半导体装置用衬底的制造方法及半导体装置用衬底
Номер патента: CN1229853C
Опубликовано: 30-11-2005
Автор(ы): 佐藤力, 山田敬, 水岛一郎, 永野元, 親松尚人
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-11-2005
Автор(ы): 佐藤力, 山田敬, 水岛一郎, 永野元, 親松尚人
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having a radio frequency circuit and a method for manufacturing the semiconductor device
Номер патента: US20200227309A1. Автор: Yakov Roizin,Alexey Heiman,Alex Sirkis. Владелец: Tower Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2020-07-16.