Generating test patterns used in testing semiconductor integrated circuit.

Generating test patterns used in testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060031732A1
Опубликовано: 09-02-2006
Автор(ы): Masahiro Ishida, Takahiro Yamaguchi
Принадлежит: Advantest Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Generating test patterns used in testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7225377B2. Автор: Takahiro Yamaguchi,Masahiro Ishida. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2007-05-29.

Method and apparatus for generating test patterns used in testing semiconductor integrated ciruit

Номер патента: US20020035708A1. Автор: Takahiro Yamaguchi,Masahiro Ishida. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210063484A1. Автор: Yuki Watanabe,Masato Nakazato,Shohei Morishima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Methods for generating test patterns for sequential circuits

Номер патента: US20100023824A1. Автор: Delmas R. Buckley, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Generating test patterns having enhanced coverage of untargeted defects

Номер патента: US7509600B2. Автор: Chen Wang,Janusz Rajski,Huaxing Tang. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Method and apparatus for performing test pattern autograding

Номер патента: US20070089008A1. Автор: George Wood,Amol Bhinge. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Testing apparatus and testing method for an integrated circuit, and integrated circuit

Номер патента: US20070168816A1. Автор: Hideaki Konishi,Daisuke Maruyama,Junko Kumagai,Takahisa Hiraide,Hitoshi Yamanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Dynamic scan obfuscation for integrated circuit protections

Номер патента: US12072379B2. Автор: Krishnendu Chakrabarty,Arjun CHAUDHURI,Jonti TALUKDAR. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2024-08-27.

Built-in testing in modular system-on-chip device

Номер патента: EP4231152A1. Автор: Xiongzhi NING,Steffen DOLLING,Yuyi Tang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Apparatus for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040177302A1. Автор: Teruhiko Funakura,Hisaya Mori,Hisayoshi Hanai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Hierarchal test block test pattern reduction in on-product test compression system

Номер патента: US20150253383A1. Автор: Steven M. Douskey,Mary P. Kusko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Hierarchal test block test pattern reduction in on-product test compression system

Номер патента: US20150253382A1. Автор: Steven M. Douskey,Mary P. Kusko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Apparatus and method for testing integrated circuits

Номер патента: US5583786A. Автор: Wayne Needham. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-12-10.

Method and device for detecting a malicious circuit on an integrated circuit

Номер патента: US20190318083A1. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-10-17.

Built-in self-test system and method for self test of an integrated circuit

Номер патента: US5515383A. Автор: Mehdi Katoozi. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1996-05-07.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of testing an integrated circuit and testing system

Номер патента: US20240094281A1. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Ankita Patidar. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of testing an integrated circuit and testing system

Номер патента: US11879933B2. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Ankita Patidar. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and burn-in test method thereof

Номер патента: US20210123972A1. Автор: Koji Suzuki,Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor integrated circuit and rotation detection device

Номер патента: US20200033400A1. Автор: Hideki Shimauchi,Akio Kamimurai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Method and apparatus for generating test pattern for circuit blocks

Номер патента: EP1059584A3. Автор: Shigekazu c/o NEC Corporation Otsuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-07.

Test pattern generation systems and methods

Номер патента: US12039247B2. Автор: Hsu-Ting Huang,Ru-Gun Liu,Fu-An Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Test pattern generation systems and methods

Номер патента: US20240338510A1. Автор: Hsu-Ting Huang,Ru-Gun Liu,Fu-An Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Test pattern generation systems and methods

Номер патента: US20210365625A1. Автор: Hsu-Ting Huang,Ru-Gun Liu,Fu-An Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Tests for integrated circuit (IC) chips

Номер патента: US11994559B2. Автор: Lakshmanan Balasubramanian,Rubin Parekhji,Kalyan Chakravarthi Chekuri,Swathi G. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

System and Method for Determining a Guard Band for an Operating Voltage of an Integrated Circuit Device

Номер патента: US20080189090A1. Автор: Iwao Takiguchi,Yoichi Nishino,Makoto Aikawa,Gilles Gervais,Tetsuji Tamura,Sang H. Dhong,Yaping Zhou,Brian Flachs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20070288817A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20060123299A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Systems and methods for generating test vectors to analyze cells of electronic gates

Номер патента: US20040243948A1. Автор: Eric Lee,Charles Pie. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-12-02.

Diagnosing multicycle faults and/or defects with single cycle ATPG test patterns

Номер патента: US11740284B1. Автор: Arvind Chokhani,Joseph Michael Swenton,Martin Thomas Amodeo. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Method and apparatus for validating a test pattern

Номер патента: WO2015087114A1. Автор: Sergey Sofer,Yoav MILLER,Asher BERKOVITZ. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090083712A1. Автор: Shuichi Kunie,Hiroki Machimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Automatic test pattern generation circuitry in multi power domain system on a chip

Номер патента: EP4174502A1. Автор: Manish Sharma,V Narayanan SRINIVASAN,Tripti Gupta. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-05-03.

Semiconductor Integrated Circuit, Operating Method of Semiconductor Integrated Circuit, and Debug System

Номер патента: US20140070840A1. Автор: Takashi Sato,Ken Ryu,Toshiaki Saruwatari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor integrated circuit, operating method of semiconductor integrated circuit, and debug system

Номер патента: US8595562B2. Автор: Takashi Sato,Ken Ryu,Toshiaki Saruwatari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-11-26.

Synthesis for random testability using unreachable states in integrated circuits

Номер патента: US20190146031A1. Автор: Haoxing Ren,Spencer K. Millican,Mary P. Kusko,Victor N. Kravets. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Integrated circuit tester

Номер патента: US5398252A. Автор: Kazuhiko Ohashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-03-14.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US20180100897A1. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US09846201B2. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of designing semiconductor integrated circuit using test point insertion adjustable to delay time

Номер патента: US20080148209A1. Автор: Toshiyuki Maeda,Toshiharu Asaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Method and device for predicting reliability failure rate of semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170206302A1. Автор: Yoo Hwan KIM,Sang Woo Pae,Jeong Min JO,Hye Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of design for testability, method of design for integrated circuits and integrated circuits

Номер патента: US20020129322A1. Автор: Toshinori Hosokawa,Masayoshi Yoshimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

System and method for automatically analyzing and managing loss factors in test process of semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: TW552426B. Автор: Sung-Ok Kim,Kyu-Sung Lee,Ae-Yong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-11.

Apparatus and Method For Generating Test Pattern Data For Testing Semiconductor Device

Номер патента: US20080040639A1. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of generating test pattern for integrated circuit

Номер патента: US20040153930A1. Автор: Hisashi Yamauchi. Владелец: Hisashi Yamauchi. Дата публикации: 2004-08-05.

Method of generating test pattern for integrated circuit

Номер патента: US20020046376A1. Автор: Hisashi Yamauchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-18.

Device for generating test pattern

Номер патента: US09594115B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Integrated Circuit Self-Monitored Burn-In

Номер патента: US20100271064A1. Автор: Richard J. McPartland,Wayne E. Werner,Ross A. Kohler,Larry Christopher Wall. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method and apparatus for generating test pattern for sequence detection

Номер патента: US6061817A. Автор: Christopher W. Jones,Peter L. Higginson. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-05-09.

Test pattern generation apparatus, test pattern generation method, and medium storing test pattern generation program

Номер патента: US20100269076A1. Автор: Fumiyuki Yamane. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Test scheduling and test access in test compression environment

Номер патента: EP2548037A1. Автор: Tyszer Jerzy,Mrugalski Grzegorz,Janicki Jakub,Nilanjan Mukherjee,Janusz Rajski,Mark A. Kassab. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090102531A1. Автор: Hideo Ito,Kazutero Nanba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Testability method for modularized integrated circuits

Номер патента: US6060897A. Автор: Rami Saban,Alon Shacham,Peleg Lior,Yomtov Sidi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-05-09.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Internally generating patterns for testing in an integrated circuit device

Номер патента: US7313740B2. Автор: Adrian E. Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2007-12-25.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: EP4336197A3. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Frequency Scaled Segmented Scan Chain for Integrated Circuits

Номер патента: US20160266202A1. Автор: Rajesh Kumar Mittal,Vivek Singhal,Wilson Pradeep. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor integrated circuit having test circuit

Номер патента: US20020194564A1. Автор: Toshiyuki Tsujii,Masahiko Hyozo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Handling of Undesirable Distribution of Unknown Values in Testing of Circuit Using Automated Test Equipment

Номер патента: US20150025819A1. Автор: Rohit Kapur,Parthajit Bhattacharya,Jyotirmoy Saikia,Anshuman Chandra,Subramanian Chebiyam. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Circuit test pattern edition apparatus, circuit test pattern editing method, and signal-bearing medium embodying a program of circuit test pattern edition

Номер патента: US7451372B2. Автор: Yoshihiro Konno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-11-11.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: EP1472552A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2004-11-03.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: WO2003060534A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2003-07-24.

Integrated circuit and method of operating an integrated circuit

Номер патента: US09804224B2. Автор: Ilan Cohen,Eyal Melamed-Kohen,Shlomi Sde-Paz. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Testing apparatus and testing method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593765B1. Автор: Takahiro Yamaguchi,Masahiro Ishida,Yoshihiro Hashimoto. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2003-07-15.

Methods, systems, and apparatus for testing semiconductor packages

Номер патента: US20170261548A1. Автор: Jae Hong Kim,Ji Nyeong Yun,Jae Moo CHOI,Jong Pill Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Apparatus for testing semiconductor device

Номер патента: US11585848B1. Автор: Ji Man PARK,Jong Kyoung Shin. Владелец: EXICON Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Multiple rate signature test to verify integrated circuit identity

Номер патента: US09664736B2. Автор: Soh Ying Seah,Gunvant Patel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Loopback testing of integrated circuits

Номер патента: US12123908B1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Shai Cohen,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

CMOS Integrated circuits and test method and apparatus therefor

Номер патента: GB2310290B. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-17.

CMOS Integrated circuits and test method and apparatus therefor

Номер патента: GB9702379D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-03-26.

Test mode entering in an integrated circuit for use in floppy disk drive apparatus

Номер патента: EP1134660A3. Автор: Munehisa Haitani. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-14.

Test data generator, test system and method thereof

Номер патента: US20070061656A1. Автор: Du-sik Yoo,Jin-mo Jang,Byung-Wook Ahn,Young-Bu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-15.

Determining the effects of noise or crosstalk in an integrated circuit

Номер патента: GB2410802A. Автор: William Eric Corr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-10.

