FinFET low resistivity contact formation method.

FinFET low resistivity contact formation method

Номер патента: US09899521B2
Опубликовано: 20-02-2018
Автор(ы): Chih-Hsin Ko, Ding-Kang SHIH, Sung-Li Wang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Low Resistance Source Drain Contact Formation with Trench Metastable Alloys and Laser Annealing

Номер патента: US20190181012A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Low Resistance Source Drain Contact Formation with Trench Metastable Alloys and Laser Annealing

Low resistance approaches for fabricating contacts and the resulting structures

Номер патента: US12119387B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Arnab SEN GUPTA,Mengcheng Lu,Ryan KEECH,Koustav Ganguly,Jitendra Kumar JHA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09812549B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09450099B1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09935173B1. Автор: Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09779959B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180012769A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Low resistance source drain contact formation

Номер патента: US10381442B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Low resistance source drain contact formation

Номер патента: US09972682B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Low Resistance Source Drain Contact Formation

Номер патента: US20180240875A1. Автор: Yeh Chun-chen,NIIMI Hiroaki,Mochizuki Shogo,Liu Zuoguang,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Graphene layer for low resistance contacts and damascene interconnects

Номер патента: US12136570B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Tzer-Min Shen,Cheng-Ming Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Wei-Yen Woon,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Graphene layer for low resistance contacts and damascene interconnects

Номер патента: US20220285221A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Tzer-Min Shen,Cheng-Ming Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Wei-Yen Woon,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Low resistivity wrap-around contacts

Номер патента: US20180197965A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli,Adra V. Carr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Source/drain contact formation methods and devices

Номер патента: US20230386913A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Yu-Ming Huang,Ken-Yu Chang,Yi-Ying Liu,Ethan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20180286958A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20180294339A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device with low resistivity contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20190097012A1. Автор: Huang-Yi Huang,Chih-Wei Chang,Chun-Wen NIEH,Ching-Hwanq Su,Kan-Ju LIN,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG,Kuan-Yu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Source/Drain Contact Formation Methods and Devices

Номер патента: US20210358804A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Yu-Ming Huang,Ken-Yu Chang,Yi-Ying Liu,Ethan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Source/drain contact formation methods and devices

Номер патента: US11742240B2. Автор: Cheng-Wei Chang,Yu-Ming Huang,Ken-Yu Chang,Yi-Ying Liu,Ethan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Source/drain contact formation methods and devices

Номер патента: US20220189825A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Yu-Ming Huang,Ken-Yu Chang,Yi-Ying Liu,Ethan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Low-resistance and thermally stable contacts with phosphide or arsenide metal compound layers

Номер патента: US20240006506A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Chi-hing Choi,Nazila Haratipour,Nancy Zelick,Christopher Jezewski,Ilya V. Karpov,I-Cheng Tung,Dan S. Lavric,Arnab SEN GUPTA,Jitendra Kumar JHA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20210119012A1. Автор: Li-Te Lin,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Low-Resistance Contact Plugs and Method Forming Same

Номер патента: US20200365450A1. Автор: Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Koh Shao-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075719A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075717A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallice gate structures

Номер патента: US20200075720A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Contact formation for semiconductor device

Номер патента: US9362279B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Kwan-Yong Lim,Andy Wei,Ryan Ryoung-Han Kim,William James Taylor. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Method for filling recessed features in semiconductor devices with a low-resistivity metal

Номер патента: US11024535B2. Автор: Robert Clark,Gerrit Leusink,Kandabara Tapily,David O'Meara,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Nicholas Joy,Gyanaranjan Pattanaik,Takahiro Hakamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Structure and formation method of FinFET device

Номер патента: US09570613B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Kai-Hsuan LEE,Han-Ting Tsai,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20230411492A1. Автор: Chun-Yi Chang,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Wen-Li Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180308928A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-Kung Tsai,Ming-Che Yang,Kuo-Hwa Tzeng,Yong-En Syu,Ke-Dian WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Low Resistance Source Drain Contact Formation with Trench Metastable Alloys and Laser Annealing

Номер патента: US20170213739A1. Автор: Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,NIIMI Hiroaki,Mochizuki Shogo,Liu Zuoguang,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Low Resistance Source Drain Contact Formation

Номер патента: US20170213889A1. Автор: Yeh Chun-chen,NIIMI Hiroaki,Mochizuki Shogo,Liu Zuoguang,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

High-reliability, low-resistance contacts for nanoscale transistors

Номер патента: US09685555B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09786751B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09496394B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Contact formation method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US8575023B2. Автор: Tadahiro Ohmi,Hiroaki Tanaka,Akinobu Teramoto,Tatsunori Isogai. Владелец: Foundation for Advancement of International Science. Дата публикации: 2013-11-05.

Low resistance sinker contact

Номер патента: US09991350B2. Автор: Peng Hu,HONG Yang,Seetharaman Sridhar,Zachary K. Lee,Yunlong Liu,Yufei Xiong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Preventing leakage inside air-gap spacer during contact formation

Номер патента: US09589833B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Sige:gab source or drain structures with low resistivity

Номер патента: US20230420456A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Anand S. Murthy,Chi-hing Choi,Pratik Patel,Harold W. KENNEL,Anant H. JAHAGIRDAR,Debaleena Nandi,Imola ZIGONEANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Sige:gab source or drain structures with low resistivity

Номер патента: EP4300591A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Anand Murthy,Chi-hing Choi,Pratik Patel,Harold W. KENNEL,Anant H. JAHAGIRDAR,Debaleena Nandi,Imola ZIGONEANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20200411361A1. Автор: ZHANG CHENGLONG,CUI Long. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor structure and method formation method thereof

Номер патента: US20200411652A1. Автор: Hong Zhongshan,Wang Yan,Fu Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type IV semiconductor elements

Номер патента: US12062614B2. Автор: Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Paul M. Solomon,Jeng-Bang Yau,Ahmet S. Ozcan,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type iv semiconductor elements

Номер патента: US20210193576A1. Автор: Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Paul M. Solomon,Jeng-Bang Yau,Ahmet S. Ozcan,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type iv semiconductor elements

Номер патента: US20190157203A1. Автор: Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Paul M. Solomon,Jeng-Bang Yau,Ahmet S. Ozcan,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type iv semiconductor elements

Номер патента: US20190067198A1. Автор: Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Paul M. Solomon,Jeng-Bang Yau,Ahmet S. Ozcan,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type IV semiconductor elements

Номер патента: US11862567B2. Автор: Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Paul M. Solomon,Jeng-Bang Yau,Ahmet S. Ozcan,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Titanium contact formation

Номер патента: US20230193473A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Anand Murthy,Nazila Haratipour,Debaleena Nandi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US09406568B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type iv semiconductor elements

Номер патента: US20180068950A1. Автор: Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Paul M. Solomon,Jeng-Bang Yau,Ahmet S. Ozcan,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Low Resistant Contact Method and Structure

Номер патента: US20200119152A1. Автор: Lin Yu-Ting,Wang Yu-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type iv semiconductor elements

LOW RESISTANCE CONTACTS INCLUDING INTERMETALLIC ALLOY OF NICKEL, PLATINUM, TITANIUM, ALUMINUM AND TYPE IV SEMICONDUCTOR ELEMENTS

Номер патента: US20210193576A1. Автор: Ozcan Ahmet S.,Chu Jack O.,Yau Jeng-Bang,Bruley John,Lee Kam-Leung,Solomon Paul M.. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Methods of forming low resistance contacts

Номер патента: US20150243565A1. Автор: Hung-Chang Hsu,Wei-Jung Lin,Mei-Yun Wang,Chen-Ming Lee,Chun-Wen NIEH,Yan-Ming Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Methods of forming low resistance contacts

Номер патента: US9520327B2. Автор: Hung-Chang Hsu,Wei-Jung Lin,Mei-Yun Wang,Chen-Ming Lee,Chun-Wen NIEH,Yan-Ming Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods of forming low resistance contacts

Номер патента: US9165838B2. Автор: Hung-Chang Hsu,Wei-Jung Lin,Mei-Yun Wang,Chen-Ming Lee,Chun-Wen NIEH,Yan-Ming Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US9768173B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US20160336323A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Method for controlling resistivity and crystallinity of low-resistance material through pvd

Номер патента: US20240355626A1. Автор: Takahiro Nakayama,Tomohiro Saitou,Do Hyun Oh,Chang Min SHIM,Hang KANG,Byeong Hwa JEONG. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing stable, low resistance contacts in integrated semiconductor circuits

Номер патента: US4562640A. Автор: Dietrich Widmann,Reiner Sigusch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-01-07.

Forming low-resistance contact to silicon

Номер патента: US4502209A. Автор: Shyam P. Murarka,Moshe Eizenberg. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1985-03-05.

Semiconductor structures having low resistance paths throughout a wafer

Номер патента: US09620371B2. Автор: Eric J. White,Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,Thomas J. Hartswick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for forming tungsten film having low resistivity, low roughness and high reflectivity

Номер патента: US09589835B2. Автор: Raashina Humayun,Anand Chandrashekar. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structures having low resistance paths throughout a wafer

Номер патента: US09478427B2. Автор: Eric J. White,Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,Thomas J. Hartswick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for depositing extremely low resistivity tungsten

Номер патента: US09589808B2. Автор: Raashina Humayun,Deqi Wang,Hanna Bamnolker,Yan Guan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Low resistivity films containing molybdenum

Номер патента: US20240297075A1. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Shruti Vivek Thombare,Patrick A. Van Cleemput,Joshua Collins,Hanna Bamnolker,Gorun Butail,Chiukin Steven Lai,Griffin John Kennedy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structures having low resistance paths throughout a wafer

Номер патента: US10438803B2. Автор: Eric J. White,Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,Thomas J. Hartswick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Method for forming low resistance and low defect density tungsten contacts to silicon semiconductor wafer

Номер патента: US5250467A. Автор: Sasson Somekh,Mei Chang,Jaim Nulman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1993-10-05.

Method for forming low resistance and low defect density tungsten contacts to silicon semiconductor wafer

Номер патента: US5356835A. Автор: Sasson Somekh,Mei Chang,Jaim Nulman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1994-10-18.

Methods of Performing Selective Low Resistivity Ru Atomic Layer Deposition and Interconnect Formed Using the Same

Номер патента: US20220189763A1. Автор: Victor Wang,Andrew Kummel,Michael Breeden. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-06-16.

Low resistance gate oxide metallization liner

Номер патента: US20230290639A1. Автор: YU PAN,Lawrence Schloss,Anand Chandrashekar,Juwen Gao,Stephanie Noelle Sandra Sawant-Goubert. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Low resistivity films containing molybdenum

Номер патента: US20200075403A1. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Shruti Vivek Thombare,Patrick A. Van Cleemput,Joshua Collins,Hanna Bamnolker,Gorun Butail,Chiukin Steven Lai,Griffin John Kennedy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US10727321B2. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170133490A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170084499A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20160351700A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20180308956A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US9899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20240274691A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09673331B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09614089B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09559205B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09553090B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20200066873A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20190109206A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Structure and formation method of semiconductor device with power rail

Номер патента: US20240021708A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Lin-Yu HUANG,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US10505023B2. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20200343362A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Structure and formation method of interconnection structure of semiconductor device

Номер патента: US20180033687A1. Автор: Huang-Yi Huang,Sung-Li Wang,Yee-Chia Yeo,Chih-Wei Chang,Cheng-Tung Lin,Jyh-Cherng Sheu,Chi-On CHUI,Yida Li,Pei-Wen WU,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20200343360A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20200402845A1. Автор: LIU JIQUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device with Gate Stack

Номер патента: US20210028296A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Sheng-Chi Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20190305113A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20220359726A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20170033194A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US20230378253A1. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US12002872B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Low-resistance contact plugs and method forming same

Номер патента: US12068191B2. Автор: Fu-Kai Yang,Shao-Ming Koh,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US09960240B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Low-resistance contact plugs and method forming same

Номер патента: US10153198B2. Автор: Fu-Kai Yang,Shao-Ming Koh,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US20170117224A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US20170117226A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Low-Resistance Contact Plugs and Method Forming the Same

Номер патента: US20190115249A1. Автор: Fu-Kai Yang,Shao-Ming Koh,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Low resistance contact for semiconductor devices

Номер патента: US20160268377A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US10032721B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Low-resistance contact plugs and method forming same

Номер патента: KR102010133B1. Автор: 첸-밍 리,푸-카이 양,샤오-밍 고. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-08-12.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US10355094B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Method of forming low-resistance contact plugs

Номер патента: TWI669783B. Автор: 李振銘,楊復凱,許劭銘. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2019-08-21.

Contact formation method and related structure

Номер патента: US20230326986A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method and structure of forming low resistance interconnects

Номер патента: US09875966B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Resist stripper composition and pattern formation method using same

Номер патента: US20240241447A1. Автор: Jeong Hyun Kim,Hyung Jin Cho,Sung Sik Kim,Han Byeol KANG,Soon Hong Pang. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Structure and formation method of damascene structure

Номер патента: US09721836B2. Автор: Chia-Tien Wu,Jye-Yen Cheng,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Formation method of contact/ through hole

Номер патента: US6001734A. Автор: John Mark Drynan. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Structure and formation method of dual damascene structure

Номер патента: US20200294849A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Film formation method and film formation apparatus

Номер патента: US20230035284A1. Автор: Kazuki DEMPOH. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Low resistivity contacts and interconnects

Номер патента: US20230326790A1. Автор: Raihan M. Tarafdar,Chiukin Steven Lai,Jeong-Seok Na. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW RESISTANCE CONTACT

Номер патента: US20190157456A1. Автор: CHEN Chia-Cheng,LIU Su-Hao,Chen Kuo-Ju,Chen Liang-Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-23.

FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW RESISTANCE CONTACT

Номер патента: US20200266299A1. Автор: CHEN Chia-Cheng,LIU Su-Hao,Chen Kuo-Ju,Chen Liang-Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-08-20.

Formation method of semiconductor device with low resistance contact

Номер патента: US11049972B2. Автор: Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Integrated circuits having low resistivity contacts and the formation thereof using an in situ plasma doping and clean

Номер патента: US6921708B1. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-26.

Low resistivity contacts and interconnects

Номер патента: KR20230027036A. Автор: 치우킨 스티븐 라이,라이한 엠. 타라프다,정-석 나. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-02-27.

Contact formation on germanium-containing substrates using hydrogenated silicon

Номер патента: US20170352738A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Preventing leakage inside air-gap spacer during contact formation

Номер патента: US09799746B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Use of a placeholder for backside contact formation for transistor arrangements

Номер патента: EP3993062A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer

Номер патента: US20090170252A1. Автор: Takashi Nakagawa,Toru Tatsumi,Kensuke Takahashi,Kenzo Manabe,Makiko Oshida,Nobuyuki Ikarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Integrated structure with trap rich regions and low resistivity regions

Номер патента: EP4447124A2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Crystal R. Kenney. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Source or drain structures with low resistivity

Номер патента: US12027585B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Suresh Vishwanath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Low resistivity polycrystalline based substrate or wafer

Номер патента: US20240332365A1. Автор: Carlo Riva,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated structure with trap rich regions and low resistivity regions

Номер патента: EP4369385A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Crystal R. Kenney. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Integrated structure with trap rich regions and low resistivity regions

Номер патента: US20240162232A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Crystal R. Kenney. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for tuning metal gate work function before contact formation in fin-shaped field effect transistor manufacturing process

Номер патента: US9576803B2. Автор: Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Yun Tzu Chang,Fang-Yi Liu,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device having a low-resistance gate electrode

Номер патента: US20050020045A1. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Tetsuya Taguwa. Дата публикации: 2005-01-27.

Source or drain structures with low resistivity

Номер патента: US20230197785A1. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Suresh Vishwanath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09721805B1. Автор: Yi-Wei Chiu,Tzu-Chan Weng,Chen-Wei Pan,Chia-Hui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Metal replacement process for low resistance source contacts in 3d nand

Номер патента: WO2015134632A1. Автор: Johann Alsmeier,Akira MATSUDAIRA,Jayavel Pachamuthu,Matthias Baenninger. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-09-11.

Film formation method, thin-film transistor and solar battery

Номер патента: US20090140257A1. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Film formation method, thin-film transistor and solar battery

Номер патента: US7833826B2. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US12087643B2. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US20240363439A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Structure and formation method of finFET device

Номер патента: US09761723B2. Автор: Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US09502538B2. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Structure and formation method of FinFET device

Номер патента: US09496264B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Kai-Hsuan LEE,Han-Ting Tsai,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US09490365B2. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device with Fin Structures

Номер патента: US20210375697A1. Автор: Hsing-Hui Hsu,Po-Nien Chen,Yi-Hsuan CHUNG,Bo-Shiuan Shie,Chih-Yung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Structure and formation method of semiconductor device with fin structures

Номер патента: US11942375B2. Автор: Hsing-Hui Hsu,Po-Nien Chen,Yi-Hsuan CHUNG,Bo-Shiuan Shie,Chih-Yung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20160372549A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US20200266110A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US20230253262A9. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US20170076994A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of forming low resistance vias

Номер патента: WO2002103783A3. Автор: Minh Van Ngo,Robert A Huertas,Drawn Hopper. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-08-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure with through semiconductor via

Номер патента: US20240379361A1. Автор: Dian-Hau Chen,Tsung-Chieh Hsiao,Liang-Wei WANG,Chih-Chuan SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure and its formation method

Номер патента: US20220084818A1. Автор: JIANG Chu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Pattern formation method and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210193480A1. Автор: Wen-Yen Chen,Chih-hao Chen,Ying-Hao Wu,Shih-Hua Tseng,Yi-Chang Lee,Shu-Huei Suen,Jiann-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Metal nanodot formation method, metal nanodot formation apparatus and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09932669B2. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Film formation method and film formation device

Номер патента: US20230369041A1. Автор: Yumiko Kawano,Shinichi Ike,Shuji Azumo,Taiki KATO,Zeyuan NI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Organic insulation film formation method

Номер патента: US20030132194A1. Автор: Michihisa Kohno. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Structure and formation method for chip package

Номер патента: US09711458B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Pattern formation method that includes partially removing line and space pattern

Номер патента: US09502306B2. Автор: Tadashi Arai,Koichiro Tsujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Formation method of semiconductor device structure using multilayer resist layer

Номер патента: US20180269102A1. Автор: Wen-Yen Chen,Yi-Wei Chiu,Chih-hao Chen,Po-Ju Chen,Fang-Yi WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor structure and its formation method

Номер патента: US11978624B2. Автор: JIANG Chu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Selective thin film formation method and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240145303A1. Автор: Younjoung CHO,Byungkeun Hwang,Sunhye HWANG,Hyeonggeun LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Low resistance contact structure and formation method thereof

Номер патента: CN102270581A. Автор: 甯德雄,章贞. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

FinFet Low Resistivity Contact Formation Method

Номер патента: US20170170061A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,Lin Chin-Hsiang,Sun Sey-Ping,WANG Sung-Li,Shih Ding-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Fabrication of group iii-v compound semiconductor devices having high and low resistivity regions

Номер патента: WO1985002495A1. Автор: Philip John Anthony,Bertram Schwartz,Louis Alex Koszi,Robert Louis Hartman. Владелец: American Telephone & Telegraph Company. Дата публикации: 1985-06-06.

