Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor memory device having partially controlled delay locked loop

Semiconductor memory device having partially controlled delay locked loop

Номер патента: KR100510490B1
Опубликовано: 26-08-2005
Автор(ы): 김규현, 이재형
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20080002514A1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US7746723B2. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: USRE44632E1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: 658868 N B Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: USRE48341E1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20090122623A1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US7489586B2. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-10.

Semiconductor memory device having clock generator for controlling memory and method of generating clock signal

Номер патента: US20030058731A1. Автор: Jae-Hyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device having clock generator for controlling memory and method of generating clock signal

Номер патента: US6535457B1. Автор: Jae-Hyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-18.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US7460417B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US20060203573A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor memory device with a delay locked loop circuit and a method for controlling an operation thereof

Номер патента: US20160343424A1. Автор: Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor memory device with a delay locked loop circuit and a method for controlling an operation thereof

Номер патента: US20170125076A1. Автор: Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Delay locked loop circuit including an additive delay in a command path

Номер патента: US9997221B2. Автор: Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor Memory Device for Simultaneously Performing Read Access and Write Access

Номер патента: US20080259692A1. Автор: Sang Hoon Hong. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2008-10-23.

Control circuit and control method for controlling delay lock loop in dynamic random access memory

Номер патента: US20190311761A1. Автор: Chuan-Jen Chang,Wen-Ming Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Low power semiconductor memory device

Номер патента: US09928900B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Kenichi Osada,Shigezumi Matsui,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080159037A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Myeong-o Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US20230335181A1. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US12119048B2. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20150170722A1. Автор: Young-Jun Ku,Tae-Sik Yun,Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8279695B2. Автор: Masahiro Yoshida,Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-02.

Semiconductor memory device including control circuit for reducing power consumption of delay locked loop in standby mode and power down control method therefore

Номер патента: KR100374641B1. Автор: 유동열,김치욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-03-04.

Delay-lock loop and method adapting itself to operate over a wide frequency range

Номер патента: US8081020B2. Автор: FENG Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-20.

Voltage generating circuit for delay locked loop and semiconductor memory devce including the same and method for generating voltage for delay locked loop

Номер патента: KR100892726B1. Автор: 전병득. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-04-10.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory module and device having power management unit

Номер патента: US20230298658A1. Автор: Sang Seok Kang,Sung Yun RYU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device for controlling operation of delay-locked loop circuit

Номер патента: US20120218848A1. Автор: Seong-Jin Jang,Young-uk Chang,Jun-Bae Kim,Sin-Ho KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-30.

Delay locked loop circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7948289B2. Автор: Hoon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220277786A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Delay locked loop circuit and semiconductor device having the delay locked loop circuit

Номер патента: US20110109357A1. Автор: Jun Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-12.

Memory device having multiple array structure for increased bandwidth

Номер патента: US20050078542A1. Автор: Jong-Hoon Oh. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2005-04-14.

Memory device having multiple array structure for increased bandwidth

Номер патента: WO2005031747A1. Автор: Jong-Hoon Oh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-04-07.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device with improved operating speed

Номер патента: US5625596A. Автор: Toshiya Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-04-29.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Delay-locked loop circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9847113B2. Автор: Hun-Dae Choi,Young-kwon Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor memory device having output driver for high frequency operation

Номер патента: US20040004893A1. Автор: Dong-Su Lee,Ki-whan Song,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-08.

Delay-locked loop circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20180068699A1. Автор: Hun-Dae Choi,Young-kwon Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory device having swap function for data output pads

Номер патента: US20100246276A1. Автор: Kwang-Sook Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US20230266882A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated semiconductor memory device

Номер патента: US20070211552A1. Автор: Simon Muff. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-13.

Memory devices providing in situ computing using sequential transfer of row buffered data and related methods and circuits

Номер патента: US20210142846A1. Автор: Patricia Gonzalez,Kevin Skadron,Mircea R. Stan,Marzieh Lenjani. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory device having preamplifier with improved data propagation speed

Номер патента: US20030198097A1. Автор: Takashi Kono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor memory device with low power consumption

Номер патента: US20020118590A1. Автор: Mikio Asakura,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020172078A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor memory device for improving signal integrity issue in center pad type of stacked chip structure

Номер патента: US09830973B2. Автор: Heeseok Lee,Seung-yong Cha,Keung Beum Kim,HyunJong MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150097183A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230307022A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and method for adjusting threthold voltage thereof

Номер патента: US11100975B2. Автор: Yutaka Shimizu,Makoto Morimoto,Rui Ito,Ryuichi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device and image display apparatus including the same

Номер патента: WO2020032676A1. Автор: Hoshik KIM,Gwibeom HAN,Hoyeon HWANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory device and image display apparatus including the same

Номер патента: US20200051609A1. Автор: Hoshik KIM,Gwibeom HAN,Hoyeon HWANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor memory device having different synchronzing timings depending on the value of CAS latency

Номер патента: US20070008809A1. Автор: Min-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor memory device comprising a plurity of input/output ports and a plurity of memory blocks corresponding to the plurality of input/output ports

Номер патента: US9053757B2. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-06-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140169071A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20030227808A1. Автор: Atsumasa Sako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040105339A1. Автор: Keiichi Higeta,Satoshi Iwahashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor memory device that performs a refresh operation

Номер патента: US09767883B2. Автор: Taeyoung Oh,Chulsung Park,Suyeon Doo,Namjong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device having boosted voltage stabilization circuit

Номер патента: US20010050867A1. Автор: Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor memory device having a short reset time

Номер патента: US20080186792A1. Автор: Kwun-Soo Cheon,Byong-Wook Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor memory devices having adjustable i/o signal line loading that supports reduced power consumption during read and write operations

Номер патента: US20240105255A1. Автор: Seung-Jun Lee,Sang-Yun Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor memory device with delay locked loop

Номер патента: US20080056030A1. Автор: Yong-Deok Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20130279281A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20140119145A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor memory device with substrate voltage biasing

Номер патента: IE50955B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-20.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US20090310432A1. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US7889532B2. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US7760572B2. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080056036A1. Автор: Jong-Won Lee,Sung-Kwon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Apparatus and method for detecting leakage current of semiconductor memory device, and internal voltage generating circuit using the same

Номер патента: US20080219061A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US20100246304A1. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Memory device that recycles a signal charge

Номер патента: US20050195669A1. Автор: Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-08.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240312513A1. Автор: Hiroshi Yoshihara,Tomohiko Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Circuit and method for selecting test self-refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US20080062799A1. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Circuit and method for selecting test self-refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US20060221745A1. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor memory system including semiconductor memory device for performing refresh operation

Номер патента: US09830984B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110216616A1. Автор: Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-08.

Power management in semiconductor memory system

Номер патента: US20130028039A1. Автор: David T. Wang. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170117057A1. Автор: Ga-Ram Park,Jun-Cheol Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor memory device comprising variable delay unit

Номер патента: US20100271887A1. Автор: Young-Sik Kim,Seung-Jun Bae,Sang-hyup Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-28.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US09812179B2. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device with advanced refresh control

Номер патента: US20070070765A1. Автор: Jee-Yul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device having a self-refreshing control circuit

Номер патента: US5453959A. Автор: Tomohiro Suzuki,Toshiyuki Sakuta. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-09-26.

Semiconductor memory device having a global data bus

Номер патента: US20050259499A1. Автор: Seok-Cheol Yoon,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device including cell isolation structure using inactive transistors

Номер патента: US8022499B2. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20100302878A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor memory device and redundancy circuit, and method of increasing redundancy efficiency

Номер патента: US20010022747A1. Автор: Hyun Jung,Gyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240233798A9. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device capable of reducing peak current with respect to external power in multi-memory die structures

Номер патента: US09990979B2. Автор: Minsang PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Compact semiconductor memory device having reduced number of contacts, methods of operating and methods of making

Номер патента: US09922981B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device that varies voltage levels depending on which of different memory regions thereof is accessed

Номер патента: US09852786B2. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US09806082B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230352099A1. Автор: Koji KATO,Yuki Shimizu,Shuhei Oketa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307050A1. Автор: Ryota Suzuki,Kenta Yamada,Keisuke SUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Techniques for refreshing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2011140033A2. Автор: Yogesh Luthra. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09805827B2. Автор: Chul-woo Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11810624B2. Автор: Koji KATO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor memory device having bit line disturbance preventing unit

Номер патента: US20100110772A1. Автор: Hyun-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070002656A1. Автор: Yong-Bok An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor memory device having wafer burn-in test mode

Номер патента: US20090116322A1. Автор: Hi-Hyun Han,Jee-Yul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070297208A1. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Memory Device Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20240260252A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Coupling capacitor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7602043B2. Автор: Jin-Woo Lee,Eun-Cheol Lee,Won-suk Yang,Tae-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-13.

Semiconductor memory device and refresh operating method

Номер патента: US20160064062A1. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Memory device having electrically floating body transistor

Номер патента: US09893067B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180190366A1. Автор: Jung-Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor memory device and method of producing the same

Номер патента: US20230301065A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4271158A1. Автор: Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Junhyeok Ahn,Keunnam Kim,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Dynamic semiconductor memory device

Номер патента: IE55282B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-08-01.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5619465A. Автор: Hiroshi Yamamoto,Masami Nakashima,Hidenori Nomura,Kenji Nagai,Isaya Sobue. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1997-04-08.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240233802A9. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240135982A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Dual-port semiconductor memory and first in first out (FIFO) memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09812456B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220310153A1. Автор: Masaharu Wada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory device comprising electrically floating body transistor

Номер патента: US20230326516A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Neal Berger. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US9865327B1. Автор: Akihiro Hirota. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and methods of operation

Номер патента: EP4207202A2. Автор: Taeyoung Oh,Sungyong Cho,Kiheung KIM,Kyungsoo Ha,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020057616A1. Автор: Tomonori Fujimoto,Yuji Yamasaki,Hidefumi Ohtsuka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Memory device comprising electrically floating body transistor

Номер патента: US12094526B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Neal Berger. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09978441B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device for generating a delay locked clock in early stage

Номер патента: US20090267665A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Won-Joo Yun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Static type semiconductor memory device

Номер патента: IE54486B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-10-25.

Semiconductor memory device with a bypass circuit for verifying the characteristics of an internal clock signal

Номер патента: US20050002261A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor memory device and a memory system having the same

Номер патента: US20210082478A1. Автор: Jeonghyeon Cho,Seonghoon JOO,llhan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060262635A1. Автор: Hidenari Kanehara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device allowing high-speed data reading

Номер патента: US20060023555A1. Автор: Chikayoshi Morishima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210142849A1. Автор: Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11398272B2. Автор: Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080165591A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US7936635B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100165762A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory device having a delay locked loop (DLL) and method for driving the same

Номер патента: US7710817B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-04.

Delay locked loop in semiconductor memory device and method for generating divided clock therein

Номер патента: US20080211553A1. Автор: Tae-Yun Kim,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Delay locked loop in semiconductor memory device and method for generating divided clock therein

Номер патента: US20060171497A1. Автор: Tae-Yun Kim,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Delay locked loop circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US11177814B2. Автор: Hundae CHOI,Hwapyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-16.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Eui Cheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Data input/output circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09905281B2. Автор: Yong Gu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020161981A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030105916A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040078515A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor memory device having bit cells

Номер патента: US20180068715A1. Автор: Yongho Kim,Jonghoon Jung,Hoonki KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory devices including a discharge circuit

Номер патента: US20140101395A1. Автор: Jae Ho Park,Jong Hoon Jung,Gyu Hong Kim,Tae Joong Song,Gi Young Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor memory device controlling the supply voltage on BIT lines

Номер патента: US5363336A. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Semiconductor memory device capable of reducing power supply noise caused by output data therefrom

Номер патента: US5883847A. Автор: Mariko Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160071575A1. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20120176848A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20100008162A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor memory unit

Номер патента: US4935898A. Автор: Masanori Odaka,Hiroshi Higuchi,Toshikazu Arai,Shuuichi Miyaoka. Владелец: Akita Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1990-06-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7433257B2. Автор: Yoshinobu Yamagami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120155209A1. Автор: Hiroyuki Imoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8611174B2. Автор: Hiroyuki Imoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-12-17.