Macro model of a semiconductor integrated circuit device, a circuit design simulation program, and a circuit design simulator

Номер патента: US20240012052A1. Автор: Takuya Katayama,Kyoji Marumoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor integrated circuit and method for desigining the same

Номер патента: US20130305208A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20120242368A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Testing system for evaluating integrated circuits, a testing system, and a method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20020073370A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Testing system for evaluating integrated circuits, a burn-in testing system, and a method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20010039065A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Power supply arrangement for integrated circuit tester

Номер патента: US20050194989A1. Автор: Will MILLER,William DeVey,Anthony Delucco. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies

Номер патента: US09726722B1. Автор: Yosef Solt. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Monitor circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and method of controlling power supply voltage of semiconductor device

Номер патента: US09647654B2. Автор: Hirotaka Hara,Tadashi Kameyama,Yohei Akita,Takanobu Naruse. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Test circuit for very low voltage and bias scan testing of integrated circuit

Номер патента: US09551749B2. Автор: Jianzhou Wu,Wanggen Zhang,Huangsheng Ding. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-24.

Integrated circuit I/O integrity and degradation monitoring

Номер патента: US11762789B2. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Shai Cohen,Inbar Weintrob,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Scheme for masking output of scan chains in test circuit

Номер патента: US09588179B2. Автор: Rohit Kapur,Jyotirmoy Saikia. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Scheme for Masking Output of Scan Chains in Test Circuit

Номер патента: US20140372822A1. Автор: Rohit Kapur,Jyotirmoy Saikia. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Integrated circuit automatic test system and integrated circuit automatic test method storing test data in scan chains

Номер патента: US20180038911A1. Автор: Kuen-Jong Lee,Ping-Hao Tang. Владелец: Natioanl Cheng Kung University. Дата публикации: 2018-02-08.

Integrated circuits capable of generating test mode control signals for scan tests

Номер патента: WO2013173192A1. Автор: Rubin Ajit Parekhji,Rajesh Mittal,Prakash Narayanan,Puneet Sabbarwal. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-11-21.

Test pattern generating apparatus, method for automatically generating test patterns and computer program product for executing an application for a test pattern generating apparatus

Номер патента: US20060005094A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Circuit for efficiently testing memory and shadow logic of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6263461B1. Автор: Ajay Khoche,Amitava Majumdar,Timothy Ayres. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Apparatus and method of generating test pattern, test system using the same, and computer program therefor

Номер патента: US09933486B2. Автор: Jae Seok KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Test apparatus, pattern generator, test method and pattern generating method

Номер патента: US20080319700A1. Автор: Eiji Harada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for testing semiconductor integrated circuit and method for verifying design rules

Номер патента: US20090265593A1. Автор: Tomoko Nobekawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Generating test sets for diagnosing scan chain failures

Номер патента: US09977080B2. Автор: YU HUANG,Wu-Tung Cheng,Ruifeng Guo. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Single-Pass Methods for Generating Test Patterns for Sequential Circuits

Номер патента: US20050166114A1. Автор: Delmas Buckley. Владелец: Yardstick Res LLC. Дата публикации: 2005-07-28.

Test pattern generating apparatus

Номер патента: US5434869A. Автор: Hisao Niwa,Kazuhiro Kayashima,Hidetsugu Maekawa,Seiichi Shin,Yasuharu Shimeki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-07-18.

Circuitry for staggering capture clocks in testing electronic circuits with multiple clock domains

Номер патента: WO2024148502A1. Автор: Bala Tarun Nelapatla,Peter Wohl,Ke Xue,Likith Kumar MANCHUKONDA,Mona MARMASH. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatus and method for diagnosing integrated circuit, and integrated circuit

Номер патента: US20030229838A1. Автор: Takahisa Hiraide. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Logic built in self test circuitry for use in an integrated circuit with scan chains

Номер патента: US20170192054A1. Автор: Cedric Lichtenau,Mary P. Kusko,Raghu G. Gopalakrishnasetty,Satya R.S. Bhamidipati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Circuit for testing integrated circuits

Номер патента: US09689924B2. Автор: Jasvir Singh,Anirudha KULKARNI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-06-27.

Circuit for testing integrated circuits

Номер патента: US09632140B2. Автор: Jasvir Singh,Anirudha KULKARNI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for generating test pattern sets during a functional simulation and apparatus

Номер патента: US5781718A. Автор: Van Minh Nguyen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: MY115272A. Автор: Kiyoshi Imai,Seiichi Taguchi,Toshiaki Tsuji,Taku Takada. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-31.

Generating test sets for diagnosing scan chain failures

Номер патента: US20120216088A1. Автор: YU HUANG,Wu-Tung Cheng,Ruifeng Guo. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor integrated circuit, design support apparatus, and test method

Номер патента: US20030229886A1. Автор: Kenichi Anzou,Tetsu Hasegawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-11.

Semiconductor integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US10001524B2. Автор: Kenichi Anzou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Semiconductor integrated circuit, method of testing semiconductor integrated circuit, and method of designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100205493A1. Автор: Kuninobu Fujii. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US20180275196A1. Автор: Kenichi Anzou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US20170074939A1. Автор: Kenichi Anzou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor integrated circuit device with diagnosis function

Номер патента: US5809039A. Автор: Toshiro Takahashi,Masahiko Nagai,Kaoru Moriwaki,Fumihiko Shirotori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-09-15.

Integrated circuit internal test circuit and method of testing by using test pattern and signature generations therewith

Номер патента: US7653853B1. Автор: Prabha Jairam,Himanshu J. Verma. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Computer-readable recording medium storing test pattern generation program, test pattern generation apparatus, and test pattern generation method

Номер патента: US20240019492A1. Автор: Daisuke Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of processing test patterns for an integrated circuit

Номер патента: EP1382976A1. Автор: Eric Liau. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-21.

Modelling and testing of an integrated circuit

Номер патента: EP1259165A2. Автор: Patrick Arnould,Frederic Hayem. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-11-27.

Semiconductor integrated circuit, test method and information processing apparatus

Номер патента: US20120239337A1. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Modeling and testing of an integrated circuit

Номер патента: WO2001045565A2. Автор: Patrick Arnould,Frederic Hayem. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-06-28.

Method for testing semiconductor integrated circuit and method for verifying design rules

Номер патента: US7543206B2. Автор: Tomoko Nobekawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Single-pass, concurrent-validation methods for generating test patterns for sequential circuits

Номер патента: US20090049354A1. Автор: Delmas R. Buckley, Jr.. Владелец: Yardstick Res LLC. Дата публикации: 2009-02-19.

Test device for a combinatorial logic circuit and integrated circuit including such a device

Номер патента: US4789821A. Автор: Bernard Courtois,Daniel Baschiera. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-12-06.

Semiconductor integrated circuit having self-diagnosis test function and test method thereof

Номер патента: US20010003196A1. Автор: Hideo Miyazawa,Satoshi Hori,Atsushi Kawabe. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100207662A1. Автор: Mitsuhiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Reordering or Removal of Test Patterns for Detecting Faults in Integrated Circuit

Номер патента: US20140289579A1. Автор: Rohit Kapur,Parthajit Bhattacharya,Sushovan Podder. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Reordering or removal of test patterns for detecting faults in integrated circuit

Номер патента: US09411014B2. Автор: Rohit Kapur,Parthajit Bhattacharya,Sushovan Podder. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020049927A1. Автор: Takeshi Yamamura,Kazuhiro Kobayashi,Tadahiro Saitoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09742383B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit, test data generating device, lsi test device, and computer product

Номер патента: US20070288819A1. Автор: Takahisa Hiraide,Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

System and method for generating test program code simultaneously with data produced by ATPG or simulation pattern capture program

Номер патента: US6205407B1. Автор: Louis C. Testa,Susan P. Geiger. Владелец: Integrated Measurement Systems Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

Functional frequency testing of integrated circuits

Номер патента: US20060041802A1. Автор: Steven Oakland,Philip Stevens,Anthony Polson,Gary Grise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Method and apparatus for broadcasting scan patterns in a random access scan based integrated circuit

Номер патента: US20060242502A1. Автор: Zhigang Wang,Zhigang Jiang,Shianling Wu,Laung-Terng (L.-T.) Wang,Boryau (Jack) Sheu. Владелец: Syntest Technologies Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of generating a restricted inline resistive fault pattern and a test pattern generator

Номер патента: US20100153056A1. Автор: Jeff S. Brown,Marek Marasch,John Gatt. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Improvements in and relating to methods of testing integrated circuits

Номер патента: GB2221044B. Автор: Jonathan Bradford. Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1992-09-30.

Improvements in & relating to method of testing integrated circuits

Номер патента: GB8817338D0. Автор: . Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1988-08-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040059959A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Programmable integrated circuit having built in test circuit

Номер патента: US7786749B1. Автор: Tsung-Lu Syu,Wilson Kaming Yee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-31.

Automated test pattern generation for testing design redacting reconfigurable hardware

Номер патента: US20240201257A1. Автор: Aritra Dasgupta,Swarup Bhunia,Greg M. Stitt,Naren Vikram Raj Masna. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit architecture having an array of test cells providing full controllability for automatic circuit verification

Номер патента: EP1066565A1. Автор: Robert Osann, Jr.. Владелец: Lightspeed Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-10.

Design-for-testability method for path delay faults and test pattern generation method for path delay faults

Номер патента: US5748646A. Автор: Toshinori Hosokawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-05.

Method and apparatus for converting logic test vectors to memory test patterns

Номер патента: US5644581A. Автор: Robert Han Wu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-07-01.

Semiconductor integrated circuit device and testing method of the same

Номер патента: US20100148816A1. Автор: Kenji Ijitsu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US09459317B2. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Wafer level methods of testing semiconductor devices using internally-generated test enable signals

Номер патента: US20240012045A1. Автор: Reum Oh,Ahn Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Wafer level methods of testing semiconductor devices using internally-generated test enable signals

Номер патента: US11867751B2. Автор: Reum Oh,Ahn Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Timing generator for testing semiconductor storage devices

Номер патента: US6061816A. Автор: Akira Shimizu. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-09.

Circuit and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20010042233A1. Автор: Daniel Loughmiller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-15.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor integrated circuit provided with determination circuit

Номер патента: US6658639B2. Автор: Yoshikazu Morooka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Method and an integrated circuit for performing a test

Номер патента: US7650554B2. Автор: Dieter Wendel,Gottfried Goldrian,Otto Andreas Torreiter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-19.

Apparatus, Device, Method and Computer Program for Generating Test Cases for Verification of Hardware Instructions of a Hardware Device in Hypervisor

Номер патента: US20240296108A1. Автор: Qian Ouyang,Yi Qian,Xiangyang Wu,Junjie MAO,Minggui CAO,Junjun SHAN,Jian Jun CHEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Apparatus, device, method and computer program for generating test cases for verification of hardware instructions of hardware device in hypervisor

Номер патента: EP4416598A1. Автор: Qian Ouyang,Yi Qian,Jianjun Chen,Xiangyang Wu,Junjie MAO,Minggui CAO,Junjun SHAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US7222279B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080183416A1. Автор: Toshihiko Matsuoka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09557379B2. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6628137B2. Автор: Shinji Yamada,Teruhiko Funakura,Hisaya Mori. Владелец: Renesas Semiconductor Engineering Corp. Дата публикации: 2003-09-30.

Testing of integrated circuit devices on loaded printed circuit

Номер патента: US5289117A. Автор: Mark A. Swart,Charles J. Johnston,David R. Van Loan. Владелец: Everett Charles Technologies Inc. Дата публикации: 1994-02-22.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080265934A1. Автор: Hayato Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US11867757B2. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090228752A1. Автор: Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Flexible input/output (I/O) allocation for integrated circuit scan testing

Номер патента: US12032015B1. Автор: Ilan Strulovici. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor integrated circuit wafer, semiconductor integrated circuit chip, and method of testing semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US20090251160A1. Автор: Manabu Miyazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20010011906A1. Автор: Yoshiro Nakata,Shinchi Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20020190743A1. Автор: Shinichi Oki,Yoshiro Nakata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Generating test data record set populations

Номер патента: US20160259701A1. Автор: David C. Reed,Max D. Smith,Joel L. Masser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12085607B2. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and System for Testing an Integrated Circuit

Номер патента: US20080205173A1. Автор: Martin Versen,Joerg Kliewer,Klaus Nierle. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Probe card for fine pitch circuit probe testing of semiconductor integrated circuit devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240272200A1. Автор: Yuan-Li Lin,Hsiao Kang LI,I-Tee LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100241374A1. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Handlers for testing semiconductor devices that are capable of maintaining stable temperature in test environments

Номер патента: US7554349B2. Автор: Jun-Ho Lee,Jae-Il Lee,Do-young Kam,Seong-goo Kang,Ki-Sang Kang,Hyun-seop Shim,Ju-il Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-30.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12072375B2. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09880211B2. Автор: Yoichi Kawano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Circuit of measuring leakage current in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09632126B2. Автор: Kun-Yong Yoon,Jae-Jin Park,Ji-Hwan Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Номер патента: US12078672B2. Автор: Xiaopeng Qu,Amy R. Griffin,Wesley J. Orme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Wafer-level burn-in testing of integrated circuits

Номер патента: US5047711A. Автор: William H. Smith,Chau-Shiong Chen. Владелец: Silicon Connections Corp. Дата публикации: 1991-09-10.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20240085471A1. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US7589540B2. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Test structure and method for performing burn-in testing of a semiconductor product wafer

Номер патента: US5707881A. Автор: Thomas Francis Lum. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-01-13.

Semiconductor integrated circuit device and test method thereof

Номер патента: US20070170425A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030034549A1. Автор: Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Integrated circuit and testing method for integrated circuit

Номер патента: US6978409B2. Автор: Akimitsu Shimamura,Takayuki Matsubara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-20.

Integrated circuit and testing method for integrated circuit

Номер патента: US20020170008A1. Автор: Akimitsu Shimamura,Takayuki Matsubara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Testing and emulation of integrated circuits

Номер патента: US5331571A. Автор: Osamu Matsushima,Kyosuke Sugishita,Alan P. Aronoff,Marc S. Birnkrant,Hisaharu Oba,Katta N. Reddy,Richard I. Olsen,Brent N. Dichter. Владелец: NEC Electronics America Inc. Дата публикации: 1994-07-19.

Method and system having switching network for testing semiconductor components on a substrate

Номер патента: US20020196047A1. Автор: Salman Akram,Jorge de Varona,C. Doherty. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Method and device for generating test signals at different carrier frequencies

Номер патента: EP3789778A1. Автор: Claudiu Krakowski,Rolf Lorenzen,Max Winklhofer,Daniel Hank. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-03-10.

Test socket assemblies with liquid cooled frame for semiconductor integrated circuits

Номер патента: US12032000B2. Автор: Quynh Ngoc Nguyen,James Edward Spooner. Владелец: Smiths Interconnect Americas Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110260161A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100013513A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Method of generating test clock signal and test clock signal generator for testing semiconductor devices

Номер патента: US20080103719A1. Автор: Han-Soo Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Integrated Circuit for NMR Systems

Номер патента: US20160274204A1. Автор: Donhee Ham,Yi-Qiao Song,Dongwan HA,Jeffrey Paulsen. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for controlling characteristics of a semiconductor integrated by circuit X-ray bombardment

Номер патента: US4392893A. Автор: Nguyen T. Du,Akihide Asao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1983-07-12.

Pixel generator test set

Номер патента: US5051816A. Автор: Thomas P. Parker,Gordon L. Harrison. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-09-24.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040022089A1. Автор: Ichiro Yamane. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Optimization method and device for netlist used in logic circuit design for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20140019922A1. Автор: Masahiro Murakami,Hirokazu Kubota,Tadaaki Akimoto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

OPTIMIZATION METHOD AND DEVICE FOR NETLIST USED IN LOGIC CIRCUIT DESIGN FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20140019922A1. Автор: Murakami Masahiro,Kubota Hirokazu,AKIMOTO Tadaaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Anisotropic conductive film (acf) for use in testing semiconductor packages

Номер патента: US20200243405A1. Автор: Hyoung Il Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US11698410B2. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Yongki LEE,Hyochul Shin,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US20220206062A1. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Yongki LEE,Hyochul Shin,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Integrated circuit test socket

Номер патента: WO2007008754A2. Автор: Somboon Mingviriya. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-01-18.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6091290A. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-07-18.

Integrated circuit test socket

Номер патента: EP1907868A2. Автор: Somboon Mingviriya. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332289A1. Автор: Tatsuro Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Prober for semiconductor integrated circuit element wafer

Номер патента: US5555422A. Автор: Shoukichi Nakano. Владелец: Co operative Facility for Aging Tester Dev. Дата публикации: 1996-09-10.

High speed pin driver integrated circuit architecture for commercial automatic test equipment applications

Номер патента: WO2000039928A1. Автор: Lloyd F. Linder. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2000-07-06.

High speed pin driver integrated circuit architecture for commercial automatic test equipment applications

Номер патента: EP1057263A1. Автор: Lloyd F. Linder. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2000-12-06.

Signal transmission method of semiconductor integrated circuit for transmitting signal to a plurality of stacked semiconductor chips

Номер патента: US09680460B2. Автор: Chun-Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Contact for use in testing integrated circuits

Номер патента: CA2588313C. Автор: Jeffrey C. Sherry. Владелец: Johnstech International Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Phase-locked loop and integrated circuit chip including the same, and test system including the integrated circuit chip

Номер патента: US09496878B2. Автор: Hae-Rang Choi,Kwang-Jin Na,Kwan-Dong Kim,Joo-Hwan Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor integrated circuit for detecting leakage current and earth leakage circuit breaker having the same

Номер патента: US11391773B2. Автор: Sun-jung Kim. Владелец: Sunnyic Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Semiconductor integrated circuit for detecting leakage current and earth leakage circuit breaker having the same

Номер патента: US20200333395A1. Автор: Sun-jung Kim. Владелец: Sunnyic Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for populating spanner databases in test environments

Номер патента: WO2023122082A1. Автор: Carlos Arguelles,Srinath Badrinath,Danhao Guo,Everett Maus. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for populating spanner databases in test environments

Номер патента: EP4453729A1. Автор: Carlos Arguelles,Srinath Badrinath,Danhao Guo,Everett Maus. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-10-30.

Reducing computing power for generating test scenario files for decision models

Номер патента: US20230359546A1. Автор: Alexandre Porcelli Bakos,Eder Ignatowicz,Paulo Rego. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Reducing computing power for generating test scenario files for decision models

Номер патента: US11934300B2. Автор: Alexandre Porcelli Bakos,Eder Ignatowicz,Paulo Rego. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for generating test data for evaluating program execution performance

Номер патента: US20130305095A1. Автор: Eiichiro Chishiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-11-14.

Computer implemented system and method for indexing and annotating use cases and generating test scenarios therefrom

Номер патента: US09575875B2. Автор: Saurabh Manohar Bobde,Vijaykumar Gaikwad,Nupur Mittal. Владелец: ZENSAR TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for populating spanner databases in test environments

Номер патента: US12007881B2. Автор: Carlos Arguelles,Srinath Badrinath,Danhao Guo,Everett Maus. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Generating test scenario templates from test runs collected from different organizations

Номер патента: US09317404B1. Автор: Yossi Cohen,Nurit Dor,Mati COHEN,Dror WEISS. Владелец: Panaya Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Method, apparatus, and storage medium for generating test cases

Номер патента: US12111753B2. Автор: Wu Huang. Владелец: Xepic Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Generating test cases to test nf device in wireless network

Номер патента: US20240224087A1. Автор: Sandeep BAGCHI,Nayan SEN. Владелец: Rakuten Symphony Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Generating test cases to test nf device in wireless network

Номер патента: WO2024096916A1. Автор: Sandeep BAGCHI,Nayan SEN. Владелец: Altiostar Networks India Private Limited. Дата публикации: 2024-05-10.

Generating tests for testing software applications

Номер патента: US09846633B2. Автор: Swapnel Shrivastava,Saugata Chakraborty,Sudip Mitra. Владелец: CA Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Generating test input values for functional components based on test coverage analysis

Номер патента: US20220100640A1. Автор: Boaz Shuster,Shay Shevach. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Generating test cases

Номер патента: US09734045B2. Автор: Hemanth Kumar PANNEM,Amarnath Palavalli,Dattathreya Sathyamurthy,Akhil Sadashiv Hingane,Piyush Bharat MASRANI. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Performing physical experiments based on automatically-generated testing scripts

Номер патента: US11914504B1. Автор: Christopher M. Miller,Rachel J. Espiritusanto,Constance J. Wang,Andrew M. Greenleaf,Marshall G. Frerichs. Владелец: Starbucks Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Generating test cases

Номер патента: WO2004107087A3. Автор: Venkata Regunathan. Владелец: Deccanet Designs Ltd. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170262331A1. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09904590B2. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Generating test data based on data value rules of linked data nodes

Номер патента: US20200089797A1. Автор: Brett Rosen,Dan Carmody,Stephen Dietz. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8054705B2. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034039A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09665448B2. Автор: Koichi Nakamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Computer-implemented method and system for generating test data for computer-implemented automated driving functions

Номер патента: US20240193071A1. Автор: Michael Hanselmann,Lukas Koenig,Michael Messer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Method, system and device for generating test case for automotive cybersecurity detection

Номер патента: US20240264929A1. Автор: WEN Shao,Yanyan HAN,Kexun HE,Baotian LI,Xuebin SHAO,Baizheng WANG. Владелец: Catarc Software Testing Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and system for generating test scripts

Номер патента: US20240345940A1. Автор: Sujeet Kumar,Siva Sakthivel S,Rakesh Kumar Sidharthan,Sourabh Prakash. Владелец: HCL Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10306099B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180167531A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Software tool configured to generate test cases characterized by a linear range of integral values

Номер патента: US7730461B2. Автор: John T. Chamberlain,Joann Jordan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Generating test accounts in a code-testing environment

Номер патента: US11789852B2. Автор: Neeraj Sharma,Andrew Troy HARTWELL,Suresh VADIGI,Siwatm PIYASIRISILP,Jeffrey A. TYREE. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Processing apparatus, semiconductor integrated circuit, and status monitoring method

Номер патента: US20200302069A1. Автор: Seiji Goto,Eiichi Nimoda. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Integrated circuits

Номер патента: GB2176352B. Автор: Daniel Vincent Mccaughan,Michael Geoffrey Pitt. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1988-11-23.

