Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Ion Beam Sample Preparation Thermal Management Apparatus and Methods

Ion Beam Sample Preparation Thermal Management Apparatus and Methods

Номер патента: US20130134331A1
Опубликовано: 30-05-2013
Автор(ы): Coyle Steven Thomas, Hunt John Andrew
Принадлежит: GATAN, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Ion beam blocking component and ion beam blocking device having the same

Номер патента: US20080265184A1. Автор: Chih-Ming Yang,Cheng-Hung Chang,Jui-Fang Chen,Chung-jung Chen,Chien-Kuo Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Neutron interrogation systems using pyroelectric crystals and methods of preparation thereof

Номер патента: US09723704B2. Автор: John Harris,Glenn A. Meyer,Steven Falabella,Li-Fang Wang,Stephen Sampayan,Gary Guethlein,Christopher M. Spadaccini,Vincent Tang,Brian Rusnak,Jeff Morse. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Ion beam delivery equipment and method

Номер патента: EP1684313A3. Автор: Alfred Smith,Wayne Newhauser,Kazuo c/o Hitachi Ltd. I.P. Office Hiramoto,Hiroshi c/o Hitachi Ltd. I.P. Office Akiyama,Masaki c/o Hitachi Ltd. I.P. Office Yanagisawa,Hisataka c/o Hitachi Ltd. I.P. Office Fujimaki. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2009-11-18.

Production device and method of medical isotopes

Номер патента: RU2494484C2. Автор: Грегори ПИФЕР. Владелец: Шайн Медикал Текнолоджис, Инк.. Дата публикации: 2013-09-27.

Particle beam isotope generator apparatus, system and method

Номер патента: US09659736B2. Автор: Glenn B. Rosenthal. Владелец: Alpha Source Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system

Номер патента: US09530611B2. Автор: Alexander Groholski,Raymond Hill,John A. Notte, IV,Mark D. DiManna,Robert Conners. Владелец: Carl Zeiss Microscopy LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system

Номер патента: US09627172B2. Автор: Shawn Mcvey,John A. Notte, IV,Weijie Huang,FHM-Faridur Rahman. Владелец: Carl Zeiss Microscopy LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Ion beam device and method for generating heat and power

Номер патента: PH12020551951A1. Автор: Russell Blake. Владелец: Quantum Spring Res Pty Ltd. Дата публикации: 2021-08-16.

System and method for dose verification and gamma ray imaging in ion beam therapy

Номер патента: US09849307B2. Автор: Lucian Mihailescu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-12-26.

Ion beam control apparatus and method

Номер патента: US20100133445A1. Автор: SHU NAKAMURA,Akira Noda,Toshiyuki Shirai,Kouji Noda,Masahiro Ikegami,Hiroyuki Daido. Владелец: NATIONAL INSTITUTE OF RADIOLOGICAL SCIENCES. Дата публикации: 2010-06-03.

Defect repair apparatus and method for EUV mask using a hydrogen ion beam

Номер патента: US8460842B2. Автор: TAKASHI Ogawa,Hiroshi Oba,Anto Yasaka,Fumio Aramaki. Владелец: SII NanoTechnology Inc. Дата публикации: 2013-06-11.

System and method for phonon-mediated excitation and de-excitation of nuclear states

Номер патента: WO2019236455A1. Автор: Peter Hagelstein,Florian Metzler. Владелец: METZLER FLORIAN. Дата публикации: 2019-12-12.

Method, apparatus, and system to reduce neutron production in small clean fusion reactors

Номер патента: US09767925B2. Автор: Samuel A. Cohen. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-19.

Systems and methods for providing a beam of charged particles

Номер патента: US20210265125A1. Автор: Evgeny Papeer,Assaf Shaham,Ynon Hefets,Indranuj Dey,Alexander Bespaly,Shai TSIPSHTEIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-26.

Systems and methods for providing a beam of charged particles

Номер патента: WO2020012247A3. Автор: Evgeny Papeer,Assaf Shaham,Ynon Hefets,Indranuj Dey,Alexander Bespaly,Shai TSIPSHTEIN. Владелец: Ynon Hefets. Дата публикации: 2020-07-23.

Nuclear fusion device and method

Номер патента: WO2021222039A1. Автор: Evgueni TSIPER. Владелец: Tsiper Evgueni. Дата публикации: 2021-11-04.

Ion implantation system and method suitable for low energy ion beam implantation

Номер патента: US6191427B1. Автор: Masataka Kase,Yoshiyuki Niwa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Device and method for producing medical isotopes

Номер патента: US09734926B2. Автор: Gregory Piefer. Владелец: Shine Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Symmetrical shaper for an ion beam deposition and etching apparatus

Номер патента: US20080179535A1. Автор: Cherngye Hwang,Jorge A. Goitia,Peter M. Dang,Eduardo T. Mireles. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-07-31.

Plasma focus systems and methods with enhanced neutron yield

Номер патента: WO2023205427A1. Автор: Jean-Christoph BTAICHE,Vahid Damideh,Sing Lee. Владелец: Fuse Energy Technologies Corp.. Дата публикации: 2023-10-26.

Reducing space charge effects in ion beams using cusp-type magnetic fields

Номер патента: GB2378313A. Автор: Michiro Sugitani,Mitsukuni Tsukihara,Hiroshi Matsushita,Mitsuaki Kabasawa,Hiroki Murooka. Владелец: Sumitomo Eaton Nova Corp. Дата публикации: 2003-02-05.

Process for channeling ion beams

Номер патента: US4158141A. Автор: Paul A. Sullivan,Robert L. Seliger. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1979-06-12.

Ion beam irradiating apparatus including ion neutralizer

Номер патента: US4886971A. Автор: Shigeo Sasaki,Yasushi Matsumura,Akira Shuhara,Kazumi Fukumoto,Hitoshi Takeya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-12-12.

Systems and methods employing interchangeable ion beam targets

Номер патента: EP4329435A2. Автор: Tye Gribb,Evan SENGBUSCH,Preston Barrows,Ross RADEL,Eli Moll,Lucas Jacobson. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-28.

Systems and methods for providing an ion beam

Номер патента: US20190108968A1. Автор: Sagi Brink-Danan,Shmuel EISENMANN,Evgeny Papeer,Assaf Shaham,Yair Ferber,Ynon Hefets,Omer Shavit,Boaz Weinfeld. Владелец: Hil Applied Medical Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Ion beam treatment apparatus

Номер патента: US20180361173A1. Автор: Moon Youn Jung,Dong Hoon SONG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-12-20.

Systems and methods employing interchangeable ion beam targets

Номер патента: US20230132458A1. Автор: Tye Gribb,Evan SENGBUSCH,Preston Barrows,Ross RADEL,Eli Moll,Lucas Jacobson. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2023-05-04.

Systems and methods employing interchangeable ion beam targets

Номер патента: EP4329435A3. Автор: Tye Gribb,Evan SENGBUSCH,Preston Barrows,Ross RADEL,Eli Moll,Lucas Jacobson. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-05.

Irradiation system for ion beam scanning of moving targets

Номер патента: EP2146354A1. Автор: Dr. Oliver Jäkel. Владелец: Deutsches Krebsforschungszentrum DKFZ. Дата публикации: 2010-01-20.

Tokamak plasma heating with intense, pulsed ion beams

Номер патента: US4421713A. Автор: Niels K. Winsor,Wallace M. Manheimer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1983-12-20.

Systems and methods employing interchangeable ion beam targets

Номер патента: US20230326622A1. Автор: Tye Gribb,Evan SENGBUSCH,Preston Barrows,Ross RADEL,Eli Moll,Lucas Jacobson. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Ion beam focusing lens method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system

Номер патента: US8093564B2. Автор: Vladimir Balakin. Владелец: Vladimir Balakin. Дата публикации: 2012-01-10.

Plural foils shaping intensity profile of ion beams

Номер патента: CA2389501A1. Автор: William Z. Gelbart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-17.

Methods, apparatus, and systems involving ion beam generation

Номер патента: US6777699B1. Автор: George H. Miley,Yasser R. Shaban. Владелец: Yasser R. Shaban. Дата публикации: 2004-08-17.

Rotary charge stripping film in charge stripping device of ion beam and charge stripping method of ion beam

Номер патента: US20190237212A1. Автор: Mutsuaki Murakami,Hiroo Hasebe,Masamitsu Tachibana,Atsushi TATAMI. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Device for simulating high energy heavy ion beams of mixed radiation fields for the purposes of experimental radiobiology

Номер патента: RU2761376C1. Автор: Геннадий Николаевич Тимошенко,Иван Сергеевич Гордеев. Владелец: Объединенный институт ядерных исследований (ИОЯИ). Дата публикации: 2021-12-07.

Uniformity of a Scanned Ion Beam

Номер патента: US20120248326A1. Автор: Bo H. Vanderberg,Edward C. Eisner,Andy Ray. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Method and apparatus for producing x-rays, ion beams and nuclear fusion energy

Номер патента: CA2642749C. Автор: Eric J. Lerner,Aaron Blake. Владелец: Lawrenceville Plasma Physics Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Ion beam device and method for generating heat and power

Номер патента: AU2019271312A1. Автор: Russell Blake. Владелец: Quantum Spring Res Pty Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Ion beam device and method for generating heat and power

Номер патента: CA3139856A1. Автор: Russell Blake. Владелец: Quantum Spring Research Pty Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Ion beam device and method for generating heat and power

Номер патента: EP3794612A1. Автор: Russell Blake. Владелец: Quantum Spring Research Pty Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Method and apparatus for electrostatic deflection of high current ion beams in scanning apparatus

Номер патента: CA1054726A. Автор: John H. Keller,Dennis K. Coultas,James R. Winnard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-05-15.

Ion beam irradiation device

Номер патента: US20040124371A1. Автор: Yun Lee,Yong Ham. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

High energy polyenergetic ion beam systems

Номер патента: WO2004109717A3. Автор: Chang-Ming Ma. Владелец: Chang-Ming Ma. Дата публикации: 2006-12-28.

System and method for phonon-mediated excitation and de-excitation of nuclear states

Номер патента: US20210272706A1. Автор: Peter Hagelstein,Florian Metzler. Владелец: Cambridge Phonon Systems Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

System and method for phonon-mediated excitation and de-excitation of nuclear states

Номер патента: EP3803902A1. Автор: Peter Hagelstein,Florian Metzler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-14.

Method for checking beam steering in an ion beam therapy system

Номер патента: AU2801100A. Автор: Eugen Badura,Hartmut Eickhoff,Thomas Haberer,Klaus Poppensieker. Владелец: GSI Gesellschaft fuer Schwerionenforschung mbH. Дата публикации: 2000-09-04.

Processing apparatus and method of treating a substrate

Номер патента: US20150325405A1. Автор: Ernest E. Allen,Kevin M. Daniels,Joseph P. Dzengeleski,Jon Ballou,James P. Buonodono. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

Device and method for producing medical isotopes

Номер патента: US20240047091A1. Автор: Gregory Piefer. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Device and method for producing medical isotopes

Номер патента: US11830637B2. Автор: Gregory Piefer. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for monitoring an emergency switch-off of an ion-beam therapy system

Номер патента: AU2906300A. Автор: Holger Brand,Wolfgang Ott,Eugen Badura,Hans-Georg Essel,Thomas Haberer,Klaus Poppensieker,Wolfgang Becher. Владелец: GSI Gesellschaft fuer Schwerionenforschung mbH. Дата публикации: 2000-09-04.

System and method for gantry-less particle therapy

Номер патента: US20200196429A1. Автор: Susu Yan,Thomas Bortfeld,Jay Flanz,Hsiao-Ming Lu. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Nuclear fusion reactor, thermal device, external combustion engine, power generating apparatus, and moving object

Номер патента: US20200176133A1. Автор: Kazuo Ooyama. Владелец: Ooyama Power Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Apparatus and methods for surficial milling of selected regions on surfaces of multilayer-film reflective mirrors as used in X-ray optical systems

Номер патента: EP1300857A3. Автор: Tetsuya c/o Nikon Corporation Oshino,Katsuhikoa c/o Nikon Corporation Murakami,Hiroyuki c/o Nikon Corporation Kondo,Katsumi c/o Nikon Corporation Sugisaki,Masaki c/o Nikon Corporation Yamamoto. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-05-21.

Update management apparatus for vehicle and method thereof

Номер патента: US12050899B2. Автор: Dong Youl Lee,Jin Ah Kim,Hyeok Sang JEONG,Myeong Gyu Jeong,Yoon Sik Jung,Hak Jun Kim,Young Jee YANG. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Management apparatus, exposure method, and method of manufacturing device

Номер патента: US20110063593A1. Автор: Tsuneo Kanda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Memory managing apparatus, multiprocessor system, and method for causing memory managing apparatus to manage shared memory

Номер патента: US20120102274A1. Автор: Nobuhiro Nonogaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Sample tube adapters and methods of use thereof

Номер патента: US09962706B2. Автор: Frederick G. Strathmann. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2018-05-08.

Chair for movie watching and motion control method thereof and thereafter management apparatus using that and method thereof

Номер патента: GB201600384D0. Автор: . Владелец: CJ 4DPLEX Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-24.

Heat source system management apparatus, management system, and method for displaying heat source system management information

Номер патента: EP3859220A1. Автор: Noriomi Okazaki,Nozomu Murata. Владелец: Toshiba Carrier Corp. Дата публикации: 2021-08-04.

CHAIR FOR MOVIE WATCHING AND MOTION CONTROL METHOD THEREOF AND THEATER MANAGEMENT APPARATUS USING THAT AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20160157612A1. Автор: Lim Jae Won,MOON Chan Min. Владелец: CJ 4DPLEX CO., LTD. Дата публикации: 2016-06-09.

MANAGEMENT APPARATUS, APPARATUS, AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20200361336A1. Автор: Iguchi Keiichi,YOKOYAMA Shinichi,HARAGUCHI Tomohide,YASUDA Naoya,SHIGETA Hiromasa. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Chair for movie watching and motion control method thereof and theater management apparatus using that and method thereof

Номер патента: WO2015009030A1. Автор: Jae Won Lim. Владелец: Cj 4Dplex. Дата публикации: 2015-01-22.

INFORMATION PROCESSING SYSTEM, JOB MANAGEMENT APPARATUS, RECORDING MEDIUM, AND METHOD

Номер патента: US20150067693A1. Автор: YAMAZAKI Fumio. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

BATTERY MANAGEMENT APPARATUS FOR VEHICLE AND METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20210091582A1. Автор: Ryu Ki Seon,PARK JUNHYEONG,Jin Jae Eun,Shim Jinyong. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Power management apparatus, electronic appliance, and method of registering electronic appliances

Номер патента: CN102148821A. Автор: 浅野智之,吉田亚左实,盛合志帆,浮田昌一,坚木雅宣,川元洋平,松田诚一,田中雄. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-10.

Update management apparatus for controlling and method thereof

Номер патента: KR20230025106A. Автор: 김학준,이동열,김진아,정명규,정혁상,정윤식,양영지. Владелец: 기아 주식회사. Дата публикации: 2023-02-21.

Ion beam sample preparation apparatus and methods

Номер патента: US8445874B2. Автор: Steven Thomas Coyle,John Andrew Hunt. Владелец: Gatan Inc. Дата публикации: 2013-05-21.

Apparatus for Measuring Ion Beam Current, Sample Preparation Apparatus, and Method of Computing Ion Beam Current

Номер патента: US20200266028A1. Автор: Munehiro Kozuka. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Ion implanting apparatus and method for implanting ions

Номер патента: US20080191154A1. Автор: Chung Yi,Deok-Hoi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Hooked differential mobility spectrometry apparatus and method therefore

Номер патента: US20080156978A1. Автор: Richard D. Smith,Yehia M. Ibrahim,Keqi Tang,Alexandre A. Shvartsburg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-03.

Sample milling apparatus and method of adjustment therefor

Номер патента: EP4056984A1. Автор: Munehiro Kozuka. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2022-09-14.

Apparatus and method for ion beam cross section polishing of extended sample regions

Номер патента: WO2024168045A1. Автор: Steven Thomas Coyle. Владелец: GATAN, INC.. Дата публикации: 2024-08-15.

Substrate processing apparatus, and magnetic recording medium manufacturing method

Номер патента: US20100025363A1. Автор: Kazuto Yamanaka,Satoshi Hitomi,David Djulianto DJAYAPRAWIRA,Masahiro Shibamoto,Ayumu Miyoshi. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Ion beam delayering system and method, and endpoint monitoring system and method therefor

Номер патента: EP3914897A1. Автор: Christopher Pawlowicz. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2021-12-01.

Ion beam delayering system and method, topographically enhanced delayered sample produced thereby, and imaging methods and systems related thereto

Номер патента: EP3884264A1. Автор: Christopher Pawlowicz,Alexander Sorkin. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Method of forming patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09905754B1. Автор: Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Apparatus and method for determining the contents of a sample

Номер патента: GB2629566A. Автор: FLANAGAN Kieran. Владелец: Artemis Analytical Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Rock sample preparation method by using focused ion beam for minimizing curtain effect

Номер патента: US20190234889A1. Автор: Dong kyu Cha,Ali Abdallah Al-Yousef,Sultan Enezi,Mohammed Al Otaibi. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2019-08-01.

Rock sample preparation method by using focused ion beam for minimizing curtain effect

Номер патента: CA3050924C. Автор: Mohammed Al-Otaibi,Dong kyu Cha,Ali Abdallah Al-Yousef,Sultan Enezi. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-01-31.

Rock sample preparation method by using focused ion beam for minimizing curtain effect

Номер патента: EP3583410A1. Автор: Mohammed Al-Otaibi,Dong kyu Cha,Ali Abdallah Al-Yousef,Sultan Enezi. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2019-12-25.

Rock sample preparation method by using focused ion beam for minimizing curtain effect

Номер патента: WO2018152308A1. Автор: Mohammed Al-Otaibi,Dong kyu Cha,Ali Abdallah Al-Yousef,Sultan Enezi. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2018-08-23.

Real-time fluorescence monitoring system for cryo-focused ion beam milling device and method

Номер патента: US20240288370A1. Автор: Fei Sun,Gang Ji,Shuoguo LI. Владелец: Institute of Biophysics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for cross-section sample preparation

Номер патента: US12007344B2. Автор: Andrew John Murray,Ken Guillaume Lagarec,Michael William Phaneuf. Владелец: Fibics Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Switchable gas cluster and atomic ion gun, and method of surface processing using the gun

Номер патента: US09478388B2. Автор: Bryan Barnard. Владелец: VG Systems Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Combined laser and broad ion beam (bib) systems for more efficient processing of multiple samples

Номер патента: US20230420216A1. Автор: Michal Hrouzek,Libor Novak,Krishna Kanth Neelisetty,Ondrej KLVAC,Petr WANDROL,Yakub FAM. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2023-12-28.

Combined laser and broad ion beam (bib) systems for more efficient processing of multiple samples

Номер патента: EP4283653A1. Автор: Michal Hrouzek,Libor Novak,Krishna Kanth Neelisetty,Ondrej KLVAC,Petr WANDROL,Yakub FAM. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2023-11-29.

Detector and method for tracking an arrival time of single particles in an ion beam

Номер патента: US20200316404A1. Автор: Michael Seimetz,Joao Seco,Paulo Jorge MAGALHÃES MARTINS,Riccardo Dal Bello. Владелец: Deutsches Krebsforschungszentrum DKFZ. Дата публикации: 2020-10-08.

Ion milling apparatus and sample processing method

Номер патента: US09761412B2. Автор: Hisayuki Takasu,Toru Iwaya,Atsushi Kamino,Kento Horinouchi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and system for aligning images of sample layers obtained using a scanning electron microscope with a focused ion beam

Номер патента: RU2743231C1. Автор: Илья Владимирович Сафонов,Иван Викторович Якимчук,Ирина Анатольевна Реймерс. Владелец: Шлюмберже Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2021-02-16.

Apparatus for measuring ion beam current, sample preparation apparatus, and method of computing ion beam current

Номер патента: EP3703098A1. Автор: Munehiro Kozuka. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2020-09-02.

Broad ion beam (bib) systems for more efficient processing of multiple samples

Номер патента: EP4279900A1. Автор: Michal Hrouzek,Libor Novak,Krishna Kanth Neelisetty,Petr WANDROL. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2023-11-22.

Systems and methods of determining isotopic composition of gaseous samples

Номер патента: WO2019110712A1. Автор: Paul Jones,James Leigh,Dennis Leigh. Владелец: Compact Science Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Broad ion beam (bib) systems for more efficient processing of multiple samples

Номер патента: US20230375445A1. Автор: Michal Hrouzek,Libor Novak,Krishna Kanth Neelisetty,Petr WANDROL. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2023-11-23.

Automatic sample preparation apparatus

Номер патента: US11835438B2. Автор: Makoto Sato,Tatsuya Asahata,Yo Yamamoto,Atsushi Uemoto. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of sample preparation using dual ion beam trenching

Номер патента: US20200098554A1. Автор: Deepak Goyal,Purushotham Kaushik Muthur Srinath,Richard Kenneth BREWER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Ion beam profiling system and related methods

Номер патента: US20210396894A1. Автор: Chase N. Taylor. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2021-12-23.

Ion beam etching method and ion beam etching apparatus

Номер патента: US09966092B2. Автор: Kiyotaka Sakamoto,Yasushi Kamiya,Hiroshi Akasaka. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Iridium tip, gas field ion source, focused ion beam apparatus, electron source, electron microscope, electron beam applied analysis apparatus, ion-electron multi-beam apparatus, scanning probe microscope, and mask repair apparatus

Номер патента: US09583299B2. Автор: Hiroshi Oba,Osamu Matsuda,Anto Yasaka,Fumio Aramaki,Yasuhiko Sugiyama,Tomokazu Kozakai,Kazuo Aita. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Particle-induced x-ray emission (PIXE) using hydrogen and multi-species focused ion beams

Номер патента: US12061159B2. Автор: Aurelien Philippe Jean Maclou Botman,Milos Toth,Daniel Totonjian. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing substrate with a multilayer reflective film, method of manufacturing a reflective mask blank, substrate with a multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09507254B2. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Junichi Horikawa,Tsutomu Shoki,Toshihiko Orihara,Hirofumi Kozakai. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Mask repair using an optimized focused ion beam system

Номер патента: GB2215908A. Автор: Norman William Parker,William Preston Robinson,Robert Libero Piccioni. Владелец: MicroBeam Inc. Дата публикации: 1989-09-27.

Method and apparatus for micromachining a sample using a focused ion beam

Номер патента: US20230298855A1. Автор: Andries Pieter Johan EFFTING,Sander Vincent DEN HOEDT. Владелец: Delmic IP BV. Дата публикации: 2023-09-21.

Hierarchical power management apparatus and method

Номер патента: US12093100B2. Автор: Stephen Wang,Stanley Chen,Krishnakanth Sistla,Dean Mulla,Vivek Garg,Ankush Varma,Eric DeHaemer,Dorit Shapira,Phani Kumar Kandula,Nikhil Gupta,Adwait Purandare,Andrew Herdrich,Aman Sewani,Ripan Das,Yogesh Bansal,Suresh Chemudupati,Ujjwal Gupta,Nikethan Shivanand BALIGAR,Nazar Syed Haider,Nilanjan Palit,Shruthi VENUGOPAL,Rupal Parikh,Pavithra Sampath,Michael TULANOWSKI,Timothy Yee-Kwong Kam,Stephen Paul Haake. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

System and method for performing nano beam diffraction analysis

Номер патента: US09978560B2. Автор: Christopher J. Penny,Marc Adam Bergendahl,James John Demarest,Roger Allen Quon,Christopher Joseph Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Beam imaging sensor and method for using same

Номер патента: US09535100B2. Автор: Jeffrey J. Root,Michael D. Mcaninch. Владелец: BWXT Nuclear Operations Group Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Device for reducing ice contamination of a sample, focused ion beam milling apparatus and method for focused ion beam milling of a sample

Номер патента: US20230215681A1. Автор: Stefan Raunser,Sebastian Tacke. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-07-06.

Apparatus and methods for two-dimensional ion beam profiling

Номер патента: WO2006052622A2. Автор: Gordon C. Angel,Edward D. MacIntosh,Thomas A. Schaefer. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-05-18.

Hdd pattern apparatus using laser, e-beam, or focused ion beam

Номер патента: WO2010120725A3. Автор: Stephen Moffatt,Majeed A. Foad. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-01-13.

Hdd pattern apparatus using laser, e-beam, or focused ion beam

Номер патента: WO2010120725A4. Автор: Stephen Moffatt,Majeed A. Foad. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-03-03.

Scanned angled etching apparatus and techniques providing separate co-linear radicals and ions

Номер патента: US12106936B2. Автор: Christopher A. Rowland,Joseph C. Olson,Morgan Evans,Peter F. Kurunczi,James Buonodono. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Ion beam apparatus and method of modifying substrate

Номер патента: US4924104A. Автор: Gerhard Stengl,Hans Loschner. Владелец: Oesterreichische Investitionskredit AG. Дата публикации: 1990-05-08.