Low resistivity ohmic contact

Номер патента: US20150200098A1. Автор: Ian Patrick Wellenius,Allen L. Gray,Jason D. Reed,Jaime A. RUMSEY,Ronald R. Hess,Arthur Prejs. Владелец: Phononic Devices Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Film formation method and apparatus for semiconductor process

Номер патента: US09580802B2. Автор: Hitoshi Kato,Kohichi Orito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US12080589B2. Автор: Hong Lin,Weijun Wang. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

LOW RESISTANCE CONTACT FOR TRANSISTORS

Номер патента: US20200013868A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Li Baozhen,Wang Junli,Sheets,II John E.,Peterson Kirk D.,Spooner Terry A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW RESISTIVITY CONTACT STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190097012A1. Автор: CHANG CHIH-WEI,NIEH Chun-Wen,Su Ching-Hwanq,Huang Huang-Yi,Hung Min-Hsiu,CHAO Yi-Hsiang,YEH Kuan-Yu,LIN Kan-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170117371A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

GRAPHENE LAYER FOR LOW RESISTANCE CONTACTS AND DAMASCENE INTERCONNECTS

Номер патента: US20220285221A1. Автор: Shen Tzer-Min,LIN Cheng-Ming,LIN HAN-YU,KHADERBAD Mrunal Abhijith,HUANG Jhih-Rong,Woon Wei-Yen,Chen Szu-Hua. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-09-08.

LOW RESISTANT CONTACT METHOD AND STRUCTURE

Номер патента: US20180151679A1. Автор: Lin Yu-Ting,Wang Yu-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW RESISTIVITY CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20200335597A1. Автор: CHANG CHIH-WEI,NIEH Chun-Wen,Su Ching-Hwanq,Huang Huang-Yi,Hung Min-Hsiu,CHAO Yi-Hsiang,YEH Kuan-Yu,LIN Kan-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Method of forming self-aligned LDD structures and low resistance contacts in thin film transistor technology devices

Номер патента: EP0632492A2. Автор: Robert Louis Hodges,Ravishankar Sundaresan. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1995-01-04.

Method for production of integrated circuit with low-resistance contacts

Номер патента: EP2230684B1. Автор: Franz Hofmann,Michael Specht,Richard Johannes Luyken,Wolfgang Rosner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-10-30.

Self-aligned silicone process for low resistivity contacts to thin film silicon-on-insulator mosfets

Номер патента: US20020031909A1. Автор: Guy Cohen,Ronnen Roy,Paul Solomon,Kevin Chan,Christian Lavoie,Cyril Cabral. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Controlled contact formation process

Номер патента: US20120112290A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Rajasekhar Venigalla,Henry K. Utomo,Unoh Kwon,Viraj Yashawant Sardesai,Dimitri Anastassios Levedakis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Contact formation method and related structure

Номер патента: US11915971B2. Автор: Mei-Yun Wang,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Wang-Jung HSUEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Contact formation method and related structure

Номер патента: US20240194520A1. Автор: Mei-Yun Wang,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Wang-Jung HSUEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Contact formation method and related structure

Номер патента: KR102058566B1. Автор: 메이-윤 왕,차오-순 왕,왕-중 수에,쿠오-이 차오. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-12-24.

Structure and formation method of semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200058793A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor devices with low resistance back-side coupling

Номер патента: US20110291278A1. Автор: Edouard de Fresart,Robert W. Baird. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-01.

Methods for Forming Low Resistivity Contacts

Номер патента: US20240105444A1. Автор: Jiang Lu,Xianmin Tang,Shih Chung CHEN,Rongjun Wang,Liqi Wu,Weifeng Ye,Yiyang WAN,Shumao ZHANG,Jianqiu Guo,Wei Dou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods for forming low resistivity contacts

Номер патента: WO2024072680A1. Автор: Jiang Lu,Xianmin Tang,Shih Chung CHEN,Rongjun Wang,Liqi Wu,Weifeng Ye,Yiyang WAN,Shumao ZHANG,Jianqiu Guo,Wei Dou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Low resistance contact for semiconductor devices

Номер патента: US09799747B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods for forming low-resistance contacts through integrated process flow systems

Номер патента: US09947578B2. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Mei Chang,Kai Wu,Kazuya DAITO,Sundar Ramamurthy,Pulkit Agarwal,Dien-Yeh Wu,Vikash Banthia,Wei V. Tang,Xinyu Fu,Guoqiang JIAN,Feiyue Ma,Chi-Chou Lin,Jonathan BAKKE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of making a low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface, an amorphous titanium nitride barrier layer and a conductive plug

Номер патента: US5723382A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Tyler A. Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-03.

Low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface and an amorphous titanium carbonitride barrier layer

Номер патента: US6881667B2. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-04-19.

Contact Formation Method and Related Structure

Номер патента: US20240332374A1. Автор: Chi-Cheng Hung,Pei Shan Chang,Pei-Wen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Low resistance contact between integrated circuit metal levels and method for same

Номер патента: US5904565A. Автор: Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen. Владелец: Sharp Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 1999-05-18.

Middle of the line (mol) contact formation method and structure

Номер патента: US20180240703A1. Автор: Xiaobo Chen,Xusheng Wu,Guoliang Zhu,Wenhe Lin,Sipeng Gu,Xinyuan Dou,Jeffrey Chee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

METHOD AND APPARATUS FOR LOW RESISTANCE CONTACT INTERCONNECTION

Номер патента: US20210123139A1. Автор: Zhou Chunming,Hou Wenting,Kesapragada Sree Rangasai. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES INCLUDING A COPPER FILL FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170117225A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface and an amorphous titanium carbonitride barrier layer

Номер патента: US6903010B2. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Method of forming low-resistance contacts with pre-ohmic regions of n and p types in integrated circuits

Номер патента: FR2641126A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-06-29.

Manufacturing process of low resistance contacts at the transition between areas with different types of conductors

Номер патента: DE69419806T2. Автор: Robert Louis Hodges. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-01-13.

Low resistance contact structure and fabrication thereof

Номер патента: CN101542710B. Автор: 黄洸汉,P·W·德哈文,S·V·德什潘德,A·马丹. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-18.

Method of producing low resistance contacts between integrated circuit metal levels and structure produced thereby.

Номер патента: EP0892428A2. Автор: Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen. Владелец: Sharp Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 1999-01-20.

Low resistance contact for semiconductor devices

Номер патента: DE102016104446B4. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Method and apparatus for low resistance contact interconnection

Номер патента: WO2021086577A1. Автор: Wenting Hou,Chunming Zhou,Sree Rangasai KESAPRAGADA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-05-06.

Method and apparatus for low resistance contact interconnection

Номер патента: EP4052285A4. Автор: Wenting Hou,Chunming Zhou,Sree Rangasai KESAPRAGADA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Integrating Junction Formation of Transistors with Contact Formation

Номер патента: US20150044842A1. Автор: TSAI Teng-Chun,CHANG Huicheng,Wang Li-Ting,Chen Chi-Yuan,Lin Chun-Hsiung,LIN CHENG-TUNG,Lee Hong-Mao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-02-12.

Low resistivity gapfill

Номер патента: US20240175120A1. Автор: Zhen Liu,Rongjun Wang,Tsung-Han Yang,Wenting Hou,Yongqian Gao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Low resistivity gapfill

Номер патента: WO2024118370A1. Автор: Zhen Liu,Rongjun Wang,Tsung-Han Yang,Wenting Hou,Yongqian Gao. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-06.

Middle of the line (mol) contact formation method and structure

Metal contact formation method

Номер патента: KR970052233A. Автор: 김정태. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-29.

Contact formation method of semiconductor element

Номер патента: JP3947990B2. Автор: ホン、ジェオン−エウイ. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-25.

Gate resistance reduction through low-resistivity conductive layer

Номер патента: US11916146B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsien-Ming Lee,Kuo-Chan Huang,Po-Cheng Chen,Chung-Chiang WU,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Gate resistance reduction through low-resistivity conductive layer

Номер патента: US20240162349A1. Автор: Chien-Hao Chen,Hsien-Ming Lee,Kuo-Chan Huang,Po-Cheng Chen,Chung-Chiang WU,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Low capacitance and low resistance devices

Номер патента: US20240339527A1. Автор: John J. Pekarik,Judson R. Holt,Souvick Mitra,Anindya Nath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Low capacitance and low resistance devices

Номер патента: EP4443518A1. Автор: John J. Pekarik,Judson R. Holt,Souvick Mitra,Anindya Nath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Structure and formation method of semiconductor device with semiconductor nanostructure

Номер патента: US20240313048A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with high-resistance polysilicon resistor formation method

Номер патента: US20220406771A1. Автор: Heuiseung LEE,Jungmun JUNG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09876117B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09660025B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US09490346B2. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Structure and formation method of device with ferroelectric layer

Номер патента: US20230352296A1. Автор: Oreste Madia,Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor structure formation method and mask

Номер патента: US11810787B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US20170365705A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170062561A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170207339A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure with nanowire

Номер патента: US20190140105A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Stefan Rusu,Wilman Tsai,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Memory and formation method thereof

Номер патента: US11894420B2. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Formation method and structure of semiconductor device with source/drain structures

Номер патента: US20180294357A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Memory and formation method thereof

Номер патента: US20210359084A1. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Self-aligned contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR100284535B1. Автор: 이재구,조창현,이규현,정상섭. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-04-02.

Contact formation method for semiconductor device

Номер патента: JP4027519B2. Автор: 金正錫,朴柱▲うく▼. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-26.

Contact formation method for semiconductor device

Номер патента: JP4046436B2. Автор: 有哲申. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-13.

Contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR940022801A. Автор: 김헌도. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-10-21.

Semiconductor device with low resistance contacts

Номер патента: US20060017110A1. Автор: William Taylor,Olubunmi Adetutu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Interruption layer fill for low resistance contacts

Номер патента: WO2024228761A1. Автор: Wei Lei,Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Tuerxun Ailihumaer,Sahil Jaykumar Patel. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-11-07.

Interruption layer fill for low resistance contacts

Номер патента: US20240371771A1. Автор: Wei Lei,Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Tuerxun Ailihumaer,Sahil Jaykumar Patel. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Oxidizing methods for making low resistance source/drain germanium contacts

Номер патента: US5516724A. Автор: William Edwards,Dieter E. Ast. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 1996-05-14.

Methods for forming low resistivity interconnects

Номер патента: US09812328B2. Автор: Er-Xuan Ping,Sundar Ramamurthy,Xianmin Tang,Kaushal K. Singh,Randhir Thakur. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Metallization stack structure to improve electromigration resistance and keep low resistivity of ULSI interconnects

Номер патента: US6023100A. Автор: Jiang Tao,Peng Fang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Semiconductor contact formation system and method

Номер патента: US20090294969A1. Автор: Kouros Ghandehari,Wenmei Li,Angela T. Hui,Dawn Hopper. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Three-dimensional multilayer memory with interconnection of low-resistance silicides and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349496A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Low-resistivity metallic interconnect structures with self-forming diffusion barrier layers

Номер патента: EP4443499A2. Автор: Chih-Chao Yang,Takeshi Nogami,Cornelius Brown Peethala,Hari Prasad Amanapu,Raghuveer Reddy PATLOLLA. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-10-09.

Self-aligned low resistance metallic interconnect structures

Номер патента: US09793156B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming low-resistivity ru ald through a bi-layer process and related structures

Номер патента: US20230175133A1. Автор: Mansour Moinpour,Harsono Simka,Victor Wang,Ravindra Kanjolia,Andrew Kummel,Michael Breeden. Владелец: EMD Performance Materials Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Low resistance multi-layer electrode for phase change memory and methods of making the same

Номер патента: US11758831B2. Автор: Takashi Kobayashi,Takuya Futase. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for depositing a low-resistivity titanium-oxynitride (TiON) film that provides for good texture of a subsequently deposited conductor layer

Номер патента: US6107195A. Автор: Vu Bui,Bruce David Gittleman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2000-08-22.

Wordline contact formation for nand device

Номер патента: US20240186178A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Changwoo SUN,HsiangYu LEE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Providing a low resistance to integrated circuit devices

Номер патента: WO1995023429A1. Автор: Michael J. Grubisich. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1995-08-31.

Wordline contact formation for nand device

Номер патента: WO2024118804A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Changwoo SUN,HsiangYu LEE. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09905633B1. Автор: Chi-Han YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09768064B1. Автор: Chun-Wei Hsu,Chi-Jen Liu,Yi-Sheng Lin,Liang-Guang Chen,Cheng-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Low resistance line

Номер патента: CA1161958A. Автор: Ulrich Schwabe,Karlheinrich Horninger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-02-07.

Low resistance crosspoint architecture

Номер патента: US11882774B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Josiah Jebaraj Johnley Muthuraj,Tao Nguyen,Patrick M. Flynn,Kevin Lee Baker,Efe Sinan Ege,Davis Weymann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Low resistance crosspoint architecture

Номер патента: US20210151675A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Josiah Jebaraj Johnley Muthuraj,Tao Nguyen,Patrick M. Flynn,Kevin Lee Baker,Efe Sinan Ege,Davis Weymann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Low resistance crosspoint architecture

Номер патента: EP4059065A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Josiah Jebaraj Johnley Muthuraj,Tao Nguyen,Patrick M. Flynn,Kevin Lee Baker,Efe Sinan Ege,Davis Weymann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09865539B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Cheng-Chi Chuang,Jian-Hua Chen,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Structure and formation method of package with hybrid interconnection

Номер патента: US20240114703A1. Автор: Chen-Hua Yu,Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Structure and formation method of package with integrated chips

Номер патента: US20240266340A1. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US20220020632A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US12033920B2. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Deposited film formation method utilizing selective deposition by use of alkyl aluminium hydride.

Номер патента: MY107418A. Автор: MASU Kazuya,Mikoshiba Nobuo,Tsubouchi Kazuo. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 1995-12-30.

Deposited film formation method utilizing selective deposition by use of alkyl aluminium

Номер патента: SG45388A1. Автор: Nobuo Mikoshiba,Kazuo Tsubouchi,Kazuya Masu. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 1998-01-16.

Device formation method for preventing pattern shift caused by glass layer reflow

Номер патента: US20020025647A1. Автор: Sung-Kwon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US12087617B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Pattern formation method and material for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20200004151A1. Автор: Ching-Yu Chang,Yen-Hao Chen,Chien-Wei Wang,Shang-Wern Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US20160064385A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Structure and formation method of package structure with stacked semiconductor dies

Номер патента: US20200035618A1. Автор: Szu-Wei Lu,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Structure and formation method of chip package with fan-out feature

Номер патента: US11784091B2. Автор: Cheng-Lin Huang,Jung-Hua Chang,Ling-Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Hole formation method, multilayer wiring, semiconductor device, display element, image display device, and system containing via hole formed by the hole formation method

Номер патента: US20120206068A1. Автор: Kazuhiro Murata,Yuki Nakamura,Kazuyuki Masuda,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda. Владелец: Sijtechnology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210166943A1. Автор: Wang Wei,He Qiyang,Su Bo,SUN Linlin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Hole formation method, multilayer wiring, semiconductor device, display element, image display device, and system containing via hole formed by the hole formation method

Номер патента: US8956969B2. Автор: Kazuhiro Murata,Yuki Nakamura,Kazuyuki Masuda,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda. Владелец: Sijtechnology Inc. Дата публикации: 2015-02-17.

Pattern formation method

Номер патента: US20150011089A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Mitsuhiro Omura,Hisataka Hayashi,Tsubasa IMAMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20220051968A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Film formation method and film formation device

Номер патента: US20220181144A1. Автор: Yumiko Kawano,Shinichi Ike,Shuji Azumo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Structure and formation method of semiconductor device with conductive bumps

Номер патента: US11854964B2. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US11984352B2. Автор: Jun Xia,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Film formation method

Номер патента: US20240030025A1. Автор: Yumiko Kawano,Shinichi Ike,Shuji Azumo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Structure and formation method of interconnection structure of semiconductor device

Номер патента: US20190027406A1. Автор: Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Structure and formation method of interconnection structure of semiconductor device structure

Номер патента: US20180261501A1. Автор: Chang-Ming Wu,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Low-Resistance Contact Plugs and Method Forming Same

Номер патента: US20180294184A1. Автор: Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Koh Shao-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Integrated circuit having buried oxide isolation and low resistivity substrate for power supply interconnection

Номер патента: US4631570A. Автор: Mark S. Birrittella,Robert H. Reuss,Walter C. Seelbach. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1986-12-23.

Low resistivity copper conductor line, liquid crystal display device having the same and method for forming the same

Номер патента: US20030171003A1. Автор: Jae-Jeong Kim,Yong-Shik Kim,Soo-Kil Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Memory and formation method thereof

Номер патента: US20210375869A1. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Improved low resistance contacts for semiconductor devices

Номер патента: EP4085479A1. Автор: Karim Huet,Ray Duffy,Maryam Shayesteh. Владелец: Laser Systems & Solutions Of Europe Lasse Screen Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Low resistance contacts for semiconductor devices

Номер патента: US09607858B2. Автор: Karim Huet,Ray Duffy,Maryam Shayesteh. Владелец: Laser Systems & Solutions Of Europe (lasse) Screen Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Low resistance contact semiconductor device structure

Номер патента: TW200735230A. Автор: Dureseti Chidambarrao,William K Henson. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-09-16.

Improved low resistance contacts for semiconductor devices

Номер патента: SG11201505963SA. Автор: Karim Huet,Ray Duffy,Maryam Shayesteh. Владелец: Univ College Cork Nat Univ Ie. Дата публикации: 2015-08-28.

LOW RESISTANCE CONTACTS INCLUDING INTERMETALLIC ALLOY OF NICKEL, PLATINUM, TITANIUM, ALUMINUM AND TYPE IV SEMICONDUCTOR ELEMENTS

Номер патента: US20190067198A1. Автор: Ozcan Ahmet S.,Chu Jack O.,Yau Jeng-Bang,Bruley John,Lee Kam-Leung,Solomon Paul M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Ultra-Low Resistivity Contacts

Номер патента: US20140264825A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of forming self-aligned low resistance contact layer

Номер патента: US20100035399A1. Автор: Sean King,Ravi Pillarisetty,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Jason W. Klaus,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Selective low-temperature ohmic contact formation method for ⅲ-nitride heterostructure device

Номер патента: KR101913387B1. Автор: 이정엽,황인준,양우영,선우문욱,박용영,문창렬,오재준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-10-30.

A low resistance embedded strap for a trench capacitor

Номер патента: GB2497201B. Автор: Geng Wang,Werner Rausch,Chengwen Pei,Karen Nummy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

ONO formation method

Номер патента: US20050233528A1. Автор: Fuja Shone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Integrated circuit and formation method thereof

Номер патента: US20240258435A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stacks

Номер патента: US20180040613A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Methods of fabricating semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices

Номер патента: US09984881B2. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

LOW RESISTANCE CONTACT FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160300925A1. Автор: Wacaser Brent A.,Sadana Devendra K.,Kim Jeehwan,Fogel Keith E.,de Souza Joel P.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Methods of fabricating semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices

Номер патента: KR101344972B1. Автор: 스콧 티. 셰파드,알렉산더 브이. 수보로브. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-12-24.

Low-resistance and thermally stable contacts with boride, indium, or gallium metal compound layers

Номер патента: US20240006533A1. Автор: Gilbert Dewey,Siddharth Chouksey,Chi-hing Choi,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Nancy Zelick,Christopher Jezewski,Ilya V. Karpov,I-Cheng Tung,Dan S. Lavric,Arnab SEN GUPTA,Jitendra Kumar JHA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Low resistance polysilicon strap

Номер патента: US9236498B1. Автор: Anirban Roy,Craig T. Swift. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-01-12.