Integrated circuits

Номер патента: GB8514621D0. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1985-07-10.

Method to generate test suite for source-code

Номер патента: US11755463B2. Автор: Denis Cousineau,Eric Lavillonniere,David Mentre. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Method to generate test suite for source-code

Номер патента: US20200379888A1. Автор: Denis Cousineau,Eric Lavillonniere,David Mentre. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Method to generate test suite for source-code

Номер патента: WO2019188313A1. Автор: Denis Cousineau,Eric Lavillonniere,David Mentre. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2019-10-03.

Techniques for automatically generating test data

Номер патента: US09613019B2. Автор: Hideo Takeda,Eisuke Kanzaki,Kaori Maruyama,Tetsuo Namba. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of generating test patterns using radom function

Номер патента: US20170017748A1. Автор: Jeonghoon Lee,Jeeeun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-19.

Delay fault test quality calculation apparatus, delay fault test quality calculation method, and delay fault test pattern generation apparatus

Номер патента: US8051403B2. Автор: Yasuyuki Nozuyama,Atsuo Takatori. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-11-01.

Functional Cells for Automated I/O Timing Characterization of An Integrated Circuit

Номер патента: US20080143381A1. Автор: Chananiel Weinraub. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-19.

Computer-readable recording medium storing a method of masking or modifying output events of bi-directional signals in an event-format test pattern file for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6336199B1. Автор: Richard Lin. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Method and system for enhancing yield of semiconductor integrated circuit devices using systematic fault rate of hole

Номер патента: US7703055B2. Автор: Choel-hwyi Bae,Sang-Deok Kwon,Min-Geon Cho,Gwang-hyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Method of estimating wiring complexity degree in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060124968A1. Автор: Eiji Nagata,Fumihito Watanuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Delay fault test quality calculation apparatus, delay fault test quality calculation method, and delay fault test pattern generation apparatus

Номер патента: US20120016619A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama,Atsuo Takatori. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Systems and Methods for Performing Randomness and Pseudorandomness Generation, Testing, and Related Cryptographic Techniques

Номер патента: US20150199175A1. Автор: Yongge Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-16.

Multi-core cache coherency built-in test

Номер патента: US09812221B1. Автор: David J. Radack,Lloyd F. Aquino,John L. Hagen,Todd E. Miller. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2017-11-07.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Apparatus for outputting data of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7920007B2. Автор: Chang Ki Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: US20090273366A1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: EP2053746B1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09811219B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit and method of processing in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09542266B2. Автор: Hiroaki Watanabe,Yoshiki Okumura,Chikahiro Deguchi,Yutaka Sekino,Hideyuki Negi,Naoki Maezawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method and design system of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080066035A1. Автор: Kazuki Asao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20170262226A1. Автор: Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130207692A1. Автор: Eiji Sawada,Tokio Tanaka,Toshiyuki Furusawa,Hiroyuki Fujioka,Satoko Kawakami,Hitoshi Nemoto,Nariyuki Fukuda,Noriyuki Moriyasu,Isao Ooigawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor integrated device and control method thereof

Номер патента: EP2302484A3. Автор: Takao Kondo,Atsushi Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160109924A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit overlay test patterns and method thereof

Номер патента: US11762302B2. Автор: Tseng Chin Lo,Ying-Jung Chen,Yueh-Yi Chen,Chih-Ting SUN,Bo-Sen Chang,Kung-Cheng Lin,Meng Lin Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method and apparatus for designing integrated circuit

Номер патента: US20120023470A1. Автор: Koichi Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20010009381A1. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Integrated Circuit Overlay Test Patterns And Method Thereof

Номер патента: US20230359131A1. Автор: Tseng Chin Lo,Ying-Jung Chen,Yueh-Yi Chen,Chih-Ting SUN,Bo-Sen Chang,Kung-Cheng Lin,Meng Lin Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Test patterns for determining sizing and spacing of sub-resolution assist features (SRAFs)

Номер патента: US09904757B2. Автор: Ioana Graur,Amr Y. Abdo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US09891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09870831B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09536610B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09519336B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455699B2. Автор: Yoshihiko Yasu,Hiroyuki Mizuno,Kenji Hirose,Yusuke Kanno,Takahiro Irita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09437169B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synpatics Japan Gk. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for deleting unused gates and method for manufacturing master-slice semiconductor integrated circuit device using the deleting method

Номер патента: US4960724A. Автор: Shoichi Watanabe,Terumine Hayashi,Takayuki Takei,Takashi Natabe. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1990-10-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7143200B2. Автор: Katsuichi Tomobe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-11-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060066378A1. Автор: Tadahiro Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor integrated circuit, A/D converter, delta sigma-type A/D converter, incremental delta sigma-type A/D converter, and switched capacitor

Номер патента: US10985772B2. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20080290376A1. Автор: Junichi Yano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030005209A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Duty analysis system for a semiconductor integrated circuit and duty analysis method of the same

Номер патента: US20030126568A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125588A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125587A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050120156A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7428601B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7426587B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7181549B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7406544B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Semiconductor integrated circuit and electronic instrument

Номер патента: EP3836200A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-16.

Semiconductor integrated circuit routing method and recording medium which stores routing software

Номер патента: US20060184909A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor integrated circuit, layout design system, layout designing method, and non-transitory computer-readable storage medium storing program

Номер патента: EP4386842A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor integrated circuit and layout designing method of the same

Номер патента: US20070061770A1. Автор: Tsutomu Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12046301B2. Автор: Sachio Ogawa,Masanori OKINOI,Ryo AZUMAI,Kiichi HAMASAKI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US20040088667A1. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US6954919B2. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-11.

Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080141186A1. Автор: Mitsuhiro Imaizumi,Takahiro Nagatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Integrated circuit device having high abnormal voltage detection circuit

Номер патента: US5379175A. Автор: Satoru Masaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor integrated circuit and circuit operation method

Номер патента: US09898072B2. Автор: Koji Maeda,Taizo Yamawaki,Yukinori Akamine,Hiroshi Kamizuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Individually coloring separated cell blocks in layout of integrated circuits

Номер патента: US09779198B2. Автор: Jiyoung JUNG,Jintae Kim,Ha-young Kim,Jaeseok Yang,Donggyun Kim,Chunghee Kim,Daekwon Kang,Sungkeun Park,Younggook Park,Myungsoo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09584106B2. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210265269A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

System, method and program for designing a semiconductor integrated circuit using standard cells

Номер патента: US20060206849A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit and compiler

Номер патента: US9348588B2. Автор: Hiroshi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

System and method for generating test document for context sensitive spelling error correction

Номер патента: US20220164530A1. Автор: Jung-Hun Lee,Hyukchul KWON. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for designing semiconductor integrated circuit and program

Номер патента: US20150067630A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Jason Anderson,Hirotaka Tamura,Safeen Huda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Delay diagnosis method for semiconductor integrated circuit, computer program product for diagnosing delay of semiconductor integrated circuit and computer readable recording medium recording program thereon

Номер патента: US20030226126A1. Автор: Yoshihiro Iwai,Hirotake Tokuyama,Tatsuki Ishii,Kenji Shigeoka. Владелец: Hitachi Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor integrated circuit allowing internal voltage to be measured and controlled externally

Номер патента: US20020024330A1. Автор: Hiroaki Nakai,Akira Hosogane,Tatsuya Saeki,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Method for compressing semiconductor integrated circuit, using design region divided into plural blocks

Номер патента: US20050015735A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Semiconductor integrated circuit and power supply voltage control method

Номер патента: US20210311511A1. Автор: Koji Aoki,Mitsuhiro Inagaki,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Design method of semiconductor integrated circuit and computer readable medium

Номер патента: US20120047480A1. Автор: Hiroaki Yamaoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor integrated circuit and method of controlling power supply

Номер патента: US09645623B2. Автор: Satoshi Matsubara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of estimating wiring complexity degree in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7346871B2. Автор: Eiji Nagata,Fumihito Watanuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-18.

Designing and operating of semiconductor integrated circuit by taking into account process variation

Номер патента: US20070226660A1. Автор: Toshio Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20080074913A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20230044191A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor integrated ciruit device

Номер патента: US20040196731A1. Автор: Mitsuhiro Shimamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Method of semiconductor integrated circuit, circuit design system, and non-transitory computer-readable medium

Номер патента: US20210019462A1. Автор: Shintaro Fujiwara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor integrated circuit, PWM signal output device, and power conversion control apparatus

Номер патента: US7944720B2. Автор: Tsunehiro Endo,Takahiro Suzuki,Yuji Mori,Yasuo Notohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220182059A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Single-chip semiconductor integrated circuit device and microcomputer integrated on a semiconductor chip

Номер патента: US5784637A. Автор: Hideo Nakamura,Shiro Baba,Terumi Sawase,Yoshimune Hagiwara,Yasushi Akao,Kouki Noguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-07-21.

Semiconductor integrated circuit and an operating method thereof, a timing verifying method for a semiconductor integrated circuit and a test method of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20140132334A1. Автор: Hyoun Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090085626A1. Автор: Hiroyuki Nakajima,Shigeyuki Ueno. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Wiring Design System of Semiconductor Integrated Circuit, Semiconductor Integrated Circuit, and Wiring Design Program

Номер патента: US20080141207A1. Автор: Yuuichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Scalable scribe regions for implementing user circuit designs in an integrated circuit using dynamic function exchange

Номер патента: US20230098098A1. Автор: Adam P. Donlin,Kyle Corbett,Christopher J. Case. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Predictive circuit design for integrated circuits

Номер патента: US09881117B1. Автор: Nabeel Shirazi,Anindita Patra. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit layout design system and method

Номер патента: US09652580B2. Автор: Jae-Ho Park,Sanghoon Baek,Sang-Kyu Oh,Taejoong Song,Giyoung Yang,Hyosig WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of and apparatus for placing and routing elements of semiconductor integrated circuit having reduced delay time

Номер патента: US5917729A. Автор: Masayuki Naganuma,Tetsu Tanizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-06-29.

