Insulating substrate, manufacturing method thereof, semiconductor module, and semiconductor device .

Insulating substrate, manufacturing method thereof, semiconductor module, and semiconductor device

Номер патента: JP5954374B2
Опубликовано: 20-07-2016
Автор(ы): 健次岡本, 岡本　健次, 茜渡辺
Принадлежит: Fuji Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor module design method and semiconductor module

Номер патента: US20120079446A1. Автор: Kenji Fujimoto,Hiroyuki Ogino,Masanori Ueno,Hiromichi Kumakura. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20170170096A1. Автор: Yoichi Hironaka,Masuo Koga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20030045018A1. Автор: Toshihiro NAKAJIMA,Toshiaki Kanenari. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150115428A1. Автор: Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US11990447B2. Автор: Isao Oshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09521758B2. Автор: Daisuke Harada,Arata Harada,Keita HATASA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20170148981A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US20160284990A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US09608201B2. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Insulated power semiconductor module with reduced partial discharge and manufacturing method

Номер патента: WO2004088748A1. Автор: Helmut Keser,Wolfgang Knapp,Luc Meysenc,Amina Hamidi. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor device, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: WO2023138873A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: US5761040A. Автор: Kiyoshi Arai,Tatuya Iwasa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20140167192A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09640454B2. Автор: Yoko Nakamura,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US09391263B2. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-12.

A semiconductor device and method of making

Номер патента: GB1069506A. Автор: Peter Joseph Hagon. Владелец: North American Aviation Corp. Дата публикации: 1967-05-17.

Insulating substrate, method of manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20140291814A1. Автор: Hiromasa Hayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240243071A1. Автор: Shota Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09905490B2. Автор: Toshio DENTA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Power semiconductor module and method for producing the module

Номер патента: US4970576A. Автор: Arno Neidig,Hubert Hettmann. Владелец: Asea Brown Boveri AG Germany. Дата публикации: 1990-11-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20170186657A1. Автор: Toshio DENTA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7968448B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Jack Chen,Ching-Yu Ni,Wen-Cheng Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor module

Номер патента: US12131969B2. Автор: Seiichiro Inokuchi,Yuji Imoto,Arata Iizuka,Hiroya Sannai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Electric power semiconductor device

Номер патента: US20100096758A1. Автор: Junji Yamada,Seiji Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Optical semiconductor device and manufacturing method thereof, and optical semiconductor module

Номер патента: TW201140818A. Автор: Nobuhisa Sugimori. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-16.

Printed circuit board and manufacturing method of the printed circuit board

Номер патента: EP1196013A2. Автор: Masahiro Ozeki,Motoshi Shindoh,Hiroyuki Ryu. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2002-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768095B2. Автор: Kazunori Uchiyama,Naoki Hakamada,Tadafumi Yoshida,Tomo SASAKI,Masataka DEGUCHI,Akio Kitami. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Polysilicon fuse, manufacturing method thereof, and semiconductor device including polysilicon fuse

Номер патента: US20140339675A1. Автор: Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Polysilicon fuse, manufacturing method thereof, and semiconductor device including polysilicon fuse

Номер патента: US9412694B2. Автор: Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor module including a plurality of semiconductor devices detachably

Номер патента: TW417274B. Автор: Junichi Kasai,Shigeyuki Maruyama,Mitsutaka Sato,Tetsuya Fujisawa,Toshimi Kawahara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-01-01.

Semiconductor device, stacked semiconductor device and interposer substrate

Номер патента: US20080116559A1. Автор: Masayuki Hosono,Akiji Shibata,Kimio Inaba. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Method of producing laminated substrate, method of producing semiconductor module, laminated substrate, and semiconductor module

Номер патента: US20200043872A1. Автор: Keisuke Yamashiro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Power semiconductor module and discrete power semiconductor device having an active temperature sensor die, and corresponding methods of production

Номер патента: US20240243042A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Markus Neubert,Andrey KRAVCHENKO,Tillmann Walther. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor module parallel circuit and semiconductor module connection substrate

Номер патента: US12027464B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryota Hamaguchi,Shuichi Nagamitsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Phosphonium compound, preparation method thereof, epoxy resin composition including the same, and semiconductor device prepared by using the same

Номер патента: US09896465B2. Автор: Eun Jung Lee,Seung Han,Jin Woo Choi,Min Gyum KIM,Ki Hyeok KWON,Dong Hwan Lee,Joo Young Chung,Jin Min Cheon,Woo Chul NA,So Yoon KIM,Yoon Man LEE,Ji Yoon CHO,KyoungChul BAE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor module parallel circuit and semiconductor module connection substrate

Номер патента: US20220173043A1. Автор: Yasushi Nakayama,Ryota Hamaguchi,Shuichi Nagamitsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor module, display device, and semiconductor module production method

Номер патента: US20200357781A1. Автор: Takashi Ono,Toshio Hata,Tsuyoshi Ono,Katsuji Iguchi,Hiroaki Onuma,Hiroyoshi Higashisaka,Takashi KURISU,Yuhsuke Fujita. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20010052646A1. Автор: Hermanus Effing,Alfred Hamstra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device with fuses and method of manufacturing same

Номер патента: EP1287557A2. Автор: Hermanus J. Effing,Alfred R. Hamstra. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-03-05.

Semiconductor device connector, semiconductor device carrier, semiconductor device socket using the same and probe card

Номер патента: US20060138641A1. Автор: Takeyuki Suzuki. Владелец: Yamaichi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device

Номер патента: US12046533B2. Автор: Mitsunori Aiko,Takaaki Shirasawa,Tsuyoshi Takayama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US9123696B2. Автор: Yujin OKAMOTO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-01.

Semiconductor device having semiconductor module and cooler coupled with bolt

Номер патента: US09704776B2. Автор: Ryuichi SAWAGASHIRA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20140374898A1. Автор: Kousuke Komatsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor module, test system and method employing the same

Номер патента: US9035670B2. Автор: Won-Hyung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627294B2. Автор: Yasuo Kinoshita,Eisaku Kakiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Power semiconductor module comprising a case, base plate, and spacer

Номер патента: US09653369B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Akihiko Yamashita,Rei YONEYAMA,Ryo Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor module with scalable construction

Номер патента: US20050035439A1. Автор: Jürgen Steger,Thomas Stockmeier,Yvonne Manz. Владелец: Semikron GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor device, semiconductor module, and method for manufacturing semiconductor module

Номер патента: US20240355693A1. Автор: Katsuya Sato,Shogo Minami,Keiichiro Matsuo,Tomohiro Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240014088A1. Автор: Eiichi Ide,Akira Mima,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Manufacturing method of semiconductor wafer with adhesive layer, photosensitive adhesive, and semiconductor device

Номер патента: JPWO2012017955A1. Автор: 真二郎藤井,修一森,一行満倉. Владелец: Resonac Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

The manufacture method of substrate for power module, power module and substrate for power module

Номер патента: CN102593074B. Автор: 长友义幸,黑光祥郎. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-08-10.

Semiconductor module

Номер патента: US11735490B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Nobuchika AOKI,Keisuke EGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor module

Номер патента: US20220270946A1. Автор: Yoshitaka Kimura,Nobuchika AOKI,Keisuke EGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Encapsulant film and manufacturing method thereof, solar cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4235812A1. Автор: Xinwei NIU,Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Micro-electronic device with insulated substrate, and associated manufacturing method

Номер патента: US20230282710A1. Автор: Charlotte Gillot,Julien Buckley,Rene Escoffier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4404274A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor module

Номер патента: US20240244750A1. Автор: Masashi Hayashiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE IN WHICH THE SEMICONDUCTOR IS FORMED ON AN INSULATING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2525031B1. Автор: Junichi Ohno,Takao Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-01-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE OF WHICH THE SEMICONDUCTOR IS FORMED ON AN INSULATING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2525031A1. Автор: Junichi Ohno,Takao Ohta. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-10-14.

Semiconductor-on-insulator substrate, semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: CN113206108A. Автор: 吴政达,陈秋桦. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device and preparation method therefor, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: EP4407693A1. Автор: Wentao Yang,Gaochao XU,Runtao Ning,Linrong He,Kangrong HUANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09768031B2. Автор: Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method and operating method for the same

Номер патента: US09450048B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150333070A1. Автор: Takeshi Nagai,Kanta Saino. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-11-19.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240312852A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Manufacturing method of flexible thin film solar cell module and the flexible thin film solar cell module using the same

Номер патента: US20210135029A1. Автор: Jeung-Hyun Jeong,Won Mok Kim,Hyeonggeun Yu,Jong-Keuk Park,Eunpyung CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-06.

Image sensor manufacturing methods

Номер патента: US09721984B2. Автор: Kuo-Hsiu Wei,Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Mu-Han Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Encapsulant film and manufacturing method thereof, solar cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230275170A1. Автор: Xinwei NIU,Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210183844A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Chi-Yang Yu,Hsin-Yu Pan,Hao-Cheng Hou,Jung-Wei CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor module and power conversion apparatus

Номер патента: US20230024580A1. Автор: Kozo Harada,Seiki Hiramatsu,Ken Sakamoto,Haruko Hitomi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor module assembly

Номер патента: US20130194765A1. Автор: Jae-Jun Lee,Jeong-Hyeon Cho,Seung-jin Seo,Jung-Joon Lee,Baek Kyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-01.

Back side illumination (bsi) sensors, manufacturing methods thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US20140235008A1. Автор: Yu-Ku Lin,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chin-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor module

Номер патента: US20090236758A1. Автор: Wataru Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Photoelectric conversion element, manufacturing method for photoelectric conversion element, solar battery module, and paddle

Номер патента: EP4354516A1. Автор: Yoshihide Miyagawa,Mikio HAMANO,Kyohei HORIGUCHI. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor element unit and method of manufacturing thereof, semiconductor element unit supply substrate, and semiconductor packaging circuit and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP4068399A1. Автор: Takuma Ishikawa,Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Chihiro Takahashi,Hironori Furuta,Yusuke Nakai,Shinya Jyumonji,Yuuki SHINOHARA,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor element unit and method of manufacturing thereof, semiconductor element unit supply substrate, and semiconductor packaging circuit and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220310817A1. Автор: Takuma Ishikawa,Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Chihiro Takahashi,Hironori Furuta,Yusuke Nakai,Shinya Jyumonji,Yuuki SHINOHARA,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Miniature light-emitting diode and manufacturing method thereof, and miniature LED display module and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111933765A. Автор: 李超,马新刚,李东昇,范伟宏,高默然,赵进超,薛脱. Владелец: Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-13.

Graphene semiconductor device, manufacturing method thereof, organic light emitting display, and memory including graphene semiconductor device

Номер патента: US8716766B2. Автор: Joo-ho Lee,Chang-Seung Lee,Young Jun Yun,Young Bae Kim,Yong Sung Kim,David Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-06.

SEMICONDUCTOR MODULE, DISPLAY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR MODULE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200091120A1. Автор: HIGASHISAKA HIROYOSHI. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor element unit and method of manufacturing thereof, semiconductor element unit supply substrate, and semiconductor packaging circuit and method of manufacturing thereof

ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING AND DRIVING METHODS THEREOF, AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20160357314A1. Автор: Liu Wei,Dong Xue,Wang Haisheng,Ding Xiaoliang,Liu Hongjuan,Yang Shengji,Zhao Weijie,Liu Yingming,CHEN Xiaochuan,LI Changfeng. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Inductance element manufacturing method, multilayer electronic component, multilayer electronic component module, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP3800540B2. Автор: 稔高谷,敏一遠藤. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-07-26.

METHOD OF PRODUCING LAMINATED SUBSTRATE, METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR MODULE, LAMINATED SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20200043872A1. Автор: YAMASHIRO Keisuke. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-02-06.

SEMICONDUCTOR MODULE PARALLEL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MODULE CONNECTION SUBSTRATE

Номер патента: US20220173043A1. Автор: Nakayama Yasushi,HAMAGUCHI Ryota,NAGAMITSU Shuichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2022-06-02.

OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, DRIVING METHOD THEREOF, AND OPTICAL COHERENCE TOMOGRAPHY APPARATUS HAVING THE OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150263231A1. Автор: Sekiguchi Yoshinobu. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-09-17.

SEMICONDUCTOR MODULE, DISPLAY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR MODULE PRODUCTION METHOD

Номер патента: US20200357781A1. Автор: ONO Tsuyoshi,Hata Toshio,Ono Takashi,IGUCHI KATSUJI,ONUMA HIROAKI,HIGASHISAKA HIROYOSHI,FUJITA YUHSUKE,KURISU TAKASHI. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Power semiconductor module with two multiple power semiconductor devices

Номер патента: DE102006038479B4. Автор: Peter Dr. Kanschat. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-01-27.

PHOSPHONIUM COMPOUND, PREPARATION METHOD THEREOF, EPOXY RESIN COMPOSITION INCLUDING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PREPARED BY USING THE SAME

Номер патента: US20160368937A1. Автор: Lee Eun Jung,Lee Dong Hwan,HAN Seung,CHUNG Joo Young,KWON Ki Hyeok,KIM Min Gyum,CHEON Jin Min,CHOI Jin Woo,LEE Yoon Man,KIM So Yoon,NA Woo Chul,CHO Ji Yoon,BAE KyoungChul. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Manufacturing method of semiconductor devices

Номер патента: US4143178A. Автор: Nobuhisa Kubota,Nozomu Harada. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method and operating method for the same

Номер патента: US20140191792A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor package, semiconductor module, electronic device, and semiconductor package manufacturing method

Номер патента: WO2024062719A1. Автор: Hiroyuki Shigeta,Hirohisa Yasukawa. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-28.

Image-forming assembly and preparation method thereof and molding die, camera module and intelligent terminal

Номер патента: CN109387915A. Автор: 姚立锋,赵波杰,梅哲文,田中武彦. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20190393049A1. Автор: Shinichi Miyake. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Module having a moulded plastic body and a multiplicity of load terminal elements and power semiconductor device therewith

Номер патента: US11837525B1. Автор: Rainer Popp,Marco Lederer,Harald Kobolla. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-12-05.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20170317045A1. Автор: Atsuhiro Uratsuji,Toshiyuki INAOKA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Manufacturing method of low stress modified silicone epoxy resin for encapsulation of semiconductor device and resin composition for encapsulation of semiconductor device containing same

Номер патента: KR100462143B1. Автор: 이상선,김인수. Владелец: 고려화학 주식회사. Дата публикации: 2005-04-08.

