Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • nitride semiconductor ultraviolet light emitting device

nitride semiconductor ultraviolet light emitting device

Номер патента: KR102285185B1
Опубликовано: 02-08-2021
Автор(ы): 가즈노부 고지마, 시게후사 지치부, 아키라 히라노, 요스케 나가사와
Принадлежит: 소코 가가쿠 가부시키가이샤
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Light emitting element and production method therefor

Номер патента: US20240313034A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12057525B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131043A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131042A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230238475A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot,Miho MATSUZAKI. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200388725A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20160260868A1. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing iii-nitride semiconductor light emitting structure

Номер патента: US20240250213A1. Автор: Sung Min Hwang,Doo Soo Kim,In Seong Cho,Hyung Kyu Choi,Sung Woon HEO,Sung Ju MUN,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device and iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20170338378A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20180287014A1. Автор: Koji Asada,Tokutaro Okabe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190371968A1. Автор: Koji Asada,Tokutaro Okabe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210043802A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09780255B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Yu-Chu Li. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09640712B2. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Light emitting element

Номер патента: US20240194821A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nitride semiconductor stacked body and semiconductor light emitting device

Номер патента: HK1212507A1. Автор: Hideto Furuyama,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2016-06-10.

NITRIDE SEMICONDUCTOR STACKED BODY AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

Номер патента: US20150255670A1. Автор: Kimura Shigeya,FURUYAMA Hideto. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-10.

Nitride semiconductor stacked body and semiconductor light emitting device comprising the same

Номер патента: EP2919282B1. Автор: Hideto Furuyama,Shigeya Kimura. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-19.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11799051B2. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light-Emitting Element and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230299232A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US09620671B2. Автор: Hiroshi Nakatsu,Yoshihiko Tani,Tadashi Takeoka,Toshiaki Asai,Tomoya Inoue,Kentaro Nonaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09741900B2. Автор: Masayuki Nagata,Takashi KURISU,Susumu Ohmi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210399162A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420600A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Gallium-nitride light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120248404A1. Автор: Sung Bum Bae,Eun Soo Nam,Jong Moo Lee,Han Youl RYU. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-10-04.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for producing same

Номер патента: US9331245B2. Автор: Eiji Yamada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Light-emitting devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190123237A1. Автор: Byoung-kyun KIM,Tan Sakong,Jin-young Lim,Jae-sung HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

Ultraviolet semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420613A1. Автор: Akio Ogawa,Hiroyuki Kano,Toru Kinoshita. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for manufacturing light-emitting element

Номер патента: US12068429B2. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing light-emitting element

Номер патента: US20210328095A1. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor light emitting element with quantum well active layer and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2015008871A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-01-22.

Method for manufacturing light-emitting element

Номер патента: US20210202790A1. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Nitride semiconductor multilayer film reflector and light-emitting element using same

Номер патента: CN105103392A. Автор: 竹内哲也,岩谷素顕,赤崎勇. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-11-25.

Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element

Номер патента: RU2561761C1. Автор: Акира ХИРАНО,Сирил ПЕРНО. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-09-10.

Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element

Номер патента: US09502606B2. Автор: Akira Hirano,Cyril Pernot. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Near-ultraviolet light-emitting semiconductor light-emitting element and group iii nitride semiconductor template used therefor

Номер патента: US20190140140A1. Автор: Sung Min Hwang,In Sung Cho,Doo Soo Kim,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light-Emitting Element

Номер патента: US20230261139A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09711684B2. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Hetero-substrate, nitride-based semiconductor light emitting device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680055B2. Автор: Kiseong Jeon,Hojun Lee,Kyejin Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-06-13.

Nitride semicondutor ultraviolet light-emitting element

Номер патента: RU2676178C1. Автор: Акира ХИРАНО,Митико КАНЕДА,Сирил ПЕРНО. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-12-26.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200381580A1. Автор: Hiroki Kondo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Light emitting element and method of manufacturing same

Номер патента: US20230231079A1. Автор: Takuya Okada,Koji Asada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Light emitting device, display apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4318613A1. Автор: Younghwan Park,Dongchul Shin,Jinjoo Park,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Light emitting device, display apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240047614A1. Автор: Younghwan Park,Dongchul Shin,Jinjoo Park,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9882088B2. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US09911898B2. Автор: Chang Suk Han,Jung Hwan Hwang,Hyo Shik Choi. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US09577144B2. Автор: Chang Suk Han,Jung Hwan Hwang,Hyo Shik Choi. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Crystal growth method and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140117309A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Ultraviolet light-emitting devices incorporating graded layers and compositional offsets

Номер патента: US09806227B2. Автор: Leo J. Schowalter,Tomohiro Morishita,Kosuke Sato,James R. Grandusky,Shawn R. Gibb,Craig Moe. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Nitride semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09806232B2. Автор: Naoki Azuma,Masahiko Sano,Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Ultraviolet light emitting devices

Номер патента: US20190189846A1. Автор: Young Hwan Park,Joo Sung KIM,Young Jo TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Micro light-emitting diode and manufacturing method of micro light-emitting diode

Номер патента: US20200266233A1. Автор: Katsuji Iguchi,Hidenori Kawanishi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09478706B2. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US09601662B2. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09496453B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Light emitting element and method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US20240113253A1. Автор: Hiroki Kondo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160247962A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Light emitting element and method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US11888089B2. Автор: Hiroki Kondo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09564552B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160056329A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

III-nitride semiconductor light-emitting device comprising barrier layers and well layers and method of producing the same

Номер патента: US11984535B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Light emitting diode element and method for manufacturing same

Номер патента: US20190348569A1. Автор: Hiroshi Ohno,Kenya Yamashita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Light emitting element

Номер патента: US09954138B2. Автор: Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2018-04-24.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US11876148B2. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210193865A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09865774B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US20120298952A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: EP2528115A3. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-31.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160035938A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US20140295602A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Maki Sugai,Toshiki Hikosawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Light-Emitting Element and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20230261138A1. Автор: Yoshitaka Taniyasu,Kazuhide Kumakura,Kazuyuki Hirama. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075795A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2775537A3. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-05.

Pec etching of { 20-2-1 } semipolar gallium nitride for light emitting diodes

Номер патента: WO2014036400A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Daniel F. Feezell,Yuji Zhao,Chung-Ta HSU,Chia-Yen Huang,Shih-Chieh HAUNG. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9006709B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140252311A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Group III nitride semiconductor device, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09425348B2. Автор: Koji Katayama,Takashi Kyono,Katsunori Yanashima,Shinji Tokuyama,Nobuhiro Saga,Tatsushi Hamaguchi,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Nitride semiconductor multilayer structure, light emitting element, light source apparatus, and method for producing nitride semiconductor multilayer structure

Номер патента: US20200244043A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Ultraviolet light emitting device separated from growth substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09520533B2. Автор: Hwa Mok Kim,Chang Suk Han,Dae Woong SUH,Mi So KO,A Ram Cha LEE. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US8895419B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Nitride semiconductor light emitting device including buffer layer and method of forming the same

Номер патента: US20180337307A1. Автор: Sun Woon Kim,Jong Sun Maeng,Jung Taek Han,Jeen Seok CHO,Yong Hee JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-22.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140087508A1. Автор: Atsushi Miyazaki,Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Ultraviolet light emitting device incorporating optically absorbing layers

Номер патента: US9171992B2. Автор: Christopher L. Chua. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Ultraviolet light emitting device doped with boron

Номер патента: US09876143B2. Автор: Wei Zhang,Douglas A. Collins,Yitao Liao. Владелец: RayVio Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing light-emitting element and method for removing hydrogen from light-emitting element

Номер патента: US11916164B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Shinichi Matsui,Hiroshi Miwa,Yoshiki Saito,Kengo Nagata,Hisanori Ishiguro,Shinya Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for manufacturing light-emitting element and method for removing hydrogen from light-emitting element

Номер патента: US20220231189A1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Shinichi Matsui,Hiroshi Miwa,Yoshiki Saito,Kengo Nagata,Hisanori Ishiguro,Shinya Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Substrate for nitride semiconductor device and production method thereof, and red light emitting semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US9455376B2. Автор: Atsushi Koizumi,Yasufumi Fujiwara,Yoshikazu Terai. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2016-09-27.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US9515219B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Nitride semiconductor light-emitting diode

Номер патента: US20150357522A1. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Light-emitting device of elements of iii-v groups that includes light-emitting structure

Номер патента: RU2559305C2. Автор: Мелвин Б. МАКЛОРИН,Майкл Р. КРЕЙМС,Орельен Дж.Ф. ДЭВИД. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-08-10.

Nitride semiconductor crystal with surface texture

Номер патента: US20120077298A1. Автор: Masahiko Tsuchiya,Takako Chinone,Masataka Kajikawa,Ji-Hao Liang. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Nitride semiconductor crystal with surface texture

Номер патента: US8658440B2. Автор: Masahiko Tsuchiya,Takako Chinone,Masataka Kajikawa,Ji-Hao Liang. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-25.

Light emitting device and light emitting device package

Номер патента: US9991430B2. Автор: Yasuo Nakanishi,Nobuaki Matsui,Takao Fujimori,Hirotaka Obuchi,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Light emitting device and light emitting device package

Номер патента: US9281444B2. Автор: Yasuo Nakanishi,Nobuaki Matsui,Takao Fujimori,Hirotaka Obuchi,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-03-08.

Light emitting device and light emitting device package

Номер патента: US20130056748A1. Автор: Yasuo Nakanishi,Nobuaki Matsui,Takao Fujimori,Hirotaka Obuchi,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Light emitting device and light emitting device package

Номер патента: US20180083172A1. Автор: Yasuo Nakanishi,Nobuaki Matsui,Takao Fujimori,Hirotaka Obuchi,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-22.

Light emitting device and light emitting device package

Номер патента: US09991430B2. Автор: Yasuo Nakanishi,Nobuaki Matsui,Takao Fujimori,Hirotaka Obuchi,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Ultraviolet light emitting nitride semiconductor element and ultraviolet light emitting nitride semiconductor device

Номер патента: RU2664755C1. Автор: Акира ХИРАНО,Масамити ИППОММАЦУ. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-08-22.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light Emitting Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20180277723A1. Автор: Akira Hirano,Ko Aosaki. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Ultraviolet light emitting devices having a dielectric layer and a transparent electrode layer disposed in between patterned nitride semiconductor layers

Номер патента: US20190189841A1. Автор: Mi Hyun Kim,Young Hwan Park,Joo Sung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Light emitting device

Номер патента: US09553236B2. Автор: Jae Hoon Choi,Young Jae Choi. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20140097443A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao,Hsun-Chih Liu,Yi-Keng Fu,Chien-Pin Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-04-10.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150041758A1. Автор: Yoshiki Saito,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09666753B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Daisuke Komori,Motoaki Iwaya,Kaku TAKARABE. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-30.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09508895B2. Автор: Ryo Nakamura,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of producing nitride semiconductor emitting ultraviolet radiation element and nitride semiconductor emitting ultraviolet radiation element

Номер патента: RU2719339C1. Автор: Акира ХИРАНО,Йосуке НАГАСАВА,Сигефуса ТИТИБУ,Казунобу КОДЗИМА. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-17.

Light emitting device

Номер патента: US20140339565A1. Автор: Jae Hoon Choi,Young Jae Choi. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20150137173A1. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09450150B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Light emitting device with improved extraction efficiency

Номер патента: US20170317237A1. Автор: Michael Jason Grundmann,Aurelien Jean Francois David,John Edward Epler,Michael David Camras,Nathan Fredrick Gardner,Werner Karl Goetz,Melvin Barker Mclaurin. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2017-11-02.

Light-emitting element and method for producing the same

Номер патента: US09978903B2. Автор: Hiroyuki Inoue,Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Ultraviolet light-emitting device with a heavily doped strain-management interlayer

Номер патента: US09680056B1. Автор: Ling Zhou,Jianping Zhang. Владелец: Bolb Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing light-emitting element and light-emitting element

Номер патента: US20240021749A1. Автор: Hiroki Kondo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Fabrication method of nitride light emitting diodes

Номер патента: US20170117436A1. Автор: Chang-Cheng Chuo,Chia-Hung CHANG,Cheng-Hung Lee,Zhibo XU,Hsiang-Lin Hsieh,Chan-chan LIN. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Light-emitting element and method for producing the same

Номер патента: US20180240934A1. Автор: Hiroyuki Inoue,Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Iii-nitride light-emitting devices, grown on structure for reducing deformation

Номер патента: RU2466479C2. Автор: Натан Ф. ГАРДНЕР,Линда Т. РОМАНО,Патрик Н. ГРИЙО,Вернер К. ГЕТЦ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-11-10.

Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element and nitride semiconductor ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US09812611B2. Автор: Akira Hirano,Masamichi Ippommatsu. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of making semiconductor light- emitting device

Номер патента: US20110076788A1. Автор: Masaki Ueno,Masahiro Adachi,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Shinji Tokuyama,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09755107B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Light emitting device with transparent conductive group-iii nitride layer

Номер патента: US20190148587A1. Автор: Marco Rossetti,Nicolas Pierre Grandjean,Marco MALINVERNI,Antonino Francesco CASTIGLIA. Владелец: EXALOS AG. Дата публикации: 2019-05-16.

Light-emitting device and display apparatus including the same

Номер патента: EP4398320A1. Автор: Il-Soo Kim,Hyowon KWON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for manufacturing light emitting element

Номер патента: US20180287009A1. Автор: Yoshiki Inoue,Junya Narita,Kazuhiro Nagamine,Susumu TOKO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Nitride semiconductor structure, light emitting element, light source device, and method of manufacturing nitride semiconductor structure

Номер патента: US20240322079A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-26.

Nitride semiconductor structure, light emitting element, light source device, and method of manufacturing nitride semiconductor structure

Номер патента: EP4443673A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US11824140B2. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200411723A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20220181523A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Vertically structured group III nitride semiconductor LED chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502603B2. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee,Pil Guk Jang. Владелец: Wavesquare Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for separating growth substrate, method for light-emitting diode, and light-emitting diode manufactured using methods

Номер патента: US09450141B2. Автор: Joo Won Choi,Young Wug Kim,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin,Su Youn Hong. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240038932A1. Автор: Toshihiko Fukamachi. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190305187A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Light emitting device with transparent conductive group-iii nitride layer

Номер патента: US20170236974A1. Автор: Marco Rossetti,Nicolas Pierre Grandjean,Marco MALINVERNI,Antonino Francesco CASTIGLIA. Владелец: EXALOS AG. Дата публикации: 2017-08-17.

Light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240079522A1. Автор: Jung-Hun Choi,Dongwon YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for manufacturing light emitting element

Номер патента: MY198985A. Автор: NARITA Junya,Inoue Yoshiki,KITAHAMA Shun,NAGAMINE Kazuhiro. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-06.

Light emitting element

Номер патента: US11855238B2. Автор: Yoshiki Inoue,Junya Narita,Shun KITAHAMA,Kazuhiro Nagamine. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Light emitting element

Номер патента: US20240079517A1. Автор: Yoshiki Inoue,Junya Narita,Shun KITAHAMA,Kazuhiro Nagamine. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Light emitting element

Номер патента: US20200075797A1. Автор: Yoshiki Inoue,Junya Narita,Shun KITAHAMA,Kazuhiro Nagamine. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Light emitting element

Номер патента: US20210296526A1. Автор: Yoshiki Inoue,Junya Narita,Shun KITAHAMA,Kazuhiro Nagamine. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Light-emitting device, display apparatus including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240178345A1. Автор: Il-Soo Kim,Hyowon KWON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150084069A1. Автор: Shinji Yamada,Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Ultraviolet light emitting devices having enhanced light extraction

Номер патента: EP2579339A3. Автор: Thomas Wunderer,Christopher L Chua,Michael A Kneissl,Noble M Johnson,John E Northrup. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-05-21.

Light-emitting device, display apparatus including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: GB2624758A. Автор: KIM IL-SOO,KWON Hyowon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Method for manufacturing light emitting element and light emitting element

Номер патента: US09853183B2. Автор: Tsukasa Kitano,Koichi Naniwae. Владелец: EL Seed Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US20150021653A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Group iii nitride light-emitting element and method for producing the light-emitting element

Номер патента: US20190386177A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274755A1. Автор: Koichi Mizutani,Shinichi Matsui,Hiroaki Makino,Hideki Omoya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

P type nitride semiconductor layer doped with carbon and devices including the p type nitride semiconductor layer doped with carbon

Номер патента: US20140225153A1. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor device and method of forming p-type nitride semiconductor layer

Номер патента: US20230326976A1. Автор: Yoichi Kawakami,Kunimichi Omae,Mitsuru Funato,Katsuhiro KISHIMOTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Group iii nitride light-emitting device, group iii nitride epitaxial wafer, and method for producing group iii nitride light-emitting device

Номер патента: EP4401158A1. Автор: Takao Nakamura,Hideto Miyake,Kenjiro Uesugi. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2024-07-17.

Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110042711A1. Автор: Yu-Hang Choi,Chae-Seok Lim,Keuk Kim,Chi-Kwon Park. Владелец: WOOREE LST Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Nitride semiconductor structure, electronic device including the nitride semiconductor structure, light-emitting device including the nitride semiconductor structure, and method for producing the nitride semiconductor structure

Номер патента: US09627581B2. Автор: Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09972745B2. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20170117441A1. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US9842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150083997A1. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09515228B2. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Light emitting element

Номер патента: US20210328105A1. Автор: Makoto Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of manufacturing nanostructure semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09842960B2. Автор: Han Kyu Seong,Young Jin Choi,Ji Hye YEON,Jung Sub Kim,Jin Sub Lee,Jae Hyeok HEO,Dae Myung Chun,Hyun Seong KUM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP2955763A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

Sapphire substrate having elongated projection and semiconductor light emitting device utilizing the same

Номер патента: US09525103B2. Автор: Takuya Okada,Yoshiki Inoue,Junya Narita,Yohei Wakai,Katsuyoshi Kadan,Naoya Sako. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: EP2306529A2. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-06.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230387351A1. Автор: Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: US8969849B2. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor light emitting device and wafer

Номер патента: US20120286284A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160163928A1. Автор: Kohei Miyoshi,Massashi TSUKIHARA. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2016-06-09.

Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030047741A1. Автор: Toshio Hata,Mayuko Fudeta,Daigaku Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150083993A1. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US5777350A. Автор: Shuji Nakamura,Shinichi Nagahama,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Light-Emitting Device, Display Device Including the Same, and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20240079523A1. Автор: Jung-Hun Choi,Dongwon YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US8093625B2. Автор: Sang Kyun SHIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-10.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200357953A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Light emitting element

Номер патента: US12027646B2. Автор: Makoto Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Light emitting element

Номер патента: EP4250380A1. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Nitride semiconductor polarization controlled device

Номер патента: US09660134B1. Автор: Thomas Wunderer,John E. Northrup,Jeng Ping Lu,Noble M Johnson. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Group iii nitride nanorod light emitting device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20130252363A1. Автор: Jung Ja YANG,Han Kyu Seong,Cheol Soo Sone,Hun Jae CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-26.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8594145B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Light-emitting body, method and apparatus for manufacturing light-emitting body, light-emitting element and method for manufacturing light-emitting element, and electronic device

Номер патента: US20240120708A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Structure for growth of nitride semiconductor layer, stacked structure, nitride-based semiconductor element, light source, and manufacturing method for same

Номер патента: US20140124816A1. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Toshiya Yokogawa,Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Vertical ultraviolet light emitting device

Номер патента: US09905728B2. Автор: Ki Yon Park,Yu Dae Han. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Light-emitting body, method and apparatus for producing light-emitting body, light-emitting element and method for producing same, and electronic device

Номер патента: EP4365968A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8420419B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Production method for group III nitride semiconductor and group III nitride semiconductor

Номер патента: US09837494B2. Автор: Hiroshi Amano,Koji Okuno,Naoki Shibata,Takahide Oshio. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09312436B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Light emitting element

Номер патента: US20230163240A1. Автор: Makoto Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Vertically structured group iii nitride semiconductor led chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140001511A1. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee,Pil Guk Jang,Tatsunori Toyota. Владелец: Wavesquare Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US09673284B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US20140097456A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140284611A1. Автор: Kazuhiro Akiyama,Shuji Itonaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230105852A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20140103354A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-04-17.

Light emitting diode element and method for producing the same

Номер патента: US20120037923A1. Автор: Toshiyuki Kondo,Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Takuya Nishimura,Motoaki Iwaya,Fumiharu Teramae. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-16.

Nitride semiconductor light emitting element having light emitting layer including INxGa1-xN well layer and LED system

Номер патента: US9318659B2. Автор: Akira Inoue,Shunji Yoshida,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: EP4369538A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-15.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US20120292593A1. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Nitride semiconductor light emitting devices

Номер патента: GB2432715A. Автор: Stewart Edward Hooper,Valerie Bousquet. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Nitride semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859465B2. Автор: Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Nitride semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09525105B2. Автор: Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Light emitting element and method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US20220029057A1. Автор: Yasunobu Hosokawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Light emitting element and method of manufacturing light emitting element

Номер патента: EP3944344A1. Автор: Yasunobu Hosokawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030062531A1. Автор: Nobuhiro Suzuki,Chisato Furukawa,Hidato Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230411553A1. Автор: Tomoya Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Light emitting element

Номер патента: US20230307580A1. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Epitaxial wafer for ultraviolet light emitting device, method for producing metal bonded substrate for ultraviolet light emitting device, method for producing ultraviolet light emitting device, and method for producing ultraviolet light emitting device array

Номер патента: US20230343890A1. Автор: Masato Yamada,Yoshihiro Kubota,Junya Ishizaki,Minoru Kawahara,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Light emitting array

Номер патента: US20230299119A1. Автор: Jun-Youn Kim,Abdul SHAKOOR,Mohsin AZIZ,Kevin STRIBLEY,Anwer SAEED,James CARSWELL. Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Ultraviolet light emitting diode and method for producing same

Номер патента: US09660140B2. Автор: Hideki Hirayama. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2017-05-23.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US8759851B2. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240213402A1. Автор: Yusuke Matsukura,Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for producing a nitride semiconductor component, and a nitride semiconductor component

Номер патента: US20180175243A1. Автор: Werner Bergbauer,Bastian Galler,Thomas Lehnhardt,Juergen Off,Tobias Gotschke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-06-21.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09508898B2. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Nitride semiconductor device manufacturing method and light emitting device

Номер патента: JP4963816B2. Автор: 弘志 中津,麻祐子 筆田. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-06-27.

Method for producing group 3-5 nitride semiconductor and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: WO2007037504A1. Автор: Kazumasa Ueda,Yoshihiko Tsuchida,Sadanori Yamanaka. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2007-04-05.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light Emitting Element

Номер патента: US20230307578A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

III nitride semiconductor epitaxial substrate and III nitride semiconductor light emitting device, and methods of producing the same

Номер патента: US09543469B2. Автор: Masatoshi Iwata,Yoshikazu Ooshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Light emitting device with high efficiency

Номер патента: US09966501B2. Автор: Soon Ho AHN,Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Hee Sub Lee,Su Youn Hong. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160300978A1. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-13.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09748438B2. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230378393A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US09873170B2. Автор: Takuya Okada,Junya Narita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Light emitting device, method of fabricating the same and light emitting device package

Номер патента: US20110284901A1. Автор: Sung Ho Choo,Sung Kyoon Kim,Hee Young Beom. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09577156B2. Автор: Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: EP3780302A1. Автор: Shinji Yoshida,Kunimasa Takahashi,Toru Takayama. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Apparatus and method for manufacturing a light-emitting device using a neutral particle beam

Номер патента: US20140017827A1. Автор: Suk Jae Yoo,Seong Bong Kim. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2014-01-16.

Light-emitting diode and light-emitting element having same

Номер патента: EP4447134A1. Автор: Yong Hyun Baek,Ji Hun Kang,Dae Hong Min. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220123174A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12009457B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250209A1. Автор: Shinji Yoshida,Shigeo Hayashi,Masayuki Hata,Shuichi Nakazawa,Yasutoshi Kawaguchi,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240322076A1. Автор: Yusuke Matsukura,Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor light emitting element, group iii nitride semiconductor substrate and method for manufacturing such group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP1981093A1. Автор: Hisashi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. MINEMOTO,Yasuo c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KITAOKA,Yasutoshi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KAWAGUCHI,Yasuhito c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. TAKAHASHI,Yoshiaki c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. HASEGAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus

Номер патента: US20140252395A1. Автор: Koichi Tachibana,Kotaro Zaima,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus

Номер патента: US8766311B2. Автор: Koichi Tachibana,Kotaro Zaima,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-01.

Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus

Номер патента: US20120217524A1. Автор: Koichi Tachibana,Kotaro Zaima,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Light emitting device with high efficiency

Номер патента: US20170069790A1. Автор: Soon Ho AHN,Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Hee Sub Lee,Su Youn Hong. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

III-nitride semiconductor light-emitting device and method of producing the same

Номер патента: US11804567B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1829118A1. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US9379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Group iii nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20150255958A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Nitride semiconductor element and method of making same

Номер патента: RU2566383C1. Автор: Норитака НИВА,Тецухико ИНАДЗУ. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-10-27.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160056331A1. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190081203A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Aluminum nitride-based semiconductor deep ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US10622530B2. Автор: Yoshihiro Ueta,Shuhichiroh YAMAMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Aluminum nitride-based semiconductor deep ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US20180083173A1. Автор: Yoshihiro Ueta,Shuhichiroh YAMAMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Template for epitaxial growth, a method for producing it and a nitride semiconductor device

Номер патента: RU2653118C1. Автор: Акира ХИРАНО,Сирил ПЕРНО. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130292644A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180166604A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US9287378B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140110667A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-24.

Light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282890A1. Автор: Koichi Mizutani,Shinichi Matsui,Hiroaki Makino,Hideki Omoya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8367445B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

Light emitting device

Номер патента: US12009454B2. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of manufacturing light emitting device with a pair of ridge protection electrodes

Номер патента: US8198639B2. Автор: Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-06-12.

Semipolar nitride semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583340B2. Автор: Young-soo Park,Jun-Youn Kim,Young-jo Tak,Jae-Kyun Kim,Joo-sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Group iii element nitride semiconductor substrate and bonded substrate

Номер патента: US20240347674A1. Автор: Tomohiko Sugiyama,Ayumi Saito. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of fabricating a P type nitride semiconductor layer doped with carbon

Номер патента: US09705287B2. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Nitride semiconductor device

Номер патента: RU2426197C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Джае Воонг ХАН. Владелец: Самсунг Лед Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-08-10.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Ultraviolet light emitting diode and electric device provided with same

Номер патента: EP4407699A1. Автор: Hideki Hirayama,Masafumi Jo. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2024-07-31.

Ultraviolet light emitting diode and electric device provided with same

Номер патента: US20240339562A1. Автор: Hideki Hirayama,Masafumi Jo. Владелец: RIKEN. Дата публикации: 2024-10-10.

Base, nitride semiconductor emitting ultraviolet radiation element and method for production of base

Номер патента: RU2702948C1. Автор: Акира ХИРАНО,Йосуке НАГАСАВА. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-10-14.

Light-emitting device based on nitride of group iii element, having low-stress light-emitting layer (versions)

Номер патента: RU2457581C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Орельен Дж. Ф. ДЭВИД,Сунгсоо И,Натан Ф. ГАРДНЕР,Линда Т. РОМАНО. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-07-27.

Nitride semiconductor led and fabrication method thereof

Номер патента: CA2599881C. Автор: Suk-Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

III-nitride optoelectronic semiconductor device containing Lattice mismatched III-nitride semiconductor materials

Номер патента: US6072189A. Автор: Geoffrey Duggan. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Nitride semiconductor led and fabrication method thereof

Номер патента: US20110042645A1. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Group III nitride semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US11955581B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Iii-nitride light-emitting devices, grown on templates to reduce strain

Номер патента: RU2454753C2. Автор: Натан Ф. ГАРДНЕР,Линда Т. РОМАНО,Патрик Н. ГРИЙО,Вернер К. ГЕТЦ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-06-27.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9391145B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Method for manufacturing group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20100051980A1. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasumasa Sasaki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor light emitting element fabrication method

Номер патента: US09490388B2. Автор: Kentaro Watanabe,Giichi Marutsuki,Yuya Yamakami. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Light-emitting device

Номер патента: US11967606B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device

Номер патента: US20210020686A1. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Method For Producing Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150236193A1. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor light emitting element fabrication method

Номер патента: US20140295598A1. Автор: Kentaro Watanabe,Giichi Marutsuki,Yuya Yamakami. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor light emitting element and fabricating method

Номер патента: US20110303894A1. Автор: Kentaro Watanabe,Giichi Marutsuki,Yuya Yamakami. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Nitride semiconductor and nitride semiconductor crystal growth method

Номер патента: US20140318441A1. Автор: Hideyoshi Horie,Kaori Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-30.

Light emitting device

Номер патента: CA2394460C. Автор: Motokazu Yamada,Daisuke Morita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-06-29.

Uv light-emitting device, uv light-emitting device production method and uv light-emitting module production method

Номер патента: US20200274040A1. Автор: Yoshihiko Sakane,Akira Hirano,Ko Aosaki,Yosuke Nagasawa,Masamichi Ippommatsu,Yuki SUEHARA. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Light emitting device

Номер патента: US20240274647A1. Автор: Shinichiro Oka,Masumi Nishimura,Hayata AOKI,Hiroumi Kinjo. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200021083A1. Автор: Hideo Kitagawa,Osamu Tomita,Masayuki Ono,Daisuke Ikeda,Gen Shimizu,Toru Takayama,Satoko Kawasaki,Katsuya Samonji. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Nitride-based light emitting device with excellent light emitting efficiency using strain buffer layer

Номер патента: US20130168638A1. Автор: Sung-Hak Lee,Jung-Won Park. Владелец: Iljin Led Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09647170B2. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Nano-structure semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150303350A1. Автор: Han Kyu Seong,Jung-Sub KIM,Young Jin Choi,Jae Hyeok HEO,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun,Denis SANNIKOV. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor light-emitting devices grown on composite wafers

Номер патента: RU2515205C2. Автор: Мелвин Б. МАКЛОРИН,Майкл Р. КРЕЙМС. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-05-10.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device and Method for Producing the Same

Номер патента: US20140264415A1. Автор: Koji Okuno,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Light emitting element

Номер патента: US20230246138A1. Автор: Haruhiko Nishikage,Takumi Otsuka,Eiji Muramoto,Yuya Yamakami,Akinori Kishi,Shota KAMMOTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of Manufacturing Nitride Semiconductor Light Emitting Element

Номер патента: US20090087934A1. Автор: Katsunori Kontani. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Group iii nitride semiconductor multilayer structure

Номер патента: EP1709670A1. Автор: Yasuhito Showa Denko K.K. URASHIMA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-10-11.

P-Type Group III Nitride Semiconductor and Production Method Thereof

Номер патента: US20080246053A1. Автор: Hitoshi Takeda,Hisayuki Miki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device, group III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US8669129B2. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09711685B2. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: CA2578443C. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

UV light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09543476B2. Автор: Hwa Mok Kim,Chang Suk Han,Ki Yon Park,Hyo Shik Choi,Jeong Hun HEO. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Single-chip multi-band light-emitting diode, and light-emitting device and light-emitting module having same

Номер патента: EP4254522A1. Автор: Chung Hoon Lee,Dae Sung Cho,So Ra LEE,Yong Hyun Baek,Ji Hun Kang,Dae Hong Min. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Light-emitting element

Номер патента: US20140131737A1. Автор: Yasuo Nakanishi,Takao Fujimori. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Light-emitting element

Номер патента: US20160099377A1. Автор: Yasuo Nakanishi,Takao Fujimori. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-04-07.

Single chip multi band light emitting diode, light emitting device and light emitting module having the same

Номер патента: US20220262983A1. Автор: Chung Hoon Lee,Dae Sung Cho,So Ra LEE,Yong Hyun Baek,Ji Hun Kang,Dae Hong Min. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Manufacturing method of nitride semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20120214266A1. Автор: Mamoru Miyachi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US8816321B2. Автор: Kazuya Araki,Yoshihiko Tani,Tadashi Takeoka,Yoshihiro Ueta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8735196B2. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US10475952B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180182914A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor layer, method for manufacturing group iii nitride semiconductor light-emitting device, and group iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20110163350A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-07-07.

Fabrication method for small size light emitting diodes on high-quality epitaxial crystal layers

Номер патента: EP4370735A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-05-22.

Fabrication method for small size light emiting diodes on high-quality epitaxial crystal layers

Номер патента: US20240194822A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-06-13.

High power light emitting device and method of making the same

Номер патента: US09997669B2. Автор: Motonobu Takeya,Chung Hoon Lee,Michael Lim,Chang Ik IM. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer growth substrate, and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20140319460A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer growth substrate, and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20150236200A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240021756A1. Автор: Donggun Lee,Youngjin Choi,Punjae CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8878213B2. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Naoharu Sugiyama,Shigeya Kimura,Tomonari SHIODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emmiting device

Номер патента: US20120315719A1. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Epitaxial wafer for ultraviolet light emitting elements, method for producing metal bonded susbtrate for ultraviolet light emitting elements, method for producing ultraviolet light emitting element, and method for producing ultraviolet light emitting element array

Номер патента: EP4223912A1. Автор: Masato Yamada,Yoshihiro Kubota,Junya Ishizaki,Minoru Kawahara,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150115307A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140061661A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Methods, materials, and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: US20190067499A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Light-emitting diode and light-emitting device having same

Номер патента: EP4394901A1. Автор: Yong Hyun Baek,Ji Hun Kang,Dae Hong Min. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Light emitting device having plurality of non-polar light emitting cells and method of fabricating the same

Номер патента: US8183072B2. Автор: Won Cheol Seo,Kyung Hee Ye,Kwang Choong Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-22.

Light emitting device having plurality of non-polar light emitting cells and method of fabricating the same

Номер патента: US20100163900A1. Автор: Won Cheol Seo,Kyung Hee Ye,Kwang Choong Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Nitride-based light-emitting diode device

Номер патента: US11817528B2. Автор: Chi-Ming Tsai,Yung-ling LAN,Chan-Chan LING. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190067512A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Manufacturing method of semiconductor device that includes forming plural nitride semiconductor layers of identical material

Номер патента: US09543146B2. Автор: Hung Hung,Naoharu Sugiyama,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nano-structure semiconductor light emitting device

Номер патента: US9257605B2. Автор: Han Kyu Seong,Jung-Sub KIM,Young Jin Choi,Jae Hyeok HEO,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun,Denis SANNIKOV. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-09.

Nitride semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US20130214288A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa,Junko Iwanaga. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220384681A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Integrated heterostructures of group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact comprising multiple quantum well

Номер патента: US6046464A. Автор: Jan Frederick Schetzina. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2000-04-04.

Group III Nitride Semiconductor Multilayer Structure

Номер патента: US20080230780A1. Автор: Yasuhito Urashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-25.

Light emitting chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120235205A1. Автор: Jian-Shihn Tsang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US9099594B2. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Multi-band light emitting diode

Номер патента: EP4340050A1. Автор: Yong Hyun Baek,Ji Hun Kang,Dae Hong Min. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Nitride semiconductor layer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09515146B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US8053756B2. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20170229609A1. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Group iii nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09917004B2. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220376142A1. Автор: Joon Hee Lee,Ju Yong Park,Kyu Ho Lee,Seong Kyu Jang. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200227595A1. Автор: Joon Hee Lee,Ju Yong Park,Kyu Ho Lee,Seong Kyu Jang. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Nitride semiconductor template for light emitting diode and preparation thereof

Номер патента: US20050133798A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jae-hee Cho,Cheol-soo Sone,Hyun-Min Jung,Hae-Yong Lee,Hyun-Min Shin,Choon-Kon Kim,Jeong-Wook Lee. Владелец: Samsung Corning Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-23.

Group-III nitride structure including a fine wall-shaped structure containing a group-III nitridesemiconductor crystal and method for producing a group-III nitride structure including a fine wall-shaped structure containing a group-III nitride semiconductor crystal

Номер патента: US09680058B2. Автор: Katsumi Kishino,Akihiko Kikuchi. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Deep ultraviolet light emitting devices and methods of fabricating deep ultraviolet light emitting devices

Номер патента: US20080142783A1. Автор: Amber Abare,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kevin Haberern. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-19.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US9779934B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufactuing non-emitting iii-nitride semiconductor stacked structure

Номер патента: US20240282883A1. Автор: June O Song. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor apparatus, method for growing nitride semiconductor and method for producing semiconductor apparatus

Номер патента: US20060145166A1. Автор: Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Toshiya Matsuda,Takanori Yasuda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: US09812607B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Light emitting ceramic substrate including group-III nitride

Номер патента: US9373687B2. Автор: Akihiro Nomura,Kazuhiro Ohkawa,Akira Hirako. Владелец: Tokyo University of Science. Дата публикации: 2016-06-21.

Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral overgrowth through masks, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby

Номер патента: CA2321118C. Автор: Robert F. Davis,Ok-Hyun Nam,Tsvetanka Zheleva,Michael D. Bremser. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2008-06-03.

Group 3-5 nitride semiconductor multilayer substrate, method for manufacturing group 3-5 nitride semiconductor free-standing substrate

Номер патента: GB2440484A. Автор: Yoshihiko Tsuchida,Naohiro Nishikawa,Kazumasa Hiramatsu,Hideto Miyake. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2008-01-30.

Nitride semiconductor growth method, nitride semiconductor substrate, and nitride semiconductor device

Номер патента: CA2258080C. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2007-06-05.

High power light emitting device and method of making the same

Номер патента: US20160043276A1. Автор: Motonobu Takeya,Chung Hoon Lee,Michael Lim,Chang Ik IM. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Gallium nitride substrate and manufacturing method of nitride semiconductor crystal

Номер патента: US09673046B2. Автор: Shuichi Kubo,Hajime Matsumoto,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada,Tatsuhiro OHATA. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: US6153010A. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Iii-nitride light-emitting device having light-emitting area with double heterostructure

Номер патента: RU2412505C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Сатоси ВАТАНАБЕ,Натан Ф. ГАРДНЕР,Герд О. МЮЛЛЕР,Юй-Чэнь ШЭНЬ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2011-02-20.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9053931B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-09.

Method for fabricating a nitride semiconductor device

Номер патента: US6764871B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Ayumu Tsujimura,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

Ultraviolet light emitting element and electrical device using same

Номер патента: US09843163B2. Автор: Jun Sakai,Hideki Hirayama,Kenji Tsubaki,Norimichi Noguchi,Takuya MINO,Takayoshi Takano. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Light emitting device bonded to a support substrate

Номер патента: RU2604956C2. Автор: Дэниел Александер СТЕЙДЖЕРУОЛД,Джером Чандра БХАТ,Салман АКРАМ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-12-20.

III nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9537053B2. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee. Владелец: BBSA Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: WO2006030918A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-03-23.

Stacked layers of nitride semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8502350B2. Автор: Hideto Sugawara,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Tunnel junction ultraviolet light emitting diodes with enhanced light extraction efficiency

Номер патента: US20230335675A1. Автор: Siddharth Rajan,Yuewei ZHANG,Fatih AKYOL,Zane JAMAL-EDDINE. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2023-10-19.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09425173B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20100155699A1. Автор: Youn Joon Sung,Jeong Wook Lee,Tan Sakong. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for Fabrication Group III Nitride Semiconductor

Номер патента: US20080076200A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: EP1794780A1. Автор: Masato c/o Showa Denko K.K. KOBAYAKAWA,Hisayuki c/o SHOWA DENKO K.K. MIKI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-06-13.

Stacked layers of nitride semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8796111B2. Автор: Hideto Sugawara,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Stacked layers of nitride semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120153439A1. Автор: Hideto Sugawara,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Ultraviolet light emitting apparatus

Номер патента: US09640717B2. Автор: Denis SANNIKOV. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Ultraviolet light emitting element

Номер патента: US20240178344A1. Автор: Tomoya Yamada. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09385277B2. Автор: Shinji Yoshida,Kazuhiko Yamanaka,Katsuya Samonji,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09570656B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Light-emitting device and display apparatus including the same

Номер патента: GB2627571A. Автор: Choi Jung-Hun,Han Myungsoo,KWON Hyowon,KIM II-Soo,Yang Dongwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for producing nitride light-emitting diode

Номер патента: RU2747132C1. Автор: Ирина Павловна Смирнова,Лев Константинович Марков,Алексей Сергеевич Павлюченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2021-04-28.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210359163A1. Автор: Shinji Yoshida,Kunimasa Takahashi,Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140042388A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09530932B2. Автор: RYU Kaihara,Satoshi Komada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element

Номер патента: US20210119083A1. Автор: Tomohiro Morishita,Akira Yoshikawa,Ryosuke Hasegawa,Ziyi Zhang,Aya Yokoyama,Yoshihito HAGIHARA. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element

Номер патента: US20190140141A1. Автор: Tomohiro Morishita,Akira Yoshikawa,Ryosuke Hasegawa,Ziyi Zhang,Aya Yokoyama,Yoshihito HAGIHARA. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Boron-containing iii-nitride light-emitting device

Номер патента: RU2523747C2. Автор: Мелвин Б. МАКЛОРИН. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-07-20.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US9735314B2. Автор: Shinji Yoshida,Kazuhiko Yamanaka,Katsuya Samonji,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Group III Nitride Semiconductor Light Emitting Element And Wafer Containing Element Structure

Номер патента: US20180040770A1. Автор: Toshiyuki Obata,Tomoaki Satou. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and epitaxial wafer

Номер патента: EP2144306A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-01-13.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240332450A1. Автор: Yoshitaka KAWATA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element having thick metal bump

Номер патента: US09530950B2. Автор: Hirofumi Kawaguchi,Akinori Yoneda,Kouichiroh Deguchi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130001588A1. Автор: Kazuhisa Fukuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8698123B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8895956B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor device, and method for fabricating the device

Номер патента: US12100936B2. Автор: Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US12125954B2. Автор: Sun Kim,Junghun Lee,Seolyoung Choi,KyoungJun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Light-emitting element

Номер патента: US20240072209A1. Автор: Toshihiko KISHINO,Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Light-emitting element

Номер патента: EP4310926A1. Автор: Toshihiko KISHINO,Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-24.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US09406845B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090026440A1. Автор: Takashi Kyono,Katsushi Akita,Hideki Hirayama. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2009-01-29.

Light emitting element

Номер патента: US20230163236A1. Автор: Makoto Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Light-emitting device

Номер патента: US20230134581A1. Автор: CHEN Ou,Chia-Ming Liu,Jing-Jie Dai,Shih-Wei Wang,Yu-Hsiang Yeh,Feng-Wen HUANG,Chih-Ciao YANG,Dian-Ying HU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Group-iii element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20230246132A1. Автор: Takayuki Hirao,Katsuhiro Imai,Kentaro Nonaka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09444011B2. Автор: Tokuya Kozaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Light emitting device

Номер патента: MY125261A. Автор: MORITA Daisuke,YAMADA Motokazu. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2006-07-31.

Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device

Номер патента: US6377597B1. Автор: Toshiyuki Okumura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US09559253B2. Автор: Junya Narita,Yohei Wakai,Kazuto OKAMOTO,Mizuki Nishioka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for depositing a group III nitride semiconductor film

Номер патента: US09478420B2. Автор: Heinz Felzer,Lorenzo CASTALDI,Martin Kratzer,Robert MAMAZZA, Jr.. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230387352A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US09508804B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor wafer and semiconductor device having multilayered nitride semiconductor layer

Номер патента: US8569796B2. Автор: Tetsuji Matsuo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

Semiconductor wafer and semiconductor device having multilayered nitride semiconductor layer

Номер патента: US20120181577A1. Автор: Tetsuji Matsuo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Light-emitting devices and displays with improved performance

Номер патента: US09853184B2. Автор: Seth Coe-Sullivan,Jonathan S. Steckel,Marshall Cox,Caroline J. Roush. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Light-emitting device and method to manufacture light-emitting device

Номер патента: RU2525325C2. Автор: Мотоказу ЯМАДА,Риота СЕНО,Казухиро КАМАДА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2014-08-10.

Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device

Номер патента: US12029059B2. Автор: Satoshi Seo,Takahiro Ishisone. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of manufacturing light emitting device package

Номер патента: US09419172B2. Автор: Min Ki Kim,Jung Jin Kim,Yong Min KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Light emitting device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2528604C2. Автор: Масацугу ИТИКАВА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2014-09-20.

Gallium nitride semiconductor device

Номер патента: CA2444273C. Автор: Kimihiro Kawagoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US8466449B2. Автор: Jae Woong Han,Seong Suk Lee,Soo Min Lee,Hee Seok Park,Cheol Soo Sone. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Group iii nitride semiconductor single crystal, method for producing the same, self-standing substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20140070370A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US20230011141A1. Автор: Sun Kim,Junghun Lee,Seolyoung Choi,KyoungJun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of repairing light emitting device and display panel having repaired light emitting device

Номер патента: US20230081487A1. Автор: Seom Geun LEE,Jong Hyeon Chae,Seong Kyu Jang,Yong Woo Ryu,Ik Kyu You. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Pixel-type semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12046627B2. Автор: Jong-Hyun Lee,Yong-Min Kwon,Geun-woo KO,Jung-Wook Lee,Pun-Jae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP2113974B1. Автор: Tokuya Kozaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-03-13.

Method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US10586898B2. Автор: Yoshiki Sato. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-10.

Compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100261301A1. Автор: Katsuki Kusunoki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-10-14.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US6562701B2. Автор: Masaaki Yuri,Daisuke Ueda,Masahiro Ishida. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-13.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20100181577A1. Автор: Chih-Ming Lai,Po-Chun Liu,Yih-Der Guo,Jenq-Dar Tsay. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-07-22.

Nitride semiconductor buffer structure and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230343830A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Light-emitting substrates and method for manufacturing light-emitting substrate, light-emitting apparatuses and driving methods therefor

Номер патента: US20240224577A1. Автор: Wenhui DANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Pixel unit with a driver ic, a light-emitting device including such pixel units and a method for making the light-emitting device

Номер патента: US20220059605A1. Автор: Meng-Chih WU,Chun-Chung Lin,Chien-Kuo Tien. Владелец: Naviance Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2005122292A1. Автор: Eun Hyun Park,Tae Kyung Yoo. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2005-12-22.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2529996C. Автор: Shuji Nakamura,Shinichi Nagahama,Masayuki Senoh. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor light emitting device, wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor crystal layer

Номер патента: US20150102381A1. Автор: Hung Hung,Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Satoshi MITSUGI,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US9214788B2. Автор: Masao Kawaguchi,Hideki Kasugai,Shinichiro Nozaki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Ultraviolet light-emitting element

Номер патента: US20200395508A1. Автор: Han Sung Lee,Joon Mo Park,Nae Sung LEE,June Key Lee. Владелец: Sbk Materials. Дата публикации: 2020-12-17.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2376453C. Автор: Koji Tanizawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Nitride semiconductor light-emitting device with periodic gain active layers

Номер патента: US09847449B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Sho Iwayama,Motoaki Iwaya,Takanobu Akagi,Kenjo MATSUI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20110227035A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283070A1. Автор: Dong Ju Lee,Sun Woon Kim,Dong Joon Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140191264A1. Автор: Jung-Sub KIM,Cheol-soo Sone,Kyung-Wook Hwang,Deok-Kyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Group-III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US6153894A. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2000-11-28.

Single-chip multi-band light-emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: EP4303939A1. Автор: Yong Hyun Baek,Ji Hun Kang,Dae Hong Min. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Light-emitting device

Номер патента: US11626536B2. Автор: Naoki Musashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-04-11.

Light-emitting device

Номер патента: US11043610B2. Автор: Naoki Musashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-22.

Light-emitting device

Номер патента: US20200075802A1. Автор: Naoki Musashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Light-emitting device, lighting device, and electronic device

Номер патента: US09768410B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kaoru Hatano,Shingo Eguchi,Yoshiaki Oikawa,Ami Nakamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

NITRIDE SEMICONDUCTOR MULTILAYER FILM REFLECTOR AND LIGHT-EMITTING DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160056333A1. Автор: Iwaya Motoaki,Akasaki Isamu,TAKEUCHI Tetsuya. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-25.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2007049946A1. Автор: Tae-Kyung Yoo,Eun-Hyun Park. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-05-03.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20190081212A1. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230105525A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190221716A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Nitride semiconductor and a method thereof, a nitride semiconductor device and a method thereof

Номер патента: US20020098607A1. Автор: Hiroyuki Okuyama,Hiroshi Nakajima,Fumihiko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100649496B1. Автор: 이재훈,오정탁,박진섭. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-11-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US10910521B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

NITRIDE SEMICONDUCTOR STACKED BODY AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

Номер патента: US20170062660A1. Автор: FURUYAMA Hideto. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-03-02.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190305520A1. Автор: Kohei Miyoshi,Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Nitride semiconductor light-emitting element, illuminating device, liquid crystal display device, method for producing nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing illuminating device

Номер патента: US8791473B2. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Tadashi Yano,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Group III nitride semiconductor optical device, epitaxial substrate, and method of making group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8148716B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-03.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US12009637B2. Автор: Yuusuke Nakayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120119240A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4366099A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-08.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240128406A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-04-18.

Light-emitting device with heterophase boundaries

Номер патента: RU2434315C1. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2011-11-20.

Ultraviolet light emitting device using metal non-bondable amorphous fluororesin molding compound

Номер патента: US09450157B2. Автор: Akira Hirano,Naoki Morishima,Ko Aosaki,Kiho Yamada,Shoko Nagai,Yuta Furusawa,Masamichi Ippommatsu. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060273332A1. Автор: Dong Jeon,Pil Kang,Tae Jang,Bong Yi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Nitride semiconductor light emitting chip, and nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09379284B2. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for production of nitride light-emitting diode

Номер патента: RU2690036C1. Автор: Ирина Павловна Смирнова,Дмитрий Александрович Закгейм,Лев Константинович Марков,Алексей Сергеевич Павлюченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2019-05-30.

Light emitting element and light emitting device

Номер патента: US20240355968A1. Автор: Koichi Goshonoo. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11843080B2. Автор: Naoki Shibata,Tadaaki Maeda,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090130790A1. Автор: Shinji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

N-side electrode, nitride semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20110042681A1. Автор: Keishi Kohno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US20110215340A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Yoshiaki Hasegawa,Akihiko Ishibashi,Gaku Sugahara,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Light-Emitting Device, Display Apparatus Including the Same and Method for Manufacturing the Device and Apparatus

Номер патента: US20240213408A1. Автор: Hyowon KWON,ll-Soo Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8093606B2. Автор: Norikazu Ito,Masayuki Sonobe,Mitsuhiko Sakai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-01-10.

Nitride semiconductor light emitting device including electrodes of a multilayer structure

Номер патента: US7868344B2. Автор: Pil Geun Kang,Bong Il Yi,Jae Ho Han,Dong Min Jeon. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240162385A1. Автор: Tomoya Yamada. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Vertical cavity light-emitting element

Номер патента: EP3923426A1. Автор: Masaru Kuramoto. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09818923B2. Автор: Yoshiharu Sanagawa,Takanori Aketa,Mitsuhiko Ueda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20090200563A1. Автор: Koichi Goshonoo,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Methods of growing nitride semiconductors and methods of manufacturing nitride semiconductor substrates

Номер патента: US20150115280A1. Автор: Sung-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Ultraviolet light-emitting diode and light-emitting device including the same

Номер патента: US20240322086A1. Автор: Bin Jiang,Kang-Wei Peng,Sihe CHEN,Weichun Tseng,Mingchun TSENG,Yashu ZANG,Siyi Long. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP1246264A3. Автор: Hirokazu Pioneer Corporation Takahashi,Hiroyuki Pioneer Corporation Ota,Atsushi Pioneer Corporation Watanabe. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Nitride semiconductor template and ultraviolet LED

Номер патента: US09520527B1. Автор: Hideki Hirayama,Yoshikatsu Morishima. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Light-emitting diode chip and ultraviolet light-emitting device including the same

Номер патента: US20220278252A1. Автор: Shao-Hua Huang,Poyang CHANG,Linrong CAI,Liqin ZHU,Shuangliang LIU. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Group iii nitride semiconductor light-emitting element and wafer including such element configuration

Номер патента: US20190198714A1. Автор: Tomoaki Sato. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of producing periodic table group 13 metal nitride semiconductor crystal and periodic table group 13 metal nitride semiconductor crystal produced by this production method

Номер патента: US09899568B2. Автор: Shigeru Terada,Hiromitsu Kimura,Yuya Saito,Sumitaka Itoh. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Light emitting element

Номер патента: US20240243230A1. Автор: Koichi Mizutani,Shinichi Matsui,Hiroaki Makino,Hideki Omoya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for forming group III-V arsenide-nitride semiconductor materials

Номер патента: US6130147A. Автор: Donald R. Scifres,David F. Welch,Jo S. Major. Владелец: SDL Inc. Дата публикации: 2000-10-10.

Nitride semiconductor element

Номер патента: US12020930B2. Автор: Kosuke Sato,Motoaki Iwaya. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

P-type group III-nitride semiconductor device

Номер патента: US6150672A. Автор: Yawara Kaneko. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2000-11-21.

Ultraviolet radiation emitting device

Номер патента: RU2589449C1. Автор: Акира ХИРАНО,Кихо ЯМАДА,Секо НАГАИ,Юта ФУРУСАВА,Масамити ИППОММАЦУ,Ко АОСАКИ,Наоки МОРИСИМА. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-07-10.

Ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US20230317879A1. Автор: Bin Jiang,Suhui Lin,Mingchun TSENG,Kangwei Peng,Chungying Chang. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Nitride Semiconductor Light Emitting Element

Номер патента: US20180358511A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Ultraviolet light-emitting diode

Номер патента: US11165003B2. Автор: Ming-Sen Hsu,Fu-Yi Tsai,Wei-Pu ZHENG. Владелец: EPILEDS TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2021-11-02.

Ultraviolet light-emitting diode

Номер патента: US20210167260A1. Автор: Ming-Sen Hsu,Fu-Yi Tsai,Wei-Pu ZHENG. Владелец: EPILEDS TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09837389B2. Автор: Hwanjoon Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Reflecting contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2535636C2. Автор: Джон И. ЭПЛЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-12-20.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US20230133634A1. Автор: Sun Kim,Junghun Lee,Seolyoung Choi,KyoungJun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120295373A1. Автор: Yasuhiro Miki,Masahiko Onishi,Hirofumi NISHIYAMA,Shusaku BANDO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140070255A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Light-emitting-device package and production method therefor

Номер патента: US09997675B2. Автор: Kyoung Min Kim,Myeong Kook Gong,Tae Kyoung YOO,Yong Wook CHO,Min Pyo KIM,Sung Hwan YOO. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Light-emitting-device package and production method therefor

Номер патента: US09780262B2. Автор: Kyoung Min Kim,Myeong Kook Gong,Tae Kyoung YOO,Yong Wook CHO,Min Pyo KIM,Sung Hwan YOO. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Light-emitting-device package and production method therefor

Номер патента: US09583686B2. Автор: Kyoung Min Kim,Myeong Kook Gong,Tae Kyoung YOO,Yong Wook CHO,Min Pyo KIM,Sung Hwan YOO. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Light-emitting-device package and production method therefor

Номер патента: US09385289B2. Автор: Kyoung Min Kim,Myeong Kook Gong,Tae Kyoung YOO,Yong Wook CHO,Min Pyo KIM,Sung Hwan YOO. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Light-emitting-device package and production method therefor

Номер патента: US09583685B2. Автор: Kyoung Min Kim,Myeong Kook Gong,Tae Kyoung YOO,Yong Wook CHO,Min Pyo KIM,Sung Hwan YOO. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US20220416139A1. Автор: Bin Jiang,Min Huang,Ming-Chun Tseng,Kang-Wei Peng,Su-Hui Lin,Wei-Chun Tseng. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Light emitting device including light shielding layer

Номер патента: US20230040991A1. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Vertical Light emitting diode and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110155997A1. Автор: Sang-Jun Jung,Hyun-Goo Kim,Ung Lee,So-Young Jang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Ultraviolet light emitting device

Номер патента: US09786814B2. Автор: Woon Kyung Choi,Yee Rang HONG. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of growing nitride semiconductor layer and nitride semiconductor formed by the same

Номер патента: US09412588B2. Автор: Sung-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Light-emitting device with converted wavelength

Номер патента: RU2596179C2. Автор: Олег Борисович ЩЕКИН,Майкл Дэвид КАМРАС,ГРАНЕЛЬ Рафаэль Игнасио АЛЬДАС,Патрик Нолан ГРИЙО,Франк Майкл СТЕРАНКА. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2016-08-27.

Light-emitting device, light-emitting device package, method of manufacturing light-emitting device, and method of packaging light-emitting device

Номер патента: US8889437B2. Автор: Tsuyoshi Tsutsui. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-18.

Light emitting apparatus, illumination apparatus and display apparatus

Номер патента: US9065029B2. Автор: Naoki Hirao,Katsuhiro Tomoda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-06-23.

Light emitting apparatus, illumination apparatus and display apparatus

Номер патента: US09679536B2. Автор: Naoki Hirao,Katsuhiro Tomoda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Light emitting device package

Номер патента: US20220359803A1. Автор: Sangbok Yun,Yeonjun Sung,Hyongsik Won,Joonwoo Jeon,Soonwon Jeong,Hanna Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Light emitting device package

Номер патента: US12119437B2. Автор: Sangbok Yun,Jongho Lim,Yeonjun Sung,Hyongsik Won,Joonwoo Jeon,Soonwon Jeong,Hanna Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Light-emitting device including phosphorus layer covering side surfaces of substrate and light-emitting device package including the same

Номер патента: US09893247B2. Автор: Tsuyoshi Tsutsui. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Light-emitting device, electronic appliance, and lighting device comprising a light-emitting element having optimized optical path length

Номер патента: US09847379B2. Автор: Kaoru Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Light-emitting-device package and production method therefor

Номер патента: US20180269359A1. Автор: Kyoung Min Kim,Tae Kyung Yoo,Myeong Kook Gong,Yong Wook CHO,Min Pyo KIM,Sung Hwan YOO. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Light-emitting-device package and production method therefor

Номер патента: US20150303360A1. Автор: Kyoung Min Kim,Myeong Kook Gong,Tae Kyoung YOO,Yong Wook CHO,Min Pyo KIM,Sung Hwan YOO. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Light-emitting-device package and production method therefor

Номер патента: US20160268490A1. Автор: Kyoung Min Kim,Myeong Kook Gong,Tae Kyoung YOO,Yong Wook CHO,Min Pyo KIM,Sung Hwan YOO. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Light emitting device

Номер патента: US09991237B2. Автор: Shimpei SASAOKA,Kazuto OKAMOTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09660413B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Nitride semiconductor light emitting chip and light emitting device having the same

Номер патента: WO2016085297A1. Автор: Jung-Sub Song. Владелец: ILJIN LED CO., LTD.. Дата публикации: 2016-06-02.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20070138491A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Manufacturing method for compound semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20120315718A1. Автор: Hideaki Ikeda,Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Light emitting device having UV light emitting diode for generating human-friendly light and lighting apparatus including the same

Номер патента: US09698317B2. Автор: Ki Bum Nam,Myung Jin Kim,Kwang Yong Oh,Sang Shin Park. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Flip chip type nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US7297988B2. Автор: Bong Il Yi,Kun Yoo Ko,Seung Wan Chae,Suk Kil YOON,Hyun Wook Shim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-20.

Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US20240079538A1. Автор: Kazuyoshi Sakuragi. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Light emitting device

Номер патента: US09748215B2. Автор: Masato Ono,Takahiro Oyu. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Ultraviolet light emitting device

Номер патента: US20150372204A1. Автор: Kazuhiko Hayashi,Shintaro Hayashi,Kouichirou Matsuoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Packaged ultraviolet light-emitting device and production method thereof

Номер патента: US12046704B2. Автор: Chen-Ke Hsu,Chih-Wei Chao,Junpeng Shi,Weng-Tack WONG,Jianbin TU,Yanqiu LIAO. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070145382A1. Автор: Suk Youn Hong,Pun Jae Choi,Sang Yeob Song. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Light-emitting diode

Номер патента: US20120043524A1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Nobuaki Nagao,Eiji Fujii,Takahiro Hamada. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Ultraviolet light-emitting devices and methods

Номер патента: US09548431B2. Автор: Hironori Ishii,Jianfeng Chen,Yuting Wang,Yuxin Li,Ken Kitamura,Masato Toita. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Light emitting apparatus and method for mounting light emitting device

Номер патента: US6369506B1. Автор: Toshio Hata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-04-09.

Semiconductor light emitting device, wafer, and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120273794A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220282841A1. Автор: Tsuzumi HIGASHIYAMA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Anti-reflection film and deep ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US20200124770A1. Автор: Tsukasa Maruyama. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Micro light-emitting device display apparatus

Номер патента: US20210327955A1. Автор: Yi-Ching Chen,Yu-Chu Li. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Photon extraction from ultraviolet light-emitting devices

Номер патента: US09935247B2. Автор: Leo J. Schowalter,Hironori Ishii,James R. Grandusky,Jianfeng Chen,Yuting Wang,Ken Kitamura,Masato Toita. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Light-emitting device with wavelength-converting side coating

Номер патента: RU2639565C2. Автор: Кеннет ВАМПОЛА,Хан Хо ЧОЙ. Владелец: Люмиледс Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2017-12-21.

Wavelength converting light-emitting diode with low emission of unconverted optical radiation

Номер патента: RU2497235C2. Автор: Мартинус П.Й. ПЕТЕРС,ГРАФ Ян ДЕ,Эльвира Й.М. ПАУЛЮССЕН,Георге Х. БОРЕЛ,Даниель А. БЕНУА,ДЕР ЛУББЕ Марселлус Й.Й. ВАН,Марк Э.Й. СИПКЕС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2013-10-27.

Ultraviolet light emitting diode package

Номер патента: US20140061706A1. Автор: Dae Sung Kal,Jae Jo Kim,Do Hyung Kim,Jeong Suk Bae. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Light-emitting device, method for designing light-emitting device, method for driving light-emitting device, illumination method, and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US09997678B2. Автор: Hideyoshi Horie. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Light-emitting device, method for designing light-emitting device, method for driving light-emitting device, illumination method, and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US09755118B2. Автор: Hideyoshi Horie. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Light-emitting device, method for designing light-emitting device, method for driving light-emitting device, illumination method, and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US09530821B2. Автор: Hideyoshi Horie. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Light-emitting device

Номер патента: RU2744813C2. Автор: Наоки МОРИ,Мотоказу ЯМАДА,Тадааки МИЯТА. Владелец: Нитиа Корпорейшн. Дата публикации: 2021-03-16.

Flip chip type nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: KR20060109559A. Автор: 이봉일,채승완,고건유,심현욱,윤석길. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-10-23.

Light-emitting device

Номер патента: US20200403127A1. Автор: Yasuhiro Ono,Yoichi Shimoda,Yusuke Yamashita. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Light emitting device package and display device using the same

Номер патента: US20190189876A1. Автор: Han Kyu Seong,Dong Gun Lee,Young Jin Choi,Yong Ii Kim,Ji Hye YEON,Jin Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Integrated warning structures for energized ultraviolet light-emitting diode packages

Номер патента: US12051769B2. Автор: Colin Blakely,Andre Pertuit. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated warning structures for energized ultraviolet light-emitting diode packages

Номер патента: EP4406031A1. Автор: Colin Blakely,Andre Pertuit. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Light emitting device package and light emitting device package module

Номер патента: US09853017B2. Автор: Jung Hyun Park,Seung Hyun Oh,Jun Hyeok Han,Yun Geon CHO,Bo Gyun KIM,Suk Min HAN,Hyo Gu Jeon,Dae Gil JUNG. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Light emitting module and light emitting device having the same

Номер патента: US09470370B2. Автор: Jun Seok Park. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Light-emitting device, integrated light-emitting device and light-emitting module

Номер патента: RU2717381C2. Автор: Юити ЯМАДА,Мотоказу ЯМАДА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2020-03-23.

Light-emitting device

Номер патента: RU2728830C2. Автор: Юити ЯМАДА,Мотоказу ЯМАДА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2020-07-31.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190221715A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Ultraviolet light emitting device

Номер патента: US20220231205A1. Автор: Yuki Goto,Takeshi Matsushima,Kenichi Matsuura,Shota Shimonishi,Aya KAWAOKA,Takashi Shugo,Shintaro HAKAMATA. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US11316073B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Light emitting device, light fixture and street light

Номер патента: US20240222573A1. Автор: Mika Matsumoto,Takahito Miki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Vehicle lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20180331152A1. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-11-15.

Light emitting diode with increased light conversion efficiency

Номер патента: WO2024059475A1. Автор: Zhiyong Li,Jiacheng Fan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

Light-emitting device

Номер патента: US20240164172A1. Автор: Huan-Wei Tseng,Chun-Wei Chou,Chia-Chun Liao. Владелец: Unique Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09905521B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Light emitting device package and lighting apparatus using the same

Номер патента: US09605810B2. Автор: Dohyung Lee,SangCheol LEE,Bongho Kim,Euna Moon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-03-28.

Side-emitting device with hybrid top reflector

Номер патента: RU2481672C2. Автор: Кристиан КЛЕЙНЕН,Хендрик Й.Б. ЯГТ,Михаэла-Иоана ПОПОВИЧИ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2013-05-10.

Method for manufacturing light emitting module and light emitting module

Номер патента: US20210091285A1. Автор: Masaaki Katsumata,Koji Taguchi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Light-emitting device holder and light source device

Номер патента: EP3686486A1. Автор: Yusuke Kawano. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-07-29.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device assembly

Номер патента: US8035120B2. Автор: Yasushi Ito,Naoji Nada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Light-emitting module and display device

Номер патента: EP4191568A1. Автор: Honghao DIAO,Lingxi HUANG. Владелец: Visiotech Ventures Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Light-emitting device package having half-dome-shaped lens member, and light-emitting device using same

Номер патента: EP4280290A1. Автор: Jea Un JIN,Won Gun Jin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-22.

Light emitting device package strip

Номер патента: US09824952B2. Автор: Seung-Hyun OH,Yun-Geon CHO,Jun-Hyeok Han,Hong-Geol CHOI,Sung-OK CHOI,Sang-Hyub GIM,Bo-Gyun KIM,Suk-Min HAN. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Light emitting device package, backlight unit, and method of manufacturing light emitting device package

Номер патента: US09806245B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Seung-Hyun OH,Kang-Min HAN. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Light-emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09443904B1. Автор: Chun-Yi Chang,Li-Yi Chen,Pei-Yu Chang,Chih-Hui Chan. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Light-emitting device, light-emitting device assembly, and electrode-bearing substrate in which a fragile region is formed in a substrate, and light emitting device cut from light-emitting device assembly

Номер патента: US09351399B2. Автор: Munehisa Mitani,Yasunari Ooyabu,Yoshihiko Kitayama. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Light-emitting device and method of making said device

Номер патента: RU2510103C2. Автор: Косуке МАТОБА,Такеаки СИРАСЕ. Владелец: Нитиа Корпорейшн. Дата публикации: 2014-03-20.

Side-emitting device with hybrid top reflector

Номер патента: RU2481670C2. Автор: Хендрик Й. Б. ЯГТ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2013-05-10.

Light-emitting device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2537091C2. Автор: Синдзи НИСИДЗИМА,Томохидэ МИКИ,Хирото ТАМАКИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2014-12-27.

Light-emitting device

Номер патента: RU2423756C1. Автор: Йосинори МУРАЗАКИ,Масафуми ХАРАДА,Сугуру ТАКАСИМА,Йосинори МУРАЗАКИ (JP),Масафуми ХАРАДА (JP),Сугуру ТАКАСИМА (JP). Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2011-07-10.

Phosphor, method for producing same, light emitting element and light emitting device

Номер патента: EP4339260A1. Автор: Takashi Takeda,Naoto Hirosaki,Takayuki Nakanishi,Shiro Funahashi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2024-03-20.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090180505A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110096805A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Red emitting nitride fluorescent material and white light emitting device using the same

Номер патента: US09550939B2. Автор: Ryo Yoshimatsu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Ultraviolet-light-emitting device

Номер патента: EP3633742A1. Автор: Yoshiro Yamaha. Владелец: Asahi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-08.

Waveguide element, light-emitting device, and method for manufacturing waveguide element

Номер патента: US20180329236A1. Автор: Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871130B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Group III nitride semiconductor device which can be used as a power transistor

Номер патента: US09412858B2. Автор: Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240128366A1. Автор: Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411679A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200006049A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Nitride semiconductor device comprising nitride semiconductor regrowth layer

Номер патента: US09536949B2. Автор: Asamira Suzuki,Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of forming nitride semiconductor epitaxial layer and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8349078B2. Автор: Makoto Kiyama,Hiromu Shiomi,Seiji Nakahata,Akihiro Hachigo,Yu Saitoh,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US12068375B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naohiro Tsurumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09685549B2. Автор: Takahiro Sato,Yasuhiro Uemoto,Hidenori Takeda,Masahiro Hikita,Akihiko Nishio,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240332372A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naoki Torii,Naohiro Tsurumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer

Номер патента: US09905433B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Akira Uedono. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Nitride semiconductor laser chip, nitride semiconductor laser device, and manufacturing method of nitride semiconductor laser chip

Номер патента: US20090180507A1. Автор: Yasuhiko Matsushita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Nitride semiconductor epitaxial substrate and semiconductor device

Номер патента: US10483388B2. Автор: Takeshi Tanaka. Владелец: Sciocs Co Llmited. Дата публикации: 2019-11-19.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: US20050224831A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

Phosphor, method for producing same, light emitting element and light emitting device

Номер патента: US20240240081A1. Автор: Takashi Takeda,Naoto Hirosaki,Takayuki Nakanishi,Shiro Funahashi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of forming a P-type ohmic contact in group-III nitride semiconductors

Номер патента: US09947537B2. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09911868B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09401402B2. Автор: Masahiro Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4407657A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A4. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

Semiconductor device including gate electrode provided over active region in p-type nitride semiconductor layer and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20150187907A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A1. Автор: Toshiki NTT Intellectual Prop. Center MAKIMOTO,Kazuhide NTT Intellectual Prop. Center KUMAKURA,Naoki NTT Intellectual Prop. Center KOBAYASHI. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US12087762B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09583608B2. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240234563A9. Автор: Taojun FANG. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20190157080A1. Автор: Yu-Lin Hsiao,Kun-Chuan Lin,Jin-Hsiang Liu. Владелец: Elite Advanced Laser Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4394093A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20210005742A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Shinji Ujita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240297224A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Nitride semiconductor substrate, and method for producing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4435833A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Nitride semiconductor wafer production method and nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP4411032A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Group III nitride semiconductor and method for producing same

Номер патента: US10923346B2. Автор: Hiroshi Ono,Akihiko Ishibashi,Kenya Yamashita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4462465A1. Автор: Keitaro Tsuchiya,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US09419160B2. Автор: Chih-Wei Hu,Yi-Jen Chan,Jung Hsuan. Владелец: Episil-Precision Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20240162339A1. Автор: Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170154885A1. Автор: Masakazu Kanechika,Hidemoto Tomita,Yoshitaka Nagasato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device and method of making including cap layer and nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160163822A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040244B2. Автор: Lei Zhang,King Yuen Wong,Chunhua ZHOU,Kai Cao,Yifeng Zhu. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240105828A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Wafer marking method, nitride semiconductor device manufacturing method, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4354492A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20090246945A1. Автор: Toru Takasone. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Nitride semiconductor substrate having recesses at interface between base substrate and initial nitride

Номер патента: US09748344B2. Автор: Hiroshi Oishi,Tomoko Watanabe,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-08-29.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666580B1. Автор: Masakazu Kanechika,Hidemoto Tomita,Yoshitaka Nagasato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of producing microstructure of nitride semiconductor and photonic crystal prepared according to the method

Номер патента: US09437684B2. Автор: Takeshi Kawashima,Shoichi Kawashima,Yasuhiro Nagatomo,Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: EP4391065A1. Автор: Hu Liang,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Nitride semiconductor laminate, method for manufacturing nitride semiconductor laminate, method for manufacturing semiconductor laminate, and method for inspecting semiconductor laminate

Номер патента: US20190148247A1. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: WO2024132524A1. Автор: Hu Liang,Jens Baringhaus,Kevin Dannecker,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-06-27.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20170011919A1. Автор: Hiroshi Oishi,Tomoko Watanabe,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-01-12.

Nitride semiconductor substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210184004A1. Автор: Hiroshi Oishi,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: US09558938B2. Автор: Yosuke Shimada,Hideyuki GONO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09536955B2. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-01-03.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09502549B2. Автор: Hiroto YAMAGIWA,Ayanori Ikoshi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Nitride semiconductor laser device and method for producing its electrode

Номер патента: RU2238607C2. Автор: Масахико САНО. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2004-10-20.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240030336A1. Автор: Norikazu Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120187413A1. Автор: Hidetoshi Fujimoto,Wataru Saito,Akira Yoshioka,Tetsuya Ohno,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20090233423A1. Автор: Takayuki Suzuki,Takeshi Meguro,Ken Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240304674A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor module

Номер патента: US20240313059A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: EP4456117A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09871108B2. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Optical element and organic light-emitting device with optical element

Номер патента: US09772515B2. Автор: Johannes Rosenberger,Thomas Wehlus,Daniel Riedel,Arne Fleiβner. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of growing nitride semiconductor layer, nitride semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09728404B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jae Hoon Song,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of fabricating III-nitride semiconductor dies

Номер патента: US09721791B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor wafer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US09679974B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09412857B2. Автор: Toru Sugiyama,Hidetoshi Fujimoto,Wataru Saito,Akira Yoshioka,Tetsuya Ohno,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Clamping circuit integrated on gallium nitride semiconductor device and related semiconductor device

Номер патента: US12027514B2. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

Номер патента: US12071707B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240332370A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

Номер патента: US20240368804A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Light emitting device

Номер патента: US09780320B2. Автор: Kaifeng ZHOU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor package

Номер патента: US11769825B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Field Reducing Structures for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240304702A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor substrate, laminated structure, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US12091774B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240355620A1. Автор: Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Keisuke Mihara,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US09899507B2. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-20.

III-Nitride semiconductors with recess regions and methods of manufacture

Номер патента: US09614069B1. Автор: Bin Lu,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11837656B2. Автор: Katsunori Ueno,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4386116A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Group-III element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US12057307B2. Автор: Masahiro Sakai,Shohei Oue. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20210028284A1. Автор: Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2021-01-28.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240282826A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Wafer marking method, method of producing nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240274452A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10825895B2. Автор: Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2020-11-03.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200194545A1. Автор: Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2020-06-18.

Field reducing structures for nitrogen-polar group iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2024186528A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4442868A1. Автор: Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Keisuke Mihara,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method of growing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09741560B2. Автор: Sung-soo Park,Young-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09530846B2. Автор: Hiroshi Oishi,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2016-12-27.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor package

Номер патента: US09472623B2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Norikazu Ito,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110298006A1. Автор: Hiroshi Ohno,Nobuaki Nagao,Takahiro Hamada,Kazuhiko Yamanaka,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240313061A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naoki Torii. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240088280A1. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Group iii nitride crystal substrate, method for producing same, and group iii nitride semiconductor device

Номер патента: EP1736572B1. Автор: Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki,Ryu c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. HIROTA,Seiji c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. NAKAHATA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09947530B2. Автор: Mi Hyun Kim,Young Soo Park,Jun Youn KIM,Sam Mook KANG,Young Jo TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for fabricating nitride semiconductor device with silicon layer

Номер патента: US09627222B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Nitride semiconductor device with multi-layer structure electrode having different work functions

Номер патента: US09461135B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Quantum dot material, method for patterning quantum dot film and quantum dot light emitting device

Номер патента: US20220127525A1. Автор: Haowei Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

III-nitride semiconductor structures with strain absorbing interlayers

Номер патента: US09837495B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

N-type aluminum nitride single-crystal substrate and vertical nitride semiconductor device

Номер патента: US09748410B2. Автор: Toru Kinoshita,Toru Nagashima,Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Phosphor of SiAlON crystal, method for producing phosphor and light emitting device

Номер патента: US09487696B2. Автор: Tsutomu Ishii,Yasuhiro Shirakawa,Hirofumi Takemura,Daichi Usui. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230411506A1. Автор: Manabu Yanagihara,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Group-iii element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20230282711A1. Автор: Masahiro Sakai,Hiroki Kobayashi,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Growth of Nitride Semiconductor Crystals

Номер патента: US20070256626A1. Автор: Hideki Hashimoto,Hideo Kawanishi,Akihiko Horiuchi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Nitride semiconductor substrate, laminated structure, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240302302A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240321576A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20230009662A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230009662A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11908927B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130082277A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8860087B2. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Nitride semiconductor crystal producing method, nitride semiconductor epitaxial wafer, and nitride semiconductor freestanding substrate

Номер патента: US20130069075A1. Автор: Yuichi Oshima,Hajime Fujikura,Taichiroo Konno. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US9165999B2. Автор: Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Vertical nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US20210226019A1. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-22.

Nitride semiconductor transistor

Номер патента: US20130043492A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Non-polar, III-nitride semiconductor fin field-effect transistor

Номер патента: US09978872B1. Автор: Heinz Schmid,Utz Herwig Hahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Group-III nitride semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09722042B2. Автор: Wen-Jang Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming nitride semiconductor film

Номер патента: US12094710B2. Автор: Nobuaki Takahashi,Yusuke Mori,Hitoshi Miura,Masayuki Imanishi,Ryuji KATAYAMA,Koji Neishi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for producing a group III nitride semiconductor crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09691610B2. Автор: Seiji Nagai,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387288A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Hiroyuki Handa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride semiconductor device and method for fabricating nitride semiconductor device

Номер патента: US11862687B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384632A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of manufacturing group III nitride semiconductor layer bonded substrate

Номер патента: EP2154709A3. Автор: Akihiro Hachigo. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200176595A1. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Fabrication of gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from trench sidewalls

Номер патента: CA2331893C. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Tsvetanka Zheleva,Scott A. Smith. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2007-01-23.

Nitride semiconductor material, semiconductor element, and Manufacturing method thereof

Номер патента: US20080121896A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Toshiyuki Takizawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Nitride Semiconductor Crystal Manufacturing Apparatus, Nitride Semiconductor Crystal Manufacturing Method, and Nitride Semiconductor Crystal

Номер патента: US20110171462A1. Автор: Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Michimasa Miyanaga,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Nitride semiconductor structures with interlayer structures

Номер патента: US7825432B2. Автор: Adam William Saxler,Albert Augustus Burk, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-11-02.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20130252401A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190296140A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20160380091A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20110068434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Nitride semiconductor epitaxial substrate and semiconductor device

Номер патента: US20180366572A1. Автор: Takeshi Tanaka. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for producing p-type nitride semiconductor layer

Номер патента: US20140147995A1. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Nitride semiconductor epitaxial wafer and field effect nitride transistor

Номер патента: US09780175B2. Автор: Takeshi Tanaka,Naoki Kaneda,Yoshinobu NARITA. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for producing self-supporting nitride semiconductor substrate and self-supporting nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP2119815A1. Автор: Masataka Watanabe,Shoichi Takamizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Method for manufacturing nitride semiconductor self-supporting substrate and nitride semiconductor self-supporting substrate

Номер патента: US9127376B2. Автор: Masataka Watanabe,Shoichi Takamizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US8884333B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Shibata,Hidetoshi Ishida,Masahiro Hikita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Red light and near-infrared light-emitting material, preparation method thereof and light-emitting device

Номер патента: US11932790B2. Автор: Yuan Xue,Ronghui Liu,Yuanhong LIU,Xiaoxia Chen. Владелец: Grirem Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Nitride semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor

Номер патента: US20230049717A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20170092493A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20220165874A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20150311331A1. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4289994A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Red and near-infrared light-emitting material, preparation method therefor and light-emitting device

Номер патента: EP3795654A1. Автор: Yuan Xue,Ronghui Liu,Yuanhong LIU,Xiaoxia Chen. Владелец: Grirem Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240136434A1. Автор: Taojun FANG. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4289995A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Light-emitting element, optical detection module, manufacturing method for light-emitting element, and scanning electron microscope

Номер патента: US20240063328A1. Автор: Minoru Kondo,Junya Maeda,Takayuki Nakamura,Kuniyoshi Yamauchi,Satoru OKAWARA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240079412A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285503A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor laminate, program for selecting substrate, program for outputting substrate data, nitride semiconductor substrate with program for outputting substrate data, off-angle coordinate map, nitride semiconductor substrate with off-angle coordinate map, program for selecting semiconductor device, method for producing nitride semiconductor substrate, method for producing semiconductor laminate, method for producing semiconductor device, and method for...

Номер патента: US20210184003A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of forming nitride semiconductor substrate and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20180174822A1. Автор: Junyoun Kim,Youngjo TAK,MiHyun Kim,Sammook KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285504A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240274672A1. Автор: Zichen WANG,Guanying HUANG,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Yihang LIANG. Владелец: San'an Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347603A1. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA,Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring

Номер патента: RU2267188C2. Автор: С.П. Черных,Г.В. Федорова. Владелец: Черных Сергей Петрович. Дата публикации: 2005-12-27.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: CA2400121C. Автор: Masahiko Sano. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-09-21.

Method for high temperature annealing of a nitride semiconductor layer

Номер патента: US10121876B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-06.

III group nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10516042B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Nitride semiconductor with multiple nitride regions of different impurity concentrations, wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11955520B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Nitride semiconductor with multiple nitride regions of different impurity concentrations, wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240096969A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20240154004A1. Автор: Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20230317796A1. Автор: Hajime Nago,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Nitride semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing the nitride semiconductor

Номер патента: US20230138962A1. Автор: Hajime Nago,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Process of forming nitride semiconductor device

Номер патента: US20170117132A1. Автор: Masatoshi Koyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20160020346A1. Автор: Chih-Wei Hu,Yi-Jen Chan,Jung Hsuan. Владелец: Episil-Precision Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Process of forming nitride semiconductor device

Номер патента: US9799508B2. Автор: Masatoshi Koyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Nitride semiconductor device having aluminum oxide film and a process for producing the same

Номер патента: US20160260828A1. Автор: Chihoko Mizue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Imaging device including pixels each having a light-receiving device and a light-emitting device

Номер патента: US12108165B2. Автор: Taisuke Kamada,Daisuke Kubota,Ryo HATSUMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Stacked organic light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09923032B2. Автор: Hyesog Lee,Byungchoon Yang,Yunseon DO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Light extraction substrate for organic light emitting device, fabrication method therefor and organic light emitting device including same

Номер патента: US09515295B2. Автор: YOON Young Kwon,Joo Young Lee,Jeong Woo Park,Eun Ho Choi,Kyoung Wook Park. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Nitride semiconductor device, production method thereof, diode, and field effect transistor

Номер патента: US9911842B2. Автор: JIANG LI,Shusuke Kaya,Masayuki Iwami,Shinya Otomo,Hirotatsu Ishii,Ryosuke Tamura,Takuya Kokawa,Kazuyuki UMENO,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US11873578B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411642A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20230290857A1. Автор: Hajime Nago,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Low-defect density gallium nitride semiconductor structures and fabrication methods

Номер патента: US20100171124A1. Автор: Pankaj B. Shah,Michael A. Derenge,Daniel J. Ewing,Tsvetanka S. Zheleva. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2010-07-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11881479B2. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP4321658A1. Автор: Junya Ishizaki,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Method of manufacturing nitrogen-face nitride semiconductor and nitrogen-face nitride semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20240153766A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230047842A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal, and method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal substrate

Номер патента: US20100233870A1. Автор: Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230253471A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20140124833A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao,Hsun-Chih Liu,Yi-Keng Fu,Chien-Pin Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-05-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240128263A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride semiconductor transistor and electronic device

Номер патента: EP4080581A1. Автор: Zhibin Chen,Qimeng JIANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20240162041A1. Автор: Junya Ishizaki,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20150187886A1. Автор: Sang Choon KO,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Woojin CHANG,Sung-Bum BAE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-07-02.

Nitride semiconductor material and heat flow switching device comprising same

Номер патента: EP4299517A1. Автор: Masaki Adachi,Toshiaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Nitride semiconductor material and heat flow switching element including the same

Номер патента: US20240140797A1. Автор: Masaki Adachi,Toshiaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device

Номер патента: US20180351135A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Satoshi Seo,Toshiki Sasaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Display device, backlight unit, light-emitting module and lens

Номер патента: EP4365969A3. Автор: Jae Eun Park,Eun Ju Kim. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Light-emitting device, integrated light-emitting device, and light-emitting module

Номер патента: US20240282758A1. Автор: Yuichi Yamada,Motokazu Yamada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Display substrate of even-distributed light emitting devices, display panel and display device

Номер патента: US12069909B2. Автор: Yao Huang,Weiyun HUANG,Pinchao GU,Yuanyou QIU,Jianchang CAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and pyrene-based compound

Номер патента: US09911923B2. Автор: Satoshi Seo,Hiroki Suzuki,Sachiko Kawakami,Tsunenori Suzuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Light-emitting device, electronic device, and lighting device

Номер патента: US09876056B2. Автор: Satoshi Seo,Toshiki Sasaki,Sachiko Kawakami,Tsunenori Suzuki,Naoaki HASHIMOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Heterocyclic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device

Номер патента: US09843000B2. Автор: Nobuharu Ohsawa,Satoshi Seo,Satoko Shitagaki,Hiroshi Kadoma,Kaori Ogita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Light extraction substrate for organic light-emitting device comprising a fiberglass structure

Номер патента: US09666835B2. Автор: Jae Ho Lee,Young Suk Lee,Ki Yeon Lee,Kyung Min YOON. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods for combining light emitting devices in a white light emitting apparatus that mimics incandescent dimming characteristics and solid state lighting apparatus for general illumination that mimic incandescent dimming characteristics

Номер патента: US09642207B2. Автор: Mark Charles Cash. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Nitride semiconductor device with a hole extraction electrode

Номер патента: US7737467B2. Автор: Wataru Saito,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Nitride semiconductor laminate, method for manufacturing nitride semiconductor laminate, method for manufacturing semiconductor laminate, and method for inspecting semiconductor laminate

Номер патента: US11508629B2. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-22.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240014094A1. Автор: Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20170047412A1. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device with buffer layer made of nitride semiconductor

Номер патента: US20150076509A1. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4299802A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Keitaro Tsuchiya,Kazutoshi Nagata,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Nitride semiconductor substrate and method for producing the same

Номер патента: US20240117525A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Keitaro Tsuchiya,Kazutoshi Nagata,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20140319535A1. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Nitride semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20230395650A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Organic light emitting diode display pixel, display panel and display device

Номер патента: US9780149B2. Автор: Ying Liu,Tuo Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device

Номер патента: US20200152903A1. Автор: Satoshi Seo,Toshiki Sasaki,Shogo UESAKA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device

Номер патента: US20150243918A1. Автор: Satoshi Seo,Toshiki Sasaki,Shogo UESAKA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Organic light emitting diode display device having electron transport layer laterally spaced from hole transport layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09997577B2. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device

Номер патента: US09978977B2. Автор: Satoshi Seo,Shogo UESAKA,Ryohei Yamaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Light-emitting device, electronic device, and lighting device

Номер патента: US09935292B2. Автор: Satoshi Seo,Shogo UESAKA,Ryohei Yamaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of light-emitting device, light-emitting device, module, and electronic device

Номер патента: US09917282B2. Автор: Akihiro Chida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Heterocyclic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device

Номер патента: US09899608B2. Автор: Nobuharu Ohsawa,Satoshi Seo,Hiroshi Kadoma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Light emitting element, light emitting device, authentication device, and electronic device

Номер патента: US09799836B2. Автор: Hidetoshi Yamamoto,Tetsuji Fujita,Yuiga HAMADE. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Light-emitting device, display device, light-emitting system, and display system

Номер патента: US09781783B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Shionoiri,Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Organic light emitting diode display pixel, display panel and display device

Номер патента: US09780149B2. Автор: Ying Liu,Tuo Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Light-emitting device, array substrate, display device and manufacturing method of light-emitting device

Номер патента: US09722005B2. Автор: Gang Wang,Ze Liu,Huifeng Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Triarylamine compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device

Номер патента: US09525143B2. Автор: Nobuharu Ohsawa,Takahiro Ushikubo,Harue Osaka,Tsunenori Suzuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Organic light-emitting device and fabrication method for the same, and display device

Номер патента: US09496514B2. Автор: MINGHUA XUAN,BO Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Light emitting device

Номер патента: US09465154B2. Автор: Takeo Kurimoto,Tomoaki KASHIWAO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device

Номер патента: US09461252B2. Автор: Nobuharu Ohsawa,Satoshi Seo,Hideko Inoue,Tomoka Nakagawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Light-emitting device, electronic device, and lighting device

Номер патента: US09450032B2. Автор: Nobuharu Ohsawa,Satoshi Seo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Light-emitting device containing luminescent ceramic and light-diffusing material (versions)

Номер патента: RU2457582C2. Автор: Герд О. МЮЛЛЕР,Регина Б. МЮЛЛЕР-МАХ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-07-27.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US9401403B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Ueda,Masahiro Ishida,Hidekazu Umeda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Nitride semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230420517A1. Автор: Manabu Yanagihara,Kazuya Nagase,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Lattice polarity control in iii-nitride semiconductor heterostructures

Номер патента: WO2023154510A1. Автор: PING Wang,DING Wang,Zetian Mi. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2023-08-17.

Group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10868124B2. Автор: Tetsuo Narita,Hiroko Iguchi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20190181230A1. Автор: Tetsuo Narita,Hiroko Iguchi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Group iii nitride semiconductor substrate and method of manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200032418A1. Автор: HIROKI Goto,Yujiro Ishihara. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387286A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Manabu Yanagihara. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride semiconductor device with element isolation area

Номер патента: US20240047533A1. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride semiconductor apparatus

Номер патента: US20220165875A1. Автор: Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Nitride semiconductor device with element isolation area

Номер патента: US11830916B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Nitride semiconductor wafer and method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20230290835A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of manufacture of group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200365462A1. Автор: Yoshio Okayama,Takatoshi Okamoto,Ayako Iwasawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of manufacturing nitride semiconductor and nitride semiconductor thin film prepared using the same

Номер патента: US20240154001A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitride semiconductor device and manufacturing method of nitride semiconductor device

Номер патента: US20230268434A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4354489A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US20230006047A1. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

PROCESS OF DEPOSITING SILICON NITRIDE (SiN) FILM ON NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180286661A1. Автор: Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US10763333B2. Автор: Kazuyoshi Tomita,Tetsuo Narita. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Group iii nitride semiconductor crystal, group iii nitride semiconductor substrate, group iii nitride semiconductor freestanding substrate, nitride semiconductor device, and rectifier diode

Номер патента: US20140070371A1. Автор: TADAYOSHI TSUCHIYA,Naoki Kaneda. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11152502B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240096968A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device

Номер патента: EP4297070A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20190305090A1. Автор: Kazuyoshi Tomita,Tetsuo Narita. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Nitride semiconductor epitaxial substrate, method for producing same, and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240112909A1. Автор: Manabu Yanagihara,Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita,Hisayoshi Matsuo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200365725A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Organic light emitting diode and organic light emitting device including the same

Номер патента: US20230121109A1. Автор: Sung-Jin Park,In-Bum Song,Do-Han Kim,Jae-Min Moon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Organic light emitting diode and organic light emitting device including the same

Номер патента: US20230123928A1. Автор: Sung-Jin Park,In-Bum Song,Do-Han Kim,Jae-Min Moon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20130134434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hideki Osada,Yusuke Yoshizumi,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Nitride Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20150179780A1. Автор: Tomoyoshi Mishima,Akihisa Terano,Naoki Kaneda,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, and Lighting Device

Номер патента: US20150236301A1. Автор: Satoshi Seo,Hisao Ikeda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Light-emitting device

Номер патента: US20160323965A1. Автор: Shuichi Seki,Katsuhiro Kanauchi,Hiroki Tan,Shigehiro Umetsu. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device

Номер патента: US7970035B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Nitride semiconductor laser diode

Номер патента: US8514904B2. Автор: Takashi Miyoshi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Nitride semiconductor laser and nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20190245322A1. Автор: Osamu Imafuji,Shinichiro Nozaki,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus

Номер патента: US20060202188A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Takeshi Kamikawa,Mototaka Taneya,Yuhzoh Tsuda,Yoshihiro Ueta,Teruyoshi Takakura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus

Номер патента: US20090236585A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Takeshi Kamikawa,Mototaka Taneya,Yuhzoh Tsuda,Yoshihiro Ueta,Teruyoshi Takakura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090175305A1. Автор: Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Light emitting device and display device using the same

Номер патента: US20080073661A1. Автор: Akinari Takagi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250505A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Light-emitting element array

Номер патента: US20150146749A1. Автор: Takeshi Uchida,Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Nitride semiconductor laser and method for fabricating the same

Номер патента: US20080049806A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Gaku Sugahara,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20080304530A1. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090116528A1. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7792172B2. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050265413A1. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20100080257A1. Автор: Jae Woong Han,Seong Suk Lee,Hee Seok Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Light-emitting element

Номер патента: US12126140B2. Автор: Yuta Aoki,Kazuyoshi Hirose,Satoru OKAWARA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-22.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230402821A1. Автор: Shinji Yoshida,Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Nitride semiconductor surface emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US09356428B2. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8085826B2. Автор: Yuhzoh Tsuda,Masataka Ohta,Yoshie Fujishiro. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20110268144A1. Автор: Satoshi Tamura,Hideki Kasugai,Kazutoshi Onozawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Light-emitting device

Номер патента: US11990730B2. Автор: Yuta Aoki,Kazuyoshi Hirose,Satoru OKAWARA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-05-21.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20230178959A1. Автор: Tomonori Morizumi,Teruyuki MORITO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20230019645A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-01-19.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the nitride semiconductor laser device

Номер патента: EP2287982A1. Автор: Keiji Sakamoto,Hiroaki Matsumura,Tokuya Kozaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US11133651B2. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20200244041A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Vacuum ultraviolet light emitting device

Номер патента: CA2773264A1. Автор: Akira Yoshikawa,Shingo Ono,Toshihisa Suyama,Kentaro Fukuda,Noriaki Kawaguchi,Sumito Ishizu,Takayuki Yanagida,Yui Yokota,Tomohito Nagami. Владелец: Nagoya Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2011-03-10.

Ultraviolet light irradiation device

Номер патента: EP3882952A1. Автор: Masashi Yamaguchi,Noritaka Takezoe,Kazuki Arikawa,Masato Ozu. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2021-09-22.

Target for ultraviolet light generation, electron beam-excited ultraviolet light source, and production method for target for ultraviolet light generation

Номер патента: US09728393B2. Автор: Koji Kawai,Takashi Suzuki,Yoshinori Honda,Fumitsugu Fukuyo,Hiroyuki Taketomi,Hidetsugu Takaoka. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for producing nitride semiconductor laser light source and apparatus for producing nitride semiconductor laser light source

Номер патента: US20060068516A1. Автор: Masaya Ishida,Atsushi Ogawa,Takuro Ishikura,Yoshihiko Tani,Daisuke Hanaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Surface light-emitting laser

Номер патента: US20180248339A1. Автор: Masaru Kuramoto,Shoichiro Izumi,Tatsushi Hamaguchi,Noriyuki Futagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20240243553A1. Автор: Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-07-18.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20110026554A1. Автор: Shingo Masui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing same

Номер патента: US8654808B2. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7573924B2. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

Ultraviolet light-generating target and method for manufacturing the same, and electron beam-excited ultraviolet light source

Номер патента: US20180182609A1. Автор: Norio Ichikawa,Kohei Ikeda. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-06-28.

Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing same

Номер патента: EP2416460A3. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-08-27.

Ultraviolet light emitting device

Номер патента: US20160300704A1. Автор: Nobuaki Nagao,Yoshiki Sasaki,Takehiro Zukawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Ultraviolet light emitting device that can suppress time-dependent decrease in emission intensity during continuous operation

Номер патента: US9691599B2. Автор: Nobuaki Nagao,Yoshiki Sasaki,Takehiro Zukawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Light emitting device

Номер патента: US20080237623A1. Автор: Masaru Odagiri,Masayuki Ono,Shogo Nasu,Reiko Taniguchi,Eiichi Satoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-02.

Light-emitting device and method for preparing the same

Номер патента: US20240074223A1. Автор: Tianfeng WANG. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

A light emitting device with visible and ultraviolet light sources

Номер патента: WO2022194827A1. Автор: Ties Van Bommel. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2022-09-22.

Systems and methods for disinfecting a remote control using ultraviolet light

Номер патента: US09687576B2. Автор: Christopher William Bruhn,Phuc H. Nguyen. Владелец: ECHOSTAR TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Organic light-emitting device, a display device, a method of controlling color temperature of light emitted from an organic light-emitting device, and a method of making an organic light-emitting device

Номер патента: RU2739521C1. Автор: Юаньхой ГО. Владелец: Хэфэй Боэ Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-12-25.

Light-emitting device, light-emitting apparatus, light-emitting module, lighting device, display apparatus, display module, and electronic device

Номер патента: US12058878B2. Автор: Taisuke Kamada,Shunpei Yamazaki,Nobuharu Ohsawa,Daisuke Kubota,Takeyoshi Watabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Light-Emitting Apparatus, Lighting Device, Display Device, Module, and Electronic Device

Номер патента: US20240324377A1. Автор: Taisuke Kamada,Shunpei Yamazaki,Nobuharu Ohsawa,Daisuke Kubota,Takeyoshi Watabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Light Emitting Substrate, Display Panel and Display Apparatus

Номер патента: US20240260411A1. Автор: Zhihui ZHANG,Bei Wang,Hao GAO,Xiangmin Wen,Yan Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Extreme ultraviolet light source device

Номер патента: US20230213865A1. Автор: Hironobu Yabuta,Hajime Kikuiri. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-07-06.

Light-emitting device control method and device

Номер патента: US20240237174A1. Автор: Wenlong Wu,Jie You. Владелец: Shenzhen Intellifusion Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Light-emitting substrate and manufacturing method thereof, and light-emitting apparatus

Номер патента: US20240237380A1. Автор: Wenhai MEI,Jingwen FENG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Light-emitting device, display device, and electronic device

Номер патента: US12075642B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoshi Seo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Light-Emitting Device, Display Device, and Electronic Device

Номер патента: US20240341112A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoshi Seo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Aromatic Amine Compound, and Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, and Electronic Device Using the Aromatic Amine Compound

Номер патента: US20130076237A1. Автор: Satoshi Seo,Takahiro Ushikubo,Sachiko Kawakami,Harue Osaka,Hiroko Nomura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Mobile device case with ultraviolet light sanitizer and light therapy

Номер патента: US09925390B2. Автор: Shaul Yehezkel. Владелец: Ets Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Alternating current driven light-emitting device

Номер патента: RU2499331C2. Автор: Тим ДЕККЕР,Адрианус СЕМПЕЛ,ДЕН БИГГЕЛАР Теодорус Й. П. ВАН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2013-11-20.

Light emitting device and lamp assembly

Номер патента: US20240032169A1. Автор: Ming-Shun Lee,Chih-Wei Liu,Shih-Meng Liao,Wei-Long Lee. Владелец: Taiwan Oasis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Light emitting device, image forming device, photoelectric conversion device, electronic apparatus, illumination device, moving body, and method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US12035565B2. Автор: Yusuke Fukuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Organic light emitting diode and organic light emitting device including the same

Номер патента: US20240244969A1. Автор: Hyun-Jin Cho,Chun-Ki kim,Eun-Jung Park,Yu-Jeong LEE,Ju-Hyuk KWON,Jun-Su Ha,Jang-Dae YOUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Light-emitting substrate and manufacturing method thereof, and light-emitting apparatus

Номер патента: US20240284742A1. Автор: Xu Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Light-Emitting Device, Light-Emitting Apparatus, Electronic Device, and Lighting Device

Номер патента: US20240292648A1. Автор: Satoshi Seo,Yuji Iwaki,Kunihiko Suzuki,Hiromi Seo,Kanta Abe,Tsunenori Suzuki,Naoaki HASHIMOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Light-emitting device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device

Номер патента: US12082429B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Nobuharu Ohsawa,Satoshi Seo,Toshiki Sasaki,Hiromi Seo,Tsunenori Suzuki,Naoaki HASHIMOTO,Yusuke TAKITA,Takumu Okuyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Light emitting device and lamp assembly

Номер патента: US12133303B2. Автор: Ming-Shun Lee,Chih-Wei Liu,Shih-Meng Liao,Wei-Long Lee. Владелец: Taiwan Oasis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Stabilizing EUV light power in an extreme ultraviolet light source

Номер патента: US09713240B2. Автор: Robert Jay Rafac,Daniel Jason Riggs. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Light emitting device current regulator circuit and control method thereof

Номер патента: US09686829B2. Автор: Jing-Meng Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-06-20.

Light emitting module and lighting unit including the same

Номер патента: US09544974B2. Автор: Sang Hoon Lee,Il YEONG KANG,Keun Tak JOO,Tae Young Choi. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Light-emitting device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device

Номер патента: US20240292642A1. Автор: Satoshi Seo,Toshiki Sasaki,Ryohei Yamaoka,Shiho Nomura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Novel condensed cyclic aromatic compound and organic light-emitting device containing said compound

Номер патента: RU2422425C1. Автор: Тика НЕГИСИ,Акихито САИТОХ,Хироки ОХРУИ,Хиронобу ИВАВАКИ,Масанори МУРАЦУБАКИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-06-27.

Light-emitting device with organic phosphor

Номер патента: RU2595698C2. Автор: Йохан ЛУБ,Рифат Ата Мустафа ХИКМЕТ,Рене Теодорус ВЕГ. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.. Дата публикации: 2016-08-27.

Light output estimation method for light-emitting device

Номер патента: US20240201244A1. Автор: Naoki Shibata,Kenta URA. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Coloured and white light-emitting device

Номер патента: RU2427753C2. Автор: Йорг МЕЙЕР,Андреас ТЮКС,Петер ЛЮРКЕНС,Бернд АКЕРМАНН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2011-08-27.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4455375A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Daichi Kitazume,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200299857A1. Автор: Takayuki Sato,Shiro Yamazaki,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of Manufacturing Nitride Semiconductor Substrate

Номер патента: US20120034763A1. Автор: Fumitake Nakanishi,Hideki Osada,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20230257902A1. Автор: Takayuki Sato,Miki Moriyama,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Apparatus for manufacturing Group III nitride semiconductor and method for manufacturing Group III nitride semiconductor

Номер патента: US20080295763A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Ultraviolet light activated oxidation process for the reduction of organic carbon in semiconductor process water

Номер патента: US12103874B2. Автор: Steve D. Sitkiewitz,Gary M. Carmignani,Lee W. Frederick. Владелец: Evoqua Water Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Light-emitting apparatus

Номер патента: US09903544B2. Автор: Masanao Kurita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Display screen with light-emitting diodes for ultraviolet disinfection

Номер патента: US09492576B1. Автор: Gary D. Cudak,William M. Megarity,Christopher L. Wood,Luke D. Remis. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Ultraviolet light irradiation device for suntan

Номер патента: US20160082280A1. Автор: Jiro Ono,Hideji Tanizaki,Yuji Itsuki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Ultraviolet light irradiation device for suntan

Номер патента: US09421395B2. Автор: Jiro Ono,Hideji Tanizaki,Yuji Itsuki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Luminescent material for emitting white light, preparation method thereof, and white light emitting diode using the material

Номер патента: WO2008047965A1. Автор: Jong-Soo Kim,Sung-Duk Jeon,Gui-Don Choi. Владелец: Lucimea Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-04-24.

Ultraviolet light-emitting faucet

Номер патента: US20210300791A1. Автор: Wen-Shun Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-30.

Nitride-based mxene light-emitting quantum dot and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240124772A1. Автор: Jeongyong Kim,Anir S. SHARBIRIN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-04-18.

Light-emitting device for cosmetic care

Номер патента: RU2437187C2. Автор: Вэй Ван,Хидеказу СУЕЙОСИ,Хитоси ОГАВА. Владелец: Панасоник Электрик Воркс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-12-20.

Light-emitting device for cosmetic care

Номер патента: RU2415628C1. Автор: Вэй Ван,Хидеказу СУЕЙОСИ,Хитоси ОГАВА. Владелец: Панасоник Электрик Воркс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-04-10.

Ultraviolet light sanitizer

Номер патента: US11684685B1. Автор: Cesar N. Gonzalez,Aaron J. Schlagel,John F. Cooney, Jr.. Владелец: Uvc Sunshade LLC. Дата публикации: 2023-06-27.

Light-emitting device using lighting guides

Номер патента: RU2674433C2. Автор: ВАН Адрианус Йоханнес Стефанус Мария ДЕ. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-12-10.

Sterilization apparatus having ultraviolet light

Номер патента: US09630859B2. Автор: Cheng-Yen Chen. Владелец: Johein Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film and Method for Manufacturing Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film

Номер патента: US20230201810A1. Автор: Takeshi Komatsu,Yoko Ono,Yuya Uzumaki,Sayumi Sato. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Polarized light emitting device

Номер патента: US20080259242A1. Автор: Toru Chiba,Yukio Kubota,Takanobu Shiokawa,Hiroki Yamazaki,Takaomi Sekiya. Владелец: Pentax Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Luminescent material for light-emitting diode

Номер патента: RU2572996C2. Автор: Гундула РОТ,Вальтер ТЬЮЗ,Чунг Хоон ЛИ. Владелец: Сеул Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-01-20.

High brightness light emitting device

Номер патента: RU2721996C2. Автор: Петрус Теодорус ЮТТЕ,Рифат Ата Мустафа ХИКМЕТ. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2020-05-25.

Wearable ultraviolet light phototherapy device

Номер патента: WO2019067808A2. Автор: Robert M. Kennedy,Faris Mills Morrison Estes. Владелец: SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-04-04.

System and Method for Disinfection with Ultraviolet Light

Номер патента: US20240269338A1. Автор: John Johnston,Subrata Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-15.

Drive device, distance measurement apparatus, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240345226A1. Автор: Daisuke Iguchi,Kei Takeyama,Junichiro Hayakawa. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2024-10-17.

Light-emitting device

Номер патента: RU2624348C2. Автор: БОММЕЛ Тис ВАН,Рифат Ата Мустафа ХИКМЕТ. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2017-07-03.

Light-emitting device for luminous surfaces

Номер патента: RU2696671C2. Автор: БОММЕЛ Тис ВАН,Рифат Ата Мустафа ХИКМЕТ. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2019-08-05.

Method to control capacity of light-emitting device for image display, light-emitting device for image display, display device and television receiver

Номер патента: RU2459278C1. Автор: Такаюки МУРАИ,Кохдзи ФУДЗИВАРА,Томохико ЯМАМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-08-20.

Sanitizing workspaces using ultraviolet light built into a viewing device

Номер патента: WO2022157558A1. Автор: Michael MATTIOLI,Frederick Biga. Владелец: Goldman Sachs & Co. LLC. Дата публикации: 2022-07-28.

Light emitting device and display device using the same

Номер патента: US09470819B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Li-Hui Zhang,Mo Chen,Meng-Xin Ren. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Display device and control method thereof, light-emitting device and control method thereof, as well as non-temporary computer-readable data storage medium

Номер патента: RU2602340C2. Автор: Хидеки САНТО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2016-11-20.

Method of analyzing nitride semiconductor layer and method of manufacturing nitride semiconductor substrate using the analysis method

Номер патента: US20140055783A1. Автор: Hiroshi Oishi,Hiroshi Shirai,Jun Komiyama,Yoshihata Yanase. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Nitride semiconductor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US8120059B2. Автор: Takehiro Yoshida,Kazutoshi Watanabe. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2012-02-21.

Nitride semiconductor sustrate and method of fabricating the same.

Номер патента: US20100096728A1. Автор: Takehiro Yoshida,Kazutoshi Watanabe. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor light emitting device emitting deep ultraviolet light, light emitting module including the semiconductor light emitting device, and method of manufacturing the semiconductor light emitting device

Номер патента: JP6521443B2. Автор: 学 谷口,井上　振一郎,振一郎 井上. Владелец: National Institute of Information and Communications Technology. Дата публикации: 2019-05-29.

Nitride semiconductor free-standing substrate and light emitting device

Номер патента: JP5182396B2. Автор: 健 目黒,健 江利,貴征 鈴木. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120001223A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT UNIT

Номер патента: US20120001221A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Wafer Guide, MOCVD Equipment, and Nitride Semiconductor Growth Method

Номер патента: US20120003822A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT EMITTING MODULE

Номер патента: US20120001538A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120001222A1. Автор: CHOI Kwang Ki,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O.,KIM Chung Song. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PULSED GROWTH OF CATALYST-FREE GROWTH OF GaN NANOWIRES AND APPLICATION IN GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR BULK MATERIAL

Номер патента: US20120001153A1. Автор: . Владелец: STC. UNM. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ILLUMINATING DEVICE

Номер патента: US20120002134A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,OYA Mitsuaki,YANO Tadashi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Light-emitting instrument based on nitride semiconductor

Номер патента: RU2369942C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-10.

Ultraviolet nitride heterostructure light-emitting diode

Номер патента: RU2528112C1. Автор: Виктор Семенович Пашков,Николай Иванович Каргин,Михаил Николаевич Стриханов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-09-10.

Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same

Номер патента: KR100771792B1. Автор: 김동준,박수영,오방원,이규한,포민 알렉산더. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-10-30.

All-purpose compact light-emitting diode-based radiator usable in preventing and treating diseases

Номер патента: RU2266761C2. Автор: В.Н. Марков. Владелец: Марков Валерий Николаевич. Дата публикации: 2005-12-27.

LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120001216A1. Автор: YOON JaeJoon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC MATERIAL AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120001157A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE MATERIAL AND LIGHT EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120001161A1. Автор: . Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MATERIAL FOR PHOSPHORESCENT LIGHT-EMITTING ELEMENT AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT USING SAME

Номер патента: US20120001165A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001184A1. Автор: Hwang Young-In,Lee Jong-Hyuk,Kim Keum-Nam,Song Young-Woo,Ha Jae-Heung,Hwang Kyu-Hwan,Yoon Seok-Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITION FOR LIGHT-EMITTING PARTICLE-POLYMER COMPOSITE, LIGHT-EMITTING PARTICLE-POLYMER COMPOSITE, AND DEVICE INCLUDING THE LIGHT-EMITTING PARTICLE-POLYMER COMPOSITE

Номер патента: US20120001217A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING APPARATUS USING AC LED

Номер патента: US20120001568A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PIXEL AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120001893A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE MODULE

Номер патента: US20120002427A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE AND LUMINAIRE

Номер патента: US20120002435A1. Автор: Van Gorkom Ramon Pascal,Van Oers Denis Joseph Carel. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING MATERIAL COMPRISING ORTHOMETALATED IRIDIUM COMPLEX, LIGHT-EMITTING DEVICE, HIGH EFFICIENCY RED LIGHT-EMITTING DEVICE, AND NOVEL IRIDIUM COMPLEX

Номер патента: US20120004410A1. Автор: Igarashi Tatsuya,KIMURA Keizo,Nii Kazumi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOSPHOR CERAMIC AND LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120001214A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING A SAFETY MECHANISM FOR A LASER-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120002691A1. Автор: TAO XIAO WEI. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE WITH ENCAPSULATED REACH-THROUGH REGION

Номер патента: US20120001681A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Complex calcium metasilicate of europium and yttrium, red luminescent material based thereon for ultraviolet light-emitting diodes and method of producing said material

Номер патента: RU2470982C2. Автор: Александр Петрович Тютюнник,Владимир Георгиевич Зубков,Людмила Львовна Сурат,Иван Ильич Леонидов,Марина Александровна Мелкозерова. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт химии твердого тела Уральского Отделения РАН. Дата публикации: 2012-12-27.

LIGHT EMITTING DEVICE AND IMAGE SCANNING APPARATUS

Номер патента: US20120002248A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.