Semiconductor integrated circuit fabrication method

Номер патента: US5388054A. Автор: Takeji Tokumaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-02-07.

Semiconductor integrated circuit device operated with an applied voltage lower than required by its clock oscillator

Номер патента: US5126695A. Автор: Sachiyuki Abe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1992-06-30.

Semiconductor integrated circuit device including circuit block having hierarchical structure and method of designing the same

Номер патента: US20020070759A1. Автор: Hideki Yamauchi,Tatsushi Ohyama. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

Integrated circuit layout validation using machine learning

Номер патента: US11914941B2. Автор: Chien-Wen Chen,Chin-Chang Hsu,Cheng-Chi Wu,Wen-Ju Yang,Rachid Salik. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor integrated circuit, memory controller, and memory system

Номер патента: US20210295929A1. Автор: Hiroaki Iijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor integrated circuit, memory controller, and memory system

Номер патента: US11302402B2. Автор: Hiroaki Iijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-12.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170336816A1. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Designing method of semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20230299070A1. Автор: Yuji Takahashi,Kengo Takahashi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor integrated circuit, electronic device using the same, and controlling method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7394304B2. Автор: Masao Hamada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Integrated Circuit Layout Validation Using Machine Learning

Номер патента: US20210240906A1. Автор: Chien-Wen Chen,Chin-Chang Hsu,Cheng-Chi Wu,Wen-Ju Yang,Rachid Salik. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Integrated Circuit Layout Validation Using Machine Learning

Номер патента: US20240152679A1. Автор: Chien-Wen Chen,Chin-Chang Hsu,Cheng-Chi Wu,Wen-Ju Yang,Rachid Salik. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070247962A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

TEST PATTERNS FOR DETERMINING SIZING AND SPACING OF SUB-RESOLUTION ASSIST FEATURES (SRAFs)

Номер патента: US20170193150A1. Автор: Ioana Graur,Amr Y. Abdo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Compressor circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20240094987A1. Автор: Byoung Gon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit and electronic circuit

Номер патента: US9035695B2. Автор: Noriyuki Natsukawa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9766640B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20160179111A1. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor integrated circuit, electronic device using the same, and controlling method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060244509A1. Автор: Masao Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-02.

Method of compacting layouts of semiconductor integrated circuit designed in a hierarchy

Номер патента: US5663892A. Автор: Sachio Hayashi,Tyusei Ogawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-09-02.

System and method for analyzing crosstalk occurring in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7519932B2. Автор: Toshiyuki Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacture using automatic layout

Номер патента: US20050040435A1. Автор: Yukichi Ono. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030101424A1. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6754880B2. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-22.

Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise

Номер патента: US20050006781A1. Автор: Shigenori Ichinose,Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise

Номер патента: US20050006780A1. Автор: Shigenori Ichinose,Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Design method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6785876B2. Автор: Kazuyoshi Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240138159A1. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240237366A9. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9274583B2. Автор: Makio Abe. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110153241A1. Автор: Makio Abe. Владелец: Mitusmi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor integrated circuit and information processing apparatus

Номер патента: US12057186B2. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10496569B2. Автор: Kosuke Tatsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190087365A1. Автор: Kosuke Tatsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Integrated circuit with secure metadata store

Номер патента: US20080044020A1. Автор: Tom Ryan. Владелец: STMicroelectronics Ltd Great Britain. Дата публикации: 2008-02-21.

Method for producing layout of semiconductor integrated circuit with radio frequency devices

Номер патента: US20110061031A1. Автор: Tsun-Lai Hsu,Jun-Hong Ou,Jui-Fang Chen,Ji-Wei Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Integrated circuit with secure metadata store

Номер патента: US9100684B2. Автор: Tom Ryan. Владелец: STMicroelectronics Research and Development Ltd. Дата публикации: 2015-08-04.

Sensing structure of alignment of a probe for testing integrated circuits

Номер патента: US20180113168A1. Автор: Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-26.

Offset error automatic calibration integrated circuit

Номер патента: US20130061649A1. Автор: Peter S. Schultz,Sung-Jin Jo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-03-14.

Sensing structure of alignment of a probe for testing integrated circuits

Номер патента: US09880219B2. Автор: Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit, and sensor system and vehicle including the same

Номер патента: US20180069169A1. Автор: Akihiro Ota,Yuji Kaneda,Isao Niwa,Yuzo Mizushima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor integrated circuit and position detector

Номер патента: US09739587B2. Автор: Osamu Kawatoko,Akio Kawai. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09880058B2. Автор: Takeshi Nagahisa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Test head assembly for use in testing protective masks

Номер патента: US09612176B2. Автор: David Fisher,Gary Warren McCurdy,Eric Allen Hanson,Michael Joseph Serach,Christopher Roi Wilson,Ron Riemer. Владелец: HAMILTON ASSOCIATES Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Enzymatic reagent inks for use in test strips having predetermined calibration code

Номер патента: RU2541111C2. Автор: Мануэль АЛЬВАРЕС-ИКАСА,Гари ЯНГ,Майкл О'КОННЕЛЛ,Ян МАКАРТУР,Алан МАКНИЛЕДЖ,Ник ФИППЕН. Владелец: Лайфскэн Скотлэнд Лимитед. Дата публикации: 2015-02-10.

A test mechanism for use in testing felt stretcher motors used in paper production

Номер патента: WO2023128992A1. Автор: Recep Dursun DILSIZOGLU. Владелец: Modern Karton Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi. Дата публикации: 2023-07-06.

Quantum-dot spectrometers for use in biomedical devices and methods of use

Номер патента: RU2665202C2. Автор: Хорхе ГОНСАЛЕС,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-08-28.

Sensing structure of alignment of a probe for testing integrated circuits

Номер патента: US20150301106A1. Автор: Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006112048A1. Автор: Takashi Inukai,Yukihiro Urakawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1864097A1. Автор: Takashi c/0 Intellectual Property Division INUKAI,Yukihiro c/0 Intellectual Property Division URAKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8000923B2. Автор: Takashi Inukai,Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Printer characterization, monitoring and diagnosis using dynamic test patterns generated by sensing and analyzing customer documents

Номер патента: US20090274342A1. Автор: Wencheng Wu,Meera Sampath,Rajinderjeet Minhas. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit and contactless type information system including the same

Номер патента: EP1742172A4. Автор: Tatsumi Sumi,George Nakane. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-15.

System and method of generating test deviations

Номер патента: WO2023238044A1. Автор: Devon Dawn KELLY,Jennifer MEMMOTT,Hamza Hasan. Владелец: CRISPR Therapeutics AG. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Dynamically generated test questions for automatic quality control of submitted annotations

Номер патента: US20240265471A1. Автор: Mingkuan Liu,Kuo-Chin Lien. Владелец: Appen Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated-circuit module and its manufacturing process

Номер патента: RU2165660C2. Автор: Михель Хубер,Петер Штампка,Франк ПЮШНЕР,Юрген ФИШЕР,Йозеф ХАЙТЦЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2001-04-20.

Contactless integrated-circuit card

Номер патента: RU2189633C2. Автор: Роберт РАЙНЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2002-09-20.

Method and apparatus for generating test scenarios for a set of business rules

Номер патента: US09460408B2. Автор: Pierre Berlandier,Zhen Huan Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A3. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: Jiro Amemiya. Дата публикации: 2007-05-03.

Method and System for Generating Test Cases for Visual Train Positioning

Номер патента: US20240020959A1. Автор: Hongjie Liu,Dong Xie,Shuai Su,Ming Chai,Jidong Lv. Владелец: Beijing Jiaotong University. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A2. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Voltage regulation circuit for integrated circuits of chip- carrying cards

Номер патента: RU2247465C1. Автор: Уве ВЕДЕР. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2005-02-27.

Generating Testing Instances for Autonomous Vehicles

Номер патента: US20200142409A1. Автор: Jean-Sebastien Valois,Daniel Munoz. Владелец: Aurora Innovation Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Generating testing instances for autonomous vehicles

Номер патента: US11774966B2. Автор: Jean-Sebastien Valois,Daniel Munoz. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for manufacturing identification codes of integrated circuits

Номер патента: US20040002830A1. Автор: Chien-Tsai Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Method of testing semiconductor storage device

Номер патента: US20020174391A1. Автор: Takashi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Fracturing polygons used in a lithography process for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US7022439B2. Автор: Bruce Luttrell. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device

Номер патента: US09667227B2. Автор: Tero Tapio Ranta. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of generating test patterns using random function

Номер патента: US09989842B2. Автор: Jeonghoon Lee,Jeeeun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit and memory system

Номер патента: US11996156B2. Автор: Atsushi Tanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of programming one-time programmable (OTP) memory device and method of testing semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09754678B2. Автор: Do-Hoon Byun,Chang-Su Sim,Na-Rae Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor-product testing device, method for testing semiconductor product, and semiconductor product

Номер патента: US20190311776A1. Автор: Naoki Yamada,Yoshiyuki Matsumoto,Kazuhiro Nishimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Test pattern generator and method for generating test pattern

Номер патента: US11264114B2. Автор: Dong-Ho Kang,Jae-Han Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-01.

Test pattern generator and method for generating test pattern

Номер патента: US20200335174A1. Автор: Dong-Ho Kang,Jae-Han Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20050174141A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor Integrated Circuit Device with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20120113709A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060226449A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US8125017B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US6885057B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20020179940A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7388238B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US09530485B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory test circuit, semiconductor integrated circuit and memory test method

Номер патента: US8289792B2. Автор: Kazuya KUDOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US9244351B2. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US20140335447A1. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060076610A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7087942B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Masking arrangement and method for producing integrated circuit arrangements

Номер патента: US20060073397A1. Автор: Johannes Freund,Michael Stetter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-06.

Output data compression scheme for use in testing IC memories

Номер патента: US5787097A. Автор: Fariborz F. Roohparvar,Mark A. Hawes,Allahyar Vahidi Mowlavi,Gregory L. Cowan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-07-28.

Semiconductor device for use in a light valve device, and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1026733A1. Автор: Kunihiro Takahashi,Yoshikazu Kojima,Tsuneo Yamazaki,Hiroaki Takasu,Nobuyoshi Matsuyama,Hitoshi Niwa,Tomoyuki Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Source driving integrated circuits including an electrostatic discharge circuit and related layout method

Номер патента: US09735053B2. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130163356A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida,Hitoshi Yamanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor integrated circuit apparatus and circuit board and information readout method

Номер патента: US20040174753A1. Автор: Takahito Nakano,Hiroyuki Kiba,Satoshi Akui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US09772461B2. Автор: Yasuyuki Suzuki,Kenichiro Yashiki,Kazuhiko Kurata. Владелец: PHOTONICS ELECTRONICS TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor integrated circuit device and test method thereof

Номер патента: US7082559B2. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070214336A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20090115442A1. Автор: Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100327962A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US20220416795A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US11750202B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor integrated circuit having enhanced acquisition of external signal

Номер патента: US20020036946A1. Автор: Yoshiyuki Ishida,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa,Satoshi Takashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor integrated circuit operable and programmable at multiple voltage levels

Номер патента: US5615151A. Автор: Yasuhiro Nakamura,Takeshi Furuno,Akinori Matsuo. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for controlling re-writing operation for memory cell in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equpped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the semiconductor device

Номер патента: US20020015325A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150244380A1. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6661692B2. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882569B2. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit for regulator

Номер патента: US09606556B2. Автор: Yoichi Takano,Katsuhiro Yokoyama. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor integrated circuit device and system with memory cell array

Номер патента: US09368194B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20100194455A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor integrated circuit with reduced current consumption

Номер патента: US20070109036A1. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor integrated circuit for low and high voltage operations

Номер патента: US20120087180A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020145935A1. Автор: Yoshimasa Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030053363A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040119532A1. Автор: Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034040A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor integrated circuit capable of reducing area occupied by data bus

Номер патента: US20020021613A1. Автор: Tadaaki Yamauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20240329680A1. Автор: Takayuki Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09460786B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09455032B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit with bist circuit

Номер патента: US09443611B2. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050117445A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180151225A1. Автор: Shinichi Yasuda,Yinghao HO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US20130136162A1. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040032292A1. Автор: Hidehiko Yajima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020126566A1. Автор: Yoshiaki Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor integrated circuit, timing controller, and display device

Номер патента: US20170110040A1. Автор: Takashi Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110058434A1. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor integrated circuit with data transmitting and receiving circuits

Номер патента: US09673818B2. Автор: Masayasu Komyo,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor integrated circuit and method for operating the same for a stabilizing power supply

Номер патента: US09600005B2. Автор: Kentaro Hayashi,Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit and operating method for the same

Номер патента: US09502060B2. Автор: Minoru Kurosawa,Kichiya Itagaki,Hideho Koyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor integrated circuit including dynamic registers

Номер патента: US5926519A. Автор: Megumi Yoshikawa,Yukinori Kudou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Semiconductor integrated circuit device having burn-in test capability and method for using the same

Номер патента: US5909142A. Автор: Junji Ogawa,Kenichi Kawasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-06-01.

Voltage supply circuit for use in an integrated circuit

Номер патента: US5280455A. Автор: Yoshikazu Kanaishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-01-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5270584A. Автор: Takahiro Hara,Yasuji Koshikawa,Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-12-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10685685B2. Автор: Masanobu Hirose. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060050588A1. Автор: Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Kenichi Osada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Optical disk apparatus, signal processing semiconductor integrated circuit constituting the same, and operation method

Номер патента: US20090147633A1. Автор: Hiroshi Abe,Takehiko Umeyama. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US8774255B2. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Multi-layer semiconductor integrated circuits enabling stabilizing photolithography process parameters, the photomask being used, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20040087181A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Kuang-Wen Liu,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit and IC card

Номер патента: US20060164906A1. Автор: Toshio Yamada,Takeo Kanai,Yoshio Takazawa,Minoru Katoh,Toshihiro Araki,Shinichi Ozawa,Koudou Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor integrated circuit and data output method

Номер патента: US20070140021A1. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor integrated circuit and unstable bit detection method for the same

Номер патента: US20090168539A1. Автор: Tomonori Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020021615A1. Автор: Yoshiyuki Ota,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12119076B2. Автор: Takayuki Miyazaki,Yuki Ishizaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US09996095B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09985038B2. Автор: Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Kenichi Osada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09947393B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09865601B2. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Kai-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor integrated circuit device and method of regulating output voltage thereof

Номер патента: US09791873B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor integrated circuit including at least one master chip and at least one slave chip

Номер патента: US09773535B2. Автор: Young-Ju Kim,Dong-Uk Lee,Keun-Soo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09646678B2. Автор: Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Kenichi Osada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile memory integrated circuit with built-in redundancy

Номер патента: US09620203B2. Автор: Shinichi Yasuda,Koichiro ZAITSU,Haiyang Peng. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09525422B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180090214A1. Автор: Takeshi Yamaguchi. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Exposure time control device for use in single lens reflex camera

Номер патента: US3922692A. Автор: Yasuhiro Nanba,Masayoshi Sahara,Kotaro Yata. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 1975-11-25.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20240257884A1. Автор: Mikio Shiraishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240233854A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09449678B2. Автор: Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Kenichi Osada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5371713A. Автор: Yukio Suzuki,Masanori Odaka,Katsumi Ogiue,Ikuro Masuda,Hideaki Uchida. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-12-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5042010A. Автор: Yukio Suzuki,Masanori Odaka,Katsumi Ogiue,Ikuro Masuda,Hideaki Uchida. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-08-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020015347A1. Автор: Ayako Kitamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Processing system and method for making spherical shaped semiconductor integrated circuits

Номер патента: US6203658B1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

Semiconductor integrated circuit and source voltage/substrate bias control circuit

Номер патента: US7551019B2. Автор: Tetsuya Fujita,Hiroyuki Hara,Mototsugu Hamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9183899B2. Автор: Jae II Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150124535A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US11742835B2. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160203859A1. Автор: Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US20100085341A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050099874A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Adjustable timing circuit of an integrated circuit

Номер патента: US20050286338A1. Автор: Frankie Roohparvar,Dean Nobunaga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20140185356A1. Автор: Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160027483A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060114052A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050128780A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor integrated circuit for generating row main signal and controlling method thereof

Номер патента: US20090316504A1. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09742405B2. Автор: Hiroaki Fujimoto,Hisanori Fujisawa,Jason Anderson,Hirotaka Tamura,Safeen Huda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09601190B2. Автор: Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit with data latch control

Номер патента: US09502084B2. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit test arrangement and method for maximizing the use of tester comparator circuitry to economically test wide data I/O memory devices

Номер патента: US5422892A. Автор: Inderjit Singh,Francis Hii,James E. Rousey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-06-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5214609A. Автор: Hiroshi Iwahashi,Hiroto Nakai,Nobuaki Hiraga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-05-25.

Semiconductor integrated circuit device allowing change of product specification and chip screening method therewith

Номер патента: US5970015A. Автор: Kenji Numata,Masaki Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Semiconductor integrated circuit and operating method

Номер патента: US20020041529A1. Автор: Keisuke Fujiwara,Sachiko Edo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20080203437A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6735129B2. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Semiconductor integrated circuit for generating an internal power source voltage with reduced potential changes

Номер патента: US5592421A. Автор: Tetsuya Kaneko,Takashi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-01-07.

Semiconductor integrated circuit device having a control circuit for setting the test mode

Номер патента: US5557232A. Автор: Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-09-17.

Semiconductor integrated circuit with circuits for generating stable reference potential

Номер патента: US5223744A. Автор: Kenji Anami,Shigeki Ohbayashi,Atsushi Ohba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-29.

Tester For Testing Semiconductor Device

Номер патента: US20080034266A1. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-02-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030007409A1. Автор: Hitoshi Ishikuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-09.

Source Driving Integrated Circuits Including an Electrostatic Discharge Circuit and Related Layout Method

Номер патента: US20140301001A1. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030031075A1. Автор: Masaru Koyanagi,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6490219B2. Автор: Masaru Koyanagi,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-12-03.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20020051400A1. Автор: Masaru Koyanagi,Kazuhide Yoneya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Data strobe signal noise protection apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100165760A1. Автор: Sang Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20160141005A1. Автор: Sang-Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030058729A1. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Shinya Nagata,Masahiko Ikemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit including a plurality of macros that can be operated although their operational voltages are different from each other

Номер патента: US6577543B2. Автор: Isao Naritake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Semiconductor integrated circuit with functional test mode to random access memory unit

Номер патента: US5267206A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Optical bus in 3d integrated circuit stack

Номер патента: WO2012003530A9. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-08.

Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6660438B2. Автор: Toshihiko Tanaka,Norio Hasegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20120230105A1. Автор: Shinichi Yasuda,Shinobu Fujita,Keiko Abe,Masato Oda,Kumiko Nomura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020118290A1. Автор: Norimitsu Baba,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor integrated circuit and data read method

Номер патента: US8605505B2. Автор: Myung Su KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

Semiconductor integrated circuit including a plurality of macros that can be operated although their operational voltages are different from each other

Номер патента: US20020008555A1. Автор: Isao Naritake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100238752A1. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor integrated device

Номер патента: US5805605A. Автор: Myung-Ho Bae,Cheol-Ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-09-08.

Semiconductor integrated circuit device having load means

Номер патента: US5185723A. Автор: Ryuichi Hashishita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-02-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070064482A1. Автор: Ken Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Apparatus and method of generating DBI signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080136462A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor integrated circuit, display device provided with same, and control method

Номер патента: US20170127011A1. Автор: Masahiro Takeuchi,Takashi Akiyama,Yoshinori Okajima,Masaki Toyokura,Masayuki Taniyama. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Photomask defect testing method, photomask manufacturing method and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20040086791A1. Автор: EIJI Aoki,Shinji Kobayashi,Toshiyuki Marumo,Shinji Akima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040141366A1. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060214234A1. Автор: Shigeru Nagatomo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060203596A1. Автор: Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080008004A1. Автор: Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Apparatus and method for controlling refresh operation of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070291568A1. Автор: Jong Yeol Yang,Tae Woo Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Apparatus and method for controlling voltage of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090230943A1. Автор: Tae-Yong Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Power supply semiconductor integrated circuit and power supply device

Номер патента: US20240302854A1. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200083235A1. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda,Yinghao HO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Microwave integrated circuit housing

Номер патента: RU2690092C1. Автор: Алексей Сергеевич Будяков,Евгений Матвеевич Савченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО". Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor integrated circuit device and burn-in test method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JP2826404B2. Автор: 浩一長谷川. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-11-18.

Multipurpose, internally configurable integrated circuit for driving a switching mode external inductive loads according to a selectable connection scheme

Номер патента: USRE35806E. Автор: Domenico Rossi,Andrea Cuomo,Giovanni Pietrobon. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-26.

Compressive bump-and-socket interconnection scheme for integrated circuits

Номер патента: US5329423A. Автор: Kenneth D. Scholz. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-07-12.

Method and Apparatus for use in Digitally Tuning a Capacitor in an Integrated Circuit Device

Номер патента: US20200014382A1. Автор: Ranta Tero Tapio. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Method and Apparatus for use in Digitally Tuning a Capacitor in an Integrated Circuit Device

Номер патента: US20170040973A1. Автор: Ranta Tero Tapio. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Method and Apparatus for use in Digitally Tuning a Capacitor in an Integrated Circuit Device

Номер патента: US20150310995A1. Автор: Tero Tapio Ranta. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device

Номер патента: EP2255443B1. Автор: Tero Tapio Ranta. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-11-28.

Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device

Номер патента: EP3346611A1. Автор: Tero Tapio Ranta. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-11.

Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device

Номер патента: US20110002080A1. Автор: Tero Tapio Ranta. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device

Номер патента: EP3958468B1. Автор: Tero Tapio Ranta. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Methods, systems, and computer readable media for generating test packets in a network test device using value list caching

Номер патента: US20130318291A1. Автор: Gerald Pepper,Matthew R. Bergeron,Johnny Tsung Lin Ho. Владелец: IXIA. Дата публикации: 2013-11-28.

Methods, systems, and computer readable media for generating test packets in a network test device using value list caching

Номер патента: US9491081B2. Автор: Gerald R. Pepper,Matthew R. Bergeron,Johnny Tsung Lin Ho. Владелец: IXIA. Дата публикации: 2016-11-08.

Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020108080A1. Автор: Shinji Yamada,Teruhiko Funakura,Hisaya Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09960739B2. Автор: Takenori Kato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Socket for integrated circuit component

Номер патента: WO1986003647A1. Автор: Timothy Brian Billman,James Ray Coller,Gary Ray Marpoe, Jr.. Владелец: Amp Incorporated. Дата публикации: 1986-06-19.

Semiconductor integrated circuit device having dummy pattern effective against micro loading effect

Номер патента: US5598010A. Автор: Yoshihide Uematsu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-01-28.

Chromium refractory metal alloys conductors for use in high temperature integrated circuits

Номер патента: WO1997030476A1. Автор: George Gabriel Goetz,Warren Michael Dawson. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 1997-08-21.

Process and device for generating test patterns when applying solder paste by a screen process on printed circuit boards

Номер патента: US20030113008A1. Автор: Karl Schanz. Владелец: Ekra Eduard Kraft GmbH. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

An equipment protection semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5304823A. Автор: Stephen W. Byatt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-04-19.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Noise and temperature shield for an integrated circuit

Номер патента: WO2000003439A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US09826538B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09818715B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of forming a fixed distribution of induced magnetic field in a magnetic structure formed in an integrated circuit, and an integrated circuit comprising a magnetic structure

Номер патента: RU2723233C1. Автор: Эрван Филипп Мари Гапиан,Евгений Викторович Данилкин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2020-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1990835A3. Автор: Fuminori Hashimoto. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US20140070975A1. Автор: Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Compact transceiver on a multi-level integrated circuit

Номер патента: US10593470B1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170201697A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor integrated circuit that stops power supply to at least a storage area of a first SRAM in a power-saving mode, and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10027906B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090146693A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Information processing apparatus with semiconductor integrated circuit capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US20160233857A1. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20060163615A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200328203A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Integrated circuit with independently powered processors booted sequentially, while sharing a common memory unit for loading programs onto processors after booting

Номер патента: US8601251B2. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110043292A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8076957B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7843227B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Method for semiconductor integrated circuit fabrication and a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050006709A1. Автор: Takeshi Takagi,Akira Asai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070176674A1. Автор: Tomoki Shioda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method and device for testing semiconductor laser

Номер патента: US20050164415A1. Автор: Yuichiro Okunuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Filter circuit, semiconductor integrated circuit, communication apparatus, semiconductor device, and system

Номер патента: US20130148758A1. Автор: Kouji Okamoto,Heiji Ikoma,Michiko Tokumaru. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor integrated circuit and television

Номер патента: US20120072712A1. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor integrated circuit for power supply, and power supply system

Номер патента: US12095349B2. Автор: Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor integrated circuit and wireless transmitter

Номер патента: US09853606B2. Автор: Shoichi Masui,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09679916B2. Автор: Masahiro Sato,Dwi Antono Danardono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09419599B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semi-custom integrated circuit provided with standardized capacitor cells

Номер патента: US4841352A. Автор: Akira Aso. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-06-20.

Physically unclonable function for an integrated circuit

Номер патента: WO2024142056A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Nir SEVER,Boaz Katz,Shelley LAN. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Integrated circuit with laminated magnetic core inductor and magnetic flux closure layer

Номер патента: US12048097B2. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: FERRIC INC.. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit having an on-chip pll and operating method thereof

Номер патента: US20120242384A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit operable as a phase-locked loop

Номер патента: EP1791261A3. Автор: Masaya C/O Fujitsu Limited Tamamura,Syouji c/o FUJITSU LIMITED Ohishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US20010025365A1. Автор: Sumio Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Integrated Circuit with Laminated Magnetic Core Inductor and Magnetic Flux Closure Layer

Номер патента: US20180295726A1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2018-10-11.

Dynamic semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020180485A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050007827A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit for radio communication

Номер патента: US20070190961A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube,Akio Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

High frequency semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240322808A1. Автор: Takayuki Teraguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuits (ICs) employing localized low dielectric constant (low-K) material in inter-layer dielectric (ILD) material for improved speed performance

Номер патента: US09773866B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor integrated circuit, authentication system, and authentication method

Номер патента: US09729324B2. Автор: Masahiko Takenaka,Dai Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09691806B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09627432B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09621159B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor integrated circuit device having high matching degree and high integration density

Номер патента: US5216276A. Автор: Hideki Takada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-06-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240204767A1. Автор: Kosuke Yamamoto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor integrated circuit with noise reduction circuit

Номер патента: US20050249005A1. Автор: Hiroyuki Nakamoto,Kunihiko Gotoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11309333B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Protective envelope for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593665B2. Автор: Roberto Tiziani,Marzio Terzoli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-15.

Semiconductor integrated circuit with TSV bumps

Номер патента: US8994110B2. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20140145266A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Input/output circuit of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020175734A1. Автор: Hideo Oishi,Masanori Hirofuji,Tadayoshi Seike. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit and signal processing device

Номер патента: US20230308319A1. Автор: Mitsuyuki ASHIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210193682A1. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Internal voltage trimming device and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09929644B2. Автор: Jun-Young Park,Ji-Sung Kim,Se-eun OH,Hyeon-seong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor integrated circuit, communication module, and smart meter

Номер патента: US09912305B2. Автор: Noriaki Matsuno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882571B2. Автор: Kenichi Nomura,Hiroyuki Homma,Ryusuke Obara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09839130B1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09722592B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor integrated circuit and high frequency antenna switch

Номер патента: US09685944B1. Автор: Toshiki Seshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09576947B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455711B2. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: USRE49986E1. Автор: Hiromi Ogata. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20100225396A1. Автор: Ryota Terauchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US20090096516A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US8053934B2. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080169950A1. Автор: Naoki Yamada,Naoki Kuroda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US5960309A. Автор: Midori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070102820A1. Автор: Yoshitaka Kimura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030075771A1. Автор: Masahiro Shiina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8395189B2. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

Semiconductor integrated circuit and high frequency module with the same

Номер патента: US20120229192A1. Автор: TAKASHI Ogawa,Shinichiro Takatani,Yasushi Shigeno,Kaoru Katoh,Shigeki Koya,Akishige Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170110400A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100207169A1. Автор: Junichi Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20120049292A1. Автор: Yuuichi Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit having efficient layout of wiring lines

Номер патента: US6020612A. Автор: Hiromi Kanda,Toshiya Uchida,Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor integrated circuit for sensorless driving and sensorless driving system

Номер патента: US20080203951A1. Автор: Shigeki Murai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010026171A1. Автор: Yasuhiko Hagihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor integrated circuit device including electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240170477A1. Автор: Ho Sang LEE,Chang Hwi LEE,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20150145053A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US7106362B2. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-12.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit and image capturing apparatus

Номер патента: US09986185B2. Автор: Tohru Kanno,Yuuya Miyoshi,Sho KAMEZAWA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09966956B2. Автор: Jung Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit, latch circuit, and flip-flop circuit

Номер патента: US09755622B2. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit having a switch, an electrically- conductive electrode line and an electrically-conductive virtual line

Номер патента: US09735775B2. Автор: Hiromi Ogata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US09502646B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Test pattern forming method, transport adjusting method, and image forming apparatus

Номер патента: US20120081450A1. Автор: Takeshi Yoshida,Masahiko Yoshida,Tatsuya Nakano,Michiaki Tokunaga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor integrated circuit capacitor

Номер патента: WO1983004343A1. Автор: Joshua Alspector,Eliezer Kinsbron,Marek Andre Sternheim. Владелец: Western Electric Company, Inc.. Дата публикации: 1983-12-08.

Semiconductor integrated circuit and transmitter apparatus having the same

Номер патента: US20100245663A1. Автор: Toru Iwata,Hirokazu Sugimoto,Ryogo Yanagisawa,Manabu Kawabata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080242093A1. Автор: Tetsuya Yamada,Yoji Nomura,Tomohiro Nishiwaki,Kazushige Kaneko. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US20030214587A1. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor integrated circuit realizing electrical interface

Номер патента: US20010032328A1. Автор: Satoshi Takahashi,Takashi Hirata,Hironori Akamatsu,Yutaka Terada,Yoshihide Komatsu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Self-assembly pattern for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8497201B2. Автор: Ching-Yu Chang,Clement Hsingjen Wann,Tsung-Lin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7276769B2. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor integrated circuit, latch circuit, and flip-flop circuit

Номер патента: US09871503B2. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit and multi-chip module

Номер патента: US8013362B2. Автор: Daisuke Matsuoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Case of powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit

Номер патента: RU2659304C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Михаил Сергеевич Попов,Михаил Миронович Крымко,Андрей Анатольевич Пронин,Вадим Владимирович Груздов,Александр Дмитриевич Першин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-29.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131377A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Ordered array of integrated circuit semiconductor charge transfer device feedback delay type of stabilized phase-locked recursive oscillators

Номер патента: US4040728A. Автор: Harold Seidel. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1977-08-09.

Semiconductor integrated circuit, threshold value setting method, and communication apparatus

Номер патента: US8373587B2. Автор: Sanroku Tsukamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-02-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190051720A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20200119022A1. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6998654B2. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Semiconductor integrated circuit and activation method of the same

Номер патента: US20090027114A1. Автор: Yoshinori Tanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor integrated circuit, threshold value setting method, and communication apparatus

Номер патента: US20110304359A1. Автор: Sanroku Tsukamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050280038A1. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180350797A1. Автор: Seung Yeop Lee,Hee Jeong SON,Chang Hwi LEE,Ki Ryong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060292806A1. Автор: Norihito Nakamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor integrated circuit and power-supply control method

Номер патента: USRE49662E1. Автор: Makoto Fujiwara,Yoshinori Tanaka,Ryuji Kaneko,Tetsuo Motomura,Hiromi Ogata,Masahiro Igarashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100187573A1. Автор: Shusuke Iwata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US12080804B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US7006030B2. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-02-28.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: AU2002339165A1. Автор: Hirotaka Osawa,Masumi Kasahara,Robert Astle Henshaw. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Memory embedded semiconductor integrated circuit and a method for designing the same

Номер патента: US20010044923A1. Автор: Toshio Kobayashi,Naoshi Ikeda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Process for producing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020048941A1. Автор: Hisahiko Abe,Keiichi Yoshizumi,Hisayuki Kato,Shinji Nishihara,Masahito Yamazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US20040222915A1. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor integrated circuit for voltage detection

Номер патента: US20080246540A1. Автор: Masaki Okuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020079488A1. Автор: Yasuhiko Takemura,Toshimitsu Konuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor integrated circuit and receiver device

Номер патента: US20240313769A1. Автор: Huy Cu NGO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US6639300B2. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-28.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09972625B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Image forming apparatus with improved visibility for a print test pattern

Номер патента: US09944103B2. Автор: Mamoru Yorimoto,Daisaku Horikawa,Yuichi Sakurada,Tatsuhiko Okada,Makoto Moriwaki. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit with guard ring

Номер патента: US09941358B2. Автор: Akihiko Yoshioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor integrated circuit device having low and high withstanding-voltage MOS transistors

Номер патента: US09698147B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050263910A1. Автор: Eisaku Maeda,Masahiko Sasada,Hiroki Matsunaga,Jinsaku Kaneda,Akihiro Maejima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030219946A1. Автор: Mitsuaki Hayashi,Shuji Nakaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-27.

Signal transmission system and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8477855B2. Автор: Yoshihiro Nakagawa,Tadahiro Kuroda,Muneo Fukaishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070146049A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Integrated circuit device having an improved package structure

Номер патента: US5041899A. Автор: Tetsushi Wakabayashi,Souichi Aonuma,Akihiro Oku. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1991-08-20.

Semiconductor integrated circuit and image sensor circuit

Номер патента: US9503665B2. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit with reduced analog coupling noise

Номер патента: US20060192707A1. Автор: Munehiro Karasudani. Владелец: Nigata Semitsu Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-31.

Integrated circuit with reduced analog coupling noise

Номер патента: US7211841B2. Автор: Munehiro Karasudani. Владелец: Nigata Semitsu Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Semiconductor integrated circuit and image sensor circuit

Номер патента: US20150155879A1. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Scheme for use in testing software for computer entertainment systems

Номер патента: WO2007047057A3. Автор: Jie Xu. Владелец: Sony Comp Entertainment Us. Дата публикации: 2009-04-30.

Scheme for use in testing software for computer entertainment systems

Номер патента: WO2007047057A2. Автор: Jie Xu. Владелец: Sony Computer Entertainment America Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Integrated voltage regulating circuit useful in high voltage electronic encoders

Номер патента: WO1997033354A1. Автор: Kent Hewitt. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 1997-09-12.

Integrated circuit composite housing and its application method

Номер патента: RU2617559C2. Автор: Евгений Валерьевич Иванов,Андрей Александрович Краснов,Георгий Борисович Шарков,Надежда Владимировна Тихомирова. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Сименс". Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor resistance element used in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US4810907A. Автор: Kay Tohyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-03-07.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry

Номер патента: US5616962A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Semiconductor integrated circuit having annular power supply with plural lines

Номер патента: US5315182A. Автор: Takeshi Hashizume,Isao Takimoto,Kazuhiro Sakashita,Terukazu Yusa,Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-05-24.

Semiconductor integrated circuit device in which integrated circuit units having different functions are stacked in three dimensional manner

Номер патента: US5138437A. Автор: Shinichi Nakagawa,Masao Nakaya,Toshio Kumamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-08-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US4885628A. Автор: Kenji Kaneko,Masatoshi Kimura,Isao Shimizu,Takeaki Okabe,Yasuo Nagai,Koozoo Sakamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-12-05.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry and mounting method

Номер патента: US5773321A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Input circuit of semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit having input circuit

Номер патента: US5073726A. Автор: Shinichi Kikuchi,Hiroshi Iwahashi,Hideo Kato,Hiroto Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-12-17.

Method of forming complementary bipolar and MOS transistor having power and logic structures on the same integrated circuit substrate

Номер патента: US5256582A. Автор: Dan M. Mosher,Joe R. Trogolo,Cornelia H. Blanton,Larry Latham,David R. Cotton,Bob Todd. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-10-26.

Advanced Moisture Resistant Structure of Compound Semiconductor Integrated Circuits

Номер патента: US20170330843A1. Автор: Chang Hwang Hua,Winson Shao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Oscillator circuit, semiconductor integrated circuit device and method for frequency correction of oscillator circuit

Номер патента: US11863185B2. Автор: Yong Sung Ahn. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20160043720A1. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor integrated circuit having logical operation function

Номер патента: US20020003438A1. Автор: Shigeyuki Hayakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Method for producing semiconductor integrated circuit devices, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP4235802A2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for producing semiconductor integrated circuit devices, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP4235802A3. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080225450A1. Автор: Hirokazu Hayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Methods, systems, and computer readable media for using a programmable processing pipeline device to execute scalable connections per second (cps) generation test and an application replay sequence test

Номер патента: US20240129219A1. Автор: Thomas Ameling,Razvan Ionut Stan,Lyle Eugene Thompson. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor integrated circuit having logical operation function

Номер патента: EP1130780A3. Автор: Shigeyuki Hayakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-13.

Method of generating test scripts using a voice-capable markup language

Номер патента: WO2003096663A2. Автор: Henry Houh,Albert Robinson Seeley,Douglas Carter Williams,Wesley C. Hand, Jr.. Владелец: EMPIRIX INC.. Дата публикации: 2003-11-20.

Methods, systems, and computer readable media for using a programmable processing pipeline device to execute scalable connections per second (CPS) generation test and an application replay sequence test

Номер патента: US12034626B2. Автор: Thomas Ameling,Razvan Ionut Stan,Lyle Eugene Thompson. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240234322A1. Автор: Hayato Shinohara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12027424B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: US20050014326A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Yasushi Goto,Syunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor integrated circuit with a shield wiring

Номер патента: EP1349212A3. Автор: Takashi c/o Fujitsu Limited Eshima,Shogo c/o Fujitsu Limited Tajima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of Semiconducotr integrated Circuit Fabrication

Номер патента: US20140138838A1. Автор: Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor integrated circuit device comprising misfets in soi and bulk substrate regions

Номер патента: US20180350844A1. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor integrated circuit having polysilicon members

Номер патента: US8637906B2. Автор: Koji Nozoe,Hideyuki Komuro. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-28.

Semiconductor integrated circuit and communication device for logic input-state control during and following power-up

Номер патента: US20030107416A1. Автор: Richard Boucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit capable of realizing reduction in size

Номер патента: US20080099874A1. Автор: Hiroshi Kumano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor integrated circuit with leakage current suppressed

Номер патента: US20080087920A1. Автор: Kenichi Yoda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120223737A1. Автор: Toshirou Kitaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor integrated circuit with multi-cut via and automated layout method for the same

Номер патента: US20110304055A1. Автор: Keiichi Nishimuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Integrated circuit for self-interference cancellation and method of performing full-duplex radio communication

Номер патента: EP3394994A1. Автор: Sudip Shekhar,Ahmed El Sayed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Semiconductor Integrated Circuit and Radio Communication Terminal Including the Same

Номер патента: US20160006477A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor integrated circuit having polysilicon members

Номер патента: US20090273059A1. Автор: Koji Nozoe,Hideyuki Komuro. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-11-05.

Image recording apparatus, method for producing test pattern in the same, and nontransitory storage medium storing program

Номер патента: US20120274693A1. Автор: Katsuaki Suzuki. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Integrated Circuit and Method of Arbitration in a Network on an Integrated Circuit

Номер патента: US20080186991A1. Автор: Kees Gerard Willem Goossens,Andrei Radulescu,Rikard Lennart Thid. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-08-07.

Method of forming copper interconnections for semiconductor integrated circuits on a substrate

Номер патента: EP1466352A1. Автор: Hyung-Sang Park,Sang-Won Kang. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit device with connections formed using a conductor embedded in a contact hole

Номер патента: US20030071313A1. Автор: Kenichi Kuroda,Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Harumi Wakimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-17.

Integrated circuit and method of arbitration in a network on an integrated circuit

Номер патента: WO2006123287A2. Автор: Andrei Radulescu,Rikart L. Thid,Kees G. W. Goosens. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-11-23.

Production of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020043679A1. Автор: Hiroshi Miki,Tomoyuki Hamada,Masahiko Hiratani,Yasuhiro Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140091425A1. Автор: Yukimasa Minami. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Integrated circuit and method of arbitration in a network on an integrated circuit

Номер патента: EP1884084A2. Автор: Andrei Radulescu,Rikart L. Thid,Kees G. W. Goosens. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-02-06.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

Method of Semiconductor Integrated Circuit Fabrication

Номер патента: US20160172196A1. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP4068358A2. Автор: Yasuhiro Yadoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-05.

Image recording apparatus, method for producing test pattern in the same, and nontransitory storage medium storing program

Номер патента: US8876238B2. Автор: Katsuaki Suzuki. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2014-11-04.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20150162927A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20160134296A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: EP2627007A3. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-23.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8299815B2. Автор: Toshirou Kitaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8174123B2. Автор: Hideo Sonohara, Sr.. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100155726A1. Автор: Hideo Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor Integrated Circuit and Fabricating the Same

Номер патента: US20140203434A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US20220278096A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200303262A1. Автор: Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method

Номер патента: US20060205130A1. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Insulating film for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7750102B2. Автор: Katsuyuki Watanabe,Yasufumi Watanabe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190164950A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor integrated circuit with multi-cut via and automated layout method for the same

Номер патента: US20120306083A1. Автор: Keiichi Nishimuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Using different gate dielectrics with NMOS and PMOS transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060022271A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20230290785A1. Автор: Toshio Hino. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130264647A1. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Oscillator and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9344034B2. Автор: Satoshi Onishi,Yasuo Ikeda,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110204486A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080303158A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8093723B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7977238B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7786585B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Номер патента: US20100203724A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

Method to generate tests for control of operability and diagnostics of faulty equipment

Номер патента: RU2441271C1. Автор: Алексей Федорович Страхов,Михаил Вячеславович Комаров,Сергей Владимирович Грушкин,Александр Михайлович Фомин,Александр Михайлович Фомин (RU),Алексей Федорович Страхов (RU),Михаил Вячеславович Комаров (RU),Сергей Владимирович Грушкин (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Головной центр сервисного обслуживания и ремонта Концерна ПВО "Алмаз-Антей" "Гранит". Дата публикации: 2012-01-27.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.