The manufacture method of method for regulating temperature, heat treating equipment and semiconductor devices

Номер патента: CN100576127C. Автор: 上野正昭,杉下雅士. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-12-30.

The manufacture method of circuit board, semiconductor-fabricating device, circuit board and semiconductor device

Номер патента: CN101611490A. Автор: 川口均,奥川良隆,作道庆一. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-23.

Flow Sensor and Manufacturing Method of the Same and Flow Sensor Module and Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20140109691A1. Автор: Noboru Tokuyasu,Tsutomu Kono,Keiji Hanzawa,Shinobu Tashiro,Yuki Okamoto,Takeshi Morino. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2014-04-24.

Flow sensor and manufacturing method of the same and flow sensor module and manufacturing method of the same

Номер патента: US8640538B2. Автор: Noboru Tokuyasu,Tsutomu Kono,Keiji Hanzawa,Shinobu Tashiro,Yuki Okamoto,Takeshi Morino. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2014-02-04.

Manufacturing method of semiconductor SAB capable of preventing electric leakage and semiconductor device

Номер патента: CN115602542A. Автор: 周黎林. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

Manufacturing method of frame, plastic packaging method of module and manufacturing method of SIP module

Номер патента: CN112038238B. Автор: 刘鲁亭. Владелец: Qingdao Goertek Microelectronic Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Manufacture method, lining processor, lining treatment system and the recording medium of semiconductor devices

Номер патента: CN105493248B. Автор: 芦原洋司,广濑义朗,岛本聪,花岛建夫,镰仓司,野原慎吾,野田孝晓. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-04-10.

Manufacturing method for semiconductor film, photoelectric conversion element, image sensor, and semiconductor film

Номер патента: US20220102420A1. Автор: Masahiro Takata,Masashi Ono,Tetsushi MIYATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Manufacturing method of flexible thin film solar cell module and the flexible thin film solar cell module using the same

Номер патента: US11411128B2. Автор: Jeung-Hyun Jeong,Won Mok Kim,Hyeonggeun Yu,Jong-Keuk Park,Eunpyung CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-08-09.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US20120064666A1. Автор: Yoichiro Hamada,Shigeru Hosomomi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US20130309818A1. Автор: Yoichiro Hamada,Shigeru Hosomomi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ENERGY BEAM DETECTING ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20200411702A1. Автор: Yamamura Kazuhisa,KOSUGI Kazumasa,KAMADA Shintaro. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2020-12-31.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: KR101109795B1. Автор: 요이치로 하마다,시게루 호소모미. Владелец: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-02-24.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: US20200411702A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: EP3680940A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-07-15.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: EP3680940A4. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-05-12.

MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR FILM, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, IMAGE SENSOR, AND SEMICONDUCTOR FILM

Номер патента: US20220102420A1. Автор: ONO Masashi,TAKATA Masahiro,MIYATA Tetsushi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2022-03-31.

Manufacturing method for substrate processing equipment, vaporization system, mist filter, and semiconductor equipment

Номер патента: JP6891018B2. Автор: 康祐高木,敦士平野. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240113016A1. Автор: Manami Kinase. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312896A1. Автор: Natsuya Yoshida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240055392A1. Автор: Takashi Saito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Manufacturing method of light emitting device in a flip-chip configuration with reduced package size

Номер патента: US09490398B2. Автор: Nodoka OYAMADA,Kenji Imazu,Shusaku Mochizuki. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor module and method of manufacturing semiconductor module

Номер патента: US20240014156A1. Автор: Yasuaki Hozumi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor module and method of manufacturing semiconductor module

Номер патента: US12062630B2. Автор: Yasuaki Hozumi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor module and method of manufacturing semiconductor module

Номер патента: US11824024B2. Автор: Yasuaki Hozumi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243084A1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748154B1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09443778B2. Автор: Masao Kikuchi,Hiroshi Yoshida,Junji Fujino,Junichi Murai,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor module and manufacturing method of semiconductor module

Номер патента: US12021001B2. Автор: Kazuo Enomoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100698B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Chieh Chang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor module and method of manufacturing semiconductor module

Номер патента: US9818687B2. Автор: Naoyuki Kanai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Display device substrate, display device substrate manufacturing method, display device, liquid crystal display device, liquid crystal display device manufacturing method and organic electroluminescent display device

Номер патента: US09461265B2. Автор: Hiroyuki Moriwaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US20240290698A1. Автор: Kan Yasui,Toru Masuda,Takayuki Kushima,Daisuke Ikarashi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: EP4404259A1. Автор: Kan Yasui,Toru Masuda,Takayuki Kushima,Daisuke Ikarashi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186308A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Ming-Yu Yen,Hung-Chih Chen,Chin-Wei Liang,Kai-Fung Chang,Sheng-Feng Weng,Yi-Yang Lei,Hung-Chou LIAO,Cheyu LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor module

Номер патента: US20200335445A1. Автор: Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor module

Номер патента: US11322452B2. Автор: Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-03.

Semiconductor device and semiconductor module provided with same

Номер патента: US20180204778A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Shigeru Hasegawa,Isao Umezaki,Ryutaro Date,Ryo Tsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor module and semiconductor device

Номер патента: US09515061B2. Автор: Seiichiro Inokuchi,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Power semiconductor module

Номер патента: US20230343688A1. Автор: Bernd Eckardt,Andre Mueller,Benjamin Bayer,Maximilian Hofmann,Patrick Fuchs,Maximilian Barkow,Timijan Velic,Hubert Rauh,Jordan Sorge. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor module and power converter

Номер патента: US20240274498A1. Автор: Seiji Oka,Kazuya Okada,Yoshiko Tamada,Shotaro Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210249526A1. Автор: Norikazu Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US12046532B2. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US20240332122A1. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060081852A1. Автор: Kazushige Hotta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor device having a field effect transistor formed on a silicon-on-insulator substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966452B2. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09806104B2. Автор: Muneharu Akiyoshi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Package module of power conversion circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09892998B2. Автор: Tao Wang,Kai Lu,Shouyu Hong,Zhenqing ZHAO,Le Liang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin flim transistor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100148182A1. Автор: Sang-Gab Kim,Woong-Kwon Kim,Jung-Suk Bang,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Ho-Jun Lee,Yong-Mo Choi,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor module and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240304525A1. Автор: Tatsuya Karasawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Thin flim transistor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120003768A1. Автор: Sang-Gab Kim,Woong-Kwon Kim,Jung-Suk Bang,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Ho-Jun Lee,Yong-Mo Choi,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing semiconductor module and intermediate assembly unit of the same

Номер патента: US09741628B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor module

Номер патента: US20240274490A1. Автор: Yukihiro Kumagai,Takayuki Oouchi,Takayuki Kushima,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor module

Номер патента: US09812431B2. Автор: Tetsuya Inaba,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Manufacturing method for component incorporated substrate and component incorporated substrate manufactured using the method

Номер патента: US09596765B2. Автор: Akira Yamaki,Tatsuya Kikuchi,Mitsuaki Toda. Владелец: Meiko Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: EP3195349A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Power module and power conversion device

Номер патента: US12136582B2. Автор: Yoshinori Yokoyama,Koji Yamazaki,Tetsu Negishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Insulating substrate, electrical wiring substrate, thermal print head and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240268018A1. Автор: Goro Nakatani. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20040251536A1. Автор: Kozo Sato,Kenzo Hatada. Владелец: Shindo Company Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

Semiconductor device including a sealing region

Номер патента: US09852968B2. Автор: Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US09673163B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09647011B2. Автор: Jae-Yong Shin,Hong Min Yoon,Woo-Sung Sohn,Hui Gyeong Yun. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09634020B1. Автор: Nhan Do,Mandana TADAYONI,Chien Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7180095B2. Автор: Toshihiko Itoga,Makoto Ohkura,Takuo Kaitoh,Takahiro Kamo. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2007-02-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130221440A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US7772645B2. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283106A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Semiconductor power module and power conversion apparatus

Номер патента: US20180254228A1. Автор: Shoichi KUGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837447B2. Автор: Jae hak Lee,Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09647079B2. Автор: Jun Hyun Park,Kyoung Ju Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Cooler-integrated semiconductor module

Номер патента: US09530713B2. Автор: Takafumi Yamada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor module and method for manufacturing same

Номер патента: US11749581B2. Автор: Yukihiro Kitamura,Fumihiko Momose,Yuhei Nishida,Takashi Ideno. Владелец: Dowa Metaltech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240047318A1. Автор: Yuji Sato,Taketoshi Shikano,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US12125758B2. Автор: Kazuya Okada,Hidetoshi Ishibashi,Nobuhiro Asaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Warpage control structure for metal base plate, semiconductor module, and inverter device

Номер патента: US20220157763A1. Автор: Atsushi Maeda,Fumio Wada,Tatsuya Kawase,Kei Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020005540A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor module

Номер патента: US20230275009A1. Автор: Masashi Hayashiguchi,Takumi Kanda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020121667A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor module

Номер патента: US09530707B2. Автор: Takahito Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor module

Номер патента: US09460981B2. Автор: Takafumi Yamada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Silicon-on-insulator substrates having selectively formed strained and relaxed device regions

Номер патента: US09437680B1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor module and method of manufacturing semiconductor module

Номер патента: US20170025344A1. Автор: Naoyuki Kanai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Substrate-transferred, deep trench isolation silicon-on-insulator (soi) semiconductor devices formed from bulk semiconductor wafers

Номер патента: WO2017048531A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor module with liquid dielectric encapsulant

Номер патента: EP4273909A2. Автор: Georg Troska,Hans Hartung. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor module with liquid dielectric encapsulant

Номер патента: EP4273909A3. Автор: Georg Troska,Hans Hartung. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor module

Номер патента: US20220208639A1. Автор: Ikumi Fukuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240728A1. Автор: Akitoyo Konno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-08-23.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US20240282675A1. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US09960103B2. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09953890B2. Автор: Hideaki Takahashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Substrate for power modules, substrate with heat sink for power modules, and power module

Номер патента: US09807865B2. Автор: Yoshiyuki Nagatomo,Nobuyuki Terasaki,Yoshirou Kuromitsu. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor module having an embedded metal heat dissipation plate

Номер патента: US09754855B2. Автор: Hiroshi Houzouji,Akitoyo Konno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09608015B2. Автор: Dae ho Song,Duk-Sung Kim,Sung Man Kim,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09595542B2. Автор: Yu Jin Lee,Hyun Ki Hwang,Young Je Cho,Won Ho Kim,Sung Man Kim,Tae Hyung HWANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device module with solder layer

Номер патента: US09508700B2. Автор: Shoji Saito,Hideo KOMO,Takeshi Omaru. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor module and semiconductor device including the same

Номер патента: US20200286866A1. Автор: Takanori Kawashima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240222255A1. Автор: Soonho KWON,In-Suk Kim,Jooyaung EOM,Ki-Myung Yoon,Taekkeun LEE. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Element substrate, light-emitting element module, and light-emitting device

Номер патента: US20220181532A1. Автор: Ryota Hasunuma. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: US12046549B2. Автор: Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230335412A1. Автор: Tatsushi Kaneda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20170271518A1. Автор: Shinichi Ushikura,Ayumu Sato. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Printed circuit board and semiconductor module including the same

Номер патента: US11758652B2. Автор: Dohyung Kim,Dongmin Jang,Geunje PARK,Dongyoon Seo,Hwanwook Park,Jaeseok Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with cooler including heat dissipating substrate having a plurality of fins bonded to reinforcing plate

Номер патента: US12074091B2. Автор: Takahiro Koyama,Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor module, electronic device, and printed wiring board

Номер патента: US20200411424A1. Автор: Hideto Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Power semiconductor module and composite module

Номер патента: US09761567B2. Автор: Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09449951B2. Автор: Yushi Inoue,Shiro Harashima,Yukitoshi Hirose,Takuya MORIYA,Chihoko YOKOBE. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US09425065B2. Автор: Akira Goto,Taichi Obara,Takami Otsuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20220270948A1. Автор: Takanori Kawashima,Hiroshi UKEGAWA,Akinori Sakakibara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor module

Номер патента: US20240006256A1. Автор: Koji Sasaki,Daisuke Kawase,Kisho Ashida. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device with die mounted to an insulating substrate and corresponding method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12040263B2. Автор: Roberto Tiziani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US10276464B2. Автор: Yasutaka Shimizu,Takuya Takahashi,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20220199578A1. Автор: Shingo TSUCHIMOCHI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111444A1. Автор: Yong Seok Kim,Dae ho Song,Hae Ju Yun,Kwang Soo BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Power semiconductor module, power converter including the same and manufacturing method of power semiconductor module

Номер патента: EP4443480A1. Автор: TaeRyong KIM,Dongwoo MOON,Deogsoo KIM. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device including inner conductive layer having regions of different surface roughness

Номер патента: US12125823B2. Автор: Shingo TSUCHIMOCHI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09831166B2. Автор: Eiji Hayashi,Kozo Harada,Shinji Baba,Kyo Go. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818775B2. Автор: Chunping Long,Chien Hung Liu,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Liquid crystral display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780127B2. Автор: Chang Il TAE,Seung Ho Yang,Eun-Kil PARK,Je Hyeong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Electronic component mounting device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09723718B2. Автор: Taichi Obara,Rei YONEYAMA,Takami Otsuki,Eiju Shitama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666658B2. Автор: Joo Sun YOON,Hee Jun Yoo,Jeong Woo MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

SOI substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US09536774B2. Автор: Hideto Ohnuma,Tetsuya Kakehata,Yoichi Iikubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472582B2. Автор: Seung Jin Kim,Jae-Hyun Park,Seul-ki Kim,Jeong Wook HEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210082856A1. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240222206A1. Автор: Takayuki Matsumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20190103330A1. Автор: Yoshitaka Kimura,Hidetoshi Ishibashi,Shinsuke Asada,Minoru EGUSA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240243059A1. Автор: Moonyoung JEONG,Dongsoo Woo,Junsoo Kim,Sungho Jang,Ilgweon KIM,Joon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12107024B2. Автор: Takayuki Onaka,Yuki Yano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09673129B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Yoshitaka Nishimura,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda,Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634043B2. Автор: Chunping Long,Chien Hung Liu,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09502320B2. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437461B2. Автор: Makoto Higashidate. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296197A1. Автор: Yuuichi Fujita. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device

Номер патента: US9824950B2. Автор: Kyohei Fukuda,Tatsuo Nishizawa,Eiji Mochizuki,Yuhei Nishida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20150187671A1. Автор: Kyohei Fukuda,Tatsuo Nishizawa,Eiji Mochizuki,Yuhei Nishida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8273655B2. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-25.

Semiconductor device and power conversion apparatus

Номер патента: US20240290695A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: EP3761356A1. Автор: Yushi Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-06.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6008076A. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090130804A1. Автор: Chen-Pang Kung,Huai-Yuan Tseng,Ming-Hsien Lee,Horng-Chih Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-05-21.

Structure of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070267697A1. Автор: Chen-Pang Kung,Huai-Yuan Tseng,Ming-Hsien Lee,Horng-Chih Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-22.

Thin film transistor, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010022361A1. Автор: Takashi Miyamoto,Takatoshi Tsujimura,Mitsuo Morooka,Osamu Tokuhiro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887211B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor module with mounting case and method for manufacturing the same

Номер патента: US09837338B2. Автор: Tadahiko Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09614067B2. Автор: Sang Sig Kim,Yoonjoong Kim,Min Suk Kim,Young In JEON,Doo Hyuk LIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-04-04.

Component-embedded substrate manufacturing method

Номер патента: US09526182B2. Автор: Yoshio Imamura,Takuya Hasegawa,Ryoichi Shimizu,Tohru Matsumoto. Владелец: Meiko Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor module

Номер патента: US20170181300A1. Автор: Motohito Hori,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Hideyo Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Solar cell module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120167940A1. Автор: Masao Toya. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Flexible Printed Circuit Board, Chip On Film and Manufacturing Method

Номер патента: US20130306360A1. Автор: Xiaoping Tan,Yu Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device having multiple insulating films of varying thickness

Номер патента: US09958719B2. Автор: Osamu Itou,Yuki Matsuura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09773767B2. Автор: Yoko Nakamura,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Phosphor board manufacturing method and light-emitting substrate manufacturing method

Номер патента: US20230361254A1. Автор: Masahiro Konishi. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

High frequency device module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080203561A1. Автор: Tomohiro Yoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110291105A1. Автор: Shigeru Hasegawa,Kenji Hatori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Thin film transistor substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US8207535B2. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-26.

Semiconductor device, electric power conversion apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200161233A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Daisuke Murata,Hidetoshi Ishibashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US10553559B2. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor module

Номер патента: US09999146B2. Автор: Motohito Hori,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Hideyo Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09991220B2. Автор: Yoko Nakamura,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09673143B2. Автор: Yoshihiro Kamiyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having improved heat dissipation

Номер патента: US09640632B2. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09633926B2. Автор: Yuya Takano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9177977B2. Автор: Muneharu Akiyoshi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140167053A1. Автор: Muneharu Akiyoshi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230299038A1. Автор: Tomohiro Iguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor Device Including a Conductive Member Within a Trench

Номер патента: US20190273094A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device including a leadframe or a diode bridge configuration

Номер патента: US20200411555A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for producing a semiconductor component having an insulating substrate, and semiconductor component having an insulating substrate

Номер патента: US12100791B2. Автор: Benjamin Michaelis. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887154B2. Автор: Takuya Takahashi,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Quantum dot color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09817264B2. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09648732B2. Автор: Norihiro NASHIDA,Youko Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09559042B2. Автор: Hideyo Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Thin film transistor and a fabricating method thereof

Номер патента: US6316294B1. Автор: Dae-Gyu Moon,Jin-Mo Yoon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-13.

Display panel, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20210159303A1. Автор: Hua Huang,Changhan HSIEH,Shulei LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Power semiconductor module for improved heat dissipation and power density, and method for manufacturing the same

Номер патента: US11823996B2. Автор: Hamit Duran,Junfu Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Insulating substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230268245A1. Автор: Junichi Kinoshita,Yukihiro Kitamura,Takashi Ideno,Seiya Yuki. Владелец: Dowa Metaltech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150235965A1. Автор: Yoshihiro Kodaira. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor module and semiconductor module manufacturing method

Номер патента: US20210242156A1. Автор: Ryoichi Kato,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Array substrate, manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US20180033802A1. Автор: Xiaopeng CUI,Ruirui Wang,Linlin Wang,Huabin Chen. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Array substrate, manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US20170243889A1. Автор: Xiaopeng CUI,Ruirui Wang,Linlin Wang,Huabin Chen. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Quantum dot color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170254933A1. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Insulating circuit board and semiconductor device in which same is used

Номер патента: US20230345630A1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Kazumitsu Morimoto. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US12057365B2. Автор: Takumi Kanda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US12074082B2. Автор: Masaru Fuku,Yuya Muramatsu,Noriyuki Besshi,Tomohisa Yamane,Hisayuki Taki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Back-channel-etched tft substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190157431A1. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

OLED substrate, manufacturing method thereof, OLED display panel and electronic equipment

Номер патента: US09966423B2. Автор: Baoxia ZHANG,Cuili Gai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09761615B2. Автор: Xiaohui Jiang,Changjiang Yan,Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

OLED array substrate, manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09728749B2. Автор: Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Power semiconductor module

Номер патента: US09704831B2. Автор: Shizuri Tamura,Akira Hatai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Power semiconductor device

Номер патента: US09698091B2. Автор: Junji Fujino,Naoki Yoshimatsu,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Dye-sensitised solar cell comprising porous insulation substrate, and method of producing porous insulating substrate

Номер патента: RU2609775C2. Автор: Хенрик ЛИНДСТРЕМ,Джованни ФИЛИ. Владелец: Эксегер Свиден Аб. Дата публикации: 2017-02-03.

Package carrier structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190348356A1. Автор: Yu-Hua Chen,Chun-Hsien Chien,Yu-Chung Hsieh. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Method Of Making Embedded Memory Device With Silicon-On-Insulator Substrate

Номер патента: US20160086962A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Power module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230352361A1. Автор: Hsin-Han Lin,Tai-Jyun Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-11-02.

Power semiconductor module

Номер патента: US20160307817A1. Автор: Yoshitaka Kimura,Akihiko Yamashita,Rei YONEYAMA,Ryo Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Spacer structure for double-sided-cooled power module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200357720A1. Автор: Jun-Hee Park,Sung-Won Park,Tae-Hwa Kim,Hyun-Koo Lee,Hyeon-Uk Kim. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234271A1. Автор: Norikazu Sakai,Fumihito KAWAHARA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20090286374A1. Автор: Shigeru Mori,Hiroshi Tanabe,Tadahiro Matsuzaki,Takahiro Korenari. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor module

Номер патента: US11398450B2. Автор: Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Naoyuki Kanai,Yuma Murata,Akito NAKAGOME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Spacer structure for double-sided-cooled power module and method of manufacturing the same

Номер патента: US11031314B2. Автор: Jun-Hee Park,Sung-Won Park,Tae-Hwa Kim,Hyun-Koo Lee,Hyeon-Uk Kim. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-06-08.

Semiconductor device including superlattice sige/si fin structure

Номер патента: WO2015114482A1. Автор: Yeh Chun-chen,Basker Veeraraghavan,Tenko Yamashita. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240186257A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang,Meng-Che Tu,Po-Nan Yeh,Miao-Ken HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Metal-coated, polymer-encapsulated electronics modules and methods for making the same

Номер патента: US12132010B2. Автор: Ming Liu,Anthony M. Coppola,Seongchan Pack. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09905494B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device including positive, negative and intermediate potential conductor plates

Номер патента: US09871465B2. Автор: Hiroaki Ichikawa,Shuangching Chen. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Light emitting module and head lamp including the same

Номер патента: US09791119B2. Автор: Nam Seok Oh,Jong Woo Lee,Yun Min CHO. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device including superlattice SiGe/Si fin structure

Номер патента: US09660035B2. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Module arrangement for power semiconductor devices

Номер патента: US09601399B2. Автор: Munaf Rahimo,Hamit Duran. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Transducer, and manufacturing method of the transducer

Номер патента: US09564836B2. Автор: Seung-Mok Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: EP1318546A1. Автор: Kozo Sato,Kenzo Hatada. Владелец: Shindo Company Ltd. Дата публикации: 2003-06-11.

Power module and power conversion apparatus

Номер патента: US20190057914A1. Автор: Kenta NAKAHARA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor module

Номер патента: US20160064302A1. Автор: Takafumi Yamada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display apparatus using the semiconductor device

Номер патента: US20110108841A1. Автор: Mutsuko Hatano,Junichi Hanna,Masatoshi Wakagi,Akiko Kagatsume,Etsuko Nishimura,Isao Suzumura,Mieko Matsumura,Kenichi Onisawa. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2011-05-12.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US20220310479A1. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

Power semiconductor module and power conversion apparatus

Номер патента: US20210082778A1. Автор: Seiki Hiramatsu,Hisayuki Taki,Yusuke Kaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and display device

Номер патента: US20150041947A1. Автор: Katsuyuki Suga. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Organic light-emitting diode display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20200273933A1. Автор: Ling Wang,Pan Xu,Yongqian Li,Cuili Gai,Yicheng Lin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210125976A1. Автор: Toma TAKAO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of manufacturing silicon on insulator substrate

Номер патента: US20170278741A1. Автор: Tetsuya Yamada,Shinjirou Uchida,Masamitsu Fukuda,Hiromichi Kinpara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Flexible display substrate, manufacturing method thereof, and flexible display device

Номер патента: US20200212324A1. Автор: Yuanzheng GUO,Pinfan WANG,Ming Che HSIEH. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312940A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hung-Wei TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Power semiconductor module and power converter including the same

Номер патента: US20240339386A1. Автор: TaeRyong KIM,Dongwoo MOON,Deogsoo KIM. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device thermal management module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355699A1. Автор: Dae Young Kong,Hyoung Soon Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2024-10-24.

A semiconductor component, a pressure-bonded power semiconductor module, and a manufacturing method

Номер патента: LU506756B1. Автор: Xiushan Wu. Владелец: Univ Zhejiang Water Resources & Electric Power. Дата публикации: 2024-10-17.

Assembly comprising an element that is capable of transmitting heat, a film of a polymer that is a good thermal conductor and electrical insulator, a sintered joint and a radiator and manufacturing method

Номер патента: US09865530B2. Автор: Rabih KHAZAKA. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-01-09.

Microstructure, multilayer wiring board, semiconductor package and microstructure manufacturing method

Номер патента: US09799594B2. Автор: Kosuke Yamashita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09620646B2. Автор: Zhanjie MA. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor module and method for cooling power semiconductor module

Номер патента: US09607924B2. Автор: Daniel Kearney,Francesco Agostini,Mathieu Habert,Didier Cottet,Daniele Torresin. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09589867B2. Автор: Tetsuya Inaba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09570473B2. Автор: Kai Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Thin film transistor array substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09530807B2. Автор: Tiansheng Li,Wenyu ZHANG,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09515100B2. Автор: Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor Module with Liquid Dielectric Encapsulant

Номер патента: US20230360989A1. Автор: Georg Troska,Hans Hartung. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-09.

Test piece and manufacturing method thereof

Номер патента: US9012332B2. Автор: Yu-Lin Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20150187689A1. Автор: Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Intermediate connection member, method for manufacturing intermediate connection member, electronic module, method for manufacturing electronic module, and electronic equipment

Номер патента: US20220020807A1. Автор: Mitsutoshi Hasegawa,Noritake Tsuboi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20190385985A1. Автор: Masao Noguchi,Akinori Sakakibara,Rintaro Asai,Shingo TSUCHIMOCHI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220077103A1. Автор: Narumi Sato,Yuichiro HINATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Power semiconductor device module

Номер патента: EP4372804A2. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor module

Номер патента: US12002730B2. Автор: Ikumi Fukuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US8080850B2. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-12-20.

High-voltage devices integrated on semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20210210630A1. Автор: Ruchil Kumar JAIN,Pinghui Li,Handoko Linewih,Darin Arthur Chan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor device with a laser-connected terminal

Номер патента: US20210407955A1. Автор: Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Shinji Tada,Yuma Murata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Array substrate, manufacturing method thereof, and short circuit repair method

Номер патента: US20230369138A1. Автор: Peijian Yan. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200357753A1. Автор: Toshio DENTA,Yuji Ichimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Transistor structure with multiple halo implants having epitaxial layer over semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20200135583A1. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20040175873A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20200235060A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Daisuke Murata,Hidetoshi Ishibashi,Takuya KITABAYASHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20210028132A1. Автор: Masahiro Hirayama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor module and heat radiating plate

Номер патента: EP1879226A3. Автор: Katsuaki Sakai,Shuzo Aoki,Hisateru Iijima,Meisou Chin. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-09.

Application of electrical conductors to an electrically insulating substrate

Номер патента: US20230292445A1. Автор: Benzion Landa,Naomi ELFASSY,Stanislav THYGELBAUM. Владелец: Landa Labs 2012 Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device capable of realizing a wide band impedance matching

Номер патента: US12094840B2. Автор: Masahiro Hirayama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Package substrate, method of manufacturing the package substrate and semiconductor package including the package substrate

Номер патента: US20140246771A1. Автор: Tae-Young Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Array substrate manufactured by reduced times of patterning processes manufacturing method thereof and display apparatus

Номер патента: US09991295B2. Автор: Chunping Long,Zuqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Display substrate, manufacturing method and driving method thereof, and display device

Номер патента: US09859339B2. Автор: Hongda Sun,Meili Wang,Xuyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US10431605B2. Автор: Jae hak Lee,Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130228909A1. Автор: Shogo Mori,Shinsuke Nishi. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor module

Номер патента: US11923278B2. Автор: Masashi Hayashiguchi,Takumi Kanda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

High-voltage devices integrated on semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20230115000A1. Автор: Ruchil Kumar JAIN,Alban Zaka. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20230335413A1. Автор: Tatsushi Kaneda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Thin film transistor substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US7816192B2. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20200066647A1. Автор: Akinori Sakakibara,Ryosuke SHIIZAKI,Shingo TSUCHIMOCHI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device, power conversion device, and mobile body

Номер патента: US20230335455A1. Автор: Yuta Fukushima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20190378810A1. Автор: Hiroyuki Harada,Taishi Sasaki,Yuki Yoshioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Wiring board and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3740048A1. Автор: Takahiro Hayashi,Tomoaki Mizutani. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-18.

Semiconductor module

Номер патента: US20240178110A1. Автор: Masashi Hayashiguchi,Takumi Kanda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160020161A1. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor module

Номер патента: US20210098347A1. Автор: Masashi Hayashiguchi,Takumi Kanda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor module

Номер патента: US20220246507A1. Автор: Masashi Hayashiguchi,Takumi Kanda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-08-04.

High-voltage devices integrated on semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US11984503B2. Автор: Ruchil Kumar JAIN,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Dresden Module One &co Kg LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105566A1. Автор: Xiaopeng Wu,Kohei Tanikawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Thin film transistor substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20080157085A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9415455B2. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Thermoelectric conversion substrate, thermoelectric conversion module and method for producing thermoelectric conversion substrate

Номер патента: US20190081229A1. Автор: Noboru Yamamoto,Takuji Aoyama,Junya Tanaka,Tatsuo Sasaoka,Satoshi Maeshima. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Device mounting board and semiconductor module

Номер патента: US20110100696A1. Автор: Kiyoshi Shibata,Takanori Hayashi,Masayuki Nagamatsu. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20210202624A1. Автор: Kui Gong,Xianxue Duan. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architectures with gate-all-around devices above insulator substrates

Номер патента: US12057491B2. Автор: Tahir Ghani,Stephen M. Cea,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Electronic device, stacked structure, and manufacturing method of the same

Номер патента: US9966472B2. Автор: Junichi Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220005841A1. Автор: Jinyang ZHAO. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Method of fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: EP1695377A2. Автор: Huajie Chen,Guy Cohen,Stephen Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-30.

Method of fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: WO2005055290A2. Автор: Huajie Chen,Guy Cohen,Stephen Bedell. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2005-06-16.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices above insulator substrates

Номер патента: US20240355903A1. Автор: Tahir Ghani,Stephen M. Cea,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Electronic device, stacked structure, and manufacturing method of the same

Номер патента: US09966472B2. Автор: Junichi Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Conductive contacts in semiconductor on insulator substrate

Номер патента: US09685535B1. Автор: Kangguo Cheng,Rama Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, module, and electronic device

Номер патента: US09653487B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method for thermoelectric conversion device

Номер патента: US09620699B2. Автор: Toshihisa Taniguchi,Yoshihiko Shiraishi,Yoshitaro Yazaki,Atusi Sakaida,Keita Saitou,Eijirou Miyagawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor array panel and manufacturing method of the same

Номер патента: US09570477B2. Автор: Kwang-Ho Lee,Hong-Suk Yoo,Sang-soo Kim,Jang-Soo Kim,Shi-Yul Kim,Jae-Hyoung Youn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Complementary metal oxide semiconductor device with dual-well and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543303B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508620B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Insulation substrate for a semiconductor device

Номер патента: US5869890A. Автор: Katsumi Yamada,Tomio Shimizu,Akira Morozumi,Shigemasa Saito,Masaharu Nishiura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-09.

Semiconductor device having a crystallized island semiconductor layer

Номер патента: US5567967A. Автор: Naoto Kusumoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-22.

Field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US5397907A. Автор: Yong H. Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-03-14.

Manufacturing method and manufacturing apparatus for interconnection member

Номер патента: EP4207316A1. Автор: Hua Li,Peng Chen,Yong Wang,Jun Chen,Jiyu Liu,Debao ZHAO. Владелец: Taizhou Longi Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Power semiconductor device module

Номер патента: EP4293714A2. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20230011627A1. Автор: Atsushi Kyutoku,Soichiro UMEDA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220293553A1. Автор: Takumi Shigemoto,Mana Nishino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Insulating substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230298961A1. Автор: Yukihiro Kitamura,Takashi Ideno,Seiya Yuki,Eitarou SATOU. Владелец: Dowa Metaltech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190267331A1. Автор: Hiroyuki Harada,Koji Yamada,Kozo Harada,Takashi Nishimura,Yasumichi Hatanaka,Masayuki Mafune. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150162251A1. Автор: Yeon Taek JEONG,Hee Jun BYEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060044488A1. Автор: Woo-Suk Chung,Chang-Won Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20070284719A1. Автор: Hiroki Shiota,Hirotaka Muto,Tetsuo Mizoshiri. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-12-13.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US20240047311A1. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Power semiconductor device package and method of assembling thereof

Номер патента: EP3944305A1. Автор: Franck ERGAS. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160225688A1. Автор: Takashi Saito,Ryoichi Kato,Yoshitaka Nishimura,Fumihiko Momose. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device

Номер патента: EP1860697A3. Автор: Hiroki Shiota,Hirotaka Muto,Tetsuo Mizoshiri. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-13.

Ncfet transistor comprising a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20240170577A1. Автор: Ionut Radu,Guillaume BESNARD,Sorin Cristoloveanu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220148987A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200328170A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US11842970B2. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US12032258B2. Автор: Wei He,Zhiwei Song,Xiaofang TAN,Jiwang Yuan. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20220293709A1. Автор: Chao Wang,Jun Cheng,Liangchen YAN,Tongshang Su,Qinghe Wang,Yongchao HUANG,Zhiwen LUO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168861A1. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8932950B2. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-01-13.

Insulating circuit board and semiconductor device using same

Номер патента: US20230335483A1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Kazumitsu Morimoto. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Thin film transistor array substrate, manufacturing method thereof and touch display panel

Номер патента: US20170235396A1. Автор: Qiang Gong. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Display substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US11378846B2. Автор: TING Li,Bo Shi,Yuanjie Xu,Wenhua Song. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258253A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Organic light emitting diode array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20190013336A1. Автор: Xiaochuan Chen,Shengji Yang,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Array substrate, manufacturing method thereof and touch display device

Номер патента: US20180203541A1. Автор: Wei Wang,Chong Liu,Haisheng ZHAO,Xiongtian HUANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Organic light-emitting diode display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US10886495B2. Автор: NA Li,Xing Fan,Xiaobo Du,Haidong WU,Yansong Li,Guanyin WEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-05.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20230306903A1. Автор: Hongwei Ma,Bo Zhang,Rong Wang,Xiaoqing SHU,Xiangdan Dong. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Backlight module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240280855A1. Автор: Chien-Tzu Chu,Chao-Chin Sung,Chueh-Yuan NIEN,Chao-Sen Yang. Владелец: Carux Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20220392926A1. Автор: Macai Lu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Power semiconductor module

Номер патента: US20170271275A1. Автор: Yuki Inaba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US12075667B2. Автор: Yao Huang,Yuanjie Xu,Yue Long,Benlian WANG,Lili Du. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Contact component and semiconductor module

Номер патента: US9406633B2. Автор: Makoto Isozaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Ray detection substrate, manufacturing method thereof and ray detection device

Номер патента: US20180254301A1. Автор: Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-06.

Ray detection substrate, manufacturing method thereof and ray detection device

Номер патента: US10553638B2. Автор: Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Display substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20210327966A1. Автор: MING Yang,Han Yue,MINGHUA XUAN,CAN Wang,Xiaochuan Chen,Ning Cong,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Display substrate, manufacturing method thereof and flexible display device

Номер патента: US20150303388A1. Автор: KAZUYOSHI Nagayama,Yunfei Li,Ling Shi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Thin film transistor manufacturing method, thin film transistor and display device using the same

Номер патента: US7838351B2. Автор: Toshiaki Arai,Motohiro Toyota. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Semiconductor module and vehicle

Номер патента: US20210313249A1. Автор: Takahiro Koyama,Kensuke Matsuzawa,Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Array substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US20190189640A1. Автор: Wei Wang,Peng Huang,Yanxin Wang,Shuquan YANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Organic light-emitting diode display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20190326546A1. Автор: NA Li,Xing Fan,Xiaobo Du,Haidong WU,Yansong Li,Guanyin WEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20240231160A1. Автор: JING Yu. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20240258342A1. Автор: Kuhuang Lai,Huaipei WANG. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Display substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20240258336A1. Автор: WU Wang,Zhiyong Li,Xiaolin Wang,Zhifu Dong,Pengcheng Fu,Hongtao WENG. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20240258326A1. Автор: Bin Lin,Liangliang LI,Xiaolong Chen,Zengrong LI,Wanxia FU,Zhouyu CHEN,Zengjie LIN. Владелец: Ltd Boe Technology Group Co. Дата публикации: 2024-08-01.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20240213260A1. Автор: SHAN Li,Qiang Wang,Bin Zhao,Lanlan Li,Juncheng Xiao,MingJiue YU. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Array substrate, manufacturing method thereof, and liquid crystal display panel

Номер патента: US20220317490A1. Автор: Haijun Wang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20240315098A1. Автор: Bo Zhang,Rong Wang,Yulong WEI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor module

Номер патента: US20240321655A1. Автор: Shuangching Chen. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Wiring substrate, manufacturing method thereof, light-emitting substrate, and display device

Номер патента: US20240322099A1. Автор: Jie Wang,Huan LIU,Zouming Xu,Xintao Wu,Zhi Jin,Ningyu Luo,Tingwei Han,Leiming Ding. Владелец: Hefei BOE Ruisheng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Light detection substrate, manufacturing method thereof and light detection apparatus

Номер патента: US12080731B2. Автор: FAN LI,Jiangbo Chen,Da Li,Shuo Zhang,Kui Liang,Fanli Meng,Zeyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Display Substrate, Manufacturing Method Thereof and Display Device

Номер патента: US20240306428A1. Автор: YONG ZHOU,Feng Bai,Hexiong Li,Sa Liu,Yongyi FU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1817796A1. Автор: Hiroko Abe,Mikio c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd YUKAWA,Ryoji c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd NOMURA,Satoshi Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd SEO,Shunpei c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. YAMAZAKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-15.

Flexible array substrate, manufacturing method thereof, flexible display device

Номер патента: US20210013242A1. Автор: Tao Gao,Yuanzheng GUO. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Display substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20240363644A1. Автор: Yan Yan,Xiao Wang,Weitao CHEN,Yu Ma,Qi SANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Array substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US12113073B2. Автор: Xu Huang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20140159009A1. Автор: Hee Cheol Kim,Young Suk Song,Seong Yeol Yoo,Seung Jin Choi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Displaying substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US12133417B2. Автор: Yang Zhang,Bin Zhou,Qinghe Wang,Yongchao HUANG,Leilei CHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Frame member with a porous material between a semiconductor module and heat sink

Номер патента: US12068217B2. Автор: Hiroki Shiota,Takashi Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US11901354B2. Автор: HUI Li,Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Array substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US09947691B2. Автор: Lin Lin,Xuebing JIANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09933671B2. Автор: WEI Xue,Ping Song,Hongmin Li,Zhifu Dong. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929113B2. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09917198B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09910327B2. Автор: Feng Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09905594B2. Автор: Zhenfei Cai,Xinjie Zhang,Chuanwen Luo. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Thin film transistor and array substrate, manufacturing methods thereof, and display device

Номер патента: US09882060B2. Автор: Gang Wang,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Power semiconductor module

Номер патента: US09881879B2. Автор: Yuki Inaba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09847382B2. Автор: Qing Dai,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09835921B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Wenlin Zhang,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong,Zhixing Zhang,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for preparing substrate using germanium condensation process and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US09825151B2. Автор: Jea Gun Park,Seung Hyun Song,Du Yeong LEE,Tea Hun SHIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon-on-insulator radio frequency device and silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09780164B2. Автор: Daniel Xu,Ernest Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679901B1. Автор: Chin-Lung Lin,Shih-Fang Tzou,Le-Tien Jung,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Harn-Jiunn Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Array substrate, manufacture method thereof, and liquid crystal display device

Номер патента: US09671655B2. Автор: Haiting Zhao. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Array substrate, manufacture method thereof, and display device with the array substrate

Номер патента: US09647002B2. Автор: Hongjiang Wu,Jianfeng Yuan. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Array substrate, manufacture method thereof, and display device

Номер патента: US09638974B2. Автор: Zhenfei Cai. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Array substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US09638972B2. Автор: Xi Chen,Jianfeng Yuan,Linlin Wang,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09612487B2. Автор: Zheng Fang,Qiangtao Wang,Hyunsic Choi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Lateral bipolar junction transistors on a silicon-on-insulator substrate with a thin device layer thickness

Номер патента: US09553145B2. Автор: Michael L. Kerbaugh,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Array substrate, manufacturing method thereof, liquid crystal panel and liquid crystal display

Номер патента: US09524988B2. Автор: Sha Liu,Baoqiang WANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

High-power semiconductor module

Номер патента: US09490621B2. Автор: Thomas Setz,Tobias WIKSTRÖM. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Display device, driving method thereof, manufacturing method thereof and anti-peeping display system

Номер патента: US20180233108A1. Автор: Chunbing Zhang,Xianjuan ZHAN. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466580B2. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US12148376B2. Автор: Hongwei Ma,Bo Zhang,Rong Wang,Xiaoqing SHU,Xiangdan Dong. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09455414B2. Автор: Qi Yao,Shi Shu,Yonglian QI,Chuanxiang XU,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Color filter substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09453948B2. Автор: Guangcai Yuan,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Display substrate, manufacturing method thereof and flexible display device

Номер патента: US09444061B2. Автор: KAZUYOSHI Nagayama,Yunfei Li,Ling Shi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Contact component and semiconductor module

Номер патента: US09406633B2. Автор: Makoto Isozaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor device, power converter, and moving vehicle

Номер патента: US20230268239A1. Автор: Yoichi Hironaka,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Heat sink-equipped power module substrate and manufacturing method for heat sink-equipped power module substrate

Номер патента: US20200335416A1. Автор: Kazuhiko Yamasaki,Masayuki Ishikawa,Tatsuya Numa,Kotaro Masuyama. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150053987A1. Автор: Dae ho Song,Duk-Sung Kim,Sung Man Kim,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20150091170A1. Автор: Yushi Inoue,Shiro Harashima,Yukitoshi Hirose,Takuya MORIYA,Chihoko YOKOBE. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-04-02.

Manufacturing method of substrate for display device and manufacturing method of display device

Номер патента: USRE49718E1. Автор: Kazunori Inoue,Yusuke Yamagata,Toshihiko Iwasaka. Владелец: Trivale Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-31.

Manufacturing method of substrate for display device and manufacturing method of display device

Номер патента: US20170170204A1. Автор: Kazunori Inoue,Yusuke Yamagata,Toshihiko Iwasaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US11967543B2. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US11973007B2. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20220157672A1. Автор: Takuya Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240088166A1. Автор: Akihiro Hanada,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20050263787A1. Автор: Eitaro Ishimura,Nobuyuki Tomita,Eiji Yagyu,Masaharu Nakaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor module

Номер патента: US20200185315A1. Автор: Takayuki Matsumoto,Yukimasa Hayashida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor module and system including the same

Номер патента: US20240087982A1. Автор: Seung Jin Ryu,Nam Hyeon CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor module and data memory module having the same

Номер патента: US8493706B2. Автор: Gwang-Man Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-23.

Solar cell string, string group, module, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210257506A1. Автор: Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: Jingao Solar Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Header for semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: EP4113589A2. Автор: Masao Kainuma. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Header for semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: EP4113589A3. Автор: Masao Kainuma. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-05.

Thin film transistor, its manufacture method and display device

Номер патента: US7394098B2. Автор: Takuya Watanabe,Takuya Hirano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-01.

Thin film transistor, its manufacture method and display device

Номер патента: US20040135236A1. Автор: Takuya Watanabe,Takuya Hirano. Владелец: Fujitsu Display Technologies Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276706A1. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor module and electronic device

Номер патента: US20170207144A1. Автор: Masumi Suzuki,Mitsutaka Yamada,Jie Wei,Michimasa Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device including the same

Номер патента: US20200251557A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355900A1. Автор: Man-Nung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing high resistivity silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09853133B2. Автор: Qingmin Liu,Shawn George Thomas. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660042B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and cooler thereof

Номер патента: US09472488B2. Автор: Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method to co-integrate oppositely strained semiconductor devices on a same substrate

Номер патента: US09460971B2. Автор: Sylvain Maitrejean,Romain Wacquez,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-04.

Module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09456503B2. Автор: Tadashi Nomura,Akihiko Kamada. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Low-cost flexible film package module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050040504A1. Автор: Dong-Han Kim,Sa-Yoon Kang,Ye-Chung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5624861A. Автор: Tsukasa Shibuya. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-04-29.

Semiconductor device including trench with at least one of an edge of an opening and a bottom surface being round

Номер патента: US7067874B2. Автор: Katsumi Nakamura,Tadaharu Minato,Katsuomi Shiozawa,Shuuichi Tominaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240047294A1. Автор: Katsuhiko Kondo,Takuya SHIRATSURU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20200335492A1. Автор: Akira Yamamoto,Yuki HATA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Anti-corrosion particles in semiconductor device

Номер патента: EP4258339A1. Автор: Ulrich Wilke,Johannes Uhlig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11855103B2. Автор: Akihiro Hanada,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20200373336A1. Автор: Kazushige Takechi. Владелец: Tianma Japan Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20140367845A1. Автор: Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Manufacturing method and manufacturing apparatus for interconnection member

Номер патента: US20230275172A1. Автор: Hua Li,Peng Chen,Jun Chen,Young Wang,Jiyu Liu,Debao ZHAO. Владелец: Taizhou Longi Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20240145352A1. Автор: Yoichi Nishihara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088064A1. Автор: Daichi Otori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Active matrix substrate, display device and display device manufacturing method

Номер патента: US20180210306A1. Автор: Hirohiko Nishiki,Takeshi Hara,Tomohiro Kosaka,Tohru Okabe,Izumi Ishida,Shogo Murashige. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240071900A1. Автор: Katsumi Taniguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Anti-Corrosion Particles in Semiconductor Device

Номер патента: US20230326820A1. Автор: Ulrich Wilke,Johannes Uhlig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20190237381A1. Автор: Takanori Kawashima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20180269120A1. Автор: Yasutaka Shimizu,Takuya Takahashi,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076583A1. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Wafer rewiring double verification structure, and manufacturing method and verification method thereof

Номер патента: US20240079271A1. Автор: Wenjie Huang. Владелец: Hefei Chipmore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046593B2. Автор: Wei Wang,King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Danfeng MAO,Jinhan Zhang,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150008507A1. Автор: Yasufumi Morimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor module and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200294953A1. Автор: Takafumi Yamada,Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Power Semiconductor Module and Manufacturing Method of Power Semiconductor Module

Номер патента: US20170162472A1. Автор: Shinichi Fujino,Yusuke Takagi,Akira Matsushita,Takashi Kume,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-06-08.

Solar cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module, and photovoltaic system

Номер патента: EP4407696A2. Автор: Daming Chen,Guangtao YANG,Binglun HAN. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11756868B2. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Heat dissipation module and base and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090107654A1. Автор: Chin-Ming Chen,Yu-Hung Huang,Chun-Yang Hung,Sung-Ching Ho. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor module and electronic device

Номер патента: US10083938B2. Автор: Masumi Suzuki,Mitsutaka Yamada,Jie Wei,Michimasa Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12080621B2. Автор: Keita Motoyama,Yoshiaki Takewaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046544B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150340492A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US20240312880A1. Автор: Kazutaka Ikeda,Yoshihisa Uchida,Tatsunori YANAGIMOTO,Yusuke KUSAKABE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Flexible photovoltaic cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363781A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Solar cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module, and photovoltaic system

Номер патента: US20240363776A1. Автор: Daming Chen,Guangtao YANG,Binglun HAN. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Wireless communication module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150044976A1. Автор: Hyung Goo BAEK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor module and semiconductor driving device

Номер патента: US09978670B2. Автор: Yoshihito Asao,Akihiko Mori,Yu KAWANO,Shunsuke FUSHIE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780276B2. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680033B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor on insulator substrate with back bias

Номер патента: US09666615B2. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09646994B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553041B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor module, semiconductor device having semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor module

Номер патента: US09520345B2. Автор: Tomokazu Watanabe,Hiroshi Ishino. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484437B2. Автор: Hung-Der Su,Kuo-Cheng Chang,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12136565B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09406697B1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: EP2642517A1. Автор: Yoshikazu Takamiya,Kazunaga Oonishi,Yoshihiro Kodaira. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7294532B2. Автор: Hiroyuki Imamura,Nobuyuki Koutani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-13.

Composite LED circuit board and manufacturing method

Номер патента: GB2545285A. Автор: Zhou Xiaojun,Xia Qijun,He Minming,Yao Binxiong. Владелец: Ningbo Klite Electric Manufacture Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-14.

Insulating substrate for mounting semiconductor devices

Номер патента: GB2260650A. Автор: Masahide Miyagi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1993-04-21.

Method of forming a semiconductor device on insulating substrate by selective amorphosization followed by simultaneous activation and reconversion to single crystal state

Номер патента: US4463492A. Автор: Kenji Maeguchi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-08-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230108221A1. Автор: Shingo Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150287744A1. Автор: Hee-Keun Lee,Dong Youb OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20230011041A1. Автор: Atsushi Kyutoku,Soichiro UMEDA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20230009548A1. Автор: Atsushi Kyutoku,Soichiro UMEDA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240014107A1. Автор: Hiroaki Matsubara,Taro Nishioka,Tomohira Kikuchi,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator fin on insulator substrate

Номер патента: US20210305388A1. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20160240456A1. Автор: Koichi Yoshimura,Kazuhiro Kurachi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device, wiring board and method of making same

Номер патента: US20040104487A1. Автор: Akira Chinda. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Formation method of single crystal semiconductor layer, formation method of crystalline semiconductor layer, formation method of polycrystalline layer, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090111247A1. Автор: Koichiro Tanaka,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11881479B2. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Manufacturing method of thin film semiconductor substrate

Номер патента: US20120077331A1. Автор: Takeshi Matsumoto,Toshiyuki Sameshima,Yuko Fujimoto,Yutaka Inouchi. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US9543227B2. Автор: Koichi Yoshimura,Kazuhiro Kurachi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Package substrate and semiconductor package including the same

Номер патента: US11784139B2. Автор: Byungwook Kim,Ayoung KIM,Seongwon JEONG,Sangsu Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Power semiconductor module

Номер патента: WO2007132683B1. Автор: Takeshi Kato,Kenji Okamoto,Kenichi Nonaka,Yoshimitsu Saito,Yoshihiko Higashidani,Kenji Oogushi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor device

Номер патента: US11784156B2. Автор: Hiroyuki Masumoto,Takuya KITABAYASHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20190103402A1. Автор: Shingo TSUCHIMOCHI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Light detection module and beat spectrometer

Номер патента: US20230317867A1. Автор: Akio Ito,Tadataka Edamura,Tatsuo Dougakiuchi,Masahiro HITAKA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-10-05.

Package substrate and semiconductor package including the same

Номер патента: US20210050308A1. Автор: Byungwook Kim,Ayoung KIM,Seongwon JEONG,Sangsu Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Package substrate and semiconductor package including the same

Номер патента: US20220285290A1. Автор: Byungwook Kim,Ayoung KIM,Seongwon JEONG,Sangsu Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Thin film transistor substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20100327283A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150378206A1. Автор: Woo Yong Sung,Tae Woon CHA,A Ram Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Package substrate and semiconductor package including the same

Номер патента: US20130069229A1. Автор: Tae-Gyu Kang,Il-Soo Choi,Tae-ho Moon,Jong-Eun Lee,Ho-Tae Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-21.

Power module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240145371A1. Автор: Suk Hyun LIM,So Eun Jeong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Small light-emitting diode (led) module and preparation method therefor

Номер патента: EP4394247A1. Автор: Yuan Yuan. Владелец: Sunto Microelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290905A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240194607A1. Автор: Wei Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Qiangwei Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor module and semiconductor device

Номер патента: US12027492B2. Автор: Takanobu Naruse. Владелец: Aisin Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220069123A1. Автор: Chen-Yi Lee,Yi-Cheng CHIU,Sheng-Fu Hsu,Chiu-Hua Chung,Tien-Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20080136017A1. Автор: Yoshifumi Nakamura,Michinari Tetani,Yukihiro Kozaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US12027517B2. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200259082A1. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11011703B2. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor Module and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20230016808A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210300A1. Автор: Kenichi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20210184041A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250133A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Kai-Wen Cheng,Chi-Min Chen,Yin-Hao Wu,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US9455248B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140346594A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Solar cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module and photovoltaic system

Номер патента: AU2024204864A1. Автор: HONG Chen,Yang Zou,Chengfa Liu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150076611A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110168983A1. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148363A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7875875B2. Автор: Kenichi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-01-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080073798A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Solar cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module and photovoltaic system

Номер патента: EP4421883A2. Автор: HONG Chen,Yang Zou,Chengfa Liu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor module and semiconductor device container

Номер патента: US11502011B2. Автор: Tomoki Ohno. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Solar cell, sliced cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module, and photovoltaic system

Номер патента: EP4421881A2. Автор: HONG Chen,Yifeng Chen,Di Liu,Wenxing Du. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358906A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Photosensitive assembly, photographing module, and photosensitive assembly jointed board and corresponding manufacturing method thereof

Номер патента: EP3731272A1. Автор: YE Wu,TAKEHIKO Tanaka,Mingzhu Wang,Bojie ZHAO,Zhewen Mei. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-28.

Method of manufacturing semiconductor device capable of sensing dynamic quantity

Номер патента: US20030201506A1. Автор: Kenichi Ao,Hiroshi Muto,Yukihiro Takeuchi,Kazuhiko Kano,Minekazu Sakai,Tsuyoshi Fukada,Junji Oohara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060275622A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250131A1. Автор: Yi Zhong,PENG Wang,TIAN Xiao,Yuxin Wang,Ruzhang Li,Xiaojun Fu,Jiahao Zhang,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Zhaohuan Tang. Владелец: China Electronics Technology Group Corp No24 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180197865A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Solar cell, sliced cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module, and photovoltaic system

Номер патента: AU2024216424A1. Автор: HONG Chen,Yifeng Chen,Di Liu,Wenxing Du. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321720A1. Автор: Yuki Yano,Yoji Kawauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4383340A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332032A1. Автор: Hyun Cho,Dong Jin Kim,Jae Hun Bae,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Won Chul Do,Jun Hwan Park,Ji Hun Lee,Dong Hoon Han,Curtis Zwenger,Seung Nam Son,Won Myoung Ki. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Device isolation structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4451317A1. Автор: LIU Yuan,Tianyi Zhang,Ming Pan,Yanjun Chen,Can Zhong,Fengjie Tang,Peng GOU,Xiran ZUO,Guidong JIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Photovoltaic cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355948A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device for avoiding short circuit between adjacent storage nodes and manufacturing method thereof

Номер патента: US10431587B2. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922865B2. Автор: Hyun Tae Jung,Jeong Gyu PARK,Woo Sig Min,Meng An Jung,Gil Ho LEE,Hyung Suk Choi,Da Soon Lee,Pil Seung Kang. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device with a plate-shaped lead terminal

Номер патента: US09917064B2. Автор: Junji Fujino,Mikio Ishihara,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with reduced leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US09893107B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chia-Yu WEI,Chin-Hsun Hsiao,Yen-Liang Lin,Yung-Lung Hsu,Ssu-Chiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09882063B2. Автор: LI ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09876293B2. Автор: WAN AZHA Bin Wan Mat,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853099B1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786776B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Directly cooled substrates for semiconductor modules and corresponding manufacturing methods

Номер патента: US09731370B2. Автор: Andre Uhlemann,Alexander Herbrandt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379482A1. Автор: Hung-Pin Chang,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09633944B2. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Electronic device module and manufacturing method thereof

Номер патента: US09633923B2. Автор: Jae Hyun Lim,Sun Ho Kim,Do Jae Yoo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09524906B1. Автор: Glenn A. Rinne,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Eun Sook Sohn,In Bae Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472676B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472664B1. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466678B2. Автор: Che-Wei Chang,Shih-Hsien Huang,Chih-Chieh Yeh,Tzu-I Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Active matrix substrate and its manufacturing method

Номер патента: US20060169983A1. Автор: Yasushi Matsui,Makoto Ohtani,Kyoko Sawamizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Lead Frame Package for Semiconductor Devices and Method for Making Same.

