Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Metal oxide semiconductor transistor with self-aligned channel implant

Metal oxide semiconductor transistor with self-aligned channel implant

Номер патента: US20030102492A1
Опубликовано: 05-06-2003
Автор(ы): Dan Mosher, David Scott
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming a metal oxide semiconductor transistor with self-aligned channel implant

Номер патента: US6620692B2. Автор: Dan M. Mosher,David B. Scott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-09-16.

LDMOS with self-aligned body and hybrid source

Номер патента: US12113106B2. Автор: Christoph Ellmers,Manoj Chandrika Reghunathan,Gary M Dolny,William R Richards,Stefan EISENBRANDT,Brendan TONER,Zhengchao Liu. Владелец: Amplexia LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for fabricating ldmos with self-aligned body

Номер патента: US20180090613A1. Автор: Ji-Hyoung Yoo,Deming Xiao,Jeesung Jung,Joel M. McGregor,Zeqiang Yao. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Ldmos with self-aligned body and hybrid source

Номер патента: EP4200911A1. Автор: Christoph Ellmers,Manoj Chandrika Reghunathan,Gary M. Dolny,Stefan EISENBRANDT,Brendan TONER,Zhengchao Liu,William R RICHARDS, Jr.. Владелец: Amplexia LLC. Дата публикации: 2023-06-28.

Method for manufacturing a transistor with self-aligned channel

Номер патента: EP1804285A1. Автор: Hedi Hakim. Владелец: AMI Semiconductor Belgium BVBA. Дата публикации: 2007-07-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CARBON NANOTUBE GATE

Номер патента: US20180350603A1. Автор: Han Shu-Jen,LI NING,Cao Qing,Tang Jianshi. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Mis transistor with self-aligned gate and method for making same

Номер патента: US20070001239A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-01-04.

Lateral Transistor with Self-Aligned Body Implant

Номер патента: US20240234149A9. Автор: Jurgen Faul,Achim Gratz,Swapnil Pandey. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with self-aligned carbon nanotube gate

Номер патента: US20180350603A1. Автор: Ning Li,Shu-Jen Han,Qing Cao,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device with self-aligned carbon nanotube gate

Номер патента: US10446398B2. Автор: Ning Li,Shu-Jen Han,Qing Cao,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Semiconductor device with self-aligned carbon nanotube gate

Номер патента: US10079149B2. Автор: Ning Li,Shu-Jen Han,Qing Cao,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-18.

Semiconductor device with self-aligned carbon nanotube gate

Номер патента: US09704965B1. Автор: Ning Li,Shu-Jen Han,Qing Cao,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Lateral transistor with self-aligned body implant

Номер патента: US11887852B2. Автор: Achim Gratz,Juergen Faul,Swapnil Pandey. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-01-30.

Lateral Transistor with Self-Aligned Body Implant

Номер патента: US20240136189A1. Автор: Jurgen Faul,Achim Gratz,Swapnil Pandey. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-04-25.

Multi-gate semiconductor device with self-aligned epitaxial source and drain

Номер патента: EP2517231A1. Автор: Tahir Ghani,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Anand S. Murthy,Kuan-Yueh Shen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Power Semiconductor Device with Self-Aligned Source Region

Номер патента: US20200066870A1. Автор: Thees Hans-Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CARBON NANOTUBE GATE

Номер патента: US20190385854A1. Автор: Han Shu-Jen,LI NING,Cao Qing,Tang Jianshi. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20160133722A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: WO2015081286A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20150155364A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Power Semiconductor Device with Self-Aligned Source Region

Номер патента: US20200066870A1. Автор: Hans-Juergen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-27.

Structure and method for replacement gate integration with self-aligned contacts

Номер патента: US09627510B1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Deep trench with self-aligned sinker

Номер патента: US09431286B1. Автор: ABBAS Ali,Binghua Hu,Henry Litzmann Edwards,John P. Erdeljac,Sameer P Pendharkar,Jarvis Benjamin Jacobs,Britton Robbins. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Recessed gate silicon-on-insulator floating body device with self-aligned lateral isolation

Номер патента: US20140332880A1. Автор: John Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Recessed gate silicon-on-insulator floating body device with self-aligned lateral isolation

Номер патента: US09553186B2. Автор: John Kim. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Split-gate trench mos transistor with self-alignment of gate and body regions

Номер патента: US20220208995A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-30.

Split-gate trench mos transistor with self-alignment of gate and body regions

Номер патента: EP4024439A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-07-06.

Gate with self-aligned ledged for enhancement mode GaN transistors

Номер патента: US09748347B2. Автор: Jianjun Cao,Alexander Lidow,Alana Nakata. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US20230268401A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US11935928B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: EP4235799A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

III-V MOSFET with self-aligned diffusion barrier

Номер патента: US09947755B2. Автор: Cheng-Wei Cheng,Jack Oon Chu,Kevin K. Chan,Yanning Sun,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Iii-v mosfet with self-aligned diffusion barrier

Номер патента: US20170092722A1. Автор: Cheng-Wei Cheng,Jack Oon Chu,Kevin K. Chan,Yanning Sun,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

III-V MOSFET with self-aligned diffusion barrier

Номер патента: US9853109B2. Автор: Cheng-Wei Cheng,Jack Oon Chu,Kevin K. Chan,Yanning Sun,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory structure with self-aligned floating and control gates and associated methods

Номер патента: US09478643B2. Автор: John Hopkins,Fatma A. Simsek-Ege. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

THRESHOLD VOLTAGE ADJUSTMENT IN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SILICON OXYNITRIDE POLYSILICON GATE STACK ON FULLY DEPLETED SILICON-ON-INSULATOR

Номер патента: US20160133722A1. Автор: Yeap Choh Fei,SONG Stanley Seungchul. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20150155364A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Vertical fin-type bipolar junction transistor with self-aligned base contact

Номер патента: US20190371900A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Vertical fin-type bipolar junction transistor with self-aligned base contact

Номер патента: US20200152755A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical fin-type bipolar junction transistor with self-aligned base contact

Номер патента: US20190371900A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Vertical fin-type bipolar junction transistor with self-aligned base contact

Номер патента: US11139380B2. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-05.

Vertical fin-type bipolar junction transistor with self-aligned base contact

Номер патента: US10777648B2. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

HIGH DENSITY TRENCH-BASED POWER MOSFETS WITH SELF-ALIGNED ACTIVE CONTACTS AND METHOD FOR MAKING SUCH DEVICES

Номер патента: US20140175536A1. Автор: Chen John,Yilmaz Hamza,Calafut Daniel,Bobde Madhur,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Liu Sik. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

TRENCH MOSFET WITH SELF-ALIGNED SOURCE AND CONTACT REGIONS USING THREE MASKS PROCESS

Номер патента: US20150221733A1. Автор: HSIEH Fu-Yuan. Владелец: FORCE MOS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device with self-aligned ohmic contacts

Номер патента: US9343561B2. Автор: Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

High density trench-based power MOSFETs with self-aligned active contacts and method for making such devices

Номер патента: US9450088B2. Автор: John Chen,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Sik Lui,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Daniel Calafut,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED WELLS AND MULTIPLE CHANNEL MATERIALS

Номер патента: US20150340500A1. Автор: Brunco David P.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

Method for forming a semiconducter device with self-alignment

Номер патента: EP0000545B1. Автор: Chakrapani Gajanan Jambotkar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-02-11.

Method for forming a semiconducter device with self-alignment

Номер патента: EP0000545A1. Автор: Chakrapani Gajanan Jambotkar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-02-07.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Vertical field effect transistors (vfets) with self-aligned wordlines

Номер патента: US20200020805A1. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US20070020819A1. Автор: Sanh Tang,Grant Huglin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Trench mosfet with self-aligned body contact with spacer

Номер патента: EP3365919A1. Автор: Kyle Terrill,Lingpeng Guan,Seokjin Jo. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

Finfet with self-aligned punchthrough stopper

Номер патента: WO2014035556A1. Автор: Shom Ponoth,Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Balasubramanian S. Haran. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) apparatus with self-aligned backside contact

Номер патента: US20240096978A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nanosheet metal-oxide semiconductor field effect transistor with asymmetric threshold voltage

Номер патента: GB2619470A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Zhang Jingyun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Nanosheet metal-oxide semiconductor field effect transistor with asymmetric threshold voltage

Номер патента: US20230335588A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Nanosheet metal-oxide semiconductor field effect transistor with asymmetric threshold voltage

Номер патента: GB202314488D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Trench gate FET with self-aligned source contact

Номер патента: US09397213B2. Автор: Edouard de Fresart,Moaniss Zitouni,Michael Petras,Pon Sung Ku,Ganming Qin,Dragan Zupac. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

NANOSHEET FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN ISOLATION

Номер патента: US20190035888A1. Автор: Wu Xusheng. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

STACKED VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED JUNCTIONS

Номер патента: US20210091207A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang Chen,Wu Heng,Miao Xin,Yu Lan. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED TERMINAL CONTACTS

Номер патента: ITMI20121244A1. Автор: Giuseppe Croce,Andrea Paleari. Владелец: St Microelectronics Srl. Дата публикации: 2014-01-18.

TRENCH GATE FET WITH SELF-ALIGNED SOURCE CONTACT

Номер патента: US20160064556A1. Автор: Ku Pon Sung,Qin Ganming,Petras Michael,de Frésart Edouard,Zitouni Moaniss,Zupac Dragan. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED INNER SPACERS

Номер патента: US20180175167A1. Автор: Coquand Remi,Reboh Shay,Augendre Emmanuel. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor power devices manufactured with self-aligned processes and more reliable electrical contacts

Номер патента: US10608092B2. Автор: John Chen,Wenjun Li,Hamza Yilmaz,Daniel Ng. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2020-03-31.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US20160111335A1. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US9793168B2. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US20180012805A1. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED WELLS AND MULTIPLE CHANNEL MATERIALS

Номер патента: US20180012805A1. Автор: Brunco David P.. Владелец: GLOBALFOUDRIES INC.. Дата публикации: 2018-01-11.

VERTICAL SWITCHING DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20200220023A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Majhi Prashant,SUNG Seung Hoon,SHARMA Abhishek A.,Doyle Brian S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Process for manufacturing patterned silicon-on-insulator layers with self-aligned trenches and resulting product

Номер патента: KR100355776B1. Автор: 아즈메라아툴,사다나드벤드라케이,셰피스도미니크제이. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2002-10-19.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with metal-insulator-semiconductor contact structure to reduce schottky barrier

Номер патента: US09536973B2. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with extended gate dielectric layer

Номер патента: US09997601B2. Автор: Shiuan-Jeng Lin,Shyh-Wei Cheng,Che-Jung Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with crystalline oxide layer on a III-V material

Номер патента: US11081590B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Robert M. Wallace,Xiaoye Qin. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2021-08-03.

Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion

Номер патента: US09455349B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Compound semiconductor transistor with self aligned gate

Номер патента: US9443941B2. Автор: Oliver Häberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Compound semiconductor transistor with self aligned gate

Номер патента: CN103456781A. Автор: G.库拉托拉,O.赫贝伦. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-12-18.

Gate contact interlayer for hemt devices with self-aligned electrodes

Номер патента: US20220020857A1. Автор: Aurore Constant,Peter Coppens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-01-20.

Enhanced mobility CMOS transistors with a V-shaped channel with self-alignment to shallow trench isolation

Номер патента: US7728364B2. Автор: Huilong Zhu,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20190088765A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming,Chidambaram Periannan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: WO2018174999A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-27.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20190088765A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20180277657A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: EP3602612A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

GATE WITH SELF-ALIGNED LEDGED FOR ENHANCEMENT MODE GaN TRANSISTORS

Номер патента: US20160035847A1. Автор: Jianjun Cao,Alexander Lidow,Alana Nakata. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

GATE WITH SELF-ALIGNED LEDGED FOR ENHANCEMENT MODE GaN TRANSISTORS

Номер патента: US20170047414A9. Автор: Cao Jianjun,Lidow Alexander,Nakata Alana. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) WITH SELF-ALIGNED DOUBLE GATES ON BULK SILICON SUBSTRATE, METHODS OF FORMING, AND RELATED DESIGN STRUCTURES

Номер патента: US20150206961A1. Автор: Liu Qizhi,PEKARIK JOHN J.,Adkisson James W.,Dunn James S.,Harame David L.,Gross Blaine J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-23.

GATE WITH SELF-ALIGNED LEDGE FOR ENHANCEMENT MODE GaN TRANSISTORS

Номер патента: US20170317179A1. Автор: Cao Jianjun,Lidow Alexander,Nakata Alana. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Gate with self-aligned ledge for enhancement mode GaN transistors

Номер патента: TW201513341A. Автор: Jianjun Cao,Alexander Lidow,Alana Nakata. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Self-aligned channel metal oxide semiconductor (mos) device and fabrication method thereof

Номер патента: EP4285417A1. Автор: Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Self-aligned channel metal oxide semiconductor (mos) device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240096963A1. Автор: Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Vertical field effect transistor with self-aligned backside trench epitaxy

Номер патента: WO2024134280A1. Автор: Brent Anderson,Lawrence Clevenger,Albert Chu,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Nicholas LANZILLO. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical field effect transistor with self-aligned backside trench epitaxy

Номер патента: US20240204100A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Field effect transistors with self-aligned metal plugs and methods

Номер патента: US20200035555A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device with self-aligned back side features

Номер патента: US09515181B2. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: US12107014B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Monolithically integrated lateral bipolar device with self-aligned doped regions

Номер патента: WO2023161389A1. Автор: Edward John Coyne. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor Device With Self-Aligned Back Side Features

Номер патента: US20170047346A1. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device with self-aligned back side features

Номер патента: WO2016022341A1. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Silanna Semiconductor U.S.A., Inc.. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device with self-aligned back side features

Номер патента: US20160042967A1. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Qualcomm Switch Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device with self-aligned back side features

Номер патента: EP3178112A1. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-14.

Stacked vertical field effect transistor with self-aligned junctions

Номер патента: US20210091207A1. Автор: Chen Zhang,LAN Yu,Kangguo Cheng,Xin Miao,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Y-FET with self-aligned punch-through-stop (PTS) doping

Номер патента: US09455314B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH SELF ALIGNED SOURCE/DRAIN JUNCTIONS

Номер патента: US20200044056A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH SELF ALIGNED SOURCE/DRAIN JUNCTIONS

Номер патента: US20200052095A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

NANOSHEET TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED DIELECTRIC PILLAR

Номер патента: US20210217654A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH SELF ALIGNED SOURCE/DRAIN JUNCTIONS

Номер патента: US20190355833A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Method of manufacturing a field-effect transistor with self-aligned gates

Номер патента: EP1968106A2. Автор: Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-09-10.

High voltage field effect transistors with self-aligned silicide contacts and methods for making the same

Номер патента: US20220399447A1. Автор: Hiroshi Nakatsuji,Masashi Ishida,Jun Akaiwa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: US20230099643A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Vertical field effect transistors with self aligned source/drain junctions

Номер патента: US20200052095A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: WO2023051596A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-04-06.

Vertical field effect transistors with self aligned source/drain junctions

Номер патента: US20200044056A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED CAPACITOR DEVICE

Номер патента: US20180061839A1. Автор: Baars Peter,Thees Hans-Jürgen. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Iii-v mosfet with self-aligned diffusion barrier

Номер патента: US20170092722A1. Автор: Cheng-Wei Cheng,Jack Oon Chu,Kevin K. Chan,Yanning Sun,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

III-V MOSFET WITH SELF-ALIGNED DIFFUSION BARRIER

Номер патента: US20170092727A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Yau Jeng-Bang,Chan Kevin K.,Sun Yanning,Chu Jack Oon. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

Vertical Tunnel FET with Self-Aligned Heterojunction

Номер патента: US20190115479A1. Автор: Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Yeung Chun Wing,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

Methods of forming semiconductor device with self-aligned contact elements and the resulting devices

Номер патента: US20140252425A1. Автор: Xiuyu Cai,John A. Iacoponi,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

III-V MOSFET WITH SELF-ALIGNED DIFFUSION BARRIER

Номер патента: US20180197961A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Yau Jeng-Bang,Chan Kevin K.,Sun Yanning,Chu Jack Oon. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

SEMICONDUCTOR POWER DEVICES MANUFACTURED WITH SELF-ALIGNED PROCESSES AND MORE RELIABLE ELECTRICAL CONTACTS

Номер патента: US20160260814A1. Автор: Chen John,Yilmaz Hamza,Ng Daniel,Li Wenjun. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

SEMICONDUCTOR POWER DEVICES MANUFACTURED WITH SELF-ALIGNED PROCESSES AND MORE RELIABLE ELECTRICAL CONTACTS

Номер патента: US20180269293A1. Автор: Chen John,Yilmaz Hamza,Ng Daniel,Li Wenjun. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2018-09-20.

Field effect transistor devices with self-aligned source/drain contacts and gate contacts positioned over active transistors

Номер патента: US20200258779A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED GATES

Номер патента: US20200294803A1. Автор: XU Wenyu,Xie Ruilong,SIEG STUART A.,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

PROCESS FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED INTERNAL SPACERS

Номер патента: FR3060841B1. Автор: Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Remi Coquand. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-02-12.

Semiconductor power devices manufactured with self-aligned processes and more reliable electrical contacts

Номер патента: TW201216468A. Автор: John Chen,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,wen-jun Li. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2012-04-16.

Semiconductor power devices manufactured with self-aligned processes and more reliable electrical contacts

Номер патента: US8779510B2. Автор: John Chen,Wenjun Li,Hamza Yilmaz,Daniel Ng. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-07-15.

Nonvolatile memery unit and its manufacturing method with self aligned floating gate and erasing grid

Номер патента: CN106415851B. Автор: N.杜,C.苏,B.陈. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-23.

Field effect transistor devices with self-aligned source/drain contacts and gate contacts positioned over active transistors

Номер патента: US10707127B2. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Semiconductor structure with self-aligned spacers and method of fabricating the same

Номер патента: US09691665B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Field-effect-transistor with self-aligned diffusion contact

Номер патента: US20140008731A1. Автор: Charles William Koburger, III,Douglas C. La Tulipe, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Nanosheet transistors with self-aligned dielectric pillars

Номер патента: KR20220106992A. Автор: 뤼룽 자이,캉궈 청,줄리앙 프루지에르. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2022-08-01.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistor with self-aligned shared contacts

Номер патента: US20200212220A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistor with self-aligned shared contacts

Номер патента: US20200066903A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

COMPLIMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR CIRCUIT HAVING TRANSISTORS WITH DIFFERENT THRESHOLD VOLTAGES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180076199A1. Автор: Hong Joon Goo,Wang Wei-E. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

REPLACEMENT METAL GATE PROCESS FOR VERTICAL TRANSPORT FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED SHARED CONTACTS

Номер патента: US20200066903A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

VERTICAL FIN-TYPE BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BASE CONTACT

Номер патента: US20200152755A1. Автор: OK Injo,Lee Choonghyun,KIM Seyoung,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

REPLACEMENT METAL GATE PROCESS FOR VERTICAL TRANSPORT FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED SHARED CONTACTS

Номер патента: US20200212220A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED COULOMB BLOCKADE

Номер патента: US20170352751A1. Автор: Cheng Kangguo,Liu Fei,Li Zhengwen,Cao Qing. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

MIRRORED CONTACT CMOS WITH SELF-ALIGNED SOURCE, DRAIN, AND BACK-GATE

Номер патента: US20180006126A1. Автор: Yamashita Tenko,Hook Terence B.,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Complimentary metal-oxide-semiconductor circuit having transistors with different threshold voltages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076199A1. Автор: Wei-E Wang,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: US20240274712A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: EP4415051A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

NANOSHEET METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH ASYMMETRIC THRESHOLD VOLTAGE

Номер патента: US20220278195A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Zhang Jingyun. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

MOSFET in SiC with self-aligned lateral MOS channel

Номер патента: US11923450B2. Автор: Adolf SCHÖNER,Nicolas THIERRY-JEBALI,Hossein ELAHIPANAH,Sergey RESHANOV. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Fabrication of an electronic component with self-aligned source drain and gate includes self-aligned siliciding of a source and drain formed on either side of a dummy gate

Номер патента: FR2810157A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2001-12-14.

TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED SOURCE AND DRAIN CONTACTS AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20180166469A1. Автор: Zhang John Hongguang. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2018-06-14.

REDUCED-FORM-FACTOR TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED TERMINALS AND ADJUSTABLE ON/OFF-CURRENTS AND MANUFACTURE METHOD THEREOF

Номер патента: US20200168736A1. Автор: LU Chao-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20190252267A1. Автор: Xie Ruilong,Fan Su Chen,Park Chanro,Anderson Brent,Sung Min Gyu,Bentley Steven,LIEBMANN Lars,Suvarna Puneet Harischandra. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Method of making a field-effect transistor with self-aligned TiSi2/TiN source and drain contacts

Номер патента: EP0896364A1. Автор: Chun-Ting Liu,Chien-Shing Pai,Steven James Hillenius. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-02-10.

Method for producing a transistor with self-aligned contacts and field insulation

Номер патента: WO1997050118A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat A L'energie Atomique. Дата публикации: 1997-12-31.

GATE CUT LAST PROCESSING WITH SELF-ALIGNED SPACER

Номер патента: US20200035674A1. Автор: Yang Haining,Lu Ye. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

GRAPHENE/NANOSTRUCTURE FET WITH SELF-ALIGNED CONTACT AND GATE

Номер патента: US20220093772A1. Автор: Chang Josephine,Lauer Isaac,Sleight Jeffrey. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CARBON NANOTUBE GATE

Номер патента: US20180090324A1. Автор: Han Shu-Jen,LI NING,Cao Qing,Tang Jianshi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

MOSFET IN SIC WITH SELF-ALIGNED LATERAL MOS CHANNEL

Номер патента: US20210126123A1. Автор: Schöner Adolf,Thierry-Jebali Nicolas,Reshanov Sergey,Elahipanah Hossein. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

FABRICATION OF MULTI-CHANNEL NANOWIRE DEVICES WITH SELF-ALIGNED INTERNAL SPACERS AND SOI FINFETS USING SELECTIVE SILICON NITRIDE CAPPING

Номер патента: US20180226490A1. Автор: Le Van H.,Clendenning Scott B.,LIAO Szuya S.,MITAN Martin M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

MOSFET IN SIC WITH SELF-ALIGNED LATERAL MOS CHANNEL

Номер патента: US20220376107A1. Автор: Schöner Adolf,Thierry-Jebali Nicolas,Reshanov Sergey,Elahipanah Hossein. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Method for making an electronic component with self-aligned drain and gate, in damascene architecture

Номер патента: US6867128B2. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2005-03-15.

Copper interconnects with self-aligned hourglass-shaped metal cap

Номер патента: US20230110587A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Chanro Park,Kenneth Chun Kuen Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with reduced surface field folding

Номер патента: US9196680B1. Автор: Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Tahir Arif Khan. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with a cold source

Номер патента: US20210210639A1. Автор: Jian Wang,Fei Liu,Hong Guo. Владелец: Versitech Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACTS, INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20100155743A1. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Auerbach,Michael Treu,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-06-24.

Junction field-effect transistor with self-aligning gate

Номер патента: GB2172747A. Автор: Franz-Josef Tegude. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1986-09-24.

VERTICAL FIN-TYPE BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BASE CONTACT

Номер патента: US20190181236A1. Автор: OK Injo,Lee Choonghyun,KIM Seyoung,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

SILICON METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (Si MOSFET) WITH A WIDE-BANDGAP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR GROUP DRAIN AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210159338A1. Автор: Edward Yi Chang,Mau-Chung Frank Chang,Chieh-Hsi Chuang,Jessie Lin. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2021-05-27.

Gate all around transistors with high charge mobility channel materials

Номер патента: US20210226009A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of forming vertical field effect transistors with self-aligned gates and gate extensions and the resulting structure

Номер патента: US20190088767A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Lars Liebmann,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Structure and process for overturned thin film device with self-aligned gate and s/d contacts

Номер патента: US20180226511A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens,Yiheng XU. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-08-09.

Structure and process for overturned thin film device with self-aligned gate and S/D contacts

Номер патента: US09496415B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens,Yiheng XU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Closed cell lateral MOSFET using silicide source and body regions with self-aligned contacts

Номер патента: US09853143B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical fet with self-aligned source/drain regions and gate length based on channel epitaxial growth process

Номер патента: US20180331213A1. Автор: Julien Frougier,Steven Bentley,Bartlomiej Jan Pawlak,Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US20170047349A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-16.

Thin film transistor with self-aligned bottom gate

Номер патента: TW304306B. Автор: Lu-Chen Hsu Louis,Francis Shepard Joseph,Joseph Saccamango Mary. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1997-05-01.

High density mosfet array with self-aligned contacts enhancement plug and method

Номер патента: US20160035846A1. Автор: Hong Chang,Yeeheng Lee,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-04.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US09922993B2. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-20.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US09496283B1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-15.

High density MOSFET array with self-aligned contacts enhancement plug and method

Номер патента: US09401409B2. Автор: Hong Chang,Yeeheng Lee,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-26.

METHOD FOR PRODUCING A TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: FR2752644A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1998-02-27.

Devices and methods of forming VFET with self-aligned replacement metal gates aligned to top spacer post top source drain EPI

Номер патента: US09773708B1. Автор: John Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Vertical memory cell with self-aligned thin film transistor

Номер патента: US11812600B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van H. Le,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory strucutre with self-aligned floating and control gates and associated methods

Номер патента: WO2015099930A1. Автор: John D. Hopkins,Fatma A. Simsek-Ege. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

Trench gate FET with self-aligned features

Номер патента: TW200824120A. Автор: Chan-ho Park. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2008-06-01.

Methods of forming FinFET semiconductor devices with self-aligned contact elements using a replacement gate process and the resulting devices

Номер патента: US09515163B2. Автор: Shom Ponoth,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

SILICON-ON-INSULATOR TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BORDERLESS SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20140061799A1. Автор: Horak David V.,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,FAN Susan S.,Koburger Charles W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED SOURCE AND DRAIN TOP JUNCTION

Номер патента: US20220059677A1. Автор: Reznicek Alexander,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Zhang Chen. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

VERTICAL-TRANSPORT TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20190051757A1. Автор: Xie Ruilong,Zang Hui,Chanemougame Daniel,Bourjot Emilie,Lee Tek Po Rinus. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180277657A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming,Chidambaram Periannan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

METHOD FOR PRODUCING A TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: FR2752644B1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1998-10-02.

Method of producing a field effect transistor with self-aligned gate metallization

Номер патента: EP0197838A1. Автор: Erhard Kohn. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1986-10-15.

Process of manufacturing a high frequency bipolar transistor utilizing doped silicide with self-aligned masking

Номер патента: US4586968A. Автор: Augustin Coello-Vera. Владелец: Le Silicium Semiconducteur Ssc. Дата публикации: 1986-05-06.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US20180166469A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-14.

SPLIT-GATE TRENCH POWER MOSFET WITH SELF-ALIGNED POLY-TO-POLY ISOLATION

Номер патента: US20220052194A1. Автор: ADNAN Ditto,CASTORINA Maurizio Gabriele,NGWAN Voon Cheng,TAHIR Fadhillawati. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED BACK SIDE FEATURES

Номер патента: US20160042967A1. Автор: Fanelli Stephen A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor Device With Self-Aligned Back Side Features

Номер патента: US20170047346A1. Автор: Fanelli Stephen A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Methods of forming semiconductor device with self-aligned contact elements and the resulting device

Номер патента: US20170077247A1. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED WELLS AND MULTIPLE CHANNEL MATERIALS

Номер патента: US20160111335A1. Автор: Brunco David P.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

HIGH POWER DEVICE WITH SELF-ALIGNED FIELD PLATE

Номер патента: US20210184005A1. Автор: Liu Ming Chyi. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Non-volatile Memory Cell With Self Aligned Floating And Erase Gates, And Method Of Making Same

Номер патента: US20150179749A1. Автор: Do Nhan,Su Chien-Sheng,Chen Bomy. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

HIGH DENSITY MOSFET ARRAY WITH SELF-ALIGNED CONTACTS ENHANCEMENT PLUG AND METHOD

Номер патента: US20150255565A1. Автор: Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

METHOD AND SYSTEM FOR A GALLIUM NITRIDE VERTICAL JFET WITH SELF-ALIGNED SOURCE AND GATE

Номер патента: US20140370669A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Brown Richard J.,Romano Linda,Raj Madhan,Disney Don. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

STACKED NANOSHEETS WITH SELF-ALIGNED INNER SPACERS AND METALLIC SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20190371917A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

VERTICAL MEMORY CELL WITH SELF-ALIGNED THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20200411528A1. Автор: Kavalieros Jack,Le Van H.,SUNG Seung Hoon,SHARMA Abhishek A.,KUO Charles C.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-12-31.

Light emitting devices with self aligned ohmic contact and methods of fabricating same

Номер патента: EP1683206A1. Автор: John Edmond,David B. Slater, Jr.,Ian Hamilton. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-07-26.

Field effect transistor structure with self-aligned raised source/drain extensions

Номер патента: US20010033000A1. Автор: Kaizad Mistry. Владелец: MISTRY KAIZAD R.. Дата публикации: 2001-10-25.

Semiconductor device with self aligned contacts having integrated silicide stringer removal and method thereof

Номер патента: US6242354B1. Автор: Michael E. Thomas. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-06-05.

Method of manufacturing a MESFET with self aligned gate

Номер патента: EP0308939A2. Автор: Josef Dr. Willer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-03-29.

Non-volatile memory cell with self aligned floating and erase gates, and method of making same

Номер патента: KR101731202B1. Автор: 김진호,난 두,시안 리우. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2017-04-27.

Field effect transistor structure with self-aligned raised source/drain extensions

Номер патента: US20030052333A1. Автор: Kaizad Mistry. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Method of manufacturing a mesfet with self aligned gate

Номер патента: EP0308939A3. Автор: Josef Dr. Willer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-10-11.

Non-volatile memory cell with self aligned floating and erase gates, and method of making same

Номер патента: WO2014172433A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-10-23.

Field effect transistor structure with self-aligned raised source/drain extensions

Номер патента: US6956263B1. Автор: Kaizad R. Mistry. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-10-18.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US7242057B2. Автор: Sanh D. Tang,Grant S. Huglin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Non-volatile memory cell with self aligned floating and erase gates, and method of making same

Номер патента: KR20150141990A. Автор: 김진호,난 두,시안 리우. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2015-12-21.

Vertical field effect transistors (VFETs) with self-aligned wordlines

Номер патента: US11171233B2. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Field effect transistors with self-aligned extension portions of epitaxial active regions

Номер патента: US09761721B2. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Single-electron transistor with self-aligned coulomb blockade

Номер патента: US20170352751A1. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Method of manufacturing field-effect transistors with self-aligned grid and transistors thus obtained

Номер патента: US4429452A. Автор: Didier Meignant. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Transistor with self-aligned channel width

Номер патента: US8716768B2. Автор: Sohei Manabe,Jeong-Ho Lyu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

Transistors with self-aligned source-connected field plates

Номер патента: US20230197795A1. Автор: Philippe Renaud,Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Transverse diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor with isolated area

Номер патента: CN107768423A. Автор: 林欣,祝荣华,杨红凝. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Longitudinal double-diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor with semi-insulating polycrystalline silicon layer

Номер патента: CN107046062B. Автор: 杨银堂,曹震,段宝兴,袁嵩,吕建梅,师通通. Владелец: Xian University of Electronic Science and Technology. Дата публикации: 2020-02-07.

High-voltage MOSFET (Metal-oxide-semiconductor field Effect transistor) with super junction P area in staggered arrangement and manufacturing method thereof

Номер патента: CN106206742B. Автор: 陈利,焦世龙,高耿辉,高秀秀. Владелец: Xiamen Lucky Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-11-22.

Direct self assembly (dsa) processing of vertically stacked devices with self-aligned regions

Номер патента: US20190341384A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,Cory E. Weber,Patrick THEOFANIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200161453A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200161454A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Transistor cell with self-aligned gate contact

Номер патента: EP4327357A1. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US11380778B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED ISOLATION

Номер патента: US20180248039A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-08-30.

Single-electron transistor with self-aligned coulomb blockade

Номер патента: US20180277670A1. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED ISOLATION

Номер патента: US20200295190A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED EXTENSION PORTIONS OF EPITAXIAL ACTIVE REGIONS

Номер патента: US20170365706A1. Автор: Yamashita Tenko,Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

High-voltage transistor with self-aligned isolation

Номер патента: EP3353809A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-01.

High-voltage transistor with self-aligned isolation

Номер патента: US10707346B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Single-electron transistor with self-aligned coulomb blockade

Номер патента: US20180277670A1. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

HIGH DENSITY TRENCH-BASED POWER MOSFETS WITH SELF-ALIGNED ACTIVE CONTACTS AND METHOD FOR MAKING SUCH DEVICES

Номер патента: US20160064551A1. Автор: Chen John,Yilmaz Hamza,Calafut Daniel,Bobde Madhur,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Lui Sik. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

VERTICAL FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE AND DRAIN JUNCTIONS

Номер патента: US20200058767A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

TRENCH MOSFET WITH SELF-ALIGNED BODY CONTACT WITH SPACER

Номер патента: US20170110404A1. Автор: Guan Lingpeng,TERRILL Kyle,JO Seokjin. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Normally Off HEMT with Self Aligned Gate Structure

Номер патента: US20180151681A1. Автор: Curatola Gilberto,Lavanga Simone,Silvestri Marco. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

VERTICAL FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE AND DRAIN JUNCTIONS

Номер патента: US20200161453A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

VERTICAL FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE AND DRAIN JUNCTIONS

Номер патента: US20200161454A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

CLOSED CELL LATERAL MOSFET USING SILICIDE SOURCE AND BODY REGIONS WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20160225898A1. Автор: Mallikarjunaswamy Shekar. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

LDMOS with self aligned vertical LDD backside drain

Номер патента: US8450177B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Bruce D. Marchant. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

LDMOS with self aligned vertical LDD backside drain

Номер патента: US7936007B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Bruce D. Marchant. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080164505A1. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8536633B2. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Method for making heterojunction bipolar transistor with self-aligned retrograde emitter profile

Номер патента: US5656514A. Автор: Martin Revitz,Jack Chu,David Ahlgren,Paul Ronsheim,Mary Saccamango,David Sunderland. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Silicon carbide power metal oxide semiconductor field effect transistor with short channel and method for manufacturing silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor with short channel

Номер патента: JP5909064B2. Автор: リュウ セイ−ヒュン,エイガーウォル アナント,ムリナル　カンチ　ダス,カンチ ダス ムリナル,エー．リプキン ロリ,ジョン　ダブリュー．パルムール,ダブリュー．パルムール ジョン,シング ランバー. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Gate patterning scheme with self aligned independent gate etch

Номер патента: US20090203200A1. Автор: Matthew E. Colburn,Bruce B. Doris,Thomas W. Dyer,Scott D. Halle. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Self-Aligned Contact Plugs and Semiconductor Device

Номер патента: US20140367773A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-18.

Silicon-on-insulator transistor with self-aligned borderless source/drain contacts

Номер патента: US09368590B2. Автор: David V. Horak,Charles W. Koburger,Balasubramanian S. Haran,Susan S. FAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20180308743A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20180308742A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20190311942A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Integration of air spacer with self-aligned contact in transistor

Номер патента: US20200083101A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US11728433B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Buried power rails with self-aligned vias to trench contacts

Номер патента: US12094822B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei,Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Graphene/nanostructure fet with self-aligned contact and gate

Номер патента: WO2011160922A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-12-29.

Bulk semiconductor fins with self-aligned shallow trench isolation structures

Номер патента: US09406545B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

2d channel with self-aligned source/drain

Номер патента: US20230037927A1. Автор: Jin Cai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Dynamic random access memory cell with self-aligned strap

Номер патента: US20160027788A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Integration of air spacer with self-aligned contact in transistor

Номер патента: US20200161169A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Multiple gate length device with self-aligned top junction

Номер патента: US20190206743A1. Автор: YI Qi,Hui Zang,Ruilong Xie,Jerome Ciavatti,Jianwei PENG,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Dynamic random access memory cell with self-aligned strap

Номер патента: US20150206884A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Methods of forming vertical field-effect transistor with self-aligned contacts for memory devices with planar periphery/array and intermediate structures formed thereby

Номер патента: US9673102B2. Автор: Jun Liu,David H. Wells,Sanh D. Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with self-aligned contact plugs

Номер патента: US20150221590A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device with self-aligning contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Bulk finfet with self-aligned bottom isolation

Номер патента: WO2019099143A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Periannan Chidambaram,Cimang Lu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-05-23.

III-V transistor device with self-aligned doped bottom barrier

Номер патента: US09941363B2. Автор: Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Yanning Sun,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices with self-aligned contacts and low-k spacers

Номер патента: US09543426B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods of forming vertical transistor devices with self-aligned top source/drain conductive contacts

Номер патента: US09530866B1. Автор: Carl Radens,John H. Zhang,Brian A. Cohen,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of forming vertical transistor devices with self-aligned replacement gate structures

Номер патента: US09530863B1. Автор: Carl Radens,John H. Zhang,Brian A. Cohen,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for fabricating silicon-on-insulator transistor with self-aligned borderless source/drain contacts

Номер патента: US20130178052A1. Автор: David V. Horak,Balasubramanian S. Haran,Susan S. FAN,II Charles W. KOBURGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

VERTICAL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH SELF ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20200098929A1. Автор: Cheng Kangguo,Song Yi,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

FABRICATION OF VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED BOTTOM INSULATING SPACERS

Номер патента: US20190140080A1. Автор: Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

SOI TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED MASS PLAN AND GRID AND VARIABLE THICKNESS OXIDE

Номер патента: FR2932609B1. Автор: Philippe Coronel,Beranger Claire Fenouillet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-12-24.

Methods for fabricating a bipolar junction transistor with self-aligned terminals

Номер патента: US8999804B2. Автор: Qizhi Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

SOI TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED MASS PLAN AND GRID AND VARIABLE THICKNESS OXIDE

Номер патента: FR2932609A1. Автор: Philippe Coronel,Beranger Claire Fenouillet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-12-18.

Soi transistor with self-aligned ground plane and gate and buried oxide of variable thickness

Номер патента: US20090311834A1. Автор: Philippe Coronel,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-12-17.

Reduced-form-factor transistor with self-aligned terminals and adjustable on/off-currents and manufacture method thereof

Номер патента: US11869972B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Inverted thin channel mosfet with self-aligned expanded source/drain

Номер патента: US20130302950A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Douglas C. La Tulipe, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNING CONTACT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Lai Chun-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

TUNNEL FINFET WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180138307A1. Автор: Nowak Edward J.,Asra Ram,KOTA MURALI V R M.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNING CONTACT

Номер патента: US20220293602A1. Автор: Lai Chun-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Iii-v transistor device with self-aligned doped bottom barrier

Номер патента: US20180151674A1. Автор: Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Yanning Sun,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED TOP JUNCTION THROUGH EARLY TOP SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20200152791A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Jagannathan Hemanth,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Iii-v transistor device with self-aligned doped bottom barrier

Номер патента: US20170179288A1. Автор: Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Yanning Sun,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

SUBSTRATES WITH SELF-ALIGNED BURIED DIELECTRIC AND POLYCRYSTALLINE LAYERS

Номер патента: US20200176589A1. Автор: Stamper Anthony K.,Ellis-Monaghan John J.,Goldstein Mark,ADUSUMILLI Siva P.,MCCALLUM-COOK Ian. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device with self-aligned contact plugs

Номер патента: US20150221590A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-06.

REPLACEMENT METAL GATE SCHEME WITH SELF-ALIGNMENT GATE FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20180226493A1. Автор: Guo Dechao,Bao Raqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

INTEGRATED CIRCUITS WITH SELF ALIGNED CONTACT STRUCTURES FOR IMPROVED WINDOWS AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20160260743A1. Автор: Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-09-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140346575A1. Автор: Chang Feng-Yi,Chen Hsuan-Hsu,Chen Chieh-Te. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

REPLACEMENT METAL GATE SCHEME WITH SELF-ALIGNMENT GATE FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20180254330A1. Автор: Guo Dechao,Bao Raqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

TUNNEL FINFET WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180254340A1. Автор: Nowak Edward J.,Asra Ram,KOTA Murali V R M. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-09-06.

Forming Gate Last Vertical FET With Self-Aligned Spacers and Junctions

Номер патента: US20210328045A1. Автор: Loubet Nicolas. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Self-Aligned Contact Plugs and Semiconductor Device

Номер патента: US20140367773A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-18.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH SELF-ALIGNED DRAIN SELECT LEVEL ISOLATION STRUCTURES AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20190267461A1. Автор: Hu Xiaolong,YADA Shinsuke,Ariyoshi Junichi. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

FABRICATION OF MULTI-CHANNEL NANOWIRE DEVICES WITH SELF-ALIGNED INTERNAL SPACERS AND SOI FINFETS USING SELECTIVE SILICON NITRIDE CAPPING

Номер патента: US20200287022A1. Автор: Le Van H.,Clendenning Scott B.,LIAO Szuya S.,MITAN Martin M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

Forming Gate Last Vertical FET With Self-Aligned Spacers and Junctions

Номер патента: US20200287023A1. Автор: Loubet Nicolas. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES WITH SELF-ALIGNED FIN STRUCTURE(S) AND FABRICATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20160315182A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-10-27.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH SELF-ALIGNED VERTICAL CONDUCTIVE STRIPS HAVING A GATE-ALL-AROUND CONFIGURATION AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200303397A1. Автор: Zhang Yanli,SAKAKIBARA Kiyohiko,CUI Zhixin. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED TOP JUNCTION THROUGH EARLY TOP SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190393341A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Jagannathan Hemanth,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Fabrication of multi-channel nanowire devices with self-aligned internal spacers and SOI FinFETs using selective silicon nitride capping

Номер патента: US10998423B2. Автор: Scott B. Clendenning,Van H. Le,Martin M. MITAN,Szuya S. LIAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Bulk semiconductor fins with self-aligned shallow trench isolation structures

Номер патента: US9087869B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Independently controlled, double gate nanowire memory cell with self-aligned contacts

Номер патента: US7498211B2. Автор: Peter L. D. Chang,Ibrahim Ban. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-03.

Preparation method of MOSFET with self-aligned structure

Номер патента: CN115101418A. Автор: 刘道国. Владелец: Shenzhen Still Core Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-23.

Techniques for using material substitution processes to form replacement metal gate electrodes of semiconductor devices with self-aligned contacts

Номер патента: US8536040B1. Автор: Chang Seo Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Replacement gate MOSFET with self-aligned diffusion contact

Номер патента: US8421077B2. Автор: Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Jay W. Strane,Sameer H. Jain. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Integrated circuits with self aligned contact structures for improved windows and fabrication methods

Номер патента: US9356047B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

High power device with self-aligned field plate

Номер патента: US11355596B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Integrated circuits with self aligned contact structures for improved windows and fabrication methods

Номер патента: US10068921B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Method for fabricating mos device with self-aligned contacts

Номер патента: CA1210528A. Автор: Tarsaim L. Batra. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1986-08-26.

Semiconductor devices having through electrodes capped with self-aligned protection layers

Номер патента: US09570377B2. Автор: Jisoon Park,Byung Lyul Park,Sukchul Bang,Jeonggi Jin,DeokYoung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with self-aligned vias

Номер патента: US09520321B2. Автор: Errol Todd Ryan,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Multi-metal fill with self-aligned patterning and dielectric with voids

Номер патента: US11860550B2. Автор: Li-Lin Su,Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU,Yung-Hsu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Multi-metal fill with self-aligned patterning and dielectric with voids

Номер патента: US20240085803A1. Автор: Li-Lin Su,Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU,Yung-Hsu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Multi-metal fill with self-aligned patterning and dielectric with voids

Номер патента: US20200124985A1. Автор: Li-Lin Su,Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU,Yung-Hsu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor devices having through electrodes capped with self-aligned protection layers and methods for fabricating same

Номер патента: US20150287680A1. Автор: Jisoon Park,Byung Lyul Park,Sukchul Bang,Jeonggi Jin,DeokYoung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Dynamic random access memory cell with self-aligned strap

Номер патента: US09735162B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Bipolar junction transistors with self-aligned terminals

Номер патента: US20150214344A1. Автор: James R. Elliott,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Peter B. Gray,John J. Benoit,Christa R. Willets. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Dynamic random access memory cell with self-aligned strap

Номер патента: US09564443B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for Producing a Substrate, Substrate, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with a Substrate, Micro-Electromechanical System with a Substrate, and Motor Vehicle

Номер патента: US20160218208A1. Автор: Trautmann Achim,Banzhaf Christian Tobias. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH PERIMETRIC CHANNEL

Номер патента: FR2532785B1. Автор: John Manning Savidge Neilson,Raymond Thomas Ford,Norbert William Brackelmanns,Carl Frankling Wheatley Jr. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1986-12-12.

High density fet with self-aligned source atop the trench

Номер патента: US20060172487A1. Автор: Igor Bol. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2006-08-03.

Recessed channel insulated-gate field effect transistor with self-aligned gate and increased channel length

Номер патента: US20150037952A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Kwan-Yong Lim,Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

VERTICAL-TRANSPORT FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20190312116A1. Автор: Bentley Steven,Chanemougame Daniel,Bourjot Emilie. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Bipolar junction transistors with self-aligned terminals

Номер патента: CN105745756A. Автор: 刘奇志,A·J·乔瑟夫,J·J·贝诺伊特,J·R·埃里奥特,P·B·格雷,C·R·威勒茨. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-06.

LDMOS WITH SELF-ALIGNED BODY AND HYBRID SOURCE

Номер патента: US20220181444A1. Автор: Toner Brendan,RICHARDS William R.,Reghunathan Manoj Chandrika,LIU Zhengchao,DOLNY Gary M.,Eisenbrandt Stefan,Ellmers Christoph. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

STRUCTURE AND PROCESS FOR OVERTURNED THIN FILM DEVICE WITH SELF-ALIGNED GATE AND S/D CONTACTS

Номер патента: US20170162711A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.,XU Yiheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

MEMORY STRUCUTRE WITH SELF-ALIGNED FLOATING AND CONTROL GATES AND ASSOCIATED METHODS

Номер патента: US20150179790A1. Автор: Hopkins John,SIMSEK-EGE FATMA A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

TRENCH MOSFET WITH SELF-ALIGNED BODY CONTACT WITH SPACER

Номер патента: US20190237403A1. Автор: Guan Lingpeng,TERRILL Kyle,JO Seokjin. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

METHOD FOR FABRICATING LDMOS WITH SELF-ALIGNED BODY

Номер патента: US20180374949A1. Автор: Yoo Ji-Hyoung,McGregor Joel M.,Jung Jeesung,Yao Zeqiang,Xiao Deming. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Methods for manufacturing enhancement-mode HEMTs with self-aligned field plate

Номер патента: EP2385544A2. Автор: Francois Hebert. Владелец: Intersil Inc. Дата публикации: 2011-11-09.

Printed TFT and TFT array with self-aligned gate

Номер патента: US8110450B2. Автор: Robert A. Street. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2012-02-07.

Print TFTs and TFT arrays with self-aligned gates

Номер патента: JP5484719B2. Автор: エイ ストリート ロバート. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-05-07.

Methods for manufacturing enhancement-mode hemts with self-aligned field plate

Номер патента: KR101168824B1. Автор: 에베르 프랑수아. Владелец: 인터실 아메리카스 엘엘씨. Дата публикации: 2012-07-25.

Transistor with self-aligned gate and self-aligned source/drain terminal(s) and methods

Номер патента: US11916119B2. Автор: Zhong-Xiang He,Jeonghyun Hwang,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky,Brett T. Cucci,Ramsey M. Hazbun. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for making a closed gate MOS transistor with self-aligned contacts with dual passivation layer

Номер патента: US4272881A. Автор: Rodney L. Angle. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-06-16.

Transistor with self-aligned gate and self-aligned source/drain terminal(s) and methods

Номер патента: US20230139011A1. Автор: Zhong-Xiang He,Jeonghyun Hwang,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky,Brett T. Cucci,Ramsey M. Hazbun. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Extended Gate Dielectric Layer

Номер патента: US20160079368A1. Автор: Lin Shiuan-Jeng,Cheng Shyh-Wei,Chu Che-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Manufacturing method of lateral groove type silicon carbide MOSFET (Metal oxide semiconductor field Effect transistor) with improved withstand voltage

Номер патента: CN115631997A. Автор: 周海,何佳,李昀佶,单体玮. Владелец: Global Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-20.

Lateral double-diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor with potential floating type field plate

Номер патента: CN107871778B. Автор: 李威,李志明,李阳,张春伟,岳文静,王靖博,付小倩. Владелец: University of Jinan. Дата публикации: 2020-09-04.

Graphene transistors with self-aligned gates

Номер патента: US20130302963A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Yu Zhu,Phaedon Avouris,Yu-Ming Lin,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Thin film transistor structure with self-aligned intra-gate

Номер патента: TW200511586A. Автор: Shih-Chang Chang,Yaw-Ming Tsai,Yi-Wei Wu,Hsiu-Chun Hsieh,Chen-Ting Huang. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-03-16.

VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE ELECTRODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150031180A1. Автор: CHO Heung-Jae,HWANG Eui-Seong,PARK Eun-Shil. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED TERMINALS

Номер патента: US20140327106A1. Автор: Liu Qizhi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-06.

COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180337242A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming,Chidambaram Periannan. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Bipolar transistor with self-aligned emitter contact

Номер патента: DE102009001552A1. Автор: Alexander Fox,Bernd Dr. Heinemann,Steffen Marschmayer. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2010-06-17.

HIGH DENSITY TRENCH-BASED POWER MOSFETS WITH SELF-ALIGNED ACTIVE CONTACTS AND METHOD FOR MAKING SUCH DEVICES

Номер патента: US20150145037A1. Автор: Chen John,Yilmaz Hamza,Calafut Daniel,Bobde Madhur,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Lui Sik. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS

Номер патента: US20150263160A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

HIGH DENSITY MOSFET ARRAY WITH SELF-ALIGNED CONTACTS DELIMITED BY NITRIDE-CAPPED TRENCH GATE STACKS AND METHOD

Номер патента: US20150340363A1. Автор: Chang Hong,Kim Jongoh,Lee Yeeheng -. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2015-11-26.

SEMICONDUCTOR POWER DEVICES MANUFACTURED WITH SELF-ALIGNED PROCESSES AND MORE RELIABLE ELECTRICAL CONTACTS

Номер патента: US20150349091A1. Автор: Chen John,Yilmaz Hamza,Ng Daniel,Li Wenjun. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Method to fabricate a non-smiling effect structure in split-gate flash with self-aligned isolation

Номер патента: US6358796B1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Juang-Ke Yeh,Yai-Fen Lin,Chang-Song Lin,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-03-19.

Flash memory cell with self-aligned gate and method of fabrication

Номер патента: JP2002538608A. Автор: チョウ フェン チェン. Владелец: アクトランズ システム インコーポレイテッド. Дата публикации: 2002-11-12.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Metal-Insulator Semiconductor Contact Structure to Reduce Schottky Barrier

Номер патента: US20140264494A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

Vertical field effect transistor with self-aligned source and drain top junction

Номер патента: US20210273077A1. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor longitudinal double-diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor with composite dielectric layer wide band gap and manufacturing method thereof

Номер патента: CN107437566B. Автор: 杨银堂,曹震,段宝兴,吕建梅,师通通. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-06-16.

Vertical dual gate thin film transistor with self-aligned gates/offset drain

Номер патента: TW301801B. Автор: Francis Shepard Joseph. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1997-04-01.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Extended Gate Dielectric Layer

Номер патента: US20140252499A1. Автор: Lin Shiuan-Jeng,Cheng Shyh-Wei,Chu Che-Jung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH A COLD SOURCE

Номер патента: US20210210639A1. Автор: WANG Jian,Liu Fei,Guo Hong. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Semi-super-junction lateral double-diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor with stepped N-type heavy-doping buried layer

Номер патента: CN110021655B. Автор: 杨鑫,黄俊杰,杨银堂,段宝兴. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2021-01-01.

Manufacturing method of SiC-based punch-through trench MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) with high blocking property

Номер патента: CN106024902A. Автор: 张峰,陈彤,申占伟. Владелец: Global Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-12.

High density MOSFET array with self-aligned contacts delimited by nitride-capped trench gate stacks and method

Номер патента: US10297594B2. Автор: Hong Chang,Yeeheng Lee,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2019-05-21.

Vertical field effect transistor with self-aligned source and drain top junction

Номер патента: US20220059677A1. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Fet with self-aligned back gate

Номер патента: WO2011161016A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Bruce Doris,Pranita Kulkarni. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-12-29.

3D semicircular vertical NAND string with self aligned floating gate or charge trap cell memory cells and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: US09728546B2. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,Henry Chien,James K. Kai,Andrey Serov. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED SOURCE AND HEAVY BODY REGIONS

Номер патента: US20130181282A1. Автор: Yilmaz Hamza,Calafut Daniel,Sapp Steven,Kraft Nathan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2013-07-18.

TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED TERMINAL CONTACTS

Номер патента: US20140027837A1. Автор: Paleari Andrea,Croce Giuseppe. Владелец: STMicroelectronics S.r.I.. Дата публикации: 2014-01-30.

Recessed Channel Insulated-Gate Field Effect Transistor with Self-Aligned Gate and Increased Channel Length

Номер патента: US20140159142A1. Автор: JAIN AMITABH,SONG Stanley Seungchul,Lim Kwan-Yong. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-06-12.

FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED EXTENSION PORTIONS OF EPITAXIAL ACTIVE REGIONS

Номер патента: US20150340488A1. Автор: Yamashita Tenko,Leobandung Effendi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-26.

Heterojunction bipolar transistor with self-aligned emitter and sidewall base contact

Номер патента: SG111189A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Jian Xun Li,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-05-30.

Field Effect Transistor Device With Self-Aligned Junction

Номер патента: US20120286371A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dechao Guo,Chun-Chen Yeh,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150021683A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-01-22.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS (VFETS) WITH SELF-ALIGNED WORDLINES

Номер патента: US20200020805A1. Автор: Rachmady Willy,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Le Van H.,SHARMA Abhishek A.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-16.

FINFET WITH SELF-ALIGNED PUNCHTHROUGH STOPPER

Номер патента: US20150054033A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

METHODS OF FORMING FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS USING A REPLACEMENT GATE PROCESS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150069532A1. Автор: Ponoth Shom,Xie Ruilong,Pranatharthiharan Balasubramanian. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

STRAIN RELAXATION WITH SELF-ALIGNED NOTCH

Номер патента: US20140145270A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-29.

High Density MOSFET Array with Self-Aligned Contacts Delimited by Nitride-Capped Trench Gate Stacks and Method

Номер патента: US20140252460A1. Автор: Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED INTERNAL SPACERS

Номер патента: US20180175166A1. Автор: Coquand Remi,Reboh Shay,Augendre Emmanuel. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2018-06-21.

STRUCTURE AND PROCESS FOR OVERTURNED THIN FILM DEVICE WITH SELF-ALIGNED GATE AND S/D CONTACTS

Номер патента: US20180226511A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.,XU Yiheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

VERTICAL FET WITH SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN REGIONS AND GATE LENGTH BASED ON CHANNEL EPITAXIAL GROWTH PROCESS

Номер патента: US20180331213A1. Автор: Bentley Steven,Frougier Julien,Pawlak Bartlomiej Jan,Suvarna Puneet Harischandra. Владелец: GLOBAL FOUNDRIES Inc.. Дата публикации: 2018-11-15.

FETS with self-aligned bodies and backgate holes

Номер патента: US7659579B2. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,Richard Q. Williams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

3d semicircular vertical nand string with self aligned floating gate or charge trap cell memory cells and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: KR101938502B1. Автор: 요한 알스마이어,옌리 장,제임스 케이. 카이,헨리 쉬앙,안드레이 세로브. Владелец: 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨. Дата публикации: 2019-01-14.

Process flow for a performance enhanced MOSFET with self-aligned, recessed channel

Номер патента: US7091092B2. Автор: James Lee,Alex See,Sneedharan Pillai Sneelal,Francis Poh,C. K. Lau,Ganesh Shankar Samudra. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2006-08-15.

3D semicircular vertical NAND string with self aligned floating gate or charge trap cell memory cells and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: US9620514B2. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,Henry Chien,James K. Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Manufacturing method of semiconductor device inverse injection part with self-aligned punch-through prevention pocket

Номер патента: KR100373580B1. Автор: 다-빈 카오,그레고리 에스. 스코트. Владелец: 내셔널 세미콘덕터 코포레이션. Дата публикации: 2003-05-16.

High density MOSFET array with self-aligned contacts delimited by nitride-capped trench gate stacks and method

Номер патента: US9136377B2. Автор: Hong Chang,Yeeheng Lee,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-15.

Process flow for a performance enhanced mosfet with self-aligned recessed channel

Номер патента: SG118090A1. Автор: Pillai Sreelal Sreedharan,Poh Yong Wee James Lee Francis,C K Lau,Shankar Samudra Ganesh. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-27.

Method of making a double gate semiconductor device with self-aligned gates and structure thereof

Номер патента: WO2006023019A2. Автор: Yang Du,Leo Mathew. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-03-02.

High power semiconductor device with self-aligned field plate and mesa termination structure and method for manufacturing same

Номер патента: JP7292295B2. Автор: ノール，ラーズ,ミハイラ，アンドレイ,クランツ，ルカス. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-06-16.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Fabrication of a vertical transistor with self-aligned bottom source/drain

Номер патента: US20180350691A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Field-effect transistors with self-aligned and non-self-aligned contact openings

Номер патента: US20200335591A1. Автор: Daniel Jaeger,Shreesh Narasimha,Jessica Dechene,Michael Aquilino,Naved Siddiqui,Daniel J. Dechene,Natalia Borjemscaia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Method of fabricating a metal gate MOS transistor with self-aligned first conductivity type source and drain regions and second conductivity type contact regions

Номер патента: US5547895A. Автор: Sheng-Hsing Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Field-effect transistors with self-aligned and non-self-aligned contact openings

Номер патента: US10833160B1. Автор: Daniel Jaeger,Shreesh Narasimha,Jessica Dechene,Michael Aquilino,Naved Siddiqui,Daniel J. Dechene,Natalia Borjemscaia. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Nanosheet transistor with self-aligned dielectric pillar

Номер патента: AU2020423612B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of forming a transistor with self-aligned contacts

Номер патента: EP1935012B1. Автор: Andrew Marshall,Tito Gelsomini,Harvey Edd Davis. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with spacer over gate

Номер патента: US10644130B2. Автор: Jen-Pan Wang,Chung-Yuan Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Cmos devices with self-aligned channel stops

Номер патента: EP0074215B1. Автор: John Y. Chen. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-03-02.

Vertical field effect transistors with self aligned contacts

Номер патента: US20200098929A1. Автор: Yi Song,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Field-effect-transistor with self-aligned diffusion contact

Номер патента: US20140091391A1. Автор: Charles W. Koburger, III,Douglas C. LaTulipe, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Transistor formed with self-aligned contacts

Номер патента: WO2007033337A3. Автор: Andrew Marshall,Tito Gelsomini,Harvey Edd Davis. Владелец: Harvey Edd Davis. Дата публикации: 2009-04-23.

Transistor formed with self-aligned contacts

Номер патента: WO2007033337A2. Автор: Andrew Marshall,Tito Gelsomini,Harvey Edd Davis. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-03-22.

High band-gap devices with self-aligned contact

Номер патента: US20240322006A1. Автор: Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

High band-gap devices with self-aligned contact

Номер патента: WO2024206206A1. Автор: Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Forming semiconductor fins with self-aligned patterning

Номер патента: US09704859B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Forming semiconductor fins with self-aligned patterning

Номер патента: US09601347B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED METAL PLUGS AND METHODS

Номер патента: US20200035555A1. Автор: Xie Ruilong,Economikos Laertis,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-01-30.

FABRICATION OF A VERTICAL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BOTTOM SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20200083106A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

METHOD FOR MANUFACTURING A TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED TERMINAL CONTACTS

Номер патента: US20150255341A1. Автор: Paleari Andrea,Croce Giuseppe. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2015-09-10.

DIRECT SELF ASSEMBLY (DSA) PROCESSING OF VERTICALLY STACKED DEVICES WITH SELF-ALIGNED REGIONS

Номер патента: US20190341384A1. Автор: Mehandru Rishabh,Cea Stephen M.,LILAK AARON D.,WEBER Cory E.,Theofanis Patrick. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-11-07.

FABRICATION OF A VERTICAL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BOTTOM SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20180350691A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Fabrication of a vertical transistor with self-aligned bottom source/drain

Номер патента: US20170358497A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Process for fabricating high voltage cmos with self-aligned guard rings utilizing selective diffusion and local oxidation

Номер патента: US4135955A. Автор: John T. Gasner,Anthony L. Rivoli. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1979-01-23.

Nanosheet transistor with self-aligned dielectric pillar

Номер патента: CN114946036A. Автор: 程慷果,谢瑞龙,J.弗鲁吉尔. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-26.

Process for producing of a thin film transistor with self-aligned gate

Номер патента: EP0139585B1. Автор: Bernard Diem,Andre Chenevas-Paule. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1987-06-24.

Nanosheet transistor with self-aligned dielectric pillar

Номер патента: US11688626B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Nanosheet transistors with self-aligned dielectric pillars

Номер патента: JP2023510506A. Автор: シェ、ルイロン,チェン、カングオ,フロウギアー、ジュリアン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-14.

Method of manufacturing bipolar transistor with self-aligned external base and emitter regions

Номер патента: US4871685A. Автор: Jiro Ohshima,Shin-ichi Taka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-10-03.

METHOD FOR MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GRID

Номер патента: FR2553579B1. Автор: Bernard Diem,Andre Chenevas-Paule. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1985-12-27.

Trench memory with self-aligned strap formed by self-limiting process

Номер патента: US20090230471A1. Автор: Kangguo Cheng,Xi Li,Johnathan Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Nanosheet transistor with self-aligned dielectric pillar

Номер патента: US20220028729A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

NANOSHEET TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED DIELECTRIC PILLAR

Номер патента: DE112020005273T5. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Vertical transistor with self-align backside contact

Номер патента: WO2024046738A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistor with self- align backside contact

Номер патента: US20240079461A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods of forming semiconductor devices with self-aligned contacts and the resulting devices

Номер патента: US20140070285A1. Автор: Ponoth Shom,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Xiuyu Cai,Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED SPACERS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170018460A1. Автор: Hung Yu-Hsiang,Jenq Jyh-Shyang,Hsu Chih-Kai,Fu Ssu-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL WITH SELF-ALIGNED STRAP

Номер патента: US20160027788A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,JR. John E.,Vega Reinaldo A.,Barth,Ho Herbert L.,Ramachandran Ravikumar,RIM Kern. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

INTEGRATED CIRCUITS WITH SELF ALIGNED CONTACT STRUCTURES FOR IMPROVED WINDOWS AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20160049427A1. Автор: Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor Device with Self-Aligned Wavy Contact Profile and Method of Forming the Same

Номер патента: US20220093800A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,Lu Wei-Yuan,Huang Yen-Chieh,YU Chia-Ta. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20140197468A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-07-17.

BULK FINFET WITH SELF-ALIGNED BOTTOM ISOLATION

Номер патента: US20190157160A1. Автор: SONG Stanley Seungchul,Chidambaram Periannan,LU Cimang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor Device with Self-Aligned Wavy Contact Profile and Method of Forming the Same

Номер патента: US20200168735A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,Lu Wei-Yuan,Huang Yen-Chieh,YU Chia-Ta. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL WITH SELF-ALIGNED STRAP

Номер патента: US20150206884A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,JR. John E.,Vega Reinaldo A.,Barth,Ho Herbert L.,Ramachandran Ravikumar,RIM Kern. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-23.

MULTIPLE GATE LENGTH DEVICE WITH SELF-ALIGNED TOP JUNCTION

Номер патента: US20190206743A1. Автор: Xie Ruilong,Ciavatti Jerome,Qi Yi,Zang Hui,LO Hsien-Ching,PENG Jianwei. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

BULK SEMICONDUCTOR FINS WITH SELF-ALIGNED SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURES

Номер патента: US20140346612A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED SPACERS

Номер патента: US20170256459A1. Автор: Hung Yu-Hsiang,Jenq Jyh-Shyang,Hsu Chih-Kai,Fu Ssu-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

BULK SEMICONDUCTOR FINS WITH SELF-ALIGNED SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURES

Номер патента: US20150279723A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

CONTACTS FORMED WITH SELF-ALIGNED CUTS

Номер патента: US20190295898A1. Автор: Xie Ruilong,Park Chanro,Economikos Laertis,WANG Haiting,Zang Hui,JAEGER Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

GATE CONTACT OVER ACTIVE REGION WITH SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20200321244A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Fan Su Chen,CHI Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Fabrication of a quantum device with self-alignment of gates to their respective active zone region

Номер патента: EP4187612A1. Автор: Heimanu Niebojewski,Benoit Bertrand. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-05-31.

Silicon carbide power devices with self-aligned source and well regions

Номер патента: US7381992B2. Автор: Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-03.

Partially depleted soi mosfet with self-aligned body tie

Номер патента: CA2487729A1. Автор: Paul Fechner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-11.

Method of fabricating semiconductor structure with self-aligned spacers

Номер патента: US9870951B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Silicon carbide power devices with self-aligned source and well regions and methods of fabricating same

Номер патента: WO2004097926A1. Автор: Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc.. Дата публикации: 2004-11-11.

Transistor formed with self-aligned contacts

Номер патента: EP1935012A4. Автор: Andrew Marshall,Tito Gelsomini,Harvey Edd Davis. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-04-20.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor with metal source making ohmic contact to channel-base region

Номер патента: US4639758A. Автор: Tetsuya Iizuka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-01-27.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor with metal source region

Номер патента: US4631563A. Автор: Tetsuya Iizuka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-12-23.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: US20120305994A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-12-06.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: EP1969617A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Metal-Insulator-Semiconductor Contact Structure to Reduce Schottky Barrier

Номер патента: US20160133714A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Bipolar transistor with self-aligned retrograde extrinsic base implant profile and self-aligned silicide

Номер патента: US20060097350A1. Автор: Francois Pagette,Marwan Khater. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED TERMINALS

Номер патента: US20150115399A1. Автор: Liu Qizhi. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED TERMINALS

Номер патента: US20150123245A1. Автор: Joseph Alvin J.,Gray Peter B.,Liu Qizhi,Benoit John J.,Elliott James R.,Willets Christa R.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-07.

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED TERMINALS

Номер патента: US20150214344A1. Автор: Joseph Alvin J.,Gray Peter B.,Liu Qizhi,Benoit John J.,Elliott James R.,Willets Christa R.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

NROM flash memory with self-aligned structural charge separation

Номер патента: US7184315B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-27.

Nrom flash memory with self-aligned structural charge separation

Номер патента: WO2005048268A2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-05-26.

Semiconductor device with self-aligned contact

Номер патента: US09679812B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Hsien-Cheng WANG,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Opto-electronic device with self-aligned ohmic contact layer

Номер патента: US20010054716A1. Автор: Hiroyuki Fujiwara,Masaharu Nobori,Masumi Koizumi. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Three-dimensional memory device with self-aligned drain side select gate electrodes and method of making thereof

Номер патента: US09972640B1. Автор: Jin Liu,James Kai,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Lateral transistor with self-aligning base and base contact and method of producing same

Номер патента: JPS57100763A. Автор: Bii Bora Majiyukaaru. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1982-06-23.

Methods for manufacturing enhancement-mode HEMTs with self-aligned field plate

Номер патента: US8168486B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2012-05-01.

Three-dimensional memory device with self-aligned drain side select gate electrodes and method of making thereof

Номер патента: EP3494596A1. Автор: Jin Liu,James Kai,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-12.

Quantum well structure with self-aligned gate and method of making the same

Номер патента: US5548129A. Автор: Randall L. Kubena. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1996-08-20.

Three-dimensional memory device with self-aligned drain side select gate electrodes and method of making thereof

Номер патента: US20180138189A1. Автор: Jin Liu,James Kai,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-17.

Bottom contact with self-aligned spacer for stacked semiconductor devices

Номер патента: WO2023180073A1. Автор: Brent Anderson,Gen Tsutsui,Junli Wang,Su Chen Fan,Albert Young. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-28.

Formation of contact/via hole with self-alignment

Номер патента: US09805934B2. Автор: Chi-Chung JEN,Yu-Hua YEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Via-free interconnect structure with self-aligned metal line interconnections

Номер патента: US09716032B2. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Ken-Hsien Hsieh,Yu-Po Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09640426B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED SOURCE AND DRAIN CONTACTS AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20170047349A1. Автор: Zhang John Hongguang. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2017-02-16.

SELF-FORMING BARRIER INTEGRATED WITH SELF-ALIGNED CAP

Номер патента: US20150228585A1. Автор: He Ming,Zhao Larry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-08-13.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE DRAIN CONTACTS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130270648A1. Автор: MANABE Kenzo. Владелец: Renesas Eletronics Corporation. Дата публикации: 2013-10-17.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE DRAIN CONTACTS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130307082A1. Автор: MANABE Kenzo. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-21.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) WITH SELF-ALIGNED CONTACTS, INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20160035743A1. Автор: Lauer Isaac,Chu Jack O.,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-02-04.

HIGH DENSITY MOSFET ARRAY WITH SELF-ALIGNED CONTACTS ENHANCEMENT PLUG AND METHOD

Номер патента: US20160035846A1. Автор: Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20140187037A1. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150132936A1. Автор: LEE Jong-Min,RHO Il-Cheol. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Formation of contact/via hole with self-alignment

Номер патента: US20150140796A1. Автор: Chi-Chung JEN,Yu-Hua YEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20140252424A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Iacoponi John A.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-09-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED OHMIC CONTACTS

Номер патента: US20140264381A1. Автор: Radulescu Fabian. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

TOP VIA INTERCONNECT WITH SELF-ALIGNED BARRIER LAYER

Номер патента: US20210217662A1. Автор: Yang Chih-Chao,Park Chanro,Motoyama Koichi,Cheng Kenneth Chun Kuen. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH SELF-ALIGNED DRAIN SIDE SELECT GATE ELECTRODES AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20180211970A1. Автор: Alsmeier Johann,Kai James,LIU Jin,Chowdhury Murshed. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor Device with Self-Aligned Contact

Номер патента: US20170278751A1. Автор: WANG Mei-Yun,Wang Hsien-Cheng,WANG Chao-Hsun,Yang Fu-Kai,Liu Shih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

THREE DIMENSIONAL NAND FLASH WITH SELF-ALIGNED SELECT GATE

Номер патента: US20160307914A1. Автор: Lee Minsoo,Cleereman Brian,Sun Jie Jason. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US8962472B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor device with self-aligned interconnects

Номер патента: US9627310B2. Автор: Ru-Gun Liu,Tsong-Hua Ou,Shih-Ming Chang,Yuan-Te Hou,Ken-Hsien Hsieh,Fang-Yu Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Eeprom cell with self-aligned tunneling window

Номер патента: US20010042883A1. Автор: Sunil D. Mehta,Xiao Yu Li,Christopher O. Schmidt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Method and system for a gallium nitride vertical jfet with self-aligned gate metallization

Номер патента: US20140203328A1. Автор: Richard J. Brown,Hui Nie,Donald R. Disney. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Method and system for a gan vertical jfet with self-aligned gate metallization

Номер патента: US20130299873A1. Автор: Richard J. Brown,Hui Nie,Donald R. Disney. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

APPARATUS AND METHOD FOR A METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SOURCE SIDE PUNCH-THROUGH PROTECTION IMPLANT

Номер патента: US20140038378A1. Автор: Khan Imran,FASTOW Richard M.,JU Dong-Hyuk. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-02-06.

TRENCH METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH EMBEDDED SCHOTTKY RECTIFIER USING REDUCED MASKS PROCESS

Номер патента: US20140213026A1. Автор: HSIEH Fu-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

Techniques for device fabrication with self-aligned electrodes

Номер патента: EP2005499A2. Автор: Henning Sirringhaus,Paul A. Cain,Yong-Young Noh. Владелец: Plastic Logic Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

METHOD OF FORMING VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED GATES AND GATE EXTENSIONS AND THE RESULTING STRUCTURE

Номер патента: US20190088767A1. Автор: Xie Ruilong,Zang Hui,Bentley Steven,LIEBMANN Lars. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of manufacturing thin film transistor with self-aligned structure

Номер патента: KR950015810A. Автор: 양명수. Владелец: 주식회사 엘지전자. Дата публикации: 1995-06-17.

METHOD FOR PRODUCING A BIPOLAR TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED EXTRINSIC BASE

Номер патента: FR2804247B1. Автор: Michel Marty. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-04-12.

Process of manufacturing a field-effect transistor with self-aligned SCHOTTKY-Gate

Номер патента: EP0024222A1. Автор: Eugene Tonnel. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1981-02-25.

Process for producing a bipolar transistor with self-aligned emitter and extrinsic base

Номер патента: US20010039095A1. Автор: Michel Marty. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-11-08.

High capacitance mim device with self aligned spacer

Номер патента: US20230369389A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Wen-De Wang,Yu-Cheng Tsai,Ching-Chung Su,Guan-Hua Chen,Ching-Sheng Chu,Meng-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

STRUCTURE AND METHOD FOR REPLACEMENT GATE MOSFET WITH SELF-ALIGNED CONTACT USING SACRIFICIAL MANDREL DIELECTRIC

Номер патента: US20130143377A1. Автор: Chudzik Michael P.,Radens Carl J.,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-06.

DEVICE WITH SELF ALIGNED STRESSOR AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20130161650A1. Автор: Lin Da-Wen,LIN Hsien-Hsin,LAI Kao-Ting,PENG Yuan-Ching,WU Chi-Hsi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-06-27.

STRUCTURE WITH SELF ALIGNED RESIST LAYER ON AN INTERCONNECT SURFACE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20130193551A1. Автор: EDELSTEIN Daniel C.,Miller Robert D.,Huang Elbert E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-01.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED CONTACTS AND LOW-K SPACERS

Номер патента: US20140042502A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: Globalfounries Inc.. Дата публикации: 2014-02-13.

Fin Field Effect Transistor Devices With Self-Aligned Source and Drain Regions

Номер патента: US20140042556A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Wilfried Haensch,Kathering Lynn Saenger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

METHODS OF FORMING CAP LAYERS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150035086A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Zhao Larry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

STRUCTURE WITH SELF ALIGNED RESIST LAYER ON AN INTERCONNECT SURFACE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20160056106A1. Автор: EDELSTEIN Daniel C.,Miller Robert D.,Huang Elbert E.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

STRAIN RELAXATION WITH SELF-ALIGNED NOTCH

Номер патента: US20140145271A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-29.

3D SEMICIRCULAR VERTICAL NAND STRING WITH SELF ALIGNED FLOATING GATE OR CHARGE TRAP CELL MEMORY CELLS AND METHODS OF FABRICATING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160071861A1. Автор: Alsmeier Johann,Chien Henry,Zhang Yanli,Kai James K.,SEROV Andrey. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Methods for Forming FinFETs with Self-Aligned Source/Drain

Номер патента: US20140187011A1. Автор: Ying Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Non-volatile Memory Cell With Self Aligned Floating And Erase Gates, And Method Of Making Same

Номер патента: US20140307511A1. Автор: Kim Jinho,Do Nhan,Liu Xian. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) WITH SELF-ALIGNED DOUBLE GATES ON BULK SILICON SUBSTRATE, METHODS OF FORMING, AND RELATED DESIGN STRUCTURES

Номер патента: US20160225917A1. Автор: Liu Qizhi,PEKARIK JOHN J.,Adkisson James W.,Dunn James S.,Harame David L.,Gross Blaine J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

CAP LAYERS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS

Номер патента: US20150243604A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Zhao Larry. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

RECESSED GATE SILICON-ON-INSULATOR FLOATING BODY DEVICE WITH SELF-ALIGNED LATERAL ISOLATION

Номер патента: US20140332880A1. Автор: Kim John. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-11-13.

DEVICES AND METHODS OF FORMING FINFETS WITH SELF ALIGNED FIN FORMATION

Номер патента: US20150333067A1. Автор: Wei Andy,Bouche Guillaume,WAN Jing,Liu Jin Ping,GAIRE Churamani,ZHAO Lun,YANG Dae Geun,LUO Tien-Ying,HARIHARAPUTHIRAN Mariappan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-19.

Fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain regions

Номер патента: TW200908160A. Автор: Katherine Lynn Saenger,Josephine B Chang,Michael A Guillorn,Wilfried Haensch. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-02-16.

Fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain regions

Номер патента: WO2008155208A1. Автор: Katherine Lynn Saenger,Josephine Bea Chang,Michael Guillorn,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-24.

Method and structure for high-voltage device with self-aligned graded junctions

Номер патента: US6531366B1. Автор: Igor Kouznetsov. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-03-11.

MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR SILICON DEVICE, WITH SELF-ALIGNMENT OF GRID REGION ON SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: FR2310635A1. Автор: . Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1976-12-03.

Methods for forming FinFETs with self-aligned source/drain

Номер патента: US8927377B2. Автор: Ying Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device with self-aligned contact structure for field effect transistors and manufacturing method for these

Номер патента: DE4113962C2. Автор: Yasushi Matsui,Natsuo Ajika,Kaoru Motonami,Yoshinori Okumura,Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-12-11.

Fin Field Effect Transistor Devices with Self-Aligned Source and Drain Regions

Номер патента: US20090302372A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Katherine Lynn Saenger,Wilfried Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Methods for forming finfets with self-aligned source/drain

Номер патента: KR101454998B1. Автор: 잉 장,제프 제이 수,지웨이 팡. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-10-27.

MOSFET with self-aligned channel edge implant and method

Номер патента: US6472274B1. Автор: John Walter Golz,Fumihiko Satoh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-29.

Process of making a mesa bipolar transistor with self-aligned base and emitter regions

Номер патента: EP0004292A3. Автор: Hwa-Nien Yu,Tak Hung Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-11-14.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH SELF-ALIGNED DRAIN SIDE SELECT GATE ELECTRODES AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20180138189A1. Автор: Alsmeier Johann,Kai James,LIU Jin,Chowdhury Murshed. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

METHOD AND SYSTEM FOR A GALLIUM NITRIDE VERTICAL JFET WITH SELF-ALIGNED SOURCE AND GATE

Номер патента: US20150340514A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Brown Richard J.,Romano Linda,Raj Madhan,Disney Don. Владелец: AVOGY, INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

Optically pumped solid state laser device with self aligning pump optics and enhanced gain

Номер патента: RU2654303C2. Автор: Стефан ГРОНЕНБОРН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-05-17.

Method and structure for vertical dram devices with self-aligned upper trench shaping

Номер патента: TW200518233A. Автор: Ramachandra Divakaruni,Kang-Guo Cheng,C Y Sung. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-06-01.

METHOD AND SYSTEM FOR A GALLIUM NITRIDE VERTICAL JFET WITH SELF-ALIGNED GATE METALLIZATION

Номер патента: US20140203328A1. Автор: NIE Hui,DISNEY Donald R.,Brown Richard J.. Владелец: AVOGY, INC.. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Multi-Metal Fill with Self-Align Patterning

Номер патента: US20200051853A1. Автор: Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Cheng-Chi Chuang,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Flash memory chip with self aligned isolation fill between pillars

Номер патента: US20230136139A1. Автор: John Hopkins,Prasanna Srinivasan,Anil CHANDOLU,Nancy LOMELI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-05-04.

Multi-metal fill with self-align patterning

Номер патента: US20180308749A1. Автор: Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Cheng-Chi Chuang,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20240332206A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus with self-aligned connection and related methods

Номер патента: US20240194529A1. Автор: David H. Wells,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Structure and Method for Interconnection with Self-Alignment

Номер патента: US20200105598A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Hsin-Ping Chen,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Electrochemical device with self-aligned insulation

Номер патента: US20180284059A1. Автор: Ping Mei,Brent S. Krusor,Jonathan Rivnay. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Integrated circuit with self-aligned line and via

Номер патента: US20070075371A1. Автор: Alex See,Randall Cha,Yeow Lim,Wang Goh. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligned landing pad

Номер патента: US20210351187A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor fabrication technique using local planarization with self-aligned transistors

Номер патента: US5340774A. Автор: Ting-Pwu Yen. Владелец: Paradigm Technology Inc. Дата публикации: 1994-08-23.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US12033950B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Electrochemical device with self-aligned insulation

Номер патента: US10388874B2. Автор: Ping Mei,Brent S. Krusor,Jonathan Rivnay. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Microelectronic devices with self-aligned interconnects, and related methods

Номер патента: US11764146B2. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Structure and Method for Interconnection with Self-Alignment

Номер патента: US20210265208A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Hsin-Ping Chen,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20230017646A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for forming CMOS device with self-aligned contacts and region formed using salicide process

Номер патента: US7582567B1. Автор: Tsengyou Syau,Shih-Ked Lee,Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-01.

Shallow trench isolation with self aligned PSG layer

Номер патента: US5729043A. Автор: Joseph F. Shepard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Structure with self aligned resist layer on an interconnect surface and method of making same

Номер патента: US20160056106A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Elbert E. Huang,Robert D. Miller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Methods for forming microelectronic devices with self-aligned interconnects, and related devices and systems

Номер патента: EP4046186A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Methods for forming microelectronic devices with self-aligned interconnects, and related devices and systems

Номер патента: US20210111118A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Structure with self aligned resist layer on an interconnect surface and method of making same

Номер патента: US20120168953A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Elbert E. Huang,Robert D. Miller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Microelectronic devices with self-aligned interconnects, and related methods

Номер патента: US20210351125A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for forming self-aligned contact and integrated circuit with self-aligned contact

Номер патента: TW201243956A. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Three-dimensional memory device with self-aligned word line contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240237354A1. Автор: Koichi Matsuno,Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional memory device with self-aligned word line contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240179916A1. Автор: Koichi Matsuno,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Forming wrap around contact with self-aligned backside contact

Номер патента: US20240243128A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo,Shravana Kumar Katakam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Trench silicide with self-aligned contact vias

Номер патента: US09721888B2. Автор: Fei Liu,Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Adam M. Pyzyna. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Integrated circuits with self aligned contacts and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09576852B2. Автор: Theodorus Standaert,Jim Kelly,Ming He,Yann Mignot,Seowoo Nam,Raghuveer Patlotta. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-21.

Insulated-gate field-effect transistor with self-aligned contact hole to source or drain

Номер патента: US4103415A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1978-08-01.

Structure with self aligned resist layer on an interconnect surface and method of making same

Номер патента: US20120168953A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Elbert E. Huang,Robert D. Miller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED INTERCONNECTS

Номер патента: US20140094009A1. Автор: SONG Ming-Hsiang,KUO Cheng-Hsiung,CHIH Yue-Der,Lee Jam-Wem,Tsai Tsung-Che,Sung Hung-Cheng,Wang Hung Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-04-03.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) WITH SELF-ALIGNED CONTACTS, INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150035060A1. Автор: Lauer Isaac,Chu Jack O.,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-05.

FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND GATE CONTACTS POSITIONED OVER ACTIVE TRANSISTORS

Номер патента: US20220051942A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Multi-Metal Fill with Self-Align Patterning

Номер патента: US20200051853A1. Автор: WU Chia-Tien,Chuang Cheng-Chi,Yang Tai-I,CHU WEI-CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-13.

METALLIZATION STACKS WITH SELF-ALIGNED STAGGERED METAL LINES

Номер патента: US20220084942A1. Автор: Metz Matthew V.,Jezewski Christopher J.,CHANDHOK Manish,Karpov Elijah V.,Kabir Nafees A.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device with self aligned end-to-end conductive line structure and method for forming the same

Номер патента: US20140148005A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONDUCTIVE FEATURES

Номер патента: US20190067187A1. Автор: Lee Chung-Ju,Wu Yung-Hsu,Yang Tai-I,CHU WEI-CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

MICROELECTRONICS PACKAGE WITH SELF-ALIGNED STACKED-DIE ASSEMBLY

Номер патента: US20190074263A1. Автор: Maxim George,Costa Julio C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

Microelectronics package with self-aligned stacked-die assembly

Номер патента: US20190074271A1. Автор: George Maxim,Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Method and Structure of Cut End with Self-Aligned Double Patterning

Номер патента: US20210082698A1. Автор: Liao Wei-Hao,Lee Chung-Ju,TIEN Hsi-Wen,Dai Pin-Ren,Lu Chih Wei. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

DEVICES AND METHODS OF FORMING FINFETS WITH SELF ALIGNED FIN FORMATION

Номер патента: US20150091094A1. Автор: Wei Andy,Bouche Guillaume,WAN Jing,Liu Jin Ping,GAIRE Churamani,ZHAO Lun,YANG Dae Geun,LUO Tien-Ying,HARIHARAPUTHIRAN Mariappan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-04-02.

INTEGRATION OF AIR SPACER WITH SELF-ALIGNED CONTACT IN TRANSISTOR

Номер патента: US20200083101A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Structure and Method for Interconnection with Self-Alignment

Номер патента: US20200105598A1. Автор: CHEN Hai-Ching,SHUE Shau-Lin,WU Chia-Tien,Yang Tai-I,Chen Hsin-Ping,LIAO Yu-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

LITHO-ETCH-LITHO-ETCH WITH SELF-ALIGNED BLOCKS

Номер патента: US20210143013A1. Автор: Liu Chi-chun,Felix Nelson,Mignot Yann,ARNOLD John,De Silva Ekmini Anuja,Gabor Allen. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

ANTI-FUSE WITH SELF ALIGNED VIA PATTERNING

Номер патента: US20200118927A1. Автор: Shu Jiehui,ZHANG Xiaoqiang,Ning Guoxiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

MULTI-METAL FILL WITH SELF-ALIGNED PATTERNING AND DIELECTRIC WITH VOIDS

Номер патента: US20200124985A1. Автор: SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Yang Tai-I,Liu Hsiang-Wei,Su Li-Lin,CHU WEI-CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20220285216A1. Автор: Chen Chien-Han,Liang Ming-Chung,Chiu Chien-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20200135562A1. Автор: Chen Chien-Han,Liang Ming-Chung,Chiu Chien-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND GATE CONTACTS POSITIONED OVER ACTIVE TRANSISTORS

Номер патента: US20200144118A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Method and Structure of Cut End with Self-Aligned Double Patterning

Номер патента: US20210183654A1. Автор: Liao Wei-Hao,Lee Chung-Ju,TIEN Hsi-Wen,Dai Pin-Ren,Lu Chih Wei. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

TRENCH SILICIDE WITH SELF-ALIGNED CONTACT VIAS

Номер патента: US20170162496A1. Автор: Liu Fei,Chang Josephine B.,Guillorn Michael A.,Pyzyna Adam M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

MULTI-METAL FILL WITH SELF-ALIGNED PATTERNING AND DIELECTRIC WITH VOIDS

Номер патента: US20180164698A1. Автор: SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Yang Tai-I,Liu Hsiang-Wei,Su Li-Lin,CHU WEI-CHEN. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

MULTI-METAL FILL WITH SELF-ALIGN PATTERNING

Номер патента: US20180166330A1. Автор: WU Chia-Tien,Chuang Cheng-Chi,Yang Tai-I,CHU WEI-CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-06-14.

INTEGRATION OF AIR SPACER WITH SELF-ALIGNED CONTACT IN TRANSISTOR

Номер патента: US20200161169A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

VIA-FREE INTERCONNECT STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED METAL LINE INTERCONNECTIONS

Номер патента: US20140322910A1. Автор: Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Chang Shih-Ming,Tang Yu-Po. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Structure and Method for Interconnection with Self-Alignment

Номер патента: US20210265208A1. Автор: CHEN Hai-Ching,SHUE Shau-Lin,WU Chia-Tien,Yang Tai-I,Chen Hsin-Ping,LIAO Yu-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Method of manufacturing a semiconductor device with self-aligning landing pad

Номер патента: US20210265360A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS WITH SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20160254185A1. Автор: RYAN Errol Todd,Lin Sean X.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

MICROELECTRONIC DEVICES WITH SELF-ALIGNED INTERCONNECTS, AND RELATED METHODS

Номер патента: US20210351125A1. Автор: Pellizzer Fabio,Russell Stephen W.,Fratin Lorenzo. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED LANDING PAD

Номер патента: US20210351187A1. Автор: CHEN TE-YIN. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

MULTI-METAL FILL WITH SELF-ALIGN PATTERNING

Номер патента: US20180308749A1. Автор: WU Chia-Tien,Chuang Cheng-Chi,Yang Tai-I,CHU WEI-CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-10-25.

STACKED MIM CAPACITORS WITH SELF-ALIGNED CONTACT TO REDUCE VIA ENCLOSURE

Номер патента: US20190305076A1. Автор: Ando Takashi,Clevenger Lawrence A.,Jagannathan Hemanth,Bonilla Griselda,Groves Robert Allen. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

TRENCH SILICIDE WITH SELF-ALIGNED CONTACT VIAS

Номер патента: US20170330830A1. Автор: Liu Fei,Chang Josephine B.,Guillorn Michael A.,Pyzyna Adam M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONDUCTIVE FEATURES

Номер патента: US20200343180A1. Автор: Lee Chung-Ju,Wu Yung-Hsu,Yang Tai-I,CHU WEI-CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-29.

MULTIPLE PATTERNING WITH SELF-ALIGNMENT PROVIDED BY SPACERS

Номер патента: US20200350202A1. Автор: Yu Hong,Zhu Guoliang,WANG Haiting,YANG Xiaoming,CHEE JEFFREY. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

INTEGRATED CIRCUITS WITH SELF ALIGNED CONTACTS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160379881A1. Автор: He Ming,Mignot Yann,Nam Seowoo,Standaert Theodorus,Kelly Jim,Patlotta Raghuveer. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Shallow trench isolation with self aligned PSG layer

Номер патента: US5616513A. Автор: Joseph F. Shepard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Multi-Metal Fill with Self-Aligned Patterning and Dielectric with Voids

Номер патента: US20220350262A1. Автор: SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Yang Tai-I,Liu Hsiang-Wei,Su Li-Lin,CHU WEI-CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-11-03.

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps between closely spaced metal lines

Номер патента: US20100133648A1. Автор: Markus Nopper,Axel Preusse,Robert Seidel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-06-03.

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps formed based on a sacrificial material

Номер патента: US20100301489A1. Автор: Thomas Werner,Robert Seidel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device with self aligned silicide layer and method for forming the same

Номер патента: KR20020048618A. Автор: 김진호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-24.

Integration circuit with self-aligned silicided ESD protection transistors

Номер патента: KR100369361B1. Автор: 정종척. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-30.

EEPROM array with self-aligned shallow-trench isolation

Номер патента: KR100937896B1. Автор: 마사아키 히가시타니,투안 팜. Владелец: 쌘디스크 코포레이션. Дата публикации: 2010-01-21.

Eeprom array with self-aligned shallow-trench isolation

Номер патента: CN101099236A. Автор: 图安·法姆,东谷正昭. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-01-02.

Method for forming cmos device with self-aligned contacts and region formed using salicide process

Номер патента: US7098114B1. Автор: Tsengyou Syau,Shih-Ked Lee,Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-29.

Structure with self aligned resist layer on an insulating surface and method of making same

Номер патента: US7993817B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Elbert E. Huang,Robert D. Miller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

Semiconductor device with self-aligned vias

Номер патента: US11502001B2. Автор: Chien-Han Chen,Chien-Chih Chiu,Ming-Chung Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-15.

Semiconductor device with self-aligned contacts and method of fabrication

Номер патента: EP0749156A1. Автор: Hanno Melzner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-12-18.

Stacked MIM capacitors with self-aligned contact to reduce via enclosure

Номер патента: US10734475B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Griselda Bonilla,Takashi Ando,Hemanth Jagannathan,Robert Allen Groves. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Semiconductor device with self-aligned contacts using a liner oxide layer

Номер патента: US6420752B1. Автор: Yu Sun,Fei Wang,Minh Van Ngo,Mark T. Ramsbey,Chi Chang,Angela T. Hui,Mark S. Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-07-16.

Process for fabricating semiconductor devices with self-aligned active regions for a planar transistor architecture

Номер патента: DE102019204838B4. Автор: HongSik Yoon,Elliot John Smith,Nigel Chan,Nilesh Kenkare. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Device with self aligned gaps for capacitance reduction

Номер патента: CN101317260B. Автор: S·M·列扎·萨贾迪,黄志松. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-06-23.

High capacitance mim device with self aligned spacer

Номер патента: US20220246469A1. Автор: JHY-JYI SZE,Chun-Yuan Chen,Hsiao-Hui Tseng,Lu-Sheng Chou,Hsuan-Han Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for forming semiconductor device with self-aligned conductive features

Номер патента: US11404367B2. Автор: Chung-Ju Lee,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Yung-Hsu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Method for forming self-aligned channel implants using a gate poly reverse mask

Номер патента: US6489191B2. Автор: Yimin Wang,Kai Shao,Jian Xun Li,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Structure and formation method of semiconductor device with self-aligned conductive features

Номер патента: US10714421B2. Автор: Chung-Ju Lee,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Yung-Hsu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Integrated circuit tray with self aligning pocket

Номер патента: CA2277069C. Автор: Saumil R. Brahmbhatt. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2005-08-23.

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps and refilled air gap exclusion zones

Номер патента: US20100219534A1. Автор: Thomas Werner,Robert Seidel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor arrangement with self-aligned contacts and method for their production

Номер патента: DE59506590D1. Автор: Hanno Melzner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-09-16.

Sram bit cell with self-aligned bidirectional local interconnects

Номер патента: US20100301482A1. Автор: Donald R. Weiss,Richard T. Schultz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device with self-aligned contact and its manufacture

Номер патента: TW347558B. Автор: Kenichi Inoue,Koichi Hashimoto,Kazuo Itabashi,Osamu Tuboi,Yuji Yokoyam. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-12-11.

Method for metal etchback with self aligned etching mask

Номер патента: US20040067633A1. Автор: Ming-Kuo Yu,Hung-Hsin Liu,How-Cheng Tsai,Chung-Daw Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor device with self-aligned vias

Номер патента: KR102526311B1. Автор: 치엔-한 첸,치엔-치 치유,밍-충 리앙. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2023-04-26.

Interconnection with self-aligned via plug

Номер патента: US5596230A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

through substrate via with self-aligned solder bumps

Номер патента: CN110574158A. Автор: D·亚伯拉罕,J·M·科特. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-13.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US20150188040A1. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US09412941B2. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

RF-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US09698363B1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Ic chips with self-aligned thin film resistors

Номер патента: WO1989003121A1. Автор: Paul A. Ruggerio,Cynthia E. Anderson. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 1989-04-06.

Phase change switch with self-aligned heater and rf terminals

Номер патента: EP4106023A3. Автор: Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-26.

Mram device with self-aligned bottom electrodes

Номер патента: US20230422629A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Lisamarie White,Willie Lester Muchrison, JR.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Mram integration with self-aligned direct back side contact

Номер патента: US20240057345A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Brent A. Anderson,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Photodiode with self-aligned implants for high quantum efficiency and method of formation

Номер патента: US20070155040A1. Автор: Howard Rhodes,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Backside illuminated image sensor with self-aligned metal pad structures

Номер патента: US20190088705A1. Автор: Gang Chen,Qin Wang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Three-dimensional memory device with self-aligned word line contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240178140A1. Автор: Koichi Matsuno,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Phase change switch with self-aligned heater and rf terminals

Номер патента: EP4106023B1. Автор: Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-11.

Sensor array with self-aligned optical cavities

Номер патента: US09733128B2. Автор: Yael Nemirovsky,Yoav Shoham. Владелец: Todos Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

FIELD-EFFECT-TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED DIFFUSION CONTACT

Номер патента: US20140091391A1. Автор: Koburger,III Charles W.,LaTulipe,JR. Douglas C.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-03.

RF-TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED POINT CONTACTS

Номер патента: US20170194582A1. Автор: Han Shu-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

RF-TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED POINT CONTACTS

Номер патента: US20170237007A1. Автор: Han Shu-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

RF-TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED POINT CONTACTS

Номер патента: US20170237008A1. Автор: Han Shu-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

Rf-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US20170237007A1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Rf-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US20170237008A1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Rf-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US20170194582A1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

LIGHT EMITTING DIODE WAFER-LEVEL PACKAGE WITH SELF-ALIGNING FEATURES

Номер патента: US20130248897A1. Автор: Greenwood Jonathon G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

Sidewall Thin Film Electrode with Self-Aligned Top Electrode and Programmable Resistance Memory

Номер патента: US20130306931A1. Автор: LUNG HSIANG-LAN. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-21.

3D SEMICIRCULAR VERTICAL NAND STRING WITH SELF ALIGNED FLOATING GATE OR CHARGE TRAP CELL MEMORY CELLS AND METHODS OF FABRICATING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160071860A1. Автор: Alsmeier Johann,Chien Henry,Zhang Yanli,Kai James K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

PHOTOSENSITIVE DETECTOR WITH SELF-ALIGNED 3D JUNCTION AND GATE

Номер патента: US20190074398A1. Автор: Grenouillet Laurent,ROZEAU Olivier,TCHELNOKOV Alexei,Kadura Lina. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2019-03-07.

EMBEDDED MRAM DEVICE FORMATION WITH SELF-ALIGNED DIELECTRIC CAP

Номер патента: US20210091301A1. Автор: ARNOLD John,Dutta Ashim,Metzler Dominik,Canaperi Donald. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITH SELF-ALIGNED METAL PAD STRUCTURES

Номер патента: US20190088705A1. Автор: Chen Gang,Wang Qin. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

LIGHT EMITTING DEVICE WITH SELF-ALIGNING PREFORMED LENS

Номер патента: US20200116902A1. Автор: Fouksman Mikhail,Haque Ashim Shatil,Daeschner Walter,Mala Mohiuddin. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2020-04-16.

CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD FOR RESISTIVE RAM WITH SELF ALIGNED CONTACTS IN ZERO-VIA LAYER

Номер патента: US20210159273A1. Автор: Gupta Anuj,Paul Bipul C.,Versaggi Joe A.. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Structure and Method to Form Phase Change Memory Cell with Self-Align Top Electrode Contact

Номер патента: US20200136043A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Na Myung-Hee,Saulnier Nicole. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

MEMORY ARRAY WITH SELF-ALIGNED EPITAXIALLY GROWN MEMORY ELEMENTS AND ANNULAR FET

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Lam Chung H.,DeBrosse John K.,Nowak Janusz J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

PHASE CHANGE MEMORY CELL WITH SELF-ALIGNED VERTICAL HEATER AND LOW RESISTIVITY INTERFACE

Номер патента: US20150188040A1. Автор: Zanderighi Barbara,Pipia Francesco. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

MEMORY ARRAY WITH SELF-ALIGNED EPITAXIALLY GROWN MEMORY ELEMENTS AND ANNULAR FET

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Lam Chung H.,DeBrosse John K.,Nowak Janusz J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD FOR PRODUCING A DEVICE WITH LIGHT EMITTING AND/OR LIGHT RECEIVING DIODES AND WITH SELF-ALIGNED COLLIMATION GRID

Номер патента: US20200194614A1. Автор: PARES Gabriel. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2020-06-18.

METHOD FOR DIRECT BONDING WITH SELF-ALIGNMENT USING ULTRASOUND

Номер патента: US20180218997A1. Автор: Fournel Frank,Baillin Xavier,Leduc Patrick,Cheramy Séverine,Sanchez Loïc. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for manufacturing an optoelectronic device with self-aligning light confinement walls

Номер патента: US20210257512A1. Автор: Eric Pourquier,Erwan Dornel,Tiphaine Dupont,Olivier Jeannin. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2021-08-19.

Magneto-resistive random-access memory (mram) devices with self-aligned top electrode via

Номер патента: US20210257546A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC DEVICE WITH SELF-ALIGNING LIGHT CONFINEMENT WALLS

Номер патента: US20210265534A1. Автор: Dornel Erwan,Dupont Tiphaine,POURQUIER Eric,Jeannin Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING THROUGH ELECTRODES CAPPED WITH SELF-ALIGNED PROTECTION LAYERS AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20150287680A1. Автор: Park Byung Lyul,Bang Sukchul,JIN Jeonggi,Park Jisoon,Jung Deokyoung. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

ELECTROCHEMICAL DEVICE WITH SELF-ALIGNED INSULATION

Номер патента: US20180284059A1. Автор: Mei Ping,Krusor Brent S.,Rivnay Jonathan. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2018-10-04.

LAMB ACOUSTIC WAVE RESONATOR AND FILTER WITH SELF-ALIGNED CAVITY VIA

Номер патента: US20180287587A1. Автор: Kumar Rakesh,Stamper Anthony Kendall,MALING Jeffrey C.,Qian You,CAMPANELLA PINEDA Humberto,POIKAYIL SATHEESH Sharath. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

FLIP-CHIP SAMPLE IMAGING DEVICES WITH SELF-ALIGNING LID

Номер патента: US20200279880A1. Автор: Qian Yin,Zhang Ming,MIAO CHIA-CHUN,Tai Dyson H.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

Ultra-dense ferroelectric memory with self-aligned patterning

Номер патента: US20200286687A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Chia-Ching Lin,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Ashish Verma Penumatcha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

LIGHT EMITTING DEVICE WITH SELF-ALIGNING PREFORMED LENS

Номер патента: US20160341852A1. Автор: Fouksman Mikhail,Haque Ashim Shatil,Daeschner Walter,Mala Mohiuddin. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

THROUGH-SUBSTRATE-VIAS WITH SELF-ALIGNED SOLDER BUMPS

Номер патента: US20180331057A1. Автор: Cotte John M.,Abraham David W.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

THROUGH-SUBSTRATE-VIAS WITH SELF-ALIGNED SOLDER BUMPS

Номер патента: US20180331058A1. Автор: Cotte John M.,Abraham David W.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Spin orbit torque (sot) memory device with self-aligned contacts and their methods of fabrication

Номер патента: US20190326353A1. Автор: Mark Doczy,Kevin O'Brien,Noriyuki Sato,Kaan OGUZ,Benjamin Buford,Charles Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

SENSOR ARRAY WITH SELF-ALIGNED OPTICAL CAVITIES

Номер патента: US20150372162A1. Автор: Nemirovsky Yael,Shoham Yoav. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNING LANDING PAD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200373305A1. Автор: Hsu Ping. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

METHODS OF FABRICATING MAGNETO-RESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY (MRAM) DEVICES WITH SELF-ALIGNED TOP ELECTRODE VIA AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20200395535A1. Автор: Lu Chih-Wei,Liao Wei-Hao,Lee Chung-Ju,TIEN Hsi-Wen,Dai Pin-Ren. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-12-17.

LED with self aligned bond pad

Номер патента: US20060091565A1. Автор: David Slater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-04.

Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack

Номер патента: US9548332B2. Автор: Andreas Bibl,Hsin-Hua Hu. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

LED with self aligned bond pad

Номер патента: USRE43412E1. Автор: David Beardsley Slater, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-05-29.

LED with self aligned bond pad

Номер патента: US7432536B2. Автор: David Beardsley Slater, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-10-07.

Structure and method of manufacturing a solar cell with self-aligned aluminum alloy backside contact

Номер патента: DE69631815T2. Автор: Daniel L. Pittsburgh Meier. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

MANUFACTURING PROCESS OF AN OPTOELECTRONIC DEVICE WITH SELF-ALIGNED LUMINOUS CONTAINMENT WALLS

Номер патента: FR3082657B1. Автор: Eric Pourquier,Erwan Dornel,Tiphaine Dupont,Olivier Jeannin. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2021-01-29.

METHOD FOR MANUFACTURING INTEGRATED STRUCTURES INCLUDING PERMANENT MEMORY CELLS WITH SELF-ALIGNED SILICON LAYERS, AND TRANSISTORS ASSOCIATED WITH SUCH CELLS

Номер патента: FR2573920A1. Автор: Giuseppe Crisenza,Pierangelo Pansana,Daniele Cantarelli. Владелец: SGS Microelettronica SpA. Дата публикации: 1986-05-30.

METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED METALLISATIONS

Номер патента: FR2854497B1. Автор: Pierre Jean Ribeyron,Marc Pirot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2005-09-02.

METHOD FOR MANUFACTURING INTEGRATED STRUCTURES INCLUDING PERMANENT MEMORY CELLS WITH SELF-ALIGNED SILICON LAYERS, AND TRANSISTORS ASSOCIATED WITH SUCH CELLS

Номер патента: FR2573920B1. Автор: Giuseppe Crisenza,Pierangelo Pansana,Daniele Cantarelli. Владелец: SGS Microelettronica SpA. Дата публикации: 1988-10-07.

A method of manufacturing an optoelectronic device with self-aligned light confinement walls

Номер патента: FR3082662B1. Автор: Eric Pourquier,Erwan Dornel,Tiphaine Dupont,Olivier Jeannin. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2020-11-13.

METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED METALLISATIONS

Номер патента: FR2854497A1. Автор: Pierre Jean Ribeyron,Marc Pirot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2004-11-05.

Current hogging injection logic with self-aligned output transistors

Номер патента: ES464138A1. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-12-16.

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF INTEGRATED STRUCTURES INCLUDING NON-VOLATILE MEMORY CELLS WITH SELF-ALIGNED SILICON LAYERS AND ASSOCIATED TRANSISTORS.

Номер патента: IT1213249B. Автор: Giuseppe Crisenza,Pierangelo Pansana,Daniele Cantarelli. Владелец: Ates Componenti Elettron. Дата публикации: 1989-12-14.

Semiconductor device with self-aligning contactless interface

Номер патента: US20060234405A1. Автор: Scott Best. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2006-10-19.

Light emitting device with self-aligned preformed lens

Номер патента: CN105940262B. Автор: M.马拉,A.S.哈克,W.戴施纳,M.富斯曼. Владелец: Lumileds Holding BV. Дата публикации: 2020-01-07.

Magnetically enhanced power inductor with self-aligned hard axis magnetic core produced using a damascene process sequence

Номер патента: US20090094818A1. Автор: Peter Smeys,Peter Johnson,Andrei Papou. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Thermally enhanced electronic module with self-aligning heat sink

Номер патента: WO2005018291A2. Автор: Suresh K. Chengalva,Matthew R. Walsh,Gary E. Oberlin. Владелец: DELPHI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2005-02-24.

Light emitting device with self-aligning preformed lens

Номер патента: US20210132263A1. Автор: Ashim Shatil Haque,Mohiuddin Mala,Mikhail Fouksman,Walter Daeschner. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

High-speed communication link with self-aligned scrambling

Номер патента: EP4360268A1. Автор: Lior Amarilio,Sharon Graif,Tomer Rafael Ben-Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Coupled quantum dots with self-aligned gates

Номер патента: US20240196767A1. Автор: Peter Mueller,Kirsten Emilie Moselund,Bogdan Cezar Zota. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

High-speed communication link with self-aligned scrambling

Номер патента: US11843486B2. Автор: Lior Amarilio,Sharon Graif,Tomer Rafael Ben-Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Hybrid induction electric motor with self-aligning inner rotor based on permanent magnets

Номер патента: RU2638829C2. Автор: Луис ФИНКЛ. Владелец: Луис ФИНКЛ. Дата публикации: 2017-12-18.

Hybrid electric motor with self aligning permanent magnet and squirrel cage rotors

Номер патента: RU2669206C2. Автор: Луис ФИНКЛ. Владелец: Луис ФИНКЛ. Дата публикации: 2018-10-09.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US11856878B2. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Magnetically connectable device with self-aligning connector

Номер патента: US09876311B2. Автор: Timothy Jing Yin SZETO,Jeremy Zhi-Qiao Chan. Владелец: Nanoport Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Optically pumped solid state laser device with self-aligning pump optics

Номер патента: US09478941B2. Автор: Stephan Gronenborn. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-10-25.

Split core transformer with self-aligning cores

Номер патента: US09424975B2. Автор: Mark D. Rowan,Kenneth Courian,Marc Bowman,Martin Cook,Gary Richmond,Troy Earl Wecker,Mark TAFT,Cristin ROSENBAUM,Doug Porter. Владелец: Veris Industries LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Connector arrangement with self aligning features

Номер патента: US09325113B2. Автор: Thomas Bernhard Pabst,Harald Pankau. Владелец: Delphi International Operations Luxembourg SARL. Дата публикации: 2016-04-26.

Integrated installation assembly with self aligning connector

Номер патента: US5128830A. Автор: Jeffrey M. Lewis,Alfred E. Deluca,David T. Symmes. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1992-07-07.

Method for making an electron source with microtips, with self-aligned focusing grid

Номер патента: WO1999062093A1. Автор: Brigitte Montmayeul,Regis Blanc,Aime Perrin. Владелец: Commissariat A L'energie Atomique. Дата публикации: 1999-12-02.

Coaxial connector assembly with self-aligning, self-fixturing mounting terminals

Номер патента: US7500855B2. Автор: Thomas Andrew Kari. Владелец: Emerson Network Power Connectivity Solutions Inc. Дата публикации: 2009-03-10.

Low voltage electron source with self aligned gate apertures, fabrication method thereof, and x-ray generator using the electron source

Номер патента: US20120219118A1. Автор: Zhidan Li Tolt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-30.

SPLIT CORE TRANSFORMER WITH SELF-ALIGNING CORES

Номер патента: US20150054609A1. Автор: Bowman Marc,Rowan Mark D.,Wecker Troy Earl,Cook Martin,TAFT Mark,RICHMOND Gary,ROSENBAUM Cristin,COURIAN Kenneth,PORTER Doug. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

VCSEL WITH SELF-ALIGNED MICROLENS TO IMPROVE BEAM DIVERGENCE

Номер патента: US20210091538A1. Автор: Liu Ming Chyi,Chen Jhih-Bin. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

OPTICALLY PUMPED SOLID STATE LASER DEVICE WITH SELF-ALIGNING PUMP OPTICS

Номер патента: US20150110146A1. Автор: GRONENBORN STEPHAN. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

VCSEL WITH SELF-ALIGNED MICROLENS TO IMPROVE BEAM DIVERGENCE

Номер патента: US20220311214A1. Автор: Liu Ming Chyi,Chen Jhih-Bin. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Electronic device with self-aligning accessory

Номер патента: US20170177039A1. Автор: Thomas Perelli,Cuong Huy Truong,Brian William Wallace,Ali Kathryn Ent. Владелец: Lenovo PC International Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

FABRICATION OF VACUUM ELECTRONIC COMPONENTS WITH SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING LITHOGRAPHY

Номер патента: US20170263409A1. Автор: Pan Tony S.,Mankin Max N.,Koch Andrew T.,Lingley Andrew R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

CONNECTOR ARRANGEMENT WITH SELF ALIGNMENT

Номер патента: US20140357114A1. Автор: Pankau Harald,Pabst Thomas Bernhard. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

OPTICALLY PUMPED SOLID STATE LASER DEVICE WITH SELF ALIGNING PUMP OPTICS AND ENHANCED GAIN

Номер патента: US20150318656A1. Автор: GRONENBORN STEPHAN. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2015-11-05.

MAGNETICALLY CONNECTABLE DEVICE WITH SELF-ALIGNING CONNECTOR

Номер патента: US20170346220A1. Автор: SZETO Timothy Jing Yin,Chan Jeremy Zhi-Qiao. Владелец: Nanoport Technology Inc.. Дата публикации: 2017-11-30.

Radio Frequency Cable Housing Solution with Self Aligning and Reconfiguration Capability

Номер патента: US20190393645A1. Автор: Montoya Klaus. Владелец: ELMA ELECTRONIC INC.. Дата публикации: 2019-12-26.

The plug of the socket for being connected to electronic equipment cabinet panel with self-aligning device

Номер патента: CN107589495B. Автор: 法比安·布尔热,多米尼克·洛穆肖,伯努瓦·迪珀. Владелец: LEI DIAI. Дата публикации: 2019-12-03.

The plug for being used to be connected to the socket of electronic equipment cabinet panel with self-aligning device

Номер патента: CN107589495A. Автор: 法比安·布尔热,多米尼克·洛穆肖,伯努瓦·迪珀. Владелец: LEI DIAI. Дата публикации: 2018-01-16.

FREE SPACE LASER WITH SELF-ALIGNED FIBER OUTPUT

Номер патента: FR2781613A1. Автор: Herve Lefevre. Владелец: Photonetics SA. Дата публикации: 2000-01-28.

SINGLE-MODE LASER SOURCE TUNABLE IN WAVELENGTH WITH SELF-ALIGNED EXTERNAL CAVITY

Номер патента: FR2724496B1. Автор: Herve Lefevre,Philippe Martin,Bernard Laloux,Philippe Graindoree,Laurent Disdier. Владелец: Photonetics SA. Дата публикации: 1996-12-20.

CONNECTION SHEET TO AN ELECTRONIC EQUIPMENT BOX PANEL SOCKET, EQUIPPED WITH SELF-ALIGNMENT MEANS

Номер патента: FR3053846B1. Автор: Benoit Dupeux,Fabien Bourgeas,Dominique LOMUSCIO. Владелец: RADIALL SA. Дата публикации: 2020-08-21.

Fabrication of vacuum electronic components with self-aligned double patterning lithography

Номер патента: US10483073B2. Автор: Tony S. Pan,Max N. Mankin,Andrew T. Koch,Andrew R. Lingley. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2019-11-19.

Method of manufacturing micropoint electron source with self-aligned focusing grid

Номер патента: JP2002517065A. Автор: エーメ・ペラン,ブリジット・モンマユール,レジ・ブラン. Владелец: コミツサリア タ レネルジー アトミーク. Дата публикации: 2002-06-11.

Method for making an electron source with microtips, with self-aligned focusing grid

Номер патента: EP1000433A1. Автор: Brigitte Montmayeul,Regis Blanc,Aime Perrin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2000-05-17.

Wavelength-tunable single-mode laser source with self-aligning external resonator

Номер патента: DE69510420D1. Автор: Herve Lefevre,Philippe Martin,Philippe Graindorge,Bernard Laloux,Laurent Disdier. Владелец: Photonetics SA. Дата публикации: 1999-07-29.

Magnetic memory with self-aligned magnetic keeper structure

Номер патента: US20050045971A1. Автор: Yimin Guo. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

ELECTRONIC RADIATOR GENERATION SYSTEM WITH SELF-ALIGNING INSULATING HOLDING RODS

Номер патента: DE3216041A1. Автор: John Richard Lancaster Pa. Hale. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-11-18.

Field emission device with self-aligned gate electrode structure, and method of manufacturing same

Номер патента: EP1552542A1. Автор: Siebe T. De Zwart,Hugo M. Visser,Liesbeth Van Pieterson. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Electronic device with self-aligning accessory

Номер патента: US11181943B2. Автор: Thomas Perelli,Cuong Huy Truong,Brian William Wallace,Ali Kathryn Ent. Владелец: Lenovo PC International Ltd. Дата публикации: 2021-11-23.

CONNECTING PLUG TO AN ELECTRONIC EQUIPMENT BOARD PANEL BASE WITH SELF-ALIGNMENT MEANS

Номер патента: FR3053846A1. Автор: Benoit Dupeux,Fabien Bourgeas,Dominique LOMUSCIO. Владелец: RADIALL SA. Дата публикации: 2018-01-12.

Wavelength tunable monomode laser source with self-aligning external cavity

Номер патента: EP0917261A1. Автор: Herve Lefevre,Philippe Martin,Philippe Graindorge,Bernard Laloux,Laurent Disdier. Владелец: Photonetics SA. Дата публикации: 1999-05-19.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Bearing with self-aligning segment pads and method of its manufacturing

Номер патента: RU2717302C1. Автор: Лоренцо НАЛЬДИ,Элис ИННОЧЕНТИ. Владелец: Нуово Пиньоне Текнолоджи Срл. Дата публикации: 2020-03-19.

Archery bow with self-aligning combination handgrip and forearm protector

Номер патента: CA1285190C. Автор: Emil Vyprachticky. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-06-25.

Six-wheel bogie with self-aligning axles

Номер патента: RU2278040C2. Автор: Вольфганг АУЕР. Владелец: БОМБАРДИР ТРАНСПОРТАЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2006-06-20.

Motion board drive system with self alignment

Номер патента: US4771558A. Автор: William D. Roberts,Graham M. Stopford. Владелец: ESKRIDGE JOE JOHN. Дата публикации: 1988-09-20.

Relaxed pitch backside magneto-resistive random access memory integration with self-aligned micro stud and backside power distribution network

Номер патента: US20240224812A1. Автор: Tao Li,Michael RIZZOLO,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Three terminal phase change memory with self-aligned contacts

Номер патента: US12108692B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

System and method for real-time streaming of well logging data with self-aligning satellites

Номер патента: CA2804650C. Автор: Thomas H. Selman,Matthew J. Jennings. Владелец: Selman and Associates Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

Photodefined integral capacitor with self-aligned dielectric and electrodes and method therefor

Номер патента: EP1090401A4. Автор: Allyson Beuhler,Jovica Savic,Everett Simons,Gregory J Dunn,Min-Xian Zhang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-04-28.

Photodefined integral capacitor with self-aligned dielectric and electrodes and method therefor

Номер патента: EP1090401A1. Автор: Gregory J. Dunn,Allyson Beuhler,Jovica Savic,Everett Simons,Min-Xian Zhang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-04-11.

Photodefined integral capacitor with self-aligned dielectric and electrodes and method therefor

Номер патента: WO2000041192A1. Автор: Gregory J. Dunn,Allyson Beuhler,Jovica Savic,Everett Simons,Min-Xian Zhang. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 2000-07-13.

Mram integration with self-aligned direct back side contact

Номер патента: WO2024032536A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Brent A. Anderson,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-02-15.

Method to scale dram with self aligned bit line process

Номер патента: US11765889B2. Автор: Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method to scale dram with self aligned bit line process

Номер патента: WO2022232473A1. Автор: Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-03.

Hybrid electric motor with self-aligning rotor with permanent magnets and squirrel-cage rotor

Номер патента: RU2016132385A. Автор: Луис ФИНКЛ. Владелец: Луис ФИНКЛ. Дата публикации: 2018-02-14.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: TW201114081A. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Numonyx Bv. Дата публикации: 2011-04-16.

Structures and methods for forming SRAM cells with self-aligned contacts

Номер патента: TW200739886A. Автор: Haining S Yang,Robert C Wong. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-10-16.

A split gate flash memory cell with self-aligned process

Номер патента: TW454344B. Автор: Len-Yi Leu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Photodefined integral capacitor with self-aligned dielectric and electrodes and method therefor

Номер патента: TW436970B. Автор: Allyson Beuhler,Jovica Savic,Everett Simons,Gregory J Dunn,Min-Xian Zhang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-05-28.

Hybrid electric motor with self aligning permanent magnet and squirrel cage rotors

Номер патента: CA2935961C. Автор: Louis Finkle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-05.

Three-dimensional memory device with self-aligned etch stop rings for a source contact layer and method of making the same

Номер патента: US12133388B2. Автор: Satoshi Shimizu,Koichi Matsuno,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-29.

Hybrid electric motor with self aligning permanent magnet and squirrel cage rotors

Номер патента: US09923440B2. Автор: Louis J. Finkle. Владелец: Motor Generator Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Hybrid electric motor with self aligning permanent magnet and squirrel cage rotors

Номер патента: US09923439B2. Автор: Louis J. Finkle. Владелец: Motor Generator Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Power amplifier with self aligned peaking stage

Номер патента: US09571056B2. Автор: Baker Scott,Dirk Robert Walter Leipold,George Maxim. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Hybrid induction motor with self aligning permanent magnet inner rotor

Номер патента: US09484794B2. Автор: Louis J. Finkle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Polysilicon pillar bipolar transistor with self-aligned memory element

Номер патента: TW201029239A. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung,Bipin Rajendran,Chung-Hon Lam. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-01.

Wet motor gerotor fuel pump with self-aligning bearing

Номер патента: CA1241867A. Автор: William A. Carleton. Владелец: Purolator Products Co LLC. Дата публикации: 1988-09-13.

Hybrid Induction Motor with Self Aligning Permanent Magnet Inner Rotor

Номер патента: US20130278095A1. Автор: Louis J. Finkle. Владелец: Louis J. Finkle. Дата публикации: 2013-10-24.

Hybrid Induction Motor with Self Aligning Permanent Magnet Inner Rotor

Номер патента: US20130278096A1. Автор: Finkle Louis J.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

POWER AMPLIFIER WITH SELF ALIGNED PEAKING STAGE

Номер патента: US20150147986A1. Автор: Leipold Dirk Robert Walter,Maxim George,Scott Baker. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

IMAGE SENSOR PIXELS WITH SELF-ALIGNED LATERAL ANTI-BLOOMING STRUCTURES

Номер патента: US20140247380A1. Автор: Hynecek Jaroslav. Владелец: APTINA IMAGING CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-04.

Hybrid Induction Motor with Self Aligning Hybrid Induction/Permanent Magnet Rotor

Номер патента: US20180166959A1. Автор: Louis J. Finkle. Владелец: Motor Generator Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Hybrid Electric Motor with Self Aligning Permanent Magnet and Squirrel Cage Rotors

Номер патента: US20150194866A1. Автор: Finkle Louis J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Hybrid Electric Motor with Self Aligning Permanent Magnet and Squirrel Cage Rotors

Номер патента: US20150194868A1. Автор: Finkle Louis J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Hybrid Electric Motor with Self Aligning Permanent Magnet and Squirrel Cage Rotors

Номер патента: US20180212502A1. Автор: Finkle Louis J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Hybrid Induction Eddy Current Ring Motor with Self Aligning Hybrid Induction/Permanent Magnet Rotor

Номер патента: US20210257893A1. Автор: Finkle Louis J.. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Basket for mounting a loudspeaker with self-aligning elements and auxiliary transformation ring for mounting a loudspeaker

Номер патента: PL188909B1. Автор: Giancarlo Stevani,Tiziano Nili. Владелец: Ask Ind Spa. Дата публикации: 2005-05-31.

System and method for real-time streaming of well logging data with self-aligning satellites

Номер патента: CA2804650A1. Автор: Thomas H. Selman,Matthew J. Jennings. Владелец: Selman and Associates Ltd. Дата публикации: 2014-08-01.

Semiconductor memory device with self-aligned on the top side word lines and method for the production of semiconductor memory devices

Номер патента: DE102005038939B4. Автор: Dr. Küsters Karl-Heinz,Dr. Riedel Stephan,Dr. Willer Josef. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2015-01-08.

Hybrid induction motor with self aligning hybrid induction/permanent magnet rotor

Номер патента: EP3586433A1. Автор: Louis J. Finkle. Владелец: Louis J. Finkle. Дата публикации: 2020-01-01.

Method for real-time streaming of well logging data with self-aligning satellites

Номер патента: US9074468B1. Автор: Thomas H. Selman,Matthew J. Jennings. Владелец: Selman and Associates Ltd. Дата публикации: 2015-07-07.

Manufacturing method with self-aligned arrangement of solid body electrolyte memory cells of minimum structure size

Номер патента: US7332377B2. Автор: Thomas Happ,Ralf Symanczyk. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-19.

Wireline thread protection system with self-aligning bit and method of using same

Номер патента: US20240191827A1. Автор: Cameron Michael Bryant,James William Anthony,Joshua Blake Howk,Jeremy Quentin Logan. Владелец: Gr Energy Services Management Lp. Дата публикации: 2024-06-13.

Press with self aligning tooling

Номер патента: WO1989002845A1. Автор: Dean W. Martin. Владелец: CATERPILLAR INC.. Дата публикации: 1989-04-06.

Fiber optic connector microlens with self-aligning optical fiber cavity

Номер патента: US20110286698A1. Автор: Subhash Roy,Igor Zhovnirovsky,Reid Greenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: US20240299947A1. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2024-09-12.

Reducing streaming ASR model delay with self alignment

Номер патента: US12057124B2. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Reducing Streaming ASR Model Delay With Self Alignment

Номер патента: US20240371379A1. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Fluid thrust assembly with self-aligning thrust bearings

Номер патента: CA2460475C. Автор: George A. Thomson,Keith Laskey. Владелец: Thordon Bearings Inc. Дата публикации: 2006-12-19.

Ophthalmic device with self alignment for operator-less operation

Номер патента: WO2024063996A1. Автор: Supriyo Sinha,Dimitri Azar. Владелец: Twenty Twenty Therapeutics LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

400g silicon photonic package with self-aligned fiber

Номер патента: US20240280766A1. Автор: Mark Tieu Ming Seng. Владелец: Shunyun Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Circuit board testing device with self aligning plates

Номер патента: US20100019793A1. Автор: Troy Fossum,David Kariniemi. Владелец: Circuit Check Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Circuit board testing device with self aligning plates

Номер патента: US20110234248A1. Автор: Troy Fossum,David Kariniemi. Владелец: Circuit Check Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

Circuit board testing device with self aligning plates

Номер патента: US8004300B2. Автор: Troy Fossum,David Kariniemi. Владелец: Circuit Check Inc. Дата публикации: 2011-08-23.

Wireline thread protection system with self-aligning bit and method of using same

Номер патента: WO2022221690A3. Автор: Cameron Michael Bryant,James William Anthony,Joshua Blake Howk,Jeremy Quentin Logan. Владелец: Gr Energy Services Management, L.P.. Дата публикации: 2022-12-29.

Wireline thread protection system with self-aligning bit and method of using same

Номер патента: CA3215386A1. Автор: Cameron Michael Bryant,James William Anthony,Joshua Blake Howk,Jeremy Quentin Logan. Владелец: Gr Energy Services Management Lp. Дата публикации: 2022-10-20.

Wireline thread protection system with self-aligning bit and method of using same

Номер патента: WO2022221690A2. Автор: Cameron Michael Bryant,James William Anthony,Joshua Blake Howk,James Quentin LOGAN. Владелец: Gr Energy Services Management, L.P.. Дата публикации: 2022-10-20.

Container with self aligning magnetic sleeve

Номер патента: US20210261287A1. Автор: Sean Miller,Michael Mchale,Stephan WEMBACHER,Atman BUCH,Sophie LEFBVRE. Владелец: Weltraum GmbH. Дата публикации: 2021-08-26.

Container with self aligning magnetic sleeve

Номер патента: CA3073668A1. Автор: Sean Miller,Michael Mchale,Sophie Lefebvre,Stephan WEMBACHER,Atman BUCH. Владелец: Cosmo International Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Pipe clamp with self-aligning mechanism while closiing of same

Номер патента: US09441773B2. Автор: Avi Chiproot,Eliezer Krausz. Владелец: Eliezer Krausz Industrial Development Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: US11850600B2. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2023-12-26.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: US20230330681A1. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2023-10-19.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: EP4210873A1. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2023-07-19.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: AU2021339095B2. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2024-05-23.

Reducing streaming asr model delay with self alignment

Номер патента: WO2022203735A1. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Reducing streaming asr model delay with self alignment

Номер патента: EP4295356A1. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Carton unloader with self-aligning interface

Номер патента: US20180257878A1. Автор: Michael L. Girtman,John Simons,Nathan Blough,Dean Roper,Steven W. GRIGGS. Владелец: INTELLIGRATED HEADQUARTERS LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Pipette tip with self-aligning and self-sealing features

Номер патента: CA2122244C. Автор: Guillermo P. Pardinas. Владелец: ABBOTT LABORATORIES. Дата публикации: 1999-02-16.

Walking frame with self-aligning wheels

Номер патента: CA3239048A1. Автор: Jithin Karukasseril VIJAYAN,Callum Matthew Jack WATT,Sibylle Brunhilde Anitha THIES,Susan Bevan. Владелец: Nottingham Rehab Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Gyratory crusher with self-aligning features

Номер патента: AU2024216305A1. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2024-09-12.

Tree delimbing device with self-aligning cutter head assembly

Номер патента: CA2168600C. Автор: Thomas E. Hamby, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-06.

Ophthalmic Device with Self Alignment for Operator-Less Operation

Номер патента: US20240090766A1. Автор: Supriyo Sinha,Dimitri Azar. Владелец: Twenty Twenty Therapeutics LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Inflation device with self aligning crank handle

Номер патента: EP3934729A1. Автор: Gregory R. McArthur. Владелец: Merit Medical Systems Inc. Дата публикации: 2022-01-12.

Perpendicular head with self-aligned notching trailing shield process

Номер патента: US20070035878A1. Автор: Hung-Chin Guthrie,Ming Jiang,Yimin Hsu. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of fabricating nanometer-scale flowchannels and trenches with self-aligned electrodes and structures formed by the same

Номер патента: WO2002073314A1. Автор: Axel Scherer. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2002-09-19.

Holder with self-aligning feature for holding current sensor around line conductor

Номер патента: US20170363661A1. Автор: Ernesto M. Rodriguez, Jr.,William E. Haushalter. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-12-21.

Expansion bellows with self-aligned guide rods

Номер патента: WO2018064388A1. Автор: Jia Wang,Richard George SCHRENKER. Владелец: Corner Star Limited. Дата публикации: 2018-04-05.

Glass breakage detector with self-aligning housing

Номер патента: US4949073A. Автор: Robert C. Voosen. Владелец: International Electronics Inc. Дата публикации: 1990-08-14.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: EP4210873B1. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2024-10-02.

Calibratable pedestrian pressure probe with self-aligning collar

Номер патента: US12025635B2. Автор: David Banks,Yarrow J. Fewless,Roy O. Denoon,John A. Summers. Владелец: CPP Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Gear-drive adapter with self-aligning catching mechanism

Номер патента: US09927004B2. Автор: Hua Gao. Владелец: Bradshaw Medical Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Axial needle roller bearing with self-aligning washers

Номер патента: US09657780B2. Автор: Clayton BRZEZINSKI. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2017-05-23.

Heat exchanger with self-aligning fittings

Номер патента: US09417011B2. Автор: John G. Burgers,Michael A. Martin,Kenneth M. A. Abels,Meinrad K. A. Machler. Владелец: Dana Canada Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Pipette tip with self-aligning and self-sealing features

Номер патента: AU657815B2. Автор: Guillermo Pedro Pardinas. Владелец: ABBOTT LABORATORIES. Дата публикации: 1995-03-23.

Liquid ring vacuum pump-compressor with self aligning removable bearing bracket

Номер патента: US5328274A. Автор: T. Michael Wallace,Charles H. Wunner. Владелец: Vooner Vacuum Pumps Inc. Дата публикации: 1994-07-12.

Walking frame with self-aligning wheels

Номер патента: AU2022395923A1. Автор: Jithin Karukasseril VIJAYAN,Callum Matthew Jack WATT,Sibylle Brunhilde Anitha THIES,Susan Bevan. Владелец: Nottingham Rehab Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Walking frame with self-aligning wheels

Номер патента: WO2023094832A1. Автор: Jithin Karukasseril VIJAYAN,Callum Matthew Jack WATT,Sibylle Brunhilde Anitha THIES,Susan Bevan. Владелец: Nottingham Rehab Limited. Дата публикации: 2023-06-01.

FLANGE MOUNT DRAWBAR WITH SELF-ALIGNING SNUBBER

Номер патента: US20130140793A1. Автор: Patterson Jared,Terpsma Eric. Владелец: SAF-HOLLAND, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

DRILLING DEVICE WITH AUTOMATIC OR CONTROLLED FEED SPEED WITH SELF-ALIGNING SPINDLE

Номер патента: US20180029182A1. Автор: Pereira Sebastien. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

HIGH PRESSURE REMOTE CONNECTOR WITH SELF-ALIGNING GEOMETRY

Номер патента: US20150069755A1. Автор: Kendrick William D.,Bull Brad R.. Владелец: Halliburton Energy Services, Inc.. Дата публикации: 2015-03-12.

Linear Motion Bearing System with Self-Aligning Rail

Номер патента: US20140147062A1. Автор: Ng Alison. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-29.

EXPANSION BELLOWS WITH SELF-ALIGNED GUIDE RODS

Номер патента: US20180087181A1. Автор: Wang Jia,Schrenker Richard George. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

Gear-Drive Adapter with Self-Aligning Catching Mechanism

Номер патента: US20150101432A1. Автор: Gao Hua. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

LINEAR MOTION BEARING SYSTEM WITH SELF-ALIGNING RAIL

Номер патента: US20160108956A1. Автор: Ng Alison. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Heat Exchanger with Self-Aligning Fittings

Номер патента: US20140225363A1. Автор: Burgers John G.,Martin Michael A.,MACHLER Meinrad K. A.,Abels Kenneth M. A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-14.

PRESSURE TRANSDUCER SUBSTRATE WITH SELF ALIGNMENT FEATURE

Номер патента: US20140251030A1. Автор: Hopman Wico,Van Der Donk George,Van Noorden Maarten,DiStefano Sean. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

Reducing Streaming ASR Model Delay With Self Alignment

Номер патента: US20220310097A1. Автор: Zhang Qian,TRIPATHI Anshuman,KIM Jaeyoung,Sak Hasim,LU Han. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

FABRICATION OF MULTIPLE SENSOR LAYERS WITH SELF-ALIGNED BACK EDGE

Номер патента: US20150199990A1. Автор: LI YANG,Katine Jordan A.,Robertson Neil L.,BRAGANCA Patrick M.. Владелец: HGST NETHERLANDS B.V.. Дата публикации: 2015-07-16.

Mounting system with self aligning cam system

Номер патента: US20200189051A1. Автор: Darel R. Taylor,Terry Schron,Edward Conaway. Владелец: Jergens Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

DRUM WITH SELF-ALIGNING SNARE

Номер патента: US20180204550A1. Автор: Steinhauser Ruben. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Airfoil blades with self-alignment mechanisms for cross-flow turbines

Номер патента: US20140308127A1. Автор: Lee Calvin Chunliang. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

Wire Bender With Self Aligned Removable Bend Pin Assembly

Номер патента: US20200222968A1. Автор: Perry Marco,Frias Oscar. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

CONTAINER WITH SELF ALIGNING MAGNETIC SLEEVE

Номер патента: US20210261287A1. Автор: MILLER Sean,McHale Michael,WEMBACHER Stephan,BUCH Atman,LEFBVRE Sophie. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

VALVE WITH SELF-ALIGNING STEM TIP

Номер патента: US20200224773A1. Автор: III William H.,Glime,Keeper Branden W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

FLUID DISPENSER WITH SELF-ALIGNING NOZZLE

Номер патента: US20150251195A1. Автор: Li Xiong,LIAO Dazhang,NG Hon Yu,YU Tsz Kit,AU Yuk Cheung. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

CARTON UNLOADER WITH SELF-ALIGNING INTERFACE

Номер патента: US20180257878A1. Автор: Girtman Michael L.,GRIGGS Steven W.,Blough Nathan,Roper Dean,Simons John. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Axial needle roller bearing with self-aligning washers

Номер патента: US20160290392A1. Автор: Clayton BRZEZINSKI. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2016-10-06.

Inflation device with self aligning crank handle

Номер патента: US20200282191A1. Автор: Gregory R. McArthur. Владелец: Merit Medical Systems Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

REMOVABLE VEHICLE ROOF CAP ASSEMBLIES WITH SELF-ALIGNING MOUNTING SYSTEMS

Номер патента: US20190291552A1. Автор: Glickman David Brian,LOVASZ RONALD M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

CONTAINER WITH SELF-ALIGNING LID

Номер патента: US20170305616A1. Автор: Barbier Marco Tulio,ECHANIZ Hector. Владелец: EASYPAK LLC. Дата публикации: 2017-10-26.

ASYMMETRIC MAMR HEAD WITH SELF-ALIGNED SPIN TORQUE OSCILLATOR ALONG FLARE EDGE FOR SHINGLED MAGNETIC RECORDING

Номер патента: US20150332711A1. Автор: Shiimoto Masato,Urakami Yosuke,Kudo Kazue,Shiina Hiromi. Владелец: HGST NETHERLANDS B.V.. Дата публикации: 2015-11-19.

Valve with self-aligning stem tip

Номер патента: US20170343115A1. Автор: Branden W. Keeper,William H. Glime, III. Владелец: Swagelok Co. Дата публикации: 2017-11-30.

Light module with self-aligning electrical and mechanical connection

Номер патента: US20190346086A1. Автор: Joye Michael,Hradnansky John James. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

HOLDER WITH SELF-ALIGNING FEATURE FOR HOLDING CURRENT SENSOR AROUND LINE CONDUCTOR

Номер патента: US20170363661A1. Автор: Rodriguez,JR. Ernesto M.,Haushalter William E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

High pressure remote connector with self-aligning geometry

Номер патента: US20180372254A1. Автор: Brad R. Bull,William D. Kendrick. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Modular headliner with self-aligning lamp

Номер патента: US6092916A. Автор: Joseph J. Davis, Jr.,Gary J. Sadek. Владелец: Lear Automotive Dearborn Inc. Дата публикации: 2000-07-25.

Optical coupling module with self-aligned etched grooves and method for fabricating the same

Номер патента: KR100439088B1. Автор: 김번중,권영세. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2004-07-05.

Method of fabricating carbon nanotube field emission display with self-aligned gate-emitter structure

Номер патента: KR100780286B1. Автор: 권상직. Владелец: 경원대학교 산학협력단. Дата публикации: 2007-11-28.

Valves with self-aligned stem tips

Номер патента: KR20190016038A. Автор: 윌리엄 에이치. 글리메,브랜든 더블유. 키퍼. Владелец: 스웨이지락 캄파니. Дата публикации: 2019-02-15.

Nano Bubble Water Generator with Self-aligned Air Gap Structure

Номер патента: KR102150865B1. Автор: 윤상. Владелец: 주식회사 이앤에이치. Дата публикации: 2020-09-02.

Screw feed controlling device equipped with self-aligning mechanism

Номер патента: JPS58187642A. Автор: Yoshihiro Ishida,石田　吉弘. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1983-11-01.

Upper back exercise machine with self-aligning pivoting user support

Номер патента: US7976440B2. Автор: Randall T. Webber,Bruce Hockridge,Jeffrey O. Meredith,Christopher E. Brennan. Владелец: Hoist Fitness Systems Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

HYDROSTATIC BEARING WITH SELF-ALIGNING SHOES

Номер патента: FR2307176A1. Автор: . Владелец: SKF Industrial Trading and Development Co BV. Дата публикации: 1976-11-05.

Fuelling machine snout - with self-aligning features for heavy water reactor

Номер патента: FR2191696A5. Автор: . Владелец: Canadian General Electric Co Ltd. Дата публикации: 1974-02-01.

RELEASE CLUTCH WITH SELF-ALIGNMENT WITH ELASTIC SLEEVE AND ROLLING BEARING FOR CLUTCH STOP

Номер патента: FR2805579B1. Автор: Herve Girardin,Benoit Arnault,Frederic Ponson. Владелец: SKF France. Дата публикации: 2002-06-14.

Servomotor installation structure with self-aligning function

Номер патента: CN202176444U. Автор: 赵跃林. Владелец: Tianjin Tianfa Heavy Hydropower Equipment Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-28.

Drum with self-aligning snare

Номер патента: GB2574336B. Автор: Steinhauser Ruben. Владелец: Drum Workshop Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Sectional door with self-aligning hinges and method of assembly

Номер патента: CA2459654A1. Автор: Albert W. Mitchell,Willis J. Mullet,Thomas B. Bennett, III. Владелец: Wayne Dalton Corp. Дата публикации: 2004-09-21.

Monolithic printhead with self-aligned groove and relative manufacturing process

Номер патента: US7066581B2. Автор: Renato Conta,Anna Merialdo. Владелец: Telecom Italia SpA. Дата публикации: 2006-06-27.

Tufting machine with self-aligning gauging modules

Номер патента: GB2295161B. Автор: Marshall Allen Neely. Владелец: Card Monroe Corp. Дата публикации: 1996-11-20.

Pintle valve having an internal flow modifier with self-aligning head

Номер патента: US6484705B2. Автор: Raul A. Bircann,Dwight O. Palmer. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2002-11-26.

Flow sensor with self-aligned flow channel

Номер патента: US20080010821A1. Автор: Ulrich Bonne,Aravind Padmanabhan,Michael Marchini. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-01-17.

Tree delimbing device with self-aligning cutter head assembly

Номер патента: CA2168600A1. Автор: Thomas E. Hamby, Jr.. Владелец: HAMBY THOMAS E. Дата публикации: 1996-09-08.

Kinetic energy rod warhead with self-aligning penetrators

Номер патента: WO2006098780A3. Автор: Richard M Lloyd. Владелец: Richard M Lloyd. Дата публикации: 2007-10-11.

Bearing, in particular bearing with self-alignment bodies

Номер патента: WO2014029390A1. Автор: Martin Grehn,Rainer Schröder. Владелец: SCHAEFFLER TECHNOLOGIES AG & CO. KG. Дата публикации: 2014-02-27.

Ball ramp driveline clutch actuator with self aligning cone clutch

Номер патента: AU735167B2. Автор: Gregory Joseph Organek,David Michael Preston. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Flatbed loading system with self-aligning platforms

Номер патента: US8985274B2. Автор: Kaiwen SUN,Ray COOK,Mark Anthony Perkins,James Thomas MAYS. Владелец: Sam Carbis Asset Management LLC. Дата публикации: 2015-03-24.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: WO2022053988A1. Автор: Stephen Richard HARRIS. Владелец: FLSMIDTH A/S. Дата публикации: 2022-03-17.

Pressure transducer substrate with self alignment feature

Номер патента: KR102038156B1. Автор: 비코 호프만,데르 돈크 게오르게 반,노르덴 마르텐 반,션 디스테파노. Владелец: 센사타 테크놀로지스, 인크. Дата публикации: 2019-11-26.

Tufting machine with self-aligning gauging modules

Номер патента: US5295450A. Автор: Marshall A. Neely. Владелец: Card Monroe Corp. Дата публикации: 1994-03-22.

PENDULUM LOADER ARM WITH SELF-ALIGNMENT, IN PARTICULAR FOR TEXTILE MACHINES

Номер патента: IT1074231B. Автор: . Владелец: TSUKUMO ZENZABURO. Дата публикации: 1985-04-17.

A thin film magnetic transducer with self aligned magnetic poles using sacrificial mask and a method of manufacturing this transducer

Номер патента: KR100264700B1. Автор: 키일 비트,카더론 아서,리아오 사이몬. Владелец: 시게이트 테크놀로지 인터내셔날. Дата публикации: 2000-09-01.

In-sink dishwasher with self-aligning liquid feed system

Номер патента: US20030205248A1. Автор: Ralph Christman,Arnold Denne,Rud Lauer. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2003-11-06.

Protruding head fastener with self-aligning sleeve with electromagnetic effect protection characteristics

Номер патента: JP6281960B2. Автор: リチャード ピー． ウィットロック，,リチャード ピー． ウィットロック，,ピーター エー． コロナード，,ピーター エー． コロナード，,ショーン ディー． モーデン，,ショーン ディー． モーデン，,ランドル エー． ロジャーズ，,ランドル エー． ロジャーズ，,ジュリー エム． ドレクスラー，,ジュリー エム． ドレクスラー，,ジョン アール． ポーター，,ジョン アール． ポーター，,ジェフリー ジー． ビックフォード，,ジェフリー ジー． ビックフォード，. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-02-21.

Tufting machine with self-aligning gauging modules

Номер патента: GB2266537B. Автор: Marshall Allen Neely. Владелец: Card Monroe Corp. Дата публикации: 1996-11-20.

Chest press exercise machine with self-aligning pivoting user support

Номер патента: US20080058176A1. Автор: Randall T. Webber,Bruce Hockridge,Jeffrey O. Meredith. Владелец: Hoist Fitness Systems Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Fabrication of multiple sensor layers with self-aligned back edge

Номер патента: US9082435B1. Автор: Yang Li,Jordan A. Katine,Patrick M. Braganca,Neil L. Robertson. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2015-07-14.

Chest exercise machine with self-aligning pivoting user support

Номер патента: US8002679B2. Автор: Randall T. Webber,Bruce Hockridge,Jeffrey O. Meredith,Christopher E. Brennan. Владелец: Hoist Fitness Systems Inc. Дата публикации: 2011-08-23.

Valve with self-aligning stem tip

Номер патента: WO2017205443A1. Автор: Branden W. Keeper,William H. Glime. Владелец: Swagelok Company. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for Fabricating a Micromirror with Self-Aligned Actuators

Номер патента: US20110062110A1. Автор: Karthik Kumar,Xiaojing Zhang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2011-03-17.

Vehicle power seat adjuster with self-aligning lead screw actuator

Номер патента: CA2179200A1. Автор: Derek K. Gauger. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-06-22.

Kinetic energy rod warhead with self-aligning penetrators

Номер патента: CA2597641A1. Автор: Richard M. Lloyd. Владелец: Richard M. Lloyd. Дата публикации: 2006-09-21.

CATETER WITH SELF-ALIGNMENT.

Номер патента: ES2236805T3. Автор: Shlomo Ben-Haim. Владелец: Biosense Webster Inc. Дата публикации: 2005-07-16.

Drilling device with self-aligning spindle and automatic or controlled feed speed

Номер патента: CN107661994B. Автор: 塞巴斯蒂安·佩雷拉. Владелец: Scitech. Дата публикации: 2021-02-26.

ELECTROMAGNETIC LOCK WITH SELF-ALIGNMENT

Номер патента: FR3016917B1. Автор: Jacob Benhammou. Владелец: CDVI DIGIT. Дата публикации: 2016-02-12.

Reciprocating pump/compressor with self-aligning piston

Номер патента: WO2000031414A2. Автор: H T Miser. Владелец: Ht Miser. Дата публикации: 2000-06-02.

Chest press exercise machine with self-aligning pivoting user support

Номер патента: US7670269B2. Автор: Randall T. Webber,Bruce Hockridge,Jeffrey O. Meredith. Владелец: Hoist Fitness Systems Inc. Дата публикации: 2010-03-02.

Linear motion bearing system with self-aligning rail

Номер патента: WO2012015881A1. Автор: Alison Ng. Владелец: Thomson Industries Inc.. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of making a write head with self-aligned pedestal shaped pole tip which are separated by a zero throat height defining layer

Номер патента: US6694604B2. Автор: Hugo Alberto Emilio Santini. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2004-02-24.

Windmill with self-aligning aerodynamic surfaces

Номер патента: RU2070299C1. Автор: . Владелец: Уразаев Рамиль Зиаович. Дата публикации: 1996-12-10.

Pipe clamp with self-aligning mechanism while closing of same

Номер патента: CA2727802A1. Автор: Avi Chiproot,Eliezer Krausz. Владелец: Krausz Industries Development Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

Arm exercise machine with self-aligning pivoting user support

Номер патента: US7654940B2. Автор: Randall T. Webber,Bruce Hockridge,Jeffrey O. Meredith. Владелец: Hoist Fitness Systems Inc. Дата публикации: 2010-02-02.

Grounding assembly with self-aligning fingers

Номер патента: US6844491B1. Автор: Jon C. Malmberg. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2005-01-18.

Packing box board assembly device with self-align material loading function

Номер патента: CN112193540B. Автор: 李延红. Владелец: Dongguan Huibai Automation Co ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

Tooth extraction tongs with self aligning jaws - have pivot screw head with spherical underside and spring component between arms

Номер патента: DE3026151A1. Автор: Werner 4740 Oelde Heimann. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-02-04.

SINK DISHWASHER WITH SELF-ALIGNABLE LIQUID FEEDING SYSTEM.

Номер патента: ES2289199T3. Автор: Ralph E. Whirlpool Europe s.r.l. Christman,Arnold L. Whirlpool Europe s.r.l. Denne,Rud J. Whirlpool Europe s.r.l. Lauer. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2008-02-01.

Ball ramp driveline clutch actuator with self aligning cone clutch

Номер патента: EP0905398A1. Автор: Gregory J. Organek,David Michael Preston. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1999-03-31.

Chest press exercise machine with self-aligning pivoting user support

Номер патента: US20070293378A1. Автор: Bruce Hockridge,Jeffrey Meredith,Randall Webber. Владелец: Hoist Fitness Systems Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Reciprocating pump/compressor with self-aligning piston

Номер патента: WO2000031414A3. Автор: Miser Ht. Владелец: Miser Ht. Дата публикации: 2000-11-30.

Removable vehicle roof cap assemblies with self-aligning mounting systems

Номер патента: US10583724B2. Автор: David Brian Glickman,Ronald M. Lovasz. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2020-03-10.

ELECTROMAGNETIC LOCK WITH SELF-ALIGNMENT

Номер патента: FR3016917A1. Автор: Jacob Benhammou. Владелец: CDVI DIGIT. Дата публикации: 2015-07-31.

Kinetic energy rod warhead with self-aligning penetrators

Номер патента: IL185238A0. Автор: . Владелец: Lloyd Richard M. Дата публикации: 2008-02-09.

Belt clamping apparatus with self-aligning feature

Номер патента: CA1156199A. Автор: David A. Pickett. Владелец: Allied Chemical Corp. Дата публикации: 1983-11-01.

Boat trailering system with self-alignment and latching

Номер патента: US20040262881A1. Автор: Rockne Holbrook. Владелец: Holbrook Rockne Byron. Дата публикации: 2004-12-30.

Pipe clamp with self-aligning mechanism while closing of same

Номер патента: IL191447A0. Автор: . Владелец: Krausz Ind Dev Ltd. Дата публикации: 2009-02-11.

Method to manufacture field transistors with self-aligned gate of submicron length

Номер патента: RU2436186C2. Автор: Вадим Станиславович Арыков,Анастасия Михайловна Гаврилова,Ольга Анатольевна Дедкова,Юрий Викторович Лиленко. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП"). Дата публикации: 2011-12-10.

Gate of wedge valve with self-aligned seats

Номер патента: RU2371621C1. Автор: Анатолий Леонтьевич Шанаурин,Геннадий Александрович Заславский,Вячеслав Алексеевич Рязанов,Ильгиз Рашитович Чиняев,Рашид Михайлович Караев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "МКТ". Дата публикации: 2009-10-27.

Preparation method of DMOS (Domplementary Metal Oxide Semiconductor) with self-aligned channel in BCD (Bipolar CMOS DMOS) process

Номер патента: CN101930945B. Автор: 陈福成. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-23.

Compound Semiconductor Transistor with Self Aligned Gate

Номер патента: US20130320350A1. Автор: Curatola Gilberto,Häberlen Oliver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-12-05.

Optical centering mount with self-aligning line of sight

Номер патента: RU2097696C1. Автор: А.И. Захаров. Владелец: Производственное объединение "Уральский оптико-механический завод". Дата публикации: 1997-11-27.

TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED CHANNEL WIDTH

Номер патента: US20130099296A1. Автор: Manabe Sohei,Lyu Jeong-Ho. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-04-25.

Field effect transistor with self-aligned T-type gate

Номер патента: TW402749B. Автор: Hung-Jr Lin,Diau-Yuan Huang. Владелец: Shr Min. Дата публикации: 2000-08-21.

Manufacturing method of field effect transistor with self-aligned silicide

Номер патента: TW320750B. Автор: Shuenn-Liang Sheu,Taw-Jye Tsay. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-11-21.

Thin film transistor with self-aligned offset structure

Номер патента: TW410482B. Автор: Ching-Nan Yang,Jia-Cheng Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-11-01.

TRENCH METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH EMBEDDED SCHOTTKY RECTIFIER USING REDUCED MASKS PROCESS

Номер патента: US20140077290A1. Автор: HSIEH Fu-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-20.

TRENCH METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH MULTIPLE TRENCHED SOURCE-BODY CONTACTS FOR REDUCING GATE CHARGE

Номер патента: US20140103426A1. Автор: HSIEH Fu-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Spacer over Gate

Номер патента: US20140117467A1. Автор: Wang Jen-Pan,Yang Chung-Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-05-01.

Preparation method of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with silicon-on-nothing (SON) structure

Номер патента: CN102339754A. Автор: 张苗,王曦,黄晓橹,陈静. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Preparation method of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with silicon-on-nothing (SON) structure

Номер патента: CN102339754B. Автор: 张苗,王曦,黄晓橹,陈静. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2014-08-20.

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) with electrostatic protection structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104733508A. Автор: 陈宇,钟树理,朱超群. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-24.

SELF-ALIGNED III-V FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET), INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP WITH SELF-ALIGNED III-V FETS AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120248501A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Shiu Kuen-Ting,Han Shu-Jen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-04.

METHODS OF FORMING VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED CONTACTS FOR MEMORY DEVICES WITH PLANAR PERIPHERY/ARRAY AND INTERMEDIATE STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20120248529A1. Автор: Liu Jun,Wells David H.,Tang Sanh D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Method for forming ultra-short channel MOSFET with self-aligned silicide contact and extended source/drain junction

Номер патента: TW392221B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Tsmc Acer Semiconductor Mfg Co. Дата публикации: 2000-06-01.

Manufacturing method of bridge free MOSFET with self-aligned silicide

Номер патента: TW396607B. Автор: Hung-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2000-07-01.

Coding method of mask ROM with self-alignment

Номер патента: TW262588B. Автор: Yeun-Ding Horng,Jenn-Chiou Shyu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-11-11.

Container with self aligning magnetic sleeve

Номер патента: GB202002527D0. Автор: . Владелец: Cosmo International Ltd. Дата публикации: 2020-04-08.

Radial piston device with self-aligning piston assembly

Номер патента: CA847090A. Автор: Tobias Jaromir. Владелец: Individual. Дата публикации: 1970-07-21.

MOSFET with self-aligned silicide and gate-side air-gap structure

Номер патента: TW346647B. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Ti Acer Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-01.

Manufacturing method of stack capacitor with self-aligned node contact

Номер патента: TW317017B. Автор: Jaw-Min Ger. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 1997-10-01.

Manufacture method of borderless contact with self-alignment stop layer

Номер патента: TW407340B. Автор: Shr-Ying Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-10-01.

Method for fabricating mask ROM with self-aligned coding

Номер патента: TW550760B. Автор: Ta-Hung Yang,Chun-Yi Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-01.

Process for CMOS with self-aligned twin well or triple well

Номер патента: TW230828B. Автор: Jenn-Chyou Shyu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-09-21.

The producing method for SRAM with self-aligned contact

Номер патента: TW333700B. Автор: Jong-Jyh Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-11.

Structure of bonding workpieces with self-alignment

Номер патента: TWI249452B. Автор: Cheng-Yi Liu,Shih-Chieh Hsu,Jenq-Yang Chang,Chien-Chieh Lee. Владелец: Univ Nat Central. Дата публикации: 2006-02-21.

Flash memory with self-aligned split gate and methods for fabricating and for operating the same

Номер патента: TW544871B. Автор: Chih-Wei Hung,Cheng-Yuan Hsu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-08-01.

Structure of bonding workpieces with self-alignment

Номер патента: TW200631721A. Автор: Cheng-Yi Liu,Shih-Chieh Hsu,Jenq-Yang Chang,Chien-Chieh Lee. Владелец: Univ Nat Central. Дата публикации: 2006-09-16.

SILICON-ON-INSULATOR TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BORDERLESS SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20130175619A1. Автор: Horak David V.,Koburger,III Charles W.,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,FAN Susan S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

GRAPHENE TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED GATES

Номер патента: US20130299782A1. Автор: Afzali-Ardakani Ali,Zhu Yu,Farmer Damon B.,Lin Yu-Ming,AVOURIS PHAEDON. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-14.

GRAPHENE TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED GATES

Номер патента: US20130302963A1. Автор: Afzali-Ardakani Ali,Zhu Yu,Farmer Damon B.,Lin Yu-Ming,AVOURIS PHAEDON. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-14.

VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE ELECTRODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130320433A1. Автор: CHO Heung-Jae,HWANG Eui-Seong,PARK Eun-Shil. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

FIELD-EFFECT-TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED DIFFUSION CONTACT

Номер патента: US20140008731A1. Автор: Koburger,III Charles William,Tulipe,JR. Douglas C. La. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-09.

Method for manufacturing field-effect transistors with self-aligning gate

Номер патента: SU1628766A1. Автор: Э.А. Ильичев,В.Н. Инкин,И.А. Ахинько. Владелец: И.А. Ахинько. Дата публикации: 1996-05-27.

Method of forming CMOS transistors with self-aligned planarization twin-well

Номер патента: TW411585B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-11-11.

PRINTED TFT AND TFT ARRAY WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20120037992A1. Автор: Street Robert A.. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2012-02-16.

SRAM BIT CELL WITH SELF-ALIGNED BIDIRECTIONAL LOCAL INTERCONNECTS

Номер патента: US20120037996A1. Автор: Weiss Donald R.,Schultz Richard T.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-02-16.

Field Effect Transistor Device With Self-Aligned Junction

Номер патента: US20120038007A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-16.

Field Effect Transistor Device with Self-Aligned Junction and Spacer

Номер патента: US20120038008A1. Автор: Guo Dechao,Kulkarni Pranita,Yeh Chun-chen,MURALIDHAR RAMACHANDRAN. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-16.

METHODS OF FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT WITH SELF-ALIGNED TRENCH FORMATION

Номер патента: US20120108069A1. Автор: Juengling Werner,LANE Richard. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-05-03.

Power device with self-aligned source regions

Номер патента: US20120119291A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

Conveyor Toaster with Self-Aligning Belts

Номер патента: US20120121782A1. Автор: . Владелец: PRINCE CASTLE LLC. Дата публикации: 2012-05-17.

VALVE WITH SELF-ALIGNING SHAFT SEAL

Номер патента: US20120193561A1. Автор: Maes Anton,DeBlauw Brian M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

MAGNETICALLY ENHANCED POWER INDUCTOR WITH SELF-ALIGNED HARD AXIS MAGNETIC CORE PRODUCED IN AN APPLIED MAGNETIC FIELD USING A DAMASCENE PROCESS SEQUENCE

Номер патента: US20120233849A1. Автор: Johnson Peter,Papou Andrei,Smeys Peter. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-20.

Double-Trench Vertical Devices and Methods with Self-Alignment Between Gate and Body Contact

Номер патента: US20120261746A1. Автор: Blanchard Richard A.,Darwish Mohamed N.,Jun Zeng. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2012-10-18.

SIDEWALL THIN FILM ELECTRODE WITH SELF-ALIGNED TOP ELECTRODE AND PROGRAMMABLE RESISTANCE MEMORY

Номер патента: US20120267597A1. Автор: LUNG HSIANG-LAN. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-25.

Field Effect Transistor Device with Self-Aligned Junction and Spacer

Номер патента: US20120286360A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

Power MOSFET Device with Self-Aligned Integrated Schottky Diode

Номер патента: US20120292692A1. Автор: Chen John,Lee Yeeheng,Ding Yongping. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

Graphene/Nanostructure FET with Self-Aligned Contact and Gate

Номер патента: US20120298949A1. Автор: Chang Josephine,Lauer Isaac,Sleight Jeffrey. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD AND SYSTEM FOR A GAN VERTICAL JFET WITH SELF-ALIGNED SOURCE AND GATE

Номер патента: US20130161705A1. Автор: Kizilyalli Isik C.,Brown Richard J.,Romano Linda,Raj Madhan,Disney Don,Ne Hui. Владелец: EPOWERSOFT, INC.. Дата публикации: 2013-06-27.

TECHNIQUES FOR USING MATERIAL SUBSTITUTION PROCESSES TO FORM REPLACEMENT METAL GATE ELECTRODES OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20130260548A1. Автор: Park Chang Seo. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor Device with Self-Aligned Interconnects

Номер патента: US20130270704A1. Автор: Hsieh Ken-Hsien,Ou Tsong-Hua,Liu Ru-Gun,HOU Yuan-Te,Chang Shih-Ming,Fan Fang-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-10-17.

METHOD OF FORMING A MICRO LED DEVICE WITH SELF-ALIGNED METALLIZATION STACK

Номер патента: US20130285086A1. Автор: Bibl Andreas,Hu Hsin-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

VIA-FREE INTERCONNECT STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED METAL LINE INTERCONNECTIONS

Номер патента: US20130292836A1. Автор: Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Chang Shih-Ming,Tang Yu-Po. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-11-07.

METHOD AND SYSTEM FOR A GAN VERTICAL JFET WITH SELF-ALIGNED GATE METALLIZATION

Номер патента: US20130299873A1. Автор: NIE Hui,DISNEY Donald R.,Brown Richard J.. Владелец: AVOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

METHOD AND SYSTEM FOR A GAN VERTICAL JFET WITH SELF-ALIGNED SOURCE METALLIZATION

Номер патента: US20130299882A1. Автор: NIE Hui,DISNEY Donald R.,Brown Richard J.. Владелец: AVOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

INVERTED THIN CHANNEL MOSFET WITH SELF-ALIGNED EXPANDED SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20130299897A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,JR. Douglas C.,La Tulipe. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED INTERCONNECTS

Номер патента: US20130307080A1. Автор: SONG Ming-Hsiang,KUO Cheng-Hsiung,CHIH Yue-Der,Lee Jam-Wem,Tsai Tsung-Che,Sung Hung-Cheng,Wang Roger. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-11-21.

GATED CIRCUIT STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED TUNNELING REGION

Номер патента: US20130320427A1. Автор: Loh Wei-Yip,Majhi Prashant,Hill Richard. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

CLOUD COMPUTING SYSTEM FOR REAL-TIME STREAMING OF WELL LOGGING DATA WITH SELF-ALIGNING SATELLITES

Номер патента: US20130346754A1. Автор: Selman Thomas H.,Jennings Matthew J.. Владелец: SELMAN AND ASSOCIATES, LTD.. Дата публикации: 2013-12-26.

THREE DIMENSIONAL NAND FLASH WITH SELF-ALIGNED SELECT GATE

Номер патента: US20140003148A1. Автор: Sun Jie,Lee Minsoo,Cleereman Brian. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

FORMING FACET-LESS EPITAXY WITH SELF-ALIGNED ISOLATION

Номер патента: US20140027820A1. Автор: LI Ying,AQUILINO Michael V.,Kim Byeong Yeol,Radens Carl John. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-30.

FLATBED LOADING SYSTEM WITH SELF-ALIGNING PLATFORMS

Номер патента: US20140041961A1. Автор: SUN Kaiwen,COOK Ray,PERKINS Mark Anthony,MAYS James Thomas. Владелец: ALUMINUM LADDER COMPANY. Дата публикации: 2014-02-13.

FINFET WITH SELF-ALIGNED PUNCHTHROUGH STOPPER

Номер патента: US20140061794A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

DIELECTRIC CAP LAYER FOR REPLACEMENT GATE WITH SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20140134836A1. Автор: Wang Junli,Xie Ruilong,Park Chang Seo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan Veera Venkata Satya. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-15.

Trailer carriage with self-aligning rear axle

Номер патента: SU852702A2. Автор: Валентин Григорьевич Нестеровский. Владелец: Запорожский Научно-Исследовательскийи Конструкторско-Технологическийинститут По Машинам Для Подготовкии Внесения B Почву Минеральныхудобрений. Дата публикации: 1981-08-07.

Radial sliding-contact bearing with self-alignment segments

Номер патента: SU1557380A1. Автор: Ян Ванек,Йиржи Шимек. Владелец: Статни Вызкумны Устав Про Ставбу Строю (Инопредприятие). Дата публикации: 1990-04-15.

Method for producing of solar cell selective emitter with self-aligned metallization

Номер патента: LT5608B. Автор: Vida Katryna JANUŠONIENĖ,Julius JANUŠONIS,Andrius MELNINKAITIS. Владелец: Mokslininkų sąjungos institutas, ,. Дата публикации: 2009-11-25.

Hand cart with self-aligning wheels

Номер патента: SU630114A1. Автор: Радия Михайловна Чернуха,Валентин Вениаминович Ножевников,Владимир Иванович Нерода. Владелец: Предприятие П/Я А-3395. Дата публикации: 1978-10-30.

Drum-type brake with self-aligning shoes

Номер патента: SU1434188A1. Автор: Герас Ильич Мамити,Виталий Иванович Лопухин,Николай Владимирович Путеев,Юрий Петрович Поздняков,Леонид Леонидович Борисов. Владелец: Могилевский Машиностроительный Институт. Дата публикации: 1988-10-30.

Trailer carriage with self-aligning rear axle

Номер патента: SU800010A2. Автор: Валентин Григорьевич Нестеровский,Сергей Сергеевич Михайловский. Владелец: Запорожский Научно-Исследователь-Ский Конструкторско-Технологи-Ческий Институт По Машинам Дляподготовки И Внесения B Почвуудобрений. Дата публикации: 1981-01-30.

Hand car with self-aligning wheels

Номер патента: SU1527066A2. Автор: Виктор Дмитриевич Агафонов,Вера Петровна Агафонова. Владелец: Предприятие П/Я М-5755. Дата публикации: 1989-12-07.

Trailer undercarriage with self-aligning rear axle

Номер патента: SU816856A1. Автор: Валентин Григорьевич Нестеровский,Александр Иванович Лебеденко,Сергей Сергеевич Михайловский. Владелец: Запорожский Научно-Исследовательскийконструкторско-Технологическийинститут По Машинам Для Подготовкии Внесения B Почву Минеральныхудобрений. Дата публикации: 1981-03-30.

Intermediate support with self-aligning shoe

Номер патента: SU742209A1. Автор: Владимир Васильевич Задорожный,Владислав Петрович Волков,Виктор Александрович Кацман. Владелец: Ивано-Франковский Проектно-Конструкторский Технологический Институт. Дата публикации: 1980-06-25.

Electromagnetic reversible coupling with self-aligning bark

Номер патента: SU142486A1. Автор: В.Ф. Литвинюк. Владелец: В.Ф. Литвинюк. Дата публикации: 1961-11-30.

Fabrication of mesfet with self-aligned gate

Номер патента: JPH01133375A. Автор: 輝彦 大石,Teruhiko Oishi. Владелец: Asahi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-25.

Brake for bogie with self-aligning wheels

Номер патента: SU679460A1. Автор: Индулис Карлович Пога. Владелец: Рижский Ордена Ленина Государственный Электротехнический Завод Вэф Им.В.И.Ленина. Дата публикации: 1979-08-15.

Trailer undercarriage with self-aligning rear axle

Номер патента: SU787250A2. Автор: Валентин Григорьевич Нестеровский,Анатолий Васильевич Дидевич,Александр Иванович Лебеденко. Владелец: Научно-Исследовательский Конструкторско-Технологический Институт По Машинам Для Подготовки И Внесения В Почву Удобрений. Дата публикации: 1980-12-15.

Level with self-aligning horizontally sighting line

Номер патента: SU134452A1. Автор: Н.А. Гусев,А.Л. Абиссов,А.Е. Чарей. Владелец: А.Е. Чарей. Дата публикации: 1960-11-30.

Trailer undercarriage with self-aligning rear axle

Номер патента: SU722792A2. Автор: Валентин Григорьевич Нестеровский,Николай Викторович Маркелов. Владелец: Запорожский Конструкторско-Технологический Институт Сельскохозяйственного Машиностроения. Дата публикации: 1980-03-25.

Friction clamp device with self-aligning mechanism

Номер патента: JPH0624186Y2. Автор: 克巳 井上. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 1994-06-29.

A kind of car hosit hoisting speed reducer with Self-aligning function

Номер патента: CN103043550B. Автор: 张彭,董金梅. Владелец: XUZHOU JINCHENG PLANETARY TRANSMISSION CO Ltd. Дата публикации: 2015-12-16.

Method for producing shaded read-only memory with self-aligning metal silicide component unit

Номер патента: CN1378275A. Автор: 萧建铭. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-06.

Belt conveying device with self-aligning pulley roller

Номер патента: JP5879080B2. Автор: 勝助 清水. Владелец: 有限会社 ヨコハマベルト. Дата публикации: 2016-03-08.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.