Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Wordline driving circuit and memory cell

Номер патента: US20210057017A1
Опубликовано: 25-02-2021
Автор(ы): ChihCheng LIU
Принадлежит: Changxin Memory Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Word line drive circuit and storage unit

Номер патента: EP3933838A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Drive circuit, method for driving drive circuit, and memory

Номер патента: US12119083B2. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230307022A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Drive circuit, method for driving drive circuit, and memory

Номер патента: US20230368827A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Output driving circuit and memory

Номер патента: EP4131783A1. Автор: Yan Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US11955159B2. Автор: Sungyong Cho,Kiheung KIM,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240203475A1. Автор: Sungyong Cho,Kiheung KIM,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and memory system including memory cell arrays and column selection transistors arranged to improve size efficiency

Номер патента: US11881283B2. Автор: Soo Bong CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory device comprising stacked memory cells and electronic device including the same

Номер патента: US09748274B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Shionoiri,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory core circuit having cell on periphery structure and memory device including the same

Номер патента: US20230337418A1. Автор: Jaepil Lee,Chulkwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory structure and memory layout

Номер патента: US20220384451A1. Автор: YANG Zhao,Jaeyong Cha. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

State detection circuit for anti-fuse memory cell, and memory

Номер патента: US11854605B2. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Electronic circuit and bistable circuit

Номер патента: EP3979499A1. Автор: Satoshi Sugahara,Shuichiro Yamamoto,Daiki Kitagata. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2022-04-06.

Electronic circuit and bistable circuit

Номер патента: US20220084583A1. Автор: Satoshi Sugahara,Shuichiro Yamamoto,Daiki Kitagata. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2022-03-17.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240250163A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12094965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

NAND flash memory device with oblique architecture and memory cell array

Номер патента: US09613702B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for programming a one-transistor dram memory cell and memory device

Номер патента: US20190074050A1. Автор: Joris Lacord,François Tcheme Wakam. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device including transistor with back gate, and memory device including the semiconductor device

Номер патента: US09990997B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: EP4141872A1. Автор: Sungyong Cho,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US11869965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US11935949B1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20230378339A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240079488A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20240185906A1. Автор: Seungki HONG,Jongmin BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230170009A1. Автор: Seungki HONG,Jongmin BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US11908507B2. Автор: Seungki HONG,Jongmin BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Device and method for detecting alignment of active areas and memory cell structures in dram devices

Номер патента: US20050184289A1. Автор: BO Jiang,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Chin-Ling Huang,Tie Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Low power programming technique for a floating body memory transistor, memory cell, and memory array

Номер патента: EP1671331A2. Автор: Serguei Okhonin,Pierre Fazan. Владелец: Innovative Silicon ISi SA. Дата публикации: 2006-06-21.

Variable capacitor and memory device employing the same

Номер патента: US20020041513A1. Автор: Chul-Woo Lee,Seung-tae Jung,Hee-wan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-11.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12074156B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor capacitor structure and memory cell and method of making

Номер патента: CA1059628A. Автор: Richard H. Heeren. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1979-07-31.

Memory device having vertical structure and memory system including the same

Номер патента: US09941009B2. Автор: Sang-Won Shim,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing memory device and memory

Номер патента: US20240188276A1. Автор: XIAO Ding,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20210082495A1. Автор: Yih Wang,Yen-Huei Chen,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Decoding drive circuit and memory chip

Номер патента: EP4276830A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Voltage generator and memory device including the same

Номер патента: US20230307068A1. Автор: Yoonjae Lee,ChiWeon Yoon,Cheonan Lee,Byungjoon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory for storing the number of activations of a wordline, and memory systems including the same

Номер патента: US09799390B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory and memory system including the same

Номер патента: US09418724B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Non-volatile memory and memory sector thereof

Номер патента: US20200365200A1. Автор: Chun-Hung Lin,Cheng-Da Huang,Yu-Ping Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of reducing program disturbance in memory device and memory device utilizing same

Номер патента: US11676646B2. Автор: SHAN Li,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Method of reducing program disturbance in memory device and memory device utilizing same

Номер патента: US20220084573A1. Автор: SHAN Li,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory circuit, data transmission circuit, and memory

Номер патента: US20230267976A1. Автор: Hongwen Li,Weibing SHANG,Enpeng Gao,Kangling Jl. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device and memory array structure using charge sharing for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, and computing method thereof

Номер патента: US12002539B2. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Chi Chou,Jian-Wei Su. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory chip and memory system

Номер патента: US20230178123A1. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Merged buffer and memory device including the merged buffer

Номер патента: US20230115985A1. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Merged buffer and memory device including the merged buffer

Номер патента: US11783889B2. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Merged buffer and memory device including the merged buffer

Номер патента: US20220044724A1. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Method of Reducing Program Disturbance in Memory Device and Memory Device Utilizing Same

Номер патента: US20210174852A1. Автор: SHAN Li,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of sequentially biasing bias lines in memory device for program disturbance reduction and memory device utilizing same

Номер патента: US11222674B2. Автор: SHAN Li,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-11.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4243020A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Integrated circuit structure and memory structure

Номер патента: US20230282271A1. Автор: Lingling CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Digital to analog converters and memory devices and related methods

Номер патента: US09892782B1. Автор: Peter K. Nagey. Владелец: Terra Prime Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09552867B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Uk-Song KANG,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for accessing a memory and memory access circuit

Номер патента: US20150332756A1. Автор: Gerd Dirscherl,Thomas Kuenemund,Gunther Fenzl,Joel Hatsch,Nikolai Sefzik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-19.

Memory cell with independent-gate controlled access devices and memory using the cell

Номер патента: US7738284B2. Автор: Keunwoo Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Memory Cells and Memory Arrays

Номер патента: US20190096894A1. Автор: Debra M. Bell,Scott J. Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Dynamic semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200176052A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Chul Hwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230420033A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM,Hyongryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

In-memory computing method and circuit, semiconductor memory, and memory structure

Номер патента: US20230153067A1. Автор: Li Ding,Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Amplifier and memory

Номер патента: US20230049647A1. Автор: YANG Zhao,Jaeyong Cha. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Clock adjusting circuit, memory storage device, and memory control circuit unit

Номер патента: US9318155B2. Автор: Wei-Yung Chen,Yan-An Lin. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Memory apparatus and memory device

Номер патента: US09767874B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09685218B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jae-Youn Youn,Si-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09536586B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jae-Youn Youn,Si-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020763B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3985494A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device and memory system

Номер патента: US20200279612A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240038292A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM,Hyongryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09449673B2. Автор: Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory device and memory system capable of using redundancy memory cells

Номер патента: US11901032B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory core circuits having cell-on-periphery structures and memory devices including the same

Номер патента: US20240096403A1. Автор: Sangyun Kim,Dongil LEE,Younghun Seo,Hoseok LEE,Kangsub Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Anti-fuse memory cell state detection circuit and memory

Номер патента: US11854633B2. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210383848A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020764B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory cell and memory cell array of magnetoresistive random access memory operated by negative voltage

Номер патента: US20200327917A1. Автор: Chia-Fu Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Bit line sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US20230121199A1. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Bit line sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US12087351B2. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Flip-flop, shift register, display device driving circuit, display device, display device panel

Номер патента: RU2507680C2. Автор: Ясуси САСАКИ,Сиге ФУРУТА,Юхитиро МУРАКАМИ,Макото ЁКОЯМА,Такахиро ЯМАГУТИ. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US10037817B2. Автор: Dong-Wook Kim,Dong-Hak Shin,Sung-Jun HER. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-31.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240160732A1. Автор: Youngjae PARK,Insu Choi,Seungki HONG,Hyunbo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor memory, and memory access method

Номер патента: EP1215678A2. Автор: Shinichi Yamada,Masato Matsumiya,Ayako Kitamoto,Masato Takita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-06-19.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: EP4376006A1. Автор: Youngjae PARK,Insu Choi,Seungki HONG,Hyunbo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Method of controlling memory and memory system thereof

Номер патента: US20100061156A1. Автор: Norio Fujita,Toshio Sunaga. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Driving circuit

Номер патента: US20200135244A1. Автор: Li-Lung Kao,Wei-Cheng Tang,Che-Hung Lin,Chia-Ling Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Gate drive circuit and shift register circuit

Номер патента: US09905313B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Driving circuit and shift register circuit

Номер патента: US09858876B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Gate drive circuit and shift register

Номер патента: US09536623B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

A drive circuit, a display device provided with the same

Номер патента: WO2007088986A1. Автор: Michael Brownlow,Gareth John,Patrick Zebedee,Harry Walton,Graham Cairns,Jaganath Rajendra,Jeremy Lock,Tim Gasser. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2007-08-09.

Driving circuits and the shift register circuits

Номер патента: US09672936B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

High-voltage sawtooth current driving circuit and memory device including same

Номер патента: US20100128552A1. Автор: Yong Hoon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices and memory systems with enhanced error detection and correction

Номер патента: US20210191810A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Chanki Kim,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20050259492A1. Автор: Shinya Fujioka,Kotoku Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor memory and memory system

Номер патента: US09741406B2. Автор: Kazutaka KIKUCHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device enabling refreshing of redundant memory cell instead of defective memory cell

Номер патента: US20150049564A1. Автор: Yuki Hosoe. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-02-19.

Stack semiconductor device and memory device with driving circuits connected to through-silicon-vias (TSV) in different substrates in a staggered manner

Номер патента: US09941247B2. Автор: Ho-young Song,Sang-Hoon Shin,Hae-Suk LEE,Kyo-Min Sohn,Han-Vit JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device performing hammer refresh operation and memory system including the same

Номер патента: US09892779B2. Автор: Hui-Kap YANG,Kyu-Chang KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09891991B2. Автор: Wei Lin. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

One time programming memory cell and memory array for physically unclonable function technology and associated random code generating method

Номер патента: US09613714B1. Автор: Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09767920B2. Автор: Young-Il Kim,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240233798A9. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and memory system having repair unit modification function

Номер патента: US09767922B2. Автор: Chang-Soo Lee,Kwang-Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Sense amplifiers for sensing multilevel cells and memory devices including the same

Номер патента: US20200143869A1. Автор: Dong-Il Lee,Young-Hun Seo,Hye-Jung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Address storage circuit and memory and memory system including the same

Номер патента: US09734888B2. Автор: Jae-il Kim,Seok-Cheol Yoon,Bo-Yeun Kim,Kyoung-Chul JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Address storage circuit and memory and memory system including the same

Номер патента: US09514798B2. Автор: Choung Ki Song,Ji Eun Jang,Seok Cheol Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory device and method with auxiliary i/o line assist circuit and functionality

Номер патента: US20140204692A1. Автор: Ankur Goel,Shetti Shanmukheshwara Rao. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Drive circuit and memory comprising the same

Номер патента: US20220223198A1. Автор: Yuanyuan Gong. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor memory device and method with auxiliary i/o line assist circuit and functionality

Номер патента: US20100039871A1. Автор: Ankur Goel,Shetti Shanmukheshwara Rao. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Two pass memory programming method, memory control circuit unit and memory storage apparatus

Номер патента: US09972390B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Szu-Wei Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Data output circuit and memory device including the same

Номер патента: US09830960B2. Автор: Jung-hwan Choi,Min-Su Ahn,Yong-Cheol Bae,Won-Young Lee,Seok-Hun Hyun,Chang-kyo LEE,Bo-bae SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semicondutor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09824755B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Controller and memory system for refreshing memory based on fail bits and temperature

Номер патента: US11742015B2. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: EP4312218A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM,Hyongryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20230418487A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory cell and memory device thereof

Номер патента: US20240221822A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Microelectronic devices and memory devices including conductive levels having varying compositions

Номер патента: US20230154856A1. Автор: Rita J. Klein,Yiping Wang,John D. Hopkins,Yongjun J. Hu,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer,Rajesh Balachandran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Voltage controlleer and memory device including same

Номер патента: US20210110860A1. Автор: Jaewoo JEONG,Byongmo Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Controller and memory system having the same

Номер патента: US20220165329A1. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Memory devices providing a refresh request and memory controllers responsive to a refresh request

Номер патента: US09978430B2. Автор: Chul-woo Park,Hong-Sun Hwang,Eun-Sung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Multi-port memory, semiconductor device, and memory macro-cell capable of performing test in a distributed state

Номер патента: US09972401B2. Автор: Shinji Tanaka,Toshiaki Sano,Shunya Nagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Multi-port memory, semiconductor device, and memory macro-cell

Номер патента: US09691502B2. Автор: Shinji Tanaka,Toshiaki Sano,Shunya Nagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Write voltage generation circuit and memory apparatus

Номер патента: US09887012B2. Автор: Katsuaki Matsui,Akira Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory modules and memory systems

Номер патента: US09558805B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Hak-soo Yu,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09449670B2. Автор: Jung-Bae Lee,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory structure and memory layout

Номер патента: US20220383936A1. Автор: YANG Zhao,Jaeyong Cha. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory structure and memory layout

Номер патента: US11854607B2. Автор: YANG Zhao,Jaeyong Cha. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Bit determining method, memory control circuit unit and memory storage device

Номер патента: US20200034232A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Yu-Siang Yang,An-Cheng Liu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Decoding method, memory storage device and memory controlling circuit unit

Номер патента: US09529666B2. Автор: Wei Lin,Yu-Hsiang Lin,Tien-Ching Wang,Kuo-Hsin Lai,Shao-Wei Yen,Siu-Tung Lam. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09928917B2. Автор: Hyun-Jin Shin,Ho Young SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09911499B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09704570B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device including processing circuit, and electronic device including system on chip and memory device

Номер патента: US20240086345A1. Автор: Nam Sung Kim,Jaeyoun Youn,Sang-Hyuk Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit

Номер патента: US11842769B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit

Номер патента: US20230335187A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory device including processing circuit, and electronic device including system on chip and memory device

Номер патента: US20210157751A1. Автор: Nam Sung Kim,Jaeyoun Youn,Sang-Hyuk Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory device including processing circuit, and electronic device including system on chip and memory device

