер патента: US20230420599A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

High flux led with low operating voltage utilizing two p-n junctions connected in parallel and having one tunnel junction

Номер патента: WO2023250146A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Electrical device with stress buffer layer and stress compensation layer

Номер патента: US11894477B2. Автор: Andrew Clarke,Emily Thomson,Michael Rondon. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-02-06.

Electrical device with stress buffer layer and stress compensation layer

Номер патента: EP4342004A1. Автор: Andrew Clarke,Emily Thomson,Michael Rondon. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-03-27.

Dual cool power module with stress buffer layer

Номер патента: US20220199602A1. Автор: Seungwon Im,Jonghwan BAEK,Jeonghyuk Park,KeunHyuk Lee. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor contact structure having stress buffer layer formed between under bump metal layer and copper pillar

Номер патента: US20210104478A1. Автор: Yu-Jie Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Stress buffer layer for integrated microelectromechanical systems (mems)

Номер патента: US20150266728A1. Автор: Thorsten Meyer,Christian Mueller,Christian Geissler,Gerald Ofner,Reinhard Mahnkopf,Andreas Augustin. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Stress buffer layer for integrated microelectromechanical systems (MEMS)

Номер патента: US09550670B2. Автор: Thorsten Meyer,Christian Mueller,Christian Geissler,Gerald Ofner,Reinhard Mahnkopf,Andreas Augustin. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Stress Buffer Layer for Ferroelectric Random Access Memory

Номер патента: US20110183471A1. Автор: Scott R. Summerfelt,Hugh P. McAdams,Kezhakkedath R. Udayakumar,John P. Campbell. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Conductive connection structure having stress buffer layer

Номер патента: US09881867B1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device package including stress buffering layer

Номер патента: US20230387092A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN,Wen Hung HUANG,Shih-Yu Wang,Yuh-Shan SU,Chien-Mei HUANG,I-Ting Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Stress Buffer Layer in Embedded Package

Номер патента: US20200203249A1. Автор: Woochan Kim,Anindya Poddar,Mutsumi Masumoto,Vivek Kishorechand Arora,Kengo Aoya,Masamitsu Matsuura,Hau Thanh Nguyen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Stress Buffer Layer in Embedded Package

Номер патента: US20190385924A1. Автор: Woochan Kim,Anindya Poddar,Mutsumi Masumoto,Vivek Kishorechand Arora,Kengo Aoya,Masamitsu Matsuura,Hau Thanh Nguyen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Stress Buffer Layer for Ferroelectric Random Access Memory

Номер патента: US20090321964A1. Автор: Scott R. Summerfelt,Hugh P. McAdams,Kezhakedath R. Udayakumar,John P. Campbell. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Substrate for LED with total-internal reflection layer surrounding LED

Номер патента: US09899579B2. Автор: Mark Melvin Butterworth. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-02-20.

System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors

Номер патента: US09660152B2. Автор: Arpan Chakraborty,Aurelien J. F. David,Troy Trottier,Michael Ragan Krames. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

System and method for selected pump leds with multiple phosphors

Номер патента: US20230420619A1. Автор: Arpan Chakraborty,Troy Trottier,Michael Ragan Krames,Aurelien J.F. David. Владелец: Korrus Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

System and method for the selection pumping LED with a variety of phosphors

Номер патента: CN107256861A. Автор: 迈可尔·R·克拉梅什,奥雷利安·J·F·戴维,特洛伊·特罗蒂尔,弗兰克·M·斯特兰卡. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Ultra-dense array of leds with half cavities and reflective sidewalls, and hybrid bonding methods

Номер патента: EP4272265A1. Автор: Kwong-Hin Henry Choy,Ewelina Natalia Lucow,Paul Scott Martin. Владелец: Tectus Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Led with molded reflective sidewall coating

Номер патента: US20110018017A1. Автор: Gregory W. Eng,Serge J. Bierhuizen. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2011-01-27.

Substrate for led with total-internal reflection layer surrounding led

Номер патента: KR102304741B1. Автор: 마크 멜빈 버터워스. Владелец: 루미리즈 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2021-09-24.

Substrate for led with total-internal reflection layer surrounding led

Номер патента: EP3066698B1. Автор: Mark Melvin Butterworth. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2022-05-11.

Light emitting diode (LED) with three active regions and intensity control unit

Номер патента: GB2497183A. Автор: Eric Dias. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-05.

Led with local passivation layers

Номер патента: US20120037950A1. Автор: Yen-Chih Chiang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Deep ultraviolet LED with tunneling structure and preparation method thereof

Номер патента: CN113809211A. Автор: 张毅,张骏,岳金顺. Владелец: Suzhou Zican Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Multilayer package substrate with stress buffer

Номер патента: US11784113B2. Автор: Rajen Manicon Murugan,Yiqi Tang,Guangxu Li. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Multilayer package substrate with stress buffer

Номер патента: US20240112997A1. Автор: Rajen Manicon Murugan,Yiqi Tang,Guangxu Li. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Micro LED with wavelength conversion layer

Номер патента: US09484504B2. Автор: Andreas Bibl,Kelly McGroddy. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Packaging method and packaging structure of wafer-level LED with low heat resistance

Номер патента: CN104037305A. Автор: 陈栋,赖志明,陈锦辉,张黎. Владелец: Jiangyin Changdian Advanced Packaging Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-10.

Three-primary-color white light LED with low-spinor rhythm factor

Номер патента: CN107248511B. Автор: 刘凯,林岳,吕毅军,陈忠,朱丽虹,郭自泉,林苡,丘海华. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-12-31.

A kind of three primary colours white light LEDs with low department's occasion rhythm and pace of moving things factor

Номер патента: CN107248511A. Автор: 刘凯,林岳,吕毅军,陈忠,朱丽虹,郭自泉,林苡,丘海华. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-10-13.

LED with small mesa width

Номер патента: US12126139B2. Автор: Petar Atanackovic,Johnny Cai Tang. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Ceramic-substrate-contained white-light LED with low thermal resistance and high brightness

Номер патента: CN104393145A. Автор: 刘兰. Владелец: Jiangsu Wenrun Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-04.

Led with emitted light confined to fewer than ten transverse modes

Номер патента: US20220037857A1. Автор: Petar Atanackovic,Johnny Cai Tang. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Led with small mesa width

Номер патента: US20230238776A1. Автор: Petar Atanackovic,Johnny Cai Tang. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

GaN LEDs with improved output coupling efficiency

Номер патента: US6091085A. Автор: Steven D. Lester. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2000-07-18.

Preparation method of LED with local plasma enhancement effect

Номер патента: CN110828624A. Автор: 万巍,陈湛旭,丁润宏. Владелец: Guangdong Polytechnic Normal University. Дата публикации: 2020-02-21.

Flip chip LED with side reflectors encasing side surfaces of a semiconductor structure and phosphor

Номер патента: US12057535B2. Автор: Yeow-Meng Teo,Iwan-Wahyu SAPUTRA. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

A kind of method preparing the p-type AlGaN/AlInGaN electronic barrier layer near ultraviolet LED with doping content and Al component step variation

Номер патента: CN106299038A. Автор: 贾传宇,殷淑仪,张国义. Владелец: Sino Nitride Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-04.

Deep ultraviolet LED with step-type electronic barrier layer structure and preparation method

Номер патента: CN112382710A. Автор: 张骏,岳金顺,梁仁瓅. Владелец: Suzhou Zican Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Deep ultraviolet LED with component-gradient quantum well structure and preparation method

Номер патента: CN112382708A. Автор: 张骏,岳金顺,梁仁瓅. Владелец: Suzhou Zican Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

The structure and its adjusting method of a kind of GaN base LED with colour change function

Номер патента: CN106784190A. Автор: 张建立,江风益,刘军林,陶喜霞. Владелец: NANCHANG HUANGLV LIGHTING CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

INTEGRATION OF GALLIUM NITRIDE LEDS WITH ALUMINUM GALLIUM NITRIDE/GALLIUM NITRIDE DEVICES ON SILICON SUBSTRATES FOR AC LEDS

Номер патента: US20150014628A1. Автор: Chung Theodore. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2015-01-15.

Devices combining thin film inorganic leds with organic leds and fabrication thereof

Номер патента: US20190013366A1. Автор: Stephen R. Forrest,Kyusang Lee. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2019-01-10.

Devices Combining Thin Film Inorganic LEDs with Organic LEDs and Fabrication Thereof

Номер патента: US20170025484A1. Автор: Forrest Stephen R.,Lee Kyusang. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Devices combining thin film inorganic LEDs with organic LEDs and fabrication thereof

Номер патента: US10062738B2. Автор: Stephen R. Forrest,Kyusang Lee. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2018-08-28.

Devices combining thin film inorganic LEDs with organic LEDs and fabrication thereof

Номер патента: US10229958B2. Автор: Stephen R. Forrest,Kyusang Lee. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2019-03-12.

LED WITH SILICONE LAYER AND SHEET REMOTE LUMINOPHOR LAYER

Номер патента: RU2012108576A. Автор: Григорий БАСИН,Пол С. МАРТИН. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-09-20.

Integration of gallium nitride LEDs with aluminum gallium nitride/gallium nitride devices on silicon substrates for AC LEDs

Номер патента: TW201347228A. Автор: Theodore Chung. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2013-11-16.

Integration of gallium nitride leds with aluminum gallium nitride/gallium nitride devices on silicon substrates for ac leds

Номер патента: CN104170089A. Автор: T.钟. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2014-11-26.

LED with current spreading layer and fabrication method

Номер патента: US09705033B2. Автор: Meng-hsin YEH,Jyh-Chiarng Wu. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

SUBSTRATE WITH LITHIUM IMIDE LAYER, LED WITH LITHIUM IMIDE LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180062024A1. Автор: PENG Lung-Han,LI JIUN-YUN,PENG JUN-WEI,CHIU PO-YUAN. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Devices with a single metal layer

Номер патента: US20210384290A1. Автор: Ronald S. Cok,Matthew Meitl,Christopher Bower,Carl Prevatte. Владелец: X Display Company Technology Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Devices with a single metal layer

Номер патента: US20200052063A1. Автор: Ronald S. Cok,Matthew Meitl,Christopher Bower,Carl Prevatte. Владелец: X Display Company Technology Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Display device having a micro light emitting diode (LED) with a protective film

Номер патента: US12132038B2. Автор: Hyunwoo Kim,Jin Yeong Kim,Hyeon Ho Son,Hanchul Park,Seong Hwan Ju,Jung Eun Son. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Light emitting diodes (LEDs) with integrated CMOS circuits

Номер патента: US09941329B2. Автор: Ajey P. Jacob,Srinivasa Banna,Deepak Nayak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Ultra-small double LED devices with back-to-back construction and their manufacturing methods and Electrode assembly and manufacturing method of ultra-small double LED with back-to-back structure

Номер патента: KR20220014241A. Автор: 박병주. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-02-04.

Ultra-small double LED devices with back-to-back construction and their manufacturing methods and Electrode assembly and manufacturing method of ultra-small double LED with back-to-back structure

Номер патента: KR102375861B1. Автор: 박병주. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-03-16.

Led with light transmissive heat sink

Номер патента: CA2624507A1. Автор: George C. Wei,Adam M. Scotch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Dual junction led with non-overlapping segmentation

Номер патента: EP4430668A1. Автор: Nicola Bettina Pfeffer,Arjen Gerben Van Der Sijde,Erik William Young. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-09-18.

Led with upstanding nanowire structure and method of producing such

Номер патента: CN101669219B. Автор: L·萨穆尔森,B·佩德森,J·奥尔森. Владелец: BTG International Ltd. Дата публикации: 2011-10-05.

Led with upstanding nanowire structure and method of producing such

Номер патента: CN101669219A. Автор: L·萨穆尔森,B·佩德森,J·奥尔森. Владелец: BTG International Ltd. Дата публикации: 2010-03-10.

Phosphor converted leds with improved light uniformity including discrete light-scattering layers

Номер патента: WO2023107883A1. Автор: Hisashi Masui. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-06-15.

Segmented sapphire led with improved luminance confinement

Номер патента: WO2024129842A1. Автор: Wouter Soer. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Red light mini LED with P-side thin film conducting layer and preparation method thereof

Номер патента: CN115207182B. Автор: 陈宝,熊珊,李俊承,潘彬,林擎宇,王向武,梁文科,郑万乐,王克来. Владелец: Nanchang Kaijie Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Structured substrate for LEDs with high light extraction

Номер патента: US09412904B2. Автор: Pascal Guenard,Yohan Desieres,Philippe Gilet. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-08-09.

Dual junction LED with non-overlapping segmentation

Номер патента: US11789341B2. Автор: Nicola Bettina Pfeffer,Arjen Gerben Van Der Sijde,Erik William Young. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Light-emitting-diode (LED) with spherical lens

Номер патента: US4841344A. Автор: Jochen Heinen. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-06-20.

LED with transparent substrate

Номер патента: GB2379798A. Автор: Jin-Ywan Lin,Kuang-Neng Yang. Владелец: United Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-19.

Semiconductor led with wavelength conversion

Номер патента: RU2550753C2. Автор: Григорий БАСИН,Дмитрий САЙМОНИАН. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-05-10.

Led with silicate luminophors with modified surface

Номер патента: RU2569167C2. Автор: Гундула РОТ,Чунг Хоон ЛИ,Вальтер ТЕВС,Детлеф СТАРИК. Владелец: Сеул Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-11-20.

Led with controlled angular non-uniformity

Номер патента: RU2504047C2. Автор: Серж БИРХЭЙЗЕН,Вильем Силлевис СМИТ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-01-10.

Scalable LED with improved current spreading structures

Номер патента: US20040084684A1. Автор: James Ibbetson,Brian Thibeault,Eric Tarsa,Michael Mack. Владелец: Cree Lighting Co. Дата публикации: 2004-05-06.

GaN LED with solderable backside metal

Номер патента: US7190005B2. Автор: Hari S. Venugopalan,Ivan Eliashevich,Shawn R. Gibb,Robert F. Karlicek,Prosanto K. Mukerji. Владелец: Gelcore LLC. Дата публикации: 2007-03-13.

Three-terminal light emitting device (led) with built-in electrostatic discharge (esd) protection device

Номер патента: US20140231832A1. Автор: Jong-Jan Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-21.

Led with porous diffusing reflector

Номер патента: EP2132790A1. Автор: John Epler,Michael Krames,Hanmin Zhao. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2009-12-16.

LED with porous diffusing reflector

Номер патента: US7601989B2. Автор: Michael R. Krames,John E. Epler,Hanmin Zhao. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2009-10-13.

Electroluminescent structure and led with an el structure

Номер патента: EP1757170A1. Автор: Thomas Juestel,Dietrich Bertram. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2007-02-28.

ELECTRICAL DEVICE WITH STRESS BUFFER LAYER AND STRESS COMPENSATION LAYER

Номер патента: US20220367740A1. Автор: Clarke Andrew,Thomson Emily,Rondon Michael. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Electrical device with stress buffer layer and stress compensation layer

Номер патента: IL308540A. Автор: Andrew Clarke,Emily Thomson,Michael Rondon. Владелец: Michael Rondon. Дата публикации: 2024-01-01.

Method for packaging an integrated circuit device with stress buffer

Номер патента: US09691637B2. Автор: Navas Khan Oratti Kalandar,Nishant Lakhera,Akhilesh K. Singh. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having pad structure with stress buffer layer

Номер патента: US20120061823A1. Автор: Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Chao-Wen Shih,Wei-Cheng Wu,Tzuan-Horng LIU,Tzu-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Power semiconductor device with stress buffer layer

Номер патента: WO1994027319A1. Автор: Herbert Schwarzbauer. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 1994-11-24.

Semiconductor device having pad structure with stress buffer layer

Номер патента: US8283781B2. Автор: Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Chao-Wen Shih,Wei-Cheng Wu,Tzuan-Horng LIU,Tzu-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Power semiconductor device with stress buffer layer

Номер патента: EP0698290A1. Автор: Herbert Schwarzbauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-02-28.

Flip-chip soldering structure with stress buffering effect

Номер патента: TW459320B. Автор: Shr-Guan Chiou,Wei-Sen Tang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-11.

Interconnect structure with stress buffering ability and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW200737462A. Автор: Yung-Yu Hsu,Ra-Min Tain,Shyi-Ching Liau,Jr-Yuan Jeng. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-10-01.

Die embedded in substrate with stress buffer

Номер патента: US12080657B2. Автор: Jefferson Sismundo TALLEDO. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2024-09-03.

METHOD FOR PACKAGING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH STRESS BUFFER

Номер патента: US20170103905A1. Автор: Oratti Kalandar Navas Khan,Lakhera Nishant,SINGH Akhilesh K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

Micro-bump chip packaging structure with stress buffering effect and preparation method thereof

Номер патента: CN113594047A. Автор: 杨银堂,吴晓鹏,单光宝,管宏山,曹明鹏,汪芳倩. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2021-11-02.

Die embedded in substrate with stress buffer

Номер патента: US20230187384A1. Автор: Jefferson Sismundo TALLEDO. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2023-06-15.

DIE EMBEDDED IN SUBSTRATE WITH STRESS BUFFER

Номер патента: US20210343658A1. Автор: TALLEDO Jefferson Sismundo. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of forming through-silicon vias with stress buffer collars and resulting devices

Номер патента: CN101199049A. Автор: M·纽曼,L·阿拉纳,D·纳特卡,C·古鲁默西. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-11.

Copper post cushion block and preparation method thereof with stress buffer and anisotropic conductive

Номер патента: CN110444484A. Автор: 李欣,李靖,陆国权,梅云辉. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of forming through-silicon vias with stress buffer collars and resulting devices

Номер патента: TW200707645A. Автор: Michael Newman,Leonel Arana,Charan K Gurumurthy,Devendra Natekar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-02-16.

Method of forming through-silicon vias with stress buffer collars and resulting devices

Номер патента: US20080251932A1. Автор: Michael Newman,Leonel R. Arana,Charan K. Gurumurthy,Devendra Natekar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor devices having contact plugs with stress buffer spacers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20100159689A1. Автор: Jong-wook Lee,Yu-Gyun Shin,Yong-Hoon Son,Deok-Hyung Lee,In-Soo Jung,Young-Eun Lee,Sun-Ghil Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-24.

Bonding Structure with Stress Buffer Zone and Method of Forming Same

Номер патента: US20240006352A1. Автор: Yu-Ping TSENG,Li-Hsien HUANG,Yao-Chun Chuang,Yinlung Lu,SyuFong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Electronic devices with semiconductor die attached with sintered metallic layers, and methods of formation of such devices

Номер патента: US09875987B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Electrical interconnection structures including stress buffer layers

Номер патента: US8872306B2. Автор: Jeong-Woo Park,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-28.

SEMICONDUCTOR CONTACT STRUCTURE HAVING STRESS BUFFER LAYER FORMED BETWEEN UNDER BUMP METAL LAYER AND COPPER PILLAR

Номер патента: US20210104478A1. Автор: LIN YU-JIE. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

ELECTRICAL INTERCONNECTION STRUCTURES INCLUDING STRESS BUFFER LAYERS

Номер патента: US20130334656A1. Автор: PARK JEONG-WOO,CHOI Ju-Il,JIN Jeonggi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-19.

Stress Buffer Layer in Embedded Package

Номер патента: US20200203249A1. Автор: AOYA KENGO,Poddar Anindya,KIM Woochan,MATSUURA Masamitsu,MASUMOTO Mutsumi,Arora Vivek Kishorechand,Nguyen Hau Thanh. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

PACKAGE COMPRISING A SUBSTRATE THAT INCLUDES A STRESS BUFFER LAYER

Номер патента: US20210249361A1. Автор: Fuchs Gerhard,Haas Andreas,Brunner Sebastian,Wiesbauer Kurt,FAULHABER Horst Uwe,RAK Florian,TINAUER Franz,LEITINGER Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Stress Buffer Layer in Embedded Package

Номер патента: US20190385924A1. Автор: AOYA KENGO,Poddar Anindya,KIM Woochan,MATSUURA Masamitsu,MASUMOTO Mutsumi,Arora Vivek Kishorechand,Nguyen Hau Thanh. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Display device having stress buffer layered vias

Номер патента: US10886482B2. Автор: Ming Liu,Xiaolong Li,Yueping Zuo,Shuai ZHANG,Shantao CHEN,Qiuhua Meng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-05.

Semiconductor device package including stress buffering layer

Номер патента: US11721678B2. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN,Wen Hung HUANG,Shih-Yu Wang,Yuh-Shan SU,Chien-Mei HUANG,I-Ting Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Package including a substrate including a stress buffer layer

Номер патента: KR102497092B1. Автор: 세바슈티안 브루너,쿠르트 비스바우어,호르스트 우베 파울하버,플로리안 락,안드레아스 하스,프란츠 티나우어,슈테판 라이팅거,게르하르트 푸히스. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2023-02-06.

Led with molded reflective sidewall coating

Номер патента: EP2457267A1. Автор: Gregory W. Eng,Serge J. Bierhuizen. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2012-05-30.

LED with scattering features in substrate

Номер патента: US09893253B2. Автор: Hans-Helmut Bechtel,Kenneth VAMPOLA. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Vertical led with conductive vias

Номер патента: EP2176891A1. Автор: James Stuart Mckenzie,Majd Zoorob. Владелец: Photonstar Led Ltd. Дата публикации: 2010-04-21.

Micro-led with reflectance redistribution

Номер патента: WO2023064466A1. Автор: Nicola Bettina Pfeffer,Arjen Gerben Van Der Sijde,Antonio Lopez Julia. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Micro-led with reflectance redistribution

Номер патента: EP4416771A1. Автор: Nicola Bettina Pfeffer,Arjen Gerben Van Der Sijde,Antonio Lopez Julia. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

LED with scattering features in the substrate

Номер патента: CN108198918B. Автор: K.范波拉,H-H.贝奇特尔. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2020-10-02.

Vertical LED with current guiding structure

Номер патента: TW200919783A. Автор: Chen-Fu Chu,Hao-Chun Cheng,Feng-Hsu Fan,Wen-Huang Liu,Chao-Chen Cheng,Yuan-Hsiao Chang,Jiunn-Yi Chu. Владелец: Semi Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-01.

Flip-chip side emitting LED with top reflector, peripheral wavelength conversion element, and optical element between light emitting element and lightguide element

Номер патента: US09960330B2. Автор: Giovanni Cennini,Kenneth VAMPOLA,Jianghong Yu,Nicolaas Joseph Martin Van Leth,Hugo Johan Comelissen. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-05-01.

Thin multi-well active layer led with controlled o doping

Номер патента: WO2001047035A1. Автор: Stephen A. Stockman,Patrick N. Grillot,Jen-Wu Huang,Eugene I. Chen. Владелец: Lumileds Lighting, U.S., Llc. Дата публикации: 2001-06-28.

Green LED With Current-Invariant Emission Wavelength

Номер патента: US20240297270A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Red LED With Low Forward Voltage, High Wall Plug Efficiency, And High Operating Current Density

Номер патента: US20240297267A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Microcavity LED with photon recycling with photon recycling

Номер патента: KR970024394A. Автор: 에스. 레비 마이클,이. 악클레이 도날드,시 챈-롱. Владелец: 밴센트 비. 인그라시아. Дата публикации: 1997-05-30.

UV-LED with quantum dot structure

Номер патента: CN104966768B. Автор: 张�雄,崔平,崔一平,栾华凯. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-24.

LED with improved light extraction

Номер патента: EP1432046A3. Автор: Mira S. c/o Lumileds Lighting U.S. LLC Misra,Yu-Chen c/o Lumileds Lighting US. LLC Shen,Stephen A. Lumileds Lighting U.S. LLC Stockman. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2004-07-14.

UV LED with tunnel-injection layer

Номер патента: US09705030B2. Автор: Michael Kneissl,Tim Kolbe. Владелец: Forschungsverbund eV. Дата публикации: 2017-07-11.

Green led with current-invariant emission wavelength

Номер патента: EP4315433A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-02-07.

Qw-qwd led with suppressed auger recombination

Номер патента: US20210005779A1. Автор: Michael Shur,Alexander L. Efros. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2021-01-07.

LED with active region disposed within an optical cavity defined by an embedded nanostructured layer and a reflector

Номер патента: US11942571B2. Автор: Toni LOPÉZ,Venkata Ananth TAMMA. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

LED with a current confinement structure aligned with a contact

Номер патента: US8410499B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Max Batres. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Blue LED with in-plane contact with superlattice current spreading layer

Номер патента: JP5795432B2. Автор: ゼンチェン，,ウィリアムフェンウィック，,スティーブレスター，. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-14.

Micro-led with integrated can bus and actuators in transportation vehicles

Номер патента: WO2024130441A1. Автор: John Cronin,Gholamreza Chaji. Владелец: VueReal Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Micro-led with integrated transportation vehicles sensors

Номер патента: WO2024130438A1. Автор: John Cronin,Gholamreza Chaji. Владелец: VueReal Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Metal filling in a dielectric layer under metal layer one (M1)and above an active device layer in semiconductor devices

Номер патента: US11195793B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US20170069574A1. Автор: Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09824971B2. Автор: Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09627336B2. Автор: Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin,Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09536833B2. Автор: Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09847294B2. Автор: Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin,Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322316A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor structrure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150333021A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,An-Chi KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09824987B2. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09418951B2. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Reui Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Nanosheet with graded silicon germanium layer under isolation region and with buried tapered inner spacer

Номер патента: US20240145238A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Julien Frougier,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

IC structure including porous semiconductor layer under trench isolation

Номер патента: US12027582B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Uzma B. Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Super-junction schottky oxide pin diode having thin P-type layers under the schottky contact

Номер патента: US09577117B2. Автор: Ning Qu,Alfred Goerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods for reducing etch rate loading while etching through a titanium nitride anti-reflective layer and an aluminum-based metallization layer

Номер патента: US5952244A. Автор: Susan C. Abraham,Peter H. Chen,Jerry Yang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1999-09-14.

Semiconductor device having a solder blocking metal layer

Номер патента: US11031365B2. Автор: Fumio Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

Method of forming metal layer(s) and/or antireflective coating layer(s) on an integrated circuit

Номер патента: US6187667B1. Автор: Ende Shan,Gorley Lau,Sam G. Geha. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Integrated circuit with identification signal writing circuitry distributed on multiple metal layers

Номер патента: US5787012A. Автор: Marc E. Levitt. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1998-07-28.

Borderless vias with HSQ gap filled patterned metal layers

Номер патента: US6060384A. Автор: Robert Dawson,Khanh Tran,Robert C. Chen,Jeffrey A. Shields. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Vertical power MOSFET having thick metal layer to reduce distributed resistance

Номер патента: US6066877A. Автор: Richard K. Williams,Mohammad Kasem. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2000-05-23.

Method for forming a patterned metallic layer in a thin film magnetic head

Номер патента: US5846441A. Автор: Jae-Woo Roh. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-08.

Metal layer patterning method

Номер патента: US4642168A. Автор: Yuji Imai. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1987-02-10.

Method of reducing stress corrosion induced voiding of patterned metal layers

Номер патента: US6333263B1. Автор: Minh Van Ngo,Simon S. Chan,Anne E. Sanderfer,King Wai Kelwin Ko. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-12-25.

Method of producing a metallization layer structure

Номер патента: US5096749A. Автор: Shigeki Harada,Masahiro Sugimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-03-17.

Method of fabricating A1N anti-reflection coating on metal layer

Номер патента: US6017816A. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuei-Chang Tsai. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2000-01-25.

Dielectric posts in metal layers

Номер патента: US8957523B2. Автор: Fan Zhang,Yeow Kheng Lim,Wei Shao,Soh Yun Siah,Juan Boon Tan,Mahesh BHATKAR. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-02-17.

Method of manufacturing semiconductor device with sidewall metal layers

Номер патента: US20020048889A1. Автор: Yuji Ando,Yasuo Ohno,Kouji Matsunaga,Yuji Takahashi,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Nobuyuki Hayama,Masaaki Kuzuhara,Kensuke Kasahara,Kazuaki Kunihiro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Film with attached metal layer for electronic components, production method thereof, and applications thereof

Номер патента: EP2412519A4. Автор: Yoshimasa Yamamoto,Nobuyuki Maki,Hidenori Hashimoto. Владелец: Du Pont Mitsui Polychemicals Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Phase change memory cell with a metal layer

Номер патента: US11038106B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Electrochemical planarization of metal layers using a bipolar electrode assembly

Номер патента: WO1999065072A1. Автор: John A. Adams,Gerald A. Krulik,Everett D. Smith. Владелец: Speedfam-Ipec Corporation. Дата публикации: 1999-12-16.

Electronic modules with interconnected surface metallization layers and fabrication methods therefore

Номер патента: US5466634A. Автор: Claude L. Bertin,John E. Cronin,Wayne J. Howell,Robert B. Phillips,Kenneth E. Beilstein, Jr.,James M. Leas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-11-14.

Semiconductor device having cap-metal layer

Номер патента: US5635763A. Автор: Yasuhiko Yamashita,Yasunori Inoue,Shinichi Tanimoto,Kiyoshi Yoneda,Kazutoshi Tsujimura,Yoshikazu Ibara. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-03.

Semiconductor memory device with triple metal layer

Номер патента: US5930166A. Автор: Jun-Young Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Passivation of copper interconnect surfaces with a passivating metal layer

Номер патента: US6100195A. Автор: Lap Chan,Kheng Chok Tee,Kuan Pei Yap,Flora S. Ip,Wye Boon Loh. Владелец: Institute of Microelectronics ASTAR. Дата публикации: 2000-08-08.

Method for patterning a surface with a metal by controlling the generation of cracks or gaps in a deposited metal layer

Номер патента: SE1850194A1. Автор: Johan Mathiasson,Sara Lotfi. Владелец: Solibro Res Ab. Дата публикации: 2019-08-23.

Aluminum nitride sintered body formed with metallized layer and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1333241C. Автор: Akira Sasame,Hitoyuki Sakanoue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-11-29.

Method for bonding a wire to a metal layer

Номер патента: GB1294770A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1972-11-01.

Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer

Номер патента: EP1167567A1. Автор: Ashok Sinha,Hua Chung,Jeong Soo Byun,Ming Xi,Lawrence Chung-Lai Lei,Karl A. Littau,Moris Kori,Alfred W. Mak,Ken Kaung Lai,Xinliang Lu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-01-02.

Stacked structure having matrix-fibered composite layers and a metal layer

Номер патента: US4482912A. Автор: Keiichi Kuniya,Seiki Shimizu,Akio Chiba,Jin Onuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-11-13.

Method of etching a metal layer using a mask, a metallization method for a semiconductor device, a method of etching a metal layer, and an etching gas

Номер патента: US20040038547A1. Автор: Chang-jin Kang,Byeong-Yun Nam,Seung-Young Son,Cheol-kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-26.

Methods for symmetric deposition of a metal layer in the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: US20070167007A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Chi-Tung Huang,Ling-Wuu Yang,Sheng-Hui Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Ceramic substrate provided with metallized layers for connection with chip, circuit board, or the like

Номер патента: US5484963A. Автор: Junichi Washino. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1996-01-16.

Plurality of Different Size Metal Layers for a Pad Structure

Номер патента: US20220359371A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang,Chia-Wei Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Vertical power mosfet having thick metal layer to reduce distributed resistance

Номер патента: US5665996A. Автор: Richard K. Williams,Mohammad Kasem. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1997-09-09.

Device for determining the mask version utilized for each metal layer of an integrated circuit

Номер патента: US20040143805A1. Автор: Arnaud Deleule. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device having gate electrode of stacked structure including polysilicon layer and metal layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040041213A1. Автор: Atsushi Azuma,Kazuya Ohuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Fringe capacitor arranged based on metal layers with a selected orientation of a preferred direction

Номер патента: US11532546B2. Автор: Viet Thanh Dinh,Bartholomeus Wilhelmus Christiaan Hovens,Marina Vroubel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-12-20.

Matching unit capacitor with multiple metal layers

Номер патента: US20230370085A1. Автор: Lei Sun,Henry Lau,Behnam Sedighi,Aram AKHAVAN,Tszwing CHOI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

3d memory devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240090242A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Thin film transistor array substrate having metal layer bridging structure and display panel including the same

Номер патента: US11908870B2. Автор: Xing Ming,Zhongtao Cao. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Infrared imager with integrated metal layers

Номер патента: US20140092256A1. Автор: Pierre Boulanger,Nicholas Högasten,Katrin Strandemar,Theodore R. Hoelter,Barbara Sharp,Eric A. Kurth,Mark Nussmeier,Brian Simolon,Steve Barskey. Владелец: Flir Systems Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Plated metal layer in power packages

Номер патента: US11784114B2. Автор: Liang Wan,Osvaldo Jorge Lopez,Rajen Manicon Murugan,Jonathan Almeria Noquil,Yiqi Tang,Makarand Ramkrishna Kulkarni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11961827B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Metal layer protection during wet etching

Номер патента: US20230420540A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US11935949B1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

3D memory devices and structures with metal layers

Номер патента: US11930648B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11923374B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11916045B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of selectively forming cobalt metal layer by using cobalt compound, and method of fabricating semiconductor device by using cobalt compound

Номер патента: US20230257409A1. Автор: Soyoung LEE,Jaesoon Lim,Younjoung CHO,Masashi Shirai,Hiroshi Nihei. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Joined body of joining base material and metal layer

Номер патента: US11889635B2. Автор: Yukihisa Hiroyama,Hidenori Hayashida,Hideyuki Matsuo,Hiroyuki Hayashida. Владелец: World Metal Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Etching composition, a method of etching a metal barrier layer and a metal layer using the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11795550B2. Автор: Jin Uk Lee,Jung Hun Lim,Hyosan Lee,Jinwoo Lee,Mihyun PARK,Hoon Han,Keonyoung KIM,Jungah Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Composite IC chips including a chiplet embedded within metallization layers of a host IC chip

Номер патента: US11749649B2. Автор: Patrick Morrow,Adel Elsherbini,Johanna Swan,Shawna Liff,Van Le,Gerald Pasdast. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20230307283A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20230420283A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20230378339A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit (ic) device with metal layer including staggered metal lines

Номер патента: US20240105589A1. Автор: Patrick Morrow,Sukru Yemenicioglu,Shao Ming Koh,June CHOI,Nikhil Jasvant Mehta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

3d-stacked semiconductor device including gate structure with rmg inner spacer protecting lower work-function metal layer

Номер патента: EP4270461A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

NAND-BASED 2T2b NOR FLASH ARRAY WITH A DIODE CONNECTION TO CELL'S SOURCE NODE FOR SIZE REDUCTION USING THE LEAST NUMBER OF METAL LAYERS

Номер патента: US20110292738A1. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Variation of metal layer stack under under bump metallization (UBM)

Номер патента: US11894829B2. Автор: Ute STEINHAEUSSER,Niklaas Konopka,Alexander Landel. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240128237A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Ic package with metal interconnect structure implemented between metal layers of die and interposer

Номер патента: US20150187690A1. Автор: Brian Young. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-07-02.

Ac-coupled switch and metal capacitor structure for nanometer or low metal layer count processes

Номер патента: US20180145068A1. Автор: Baker Scott,Marcus Granger-Jones,Dirk Robert Walter Leipold,George Maxim. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US11791338B2. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-17.

TFT array substrate and display panel where the second metallic layer is withdrawn for a distance to prevent problems such as broken film and oxidization

Номер патента: US11127761B2. Автор: YANG Zhao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Method for applying a final metal layer for wafer level packaging and associated device

Номер патента: EP2878010A1. Автор: Guy F. Burgess,Anthony P. Curtis,Douglas M. Scott,Shannon D. Buzard. Владелец: Flipchip International LLC. Дата публикации: 2015-06-03.

Method for applying a final metal layer for wafer level packaging and associated device

Номер патента: US20130328203A1. Автор: Guy F. Burgess,Anthony P. Curtis,Douglas M. Scott,Shannon D. Buzard. Владелец: Flipchip International LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

High density metal layers in electrode stacks for transition metal oxide dielectric capacitors

Номер патента: US20230402499A1. Автор: Kaan OGUZ,Tristan TRONIC,Neelam Prabhu Gaunkar,Thomas Sounart. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for Patterning a Power Metallization Layer, Electronic Device and Method for Processing an Electronic Device

Номер патента: US20180358299A1. Автор: Petra Fischer,Peter Zorn,Johanna Schlaminger,Monika Cornelia Voerckel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-12-13.

Metal layers for increasing polarization of ferroelectric memory device

Номер патента: US20230145317A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Micro-electromechanical device having a soft magnetic material electrolessly deposited on a metal layer

Номер патента: US20210395080A1. Автор: Eugene J. O'Sullivan,William J. Gallagher,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor structure including silicon and oxygen-containing metal layer and process thereof

Номер патента: US20160020104A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor Laser with Cathode Metal Layer Disposed in Trench Region

Номер патента: US20150110145A1. Автор: Scott Eugene Olson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2015-04-23.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20230395572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device including a self-formed barrier metal layer

Номер патента: US20240006233A1. Автор: Shih-Kang Fu,Hsien-Chang Wu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Air gap with inverted t-shaped lower portion extending through at least one metal layer, and related method

Номер патента: US20230411208A1. Автор: LIU Xinfu,Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wensheng Deng,Kemao LIN,Yanxia Shao,Shucheng Yin,Jason Kin Wei Wong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Cryogenic oxidation of metal layer of magnetic-tunnel-junction (MTJ) device

Номер патента: US10847713B2. Автор: Woo Chang Lim,Jun Ho Jeong,Whan Kyun Kim,Eun Sun Noh,Joon Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-24.

Cryogenic oxidation of metal layer of magnetic-tunnel-junction (mtj) device

Номер патента: US20190355900A1. Автор: Woo Chang Lim,Jun Ho Jeong,Whan Kyun Kim,Eun Sun Noh,Joon Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device having barrier metal layer

Номер патента: US9412683B2. Автор: Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor structure with gate metal layer

Номер патента: US11876118B2. Автор: Cheng-Wei Chou,Shin-Cheng Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US20220149041A1. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-05-12.

Double-side organic light emitting diode with composite anode and cathode including transparent metal layers

Номер патента: US9799855B2. Автор: Jinchuan Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Power semiconductor device having a structured metallization layer

Номер патента: US20220285149A1. Автор: Andreas Behrendt,Johann Schmid,Ravi Keshav Joshi,Richard Gaisberger,Juergen Steinbrenner,Anita Satz,Johanna Schlaminger,Mario Stanovnik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-09-08.

Low Resistance Fill Metal Layer Material as Stressor in Metal Gates

Номер патента: US20210183858A1. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US20230369331A1. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-11-16.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11967583B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Integrated circuit including standard cell with a metal layer having a pattern and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240128159A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Seungyoung Lee,Jaehee Cho,Jisu YU,Geonwoo Nam,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Array substrate comprising a first metal layer electrically connected to a first doped area through a bridge layer and display panel

Номер патента: US11796847B2. Автор: Yong Xu,Fei AI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Plurality of different size metal layers for a pad structure

Номер патента: US11784124B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang,Chia-Wei Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor metal layer structure over cell region

Номер патента: US20230281373A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Chi-Yu Lu,Shang-Hsuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: WO2018191047A2. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of fabricating semiconductor package having metal layer

Номер патента: US20170236787A1. Автор: Tsung-Hsien Tsai,Chun-Chi Ke,Chih-Hsien Chiu,Chia-Yang Chen,Hsin-Lung Chung,Hao-Ju Fang,Cho-Hsin Chang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Finger metal oxide metal capacitor formed in a plurality of metal layers

Номер патента: US20150171004A1. Автор: Shafiq M. Jamal,Shingo Hatanaka,Hung Sheng Lin. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20230335535A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US11881443B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20230395608A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of manufacturing semiconductor device with a metal layer along a step portion

Номер патента: US9768125B2. Автор: Toru Hiyoshi,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for applying a final metal layer for wafer level packaging and associated device

Номер патента: US20150270223A1. Автор: Guy F. Burgess,Anthony P. Curtis,Douglas M. Scott,Shannon D. Buzard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-24.

Layered cooling structure including insulative layer and multiple metallization layers

Номер патента: US20190244872A1. Автор: FENG Zhou,Ercan Mehmet DEDE,Yanghe Liu. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Ferroelectric memory device with a metal layer having a crystal orientation for improving ferroelectric polarization and method for forming the ferroelectric memory device

Номер патента: US11903217B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US11869965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US11862503B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US11854857B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Forming a solder joint between metal layers

Номер патента: US20170120361A1. Автор: Kazushige Toriyama,Akihiro Horibe,Hiroyuki Mori,Toyohiro Aoki,Ting-Li Yang,Yasumitsu Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Forming a solder joint between metal layers

Номер патента: US20160066435A1. Автор: Kazushige Toriyama,Akihiro Horibe,Hiroyuki Mori,Toyohiro Aoki,Ting-Li Yang,Yasumitsu Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Forming a solder joint between metal layers

Номер патента: US10252363B2. Автор: Kazushige Toriyama,Akihiro Horibe,Hiroyuki Mori,Toyohiro Aoki,Ting-Li Yang,Yasumitsu Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Forming a solder joint between metal layers

Номер патента: US9586281B2. Автор: Kazushige Toriyama,Akihiro Horibe,Hiroyuki Mori,Toyohiro Aoki,Ting-Li Yang,Yasumitsu Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: WO2018191047A3. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-22.

Method of Manufacturing a Device by Locally Heating One or More Metalization Layers and by Means of Selective Etching

Номер патента: US20160155861A1. Автор: Roland Rupp,Stefan Woehlert,Thomas Gutt,Michael Treu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-02.

Third Metal Layer for Thin Film Transistor witih Reduced Defects in Liquid Crystal Display

Номер патента: US20140211120A1. Автор: John Z. Zhong,Shih Chang Chang,Young Bae Park,Byung Duk Yang,Kyung Wook KIM. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Multiple Metal Layer Semiconductor Device and Low Temperature Stacking Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20180226337A1. Автор: Xiaomeng Chen,Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Low inductance top metal layer design

Номер патента: US6274925B1. Автор: Siamak Fazelpour. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2001-08-14.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US11804396B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Package comprising integrated devices coupled through a metallization layer

Номер патента: US11784157B2. Автор: Jianwen Xu,William Stone,Ryan Lane,Charles David Paynter,Li-Sheng WENG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Methods and apparatus for depositing a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20150292100A1. Автор: Wolfgang-Michael Schulz,Matthias Spang. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-10-15.

Switching metal line configurations in metal layer structures

Номер патента: US20040087132A1. Автор: Siegfried Hesse. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

3D semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US11984445B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Chip mode isolation and cross-talk reduction through buried metal layers and through-vias

Номер патента: US20150155468A1. Автор: Mary E. Rothwell,David W. Abraham,Christian Lavoie,George A. Keefe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Low resistance fill metal layer material as stressor in metal gates

Номер патента: US11923367B2. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for deposition of metal layers from metal carbonyl precursors

Номер патента: WO2006057706A2. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2006-06-01.

Method for deposition of metal layers from metal carbonyl precursors

Номер патента: EP1815043A2. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-08-08.

Metal layer inducing strain in silicon

Номер патента: WO2008005216A3. Автор: Reza Arghavani,Jianming Fu. Владелец: Jianming Fu. Дата публикации: 2008-03-20.

A fringe capacitor arranged based on metal layers with a selected orientation of a preferred direction

Номер патента: EP4084103A1. Автор: Viet Thanh Dinh,Bartholomeus Wilhelmus Christiaan Hovens,Marina Vroubel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-11-02.

Fringe capacitor arranged based on metal layers with a selected orientation of a preferred direction

Номер патента: US20220344257A1. Автор: Viet Thanh Dinh,Bartholomeus Wilhelmus Christiaan Hovens,Marina Vroubel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-10-27.

Metal layer patterning for minimizing mechanical stress in integrated circuit packages

Номер патента: US20210066221A1. Автор: Alexander Barr,Yaoyu Pang,Marc L. Tarabbia,Kathryn Rose Holland. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Metal layer patterning for minimizing mechanical stress in integrated circuit packages

Номер патента: EP4022675A1. Автор: Alexander Barr,Yaoyu Pang,Marc L. Tarabbia,Kathryn Rose Holland. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Metal layer patterning for minimizing mechanical stress in integrated circuit packages

Номер патента: WO2021041044A1. Автор: Alexander Barr,Yaoyu Pang,Marc L. Tarabbia,Kathryn Rose Holland. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of forming silicided gates using buried metal layers

Номер патента: US20080157258A1. Автор: Shaofeng Yu,Steven Arthur Vitale. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11784169B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Use of a graphite heat-dissipation device including a plating metal layer

Номер патента: US20120132404A1. Автор: Ko-Chun Chen,Chiu-Lang Lin. Владелец: Wah Hong Industrial Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Contact fuse which does not touch a metal layer

Номер патента: WO2007016685A2. Автор: Robert L. Pitts,Bryan Sheffield,Joe Mcpherson,Roger Griesmer. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-02-08.

Electrostatic discharge (esd) circuit with diodes in metal layers of a substrate

Номер патента: US20230197709A1. Автор: Yao-Feng CHANG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated circuit comprising memory cells with air gaps in upper metal layers

Номер патента: EP4105975A1. Автор: Travis W. LaJoie,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Hui Jae Yoo,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma,Alekhya Nimmagadda,Albert B. CHEN,Miriam R. Reshotko. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Etchant composition for titanium-containing metal layer and etching method using the same

Номер патента: US20230287574A1. Автор: Se Hoon Kim,Sang Seung PARK,Yang Ryoung KIM,Bo Yeon LEE,Min Gyeong JEONG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Plug in a metal layer

Номер патента: US20240113017A1. Автор: Tahir Ghani,Gurpreet Singh,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Low-pressure deposition of ruthenium and rhenium metal layers from metal-carbonyl precursors

Номер патента: WO2006038954A1. Автор: Kenji Suzuki,Sandra G. Malhotra,Yumiko Kawano,Hideaki Yamasaki,Emmanuel Guidotti,Fenton R. McFeely,Gert J. Leusink,Enrico Mosca. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2006-04-13.

Matching unit capacitor with multiple metal layers

Номер патента: WO2023219774A1. Автор: Lei Sun,Henry Lau,Behnam Sedighi,Aram AKHAVAN,Tszwing CHOI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-11-16.

Split metallization layers in multichip devices

Номер патента: US20240063133A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Shawna Liff,Omkar Karhade,Beomseok CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Electro-conductive back-sheet comprising an aluminium and a metal layer

Номер патента: EP3691890A1. Автор: Robert Janssen,Franciscus Gerardus Henricus Van Duijnhoven. Владелец: DSM IP ASSETS BV. Дата публикации: 2020-08-12.

Semiconductor Device Including Bonding Pad Metal Layer Structure

Номер патента: US20230395539A1. Автор: Joachim Hirschler,Thomas Rupp,Jens Brandenburg,Carsten Schaeffer,Oliver Humbel,Evelyn Napetschnig,Christoffer Erbert,Julia Zischang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-07.

Metal layer protection during wet etching

Номер патента: US11984491B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Etching composition, a method of etching a metal barrier layer and a metal layer using the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20210254224A1. Автор: Jin Uk Lee,Jung Hun Lim,Hyosan Lee,Jinwoo Lee,Mihyun PARK,Hoon Han,Keonyoung KIM,Jungah Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Etching composition, a method of etching a metal barrier layer and a metal layer using the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20200087798A1. Автор: Jin Uk Lee,Jung Hun Lim,Hyosan Lee,Jinwoo Lee,Mihyun PARK,Hoon Han,Keonyoung KIM,Jungah Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240079488A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Display device including protection layer covering metal layer in TFT layer, method for producing display device, and apparatus for producing display device

Номер патента: US11985869B2. Автор: Masaru Sugata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11990462B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20240145289A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Buried via through front-side and back-side metallization layers with optional cylindrical mim capacitor

Номер патента: US20240105584A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit implementing standard cells with metal layer segments extending out of cell boundary

Номер патента: WO2018013472A1. Автор: Ioan Cordos,Omid Rowhani,Kerry HAMEL,Donald Clay. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2018-01-18.

Cell structure with intermediate metal layers for power supplies

Номер патента: US20220328410A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shun Li CHEN,Ting Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20240178040A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of plating metal layer over isolated pads on semiconductor package substrate

Номер патента: US20040209395A1. Автор: Chih-Liang Chu,Wei-Sheng Yang,Kuo-Sheng Wei. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Cell structure with intermediate metal layers for power supplies

Номер патента: US11764155B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shun Li CHEN,Ting Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

3d-stacked semiconductor device including gate structure with rmg inner spacer protecting lower work-function metal layer

Номер патента: US20230343845A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Variation of metal layer stack under under bump metallization (ubm)

Номер патента: US20210143790A1. Автор: Ute STEINHAEUSSER,Niklaas Konopka,Alexander Landel. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Cell structure with intermediate metal layers for power supplies

Номер патента: US20230387015A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shun Li CHEN,Ting Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit with thicker metal lines on lower metallization layer

Номер патента: US20210390240A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Yuan-Te Hou,Kuang-Hung Chang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for producing a metallization having two multiple alternating metallization layers for at least one contact pad and semiconductor wafer having said metallization for at least one contact pad

Номер патента: US20120080794A1. Автор: Victor Sidorov,Joachim Wuerfl,Rimma Zhytnytska. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2012-04-05.

Diffusion bond of metallic layers in multijunction solar cells

Номер патента: US10825948B1. Автор: Michael Riley,Arthur Cornfeld,Mark Stan. Владелец: SolAero Technologies Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor element comprising a MIM capacitor and a via hole, a bottom of the via hole being placed between a rear surface of a source electrode and a rear surface of a barrier metal layer

Номер патента: US11881516B2. Автор: Kohei Nishiguchi,Kohei Miki,Shinichi Miyakuni. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Magnetic tunnel junction between metal layers of a semiconductor device

Номер патента: US20150200353A1. Автор: Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai,Hyun-Jin Cho,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Organic light emitting display having a first insulating layer and a gate metal layer constitute a first capacitor

Номер патента: US20180138253A1. Автор: Kiyoung Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

One-time programmable fuse using pn junction over gate metal layer, and related method

Номер патента: US20240188287A1. Автор: Shesh Mani Pandey,George Robert MULFINGER,Md Nasir Uddin Bhuyian,Adam S. Rosenfeld,Selina A. Mala. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Plated metal layer in power packages

Номер патента: US20240047330A1. Автор: Liang Wan,Osvaldo Jorge Lopez,Rajen Manicon Murugan,Jonathan Almeria Noquil,Yiqi Tang,Makarand Ramkrishna Kulkarni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated circuit with thicker metal lines on lower metallization layer

Номер патента: US12008302B2. Автор: Chung-Hsing Wang,Yuan-Te Hou,Kuang-Hung Chang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device having barrier metal layer

Номер патента: US9018764B2. Автор: Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Semiconductor device having barrier metal layer

Номер патента: US20150206828A1. Автор: Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor structure having a thermal shunt below a metallization layer and integration schemes

Номер патента: US11842940B2. Автор: Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Alvin Joseph,MARK David LEVY. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Metal layer arrangement

Номер патента: WO2017029187A1. Автор: Steffen Trautmann,Christoph STERBENZ. Владелец: Lantiq Beteiligungs-GmbH & Co.KG. Дата публикации: 2017-02-23.

Layer structure including metal layer and carbon layer, method of manufacturing the layer structure, electronic device including the layer structure, and electronic apparatus including the electronic device

Номер патента: US20230070355A1. Автор: Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor Device Power Metallization Layer with Stress-Relieving Heat Sink Structure

Номер патента: US20210183732A1. Автор: Werner Robl,Olaf Heitzsch,Jakob Kriz,Michael Nelhiebel,Bernhard Weidgans,Sven Lanzerstorfer,Rainer Pelzer,Heiko Assmann,Johannes Zechner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-06-17.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: SG11201908898QA. Автор: Correale, Jr,Goodall, Iii,Philip Iles. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-30.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: EP3610507A2. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Low Resistance Fill Metal Layer Material as Stressor in Metal Gates

Номер патента: US20220384439A1. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Integrated circuit with thicker metal lines on lower metallization layer

Номер патента: US20230205966A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Yuan-Te Hou,Kuang-Hung Chang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Buried via through front-side and back-side metallization layers with optional cylindrical mim capacitor

Номер патента: EP4345894A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Word line and power conductor within a metal layer of a memory cell

Номер патента: US20130182484A1. Автор: Gus Yeung,Yew Keong Chong. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2013-07-18.

Method of fabricating a metal layer

Номер патента: US20190198334A1. Автор: Yen-Chen Chen,Hai Tao LIU,Shouguo Zhang,Ming Hua Du. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Package comprising integrated devices coupled through a metallization layer

Номер патента: EP4348702A1. Автор: Jianwen Xu,William Stone,Ryan Lane,Charles David Paynter,Li-Sheng WENG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Package comprising integrated devices coupled through a metallization layer

Номер патента: WO2022256117A1. Автор: Jianwen Xu,William Stone,Ryan Lane,Charles David Paynter,Li-Sheng WENG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor interconnect structure having a graphene-based barrier metal layer

Номер патента: US20150041981A1. Автор: Junjing Bao,Xuesong Li,Shaoning Yao,Samuel S.S. Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20240128165A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230343679A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Image sensor including one or more microlenses provided within a metallization layer

Номер патента: US20180145103A1. Автор: Flavien Hirigoyen. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor structure with backside metallization layers

Номер патента: WO2024120231A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure with backside metallization layers

Номер патента: US20240194586A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

One-time programmable fuse using pn junction over gate metal layer, and related method

Номер патента: EP4383328A1. Автор: Shesh Mani Pandey,George Robert MULFINGER,Md Nasir Uddin Bhuyian,Adam S. Rosenfeld,Selina A. Mala. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Method of forming metal layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20200232089A1. Автор: Chong Liu,Jike WU,Xiuliang CAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Termination ring with gapped metallic layer

Номер патента: EP3448685A1. Автор: Anthony M. Fuller,Donald W. Schulte,Terry Mcmahon. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2019-03-06.

Termination ring with gapped metallic layer

Номер патента: US20200269581A1. Автор: Terry Mcmahon,Donald W Schulte,Anthony M Fuller. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-08-27.

Split rail structures located in adjacent metal layers

Номер патента: US20190244902A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Split rail structures located in adjacent metal layers

Номер патента: US20180308798A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240120332A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Integrated circuit structure with dielectric material to cover horizontally separated metal layers, and related method

Номер патента: US20210280352A1. Автор: Marcel B. Wieland,Frank G. Küchenmeister,Hartmuth Daniel Kunze,Lothar E. Lehmann,Sven Bedürftig,Patrick Rohlfs. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2021-09-09.

Tft substrate including additional metal layer for reducing electrical resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170352685A1. Автор: Liang Ma. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Dram with metal-layer capacitors

Номер патента: US20080130350A1. Автор: Esin Terzioglu,Morteza Cyrus Afghahi,Gil L. Winograd. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-05.

Electrostatic discharge (esd) circuit with diodes in metal layers of a substrate

Номер патента: EP4203033A1. Автор: Yao-Feng CHANG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Method of forming noble metal layer using ozone reaction gas

Номер патента: US20090263967A1. Автор: Young-dae Kim,Deok-Sin Kil,Jeong-yeop Lee,Jin-Hyock Kim,Kwan-Woo Do,Kee-Jeung Lee,Kyung-Woong Park,Ja-Yong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-22.

Device for producing semico nductor bump metal layer

Номер патента: US20190378812A1. Автор: Yu-Hung Huang,Yi Hsiang Chen,Ying Hsien Chen,Hsin Yu Yao,Wei Liang Chan,Kuei Chang Peng,Nai Wei Yu. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method and apparatus for processing thin metal layers

Номер патента: WO2002031869A3. Автор: James S Im. Владелец: James S Im. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing interconnecting metal layer thereof

Номер патента: US20240145302A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Bor Chiuan Hsieh,Yu-Shien SHIAH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240222333A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for forming an acoustic mirror with reduced metal layer roughness and related structure

Номер патента: EP2171845A2. Автор: Paul P. Gehlert,Christopher F. Shepard,Bradley P. Barber. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2010-04-07.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12033884B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of forming a semiconductor device having a metal layer

Номер патента: WO2006033746A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Voon-Yew Thean,Brian J. Goolsby,Tab A. Stevens. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-03-30.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240079401A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Package comprising metal layer configured for electromagnetic interference shield and heat dissipation

Номер патента: WO2022186953A3. Автор: Marc Huesgen,Philipp Michael JAEGER. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-10-20.

Cell structure with intermediate metal layers for power supplies

Номер патента: US20220084945A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shun Li CHEN,Ting Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Circuit with High-Density Capacitors Using Bootstrapped Non-Metal Layer

Номер патента: US20120092069A1. Автор: Scott C. McLeod. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-19.

Package comprising an integrated device with a back side metal layer

Номер патента: WO2023048882A1. Автор: Chien-Te Feng,Jay Scott Salmon,Wen YIN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-30.

Multiple metal layers within a photonics integrated circuit for thermal transfer

Номер патента: US20220416503A1. Автор: Ankur Agrawal,Priyanka Dobriyal,Raiyomand Aspandiar,Anna Prakash,Saeed Fathololoumi,Aditi Mallik,Hemant Mahesh SHAH,Neil Raymund CARANTO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Package comprising metal layer configured for electromagnetic interference shield and heat dissipation

Номер патента: EP4302331A2. Автор: Marc Huesgen,Philipp Michael JAEGER. Владелец: Qualcomm Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Package comprising metal layer configured for electromagnetic interference shield and heat dissipation

Номер патента: WO2022186953A2. Автор: Marc Huesgen,Philipp Michael JAEGER. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-09-09.

Roughening of a Metallization Layer on a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20200402851A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-24.

Computerized standard cell library for designing integrated circuits (ICs) with high metal layer intra cell signal wiring, and ICs including same

Номер патента: US20040195690A1. Автор: Dorit Flohr. Владелец: Silicon Design Systems Ltd. Дата публикации: 2004-10-07.

System, Method and Apparatus to Relieve Stresses in a Semiconductor Die Caused by Uneven Internal Metallization Layers

Номер патента: US20160211223A1. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor structure having a thermal shunt below a metallization layer and integration schemes

Номер патента: US20220238409A1. Автор: Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Alvin Joseph,MARK David LEVY. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Metal layer arrangement

Номер патента: EP3338304A1. Автор: Steffen Trautmann,Christoph STERBENZ. Владелец: Lantiq Beteiligungs GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-06-27.

Metallization layer structure for flip chip package

Номер патента: US20110147950A1. Автор: Chi-Yang Yu,Fong-Cheng Tai,Jeng-Gong Duh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-23.

3D semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US12027518B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Inductor utilizing pad metal layer

Номер патента: US20100265025A1. Автор: Chih-Ping Chao,Sung-Hsiung Wang,Chia-Yu Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-21.

Chemical mechanical polishing slurry composition and method of polishing metal layer

Номер патента: US12024651B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Hung LIAO,An-Hsuan Lee,Shen-Nan Lee,Chen-Hao WU,Huang-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device having metal layer and method of fabricating same

Номер патента: US20160268403A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Three port sram bit cells with first and second read wordline and write wordline on different metal layers and associated landing pads split across boundary edges of each sram bit cell

Номер патента: WO2016089574A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Three port sram bit cells with first and second read wordline and write wordline on different metal layers and associated landing pads split across boundary edges of each sram bit cell

Номер патента: EP3198597A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

3D memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US12041791B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Fringe Capacitor Using Bootstrapped Non-Metal Layer

Номер патента: US20120092068A1. Автор: Scott C. McLeod. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-19.

Metal finger capacitors with hybrid metal finger orientations in stack with unidirectional metal layers

Номер патента: WO2013181590A1. Автор: Bin Yang,John J. Zhu,PR Chidambaram,Lixin Ge,Jihong Choi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-12-05.

System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor die caused by uneven internal metallization layers

Номер патента: WO2016118227A1. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-28.

Method for forming an electrical connection between metal layers

Номер патента: US20140038317A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-06.

Package comprising an integrated device with a back side metal layer

Номер патента: EP4406025A1. Автор: Chien-Te Feng,Jay Scott Salmon,Wen YIN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Method and apparatus for processing thin metal layers

Номер патента: WO2002031869A9. Автор: James S Im. Владелец: James S Im. Дата публикации: 2004-04-22.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US12051674B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device including bonding pad metal layer structure

Номер патента: US11764176B2. Автор: Joachim Hirschler,Thomas Rupp,Jens Brandenburg,Carsten Schaeffer,Oliver Humbel,Evelyn Napetschnig,Christoffer Erbert,Julia Zischang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-19.

High-frequency ceramic packages with modified castellation and metal layer architectures

Номер патента: US12040265B2. Автор: LI Jiang,Rajen Manicon Murugan,Yiqi Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Metal layer on display panel, and display panel

Номер патента: US20210257439A1. Автор: Tsu Chiang CHANG,Huanda WU. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20230268321A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Low resistance fill metal layer material as stressor in metal gates

Номер патента: US20240258318A1. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package having partial outer metal layer and packaging method thereof

Номер патента: US20210288003A1. Автор: Ying-Lin Chen,Shih-Chun Chen,Sheng-Tou Tseng,Chin-Ta Wu,Kun-Chi Hsu,Ting-Yeh WU. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240222368A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Composite ic chips including a chiplet embedded within metallization layers of a host ic chip

Номер патента: US20210375830A1. Автор: Patrick Morrow,Adel Elsherbini,Johanna Swan,Shawna Liff,Van Le,Gerald Pasdast. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Molding technique for copper interconnecting wires by electrochemical displacement deposition on the pre-shaped metal layer

Номер патента: US20040222558A1. Автор: Wen Yang,Tsong-Jen Yang,Giin-Shan Chen,Chin-Hao Yang,Don-Gey Liu,Hong-Yuan Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Method and structure for detecting physical short-circuit defect between first metal layer and gate below

Номер патента: US11764116B2. Автор: Shuhua Lei. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Integrated circuit (ic) packages employing supplemental metal layer coupled to embedded metal traces in a die-side embedded trace substrate (ets) layer, and related fabrication methods

Номер патента: EP4420164A1. Автор: Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Ching-Liou Huang,Michelle Yejin Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for testing impurities in metal layer of resistor

Номер патента: EP4053570A1. Автор: Chi-Yu Lu,Ming-Chieh Kuo. Владелец: Viking Tech Corp. Дата публикации: 2022-09-07.

Semiconductor device with a supporting member and bonded metal layers

Номер патента: US11728237B2. Автор: Xiaopeng Wu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Finger metal oxide metal capacitor formed in a plurality of metal layers

Номер патента: US9711448B2. Автор: Shafiq M. Jamal,Shingo Hatanaka,Hung Sheng Lin. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Package substrates employing pad metallization layer for increased signal routing capacity, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: WO2023183692A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-09-28.

Package substrates employing pad metallization layer for increased signal routing capacity, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: US20230307336A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230197573A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230087787A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of fabricating semiconductor device including dummy via anchored to dummy metal layer

Номер патента: US11302654B2. Автор: Jian-Hong Lin,Tzu-Li Lee,Yu-Ching Lee,Kuo-Yen Liu,Hsin-Chun Chang,Yih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20160379931A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240206194A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Ldmos device with a field plate contact metal layer with a sub-maximum size

Номер патента: US20200075760A1. Автор: Eric Braun,Joel McGregor,Jeesung Jung. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Display device having a first wiring at a same layer as a lower metal layer and electronic device including the same

Номер патента: US11730030B2. Автор: Chungi You,Hyounghak KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Display device having a conductive metal layer disposed on a surface of an antireflection layer

Номер патента: US12041818B2. Автор: Gyung Min Baek,Ju Hyun Lee,Hyun Eok Shin,Sung Joo KWON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: EP3227919A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-11.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: WO2016089587A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Vertical thin-film transistors between metal layers

Номер патента: US20200098931A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-26.

Integrated circuit (ic) packages employing supplemental metal layer coupled to embedded metal traces in a die-side embedded trace substrate (ets) layer, and related fabrication methods

Номер патента: WO2023069820A1. Автор: Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Ching-Liou Huang,Michelle Yejin Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for etching metal layer of a semiconductor device using hard mask

Номер патента: US6008135A. Автор: Yong-Tak Lee,Sang-Jeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-28.

Multi layer package substrate having different dielectric materials for metal layers with different circuit structures

Номер патента: US20230090188A1. Автор: Whitney M. Bryks,Kemal Aygun,Jieying KONG,Junxin Wang,Ala OMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Method and test structure for monitoring cmp processes in metallization layers of semiconductor devices

Номер патента: US20090140246A1. Автор: Matthias Lehr,Michael Grillberger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Passive electrical components in mold metal layers of a multi-die complex

Номер патента: US20230299044A1. Автор: Sujit Sharan,Jianyong Xie,Andrew P. Collins,Arghya Sain. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Two-metal layer ball grid array and chip scale package having local interconnects used in wire-bonded and flip-chip semiconductor assembly

Номер патента: US20040046265A1. Автор: David Walter,Masood Murtuza. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-03-11.

Method for etching a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: US20040154186A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Methods for planarizing a metal layer

Номер патента: US20050142829A1. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Providing a metal layer in a semiconductor package

Номер патента: US20070138656A1. Автор: Chee Chen,Lee Khaw,Tze Hin,Wooi Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Atomic layer volatilization process for metal layers

Номер патента: US20090004860A1. Автор: Adrien R. Lavoie,Harsono S. Simka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of making a Wiring Board having an Engineered Metallization Layer and Resultant Apparatus

Номер патента: US20090113705A1. Автор: Jeffery A. Dean,William S. McKinley,Steve T. Nicholas. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Method and an apparatus to electroless plate a metal layer while eliminating the photoelectric effect

Номер патента: US20020111019A1. Автор: Jin-Yuan Lee. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor element with metal layer

Номер патента: US20010017421A1. Автор: Michael Rother. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240274523A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240304617A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240250163A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Metal layer protection during wet etching

Номер патента: US20240250147A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor element with metal layer

Номер патента: US6417564B2. Автор: Michael Rother. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-07-09.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230253296A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor die with dissolvable metal layer

Номер патента: US20230187390A1. Автор: Helmut Rinck,Sebastian Meier,Bernhard ZIEGLTRUM. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Substrate having a metal layer comprising a marking

Номер патента: US20230104665A1. Автор: Atsushi Takano,Mitsuhiro Furukawa. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12094965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Metal layers for increasing polarization of ferroelectric memory device

Номер патента: US12089415B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated devices comprising uniform metal layer thickness across one or more metal layers

Номер патента: US20210005545A1. Автор: Xia Li,Kai Liu,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US12080630B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Package comprising an integrated device and a metallization portion with variable thickness metallization interconnects on a same metal layer

Номер патента: US20240321709A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Brigham NAVAJA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Package comprising an integrated device with a back side metal layer

Номер патента: US12100649B2. Автор: Chien-Te Feng,Jay Scott Salmon,Wen YIN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20180130742A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Self-organizing barrier layer disposed between a metallization layer and a semiconductor region

Номер патента: US20170154813A1. Автор: Werner Robl,Klemens Pruegl,Michael Nelhiebel,Carsten Schaeffer,Michael Fugger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-01.

Advanced structures having mosfet transistors and metal layers

Номер патента: EP4434092A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-25.

Methods for planarizing a metal layer

Номер патента: US7192869B2. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-20.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US12100646B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12100611B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240321832A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Package comprising an integrated device and a metallization portion with variable thickness metallization interconnects on a same metal layer

Номер патента: WO2024205848A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Brigham NAVAJA. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Metal layers for increasing polarization of ferroelectric memory device

Номер патента: US20240365558A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Ion implant process for defect elimination in metal layer planarization

Номер патента: US20240363404A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ji Cui,Tang-Kuei Chang,Yee-Chia Yeo,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Fu-Ming HUANG,Wei-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Structure with two adjacent metal layers in gate structure

Номер патента: US20220005952A1. Автор: Wang Zheng,Jagar Singh,Sudarshan Narayanan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12125737B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240363385A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having a backside metallization layer and a protection layer

Номер патента: US20240371793A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Thin refractory metal layer used as contact barrier to improve the performance of thin-film solar cells

Номер патента: US10103281B2. Автор: Salvatore Lombardo,Marina Foti,Cristina Tringali,Sebastiano Ravesi,Nicola COSTA,Stella Loverso,Cosimo Gerardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-16.

Metal layer tip to tip short

Номер патента: US09997403B2. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US09984974B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for connecting a semiconductor chip metal surface of a substrate by means of two contact metallization layers and method for producing an electronic module

Номер патента: US09978711B2. Автор: Gopalakrishnan TRICHY RENGARAJAN,Christian Stahlhut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: US09978682B1. Автор: Anthony Correale, Jr.,William GOODALL, III,Philip Michael ILES. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods for pre-deposition treatment of a work-function metal layer

Номер патента: US09978601B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit implementing standard cells with metal layer segments extending out of cell boundary

Номер патента: US09977854B2. Автор: Ioan Cordos,Omid Rowhani,Kerry HAMEL,Donald Clay. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Technique for filling high aspect ratio, narrow structures with multiple metal layers and associated configurations

Номер патента: US09972541B2. Автор: Joseph M. Steigerwald,Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods for etching a metal layer to form an interconnection structure for semiconductor applications

Номер патента: US09960052B2. Автор: Sumit Agarwal,Bradley J. Howard,Mark Hoinkis,Chiu-Pien KUO,Ann Chien. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit with a sidewall layer and an ultra-thick metal layer and method of making

Номер патента: US09947577B2. Автор: Chih-Hung Lu,Ching-Chen Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for producing an integrated circuit including a metallization layer comprising low K dielectric material

Номер патента: US09941151B2. Автор: Mikhaïl Baklanov,Liping Zhang. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-04-10.

Fringe field switching type liquid crystal display having metal layer for protecting pad

Номер патента: US09939693B2. Автор: Dhang Kwon,JungHo SON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US09899322B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Embedded memory device between noncontigous interconnect metal layers

Номер патента: US09893278B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chun-Heng Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Multiple metal layer semiconductor device and low temperature stacking method of fabricating the same

Номер патента: US09887155B2. Автор: Xiaomeng Chen,Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

TFT substrate including additional metal layer for reducing electrical resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876035B2. Автор: Liang Ma. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Electronic package having circuit structure with plurality of metal layers, and fabrication method thereof

Номер патента: US09875949B2. Автор: Hsiao-Chun Huang,Guang-Hwa Ma,Hsien-Wen Chen,Shih-Ching Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Infrared imager with integrated metal layers

Номер патента: US09848134B2. Автор: Pierre Boulanger,Nicholas Högasten,Katrin Strandemar,Theodore R. Hoelter,Barbara Sharp,Eric A. Kurth,Mark Nussmeier,Brian Simolon,Steve Barskey. Владелец: Flir Systems Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Device including a metallization layer and method of manufacturing a device

Номер патента: US09844134B2. Автор: Martin Mischitz,Stefan Schwab,Markus Heinrici. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-12.

Organic electroluminescent element having intermediate electrode including two metal layers

Номер патента: US09843011B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Tomoyuki Nakayama,Hiroshi Ishidai. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-12-12.

Hard mask etch and dielectric etch aware overlap for via and metal layers

Номер патента: US09817927B2. Автор: Xiang Hu,David Power,Chin Teong Lim,Yuping REN,Guo Xiang NING,Paul W. Ackmann,Lalit SHOKEEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Static random access memory (SRAM) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: US09806083B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Selective sputtering with light mass ions to sharpen sidewall of subtractively patterned conductive metal layer

Номер патента: US09799519B1. Автор: Eric A. Joseph,Hiroyuki Miyazoe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods of forming wiring structures including a plurality of metal layers

Номер патента: US09773699B2. Автор: Jae-Won Chang,Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Jong-Jin Lee,Rak-Hwan Kim,Tsukasa Matsuda,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jung-ha Hwang,Jae-Won Hwang,Wan-Soo Park,Jeong-Ok Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Integrated circuits and methods of forming the same with metal layer connection to through-semiconductor via

Номер патента: US09761481B2. Автор: Chun Yu Wong,Sarasvathi Thangaraju,Percival Rayo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Display panels including metal layer having fan-out segment and display terminals including the same

Номер патента: US20240379686A1. Автор: XIN Wang,Xiaoxia Zhang,Huanxi Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Metal layer end-cut flow

Номер патента: US09748138B2. Автор: Cheng-Hao Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Finger metal oxide metal capacitor formed in a plurality of metal layers

Номер патента: US09711448B2. Автор: Shafiq M. Jamal,Shingo Hatanaka,Hung Sheng Lin. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Forming uniform WF metal layers in gate areas of nano-sheet structures

Номер патента: US09685522B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same

Номер патента: US09673192B1. Автор: Douglas Dean Lopata,Jeffrey Demski,Jay Norton,Miguel Rojas-Gonzales. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor package having metal layer

Номер патента: US09673151B2. Автор: Tsung-Hsien Tsai,Chun-Chi Ke,Chih-Hsien Chiu,Chia-Yang Chen,Hsin-Lung Chung,Hao-Ju Fang,Cho-Hsin Chang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with buried metal layer

Номер патента: US09673107B2. Автор: Yun Ik Son,Min Soo Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor die caused by uneven internal metallization layers

Номер патента: US09659882B2. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for producing a material-bonding connection between a semiconductor chip and a metal layer

Номер патента: US09659793B2. Автор: Frederik Otto,Christian Steininger,Nicolas Heuck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing a device by locally heating one or more metalization layers and by means of selective etching

Номер патента: US09634108B2. Автор: Roland Rupp,Stefan Woehlert,Thomas Gutt,Michael Treu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a metal layer on source/drain regions

Номер патента: US09601586B1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Metal layer tip to tip short

Номер патента: US09589847B1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory device comprising memory strings penetrating through a stacking structure and electrically contacting with a metal layer and method for fabricating the same

Номер патента: US09583439B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory element with a reactive metal layer

Номер патента: US09570515B2. Автор: Darrell Rinerson,Wayne Kinney,Steven Longcor,John Sanchez,Christophe J. Chevallier,Edmond R. Ward,Steve Kuo-Ren Hsia,Philip F. S. Swab. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for filling trench with metal layer and semiconductor structure formed by using the same

Номер патента: US09558996B2. Автор: Chien-Hao Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Wei-Yu Chen,Hsin-Fu Huang,Min-Chuan Tsai,Jing-Gang Li,Min-Hsien Chen,Jian-Hong Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Integrated circuit (“IC”) assembly includes an IC die with a top metallization layer and a conductive epoxy layer applied to the top metallization layer

Номер патента: US09553068B2. Автор: Osvaldo Jorge Lopez,Jonathan Almeria Noquil,Juan Herbsommer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device having bilayer metal layer

Номер патента: US09548268B2. Автор: Hsin-Hsing Chen,Chih-Yueh Li,Tsun-Min Cheng,Chun-Chi Huang,Yung-Hung Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Non-hierarchical metal layers for integrated circuits

Номер патента: US09543193B2. Автор: Dian-Hau Chen,Shyue-Shyh Lin,Li-Chun Tien,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor apparatus having electrical connections with through-via and a metal layer and stacking method thereof

Номер патента: US09530756B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Metal layers for a three-port bit cell

Номер патента: US09524972B2. Автор: Ping Liu,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Chip mode isolation and cross-talk reduction through buried metal layers and through-vias

Номер патента: US09520547B2. Автор: Mary E. Rothwell,David W. Abraham,Christian Lavoie,George A. Keefe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Integrated circuit with a sidewall layer and an ultra-thick metal layer and method of making

Номер патента: US09502346B2. Автор: Chih-Hung Lu,Ching-Chen Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory ultilizing aluminum metallization layers and methods for fabricating the same

Номер патента: US09490423B2. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

In-cell OLED touch display panel structure with metal layer for sensing

Номер патента: US09478590B2. Автор: Hsiang-Yu Lee. Владелец: SuperC-Touch Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US09466521B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Resistive memory device with ring-shaped metal oxide on top surfaces of ring-shaped metal layer and barrier layer

Номер патента: US09455402B2. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device having metal layer and method of fabricating same

Номер патента: US09443967B1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods of forming semiconductor devices, including performing a heat treatment after forming a metal layer and a high-k layer

Номер патента: US09431515B2. Автор: Seok-jun Won,Weon-Hong Kim,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing a device by locally heating one or more metalization layers and by means of selective etching

Номер патента: US09391154B2. Автор: Roland Rupp,Stefan Woehlert,Thomas Gutt,Michael Treu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor packages including a metal layer between first and second semiconductor chips

Номер патента: US09390992B2. Автор: Heungkyu Kwon,Sangho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Flip-chip bumping metal layer and bump structure

Номер патента: US20240371806A1. Автор: Ahmer Syed,Yangyang Sun,Jun Chen,Lily Zhao,Dongming He. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for depositing metal layers on germanium-containing films using metal chloride precursors

Номер патента: US09330936B2. Автор: Hideaki Yamasaki,Toshio Hasegawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor interconnect structure having a graphene-based barrier metal layer

Номер патента: US09324635B2. Автор: Junjing Bao,Xuesong Li,Shaoning Yao,Samuel S. S. Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Side-emitting led with increased illumination

Номер патента: WO2019199437A1. Автор: Patrick Robert DOYLE. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-10-17.

Material stack for leds with a dome

Номер патента: WO2022132744A1. Автор: Grigoriy Basin,Theodoros Mihopoulos,Tze Yang Hin,Michael Alan Holub,Rafiza Ramli. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2022-06-23.

SUBSTRATE FOR LED WITH TOTAL-INTERNAL REFLECTION LAYER SURROUNDING LED

Номер патента: US20160260872A1. Автор: Butterworth Mark Melvin. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

PACKAGE FOR FLIP-CHIP LEDS WITH CLOSE SPACING OF LED CHIPS

Номер патента: US20190281672A1. Автор: Yan Xiantao. Владелец: LedEngin, Inc.. Дата публикации: 2019-09-12.

Use of ksf phosphor in leds with wire-bonds with maximum amount of silver

Номер патента: WO2023237505A1. Автор: René Theodorus WEGH,Xiao Ye HU. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2023-12-14.

Shaped surface luminance led with adjustable luminance gradient

Номер патента: WO2024129392A1. Автор: Florent Monestier,Jeff Dimaria. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Electroluminescent display device with stress buffering layer

Номер патента: US7023133B2. Автор: Tetsuji Omura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-04.

CHIP ELECTRONIC COMPONENT INCLUDING STRESS BUFFER LAYER

Номер патента: US20180061553A1. Автор: SEO Jung Wook,Lee Woo Jin,YOO Young Seuck,MOON Je Ik,JEON Hyung Jin,OH Seon Woo. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Stress buffer layer and method for producing same

Номер патента: WO2011125506A1. Автор: 秀俊増田. Владелец: 太陽誘電株式会社. Дата публикации: 2011-10-13.

LED with high thermal conductivity particles in phosphor conversion layer

Номер патента: US09761765B2. Автор: Grigoriy Basin,Mikhail Fouksman. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-09-12.

Illumination device with led with a self-supporting grid containing luminescent material and method of making the self-supporting grid

Номер патента: US20110044026A1. Автор: Marcellus Jacobus Johannes Van Der Lubbe,Rene Jan Hendriks,Josephus Paulus Augustinus Deeben. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2011-02-24.

LED-LAMP, LED WITH NORMALIZED BRIGHTNESS, POWERFUL CHIP FOR LED

Номер патента: EA201300441A1. Автор: Август Геннадьевич Краснов. Владелец: Август Геннадьевич Краснов. Дата публикации: 2014-03-31.

Embedding leds with waveguides

Номер патента: EP4154044A4. Автор: Bardia Pezeshki,Robert Kalman,Alexander Tselikov,Cameron DANESH. Владелец: Avicenatech Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

Led with compound encapsulant lens

Номер патента: WO2007078971A3. Автор: Patrick R Destain. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2007-08-30.

Wavelength converter for an led with anisotropic quantum dots for polarized emission

Номер патента: WO2024129358A1. Автор: Mark James HOLMES. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Metiod of making led with bat-wing emitting field lens

Номер патента: US20130330854A1. Автор: Wen-Liang Tseng,Lung-hsin Chen. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-12.

LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color

Номер патента: CN102171844A. Автор: P·马丁,C·陈,G·巴辛,R·S·韦斯特,A·S·哈奎. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2011-08-31.

LED with compound encapsulant lens

Номер патента: CN101371371A. Автор: 帕特里克·R·德斯藤. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2009-02-18.

Led with compound encapsulant lens

Номер патента: EP1974398A2. Автор: Patrick R. Destain. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-10-01.

Led with compound encapsulant lens

Номер патента: WO2007078971A2. Автор: Patrick R. Destain. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2007-07-12.

LED with structured layers and nanophosphors

Номер патента: TW201932752A. Автор: 凡卡塔亞南斯泰瑪,茱莉亞安東尼歐羅佩茲. Владелец: 美商亮銳公司. Дата публикации: 2019-08-16.

LED with structured layers and nanophosphors

Номер патента: KR20200098662A. Автор: 벤카타 아난스 탐마,안토니오 로페즈-줄리아. Владелец: 루미레즈 엘엘씨. Дата публикации: 2020-08-20.

Led with structured layers and nanophosphors

Номер патента: US20230282784A1. Автор: Antonio LOPEZ-JULIA,Venkata Ananth TAMMA. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

AC-LED WITH HYBRID LED CHANNELS

Номер патента: US20200037409A1. Автор: Fu Jie,Wegh René Theodorus,Peeters Martinus Petrus Joseph,XU Shu,SEKULOVSKI DRAGAN,Broersma Rémy Cyrille,PERZ MALGORZATA. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Manufacturing Method for LED with Thick III-V Semiconductor Epitaxial Layer and Such LED

Номер патента: DE10322705B4. Автор: Shyi-Ming Pan,Ru-Chin Tu,Jenq-Dar Tsay,Jung-Tung Hsu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-07-06.

Phosphor converted led light source comprising uv leds with taking into account the excitation spectrum of the phosphor

Номер патента: WO2024002864A1. Автор: Ties Van Bommel,Rifat Ata Mustafa Hikmet. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2024-01-04.

LED with porous diffusing reflector

Номер патента: TW200903861A. Автор: Michael R Krames,John E Epler,Hanmin Zhao. Владелец: Philips Lumileds Lighting Co. Дата публикации: 2009-01-16.

Radiation emitting device with variable spectral properties, superimposes beams from luminescent dyes with different absorption spectra excited by LEDs with different emission spectra

Номер патента: DE102005020695A1. Автор: Peter Dr.rer.nat. Rotsch. Владелец: OPTOTRANSMITTER-UMWELTSCHUTZ-TECHNOLOGIE EV. Дата публикации: 2005-12-15.

LED with a coupling-out structure

Номер патента: US20030122145A1. Автор: Ralph Wirth,Heribert Zull,Norbert Linder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Dispersion for depositing metallic layer

Номер патента: RU2405222C2. Автор: Норберт Вагнер,Рене ЛОХТМАН,Норберт ШНАЙДЕР,Юрген ПФИСТЕР,Хайко Маас,Геральд ЛИППЕРТ,Беттина ЗОБОТКА,Рене ЛОХТМАН (DE),Норберт ШНАЙДЕР (DE),Юрген ПФИСТЕР (DE),Норберт ВАГНЕР (DE),Геральд ЛИППЕРТ (DE),Хайко МААС (DE),Беттина ЗОБОТКА (DE). Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2010-11-27.

Multi-metal layer MEMS structure and process for making the same

Номер патента: US6943448B2. Автор: Xu Zhu,Kaigham J. Gabriel. Владелец: Akustica Inc. Дата публикации: 2005-09-13.

Method for bonding a porous metal layer to a cermet surface

Номер патента: US4898699A. Автор: Hans Hofmann,Hartmut Wendt. Владелец: Messerschmitt Bolkow Blohm AG. Дата публикации: 1990-02-06.

Power supply bar comprising a stack of 2 n metal layers separated by 2 n dielectric layers

Номер патента: US4401844A. Автор: Daniel Fleuret. Владелец: Compagnie Europeenne de Composants Electroniques LCC CICE. Дата публикации: 1983-08-30.

Packaging comprising substrate, metallic layer and antifriction film

Номер патента: US4818609A. Автор: Helmuth Schmoock. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-04-04.

Electrical contact device for sandwich-type wheelfenders of plastic and at least one metal layer enclosed on all sides by the plastic

Номер патента: CA1237501A. Автор: Heinrich Belka. Владелец: Esge Marby GmbH and Co KG. Дата публикации: 1988-05-31.

Method of providing a patterned metal layer on a substrate employing metal mask and ion milling

Номер патента: US4098917A. Автор: David Carl Bullock,Mohammed Sabir Shaikh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1978-07-04.

A fuel cell including an electrolyte layer and a hydrogen permeable metal layer

Номер патента: CA2548479C. Автор: Naoki Ito,Kenji Kimura,Yasuhiro Izawa,Shigeru Ogino,Satoshi Aoyama,Hiromichi Sato,Satoshi Iguchi,Masahiko Iijima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2009-07-14.

Pyrolytic process for producing a band-shaped metal layer on a substrate

Номер патента: US4042006A. Автор: Alfred Engl,Guenther Heim. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1977-08-16.

Process for producing a sheet material having a vapour-deposited metal layer

Номер патента: GB1570357A. Автор: . Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1980-07-02.

Method for bonding a porous metal layer to a cermet surface

Номер патента: CA1318487C. Автор: Hans Hofmann,Hartmut Wendt. Владелец: Messerschmitt Bolkow Blohm AG. Дата публикации: 1993-06-01.

Method for manufacturing an ultra-thin metal layer printed circuit board

Номер патента: US20180124923A1. Автор: Peng Chang,Yuedong MENG,Futang FANG. Владелец: Changshu Mutual-Tek Co ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Plasma display filter with a dielectric/metallic layer stack of at least eleven layers

Номер патента: WO2006033861A2. Автор: Bruce M. Lairson,Chris R. Schmidt,Stanley Louie,Erik Gaderlund. Владелец: SOUTHWALL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-03-30.

Transition metal layered oxides, positive electrode material, and sodium-ion battery

Номер патента: US20240105930A1. Автор: Han-yi CHEN,Jin-Wei Kang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-03-28.

Transforming a valve metal layer into a template comprising a plurality of spaced (nano)channels and forming spaced structures therein

Номер патента: US11827992B2. Автор: Philippe M. Vereecken,Stanislaw Piotr ZANKOWSKI. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-28.

Smart cards with metal layer(s) and methods of manufacture

Номер патента: US11907791B2. Автор: David Finn,Mustafa Lotya,Darren Molloy. Владелец: Amatech Group Lijited. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for manufacturing electrochemical device having exposed metal layer outside packaging

Номер патента: US11804337B2. Автор: Hyeon Jin Kim,Jung Joon Yoo,Jeong Hun BAEK,Ji Haeng Yu,Kyong Sik YUN. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2023-10-31.

Smart cards with metal layer(s) and methods of manufacture

Номер патента: US20210192312A1. Автор: David Finn,Mustafa Lotya,Darren Molloy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-24.

Smart cards with metal layer(s) and methods of manufacture

Номер патента: US20210056375A1. Автор: David Finn,Mustafa Lotya,Darren Molloy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-25.

Base station antennas having reflector assemblies including a nonmetallic substrate having a metallic layer thereon

Номер патента: EP4143922A1. Автор: FAN He,Mohammad Vatankhah Varnoosfaderani,Ruixin SU,Puliang Tang,Amit Kaistha,Nengbin Liu. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-08.

Vertical-cavity surface-emitting laser array with multiple metal layers for addressing different groups of emitters

Номер патента: US11398716B2. Автор: Eric R. Hegblom. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-07-26.

Bottom-emitting emitter array with a bottom side metal layer

Номер патента: US11888293B2. Автор: Ajit Vijay Barve,Eric R. Hegblom. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

High-entropy transition metal layered oxides, positive electrode material, and sodium ion battery

Номер патента: US20230369581A1. Автор: Han-yi CHEN,Chia-Ching Lin,Jin-Wei Kang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-11-16.

Bottom-emitting emitter array with a bottom side metal layer

Номер патента: US20240170927A1. Автор: Ajit Vijay Barve,Eric R. Hegblom. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Antennas having dielectric supports and at least one metal layer having one or more slots therein

Номер патента: AU2018282307B2. Автор: Arnold Peregrino,Oleg Beskov,Deran Gadiagellan. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Electrical contact system with liquid metal layer and diffusion barrier

Номер патента: CA3230986A1. Автор: Stanislav Kadlec,Christian Ruempler,Sandy Omar Jimenez,Mykhailo Gnybida. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Method for coating a metal layer such as lithium metal on a web such as a current collector foil

Номер патента: US20240234673A9. Автор: Ming Wang,Shaomao Xu,Ryan Curtis Sekol,Yaoyu Ren. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for coating a metal layer such as lithium metal on a web such as a current collector foil

Номер патента: US20240136493A1. Автор: Ming Wang,Shaomao Xu,Ryan Curtis Sekol,Yaoyu Ren. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Vertical-cavity surface-emitting laser array with multiple metal layers for addressing different groups of emitters

Номер патента: US20210075196A1. Автор: Eric R. Hegblom. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2021-03-11.

Elastic electric contact terminal minimizing generation of crack of metal layer

Номер патента: US20240014589A1. Автор: Sun-Ki Kim,Hyoung-Kyu Kim,Byung-Joo Park,Jin-San Kim. Владелец: Joinset Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Synthesis of transition metal layered oxide materials for battery cathodes

Номер патента: US20220185693A1. Автор: Jianlin Li,David Wood,Yaocai BAI,Mengya Li. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2022-06-16.

Elastic electric contact terminal in which cracks in metal layer are prevented

Номер патента: US20240235087A1. Автор: Sun-Ki Kim,Hyoung-Kyu Kim,Byung-Joo Park,Jin-San Kim. Владелец: Joinset Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin metal layers-having ceramic green sheet and method for producing ceramic capacitor

Номер патента: US20050030696A1. Автор: Takashi Oda,Takuji Okeyui,Kazuo Ouchi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Method and apparatus for forming glass layer, method and apparatus for forming metal layer, and electronic component manufacturing method

Номер патента: US20010009692A1. Автор: Shizuharu Watanabe. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Card with metal layer and an antenna

Номер патента: US20170300800A1. Автор: David Finn,John Herslow,Michele Logan. Владелец: COMPOSECURE LLC. Дата публикации: 2017-10-19.

Electroplated metal layer on a niobium-titanium substrate

Номер патента: US20230307812A1. Автор: Shawn Anthony Hall,Robert L. Sandstrom,Yu Luo,Ryan T. Gordon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Electrical contact system with liquid metal layer and diffusion barrier

Номер патента: WO2023041198A1. Автор: Stanislav Kadlec,Christian Ruempler,Sandy Omar Jimenez,Mykhailo Gnybida. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2023-03-23.

Radar signal device where a projection of a feed structure at least partially overlaps with an opening on a metal layer

Номер патента: US20230420866A1. Автор: Shih-Kai Lin. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for simultaneously forming alkali metal layers

Номер патента: US20240290950A1. Автор: Ming Wang,Xiaowei Yu,Shaomao Xu,Ryan Curtis Sekol,Erik Damon Huemiller,Jeffrey S. SAKAMOTO,Catherine HASLAM. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-08-29.

Electrical contact system with liquid metal layer and diffusion barrier

Номер патента: US20240274373A1. Автор: Stanislav Kadlec,Christian Ruempler,Sandy Omar Jimenez,Mykhailo Gnybida. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Biometric smart card having an apertured metal layer

Номер патента: WO2024220189A1. Автор: Fred George BENKLEY, III. Владелец: IDEX Biometrics ASA. Дата публикации: 2024-10-24.

Nucleation layer for thin film metal layer formation

Номер патента: US09822454B2. Автор: Clark I. Bright,Walter Stoss. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-11-21.

Card with metal layer and an antenna

Номер патента: US09721200B2. Автор: David Finn,John Herslow,Michele Logan. Владелец: COMPOSECURE LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Biometric smart card having an apertured metal layer

Номер патента: US20240354545A1. Автор: Fred George BENKLEY, III. Владелец: IDEX Biometrics ASA. Дата публикации: 2024-10-24.

Biometric smart card having an apertured metal layer

Номер патента: US12136008B1. Автор: Fred George BENKLEY, III. Владелец: IDEX Biometrics ASA. Дата публикации: 2024-11-05.

Phosphor-converted white led with low deviation of correlated color temperature and color coordinates and method of preparing the same

Номер патента: US20130257265A1. Автор: Ching-Yi Chen,Ching-Cherng Sun,Hsin-Mei Wu,Cheng-Chien Chen. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2013-10-03.

LED with IC integrated lighting module

Номер патента: US09449954B2. Автор: Hsing-Kuo Hsia,Jacob C. Tarn,Ching-Hui Chen,Chih-Chia Lin. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Product for packaging LEDs with uniform light color and manufacturing method of product

Номер патента: CN103928450B. Автор: 姜志荣,孙家鑫,万垂铭,陈海英,姚述光,许朝军,肖国伟,曾照明. Владелец: Guangdong APT Electronics Ltd. Дата публикации: 2017-01-18.

Product for packaging LEDs with uniform light color and manufacturing method of product

Номер патента: CN103928450A. Автор: 姜志荣,孙家鑫,万垂铭,陈海英,姚述光,许朝军,肖国伟,曾照明. Владелец: APT (GUANGZHOU) ELECTRONICS Ltd. Дата публикации: 2014-07-16.

Led with integrated constant current driver

Номер патента: EP2174530A2. Автор: Yifeng Wu,Robert Underwood. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-04-14.

Cadmium-free quantum dot led with improved emission color

Номер патента: US20200411786A1. Автор: Tim Michael Smeeton,Edward Andrew BOARDMAN,Enrico Angioni. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Light Emitting Diode (LED) with monolithically integrated photodetector for in situ real-time intensity monitoring

Номер патента: CN109478533B. Автор: 陆海涛,蔡凯威,李携曦. Владелец: University of Hong Kong HKU. Дата публикации: 2021-09-07.

LED with internal fixedly welding structure

Номер патента: CN201514944U. Автор: 朱益明. Владелец: Shenzhen Light Electronics Co ltd. Дата публикации: 2010-06-23.

Light extraction from LEDs with light pipes

Номер патента: EP1320135A3. Автор: David G. Pelka,William A. Parkyn. Владелец: Teledyne Lighting and Display Products Inc. Дата публикации: 2004-08-18.

Optical beam shaping and polarization selection on LED with wavelength conversion

Номер патента: US09759843B2. Автор: LI Xu,Bo Pi. Владелец: AXLEN Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for making white-light LED with high color rendering index

Номер патента: CN101694863A. Автор: 胡建红. Владелец: Joint Venture Jiangsu Wenrun Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

LED with molded bi-directional optics

Номер патента: CN102203964B. Автор: S.比尔休曾,M.布特沃思. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2013-11-27.

Blue emitting phosphors conversion LED with blue pigment

Номер патента: CN107406766A. Автор: H-H.贝赫特尔,T.迪德里希,E.勒林,M.范格文. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2017-11-28.

Driving led with pulse modulation scheme having variable duty cycle

Номер патента: WO2024175726A1. Автор: Till-Jonas Ostermann,Celal Mohan OEGUEN,Bernd Scherwath,Felix Schmidt,Szu-Yu Huang,Samiul ISLAM,Henning ZIMMERMANN,Tobias BAUMGARTNER. Владелец: trinamiX GmbH. Дата публикации: 2024-08-29.

Support frame of light emitting diode (LED) with vertical structure and light emitting diode (LED) with vertical structure

Номер патента: CN103035818A. Автор: 俞志龙. Владелец: SHANGHAI WILLIAM'S LIGHTING CO Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A STRUCTURE FOR INSULATING LAYER UNDER METAL LINE

Номер патента: US20190198426A1. Автор: Kim Kwan Sik,Choi Min Jun,YOON Sung Hyun,KWON Doo Won,SONG Tae Young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device having a structure for insulating layer under metal line

Номер патента: US10643926B2. Автор: Min Jun Choi,Sung Hyun Yoon,Doo Won Kwon,Kwan Sik KIM,Tae Young SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-05.

Semiconductor Device having a Structure for Insulating Layer under Metal Line

Номер патента: KR102450580B1. Автор: 김관식,최민준,윤성현,권두원,송태영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-10-07.

Bulk finFET with partial dielectric isolation featuring a punch-through stopping layer under the oxide

Номер патента: US09842897B2. Автор: Ajey P. Jacob,Murat K. Akarvardar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

WHITE LIGHT LED WITH LUMINOPHOR PLATES FOR BACKLIGHT

Номер патента: RU2008141124A. Автор: Герард ХАРБЕРС,Марк ПЬЮ,Серж Й. А. БИРХЭЙЗЕН,Герард ХАРБЕРС (US),Серж Й. А. БИРХЭЙЗЕН (US),Марк ПЬЮ (US). Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US). Дата публикации: 2010-04-27.

Bottom connection-type integrated power LED with heat dissipation effect

Номер патента: CN201904372U. Автор: 刘树高,安建春. Владелец: Shandong Kaiyuan Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-20.

Alternating current led with hybrid led channels

Номер патента: RU2716707C2. Автор: Цзе Фу,Драган СЕКУЛОВСКИ,Рене Теодорус ВЕГ,Шу СЮЙ,Мартинус Петрус Йозеф ПЕТЕРС,Малгорзата ПЕРЗ,Реми Сирилле БРУРСМА. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2020-03-16.

AC LED WITH HYBRID LED CHANNELS

Номер патента: RU2018100662A. Автор: Цзе Фу,Драган СЕКУЛОВСКИ,Рене Теодорус ВЕГ,Шу СЮЙ,Мартинус Петрус Йозеф ПЕТЕРС,Малгорзата ПЕРЗ,Реми Сирилле БРУРСМА. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2019-07-15.

LED with heat dissipation device

Номер патента: TWM308498U. Автор: Jr-Wei Jang,Tian-Yu Chen,Wei-Han Li,Shou-Ren Jang. Владелец: Shou-Ren Jang. Дата публикации: 2007-03-21.

Optical beam shaping and polarization selection on led with wavelength conversion

Номер патента: WO2012006123A3. Автор: LI Xu,Bo Pi. Владелец: Axlen Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-04-26.

STRESS BUFFER LAYER AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20130092424A1. Автор: MASUDA Hidetoshi. Владелец: TAIYO YUDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-18.

Electrical connector having light pipe and led with over molded opaque layer

Номер патента: US20140213100A1. Автор: Dao-Kuan Zhang,Wan-Li Xuan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Full color LED with data signal in parallel control

Номер патента: US20150201475A1. Автор: Huaping YIN. Владелец: Shenzhen HuaCaiWei Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Primary-side controlled switch-mode power supply controller for driving LED with constant current and method thereof

Номер патента: US9084318B2. Автор: Yunlong YAO,Jianxing WU. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Device and method of lighting based on led with high capacity ratio

Номер патента: RU2479955C2. Автор: Игорь А. ЛИЗ,Игорь ШИХ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2013-04-20.

Process for forming refractory metal layers on ceramic substrate

Номер патента: CA1168115A. Автор: Michael A. Fury,Ananda H. Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-05-29.

Method of improving the bond strength of electrolessly deposited metal layers on plastic- material surfaces

Номер патента: CA1272079A. Автор: Klaus Schuster,Joachim Probst,Gerhard Dieter Wolf,Henning Giesecke. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1990-07-31.

Process and an apparatus for producing a thin photoimageable coating on a metallic-layered substrate

Номер патента: CA2065897C. Автор: Donald E. Miller,Diethard Kapp-Schwoerer,David C. Siemers,James L. Isonhood. Владелец: Vantico GmbH. Дата публикации: 2002-10-01.

Method for forming a metal layer with pattern on a substrate

Номер патента: US4643912A. Автор: Shigeru Nakagawa,Kiyotaka Uchikawa. Владелец: Marui Industry Co Ltd. Дата публикации: 1987-02-17.

Polyimide Resin, Laminate Film, Metal Layer-Bearing Laminate Film, and Semiconductor Device

Номер патента: US20070260035A1. Автор: Takuo Watanabe. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2007-11-08.

Process for producing adherent, electrochemically reinforcible and solderable metal layers on an aluminum-oxide containing ceramic substrate

Номер патента: US4780332A. Автор: Helmut Sautter,Lothar Weber,Birgit Pitz. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1988-10-25.

Process for improving the adhesive strength of electrolessly deposited metal layers on polyimide surfaces

Номер патента: CA1317824C. Автор: Wilfried Zecher,Gerhard D. Wolf,Henning Giesecke. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1993-05-18.

Substrate and metal layer manufacturing method

Номер патента: EP2916625A1. Автор: Yasuhiro Koike,Hiroaki Asano,Kiminori Ozaki,Tomoaki Asai,Shigeki Kawaguchi,Hitoshi Shimadu. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2015-09-09.

Method of forming metallized layer on aluminum nitride base material

Номер патента: CA2044508C. Автор: Akira Yamakawa,Nobuo Ogasa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-06-25.

Method of programming a CMOS read only memory at the second metal layer in a two-metal process

Номер патента: US5494842A. Автор: Ziv Azmanov. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Smooth metal layers in Josephson junction devices

Номер патента: US11882771B2. Автор: Hongwen Yan,Gerald W. Gibson,Kathryn Jessica Pooley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Molding composite part with metal layer

Номер патента: EP4269653A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-11-01.

Molding composite part with metal layer

Номер патента: US20200399763A1. Автор: Stephen P. Gaydos,Eric A. Bruton,Christopher H. CHILDERS. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-12-24.

Molding composite part with metal layer

Номер патента: EP4269653A3. Автор: Stephen P. Gaydos,Eric A. Bruton,Christopher H. CHILDERS. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-01-10.

Multilayer flex circuit with non-plated outer metal layer

Номер патента: US20200315014A1. Автор: Satoshi Nakamura,Nobumasa Nishiyama,Hiroshi Matsuda,Teruhiro Nakamiya. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Fluororesin porous body, metal layer-equipped porous body using same, and wiring substrate

Номер патента: US20180200985A1. Автор: Yuya Kitagawa,Tomoyuki Kasagi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Metal layering construction in flex/rigid-flex printed circuits

Номер патента: US20190075651A1. Автор: Matthew David Mickelson,Jonathan Bernard Lester,Bhret Robert GRAYDON,Lauren Akemi Hamamoto Donegan RYAN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Light Effect Material with Metalized Layer

Номер патента: US20190093868A1. Автор: Carmen Rapisarda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-28.

Display panel with anode electrode comprising first transparent conductive layer and metal layer, and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US11864420B2. Автор: HUI Wang,Xiaodan ZHANG,Dongsheng Li,Xiaochuan Chen,Shengji Yang,Kuanta HUANG,Yanming Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Organic light emitting diode (OLED) display having sealant formed over sealing structure formed by a first metal layer, an insulating layer and a second metal layer

Номер патента: US11818913B2. Автор: Junyong AN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Electrically erasable and programmable read only memory (eeprom) having multiple overlapping metallization layers

Номер патента: WO1998024127A1. Автор: Satyendranath Mukherjee. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1998-06-04.

Reference metal layer for setting the impedance of metal contacts of a connector

Номер патента: US11800637B2. Автор: Chih-hao LEE,Manhtien V. Phan,Mau-Lin Chou. Владелец: Super Micro Computer Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Insulation film having metal layer

Номер патента: US20140017487A1. Автор: Choon Keun Lee,Jae Choon Cho,Hee Sun CHUN. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

Prepreg with metal layer, method for manufacturing laminate, and method for manufacturing prepreg with metal layer

Номер патента: US20240090138A1. Автор: Beji Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-14.

Silicon photonics-based optical modulation device with two metal layers

Номер патента: US20230358955A1. Автор: Heuk Park,Joon Ki Lee,Sanghwa YOO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-11-09.

Prepreg with metal layer, method for manufacturing laminate, and method for manufacturing prepreg with metal layer

Номер патента: EP4282648A1. Автор: Beji Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-29.

Display device with metal layer between pixel defining layer and opposite electrode

Номер патента: US11997885B2. Автор: Soomin Lee,Deokhoi Kim,Minsu Lee,Sanghyun Lim,Changyong Lee,Sungin RO,Soonmyung HONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Metal layering construction in flex/rigid-flex printed circuits

Номер патента: WO2019050602A1. Автор: Matthew David Mickelson,Jonathan Bernard Lester,Bhret Robert GRAYDON,Lauren Akemi Hamamoto Donegan RYAN. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-03-14.

Metal layering construction in flex/rigid-flex printed circuits

Номер патента: EP3679770A1. Автор: Matthew David Mickelson,Jonathan Bernard Lester,Bhret Robert GRAYDON,Lauren Akemi Hamamoto Donegan RYAN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-07-15.

Display device and mobile display having a semi-transparent metal layer

Номер патента: US7268488B2. Автор: Seoung-Yoon Ryu. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-11.

Porous resin film for metal layer laminate board and metal layer laminate board

Номер патента: US11878487B2. Автор: Naoto NAGAMI,Kei Mishima. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Film for metal layer laminate board and metal layer laminate board

Номер патента: US20220332083A1. Автор: Masayuki Hodono,Akihito Matsutomi,Kanayo SAWASHI. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Liquid flow induced power generation using nanoscale metal layers

Номер патента: WO2020117351A3. Автор: Franz M. Geiger,Mavis D. BOAMAH. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2020-07-16.

Material having a metal layer and a process for preparing this material

Номер патента: US20190389766A1. Автор: Lavinia Balan,Mohamed ZAIER. Владелец: Universite de Haute Alsace. Дата публикации: 2019-12-26.

Material having a metal layer and a process for preparing this material

Номер патента: EP3577084A1. Автор: Lavinia Balan,Mohamed ZAIER. Владелец: Universite de Haute Alsace. Дата публикации: 2019-12-11.

Stainless steel substrate with conductive metal layer, hard disk suspension material and hard disk suspension manufactured by using the material

Номер патента: WO2007094177A1. Автор: Yuji Kubo,Tooru Inaguma,Tsutomu Sugiura,Jun Nakatsuka,Shuji Nagasaki,Yoshito Yamasaki. Владелец: Nippon Steel Materials Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-08-23.

Deposition method of a metallic layer on a substrate of a resonator device

Номер патента: US12043891B2. Автор: Adrian Thomas,Steve Burgess,Scott HAYMORE. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Liquid flow induced power generation using nanoscale metal layers

Номер патента: US20200358374A1. Автор: Franz M. Geiger,Mavis D. BOAMAH. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2020-11-12.

Reference metal layer for setting the impedance of metal contacts of a connector

Номер патента: US20220183144A1. Автор: Chih-hao LEE,Manhtien V. Phan,Mau-Lin Chou. Владелец: Super Micro Computer Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Aerosol-generating article comprising a susceptor element and a wrapper with a metal layer

Номер патента: US20240237702A1. Автор: Farhang MOHSENI. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2024-07-18.

Plural metallic layers in oled donor

Номер патента: WO2005119809A1. Автор: Lee William Tutt,Michael Louis Boroson,Kelvin Nguyen,Donald Robert Preuss,Giana Marie Phelan. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2005-12-15.

Thin film magnetic head comprising metal layer and method of producing the same

Номер патента: US20080291583A1. Автор: Kazuki Sato,Kosuke Tanaka,Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Display device with metal layer between pixel defining layer and opposite electrode

Номер патента: US20230180535A1. Автор: Soomin Lee,Deokhoi Kim,Minsu Lee,Sanghyun Lim,Changyong Lee,Sungin RO,Soonmyung HONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240324166A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Acoustic wave device with IDT electrode including al metal layer and high acoustic impedance metal layer

Номер патента: US12113509B2. Автор: Katsuya Daimon,Shou Nagatomo. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Production method to produce a precision micro-mask including attaching a mask frame to a metal layer by laser welding and an AMOLED display manufactured therefrom

Номер патента: US12127468B2. Автор: Dinguo Chen. Владелец: Magic Star Technology Ningbo co ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Liquid flow induced power generation using nanoscale metal layers

Номер патента: US12097015B2. Автор: Thomas F. MILLER, III,Jeongmin Kim,Franz M. Geiger,Mavis D. BOAMAH. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-09-24.

Stretchable flexible substrate including first insulating layer, second insulating layer, first metal layer, and second metal layer

Номер патента: US09860979B2. Автор: YOSHIHIRO Tomita,Koji Kawakita,Takashi Ichiryu,Masanori Nomura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Substrate and metal layer manufacturing method

Номер патента: US09693456B2. Автор: Yasuhiro Koike,Hiroaki Asano,Kiminori Ozaki,Tomoaki Asai,Shigeki Kawaguchi,Hitoshi Shimadu. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Dual port memory cell with multiple metal layers

Номер патента: US12148463B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

A kind of hydride hydrogen-storing cylinder with stress buffer structure

Номер патента: CN109780434A. Автор: 叶建华,刘晓鹏,王树茂,蒋利军,李志念,武媛方,郭秀梅,袁宝龙,卢淼. Владелец: GRIMN Engineering Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Cage pocket structure with stress buffer grooves and pocket machining technology of structure

Номер патента: CN105840660A. Автор: 王涛,李宝玉,李迎丽,石东丹,毕立行,孙慧广,寇思源. Владелец: AVIC Harbin Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-10.

STRESS BUFFER LAYER FOR INTEGRATED MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS)

Номер патента: US20150091167A1. Автор: Mueller Christian,Meyer Thorsten,GEISSLER Christian,Ofner Gerald,Mahnkopf Reinhard,Augustin Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

STRESS BUFFER LAYER FOR INTEGRATED MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS)

Номер патента: US20150266728A1. Автор: Mueller Christian,Meyer Thorsten,GEISSLER Christian,Ofner Gerald,Mahnkopf Reinhard,Augustin Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Direct view light based on light emitting diodes (leds) with homogeneous mixing of output light

Номер патента: RU2633391C2. Автор: Петер Исаак ГОЛЬДШТАЙН,Эрик Энтони РОТ,Брайан РОБЕРДЖ. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2017-10-12.

Circuit for controlling LED with temperature compensation

Номер патента: US7330002B2. Автор: Il Kweon Joung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-12.

Rgbw led with integrated lens device

Номер патента: US20220003383A1. Автор: Bruce ZHANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-06.

Method of creating an air layer under the vessel bottom

Номер патента: RU2682373C1. Автор: Владимир Анатольевич Фролов. Владелец: Владимир Анатольевич Фролов. Дата публикации: 2019-03-19.

Method and system for predicting the appearance of objects being coated with at least one colored coating layer under different illumination conditions

Номер патента: EP4377899A1. Автор: Alexander Walker,Benjamin LANFER,Mark GUTJAHR,Florina TROST,Jens Wegner,Andreas Pflug,Michaela FINKENZELLER,Julius STEINHAUSER,Matthias WINCKELMANN,Henrik MAULER,Helge KIEHL. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2024-06-05.

Monitoring system for turbulence of atmospheric boundary layer under wind drift sand flow or sand dust storm environment

Номер патента: US09500769B2. Автор: Guohua Wang,Xiaojing Zheng,Tianli Bo,Yirui Liang,Jinghong Zhang. Владелец: LANZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-22.

HAMR media structure with intermediate layer underlying a magnetic recording layer having multiple sublayers

Номер патента: US09406329B1. Автор: HUA Yuan,Paul C. Dorsey,Antony Ajan,Tomoko SEKI,Hoan Cong Ho. Владелец: WD Media LLC. Дата публикации: 2016-08-02.

Resistance welding a porous metal layer to a metal substrate

Номер патента: CA2818195C. Автор: Clarence M. Panchison,Joseph R. Vargas,Steven J. Seelman. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2018-12-18.

Laminate with butt-welded metal layers

Номер патента: RU2355580C2. Автор: Мартен ЛАБОРДУС,Христиан Геррит ВЕРХУВЕН,ТОРЕН Михаэль Йоханнес Леонардус ВАН. Владелец: Сторк Фоккер Аесп Б.В.. Дата публикации: 2009-05-20.

Method for producing aircraft component from fiber-metal layered material

Номер патента: RU2752348C2. Автор: Рафаэль РАЙНХОЛЬД,Лео МЕЙС,Марко БОСМАН. Владелец: Бретье-Аутомацион Гмбх. Дата публикации: 2021-07-26.

Method of punching holes in sheet multilayer workpieces with central metal layer and thickened outer elastic layers

Номер патента: RU2687384C1. Автор: Геннадий Васильевич Панфилов,Владимир Александрович Сухонин,Дарья Анатольевна Фомичева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тульский государственный университет" (ТулГУ). Дата публикации: 2019-05-13.

Coatings with discontinuous metal layer, which regulate solar radiation

Номер патента: RU2535555C2. Автор: Гарри БЬЮХЕЙ,Джеймс Дж. ФИНЛИ,Джеймс П. ТИЛЬ,Адам Д. ПОЛСИН,Пол А. МЕДВИК,Эндрю В. ВАГНЕР,Абхинав БХАНДАРИ,Мл. Пол Р. ОХОДНИКИ,Деннис Дж. О'ШАУГНЕССИ,Джеффри А. БЕНИГНИ. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2014-12-20.

Electrolyte and process for depositing a matt metal layer

Номер патента: US20080302668A1. Автор: Christoph Werner,Andreas Konigshofen,Danica Elbick,Wolfgang Clauberg,Peter Pies,Andreas Mobius. Владелец: Enthone Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Electrolyte and process for depositing a matt metal layer

Номер патента: US8192607B2. Автор: Christoph Werner,Andreas Konigshofen,Danica Elbick,Wolfgang Clauberg,Peter Pies,Andreas Mobius. Владелец: Enthone Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

System of layers with two-layer metal layer

Номер патента: RU2566693C2. Автор: Георг БОСТАНЙОГЛО,Вернер ШТАММ,Аксель КАЙЗЕР,Ян ШТАЙНБАХ,Димитриос ТОМАИДИС. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-10-27.

Method of manufacture of surface structure on press tool by depositing metal layers

Номер патента: RU2659953C2. Автор: Вольфганг ШТОФФЕЛЬ,Мартин МАРКСЕН. Владелец: Хуек Райнише Гмбх. Дата публикации: 2018-07-04.

Process and plant for electrolyticaly coating the surface of a roll for the continuous casting of thin metal strip, with a metal layer

Номер патента: AU3180297A. Автор: Christian Allely,Yann Breviere,Jean-Claude Catonne,Eric Jolivet,Herve Lavelaine. Владелец: Thyssen Stahl AG. Дата публикации: 1998-01-14.

A method for attaching a porous metal layer to a metal substrate

Номер патента: CA2775689C. Автор: Dirk L. Pletcher,H. Ravindranath Shetty,Joel G. Scrafton,Dana Medlin,Steven James Charlebois,William B. Clarke,Dale Swarts. Владелец: Zimmer Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-31.

Mixed metal layered hydroxide-clay adducts as thickeners for water and other hydrophylic fluids

Номер патента: CA1264926A. Автор: John L. Burba, III,Audrey L. Barnes. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1990-01-30.

Diaphragm with metal layer

Номер патента: RU2465144C1. Автор: Яхуа ХОДЖАТ. Владелец: Дзе Гейтс Корпорейшн. Дата публикации: 2012-10-27.

Automotive catalyst composites having two-metal layer

Номер патента: RU2658002C2. Автор: Кнут ВАССЕРМАНН,Аттилио ЗИАНИ,Томас ШМИТЦ,Оливер ЗЕЕЛЬ,Штефан КОТРЕЛЬ,Гэри А. ГРАМИЧЧОНИ,Буркхард РАБЕ,Торстен НОЙБАУЕР,Мирко АРНОЛЬД,Штефан ЗАЙМУНД. Владелец: Басф Корпорейшн. Дата публикации: 2018-06-19.

Fluid transporting pipe with metallic layer

Номер патента: GB2328727A. Автор: Jean-Maurice Beurrier,Jer Me Pignatel. Владелец: Draftex Industries Ltd. Дата публикации: 1999-03-03.

Optical recording medium with an aluminum alloy metallic layer containing at least hafnium

Номер патента: US5032470A. Автор: Kiyotaka Shindo,Kunihiko Mizumoto,Koichi Igarashi,Hidehiko Hashimoto. Владелец: Mitsui Petrochemical Industries Ltd. Дата публикации: 1991-07-16.

Metal-in-gap head with double metal layer

Номер патента: US5184266A. Автор: Yasushi Kanai,Atsumi Nitta,Hiroe Takano,Shushi Saoshita. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1993-02-02.

Apparatus for stripping metal layers from metallic supports

Номер патента: US3689396A. Автор: Gianpaolo Casagrande,Turno De Michelis,Attilio De Rossi,Ferdinando Gnesotto. Владелец: Monteponi & Montevecchio SpA. Дата публикации: 1972-09-05.

Method of non-destructive testing of surface metal layer roughness

Номер патента: RU2619798C1. Автор: Павел Владимирович Сорокин,Алексей Иванович Солдатов,Андрей Алексеевич Солдатов,Мария Алексеевна Костина,Александр Григорьевич Мельников. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2017-05-18.

Automotive catalyst composites having a two-metal layer

Номер патента: CA2897016C. Автор: Stefan Kotrel,Knut Wassermann,Gary A. Gramiccioni,Mirko Arnold,Thomas Schmitz,Torsten Neubauer,Attilio Siani,Oliver Seel,Stefan Seimund,Burkhard Rabe. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Transmissive display device having two reflection metallic layers of differing reflectances

Номер патента: US6067131A. Автор: Takusei Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-05-23.

Label with a metallic layer of controlled thickness

Номер патента: CA2194837A1. Автор: Akira Katayama,Shigenobu Maruoka,Toshio Minagawa,Kohei Tachikawa. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 1997-08-29.

Particle separator with metal layer permeable for exhaust gas flow

Номер патента: RU2568351C2. Автор: Ферди КУРТ,Лудвиг ВИРЕС,Йоахим ЗИТТИГ,Михаэль ФОЙТ. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2015-11-20.

Method for coating a steel sheet with a metal layer

Номер патента: CA2848145A1. Автор: Anika Szesni,Helmut Oberhoffer,Reiner Sauer,Benjamin Liebscher,Karl-Ernst Friedrich. Владелец: THYSSENKRUPP RASSELSTEIN GMBH. Дата публикации: 2014-11-27.

Device for separation of metal layers from cathode plate

Номер патента: RU2499087C1. Автор: Юн Лю,Аймин ДЕНГ,Хуи ДИНГ,Жианронг КСИЕ. Владелец: Жиангкси Нерин Эквипмент Ко., Лтд. Дата публикации: 2013-11-20.

Reaction vessel comprising conductive layer and inner non-metallic layer

Номер патента: WO2009019454A1. Автор: David James Squirrell,Ross Peter Jones,Martin Alan Lee,George Richard GREGORY,Graham Gutsell,Roger James Williamson. Владелец: ENIGMA DIAGNOSTICS LIMITED. Дата публикации: 2009-02-12.

Silicate-Coated Particles in a Metal Layer

Номер патента: US20080254280A1. Автор: Wolfgang Ludt,Jürgen Sander. Владелец: Nanogate Coating Systems GmbH. Дата публикации: 2008-10-16.

A method of uniting a porous metal layer with a metal body

Номер патента: GB491416A. Автор: . Владелец: WUPPERTALER METALLVERARBEITUNG. Дата публикации: 1938-09-01.

Solar control coatings with discontinuous metal layer

Номер патента: MY160915A. Автор: James J Finley,Harry Buhay,Abhinav Bhandari,Adam D Polcyn,James P Thiel,Andrew V Wagner,Jr Paul R Ohodnicki,Dennis J O'shaughnessy,Jeffrey A Benigni,Paul A Medwick. Владелец: Ppg Ind Ohio Inc. Дата публикации: 2017-03-31.

Method of imparting corrosion resistance to a multi-layer window film having a metal layer

Номер патента: US20080152931A1. Автор: Raghunath Padiyath,Josh D. Tibbits. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-06-26.

Activated electrodes produced by consecutive deposition of metal layers and carrier separation

Номер патента: CA1271157A. Автор: Heinz Schmitz,Heinz Wullenweber,Jiri Divisek. Владелец: Kernforschungsanlage Juelich GmbH. Дата публикации: 1990-07-03.

Protecting metallic layers on substrates

Номер патента: CA1316435C. Автор: Peter William Johnson,Keith John Waddington. Владелец: KEMIRA COATINGS LIMITED. Дата публикации: 1993-04-20.

Method for Producing a Flat Steel Product Having a Protective Zinc-Based Metal Layer and a Phosphating Layer Produced on a Surface of the Protective Metal Layer and Flat Steel Product of This Type

Номер патента: US20230002877A1. Автор: Fabian Junge. Владелец: THYSSENKRUPP STEEL EUROPE AG. Дата публикации: 2023-01-05.

Anode and method for electrolytically depositing a metal layer onto a metal substrate

Номер патента: EP3763850A1. Автор: Jacques Hubert Olga Joseph Wijenberg,Gijsbertus Cornelis Van Haastrecht. Владелец: TATA STEEL IJMUIDEN BV. Дата публикации: 2021-01-13.

Reaction vessel comprising conductive layer and inner non-metallic layer

Номер патента: CA2694837C. Автор: David James Squirrell,Ross Peter Jones,Martin Alan Lee,George Richard GREGORY,Graham Gutsell,Roger James Williamson. Владелец: ENIGMA DIAGNOSTICS LTD. Дата публикации: 2016-02-16.

Heat development process for forming images utilizing a photographic material containing a metal layer and an inorganic material layer

Номер патента: US3996057A. Автор: Yuzo Mizobuchi,Kazuhiro Kawaziri,Takeshi Tomotsu. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1976-12-07.

Methods for preparation of overlaid metal layers

Номер патента: CA1257056A. Автор: Koji Hashimoto,Naokazu Kumagai,Katsuhiko Asami. Владелец: Daiki Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1989-07-11.

Process for the currentless deposition of electropositive metal layers on the surfaces of less electropositive metals

Номер патента: CA1236843A. Автор: Walter Ott,Karl Peters,Helmut Quast,Johannes Raber,Hans-Georg Von Schnering. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 1988-05-17.

Test circuitry for determining the defect density of a semiconductor process as a function of individual metal layers

Номер патента: US6061814A. Автор: V. Swamy Irrinki,Emery O. Sugasawara. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-05-09.

Method for producing a metal structure and apparatus for metallic joining of sheet-metal layers of a metal structure

Номер патента: MY121200A. Автор: Ludwig Wieres. Владелец: Emitec Emissionstechnologie. Дата публикации: 2006-01-28.

Method and apparatus for stabilizing aluminum metal layers in aluminum electrolytic cells

Номер патента: CA1173782A. Автор: Yoji Arita. Владелец: Mitsubishi Light Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1984-09-04.

Method of stabilizing an aluminum metal layer in an aluminum electrolytic cell

Номер патента: CA1164400A. Автор: Youji Arita. Владелец: Mitsubishi Light Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1984-03-27.

Method of making a metal honeycomb body of intertwined sheet-metal layers

Номер патента: US5608968A. Автор: Helmut Swars,Wolfgang Maus,Bohumil Humpolik,Rolf Br uck. Владелец: EMITEC GESELLSCHAFT FUER EMISSIONSTECHNOLOGIE MBH. Дата публикации: 1997-03-11.

Mixed metal layered hydroxide-clay adducts as thickeners for water and other hydrophylic fluids.

Номер патента: MY101797A. Автор: L Burba John Iii,L Barnes Audrey. Владелец: Skw Polymers Gmbh. Дата публикации: 1992-01-31.

Resin membrane having metallic layer and method of producing the same

Номер патента: US5510195A. Автор: Atsushi Nakayama,Toshihide Imamura,Kanichi Kadotani,Masakatsu Sano,Osamu Igarashi,Nobuo Katsuura. Владелец: Nikko Kogyo KK. Дата публикации: 1996-04-23.

Aerosol-generating article comprising a wrapper with a metal layer

Номер патента: WO2023001929A1. Автор: Farhang MOHSENI. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS S.A.. Дата публикации: 2023-01-26.

Head stack assembly including laminated nut plate with damping layer interposed between metal layers

Номер патента: US6958890B1. Автор: Chen-Chi Lin,Kamran Oveyssi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2005-10-25.

Process for purifying a metal layer precipitated catalytically onto a carrier of glass,ceramic,metal or a heat-resistant plastic

Номер патента: US3562010A. Автор: Axel Emil Bergstrom. Владелец: Individual. Дата публикации: 1971-02-09.

Personalised image formed from a metal layer and a lenticular array

Номер патента: US20240017563A1. Автор: Paul Azuelos,Benoit Berthe,Alban Remy. Владелец: Idemia France SAS. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods and systems for predicting silicon density for a metal layer of semi-conductor chip via machine learning

Номер патента: US11797744B1. Автор: Xi Chen,Lei Yin,Akhilesh Kumar,Ming-Chih Shih,Norman Chang,Jimin Wen,Wen-Tze Chuang,Bolong Zhang,Jay Prakash Pathak,En Cih Yang,Ying Shiun Li. Владелец: Ansys Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Solar control coatings with quadruple metallic layers

Номер патента: US11885174B2. Автор: Adam D. Polcyn,Andrew Wagner,Patrick Fisher,Paul A. Medwick. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Process for producing a composite component comprising at least one metal layer and one polymer layer

Номер патента: WO2024062103A1. Автор: Patrick Spies,Andreas Radtke,Nawel Souad KHELFALLAH,Gerrit Schuellermann. Владелец: Chemetall GmbH. Дата публикации: 2024-03-28.

Process for forming metal layer on surface of resin molded product

Номер патента: US6863986B2. Автор: Fumiaki Kikui,Takeshi Nishiuchi,Kohshi Yoshimura,Shuji Tsujimoto. Владелец: Neomax Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-08.

Multilayer structures, laminates, and articles with metal layers

Номер патента: US20230321962A1. Автор: Bo Xu,Jingyi Xu. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for reproducible manufacture of metallic layers

Номер патента: US4331702A. Автор: Norbert Mayer,Konrad Hieber. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1982-05-25.

Laser-personalized card having a hard coat subassembly and a core subassembly having non-metal layers with carbon particles

Номер патента: US11915074B2. Автор: John Herslow. Владелец: COMPOSECURE LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for manufacturing electroless plating substrate and method for forming metal layer on surface of substrate

Номер патента: US11865518B2. Автор: Tzu-Chien Wei,Yu-Hsiang KAO. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-01-09.

Decorative laminate including metallic layer and method for producing same, and metallic coating composition

Номер патента: EP4263217A1. Автор: Naota SUGIYAMA,Tomohiro Oba,Shinsuke KONDO. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for electrolessly depositing a metal layer onto a substrate

Номер патента: US20230313383A1. Автор: Thorsten Teutsch,Vinith Bejugam. Владелец: Pac Tech Packaging Technologies GmbH. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for producing catalytic metal layer and method for producing graphene material

Номер патента: US9254477B2. Автор: Takahiro Maruyama,Shigeya Naritsuka. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-09.

Metallurgical vessel lining with enclosed metal layer

Номер патента: EP3504498A1. Автор: Jose Simoes,Beda MOHANTY,Roger Maddalena. Владелец: Vesuvius USA Corp. Дата публикации: 2019-07-03.

Metallurgical vessel lining with enclosed metal layer

Номер патента: CA3033121C. Автор: Jose Simoes,Beda MOHANTY,Roger Maddalena,Dominique Janssen (Deceased). Владелец: Vesuvius USA Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Metallurgical vessel lining with enclosed metal layer

Номер патента: US20190212059A1. Автор: Jose Simoes,Beda MOHANTY,Roger Maddalena,Dominic Janssen (deceased). Владелец: Vesuvius USA Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Metallurgical vessel lining with enclosed metal layer

Номер патента: WO2018038983A1. Автор: Jose Simoes,Dominique Janssen,Beda MOHANTY,Roger Maddalena. Владелец: VESUVIUS CRUCIBLE COMPANY. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of preparing nanocomposite material plated with network-type metal layer through silica self-cracks and wearable electronics carbon fiber prepared therefrom

Номер патента: US20210246558A1. Автор: Hun Jeong,Hong-Gun Kim,Leeku KWAC,Seonghun BACK,Bobby Singh SORAM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-12.

Method of preparing nanocomposite material plated with network-type metal layer through silica self-cracks and wearable electronics carbon fiber prepared therefrom

Номер патента: US11753722B2. Автор: Hun Jeong,Hong-Gun Kim,Leeku KWAC,Seonghun BACK,Bobby Singh SORAM. Владелец: JEONJU UNIVERSITY OFFICE OF INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION. Дата публикации: 2023-09-12.

Forming method of metal layer

Номер патента: US20210008618A1. Автор: Shinn-Jen Chang,Chi-San Chen,Jer-Young Chen,Yi-Tsung Pan,Chuan-Sheng Chuang,Li-Shing CHOU. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-01-14.

Smartcards with metal layers

Номер патента: EP4202763A1. Автор: Jean-Luc Meridiano,Claude COLOMBARD,Sébastien Subra,Stéphanie MILANINI. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2023-06-28.

Composite laminates with metal layers and methods thereof

Номер патента: US20230313384A1. Автор: Eric Alan Bruton,Kenneth W. Young,Christopher H. CHILDERS. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-10-05.

Solar control coatings with quadruple metallic layers

Номер патента: AU2019215224B2. Автор: Adam D. Polcyn,Andrew Wagner,Patrick Fisher,Paul A. Medwick. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Container with globe-like particles and an inner metal layer and method for its fabrication

Номер патента: US11872742B2. Автор: Heinrich ANGST. Владелец: Titanx Coating Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-01-16.

Packaging material with indicium in metallic layer

Номер патента: CA3075845A1. Автор: Rajesh Suryanarayanan,Louis Douglas Smith, Jr.,John Ralph Bumgardner,Jeffery Allen Boekeloo. Владелец: Printpack Illinois Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Process for forming multilayer structures containing a metal layer

Номер патента: EP2668230A1. Автор: Maged G. Botros,Chun Lee. Владелец: EQUISTAR CHEMICALS LP. Дата публикации: 2013-12-04.

Decorative laminate including metallic layer and method for producing the same, and metallic coating composition

Номер патента: US20240010849A1. Автор: Naota SUGIYAMA,Tomohiro Oba,Shinsuke KONDO. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-01-11.

Composite laminates with metal layers and methods thereof

Номер патента: EP4238753A1. Автор: Eric Alan Bruton,Kenneth W. Young,Christopher H. CHILDERS. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-09-06.

Galvano-technical device for locally applying a metal layer to an elongate metal tape or the like

Номер патента: US4618407A. Автор: Peter J. G. Loermans. Владелец: Meco Equipment Engineers BV. Дата публикации: 1986-10-21.

Integrated thin-film resistive sensor with integrated heater and metal layer thermal equalizer

Номер патента: US20240053425A1. Автор: Zhong You,Vamsikrishna Parupalli. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Multi-metal layer wvtr barrier products on water vapour and oxygen permeable bio-based substrates

Номер патента: EP4007823A1. Автор: Valeria Rasetto,Kurt GUNDLACH,Daniela MONDELLI,Roghaiyeh Ebrahimi KALAN. Владелец: AR Metallizing NV. Дата публикации: 2022-06-08.

Type v pressure vessel having a gas barrier metal layer

Номер патента: WO2023057547A1. Автор: Bjorn Criel,Eric Deparis. Владелец: Plastic Omnium New Energies France. Дата публикации: 2023-04-13.

Cable having translucent, semi-transparent or transparent esd dissipative layer and/or metallic layer

Номер патента: US20070284133A1. Автор: Sassan Shahidi,George Zamora,Icko Iben. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Packaging material with indicium in metallic layer

Номер патента: US11813820B2. Автор: Rajesh Suryanarayanan,Louis Douglas Smith, Jr.,John Ralph Bumgardner,Jeffery Allen Boekeloo. Владелец: Printpack Illinois Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

MEMS devices utilizing a thick metal layer of an interconnect metal film stack

Номер патента: US9493340B2. Автор: Rashed Mahameed,Mohamed A. Abdelmoneum,Kristen L. Dorsey,Mamdouh O. Abdelmejeed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

MEMS devices utilizing a thick metal layer of an interconnect metal film stack

Номер патента: US9150402B2. Автор: Rashed Mahameed,Mohamed A. Abdelmoneum,Kristen L. Dorsey,Mamdouh O. M M Abdelmejeed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Multi-metal layer wvtr barrier products on water vapour and oxygen permeable bio-based substrates

Номер патента: WO2021023661A1. Автор: Valeria Rasetto,Kurt GUNDLACH,Daniela MONDELLI,Roghaiyeh Ebrahimi KALAN. Владелец: AR Metallizing N.V.. Дата публикации: 2021-02-11.

Vehicle window with an ir-reflective coating with a discontinuous metallic layer of metal nanocrystals

Номер патента: US20240150232A1. Автор: Sebastian Janzyk,Jan Hagen,Julie RUFF. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2024-05-09.

Aerosol-generating article comprising a wrapper with a metal layer

Номер патента: EP4373313A1. Автор: Farhang MOHSENI. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2024-05-29.

Solar control coatings with quadruple metallic layers

Номер патента: AU2024201648A1. Автор: Adam D. Polcyn,Andrew Wagner,Patrick Fisher,Paul A. Medwick. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Process for forming metal layer on surface of resin molded product

Номер патента: US20020058153A1. Автор: Fumiaki Kikui,Takeshi Nishiuchi,Kohshi Yoshimura,Shuji Tsujimoto. Владелец: Sumitomo Special Metals Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for manufacturing electroless plating substrate and method for forming metal layer on surface of substrate

Номер патента: US20210046455A1. Автор: Tzu-Chien Wei,Yu-Hsiang KAO. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-02-18.

Smartcards with metal layers

Номер патента: WO2023118268A8. Автор: Jean-Luc Meridiano,Claude COLOMBARD,Sébastien Subra,Stéphanie MILANINI. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2023-08-03.

Ultra wide band optical absorber based on multilayer transition metal layers

Номер патента: US20230305205A1. Автор: Cheng Zhang,Xiaofeng Li,Qinhua Wang,Haoyu Li,Binglin Huang,Ti Sun. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-28.

Ophthalmic devices including polydopamine layers and methods of depositing a metal layer on ophthalmic devices including a polydopamine layer

Номер патента: WO2019067479A1. Автор: Christian GUTIERREZ,Scott B. Kennedy. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2019-04-04.

Methods of fabricating self-aligned metal layer structure and optic

Номер патента: US20150337449A1. Автор: Chia-Ming Chung,Chien-Pang Lin. Владелец: Omnivision Optoelectronic Technologies Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Oriented multilayer film including metal layer

Номер патента: EP4357134A1. Автор: Nrusingh SAHU,Martin Keith HILL. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-24.

Film to hold a metal layer, metallic decorative sheet intermediate product, metallic decorative sheet, extruded laminate product, metallic molded product, injection molded product, method for producing a metallic molded product, method for producing injection molded product, and method for producing an extruded laminate product

Номер патента: US11993057B2. Автор: Tetsuya Kurosawa,Chikatsu Akisada,Ryuta Takeuchi. Владелец: Wavelock Advanced Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method and system for detection of thin metal layers in packaged articles

Номер патента: WO1979000721A1. Автор: J Price,P Martin,F Watson,A Lilly. Владелец: Philip Morris Inc. Дата публикации: 1979-10-04.

Aerosol-generating article comprising a susceptor element and a wrapper with a metal layer

Номер патента: EP4373314A1. Автор: Farhang MOHSENI. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2024-05-29.

Solar control coating with discontinuous metal layer

Номер патента: US11993536B2. Автор: Adam D. Polcyn,James J. Finley,Harry Buhay,Abhinav Bhandari,James P. Thiel,Andrew V. Wagner,Paul A. Medwick,Dennis J. O'Shaughnessy,Paul R. Ohodnicki, JR.,Jeffrey A. Benigni. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Device for controlling trapped ions with reinforced ion trap metal layer

Номер патента: US20230102515A1. Автор: Stefan Woehlert,Clemens Rössler,Silke Katharina Auchter,Lina Purwin,Matthias German Dietl,Johann Gabric,Alexander Zesar. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for metal layer formation

Номер патента: US20200017974A1. Автор: Yana Sheynin,Natalia Zamoshchik,Konstantin LIVANOV. Владелец: Oreltech Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Packaging Material with Indicium in Metallic Layer

Номер патента: US20240042733A1. Автор: Rajesh Suryanarayanan,Louis Douglas Smith, Jr.,John Ralph Bumgardner,Jeffery Allen Boekeloo. Владелец: Printpack Illinois Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Fixing device and image forming apparatus with nonmagnetic metal layer substantially free from temperature rise due to induction heating

Номер патента: US7590377B2. Автор: Yuzuru Nanjo. Владелец: Kyocera Mita Corp. Дата публикации: 2009-09-15.

Single crystal metal layers, methods of production and uses thereof

Номер патента: WO2022013111A1. Автор: Stephan Hofmann,Oliver J. BURTON. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2022-01-20.

Microfluidic component with metal layer stack and fluid conduit element made of another material bonded with it

Номер патента: US20230256439A1. Автор: Armin Steinke,Christian Daniel RUF. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2023-08-17.

Multi-metal layer WVTR barrier products on water vapour and oxygen permeable bio-based substrates

Номер патента: AU2020325639A1. Автор: Valeria Rasetto,Kurt GUNDLACH,Daniela MONDELLI,Roghaiyeh Ebrahimi KALAN. Владелец: AR Metallizing NV. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of depositing a metal layer on a component

Номер патента: US20240018683A1. Автор: Elzbieta Kryj-Kos,Lakshmi Krishnan,Sriram Krishnamurthy,Justin M. Welch. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for bonding heat-conducting substrate and metal layer

Номер патента: US20140096884A1. Автор: Chien-Ming Chen. Владелец: Subtron Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

Metallized opaque films with robust metal layer attachment

Номер патента: EP2780165A1. Автор: Steven R. Cosentino,Jan S. LARIVIERE,Keith KULESZA,Sherrod B. TATUM. Владелец: DuPont Teijin Films US LP. Дата публикации: 2014-09-24.

Mems devices utilizing a thick metal layer of an interconnect metal film stack

Номер патента: EP3036188A1. Автор: Rashed Mahameed,Mohamed A. Abdelmoneum,Kristen L. Dorsey,Mamdouh O. M M Abdelmejeed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-29.

Mems devices utilizing a thick metal layer of an interconnect metal film stack

Номер патента: US20150368091A1. Автор: Rashed Mahameed,Mohamed A. Abdelmoneum,Kristen L. Dorsey,Mamdouh O. M M Abdelmejeed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Robust optical filter utilizing pairs of dielectric and metallic layers

Номер патента: EP2260337A1. Автор: Matthew Coda,Richard T. Wipfler,Andre Wahl,Lee Boman,Julius Kozak,Chris H. Stoessel,Ronald Thielsch. Владелец: Southwall Technologies Inc. Дата публикации: 2010-12-15.

Thermal transfer ribbon assembly comprising a metal layer and a protective coating layer

Номер патента: WO2020092358A8. Автор: Suwit John Sangkaratana,Daniel SZUMSKI. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2021-06-03.

Solar Control Coatings With Quadruple Metallic Layers

Номер патента: US20240200399A1. Автор: Adam D. Polcyn,Andrew Wagner,Patrick Fisher,Paul A. Medwick. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Mems pressure sensor built using the beol metal layers of a solid-state semiconductor process

Номер патента: EP4384790A2. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Nanusens SL. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of forming copper metal layer on non-metallic material

Номер патента: US20190145008A1. Автор: Kuo-Hsin Chang,Chung-Ping Lai,Jia-Cing Chen,Kuanlin KU. Владелец: BGT Materials Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Process for coating a surface of a substrate with a metal layer

Номер патента: US12024766B2. Автор: Frank Vitus Franz Natrup. Владелец: Sherart BV. Дата публикации: 2024-07-02.

Fluid ejection device metal layer layouts

Номер патента: US20070242110A1. Автор: Michael Miller,Trudy Benjamin,Joseph Torgerson,Kevin Bruce. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Interferometric modulator mirror design without metal layer in the hinge

Номер патента: US20160274436A1. Автор: Bing Wen,Yaoling Pan,Edward Keat Leem Chan,Tallis Young CHANG. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Ophthalmic devices including polydopamine layers and methods of depositing a metal layer on ophthalmic devices including a polydopamine layer

Номер патента: EP3688522A1. Автор: Christian GUTIERREZ,Scott B. Kennedy. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2020-08-05.

Oriented multilayer film including metal layer

Номер патента: WO2024086202A1. Автор: Nrusingh SAHU,Martin Keith HILL. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for fusing a hard ceramic-metallic layer on a brake rotor

Номер патента: WO2008070329A1. Автор: William J. Zdeblick,Warran Boyd Lineton,Myron Jeffrey Schmenk. Владелец: FEDERAL-MOGUL CORPORATION. Дата публикации: 2008-06-12.

Method for metal layer formation

Номер патента: EP3574128A1. Автор: Yana Sheynin,Natalia Zamoshchik,Konstantin LIVANOV. Владелец: Oreltech Ltd. Дата публикации: 2019-12-04.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US20160083842A1. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Window having metal layer that transmits microwave signals and reflects infrared signals

Номер патента: US20220194846A1. Автор: Nicholas Francis Borrelli,Alexandre Mikhailovich Bratkovski. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Process for producing liquid ejection head and process for producing substrate for liquid ejection head including repeated metal layer, Si layer, N layer laminations

Номер патента: US9050805B2. Автор: Makoto Sakurai,Takeru Yasuda,Takuya Hatsui,Souta Takeuchi,Soichiro Nagamochi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-06-09.

Laminate of metal layers which are connected by a fibre-reinforced adhesive

Номер патента: WO2000053408A1. Автор: Hendricus Gerardus Hilders. Владелец: Adprotech B.V.. Дата публикации: 2000-09-14.

Process and device for the local removal of at least one metallic layer from a component made of an alloy

Номер патента: EP2475810A1. Автор: Max Niegl,Konrad Rager,Dirk Ruhlig,Stefand Schoener. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2012-07-18.

Robust optical filter utilizing pairs of dielectric and metallic layers

Номер патента: WO2009120175A1. Автор: Matthew Coda,Richard T. Wipfler,Andre Wahl,Lee Boman,Julius Kozak,Chris H. Stoessel,Ronald Thielsch. Владелец: SOUTHWALL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2009-10-01.

Light-permeable housing having metal layer and texture of specific material and method for making the same

Номер патента: US20140099457A1. Автор: Chao-Lang Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-10.

Laminate of metal powder and foaming agent between two metal layers

Номер патента: EP1251988A1. Автор: Christiaan Johannes Kooij,Nicolaas Dirk Adrianus Kooij,Anthony Stephan Verdier,Peter Conrad Hubert Ament. Владелец: Corus Aluminium Walzprodukte GmbH. Дата публикации: 2002-10-30.

Material with metallic layer for inflatable safety device

Номер патента: US20240208654A1. Автор: Dan Kline. Владелец: Air Cruisers Co LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for adhering metal layer and polymer layer and method for manufacturing metal electrode

Номер патента: US20170173933A1. Автор: Yong Hee Kim,Sang-Don Jung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-06-22.

Fluid ejection device metal layer layouts

Номер патента: SG131952A1. Автор: Trudy Benjamin,Joseph M Torgerson,Kevin Bruce,Michael D Miller. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2007-05-28.

A process for coating a surface of a substrate with a metal layer

Номер патента: WO2020263089A1. Автор: Frank Vitus Franz Natrup. Владелец: Sherart B.V.. Дата публикации: 2020-12-30.

Method of depositing a metal layer on a component

Номер патента: US11767607B1. Автор: Elzbieta Kryj-Kos,Lakshmi Krishnan,Sriram Krishnamurthy,Justin M. Welch. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-09-26.

Resistance welding a porous metal layer to a metal substrate utilizing an intermediate element

Номер патента: EP3169278A1. Автор: Steven Seelman,Emmanuel L. UZUYEM,Carlos Holguin,Cristina PRADO LOPEZ. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2017-05-24.

Method for fusing a hard ceramic-metallic layer on a brake rotor

Номер патента: EP2099662A1. Автор: William J. Zdeblick,Warran Boyd Lineton,Myron Jeffrey Schmenk. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2009-09-16.

Multilayer structures, laminates, and articles with metal layers

Номер патента: EP4247636A1. Автор: Bo Xu,Jingyi Xu. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-27.

Plating bath composition for plating of precious metal and a method for depositing a precious metal layer

Номер патента: EP4407067A1. Автор: Donny Lautan,Robert Spreemann,Boris Alexander KRAFT,Dmytri VOLOSHYN. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-31.

Optical thin film having metal layer containing silver and high standard electrode potential metal

Номер патента: US11747520B2. Автор: Yuichiro Itai,Seigo Nakamura,Kenichi Umeda,Tatsuya YOSHIHIRO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Window having metal layer that transmits microwave signals and reflects infrared signals

Номер патента: WO2020210289A1. Автор: Nicholas Francis Borrelli,Alexandre Mikhailovich Bratkovski. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2020-10-15.

Plating bath composition for plating of precious metal and a method for depositing a precious metal layer

Номер патента: WO2024156770A1. Автор: Donny Lautan,Robert Spreemann,Boris Alexander KRAFT,Dimitri Voloshyn. Владелец: Atotech Deutschland GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2024-08-02.

Integrated thin-film resistive sensor with integrated heater and metal layer thermal equalizer

Номер патента: US12066514B2. Автор: Zhong You,Vamsikrishna Parupalli. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Data storage media containing magnesium metal layer

Номер патента: WO2010062723A3. Автор: Matthew R. Linford,Douglas P. Hansen. Владелец: BRIGHAM YOUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-08-12.

Composite laminates with metal layers and methods thereof

Номер патента: US12065742B2. Автор: Eric Alan Bruton,Kenneth W. Young,Christopher H. CHILDERS. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-08-20.

Material with metallic layer for inflatable safety device

Номер патента: WO2024137535A1. Автор: Dan Kline. Владелец: Air Cruisers Company, LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Thermal assisted magnetic recording head having plasmon generator in which dielectic layer is surrounded by metal layer

Номер патента: US20180211686A1. Автор: Norikazu Ota,Yuki Nishimura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Packaging material with indicium in metallic layer

Номер патента: WO2019059958A1. Автор: Rajesh Suryanarayanan,Louis Douglas Smith, Jr.,John Ralph Bumgardner,Jeffery Allen Boekeloo. Владелец: PRINTPACK ILLINOIS, INC.. Дата публикации: 2019-03-28.

Method and assembly including a connection between metal layers and a fusible material

Номер патента: US20150205046A1. Автор: Nagesh Basavanhally. Владелец: Alcatel Lucent USA Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Steel wire with metal layer and roughnesses

Номер патента: US20060292389A1. Автор: Filip Acx. Владелец: Bekaert NV SA. Дата публикации: 2006-12-28.

Method and device for detecting hillock in metal layer

Номер патента: US20180047153A1. Автор: LIANG XIAO,Sangsoo Park,Xunze ZHANG. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Electro-depositing metal layers of uniform thickness on semiconducting wafers

Номер патента: SG11201811476XA. Автор: George Hradil. Владелец: Technic. Дата публикации: 2019-02-27.

Method of depositing a metal layer on a component

Номер патента: US12091768B2. Автор: Elzbieta Kryj-Kos,Lakshmi Krishnan,Sriram Krishnamurthy,Justin M. Welch. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-09-17.

Type v pressure vessel having a gas barrier metal layer

Номер патента: EP4413289A1. Автор: Bjorn Criel,Eric Deparis. Владелец: Plastic Omnium New Energies France SAS. Дата публикации: 2024-08-14.

Inner liner sheet material free of a metallic layer

Номер патента: WO2024121091A1. Автор: Alexander ANDROSENKO. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS S.A.. Дата публикации: 2024-06-13.

Profile for a window and/or door part with metal layer

Номер патента: US12116830B2. Автор: Till Schmiedeknecht. Владелец: Salamander Industrie Produkte GmbH. Дата публикации: 2024-10-15.

Durable coated article having a metal layer

Номер патента: WO2024220634A1. Автор: Jessica Smith,Maryanne Griffin. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Solar control coatings with quadruple metallic layers

Номер патента: ZA202205838B. Автор: Andrew Wagner,Patrick Fisher,Adam D Polcyn,Paul A Medwick. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Durable Coated Article Having a Metal Layer

Номер патента: US20240351944A1. Автор: Jessica Smith,Maryanne Griffin. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Secure optical information disc having a minimized metal layer

Номер патента: WO2006083860A2. Автор: Joel Douglas Bigley. Владелец: Vidco, Inc.. Дата публикации: 2006-08-10.

Aerosol-generating article comprising a wrapper with a metal layer

Номер патента: US20240365849A1. Автор: Farhang MOHSENI. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2024-11-07.

Thermal assisted magnetic recording head having plasmon generator in which dielectric layer is surrounded by metal layer

Номер патента: US09997178B1. Автор: Norikazu Ota,Yuki Nishimura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Inorganic polarizing plate having trapezoid shaped metal layers and production method thereof

Номер патента: US09988724B2. Автор: Eiji Takahashi. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Solar control coatings with discontinuous metal layer

Номер патента: US09932267B2. Автор: Adam D. Polcyn,James J. Finley,Harry Buhay,Abhinav Bhandari,James P. Thiel,Andrew V. Wagner,Paul A. Medwick,Dennis J. O'Shaughnessy,Paul R. Ohodnicki, JR.,Jeffrey A. Benigni. Владелец: Vitro SAB de CV. Дата публикации: 2018-04-03.

Disk drive head suspension tail with a noble metal layer disposed on a plurality of structural backing islands

Номер патента: US09881640B2. Автор: Yanning Liu,Yih-Jen Dennis Chen,Kia Moh Teo. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Determining a thickness of individual layers of a plurality of metal layers

Номер патента: US09791257B1. Автор: David Eric Peters,Mohammed Aftab Alam,Ramez Nachman,John Espinoza Sanchez, Jr.. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Interferometric modulator mirror design without metal layer in the hinge

Номер патента: US09715156B2. Автор: Bing Wen,Yaoling Pan,Edward Keat Leem Chan,Tallis Young CHANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for attaching a porous metal layer to a metal substrate

Номер патента: US09656358B2. Автор: H. Ravindranath Shetty,Steven Charlebois,Dana Medlin,Michael E Hawkins,Steven Zawadzki,Leslie N. Gilbertson. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for depositing a nickel-metal layer

Номер патента: US09631282B2. Автор: Stefan Koppe. Владелец: Schauenburg Ruhrkunststoff GmbH. Дата публикации: 2017-04-25.

Electrically heatable honeycomb body assembly having an electrical connection of a plurality of sheet metal layers

Номер патента: US09623373B2. Автор: Peter Hirth,Rolf Brueck,Ferdi Kurth,Thomas Haerig. Владелец: EMITEC GESELLSCHAFT FUER EMISSIONSTECHNOLOGIE MBH. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for producing coating systems containing metal layers for finishing plastic surfaces

Номер патента: US09586437B2. Автор: Umberto De Rossi,Klaus ROTHS. Владелец: Mankiewicz Gebr and Co GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-03-07.

Pwm control for leds with reduced flicker when using spread spectrum switching frequencies

Номер патента: US20140111110A1. Автор: Xin Qi,Keith D. Szolusha,Eric S. Young. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2014-04-24.

Driving leds with resonance inductor and capacitors

Номер патента: KR20120066651A. Автор: 알라인 데크래머,미어스만 에릭 드. Владелец: 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2012-06-22.

A kind of constant current driver circuit for LED with dimming function

Номер патента: CN106954314A. Автор: 张波,李路,乔明,宋旭,于亮亮,梁龙飞,朱旭晗. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-07-14.

LED lighting device, has luminescence conversion element absorbing portion of blue light and converting blue light into secondary light, and additional set of light sources constructed of LEDs with wavelength greater than preset value

Номер патента: DE102011106209A1. Автор: Tek Beng Low,Eng Wah Tan,Chee Chian Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Series connected parallel array of LEDs with output resistor

Номер патента: US11997771B2. Автор: Jing Jing Yu. Владелец: Ledup Manufacturing Group Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

A kind of more lamp cap illumination control apparatus of LED with storage battery power supply

Номер патента: CN106594661B. Автор: 武强,艾勇,梁赫西,刘彦飞,代永红. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2019-02-26.

Leds with spectral power distributions and arrays of leds comprising the same

Номер патента: US20210185779A1. Автор: David J. Cahalane,William R. Florac,Evan Gnam,Wendy Luedtke,Isabel Coff. Владелец: Electronic Theatre Controls Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Leds with spectral power distributions and arrays of leds comprising the same

Номер патента: EP3835647A1. Автор: David J. Cahalane,William R. Florac,Evan Gnam,Isabel Coff,Lucy LUEDTKE. Владелец: Electronic Theatre Controls Inc. Дата публикации: 2021-06-16.

Method and apparatus for driving a LED with pulses

Номер патента: US09648685B2. Автор: Timo Toivola. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2017-05-09.

Light source with several white LEDs with different output spectra

Номер патента: DE102008015712A1. Автор: Kee Yean Ng,Joon Chok Kuching Lee,Chee Wai Chia,David C. Redwood City Feldmeier. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Dimmable LED with constant voltage plus constant current drive circuitry

Номер патента: TW201431435A. Автор: Jun-Hua Huang,Julian Zhu. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2014-08-01.

Uniform, efficient, and color adjustable ring flash for cameras using LEDs with light emission from multiple sides

Номер патента: CN108463770B. Автор: V.D.卡卡尔,A.范德西吉德,冯春霞,E.范萨利,N.普法伊费尔. Владелец: Bright Sharp Holdings Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

LED with overvoltage protection drives energy-saving power supply

Номер патента: CN108834253A. Автор: 卫斌鹏. Владелец: 卫斌鹏. Дата публикации: 2018-11-16.

Method for emitting filament lamp-like light by LED lamp, involves controlling LEDs with different color temperatures independent of each other such that temperatures and mixed light outputs of LEDs are considered during dimming of lamp

Номер патента: CH702973A2. Автор: Hermann Beer,Marcel Rusterholz,Markus Bickert. Владелец: Sensitec Ag. Дата публикации: 2011-10-14.

Led with improved light emission profile

Номер патента: EP1759428A2. Автор: Helmut Bechtel,Wolfgang Busselt,Joachim Opitz,Eliav Itzhak Haskal,Georg Friedrich Gaertner. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2007-03-07.

LED LAMP CONSISTING OF LIGHT EMITTING DIODES (LED) WITH CIRCADIAN ADJUSTABLE MODE OF RADIATED LIGHT PROVIDING FOR ITS HEALTH SAFETY

Номер патента: US20190364637A1. Автор: MEDRICKY Hynek. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

LEDS WITH SPECTRAL POWER DISTRIBUTIONS AND ARRAYS OF LEDS COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20210185779A1. Автор: Cahalane David J.,Florac William R.,Gnam Evan,Luedtke Wendy,Coff Isabel. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

MULTILAYER STRUCTURE FOR LIGHTING DEVICE ON ORGANIC LEDS, METHOD OF ITS MANUFACTURE AND LIGHTING DEVICE ON ORGANIC LEDS WITH THIS STRUCTURE

Номер патента: EA201590012A1. Автор: Йоунг Сеонг Ли,Дзин Воо Хан,Дзи Воонг Баек. Владелец: Сэн Гобэн Гласс Франс. Дата публикации: 2015-07-30.

WHITE LIGHT SOURCE BASED ON LED WITH ADJUSTABLE CORRELATED COLOR TEMPERATURE WITH MIXING CAMERA AND EXIT WINDOW WITH REMOTE LUMINOPHOR

Номер патента: RU2015105357A. Автор: Мартинус Петрус Йозеф ПЕТЕРС,ВЕМЕ Беренд Ян Виллем ТЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-09-10.

Method and circuit for driving LEDs with a pulsed current

Номер патента: US8810147B2. Автор: Wen-Hsiung Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-19.

Integrated circuit with built in monitor - has LED with feed amplifier extinguished under fault condition

Номер патента: FR2315701A1. Автор: Gert Siegle. Владелец: Blaupunkt Werke GmbH. Дата публикации: 1977-01-21.

DIRECT REVIEW LUMINAIRE BASED ON LEDS (LED) WITH HOMOGENEOUS MIXING OF THE OUTPUT LIGHT

Номер патента: RU2014124351A. Автор: Петер Исаак ГОЛЬДШТАЙН,Эрик Энтони РОТ,Брайан РОБЕРДЖ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2015-12-27.

A kind of high temperature LED with optically focused and light conduction function

Номер патента: CN106764480A. Автор: 张威,张华剑,杨阳军. Владелец: J&v Electronic Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

A Road Sign and Spectacle Iluminating LED With Solar Cell

Номер патента: KR200466996Y1. Автор: 박정현,강승범,우성규. Владелец: 우성규. Дата публикации: 2013-05-20.

A kind of LED with the RGB/RGBW/RGBY of Data Control

Номер патента: CN204377223U. Автор: 安庆有. Владелец: DONGGUAN KONG LIGHTING TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2015-06-03.

Leds with silicone potting

Номер патента: WO2023156503A1. Автор: John William SCHACH,Luke Matthew STEWART,Eric GAIGNARD. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2023-08-24.

LED with cooling piece

Номер патента: CN104456211B. Автор: 叶伟炳. Владелец: Dongguan Wenyu Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-17.

A kind of LED with over-voltage protecting function

Номер патента: CN204948401U. Автор: 郑万坚. Владелец: Hancon Lighting Co Ltd (zhuhai). Дата публикации: 2016-01-06.

LED lamp has driver circuit that changes color and/or brightness of LED arranged in lamp base in response to rotation angle of LED with respect to lamp cap

Номер патента: DE102012207188A1. Автор: Erwin Gutlederer,Frank Lochmann. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-10-31.

Shelf furniture e.g. cabinet, for positioning object or article for storing or displaying, has organic LED with active area sending electromagnetic radiation in operation, and shelf unit with electrical contacts to electrically contact LED

Номер патента: DE102006054584A1. Автор: Dmytro San Jose Poplavskyy. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2008-04-10.

Sloping roof with traditional tiles - uses moisture proof layer under metal or plastics tile retaining strips in line with joists

Номер патента: CH665670A5. Автор: Maurino Marzio. Владелец: Le Pietre Maurino S A. Дата публикации: 1988-05-31.

Dull and stereotyped lamp of LED with air purification function

Номер патента: CN212805459U. Автор: 陈杏荣. Владелец: Jiangmen Yaliang Hardware Electrical Appliance Co ltd. Дата публикации: 2021-03-26.

Ceramic material for LEDs with reduced scattering and method of making the same

Номер патента: CN101883834A. Автор: P·J·施密特,A·蒂克斯,H-H·贝希特尔. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-11-10.

Railles transporter device for trucks over floor area - electronically control led with code-readers at changing-points and track interruption as part of code

Номер патента: NL7408610A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1974-12-30.

Driving method for electricity-saving LED with high efficiency

Номер патента: TW200631195A. Автор: shi-ting Zhang. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-01.

Lamp unit with a led with integrated light deflection body

Номер патента: CN101109489A. Автор: J·默滕斯,G·霍尔茨马赫尔,J·孔策. Владелец: Odelo Led GmbH. Дата публикации: 2008-01-23.

Orientation system for front landing gear of airplane has inductive angular sensor with no integrated contact in landing gear led with leading part placed around axis of leg

Номер патента: FR2787761A1. Автор: Alain Coty,Benjamin Parzy,Henri Pierre Gayout,Stephane Boutrouelle,Gilles Coty. Владелец: Messier Dowty SA. Дата публикации: 2000-06-30.

Lamp unit with a LED with integrated light deflection body

Номер патента: EP1881258B1. Автор: Jens Mertens,Gunther Holzmacher,Jochen Kunze. Владелец: Odelo Led GmbH. Дата публикации: 2009-04-22.

Optical magnifying system has a lightweight structure for a lamp with a number of high power ceramic LEDs with a long life which do not need replacement

Номер патента: DE19938926A1. Автор: Alfred Schuettinger. Владелец: A Schweizer GmbH Optische Fabrik. Дата публикации: 2001-07-12.

Color matching lamp with three or more groups of LEDs with different wavelength ranges and a color mixing device that has a hexagonal pattern on a transparent pane

Номер патента: DE102016012256B4. Автор: Joachim Becker. Владелец: OLIGO LICHTTECHNIK GmbH. Дата публикации: 2020-03-12.

Ceramic bonded body with stress buffer metal layer

Номер патента: JP3504716B2. Автор: 正也伊藤,克己見山,智雄田中. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-08.

Led with double-layer compound zone

Номер патента: RU2331951C1. Автор: Александр Александрович Богданов,Мария Валерьевна Нахимович,Анатолий Валерьевич Феопёнтов,Мари Валерьевна Нахимович. Владелец: Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника". Дата публикации: 2008-08-20.

Device for cooling single powerful led with intensified condensation system

Номер патента: RU2636385C1. Автор: Евгений Анатольевич Чиннов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2017-11-23.

Arrangement of prefabricated reinforced concrete parapet of cantilever type in multi-storey attic-free building with continuous coupling of coating and wall insulator layers under cantilever part of parapet

Номер патента: RU2418923C1. Автор: Сергей Иванович Береснев,Евгений Сергеевич Береснев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Проектно-строительная компания "БЕйС и К". Дата публикации: 2011-05-20.

Method And Apparatus For Measuring The Thickness Of A Metal Layer Provided On A Metal Object

Номер патента: US20120001624A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Attachment to lathe for working polygonal small-dimension dead deep openings by plastic deformation method (without removing metal layers)

Номер патента: RU2300448C2. Автор: Зоя Федоровна Мосина,Зо Федоровна Мосина. Владелец: Зоя Федоровна Мосина. Дата публикации: 2007-06-10.

Method of blanking parts from multilayer sheets with central metal layer and elastic outer layers

Номер патента: RU2483823C1. Автор: Геннадий Васильевич Панфилов,Кирилл Владимирович Власов,Павел Владимирович Судаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тульский государственный университет" (ТулГУ). Дата публикации: 2013-06-10.

Method of nanostructured metal layer formation on steel plate surface

Номер патента: RU2354750C1. Автор: Николай Андреевич Махутов,Жесфина Михайловна Бледнова,Михаил Иосифович Чаевский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ГОУВПО "КубГТУ"). Дата публикации: 2009-05-10.

Method of metal layer removal from nonmetallic base

Номер патента: RU2031977C1. Автор: Александр Васильевич Рудик. Владелец: Александр Васильевич Рудик. Дата публикации: 1995-03-27.

Protected vapor-deposited metal layers

Номер патента: CA1197417A. Автор: Edward J. Downing,Richard S. Fisch. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1985-12-03.

Method for making metal layer

Номер патента: RU2190037C2. Автор: А.В. Пинегин. Владелец: Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики. Дата публикации: 2002-09-27.

Method for obtaining high-color rendering white light by using white-light LED and red-light LED with fixed fluorescent powder proportioning ratios

Номер патента: CN101815381A. Автор: 何国兴,郑利红. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-08-25.

Method for obtaining high color rendering and color temperature adjustable white light by combining warm white light LED with red light LED, green light LED, and blue light LED

Номер патента: CN101801142A. Автор: 何国兴,郑利红. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-08-11.

LED WITH STRESS-BUFFER LAYER UNDER METALLIZATION LAYER

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты