Mask for stitching exposure
Номер патента: EP4414782A1
Опубликовано: 14-08-2024
Автор(ы): Chang Hee Han, Hui Jae CHO, Jae-Sub OH, Jungchul SONG, Kwang Hee Kim, Min Jun PARK
Принадлежит: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-08-2024
Автор(ы): Chang Hee Han, Hui Jae CHO, Jae-Sub OH, Jungchul SONG, Kwang Hee Kim, Min Jun PARK
Принадлежит: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Pattern formation method using a photo mask for manufacturing a semiconductor device
Номер патента: US20200004137A1. Автор: Lai Chien Wen,Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Shih-Ming Chang,Yuan-Te Hou,Ken-Hsien Hsieh,Cheng-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.