Memory access method and semiconductor memory device

Номер патента: US20090296498A1. Автор: Hiroshi Nakadai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282365A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and electronic device

Номер патента: US20140085960A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070047348A1. Автор: Katsuji Satomi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device and control method

Номер патента: US20240304222A1. Автор: Atsushi Mototani. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20100301911A1. Автор: Hyun Woo Lee,Won Joo YUN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20100117695A1. Автор: Hyun Woo Lee,Won Joo YUN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Phase and delay locked loops and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US7339438B2. Автор: Young-Soo Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Power-on reset circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09899065B1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4443434A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240331783A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory devices having separate sensing circuits and related sensing methods

Номер патента: US09865342B2. Автор: Jaekyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11769535B2. Автор: Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130107636A1. Автор: Min-Su Kim,Jin-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110235402A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Non-volatile memory device, devices having the same, method of operating the same

Номер патента: KR101774496B1. Автор: 천원문,백승훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory device, devices having the same, method of operating the same

Номер патента: KR20120063734A. Автор: 천원문,백승훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-06-18.

Memory device having latch for charging or discharging data input/output line

Номер патента: US20070070774A1. Автор: Beom-Ju Shin,Sang-Jin Byeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device having write column select line or read column select line for shielding signal line

Номер патента: US20030133332A1. Автор: Yun-sang Lee,Won-Chang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Duty adjustment circuit, and delay locked loop circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11799463B2. Автор: Hundae CHOI,Garam CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Stacked semiconductor memory device with compound read buffer

Номер патента: US20110138087A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-09.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor memory device having configuration suited for high integration

Номер патента: US20020034116A1. Автор: Michio Nakajima,Takekazu Yamashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US6804163B2. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080117659A1. Автор: Hajime Sato. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040223360A1. Автор: Toshiki Yamanaka. Владелец: Axiohm Transaction Solutions Inc. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US20030174571A1. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20200151053A1. Автор: Nam-Sung Kim,Sang-Uhn CHA,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140269089A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12073894B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Page buffer and semiconductor memory device having the page buffer

Номер патента: US20220044734A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor memory device, processing system including the same and power control circuit for the same

Номер патента: US20220101888A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6914847B1. Автор: Byung-Il Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160155504A1. Автор: Jung Hyuk YOON,In Soo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

Page buffer and memory device including the same

Номер патента: US09990969B2. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020031043A1. Автор: Takayuki Harima,Takahiro Tsuruto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220068850A1. Автор: Masayuki Akou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20010028594A1. Автор: Makoto Segawa,Takao Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09852815B2. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090116300A1. Автор: Sung-Joo Ha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor memory device performing recursive zq calibration and calibration method thereof

Номер патента: US20240223187A1. Автор: Taesung Lee,Tongsung KIM,Seungjun Bae,Seonkyoo Lee,Younggyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US20170372764A1. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170062058A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100254184A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12073910B2. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030053360A1. Автор: Masashi Agata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor memory system and method for the transfer of write and read data signals in a semiconductor memory system

Номер патента: US20060104132A1. Автор: Dominique Savignac,Christian Sichert,Paul Wallner,Peter Gregorius,Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-05-18.

Circuit and method of controlling input/output sense amplifier of a semiconductor memory device

Номер патента: US20080008011A1. Автор: Jong-Hyoung Lim,Jang-Won Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030062547A1. Автор: Kazimierz Szczypinski,Eckhard Brass. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240371417A1. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09997215B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09966126B2. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device that applies same voltage to two adjacent word lines for access

Номер патента: US09947408B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240242744A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasufumi Kajiyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US10923186B2. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040004862A1. Автор: Ken Sumitani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US20230290407A1. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and system

Номер патента: US20230109388A1. Автор: Mitsuhiro Abe,Mitsuaki Honma,Akio SUGAHARA,Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US11762736B2. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12066893B2. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9170935B2. Автор: Tomoyuki KANTANI,Yoshii Akagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321382A1. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240370335A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device having serial data input and output circuit

Номер патента: CA1246741A. Автор: Junji Ogawa,Masaaki Noguchi,Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1988-12-13.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and operating method for a semiconductor memory device

Номер патента: US20060275928A1. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US8624313B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-01-07.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6636437B2. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20060028856A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6972980B2. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20050098810A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040052114A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120002475A1. Автор: Hiroyuki Nagashima,Koki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor memory device comprising ferroelectric capacitors

Номер патента: US5901077A. Автор: Kiyoshi Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-05-04.

Semiconductor memory device including a nand string

Номер патента: US20160078941A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor memory device which stores multilevel data

Номер патента: US20130286730A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: US20040071023A1. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257869A1. Автор: Yusuke Komano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220157887A1. Автор: Kwang Seok Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Kil Ho Lee,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor Memory Device with Spin-Orbit Coupling Channel

Номер патента: US20240296878A1. Автор: Hyunsoo Yang,Rahul Mishra,Ung Hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4404199A1. Автор: Yusuke Komano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149850A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12094532B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09953704B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09899082B2. Автор: Akira Katayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100238708A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210090642A1. Автор: Osamu Nagao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020071313A1. Автор: Toru Tanzawa,Yoshinori Takano,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150109855A1. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160049186A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070247889A1. Автор: Takashi Miki,Yasuo Murakuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Electronic device having increased read margin by compensating for sneak current and operating method thereof

Номер патента: US09830986B2. Автор: Hyun-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09728239B2. Автор: Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US11735275B2. Автор: Hyun Soo Lee,Sun Young Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Word line driver, method for driving the word line driver, and semiconductor memory device having the word line driver

Номер патента: US20090323455A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8503214B2. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory device and word line driving method thereof

Номер патента: US20100061177A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5177575A. Автор: Yutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-01-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060221754A1. Автор: Wataru Abe,Shuji Nakaya,Mituaki Hayashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180069177A1. Автор: Yoshiaki Nakao,Kazuyuki Kouno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10573810B2. Автор: Yoshiaki Nakao,Kazuyuki Kouno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

Pumping voltage generating circuit in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060098487A1. Автор: Hui-Kwon Seo,Woo-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040027859A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262689A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Takuya Futatsuyama,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

semiconductor memory device

Номер патента: US20030001233A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160247571A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device in which data are read and written asynchronously with application of address signal

Номер патента: US20040017699A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-29.

Semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20190221576A1. Автор: Masaru Kito,Yasuhiro Uchiyama,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030072207A1. Автор: Takanobu Suzuki,Takeshi Hamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Methods of selectively activating word line segments enabled by row addresses and semiconductor memory devices having partial activation commands of word line

Номер патента: US7187615B2. Автор: Seong-Jin Jang,Min-Sang Park,Yu-Lim Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-06.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20020179963A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20010038119A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Semiconductor memory device having a heat insulating mechanism

Номер патента: US09788463B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Yasuyuki Ozawa,Yoshiharu Matsuda,Masahiro Iijima,Kenichi SAWANAKA,Fuminori Kimura,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Semiconductor memory device having compression test mode

Номер патента: US20140301149A1. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor memory device having variable resistance elements provided at intersections of wiring lines

Номер патента: US09812502B2. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US20110309525A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US8723303B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device having row repair circuitry

Номер патента: US20020167850A1. Автор: Jung Seop Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US20070280003A1. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US7372733B2. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-13.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240306383A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of fabricating a three-dimensional semiconductor memory device having a plurality of memory blocks on a peripheral logic structure

Номер патента: US09837429B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device having row repair circuitry

Номер патента: US20020003279A1. Автор: Jung Seop Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-10.

Memory device having a systematic arrangement of logical data locations and having plural data portals

Номер патента: US20020062420A1. Автор: James Bullen,Robert Mclaughlin,Lawrence Plumhoff. Владелец: Image Telecommunications Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor memory device having diagnostic unit operable on parallel data bits

Номер патента: US5079747A. Автор: Kazuhiro Nakada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-01-07.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device to which information can be written only once

Номер патента: US20060133127A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor memory device having power mesh structure

Номер патента: US20180240504A1. Автор: Nam-Hea JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor memory device having redundancy means

Номер патента: WO2004090910A1. Автор: Nikolaas K. J. Van Winkelhoff. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09853040B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Testing architecture for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030005372A1. Автор: K. T. Hsiao,Hao-Liang Lo,Li-Yang Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Non-volatile semiconductor memory device capable of suppressing writing and erasure failure rate

Номер патента: US20020036921A1. Автор: Tatsuya Saeki,Satoru Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030030087A1. Автор: Makoto Ooi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09928910B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040062113A1. Автор: Yoshimasa Sekino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307359A1. Автор: Tadayoshi Watanabe,Kouji Matsuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20190267097A1. Автор: Tomoya Sanuki,Yusuke Higashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of making a semiconductor memory device

Номер патента: US4830977A. Автор: Yoshiharu Takeuchi,Akira Endo,Hisao Katto,Yuji Arakawa,Nozomi Horino,June Sugiura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-05-16.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Apparatus for testing semiconductor memory device

Номер патента: US6034905A. Автор: Kunihiko Suzuki,Kazuhiro Shibano. Владелец: Asia Electronics Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: EP4379608A3. Автор: Seongil O,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304257A1. Автор: Hidehiro Shiga,Yuki Inuzuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865612B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240221833A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor memory device, memory test method and computer program for designing program of semiconductor memory device

Номер патента: US20100313085A1. Автор: Hiroshi Tomiyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7864618B2. Автор: Yoshinori Matsui,Yoshinori Haraguchi,Yoshiro Riho,Hayato Oishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Semiconductor memory device in which redundancy (RD) of adjacent column is automatically repaired

Номер патента: US7643362B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8797777B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140050035A1. Автор: Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160172048A1. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252289B2. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Stacked memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20130237019A1. Автор: Chul-woo Park,Dong-hyun Sohn,In-Gyu Baek,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory device, controller, memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240274217A1. Автор: Jin Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20230410913A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of controlling a semiconductor memory device

Номер патента: US09929173B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160284410A1. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050047225A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: WO2007035259A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: EP1949383A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-07-30.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210191809A1. Автор: Kijun Lee,Yeonggeol Song,Sungrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Process for producing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20020036316A1. Автор: MASUOKA Fujio,Kenichi Tanaka,Hiroaki Shimizu,Yoshihisa Wada,Takuji Tanigami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device including capacitor

Номер патента: EP3823022A3. Автор: Dong Ku Kang,Chan Ho Kim,Bong Soon LIM,Kyung Hwa YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-14.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240290393A1. Автор: Kang Woo Park,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130234222A1. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Stacked memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20110228582A1. Автор: Chul-woo Park,Dong-hyun Sohn,In-Gyu Baek,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory device and redundant output switch thereof

Номер патента: US20020176296A1. Автор: Chao-Shuenn Hsu,Ju-Fu Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199168A1. Автор: Yusuke Umezawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Techniques for providing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2012170409A2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa R. Banna. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060262615A1. Автор: Yasuo Gotoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200176033A1. Автор: Fumitaka Arai,Keiji Hosotani,Keisuke Nakatsuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device maintaining verification data during program suspend, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298679A1. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257876A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240250026A1. Автор: Nobuaki OKADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263031A1. Автор: Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device and portable electronic apparatus

Номер патента: US20050002240A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Koji Hamaguchi,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US20160071596A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory device with a stacked gate including a floating gate and a control gate

Номер патента: US20070020852A1. Автор: Akira Umezawa,Kazuhiko Kakizoe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061751A1. Автор: Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor memory apparatus and method for outputting data

Номер патента: US20020005547A1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230168819A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US20170186496A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130235645A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321359A1. Автор: Yoichi MINEMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12136458B2. Автор: Koji KATO,Tomoki Nakagawa,Mai SHIMIZU,Shuhei Oketa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device having first and second floating gates of different polarity

Номер патента: US09966476B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Electronic device including a semiconductor memory having memory arrays with variable resistance storage elements and a bias voltage generator arranged between the arrays

Номер патента: US09865345B2. Автор: Dong-Keun Kim,Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230413516A1. Автор: Fumitaka Arai,Hiroki TOKUHIRA,Teruhisa SONOHARA,Shunichi SENO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12020753B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20080205142A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20070183221A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7532519B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory device and file memory system

Номер патента: US20150279456A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor memory device for applying voltage to select line based on number of times program loops are performed and method of operating the same

Номер патента: US12040022B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110241225A1. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11751384B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8085585B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8027188B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-27.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140347911A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Nobuaki Yasutake,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US20040141349A1. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US6879539B2. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210082476A1. Автор: Hiroyuki Hara,Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory devices with ballasts

Номер патента: WO2018125237A1. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080137434A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060250841A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7333368B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070230246A1. Автор: Akira Umezawa,Jin Kashiwagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor memory device and data erasing method

Номер патента: US9355731B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device and method of operating the same whereby the voltage of a floated common source line is increased by increasing the voltage of a source select line coupled to an unselected memory block

Номер патента: US12073893B2. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5978290A. Автор: Mamoru Fujita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240296893A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Controller for controlling semiconductor memory device and method of operating the controller

Номер патента: US12046295B2. Автор: Sang Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268109A1. Автор: Yusuke Shima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230262983A1. Автор: Hisashi Harada,Keisuke SUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US12075617B2. Автор: Toshiyuki Kanaya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060028884A1. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130229852A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Tomonori KUROSAWA,Yoichi MINEMURA,Takafumi SHIMOTORI,Mizuki Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240321365A1. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12127391B2. Автор: Fumitaka Arai,Hiroki TOKUHIRA,Teruhisa SONOHARA,Shunichi SENO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US09997256B2. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Delay locked loop in semiconductor memory device

Номер патента: US7375565B2. Автор: Jong-Tae Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-20.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20200303390A1. Автор: Jin-Kyu Kang,Jaehoon Jang,Jaeduk LEE,Sejun Park,Seungwan Hong,Okcheon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having uniform layout

Номер патента: US5973970A. Автор: Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240099029A1. Автор: Yoshiki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180301190A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180130529A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10217514B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10020055B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10658038B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US20140156213A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor memory device including command log register and command log output method thereof

Номер патента: US20230335209A1. Автор: Donghee Kim,Jun-Ho Jo,Youngsan Kang,Jungho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Circuit for the switching of supply voltages in electrically programmable and cancelable non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US5754473A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140078813A1. Автор: Kei Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11903184B2. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US8699279B2. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220302016A1. Автор: Kouji Matsuo,Fumitaka Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20180090210A1. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230282276A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120236664A1. Автор: Masahiro Kamoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8644069B2. Автор: Masahiro Kamoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor memory device, semiconductor memory module and operation methods thereof

Номер патента: US20150124542A1. Автор: Jeong-Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240260271A1. Автор: Takuya Nishikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307434A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Maejima,Katsuaki Isobe,Nobuaki OKADA,Takahiro Tsurudo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090116316A1. Автор: Young-Jun Ku,Ji-Eun Jang,Jeong-Yoon Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method

Номер патента: US20030205771A1. Автор: Hiroshi Mizuta,Hideo Sunami,Kazuo Nakazato,Kiyoo Itoh,Toshikazu Shimada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device having redundancy circuit

Номер патента: US20030189845A1. Автор: Masakazu Aoki,Masashi Horiguchi,Kiyoo Itoh,Jun Etoh. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device having redundancy circuit

Номер патента: US20020031024A1. Автор: Masashi Horiguchi,Kiyoo Itoh,Jun Etoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160247573A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170117047A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160267992A1. Автор: Hiroshi Maejima,Tomonori KUROSAWA,Hidehiro Shiga,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US20130114347A1. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US12080354B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180341543A1. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor memory device with write disturb reduction

Номер патента: US12073886B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050174868A1. Автор: Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220344307A1. Автор: Akiyoshi Itou,Masahiro Yoshihara,Toshikazu Watanabe,Yasumitsu Nozawa,Tomohito Kawano,Toshimitsu Iwasawa,sachie Fukuda,Nobuharu Miyata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having parallel test function

Номер патента: US5394369A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230298634A1. Автор: Yusuke Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Non-volatile semiconductor memory device capable of preventing over-programming

Номер патента: US20110157973A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masaki Fujiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130187216A1. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230165005A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040213066A1. Автор: Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020057611A1. Автор: Sang Pil Lee,Jong Tai Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor memory device allowing switching of word configuration

Номер патента: US20020003730A1. Автор: Takeshi Hamamoto,Masakazu Hirose,Shigekazu Aoki,Mikio Asakura,Seiji Sawada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090121281A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292608A1. Автор: Jae Hong Park,Jung Ha Hwang,Jae-Wha Park,Moon Keun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Memory device

Номер патента: WO1995032505A1. Автор: M. James Bullen,Robert B. Mclaughlin,Lawrence C. Plumhoff. Владелец: Image Telecommunications Corporation. Дата публикации: 1995-11-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304245A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357799A1. Автор: Byoung Wook Jang,Kang-Uk Kim,Jin A Kim,Young-Seung Cho,Choong Hyun LEE,Joon Cheol KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12058863B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods of operating semiconductor memory devices with selective write-back of data for error scrubbing and related devices

Номер патента: US09990163B2. Автор: Uk-Song KANG,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09984761B2. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono,Noboru Shibata,Tadashi Yasufuku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09972397B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Stack type semiconductor memory device

Номер патента: US09960082B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US09934860B1. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929171B2. Автор: Kenji Aoyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150078063A1. Автор: Shosuke Fujii,Takayuki Ishikawa,Hidenori Miyagawa,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09859002B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09847341B2. Автор: HongSoo KIM,Yoocheol Shin,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09837159B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09825100B2. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki,Yuki SEKINO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09799403B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Shinohara,Kenichi Abe,Yasuyuki Baba,Toshifumi Minami,Atsuhiro Sato,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa,Keisuke Yonehama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory devices and memory systems with enhanced error detection and correction

Номер патента: US20210191810A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Chanki Kim,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12033702B2. Автор: Yoshikazu Harada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240237349A1. Автор: Un-Byoung Kang,Hyunchul Jung,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Sanghoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160322423A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Takamasa OKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237348A1. Автор: Hwayeong LEE,Seulji SONG,Hunmo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20150262656A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100027366A1. Автор: Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Hoshihide Haruyama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: USRE46785E1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12052855B2. Автор: Yoosang Hwang,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Taehyun An,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160284868A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110128774A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor memory device including capacitor

Номер патента: US20210143162A1. Автор: Dong Ku Kang,Chan Ho Kim,Bong Soon LIM,Kyung Hwa YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory device, image processing system, and image processing method

Номер патента: US20090244077A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor memory device with signal lines arranged across memory cell array thereof

Номер патента: US20050259466A1. Автор: Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9406395B1. Автор: Masahiro Hosoya,Tomoyuki Hamano,Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180226129A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180005696A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068045B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220285379A1. Автор: Takuya Suzuki,Ken Iyoda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor memory device and core layout thereof

Номер патента: US7391669B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-24.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20130308384A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor memory device with a redundant decoder having a small scale in circuitry

Номер патента: US6023433A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290382A1. Автор: Koji KATO,Tomoki Nakagawa,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11711919B2. Автор: Daigo Ichinose. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8149611B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11189348B2. Автор: Takeshi Hioka,Masaki UNNO,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-30.

Nonvolatile semiconductor memory device achieving shorter erasure time

Номер патента: US20020141243A1. Автор: Yasuhiko Tanuma,Takayuki Yoneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

File storage type non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030185054A1. Автор: Teruhiko Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device while suppressing variation

Номер патента: US20060158939A1. Автор: Takashi Ito,Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210043234A1. Автор: Takashi Terada,Takeo Mori,Takuto Tanaka,Takamichi Tsuchiya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324239A1. Автор: Kyunghwan Lee,Myunghun Woo,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device including clock-independent sense amplifier

Номер патента: EP1298668A3. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kiyoharu Oikawa,Kimio Maruyama,Naokazu Kuzuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321363A1. Автор: Kiichi Tachi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12125528B2. Автор: Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12125542B2. Автор: Takao Nakajima,Tadashi Someya,Masaki Fujiu,Fumihiro Kono,Kiyoaki Iwasa,Hayato Konno,Wataru Moriyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US12074616B2. Автор: Hironori Uchikawa,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US12069858B2. Автор: Dong-Sik Lee,Byungjin LEE,Woosung YANG,Bumkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US09966144B2. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor storage device having nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09946472B2. Автор: Takashi Tsunehiro,Akifumi Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile semiconductor memory having multiple external power supplies

Номер патента: US09928918B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09865656B2. Автор: Takashi Izumida,Takahisa Kanemura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09824764B2. Автор: Yuji Nagai,Jun Nakai,Kenri Nakai,Yuki KANAMORI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09818489B2. Автор: Yuka Suzuki,Masami Hanyu,Yoshihiro Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09786380B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09780147B2. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Takamasa OKAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages

Номер патента: US11804267B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages

Номер патента: US20210193228A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages

Номер патента: US20200185036A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages

Номер патента: US20220328103A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Voltage control in semiconductor memory device

Номер патента: US12027208B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Portable electronic device having transistor comprising oxide semiconductor

Номер патента: US12001241B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor memory and semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US5773865A. Автор: Hideto Hidaka,Takahiro Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device including a selection element pattern confined to a hole

Номер патента: US20190157346A1. Автор: JONG CHUL LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor memory device having ram and rom areas

Номер патента: US20080016306A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Han-Joo Lee,Byung-Jun Min,Kang-Woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240320109A1. Автор: Yoshihiko Shindo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Memory device

Номер патента: US20110296235A1. Автор: Masaru Ogawa,Tarou Iwashiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor memory device that switches between states and moves data in accordance with a current state

Номер патента: US09940029B2. Автор: Tatsunori Kanai,Tetsuro Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Delay locked loops with calibration for external delay

Номер патента: US11936389B2. Автор: Junhua SHEN,Sivanendra Selvanayagam,Alberto MARINAS,Siwen Liang,Marlon Consuelo Maramba. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-03-19.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US20240201863A1. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US12045469B2. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Controller which controls operation of nonvolatile semiconductor memory and semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory and controller therefore

Номер патента: US20100241791A1. Автор: Seiichi Tomita,Tarou Iwashiro,Takahide Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140376169A1. Автор: Toshiro Yokoyama,Misa Sugimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Controller for semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210042221A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory device having stack of polycrystalline semiconductor layers with diverse average crystal grain sizes

Номер патента: US12052872B2. Автор: Takayuki Kashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device having memory cells provided in a height direction

Номер патента: US09812398B2. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Seiichi Omoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Delay-locked loop with independent phase adjustment of delayed clock output pairs

Номер патента: US20150263737A9. Автор: Charles W. Boecker,Prashant Choudhary,Aldo Bottelli. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Delay-locked loop with independent phase adjustment of delayed clock output pairs

Номер патента: US20140210531A1. Автор: Charles W. Boecker,Prashant Choudhary,Aldo Bottelli. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12048150B2. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Delay locked loop device and method for operating the same

Номер патента: US11742862B2. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090065838A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240357824A1. Автор: Won Jun Park,Dong Hwa Lee,Jae Min Jung,Dong Sung CHOI,Byong Ju KIM,Chang Heon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device having coplanar digit line contacts and storage node contacts in memory array and method for fabricating the same

Номер патента: US09881924B2. Автор: Sanh Tang,Shih-Fan Kuan,Kuo-Chen Wang,Lars Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory devices having contact plugs

Номер патента: US20240206157A1. Автор: Wonchul Lee,Dongsoo Woo,Hyejin Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor Memory Devices Having Strain Layers Therein That Increase Device Performance And Methods of Forming Same

Номер патента: US20110254103A1. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357810A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device having a decoupling capacitor

Номер патента: US20060113633A1. Автор: Je-min Park,Yoo-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Nonvolatile semiconductor memory device having electron scattering and electron accumulation capacities in charge accumulation layer

Номер патента: US09935122B2. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Tsunehiro Ino,Kenichiro TORATANI,Misako Morota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor memory device having wiring line structure

Номер патента: US20200312830A1. Автор: Jin HO KIM,Young Ki Kim,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH,Byung Hyun Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor memory device having local bit line with insulation layer formed therein

Номер патента: US20170263681A1. Автор: Kenichi Murooka,Tatsuya Ohguro,Shintaro Nakano,Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device having local bit line with insulation layer formed therein

Номер патента: US09831290B2. Автор: Kenichi Murooka,Tatsuya Ohguro,Shintaro Nakano,Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240251545A1. Автор: Jin-Seong Park,Seung Hee Lee,Dong-Gyu Kim,Tae Won Kim,Yu Rim KIM,Yong-Suk Tak,Dong-Hyeon Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Semiconductor Memory Device Having Auxiliary Conduction Region Of Deduced Area

Номер патента: US20020175349A1. Автор: Yoshinao Morikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device having cylinder-type stacked capacitor and method for fabricating such a semiconductor memory device

Номер патента: US6873002B2. Автор: Nobuyuki Nishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-03-29.

Semiconductor memory device having multilayered storage node contact plug and method for fabricating the same

Номер патента: US20020093035A1. Автор: Byeong-Yun Nam,Beom-jun Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6995413B2. Автор: Shintaro Arai,Ken Inoue. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-02-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device having memory cells arranged three-dimensionally and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806088B2. Автор: Takuya INATSUKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing semiconductor memory device having charge accumulation layer positioned between control gate electrode and semiconductor layer

Номер патента: US09793290B2. Автор: Takuo Ohashi,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120068244A1. Автор: Yoshiki Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09991272B2. Автор: Hiroshi Kanno,Shinya Naito,Yoshiaki Fukuzumi,Tatsufumi Hamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory devices having an electrode with an extension

Номер патента: US20230217843A1. Автор: Juan Boon Tan,Ramasamy Chockalingam,Jianxun Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240237353A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing a semiconductor memory device having capacitor electrodes and a vertical contact plug

Номер патента: US11769721B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory devices having an electrode with an extension

Номер патента: US12102020B2. Автор: Juan Boon Tan,Ramasamy Chockalingam,Jianxun Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170278862A1. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor storage device including staggered semiconductor memory devices on opposed surfaces

Номер патента: US20240260194A1. Автор: BO Yang,Chun Sean Lau,Fu Xing Chan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Phase-locked loop configuration

Номер патента: US5471512A. Автор: Heinz Werker. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1995-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240312911A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09978770B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Atsushi Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09876029B2. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240098998A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Tomonari SHIODA,Takanori Yamanaka,Saori MATSUSHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240023332A1. Автор: Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12052854B2. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082410B2. Автор: Hyung Joon Kim,Hyun Jung Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240260253A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324174A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371994A1. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160276362A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080296647A1. Автор: Tomohiko Tatsumi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11769808B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372003A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140027836A1. Автор: Tadashi Iguchi,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12062704B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Non-volatile semiconductor memory device, and manufacture method for non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100001338A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315008A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4432803A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120168845A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320102A1. Автор: Zhiqiang Wu,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Chung-Wei Wu,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090194807A1. Автор: Hiroki Yamashita,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210335798A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4369882A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US11711918B2. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20160197091A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20120086070A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111181A1. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11444092B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11700723B2. Автор: Jaehoon Kim,Seungjae Jung,Kwangho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor memory device having high electrical performance and mask and photolithography friendliness

Номер патента: US20050035387A1. Автор: Gi-sung Yeo,Woo-Sung Han,Jung-Hyeon Lee,Doo-Hoon Goo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

Method and structure of an auxiliary transistor arrangement used for fabricating a semiconductor memory device

Номер патента: US20050037564A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230187396A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5982007A. Автор: Soo-Cheol Lee,Gyeong-Hee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10438970B2. Автор: Masaru Kito,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor memory device and apparatus including the same

Номер патента: US12080649B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160268266A1. Автор: Kotaro Noda,Kyoko NODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160056166A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240315043A1. Автор: Shosuke Fujii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device having bit lines and isolation fins disposed on the substrate

Номер патента: US12114487B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324215A1. Автор: Koji Shirai,Takashi Kurusu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for forming semiconductor memory device having a t-shaped erase gate

Номер патента: US12057481B2. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09997531B2. Автор: Kotaro Noda,Kyoko NODA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device structure

Номер патента: US09966349B2. Автор: John Moore,Joseph F. Brooks. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Three dimensional vertical channel semiconductor memory device

Номер патента: US09935121B2. Автор: Masaru Kito,Yoshihiro AKUTSU,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor memory devices for use in electrically alterable read only memory (ROM) and semiconductor thin film devices (spintrons and spin-orbitrons)

Номер патента: US09865811B2. Автор: Eugeniy Troyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09812507B2. Автор: Takeshi Takagi,Masanori Komura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805927B2. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device having stacked-capacitor type memory cells

Номер патента: US4905064A. Автор: Taiji Ema,Takashi Yabu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-02-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160218109A1. Автор: Hiroshi Shinohara,Hiroyuki Maeda,Shinji Saito,Yasuyuki Baba,Toshifumi Minami,Atsuhiro Sato,Keisuke Yonehama,Hideyuki Kamata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220293620A1. Автор: Shigeru Kinoshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20130228845A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20150221664A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240276704A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276705A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11127750B2. Автор: Hisashi Kato,Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Takuya INATSUKA,Murato Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210225842A1. Автор: Satoru Yamada,Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Hyuncheol Kim,Sungwon Yoo,Jaeho Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10672784B2. Автор: Shunsuke KASASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-02.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230247836A1. Автор: Hyung Joon Kim,Kyungwook Park,Sangmin Kang,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020039823A1. Автор: Seiki Ogura,Masataka Kusumi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007879A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200075607A1. Автор: Shunsuke KASASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315009A1. Автор: Jaejin Lee,Jihoon Kim,Youngjun Kim,Dohyung Kim,Yeonju OH,Dongju Chang,Taekjung Kim,Seohyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12089410B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240324220A1. Автор: Masaki Nakamura,Yutaka Shimizu,Hideo Wada,Go Oike,Yoshikazu HOSOMURA,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240315015A1. Автор: Masashi ARINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180047741A1. Автор: Hideto Onuma,Masayuki Shishido,Akira KURAMOTO,Tatsuya Fujishima,Nobuhito KUGE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12137559B2. Автор: Hisashi Kato,Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Takuya INATSUKA,Murato Kawai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09935118B1. Автор: Hisashi Kato,Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Takuya INATSUKA,Murato Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09911752B2. Автор: Masahiro Fukuda,Takayuki Kashima,Takashi Hirotani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09893082B2. Автор: Chaeho Kim,Woong Lee,Sangryol Yang,Seunghyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09887273B2. Автор: Hiroshi Kanno,Tatsuo Ishida,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842849B1. Автор: Hiroyuki Yamasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09806092B1. Автор: Yoichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US7338863B2. Автор: Young-sun Kim,Jong-Cheol Lee,Han-mei Choi,Jae-Hyoung Choi,Gab-jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240099000A1. Автор: Kotaro Nomura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200075626A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240224494A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Huijung Kim,Minhee Cho,Sungwon Yoo,Ilgweon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11049875B2. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090101960A1. Автор: Masaki Kondo,Fumitaka Arai,Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220320305A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240224499A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4398693A1. Автор: Sang Min Lee,Young Woo Son,Kyoung Hwan Kim,Young-Seung Cho,Sang-Bin Ahn,Kang In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240237334A1. Автор: Sang Min Lee,Young Woo Son,Kyoung Hwan Kim,Young-Seung Cho,Sang-Bin Ahn,Kang In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220310697A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119092A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Sheng-Haung Haung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6489644B1. Автор: Jeong Min Seon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240090222A1. Автор: Hiroyasu Sato,Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10381368B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230320086A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Low power oversampling with delay locked loop implementation

Номер патента: EP2865126A1. Автор: Wei-Lien Yang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-29.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11778805B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Vertical internally-connected trench cell (V-ICTC) and formation method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030098483A1. Автор: John Walsh,Brian Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US20230189500A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200075616A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Jun Nishimura,Ayaha HACHISUGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20190333923A1. Автор: Jongwon Kim,Minyeong SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9000504B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8633526B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100230742A1. Автор: Yukihiro Yamashita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor memory device including ferroelectric memory formed using ferroelectric capacitor

Номер патента: US20030185086A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240057310A1. Автор: Yue Liu,Chia-Hung Wang,Chung-Ping Hsia,Yincong Hong. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Low power oversampling with delay locked loop implementation

Номер патента: WO2014004081A1. Автор: Wei-Lien Yang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-01-03.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240268097A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160276264A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11751376B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160268274A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Phase-locked loop and delay-locked loop

Номер патента: US20190165792A1. Автор: Dong Joon Lee,Hyung Ki Huh. Владелец: Anapass Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12082395B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292594A1. Автор: Sanghyun Lee,Dongjun Lee,Jinwoo Han,Kiseok LEE,Sung-Min Park,Seokhan Park,Iljae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11024640B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240292620A1. Автор: Takahiro Kotou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20150228662A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20110298039A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20140239379A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010048129A1. Автор: Kenji Saito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020195650A1. Автор: Kenji Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230371265A1. Автор: Yongseok Kim,Bongyong Lee,Myunghun Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082418B2. Автор: Keisuke Uchida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240324204A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130228850A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor memory device, and semiconductor memory device manufacturing method

Номер патента: US20240315041A1. Автор: Kiwamu Sakuma,Kunifumi Suzuki,Yuuichi Kamimuta,Takamasa HAMAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324214A1. Автор: Karin TAKAYAMA,Kenta Shimomura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304602A1. Автор: Hiroshi Maejima,Tomoya Sanuki,Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device using a ferroelectric characteristic of charge storage layer and operating method thereof

Номер патента: US12120883B2. Автор: Jin-Hong Park,Sang-Yong Park,Sungjoo Lee. Владелец: Research And Business Foundation Sungky. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240334682A1. Автор: Seok Han PARK,Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Hyun Geun Choi,Bo Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240357796A1. Автор: Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240365532A1. Автор: Ji Ho Park,Tae Jin Park,Ki Seok Lee,Jun Soo Kim,Ho Sang LEE,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240313073A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324189A1. Автор: Sena CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional semiconductor memory device, an electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240373632A1. Автор: Junhee LIM,Sungsu Moon,Sea Hoon Lee,Kang Lib KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240373620A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357823A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09978765B2. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09960178B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09953996B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09871197B2. Автор: Hikari TAJIMA,Takashi Izumida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09842856B2. Автор: Tatsuya Okamoto,Tatsufumi Hamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150041876A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170025434A1. Автор: Hiroshi Toyoda,Seiichi Omoto,Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230422508A1. Автор: Takeo Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220093634A1. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180226422A1. Автор: Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US7948800B2. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US20220384470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20210296275A1. Автор: Masaki Tsuji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230320093A1. Автор: Masamichi Suzuki,Harumi SEKI,Yusuke Higashi,Kensuke Ota,Reika Tanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7446362B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9601503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9318503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9312134B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US10418378B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8653582B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10672793B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki,Hiroki TOKUHIRA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151779A1. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8541866B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090294827A1. Автор: Motoi Ashida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190319043A1. Автор: Akira Takashima,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino,Ayaka SUKO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US12058851B2. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4415497A3. Автор: Juho Lee,Wonsok Lee,Seunghyun Kim,Minhee Cho,Wooje Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200006270A1. Автор: Chang-Man SON,Go-Hyun LEE,Jae-Taek KIM,Jun-Youp KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7750394B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and process for same

Номер патента: US20020089002A1. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20100193855A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120139031A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240349484A1. Автор: Hyungmin Ko,Taeyoung EOM,Boryeon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240349490A1. Автор: Hyungki CHO,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160049414A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US12096624B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997535B2. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09972635B2. Автор: Hiroshi Itokawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09966381B2. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09941296B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09929212B2. Автор: Takeshi Sugimoto,Yoshihisa Iwata,Yusuke Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09929177B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Stacked type semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871051B2. Автор: Shinya Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09865616B2. Автор: Shinya Takahashi,Takashi Shimizu,Ryota Katsumata,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09837434B2. Автор: Toshiyuki Iwamoto,Satoshi Nagashima,Koichi Sakata,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09837430B2. Автор: Toshihiko Iinuma,Osamu Arisumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device with first and second semiconductor films in first and second columnar bodies

Номер патента: US09831261B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09806091B2. Автор: Hidenori Miyagawa,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Systems and methods for providing a delay-locked loop with coarse tuning technique

Номер патента: EP4354737A1. Автор: Abbas Komijani,Chen Zhai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Digitally controlled delay-locked loop reference generator

Номер патента: WO2016003616A3. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Ning BAI,Yuou CAO,Xinyan XU. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-03-03.

Systems and methods for providing a delay-locked loop with coarse tuning technique

Номер патента: US20240106440A1. Автор: Abbas Komijani,Chen Zhai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Delay-locked loop circuit and method

Номер патента: US20240106425A1. Автор: Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Chung-Peng Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Systems and methods for providing a delay-locked loop with coarse tuning technique

Номер патента: US11990913B2. Автор: Abbas Komijani,Chen Zhai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240224502A1. Автор: Jungpyo Hong,Sangwuk PARK,Yangdoo KIM,Minkyu Suh,Geonyeop LEE,Dokeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-Volatile Memory Device, Devices Having the Same, and Method of Operating the Same

Номер патента: US20120151124A1. Автор: BAEK Sung Hoon,Cheon Won Moon. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

System of functional testing cards of semiconductor memory

Номер патента: RU2524858C2. Автор: Денис Анатольевич Строганов,Григорий Владимирович Шишкин,Алескандр Владимирович Руткевич. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Цифровые решения". Дата публикации: 2014-08-10.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.