Semiconductor Memory Device to operate bank active differently and Bank Active Control Method in it
Номер патента: KR100495918B1
Опубликовано: 17-06-2005
Автор(ы): 도창호
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-06-2005
Автор(ы): 도창호
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells
Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.