Low Resistance Polysilicon Strap

Номер патента: US20160087057A1. Автор: Anirban Roy,Craig T. Swift. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-24.

Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070187760A1. Автор: Hiroshi Furuta,Hiromitsu Ishii,Takashi Hirao,Motohiko Yoshida,Mamoru Furuta,Takahiro Hiramatsu,Hitoshi Hokari,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Kochi Ind Promotion Center. Дата публикации: 2007-08-16.

Thin film transistors with oxide semiconductor having low resistance patterns with oxygen deficiencies

Номер патента: US09406700B2. Автор: Hiroshi Okumura,Je-Hun Lee,Jin-Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Low resistivity epitaxially formed contact region for nanosheet external resistance reduction

Номер патента: US20210091230A1. Автор: LAN Yu,Oleg Gluschenkov,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Multiple fin finfet with low-resistance gate structure

Номер патента: US20200286998A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US20230268409A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Chi On Chui,Chih-Wei Lee,Jo-Chun Hung,Hsin-Han Tsai,Hsiang-Ju LIAO,Yi-Lun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20230307523A1. Автор: Chih-Hao Chang,Pin-Chun SHEN,Shih-Hsun Chang,Jen-Hsiang Lu,Li-Ying WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Active region array formation method

Номер патента: US12100594B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US09780087B2. Автор: Mengfeng Tsai,Buxin ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09735267B1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-15.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09577078B1. Автор: Samuel C. Pan,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH,yu-bin Zhao. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Structure and formation method of semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US20240055478A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Structure and formation method of semiconductor device with epitaxial structures

Номер патента: US20230378268A1. Автор: Chien-Tai CHAN,Yu-Ching Huang,Chien-Chih Lin,Hsueh-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Structure and formation method of semiconductor device with epitaxial structures

Номер патента: US20230369131A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Tun-Jen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230411469A1. Автор: Han Wang,Weihai Bu. Владелец: Semiconductor Technology Innovation Center Beijing Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Transistor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240105846A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu,Wen-Hsien TU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240203877A1. Автор: BO Su,Hailong Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170222044A1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-03.

CMOS STRUCTURE HAVING LOW RESISTANCE CONTACTS AND FABRICATION METHOD

Номер патента: US20150243660A1. Автор: Liu Qing,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR100587036B1. Автор: 정성웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-07.

Contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR100461335B1. Автор: 조영만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-04-06.

Bit line contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR100546210B1. Автор: 심재영,문성열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-01-24.

Wordline contact formation for nand device

Номер патента: WO2024226379A1. Автор: Pradeep K. Subrahmanyan,Hsiang Yu Lee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Heterostructure formation method

Номер патента: RU2698538C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-08-28.

Formation method of semiconductor device structure using patterning stacks

Номер патента: US09978594B1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Li-Yen Lin,Kuei-Shun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Pattern formation method, pattern, and etching method, electronic device manufacturing method, and electronic device using same

Номер патента: US09880472B2. Автор: Keita Kato,Ryosuke Ueba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Pattern formation method, etching method, electronic device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US09810981B2. Автор: Keita Kato,Tsukasa Yamanaka,Naoya Iguchi,Michihiro Shirakawa,Naohiro Tango,Ryosuke Ueba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Pattern formation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11735431B2. Автор: Yusuke KASAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Film formation method and plasma processing method

Номер патента: US20240355616A1. Автор: Kiyohiko Satoh. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Pattern formation method and replica template

Номер патента: US20240201582A1. Автор: Ryo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Film formation method and film formation apparatus

Номер патента: US20240258086A1. Автор: Hiroki ARAI,Tadashi MITSUNARI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Pattern formation method

Номер патента: US09640410B2. Автор: Yuriko Seino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Silicon oxynitride formation method

Номер патента: RU2770173C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2022-04-14.

Pattern formation method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11521855B2. Автор: Koji Asakawa,Ryosuke Yamamoto,Ayaka SUKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Pattern-formation methods

Номер патента: US20180188654A1. Автор: Mingqi Li,Cong Liu,Irvinder Kaur,Cheng Bai Xu,Kevin ROWELL,Xisen Hou. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2018-07-05.

Oxide film formation method

Номер патента: US20210028011A1. Автор: Toshinori Miura,Naoto Kameda. Владелец: Meidensha Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Pattern formation method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210296117A1. Автор: Koji Asakawa,Ryosuke Yamamoto,Ayaka SUKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Thin film formation method for ferroelectric materials

Номер патента: US5976946A. Автор: Yoshihiro Hayashi,Takeo Matsuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Pattern formation method

Номер патента: US10014182B2. Автор: Yuriko Seino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Film formation apparatus and film formation method

Номер патента: US20230366077A1. Автор: Atsushi Fujita,Shigeki Matsunaka. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Pattern formation method, imprint device, and computer-readable non-volatile storage medium storing drop recipe adjustment program

Номер патента: US10192793B2. Автор: Yusaku Izawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Pattern formation method and semiconductor device

Номер патента: US20150227045A1. Автор: Takehiro Kondoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Film formation method and film formation apparatus

Номер патента: US20230009551A1. Автор: Yumiko Kawano,Shinichi Ike,Shuji Azumo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Film formation method and film formation device

Номер патента: US11788185B2. Автор: Yumiko Kawano,Shinichi Ike,Shuji Azumo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Pattern formation method and pattern formation apparatus

Номер патента: US20140213058A1. Автор: Eiji Yoneda,Kentaro Matsunaga,Nobuhiro Komine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Pattern formation method and pattern formation apparatus

Номер патента: US9260300B2. Автор: Eiji Yoneda,Kentaro Matsunaga,Nobuhiro Komine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-16.

Pattern formation method, imprint device, and computer-readable non-volatile storage medium storing drop recipe adjustment program

Номер патента: US20180218951A1. Автор: Yusaku Izawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

CMOS compatible low-resistivity Al—Sc metal etch stop

Номер патента: US12034050B1. Автор: Giovanni Esteves,Travis Ryan Young. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Bipolar transistor with low resistance base contact and method of making the same

Номер патента: US20090283801A1. Автор: Kathryn Turner Schonenberg,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for forming an isolated, low resistance epitaxial subcollector for bipolar transistors

Номер патента: US5286997A. Автор: Darrell Hill. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

Active region, active region array and formation method thereof

Номер патента: US12087581B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Active region, active region array and formation method thereof

Номер патента: US20220310615A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

METHOD OF FABRICATING AlGaAs SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING HIGH AND LOW RESISTIVITY REGIONS

Номер патента: WO1985002496A1. Автор: Bertram Schwartz,Louis Alex Koszi,Marlin Wilbert Focht. Владелец: American Telephone & Telegraph Company. Дата публикации: 1985-06-06.

Low resistivity contact

Номер патента: WO2013039613A3. Автор: Allen L. Gray,Robert Joseph Therrien,Jason D. Reed,Jaime A. RUMSEY. Владелец: Phononic Devices, Inc.. Дата публикации: 2013-12-12.

Low resistivity contact

Номер патента: EP2756529A2. Автор: Allen L. Gray,Robert Joseph Therrien,Jason D. Reed,Jaime A. RUMSEY. Владелец: Phononic Devices Inc. Дата публикации: 2014-07-23.

Low resistivity contact

Номер патента: WO2013039613A4. Автор: Allen L. Gray,Robert Joseph Therrien,Jason D. Reed,Jaime A. RUMSEY. Владелец: Phononic Devices, Inc.. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor devices having improved low-resistance contacts to p-type cdte, and method of preparation

Номер патента: CA1162283A. Автор: Yuan-Sheng Tyan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-02-14.

Low resistance contact structure of the highly integrated semiconductor device and its formation method

Номер патента: KR940022708A. Автор: 이상인. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-10-21.

IMPROVED LOW RESISTANCE CONTACTS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150364561A1. Автор: Duffy Ray,Shayesteh Maryam,Huet Karim. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Low resistance contact structure and manufacturing method of high integrated semiconductor device

Номер патента: KR960008558B1. Автор: Sang-Inn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-06-28.

Contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR19990074636A. Автор: 김정석. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-05.

Apparatuses and methods involving use of low-resistance metal contacts

Номер патента: WO2023081381A1. Автор: Kirstin SCHAUBLE,Krishna C. Saraswat,Eric Pop,Aravindh KUMAR,Kathryn M. NEILSON. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY.. Дата публикации: 2023-05-11.

Replacement metal gate semiconductor device formation using low resistivity metals

Номер патента: US20140065811A1. Автор: Chang Seo Park,Vimal K. Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

TFT array having conducting lines with low resistance

Номер патента: US20180329267A1. Автор: Seok-Lyul Lee,Fang-Chen Luo,Willem den Boer. Владелец: AU Vista Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Multiple breakdown point low resistance anti-fuse structure

Номер патента: US09831254B1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli,Adra V. Carr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure and formation method thereof, and memory

Номер патента: US20230413535A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230389263A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Pattern formation method

Номер патента: US20090179004A1. Автор: Seiji Kajiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Carbon nanotube devices with unzipped low-resistance contacts

Номер патента: WO2014070267A2. Автор: Joshua T. Smith,George S. Tulevski,Damon B. Farmer,Aaron D. Franklin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-08.

Carbon nanotube devices with unzipped low-resistance contacts

Номер патента: US20140117312A1. Автор: Joshua T. Smith,George S. Tulevski,Damon B. Farmer,Aaron D. Franklin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING IMPLANTED REGIONS FOR PROVIDING LOW-RESISTANCE CONTACT TO BURIED LAYERS AND RELATED DEVICES

Номер патента: US20140329367A1. Автор: Sheppard Scott T.,Suvorov Alexander V.. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

Fabricating field effect transistor(s) with stressed channel region(s) and low-resistance source/drain regions

Номер патента: US09735057B2. Автор: Min-Hwa Chi,Shashidhar Shreeshail SHINTRI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Contact of semiconductor device and contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR20200081283A. Автор: 이정찬,송형섭,이희덕,선일바부이디. Владелец: 충남대학교산학협력단. Дата публикации: 2020-07-07.

Contact of semiconductor device and contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR102274716B9. Автор: 이정찬,송형섭,이희덕,선일바부이디. Владелец: 충남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-05-10.

Gate Resistance Reduction Through Low-Resistivity Conductive Layer

Номер патента: US20210083118A1. Автор: Chen Po-cheng,Lee Hsien-Ming,Chen Chien-Hao,Wu Chung-Chiang,Huang Kuo-Chan,Chung Hung-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Method of manufacturing low resistivity p-type compound semiconductor material

Номер патента: US20020068468A1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Chung-Ying Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of manufacturing low resistivity p-type compound semiconductor material

Номер патента: US20020119587A1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Chung-Ying Chang. Владелец: United Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-29.

Method and structure for ex-situ polymer stud grid array contact formation

Номер патента: WO2002080269A3. Автор: Leo M Higgins Iii. Владелец: Siemens Dematic Electronics As. Дата публикации: 2003-07-17.

Method and structure for ex-situ polymer stud grid array contact formation

Номер патента: WO2002080269A2. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: Siemens Dematic Electronics Assembly Systems, Inc.. Дата публикации: 2002-10-10.

Structure and formation method of semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20210057286A1. Автор: Po-Nien Chen,Bo-Shiuan Shie,Chih-Yung Lin,Zhen Geng,Kitchun Kwong,Taicheng Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Structure and formation method of chip package with fan-out structure

Номер патента: US09947552B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Tin-Hao Kuo,Meng-Tse Chen,Hui-min Huang,Kuo-Lung Pan,Shing-Chao Chen,Wei-Sen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Structure and formation method of package structure with capacitor

Номер патента: US20240339369A1. Автор: Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Trench formation method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140065829A1. Автор: Takayuki Sakai,Noriaki Katagiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US12082401B2. Автор: Xinman CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Reflow film, solder bump formation method, solder joint formation method, and semiconductor device

Номер патента: US09656353B2. Автор: Yukihiko Yamashita,Nozomu Takano,Kazuhiro Miyauchi,Naoya Suzuki. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Structure and formation method of chip package with reinforcing structures

Номер патента: US12040285B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Pattern formation method and photosensitive hard mask

Номер патента: US20230019943A1. Автор: Kazuki Yamada,Ryuichi Asako,Hajime Nakabayashi,Tomohito Yamaji. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Film formation method

Номер патента: US20230361163A1. Автор: Koji Akiyama,Yumiko Kawano,Akinobu Kakimoto,Nobutake KABUKI,Hajime Nakabayashi,Sara Otsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Automatic chip pick-and-place apparatus and formation method thereof

Номер патента: US20240335958A1. Автор: Yonghong Wu,Jianjun Huang,Shan Zhao,Zhe Lian. Владелец: Semight Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Structure and formation method for chip package

Номер патента: US09818720B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Chi-Hsi Wu,Wei-Ming Chen,Wen-Hsin Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Structure and formation method for chip package

Номер патента: US09595510B1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu,Jui-Pin Hung,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Structure and formation method of package structure with underfill

Номер патента: US20200203186A1. Автор: Shang-Yun Hou,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Jui-Hsieh LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Structure and formation method of chip package with through vias

Номер патента: US20210066179A1. Автор: Cheng-Lin Huang,Jung-Hua Chang,Ling-Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Structure and formation method of chip package with fan-out structure

Номер патента: US20180108613A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Shing-Chao Chen,Tsung-Hsien Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Structure and formation method of semiconductor device with dielectric fin

Номер патента: US20240021480A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Structure and formation method of package with underfill

Номер патента: US11784130B2. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Structure and formation method of chip package with protective lid

Номер патента: US11978715B2. Автор: Chih-Kung Huang,Hui-Chang Yu,Wei-Teng Chang,Meng-Tsung KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Structure and formation method of chip package with protective lid

Номер патента: US11764118B2. Автор: Chen-Shien Chen,Wen-Yi Lin,Chien-Chen Li,Kuang-Chun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Structure and formation method of chip package with fan-out feature

Номер патента: US20210118757A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yi-Wen WU,Po-Hao Tsai,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin,Techi WONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Structure and formation method of package structure with underfill

Номер патента: US20200328185A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Structure and formation method of package with integrated chips

Номер патента: US20240047365A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shih-Ping Lin,Chuei-Tang Wang,Chieh-Yen Chen,Jeng-Shien Hsieh,Tso-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Structure and formation method of package containing chip structure with inclined sidewalls

Номер патента: US11978722B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang,Li-Ling Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Wiring formation method and method for manufacturing transfer mold

Номер патента: EP4219165A1. Автор: Hiroshi Komatsu,Daisuke Sakai. Владелец: Connectec Japan Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Pattern formation method, semiconductor device manufacturing method, and imprint apparatus

Номер патента: US20240094624A1. Автор: Masaki Mitsuyasu,Ryo Ogawa,Anupam Mitra. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Wiring formation method and transfer mold manufacturing method

Номер патента: US20240032205A1. Автор: Hiroshi Komatsu. Владелец: Connectec Japan Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Structure and formation method of chip package with redistribution layers

Номер патента: US20180350774A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Structure and Formation Method for Chip Package

Номер патента: US20170186736A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu,Jui-Pin Hung,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Structure and Formation Method for Chip Package

Номер патента: US20190006332A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu,Jui-Pin Hung,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Method of forming a low resistance contact by forming a contact hole within a recess

Номер патента: US5084416A. Автор: Hideto Ozaki,Shuichi Mayumi,Seiji Ueda. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1992-01-28.

Low resistance contact in a semiconductor device

Номер патента: US20070020905A1. Автор: Stefan Tegen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-25.

Methods and Systems for Low Resistance Contact Formation

Номер патента: US20140065799A1. Автор: AHMED Khaled. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

Contact formation method and related structure

Номер патента: US12074063B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Shih-Che Lin,Chia-Hsien Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

CONTACT VIA STRUCTURE INCLUDING A BARRIER METAL DISC FOR LOW RESISTANCE CONTACT AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200006131A1. Автор: Shimabukuro Seiji,KANEKO Tetsuya,Kamijo Makoto. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and method for low resistive thin film resistor interconnect

Номер патента: US9190462B2. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor Device and Method for Low Resistive Thin Film Resistor Interconnect

Номер патента: US20120280360A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor device and method for low resistive thin film resistor interconnect

Номер патента: US20150008560A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Interconnect wires including relatively low resistivity cores

Номер патента: EP3050081A1. Автор: James S. Clarke,Hui Jae Yoo,Ramanan V. Chebiam,Tejaswi K. Indukuri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-03.

Interconnect wires including relatively low resistivity cores

Номер патента: US20210020502A1. Автор: James S. Clarke,Hui Jae Yoo,Ramanan V. Chebiam,Tejaswi K. Indukuri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Interconnect wires including relatively low resistivity cores

Номер патента: US20230130273A1. Автор: James S. Clarke,Hui Jae Yoo,Ramanan V. Chebiam,Tejaswi K. Indukuri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Interconnect wires including relatively low resistivity cores

Номер патента: WO2015048221A1. Автор: James S. Clarke,Hui Jae Yoo,Ramanan V. Chebiam,Tejaswi K. Indukuri. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-04-02.

Interconnect wires including relatively low resistivity cores

Номер патента: US09691657B2. Автор: James S. Clarke,Hui Jae Yoo,Ramanan V. Chebiam,Tejaswi K. Indukuri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Interconnect wires including relatively low resistivity cores

Номер патента: US09349636B2. Автор: James S. Clarke,Hui Jae Yoo,Ramanan V. Chebiam,Tejaswi K. Indukuri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES INCLUDING A COPPER FILL FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170117181A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

METHODS FOR FORMING LOW-RESISTANCE CONTACTS THROUGH INTEGRATED PROCESS FLOW SYSTEMS

Номер патента: US20170148670A1. Автор: Chang Mei,Lei Yu,Fu Xinyu,Wu Kai,Xu Yi,Wu Dien-Yeh,LIN Chi-Chou,Agarwal Pulkit,Ramamurthy Sundar,Tang Wei V.,DAITO KAZUYA,Banthia Vikash,Ma Feiyue,JIAN Guoqiang,Bakke Jonathan. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Ultra-Low Resistivity Contacts

Номер патента: US20150255332A1. Автор: AHMED Khaled. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Bit line having low resistance contact and manufacturing method thereof

Номер патента: KR960005798A. Автор: 박병률,박영욱,김영선. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-02-23.

METHOD FOR MANUFACTURING LOW RESISTANCE CONTACTS IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2513011A1. Автор: Robert Franklin Reihl,Kang-Lung Wang. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-03-18.

Stable low resistance contact

Номер патента: JP2645345B2. Автор: パンカージ・ディクシット,ジャック・スリワ,リチャード・ケイ・クレイン,クレイグ・エス・サンダー,モハマッド・フォーナム. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-08-25.

Method for fabricating semiconductor device having improved step coverage and low resistivity contacts

Номер патента: US6221762B1. Автор: Jeong Soo Byun,Byung Hak Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-04-24.

Hybrid low resistance metal lines

Номер патента: EP4070370A1. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Methods for forming low resistivity tungsten features

Номер патента: US12037682B2. Автор: Cheng Cheng,Kai Wu,Sang Jin Lee,Peiqi Wang,Insu HA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Interconnect wires including relatively low resistivity cores

Номер патента: US11881432B2. Автор: James S. Clarke,Hui Jae Yoo,Ramanan V. Chebiam,Tejaswi K. Indukuri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Ruthenium oxide film and ruthenium liner for low-resistance copper interconnects in a device

Номер патента: US20230361040A1. Автор: Shu-Cheng Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Ruthenium oxide film and ruthenium liner for low-resistance copper interconnects in a device

Номер патента: US11749604B2. Автор: Shu-Cheng Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Interconnect wires including relatively low resistivity cores

Номер патента: US20240112952A1. Автор: James S. Clarke,Hui Jae Yoo,Ramanan V. Chebiam,Tejaswi K. Indukuri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Al-based contact formation process using Ti glue layer to prevent nodule-induced bridging

Номер патента: US5604155A. Автор: Kuang-Chih Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1997-02-18.

Contact formation method incorporating a preventative etch step for reducing interlayer dielectric material flake defects

Номер патента: US20120064714A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Brian M. Czabaj,Thomas J. DUNBAR,Yoba Amoah,Molly J. Leitch,Polina A. Razina. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

CONTACT FORMATION METHOD AND RELATED STRUCTURE

Номер патента: US20190164813A1. Автор: WANG Mei-Yun,WANG Chao-Hsun,Chao Kuo-Yi,Hsueh Wang-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

CONTACT FORMATION METHOD AND RELATED STRUCTURE

Номер патента: US20200161173A1. Автор: WANG Mei-Yun,WANG Chao-Hsun,Chao Kuo-Yi,Hsueh Wang-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Self-aligned contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR100560294B1. Автор: 임규남,이해정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-13.

Metal contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR100575332B1. Автор: 진성곤,노재선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-03.

Deep contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR19980084296A. Автор: 추창웅,안정민. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-12-05.

Via contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR950004399A. Автор: 김춘환. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-02-18.

Contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR960032611A. Автор: 조경수,최재성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-09-17.

Aluminum contact formation method

Номер патента: JP3729882B2. Автор: リョウフ−タイ,リンイー−シュン. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2005-12-21.

Contact formation method incorporating preventative etch step reducing interlayer dielectric material flake defects

Номер патента: US8691690B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Brian M. Czabaj,Thomas J. DUNBAR,Yoba Amoah,Molly J. Leitch,Polina A. Razina. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-08.

Bit line contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR100471410B1. Автор: 장진만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-05-27.

Metal contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR101051951B1. Автор: 박상혁. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-07-26.

Contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR970052237A. Автор: 황성보. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-29.

Contact Formation Method

Номер патента: KR970023708A. Автор: 양종열. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1997-05-30.

Contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR960035968A. Автор: 조경수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-10-28.

Via contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR970003515A. Автор: 김종철. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-28.

Buried low-resistance metal word lines for cross-point variable-resistance material memories

Номер патента: US09666800B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Formation of low resistance contact

Номер патента: JPS61170050A. Автор: ハンス・ユルゲン・バウエル,マレアン・バベツト・フローリツヒ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-07-31.

Buried low-resistance metal word lines for cross-point variable-resistance material memories

Номер патента: US20090072341A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Low resistivity titanium silicide structures

Номер патента: US20010054767A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-12-27.

Self-aligned contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR940001268A. Автор: 김정호,김승준,이동덕,김일욱. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-01-11.

Contact formation method during PLUG process

Номер патента: KR950001899A. Автор: 김준기. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-01-04.

High current semiconductor device system having low resistance and inductance

Номер патента: WO2007024587A2. Автор: Anthony L. Coyle,Bernhard P. Lange. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-03-01.

High current semiconductor device system having low resistance and inductance

Номер патента: EP1938382A2. Автор: Anthony L. Coyle,Bernhard P. Lange. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-07-02.

High current semiconductor device system having low resistance and inductance

Номер патента: WO2007024587A3. Автор: Bernhard P Lange,Anthony L Coyle. Владелец: Anthony L Coyle. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230422466A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Pattern formation method

Номер патента: US9040429B2. Автор: Hirokazu Kato,Ayako KAWANISHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor device with built-up low resistance contact and laterally conducting second contact

Номер патента: GB2095904B. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-11-27.

Very low resistance films and methods for modifying or creating them

Номер патента: RU2567021C2. Автор: Дуглас Дж. ГИЛБЕРТ,Тимоти С. КЕЙЛ. Владелец: АМБАЧЕР Эл.Эл.Си.. Дата публикации: 2015-10-27.

Low noise inductor using electrically floating high resistive and grounded low resistive patterned shield

Номер патента: US20030197243A1. Автор: Lap Chan,Sanford Chu,Chew Kok-Wai,Sia Beng,Yeo Seng. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-10-23.

Method and apparatus for low resistance image sensor contact

Номер патента: US09627430B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shuang-Ji Tsai,Jeng-Shyan Lin,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US20150188040A1. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US09412941B2. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for preparing low-resistant p-type srtio3

Номер патента: US20030172869A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Hidekazu Tanaka,Tomoji Kawai,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Method for preparing low-resistant p-type SrTiO3

Номер патента: US6790278B2. Автор: Hiroshi Yoshida,Hidekazu Tanaka,Tomoji Kawai,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2004-09-14.

Variable low resistance line nonvolatile memory device and method for operating same

Номер патента: US20220077164A1. Автор: Jong Hwa Son,Jong Yeog Son. Владелец: VMemory Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Multiple Surface Integrated Devices on Low Resistivity Substrates

Номер патента: US20140036462A1. Автор: Song He,Yan Liu,Tingting Wang,Ruonan WANG. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2014-02-06.

Variable low resistance line nonvolatile memory device and method for operating same

Номер патента: US20210313336A1. Автор: Jong Hwa Son,Jong Yeog Son. Владелец: VMemory Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Sic p-type, and low resistivity, crystals, boules, wafers and devices, and methods of making the same

Номер патента: EP4367710A1. Автор: Juan Carlos Rojo,Mark Land,Victor Torres,Mark Loboda,Douglas Dukes,Darren Hansen. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Sic p-type, and low resistivity, crystals, boules, wafers and devices, and methods of making the same

Номер патента: WO2023283471A1. Автор: Juan Carlos Rojo,Mark Land,Victor Torres,Mark Loboda,Douglas Dukes,Darren Hansen. Владелец: Pallidus, Inc.. Дата публикации: 2023-01-12.

Low resistance high capacitance density mim capacitor

Номер патента: US20190189735A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Sic p-type, and low resistivity, crystals, boules, wafers and devices, and methods of making the same

Номер патента: CA3225056A1. Автор: Juan Carlos Rojo,Mark Land,Victor Torres,Mark Loboda,Douglas Dukes,Darren Hansen. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Sic p-type, and low resistivity, crystals, boules, wafers and devices, and methods of making the same

Номер патента: WO2023283474A1. Автор: Juan Carlos Rojo,Mark Land,Victor Torres,Mark Loboda,Douglas Dukes,Darren Hansen. Владелец: Pallidus, Inc.. Дата публикации: 2023-01-12.

Sic p-type, and low resistivity, crystals, boules, wafers and devices, and methods of making the same

Номер патента: EP4367711A1. Автор: Juan Carlos Rojo,Mark Land,Victor Torres,Mark Loboda,Douglas Dukes,Darren Hansen. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Extremely low resistance compositions and methods for creating same

Номер патента: US09431594B2. Автор: Douglas J. Gilbert,Timothy S. Cale. Владелец: Ambature Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Low resistance ground wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6071785A. Автор: Shinichi Horiba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

SiC P-TYPE, AND LOW RESISTIVITY, CRYSTALS, BOULES, WAFERS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20230167580A1. Автор: Juan Carlos Rojo,Mark Land,Victor Torres,Mark Loboda,Douglas Dukes,Darren Hansen. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Sic p-type, and low resistivity, crystals, boules, wafers and devices, and methods of making the same

Номер патента: CA3225061A1. Автор: Juan Carlos Rojo,Mark Land,Victor Torres,Mark Loboda,Douglas Dukes,Darren Hansen. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Sic p-type, and low resistivity, crystals, boules, wafers and devices, and methods of making the same

Номер патента: CA3225066A1. Автор: Juan Carlos Rojo,Mark Land,Victor Torres,Mark Loboda,Douglas Dukes,Darren Hansen. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Sic p-type, and low resistivity, crystals, boules, wafers and devices, and methods of making the same

Номер патента: EP4367083A1. Автор: Juan Carlos Rojo,Mark Land,Victor Torres,Mark Loboda,Douglas Dukes,Darren Hansen. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Electrical, mechanical, computing, and/or other devices formed of extremely low resistance materials

Номер патента: US12063874B2. Автор: Michael J. Smith,Douglas J. Gilbert,Joel Patrick Hanna,Paul GREENLAND,Brian COPPA,Forrest North,Y. Eugene Shteyn. Владелец: Ambature Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Extremely low resistance materials and methods for modifying or creating same

Номер патента: US09431156B2. Автор: Douglas J. Gilbert. Владелец: Ambature Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Low-resistance connection body for high-temperature superconducting wire material and connection method

Номер патента: US9941032B2. Автор: Hideaki Maeda,Yoshinori Yanagisawa,Xinzhe Jin. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2018-04-10.

Divider and contact formation for memory cells

Номер патента: US20230354601A1. Автор: Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Electrical, mechanical, computing, and/or other devices formed of extremely low resistance materials

Номер патента: CA2868986A1. Автор: Michael J. Smith,Yevgeniy Eugene Shteyn,Douglas J. Gilbert,Joel Patrick Hanna,Paul GREENLAND,Brian COPPA,Forrest North. Владелец: Ambature Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor package with low resistance package-to-die interconnect scheme for reduced die stresses

Номер патента: US20030116860A1. Автор: Carlos Gonzalez,Biju Chandran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Extremely low resistance films and methods for modifying or creating same

Номер патента: CA2779609A1. Автор: Douglas J. Gilbert,Timothy S. Cale. Владелец: Ambature Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Electrical, mechanical, computing, and/or other devices formed of extremely low resistance materials

Номер патента: AU2012236227A1. Автор: Michael J. Smith,Yevgeniy Eugene Shteyn,Douglas J. Gilbert,Joel Patrick Hanna,Paul GREENLAND,Brian COPPA,Forrest North. Владелец: Ambature Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Low resistance ground wiring in a semiconductor device

Номер патента: US5744866A. Автор: Shinichi Horiba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-04-28.

Extremely low resistance compositions and methods for creating same

Номер патента: US20140329686A1. Автор: Douglas J. Gilbert,Timothy S. Cale. Владелец: Ambature Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Extremely Low Resistance Compositions and Methods for Creating Same

Номер патента: US20130196858A1. Автор: Douglas J. Gilbert,Timothy S. Cale. Владелец: Ambature Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Method for fabricating low resistance, low inductance interconnections in high current semiconductor devices

Номер патента: WO2007027994A2. Автор: Anthony L. Coyle,Bernhard P. Lange,Quang X. Mai. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-03-08.

Low resistance electrode for high aspect ratio confined pcm cell in beol

Номер патента: US20200161543A1. Автор: Ruqiang Bao,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Structure and formation method of semiconductor device with photodetector

Номер патента: US20240363774A1. Автор: Chen-Hao Chiang,Jiun-Yi Wu,Li-Weng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Structure and formation method of integrated chips package with capacitor

Номер патента: US20240379738A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Wei-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Pattern formation method, manufacturing method of peizoelectric film and manufacturing method of piezoelectric element

Номер патента: US09583694B2. Автор: Xianfeng Chen. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Structure and formation method of package with integrated chips

Номер патента: US20240206193A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shih-Ping Lin,Chuei-Tang Wang,Chieh-Yen Chen,Jeng-Shien Hsieh,Wen-Shiang Liao,Tso-Jung Chang,Chih-Peng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Pattern formation material, pattern formation method, and exposure mask fabrication method

Номер патента: US20040058279A1. Автор: Masamitsu Itoh,Takehiro Kondoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Film formation system and film formation method

Номер патента: US8800478B2. Автор: Cheng-Kuo Yeh. Владелец: Aurotek Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Capacitor structure and its formation method and memory

Номер патента: US20230018954A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Pattern film formation method and organic el device manufacturing method

Номер патента: US20120295509A1. Автор: Toru Shinohara,Hirofumi Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Film formation method

Номер патента: US20240307914A1. Автор: Hiroshi Shiho,Yuji Kato,Makoto Shimizu,Hiroyuki Ando,Naoyuki Tsukamoto. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Film formation method

Номер патента: US20240307913A1. Автор: Hiroshi Shiho,Yuji Kato,Makoto Shimizu,Hiroyuki Ando,Naoyuki Tsukamoto. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Film formation method

Номер патента: EP4446462A2. Автор: Ando Hiroyuki,KATO Yuji,Tsukamoto Naoyuki,SHIMIZU Makoto,Shiho HIROSHI. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Film formation method

Номер патента: EP4450676A1. Автор: Makoto Shimizu. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Film formation method

Номер патента: EP4459003A2. Автор: Ando Hiroyuki,KATO Yuji,Tsukamoto Naoyuki,SHIMIZU Makoto,Shiho HIROSHI. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-11-06.

Element and formation method of film

Номер патента: US09572253B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hisao Ikeda,Kiyofumi Ogino,Teppei Oguni. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Composition for forming fine resist pattern, and pattern formation method using same

Номер патента: US09411232B2. Автор: Masakazu Kobayashi,Masahiro Ishii,Takashi Sekito,Tatsuro Nagahara,Kazuma Yamamoto,Noboru SATAKE. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device, formation method thereof, and package structure

Номер патента: US20130020618A1. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Bump formation method and bump forming apparatus to semiconductor wafer

Номер патента: WO2002043137A2. Автор: Shinji Kanayama,Takaharu Mae,Shoriki Narita,Yasutaka Tsuboi,Masahiko Ikeya. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2002-05-30.

Bump formation method and bump forming apparatus to semiconductor wafer

Номер патента: EP1340250A2. Автор: Shinji Kanayama,Takaharu Mae,Shoriki Narita,Yasutaka Tsuboi,Masahiko Ikeya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-03.

Structure and formation method of light sensing device

Номер патента: US20180374884A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Yi-Hsing CHU,Yin-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Structure and formation method of light sensing device

Номер патента: US10651217B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Yi-Hsing CHU,Yin-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20230013070A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yuhan ZHU,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Metal pad formation method and metal pad structure using the same

Номер патента: US20080315420A1. Автор: Chin-Ta Su,Yung-Tai Hung,Jen-Chuan Pan,Ta-Hung Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US09761592B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Structure and formation method of memory device

Номер патента: US09406883B1. Автор: Ching-Pei Hsieh,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Film formation method, dry film manufacturing method and liquid ejection head manufacturing method

Номер патента: US20190049846A1. Автор: Masataka Nagai,Seiichiro Yaginuma,Shingo Nagata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Self-organization material and pattern formation method

Номер патента: US9859119B2. Автор: Akira Watanabe,Takeshi Okino,Naoko Kihara,Ryosuke Yamamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Pattern formation methods and photoresist pattern overcoat compositions

Номер патента: US11796916B2. Автор: Cong Liu,Irvinder Kaur,Xisen Hou. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated circuit device and formation method thereof

Номер патента: US11769725B2. Автор: Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Pattern formation methods and photoresist pattern overcoat compositions

Номер патента: US20180314155A1. Автор: Cong Liu,Irvinder Kaur,Xisen Hou. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

Capacitor structure and its formation method and memory

Номер патента: US11980017B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor structure and formation method thereof, and memory

Номер патента: US20230380131A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Self-organization material and pattern formation method

Номер патента: US20170062206A1. Автор: Akira Watanabe,Takeshi Okino,Naoko Kihara,Ryosuke Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Image sensor and formation method thereof

Номер патента: US20240186362A1. Автор: Zhigao Wang,Zhanjie LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory, semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230320060A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Electrode formation system for solar cell and electrode formation method for solar cell

Номер патента: GB201214225D0. Автор: . Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-09-19.

Fuse structure and formation method

Номер патента: US20220115321A1. Автор: Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Chantgxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory device and formation method thereof

Номер патента: US20210366923A1. Автор: Jin Yong Oh. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Three-dimensional semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230403840A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Weiping BAI,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Photoresist pattern trimming compositions and pattern formation methods

Номер патента: US20200379351A1. Автор: Mingqi Li,Cong Liu,Cheng-Bai Xu,Irvinder Kaur,Kevin ROWELL,Xisen Hou. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2020-12-03.

Structure and formation method of semiconductor device with conductive bumps

Номер патента: US11990440B2. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230020232A1. Автор: GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Compound, pattern forming substrate, coupling agent, and pattern formation method

Номер патента: US20200148700A1. Автор: Kazuo Yamaguchi,Yusuke Kawakami. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Structure and formation method of chip package with lid

Номер патента: US20170358542A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Kuang-Chun Lee,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Bump formation method and bump forming apparatus to semiconductor wafer

Номер патента: EP1340250B1. Автор: Shinji Kanayama,Takaharu Mae,Shoriki Narita,Yasutaka Tsuboi,Masahiko Ikeya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-11.

Structure and formation method of image sensor structure with grid structure

Номер патента: US20180286907A1. Автор: Wei-Lin Chen,Ching-Chung Su,Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Wei-Chuang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Paste patterns formation method and transfer film used therein

Номер патента: WO2008063610A2. Автор: Hideki Akimoto. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2008-05-29.

Paste patterns formation method and transfer film used therein

Номер патента: EP2095390A2. Автор: Hideki Akimoto. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2009-09-02.

Transistor structure with low resistance contact

Номер патента: US20240145555A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

LOW RESISTANCE CONTACT INTERLAYER FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170040463A1. Автор: Sadana Devendra K.,Kim Jeehwan,Liu Wencong. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Contact formation for stacked FinFETs

Номер патента: US09812575B1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20220130963A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Structures of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11769809B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Structures of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240021689A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11978777B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240154013A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

LOW RESISTIVITY EPITAXIALLY FORMED CONTACT REGION FOR NANOSHEET EXTERNAL RESISTANCE REDUCTION

Номер патента: US20210091230A1. Автор: Xie Ruilong,Wu Heng,Gluschenkov Oleg,Yu Lan. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Techniques for achieving low resistance contacts to nonpolar and semipolar p-type (al,ga,i)n

Номер патента: WO2011056456A1. Автор: Shuji Nakamura,Arpan Chakraborty,Steven P. DenBaars,You-Da Lin. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2011-05-12.

Low emitter resistance contacts to GaAs high speed HBT

Номер патента: US20030025128A1. Автор: Byung-Kwon Han,Noren Pan. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Low resistivity wafer

Номер патента: US12031231B2. Автор: Yasuhito Narushima,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Low resistivity wafer

Номер патента: US20240328034A1. Автор: Yasuhito Narushima,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

LOW RESISTANCE CONTACTS WITHOUT SHORTING

Номер патента: US20150145060A1. Автор: ZHOU ZHIBIAO,SETIAWAN Yudi. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-05-28.

Low resistivity wafer and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230243066A1. Автор: Yasuhito Narushima,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

FinFET Low Resistivity Contact Formation Method

Номер патента: US20160190321A1. Автор: KO Chih-Hsin,WANG Sung-Li,Shih Ding-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Low resistance contacts without shorting

Номер патента: US20150145060A1. Автор: Zhibiao Zhou,Yudi SETIAWAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-05-28.

CARBON NANOTUBE DEVICES WITH UNZIPPED LOW-RESISTANCE CONTACTS

Номер патента: US20140117312A1. Автор: Farmer Damon B.,Smith Joshua T.,Tulevski George S.,Franklin Aaron D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170243824A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170243825A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Low resistance integrated MOS structure

Номер патента: US20070257278A1. Автор: Bilal Manai,Maud Pierrel. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Electrical connector having variable resistance contacts

Номер патента: US6102742A. Автор: John Daly. Владелец: Methode Electronics Inc. Дата публикации: 2000-08-15.

METHODS OF FORMING LOW RESISTANCE CONTACTS

Номер патента: US20160035629A1. Автор: NIEH Chun-Wen,HSU Hung-Chang,WANG Mei-Yun,LIN Wei-Jung,LEE Chen-Ming,TSAI YAN-MING. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Low-resistance contact to top electrodes for memory cells and methods for forming the same

Номер патента: KR20210148902A. Автор: 유-펭 인,타이-옌 펭,안-셴 창,한-팅 차이,치앙 푸,청-테 린. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-12-08.

Forming low resistivity hillock free conductors in VLSI devices

Номер патента: US4680854A. Автор: Vu Q. Ho,Heinz J. Nentwich,Hussein M. Naquib. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1987-07-21.

Semiconductor device, has transistor elements, where transistor contact points of elements, resistance contact points of resistance element and capacitive contact points of capacitive element are connected with conductive connecting element

Номер патента: DE102008006124A1. Автор: Satoshi Kariya Shiraki,Hiroyuki Kariya Ban,Akira Kariya Yamada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Contact Formation Method of Flash Ipyrom Cell

Номер патента: KR100546202B1. Автор: 박성기,최승욱,심근수,장상환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-24.

Contact formation method for lsi device

Номер патента: KR950013385B1. Автор: 박재범,박철수. Владелец: 정몽현. Дата публикации: 1995-11-02.

Electron beam apparatus using electron source, spacers having high-resistance film and low-resistance layer, and image-forming device using the same

Номер патента: US20020079829A1. Автор: Hideaki Mitsutake,Yoichi Ando. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Low resistance value resistor

Номер патента: US20040012480A1. Автор: Keishi Nakamura,Mikio Tatuguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Method of manufacturing low-resistance chip-resistor

Номер патента: RU2639313C2. Автор: Илья Николаевич Малышев,Сергей Валерьевич Симаков. Владелец: Акционерное общество "Финансово-промышленная компания "Энергия". Дата публикации: 2017-12-21.

Low-resistance conductive pigment and method of manufacturing same

Номер патента: US5529720A. Автор: Akira Nishihara,Toshiharu Hayashi,Masahiro Sekiguchi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 1996-06-25.

Low resistance electrolytic tilt switch

Номер патента: GB882578A. Автор: . Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1961-11-15.

Low resistance conductive thin film and fabrication method for the same

Номер патента: US12091738B2. Автор: Min Soo Lee,Jong Chun Park. Владелец: Msway Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Low resistance, low-inductance power connectors

Номер патента: US09871310B2. Автор: Shawn Anthony Hall,Paul W. Coteus,Andrew Ferencz,Todd Edward Takken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Bounce-resistant contacts for a switch

Номер патента: CA1114870A. Автор: Joel A. Ramos,Roy T. Swanson. Владелец: S&C Electric Co. Дата публикации: 1981-12-22.

Printed circuit heaters with ultrathin low resistivity materials

Номер патента: WO2004039134A2. Автор: John A. Andresakis,Jeffrey T. Gray,Derek C. Carbin. Владелец: Oak-Mitsui, Inc.. Дата публикации: 2004-05-06.

Methods of establishing low-resistance electrical contact to carbon nanostructures with graphitic interfacial layer

Номер патента: US09593014B2. Автор: Arash Hazeghi,Ali Javey,Kuniharu Takei,Yang Chai,H. S. Philip Wong. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-03-14.

Resistor, particularly a low-resistance current-measuring resistor

Номер патента: US09437353B2. Автор: Ullrich Hetzler. Владелец: IsabellenHuette Heusler GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-06.

Low-resistance, high-power resistor having a tight resistance tolerance despite variations in the circuit connections to the contacts

Номер патента: EP1051713A1. Автор: Richard E. Caddock, Jr.. Владелец: Caddock Electronics Inc. Дата публикации: 2000-11-15.

Low resistance electrode for electric dual layer capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627152B2. Автор: Jin Sik SHIN,Dal Woo SHIN,Mun Soo LEE. Владелец: Korea Jcc Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

High-power low-resistance electromechanical cable

Номер патента: US09627100B2. Автор: Bamdad Pourladian,Lazaro Espinosa Magaña. Владелец: Wireco World Group Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Low-resistance carbon grounding module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120293300A1. Автор: Young-Ki Chung. Владелец: Omni Lps Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Low-resistance carbon grounding module and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2528068A3. Автор: Young Ki Chung. Владелец: Omni Lps Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-04.

Low resistance, multivalent metal anodes

Номер патента: US20160380268A1. Автор: John G. Muldoon,Claudiu B. Bucur. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Ion beam deposition of a low resistivity metal

Номер патента: US20240093356A1. Автор: Narasimhan Srinivasan,Paul Turner,Frank Cerio,Tania HENRY,Vincent Ip,Rutvik Mehta. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Low-resistance interconnector and method for the preparation thereof

Номер патента: US6040037A. Автор: Tsuyoshi Imai. Владелец: Shin Etsu Polymer Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-21.

Electrode for low resistance-high current and fabrication method for the same

Номер патента: EP4202957A1. Автор: Min Soo Lee,Jong Chun Park. Владелец: Msway Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Low-Resistance Connection Body for High-Temperature Superconducting Wire Material and Connection Method

Номер патента: US20170011823A1. Автор: Hideaki Maeda,Yoshinori Yanagisawa,Xinzhe Jin. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2017-01-12.

Low resistance conductive thin film and fabrication method for the same

Номер патента: US20230193446A1. Автор: Min Soo Lee,Jong Chun Park. Владелец: Msway Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Electrolyte formation method

Номер патента: RU2696618C2. Автор: Роберт ЛИ,Майк ЛЭНКИН,Адам Боун,Махфуджур РАХМАН,Карл МЭТТЬЮЗ. Владелец: Серес Интеллектуал Проперти Компани Лимитед. Дата публикации: 2019-08-05.

Radio-absorbing coating formation method

Номер патента: RU2664875C2. Автор: Сергей Анатольевич Скачков,Александр Филаретович Уласень,Алексей Васильевич Клюев,Денис Леонидович Бондаренко,Евгений Анатольевич Андрюшкин,Валерий Викторович Сухотин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия войсковой противовоздушной обороны Вооруженных Сил Российской Федерации имени Маршала Советского Союза А.М. Василевского" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2018-08-23.

Low resistance insert

Номер патента: US9653194B2. Автор: Kimberly DEBOCK,David James Fabian,Brian Todd KLINGER. Владелец: TE Connectivity Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and apparatus for providing extremely low- resistance connection between the end sections of two superconductors

Номер патента: CA1236540A. Автор: Gerhard Pohl,Helmut Moll,Heinz-Werner Neumuller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-05-10.

Superconducting cable-in-conduit low resistance splice

Номер патента: US6583351B1. Автор: Thomas A. Artman. Владелец: BWX Technologies Inc. Дата публикации: 2003-06-24.

Low resistivity joints for joining superconducting wires

Номер патента: GB2448051A. Автор: James William Bray,Evangelos Trifon Laskaris,Bruce Alan Knudsen,Curtis Alan Johnson,Xianrui Huang,Robert John Zabala,Judson Sloan Marte,Paul Shadforth Thompson,Thomas Robert Raber,Sergio Paulo Martins Lourdeiro,Sylvia Marie Decarr. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2008-10-01.

High-power low-resistance electromechanical cable

Номер патента: CA2909990C. Автор: Bamdad Pourladian,Lazaro Espinosa Magaña. Владелец: WireCo WorldGroup Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Electrode with low resistence electrical path

Номер патента: GB2338111A. Автор: Leslie Thomas Falkingham,Rama Shankar Parashar. Владелец: Alstom Uk Ltd. Дата публикации: 1999-12-08.

Extremely Low Resistance Films and Methods for Modifying or Creating Same

Номер патента: US20240062933A1. Автор: Douglas J. Gilbert,Timothy S. Cale. Владелец: Ambature Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Electrical cables having low resistance and high flexibility and methods of making same

Номер патента: WO1998050924A1. Автор: Francisco J. Avellanet. Владелец: General Science And Technology Corp.. Дата публикации: 1998-11-12.

Low resistance negative electrode having excellent adhesiveness and lithium secondary battery comprising the same

Номер патента: US20180138557A1. Автор: Jin-Sook Ryu,Je-Young Kim,Kwang-Ho Jeong,Jung-Woo Yoo,Ye-Cheol Rho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Low resistance electrode for electric dual layer capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150332866A1. Автор: Jin Sik SHIN,Dal Woo SHIN,Mun Soo LEE. Владелец: Korea Jcc Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

A device for measuring ultra-low resistance and impedance

Номер патента: GB2577348A. Автор: Ozga Katarzyna,Galuszkiewicz Zbigniew,Galuszkiewicz Patryk,Calus Dariusz. Владелец: Politechnika Częstochowska. Дата публикации: 2020-03-25.

Carbon fiber electrical contacts formed of composite material including plural carbon fiber elements bonded together in low-resistance synthetic resin

Номер патента: US20120007710A1. Автор: Michael Tucci,Stephen Veselaski,Philip Uruburu. Владелец: Micro Contacts Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Film formation method and film formation device

Номер патента: US20240274420A1. Автор: Atsushi Shimada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Reverse beam through-formation method and system

Номер патента: RU2714928C1. Автор: Марк Миллер,Кеннет БУЕР. Владелец: Виасат, Инк.. Дата публикации: 2020-02-21.

Alloy formation method for a solid-state battery and the solid-state battery thereof

Номер патента: US20240178444A1. Автор: Bing-Joe Hwang,She-Huang Wu,Wei-Nien Su,Sheng-Chiang Yang,Berhanu Degagsa Dandena. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2024-05-30.

Carbon film formation method, and carbon film

Номер патента: US20160017484A1. Автор: Seiji Samukawa,Yoshiyuki Kikuchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-01-21.

Optical film thickness measurement method, film formation method, and semiconductor laser fabrication method

Номер патента: US5724145A. Автор: Takeo Kaneko,Katsumi Mori,Takayuki Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Roll-to-roll formation method for solid electrolyte using metal colloidal particles

Номер патента: US20240222698A1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Roll-to-roll formation method for solid electrolyte using metal colloidal particles

Номер патента: US12009479B1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Formation Method For Secondary Battery

Номер патента: US20230155163A1. Автор: Sung Yeop Kim,Ji Won Na,Eun Soo Cho. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Linear groove formation method and linear groove forming apparatus, and method for manufacturing grain-oriented electrical steel sheet

Номер патента: CA3145208C. Автор: Takeshi Omura,Hirotaka Inoue,Yoshihisa Ichihara,Shigehiro Takajo. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Pattern formation method and template manufacturing method

Номер патента: US11862430B2. Автор: Ryota SEKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Negative pressure formation method for lithium iron manganese phosphate batteries and batteries applying the same

Номер патента: US20240047643A1. Автор: HAO CHENG,Haitao Wei,Xiaokun Wang,Xiaohan Deng. Владелец: Hubei Eve Power Co ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Thin film formation method, thin film formation apparatus, and lithium battery

Номер патента: US20200407841A1. Автор: Shunsuke Sasaki,Manabu Gibo,Takahito KIMOTO. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Film formation method

Номер патента: US20200002809A1. Автор: Yasuhiro Fujii,Tatsuyuki Nakatani,Susumu Ozawa,Yuichi Imai,Haruhito UCHIDA. Владелец: Strawb Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Film formation method

Номер патента: US11401604B2. Автор: Yasuhiro Fujii,Tatsuyuki Nakatani,Susumu Ozawa,Yuichi Imai,Haruhito UCHIDA. Владелец: Okayama University NUC. Дата публикации: 2022-08-02.

Conductive pattern formation method and conductive pattern formation device

Номер патента: US20150371740A1. Автор: Sayaka Morita,Keita Saito,Midori Shimomura,Dai SUWAMA. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2015-12-24.

Film formation method and film formation device

Номер патента: US20220259732A1. Автор: Eiji Sato,Hitoshi Sakamoto. Владелец: Creative Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Film formation method and film formation apparatus

Номер патента: US20240183027A1. Автор: Naoki Takahashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Aluminum alloys for low resistance, ohmic contacts to iii-nitride or compound semiconductor

Номер патента: US20070228418A1. Автор: Thomas Herman. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-10-04.

Low resistance contact semiconductor diode

Номер патента: CA2238952A1. Автор: Timothy Ashley,Graham John Pryce. Владелец: Flir Systems Trading Belgium. Дата публикации: 1997-06-05.

Low resistance contact semiconductor diode

Номер патента: KR19990071863A. Автор: 티모시 아슬리,그라함 존 프리스. Владелец: 더 세크리터리 오브 스테이트 포 디펜스. Дата публикации: 1999-09-27.

Low resistance contact semiconductor diode

Номер патента: AU721907B2. Автор: Timothy Ashley,Graham John Pryce. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 2000-07-20.

Low-resistance electrode design

Номер патента: US9178025B2. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Low-Resistance Electrode Design

Номер патента: US20120216161A1. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Low-Resistance Electrode Design

Номер патента: US20150014857A1. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

CONTACT FORMATION METHOD AND RELATED STRUCTURE

Номер патента: US20210305382A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Cheng Kuan-Lun,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Low resistance contact for an integrated circuit

Номер патента: US20040036521A1. Автор: Raj Nair,Brent Stone,Radha Kanaparthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Low cost, reliable, low resistance contacts for silicon semiconductors - using a nickel conducting ink

Номер патента: FR2515675A1. Автор: Patrick Dubots,Dominique Couzin. Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 1983-05-06.

Apparatus for achieving low resistance contact to a metal based thin film solar cell

Номер патента: US20120279855A1. Автор: Bulent M. Basol,Mustafa Pinarbasi. Владелец: SoloPower Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Method and apparatus for achieving low resistance contact to a metal based thin film solar cell

Номер патента: EP2304779A1. Автор: Bulent M. Basol,Mustafa Pinarbasi. Владелец: SoloPower Inc. Дата публикации: 2011-04-06.

SOLAR CELL PASTES FOR LOW RESISTANCE CONTACTS

Номер патента: US20140352778A1. Автор: Yang Yi,Shaikh Aziz,Kumar Umesh,Sridharan Srinvasan. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Low resistance contacts for minimizing the voltage required to electrically blow fuses

Номер патента: KR100413148B1. Автор: 나라얀찬드라섹하르,다니엘가브리엘. Владелец: 지멘스 악티엔게젤샤프트. Дата публикации: 2003-12-31.

Method to make low resistance contact

Номер патента: TW200935625A. Автор: Chen-Fu Chu,Hao-Chun Cheng,Feng-Hsu Fan,Wen-Huang Liu,Chao-Chen Cheng,Jiunn-Yi Chu,Trung-Tri Doan. Владелец: Semi Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-16.

Solar cell pastes for low resistance contacts

Номер патента: CN104205242A. Автор: Y·杨,S·斯里德哈兰,U·库马尔,A·S·沙科赫. Владелец: Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC. Дата публикации: 2014-12-10.

Method and apparatus for achieving low resistance contact to a metal based thin film solar cell

Номер патента: TW201010102A. Автор: Mustafa Pinarbasi,Bulent M Basol. Владелец: SoloPower Inc. Дата публикации: 2010-03-01.

Substrate with conductor formed of low-resistance aluminum alloy

Номер патента: WO1998045881A1. Автор: Kenji Kamiya,Junji Shiota. Владелец: CASIO COMPUTER CO., LTD.. Дата публикации: 1998-10-15.

Semiconductor device having a low-resistance bus interconnect, method of manufacturing same, and display apparatus employing same

Номер патента: US20070087477A1. Автор: Tamaki Toba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Three-dimensional memory device containing low resistance source-level contact and method of making thereof

Номер патента: US20210408031A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Low resistance, low reflection, and low cost contact grids for photovoltaic cells

Номер патента: US09666749B2. Автор: Harold J. Hovel,Ronald D. Goldblatt,Xiaoyan Shao,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Manufacturing method of semiconductor device having high resistance and low resistance resistive layer

Номер патента: KR980005801A. Автор: 이기영. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Method to obtain high density signal wires with low resistance in an electronic package

Номер патента: US20040050585A1. Автор: Jean Audet,Patrick Buffet,Timothy Budell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Solar cell contact formation using laser ablation

Номер патента: MY155779A. Автор: Smith David,HARLEY Gabriel,Cousins Peter. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2015-11-30.

Temperature resistant contact unit holder receptacle assembly and related methods

Номер патента: US20240201224A1. Автор: Novellie Pangilinan VICTORIA. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Melt through contact formation method

Номер патента: WO2000022681A1. Автор: Zhengrong Shi,Stuart Ross Wenham,Paul Alan Basore,Guangchun Zhang,Shijun Cai. Владелец: Pacific Solar Pty. Ltd.. Дата публикации: 2000-04-20.

BURIED LOW-RESISTANCE METAL WORD LINES FOR CROSS-POINT VARIABLE-RESISTANCE MATERIAL MEMORIES

Номер патента: US20190027684A1. Автор: Liu Jun,Violette Michael P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

BURIED LOW-RESISTANCE METAL WORD LINES FOR CROSS-POINT VARIABLE-RESISTANCE MATERIAL MEMORIES

Номер патента: US20190027685A1. Автор: Liu Jun,Violette Michael P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

BURIED LOW-RESISTANCE METAL WORD LINES FOR CROSS-POINT VARIABLE-RESISTANCE MATERIAL MEMORIES

Номер патента: US20170263865A1. Автор: Liu Jun,Violette Michael P.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

BURIED LOW-RESISTANCE METAL WORD LINES FOR CROSS-POINT VARIABLE-RESISTANCE MATERIAL MEMORIES

Номер патента: US20150380647A1. Автор: Liu Jun,Violette Michael P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Storage unit for storing electrical energy having a low-resistance contacted energy store

Номер патента: US20140036411A1. Автор: Stefan Huehner,Adolf Dillmann,Reiner Holp. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-02-06.

Floating stationary contact to create stable, low resistance contact joints

Номер патента: CA2865622A1. Автор: Frank T. Ehrenberger,Chad R. Mittelstadt,Jeff Kaufman. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Lead-acid battery separators with ultra low resistivity and sustained wettability

Номер патента: US09997756B2. Автор: Richard W. Pekala,Robert Waterhouse,David P. Walker,Chi Thuong-Le La,Cory S. Rogers,Jeffry M. Frenzel. Владелец: Amtek Research International LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

STORAGE UNIT FOR STORING ELECTRICAL ENERGY HAVING A LOW-RESISTANCE CONTACTED ENERGY STORE

Номер патента: US20140036411A1. Автор: Dillmann Adolf,Huehner Stefan,Holp Reiner. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-02-06.

Method for generating uniform low-resistance contacts in a star point relay

Номер патента: DE102013215789A1. Автор: Christian Gunselmann. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2015-02-12.

Low resistance, high voltage and resistance stable pptc material and manufacturing

Номер патента: US20230343494A1. Автор: Jianhua Chen,Zhiyong Zhou,Wilson Zheng. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for construction of low thermal expansion and low resistance wire for logging applications

Номер патента: US7866407B2. Автор: Evan L. Davies,Luis E. San Martin. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2011-01-11.

Method for construction of low thermal expansion and low resistance wire for logging applications

Номер патента: US20050133271A1. Автор: Evan Davies,Luis San Martin. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2005-06-23.

PRECISION POWER RESITANCE HAVING A VERY LOW RESISTANCE THERMAL COEFFICIENT

Номер патента: FR2573565A1. Автор: Felix Zandman,Joseph Szwarc. Владелец: Vishay Intertechnology Inc. Дата публикации: 1986-05-23.

Method for construction of low thermal expansion and low resistance wire for logging applications

Номер патента: US20080035352A1. Автор: Evan Davies,Luis San Martin. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Magnetic read head with magnetoresistive (MR) enhancements toward low resistance X area (RA) product

Номер патента: US09601137B2. Автор: Kunliang Zhang,Min Li,Junjie Quan,Hui-Chuan Wang. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Electricity storage / discharge device with internal low resistance current collector structure

Номер патента: BR9904506A. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Yang Tai Her. Дата публикации: 2001-01-16.

Low resistivity PTC compositions

Номер патента: US4237441A. Автор: Andrew Au,Peter V. van Konynenburg,Chris Rauwendaal,Alan J. Gotcher. Владелец: Raychem Corp. Дата публикации: 1980-12-02.

Vacuum-type circuit interrupter with weld-resistant contact material consisting essentially of copper and beryllium

Номер патента: US3624325A. Автор: Fordyce H Horn. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1971-11-30.

Low resistance rechargeable lithium-ion battery

Номер патента: US5587253A. Автор: Antoni S. Gozdz,Caroline N. Schmutz,Paul C. Warren. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1996-12-24.

Low-resistance contact to top electrodes for memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US20240260480A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Low-resistance contact to top electrodes for memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US11985906B2. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Low resistance magnetic tunneling junction

Номер патента: EP1038324A1. Автор: Eugene Chen,Renu Whig,Jon Slaughter. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-09-27.

Contact formation for a memory device

Номер патента: US20240357837A1. Автор: ZHAO Zhao,Farrell M. Good,Nirav Vora,Kolya Yastrebenetsky,Darwin A. Clampitt,Stephen W. Russell,Steven P. Turini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming low-resistivity connections in non-volatile memories

Номер патента: US20010049176A1. Автор: Alfonso Maurelli,Nicola Zatelli,Massimo Ati. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Wordline contact formation for nand device

Номер патента: WO2024118963A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Changwoo SUN,HsiangYu LEE. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-06.

Contact formation in semiconductor chips with pillar based memory arrays

Номер патента: EP4430931A1. Автор: Son Nguyen,Michael RIZZOLO,Devika Sarkar Grant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

A low resistance electric heating system

Номер патента: CA2804160C. Автор: Paul Lenworth Mantock. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-11-13.

Variable low resistance circuit with superconducting shunts

Номер патента: US3707670A. Автор: Robert J Erdman. Владелец: Keithley Instruments LLC. Дата публикации: 1972-12-26.

Wordline contact formation for nand device

Номер патента: US20240185893A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Changwoo SUN,HsiangYu LEE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Contact formation in semiconductor chips with pillar based memory arrays

Номер патента: WO2023083585A1. Автор: Son Nguyen,Michael RIZZOLO,Devika Sarkar Grant. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-19.

Modular data processing centre and formation method thereof

Номер патента: RU2700001C2. Автор: Эрик УИЛКОКС,Джон ХОФФНЕР,Штьепан ШИНКОВИЦ,Дениш РАНСИС,Зелько ГЬЮРАНИК. Владелец: Вертив Корпорэйшн. Дата публикации: 2019-09-12.

Microfluidic-based fiber formation methods and systems

Номер патента: EP4392747A1. Автор: Samuel Wadsworth,Simon Beyer,Konrad WALUS,Jackson He,Zhensong XU,Usama KHAN,Marita RODRIGUEZ,Anoush SEPEHRI. Владелец: Aspect Biosystems Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Layer formation method, and substrate with a layer formed by the method

Номер патента: US20030232136A1. Автор: Yoshikazu Kondo,Yasuo Morohoshi,Akira Nishiwaki,Kazuhiro Fukuda,Yoshiro Toda,Kiyoshi Oishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2003-12-18.

Layer formation method, and substrate with a layer formed by the method

Номер патента: US20040213920A1. Автор: Yoshikazu Kondo,Yasuo Morohoshi,Akira Nishiwaki,Kazuhiro Fukuda,Yoshiro Toda,Kiyoshi Oishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2004-10-28.

Layer formation method, and substrate with a layer formed by the method

Номер патента: EP1371752A3. Автор: Yoshikazu Kondo,Yasuo Morohoshi,Akira Nishiwaki,Kazuhiro Fukuda,Yoshiro Toda,Kiyoshi Oishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2004-01-14.

Wiring formation method

Номер патента: US12096570B2. Автор: Yoshitaka Hashimoto,Ryojiro Tominaga. Владелец: Fuji Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Ring screen speaker array and virtual sound source formation method

Номер патента: EP3678384A1. Автор: Qian Zhao,Jianguo Zheng. Владелец: Soundking Electroncs & Sound Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-08.

Conductive pattern formation method and conductive pattern formation device

Номер патента: US10440831B2. Автор: Sayaka Morita,Keita Saito,Midori Shimomura,Dai SUWAMA. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2019-10-08.

Heat management structure with graphene and copper, and a formation method thereof

Номер патента: US20240008228A1. Автор: Hsiao-Chien Chen,Cher-Ming TAN. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2024-01-04.

Display panel and formation method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20240365586A1. Автор: Fei Li. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Image formation method, image formation system, and mobile terminal

Номер патента: US09876930B2. Автор: Koji Ishizaki. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Pattern formation method and pattern formation structure

Номер патента: EP4456678A1. Автор: Kazuyuki Mitsukura,Kenichi Iwashita,Keishi Ono,Kensuke Yoshihara,Mao Narita,Kei Togasaki,Yuki IMAZU. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Conductive pattern formation method, conductive pattern-bearing substrate, and touch panel sensor

Номер патента: US09817499B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Yoshimi Igarashi. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Conductive pattern formation method, conductive pattern-bearing substrate, and touch panel sensor

Номер патента: US09639189B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Yoshimi Igarashi. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Reconstituted unit formation method

Номер патента: RU2604340C2. Автор: Соо Ми ОХ,Моонок ЯНГ. Владелец: Инфобридж Пте. Лтд,. Дата публикации: 2016-12-10.

Routing table generation, data transmission and routing route formation method for multi-hop services in high rate wireless personal networks

Номер патента: US8243624B2. Автор: Kwang Roh Park,Sung-Woo Park,Sangsung Choi,Young Ae Jeon,Seong-Hee Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-08-14.

DRAM semiconductor structure formation method and DRAM semiconductor structure

Номер патента: US11956944B2. Автор: Gongyi WU,Longyang Chen,Hongfa Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Microfluidic-based fiber formation methods and systems

Номер патента: CA3230168A1. Автор: Samuel Wadsworth,Simon Beyer,Konrad WALUS,Jackson He,Zhensong XU,Usama KHAN,Marita RODRIGUEZ,Anoush SEPEHRI. Владелец: Aspect Biosystems Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Wiring formation method

Номер патента: EP4117397A1. Автор: Yoshitaka Hashimoto,Ryojiro Tominaga. Владелец: Fuji Corp. Дата публикации: 2023-01-11.

Bulk acoustic wave resonator and formation method thereof

Номер патента: US11990889B2. Автор: Chia-Ta Chang,Chun-Ju Wei,Kuo-Lung Weng,Tzu-Sheng HSIEH. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Solution-processed thin film transistor formation method

Номер патента: US6867081B2. Автор: David M. Kwasny,Jian-gang Weng,David Orr. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-03-15.

Layout of flash memory and formation method of the same

Номер патента: US6067249A. Автор: Hee-Youl Lee,Jae-Hyun Sone. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Circuit formation method

Номер патента: US11849545B2. Автор: Kenji Tsukada,Ryojiro Tominaga. Владелец: Fuji Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Formation method of filter device

Номер патента: US11955950B2. Автор: Wei Wang,Yanjie CAO,Chengcheng Yu. Владелец: Shenzhen Sunway Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Compound, pattern forming substrate, coupling agent, and pattern formation method

Номер патента: US11767327B2. Автор: Kazuo Yamaguchi,Yusuke Kawakami. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Image forming apparatus, image formation method, and recording medium that execute application

Номер патента: US9503602B2. Автор: Minoru Takahashi,Takashi Murakami,Kentaro Okamoto,Satoshi Imai,Koji Ikawa,Makoto Kowaka,Yosuke Nakazato,Masato Hirota,Tomonori NAOTA,Katsuji Furushige,Tomihito Doi,Ayaka Ikejima,Kyota Mitsuyama,Daijiro Kitamoto,Wataru Tsukuda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Ear plug having pressure-adjusting compartment and formation method for same

Номер патента: US20220038806A1. Автор: Lei Cheng. Владелец: Concraft Holding Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Cured resin formation method and cured resin formation device

Номер патента: US11945886B2. Автор: Ryojiro Tominaga,Tasuku TAKEUCHI. Владелец: Fuji Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Chatbot system, option formation device, option formation method, and non-transitorycomputer-readable medium

Номер патента: US20240214331A1. Автор: Yasuhiro SAKAMORI. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Resistive Memory Apparatus Using Variable-Resistance Channels With High- And Low-Resistance Regions

Номер патента: US20180254083A1. Автор: Abu Sebastian,Lukas Czornomaz,Vara Sudananda Prasad Jonnalagadda,Veeresh Vidyadhar Deshpande,Wabe Koelmans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Method for manufacturing filtering rods from a pla bundle with low resistance to draw for reducing the smoking temperature

Номер патента: RU2761996C1. Автор: Тао ЯН,Цзыган ЯН,Синьлэй ФАНЬ,Ляньлун ЛЭЙ. Владелец: Юньнань Тобэкко Биолоджикал Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2021-12-14.

Bolometric sensor with high TCR and tunable low resistivity

Номер патента: US20110248167A1. Автор: Serge Luryi,Michael A. Gurvitch,Aleksandr Y. Polyakov,Aleksandr Shabalov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-13.

Low resistivity single crystal silicon carbide wafer

Номер патента: US09915011B2. Автор: Noboru Ohtani,Tatsuo Fujimoto,Hirokatsu Yashiro,Masakazu Katsuno,Masashi Nakabayashi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

U-shaped sheet pile with a low resistance of driving

Номер патента: RU2190061C2. Автор: Ролан БАСТИАН,Алекс ШМИТТ,Шарль РАЙНАРД,Марк МЕЙРЕР. Владелец: Профиларбед С.А.. Дата публикации: 2002-09-27.

Low-resistance general sealing apparatus for trocar, and trocar

Номер патента: US09603621B2. Автор: Xing Zhou. Владелец: Guangzhou T K Medical Instrument Co ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of applying doped zinc oxide coatings, having low resistivity and articles made using said method

Номер патента: RU2445281C2. Автор: Майкл Б. АБРАМС,Роман И. КОРОТКОВ,Гэри С. СИЛВЕРМАН,Райан СМИТ,Джеффери Л. СТРИКЕР,Лян Е,Гильермо Бенито ГУТЬЕРРЕС,Кевин Д. САНДЕРСОН. Владелец: Аркема, Инк.. Дата публикации: 2012-03-20.

Low-resistance material with improved wearing capacity for current transfer and method for production thereof

Номер патента: RU2244037C2. Автор: Да Хай ХЕ,Рафаэль Р. МАНОРИ,Норман Дж. ГРЕЙДИ,Гарри СИНКИС,Клим ПАЧЕКО. Владелец: Викториэн Рэйл Трэк. Дата публикации: 2005-01-10.

Aerosol-generating article and low-resistance support member for use as aerosol-generating article segment

Номер патента: RU2710468C2. Автор: Мирко МИНЗОНИ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-12-26.

Stimulation leads and systems for cancer treatment with low resistance and heat generation

Номер патента: WO2024123996A1. Автор: Michael J. Kane,Brian L. Schmidt,Devon N. Arnholt. Владелец: Cardiac Pacemakers, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Kit for quantitatively determining tacrolimus in whole blood by low-resistance latex-enhanced immune competition method, and use thereof

Номер патента: EP4459286A1. Автор: Weijing Lin,Xiaochan SONG,Linjuan QIN. Владелец: SHANGHAI GENEXT MEDICAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Method of creating low-resistance electric connection between split ring electrode and wire by means of contact pressure

Номер патента: RU2680200C2. Автор: Томас В. СЕЛКИ. Владелец: Байосенс Вебстер (Изрэйл) Лтд.. Дата публикации: 2019-02-18.

Bolometric sensor with high tcr and tunable low resistivity

Номер патента: WO2009131674A3. Автор: Serge Luryi,Michael A. Gurvitch,Aleksandr Y. Polyakov,Aleksandr Shabalov. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2011-02-17.

MEMS device and process for RF and low resistance applications

Номер патента: US09617141B2. Автор: Xiang Li,Martin Lim,Li-Wen Hung,Michael Julian Daneman. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Low resistance interface metal for disk drive suspension component grounding

Номер патента: US09583125B1. Автор: Marcos Lazatin,Brett Holaway. Владелец: Magnecomp Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Fixing roller having low resistance layer and fixing apparatus using same

Номер патента: US5724637A. Автор: Shigeaki Takada,Hisaaki Senba, deceased. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-03-03.

Image forming apparatus including an intermediate image transfer belt and high resistance contact member

Номер патента: US6901234B2. Автор: Mitsuru Takahashi,Hideki Kamiyama,Katsuya Kawagoe,Satoru Uchida,Hiromi Ogiyama,Shin Kayahara,Ryuuichi Minbu,Yuuji Sawai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-31.

Low-resistance conductive tape enhancing and maintaining rf performance and having excellent effect of preventing galvanic corrosion and oxidation

Номер патента: US20190039351A1. Автор: Young Hun Kim. Владелец: Ich Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Non-resistive contact electrosonic sensor systems

Номер патента: US09693752B2. Автор: Thomas Andrew DAWSON. Владелец: RESCON LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Ultrasonic device contact formation

Номер патента: RU2742967C2. Автор: Марк Томас ДЖОНСОН,Дан Антон ВАН ДЕН ЭНДЕ,Харм Ян Виллем БЕЛТ,Франсискус Йоханнес Герардус ХАККЕНС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-02-12.

Low resistance probe for semiconductor

Номер патента: US5177438A. Автор: Hugh W. Littlebury,Marion I. Simmons. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-01-05.

Apparatus for producing low resistivity tungsten thin film comprising reaction temperature measuring thermocouples

Номер патента: US5232509A. Автор: Suk-Ki Min,Yong T. Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1993-08-03.

Low-resistance general sealing apparatus for trocar, and trocar

Номер патента: US20130261651A1. Автор: Xing Zhou. Владелец: Xing Zhou. Дата публикации: 2013-10-03.

Non-resistive contact electrical systems and methods for visualizing the structure and function of objects or systems

Номер патента: US09757074B2. Автор: Thomas Andrew DAWSON. Владелец: RESCON LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-resistive contact electrical systems and methods for visualizing the structure and function of objects or systems

Номер патента: US09456758B2. Автор: Thomas Andrew DAWSON. Владелец: RESCON LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for predicting hydraulic fracturing of formation, method of hydraulic fracturing of formation, methods for predicting risks of formation hydraulic fracturing

Номер патента: RU2730576C1. Автор: Алексей Александрович Тихонов,Денис Викторович Банников,Вадим Исмаилович Исаев,Дмитрий Сергеевич Кузнецов,Иван Владимирович Великанов. Владелец: Шлюмберже Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2020-08-24.

Formation hydraulic fracturing formation method and formation hydraulic fracturing method

Номер патента: RU2730575C1. Автор: Дмитрий Викторович Бадажков,Денис Викторович Банников,Вадим Исмаилович Исаев,Дмитрий Сергеевич Кузнецов,Иван Владимирович Великанов,Владимир Александрович Пляшкевич,Олег Валерьевич Ковалевский. Владелец: Шлюмберже Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2020-08-24.

Formation method of belt zone at soaking good

Номер патента: RU2358701C2. Автор: Расселл И. ТОРСОН,ГОМПЕЛ Пол ВАН. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2009-06-20.

Process for forming low resistivity titanium nitride films

Номер патента: US5279857A. Автор: Eric C. Eichman,Bruce A. Sommer,Michael J. Churley. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1994-01-18.

Process for forming low resistivity titanium nitride films

Номер патента: CA2114716A1. Автор: Eric C. Eichman,Bruce A. Sommer,Michael J. Churley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-03-04.

Method of making a low resistance indium oxide conductive film

Номер патента: US4010291A. Автор: Shizuko Katsube,Yoshiyuki Katsube. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1977-03-01.

Mems device and process for rf and low resistance applications

Номер патента: US20170297900A1. Автор: Xiang Li,Martin Lim,Li-Wen Hung,Michael J. Daneman. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Anti-pullout and low-resistance screw

Номер патента: US11788569B2. Автор: Kuo-Tai Hsu,Ming-Hao Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-17.

Low resistance core sample marking system and method for orientation of a marked core sample

Номер патента: CA2959881C. Автор: Rune Lindhjem,Lars A. Eriksen,Arnstein Lovo. Владелец: DEVICO AS. Дата публикации: 2023-11-21.

A Drop-Resistant Contact Lenses Case

Номер патента: AU2019202062A1. Автор: LU Wang. Владелец: Sanmen Yilin Eyewear Co ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Low resistance air filter device

Номер патента: EP1761322A1. Автор: Gaetano Bergami. Владелец: Bmc Srl. Дата публикации: 2007-03-14.

Low resistance air filter device

Номер патента: EP1761322B9. Автор: Gaetano Bergami. Владелец: Bmc Srl. Дата публикации: 2008-06-11.

Stimulation leads and systems for cancer treatment with low resistance and heat generation

Номер патента: US20240189580A1. Автор: Michael J. Kane,Brian L. Schmidt,Devon N. Arnholt. Владелец: Mayo Foundation for Medical Education and Research. Дата публикации: 2024-06-13.

Bacterial colony formation method for sensitive and rapid culture of helicobacter pylori and effect evaluation method for same

Номер патента: US20240229099A9. Автор: HaiYing GU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Password formation method and device for its implementation

Номер патента: RU2656685C1. Автор: Ли Чжэн. Владелец: Смарт Электроник Индастриэл (Дон Гуань) Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-06-06.

Magneto-resistance effect element bar exposure method, magneto-resistance effect element bar formation method and magneto-resistance effect element bar

Номер патента: US20040160704A1. Автор: Tetsuya Kuwashima,Noriaki Kasahara,Hitoshi Hatate,Tsuneo Kagotani,Teruyo Kagotani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Recording medium, image formation method thereby, and production method thereof

Номер патента: US20030021959A1. Автор: Yuji Kondo,Hiroyuki Ogino,Tsuyoshi Santo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Display apparatus, and adjustment method and formation method thereof

Номер патента: US20240355277A1. Автор: Chuan Liu,Xun XIAO,Shuo Tang,Xigang Liu,Junbo Xu. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory formatting method, memory controller, and memory storage apparatus

Номер патента: US09389998B2. Автор: Chien-Fu Lee. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

File formats, methods, computer program products for provision of presentations

Номер патента: RU2400816C2. Автор: Шон А. ВИЛЛАРОН,Шарад К. КАРГ. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2010-09-27.

Multi-stage stationary radio location station with the surrounding surface unshadowed survey area formation method and device

Номер патента: RU2659406C1. Автор: Андрей Викторович Быков. Владелец: Андрей Викторович Быков. Дата публикации: 2018-07-02.

Formation method of rotor of electric screw installation, and rotor of electric screw installation (versions)

Номер патента: RU2493369C2. Автор: Хосейн Акбари,Оливер Синдт,Мишель Шеферд. Владелец: Шлюмберже Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2013-09-20.

Drill Bit and Hole Formation Method

Номер патента: MY196529A. Автор: Noritsugu Umehara,Yousuke Matsuyama,Takaaki Ogashiwa,Shintarou Oyama. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co. Дата публикации: 2023-04-18.

Heat- and light-curable coating composition and coating film formation method, water pressure transfer method

Номер патента: US20170218220A1. Автор: Wataru Ikeda,Kazutoshi Toda,Akiko Tomiki,Tomoyuki JINGU. Владелец: Taica Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Wood texture formation method

Номер патента: RU2764696C1. Автор: Владимир Николаевич Ермолин,Сергей Геннадьевич Елисеев,Данил Владимирович Дук. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГУ им. М.Ф. Решетнева). Дата публикации: 2022-01-19.

Pattern formation method, block copolymer, and pattern formation material

Номер патента: US20210040345A1. Автор: Koji Asakawa,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao,Tomoaki Sawabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Pattern formation method, block copolymer, and pattern formation material

Номер патента: US20190169461A1. Автор: Koji Asakawa,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao,Tomoaki Sawabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Backlight assembly and formation method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20230094044A1. Автор: Xiufeng He,Yi-Teng Wang,Zhenyuan Zhao. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Allocation-unit-based virtual formatting methods and devices employing allocation-unit-based virtual formatting methods

Номер патента: EP2176737A2. Автор: Donia Sebastian,Jason Owens,Stuart Stevens. Владелец: Emulex Design and Manufacturing Corp. Дата публикации: 2010-04-21.

Allocation-unit-based virtual formatting methods and devices employing allocation-unit-based virtual formatting methods

Номер патента: WO2009005792A2. Автор: Donia Sebastian,Jason Owens,Stuart Stevens. Владелец: Emulex Design & Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2009-01-08.

Inkjet image formation method

Номер патента: US20200180337A1. Автор: Masayuki Ushiku,Haruka MORIYAMA,Hirotaka TAGORI. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2020-06-11.

Pattern formation method

Номер патента: US9134605B2. Автор: Hironobu Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Image formation method

Номер патента: US20100322685A1. Автор: Michiyo Fujita,Ryuichi Hiramoto,Takao Yamanouchi,Kazue Nakamura. Владелец: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2010-12-23.

Composition for forming overlay film, and resist pattern formation method employing the same

Номер патента: US20150331323A1. Автор: Georg Pawlowski,Masato Suzuki,Xiaowei Wang,Tetsuo Okayasu. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2015-11-19.

Pattern formation method and pattern formation material

Номер патента: US20190084829A1. Автор: Koji Asakawa,Naoko Kihara,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao,Tomoaki Sawabe,Seekei Lee. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Pattern formation method, active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, production method for electronic device using same, and electronic device

Номер патента: US9829796B2. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Hiroo Takizawa,Takuya TSURUTA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Chelating acid blends for stimulation of a subterranean formation, methods of utilizing the chelating acid blends, and hydrocarbon wells that include the chelating acid blends

Номер патента: US20210324260A1. Автор: Pavlin B. Entchev,Mauro LO CASCIO,P. Matthew Spiecker,Timothy J. Hall. Владелец: ExxonMobil Upstream Research Co. Дата публикации: 2021-10-21.

Film formation method

Номер патента: US20240309556A1. Автор: Hiroshi Shiho,Yuji Kato,Makoto Shimizu,Hiroyuki Ando,Naoyuki Tsukamoto. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Pattern formation method and pattern formation material

Номер патента: US20190086803A1. Автор: Koji Asakawa,Naoko Kihara,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao,Tomoaki Sawabe,Seekei Lee. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Image formation method, decorative sheet, decorative sheet molding, process for producing in-mold molded product, in-mold molded product, and ink set

Номер патента: US09855693B2. Автор: Tsutomu Umebayashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Pattern formation method, active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, production method for electronic device using same, and electronic device

Номер патента: US09829796B2. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Hiroo Takizawa,Takuya TSURUTA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Composition for forming overlay film, and resist pattern formation method employing the same

Номер патента: US09810988B2. Автор: Georg Pawlowski,Masato Suzuki,Xiaowei Wang,Tetsuo Okayasu. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2017-11-07.

Pattern formation method and exposure apparatus

Номер патента: US09500961B2. Автор: Takashi Sato,Akiko Yamada,Takeshi Suto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Composition for forming topcoat layer and resist pattern formation method employing the same

Номер патента: US09482952B2. Автор: Georg Pawlowski,Xiaowei Wang,Tetsuo Okayasu,Takafumi KINUTA. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2016-11-01.

Formation method of expanded part of pipe column

Номер патента: RU2468190C2. Автор: Роберт С. Смит,Грэм Э. ФАРКУАР. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-11-27.

Combined reality images formation method and system

Номер патента: RU2660631C1. Автор: Ильнур Зямилевич Харисов,Руслан Фаритович Гатауллин,Данияр Джурабоевич Хайитов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТрансИнжКом". Дата публикации: 2018-07-06.

Image formation method and image formation apparatus

Номер патента: US20150253683A1. Автор: Masahiro Anno,Naoki Yoshie,Kunitomo SASAKI. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2015-09-10.

Integrated circuit structure formation method

Номер патента: US20220244647A1. Автор: Sungjin Kim. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Tissue body formation device and tissue body formation method

Номер патента: EP4397274A1. Автор: Yasuhide Nakayama. Владелец: Biotube Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Silver halide photographic material and image formation method

Номер патента: US6368780B1. Автор: Kiyoshi Takeuchi,Yuki Mizukawa,Satoshi Sano,Taiji Katsumata. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-09.

Hot-spinning Formation Method for Large-diameter Titanium Alloy Cylindrical Parts

Номер патента: US20230166312A1. Автор: BO Yang,Le Zhang,Dong Miao,Qing FENG,Yaohui Li,Xiuling HE,Chu SHEN. Владелец: Xi'an Taijin New Energy & Materials Sci Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Formation methods of liquid crystal layers, liquid crystal panels, and liquid crystal dripping devices

Номер патента: US20180196292A1. Автор: Bin Xiao,Guoliang YE. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Ink set and image formation method

Номер патента: US12049568B2. Автор: Toshiyuki Makuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Ridge formation method and device

Номер патента: US20160081257A1. Автор: Kazuo Shimura,Takayuki SHIMURA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Resist developer and resist pattern formation method using same

Номер патента: US20030203316A1. Автор: Kazuyuki Nitta. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

Color image formation method

Номер патента: US20020004183A1. Автор: Takatoshi Ishikawa,Hideaki Nomura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Image formation method

Номер патента: US20030095802A1. Автор: Makoto Yamada,Yasunori Mimaki. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Ink set and image formation method

Номер патента: US20210253888A1. Автор: Toshiyuki Makuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Pattern formation method

Номер патента: EP1688797A3. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-16.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09834435B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Jung-Huei Peng,Yeong-Jyh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Composition for forming topcoat layer and resist pattern formation method employing the same

Номер патента: US09804493B2. Автор: Georg Pawlowski,Hyun-Woo Kim,Xiaowei Wang,Tetsuo Okayasu,Yusuke Hama,Cheol Hong Park. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2017-10-31.

Film formation apparatus and film formation method forming metal film

Номер патента: US09752246B2. Автор: Hiroshi Yanagimoto,Yuki Sato,Motoki Hiraoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Resist pattern formation method and resist composition

Номер патента: US09740105B2. Автор: Shinichi Hidesaka,Yoichi Hori,Takeaki Shiroki. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Structures and formation methods of micro-electro mechanical system device

Номер патента: US09725301B2. Автор: Shang-Ying Tsai,Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Chin-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Composite structure formation method, pre-formed controlled particles formed of fine particles non-chemically bonded together, and composite structure formation system involving controlled particles

Номер патента: US09573149B2. Автор: Osamu Okamoto,Hironori Hatono,Masahiro Mizukane. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Active ray-curable inkjet ink, and image formation method using same

Номер патента: US09528018B2. Автор: Akio Maeda,Satoshi Masumi,Takashi Iwata,Yuka YAZAKI. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-12-27.

Image formation method and image formation apparatus

Номер патента: US09494898B2. Автор: Masahiro Anno,Naoki Yoshie,Kunitomo SASAKI. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Layer stack formation powder material, powder layer stack formation hardening liquid, layer stack formation material set, and layer stack object formation method

Номер патента: US09487443B2. Автор: Masaki Watanabe. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Insulating plug formation method

Номер патента: RU2393331C1. Автор: Константин Игорьевич Попов,Вадим Камильевич Хлесткин. Владелец: Шлюмберже Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2010-06-27.

Urethrocystoanastomosis formation method

Номер патента: RU2740101C1. Автор: Николай Иванович Сорокин,Ахмедхан Мухамедович Пшихачев,Армаис Альбертович Камалов,Виталий Казиханович Дзитиев,Таир Бахлулович ТАХИРЗАДЕ,Анар Мазахир оглы ТАХИРЗАДЕ,Давид Михайлович Камалов,Елизавета Владимировна АФАНАСЬЕВСКАЯ,Андрей Алексеевич СТРИГУНОВ,Омар Асланович ОСМАНОВ. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова» (МГУ). Дата публикации: 2021-01-11.

3d microstructures formation method in optical materials

Номер патента: RU2729253C1. Автор: Владимир Исаакович Юсупов,Андрей Геннадьевич Шубный,Евгений Олегович Епифанов,Никита Владимирович Минаев,Михаил Юрьевич Цветков,Александр Петрович Свиридов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2020-08-05.

Polycrystalline diamond insert, polycrystalline diamond formation method and drilling tool

Номер патента: RU2738443C2. Автор: Марк В. БЁРД,Эндрю ГЛЕДХИЛЛ. Владелец: Даймонд Инновейшнс, Инк.. Дата публикации: 2020-12-14.

Lining layers in the aluminum cells cathode casing formation method and device for its implementation

Номер патента: RU2667270C1. Автор: Виталий Валерьевич Пингин,Михаил Александрович Ланцевич,Самуил Яковлевич Левенсон,Вячеслав Андреевич Голдобин,Александр Владимирович Прошкин,Андрей Геннадьевич Сбитнев,Алексей Васильевич Морозов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2018-09-18.

Bacterial colony formation method for sensitive and rapid culture of helicobacter pylori and effect evaluation method for same

Номер патента: EP4299717A1. Автор: HaiYing GU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-03.

Compound, resin, composition, resist pattern formation method, circuit pattern formation method, and method for purifying resin

Номер патента: US20220144738A1. Автор: Hiroaki Yamamoto,Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima,Yu Okada. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Material for lithography, production method therefor, composition for lithography, pattern formation method, compound, resin, and method for purifying the compound or the resin

Номер патента: US11852970B2. Автор: Takashi Sato,Hiroto Kudo,Masatoshi Echigo,Takumi TOIDA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Pattern formation method and method for manufacturing polarizing plate

Номер патента: US20210011374A1. Автор: Kazuyuki Shibuya,Akio Takada,Toshiaki Sugawara,Yusuke Matsuno,Shigeshi Sakakibara. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Compound, polymer, composition, composition for film formation, pattern formation method, insulating film formation method, and method for producing compound

Номер патента: US20230348351A1. Автор: Masahiro Matsumoto,Masatoshi Echigo,Tadashi Omatsu,Yu Okada,Takeru KOGUMA,Yushi NIIMI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Bacterial colony formation method for sensitive and rapid culture of helicobacter pylori and effect evaluation method for same

Номер патента: US20240132932A1. Автор: HaiYing GU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-25.

Pattern formation method and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8118585B2. Автор: Masayuki Hatano,Suigen Kyoh,Tetsuro Nakasugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Two-component paint composition and multilayer coating formation method using same

Номер патента: RU2669610C2. Автор: ТакеСи ЦУНОДА. Владелец: БАСФ Коатингс ГмбХ. Дата публикации: 2018-10-12.

Cherry tree crown formation method intended for mechanized harvesting

Номер патента: RU2719724C1. Автор: Александр Григорьевич Гурин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Орловский государственный аграрный университет имени Н.В. Парахина". Дата публикации: 2020-04-22.

Process steam formation method

Номер патента: RU2484397C2. Автор: Ханс-Йоахим КЛУТЦ. Владелец: Рве Пауэр Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2013-06-10.

Valve and fuel pulse formation method

Номер патента: RU2331786C2. Автор: Тьерк ООМЕН. Владелец: Аско Контролз Б.В.. Дата публикации: 2008-08-20.

Formation method of strata with hard-to-recover hydrocarbon reserves

Номер патента: RU2712869C1. Автор: Геннадий Семенович Дубинский,Вадим Евгеньевич Андреев,Ринат Раисович Хузин,Сергей Алексеевич Баталов,Динар Альбертович Салихов. Владелец: государственное автономное научное учреждение "Институт стратегических исследований Республики Башкортостан". Дата публикации: 2020-01-31.

Image formation method and active energy beam-curable ink

Номер патента: US20100302330A1. Автор: Shunsuke Uozumi,Kazuhiro Higashi,Masami SHINOZAKI. Владелец: Riso Kagaku Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

File formats, methods, and computer program products for representing presentations

Номер патента: MY144079A. Автор: Shawn A Villaron,Sharad K Garg. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2011-08-15.

Hexachloroplatinic acid assisted silicon nanoparticle formation method

Номер патента: WO2007018959A3. Автор: Munir H. Nayfeh,David Nielsen,Laila Abuhassan,Addulrahman Almuhanna. Владелец: The University Of Jordan. Дата публикации: 2009-09-03.

Image formation method and apparatus

Номер патента: US4493882A. Автор: Yasuyuki Tamura,Shuzo Kaneko,Tohru Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1985-01-15.

Multi-layer coating film formation method

Номер патента: CA3092258C. Автор: Kenji Imanaka,Takayuki Ryoki. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Microfluidic-based fiber formation methods and systems

Номер патента: AU2022332665A1. Автор: Samuel Wadsworth,Simon Beyer,Konrad WALUS,Jackson He,Zhensong XU,Usama KHAN,Marita RODRIGUEZ,Anoush SEPEHRI. Владелец: Aspect Biosystems Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Film-formation method

Номер патента: US20190390321A1. Автор: Takuya Sugawara,Hiroshi Murotani,Yukio Horiguchi. Владелец: Shincron Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Image formation method

Номер патента: EP4289625A1. Автор: Takenori Omata,Hikaru Hamano. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2023-12-13.

Diffractive optical waveguide, design method and formation method thereof, and display device

Номер патента: EP4293280A1. Автор: Kehan Tian,Zhentao FAN,Xingming ZHAO. Владелец: Jiaxing Uphoton Optoelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Pattern formation method, active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, production method for electronic device using same, and electronic device

Номер патента: US20160147155A1. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Hiroo Takizawa,Takuya TSURUTA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Diffractive optical waveguide, design method and formation method thereof, and display device

Номер патента: US20230367055A1. Автор: Kehan Tian,Zhentao FAN,Xingming ZHAO. Владелец: Jiaxing Uphoton Optoelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Pattern formation method and magnetic recording medium manufacturing method

Номер патента: US20150099064A1. Автор: Akira Watanabe,Kazutaka Takizawa,Kaori Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Film formation method

Номер патента: US20040087676A1. Автор: Tomoyuki Okuyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Formation method for liquid rubber composite nodes with damping through holes

Номер патента: US20220196108A1. Автор: Sheng Lin,Haitao Cheng,Jun Luo,Yuxiang Zhang,Junhui CHEN,Wansheng FENG,Wensong Liu,Zhongsan JIANG. Владелец: Zhuzhou Times Ruiwei Anti Viberation Equipment Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Formation method for liquid rubber composite nodes with damping through holes

Номер патента: US11859685B2. Автор: Sheng Lin,Haitao Cheng,Jun Luo,Yuxiang Zhang,Junhui CHEN,Wansheng FENG,Wensong Liu,Zhongsan JIANG. Владелец: Zhuzhou Times Ruiwei Anti Viberation Equipment Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Drill bit and hole formation method

Номер патента: MY176810A. Автор: Noritsugu Umehara,Yousuke Matsuyama,Takaaki Ogashiwa,Shintarou Oyama. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co. Дата публикации: 2020-08-21.

Backlight assembly and formation method thereof, and display apparatus

Номер патента: US11714315B2. Автор: Xiufeng He,Yi-Teng Wang,Zhenyuan Zhao. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Pattern formation method, magnetic recording medium manufacturing method, and fine particle dispersion

Номер патента: US20150072071A1. Автор: Akira Fujimoto,Kazutaka Takizawa,Kaori Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Test pattern formation method, landing deviation amount acquisition method, and recording device

Номер патента: US20200079123A1. Автор: Eishin Yoshikawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Dynamic platoon formation method under mixed autonomous vehicles flow

Номер патента: US20220351625A1. Автор: Hongsheng Qi,Yuyan YING. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2022-11-03.

Microfluidic apparatus, driving method and formation method thereof

Номер патента: US20230249181A1. Автор: Wei Li,Feng Qin,Yunfei Bai,Baiquan LIN,Kerui XI,Kaidi Zhang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Pattern formation method, block copolymer, and pattern formation material

Номер патента: US11161999B2. Автор: Koji Asakawa,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao,Tomoaki Sawabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Dynamic loose vehicle formation method based on real-time online navigation map

Номер патента: US11935407B1. Автор: Li Li,Yuyan Wang,Shufeng Wang,Guansheng Wu,Junyou ZHANG,Qingwei Liang,Huayue Zhang,Baokang Zhang,Sunquan Long,Mengqi Luo,Xianbin Du. Владелец: SHANDONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-19.

Masking Jig, Film Formation Method, and Film Formation Device

Номер патента: US20240157384A1. Автор: Masaki Hirano. Владелец: Tatsuta Electric Wire and Cable Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Inkjet image formation method

Номер патента: EP3677433A1. Автор: Masayuki Ushiku,Haruka MORIYAMA,Hirotaka TAGORI. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2020-07-08.

Pattern formation method, control device, and semiconductor device manufacture method

Номер патента: US20160259240A1. Автор: Hideaki Sakurai,Shingo Kanamitsu,Keiko Morishita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Film formation method

Номер патента: EP3683331A1. Автор: Satoshi Hirota,Koichiro Akari. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2020-07-22.

Pattern formation method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230139799A1. Автор: Wei-De Ho,Hua-Tai Lin,Yuan-Hsiang Lung,Han-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Anchor hole formation method and diameter expanding device

Номер патента: RU2658523C2. Автор: Сого ФУДЗИТА. Владелец: ЭфЭс Текникал Корпорейшн. Дата публикации: 2018-06-21.

Oral cavity care device (versions) and its formation method

Номер патента: RU2478329C1. Автор: Роберт МОСКОВИЧ,Кеннет УАГЕСПАК,Брюс РАССЕЛЛ. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2013-04-10.

Formation method of aerial vehicle flight trajectory

Номер патента: RU2611453C1. Автор: Александр Степанович Никулин,Андрей Анатольевич Гарбузов,Владимир Валентинович Кавинский,Михаил Ильич Орехов,Александр Павлович Занозин,Сергей Николаевич Ищенко,Евгений Федорович Лазарев,Михаил Александрович Беляев,Александр Александрович Семаш,Юрий Николаевич Матюнин. Владелец: Акционерное общество "Раменское приборостроительное конструкторское бюро" (АО "РПКБ"). Дата публикации: 2017-02-22.

Data structure formation method and system based on multilayer graph

Номер патента: RU2739473C1. Автор: Виталий Алексеевич ШАРАНУЦА,Алексей Александрович БУЛАВИН. Владелец: Публичное Акционерное Общество "Сбербанк России" (Пао Сбербанк). Дата публикации: 2020-12-24.

Electroconductive magnetic carrier, developer using the same and image formation method

Номер патента: US5318873A. Автор: Hiroshi Itoh,Yukio Ikeda,Takao Kawamura,Yasuo Nishiguchi,Yoshio Ozawa,Katsuhiro Yoshioka. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1994-06-07.

Water-soluble material, chemically amplified resist and pattern formation method using the same

Номер патента: EP1553453A2. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-13.

Composite structure formation method using pre-formed controlled particles formed of fine particles non-chemically bonded together

Номер патента: US10046344B2. Автор: Osamu Okamoto,Hironori Hatono,Masahiro Mizukane. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2018-08-14.

Barrier film material and pattern formation method using the same

Номер патента: EP1788440A2. Автор: Masayuki Endo,Masaru Sasago. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Image formation method

Номер патента: US20080227000A1. Автор: Hiroshi Yamada,Hiroyuki Fushimi,Yasuo Asahina,Fumihiro Sasaki,Hisashi Nakajima,Takahiro Honda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Photochromic mixture, formation method and application of photochromic device

Номер патента: US20200087521A1. Автор: Huafei XIE. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Through-glass via hole formation method

Номер патента: US20210122673A1. Автор: Sung Soo Park,Hong Jin Park. Владелец: JOONGWOO M-TECH Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Radiation-sensitive resin composition and pattern formation method

Номер патента: US20230273519A1. Автор: Ken Maruyama. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Population formation method, population formation apparatus, and computer-readable recording medium

Номер патента: US10303709B2. Автор: Hiroko Suzuki,Tetsuro Takahashi,Tadanobu Furukawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-05-28.

Resist pattern formation method

Номер патента: US11796919B2. Автор: Seiichi Tagawa. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2023-10-24.

Structure provided with surface having oil film formability, and oil film formation method

Номер патента: US20200024043A1. Автор: Keisuke NYUU,Tomoyuki Miyazaki,Yosuke Akutsu,Sarasa Maejima. Владелец: Toyo Seikan Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Air venting valve formation method by fastening thermo-actuator inside valve structure without any additional operation or part and a thermostat assembly therefore

Номер патента: EP3746646A2. Автор: Hikmet KANBUR. Владелец: Kirpart Otomotiv Parcalari Sanayi ve Ticaret AS. Дата публикации: 2020-12-09.

Composition for forming topcoat layer and resist pattern formation method employing the same

Номер патента: US20150147701A1. Автор: Georg Pawlowski,Hyun-Woo Kim,Xiaowei Wang,Tetsuo Okayasu,Yusuke Hama,Cheol Hong Park. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2015-05-28.

Image formation apparatus, an image formation method, an image formation program, and a computer-readable recording medium

Номер патента: US20070183799A1. Автор: Fuminori Tsuchiya. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-09.

Toner for developing electrostatic image, full color toner kit, and image formation method

Номер патента: US8431295B2. Автор: Hiroshi Yamazaki,Hiroyuki Yasukawa,Kaori Soeda. Владелец: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2013-04-30.

Photoresist compositions and pattern formation methods

Номер патента: US11940730B2. Автор: Mingqi Li,Mitsuru Haga. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Film formation method

Номер патента: US11174546B2. Автор: Satoshi Hirota,Koichiro Akari. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

Synergistic composition of phages and its formation method

Номер патента: US20240050498A1. Автор: Jaroslaw Dastych,Agnieszka MASZEWSKA,Ewelina A. WÓJCIK,Joanna KAZIMIERCZAK,Justyna ANDRYSIAK,Paulina WIGNER,Małgorzata STAŃCZYK,Anna PEKALA,Edyta SMIGIELSKA,Ewelina WOJDA,Arkadiusz GUZI?SKI. Владелец: Proteon Pharmaceuticals SA. Дата публикации: 2024-02-15.

Film formation method

Номер патента: EP3951009A1. Автор: Haruhiko Suzuki,Eiji Shiotani,Hidenobu Matsuyama,Yoshito Utsumi,Hirohisa SHIBAYAMA,Koukichi Kamada,Naoya TAINAKA,Toshio OGIYA. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Resist pattern formation method

Номер патента: EP3809206A1. Автор: Seiichi Tagawa. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2021-04-21.

Population formation method, population formation apparatus, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20170004138A1. Автор: Hiroko Suzuki,Tetsuro Takahashi,Tadanobu Furukawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Hot-spinning formation method for large-diameter titanium alloy cylindrical parts

Номер патента: US11779986B2. Автор: BO Yang,Le Zhang,Dong Miao,Qing FENG,Yaohui Li,Xiuling HE,Chu SHEN. Владелец: Xi'an Taijin New Energy & Materials Sci Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Synergistic composition of phages and its formation method

Номер патента: CA3183521A1. Автор: Agnieszka MASZEWSKA,Ewelina A. WÓJCIK,Joanna KAZIMIERCZAK,Justyna ANDRYSIAK,Paulina WIGNER,Ewelina WOJDA,Arkadiusz GUZI?SKI,Jaros?Aw Dastych,Ma?Gorzata Sta?Czyk,Anna P?Kala,Edyta ?Migielska. Владелец: Proteon Pharmaceuticals SA. Дата публикации: 2021-12-30.

Synergistic composition of phages and its formation method

Номер патента: EP4171597A1. Автор: Jaroslaw Dastych,Agnieszka MASZEWSKA,Ewelina A. WÓJCIK,Joanna KAZIMIERCZAK,Arkadiusz GUZIŃSKI,Justyna ANDRYSIAK,Paulina WIGNER,Małgorzata STAŃCZYK,Anna PEKALA,Edyta SMIGIELSKA,Ewelina WOJDA. Владелец: Proteon Pharmaceuticals SA. Дата публикации: 2023-05-03.

Synergistic composition of phages and its formation method

Номер патента: WO2021262019A1. Автор: Jaroslaw Dastych,Agnieszka MASZEWSKA,Ewelina A. WÓJCIK,Joanna KAZIMIERCZAK,Arkadiusz GUZIŃSKI,Justyna ANDRYSIAK,Paulina WIGNER,Małgorzata STAŃCZYK,Anna PEKALA,Edyta SMIGIELSKA,Ewelina WOJDA. Владелец: PROTEON PHARMACEUTICALS S.A.. Дата публикации: 2021-12-30.

Access route formation method for bile duct, endoscope treatment tool, and access route formation system

Номер патента: US20230404367A1. Автор: Yutaka Yanuma,Tomohiko MAMIYA. Владелец: OLYMPUS MEDICAL SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2023-12-21.

Line-pattern formation method and line-pattern formation apparatus

Номер патента: SG140557A1. Автор: Naoki Ozawa,Hiroyuki Urabe,Ayano Yamashita,Emiko Nakasato. Владелец: Carl Mfg Co. Дата публикации: 2008-03-28.

Film formation method

Номер патента: US20210164089A1. Автор: Satoshi Hirota,Koichiro Akari. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Image formation apparatus, an image formation method, an image formation program, and a recording medium

Номер патента: US20080019744A1. Автор: Yasuo Yamaguchi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Image formation method

Номер патента: US20140092172A1. Автор: Masao IKOSHI,Chiyomi Niitsu,Shinji Tsuno. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Toner for use in electrophotography and image formation method using the toner

Номер патента: US20010051310A1. Автор: Kunihiko Tomita. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-13.

Low resistance plate line bus architecture

Номер патента: US20070211510A1. Автор: John Fong,Sung-Wei Lin,Sudhir Madan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Process For The Preparation Of Low Contact Resistant Contact On A High Transition Temperature Superconductors

Номер патента: US20070281862A1. Автор: Mukul Sharma,Shrikant Ekbote,Gursharan Padam,Narendra Arora,Rames Sethi,Mrinal Banerjee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Process for the preparation of low contact resistant contact on a high transition temperature superconductors

Номер патента: US20110281734A1. Автор: Mrinal Kanti Banerjee,Mukul Sharma,Gursharan Kaur Padam,Ramesh Sethi,Shrikant Ekbote,Narendra Kumar Arora. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2011-11-17.

Номер патента: RU2444114C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Петр Сергеевич Будяков,Николай Николаевич Прокопенко (RU),Петр Сергеевич Будяков (RU),Александр Игоревич Серебряков (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2012-02-27.

Differential amplifier with low-resistance inputs

Номер патента: RU2383099C2. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Андрей Васильевич Хорунжий. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2010-02-27.

Formation method of multi-layer nanocrystalline films with heterogeneous boundary line and formation device of multi-layer nanocrystalline films with heterogeneous boundary line

Номер патента: RU2436876C1. Автор: Владимир Владимирович Томаев. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет. Дата публикации: 2011-12-20.

Liquid or gas jet formation method and device (variants)

Номер патента: RU2285801C1. Автор: Юрий яковлевич Курлов. Владелец: Юрий яковлевич Курлов. Дата публикации: 2006-10-20.

Formation method of corrosion-resistant coating on titanium items

Номер патента: RU2443800C1. Автор: Владимир Андреевич Батаев,Анатолий Андреевич Батаев,Михаил Гедалиевич Голковский,Иван Константинович Чакин,Татьяна Владимировна Журавина,Павел Сергеевич Прозоренко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН). Дата публикации: 2012-02-27.

Ice-resistant drilling facilities for development of shallow marine continental shelf, and formation method of ice-resistant drilling facilities for development of shallow marine continental shelf

Номер патента: RU2478057C2. Автор: Борис Рудольфович Лившиц,Александр Александрович Алисейчик. Владелец: Публичное акционерное общество "Центральное конструкторское бюро "Коралл". Дата публикации: 2013-03-27.

Formation method of virtual signal receiving channels

Номер патента: RU2530320C2. Автор: Владимир Владимирович Негробов,Юрий Геннадьевич Пастернак. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-10-10.

Bearing strength formation method and device for its implementation

Номер патента: RU2415052C1. Автор: Дмитрий Вячеславович Смирнов,Алексей Николаевич Царьков,Владимир Евгеньевич Потапов,Дмитрий Александрович Якимов. Владелец: Межрегиональное общественное учреждение "Институт инженерной физики". Дата публикации: 2011-03-27.

Formation method of ultrathin film

Номер патента: RU2485209C1. Автор: Николай Иннокентьевич Плюснин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-06-20.

Formation method of progressive spring stiffness, elastic suspension member, and suspension (versions) of transport vehicle

Номер патента: RU2482345C1. Автор: Николай Филаретович Таланцев,Надежда Вячеславовна Шпет. Владелец: Открытое акционерное общество "Чусовской металлургический завод". Дата публикации: 2013-05-20.

Formation method of diffusive corrosion-resistant nanostructured protective coat on surface of metal product

Номер патента: RU2378412C1. Автор: Александр Шотович Чавчанидзе,Надежда Юрьевна Тимофеева,Андрей Юрьевич Базаркин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет пищевых производств" Министерства образования Российской Федерации. Дата публикации: 2010-01-10.

Independent self-cooled nanoinstrument and its formation method

Номер патента: RU2555512C2. Автор: Александр Геннадьевич Кузин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2015-07-10.

Formation method of two-dimensional linear high-frequency electric field, and device for its implementation

Номер патента: RU2497226C1. Автор: Евгений Васильевич Мамонтов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2013-10-27.

Radar absorbent covering formation method

Номер патента: RU2429062C1. Автор: Андрей Юрьевич Андрюшкин,Андрей Юрьевич Андрюшкин (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. Д.Ф. Устинова (БГТУ "ВОЕНМЕХ"). Дата публикации: 2011-09-20.

Formation method of films of photonic crystals (pc) on conducting substrates

Номер патента: RU2371525C2. Автор: Наталья Анатольевна Григорьева,Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Юрий Дмитриевич Третьяков,Сергей Валентинович Григорьев,Нина Александровна Саполетова. Владелец: Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН. Дата публикации: 2009-10-27.

Formation method of ready-made canopy structures

Номер патента: RU2436920C1. Автор: Нодарик Левонович Заников,Олег Борисович Шерстинов. Владелец: Олег Борисович Шерстинов. Дата публикации: 2011-12-20.

Formation method of directivity diagram in antenna system with electronic control of beam

Номер патента: RU2395141C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Николай Николаевич Баринов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2010-07-20.

Formation method of edges of machine parts

Номер патента: RU2464357C1. Автор: Геннадий Викторович Москвитин,Владимир Евгеньевич Архипов,Анатолий Федорович Лондарский,Аскольд Филиппович Мельшанов,Максим Сергеевич Пугачев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт машиноведения им. А.А. Благонравова РАН. Дата публикации: 2012-10-20.

Metal-dielectric-semiconductor structure based on a3b5 compounds and its formation method

Номер патента: RU2420828C1. Автор: Александр Александрович Гузев,Анатолий Петрович Ковчавцев,Валерий Геннадьевич Кеслер,Зоя Васильевна Панова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2011-06-10.

Object navigational information formation method

Номер патента: RU2427800C1. Автор: Татьяна Юрьевна Дубинко,Сергей Юрьевич Дорошенко,Михаил Николаевич Вестерский. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2011-08-27.

Water-based ink, ink-jet depositing method, ink cartridge, ink depositing unit, jet device for depositing ink and image formation method

Номер патента: RU2377265C2. Автор: Микио САНАДА,Кацухико ТАКАХАСИ,Масаси ОГАСАВАРА,Томонари ВАТАНАБЕ,Юи ТОКУДА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-12-27.

Formation method of thermal protective coating on parts of gas turbines from nickel and cobalt alloys

Номер патента: RU2479666C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Сергей Петрович Павлинич,Анатолий Михайлович Смыслов,Юрий Михайлович Дыбленко,Марина Константиновна Смыслова,Дамир Рамилевич Таминдаров,Михаил Юрьевич Дыбленко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология". Дата публикации: 2013-04-20.

Formation method of protective coating, and composition for coating

Номер патента: RU2454842C1. Автор: Василий Дмитриевич Мушенко,Ольга Васильевна Кудрявцева,Игорь Анатольевич Васильев. Владелец: Открытое акционерное общество "Технологическое оснащение". Дата публикации: 2012-06-27.

FORMATION METHOD OF HEAT-RESISTANT COATINGS ON BASIS OF NICKEL ALUMINIDE (NiAl)

Номер патента: RU2507310C1. Автор: Александр Иванович Ковтунов,Татьяна Владимировна Чермашенцева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тольяттинский государственный университет". Дата публикации: 2014-02-20.

Electron-dynamic projectile, method for its formation, methods for its acceleration and gun for fire by electron-dynamic projectiles

Номер патента: RU2279624C2. Автор: Владимир Степанович Никитин. Владелец: Владимир Степанович Никитин. Дата публикации: 2006-07-10.

Formation method of compound blast

Номер патента: RU2364828C1. Автор: Виктор Сергеевич Федотенко,Сергей Михайлович Федотенко,Сергей Вадимович Кокин. Владелец: Сергей Вадимович Кокин. Дата публикации: 2009-08-20.

Formation method of tungsten-carbon-copper coatings on copper contact surfaces

Номер патента: RU2464354C1. Автор: Денис Анатольевич Романов,Евгений Александрович Будовских,Виктор Евгеньевич Громов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2012-10-20.

Номер патента: RU2485359C1. Автор: Сергей Иванович Погорелов,Артем Вячеславович Рыженков,Вячеслав Алексеевич Рыженков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ". Дата публикации: 2013-06-20.

Formation method of signals and information transmission in backward channel of radar identification system

Номер патента: RU2543514C2. Автор: Александр Викторович Макарычев,Сергей Борисович Жиронкин,Игорь Юрьевич Жуков,Николай Евтеевич Левицкий. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-03-10.

Номер патента: RU2485360C1. Автор: Сергей Иванович Погорелов,Артем Вячеславович Рыженков,Вячеслав Алексеевич Рыженков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ". Дата публикации: 2013-06-20.

Formation method of measurement data packages of cable-free telemetric system during well drilling

Номер патента: RU2478992C2. Автор: Алексей Евгеньевич Ковалев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БИТАС". Дата публикации: 2013-04-10.

Liquid explosive formation method

Номер патента: RU2464254C1. Автор: Александр Артурович Добрынин,Иван Александрович Добрынин. Владелец: Иван Александрович Добрынин. Дата публикации: 2012-10-20.

Formation method of navigation radio signals of navigation space vehicles (nsv) at geostationary orbit (gso), and/or navigation space vehicles (nsv) at geosynchronous inclined orbit (gsio) using ground stations, and system for its implementation

Номер патента: RU2474845C1. Автор: Юрий Матэвич Урличич,Вячеслав Владимирович Дворкин,Сергей Николаевич Карутин. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2013-02-10.

Formation method of electroconductive tracks on substrate

Номер патента: RU2468549C1. Автор: Леонид Викторович Воронцов,Владимир Евгеньевич Филимонов. Владелец: Владимир Евгеньевич Филимонов. Дата публикации: 2012-11-27.

Formation method of missile control at direction to group of manoeuvring targets

Номер патента: RU2464520C2. Автор: Олег Александрович Толпегин,Татьяна Юрьевна Емельянова,Олег Александрович Толпегин (RU),Татьяна Юрьевна Емельянова (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. Д.Ф. Устинова (БГТУ "ВОЕНМЕХ"). Дата публикации: 2012-10-20.

Formation method of outside splines by surface plastic deformation

Номер патента: RU2469834C1. Автор: Юрий Сергеевич Степанов,Андрей Викторович Киричек,Борис Иванович Афанасьев,Николай Николаевич Самойлов,Владимир Валерьевич Морин. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Государственный университет - учебно-научно-производственный комплекс" (ФГОУ ВПО "Госуниверситет - УНПК"). Дата публикации: 2012-12-20.

Formation method of nanocrystalline surface coating in material of products form metallic alloys

Номер патента: RU2385968C2. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Сергей Петрович Павлинич,Анатолий Михайлович Смыслов,Юрий Михайлович Дыбленко,Марина Константиновна Смыслова,Константин Сергеевич Селиванов. Владелец: ООО "НПП Уралавиаспецтехнология". Дата публикации: 2010-04-10.

Formation method of channel for transmission of optic signal between components of electronic module

Номер патента: RU2561202C2. Автор: Владимир Степанович Верба,Леонид Викторович Воронцов,Дмитрий Александрович Даниленко,Александр Давыдович Слонимский. Владелец: Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега". Дата публикации: 2015-08-27.

Heating surface plate with no positive temperature coefficient characteristic in the heating resistance flakes to prevent local heating and low resistance change until the set temperature

Номер патента: TW365103B. Автор: Hidekazu Shimomori. Владелец: Idemitsu Kosan Co. Дата публикации: 1999-07-21.

Low-resistance, medium-resistance and high-resistance grounding fault type recognition method of power transmission line

Номер патента: CN103197201B. Автор: 林富洪,曾惠敏. Владелец: Maintenance Branch of State Grid Fujian Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-03.

Manufacturing method of negative temperature coefficient thermistor with high precision resistance using thick-film material with low resistivity and high resistance temperature coefficient

Номер патента: TW201643901A. Автор: wen-xi Li. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2016-12-16.

FinFET low resistivity contact formation method

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты