Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures .

Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures

Номер патента: US10923344B2
Опубликовано: 16-02-2021
Автор(ы): Andrew Kretzschmar, David Kohen, Harald Benjamin Profijt
Принадлежит: ASM IP Holding BV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

SUSCEPTOR FOR HOLDING A SEMICONDUCTOR WAFER HAVING AN ORIENTATION NOTCH, A METHOD FOR DEPOSITING A LAYER ON A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20170117228A1. Автор: SCHAUER Reinhard,HAGER Christian. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Method for fabricating semiconductor layers including transistor channels having different strain states, and related semiconductor layers

Номер патента: US09576798B2. Автор: Christophe Maleville,Walter Schwarzenbach,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for causing tensile strain in a semiconductor film

Номер патента: US09704709B2. Автор: Sylvain Maitrejean,Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Aomar Halimaoui. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for increasing a surface area of epitaxial structures in a mixed N/P type fin semiconductor structure by forming multiple epitaxial heads

Номер патента: US9275906B2. Автор: Xiang Hu,Xusheng Wu,Changyong Xiao,Wanxun He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-01.

Method for manufacturing semiconductor structure with enlarged volumes of source-drain regions

Номер патента: US20220293773A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Che-Yu Lin,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor structure with beryllium oxide

Номер патента: US20140145314A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor substrate crack mitigation systems and related methods

Номер патента: US20210343604A1. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor substrate crack mitigation systems and related methods

Номер патента: US20200176336A1. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor substrate crack mitigation systems and related methods

Номер патента: US20190333828A1. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor element, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09711597B2. Автор: Takahiro Mori. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-18.

Self-organized quantum dot manufacturing method and quantum dot semiconductor structure

Номер патента: US20220020588A1. Автор: Ching-Lun Chen,Pei-Wen Li,Tsung-Lin Huang,Kang-Ping Peng. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-01-20.

STRUCTURE AND METHOD FOR SiGe FIN FORMATION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170186747A1. Автор: Doris Bruce B.,Yin Yunpeng,Tseng Chiahsun,Hong He. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Method for causing tensile strain in a semiconductor film

Номер патента: US20170076944A1. Автор: Sylvain Maitrejean,Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Aomar Halimaoui. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-03-16.

Nitride semiconductor structure, electronic device including the nitride semiconductor structure, light-emitting device including the nitride semiconductor structure, and method for producing the nitride semiconductor structure

Номер патента: US09627581B2. Автор: Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same

Номер патента: US20230352543A1. Автор: Thomas Schroeder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same

Номер патента: US12002859B2. Автор: Thomas Schroeder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: US09620626B2. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for producing fin structures of a semiconductor device in a substrate

Номер патента: US09391141B2. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-07-12.

Method for performing selective etching of a semiconductor material in solution

Номер патента: US09831095B2. Автор: Pascal Besson,Virginie Loup. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for Producing Fin Structures of a Semiconductor Device in a Substrate

Номер патента: US20160322461A1. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor structure and method of fabricating the semiconductor structure

Номер патента: US11942513B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jui-Chien Huang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor structure and method of fabricating the semiconductor structure

Номер патента: US20210098573A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jui-Chien Huang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor structure and method of fabricating the semiconductor structure

Номер патента: US20240194735A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jui-Chien Huang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Low-temperature method for transfer and healing of a semiconductor layer

Номер патента: US12027421B2. Автор: Shay REBOH. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-02.

System and method for gas-phase passivation of a semiconductor surface

Номер патента: US09911676B2. Автор: Petri Raisanen,Michael E. Givens,Qi Xie,Fu Tang,Xiaoqiang Jiang,Pauline Calka. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

System and method for gas-phase passivation of a semiconductor surface

Номер патента: US09905492B2. Автор: Petri Raisanen,Michael E. Givens,Qi Xie,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for texturing a surface of a semiconductor substrate and device for carrying out the method

Номер патента: SG176140A1. Автор: Giso Hahn,Helge Haverkamp,Jose Nestor Ximello-Quiebras. Владелец: Univ Konstanz. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09321269B1. Автор: Fabrizio Porro,Vincenza Di Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-04-26.

Method for manufacturing shallow trench isolation structure, shallow trench isolation structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230052736A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09724921B2. Автор: Fabrizio Porro,Vincenza Di Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for producing the growth of a semiconductor material

Номер патента: US09719187B2. Автор: Sylvain Paltrier. Владелец: Societe Francaise de Detecteurs Infrarouges SOFRADIR SAS. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods for reliably forming microelectronic devices with conductive contacts to silicide regions, and related devices

Номер патента: US20210118676A1. Автор: Kenichi Kusumoto,Kohei Morita,Taizo Yasuda,Hidekazu Nobuto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Organic silica-based film, method of forming the same, composition for forming insulating film for semiconductor device, interconnect structure, and semiconductor device

Номер патента: US20080246153A1. Автор: Atsushi Shiota,Hiromi Egawa,Terukazu Kokubo,Hajime Tsuchiya. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for the local polishing of a semiconductor wafer

Номер патента: US09533394B2. Автор: Juergen Schwandner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer and, semiconductor device made using the method

Номер патента: US8945988B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor Structures Including Dielectric Layers and Capacitors Including Semiconductor Structures

Номер патента: US20110095397A1. Автор: Jae-soon Lim,Suk-Jin Chung,Youn-Soo Kim,Jae-Hyoung Choi,Sang-Yeol Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Method for cleaning the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US6303482B1. Автор: Chan-Lon Yang,Chih-Ning Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures

Номер патента: US11848200B2. Автор: Jacob Woodruff,Bed Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for preparing dielectric layer on surface of wafer, wafer structure, and method for shaping bump

Номер патента: US20240162161A1. Автор: Guanmeng Xu. Владелец: Hefei Chipmore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIN RELAXATION, AND RELATED STRUCTURES

Номер патента: US20150325686A1. Автор: Allibert Frederic,Morin Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Method for depositing a layer on a semiconductor wafer by vapor deposition in a process chamber

Номер патента: US20170194137A1. Автор: Wilhelmus Aarts,Jason Van Horn,Randal Gieker. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-07-06.

GaN-containing semiconductor structure

Номер патента: US20150102357A1. Автор: YI Chang,Yuen Yee Wong,Chi Feng HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-04-16.

method for reducing internal mechanical stresses in a semiconductor structure and a low mechanical stress semiconductor structure

Номер патента: US20120241755A1. Автор: Vladislav E. Bougrov,Maxim A. Odnoblyudov,Alexey Romanov. Владелец: Optogan Oy. Дата публикации: 2012-09-27.

A method for reducing internal mechanical stresses in a semiconductor structure and a low mechanical stress semiconductor structure

Номер патента: WO2011030001A1. Автор: Maxim A. Odnoblyudov,Alexey Romanov,Vladislav V. Bougrov. Владелец: Optogan Oy. Дата публикации: 2011-03-17.

Method for Crystalline and Activation for a Semiconductor layer Using Laser Annealing

Номер патента: KR100284808B1. Автор: 정윤호. Владелец: 엘지.필립스엘시디주식회사. Дата публикации: 2001-03-15.

Semiconductor structure and methods

Номер патента: US09728470B1. Автор: Clemens Ostermaier,Bernhard Brunner,Franz Heider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130122675A1. Автор: Tze-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Jhi-Cherng Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Method for fabricating finfets and semiconductor structure fabricated using the method

Номер патента: US20130207122A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230402546A1. Автор: Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20200335405A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20190067453A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: WO2019046374A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20130323911A1. Автор: Young Man Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure with different fins of finfets

Номер патента: US20140332824A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor structure and preparation method thereof

Номер патента: US20210265495A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for growing III-V epitaxial layers

Номер патента: US09748331B2. Автор: Stefan Degroote,Marianne Germain,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure with thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220393033A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Methods of forming a gate structure on a vertical transistor device

Номер патента: US09799751B1. Автор: John H. Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor Device Metal-Insulator-Semiconductor Contacts with Interface Layers and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160181380A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean Barstow,Ashish Bodke,Amol Joshi,Paul Besser,Zhendong Hong,Abhijit Pethe,Salil Mujumdar,Nobumichi Fuchigami,Shaoming Koh,Albert Sanghyup Lee,Mark Victor Raymond. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: SG11201609300VA. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2016-12-29.

Nitride semiconductor structure, electronic device including the nitride semiconductor structure, light-emitting device including the nitride semiconductor structure, and method for producing the nitride semiconductor structure

Номер патента: US20150357521A1. Автор: Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for forming a fin-based semiconductor structure

Номер патента: US10964585B2. Автор: ZHANG Tianhao,Wu Yichao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-30.

Temporary semiconductor structure bonding methods and related bonded semiconductor structures

Номер патента: KR101311332B1. Автор: 이오누트 라두,마리암 사다카. Владелец: 소이텍. Дата публикации: 2013-09-27.

Temporary semiconductor structure bonding methods and related bonded semiconductor structures

Номер патента: CN102339769A. Автор: 玛丽亚姆·萨达卡,约努茨·拉杜. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-02-01.

Method for Growing III-V Epitaxial Layers

Номер патента: US20160099309A1. Автор: Stefan Degroote,Marianne Germain,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2016-04-07.

METHOD FOR INCREASING THE STRESS IN A SEMICONDUCTOR REGION FOR FORMING A TRANSISTOR CHANNEL

Номер патента: FR3056334B1. Автор: Shay REBOH,Laurent Grenouillet,Raluca Tiron. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-09-28.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20210098573A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Huang Jui-Chien,Chiang Kuo-Cheng,CHEN GUAN-LIN. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Method for manufacturing a contact for a semiconductor component and related structure

Номер патента: US9202758B1. Автор: Minh Van Ngo,Paul R. Besser,Connie Pin-Chin Wang,Jinsong Yin,Hieu T. Pham. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230361175A1. Автор: Haitao Xu. Владелец: Beijing Hua Tan Yuan Xin Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

The method for crystallising of metal oxide semiconductor layer, semiconductor structure, active array substrate and indium gallium zinc crystal

Номер патента: CN106783627A. Автор: 叶家宏,黄景亮. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-05-31.

Method for the epitaxial manufacture of a semiconductor device having a multi-layer structure

Номер патента: US4274890A. Автор: Jacques J. Varon. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1981-06-23.

Method for performing selective etching of a semiconductor material in solution

Номер патента: US20170148638A1. Автор: LOUP Virginie,BESSON Pascal. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2017-05-25.

Composite substrate and method for manufacturing the same, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240258321A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Structure and method for fabricating a high-speed interface in semiconductor structures

Номер патента: TW518668B. Автор: Duane C Rabe,Timothy Joe Johnson,Kevin B Traylor. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-21.

TRENCH FORMATION METHOD FOR RELEASING A SUBSTRATE FROM A SEMICONDUCTOR TEMPLATE

Номер патента: US20170372887A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Wang David Xuan-Qi. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431417B1. Автор: Erh-Kun Lai,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Interfacial materials for use in semiconductor structures and related methods

Номер патента: US09536940B2. Автор: Zhe Song,Jennifer K. Sigman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US11791265B2. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20220208677A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20200381360A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20200266147A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Substrate stripping method for semiconductor structure

Номер патента: US20230317873A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Mechanisms for Forming Patterns Using Multiple Lithography Processes

Номер патента: US20170372891A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Tsai-Sheng Gau,Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Mechanisms for forming patterns using multiple lithography processes

Номер патента: US09875906B2. Автор: Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Mechanisms for forming patterns using multiple lithography processes

Номер патента: US09761436B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Tsai-Sheng Gau,Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices

Номер патента: WO2019037584A1. Автор: Meng Yan,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

Systems and Methods for Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20150170912A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Interfacial materials for use in semiconductor structures and related methods

Номер патента: US20140080283A1. Автор: Zhe Song,Jennifer K. Sigman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for reducing charging of semiconductor wafers

Номер патента: US11769662B2. Автор: Ching-Sen Kuo,Chien-Hung Lin,Feng-Jia Shiu,Chih-Chien Wang,Chun-Chang Chen,Wei-Lin Chang,Chihy-Yuan Cheng,Sz-Fan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for manufacturing electronic devices integrated in a semiconductor substrate and corresponding devices

Номер патента: US7713853B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Ferrucio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-05-11.

Method for removing mottled etch in semiconductor fabricating process

Номер патента: US7276452B2. Автор: Hyung Seok Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor structure, integrated circuit device, and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US9893019B2. Автор: Yu-Chuan Lin,Shih-Hsien Ma,Haw-Chuan Wu,Shih-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming an alignment feature in or on a multi-layered semiconductor structure

Номер патента: US6706609B2. Автор: Nace Layadi,Reginald C. Farrow,Isik C. Kizilyalli,Masis Mkrtchyan,David M. Boulin. Владелец: eLith LLC. Дата публикации: 2004-03-16.

Surface treatment method for imparting alcohol repellency to semiconductor substrate

Номер патента: EP3633711A1. Автор: Kenji Shimada,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-04-08.

Method for cleaning semiconductor wafers

Номер патента: US11752529B2. Автор: Xi Wang,HUI Wang,Jun Wang,Jian Wang,Yinuo JIN,Zhaowei Jia,Xiaoyan Zhang,Xuejun Li,Fuping CHEN,Liangzhi Xie,Fufa Chen. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for forming features and system for forming devices in a semiconductor substrate

Номер патента: TWI348071B. Автор: Robert Charatan. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Methods for forming spacers and related structures

Номер патента: US20230268179A1. Автор: Yoann Tomczak,Kishan Ashokbhai Patel. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-24.

Mechanisms for forming patterns using multiple lithography processes

Номер патента: US20190259600A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Tsai-Sheng Gau,Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Method for fabricating thin insulating films, a semiconductor device and a method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20010046788A1. Автор: Ramesh Kakkad. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Cleaning composition and method for cleaning a semiconductor device substrate after chemical mechanical polishing

Номер патента: US09481855B2. Автор: Atsushi Otake,Akira Kuroda. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TW200406030A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-16.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TWI281209B. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-11.

Cleaning agent composition for substrate for semiconductor devices and method for cleaning substrate for semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240150681A1. Автор: Myungho Lee,Hye Ji KIM,Young Mee Kang,Yu Jin HEO,Jinho You,Hag Sung LEE,Narae YIM,Keon young KIM,Yun sun CHOI. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for producing a support for a semiconductor structure

Номер патента: KR20200026829A. Автор: 김영필. Владелец: 소이텍. Дата публикации: 2020-03-11.

Method for reducing charging of semiconductor wafers

Номер патента: US20230386820A1. Автор: Ching-Sen Kuo,Chien-Hung Lin,Feng-Jia Shiu,Chih-Chien Wang,Chun-Chang Chen,Wei-Lin Chang,Chihy-Yuan Cheng,Sz-Fan CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Contact Structure of Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20070141837A1. Автор: In Cheol Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

OVERLAY-SHIFT MEASUREMENT SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MEASURING ALIGNMENT MARK OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190148123A1. Автор: Lee Yu-Ching,FANG Yu-Piao. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING SUCH SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: FR3007574B1. Автор: Bruno-Jules Daudin,Benoit Amstatt. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-07-17.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING SUCH SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: FR3007574A1. Автор: Bruno-Jules Daudin,Benoit Amstatt. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-12-26.

Method for manufacturing layered body, device for manufacturing layered body, layered body, and semiconductor device

Номер патента: EP4321657A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for forming a layer and method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100589040B1. Автор: 이승환,최한메,최대식,박기연,김영선,유차영,박영근,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-14.

Method for forming patterns in a semiconductor device and method for a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100489657B1. Автор: 이수웅,안주진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-17.

Method for forming patterns in a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: KR20180082851A. Автор: 이일형,김종규,김상국,공유철,윤혜지. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-07-19.

Method for monitoring defects of semiconductor device

Номер патента: US6038019A. Автор: Hwan-suk Chang,Hong-bae Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-03-14.

METHODS FOR FORMING A SILICON NITRIDE FILM ON A SUBSTRATE AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180323056A1. Автор: Shero Eric James,Woodruff Jacob Huffman,Sharma Bed. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures

Номер патента: US10892156B2. Автор: Eric James Shero,Jacob Huffman Woodruff,Bed Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-01-12.

Method for depositing silicon dioxide using low temperatures

Номер патента: US6096661A. Автор: Minh Van Ngo,Khanh Nguyen,Terri Jo Kitson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-08-01.

A cleaning composition for a substrate for a semiconductor device, a method for cleaning a substrate for a semiconductor device, a method for manufacturing a substrate for a semiconductor device, and a substrate for a semiconductor device

Номер патента: KR102460770B1. Автор: 도모히로 구사노,겐 하라다,야스히로 가와세. Владелец: 미쯔비시 케미컬 주식회사. Дата публикации: 2022-10-28.

Apparatus for fabricating semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US5919336A. Автор: Shuzo Fujimura,Jun Kikuchi,Masao Iga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-07-06.

METHOD FOR PASSIVATING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20180108587A1. Автор: Jung Sung-Hoon,Tang Fu,Givens Michael Eugene,Xie Qi,Jiang Xiaoqiang,Calka Pauline. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems

Номер патента: US10410943B2. Автор: Sung-hoon Jung,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang,Xiaoqiang Jiang,Pauline Calka. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-09-10.

A method for passivating a surface of a semiconductor and related systems

Номер патента: TW201833374A. Автор: 湯福,琦謝,麥可尤金吉凡斯,蔣曉強,寶琳卡爾卡,鄭相鎬. Владелец: Ａｓｍ智慧財產控股公司. Дата публикации: 2018-09-16.

Method for forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: KR102233577B1. Автор: 김현우,박진,고차원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-03-30.

Method for forming contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100367403B1. Автор: 이주영,이광표,곽흥식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-10.

Method for forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US6764964B2. Автор: Jae-Chang Jung,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang,Chcol-kyu Bok. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Method for forming line of a semiconductor device

Номер патента: KR100331269B1. Автор: 손권,김동환,신승우,최병대,손용선. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-06.

Susceptor For Holding A Semiconductor Wafer Having An Orientation Notch, A Method For Depositing A Layer On A Semiconductor Wafer, And Semiconductor Wafer

Номер патента: US20180211923A1. Автор: SCHAUER Reinhard,HAGER Christian. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-07-26.

Susceptor for holding a semiconductor wafer having orientation notch, a method for depositing a layer on a semiconductor wafer, and semiconductor wafer

Номер патента: KR101945025B1. Автор: 라인하르트 샤우어,크리스찬 하거. Владелец: 실트로닉 아게. Дата публикации: 2019-02-01.

Method for manufacturing semiconductor die and a semiconductor device comprising the semiconductor die obtained thereby

Номер патента: KR101413380B1. Автор: 장경호,조광제. Владелец: 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니. Дата публикации: 2014-06-30.

Susceptor for holding a semiconductor wafer with orientation notch, method for depositing a layer on a semiconductor wafer and semiconductor wafer

Номер патента: DE102015220924B4. Автор: Christian HÄGER,Reinhard Schauer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Susceptor for holding a semiconductor wafer having an orientation notch, a method for depositing a layer on a semiconductor wafer, and semiconductor wafer

Номер патента: US9991208B2. Автор: Christian HÄGER,Reinhard Schauer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Susceptor for holding a semiconductor wafer having an orientation notch, a method for depositing a layer on a semiconductor wafer, and semiconductor wafer

Номер патента: US11380621B2. Автор: Christian HÄGER,Reinhard Schauer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2022-07-05.

Method for blocking a trench portion during patterning of trenches in a dielectric material, and corresponding semiconductor structure

Номер патента: EP3367428A1. Автор: Ming Mao,Michael Kocsis,Peter De Schepper,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-08-29.

Method for fabricating electrode structure for a semiconductor device having a shallow junction

Номер патента: US3939047A. Автор: Hideo Tsunemitsu,Hiroshi Shiba. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1976-02-17.

Systems and methods for a preheat ring in a semiconductor wafer reactor

Номер патента: EP4271852A1. Автор: Chieh Hu,Chun-Chin Tu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Method For Passivating A Surface Of A Semiconductor Material And Semiconductor Substrate

Номер патента: US20190259905A1. Автор: FUCHS JENS-UWE,JOOSS WOLFGANG,PERNAU THOMAS,NGUYEN VIET XUAN. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

METHODS FOR SELECTIVELY FORMING A SILICON NITRIDE FILM ON A SUBSTRATE AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20200294789A1. Автор: WOODRUFF Jacob,Sharma Bed. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

METHODS FOR SELECTIVELY FORMING A SILICON NITRIDE FILM ON A SUBSTRATE AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180323055A1. Автор: Woodruff Jacob Huffman,Sharma Bed. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures

Номер патента: US10770286B2. Автор: Jacob Huffman Woodruff,Bed Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-09-08.

a surface treatment method for a thin film of a semiconductor device and photolithography method thereof

Номер патента: KR100369776B1. Автор: 김경민,김학재,유왕희,변성수. Владелец: 페어차일드코리아반도체 주식회사. Дата публикации: 2003-01-30.

METHOD FOR CLEANING PLATINUM RESIDUES ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20130125923A1. Автор: Duong Anh,Karlsson Olov,Barstow Sean,Li Bei,Mavrinac James. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2013-05-23.

SYSTEM AND METHOD FOR GAS-PHASE PASSIVATION OF A SEMICONDUCTOR SURFACE

Номер патента: US20170117202A1. Автор: Tang Fu,Xie Qi,Raisanen Petri,Givens Michael E.,Jiang Xiaoqiang,Calka Pauline. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

SYSTEM AND METHOD FOR GAS-PHASE PASSIVATION OF A SEMICONDUCTOR SURFACE

Номер патента: US20170117203A1. Автор: Tang Fu,Xie Qi,Raisanen Petri,Givens Michael E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

METHOD FOR THE SURFACE TREATMENT OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20160203973A1. Автор: Porro Fabrizio,Di Palma Vincenza. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2016-07-14.

METHOD FOR PRODUCING THE GROWTH OF A SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20140360427A1. Автор: Paltrier Sylvain. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

Method for applying adjusting marks on a semiconductor disk

Номер патента: KR100525014B1. Автор: 디왈드울프강,뮤블레어클라우스. Владелец: 인피니온 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2005-10-31.

A method for cleaning contact holes of a semiconductor device

Номер патента: KR100591162B1. Автор: 서병윤. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-19.

Method for removing a fluorine in a semiconductor via hole clean processing

Номер патента: KR100467493B1. Автор: 정병현,이선호. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2005-01-24.

Method for shaping alignment key of a semiconductor device

Номер патента: KR100842494B1. Автор: 김명수. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2008-07-01.

Method for polishing the edge of a semiconductor wafer

Номер патента: KR101152462B1. Автор: 위르겐 슈반트너. Владелец: 실트로닉 아게. Дата публикации: 2012-06-01.

Method for protecting a surface of a semiconductor substrate on which a plurality of bonding pads covered by an insulating layer are formed

Номер патента: JP3270909B2. Автор: マキシーン・ファスバーグ,メルトン・シイ・ボスト,クリシュナマーシイ・ムラリ,ピーター・ケイ・チャーバット,リン・エイ・プライス,ロバート・シイ・リンドステッド. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-04-02.

Method for fabricating precision layer silicon-over-oxide semiconductor structure

Номер патента: US3869321A. Автор: Stanley R Davis. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1975-03-04.

Systems and methods for increasing packing density in a semiconductor cell array

Номер патента: US20160358909A1. Автор: Sehat Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for forming active region array and semiconductor structure

Номер патента: US11887859B2. Автор: Zhen Zhou,Erxuan PING,Yanghao LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for forming active region array and semiconductor structure

Номер патента: US20210343537A1. Автор: Zhen Zhou,Erxuan PING,Yanghao LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Systems and methods for monitoring junction temperature of a semiconductor switch

Номер патента: US20190376850A1. Автор: Peter Almern Losee,Ruxi Wang,Juan Antonio Sabate,Tomas Sadilek,Krishna Mainali. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor component self-protecting against overvoltage, as well as method for manufacturing and switching such a semiconductor component

Номер патента: DE1169589B. Автор: Jakob Luescher,Dr Bogdan Zega. Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 1964-05-06.

Method for filling trench with metal layer and semiconductor structure formed by using the same

Номер патента: US09558996B2. Автор: Chien-Hao Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Wei-Yu Chen,Hsin-Fu Huang,Min-Chuan Tsai,Jing-Gang Li,Min-Hsien Chen,Jian-Hong Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991343B2. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Transistor structure and preparation method therefor, and semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4170701A1. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Method for manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20080026521A1. Автор: Woo Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Method for manufacturing semiconductor device using a semiconductor substrate including silicon and a first conductivity type body region

Номер патента: US09412826B2. Автор: Akinori Sakakibara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods for forming pattern layout, mask, and semiconductor structure

Номер патента: US20230367946A1. Автор: Chun-Yen Lin,Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for transferring a layer of a semiconductor and substrate comprising a confinement structure

Номер патента: US09716029B2. Автор: Daniel Delprat,Christophe Figuet,Fabrice Lallement. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for roughening a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20030109101A1. Автор: Annalisa Cappellani,Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for roughening a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US6812094B2. Автор: Annalisa Cappellani,Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-02.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US20210296500A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US11824122B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for suppressing lattice defects in a semiconductor substrate

Номер патента: US09472423B2. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device structure with fin and method for forming the same

Номер патента: US20230317829A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Hsiang FAN,Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Kai Tak Lam,Chieh-Chun CHIANG,Kuo-An Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

Номер патента: WO2022128913A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Elizabeth BUITRAGO,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for fabricating semiconductor device comprising a deep trench isolation structure and a trap rich isolation structure in a substrate

Номер патента: US20200006117A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Systems and methods for dopant activation using pre-amorphization implantation and microwave radiation

Номер патента: US20150053983A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chen-Feng Hsu,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Methods of forming a metal-insulator-semiconductor (mis) structure and a dual contact device

Номер патента: WO2015142438A3. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-12-17.

Methods of forming a metal-insulator-semiconductor (mis) structure and a dual contact device

Номер патента: WO2015142438A2. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-09-24.

SYSTEMS AND METHODS FOR INCREASING PACKING DENSITY IN A SEMICONDUCTOR CELL ARRAY

Номер патента: US20160358909A1. Автор: Sutardja Sehat,Lee Winston,LEE Peter,Chang Runzi. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Bonding structure for forming a package on package (PoP) structure and method for forming the same

Номер патента: US09691745B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,James Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing semiconductor structure with core and peripheral regions and semiconductor structure thereof

Номер патента: US11864373B2. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor structures, semiconductor devices, and related methods

Номер патента: EP3874539A1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-08.

Semiconductor structures, semiconductor devices, and related methods

Номер патента: WO2020123051A1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-18.

Device, system and method for providing MEMS structures of a semiconductor package

Номер патента: US09505610B2. Автор: Telesphor Kamgaing,Weng Hong Teh,Daniel N Sobieski,Tarek A Ibrahim,Sarah K Haney,Parshuram B Zantye,Chad E Mair. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods for producing a cavity within a semiconductor substrate

Номер патента: US09708182B2. Автор: Bernhard WINKLER,Martin Zgaga,Sokratis Sgouridis,Andreas Behrendt,Kai-Alexander Schreiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor structures and a method of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: CA1332341C. Автор: David Martin Cooper,Andrew William Nelson,Simon Cole,Ian Francis Lealman,William John Devlin. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1994-10-11.

Method for forming wells of a semiconductor device

Номер патента: US5898007A. Автор: Kil Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Semiconducture structure and method of forming the semiconductor structure that provides two individual resistors or a capacitor

Номер патента: US20120244676A1. Автор: Jeffrey Klatt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconducture Structure and Method of Forming the Semiconductor Structure that Provides Two Individual Resistors or a Capacitor

Номер патента: US20110291225A1. Автор: Jeffrey Klatt. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Method for monitoring abnormal sensors during fabrication of semiconductor structure, electronic device and storage medium

Номер патента: US20230087390A1. Автор: Xiaojun Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor structure, electronic device, and method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11942467B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Ming Hsu,I-Sheng Chen,Wan-Lin Tsai,Yi-Jing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20170316950A1. Автор: Kyungmun Byun,Sinhae DO,Badro IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor structure for wafer level bonding and bonded semiconductor structure

Номер патента: US11929335B2. Автор: Chien-Ming Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor structure for wafer level bonding and bonded semiconductor structure

Номер патента: US20240178171A1. Автор: Chien-Ming Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor structure, electronic device, and method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240194663A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Ming Hsu,I-Sheng Chen,Wan-Lin Tsai,Yi-Jing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for Manufacturing a Structure in a Semiconductor Device and a Structure in a Semiconductor Device

Номер патента: US20080090398A1. Автор: Christoph Noelscher,Sebastian Mosler. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-04-17.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods for controlling dopant concentration and activation in semiconductor structures

Номер патента: US20060024928A1. Автор: Michael Jung,Edmund Seebauer,Richard Braatz,Rudiyanto Gunawan. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for manufacturing an underfill in a semiconductor chip package

Номер патента: GB201213365D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-09-12.

Method for etching metal layer of a semiconductor device using hard mask

Номер патента: US6008135A. Автор: Yong-Tak Lee,Sang-Jeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-28.

Method for manufacturing integrated circuits from a semiconductor substrate wafer

Номер патента: US20230223358A1. Автор: Alexandre Malherbe,David Parker,Stephan Niel,Carlos Augusto Suarez Segovia,Chantal TROUILLER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: EP2208220A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-07-21.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: WO2009058450A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for forming an acoustic mirror with reduced metal layer roughness and related structure

Номер патента: EP2171845A2. Автор: Paul P. Gehlert,Christopher F. Shepard,Bradley P. Barber. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2010-04-07.

Method for fabricating a contact on a semiconductor substrate by depositing an aluminum oxide diffusion barrier layer

Номер патента: US4307132A. Автор: James F. White,James K. Howard,Wei-Kan Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-12-22.

Methods for producing a cavity within a semiconductor substrate

Номер патента: US20150368097A1. Автор: Bernhard WINKLER,Martin Zgaga,Sokratis Sgouridis,Andreas Behrendt,Kai-Alexander Schreiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for etching a compound semiconductor, a semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US6127201A. Автор: Toyoji Chino,Isao Kidoguchi,Hideto Adachi,Yasuhito Kumabuchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Method for removing a resist mask with high selectivity to a carbon hard mask used for semiconductor structuring

Номер патента: US7005385B2. Автор: Srivatsa Kundalgurki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-02-28.

Method for producing a package for a semiconductor device

Номер патента: US4710250A. Автор: Hidehiko Akasaki,Haruo Kojima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-12-01.

Apparatus and method for electrolytically depositing copper on a semiconductor workpiece

Номер патента: US6277263B1. Автор: LinLin Chen. Владелец: Semitool Inc. Дата публикации: 2001-08-21.

Method for quantitating impurity concentration in a semiconductor device

Номер патента: US6130542A. Автор: Toshiyuki Syo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Apparatus and method for electrolytically depositing copper on a semiconductor workpiece

Номер патента: US20040035708A1. Автор: LinLin Chen,Thomas Taylor. Владелец: Semitool Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Method for fabricating via holes in a semiconductor wafer

Номер патента: US4348253A. Автор: Saligrama N. Subbarao,Ho-Chung Huang. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-09-07.

Plasma processing method for improving a package of a semiconductor device

Номер патента: US5147822A. Автор: Shunpei Yamazaki,Shigenori Hayashi,Kazuo Urata,Itaru Koyama,Noriya Ishida,Mari Sasaki,Naoki Hirose,Mitsunori Tsuchiya,Shinji Imatou,Kouhei Wada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1992-09-15.

Method for growing III-V epitaxial layers and semiconductor structure

Номер патента: US09543424B2. Автор: Stefan Degroote,Marianne Germain,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor cell structure, igbt cell structure and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4220733A1. Автор: Haiping Wu,Baowei Huang. Владелец: BYD Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Memory structure and manufacturing method thereof, and semiconductor structure

Номер патента: US20230380140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for growing iii-v epitaxial layers and semiconductor structure

Номер патента: EP2735031A1. Автор: Stefan Degroote,Marianne Germain,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2014-05-28.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a semiconductor material on a fin, and related semiconductor devices

Номер патента: US09698268B2. Автор: Shigenobu Maeda,Bo-Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a semiconductor material on a fin, and related semiconductor devices

Номер патента: US20160268416A1. Автор: Shigenobu Maeda,Bo-Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Circuits and methods for controlling a voltage of a semiconductor substrate

Номер патента: US12057824B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ren Huei Tzeng. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Circuits and methods for controlling a voltage of a semiconductor substrate

Номер патента: US11870429B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ren Huei Tzeng. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for forming transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100334967B1. Автор: 김영석,강창모. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-04.

Semiconductor structure with dielectric spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240113214A1. Автор: Wei-Yang Lee,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230018059A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240079447A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240105805A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Bipolar junction transistor guard ring structures and method of fabricating thereof

Номер патента: EP2589083A1. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

Bipolar junction transistor guard ring structures and method of fabricating thereof

Номер патента: WO2012002999A1. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220384651A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for forming pattern of a semiconductor device

Номер патента: CN101546694B. Автор: 许仲君. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-06.

SYSTEMS AND METHODS FOR MONITORING JUNCTION TEMPERATURE OF A SEMICONDUCTOR SWITCH

Номер патента: US20190376850A1. Автор: Sabate Juan Antonio,Losee Peter Almern,Wang Ruxi,Sadilek Tomas,Mainali Krishna. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Method for forming a composite having semiconductor structures including a nanocrystalline core and shell embedded in a matrix

Номер патента: US12107197B2. Автор: Georgeta Masson,Juanita Kurtin,Brian Theobald,Matthew J. Carillo,Oun-Ho Park,Steven M. Hughes. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Overlay-shift measurement system and method for manufacturing semiconductor structure and measuring alignment mark of semiconductor structure

Номер патента: US20190148123A1. Автор: Yu-Ching Lee,Yu-Piao Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor structure and light-emitting device with semiconductor structures

Номер патента: WO2019091912A1. Автор: Joseph Treadway,Bob FITZMORRIS. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor Structure and Light-Emitting Device with Semiconductor Structures

Номер патента: US20190144746A1. Автор: Joseph Treadway,Bob FITZMORRIS. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor structure, resistive random access memory unit structure, and manufacturing method of the semiconductor structure

Номер патента: US20150357562A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Memory structure and manufacturing method thereof, and semiconductor structure

Номер патента: US20230413520A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Apparatus and method for etching one side of a semiconductor substrate

Номер патента: US20180374723A1. Автор: Stefan Reber,Kai Schillinger. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2018-12-27.

Component arrangement and method for determining the temperature in a semiconductor component

Номер патента: US20070200193A1. Автор: Wolfgang Horn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor switch and method for determining a current through a semiconductor switch

Номер патента: US09903905B2. Автор: Stefan Butzmann,Peter Feuerstack,Holger Sievert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for the production of a polymer coated graphene layer structure and graphene layer structure

Номер патента: US20220290296A1. Автор: SIMON Thomas,Martin Tyler,Hugh Glass,Robert Wallis,Ivor GUINEY. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Method For Texturing A Surface Of A Semiconductor Material And Device For Carrying Out The Method

Номер патента: US20200044100A1. Автор: John BURSCHIK,Holger Kuehnlein,Benedikt Straub,Wolfgang Duempelfeld. Владелец: RENA Technologies GmbH. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for assembling a carrier and a semiconductor device

Номер патента: US20010007288A1. Автор: Jeffrey Coffin,Peter Brofman,Kathleen Stalter,Anson Call. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Method of testing a semiconductor-on-insulator structure and application of said test to the fabrication of such a structure

Номер патента: US09698063B2. Автор: Patrick Reynaud,Walter Schwarzenbach,Konstantin Bourdelle,Jean-Francois Gilbert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Bonding systems for bonding a semiconductor element to a substrate, and related methods

Номер патента: US20240266318A1. Автор: Robert N. Chylak,Matthew B. Wasserman,Adeel Ahmad Bajwa,Thomas J. Colosimo, JR.. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for analying an impurity on a semiconductor substrate

Номер патента: US5633172A. Автор: Ayako Shimazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Method for manufacturing a bump on a semiconductor chip

Номер патента: US5418186A. Автор: Jong-han Park,Chun-Geun Park,Seon-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-05-23.

Structure and method for test-point access in a semiconductor

Номер патента: US20240047281A1. Автор: SWAMINATHAN Subramanian,Hubert Martin Bode,Kristofor Jason Dickson,Kent Bradley Erington,Kurt Ulrich Neugebauer,William Franklin Johnstone. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Apparatus and method for measuring electrical characteristics of a semiconductor element in a packaged semiconductor device

Номер патента: US20020063570A1. Автор: In-ho Song,Byong-Mo Moon,Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US20100297801A1. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US8273596B2. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2012-09-25.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

System and method for analyzing error information from a semiconductor fabrication process

Номер патента: US20030055592A1. Автор: Weidong Wang,Jonathan Buckheit. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

System and method for suppressing RF resonance in a semiconductor package

Номер патента: US20020113300A1. Автор: John Geary,Joseph Freund,Mindaugas Dautartas. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-22.

Bonding systems for bonding a semiconductor element to a substrate, and related methods

Номер патента: WO2024039512A1. Автор: Robert N. Chylak,Matthew B. Wasserman,Adeel Ahmad Bajwa,Thomas J. Colosimo, JR.. Владелец: KULICKE AND SOFFA INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2024-02-22.

Bonding systems for bonding a semiconductor element to a substrate, and related methods

Номер патента: US20240063169A1. Автор: Robert N. Chylak,Matthew B. Wasserman,Adeel Ahmad Bajwa,Thomas J. Colosimo, JR.. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for the production of a polymer coated graphene layer structure and graphene layer structure

Номер патента: WO2021008938A1. Автор: SIMON Thomas,Martin Tyler,Hugh Glass,Ivor GUINEY,Rob WALLIS. Владелец: PARAGRAF LIMITED. Дата публикации: 2021-01-21.

Manufacturing method for heat dissipation structure of electronic element, heat dissipation structure, and electronic device

Номер патента: EP4195897A1. Автор: Junjie Yang,Erliang LI,Hanghang DONG. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Manufacturing method for heat dissipation structure of electronic component, heat dissipation structure, and electronic device

Номер патента: EP4221477A1. Автор: Zhiqiang Wang,Junjie Yang,Xiaofeng Hu,Hanghang DONG. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

III-V semiconductor structure and its producing method

Номер патента: US6200885B1. Автор: Liann-Be Chang,Hung-Tsung Wang,Ming-Jyh Hwu,Yao-Hwa Wu. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-13.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US12057348B2. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US20240355674A1. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09773784B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Shyi-Yuan Wu,Shih-Chin Lien,Chieh-Chih Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240312992A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structures with body contact regions embedded in polycrystalline semiconductor material

Номер патента: US20220093744A1. Автор: Steven M. Shank,Michael Zierak,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Electronic device including a conductive structure surrounded by an insulating structure and a process for forming the same

Номер патента: US20170084705A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Structure and method for 3D FinFET metal gate

Номер патента: US09876114B2. Автор: Ting-Chun Wang,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355877A1. Автор: Xiaodong Wang,Jhon-Jhy Liaw,Yu-Lung Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure with dielectric fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230141523A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US20160284603A1. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for forming long channel back-side power rail device

Номер патента: US20210351079A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin,Li-Zhen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for manufacturing semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US12107006B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods of forming a contact structure for a vertical channel semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09741847B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4310889A1. Автор: Songmei Shen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US20240371692A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09761480B1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US12040403B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Plasma-based barrier layer removal method for increasing peak transconductance while maintaining on-state resistance and related devices

Номер патента: US20230395670A1. Автор: Fabian Radulescu,Kyle BOTHE,Kyoung-Keun Lee,Chris Hardiman. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Transistor devices and methods of forming a transistor device

Номер патента: US20210335778A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US10021298B2. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Transistors including semiconductor surface modification and related fabrication methods

Номер патента: EP4341997A1. Автор: Matthew King,Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210225770A1. Автор: Yu-Chieh Chou,Chun-Hsu Chen,Yung-Fong Lin,Cheng-Tao Chou,Li-Wen CHUANG,Jui-Hung YU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Method for manufacturing the semiconductor structure

Номер патента: US20180288326A1. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor structure having isolations between fins and comprising materials with different thermal expansion coefficients (CTE)

Номер патента: US12002766B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Spacer formation in a semiconductor structure

Номер патента: US5424572A. Автор: Alan G. Solheim. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-06-13.

A semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP2248163A2. Автор: Pierre Goarin. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-11-10.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US20150179648A1. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Methods of forming field effect transistor (fet) and non-fet circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20170243782A1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for fabricating floating gate

Номер патента: US20040110342A1. Автор: Yu-Chi Sun,Tse-Yao Huang,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Semiconductor structure with through via structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240021497A1. Автор: Li-Zhen YU,Yi-Bo Liao,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240006479A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230387200A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US11967531B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor structure with conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240222433A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Pang-Chi Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09991337B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Apparatus and methods for generating a circuit with high density routing layout

Номер патента: US20240178139A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus and methods for generating a circuit with high density routing layout

Номер патента: US11923297B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Apparatus and methods for generating a circuit with high density routing layout

Номер патента: US20220344255A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor structure with conductive structure

Номер патента: US20230049010A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Pang-Chi Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor structure with conductive structure

Номер патента: US11961886B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Pang-Chi Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure with isolation feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230144099A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Tsung-Han CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US20220359757A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

METHODS FOR DEPOSITING A TITANIUM ALUMINUM CARBIDE FILM STRUCTURE ON A SUBSTRATE AND RELATED SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20220051895A1. Автор: Li Dong,Shero Eric,Raisanen Petri,Johnson Ward. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Method for fabricating a non-planar nitride-based semiconductor structure

Номер патента: TW200421607A. Автор: Paul Hashimoto,Jeong-Sun Moon,Wah S Wong,David E Grider. Владелец: Hrl Lab Llc. Дата публикации: 2004-10-16.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11482446B1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with gate electrode structure protection

Номер патента: US20140273367A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8629433B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device thereby formed

Номер патента: US20210193529A1. Автор: Qingmin Li,Zhongxiang MA,Baihua GONG. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Methods for forming high performance 3d nano sheet devices

Номер патента: US20240113114A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Transistor array and method for manufacturing same, and semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240186319A1. Автор: Zhi Zhang,Zhongwei LUO,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Transistor array and method for manufacturing same, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240172411A1. Автор: Zhi Zhang,Zhongwei LUO,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH DEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURES

Номер патента: US20150021687A1. Автор: Pendharkar Sameer,Hu Binghua,MATHUR Guru,Tamura Takehito. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Method of forming a doped region in a semiconductor substrate

Номер патента: US6013566A. Автор: Randhir P. S. Thakur,Howard E. Rhodes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-01-11.

Transistor structure and preparation method therefor, and semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4170701A4. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20210226043A1. Автор: CHEN Chia-Chung,Liang Victor Chiang,Huang Chi-Feng,Fu Shu Fang,Chu Chung-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor structure and method of fabricating the semiconductor structure

Номер патента: US11264486B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Chung-Hao Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Method for filling trench with metal layer and semiconductor structure formed by using the same

Номер патента: US20130214336A1. Автор: Chien-Hao Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Wei-Yu Chen,Hsin-Fu Huang,Min-Chuan Tsai,Jing-Gang Li,Min-Hsien Chen,Jian-Hong Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Method for filling trench and relief geometries in semiconductor structures

Номер патента: TW200402848A. Автор: Daniel Koehler,Barbara Lorenz,Dietmar Temmler,Matthias Foerster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-16.

Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

Номер патента: EP4016647B1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Elizabeth BUITRAGO,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor overlapped PN structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US8524586B2. Автор: Chien-Hao Huang,Ying-Shiou Lin,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-09-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11948975B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor Overlapped PN Structure and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130256846A1. Автор: Chien-Hao Huang,Ying-Shiou Lin,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for applying a contact to a semiconductor body and a body manufactured according to said method

Номер патента: FR1234099A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1960-10-14.

Manufacturing method for a film stack of a semiconductor device

Номер патента: US10978305B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Jian-Shiou Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

METHOD FOR TRANSFERRING A LAYER OF A SEMICONDUCTOR AND SUBSTRATE COMPRISING A CONFINEMENT STRUCTURE

Номер патента: US20140183601A1. Автор: Figuet Christophe,Delprat Daniel,Lallement Fabrice. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for Producing Fin Structures of a Semiconductor Device in a Substrate

Номер патента: US20150243509A1. Автор: Kim Min-Soo,Chan Boon Teik,Sayan Safak,Gronheid Roel,Parnell Doni. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2015-08-27.

Method for filling a space in a semiconductor

Method for Producing Fin Structures of a Semiconductor Device in a Substrate

Номер патента: US20160322461A1. Автор: Kim Min-Soo,Chan Boon Teik,Sayan Safak,Gronheid Roel,Parnell Doni. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09590039B2. Автор: Wei-Shan Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120267725A1. Автор: Hao Wu,Huilong Zhu,Qingqing Liang,Weiping Xiao,Binneng Wu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US20240379623A1. Автор: Wenliang Chen,Chin-Hung Liu,Kee-Wei Chung,Ru-Yi CAI. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Structure and method for forming a faceted opening and a layer filling therein

Номер патента: US20030085444A1. Автор: William Polinsky,Dirk Sundt,Mark Bossler,Gabriel Videla,Chris Inman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Structure and method for forming a faceted opening and layer filling therein

Номер патента: US20040046229A1. Автор: William Polinsky,Dirk Sundt,Mark Bossler,Gabriel Videla,Chris Inman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor structure

Номер патента: US09601411B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Hsiao-Chin Tuan,Felix Ying-Kit Tsui,Hsin-Li Cheng,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355794A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Structure and method of conductive bus bar for resistive seed substrate plating

Номер патента: US09899324B1. Автор: Atsushi Ogino,Shafaat Ahmed,Sadanand Vinayak Despande. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297170A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09640426B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09524923B2. Автор: Jun Qian,Xiao-Fei Han,Ju-Bao ZHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Isolated interconnect studs and method for forming the same

Номер патента: WO2000013231A1. Автор: Bradley J. Howard,David L. Dickerson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2000-03-09.

Forming a semiconductor structure for reduced negative bias temperature instability

Номер патента: US09576958B1. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Crack stop structure and method for forming the same

Номер патента: US20140154864A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Method for adjusting wafer deformation and semiconductor structure

Номер патента: US12051608B2. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Using a cut mask to form spaces representing spacing violations in a semiconductor structure

Номер патента: US09710589B2. Автор: Pankaj Kumar,Kalpeshkumar Girishchandra Dave,Naveen Chandra Srivastava,Janardhan Achanta,Shreekanth Karandoor Sampigethaya. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor test structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230290696A1. Автор: Rui Ding. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for electrochemically etching a semiconductor structure

Номер патента: US20210057601A1. Автор: Peter Griffin,Tongtong ZHU,Yingjun Liu,Rachel A. OLIVER. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Method for Manufacturing Contact Hole, Semiconductor Structure and Electronic Equipment

Номер патента: US20230043575A1. Автор: RAN Li,Xinru HAN,Leilei DUAN,Ching-Lun Ma. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Conductive bump of a semiconductor device and fabricating method thereof cross reference to related applications

Номер патента: US20240055377A1. Автор: Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Ching-Jung Yang,Tung-Liang Shao,Hsien-Ming Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240008263A1. Автор: Zhiyuan Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200395273A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for direct chip attach by solder bumps and an underfill layer

Номер патента: US20020062556A1. Автор: Peter Gruber,Michael Liehr,David Danovitch,Carlos Sambucetti,Guy Brouillette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US12002788B2. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Chip-interconnect arrangement, method for forming a chip-interconnect arrangement, document structure and method for forming a document structure

Номер патента: US20230298989A1. Автор: Jens Pohl,Uwe Wagner,Frank Püschner,Thomas Spöttl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Through-silicon-via structure and method for preparing same, through-silicon-via interconnection structure and method for preparing same, and electronic device

Номер патента: US20230197572A1. Автор: Xiaowei Li,Weiwen Zheng,Dengfeng Li,Wenlong Zhang,Kanglin Xiong,Kunliang BU,Jiagui FENG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Guard ring structure and method forming same

Номер патента: US20240072049A1. Автор: I-Shan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor Device, a Semiconductor Wafer Structure, and a Method for Forming a Semiconductor Wafer Structure

Номер патента: US20150028456A1. Автор: Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-29.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150372001A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Hang-Ting Lue,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for wafer bonding and compound semiconductor wafer

Номер патента: US12068296B2. Автор: Stefan Hampl,Kerstin Kaemmer,Marco Haubold,Norbert Thyssen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP4235762A3. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for forming wells of semiconductor device

Номер патента: US5981327A. Автор: Jin-Ho Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US09922844B2. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for adjusting wafer deformation and semiconductor structure

Номер патента: US20230025264A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of etching a semiconductor device

Номер патента: US7144749B2. Автор: Khim Hong Ng,Chin Ling Pong. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2006-12-05.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US20240203963A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09691674B2. Автор: Yoshihiro Kodaira. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for electronically pinning a back surface of a back-illuminated imager fabricated on a UTSOI wafer

Номер патента: US09520441B2. Автор: Pradyumna Kumar Swain,David Jay Cheskis,Mahalingam Bhaskaran. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Fuse of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090166801A1. Автор: Won Ho Shin,Hyung Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Photo-lithographic method for semiconductors

Номер патента: WO2001071427A1. Автор: John George Maltabes,Alain Bernard Charles. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 2001-09-27.

Methods for producing passive components on a semiconductor substrate

Номер патента: US20040080919A1. Автор: Dag Behammer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Chip packaging structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230335507A1. Автор: Jin Yang,Chengchung LIN. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Pre-treatment method for plating and storage medium

Номер патента: US09523153B2. Автор: Takashi Tanaka,Yuichiro Inatomi,Mitsuaki Iwashita,Kazutoshi Iwai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for preparing shallow trench isolation structure, shallow trench isolation structure, and semiconductor structure

Номер патента: WO2023015751A1. Автор: 郑孟晟. Владелец: 长鑫存储技术有限公司. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Systems And Methods For Improved Delamination Characteristics In A Semiconductor Package

Номер патента: US20180308713A1. Автор: Taweesak Laevohan,Philbert Reyes,Jaggrit Vilairat,Sutee Thanaisawn,Janpen Phimphuang,Somsak Chunpangam. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Systems and methods for improved delamination characteristics in a semiconductor package

Номер патента: WO2018200609A1. Автор: Taweesak Laevohan,Philbert Reyes,Jaggrit Vilairat,Sutee Thanaisawn,Janpen Phimphuang,Somsak Chunpangam. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200219888A1. Автор: Dong-Hoon Kang. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method and related semiconductor structure using laser lift-off process manufacture semiconductor structure

Номер патента: CN104508815B. Автор: 玛丽亚姆·萨达卡,伯纳德·阿斯帕,克里斯特勒·拉加赫·布兰查德. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods for fabricating sub-resolution alignment marks on semiconductor structures and semiconductor structures including same

Номер патента: CN101842886B. Автор: 戴维·S·普拉特,马克·A·苏尔弗里奇. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-18.

A semiconductor device with metallic electrodes and a method for use in forming such a device

Номер патента: GB2420016A. Автор: Adrian Derek Geisow,John Christopher Rudin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-05-10.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20150262840A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

METHOD FOR FORMING ACTIVE REGION ARRAY AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20210343537A1. Автор: Zhou Zhen,PING Erxuan,LIU Yanghao. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

Methods for fabricating sub-resolution alignment marks on semiconductor structures and semiconductor structures including same

Номер патента: KR101208830B1. Автор: 데이비드 에스. 프래트,마크 에이. 술프릿지. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2012-12-06.

Method for manufacturing a base of a semi-conductor device

Номер патента: US4192063A. Автор: Yoshio Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-03-11.

Methods for forming mandrels and spacers, related structures, and systems

Номер патента: US20240087893A1. Автор: Ivo Raaijmakers,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20040203201A1. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi,Dong-Woo Sihn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for controlling process conditions of a semiconductor fabricating equipments management system

Номер патента: TW368678B. Автор: Dae-Hong Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-09-01.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: TW200921767A. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-05-16.

Method for manufacturing a base of a semiconductor device

Номер патента: GB1555358A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-11-07.

Semiconductor-on-insulator wafer manufacturing method for reducing light point defects and surface roughness

Номер патента: US9202711B2. Автор: Jeffrey L. Libbert,Qingmin Liu. Владелец: SunEdison Semiconductor Pty Ltd. Дата публикации: 2015-12-01.

Method for resin coating of semiconductor device, coating resin and liquid crystal display device

Номер патента: US20010044170A1. Автор: Eiji Muramatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for calculating throughput in semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and computer program product

Номер патента: US20240213065A1. Автор: Shunsuke Kagaya. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND DEVICES INCLUDING NANOTUBES, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES, DEVICES, AND SYSTEMS FABRICATED USING SUCH METHODS

Номер патента: US20140080303A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Gilton Terry L.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor module and method for manufacturing same

Номер патента: US11749581B2. Автор: Yukihiro Kitamura,Fumihiko Momose,Yuhei Nishida,Takashi Ideno. Владелец: Dowa Metaltech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20180166297A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20150264814A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP4235762A2. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US11988969B2. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US20230057823A1. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for Producing Semiconductor Wafers and a System for Determining a Cut Position in a Semiconductor Ingot

Номер патента: US20070243695A1. Автор: Makoto Iida. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-18.

Test structure and methodology for three-dimensional semiconductor structures

Номер патента: US20120262197A1. Автор: Kerry Bernstein,Paul D. Kartschoke,Donald L. Wheater,Christopher M. Durham,Peter J. Klim,Jerome L. Cann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of fabricating composite semiconductor structure and method of growing compound semiconductor structure

Номер патента: KR101963465B1. Автор: 존 달러사쎄,스티븐 비. 크라설릭. Владелец: 스코르피오스 테크놀러지스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2019-03-28.

Ceramic heater with heater element and method for use thereof

Номер патента: US20020185487A1. Автор: Roger Lin,Ramesh Divakar,Morteza Zandi,Brian LaCourse,Ara Vartabedian,Jeffrey Kutsch. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor structures and a method of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: SG47931A1. Автор: David Martin Cooper,Andrew William Nelson,Simon Cole,Ian Francis Lealman,William John Devlin. Владелец: British Telecomm. Дата публикации: 1998-04-17.

Semiconductor structure and method of forming the semiconductor structure that provides two individual resistors or a capacitor

Номер патента: US8193603B2. Автор: Jeffrey Klatt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US11942460B2. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor structures, semiconductor devices, and related methods

Номер патента: EP3874539A4. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160225685A1. Автор: Yoshihiro Kodaira. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for integrating sige npn and vertical pnp devices on a substrate and related structure

Номер патента: EP1733425A4. Автор: Chun Hu,Amol Kalburge,Paul D Hurwitz,Kenneth M Ring. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2009-04-01.

Semiconductor Device, Method for Fabricating a Semiconductor Device and Method for Reinforcing a Die in a Semiconductor Device

Номер патента: US20180218992A1. Автор: Edward Myers,Valerie Vivares. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-08-02.

METHOD FOR FORMING PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170316950A1. Автор: BYUN Kyungmun,IM Badro,DO Sinhae. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Method for forming contacts of a semiconductor device using non-contact pattern and self-alignment

Номер патента: KR100480583B1. Автор: 남동석,이중현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-16.

Method for forming isolation on a semiconductor device

Номер патента: KR0166818B1. Автор: 김병섭. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-02-01.

Method for forming isolation on a semiconductor device

Номер патента: KR0166812B1. Автор: 윤강식. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-02-01.

Method for forming sti in a semiconductor device

Номер патента: KR100821487B1. Автор: 서병윤. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-04-14.

Method for forming cavities in a semiconductor substrate by implanting atoms

Номер патента: KR100597643B1. Автор: 앙드레-쟈끄 오베르통-에르브. Владелец: 에스. 오. 이. 떼끄 씰리꽁 오 냉쉴라또흐 떼끄놀로지. Дата публикации: 2006-07-05.

Method for forming opening in a semiconductor device

Номер патента: US6214747B1. Автор: Hsiao-Pang Chou,Jung-Chao Chiou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-10.

Method for producing layered structures on a semiconductor substrate, semiconductor substrate and semiconductor components produced according to said method

Номер патента: EP0996967B1. Автор: Rolf Brendel. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2008-11-19.

METHOD OF FORMING A TRANSITION METAL CONTAINING FILM ON A SUBSTRATE BY A CYCLICAL DEPOSITION PROCESS, A METHOD FOR SUPPLYING A TRANSITION METAL HALIDE COMPOUND TO A REACTION CHAMBER, AND RELATED VAPOR DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20190249300A1. Автор: LESKELA Markku,Ritala Mikko,Hatanpaa Timo,Väyrynen Katja. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

METHOD FOR FILLING TRENCH WITH METAL LAYER AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE FORMED BY USING THE SAME

Номер патента: US20140374909A1. Автор: LIN Chin-Fu,Chen Wei-yu,Huang Hsin-Fu,Hsu Chi-Mao,Tsai Min-Chuan,Chen Chien-Hao,Chen Min-Hsien,Li Jing-Gang,Su Jian-Hong. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus

Номер патента: US20200340113A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus

Номер патента: US10731249B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-08-04.

Method for producing siliconized polysilicon contacts in integrated semiconductor structures

Номер патента: KR100498855B1. Автор: 뵈크요제프. Владелец: 인피네온 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2005-07-04.

Method for producing semiconductor chips and method for producing a via in a semiconductor substrate

Номер патента: DE102012104304B4. Автор: Hans-Joachim Schulze,Khalil Hosseini. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-31.

Methods for fabricating sub-resolution alignment marks on semiconductor structures

Номер патента: US8585915B2. Автор: David S. Pratt,Marc A. Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-19.

A method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus

Номер патента: TW201934795A. Автор: 提摩哈坦帕,凱嘉費瑞南,米可雷鐵娜,瑪庫雷可拉. Владелец: 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司. Дата публикации: 2019-09-01.

Methods for forming semiconductor device packages with photoimageable dielectric adhesive material, and related semiconductor device packages

Номер патента: US9362143B2. Автор: Yangyang Sun,Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Michel Koopmans,Josh D. Woodland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor package antenna structure and its manufacturing method

Номер патента: US20240195047A1. Автор: Shih-Ping Hsu,Che-Wei Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming a multi-layer semiconductor structure incorporating a processing handle member

Номер патента: US20040219765A1. Автор: Kuan-Neng Chen,Rafael Reif,Chuan Tan,Andy Fan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-11-04.

Method of forming a multi-layer semiconductor structure incorporating a processing handle member

Номер патента: WO2004061953A2. Автор: Rafael Reif,Andy Fan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-07-22.

Method for doping impurity material into a semiconductor substrate for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP0316940B1. Автор: Moritaka C/O Fujitsu Limited Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-07-15.

Method for manufacturing a substrate for a semiconductor device, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: CN115692212A. Автор: M·马佐拉. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-03.

A device for manipulating a semiconductor wafer in an epitaxy reactor and a method for manufacturing a wafer on a semiconductor having an epitaxy layer.

Номер патента: JP6794526B2. Автор: モース，パトリック,ヘヒト，ハネス. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-12-02.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIPS FROM A SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20130178017A1. Автор: Hougron Patrick,Touzet Dominique,Jarry Vincent,Mendez José. Владелец: STMicroelectronics (Tours) SAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Housing comprising a semiconductor body and a method for producing a housing with a semiconductor body

Номер патента: US20210104653A1. Автор: Martin Unterburger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-04-08.

Method for generating doping regions in a semiconductor layer of a semiconductor component

Номер патента: DE102014215893A1. Автор: Ralph Müller,Jan Benick,Martin Hermle,Christian Reichel,Julian Schrof. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2016-02-11.

METHOD FOR PRODUCING EXTERNAL PLOTS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2939566B1. Автор: Laurent Chabert,Sebastien Pruvost. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2011-03-11.

Method for manufacturing semiconductor chips from a semiconductor wafer

Номер патента: US8772134B2. Автор: Vincent Jarry,Patrick Hougron,Dominique Touzet,Jose Mendez. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2014-07-08.

Method for manufacturing electrical connections in a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US9437527B2. Автор: Takeshi Yokoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

METHOD FOR MANUFACTURING AN INTERCONNECTION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2855324B1. Автор: Atsushi Matsushita,Kasuaki Inukai. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2006-11-10.

DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A CARRIER FOR A SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: DE2649343A1. Автор: Yoshio Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-06-30.

Method for Forming Isolation Trenches in Micro-Bump Interconnect Structures and Devices Obtained Thereof

Номер патента: US20130154112A1. Автор: Beyne Eric,Zhang Wenqi,Wang Wei-E,Eneman Geert,Ivankovic Andrej. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

Device, system and method for providing mems structures of a semiconductor package

Номер патента: US20150084139A1. Автор: Parshuram B. Zantye,Daniel N. Sobieski,Telesphor Kamgaing,Weng Hong Teh,Tarek A. Ibrahim,Sarah K. Haney,Chad E. Mair. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING ONE SIDE OF A SEMICONDUCTOR LAYER OF A WORKPIECE

Номер патента: US20210246546A1. Автор: Reber Stefan,Schillinger Kai,Reichhart Benjamin,MILENKOVIC Nena. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2021-08-12.

Systems And Methods For Improved Delamination Characteristics In A Semiconductor Package

Номер патента: US20180308713A1. Автор: Laevohan Taweesak,Reyes Philbert,Vilairat Jaggrit,Thanaisawn Sutee,Phimphuang Janpen,Chunpangam Somsak. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-10-25.

APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING ONE SIDE OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20180374723A1. Автор: Reber Stefan,Schillinger Kai. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2018-12-27.

METHODS FOR FORMING THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH SUPPORT STRUCTURE AND RESULTING THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200395373A1. Автор: Huo Zongliang,XU WEI,ZHOU Wenbin,HUANG Pan,Yan Ping,YANG Haohao. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Method for manufacturing isolation structures in a semiconductor device

Номер патента: US20050277262A1. Автор: Chang-Sheng Tsao,Jung-Hui Kao,Yen-Ming Chen,Lin-June Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-12-15.

Apparatus and method for planarizing the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US6541383B1. Автор: Derryl D. J. Allman,John W. Gregory. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-04-01.

Method for fabricating metal line in a semiconductor

Номер патента: US20060009037A1. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Method for fabricating metal line in a semiconductor

Номер патента: US7300866B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-27.

METHOD FOR PLANARIZING THE SURFACE OF A SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: DE69841220D1. Автор: L Charles Hardy,David A Kaisaki,Thomas E Wood,Heather K Kranz. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for manufacturing isolation structures in a semiconductor device

Номер патента: TWI269382B. Автор: Chang-Sheng Tsao,Jung-Hui Kao,Yen-Ming Chen,Lin-June Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-12-21.

Method for manufacturing isolation structures in a semiconductor device

Номер патента: TW200540986A. Автор: Chang-Sheng Tsao,Jung-Hui Kao,Yen-Ming Chen,Lin-June Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-12-16.

Method for determining the temperature of a semiconductor wafer in a rapid thermal processing system

Номер патента: KR101018234B1. Автор: 마르쿠스 하우프,크리스토프 메르클,크리스토프 슈트리이벨. Владелец: 맷슨 써멀 프로덕츠 게엠베하. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for fabricating dmascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100641483B1. Автор: 백인혁. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-01.

Method for polishing both sides of a semiconductor wafer

Номер патента: CN101722462B. Автор: J·施万德纳. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-06-19.

Apparatus and method for preventing a defocus in a semiconductor exposure equipment

Номер патента: KR100800917B1. Автор: 김상식. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-02-04.

Method for an elements isolation of a semiconductor device

Номер патента: KR960015595B1. Автор: 이찬종. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1996-11-18.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography

Номер патента: US09448473B2. Автор: Michael Tucker,Akira Fujimura. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method For Fracturing And Forming A Pattern Using Shaped Beam Charged Particle Beam Lithography

Номер патента: US20160103390A1. Автор: Michael Tucker,Akira Fujimura. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for manufacturing a radiation window with an edge strengthening structure and a radiation window with an edge strengthening structure

Номер патента: FI20225453A1. Автор: Pekka Törmä,Jari Kostamo,Tapio Lantela,Esa Kostamo. Владелец: AMETEK Finland Oy. Дата публикации: 2023-11-25.

Method for manufacturing a radiation window with an edge strengthening structure and a radiation window with an edge strengthening structure

Номер патента: EP4293697A2. Автор: Pekka Törmä,Jari Kostamo,Tapio Lantela,Esa Kostamo. Владелец: AMETEK Finland Oy. Дата публикации: 2023-12-20.

Method for manufacturing a radiation window with an edge strengthening structure and a radiation window with an edge strengthening structure

Номер патента: EP4293697A3. Автор: Pekka Törmä,Jari Kostamo,Tapio Lantela,Esa Kostamo. Владелец: AMETEK Finland Oy. Дата публикации: 2024-01-24.

Preparation method for nickel phosphide@carbon negative electrode material having porous structure, and use thereof

Номер патента: GB2619643A. Автор: Zhang Xuemei,Yu Haijun,LI Changdong,XIE YINGHAO,LI Aixia. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for manufacturing a radiation window with an edge strengthening structure and a radiation window with an edge strengthening structure

Номер патента: US20230386694A1. Автор: Pekka Törmä,Jari Kostamo,Tapio Lantela,Esa Kostamo. Владелец: AMETEK Finland Oy. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming body contact layouts for semiconductor structures

Номер патента: US09960236B2. Автор: Dev Alok Girdhar,Jeffrey Michael Johnston. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: WO1999067827A2. Автор: Arto Rantala. Владелец: Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus Vtt. Дата публикации: 1999-12-29.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: EP1093669A2. Автор: Arto Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus RANTALA. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2001-04-25.

Semiconductor structure and procedure for minimizing non-idealities

Номер патента: US6501126B1. Автор: Arto Rantala. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2002-12-31.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: WO1999067827A3. Автор: Arto Rantala. Владелец: Arto Rantala. Дата публикации: 2000-02-10.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240304686A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor Structure and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120292689A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266410A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240290863A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure with isolating feature and method for forming the same

Номер патента: US20210202742A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

Back-gated semiconductor device with a storage layer and methods for forming thereof

Номер патента: US20070134888A1. Автор: Thuy Dao,Gowrishankar Chindalore,Michael Sadd,Craig Swift. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for forming multi-gate semiconductor structure

Номер патента: US20230420567A1. Автор: Yu-Wen Wang,chun-ming Yang,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US12057477B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US20240371934A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230066312A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230065806A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12033967B2. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230021017A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230104766A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12021124B2. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2022011611A1. Автор: Ronghui Hao,Kingyuen Wong. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240162310A1. Автор: Chih-Hao Chang,Ta-Chun Lin,Wen-Chiang Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240162336A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11855229B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130207191A1. Автор: Chien-Chih Chen,Cheng-Chi Lin,Shyi-Yuan Wu,Li-Fan Chen,Shin-Chin Lien. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240032279A1. Автор: Semyeong Jang,Yu-Cheng Liao,Joonsuk Moon. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Transistor device with channel recess structure and method of providing same

Номер патента: US20190305101A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Benjamin Chu-Kung,Jack Kavalieros,Van H. Le,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US8946012B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US20140187002A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20070176207A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20060032762A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735170B2. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US20220173213A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Arrangement and method for ESD protection

Номер патента: US20040104437A1. Автор: Michel Zecri,Patrice Besse,Nicolas Nolhier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Method for controlling transistor spacer width

Номер патента: US6133132A. Автор: Anthony J. Toprac,John R. Behnke,Matthew Purdy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Method for fabricating contact holes in a semiconductor body and a semiconductor structure

Номер патента: US7375029B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-20.

Compound semiconductor device, manufacturing method for compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20240039486A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US7214558B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

Display backplane and method for manufacturing the same, display panel and display device

Номер патента: US20200411566A1. Автор: Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Haixu Li,Qingzhao Liu,Muxin DI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a semiconductor material on a fin, and related semiconductor devices

Номер патента: US20150214340A1. Автор: Shigenobu Maeda,Bo-Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-30.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES, INCLUDING FORMING A SEMICONDUCTOR MATERIAL ON A FIN, AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160268416A1. Автор: KIM Bo-Ram,Maeda Shigenobu. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor cell structure, igbt cell structure and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4220733A4. Автор: Haiping Wu,Baowei Huang. Владелец: BYD Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

Two-terminal memory device, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device including a two-terminal memory device

Номер патента: US12022661B2. Автор: Sang-Hyeok Yang,Jong-Seok Lee,Ui-Yeon Won. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit device, method for forming and operating an integrated circuit, method for forming and operating a semiconductor device

Номер патента: TW200830475A. Автор: Shih-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-16.

Method for manufacturing self-alignment type bipolar transistor having epitaxial base layer

Номер патента: US6080631A. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Semiconductor structure and method of manufacturing the semiconductor structure

Номер патента: JP5204121B2. Автор: 富士雄舛岡,建宰李. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

Semiconductor structure and method of fabricating the semiconductor structure

Номер патента: US8482041B2. Автор: Fujio Masuoka,Keon Jae Lee. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-07-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170301690A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-19.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200111811A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11871571B2. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240164103A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240155840A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for forming salicide of a semiconductor device

Номер патента: KR100486649B1. Автор: 강성원. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-05-03.

Method for Growing III-V Epitaxial Layers and Semiconductor Structure

Номер патента: US20140159119A1. Автор: Stefan Degroote,Marianne Germain,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2014-06-12.

Transistor for a semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20010015467A1. Автор: Tae Huh,Joong Shin. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Method for Detecting a Crack in a Semiconductor Body of a Semiconductor Component

Номер патента: US20160254200A1. Автор: Zundel Markus,Zelsacher Rudolf,Schmalzbauer Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

METHOD FOR MANUFACTURING A TRANSISTOR OF A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140035042A1. Автор: Kim Hyun Jung. Владелец: 658868 N.B. INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Solid-state transducer devices with optically-transmissive carrier substrates and related systems, methods, and devices

Номер патента: US09812606B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09640605B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347503A1. Автор: Kuo-Ming Chen,Yu-Jie Lin,Shing-Ren Sheu,Kai-Kuang Ho,Yi-Feng Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09455403B1. Автор: Erh-Kun Lai,Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130161708A1. Автор: Edward Yi Chang,Chia-Hua Chang,Ming-Tsan Peng,Tsung-Lin Chen,Shyr-Long Jeng,Shih-Tung Cheng,Po-Chien Chou,Jian-Feng Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09484356B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240055325A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for determining contour of semiconductor structure

Номер патента: US12094788B2. Автор: Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09837578B2. Автор: Sun Kyung Kim,Jun Ho Jang,Hyun Kyong Cho. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory and method for forming same

Номер патента: US20230301054A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,Juanjuan Huang,Weiping BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230116155A1. Автор: Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Structure, methods for producing a structure and optoelectronic device

Номер патента: WO2021185848A1. Автор: Brian Theobald,Joseph Treadway,Erik Johansson. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-09-23.

Light Sensitive Semiconductor Structures

Номер патента: US20240322062A1. Автор: Daniel Gäbler,Pablo Siles,Qiang Ai,Tamer Abdulrahman,Tong Hong Tan. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230060149A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for Transferring Semiconductor Bodies and Semiconductor Chip

Номер патента: US20200035855A1. Автор: Lutz Höppel. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230017651A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Mounting structure and method of mounting semiconductor device

Номер патента: US20010040791A1. Автор: Fumio Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Method for the Self-Adjusted Exposure of Side Surfaces of a Semiconductor Body

Номер патента: US20190386172A1. Автор: Sebastian Taeger,Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230260912A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Ting-Feng Liao,Mao-Yuan Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240096833A1. Автор: Yuan Fang,Yanwu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Optoelectronic module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150115218A1. Автор: Ching-Hsueh Chiu,Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Packaging structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4307367A1. Автор: LIANG Chen,Kai Tian,Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Photovoltaic devices with fine-line metallization and methods for manufacture

Номер патента: US09673341B2. Автор: Oliver Schultz-Wittmann,Adrian Bruce Turner,Bonneville Dudgeon Eggleston,Douglas Edward Crafts. Владелец: Tetrasun Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7875515B2. Автор: Sang Man Bae,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Semiconductor chip pad structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8169086B2. Автор: Hui-Heng Wang. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Methods for Forming Microlenses

Номер патента: US20130323933A1. Автор: Rao V. Annapragada,Tinghao Frank Wang,Cecilia Laura Quinteros,Linda Nancy Marquez,Steven M. Kennedy. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor light emitting element, display device, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20230395748A1. Автор: Taehoon Kim,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure

Номер патента: US12009323B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Chia-Yu WEI,Yen-Liang Lin,Cheng-Yuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method and apparatus for estimating the temperature of a semiconductor chip

Номер патента: US09689754B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Resin composition, resin film, method for producing resin film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170283581A1. Автор: Michihiro Sugo,Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062524A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230064388A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for doping a semiconductor material and method for manufacturing solar cells

Номер патента: WO2012063078A1. Автор: Jonathan Major,Kenneth Durose,Yuri Proskuryakov. Владелец: THE UNIVERSITY OF LIVERPOOL. Дата публикации: 2012-05-18.

Method for producing a high-temperature and temperature-change resistant connection between a semiconductor module and a connection partner

Номер патента: US09287232B2. Автор: Ronald Eisele,Mathias Kock. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-03-15.

Method for doping a semi-conductor material and method for manufacturing solar cells

Номер патента: GB201019039D0. Автор: . Владелец: University of Durham. Дата публикации: 2010-12-22.

Methods for electromagnetic shielding using an outer cobalt layer

Номер патента: US20210336332A1. Автор: Anthony James LoBianco,Hoang Mong Nguyen. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for fabricating pattern using supporting assembly with rolling member disposed below supporting rods and semiconductor fabrication apparatus having the supporting assembly

Номер патента: US20160299434A1. Автор: Ming-Sung Wu,Chien-Ju Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Method for fabricating pattern using supporting assembly with rolling member disposed below supporting rods and semiconductor fabrication apparatus having the supporting assembly

Номер патента: US09857689B2. Автор: Ming-Sung Wu,Chien-Ju Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing an optoelectronic device

Номер патента: US20230307486A1. Автор: Eric Pourquier,Frederic Mayer,Xavier Hugon,Emmanuel Petitprez,Philippe Gibert,Thomas Lacave,Mickae?l REBAUD. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor structure for inhibiting electrical cross-talk

Номер патента: WO2023187187A1. Автор: Alonso Jesús MILLÁN-MEJÍA,Ludovicus Marie AUGUSTIN,Paul TIEBOT,Netsanet TESSEMA. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor structure with single side capacitor

Номер патента: US20230378248A1. Автор: Shih-Fan Kuan,Yu-Min Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure with single side capacitor

Номер патента: US12021114B2. Автор: Shih-Fan Kuan,Yu-Min Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Multi-active area semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222547A1. Автор: Li Zhou,Yang Cheng,Jun Wang,Bo Li,Shaoyang TAN,Yudan GOU,Lichen ZHANG. Владелец: Shuzhou Everbright Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for fabricating capacitor using metastable-polysilicon process

Номер патента: US20040266103A1. Автор: Jong-Min Lee,Min-Yong Lee,Hoon-Jung Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for evaluating stability of semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20190229024A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Photosensitive resin composition, photosensitive resin film, printed wiring board, semiconductor package, and method for producing printed wiring board

Номер патента: US12103999B2. Автор: Akihiro Nakamura,Yoshikazu Suzuki,Yuji Takase,Shuji Nomoto,Shota Okade,Hayato SAWAMOTO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semiconductor device

Номер патента: US09568537B1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

METHOD FOR FORMING A COMPOSITE HAVING SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING A NANOCRYSTALLINE CORE AND SHELL EMBEDDED IN A MATRIX

Номер патента: US20220085254A1. Автор: Hughes Steven M.,Park Oun-Ho,Masson Georgeta,Kurtin Juanita,Carillo Matthew J.,Theobald Brian. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

Luminescent device and manufacturing method for luminescent device and semiconductor device

Номер патента: US20150295129A1. Автор: Yoshitaka Kadowaki,Tatsunori Toyota. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

A use of a semiconductor device, a method for controlling the state of a semiconductor switch and an electrical arrangement

Номер патента: AU6603700A. Автор: Hans Bernhoff,Olof Hjortstam,Jan Isberg,Per Skytt,Johan Hammersberg. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2001-04-10.

Methods of forming a microelectronic device structure, and related microelectronic device structures and microelectronic devices

Номер патента: US09717148B2. Автор: Mark Hahn. Владелец: Quartzdyne Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for fabricating inductor of semiconductor device

Номер патента: US6015742A. Автор: Jae Il Ju. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-18.

Organic single-crystalline semiconductor structure and preparation method thereof

Номер патента: US20220093884A1. Автор: Ruihan WU,Hanying LI. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for fabricating capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US5861332A. Автор: Kwon Hong,Yong Sik Yu. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-19.

Method for measuring step difference in a semiconductor device and apparatus for performing the same

Номер патента: TW498473B. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Kye-Won Kim,Hyo-Hoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-11.

Apparatus and method for measuring a layer of a semiconductor device using x-ray diffraction

Номер патента: US20240241067A1. Автор: Seungchul Lee,Younghoon Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor light-emitting structure and semiconductor package structure thereof

Номер патента: US20170155018A1. Автор: Shiou-Yi Kuo,Chao-Hsien Lin,Ya-Ru Yang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Light-Emitting Device, Display Apparatus Including the Same and Method for Manufacturing the Device and Apparatus

Номер патента: US20240213408A1. Автор: Hyowon KWON,ll-Soo Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor package substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110031617A1. Автор: Wen-Hung Hu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor package substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US7847400B2. Автор: Wen-Hung Hu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

System and method for testing of bonds of a semiconductor assembly

Номер патента: TW201215863A. Автор: Philip John King,Benjamin K Peecock. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2012-04-16.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device using hemispherical grain (HSG) polysilicon

Номер патента: US5817555A. Автор: Bok-Won Cho. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Using a time invariant statistical process variable of a semiconductor chip as the chip identifier

Номер патента: US20060063286A1. Автор: Michael Frank,William Bidermann. Владелец: Pixim Inc. Дата публикации: 2006-03-23.

Method for detecting defect in semiconductor fabrication process

Номер патента: US20210356870A1. Автор: Yuan-Ku Lan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for detecting defect in semiconductor fabrication process

Номер патента: US11988970B2. Автор: Yuan-Ku Lan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Package structure and method for manufacturing same, semiconductor device

Номер патента: US20230005851A1. Автор: LIANG Chen,Kai Tian,Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for producing organic electronic devices with bank structures, bank structures and electronic devices produced therewith

Номер патента: US09923035B2. Автор: Li Wei Tan,Rashmi BHINTADE,Tomas Backlund. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for predicting defect in semiconductor device

Номер патента: US20220268830A1. Автор: Sungjin Kim,Sangwoon Lee,Chulwoo PARK,Taeyoon AN,Seunghyun Kim,Joohyun JEON,Wonki Roh,Seongjae Byeon,Hyoeun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20160307861A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and semiconductor package

Номер патента: US11948920B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Chia-Yin Chen,Yang-Chih Hsueh,Yan-Zuo Tsai,I-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor chip pad structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100264453A1. Автор: Hui-Heng Wang. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Method for attaching clip for semiconductor package, and multi-clip attaching apparatus therefor

Номер патента: MY196834A. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Semiconductor Structure and Light-Emitting Device with Semiconductor Structures

Номер патента: US20190144746A1. Автор: Fitzmorris Bob,Treadway Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING LINERS AND RELATED METHODS

Номер патента: US20170331036A1. Автор: GOTTI ANDREA,Gealy F. Daniel,Collins Dale W.,Lengade Swapnil,Allen Tuman E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230275112A1. Автор: Chigusa Yamane,Yuki Kawahara,Jun Ogi,Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for forming pattern and a semiconductor device

Номер патента: US20120028378A1. Автор: Hiroyuki Morinaga,Ryoichi Inanami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

A method for forming pattern of a semiconductor device

Номер патента: KR102387459B1. Автор: 박상욱,정노영,고흥국. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-04-15.

Method for incorporating a desiccant in a semiconductor package

Номер патента: US4427992A. Автор: Kim Ritchie,James N. Smith. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-01-24.

Apparatus and method for forming bumps on a semiconductor wafer by injection molded solder

Номер патента: JP5657045B2. Автор: ジョンソン，ヘイル,ヒューレット，エメット,ゴームリー，ジェラード,ラポインテ，ウィルヘルム. Владелец: ススマイクロテクエージー. Дата публикации: 2015-01-21.

Method for including decoupling capacitors into semiconductor circuit having logic circuit therein and semiconductor circuit thereof

Номер патента: US20140175608A1. Автор: Tao Cheng,Ming-Tzong Yang,Tien-Chang Chang,Cheng-Hsing Chien,Hsin-Hsin Hsiao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device and method for manufacturing

Номер патента: US20100181627A1. Автор: Armin Willmeroth,Carolin Tolksdorf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-07-22.

Method for Positioning a Semiconductor Chip on a Carrier and Method for Material-Fit Bonding of a Semiconductor Chip to a Carrier

Номер патента: US20170025373A1. Автор: Oeschler Niels. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Multilayered printed circuit board, method for manufacturing the same, and semiconductor device using the same

Номер патента: US11848263B2. Автор: Seung Lak Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

METHOD FOR THINNING, METALIZING, AND DICING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE USING THE METHOD

Номер патента: US20150108612A1. Автор: NUMAGUCHI Hiroyuki. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-23.

Method of forming a multi-layer semiconductor structure having a seamless bonding interface

Номер патента: WO2004061952A2. Автор: Rafael Reif,Andy Fan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-07-22.

Package for a semiconductor light emitting device and method for manufacturing a package for a semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1624498B1. Автор: Howard C. c/o Lumileds Lighting US LLC Epstein. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2016-06-22.

System for removing deposited material from within a semiconductor fabrication device

Номер патента: WO2003020449A1. Автор: Mitchell D. Bradley. Владелец: Bradley Mitchell D. Дата публикации: 2003-03-13.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: US20230252211A1. Автор: David M. Fried,William J. Egan,Anshuman Kunwar,Kenneth Greiner. Владелец: Coventor Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A1. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A9. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

SEMICONDUCTOR SWITCH AND METHOD FOR DETERMINING A CURRENT THROUGH A SEMICONDUCTOR SWITCH

Номер патента: US20170010318A1. Автор: Butzmann Stefan,Feuerstack Peter,Sievert Holger. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

METHOD FOR PRODUCING DOPING REGIONS IN A SEMICONDUCTOR LAYER OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20170236970A1. Автор: Hermle Martin,Reichel Christian,Benick Jan,Muller Ralph,Schrof Julian. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for Establishing Electrical Contact of a Semiconductor Layer and Semiconductor Component Having Electrical Contact

Номер патента: US20190229241A1. Автор: Holland Brendan,Behringer Martin Rudolf,Sommerfeld Jana,vom Dorp Sabine. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor Component with Integrated Crack Sensor and Method for Detecting a Crack in a Semiconductor Component

Номер патента: US20140346509A1. Автор: Zundel Markus,Zelsacher Rudolf,Schmalzbauer Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD FOR MAKING ELECTRICAL CONNECTIONS ON A SEMICONDUCTOR PACKAGE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE

Номер патента: FR2799578B1. Автор: Luc Petit,Alexandre Castellane. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-07-18.

Semiconductor switch and method for determining a current through a semiconductor switch

Номер патента: DE102014201584A1. Автор: Stefan Butzmann,Peter Feuerstack,Holger Sievert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for inspecting a semiconductor-on-insulator structure, and application of the inspection method to the manufacture of the structure

Номер патента: JP6163504B2. Автор: レイノー，パトリック,シュヴァルツェンバッハ，ヴァルター,ブルデル，コンスタンタン,ジルベール，ジャン−フランソワ. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-12.

Method for producing a connection between a semiconductor component and semiconductor module resistant to high temperatures and temperature changes by means of a temperature impinging process

Номер патента: CN102396057B. Автор: M.科克,R.艾希尔. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2014-04-02.

Semiconductor wafer having a multitude of sensor elements and method for measuring sensor elements on a semiconductor wafer

Номер патента: US20090189629A1. Автор: Hubert Benzel,Roland Guenschel,Holger Ross,Harald Guenschel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2009-07-30.

Temperature-controlled circuit integrated in a semiconductor material, and method for controlling the temperature of a semiconductor material having an integrated circuit

Номер патента: US20070158575A1. Автор: Helmut Winkelmann,Bjorn Heismann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2007-07-12.

Method For Texturing A Surface Of A Semiconductor Material And Device For Carrying Out The Method

Номер патента: US20200044100A1. Автор: Straub Benedikt,BURSCHIK JOHN,DUEMPELFELD WOLFGANG,KUEHNLEIN HOLGER. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semicondcutor device

Номер патента: US20170030961A1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Method for optimizing the clamping of a semiconductor component against a support structure on a wire bonding machine and associated method

Номер патента: CN115023803A. Автор: J·杨,徐慧,Z·艾哈迈德,W·秦. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

METHODS FOR PRODUCING A BOND AND A SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20140013595A1. Автор: Hong Tao. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Method for Producing Contact Areas on a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20140374919A1. Автор: Beyne Eric,Zhang Wenqi,Swinnen Bart,Jamieson Geraldine. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2014-12-25.

Control Device and Method for Monitoring a Function of a Semiconductor Component During the Operation Thereof and Electrical Assembly Having a Control Device

Номер патента: US20170309539A1. Автор: Weißmann Heinz,Dömel Bernhard. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

P-TYPE DOPANT AND METHOD FOR P-TYPE DOPING OF A SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20150372160A1. Автор: XU Shuyan,CHAN Chia Sern,LIM Jian Wei Mark. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

METHOD FOR EVALUATING CONTROL STRATEGIES IN A SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: US20200401052A1. Автор: WERKMAN Roy,THIJSSEN Theo Wilhelmus Maria,LAMBREGTS Cornelis Johannes Henricus,SCHUT MARIA HELENA,VAN DONGEN Jeroen,Crombag Erik Mathijs Maria,WEIJDEN Ivo Matteo Leonardus,DE WIT Ruud Rudolphus Johannes Catharinus,STRUIJS Hans Marinus,RIEMENS Erwin,MEELDIJK Menno. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2020-12-24.

Fabrication of ellipsoidal or semi-ellipsoidal semiconductor structures

Номер патента: US20210083453A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Philipp Staudinger,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Cathode active material, method for manufacturing same, and cathode comprising same

Номер патента: EP4421914A1. Автор: Jong Pil Kim,Eung Ju Lee,Won Sig Jung,Hwan Young Choi,Kang Hyeon Lee,Hyun Ah Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: GB201016929D0. Автор: . Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2010-11-24.

Conductive resin composition, method for manufacturing electronic component using same, bonding method, bonding structure, and electronic component

Номер патента: US09491868B2. Автор: Masaaki Hirayama,Tomoaki Onoue,Yoshiki Aburatani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Methods for fabricating faceplate of semiconductor apparatus

Номер патента: WO2010036657A2. Автор: Felix Rabinovich,Dmitry Lubomirsky,Tien Fak Tan,Lun Tsuei,Shaofeng Chen,Kimberly Hinckley. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-04-01.

Methods for fabricating faceplate of semiconductor apparatus

Номер патента: WO2010036657A3. Автор: Felix Rabinovich,Dmitry Lubomirsky,Tien Fak Tan,Lun Tsuei,Shaofeng Chen,Kimberly Hinckley. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-07-01.

Preparation method for nickel phosphide@carbon negative electrode material having porous structure, and use thereof

Номер патента: GB2619643B. Автор: Zhang Xuemei,Yu Haijun,LI Changdong,XIE YINGHAO,LI Aixia. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Positive electrode active material, method for preparing the same, and positive electrode including the same

Номер патента: CA3238348A1. Автор: Jong Pil Kim,Eung Ju Lee,Won Sig Jung,Hwan Young Choi,Kang Hyeon Lee,Hyun Ah Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for production of precursor particles and precursor particle produced by this method

Номер патента: RU2751079C1. Автор: Сяо ЧЖАН,Брайан ЙОНЕМОТО. Владелец: Микроваст Пауэр Системс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-07-09.

Method for the in-situ fabrication of DFB lasers

Номер патента: US20030003615A1. Автор: Horst Baumeister,Gundolf Wenger,Roland Gessner,Eberhard Veuhoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-02.

High- pressure lamp, related operation method for a resonance operation of high- pressure lamps in longitudinal mode and related system

Номер патента: TW200921745A. Автор: Paul Braun,Patrick Mueller,Klaus Stockwald,Roland Huettinger,Jens Clark. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2009-05-16.

Method for manufacturing BAW resonators on a semiconductor wafer

Номер патента: US09647625B2. Автор: Jean-François Carpentier,Pierre Bar,Sylvain Joblot,David Petit,Pierre Dautriche. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-05-09.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for accessing a plurality of services by a mobile terminal user, and related secure device

Номер патента: US09948654B2. Автор: Domenico Surace,Nicolas Goubly,Thomas Vulin,Samy Rdissi,Gilles Reant. Владелец: PACIFIC DOLPHIN HOLDINGS LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for acquiring values indicative of an AC current of an inverter and related circuit and inverter

Номер патента: US09712082B2. Автор: Giovanni MANCHIA. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-07-18.

System and method for obfuscating opcode commands in a semiconductor device

Номер патента: US20210351922A1. Автор: Jan-Peter Schat,Fabrice Poulard,Andreas Lentz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for managing software versions of electronic device(s) in a vehicle and related device

Номер патента: US12079618B2. Автор: Zhuo Wei,Hsiao-Ying Lin,Girish REVADIGAR. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Systems, equipment and methods for automatically tracking cable connections and for identifying work area devices and related methods of operating communications networks

Номер патента: US09538262B2. Автор: Peter T. Tucker,Michael G. German,Matias Peluffo,Luc Walter Adriaenssens. Владелец: Commscope Inc of North Carolina. Дата публикации: 2017-01-03.

Apparatuses and methods for identifying memory devices of a semiconductor device sharing an external resistance

Номер патента: US20240030922A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US11916527B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3552203A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20180167055A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20210099160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: WO2018107076A1. Автор: Dean Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20230137651A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: WO2020106823A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240154605A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US11955977B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240223160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for accessing a plurality of services by a mobile terminal user, and related secure device

Номер патента: US20160164879A1. Автор: Domenico Surace,Nicolas Goubly,Thomas Vulin,Samy Rdissi,Gilles Reant. Владелец: PACIFIC DOLPHIN HOLDINGS LLC. Дата публикации: 2016-06-09.

Method for performing charging processing on mobile local area network service, system, and related device

Номер патента: CA3205377A1. Автор: Xiaoqian Chai. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for accessing a plurality of services by a mobile terminal user, and related secure device

Номер патента: US20150040199A1. Автор: Domenico Surace,Nicolas Goubly,Thomas Vulin,Samy Rdissi,Gilles Reant. Владелец: MOBILE TAG. Дата публикации: 2015-02-05.

Method for detecting rationality of pg pin power-on time sequence, system and related components

Номер патента: US20220337246A1. Автор: Jian Wang. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for obtaining file by means of over the air (ota) technology and related device

Номер патента: EP4297370A1. Автор: Yong Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Method for detecting rationality of PG pin power-on time sequence, system and related components

Номер патента: US11863178B2. Автор: Jian Wang. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for synchronizing audio playback of a plurality of digital media renders, and related digital media controller and digital audio media render

Номер патента: US20130338805A1. Автор: Ting-Yuan Cheng. Владелец: Primax Electronics Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

Method for gluing components, forming a temperature-resistant adhesive layer

Номер патента: US20110221308A1. Автор: Roland Mueller,Gerhard Hueftle,Irene Jennrich,Patrick Stihler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Method for balancing a charge pump output current, charge pump structure and wireless communication device

Номер патента: EP1014586A3. Автор: Shervin Moloudi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2003-10-15.

System and a method for determining a relative pose between a primary winding structure and a secondary winding structure of a system for inductive power transfer

Номер патента: US11850962B2. Автор: Werner Kober,Sotirios Sotiriou. Владелец: Bombardier Primove GmbH. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for producing planar metallised textile structures, planar metallised textile structure and use of the thus produced planar metallised textile structure

Номер патента: CA2631180A1. Автор: Norbert Schneider,Norbert Wagner,Bettina Sobotka,Ralf Noerenberg,Tibor Duris,Rene Lochtman,Juergen Pfister,Antonino Raffaele Addamo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure, film bulk acoustic resonator and method for preparing film bulk acoustic resonator

Номер патента: US20240223148A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Method for spatially determining the series resistance of a semiconductor structure

Номер патента: US20120113415A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20240306366A1. Автор: Ya Wang,Xing Zhang,Fandong LIU,Wenyu HUA,Kuan HU. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023028869A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12029047B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods and processes for forming electrical circuitries on three-dimensional geometries

Номер патента: US20210345494A1. Автор: Reza Abbaspour. Владелец: Dujud LLC. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and memory

Номер патента: EP4319527A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Preparation method for semiconductor material leg array and batch preparation method for interface layer of semiconductor material leg array

Номер патента: US20240357934A1. Автор: Xun SHI,Ming Gu,Lidong Chen,Pengfei Qiu. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206167A1. Автор: SHENG Peng,Jing Gao,Kai Yu,Wenbo Zhang,Lei Xue,Zhaohui Cheng,Zhiyong Lu,Zhangyi LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory and method for forming same

Номер патента: EP4277448A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,Juanjuan Huang,Weiping BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Methods for configuring resources for wake-up signal transmission, related wireless devices and related network nodes

Номер патента: EP4038978A1. Автор: NAFISEH Mazloum,Basuki PRIYANTO,Anders Berggren. Владелец: Sony Europe BV. Дата публикации: 2022-08-10.

Methods for coordinating a media session, related network nodes, related wireless devices, and related production devices

Номер патента: US20230064204A1. Автор: Peter Isberg,Rickard Ljung,Daniel LONNBLAD. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Methods for coordinating a media session, related network nodes, related wireless devices, and related production devices

Номер патента: WO2021160348A1. Автор: Peter Isberg,Rickard Ljung,Daniel LONNBLAD. Владелец: Sony Europe B.V.. Дата публикации: 2021-08-19.

Device and method for aerosol generation

Номер патента: RU2749137C2. Автор: Чон Хо ХАН,Чан Ук ЛИ,Хен Иль ЛИМ,Чжон Соп ЛИ,Дэ Нам ХАН,Чжин Ён ЮН,Ён Леа КИМ,Чи Су Чан,Ван Соп ЛИМ,Мун Бон ЛИ,Сон Хо ЧЖУ,ДУ Чжин ПАК,Сон Вон ЮН. Владелец: Кей Ти Энд Джи Корпорейшн. Дата публикации: 2021-06-04.

Method for coating and forming novel material layer structure of high-frequency circuit board and article thereof

Номер патента: US20240244763A1. Автор: LongKai LI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatus and method for high voltage switches

Номер патента: WO2013169516A1. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

Method for rejoining network after network disconnection of mobile terminal and related devices

Номер патента: US12075506B2. Автор: Yifei Zhang,Kai Zhao,Wei Deng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for fabricating a cavity for a semiconductor structure

Номер патента: EP2468679B1. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza,Guenter Zieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-03-03.

Method for controlling magnetic domain wall of magnetic structure and magnetic memory device using same

Номер патента: US09905310B2. Автор: Chanyong HWANG,Kyoungwoong MOON. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for pushing contact person information, terminal device, and storage medium

Номер патента: EP4443858A1. Автор: Ruiqun FAN. Владелец: Petal Cloud Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Apparatus and method for controlling signal distribution in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120081147A1. Автор: Neil Price. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Method for Eliminating Interference Pattern in Image, and Apparatus

Номер патента: US20240233303A1. Автор: CHAO Chen,Kun Ma,Xiaogang Feng,Wenzhao LIU. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods for estimating watermark signal strength, an embedding process using the same, and related arrangements

Номер патента: US09716807B2. Автор: Tomas Filler,Vojtech Holub. Владелец: Digimarc Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Feedback method for active scanning of user terminal, and access point

Номер патента: US09603082B2. Автор: Zongming Yao,Guorui YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for capturing images in video, and electronic device

Номер патента: EP4436198A1. Автор: Jirun XU. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for implementing E-tree service and provider edge device

Номер патента: US09680769B2. Автор: Yuanlong Jiang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

The forming method of isolation structure and the forming method of semiconductor structure

Номер патента: CN107204339B. Автор: 洪中山,张翼英. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-01.

Method for determining contention window size (cws), base station performing the same and related product

Номер патента: EP3952565B1. Автор: Zuomin Wu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

Methods for coordinating media sessions, related network assistance nodes, related network nodes and related wireless devices

Номер патента: EP4238296A1. Автор: Peter Isberg,Svante Alnas,Daniel LONNBLAD. Владелец: Sony Europe BV. Дата публикации: 2023-09-06.

LIMITING CIRCUIT FOR A SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND METHOD FOR LIMITING THE VOLTAGE ACROSS A SEMICONDUCTOR TRANSISTOR

Номер патента: US20140070877A1. Автор: Peuser Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-13.

Configuration method for two-step random access msg a resources and related apparatus

Номер патента: EP4090120A1. Автор: Weijie XU. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2022-11-16.

System and methods for downlink physical resource blocks blanking and related operations in the cellular systems operating in shared spectrum

Номер патента: EP4336767A1. Автор: Sunil Kaimalettu,Manoharan Ramalingam. Владелец: Mavenir Systems Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

System and methods for downlink physical resource blocks blanking and related operations in the cellular systems operating in shared spectrum

Номер патента: US20240107328A1. Автор: Sunil Kaimalettu,Manoharan Ramalingam. Владелец: Mavenir Systems Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods for estimating watermark signal strength, an embedding process using the same, and related arrangements

Номер патента: US20180131836A1. Автор: Tomas Filler,Vojtech Holub. Владелец: Digimarc Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Method for performing charging processing on mobile local area network service, system, and related device

Номер патента: US20230362306A1. Автор: Xiaoqian Chai. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

SYSTEM AND METHOD FOR PERFORMING NETLIST OBFUSCATION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210243041A1. Автор: SCHAT Jan-Peter. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

METHODS FOR UPLINK-BASED LOCALIZATION OF AN ELECTRONIC DEVICE; RELATED ELECTRONIC DEVICES AND RELATED LOCATION SERVER DEVICES

Номер патента: US20200322755A1. Автор: LJUNG Rickard,Agardh Kåre,PRIYANTO Basuki,Berggren Anders,Zander Olof,MAZLOUM Nafiseh. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Method for transmitting information related to a breakdown in an electrical facility, and related server

Номер патента: WO2017089669A1. Автор: Christophe Ampilhac. Владелец: Legrand SNC. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for transmitting information related to a breakdown in an electrical facility, and related server

Номер патента: EP3381197B1. Автор: Christophe Ampilhac. Владелец: Legrand France SA. Дата публикации: 2019-10-23.

Method for accessing fixed network and access gateway network element

Номер патента: EP3598693A1. Автор: HE Li,Weisheng Jin,Huan LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-22.

Methods for estimating watermark signal strength, an embedding process using the same, and related arrangements

Номер патента: US20200288036A1. Автор: Tomas Filler,Vojtech Holub. Владелец: Digimarc Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for displaying shared screen content in conference, device, and system

Номер патента: EP4250087A1. Автор: Xianyi Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Methods for intelligent resource allocation based on throttling of user equipment traffic and related apparatus

Номер патента: EP4088427A1. Автор: Abdulrahman Alabbasi,Alexandros Palaios,Ali El Essaili,Mazen ABDEL LATIF. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2022-11-16.

Method for Setting Packet Transmission Mode and Device

Номер патента: US20180076967A1. Автор: LIN Zhang,Yongxing Chen,Ya Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Methods for uplink-based localization of an electronic device; related electronic devices and related location server devices

Номер патента: US20200322755A1. Автор: NAFISEH Mazloum,Olof Zander,Rickard Ljung,Kåre AGARDH,Basuki PRIYANTO,Anders Berggren. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for manufacturing baw resonators on a semiconductor wafer

Номер патента: US20140075726A1. Автор: Jean-François Carpentier,Pierre Bar,Sylvain Joblot,David Petit,Pierre Dautriche. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2014-03-20.

APPARATUSES AND METHODS FOR CALIBRATING ADJUSTABLE IMPEDANCES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210099160A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

APPARATUSES AND METHODS FOR DUTY CYCLE ADJUSTMENT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Gans Dean D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-12.

SYSTEMS, EQUIPMENT AND METHODS FOR AUTOMATICALLY TRACKING CABLE CONNECTIONS AND FOR IDENTIFYING WORK AREA DEVICES AND RELATED METHODS OF OPERATING COMMUNICATIONS NETWORKS

Номер патента: US20170111248A1. Автор: Tucker Peter T.,German Michael G.,Adriaenssens Luc Walter,Peluffo Matias. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

APPARATUSES AND METHODS FOR IDENTIFYING MEMORY DEVICES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE SHARING AN EXTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20190131972A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-05-02.

APPARATUSES AND METHODS FOR CALIBRATING ADJUSTABLE IMPEDANCES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180167055A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

APPARATUSES AND METHODS FOR PROVIDING BIAS SIGNALS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190172507A1. Автор: TSUKADA Shuichi,Asaki Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

APPARATUSES AND METHODS FOR IDENTIFYING MEMORY DEVICES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE SHARING AN EXTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20200252069A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

APPARATUSES AND METHODS FOR PROVIDING CLOCK SIGNALS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190304532A1. Автор: YAMASHITA Akira,KURIHARA Kazuhiro,Kitagawa Katsuhiro,NAKAMURA Kohei. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

APPARATUSES AND METHODS FOR DUTY CYCLE ADJUSTMENT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200336137A1. Автор: Gans Dean D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods for selectively forming and utilizing a passivation layer on a substrate and related structures including a passivation layer

Номер патента: US20240218500A1. Автор: Shaoren Deng,Eva E. Tois,Daniele Chiappe,Andrea Illiberi,Anirudhan Chandrasekaran,Viraj Madhiwala. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus and method for determining electrical properties of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1363323A3. Автор: William H. Howland. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Systems and methods for the in-line measurement of alkali metal-containing structures and alkali ion-containing structures

Номер патента: US20230160821A1. Автор: Subramanya P. HERLE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Compositions and methods for reducing pain and symptom(s) associated with seizures, slight strokes, and related illnesses and conditions

Номер патента: US20230063690A1. Автор: Rengen Atchana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09981471B2. Автор: Fabrizio Porro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

System and method for scheduling manufacturing jobs for a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: US20050203654A1. Автор: Hui-Tang Liu,Ko-Pin Chang,Jui-An Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for producing methylasic acid hydrogel with properties of supramolecular structures and hydrogel obtained by this method

Номер патента: RU2756828C2. Автор: Александр Михайлович Мартыненко,Александр Викторович Чигирик. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Биолайн Продактс. Дата публикации: 2021-10-06.

Method for making dental implant of nanotitanium using laser surface structuring and nanostructured composite coating and implant

Номер патента: RU2724437C1. Автор: Иван Анатольевич Фадеев,Алексей Сергеевич Дюрягин,Василий Сергеевич Дюрягин,Алексей Георгиевич Гашков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НС ТЕХНОЛОГИЯ". Дата публикации: 2020-06-23.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Apparatus and method for on-demand retention, release, and positioning of space structures and components of same

Номер патента: US12030672B1. Автор: Othmane Benafan,Allen T. Guzik,Yu Hin Hau,Linda H. Yoon,Chip Redding. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods for preparing an alkylation catalyst, and for ortho-alkylating hydroxyaromatic compounds; and related compositions

Номер патента: EP1263529A1. Автор: Narsi Davanathan,Beth A. Watson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2002-12-11.

Electroanalytical methods for predicting the oxidability of a wine or a grape must and related systems

Номер патента: WO2014081936A1. Автор: Stéphane Vidal,Philippe Tacchini,Maurizio Ugliano,Jean-Baptiste Dieval. Владелец: NOMACORC LLC. Дата публикации: 2014-05-30.

Biological detection method for dioxins in serum, and diagnostic use therefor in metabolic syndrome and related conditions

Номер патента: US20190309376A1. Автор: YoungMi Kim,Hong Kyu Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2019-10-10.

Electroanalytical methods for predicting the oxidability of a wine or a grape must and related systems

Номер патента: EP2923201A1. Автор: Stéphane Vidal,Philippe Tacchini,Maurizio Ugliano,Jean-Baptiste Dieval. Владелец: NOMACORC LLC. Дата публикации: 2015-09-30.

Method for dominant color setting of video region and data structure and method of confidence measure extraction

Номер патента: US20100254600A1. Автор: Hyeon Jun Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-10-07.

Method for dominant color setting of video region and data structure and method of confidence measure extraction

Номер патента: US20100254599A1. Автор: Hyeon Jun Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-10-07.

Novel methods for synthesizing enantiopure (s)-methadone, (r)-methadone, racemic (r,s)-methadone and related analogue substances

Номер патента: US20240217919A1. Автор: Brian H. Heasley,Paolo L. Manfredi,Charles E. Inturrisi,Andrea Mattarei,Marco BANZATO,Alberto FURLAN,Alberto ONGARO,Zachary D. TUCKER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method for analyzing crosstalk occurring in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7519932B2. Автор: Toshiyuki Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Method for the expression in plant of the glutamic acid decarboxylase (gad65) and related expression vectors the present invention concerns a method of expression in plant of glutamic acid decarboxylase (gad65), particularly a mutated form of human gad65 (gad65mut), and expression vectors thereof.

Номер патента: EP2318534A1. Автор: Alberto Falorni,Linda Avesani,Mario Pezzotti. Владелец: UniversitĂ Degli Studi Di Verona. Дата публикации: 2011-05-11.

Systems and methods for dispensing liquid through a portion of an ice storage bin and related cleaning processes

Номер патента: US20240253962A1. Автор: Paul William Blayle. Владелец: Follett Products LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for operating a computer system providing user personal managing information data and related computer system

Номер патента: US20070013944A1. Автор: Sigurd Van Broeck. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2007-01-18.

Method for activating expression of silenced glu-1ax-null subunit in wheat and related biomaterials

Номер патента: ZA202401198B. Автор: Wei Li,Jie Gao,Shujuan Zhang,Rongzhi Zhang,Genying LI,Yulian LI,Jihu Li,Guoqi Song,Yanxiang Lin. Владелец: Crop Res Institute Shandong Academy Of Agricultural Sciences. Дата публикации: 2024-09-25.

Methods for the identification and targeting of brain regions and structures and treatments related thereto

Номер патента: US09597007B2. Автор: Alejandro Covalin,Antonio Alfonso Ferreira Desalles. Владелец: US Department of Veterans Affairs VA. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for assembling an upholstery for a seat or for stuffed furniture and related upholstery

Номер патента: EP3414382A1. Автор: Giovanni Battista TRENTADUE. Владелец: Sistemiazienda Srl. Дата публикации: 2018-12-19.

Methods for the preparation of culture media based on saccharified plant extracts and related products

Номер патента: EP4379034A1. Автор: Tilo Huhn,Regine EIBL,Dieter Eibl. Владелец: Zhaw Zuercher Hochschule Fuer Angewandte Wissenschaften. Дата публикации: 2024-06-05.

Methods for the preparation of culture media based on saccharified plant extracts and related products

Номер патента: WO2024115572A1. Автор: Tilo Huhn,Regine EIBL,Dieter Eibl. Владелец: Zhaw - Zurcher Hochschule fur Angewandte Wissenschaften. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for assembling a plurality of devices on a satellite structure, and satellite structure supporting a plurality of devices

Номер патента: AU2020405840A1. Автор: Andrew Walker,Franck Levallois,Vincent Claudet,Catherine Berthomieu,Carole Chossiere. Владелец: Airbus Defence and Space SAS. Дата публикации: 2022-06-02.

Method for assembling a plurality of devices on a satellite structure and satellite structure supporting a plurality of devices

Номер патента: US12077324B2. Автор: Andrew Walker,Franck Levallois,Vincent Claudet,Catherine Berthomieu,Carole Chossiere. Владелец: Airbus Defence and Space SAS. Дата публикации: 2024-09-03.

Configurable apparatus and methods for decorticating, comminuting, and liberating fibers and hurd from hemp stalks and related materials using selective differential fragmentation

Номер патента: US20240254660A1. Автор: Steven L. SAMPLE,Edward W. SAMPLE. Владелец: Micronizing Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods of forming a mandrel for forming composite structures, methods of forming composite structures, and related tools

Номер патента: US11919223B2. Автор: Benjamin W. Garcia,David R. MACHAC,Jacob M. Ketcham,Jared S. Noorda,Carl B. Madsen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Methods of forming a mandrel for forming composite structures, methods of forming composite structures, and related tools

Номер патента: WO2022212843A1. Автор: Benjamin W. Garcia,David R. MACHAC,Jacob M. Ketcham,Jared S. Noorda,Carl B. Madsen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2022-10-06.

Methods of forming a mandrel for forming composite structures, methods of forming composite structures, and related tools

Номер патента: CA3215873A1. Автор: Benjamin W. Garcia,David R. MACHAC,Jacob M. Ketcham,Jared S. Noorda,Carl B. Madsen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Methods of forming a mandrel for forming composite structures, methods of forming composite structures, and related tools

Номер патента: EP4313601A1. Автор: Benjamin W. Garcia,David R. MACHAC,Jacob M. Ketcham,Jared S. Noorda,Carl B. Madsen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Methods of forming a mandrel for forming composite structures, methods of forming composite structures, and related tools

Номер патента: US20240208133A1. Автор: Benjamin W. Garcia,David R. MACHAC,Jacob M. Ketcham,Jared S. Noorda,Carl B. Madsen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

A hot press forming apparatus and a method for hot press forming a blank

Номер патента: EP3962673A1. Автор: Lars Sandberg,Joakim INNALA,Petter ULFBERG. Владелец: Autotech Engineering SL. Дата публикации: 2022-03-09.

Apparatus and method for high speed forming a hinged carton

Номер патента: US4549876A. Автор: Thomas R. Baker,William H. Hittenberger,Boris J. Posen. Владелец: Kliklok LLC. Дата публикации: 1985-10-29.

Preparation method for water-soluble magnolol derivatives and honokiol derivatives and intermediates thereof, and related monohydroxy protection intermediates

Номер патента: US20230339840A1. Автор: Pingping Zhang,Ye Liu,Guokun Yu,Qiangfeng Zhao. Владелец: Beijing Honghui Meditech Co ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

A method for organizing data and generating images of reference biological structures and related materials and the images and materials so generated

Номер патента: WO2013061019A1. Автор: Bernard De Bono. Владелец: De Bono Bernard. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for placing operational cells in a semiconductor device

Номер патента: US20140351781A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Asher BERKOVITZ. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-27.

Compositions and methods for treating acute respiratory distress syndrome (ards) and inflammatory disorders caused by coronaviruses and other respiratory pathogens or agents that mediate pulmonary injury, inflammation or acute respiratory distress, and related compositions and methods for treating and preventing human sars coronavirus infection, covid-19 disease and related symptoms

Номер патента: US20230248684A1. Автор: Richard L. Chang,Ben Y. CHANG. Владелец: Phor Med Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Compositions And Methods for Treating Acute Respiratory Distress Syndrome (ARDS) And Inflammatory Disorders Caused by Corona Viruses and Other Respiratory Pathogens or Agents That Mediate Pulmonary Injury, Inflammation or Acute Respiratory Distress, And Related Compositions and Methods for Treating and Preventing Human SARS Coronavirus Infection, COVID-19 Disease and Related Symptoms

Номер патента: US20240082202A1. Автор: Richard L. Chang,Ben Y. CHANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-14.

Kits and methods for assessing a condition or a risk of developing a condition, and related methods of treatment

Номер патента: US11884984B2. Автор: Sujatha Srinivasan,David N. Fredricks. Владелец: Fred Hutchinson Cancer Research Center. Дата публикации: 2024-01-30.

Computer-aided method for detection of interval changes in successive whole-body bone scans and related computer program product and system

Номер патента: WO2007062135A3. Автор: QIANG LI,Kunio Doi,Daniel Appelbaum,Junji Shiraishi,Yonglin Pu. Владелец: Yonglin Pu. Дата публикации: 2007-10-25.

Methods for confirming detection and evaluating the progression of a prostate cancer and related therapies

Номер патента: US20230375551A1. Автор: Doug Brooks. Владелец: Envision Sciences Pty Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Assembly of conducting tracks, device, and method for the fault detection of a semiconductor circuit

Номер патента: US20180143243A1. Автор: Franz Dietz,Lichao Teng,Markus OST. Владелец: Autolus Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for determining the temperature of a semiconductor component

Номер патента: US20020101906A1. Автор: Wolfgang Spirkl,Jens Braun,Detlev Richter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for the expression in plant of the glutamic acid decarboxylase (gad65) and related expression vectors the present invention concerns a method of expression in plant of glutamic acid decarboxylase (gad65), particularly a mutated form of human gad65 (gad65mut), and expression vectors thereof.

Номер патента: WO2010010594A1. Автор: Alberto Falorni,Linda Avesani,Mario Pezzotti. Владелец: Universita´ Degli Studi Di Verona. Дата публикации: 2010-01-28.

Reset signal generator and a method for generating reset signal of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7795932B2. Автор: Nak-Kyu Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Novel methods for synthetizing enantiopure (s)-methadone, (r)-methadone, racemic (r,s)-methadone and related analogue substances

Номер патента: EP4319733A1. Автор: Brian H. Heasley,Paolo L. Manfredi,Charles E. Inturrisi,Andrea Mattarei,Marco BANZATO,Alberto FURLAN,Alberto ONGARO,Zachary D. TUCKER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-14.

Systems and methods for dispensing liquid through a portion of an ice storage bin and related cleaning processes

Номер патента: US11958735B2. Автор: Paul William Blayle. Владелец: Follett Products LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Novel methods for synthetizing enantiopure (s)-methadone, (r)-methadone, racemic (r,s)-methadone and related analogue substances

Номер патента: CA3216480A1. Автор: Brian H. Heasley,Paolo L. Manfredi,Charles E. Inturrisi,Andrea Mattarei,Marco BANZATO,Alberto FURLAN,Alberto ONGARO,Zachary D. TUCKER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for continuous hot forming a honeycomb filler from prepreg

Номер патента: RU2673049C1. Автор: Вячеслав Юрьевич Шестопалов,Андрей Геннадьевич Вопилов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная компания "РБ-Композит". Дата публикации: 2018-11-21.

Method for excluding the aggressive incompatibility trait from strains of agaricus bisporus, and related strains and lines

Номер патента: US20240107956A1. Автор: Michael Kessler,Richard KERRIGAN,Mark Wach,Michelle SCHULTZ,Anica AMINI,Sylvie DELBECQUE,Mark LOFTUS,Wes SCHULTZ. Владелец: Sylvan Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for excluding the aggressive incompatibility trait from strains of agaricus bisporus and related strains and lines

Номер патента: WO2023250454A1. Автор: Michael Kessler,Richard KERRIGAN,Mark Wach,Michelle SCHULTZ,Anica AMINI,Sylvie DELBECQUE,Mark LOFTUS,Wes SCHULTZ. Владелец: Sylvan Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for controlling voltages of liquid crystal on silicon two-dimensional array and related device

Номер патента: US11953803B2. Автор: TONG Li,HONG Yang,Lei Mao,Liangjia ZONG,Zeshan CHANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of forming a layer comprising magnesium, aluminum, and zinc, and related solids and systems

Номер патента: US20240191347A1. Автор: Michael Eugene Givens,Alessandra Leonhardt,Andrea Illiberi,Aditya Chauhan,Leo Lukose,Vivek Koladi Mootheri,Monica Thukkaram. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for calibrating a microsurgical instrument of a teleoperated robotic surgery system and related system

Номер патента: CA3221175A1. Автор: Giuseppe Maria Prisco,Massimiliano Simi,Matteo Tanzini,Michael John Proctor. Владелец: Medical Microinstruments Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for calibrating a microsurgical instrument of a teleoperated robotic surgery system and related system

Номер патента: AU2022292194A1. Автор: Giuseppe Maria Prisco,Massimiliano Simi,Matteo Tanzini,Michael John Proctor. Владелец: Medical Microinstruments Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for calibrating a microsurgical instrument of a teleoperated robotic surgery system and related system

Номер патента: EP4355243A1. Автор: Giuseppe Maria Prisco,Massimiliano Simi,Matteo Tanzini,Michael John Proctor. Владелец: Medical Microinstruments Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Novel methods for synthetizing enantiopure (s)-methadone, (r)-methadone, racemic (r,s)-methadone and related analogue substances

Номер патента: AU2022254088A1. Автор: Brian H. Heasley,Paolo L. Manfredi,Charles E. Inturrisi,Andrea Mattarei,Marco BANZATO,Alberto FURLAN,Alberto ONGARO,Zachary D. TUCKER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for induction bend forming a pressure-resistant pipe having a large wall thickness and a large diameter

Номер патента: CA2965580C. Автор: August Wilhelm Schäfer. Владелец: AWS Schäfer Technologie GmbH. Дата публикации: 2020-04-28.

Method for determining the dynamic biomechanical characteristics of a musculoskeletal structure and for treatment of musculoskeletal disorders

Номер патента: US5897510A. Автор: Tony S. Keller,Arlan W. Fuhr,James B. Lehneman. Владелец: Activator Methods Inc. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for manufacturing a connecting device for a tower-like structure, and tower-like structure

Номер патента: AU2022302919A1. Автор: David Moeller,Alexander Lindner. Владелец: Rosen 2 Holding Ag. Дата публикации: 2024-01-18.

Systems and methods for dynamic blocks forming a passageway

Номер патента: US9795866B2. Автор: Jeb Belcher,Earl Wilson Belcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for laminating and forming a composite laminate in a single operation

Номер патента: EP1401647A2. Автор: David D'arcy Clifford. Владелец: Dofasco Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Method for improving determination of mode shapes for a mechanical structure and applications hereof

Номер патента: WO2012130237A1. Автор: Rune Brincker. Владелец: Rune Brincker. Дата публикации: 2012-10-04.

Method for manufacturing a connecting device for a tower-like structure and tower-like structure

Номер патента: CA3224098A1. Автор: David Moeller,Alexander Lindner. Владелец: Rosen 2 Holding Ag. Дата публикации: 2023-01-05.

METHOD FOR PREPARING ZnSe QUANTUM DOT, ZnSe QUANTUM DOT, ZnSe STRUCTURE AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20220396729A1. Автор: Yang Liu,Zhuo Chen,Haizheng Zhong,Gaoling YANG,Kai GU,Zhiwei LONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for producing an optical component having a coated internal structure and optical component produced by said method

Номер патента: US11892650B2. Автор: Joerg-Peter Schmidt,Tina Rabis,Benjamin HOEHN. Владелец: Jenoptik AG. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for manufacturing a composite material part having a cellular structure and corresponding part

Номер патента: US20230364868A1. Автор: Patrick Dunleavy,Nicolas Pierre LANFANT. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for producing an optical component having a coated internal structure and optical component produced by said method

Номер патента: US20230213776A1. Автор: Joerg-Peter Schmidt,Tina Rabis,Benjamin HOEHN. Владелец: JENOPTIK OPTICAL SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2023-07-06.

Systems and methods for generating personalized dynamic presentations from non-personalized presentation structures and contents

Номер патента: WO2009037282A3. Автор: Nicolas Rauber,Davy Ea,Eric Chatry. Владелец: Moet Hennessy. Дата публикации: 2009-07-23.

Foamable gel with an aqueous blowing agent expandable to form a unimodal styrenic polymer foam structure and a process for making the foam structure

Номер патента: US5380767A. Автор: Kyung W. Suh,Andrew N. Paquet. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1995-01-10.

Method for preparing peptide-polymer conjugate with stabilized α-helix secondary structure and peptide-polymer conjugate prepared thereby

Номер патента: US10266631B2. Автор: Young-Joo Lee,Yong-Beom Lim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-04-23.

Heat exchange structure, method for producing same, heat exchange device comprising such a structure and uses of same

Номер патента: US20160131444A1. Автор: Olivier Poncelet,Philippe Marty,Jean-Antoine Gruss,Nadia Caney,Remi Bertossi,Antoine Voirand. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2016-05-12.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US20220277129A1. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US12131111B2. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Heat transfer element, method for forming the same and semiconductor structure comprising the same

Номер патента: US12111114B2. Автор: Po-Cheng Huang,Shin-Luh Tarng,Ian HU,Hung-Hsien Huang,Chien-Neng Liao,Jui-Cheng Yu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for manufacturing a micro electro-mechanical system

Номер патента: US20180282154A1. Автор: Martin Heller,Sangtae Park,Jonah DEWALL,Andrew Hocking,Kristin Lynch. Владелец: Kionix Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for manufacturing a micro electro-mechanical system

Номер патента: WO2018187486A1. Автор: Martin Heller,Sangtae Park,Jonah DEWALL,Andrew Hocking,Kristin Lynch. Владелец: Kionix, Inc.. Дата публикации: 2018-10-11.

Systems and methods for optical tracking

Номер патента: US20240353532A1. Автор: Lu Lu,Xuan Wang,JIANG Zhu,Mengfei WANG,Junren WANG,Andrew John Ouderkirk,Tingling Rao,John Ho,Kimberly Kay CHILDRESS,Yuge HUANG,Xiayu FENG,Hsien-Hui Cheng,Steven Alexander-Boyd HICKMAN,Zhexin ZHAO,Zhaoyu Nie,Sawyer Miller,Prathmesh DESHMUKH,Zhaocheng LIU,Boon SHIU,Ali Altaqui,Paurakh Rajbhandary,Amir Shariffar,Sadegh Aghaei,II Raymond Smith,Zhuoliang Ni. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

A heated mould and use of said mould for forming fibre reinforced composites

Номер патента: EP2547499A1. Автор: Flemming Sorensen. Владелец: SSP Technology AS. Дата публикации: 2013-01-23.

Apparatus and method for forming an article

Номер патента: US20010048185A1. Автор: Donald Weder,Frank Craig,Michael King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Apparatus for forming an article

Номер патента: US6296466B2. Автор: Donald E. Weder,Frank Craig,Michael J. King. Владелец: Southpac Trust International Inc, Highland. Дата публикации: 2001-10-02.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Method for manufacturing peripheral nerve-mimicking microtissue and uses thereof

Номер патента: US20240277902A1. Автор: Won Jin LEE,Young-Il Yang,Chung Eun YEUM. Владелец: Innostem Bio. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-03.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: US20050216799A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Precise heat treatment method for low-carbon low-alloy highstrength thin steel sheets

Номер патента: ZA202306225B. Автор: Luo Ping,Li Xianjun,Zhang Wenliang,Jiang Chao,Jia Wei,WANG DECHENG,Sun Lizhuang. Владелец: Beijing Research Institute Of Mechanical & Electrical Tech Co Ltd Cam. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375B1. Автор: Mohamed c/o NXP Semiconductors AZIMANE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-05-21.

Modeling method for rail vehicle collision finite element dummy and simulation system

Номер патента: US20240232475A1. Автор: LIN JING,Kai Liu,Kaiyun Wang,Zhenhao YU,Shaodong ZHENG. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for determining a sampling scheme, a semiconductor substrate measurement apparatus, a lithographic apparatus

Номер патента: EP4235306A3. Автор: Roy Werkman,Erik Jensen,Paul DERWIN,Pieter Gerardus Jacobus SMORENBERG,Putra SAPUTRA,Khalid ELBATTAY,Hyun-Woo Yu,Gautam SARMA. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for producing micro-mesoporous zeolite y and zeolite obtained by this method

Номер патента: RU2650897C1. Автор: Ирина Игоревна Иванова,Елена Евгеньевна Князева,Ирина Вячеславовна Добрякова,Ангелина Александровна Маерле. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2018-04-18.

Method for preparing levulinic acid from lignocellulosic biomass

Номер патента: RU2631242C2. Автор: Уилльям ФРИ,Джеффри Уэйн БРАУН,Джон Патрик КЕЛЛИ,Майкл Юджин КЭРРОЛЛ,Питер Честер ГИОН. Владелец: ДЖОРДЖИЯ-ПЭСИФИК ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-09-20.

Method for manufacturing confectionery product

Номер патента: RU2670011C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2018-10-17.

Method for applying aqueous treatment solution onto surface of moving steel strip

Номер патента: RU2651545C2. Автор: Андреа МАРМАНН,Михель ВИЛЬД,Пауль МИХЕЛЬС. Владелец: ТиссенКрупп Рассельштайн ГмбХ. Дата публикации: 2018-04-20.

Valve for throttling gas flow from a semiconductor processing tool

Номер патента: US12055228B2. Автор: Chang Chun,Yi-Ming Lin,Sheng-chun YANG,Po-Chih Huang,Xuan-Yang Zheng,Ren-Jyue Wang,Tzu-Chuan Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Composite material, method for manufacturing a product made of a composite material, and machine for manufacturing a product made of a composite material

Номер патента: US20230407040A1. Автор: Anthony Mahe,Charles Poisson. Владелец: STOROPACK HANS REICHENECKER GMBH. Дата публикации: 2023-12-21.

System and method for fastening structures

Номер патента: US09676469B2. Автор: Kent W. Benner. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Compositions and methods for treating metachromatic leukodystrophy disease and related disorders

Номер патента: EP4426847A1. Автор: Stephano RIVELLA,Lucas TRICOLI. Владелец: Childrens Hospital of Philadelphia CHOP. Дата публикации: 2024-09-11.

Pharmaceutical gel composition for treatment of diseases, method for obtaining same and respective kit

Номер патента: RU2333743C2. Автор: Петер РОМЕЙС,Хорст БАУЭР,Томас РАЙССМАН,Бертольд РЕСЛЕР. Владелец: Центарис Гмбх. Дата публикации: 2008-09-20.

Welding control method for automatic welding, control device, welding system, program, and welding method

Номер патента: US20240351127A1. Автор: Tatsuya Yoshimoto,Naohide FURUKAWA,Keita OZAKI. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for preparing a dna network with controlled crystal structure and a method for injecting drugs using the dna network

Номер патента: US20230381322A1. Автор: Young Hoon Roh,In Seok Choi,Keon Wook NAM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-11-30.

System and method for extracting materials from biomass

Номер патента: US20060147593A1. Автор: Doug Thorre. Владелец: Biorefining Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for treating drug-resistant bacterial and other infections with clioquinol, phanquinone, and related compounds

Номер патента: WO2009140215A3. Автор: Michel E. Xilinas. Владелец: Geraghty, Erin. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for improving biological nitrogen removal effect of low-temperature sewage

Номер патента: US20240262727A1. Автор: YING Chen,Min Liu. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2024-08-08.

Playing method for playing multi-language contents for education, and data structure and program therefor

Номер патента: US20200286502A1. Автор: Osamu Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-10.

Color filter substrate, method for fabricating the same, display panel and display device

Номер патента: US09535196B2. Автор: Xiaofei Yang,Tianlei Shi,Zailong Mo,Seungyik Park,Haoyuan FAN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

System and method for scheduling manufacturing jobs for a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: TW200530893A. Автор: Hui-Tang Liu,Ko-Pin Chang,Jui-An Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-09-16.

Method for inspecting the quality of a gas sensor, related manufacturing method, and related inspecting apparatus

Номер патента: US20020139168A1. Автор: Yasushi Kawamura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Systems and methods for linear spines forming a spherical basket for improved tissue contact and current delivery

Номер патента: EP4215141A3. Автор: Thanh Nguyen,Keshava Datta,Kevin Mark Okarski,Abubakarr BAH. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Technological method for marking nonmetallic materials by using lasers with different wave bands

Номер патента: CN116038135A. Автор: 请求不公布姓名. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-02.

Technological method for marking nonmetallic materials by using lasers with different wave bands

Номер патента: CN116038135. Автор: 请求不公布姓名. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-02.

Method for manufacturing of embossed substrates with digital printing

Номер патента: RU2731530C2. Автор: Бугарциц БРАНКО,Ирена БРАНКОВ СТОЯНОВИЦ. Владелец: Таркетт ГДЛ С.А.. Дата публикации: 2020-09-03.

Systems and methods for bladder pressure forming a preform into a shaped body

Номер патента: EP4360857A1. Автор: Vijay V. Pujar,Katherine E. Waugh,Christopher C. Koroly. Владелец: Rohr Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Innovative method for improving enzyme activity of NMN biosynthetic enzyme Nampt

Номер патента: US11492627B1. Автор: Jiansheng Chen,Haichao Zhang,Zhigang Duan,Liqing ZHAO,Beijia Huang. Владелец: Hoboomlife Bio Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Method for creating pattern on a metal surface by imprinting with the aid of heating

Номер патента: US20100261030A1. Автор: Rachata Leelaprachakul. Владелец: INTER LICENSE CO Ltd. Дата публикации: 2010-10-14.

Innovative method for improving enzyme activity of nmn biosynthetic enzyme nampt

Номер патента: US20230022968A1. Автор: Jiansheng Chen,Haichao Zhang,Zhigang Duan,Liqing ZHAO,Beijia Huang. Владелец: Hoboomlife Bio Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for measuring the thickness of a layer of material, galvanizing method and related measuring device

Номер патента: US09797709B2. Автор: Jean Inard-Charvin,Geoffrey BRUNO. Владелец: ENOVASENSE. Дата публикации: 2017-10-24.

Concrete protective agent, method for repairing concrete structure, impregnation inducing agent for concrete structure, and defect filling agent for concrete structure

Номер патента: US09700916B2. Автор: Yoshihisa Suzuki,Masaaki Seya,Yasumoto KURIYAMA,Masatoshi ABIKO. Владелец: AES Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor workpieces

Номер патента: WO2007008311A3. Автор: Steve Hummel,Andrzej Buczkowski. Владелец: Andrzej Buczkowski. Дата публикации: 2008-01-10.

Apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor workpieces

Номер патента: WO2007008311A2. Автор: Steve Hummel,Andrzej Buczkowski. Владелец: Nanometrics Incorporated. Дата публикации: 2007-01-18.

Method for optimizing element sizes in a semiconductor device

Номер патента: TW445511B. Автор: Joseph Norton,David Blaauw,Satyamurthy Pullela,Timothy J Edwards,Abhijit Dharchoudhury. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Circuits and methods for changing page length in a semiconductor memory device

Номер патента: TW200425162A. Автор: Yun-sang Lee,One-gyun La. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

METHOD FOR EXPANSION OF A PLANT FOR THE PRODUCTION OF VEHICLE VEHICLES AND RELATED PLANTS

Номер патента: RU2009135794A. Автор: Венсан ТОНДИНИ,Селин ДЕЛОЖЕ,Селин ДЕЛОЖЕ (FR),Венсан ТОНДИНИ (FR). Владелец: Пежо Ситроен Отомобиль Са (Fr). Дата публикации: 2011-04-10.

Method for forming protective surface film on aluminum shaped articles

Номер патента: CA1198038A. Автор: Akira Hasegawa,Koichi Tanikawa. Владелец: Yoshida Kogyo KK. Дата публикации: 1985-12-17.

Method for determining operation conditions for a selected lifetime of a semiconductor device

Номер патента: WO2015050487A1. Автор: Enar Sundell. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2015-04-09.

Method for the expression in plant of the glutamic acid decarboxylase (gad65) and related expression vectors

Номер патента: US20110289630A1. Автор: Alberto Falorni,Linda Avesani,Mario Pezzotti. Владелец: UniversitĂ Degli Studi Di Verona. Дата публикации: 2011-11-24.

Method for calibrating a microsurgical instrument of a teleoperated robotic surgery system and related system

Номер патента: US20240277431A1. Автор: Giuseppe Maria Prisco,Massimiliano Simi,Matteo Tanzini,Michael John Proctor. Владелец: Medical Microinstruments Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Devices and methods for in flight transition VTOL/fixed wing hybrid aircraft structures and flight modes

Номер патента: US09896197B2. Автор: James W Vetter,Eugene H Vetter,Paul A VETTER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-20.

Image viewing method for displaying portion of selected image based on user interaction input and related image viewing system and machine readable medium

Номер патента: US09690458B2. Автор: Chia-Ming Cheng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method and device for electrically contacting components in a semiconductor wafer

Номер патента: US11796567B2. Автор: Roland Zeisel,Michael Bergler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated semiconductor memory and method for reducing leakage currents in an integrated semiconductor memory

Номер патента: US20040238899A1. Автор: HELMUT Fischer,Jens Egerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-02.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: WO2005093761A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2005-10-06.

Method for forming a metal matrix composite structure

Номер патента: US20240181559A1. Автор: Kun Yang,Shiqin Yan,Daniel Liang,Andrew YOB. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated semiconductor memory and method for reducing leakage currents in an integrated semiconductor

Номер патента: US6903423B2. Автор: HELMUT Fischer,Jens Egerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-07.

Method for three-dimensional or multilayer weaving of a fibrous structure and fibrous structure having a three-dimensional or multilayer weave

Номер патента: US20240229307A9. Автор: Dominique Marie Christian Coupe,Célline KRIBS,Adrienne RETIVEAU-LECA. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming a metal matrix composite structure

Номер патента: GB2619852A. Автор: Yang Kun,LIANG Daniel,Yan Shiqin,Yob Andrew. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2023-12-20.

Method for forming a metal matrix composite structure

Номер патента: AU2022246294A1. Автор: Kun Yang,Shiqin Yan,Daniel Liang,Andrew YOB. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2023-10-05.

Electroanalytical methods for predicting the oxidability of a wine or a grape must and related systems

Номер патента: ZA201503100B. Автор: Vidal Stéphane,Philippe Tacchini,Maurizio Ugliano,Jean-Baptiste Dieval. Владелец: NOMACORC LLC. Дата публикации: 2023-03-29.

METHOD FOR PRODUCING METHYLASIC ACID HYDROGEL WITH PROPERTIES OF SUPRAMOLECULAR STRUCTURES AND HYDROGEL OBTAINED BY THIS METHOD

Номер патента: RU2020111213A. Автор: Александр Михайлович Мартыненко,Александр Викторович Чигирик. Владелец: Ооо Биолайн Продактс. Дата публикации: 2021-10-01.

Method for attaching gasket and/or insulator members to plate structures and products formed thereby

Номер патента: CA964304A. Автор: Robert G. Farnam. Владелец: Farnam FD Co. Дата публикации: 1975-03-11.

Heat treatment method for tubular shaft for drive shaft having ball spline structure, and tubular shaft manufactured thereby

Номер патента: EP4086360A4. Автор: Se Jung Park,Dal Soo Jang. Владелец: Erae Ams Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Methods for ex vivo enrichment and expansion of tumor reactive t cells and related compositions thereof

Номер патента: EP4110799B1. Автор: Timothy J. Langer,Brodie James MILES. Владелец: Turnstone Biologics Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

System and method for forming features on a semiconductor substrate

Номер патента: EP1308784A2. Автор: Dennis Warner,Darius Brown. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-07.

Monitor system and method for semiconductor processes

Номер патента: US20150148933A1. Автор: Chih-Wei Huang,Feng-Ning Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Method for determining a sampling scheme, a semiconductor substrate measurement apparatus, a lithographic apparatus

Номер патента: EP4235306A2. Автор: Roy Werkman,Erik Jensen,Paul DERWIN,Pieter Gerardus Jacobus SMORENBERG,Putra SAPUTRA,Khalid ELBATTAY,Hyun-Woo Yu,Gautam SARMA. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for forming patterns of a semiconductor device using a mixed assist feature system

Номер патента: TW201001492A. Автор: Jeon-Kyu Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-01.

Systems and Methods for Linear Spines Forming a Spherical Basket for Improved Tissue Contact and Current Delivery

Номер патента: IL300020A. Автор: Nguyen Thanh,Datta Keshava,Mark Okarski Kevin,Bah Abubakarr. Владелец: Bah Abubakarr. Дата публикации: 2023-08-01.

Systems and Methods for Linear Spines Forming a Spherical Basket for Improved Tissue Contact and Current Delivery

Номер патента: IL309667A. Автор: Thomas Beeckler Christopher,Mark Okarski Kevin,Khan Ishan. Владелец: Khan Ishan. Дата публикации: 2024-07-01.

Systems and methods for tripodic spines forming a spherical basket for improved tissue contact and current delivery

Номер патента: EP4215142B1. Автор: Thanh Nguyen,Keshava Datta,Kevin Mark Okarski,Abubakarr BAH. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Liquid crystal aligning agent, method for forming liquid crystal alignment film, liquid crystal display device, and related compounds

Номер патента: KR101654018B1. Автор: 히로유키 야스다,타카시 나가오,마사미 사카모토. Владелец: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 지바 다이가쿠. Дата публикации: 2016-09-05.

Methods for decreasing non-specific binding of beads in dual bead assays including related optical biodiscs and disc drive systems

Номер патента: US20020172980A1. Автор: Brigitte Phan,Amethyst Lam,KaYuen Yeung. Владелец: Burstein Technologies Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Systems and methods for water production, treatment, adjustment and storage

Номер патента: WO2023059834A1. Автор: Michael Robinson,Jonathan Goldberg,Joshua Peterson,Cody Friesen,G. Michael RAY. Владелец: Source Global, PBC. Дата публикации: 2023-04-13.

Methods and systems for identifying a cell suspension with therapeutic potential and related compositions

Номер патента: AU2022264379A1. Автор: Katie BUSH,Niraj DOSHI,Amelia HOPKIN,Briana LEE ALTMAN. Владелец: Avita Medical Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Inhibitors of bacterial glutaminyl cyclases for use in the treatment of periodontal and related diseases

Номер патента: US11958871B2. Автор: Anke PIECHOTTA,Holger Cynis,Daniel Ramsbeck,Mirko Buchholz,Christian Jager,Linda LIEBE,Miriam LINNERT,Stefanie Geißler,Diane MEITZNER. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-04-16.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A1. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Methods and systems for identifying a cell suspension with therapeutic potential and related compositions

Номер патента: EP4330668A1. Автор: Katie BUSH,Niraj DOSHI,Amelia HOPKIN,Briana LEE ALTMAN. Владелец: Avita Medical Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Systems and methods for water production, treatment, adjustment and storage

Номер патента: US20230113840A1. Автор: Michael Robinson,Jonathan Goldberg,Joshua Peterson,Cody Friesen,G. Michael RAY. Владелец: Source Global PBC. Дата публикации: 2023-04-13.

Systems and methods for water production, treatment, adjustment and storage

Номер патента: AU2022358678A1. Автор: Michael Robinson,Jonathan Goldberg,Joshua Peterson,Cody Friesen,G. Michael RAY. Владелец: Source Global PBC. Дата публикации: 2024-05-02.

Composition and pharmaceutical preparation containing same for the treatment of herpes and related viral infections

Номер патента: AU9150198A. Автор: Hong-Xi Xu,Jonathan Blay,Wai-Choong Foong,Song F. Lee,Spencer H. S. Lee. Владелец: DALHOUSIE UNIVERSITY. Дата публикации: 1999-04-12.

Apparatus, system and method for securing an enclosure

Номер патента: US20210055330A1. Автор: II Tyler Dean Todd,James Michael Holcomb,Aditya Kumar Palthi,Donald Mark DeWalch. Владелец: Dewalch Technologies Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Apparatus, System and Method for Securing an Enclosure

Номер патента: US20240168061A1. Автор: James Michael Holcomb,Aditya Kumar Palthi,Donald Mark DeWalch,Tyler Dean Todd II. Владелец: Dewalch Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for producing semiconductor device and a semiconductor device, more especially a membrane sensor

Номер патента: EP1544163A2. Автор: Hubert Benzel,Frank Schaefer,Simon Armbruster,Gerhard Lammel,Christoph Schelling,Joerg Brasas. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2005-06-22.

Semiconductor memory device and method for reading data from such a semiconductor memory device

Номер патента: DE4206079C2. Автор: Mitsuru Sugita,Toyokatsu Nakajima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-08-03.

A method for preventing, mitigating and/or treating ptgs2-induced skin disorders and related dysfunctions

Номер патента: WO2024061476A1. Автор: Dominik Stuhlmann,Maria REICHENBACH,Paul Slavashevich,Michele Massironi,Cristina GIRARDI. Владелец: SYMRISE AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for the in-line detection of characteristic dimensions of ribbed profiles and related device

Номер патента: EP1716391A1. Автор: Lorenzo Ciani. Владелец: DANIELI AUTOMATION SPA. Дата публикации: 2006-11-02.

A method for partially stripping a coating from the surface of a substrate, and related articles and compositions

Номер патента: CA2444171C. Автор: Bin Wei,Stephen J. Ferrigno,Michael J. Shaw,Warren D. Grossklaus,Leo S. Macdonald,John R. Lagraff,Tris Colaizzi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2009-12-22.

Method for evaluating the lifetime of a semiconductor material and device for implementing this method.

Номер патента: FR2713826B1. Автор: Yoichiro Ogita,Tateo Kusama. Владелец: Semitex Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-07.

Method for analyzing the operation of a semiconductor device, method for analyzing a specific physical phenomenon and device for carrying out these methods

Номер патента: DE69033893T2. Автор: Mamoru Kurata,Shin Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for depositing a layer on a semiconductor wafer by means of CVD and chamber for carrying out the method

Номер патента: CN101634014A. Автор: G·布伦宁格,A·艾格纳. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2010-01-27.

Method for depositing a layer on a semiconductor wafer by chemical vapor deposition (CVD) and a chamber for carrying out the method

Номер патента: TWI386525B. Автор: Georg Brenninger,Alois Aigner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-02-21.

Optical component and method for coating optical component

Номер патента: US10670777B2. Автор: Jens Prochnau,Joerg Puetz. Владелец: tooz technologies GmbH. Дата публикации: 2020-06-02.

Method for manufacturing microstructure

Номер патента: US20150060405A1. Автор: Takayuki Teshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Optical component and method for coating optical component

Номер патента: US20190079215A1. Автор: Jens Prochnau,Joerg Puetz. Владелец: tooz technologies GmbH. Дата публикации: 2019-03-14.

Systems and methods for via placement

Номер патента: US9547742B2. Автор: Chi-Min Yuan. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Systems and methods for via placement

Номер патента: US20160314238A1. Автор: Chi-Min Yuan. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-27.

METHOD FOR MANAGING THE PROVISIONING OF AN INTERACTIVE APPLICATION, A RELATED SYSTEM AND RELATED SERVER

Номер патента: US20130085856A1. Автор: Vlad Mihai,Levene Adam,Tillotson Samuel,Vermeulen Steven,Van Trier Annick. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2013-04-04.

Method for manufacturing a honeycomb

Номер патента: RU2651012C1. Автор: Алексей Михайлович Крюков,Валерий Семёнович Волков,Юрий Германович Мурашкин,Галина Сергеевна Шуль. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2018-04-18.

Method for producing a luminescent oxygen-sensitive material

Номер патента: RU2665003C1. Автор: Юрий Владимирович Миронов,Наталья Андреевна Воротникова,Юрий Андреевич Воротников,Михаил Александрович Шестопалов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-08-24.

Methods and systems for forming slots in a semiconductor substrate

Номер патента: US20030140496A1. Автор: Mark MacKenzie,Mehrgan Khavari,Rio Rivas,Shen Buswell,Paul Templin,Conrad Jenssen. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-31.

Method for iontophoretic delivery of antiviral agents

Номер патента: US5908401A. Автор: Julian L. Henley. Владелец: APS Organization LLP. Дата публикации: 1999-06-01.

Iontophoretic drug delivery apparatus and method for use

Номер патента: CA2253671C. Автор: Julian L. Henley. Владелец: Biophoretic Therapeutic Systems LLC. Дата публикации: 2007-07-10.

Method for regulating voltage characteristics of a latch circuit, method for regulating voltage characteristics of a semiconductor device, and regulator of voltage characteristics of a latch circuit

Номер патента: WO2010143707A1. Автор: 鈴木　誠,俊郎平本,貴康桜井. Владелец: 国立大学法人東京大学. Дата публикации: 2010-12-16.

Method for preparing agrocybe cylindracea fermented kudzuvine root and coix seeds beverage

Номер патента: US20240016191A1. Автор: Yun Yang,Laping HE,Cuiqin Li. Владелец: GUIZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for processing tasks in parallel, device and storage medium

Номер патента: US11954522B2. Автор: Yanjun Ma,Haifeng Wang,Dianhai Yu,Daxiang Dong. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Methods for dynamic contextualization of third-party data in a web browser, and related systems and apparatus

Номер патента: US11860960B1. Автор: Max Schultz,Yangxu Mao,Ryan Booth,Chin Keong Ling,Haroon Rasheed Paul Mohamed,Gaurav Kataria. Владелец: Entelo Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

A method for organizing data and generating images of reference biological structures and related materials and the images and materials so generated

Номер патента: GB201118530D0. Автор: . Владелец: BONO BERNARD DE. Дата публикации: 2011-12-07.

Electric leakage detection method for electronic device, electronic equipment and storage medium

Номер патента: EP4261555A1. Автор: Dong Liu,Jing Zhao. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Method for producing water dispersible sterol formulations

Номер патента: AU1735899A. Автор: Richard D. Bruce,Brid Burruano,Michael R. Hoy,John D. Higgins Iii. Владелец: McNeil PPC Inc. Дата публикации: 2000-06-08.

Method for obtaining movement track of user and terminal

Номер патента: EP3812706A1. Автор: QI Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-28.

METHOD OF CLASSIFYING HUMAN SUBJECTS HAVING ADOLESCENT IDIOPATHIC SCOLIOSIS (AIS) AND METHOD FOR SCREENING FOR A COMPOUND USEFUL IN THE TREATMENT OF AIS AND RELATED SYNDROMES CAUSING SPINAL DEFORMITIES

Номер патента: US20130115615A1. Автор: MOREAU ALAIN. Владелец: HOPITAL SAINTE-JUSTINE. Дата публикации: 2013-05-09.

METHODS FOR PRODUCING A CAVITY WITHIN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20130270658A1. Автор: Winkler Bernhard,Behrendt Andreas,Schreiber Kai-Alexander,Sgouridis Sokratis,Zgaga Martin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-10-17.

APPARATUSES AND METHODS FOR IDENTIFYING MEMORY DEVICES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE SHARING AN EXTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20220035539A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

APPARATUSES AND METHODS FOR CALIBRATING SENSE AMPLIFIERS IN A SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20190035436A1. Автор: Schippers Stefan Frederik. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

METHOD FOR ASSEMBLING AN UPHOLSTERY FOR A SEAT OR FOR STUFFED FURNITURE AND RELATED UPHOLSTERY

Номер патента: US20190039488A1. Автор: TRENTADUE Giovanni Battista. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

Surgical tool for forming incisions in ocular tissue with tip providing visibility and related apparatus and method

Номер патента: US20190060124A1. Автор: David G. Ozinga,David J. Schanzlin. Владелец: Refocus Group Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

ASSEMBLY OF CONDUCTING TRACKS, DEVICE, AND METHOD FOR THE FAULT DETECTION OF A SEMICONDUCTOR CIRCUIT

Номер патента: US20180143243A1. Автор: Dietz Franz,Teng Lichao,Ost Markus. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

METHOD FOR THE SURFACE TREATMENT OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20170182768A1. Автор: Porro Fabrizio. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

APPARATUSES AND METHODS FOR CALIBRATING SENSE AMPLIFIERS IN A SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20190244642A1. Автор: Schippers Stefan Frederik. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-08.

METHOD FOR PLACING OPERATIONAL CELLS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140351781A1. Автор: Priel Michael,Rozen Anton,BERKOVITZ ASHER. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-11-27.

METHODS FOR DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING AT LEAST ONE RISK VIA

Номер патента: US20160283634A1. Автор: KIM Byung-Moo,PAEK Seung Weon. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

METHODS FOR PRODUCING A CAVITY WITHIN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20150368097A1. Автор: Winkler Bernhard,Behrendt Andreas,Schreiber Kai-Alexander,Sgouridis Sokratis,Zgaga Martin. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Method for improving thickness uniformity on a semiconductor wafer during chemical mechanical polishing

Номер патента: US6626741B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Yu-Ku Lin,Ting-Chun Wang,Shih-Tzung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-09-30.

Method for single sided polishing of a semiconductor wafer

Номер патента: US5389579A. Автор: Raymond C. Wells. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-02-14.

Method for immobilizing molecular probes to a semiconductor oxide surface

Номер патента: US20060121501A1. Автор: Harry Jabs,Dennis Wright. Владелец: Stanislaw Burzynski. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for changing over switch-type high-voltage semiconductor structures (options)

Номер патента: RU2113744C1. Автор: Алексей Федорович Кардо-Сысоев,Владимир Михайлович Ефанов. Владелец: Владимир Михайлович Ефанов. Дата публикации: 1998-06-20.

Method for preventing and treating influenza in pre-epidemic and epidemic environment and related drug preparation for implementation thereof

Номер патента: RU2443431C1. Автор: Николай Александрович Контаров,Галина Васильевна Архарова. Владелец: Николай Александрович Контаров. Дата публикации: 2012-02-27.

Method for production of concrete and reinforced concrete items, monolithic structures and works

Номер патента: RU2378229C1. Автор: Олег Альбертович Жупник,Виктор Рудольфович Кялов. Владелец: Виктор Рудольфович Кялов. Дата публикации: 2010-01-10.

Method for determining thermo-physical properties of multi-layered building structures and products

Номер патента: RU2287807C1. Автор: Алексей Владимирович Чернышов,Алена Сергеевна Слонова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" (ГОУ ВПО ТГТУ). Дата публикации: 2006-11-20.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Substrate for epitaxial depositing of semiconductor structures made of nitrides of group xiii chemical elements as well as method for producing substrate for epitaxial depositing of semiconductor structures made of nitrides of group xiii chemical elements

Номер патента: PL359946A1. Автор: Robert Dwilinski,Roman Doradzinski,Jerzy Garczynski,Yasuo Kanbara,Leszek P. Sierzputowski. Владелец: Ammono Sp.Z O.O.. Дата публикации: 2004-11-02.

Semiconductor circuit and method for mitigating current variation in a semiconductor circuit

Номер патента: TW200935731A. Автор: Chih-Chien Hung,Sy-Chyuan Hwu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-08-16.

Improvements in and relating to monolithic semiconductor structures

Номер патента: AU416083B2. Автор: PAUL HAROLD BARDELL PAUL PHILIP CASTUCCI ROBERT ATHANISUS HENLE RAYMOND PHILIP PECORARO and MARTIN STEPHEN HESS BENJAMIN AGOSTA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1968-09-12.

Improvements in and relating to monolithic semiconductor structures

Номер патента: AU1880667A. Автор: PAUL HAROLD BARDELL PAUL PHILIP CASTUCCI ROBERT ATHANISUS HENLE RAYMOND PHILIP PECORARO and MARTIN STEPHEN HESS BENJAMIN AGOSTA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1968-09-12.

TEMPORARY SEMICONDUCTOR STRUCTURE BONDING METHODS AND RELATED BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20120013013A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-19.

System and method for testing for defects in a semiconductor memory

Номер патента: TW201225098A. Автор: Cheng-Chi Liu,Yin-Chin Huang,Yi-Fang Chang,Chu-Pang Huang,Min-Kuang Li,Chang-Chan Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-16.

Method for simultaneously extracting active multi-enzymes and organic selenium from aloe

Номер патента: ZA202309383B. Автор: Changhong Li,Yinfei Zhou. Владелец: Changhong Li. Дата публикации: 2024-04-24.

METHOD FOR MEASURING SERIAL RESISTANCE OF A SEMICONDUCTOR DIODE BASE

Номер патента: RU2013145530A. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Илья Владимирович Фролов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-04-20.

Method for diffusion of antimony into a semiconductor

Номер патента: CA868645A. Автор: L. Gittler Frank. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1971-04-13.

Manufacturing method for a node contact on a semiconductor chip

Номер патента: TW430976B. Автор: Szu-Min Lin,Chuan-Fu Wang,Chin-Hui Lee,Jung-Chao Chiou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-21.

Method for protecting the apparatus in a semiconductor chamber

Номер патента: TW446996B. Автор: Wen-Chin Tzeng,Chuen-Ji Pang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-07-21.

METHODS OF FORMING BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING TWO OR MORE PROCESSED SEMICONDUCTOR STRUCTURES CARRIED BY A COMMON SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES FORMED BY SUCH METHODS

Номер патента: US20120248622A1. Автор: Sadaka Mariam. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2012-10-04.

Method for forming laminated synthetic leather

Номер патента: NZ533450A. Автор: Swei Mu Wang. Владелец: Swei Mu Wang. Дата публикации: 2005-10-28.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20120171825A1. Автор: MASUOKA Fujio,LEE Keon Jae. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

SEMICONDUCTURE STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SEMICONDUCTOR STRUCTURE THAT PROVIDES TWO INDIVIDUAL RESISTORS OR A CAPACITOR

Номер патента: US20120244676A1. Автор: Klatt Jeffrey. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-27.

TEST STRUCTURE AND METHODOLOGY FOR THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20120264241A1. Автор: Bernstein Kerry,Kartschoke Paul D.,Cann Jerome L.,Durham Christopher M.,Klim Peter J.,Wheater Donald L.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for use in forming a magnet unit for a loudspeaker

Номер патента: GB202314235D0. Автор: . Владелец: PSS Belgium NV. Дата публикации: 2023-11-01.

METHOD FOR QUALITY CONTROL INSTALLATION OF ACOUSTIC TRANSFERS ON METAL STRUCTURE AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2005113384A. Автор: Алексей Николаевич Серьезнов,Людмила Николаевна Степанова,Виталий Васильевич Муравьев,Сергей Иванович Кабанов,Андрей Евгеньевич Кареев,Борис Михайлович Харламов,Виталий Васильевич Муравьев (RU),Людмила Николаевна Степанова (RU),Сергей Иванович Кабанов (RU),Алексей Николаевич Серьезнов (RU),Андрей Евгеньевич Кареев (RU),Борис Михайлович Харламов (RU). Владелец: ФГУП "Сибирский научно-исследовательский институтавиации им. С.А. Чаплыгина" (ФГУП "СибНИА им. С.А. Чаплыгина") (RU). Дата публикации: 2006-11-10.

Device for forming photoresponse image of analyzed semiconductor structure

Номер патента: SU1109955A1. Автор: Александр Георгиевич Бутаев,Ваан Норайрович Амазаспян. Владелец: - 2. Дата публикации: 1984-08-23.

Method for forming isolation on a semiconductor device

Номер патента: KR0166835B1. Автор: 정문모. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-02-01.

Method for forming electrode in a semiconductor device

Номер патента: JPS51147959A. Автор: Yuji Kusano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1976-12-18.

METHODS FOR STRESSING TRANSISTOR CHANNELS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, AND A RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20130001575A1. Автор: Forbes Leonard,Bhattacharyya Arup,Farrar Paul A.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

METHODS FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES WITH PHOTOIMAGEABLE DIELECTRIC ADHESIVE MATERIAL, AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES

Номер патента: US20130299986A1. Автор: Gandhi Jaspreet S.,Wirz Brandon P.,Sun Yangyang,Woodland Josh D.,Koopmans Michel. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

A resin composition for encapsulation, and a method for manufacturing a rearranged wafer, a semiconductor package, and a semiconductor package using the resin composition.

Номер патента: JP6915256B2. Автор: 智子上田,浩司太田,武史中村,英俊井上,井上　英俊,来佐藤,裕司竝木. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-04.

METHOD FOR PRODUCING CONTACT OPENINGS IN A SEMICONDUCTOR BODY AND SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURES ON A SEMICONDUCTOR BODY

Номер патента: US20120315759A1. Автор: Hofer Heimo,Poelzl Martin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-12-13.

Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты