• Главная
  • 半导体装置用衬底的制造方法及半导体装置用衬底

半导体装置用衬底的制造方法及半导体装置用衬底

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for making strained semiconductor device and related methods

Номер патента: US09922883B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device including a channel region and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09704985B2. Автор: Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200098637A1. Автор: Tae Gyu Kang,Sang-Il Choi,Seong Gi Jeon,Hee Seok Nho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140131791A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Methods for dry etching semiconductor devices

Номер патента: US09484216B1. Автор: Roy H. Olsson,Andrew John Gross,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for producing a semiconductor device with surrounding gate transistor

Номер патента: US20150140755A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for forming a semiconductor device has a lengthened channel length

Номер патента: US20090124085A1. Автор: Hung-Ming Tsai,Ying Cheng CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for manufacturing a semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US09812554B2. Автор: Shinya Sato,Akihiro Shimada,Noboru Yokoyama,Tomoyuki SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09793381B2. Автор: Dongwoo Kim,Chang Woo SOHN,Kyungin Choi,Youngmoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device arrangement and a method for forming a semiconductor device arrangement

Номер патента: US09793182B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for producing a semiconductor device having a beveled edge termination

Номер патента: US09496337B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device

Номер патента: US09704718B2. Автор: Ralf Otremba,Anton Mauder,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US10825734B2. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2020-11-03.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20210119039A1. Автор: Ikuo Kurachi,Takashi Miida. Владелец: Eastwind LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20190355622A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for processing semiconductor device

Номер патента: US20220270873A1. Автор: Jian Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Method of forming semiconductor device and substrate processing system for forming semiconductor device

Номер патента: US20230377894A1. Автор: Yunsang Kim,Minyoung Kim,Hanglim Lee. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190363095A1. Автор: Takashi Hashimoto,Hideaki YAMAKOSHI,Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for manufacturing ESD device, ESD device and display panel

Номер патента: US09443884B2. Автор: Zhenfei Cai,Zhaohui Hao. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing a finfet device

Номер патента: US20190164963A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Shen-Nan Lee,Kuo-Yin Lin,Pin-Chuan SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20170278891A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20140239499A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20130140699A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20200119075A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9941323B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20180204873A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20160126279A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US09679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240194539A1. Автор: Shay REBOH,Pablo Acosta Alba. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-13.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929244B2. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7821059B2. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09620564B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030040190A1. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

System and method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09721853B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ming-Te Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7338876B2. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-04.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7084069B2. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09966455B2. Автор: Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030216055A1. Автор: Tomoyuki Irizumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method for manufacturing SIC semiconductor device

Номер патента: US20080318400A1. Автор: Hiroki Nakamura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120202346A1. Автор: Keiji Fujita,Toshinobu SAKANAKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US20030022433A1. Автор: Hirozaku Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20010003675A1. Автор: Daisuke Komada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-06-14.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09741801B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for fabricating nitride semiconductor device with silicon layer

Номер патента: US09627222B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240234211A9. Автор: Seulgi Yun,Keetae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090242963A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Shield plate, method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20130249063A1. Автор: Etsuo Hamada,Hironobu Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for production of semiconductor devices

Номер патента: US4381201A. Автор: Junji Sakurai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-04-26.

Semiconductor device resistant to soft errors and a method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020076913A1. Автор: Joo-hern Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: WO2002059939A3. Автор: Mark N Martin. Владелец: Mark N Martin. Дата публикации: 2003-01-03.

Methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6723655B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Soon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-20.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for fabricating BICMOS semiconductor devices

Номер патента: US6815305B2. Автор: Jae Han Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US9558933B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for production of semiconductor devices

Номер патента: US4506434A. Автор: Nobuo Toyokura,Tetsuya Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-03-26.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5928428A. Автор: Yasuhiko Horie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Method for fabricating a semiconductor device and the same

Номер патента: US20210288052A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09935235B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20200036923A1. Автор: Miku Goto. Владелец: Brillnics Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Solid-state imaging device, method for producing solid-state imaging device and electronic apparatus

Номер патента: US09748296B2. Автор: Takayuki Enomoto,Yoshiki Ebiko. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09992417B2. Автор: Isao Takayanagi,Shunsuke Okura. Владелец: Brillnics Japan Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for producing semiconductor light receiving device and semiconductor light receiving device

Номер патента: US09548330B2. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09893068B2. Автор: Hiroyuki Hoshizaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20050006715A1. Автор: Yukiko Kashiura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by the same

Номер патента: US09690896B2. Автор: Jae-Woo Seo,Jaeha LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887238B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US12131950B2. Автор: Jung Woo Park,Tae Kyun Kim,Jae Man Yoon,Jin Hwan Jeon,Su Ock Chung,Jae Won Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020142555A1. Автор: Seon Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for manufacturing a semiconductor device, as well as a semiconductor substrate

Номер патента: US20060234468A1. Автор: Takeshi Saito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: WO2009094376A3. Автор: Amitabh Jain. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-10-15.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: US20090184375A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: US20110133287A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030186491A1. Автор: Shunji Kubo,Atsushi Amoo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220068723A1. Автор: TAO Hu,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiao Dong Shi. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20240332090A1. Автор: Jin Woo Kim,Ju Youn Kim,Seul Gi YUN,Myung Soo SEO,Joong Gun OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09799561B2. Автор: Masayuki Tomoyasu,Dong-Chan Kim,Chan-hoon Park,Je-woo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9847229B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device with fin transistors and manufacturing method of such semiconductor device

Номер патента: US09741814B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for silicidation of semiconductor device, and corresponding semiconductor device

Номер патента: US11869772B2. Автор: Olivier GONNARD,Denis Monnier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240186247A1. Автор: Ho-Jin Lee,Hyung Jun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for producing 3d semiconductor devices and structures with transistors and memory cells

Номер патента: US20240215267A1. Автор: Zvi Or-Bach,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7186631B2. Автор: SEUNG Woo Jin,Min Yong Lee,Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-06.

Semiconductor device with fin transistors and manufacturing method of such semiconductor device

Номер патента: US20240047461A1. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240154006A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-09.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4365955A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-08.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8513075B2. Автор: Yonggen He,Jingang Wu,HaiBiao YAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140057418A1. Автор: Huaxiang Yin,Xiaolong Ma,Zuozhen Fu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for simultaneously manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20090170266A1. Автор: Hee Bae Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for making a semiconductor device having increased carrier mobility

Номер патента: US20040251480A1. Автор: Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960044B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing a semiconductor device, and said semiconductor device

Номер патента: US7737030B2. Автор: Hisakazu Matsumori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Method for manufacturing a semiconductor device, and said semiconductor device

Номер патента: US20080277788A1. Автор: Hisakazu Matsumori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Method for manufacturing a semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: US09812535B1. Автор: Martin Vielemeyer,Robert Haase. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11658110B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsushi Kato,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4415027A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09911808B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20160064663A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240096988A1. Автор: Michael Hell,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for fabricating a semiconductor device and apparatus for inspecting a semiconductor

Номер патента: WO2005086211A1. Автор: Yasunobu Tagusa. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20170250112A1. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929341B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09875934B2. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing a semiconductor device based on epitaxial growth

Номер патента: US09293625B2. Автор: Yanting SUN,Sebastian Lourdudoss. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-03-22.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240194538A1. Автор: Shay REBOH,Pablo Acosta Alba. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-13.

Face down type semiconductor device and manufacturing process of face down type semiconductor device

Номер патента: US20070152347A1. Автор: Eiji Hori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for manufacturing a semiconductor device having a low junction leakage current

Номер патента: US20050153528A1. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for packaging a semiconductor device

Номер патента: US20040157371A1. Автор: Byoung Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Selective planishing method for making a semiconductor device

Номер патента: US09972506B2. Автор: Donald C. Abbott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US12033983B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR LAYER OF SiC AND SUCH A DEVICE

Номер патента: WO1997036318A2. Автор: Kurt Rottner. Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 1997-10-02.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230282619A1. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US09899354B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09831244B2. Автор: Je-Don Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09741688B2. Автор: Ming-Tsun LIN,Chao-Yang Yeh,Hau Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US09627358B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09589843B2. Автор: Junji IKURA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230258866A1. Автор: Houssein EL DIRANI. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210408241A1. Автор: Seokhoon Kim,Seung Hun Lee,Sihyung Lee,Jinyeong Joe,Jeongho Yoo,Seojin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

A method for manufacturing a fluid sensor device and a fluid sensor device

Номер патента: WO2019121931A1. Автор: Aurelie Humbert,Simone Severi. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080157233A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for producing a semiconductor device which is protected against overvoltage

Номер патента: US3919010A. Автор: Karlheinz Sommer,Edgar Borchert. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1975-11-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210328042A1. Автор: Chun-Shun Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6680238B2. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110186970A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20140308796A1. Автор: Tae-Jung HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09916979B2. Автор: Yong Jae Kim,Ki Seok Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09812356B2. Автор: Jong Hyun Lee,Hyun Jae Lee,Sung Wook Hwang,Jae Seok Yang,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09613805B1. Автор: Rudolf Berger,Werner Schustereder,Johannes Laven,Holger Schulze,Roman Baburske,Thomas Gutt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Methods for making a semiconductor device including atomic layer structures using N2O as an oxygen source

Номер патента: US09558939B1. Автор: Nyles Cody,Robert Stephenson. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09373510B1. Автор: Jong Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20170092759A1. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device having wire formed with loop portion and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US09812423B2. Автор: Naoki Fukue. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685561B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kunihiko Suzuki,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Stacked semiconductor device, printed circuit board, and method for manufacturing stacked semiconductor device

Номер патента: US09601470B2. Автор: Yuya OKADA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09570603B2. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for fabricating a semiconductor device including a MOS transistor having a silicide layer

Номер патента: US12033858B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for fabricating a semiconductor device including a mos transistor having a silicide layer

Номер патента: US20240312784A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7732316B2. Автор: Chi Hwan Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20230187335A1. Автор: Dohyun LEE,Heonbok Lee,Daeyong Kim,Tae-Yeol Kim,Donghee SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US11869836B2. Автор: Dohyun LEE,Heonbok Lee,Daeyong Kim,Tae-Yeol Kim,Donghee SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09728617B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09590175B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for low topography semiconductor device formation

Номер патента: US20020175369A1. Автор: Nivo Rovedo,Phung Nguyen,David Colavito. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20220123015A1. Автор: Sung Soon Kim,Sun Kak Hwang,Hee Do Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130252423A1. Автор: Markus Zundel,Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-26.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20180151431A1. Автор: Shih-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: EP4297067A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10978558B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080214004A1. Автор: Markus Zundel,Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2023247545A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200119145A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210202700A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11456356B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20240038714A1. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US8822264B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP3471132A1. Автор: Franz Schrank,Thomas Bodner,Stefan Jessenig. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2019-04-17.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2016056960A1. Автор: Yanting SUN. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor Device and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170005192A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-05.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4258360A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20240145354A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20150076650A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240162351A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024094613A1. Автор: Adrian Avramescu. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-05-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210265266A1. Автор: Masayuki Kitamura,Atsushi Kato,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160141256A1. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12027591B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for forming isolated semiconductor devices

Номер патента: US3695956A. Автор: Robert Ray Speers. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11817417B2. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160197142A1. Автор: Anton Mauder,Hans Weber,Roman Knoefler,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US20200152482A1. Автор: Kazuaki Mawatari. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: EP1776743A1. Автор: Keith James Nash,Geoffrey Richard QinetiQ Limited NASH,John Henry QinetiQ Limited JEFFERSON. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2007-04-25.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: WO2006016118A1. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20170222142A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device

Номер патента: EP4297070A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device and method for producing said semiconductor device

Номер патента: EP4246571A1. Автор: IGUCHI Tomohiro. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170345711A1. Автор: Roman Roth,Frank Umbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for manufacturing a semiconductor device with Schottky electrodes

Номер патента: US5229323A. Автор: Tatsuo Akiyama,Kizashi Shimada,Yutaka Koshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-07-20.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369140A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-16.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230326959A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US9406756B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1198226A. Автор: Eliezer Kinsbron,William T. Lynch. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-12-17.

Manufacturing method for filling a trench or contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US5824562A. Автор: Tai-su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-20.

Semiconductor devices and display driver integrated circuits including the semiconductor devices

Номер патента: US20200303303A1. Автор: Myoung Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device with gate spacer and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20220254898A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for carrying a semiconductor device

Номер патента: US20070235371A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Tokuji Toida,Wahei Kitamura,Toshimasa Shirai. Владелец: Hitachi Transport System Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Method for fabricating a semiconductor device package

Номер патента: CA2762470C. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-01-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US4491486A. Автор: Hiroshi Iwai. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-01.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7083899B2. Автор: Bong-Cheol Kim,Dae-Youp Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-01.

Selective planishing method for making a semiconductor device

Номер патента: US10438816B2. Автор: Donald C. Abbott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6376331B1. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150024581A1. Автор: Fumikazu Imai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120070970A1. Автор: Ken Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8518810B2. Автор: Ken Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060279021A1. Автор: Yasuhiro Shinma. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-12-14.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301103A1. Автор: Seung Min Lee,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE OF SiC

Номер патента: EP1258034A1. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris,Stefan Karlsson,Christian Adas,Thomas HÖRMAN. Владелец: Cree Sweden AB. Дата публикации: 2002-11-20.

A method for producing a semiconductor device of sic

Номер патента: AU2001230686A1. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris,Stefan Karlsson,Christian Adas,Thomas HÖRMAN. Владелец: Acreo AB. Дата публикации: 2001-08-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160064253A1. Автор: Tohru Kumamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for fabricating a semiconductor device having a shallow doped region

Номер патента: US5279976A. Автор: James R. Pfiester,David Burnett,James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-01-18.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5427982A. Автор: Young K. Jun. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-27.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5525532A. Автор: Jae K. Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-11.

Method for manufacturing a semiconductor device having interconnection layers

Номер патента: US5721157A. Автор: Takeshi Sunada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-02-24.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20080122517A1. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09905755B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282849A1. Автор: Yohei Iwahashi,Takaya Shimono. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09941403B2. Автор: Till Schloesser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9171777B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor device and semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105637A1. Автор: Akio Yamano,Yuta EBUKURO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391038A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device, integrated circuit and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09614032B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09847328B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09608091B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4300559A1. Автор: Hans Mertens,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-03.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US11362195B2. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20200212199A1. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

A semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP3675167A1. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-01.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US7800428B2. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-21.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US09941223B2. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Inspection method for semiconductor light-emitting device and manufacturing method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140210995A1. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Method for producing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US9876150B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Transistor and method for manufacturing same, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240179922A1. Автор: Wenyu HUA,Xilong Wang. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for producing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US20180108820A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20210098485A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Dong-Chul Yoo,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394889A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394888A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141239A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141238A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240355773A1. Автор: KyungEun Kim,Haengcheol Choi,HyunKyum Kim,YoungJin WOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09741805B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09450085B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20190115467A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20160322491A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20200365723A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024170052A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09780078B2. Автор: Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US09754066B2. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09704954B2. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Voerckel,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US20160043043A1. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20110165763A1. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-07-07.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240105828A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09748186B2. Автор: Takashi Saito,Yoshitaka Nishimura,Fumihiko Momose,Kazumasa Kido. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685511B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09628918B2. Автор: Chee Yang Ng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Inspection method for semiconductor light-emitting device and manufacturing method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9395406B2. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for inspecting semiconductor device structure

Номер патента: US20190101586A1. Автор: Baohua Niu,Chi-Chun Lin,Chia-Nan Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US09966370B2. Автор: Simon Jerebic,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US20150056796A1. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09698310B2. Автор: Jun Nakauchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US09466676B2. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having test unit, electronic apparatus having the same, and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09318393B2. Автор: Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Manufacturing method for a micromechanical pressure sensor device and corresponding micromechanical pressure sensor device

Номер патента: US09878900B2. Автор: Zhenyu Wu. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing junction semiconductor device

Номер патента: US20090004790A1. Автор: Hideki Hashimoto,Yoshimitsu Saito,Seiichi Yokoyama,Kensuke Iwanaga,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for making a semiconductor device using a double side molding technology

Номер патента: US20240234229A1. Автор: Hyunyoung Kim,KyoWang Koo,Jieun KWON,SooBin YOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing a semiconductor device with a semiconductor body

Номер патента: US20110189839A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A2. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for preparing a semiconductor device with spacer over sidewall of bonding pad

Номер патента: US20210202416A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A3. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Radiation Detector and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180315882A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Hacker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030064560A1. Автор: Isao Kimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09472655B1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US9329451B2. Автор: Hideki Yagi,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220122895A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US20150132877A1. Автор: Hideki Yagi,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device and Semiconductor Device obtained thereby

Номер патента: GB1178208A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1970-01-21.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11361983B2. Автор: Hubert Halbritter. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20100230718A1. Автор: Franz Hirler,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20080128872A1. Автор: Joerg Schepers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-06-05.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2024078688A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20150137226A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device and method for making a semiconductor device

Номер патента: EP3326209A1. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-30.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024125771A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Lukas Kranz. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09685544B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing a semiconductor device wherein a semiconductor chip is mounted on a lead frame

Номер патента: US5612259A. Автор: Morihiko Ikemizu,Takayuki Okutomo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-03-18.

Semiconductor device, and production method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20040245570A1. Автор: Hitoshi Ninomiya. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20120313257A1. Автор: Jeoungchill SHIM. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387285A1. Автор: Kentaro Chikamatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Test apparatus and method for testing a semiconductor device

Номер патента: US20210239753A1. Автор: Jan-Peter Schat,Abdellatif Zanati,Henrik Asendorf,Nicolas Lamielle. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200168575A1. Автор: Chooi Mei Chong,Thomas Bemmerl,Michael Stadler,Edward Myers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US10276655B2. Автор: Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US9070789B2. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170345893A1. Автор: Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230337427A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US20170357745A1. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20190123153A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180019204A1. Автор: Hugo Burke. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Method for inspecting a semiconductor device

Номер патента: US5566877A. Автор: Dave W. McCormack. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-10-22.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for producing a semiconductor device by the use of an implanting step

Номер патента: US5674765A. Автор: Kurt Rottner,Adolf SCHÖNER. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1997-10-07.

Temperature control device, semiconductor device including the same, and method for controlling the semiconductor device

Номер патента: US10032687B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-24.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4199112A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-21.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240079494A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP4333074A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-06.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110151649A1. Автор: James A. Cooper,Xiaokun Wang. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2011-06-23.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220093734A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-24.

Package structure and method for manufacturing same, semiconductor device

Номер патента: US20230005851A1. Автор: LIANG Chen,Kai Tian,Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US8986560B2. Автор: Hideki Yagi,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-03-24.

Method for fabricating a semiconductor device having a multi-bridge-channel

Номер патента: US20070161168A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for manufacturing a semiconductor device including nonvolatile memories

Номер патента: US5382539A. Автор: Takashi Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1995-01-17.

Method for testing tunable wavelength laser device and tunable wavelength laser device

Номер патента: US09653881B2. Автор: Eiichi Banno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Fire-protection system and method for container-type energy storage device and storage medium

Номер патента: EP4369469A1. Автор: Jiepeng LAI. Владелец: Xiamen Hithium Energy Storage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Method for monitoring a battery, evaluation device, and measuring system

Номер патента: US09759775B2. Автор: Ulrich Alkemade,Bernd Schumann,Jake (John) Christensen. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for increasing battery life, electric device, and storage medium

Номер патента: EP4064414A3. Автор: Xianglong Han. Владелец: Dongguan Poweramp Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US11456576B2. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210119418A1. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for adjusting laser radar, laser device and laser radar

Номер патента: US20240264274A1. Автор: Xiaobo Hu,Ying Liu. Владелец: Leishen Itelligent System Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Proximity sensor, method for sensing proximity of wireless device and body part of user, and wireless device

Номер патента: US20240271966A1. Автор: Hirotada Taniuchi. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for adjusting laser radar, laser device and laser radar

Номер патента: US12085669B2. Автор: Xiaobo Hu,Ying Liu. Владелец: LeiShen Intelligent System Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for managing battery of electronic device and electronic device performing the same

Номер патента: US09910101B2. Автор: Chung Ik LEE,Hun Cheol OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for producing a waveguide, circuit device and radar system

Номер патента: US20230268630A1. Автор: Markus Josef LANG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for processing RLC failure, network device and computer storage medium

Номер патента: US11825541B2. Автор: Hong Wang,Weiwei Wang,Lixiang Xu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Cable modem, apparatus, device, and method for a cable modem, apparatus, device, and method for a cable communication system

Номер патента: US11683064B2. Автор: Nathan Goichberg. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor device and power supply control method of the semiconductor device

Номер патента: US20140159778A1. Автор: Ryo Hirano. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-06-12.

Method for increasing web security and device and system for doing the same

Номер патента: WO2023003457A1. Автор: Viraj Krishan BALGOBIND. Владелец: Dmattos B.V.. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for increasing web security and device and system for doing the same

Номер патента: NL2028798B1. Автор: Krishan Balgobind Viraj. Владелец: Chaitanya B V. Дата публикации: 2023-01-27.

Methods for sending data packet, related devices and storage medium

Номер патента: US20240250908A1. Автор: DONG Chen,Xiaopeng Fan. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Loudspeaker and method for improving directivity, head-mounted device and method

Номер патента: US20190230430A1. Автор: YANG Hua,Dehua Li,Ze Wang,Hongwei Zhou. Владелец: Goertek Techology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Systems and methods for facilitating communication between mobile devices and display devices

Номер патента: US09953612B2. Автор: Alan Queen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods for exchanging information between electronic devices, and electronic devices

Номер патента: US09839057B2. Автор: Xiaobing Guo. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for detecting foreign material, and device and system therefor

Номер патента: US12034317B2. Автор: Jae Hee Park,Yong II Kwon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for identifying problem cell, electronic device and computer-readable medium

Номер патента: US20230130378A1. Автор: Li Chen. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for downloading key, client, password device, and terminal device

Номер патента: US20230353389A1. Автор: Lijun Li,Rongshou PENG. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Systems and methods for communicating between a mobile device and a smart television

Номер патента: US20240171627A1. Автор: Ravikumar Thangavel. Владелец: VIZIO INC. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for transmitting feedback information, terminal device, and network device

Номер патента: CA3054320C. Автор: Yanan Lin. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Wireless charging method for urban air mobility and device and system therefor

Номер патента: EP4186740A1. Автор: Young Soo Dow. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for universally testing semiconductor devices with different pin arrangement

Номер патента: US7034564B2. Автор: Chih-Hui Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-04-25.

Method for managing wave beam, terminal device and network device

Номер патента: MY193284A. Автор: Ning Yang,HUA Xu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2022-09-30.

Data generation method, method for configuring logical channel, terminal device and chip

Номер патента: US20200205164A1. Автор: Hai Tang. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for processing radio access, forwarding device, and network controller

Номер патента: US20160205598A1. Автор: Tian Tian. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6146945A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Method for multiplexing feedback resources, terminal device and network device

Номер патента: AU2018444089B2. Автор: Yanan Lin. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for downloading key, client, password device, and terminal device

Номер патента: US12126737B2. Автор: Lijun Li,Rongshou PENG. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for processing radio access, forwarding device, and network controller

Номер патента: US09998962B2. Автор: Tian Tian. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Interactive method for communication with smart mobile device and interactive communication system using the same

Номер патента: US09654185B2. Автор: Li Sheng Lo. Владелец: Generalplus Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Cryptographic method for securely exchanging messages and device and system for implementing this method

Номер патента: US09648026B2. Автор: Herve Pelletier. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for evaluating network service, electronic device and storage medium

Номер патента: US20230156499A1. Автор: Weiwei Yang,Yizhong Zhan. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for evaluating network service, electronic device, and storage medium

Номер патента: EP4236421A1. Автор: Weiwei Yang,Yizhong Zhan. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for measuring temperature, portable electronic device and video conference

Номер патента: US20210215552A1. Автор: Chiung-Wen Tseng,Yi-Xuan HUANG,Yu-An HSU. Владелец: Amtran Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for operating an electrical supply device and electrical supply device

Номер патента: US11671000B2. Автор: Benno Weis. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-06-06.

Method for generating talking head video, device and computer-readable storage medium

Номер патента: US20230386116A1. Автор: Zhiyong Yang,Wan Ding,Dongyan Huang,Linhuang Yan. Владелец: Ubtech Robotics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for establishing slb connection, electronic device, and communication system

Номер патента: EP4404681A1. Автор: Yan Chen,Yao Zhao,XuDong Zhu,Yumin Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Method for evaluating network quality, electronic device and storage medium

Номер патента: US20230188426A1. Автор: Xueqian Zhang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Methods for communication, terminal device, network device, and computer readable media

Номер патента: EP4140215A1. Автор: Gang Wang,Yukai GAO. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Method for reporting csi report, terminal device, and network device

Номер патента: US20240322982A1. Автор: Yang Song,Peng Sun. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for adjusting parameters of sending device and receiving device, and terminal device

Номер патента: US09985741B2. Автор: Xiang Wang,Weiyang Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for providing interface using mobile device and wearable device

Номер патента: US09961293B2. Автор: Yuri Lee,Myeongsoo SHIN,Hyeonhui KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods for communications, terminal device, network device and computer readable media

Номер патента: US20240313902A1. Автор: Gang Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus and method for setting antennas of mobile device, and mobile device

Номер патента: US09648566B2. Автор: Bin Zheng,Shidong Shang,Chuanqing YANG,Changsheng Zhou,Zizhi SUN. Владелец: Hisense USA Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Personalized method for enhancing service, network side device, and mobile user equipment

Номер патента: US09571960B2. Автор: Feng Xie,Ying Liu. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for detecting a network or device and a neighbor thereof

Номер патента: US09380589B2. Автор: Jihyun Lee,Junho Jo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for positioning terminal device, electronic device and storage medium

Номер патента: EP4239950A1. Автор: FAN Nan,Wenxuan Chen. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Methods for communication, terminal device, network device, and computer readable medium

Номер патента: EP4042774A1. Автор: Gang Wang,Yukai GAO. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2022-08-17.

Method for Displaying Associated Term, Terminal Device, and Computer Storage Medium

Номер патента: US20240134467A1. Автор: Fangshan Wang,Furong LI. Владелец: Petal Cloud Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Systems and methods for managing connections between user devices and networks

Номер патента: US20240259783A1. Автор: Saravanan Muthusamy,Raghavendra Hegde. Владелец: COMCAST CABLE COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for forwarding data packet, electronic device, and storage medium for the same

Номер патента: US20230283578A1. Автор: Junjie Lin. Владелец: Ruijie Networks Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods for communication, terminal device, network device, and computer readable media

Номер патента: US20240298227A1. Автор: Gang Wang,Da Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for multicast communication, first network device, and second network device

Номер патента: US20230164524A1. Автор: Haiyan Luo,Qinghai Zeng,Yuanping Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for processing pixel data, corresponding device and program

Номер патента: US20240251172A1. Автор: Barthelemy Heyrman,Dominique Ginhac,Steven TEL. Владелец: Universite de Bourgogne. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for transmitting feedback information, terminal device and network device

Номер патента: US12095528B2. Автор: Yanan Lin,Zuomin Wu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for sensing node selection, terminal device, and network device

Номер патента: US20240314821A1. Автор: Yang Liu,Cong Shi,Xinlei YU. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US12108182B2. Автор: Ken Miyauchi. Владелец: Brillnics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for requesting network slice, terminal device, and network device

Номер патента: US20240340833A1. Автор: Haorui YANG. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for manufacturing a digital display device and digital display device

Номер патента: US12105385B2. Автор: Michel Sagardoyburu,Simon Springer. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for channel information feedback, transmitting device and receiving device

Номер патента: US20240372591A1. Автор: Wendong LIU. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for switching between media play devices, and device

Номер патента: US09866606B2. Автор: Yu Zhu,Yajun Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for deciding location of target device and electronic device thereof

Номер патента: US09826365B2. Автор: Hun Lim,Chang-Gun Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for processing information, forwarding plane device and control plane device

Номер патента: US09769089B2. Автор: Hui Cai,HUI Ni,Shiyong TAN,Weihua Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for determining management domain, network device, and virtual cluster

Номер патента: US09699080B2. Автор: Jun Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240373621A1. Автор: Ilyoung Yoon,Sangjun Park,Kijong Park,Yongjin Lee,Seungmin SHIN,Younggeun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for verifying position of terminal device, and communication apparatus

Номер патента: EP4462841A1. Автор: Xiaoning Wu,Tingting GENG,Xingxing HU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Method for sending MAC control element, device and medium

Номер патента: US12133209B2. Автор: Yu Yang,Yumin Wu. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for controlling display device, display device, and display system

Номер патента: US20200196224A1. Автор: Makoto SHIGEMITSU. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Method for charging electronic device, electronic device, and storage medium

Номер патента: EP3535642A1. Автор: Dae-Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-11.

Fault detection method for optical switching apparatus, network device, and system

Номер патента: US20230224033A1. Автор: Yun Long,Zhiwen Chang,Fan AI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for displaying information on electronic device, and electronic device

Номер патента: EP4227807A1. Автор: Yilin Zhao,Zhiyuan WANG,Fangyu HONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Electronic semiconducting device, method for preparing the electronic semiconducting device and compound

Номер патента: US12022672B2. Автор: Markus Hummert,Ulrich Heggemann. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for positioning terminal device, electronic device and storage medium

Номер патента: US20230283468A1. Автор: Wenxuan Chen,Nan Fan. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Method for selecting access network type, device, and system

Номер патента: US20220015027A1. Автор: Yan Li,JIAO Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for implementing service continuity, related device and system

Номер патента: EP3996423A1. Автор: Zhenyu Tao,Chuankui Jiang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-11.

Method for identifying existing groups, electronic device and group device

Номер патента: US20210297819A1. Автор: Yi-Bin Yang,Hsing-Yu Chen. Владелец: Coretronic Intelligent Cloud Service Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for indicating beam failure recovery, device, and storage medium

Номер патента: US20210135737A1. Автор: Cong Shi,Xin You. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for indicating beam failure recovery, device, and storage medium

Номер патента: AU2018432105B2. Автор: Cong Shi,Xin You. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for 802.1x authentication, access device and access control device

Номер патента: EP2578049A1. Автор: Yonggang Xu,Yongfu Chai. Владелец: HANGZHOU H3C TECHNOLOGIES CO LTD. Дата публикации: 2013-04-10.

Method for configuring wireless resource, network device and user equipment

Номер патента: EP3691370A1. Автор: Xiaodong Shen,Xiaodong Sun,Yumin Wu. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-05.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020110981A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020019086A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-14.

Method for requesting monitoring state, terminal device, and network device

Номер патента: US20240340791A1. Автор: Haitao Li,Yi Hu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for processing emoji message, electronic device and medium

Номер патента: US20240355031A1. Автор: Lixin Wang. Владелец: Beijing Dajia Internet Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Positioning method for electronic shelf label, computer device, and storage medium

Номер патента: US12136362B1. Автор: Min Liang,YAPING Ji,Sicheng Yu. Владелец: Hanshow Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for controlling wearable device, wearable device, and storage medium

Номер патента: US12100400B2. Автор: XIN YANG. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for determining management domain, network device, and virtual cluster

Номер патента: US09973427B2. Автор: Jun Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for monitoring a battery, evaluation device, and measuring system

Номер патента: US09912226B2. Автор: Mirko Schinzel,Nils Draese. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-03-06.

Display panel and method for manufacturing the same, display device and electronic apparatus

Номер патента: US12029085B2. Автор: LI Wang,BO Wang,Jingquan WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for determining control target, mobile device, and gateway

Номер патента: US20230141356A1. Автор: Jianjun Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for operating an automotive lighting device and automotive lighting device

Номер патента: EP4238393A1. Автор: Rabih TALEB. Владелец: VALEO VISION SAS. Дата публикации: 2023-09-06.

Method for avoid network interference, electronic device and computer readable storage medium

Номер патента: US20240244694A1. Автор: Wen-Jiun Lin. Владелец: Ambit Microsystems Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method for displaying image, image-capturing device, and carrier means

Номер патента: EP4243409A1. Автор: Shigeyuki Ishii,Daiki NAKAMURA,Takahiro Kamekura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

OLED light-emitting device, method for preparing OLED light-emitting device, and lamp

Номер патента: US12048177B2. Автор: Hang DONG,Wenkang WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for determining DRX parameter, terminal device and storage medium

Номер патента: US12063541B2. Автор: Qianxi Lu,Bingxue LENG. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for keeping remote connection, electronic device and server

Номер патента: US09819640B2. Автор: Yu-Ren Yang,Shih-Hsien Yu. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Electronic device, method for restricting use of electronic device, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US09686441B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for operating an automotive lighting device and automotive lighting device

Номер патента: US12052804B2. Автор: Rabih TALEB. Владелец: VALEO VISION SAS. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for setting control function, control device and control system

Номер патента: EP3843330A1. Автор: Peng XIE,Xiaoyuan Yang,Shangxiong LI. Владелец: SZ DJI Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

Method for controlling display device, display device, and display system

Номер патента: US20200201619A1. Автор: Makoto SHIGEMITSU. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for determining photographing mode, electronic device and storage medium

Номер патента: US12081876B2. Автор: Guanghui Chen. Владелец: Beijing ByteDance Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for pairing in a peripheral device and in a communications terminal, corresponding devices and program

Номер патента: US09980083B2. Автор: Christopher Rotsaert. Владелец: Ingenico Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for sensing proximity by electronic device and electronic device therefor

Номер патента: US09933862B2. Автор: Jung-Ho Kim,Sun-Ho Kim,Eun-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Intermediate electronic device, method for operating the intermediate electronic device and electronic system

Номер патента: US09606597B2. Автор: Yi-Te Chen. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for controlling display of electronic device and electronic device using the same

Номер патента: US09465460B2. Автор: Chih-Ling Chien,Hung-Yi Huang. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods for communication, terminal device, network device, and computer readable media

Номер патента: EP4275317A1. Автор: Gang Wang,Yukai GAO. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

Methods for communication, terminal device, network device, and computer readable media

Номер патента: US20240063870A1. Автор: Gang Wang,Yukai GAO. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods for communication, terminal device, network device, and computer readable media

Номер патента: AU2021418030A9. Автор: Gang Wang,Yukai GAO. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for communication, terminal device, network device, and computer readable media

Номер патента: AU2021418030B2. Автор: Gang Wang,Yukai GAO. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for controlling plurality of electronic devices, and electronic device

Номер патента: EP4415384A1. Автор: Jeongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device and method for controlling the semiconductor device

Номер патента: US20170019113A1. Автор: Hideyuki Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Method for universally testing semiconductor devices with different pin arrangement

Номер патента: US20060001441A1. Автор: Chih-Hui Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

Semiconductor device, microphone and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20180170745A1. Автор: Stefan Barzen,Marc Fueldner,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device and power supply control method of the semiconductor device

Номер патента: US20120042188A1. Автор: Ryo Hirano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20090010069A1. Автор: Hiroaki Wada,Norihiro Yamaki,Keiichirou Kikuchi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09880203B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for generating transfer path, electronic device, and computer storage medium

Номер патента: AU2023204302B2. Автор: Zhuo Yao,Degan LIN. Владелец: Willand Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for detecting collision data, driving device and medium

Номер патента: EP4372699A1. Автор: Weijun CHEN. Владелец: Anhui NIO Autonomous Driving Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Method for detecting collision data, driving device and medium

Номер патента: US20240159545A1. Автор: Weijun CHEN. Владелец: Anhui NIO Autonomous Driving Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US20100156452A1. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for timing multiple entities, timekeeping device and timing application

Номер патента: WO2017108683A3. Автор: Jan-Marco Bremer. Владелец: Blue Media Labs GmbH. Дата публикации: 2017-07-27.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US8164356B2. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Method for operating a construction site device, and construction site device

Номер патента: AU2019400693B2. Автор: Stefan Weber,Gabriele BIZZOZERO,Oliver Simmonds,Christian Studer. Владелец: INVENTIO AG. Дата публикации: 2023-06-22.

Interface circuit and method for coupling between a memory device and processing circuitry

Номер патента: US20100232250A1. Автор: David Michael Bull,Shidhartha Das. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for service processing and system, device, and medium

Номер патента: US12147391B2. Автор: Yonggang Hu,Longhu SI. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

System and method for controlling the robot, electronic device and computer readable medium

Номер патента: EP4093579A1. Автор: Yichao Mao,Xinyu Fang,Shunchong LI. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2022-11-30.

Method for Detecting Emission Light, Detection Device and Laser Scanning Microscope

Номер патента: US20230258916A1. Автор: Daniel Schwedt,Tiemo Anhut,Peter Schacht. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for data item recommendation, electronic device and storage medium

Номер патента: US20220043862A1. Автор: Ming Zhang,Min Liu,Bing Liu,Yun Zhang. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

Method for executing task by scheduling device, and computer device and storage medium

Номер патента: US20210224108A1. Автор: Zhe Chen. Владелец: Hangzhou Hikvision Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Methods for risk management for autonomous devices and related node

Номер патента: WO2021021008A1. Автор: Rafia Inam,Alberto HATA,Ahmad Ishtar TERRA. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2021-02-04.

Meshless method for solid mechanics simulation, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20210012046A1. Автор: Tian Yang,Leiting Dong. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-01-14.

Methods for risk management for autonomous devices and related node

Номер патента: EP4007977A1. Автор: Rafia Inam,Alberto HATA,Ahmad Ishtar TERRA. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2022-06-08.

Method for preloading memory page, electronic device, and chip system

Номер патента: EP4446883A1. Автор: Tao Wang,Fenghua ZUO. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Method for storing L2P table, system, device, and medium

Номер патента: US12061557B2. Автор: Qinglu CHEN. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for controlling an engine braking device and engine braking device

Номер патента: US09938909B2. Автор: Franz Rammer,Heidrun Klinger,André Kreuzriegler. Владелец: MAN Truck and Bus Osterreich AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for managing task on terminal device, and terminal device

Номер патента: US09857943B2. Автор: Liu Yang,Songlin Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for deploying bare computers, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20230053293A1. Автор: Shuo-Yen Chung. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for recognizing video action, and device and storage medium thereof

Номер патента: US12051236B2. Автор: Li Song,Shan Lu,FENG Shi,Fan Wang. Владелец: Bigo Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190384165A1. Автор: Jeong-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for detecting coordinates, coordinate output device and defect inspection device

Номер патента: US20180276806A1. Автор: Masato Naka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for deploying bare computers, electronic device, and storage medium

Номер патента: US12061894B2. Автор: Shuo-Yen Chung. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for Timing Multiple Entities, Timekeeping Device and Timing Application

Номер патента: US20180374281A1. Автор: Jan-Marco Bremer. Владелец: Blue Media Labs GmbH. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for Producing an Interdental Cleaning Device, and Interdental Cleaning Device

Номер патента: US20240277457A1. Автор: Louis Bahlmann. Владелец: Luoro GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for identifying operation, and electronic device, and computer readable medium thereof

Номер патента: US20240256119A1. Автор: Jie Chen,Jieqi XIE. Владелец: Netease Hangzhou Network Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for detecting data drift, computer device, and computer-readable storage medium

Номер патента: WO2024152381A1. Автор: Xiang Li,Yi Mao. Владелец: Siemens Ltd. , China. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for binocular depth estimation, embedded device, and readable storage medium

Номер патента: US20240331173A1. Автор: Jianxin Pang,Baiyu PAN. Владелец: Ubtech Robotics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for generating transfer path, electronic device, and computer storage medium

Номер патента: US12135555B2. Автор: Zhuo Yao,Degan LIN. Владелец: Willand Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for operating a hybrid drive device and corresponding hybrid drive device

Номер патента: US09758152B2. Автор: Andreas Göbel,Florian Schüle. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for writing data, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09690490B2. Автор: Chih-Kang Yeh,Li-Chun Liang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for controlling a load-moving device and controller of a load-moving device

Номер патента: US09567193B2. Автор: Manfred Schapler,Josef Kaspar Schmid. Владелец: Liebherr Werk Nenzing GmbH. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for managing external portable storage device and related machine readable medium

Номер патента: US09514320B2. Автор: Tak-Man Ma. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Light intensity adjustment method for optical film thickness measuring device and polishing apparatus

Номер патента: US20240207997A1. Автор: Masaki Kinoshita. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Face deformation compensating method for face depth image, imaging device, and storage medium

Номер патента: US20240242318A1. Автор: Joseph SALINI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Attribute inference method for co-training data, computing device, and storage medium thereof

Номер патента: US20240232665A1. Автор: BIN Li,Yi Wang,Haoxin Yang. Владелец: Dongguan University of Technology. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for operating near-eye display device and near-eye display device

Номер патента: US20230329545A1. Автор: Chih-Hung Lu,Chung-Jen Ou. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for allocating computing resources, electronic device, and computer program product

Номер патента: US20220035669A1. Автор: Zhen Jia,Pedro Fernandez ORELLANA. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for detecting image abnormities, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20220222800A1. Автор: Chin-Pin Kuo,Tung-Tso Tsai,Tzu-Chen Lin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for making a heat dissipating device and product made thereby

Номер патента: US20090169863A1. Автор: Chin-Kuang Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for Determining Correction Value, Exposure Device, and Image Forming Apparatus

Номер патента: US20080111879A1. Автор: Yoshio Arai,Nozomu Inoue. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Method for controlling operation list, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20220221960A1. Автор: Hua Wu,Baoqiu Cui,Ruiduan Wang. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for operating near-eye display device and near-eye display device

Номер патента: US12064179B2. Автор: Chih-Hung Lu,Chung-Jen Ou. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for calibrating an automotive lighting device and automotive lighting assembly

Номер патента: WO2020126400A1. Автор: Hafid El Idrissi,Yasser Almehio. Владелец: VALEO VISION. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for controlling sound, sound controlling device and electronic keyboard instrument

Номер патента: US20240321245A1. Автор: Tomoya Sasaki,Haruki Ohkawa,Shinji Sumino. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for cleansing human keratin materials, device and kit for performing said method

Номер патента: US20240299992A1. Автор: Dominique Bordeaux,Laure DESFORGES. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-09-12.

Drug delivery device, method for manufacturing a drug delivery device and use of a welded connection

Номер патента: US12042643B2. Автор: Tobias Stever,Ngoc Jane Lam. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for programming data, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09430325B2. Автор: Ming-Jen Liang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for segmenting neural network, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20230117238A1. Автор: Chien-Wu Yen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for displaying screen information, display device, and storage medium

Номер патента: US11657187B2. Автор: Xin Lu,Yu-Yong Zhang. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Methods for authenticating a user, input devices, and computer-readable media

Номер патента: US20190073462A1. Автор: Rajat Maheshwari. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for controlling display device, display device, and display system

Номер патента: US20200234409A1. Автор: Yutaka Yasuda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for operating non-volatile memory device and applications thereof

Номер патента: US09947403B1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Kai-Chieh Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Driving method for display panel, brightness compensation device, and display device

Номер патента: US20240312435A1. Автор: Haokai WANG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for processing data in storage device and storage device

Номер патента: US09965183B2. Автор: Dong-Jun Shin,Woo-Sung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for operating a handheld screening device and handheld screening device

Номер патента: US09562969B2. Автор: Qi Wang,Miquel Testar,Ralf Boehnke,Marcel Daniel Blech,Furkan DAYI. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Connection method for connecting usb virtual com device and program therefor

Номер патента: US20220245088A1. Автор: Kyosuke Kubota. Владелец: Nidec Sankyo Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Device and method for electrical contacting semiconductor devices for testing

Номер патента: US20080231295A1. Автор: Bernhard Ruf. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Socket board and method for inspecting a semiconductor device

Номер патента: US20240094244A1. Автор: Soichiro Ibaraki,Tsunehiro Kita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for forming resist pattern and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7723016B2. Автор: Ei Yano,Junichi Kon. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-05-25.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Test system and the method for testing a semiconductor device

Номер патента: US11385276B2. Автор: Kunihiko Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-12.

Test system and the method for testing a semiconductor device

Номер патента: US20210255234A1. Автор: Kunihiko Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Apparatus and method for encoding and decoding method device and program

Номер патента: RU2586011C2. Автор: Юки ЯМАМОТО,Тору ТИНЕН. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for transmitting feedback information, terminal device and network device

Номер патента: AU2019426298B2. Автор: Yanan Lin,Zuomin Wu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for calibrating articulated robot, computer device and readable storage medium

Номер патента: WO2024216564A1. Автор: Hao Jiang,Houzhu Ding. Владелец: Flexiv Ltd.. Дата публикации: 2024-10-24.