Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 반도체 소자의 게이트 절연막 형성 방법

반도체 소자의 게이트 절연막 형성 방법

Номер патента: KR100451768B1
Опубликовано: 08-10-2004
Автор(ы): 조일현
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for fabricating an integrated gate dielectric layer for field effect transistors

Номер патента: US7601648B2. Автор: Johanes Swenberg,Giuseppina Conti,Shreyas Kher,Thai Cheng Chua,Shankar Muthukrisnan,Chikuang Charles Wang,Yuri Uritsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-10-13.

Method for forming heavy nitrogen-doped ultra thin oxynitride gate dielectrics

Номер патента: US20030027392A1. Автор: Atul Ajmera,Evgeni Gousev,Christopher D'Emic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for manufacturing transistor with SiCN/SiOCN multilayer spacer

Номер патента: US09882022B2. Автор: Chia-Ming Kuo,Yu-Ren Wang,Tsuo-Wen Lu,Fu-Yu Tsai,Tsai-Yu Wen,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for integrating a high-k gate dielectric in a transistor

Номер патента: TWI344193B. Автор: Qi Xiang,Huicai Zhong,Boon-Yong Ang,Catherine B Labelle,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Method for integrating a high-k gate dielectric in a transistor fabrication process

Номер патента: TW200524084A. Автор: Qi Xiang,Huicai Zhong,Boon-Yong Ang,Catherine B Labelle,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-07-16.

A method for fabricating an interlayer-dielectric film of BPSG in a semiconductor device

Номер патента: EP0540321B1. Автор: Changgyu Kim,Yongchul Ahn,Changki Hong,Uin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-09-23.

Method for forming a roughness reducing film at an interface and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP3240017A1. Автор: Tadahiro Imada,Yoshihiro Nakata,Ei Yano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-01.

Method for fabricating a gate dielectric layer and for fabricating a gate structure

Номер патента: US20120276731A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Kuo Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09614051B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for fabricating a metallic oxide thin film transistor

Номер патента: US09893173B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for fabricating gate dielectrics of metal-oxide-semiconductor transistors using rapid thermal processing

Номер патента: US20090108377A1. Автор: Zhi Chen,Jun Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240282843A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Chia Chen,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for fabricating a metal oxide thin film transistor

Номер патента: US09991135B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09431239B1. Автор: Ke-Feng Lin,Chiu-Te Lee,Ming-Yen Liu,Nien-Chung Li,Shih-Teng HUANG,Ching-Nan Hwang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09466730B2. Автор: Rahul Kumar,Manoj Kumar,shao-ming Yang,Shang-Hui Tu,Gene SHEU,Rudy Octavius Sihombing,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US09659828B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, cmos integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US20160211183A1. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor element, method for fabricating the same, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09450064B1. Автор: Byung Jin Cho,Hyun Jun Ahn,Jung Min Moon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US12051594B2. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device structure with gate and method for forming the same

Номер патента: US20240371643A1. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for Fabricating Semiconductor Device Capable of Adjusting the Thickness of Gate Oxide Layer

Номер патента: US20090042379A1. Автор: XIN Wang,Tai Chiang Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for forming 2-D material semiconductor device with improved source/drain electrodes and gate dielectric

Номер патента: US12080557B2. Автор: Shih-Yen Lin,yu-wei Zhang,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for fabricating a gate dielectric of a field effect transistor

Номер патента: WO2007047369A3. Автор: Christopher Sean Olsen,Cory Czarnik,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Khaled Z Ahmed. Владелец: Khaled Z Ahmed. Дата публикации: 2007-11-29.

Method for forming semiconductor device having a multi-thickness gate trench dielectric layer

Номер патента: US20190312036A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US09484204B2. Автор: XINPENG WANG,Yong Chen,JIN Kang,Weihai Bu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for forming a hard mask for gate electrode patterning and corresponding device

Номер патента: US20060081917A1. Автор: Chien-Hao Chen,Tze-Liang Lee,Shih-Chang Chen,Chao-Cheng Chen,Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-04-20.

Method for applying a cap layer to protect electrical components of a semiconductor device from e-beam irradiation

Номер патента: EP4332529A1. Автор: Thuy-Doan Pham,Yong-Fa Alan Wang. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Method for applying a cap layer to protect electrical components of a semiconductor device from e-beam irradiation

Номер патента: US20240079240A1. Автор: Thuy-Doan Pham,Yong-Fa Alan Wang. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device with protection layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12112950B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150380407A1. Автор: Moon-Sig Joo,Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013363A1. Автор: Jee-Hyun Park,Young-Gwang YOON,Yun-Ik SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11784051B2. Автор: Jee-Hyun Park,Young-Gwang YOON,Yun-Ik SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US20220223712A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US11848370B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor structure including semiconductor devices with different threshold voltages and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230411520A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Hsiang-Pi Chang,Chun-I Wu,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having buried gate structure and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09947667B2. Автор: Dong-Kyun Kang,Ho-Jin Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having buried gate structure and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09634011B2. Автор: Dong-Kyun Kang,Ho-Jin Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device, method for fabricating the same and apparatus for fabricating the same

Номер патента: WO2011040047A1. Автор: Masaru Sasaki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device fabrication

Номер патента: US09954088B2. Автор: Sudhiranjan Tripathy,Surani Bin Dolmanan,Manippady Krishna Kumar,Lakshmi Kanta Bera,Rasanayagam Sivasayan KAJEN. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2018-04-24.

Nanowire field effect transistor (FET) and method for fabricating the same

Номер патента: US09431301B1. Автор: Isaac Lauer,Szu Lin Cheng,Kuen-Ting Shiu,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods for manufacturing a fin structure of semiconductor device

Номер патента: US09343551B2. Автор: Chih-Hao Wang,Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11935939B2. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395461A1. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150287823A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Chih-Wei Yang,Jian-Cun KE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Formation method of semiconductor device that includes performing hydrogen-containing plasma treatment on metal gate stack

Номер патента: US09558955B2. Автор: Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chi-Cherng Jeng,Fang-Wei LIN,Shin-Yeu Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09508827B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Chih-Wei Yang,Jian-Cun KE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210175129A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Chih-Sheng Chang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chih-Chieh Yeh,I-Sheng Chen,Tzu-Chiang CHEN,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method for fabrication of floating gate in semiconductor device

Номер патента: US20090176320A1. Автор: Jin-Ho Kim,Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Oxide film reaction surface control agent, method for forming oxide film by using same, and semiconductor substrate and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP4253595A1. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Process for fabricating semiconductor structures useful for the production of semiconductor-on-insulator substrates, and its applications

Номер патента: US20090087961A1. Автор: Laurent Vandroux,Jean-Michel Hartmann. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-04-02.

Method For Processing Workpiece, Plasma Processing Apparatus And Semiconductor Device

Номер патента: US20230005739A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits and electrical interconnects for III-V semiconductor devices

Номер патента: US09991230B2. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits and electrical interconnects for iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20180047705A1. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-15.

Method for producing group III nitride crystal, group III nitride crystal, and semiconductor device

Номер патента: US09834859B2. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Masayuki Imanishi,Mamoru Imade,Mihoko Hirao. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor Devices Comprising Nitrogen-Doped Gate Dielectric, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20190027412A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for fabricating semiconductor device with super junction structure

Номер патента: US20150056771A1. Автор: Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Multiple metal layer semiconductor device and low temperature stacking method of fabricating the same

Номер патента: US09887155B2. Автор: Xiaomeng Chen,Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for fabricating a semiconductor device and apparatus for inspecting a semiconductor

Номер патента: WO2005086211A1. Автор: Yasunobu Tagusa. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for semiconductor wafer alignment

Номер патента: US09601436B2. Автор: De-Fang Huang,Hsiao-Yi WANG,Shing-Kuei LAI,Wei-Yueh Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Process for fabricating low leakage current electrode for LPCVD titanium oxide films

Номер патента: US5930584A. Автор: Tsai-Fu Chen,Shi-Chung Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Oxide film reaction surface control agent, method for forming oxide film by using same, and semiconductor substrate and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP4253595A4. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20070108593A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

METHOD FOR PRODUCING POLYAMID ACID FOR USE IN THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTORS

Номер патента: DE2927864A1. Автор: Daisuke Makino,Yasuo Miyadera. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1980-01-24.

METHODS FOR FORMING A SILICON NITRIDE FILM ON A SUBSTRATE AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180323056A1. Автор: Shero Eric James,Woodruff Jacob Huffman,Sharma Bed. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures

Номер патента: US10892156B2. Автор: Eric James Shero,Jacob Huffman Woodruff,Bed Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-01-12.

Method for the formation of silica film, silica film, insulating film, and semiconductor device

Номер патента: EP1267395A3. Автор: Kinji Yamada,Eiji Hayashi,Atsushi Shiota,Michinori Nishikawa. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2005-06-08.

Integrated multiple gate length semiconductor device including self-aligned contacts

Номер патента: US09466680B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Rajasekhar Venigalla,Su Chen Fan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US12068414B2. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363751A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

METAL LINE OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A DIFFUSION BARRIER INCLUDING CRxBy AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20100059890A1. Автор: Young Jin Lee,Dong Ha JUNG,Seung Jin Yeom,Jeong Tae Kim,Baek Mann Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Organic silica film and method for forming the same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for manufacturing the same, and wiring structure and semiconductor device

Номер патента: JPWO2007088908A1. Автор: 達也 山中,恭志 中川,将宏 秋山,輝一 小久保,洋平 野辺,小久保　輝一,秋山　将宏. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS AND ELECTRICAL INTERCONNECTS FOR III-V SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180047705A1. Автор: Disney Donald Ray. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Organic silicon dioxide film and method for forming the same, composition for forming insulating film of semiconductor device and manufacturing method thereof, and wiring structure

Номер патента: TWI431040B. Автор: Yamanaka Tatsuya,NAKAGAWA Hisashi,NOBE Youhei,KOKUBO Terukazu,AKIYAMA Masahiro. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2014-03-21.

Method for for fabricating semiconductor device and computing system for implementing the same

Номер патента: KR102163187B1. Автор: 윤종식,김병성,이화성,김윤해. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for fabricating group ⅲ nitride compound semiconductors and group ⅲ nitride compound semiconductor devices

Номер патента: KR100527075B1. Автор: 마사요시 고이케,유타 데젠,도시오 히라마쓰,세이지 나가이. Владелец: 도요다 고세이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-11-08.

Method for fabricating metal electrode with atomic layer deposition (ALD) in semiconductor device

Номер патента: US6808978B2. Автор: Younsoo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-26.

Method for making ultrathin high-k gate dielectric for use in a field effect transistor and ultrathin high-k gate dielectric2003

Номер патента: CN1638051A. Автор: 凯瑟琳·L·萨恩格尔,拉加拉奥·加米,维加伊·纳拉扬南. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-07-13.

Method for cleaning the through-hole of the interconnection structure of semiconductor device structure

Номер патента: CN106356332B. Автор: 张哲诚,陈威廷,郑台新,萧伟印. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

Semiconductor Devices Comprising Nitrogen-Doped Gate Dielectric, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20190027412A1. Автор: Moriwaki Yoshikazu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor Devices Comprising Nitrogen-Doped Gate Dielectric, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20180174926A1. Автор: Moriwaki Yoshikazu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-21.

Stabilisation of gate dielectric layer - in metal oxide semiconductor devices to reduce fixed oxide charge in layer

Номер патента: FR2290757A1. Автор: Martin Revitz,Stanley I Raider,Robert A Goula. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-06-04.

System and method for monitoring operation failure of stacker for automatic manufacture of semiconductor

Номер патента: CN1155881C. Автор: ,李昌俊,徐庆镇. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US11824122B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US20210296500A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-09-23.

APPARATUS AND METHOD FOR GENERATING PHYSICAL UNCLONABLE FUNCTION BY MODIFYING PHOTO MASK OF SEMICONDUCTOR PROCESS

Номер патента: US20160216605A1. Автор: KIM Dong Kyue,CHOI Byong Deok,Jee Kwang Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

APPARATUS AND METHOD FOR GENERATING PHYSICAL UNCLONABLE FUNCTION BY MODIFYING PHOTO MASK OF SEMICONDUCTOR PROCESS

Номер патента: US20190391485A1. Автор: KIM Dong Kyue,CHOI Byong Deok,Jee Kwang Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Method for simultaneous polishing of front surface and back surface of semiconductor wafer

Номер патента: JP2004343126A. Автор: Markus Schnappauf,ヴェーバー クリストフ,Christof Weber,Gunther H Kann,ハー カン グンター,マルクス　シュナップアウフ. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2004-12-02.

Method and apparatus for fabricating a high-performance band-edge complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US8097500B2. Автор: Takashi Ando,Bruce B. Doris,James Pan,Changhwan Choi,Vijay Narayanan,Young-Hee Kim,Eduard A. Cartier,Vamsi K. Paruchuri,Elizabeth A. Duch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Apparatus and method for generting physical unclonable function by modifiying photo mask of semiconductor process

Номер патента: KR102339943B1. Автор: 김동규,최병덕,지광현. Владелец: 주식회사 아이씨티케이 홀딩스. Дата публикации: 2021-12-17.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230411474A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Shih-Hsiang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11862694B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Shih-Hsiang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210234044A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei Ning CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20220352370A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Method for removing pollutants on the ceramic parts for use in a semiconductor device manufacturing equipment

Номер патента: KR100724184B1. Автор: 유승곤. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-05-31.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US20100270561A1. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US8216366B2. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

METHODS FOR FILLING A GAP FEATURE ON A SUBSTRATE SURFACE AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190067014A1. Автор: Swaminathan Shankar,Xie Qi,Zope Bhushan,Shrestha Kiran,Zhu Chiyu,Jussila Henri Tuomas Antero. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Method for producing 3c-sic epitaxial layer, 3c-sic epitaxial substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20150108504A1. Автор: Yukimune Watanabe,Noriyasu KAWANA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140328742A1. Автор: Mori Yusuke,Yoshimura Masashi,Hirao Mihoko,IMANISHI Masayuki,IMADE Mamoru. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

Method for Manufacturing Pillar or Hole Structures in a Layer of a Semiconductor Device, and Associated Semiconductor Structure

Номер патента: US20170330760A1. Автор: Arjun Singh,Roel Gronheid. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2017-11-16.

Method for manufacturing field effect transistor using self-aligned silicide layer in semiconductor device

Номер патента: KR100333647B1. Автор: 김천수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for manufacturing pillar or hole structures in a layer of a semiconductor device, and associated semiconductor structure

Номер патента: EP3026692A1. Автор: Arjun Singh,Roel Gronheid. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-06-01.

Method for producing 3C-SiC epitaxial layer, 3C-SiC epitaxial substrate, and semiconductor device

Номер патента: US9758902B2. Автор: Yukimune Watanabe,Noriyasu KAWANA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing pillar or hole structures in a layer of a semiconductor device, and associated semiconductor structure

Номер патента: WO2016083064A1. Автор: Arjun Singh,Roel Gronheid. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2016-06-02.

Method for reducing the contact resistance of the connection regions of a semiconductor device

Номер патента: EP1524686A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Jacob Christopher Hooker,Robert Lander. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2005-04-20.

Method for forming a selective contact and local interconnect in situ and semiconductor devices carrying the same

Номер патента: US20020072229A1. Автор: Gurtej Sandhu,Christopher Hill,Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US7776622B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method for cleaning and passivating gallium arsenide surface autologous oxide and depositing AL203 dielectric

Номер патента: US8455372B2. Автор: Wei Zhang,Wen Yang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Runchen Fang. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-04.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09786754B1. Автор: Chih-Ping Lin,Chung-Yeh Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170069503A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Mika Fujii,Kazumichi Tsumura,Takashi Shirono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for fabricating high permitivity dielectric stacks having low buffer oxide

Номер патента: EP1173886A1. Автор: Effiong Ibok. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-01-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7393778B2. Автор: Jea Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2015177685A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170125553A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050140011A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09831326B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09496411B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with flowable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013629A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for forming thermal oxide film on semiconductor substrate and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240274477A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating trihalodisilane and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230264963A1. Автор: Min Soo Kang,Byung Keun Hwang,Woo Ri Bae,Byeong Ok Cho,Sun Hye Hwang,Sheby Mary George,Ji Eun Yun,Seong Tae OH. Владелец: WONIK MATERIALS CO Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395455A1. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11735663B2. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Apparatus and methods for cyclical oxidation and etching

Номер патента: WO2011112802A2. Автор: WEI Liu,Swaminathan Srinivasan,Jing Tang,Udayan Ganguly,Joseph M. Ranish,Aaron M. Hunter,Christopher S. Olsen,Shiyu Sun,Johanes F. Swenberg,Matthew D. Scotney-Castle,Vicky Nguyen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-09-15.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220123145A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210098626A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210074639A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US20030022433A1. Автор: Hirozaku Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11631694B2. Автор: Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210272979A1. Автор: Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200058793A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Fabrication of semiconductor structures

Номер патента: US09704757B1. Автор: Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Vladimir DJARA,Veeresh Deshpande. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device including gate structure for threshold voltage modulation in transistors and method for fabricating the same

Номер патента: US09548304B2. Автор: Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09935173B1. Автор: Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: US09620626B2. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20110186934A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20150056768A1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Chi REN,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09425054B2. Автор: Kyu-Tae Park,Tae-Hyeok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US12057348B2. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US20240355674A1. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09640426B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20180005897A1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09847399B1. Автор: Zhen Yang,Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09627474B2. Автор: Chien-Mao Chen,Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for fabricating a 3d semiconductor apparatus having two vertically disposed seminconductor devices

Номер патента: US20220077003A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for fabricating a semiconductor device including a MOS transistor having a silicide layer

Номер патента: US12033858B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for fabricating a 3D semiconductor apparatus having two vertically disposed seminconductor devices

Номер патента: US11302587B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US20180061848A1. Автор: Chun-Hsu Chen,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7445998B2. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for fabricating a semiconductor device including a mos transistor having a silicide layer

Номер патента: US20240312784A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Method for fabricating substrate of semiconductor device including epitaxial layer and silicon layer having same crystalline orientation

Номер патента: US09793296B2. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Jen-Yu Wang,Wen-Yin Weng,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for increasing adhesion

Номер патента: RU2751805C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-19.

Method for fabricating recessed lightly doped drain field effect transistors

Номер патента: US20020187603A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2752125C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-23.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Method for cleaning the surface of an epitaxial layer in openings of semiconductor device

Номер патента: US09711394B1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for forming semiconductor device structure having oxide layer

Номер патента: US20200020544A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for fabricating a shield gate trench MOSFET

Номер патента: US09761695B1. Автор: Rangxuan Fan,Jinzheng Miao. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

On-chip semiconductor device having enhanced variability

Номер патента: US09691718B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Wai-Kin Li,Chengwen Pei. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09673331B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for fabricating a gate structure

Номер патента: US20120018817A1. Автор: Ouyang Hui,Yi-Chen Huang,Matt Yeh,Fan-yi Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for fabricating array structure of columnar capacitor and semiconductor structure

Номер патента: US20230015120A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device structure with glue layer and method for forming the same

Номер патента: US20230290638A1. Автор: Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Cheng-Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240243186A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150311310A1. Автор: Minwoo Song,Moonkyun Song,Seokjun Won,Namgyu Cho,Youngmook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7436036B2. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Methods for fabricating integrated circuits with controlled p-channel threshold voltage

Номер патента: US20130109166A1. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09899270B2. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Qingqing Liang,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device with a P-N junction for reduced charge leakage and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620603B2. Автор: Chih-Hsiung Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09525042B2. Автор: Minwoo Song,Moonkyun Song,Seokjun Won,Namgyu Cho,Youngmook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Substrate of semiconductor device including epitaxial layer and silicon layer having same crystalline orientation

Номер патента: US09508799B2. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Jen-Yu Wang,Wen-Yin Weng,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device fabrication methods with enhanced control in recessing processes

Номер патента: US20130078791A1. Автор: Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for fabricating memory unit with T-shaped gate

Номер патента: US20040033657A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Fabrication of semiconductor device using alternating high and low temperature layers

Номер патента: US09911600B2. Автор: Robert Beach,Paul Bridger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing slanted copper nanorods

Номер патента: US09493345B2. Автор: Chang-Koo Kim,Sung-Woon Cho. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2016-11-15.

Transistor having tungsten-based buried gate structure, method for fabricating the same

Номер патента: US09449830B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343872A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of fabricating gate dielectric layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070093011A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Tung-Hsing Lee,Li-Shian Jeng,Tzermin Shen,Da-Ching Cho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Formation of semiconductor devices including electrically programmable fuses

Номер патента: US20200027830A1. Автор: Chih-Chao Yang,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Formation of semiconductor devices including electrically programmable fuses

Номер патента: US20200058587A1. Автор: Chih-Chao Yang,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09437440B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-06.

Methods for Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20160343577A1. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170076984A1. Автор: Hisashi Onodera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Backside and sidewall metallization of semiconductor devices

Номер патента: US20240194486A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Che Ming Fang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09837280B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods for fabricating integrated circuits having device contacts

Номер патента: US09443761B2. Автор: Wei Lu,Fan Zhang,Wei Shao,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Vish SRINIVASAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09337057B2. Автор: Oh-seong Kwon,Sang-Jin Hyun,Sung-Kee Han,Moon-Kyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240213023A1. Автор: Chan Hwang,Seung Yoon Lee,Jeong Jin Lee,Doo Gyu LEE,Min-Cheol KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for manufacturing a semiconductor device using a patterned dielectric mask and semiconductor device

Номер патента: US12057311B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Jens Mueller. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010005616A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Method for separating epitaxial layers from growth substrates, and semiconductor device using same

Номер патента: US09882085B2. Автор: Ki Bum Nam,Joo Won Choi,A Ram Cha LEE,Yu Dae Han,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10395927B2. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Method for fabricating semiconductor device having ruthenium layer and equipment for fabricating the same

Номер патента: US20030022521A1. Автор: Seok-jun Won,Cha-young Yoo,Soon-yeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process

Номер патента: US20070059926A1. Автор: Jae Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Sonos Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20140329387A1. Автор: Chih-Yuan Wu,Kai-Hsiang Chang,Kuang-Wen Liu,Ching-Chang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Method of Semiconductor Fabrication with Height Control Through Active Region Profile

Номер патента: US20160240444A1. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20080124854A1. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of semiconductor fabrication with height control through active region profile

Номер патента: US09673112B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Metal wiring of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09558992B2. Автор: Tae Jong Lee,Kwan Soo Kim,Si Bum Kim,Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Yang Beom KANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for production of tunnelling multi-gate field nanotransistor with schottky contacts

Номер патента: RU2717157C2. Автор: Владимир Владимирович Вьюрков,Анатолий Дмитриевич Кривоспицкий,Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Сергей Николаевич Аверкин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Дмитрий Александрович Свинцов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук. Дата публикации: 2020-03-18.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US20110121397A1. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20190006179A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stacks

Номер патента: US20190221653A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Nanowire field effect transistor (FET) and method for fabricating the same

Номер патента: US09887264B2. Автор: Isaac Lauer,Szu Lin Cheng,Kuen-Ting Shiu,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing a trench FET having a merged gate dielectric

Номер патента: US09853142B2. Автор: Ling Ma. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09768069B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Chia-Chun Liao,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with three or four-terminal-FinFET

Номер патента: US09570468B2. Автор: Wayne BAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09543450B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Nanopyramid sized opto-electronic structure and method for manufacturing of same

Номер патента: US09444007B2. Автор: Olga Kryliouk,Nathan Gardner,Giuliano Portilho Vescovi. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190295849A1. Автор: Chih-Wei Lin,Jie-Ning Yang,Wen-Tsung Chang,Bo-Yu Su,Yen-Liang Wu,Jui-Ming Yang,Chi-Ju Lee,I-Fan Chang,Dien-Yang Lu,Chun-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220223521A1. Автор: Tse-Yao Huang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US10373876B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20180233416A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for fabricating conductive layer stack and method for fabricating semiconductor device with gate contact

Номер патента: US12014955B2. Автор: Che-Hsien LIAO,Yueh Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240105807A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020106816A1. Автор: Yoshihiro Mori,Yasutoshi Okuno,Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for fabricating floating gate

Номер патента: US20040110342A1. Автор: Yu-Chi Sun,Tse-Yao Huang,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Semiconductor device with assistant layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12080754B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160196972A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Method for fabricating silicide layers for semiconductor device

Номер патента: US7446008B2. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for die-level unique authentication and serialization of semiconductor devices

Номер патента: WO2020214243A1. Автор: H. Jim Fulford,Anton Devilliers,Anthony Schepis. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09978647B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09773887B2. Автор: Chao-Hung Lin,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for cleaning via of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09761488B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653592B2. Автор: Shuichi Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09553015B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for forming void-free polysilicon and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09460964B2. Автор: Hyung-Kyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09412829B2. Автор: Shuichi Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200051864A1. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11728219B2. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11031293B2. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: EP4393038A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Substrate cleaning composition, method for cleaning substrate using the same, and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12046464B2. Автор: Hyun Jin Kim,Jong Kyoung Park,Hoon Han,Hyo San LEE,Mi Hyun Park,Ga Young SONG,Jung Youl LEE,Han Sol LIM. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210082922A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220165639A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Refractory metal nitride capped electrical contact and method for frabricating same

Номер патента: US20110049720A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-03-03.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20100311242A1. Автор: Jongwook Kye,Yunfei Deng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Semiconductor device with capping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304697A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Substrate cleaning composition, method for cleaning substrate using the same, and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220336206A1. Автор: Hyun Jin Kim,Jong Kyoung Park,Hoon Han,Hyo San LEE,Mi Hyun Park,Ga Young SONG,Jung Youl LEE,Han Sol LIM. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160211170A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device, inspection apparatus of semiconductor device, and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20240312780A1. Автор: Yosuke Kajiwara,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for clean procedure during manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11990346B2. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Zhen Wu,Chun-Lung Chen,Chuan-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Fabrication of a semiconductor device including a quantum dot structure

Номер патента: EP4434075A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Markus Scherrer,Preksha TIWARI,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812448B2. Автор: Wan-Don Kim,Oh-seong Kwon,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Jin-Kyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with a field plate double trench having a thick bottom dielectric

Номер патента: US09735241B2. Автор: Ljubo Radic,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09698046B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09673053B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Yi-Wei Chen,Wen-Chin Lin,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Chih-Hsun Lin,Jia-Feng Fang,Wei-Jen Wu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09455135B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20190006242A1. Автор: Tsan-Chun Wang,Chiao-Ting TAI,Chung-Feng Nieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170194422A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for fabricating semiconductor device with assistant layer

Номер патента: US12051718B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070148787A1. Автор: Genichi Komuro,Kenji Kiuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Apparatus for polishing a wafer and method for fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230170222A1. Автор: Ki Hoon Jang,Bo Un Yoon,Chung Ki Min,Dong Hoon KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040185671A1. Автор: Seong-Wook Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for forming a transistor gate dielectric with high-k and low-k regions

Номер патента: SG99379A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Systems and methods for thermal hydro-synthesis of semiconductor materials by holding a substrate wafer within a chamber in a vertical direction

Номер патента: US20170365758A1. Автор: Seom Geun LEE,Yi Jung Kim,Ki Suk Kim,Young Deuk Park. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060014372A1. Автор: Seung-Ho Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for fabricating semiconductor device with programmable anti-fuse feature

Номер патента: US11735520B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210320187A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Guan-Wei Huang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20150050799A1. Автор: Chun-Ling Lin,Chia-Chang Hsu,Tsung-Hsun Tsai,Pin-Hong Chen,Bor-Shyang LIAO,Kuo-Chih Lai,Min-Chung Cheng,Shu-Min HUANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020068438A1. Автор: Takeshi Nogami,Naoki Komai,Mitsuru Taguchi,Hideyuki Kito. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Method for avoiding oxide undercut during pre-silicide clean for thin spacer FETs

Номер патента: US20060057797A1. Автор: Atul Ajmera,Andres Bryant,Shreesh Narasimha,Renee Mo,Edward Maciejewski,Michael GRIBELYUK,Percy Gilbert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060228882A1. Автор: Yong-Sik Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080003835A1. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110306202A1. Автор: Jung-Hee Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230064701A1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for forming air gap between gate dielectric layer and spacer

Номер патента: US12107121B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Chuang-Han Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for removing molding residues in the fabrication of plastic packages for semiconductor devices

Номер патента: US20010008139A1. Автор: Paolo Crema,Roberto Tiziani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-07-19.

Methods for protecting film layers while removing hardmasks during fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US20110086495A1. Автор: Rohit Pal,Janice MONZET. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-04-14.

Method for planarizing the surface of an interlayer insulating film in a semiconductor device

Номер патента: US4634496A. Автор: Masahiro Abe,Masaharu Aoyama,Yasukazu Mase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-01-06.

Method for removing impurities of a semiconductor wafer, semiconductor wafer assembly, and semiconductor device

Номер патента: US20040150087A1. Автор: Hideki Tsuya,Seigo Kishino. Владелец: Japan Society for Promotion of Science. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

Resonator and Preparation Method for Resonator

Номер патента: US20230318557A1. Автор: Chengliang SUN,Yang Zou,Yao Cai,Dawdon CHEAM,Bowoon SOON,Zhipeng DING,Binghui LIN. Владелец: Wuhan Memsonics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of fabricating gate insulating layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: KR101817131B1. Автор: 이승미,지연혁,김범용,전봉석. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-01-11.

Method for forming massive of ferromagnetic nanowires on stepped surface of semiconductor substances with buffer copper layer

Номер патента: RU2624836C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет" (ДВФУ). Дата публикации: 2017-07-07.

Method for Improving the Quality of an SiC Crystal and an SiC Semiconductor Device

Номер патента: KR101287017B1. Автор: 히데카즈 쯔치다,리우타우라스 스토라스타. Владелец: 잇빤자이단호징 덴료쿠추오켄큐쇼. Дата публикации: 2013-07-17.

Method for Producing a Gate Cut Structure on an Array of Semiconductor Fins

Номер патента: US20200083090A1. Автор: Chan Boon Teik,Kim Ryan Ryoung Han,Altamirano Sanchez Efrain. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Methods for forming particles, methods of forming semiconductor materials, methods of forming semiconductor devices, and devices formed using such methods

Номер патента: US20120192930A1. Автор: Fengyan Zhang,Robert V. Fox,Rene G. Rodriguez,Joshua J. Pak,Chivin Sun. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for fabricating low resistance, low inductance interconnections in high current semiconductor devices

Номер патента: WO2007027994A2. Автор: Anthony L. Coyle,Bernhard P. Lange,Quang X. Mai. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-03-08.

Apparatus and method for measuring electrical characteristics of a semiconductor element in a packaged semiconductor device

Номер патента: US20020063570A1. Автор: In-ho Song,Byong-Mo Moon,Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050205899A1. Автор: Ping-Pang Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Method for fabricating a shallow and narrow trench FET and related structures

Номер патента: US09653597B2. Автор: Ling Ma,David P. Jones,Niraj Ranjan,Hugo Burke,Igor Bol,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2644627C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-13.

Method for fabricating fin field effect transistors

Номер патента: US09525049B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Sheng Chang,Ling-Yen Yeh,Yi-Tang LIN,Chi-Yuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: RU2751982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-21.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing doped regions

Номер патента: RU2654984C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Method for fabricating semiconductor device having radiation hardened insulators

Номер патента: US20100035393A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7521305B2. Автор: Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-21.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US09595522B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09466703B2. Автор: Dong-won Kim,Nak-Jin Son,Keun-Ho Lee,Chang-Wook Jeong,Kwang-Seok Lee,Ui-hui Kwon,Young-Kwan Park,Seung-Hyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230069612A1. Автор: LAN Yao,Yanwei Shi,Huidan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: WO2023131742A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corporation. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09972524B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050227447A1. Автор: Ping-Pang Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20200185494A1. Автор: Rolf Weis,Ahmed Mahmoud,Richard Hensch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Method for fabricating of cell pitch reduced semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170194433A1. Автор: Seung Hyun Kim,Soo Chang Kang,Yong Won Lee,Dae Won HWANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for fabricating semiconductor device with reduced wafer edge defects

Номер патента: US10522652B1. Автор: Chih-Wei Lin,Po-Wen Su,Wei-Chih Lai,Tai-Yen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2756003C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-24.

Semiconductor device assembly, method for manufacturing same, and application thereof

Номер патента: US20240243095A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

High performance semiconductor devices fabricated with strain-induced processes and methods for making same

Номер патента: US20050079677A1. Автор: Chih-Hsin Ko,Yee-Chia Yeo,Wen-Chin Lee,Chenming Hu,Chung-Hu Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-04-14.

Process for fabricating two different gate dielectric thicknesses using a polysilicon mask and chemical mechanical polishing (CMP) planarization

Номер патента: TW440938B. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Carl J Radens,Gary B Bronner. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-06-16.

Process for fabricating two different gate dielectric thicknesses using a polysilicon mask and chemical mechanical polishing (cmp) planarization

Номер патента: SG85714A1. Автор: Bela Bronner Gary,Peter Gambino Jeffrey,J Radens Carl. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-01-15.

Thermal compensation method for forming semiconductor integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20030027391A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shih-Chang Chen,Mo-Chiun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230005931A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Junyi Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for polishing leads for semiconductor packages

Номер патента: US6726533B2. Автор: Takeyuki Sato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-27.

Method for manufacturing semiconductor chip with two sided sawing process of semiconductor wafer and an apparatus for manufacturing semiconductor chip by the method

Номер патента: KR101116301B1. Автор: 김재도. Владелец: (주) 엔지온. Дата публикации: 2012-03-20.

Method for Cleaning Hydrogen Plasma Downstream Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device Using Such Device

Номер патента: KR960005764A. Автор: 기꾸찌 준,후지무라 수조. Владелец: 세끼사와 다다시. Дата публикации: 1996-02-23.

Method for fabricating metal conductors and multi-level interconnects in a semiconductor device

Номер патента: US6677232B2. Автор: Wei-Yung Hsu,Qi-Zhong Hong,Vincent T. Cordasco. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-01-13.

Structure and method for manufacturing inter-metal dielectric layer between metal lines of semiconductor device

Номер патента: KR100818437B1. Автор: 황종택. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-04-01.

Method for manufacturing glass substrate used for forming through-electrode of semiconductor device

Номер патента: JP2013144613A. Автор: Akio Koike,章夫 小池,Motoji Ono,元司 小野,Ryota Murakami,亮太 村上,Shinya Kikukawa,信也 菊川. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

A self-aligned method for forming deep trenches in shallow trenches for isolation of semiconductor devices

Номер патента: CA2385031A1. Автор: Carl BJÖRMANDER,Ted Johansson,Hans Norström. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-03-22.

Slurry and polishing method for fixed abrasive polishing pad for polishing conductive structure of semiconductor device containing copper and tungsten

Номер патента: JP2004507899A. Автор: チョプラ、ディネッシュ,シンハ、ニシュアント. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-11.

Method for forming space between metal contact and metal line of semiconductor device

Номер патента: KR20030083440A. Автор: 홍성택,손상호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-30.

Test system and method for reducing damage in seed layers in metallization systems of semiconductor devices

Номер патента: DE102009015718B4. Автор: Frank Feustel,Frank Koschinsky,Tobias Letz. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-03-29.

Method For The Simultaneous Double-Side Grinding Of A Plurality Of Semiconductor Wafers, And Semiconductor Wafer Having Outstanding Flatness

Номер патента: US20080014839A1. Автор: Georg Pietsch,Michael Kerstan. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2008-01-17.

Method for dry-etching lithium niobate

Номер патента: EP4290556A1. Автор: Jian Liu,Kaidong Xu,Dongchen CHE,Taiyan PENG,Yingxiong FENG,Haicheng DAI. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method of etching a metal layer using a mask, a metallization method for a semiconductor device, a method of etching a metal layer, and an etching gas

Номер патента: US20040038547A1. Автор: Chang-jin Kang,Byeong-Yun Nam,Seung-Young Son,Cheol-kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-26.

DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING THE ETCH DEPTH DURING PLASMA ALTERNATE ETCHING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

Номер патента: FR2880470B1. Автор: Michel Puech,Nicolas Launay. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2007-04-20.

DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING THE ETCH DEPTH DURING PLASMA ALTERNATE ETCHING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

Номер патента: FR2880470A1. Автор: Michel Puech,Nicolas Launay. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-07-07.

Method for manufacturing cover film and insulating layer on surface of semiconductor element

Номер патента: CN110117418B. Автор: 吴耀明,陈忆明,林圣钦,陈彦翔. Владелец: Taiflex Scientific Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-28.

Semiconductor apparatus, manufacturing method for semiconductor apparatus, and power converter

Номер патента: US11942400B2. Автор: Kei Yamamoto,Kuniyuki Sato,Hodaka Rokubuichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Methods for polishing dielectric layer in forming semiconductor device

Номер патента: US11862472B2. Автор: Xiaohong Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11854688B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for depositing an epitaxial layer on a substrate wafer of semiconductor material in a deposition apparatus

Номер патента: IL308678A. Автор: . Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-01-01.

High frequency semiconductor device and producing the same

Номер патента: WO2004036650A1. Автор: Choong-Mo Nam. Владелец: Telephus Inc.. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20070099430A1. Автор: Kelley Higgins,Joseph Wiseman. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-05-03.

Method for determining end point of cleaning in an apparatus for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: KR920010726B1. Автор: 마사히로 아베,오사무 하라다,야스가즈 마세. Владелец: 아오이 죠이찌. Дата публикации: 1992-12-14.

Method for manufacturing semiconductor wafer provided with adhesive layer, photosensitive adhesive, and semiconductor device

Номер патента: CN103053016A. Автор: 满仓一行,藤井真二郎,森修一. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Systems and methods for improved adhesion between a leadframe and molding compound in a semiconductor device

Номер патента: US10211131B1. Автор: Rangsun Kitnarong,Chawalit Pinyo,Vichanart Nimibutr,Vorawat Pangwong,Kritsada Inchum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-19.

Method for passivating exposed copper surfaces in a metallization layer of a semiconductor device

Номер патента: US20100081277A1. Автор: Daniel Fischer,Matthias Schaller,Susanne Leppack. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Systems and methods for controlling the effective dielectric constant of materials used in a semiconductor device

Номер патента: US20080299779A1. Автор: Gregory C. Smith. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device with anti-back-sputter layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240203753A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887238B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Package structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240047437A1. Автор: Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09461172B2. Автор: HAIYANG Zhang,Jia Ren. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Method for fabricating semiconductor device structure and product thereof

Номер патента: US09922881B2. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Method for fabricating semiconductor device with programmable element

Номер патента: US20220069126A1. Автор: Chang-Chieh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Gate electrode doping method for forming semiconductor integrated circuit microelectronic fabrication with varying effective gate dielectric layer thicknesses

Номер патента: US20030232473A1. Автор: Ih-Chin Chen,Ling-Yen Yeh,Jyh-Chyurn Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230231039A1. Автор: Jinrong HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: US20070077698A1. Автор: Srikanth Samavedam,Philip Tobin,David Gilmer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-05.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20180158738A1. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230253242A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Method for Fabricating Semiconductor Elements

Номер патента: US20090298233A1. Автор: Chin-Ti Chen. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Method for fabricating a semiconductor package, semiconductor package and embedded pcb module

Номер патента: US20210313273A1. Автор: Frank Daeche,Richard Knipper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for fabricating a bipolar transistor having self-aligned emitter contact

Номер патента: US09508824B2. Автор: Alexander Fox,Bernd Heinemann,Steffen Marschmeyer. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for fabricating hydrogen treated surface of semiconductor device with buried gate

Номер патента: US11929410B2. Автор: Jin Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for fabricating a semiconductor chip panel

Номер патента: US09953846B2. Автор: Edward Fuergut,Daniel Porwol. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor devices, method for fabricating integrated fan-out packages, and method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09911672B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Li-Hsien HUANG,Chi-Hsi Wu,Kuan-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

FinFET with P/N stacked fins and method for fabricating the same

Номер патента: US09842932B1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Chi-Cherng Jeng,Li-Yi Chen,Hung-Pin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09577043B2. Автор: Hyun Jung Lee,Seung Hun Lee,Sunjung Kim,Eunhye Choi,Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for producing semiconductor device and intermediate for semiconductor device

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Yoichi Kodama,Jun Kamada,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Kaichiro Haruta. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09893185B2. Автор: Ting-Chun Wang,Yu-Ting Lin,Cheng-ta Wu,Po-Kang Ho,Po-Kai Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Methods for manufacturing semiconductor devices using etch stop dielectric layers and related devices

Номер патента: US20120329262A1. Автор: Jeong-hee Han,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,June-Hee Lee,Sang-Bom Kang,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-27.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170084499A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20160351700A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US9899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Vertical channel oxide semiconductor field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09997627B2. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Temporary bonding laminates for use in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09966295B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09559205B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Temporary bonding laminates for used in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160013088A1. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20050054176A1. Автор: Jong Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7081396B2. Автор: Jong Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-25.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods of fabricating silicon-on-insulator (SOI) semiconductor devices using blanket fusion bonding

Номер патента: US09721832B2. Автор: Alexander A. Ned,Sorin Stefanescu,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09704752B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Fuse of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110001212A1. Автор: Buem-Suck Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for fabricating a semiconductor device including an embedded semiconductor die

Номер патента: US20240250004A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Mark Thomas,Martin Gruber,Achim Althaus,Marco Nicolas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for fabricating semiconductor device including a via hole in a mask pattern

Номер патента: US09941172B2. Автор: Suk-joo Lee,Joong-Won JEON,Jong-Doo Kim,Young-Deok KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods for fabricating a semiconductor device and semiconductor devices fabricated by the same

Номер патента: US09761603B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Joon-Sung LIM,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09711612B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang,Haizhou Yin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-07-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09685520B1. Автор: Ta-Kang Lo,Tsai-Fu Chen,Hsin-Ta Hsieh,Chun-Chia Chen,Hung-Chang Chang,Shang-Jr Chen,Chen-Chien Li,Shuo-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of fabricating semiconductor device isolation structure

Номер патента: US09673082B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595584B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of fabricating gate

Номер патента: US6448605B1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-10.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220076959A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2005024929A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Robert Turkot, Jr.. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2005-03-17.

Method of fabricating gate

Номер патента: US20020052103A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Methods for fabricating a compound semiconductor protection device for low voltage and high speed data lines

Номер патента: US20030176042A1. Автор: Vrej Barkhordarian. Владелец: Linfinity Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09520499B2. Автор: Sung-min Kim,Dong-Kyu Lee,Ji-su Kang,Dong-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Heat dissipating semiconductor device packages and related methods

Номер патента: US20120112338A1. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Hsiang-Ming Feng,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee,Bing-Yun Cheng. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Metal clip assembly, semiconductor device assembly, method for manufacturing semiconductor device assembly, and application of semiconductor device assembly

Номер патента: US20240250005A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Device and methods for characterization of semiconductor films

Номер патента: US20240264113A1. Автор: Michel DE KEERSMAECKER,Erin L. RATCLIFF,Neal R. Armstrong. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Method for producing optoelectronic devices

Номер патента: US12112968B2. Автор: Ralph Wagner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for designing layout of semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09698056B2. Автор: Jin Tae Kim,Jae-Woo Seo,Ha-young Kim,Dong-yeon HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Isolation structure, method for manufacturing the same, and semiconductor device having the structure

Номер патента: US09543188B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Method for manufacturing semiconductor device with vertical gate transistor

Номер патента: US20130109165A1. Автор: Heung-Jae Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US9577068B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130323908A1. Автор: Chun-Yen Chen,Hung-Hsien Chang,Wei-Hua Fang,Chine-Li WANG,Yung-Chin Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062552B2. Автор: Takashi Saito,Ryoichi Kato,Yuma Murata,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230215855A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US20160351687A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371866A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09905633B1. Автор: Chi-Han YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09799750B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Han-Ting Tsai,Hui-Min Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having a plurality of fins and method for fabricating the same

Номер патента: US09659932B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor apparatus and method for producing the same

Номер патента: US09543252B2. Автор: Yoshiyuki Nakaki,Kei Yamamoto,Mamoru Terai,Shiori Idaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US09431395B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2674413C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-12-07.

Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080153240A1. Автор: Meng Zhao,Tsing Chow WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Polishing pad, preparation method thereof and method for preparing semiconductor device using same

Номер патента: US11759909B2. Автор: Kyung Hwan Kim,Jang Won Seo,Jae In Ahn,Sung Hoon Yun,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor device having silicon plugs for trench and/or mesa segmentation

Номер патента: US20240290882A1. Автор: Lars MUELLER-MESKAMP,Dirk Manger,Birgit von Ehrenwall,Ralf Rudolf,Annett Winzer,Tom Peterhaensel,Frido Erler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: MY176699A. Автор: Yoshinori Nagao. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2020-08-19.

Package-on-package device with supplemental underfill and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170317057A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US12132111B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09870955B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Intermediate structure for transfer, method for preparing micro-device for transfer, and method for processing array of semiconductor device

Номер патента: US09842782B2. Автор: Chun-Yi Chang,Li-Yi Chen,Pei-Yu Chang,Chih-Hui Chan,Shih-Chyn Lin,Hsin-Wei Lee. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Package-on-package device with supplemental underfill and method for manufacturing the same

Номер патента: US09825008B1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09793210B2. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US09786785B2. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Polishing pad, preparation method thereof and method for preparing semiconductor device using same

Номер патента: US12138738B2. Автор: Kyung Hwan Kim,Jang Won Seo,Jae In Ahn,Sung Hoon Yun,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Termination structure of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09490134B2. Автор: Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11532631B2. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-20.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US20240203963A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105681A1. Автор: Ching-Hung Chang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Systems and methods for bonding semiconductor devices

Номер патента: US20240243006A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Scott LEFEVRE,Kevin Ryan,Ilseok Son,Panupong Jaipan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030133A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020142555A1. Автор: Seon Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for fabricating a semiconductor device utilizing hemispherical grain silicon and doping to increase capacitance

Номер патента: US6620708B1. Автор: Hong Goo Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-16.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US20230105066A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090142901A1. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8021944B2. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor device having optimized shallow junction geometries and method for fabrication thereof

Номер патента: US20050245021A1. Автор: Xin Zhang,Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram,Brian Hornung,Lance Robertson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Methods for fabricating semiconductor devices with backside power delivery network using laser liftoff layer

Номер патента: US20240258169A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Soo Doo Chae. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for fabricating semiconductor devices with backside power delivery network using laser liftoff layer

Номер патента: WO2024163032A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Soo Doo Chae. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339401A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304553A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for fabricating semiconductor device with redistribution plugs

Номер патента: US12112978B2. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with protection liners and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US12119302B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for forming a via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09997401B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887159B1. Автор: Mengkai Zhu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for fabricating a finFET device including a stem region of a fin element

Номер патента: US09735255B2. Автор: Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09721804B1. Автор: Huang-Ren Wei,Hsuan-Sheng Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for forming via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09536964B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09455194B1. Автор: Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Ssu-I Fu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Multi-composition gate dielectric field effect transistors

Номер патента: US09397175B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Zhengwen Li,Emre Alptekin,Unoh Kwon,Reinaldo A. Vega,Wing L. Lai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240213247A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chih-Kai Hsu,Yu-Hsiang Lin,Zen-Jay Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013526A1. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220173045A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7220638B2. Автор: Osamu Yamaguchi,Kouichi Tani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327887A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device with conductive layers having different pattern densities and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243060A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210091087A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Device structure, layout and fabrication method for uniaxially strained transistors

Номер патента: US20120261762A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz,Stephen W. Bedell,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device with protection liners and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274554A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with self-aligning contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for fabricating semiconductor apparatus using board frame

Номер патента: US6948239B2. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-27.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor device and method for assembling the same

Номер патента: US20020024125A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device with conductive layers having different pattern densities and method for fabricating the same

Номер патента: US12080642B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with emi protection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327821A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094833B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Structures and methods for source-down vertical semiconductor device

Номер патента: US12094967B2. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339400A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371684A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371683A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09941215B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09806168B2. Автор: Jisoo Oh,Sungwoo Myung,Geumjung Seong,Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Yong-Ho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09613927B2. Автор: Takeshi Sunaga,Akihiro Kimura,Akihiro Koga,Shouji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for fabricating semiconductor device, pattern writing apparatus, recording medium recording program, and pattern transfer apparatus

Номер патента: US09535327B2. Автор: Takayuki Abe. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09524921B2. Автор: Tae-Seong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09355961B2. Автор: Chajea JO,Hyunsoo Chung,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080157290A1. Автор: Eunjong SHIN. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Methods for forming a transistor

Номер патента: EP1759409A2. Автор: Victor Moroz,Lori D. Washington,Faran Nouri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220139716A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Packaging of semiconductor devices

Номер патента: WO2014187996A1. Автор: Carl VAN BUGGENHOUT. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2014-11-27.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fabricating semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US7265042B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-04.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Isolation structure, semiconductor device having the same, and method for fabricating the isolation structure

Номер патента: US9105684B2. Автор: Hyun-Tae JUNG,Hyung-Suk Choi,Da-soon Lee,Eung-ryul Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Production method for device

Номер патента: US7648889B2. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2010-01-19.

Method for fabricating semiconductor device with metal spacers

Номер патента: US11756885B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for fabricating semiconductor device with protruding contact

Номер патента: US11574911B2. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Method for fabricating semiconductor device with protruding contact

Номер патента: US20220122982A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20160379931A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220077144A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Packaging of semiconductor devices

Номер патента: EP2999660A1. Автор: Carl VAN BUGGENHOUT. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-03-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200219883A1. Автор: Chang-Hyeon Nam,Injoon Yeo. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200006514A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang,Wei-Ming Hsiao,Kuan-Chun Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220059448A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Singulation metal mold and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20080148540A1. Автор: Takumi Sato,Aki Suzuki. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20050059196A1. Автор: Masahiro Hayashi,Takafumi Noda,Masahiko Tsuyuki,Akihiko-Ebina. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: WO2023222204A1. Автор: Gilberto Curatola,Mirko Bernardoni,Lasse Petteri PALM. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2020103873A1. Автор: Chih-Wei Chang,Changhao QUAN,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Architectures Enabling Back Contact Bottom Electrodes For Semiconductor Devices

Номер патента: US20190074393A1. Автор: Venkat Selvamanickam. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for analyzing an integrated circuit, apparatus and integrated circuit

Номер патента: EP1886159A2. Автор: Martijn Philips Intell. Prop. & Standards GOOSSENS,Frank Philips Intell. Prop. & Standards ZACHARIASSE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-02-13.

Semiconductor device measurement method

Номер патента: US20220077004A1. Автор: Hongxiang Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US6605512B2. Автор: Yukihiro Kiyota. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-12.

Method for operating a power electronic converter, and power electronic converter

Номер патента: EP3973625A1. Автор: Martin KLAEUSLER,Simon Herold,Jerome Fischer,Giulia Beanato,Luigi Lucano. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-03-30.

Method for providing and utilizing rerouting resources

Номер патента: US20040072390A1. Автор: Steven Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

Memory device and method for fabricating same

Номер патента: US20230049648A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for fabricating a lower plate for a capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100338959B1. Автор: 박상희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-01.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12051700B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuit semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11664379B2. Автор: Jaehyun Lee,Jonghan LEE,Jongha PARK,Seonghwa Park,Jaehoon WOO,Dabok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-30.

Method for surface roughness enhancement in semiconductor capacitor manufacturing

Номер патента: US20030114005A1. Автор: Helmut Tews,Rajarao Jammy,Uwe Schroeder,Stephan Kudelka,Irene Mcstay,Stephen Rahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220085021A1. Автор: Xinran Liu,Yule SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for laying out storage node contact and storage node of semiconductor device, semiconductor device thereby

Номер патента: KR100745069B1. Автор: 양현조. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

Method for allocating semiconductor package terminals, device for assisting allocation of semiconductor package terminals, semiconductor package, and program that executes method for allocating semiconductor package terminals

Номер патента: WO2012063284A1. Автор: 鈴木　啓介. Владелец: 富士通株式会社. Дата публикации: 2012-05-18.

Method for obtaining pattern density of a predetermined material layer of semiconductor device, and method for simulation of chemical mechanical polishing using the same

Номер патента: KR100297732B1. Автор: 김유현,유광재. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-01.

METHOD FOR REMOVING HARD MASK OXIDE AND MAKING GATE STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140162446A1. Автор: Chen Neng-Kuo,Wann Clement Hsingjen,Sun Sey-Ping,Lin Yi-An,CHANG Chun-Wei. Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

Method for forming selective hemispherical silicon grain charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR19990080850A. Автор: 오훈정,신승우,양홍선,우상호,한일근,전광석,문정언. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1999-11-15.

Method for manufacturing a floating gate of a dual gate of semiconductor device

Номер патента: US20040224468A1. Автор: Sung-Bo Hwang. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2004-11-11.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD FOR PROTECTION FROM DAMAGE TO GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140264520A1. Автор: Reisiger Mark D.. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for preparing silicon carbide MOSFET gate dielectric layer

Номер патента: CN110808282A. Автор: 杨勇,王谦,柏松,费晨曦. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2020-02-18.

Method for controlling a processing device for a sequential processing of semiconductor wafers

Номер патента: US6684124B2. Автор: Sebastian Schmidt,Thomas Fischer,Thorsten Schedel,Karl Schumacher,Ralf Otto,Heiko Hommen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-27.

Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20080118737A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

CIRCUIT AND METHOD FOR CONDUCTING SOFT TURN-OFF OF A DRIVING CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR SWITCHING DEVICE

Номер патента: US20150070078A1. Автор: Jeong Kang Ho,Jeong Jee Hye,Lee Ki Jong. Владелец: HYUNDAI MOTOR COMPANY. Дата публикации: 2015-03-12.

METHOD FOR CREATING OPTICAL INSULATION BETWEEN PIXELS OF A MATRIX OF SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCES

Номер патента: FR3056014A1. Автор: Vincent DuBois,Antoine De Lamberterie,Nicolas Lefaudeux,Guillaume THIN,Samira MBATA,Thomas Canonne,Van-Thai HOANG,Francois-Xavier AMIEL. Владелец: Valeo Vision SA. Дата публикации: 2018-03-16.

METHOD FOR CREATING OPTICAL ISOLATION BETWEEN PIXELS OF A MATRIX OF SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCES

Номер патента: FR3056014B1. Автор: Vincent DuBois,Antoine De Lamberterie,Nicolas Lefaudeux,Guillaume THIN,Samira MBATA,Thomas Canonne,Van-Thai HOANG,Francois-Xavier AMIEL. Владелец: Valeo Vision SA. Дата публикации: 2020-05-29.

Method and an apparatus for treating a surface of a TCO material, in a semiconductor device

Номер патента: US11769851B2. Автор: Alison Joan Lennon,Vincent Akira ALLEN. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for manufacturing an edge termination for a silicon carbide power semiconductor device

Номер патента: EP3180799A1. Автор: Jan Vobecky. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-06-21.

Gate pad protection structure for power semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030157753A1. Автор: Jun Zeng,Ming-Jiang Zhou,Tzong-Shiann Wu. Владелец: Pyramis Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Epitaxy wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component, and methods for producing the epitaxy wavelength conversion element and the light-emitting semiconductor component

Номер патента: US20200411731A1. Автор: Tansen Varghese,Martin Rudolf Behringer,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-12-31.

Process control method, a method for forming monitor marks, a mask for process control, and a semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20060035158A1. Автор: Masafumi Asano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Method for patterning metal foil, electric wiring substrate and its manufacturing method, semiconductor device and its manufacturing method, and circuit board and electronic device

Номер патента: JP2002012988A. Автор: 秀樹 湯澤,Hideki Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230116949A1. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220278098A1. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device and method for manufacturing and mounting thereof, and circuit board mounted with the semiconductor device

Номер патента: WO1998036450A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 1998-08-20.

Prduction method for copolymer film, copolymer film produced by the forming method, and semiconductor device using copolymer film

Номер патента: WO2003002629A1. Автор: Yoshihiro Hayashi,Jun Kawahara. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2003-01-09.

Film for forming spacer, method for manufacturing semiconductor wafer bonded body, semiconductor wafer bonded body, and semiconductor device

Номер патента: WO2011034025A1. Автор: 白石　史広,高橋　豊誠,敏寛 佐藤,川田　政和,正洋 米山,裕久 出島. Владелец: 住友ベークライト株式会社. Дата публикации: 2011-03-24.

APPARATUSES AND METHODS FOR PIN CAPACITANCE REDUCTION INCLUDING BOND PADS AND CIRCUITS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190363060A1. Автор: Perry Guy S.,Ho Michael V.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-28.

Thermosetting light reflecting resin composition, method for producing the same, optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition

Номер патента: JPWO2008059856A1. Автор: 晃 永井,永井　　晃,直之 浦崎,勇人 小谷,光祥 濱田,加奈子 湯浅. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Method for forming a thin film in a manufacturing process of a semiconductor device

Номер патента: KR19990076407A. Автор: 이수환. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

High melting point metallic silicide target and method for producing the same, high melting point metallic silicide film and semiconductor device

Номер патента: EP0666336A1. Автор: Michio Sato,Noriaki Yagi,Hiromi Shizu,Toshihiro Maki,Takashi Yamanobe,Yoshiharu Fukasawa,Tohru Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-08-09.

A heat conductive layer, a photosensitive layer, a photosensitive composition, a method for manufacturing the heat conductive layer, and a laminate and a semiconductor device.

Номер патента: JP7018126B2. Автор: 和人 嶋田,広祐 山下. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Method for measuring a overlay status in a fabricating process of a semiconductor device

Номер патента: KR100688721B1. Автор: 지승민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-28.

Method for cooling power semiconductor switch e.g. rectifier, involves thermally connecting semiconductor device to phase-change material that is arranged in container or reservoir

Номер патента: DE102013206868A1. Автор: Karlheinz Benz. Владелец: EGO Elektro Geratebau GmbH. Дата публикации: 2014-05-08.

System and method for reducing cross-coupling noise between charge storage elements in a semiconductor device

Номер патента: US8759894B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Unsoon Kim,Yider Wu,Angela T. Hui. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Multilayer resin sheet, resin sheet laminate, cured multilayer resin sheet and method for producing the same, multilayer resin sheet with metal foil, and semiconductor device

Номер патента: JP6402763B2. Автор: 康彦 阿波野,敦司 桑野,敏明 白坂,智雄 西山,桑野　敦司,阿波野　康彦. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-10.

Thermosetting light reflecting resin composition, method for producing the same, optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition

Номер патента: JP5660173B2. Автор: 晃 永井,永井　　晃,直之 浦崎,勇人 小谷,光祥 濱田,加奈子 湯浅. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-28.

METHOD FOR THE PREVENTION OF SURFACE ELECTRIC DISCHARGES IN PLATES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE DURING THEIR TESTING

Номер патента: IT1217324B. Автор: Carmelo Magro,Carmelo Oliveri. Владелец: Ora S G S Thomson Microelectro. Дата публикации: 1990-03-22.

Method for manufacturing semiconductor wafer bonding product, semiconductor wafer bonding product and semiconductor device

Номер патента: TW201207896A. Автор: Fumihiro Shiraishi,Toyosei Takahashi,Toshihiro Sato,Masahiro Yoneyama,Masakazu Kawata,Hirohisa Dejima. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-02-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12068309B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09876069B1. Автор: Chih-Wei Lin,Keng-Yu Lin,Pao-Hao Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for fabricating memory cell structure employing contiguous gate and capacitor dielectric layer

Номер патента: US20040191985A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device and method for fabrication thereof

Номер патента: EP1223622A3. Автор: Kazuaki c/o FUJITSU LIMITED KURIHARA,Kenji c/o Fujitsu Limited Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Array substrate for liquid crystal display and method for fabricating the same

Номер патента: US20100187536A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chen-Yueh Li. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-07-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371855A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Light-emitting element, method for manufacturing same, and display device

Номер патента: EP4462490A1. Автор: Jung Woon Jung,Chang Hee Lee,Do Hyung Kim,Sang Ho Jeon,Je Won YOO,Jin Young Choi,Dong Uk Kim,Jong Il Kim,Yong Seok Choi,Joo Hee Lee,Ran Kim,Jae Kwang Lee,Na Ri AHN,Sang Ho Oh,In Pyo Kim,Na Mi HONG,Yun Hyuk KO,Chan Woo JOO,Mi Hyang SHEEN,Ki Young YEON,Jin Ho BYUN,Jong Hoon HA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Method for fabricating gate structures

Номер патента: US20210134979A1. Автор: Chi-Cheng Huang,Chih-Hao Pan,Po-Hsuan CHEN,Kuo-Lung Li,Szu-Ping Wang,Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Avalanche photodiode and method for its manufacture

Номер патента: RU2769749C1. Автор: Наталья Александровна Валишева,Татьяна Александровна Левцова,Евгений Александрович Емельянов,Игорь Борисович Чистохин,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Игорь Ильич Рябцев,Михаил Олегович Петрушков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2022-04-05.

Thin film transistor and method for fabricating thin film transistor

Номер патента: US20110198592A1. Автор: Sun Jae Kim,Min Koo Han. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for fabricating thin-film transistor

Номер патента: US20140357017A1. Автор: Horng-Chih Lin,Rong-Jhe Lyu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12120866B2. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Laser treatment method for dividing or scribing substrate by forming wedge-like damaged structures

Номер патента: RU2674916C2. Автор: Эгидьюс ВАНАГАС,Дзьюгас КИМБАРАС,Лауринас ВЕСЕЛИС. Владелец: Эвана Текнолоджис, Уаб. Дата публикации: 2018-12-14.

Method for fabricating stack structure of semiconductor packages

Номер патента: US20110070697A1. Автор: Han-Ping Pu,Cheng-Hsu Hsiao,Ho-Yi Tsai,Fang-Lin Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method for fabricating stack structure of semiconductor packages

Номер патента: US8420521B2. Автор: Han-Ping Pu,Cheng-Hsu Hsiao,Ho-Yi Tsai,Fang-Lin Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20220093532A1. Автор: Youn Soo Kim,Tae Kyun Kim,Jin-Su Lee,Hong Sik Chae,Youn Joung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US12113035B2. Автор: Youn Soo Kim,Tae Kyun Kim,Jin-Su Lee,Hong Sik Chae,Youn Joung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Lateral double diffused metal-oxide-semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09634099B2. Автор: Jui-Chun Chang,Shang-Hui Tu,Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for fabricating thin photovoltaic cells

Номер патента: US09484487B2. Автор: Alex Masolin,Maria Recaman Payo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-01.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170186948A1. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device structure with contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313065A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09837148B2. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230048424A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for self-aligned solder reflow bonding and devices obtained thereof

Номер патента: US09978710B2. Автор: Eric Beyne,Jaber Derakhshandeh,Vikas Dubey. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US09966370B2. Автор: Simon Jerebic,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Compositions and methods for semiconductor processing and devices formed therefrom

Номер патента: US09793188B2. Автор: Arjun Mendiratta. Владелец: Equity Solar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US09577058B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Stack gate with tip vertical memory and method for fabricating the same

Номер патента: US6870216B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chi-Hui Lin,Ching-Nan Hsiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Flash memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20130207173A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09425120B2. Автор: Akira Nagai,Kazutaka Honda,Makoto Satou. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Lens structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20180166594A1. Автор: Chien-Chih Chen,Su-Yu Yeh,Tzu-Shin Chen,Mu-Han Cheng,Chun-Hai Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for extracting trap time constant of gate dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US20160153923A1. Автор: Xing Zhang,Shaofeng Guo,Ru Huang,Runsheng Wang,Xiaobo JIANG,Pengpeng REN,Mulong LUO. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20220199437A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US20230268409A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Chi On Chui,Chih-Wei Lee,Jo-Chun Hung,Hsin-Han Tsai,Hsiang-Ju LIAO,Yi-Lun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Dipping detecting device for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080090311A1. Автор: Youn-Sung Ko,Yong-Kyun Sun,Dong-joo ROH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for fabricating a semiconductor device by bonding a layer to a support with curvature

Номер патента: US09536901B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing microcontacts

Номер патента: RU2655953C1. Автор: Лариса Александровна Васильева,Владимир Михайлович Акимов,Евгений Алексеевич Климанов,Никита Александрович Иродов. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2018-05-30.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating semiconductor device, and method for fabricating display device

Номер патента: US20130089933A1. Автор: Katsuyuki Suga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

System and method for operating an electric power converter

Номер патента: EP2590211A3. Автор: Robert Gregory Wagoner,Allen Michael Ritter,Paul Stephen Pate. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-01-17.

Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device including a plurality of semiconductor chips connected with bumps

Номер патента: US20170069551A1. Автор: Hiroshi Watabe,Naoyuki Komuta,Shinya Fukayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230215769A1. Автор: Nam Yoon Kim,Myung Jun Lee,Wook Rae KIM,Doory KIM,Dokyung JEONG,Uidon JEONG,Jae Hwang JUNG,SeokRan GO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device and method for transistor memory element

Номер патента: US20240341101A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US09929203B1. Автор: Keng-Ying Liao,Yi-Hung Chen,Chih-Yu Wu,Chih-Wei SUNG,Yi-Fang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09780078B2. Автор: Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Device having a contact between semiconductor regions through a buried insulating layer, and process for fabricating said device

Номер патента: US09490264B2. Автор: Richard Ferrant,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-11-08.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US9023253B2. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li,Ran Guo. Владелец: Soltrium Technology Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150162481A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150159026A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for fabricating mask, method for fabricating semiconductor device using the mask, and the semiconductor device fabricated using the mask

Номер патента: US20220302176A1. Автор: Myoung-ho KANG,Seong-Yul PARK,Yong-Ah KIM,Dong Hyo PARK,Chang Hyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8835083B2. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120183891A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230171946A1. Автор: Mir IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140030657A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and flexible substrate for mounting semiconductor

Номер патента: US20090134506A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Naoto Saito,Hisashi Tanie. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Method for fabricating mask, method for fabricating semiconductor device using the mask, and the semiconductor device fabricated using the mask

Номер патента: US12068327B2. Автор: Myoung-ho KANG,Seong-Yul PARK,Yong-Ah KIM,Dong Hyo PARK,Chang Hyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor optical devices and method for forming

Номер патента: US7494832B2. Автор: Yang Du,Leo Mathew,Voon-Yew Thean. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-02-24.

Resilient interconnect structure for electronic components and method for making the same

Номер патента: EP1200992A1. Автор: Gary W. Grube,Benjamin N. Eldridge,Gaetan L. Mathieu,Richard A. Larder. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030025153A1. Автор: Sug Chun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor devices, layout design methods for the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210305232A1. Автор: Jae-Ho Park,Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device including oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274722A1. Автор: Jun Hwe CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Sonos device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140070299A1. Автор: Chih-Yuan Wu,Kai-Hsiang Chang,Kuang-Wen Liu,Ching-Chang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12093630B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332421A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for fabricating a semiconductor device for use in an optical application

Номер патента: US09823414B2. Автор: Jens Hofrichter,Lukas Czornomaz,Mirja Richter,Heike E. Riel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Structure and formation method of semiconductor device with epitaxial structures

Номер патента: US20240355901A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Tsung-Han CHUANG,Chia-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US12150290B2. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device having stressor and method of forming the same

Номер патента: US09577097B2. Автор: Jaehoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating a semiconductor device for use in an optical application

Номер патента: US09459405B2. Автор: Jens Hofrichter,Heike Riel,Lukas Czornomaz,Mirja Richter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09437709B2. Автор: De Yuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220310626A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Hongfa Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and interface unit

Номер патента: US20180294208A1. Автор: Motohito Hori,Yuki Inaba,Yoshinari Ikeda,Michihiro Inaba,Tetsuya Sunago. Владелец: Kojin Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12009238B2. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210327735A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Methods and structures for contacting shield conductor in a semiconductor device

Номер патента: US20240266434A1. Автор: Peter A. Burke. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240297057A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods for fabricating a metal structure for a semiconductor device

Номер патента: US09865690B2. Автор: Chuanxin Lian,Liping Daniel Hou. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09859434B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09385061B2. Автор: Hideyo Nakamura,Masafumi Horio. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240222456A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Hsin-Fu Lin,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Thin film transistor including a dielectric diffusion barrier and methods for forming the same

Номер патента: US12040409B2. Автор: Hai-Ching Chen,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US20220165926A1. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2022-05-26.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US11881548B2. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20210098485A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Dong-Chul Yoo,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method for determining deterioration of semiconductor device

Номер патента: US20230369142A1. Автор: Takaaki Tanaka,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda,Qichen Wang. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040142569A1. Автор: Seok Kim,Chee Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Номер патента: US20210358862A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and fabrication thereof

Номер патента: US20110260220A1. Автор: Min-Hwa Chi,Mu-Chi Chiang,Cheng-Ku Chen,Wen-Chuan Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Method of forming a semiconductor device having asymmetric dielectric regions and structure thereof

Номер патента: WO2006104562A2. Автор: Leo Mathew,Venkat R. Kolagunta,David C. Sing. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-05.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Formation method of semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US11742428B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210104528A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200243360A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240355893A1. Автор: Kai-Kuen Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus for inspecting substrate and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12105027B2. Автор: Myung Jun Lee,Sung Ho Jang,Jang Ryul Park,Kwang Rak KIM,Soon Yang KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Thin film transistor including a dielectric diffusion barrier and methods for forming the same

Номер патента: US20240313123A1. Автор: Hai-Ching Chen,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09947792B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Interconnect structures for fine pitch assembly of semiconductor structures and related techniques

Номер патента: US09786633B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Noyan Kinayman,Timothy M. Hancock,Peter G. Murphy,Karen E. Magoon,Michael J. Barbieri. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09761690B2. Автор: Chun-Mao Chiou,Chia-Fu Hsu,Shih-Chieh Hsu,Lung-En Kuo,Jian-Cun KE,You-Di Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09627513B2. Автор: Meng Wang,Budong You,Zheng Lyu. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Asymmetric FinFET semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09583597B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for passivating a through hole of a semiconductor plate

Номер патента: RU2745656C1. Автор: Александер ФРЕЙ. Владелец: АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor device and methods for fabricating and operating the device

Номер патента: US20240224816A1. Автор: Pavel ASEEV. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021080B2. Автор: Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Jonghan LEE,HyungSuk Jung,Sangjin Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7875515B2. Автор: Sang Man Bae,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Adhesive, substrate having adhesive, circuit board having adhesive layer, layered product, method for producing layered product, and method for producing semiconductor device

Номер патента: EP4397731A1. Автор: Hitoshi Araki,Takenori Fujiwara,Yukari Arimoto. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-07-10.

Ball-type bonding wires for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: GB2174032A. Автор: Noriko Watanabe,Kazumichi Machida,Jitsuho Hirota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-10-29.

Semiconductor device with energy-removable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240178287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210043634A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG10201802450PA. Автор: LEE Dongsoo,Hyun Sangjin,Na Hoonjoo,Chung Wonkeun,Bae Suyoung,Song Jaeyeol,Lee Jonghan,Jung HyungSuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-30.

Inductor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100164060A1. Автор: Ji-Houn Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US11756893B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with a vertical channel, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230269931A1. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220085164A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11631738B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device with leakage current guide path and method for fabricating the same

Номер патента: US12100733B2. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094834B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US12114491B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device, electronic circuit and method for switching high voltages

Номер патента: US09768160B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Composition for forming resist protection film for lithography and method for forming pattern of semiconductor device using the same

Номер патента: US09423692B2. Автор: Jae Hyun Kim,Hyun Jin Kim,Man Ho Han,Jong Kyoung Park. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device having aluminum-containing layer between two curved substrates

Номер патента: US09337341B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20130207201A1. Автор: Akif Sultan,Indradeep SEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20170026036A1. Автор: Akihiro Chiyonobu,Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145594A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing

Номер патента: US20100129735A1. Автор: Jelm Franse. Владелец: Singulus Mastering BV. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015508A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235028A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-07-23.

Insulated gate semiconductor device with soft switching behavior

Номер патента: US20170125407A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Franz-Josef Niedernostheide,Francisco Javier Santos Rodriguez,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072097A1. Автор: Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5973362A. Автор: Hae Chang Yang,Min Wha Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060141734A1. Автор: Jae Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7338855B2. Автор: Jae Suk Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190096782A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device having a thermoset-containing dielectric material and methods for fabricating the same

Номер патента: US20010005548A1. Автор: Konstantinos Papathomas,Mark Poliks,Donald Farquhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Structure of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070267697A1. Автор: Chen-Pang Kung,Huai-Yuan Tseng,Ming-Hsien Lee,Horng-Chih Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-22.

Method for fabricating a semiconductor device and the same

Номер патента: US20210288052A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220029093A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384080A1. Автор: Huaxiang Yin,Jinbiao Liu,Junfeng Li,Junjie Li,Guilei Wang,Henry H. Radamson,Zhenzhen KONG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-12-09.

A method for forming metal wire using difference of gas partial pressure in semiconductor device

Номер патента: KR100640162B1. Автор: 김종훈,김기현,김상익. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-31.

Production method for patterned organic film, production apparatus for patterned organic film, organic semiconductor device produced by same, and integrated circuit including organic semiconductor device

Номер патента: US20230165123A1. Автор: Mari Sasaki,Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2023-05-25.

Device and method for testing a resistance value of on-die-termination device and semiconductor device having the same

Номер патента: US20090267637A1. Автор: Jung Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Method for fabricating a throughput-scalable analytical system for molecule detection and sensing

Номер патента: US20210296380A1. Автор: MEI Yan. Владелец: Genesense Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Arrayed semiconductor device, optical transmission module, optical module, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190348818A1. Автор: Koichiro Adachi,Takeshi Kitatani. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030160249A1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for fabricating a micro resistance layer and method for fabricating a micro resistor

Номер патента: US20230207164A1. Автор: Shen-Li Hsiao,Chih-Wei Chi. Владелец: Yageo Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Systems and methods for operating high voltage switches

Номер патента: US09575124B2. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Process for fabricating a non-volatile memory cell in a semiconductor device

Номер патента: US5633186A. Автор: Ko-Min Chang,William J. Taylor, Jr.,Danny P. C. Shum. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-05-27.

Signal transmission circuit, signal transmission method for synchronizing different delay characteristics, and data latch circuit of semiconductor device having the same

Номер патента: KR100335503B1. Автор: 김규현,이정배. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-08.

POWER TRANSMISSION DEVICE, POWER TRANSMISSION AND RECEIVING DEVICE, METHOD FOR DETECTING POWER RECEIVING DEVICE, POWER RECEIVING DEVICE DETECTION PROGRAM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160226311A1. Автор: Kanno Masayoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Production method for patterned organic film, production apparatus for patterned organic film, organic semiconductor device produced by same, and integrated circuit including organic semiconductor device

Номер патента: WO2021182545A1. Автор: 純一 竹谷,真理 佐々木,峻一郎 渡邉,龍幸 牧田. Владелец: 国立大学法人東京大学. Дата публикации: 2021-09-16.

Production method for patterned organic film, production apparatus for patterned organic film, organic semiconductor device produced by same, and integrated circuit including organic semiconductor device

Номер патента: EP4120325A4. Автор: Mari Sasaki,Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2023-10-04.

A method for controlling a line converter on board a track-bound vehicle

Номер патента: CA2993897C. Автор: Johann Galic. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2024-01-02.

System and method for access control of a plurality of instruments embedded in a semiconductor device

Номер патента: US12111356B2. Автор: Erik Larsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and structure for fabricating a halftone mask for the manufacture of semiconductor wafers

Номер патента: US20050142892A1. Автор: Cong LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

System and method for updating an instruction cache following a branch instruction in a semiconductor device

Номер патента: US9575761B2. Автор: Isao Kotera. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

System and method for updating an instruction cache following a branch instruction in a semiconductor device

Номер патента: US09575761B2. Автор: Isao Kotera. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

A method for simulating distributed effects within a device such as a power semiconductor device

Номер патента: WO1995005626A2. Автор: Stephen John Battersby. Владелец: Philips Electronics U.K. Limited. Дата публикации: 1995-02-23.

System and method for access control of a plurality of instruments embedded in a semiconductor device

Номер патента: US20240061041A1. Автор: Erik Larsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for fabricating semiconductor device by using radical oxidation

Номер патента: US20060008996A1. Автор: Jae-Geun Oh,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Se-Aug Jang,Hong-Seon Yang,Hyun-Chul Shon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240215216A1. Автор: Kang Sik Choi,Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020110981A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020019086A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Gate driving circuit and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09543928B2. Автор: Keisuke Yamashiro,Hiromu Takubo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237562A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods and tools for preventing the counterfeiting and tampering of semiconductor devices

Номер патента: US20240054502A1. Автор: Saikumar Jayaraman,William F. Herrington,Michael A. Schroeder,Erasenthiran Poonjolai,Fariaz KARIM,Sarah Shahraini,Sean BUSHELL,Hannah ROWE,Ryan PATE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Method for determining a cooling structure

Номер патента: WO2024069484A1. Автор: Remco Van Erp,Miguel Angel Salazar De Troya,Athanasios Boutsikakis. Владелец: Corintis Sa. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for deterrmining a cooling structure

Номер патента: EP4345679A1. Автор: Remco Van Erp,Miguel Angel Salazar De Troya,Athanasios Boutsikakis. Владелец: Corintis Sa. Дата публикации: 2024-04-03.

Test structures and testing methods for semiconductor devices

Номер патента: US09891273B2. Автор: Wensen Hung,Yung-Hsin Kuo,Po-Shi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

METHOD FOR TESTING DENSITY AND LOCATION OF GATE DIELECTRIC LAYER TRAP OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130214810A1. Автор: Huang Ru,Fan Jiewen,Wang Runsheng,Wang Yangyuan,Zou Jibin,Liu Changze. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-22.

Automated simulation method based on database in semiconductor design process, automated simulation generation device and semiconductor design automation system performing the same, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240142960A1. Автор: Jinwoo Park,Jaehoon Jeong,Songyi Han,Jiseong Doh,Yero Lee,Hyeonkyeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatuses and methods for providing internal clock signals of different clock frequencies in a memory device

Номер патента: US09818462B1. Автор: Jens Polney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Apparatus and methods for real-time three-dimensional sem imaging and viewing of semiconductor wafers

Номер патента: WO2012121834A3. Автор: Zain Saidin,Gordon Abbott,Takuji Tada,Stephen Lang,Chien-Huei Chen,Mark Neil,Hedong Yang,Cho Teh,Paul D. Macdonald,Rajasekhar KUPPA. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

Apparatus and methods for real-time three-dimensional sem imaging and viewing of semiconductor wafers

Номер патента: WO2012121834A2. Автор: Zain Saidin,Gordon Abbott,Takuji Tada,Stephen Lang,Chien-Huei Chen,Mark Neil,Hedong Yang,Cho Teh,Paul D. Macdonald,Rajasekhar KUPPA. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-13.

A method for realizing security storage and algorithm storage by means of semiconductor memory device

Номер патента: AU2003284792A1. Автор: Feng Xiang,Guoshun Deng,Xiaohua Cheng. Владелец: Netac Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

System and method for reducing dynamic range in images of patterned regions of semiconductor wafers

Номер патента: US09703207B1. Автор: Grace Chen,Daniel L. Cavan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method and structure for fabricating dark-periphery mask for the manufacture of semiconductor wafers

Номер патента: US20110207033A1. Автор: Guang Yea (Simon) Tarng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Method utilizing a modulated light beam for determining characteristics such as the doping concentration profile of a specimen of semiconductor material

Номер патента: US6034535A. Автор: Peter L. Domenicali,Alan H. Field,Sergey Liberman,Charles M. Kohn,Glendon P. Marston. Владелец: Semitest Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Method for operating an electrical precipitation system for the production of semiconductor rods consisting in particular of silicon

Номер патента: DE2116746A1. Автор: Hans 8031 Gröbenzel" Stut. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1972-10-19.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US11898266B2. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US20230340689A1. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for atomic layer deposition of materials using an atmospheric pressure for semiconductor devices

Номер патента: US20070077356A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

SYSTEM AND METHOD FOR UPDATING AN INSTRUCTION CACHE FOLLOWING A BRANCH INSTRUCTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170147498A1. Автор: Kotera Isao. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

SYSTEM AND METHOD FOR UPDATING AN INSTRUCTION CACHE FOLLOWING A BRANCH INSTRUCTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140297958A1. Автор: Kotera Isao. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for producing nitride semiconductor crystal, and nitride semiconductor wafer and nitride semiconductor device

Номер патента: US20030183160A1. Автор: Kazuyuki Iizuka,Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Simulation method for extreme low-temperature characteristics of typical CMOS (complementary metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN108875192B. Автор: 万博,付桂翠,冷红艳,姜贸公. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-10-25.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US20180086632A1. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US09988262B2. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for fabrication of semiconductor photoelectric generator

Номер патента: RU2265915C1. Автор: Д.С. Стребков,В.В. Заддэ,О.В. Шеповалова. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2005-12-10.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Method for arrangement of modules in measuring device

Номер патента: RU2759246C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-11-11.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286616C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Using reverse arrangement for trend test in statistical process control for manufacture of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20070231933A1. Автор: Wei-Ting Kary Chien,Siyuan Frank Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Method and device for simulating performance of semiconductor device, and system and method for evaluating performance of semiconductor device

Номер патента: US20240070362A1. Автор: Sung-min Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods for retargeting circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using retargeted layouts

Номер патента: US20160188781A1. Автор: Norman Chen,Chidam Kallingal,Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Methods for retargeting circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using retargeted layouts

Номер патента: US09443055B2. Автор: Norman Chen,Chidam Kallingal,Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Predicting Failure Parameters of Semiconductor Devices Subjected to Stress Conditions

Номер патента: US20220065919A1. Автор: Moinuddin Ahmed,John N. Hryn,Christopher Stankus. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for producing layout of semiconductor integrated circuit with radio frequency devices

Номер патента: US20110061031A1. Автор: Tsun-Lai Hsu,Jun-Hong Ou,Jui-Fang Chen,Ji-Wei Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Low α-dose tin or tin alloy, and method for producing same

Номер патента: US09394590B2. Автор: Gaku Kanou. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Photoresist compositions, methods for forming pattern using the same, and methods for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220128905A1. Автор: Jung Min Lee,Jong Hoon Kim,Suk Koo Hong,Eun Shoo Han,Sung An Do,Hong Joon Lee,Seung Chul Kwon,Sin Hae Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for non-contact stress evaluation of wafer gate dielectric reliability

Номер патента: US20020070675A1. Автор: Eduard Cartier,Wagdi Abadeer,James Stathis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Method of measuring thermal electric characteristics of semiconductor device

Номер патента: US09557368B2. Автор: Chien-Ping Wang,Tzung-Te Chen,Pei-Ting Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-31.

A method for determining the current-voltage characteristic of a snap-back device

Номер патента: EP1464968A3. Автор: NATARAJAN Mahadeva Iyer,Vesselin K. Vassilev,Steven Thijs,Tom Daenen,Vincent De Heyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2007-04-25.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US12124237B2. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US12105500B2. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Apparatus and method for terminating probe apparatus of semiconductor wafer

Номер патента: US09910067B2. Автор: William A. Funk,Bryan J. Root. Владелец: Celadon Systems Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for fabrication of nickel fibre electrode base with developed fibre surface for chemical current sources and nickel fibre electrode base fabricated using such method

Номер патента: RU2475896C2. Автор: Альберт Харисович Гильмутдинов,Михаил Валерьевич Морозов. Владелец: Михаил Валерьевич Морозов. Дата публикации: 2013-02-20.

System, apparatus and method for contaminant reduction in semiconductor device fabrication equipment components

Номер патента: EP1784595A2. Автор: Darwin G. Enicks,Carl E. Friedrichs,Richard A. Brucher. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

Computer controlled curve tracer for extracting small and large signal parameters of semiconductor devices

Номер патента: US20030025520A1. Автор: Robert Fox,Steven Schein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

System and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20230161942A1. Автор: Yung-Shun Chen,Chih-Chiang Chang,Tai-Yi CHEN,Tse-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of fabricating gate dielectric layer containing nitrogen and semiconductor device

Номер патента: TW200629415A. Автор: Michael Chan,Yu-Ren Wang,Ying-Wei Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Method for forming cobalt titanium silicide layer and preparation method of semiconductor structure

Номер патента: CN118943010A. Автор: 张泰栻. Владелец: Chengdu Gaozhen Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

METHOD FOR MODIFICATION OF SURFACES OF METALS AND HETEROGENEOUS STRUCTURES OF SEMICONDUCTORS

Номер патента: RU2011135110A. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Владимир Дмитриевич Скупов,Сергей Леонидович Торохов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2013-02-27.

METHOD FOR TESTING TRAP DENSITY OF GATE DIELECTRIC LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NO SUBSTRATE CONTACT

Номер патента: US20120187976A1. Автор: Huang Ru,Fan Jiewen,Wang Runsheng,Wang Yangyuan,Zou Jibin,Liu Changze. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-26.

A method for improving the termination low breakdown voltage in the trench power semiconductor device

Номер патента: TW201612959A. Автор: Madhur Bobde,Yongping Ding,Yee-Heng Lee,xiao-bin Wang. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2016-04-01.

Method for the electric,mechanical and chemical protection of the surface ofthe semiconductor devices

Номер патента: HU188360B. Автор: Jozsef Lukacs,Endre Ebinger,Edit Eberhart,Istvan Sztorkay. Владелец: Villamosipari Kutato Intezet,Hu. Дата публикации: 1986-04-28.

APPARATUS AND METHODS FOR REAL-TIME THREE-DIMENSIONAL SEM IMAGING AND VIEWING OF SEMICONDUCTOR WAFERS

Номер патента: US20120223227A1. Автор: CHEN Chien-Huei,YANG Hedong,TADA Takuji,Lang Stephen,Neil Mark A.,MacDonald Paul D.,KUPPA Rajasekhar,ABBOTT Gordon,TEH Cho,SAIDIN Zain. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

Method for separating composite member, separated member, separator, and manufacture of semiconductor base

Номер патента: JPH1145840A. Автор: Kazuaki Omi,Takao Yonehara,Kiyobumi Sakaguchi,清文 坂口,隆夫 米原,和明 近江,一隆 柳田,Kazutaka Yanagida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-02-16.

Method for balancing gain errors of active optical fiber loop of semiconductor optical amplifier

Номер патента: CN102394470A. Автор: 韩芳,杨义,葛华勇,肖中银,许文凯. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-28.

METHODS FOR FORMING PARTICLES, METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR MATERIALS, METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES, AND DEVICES FORMED USING SUCH METHODS

Номер патента: US20120192930A1. Автор: Fox Robert V.,Rodriguez Rene G.,Pak Joshua J.,SUN CHIVIN,ZHANG FENGYAN. Владелец: BATTELLE ENERGY ALLIANCE, LLC. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for producing single crystal diamond, single crystal diamond, method for producing single crystal diamond substrate, single crystal diamond substrate and semiconductor device

Номер патента: JP6636239B2. Автор: 秀夫 一色,勇治 相馬,一輝 小宮,隆平 小島. Владелец: THE UNIVERSITY OF ELECTRO-COMUNICATINS. Дата публикации: 2020-01-29.

Method for manufacturing group-III nitride compound semiconductor, group-III nitride compound semiconductor device, and group-III nitride compound semiconductor luminous device

Номер патента: TW564484B. Автор: Kazuyoshi Tomita,Seiji Nagai,Masayoshi Koike. Владелец: Toyoda Gosei Kk. Дата публикации: 2003-12-01.

Method for manufacturing silica-based film, silica-based film, insulating film, and semiconductor device

Номер патента: JP3941327B2. Автор: 淳 塩田,孝治 住谷. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2007-07-04.

Method for detecting source leakage defect of PMOS (P-channel metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102193062B. Автор: 吴浩,赵宁,龙吟,王恺,范荣伟. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Method for detecting source leakage defect of PMOS (P-channel metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102193062A. Автор: 吴浩,赵宁,龙吟,王恺,范荣伟. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-09-21.

Method for increasing writing speed of floating body effect storage unit and semiconductor device

Номер патента: CN102437124B. Автор: 周军,俞柳江. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-01-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR INPUT PIN ESD PROTECTION WITH FLOATING AND/OR BIASED POLYSILICON REGIONS

Номер патента: US20120001261A1. Автор: Su Ting Chieh,Jeng Min Chie,Liao Chin Chang,Huang Jun Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-06-10.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: RU2321101C1. Автор: Илья Николаевич Баринов,Иль Николаевич Баринов,Сергей Алексеевич Козин. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-03-27.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for lead-free resistance-reactance soldering of semiconductor chip to package

Номер патента: RU2313156C1. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Александр Владимирович Рягузов,Дмитрий Игоревич Бокарев,Александр Николаевич Кастрюлев,Ольга Владимировна Хишко,Виктор Васильевич Зенин (RU),гузов Александр Владимирович Р (RU),Дмитрий Игоревич Бокарев (RU),Александр Николаевич Кастрюлев (RU),Ольга Владимировна Хишко (RU). Владелец: ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка". Дата публикации: 2007-12-20.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for neutron-transmutation doping of silicon

Номер патента: RU2193609C2. Автор: В.Г. Шевченко,Л.В. Шмаков,В.П. Счеславский,В.В. Дмитриев,Ю.В. Гарусов,В.Ф. Скибин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Энергоатоминвент". Дата публикации: 2002-11-27.

Method for obtaining heteroepitaxial silicon-on-sapphire structures

Номер патента: RU2390874C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Юрий Юрьевич Кузнецов,Константин Дмитриевич Демаков,Сергей Григорьевич Шемардов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "Топаз-К". Дата публикации: 2010-05-27.

Sol-Gel Composition for Fabricating Conductive Fibers

Номер патента: US20120001369A1. Автор: Chao Yu-Chou,Lin Shang-Ming,Lin Jo-Chun,Chu Yun-Yun,Lin Yi-De. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR STIMULATION OF BIOLOGICAL TISSUE

Номер патента: US20120004580A1. Автор: Wagner Timothy Andrew,Eden Uri Tzvi. Владелец: HIGHLAND INSTRUMENTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR AUTOMATICALLY SHIFTING A BASE LINE

Номер патента: US20120004890A1. Автор: Chen Po-Tsang. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Express method for measuring body transfer heat resistance of power semiconductor devices

Номер патента: RU2240573C1. Автор: С.В. Иванов,Валерий Михайлович Гарцбейн,С.Н. Флоренцев,Н.Ф. Марамыгин,Л.В. Романовска,Л.В. Романовская. Владелец: Флоренцев Станислав Николаевич. Дата публикации: 2004-11-20.

Method for fabrication of ammonia perchlorate containing hydrophobisated fraction

Номер патента: RU2363690C2. Автор: Герман Георгиевич Колосов,Михаил Андреевич Чернов,Клара Васильевна Чудинова,Наталья Борисовна Гончарова,Ольга Валерьевна Журавлева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2009-08-10.

Method for sorting semiconductor products on a board

Номер патента: RU2316013C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Александр Петрович Жарких. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-01-27.

Method for manufacturing thin semiconductor films on insulator (alternatives)

Номер патента: RU2260874C2. Автор: А.Д. Сулимин,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,А.Д. Просий,К.А. Дракин,В.Л. Евдокимов,М.В. Бутырска,М.В. Бутырская. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-09-20.

Method for carrier concentration determination in semiconductors and device for its implementation

Номер патента: RU2534382C1. Автор: Владимир Георгиевич Литвинов,Александр Антонович Корнилович,Александр Валерьевич Ермачихин,Дмитрий Сергеевич Кусакин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-11-27.

Method for soldering semiconductor chip to case

Номер патента: RU2167469C2. Автор: Б.А. Спиридонов,В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-05-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.