Номер патента: US11860803B2. Автор: Nam Sung Kim,Jaeyoun Youn,Sang-Hyuk Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230326511A1. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09779799B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: EP4312216A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM,Hyongryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US20190267090A1. Автор: Noboru Shibata,Takahiro Shimizu,Weihan Wang. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US20200090753A1. Автор: Noboru Shibata,Takahiro Shimizu,Weihan Wang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240028221A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM,Hyongryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile memory devices and memory systems

Номер патента: US20190074048A1. Автор: Hee-Won Lee,Dong-Hun Kwak,Jun-Ho SEO,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: EP4105933A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: US20240145002A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20140043920A1. Автор: Young Man Ahn,Jun Hee SHIN,Seung Mo JUNG,You Keun HAN,Sang Jhun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor memory device, controller, and memory system

Номер патента: US20200133768A1. Автор: Dae Hyun Kim,Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Ki Jun LEE,Sung Hye Cho,Yong Gyu Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers of Insulative Material and Memory Cells and Methods of Forming a Memory Array

Номер патента: US20230403867A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Program and read operations using different gray codes and memory device for performing the same

Номер патента: US11854613B2. Автор: Chao Zhang,Haibo Li,Yunxiang Wu,Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory devices and memory systems

Номер патента: US11860734B2. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: EP3679605A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-15.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240135980A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory devices including processing elements, and memory systems including memory devices

Номер патента: US20220238148A1. Автор: Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Haesuk LEE,Kyomin Sohn,Sanghyuk Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Voltage calibration method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20240304235A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Po-Cheng Su,Shih-Jia Zeng,Po-Hao Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory controller, storage device, information processing system, and memory controlling method

Номер патента: US09978448B2. Автор: Kenichi Nakanishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09583217B2. Автор: Wei Lin,Yu-Hsiang Lin,Kuo-Hsin Lai,Shao-Wei Yen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and memory element between channel region and conductive plate

Номер патента: US20240074211A1. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US11974440B2. Автор: Dongha Shin,Yongsung CHO,Inho Kang,Jeunghwan Park,Jeawon JEONG,Ansoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230143397A1. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory and memory system including the same

Номер патента: US09691467B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US20210295909A1. Автор: Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US20200176055A1. Автор: Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US20230081358A1. Автор: Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory cells and memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240194264A1. Автор: Ramanathan GANDHI,Dmitry MIKULIK,Leo Lukose. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated dram circuit, method for refreshing memory cells, and method for preventing a data integrity attack

Номер патента: EP4369341A1. Автор: Kaveh Razavi,Michele MARAZZI. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor integrated circuit and information processing apparatus

Номер патента: US12057186B2. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Static RAM having word line driving circuitry shared by all the memory cells provided therein

Номер патента: US6212124B1. Автор: Kenji Noda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-04-03.

Read data processing circuits and methods associated memory cells

Номер патента: US10777262B1. Автор: Mu-Hsiang Huang,Bob Haig,Chao-Hung Chang,Eli Ehrman. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-15.

Memory cell, memory using the memory cell, memory cell manufacturing method, and memory recording/reading method

Номер патента: US7436697B2. Автор: Motoyoshi Murakami,Yasuhiro Gotoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Power control over memory cell arrays

Номер патента: US09666266B1. Автор: Hongbin Ji,Ephrem C. Wu,Thomas H. Strader. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9595562B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20170141298A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Multi-bit memory cell structures and devices

Номер патента: WO2007099277A1. Автор: Hyunho Kim,Mark Blamire. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2007-09-07.

Vertical memory cells and memory devices using the same

Номер патента: US20200020377A1. Автор: Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Magnetic random access memory cell and memory

Номер патента: US20240274175A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, and memory systems

Номер патента: US09379315B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for fabricating an asymmetric sot-mram memory cell unit, and memory cell unit obtained by implementing this method

Номер патента: US20240260478A1. Автор: Gilles Gaudin,Ioan Mihai Miron,Olivier Boulle,Dafine Ravelosona. Владелец: Universite Paris Saclay. Дата публикации: 2024-08-01.

Random access-type memory circuit and memory system

Номер патента: US20230170005A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2023-06-01.

Random access-type memory circuit and memory system

Номер патента: US11978529B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory chip including control logic circuit with dynamic random-access memory and memory device including memory chips

Номер патента: US12016183B2. Автор: Yan-Ru Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Multi-time programming memory cell and memory cell array with erase inhibit capability

Номер патента: EP3667670A1. Автор: Chih-Hsin Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-17.

Semiconductor structure, memory cell and memory array

Номер патента: US12108682B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Switching components and memory units

Номер патента: US09431459B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Rawaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: EP2896066A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-22.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: WO2014042995A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9972772B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20180226571A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Non-volatile resistive oxide memory cells, non-volatile resistive oxide memory arrays, and methods of forming non-volatile resistive oxide memory cells and memory arrays

Номер патента: US8674336B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

Magnetic memory cell structures, arrays, and semiconductor devices

Номер патента: US20160308117A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Memory device configured to apply different erase intensities to different blocks during an erase operation and memory system for instructing the memory device to carry out the erase operation

Номер патента: US12002515B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa,Tetsuya Sunata,Takumi Fujimori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor memory cell and memory array using a breakdown phenomena in an ultra-thin dielectric

Номер патента: EP1436815A1. Автор: Jack Zezhong Peng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-14.

Resistance change memory, memory device, and memory system

Номер патента: US20240038286A1. Автор: Masami Kuroda,Hiroyuki Tezuka,Haruko Takahashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US12057173B2. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US20240331776A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Non-volatile memory device and memory system including the same and program method thereof

Номер патента: US12094540B2. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Jaeyong Jeong,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Write assist circuit and memory cell

Номер патента: US09449680B2. Автор: Shih-Huang Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Computer-readable medium encoding a back-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7742327B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-22.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20070201261A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7787285B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20080278992A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20200083225A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory Cells, Memory Cell Constructions, and Memory Cell Programming Methods

Номер патента: US20130322158A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Nonvolatile memory device, operating method thereof and memory system including the same

Номер патента: US09947416B2. Автор: Jae-Woo Park,Chi Weon Yoon,Sang-Wan Nam,Donghyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09478290B1. Автор: Kyung-Hwa Kang,Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US09412456B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory cells, memory systems, and memory programming methods

Номер патента: US09911489B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,D. V. Nirmal Ramaswamy,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Single port SRAM memory cell driven by two word lines in asynchronous manner and memory employing the same

Номер патента: US09715922B1. Автор: Chi-Ray Huang,Lih-Yih Chiou. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing a memory device and memory device manufactured through the same method

Номер патента: US20240237365A1. Автор: Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20150003144A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: EP4181126A1. Автор: Makoto Hirano,Min-Hwi Kim,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Variable resistance memory and memory system including the same

Номер патента: US8379441B2. Автор: Deok-kee Kim,Yoondong Park,Kwang Soo SEOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-19.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12125737B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240363385A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US09530493B2. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory and memory system including the semiconductor memory

Номер патента: US09659621B2. Автор: Chul Woo Park,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

3D semiconductor device and structure with logic and memory

Номер патента: US12035531B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Content addressable memory cells and memory arrays

Номер патента: US09711222B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

6T static random access memory cell, array and memory thereof

Номер патента: US09627040B1. Автор: Hiroyuki Yamauchi,Meng-Fan Chang,Chien-Fu Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-04-18.

3d semiconductor device and structure with logic and memory

Номер патента: US20240334701A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

3d semiconductor device and structure with logic and memory

Номер патента: US20240349504A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for using a multi-use memory cell and memory array

Номер патента: US20070070690A1. Автор: Tanmay Kumar,Roy Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20190287622A1. Автор: Tatsuo Izumi,Kazuharu YAMABE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240268133A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US9601210B2. Автор: Yusuke Ochi,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Three dimensional memory device including memory cells with resistance change layers

Номер патента: US09508430B2. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Ternary memory cell for logic-in-memory and memory device comprising same

Номер патента: US11727988B2. Автор: Jae Won Jeong,Kyung Rok Kim,Young Eun Choi. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

One time programming memory cell and memory array for physically unclonable function technology and associated random code generating method

Номер патента: US20240321778A1. Автор: Ping-Lung Ho,Tsao-Hsin YANG. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory cell and memory device having the same

Номер патента: US09496016B2. Автор: Sang-Gi Ko,Choong-Jae Lee,Kyoung-Mok Son,Si-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory system and memory controller

Номер патента: US11869601B2. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kenji Sakurada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory device for compensating for operating voltage difference between near cell and far cell in consideration of cell position, and memory card and memory system including the same

Номер патента: US20100182866A1. Автор: Ho Jung Kim,Young Sun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-22.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20210375372A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kenji Sakurada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory device and memory system

Номер патента: US20180277230A1. Автор: Hiroki Date. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20230088099A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kenji Sakurada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device and memory controller performing the same

Номер патента: US12033706B2. Автор: Byungchul Jang,Joonsung Lim,Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device and memory controller performing the same

Номер патента: US20240311011A1. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Joonsung Lim,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20230057464A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US8902651B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: SG10201803737SA. Автор: BAEK Byung-Joon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: EP3621079A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

Back-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20080084733A1. Автор: Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang,Jac-Joon Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Memory array and memory device

Номер патента: US8350320B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-08.

Vertical 1t-1r memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: WO2015069524A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-05-14.

Memory cells incorporating a buffer circuit and memory comprising such a memory cell

Номер патента: US20030016563A1. Автор: Christophe Frey. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-01-23.

Dynamic power control system for memory device and memory device using the same

Номер патента: US20200126598A1. Автор: Sung Whan Seo,Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Tae Hong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Bi-directional differential low power sense amp and memory system

Номер патента: US20010009526A1. Автор: Michael Ouellette,John Andersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Retention voltage generation circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20180137911A1. Автор: Lei Wu,Simon To-Ming SZETO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Retention voltage generation circuit and electronic apparatus

Номер патента: US10283192B2. Автор: Lei Wu,Simon To-Ming SZETO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-05-07.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09837142B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09805823B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory cells, memory systems, and memory programming methods

Номер патента: US10783961B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,D. V. Nirmal Ramaswamy,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-22.

Method for manufacturing a memory device and memory device manufactured through the same method

Номер патента: US11943938B2. Автор: Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of operating physically unclonable function circuit, physically unclonable function circuit and semiconductor chip

Номер патента: US11366604B1. Автор: Yu-Syuan Lin,Cheng-Hsiao Lai,Ming-Jen Chang,Yung-Tsai Hsu,Ying-Ting Lin,Chi-Fa Lien,Ko-Chin Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Electronic device having flash memory array formed in at different level than variable resistance memory cells

Номер патента: US09337239B2. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for fabricating transistorless, multistable current-mode memory cells and memory arrays

Номер патента: US6015738A. Автор: Harold J. Levy,Thomas C. McGill. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2000-01-18.

Method of exchanging data with memory cells or other devices and their addressing

Номер патента: RU2625023C2. Автор: . Владелец: Косухин Вячеслав Алексеевич. Дата публикации: 2017-07-11.

Three-dimensional memory devices and memory system

Номер патента: US11929119B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20160196874A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Memory circuit and write method

Номер патента: US11942134B2. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20240233795A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20230083548A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

ACCESS SIGNAL ADJUSTMENT CIRCUITS AND METHODS FOR MEMORY CELLS IN A CROSS-POINT ARRAY

Номер патента: US20130135920A1. Автор: Chevallier Christophe,Siau Chang Hua. Владелец: UNITY SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-30.

ACCESS SIGNAL ADJUSTMENT CIRCUITS AND METHODS FOR MEMORY CELLS IN A CROSS-POINT ARRAY

Номер патента: US20200013460A1. Автор: Chevallier Christophe,Siau Chang Hua. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

ACCESS SIGNAL ADJUSTMENT CIRCUITS AND METHODS FOR MEMORY CELLS IN A CROSS-POINT ARRAY

Номер патента: US20190103161A1. Автор: Chevallier Christophe,Siau Chang Hua. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Access signal adjustment circuits and methods for memory cells in a cross-point array

Номер патента: US20200303005A1. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Access signal adjustment circuits and methods for memory cells in a cross-point array

Номер патента: US8988930B2. Автор: Christophe J. Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Access signal adjustment circuits and methods for memory cells in a cross-point array

Номер патента: US9299427B2. Автор: Christophe J. Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Access signal adjustment circuits and methods for memory cells in a cross-point array

Номер патента: US9514811B2. Автор: Christophe J. Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Access signal adjustment circuits and methods for memory cells in a cross-point array

Номер патента: US8139409B2. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-03-20.

Nonvolatile memory device and wordline driving method thereof

Номер патента: US09786372B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Sun-Min YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory with NAND type memory cells having NOR gate operation delay means

Номер патента: US5768209A. Автор: Hirokazu Nagashima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Integrated Circuit, Cell Arrangement, Method of Manufacturing an Integrated Circuit, Method of Operating an Integrated Circuit, and Memory Module

Номер патента: US20090285012A1. Автор: Rok Dittrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09620191B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Bimodal operation mode of ferroelectric and electret memory cells and memory units on their basis

Номер патента: RU2329553C1. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен,Гёран ГУСТАФССОН,Исак ЭНГКУИСТ. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2008-07-20.

ACCESS SIGNAL ADJUSTMENT CIRCUITS AND METHODS FOR MEMORY CELLS IN A CROSS-POINT ARRAY

Номер патента: US20180096726A1. Автор: Chevallier Christophe,Siau Chang Hua. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

ACCESS SIGNAL ADJUSTMENT CIRCUITS AND METHODS FOR MEMORY CELLS IN A CROSS-POINT ARRAY

Номер патента: US20140219006A1. Автор: Siau Chang Hua,CHEVALLIER CHRISTOPHE J.. Владелец: UNITY SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-07.

ACCESS SIGNAL ADJUSTMENT CIRCUITS AND METHODS FOR MEMORY CELLS IN A CROSS-POINT ARRAY

Номер патента: US20160172025A1. Автор: Siau Chang Hua,CHEVALLIER CHRISTOPHE J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

ACCESS SIGNAL ADJUSTMENT CIRCUITS AND METHODS FOR MEMORY CELLS IN A CROSS-POINT ARRAY

Номер патента: US20150179250A1. Автор: Siau Chang Hua,CHEVALLIER CHRISTOPHE J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

Nonvolatile memory device and wordline driving method thereof

Номер патента: US20160365149A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Sun-Min YUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-15.

Memory device, the operation method thereof and memory system

Номер патента: US12112802B2. Автор: JING Wei,Zhihong Li,Masao Kuriyama. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Association memory and memory cell thereof

Номер патента: US20030095425A1. Автор: Tsuyoshi Higuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Memory device, testing method and using method thereof, and memory system

Номер патента: US11854640B2. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US11842790B2. Автор: Jinwoo Park,Yongsung CHO,Inho Kang,Taehyo Kim,Jeunghwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20200185043A1. Автор: Junichi Sato,Yuuta SANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Apparatuses, sense circuits, and methods for compensating for a wordline voltage increase

Номер патента: EP2959486A1. Автор: Daniele Vimercati,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-30.

Memory data reading circuit and memory

Номер патента: EP4231299A1. Автор: Mingen Bu,Jiangzheng CAI,Sheng OUYANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Data Programming Circuits And Memory Programming Methods

Номер патента: US20090135645A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Data programming circuits and memory programming methods

Номер патента: US8031515B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-10-04.

Data Programming Circuits and Memory Programming Methods

Номер патента: US20110317483A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Erase-verify method for three-dimensional memories and memory system

Номер патента: US20190139615A1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Wen-Jer Tsai,Yu-Hung Huang,Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure and memory system including the same

Номер патента: US09767906B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Apparatus and methods for programming memory cells responsive to an indication of age of the memory cells

Номер патента: US11735253B2. Автор: Pin-Chou Chiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US09633728B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory controller, storage device and memory control method

Номер патента: US09690697B2. Автор: Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory system including nonvolatile memory and memory controller and programming method for programming data into nonvolatile memory

Номер патента: US09607688B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Information memory device and memory medium

Номер патента: US20090154304A1. Автор: Takeshi Maeda,Takao Watanabe,Toshimichi Shintani,Yoshitaka Bito,Akemi Hirotsune. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Information memory device and memory medium

Номер патента: US8040712B2. Автор: Takeshi Maeda,Takao Watanabe,Toshimichi Shintani,Yoshitaka Bito,Akemi Hirotsune. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-10-18.

Memory programming method, memory control circuit unit and memory storage device

Номер патента: US09496041B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,An-Cheng Liu,Siu-Tung Lam. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods and apparatus utilizing expected coupling effect in the programming of memory cells

Номер патента: US20100259978A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Voltage prediction method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20240304259A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Po-Cheng Su,Po-Hao Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Unit array of a memory device, memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09892773B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Pulsed integrator and memory techniques

Номер патента: US20190156887A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Memory cell verification circuits, memory cell sense circuits and memory cell verification methods

Номер патента: US9799398B2. Автор: Makoto Kitagawa,Kerry Tedrow. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20130107607A1. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Memory management method, memory storage device and memory controlling circuit unit

Номер патента: US09947417B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Bipolar resistive-switching memory with a single diode per memory cell

Номер патента: US8750021B2. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20140247649A1. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Bipolar resistive-switching memory with a single diode per memory cell

Номер патента: US8369131B2. Автор: Yun Wang,Tony Chiang,Prashant B Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20130314974A1. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Data writing method, memory controller and memory storage apparatus

Номер патента: US09703698B2. Автор: Wei Lin,Chun-Yen Chang,Hung-Chun Lin,Kuo-Yi Cheng,Kim-Hon Wong,Hao-Zhi Lee. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Resistive memory device and memory system including resistive memory device

Номер патента: US09627056B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method and memory system for redundantly storing sensible data and adjusting a reference value

Номер патента: EP4365904A1. Автор: Osama Khouri,Yves Godat. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-05-08.

Memory cell programming

Номер патента: US20210272633A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Methods for segmented programming and memory devices

Номер патента: US20130107626A1. Автор: Jung-Sheng Hoei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Methods for segmented programming and memory devices

Номер патента: EP2652742A2. Автор: Jung-Sheng Hoei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-23.

Methods for segmented programming and memory devices

Номер патента: WO2012082334A2. Автор: Jung-Sheng Hoei. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Contemporaneous Margin Verification And Memory Access For Memory Cells In Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20110267871A1. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20120151123A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Magnetoresistive memory cell, write control method and memory computing module

Номер патента: US20230046423A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory driving circuit

Номер патента: US09865347B2. Автор: Jia-Hwang Chang,Jui-Jen Wu,Sheng-Tsai Huang,Fan-yi Jien. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and memory system

Номер патента: US5903495A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US11817147B2. Автор: Makoto Kitagawa,Adam Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Multi-level memory cell utilizing measurement time delay as the characteristic parameter for level definition

Номер патента: US20090073790A1. Автор: Chung H. Lam,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Memory device and memory system

Номер патента: US20180277177A1. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita,Satoshi TAKAYA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Storage device, memory controller and memory control method

Номер патента: US20150310920A1. Автор: Osamu Torii,Riki SUZUKI,Kohsuke Harada,Naoaki Kokubun. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Data programming circuits and memory programming methods

Номер патента: US8218361B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Single plate configuration and memory array operation

Номер патента: US20230206977A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Method and circuit for generating reference voltages for reading a multilevel memory cell

Номер патента: US20020192892A1. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-19.

Methods and apparatuses having a voltage generator with an adjustable voltage drop for representing a voltage drop of a memory cell and/or a current mirror circuit and replica circuit

Номер патента: US09728256B2. Автор: Umberto Di Vincenzo,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

On-chip resistance measurement circuit and resistive memory device including the same

Номер патента: US09659641B2. Автор: Chan-kyung Kim,Kee-won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US09570173B2. Автор: Masahiro Yoshihara,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Adaptation of memory cell structure and fabrication process to binary data asymmetry and bit-inversion tolerance asymmetry in deep learning models

Номер патента: US20200193280A1. Автор: Chyu-Jiuh Torng,Wenhan Zhang,Hualiang Yu,Daniel H. Liu. Владелец: Gyrfalcon Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Read method, write method and memory circuit using the same

Номер патента: US11735259B2. Автор: Yih Wang,Carlos H. Diaz,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device, memory controller, and memory system

Номер патента: US20150049549A1. Автор: Norichika ASAOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method and memory device with increased read and write margin

Номер патента: US20240136008A1. Автор: Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and memory device with increased read and write margin

Номер патента: US11901030B2. Автор: Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method and apparatus for faster deterimation of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US20160372192A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240274190A1. Автор: Chia-En HUANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Circuit and method for programming and reading multi-level flash memory

Номер патента: US20020085436A1. Автор: Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Artificial neural network operation circuit and in-memory computation device thereof

Номер патента: US20240282382A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Yu-Yu Lin,Yu-Hsuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory having bit lines with isolation circuits connected between redundant and normal memory cells

Номер патента: US5022006A. Автор: John A. Fifield,Steven W. Tomashot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-06-04.

Method of testing a memory circuit and memory circuit

Номер патента: US11749370B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Shih-Lien Linus Lu,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of testing a memory circuit and memory circuit

Номер патента: US12106814B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Shih-Lien Linus Lu,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US12073909B2. Автор: Jinwoo Park,Yoonhee CHOI,Hyunjun Yoon,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile memory circuit and memory device including same

Номер патента: US09859024B2. Автор: Jae-il Kim,Jong-Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Sensing circuit and method utilizing voltage replication for non-volatile memory device

Номер патента: US09754640B1. Автор: Shang-Chi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US20230154505A1. Автор: Moosung Kim,Jin-Young Chun,Minjae Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor memory device, method of operating the same and memory system including the same

Номер патента: US09466345B2. Автор: Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device, control method, and memory system

Номер патента: US09543033B1. Автор: Koichi Shinohara,Yoshikazu Takeyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Read circuit and memory system

Номер патента: US20240274166A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US09837151B2. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory cell and memory

Номер патента: US09496047B2. Автор: HUA Chen,YONG Li,Jun Yang,Ju Shen,Hwong-Kwo Lin. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20240233819A9. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Storage devices having enhanced error detection and memory cell repair

Номер патента: US20240257889A1. Автор: Dong Kim,Inhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for reading data stored in a flash memory according to a physical characteristic and memory controller and system thereof

Номер патента: US09508436B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US20220383087A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Memory Programming Methods and Memory Systems

Номер патента: US20160118119A1. Автор: Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Xiaonan Chen,Jonathan Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Memory control method, memory storage device, and memory control circuit unit

Номер патента: US11615848B2. Автор: Wei Lin,Yu-Siang Yang,An-Cheng Liu,Yu-Heng Liu,Chun-Hsi Lai,Ting-Chien Zhan. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09812194B1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Szu-Wei Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory programming methods and memory systems

Номер патента: US09773551B2. Автор: Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Xiaonan Chen,Jonathan Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor storage device, host controlling the same, and memory system including the semiconductor storage device and the host

Номер патента: US20130155779A1. Автор: Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Memory system, reading method, program, and memory controller

Номер патента: US10600489B2. Автор: Takayuki Itoh,Tomoya Kodama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230057303A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Makoto Miakashi,Tomoko KAJIYAMA,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Method for preventing memory from generating leakage current and memory thereof

Номер патента: US20080117676A1. Автор: Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor storage apparatus and memory system comprising memory cell holding data value of multiple bits

Номер патента: US09922707B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09741441B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09449695B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: US20200357472A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory device for internally performing read-verify operation, method of operating the same, and memory system including the same

Номер патента: US09990149B2. Автор: Hyun Ju Kim,Taek Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09952926B2. Автор: Yu-Hua Hsiao,Heng-Lin Yen. Владелец: Epostar Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09852815B2. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Non volatile memory cell and memory array

Номер патента: US09627066B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: EP3736699A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US20140317338A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230282276A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US11342026B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Non-volatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US09859015B2. Автор: Tae-hyun Kim,Yoon-hee Choi,Sang-Won Shim,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09576665B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US09576629B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory and memory managing method

Номер патента: US09558818B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Chun Hsiung Hung,Ming-Hsiu Lee,Tien-Yen Wang,Hsin Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory device and memory system

Номер патента: US09508441B1. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Page buffer block and memory device including the same

Номер патента: US20240249794A1. Автор: Makoto Hirano,Sangsoo Park,Jaeduk Yu,Jaeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Read voltage adjustment method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20240265983A1. Автор: Wei Lin,Hsiao-Yi Lin,Shih-Jia Zeng,Chen Yang Tang,Shi-Chieh Hsu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Content addressable memory and memory cell thereof

Номер патента: US09646695B2. Автор: Tsai-Kan Chien,Lih-Yih Chiou. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-05-09.

Resistive memory and memory cell thereof

Номер патента: US09466366B1. Автор: Chien-Lung Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device and memory device operating method

Номер патента: US20240242766A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240265974A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Non-volatile memory and memory system

Номер патента: US20240274219A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory and memory system

Номер патента: EP4418122A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory, programming method therefor and memory system

Номер патента: US12068035B2. Автор: Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and memory controlling method

Номер патента: US09977627B1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of testing a memory circuit and memory circuit

Номер патента: US20210375381A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Shih-Lien Linus Lu,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of testing a memory circuit and memory circuit

Номер патента: US20230377671A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Shih-Lien Linus Lu,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321382A1. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory test method and memory test apparatus

Номер патента: US11862276B2. Автор: Wei Huang,Chi-Shian WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory device and memory system

Номер патента: EP4297033A1. Автор: Katsuhiko Hoya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Method of voltage calibration and apparatus thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240379135A1. Автор: Tianyi YE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Resistive memory apparatus and memory cell thereof

Номер патента: US09424914B2. Автор: Ming-Huei Shieh,Young-Tae Kim,Douk-Hyoun Ryu,Yuan-Mou Su,Hua-Yu Su. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit, method to program a memory cell array of an integrated circuit, and memory module

Номер патента: US7796449B2. Автор: Josef Willer,Gert Koebernik. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-09-14.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230420021A1. Автор: Katsuhiko Hoya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit including built-in self test circuit to test memory and memory test method

Номер патента: US7876633B2. Автор: Yoshitaka Aoki,Yasuyuki Hirasaki,Katsumi Shinbo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Memory test method and memory test apparatus

Номер патента: US20230092554A1. Автор: Wei Huang,Chi-Shian WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Integrated circuit including Built-In Self Test circuit to test memory and memory test method

Номер патента: US20090238018A1. Автор: Yoshitaka Aoki,Yasuyuki Hirasaki,Katsumi Shinbo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor

Номер патента: EP1579479A2. Автор: David Fong,Jack Zezhong Peng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170062058A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US20210311836A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Device and method for repairing memory cell and memory system including the device

Номер патента: US09831003B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Ho-young Song,Cheol Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device, memory module, and memory system

Номер патента: US09805802B2. Автор: Uk-Song KANG,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09715429B1. Автор: Wei Lin. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Device and method for repairing memory cell and memory system including the device

Номер патента: US09659669B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Ho-young Song,Cheol Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Programming memory cells to be programmed to different levels to an intermediate level from a lowest level

Номер патента: US09633719B2. Автор: Christian Caillat,Akira Goda,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09570182B1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US20230352111A1. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of testing memory device, memory built-in self test (MBIST) circuit, and memory device for reducing test time

Номер патента: US11899959B2. Автор: Jaewon Park,Jaehoon Lee,Sangkil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device having memory cells with floating gates and memory cell threshold voltage control method

Номер патента: US20050174843A1. Автор: Takuya Fujimoto,Yoshiaki Hashiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US12014788B2. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20100271871A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20110164456A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US8194446B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Data reading method, memory storage device, and memory control circuit unit

Номер патента: US12124743B2. Автор: Wei Lin,Yu-Siang Yang,An-Cheng Liu,Yu-Heng Liu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Nonvolatle memory device and memory system having the same, and related memory management, erase and programming methods

Номер патента: US09818485B2. Автор: Junjin Kong,Eun Chu Oh,Jongha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory cell programming method, memory control circuit unit and memory storage apparatus

Номер патента: US09361024B1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Memory device, operating method thereof, and memory system

Номер патента: WO2024066033A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory device, operating method thereof, and memory system

Номер патента: US20240112741A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210104267A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory system and memory device

Номер патента: US12033693B2. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Programming select gate transistors and memory cells using dynamic verify level

Номер патента: EP2954529A1. Автор: Ken Oowada,Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Cynthia Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-16.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20150117111A9. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: EP3800641A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-07.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20140219032A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory device and memory system for executing a test

Номер патента: US20220262448A1. Автор: Hyun Seung Kim,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Data reading method, memory controlling circuit unit and memory storage device

Номер патента: US20160247575A1. Автор: Wei Lin,Tien-Ching Wang,Kuo-Hsin Lai. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Memory system and memory device

Номер патента: US20240321348A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09859011B1. Автор: Yoshikazu Harada,Yuko Utsunomiya,Kosuke Yanagidaira,Hayato Konno,Jiyun Nakai,Hiroe Kami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Data protecting method, memory control circuit unit and memory storage device

Номер патента: US09720609B1. Автор: Horng-Sheng Yan,Kok-Yong Tan. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US09672932B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09564228B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory cells, memory cell programming methods, memory cell reading methods, memory cell operating methods, and memory devices

Номер патента: US8154906B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor memory device having a decoding circuit for reducing electric field stress applied to memory cells

Номер патента: US5301144A. Автор: Takaki Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-04-05.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20170109231A1. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory Programming Methods and Memory Programming Devices

Номер патента: US20120075941A1. Автор: Andrew Depaula,Larry Aamodt,Ronald Vyhmeister. Владелец: intelliPaper LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US11967385B2. Автор: Yoshinao Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US20240145013A1. Автор: Daeseok Byeon,Insu Kim,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3964941A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Computing-in-Memory Chip and Memory Cell Array Structure

Номер патента: US20210151106A1. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Beijing Zhicun Witin Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20150170740A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20160254051A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Memory control method and memory control apparatus

Номер патента: US20170147266A1. Автор: Shi Cong ZHOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Memory systems and operation methods thereof, memory controllers and memories

Номер патента: US20240126478A1. Автор: Hua Tan,Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20220068382A1. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for reading data stored in a flash memory according to a voltage characteristic and memory controller thereof

Номер патента: US11881269B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20180090206A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for Reading Data Stored in a Flash Memory According to a Voltage Characteristic and Memory Controller Thereof

Номер патента: US20240127894A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20240135990A1. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US11908516B2. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor memory devices and memory systems

Номер патента: US20210311820A1. Автор: Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Hoyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-07.

Nonvolatile memory and memory system

Номер патента: US20200402596A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Riki SUZUKI,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Memory repairing method, and memory controller and memory storage apparatus using the same

Номер патента: US20140160844A1. Автор: Wei Lin,Chun-Yen Chang,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Memory cell and memory device

Номер патента: US09484109B2. Автор: Arnaud Casagrande. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device having breaker associated with address decoder circuit for deactivating defective memory cell

Номер патента: US5285417A. Автор: Keita Maeda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-02-08.

Memory Programming Methods and Memory Systems

Номер патента: US20170365339A1. Автор: Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Xiaonan Chen,Jonathan Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US11847557B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Electronic device and method of operating memory cell in the electronic device

Номер патента: US20210110871A1. Автор: Tae Hoon Kim,Hye Jung Choi,Beom Seok Lee,Woo Tae Lee,Sang Hyun Ban,Hwan Jun Zang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3936996A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-12.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20090180347A1. Автор: Masao Kuriyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Negative gate stress operation in multi-pass programming and memory device thereof

Номер патента: US20220310182A1. Автор: Min Zhang,Haibo Li,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20120039120A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US11947810B2. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Hyeran Kim,Sungrae Kim,ChiSung OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US11797834B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Switch circuit and memory array having the same

Номер патента: US20230317156A1. Автор: Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20230251928A1. Автор: Toshikatsu Hida,Shuou Nomura,Ryo Yamaki,Yuki MANDAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory system and memory control method

Номер патента: US11940871B2. Автор: Toshikatsu Hida,Shuou Nomura,Ryo Yamaki,Yuki MANDAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Switch circuit and memory array having the same

Номер патента: US11996148B2. Автор: Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240201868A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Hyeran Kim,Sungrae Kim,ChiSung OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Shift register unit, gate driving circuit, display device and driving method

Номер патента: US20240242680A1. Автор: HAO LIU,Yongqian Li,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory, memory testing system, and memory testing method

Номер патента: EP4068289A1. Автор: Jia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Content addressable memory apparatus, content addressable memory circuit and memory self-test method thereof

Номер патента: US20240312548A1. Автор: I-Hao Chiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Liquid crystal display device and gate driving circuit thereof

Номер патента: US09620073B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

High-voltage integrated driver circuit and memory embodying same

Номер патента: US3843954A. Автор: R Lane,A Hansen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-10-22.

Circuit for detecting anti-fuse memory cell state and memory

Номер патента: US11817159B2. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory control device, non-volatile memory, and memory control method

Номер патента: US20140059268A1. Автор: Kenichi Nakanishi,Hideaki Okubo,Tatsuo Shinbashi,Yasushi Fujinami,Ken Ishii,Keiichi Tsutsui,Naohiro Adachi,Ryoji Ikegaya,Lui Sakai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Controller and memory system having the controller

Номер патента: US11853570B2. Автор: Hoe Seung JUNG,Chan Young Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US20230207020A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

System and memory for artificial neural network (ANN) optimization using ANN data locality

Номер патента: US11972137B2. Автор: Lok Won Kim. Владелец: DeepX Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor memory device and memory card

Номер патента: US20060133142A1. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Memory device and memory system

Номер патента: US11923020B2. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Makoto Miakashi,Tomoko KAJIYAMA,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Negative gate stress operation in multi-pass programming and memory device thereof

Номер патента: US20220310181A1. Автор: Li Xiang,Min Zhang,Haibo Li,Ling Chu,Zhipeng DONG,Haiwen Fang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Source driving circuit and method for driving the same, and display apparatus

Номер патента: US20200066228A1. Автор: Jun Fan,Jiguo WANG. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Scan driving circuit and driving method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US20200265762A1. Автор: Yang Zhang,Jian Zhao,Mo Chen,Jilei Gao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Liquid crystal drive circuit and GOA panel with shared auxiliary pull-down circuit

Номер патента: US09959829B2. Автор: Peng Du. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Solid state driving including nonvolatile memory, random access memory and memory controller

Номер патента: US09886379B2. Автор: Hyunjin Kim,Kitae Park,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Data storing method for preventing data losing during flush operation, memory control circuit unit and memory storage apparatus

Номер патента: US09778862B2. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Philson Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device and memory module having reconfiguration rejecting function

Номер патента: US09412464B2. Автор: Young Duk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US11238925B2. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-02-01.

Memory device and memory controller and storage device including the memory device and memory controller

Номер патента: US11908535B2. Автор: Jonghwa Kim,Jinmin SEOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US11749350B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US11615851B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20210233590A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Memory device and memory system

Номер патента: US11798641B2. Автор: Yong-Sung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor storage apparatus and memory system

Номер патента: US20170186484A1. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US20210313002A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for refreshing memory cells and memory system

Номер патента: US20180130526A1. Автор: Yong-Ju Kim,Dong-Gun KIM,Do-Sun HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Memory device and memory system

Номер патента: US20200395088A1. Автор: Yong-Sung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US20230145598A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US20210257027A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US20220130462A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294728A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20190139610A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160203869A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20180204622A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230360707A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Shift register and driving method therefor, gate driving circuit and display device

Номер патента: US20200335056A1. Автор: Hongmin Li,Silin FENG. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Memory device including a filtering circuit and memory system including the memory device and filtering circuit

Номер патента: US20240257844A1. Автор: Hae Rang Choi,Jong Soon WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Shift register unit set, gate driving circuit and display apparatus

Номер патента: US11769455B2. Автор: Yongqian Li,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Display device, gate drive circuit, shift register and control method for the same

Номер патента: US10657866B2. Автор: Bo Li,Yuting Chen,Fei Li,Xianrui QIAN,Zixuan Wang. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Shift register, gate driving circuit, and display apparatus

Номер патента: US20210005124A1. Автор: Xiaoye MA,Ruifang DU,Ruiying YANG,Lingjuan LIU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Gate driving circuit and display device including gate driving circuit

Номер патента: US12073794B2. Автор: Jaeyi CHOI,SooHong Choi,Seongho YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Gate driving circuit and electroluminescent display device using the same

Номер патента: US11594169B2. Автор: Minsu Kim,Miso Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-28.

Shift register and method for driving the same, gate driving circuit, and display device

Номер патента: US12080364B2. Автор: Yongqian Li,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory controller, memory controller control method, and memory system

Номер патента: US20240112740A1. Автор: Yasuyuki Ushijima,Hisaki Niikura,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Sensing amplifier, method and controller for sensing memory cell

Номер патента: US20240321325A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Content addressable memory and content addressable memory cell

Номер патента: US20240355408A1. Автор: Chi-Chang Shuai,Yi-Hsin TSENG,Yen-Yao Wang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Shift register unit, driving circuit and display device

Номер патента: US20240363051A1. Автор: Can Zheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Shift register unit, driving circuit, display device and driving method

Номер патента: US12073765B2. Автор: Can Zheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Shift register and method for driving the same, gate driving circuit and display device

Номер патента: US09928922B2. Автор: Zhengxin ZHANG,Shuai Xu,Jingshan MA. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Gate driving unit for outputting gate driving signals of two rows of pixel units, gate driving circuit thereof, and display device thereof

Номер патента: US09721510B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Liquid crystal display panel and gate drive circuit thereof

Номер патента: US09564090B2. Автор: Juncheng Xiao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Gate driving circuit and display device

Номер патента: US09563396B2. Автор: Qiangcan Huang. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Systems and methods of memory and memory operation involving input latching, self-timing and/or other features

Номер патента: US09431079B1. Автор: Yoshi SATO,Leelean SHU,Hsin You S. LEE. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Nonvolatile memory cell

Номер патента: WO1988002173A3. Автор: George Corbin Lockwood,James Anthony Topich,Raymond Alexander Turi. Владелец: Ncr Co. Дата публикации: 1988-05-19.

Memory management method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US10892026B2. Автор: Wei Lin,Yu-Siang Yang,An-Cheng Liu,Szu-Wei Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Dynamic random access memory device, operating method of the same, and memory module including the same

Номер патента: US20170062040A1. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Memory device, the operation method thereof and memory system

Номер патента: US20240029793A1. Автор: JING Wei,Zhihong Li,Masao Kuriyama. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for mitigating power loss events during operation of memory devices and memory devices employing the same

Номер патента: US20190272872A1. Автор: Violante Moschiano,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory management method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20190318791A1. Автор: Wei Lin,Yu-Siang Yang,An-Cheng Liu,Szu-Wei Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Methods for mitigating power loss events during operation of memory devices and memory devices employing the same

Номер патента: US11437093B2. Автор: Violante Moschiano,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Non-volatile programmable memory cell and memory array

Номер патента: WO2010002585A1. Автор: Gerardo Monreal. Владелец: Allegro Microsystems, Inc.. Дата публикации: 2010-01-07.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170076804A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Light-emitting control shift register and method for controlling the same, gate driving circuit, display apparatus and method for controlling the same

Номер патента: US20240233650A1. Автор: Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Shift register, scan driving circuit and display substrate

Номер патента: US20240221675A1. Автор: Bo Zhang,Xiaoqing SHU,Huijuan Yang,Maoying LIAO,Lingtong LI,Liheng WEI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Shift register unit, gate driving circuit and display panel

Номер патента: US20240221849A1. Автор: BO Yang,Zhangmin WU,Kewen ZENG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Shift register, driving method thereof, gate driving circuit, and display panel

Номер патента: US20220101795A1. Автор: Qian Hu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Shift-register unit, gate-driving circuit, display apparatus, and driving method

Номер патента: US12027099B2. Автор: Xing Zhang,Yongqian Li,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device including abnormality detection circuit and semiconductor device control method for detecting abnormality

Номер патента: US11908534B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Shift register unit and driving method thereof, gate drive circuit, and display device

Номер патента: US20210065643A1. Автор: HUI Wang,Yifeng ZOU,Mindong Zheng,Ruiying YANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Shift register unit, gate driving circuit, display device, and driving method

Номер патента: US12039949B2. Автор: Yongqian Li,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Driving circuit, driving method and display device

Номер патента: US20240249676A1. Автор: Haigang Qing. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Shift-register unit, gate-driving circuit, display apparatus, and driving method

Номер патента: US20230306892A1. Автор: Xing Zhang,Yongqian Li,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

System and method for reading memory cells

Номер патента: EP4070311A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same

Номер патента: EP1316963A3. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Yutaka Okamoto,Riichiro Shirota,Hideo Kato,Masamichi Asano,Seiichi Aritome,Hiroto Nakai,Yoshihisa Iwata,Kaoru Tokushige,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Hideko Odaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-06.

Shift register circuit, method of driving the same, gate driving circuit and display panel

Номер патента: US20210193007A1. Автор: Hongfei Cheng,Xing Yao. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Gate driving circuit and electroluminescent display device using the same

Номер патента: US20230267872A1. Автор: Minsu Kim,Sehwan KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Programming verification control circuit and method for control thereof

Номер патента: US9520202B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Shift register and driving method therefor, gate driving circuit, and display device

Номер патента: EP3940684A1. Автор: Xuehuan Feng,Yongqian FLI. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Shift register for compensation for sub-pixle row, driving method thereof, gate driving circuit and display device

Номер патента: US20220084455A9. Автор: Yongqian Li,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Shift register and drive method thereof, gate drive circuit and display device

Номер патента: US20210225255A1. Автор: Yongqian Li,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Gate driving circuit unit, gate driving circuit and display device

Номер патента: US20220130310A1. Автор: Jing Feng,Peng Liu,Guangcai Yuan,Fuqiang Li,Zhichong Wang,Liwei Liu,Xinglong LUAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Shift register and drive method thereof, and gate drive circuit

Номер патента: US20230085261A1. Автор: QI Li,Qian Wang,Zhi Zhang,Shuai Chen,Xiuzhu TANG,Xuebo Liang,Jianfeng Yuan,Hailong Wu,Qiyuan Wei. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Shift register unit and driving method thereof, gate driving circuit and display apparatus

Номер патента: US20210335252A1. Автор: Fei Huang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Shift register unit and driving method therefor, gate driving circuit and display device

Номер патента: EP4435789A2. Автор: Yongqian Li,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321360A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Shift register and drive method thereof, and gate drive circuit

Номер патента: US20210217374A1. Автор: QI Li,Qian Wang,Zhi Zhang,Shuai Chen,Xiuzhu TANG,Xuebo Liang,Jianfeng Yuan,Hailong Wu,Qiyuan Wei. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Methods for error count reporting with scaled error count information, and memory devices employing the same

Номер патента: US20240289219A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Gate drive circuit, display panel, and display apparatus

Номер патента: US20240304151A1. Автор: Zhiwei Zhou,Wenxin Lin. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Gate drive circuit, display panel, and display apparatus

Номер патента: US12118948B2. Автор: Zhiwei Zhou,Wenxin Lin. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Driving circuit and driving method

Номер патента: US09966032B2. Автор: Shih-Chieh Lin,Wen-Chuan Wang,Wei-Lien Sung,Han-Lung Liu,Shao-Lun CHANG. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Array substrate and scan driving circuit thereon

Номер патента: US09905181B2. Автор: Peng Du. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

NAND gate latched driving circuit and NAND gate latched shift register

Номер патента: US09721513B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Circuits and methods for limiting current in random access memory cells

Номер патента: US09620209B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Yi-Chun Shih,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Programming verification control circuit and method for control thereof

Номер патента: US09520202B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Circuits and methods for limiting current in random access memory cells

Номер патента: US09437292B1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yi-Chun Shih,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Self-test circuit and memory device incorporating it

Номер патента: US6907555B1. Автор: Yukihiro Nomura,Takahiro Suzuki,Hiroyuki Fujimoto,Hiroyoshi Tomita,Yasurou Matsuzaki,Tatsuya Kanda,Masahiko Saitou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-14.

Read voltage control method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20220107756A1. Автор: Wei Lin,Chih-Wei Wang,Shih-Jia Zeng,Chun-Wei Tsao. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US20230317181A1. Автор: Masahiko Iga,Nobushi Matsuura,Kenro Kikuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile memory device, controller and memory system

Номер патента: US20230395111A1. Автор: Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin,Kuiyon Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170337969A1. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: EP4231162A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

Memory, programming method therefor and memory system

Номер патента: US20230343398A1. Автор: Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Current references for memory cells

Номер патента: US20240203490A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

In-memory computation device having an improved current reading circuit and control method

Номер патента: EP4390935A1. Автор: Marco Pasotti,Riccardo Zurla,Marcella CARISSIMI,Alessandro Cabrini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-06-26.

Gate driving unit, gate driving circuit and driving method thereof and display device

Номер патента: US20180308408A1. Автор: Yang Zhang,Mo Chen,Jinliang LIU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Tcam memory cell and component incorporating a matrix of such cells

Номер патента: US20140347906A1. Автор: Olivier Menut,David Turgis,Lorenzo Ciampolini. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2014-11-27.

Shift register unit, scan driving circuit, driving method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20210335180A1. Автор: Tuo Sun. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Shift register and driving method therefor, gate driver circuit, and display device

Номер патента: EP3951765A1. Автор: Yipeng CHEN,Guangliang Shang,Shiming Shi,Can Zheng,Libin LIU,Xinshe Yin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Shift register and driving method thereof, gate driving circuit and display device

Номер патента: US20210020090A1. Автор: Yipeng CHEN,Guangliang Shang,Shiming Shi,Can Zheng,Libin LIU,Xinshe Yin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Memory cell

Номер патента: US20130010524A1. Автор: John D. Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Shift register, driving method, gate driving circuit, and display device

Номер патента: US10515603B2. Автор: Li Li,Xianjie SHAO,Zhangmeng WANG. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-24.

Flash memory for adjusting trip voltage using voltage regulator and sampling switch circuit and sensing method thereof

Номер патента: US20240265977A1. Автор: Jongryul Kim,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Electronic Circuit and Method of Operating an Electronic Circuit

Номер патента: US20230104213A1. Автор: Robert Hofer,Marcus Janke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-06.

Shift register, gate driving circuit, display apparatus and driving method

Номер патента: US12087198B2. Автор: Yongqian Li,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Compute-in-memory circuit and control method thereof

Номер патента: US20240339138A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Zongwei Wang,Yunfan Yang,Linbo SHAN. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-10.

Shift Register Unit and Driving Method Thereof, Gate Drive Circuit, and Display Device

Номер патента: US20220051608A1. Автор: HAO Zhang,Long Han,Dawei Wang,Guangliang Shang,Shiming Shi,Can Zheng,Jiangnan Lu,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Circuit and method for encoding data and data recorder

Номер патента: US20050262416A1. Автор: Masato Fuma,Hidemitsu Senoo,Satoshi Noro,Miyuki Okamoto,Shin'ichiro Tomisawa. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Hard disk driving circuit and method of driving spindle motor

Номер патента: US20100309575A1. Автор: Walter JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-09.

Hard disk driving circuit and method of driving spindle motor

Номер патента: US8144416B2. Автор: Walter JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Memory controller and memory device including the same

Номер патента: US20230063804A1. Автор: Ho youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory controller and memory device including the same

Номер патента: US11789815B2. Автор: Ho youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Motor driving circuit and motor driving method

Номер патента: US11362613B2. Автор: Kun-Min Chen. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Power on/off reset circuit and reset signal generating circuit including the same

Номер патента: US20180337672A1. Автор: Jin-woo Kim,Yong-joo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-22.

Drive circuits for high-side load switches

Номер патента: US20240313767A1. Автор: Wei Qin,Yunkai Sun,Huanxi Wang,Zhijun Hu,Zhenxu ZHA,Yueliang LUO. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Gate driving circuit and liquid crystal display having the same

Номер патента: US09906222B2. Автор: Mang Zhao. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor circuit and failure determination method for semiconductor circuit

Номер патента: US20220094356A1. Автор: Yasukazu Noine,Nobuyuki SHOBUDANI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Display driving circuit, calibration module, and associated calibration method

Номер патента: US20190173457A1. Автор: Chun-Hung Chen,Chia-Hsin Tung,Chieh-Hsiang Chang,Hao-Jan Yang,Chien-Chuan Huang. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2019-06-06.

Output driving circuit and transistor output circuit

Номер патента: US20130038356A1. Автор: Chang Jae Heo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-14.

Switching element driving circuit

Номер патента: US20170033684A1. Автор: Ippei Kawamoto. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Level shift circuit, control method thereof, display device and drive circuit thereof

Номер патента: US20190096305A1. Автор: Xu Zhang,Ning Zhang,Zhihua Sun,Shulin Yao,Ruipeng Xu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Pipeline clock driving circuit, computing chip, hashboard and computing device

Номер патента: US20240313753A1. Автор: CHAO Xu,Nan Li,Haifeng Guo,Zhijun Fan,Lianhua DUAN. Владелец: Shenzhen MicroBT Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Gate driving circuit and display panel

Номер патента: US09898990B2. Автор: Mang Zhao. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Scan driving circuit and NOR gate logic operation circuit thereof

Номер патента: US09805679B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Switching element driving circuit

Номер патента: US09800142B2. Автор: Ippei Kawamoto. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Clock generating circuit and method for generating clock signal

Номер патента: US12028080B2. Автор: Tsung-Ming Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Oscillation circuit and sensor device

Номер патента: US12040748B2. Автор: Jun Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20210208967A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Driving circuit, display driving chip, display device, and electronic device

Номер патента: EP4387095A1. Автор: Longshan Hu. Владелец: Chipone Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory system and memory controller

Номер патента: US8819331B2. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Drive Circuit, Display Drive Chip, Display Apparatus, and Electronic Apparatus

Номер патента: US20240265858A1. Автор: Longshan Hu. Владелец: Chipone Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Digital to analog conversion module, data drive circuit and liquid crystal display

Номер патента: US20180061354A1. Автор: Mingliang Wang,Dongsheng Guo. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Scan driving circuit and NAND logic operation circuit thereof

Номер патента: US09786692B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09543983B2. Автор: Chien-Fu Tseng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Driving Circuit for Electronic Device and Associated System and Method

Номер патента: US20180166056A1. Автор: Chaoyang YU,Huijiang Xia. Владелец: Hangzhou Boon Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Simd memory circuit and methodology to support upsampling, downsampling and transposition

Номер патента: WO2013050494A1. Автор: Cornelis Van Berkel,David Van Kampen,Sven GOOSSENS,Wim KLOOSTERHUIS,Claudiu ZISSULESCU-IANCULESCU. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2013-04-11.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040455A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040466A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US7276752B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

System and method for cryogenic hybrid technology computing and memory

Номер патента: US09887000B1. Автор: Alan M. Kadin,Alexander F. Kirichenko,Oleg A. Mukhanov,Ivan P. Nevirkovets,Igo V. Vernik. Владелец: Hypres Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

System and method for cryogenic hybrid technology computing and memory

Номер патента: US09520180B1. Автор: Alan M. Kadin,Alexander F. Kirichenko,Oleg A. Mukhanov,Igor V. Vernik,Ivan P. Nevirkovets. Владелец: Hypres Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Over-current protection circuit, led backlight driving circuit and liquid crystal device

Номер патента: RU2649751C2. Автор: Дань ЦАО. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-04-04.

Overvoltage protection circuit, led backlight driving circuit and lcd

Номер патента: RU2648293C2. Автор: Дань ЦАО. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-03-23.

LED driving circuit and control system

Номер патента: US09679515B2. Автор: Changjun Lu,Zhiyong LUI. Владелец: Leyard Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Pixel driving circuit and display panel

Номер патента: US20240233599A9. Автор: Peng Xu,Gang Wang,Qiang Fu,Kai Zhang,Erlong SONG,Xingrui CAI,Kunyan SHI,Yafei CHEN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Pixel driving circuit, array substrate and display device

Номер патента: US20240177666A1. Автор: Ke XIONG. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Overcurrent protection driving circuit and display apparatus

Номер патента: US20200076182A1. Автор: Xiaoyu Huang. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Overvoltage protection circuit, overvoltage protection method and panel driving circuit

Номер патента: US20160064925A1. Автор: Xiang Yang,Hua Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Driving circuit and electronic apparatus having the same

Номер патента: US20190146534A1. Автор: Chao-Jui Huang. Владелец: Pegatron Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Temperature sensing circuit and driving circuit

Номер патента: US20160344220A1. Автор: Po-Tsun Liu,Chun-Yen Chen,Li-Wei Chu,Guang-Ting Zheng,Yi-Chun Kuo,Ku-Huang Lai. Владелец: Giantplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for manufacturing drive circuit, drive circuit and photomask

Номер патента: US20240347552A1. Автор: Haoxuan ZHENG,Xiaozhen Sun,Tianhui QlU. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Pixel circuit and driving method therefor, array substrate, and display device

Номер патента: US12118939B2. Автор: Tian Dong,Yu Feng,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Pixel circuit and display panel

Номер патента: US20240355285A1. Автор: Chunlei Zhang,Yongqiang DU. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Driving circuit, operation method thereof and display apparatus

Номер патента: US09698675B2. Автор: Zhiyong Wang,Zhengxin ZHANG,Shuai Xu,Jie Cao. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

System and method for cryogenic hybrid technology computing and memory

Номер патента: US10950299B1. Автор: Alan M. Kadin,Alexander F. Kirichenko,Oleg A. Mukhanov,Igor V. Vernik,Ivan P. Nevirkovets. Владелец: SeeQC Inc. Дата публикации: 2021-03-16.

Led backlight driving circuit and liquid crystal display

Номер патента: US20190159304A1. Автор: Wendong Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Display panel including redundant driving circuits that form alignment marks in a peripheral region thereof, method for manufacturing the same, display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12089480B2. Автор: HAO Zhang,Xin Zhang,Jie Dai,LU Bai,Meng Zhang,Shun Zhang,Yi Qu,Pengfei Yu,Siyu Wang,Huijuan Yang,Xiaofeng Jiang,Mengqi WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Pixel driving circuit and driving method thereof, and display panel

Номер патента: US20240257732A1. Автор: Qiang Fu,Kai Zhang,Huaping SUN,Erlong SONG,Xingrui CAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Scan circuit and display apparatus

Номер патента: US12118946B2. Автор: Yang Yu,Taofeng Xie,Guanghua Xu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Scan circuit and display apparatus

Номер патента: US20240249686A1. Автор: Yang Yu,Taofeng Xie,Guanghua Xu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Power-supply adjusting circuit and display terminal

Номер патента: US20240355264A1. Автор: Han Wu,Haijiang YUAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Smart power stage module, current monitoring signal generation circuit and method thereof

Номер патента: US12074520B2. Автор: Heng-Li Lin,Yow-Tsyr Liang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Voltage boost driving circuit for led backlight and LCD device having same

Номер патента: US09750101B2. Автор: Jian Wang. Владелец: Shenzhen TCL New Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Frameless display device with concealed drive circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: US09741964B2. Автор: Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Organic diode display driving circuits, display panels and electronic devices

Номер патента: US20180211598A1. Автор: Shijuan YI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Pixel driving circuit and mobile terminal

Номер патента: US20240169889A1. Автор: Daobing HU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Display apparatus comprising overlapped pixel driving circuits

Номер патента: US12089453B2. Автор: Wonsang Ryu,Sanggul Lee,Youngjin Yi,Sungsoo SHIN,Yubeen LIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Pixel driving circuit, display panel and method for manufacturing same, and display device

Номер патента: US20240339077A1. Автор: RAN Li,Tuo Sun,Hongwei TIAN,Xueyan TIAN,Xiyu Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Drive circuit, drive method and projector

Номер патента: US20200249556A1. Автор: Chih-Hsiang Wu,Chi-Jen Chen. Владелец: Qisda Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Network, method and memory cell array for region proposal

Номер патента: WO2022093118A1. Автор: Arindam Basu,Sumon Kumar BOSE. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-05.

Data writing and recovery method for use in quadruple-level cell flash memory and related and memory controller and storage device

Номер патента: US20240211175A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US09933972B2. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240345948A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20240201857A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Po-Cheng Su. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and method having multiple internal data buses and memory bank interleaving

Номер патента: WO2006091283A3. Автор: Joseph M Jeddeloh. Владелец: Joseph M Jeddeloh. Дата публикации: 2009-04-23.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: EP2684133A2. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US20150074370A1. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-12.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US20180300079A1. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Data processing arrangement and memory system

Номер патента: EP1084466A1. Автор: Marc Duranton. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-03-21.

Information processing apparatus and memory access control method

Номер патента: US20230281129A1. Автор: Ken Iizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Display drive circuit and method, LED display board and display device

Номер патента: US12039915B2. Автор: Ke Wei,Defu Liu,Jingguo ZONG,Huorong WANG. Владелец: Xi'an Tibors Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and memory control method

Номер патента: US11809708B2. Автор: Hisashi Fujikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20240028199A1. Автор: Hisashi Fujikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Display panel and drive circuit of the same

Номер патента: US20230282166A1. Автор: SHUANG Wang,Hao Tang,Peng Ren,Haijiang YUAN,Mancheng ZHOU,Xinghan Liu,Yuanping ZHANG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Gate drive circuit, gate driving method and display device

Номер патента: US20230419874A1. Автор: Haoxuan ZHENG,Xueyong Huang. Владелец: Mianyang HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Pixel drive circuit and display panel

Номер патента: US20240153454A1. Автор: Renjie Zhou,Haoxuan ZHENG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Touch scanning circuit and driving method thereof, touch driving circuit and touch panel

Номер патента: US20180059836A1. Автор: Wen Tan,Yin DENG,Dongmei Wei. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Display panel and drive circuit of the same

Номер патента: US11749204B1. Автор: SHUANG Wang,Hao Tang,Peng Ren,Haijiang YUAN,Mancheng ZHOU,Xinghan Liu,Yuanping ZHANG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Driving circuit of display panel, and display device

Номер патента: US20210118399A1. Автор: Xiaoyu Huang. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

OLED gate driving circuit structure

Номер патента: US9953580B2. Автор: Houliang Hu,Jimu Kuang,Chihhao Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Pixel driving circuit and method of driving the same, display panel and display apparatus

Номер патента: US20200410931A1. Автор: Yongqian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Power supply timing control circuit, control method, display drive circuit, and display device

Номер патента: EP3806080A1. Автор: Lixin Zhu,Chunyang Nie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Pixel Circuit and Driving Method Thereof, Display Panel, and Display Device

Номер патента: US20240304141A1. Автор: Cong Liu,Yao Huang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Display driving circuit, display driving method and display panel

Номер патента: US20240290262A1. Автор: Baohong KANG,Kerong WU. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Pixel drive circuit, pixel drive method, and display panel

Номер патента: US20240296796A1. Автор: Shangcao CAO,Baohong KANG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Display driving circuit, display driving method and display panel

Номер патента: US12112702B2. Автор: Baohong KANG,Kerong WU. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

OLED gate driving circuit structure

Номер патента: US09953580B2. Автор: Houliang Hu,Jimu Kuang,Chihhao Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory including a band width conversion unit, memory system and memory control method using the same

Номер патента: US09483425B2. Автор: Haruhiko Terada,Naohiro Adachi,Lui Sakai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Pixel driving circuit and driving method thereof,and display panel

Номер патента: GB2629984A. Автор: Wang Miao,XIAO Yunsheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Memory system and memory system control method

Номер патента: US11954357B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Scan driving circuit and operation method thereof

Номер патента: US20240233674A9. Автор: Po-Tsun Liu,Ta-Jen Huang,Chun-Ta Chen,Po Lun Chen,De-Fu Chen,Guang-Ting Zheng,Ting-Yi Yi. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Electro-optical-device driving circuit, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20060023150A1. Автор: Hiroaki Mochizuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Touch driving circuit, driving chip, and touch display device

Номер патента: US11947753B2. Автор: Long Huang,Chenyang KONG. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Pixel driving circuit, driving method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20210272518A1. Автор: Yingsong XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Gate-on-array drive circuit, display panel, and display device

Номер патента: US20240221587A1. Автор: Tingting Shen,Haoxuan ZHENG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Drive circuit and liquide crystal display device with the drive circuit

Номер патента: US20180197494A1. Автор: Jinjie Zhou. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Touch driving circuit, driving chip, and touch display device

Номер патента: US20230384880A1. Автор: Long Huang,Chenyang KONG. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Scanning driving circuit and flat panel display

Номер патента: US20180218696A1. Автор: Peng Du. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Pixel circuit and driving method therefor, display panel, and display apparatus

Номер патента: US20210027714A1. Автор: Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kuanta HUANG,Rongrong SHI. Владелец: Yunnan Invensight Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Driving Circuit of Display Panel

Номер патента: US20210074219A1. Автор: Chia-Hung Chien,I-Chen Lin,Chih-Te Hung,Chun-Chi Yeh. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2021-03-11.

Drive circuit, vibrator device, electronic apparatus, and moving object

Номер патента: US20160271649A1. Автор: Hideki Sato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Pixel driving circuit and driving method therefor, and display panel and display apparatus

Номер патента: US20240274069A1. Автор: MINGHUA XUAN,CAN Wang,Xiaochuan Chen,Yan Qu,Jingjing Zhang,Ning Cong,Can Zhang,Jinfei NIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display apparatus, display drive circuit and driving method of electronic paper display unit

Номер патента: US20220319444A1. Автор: Xin Li,Kejun Hu,Jinlei Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Pixel driving circuit and method for controlling the same, and display apparatus

Номер патента: US11763744B2. Автор: Shuai DU,Hongqing Feng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Detection circuit, driving circuit, and display panel and driving method therefor

Номер патента: US20230282141A1. Автор: Lei Gong,Jun Hong,Fei Xu,Yanbin Wang,Wenhong Tian,JIngyong Li. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Pixel circuit and method for driving same, display panel, and display device

Номер патента: US20240257728A1. Автор: Hao Chen,Li Xiao,LIANG Chen,MINGHUA XUAN,Haoliang ZHENG,Dongni LIU,Seungwoo HAN,Jiao Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Driving voltage compensation circuit, driving circuit, pixel driving circuit and display device

Номер патента: US20230245621A1. Автор: Tao Fan,Baohong KANG. Владелец: Mianyang HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Gate-on-array drive circuit, display panel, and display device

Номер патента: US12094389B2. Автор: Tingting Shen,Haoxuan ZHENG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Voltage information detecting circuit, power supply circuit, driving circuit and voltage information detecting method

Номер патента: GB2624349A. Автор: Li Yan,Zhou Li,Dai Xuewei,Xiao Changfu. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-15.

Driving voltage compensation circuit, driving circuit, pixel driving circuit and display device

Номер патента: US12094410B2. Автор: Tao Fan,Baohong KANG. Владелец: Mianyang HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Pixel-driving circuit and display device

Номер патента: US12087210B2. Автор: Lei Gao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Pixel drive circuit, method for timing control, and display panel

Номер патента: US20240321199A1. Автор: Xin Yuan,Rongrong Li,Xiufeng Zhou. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Display driving circuit, display driving method and display device

Номер патента: US20210335215A1. Автор: Li Xiao,LIANG Chen,Lei Wang,Zheng Fang,MINGHUA XUAN,Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Dongni LIU,Detao ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Pixel driving circuit and driving method thereof, and display panel

Номер патента: US20240363073A1. Автор: MIAO Wang,Yunsheng Xiao. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Pixel circuit and driving method thereof, display panel

Номер патента: US20210358412A1. Автор: Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Rongrong SHI,Weihai WANG,Guohong QIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Drive circuit, vibrator device, electronic apparatus, and moving object

Номер патента: US09987662B2. Автор: Hideki Sato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Driving chip, circuit film, chip-on-film type driving circuit, and display device having built-in touchscreen

Номер патента: US09817512B1. Автор: Kiyong Kim,Youngwoo JO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Pixel driving circuit and driving method therefor, and array substrate and display apparatus

Номер патента: US20240379055A1. Автор: Rui Wang,Ming Hu,Juntao Chen,Haijun Qiu. Владелец: Chongqing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09437169B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synpatics Japan Gk. Дата публикации: 2016-09-06.

Direct current sensor drive circuit

Номер патента: RU2492423C1. Автор: Николя ЖЕНЕСТ,Гвенаэль ЭСТЕВ. Владелец: Сажем Дефанс Секюрите. Дата публикации: 2013-09-10.

Memory controller and memory system for executing error correction operation

Номер патента: US20230280930A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Driving circuit for head-worn display device, and virtual reality display device

Номер патента: US11335304B2. Автор: Yu Lei,HAO Zhang,Peng Han,Lili Chen,Yukun Sun,Huidong HE,Yuanjie Lu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

Driving circuit and driving method of display panel

Номер патента: US20210335267A1. Автор: Shimin Ge. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Driving circuit, driving module, driving method and display device

Номер патента: US20240242649A1. Автор: Pengcheng LU,Longfei FAN. Владелец: Yunnan Invensight Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

System-on-chip having multiple circuits and memory controller in separate and independent power domains

Номер патента: US20230376248A1. Автор: Ygal Arbel,Sagheer Ahmad,Ian A. Swarbrick. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Driving Circuit, Electronic Display Device Applying the Same and Driving Method Thereof

Номер патента: US20110069045A1. Автор: Yu-Lung Lo,Chih-Chuan Huang,Hsin-Yeh Wu. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Pixel driving circuit having an initialization and compensation and display panel

Номер патента: US11763730B2. Автор: Yao Huang,Yuanjie Xu,Yue Long,Benlian WANG,Lili Du. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Driving circuit for head-worn display device, and virtual reality display device

Номер патента: US20200211513A1. Автор: Yu Lei,HAO Zhang,Peng Han,Lili Chen,Yukun Sun,Huidong HE,Yuanjie Lu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Local dimming drive circuit, method, system and electronic equipment

Номер патента: US20240274093A1. Автор: Jianhua Zhou,Yawei Li,Wenxiang YANG,Xiangfeng HU,Qiaofu PAN,Deqiang HUANG. Владелец: Shenzhen Skyworth RGB Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Light source driving circuit and communication device for display system

Номер патента: US12057080B2. Автор: Pitleong Wong,Duo LI. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Shift register unit, driving method, gate driving circuit, and display device

Номер патента: US12057046B2. Автор: Yongqian Li,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Driving circuit having a pre-charging circuit and driving method for display device

Номер патента: US12051362B2. Автор: Renjie Zhou,Haijiang YUAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Thin Film Transistor Drive Circuit and Drive Method Thereof and Liquid Crystal Display Device

Номер патента: US20170193951A1. Автор: YUAN Li,Zifeng Chen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Pixel driving circuit and mobile terminal

Номер патента: US20240282258A1. Автор: Daobing HU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Light source driving circuit and communication device for display system

Номер патента: US12087243B2. Автор: Pitleong Wong,Duo LI. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Scan driving circuit and driving method thereof, array substrate and display apparatus

Номер патента: US20170124955A1. Автор: Liye Duan,Lirong WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Display device, data driving circuit and display driving method

Номер патента: US12125439B2. Автор: Sangwook Lee,SoJung LEE,Hyemi OH. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Driving circuit, driving method, pixel circuit, display panel and display device

Номер патента: US20240331643A1. Автор: Qi Wei,QIAN LI,Pan Zhao,Ming Hu,Zhiliang Jiang,Jianpeng Wu,Haijun Qiu,Tianyi CHENG,Ziyang YU,Wenbo Chen,Tiaomei Zhang,Quanyong GU,Qingqing YAN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Pixel driving circuit, driving method, and display panel

Номер патента: US20240363055A1. Автор: Mengmeng ZHANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Pixel circuit and method for driving same, display substrate, and display apparatus

Номер патента: US20240296780A1. Автор: Qi Qi,MINGHUA XUAN,CAN Wang,Xiaochuan Chen,Ning Cong,Can Zhang,Lijun YUAN,Jinfei NIU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Shift register unit, driving method, gate driving circuit, and display device

Номер патента: US20240346973A1. Автор: Yongqian Li,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Liquid crystal devices and gate driving circuits thereof

Номер патента: US09966028B2. Автор: Hua Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Display apparatus with testing functions and driving circuit and driving method thereof

Номер патента: US09947283B2. Автор: Chien-Chung Chen,Hsing-Shen Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2018-04-17.

Multipath selection circuit and display device

Номер патента: US09847049B2. Автор: Liu Wang,Lei Zhang,Hanyu GU. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Scan driving circuit and driving method thereof, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09837024B2. Автор: Liye Duan,Lirong WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Gate driving circuit and liquid crystal display

Номер патента: US09824657B2. Автор: Dan Cao,Xianming Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Scanning driving circuits and the liquid crystal devices with the same

Номер патента: US09805682B2. Автор: Peng Du,Cong Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Control circuit and control system

Номер патента: US09798345B1. Автор: Chen-Feng CHIANG,Che-Yuan Jao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Driving circuit for driving color display to display black-and-white/grayscale images and data conversion circuit thereof

Номер патента: US09761198B2. Автор: JEN-CHIEH LIU,I-Ting Chen,Jen-Fu Huang. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-09-12.

Pixel driving circuit and driving method thereof, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09760199B2. Автор: Shengji Yang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Touch panel and drive circuit thereof

Номер патента: US09733755B2. Автор: Yizhi YANG. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

GOA driving circuit applied for flat panel display device and flat panel display device

Номер патента: US09727162B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Thin film transistor drive circuit and drive method thereof and liquid crystal display device

Номер патента: US09620071B2. Автор: YUAN Li,Zifeng Chen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Pixel driving circuit having a photosensitive sub-circuit and driving method therefor, and array substrate

Номер патента: US09465485B2. Автор: Shengji Yang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Driving circuit of display panel and driving module thereof, and display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443486B2. Автор: Ping Lin Liu,Shih Chieh Hung. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-09-13.

Controller of electromagnetic valve driving circuit and abnormality diagnosing method for electromagnetic valve driving circuit

Номер патента: US09435461B2. Автор: Moritaka Fukuda,Kohei Kondo,Kento Yamashita,Kenta Akazaki. Владелец: Aisin AW Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for regulating survival and memory of t helper 1 cells

Номер патента: WO2011116353A2. Автор: Linda M. Bradley. Владелец: SANFORD-BURNHAM MEDICAL RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2011-09-22.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US11543969B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US11068167B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US20210286524A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US20230056583A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US20240176490A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US11941251B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Gate driving circuit and display device

Номер патента: EP4383244A1. Автор: Jaesung Park,Kwangsoo Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Pixel mixed compensation circuit and pixel mixed compensation method

Номер патента: US20210390908A1. Автор: Liuqi ZHANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Driving circuit and display device

Номер патента: US20230162663A1. Автор: Jinfeng Liu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Driving circuit and display device

Номер патента: US20220101808A1. Автор: LI TANG. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Source driving circuit, driving method and display device for decreasing color shift in large viewing angle

Номер патента: US11176904B2. Автор: Hui Dong,Jianjun Wang,Zhenzhou Xing,Xiaoshi LIU,Zejun Chen. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

Display panel driving circuit and compensation method thereof

Номер патента: US20170140696A1. Автор: Wen-Tsung Lin,Chih-Chuan Huang,Chih-Hsien Jen,Shun-Yuan Wang. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Gate driving circuit and display device using same

Номер патента: US20240221568A1. Автор: Min Ho CHO,Moo Kyoung Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Common voltage regulating circuit and method, display driving circuit and display device

Номер патента: US20210225319A1. Автор: Liugang Zhou,Yizhan HAN,Jianwei Sun,Xiaolong SUO. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Gate driving circuit and display apparatus including the same

Номер патента: US20240257724A1. Автор: Taesang Kim,Eok Su Kim,Jongdo KEUM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Driving Circuit of Liquid Crystal Display

Номер патента: US20080088610A1. Автор: Yu-Wen Lin,Lee-Hsun Chang,Jing-Ru Chen,Yung-Tse Cheng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-04-17.

Source driving circuit, driving method and display device

Номер патента: US20210193073A1. Автор: Hui Dong,Jianjun Wang,Zhenzhou Xing,Xiaoshi LIU,Zejun Chen. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Pixel driving circuit and display device

Номер патента: US12062328B2. Автор: Jun Young Jung,Myunghee Lee. Владелец: Sapien Semiconductors Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Gate driving circuit and display device

Номер патента: US20240290285A1. Автор: Hoon Choi,Yongho Kim,HongJae Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Display driving circuit, method for driving timing control circuit, and display device

Номер патента: US11699409B2. Автор: Zhihua Sun,Wenliang LIU,Jiantao Liu,Ming DENG. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Scanning driving circuits and flat display devices having the same

Номер патента: US20180190230A1. Автор: Cong Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Liquid crystal panel driving circuit and liquid crystal panel

Номер патента: US20210082362A1. Автор: Xianming Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Opoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Touch Display Device, Method for Driving the Same, Driving Circuit, Data-Driving Circuit, and Gate-Driving Circuit

Номер патента: US20240256069A1. Автор: Hongju LEE,Hyeongwon Kang,Youngwoo JO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Driving circuit and driving method of display unit, and display device

Номер патента: US20230360601A1. Автор: Yang Chen,Baohong KANG,Huihua LIAO. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Micro-controller circuit and management method thereof

Номер патента: US20240241567A1. Автор: Chi-Ray Huang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Pixel circuit and driving method thereof, and display device

Номер патента: US20240265862A1. Автор: Xin Xu,Chunyang Li,Tsanghong WANG,Hsinwei HUANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Fingerprint identification driving circuit, fingerprint identification circuit and driving method thereof

Номер патента: US20240203154A1. Автор: Lei Wang,PENG Jia,Yangbing Li,Fangyuan ZHAO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Gate driving circuit and display device using same

Номер патента: US12087200B2. Автор: Min Ho CHO,Moo Kyoung Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Pixel drive circuit and driving method therefor, and display device

Номер патента: US20240312411A1. Автор: Zhen Zhang,Zhenyu Zhang,Dongni LIU,Lianfu YU,Shunhang Zhang,Yunsik Im,Peirou LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Gate driving circuit

Номер патента: US20240321216A1. Автор: Sunhwa Lee,Junhyun Park,Hyeongseok KIM,Mukyung JEON,Heejean PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Pixel circuit and display panel

Номер патента: US20240312410A1. Автор: Chunlei Zhang,Yunjie Liu,Yongqiang DU. Владелец: Visionox Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Display panel driving circuit, and display device

Номер патента: US20200251056A1. Автор: Xiaoyu Huang. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Gate driving circuit and display apparatus including the same

Номер патента: US20240312391A1. Автор: Kyungho Kim,Sang Yong NO,Gichang Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Driving method for flicker suppression of display panel and driving circuit thereof

Номер патента: US12112717B2. Автор: Hung-Yu Lu,Rong-Fong CHEN. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-10-08.

Gate Drive Circuit and Display Panel

Номер патента: US20240312390A1. Автор: Xinru YAO,Minghu DENG. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Compensation circuit and driving circuit of light-emitting elements, and LED display device

Номер патента: US12106710B2. Автор: Tung-Kai Liu. Владелец: Xiamen Extremely PQ Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Driving Circuit and Pixel Element

Номер патента: US20240355278A1. Автор: Cheng-Hung Lin. Владелец: Visionchip Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Driving signals and driving circuits in display device and driving method thereof

Номер патента: US12118925B2. Автор: Che-Chia Chang,Shang-Jie WU,Yu-Chieh Kuo,Yi-Jung Chen,Yu-Hsun Chiu,Mei-Yi Li,Ming-Hung CHUANG,Hsien-Chun Wang,Sin-An LIN. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-10-15.

Display apparatus having an in-pixel gate driving circuit with plurality of normal and dummy stages

Номер патента: US12080248B2. Автор: Dong Hee Shin,Sunkwun SON,Nahyeon CHA,Donghyeon Ki. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Device and method for detecting performance of panel driving circuit

Номер патента: US10235915B2. Автор: Kan Zhang,Qiang Zhang,Bin Zhang,Junwei Wang,Guangxing Wang,Dianzheng DONG,Xin GAI. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Pixel circuit and display device that sets a data line to a reference voltage to remove a residual data voltage

Номер патента: US09984629B2. Автор: YING Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Switching circuit and power converter

Номер патента: EP4380024A1. Автор: Wataru Okada,Hironori Tauchi,Noriyuki NOSAKA,Satoshi Iwai,Junya Mishima,Mamoru SUEKI. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2024-06-05.

Driving circuit for switch and battery control circuit using the same

Номер патента: US11996723B2. Автор: Jun Zhou. Владелец: Dongguan Nvt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Drive circuit of transistor

Номер патента: US10574224B2. Автор: Fei Gao,Ping Fu. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

Drive circuit of voltage-controlled device

Номер патента: US20160301406A1. Автор: Takahiro Mori. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Driving circuit for driving either voltage-driven or current-driven switch

Номер патента: US20240250682A1. Автор: Po-Chin Chuang. Владелец: Ancora Semiconductors Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Driving circuit

Номер патента: US20240339988A1. Автор: Chia-Chu Chien. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Gate driving circuit applied to motor inverter and gate driving method

Номер патента: US20210242817A1. Автор: Chu-Chen YANG,Chung-Wei Huang. Владелец: Chicony Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

AC switch circuit and associated control method

Номер патента: US09935630B2. Автор: Bo Zhou,Jian Jiang,Eric Yang,Pengjie Lai,Junyong Gong. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Load-driving circuit

Номер патента: US09906215B2. Автор: Masahito Sonehara,Youichirou Kobayashi. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Drive circuit of voltage-controlled device

Номер патента: US09590612B2. Автор: Takahiro Mori. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

IGBT driving circuit and power conversion device

Номер патента: AU2021394770A1. Автор: BO Yang,Jing Wang,Meng HUANG,Shan ZHANG,Xianqiao YU,Mingzhao Fang. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-02-16.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Output driving circuit for generating output voltage based on plurality of bias voltages and operating method thereof

Номер патента: US11955963B2. Автор: Eonguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Driving circuit of high-side transistor, class-d amplifier circuit using the same, converter controller circuit and high-side switch circuit

Номер патента: US20240113708A1. Автор: Mitsuteru Sakai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

IGBT driving circuit and power conversion device

Номер патента: US12047058B2. Автор: BO Yang,Jing Wang,Meng HUANG,Shan ZHANG,Xianqiao YU,Mingzhao Fang. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2024-07-23.

Electronic Circuit with Several Electronic Switches Connected in Series and a Drive Circuit

Номер патента: US20180351549A1. Автор: Rolf Weis,Ralf Rudolf,Herwig Wappis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-12-06.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US20170310323A1. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Switching element drive circuit

Номер патента: US20240146294A1. Автор: Motoki Imanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Driving circuit

Номер патента: US12047074B2. Автор: Chia-Chu Chien. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US09862185B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US09729150B2. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Gate driving circuit and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09543928B2. Автор: Keisuke Yamashiro,Hiromu Takubo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Timing circuits and driving circuits used in lighting systems

Номер патента: US09420648B2. Автор: LIN Feng,Yuedong Chen. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Transmission drive circuit and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09331675B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Satoshi Hanazawa,Nao Miyamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Gate drive circuit for power conversion apparatus

Номер патента: WO2018015924A3. Автор: Hua Bai,Juncheng LU. Владелец: Hella GmbH & Co. KGaA. Дата публикации: 2018-03-01.

Termination resistance adjustment circuit and device including termination resistance adjustment circuit

Номер патента: US9614531B1. Автор: Takayuki SHIBASAKI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Drive circuit, electronic device, and method of controlling drive circuit

Номер патента: US12063863B2. Автор: Masahiro Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Motor drive circuit, motor system and electric device

Номер патента: US20230114334A1. Автор: Ryota Kobayashi,Yoshito Otaguro. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Driving circuit of fluid pump module

Номер патента: US12085071B2. Автор: Chi-Feng Huang,Hao-Jan Mou,Yung-Lung Han,Yung-Chang Chen,Ching-Sung Lin. Владелец: Microjet Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Power mosfet driving circuit with transfer curve gate driver and ground shift compensation

Номер патента: US20240348248A1. Автор: Boripann Srivongse. Владелец: Curtis Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Immittance conversion circuit and filter

Номер патента: US09401695B2. Автор: Koichi Hirama. Владелец: Marcdevices Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Immittance conversion circuit and filter

Номер патента: US20150381145A1. Автор: Koichi Hirama. Владелец: Marcdevices Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Liquid ejecting apparatus and drive circuit

Номер патента: EP3843265A1. Автор: Dai Nozawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-06-30.

Liquid ejecting apparatus and drive circuit

Номер патента: US20210197550A1. Автор: Dai Nozawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Operational amplifier and driving circuit

Номер патента: US09531336B2. Автор: Ji-Ting Chen. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-12-27.

D-class amplifier circuit and audio amplifying method

Номер патента: US20210152128A1. Автор: Li-Lung Kao,Che-Hung Lin,You-Min Lai,Kok-Choon Cheng. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Method for manufacturing an integrated memory circuit and an integrated memory circuit

Номер патента: US20030072196A1. Автор: Stefan Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-17.

Highly scaled etsoi floating body memory and memory circuit

Номер патента: US20120313143A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated planar transistors and memory cell array architectures

Номер патента: US20230197571A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20130221318A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20140339494A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-20.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20150221864A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Memory cells and memory cell arrays

Номер патента: EP2769414A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-27.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated device including capacitor and memory cell and method of forming the same

Номер патента: US09570456B1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Po-Han Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory block, memory-cell group and memory device

Номер патента: US20240172438A1. Автор: Qiong Zhan,Kaiwei CAO. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory cells and memory cell formation methods using sealing material

Номер патента: US20150357565A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: US09917251B2. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory device, memory cell and memory cell layout

Номер патента: US09620594B2. Автор: Hau-yan Lu,Shih-Hsien Chen,Chun-Yao Ko,Liang-Tai Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device having cell over periphery structure and memory package including the same

Номер патента: US09865541B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Chang-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory cells having a plurality of control gates and memory cells having a control gate and a shield

Номер патента: US20130146960A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Memory cells having a plurality of control gates and memory cells having a control gate and a shield

Номер патента: US20140138754A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Nonvolatile bipolar junction memory cell

Номер патента: US09711718B1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: EP4101003A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: WO2021158257A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-08-12.

3D semiconductor device and structure with logic and memory

Номер патента: US12120880B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Nonvolatile memory cells having lateral coupling structure and memory cell arrays using the same

Номер патента: US09627394B1. Автор: Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Conductive components and memory assemblies

Номер патента: US09773807B1. Автор: Anurag Jindal,John Mark Meldrim,David Ross Economy,Devesh Kumar Datta,Keen Wah CHOW,Sudip Bandyopadhyay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20190006376A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array comprising memory cells individually comprising a transistor and a capacitor

Номер патента: US12004354B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, memory array, and memory

Номер патента: US20230276637A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-31.

Devices and memory arrays including bit lines and bit line contacts

Номер патента: US20120104463A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-03.

Integrated circuit assemblies with stacked compute logic and memory dies

Номер патента: EP4123703A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Prashant Majhi,Van Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-25.

LED Driving Circuit Compatible with Electronic Ballast and Electronic Supply, and LED Lamp Thereof

Номер патента: US20210410249A1. Автор: Yulong WU,Qinghua Yang. Владелец: Shenzhen Topband Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Voltage driving circuit and system and household appliance

Номер патента: EP4418531A1. Автор: FAN YANG,Wei Huang,Xiaolin He,Wangfa ZHUANG. Владелец: Gree Green Refrigeration Technology Center Co Ltd of Zhuhai. Дата публикации: 2024-08-21.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US09849670B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for forming a memory device with at least one memory cell, in particular a phase change memory cell, and memory device

Номер патента: US20070287251A1. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-13.

Method for producing 3d semiconductor devices and structures with transistors and memory cells

Номер патента: US20240215267A1. Автор: Zvi Or-Bach,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

LED Driving Circuit and LED Driving Method

Номер патента: US20210144822A1. Автор: Xunwei Zhou,Zhenxu ZHA,Pitelong WONG. Владелец: Joulwatt Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Wireless communication apparatus having memory sharing mechanism and memory sharing method of the same

Номер патента: US20220190942A1. Автор: Shau-Yu Cheng,Chun-Kai Tseng,Ting-Chen Wei,Jyun-Jhe Jheng. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

H-bridge circuit having energy compensation circuit and controlling method thereof

Номер патента: US8441825B2. Автор: Jianping Ying,Hongyuan Jin,Jianhong Zeng,Nan Ye,Qikun Wu. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

Dead time determination method, charging driving circuit and apparatus, and device and medium

Номер патента: EP4395107A1. Автор: Chao Wang. Владелец: Changchun Jetty Automotive Parts Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Microelectronic devices and memory devices

Номер патента: WO2024155421A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of fabricating memory and memory

Номер патента: US20060063279A1. Автор: Shigeharu Matsushita,Kazunari Honma. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Driving circuit and projection device

Номер патента: US20230083055A1. Автор: Chia-Wen Hsu,Tung-Min Lee,Chen-Wang Chen. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Driving circuit and driving method

Номер патента: US12082506B2. Автор: Chen Zhao,Zhiwei Xu,Chiqing Fang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Current driving circuit providing nonlinear driving current to compensate for light-emitting device

Номер патента: US12127316B2. Автор: Lee Fu New. Владелец: Lite On Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Driving circuit and driving method for a plurality of LED strings

Номер патента: US09769888B2. Автор: Xudong Wang,Fuhua Deng. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Alternating current (AC)-direct current (DC) conversion circuit and control method thereof

Номер патента: US09748854B2. Автор: Lunquan Li. Владелец: SHENZHEN BOYN ELECTRIC Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Piezoelectric element drive circuit

Номер патента: US09711706B2. Автор: Kenjiro Okaguchi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Switch driving circuit, inverter apparatus and power steering apparatus

Номер патента: US09564485B2. Автор: Shin Kumagai,Sari Maekawa,Shigeru Fukinuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Motor driving circuit with power reversal protection and fan device

Номер патента: US09543864B1. Автор: Kun-Min Chen,Chien-Lun Chu. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor integrated device including capacitor and memory cell and method of forming the same

Номер патента: US20170025429A1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Po-Han Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Resistive Memory Cell Having A Reduced Conductive Path Area

Номер патента: US20160190442A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: WO2015126861A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: EP3108514A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-28.

Integrated sram memory tag circuitry and dram memory cell architectures

Номер патента: US20230200093A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Light-emitting diode driving circuit

Номер патента: US20130320872A1. Автор: Chin-Chung Cheng,Yan-Cun Li. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

LED Driving Circuit and Method of Controlling the Same

Номер патента: US20100253657A1. Автор: Ching-Wei Hsueh,Kuan-Jen Tseng. Владелец: Himax Analogic Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Memory device having a diagonally opposite gate pair per memory cell

Номер патента: US12004338B2. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Adaptive adjustment three-channel colored lamp led constant-current drive circuit and method

Номер патента: EP4243573A1. Автор: Sheng Zhou,Pengfei Cai,Zhenli LIU,Dongmin Ding. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Motor Driving Circuit

Номер патента: US20100176758A1. Автор: Yuji Uchiyama,Yoshito Motoki. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-15.

Led drive circuit and led lamp

Номер патента: US20190174596A1. Автор: Wei Wen. Владелец: Opple Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Driving circuit for led lamp, led lamp containing same and method for operating driving circuit

Номер патента: CA3139244A1. Автор: BIN Li,Jie Gao,Wei Rong,Pan Yao. Владелец: Savant Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-04.

Driving circuit and method of backlight module

Номер патента: US8115409B2. Автор: Chi-Hsiu Lin,Chien-Yang Chen,Shin-Chang Lin. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-02-14.

Motor controller, driving circuit, power device, and electric vehicle

Номер патента: EP4418530A1. Автор: Lele ZHAO,Yankun Xu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Feedback control circuit and method thereof

Номер патента: US20170207702A1. Автор: Chih-Cheng Lin,Shih-Chieh Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Driving circuit and method of backlight module

Номер патента: US20090322243A1. Автор: Chi-Hsiu Lin,Chien-Yang Chen,Shin-Chang Lin. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

LED drive circuit

Номер патента: US11765803B2. Автор: Jian Han,Ping Fu,Delai Jiang. Владелец: Inventronics Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Switching power supply circuit and electronic device

Номер патента: EP4422047A1. Автор: Yi Wang,Yue Chen,Wenlin Zhang,Qiang Xie. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Voltage Conversion Circuit and Non-Isolated Power Supply System

Номер патента: US20220393591A1. Автор: FAN YANG,Yifan Xiao,Haisong Li,Yangbo Yi,Binsong Tang. Владелец: WUXI CHIPOWN MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Piezoelectric transformer drive circuit and cold cathode tube lighting apparatus

Номер патента: US20050206273A1. Автор: Kinya Takama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-09-22.

Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US20070177042A1. Автор: FAN He,Carl Shurboff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Memory device having a diagonally opposite gate pair per memory cell

Номер патента: US20240324175A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Drive circuit and optical network unit

Номер патента: US09948400B2. Автор: Shuitsu YUDA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Light emitting diode driving circuit with stable driving current

Номер патента: US09913326B1. Автор: Yu-Chen Lin,Hung-Chan Wang,Tsung-Heng Lin. Владелец: Edison Opto (dongguan) Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Lighting circuit and vehicle lamp having the same

Номер патента: US09907151B2. Автор: Tomoyuki Ichikawa. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Feedback control circuit and method thereof

Номер патента: US09712057B1. Автор: Chih-Cheng Lin,Shih-Chieh Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Drive circuit for synchronous rectifier and method thereof

Номер патента: US09595878B2. Автор: Yifeng Sun,Lanlan Yin. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-03-14.

Driving circuit of power devices, switching circuit and power conversion circuit

Номер патента: US12149159B2. Автор: Yao Tao,Yingqi Zhang,Baohua Wang. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Backlight driving circuit and liquid crystal display with the same

Номер патента: US09485815B2. Автор: Xianming Zhang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Electrodeless fluorescent ballast driving circuit and resonance circuit with added filtration and protection

Номер патента: US09462666B2. Автор: Andrew C Pickett,Naveen R Tera,Robert V Rawlings. Владелец: Environmental Potentials. Дата публикации: 2016-10-04.

Led driving circuit based on t-shaped lamp tube

Номер патента: CA3109152C. Автор: Jianhui Chen,Yiguang Zhu,Di HUANG,Jiang XIE. Владелец: Foshan Electrical and Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Fabrication of phase change memory cell in integrated circuit

Номер патента: US20200295261A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Barry Linder,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Darlington transistor drive circuit, method and constant current switching power supply

Номер патента: US20220123657A1. Автор: Chong Huang,Kelvin Hui,Yuquan HUANG. Владелец: Fremont Micro Devices Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

High-speed Optical Transceiver Integrated Chip Drive Circuit with Phase Delay Compensation Function

Номер патента: US20220399941A1. Автор: Zhang Fan,AN Lin,Jinghu LI,Fujie Chen,Zhicong LUO,Jianhai YU,Hanghui TU,Qipeng LIN. Владелец: Xiamen EOchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Led drive circuit

Номер патента: WO2010090702A2. Автор: Thomas C. Sloan,Bruce Quaal. Владелец: Sloanled, Inc.. Дата публикации: 2010-08-12.

End effector force measurement with digital drive circuit

Номер патента: US20200246011A1. Автор: Patrick Mozdzierz,Ramiro Cabrera,Anthony Sgroi, Jr.,Scott Firth,Joseph Eisinger,David Valentine, JR.,Ethan Collins,John J. Hryb, IV. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2020-08-06.

End effector force measurement with digital drive circuit

Номер патента: AU2020200330A1. Автор: Patrick Mozdzierz,Ramiro Cabrera,David Valentine,Scott Firth,John Hryb,Joseph Eisinger,Ethan Collins,Anthony Sgroi Jr.. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2020-08-20.

Led drive circuit

Номер патента: WO2010090702A3. Автор: Thomas C. Sloan,Bruce Quaal. Владелец: Sloanled, Inc.. Дата публикации: 2010-09-30.

Self-powered power supply drive circuit and chip

Номер патента: US12051936B2. Автор: Chong Huang,Kelvin YuPak Hui,Xueren YANG. Владелец: Fremont Micro Devices Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Systems and methods for achieving plasma stability with a drive circuit

Номер патента: WO2024158649A1. Автор: Neil Martin Paul Benjamin,Arthur H. Sato. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-08-02.

Led driving circuit and method using single inductor

Номер патента: US20160066377A1. Автор: Wei Chen,Jianxin Wang,Hongbin Lai. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

Multi-lamp driving circuit

Номер патента: US20100181928A1. Автор: Chi-Hsiung Lee,Yu-Hsiao Chao,Hung-Yi Chen. Владелец: Ampower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-22.

Power circuit and display device using same

Номер патента: US20100265242A1. Автор: Naoki Takada,Mitsuru Goto,Akihito Akai,Takuya Eriguchi,Naruhiko Kasai,Yuki Okada. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Driving circuit and light emitting device

Номер патента: US20160270160A1. Автор: Weijun Jiao. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Integrated circuits including memory cells

Номер патента: NZ779569B2. Автор: James Michael Gardner,Scott A Linn,Michael W Cumbie. Владелец: Hewlett Packard Development Company Lp. Дата публикации: 2023-11-28.

Integrated circuits including memory cells

Номер патента: AU2022241616B2. Автор: Michael W. Cumbie,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-02-01.

New energy vehicle and onboard charging device thereof, electronic lock control circuit, and control method

Номер патента: EP4443669A1. Автор: Chao Wang. Владелец: Changchun Jetty Automotive Parts Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Drive Circuit And Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20210060935A1. Автор: Yoichiro Kondo,Tetsuo Takagi,Toru Kashimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Liquid discharge device and head drive circuit

Номер патента: US12103305B2. Автор: Yoichiro Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Drive circuit and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US20210094288A1. Автор: Yoichiro Kondo,Tetsuo Takagi,Toru Kashimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Drive circuit, liquid ejection device, and control method of drive circuit

Номер патента: US20180093473A1. Автор: Hiroyuki Yoshino. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Drive circuit, liquid ejection device, and control method of drive circuit

Номер патента: US10315413B2. Автор: Hiroyuki Yoshino. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Driving circuit, integrated circuit, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20200164636A1. Автор: Tetsuo Takagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Drive Circuit And Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20240300239A1. Автор: Kunio Tabata,Satoru Uematsu,Dai Nozawa,Noritaka Ide,Rika TANIMOTO. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Drive Circuit And Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20240300238A1. Автор: Kunio Tabata,Satoru Uematsu,Dai Nozawa,Noritaka Ide,Rika TANIMOTO. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Drive Circuit And Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20240300237A1. Автор: Kunio Tabata,Satoru Uematsu,Dai Nozawa,Noritaka Ide,Rika TANIMOTO. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Drive Circuit and Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20240316918A1. Автор: Kunio Tabata,Satoru Uematsu,Dai Nozawa,Noritaka Ide,Rika TANIMOTO. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Drive Circuit And Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20240316919A1. Автор: Kunio Tabata,Satoru Uematsu,Dai Nozawa,Noritaka Ide,Rika TANIMOTO. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Access Signal Adjustment Circuits and Methods for Memory Cells In a Cross-Point Array

Номер патента: US20120176832A1. Автор: . Владелец: UNITY SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-12.

Selector circuit and multi-port memory cell

Номер патента: JP2591448B2. Автор: 康司 若山. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-19.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VOLTAGE LEVEL SHIFT CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120001683A1. Автор: . Владелец: PACIFICTECH MICROELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE DRIVING CIRCUIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001894A1. Автор: LEE Hyun-Jeong,Kim Young-Do,Cha Je-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING CIRCUIT AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001952A1. Автор: Hasegawa Hideaki,Higuchi Koji,HIRAMA Atsushi. Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Drive Circuit for Light Emitting Diode

Номер патента: US20120004509A1. Автор: Delucia Paul. Владелец: WELCH ALLYN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CORRELATED DOUBLE SAMPLING CIRCUIT AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002093A1. Автор: Lee Dong Hun,HAM Seog Heon,Yoo Kwi Sung,Kwon Min Ho,Jung Wun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Arbitration method, arbiter circuit, and apparatus provided with arbiter circuit

Номер патента: US20120002677A1. Автор: Hataida Makoto,UEKI Toshikazu,Iwami Yoshikazu,Kinoshita Takayuki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.