Tem sample preparation method

Номер патента: US20130209700A1. Автор: Hidekazu Suzuki,Ikuko Nakatani. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Probe for magnetic force microscopy and method of preparing such a probe

Номер патента: WO2003087859A1. Автор: Leon Abelmann,Jacobus Christiaan Lodder,Gavin Nicholas Phillips. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen. Дата публикации: 2003-10-23.

System and method for depth profiling and characterization of thin films

Номер патента: WO2003038417A3. Автор: David G Watson,Paul E Larson,John E Moulder,David S Perloff. Владелец: Physical Electronics Ind Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Method and apparatus for ion beam centroid location

Номер патента: WO1988004103A1. Автор: Reuel Liebert. Владелец: Varian Associates, Inc.. Дата публикации: 1988-06-02.

Circuit tracing using a focused ion beam

Номер патента: US09915628B2. Автор: Michael W. Phaneuf,Christopher Pawlowicz,Alexander Krechmer,Alexander Sorkin,Ken G. Lagarec. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method and system for ion beam delayering of a sample and control thereof

Номер патента: US09534299B2. Автор: Ian Jones,Jason Abt,Robert K. Foster,Christopher Pawlowicz,Heinz Josef Nentwich. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Focused ion beam apparatus and method

Номер патента: US5574280A. Автор: Tatsuya Adachi,Toshiaki Fujii. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1996-11-12.

Magnetoresistive memory device and method of manufacturing magnetoresistive memory device

Номер патента: US11818898B2. Автор: Shuichi TSUBATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Ion beam focus adjustment

Номер патента: US11764045B2. Автор: Michael Angelo,David Stumbo,Harris Fienberg,Rachel Finck. Владелец: Ionpath Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Ion beam specimen machining device and information provision method

Номер патента: EP4099360A2. Автор: Tsutomu Negishi,Hisashi Kawahara,Tatsuhito Kimura,Munehiro Kozuka. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Magnetoresistive memory device and method of manufacturing magnetoresistive memory device

Номер патента: US20200294566A1. Автор: Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Imaging system and method for specimen detection

Номер патента: US20210231589A1. Автор: Wei He,Shuai Li. Владелец: Focus eBeam Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Image and data storage by focused ion beam recordation and method thereof

Номер патента: US20040022161A1. Автор: William Wood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Fast, high-rate, position-sensitive absolute dosimeter for ion beam therapy

Номер патента: US09739892B2. Автор: John M. Cameron,Alexander V. Klyachko,Keith A. Solberg,Steven E. Vigdor. Владелец: PHENIX MEDICAL LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and System for Sample Preparation

Номер патента: US20090126051A1. Автор: Yusuke KAGAYA. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2009-05-14.

Reactive ion beam etching method and a thin film head fabricated using the method

Номер патента: AU4047500A. Автор: Boris L. Druz,Danielle S. Hines,John F. Londono,Kurt E. Williams. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2000-10-16.

Ion implantation apparatus and measurement device

Номер патента: US20170271127A1. Автор: Kazuhisa Ishibashi. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Apparatus and method for preparing flexible insert sample that accurately control random crack opening

Номер патента: ZA202401917B. Автор: LI CHAO,CUI Jie,Zhang Youliang,Cai Kaijian,Wang Kuilong. Владелец: Univ Hainan. Дата публикации: 2024-04-24.

Recording media having protective overcoats of highly tetrahedral amorphous carbon and methods for their production

Номер патента: US20030148103A1. Автор: VEERASAMY Vijayen,Manfred Weiler,Eric Li. Владелец: United Module Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Trochoidal analysis of scattered electrons in a merged electron-ion beam geometry

Номер патента: US4818868A. Автор: Ara Chutjian. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1989-04-04.

Imaging apparatus and method for use with ion scattering spectrometer

Номер патента: US3916191A. Автор: John A Leys,Robert F Goff. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1975-10-28.

Method for cross-section sample preparation

Номер патента: US20230358696A1. Автор: Andrew John Murray,Ken Guillaume Lagarec,Michael William Phaneuf. Владелец: Fibics Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Apparatus and method for ion implantation in a magnetic field

Номер патента: US20140272181A1. Автор: Frank Sinclair,Alexander C. Kontos,Rajesh Dorai. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

System and method for forming diffracted optical element having varied gratings

Номер патента: US20200166681A1. Автор: Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Joseph Olson,Peter Kurunczi,Morgan Evans,Robert Masci. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

System and method for forming diffracted optical element having varied gratings

Номер патента: US20200233125A1. Автор: Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Joseph Olson,Peter Kurunczi,Morgan Evans,Robert Masci. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Ion Beam Detector

Номер патента: US20100237239A1. Автор: Satoru Yamada,SHU NAKAMURA,Akira Noda,Hiroyuki Daido,Yoshihisa Iwashita. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2010-09-23.

Foreign Matter or Abnormal Unsmoothness Inspection Apparatus and Foreign Matter or Abnormal Unsmoothness Inspection Method

Номер патента: US20100038531A1. Автор: Hideto Yokoi,Kazuhiro Jindai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Method, device and system for the treatment of biological cryogenic samples by plasma focused ion beams

Номер патента: US11735404B2. Автор: Chad Rue,Joseph Christian,Steven Randolph,Matthias Langhorst,Alex DE MARCO,Sergey Gorelick,Kenny Mani. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2023-08-22.

Circuit tracing using a focused ion beam

Номер патента: CA2898767C. Автор: Christopher Pawlowicz,Alexander Krechmer,Alexander Sorkin. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2023-02-14.

Focused ion beam apparatus, method for observing cross-section of sample by using the same, and storage medium

Номер патента: US09934938B2. Автор: Tatsuya Asahata,Xin Man,Atsushi Uemoto. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Scintillator plate, radiation measuring apparatus, radiation imaging apparatus, and scintillator plate manufacturing method

Номер патента: US09625586B2. Автор: Junichi Kaneko,Mikio Higuchi,Kenji Izaki,Takehiro Shimaoka,Youichi Tsubota. Владелец: JAPAN ATOMIC ENERGY AGENCY. Дата публикации: 2017-04-18.

Circuit tracing using a focused ion beam

Номер патента: US09529040B2. Автор: Christopher Pawlowicz,Alexander Krechmer,Alexander Sorkin. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Transparent electrode with asymmetric light transmission and method of its manufacturing

Номер патента: RU2710481C1. Автор: Андрей Викторович Вениаминов,Александр Сергеевич Шалин,Иван Сергеевич Мухин,Константин Руфович Симовский. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2019-12-26.

Ion beam implanter control system

Номер патента: CA1251287A. Автор: Jerald P. Dykstra,Andrew M. Ray,Monroe L. King. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1989-03-14.

Iridium tip, gas field ion source, focused ion beam apparatus, electron source, electron microscope, electron beam applied analysis apparatus, ion-electron multi-beam apparatus, scanning probe microscope, and mask repair apparatus

Номер патента: US9773634B2. Автор: Hiroshi Oba,Osamu Matsuda,Anto Yasaka,Fumio Aramaki,Yasuhiko Sugiyama,Tomokazu Kozakai,Kazuo Aita. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of processing ion beam based on optical microscopy imaging

Номер патента: EP4345440A1. Автор: Ke Xiao,WEI Ji,Jing Lu,Tao Xu,Weixing Li. Владелец: Institute of Biophysics of CAS. Дата публикации: 2024-04-03.

Method of processing ion beam based on optical microscopy imaging

Номер патента: US20240112880A1. Автор: Ke Xiao,WEI Ji,Jing Lu,Tao Xu,Weixing Li. Владелец: Institute of Biophysics of CAS. Дата публикации: 2024-04-04.

Focused ion beam processing method

Номер патента: US20070158590A1. Автор: Ryoji Hagiwara,Yasuhiko Sugiyama,Tomokazu Kozakai. Владелец: SII NanoTechnology Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Ion beam irradiation apparatus and program therefor

Номер патента: US11955311B2. Автор: Shinya Takemura. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Charged particle beam irradiation apparatus and control method

Номер патента: US20210090855A1. Автор: Makoto Sato,Tatsuya Asahata,Xin Man,Takuma Aso. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Computing devices with improved thermal management

Номер патента: US20240130069A1. Автор: Elad Mentovich,Tahir Cader,Susheela Narasimhan,Ran Hasson RUSO. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Foreign matter or abnormal unsmoothness inspection apparatus and foreign matter or abnormal unsmoothness inspection method

Номер патента: US7629577B2. Автор: Hideto Yokoi,Kazuhiro Jindai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Method and apparatus for neutral beam processing based on gas cluster ion beam technology

Номер патента: US20180299771A1. Автор: Rangarajan Jagannathan,Sean R. Kirkpatrick. Владелец: Exogenesis Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Scanning electron microscope/energy dispersive spectroscopy sample preparation method and sample produced thereby

Номер патента: US6362475B1. Автор: Catherine Vartuli,Jeffrey B. Bindell,Frederick A. Stevie. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-03-26.

Fabrication of digital media using ion beam

Номер патента: WO2006029123A3. Автор: Charles Marshall. Владелец: Charles Marshall. Дата публикации: 2009-04-16.

Ion beam irradiation apparatus and program therefor

Номер патента: US20220301817A1. Автор: Shinya Takemura. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Particle-induced x-ray emission (pixe) using hydrogen and multi-species focused ion beams

Номер патента: US20230341341A1. Автор: Aurelien Philippe Jean Maclou Botman,Milos Toth,Daniel Totonjian. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2023-10-26.

Charged particle beam apparatus, and method and program for limiting stage driving range thereof

Номер патента: US10636619B2. Автор: Hiroyuki Suzuki. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2020-04-28.

Low kev ion beam image restoration by machine learning for object localization

Номер патента: EP3806131A2. Автор: Pavel Potocek,Ondrej Machek,Maurice PEEMEN,Remco Johannes Petrus Geurts. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2021-04-14.

Wafer quality inspection method and apparatus, and semiconductor device manufacturing method including the wafer quality inspection method

Номер патента: US20200091012A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Jae-Hyuk Choi,Won-Ki Park,Jong-hwi SEO,Seok-Bae Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Low kev ion beam image restoration by machine learning for object localization

Номер патента: EP3806131A3. Автор: Pavel Potocek,Ondrej Machek,Maurice PEEMEN,Remco Johannes Petrus Geurts. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2021-06-23.

Device and method for processing a microstructured component

Номер патента: US20210173310A1. Автор: Joachim Welte,Nicole Auth,Timo Luchs. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2021-06-10.

Reduced Spatial/Temporal Overlaps to Increase Temporal Overlaps to Increase Precision in Focused Ion Beam FIB Instruments for Milling And Imaging and Focused Ion Beams for Lithography

Номер патента: US20230011739A1. Автор: Daniel Nicholls,Nigel D Browning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-12.

Systems and methods of determining isotopic composition of gaseous samples

Номер патента: US11307182B2. Автор: Paul Jones,James Leigh,Dennis Leigh. Владелец: Compact Science Systems Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Sample evaluation/process observation system and method

Номер патента: US5783830A. Автор: Yuji Sato,Hidemi Koike,Hiroshi Hirose,Motohide Ukiana,Shigeto Isakozawa,Mikio Ichihashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-07-21.

Apparatus and method for interactive request for content in networked computer jukebox

Номер патента: RU2412555C2. Автор: Нико ДРАКОУЛИС,Джон КАРАНТОНИС,Георгиос СТОИКОС. Владелец: Акоо Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2011-02-20.

Analyzing chamber including a leakage ion beam detector and mass analyzer including the same

Номер патента: US20070018093A1. Автор: Young-dae Kim,Hyun-Sub Earm,Seung-Se Lee,Gon-Su Kang,Sung-Yeul An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-25.

Focused ion beam system

Номер патента: US5945677A. Автор: Qing Ji,Ka-Ngo Leung,Yung-Hee Yvette Lee,Richard A. Gough. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1999-08-31.

Polarization-maintaining optical waveguide and method for forming same

Номер патента: US20030118264A1. Автор: Makoto Fujimaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Ion Milling Apparatus and Sample Processing Method

Номер патента: US20170047198A1. Автор: Hisayuki Takasu,Toru Iwaya,Atsushi Kamino,Kento Horinouchi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Particle-induced x-ray emission (pixe) using hydrogen and multi-species focused ion beams

Номер патента: EP4269992A1. Автор: Aurelien Philippe Jean Maclou Botman,Milos Toth,Daniel Totonjian. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2023-11-01.

Systems and methods of determining isotopic composition of gaseous samples

Номер патента: US20210255153A1. Автор: Paul Jones,James Leigh,Dennis Leigh. Владелец: Compact Science Systems Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Methods, mediums, and systems for identifying tunable domains for ion beam shape matching

Номер патента: WO2023287561A1. Автор: Richard White,Eric Donald WILSON,Nilay A. Pradhan,Richard Allen Sprenkle,Shane Conley,Ana SAMOLOV. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-19.

Object carrier for microscopy, method of making same and method of measuring therewith

Номер патента: WO2023194447A1. Автор: Markus Wilke,André Weber,Martin Ecke,Kentaroh TAKAGAKI,Rodrigo HERRERA-MOLINA,Zifeng XIA. Владелец: Leibniz-Institut für Neurobiologie. Дата публикации: 2023-10-12.

Apparatus, system and method for measurement of diabetes factors

Номер патента: US20230172494A1. Автор: Cher Ming Tan. Владелец: Emm Diagnostics Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

System and Method for Performing Nano Beam Diffraction Analysis

Номер патента: US20180190470A1. Автор: Christopher J. Penny,Marc Adam Bergendahl,James John Demarest,Roger Allen Quon,Christopher Joseph Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Identification chip holding apparatus, optical fiber splicing and distribution module, optical fiber management apparatus, and method for assembling optical fiber management apparatus

Номер патента: US09632259B2. Автор: Jianjun Ma,Mingsong GUO,Siwen SHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated sequential sample preparation system

Номер патента: US09448246B2. Автор: William Alan Fox,Charles L. Carrico, Jr.. Владелец: TriPath Imaging Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Apparatus and method utilizable in forming metal grids

Номер патента: GB1273082A. Автор: Hugh Leslie Garvin,Elvin Eugene Herman,Russell Robin Law,Roger Rudolph Turk. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1972-05-03.

Method and apparatus for ion beam centroid location

Номер патента: US4724324A. Автор: Reuel B. Liebert. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1988-02-09.

Ion beam scanning of biological samples

Номер патента: US20190339285A1. Автор: David Stumbo,Rachel Finck. Владелец: Ionpath Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Ion beam source for optical device fabrication using a segmented ion source having one or more angled surfaces

Номер патента: US11810755B2. Автор: Ludovic Godet,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Joseph C. Olson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Ion beam scanning of biological samples

Номер патента: EP3729099A1. Автор: David Stumbo,Rachel Finck. Владелец: Ionpath Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Apparatus and method for forming alignment layers

Номер патента: US20050001177A1. Автор: Nobuo Okazaki,Johji Nakagaki,Yasuhiko Shiota. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Ion beam irradiation apparatus and program therefor

Номер патента: US20200312616A1. Автор: Shinya Takemura. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

System and method for focused ion beam data analysis

Номер патента: CA2587747A1. Автор: Ken Guillaume Lagarec,Michael William Phaneuf,Michael Anthony Anderson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Automated sample preparation system for diagnostic testing of same

Номер патента: AU2022209211B2. Автор: Dwight Livingston,Kevin Bailey,Michael T. VanSickler,Steven C. Rotundo,Gerard Sevigny,Christopher John Tesluk,Stephen Robert Lachance,Michael J. Touma,Brian James McKeen. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus and methods for thermal management of electronic user devices

Номер патента: US20240231454A1. Автор: Navneet Singh,Bijendra Singh,Soethiha Soe,II James Hermerding,Carin Ruiz,Columbia Mishra,Helin Cao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Automated sample preparation system for diagnostic testing of same

Номер патента: AU2024220213A1. Автор: Dwight Livington,Kevin Bailey,Michael T. VanSickler,Steven C. Rotundo,Stephen LaChance,Gerard Sevigny,Christopher John Tesluk,Michael J. Touma,Brian James McKeen. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus and method for large-scale high throughput quantitative characterization and three-dimensional reconstruction of material structure

Номер патента: US20200294760A1. Автор: XING Yu,Lei Zhao,Haizhou Wang,Dongling LI,Xuejing Shen,Weihao WAN,Yuhua LU,Yunhai JIA,Xiaojia Li,Jianqiu LUO. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Rarefied piezometric uptake apparatus and method for measuring gaseous uptake

Номер патента: US11698315B1. Автор: Matthew J. Paul,Joshua David Feldman. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2023-07-11.

Apparatus and method for detecting location of moving body, lighting apparatus, air conditioning apparatus, security apparatus, and parking lot management apparatus

Номер патента: US09560440B2. Автор: Kihyun Kim,Homin Ryu,Se-Myung WANG. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-01-31.

Rapid freeze-quench device and methods of use thereof

Номер патента: US09513199B2. Автор: Royi Kaufmann,Daniella Goldfarb. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method and system for ion beam delayering of a sample and control thereof

Номер патента: CA2791249C. Автор: Ian Jones,Jason Abt,Robert K. Foster,Christopher Pawlowicz,Heinz Nentwich. Владелец: Semiconductor Insights Inc. Дата публикации: 2014-02-25.

Method of forming thin oxidation layer by cluster ion beam

Номер патента: US6800565B2. Автор: Ming Mao,Chih-Ching Hu,Chih-Ling Lee,Jacques C. S. Kools,Adrian J. Devasahayam,Patricia L. Cox. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2004-10-05.

Solid surface observation method and apparatus therefor, and electronic apparatus formed of the solid surface observation apparatus and method of forming the electronic apparatus

Номер патента: US5510614A. Автор: Seiichi Kondo,Yasuo Wada,Seiji Heike,Munehisa Mitsuya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-04-23.

Method of forming thin oxidation layer by cluster ion beam

Номер патента: US20040137645A1. Автор: Ming Mao,Chih-Ching Hu,Jacques Kools,Chih-Ling Lee,Adrian Devasahayam,Patricia Cox. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

Downhole neutron generators and methods to auto tune downhole neutron generators

Номер патента: US11632852B2. Автор: Wei Sun. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2023-04-18.

Downhole neutron generators and methods to auto tune downhole neutron generators

Номер патента: GB2592327A. Автор: Sun Wei. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2021-08-25.

Circuit tracing using a focused ion beam

Номер патента: US20160282287A1. Автор: Michael W. Phaneuf,Christopher Pawlowicz,Alexander Krechmer,Alexander Sorkin,Ken G. Lagarec. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Circuit tracing using a focused ion beam

Номер патента: US20140319343A1. Автор: Michael W. Phaneuf,Alexander Krechmer,Alexander Sorkin,Chris Pawlowicz,Ken G. Lagarec. Владелец: Ken G. Lagarec. Дата публикации: 2014-10-30.

Device and method for generating organic molecular cluster ion beam

Номер патента: US10699868B2. Автор: Jeong Jin Kim,Chang Min Choi,Myoung Choul Choi,Sang Ju Lee,Ji Young BAEK. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2020-06-30.

Device and method for generating organic molecular cluster ion beam

Номер патента: US20190355542A1. Автор: Jeong Jin Kim,Chang Min Choi,Myoung Choul Choi,Sang Ju Lee,Ji Young BAEK. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2019-11-21.

Downhole neutron generators and methods to auto tune downhole neutron generators

Номер патента: US20210337649A1. Автор: Wei Sun. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Downhole neutron generators and methods to auto tune downhole neutron generators

Номер патента: US20220312577A1. Автор: Wei Sun. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Focused ion beam apparatus

Номер патента: US20150270102A1. Автор: Makoto Sato,Hidekazu Suzuki,Tatsuya Asahata. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Device and method for cryogenic electron microscopy sample preparation

Номер патента: WO2024080868A1. Автор: Rafael Fernandez Leiro,Meindert LAMERS. Владелец: Fundación Del Sector Público Estatal Centro Nacional De Investigaciones Oncológicas Carlos III (F.S.P. CNIO). Дата публикации: 2024-04-18.

Ion beam etching with sidewall cleaning

Номер патента: US12029133B2. Автор: Thorsten Lill,Ivan L. Berry, III. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Information management apparatus and method, image forming system apparatus and method, and computer readable medium and computer data signal for document information

Номер патента: US8009315B2. Автор: Hitoshi Okamoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

Reflective-type liquid crystal display panel, method of manufacturing display substrate used in the display panel, and method of manufacturing the display panel

Номер патента: US20100157210A1. Автор: Baek-Kyun Jeon,Hee-Keun Lee,Soon-Joon Rho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-24.

Method and apparatus for micromachining a sample using a focused ion beam

Номер патента: EP4359731A1. Автор: Daan Benjamin BOLTJE,Mart Guus Ferdinand LAST,Marit Rosa SMEETS,Caspar Theodorus Hugo JONKER,Marcin Stefan ZIELINSKI. Владелец: Delmic IP BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Rapid freeze-quench device and methods of use thereof

Номер патента: US20140227685A1. Автор: Royi Kaufmann,Daniella Goldfarb. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Device and Method for Cryogenic Electron Microscopy Sample Preparation

Номер патента: NL2033291B1. Автор: Fernández Leiro Rafael,Lamers Meindert. Владелец: Fundacion Del Sector Publico Estatal Centro Nac De Investigaciones Oncologicas Carlos Iii F S P Cnio. Дата публикации: 2024-04-26.

Ion beam mill etch depth monitoring with nanometer-scale resolution

Номер патента: US20180053626A1. Автор: Shane A. Cybart,Robert C. Dynes. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-02-22.

Sidewall spacer patterning method using gas cluster ion beam

Номер патента: US20160222521A1. Автор: Noel Russell,Soo Doo Chae,Youngdon Chang,Il-seok Song. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: US20120235108A1. Автор: John Smythe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: EP2393957A1. Автор: John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-14.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: WO2010090900A1. Автор: John Smythe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-08-12.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: US20100288994A1. Автор: John Smythe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Method and apparatus for micromachining a sample using a focused ion beam

Номер патента: US20240280357A1. Автор: Daan Benjamin BOLTJE,Mart Guus Ferdinand LAST,Marit Rosa SMEETS,Caspar Theodorus Hugo JONKER,Marcin Stefan ZIELINSKI. Владелец: Delmic IP BV. Дата публикации: 2024-08-22.

Adaptive geometry for optimal focused ion beam etching

Номер патента: WO2021221850A1. Автор: Ilya Blayvas,Alon Litman,Yehuda Zur,Alexander Mairov,Gal Bruner,Ron Davidescu,Kfir Dotan. Владелец: Applied Materials Israel Ltd.. Дата публикации: 2021-11-04.

Structured diamond tool made by focused ion beam nanomachining

Номер патента: WO2006098828A3. Автор: Xinbing Liu. Владелец: Xinbing Liu. Дата публикации: 2007-09-27.

Structured Diamond Tool Made by Focused Ion Beam Nanomachining

Номер патента: US20080149474A1. Автор: Xinbing Liu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

File management apparatus and method, and storage system

Номер патента: US20070156703A1. Автор: TETSUYA Abe,Akira Murotani. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

File management apparatus and method, and storage system

Номер патента: US20090276423A1. Автор: TETSUYA Abe,Akira Murotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Systems and methods for pre-aligning samples for more efficient processing of multiple samples with a Broad Ion Beam (BIB) system

Номер патента: US12106931B2. Автор: Michal Hrouzek,Libor Novak,Tomás Vystavel,Krishna Kanth Neelisetty,Jan Neuzil,Ondrej KLVAC. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2024-10-01.

Magnetic recording head and manufacturing method thereof, magnetic recording apparatus, and manufacturing method of magnetic recording medium

Номер патента: US12087334B2. Автор: Tetsuya Kaneko,Kento NISHIMURA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Ion beam etching with sidewall cleaning

Номер патента: US20240315141A1. Автор: Thorsten Lill,Ivan L. Berry, III. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Automated vending inventory management apparatuses and method

Номер патента: US09984525B2. Автор: Gary Edward Will,Bryan Keith Solace,Brian Rosner. Владелец: Hillman Group Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Calibrated device and method to detect material features on a spinning surface by generation and detection of gravito-magnetic energy

Номер патента: US09972354B2. Автор: Michael Boyd. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-15.

Reducing background fluorescence in MEMS materials by low energy ion beam treatment

Номер патента: US09651539B2. Автор: Martin Huber,Bason E. Clancy,Adam R. Hall. Владелец: Quantapore Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Sidewall spacer patterning method using gas cluster ion beam

Номер патента: US09500946B2. Автор: Noel Russell,Soo Doo Chae,Youngdon Chang,Il-seok Song. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Film Forming Apparatus and Film Forming Method

Номер патента: US20080026548A1. Автор: Masahiro Matsumoto,Toshihiro Suzuki,Noriaki Tani,Taizo Morinaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-31.

Selective area nucleation and growth method for metal chemical vapor deposition using focused ion beams

Номер патента: US4908226A. Автор: Randall L. Kubena,Thomas M. Mayer. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1990-03-13.

Beam irradiation apparatus, optical apparatus having beam irradiation apparatus for information recording medium, method for manufacturing original disk for information recording medium, and method for manufacturing information recording medium

Номер патента: MY118961A. Автор: Masanobu Yamamoto,Toshiyuki Kashiwagi,Shingo Imanishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-28.

Apparatus and Method for Improved Perpendicular Recording Medium Using Ion Implantation in a Magnetic Field

Номер патента: US20140272180A1. Автор: Frank Sinclair,Alexander C. Kontos,Rajesh Dorai. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Apparatus and method for improved perpendicular recording medium using ion implantation in a magnetic field

Номер патента: US9704528B2. Автор: Frank Sinclair,Alexander C. Kontos,Rajesh Dorai. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Surface Hydration with an Ion Beam

Номер патента: US20230282470A1. Автор: Michael Scott Westphall,Joshua Jacques COON. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-09-07.

Surface hydration with an ion beam

Номер патента: WO2023168406A2. Автор: Joshua Coon,Michael Westphall. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-09-07.

Systems, apparatuses, and methods for the transit of superconducting magnets

Номер патента: US20210302517A1. Автор: PENG Wang,JIN Qian,Xijin TAN,Baogang PENG. Владелец: Shanghai United Imaging Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Respiratory distress management apparatus, system and method

Номер патента: WO2022076407A3. Автор: Gary Freeman,George Beck,Dorian LeCroy,Brian P Harvey,Denise R EIZADKHAH. Владелец: ZOLL MEDICAL CORPORATION. Дата публикации: 2022-05-19.

Apparatus and methods for thermal management of electronic user devices

Номер патента: US20200133358A1. Автор: Navneet Singh,Bijendra Singh,Soethiha Soe,II James Hermerding,Carin Ruiz,Columbia Mishra,Helin Cao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Time management apparatus and method for test

Номер патента: WO2008004814A1. Автор: Tae Whan Han. Владелец: Tae Whan Han. Дата публикации: 2008-01-10.

Time management apparatus and method for test

Номер патента: WO2007129823A1. Автор: Tae Whan Han. Владелец: Tae Whan Han. Дата публикации: 2007-11-15.

Cryo-em sample preparation method and apparatus

Номер патента: WO2024189350A1. Автор: Robert Kay,Nikil KAPUR,Stephen MUENCH,David KLEBL. Владелец: UNIVERSITY OF LEEDS. Дата публикации: 2024-09-19.

Battery management apparatus and method

Номер патента: US12123914B2. Автор: Won-Tae JOE,Kyu-Chul Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Video management system and method for event recording using the same

Номер патента: US09542974B2. Автор: Jin Hui Park,Hee Lock JUNG,Jai Min Jung. Владелец: IDIS Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Apparatus and method for electronic sample preparation

Номер патента: US09465049B2. Автор: James B. Colvin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-11.

Composite micromechanical component from silicon with metal and method of its production

Номер патента: RU2474532C2. Автор: Жан-Шарль ФИАККАБРИНО,Марко ВЕРАРДО,Тьерри КОНЮ,Жан-Филипп ТЬЕБО,Жан-Бернар ПЕТЕРС. Владелец: Ниварокс-Фар С.А.. Дата публикации: 2013-02-10.

Chemically-assisted ion beam milling system for the preparation of transmission electron microscope specimens

Номер патента: US5009743A. Автор: Peter R. Swann. Владелец: Gatan Inc. Дата публикации: 1991-04-23.

System and method for controlling deposition thickness using a mask with a shadow that varies with respect to a target

Номер патента: US20020131182A1. Автор: David Baldwin,Todd Hylton. Владелец: 4 Wave Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Single and/or Multi-Charged Gas Ion Beam Treatment Method for Producing an Anti-Glare Sapphire Material

Номер патента: KR20170008851A. Автор: 데니스 버사르도,프레드릭 게르나렉. Владелец: 퀘르테크. Дата публикации: 2017-01-24.

Focused ion beam processing with charge control

Номер патента: US5357116A. Автор: Christopher G. Talbot,Thomas M. Trexler. Владелец: Schlumberger Technologies Inc. Дата публикации: 1994-10-18.

Focused ion beam apparatus for specimen fabrication

Номер патента: US7525108B2. Автор: Yoshimi Kawanami,Yuichi Madokoro,Kaoru Umemura,Satoshi Tomimatsu,Yasunori Doi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-04-28.

Method for depositing multi-layer film of mask blank for EUV lithography and method for producing mask blank for EUV lithography

Номер патента: US20070077499A1. Автор: Yoshiaki Ikuta,David Krick,Hsing Ma. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

System and methods for automated processing of multiple samples in a bib system

Номер патента: US20230377833A1. Автор: Michal Hrouzek,Libor Novak,Krishna Kanth Neelisetty,Petr WANDROL. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and apparatus for in-situ sample quality inspection in cryogenic focused ion beam milling

Номер патента: NL2032641B1. Автор: Pieter Hoogenboom Jacob,Benjamin Boltje Daan,Skoupý Radim,Jakobi Arjen-Joachim. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2024-02-06.

Scanned angled etching apparatus and techniques providing separate co-linear radicals and ions

Номер патента: US20230335375A1. Автор: Christopher A. Rowland,Joseph C. Olson,Morgan Evans,Peter F. Kurunczi,James Buonodono. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

System and methods for automated processing of multiple samples in a bib system

Номер патента: EP4287237A1. Автор: Michal Hrouzek,Libor Novak,Krishna Kanth Neelisetty,Petr WANDROL. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2023-12-06.

Circuit tracing using a focused ion beam

Номер патента: US20160187419A1. Автор: Christopher Pawlowicz,Alexander Krechmer,Alexander Sorkin. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Computer-readable storage medium in which storage-management program is recorded, storage-management apparatus, and storage-management method

Номер патента: US20090037681A1. Автор: Takashi Watanabe,Yoshihiro Tsuchiya,Masahisa Tamura,Kazuichi Oe,Tatsuo Kumano,Kazutaka Ogihara,Tetsutaro Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-02-05.

Apparatus and method for inventory handling in an automated diagnostic analyzer

Номер патента: EP4399530A1. Автор: Stephen Robert Lachance,Gerard J. LOTZ,Philip Thomas Miller. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2024-07-17.

Kit, apparatus and method for a portable nucleic acid assay

Номер патента: US12030056B2. Автор: Alpesh Patel. Владелец: Hasu Biotech Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Information processing system and method for controlling information processing system

Номер патента: US20190370067A1. Автор: Junichi Matsuda,Keiji Miyauchi,Yuuichi Kobayashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Dynamic memory management apparatus and method for allocating/deallocating dynamic memory using the same

Номер патента: US20240160565A1. Автор: Dong-Wook Kang,Hong-il Ju,Gae-Il AN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatus and method for inventory handling in an automated diagnostic analyzer

Номер патента: US20240369587A1. Автор: Stephen Robert Lachance,Gerard J. LOTZ,Philip Thomas Miller. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2024-11-07.

Apparatus and method for managing storage for placing backup data into data blocks based on frequency information

Номер патента: US09971527B2. Автор: Tomoaki Abe,Junichi Mizuno,Shusen Mei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Management system and method for execution of virtual machines

Номер патента: US09742687B2. Автор: Yoji Nomura,Takaaki Kawakami,Yu Minakuchi,Masahiko Ohashi,Tomotaka Endo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Management apparatus and method for setting data values on an information processing apparatus

Номер патента: US09727290B2. Автор: Toshiaki Igarashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Drive belt systems including belt stretch management apparatus and methods thereof

Номер патента: US09715194B2. Автор: Matt G DRIGGERS. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-07-25.

Biometric authentication apparatus and method

Номер патента: US09619635B2. Автор: Junji Takagi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Network construction support system and method

Номер патента: US09401849B2. Автор: Yuji Tanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Charged particle beam apparatus and sample manufacturing method

Номер патента: US20060097166A1. Автор: Koichiro Takeuchi,Mitsugu Sato,Tohru Ishitani,Tsuyoshi Ohnishi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Improving the stability of ion beam generated alignment layers by surface modification

Номер патента: MY127260A. Автор: LU MINHUA,Chaudhari Praveen,Yang Kei-Hsiung,Cesare Callegari Alessandro,Elias Doany Fuad,P Doyle James,A Galligan Eileen,H Glownia James,G Hougham Gareth,A Lacey James,Shui-Chih, (Alan) Lien,E Rosenbluth Alan. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-11-30.

Method and apparatus for micromachining a sample using a focused ion beam

Номер патента: WO2022015163A1. Автор: Andries Pieter Johan EFFTING,Sander Vincent DEN HOEDT. Владелец: Delmic Ip B.V.. Дата публикации: 2022-01-20.

Device and method for high resolution beam analysis

Номер патента: WO2024079201A1. Автор: Hung Quang HOANG. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Дата публикации: 2024-04-18.

Method and apparatus for in-situ sample quality inspection in cryogenic focused ion beam milling

Номер патента: WO2024025413A1. Автор: Jacob Pieter Hoogenboom,Radim SKOUPÝ,Daan Benjamin BOLTJE,Arjen-Joachim JAKOBI. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2024-02-01.

Device and method for high resolution beam analysis

Номер патента: LU502891B1. Автор: Hung Quang HOANG. Владелец: Luxembourg Inst Science & Tech List. Дата публикации: 2024-04-12.

Tantala ring resonator and method for fabricating nonlinear photonic devices

Номер патента: US20210055627A1. Автор: Kartik Srinivasan,David Carlson,Scott B. Papp,Su-Peng Yu,Hojoog Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-25.

Sample-preparing coupler apparatus and method for grouping particles for coupling with analytical instruments

Номер патента: WO2024141767A1. Автор: Laszlo Mark. Владелец: Kromat Műszerforgalmazó Kft.. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus and method for managing computing resources in network function virtualization system

Номер патента: US10530708B2. Автор: Hyun-Taek OH,Sun-Deuk KIM. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Apparatus and method for managing battery

Номер патента: US20190178951A1. Автор: Sun-Young CHA,Won-Tae JOE. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Node apparatus of multi-node storage system and method for managing processing speed

Номер патента: US20130246840A1. Автор: Jun Kato,Yasuo Noguchi,Masahisa Tamura,Toshihiro Ozawa,Kazuichi Oe,Tatsuo Kumano,Kazutaka Ogihara,Munenori Maeda,Ken Iizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Dynamic memory management apparatus and method and computer-readable storage medium for the same

Номер патента: US12061802B2. Автор: Dong-Wook Kang,Hong-il Ju,Byeong-Cheol CHOI,Bo-Heung Chung,Gae-Il AN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-08-13.

Data management apparatus and method for surveillance system

Номер патента: US20130332420A1. Автор: Ji-Yeon Ha. Владелец: Samsung Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Thermal management system for a battery and methods of using the system

Номер патента: US20240304894A1. Автор: Eytan Adler,Joaquim R. R. A. Martins. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-09-12.

Micro Heat Transfer Arrays, Micro Cold Plates, and Thermal Management Systems for Semiconductor Devices, and Methods for Using and Making Such Arrays, Plates, and Systems

Номер патента: US20230207426A1. Автор: JIA Li,Dennis R. Smalley,Richard T. Chen,Uri Frodis,Onnik Yaglioglu,Will J. Tan,Nina C. Levy. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Vehicle thermal management system, heat transfer medium and method for cooling vehicle driving battery

Номер патента: US11718144B2. Автор: Takuya Fuse,Shinya Kasamatsu,Ryuta Kobayakawa,Kouji Inagaki,Saori Nakajima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Control schemes for thermal management of power production systems and methods

Номер патента: US12110822B2. Автор: Brock Alan Forrest,Xijia LU,Jeremy Eron Fetvedt,Navid Rafati. Владелец: 8 Rivers Capital LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Systems and Methods for Thermal Management Using Separable Heat Pipes and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20220136779A1. Автор: Weibo Chen,Scott N. ROBERTS,Benjamin I. Furst. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2022-05-05.

Systems and methods for thermal management using separable heat pipes and methods of manufacture thereof

Номер патента: US12018892B2. Автор: Weibo Chen,Scott N. ROBERTS,Benjamin I. Furst. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-06-25.

Thermal Management Systems for Battery Cells and Methods of Their Manufacture

Номер патента: US20190393576A1. Автор: Ratnakumar V. Bugga,Scott N. ROBERTS,Eric T. Sunada,Benjamin I. Furst. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-12-26.

Thermal management system for electric vehicles and method for operating same

Номер патента: WO2023243555A1. Автор: Ron Puts,Pietro MOSCA. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2023-12-21.

Thermal management system for a vehicle and method for operating a thermal management system

Номер патента: US20230311616A1. Автор: Sebastian TIEMEYER. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2023-10-05.

Thermal management system for electrical components and method of producing same

Номер патента: CA2813808C. Автор: Robert E Kodadek, Iii. Владелец: Black Tank LLC. Дата публикации: 2016-03-29.

Thermal management system for vehicle battery and method of controlling the same

Номер патента: US11476511B2. Автор: Jae Woong Kim,Man Ju Oh,Sang Shin Lee,So La CHUNG. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2022-10-18.

Thermal management system for vehicle battery and method of controlling the same

Номер патента: US20210013559A1. Автор: Jae Woong Kim,Man Ju Oh,Sang Shin Lee,So La CHUNG. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Image log management apparatus, recording medium, and method for managing an image log

Номер патента: US20080162567A1. Автор: Toshiaki Arai,Tomonari Yamauchi. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Management apparatus, mobile terminal, and methods thereof

Номер патента: US20180234828A1. Автор: Takeshi Shiihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Multichip module thermal management through backside metal

Номер патента: US20230343721A1. Автор: Mark C. Woods,Md Hasnine,Christine Blair,Neftali Salazar,Smreeti Dahariya. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Thermal management and integrated power systems and method for operating a thermal management system and integrated power

Номер патента: BR102016024999A2. Автор: Robert Cerny Matthew. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2017-07-18.

Vehicle thermal management system for thermal management exclusively for electronic devices, and method for managing thermal energy of electronic devices

Номер патента: JP6431558B2. Автор: タシオポルス ジェームス,ジウビンチ アレックス,メイヤー ジョン. Владелец: ハンオン システムズ. Дата публикации: 2018-11-28.

High thermal conductivity hydrocarbon thermal management fluids for electric vehicles

Номер патента: WO2021257305A9. Автор: Andrew E. Taggi,Kevin J. Kelly,Daniel Bien,Shuji Luo. Владелец: ExxonMobil Technology and Engineering Company. Дата публикации: 2022-07-14.

High thermal conductivity hydrocarbon thermal management fluids for electric vehicles

Номер патента: EP4168509A1. Автор: Andrew E. Taggi,Kevin J. Kelly,Daniel Bien,Shuji Luo. Владелец: ExxonMobil Technology and Engineering Co. Дата публикации: 2023-04-26.

High thermal conductivity hydrocarbon thermal management fluids for electric vehicles

Номер патента: US11702577B2. Автор: Andrew E. Taggi,Kevin J. Kelly,Daniel Bien,Shuji Luo. Владелец: ExxonMobil Technology and Engineering Co. Дата публикации: 2023-07-18.

Thermal management device for a vehicle and method for operating a thermal management device

Номер патента: CN112638672A. Автор: 彼得·海尔. Владелец: Hanon Systems Corp. Дата публикации: 2021-04-09.

Systems and Methods for Thermal Management Using Separable Heat Pipes and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20220136779A1. Автор: Furst Benjamin I.,Chen Weibo,Roberts Scott N.. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2022-05-05.

THERMAL MANAGEMENT SYSTEM FOR VEHICLE BATTERY AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20210013559A1. Автор: Oh Man Ju,KIM Jae Woong,LEE Sang Shin,CHUNG So La. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

Vehicle Thermal Management System, Heat Transfer Medium And Method For Cooling Vehicle Driving Battery

Номер патента: US20220097479A1. Автор: Kasamatsu Shinya,Fuse Takuya,INAGAKI Kouji,Kobayakawa Ryuta,NAKAJIMA Saori. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

THERMAL MANAGEMENT SYSTEM FOR A VEHICLE AND METHOD

Номер патента: US20150204220A1. Автор: Pelaez Joaquin A.,COOK Michael D.,SCOTT Matthew R.,BRESSAU Timothy. Владелец: HONDA MOTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2015-07-23.

THERMAL MANAGEMENT SYSTEM IN A VEHICLE AND METHOD FOR OPERATION OF THE SYSTEM

Номер патента: US20200223280A1. Автор: Schoeneman Christian,Rowling Peter,Fan Sixin. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

THERMAL MANAGEMENT SYSTEM WITH HEAT RECOVERY AND METHOD OF MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20170241324A1. Автор: Liu Xiaobing. Владелец: BORGWARNER INC.. Дата публикации: 2017-08-24.

VEHICLE THERMAL MANAGEMENT SYSTEM, HEAT TRANSFER MEDIUM AND METHOD FOR COOLING VEHICLE DRIVING BATTERY

Номер патента: US20210328286A1. Автор: Kasamatsu Shinya,Fuse Takuya,INAGAKI Kouji,Kobayakawa Ryuta,NAKAJIMA Saori. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

ACTIVE THERMAL MANAGEMENT SYSTEM FOR ELECTRONIC DEVICES AND METHOD OF ACHIEVING DEVICE-TO-DEVICE ISOTHERMALIZATION

Номер патента: US20190307025A1. Автор: King William P.,Miljkovic Nenad,KWON Beomjin,YANG Tianyu,Weisensee Patricia B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Thermal Management Systems for Battery Cells and Methods of Their Manufacture

Номер патента: US20190393576A1. Автор: Bugga Ratnakumar V.,Furst Benjamin I.,Roberts Scott N.,Sunada Eric T.. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2019-12-26.

Thermal management system for a vehicle and method

Номер патента: US9796244B2. Автор: Michael D Cook,Matthew R Scott,Joaquin A Pelaez,Timothy BRESSAU. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Thermal management system for electrical components and method of producing same

Номер патента: WO2011097462A2. Автор: Iii Robert E. Kodadek. Владелец: Kodadek Iii Robert E. Дата публикации: 2011-08-11.

Thermal management system for a vehicle and method

Номер патента: CN104791071A. Автор: M.D.库克,M.R.斯科特,J.A.佩雷兹,T.布雷索. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-22.

Thermal management and energy recovery system and method for battery module of electric vehicle

Номер патента: CN109962317B. Автор: 张超,王亚楠,赵国栋,王晨浩,肖翔宇,卜元媛. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2020-11-27.

Control schemes for thermal management of power production systems and methods

Номер патента: US20230127569A1. Автор: Brock Alan Forrest,Xijia LU,Jeremy Eron Fetvedt,Navid Rafati. Владелец: 8 Rivers Capital LLC. Дата публикации: 2023-04-27.

THERMAL MANAGEMENT BEARING ASSEMBLIES, APPARATUSES, AND MOTOR ASSEMBLIES USING THE SAME

Номер патента: US20150043849A1. Автор: Peterson S. Barrett,Sexton Timothy N.,Gonzalez Jair J.,Kindell Brigham J.. Владелец: US SYNTHETIC CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-12.

A kind of sample preparation of metal foil high flux and the device and method for characterizing

Номер патента: CN106917116A. Автор: 时鹏,孙冬柏,文磊,金莹,闫松涛,赖召贵. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2017-07-04.

Management apparatus, mobile terminal, and methods thereof

Номер патента: US20180234828A1. Автор: Takeshi Shiihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

MANAGEMENT APPARATUS, COMMUNICATION SYSTEM, AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20190246331A1. Автор: Nakajima Hiroaki. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2019-08-08.

Beverage dispensing apparatus and method for active pressure control thereof

Номер патента: CA3209495A1. Автор: Paul Fletcher,Stephen HOBDEN. Владелец: Lavazza Professional UK Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Beverage dispensing apparatus and method for active pressure control thereof

Номер патента: CA3209401A1. Автор: Paul Fletcher,Stephen HOBDEN. Владелец: Lavazza Professional UK Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Beverage dispensing apparatus and method for active pressure control thereof

Номер патента: CA3109475C. Автор: Paul Fletcher,Stephen HOBDEN. Владелец: Lavazza Professional UK Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and and method for growing discrete ultralong cylindrical sp2 carbon structures

Номер патента: EP3810547A1. Автор: F. Keith Perkins,Adam L. Friedman,Erin Cleveland,Ignacio Perez De Leon,Paul M. Campbell. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2021-04-28.

Ion beam sample preparation and coating apparatus and methods

Номер патента: US10731246B2. Автор: Steven Thomas Coyle,John Andrew Hunt,Michael Patrick Hassel-Shearer,Thijs C Hosman. Владелец: Gatan Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Ion beam sputtering apparatus and method

Номер патента: EP4398283A2. Автор: Richard John Futter,John Vedamuthu Kennedy,Jerome LEVENEUR,Ryan James DAVIDSON. Владелец: Institute Of Geological And Nuclear Sciences Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Processing apparatus and method of manufacture

Номер патента: US20230326705A1. Автор: Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Ion beam processing apparatus and method of operating ion source therefor

Номер патента: US20030030009A1. Автор: Shigeru Tanaka,Isao Hashimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Partial ion implantation apparatus and method using bundled beam

Номер патента: US20080128640A1. Автор: SEUNG Woo Jin,Min Yong Lee,Kyoung Bong Rouh,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-05.

Apparatus and method for improved scanning efficiency in an ion implanter

Номер патента: EP1016118A1. Автор: Peter Edwards,Christopher Wright,Peter Kindersley,Richard Cooke,Stephen Chamberlain. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-07-05.

Negative ribbon ion beams from pulsed plasmas

Номер патента: US09734991B2. Автор: Daniel Distaso,Svetlana B. Radovanov,Joseph P. Dzengeleski. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Apparatus and method for contamination control in ion beam apparatus

Номер патента: US09685298B1. Автор: William Davis Lee,Alexandre Likhanskii,Jay T. Scheuer. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Device and method for formation of multicharged ion beams

Номер патента: RU2716825C1. Автор: Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Петрович Гололобов,Александр Борисович Толстогузов,Сергей Игоревич Гусев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2020-03-17.

Apparatus and Method for Partial Ion Implantation Using Atom Vibration

Номер патента: US20090267002A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Ion beam sputtering apparatus and method

Номер патента: AU2018391532B2. Автор: Richard John Futter,John Vedamuthu Kennedy,Jerome LEVENEUR,Ryan James DAVIDSON. Владелец: Institute Of Geological And Nuclear Sciences Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus and method for controlling implant process

Номер патента: US09738968B2. Автор: Stanislav S. Todorov,Morgan D. Evans,George M. Gammel,Gregory R. Gibilaro,Norman E. Hussey. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Compact laser ion source apparatus and method

Номер патента: US20240079226A1. Автор: James Johnston,Liqian Li,Ankur CHAUDHURI,Martin-lee CUSICK. Владелец: Atomic Energy of Canada Ltd AECL. Дата публикации: 2024-03-07.

Compact laser ion source apparatus and method

Номер патента: EP4264657A1. Автор: James Johnston,Liqian Li,Ankur CHAUDHURI,Martin-lee CUSICK. Владелец: Atomic Energy of Canada Ltd AECL. Дата публикации: 2023-10-25.

Ion beam blanking apparatus and method

Номер патента: WO1992019006A1. Автор: Billy W. Ward,David Edwards, Jr.. Владелец: Micrion Corporation. Дата публикации: 1992-10-29.

Apparatus and method for elemental mass spectrometry

Номер патента: US20050199795A1. Автор: Iouri Kalinitchenko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-15.

Source of intense ion beams based on ecr discharge plasma, held in open magnetic trap

Номер патента: RU2726143C1. Автор: Иван Владимирович Изотов,Александр Васильевич Сидоров,Вадим Александрович Скалыга,Сергей Сергеевич Выбин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2020-07-09.

Ion implantation apparatus and method

Номер патента: US20200135470A1. Автор: Chun-Jung Huang,Po-Feng Tsai,Li-Hsin CHU,Henry Peng,Yung-Lin Hsu,Kuang Huan Hsu,Tsung Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and methods of forming a gas cluster ion beam using a low-pressure source

Номер патента: WO2008118738A2. Автор: Scott Lane. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2008-10-02.

Ion beam irradiating apparatus and method of adjusting uniformity of a beam

Номер патента: US7541601B2. Автор: Tadashi Ikejiri. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-02.

Apparatus and method for minimizing thermal distortion in electrodes used with ion sources

Номер патента: US10062544B2. Автор: James P. Buonodono. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-08-28.

Apparatus and method for minimizing thermal distortion in electrodes used with ion sources

Номер патента: US09916966B1. Автор: James P. Buonodono. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Ion beam extraction by discrete ion focusing

Номер патента: US09318297B2. Автор: Eugen Stamate. Владелец: Danmarks Tekniskie Universitet. Дата публикации: 2016-04-19.

Multimode Ion Mirror Prism and Energy Filtering Apparatus and System for Time-Of-Flight Mass Spectrometry

Номер патента: US20180323053A1. Автор: Luke Hanley,Igor Vladimirovich Veryovkin. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2018-11-08.

Multimode ion mirror prism and energy filtering apparatus and system for time-of-flight mass spectrometry

Номер патента: EP3384520A1. Автор: Luke Hanley,Igor Vladimirovich Veryovkin. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2018-10-10.

Ion implantation apparatus and method of controlling ion implantation apparatus

Номер патента: US09837248B2. Автор: Daisuke Imai,Shiro Ninomiya,Masahide Ooura. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Focused ion beam system and method of making focal adjustment of ion beam

Номер патента: US09646805B2. Автор: Tomohiro Mihira. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Pulsed ion beam source for electrospray mass spectrometry

Номер патента: US09524859B2. Автор: Chen-Yu Hsieh,Jung-Lee Lin,Chung-Hsuan Chen. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2016-12-20.

Ion implantation apparatus and method of determining state of ion implantation apparatus

Номер патента: US9269540B2. Автор: Keiji Fujita,Kei Hattori,Takahito Nagamatsu,Masayuki Jinguuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-23.

Apparatus and techniques for substrate processing using independent ion source and radical source

Номер патента: US20240297016A1. Автор: Anthony Renau,Joseph C. Olson,Peter F. Kurunczi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Apparatus and method to control an ion beam

Номер патента: US09972475B2. Автор: W. Davis Lee,James S. Buff,Edward W. Bell. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

High efficiency apparatus and method for depositing a layer on a three dimensional structure

Номер патента: US09929015B2. Автор: Thomas R. Omstead,Tristan MA,Simon Ruffell,John Hautala,Ethan A. Wright. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US09601314B2. Автор: Tetsuya Kudo,Shiro Ninomiya. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Source of high-current ion beams based on ecr discharge plasma, held in open magnetic trap

Номер патента: RU2725615C1. Автор: Сергей Владимирович Голубев,Иван Владимирович Изотов,Сергей Владимирович Разин,Александр Васильевич Сидоров,Вадим Александрович Скалыга. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2020-07-03.

Ion beam scanning systems and methods for improved ion implantation uniformity

Номер патента: EP1766654A1. Автор: Kevin Wenzel,Bo Vanderberg,Andrew Ray. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-03-28.

Apparatus and method for reduction of particle contamination by bias voltage

Номер патента: US20210104378A1. Автор: Shao-Yu HU. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

High-current ion implanter and method for controlling ion beam using high-current ion implanter

Номер патента: WO2021011156A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Shengwu Chang,Alexandre Likhanskii,Antonella Cucchetti,Eric D. Hermanson. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-01-21.

Ion implantation apparatus and method

Номер патента: US7119347B2. Автор: Takeshi Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-10.

Particle beam apparatus and method for operating a particle beam apparatus

Номер патента: US09947504B2. Автор: Dirk Preikszas,Michel Aliman,Michael Schnell,Edgar Fichter,Christian Hendrich,Momme MOMMSEN,Klaus Hegele,Kai Schubert. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2018-04-17.

Boron-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during boron ion implantation

Номер патента: US09570271B2. Автор: Stanley M. Smith,Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Serge M. CAMPEAU. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Boron-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during boron ion implantation

Номер патента: US09548181B2. Автор: Stanley M. Smith,Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Serge M. CAMPEAU. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Linear ion beam bonding apparatus and array structure thereof

Номер патента: US09406495B2. Автор: Wenjian Sun,Gongyu Jiang. Владелец: Shimadzu Research Laboratory Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Ion source, ion beam irradiation apparatus, and operating method for ion source

Номер патента: US20190318904A1. Автор: Tetsuro Yamamoto. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Apparatus, system and method for energy spread ion beam

Номер патента: US20240029997A1. Автор: Jun Lu,Frank Sinclair,Anthony Renau,Daniel Tieger,Paul J. Murphy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Focused ion beam apparatus and control method thereof

Номер патента: US20240282548A1. Автор: Donghoon Kwon,Yeoseon CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Focused Ion Beam System and Method of Correcting Deviation of Field of View of Ion Beam

Номер патента: US20230230801A1. Автор: Keiji Tajima,Yuichiro Ohori. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Selective processing of a workpiece using ion beam implantation and workpiece rotation

Номер патента: US09899188B2. Автор: Mark R. Amato,Jillian Reno,William Davis Lee. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Ion beam measuring device and method of measuring ion beam

Номер патента: US09564292B2. Автор: Kazuhiro Watanabe,Kouji Inada,Noriyasu Ido. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Systems and methods for super mass spectrometry

Номер патента: US20230298875A1. Автор: Mazdak TAGHIOSKOUI. Владелец: Trace Matters Scientific LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Device manufacturing apparatus and manufacturing method of magnetic device using structure to pass ion beam

Номер патента: US9799482B2. Автор: Junichi Ito,Yuichi Ohsawa,Akio Ui,Chikayoshi Kamata,Saori Kashiwada,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Scanning systems and methods for providing ions from an ion beam to a workpiece

Номер патента: US20060033046A1. Автор: Michael Graf,Joseph Ferrara,Bo Vanderberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Ion beam target assemblies for neutron generation

Номер патента: WO2019236537A3. Автор: Tye Gribb,Ross RADEL. Владелец: Phoenix Llc. Дата публикации: 2020-02-13.

Apparatus and method for the treatment of semiconductor substrates

Номер патента: WO2009150226A2. Автор: Andreas Tikovsky. Владелец: INTEGA GmbH. Дата публикации: 2009-12-17.

System and method for reducing charged particle contamination

Номер патента: US20040046131A1. Автор: Dror Shemesh. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Apparatus and method for the treatment of semiconductor substrates

Номер патента: WO2009150226A3. Автор: Andreas Tikovsky. Владелец: INTEGA GmbH. Дата публикации: 2010-02-04.

Molecular beam etching system and method

Номер патента: WO1988007261A1. Автор: Harry P. Gillis. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1988-09-22.

Gas-diffusion electrodes, membrane-electrode assemblies and method of their manufacturing

Номер патента: RU2370859C2. Автор: КАСТРО Эмори ДЕ,Роберт Дж. АЛЛЕН,Андреа Ф. ГУЛЛА,Энрико РАМУННИ. Владелец: Де Нора Элеттроди С.П.А.. Дата публикации: 2009-10-20.

Focused ion beam systems and methods of operation

Номер патента: US09576767B2. Автор: Sudeep Bhattacharjee,Jose Vettiyankal MATHEW. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2017-02-21.

System and method to improve productivity of hybrid scan ion beam implanters

Номер патента: US09711329B2. Автор: Bo H. Vanderberg,Andy M. Ray. Владелец: Axelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

High-current source of ion beams based on of electron-cyclotron resonance discharge plasma held in open magnetic trap

Номер патента: RU2660677C1. Автор: Сергей Владимирович Голубев,Иван Владимирович Изотов,Сергей Владимирович Разин,Александр Васильевич Сидоров,Вадим Александрович Скалыга. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2018-07-09.

Device and method of separating materials

Номер патента: RU2741418C1. Автор: Сампо СААРИ,Паси МАККОНЕН,Пану КАРЬЯЛАЙНЕН,Топи РЁНККЁ. Владелец: Джинано Ой. Дата публикации: 2021-01-26.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using east ion beam control

Номер патента: WO2006107797A2. Автор: Jonathan England,Joseph C. Olson,Russell J. Low,James R. Mclane,David R. Timberlake,Mark D. Saunders,James J. Cummings,Thomas B. Callahan. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-10-12.

Apparatus and methods for use in producing ions by gaseous discharge

Номер патента: WO1993023870A1. Автор: Derek Aitken. Владелец: Superion Limited. Дата публикации: 1993-11-25.

Charged particle beam extraction system and method

Номер патента: EP1732369A3. Автор: Takahide Nakayama,Takayoshi Hitachi Ltd. IPO 12F Natori,Masaki Hitachi Ltd. IPO 12F Yanagisawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-01-20.

High power ion beam generator systems and methods

Номер патента: AU2024204247A1. Автор: JIN LEE,Michael Taylor,Mark Thomas,Tye Gribb,Arne Kobernik,Carl Sherven,Casey LAMERS,Chris Seyfert,Evan SENGBUSCH,Gabriel Becerra,Logan CAMPBELL,Preston Barrows,Ross RADEL. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

High power ion beam generator systems and methods

Номер патента: AU2022218508B2. Автор: JIN LEE,Michael Taylor,Mark Thomas,Tye Gribb,Arne Kobernik,Carl Sherven,Casey LAMERS,Chris Seyfert,Evan SENGBUSCH,Gabriel Becerra,Logan CAMPBELL,Preston Barrows,Ross RADEL. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US09934941B2. Автор: Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Beam devices, system and complex of ion-beam nano-invasive low-energy action on biological tissues and agglomerates of cells, with functions of injection and monitoring

Номер патента: RU2724865C1. Автор: Сергей Евгеньевич Теркин,Валерий Владимирович Полянский,Александр Сергеевич Ермилов,Владислав Сергеевич Теркин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Специальное конструкторское бюро "Инновационно-аналитические разработки". Дата публикации: 2020-06-25.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: EP1964149A2. Автор: Brian Freer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-09-03.

Gas cluster ion beam apparatus and analyzing apparatus

Номер патента: US20200312604A1. Автор: Katsumi Watanabe,Daisuke Sakai,Mauo SOGOU,Hiromichi Yamazui. Владелец: Ulvac PHI Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for transmitting a broadband ion beam and ion implanter

Номер патента: US20150069261A1. Автор: Libo Peng,Huiyue Long,Junyu Xie. Владелец: Beijing Zhongkexin Electronic Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Focused ion beam apparatus

Номер патента: US7956336B2. Автор: Hiroyasu Kaga. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2011-06-07.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using fast ion beam control

Номер патента: US20060219954A1. Автор: Mark Saunders,Joseph Olson,Thomas Callahan,Jonathan England,James Cummings,Russell Low,David Timberlake,James McLane. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Device manufacturing apparatus and manufacturing method of magnetic device

Номер патента: US20160196951A1. Автор: Junichi Ito,Yuichi Ohsawa,Akio Ui,Chikayoshi Kamata,Saori Kashiwada,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Respiratory guidance device and method applied in respiratory-gated ion beam irradiation

Номер патента: US20170106209A1. Автор: QIANG LI,Yuanyuan Ma,Xinguo Liu,Ting Zhao,Pengbo HE,Zhongying DAI,Tingyan FU,Guosheng SHEN,Qiyan HUANG,Yuanlin YAN. Владелец: Institute of Modern Physics of CAS. Дата публикации: 2017-04-20.

Respiratory guidance device and method applied in respiratory-gated ion beam irradiation

Номер патента: US10300301B2. Автор: QIANG LI,Yuanyuan Ma,Xinguo Liu,Ting Zhao,Pengbo HE,Zhongying DAI,Tingyan FU,Guosheng SHEN,Qiyan HUANG,Yuanlin YAN. Владелец: Institute of Modern Physics of CAS. Дата публикации: 2019-05-28.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: WO2007075970A2. Автор: Brian Freer. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2007-07-05.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: WO2007075970A3. Автор: Brian Freer. Владелец: Brian Freer. Дата публикации: 2007-10-04.

Methods for forming a semiconductor device using tilted reactive ion beam

Номер патента: US20190295848A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Material for gas-thermal application, method of its manufacture and method of its application

Номер патента: RU2646299C2. Автор: Марат Хаджи-Муратович Абдуев,Аслан Хаджимуратович Абдуев,Абил Шамсудинович Асваров,Ахмед Кадиевич Ахмедов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТСО материалы". Дата публикации: 2018-03-02.

Source of ion beam based on electron-cyclotron resonant discharge plasma, held in open magnetic trap

Номер патента: RU2650876C1. Автор: Сергей Владимирович Голубев,Иван Владимирович Изотов,Сергей Владимирович Разин,Александр Васильевич Сидоров,Вадим Александрович Скалыга. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2018-04-18.

Fluorine based molecular co-gas when running dimethylaluminum chloride as a source material to generate an aluminum ion beam

Номер патента: US12051561B2. Автор: Edward Moore,Neil K. Colvin,Neil Bassom. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Combining focused ion beam milling and scanning electron microscope imaging

Номер патента: WO2023150026A1. Автор: Michael Steigerwald,Christopher Sears,Youfei JIANG. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2023-08-10.

Focused ion beam system

Номер патента: US20240242924A1. Автор: Michinobu Mizumura. Владелец: V Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Ion implantation apparatus and ion implanting method

Номер патента: US20070152173A1. Автор: Hiroshi Hashimoto,Takeshi Shibata,Tadahiko Hirakawa,Kazuhiko Tonari. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Combining focused ion beam milling and scanning electron microscope imaging

Номер патента: EP4377682A1. Автор: Michael Steigerwald,Christopher Sears,Youfei JIANG. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Slit Disk for Modified Faraday Cup Diagnostic for Determing Power Density of Electron and Ion Beams

Номер патента: US20100032562A1. Автор: John W. Elmer,Alan T. Teruya,Todd A. Palmer. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2010-02-11.

Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter utilizing a linear scan motor

Номер патента: WO2004077480A3. Автор: Robert Mitchell. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2005-01-20.

Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter utilizing a linear scan motor

Номер патента: EP1611592A2. Автор: Robert Mitchell. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-01-04.

Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter utilizing a linear scan motor

Номер патента: WO2004077480A2. Автор: Robert Mitchell. Владелец: Axcelis Technologies Inc.. Дата публикации: 2004-09-10.

Focused ION Beam Apparatus

Номер патента: US20080023641A1. Автор: Koichiro Takeuchi,Tohru Ishitani. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Mold, method of producing the mold, and method of producing molded article using the mold

Номер патента: US7811501B2. Автор: Akira Morishige,Ken-Ichi Kobayashi,Tetsuaki Nishida. Владелец: Kitakyushu Foundation for Advancement of Industry Science and Technology. Дата публикации: 2010-10-12.

Controlling an ion beam in a wide beam current operation range

Номер патента: US09679745B2. Автор: Daniel Brosnan,Shengwu Chang,William Leavitt,Kristen Rounds. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing magnetoresistive element and method of processing magnetoresistive film

Номер патента: US09601688B2. Автор: Masayoshi Ikeda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190385852A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Christian Krueger,Michael Kokot. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-19.

Increased dynamic range for the attenuation of an ion beam

Номер патента: US12027357B2. Автор: Pascal Martin,Bruce Collings. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: EP1027718A1. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

Grid structures of ion beam etching (IBE) systems

Номер патента: US11961706B2. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Apparatus and method for controlling ion beam properties using energy filter

Номер патента: WO2019125860A1. Автор: Svetlana Radovanov,Frank Sinclair,Shengwu Chang,Peter Kellerman,Ana SAMOLOV. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Apparatus and system having extraction assembly for wide angle ion beam

Номер патента: WO2021021345A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Costel Biloiu,Tyler Rockwell,Appu Naveen THOMAS. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-02-04.

Apparatus and method for implantation of elements, species and compositions in nanostructured materials

Номер патента: EP1702086A2. Автор: Timothy Imholt. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2006-09-20.

Deflector gates for ion beam intensity modulation

Номер патента: EP4409619A1. Автор: William Loyd,Robert HAUFLER. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Umbilical cord facilities connection for an ion beam implanter

Номер патента: WO2005057632A1. Автор: Robert Mitchell,Kevin Ryan. Владелец: Axcelis Technologies Inc.. Дата публикации: 2005-06-23.

Grid Structures Of Ion Beam Etching (IBE) Systems

Номер патента: US20240222071A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Ion beam processing apparatus and method for controlling operation thereof

Номер патента: US11929238B2. Автор: Tatsuhito Kimura,Munehiro Kozuka. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of operating an ion beam source, ion beam source and computer program

Номер патента: US20240266139A1. Автор: Ramu Pradip. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and apparatus for scanning a workpiece in a vacuum chamber of an ion beam implanter

Номер патента: US20070001129A1. Автор: Joseph Ferrara. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Mold, Method Of Producing The Mold, And Method Of Producing Molded Article Using The Same

Номер патента: US20080303193A1. Автор: Akira Morishige,Tetsuaki Nishida,Ken-ich Kobayashi. Владелец: Kitakyushu Foundation for Advancement of Industry Science and Technology. Дата публикации: 2008-12-11.

Ion beam etching apparatus

Номер патента: US11120975B2. Автор: Jin Woo Park,Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Geun Young Yeom,Kyung Chae YANG,Da In SUNG,Doo San KIM,You Jin JI,Jong Sik OH,Won Oh Lee,Mu Kyeom MUN,Ji Soo OH. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-09-14.

Systems for controlling a high power ion beam

Номер патента: US09887066B2. Автор: Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Theodore Smick. Владелец: Neutron Therapeutics Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Lower dose rate ion implantation using a wider ion beam

Номер патента: US09748072B2. Автор: Xiao Bai,Zhimin Wan,Ger-Pin Lin,Kourosh Saadatmand,Ching-I Li,Rekha Padmanabhan,Gary N. Cai,David Hoglund,Shao-Yu HU,Robert E. Kaim. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming a pattern using ion beams of bilateral symmetry, a method of forming a magnetic memory device using the same, and an ion beam apparatus generating ion beams of bilateral symmetry

Номер патента: US09627610B2. Автор: Jongchul Park,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Ion beam apparatus and method for aligning same

Номер патента: EP1830385A1. Автор: Helmut Banzhof,Jürgen Frosien,Thomas Jasinski. Владелец: ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH. Дата публикации: 2007-09-05.

A method for providing an ion beam

Номер патента: AU1822897A. Автор: Gregory C. Eiden,Charles J. Barinaga,David W. Koppenaal. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 1997-08-01.

Improved uniformity of a scanned ion beam

Номер патента: WO2013028227A3. Автор: William Davis Lee. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-05-10.

Ion beam processing method and ion beam processing apparatus

Номер патента: US20150303028A1. Автор: Yasushi Kamiya,Hiroshi Akasaka,Yuta Konno. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Applying inert ion beam etching for improving a profile and repairing sidewall damage for phase change memory devices

Номер патента: US20230165169A1. Автор: Robert L. Bruce,Sebastian Ulrich Engelmann,Luxherta Buzi,Lynne Marie Gignac,Thitima Suwannasiri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Apparatus for surface modification of polymer, metal and ceramic materials using ion beam

Номер патента: EP1296353A3. Автор: Won Kook Choi,Hyung Jin Jung,Seok-Keun Koh,Jung Cho. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2008-05-07.

Ion beam apparatus generating ion beams of bilateral symmetry

Номер патента: US09871194B2. Автор: Jongchul Park,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Ion beam processing method and ion beam processing apparatus

Номер патента: US09852879B2. Автор: Yasushi Kamiya,Hiroshi Akasaka,Yuta Konno. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Techniques and apparatus for manipulating an ion beam

Номер патента: US09793087B2. Автор: Frank Sinclair,Victor Benveniste,James S. Buff. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Ion beam device and emitter tip adjustment method

Номер патента: US09761407B2. Автор: Shinichi Matsubara,Hiroyasu Shichi,Yoshimi Kawanami,Hiroyuki Muto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Porous gas-absorbing units at reduced loss of particles and method of manufacture of such units

Номер патента: RU2253695C2. Автор: Андреа КОНТЕ,Марко МОРАЯ. Владелец: Саес Геттерс С.П.А.. Дата публикации: 2005-06-10.

Method of manufacture of thermally processed and cured by trailing/milling ion beams of coated products with using protective film from diamond like carbon (dlc)

Номер патента: RU2635312C2. Автор: Жан-Марк ЛЕММЕР,Цзянпин ВАН,Рудольф Хьюго ПЕТРМИЧЛ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2017-11-10.

Ion source, ion beam processing/observation apparatus, charged particle beam apparatus, and method for observing cross section of sample

Номер патента: US20130284593A1. Автор: Hiroyasu Shichi,Kaoru Umemura,Satoshi Tomimatsu,Koji Ishiguro,Noriyuki Kaneoka. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Apparatus and method for metal contamination control in an ion implantation system using charge stripping mechanism

Номер патента: US11923169B2. Автор: Shu Satoh,Causon KO-CHUAN JEN,William Bintz,Genise Bonacorsi. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Ion beam apparatuses and methods for forming patterns using the same, and methods for manufacturing magnetic memory devices using the same.

Номер патента: US20180069176A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Sang-Kuk Kim,Woohyun LEE,Yil-hyung LEE,Hyeji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Enhanced low energy ion beam transport in ion implantation

Номер патента: EP2389680A1. Автор: William DiVergilio,Bo Vanderberg. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Focused ion beam apparatus

Номер патента: EP4333021A2. Автор: Yusuke KAGAYA. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Focused ion beam apparatus

Номер патента: US20180233319A1. Автор: Yoshimi Kawanami. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Apparatus for high-throughput ion beam assisted deposition (ibad)

Номер патента: WO2005002020A3. Автор: Venkat Selvamanickam,Srinivas Sathiraju. Владелец: Superpower Inc. Дата публикации: 2005-05-12.

Resolving slit assembly and method of ion implantation

Номер патента: WO1993023871A1. Автор: Derek Aitken. Владелец: Superion Limited. Дата публикации: 1993-11-25.

Pulsed ion beam to pulsed neutral particle beam slow wave converter device and method for use thereof

Номер патента: US11991814B1. Автор: Mark Bennahmias,Michael J. Zani. Владелец: NEXGEN SEMI HOLDING Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Ion beam processing system and ion beam processing method

Номер патента: US7288173B2. Автор: Akio Fukushima,Kojiro Yagami. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2007-10-30.

Fabrication method of nanocrystals using a focused-ion beam

Номер патента: US20020081848A1. Автор: Young Park,Tae Kim,Seung Kang,Eun Kim,Jae Shim,Dong Choo. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2002-06-27.

Fabrication of novel devices using ion beams

Номер патента: US20240222126A1. Автор: Kevin O'Brien,Shida Tan,Uygar Avci,Brandon Holybee,Mahmut Sami KAVRIK,Jennifer Lux. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Thermal management apparatus, control method of thermal management apparatus, and vehicle

Номер патента: EP4407749A1. Автор: Xudong Wu,Jincheng Shi,Xiunan LU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Ion beam processing method and ion beam processing apparatus

Номер патента: US09984854B2. Автор: Isao Takeuchi,Yoshimitsu Kodaira,Mihoko Nakamura. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of treating powder made from cerium oxide using an ion beam

Номер патента: US09981249B2. Автор: Denis Busardo,Frederic Guernalec. Владелец: Ionics France SA. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960044B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Innovative source assembly for ion beam production

Номер патента: US09941094B1. Автор: Gerard Nicolaas Anne Van Veen,Leon van Kouwen. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2018-04-10.

Source housing assembly for controlling ion beam extraction stability and ion beam current

Номер патента: US09934928B2. Автор: Frank Sinclair,Shengwu Chang,William Leavitt,Joe Olson,Jeff Burgess,Michael St Peter,Matt Mosher. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of improving ion beam quality in an implant system

Номер патента: US09524849B2. Автор: John W. Graff,Timothy J. Miller,Bon-Woong Koo,Nicholas Pt Bateman,Vikram M. Bhosle,John A. Frontiero. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Ion beam line

Номер патента: US09502213B2. Автор: Tetsuro Yamamoto,Sami K. Hahto. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Apparatus and method for reducing heating of a workpiece in ion implantation

Номер патента: EP1083587A3. Автор: Marvin Farley,Theodore H. Smick,Geoffrey Ryding. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-19.

Techniques for measuring and controlling ion beam angle and density uniformity

Номер патента: WO2009064871A3. Автор: Victor M Benveniste,Svetlana Radovanov,Frank Sinclair,John Slocum,Peter L Kellerman,Kenneth Purser. Владелец: Kenneth Purser. Дата публикации: 2009-07-02.

A method for a repetitive ion beam processing with a by carbon containing ion beam

Номер патента: EP1161309A4. Автор: Alan V Hayes,Boris L Druz,Kurt E Williams. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2008-04-16.

Selective ion source for high intensity focused and collimated ion beams - coupling with high resolution cycloidal path sector

Номер патента: US20030094570A1. Автор: Robert Evrard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Grid surface conditioning for ion beam system

Номер патента: WO2024129423A1. Автор: Mohammad SAGHAYEZHIAN,Kirill Gutsol,Binyamin Rubin. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Mass analyzing electromagnet and ion beam irradiation apparatus

Номер патента: US9728390B2. Автор: Junichi Tatemichi,Ippei Nishimura,Shojiro Dohi. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Mirror lens for directing an ion beam

Номер патента: US20170047216A1. Автор: Gerhard Jung,Johannes Schwieters. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2017-02-16.

A method and apparatus for determining an energy deposition of an ion beam

Номер патента: WO2016009042A1. Автор: Katia Parodi,Vasilis Ntziachristos,Walter Assmann,Stephan KELLNBERGER,Günther Dollinger. Владелец: UNIVERSITAT DER BUNDESWEHR MUNCHEN. Дата публикации: 2016-01-21.

Systems, devices, and methods for high quality ion beam formation

Номер патента: US12070625B2. Автор: Alexandr A. Ivanov,Vladislav VEKSELMAN,Alexander Dunaevsky,Artem N. SMIRNOV. Владелец: TAE Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Ion beam extraction electrode, ion source and extraction electrode structure

Номер патента: US20240290576A1. Автор: Yuya Hirai,Weijang ZHAO. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus for measuring a position of an ion beam profiler and a method for its use

Номер патента: US20070023688A1. Автор: Jung-Su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-01.

High power ion beam generator systems and methods

Номер патента: US12101870B2. Автор: JIN LEE,Michael Taylor,Mark Thomas,Tye Gribb,Arne Kobernik,Carl Sherven,Casey LAMERS,Chris Seyfert,Evan SENGBUSCH,Gabriel Becerra,Logan CAMPBELL,Preston Barrows,Ross RADEL. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

High power ion beam generator systems and methods

Номер патента: US20240357728A1. Автор: JIN LEE,Michael Taylor,Mark Thomas,Tye Gribb,Arne Kobernik,Carl Sherven,Casey LAMERS,Chris Seyfert,Evan SENGBUSCH,Gabriel Becerra,Logan CAMPBELL,Preston Barrows,Ross RADEL. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

High power ion beam generator systems and methods

Номер патента: US12075555B2. Автор: JIN LEE,Michael Taylor,Mark Thomas,Tye Gribb,Arne Kobernik,Carl Sherven,Casey LAMERS,Chris Seyfert,Evan SENGBUSCH,Gabriel Becerra,Logan CAMPBELL,Preston Barrows,Ross RADEL. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Deposition method and focused ion beam system

Номер патента: US09824856B2. Автор: Misumi Kadoi. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Mirror lens for directing an ion beam

Номер патента: US09818591B2. Автор: Gerhard Jung,Johannes Schwieters. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2017-11-14.

Device and method for particle beam production

Номер патента: US09451688B2. Автор: Yves Jongen. Владелец: Ion Beam Applications SA. Дата публикации: 2016-09-20.

Ion beam generator and ion beam plasma processing apparatus

Номер патента: US09422623B2. Автор: Yasushi Kamiya,Einstein Noel Abarra,Yuta Konno. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Multi-source plasma focused ion beam system

Номер патента: US09401262B2. Автор: Noel Smith,Clive D. Chandler,Mark W. Utlaut,Paul P. Tesch,David William Tuggle. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2016-07-26.

Apparatus and method to control ion beam current

Номер патента: US9396903B1. Автор: Shengwu Chang,William Leavitt,Kristen S. Rounds,Michael St. Peter. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Blocking apparatus and method utilizing a low-energy ion beam

Номер патента: US3622782A. Автор: David P Smith,James W Salo. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1971-11-23.

Ion beam chamber fluid delivery apparatus and method and ion beam etcher using same

Номер патента: EP4102537A1. Автор: Paul Gagnon,Ian Jones,Christopher Pawlowicz,Alexander Sorkin,Trevor FRENCH. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Focused ion beam system and method of correcting deviation of field of view of ion beam

Номер патента: EP4216255A1. Автор: Keiji Tajima,Yuichiro Ohori. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2023-07-26.

Composite charged particle beam apparatus and control method thereof

Номер патента: US20200266029A1. Автор: Hiroshi Oba,Yasuhiko Sugiyama,Naoko Hirose. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Focused ion beam system and method

Номер патента: EP4297062A1. Автор: Alexander Henstra,Galen Gledhill. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2023-12-27.

Focused ion beam system and method

Номер патента: US20230420213A1. Автор: Alexander Henstra,Galen Gledhill. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2023-12-28.

Apparatus and method for three dimensional ion processing

Номер патента: WO2013025816A1. Автор: Ludovic Godet,Timothy J. Miller. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2013-02-21.

Grid surface conditioning for ion beam system

Номер патента: US20240203683A1. Автор: Mohammad SAGHAYEZHIAN,Kirill Gutsol,Binyamin Rubin. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Ion source, ion implantation apparatus, and ion implantation method

Номер патента: US20090078890A1. Автор: Hideyuki Fujiwara,Takatoshi Yamashita,Tadashi Ikejiri,Keiko Kuzawa. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-26.

Thermal management apparatus and method

Номер патента: US20240255229A1. Автор: Zilong Wang,Qidong SUN. Владелец: Kelvin Cooling Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

System, apparatus and method for multi-frequency resonator operation in linear accelerator

Номер патента: US20220087004A1. Автор: Frank Sinclair,David T. Blahnik,Peter F. Kurunczi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Ion beam device and cleaning method for gas field ion source

Номер патента: US20200294776A1. Автор: Shinichi Matsubara,Hiroyasu Shichi,Yoshimi Kawanami,Tomihiro Hashizume,Atsushi Kobaru. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Angular control of ion beam for vertical surface treatment

Номер патента: WO2020041019A1. Автор: Gang Shu,Shurong Liang,Glen Gilchrist. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Utilization of voltage contrast during sample preparation for transmission electron microscopy

Номер патента: WO2018052575A1. Автор: Corey SENOWITZ. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-22.

Utilization of voltage contrast during sample preparation for transmission electron microscopy

Номер патента: US09779910B1. Автор: Corey SENOWITZ. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Electrode for use in ion implantation apparatus and ion implantation apparatus

Номер патента: US09627170B2. Автор: BO Yang,Jingyi Xu,Zhiqiang Wang,Feng Kang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Mass spectrometer and appropriate ioniser and methods

Номер патента: RU2345441C2. Автор: Гюнтер Ф. ФОСС. Владелец: Монитор Инструментс Кампани, Ллк. Дата публикации: 2009-01-27.

Systems and methods for ion implantation

Номер патента: US4743767A. Автор: Christopher Wright,Derek Aitken,Frederick Plumb,Bernard Harrison,Nicholas J. Bright. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1988-05-10.

Apparatus and method for neutralizing the beam in an ion implanter

Номер патента: US4361762A. Автор: Edward C. Douglas. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-11-30.

In situ ion beam current monitoring and control in scanned ion implantation systems

Номер патента: WO2018048889A1. Автор: Alfred Halling. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-03-15.

Mass spectrometer and methods of increasing dispersion between ion beams

Номер патента: WO2006130149A2. Автор: John E. Olson,Anthony D. Appelhans,James E. Delmore. Владелец: BATTELLE ENERGY ALLIANCE, LLC. Дата публикации: 2006-12-07.

Time of Flight Mass Spectrometer and Method Of Mass Spectrometry

Номер патента: US20210272790A1. Автор: HAMISH Stewart,Alexander A. Makarov,Dmitry E. Grinfeld. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2021-09-02.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US20130295753A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Uniform charged particle exposure device and method using translatable stage and faraday cup

Номер патента: EP1277222A1. Автор: Donald W. Berrian. Владелец: Proteros LLC. Дата публикации: 2003-01-22.

Ion beam irradiating apparatus and method of adjusting uniformity of a beam

Номер патента: US20080073581A1. Автор: Tadashi Ikejiri. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US20150270103A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US9805913B2. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Apparatus and method for fabricating semiconductor device by using focused ion beam and scanning electron microscope supported by electron diffraction pattern

Номер патента: US20240203688A1. Автор: Kunsu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Focused ion beam system

Номер патента: US20230307205A1. Автор: Michinobu Mizumura. Владелец: V Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Ion beam scanning control methods and systems for ion implantation uniformity

Номер патента: US20060145096A1. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Ion beam scanning control methods and systems for ion implantation

Номер патента: EP1836717A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-09-26.

Ion beam scanning methods and system for ion implantation

Номер патента: WO2006074200A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-07-13.

Device and method for separating materials

Номер патента: US20180345295A1. Автор: Pasi Makkonen,Sampo Saari,Panu Karjalainen,Topi Rönkkö. Владелец: Genano Oy. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of manufacturing semiconductor device and ion beam irradiation apparatus

Номер патента: US12040155B2. Автор: Toshiyuki Sasaki,Junichi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Carbon ion beam growth of isotopically-enriched graphene and isotope-junctions

Номер патента: US20110031104A1. Автор: Delmar L. Barker,William R. Owens,John Warren Beck. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-02-10.

Ion beam angle calibration and emittance measurement system for ribbon beams

Номер патента: WO2010085351A1. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Edward Eisner,Mark Lambert,Paul Eide,Donovan Beckel,Ronald Horner,Donald Polner,Brian Freer. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-07-29.

Ion beam angle calibration and emittance measurement system for ribbon beams

Номер патента: EP2389679A1. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Edward Eisner,Mark Lambert,Paul Eide,Donovan Beckel,Ronald Horner,Donald Polner,Brian Freer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Device and method for separating materials

Номер патента: US20200038880A1. Автор: Pasi Makkonen,Sampo Saari,Panu Karjalainen,Topi Rönkkö. Владелец: Genano Oy. Дата публикации: 2020-02-06.

Aligned crystalline semiconducting film on a glass substrate and methods of making

Номер патента: WO2008048628A2. Автор: Alp T. Findikoglu. Владелец: Los Alamos National Security, LLC. Дата публикации: 2008-04-24.

Method and apparatus for multiplexing plural ion beams to a mass spectrometer

Номер патента: US7528366B1. Автор: James G. Boyle,Robert A. Valley. Владелец: Analytica of Branford Inc. Дата публикации: 2009-05-05.

Ion beam lithography and nanoengineering

Номер патента: US20240222073A1. Автор: Kevin O'Brien,Shida Tan,Uygar Avci,Kirby MAXEY,Brandon Holybee,Mahmut Sami KAVRIK. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Mismatched optics for angular control of extracted ion beam

Номер патента: EP4423787A1. Автор: Alexandre Likhanskii,Jay T. Scheuer,Nevin Clay,Sudhakar Mahalingam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Device and method for implanting particles into a substrate

Номер патента: US12125670B2. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-10-22.

Ion beam etch system and method

Номер патента: US20240355597A1. Автор: Chih-Yang Chang,Seokmin Yun,Raphael Casaes,Anurag Kumar Mishra,Shih-Yuan Cheng,Chih-Min Lin,Shuogang Huang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Ion injector and lens system for ion beam milling

Номер патента: US09916993B2. Автор: Thorsten Lill,Ivan L. Berry, III. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Traveling-well ion guides and related systems and methods

Номер патента: US09799503B2. Автор: Noah Goldberg,Guthrie Partridge,Peter T. WILLIAMS. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-10-24.

Ion beam device

Номер патента: US09508521B2. Автор: Shinichi Matsubara,Norihide Saho,Hiroyasu Shichi,Noriaki Arai,Masahiro Yamaoka. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor inspection system and methods of inspecting a semiconductor device using the same

Номер патента: US09455121B2. Автор: Hyunwoo Kim,Jung Hwan Kim,Yusin Yang,Chungsam Jun,Minkook KIM,Sangkil Lee,Wooseok Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for increasing the cluster ion beam current

Номер патента: RU2760276C1. Автор: Владимир Иванович Турчин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт". Дата публикации: 2021-11-23.

Apparatus and method for neutralizing ion beams

Номер патента: US4419203A. Автор: James M. E. Harper,Harold R. Kaufman,Mordehai Heiblum. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-12-06.

Systems and methods for beam angle adjustment in ion implanters

Номер патента: WO2008033448A3. Автор: Bo Vanderberg,Edward Eisner. Владелец: Edward Eisner. Дата публикации: 2008-11-20.

Apparatus and techniques for substrate processing using independent ion source and radical source

Номер патента: WO2021113098A1. Автор: Anthony Renau,Joseph C. Olson,Peter F. Kurunczi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-06-10.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US20170148633A1. Автор: Tetsuya Kudo,Shiro Ninomiya. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Ion milling apparatus and method of manufacturing sample

Номер патента: US11621143B2. Автор: Shogo Kataoka,Tatsuro Mino,Koji Todoroki. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Ion Milling Apparatus and Method of Manufacturing Sample

Номер патента: US20220020558A1. Автор: Shogo Kataoka,Tatsuro Mino,Koji Todoroki. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Ion implant apparatus and method of controlling the ion implant apparatus

Номер патента: US20220270846A1. Автор: Hsun-Po WEN,Sung-Hui CHEN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Apparatus and techniques for substrate processing using independent ion source and radical source

Номер патента: US11996266B2. Автор: Anthony Renau,Joseph C. Olson,Peter F. Kurunczi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Apparatus, system and method for energy spread ion beam

Номер патента: US20220319806A1. Автор: Jun Lu,Frank Sinclair,Anthony Renau,Daniel Tieger,Paul J. Murphy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Apparatus, system and method for energy spread ion beam

Номер патента: WO2022211910A1. Автор: Jun Lu,Frank Sinclair,Anthony Renau,Daniel Tieger,Paul J. Murphy. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of forming quantum holes, semiconductor for use in light emitting device with quantum dots, and method for fabricating the same

Номер патента: US20010039066A1. Автор: Kim Hoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Ion implantation apparatus and measurement device

Номер патента: US20190295818A1. Автор: Yoshiaki Inda. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Fluid management apparatus and thermal management system

Номер патента: US20240198756A1. Автор: Xiangyu Zhang,Yongxiang TAN,Haonan CHENG,Chunqiang WU. Владелец: Zhejiang Sanhua Automotive Components Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Ion beam irradiation apparatus

Номер патента: US20220359184A1. Автор: Hiroaki Kai,Yuya UCHIDA. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Novel apparatus and techniques for generating bunched ion beam

Номер патента: WO2020041034A1. Автор: Frank Sinclair. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Ion Beam Device

Номер патента: US20190295802A1. Автор: Shinichi Matsubara,Hiroyasu Shichi,Yoshimi Kawanami,Hiroyuki Muto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Encoding of precursor ion beam to aid product ion assignment

Номер патента: US10403485B2. Автор: Jason Lee Wildgoose,Kevin Giles,Martin Raymond Green,Keith Richardson. Владелец: Micromass UK Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Ion source and metals used in making components thereof and method of making same

Номер патента: WO2008036266A9. Автор: Maximo Frati,Nestor P Murphy,David E Rock,Hugh A Walton. Владелец: Hugh A Walton. Дата публикации: 2009-03-12.

Ion beam device

Номер патента: US20140197329A1. Автор: Yoshimi Kawanami,Hiroyuki Muto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Method and apparatus for supplying ion beam in ion implantation process

Номер патента: US20170243719A1. Автор: Tai-Kun Kao,Tsung-Min Lin,Jen-Chung Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Gas injection system with precursor for planar deprocessing of semiconductor devices using a focused ion beam

Номер патента: US09761467B2. Автор: Chad Rue,Clive D. Chandler. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and apparatus for supplying ion beam in ion implantation process

Номер патента: US09741537B1. Автор: Tai-Kun Kao,Tsung-Min Lin,Jen-Chung Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Control of ion angular distribution of ion beams with hidden deflection electrode

Номер патента: US09514912B2. Автор: Vikram Singh,Christopher Campbell,Svetlana Radovanov,Costel Biloiu,Peter F. Kurunczi,Tyler Rockwell. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Ion sources, systems and methods

Номер патента: EP2416344A3. Автор: Louis Farkas,Randall Percival,Billy W. Ward,John A. Notte,Lars Markwort,Dirk Aderhold,Ulrich Mantz,Klaus Edinger,Raymond Hill. Владелец: Alis Corp. Дата публикации: 2013-06-05.

Ion-implantation system using split ion beams

Номер патента: US5767522A. Автор: Shuichi Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Systems and methods for ion beam focusing

Номер патента: US7019314B1. Автор: Victor M. Benveniste,Peter L. Kellerman. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-03-28.

Charged particle beam apparatus and method utilizing liquid metal field ionization source and asymmetric three element lens system

Номер патента: US4426582A. Автор: Lynwood W. Swanson,Jonathan H. Orloff. Владелец: OREGON GRADUATE CENTER. Дата публикации: 1984-01-17.

System and method for neutralizing an ion beam using water vapor

Номер патента: US5814819A. Автор: Frank Sinclair,Victor Benveniste,Jiong Chen. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Apparatus and method for dynamic control of ion beam energy and angle

Номер патента: US9336998B2. Автор: Yu Liu,Ludovic Godet,Daniel Distaso,Tristan MA,Nini Munoz. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Focused ion beam apparatus and liquid metal ion source

Номер патента: US7435972B2. Автор: Shigeru Izawa,Yuichi Madokoro,Kaoru Umemura,Hiroyasu Kaga. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-10-14.

System and method for setecing neutral particles in an ion bean

Номер патента: US5814823A. Автор: Victor M. Benveniste. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Ion beam deposition apparatus and ion beam deposition method using the same

Номер патента: US20240071712A1. Автор: Jaehong Park,Dohyung Kim,Dong-Chan Lim,Seungwan YOO,Jeongyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US20190074158A1. Автор: Takayuki Ito,Tsuyoshi Fujii,Yasunori OSHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Apparatus and method for carbon film deposition profile control

Номер патента: US20170029950A1. Автор: Simon Ruffell,Alex Tsung-Liang Chen. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Systems and methods for optimizing full horizontal scanned beam distance

Номер патента: WO2023229857A1. Автор: Jay T. Scheuer,Robert C. Lindberg,Eric Donald WILSON,Shardul Patel,George M. Gammel,Tyler WILLS,Xiangdong HE. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-30.

Apparatus and techniques for beam mapping in ion beam system

Номер патента: US20190139740A1. Автор: Daniel Tieger,Eric D. Wilson,George M. Gammel,Sruthi Chennadi,Shane Conley. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

System and method of controlling broad beam uniformity

Номер патента: WO2010008469A2. Автор: Shu Satoh,Edward Eisner,Manny Sieradski. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-21.

Systems and methods for optimizing full horizontal scanned beam distance

Номер патента: US20230386785A1. Автор: Jay T. Scheuer,Robert C. Lindberg,Eric Donald WILSON,Shardul Patel,George M. Gammel,Tyler WILLS,Xiangdong HE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Charge exchanger, ion implantation system comprising the charge exchanger, and method of controlling the rate at which the polarity of ions is changed

Номер патента: US6462347B1. Автор: Sang-kuen Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-08.

Substrate processing apparatus and method of processing substrate by using the same

Номер патента: US20240105425A1. Автор: Jaehong Park,Dohyung Kim,Dongchan Lim,Seungwan YOO,Jeongyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US20190244782A1. Автор: Sho Kawatsu,Noriyasu Ido. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using east ion beam control

Номер патента: WO2006107797A3. Автор: Jonathan England,Joseph C Olson,Russell J Low,James R Mclane,David R Timberlake,Mark D Saunders,James J Cummings,Thomas B Callahan. Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2007-06-14.

Virtual shutter in ion beam system

Номер патента: US20230343557A1. Автор: Russell Westerman,Sarpangala Hariharakeshava HEGDE,Armin Baur,Wei-Hua Hsiao. Владелец: Plasma Therm NES LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Virtual shutter in ion beam system

Номер патента: WO2023204912A2. Автор: Russell Westerman,Sarpangala Hariharakeshava HEGDE,Armin Baur,Wei-Hua Hsiao. Владелец: Plasma-Therm Nes, Llc. Дата публикации: 2023-10-26.

Mixed gas cluster ion beam generator and mass spectrometer including the same

Номер патента: US20220157554A1. Автор: Chang Min Choi,Myoung Choul Choi,Sang Ju Lee,Ji Young BAEK,Aram HONG. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2022-05-19.

Ribbon-shaped ion beam with mass separation

Номер патента: WO2005031787A3. Автор: Victor Benveniste. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Ion beam processing method

Номер патента: US20060097194A1. Автор: Tomokazu Kozakai,Osamu Takaoka,Kazuo Aita. Владелец: SII NanoTechnology Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Ion beam guide tube

Номер патента: US20080054193A1. Автор: Richard Goldberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Combined aperture holder, beam blanker and vacuum feed through for electron beam, ion beam charged particle devices

Номер патента: US20070069149A1. Автор: Earl Weltmer. Владелец: SCANSERVICE Corp. Дата публикации: 2007-03-29.

Device and method for detecting the drive state of a turbo pump in a tendetron accelerator of an ion implantation device

Номер патента: US20020050577A1. Автор: Kwang-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-02.

Fluid management apparatus and thermal management system

Номер патента: EP4435301A1. Автор: Deping He,Bin Song,Keli Ye. Владелец: Zhejiang Sanhua Automotive Components Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

System, apparatus and method for variable length electrode in linear accelerator

Номер патента: EP4241539A1. Автор: Frank Sinclair,William Davis Lee,Charles T. Carlson,Paul J. Murphy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Apparatus, system and techniques for mass analyzed ion beam

Номер патента: US20240339287A1. Автор: Frank Sinclair,Anthony Renau,Joseph C. Olson,Alexandre Likhanskii,Peter F. Kurunczi,Nirbhav Singh Chopra. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Thermal management apparatus, systems, and methods

Номер патента: EP1856373A1. Автор: James J. Freeman,Yogendra Joshi,Bruce H. Storm,Juan-Carlos Jakaboski. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2007-11-21.

Method and device for computing physical and/or radiobiological quantities induced by an ion beam in a volume

Номер патента: US09878181B2. Автор: Germano Russo,Andrea Attili,Flavio Pietro Marchetto,Damien Bertrand,Faiza Bourhaleb. Владелец: Internet-Simulation Evaluation Envision Srl. Дата публикации: 2018-01-30.

Combined laser processing system and focused ion beam system

Номер патента: US09793122B2. Автор: Carl Kuebler. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2017-10-17.

Multi-aperture extraction system for angled ion beam

Номер патента: US09478399B2. Автор: William Davis Lee,Svetlana B. Radovanov,Alexandre Likhanskii. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Determining ion beam parallelism using refraction method

Номер патента: US7397049B2. Автор: David Olson,Raymond Callahan,Wilhelm P. Platow,Stanislav S. Todorov. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2008-07-08.

Ion beam species filter and blanker

Номер патента: US4649316A. Автор: Haroon Ahmed,John R. A. Cleaver. Владелец: Dubilier Scientific Ltd. Дата публикации: 1987-03-10.

Ion-implanter having variable ion beam angle control

Номер патента: US5696382A. Автор: Chang-Heon Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-12-09.

Ion beam apparatus and a method for neutralising space charge in an ion beam

Номер патента: GB2337632A. Автор: Stephen Moffatt,Jonathan Gerald England,Andrew James Timothy Holmes,David George Armour,Den Berg Jaap Van. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-11-24.

Ion beam charge neutralizer and method therefor

Номер патента: US20030183780A1. Автор: Michiro Sugitani,Makoto Sano. Владелец: Sumitomo Eaton Nova Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Mass spectrometer and related ionizer and methods

Номер патента: WO2004108257A3. Автор: Guenter F Voss. Владелец: Monitor Instr Company Llc. Дата публикации: 2005-01-27.

Ion beam uniformity control using ion beam blockers

Номер патента: US20150270099A1. Автор: Joseph C. Olson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Implantation Apparatus with Ion Beam Directing Unit, Semiconductor Device and Method of Manufacturing

Номер патента: US20150228446A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Stephan Voss,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-08-13.

Ion beam target assemblies for neutron generation

Номер патента: US11903117B2. Автор: Tye Gribb,Ross RADEL. Владелец: Phoenix Neutron Imaging LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Ion implantation apparatus and method

Номер патента: US20050218345A1. Автор: Takeshi Shibata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Ion Implantation Apparatus and Method of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20190051488A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Ion beam target assemblies for neutron generation

Номер патента: US20190380195A1. Автор: Tye Gribb,Ross RADEL. Владелец: Phoenix Llc. Дата публикации: 2019-12-12.

Ion beam target assemblies for neutron generation

Номер патента: EP3804475A2. Автор: Tye Gribb,Ross RADEL. Владелец: Phoenix Neutron Imaging LLC. Дата публикации: 2021-04-14.

Ion beam target assemblies for neutron generation

Номер патента: US20240179827A1. Автор: Tye Gribb,Ross RADEL. Владелец: Phoenix Neutron Imaging LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Ion source, ion beam irradiation apparatus, and operating method for ion source

Номер патента: US10763073B2. Автор: Tetsuro Yamamoto. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Ion beam diagnostics

Номер патента: WO2008053138A1. Автор: Marvin Farley,Theodore H. Smick,Takao Sakase,Geoffrey Ryding. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-05-08.

Architecture for ribbon ion beam ion implanter system

Номер патента: WO2007089468A3. Автор: Kourosh Saadatmand,Peter L Kellerman. Владелец: Peter L Kellerman. Дата публикации: 2007-10-04.

Architecture for ribbon ion beam ion implanter system

Номер патента: WO2007089468A2. Автор: Peter L. Kellerman,Kourosh Saadatmand. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2007-08-09.

Ion implantation apparatus and method of determining state of ion implantation apparatus

Номер патента: US20140242732A1. Автор: Keiji Fujita,Kei Hattori,Takahito Nagamatsu,Masayuki Jinguuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Ion beam irradiation device and method for suppressing ion beam divergence

Номер патента: US20120085918A1. Автор: Shigeki Sakai,Junzo Ishikawa,Dan Nicolaescu,Yasuhito Gotoh. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2012-04-12.

Structures and methods for measuring beam angle in an ion implanter

Номер патента: US20090140717A1. Автор: Ivan Berry,Leonard M. Rubin,Walter Class. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Directed multi-deflected ion beam milling of a work piece and determining and controlling extent thereof

Номер патента: EP1787310A2. Автор: Colin Smith,Dimitri Boguslavsky,Valentin Cherepin. Владелец: Sela Semiconductor Engineering Laboratories Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Process for verifying the energy of an ion beam

Номер патента: US4870276A. Автор: Werner Lindinger. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-09-26.

Fluorescent nanodiamond and method for producing same

Номер патента: US12018196B2. Автор: Ming Liu,Masahiro Nishikawa,Yoshihiro Inamoto,Maki Kishimoto. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Improved cell pack thermal management apparatus and method

Номер патента: EP4026189A1. Автор: Nicholas Carpenter,Alexander ACKLAM. Владелец: Delta Cosworth Ltd. Дата публикации: 2022-07-13.

Ultra-thin film formation using gas cluster ion beam processing

Номер патента: WO2010101688A1. Автор: Noel Russell,Edmund Burke,Gregory Herdt,John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2010-09-10.

Apparatus, system and techniques for mass analyzed ion beam

Номер патента: WO2024211191A1. Автор: Frank Sinclair,Anthony Renau,Joseph C. Olson,Alexandre Likhanskii,Peter F. Kurunczi,Nirbhav Singh Chopra. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

High brightness ion beam extraction using bias electrodes and magnets proximate the extraction aperture

Номер патента: US09922795B2. Автор: Bon-Woong Koo,Anthony Renau,Svetlana B. Radovanov,Alexandre Likhanskii. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method and apparatus for beam deflection in a gas cluster ion beam system

Номер патента: US09540725B2. Автор: Robert K. Becker,Yan Shao,Christopher K. Olsen,Kenneth Regan. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Use of ion beam etching to generate gate-all-around structure

Номер патента: US09536748B2. Автор: Thorsten Lill,Ivan L. Berry, III. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Ion beam activated directional deposition

Номер патента: US09520284B1. Автор: Mark Saly,Tsung-Liang Chen. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of producing coated article, involving ion beam treatment of metal oxide protective film

Номер патента: RU2471732C2. Автор: Рудольф Хьюго ПЕТРМИХЛЬ,Цзянпин ВАН,Нестор П. МЕРФИ,Максимо ФРАТИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2013-01-10.

Processing method and apparatus using focused ion beam generating means

Номер патента: US5825035A. Автор: Yoshimi Kawanami,Akira Shimase,Kaoru Umemura,Takashi Kamimura,Fumikazu Itoh,Michinobu Mizumura,Yuuichi Hamamura,Junzou Azuma,Yuuichi Madokoro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-10-20.

Hall ion generator for working surfaces with a low energy high intensity ion beam

Номер патента: US4541890A. Автор: Jerome J. Cuomo,Harold R. Kaufman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-09-17.

Chemically bonded diamond films and method for producing same

Номер патента: US4822466A. Автор: John W. Rabalais,Srinandan R. Kasi. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 1989-04-18.

Mass spectrometer and related ionizer and methods

Номер патента: CA2527330C. Автор: Guenter F. Voss. Владелец: MONITOR INSTRUMENTS COMPANY LLC. Дата публикации: 2013-09-24.

Processing materials with ion beams

Номер патента: NZ628758A. Автор: Marshall Medoff. Владелец: Xyleco Inc. Дата публикации: 2015-08-28.

Ion beam lithography process and apparatus using step-and-repeat exposure

Номер патента: US4310743A. Автор: Robert L. Seliger. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1982-01-12.

Magnetic system and method for uniformly scanning heavy ion beams

Номер патента: US5481116A. Автор: Hilton F. Glavish,Michael A. Guerra, deceased. Владелец: Ibis Technology Corp. Дата публикации: 1996-01-02.

Processing materials with ion beams

Номер патента: NZ716191A. Автор: Marshall Medoff. Владелец: Xyleco Inc. Дата публикации: 2016-10-28.

Combining focused ion beam milling and scanning electron microscope imaging

Номер патента: US20230245933A1. Автор: Michael Steigerwald,Christopher Sears,Youfei JIANG. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

System and method for spatially resolved optical metrology of an ion beam

Номер патента: US20200152417A1. Автор: Gang Shu,Shurong Liang,Glen Gilchrist. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Microstructure manufacturing method and ION beam apparatus

Номер патента: US20180244517A1. Автор: Keiji Watanabe,Daisuke Ryuzaki,Hiroyasu Shichi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-08-30.

Focused ion beam apparatus and method of adjusting ion beam optics

Номер патента: US8822911B2. Автор: Toshio Doi,Hiroshi Oba,Yasuhiko Sugiyama,Tatsuya Asahata. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2014-09-02.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: EP1235252A3. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-26.

Ion beam target assemblies for neutron generation

Номер патента: CA3225455A1. Автор: Tye Gribb,Ross RADEL. Владелец: Phoenix Neutron Imaging LLC. Дата публикации: 2019-12-12.

Tuning apparatus for minimum divergence ion beam

Номер патента: WO2021257689A1. Автор: Shu Satoh,Wilhelm Platow. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Increased dynamic range for the attenuation of an ion beam

Номер патента: EP4004967A1. Автор: Pascal Martin,Bruce Collings. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

A method of ion beam control for glitch recovery

Номер патента: WO2007111822A3. Автор: John Ye,David Tao,Yongzhang Huang,Patrick Splinter,Que Weiguo. Владелец: Que Weiguo. Дата публикации: 2008-04-03.

Controlling an ion beam in a wide beam current operation range

Номер патента: US20170110286A1. Автор: Daniel Brosnan,Shengwu Chang,William Leavitt,Kristen Rounds. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Controlling an ion beam in a wide beam current operation range

Номер патента: WO2017066023A1. Автор: Daniel Brosnan,Shengwu Chang,William Leavitt,Kristen Rounds. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2017-04-20.

Focused ion beam apparatus and method of adjusting ion beam optics

Номер патента: US20130240720A1. Автор: Toshio Doi,Hiroshi Oba,Yasuhiko Sugiyama,Tatsuya Asahata. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

Techniques for commensurate cusp-field for effective ion beam neutralization

Номер патента: US20090095894A1. Автор: Frank Sinclair,Bon Woong Koo. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: WO1999023685A1. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-05-14.

Target end station for the combinatory ion implantation and method of ion implantation

Номер патента: WO2003058671A3. Автор: Helmut Karl,Bernd Stritzker,Axel Wenzel,Ingo Grosshans. Владелец: Univ Augsburg. Дата публикации: 2004-01-22.

Systems for controlling a high power ion beam

Номер патента: US20170178859A1. Автор: Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Theodore Smick. Владелец: Neutron Therapeutics Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Magnetic field reduction apparatus and magnetic plasma flood system for ion beam processing

Номер патента: US20130113378A1. Автор: Michael C. Vella. Владелец: E/G ELECTROGRAPH Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Increased dynamic range for the attenuation of an ion beam

Номер патента: WO2021014390A1. Автор: Pascal Martin,Bruce Collings. Владелец: DH Technologies Development Pte. Ltd.. Дата публикации: 2021-01-28.

Beam profile determination method and ion beam irradiation apparatus

Номер патента: US20210035774A1. Автор: Yutaka Inouchi. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Battery, electrical apparatus, and method and apparatus for preparing battery

Номер патента: EP4258420A1. Автор: Xiang Li,PENG Wang,ZHI Wang,Feng Qin,Hongye Ji. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Focused ion beam process for selective and clean etching of copper

Номер патента: EP2470688A1. Автор: Vladimir V. Makarov. Владелец: Tiza Lab LLC. Дата публикации: 2012-07-04.

Focused ion beam process for selective and clean etching of copper

Номер патента: WO2011025770A1. Автор: Vladimir V. Makarov. Владелец: Tiza Lab, L.L.C.. Дата публикации: 2011-03-03.

Focused ion beam process for selective and clean etching of copper

Номер патента: SG178505A1. Автор: Vladimir V Makarov. Владелец: Tiza Lab L L C. Дата публикации: 2012-03-29.

Box body, battery, electrical apparatus, and method and apparatus for preparing battery

Номер патента: EP4404344A1. Автор: Wenchao Luo. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Copper interconnect wiring and method and apparatus for forming thereof

Номер патента: WO2007092856A3. Автор: Arthur J Learn,Robert Michael Geffken,John J Hautala,Steven R Sherman. Владелец: Steven R Sherman. Дата публикации: 2007-11-29.

Formation of shallow junctions by diffusion from a dielectric doped by cluster or molecular ion beams

Номер патента: WO2009023768A2. Автор: Amitabh Jain. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-02-19.

Focused ion beam metal deposition

Номер патента: US20020086508A1. Автор: Ilan Gavish,Yuval Greenzweig. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Focused ion beam deposition

Номер патента: US20020192947A1. Автор: Ilan Gavish,Yuval Greenzweig. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method of accessing semiconductor circuits from the backside using ion-beam and gas-etch

Номер патента: US20090302431A1. Автор: Steven B. Herschbein,George Y. Gu,Carmelo F. Scrudato,Loren L. Hahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12087578B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Chun-Hung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Box, battery, electrical apparatus, and method and apparatus for preparing battery

Номер патента: US20240313330A1. Автор: Wenchao Luo. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Atomic layer etch and ion beam etch patterning

Номер патента: US12080562B2. Автор: YANG Pan,Girish Dixit,Samantha SiamHwa Tan,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Decomposer containing iron particles for organohalogen compound and method for producing the same

Номер патента: US09969631B2. Автор: Taishi Uehara. Владелец: Dowa Eco Systems Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Plasma source for a focused ion beam system

Номер патента: US09640367B2. Автор: Noel Smith,Lawrence Scipioni,Christine Charles,John Keller,Roderick Boswell,Orson Sutherland. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2017-05-02.

Focused ion beam low kV enhancement

Номер патента: US09443692B2. Автор: Mostafa Maazouz. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2016-09-13.

Converged ion beam apparatus

Номер патента: US5063294A. Автор: Makoto Kimura,Sunao Takahashi,Akira Kobayashi,Koji Inoue,Norio Suzuki,Hirofumi Fukuyama,Kaneo Yamada,Akio Arai,Kiyotaka Ishibashi,Shigeto Adachi,Yutaka Kawata,Ken-ichi Inoue,Keizo Tokushige,Yukito Furukawa. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1991-11-05.

Ion beam therapy system and its couch positioning method

Номер патента: US7193227B2. Автор: Hiroshi Akiyama,Kazuo Hiramoto,Yoshihiko Nagamine,Alfred Smith,Wayne Newhauser. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2007-03-20.

Device for bone fracture fixation and method of its manufacturing

Номер патента: RU2737578C2. Автор: Александр Михайлович Сипкин,Евгений Аркадьевич Митрофанов,Сергей Борисович Симакин,Анастасия Владимировна Демьянова. Владелец: Анастасия Владимировна Демьянова. Дата публикации: 2020-12-01.

Ion beam intensity control with pulsed beam deflection and synchronized ion source blanking

Номер патента: US3600573A. Автор: Eiji Watanabe. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 1971-08-17.

Time-of-flight SIMS/MSRI reflectron mass analyzer and method

Номер патента: US6008491A. Автор: Dieter M. Gruen,J. Albert Schultz,Vincent S. Smentkowski,Alan R. Krauss,John C. Holecek. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1999-12-28.

Low energy ion beam oxidation process

Номер патента: CA1156603A. Автор: Jerome J. Cuomo,James M. E. Harper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-11-08.

Metallic thin film and method of manufacturing the same, and surface acoustic wave device using the metallic thin film and the method thereof

Номер патента: CA2195486C. Автор: Masato Kobayashi,Atsushi Sakurai,Yukio Yoshino,Hidefumi Nakanishi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-31.

Method for checking ion implantation state, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP2565909A1. Автор: Isao Yokokawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-06.

Electron beam-excited ion beam source

Номер патента: CA1252581A. Автор: Tamio Hara,Manabu Hamagaki,Yoshinobu Aoyagi,Susumu Namba. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 1989-04-11.

Electrostatic discharge prevention in ion beam system

Номер патента: US20230343727A1. Автор: Russell Westerman,Sarpangala Hariharakeshava HEGDE,Armin Baur,Wei-Hua Hsiao,Jerome Michael Buckley. Владелец: Plasma Therm NES LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Ion Beam Etching Process Design to Minimize Sidewall Re-Deposition

Номер патента: US20210083180A1. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang,Guenole Jan,Dongna Shen,Vignesh SUNDAR. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Ion Implantation Apparatus with Ion Beam Directing Unit

Номер патента: US20160305012A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Stephan Voss,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-20.

Ion implantation apparatus with ion beam directing unit

Номер патента: US9809877B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Stephan Voss,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-07.

System and method to improve productivity of hybrid scan ion beam implanters

Номер патента: WO2016106421A2. Автор: Andy Ray,Bo Vanderberg. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2016-06-30.

System and method to improve productivity of hybrid scan ion beam implanters

Номер патента: US20160189928A1. Автор: Bo H. Vanderberg,Andy M. Ray. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method to accurately and repeatably setup an ion beam for an ion implantation system in reduced setup time to increase productivity

Номер патента: US20040244692A1. Автор: Jiong Chen,Simeon Ma. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Epitaxial silicon wafer, method for producing same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230317761A1. Автор: Ryo Hirose,Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Ion Implantation Method, Ion Implantation Apparatus and Semiconductor Device

Номер патента: US20190066977A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Peter Zupan,Michael Brugger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Techniques and apparatus for manipulating an ion beam

Номер патента: US20170076908A1. Автор: Frank Sinclair,Victor Benveniste,James S. Buff. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Automated ion-beam alignment for dual-beam instrument

Номер патента: US20230377830A1. Автор: Jeremy Graham. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2023-11-23.

Ion beam incident angle detection assembly and method

Номер патента: US20130035897A1. Автор: Thomas A. Pandolfi. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2013-02-07.

Ion beam incident angle detection assembly and method

Номер патента: US20110073777A1. Автор: Thomas A. Pandolfi. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Apparatus and method for controlling ion beam properties using electrostatic filter

Номер патента: US20200144017A1. Автор: Frank Sinclair,Shengwu Chang,Alexandre Likhanskii. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Techniques for processing a polycrystalline layer using an angled ion beam

Номер патента: US20180122650A1. Автор: Morgan Evans,John Hautala,Tristan Y. Ma,Kevin Anglin,Robert J. Masci. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Apparatus for surface modification of polymer, metal and ceramic materials using ion beam

Номер патента: EP1036210A1. Автор: Won Kook Choi,Hyung Jin Jung,Jung Cho,Seok Keun Koh. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2000-09-20.

Improved uniformity of a scanned ion beam

Номер патента: WO2013028227A2. Автор: William Davis Lee. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

Technique for ion beam angle process control

Номер патента: WO2006133310A2. Автор: Atul Gupta,Joseph C. Olson. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-12-14.

Apparatus for controlling engine and method thereof

Номер патента: US11542854B2. Автор: Su Ho Lee,Gun Ku Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Apparatus for controlling engine and method thereof

Номер патента: US20220042445A1. Автор: Su Ho Lee,Gun Ku Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Formation of shallow junctions by diffusion from a dielectric doped by cluster or molecular ion beams

Номер патента: US20110312168A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Insulated-gate semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010053561A1. Автор: Takeshi Uenoyama,Kunimasa Takahashi,Masao Uchida,Makoto Kitabatake. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-20.

Box of battery, battery, electrical apparatus, and method and apparatus for preparing battery

Номер патента: US20240313294A1. Автор: Liangyi WANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Sample holder and focused ion beam apparatus

Номер патента: US09947506B2. Автор: Toshiyuki Iwahori,Tsuyoshi OONISHI. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components

Номер патента: US09725799B2. Автор: Ying Zhang,Vedapuram S. Achutharaman,Jennifer Y. Sun,Tom K. Cho,Vahid Firouzdor,Biraja Prasad Kanungo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Emitter structure, gas ion source and focused ion beam system

Номер патента: US09640361B2. Автор: Hiroshi Oba,Anto Yasaka,Yasuhiko Sugiyama. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Heliplane rotor thermal management for maintaining dimensional stability

Номер патента: US09630709B1. Автор: Jacob Johannes van der Westhuizen. Владелец: Groen Aeronautics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Communications system and method, information processing apparatus and method, information management apparatus and method, recording medium and program

Номер патента: US09451327B2. Автор: Makoto Sato,Kazuyuki Ogawa,Yuji Takimoto,Kayo Sugimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Superconducting wire and method of formation thereof

Номер патента: RU2767282C1. Автор: Сын-Хён МУН,Джудит ДРИСКОЛЛ,Ахмед КУРУСУМОВИЧ,Джон ФЕЙГАН. Владелец: Санам Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-17.

Superconducting wire and method for formation thereof

Номер патента: RU2597247C2. Автор: Сын-Хён МУН,Чжае Хун ЛИ,Хун-Чжу ЛИ. Владелец: Санам Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-09-10.

Primary ion beam raster gating technique for secondary ion mass spectrometer system

Номер патента: US4661702A. Автор: David G. Welkie. Владелец: Perkin Elmer Corp. Дата публикации: 1987-04-28.

Focused ion beam etching apparatus

Номер патента: US5518595A. Автор: Yasuhiro Yamakage. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Ion implantation system and method adapted for serial wafer processing

Номер патента: US5929456A. Автор: Tadamoto Tamai. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Improvements in or relating to ion beam separators

Номер патента: GB1280011A. Автор: James Harry Freeman. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1972-07-05.

Dual stage scanner for ion beam control

Номер патента: WO2015061104A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Joseph C. Olson,Kenneth H. Purser,Robert C. Lindberg. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2015-04-30.

Methods and apparatus for scanning and focusing an ion beam

Номер патента: WO1999066528A1. Автор: Joseph C. Olson. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 1999-12-23.

Apparatus for and method of continuous hts tape buffer layer deposition using large scale ion beam assisted deposition

Номер патента: WO2005006351A3. Автор: Venkat Selvamanickam,Srinivas Sathiraju. Владелец: Superpower Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Ion beam implantation display method and apparatus

Номер патента: CA1266923A. Автор: Douglas D. Myron. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1990-03-20.

Ion beam measurement systems and methods for ion implant dose and uniformity control

Номер патента: EP1779404A2. Автор: Klaus Becker,Joseph Ferrara,Klaus Petry. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-02.

Ion implantation system and method for implanting aluminum using non-fluorine-containing halide species or molecules

Номер патента: US20240035148A1. Автор: Edward Moore,Atul Gupta,Neil Colvin,Udo H. Verkerk,David Sporleder. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Contaminant removal device and method

Номер патента: EP1583611A1. Автор: John Ukelo Technology BAKER. Владелец: Gallaher Ltd. Дата публикации: 2005-10-12.

Contaminant removal device and method

Номер патента: WO2004062810A1. Автор: John Baker. Владелец: Gallaher Limited. Дата публикации: 2004-07-29.

Method Of Improving Ion Beam Quality In an Implant System

Номер патента: US20190027341A1. Автор: John W. Graff,Timothy J. Miller,Bon-Woong Koo,Nicholas P.T. Bateman,John A. Frontiero,Vikram M. Bholse. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Irradiation system with ion beam/charged particle beam

Номер патента: US7423276B2. Автор: Takanori Yagita. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2008-09-09.

System and method for removing contaminant particles relative to an ion beam

Номер патента: EP1314180A2. Автор: Michael Anthony Graf,Victor Maurice Benveniste,Robert Day Rathmell,Eric Ryan Harrington. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-05-28.

Enhanced low energy ion beam transport in ion implantation

Номер патента: US20100181499A1. Автор: William F. Divergilio,Bo H. Vanderberg. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2010-07-22.

Method of improving ion beam quality in an implant system

Номер патента: WO2015009975A1. Автор: John W. Graff,Timothy J. Miller,Bon-Woong Koo,Nicholas Pt Bateman,Vikram M. Bhosle,John A. Frontiero. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2015-01-22.

Fluorine based molecular co-gas when running dimethylaluminum chloride as a source material to generate an aluminum ion beam

Номер патента: US20230352265A1. Автор: Edward Moore,Neil K. Colvin,Neil Bassom. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method And Apparatus for Uniformly Implanting A Wafer With An Ion Beam

Номер патента: US20110037000A1. Автор: Cheng-Hui Shen,Don Berrian. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2011-02-17.

Ion implantation system and method for implanting aluminum using non-fluorine-containing halide species or molecules

Номер патента: WO2024026142A1. Автор: Edward Moore,Atul Gupta,Neil Colvin,Udo Verkerk,David Sporleder. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-02-01.

Apparatus for treating ion beam

Номер патента: US20140110596A1. Автор: Shengwu Chang. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Focused ion beam processing apparatus

Номер патента: US20210296080A1. Автор: Hiroshi Oba,Koji Nagahara,Yoshitomo Nakagawa,Yasuhiko Sugiyama. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Ion beam irradiation apparatus and method

Номер патента: US20240030004A1. Автор: Yuya Hirai,Yuta Iwanami,Surguru ITOI. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method Of Improving Ion Beam Quality In An Implant System

Номер патента: US20170062182A1. Автор: John W. Graff,Timothy J. Miller,Bon-Woong Koo,Nicholas Pt Bateman,Vikram M. Bhosle,John A. Frontiero. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Particle accelerator for radiotherapy by means of ion beams

Номер патента: CA2570399A1. Автор: Bernhard Franczak,Klaus Blasche. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Deposition tool and method for filling deep trenches

Номер патента: US20230360970A1. Автор: Elijah V. KARPOV,Matthew Metz,Robert WILLONER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Ion beam etching devices

Номер патента: US20170092465A1. Автор: Hyuk Kim,Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Han-Na Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

System and method for in-situ beamline film stabilization or removal in the aef region

Номер патента: WO2019074899A1. Автор: David Kirkwood,Tao TENG-CHAO. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-04-18.

Techniques for optical ion beam metrology

Номер патента: WO2009042462A3. Автор: Frank Sinclair,Wilhelm P Platow,Craig R Chaney,Alexander S Perel,Tyler Rockwell. Владелец: Tyler Rockwell. Дата публикации: 2009-06-11.

Focused ion beam apparatus

Номер патента: EP4333021A3. Автор: Yusuke KAGAYA. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Focused Ion Beam Apparatus

Номер патента: US20240071718A1. Автор: Yusuke KAGAYA. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Ion beam line

Номер патента: US20140261171A1. Автор: Sami K. Hahto,Tetsuya Igo,Nariaki Hamamoto. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Inductively coupled plasma ion source with multiple antennas for wide ion beam

Номер патента: US20140042337A1. Автор: Joseph C. Olson,Costel Biloiu,Manny Sieradzki,Edward W. Bell. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of processing a substrate using an ion beam and apparatus for performing the same

Номер патента: US20190272979A1. Автор: Jong-Kyu Kim,Seok-Woo Nam,Kyoung-sub Shin,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Jong-Soon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-05.

Method of improving ion beam quality in an implant system

Номер патента: WO2014164441A1. Автор: Timothy J. Miller,Bon-Woong Koo,Svetlana B. Radovanov,Christopher J. Leavitt,Peter F. Kurunczi. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-10-09.

Ion beam uniformity control

Номер патента: US09520259B2. Автор: Bon-Woong Koo,Svetlana B. Radovanov,Alexandre Likhanskii. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Linear accelerator for accelerating an ion beam

Номер патента: RU2316157C2. Автор: Уго АМАЛЬДИ,Массимо КРЕШЕНТИ,Риккардо ЦЕННАРО. Владелец: Фондационе Пер Адротерапия Онколоджика-Тэра. Дата публикации: 2008-01-27.

Method of depositing an insulating film and a focusing ion beam apparatus

Номер патента: US5083033A. Автор: Haruki Komano,Tadahiro Takigawa,Toshihiko Hamasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-01-21.

Focused ion beam processing

Номер патента: US4639301A. Автор: Billy W. Ward,John A. Doherty,David C. Shaver. Владелец: Micrion LP. Дата публикации: 1987-01-27.

Focused ion beam imaging and process control

Номер патента: US4874947A. Автор: Billy W. Ward,Michael L. Ward. Владелец: Micrion Corp. Дата публикации: 1989-10-17.

Very low resistance films and methods for modifying or creating them

Номер патента: RU2567021C2. Автор: Дуглас Дж. ГИЛБЕРТ,Тимоти С. КЕЙЛ. Владелец: АМБАЧЕР Эл.Эл.Си.. Дата публикации: 2015-10-27.

Medium for culturing autologous human stem cell-precursors and methods for their using

Номер патента: RU2312141C2. Автор: КАРДОСО Фелипе ПРОСПЕР,ГОНСАЛЕС Хесус ХЕРРЕРОС,Хуан Карлос ЧАЧУЭС. Владелец: Хуан Карлос ЧАЧУЭС. Дата публикации: 2007-12-10.

Apparatus for enhanced neutralization of positively charged ion beam

Номер патента: GB2084792A. Автор: . Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1982-04-15.

Superconducting object and method for production thereof

Номер патента: RU2598150C1. Автор: Сын-Хён МУН,Чжае Хун ЛИ,Сан-Им Ю,Хун Чжу ЛИ,Чжун-Ву ЛИ,Сун Ми КОЙ. Владелец: СНУ Р энд ДБ ФАУНДЭЙШН. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of and apparatus for deflecting an ion beam of an ion implantater onto an ion absorbing target

Номер патента: GB2098793A. Автор: . Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1982-11-24.

Backside thinning using ion-beam figuring

Номер патента: US5969368A. Автор: Dennis A. Thompson,Bryan L. Howe. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1999-10-19.

Hydrophilic dlc on substrate with ion beam treatment

Номер патента: US20040067362A1. Автор: Scott Thomsen,Vijayen Veerasamy. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Means for obtaining a metal ion beam from a heavy-ion cyclotron source

Номер патента: US3898496A. Автор: Ed D Hudson,Merrit L Mallory. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1975-08-05.

Parallel ion beam ion generator

Номер патента: GB2298083A. Автор: James Harry Freeman. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1996-08-21.

Apparatus and method for generating high current negative ions

Номер патента: US4471224A. Автор: Jerome J. Cuomo,Harold R. Kaufman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-09-11.

Ion beam micromachining method

Номер патента: US3988564A. Автор: Hugh L. Garvin,Hayden M. Leedy,Richard S. Iwasaki. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1976-10-26.

Ion beam exclusion paths on the target surface to optimize neutron beam performance

Номер патента: WO2023167873A1. Автор: Alexander Dunaevsky,Jedediah STYRON,Charles Leon Lee,Gregory Luke SNITCHLER,Harrison Beam EGGERS. Владелец: Tae Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-09-07.

Fluorine based molecular co-gas when running dimethylaluminum chloride as a source material to generate an aluminum ion beam

Номер патента: WO2022094381A1. Автор: Edward Moore,Neil Colvin,Neil Bassom. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-05-05.

Focused ion beam processing apparatus

Номер патента: US11721517B2. Автор: Hiroshi Oba,Koji Nagahara,Yoshitomo Nakagawa,Yasuhiko Sugiyama. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Ion beam electron transfer dissociation

Номер патента: WO2023233255A1. Автор: Takashi Baba,Kaoru KARASAWA. Владелец: DH Technologies Development Pte. Ltd.. Дата публикации: 2023-12-07.

High density helicon plasma source for wide ribbon ion beam generation

Номер патента: WO2010025099A2. Автор: Alexander S. Perel,Costel Biloiu,Jay T. Scheuer. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-03-04.

Luminescence-based method for precise delivery of ion beam therapy

Номер патента: US11857806B1. Автор: Ross S. Fontenot,William A. HOLLERMAN,Noel A. Guardala. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-01-02.

Source housing assembly for controlling ion beam extraction stability and ion beam current

Номер патента: US20160336138A1. Автор: Frank Sinclair,Shengwu Chang,William Leavitt,Joe Olson,Jeff Burgess,Michael St Peter,Matt Mosher. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Ion implanter and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060017017A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Yoshimasa Kawase. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Ion beam exclusion paths on the target surface to optimize neutron beam performance

Номер патента: US20230284368A1. Автор: Alexander Dunaevsky,Jedediah STYRON,Charles Leon Lee,Gregory Luke SNITCHLER,Harrison Beam EGGERS. Владелец: TAE Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Mass analyzing electromagnet and ion beam irradiation apparatus

Номер патента: US20160126082A1. Автор: Junichi Tatemichi,Ippei Nishimura,Shojiro Dohi. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Ion beam implantation method and semiconductor device

Номер патента: US20240145247A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Michael Hell,Caspar Leendertz,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Technique for shaping a ribbon-shaped ion beam

Номер патента: WO2007059197A2. Автор: Victor M. Benveniste,Anthony Renau,Peter L. Kellerman,James S. Buff,Svetlana B. Radovanov,Kenneth H. Purser,Robert C. Lindberg,Tyler B. Rockwell. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2007-05-24.

Integral sweep in ion beam system

Номер патента: US11784025B1. Автор: Sarpangala Hariharakeshava HEGDE,Armin Baur,Wei-Hua Hsiao. Владелец: Plasma Therm NES LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Ion beam implantation method and semiconductor device

Номер патента: US20210193435A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Michael Hell,Caspar Leendertz,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-06-24.

Techniques for measuring and controlling ion beam angle and density uniformity

Номер патента: WO2009064871A2. Автор: Victor M. Benveniste,Svetlana Radovanov,Frank Sinclair,Peter L. Kellerman,John Slocum,Kenneth Purser. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-05-22.

A method for a repetitive ion beam processing with a by carbon containing ion beam

Номер патента: EP1161309A1. Автор: Alan V. Hayes,Boris L. Druz,Kurt E. Williams. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2001-12-12.

Ion beam current measurement device and ion beam implantation system

Номер патента: US20240194444A1. Автор: Axel König,Moriz Jelinek,Bernhard Leitl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method of semiconductor device, method for controlling ion beam, and ion implantation apparatus

Номер патента: US20110012034A1. Автор: Katsunari Nishikawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-01-20.

Method of ion beam milling a glass substrate prior to depositing a coating system thereon, and corresponding system for carrying out the same

Номер патента: EP1337489A2. Автор: Vijayen S. Veerasamy,Rudolph H. Petrmichl. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2003-08-27.

Beamline electrode voltage modulation for ion beam glitch recovery

Номер патента: WO2014018340A1. Автор: Bon-Woong Koo,Timothy Miller,Christopher LEAVITT,Piotr Lubicki. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-01-30.

Apparatus and method for spectrum management, apparatus and method for base station side and user equipment side

Номер патента: US20210176644A1. Автор: Chen Sun,Bingshan HU. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Spectrum management apparatus and method, apparatus and method for base station side and user device side

Номер патента: US09894529B2. Автор: Chen Sun,Bingshan HU. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Plasma-optic mass separator ions beam generation method and device for its implementation

Номер патента: RU2681524C1. Автор: Сергей Дмитриевич Иванов,Владимир Михайлович Бардаков,Александр Владимирович Казанцев,Николай Александрович Строкин,Алексей Николаевич Ступин,Николай Павлович Шустов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ"). Дата публикации: 2019-03-07.

Low-voltage source for narrow electron/ion beams

Номер патента: US4954711A. Автор: Heinz Schmid,Hans-Werner Fink,Roger Morin,Werner Stocker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-09-04.

Low-voltage source for narrow electron/ion beams

Номер патента: CA1311863C. Автор: Heinz Schmid,Hans-Werner Fink,Roger Morin,Werner Stocker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Apparatus and method for removal of selected particles from a charged particle beam

Номер патента: GB2446005A. Автор: Superion Limited. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-30.

Ion beam current monitoring

Номер патента: US7342240B2. Автор: Steven R. Walther,Morgan Evans. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2008-03-11.

Ion beam processing apparatus and specimen replacing method for the same

Номер патента: US5247181A. Автор: Isao Hashimoto,Shotaro Ooishi,Hisao Oonuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-09-21.

Method of Positional Control of Ion Beams in Mass Spectrometers.

Номер патента: GB1176128A. Автор: Robert Boyer. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1970-01-01.

Ion beam lithography system

Номер патента: US4710639A. Автор: Hiroshi Sawaragi. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 1987-12-01.

Apparatus and method of detecting probe tip contact with a surface

Номер патента: WO2006050494A3. Автор: Thomas M Moore,Lyudmila Zaykova-Feldman. Владелец: Lyudmila Zaykova-Feldman. Дата публикации: 2006-12-14.

Ion beam generator

Номер патента: US4692627A. Автор: Yoshihiro Ueda,Shigeto Fujita,Kouichi Ono,Tatsuo Oomori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-09-08.

Focused ion beam column

Номер патента: US4929839A. Автор: Norman W. Parker,William P. Robinson. Владелец: MicroBeam Inc. Дата публикации: 1990-05-29.

Dual beam systems and methods for decoupling the working distance of a charged particle beam device from focused ion beam geometry induced constraints

Номер патента: WO2023232282A1. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Eugen Foca,Alex Buxbaum,Dmitry Klochkov,Ramani Pichumani. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-12-07.

Apparatus and techniques for anisotropic substrate etching

Номер патента: US20190006587A1. Автор: Shurong Liang,Glen F. R. Gilchrist,Tyler Rockwell,Kenneth Starks,Raees Pervaiz. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Fixed mask design for improving alignment with respect to an ion beam

Номер патента: WO2013095811A1. Автор: Benjamin B. Riordon,George M. Gammel. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2013-06-27.

Ion beam implantation method and semiconductor device

Номер патента: US11908694B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Michael Hell,Caspar Leendertz,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-20.

Apparatus and techniques for anisotropic substrate etching

Номер патента: WO2019005304A1. Автор: Shurong Liang,Tyler Rockwell,Kenneth Starks,Raees Pervaiz,Glen F. R GILCHRIST. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-01-03.

Method and fine-control collimator for accurate collimation and precise parallel alignment of scanned ion beams

Номер патента: WO2005104172A1. Автор: Nicholas R. White. Владелец: White Nicholas R. Дата публикации: 2005-11-03.

Nanorod arrays formed by ion beam implantation

Номер патента: EP1896636A2. Автор: Xuemei Wang,Li-Wei Tu,Wei-Kan Chu,Hye-Won Seo,Quark Y. Chen,Ching-Lien Hsaio,Xen-Jie Tu. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2008-03-12.

Ion beam lithography

Номер патента: US4985634A. Автор: Gerhard Stengl,Hilton F. Glavish. Владелец: Oesterreichische Investitionskredit AG. Дата публикации: 1991-01-15.

Production of ion beams by chemically enhanced sputtering of solids

Номер патента: US5089746A. Автор: Kenneth J. Doniger,Stephen S. Rosenblum. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1992-02-18.

Imaging integrated circuits with focused ion beam

Номер патента: US7036109B1. Автор: Chun-Cheng Tsao,William Thompson,Erwan Le Roy,Theodore R. Lundquist,Eugene A. Delenia. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2006-04-25.

Methods of forming magnetic memory cells, and methods of forming arrays of magnetic memory cells

Номер патента: US10103196B2. Автор: KEN Tokashiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Method and apparatus for altering material using ion beams

Номер патента: USRE36760E. Автор: Douglas D. Bloomquist,Rudy Buchheit,John B. Greenly,Dale C. McIntyre,Eugene L. Neau,Regan W. Stinnett. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Focused ion beam column

Номер патента: CA1214577A. Автор: Charles M. Mckenna,Robert L. Seliger,William M. Clark, Jr.. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1986-11-25.

Methods and processing systems for using a gas cluster ion beam to offset systematic non-uniformities in workpieces processed in a process tool

Номер патента: WO2008121643A1. Автор: Steven Caliendo,Nicolaus Hofmeester. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2008-10-09.

System And Methods Using An Inline Surface Engineering Source

Номер патента: US20240096602A1. Автор: Christopher A. Rowland,Anthony Renau,Christopher Hatem,Joseph C. Olson,Peter F. Kurunczi. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Ion beam deposition target life enhancement

Номер патента: US11901167B2. Автор: Joseph Barraco,Vincent C. Lee,Sarpangala Hariharakeshava HEGDE,Wei-Hua Hsiao. Владелец: Plasma Therm NES LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of manufacturing semiconductor device and ion beam irradiation apparatus

Номер патента: US20220301809A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Junichi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

System and methods using an inline surface engineering source

Номер патента: US11862433B2. Автор: Christopher A. Rowland,Anthony Renau,Christopher Hatem,Joseph C. Olson,Peter F. Kurunczi. Владелец: VARLAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method and apparatus for a coaxial optical microscope with focused ion beam

Номер патента: EP1151464A1. Автор: Jørgen Rasmussen. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2001-11-07.

Mismatched optics for angular control of extracted ion beam

Номер патента: WO2023075969A1. Автор: Alexandre Likhanskii,Jay T. Scheuer,Nevin Clay,Sudhakar Mahalingam. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-05-04.

Matched filter in ionoacoustic signal processing for ion beam range determination and dosimetry

Номер патента: US20230277875A1. Автор: Katia Parodi,Vasilis Ntziachristos,Heinrich Ruser,Jannis SCHAUER,Günther Dollinger,Yuanhui Huang,Hans Peter WIESER. Владелец: Universitaet der Bundeswehr Muenchen. Дата публикации: 2023-09-07.

System and method for extending a lifetime of an ion source for molecular carbon implants

Номер патента: US11756772B2. Автор: XIAO Xu,Neil K. Colvin,Neil Bassom,Mike Ameen,David Sporleder. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Ion beam deposition target life enhancement

Номер патента: WO2023204896A1. Автор: Joseph Barraco,Vincent C. Lee,Sarpangala Hariharakeshava HEGDE,Wei-Hua Hsiao. Владелец: Plasma-Therm Nes, Llc. Дата публикации: 2023-10-26.

Ion beam deposition target life enhancement

Номер патента: US20230335383A1. Автор: Joseph Barraco,Vincent C. Lee,Sarpangala Hariharakeshava HEGDE,Wei-Hua Hsiao. Владелец: Plasma Therm NES LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Non-contact polishing of a crystalline layer or substrate by ion beam etching

Номер патента: EP3830321A1. Автор: Niels QUACK,Teodoro GRAZIOSI,Adrien TOROS,Sichen MI. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2021-06-09.

Encoding of precursor ion beam to aid product ion assignment

Номер патента: US11817300B2. Автор: Jason Lee Wildgoose,Kevin Giles,Martin Raymond Green,Keith Richardson. Владелец: Micromass UK Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Ion beam source

Номер патента: US20160049277A1. Автор: Yun sung HUH,Yun Seok Hwang. Владелец: FINE SOLUTION Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Matched filter in ionoacoustic signal processing for ion beam range determination and dosimetry

Номер патента: EP4238610A1. Автор: Katia Parodi,Vasilis Ntziachristos,Heinrich Ruser,Jannis SCHAUER,Günther Dollinger,Yuanhui Huang,Hans Peter WIESER. Владелец: Universitaet der Bundeswehr Muenchen. Дата публикации: 2023-09-06.

Ion beam deposition targets having an interlocking interface and a replaceable insert

Номер патента: EP1332512A2. Автор: Robert Acker,Henry L. Grohman,Matthew T. Wilsson. Владелец: Williams Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2003-08-06.

Mismatched Optics for Angular Control of Extracted Ion Beam

Номер патента: US20230131410A1. Автор: Alexandre Likhanskii,Jay T. Scheuer,Nevin Clay,Sudhakar Mahalingam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Mismatched optics for angular control of extracted ion beam

Номер патента: WO2023075969A8. Автор: Alexandre Likhanskii,Jay T. Scheuer,Nevin Clay,Sudhakar Mahalingam. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-19.

Ion beam device and emitter tip milling method

Номер патента: US20240203682A1. Автор: Shinichi Matsubara,Noriaki Arai. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Ion beam scanning methods and system for ion implantation

Номер патента: WO2006074200A3. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Peter Kellerman. Дата публикации: 2007-11-08.

Arc quenching circuit to mitigate ion beam disruption

Номер патента: WO2007106395A3. Автор: John Ye,David Tao,Yongzhang Huang,Que Weiguo. Владелец: Que Weiguo. Дата публикации: 2007-12-13.

Determining a distribution of spots of varying sizes for ion beam therapy using optimization

Номер патента: EP3645114A1. Автор: Martin Janson,Erik Engwall,Lars GLIMELIUS. Владелец: RaySearch Laboratories AB. Дата публикации: 2020-05-06.

Ion beam guide tube

Номер патента: US20090095916A1. Автор: Robert Mitchell,Marvin Farley,Geoffrey Ryding,Lee Spraggon,Gregory Robert Alcott,Martin Hilkene,Matthew Castle. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Method for fabricating superconducting devices using a focused ion beam

Номер патента: US20190288178A1. Автор: Shane A. Cybart,Travis J. Wong,Robert C. Dynes,Ethan Y. Cho. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-09-19.

Method for preparing a light-emitting device using gas cluster ion beam processing

Номер патента: US20110312106A1. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Mechanism and method for aligning a workpiece to a shadow mask

Номер патента: WO2012024173A3. Автор: William T. Weaver,Steven M. Anella,Russell J. Low,Robert J. Mitchell. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-05-31.

Gas injection system for ion beam device

Номер патента: WO2018118263A1. Автор: Richard J. Hertel,Ernest E. Allen,Alexander C. Kontos,Shurong Liang,Jay R. Wallace,Tyler Rockwell,Jeffrey E. Krampert. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2018-06-28.

Ion beam accelerating apparatus with electrodes mounted in a movable mount

Номер патента: EP2111630A1. Автор: Mervyn Howard Davis,Andrew James Timothy Holmes. Владелец: Nordiko Technical Services Ltd. Дата публикации: 2009-10-28.

Bevel metal removal using ion beam etch

Номер патента: US20210226120A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Michael RIZZOLO,Theodorus E. Standaert,Ashim Dutta,Saba Zare. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

A dual band photodiode element and method of making the same

Номер патента: CA3086275A1. Автор: Sudesh Bains,Les HIPWOOD. Владелец: Leonardo MW Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Electromagnetic field generator and method of operation

Номер патента: EP1112588A1. Автор: Alan V. Hayes,Roger P. Fremgen,Hari S. Hegde,Mihai S. Risca,Abraham J. Navy. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2001-07-04.

Ion beam etching machine and lower electrode structure thereof

Номер патента: EP4404236A1. Автор: XIANG Yu,Xiaoli Shi,Yaoyao ZHANG,Dongdong HU,Shiran CHENG,Kaidong Xu,Huaidong ZHANG,Chaoquan YANG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

System and method for controlling electrostatic clamping of multiple platens on a spinning disk

Номер патента: WO2023107203A1. Автор: Robert Mitchell,Scott E. Peitzsch. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-06-15.

Ion beam accelerating apparatus with electrodes mounted in a movable mount

Номер патента: WO2008099218A1. Автор: Mervyn Howard Davis,Andrew James Timothy Holmes. Владелец: Nordiko Technical Services Limited. Дата публикации: 2008-08-21.

Method for directional deposition using a gas cluster ion beam

Номер патента: WO2009042484A1. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2009-04-02.

Charge-coupled device with focused ion beam fabrication

Номер патента: WO1988009059A1. Автор: Mark W. Utlaut,William M. Clark, Jr.,Robert H. Walden. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1988-11-17.

Ion beam dual damascene process

Номер патента: US6620729B1. Автор: Charles E. May. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Surface profile adjustment using gas cluster ion beam processing

Номер патента: US20130075366A1. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Nanoscale resolution, spatially-controlled conductivity modulation of dielectric materials using a focused ion beam

Номер патента: US20220020635A1. Автор: Hooman Mohseni,Simone Bianconi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2022-01-20.

Method and system for sterilizing objects by the application of gas-cluster ion-beam technology

Номер патента: EP2323699A2. Автор: Richard C. Svrluga,Sean R. Kirkpatrick. Владелец: Exogenesis Corp. Дата публикации: 2011-05-25.

Electronic and photonic devices having ultra-micro structures fabricated with a focused ion beam

Номер патента: EP1204184A3. Автор: Takashi Katoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-15.

Ion beam dual damascene process

Номер патента: US20030203620A1. Автор: Charles May. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Apparatus for assisting backside focused ion beam device modification

Номер патента: US20030015671A1. Автор: Theodore Levin,David Lackey,Leah Pastel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

Select transistor, method for making select transistor, memory device, and method for manufacturing memory device

Номер патента: US8785334B2. Автор: Yoshitsugu Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-22.

Method for forming trench isolation using a gas cluster ion beam growth process

Номер патента: WO2010090903A2. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2010-08-12.

Select transistor, method for making select transistor, memory device, and method for manufacturing memory device

Номер патента: US20120299085A1. Автор: Yoshitsugu Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Sample preparation compositions, devices, systems and methods

Номер патента: US20240326012A1. Автор: Atul DESHPANDE,Ramesh Ganapathy,Christopher Etienne,Ashok Salunkhe,Deven ETNYRE. Владелец: Pierce Biotechnology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Box of battery, battery, power consumption apparatus, and method and apparatus for producing battery

Номер патента: US20240372207A1. Автор: Yao Li,Qiu Jin,Xiaobo Chen,Mingguang GU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Processing materials with ion beams

Номер патента: US09937478B2. Автор: Marshall Medoff. Владелец: Xyleco Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Detector for measuring scanning ion beams in radiation therapy

Номер патента: US09884207B2. Автор: Chih-Hsun Lin,Ping-Kun Teng,Augustine Ei-Fong CHEN. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of surface profile correction using gas cluster ion beam

Номер патента: US09875947B2. Автор: Noel Russell,Soo Doo Chae,Vincent Gizzo,Joshua LaRose,Nicholas Joy. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Gas injection system for ion beam device

Номер патента: US09865433B1. Автор: Richard J. Hertel,Jay Wallace,Ernest E. Allen,Alexander C. Kontos,Shurong Liang,Tyler Rockwell,Jeffrey E. Krampert. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Management apparatus and method for wireless communications, apparatus for wireless communications

Номер патента: US09860829B2. Автор: Chen Sun,Jinhui Chen,Tong Zhang,Xin Guo,Yanzhao HOU,Qimei Cui,Hui Liang,Qinyan Jiang. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Drug delivery system and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09795719B2. Автор: Richard C. Svrluga,Stephen M. Blinn. Владелец: Exogenesis Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Formation of work-function layers for gate electrode using a gas cluster ion beam

Номер патента: US09748392B1. Автор: Hui Zang,Yanzhen Wang,Jidong Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Processing materials with ion beams

Номер патента: US09687810B2. Автор: Marshall Medoff. Владелец: Xyleco Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Systems and methods for a gas field ionization source

Номер патента: US9159527B2. Автор: Randall Percival,Billy W. Ward,John A. Notte,Lou Farkas. Владелец: Carl Zeiss Microscopy LLC. Дата публикации: 2015-10-13.

Systems and methods for a gas field ionization source

Номер патента: US20080217555A1. Автор: Randall Percival,Billy W. Ward,John A. Notte,Lou Farkas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Method and apparatus for producing bright high resolution ion beams

Номер патента: US4139773A. Автор: Lynwood W. Swanson. Владелец: OREGON GRADUATE CENTER. Дата публикации: 1979-02-13.

Cellulose and lignocellulose structural materials and methods and systems for production of such materials

Номер патента: RU2499664C2. Автор: Маршалл Медофф. Владелец: Ксилеко, Инк. Дата публикации: 2013-11-27.

Apparatus and method for conformal mask manufacturing

Номер патента: US8278027B2. Автор: Jeffrey Scott,Michael Zani,Mark Bennahmias,Mark Mayse. Владелец: NexGenSemi Holdings Corp. Дата публикации: 2012-10-02.

Multiple nozzle gas cluster ion beam system

Номер патента: US20100193701A1. Автор: Michael Graf,Robert K. Becker,Avrum Freytsis,Martin D. Tabat,Matthew C. Gwinn. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Ion beam deflection system

Номер патента: US3604209A. Автор: Harry J King,James W Ward. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1971-09-14.

Irradiation system with ion beam/charged particle beam

Номер патента: EP1662542A2. Автор: Masaki Ishikawa,Michiro Sugitani,Junichi Murakami,Mitsukuni Tsukihara,Takashi Nishi,Tetsuya Kudo,Mitsuaki Kabasawa,Takanori Yagita. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2006-05-31.

Ion implanting apparatus and sample processing apparatus

Номер патента: US6501080B1. Автор: Hiroyuki Tomita,Kazuo Mera. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-31.

Direct ion deposition method using ion beam sputtering and device for the same

Номер патента: KR100642584B1. Автор: 송석균. Владелец: 송석균. Дата публикации: 2006-11-10.

Mass spectrometry apparatus and method

Номер патента: US20050269506A1. Автор: Iouri Kalinitchenko. Владелец: Varian Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Ion beam stabilization

Номер патента: US20100051805A1. Автор: Louis S. Farkas, Iii,John A. Notte, IV,FHM-Faridur Rahman. Владелец: Carl Zeiss SMT Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Ion beam implanter scan control system

Номер патента: CA1275742C. Автор: Douglas D. Myron. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1990-10-30.

Virtual shutter in ion beam system

Номер патента: WO2023204912A3. Автор: Russell Westerman,Sarpangala Hariharakeshava HEGDE,Armin Baur,Wei-Hua Hsiao. Владелец: Plasma-Therm Nes, Llc. Дата публикации: 2024-03-14.

Cold cathode ion beam deposition apparatus with segregated gas flow

Номер патента: WO2002019366A3. Автор: Rudolph H Petrmichl. Владелец: Rudolph H Petrmichl. Дата публикации: 2003-03-13.

Uniform broad ion beam deposition

Номер патента: US20060231759A1. Автор: Mervyn Davis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

System and Method of Dosage Profile Control

Номер патента: US20120009692A1. Автор: Jong-I Mou,Chun-Lin Chang,Keung Hui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-12.

Multi-aperture extraction system for angled ion beam

Номер патента: WO2016160339A1. Автор: William Davis Lee,Svetlana B. Radovanov,Alexandre Likhanskii. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2016-10-06.

Method and device for computing in a volume physical and/or radiobiological quantities induced by an ion beam

Номер патента: US20160059042A1. Автор: Germano Russo,Andrea Attili,Flavio Pietro Marchetto,Damien Bertrand,Faiza Bourhaleb. Владелец: Internet-Simulation Evaluation Envision Srl. Дата публикации: 2016-03-03.

Drift tube, apparatus and ion implanter having variable focus electrode in linear accelerator

Номер патента: US11825590B2. Автор: William Davis Lee,Charles T. Carlson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

System and method for attaining target dose conformity in ion beam treatment

Номер патента: US10843008B2. Автор: Martha Hultqvist,Terese Nordström. Владелец: RaySearch Laboratories AB. Дата публикации: 2020-11-24.

System and method for attaining target dose conformity in ion beam treatment

Номер патента: WO2018115094A1. Автор: Martha Hultqvist,Terese Nordström. Владелец: RaySearch Laboratories AB. Дата публикации: 2018-06-28.

Uniform broad ion beam deposition

Номер патента: WO2002097850A3. Автор: Mervyn Howard Davis,Gary Proudfoot. Владелец: Nordiko Ltd. Дата публикации: 2003-10-16.

Uniform broad ion beam deposition

Номер патента: WO2002097850A2. Автор: Mervyn Howard Davis,Gary Proudfoot. Владелец: Nordiko Limited. Дата публикации: 2002-12-05.

Etching method, etching apparatus, and storage medium

Номер патента: US9449844B2. Автор: Isao Yamada,Kenichi Hara,Takashi Hayakawa,Noriaki Toyoda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Ion beam etching chamber with etching by-product redistributor

Номер патента: US20230369024A1. Автор: Lee-Chuan Tseng,Te-Hsien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Drift tube, apparatus and ion implanter having variable focus electrode in linear accelerator

Номер патента: WO2023038814A1. Автор: William Davis Lee,Charles T. Carlson. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-16.

System and method for attaining target dose conformity in ion beam treatment

Номер патента: US20200038682A1. Автор: Martha Hultqvist,Terese Nordström. Владелец: RaySearch Laboratories AB. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of manufacturing a semiconductor device by using ion beam technique

Номер патента: US11043384B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Christian Krueger,Michael Kokot. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-06-22.

Mixed gas cluster ion beam generator and mass spectrometer including the same

Номер патента: EP4002424A1. Автор: Chang Min Choi,Myoung Choul Choi,Sang Ju Lee,Ji Young BAEK,Aram HONG. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2022-05-25.

System and method for supervising repeater by using wireless mobile

Номер патента: EP1188264A1. Автор: Sang-Wook Park. Владелец: Korea Telecom Freetel Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-20.

System and method for supervising repeater by using wireless mobile

Номер патента: WO2001082512A1. Автор: Sang-Wook Park. Владелец: Ktfreetel Co., Ltd.. Дата публикации: 2001-11-01.

Apparatus and method for managing radio resources in mobile communication system

Номер патента: US20100151872A1. Автор: Yeon-Seung Shin,Yeong-Jin Kim,Sung-gu Choi. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-17.

Communication system having management apparatus and user apparatus, management apparatus, user apparatus, and method of controlling the same

Номер патента: US09667504B2. Автор: Takafumi Nakajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Thermal insulation expandable polystyrene particles and method of preparing the same

Номер патента: US09574059B2. Автор: Young Soo Kim,Soo Jin Park,Young Jin Cho,Kyu Bong Lee. Владелец: Sh Energy & Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Ion beam source

Номер патента: US4467240A. Автор: Masaaki Futamoto,Isamu Yuito,Ushio Kawabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-08-21.

Ion beam generating apparatus

Номер патента: US4638209A. Автор: Takao Kato,Tatsuo Asamaki. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 1987-01-20.

Focused ion beam low kv enhancement

Номер патента: EP2772930A3. Автор: Mostafa Maazouz. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2017-04-19.

Coated article having low-e coating with ion beam treated ir reflecting layer and corresponding method

Номер патента: CA2565444C. Автор: Vijayen Veerasamy. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Method of making an ion beam sputter-etched ventricular catheter for hydrocephalus shunt

Номер патента: US4432853A. Автор: Bruce A. Banks. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1984-02-21.

Plasma source of linear ion beam

Номер патента: WO2001022465A1. Автор: Elena Alexandrovna Kralkina,Vladimir Borisovich Pavlov,Gleb Elmirovich Bugrov,Sergei Gennadievich Kondranin. Владелец: Plasma Tech Co., Ltd.. Дата публикации: 2001-03-29.

Ion Implanting Apparatus and Ion Implanting Method

Номер патента: CA2129403A1. Автор: Hiroyuki Hashimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-02-06.

Generator of ribbon-shaped ion beam

Номер патента: US5959303A. Автор: James Harry Freeman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-09-28.

Ion implanting apparatus and ion implanting method

Номер патента: CA2129403C. Автор: Hiroyuki Hashimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

Dual ion beam assisted deposition of biaxially textured template layers

Номер патента: US20050205014A1. Автор: James Groves,Robert Hammond,Paul Arendt. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2005-09-22.

Device and method for separating materials

Номер патента: CA3064503C. Автор: Pasi Makkonen,Sampo Saari,Panu Karjalainen,Topi Rönkkö. Владелец: Genano Oy. Дата публикации: 2022-01-25.

High power ion beam generator systems and methods

Номер патента: EP4277017A3. Автор: JIN LEE,Michael Taylor,Mark Thomas,Tye Gribb,Arne Kobernik,Carl Sherven,Casey LAMERS,Chris Seyfert,Evan SENGBUSCH,Gabriel Becerra,Logan CAMPBELL,Preston Barrows,Ross RADEL. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-21.

High power ion beam generator systems and methods

Номер патента: ZA202005001B. Автор: Thomas Mark,Lee Jin,Taylor Michael,Lamers Casey,Gribb Tye,Radel Ross,Sengbusch Evan,Campbell Logan,Kobernik Arne,Sherven Carl,Seyfert Chris,Becerra Gabriel,Barrows Preston. Владелец: Phoenix Llc. Дата публикации: 2023-12-20.

High power ion beam generator systems and methods

Номер патента: EP4277017A2. Автор: JIN LEE,Michael Taylor,Mark Thomas,Tye Gribb,Arne Kobernik,Carl Sherven,Casey LAMERS,Chris Seyfert,Evan SENGBUSCH,Gabriel Becerra,Logan CAMPBELL,Preston Barrows,Ross RADEL. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-15.

High Power ION Beam Generator Systems and Methods

Номер патента: US20230380048A1. Автор: JIN LEE,Michael Taylor,Mark Thomas,Tye Gribb,Arne Kobernik,Carl Sherven,Casey LAMERS,Chris Seyfert,Evan SENGBUSCH,Gabriel Becerra,Logan CAMPBELL,Preston Barrows,Ross RADEL. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Fourier transform mass spectrometers and methods of analysis using the same

Номер патента: US11881388B2. Автор: James W Hager. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing stacked wiring structure, and ion beam irradiation apparatus

Номер патента: US20220285170A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Junichi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Ion beam etching of stt-ram structures

Номер патента: WO2017075282A1. Автор: Narasimhan Srinivasan,Boris Druz,Katrina Rook,Ajit PRANJPE. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2017-05-04.

Ion beam etching of stt-ram structures

Номер патента: EP3369119A1. Автор: Narasimhan Srinivasan,Boris Druz,Katrina Rook,Ajit PRANJPE. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-05.

Ion beam deposition of ruthenium thin films

Номер патента: US20240102150A1. Автор: Robert Caldwell,Frank Cerio,Rutvik J. Mehta,Yuejing Wang. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

High power ion beam generator systems and methods

Номер патента: US11937363B2. Автор: JIN LEE,Michael Taylor,Mark Thomas,Tye Gribb,Arne Kobernik,Carl Sherven,Casey LAMERS,Chris Seyfert,Evan SENGBUSCH,Gabriel Becerra,Logan CAMPBELL,Preston Barrows,Ross RADEL. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

High power ion beam generator systems and methods

Номер патента: US11979975B2. Автор: JIN LEE,Michael Taylor,Mark Thomas,Tye Gribb,Arne Kobernik,Carl Sherven,Casey LAMERS,Chris Seyfert,Evan SENGBUSCH,Gabriel Becerra,Logan CAMPBELL,Preston Barrows,Ross RADEL. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

High power ion beam generator systems and methods

Номер патента: CA3229043A1. Автор: JIN LEE,Michael Taylor,Mark Thomas,Tye Gribb,Arne Kobernik,Carl Sherven,Casey LAMERS,Chris Seyfert,Evan SENGBUSCH,Gabriel Becerra,Logan CAMPBELL,Preston Barrows,Ross RADEL. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-09.

High power ion beam generator systems and methods

Номер патента: CA3229060A1. Автор: JIN LEE,Michael Taylor,Mark Thomas,Tye Gribb,Arne Kobernik,Carl Sherven,Casey LAMERS,Chris Seyfert,Evan SENGBUSCH,Gabriel Becerra,Logan CAMPBELL,Preston Barrows,Ross RADEL. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-09.

High power ion beam generator systems and methods

Номер патента: CA3229072A1. Автор: JIN LEE,Michael Taylor,Mark Thomas,Tye Gribb,Arne Kobernik,Carl Sherven,Casey LAMERS,Chris Seyfert,Evan SENGBUSCH,Gabriel Becerra,Logan CAMPBELL,Preston Barrows,Ross RADEL. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-09.

High power ion beam generator systems and methods

Номер патента: CA3229046A1. Автор: JIN LEE,Michael Taylor,Mark Thomas,Tye Gribb,Arne Kobernik,Carl Sherven,Casey LAMERS,Chris Seyfert,Evan SENGBUSCH,Gabriel Becerra,Logan CAMPBELL,Preston Barrows,Ross RADEL. Владелец: Shine Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-09.

Fourier transform mass spectrometers and methods of analysis using the same

Номер патента: EP3918628A1. Автор: James W. Hager. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2021-12-08.

Device and method for implanting particles into a substrate

Номер патента: US20220199362A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2022-06-23.

Apparatus and method for telecommunication clip management

Номер патента: WO2010000326A1. Автор: Christoph Ferner. Владелец: Hipro|Call Inc.. Дата публикации: 2010-01-07.

Clothing management apparatus and method for controlling same

Номер патента: US12024812B2. Автор: Juyoung Kim,Donggyu LEE,Jewoo BANG,Dohaeng KIM,Dongsuk Kim,Gyeongryeol CHAE,Youngdon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Sample Cartridge Carrier Apparatus and Carrier Base

Номер патента: US20230207287A1. Автор: Masashi Shimizu. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Apparatus and method for telecommunication clip management

Номер патента: WO2010000342A1. Автор: Christoph Ferner. Владелец: Hipro|Call Inc.. Дата публикации: 2010-01-07.

Communication network management device and method for distributing data in various bandwidth

Номер патента: WO2004017562A1. Автор: Sung-Ha Park,Jeong-Je Park. Владелец: Nstek Co., Ltd.. Дата публикации: 2004-02-26.

Thermal management article and method of forming the same, and method of thermal management of a substrate

Номер патента: US09624779B2. Автор: YAN Cui,Benjamin Paul Lacy,Srikanth Chandrudu Kottilingam,Brian Lee Tollison,David Edward Schick. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-04-18.

System and method for scanned ion beam interplay effect mitigation using random repainting

Номер патента: US9981144B2. Автор: Markus BACH. Владелец: Varian Medical Systems Particle Therapy GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-05-29.

Drug delivery system and method of manufacturing thereof

Номер патента: US8889169B2. Автор: Richard C. Svrluga,Sean R. Kirkpatrick. Владелец: Exogenesis Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Low energy ion beam etch

Номер патента: US9443697B2. Автор: Chad Rue. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2016-09-13.

Gas diffusion electrodes, membrane-electrode assemblies and method for the production thereof

Номер патента: CA2604304C. Автор: Robert Allen,Andrea Gulla. Владелец: BASF Fuel Cell GmbH. Дата публикации: 2014-09-16.

Shadow mask apparatus and methods for variable etch depths

Номер патента: US20210257179A1. Автор: Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Joseph C. Olson,Morgan Evans,Maurice Emerson PEPLOSKI,Thomas Soldi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Tunable extraction assembly for wide angle ion beam

Номер патента: WO2022015432A1. Автор: Costel Biloiu,Kevin M. Daniels,Jay R. Wallace. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Multi-source ion beam etch system

Номер патента: US20210104374A1. Автор: Ellie Yieh,Qiwei Liang,Srinivas D. Nemani,Douglas Buchberger,Chentsau Chris Ying. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Apparatus for and method of producing ions

Номер патента: WO1993023869A1. Автор: Derek Aitken. Владелец: Superion Limited. Дата публикации: 1993-11-25.

Gas cluster ion beam etch profile control using beam divergence

Номер патента: US20130059449A1. Автор: Michael Graf,John J. Hautala. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Multi-source ion beam etch system

Номер патента: WO2021071586A1. Автор: Ellie Yieh,Qiwei Liang,Srinivas D. Nemani,Douglas Buchberger,Chentsau Chris Ying. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for modifying the wettability and/or other biocompatibility characteristics of a surface of a biological material by the application of gas cluster ion beam technology and biological materials made thereby

Номер патента: WO2010105056A1. Автор: Joseph Khoury,Richard C. Svrluga,Laurence B. Tarrant,Sean R. Kirkpatrick. Владелец: EXOGENESIS CORPORATION. Дата публикации: 2010-09-16.

A dual band photodiode element and method of making the same

Номер патента: US20200335655A1. Автор: Sudesh Bains,Les HIPWOOD. Владелец: Leonardo MW Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

A dual band photodiode element and method of making the same

Номер патента: AU2019205085A1. Автор: Sudesh Bains,Les HIPWOOD. Владелец: Leonardo MW Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

A dual band photodiode element and method of making the same

Номер патента: WO2019134968A1. Автор: Sudesh Bains,Les HIPWOOD. Владелец: LEONARDO MW LIMITED. Дата публикации: 2019-07-11.

A dual band photodiode element and method of making the same

Номер патента: EP3738153A1. Автор: Sudesh Bains,Les HIPWOOD. Владелец: Leonardo MW Ltd. Дата публикации: 2020-11-18.

Apparatus and method for rapid monitoring of pathogens in water

Номер патента: GB2598551A. Автор: Yang Zhugen. Владелец: Cranfield University. Дата публикации: 2022-03-09.

Gas management apparatus, and method for conditioning anode gas of a fuel cell

Номер патента: US20240142054A1. Автор: Martin Rölver. Владелец: Hengst SE and Co KG. Дата публикации: 2024-05-02.

THERMAL MANAGEMENT SYSTEM, VEHICLES EMBODYING SAME AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120048504A1. Автор: KIM Hyun,Park Hee Sang,Park June Kyu,Yun Jung Hwan,Ku Jun Mo,Kim Sang Ha,Jeon Ho Seok. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

Thermal management and energy recovery system and method for a vehicle

Номер патента: CN115723554A. Автор: 丁创. Владелец: Mercedes Benz Group AG. Дата публикации: 2023-03-03.

MEMORY MANAGING APPARATUS, MULTIPROCESSOR SYSTEM, AND METHOD FOR CAUSING MEMORY MANAGING APPARATUS TO MANAGE SHARED MEMORY

Номер патента: US20120102274A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-04-26.

Sample preparation apparatus for three-dimensional structure observation, electron microscope and method thereof

Номер патента: JP4232848B2. Автор: 雅成 高口,博司 柿林,るり子 常田,邦康 中村. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-03-04.

Sample preparation apparatus for total reflection X-ray fluorescence spectrometer and method of coagulating contamination

Номер патента: JP3399671B2. Автор: 直人 吉高,英敏 末元. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-21.

Communication resource management apparatus, mobile terminal and method

Номер патента: JP4731596B2. Автор: 敦 篠崎. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Charged particle beam apparatus and sample processing method

Номер патента: US20120001086A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Identification mark for marking valuables and method of making said mark

Номер патента: RU2373307C1. Автор: Юрий Константинович Низиенко. Владелец: Юрий Константинович Низиенко. Дата публикации: 2009-11-20.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY THERMAL MANAGEMENT WITH PHASE TRANSITION

Номер патента: US20120003523A1. Автор: Schaller Rolf,Kwak Sehoon. Владелец: CHRYSLER GROUP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for target ionic sputtering and/or object surface processing and method of its application

Номер патента: RU2510735C2. Автор: Марат Хаджи-Муратович Абдуев,Айрат Адипович Бикташев,Олег Владиславович Желонкин,Сергей Иванович Саликеев,Сергей Васильевич Панин,Анатолий Васильевич Горин,Владимир Александрович Глинкин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Ферри Ватт". Дата публикации: 2014-04-10.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Recording Media Having a Nanocomposite Protection Layer and Method of Making Same

Номер патента: US20120003399A1. Автор: Li Lei,Kiely James Dillon,Jones Paul Max,Hsia Yiao-Tee,Johns Earl Chrzaszcz. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001097A1. Автор: . Владелец: NuFlare Technology, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for electromagnetic focusing of ion beam in plasma accelerators with azimuthal electron drift

Номер патента: RU2465749C2. Автор: Дмитрий Владимирович Духопельников,Михаил Константинович Марахтанов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э.Баумана". Дата публикации: 2012-10-27.

Source of wide-aperture ion beams

Номер патента: RU2370848C1. Автор: Николай Васильевич Гаврилов,Даниил Рафаилович Емлин,Олег Александрович Буреев. Владелец: Институт электрофизики Уральского отделения РАН. Дата публикации: 2009-10-20.

Method of forming objects on surface of materials using focused ion beam

Номер патента: RU2457573C1. Автор: Евгений Владиславович Пустовалов,Владимир Сергеевич Плотников,Борис Николаевич Грудин,Алексей Петрович Глухов,Алексей Валерьевич Кириллов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2012-07-27.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

High-frequency accelerating structure for ion beams extracted from laser plasma

Номер патента: RU2533194C2. Автор: Владимир Иванович Турчин,Сергей Валентинович Плотников,Александр Николаевич Балабаев,Юрий Алексеевич Сатов,Александр Викторович Шумшуров,Сергей Михайлович Савин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики". Дата публикации: 2014-11-20.

SYSTEM AND METHOD FOR PURIFICATION AND USE OF INORGANIC PYROPHOSPHATASE FROM AQUIFEX AEOLICUS

Номер патента: US20120004115A1. Автор: Shenoy Suresh Gopalkrishna,Link Kristian Hurd,Pino Luan,Gratalo Dawn,Sangan Pitchai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for pulse-periodic ion-beam cleaning of surface of articles made of dielectric material or conducting material with dielectric inclusions

Номер патента: RU2526654C2. Автор: Игорь Борисович Степанов,Денис Олегович Сивин,Александр Ильич Рябчиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессинального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2014-08-27.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for measuring angular distribution of ion beam

Номер патента: RU2129318C1. Автор: Г.Д. Ведьманов,И.Р. Мухаметдинов,К.О. Хохлов. Владелец: Мухаметдинов Игорь Раитович. Дата публикации: 1999-04-20.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

Source of intense ion beams

Номер патента: RU2075132C1. Автор: И.М. Ройфе. Владелец: Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им.Д.В.Ефремова. Дата публикации: 1997-03-10.

Soybean mutation breeding box with heavy ion beam concentration structure

Номер патента: ZA202401519B. Автор: QI Wu,Fengyi Zhang,Chunlei Zhang,XueYang Wang,Honglei Ren,Bixian Zhang,Xiulin Liu,Kezhen Zhao,Rongqiang Yuan. Владелец: Soybean Res Institute Of Heilongjiang Academy Of Agricultural Sciences. Дата публикации: 2024-09-25.

Low-energy ion beams source for nano electronics technologies

Номер патента: RU2353017C1. Автор: Виктор Львович Варенцов. Владелец: Виктор Львович Варенцов. Дата публикации: 2009-04-20.

INTEGRATED CROSSFLOW BLOWER MOTOR APPARATUS AND SYSTEM

Номер патента: US20120002368A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of ion-beam treatment

Номер патента: RU2433081C1. Автор: Юрий Петрович Маишев,Сергей Леонидович Шевчук,Юрий Петрович Терентьев. Владелец: Российская академия наук Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН (ФТИАН). Дата публикации: 2011-11-10.

Method to produce high-charge ion beam

Номер патента: RU2448387C2. Автор: Сергей Николаевич Доля,Александр Дмитриевич Коваленко,Клара Андреевна Решетникова,Сергей Николаевич Доля (RU),Александр Дмитриевич Коваленко (RU),Клара Андреевна Решетникова (RU). Владелец: Объединенный Институт Ядерных Исследований. Дата публикации: 2012-04-20.

Ion beam generation process

Номер патента: RU2219618C2. Автор: Е.Н. Ивашов,Б.Г. Львов,С.В. Степанчиков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (технический университет). Дата публикации: 2003-12-20.

LONG-ACTING VETERINARY POLYPEPTIDES AND METHODS OF PRODUCING AND ADMINISTERING SAME

Номер патента: US20120004286A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBE/SIRNA COMPLEXES AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120003278A1. Автор: . Владелец: ENSYSCE BIOSCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Biocompatible porous material and method for preparing it

Номер патента: RU2541171C1. Автор: Сергей Владимирович Борисов,Алла Геннадьевна Широкова,Екатерина Анатольевна Богданова,Алексей Николаевич Ермаков,Игорь Георгиевич Григоров,Олег Павлович Шепатковский,Виктор Леонидович Кожевников,Сергей Витальевич Смирнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-02-10.

Compositions and Methods for the Treatment of Ophthalmic Disease

Номер патента: US20120003275A1. Автор: Donello John E.,Schweighoffer Fabien J.,Rodrigues Gerard A.,McLaughlin Anne P.,Mahé Florence. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-5, UZM-5P, AND UZM-6 CRYSTALLINE ALUMINOSILICATE ZEOLITES AND METHODS FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20120004485A1. Автор: . Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Ion beam formation method and device intended for its realization

Номер патента: RU2096856C1. Автор: Б.Н. Машковцев. Владелец: Акционерное общество закрытого типа "Римос". Дата публикации: 1997-11-20.

Method for making intraosseous dental implant with ion-beam modification of plasma-deposited multilayer bioactive coating

Номер патента: RU2458707C1. Автор: Владимир Николаевич Лясников,Ирина Владимировна Перинская,Владимир Владимирович Перинский,Орынгали Джулдгалиевич Муктаров. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2012-08-20.

Simulation methods of vacuum ion-beam treatment processes (versions), and specimen for their implementation

Номер патента: RU2485212C1. Автор: Виталий Валентинович Плихунов. Владелец: Открытое акционерное общество "Национальный институт авиационных технологий". Дата публикации: 2013-06-20.

STROBO THIN FILM CHEMICAL ANALYSIS APPARATUS AND ASSAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003659A1. Автор: Yoo Jae Chern. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METABOLIC BIOMARKERS FOR OVARIAN CANCER AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004854A1. Автор: Gray Alexander,Guan Wei,Fernandez Facundo M.,McDonald John,Zhou Manshui. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.