Номер патента: GB1165609A. Автор: . Владелец: Advalloy Inc. Дата публикации: 1969-10-01.

Thin film transistor semiconductor device

Номер патента: US11942484B2. Автор: Akihiro Hanada,Kazufumi Watabe,Hajime Watakabe. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Sn—Bi and copper powder conductive paste in through hole of insulating substrate

Номер патента: US11864317B2. Автор: Yosuke Noda,Masaaki Katsumata,Koji Taguchi,Norifumi Sasaoka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator FIN on insulator substrate

Номер патента: US11862702B2. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6479334B1. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20170205660A1. Автор: Osamu Itou,Yuki Matsuura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Electroluminescent display device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050068272A1. Автор: Kiyoshi Yoneda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same, integrated circuit, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20060017053A1. Автор: Daisuke Abe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor device

Номер патента: US11348853B2. Автор: Yuuichi Fujita. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-31.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator fin on insulator substrate

Номер патента: US20240088254A1. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Power semiconductor module and power conversion apparatus

Номер патента: US20230197668A1. Автор: Seiji Oka,Kazuya Okada,Yoshiko Tamada,Shota Morisaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Thin film transistor device for liquid crystal display, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070001242A1. Автор: Jong Kim,Soo Kim,Jae Oh. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Array substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US20210043658A1. Автор: Zhenli Song. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Tft-lcd array substrate, manufacturing method of the same and tft-lcd

Номер патента: US20120099043A1. Автор: Yang Sun,Jing LV,Yinglong Huang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7008831B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-07.

Inter-metal dielectric of semiconductor device and manufacturing method thereof including plasma treating a plasma enhanced fluorosilicate glass

Номер патента: US7442653B2. Автор: Tae-Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: WO2020042521A1. Автор: Guoqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-03-05.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20240234428A9. Автор: Lanlan Li,Zhixiong JIANG,MingJiue YU. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050116272A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Solar cell and manufacturing method thereof, photovotaic module, and photovotaic system

Номер патента: EP4401153A2. Автор: WEI Liu,HONG Chen,Zigang Wang,Daming Chen,Chengfa Liu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Thin film transistor manufactured by low-temperature process, manufacturing method of the same transistor, transistor device and electronic device including the same transistor

Номер патента: US20240222466A1. Автор: Byungwook Yoo,Min Suk Oh. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-07-04.

Array substrate, manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20180083050A1. Автор: Cuili Gai,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display

Номер патента: US20210389636A1. Автор: Yongzhi SONG,Honghui Wang,Xiangqian Ding,Mingxuan Liu,Zumou Wu,Hongming QU,Xiangmeng ZHANG,Honggang LIANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Display Substrate, Manufacturing Method Thereof, and Display Apparatus

Номер патента: US20240172480A1. Автор: Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Dacheng Zhang,Chao JIAO,Maoning ZHANG. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Direct-type backlight module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160103363A1. Автор: Chao Ning,Yongyuan Qiu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20210167332A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Camera module and array camera module with circuit board unit and photosensitive unit and manufacturing method thereof

Номер патента: US11743569B2. Автор: LIANG Ding,TAKEHIKO Tanaka,Mingzhu Wang,Bojie ZHAO,Feifan CHEN,Heng JIANG,Qimin MEI. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050098838A1. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Jet impingement heatsink for high power semiconductor devices

Номер патента: US20240274506A1. Автор: Oseob Jeon,Changsun YUN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070172746A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7208788B2. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180082892A1. Автор: Yong Woo Lee,Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Heterojunction cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module and photovoltaic system

Номер патента: EP4418333A2. Автор: HONGWEI Li,Yifeng Chen,Daming Chen,Guangtao YANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: WO2017063568A1. Автор: Weilin LAI,Yucheng CHAN,Jianbang Huang. Владелец: ORDOS YUANSHENG OPTOELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-04-20.

Photovoltaic module, integrated photovoltaic/photo-thermal module and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2021225259A1. Автор: HAO WANG,Hongming Liu,Delin YAN,Jiahui LIN,Wenbing CAO. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2021-09-30.

Photovoltaic module, integrated photovoltaic/photo-thermal module and manufacturing method thereof

Номер патента: CA3016112A1. Автор: HAO WANG,Hongming Liu,Delin YAN,Jiahui LIN,Wenbing CAO. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2017-09-08.

Photovoltaic module, integrated photovoltaic/photo-thermal module and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2020202105A1. Автор: HAO WANG,Hongming Liu,Delin YAN,Jiahui LIN,Wenbing CAO. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2020-04-16.

Heterojunction cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module and photovoltaic system

Номер патента: AU2024202906B2. Автор: HONGWEI Li,Yifeng Chen,Daming Chen,Guangtao YANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10079157B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20230299159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Flip-chip light emitting diode package module and manufacturing method thereof

Номер патента: US9490404B2. Автор: Meng-Sung Chou,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266321A1. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20220343859A1. Автор: Xin Zhang,LU Bai,Pengfei Yu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US11763752B2. Автор: Xin Zhang,LU Bai,Pengfei Yu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Power module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190304882A1. Автор: Wei Cheng,Tao Wang,Shouyu Hong,Zhenqing ZHAO,Haibin Xu. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device, semiconductor module, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240313120A1. Автор: Kentaro Mori,Kenichi Ohashi,Soichi Yamashita,Hiroki Okuyama,Kazushiro NOMURA,Aya MURAYOSHI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312947A1. Автор: Izuru Komatsu,Hiroyuki Matsuo,Shogo Minami,Tomohiro Iguchi,Tatsuya Hirakawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Flexible substrate, manufacturing method thereof, and display panel having the same

Номер патента: US20210143234A1. Автор: Chao Kong,Zhaowei YU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304583A1. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: EP4432333A2. Автор: Izuru Komatsu,Hiroyuki Matsuo,Shogo Minami,Tomohiro Iguchi,Tatsuya Hirakawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Heterojunction cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module and photovoltaic system

Номер патента: US20240347661A1. Автор: HONGWEI Li,Yifeng Chen,Daming Chen,Guangtao YANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240332139A1. Автор: Kenji Saito,Taketo Nishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240304720A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355733A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Wei-Ting YEH,Zheng-Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09960328B2. Автор: David Clark,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Organic Light-emitting display substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09947731B2. Автор: Zhiqiang Jiao,Chinlung Liao,Wenjun HOU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Solar cell module with anti-glare film and method for manufacturing same, anti-glare film for solar cell modules and method for manufacturing same, and coating solution for forming anti-glare film

Номер патента: US09929286B2. Автор: Kazuhiro Shimizu,Takeyoshi Takahashi,Naoto Iitsuka. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Camera module and array camera module with circuit board unit and photosensitive unit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876949B2. Автор: LIANG Ding,TAKEHIKO Tanaka,Mingzhu Wang,Bojie ZHAO,Feifan CHEN,Heng JIANG,Qimin MEI. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Camera module and array camera module with circuit board unit and photosensitive unit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876948B2. Автор: LIANG Ding,TAKEHIKO Tanaka,Mingzhu Wang,Bojie ZHAO,Feifan CHEN,Heng JIANG,Qimin MEI. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Unit for semiconductor device

Номер патента: US09854708B2. Автор: Takafumi Yamada,Yoshikazu Takahashi,Tetsuya Inaba,Katsuhiko Yanagawa,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09793180B2. Автор: Doo Hyun Park,Seung Chul Han,Jong Sik Paek,Joo Hyun Kim,Won Chul Do,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Young Rae Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Low temperature poly-silicon (LTPS) thin film transistors (TFT) units and the manufacturing method thereof

Номер патента: US09786700B2. Автор: Zijian LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Insulated gate type semiconductor device having floating regions at bottom of trenches in cell region and circumferential region and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780205B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Hirokazu Fujiwara,Yukihiko Watanabe,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Lead portion of semiconductor device

Номер патента: US09728475B2. Автор: Tadanori Yamada,Tomonori Seki,Toshio DENTA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method and structure providing optical isolation of a waveguide on a silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09709740B2. Автор: Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Array substrate, manufacture method thereof, and display panel

Номер патента: US09620578B2. Автор: Xu Chen,Jian Guo,Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Composite element chip, a semiconductor device and manufacturing method thereof, a printing head, and an image forming apparatus

Номер патента: US09614125B2. Автор: Takahito Suzuki,Taishi Kaneto. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Direct-type backlight module and manufacturing method thereof

Номер патента: US09541790B2. Автор: Chao Ning,Yongyuan Qiu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09530852B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor module and semiconductor device

Номер патента: US09524919B2. Автор: Tetsuya Inaba,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09504154B2. Автор: Eiji Mochizuki,Shinji Tada,Hideyo Nakamura,Masafumi Horio. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Flip-chip light emitting diode package module and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490404B2. Автор: Meng-Sung Chou,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484331B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Thin film transistor substrate, manufacture method thereof and liquid crystal display

Номер патента: US09477127B2. Автор: Jinlei Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09443779B2. Автор: Kenji Okamoto,Katsuhiko Yanagawa,Yuji Takematsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

High-voltage converter of ionizing radiation and its manufacturing method

Номер патента: RU2608313C2. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Андрей Андреевич Краснов,Сергей Иванович Диденко,Олег Рауфович Абдуллаев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device package

Номер патента: US3659035A. Автор: Carmine Stephen Planzo. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-04-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9691730B2. Автор: Junji Fujino,Naoki Yoshimatsu,Taketoshi Shikano,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6100594A. Автор: Yasuki Fukui,Atsuya Narai,Yoshiki Sota,Yuji Matsune. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Optoelectric device on semi-insulator substrate and methods for making such a device

Номер патента: US5214661A. Автор: Michel Krakowski,Robert Blondeau,Daniel Rondi,Genevieve Glastre. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1993-05-25.

Semiconductor ferroelectric device, manufacturing method for the same, and electronic device

Номер патента: US8877521B2. Автор: Hiroshi Tanabe. Владелец: Gold Charm Ltd. Дата публикации: 2014-11-04.

Flexible printed circuit board, chip on film and manufacturing method

Номер патента: US9167687B2. Автор: Xiaoping Tan,Yu Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20220115286A1. Автор: Koutarou Maeda. Владелец: Sansha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Insulated circuit board and semiconductor device in which same is used

Номер патента: EP4270467A1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Kazumitsu Morimoto. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor power module and power conversion device

Номер патента: US11916001B2. Автор: Kozo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor-on-insulator substrate for rf applications

Номер патента: US20230238274A1. Автор: Arnaud Castex,Oleg Kononchuk. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-07-27.

Thermally conductive and electrically insulating substrate

Номер патента: US20220399244A1. Автор: Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Power semiconductor module and power converter

Номер патента: US20220141988A1. Автор: Hiroyuki Masumoto,Taketo Nishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20160233146A1. Автор: Hideyo Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Power module and method for fabricating the same, and power conversion device

Номер патента: US20200219782A1. Автор: Haruko Hitomi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US20210048472A1. Автор: Yusaku Ito,Jun TOMISAWA,Yusuke Nakamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Wiring substrate, electronic device, and electronic module each having plate-shaped conductive portion in frame portion of insulation substrate

Номер патента: US20230048595A1. Автор: Takahiro Sasaki,Takuo KISAKI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Red led chip component, red led chip, display panel and manufacturing method

Номер патента: US20220392874A1. Автор: Feng Zhai,Chun-Lung Hsiao. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Reasearch Institute Cp Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device

Номер патента: US11923261B2. Автор: Koutarou Maeda. Владелец: Sansha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Power semiconductor module and power converter

Номер патента: US11997837B2. Автор: Hiroyuki Masumoto,Taketo Nishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Wiring substrate, electronic device, and electronic module each having plate-shaped conductive portion in frame portion of insulation substrate

Номер патента: US11923288B2. Автор: Takahiro Sasaki,Takuo KISAKI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device, sensor device, and electronic device

Номер патента: US20240204011A1. Автор: ZHOU Zhang,Guowei Zha,Zhifu Li,Xialing Liu,Guanghui Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240234564A1. Автор: Kunihiko Tasai. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Embedded component package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11062996B2. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-13.

Embedded component package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343648A1. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SHOOTING TUBE AND REPRODUCTIVE DEVICE HAVING SUCH SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2461350A1. Автор: Arthur Marie Eugen Hoeberechts,Gerardus Gegorius Petru Gorkom. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-01-30.

Manufacturing method of antenna oscillator module, antenna oscillator module and base station antenna

Номер патента: CN112582786A. Автор: 黄飞,周东. Владелец: Shenzhen Cotran New Material Co ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Power supply circuit, driving method thereof, printed circuit board, display module, and display apparatus

Номер патента: US20240242656A1. Автор: Yao Chen,ZHOU Zhang,PAN Chen,Jin Sha,CHAO Gao,Ying Zhang,Jun Tao,Jun Wei,Xiang Fang,Bo RAN,Wendi ZHANG,Can Shen,Shifei Huang,Jinxiang Li,Yiming Cheng,Shengjie Yin,Qiuju Xie,Hongchao Su. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor module overcurrent detection device, semiconductor module using same, and semiconductor module overcurrent detection method

Номер патента: EP4404454A1. Автор: Takashi Wada,Hiroshi Kageyama,Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Rectangular chip resistor and manufacturing method for same

Номер патента: US20180108462A1. Автор: Tomiharu MORITA,Yuusuke NOJIRI. Владелец: Kamaya Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Rectangular chip resistor and manufacturing method for same

Номер патента: US10242776B2. Автор: Tomiharu MORITA,Yuusuke NOJIRI. Владелец: Kamaya Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Resistor and manufacturing method for same

Номер патента: US09620267B2. Автор: Seiji Tsuda,Shoji Hoshitoku,Takeshi Iseki,Kazutosi Matumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Conductive film and preparation method thereof

Номер патента: US09521746B2. Автор: Sheng Zhang,Fei Zhou,Yulong Gao. Владелец: Nanchang OFilm Tech Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Antenna module and electronic device having the same

Номер патента: US20180138580A1. Автор: Jae Sun Won,Hee Seung Kim,Chang Hee Lee,Ki Won CHANG,Hyo Jung Yoon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Insulating substrates including through holes

Номер патента: US09894763B2. Автор: Akiyoshi Ide,Hirokazu Nakanishi,Yasunori Iwasaki,Sugio Miyazawa,Tatsuro Takagaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Solid electrolytic capacitor including insulating substrate having recessed surface

Номер патента: US09659714B2. Автор: Eizo Fujii. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Insulating substrates including through holes

Номер патента: US09538653B2. Автор: Akiyoshi Ide,Hirokazu Nakanishi,Yasunori Iwasaki,Sugio Miyazawa,Tatsuro Takagaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Surface-tunneling micro electron source and array and realization method thereof

Номер патента: US10804061B2. Автор: Xianlong WEI,Gongtao WU. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-13.

Surface-tunneling micro electron source and array and realization method thereof

Номер патента: US20190198279A1. Автор: Xianlong WEI,Gongtao WU. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-27.

Chip coil manufacturing method

Номер патента: US5071509A. Автор: Atsuo Senda,Osamu Kano. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1991-12-10.

Planar display apparatus having exposed insulated substrate portion

Номер патента: US5587627A. Автор: Keiji Watanabe,Ryo Suzuki,Minoru Kobayashi,Masato Saito,Susumu Hoshinouchi,Keiji Fukuyama,Takuya Ohira,Yoshinori Hatanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-12-24.

Power module and manufacturing method thereof

Номер патента: US12058814B2. Автор: Kai Lu,Min Zhou,Jinping Zhou,Pengkai Ji,Shouyu Hong,Zhenqing ZHAO,Le Liang,Xiaoni Xin. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Transformer circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818528B2. Автор: Yi-Jan Chen,Hao-Shun Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-11-14.

Planar display apparatus having a surface insulated substrate with a plurality of electron-passing holes

Номер патента: CA2035366C. Автор: Keiji Watanabe,Ryo Suzuki,Minoru Kobayashi,Masato Saito,Susumu Hoshinouchi,Keiji Fukuyama,Takuya Ohira,Yoshinori Hatanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-07-02.

Exposure parameter obtaining method, exposure parameter evaluating method, semiconductor device manufacturing method, charged beam exposure apparatus, and method of the same

Номер патента: US7011915B2. Автор: Tetsuro Nakasugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-14.

Exposure parameter obtaining method, exposure parameter evaluating method, semiconductor device manufacturing method, charged beam exposure apparatus, and method of the same

Номер патента: US20060063078A1. Автор: Tetsuro Nakasugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-23.

Protective circuit module and secondary battery pack including the same

Номер патента: US8514135B2. Автор: Youngcheol Jang,Nohyun Kwag. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-20.

Resistor and manufacturing method for same

Номер патента: US20150129108A1. Автор: Seiji Tsuda,Shoji Hoshitoku,Takeshi Iseki,Kazutosi Matumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Inductive module and device

Номер патента: US20230268769A1. Автор: Ming-Dou Ker,Yu-Ting Cheng,Chung-Yu Wu,Jui-Yu Hsu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2023-08-24.

Inductive module and device

Номер патента: US11742697B1. Автор: Ming-Dou Ker,Yu-Ting Cheng,Chung-Yu Wu,Jui-Yu Hsu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2023-08-29.

Redundant energy acquisition circuit of power module, and control method thereof

Номер патента: CA3089494A1. Автор: Haiying Li,Dongming CAO,Tiangui JIANG,Zhongfeng ZHANG,Yeyuan XIE,Minglian ZHU. Владелец: NR Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Array substrate, manufacturing and control method thereof and display device

Номер патента: CN112997316A. Автор: 张超群,杨玉清,李锡平,官家建. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-18.

Current reuse frequency divider and method thereof and voltage control oscillator module and phase-locked loop using the same

Номер патента: US20140139273A1. Автор: Yu Lee,Ching-Yuan Yang,Chih-Hsiang Chang,Nai-Chen Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-05-22.

Transistor-outline package and preparation method thereof, optical sub-assembly, optical module, and optical network system

Номер патента: US20240201457A1. Автор: Tao Liu,Fei Gao,Yujie ZENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

CURRENT REUSE FREQUENCY DIVIDER AND METHOD THEREOF AND VOLTAGE CONTROL OSCILLATOR MODULE AND PHASE-LOCKED LOOP USING THE SAME

Номер патента: US20140139273A1. Автор: Cheng Nai-Chen,CHANG Chih-Hsiang,YANG Ching-Yuan,Lee Yu. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2014-05-22.

Blade with changeable installation angle and its manufacturing method, stator section unit, stator section, turbomachine module and turbomachine

Номер патента: RU2511811C2. Автор: Клод Робер Луи ЛЕЖАР,Од АБАДИ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2014-04-10.

Printed circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: US09706644B2. Автор: Sung-Han Kim,Han Kim,Kyung-Ho Lee,Seok-Hwan Ahn,Mi-Sun Hwang,Sang-Yul HA. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Circuit board with embedded electronic component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196512A1. Автор: YING Wang,Yong-Quan Yang. Владелец: Garuda Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Foldable miniature vibration generator and manufacturing method thereof

Номер патента: US09800178B2. Автор: Wei Tang,Bo Meng,Haixia Zhang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-10-24.

Module assembly of multiple semiconductor devices with insulating substrates

Номер патента: WO2023122694A3. Автор: Tsutomu Hosoda,Umesh Mishra,Davide BISI,Geetak GUPTA. Владелец: Transphorm Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-08-24.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7692188B2. Автор: Seung-Hwan Cho,Yong-Uk Lee,Min-Ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-06.

Heating resistor element, manufacturing method for the same, thermal head, and printer

Номер патента: US20090102911A1. Автор: Yoshinori Sato,Toshimitsu Morooka,Norimitsu Sanbongi,Keitaro Koroishi,Noriyoshi Shoji. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Manufacturing method for a heating resistor element

Номер патента: US8850691B2. Автор: Yoshinori Sato,Toshimitsu Morooka,Norimitsu Sanbongi,Keitaro Koroishi,Noriyoshi Shoji. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-10-07.

Heating resistor element, manufacturing method for the same, thermal head, and printer

Номер патента: US20090102891A1. Автор: Yoshinori Sato,Toshimitsu Morooka,Norimitsu Sanbongi,Keitaro Koroishi,Noriyoshi Shoji. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Heating resistor element, manufacturing method for the same, thermal head, and printer

Номер патента: US20120144659A1. Автор: Yoshinori Sato,Toshimitsu Morooka,Norimitsu Sanbongi,Keitaro Koroishi,Noriyoshi Shoji. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Method and device for creation of conductive pattern on flat insulating substrate; flat insulating substrate and chip set

Номер патента: RU2478264C2. Автор: Петри СИРВИЁ,Юха МАЙЯЛА. Владелец: СТОРА ЭНСО ОЙЙ. Дата публикации: 2013-03-27.

Display device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20090026927A1. Автор: Jung-Soo Rhee,Un-Cheol Sung,Beohm-Rock Choi,Young-Rok SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Optical-module member, optical module, and electronic device

Номер патента: US09804345B2. Автор: Makoto Fujiwara,Shinya Arai. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Heating resistor element, manufacturing method for the same, thermal head, and printer

Номер патента: US20090102912A1. Автор: Yoshinori Sato,Toshimitsu Morooka,Norimitsu Sanbongi,Keitaro Koroishi,Noriyoshi Shoji. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Transmission module and circuit board used therein

Номер патента: US9877388B2. Автор: Akira Ogura,Masataka Sato,Kinya Yamazaki,Shinji Komatsuzaki. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Transmission module and circuit board used therein

Номер патента: US09877388B2. Автор: Akira Ogura,Masataka Sato,Kinya Yamazaki,Shinji Komatsuzaki. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Electromagnetic induction sensor, overlay member for electromagnetic induction sensor, and manufacturing method of electromagnetic induction sensor

Номер патента: US09441992B2. Автор: Yoshiharu Matsumoto. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Heater module for heater of fluid infusion apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: CA2867075C. Автор: Yong Il Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-20.

Thermoelectric module and method of manufacture or assembly thereof

Номер патента: GB2624258A. Автор: CHEN Kan,Bilotti Emiliano,TULEY Richard,Wan Kening,Stefanaki Eleni-Chrysanthi,Koz Cevriye,Kernin Arnaud. Владелец: European Thermodynamics Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Thermoelectric module and method of manufacture or assembly thereof

Номер патента: EP4366490A1. Автор: Kan Chen,Richard TULEY,Emiliano BILOTTI,Kening WAN,Eleni-Chrysanthi STEFANAKI,Cevriye KOZ,Arnaud KERNIN. Владелец: European Thermodynamics Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Substrate and metal layer manufacturing method

Номер патента: US09693456B2. Автор: Yasuhiro Koike,Hiroaki Asano,Kiminori Ozaki,Tomoaki Asai,Shigeki Kawaguchi,Hitoshi Shimadu. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of forming conductive traces on insulated substrate

Номер патента: US09504165B2. Автор: Devin WANG. Владелец: Luxshare Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Thermoelectric conversion module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070221264A1. Автор: Hiromitsu Takeda,Shinya Sakurada,Naoki Shutoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Display substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20240206267A1. Автор: QI Liu,Bo Zhang,FAN He,Mengmeng Du,Xiangdan Dong. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Display substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US12058880B2. Автор: Ling Wang,Pan Xu,Ying Han,Xing Zhang,Yicheng Lin,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Display baseplate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US12041828B2. Автор: Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Display Substrate, Manufacturing Method Thereof, and Display Device

Номер патента: US20240276818A1. Автор: Yu Wang,Ning Liu,Bin Zhou,Liangchen YAN,Can Yuan,Dacheng Zhang,Xinxin Wang. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US11937464B2. Автор: Ying Zheng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Color filter substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US12082472B2. Автор: Liangfen Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

OLED display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US12114534B2. Автор: Yan Wu,Jin Yang,QI Liu,Jianqiang Wang,Liangliang LIU,Liman PENG. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and electronic terminal

Номер патента: US20240203320A1. Автор: ZHOU Zhang,Guowei Zha,Xialing Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Flexible printed circuit and manufacturing method thereof, electronic device module and electronic device

Номер патента: US11765828B2. Автор: Qiang Tang,Ren XIONG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Multilayer printed wiring board and its manufacturing method

Номер патента: US6630630B1. Автор: Kazuya Oishi,Satoshi Maezawa,Masashi Tachibana. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-07.

Selective electroless deposition on insulating substrates

Номер патента: GB2164063A. Автор: Michael P Moisan,Joseph P Cook. Владелец: Kollmorgen Technologies Corp. Дата публикации: 1986-03-12.

Thick-membrane hybrid integrated heating device for micro-atomic gas chamber and manufacturing method thereof

Номер патента: NL2030891B1. Автор: Zhang Yanjun. Владелец: Univ North China. Дата публикации: 2023-03-10.

Stereoscopic three-dimensional display system and manufacturing method thereof

Номер патента: US12028508B2. Автор: Po-Ching Lin. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Sensing Substrate, Manufacturing Method therefor and Electronic Apparatus

Номер патента: US20240044730A1. Автор: Yue Li,Yi Zhou,Yifan Wu,Yuelei Xiao,Feng Qu,Xue CAO,Lin GONG,Xuechao Song,Wenbo CHANG,Baijun Zhou,Kidong HAN. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20150097824A1. Автор: Seiichiro Jinta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Display panel, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US11768399B2. Автор: Dong Wang,Dawei Wang,Sa Li,Wenli LAN,Xiujun Cai,Cuie WANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240155916A1. Автор: Cuilin ZHU,Qingliang Li,Yanqiang DUAN,Congcong JIANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Self-driven power generation module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250621A1. Автор: YING-CHIH Lai,Chih-Yi Lin,Kuo-Kuang Cheng,Kao-Lung Yang,I-Ju Wu,Pin-Hsien Sung,Yung-Chi Hsiao. Владелец: San Fang Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20240315100A1. Автор: Hongjun Zhou,Cong Liu,Lili Du. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Display module and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20240349576A1. Автор: Defu Zhu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Array substrate, manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: EP4447633A1. Автор: ZHUO Li. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Three dimensional display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09841634B2. Автор: Jae Hyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09792859B2. Автор: Seiichiro Jinta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Case having speaker mesh module and manufacturing method thereof

Номер патента: US09492958B2. Автор: Po-Tsun Chao. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09396703B2. Автор: Seiichiro Jinta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Display device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20070216823A1. Автор: Young-Min Kim,Mun-Pyo Hong,Keun-Kyu Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-20.

Display device and manufacturing method therefor

Номер патента: US7599013B2. Автор: Young-Min Kim,Mun-Pyo Hong,Keun-Kyu Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Insulating substrate for printed circuit board and printed circuit board

Номер патента: US20150107886A1. Автор: Yong Hwan Kim,Jung Hoon Jang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Back plate and manufacturing method thereof, backlight module and display apparatus

Номер патента: US20240219775A1. Автор: LUO Zhang,Xiaoping Zhang,Fangyi Liu,Quanzhou LIU,Jian Ren,Yaodong Wang,Yangli ZHENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Test methods of semiconductor devices and semiconductor systems used therein

Номер патента: US20180068743A1. Автор: Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Liquid crystal lens, control method thereof, liquid crystal lens module and display device

Номер патента: US20200033694A1. Автор: Jian Gao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor integrated circuit, design method thereof, semiconductor integrated circuit design program, and semiconductor integrated circuit design device

Номер патента: JP2009187354A. Автор: 雄貴樋口,Yuki Higuchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Light guide structure and manufacturing method therefor, backlight module, and display apparatus

Номер патента: US20210165152A1. Автор: Tao Wang. Владелец: BOE Optical Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Touch Substrate, Manufacturing and Driving Method Thereof, and Touch Display Device

Номер патента: US20210165521A1. Автор: YANG Qing. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device pick-up module and apparatus testing semiconductor devices having the same

Номер патента: KR101969214B1. Автор: 김지훈,정라파엘. Владелец: 주식회사 이노비즈. Дата публикации: 2019-04-17.

Flow Sensor and Manufacturing Method of the Same and Flow Sensor Module and Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20130192388A1. Автор: Hanzawa Keiji,Morino Takeshi,OKAMOTO Yuki,KONO Tsutomu,Tokuyasu Noboru,Tashiro Shinobu. Владелец: Hitachi Automotive Systems, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-01.

Flow Sensor and Manufacturing Method of the Same and Flow Sensor Module and Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20140190273A1. Автор: Hanzawa Keiji,Morino Takeshi,OKAMOTO Yuki,KONO Tsutomu,Tokuyasu Noboru,Tashiro Shinobu. Владелец: Hitachi Automotive Systems, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-10.

Manufacturing methods of reflection type mask blanks, reflection type mask, and semiconductor device

Номер патента: JP2006013280A. Автор: 勉笑喜,守男細谷,Morio Hosoya,Tsutomu Shiyouki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Silica-based hydrogen separation material and manufacturing method therefor, as well as hydrogen separation module and hydrogen production apparatus having the same

Номер патента: KR101880769B1. Автор: 히로마사 다와라야마,도루 아다치,도시아키 가키이. Владелец: 스미토모덴키고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-07-20.

A kind of light guide plate, the manufacturing method of light guide plate and backlight module and display device

Номер патента: CN109375311A. Автор: 洪金龙. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-22.

Manufacturing method of nanowires-based microchannel catalytic reaction module, and catalytic reaction module manufactured thereby

Номер патента: KR101247734B1. Автор: 송광섭,정남조. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2013-03-26.

Spatial light modulation element manufacturing method, spatial light modulation element, spatial light modulator, and exposure apparatus

Номер патента: JPWO2013027400A1. Автор: 鈴木　美彦,美彦鈴木,純児鈴木,浩小西,鈴木　純児,小西　浩. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Curved display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09645449B2. Автор: Chang Il TAE,Seung Ho Yang,Eun-Kil PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09563077B2. Автор: Ji Yeon Choi,Hee-Keun Lee,Sang Ji PARK,Soo Jung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09459505B2. Автор: Bong-Jun Lee,Seul Ki Kim,Ji Young Jeong,Ju Hyeon BAEK,Kyung-Seob Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120013815A1. Автор: Hyun-Wuk Kim,Seon-ah Cho,Eun-Je Jang,You-Sik Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-19.

Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09841623B2. Автор: Sung Hwan Won,Won Tae Kim,Yeun Tae KIM,Kyung Tae CHAE,Seon Uk LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09405142B2. Автор: Hee-Keun Lee,Soo Jung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Liquid crystal display and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100080937A1. Автор: Wang-su Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-01.

Display device including a groove patterned loof layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09638947B2. Автор: Yong Seok Kim,Dae ho Song,Hae Ju Yun,Kwang Soo BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Mirror display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09459491B2. Автор: Jung Hwan YI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Electrochemical test strip for testing multiple indicators, and testing method thereof

Номер патента: US20240302312A1. Автор: LI ZHANG,YAN Cheng,Jin Liang Shi,Yu Long SUN,Yong Gang HUANG. Владелец: Leadway HK Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Dimming substrate, manufacturing method thereof, dimming structure and dimming module

Номер патента: US11828965B2. Автор: Peng Liang,JING Yu,Chunlei Wang,Juan Chen,Changyin Wang. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Dimming substrate, manufacturing method thereof, dimming structure and dimming module

Номер патента: US20220229217A1. Автор: Peng Liang,JING Yu,Chunlei Wang,Juan Chen,Changyin Wang. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09897842B2. Автор: Dae Hyun Kim,Hyun Min Cho,Jae Byung PARK,Hyun Deok Im. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Protective film for substrate, manufacturing method thereof, substrate and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20210341650A1. Автор: HAO Yan,Yu Zhang,Zhiliang Jiang,Zhenghong Wang,Haitao YI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Heat-shielding heat insulating substrate

Номер патента: US20210114360A1. Автор: Masahiko Watanabe,Yusuke Yamamoto,Taichi Watanabe,Yuta Shimazaki,Tomohiro Kontani. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Color filter substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20240184159A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Color filter substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20190086591A1. Автор: Chao Liu,Min Li,Huaqing Liu,Xiongzhou WEI. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Array substrate, manufacturing method thereof, and applied display panel thereof

Номер патента: US20190011753A1. Автор: Yu-Jen Chen. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Polyimide substrate, manufacturing method thereof, and display substrate having same

Номер патента: US11926704B2. Автор: Yamin Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150301397A1. Автор: Hee-Keun Lee,Soo Jung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Exposure mask and method for manufacturing same and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100203432A1. Автор: Masamitsu Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Color conversion panel, display device including the same, and manufacturing method of the color conversion panel

Номер патента: US09841625B2. Автор: Young Min Kim,Yong Seok Kim,Ki Soo Park,Hae IL Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Display substrate and manufacturing method thereof, liquid crystal cell as well as display

Номер патента: US09740051B2. Автор: Tingze Dong,Zhinan Zhang,Xing Qin,Xiuliang WANG,Xuejiao Huang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for preparing graphene nanoribbon on insulating substrate

Номер патента: US09328413B2. Автор: Chen Wang,Ji Chen,Xiaoming Xie,Shujie Tang,Guqiao Ding,Mianheng Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-05-03.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20180210292A1. Автор: Xiaona Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Color filter substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US20160004113A1. Автор: Lei Guo,Yong Jun Yoon,Zhizhong TU,Dasheng Hui. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Optical film, color filter substrate, manufacturing methods thereof, and display devices

Номер патента: US20200285100A1. Автор: Qing Zhang,Jun Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Array substrate, manufacturing method thereof, and panel

Номер патента: US12111552B2. Автор: Haijun Wang,Jiangbo Yao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Array substrate, manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09766520B2. Автор: Wei Feng,Haipeng Yang,Xiaoye MA,Xuebing JIANG,Guangyan TIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Additive manufacturing method for multidirectional electrodes

Номер патента: US20210187831A1. Автор: Markus Jung,Ulrich Hausch,Murad Abu Asal. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-06-24.

Additive manufacturing method for multidirectional electrodes

Номер патента: EP3838329A2. Автор: Markus Jung,Ulrich Hausch,Murad Abu Asal. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-06-23.

Graphene manufacturing system and the method thereof

Номер патента: US20160265105A1. Автор: Po-Wen Chiu,Chun-Chieh Lu,Po-Yuan TENG. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-09-15.

Dual interface electronic module with value-add component and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4433943A1. Автор: Carsten Nieland. Владелец: Linxens Holding SAS. Дата публикации: 2024-09-25.

Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140267984A1. Автор: Tae Woo Lim,Sung Hwan Won,Kyung Tae CHAE,Seon Uk LEE,Jun Heui Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Topside contact device and method for characterization of high electron mobility transistor (hemt) heterostructure on insulating and semi-insulating substrates

Номер патента: US20220381816A1. Автор: Jacek Lagowski,Marshall Wilson,Alexandre Savtchouk,Dmitriy Marinskiy,Bret Schrayer. Владелец: Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Topside contact device and method for characterization of high electron mobility transistor (hemt) heterostructure on insulating and semi-insulating substrates

Номер патента: WO2022251045A1. Автор: Jacek Lagowski,Marshall Wilson,Alexandre Savtchouk,Dmitriy Marinskiy,Bret Schrayer. Владелец: Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Display Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110157871A1. Автор: Chen-Hsien Liao,Yun-I Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-06-30.

Microstructure substrates, manufacturing methods, and display devices

Номер патента: US20190086586A1. Автор: Yong Yang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Raw substrate used for manufacturing an insulating substrate in a line-type heater and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20020069513A1. Автор: Hiroshi Fukumoto,Tokihiko Kishimoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-06-13.

Optical pickup module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050063279A1. Автор: Sun-Ho Kim,Geun-Ho Kim,Ki-Chang Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-03-24.

Pixel unit, pixel array and electronic apparatus having sensing function element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240231520A1. Автор: Shih-Hsien Tseng,Chih-Wen Lu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method for evaluating semiconductor device

Номер патента: US09995786B2. Автор: Akira Okada,Hajime Akiyama,Norihiro Takesako. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Touch panel and manufacturing method for touch panel

Номер патента: US20140211111A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Forward osmosis membrane, forward osmosis membrane module, and manufacturing method thereof

Номер патента: CA3142200A1. Автор: Daisuke HOTTA. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Display substrate, manufacturing method thereof and display apparatus

Номер патента: US20240272493A1. Автор: Yuan Tong,Wei Wu,HAO Zhang,XIANG Liu,QI Chen,Bo Huang,Yujie Gao,Jinli LI,Yiyi Zhang,Yichen Zhou,Dang ZHANG,Junfeng Dai,Taohe ZHU. Владелец: Wuhan BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Quantum dot enhancement film and manufacturing method thereof, quantum dot backlight module and display device

Номер патента: US20190243050A1. Автор: Min Tang,Sudi RAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Microelectromechanical actuator on insulating substrate

Номер патента: US20230122065A1. Автор: John Wasserbauer. Владелец: Microglass LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Sensing substrate, manufacturing method thereof, and sensor

Номер патента: US20210132419A1. Автор: Fan-Ching Chien,Kun-Yu Lai. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2021-05-06.

Touch display substrate, manufacturing method, and display device

Номер патента: US20240256075A1. Автор: Wei Wang,Yi Zhang,Shun Zhang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Microelectromechanical actuator on insulating substrate

Номер патента: US12030771B2. Автор: John Wasserbauer. Владелец: Microglass LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Inductive touch modules and inductive touch display devices and the manufacturing method thereof

Номер патента: US09933881B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09885928B2. Автор: Xiaona Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Touch module and manufacture method thereof

Номер патента: US09830012B2. Автор: Shengji Yang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Touch module and manufacturing method thereof

Номер патента: US09542054B2. Автор: Chen-Yu Liu,Cheng-Chieh Chang,Lu-Hsing Lee,Huai-San Ku. Владелец: TPK Touch Solutions Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Optical waveguide device and manufacturing method therefor, and electro-optic modulator

Номер патента: EP4235278A1. Автор: Xiang Yin,Xiaolu SONG,Mengdie Sun,Zhanshi Yao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

GRAPHENE SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY, AND MEMORY INCLUDING GRAPHENE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130256629A1. Автор: Kim Yong Sung,LEE Chang Seung,KIM Young Bae,YUN Young Jun,SEO David,LEE Joo Ho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-03.

SEMICONDUCTOR MODULE DESIGN METHOD AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120079446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

Silicon nitride sintered compact, its manufacturing method and circuit board, power semiconductor module

Номер патента: JP2009155126A. Автор: 誠一郎平原,Seiichiro Hirahara,Shinya Yokomine,慎也横峯. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

MANUFACTURING METHODS OF THIN FILM TRANSISTOR, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120052625A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

SILICA-BASED HYDROGEN SEPARATION MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AS WELL AS HYDROGEN SEPARATION MODULE AND HYDROGEN PRODUCTION APPARATUS HAVING THE SAME

Номер патента: US20130022509A1. Автор: Kakii Toshiaki,Tawarayama Hiromasa,Adachi Toru. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-01-24.

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT MOUNTING MODULE, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT MODULE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT MOUNTING MODULE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT MODULE

Номер патента: US20130039065A1. Автор: OKABE YOSHIFUMI,KURIMOTO HIROMITSU,WAGATSUMA TORU. Владелец: KYOCERA CONNECTOR PRODUCTS CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-14.

Manufacturing method for touch screen module, touch screen module and digital product

Номер патента: CN103838416A. Автор: 林朝晖. Владелец: Fujian Province Huirui Material Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Manufacturing method of semiconductor products, workpiece integration devices, film laminate, and semiconductor products

Номер патента: TW202312291A. Автор: 伊關亮,秋月伸也. Владелец: 日商日東電工股份有限公司. Дата публикации: 2023-03-16.

Manufacturing method of semiconductor light emitting element chip integrated device and semiconductor light emitting element chip integrated device

Номер патента: JP2022122320A. Автор: Motonobu Takeya,元伸竹谷. Владелец: RD Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FLIM TRANSISTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003768A1. Автор: Lee Ho-jun,CHIN Hong-Kee,BANG Jung-Suk,KIM Woong-Kwon,CHOI Shin-Il,CHOI Seung-Ha,KIM Sang-Gab,Jeong Yu-Gwang,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SQUARE-CELL BATTERY AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003528A1. Автор: Tani Yuji,Maeda Hitoshi,Fujiwara Masayuki,Shinyashiki Yoshitaka,Kusukawa Masao,Funahashi Atsuhiro. Владелец: SANYO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2570099C1. Автор: Александр Евгеньевич Обручников,Михаил Петрович Духновский,Анатолий Николаевич Бажинов,Юрий Петрович Пёхов,Юрий Андреевич Яцюк. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-12-10.

Method for manufacturing self-aligning planar two-gate mos transistor on silicon-0n-insulator substrate

Номер патента: RU2312422C2. Автор: Евгений Васильевич Кузнецов,Александр Николаевич Сауров,Елена Николаевна Рыбачек. Владелец: Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники". Дата публикации: 2007-12-10.

Номер патента: RU2477904C1. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков,Андрей Александрович Глушко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2013-03-20.

Номер патента: RU2591236C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Магомед-Али Вахаевич Зубхаджиев,Асламбек Идрисович Хасанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"). Дата публикации: 2016-07-20.

Insulating substrate, manufacturing method thereof, semiconductor module, and semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты